payamvha/North_RAG huggingface dataset:
است. زندگی شخصی. رید متولد و بزرگ شدهٔ پنسیلوانیا در ایالات متحده است. او از رویداد ۱۹۶۸ میان چکسلواکی‌ها و شوروی‌ها که معروف «بهار پراگ» بود، به عنوان نقطه آغاز علاقه‌اش به آزادی یادآوری کرده و آرمان چکسلواکی را «شکوفایی آزادی» خوانده‌است. در نتیجه تعاملات با بنیاد آموزش اقتصادی در دوران نوجوانی خود، رید به ایده‌های فریدریش هایک، لودیگ فن میزس و دیگران از مکتب اقتصادی اتریش علاقه‌مند شد. در ۱۹۸۲ میلادی، او نامزد حزب جمهوری‌خواه از حوزه انتخابیه دهم میشیگان برای کنگره ایالات متحده بود. تحصیلات و انتصابات.
برای کنگره ایالات متحده بود. تحصیلات و انتصابات. رید مدرک لیسانس علوم مقدماتی (B.A) خود را در رشته اقتصاد از کالج گروو سیتی در ۱۹۷۵ میلادی به‌دست آورده و مدرک فوق لیسانس (M.A) خود را در رشته تاریخ از دانشگاه سلیپری راک پنسیلوانیا در ۱۹۷۸ میلادی کسب کرده‌است. او از ۱۹۷۷ تا ۱۹۸۴ میلادی استاد اقتصاد در دانشگاه نارت وود در میدلند، میشیگان بوده و از ۱۹۸۲ تا ۱۹۸۴ میلادی به عنوان رئیس دانشکده اقتصاد این دانشگاه خدمت کرد. هنگام تدریس در دانشگاه نارت وود، رید برنامه تخصص دو رشته‌ای اقتصاد و مدیریت بازرگانی این
تخصص دو رشته‌ای اقتصاد و مدیریت بازرگانی این دانشگاه را طراحی نموده و «سمینار آزادی» سالانه آن را بنیان گذاشت. علاوه بر مدرک‌های لیسانس و فوق لیسانس، وی یک دکترای افتخاری اداره عمومی در ۱۹۴۴ میلادی از سوی دانشگاه میشیگان مرکزی و یک دکترای افتخاری حقوق در ۲۰۰۸ میلادی از سوی دانشگاه نارت وود نیز به رید اعطاء گردید. رید همچنین دریافت‌کننده جایزه فارغ‌التحصیل برجسته کالج گروو سیتی می‌باشد. او که از مدت طولانی در سیاست سازی برای میشیگان فعال بود، رید در ۱۹۹۳ میلادی از سوی فرماندار وقت جمهوری‌خواه میشیگان به‌نام
از سوی فرماندار وقت جمهوری‌خواه میشیگان به‌نام جان انگلر به عنوان عضو کمیسیون نوار آبی تعدیل هیدلی گماشته شد. این کمیسیون به عنوان بخشی از «تعدیل هیدلی» دولت در ۱۹۷۸ میلادی به هدف محدود سازی مصارف حکومت محلی و ایالتی ایجاد شده بود. این کمیسیون رسماً در ۲۰۰۴ میلادی توسط فرماندار پیشین میشیگان، جنیفر گرنهولم لغو گردید. در ۱۹۹۴ میلادی، رید به عنوان عضو کمیسیون ساکیا برای مدیریت کیفیت جامع حکومت گماشته شد، گروهی کاری که از جانب فرماندار انگلر موظف به بهبود کارایی حکومت ایالتی میشیگان شده بودند. انگلر و بسیاری
حکومت ایالتی میشیگان شده بودند. انگلر و بسیاری از مقامات اداره وی به‌طور مکرر از کارهای مرکز مکینا به عنوان کارهای تأثیرگذار در شکل‌دهی سیاست‌های اداره یاد می‌کردند. در دسامبر ۲۰۰۷، بنیاد هریتج مقیم واشینگتن دی‌سی، رید را عضو ارشد مهمان عنوان کرد. حرفه. علاقه‌مندی رید به امور سیاسی و اقتصادی او را از ۱۹۸۵ میلادی تاکنون به عنوان یک خبرنگار آزاد به ۷۸ کشور دنیا در شش قاره کشانده‌است. طی بیست و پنج سال گذشته، او در مورد ابرتورم در آمریکای جنوبی، بازارهای سیاه از عقب پرده‌آهنین، اصلاحات و سرکوبی در چین و
