pythainlp/thai_wikipedia_clean_20230101 huggingface dataset:
ซิมโฟนีหมายเลข 5 (เบทโฮเฟิน)
ซิมโฟนีหมายเลข 5 ในบันไดเสียง ซี ไมเนอร์ (Symphony No. 5 in C Minor) ของลูทวิช ฟัน เบทโฮเฟิน เป็นผลงานที่เขาประพันธ์ขึ้นในช่วง ค.ศ. 1804-1808 โอปุส 67 (Opus 67) ซิมโฟนีบทนี้นับว่าเป็นหนึ่งในงานดนตรีคลาสสิกที่ได้รับความนิยมสูงสุด และรู้จักกันแพร่หลายที่สุด รวมทั้งถูกนำออกแสดงและได้รับการบันทึกเสียงมากที่สุดบทหนึ่ง
ซิมโฟนีบทนี้มีชื่อเสียงเป็นที่รู้จักอย่างรวดเร็ว หลังจากนำออกแสดงครั้งแรกเมื่อ ค.ศ. 1808 ในเวลานั้น แอ็นสท์ เทโอดอร์ อมาเดอุส ฮ็อฟมัน (Ernst Theodor Amadeus Hoffmann) ได้บรรยายเอาไว้ว่า "นับเป็นหนึ่งในผลงานชิ้นสำคัญที่สุดแห่งยุค"
บทเพลงนี้ขึ้นต้นด้วยตัวโน้ตหลักเพียง 4 พยางค์
&lt;score&gt;{\clef treble \key c \minor \time 2/4 {r8 g'8[ g'8 g'8] | ees'2\fermata | r8 f'8[ f'8 f'8] | d'2~ | d'2\fermata | } }&lt;/score&gt;
เนื่องจากโน้ตหลัก 4 ตัวของเพลงคล้ายกับ (คือ จุด จุด จุด ขีด) ที่ตรงกับอักษรโรมัน V โน้ตหลักนี้จึงใช้เป็นเครื่องหมายของคำว่า "victory" (ชัยชนะ) ในพิธีเปิดการออกอากาศสถานีวิทยุบีบีซี (BBC) ของอังกฤษในช่วงสงครามโลกครั้งที่ 2 อันเป็นความคิดของวิลเลียม สตีเฟนสัน (William Stephenson)
การบรรเลงรอบปฐมฤกษ์.
ซิมโฟนีบทนี้ออกบรรเลงเป็นรอบแรก เมื่อวันที่ 22 ธันวาคม ค.ศ. 1808 โดยเบทโฮเฟินเป็นผู้ควบคุมวงด้วยตนเอง โอกาสดังกล่าวถือว่าเป็นคอนเสิร์ตครั้งใหญ่ ประกอบด้วยผลงานใหม่ทั้งหมดของเบทโฮเฟิน โดยได้แสดงที่โรงละครในกรุงเวียนนา และมีรายการแสดงดังนี้
การแสดงดังกล่าวใช้เวลานานกว่า 4 ชั่วโมง
สำหรับซิมโฟนีหมายเลข 5 และหมายเลข 6 ซึ่งประพันธ์ขึ้นในเวลาใกล้เคียงกันนั้น ปรากฏในโปรแกรมคอนเสิร์ตเป็นหมายเลข 6 และ 5 ตามลำดับ แต่ในปัจจุบันมีการลำดับหมายเลขสลับกันตามลำดับการพิมพ์
เบทโฮเฟินอุทิศซิมโฟนีบทนี้ให้แก่ผู้อุปถัมภ์สองคน ได้แก่ เจ้าชาย F.J. von Lobkowitz และ เคาน์ Andreas Razumovsky คำอุทิศนั้นปรากฏในการพิมพ์ครั้งแรก เมื่อเดือนเมษายน ค.ศ. 1809
รายละเอียดของแต่ละท่อน.
ซิมโฟนีบทนี้มีด้วยกัน 4 ท่อน หรือมูฟเมนต์ ดังนี้
สามท่อนแรกนั้นเรียบเรียงสำหรับเครื่องดนตรีต่าง ๆ ได้แก่ ฟลูต 2 เลา, โอโบ 2 เลา, บีแฟลต คลาริเน็ต 2 เลา , บาสซูน 2 เลา, ฮอร์น 2 คัน, ทรัมเป็ต 2 คัน, กลองทิมปะนี และเครื่องสาย ได้แก่ ไวโอลิน 1 และไวโอลิน 2, วิโอลา, เชลโล และดับเบิลเบส ส่วนท่อนสุดท้ายได้เพิ่มปิคโคโล, คอนทราบาสซูนอย่างละเลา และทรอมโบน 3 คัน (อัลโต,เทเนอร์ และเบส)
การแสดงดนตรีทั้งหมด ใช้เวลาประมาณ 35 นาที
การใช้บันไดเสียง.
ซิมโฟนีหมายเลข 5 อยู่บันไดเสียง ซีไมเนอร์ (C minor) มีนักวิจารณ์ให้ความเห็นว่าสำหรับเบทโฮเฟินแล้ว บันไดเสียงนี้เป็นตัวแทนของ “น้ำเสียงแบบวีรบุรุษ และมีความเกรี้ยวกราด” และเขาใช้บันไดเสียงนี้สำหรับงานที่มีความเข้มข้นเป็นพิเศษ หรือ สงวนไว้สำหรับดนตรีที่แสดงออกทางอารมณ์สูงสุดของเขา
ผลงานอื่น ๆ ของเบทโฮเฟินในบันไดเสียง ซีไมเนอร์ ที่ให้ภาพในลักษณะดังกล่าว มีดังนี้ง
ซิมโฟนีหมายเลข 5 กับผลงานในรูปแบบอื่น.
เสียงโน้ต 4 พยางค์ จากมูฟเมนต์ที่ 1 ของซิมโฟนีหมายเลข 5 ถูกนำมาใช้ซ้ำหลายครั้งในดนตรียุคหลัง เช่น
ชาร์ล แบบเบจ
โลคาร์บ
โล-คาร์บ
รัฐแมสสาชูเสทส์
คุณศัพท์
ดนตรีคลาสสิค
รายชื่อนักดนตรีสากล
ไบเออร์
ไบเออร์ เอจี (; ออกเสียง "ไบเออร์" แต่ตามต้นฉบับภาษาเยอรมัน และชาวต่างชาตินิยมออกเสียงเป็น "เบเยอร์")  เป็นบริษัทที่ทำธุรกิจเกี่ยวกับอุตสาหกรรมเคมีและยา บริษัทก่อตั้งในปี ค.ศ. 1863 สำนักงานใหญ่ตั้งอยู่ที่เมืองเลเวอร์คูเซิน ประเทศเยอรมนี บริษัทเป็นที่รู้จักดีว่าเป็นเจ้าของชื่อทางค้าว่า แอสไพริน
เกี่ยวกับ ไบเออร์ เอจี.
