En annen støy er flickerstøyen. Den har en lavfrekvent karakteristikk, og omtales derfor også ofte som 1/f-støy, lavfrekvent støy eller rosa-støy. Flickerstøyen skyldes ofte ujevnheter i gitterstrukturen ved overganger mellom materialer f.eks. i overgangen mellom selve halvledermaterialet og isolasjonen, for eksempel mellom silisium og silisiumoksid på integrerte kretser. Flickerstøyen vokser med strømmen som passerer det aktuelle området i komponenten. Man har dermed vesentlig flickerstøy i CMOS-kretser, hvor strømmen tvinges akkurat gjennom dette område. I bipolare komponenter derimot vil flicker-støyen være mindre, fordi strømmen når dypere ned i materialet med større avstand til overflaten.