**অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড অ্যান্টিমোনাইড** বা **AlAsSb** (AlAs1-xSbx) একটি ত্রি-পরিবাহী III-V অর্ধপরিবাহী যৌগ। যৌগটিকে অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড (AlAs) এবং অ্যালুমিনিয়াম অ্যান্টিমোনাইডের (AlSb) একটি সংকর হিসাবে বিবেচনা করা যেতে পারে। সংকর ধাতুটি আর্সেনিক এবং অ্যান্টিমনির যেকোনো অনুপাত নিয়ে গঠিত হতে পারে। অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড অ্যান্টিমোনাইড সাধারণত যেকোনো অনুপাতে গঠিত সংকর ধাতুকে বোঝায়।

প্রস্তুতি
---------

অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড অ্যান্টিমোনাইড ফিল্মগুলি গ্যালিয়াম আর্সেনাইড, গ্যালিয়াম অ্যান্টিমোনাইড এবং ইন্ডিয়াম আর্সেনাইড বিক্রিয়কের উপর আনবিক বীম এপিটাক্সি এবং ধাতব জৈব রাসায়নিক বাষ্প জমা হয়ে উৎপন্ন হয়েছে। এটি সাধারণত অন্যান্য III-V যৌগগুলির সাথে কয়েকটি স্তরবিশিষ্ট হেটেরোস্ট্রাকচারে অন্তর্ভুক্ত থাকে।

গাঠনিক এবং বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যসমূহ
----------------------------------

চিত্র:AlAsSb Bandgaps Room Temperature.png কক্ষ তাপমাত্রায় (তাপমাত্রা = ৩০০ কেলভিন) গঠনের উপর অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড অ্যান্টিমোনাইডের প্রত্যক্ষ ও পরোক্ষ ব্যান্ডের ফাঁক নির্ভর করে।
কক্ষ তাপমাত্রা (তাপমাত্রা = ৩০০K) ব্যান্ড ফাঁক এবং অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড অ্যান্টিমোনাইড (AlAsSb) সংকর ধাতুগুলির ল্যাটিস ধ্রুবক বিশুদ্ধ অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড (a =০.৫৬৬nm), Eg = ২.১৬ eV) এবং অ্যালুমিনিয়াম অ্যান্টিমোনাইড (a = ০.৬১৪nm), Eg = ১.৬২ eV) এর মধ্যে থাকে। সকল গঠনে ব্যান্ড ফাঁকটি পরোক্ষ থাকে, যেমন এটি বিশুদ্ধ অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড এবং অ্যালুমিনিয়াম অ্যান্টিমোনাইডে রয়েছে। অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড অ্যান্টিমোনাইড, অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড এবং অ্যালুমিনিয়াম অ্যান্টিমোনাইড এর মতো একই জিঙ্কব্লেন্ড স্ফটিক কাঠামো শেয়ার করে।

ব্যবহারসমূহ
-----------

অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড অ্যান্টিমোনাইডকে গ্যালিয়াম অ্যান্টিমোনাইড, ইন্ডিয়াম আর্সেনাইড এবং ইন্ডিয়াম ফসফাইড সাবস্ট্রেটের সাথে ল্যাটিসে যুক্ত করা যেতে পারে।

অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড অ্যান্টিমোনাইডকে মাঝে মাঝে ইন্ডিয়াম আর্সেনাইড অ্যান্টিমোনাইডের (InAsSb) ইনফ্রারেড বাধা প্রদানকারী ফটোডিটেক্টরগুলিতে একটি প্রশস্ত-ব্যান্ডগ্যাপ বাধা স্তর হিসাবে ব্যবহার করা হয়। এই ডিভাইসগুলিতে ডোপিং করা ছোট-ব্যান্ডগ্যাপ বিশিষ্ট ইন্ডিয়াম আর্সেনাইড অ্যান্টিমোনাইডের স্তরগুলির মধ্যে অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড অ্যান্টিমোনাইডের একটি পাতলা স্তর ব্যবহার করা হয়। এই ডিভাইসগুলিকে "এনবিএন (nbn)" বা "এনবিপি (nbp)" ফটোডিটেক্টর হিসাবে উল্লেখ করা হয়। এই অর্ধপরিবাহীর প্রথমে একটি এন-ডোপড স্তর থাকে, মাঝে একটি বাধা প্রদানকারী পীঠ স্তর থাকে এবং শেষে একটি এন- বা পি-ডোপড স্তর থাকে। অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড অ্যান্টিমোনাইড বাধা স্তর দ্বারা সর্বনিম্ন পরিবাহী ব্যান্ডে একটি বড় বিচ্ছিন্নতা সৃষ্টি করা হয়, যা ফটোডিটেক্টরের মাধ্যমে ইলেকট্রনের প্রবাহকে (ইলেকট্রন হোলকে নয়) এমনভাবে সীমাবদ্ধ করে যা ফটোডিটেক্টরের অন্ধকার প্রবাহকে হ্রাস করে এবং এর শব্দজনিত বৈশিষ্ট্যগুলিকে বৃদ্ধি করে।

