1960 میں ، عطااللہ اور کاہنگ نے 20 گیٹ کی لمبائی کے ساتھ ، 100 Nm کے گیٹ آکسائڈ کی موٹائی کے ساتھ پہلا MOSFET تیار کیا ۔
Entity: عطااللہ — Type: /person, /person/engineer