Monokristallilisest ränist päikeseelement
Polükristallilisest ränist päikeseelemendid päikesemoodulis
**Päikeseelement** ehk **fotogalvaaniline element** (inglise keeles *solar cell* või *photovoltaic cell*) on fotoelektriline seadis, mis valguskiirgust absorbeerides (neelates) muundab valgusenergia vahetult elektrienergiaks.. Muundamine toimub pooljuhtmaterjalis – absorbermaterjalis – moodustatud pn-siirdes.

Valgust neelava ja muundava kihi paksuse järgi jagunevad päikeseelemendid paksu- ja õhukesekihilisteks. Valdava turuosa maailmas hõivavad paksukihilised päikeseelemendid ja umbes 5 % õhukesekihilised (2020). Viimaseid tuntakse üldiselt õhukesekileliste päikeseelementidena (inglise keeles *thin-film solar cell*), 

Paksukihilised elemendid valmistatakse kristallilisest ränist 150–200 mikromeetri paksuste plaatidena (inglise keeles *wafer*). Kristallilisest ränist elementides moodustab valgust neelav ja muundav kiht räniplaadi pealispinnas 10–100 µm (olenevalt räni kristallistruktuurist). Õhukesekilelistel elementidel võib kile olla sada korda õhem. 

Ühe päikeseelemendi elektromotoorjõud (avatudahelapinge) on 0,6–0,7 V ja tööpinge keskmiselt 0,5 V. Elemendi arendatav võimsus sõltub valgust absorbeeriva pinna suurusest ja on kristallilisest ränist elementide korral keskmiselt 160 W/m2 (standardtingimustel). Elemendi plaadi levinud küljepikkus on 156 mm.

Nõutava pinge ja võimsuse saamiseks ühendatakse vajalik arv elemente järjestikku (jadaühendusse). Läbipaistva pealispinnaga kaitsekesta paigaldatud elemendid moodustavad päikesemooduli. Harilikult ühendatakse jadamisi 60 elementi, nii et saadakse moodul tööpingega 30 V. Suurema võimsuse saamiseks ühendatakse moodulid päikesepaneeliks.

Vahel nimetatakse päikeseelementideks ekslikult ka päikesekollektori elemente. Need elemendid aga ei tooda elektrivoolu, vaid salvestavad energiat soojusena boileris.

Materjalid
----------

Päikeseelemente nimetatakse tavaliselt selle pooljuhtmaterjali järgi, millest nad on valmistatud. Kasutatava pooljuhtmaterjali alusel jaotatakse päikeseelemendid esimese, teise ja kolmanda generatsiooni ehk põlvkonna elementideks.

Esimese põlvkonna elemendid, mida kutsutakse ka traditsioonilisteks, valmistatakse kristallilisest mono- või polükristallilisest ränist.

* Monokristallilised elemendid valmistatakse räni monokristallist (c-Si) saetud õhukestest plaatidest. Nende kasutegur (energia muundamise efektiivsus) võib olla üle 25 %, kuid nende tootmine on kulukas.
* Polükristallilisest ränist (poly-Si või mc-Si) elemendid on samuti ränikristallist, kuid kristallid pole ühtlaselt orienteeritud kristallistruktuuriga. Need elemendid on väiksema kasuteguriga (18 % ringis), kuid odavamad valmistada ja seetõttu kõige laiemalt kasutusel.

Teise põlvkonna elementides on valguskiirgust absorbeerivaks materjaliks peamiselt mikrokristalliline räni (µc-Si) või amorfne räni (a-Si:H), harvemini kaadmiumtelluriid (CaTe), vaskindiumgalliumseleniid (CIGS) vm. Sorbentmaterjal sadestatakse aurufaasist õhukese kilena alusmaterjalile. Niisugustel elementidel põhinevadid päikesepaneelid on näiteks kasutel päikeseeletrijaamades. Amorfset ja mikrokristallilist räni kasutatakse ka kombineeritult muude mineraalsete pooljuhtidega mitmekihiliste, nn tandempaikeseelementide tootmiseks.