ในปี 2003 บริษัทได้จัดรูปองค์กรใหม่เป็นรูปบริษัทโฮลดิ้ง โดยกลุ่มธุรกิจหลักให้อยู่ในความควบคุมของไบเออร์ เอจี ซึ่งบริษัทเหล่านี้ได้แก่
และมีบริษัทด้านบริการ 3 แห่งคือ
ยาที่ไบเออร์ค้นพบและเป็นที่รู้จักกันดีมีดังนี้:
เชริ่ง
เชริ่ง เอจี ( - , ) เป็นศูนย์วิจัยและบริษัทยา ก่อตั้งเมื่อปี ค.ศ. 1851 โดย แอนสต์ เชริ่ง (Ernst Schering) ในปี ค.ศ. 2004 บริษัทมีพนักงานมากกว่า 26,000 คน ใน 140 สาขาทั่วโลก สำนักงานใหญ่อยู่ที่เบอร์ลิน-เวดดิง ประเทศเยอรมนี มียอดขายประมาณ 5 พันล้านยูโร (ค.ศ. 2003)
เชริ่ง มีความเชี่ยวชาญทาง:
ในปี ค.ศ. 2006 บริษัทเชริ่งรวมกิจการเข้ากับบริษัทไบเออร์ กลายเป็น ไบเออร์ เชริ่ง ฟาร์มา อีเก (Bayer Schering Pharma AG) ต่อมาเปลี่ยนชื่อเป็น ไบเออร์ เฮลท์แคร์ ฟาร์มาซูทิคอลส์ (Bayer HealthCare Pharmaceuticals) ในปี ค.ศ. 2011
ไดโอด
ไดโอด  เป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์มีสองขั้วคือขั้ว A (Anode) และขั้ว K (cathode) มีคุณสมบัติยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลในจากขั้ว A ไปหาขั้ว K เท่านั้น และ ไม่ยอมให้กระแสไฟฟ้าไหลจากขั้ว K ไปยังขั้ว A เมื่อกล่าวถึงไดโอด มักจะหมายถึงไดโอดที่ทำมาจากสารกึ่งตัวนำ  ซึ่งก็คือผลึกของสารกึ่งตัวนำที่ต่อกันได้ขั้วทางไฟฟ้าสองขั้ว ส่วนไดโอดแบบหลอดสุญญากาศ  ถูกใช้เฉพาะทางในเทคโนโลยีไฟฟ้าแรงสูงบางประเภท เป็นหลอดสุญญากาศที่ประกอบด้วยขั้วอิเล็ดโทรดสองขั้ว ซึ่งจะคือแผ่นตัวนำ  และแคโทด
ส่วนใหญ่เราจะใช้ไดโอดในการยอมให้กระแสไปในทิศทางเดียว โดยยอมให้กระแสไฟในทางใดทางหนึ่ง ส่วนกระแสที่ไหลทิศทางตรงข้ามกันจะถูกกั้น ดังนั้นจึงอาจถือว่าไดโอดเป็นวาล์วตรวจสอบแบบอิเล็กทรอนิกส์อย่างหนึ่ง ซึ่งนับเป็นประโยชน์อย่างมากในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ เช่น ใช้เป็นตัวเรียงกระแสไฟฟ้าในวงจรแหล่งจ่ายไฟ เป็นต้น
อย่างไรก็ตามไดโอดมีความสามารถมากกว่าการเป็นอุปกรณ์ที่ใช้เปิด-ปิดกระแสง่าย ๆ ไดโอดมีคุณลักษณะทางไฟฟ้าที่ไม่เป็นเชิงเส้น ดังนั้นมันยังสามารถปรับปรุงโดยการปรับเปลี่ยนโครงสร้างของพวกมันที่เรียกว่ารอยต่อ p-n มันถูกนำไปใช้ประโยชน์ในงานที่มีวัตถุประสงค์พิเศษ นั่นทำให้ไดโอดมีรูปแบบการทำงานได้หลากหลายรูปแบบ ยกตัวอย่างเช่น ซีเนอร์ไดโอด เป็นไดโอดชนิดพิเศษที่ทำหน้าที่รักษาระดับแรงดันให้คงที่ วาริแอกไดโอดใช้ในการปรับแต่งสัญญาณในเครื่องรับวิทยุและโทรทัศน์ ไดโอดอุโมงค์หรือทันเนลไดโอดใช้ในการสร้างสัญญาณความถี่วิทยุ และไดโอดเปล่งแสงเป็นอุปกรณ์ที่สร้างแสงขึ้น ไดโอดอุโมงค์มีความน่าสนใจตรงที่มันจะมีค่าความต้านทานติดลบ ซึ่งเป็นประโยชน์มากเมื่อใช้ในวงจรบางประเภท
ไดโอดตัวแรกเป็นอุปกรณ์หลอดสุญญากาศ โดยไดโอดแบบสารกึ่งตัวนำตัวแรกถูกค้นพบจากการทดสอบความสามารถในการเรียงกระแสของผลึกโดยคาร์ล เฟอร์ดินานด์ บรวน นักฟิสิกส์ชาวเยอรมัน ในปี พ.ศ. 2417 เรียกว่า cat's whisker diodes และได้ถูกพัฒนาในปี พ.ศ. 2449 โดยทำไดโอดมากผลึกแร่กาลีนา แต่ทุกวันนี้ไดโอดที่ใช้ทั่วไปผลิตมาจากสารกึ่งตัวนำ เช่น ซิลิกอน หรือ เจอร์เมเนียม
ไดโอดเป็นอุปกรณ์ที่ทำจากสารกึ่งตัวนำ p - n สามารถควบคุมให้กระแสไฟฟ้าจากภายนอกไหลผ่านตัวมันได้ทิศทางเดียว ไดโอดประกอบด้วยขั้ว 2 ขั้ว คือ แอโนด (Anode; A) ซึ่งต่ออยู่กับสารกึ่งตัวนำชนิด p และ แคโธด (Cathode; K) ซึ่งต่ออยู่กับสารกึ่งตัวนำชนิด n
ถึงแม้ว่าไดโอดแบบผลึกสารกึ่งตัวนำ (Crystal semiconductor diode) จะเป็นที่นิยมมาก่อนไดโอดแบบใช้ความร้อน (Thermionic diode) แต่ไดโอดทั้งสองแบบก็มีพัฒนาการเป็นแบบคู่ขนาน โดยในปี พ.ศ. 2416 ค้นพบหลักการพื้นฐานในการทำงานของไดโอดแบบใช้ความร้อน กัธรีค้นพบว่าประจุบวกในอิเล็กโทรสโคป สามารถคายประจุได้เมื่อนำแผ่นกราวด์มาโดนอิเล็กโทรสโคป แต่จะไปเกิดในประจุลบ เปรียบเสมือนกระแสไฟฟ้าที่ไหลไปในทิศทางเดียวเท่านั้น
จากหลักการข้างต้น ในวันที่ 13 กุมภาพันธ์ พ.ศ. 2423 โธมัส อัลวา เอดิสัน ได้ตรวจสอบไส้หลอดไฟว่าทำไมไส้หลอดคาร์บอนบริเวณปลายฝั่งที่ต่อกับขั้วบวกจึงถูกเผาไหม้อยู่เสมอ เอดิสันจึงสร้างกระเปาะแบบพิเศษที่มีแผ่นตัวนำโลหะ (plate) ที่ปิดสนิทอยู่ในหลอดแก้ว เมื่อเอดิสันได้ทดสอบอุปกรณ์ชิ้นนี้แล้ว ก็ทำให้เขายืนยันได้ว่ากระแสที่มองไม่เห็นนั้นจะไหลจากไส้หลอดผ่านสุญญากาศไปยังแผ่นตัวนำโลหะ ซึ่งจะไปทางเดียวเท่านั้น คือแผ่นตัวนำโลหะที่ติดอยู่กับแหล่งจ่ายแรงดันขั้วบวก
เอดิสันวางแผนที่จะใช้อุปกรณ์นี้แทนที่ตัวต้านทานในวงจรโวลต์มิเตอร์กระแสตรง สิ่งประดิษฐ์ดังกล่าวได้สิทธิบัตรในปี พ.ศ. 2427 ไม่มีใครนำอุปกรณ์นี้ไปใช้งานจริงในเวลานั้น แต่การจดสิทธิบัตรเอาไว้ก่อนนั้นเป็นเสมือนการปกป้องสิทธิ์ของตนเองเอาไว้ก่อน เราจึงเรียกปรากฏการณ์ที่เกิดขึ้นในอุปกรณ์ตัวนี้ว่า "ปรากฏการณ์เอดิสัน" (Edison effect)
20 ปีต่อมา จอห์น แอมบรอส เฟรมมิ่ง (ที่ปรึกษาทางวิทยาศาสตร์ของบริษัทมาร์โคนีของกูลเยลโม มาร์โกนี และเป็นอดีตลูกจ้างของเอดิสัน) ตระหนักถึงความสำคัญของปรากฏการณ์เอดิสันว่าสามารถใช้ในการตรวจจจับคลื่นวิทยุได้อย่างแม่นยำ เฟรมมิ่งได้จดสิทธิบัตรไดโอดแบบใช้ความร้อนเป็นตัวแรกที่เกาะบริเตนใหญ่เมื่อวันที่ 16 พฤศจิกายน พ.ศ. 2447 (ใน กล่าวว่ามีการจดสิทธิบัตรในเดือนพฤศจิกายน พ.ศ. 2448)
ในปี พ.ศ. 2417 นักวิทยาศาสตร์ชาวเยอรมัน คาร์ล เฟอร์ดินานด์ บรวน ค้นพบคุณสมบัติการนำไฟฟ้าข้างเดียวของผลึก บรวนจดสิทธิบัตรการเรียงกระแสของผลึกในปี พ.ศ. 2442 โดยการเรียงตัวของผลึกคอปเปอร์ออกไซด์กับเซเลเนียมถูกนำไปประยุกต์ใช้ในงานไฟฟ้ากำลังในอีก 20 ปีต่อมา
จักกฤษ จันทรา โบส นักวิทยาศาสตร์ชาวอินเดียค้นพบการใช้ประโยชน์ของการเรียงกระแสในผลึกมาใช้ในการตรวจจับคลื่นวิทยุเป็นครั้งแรกในปี พ.ศ. 2437 การใช้ผลึกในการตรวจจับคลื่นวิทยุถูกพัฒนาให้ใช้ได้จริงในทางปฏิบัติในเครื่องรับวิทยุแบบไร้สายโดยกรีนลีฟ ไวท์เทอร์ พิคการ์ดผู้บุกเบิกวงการวิทยุในสหรัฐอเมริกา ได้คิดค้นการนำผลึกซิลิกอนมาใช้ตรวจรับสัญญาณในปี พ.ศ. 2446 และทำการจดสิทธิบัตรในวันที่ 20 พฤศจิกายน พ.ศ. 2449 ส่วนนักทดลองคนอื่น ๆ ก็ได้นำธาตุนานาชนิดมาทำการทดลอง แต่ที่นิยมใช้ในวงกว้างมากที่สุดคือแร่กาลีนา (lead sulfide สารประกอบของตะกั่วกับกำมะถัน)
ในช่วงระยะเวลาแห่งการค้นพบนั้น อุปกรณ์ดังกล่าวถูกตั้งชื่อว่า "ไดโอด" โดยผู้ที่ตั้งชื่อนั่นคือ วิลเลียม เฮนรี เอคเกิล นักฟิสิกส์ชาวอังกฤษ โดยคำนี้มาจากภาษากรีกคำว่า "dia" แปลว่าผ่าน และ "ode" (จากคำว่า "ὅδος") แปลว่าเส้นทาง
ไดโอดแบบใช้ความร้อนและไดโอดแบบสภาวะแก๊ส.
