Kretssimulatorer kan virke svært kostnadssparende for elektronikkindustrien; de gjør elektronisk utviklingsarbeid adskillig hurtigere enn ren laboratorieutvikling. Som oftest må kretsene likevel testes i laboratoriet før produksjon; simulatorene er ikke bedre enn modellene og kan derfor ikke erstatte laboratoriet. Kretskortets parasitt-induktiviteter og -kapasiteter kommer ikke med hvis de ikke settes inn som diskrete komponenter. Her er et eksempel på en beskrivelse av en N-kanal junction FET transistor 2N4338: .model 2N4338 NJF(Beta=781u Betatce=-.5 Rd=1 Rs=1 Lambda=1.167m Vto=-19.2 Vtotc=-2.5m Is=114.5f Isr=1.091p N=1 Nr=2 Xti=3 Alpha=506.8u Vk=251.7 Cgd=2.8p M=.2271 Pb=.5 Fc=.5 Cgs=2.916p Kf=2.918E-18 Af=1 mfg=Fairchild). Det er svært mange parametre med i modellene, mange flere enn de som brukes i lærebøker om transistorer. En bruker må ikke kjenne til disse detaljene.