Kolmanda põlvkonna päikeseelemendid on enamasti uurimis- ja arendusjärgus. Absorbermaterjalidena uuritakse mitmesuguseid anorgaanilisi ja metallorgaanilisi ühendeid, et luua efektiivseid stabiilsete omadustega päikeseelemente ja ühtlasi vähendada tootmiskulusid. Rakendatakse õhukese tahkiskile tehnoloogiaid: valgust neelav materjal kantakse ühe või mitme väga õhukese, nanomeetrites mõõdetava kihina alusmaterjalile, milleks võib olla klaas, plast või metall.

Talitluspõhimõte
----------------

Päikeseelement on tööpõhimõttelt suurepinnaline fotodiood, mida kasutatakse fotogalvaanilises (vooluallika) režiimis. Elemendi pn-siirdele langeva valguse footonite energia kandub üle räniaatomite valentsitsooni elektronidele, mis on tuumaga lõdvalt seotud. Need elektronid tõusevad juhtivustsooni, jättes valentsitsooni augud. Juhtivustsooni elektronid ja vastavad positiivse laenguga augud on vabalt liigutatavad. Need laengukandjad paneb liikuma pooljuhtmaterjalis loodud pn-siirde sisemine ruumlaengu elektriväli, vt fotogalvaaniline efekt. Vabad elektronid liiguvad sisemise elektrivälja mõjul elemendi anoodile ja elektronidest jäänud augud katoodile. Tulemusena tekib päikeseelemendi klemmide vahel potentsiaalide vahe – pinge. Kui kontaktide vahele ühendada elektritarviti, liiguvad elektronid elektrivooluna läbi tarviti. Pinge päikeseelemendielemendi elektroodide vahel ja vool elemendiga ühendatud koormusel püsib, kuni valguskvandid genereerivad järjest uusi vabu laengukandjaid.

Olenevalt päikeseelemendi ehitusest võib fotovoolu põhjustada kas ainult laengukandjate triiv (nende suunatud liikumine) või siis lisaks ka laengukandjate difusioon, nagu paksukihilises päikeseelemendis.

Elektromotoorjõu tekkimist pn-siirdes valguskvantide toimel nimetatakse fotogalvaaniliseks efektiks, ka ventiilfotoefektiks.

Polükristallilisest ränist päikeseelemendi tööpõhimõtet selgitav struktuur  

Valgus langeb pn-siirde ruumlaengu (*Raumladungszone*) piirkonda, kus footonid löövad räniaatomist välja elektrone. Tekivad paarikaupa vabad laengukandjad – elektronid ja augud (*Loch*). Need liiguvad pn-siirde elektrivälja (*E-Feld*) mõjul vastassuundades: elektronid elemendi esiküljekontaktile (*Frontkontakt*) ja augud tagaküljekontaktile (*Rückseitenkontakt*), nii et kontaktide vahel tekib elektromotoorjõud (u 0,6 V)

Tunnussuurused
--------------

Päikeseelemendi tunnussuurused antakse standardtingimustel STC (Standard Test Conditions), mis on järgmised:

* kiiritustihedus (vt Radiatsioon) mooduli tasapinnas 1000 W/m²;
* päikeseelemendi temperatuur püsivalt 25 °C;
* kiirgusspekter AM 1,5 global (sarnaneb 35. laiuskraadi suvise päikesevalguse spektriga temperatuuril 25 °C).

Tunnussuuruste indeksitena on kasutusel järgmised inglise keele sõnade lühendid;

* SC *Short Circuit* – lühisahel, lühis;
* OC *Open Circuit* – avaahel, tühijooks;
* MPP *Maximum Power Point* – maksimaalsele võimsusele vastav tööpunkt;
* PR *Performance Ratio* – kvaliteeditegur, mis näitab tegelikult kasutada olevat osa elemendi voolust.

