rafalposwiata/plsc huggingface dataset:
Przegląd samoorganizujących się struktur eutektycznych metal-tlenek dla zastosowań w fotonice

Praca przedstawia przegląd literaturowy dotyczący układów eutektycznych metal-tlenek. Analiza prac różnych autorów pozwoliła wybrać materiały eutektyczne (HfO2-W stabilizowane przez Y2O3 oraz Cr2O3-Mo), które wykazują odpowiednią strukturę do zastosowań w nowoczesnej fotonice (metamateriały, ujemne załamanie światła) oraz których warunki otrzymywania pozwalają na otrzymanie ich za pomocą dostępnych metod krystalizacji kierunkowej. Wybrane systemy eutektyczne mogą być odpowiednie dla zastosowań w fotonice i możliwe do zrealizowania za pomocą urządzeń dostępnych w Laboratorium im. Jana Czochralskiego w ITME

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Złącza elektryczne w modułach termoelektrycznych

W artykule podjęto próbę przybliżenia zagadnień dotyczących złącz kontaktowych pomiędzy półprzewodnikowymi materiałami termoelektrycznymi, a elektrodami metalicznymi. Materiały termoelektryczne można wykorzystać do konstrukcji modułów termoelektrycznych, które z kolei zastosowane w generatorach termoelektrycznych TEG mogą przetwarzać energię cieplną bezpośrednio na energię elektryczną. Sprawność urządzeń wykorzystujących zjawiska termoelektryczne zależy zasadniczo od fizykochemicznych właściwości materiałów termoelektrycznych. Jednak jak wynika z prowadzonych od wielu lat badań, niewiele mniej istotny wpływ na sprawność modułów ma jakość wykonanych złącz elektrycznych. W trakcie projektowania urządzeń bazujących na materiałach termoelektrycznych, ważne jest także zwrócenie uwagi na dobór odpowiednich barier ochronnych hamujących procesy dyfuzji na granicy złącz oraz metod badawczych, w celu określenia jakości złącz metal/półprzewodnik. Poszczególne części artykułu przedstawiają opisy kryterium oceny jakości, metod wytwarzania oraz ochrony złącz. Osobna część artykułu w całości dotyczy zjawisk zachodzących na granicy złącz pracujących w wysokich temperaturach oraz ich rozwiązań opracowywanych w różnych ośrodkach badawczych. W artykule poza przybliżeniem zagadnień dotyczących zasad działania oraz idei konstrukcji modułu termoelektrycznego, zwrócono także uwagę na takie kluczowe aspekty, które związane są bezpośrednio z łączeniem, charakteryzacją, oraz ochroną materiałów termoelektrycznych.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni

Przedstawiono kryteria oceny przydatności monokryształów GaAs, InP i GaP do wytwarzania elementów optyki podczerwieni (okienka, soczewki). Zbadano wpływ parametrów fizycznych i rodzaju domieszki na wartość transmitancji monokryształów GaAs, InP, GaP w obszarze podczerwieni. Określono zakres koncentracji nośników dla wymienionych materiałów, w którym zmiany transmitancji związane z absorpcją na swobodnych nośnikach są w granicach błędu. Oceniono przydatność wytwarzanych w ITME monokryształów GaAs, InP, GaP dla potrzeb optyki podczerwieni.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:Si metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)

Niestacjonarna spektroskopia pojemnościowa (DLTS) została zastosowana do badania centrów defektowych w domieszkowanych krzemem warstwach epitaksjalnych GaN typu n osadzanych na podłożach szafirowych. Koncentracja elektronów w warstwach epitaksjalnych określona na podstawie charakterystyk pojemnościowo-napięciowych wynosiła ~l,0x10[indeks górny]18 cm^-3. Porównano strukturę defektową warstw GaN: Si przed oraz po napromieniowaniu protonami o energii 24 GeV. Zastosowano dwie dawki protonów równe 8,4xl0[indeks górny]13 p/cm^2 i 5,3xl0[indeks górny]14 p/cm^2. W warstwach stwierdzono obecność trzech rodzajów pułapek elektronowych: Tl, T2 i T3 o energiach aktywacji odpowiednio: 0,63 eV, 0,70 eV i 0,83 eV. Koncentracja tych pułapek przed napromieniowaniem wynosiła odpowiednio 3,7xl0~[indeks górny]15 cm^-3, 2xl0[indeks górny]14 cm^-3 i 5,0xl0[indeks górny]14 cm^-3. W wyniku napromieniowania protonami koncentracja pułapek Tl (0,63 eV) nie uległa zmianie, zaś koncentracja pułapek T2 (0,70 eV) i T3 (0,83 eV) wzrosła odpowiednio do I,8xl0[indeks górny]15 cm^-3 i 2,0xl0[indeks górny]15 cm^-3.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Laserowa korekcja kompozytowych rezystorów grubowarstwowych opartych na nanoformach węgla

