انھوں نے دریافت کیا کہ تھرمل طور پر بڑھتی ہوئی سلکان ڈائی آکسائیڈ ( سی او ) پرت کی تشکیل نے سلکان کی سطح پر الیکٹرانک ریاستوں کے ارتکاز کو بہت کم کر دیا ہے اور p-n جنکشن کی برقی خصوصیات کو محفوظ رکھنے کے لیے SiO فلموں کے اہم معیار کو دریافت کیا ۔
Entity: برقی — Type: /organization/company, /organization