rafalposwiata/plsc huggingface dataset:
Zgrzewanie tarciowe kompozytów Al/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> ze stopami Al 44200

Zgrzewanie tarciowe to jedna z bardziej ekonomicznych metod trwałego łączenia materiałów w stanie stałym. Metoda ta umożliwia wykonywanie złączy zarówno jednoimiennych, jak i różnoimiennych w bardzo krótkim czasie. Zaletą zgrzewania tarciowego jest możliwość uzyskania złączy o wysokiej jakości. Zgrzewanie tarciowe kompozytów z metalami, stwarza nowe możliwości aplikacji z uwagi na fakt, że oba materiały posiadają różne właściwości fizyczne oraz mechaniczne. W pracy przeprowadzono próby spajania stopu aluminium 44200 (wg normy PN-EN 1706:2001) z kompozytami Al/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>. W pracy przeprowadzono następujące badania złączy stop aluminium-kompozyt uzyskanych metodą zgrzewania tarciowego: mikroskopowe, twardości, mechaniczne (pomiar wytrzymałości na rozciąganie). Wykonane badania miały na celu ocenę jakości połączenia pomiędzy stopem 44200, a kompozytami na osnowie stopu aluminium wzmacnianymi fazą ceramiczną Al/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Dynamika nagrzewania obszaru aktywnego diod laserowych z symetryczną i asymetryczną heterostrukturą - porównanie metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii

Przedstawiono wyniki prac porównawczych nad diodami laserowymi dużej mocy o	symetrycznej i asymetrycznej konstrukcji heterostruktury, na pasmo 800 nm. Istotą konstrukcji asymetrycznej jest zastosowanie pasywnej warstwy falowodowej po stronie n, przez co rozkład pola optycznego generowanego promieniowania przesuwa się na tę stronę. Związane z tym zmniejszenie strat na swobodnych nośnikach umożliwia zwiększenie mocy emitowanego promieniowania diod laserowych poprzez rozszerzenie (w płaszczyźnie prostopadłej do złącza) przesuniętego rozkładu pola optycznego i wydłużenie rezonatora. Przesunięcie pola optycznego na stronę n umożliwia jednocześnie zmniejszenie grubości warstwy p-emitera, przez co oczekiwane jest zmniejszenie rezystancji (termicznej i elektrycznej) heterostruktury. Zostało to potwierdzone przez pomiary niestacjonarnych procesów cieplnych techniką czasowo-rozdzielczej spektroskopii. W pracy impulsowej diod laserowych zaobserwowano znacznie mniejsze przesunięcie termiczne widma promieniowania w ciągu pierwszych mikrosekund od czoła impulsu w przyrządach skonstruowanych na bazie heterostruktury asymetrycznej w porównaniu z diodami wykonanymi z heterostruktur symetrycznych. Tak szybkie (rzędu pojedynczych μs) procesy cieplne mogą być związane tylko z najbliższym otoczeniem warstwy aktywnej, zatem głównie z wysokorezystywną warstwą p-emitera. W artykule przedstawiono technikę badania procesów cieplnych w obszarze aktywnym DL metodą czasowo-rozdzielczej spektroskopii z zastosowaniem kamery ICCD firmy Andor. Ze względu na rozdzielczość czasową znacznie poniżej l μs (z bramką do 2 ns), technika ta dostarcza informacji o szybkich, niestacjonarnych procesach w obszarze aktywnym i jego najbliższym otoczeniu. Jest zatem bardzo pomocna w ocenie konstrukcji przyrządów. Przedstawione wyniki pokazują, że konwencjonalna technika wyliczania rezystancji termicznej diod pracujących w warunkach CW może prowadzić do wniosków niezgodnych z wnioskami z pomiarów techniką czasowo-rozdzielczej spektroskopii. Wskazano możliwe przyczyny tych rozbieżności.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Dyfrakcyjne elementy optyczne do formowania wiązek światła emitowanych przez diody laserowe