W artykule przedstawiono zagadnienia związane z korekcją elementów biernych metodą piaskową oraz laserową. Wytworzono polimerowe rezystory z trzech rodzajów past rezystywnych: grafenowej, grafitowej i z nanorurek węglowych oraz sprawdzono ich właściwości, m.in. wartości rezystancji, TWR oraz grubości warstw. Przeprowadzono korekcję laserową polegającą na nacinaniu warstwy rezystywnej oraz wykonano szereg badań mających na celu sprawdzenie zmian właściwości elementów biernych po korekcji. Poddano analizie uzyskane wyniki badań pod kątem efektywności korekcji laserowej rezystorów z trzech badanych materiałów.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych w ocenie międzynarodowej

Oceną poziomu naukowego, innowacyjności i konkurencyjności państw, przedsiębiorstw i instytucji naukowych zajmuje się wiele organizacji. Do najbardziej znanych rankingów przedstawiających ocenę innowacyjności poszczególnych państw należy Global Innovation Index [1], a oceny konkurencyjności państw, których jednym z elementów jest innowacyjność podaje Global Competitiveness Report [2], przedstawiany corocznie na Światowym Forum Ekonomicznym.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Mechanika kruchego pękania ceramiki korundowej wzmocnionej płatkami grafenowymi

W pracy przedstawiono rezultaty badań nad wytworzeniem kompozytów ceramiki korundowo - grafenowej. Do otrzymania próbek użyto submikronowy proszek Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>  o czystości 99,99 % firmy Taimei oraz tlenek grafenu otrzymany w Zakładzie Technologii Chemicznych ITME. Kompozyty wykonano na bazie wodnej mieszaniny obu składników stosując metodę granulacji kriogenicznej. Wykonano kompozyty o zawartości ok.: 0,02, 0,05 i 0,29 % objętości grafenu. Spektroskopia Ramana potwierdziła obecność grafenu w otrzymanych kompozytach. W pracy przeprowadzono badania wpływu udziału grafenu na mikrostrukturę oraz właściwości mechaniczne wytworzonych kompozytów. Stwierdzono, że w funkcji zawartości grafenu zwiększa się porowatość otrzymanych próbek oraz jednocześnie zmniejsza się wielkość ziaren korundowych. Powoduje to zmniejszanie się twardości Vickersa i modułu Younga. Wytrzymałość na zginanie osiąga maksimum równe 295 ± 32 MPa dla zawartości grafenu 0,02 % objętości, a następnie maleje dla większych zawartości grafenu do wartości ~ 230 MPa odpowiadającej ceramice korundowej. Odporność na pękanie mierzona metodą zginania trójpunktowego belek z karbem wynosi około 3,9 MPam<sup>1/2</sup> . Zdjęcia przełamów oraz pęknięć wokół odcisków Vickersa pokazują obecność mostków grafenowych na granicach ziaren co może powodować obserwowany wzrost wytrzymałości kompozytu w  porównaniu z czystą ceramiką korundową.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

W celu identyfikacji konfiguracji atomowej radiacyjnych centrów defektowych próbki warstw epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowano elektronami o energii 1,5 MeV. Energię aktywacji termicznej oraz pozorny przekrój czynny na wychwyt nośników ładunku centrów defektowych wyznaczano za pomocą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej DLTS. Określono wpływ temperatury warstwy epitaksjalnej podczas napromieniowania dawką 1 x 10<sup>17</sup> cm-2 na koncentrację powstałych pułapek. Na tej podstawie zaproponowano modele opisujące ich konfigurację atomową.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych

Celem pracy było dowiedzenie warunków otrzymywania półizolacyjnych monokryształów arsenku galu (SI-GaAs) o orientacji [310] i średnicy 2” i 3”. Synteza i monokrystalizacja przebiegała pod wysokim ciśnieniem metodą LEC (Liquid Encapsulated Czochralski). Dobrano warunki termiczne i technologiczne pozwalające otrzymywać monokryształy o średnicy 2” i 3” i ciężarze odpowiednio 2000 g i 3000 g. Monokryształy posiadały wysokie parametry elektryczne (ρ, μ) - typowe dla monokryształów półizolacyjnych o wysokim stopniu czystości. Gęstość dyslokacji kryształów [310] była o (0,5 - 1,5) rzędu niższa w porównaniu z kryształami o orientacji [100]. Warstwy epitaksjalne osadzone na podłożach o orientacji [310] wykazały lepszą morfologię powierzchni w porównaniu z osadzonymi na podłożu [100].

