Man kan tilsette doteringsstoffere allerede når halvlederkrystallet vokser for å gi materialet en uniform startkarakteristikk. For å danne transistorer og andre halvlederelementer forandres lokale områder med tilsetning av nye doteringsstoffer ved diffusjon (belegg som avsettes på overflaten og diffunderer inn i halvlederen) eller ionisk implantasjon (bestråling med ioner). Områdene kontrolleres ved maskering med fotolitografi.