payamvha/North_RAG huggingface dataset:
مانند کند و پاش (Sputtering) لایه‌نشانی می‌شود. پیشرفت در تکنیک‌های لایه‌نشانی لایه نازک در طول قرن بیستم، سبب طیف گسترده‌ای از پیشرفت‌های فناوری در زمینه‌های مختلف شده‌است، مانند رسانه ذخیره مغناطیسی، دستگاه‌های نیمه هادی الکترونیکی، LED‌ها، روکش‌های نوری (مانند روکش‌های ضد بازتاب)، روکش‌های سخت روی ابزارهای برش، تولید انرژی (به عنوان مثال سلول‌های خورشیدی لایه نازک) و ذخیره‌سازی انرژی (باتری‌های لایه نازک). این مواد همچنین در زمینه داروسازی با روش «دارو رسانی به کمک لایه‌های نازک» کاربرد دارند. توده‌ای
رسانی به کمک لایه‌های نازک» کاربرد دارند. توده‌ای از لایه‌های نازک، چند لایه (multilayer) نامیده می‌شود. علاوه بر اهمیت کاربردی، لایه‌های نازک نقش مهمی در توسعه و مطالعه مواد با ویژگی‌های جدید و منحصر به فرد ایفا می‌کنند. به عنوان مثال می‌توان به مواد multiferroic و ابر لایه‌ها اشاره کرد که امکان بررسی پدیده‌های کوانتومی را فراهم می‌آورند. فرایند لایه‌نشانی (Deposition). اعمال کردن یک لایه نازک بر روی یک سطح، "لایه‌نشانی لایه نازک" نامیده می‌شود؛ در واقع این فرایند شامل هر تکنیکی برای لایه‌نشانی یک لایه
این فرایند شامل هر تکنیکی برای لایه‌نشانی یک لایه نازک از مواد روی یک بستر یا روی لایه‌های قبلی لایه‌نشانی شده‌است. «نازک» یک اصطلاح نسبی است، اما اکثر تکنیک‌های لایه‌نشانی ضخامت لایه را تا چند ده نانومتر کنترل می‌کنند. برآرایی پرتوی مولکولی، روش لانگمویر-بلودت، لایه‌نشانی لایه اتمی و لایه‌نشانی لایه مولکولی اجازه می‌دهند که یک تک لایه از اتم‌ها یا مولکول‌ها در یک زمان لایه‌نشانی شوند. استفاده از لایه‌های نازک در تولید وسایل اپتیکی (به عنوان مثال روکش‌های بازتابنده - ضد بازتاب یا شیشه‌های خود تمیز شونده)،
- ضد بازتاب یا شیشه‌های خود تمیز شونده)، الکترونیکی (لایه‌هایی از نارساناها، نیمه رسانا‌ها و رساناها که مدارات مجتمع را می‌سازند)، بسته‌بندی (به عنوان مثال، ورق‌های PET پوشش داده شده با آلومینیوم) و در هنر معاصر (به کار لری بل مراجعه کنید) مفید است. گاهی اوقات که ضخامت مهم نیست، فرایندهای مشابه مورد استفاده قرار می‌گیرند: برای مثال پالایش مس با آبکاری و لایه‌نشانی سیلیکون و اورانیوم غنی شده توسط یک فرایند شبه CVD پس از پردازش فاز گاز. بسته به اینکه فرایند در درجه اول شیمیایی باشد یا فیزیکی، تکنیک‌های
در درجه اول شیمیایی باشد یا فیزیکی، تکنیک‌های لایه‌نشانی در دو دسته گسترده قرار می‌گیرند. لایه‌نشانی شیمیایی. در اینجا، یک پیش ماده سیال بر روی یک سطح جامد دچار تغییر شیمیایی می‌شود و یک لایه جامد باقی می‌گذارد. یک نمونه روزمره، تشکیل دوده روی یک جسم خنک وقتی درون شعله قرار می‌گیرد، است. از آنجا که مایع جسم جامد را احاطه می‌کند، لایه‌نشانی بدون وابستگی چندانی به جهت، بر روی هر سطحی اتفاق می‌افتد. لایه‌های نازک ساخته شده به روش‌های لایه‌نشانی شیمیایی به جای "جهت دار بودن"، همدیس (conformal) هستند. در ادامه،
دار بودن"، همدیس (conformal) هستند. در ادامه، لایه‌نشانی شیمیایی بیشتر به وسیله فاز پیش ماده طبقه‌بندی می‌شود: آبکاری به پیش ماده‌های مایع متکی است که اغلب محلول آب به همراه نمکی از فلز مورد نظر برای لایه‌نشانی است. برخی فرایندهای آبکاری کاملاً توسط مواد واکنشگر در محلول (معمولاً برای فلزات نجیب) هدایت می‌شوند، اما تاکنون مهمترین فرایند تجاری آبکاری الکتریکی است. این روش برای سالها چندان در پردازش نیمه هادی‌ها کاربردی نداشت، اما به دلیل استفاده گسترده‌تر از روش‌های صیقل دادن شیمیایی-مکانیکی، در حال حاضر