ไดโอดแบบใช้ความร้อนเป็นหลอดสุญญากาศ ภายในประกอบไปด้วยขั้วไฟฟ้า (electrode) ล้อมรอบด้วยสุญญากาศภายในหลอดแก้ว คล้าย ๆ กับหลอดไส้ (incandescent light bulb)
ในไดโอดแบบใช้ความร้อนนั้น กระแสจะไหลผ่านไส้ความร้อนและให้ความร้อนแก่ขั้วลบหรือขั้วแคโทด ซึ่งขั้วไฟฟ้าจะทำมาจากแบเรียมและสตรอนเชียมออกไซด์ ซึ่งเป็นออกไซด์ของโลหะแอลคาไลน์เอิร์ท ซึ่งมีสภาวะงาน (work function) ต่ำ (บางครั้งจะใช้วิธีให้ความร้อนโดยตรง โดยการใช้ไส้หลอดเป็นทังสเตน แทนไส้ความร้อนกับขั้วแคโทด) ความร้อนอันเกิดมาจากการส่งผ่านความร้อนของอิเล็กตรอนไปสู่สุญญากาศ ขั้นต่อไปคือขั้วบวกหรือขั้วแอโนดที่ล้อมรอบไส้ความร้อนอยู่จะทำหน้าที่เป็นประจุบวก นั่นจะเกิดการส่งผ่านอิเล็กตรอนด้วยไฟฟ้าสถิตย์ อย่างไรก็ตามอิเล็กจะไม่ถูกปล่อยไปโดยง่ายจากขั้วแอโนดเมื่อเราต่อกลับขั้ว เพราะขั้วแอโนดไม่มีความร้อน ดังนั้นไดโอดแบบใช้ความร้อนจะทำให้อิเล็กตรอนไหลทิศทางเดียว
สำหรับคริสต์ศตวรรษที่ 20 ไดโอดแบบใช้ความร้อนถูกใช้ในสัญญาณอนาล็อก และใช้เรียงกระแสในแหล่งจ่ายกำลังมากมาย ทุกวันนี้ไดโอดที่เป็นหลอดสุญญากาศในกีตาร์ไฟฟ้าและเครื่องขยายเสียงแบบไฮ-เอน รวมทั้งอุปกรณ์ที่ใช้แรงดันสูง ๆ
ไดโอดแบบสารกึ่งตัวนำ.
ไดโอดชนิดสารกึ่งตัวนำแบบใหม่ ๆ มักจะใช้ผลึกสารกึ่งตัวนำจำพวกซิลิกอนที่ไม่บริสุทธิ์โดยทำการเจือสารให้เกิดฝั่งลบและฝั่งบวก โดยฝั่งลบจะมีประจุลบคืออิเล็กตรอนมากกว่าเรียกว่า "สารกึ่งตัวนำชนิด n (n-type semiconductor) " ส่วนฝั่งบวกจะมีประจุบวกหรือโฮลเรียกว่า "สารกึ่งตัวนำชนิด p (p-type semiconductor) " โดยไดโอดแบบสารกึ่งตัวนำเกิดมาจากการนำสารกึ่งตัวนำทั้งสองชนิดนี้มาติดด้วยวิธีการพิเศษ โดยส่วนที่สารกึ่งตัวนำทั้งสองชนิดอยู่ติดกันนั้นเรียกว่า "รอยต่อ p-n (p-n junction) " ไดโอดชนิดนี้จะยอมให้อิเล็กตรอนไหลผ่านจากสารกึ่งตัวนำชนิด n ไปยังสารกึ่งตัวนำชนิด p เท่านั้น จึงเรียกฝั่งที่มีสารกึ่งตัวนำชนิด n ว่าแคโทด และฝั่งที่มีสารกึ่งตัวนำชนิด p ว่าแอโนด แต่ถ้าพูดถึงทิศทางของกระแสสมมติที่ไหลสวนทางกับกระแสอิเล็กตรอนนั้น จะเห็นว่ากระแสสมติจะไหลจากขั้วแอโนดหรือสารกึ่งตัวนำชนิด p ไปยังขั้วแคโทดหรือสารกึ่งตัวนำชนิด n เพียงทิศทางเดียวเท่านั้น
ไดโอดแบบสารกึ่งตัวนำอีกรูปแบบหนึ่งที่สำคัญก็คือ ไดโอดชอทท์กี้ (Schottky diode) ซึ่งมีหน้าสัมผัสระหว่างโลหะกับสารกึ่งตัวนำมากกว่ารอยต่อ p-n
คุณลักษณะเฉพาะของกระแสและแรงดัน.
พฤติกรรมของไดโอดแบบสารกึ่งตัวนำในวงจรจะก่อให้เกิดคุณลักษณะเฉพาะของกระแสและแรงดัน (current-voltage characteristic) หรือเรียกว่ากราฟ I-V (กราฟด้านล่าง) รูปร่างของเส้นโค้งถูกกำหนดจากส่งผ่านประจุผ่านเขตปลอดพาหะ (depletion region หรือ depletion layer) ซึ่งอยู่ใยรอยต่อ p-n
สมการของไดโอดชอทท์กี้ (Schottky Diode).
สมการของไดโอดชอทท์กี้ในอุดมคติหรือกฎของไดโอด (ชื่อชอทท์กี้ได้มาจากวิลเลียม เบรดฟอร์ด ชอทท์กี้ ผู้ร่วมประดิษฐ์ทรานซิสเตอร์ "ไม่ใช่"วัลเตอร์ เฮอร์มานน์ ชอทท์กี้ ผู้ประดิษฐ์เทโทรด) ได้ให้สมการที่แสดงถึงกราฟคุณลักษณะเฉพาะของกระแสและแรงดันเอาไว้ว่า
ค่าความต่างศักย์อันเนื่องมาจากความร้อน (thermal voltage) "V"T มีค่าประมาณ 25.85 mV ที่อุณหภูมิ 300 K ซึ่งเป็นอุณหภูมิห้องปฏบัติการณ์ แต่เราก็สามารถหาค่าดังกล่าวเมื่ออุณหภูมิอื่น ๆ ได้ จากสูตร:
สมการของไดโอดชอทท์กี้ในอุดมคติหรือกฎของไดโอดนั้นเกิดมาจากการอ้างสมมติฐานของกระบวนการเกิดการกระแสไฟฟ้าในไดโอดว่า (เนื่องจากสนามไฟฟ้า) เป็นการลอยผ่าน, การแพร่, และการรวมความร้อนอีกครั้ง (thermal recombination-generation) นอกจากนี้ยังสันนิษฐานว่ากระแสจากการรวมตัวอีกครั้ง (recombination-generation: R-G) ในเขตปลอดพาหะไม่มีนัยสำคัญใด ๆ นั่นหมายความว่าสมการของไดโอดชอทท์กี้ไม่ต้องคำนวณผลของกระบวนการที่เกี่ยวข้องกับการพังทลายเมื่อกระแสย้อนกลับและโฟตอนที่ช่วยให้เกิด R-G
พฤติกรรมของสัญญาณขนาดเล็ก.
ในการออกแบบวงจร แบบจำลองของสัญญาณขนาดเล็กจากพฤติกรรมของไดโอดถูกนำมาใช้งานอยู่บ่อยครั้ง
แบบจำลองสัญญาณขนาดเล็ก (Small-signal model) เป็นเทคนิคการวิเคราะห์ทางวิศวกรรมไฟฟ้า ที่อาศัยการประมาณพฤติกรรมของอุปกรณ์ทางไฟฟ้าที่ไม่มีความเป็นเชิงเส้น ด้วยสมการเชิงเส้น ความเป็นเชิงเส้นนี้ขึ้นอยู่กับจุดไบอัสกระแสตรง (DC bias point) ของอุปกรณ์ (นั่นก็คือระดับของ แรงดัน/กระแส ที่แสดงออกเมื่อไม่มีสัญญาณที่ถูกนำมาใช้) และสามารถทำให้ถูกต้องได้ด้วยการมองที่จุดนี้อีกด้วย
เมื่อใช้สมการชอทท์กี้ไดโอด ค่าความต้านสัญญาณขนาดเล็ก (formula_3) ของไดโอดสามารถเข้ามาเกี่ยวกับจุดปฏบัติการณ์ (Q-point) ที่กระแสไบอัสกระแสตรง (formula_4) และแรงดันใช้งานที่จุดปฏิบัติการณ์ (formula_5) แรกเริ่มเดิมทีค่าความนำสัญญาณขนาดเล็ก (formula_6) ถูกตั้งขึ้น นั่นคือประจุไฟฟ้าในกระแสไฟฟ้าที่ไหลในไดโอดที่เกิดมาจากการเปลี่ยนแปลงเล็ก ๆ ของแรงดันที่ตกคร่อมไดโอดหารด้วยแรงดันตกคร่อมไดโอดนั้น ดังสมการ
การประมาณค่าเกิดมาจากการอนุมานว่ากระแสไบอัส formula_4 นั้นมากพอที่จะทำให้ค่าตัวประกอบ (factor) ของส่วนที่ละเลยได้จากสมการชอทท์กี้มีค่าเท่า 1 โดยการประมาณนี้มีความถูกต้องแม้แรงดันจะมีค่าต่ำ เพราะแรงดันอันเนื่องมาจากความร้อน (thermal voltage) formula_9 ที่อุณหภูมิ 300 เคลวิน (27 องศาเซลเซียส) ดังนั้น formula_10 มีแนวโน้มมากขึ้น หมายความว่าตัวชี้กำลังมีค่าสูงมาก
แต่ไม่ใช่กับค่าความต้านทานสัญญาณขนาดเล็ก formula_3 ซึ่งเป็นส่วนกลับของค่าความนำสัญญาณขนาดเล็ก ค่าความต้านทานสัญญาณขนาดเล็กไม่ขึ้นอยู่กับไฟฟ้ากระแสสลับ แต่จะขึ้นอยู่กับไฟฟ้ากระแสตรงเท่านั้น ดังสมการ
ความเก็บประจุ.
ประจุไฟฟ้าจะนำพากระแสไฟฟ้า formula_4 ตามสูตร
เมื่อ formula_15 คือเวลาที่ประจุเคลื่อนที่ไป: ส่วนแรกตือประจุที่เคลื่อนที่ผ่านไดโอดแล้วเกิดกระแส formula_4 ไหลผ่านไดโอด ที่ ส่วนที่สองคือประจุที่เก็บสะสมอยู่ที่รอยต่อ p-n จึงมีคุณลักษณะคล้ายกับตัวต้านทานง่าย ๆ มีคู่ขั้วทางไฟฟ้าที่มีประจุตรงข้ามกัน ประจุนั้นถูกกักเก็บที่ไดโอดอาศัยแค่แรงดันที่ตกคร่อมตัวมันเพียงแค่นั้น โดยไม่คำนึงถึงกระแสไฟฟ้าที่ไหลผ่าน
การหาค่าความเก็บประจุของไดโอด formula_17 หาได้จากสมการ
เมื่อ formula_19 คือค่าความเก็บประจุที่รอยต่อ p-n โดยประจุในส่วนแรกเรียกว่า "ค่าความเก็บประจุแพร่" (diffision capacitance) เพราะเกี่ยวข้องกับกระแสที่แพร่ตรงรอยต่อของไดโอด
การฟื้นตัวกลับ.
ช่วงท้ายของการไบอัสตรงของไดโอดแบบสารกึ่งตัวนำ จะเกิดกระแสไหลไฟฟ้าที่ไหลย้อนกลับในช่วงระยะเวลาสั้น ๆ ตัวอุปกรณ์จะยังไม่สามารถป้องกันกระแสไหลย้อนกลับได้เต็มที่จนกระทั่งกระแสที่เกิดไหลย้อนกลับนั้นได้สิ้นสุดลง
ผลกระทบที่เกิดขึ้นนั้นมีความสลักสำคัญเมื่อมีการสวิตชิ่ง (switching) ของกระแสที่สูงและรวดเร็วมาก (di/dt มีค่า 100 A/µs หรือมากกว่านั้น) ค่าที่แน่นอนของ "เวลาฟื้นตัวกลับ (reverse recovery time) " formula_20 (อยู่ในช่วงเวลาเป็นนาโนวินาที) อาจจะเคลื่อนย้าย "ประจุฟื้นตัวกลับ (reverse recovery charge) " formula_21 (อยู่ในช่วงนาโนคูลอมป์) ออกจากไดโอด ในระยะเวลาระหว่างฟื้นตัวนี้ไดโอดจะสามารถทำงานในทิศทางตรงข้ามได้ แน่นอนว่าในความเป็นจริงผลกระทบนี้มีความสำคัญในการพิจารณาความสูญเสียที่เกิดขึ้นอันเนื่องมาจากไดโอดไม่เป็นอุดมคติ อย่างไรก็ตามอัตราการแกว่ง (slew rate) ของกระแสไฟฟ้านั้นรุนแรงมาก (di/dt มีค่า 10 A/µs หรือนอ้ยกว่านั้น) ผลกระทบนี้ยังอยู่ในเกณฑ์ที่ปลอดภัยจึงละเลยไว้ได้ ในการใช้งานไดโอดส่วนใหญ่จึงไม่มีผลกระทบที่สำคัญมากนัก
กรณีที่กระแสไหลย้อนกลับอย่างฉับพลันเมื่อประจุไฟฟ้าที่ถูกเก็บสะสมปลอดพาหะแล้วจะนำไปใช้ประโยชน์ในขั้นตอนการฟื้นตัวของไดโอดสำหรับกำเนิดสัญญาณพัลส์สั้นโดยเฉพาะ
ประเภทของไดโอดแบบสารกึ่งตัวนำ.
