GaN படிக வளர்ச்சியின் போது தளப்பொருள் மற்றும் GaN அடுக்குகளுக்கு இடையில் இட்ரியம் நைட்ரேட்டால் ஒரு தாங்கல் அடுக்காக மாற வாய்ப்பு ஏற்படுகிறது .
Entity: இட்ரியம் — Type: /chemical_thing