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni

Niedomieszkowane monokryształy GaP o niskiej koncentracji nośników n ≤ 2 × 10^16cm-³ stosowane są głównie na elementy optyczne pracujące w bliskiej podczerwieni w zakresie widmowym (1-8) μm oraz w dalekiej podczerwieni (100 - 200) μm. Elementy te mogą posiadać duże rozmiary Φ (2”-3”). Jednym z podstawowych wymagań dla monokryształów stosowanych na elementy optyczne jest duża jednorodność własności, których miernikiem może być transmitancja. Na wartość i jednorodność transmitancji mogą mieć wpływ takie czynniki jak poziom i rozkład koncentracji nośników prądu, gęstości dyslokacji i koncentracji centrów defektowych. W ramach obecnej pracy badano wpływ tych czynników. Stwierdzono, że istnieje jednoznaczna zależność transmitancji tylko od koncentracji nośników prądu. Empirycznie wyznaczono tę zależność dla zakresu koncentracji nośników n = 10^15 - 5× 10^16cm-³ przy długości fali λ = 3100 nm.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP

Zbadano wpływ procesów wygrzewania na własności niedomieszkowanych monokryształów fosforku galu (GaP) otrzymanych z wsadów o różnym składzie chemicznym: bliskim stechiometrii, z nadmiarem galu lub z nadmiarem fosforu, a także o różnej koncentracji węgla. Procesom wygrzewania poddano bloki monokryształów o grubości 10-20 mm oraz płytki o grubości ∼ 700 μm. Określono warunki obróbki termicznej takie jak temperatura i czas wygrzewania oraz ciśnienie par fosforu w ampule pozwalające na otrzymanie materiału półizolujacego. Stwierdzono, że w przypadku monokryształów GaP typu n o koncentracji nośników ładunku n = (2 - 5) × 10^16 cm-³ i koncentracji węgla Nc ≤ 1 × 10^16 cm-³ w wyniku wygrzewania można otrzymać materiał półizolujący typu n. Przy koncentracji węgla Nc ∼ 5 × 10^16 cm-³ otrzymywany jest materiał półizolujący typu p.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą Czochralskiego

Do otrzymywania monokryształów antymonku galu o orientacji <111> oraz <100> zastosowana została zintegrowana z syntezą in-situ zmodyfikowana metoda Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu wzrostu na własności elektryczne niedomieszkowanych monokryształów GaSb. Uzyskano niedomieszkowane monokryształy GaSb typu p o koncentracji dziur w zakresie 1 ÷ 2 x 10^17 cm -³ i ruchliwości 600 ÷ 700 cm²/Vs (w 300 K). Przeprowadzono również próby domieszkowania na typ n oraz typ p. Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Wpływ cząsteczek wody w B2O3 na właściwości niedomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego

Opracowano warunki otrzymywania metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową (Liquid Encapsulated Czochralski - LEC) bardzo czystych niedomieszkowanych monokryształów InAs typu n o ruchliwości elektronów μ > 22000 cm ² / Vs i koncentracji elektronów n < 3 x10^16 cm -³ w 300 K. Zbadano wpływ zawartości cząsteczek wody w topniku (B2O3) stosowanym do hermetyzacji stopionego wsadu na parametry elektryczne kryształów oraz na zawartość w nich domieszek resztkowych. Zbadano również wpływ czasu wygrzewania stopionego wsadu przed procesem krystalizacji na własności otrzymanych kryształów.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Właściwości elektryczne monokryształów krzemu wzbogaconych w azot

W artykule omówiono właściwości elektryczne monokryształów krzemu domieszkowanych azotem. Opisano sposób wbudowywania się atomów azotu do sieci krystalicznej Si. Przedstawiono mechanizm wpływu  atomów azotu na anihilację mikrodefektów typu voids związanych z agregatami luk. Dla wzbogaconego w azot monokryształu krzemu o wysokiej rezystywności otrzymanego metodą pionowego topienia strefowego (FZ – Floating Zone) pokazano radialny rozkład rezystywności oraz radialny rozkład koncentracji azotu. Stwierdzono możliwość wpływu kompleksów złożonych z atomów azotu i atomów tlenu (N - O) na właściwości elektryczne otrzymywanych metodą FZ monokryształów Si wzbogaconych w azot.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Lutowanie kompozytów miedź - grafen z ceramiką korundową za pomocą lutów aktywnych

