En stor fordel for silisiumkarbid i forhold til andre halvledere med stort bandgap er at man kan gro et naturlig lag av silisiumdioksid (SiO eller glass), akkurat som hos silisium. Dette er en av hovedgrunnene til at silisium har blitt så utbredt som det er i dag. Dessverre har man hatt problemer med en stor konsentrasjon av elektrisk aktive defekter i grenseflaten mellom silisiumkarbid og SiO som gjør produksjonen av velfungerende MOSFET-transistorer vanskelig.