از روش‌های صیقل دادن شیمیایی-مکانیکی، در حال حاضر دوباره استفاده می‌گردد. لایه‌نشانی محلول شیمیایی (CSD) یا لایه‌نشانی به وسیله حمام شیمیایی (CBD) از پیش ماده مایعی استفاده می‌کند که معمولاً محلول پودرهای آلی-فلزی در یک حلال آلی است. این یک فرایند نسبتاً ارزان و ساده تولید لایه نازک است که فازهای کریستالی دقیقی از نظر استوکیومتری تولید می‌کند. این روش همچنین به عنوان روش سل-ژل شناخته می‌شود زیرا 'sol' (یا محلول) به تدریج به سمت ایجاد سیستم دو فاز ژل-مانند تغییر می‌یابد. روش لانگمویر-بلودت از مولکولهایی
تغییر می‌یابد. روش لانگمویر-بلودت از مولکولهایی استفاده می‌کند که در بالای یک زیرفاز آبی شناور هستند. چگالی فشردگی مولکول‌ها کنترل می‌شود و پس از برداشت کنترل شده زیرفاز از روی بستر جامد، تک لایه فشرده شده به روی آن منتقل می‌شود. این امر امکان ایجاد لایه‌های نازک از مولکول‌های مختلف مانند نانوذرات، پلیمرها و لیپیدها را با چگالی فشردگی ذرات و ضخامت لایه کنترل شده فراهم می‌آورد. روکش دورانی یا ریخته‌گری چرخشی، از یک پیش ماده مایع یا پیش ماده سل ژل استفاده می‌کند که روی یک بستر صاف و مسطح لایه‌نشانی شده که در
که روی یک بستر صاف و مسطح لایه‌نشانی شده که در مرحله بعد این بستر با سرعت بالایی چرخانده می‌شود تا محلول را به روش سانتریفوژ روی بستر پخش کند. سرعتی که محلول با آن چرخانده می‌شود و گران‌روی سل، ضخامت نهایی لایه‌نشانی را تعیین می‌کند. می‌توان لایه‌نشانی‌های مکرر را برای افزایش ضخامت لایه‌ها به مقدار دلخواه انجام داد. پردازش حرارتی اغلب به منظور تبلور لایهٔ آمورف لایه‌نشانی شده به روش پوشش دورانی، انجام می‌شود. چنین لایه‌های کریستالی می‌توانند جهت‌گیری‌های مرجح خاصی را بعد از تبلور بر روی بسترهای تک بلوری
مرجح خاصی را بعد از تبلور بر روی بسترهای تک بلوری نشان دهند. لایه‌نشانی غوطه‌وری مشابه روکش چرخشی است به این صورت که یک پیش ماده مایع یا پیش ماده سل ژل روی یک بستر لایه‌نشانی می‌شود، اما در این حالت بستر کاملاً در محلول فرومی‌رود و سپس تحت شرایط کنترل شده خارج می‌شود. با کنترل سرعت برداشت (خارج کردن)، شرایط تبخیر (عمدتاً رطوبت و دما) و قابلیت تبخیر/ گرانروی حلال، ضخامت لایه، همگن بودن و مورفولوژی نانوسکوپی هم کنترل می‌شوند. دو رژیم تبخیر وجود دارد: ناحیه مویرگی با سرعت برداشت بسیار کم و منطقه زهکشی با سرعت
با سرعت برداشت بسیار کم و منطقه زهکشی با سرعت تبخیر سریعتر. لایه‌نشانی بخار شیمیایی (CVD) به‌طور کلی از یک پیش ماده در فاز گازی، اغلب یک هالید یا هیدرید از عنصر مورد نظر، برای لایه‌نشانی استفاده می‌نماید. در حالت MOCVD از گاز آلی-فلزی استفاده می‌شود. روش‌های تجاری اغلب از پیش ماده‌های گازی با فشارهای بسیار پایین استفاده می‌کنند. CVD بهبود یافته با پلاسما (PECVD) از بخار یونیزه شده یا پلاسما به عنوان پیش ماده استفاده می‌کند. بر خلاف مثال دوده در بالا، PECVD تجاری برای تولید پلاسما به روش‌های الکترومغناطیسی
تجاری برای تولید پلاسما به روش‌های الکترومغناطیسی (جریان الکتریکی، برانگیختگی مایکروویوی) متکی است و نه یک واکنش شیمیایی. لایه‌نشانی لایه اتمی (ALD)، و روش خواهرش لایه‌نشانی لایه مولکولی (MLD)، با استفاده از پیش ماده‌های گازی، لایه‌های نازک همدیس و تک لایه را در یک زمان لایه‌نشانی می‌کند. این فرایند به دو واکنش تقسیم می‌شود که به ترتیب و برای هر لایه تکرار می‌شوند تا از اشباع کامل لایه پیش از شروع لایه بعدی اطمینان حاصل شود؛ بنابراین، یک واکنش دهنده ابتدا لایه‌نشانی می‌شود و سپس ماده دوم واکنش دهنده
