rafalposwiata/plsc huggingface dataset:
Parametry akustycznej fali pseudopowierzchniowej uwarunkowane warstwową konstrukcją podzespołu na niobianie litu o orientacji 41°YX

Przedstawiono rozwiązanie konstrukcyjne podzespołu z akustyczną falą pseudopo-wierzchniową (AFPP) na 41°YX LiNbO3, które może być wykorzystane w analizie fazy ciekłej. W powyższej fali obecne są trzy składowe wektora przemieszczeń cząstek, dominującąjest składowa poprzeczna, równoległa do kierunku propagacji fali. Omówiono wyniki obliczeń i eksperymentów dotyczących wpływu wielowarstwowego obciążania powierzchni struktury czujnikowej i wzajemnej konfiguracji warstw {podłoże piezoelektryczne - warstwa metaliczna (Al.) - falowodowa i zabezpieczająca warstwa (SiO2)} na wzajemną relację składowych ruchu cząstek i charakterystykę AFPP. Uzyskane rezultaty wykazały, że opisana wyżej i powszechnie stosowana w czujnikach akustycznych konfiguracja warstw nie spełnia wymagań aplikacyjnych w przypadku niobianu litu oraz potwierdziły słuszność rozwiązania w którym zastosowano odwróconą konfigurację warstw: LiNbO3 - SiO2 - Al.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym

Opracowano procedurę graficznego modelowania profilu składu chemicznego w obszarze interfejsu dla związków A<sup>III</sup>N, która w znacznym stopniu ułatwia i skraca proces tworzenia modelu kryształu wielowarstwowego InGaN/GaN. Procedurę tę wykorzystano w trójstopniowej metodzie modelowania heterostruktur InGaN/GaN i z powodzeniem zastosowano do zbadania realnej struktury systemów epitaksjalnych wytworzonych w ITME.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Zagadnienia optymalizacji konstrukcji diod laserowych dużej mocy

Artykuł zawiera skrótowy przegląd aktualnych osiągnięć w dziedzinie konstrukcji diod laserowych (DL) dużej mocy. Zakres artykułu ograniczony został do zagadnień optymalizacji heterostruktury ze względu na parametry, które wydają się najważniejsze dla przyrządów dużej mocy takie, jak sprawność energetyczna (PCE), próg katastroficznej degradacji luster (COD) i jakość emitowanej wiązki promieniowania (M2 i rozbieżność). Przedstawione wyniki (przodujących instytutów i ITME) wskazują, że jednoczesna maksymalizacja wszystkich tych parametrów jest bardzo trudna. Wyniki "rekordowe" są bardzo zróżnicowane ze względu na długość fali i grupę materiałową (arsenki, fosforki).

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Określenie koncentracji i współczynnika segregacji aktywnych jonów ziem rzadkich w warstwach epitaksjalnych i strukturach falowodowych YAG

Korzystając z wyników pomiarów dyfraktometrycznych określono niedopasowanie sieciowe pomiędzy warstwą i podłożem w zależności od składu warstw YAG domieszkowanych jonami ziem rzadkich. Z wyznaczonych wartości różnic stałych sieciowych oszacowano koncentrację jonów ziem rzadkich domieszkujących warstwy YAG oraz określono współczynniki segregacji tych jonów. Szerokość pików dyfrakcyjnych posłużyła do oceny jakości strukturalnej warstw.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Epitaksja z fazy ciekłej struktur mikrolaserowych Cr,Mg:YAG/Yb:YAG

W procesie epitaksji z roztworu wysokotemperaturowego otrzymano struktury Cr,Mg: YAG/Yb:YAG mogące stanowić materiał wyjściowy do wytworzenia monolitycznych mikrolaserów impulsowych z pasywną modulacją dobroci rezonatora wzbudzanych diodami półprzewodnikowymi. Określono wpływ stężenia Cr2O3w roztworze na wielkość absorpcji optycznej warstw oraz niedopasowanie sieciowe warstw i podłoża. Pomiary transrnitancji optycznej struktur epitaksjalnych w funkcji gęstości energii wiązki promieniowania o długości fali 1064 nm wykazały, że współczynnik absorpcji warstw Cr,Mg:YAG jest nieliniową, funkcją gęstości energii wiązki, a tym samym warstwy te mogą pracować jako absorbery pasywne.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Nowoczesne materiały termoelektryczne - przegląd literaturowy

Odkrycie na początku XXI wieku nowych zjawisk oraz innowacyjnych metod wytwarzania pozwoliło na znaczny rozwój dziedziny materiałów termoelektrycznych oraz ich zastosowań. Rozwój ten idzie w parze z coraz większymi wymaganiami dotyczącymi pozyskiwania energii w wyniku eksploatacji paliw kopalnych i globalnego dążenia do zniwelowania tego zjawiska na rzecz rozwoju i wdrożenia odnawialnych źródeł energii. Artykuł stanowi przegląd aktualnej wiedzy na temat materiałów termoelektrycznych i zawiera: rys historyczny, podział materiałów, zjawiska występujące w termoelektrykach, metody ich wytwarzania, opis ich przydatności do budowy elementów termoelektrycznych oraz możliwości zastosowań. Podano również zalety technologii materiałów termoelektrycznych w porównaniu z innymi metodami odnawialnymi.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Zastosowanie klejów przewodzących w mikromontażu elektronicznym jako alternatywy do połączeń lutowanych

Artykuł zawiera analizę istniejących rozwiązań zastosowania klejów przewodzących w technologii montażu układów elektronicznych. Celem jego jest ukazanie zastosowań kompozytów przewodzących w montażu mikroelektronicznym, jako alternatywy do połączeń lutowanych. Dotychczas stosowane lutowia PbSn zawierające ołów są obecnie wypierane z montażu elektronicznego wskutek obowiązywania dyrektywy RoHS (Restriction of Hazardous Substances), wykluczającej stosowanie ołowiu, kadmu, rtęci i sześciowartościowego chromu w podzespołach elektronicznych [1]. Nowe, bezołowiowe lutowia wymagają lutowania w wyższych temperaturach, co powoduje zwiększenie narażenia montowanych elementów. Proponowane przez autorów zastosowanie klejów przewodzących pozwoli na uniknięcie tego negatywnego zjawiska. Przedstawiono opis i wyniki badań własnych, mających na celu porównanie parametrów elektrycznych i mechanicznych złącz wykonanych z zastosowaniem klejów przewodzących ze złączami wykonanymi tradycyjnymi metodami z zastosowaniem lutowia PbSn lub lutowia bezołowiowego. Zaproponowana porównawcza metoda pomiaru parametrów elektrycznych i mechanicznych mikropołączeń pozwala jednoznacznie ocenić stopień przydatności klejów przewodzących w technologii montażu układów elektronicznych z kontaktami ukrytymi typu Flip-Chip.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Próby wytwarzania soczewek Fresnela metodą wytłaczania na gorąco w szkłach tlenkowych dedykowanych na zakres od 400 do 8000 nm

Głównym celem pracy było zbadanie możliwości wykonywania szklanych, niedrogich w produkcji elementów mikrooptycznych do pracy w zakresie bliskiej i średniej podczerwieni. Masowa produkcja takich elementów odbywa się przy wykorzystaniu metody wytłaczania na gorąco (hot embossing) dotyczy jednak głównie elementów polimerowych. Te z kolei jako materiały organiczne nie mogą być wykorzystywane we wszystkich zastosowaniach. W artykule przedstawiono wyniki prac zrealizowanych dla szeregu szkieł tlenkowych charakteryzujących się wysoką transmitancją w zakresie od światła widzialnego do średniej podczerwieni. Jako stempla użyto płytkę ze szkła kwarcowego o reliefie wykonanym standardowymi metodami trawienia jonowego. Do odwzorowywania zastosowano statyczny proces wytłaczania z zastosowaniem niewielkich sił nacisku. Jakość uzyskanych elementów zbadano przy pomocy interferometru światła białego oraz pomiarów ogniskowania.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Dwuszklane włókna mikrostrukturalne

Periodyczny rozkład współczynnika załamania światła we włóknie fotonicznym PCF (Photonic Crystal Fiber) uzyskuje się przez odpowiednie rozmieszczenie przestrzenne obszarów z przynajmniej dwóch dielektryków - zwykle szkła i powietrza. Dwuszklane włókna mikrostrukturalne są całkowicie szklanymi włóknami fotonicznymi, w przypadku których rolę węzłów sieci dwuwymiarowego kryształu fotonicznego pełnią inkluzje ze szkła o innym współczynniku załamania niż matryca włókna. Dzięki użyciu dwóch szkieł do utworzenia struktury periodycznej możliwa jest na etapie wytwarzania ścisła kontrola geometrii mikrostruktury kryształu. Umożliwia to uzyskanie światłowodu fotonicznego o zamierzonych własnościach optycznych. W artykule zaprezentowano wykonane w wyniku prac dwuszklane włókna fotoniczne oraz przedyskutowano ich potencjalne zastosowania.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Wpływ składu roztworu wysokotemperaturowego na wartościowość jonów metali przejściowych w warstwach epitaksjalnych YAG i GGG

Określono warunki wzrostu epitaksjalnego warstw YAG i GGG zawierających wybrane jony metali przejściowych z grupy żelaza o założonej wartościowości. Warstwy osadzane metodą epitaksji z fazy ciekłej domieszkowano jonami chromu, kobaltu i niklu. Z widm absorpcyjnych warstw wynika, że koncentracja w warstwach centrów Cr4+, Cr3+, Co3+, Co2+ oraz Ni2+ i zajmowane przez te jony pozycje w sieci zależą od wyjściowego stosunku ułamka molowego w roztworze wysokotemperaturowym tlenku metalu przejściowego i tlenku jonu kompensującego ładunek. Wyznaczono wartość współczynnika absorpcji warstw w zależności od składu roztworu wysokotemperaturowego.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG

W tej pracy przedstawiono metodę wzrostu węglika krzemu politypu 3C. Jako zarodki posłużyły monokrystaliczne płytki węglika krzemu o politypach heksagonalnych 4H-SiC oraz 6H-SiC. Zbadano wzrost na płaszczyznach o orientacji (0001) oraz (000-1). Określony został zakres temperatur, pozwalający na otrzymanie struktur o wysokiej jednorodności politypowej, która została potwierdzona analizą fazową otrzymanego materiału oraz pomiarami widma Ramana.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Chemiczne i elektrochemiczne wytwarzanie warstw tlenku cynku

W artykule przedstawiono wyniki badań przeprowadzonych w celu wytworzenia warstw tlenku cynku o różnych strukturach, z wodnych roztworów metodą chemicznego osadzania i elektrosyntezy. Do osadzania ZnO wykorzystano następujące podłoża: szkiełka mikroskopowe i płytki szklane pokryte warstwą ITO. Wykonane warstwy poddano badaniom: mikroskopii skaningowej SEM, dyfrakcji rentgenowskiej XRD oraz fotoluminescencji.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Laser na szkle fosforanowym domieszkowanym erbem, iterbem i chromem

W artykule przedstawione zostały wyniki pomiarów wytworzonego w ITME szkła fosforanowego domieszkowanego jonami erbu, iterbu oraz chromu. Wykonano pomiary transmitancyjne, spektroskopowe oraz badania generacji. Uzyskano generację laserową w zakresie długości fali λ ~ 1540 nm o wyjściowej mocy średniej równej P<sub>śr.</sub> = 48,5 mW. Szkło może być przeznaczone do zastosowań w układach laserów na ciele stałym pompowanych lampami wyładowczymi lub diodami laserowymi.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod laserowych na pasmo 808 nm i 880 nm w czasie długotrwałej pracy