Do wykonania kompozytu objętościowego, przeznaczonego do lutowania, zastosowano proszki dostępnego handlowo grafenu oraz zredukowanego termicznie tlenku grafenu, na których osadzano tlenek miedzi metodą strącania z kąpieli elektrochemicznej. Proszki poddano obróbce termicznej w atmosferze beztlenowej, a następnie wyprasowano z nich kształtki na prasie służącej do prasowania i spiekania pod ciśnieniem. Uzyskane kompozyty spajano z ceramiką korundową za pomocą aktywnych lutów srebrowych (CB1). Przed procesem spajania kompozyty poddano procesowi galwanizacji miedzią. Zbadano mikrostrukturę i właściwości samego kompozytu oraz mikrostrukturę uzyskanych złączy. Na podstawie przeprowadzonych badań określono najkorzystniejsze warunki procesu spajania kompozytów.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Grafen otrzymywany metodą elektrolityczną na podłożach z węglika krzemu

W artykule przedstawiono nową technikę osadzania warstw grafenu na podłożach z węglika krzemu metodą elektrolityczną. Polega ona na zastosowaniu jako materiału elektrod grafitu i SiC oraz elektrolitu organicznego poli–styrenosulfonianu sodu (PSS). Widma Ramana osadzanych warstw wskazują na to, że otrzymano grafen. Istnienie wiązań typu C=C potwierdza spektroskopia FTIR. Prowadzono także proces z roztworów na bazie tlenku grafenu. Ponadto w procesie z rozcieńczonym elektrolitem uzyskano rzadką odmianę alotropową węglika krzemu - moissanit, który syntetycznie jest produkowany przede wszystkim na potrzeby przemysłu elektronicznego.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Fosforanowe włókno fotoniczne o powiększonym rdzeniu domieszkowanym jonami Yb<sup>3+</sup> do zastosowań laserowych

W publikacji przedstawiono prace wykonane w Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych dotyczące wytworzenia światłowodu fotonicznego wykonanego ze szkła fosforanowego z przeznaczeniem do konstrukcji lasera włóknowego. Wykonane zostały wytopy szkieł domieszkowanych i niedomieszkowanych. Na podstawie przeprowadzonych pomiarów spektralnych przeprowadzono analizę własności absorpcyjnych i emisyjnych wytworzonego szkła  domieszkowanego. Zweryfikowano parametry dopasowania szkieł domieszkowanego i  niedomieszkowanego pod kątem właściwości reologicznych i współczynnika załamania. Wytworzone zostało włókno laserowe ze szkła fosforanowego o strukturze dwupłaszczowej (double-clad) w pełni wykonanej w technologii fotonicznej. Poprzez zastosowanie włókna o powiększonej średnicy rdzenia uzyskano znaczne zwiększenie absorpcji promieniowania pompy i skrócenie długości lasera. Ponadto stosując płaszcz powietrzny osiągnięto rekordową wartość apertury numerycznej falowodu pompy we włóknie typu double-clad ze szkła fosforanowego wynoszącą 0,91.  Maksymalna moc generacji w laboratoryjnym układzie lasera we włóknie o długości 19 cm wyniosła 12,4 W przy sprawności  różniczkowej 42,8 %.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Warstwy proszkowe SnO2 nanoszone metodą eksplozji elektrycznej

W artykule przedstawiono oryginalną metodę nanoszenia warstw z materiału proszkowego SnO2 na przygotowaną powierzchnię z wykorzystaniem impulsowego wyładowania elektrycznego wywołującego eksplozję, która powoduje jego rozpylenie, nadtopienie i wyrzucenie w kierunku podstawionej powierzchni. Pokazano schematy układu eksperymentalnego oraz wyniki badań naniesionych warstw SnO2 na płytki kwarcowe i ceramiczne. Zwrócono uwagę na możliwość wykorzystania otrzymanych warstw do wytwarzania elementów aktywnych sensorów chemicznych.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Zastosowanie fourierowskiej spektroskopii absorpcyjnej w podczerwieni do badania interfejsu SiO2//Si w łączonych strukturach SOI