لایه‌نشانی می‌شود و سپس ماده دوم واکنش دهنده لایه‌نشانی می‌شود که در طی آن یک واکنش شیمیایی روی بستر اتفاق می‌افتد و ترکیب مورد نظر را تشکیل می‌دهد. به دلیل این فرایند مرحله به مرحله، این روند از CVD کندتر است اما برخلاف CVD می‌تواند در دماهای پایین اجرا شود. لایه‌نشانی فیزیکی. لایه‌نشانی فیزیکی برای تولید یک لایه نازک جامد از روش‌های مکانیکی، الکترومکانیکی یا ترمودینامیکی استفاده می‌کند. یک نمونه روزمره شکل‌گیری یخبندان (شبنم یخ زده) است. از آنجا که بیشتر مواد مهندسی توسط انرژی‌های نسبتاً بالایی در کنار
مواد مهندسی توسط انرژی‌های نسبتاً بالایی در کنار هم نگه داشته شده‌اند و از واکنش‌های شیمیایی برای ذخیره این انرژی‌ها استفاده نمی‌شود، سیستم‌های لایه‌نشانی فیزیکی تجاری تمایل دارند که برای عملکرد صحیح به بخار کم فشار نیاز داشته باشند؛ بیشتر آنها را می‌توان به عنوان لایه‌نشانی بخار فیزیکی (PVD) طبقه‌بندی کرد. مادهٔ مورد نظر برای لایه‌نشانی در یک محیط انرژی‌زا و آنتروپیک قرار می‌گیرد تا ذرات ماده از سطح آن فرار کنند. در مقابل این منبع سطح خنک‌کننده‌ای قرار دارد که هنگام رسیدن این ذرات، انرژی آنها را جذب
دارد که هنگام رسیدن این ذرات، انرژی آنها را جذب می‌نماید و به آنها اجازه می‌دهد یک لایه جامد تشکیل دهند. کل سیستم در یک محفظه لایه‌نشانی خلأ نگه داشته می‌شود تا ذرات بتوانند تا حد امکان آزادانه حرکت کنند. از آنجا که ذرات تمایل به دنبال کردن یک مسیر مستقیم دارند، لایه‌هایی که به روش‌های فیزیکی لایه‌نشانی می‌"شوند" معمولاً "جهت دار" هستند تا "همدیس". نمونه‌هایی از لایه‌نشانی فیزیکی عبارتند از: تبخیر حرارتی که از بخاری با مقاومت الکتریکی برای ذوب مواد استفاده می‌کند و فشار بخار آن را تا حد مفیدی بالا می‌برد.
می‌کند و فشار بخار آن را تا حد مفیدی بالا می‌برد. این کار در خلأ بالا انجام می‌شود، هم برای این که بخار بتواند بدون واکنش با یا پراکندگی از سایر اتم‌های فاز گازی در محفظه به بستر برسد و هم برای اینکه میزان ترکیب ناخالصی‌های حاصل از گاز باقیمانده در محفظه خلأ را کاهش دهند. بدیهی است فقط موادی با فشار بخار بسیار بالاتر از المنت گرمایی بخاری می‌توانند بدون آلوده کردن لایه لایه‌نشانی شوند. اپیتکسی پرتو مولکولی نوع خاص و پیچیده‌ای از تبخیر حرارتی است. در روش تبخیر پرتوی الکترونی پرتویی پرانرژی از یک تفنگ
تبخیر پرتوی الکترونی پرتویی پرانرژی از یک تفنگ الکترونی شلیک می‌گردد تا یک نقطه کوچک ماده را به نقطه جوش برساند؛ از آنجایی که گرمایش یکنواخت نیست می‌توان مواد با فشار بخار پایین‌تر را لایه‌نشانی داد. باریکه معمولاً با زاویه ۲۷۰ درجه خم می‌شود تا اطمینان حاصل شود که فیلامان تفنگ مستقیماً در معرض شار تبخیر قرار ندارد. آهنگ لایه‌نشانی معمولی برای تبخیر پرتوی الکترونی از ۱ تا ۱۰ نانومتر بر ثانیه است. در برآرایی پرتوی مولکولی (MBE) جریانهای کند یک عنصر می‌توانند به سمت بستر (زیرلایه) هدایت شوند به طوری که یک
