N motako JFET transistore baten estruktura
**Loturazko eremu-efektu transistorea** —ingelesez:*Junction Field-Effect Transistor, **JFET***— hiru terminaleko gailu elektroniko bat da eta elektronikoki kontrolatutako etengailu, anplifikadore edo tentsioren bidez kontrolatutako erresistentzia gisa erabil daiteke. Hiru terminal horiei atea (G), drainatzailea (D) eta iturria (S) deritze. JFET transistoreak, transistore bipolarrak ez bezala, tentsiorekin kontrolatuta denez, ez du polarizazio-korrontearik behar. Karga elektrikoa drainatzaile eta iturriaren artean dagoen N edo P motako arteka semikonduktorearen bidez doa. Alderantzizko tentsio elektriko bat aplikatzean sarrerako terminalean, arteka estutu egiten da eta erresistentzia gehiago suposatzen dio korronteari.

JFET transistorea N motako edo P motako arteka bat eduki daiteke. N motakoetan, atean jarritako tentsio elektrikoa negatiboa bada iturriarekiko, korrontea gutxitu egingo da. Era berean, hori gertatzeko P motakoetan, sarreran aplikatutako tentsioa positiba izan behar da. JFET transistoreak sarrerako inpedantzia handia du, 1010 ohm ingurukoa. Beraz, efektu baztergarria dauka atean konektatutako beste zirkuito eta osagai elektronikoekin konparatuta.

N motako JFETaren ikurra
P motako JFETaren ikurra

Historia
--------

William Shockleyek eremu-efektu transistore baten patentea eskaera egin zuen lehen aldiz 1951n. Datorren urtean, George Clement Daceyek eta Ian Rossek, Bell Laborategietako bi langilek, arrakasta izan zuten gailu hori fabrikatzen eta patentearen eskaera egin zuten 1952ko urriaren 31n.

Estruktura
----------

JFET transistorea material erdieroale batekin egindako arteka batez osatuta dago. Arteka hori karga elektriko positibo ugaritasunarekin (P motako arteka) edo negatiborekin (N motako arteka) dopatuta dago. Kontatku ohmikoak daude iturriaren (S) , drainatzaileren (D) eta atearen (G) muturretan. N motakoetan, arteka iturritik drainatzailera doa bi P motako eremuen artean, PN lotura bat osatuz. P motako JFET transistoretan eremu horiek atzekoz aurrera jarrita daude.

Konparaketa beste transistoreekin
---------------------------------

Giro-temperaturan, JFETaren ateko korrontea, MOSFETarena antzekoa da eta askoz txikiagoa transistore bipolarren entxufe-oinaren korrontearekin konparatuta. JFET transistorea irabazi handiagoa du MOSFET baino, baita keinu-hots gutxiago ere. Beraz, hots baxuko inpedantzia handiko anplifikadore operazionaletan erabiltzen dira.

Ekuazioak
---------

Ezkerraldean: JFET transistorearen sarrerako grafika

Eskuinaldean: JFET transistorearen irteerako grafika. 
### Sarrera-ekuazioak

Transistorearen sarrerako grafikaren bidez, JFET transistorearen funtzionamendua azaltzen duten espresio analitikoak ondoriozta daitezke. Beraz, espresio desberdinak daude funtzionamendu-zona bakoitzarako.

ID-ko balio-limiteen kurba, espresio honen bidez dago adierazita:


I

D

=

I

D
S
S

(

1
−

V

G
S

V

P


)

2

{\displaystyle I\_{D}=I\_{DSS}\left(1-{\frac {V\_{GS}}{V\_{P}}}\right)^{2}}

{\displaystyle I_{D}=I_{DSS}\left(1-{\frac {V_{GS}}{V_{P}}}\right)^{2}}
Kurba horretan dauden puntuak asetazun zonan dagoen ID korrontea eta VGS tentsioa adierazten dute. Aldi berean, kurba honen azpian dauden puntuak ohm-eremua adierazten dute.

### Irteera-ekuazioak

Irteerako grafikoan JFETak korrontearen igaroa ahaltzen dituen bi egorea nabarmen daiteke. Hasieran, drainatzaileko korrontea eta tentsioa progresiboki handitzen dira. Kurba horren espresioa ondorengoa da:


I

D

=
k
[
2

V

D
S

(

V

G
S

−

V

P

)
−

V

D
S

2

]

{\displaystyle I\_{D}=k[2V\_{DS}(V\_{GS}-V\_{P})-V\_{DS}^{2}]}

{\displaystyle I_{D}=k[2V_{DS}(V_{GS}-V_{P})-V_{DS}^{2}]}
K balioa honako espresioa adierazten du:



k
=

I

D
S
S

V

P

2



{\displaystyle k={\frac {I\_{DSS}}{V\_{P}^{2}}}}

{\displaystyle k={\frac {I_{DSS}}{V_{P}^{2}}}}
Beraz, ondorengoa suposa daiteke:


I

D

=

V

D
S

R

O
N



{\displaystyle I\_{D}={\frac {V\_{DS}}{R\_{ON}}}}

{\displaystyle I_{D}={\frac {V_{DS}}{R_{ON}}}}
Ron erresistentziaren balioa formula honek adierazten du:


R

O
N

=

1

k
2

(

V

G
S

−

V

P

)


{\displaystyle R\_{ON}={\frac {1}{{\frac {k}{2}}(V\_{GS}-V\_{P})}}}

{\displaystyle R_{ON}={\frac {1}{{\frac {k}{2}}(V_{GS}-V_{P})}}}
Zona horretan, transistorea Ron balioko erresistentzia baten truke ordezka daiteke. Geratzen den ID eta VDS arteko erlazio matematikoa Ohmen legearen bidez azter daiteke. Hori dela eta, zona horri ohm-eremua deritzo eta zona honetan zehazten duen VDs-ko balioa ondorengoa da:


V

D
S

=

V

G
S

−

V

P

{\displaystyle V\_{DS}=V\_{GS}-V\_{P}}

{\displaystyle V_{DS}=V_{GS}-V_{P}}
JFETaren asetazun-korrontea, IDSAT :


I

D
S
A
T

=

k
2

(

V

G
S

−

V

P

)

2

{\displaystyle I\_{DSAT}={\frac {k}{2}}(V\_{GS}-V\_{P})^{2}}

{\displaystyle I_{DSAT}={\frac {k}{2}}(V_{GS}-V_{P})^{2}}

Ikus, gainera
-------------

* Transistore bipolar
* MOSFET

Kanpo estekak
-------------

* (Ingelesez) Fisika 111 Laborategia-JFET-zirkuitoak I pdf.
* (Ingelesez) N motako JFET transistorearen simulazioa 

| 
	+ i
	+ e
	+ aOsagai elektronikoak |
| --- |
| Gailuerdieroaleak | 

|  |  |
| --- | --- |
| MOS tansistoreak | 

	+ 3D transistore (MuGFET)
	+ BiCMOS
	+ BioFET
	+ Chemical field-effect transistor (ChemFET)
	+ Complementary MOS (CMOS)
	+ HMOS
	+ FinFET
	+ Floating-gate MOSFET (FGMOS)
	+ IGBT
	+ ISFET
	+ LDMOS
	+ MOSFET
	+ NMOS
	+ Pelikula finen transistore (TFT)
	+ PMOS
	+ Power MOSFET
	+ VMOS
 |
| Beste transistore batzuk | 

	+ Darlington transistore
	+ Difusio transistore
	+ Eremu-efektuko transistore (FET)
	+ Eremu-efektuko transistore organiko (OFET)
	+ Indukzio estatikoko transistore (SIT)
	+ JFET
	+ Kontaktu transistore
	+ Lotura bakarreko transistore (UJT)
	+ Pentode transistore
	+ PUT
	+ Tetrode transistorea
	+ Transistore argi-emaile (LET)
	+ Transistore argi-emaile organiko (OLET)
	+ Transistore bipolar (BJT)
 |
| Diodoak | 

	+ Diodo artezle
	+ Elur-jausi diodo
	+ Fotodiodo
	+ Korronte konstanteko diodo (CLD, CRD)
	+ Laser-diodo (LD)
	+ LED diodo (LED)
	+ OLED
	+ PIN diodo
	+ Schottky diodo
	+ Zener diodo
 |
| Beste gailu batzuk | 

	+ 3D txip (3D IC)
	+ DIAC
	+ Erdieroale organiko
	+ Fotodetektagailu
	+ Indukzio estatiko tiristore (SITh)
	+ Memistore
	+ Memoria gelaxka
	+ Memristore
	+ MOS txip (MOS IC)
	+ RF CMOS
	+ Seinale mistoko zirkuitu
	+ Siliziozko artezgailu kontrolatu (SCR)
	+ Solaristore
	+ Tiristore
	+ TRIAC
	+ Txip
	+ Varicap
	+ Varicap muga heteroegitura
	+ Zirkuitu kuantiko
 |

 |
| Tentsio-erregulagailuak | 

	+ Buck
	+ Boost
	+ Buck–boost
	+ Ćuk
	+ Erregulagailu lineal
	+ Erorketa txikiko erregulagailu
	+ Iturri kommutatu
	+ Kapazitate kommutatuko zirkuitu
	+ SEPIC
	+ Split-pi
	+ Tentsio-biderkagailu
 |
| Balbula termoionikoak | 

	+ Acorn balbula
	+ Audioi
	+ Izpi zuzenduko tetrodo
	+ Hari beroko barretore
	+ Compactron
	+ Diodo termoioniko
	+ Fleming balbula
	+ Nonodo
	+ Nuvistor
	+ Pentagrid konbertsore (Hexodo, Heptodo, Oktodo)
	+ Pentodo
	+ Hodi fotomultiplikatzaile
	+ Fototutu
	+ Tetrodo
	+ Triodo
 |
| Balbula termoionikoak (RF) | 

	+ Atzeranzko-uhin oszilatzaile (BWO)
	+ Eremu gurutzatuko anplifikatzaile (CFA)
	+ Girotroi
	+ Klistrodo (IOT)
	+ Klistroi
	+ Magnetroi
	+ Maser
	+ Sutton hodi
	+ Uhin progresiboko tutu (TWT)
 |
| Izpi katodikozko hodiak | 

	+ Izpi deflexio hodi
	+ Charactron
	+ Ikonoskopio
	+ Begi magiko
	+ Monoskopio
	+ Selektroi
	+ Gordetze tutu
	+ Nixie tutu
	+ Bideokamera tutu
	+ Williams tutu
 |
| Gasez betetako tutuak | 

	+ Dekatroi
	+ Ignitron
	+ Katodo hotz
	+ Kritroi
	+ Krosatroi
	+ Merkurio arkuzko balbula
	+ Neon lanpara
	+ Nixie tutu
	+ Tiratroi
	+ Trigatroi
	+ Tutu tentsio-erregulatzaile
 |
| Erregulagarriak | 

	+ Kondentsadore erregulagarri
	+ Potentziometro
	+ Potentziometro digital
	+ Varicap
 |
| Pasiboak | 

	+ Alanbre
	+ Audio eta bideo konektore
	+ Detektore elektrolitiko
	+ Erresistentzia
	+ Etengailu
	+ Ferritazko nukleo
	+ Fusible
	+ Fusible berrabiaragarri
	+ Kable elektriko
	+ Loki
	+ RF
	+ Termistore
	+ Transformadore
	+ Varistore
	+ Wollaston hari
 |
| Erreaktiboak | 

	+ Errele
	+ Haril
	+ Kondentsadore elektriko
	+ (motak)
	+ Kristalezko oszilatzaile
	+ Merkuriozko errele
	+ Parametroi
	+ Reed errele
	+ Zeramikazko erresonadore
 |