سیاه از عقب پرده‌آهنین، اصلاحات و سرکوبی در چین و کامبوج و جنگ داخلی در داخل نیکاراگوئه و موزامبیک گزارش داده‌است. افزون بر آن، او مدت زمانی را با شورشی‌های کانترا در جریان جنگ داخلی نیکاراگوئه سپری کرد؛ و برای دو هفته با نیروهای شورشی موزامبیک در ستادهای بته‌ای آن‌ها در ۱۹۹۱ میلادی، زمانی که کشور در اوج جنگ چریکی قرار داشت، زندگی نمود. از جمله تجربیات فراوان خارجی وی، رید با دوست فقید خود، برنده جایزه اسکار هاینگ اس. انگور در ۱۹۸۹ میلادی از کامبوج دیدار کرد. در ۱۹۸۶ میلادی، زمانی که در حال سفر از طریق زیر
در ۱۹۸۶ میلادی، زمانی که در حال سفر از طریق زیر زمینی ضد کمونیستی بود، رید توسط پلیس مرزی دستگیر و توقیف گردید. مقاله‌های رید در روزنامه‌های وال‌استریت جورنال، کریسچن ساینس مانیتور، بالیتمور سان، دیترویت نیوز، دیترویت فری پریس، یواس‌ای تودی و سایر روزنامه‌ها منتشر شده‌است. در جریان یک در سال ۲۰۰۳ سخنرانی در صحن مجلس نمایندگان ایالات متحده، عضو مجلس ران پال به رید ارج گذاشته و از او به عنوان «یکی از دادخواهان پیشتاز آمریکا برای آزادی» یادآوری کرد، وی همچنین اظهار داشت که نوشته‌های رید «بازتاب‌دهنده تعهد
اظهار داشت که نوشته‌های رید «بازتاب‌دهنده تعهد تزلزل ناپذیر وی نسبت به حکومت محدود و بازار آزاد به عنوان بهترین روش برای بهبود خوشحالی انسان است». بنیاد آموزش اقتصادی. رید در ۱ سپتامبر ۲۰۰۸ رئیس بنیاد آموزش اقتصادی (FEE) شد. بنیاد آموزش اقتصادی که در ۱۹۴۶ میلادی توسط لئونارد رید بنیان‌گذاری شد، در نوع خود به عنوان نخستین سازمان غیرانتفاعی شناخته شده و مردم را با اقتصاد بازار آزاد آشنا نموده‌است. مأموریت بنیاد آموزش اقتصادی این است تا مبانی «اقتصادی و اخلاقی» یک جامعه آزاد و مدنی را برای مردم معرفی نماید.
یک جامعه آزاد و مدنی را برای مردم معرفی نماید. به عنوان رئیس این بنیاد، رید امیدوار است تا جای‌گاه بنیاد آموزش اقتصادی را به عنوان یک «کشتی مادر» در راستای جنبش آزادی در سطح گسترده دوباره به‌دست‌آورد. از نظر رید، «بنیاد آموزش اقتصادی معتقد است که یک جامعه آزاد نه تنها ممکن بلکه ضروری است، چون هیچ جایگزین پذیرفتنی برای مردم متمدن وجود ندارد. چشم‌انداز ما برای آینده این است که مردان و زنان اصول اخلاقی، فلسفی و اقتصادی که یک جامعه آزاد را مستحکم می‌نمایند را از طریق آموزش درک خواهند کرد. آن‌ها به رابطه
را از طریق آموزش درک خواهند کرد. آن‌ها به رابطه مستقیمی که میان این اصول و رفاه مادی و معنوی آن‌ها وجود دارد، ارج خواهند گذاشت. آن‌ها تلاش خواهند ورزید تا این اصول را از یک نسل به نسل بعدی انتقال دهند. فلسفه اقتصادی. رید قویاً با مکتب اقتصادی اتریش یکی پنداشته شده و او رقابت را به عنوان عالی‌ترین و سودمندترین نوع همکاری انسان می‌داند. نویسندگی. کتاب ۲۰۱۲ رید تحت عنوان جمهوری – اگر بتوانیم آن را حفظ کنیم، مجموعه‌ای از رساله‌های رید و تاریخ‌نگار بورتون دبلیو. فولسوم جونیور است که به بررسی تاریخ اقتصادی
فولسوم جونیور است که به بررسی تاریخ اقتصادی ایالات متحده و جهان مدرن می‌پردازد. یکی دیگر از کتاب‌های رید کوبیدن به ریشه: رساله‌های در باب آزادی است، مجموعه‌ای از کارها در مورد موضوع استفاده نیرو توسط حکومت که قبلاً در مجله بنیاد آموزش اقتصادی، فری‌مان (The Freeman) به نشر رسیده بود. سایر کتاب‌های رید شامل درس‌هایس از گذشته: اضطراب نقره ۱۸۹۳، شفای خصوصی برای بیماری عامه: وعده خصوصی‌سازی که هر دو توسط بنیاد آموزش اقتصادی به نشر رسید و کتاب زمانی که ما آزاد شویم با دیل ام. هی‌وود می‌باشد.
