I en ideell FET-transistor skal strømmen i drain være uavhengig av spenningen selv når transistoren er i metning. Dette skjer ikke, strømmen er en endelig funksjon gitt av vs som omtales som Early effekten. Denne effekten oppstår som følge av avstanden mellom utarmingsområdene mellom source og drain, hvor utarmingsområdene er gitt av spenningen mellom de respektive terminaler og substratet. Bredden av utarmingsområdet rundt drain øker med spenningen på drain, og reduserer dermed kanallengden. Denne reduksjonen i kanallengde gir økt stigning i tettheten til ladningsbærerne, og igjen økt kanalstrøm mellom sourse og drain.