তথ্যসূত্র
---------

| * দে
* স
অ্যালুমিনিয়াম যৌগ |
| --- |
| Al(I) | 
* AlBr
* AlCl
* AlF
* AlI
* Al2O
* AlOH

|  |  |
| --- | --- |
| অর্গানোঅ্যালুমিনিয়াম (I) যৌগ | Al(C5(CH3)5) |

 |
| Al(II) | 
* AlB2
* AlB12
* AlO

 |
| Al(III) | 
* AlAs
* Al(BH4)3
* AlBr3
* AlCl3
* AlF3
* AlH3
* AlI3
* AlN
* Al(NO3)3
* Al2(CO3)3
* Al(OH)3
* Al(OH)2OAc
* Al(OH)(OAc)2
* Al(OAc)3
* Al2SO4(OAc)4
* AlP
* AlPO4
* AlAsO4
* AlSb
* Al(C5H7O2)3
* Al(MnO4)3
* Al2(MoO4)3
* Al2O3
* Al2S3
* Al2(SO4)3
* Al2Se3
* Al2Te3
* Al2SiO5
* Al4C3
* AlOHO
* Al(OH)2CO2C17H5
* NaAlH2(OC2H4OCH3) 2
* LiAlH2(OC2H4OCH3) 2
* K2Al2B2O7

|  |  |
| --- | --- |
| অ্যালামসমূহ | 
* (NH4)Al(SO4)2
* KAl(SO4)2
* NaAl(SO4)2

 |
| অর্গানোঅ্যালুমিনিয়াম (III) যৌগ | 
* Al(C3H5O3)3
* (Al(CH3)3)2
* (Al(C2H5)3)2
* Al(CH2CH(CH3)2)3
* Al(C2H5)2Cl
* Al(C2H5)2CN
* Al(CH2CH(CH3)2)2H
* Al(C2H5)2Cl2C2H5Cl
* Ti(C5H5)2CH2ClAl(CH 3)2

 |

 |

টেমপ্লেট:Arsenides

| * দে
* স
অ্যান্টিমনি যৌগ |
| --- |
| অ্যান্টিমনি(III) | 
* SbBr3
* Sb(C2H3O2)3
* SbCl3
* SbF3
* Sb4O4(OH)2(NO3)2
* SbH3
* SbI3
* Sb2O3
* Sb2S3
* Sb2(SO4)3
* Sb2Se3
* Sb2Te3

 |
| অ্যান্টিমনি(III,V) | 
* Sb2O4

 |
| অ্যান্টিমনি(V) | 
* SbCl5
* SbF5
* Sb2O5
* Sb2S5

 |

1. ↑  Giesen, C. Beerbom, M. M. Xu, X. G. Heime, K. (১৯৯৮)। "MOVPE of AlAsSb using tritertiarybutylaluminum": 85–90। ডিওআই:10.1016/S0022-0248(98)00670-8।
2. 1 2  Vurgaftman, I. Meyer, J. R. Ram-Mohan, L. R. (২০০১)। "Band parameters for III–V compound semiconductors and their alloys": 5815–5875। ডিওআই:10.1063/1.1368156।
3. ↑  Fastenau, J. M. Lubyshev, D. Nelson, S. A. Fetters, M. Krysiak, H. Zeng, J. Kattner, M. Frey, P. Liu, A. W. K. Morgan, A. O. Edwards, S. A. Dennis, R. Beech, K. Burrows, D. Patnaude, K. Faska, R. Bundas, J. Reisinger, A. Sundaram, M. (২০১৯)। "Direct MBE growth of metamorphic nBn infrared photodetectors on 150 mm Ge-Si substrates for heterogeneous integration": 031216। ডিওআই:10.1116/1.5088784।
4. ↑  Soibel, A. Hill, C. J. Keo, S. A. Hoglund, L. Rosenberg, R. Kowalczyk, R. Khoshakhlagh, A. Fisher, A. Ting, D. Z.-Y. Gunapala, S. D. (২০১৫)। "Room temperature performance of mid-wavelength infrared InAsSb nBn detectors": 121–124। ডিওআই:10.1016/j.infrared.2014.09.030।
5. ↑  Martyniuk, P. Kopytko, M. Rogalski, A. (২০১৪)। "Barrier infrared detectors"। আইএসএসএন 1896-3757। ডিওআই:10.2478/s11772-014-0187-x অবাধে প্রবেশযোগ্য।