Badania tlenków w pobliżu interfejsu SiO2//Si powstałego w wyniku połączenia płytek krzemowych oraz interfejsu Si/SiO2 uformowanego w procesie termicznego utleniania płytek Si w łączonych strukturach SOI przeprowadzono metodą fourierowskiej spektroskopii absorpcyjnej w podczerwieni. Określono zmiany energii fononów TO i LO wiązań O-Si-O w zależności od grubości tlenku, pocieniając badane tlenki poprzez trawienie w rozcieńczonym kwasie fluorowodorowym. Uzyskane wyniki zmian energii fononów optycznych w funkcji grubości tlenków pokazują, że w pobliżu obu interfejsów istnieją obszary substechiometrycznego SiOx. Struktura tlenków w tych obszarach jest jednak różna. W przypadku interfejsu SiO2//Si występuje SiO2 + Si, co powoduje przesunięcie linii absorpcyjnej modu TO w stronę wyższych liczb falowych. Zmiany położenia linii modu TO obserwowane są dla tlenków o grubości poniżej 4,0 nm. W interfejsie Si/SiO2 warstwa SiOx jest taka sama jak warstwa przejściowa w tlenkach termicznych. Badania absorpcyjne wykonano dla tlenków w zakresie grubości l,5-20nm.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC

W pracy przedstawiono widma elektronowego rezonansu spinowego (ESR) dla atomów azotu występujących w różnych politypach monokryształów SiC. Określono wartości czynnika rozszczepienia spektroskopowego g oraz wartości parametru A, charakteryzującego wielkość rozszczepienia wywołanego oddziaływaniem nadsubtelnym. Przeprowadzono identyfikację politypu oraz oszacowano zawartość azotu. Stwierdzono możliwość określania politypu monokryształów SiC na podstawie pomiaru linii ESR dla atomów azotu.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Rola dyfuzji kationów w odkształcaniu nadplastycznym ceramik tlenkowych. Cz. 1. Pomiary współczynników dyfuzji.

W pracy wyznaczono współczynniki dyfuzji jonów Hf[sup]4+ w tetragonalnej ceramice ZrO2 stabilizowanej 3% mol Y2O3 w zakresie temperatur od 1556 do 1769 K za pomocą SIMS, a w temperaturach 1628-1783 K za pomocą mikrosondy rentgenowskiej (dyfuzja wzajemna Zr-Hf) w złączu pomiędzy ZrO2 i kompozytem ZrO2-HfO2. Równania Arrheniusa wyznaczone z pomiarów SIMS mają postać odpowiednio: dla dyfuzji objętościowej D[sub]1 = O.50 exp... [wzór] .

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Wpływ promieniowania jonizującego na własności optyczne wybranych kryształów typu ABO3

Praca stanowi syntetyczne ujęcie zagadnień związanych z kompleksowymi badaniami wpływu promieniowania (kwanty gamma, UV, elektrony, szybkie neutrony) na własności optyczne niedomieszkowanych i domieszkowanych wieloskładnikowych kryształów tlenkowych typu ABO3, otrzymanych w ITME: perowskitu itrowo-glinowego i niobianu litu. Zmiany własności optycznych tych kryształów wkutek napromieniowania są wynikiem powstawania centrów barwnych, zarówno poprzez zmianę stanu ładunkowego defektów wzrostowych jak i tworzenia się defektów radiacyjnych w wyniku przemieszczenia atomów.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Badanie struktury defektowej w nowych rodzajach scyntylacyjnych monokryształów mieszanych granatów lutetowo-itrowo-glinowych [Lu<sub>x</sub>Y<sub>1-x</sub>]<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub> (LuYAG) niedomieszkowanych oraz aktywowanych prazeodymem

Przedmiotem pracy jest ujawnienie i charakteryzacja realnej struktury nowych typów scyntylacyjnych monokryształów mieszanych granatów lutetowo-itrowo-glinowych (Lu<sub>x</sub>Y<sub>1-x</sub>)<sub>3</sub>Al<sub>5</sub>O<sub>12</sub> (LuYAG) aktywowanych prazeodymem oraz niedomieszkowanych. Badania wykonano przy użyciu konwencjonalnego źródła promieniowania rentgenowskiego metodą rentgenowskiej topografii dwukrystalicznej oraz za pomocą dyfraktometrii wysokorozdzielczej. Wykonano również badania polaryskopowe. Na wybranych próbkach przeprowadzono badanie jednorodności składu chemicznego za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego z przystawką do spektroskopii z dyspersją energii (EDX). Topogramy rentgenowskie przebadanych próbek wskazują na dobrą jakość strukturalną badanych monokryształów. Pewnym problemem strukturalnym zaobserwowanym na wykonanych topogramach dwukrystalicznych są naprężenia sieci, których pierwotną przyczyną są efekty segregacyjne i różne obszary ściankowane.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika