rafalposwiata/plsc huggingface dataset:
Badanie naprężeń wprowadzanych do diod laserowych podczas montażu za pomocą In oraz stopu eutektycznego AuSn

Montaż diod laserowych wprowadza naprężenia do warstwy aktywnej chipu laserowego, zmieniając jej parametry elektrooptyczne. Dla ich charakteryzacji w ramach niniejszego opracowania badano charakterystyki mocowo--prądowe, spektralne promieniowania laserowego, nisko-prądowe I-V oraz charakterystyki promieniowania spontanicznego poniżej progu dla samego chipu i po każdym etapie montażu. Diody montowano do chłodnic w próżni i w atmosferze azotu przy użyciu lutowia miękkiego (In), a także przy zastosowaniu lutowia twardego (eutektycznego AuSn). W drugim przypadku chipy lutowano do miedzianej chłodnicy bezpośrednio i z zastosowaniem przekładki diamentowej. Stosowane lutowie AuSn było w postaci folii, jak również w postaci cienkich warstw Au i Sn lub stopu eutektycznego AuSn napylanych na chłodnicę lub przekładkę diamentową. Na każdym etapie montażu w diodach obserwowano różne naprężenia w zależności od zastosowanej metody. Sprawdzono również skuteczności procesów termicznej relaksacji naprężeń w diodach wykonanych poprzez wygrzewanie.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Nowe kompozyty grubowarstwowe o obniżonej temperaturze spiekania przeznaczone na kontakty ogniwa słonecznego

W pracy przedstawiono nowa generację materiałów grubowarstwowych przeznaczonych do nanoszenia sitodrukiem, w których fazę przewodzącą stanowią proszki srebra o submikronowej wielkości ziaren. Zaletą tych past jest to, że nie zawierają fazy szkliwa, które wspomagało proces spiekania, a jednocześnie pogarszało przewodnictwo elektryczne warstwy. Kolejna zaleta tych past to możliwość spiekania w niższych temperaturach, co zwiększa obszar stosowania tych past w różnych procesach technologicznych.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Dielektryk ceramiczny do elektroplazmowej syntezy ozonu w warunkach wyładowań powierzchniowych

Przedstawiono rezultaty prac nad otrzymywaniem podłoża ceramicznego przeznaczonego do wytwarzania ozonu w wyładowaniach elektrycznych zachodzących na powierzchni dielektryka. Uzyskane materiały pozwalają na realizowanie dobrze rozwiniętych wyładowań powierzchniowych. Powierzchnia zewnętrzna podłoża ceramicznego może być w łatwy sposób modyfikowana poprzez nanoszenie krzemionkowej warstwy aktywnej.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Optyczne własności nanokompozytów otrzymywanych metodą mikrowyciągania na bazie szkła NBP i domieszkowanych nanocząstkami Ag i jonami Er<sup>3+</sup>

Opracowano technologię otrzymywania włókien szklanych z Na<sub>5</sub>B<sub>2</sub>P<sub>3</sub>O<sub>13</sub> (NBP) oraz włókien NBP domieszkowanych nanocząstkami srebra i jonami Er<sup>3+</sup> (NBP_Er3_nAg) przy użyciu metody mikrowyciągania. Metoda ta jest interesująca ze względu na możliwość uzyskania trwałych nanokompozytowych struktur 3D. Zbadano własności optyczne otrzymanych struktur. W czystym NBP obserwowano przesunięcie krawędzi absorpcji w kierunku długofalowym (do ~ 250 nm), który wiązany jest ze wzrostem zasadowości optycznej szkła wskutek zmiany wzajemnego stosunku niemostkowanych do zmostkowanych jonów tlenu. W strukturach NBP_Er3_nAg wzbudzanych linią 325 nm lasera He-Cd obserwowano transfer energii z widma emisyjnego szkła NBP do jonów Er<sup>3+</sup> i nanocząstek srebra. Stwierdzono około dwukrotny wzrost emisji dla przejść <sup>4</sup>I<sub>13/2</sub>-<sup>4</sup>I<sub>15/2</sub> w obecności nanocząstek Ag w wyniku transferu energii z nAg do jonów Er<sup>3+</sup> . Po raz pierwszy zaobserwowano również w 300K emisję przy 615 nm pochodzącą od przejść <sup>4</sup>G<sub>11/2</sub>-<sup>4</sup>I<sub>11/2</sub> . Ponad pięciokrotne wzmocnienie występuje w obecności silnego piku związanego z LSPR wskutek transferu energii z nanocząstek nAg na poziom <sup>4</sup>G<sub>11/2</sub> jonu erbu. Przy wzbudzaniu rezonansowym dla przejść <sup>4</sup>I<sub>15/2</sub>-<sup>4</sup>F<sub>7/2</sub> linią 488 nm emisja przy 1532 nm pochodzi głównie od wzbudzenia poziomu <sup>4</sup>I<sub>13/2</sub> w wyniku relaksacji wielofononowej z poziomu <sup>4</sup>F<sub>7/2</sub> , a obserwowane gaszenie emisji przy 1532 nm wynika z transferu energii z jonów Er<sup>3+</sup> do grupy hydroksylowej OH, transferu pomiędzy jonami erbu oraz transferu do nanocząstek srebra.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Spektroskopia ramanowska grafenu

Grafen jest obecnie materiałem niezwykle popularnym zarówno w środowisku naukowym, jak i w mediach. Jego unikatowe właściwości pozwalają myśleć o nim jako o następcy krzemu w elektronice. Polska ma swój wkład w badaniach tego materiału, między innymi poprzez opracowanie nowatorskiej techniki wzrostu grafenu na SiC- polegającej na osadzaniu warstw węglowych z propanu. Spektroskopia ramanowska jest uznaną i nieniszczącą techniką badań struktur węglowych, w tym grafenu. W sierpniu 2012 r. w ITME został zakupiony spektrometr ramanowski optymalizowany do badań grafenu. W artykule zostaną przedstawione podstawy spektroskopii ramanowskiej i omówione pokrótce podstawowe techniki wytwarzania grafenu. Główny nacisk został położony na przedstawienie możliwości badawczych przy użyciu spektroskopii ramanowskiej.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Wpływ parametrów procedury numerycznej CONTIN na kształt prążków widmowych otrzymywanych w wyniku analizy temperaturowych zmian relaksacyjnych przebiegów fotoprądu

Opisano procedurę numeryczną CONTIN zastosowaną do wyznaczania temperaturowych zależności szybkości emisji nośników ładunku z centrów defektowych w półprzewodnikach o wysokiej rezystywności. Zależności te są wizualizowane poprzez prążki widmowe powstające w wyniku przekształcenia relaksacyjnych przebiegów fotoprądu. Określono wpływ parametrów sterujących procesem obliczeniowym na kształt i intensywność prążków widmowych.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD

Celem artykułu jest przedstawienie oprogramowania komputerowego obejmującego szereg zadań związanych z epitaksją związków półprzewodnikowych. Wśród zadań tych znalazły miejsce: 1. zarządzanie przepływami prekursorów, 2. wspomaganie wytwarzania struktur ze studnią kwantową, 3. analiza struktur fotonicznych, 4. analiza potencjału elektrycznego w strukturach. Weryfikacja oprogramowania podczas pracy z systemem epitaksji MOCVD wykazała, że stanowi ono pozytywny przykład rozwiązania problemu numerycznego wspomagania procesu epitaksji.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Wpływ zastosowania wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej AIN na właściwości GaN osadzanego na podłożach szafirowych

Warstwy epitaksjalne związków półprzewodnikowych typu AIII-N są szeroko stosowane w przyrządach optoelektronicznych i mikrofalowych między innymi takich jak diody elektroluminescencyjne, detektory UV i tranzystory HEMT. Wskutek niedopasowania sieciowego pomiędzy warstwą a podłożem szafirowym istnieje konieczność stosowania przejściowej niskotemperaturowej warstwy zarodkowej. Typowa temperatura wzrostu warstwy zarodkowej (~550°C) jest znacznie niższa od temperatury wzrostu dalszych warstw aplikacyjnych przyrządu (≥ 1070C). Podczas zwiększania temperatury, w warstwie zarodkowej zachodzi przemiana struktury kubicznej w heksagonalną, której towarzyszy tworzenie się defektów strukturalnych (błędów ułożenia), co prowadzi do pogorszenia się parametrów przyrządu. Niniejsza praca koncentruje się na otrzymaniu warstwy zarodkowej w wyższej temperaturze z pominięciem niekorzystnego etapu zmiany struktury. Zastosowanie takiej warstwy zarodkowej z A1N pozwala na otrzymanie stabilnej struktury heksagonalnej o niskiej gęstości defektów strukturalnych oraz otwiera możliwość natychmiastowego dwuwymiarowego wzrostu warstwy aplikacyjnej GaN. Analizowane warstwy GaN charakteryzują się znacznie mniejszą szerokością połówkową rentgenowskiego widma dyfrakcyjnego dla promieniowania odbitego w kierunku <0002> oraz znacznie wyższą rezystywnością w porównaniu do warstw GaN otrzymanych metodą dwuetapową. W pracy przedstawiono wyniki badań wysokotemperaturowej warstwy zarodkowej oraz wpływu warunków jej wzrostu na strukturę krystaliczną i właściwości elektryczne warstw GaN. Zaprezentowano możliwość uzyskania wysokorezystywnych warstw GaN na podłożach szafirowych. Zaobserwowano znaczący wpływ temperatury wzrostu na właściwości heterostruktur wykorzystujących związki typu GaN.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Własności linii w w MCz-Si i FZ-Si naświetlanym neutronami

W pracy zbadano własności luminescencyjne linii W w MCz-Si i FZ-Si naświetlanym neutronami dawką 1 × 10<sup>15</sup> - 3 × 10<sup>16</sup>n/cm². Średnia energia termicznej dysocjacji defektu odpowiedzialnego za emisję linii W została określona jako E = 52 ± 5 meV. Emisja przy energii 1.018 eV została zinterpretowana jako rekombinacja elektronu i dziury na defekcie, wówczas gdy jedna z cząstek jest związana z defektem energią ˜ 100 meV, a druga z energią ˜ 52 meV. Ten model zgadza się z proponowanym teoretycznym modelem defektu utworzonego przez trzy międzywęzłowe atomy Si, (I<sub>3</sub>) zakładającym, że defekt I<sub>3</sub> jest defektem donorowo-podobnym o poziomie (0/+) leżącym w odległości 0.1 eV od pasma walencyjnego. Określona z wykresu Arrhenius'a energia procesu gaszenia linii W wynosiła 0.3 eV. Po raz pierwszy zaobserwowano w MCz-Si po wygrzaniu w 550 K emisję przy 1.108 eV związaną z obecnością defektu V<sub>6</sub>. Emisja ta znika po wygrzaniu w temperaturze, w której atomy tlenu stają się mobilne. Sugeruje się, że brak linii przy 1.108 eV w Cz-Si jest wynikiem oddziaływania/pasywacji kompleksu V<sub>6</sub> atomami tlenu.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Krótkie wprowadzenie do tematyki ogniw fotoelektrochemicznych

Jednym z wyzwań stojących obecnie przed ludzkością jest produkcja czystej energii ze źródeł odnawialnych. Jedną z alternatyw jest wodór produkowany z rozkładu wody za pomocą energii słonecznej w ogniwach fotoelektrochemicznych (PEC). W artykule autorzy wprowadzają czytelnika pokrótce w tematykę PEC. Przedstawiony zostaje obecny stan wiedzy i stosowane rozwiązania. Obecnie wymagania wobec PEC są łatwe do sformułowania, ale spełnienie ich wszystkich jest jednym z wyzwań które stoją przed badaczami. W artykule zostały przedstawione również dziedziny w których poszukiwania wydają się niezbędne aby osiągnąć sukces w rozkładzie wody.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Azotek krzemu stosowany w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP

Przeprowadzono badania warstw azotku krzemu osadzonych na płytkach z fosforku indu metodą PECVD (Plasma Enhanced Chemical Yapor Deposition) z wykorzystaniem do wytwarzania plazmy dwóch generatorów pracujących na różnych częstotliwościach. Celem badań było ustalenie warunków wytwarzania warstw azotku krzemu stosowanych w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP, w których obszarem absorpcyjnym są studnie kwantowe z InxGa1-xAs. Warstwy azotku krzemu były osadzane w temperaturach pomiędzy 250°C i 300°C. Podstawą do oceny wytworzonych warstw były wyniki badań: ich składu chemicznego, struktury, współczynnika załamania, poziomu naprężeń, rezystywności, wytrzymałości dielektrycznej, stałej dielektrycznej i efektywnej gęstości powierzchniowej ładunków elektrycznych. Stwierdzono, że warstwy osadzane w temperaturze 250°C mają najlepszą strukturę, dobrze spełniają rolę maski w procesie selektywnej dyfuzji cynku, a właściwości elektryczne umożliwiają wykorzystanie ich do pasywacji powierzchni bocznych złącz p-n, pod warunkiem zastosowania odpowiedniego cyklu wygrzewań po procesie osadzania.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Dwójłomne włókna mikrostrukturalne

W artykule zaprezentowano wykonane przez nas włókno mikrostrukturalne o symetrii dwuosiowej. Przedyskutowano również sposoby uzyskiwania anizotropii optycznej we włóknach tego typu oraz wpływ parametrów geometrycznych na dwójłomność włókien, ponadto przedstawiono wyniki symulacji struktur o eliptycznych elementach sieci, eliptycznym rdzeniu i przekroju prostokątnym. Wytworzone włókno scharakteryzowano metodą interferometrii spektralnej ze skrzyżowanymi polaryzatorami. Struktura światłowodu umożliwiła uzyskanie fazowej dwójłomność rzędu 10<sup>-4</sup> tj. wartość zbliżoną do światłowodów PANDA.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie

Niedopasowanie sieciowe pomiędzy szafirowym podłożem i warstwą epitaksjalną GaN prowadzi do powstawania naprężeń i dyslokacji niedopasowania. Jest ono także główną przyczyną trudności, na jakie napotyka wzrost epitaksjalny warstw związków AIIIN. Próby rozwiązania tego problemu polegają m.in. na stosowaniu warstwy buforowej [1-3]. Niekiedy może ona zawierać supersieć o bardzo krótkiej fali modulacji składu chemicznego, która obniża gęstość dyslokacji, a także poprawia strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej [4-5]. W artykule prezentowane są wyniki badań systemów epitaksjalnych związków AIIIN, odkładanych na podłożu szafirowym o orientacji 001, dotyczące struktury warstw AlN, AlGaN oraz GaN o bardzo małej grubości, a także cech budowy krystalicznej warstwy buforowej i jej wpływu na wzrost i strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej GaN.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Badania modelowe morfologii mieszanin proszków Ag-C uzyskanych w procesie mechanicznej syntezy

Jedną z głównych przeszkód w skutecznym zastosowaniu cząstek węgla do umocnienia kompozytów na osnowie metali jest ich niedostateczna dyspersja w samej osnowie. Szczególne trudności dyspersyjne obserwuje się w kompozytach na osnowie srebra stosowanych na nakładki stykowe w łącznikach niskonapięciowych, ponieważ srebro i węgiel nie reagują ze sobą. W artykule przedstawiono badania struktury proszków otrzymanych podczas procesu mechanicznej syntezy (MS) czystego Ag o różnych kształtach oraz mieszaniny Ag z dodatkami 0,1 % wag. i 3 % wag. węgla. Stwierdzono, że proces formowania cząstek w wyniku zgrzewania na zimno, dzięki wysokiej energii zderzeń pomiędzy kulami i cząstkami srebra, ma różny przebieg i zależy od kształtu proszku wyjściowego. W wyniku procesu MS mieszaniny sferycznego proszku Ag i C zaobserwowano zmniejszenie wielkości cząstek oraz zmianę ich kształtu. Ponadto, badania przeprowadzone na mikroskopie skaningowym wykazały, że już po 30 minutach procesu w przypadku obu rodzajów proszków Ag i kulistego proszku C tworzy się proszek kompozytowy Ag-C. Badania potwierdziły istotną zależność pomiędzy energią procesu MS a strukturą proszków kompozytowych. Otrzymane rezultaty są spójne z wnioskami zaprezentowanymi przez autorów w publikacji [11]. Uważamy, że zastosowanie procesu mechanicznej syntezy do otrzymywania kompozytów Ag-C stosowanych na styki w łącznikach niskonapięciowych może być w przyszłości dobrym rozwiązaniem.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Spaleniowa synteza granatu itrowo-glinowego domieszkowanego jonami neodymu

Otrzymano nanoproszki granatu itrowo-glinowego domieszkowanego jonami neodymu (Nd:YAG) w wyniku redukcji azotanów glinu, itru i neodymu za pomocą glukozy, dekstryny lub skrobi, przebiegającej podczas ogrzewania wodnych roztworów tych substancji. Zbadano wpływ rodzaju i ilości reduktora oraz temperatury, w której prowadzono reakcję na skład chemiczny i fazowy oraz mikrostrukturę produktów. Zmierzono temperaturę w próbkach ogrzewanych w różnych warunkach, a uzyskane wyniki wykorzystano do ustalenia rodzaju, kolejności i intensywności procesów przebiegających w mieszaninie reagentów. W wyjściowym roztworze kationy metali są wiązane (koordynowane) przez grupy hydroksylowe węglowodanów, gwarantując równomierność ich przestrzennego rozkładu oraz ograniczenie zasięgu dyfuzji prekursorów tlenków. Amorficzne mieszane tlenki itrowo-glinowe zanieczyszczone karboksylanami i węglanami są produktem termicznie inicjowanych reakcji utlenienia węglowodanów anionami azotanowymi. Czysty fazowo granat itrowo-glinowy krystalizuje podczas 2-godzinnej kalcynacji surowych produktów reakcji w temperaturze 900 °C. Niezależnie od rodzaju reduktora uzyskano proszki YAG o średnim wymiarze krystalitów -  20 nm. Zwiększeniu jednorodności kształtów i rozmiarów cząstek oraz zmniejszeniu stopnia ich aglomeracji sprzyja użycie w syntezie nadmiaru reduktora. Korzystne jest zastosowanie w tej roli wielkocząsteczkowych węglowodanów o skomplikowanej strukturze przestrzennej, np. skrobi.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p

Monokryształy antymonku galu domieszkowane na typ przewodnictwa n oraz na typ p orientacji < 100 > otrzymane zostały zmodyfikowaną metodą Czochralskiego zintegrowaną z syntezą in-situ. Zbadano wpływ parametrów technologicznych na skuteczność procesu domieszkowania i dobrano parametry w celu otrzymania monokryształów o pożądanym typie przewodnictwa oraz koncentracji nośników. Uzyskano monokryształy GaSb typu n (domieszkowane tellurem) o koncentracji nośników w zakresie od 1 x 10[indeks górny]17 do 1 x 10[indeks górny]18 cm. Otrzymane monokryształy GaSb typu p posiadały koncentrację w zakresie od 4 x 10[indeks górny]17 do 2 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane krzemem) oraz koncentrację od 2 x 10[indeks górny]18 do 1 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane cynkiem). Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Zn, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Kompozyt Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-ZrO<sub>2</sub> wzmocniony płatkami grafenowymi

W pracy zbadano wpływ płatków grafenowych na właściwości mechaniczne kompozytu o zawartości wagowej 20% Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> - 80% ZrO<sub>2</sub> (stab. 3% mol. Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>). Do otrzymania próbek użyto handlowy proszek ceramiczny firmy Tosoh, tlenek grafenu (GO) otrzymany w ITME oraz grafen firmy SkySpring Nanomaterials Inc. (GN). Kompozyty otrzymano na bazie wodnych (GO) i alkoholowych (GN) mieszanin obu składników, które po wysuszeniu spiekano w piecu Astro pod jednoosiowym ciśnieniem i metodą SPS. Wykonano kompozyty o zawartości wagowej: 0; 0,1; 0,2; 0,5; 1 i 3% GO oraz 0,1% GN. Spektroskopia Ramana wykazała obecność grafenu. Stwierdzono, że w funkcji zawartości GO oraz GN: odporność na pękanie ma maksimum dla zawartości 0,1% GO i GN, wytrzymałość maleje, moduł Younga oraz twardość Vickersa utrzymują się stałe do zawartości 0,5% GO, a następnie maleją.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Wpływ profilu interfejsów i zaburzeń grubości warstw w zwierciadłach Bragga na ich własności optyczne

