Exfoliación (mineraloxía)

Denomínase exfoliación á rotura dun mineral paralelamente a unha cara (real ou posíbel) do cristal. Tal cara correponde a planos reticulares de maior densidade de nós, mentres que o conxunto de ditos planos están unidos entre si por enlaces máis débiles.
Estes planos de debilidade relativa son o resultado dos lugares regulares dos átomos e ións no cristal (ver Redes de Bravais), que crean fracturas de superficies planas repetidas que son visíbeis tanto no microscopio como a simple vista.
Para moitos autores, a exfoliación non é exclusiva dos materiais cristalinos. Por exemplo, o proceso de exfoliación produce a separación, nunha rocha grande, de placas curvas a maneira de laxes. Cualificativos
Segundo o grao de facilidade e a perfección coa que se manifesta a exfoliación nun cristal, recibe cualificativos como: moi perfecta,
perfecta,
boa,
manifesta,
imperfecta, etc. Tipos de exfoliación
A escisión adopta formas paralelas aos planos cristalográficos: Exfoliación basal ou fendedura pinacoidal. É a que se produce en paralelo á base dun cristal. Esta orientación vén dada polo plano {001} na rede cristalina, e é o mesmo plano que o {0001} nos índices de Miller-Bravais, que moitas veces son utilizados para cristais romboédricos e hexagonais. A exfoliación basal preséntase no grupo da mica e no grafito.
Exfoliación cúbica. Prodúcese en paralelo ás caras dun cubo de cristal cunha simetría cúbica. Esta orientación está dada polo plano {001} na rede cristalina. Esta é a fonte da forma cúbica vista nos cristais de halita. A galena tamén exhibe tipicamente exfoliación cúbica perfecta.
Exfoliación octaédrica. Ocorre formando formas octaédricas dun cristal con simetría cúbica. Esta orientación vén dada polo plano {111} na rede cristalina. O diamante e a fluorita exhiben exfoliación octaédrica perfecta. A exfoliación octaédrica vese nos semicondutores comúns. Para cristais de menor simetría, haberá un menor número de planos {111}.
Exfoliación dodecaédrica. Prodúcese formando dodecaedros dun cristal con simetría cúbica. Esta orientación está dada polo plano {110} na rede cristalina. Para cristais de menor simetría, haberá un menor número de planos {110}.
Exfoliación romboédrica. Ocorre paralela ás caras {1011} dun romboedro. A calcita e outros carbonatos exhiben exfoliación romboédrica perfecta.
Exfoliación prismática. É paralela a un prisma vertical {110}. A cerusita, a tremolita e a espodumena exhiben exfoliación prismática. Fractura
A fractura dos cristais ocorre cando os minerais rompen ao longo dos planos de debilidade estrutural debido a tensións externas ou ao longo de planos de composición de maclas. As fracturas son moi similares en aparencia ás exfoliacións, pero só ocorren debido a tensións. Exemplos son a magnetita, que mostra fractura octaédrica; a fractura romboédrica do corindón, e a fractura basal en piroxenos. Usos
A exfoliación é unha propiedade física tradicionalmente usada na identificación de minerais tanto tendo a mostra á mano como no exame microscópico da rocha e en estudos minerais. Como exemplo, os ángulos entre os planos de exfoliación prismática para os piroxenos (88-92°) e os anfíbolos (56-124°) son diagnósticos.
A exfoliación cristalina é de importancia técnica na industria da electrónica e para o corte de xemas.
As pedras preciosas son xeralmente exfoliadas por impacto, como na talla de diamantes.
Os monocristais sintéticos de materiais semicondutores son xeralmente vendidos como delgadas obleas, que son moito máis doadas de exfoliar. Simplemente, ao premer unha oblea de silicio contra unha superficie branda e raspar o seu bordo cunha punta de diamante é usualmente suficiente para causar exfoliación; porén, cando se corta en cadros unha oblea para fabricar chips, un procedemento de raiar e romper séguese en ocasións para un maior control. Os semiconductores elementais (silicio, xermanio e diamante) son cúbicos tipo diamante, un grupo espacial para o cal se observa exfoliación octaédrica. Isto significa que algunhas orientacións das obleas permiten que sexan exfoliados rectángulos case perfectos. A maioría dos outros semicondutores comerciais (GaAs, InSb, etc. ) poden facerse na relacionada estrutura cristalina da blenda de cinc, con planos de exfoliación similares.