صیقل‌کاری با پلاستیسیته کم (LPB) روشی برای بهسازی فلز است که تنش‌های پسماندِ فشاریِ سطحیِ عمیق و پایدار را با کمی کار سرد برای بهبود تحمل آسیب و افزایش عمر خستگی فلز، فراهم می‌کند. بهبود عملکرد دربرابر خستگی فرسایش و خوردگی تنشی، حتی در دماهای بالا که فشرده سازی ناشی از سایر فرآیندهای بهبود فلز کاهش می یابد، برای این فرآیند ثبت شده است. همچنین نشان داده شده است که لایه عمیق حاصل از تنش پسماند فشاری، عملکرد تحت خستگی پُر چرخه (HCF) و خستگی کم چرخه (LCF) را بهبود می بخشد. تاریخچه. بر خلاف LPB، ابزارهای
را بهبود می بخشد. تاریخچه. بر خلاف LPB، ابزارهای ‌‌‌صیقل‌کاری سنتی شامل یک چرخ سخت یا توپ روغن کاری شده ثابت هستند که با نیروی کافی به سطح یک قطعه کار نامتقارن فشار داده شده تا شکل لایه‌های سطحی را تغییر دهند(معمولاً در ماشین تراش). این فرآیند معمولاً تحت بار فزاینده (برای بهبود پرداخت سطح و سرد کردن عمدی سطح)، چندین بار از روی قطعات کار عبور می‌کند. ‌‌‌صیقل‌کاری بوسیله غلتک وتوپ در روسیه و ژاپن مورد مطالعه قرار گرفته است و در دهه 1970 در اتحاد جماهیر شوروی به طور گسترده مورد استفاده قرار گرفت. روش های
به طور گسترده مورد استفاده قرار گرفت. روش های مختلف براق کردن، به ویژه در اروپای شرقی، برای بهبود عمر خستگی استفاده می شود. بهبود در HCF، خستگی ناشی از خوردگی ، SCC و همچنین افزایش استحکام خستگی که به بهبود پرداخت، توسعه یک لایه سطحی فشاری، و افزایش استحکام تسلیم سطح کار سرد،نسبت داده شده، ثبت شده است. LPB توسط شرکت Lambda Technologies در سینسیناتی، اوهایو در سال 1996 توسعه و ثبت شد. از آن زمان، LPB برای ایجاد فشرده‌سازی در طیف گسترده‌ای از مواد برای کاهش آسیب‌های سطحی، از جمله سوهانش، حفره‌های خوردگی ،
آسیب‌های سطحی، از جمله سوهانش، حفره‌های خوردگی ، ترک خوردگی ناشی از تنش (SCC) و آسیب جسم خارجی (FOD)، توسعه یافته است و برای کمک در عملیات تعمیر و نگه داری (MRO) نیز استفاده می‌شود. تا به امروز، LPB تنها روش بهسازی فلز است که تحت سیستم کنترل فرآیند حلقه بسته پیوسته، اعمال می‌شود و با موفقیت در موتورهای توربین، موتورهای پیستونی، پروانه‌ها، ظروف زباله‌های هسته‌ای، ایمپلنت‌های زیست پزشکی، تسلیحات، تجهیزات تناسب اندام و اتصالات جوش داده شده، استفاده شده است. این کاربردها شامل اجزای مبتنی بر تیتانیوم، آهن، نیکل
کاربردها شامل اجزای مبتنی بر تیتانیوم، آهن، نیکل و فولاد بود و تحمل آسیب بهبود یافته و همچنین عملکرد تحت خستگی پر چرخه و کم چرخه را با مرتبه بزرگی نشان داد. چگونه کار می کند؟. ابزار اصلی LPB یک توپ، چرخ یا نوک مشابه است که در یک یاتاقان هیدرواستاتیکِ کروی پشتیبانی می شود. بسته به کاربرد، ابزار را می توان در هر دستگاه CNC یا ربات های صنعتی نگه داشت. ابزار خنک کننده ماشین برای تحت فشار قرار دادن بلبرینگ با جریان مداوم سیال برای پشتیبانی از توپ استفاده می شود. توپ حتی تحت بار با یاتاقان تماس پیدا نمی کند. توپ
توپ حتی تحت بار با یاتاقان تماس پیدا نمی کند. توپ بر روی سطح یک جزء با یک سیلندر هیدرولیک که در بدنه ابزار قرار دارد تحت بارگذاری عمودی قرار می گیرد. LPB را می توان در ارتباط با عملیات ماشینکاری شکل دهی تراشه، در همان ابزار ماشینکاری CNC انجام داد. مانند هر عملیات ماشینکاری، توپ بر روی سطح یک جزء در الگوی تعریف شده در کد CNC غلت می‌زند. مسیر ابزار و فشار نرمال اعمال شده، برای ایجاد توزیع تنش پسماند فشاری طراحی شده است. فرم توزیع، برای مقابله با تنش های اعمال شده و بهینه سازی عملکرد خستگی ناشی از خوردگی و
شده و بهینه سازی عملکرد خستگی ناشی از خوردگی و تنش طراحی شده است. از آنجایی که هیچ برشی روی توپ اعمال نمی شود، می تواند در هر جهتی بغلتد. هنگامی که توپ بر روی قطعه می غلتد، فشار حاصل از توپ باعث ایجاد تغییر شکل پلاستیک در سطح ماده زیر توپ می شود. از آنجایی که بخش عمده مواد، ناحیه تغییر شکل یافته را محدود می کند، ناحیه تغییر شکل یافته پس از عبور توپ تحت فشار قرار می گیرد. فواید. فرآیند LPB شامل یک روش منحصر به فرد و ثبت شده برای تجزیه و تحلیل، طراحی، و آزمایش اجزای فلزی به منظور توسعه درمان منحصر به فرد فلز