Zaprezentowane zostały zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod podczas długotrwałej pracy: zmniejszenie mocy wyjściowej, zwiększenie prądu progowego jak i zmiana długości fali emisji - dla diod na pasmo 880 nm w kierunku fal krótszych oraz dla diod na pasmo 808 nm w kierunku fal dłuższych.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Pomiary rozkładu amplitudy i fazy akustycznej fali powierzchniowej w krysztale NdCa<sub>4</sub>O(BO<sub>3</sub>)<sub>3</sub> z wykorzystaniem sondy elektrycznej

Skonstruowano sondę do pomiaru rozkładu amplitudy i fazy akustycznej fali powierzchniowej (AFP) w płaszczyźnie propagacji. Elektrodę sondującą wykonano w postaci wolframowej igły przesuwanej po polerowanej powierzchni kryształu piezoelektrycznego. Do odczytu wzmocnionego sygnału z elektrody sondującej wykorzystano analizator sieci. Za pomocą sondy zbadano rozkłady amplitudy i fazy w wiązce AFP dla wybranych orientacji kryształu NdCa<sub>4</sub>O(BO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na podstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu

Przedstawiono procedurę wyznaczania koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na podstawie prążków widmowych Laplace'a otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu. Stwierdzono, że intensywność prążka Laplace'a jest proporcjonalna do amplitudy składowej wykładniczej przebiegu relaksacyjnego związanej z termiczną emisją nośników ładunku z centrów defektowych o określonych właściwościach. Nową procedurę wykorzystano do określenia koncentracji wybranych radiacyjnych centrów defektowych w krzemowej warstwie epitaksjalnej napromieniowanej dawką protonów równą 1,7 x 10<sup>16</sup> cm<sup>-2</sup>, a także w objętościowym monokrysztale krzemu, otrzymanym metodą Czochralskiego w polu magnetycznym (MCz Si), napromieniowanym różnymi dawkami wysokoenergetycznych neutronów. Stwierdzono, że koncentracja radiacyjnych pułapek TX1 (69 meV), identyfikowanych z kompleksami C<sub>i</sub>C<sub>s</sub> w krzemowej warstwie epitaksjalnej wynosi 2,5 x 10<sup>15</sup> cm<sup>-3</sup>. Koncentracja pułapek TA6 (410 meV) identyfikowanych z lukami podwójnymi V<sub>2</sub> (-/O) w MCz Si napromieniowanym dawkami neutronów 3 x 10<sup>15</sup> cm<sup>-2</sup> i 1 x 10<sup>16</sup> cm<sup>-2</sup> wynosi odpowiednio 4,0 x 10<sup>14</sup> cm<sup>-2</sup> i 5,5 x 10<sup>14</sup> cm<sup>-3</sup>.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni

W oparciu o pomiar absorpcji na lokalnych modach drgających (LVM) opracowano warunki pomiaru i krzywą kalibracji pozwalającą na określenie koncentracji węgla w niedomieszkowanych monokryształach GaP. Granice detekcji w temperaturach 12 K i 300 K wynoszą odpowiednio 1 x 10[indeks górny]15 cm-³ i 1 x 10[indeks górny]16 cm-³. Badania metodą Glow Discherge Mess Spectroscopy (GDMS) wskazują, że granicą detekcji dla tej metody jest Nc ≥ l x 10[indeks górny]17 cm-³. Pomiary hallowskie w funkcji temperatury wskazują, że węgiel jest głównym akceptorem w niedomieszkowanych monokryształach GaP.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Badanie centrów defektowych w heterostrukturach laserowych AlGaAsy GaAs ze studnią kwantową GaAsP

