Hva som representerer faktisk i en FET-transistor er ikke helt klart, da source kan beskrives som et grenselag som flyttes inn i kanalen slik at det oppstår to transistorer. Den ene transistoren har da reell source pluss et grenselag som tilsvarer drain, og den andre transistoren har da et grenselag med source og den reelle drain. Grenselaget mellom disse to transistorene kan da plasseres hvor som helst i kanalen, og grenselagets egenskaper vil endres kontinuerlig i hele kanalens lengde. Endringene vil også være kontinuerlige, slik at en kan integrere langs kanalen. Dette grenselagets egenskaper blir omtalt som . Den reelle source kan være en brønn som inkluderer et nokså stort areal, som er sterkt dopet, og med en metalltilkobling, mens den virtuelle source inne i kanalen kan ha et nokså lite areal og befinne seg i et langt svakere dopet område. Disse forskjellene hindrer oss ikke i på noe vis i å analysere grenselaget, og å forenkle analysen.