به سمت بستر (زیرلایه) هدایت شوند به طوری که یک لایه اتمی از مواد در یک زمان لایه‌نشانی کنند. ترکیباتی مانند گالیم آرسنید معمولاً با اعمال مکرر یک لایه از یک عنصر (یعنی گالیم)، سپس یک لایه از عنصر دیگر (یعنی آرسنیک) لایه‌نشانی می‌شوند به طوری که فرایند شیمیایی و در عین حال فیزیکی باشد؛ این فرایند همچنین به عنوان لایه‌نشانی لایه اتمی شناخته می‌شود. اگر پیش ماده‌های مورد استفاده آلی باشند، به این روش لایه‌نشانی لایه مولکولی گفته می‌شود. پرتوی ماده مورد نظر می‌تواند به روش فیزیکی (یعنی توسط کوره) یا با یک
می‌تواند به روش فیزیکی (یعنی توسط کوره) یا با یک واکنش شیمیایی (برآرایی پرتو شیمیایی) تولید شود. کند و پاش به پلاسمایی (معمولاً از جنس یک گاز نجیب مانند آرگون) متکی است تا با ضربه زدن، ماده را به صورت چند اتم در هر بار از سطح هدف جدا کند (بکند). هدف را می‌توان در دمای نسبتاً کم نگه داشت زیرا این روش یکی از انواع روش‌های تبخیر نیست که همین سبب می‌شود یکی از انعطاف پذیرترین تکنیک‌های لایه‌نشانی به حساب آید. این روش به ویژه برای ترکیبات یا مخلوط‌ها مفید است که در آنها اجزای مختلف تمایل به تبخیر با آهنگ‌های
که در آنها اجزای مختلف تمایل به تبخیر با آهنگ‌های متفاوت دارند. توجه داشته باشید که پوشش مرحله کند و پاش کمابیش همدیس است. کند و پاش همچنین در مواد و ابزار نوری کاربرد گسترده‌ای دارد. ساخت کلیه فرمت‌های CD ,DVD و BD با کمک این تکنیک انجام می‌شود. این یک تکنیک سریع است و همچنین کنترل ضخامت خوبی را فراهم می‌نماید. در حال حاضر گازهای نیتروژن و اکسیژن نیز در کند و پاش استفاده می‌شوند. سیستم‌های لایه‌نشانی لیزر پالسی توسط یک فرایند فرسایش کار می‌کنند. پالسهای لیزر متمرکز سطح هدف را تبخیر کرده و آن را به پلاسما
متمرکز سطح هدف را تبخیر کرده و آن را به پلاسما تبدیل می‌نمایند؛ این پلاسما معمولاً قبل از رسیدن به بستر دوباره به گاز تبدیل می‌گردد. لایه‌نشانی قوس کاتدیک (arc-PVD) که نوعی لایه‌نشانی پرتو یونی است که در آن یک قوس الکتریکی ایجاد می‌شود که به معنای واقعی کلمه یون‌ها را با انفجار از کاتد جدا می‌نماید. این جرقه دارای چگالی توان فوق‌العاده بالایی است که منجر به سطح بالایی از یونش (۱۰۰٪-۳۰) به علاوهٔ یون‌های شارژ شده، ذرات خنثی، خوشه‌ها و ذرات بزرگ (قطرات) می‌گردد. اگر یک گاز واکنش پذیر در طی فرایند تبخیر وارد
اگر یک گاز واکنش پذیر در طی فرایند تبخیر وارد شود، در طول برهمکنش با شار یونی، تفکیک، یونیزاسیون و برانگیختگی می‌توانند رخ دهند و یک لایه ترکیبی لایه‌نشانی شود. لایه‌نشانی الکترو هیدروودینامیکی (لایه‌نشانی با الکترواسپری) یک فرایند نسبتاً جدید لایه‌نشانی لایه نازک است. مایع موردنظر برای لایه‌نشانی به صورت محلول نانوذره یا یک محلول ساده به یک نازل مویین کوچک (معمولاً فلزی) که به ولتاژ بالا متصل است، تزریق می‌شود. بستری که لایه باید روی آن لایه‌نشانی شود به زمین اتصال دارد. به دلیل تأثیر میدان الکتریکی،
به زمین اتصال دارد. به دلیل تأثیر میدان الکتریکی، زمانی که مایع از نازل بیرون می‌آید شکل مخروطی (مخروط تیلور) به خود می‌گیرد و در رأس مخروط جت نازکی ظهور می‌کند که به سبب محدودیت بار ریلی به قطرات بسیار ریز و کوچک با بار مثبت تجزیه می‌گردد. قطرات کوچکتر و کوچکتر می‌شوند و در نهایت به عنوان یک لایه نازک یکنواخت روی بستر قرار می‌گیرند. حالت‌های رشد. رشد فرانک وان دِر مِروِه ("لایه به لایه"). در این حالت رشد، برهم کنش‌های سطح-جاذب و جاذب-جاذب به تعادل می‌رسند. این نوع رشد نیاز به تطابق شبکه‌ای دارد و از این
