|  |
| --- |
| أنواع |
| ذواكر الحاسوب |
|  |
| المتطايرة |
| ذاكرة وصول عشوائي (RAM) |
| * حركية (DRAM)
	+ حركية متزامنة (DRAM)
* ساكنة (SRAM)
 |
| 
تاريخية |
| * الوصول العشوائي الثايرستورية  (2009)
* خط التأخير  (1947)
* ميلون البصرية  (1951)
* أنبوب سليكترون (1952)
* الوصول العشوائي الثايرستورية  (2009)
 |
| غير المتطايرة |
| ذاكرة القراءة فقط (ROM) |
| * مُقنّعة (MROM)
* القابلة للبرمجة (PROM)
* القابلة للبرمجة والمسح (EPROM)
* القابلة للبرمجة والمسح الكهربائي (EEPROM)
 |
| ذاكرة الوصول العشوائي المُستدامة (NVRAM) |
| * الوميضيّة
* المُقاوِمة  (ReRAM)
 |
| 
ذواكر مغناطسية |
| * الشريط المغناطيسي
* القرص الصلب
 |
| 
ذواكر بصرية |
| * القرص البصري
 |
| 
ذواكر تاريخية |
| * الورقي
* طبليّة (1932)
* مغناطيسيّة النواة (1949)
* صفائحيّة السلك  (1957)
* حبليّة النواة  (1960)
* رقيقة الغشاء  (1962)
* مجدولة  (~1968)
* فقاعيّة (~1970)
* القرص المرن (1971)
 |
| * شعار بوابة بوابة إلكترونيات
 |
| * ع
* ن
* ت
 |

**ذاكرة قراءة فقط قابلة للبرمجة** (بالإنجليزية: programmable read-only memory)‏ أو ذاكرة الكتابة فقط أو ما تسمى (PROM) هي الأقدم بالنسبة للأجهزة القابلة للبرمجة فتاريخ وجودها يعود لعام 1970 لذلك فهي تستخدم في تطبيقات ذاكرة الحاسب. ذاكرة الPROM تضمن مصفوفة AND مثبتة ومصفوفة OR قابلة للبرمجة كما هو في الشكل التالي:

مصفوفة AND تولد كل التعبيرات الممكنة والتي عددها 2ⁿ المنتجة من n مدخل لذلك فهي غالباَ ترتبط (تعود) إلى عدد مكون من (n →2ⁿ) فاكَّات شيفرة.
مصفوفة OR تسمح لأي مجموع من التعابير الأصغرية المنتجة لتصبح مُتَضَمَّنة في كل تعبير جمع. إذاً الجمع القانوني من القالب المنتج من أي تابع يمكن أن يدرك بشكل مباشر من جدول الحقيقة أو ن قائمة التعابير الأصغرية. عدد عبارات الجمع يتغير بين الأجهزة تبعاُ لحجم وقياس الشريحة وعدد أقطاب (pin) البلوك وأشياء أخرى.ولكن أجهزة الذاكرة PROM لا تتضمن نموذجية المخرج القطبي أو خيارات التغيذة العكسية.

تحتوي هذه الذاكرة على شبكة من الصفوف والعواميد، والاختلاف بين هذا النوع والنوع السابق روم هو أن عند كل تقاطع بين الصفوف والعواميد يوجد صمام fuse يصل بينهما، الشحنة التي تبعث خلال العمود تمر بالصمام الموصول بالخلية مما يشحن الخلية ويعطيها القيمة 1، وحيث أن كل الخلايا موصولة بصمام يجعلها جميعا تملك القيمة 1، وهذا يكون هو الشكل الخام لرقاقة الذاكرة عند بيعها، الآن المشتري لهذه الرقائق يجب أن يمتلك أداة تسمى programmer والتي تقوم بإرسال تيار كهربي قوي إلى الخلية المطلوب تغيير قيمتها من 1 إلى صفر، يقوم هذا التيار بكسر الصمام وبالتالي ينقطع الإيصال بين الصف والعمود المتقاطعان عند الخلية المطلوبة وبالتالي تفرغ شحنتها وتصبح قيمتها صفر.