اجزای فلزی به منظور توسعه درمان منحصر به فرد فلز است که برای بهبود عملکرد و کاهش خستگی فلز، SCC، و خرابی های خستگی ناشی از خوردگی، لازم می باشد. لامبدا فرآیند و ابزار را برای هر جزء اصلاح می کند تا بهترین نتایج ممکن را ارائه دهد و اطمینان حاصل کند که دستگاه به هر اینچ از قطعه می رسد. با این تمرین سفارشی سازی همراه با سیستم کنترل فرآیند حلقه بسته، نشان داده شده است که LPB حداکثر فشرده سازی 12 میلی متر را ایجاد می کند، اگرچه میانگین آن حدود 1 تا 7 میلی متر است. حتی نشان داده شده است که LPB توانایی ایجاد
است. حتی نشان داده شده است که LPB توانایی ایجاد فشرده سازی از طریق ضخامت در تیغه ها و پره ها را دارد و تحمل آسیب آنها را تا 10 برابر افزایش می دهد و به طور موثر نیازهای بازرسی را کاهش می دهد. هیچ ماده ای در طول این فرآیند، حتی در هنگام اصلاح آسیب خوردگی حذف نمی شود. LPB ناهمواری‌های سطحی را در حین ماشین‌کاری صاف می‌کند و سطحی بهبود یافته و تقریباً آینه‌مانند به جای می‌گذارد که ظاهری بسیار بهتر و محافظت‌شده تر از حتی یک قطعه جدید تولید شده دارد. کار سرد. کار سرد حاصل از این فرآیند معمولاً حداقل است و مشابه
سرد حاصل از این فرآیند معمولاً حداقل است و مشابه کار سرد حاصل از لایه برداری لیزری ، تنها چند درصد می باشد و در مقایسه با ساچمه زنی بسیار کمتر است . کار سرد از اهمیت ویژه ای برخوردار است زیرا هر چه کار سرد در سطح یک جزء بیشتر باشد، آن قطعه، از دماهای بالا و اضافه بار مکانیکی آسیب پذیرتر خواهد بود و فشرده سازی باقیمانده سطح مفید راحت تر می شود؛ به عبارت دیگر، قطعه ای که به شدت تحت کار سرد قرار گرفته است، در صورت تماس با گرمای شدید، مانند موتور، فشرده سازی را حفظ نمی کند و به همان اندازه آسیب پذیر خواهد بود
حفظ نمی کند و به همان اندازه آسیب پذیر خواهد بود که هنگام راه اندازی بود. بنابراین، LPB و لایه برداری لیزری در صنعت بهبودسازی سطح برجسته هستند زیرا هر دو از نظر حرارتی در دماهای بالا پایدار هستند. دلیل اینکه LPB چنین درصد پایینی از کار سرد را تولید می کند، فرآیند کنترل حلقه بسته فوق الذکر است. فرآیندهای مرسوم شات پینینگ دارای حدس و گمان هستند و اصلا دقیق نیستند و باعث می شوند که این روش چندین بار روی یک جزء انجام شود. به عنوان مثال، ساچمه زنی، به منظور اطمینان از بهبود هر نقطه روی قطعه، معمولاً پوششی بین
از بهبود هر نقطه روی قطعه، معمولاً پوششی بین 200٪ (2T) تا 400٪ (4T) را مشخص می کند. این بدان معنی است که در پوشش 200٪ (2T)، 5 ضربه یا بیشتر در 84٪ مکان ها رخ می دهد و این مورد در پوشش 400٪ (4T)، به طور قابل توجهی بیشتر است. مشکل این است که یک ناحیه چندین بار ضربه می خورد در حالی که به ناحیه کناری آن ضربه های کمتری را وارد می شود و فشار ناهمواری در سطح باقی می ماند. همانطور که در بالا ذکر شد، این فشرده سازی ناهموار منجر به این می شود که کل فرآیند به راحتی "لغو" شود. LPB تنها به یک گذر با ابزار نیاز دارد و
شود. LPB تنها به یک گذر با ابزار نیاز دارد و یک تنش فشاری عمیق، یکنواخت و مفید ایجاد می کند. فرآیند LPB را می توان به صورت در محل در فروشگاه یا در هواپیما با استفاده از روبات ها انجام داد که باعث می شود به راحتی در فرآیندهای نگهداری و تولید روزمره گنجانده شود. این روش تحت فرایند کنترل حلقه بسته پیوسته (CLPC) اعمال می‌شود و دقتی در حدود 0.1% ایجاد می‌کند و در صورت تجاوز از محدوده‌های پردازش، بلافاصله به اپراتور و QA هشدار می‌دهد. محدودیت این فرآیند این است که مانند هر ماشین کاری دیگری، باید کدهای پردازش CNC
مانند هر ماشین کاری دیگری، باید کدهای پردازش CNC متفاوتی برای هر برنامه کاربردی ایجاد شود. مسئله دیگر این است که به دلیل محدودیت‌های ابعادی، احتمال دارد ایجاد ابزارهای لازم برای کار بر روی هندسه‌های خاص، ممکن نباشد، اگرچه هنوز مشکلی ایجاد نشده است.