Päikeseelementi iseloomustatakse järgmiste parameetritega:

* avatudahelapinge {\displaystyle U\_{\mathrm {OC} }} (ingliskeelses tekstis {\displaystyle V\_{\mathrm {OC} }});
* lühisvool {\displaystyle I\_{\mathrm {SC} }};
* optimaalsele tööpunktile vastav pinge {\displaystyle U\_{\mathrm {MPP} }} ({\displaystyle V\_{\mathrm {MPP} }});
* tööpunktis saavutatavale suurimale võimsusele vastav vool {\displaystyle I\_{\mathrm {MPP} }}
* suurim võimsus {\displaystyle P\_{\mathrm {MPP} }} (standardtingimustel), mõõtühiku tähis kWp (*Kilowatt-peak*), ka Wp;
* täitetegur {\displaystyle FF={\frac {P\_{\mathrm {MPP} }}{U\_{\mathrm {OC} }\cdot I\_{\mathrm {SC} }}}};
* elemendi võimsuse temperatuuritegur {\displaystyle TK\ P\_{\mathrm {MPP} }}, tüüpiliselt väheneb võimsus temperatuuril üle 25 °C keskmiselt 0,4 % iga kraadi kohta;
* Elemendi kasutegur {\displaystyle \eta ={\frac {P\_{\mathrm {MPP} }}{A\cdot E\_{\mathrm {e} }}}}, kus {\displaystyle A} on kiiritatav pindala ja {\displaystyle E\_{\mathrm {e} }} kiiritustihedus.

Kasutegur
---------

Päikesaeelemendi kasutegurit {\displaystyle \eta } iseloomustab genereeritava elektrilise võimsuse {\displaystyle P\_{\text{elektriline}}} ja elemendile langeva valguskiirguse võimsuse {\displaystyle P\_{\text{valgus}}} suhe:

{\displaystyle \eta ={\frac {P\_{\text{elektriline}}}{P\_{\text{valgus}}}}}.
Seda suhet väljendatakse harilikult protsentides.

Valguskiirguse sagedusriba optimaalse ärakasutamise korral võib kasuteguri piir olla 41 %. Sellele piirile võib kõige lähemale jõuda tandemelement, Enamikus praktilistes rakendustes ei ületa kasutegur 25 %. Kasutegurit saab oluliselt suurendada valguse optilise kontsentreerimisega elemendile.

Päikeseelementide kasutegur (2018)| Materjal | Elemendi maksimaalne kasutegur laboris | Elemendi maksimaalne kasutegur saritootmisel | Päikesemooduli kasutegur (keskmiselt) | Vajalik valgustatav pind kW kohta |
| --- | --- | --- | --- | --- |
| Monokristalliline räni | 26,1 % | 24 % | 19 % | 5,3 m² |
| Polükristalliline räni | 22,3 % | 20 % | 17 % | 5,9 m² |
| Amorfne räni | 14,0 % | 8 % | 6 % | 16,7 m² |
| CIGS | 22,6 % | 16 % | 15 % | 6,7 m² |
| CdTe | 22,1 % | 17 % | 16 % | 6,3 m² |
| Kontsentraatorelement | 46,0 % | 40 % | 30 % | 3,3 m² |

Päikeseelemendi ajalugu
-----------------------

Fotogalvaanilist efekti demonstreeris eksperimentaalselt prantsuse füüsik Alexandre-Edmond Becquerel 1839. aastal. 19-aastaselt ehitas Becquerel oma isa laboratooriumis esimese fotogalvaanilise elemendi. Alles 1883. aastal ehitas Charles Fritts esimese tahke fotogalvaanilise elemendi, siirete saavutamiseks kattis ta üliõhukese kihi kullaga seleenpooljuhi. Seadme efektiivsus oli ainult 1%. 1888. aastal ehitas vene füüsik Aleksandr Stoletov esimese fotoelektrilise elemendi, mis põhines 1887. aastal Heinrich Hertzi avastatud fotoelektrilisel efektil.