تحقيق التوابع المنطقية باستخدام الـ ROM
---------------------------------------

يذكر أن التابع المتحول المعطى يمكن أن يكون ممثلاََ بقانون استثنائي (وحيد) مجموع من القالب المشكل. إذاً كل مخرج من الـ PROM يكون قادرا على إدراك أي تابع متغير بقانون بسيط وهو مخرج لعبارات التابع. لذلك لإدراك التابع المتحول المعطى بـ PROM يجب أولاً أن يُصف التابع في قوانين مُجمّعة من منتجات قالب أو أي شيء آخر يشتق من جدول حقيقة التابع بعد ذلك التعابير الأصغرية التابع ترتبط بتعبير OR منتقى (مختار) لإنتاج القالب القانوني المطلوب. مع الملاحظة أنه لا يوجد أفضلية لتصغير التابع عند استخدام الـ PROM ،فعند وجود قالبه القانوني يستخدم لتوليد خارطة صمامات الـ PROM كما في الشكل:

وينبغي ملاحظة أن استخدام الـ PROM التجارية المتاحة يمكن أن يكون غير فعال عندما نحتاج عدد قليل من التعابير الأصغرية إلا إذا كان تصغير الشريحة هدفاً أساسياً.

إدراك تابع بثلاث متحولات باستخدام الـPROM (ثلاث مداخل وثلاث مخارج):

f1(A,B,C)=AB+B'C

f2(A,B,C)=(A+B'+C)(A'+B)

f3(A,B,C)=A+BC

* أولاً نحول كل تابع إلى الشكل القانوني:

f1(A,B,C)=AB+B'C

=ABC'+ABC+A'B'C+AB'C
= m(1,5,6,7)
مجاميع الحدود الأصغرية لـ

f2(A,B,C)=(A+B'+C)(A' +B)

=(A+B'+C)(A' +B+C')(A' +B+C)
=M(2,4,5) مضاريب الحدود الأكبرية لـ
= m(0,1,3,6,7) مجاميع الحدود الأصغرية لـ
f3(A,B,C)=A+BC
=AB'C'+AB'C+ABC'+ABC+A'BC
= m(3,5,6,7) مجاميع الحدود الأصغرية لـ
لذلك يعود المخرج الأول إلى التعابير الأصغرية المنتجة (1,5,6,7) والمخرج الثاني موصول إلى التعابير الأصغرية (0,1,3,6,7) أما المخرج الثالث مرتبط بـ (3,4,5,6,7). الدارة النهائية موضحة بالشكل:

استخدام ال PROM لإدراك 1 bit جامع كامل:

جدول الحقيقة للجامع الكامل هو:

من هذا الجدول الـ PROM مبرمجة بإزالة كل الصمامات المتماثلة مع كل صفر في كل من التابعين كما هو في الشكل:

مع الملاحظة أن الـ PROM المكونة من ثلاثة مداخل وخرجين هي لازمة لهذه الدارة.الـ PROM فعالة بشكل خاص للمشاكل التي تتطلب استخدام تعابير الأصغرية للتابع.

المصادر
-------

1. ↑  US Patent 4184207 نسخة محفوظة 27 أبريل 2018 على موقع واي باك مشين.- High density floating gate electrically programmable ROM, and US Patent 4151021- Method of making a high density floating gate electrically programmable ROM نسخة محفوظة 16 أكتوبر 2015 على موقع واي باك مشين.
2. ↑  Voir : PROM, sur commentcamarche.net, consulté le 12 décembre 2017 نسخة محفوظة 27 ديسمبر 2017 على موقع واي باك مشين.

|  |  |
| --- | --- |
| مشاريع شقيقة | في كومنز صور وملفات عن: ذاكرة قراءة فقط قابلة للبرمجة |

* أيقونة بوابةبوابة ألعاب فيديو
* أيقونة بوابةبوابة إلكترونيات
* أيقونة بوابةبوابة تقانة المعلومات
* أيقونة بوابةبوابة علم الحاسوب

|  |  |
| --- | --- |
| ضبط استنادي: وطنية عدلها في ويكي بيانات | 
* الملف الاستنادي المتكامِل (GND)

 |