این نوع رشد نیاز به تطابق شبکه‌ای دارد و از این رو سازوکار رشد "ایدئال" در نظر گرفته می‌شود. رشد استرانسکی-کرستانوف ("جزایر متصل" یا "لایه به علاوه جزیره"). در این حالت رشد، فعل و انفعالات سطح-جاذب قوی تر از فعل و انفعالات جاذب-جاذب است. Volmer-Weber ("جزایر مجزا"). در این حالت رشد، برهم کنش‌های جاذب-جاذب قوی تر از برهم کنش‌های سطح-جاذب هستند، از این رو "جزایر" بلافاصله شکل می‌گیرند. برآرایی. زیر مجموعه‌ای از فرایندها و کاربردهای لایه‌نشانی لایه‌های نازک متمرکز است بر روی رشد به اصطلاح برآرایی مواد و
متمرکز است بر روی رشد به اصطلاح برآرایی مواد و لایه‌نشانی لایه‌های نازک کریستالی که به دنبال ساختار بلوری بستر رشد می‌کنند. اصطلاح اپیتاکسی از ریشه‌های یونانی (epi (ἐπί به معنی "بالا/روی"، و تاکسیس (τάξις) به معنی "روشی منظم" می‌آید. این اصطلاح را می‌توان به "تنظیم بر روی (arranging upon)" ترجمه کرد. اصطلاح رونشانی‌همگن به حالت خاصی گفته می‌شود که در آن لایه‌ای از همان ماده روی یک بستر بلوری رشد می‌یابد. به عنوان مثال از این فناوری برای رشد لایه‌ای خالص تر از بستر استفاده می‌شود که چگالی نقصان کمتری به
تر از بستر استفاده می‌شود که چگالی نقصان کمتری به نسبت بستر دارد و همچنین برای تولید لایه‌هایی با سطح دوپینگ متفاوت. رونشانی‌ناهمگن به حالتی اشاره می‌کند که در آن لایه لایه‌نشانی شده متفاوت از بستر است. تکنیک‌های مورد استفاده برای رشد برآرایی لایه‌های نازک شامل برآرایی پرتوی مولکولی، برآرایی بخار شیمیایی و لایه‌نشانی لیزر پالسی است. کاربردها. روکش‌های تزئینی. استفاده از لایه‌های نازک برای روکش‌های تزئینی احتمالاً نماینده قدیمی‌ترین کاربرد آنها است. این کاربردها شامل برگهای نازک طلایی با ضخامت حدود ۱۰۰
کاربردها شامل برگهای نازک طلایی با ضخامت حدود ۱۰۰ نانومتر می‌شوند که بیش از ۵۰۰۰ سال پیش در هند باستان مورد استفاده قرار می‌گرفتند. همچنین ممکن است به عنوان هر شکلی از نقاشی شناخته شود، اگرچه این نوع اثر عموماً به عنوان یک هنر دستی در نظر گرفته می‌شود تا مهندسی یا یک رشته علمی. امروزه لایه‌های نازک با ضخامت متغیر و ضریب شکست بالا مانند دی‌اکسید تیتانیوم اغلب برای روکش‌های تزئینی بر روی شیشه استفاده می‌شود که به عنوان مثال باعث ایجاد ظاهری به رنگ رنگین کمانی مانند لکه روغن روی آب می‌گردد. علاوه بر این، سطوح
مانند لکه روغن روی آب می‌گردد. علاوه بر این، سطوح غیرشفافی که با طلا رنگ شده‌اند ممکن است با کند و پاش طلا یا نیترید تیتانیوم تهیه شوند. روکش‌های نوری (اپتیکی). این لایه‌ها در هر دو سیستم بازتابی و شکستی به کار می‌روند. آینه‌های بزرگ (بازتابی) در قرن نوزدهم در دسترس قرار گرفتند و با کند و پاش نقره فلزی یا آلومینیوم روی شیشه تولید می‌شدند. عدسی‌های شکستی برای ابزارهای نوری مانند دوربین‌ها و میکروسکوپ‌ها به‌طور معمول دارای ابیراهی هستند، یعنی رفتار شکستی غیر ایدئال دارند. در حالی که قبلاً مجموعه‌هایی با
غیر ایدئال دارند. در حالی که قبلاً مجموعه‌هایی با تعداد بالایی از عدسی‌ها باید در امتداد مسیر نوری قرار می‌گرفتند، امروزه ممکن است با روکش کردن (لایه نشانی) عدسی‌های نوری با چند لایه شفاف دی‌اکسید تیتانیوم، نیترید سیلیکون یا اکسید سیلیکون و غیره، این ابیراهی‌ها را اصلاح نمود. یک نمونهٔ خوب شناخته شده برای پیشرفت در سیستم‌های نوری توسط فناوری لایه‌های نازک، در لنزهای با پهنای چند میلی‌متر در دوربین تلفن‌های هوشمند نمایان است. نمونه‌های دیگر روکش‌های ضد بازتاب روی عینک یا صفحات خورشیدی هستند. روکش‌های محافظ.