1905. aastal seletas saksa füüsik Albert Einstein fotoefekti olemust – metalli pinnale langeva footoni energia kulub elektroni väljalöömise tööks ja sellele elektronile kineetilise energia andmiseks. Einstein sai selle eest 1921. aastal Nobeli füüsikaauhinna. 1940. aastal avastas USA uurimisinstituudi Bell Labs füüsik Russel Ohl räni pn-siirde ja sellel asetleidva fotoelektrilise efekti, kuid ka selle kasutegur oli alla 1%. Pärast Teist maailmasõda patenteeris Ohl 1946. aastal esimese moodsa päikeseelemendi.

Esimese praktilise päikeseelemendi arendasid Daryl Chapin, Calvin Souther Fuller ja Gerald Pearson 1954. aastal uurimisinstituudis Bell Labs. Räni sihipärase doteerimise teel valmistati praktiliseks kasutamiseks sobiv päikeseelement kasuteguriga ligikaudu 6%. Võrreldes seleenil põhinevate elementidega, millel oli raskusi saavutamaks efektiivsust 0,5%, oli edusamm suur. Esialgu kasutati neid päikeseelemente mänguasjades ja teistes vähestes rakendustes, kuna elektritootlikkuse ja hinna suhe oli väga madal. 1956. aastal maksid päikesepaneelid võimsusega 1 vatt ligikaudu 300 dollarit, samas elektrijaama tootmisvõimsuse vatt maksis 0,5 dollarit.

Umbusuga suhtuti ettepanekusse paigaldada päikeseelemendid satelliidile Vanguard I, mis lennutati orbiidile 1958. aastal. Esialgu oli plaanis varustada satelliit patareitoitega, mille tühjenemise tõttu hinnati satelliidi eluiga lühikeseks. Lisades aga satelliidile päikeseelemendid, oli võimalik satelliidi missiooni aega oluliselt pikendada ilma suuremate põhimõtteliste muudatusteta satelliidile. Esialgne skeptitsism asendus peagi suure eduga ning päikeseelemendid võeti kiiresti kasutusele paljudes satelliitides. Märkimist väärib, et 1962. aasta juulis varustati 3600-elemendilise päikesepatareiga Bell Labsi enda sidesatelliit Telstar 1.

Järgmisel kahel aastakümnel olid edusammud aeglased. Ainukesena levis päikeseelementide kasutuselevõtt kosmoseteaduses, kus tänu nende kaalu ja võimsuse vahekorrale edestasid nad konkureerivaid tehnoloogiaid. Kuid see edu tingis ka aeglase arenemise, nimelt oldi kosmoseteaduses valmis maksma kõike parimate võimalike elementide eest. Seega polnud põhjust investeerida odavamatesse võimalustesse, kui see oleks vähendanud efektiivsust. Päikeseelementide hinna määras suuresti pooljuhttööstus. Nende üleminek integraallülitustele 1960ndatel tingis suuremate toorikkristallide saadavuse odavamate hindadega, mis viis ka lõpuks päikeseelementide hinnalanguseni. Siiski oli eelnimetatud efekt piiratud ja 1971. aastal maksis 1 vatt päikeseelementidel saadud võimsust ligikaudu 100 dollarit.

Pärast Elliot Bermani päikeseelementide tootmiskulude langetamist ligi kümnele dollarile (jaemüügihind 20 dollarit), on edasised täiendused langetanud tootmiskulude hinda 1 dollarini vati ja jaemüügihinda 2 dollarini vati kohta. Päikesepaneele toetavad komponendid ja süsteemid maksavad rohkem kui paneelid ise.

Nii nagu pooljuhttööstus on läinud üha suuremate toorikkristallide peale, on ka päikeseelemendid muutunud suuremaks. 1977. aastal päikesepaneelide ehitamisele spetsialiseerinud ARCO Solari paneelides kasutati elemente, mille diameeter oli vahemikus 51–100 mm. 1990. aastatel ja 2000. aastate alguses kasutati paneelides tavaliselt pooljuhtplaate diameetriga 125 mm ning alates 2008. aastast kasutatakse enamikus uutes päikesepaneelides elemente diameetriga 150 mm. LCD-, plasma- ja muude lameekraanide võidukäik 1990. aastate lõpus ja 2000. aastate alguses viis suuremõõtmeliste kõrgekvaliteediliste klaaslehtede saadavuseni, mis võeti peatselt kasutusele ka päikesepaneelide katmisel.

1990ndatel said päikeseelemendid üha populaarsemakspolükristallilisest ränist (*polysilicon*). Need elemendid on väiksema efektiivsusega kui monokristallilisest ränist päikeseelemendid, kuid polükristallilise räni kasvatamise tõttu suurtes vaatides, on tootmiskulud oluliselt madalamad. 2000. aastate keskel domineerisid polükristallilisest ränist elemendid odavamate paneelide turul, kuid mitmete tegurite tõttu on kõrgema efektiivsusega monokristallilisest ränist elemendid läinud üha laiemasse kasutusse.

Vaata ka
--------

* Õhukesekileline päikeseelement
* Tandempäikeseelement

Viited
------

1. ↑  "ESTERM". Vaadatud 08.10.2012.
2. ↑  "Tõlkimise ja määratluse "photovoltaic cell", sõnaraamat inglise-eesti Internetis" (inglise-eesti). Vaadatud 07.10.2012.`{{netiviide}}`: CS1 hooldus: tundmatu keel (link)
3. ↑  "The Photovoltaic Effect" (inglise). www.photovoltaics.sandia.gov/. Originaali arhiivikoopia seisuga 21.07.2011. Vaadatud 07.10.2012.
4. ↑   Photovoltaics Report, Fraunhofer ISE. Vaadatud 25.9.2021
5. ↑  "Päikesekollektorid". päikeseenergia.eu. Originaali arhiivikoopia seisuga 26.06.2012. Vaadatud 07.10.2012.
6. ↑  "Päikeseenergia saksa-eesti valiksõnastik" (PDF). Tartu: Siiri Aluoja. 2011. Vaadatud 07.10.2012.
7. ↑  "Tõkkekiht-fotoelement". *Tallinna Tehnikaülikool*. Tallinn. Füüsikainstituut. Vaadatud 07.10.2012.[*alaline kõdulink*]
8. ↑  "Sustainable Energy System Engineering" (inglise). McGraw-Hill Prof Med/Tech. 10.10.2006. Vaadatud 07.10.2012.
9. 1 2  "Fotoelektrilised muundurid" (PDF). *Tallinna Tehnikaülikooli elektriajamite ja jõuelektroonika instituut*. Endel Risthein. 2007 Koht =. Originaali (PDF) arhiivikoopia seisuga 28.12.2013. Vaadatud 07.10.2012. `{{netiviide}}`: kontrolli kuupäeva väärtust: `|aeg=` (juhend); puuduv püstkriips kohas: `|aeg=` (juhend)
10. ↑  "Patent number: 2402662" (inglise). 25.06.1946. Light-sensitive electric device. Vaadatud 07.10.2012.
11. ↑  "The Silicon Solar Cell Turns 50" (PDF) (inglise). National Renewable Energy Laboratory. August 2004. By John Perlin. Vaadatud 07.10.2012.
12. 1 2  "From the Sun giving us energy "Solar PV's History" Awakens". *Examiner.com* (inglise). Robert Benedict. 17.09.2012. Vaadatud 08.10.2012.
13. ↑  "Harnessing Light: Optical Science and Engineering for the 21st Century" (inglise). Committee on Optical Science and Engineering, National Research Council. 1998. Vaadatud 07.10.2012.
14. ↑  "Balance of System" (inglise). US Department of Energy. Originaali arhiivikoopia seisuga 4. mai 2008. Vaadatud 07.10.2012.
15. ↑  "Pooljuhtkomponentide simuleerimine arvutil" (PDF). *Tallinna Tehnikaülikool*. Tallinn: Raido Kurel. 2003. Vaadatud 07.10.2012.