Dzięki miniaturowym rozmiarom i niskiej cenie laserowe diody krawędziowe znajdują coraz szersze zastosowanie jako niezawodne źródła wiązki światła. Duża rozbieżność i asymetria tych wiązek powoduje jednak, że w przypadku większości aplikacji muszą być one wcześniej transformowane. Ze względu na skomplikowany front falowy stosowane w tym celu tradycyjne układy optyczne składają się z wielu elementów, co powoduje znaczny wzrost rozmiarów, ciężaru i ceny systemu. Tracone są w ten sposób podstawowe zalety związane z zastosowaniem półprzewodnikowych źródeł światła. Stąd za bardzo istotne uznać należy poszukiwanie rozwiązań, w których wszystkie funkcje związane z transformacją wiązki światła spełniać będzie pojedynczy element optyczny. W pracy wskazano na możliwość użycia w tym celu dyfrakcyjnych elementów optycznych o prostej, miniaturowej budowie. Jako przykład zaprezentowano element służący do formowania wiązki emitowanej przez jednowymiarową macierz diod laserowych. Główne zalety tego elementu to możliwość koncentracji dużych energii w małym przekroju wiązki oraz zwarta budowa, pozwalająca na zachowanie miniaturowych wymiarów źródła wiązki światła.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN

Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu

Węglik i azotek krzemu są obiecującymi materiałami, które dzięki swym właściwościom mogą być wykorzystane do uzyskiwania różnego rodzaju przyrządów elektronicznych. Oba są wysoko temperaturowymi półprzewodnikami używanymi jako izolatory i stosowanymi jako bariery dyfuzji w urządzeniach mikroelektronicznych. SiCN znajduje liczne praktyczne zastosowania w ogniwach słonecznych, płaskich monitorach telewizyjnych, pamięciach optycznych, jako warstwy antyrefleksyjne. Kontrola parametrów procesu sputteringu pozwala na uzyskiwanie warstw o różnych właściwościach fizycznych i chemicznych np. o różnej przerwie energetycznej, od 2,86 V dla SiC do 5 eV dla Si3N4 [1]. W artykule opisane zostały właściwości warstw SiCN otrzymane metodą reaktywnego sputteringu z targetu węglika krzemu oraz w atmosferze argonowo - azotowej. SiCN osadzany był na podłożach Si(111) oraz na podłożach krzemowych z warstwą AlN. Skład, struktura, powierzchnia uzyskiwanych warstw była określana za pomocą metod diagnostycznych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), spektroskopia masowa jonów wtórnych (SIMS), mikroskopia sil atomowych (AFM). Badano wpływ parametrów sputteringu na jakość warstw analizując widma transmisji i z zakresu podczerwieni i światła widzialnego.(FTIR - spektroskopia optyczna w zakresie podczerwieni).

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Diody LED - odpady niebezpieczne dla środowiska

W Laboratorium Charakteryzacji Materiałów Wysokiej Czystości ITME przeprowadzono analizę składu chemicznego kilku rodzajów diod LED obecnych na polskim rynku [2]. Omówiono zawartość metali kancerogennych oraz metali niebezpiecznych dla środowiska . Porównano je z rezultatami uzyskanymi w UCI (Uniwersytet Kalifornia) opisanymi w [1] i normami TTCL.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Oznaczanie zawartości Y, Al, Nd oraz zanieczyszczeń w próbkach Y4Al2O9 (YAM) niedomieszkowanych i domieszkowanych neodymem

Celem niniejszej pracy było oznaczenie głównych pierwiastków (Y, Al, Nd) kryształów YAM niedomieszkowanych i domieszkowanych neodymem oraz zanieczyszczeń śladowych. Pierwszym etapem pracy było dobranie odpowiednich warunków pracy urządzenia do mikrofalowego roztwarzania w celu przeprowadzenia próbek do fazy ciekłej. Następnie wykonano analizę jakościową i półilościową z wykorzystaniem spektrografu emisyjnego w celu określenia poziomu zanieczyszczeń. Oznaczono za pomocą FAAS Al i Nd przy zastosowaniu 0,1% chlorku cezu (bufor jonizacyjny) i 0,2% chlorku lantanu (bufor chemiczny) oraz oznaczono itr za pomocą ICP-OES.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Zastosowanie procesu Boscha do plazmowego trawienia krzemu

W pracy opisano wielostopniowy proces plazmowy powszechnie znany jako proces Boscha. Składa się on z wielokrotnie powtarzanych sekwencji kroków trawienia i pasywacji. Dzięki temu można otrzymać w krzemie bardzo głębokie struktury o wysokim współczynniku kształtu. Proces zaimplementowano na urządzeniu Alcatel 601E. Końcowym efektem opracowanej procedury jest wytrawiony profil o wysokim współczynniku kształtu, pionowych ścianach i gładkiej powierzchni.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu

Określono wpływ strumienia fotonów w zakresie od 9,0 x 10[sup]15 cm-²s-1 do 6,1 x 10[sup]18 cm-²s-1 na kształt i rozdzielczość prążków widmowych Laplace'a oraz prążków widmowych otrzymanych za pomocą procedury korelacyjnej dla radiacyjnych centrów defektowych w próbkach Si-MCz napromieniowanych dawkami neutronów 3 x 10[sup]15 cm-² i 3 x 10[sup]16 cm-². Stwierdzono, że największą rozdzielczość zarówno prążków widmowych Laplace'a, jak i prążków korelacyjnych uzyskiwana jest dla małego strumienia fotonów w zakresie od 9,0 x 10[sup]15 cm-²s-1 do 1,6 x 10[sup]16 cm-²s-1. Dla małych strumieni fotonów najszerszy jest również zakres szybkości emisji, w którym obserwowane są prążki widmowe. Stwierdzono, że strumień fotonów wpływa na rozkład koncentracji nośników ładunku w próbce. Pełną zmianę obsadzenia centrów defektowych w obu próbkach zapewniają rozkłady koncentracji nośników ładunku dla strumienia fotonów równego - 6 x 10[sup]18 cm-²s-1. Na podstawie widm Laplace'a uzyskanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu zmierzonych dla strumienia fotonów równego 6,1 x 10[sup]18 cm-²s-1, określono dla napromieniowanych próbek parametry centrów defektowych, zaś na podstawie widm korelacyjnych określono względne wartości koncentracji centrów w tych próbkach.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >

Opracowano warunki otrzymywania monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >. Skonstruowano układy termiczne dla urządzenia MarkIV, w których można otrzymywać metodą Czochralskiego z herme-tyzacją cieczową (LEC - Liąuid Encapsulated Czochralski) duże monokryształy GaP. Zbadano termiczne warunki wzrostu kryształów. Doświadczalnie określono wpływ niektórych elementów układu termicznego na kształt pola temperatur w obszarze wzrostu kryształów. Otrzymano monokryształy GaP o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >. Zbadano ich własności elektryczne i strukturalne.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Właściwości fizyczne nanoproszków Al2O3-Ag wytworzonych metodą rozkładu termicznego-redukcji oraz impregnacji nanosrebrem koloidalnym

Praca miała na celu zbadanie wpływu warunków wytwarzania nanoproszków Al2O3-Ag jak również ilości dodanego srebra na ich właściwości fizyczne [1]. Nanoproszki Al2O3-Ag zostały wytworzone metodą rozkładu termicznego-redukcji. W pierwszym etapie otrzymany prekursor poddano wygrzewaniu w temperaturze 700°C w atmosferze powietrza przez 24 h. Następnie, produkt pośredni Al2O3-Ag2O poddano redukcji w temperaturze 700°C w atmosferze wodoru przez 2 h w celu uzyskania produktu końcowego- nanoproszku Al2O3-Ag. Metoda ta pozwoliła na otrzymanie serii próbek A12O3+ x wag% Ag (x = 0.30, 1.35, 2.84, i 12.55). W celach porównawczych wytworzono również nanoproszki Al2O3-Ag metodą impregnacji nanoproszku Al2O3 nanosrebrem z układu koloidalnego nanosrebro-heksan. Metodą tą otrzymano serię próbek Al2O3+ x wag% Ag (x=0.30, l.40, 2.85, oraz 12.70). Otrzymane nanoproszki Al2O3-Ag poddano analizie takich parametrów fizycznych jak powierzchnia właściwa, objętość i rozmiar porów, a także gęstość rzeczywista. Produkty obu metod charakteryzują się znacznie rozwiniętą powierzchnią właściwą (ponad 200 m²/g) oraz dużą objętością porów (0,4-1,1cm³/g).

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC

Przeprowadzono pomiary metodą DLTS czterech próbek zawierających warstwy epitaksjalne 4H-SiC, różniących się koncentracją atomów azotu oraz efektywną koncentracją donorów. Dwie spośród próbek wybranych do badań wpływu koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych zawierały warstwy osadzone w ITME, natomiast pozostałe dwie zostały wytworzone w instytucie Naval Research Laboratory (NRL). Na podstawie uzyskanych widm DLTS dla każdej z próbek określono parametry wykrytych pułapek oraz ich koncentrację. Zaproponowano identyfikację wszystkich wykrytych pułapek oraz możliwe modele powstawania typowych dla SiC pułapek Z1/2. Przeprowadzono analizę wpływu atomów azotu na efektywną koncentrację donorów oraz na koncentrację centrów defektowych. Podjęto próbę wyjaśnienia różnicy w stopniu kompensacji dla próbek wytworzonych w ITME i NRL i jej związku z koncentracją centrów defektowych.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Modyfikacja technologii polerowania płytek GaSb stosowanych jako podłoża w procesie epitaksji

Celem pracy była modyfikacja technologii obróbki mechaniczno – chemicznej powierzchni płytek antymonku galu (GaSb), oferowanych przez Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych w celu uzyskania powierzchni o jakości epi-ready, spełniającej wymagania stawiane płytkom podłożowym stosowanym w procesie epitaksji. Zbadano wpływ sposobu trawienia płytek na stopień zanieczyszczenia powierzchni. Stwierdzono, że trawienie w kwasie nieorganicznym ma wpływ na czystość powierzchni. Wymieniono wosk polerski rozpuszczalny w trójchloroetylenie na wosk rozpuszczalny w alkoholu. Wyeliminowano etap mycia płytek w parach wrzącego alkoholu mogących pozostawiać smugi. Wprowadzenie powyższych modyfikacji zmniejszyło gęstość zanieczyszczeń oraz grubość powłoki tlenkowej. Znacząco zmniejszono też chropowatość powierzchni, która dyskwalifikowała podłoża jako epi-ready.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Hydrofobowe pokrycia organiczne na gładkich podłożach i na podłożach z rozwiniętą powierzchnią

W artykule scharakteryzowano własności hydrofobowe warstw organicznych uzyskanych na powierzchniach gładkich i z celowo rozwiniętą powierzchnią, której geometria była przedmiotem badań. Przebadano własności żywic takich jak: polifluorowinyliden, polimetakrylan metylu, octatrichlorosilan. Przedstawiono cechy tych materiałów w zależności od rodzaju nośnika, sposobu przygotowania roztworu roboczego oraz metody osadzania na różnych powierzchniach. Własności hydrofobowe otrzymanych warstw weryfikowano za pomocą pomiarów kąta zwilżania (CA) statycznej kropli wody i metodą dynamiczną. Uzyskano wartości CA na poziomie od ok. 135° do 180°.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Czujnik lepkości cieczy z akustycznym modem płytowym na niebianie litu o orientacji YZ

W artykule przedstawiono wyniki badań wpływu lepkości akustycznej cieczy na własności wybranego akustycznego modu płytowego w niobianie litu o orientacji YZ, oraz konstrukcję i parametry czujnika lepkości cieczy.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n+n oraz p+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metodą chemicznego barwienia

Opracowano metodę ujawniania obszarów typu n i p epitaksjalnej warstwy SiC metodą chemicznego barwienia. Złącze n+n lub p+p znajduje się pod powierzchnią płytki. Ujawnienie i pomiar położenia złącza wykonuje się na próbce zeszlifowanej pod niewielkim kątem. Przebadano kilka roztworów, spośród nich wybrano jeden dla którego wykonano próby barwienia warstw w różnych warunkach. Ustalono warunki prowadzenia procesu dające jednoznaczny pomiar grubości ujawnionych warstw. Opracowano technicznie prostą i nie wymagającą specjalistycznej aparatury metodę, której wyniki są porównywalne z wynikami otrzymanymi metodami optycznymi.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Stabilność wysokotemperaturowa ekologicznych rezystorów grubowarstwowych

W związku z Dyrektywą RoHS, która weszła w życie w 2006 roku producenci materiałów elektronicznych zostali zmuszeni do wyeliminowania m.in. ołowiu i jego związków ze składów tych materiałów. Dyrektywa wymusiła zmianę składu past służących do wytwarzania rezystorów grubowarstwowych szeroko rozpowszechnionych w konsumenckim sprzęcie elektronicznym. Autorzy zaproponowali nowatorskie pasty rezystywne zdolne w pełni zastąpić pasty oparte o ołów i jego związki. Ponadto zostały przeprowadzone badania odporności na narażenia termiczno-prądowe, które ujawniły przewagę użytkową w aspektach stabilności rezystancji na cykliczne narażenia temperaturowe nowych past wobec past tradycyjnych.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Termiczna zależność parametrów akustycznej fali powierzchniowej w niobianie litu o orientacjach YZ i 128°YX w zakresie od 20°C do 500°C

Przedstawiono obliczenia temperaturowego współczynnika zmian częstotliwości (TWCz) akustycznych fal powierzchniowych (AFP) w niebianie litu (LiNbO3) w funkcji kąta cięcia kryształu. Przedstawiono wyniki pomiarów TWCz i tłumienia linii opóźniających z AFP w niobianie litu o orientacjach YZ i 128°YX w zakresie temperatur od 20°C do 500°C. Porównano wyniki obliczeń i pomiarów dla obu orientacji. Stwierdzono, że niebian litu 128°YX w porównaniu do YZ charakteryzują bardziej liniowe zmiany częstotliwości oraz mniejsze wahania tłumienia w funkcji temperatury, co może znaleźć zastosowanie w czujnikach temperatury.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Formowanie ultracienkiej warstwy nitrocelulozowej i jej wpływ na parametry rezonatora z akustyczną poprzeczną falą powierzchniową

W artykule przedstawiono metodykę osadzania monowarstwy nitrocelulozy na powierzchnię kwarcowego rezonatora z akustyczną poprzeczną falą powierzchniową (APFP). Zastosowana technika polegała na formowaniu błonki polimerowej na powierzchni wody, a następnie przeniesieniu jej na właściwe podłoże. Uzyskano powtarzalne, jednolite pokrycia nie deformujące amplitudowej charakterystyki rezonatora przy nieznacznym obniżeniu jego dobroci. Jednoznacznie zdefiniowane warstwy pozwoliły na ilościowe określenie zmian parametrów rezonatora (tj. częstotliwość środkową, tłumienność wtrącenia, dobroć) wynikających z obciążania jego powierzchni oraz oszacowanie czułości masowej i rozdzielczości pomiarowej podzespołu.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Charakterystyka porównawcza powłok konforemnych

Technologia zabezpieczania układów elektronicznych za pomocą powłok konforemnych umożliwia zwiększenie stopnia automatyzacji produkcji podzespołów elektronicznych. Powłoki konforemne są cienkimi warstwami o grubości 25 - 50 mm zabezpieczającymi elementy układów przed działaniem takich czynników jak ścieranie, temperatura, ozon, pleśnie, wilgoć oraz promieniowanie ultrafioletowe. Własności fizyczne i skład chemiczny powłok gwarantują różny stopień zabezpieczenia przed wspomnianymi czynnikami środowiskowymi. Cechą charakterystyczną tego rodzaju zabezpieczeń jest możliwość dokładnego odwzorowania powierzchni. W artykule przedstawiono zarówno niektóre praktyczne informacje dotyczące powłok konforemnych, jak i wyniki badań własnych dotyczące ich wpływu na niektóre parametry układów.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Wykorzystanie zjawiska powierzchniowej fali akustycznej w aplikacjach systemów mikroprzepływowych – przegląd rozwiązań

W artykule dokonano przeglądu najbardziej interesujących rozwiązań z zakresu systemów mikroprzepływowychwykorzystujących zjawisko akustycznych fal powierzchniowych (AFP). Przemieszczanie obiektów o skali wielkości porównywalnej z rozmiarami komórek, oddzielenie ich z próbek o złożonym składzie oraz kontrola ich położenia w obszarze mikrosystemu są ważnym elementem metodyki badawczej w zakresie biomedycznych badań podstawowych. Jest to obecnie bardzo dynamicznie rozwijająca się dziedzina, która jest szczególnie cenna w aspekcie aplikacji w systemach Lab on Chip, gdzie możliwość nieinwazyjnego manipulowania obiektem badań jest szczególnie pożądana. Zastosowania, które są obecnie przedmiotem badań obejmują zagadnienia z zakresu segregowania cząstek z zawiesiny w cieczy, ich oddzielania oraz manipulowania pojedynczymi cząstkami w obszarze mikrokanału.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika
Określanie koncentracji azotu w monokryształach krzemu otrzymywanych metodą Czochralskiego na podstawie widm absorpcyjnych w zakresie dalekiej podczerwieni

Monokryształy krzemu otrzymane metodą Czochralskiego (Cz - Si) domieszkowano azotem poprzez wzrost w atmosferze Ar + N2. Wykonując pomiary absorpcji optycznej po izotermicznych wygrzewaniach zbadano proces generacji płytkich donorów termicznych (STDs) związanych z kompleksami N[indeks dolny]i-O[indeks dolny]mi. Określono warunki procesów termicznych, w których koncentracja defektów ulega nasyceniu ( 650°C min. Igodz. lub 600°C min. 3 godz.). Przedstawiono metodę określania koncentracji azotu w monokryształach Cz - Si w zakresie l x 10[indeks górny]13 ≥ [N] < 5 x 10[indeks górny]14 at.cm-³ opartą o pomiar absorpcji w zakresie dalekiej podczerwieni w niskich temperaturach.

Czasopismo: Materiały Elektroniczne
Dziedziny: nauki inżynieryjno-techniczne
Dyscypliny: automatyka, elektronika i elektrotechnika