روی عینک یا صفحات خورشیدی هستند. روکش‌های محافظ. لایه‌های نازک اغلب برای محافظت از قطعه مورد نظر زیرین در برابر تأثیرات خارجی لایه‌نشانی می‌شوند. این محافظت ممکن است با به حداقل رساندن تماس با محیط بیرونی انجام گردد تا انتشار (دیفیوژن) از محیط به قطعه کار یا برعکس گاهش یابد. به عنوان مثال، بطری‌های پلاستیکی لیموناد غالباً توسط لایه‌های ضد انتشار روکش می‌شوند تا از پخش و تجزیه CO2 جلوگیری کنند که تحت فشار زیاد وارد نوشیدنی می‌شود. نمونه دیگر توسط لایه‌های نازک TiN در تراشه‌های میکروالکترونیکی است که خطوط
نازک TiN در تراشه‌های میکروالکترونیکی است که خطوط آلومینیومی رسانا را به صورت الکتریکی از عایق تعبیه شده SiO2 جدا می‌کنند تا مانع تشکیل Al2O3 گردد. اغلب، لایه‌های نازک به عنوان محافظ در برابر سایش بین قطعات مکانیکی متحرک عمل می‌کنند. به عنوان نمونه‌هایی از این کاربرد می‌توان به استفاده از لایه‌های کربن الماس-مانند (DLC) در موتور اتومبیل‌ها یا لایه‌های نازک ساخته شده از نانوکامپوزیت‌ها اشاره کرد. روکش‌های الکتریکی. لایه‌های نازک از عناصر فلزی مانند مس، آلومینیوم، طلا یا نقره و غیره و آلیاژهای آنها کاربردهای
طلا یا نقره و غیره و آلیاژهای آنها کاربردهای بی شماری در دستگاه‌های الکتریکی یافته‌اند. به دلیل هدایت الکتریکی بالایشان قادرند جریانهای الکتریکی را عبور دهند یا ولتاژ را تغذیه کنند. لایه‌های فلزی نازک در سیستم‌های الکتریکی معمولی استفاده می‌گردند، مثلاً به عنوان لایه‌های مس روی برد مدار چاپی، یا به عنوان اتصال به زمین بیرونی در کابل‌های کواکسیال و اشکال مختلف دیگر مانند سنسورها و غیره. یک زمینه اصلی کاربرد آنها به استفاده در مدارهای یکپارچه تبدیل شده‌است، جایی که شبکه الکتریکی بین دستگاه‌های فعال و منفعل
جایی که شبکه الکتریکی بین دستگاه‌های فعال و منفعل مانند ترانزیستورها و خازنها و غیره از لایه‌های نازک آلومینیوم یا مس ساخته شده‌است. این لایه‌ها ضخامت‌هایی در محدوده چند صد نانومتر تا چند میکرومتر را شامل می‌شوند و آنها اغلب به منظور جلوگیری از یک واکنش شیمیایی با دی الکتریک اطراف مانند SiO2 در میان چند لایه نازک نانومتری نیتریت تیتانیوم قرار داده می‌شوند. شکل بالا یک میکروگراف از یک ساختار عمودی فلزی TiN/Al/TiN که در یک تراشه میکروالکترونیک ساخته شده‌است، نشان می‌دهد. سلول‌های فتوولتائیک لایه نازک. فناوری
می‌دهد. سلول‌های فتوولتائیک لایه نازک. فناوری لایه‌های نازک همچنین به عنوان ابزاری برای کاهش قابل توجه هزینه سلولهای خورشیدی توسعه داده می‌شوند. دلیل اصلی این امر این است که سلولهای خورشیدی با لایه نازک به دلیل کاهش هزینهٔ مواد، هزینه انرژی، هزینه‌های رسیدگی و هزینه‌های سرمایه ای، ارزانتر هستند. این امر به ویژه در استفاده از فرایندهای الکترونیکی چاپی (رول به رول) نمایان است. سایر فناوری‌های لایه نازک که هنوز در مرحله اولیه تحقیقات در حال انجام هستند یا از نظر تجاری به صورت محدود در دسترس هستند، اغلب به
نظر تجاری به صورت محدود در دسترس هستند، اغلب به عنوان سلول‌های فتوولتائیک نسل سوم یا در حال ظهور طبقه‌بندی می‌شوند و شامل سلولهای خورشیدی آلی، حساس به رنگ و پلیمر، همچنین سلولهای خورشیدی نقطه کوانتومی، سولفید قلع روی مس، نانو کریستال و پروسکایت می‌شوند. باتری‌های لایه نازک. از فناوری چاپ لایه نازک برای اعمال پلیمرهای لیتیوم حالت جامد بر بسترهای مختلف استفاده می‌شود تا باتری‌های منحصر به فردی برای کاربردهای تخصصی ایجاد شوند. باتری‌های لایه نازک می‌توانند مستقیماً روی تراشه‌ها یا بسته‌های تراشه به هر شکل و
روی تراشه‌ها یا بسته‌های تراشه به هر شکل و اندازه‌ای لایه‌نشانی شوند. باتری‌های قابل انعطاف را می‌توان با چاپ روی پلاستیک، فویل نازک فلزی یا کاغذ ساخت.
دهستان فردوس نام دهستانی در بخش اسفندقه شهرستان جیرفت، استان کرمان در ایران است. منابع. http://cabinetoffice.ir/fa/news/4813/موافقت-دولت-با-ایجاد-یک-دهستان-و-یک-بخش-در-شهرستان-جیرفت-استان-کرمان
محمود المنتصر (؛ زادهٔ ۸ اوت ۱۹۰۳ – درگذشتهٔ ۲۸ سپتامبر ۱۹۷۰) یک سیاستمدار و دیپلمات اهل لیبی بود.
سبس از تبس (یونانی: Κέβης Θηβαῖος ؛۳۵۰ قبل از میلاد) فیلسوف یونان باستان از تبای بود که از او به عنوان شاگرد سقراط یاد می‌شود. اثری به نام پیناکس یا تابولا به سیبس نسبت داده می‌شود. این اثر توسط مؤلفی ناشناس جمع‌آوری شده‌است. زندگی. سبس از شاگردان سقراط و فیلولائوس و هم‌پیمانه سیمیاس بود. او یکی از شرکت کنندگان فایدون افلاطون بود. گزنفون معتقد است که سیبس از اعضای حلقه نزدیک سقراط بوده‌است. لوح سیبس. لوح سیبس یا تابولا، توسط یک نویسنده مستعار در قرن یک یا دو پیش از میلاد جمع‌آوری شده‌است. این اثر به زندگی
پیش از میلاد جمع‌آوری شده‌است. این اثر به زندگی انسان با نگاهی فلسفی و خطرهای راه زندگی به شکل نمادین می‌پردازد.
کنراد هاینریش کریستوف ویلگرود (۲ نوامبر ۱۸۴۱ - ۱۹ دسامبر ۱۹۳۰) شیمیدان آلمانی بود که عمده شهرت وی به دلیل توصیف واکنش ویلگرود بود. او همچنین کاشف Iodosobenzene بود. ویلگرود استاد دانشگاه فرایبورگ بود .
مایکل پرستون (؛ زادهٔ ) هنرپیشه، خواننده اهل انگلستان است. از فیلم‌ها یا برنامه‌های تلویزیونی که وی در آن نقش داشته‌است، می‌توان به "توطئه سورابایا"، "مکس دیوانه ۲"، "گرگ آسمان"، "" و "استیل" اشاره کرد.
ساز چمن (به انگلیسی: Grass Harp) یک سینمایی کمدی-درام آمریکایی محصول سال ۱۹۹۵ میلادی که بر اساس رمان ترومن کاپوتی نوشته شده‌است و فیلمنامه نهایی فیلم توسط استرلینگ سیلیفنت به‌نگارش درآمده است. فیلم به کارگردانی چارلز ماتائو می‌باشد. بازیگران اصلی این فیلم پایپر لوری، سیسی اسپیسک، والتر ماتائو، جک لمون، ادوارد فرلانگ و نل کارتر هستند. پایپر لوری به دلیل بازی در این فیلم برنده جایزه بهترین بازیگر نقش مکمل زن از انجمن منتقدین فیلم جنوب شرقی شد. داستان این فیلم در یک شهر کوچک در سال ۱۹۴۰ در آلاباما قرار دارد.
دو اصلی و این لفظ مشتق از Duo به معنی دو است. عبارت است از قول به اینکه اصول و مبادی وجود که می‌توان تمام اشیاء را به آنها تأویل کرد، دو اصل است. مثل دوگانگی واحد و ماده (از این جهت که ماده مبدأ تعیّن است) یا دوگانگی واحد و غیر متناهی نزد فیثاغورسیان یا دوگانگی جهان مثل و جهان محسوسات نزد افلاطون. جواهر آحاد مونادها به منزله واسطه‌ای بین احد و عقل می‌باشند. با توجه به اینکه اولین صادر به نظر پروکلس لیکایوس، وجود است و عقل در مرتبه پس از آن قرار دارد، طبعاً مونادها به عنوان جهات وجودی و جنبه‌های مُشارِک این
به عنوان جهات وجودی و جنبه‌های مُشارِک این وجود، نقش اساسی در ظهور تکثرات عقلی و پس از عقل ایفا می‌کند. این امر که قبل از هر چیز ترکیبی از محدود و نامحدود موجود است، از گزاره‌های مهم مبادی الهیات پروکلس، هست و این دوگانگی(dyad) خود منشأ سایر تکثرات، در بقیه عوالم است که از آنها به جواهر آحاد (مونادها monuds) یاد می‌شود و به نوبه خود جنبه مشارک (شرکت‌پذیر) موجود در عوالم و ساحتهای دیگر وجود است.
اعاده‌دادرسی یک روش استثنایی اعتراض به آرای محاکم است که به موجب آن، پرونده ای که با رای قطعی یا قطعیت یافته مختومه شده‌است، مجدداْ مفتوح و مورد رسیدگی قرار می‌گیرد. منظور از «روش استثنایی اعتراض به آرا» این است که در برابر روش‌های عمومی اعتراض به آرای محاکم قرار دارد؛ به این شرح که به‌طور کلی، دو روش عمومی اعتراض به آراء محاکم وجود دارد: واخواهی و تجدیدنظرخواهی. در این دو روش، هر شخصی که رایی علیه او صادر شده باشد (اعم از آنکه محکوم شده باشد یا حقی برای او به اثبات نرسیده باشد)، می‌تواند نسبت به آن رای
او به اثبات نرسیده باشد)، می‌تواند نسبت به آن رای اعتراض و درخواست رسیدگی مجدد در همان مرجع (واخواهی) یا مرجع بالاتر (تجدیدنظر) نماید و به غیر از محکومیت، موجب دیگری برای طرح این درخواست وجود ندارد. در نقطه مقابل، در روش‌های استثنایی اعتراض به آراء از جمله اعاده‌دادرسی، صرف صدور حکم به ضرر شخص، برای طرح این اعتراض کافی نیست و باید حتماً علت مشخصی که توسط قانون تعیین شده نیز وجود داشته باشد. به عبارت دقیق‌تر، جهات و مبانی طرح این درخواست‌ها، محدود و غیرمعمول می‌باشد. به همین علت به «روش‌های استثنایی اعتراض
می‌باشد. به همین علت به «روش‌های استثنایی اعتراض به آراء» شناخته می‌شوند. به غیر از اعاده‌دادرسی، اعتراض ثالث و فرجام‌خواهی نیز جزو روش‌های استثنایی اعتراض به آرا می‌باشند. اعاده‌دادرسی در بین روش‌های استثنایی شکایت از آراء از ویژگی منحصر به فردی برخوردار است. در حقیقت این طریق شکایت، موجب می‌شود که دادرسی منتهی به حکم قطعیت یافته یا قطعی، به درخواست محکوم علیه دوباره نزد همان مرجع صادر کننده حکم مورد رسیدگی قرار گیرد. اعاده‌دادرسی در نظام حقوقی ایران به صورت دو مرحله‌ای انجام می‌شود: در مرحله اول نسبت به
دو مرحله‌ای انجام می‌شود: در مرحله اول نسبت به قبول یا رد درخواست اعاده‌دادرسی اظهارنظر قضایی صورت می‌گیرد و در مرحله دوم (در فرض قبول درخواست) نسبت به ماهیت درخواست رسیدگی و حکم مقتضی صادر می‌گردد. در نظام قضایی ایران اعاده‌دادرسی را در ۷ حوزه مختلف می‌توان بررسی نمود: اعاده‌دادرسی در امور مدنی، اعاده‌دادرسی در امور کیفری، اعاده‌دادرسی ویژه رئیس قوه قضایی، اعاده‌دادرسی در دیوان عدالت اداری، اعاده‌دادرسی در دادگاه ویژه روحانیت، اعاده دادرسی در دادگاه نظامی، اعاده‌دادرسی در داوری. مقدمه: قاعده فراغ دادرس.
اعاده‌دادرسی در داوری. مقدمه: قاعده فراغ دادرس. به موجب ماده ۸ قانون آیین دادرسی دادگاه‌های عمومی و انقلاب در امور مدنی (به اختصار قانون آیین دادرسی مدنی): «هیچ مقام رسمی یا سازمان یا اداره دولتی نمی‌تواند حکم دادگاه را تغییر دهد یا از اجرای آن جلوگیری کند مگر دادگاهی که حکم صادرنموده یا مرجع بالاتر آن هم در مواردی که قانون معین نموده باشد.» قسمت اخیر این ماده، تبیین‌کننده قاعدهٔ «فراغ دادرس» و استثنای آن می‌باشد؛ به این معنا که قاضی (دادرس) با اعلام رای، از قضاوت فارغ شده و توانایی قضاوت خود را در آن دعوا
قضاوت فارغ شده و توانایی قضاوت خود را در آن دعوا از دست می‌دهد و در حقیقت با صدور حکم یا قرار قاطع دعوا، قاضی دیگر در آن پرونده، حق قضاوت ندارد و حتی با رضایت اصحاب دعوا نیز نمی‌تواند رای خود را تغییر دهد؛ به استثنای مقام صادرکننده رای یا مرجع رسیدگی‌بالاتر که در هر دو صورت، قانون حدود و اختیارات هرکدام برای تغییر رای صادره را تعیین می‌کند و در ذیل عنوان «اعتراض به آرا» مورد بررسی قرار می‌گیرند. یکی از روش‌های اعتراض به آرا که به مقام صادرکننده رای، توانایی تغییر رای خود را می‌دهد، اعاده‌دادرسی است.
تغییر رای خود را می‌دهد، اعاده‌دادرسی است. اعاده‌دادرسی در دادگاه‌های حقوقی. مواد ۴۲۶ الی ۴۴۱ از قانون آیین دادرسی دادگاه‌های عمومی و انقلاب در امور مدنی (اختصاراً قانون آیین دادرسی مدنی یا ق.آ.د. م) به اعاده‌دادرسی در امور مدنی اختصاص دارد. انواع اعاده‌دادرسی در امور مدنی. اعاده‌دادرسی مدنی بر اساس اینکه حکم مورد درخواست اعاده‌دادرسی، چه نقشی علیه درخواست‌کننده داشته باشد، به دو نوع اصلی و طاری تقسیم می‌گردد: اعاده‌دادرسی اصلی. این نوع اعاده‌دادرسی زمانی است که درخواست کننده‌ای که حکم به ضرر او صادر