Metodę niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS) zastosowano do badania centrów defektowych w laserach heterozłączowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP emitujących promieniowanie o długości fali X = 808 nm. W warstwach falowodowych laserów wykryto 5 pułapek oznaczonych jako T1a, T1b, T2, T3 i T4 o energii aktywacji odpowiednio 205, 215, 370, 380 i 470 meV. Pułapki T1a (205 meV), T2 (370 meV), T3 (380 meV) i T4 (470 meV) zidentyfikowane zostały jako pułapki elektronowe występujące w niedomieszkowanej warstwie falowodowej A10.35Ga0.65As typu n. Stwierdzono ponadto, że pułapki T2, T3, T4 są centrami DX  zlokalizowanymi w otoczeniu o różnej konfiguracji atomowej, spowodowanej fluktuacjami składu warstwy Al035Ga065As. W szczególności dominujące pułapki T3 (380 meV) są centrami DX zlokalizowanymi w sąsiedztwie jednego atomu A1 i dwóch atomów Ga. W laserach nie poddanych starzeniu koncentracja tych pułapek jest dwukrotnie większa od koncentracji pułapek T4 (470 meV), pięciokrotnie większa od koncentracji pułapek T1a (205 meV) i T2 (370 meV) oraz ponad trzykrotnie większa od koncentracji pułapek T1b (215 meV). W wyniku procesu starzenia najsilniej (ponad dwukrotnie) wzrasta koncentracja pułapek T2 (370 meV). W przybliżeniu dwukrotny wzrost koncentracji obserwowany jest również w przypadku pułapki T1a (205 meV). W obszarze studni kwantowej wykryto 3 pułapki elektronowe charakteryzujące się energią aktywacji równą odpowiednio 200, 205 i 250 meV, które przypisano centrom DX zlokalizowanym w otoczeniu o różnej konfiguracji atomów arsenu i fosforu, spowodowanej fluktuacjami składu warstwy GaAs0.9P0.1. W obszarze tym wykryto ponadto pułapki o energii aktywacji 310 meV, które związane są prawdopodobnie z rodzimymi defektami punktowymi generowanymi wskutek wspinania się dyslokacji nachylonych pochodzących od dyslokacji niedopasowania.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Rozpuszczalność granatu itrowo – glinowego w topniku PbO/B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>

Praca dotyczy analizy rozpuszczalności kryształów Y3Al5O12 (YAG) w stopionej mieszaninie PbO-B2O3. Analizę przeprowadzono wykorzystując przedstawiony przez van Erk'a model, w którym założono, że rozpuszczona faza granatu tworzy z rozpuszczalnikiem PbO-B2O3 ciecz jonową. Określono zależności między iloczynem rozpuszczalności YAG bez domieszek oraz domieszkowanego jonami ziem rzadkich i galu a temperaturą nasycenia roztworu wysokotemperaturowego, z którego zachodziła epitaksja warstw YAG. Z wyznaczonych doświadczalnie zależności określono wartość entalpii rozpuszczania kryształów YAG.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Analiza odkształceń sieci krystalicznej w sąsiedztwie dyslokacji

W pracy opisano procedury symulacji Monte Carlo procesu rozpraszania wstecznego w kryształach zawierających dyslokacje. Sigmoidalny kształt ugiętych rzędów (płaszczyzn) atomowych można przybliżyć funkcją arctan, co stanowi model dystorsji sieci krystalicznej w pobliżu półpłaszczyzny dyslokacji krawędziowej. Badania strukturalne kryształów AlGaN i SrTiO<sub>3</sub> za pomocą HRTEM pozwoliły wyznaczyć parametry geometryczne zaburzeń sieci krystalicznej w sąsiedztwie dyslokacji (kąt ugięcia w punkcie przegięcia funkcji arctan oraz odległość między jej asymptotami). Zależność każdego z tych parametrów od odległości od krawędzi dyslokacji można przybliżyć funkcją ekspotencjalnego zaniku i wyznaczyć współczynniki tej funkcji. Dane te zostały wykorzystane w symulacjach Monte Carlo widm rozpraszania wstecznego AlGaN oraz SrTiO<sub>3</sub> i pozwoliły na ilościową parametryzację rozkładu dyslokacji w defektowanych kryształach.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Przegląd metod otrzymywania materiałów plazmonicznych oraz wybranych alternatywnych materiałów

Praca przedstawia przegląd literaturowy dotyczący technologii otrzymywania materiałów plazmonicznych oraz propozycji materiałów alternatywnych do obecnie stosowanych materiałów w obszarze plazmoniki. W analizie literaturowej przedstawiono porównanie metod top-down i bottom-up do otrzymywania materiałów plazmonicznych w postaci warstw, jak również jako materiałów objętościowych. Dodatkowo wybrano potencjalnie najkorzystniejsze alternatywne materiały plazmoniczne, które mogą zastąpić współcześnie używane materiały konwencjonalne stosowane w dziedzinie plazmoniki.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Badania degradacji diod laserowych na pasmo 880 nm

Celem pracy było zbadanie przyczyn degradacji laserów mocy i ich związku z wykonywaniem poszczególnych operacji technologicznych (processing, montaż, napylanie luster) na degradację diod na pasmo 880 nm. Dla badanych diod o długości ich życia decydowały przede wszystkim poprawność wykonania luster oraz wprowadzający naprężenia montaż. Praca posłużyła do modernizacji technologii wytwarzania diod laserowych celem zwiększenia zysku.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Właściwości mechaniczne ceramiki Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub> wzmocnionej płatkami grafenowymi

W pracy badano wpływ płatków grafenowych na właściwości mechaniczne kompozytu Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>  – grafen w funkcji sposobu przygotowania zawiesin tlenku grafenu GO oraz jego zawartości w kompozycie. Do otrzymania próbek użyto handlowy nanometryczny proszek Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>  o czystości 99,99% i GO otrzymany w ITME. Kompozyty otrzymano na bazie wodnej mieszaniny obu składników, którą spiekano po wysuszeniu w piecu Astro pod jednoosiowym ciśnieniem i metodą SPS. Wykonano kompozyty o zawartości wagowej GO 1 i 3%. Spektroskopia Ramana potwierdziła obecność zredukowanego tlenku grafenu w otrzymanych kompozytach. Poza pojedynczymi przypadkami sposób przygotowania zawiesin GO nie miał wpływu na wartości mierzonych właściwości mechanicznych. Stwierdzono, że w funkcji zawartości GO dla próbek spiekanych w piecu Astro twardość oraz moduł Younga nieznacznie maleją, wytrzymałość na zginanie rośnie maksymalnie o ok. 30% dla 3% GO. Odporność na pękanie mierzona na belkach z karbem nieznacznie maleje w funkcji zawartości GO, ale za to rośnie odporność na pękanie mierzona metodą Vickersa (o ok. 50%). Odporność na pękanie próbek spiekanych metodą SPS rośnie maksymalnie ok. 80% (dla obu metod pomiaru). Zaobserwowany na zdjęciach pęknięć Vickersa mechanizm wzmacniania przez płatki GO, polegał na skręcaniu płaszczyzny pękania i blokowaniu jego propagacji.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Badanie właściwości szkliw pod kątem zastosowań w grubowarstwowych mikrorezystorach fotoformowalnych

W artykule wyjaśniono wpływ lepkości i napięcia powierzchniowego szkliwa w temperaturze wypalania na kształt ścieżek o szerokości kilku dziesiątek mikrometrów otrzymanych za pomocą nowoczesnych metod takich jak fotoformowanie. Opracowanie w głównej mierze dotyczy mikrorezystorów z powodu znacznej zawartości w nich szkliwa. Opisano problemy występujące w fotoformowalnych pastach światłoczułych, związane z ich nadmiernym rozpływem i wyciekiem szkliwa. Zaproponowano rozwiązanie tych problemów przez zastosowanie szkliw o wysokim napięciu powierzchniowym co pociąga za sobą dużą wartość kąta zwilżania podłoża. Przedstawiono metodę pomiaru kąta zwilżania, którą zastosowano do oceny kilku szkliw opracowanych w ITME. Następnie obliczono teoretyczną szerokość mikrorezystorów po wypaleniu. Stwierdzono, że szkliwa bezołowiowe zastosowane do mikrorezystorów są znacznie mniej podatne na rozpływ podczas wypalania niż szkliwa zawierające tlenek ołowiu, zatem są preferowane do mikrorezystorów.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika