**Hidayət Nuriyev** (20 yanvar 1941, Borçalı) — fizika-riyaziyyat elmləri doktoru, professor.

Həyatı
------

Hidayət Rəhim oğlu Nuriyev 1941-ci il yanvarın 20-də Gürcüstan Respublikasının Marneuli şəhərində anadan olmuş, 1962-ci ildə Azərbaycan Dövlət Pedaqoji Universitetinin fizika-riyaziyyat fakültəsini bitirmiş, 1963-cü ilin oktyabr ayından etibarən AMEA Fizika İnstitutunun Elektronoqrafiya laboratoriyasında əmək fəaliyyətinə başlamışdır. Müasir mikroelektronikanin əsasını təşkil edən yarımkeçiricilərin nazik epitaksial təbəqələrinin müxtəlif altlıqlar üzərində böyümə xüsusiyyətlərinin kristal quruluşunun, səthinin morfologiyasının elektrofiziki, fotoelektrik optik xassələrinin tədqiqi ilə məşğul olmuş, onların əsasında fotohəssas P-n homo-hetero keçidlərin alınması, fotoqəbuledicilərin hazırlanması və tədqiqi istiqamətində elmi işlər aparmışdır. Baş laborant vəzifəsindən professor rütbəsinədək yüksəlmişdir. 1971-ci ildə namizədlik, 1988-ci ildə doktorluq dissertasiyası müdafiə etmiş, 1992-ci ildən professordur.

Elmi fəaliyyəti
---------------

Hidayət Nuriyevin elmi fəaliyyəti yarımkeçirici birləşmələrin və bərk məhlulların yüksək kristal mükəmməlliyə malik nazik epitaksial təbəqələrinin alınmasından ,onların əsasında müxtəlif təyinatlı fotohəssas strukturların hazırlanmasından və tətbiqindən ibarətdir. Bununla əlaqədar olaraq nazik epitaksial təbəqələrin müxtəlif altlıqlar üzərində böyümə xüsusiyyətləri kristal mükəmməlliyi, kristal quruluşu, səthinin morfologiyası, bircinsliliyi, elektrofiziki, fotoelektrik, optik xassələri müasir metodlarla tədqiq olunur, onların əsasında fotohəssas P-n homo-hetero keçidlər yaradılır və müxtəlif təyinatlı strukturlar hazırlanır. Tədqiqat işlərində elektronoqrafiya, rentgendifraktometriya, elektronmikroskopiya, ojespektrometriya metodlarından və uyğun olaraq müasir qurğulardan istifadə olunur. Hidayət Nuriyev 1963-1973 illər ərzində AMEA-nın Fizika İnstitutunda işləmiş, namizədik dissertasiyası mudafiə etmiş, böyük elmi işçi vəzifəsində calışmışdır. Onun elmi təşkilatçılıq bacarığı əsasən 1973-2002-ci illərdə çalışdığı AMEA-nın Fotoelektronika İnstitutunda özünü daha qabarıq şəkildə büruzə vermişdir. O, qısa bir müddətdə (1973-1975-ci illər ərzində), elmi-istehsalat şöbəsi təşkil etmiş , infraqırmızı texnika üçün perspektivli olan qurğuşun, qalay, xalkogenidləri bərk məhlullarının mükəmməl kristal quruluşlu epitaksial təbəqələrinin alınmasına və bununla əlaqədar müxtəlif texnoloji metodların işlənib hazırlanmasına nail olmuşdur. O, 2002-ci ildən etibarən AMEA Fizika institutunda fəaliyyət göstərən həmin şöbəyə rəhbərlik edir. Profesor Hidayət Nuriyev Respublikada ilk dəfə olaraq ifrat vakuum qurğusu yaratmış və onun əsasında 10-8-10-9 Па vakuumda yarımkeçiricilərin mükəmməl quruluşlu epitaksial təbəqələri alınmışdır. Onun ifrat vakuumda (10-8-10-9 Па) epitaksial təbəqələrin, vahid texnoloji şəraitdə P-n keçidlərin alınması üçün yaratdığı qurgular müəlliflik şəhadətnaməsilə müdafiə olunmuş və müxtəlif təyinatlı fotoqəbuledicilərin hazırlanmasında tətbiq edilmişdir. Bununla yanaşı bu şöbə həm də optoelektron texnikasında geniş tətbiq olunan, xüsusi xassələrə malik Al2 O3 əsaslı keramik məmulatların təcrübi nümunələrinin istehsalını və tətbiqini həyata keçirir. Pespublikamızda yeni olan bu tədqiqat və istehsal sahələrinin yaradılıb istifadəyə verilməsi optolektronika üçün müasir çevricilərin işlənib hazırlanmasında mühüm rol oynamışdır. Şöbədə hazırlanmış fotohəssas strukturlar spektrin 3-5 və 8-14 mkm dalğa uzunluqlu infraqırmızı oblastında işləyən detektorlarda, keramiki məmulatlar isə fotoqəbuledicilər üçün elektron soyuducularında istifadə edilmişdir.Professor Hidayət Nuriyev yarımkecirici epitaksial təbəqələr və strukturlar fizikası sahəsində 2 nəfər elmlər doktoru, 13 nəfər fizika üzrə fəlsəfə doktoru yetişdirməklə elmi məktəb yaratmışdir. Onun yetişdirdiyi elmi kadrlar Rusiya Federasiyasının mərkəzi Moskva şəhərində, Respublikamızın müxtəlif elm mərkəzlərində və universitetlərində çalışırlar. Professor Hidayət Nuriyev Rusiya Elmlər Akademiyasının müxtəlif elmi mərkəzlərində: Kristalloqrafiya və Fotonika institutunda, Orion elmi-istehsalat birliyində yaxşı tanınır və sıx elmi əlaqələri mövcuddur.

**Elmi əsərlərinin sayı**- 230

**Xaricdə dərc olunan elmi əsərlərinin sayı**- 150

**Beynəlxalq bazalarda indeksləşən jurnallarda dərc olunan əsərlərinin sayı**-75

**Kitablarının sayı**- 3

**Müəlliflik şəhadətnamələrinin sayı** - 5

**Elmi-pedaqoji fəaliyyəti** - 1966-cı ildən indiyədək müxtəlif ali məktəblərdə əvəzciliklə pedaqoji fəaliyyət göstərmişdir.

**Dil bilikləri** - Azərbaycan,rus,gürcü,ingilis

Əsas elmi əsərləri
------------------

1. Нуриев И.Р. Набиев Р.Н. Ахмедов Э.А.. Устройства для изготовления Р-п переходов в едином технологическом цикле. Автор свидетельство №299120.1989

2. Нуриев И.Р. Набиев Р.Н. Ахмедов Э.А.Свервысоковакуумная установка для выращивания эпитаксиальных пленок в квазировновесных условиях. Электронная техника. 1991. Вып.3 (166).сер.7, с.49-52

3. Нуриев И.Р. Фарзалиев С.С. Джалилова Х.Д. СадыговР.М.Особенности роста и фотопроводимость эпитаксиальных пленок твердых растворов Pd1-x Mnx Te (Ga) Прикладная физика, Москва, 2004, №4, с.89-92

4. Нуриев И.Р. Фарзалиев С.С. Садыгов Р.М.. Рост эпитаксиальных пленок Pdı-x MnxTe (Ga) на монокристаллах PbTeı-xSex. Поверхность, 2004,№2,с.110-112

5. Нуриев И.Р. Салаев Э.Ю. Джалилова Х.Д. Садыгов Р.М. Бархалов Б.Ш. Гаджиев М.Б..Структура и оптические свойства эпитаксиальных пленок

Pbı-xMnxSe < Ga >. Прикладная физика, 2009, №2, с.127-129

6. Нуриев И.Р. Садыгов Р.М. Гаджиев М.Б.Рост и структура эпитаксиальных пленок Pbı-xMnxSe (Ga)Кристаллография, 2009, том 54, №2, с. 356-358

7. Нуриев И.Р. Морфология поверхности, электрофизические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок узкозонных халькогениедов AIVBVI //
Прикладная физика, Москва, 2013, №5, с.16-18

8. Нуриев И.Р.. Структура и особенности морфологии поверхности эпитаксиальных пленок халькогенидов А4В6// Кристаллография. 2009, т.54, №7, с.1228-1229

9. M.A.Mehrabova. I.R.Nuriyev. H.S.Orujov. Elektron structure and optical properties of Cdı-xMnxTe thin films. International Journal of Materials. V. 1? 2014,p. 63-70? ISSN:2313-0555

10. Нуриев И.Р. Мехрабов М.Х. Назаров А.М. Садыгов Р.М. Гасанов Н.Г.. Рост, структура и морфология поверхности эпитаксиальных пленок Ca Te. ФТП. 2017, в.1, с. 36-39

Elmi təşkilatı fəaliyyəti
-------------------------

Professor Hidayət Nuriyevin əsas elmi təşkilatı fəaliyyəti 1973-cü ildən keçmiş SSRİ Müdafiə Sənayesi Nazirliyinin tabeliyində Bakıda əvvəlcə filial kimi sonralar Elmi- Tədqiqat Fotoelektronika adı ilə tanınan müəssisədə başlamışdır. O, təşkil etdiyi elmi-istehsalat şöbəsini müasir qurğularla təchiz etmiş və infraqırmızı texniki üçün yararlı materialların alınması ilə məşğul olmuşdur. İnstitutun içtimai həyatında yaxından iştirak etmiş, həmkarlar təşkilatının və əmək kollektivinin sədri vəzifəsinə seçilmişdir. Hal-hazırda Fizika İnstitutunun Veteranlar Şurasının sədridir.
Hidayət Nuriyev Fotoelektronika İnstitutunda 2002-ci ilədək fəaliyyət göstərən Müdafiə Şurasının elmi katibi olmuş, uzun illərdir AMEA Radiasiya Problemləri İnstitutu nəzdindəki müdafiə şurasının, AMEA "Xəbərlər" (Fizika və astronomiya seriyası) elmi jurnalının redaksiya heyətinin üzvüdür.

Təltif və mükafatları
---------------------

Hidayət Nuriyev İngiltərə bioqrafiya mərkəzinin "XX əsrin görkəmli şəxsiyyətləri "məcmuəsinə daxil edilmiş, 2014-cü ildə Azərbaycan Respublikası "Avropa Nəşr Mətbuat Evi"-nin ən yaxşı vətənpərvər tədqiqatçı alim diplomu və Qızıl medalı ilə, Abdulla Şaiq mükafatı ilə, dəfələrlə AMEA Rəyasət heyətinin fəxri fərmanları ilə təltif edilmişdir.

İstinadlar
----------