Innen hvert halvledermateriale er det ofte flere alternativer. Innen silisium kan man f.eks. ha CMOS, bipolare transistorer, eller kombinasjonen BiCMOS. Man kan også ha SOI (Silicon on Isolator) hvor det aktive halvlederområdet ligger på toppen av en isolator. Det finnes også teknologier som er spesielt egnet for høye spenninger (opp mot noen tusen volt), høye temperaturer (opp mot 500 grader), som er mer motstandsdyktig mot høy partikkel- eller røntgenstråling, eller har tilpasning for lysfølsomme sensorer (billedpiksler), MEMS-strukturer, frie spoler, frie kondensatorer osv.