ไดโอดเปล่งแสงหรือแอลอีดี (Light Emitting Diode ; LED).
LED เป็นไดโอดที่ใช้สารประเภทแกลเลี่ยมอาร์เซ็นไนต์ฟอสไฟต์ (Gallium Arsenide Phosphide ; GaAsP) หรือสารแกลเลี่ยมฟอสไฟต์ (Gallium Phosphide ; GaP) มาทำเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด p และ n แทนสาร Si และ Ge สารเหล่านี้มีคุณลักษณะพิเศษ คือ สามารถเรืองแสงได้เมื่อได้รับไบอัสตรง การเกิดแสงที่ตัว LED นี้เราเรียกว่า อิเล็กโทรลูมินิเซนต์ (Electroluminescence) ปัจจุบันนิยมใช้ LED แสดงผลในเครื่องมืออิเล็กทรอนิกส์ เช่น เครื่องคิดเลข, นาฬิกา เป็นต้น
โฟโตไดโอด (Photo Diode).
โฟโตไดโอด เป็นไดโอดที่อาศัยแสงจากภายนอกผ่านเลนซ์ ซึ่งฝังตัวอยู่ระหว่างรอยต่อ p-n เพื่อกระตุ้นให้ไดโอดทำงาน การต่อโฟโตไดโอดเพื่อใช้งานจะเป็นแบบไบอัสกลับ ทั้งนี้เพราะไม่ต้องการให้โฟโตไดโอดทำงานในทันทีทันใด แต่ต้องการให้ไดโอดทำงานเฉพาะเมื่อมีปริมาณแสงสว่างมากพอตามที่กำหนดเสียก่อน กล่าวคือ เมื่อเลนซ์ของโฟโตไดโอดได้รับแสงสว่างจะเกิดกระแสรั่วไหล ปริมาณกระแสรั่วไหลนี้เพิ่มขึ้นตามความเข้มของแสง
ไดโอดกำลัง (Power Diode).
ไดโอดกำลัง เป็นไดโอดที่ออกแบบให้บริเวณรอยต่อมีช่วงกว้างมากกว่าไดโอดทั่วไป เพื่อนำไปใช้กับงานที่มีกำลังไฟฟ้าสูง กระแสสูงและทนต่ออุณหภูมิสุงได้ เช่น ประกอบเป็นวงจรเรียงกระแส ในอิเล็กทรอนิกส์กำลัง เป็นต้น จะเห็นได้ว่าเมื่อพิกัดกระแสไฟฟ้ามีค่าหลายร้อยแอมป์ ทำให้ไดโอดมีอุณหภูมิขณะทำงานสูง โดยทั่วไปจึงนิยมใช้ร่วมกับตัวระบายความรัอน (Heat Sinks) เพื่อเพิ่มพื้นที่ระบายความรัอนภายในตัวไดโอดกำลัง
ไดโอดวาแรกเตอร์หรือวาริแคป (Varactor or Varicap Diode).
ไดโอดวาแรกเตอร์หรือวาริแคปเป็นไดโอดที่มีลักษณะพิเศษ คือ สามารถปรับค่าคาปาซิแตนซ์เชื่อมต่อ (Ct) ได้โดยการปรับค่าแรงดันไบอัสกลับ ไดโอดประเภทนี้มีโครงสร้างเหมือนกับไดโอดทั่วไป ขณะแรงดันไบอัสกลับ (Reverse Bias Voltage ; Vr) มีค่าต่ำ Depletion Region จะแคบลงทำให้ Ct ตรงรอยต่อมีค่าสูง แต่ในทางตรงข้ามถ้าเราปรับ Vr ให้สูงขึ้น Depletion Region จะขยายกว้างขึ้น ทำให้ Ct มีค่าต่ำ
จากลักษณะดังกล่าว เราจึงนำวาริแคปไปใช้ในวงจรปรับความถี่ เช่น วงจรจูนความถี่อัตโนมัติ (Automatic Fine Tunning ; AFC) และวงจรกรองความถี่ซึ่งปรับช่วงความถี่ได้ตามต้องการ (Variable Bandpass Filter) เป็นต้น
ซีเนอร์ไดโอด (Zener Diode).
ซีเนอร์ไดโอดเป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่นำกระแสได้เมื่อได้รับไบอัสกลับ และระดับแรงดันไบอัสกลับที่นำซีเนอร์ไดโอดไปใช้งานได้เรียกว่า ระดับแรงดันพังทลายซีเนอร์ (Zener Breakdown Voltage ; Vz) ซีเนอร์ไดโอดจะมีแรงดันไบอัสกลับ (Vr) น้อยกว่า Vz เล็กน้อย ไดโอดประเภทนี้เหมาะที่จะนำไปใช้ควบคุมแรงดันที่โหลดหรือวงจรที่ต้องการแรงดันคงที่ เช่น ประกอบอยู่ในแหล่งจ่ายไฟเลี้ยง หรือโวลเทจเรกูเลเตอร์
ไดโอดในทางอุดมคติ.
ไดโอดในอุดมคติ (Ideal Diode) มีลักษณะเหมือนสวิตช์ที่สามารถนำกระแสไหลผ่านได้ในทิศทางเดียว
ถ้าต่อขั้วแบตเตอรี่ให้เป็นแบบไบอัสตรงไดโอดจะเปรียบเป็นเสมือนกับสวิตช์ที่ปิด (Close Switch) หรือไดโอดลัดวงจร (Short Circuit) Id ไหลผ่านไดโอดได้ แต่ถ้าต่อขั้วแบตเตอรีแบบไบอัสกลับ ไดโอดจะเปรียบเป็นเสมือนสวิตช์เปิด (Open Switch) หรือเปิดวงจร (Open Circuit) ทำให้ Id เท่ากับศูนย์
ไดโอดในทางปฏิบัติ.
ไดโอดในทางปฏิบัติ (Practical Diode) มีการแพร่กระจายของพาหะส่วนน้อยที่บริเวณรอยต่ออยู่จำนวนหนึ่ง ดังนั้น ถ้าต่อไบอัสตรงให้กับไดโอดในทางปฏิบัติก็จะเกิด แรงดันเสมือน (Ge &gt;= 0.3V ; Si &gt;= 0.7V) ซึ่งต้านแรงดันไฟฟ้าที่จ่ายเพื่อการไบอัสตรง ขนาดของแรงดันเสมือนจึงเป็นตัวบอกจุดทำงาน ดังนั้น จึงเรียก "แรงดันเสมือน" อีกอย่างหนึ่งว่า "แรงดันในการเปิด" (Turn-on Voltage ; Vt)
กรณีไบอัสกลับ เราทราบว่า Depletion Region จะขยายกว้างขึ้น แต่ก็ยังมีพาหะข้างน้อยแพร่กระจายที่รอยต่ออยู่จำนวนหนึ่ง แต่ก็ยังมีกระแสรั่วไหลอยู่จำนวนหนึ่ง เรียกว่า กระแสรั่วไหล (Leakage Current) เมื่อเพิ่มแรงดันไฟฟ้าขึ้นเรื่อย ๆ กระแสรั่วไหลจะเพิ่มขึ้นจนถึงจุดทีไดโอดนำกระแสเพิ่มขึ้นมาก ระดับกระแสที่จุดนี้ เรียกว่า "กระแสอิ่มตัวย้อนกลับ" (Reverse Saturation Current ; Is) แรงดันไฟฟ้าที่จุดนี้ เรียกว่า แรงดันพังทลาย (Breakdown Voltage) และถ้าแรงดันไบอัสสูงขึ้นจนถึงจุดสูงสุดที่ไดโอดทนได้ เราเรียกว่า "แรงดันพังทลายซีเนอร์" (Zener Breakdown Voltage ; Vz) ถ้าแรงดันไบอัสกลับสูงกว่า Vz จะเกิดความร้อนอย่างมากที่รอยต่อของไดโอด ส่งผลให้ไดโอดเสียหายหรือพังได้ แรงดันไฟฟ้าที่จุดนี้เราเรียกว่า แรงดันพังทลายอวาแลนซ์ (Avalance Breakdown Voltage) ดังนั้น การนำไดโอดไปใช้งานจึงใช้กับการไบอัสตรงเท่านั้น
ผลกระทบของอุณหภูมิ (Temperature Effects).
จากการทดลองพบว่า Is ของ Si จะมีค่าเพิ่มขึ้นเกือบ 2 เท่า ทุก ๆ ครั้งที่อุณหภูมิเพิ่มขึ้น 10 องศาเซลเซียส ขณะที่ Ge มีค่า Is เป็น 1 หรือ 2 ไมโครแอมป์ ที่ 25 องศาเซลเซียส แต่ที่ 100 องศาเซลเซียสจะมีค่า Is เพิ่มขึ้นเป็น 100 micro-amp ระดับกระแสไฟฟ้าขนาดนี้จะเป็นปัญหาต่อการเปิดวงจรเรื่องจากได้รับการไบอัสกลับ เพราะแทนที่ Id จะมีค่าใกล้เคียงศูนย์ แต่กลับนำกระแสได้จำนวนหนึ่งตามอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้น
โนวาร์ติส
โนวาร์ตีส อินเตอร์เนชั่นแนล เอจี  เป็นบริษัทข้ามชาติในอุตสาหกรรมยา มีฐานการผลิตอยู่ที่บาเซิล ประเทศสวิตเซอร์แลนด์ ในปี ค.ศ. 2019 โนวาร์ติสเป็นบริษัทยาที่ใหญ่เป็นอันดับ 2 ของโลก รองจากบริษัทไฟเซอร์
โนวาร์ตีสในประเทศไทย.
โนวาร์ตีสได้จดทะเบียนจัดตั้งบริษัทขึ้นในประเทศไทยในชื่อ บริษัท โนวาร์ตีส (ประเทศไทย) จำกัด เมื่อวันที่ 27 เมษายน พ.ศ. 2514 สำนักงานปัจจุบันตั้งอยู่ที่อาคารภิรัชทาวเวอร์แอ๊ดเอ็มควอเทียร์ ชั้น 25 ถนนสุขุมวิท แขวงคลองตันเหนือ เขตวัฒนา กรุงเทพมหานคร โดยดำเนินธุรกิจนำเข้าและจำหน่ายเวชภัณฑ์ยา
คุกิมิยะ มาโดกะ
ชิอินะ ซากุระโกะ
ดิ โอฬาร โปรเจ็คต์
ดิ โอฬาร โปรเจ็คต์  วงดนตรีที่เล่นเพลงแนวเฮฟวี่เมทัลก่อตั้งปี พ.ศ. 2528 โดย โอ้ - โอฬาร พรหมใจ โดยในตอนแรกตั้งใจใช้ชื่อวงว่า "Thailand Band" แต่ โอฬารเห็นว่า อาจจะมีผลเสียต่อประเทศชาติได้ ภายหลังจึงเปลี่ยนชื่อเป็น The Olarn Project เพราะหากเกิดอะไรขึ้น โอฬารจะเป็นผู้รับผิดชอบด้วยตัวเอง
และ เมื่อปีพ.ศ. 2539 ในโอกาสที่พระบาทสมเด็จพระปรมินทรมหาภูมิพลอดุลยเดช ทรงครองสิริราชสมบัติครบ 50 ปี โอฬาร ก็ได้แต่งเพลงชื่อ พลังและความตั้งใจ ถวายแด่พระองค์ท่าน เพื่อเป็นการเทิดทูนพระเกียรติ อีกทั้งเพลงนี้ยังได้รับรางวัลสีสัน AWARD ในหมวดเพลงบรรเลงยอดเยี่ยม ในปีนั้นอีกด้วย
สมาชิกที่เข้ามาชุดที่สอง
สมาชิกที่เข้ามาชุดที่สาม
สมาชิกที่เข้ามาชุดที่สี่
สมาชิกที่เข้ามาชุดที่ห้า
มีอัลบั้ม 5 ชุด
ซากุระซากิ เซ็ตซึนะ
รายชื่อนักปรัชญา
แอบบอตต์
แอบบอตต์ แลบอราตอรี่  เป็นบริษัทยาและเวชภัณฑ์ของสหรัฐอเมริกา กระจายอยู่ทั่วโลกใน 130 ประเทศ สำนักงานใหญ่ของบริษัทอยู่ที่ แอบบอตต์ ปาร์ก รัฐอิลินอยส์และศูนย์การผลิตตั้งอยู่ที่เมืองชิคาโก
แอบบอตต์ แลบอราตอรี่ก่อตั้งในปี ค.ศ. 1888 โดย ดร. วอลเลซ ซี. แอบบอตต์
แอบบอตต์ แลบอราตอรี่ เป็นเจ้าของสิทธิบัตรยารักษาโรคเอดส์ "คาเลตรา" (Kaletra) ซึ่งถูกทางการไทยประกาศมาตรการบังคับใช้สิทธิ เมื่อเดือนมกราคม พ.ศ. 2550
คริสต์ทศวรรษ
คริสต์ทศวรรษ เป็นช่วงสิบปีของ คริสต์ศักราช ในการกล่าวถึงประวัติศาสตร์บางครั้งนิยมกล่าวถึงในลักษณะช่วงของทศวรรษซึ่งเป็นการเกี่ยวข้องกับช่วงเวลาหลายปี
พุทธทศวรรษ
พุทธทศวรรษ เป็นช่วงสิบปีของพุทธศักราช ในการกล่าวถึงประวัติศาสตร์บางครั้งนิยมกล่าวถึงในลักษณะช่วงของทศวรรษซึ่งเป็นการเกี่ยวข้องกับช่วงเวลาหลายปี
ภาพจับหน้าจอ
ภาพจับหน้าจอ เป็นภาพที่เกิดจากการบันทึกภาพที่กำลังแสดงผลในจอคอมพิวเตอร์ โดยผ่านทางคำสั่งของระบบปฏิบัติการหรือคำสั่งของโปรแกรมเฉพาะต่าง ๆ ภาพที่ออกมาจะถูกจัดเก็บไว้ในลักษณะภาพดิจิทัล ซึ่งในบางครั้ง สามารถหมายถึงภาพที่ถ่ายจากกล้องถ่ายภาพ ซึ่งจับภาพหน้าจอไว้ในฟิล์ม ในภาษาอังกฤษใช้คำสามคำในการกล่าวถึงภาพหน้าจอคือ สกรีนช็อต (screenshot) สกรีนดัมป์ (screen dump) สกรีนแกร็บ (screen grab) และสกรีนแคปเชอร์ (screen capture) ซึ่งมีความหมายใกล้เคียงกัน
การจับภาพหน้าจอ.
ในการจับภาพหน้าจอ สามารถทำได้หลายวิธี ซึ่งสามารถทำได้โดยผ่านทางระบบปฏิบัติการ หรือผ่านทางโปรแกรมเฉพาะต่างๆ และรวมถึงภาพถ่ายจากกล้องถ่ายภาพตามที่ได้กล่าวมาแล้ว
ไมโครซอฟท์ วินโดวส์.
ในไมโครซอฟท์ วินโดวส์ การจับภาพหน้าจอทำได้โดยกดปุ่มที่คีย์บอร์ด ปุ่ม Print Screen (ในบางครั้งจะเขียน Prnt Scrn) ซึ่งมักจะวางอยู่ในตำแหน่งแถวบนของคีย์บอร์ด โดยเมื่อทำการจับภาพหน้าจอ ภาพจะถูกจัดเก็บไว้ในหน่วยความจำชั่วคราวที่เรียกว่าคลิปบอร์ด ซึ่งโปรแกรมที่สามารถใช้งานภาพกราฟิกส์ในวินโดวส์สามารถเรียกภาพนั้นมาใช้ได้ทันที โดยการเลือกคำสั่ง paste ภายในโปรแกรมนั้น ตัวอย่างโปรแกรมที่สามารถใช้ได้ เช่น ไมโครซอฟท์ เวิร์ด ไมโครซอฟท์ พาวเวอร์พอย
ซิมโฟนีหมายเลขห้าของบีโทเฟน
ดีเฟนส์ออฟดิแอนเชียนส์
ดีเฟนส์ออฟดิแอนเชียนส์ (; ตัวย่อ: DotA) เป็นฉาก (scenario) ดัดแปลงสำหรับเกมวางแผนเรียลไทม์ ' และภาคต่อ ' โดยพัฒนาต่อมาจากแผนที่ "อีออนออฟสไตรฟ์" (Aeon of Strife) ในเกม"สตาร์คราฟต์" จุดมุ่งหมายของแต่ละทีมในฉาก คือ การทำลายฐานทัพของฝ่ายตรงข้าม (เรียกว่า "แอนเชียนส์") ซึ่งมีการป้องกันอย่างแน่นหนาตรงมุมของแผนที่ โดยผู้เล่นจะได้ควบคุมยูนิตทรงพลัง ที่เรียกว่า "ฮีโร่" ร่วมกับพลพรรคซึ่งถูกควบคุมผ่านปัญญาประดิษฐ์ เรียกว่า "ครีป" (Creep) และจากรูปแบบการเล่นของเกมเล่นตามบทบาท ผู้เล่นจะเลเวลอัพฮีโร่ของตนและใช้ทองเพื่อซื้อไอเท็มระหว่างการเล่น
ตัวฉากได้มีการพัฒนาขึ้นจากโปรแกรม "เวิลด์ เอดิเตอร์" ของเกม"" ก่อนที่มีการอัปเดตเพื่อให้สอดคล้องกับภาคต่อ โฟรเซนโธรน ที่ออกมาในภายหลัง ซึ่งได้มีการพัฒนาต่อมาในหลายรูปแบบจากแนวคิดดั้งเดิม รุ่นที่นิยมมากที่สุดในปัจจุบันคือ "โดตาออลสตาส์" ("DotA Allstars") ซึ่งในภายหลังได้ย่อเหลือเพียง "ดอทเอ" หลังการออกเวอร์ชัน 6.68 โดยอยู่ภายใต้การดูแลของผู้สร้างหลายคนในระหว่างการพัฒนาเกม ส่วนผู้พัฒนาคนปัจจุบันเป็นที่รู้จักกันด้วยนามแฝงว่า "ไอซ์ฟร็อก" ผู้มีส่วนพัฒนาเกมมาตั้งแต่ปี พ.ศ. 2548
นับตั้งแต่การเปิดตัว "ออลสตาส์" ได้มีการจัดการแข่งขันหลายครั้งทั่วโลก ซึ่งรวมถึงการแข่งอย่างเป็นทางการ บลิซซ์คอน ขอบลิซซาร์ด เอ็นเตอร์เทนเมนต์ และเอเชียนเวิลด์ไซเบอร์เกมส์ รวมทั้งไซเบอร์แอทลีทแอมะเทอร์ (Cyberathlete Amateur) และไซเบอร์เอโวลูชันลีกส์ (CyberEvolution leagues) อีกด้วย Gamasutra ประกาศว่า"โดตา"น่าจะเป็นฉากม็อดฟรีอย่างไม่เป็นทางการซึ่งได้รับความนิยมมากที่สุดในโลก ปัจจุบัน วาล์วคอร์เปอเรชันได้เปิดตัวเกมภาคต่อ "Dota 2"