سیم های ابررسانا سیم های الکتریکی هستند که از مواد ابررسانا ساخته شده اند. وقتی در دمایی پایین‌تر از دمای گذار خنک شوند، مقاومت الکتریکی آن‌ها صفر است. غالباً ابررساناهای معمولی مانند نیوبیم-تیتانیوم مورد استفاده می‌گیرند، البته ابررساناهای دما بالا مانند YBCO در حال ورود به بازار هستند. از مزایای سیم ابررسانا نسبت به مس یا آلومینیوم می توان به بیشتر بودن حداکثر چگالی جریان الکتریکی و اتلاف توان صفر اشاره کرد. از معایب آن می‌توان هزینه سرد کردن سیم ها تا دمای ابررسانا (اغلب به مواد سرمازا مانند نیتروژن مایع
ابررسانا (اغلب به مواد سرمازا مانند نیتروژن مایع یا هلیوم مایع نیاز است)، خطر خاموش شدن سیم (از دست دادن ناگهانی ابررسانایی)، خواص مکانیکی پایین برخی ابررساناها، و هزینه‌های ماده‌ی استفاده‌شده در سیم و ساخت آن را نام برد. کاربرد اصلی آن در آهنرباهای ابررسانا است که در تجهیزات علمی و پزشکی در مواردی که میدان مغناطیسی قوی لازم است استفاده می‌شود. پارامترهای مهم. دمای ساخت اغلب با هدف بیشینه کردن موارد زیر انتخاب می‌شود: سیم‌ها، نوارها،و کابل‌های ابررسانا غالباً دو ویژگی کلیدی دارند: دمای به اشتراک گذاری
غالباً دو ویژگی کلیدی دارند: دمای به اشتراک گذاری جریان TCS دمایی است که در آن، جریان حمل‌شده توسط ابررسانا از طریق تثبیت‌کننده نیز شروع به جاری شدن می‌کند. با این حال، TCS با دمای خاموشی (یا دمای بحرانی) TC یکسان نیست؛ در مورد اول، از دست دادن جزئی ابررسانایی وجود دارد، در حالی که در مورد دوم، ابررسانایی به طور کامل از بین می‌رود. سیم LTS. سیم‌های ابررسانای دما پایین (LTS) از ابررساناهایی با دمای بحرانی پایین مانند نیوبیم-قلع (Nb3Sn) و نیوبیم-تیتانیوم (NbTi) ساخته شده‌اند. غالباً ابررسانا به صورت یک رشته
ساخته شده‌اند. غالباً ابررسانا به صورت یک رشته در زمینه‌ای از جنس مس یا آلومینیوم است که اگر ابررسانا به هر دلیلی دچار خاموشی شود، جریان را حمل می‌کند. رشته‌های ابررسانا می توانند یک سوم حجم کل سیم را تشکیل دهند. آماده سازی. نقشه کشی سیم. فرآیند سیم‌کشی معمولی می‌‌تواند برای آلیاژهای چکش‌خوار مانند نیوبیم-تیتانیوم استفاده شود. نفوذ سطحی. وانادیم-گالیم (V3Ga) را می‌توان با نفوذ سطحی تهیه کرد که در آن جزء دما بالا به عنوان یک جامد در عنصر دیگر که به شکل مایع یا گاز است، شناور می‌شود. هنگامی که همه‌ی اجزاء در
گاز است، شناور می‌شود. هنگامی که همه‌ی اجزاء در طول نفوذ در دمای بالا در حالت جامد باقی می‌مانند به این فرآیند، فرآ برنز گفته می‌شود. سیم HTS. سیم‌های ابررسانای دمابالا (HTS) از ابررساناها با دمای بحرانی بالا (ابررسانایی با دمای بالا) مانند YBCO و BSCCO ساخته می‌شوند. پودر در لوله. فرآیند پودر در لوله (PIT، یا "پودر اکسید در لوله"، OPIT) یک فرآیند برون‌ریزی (اکستروژن) است که اغلب برای ساخت رساناهای الکتریکی از ابررساناهای ترد مانند نیوبیم-قلع یا منیزیم دی‌بورید، و ابررساناهای کوپرات سرامیکی مانند BSCCO
و ابررساناهای کوپرات سرامیکی مانند BSCCO استفاده می‌شود. از آن برای شکل‌دهی سیم‌های پنکتیدهای آهن استفاده می‌شود. (PIT برای اکسید مس ایتریم باریم استفاده نمی‌شود زیرا لایه های ضعیف لازم برای ایجاد بافت (هم‌ترازی) کافی در فرآیند PIT را ندارد) این فرآیند به این دلیل استفاده می‌شود که ابررساناهای دمابالا برای فرآیندهای سیم‌کشی معمولی بسیار ترد هستند. لوله ها فلزی و اغلب از جنس نقره‌ هستند. اغلب، لوله‌ها برای واکنش با مخلوط پودرها حرارت داده می‌شوند. هنگام رخ دادن واکنش، لوله‌ها گاهی مسطح می‌شوند تا یک رسانای
واکنش، لوله‌ها گاهی مسطح می‌شوند تا یک رسانای نوارمانند تشکیل شود. سیم به دست آمده به اندازه سیم فلزی معمولی انعطاف‌پذیر نیست، اما برای بسیاری از کاربردها کافی است. در موقعیت "فعلی" و "سابق" انواع این فرآیند وجود دارد، و همچنین یک روش "دو هسته‌ای که ترکیبی از هر دو است نیز موجود است. نوار یا سیم ابررسانا پوشش داده شده. نوارهای ابررسانای پوشش داده شده به عنوان نسل دوم سیم‌های ابررسانا شناخته می‌شوند. این سیم‌ها به شکل یک نوار فلزی با حدود 10 mm عرض و ضخامت μm100 هستند که با مواد ابررسانا مانند YBCO پوشش
μm100 هستند که با مواد ابررسانا مانند YBCO پوشش داده شده اند. چند سال پس از کشف ابررسانایی دمابالای موادی مانند YBCO ، نشان داده شد که همبافته YBCO با لایه‌های های نازک رشد کرده در شبکه همسان تک کریستال مانند منیزیم اکسید (MgO) ، استرانسیم تیتانیت (SrTiO3) و یاقوت کبود چگالی جریان فوق بحرانی بیش از 10-40 kA/mm2 دارند. با این حال، یک ماده انعطاف‌پذیر منطبق بر شبکه برای تولید یک نوار بلند لازم بود. لایه‌های YBCO که مستقیماً روی مواد زیرلایه فلزی رسوب می‌کنند، خواص ابررسانایی ضعیف از خود نشان می‌دهند. نشان
خواص ابررسانایی ضعیف از خود نشان می‌دهند. نشان داده شد که یک لایه‌ی میانی جهت‌گرفته در راستای محور c زیرکونیای تثبیت‌شده با ایتریا (YSZ) بر روی یک زیرلایه فلزی می‌تواند لایه‌های YBCO با کیفیت بالاتری تولید کند، که هنوز یک تا دو مرتبه چگالی جریان بحرانی کمتری نسبت به آن‌هایی که روی زیرلایه‌های تک کریستالی تشکیل شده است دارند. این موفقیت با اختراع تکنیک رسوب به کمک تابش یون (IBAD) برای تولید لایه‌های نازک هم‌راستای دومحوره‌ی زیرکونیای تثبیت‌شده با ایتریا (YSZ) روی نوارهای فلزی حاصل شد. این لایه‌ی دو محوره‌ی
روی نوارهای فلزی حاصل شد. این لایه‌ی دو محوره‌ی YSZ به عنوان یک لایه‌ی حائل مطابق با شبکه برای رشد همبافته‌ی لایه‌ی YBCO بر روی آن ایفای نقش می‌کند. این لایه‌های YBCO به چگالی جریان بحرانی بیش از 1 MA/cm2 رسیده‌اند. لایه‌های حائل دیگر مانند اکسید سریم (CeO2) و اکسید منیزیم (MgO) با استفاده از تکنیک IBAD برای لایه‌های ابررسانا تولید می‌شوند. بسترهای صاف با زبری در مرتبه‌ی 1 nm برای لایه‌های ابررسانا با کیفیت بالا ضروری هستند. در ابتدا بسترهای هاستلوی برای ایجاد یک سطح صیقلی الکتروپولیش می‌شدند. هاستلوی یک
یک سطح صیقلی الکتروپولیش می‌شدند. هاستلوی یک آلیاژ بر پایه‌ی نیکل است که قادر به تحمل کردن دماهای تا 800 °C بدون ذوب شدن یا اکسیداسیون شدید است. در حال حاضر یک تکنیک پوشش‌دهی معروف به "چرخش روی شیشه" یا "مسطح سازی رسوب محلول" برای صاف کردن سطح بستر استفاده می‌شود. اخیراً نوارهای ابررسانای پوشش‌دهی شده‌ی YBCO قابلیت حمل بیش از 500 A/cm-width در 77 K و 500 A/cm-width در 30 K تحت میدان مغناطیسی قوی از خود نشان داده‌اند. لایه‌نشانی بخار شیمیایی. CVD برای نوارهای پوشش داده شده‌ی YBCO مورد استفاده قرار می‌گیرد.
پوشش داده شده‌ی YBCO مورد استفاده قرار می‌گیرد. ترکیب فرآیند رسوب‌دهی فیزیکی و شیمیایی بخار. HPCVD می تواند برای لایه‌ی نازک منیزیم دی‌بورید استفاده شود. (MgB2 انبوه می تواند با PIT یا نفوذ منیزیم مذاب واکنشی ایجاد شود) تبخیر همزمان واکنشی. لایه‌ی ابررسانا در نسل دوم سیم‌های ابررسانا می‌تواند با تبخیر همزمان واکنشی فلزات تشکیل دهنده، عنصر کمیاب زمین ، باریم و مس رشد کند. استانداردها. چندین استاندارد IEC (کمیسیون بین‌المللی الکتروتکنیک) مربوط به سیم های ابررسانا تحت TC90 وجود دارد.
فوتولیتوگرافی فرآیندی است در حذف بخش های انتخابی از لایه های نازک مورد استفاده در میکروساخت . ریزساخت تولید قطعاتی در مقیاس میکرو و نانو، معمولاً روی سطح ویفرهای سیلیکونی ، برای تولید مدارهای مجتمع ، سیستم‌های میکروالکترومکانیکی (MEMS)، سلول‌های خورشیدی و سایر دستگاه‌ها است. فوتولیتوگرافی این فرآیند را از طریق استفاده ترکیبی از هگزامتیل دیسیلازان (HMDS)، مقاوم به نور (مثبت یا منفی)، پوشش چرخشی ، ماسک نوری ، سیستم نوردهی و سایر مواد شیمیایی مختلف ممکن می‌سازد. با دستکاری دقیق این عوامل می توان تقریباً هر
با دستکاری دقیق این عوامل می توان تقریباً هر ریزساختار هندسی را روی سطح ویفر سیلیکونی ایجاد کرد. برهمکنش شیمیایی بین تمام اجزای مختلف و سطح ویفر سیلیکونی، فوتولیتوگرافی را به یک مسئله شیمی جالب تبدیل می کند. علم کنونی توانسته است ویژگی هایی بین 1 تا 100 روی سطح ویفرهای سیلیکونی ایجاد کند میکرومتر لیتوگرافی نوری، فناوری‌ای است که امروزه برای ساخت پردازنده‌های رایانه و انواع مدارهای مجتمع به کار گرفته می‌شود. تولیدکنندگانِ مدارهای مجتمع در دنیا از این شیوه‌ی بسیار کارآمد برای تولید بیش از 10 میلیارد
شیوه‌ی بسیار کارآمد برای تولید بیش از 10 میلیارد ترانزیستور در هر ثانیه استفاده می‌کنند. ارزش تولیدات صنعتی با استفاده از تنها این یک فناوری، به بیش از 140 میلیارد دلار در سال می‌رسد. این فناوری قابلیت ارتقا برای تولید ساختارهایی با ابعاد کم‌تر از 100 نانومتر را دارد. اما انجام این کار بسیار مشکل، گران و پردردسر است. برای پیدا کردن روش‌های جایگزین، محققانِ ساخت سیستم‌های نانومتری، در حال بررسی هزاران ایده و صدها روش هستند، تا شاید یکی از آنها جواب بدهد. ‌ از زمان اختراع طرح نگاری نوری توسط نایپسه تا کنون
از زمان اختراع طرح نگاری نوری توسط نایپسه تا کنون منابع انرژی متفاوتی برای این کار استفاده شده، که منجر به ایجاد خانواده‌های مختلف طرح نگاری شده است: فوتون فرابنفش، اشعه ایکس، الکترون. علت اصلی استفاده از طول موج‌های کوتاه، رسیدن به ظرافت بیشتر در ساخت ادوات الکترونیک است. در حال حاضر فرایند اصلی ساخت ادوات الکترونیک بر پایه طرح نگاری نوری فرا بنفش است، که با طیف طول موج‌های بین ۳۰۰ تا ۴۵۰ نانومتر سر و کار دارد. ماسک در طرح لیتوگرافی نوری: ماسک‌ها در اصل صفحات کوارتزی هستند که بر رویشان با کُروم الگویی
صفحات کوارتزی هستند که بر رویشان با کُروم الگویی همانند شکل۱ داده شده است. بدیهی است که ساخت یک قطعه با دقت بسیار بالای هندسی و دقیقاً مشابه ماسک امکان پذیر نیست. برای ساخت ماسک‌ها از باریکه الکترونی با دقتی حدود کسری از میکرومتر استفاده می‌شود. این تکنیک لیتروگرافی الکترونی است که با جزئیات در اینجا مورد مطالعه قرار نمی‌گیرد. اگر دقت زیر میکرومتری در دسترس نباشد از روش‌های دیگری نظیر ژل، پرینت با کیفیت بالا روی ماده شفاف و. . . استفاده می‌شود. ویفر سیلیکونی. ویفرهای سیلیکونی از یک شمش جامد از سیلیکون
ویفرهای سیلیکونی از یک شمش جامد از سیلیکون تقریباً خالص (99.9999999٪) بریده می شوند. این کار از طریق فرآیند رشد انجام می شود که در تصویر مجاور نشان داده شده است و یک کریستال سیلیکون مکعبی الماس دست نخورده تولید می کند. سیلیکون تک کریستالی به دلیل ساختارش ناهمسانگرد است که به آن خواص ساختاری و الکتریکی متفاوتی در جهات مختلف صفحه می دهد. با استفاده از شاخص های آسیاب برای نشان دادن جهت های مختلف صفحه، وجه های (1،0،0) و (1،1،1) معمولاً در ویفرهای سیلیکونی استفاده می شوند (تصویر را ببینید). شمش سیلیکون جهت گیری
می شوند (تصویر را ببینید). شمش سیلیکون جهت گیری شده و در امتداد یکی از این صفحات بریده می شود تا آن سطح برای پردازش از طریق فتولیتوگرافی در معرض دید قرار گیرد. دلیل استفاده از هر یک از این صفحات مسطح به کاربرد ویفر سیلیکونی یا نحوه پردازش آن بستگی دارد. به هر حال، این بستگی به استفاده از اچانت ها، مقاومت نوری و اسیدها برای درمان سطح دارد، و برهمکنش شیمیایی این مواد شیمیایی با سطح کریستال به ویژگی های سطح آن صفحه کریستالی بستگی دارد. جدولی در سمت راست انرژی های سطحی، چگالی اتمی و فاصله بین اتمی سه صفحه برای
سطحی، چگالی اتمی و فاصله بین اتمی سه صفحه برای یک کریستال سیلیکون را نشان می دهد. ویفر به تکه بسیار باریکی از یک ماده نیمه‌رسانا مانند بلور سیلیکون می‌گویند که درصد خلوص آن بسیار بالا و نزدیک به ۱۰ درصد است. ویفر سیلیکونی مولفه اصلی در تولید و ساخت مدارهای الکتریکی و چیپ است. سیلیکون ماده‌ای است از جنس کربن که بعد از اکسیژن، دومین عنصر از نظر میزان فراوانی در زمین است و به طور طبیعی قابل ترکیب نیست. سیلیکون به صورت ترکیب شده با اکسیژن در شن و اغلب سنگ‌ها وجود دارد که سیلیکا (در‌اکسید سیلیسیوم) نام دارد.
وجود دارد که سیلیکا (در‌اکسید سیلیسیوم) نام دارد. اگر سیلیکون با عناصری دیگری مثل آهن، آلومینیوم یا پتاسیم ترکیب شود، سیلیکات ایجاد می‌شود. ترکیبات سیلیکونی در اتمسفر، آب‌های معدنی، بسیاری گیاهان و بدن برخی حیوانات وجود دارد. سیلیکون ماده اصلی در ساخت چیپ‌های کامپیوتری، ترانزیستورها، دیودهای سیلیکونی، دیگر مدارهای الکترونیکی و دستگاه‌های سوئیچینگ است چرا که ساختار اتمی آن، این عنصر را برای نیمه‌رسانا، ایده‌آل می‌کند. سیلیکون برای اینکه ویژگی‌های رسانا بودن خود را تغییر دهد معمولا با عناصری مثل بورون، فسفر
خود را تغییر دهد معمولا با عناصری مثل بورون، فسفر و آرسنیک ترکیب می‌شود. مقاوم در برابر نور. در فتولیتوگرافی، از ترکیبات مقاوم به نور استفاده می شود که ماسکی را روی سطح ویفر سیلیکونی ایجاد می کند. این ماسک امکان کنترل دقیق روی فرآیندهای دوپینگ و اچینگ مورد استفاده برای تشکیل دستگاه‌ها روی ویفرهای سیلیکونی را فراهم می‌کند. مهم است که ماسک در طول فرآیند اچ در برابر حمله شیمیایی مقاوم باشد. فتورزیست ها دارای سه جزء اصلی هستند، یک حلال، رزین و حساس کننده (یا ترکیب فعال نور). این ترکیب به شکل مایع روی ویفر
ترکیب فعال نور). این ترکیب به شکل مایع روی ویفر سیلیکونی اعمال می شود و پلیمریزاسیون از طریق قرار گرفتن در معرض نور کنترل می شود. از آنجایی که فوتوریست ها ترکیبات غیر قطبی هستند و دی اکسید سیلیکون دارای ویژگی قطبی است، مشکلات چسبندگی می تواند بین این دو ماده ظاهر شود. هنگامی که فتورزیست به درستی نمی چسبد، ویژگی ها وضوح را از دست می دهند. با کوچکتر شدن اندازه ویژگی، چسبندگی Photoresist بسیار مهم می شود. به منظور ایجاد قابل اعتماد ویژگی های کوچک، سطح ویفر سیلیکونی باید آبگریز شود تا چسبندگی مقاوم به نور