Supersieci GaAs/AlAs i AlGaAs/AlAs przeznaczone do wykorzystania jako zwierciadła Bragga otrzymano zarówno metodą epitaksji z wiązek molekularnych MBE, jak i epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych LP MOVPE. Supersieci te różniły się między sobą grubościami warstw, liczbą powtórzeń warstwy podwójnej (Al)GaAs/AlAs, jak i warunkami technologicznymi w których je wytwarzano. Dla każdej supersieci wyznaczono jej profil składu chemicznego, wykorzystując do tego celu wysokorozdzielczą dyfraktometrię rentgenowską (HRXRD), reflektometrię rentgenowską (XRR) oraz metodę wstecznego rozpraszania jonów (RBS), wspomagane analizą numeryczną. Szczególną uwagę zwracano na profil interfejsów pomiędzy warstwami i odstępstwa od zakładanej grubości warstw. Następnie stosując spektroskopię odbiciową dla każdej supersieci zmierzono spektralną zależność współczynnika odbicia. Pokazano zależność pomiędzy profilem składu chemicznego a zdolnością odbicia tych supersieci. Zidentyfikowano odstępstwa od typowej struktury zwierciadeł Bragga, którą stanowi supersieć o prostokątnym kształcie profilu składu chemicznego i zbadano ich wpływ na zdolność odbiciową tych zwierciadeł.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Nanodruty InP do zastosowań w fotowoltaice

W pracy zaprezentowano technologię wytwarzania nanodrutów InP na podłożach InP o orientacji (100) oraz (111)B oraz nanodrutów GaAs na podłożach GaAs o orientacji (100) i (111). Nanodruty zostały wykonane za pomocą metody Epitaksji z Fazy Gazowej z Użyciem Związków Metaloorganicznych (MOVPE). Jako katalizator wzrostu wykorzystano nanocząstki złota o średnicy ~ 30 nm. Wszystkie prace zostały wykonane w zakładzie Epitaksji i Charakteryzacji Związków Półprzewodnikowych ITME.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Rentgenowska topografia dyfrakcyjna defektów sieci krystalicznej w monokryształach MgAl<sub>2</sub>O<sub>4</sub> i ScAlMgO<sub>4</sub> otrzymywanych w różnych warunkach technologicznych

Za pomocą konwencjonalnej rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej scharakteryzowana została realna struktura monokryształów spinelu magnezowego MgAl<sub>2</sub>O<sub>4</sub> i monokryształów ScAlMgO<sub>4</sub> (SCAM). Badania uzupełniające prowadzono za pomocą dyfraktometrii wysokorozdzielczej, skaningowej mikroskopii elektronowej, mikroanalizy rentgenowskiej oraz metod polaryskopowych. Topogramy MgAl<sub>2</sub>O<sub>4</sub> wskazują na jakość kryształów pozwalającą na przeprowadzenie szczegółowych badań realnej struktury metodami rentgenowskiej topografii dyfrakcyjnej. W żadnej z badanych próbek nie zaobserwowano kontrastów pochodzących od pasm segregacyjnych. Topogramy badanych kryształów ujawniają obecność rdzenia w centralnej części próbek, często z wyraźnie zaznaczonymi obszarami ściankowanymi odpowiadającymi wzrostowi na niskowskaźnikowych płaszczyznach krystalograficznych. W zewnętrznej części rdzenia zaobserwowano liczne kontrasty dyfrakcyjne związane najprawdopodobniej z defektami objętościowymi typu solute trails oraz wyraźne kontrasty związane z grupą dyslokacji. Za pomocą topografii dwukrystalicznej ujawniono naprężenia związane z rdzeniem oraz defektami objętościowymi solute trails. Ze względu na tendencję do rozwarstwiania się kryształu ScAlMgO<sub>4</sub> badania przeprowadzono na wybranych próbkach otrzymanych przez mechaniczne rozdzielenie materiału. Topogramy dwukrystaliczne ujawniły kontrast dyfrakcyjny odzwierciedlający poszczególne warstwy materiału. Szczegóły rozdzielania się warstw ujawniły obserwacje SEM.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika