payamvha/North_RAG huggingface dataset:
دانجوری ماتسوری () به معنی «جشنواره ارابه‌ها» جشنواره ای است که در حدود ۳۰۰ سال پیش آغاز شده و همه ساله برگزار می‌شود. روزهای جشنواره از سال به سال و از شهری به شهر دیگر متفاوت است، اگرچه این جشنواره معمولاً در پاییز، اواخر سپتامبر یا اکتبر برگزار می‌شود. در روزهای جشنواره، اعضای اصناف شهر، با پوشیدن هاپی و بستن سربند اختصاصی صنف خود ارابه یا دانجوری را در خیابان‌های شهر به حرکت درمی‌آورند. کیشیوادا دانجیری ماتسوری احتمالاً معروف‌ترین جشن از این نوع است. دانجوری ماتسوری دیگری نیز وجود دارد که در شهر کوبه و
ماتسوری دیگری نیز وجود دارد که در شهر کوبه و هاروکی برگزار می‌شود اما محبوبیت و تماشاگر آنها کمتر است. خلاصه. اعضای صنف شهر زمان قابل توجهی را برای آماده‌سازی برای جشنواره صرف می‌کنند. در جشن‌هایی که نام دانجوری ماتسوری شهرت دارند، ارابه (نماد) مراسم که «دانجیری» نامیده می‌شود را برگزارکنندگان در زمان‌های معینی می‌چرخانند. این جشنواره در سال ۱۷۰۳ آغاز شد، زمانی که دایمیوی کیشیوادا، اوکابه ناگایاسو (岡 部)، در پیشگاه خدایان شینتو برای برداشت فراوان در معبد فوشیمی‌ایناری، کیوتو دعا کرد. بعضی اعتقاد دارند که در
کیوتو دعا کرد. بعضی اعتقاد دارند که در سال ۱۷۰۳ از معبد کیوتو فوشیمی تایشا ارواحی با وسیله ای شبیه دانجیری به قصری منتقل شده‌اند. اجرای مراسم امروزی تقلید از انتقال ارواح از معبد به قصر است. ارابه این مراسم، دانجیری، شبیه وسیلهٔ نقلیه ای است که موقع تشییع جنازه تابوت را حمل می‌کند و «ریکیوشا» نام دارد. در این اسم «ری» یعنی روح، کیو یعنی جعبه ای که جسم بی‌روح در آن جای می‌گیرد و «شا» یعنی وسیله نقلیه. در این مراسم بیشتر از ده ارابه در خیابان‌ها به راه می‌افتند و گاهگاهی چرخانده می‌شوند اگر دو ارابه با هم
و گاهگاهی چرخانده می‌شوند اگر دو ارابه با هم برخورد کنند ممکن است افرادی زخمی شوند یا به نزاغ بینجامد و حتی ممکن است برخورد افراد تلفاتی نیز داشته باشد به همین خاطر به این مراسم «کیشیوادا کنکا ماتسوری» نیز می‌گویند که به معنی نزاع و زد و خورد کیشیوادا است. بعضی معتقدند اگر ارابه مراسم موقع حرکت و چرخاندن به خانهٔ کسی برخورد کند آن خانه ویران خواهد شد. این مراسم نسبت به سایر مراسم ژاپن تند و خشن است.
نیوْخ، (Нивхгу диф) نیفخ، گیلیاک، یا آموری یک خانواده زبانی منزوی و کوچک متشکل از از دو یا سه زبان غیرقابل درک متقابل است که مردم نیوخ در منچوری بیرونی، حوضه رود آمگون (شاخه آمور)، در امتداد پایین دست آمور و در نیمه شمالی ساخالین بدان سخن می‌گویند. «گیلیاک» اصطلاحی روسی است که برای اقوام منطقه رود آمور به کار می‌رود و اصولاً با نیوخ در ادبیات غربی یکسان است. جمعیت مردم نیوخ در طول سدهٔ گذشته ثابت بوده‌است و در سال ۱۸۹۷، ۴٬۵۴۹ نفر و در سال ۱۹۸۹، ۴٬۶۷۳ نفر گزارش شده‌است. با این وجود، تعداد گویشوران نیوخ در
شده‌است. با این وجود، تعداد گویشوران نیوخ در میان این مردم از ۱۰۰٪ به ۲۳٫۳٪ در همین دوره کاهش یافت و در سرشماری ۱۹۸۹ فقط ۱۰۷۹ گویشور زبان اول باقی مانده بود. در سرشماری سال ۲۰۱۰ نیز فقط ۱۹۸ نیوخ را به عنوان زبان مادری خود معرفی کردند که کمتر از ۴ درصد از جمعیت قوم نیوخ بود. نیازبان نیانیوخ که نیای زبان‌های امروزی است، در سال ۲۰۱۶ توسط دانشمندان بازسازی شد. زبان‌ها. نیوخ یک زنجیره گویشی است. در استفاده از نیوخ درجه تنوع زیادی بسته به روستا، طایفه و حتی فرد گوینده، وجود دارد. گونه‌های نیوخ به‌طور سنتی در
گوینده، وجود دارد. گونه‌های نیوخ به‌طور سنتی در چهار خوشه جغرافیایی آمور پایین، ساخالین شمالی، ساخالین شرقی و ساخالین جنوبی دسته‌بندی می‌شوند. تفاوت واژگانی و واجی بین این گونه‌ها به اندازه‌ای زیاد است که متخصصان آن‌ها را به دو یا سه زبان تقسیم می‌کنند، اگرچه به دلیل تلاش برای احیای زبان در میان این جمعیت کوچک و ترس از عواقب تقسیم بیشتر، عمدتاً نیوخ به عنوان یک زبان معرفی می‌شود. گروزدوا (۱۹۹۸) نیوخ به دو زبان نیوخ اصلی (شامل گونه‌های آمور پایین و ساخالین شمالی) و ویغونگ (شامل گونه‌های ساخالین شرقی و
شمالی) و ویغونگ (شامل گونه‌های ساخالین شرقی و جنوبی) تقسیم کرد. فورتسکو (۲۰۱۶) نیز بیان می‌کند گونه‌های آمور، ساخالین شرقی و ساخالین جنوبی نسبت به یکدیگر قابل درک نیستند و هر یک را زبان جداگانه ای می‌خواند. واج‌شناسی. همخوان‌ها. همخوان‌های نیوخ بدین شرحند: واکه‌ها. این ۶ واکه در نیوخ وجود دارند. نوشتار. نیوخ بیشتر به الفبای سیریلیک نوشته می‌شود و دارای ۴۶ حرف است که سه حرف Ё، Щ و Ь فقط در وام‌واژه‌های روسی یافت می‌شوند. ارتباط با آینو. به نظر می‌رسد مردم آینو ژاپن تماس‌های زبانی فشرده‌ای با نیوخ‌ها در طول
ژاپن تماس‌های زبانی فشرده‌ای با نیوخ‌ها در طول دوره از تاریخ خود تجربه کرده‌اند و دارای اشتراکات زبانی بسیاری هستند. مشخص نیست که این موضوع تا چه اندازه بر زبان نیوخ تأثیر گذاشته‌است ولی زبان‌شناسان معتقدند که واژگان مشترک بین زبان آینو و نیوخ به دلیل وام گرفتن است.
ناگاساکی کونچی () جشنی است که از روز هفتم تا نهم اکتبر در معبد شینتویی، معبد سووا (ناگاساکی) در شهر ناگاساکی (بندر) برگزار می‌شود. این جشنواره یکی از ۳۰ جشن بزرگ منطقه کیوشو است. در زمان‌های قدیم در روز نهم سپتامبر برگزار می‌شد، به همین سبب مردم محلی این جشن را «کونچی» می‌گویند که در اصل «کونیچی» به معنی روز نهم است و برای سهولت به صورت کونچی درآمده است. البته تاریخ ذکر شده با تقویم قمری قدیم در ژاپن مطابقت دارد و این تاریخ در تقویم فعلی ژاپن نهم اکتبر می‌شود. این مراسم به عنوان جشن برداشت محصول پاییز
می‌شود. این مراسم به عنوان جشن برداشت محصول پاییز (برداشت) در اواخر قرن شانزدهم آغاز شد و هنگامی که معبد سووا (ناگاساکی) در سال ۱۶۴۲ تأسیس شد، به یک جشن مقدس تبدیل شد. هدف دیگر برگزاری این جشن بررسی مسیحیان پنهان پس از تحریم مسیحیت بود. این امر امروزه در رسم «نمایش باغ» (庭 見 せ، نیوامیسه) مشهود است، هنگامی که مردم خانه‌های خود را برای بررسی عمومی باز می‌کنند. یکی از مشهورترین اجراهای جشنواره، رقص اژدها است که در اصل در شب سال نو توسط ساکنان چینی ناگاساکی اجرا می‌شده‌است. تمرینات این جشنواره از ۱ ژوئن آغاز
می‌شده‌است. تمرینات این جشنواره از ۱ ژوئن آغاز می‌شود. تاریخچه. جشنواره کونچی از دوره ادو در ژاپن شروع شده‌است. در این دوره که شوگون‌سالاری توکوگاوا حاکم بود، دروازه‌های ژاپن بر روی دنیا بسته بود و فقط کشور چین و هلند از طریق جزیره محدودی از ناگاساکی به نام دجیما با ژاپن ارتباط بازرگانی داشتند. چند نفر از بازرگانان هلندی محصور در جزیره کوچک دجیما و بعضی از چینی‌های ساکن ناگاساکی و ندرتاً مأموران اعزامی از کشور کره تنها واسطه ژاپن با جهان خارج بودند. در مراسم کونچی عده قلیلی از چینی‌ها و هلندی‌ها نیز شرکت
کونچی عده قلیلی از چینی‌ها و هلندی‌ها نیز شرکت می‌کردند. اجرا. این مراسم نوعی جشنواره کشت‌کاری است و به خاطر رقص اژدهایی که طرح چینی دارد، مشهور است. ارابه‌هایی که یادآور کشتی‌های تجاری دوره ادو هستند و ماهی‌هایی که از دهانشان آب فوران می‌کند و نمادهای دیگر در سراسر شهر رژه می‌روند. امروزه اگر چه مراسم کونچی تفاوت‌هایی با قدیم دارد ولی سبک چینی خود را حفظ کرده‌است.
آن بخت خوش (به انگلیسی: That Lucky Touch) یک فیلم سینمایی کمدی محصول سال ۱۹۷۵ بریتانیا و آلمان غربی به کارگردانی کریستوفر مایلز و با بازی راجر مور، سوزانا یورک، مایکل جی. شنون و شلی وینترز است. این فیلم در استودیوهای پاین‌وود فیلمبرداری شده است و محل فیلمبرداری آن در اطراف شهر بروکسل می‌باشد. داستان. یک فروشنده بین‌المللی اسلحه، در جلسه ناتو برای فروش سلاح، با یک روزنامه‌نگار زن روزنامه "واشینگتن پست" درگیر می‌شود که جهان بینی او با جهان تفاوت زیادی دارد.
دیود بهمنی تک‌فوتونی (اس‌پی‌ای‌دی) یک آشکارساز نوری حالت جامد در همان خانواده دیودهای نوری و دیودهای نوری بهمن (APDs) است، در حالی که کار دیود را انجام می‌دهد. همانند فوتودیودها و ای‌پی‌دی‌ها، یک اس‌پی‌ای‌دی در اطراف یک پیوند نیم‌رسانا p-n مستقر شده‌است که می‌تواند با تابش یوننده مانند گاما، اشعه ایکس، بتا و ذرات آلفا همراه با بخش وسیعی از طیف الکترومغناطیسی از اشعه فرابنفش (UV) روشن شود. از طریق طول موج‌های قابل مشاهده و به مادون قرمز (IR). در یک فوتودیود، با ولتاژ بایاس معکوس کم، جریان نشت با جذب
با ولتاژ بایاس معکوس کم، جریان نشت با جذب فوتون‌ها، یعنی آزاد شدن حامل‌های جریان (الکترون‌ها/حفره‌ها) به دلیل اثر فوتوالکتریک داخلی، به صورت خطی تغییر می‌کند. با این حال، در یک اس‌پی‌ای‌دی، بایاس معکوس به حدی زیاد است که پدیده‌ای به نام یونش ضربه‌ای رخ می‌دهد و قادر به ایجاد جریان بهمنی است. به سادگی، یک فوتون حامل تولید شده توسط میدان الکتریکی موجود در قطعه به یک انرژی جنبشی پُرشتاب می‌شود که برای غلبه بر انرژی یونش مواد بدنه کافی است، و الکترون‌ها را از اتم خارج می‌کند. بهمن بزرگی از حامل‌های جریان به
اتم خارج می‌کند. بهمن بزرگی از حامل‌های جریان به صورت نمایی رشد می‌کند و می‌تواند از تعداد حامل‌های یک فوتون آغاز شود. یک اس‌پی‌ای‌دی قادر به شناسایی تک فوتون‌های ارائه دهنده پالس‌های محرک کوتاه مدت است که قابل شمارش هستند. با این حال، به دلیل سرعت بالایی که در بهمن ایجاد می‌شود و زمان لرزش کم دستگاه نیز می‌توان از آن‌ها برای به دست آوردن زمان رسیدن فوتون برتابش (incident photons) استفاده کرد. تفاوت اساسی بین اس‌پی‌ای‌دی‌ها و ای‌پی‌دی‌ها یا دیودهای نوری این است که اس‌پی‌ای‌دی کاملاً بالاتر از ولتاژ شکست
است که اس‌پی‌ای‌دی کاملاً بالاتر از ولتاژ شکست بایاس معکوس است و ساختاری دارد که اجازه می‌دهد بدون صدمه یا نویز ناخواسته کار کند. در حالی که یک ای‌پی‌دی قادر است به عنوان یک تقویت کننده خطی عمل کند، سطح یونیزاسیون ضربه و بهمن در اس‌پی‌ای‌دی محققان را بر آن داشته‌است که دستگاه را به یک شمارشگر گایگر که در آن پالس‌های خروجی نشانگر یک ماشه یا "کلیک" است تشبیه کنند؛ بنابراین ناحیه بایاس دیود که باعث این نوع رفتار "کلیک" می‌شود، ناحیه " "حالت گایگر" " نامیده می‌شود. همانند دیودهای نوری، ناحیه طول موج که در آن
همانند دیودهای نوری، ناحیه طول موج که در آن بیشترین حساسیت را دارد از خواص عنصری آن است، به ویژه گنگ باند انرژی در داخل نیم‌رسانا. مواد زیادی از جمله سیلیکون، ژرمانیم و سایر عناصر III-V برای ساخت اس‌پی‌ای‌دی برای کاربردهای متنوعی که اکنون از روند بهمن فرار استفاده می‌کنند، استفاده شده‌است. تحقیقات زیادی در این زمینه با فعالیت پیاده‌سازی سیستم‌های مبتنی بر اس‌پی‌ای‌دی در فن آوری‌های ساخت سیماس، و تحقیق و استفاده از ترکیبات مواد III-V برای تشخیص تک فوتون در طول موج‌های اختصاصی وجود دارد. برنامه‌های کاربردی.
موج‌های اختصاصی وجود دارد. برنامه‌های کاربردی. از دهه ۱۹۷۰، کاربردهای اس‌پی‌ای‌دی به‌طور قابل توجهی افزایش یافته‌است. نمونه‌های اخیر استفاده از آنها شامل لیدار، تصویربرداری سه بعدی زمان پرواز (ToF)، اسکن PET، آزمایش تک فوتون در فیزیک، میکروسکوپ تصویر برداری طول عمر فلوئورسنس (فلیم) و ارتباطات نوری (به ویژه توزیع کلید کوانتومی) است. عمل. اس‌پی‌ای‌دی‌ها دستگاه‌های نیم‌رسانا هستند که بر اساس یک اتصال p – n در جهت‌گیری معکوس در ولتاژ V a قرار دارند که بیش از ولتاژ شکست V B اتصال است (شکل ۱). "در این بایاس،
ولتاژ شکست V B اتصال است (شکل ۱). "در این بایاس، میدان الکتریکی به قدری زیاد است [بالاتر از ۳ × 10 5 V / cm] به طوری که یک حامل بار منفرد که به لایه تخلیه تزریق می‌شود، می‌تواند بهمن خودپایدار را تحریک کند. جریان به سرعت [زمان افزایش زیر نانوثانیه] به یک سطح ثابت ماکروسکوپی در محدوده میلی آمپر افزایش می‌یابد. اگر حامل اصلی از طریق عکس تولید شود، لبه جلوی پالس بهمن [با زمان لرزش پیکو ثانیه] زمان رسیدن فوتون شناسایی شده را نشان می‌دهد. " جریان تا زمانی که بهمن با کاهش ولتاژ بایاس V D به پایین یا پایین V B
با کاهش ولتاژ بایاس V D به پایین یا پایین V B خاموش شود ادامه می‌یابد: میدان الکتریکی پایین دیگر قادر به تسریع حامل‌های ضربه یونیزه با اتم‌های شبکه نیست، بنابراین جریان متوقف می‌شود. برای اینکه بتوانید فوتون دیگری را تشخیص دهید، ولتاژ بایاس باید دوباره از شکست خراب شود. "این عملیات به یک مدار مناسب نیاز دارد که باید: از این مدار معمولاً به عنوان مدار خاموش کننده (پوشاننده) یاد می‌شود. " ناحیه بایاس و مشخصه ولتاژ-جریان. اتصال p-n نیم‌رسانا بسته به ولتاژ اعمال شده می‌تواند در چندین ناحیه کاری بایاس شود. برای
شده می‌تواند در چندین ناحیه کاری بایاس شود. برای عملکرد عادی دیود یک جهته (در یک جهت)، در طول هدایت از ناحیه بایاس و ولتاژ جلو استفاده می‌شود، در حالی که ناحیه بایاس معکوس مانع از هدایت می‌شود. هنگامی که اتصال با ولتاژ بایاس معکوس کم‌کار می‌کند، اتصال p-n می‌تواند به عنوان یک فوتودیود افزایش یونیت عمل کند. همان‌طور که هدایت معکوس افزایش می‌یابد، ممکن است مقداری افزایش داخلی از طریق ضرب حامل ایجاد شود که به فوتودیود اجازه می‌دهد به عنوان یک فوتودیود بهمن (ای‌پی‌دی) با یک افزایش پایدار و یک پاسخ خطی به
(ای‌پی‌دی) با یک افزایش پایدار و یک پاسخ خطی به سیگنال ورودی نوری عمل کند. با این حال، با افزایش ولتاژ بایاس، هنگامی که قدرت میدان الکتریکی در اتصال p-n به سطح بحرانی برسد، اتصال p-n خراب می‌شود. از آنجا که این میدان الکتریکی توسط ولتاژ بایاس بیش از محل اتصال القا می‌شود، به عنوان ولتاژ شکست، VBD نشان داده می‌شود. یک اس‌پی‌ای‌دی با ولتاژ بایاس اضافی، Vex، بالاتر از ولتاژ شکست، بایاس معکوس دارد، اما زیر یک ولتاژ شکست ثانویه، بالاتر مربوط به حلقه محافظ اس‌پی‌ای‌دی است؛ بنابراین بایاس کل (VBD + Vex) تا حدی از
است؛ بنابراین بایاس کل (VBD + Vex) تا حدی از ولتاژ شکست فراتر رفته‌است که "در این بایاس، میدان الکتریکی آنقدر زیاد است [بالاتر از ۳ × 10 5 V / cm] به طوری که یک حامل بار منفرد به لایه تخلیه تزریق می‌شود می‌تواند جریان بهمن داخلی را تحریک کند. جریان به سرعت [زمان افزایش زیر نانوثانیه] به یک سطح ثابت ماکروسکوپی در محدوده میلی آمپر افزایش می‌یابد. اگر حامل اصلی از طریق نور (فوتون) تولید شده باشد، لبه جلوی پالس بهمنی [با لرزش زمان پیک ثانیه] زمان رسیدن فوتون شناسایی شده را نشان می‌دهد». از آنجا که مشخصه جریان
شده را نشان می‌دهد». از آنجا که مشخصه جریان در مقابل ولتاژ (IV) یک اتصال p-n اطلاعاتی در مورد رفتار هدایت دیود می‌دهد، این اغلب با استفاده از یک منحنی ردیاب آنالوگ اندازه‌گیری می‌شود. این در شرایط آزمایشگاهی کاملاً کنترل شده ولتاژ بایاس را در مراحل خوب جارو می‌کند. برای یک اس‌پی‌ای‌دی، بدون ورود فوتون یا حاملهای تولید شده از طریق حرارت، ویژگی IV شبیه ویژگی معکوس دیود نیمه رسانای استاندارد است، یعنی انسداد تقریباً کامل جریان شارژ (جریان) در محل اتصال غیر از جریان نشتی کوچک (نانوآمپر). این شرایط را می‌توان
جریان نشتی کوچک (نانوآمپر). این شرایط را می‌توان به عنوان ویژگی «فرعی» توصیف کرد. با این حال، هنگامی که این آزمایش انجام می‌شود، یک اثر «سوسو زدن» و یک ویژگی دوم IV می‌تواند فراتر از خرابی مشاهده شود. این امر زمانی اتفاق می‌افتد که اس‌پی‌ای‌دی در زمان جریان ولتاژ بر روی دستگاه، یک رویداد تحریک کننده (ورود فوتون یا حامل تولید شده با حرارت) را تجربه کرده باشد. اس‌پی‌ای‌دی، طی این رفت و برگشت‌ها، جریان بهمن را حفظ می‌کند که به عنوان «اصل» مشخصه IV توصیف می‌شود. همان‌طور که ردیاب منحنی مقدار ولتاژ بایاس را با
همان‌طور که ردیاب منحنی مقدار ولتاژ بایاس را با گذشت زمان افزایش می‌دهد، زمانهایی وجود دارد که اس‌پی‌ای‌دی هنگام جابجایی ولتاژ بالاتر از خرابی باعث می‌شود. در این حالت انتقال از شاخه خارج از شاخه به درون شاخه رخ می‌دهد و جریان قابل توجهی شروع به جریان می‌کند. این منجر به سوسو زدن ویژگی IV می‌شود که توسط محققان اولیه در این زمینه به عنوان «انشعاب» (: تقسیم چیزی به دو شاخه یا قسمت) مشخص شده‌است. برای شناسایی موفقیت‌آمیز تک فوتون‌ها، اتصال p-n باید دارای سطح بسیار کمی از تولید داخلی و فرایندهای ترکیب مجدد
بسیار کمی از تولید داخلی و فرایندهای ترکیب مجدد باشد. برای کاهش تولید حرارتی، دستگاه‌ها اغلب خنک می‌شوند، در حالی که پدیده‌هایی مانند تونل زدن در اتصالات p-n نیز باید با طراحی دقیق دوپانت‌های نیم‌رسانا و مراحل کاشت کاهش یابد. سرانجام، برای کاهش مکانیسم‌های نویز که توسط مراکز به دام انداختن در ساختار شکاف باند محل اتصال p-n تشدید می‌شوند، دیود نیاز به یک فرایند «تمیز» و بدون دوپانت‌های اشتباه دارد. مدارهای خاموش‌کننده غیرفعال. ساده‌ترین مدار خنک سازی معمولاً مدار خاموش کن غیرفعال نامیده می‌شود و شامل یک
مدار خاموش کن غیرفعال نامیده می‌شود و شامل یک مقاومت واحد به صورت سری با اس‌پی‌ای‌دی است. این آزمایش آزمایشی از مطالعات اولیه در مورد تجزیه بهمن در محل اتصال استفاده شده‌است. جریان بهمن به خودی خود خاموش می‌شود زیرا باعث کاهش ولتاژ در یک بار بالاست با ارزش بالا R L (حدود ۱۰۰ کیلو اهم یا بیشتر) می‌شود. پس از خاموش شدن جریان بهمن، بایاس اس‌پی‌ای‌دی V D به آرامی به V a تبدیل می‌شود و بنابراین آشکارساز آماده است تا دوباره مشتعل شود؛ بنابراین به این حالت مدار، تنظیم مجدد منفعل انفعال منفعل (PQPR) گفته می‌شود،
تنظیم مجدد منفعل انفعال منفعل (PQPR) گفته می‌شود، اگرچه می‌توان از یک عنصر مدار فعال برای تنظیم مجدد، حالت مدار بازنشانی فعال منفعل (PQAR) را تشکیل داد. شرح مفصلی از فرایند خنک سازی توسط Zappa و همکاران گزارش شده‌است. مدارهای خاموش‌کننده فعال. خاموش کردن پیشرفته تر، که از دهه ۱۹۷۰ به بعد مورد کاوش قرار گرفت، طرحی است که quenening یا هم پوشانی فعال نامیده می‌شود. در این حالت یک متمایز کننده سریع شروع بهمن جریان بهمن را از طریق مقاومت ۵۰ Ω (یا ترانزیستور یکپارچه) حس می‌کند و یک پالس خروجی دیجیتال (سیماس،
حس می‌کند و یک پالس خروجی دیجیتال (سیماس، TTL، ECL , NIM) را فراهم می‌کند که همزمان با زمان رسیدن فوتون است. مدار سپس ولتاژ بایاس را به سرعت به زیر ولتاژ شکست (خاموش شدن فعال) کاهش می‌دهد، سپس نسبتاً سریع بایاس را به بالای ولتاژ شکست بازمی‌گردد تا فوتون بعدی را حس کند. این حالت تنظیم مجدد فعال خاموش کن فعال (AQAR) نامیده می‌شود، اما بسته به نیاز مدار، تنظیم مجدد منفعل خاموش کن فعال (AQPR) ممکن است مناسب تر باشد. مدارهای AQAR غالباً باعث کاهش زمان از بین رفته می‌شوند و به‌طور قابل توجهی تغییرات زمان مرده را
می‌شوند و به‌طور قابل توجهی تغییرات زمان مرده را کاهش می‌دهند. شمارش فوتون و اشباع آن. شدت سیگنال ورودی را می‌توان با شمارش (شمارش فوتون) تعداد پالس‌های خروجی در یک دوره زمانی اندازه‌گیری بدست آورد. این برای کاربردهایی مانند تصویربرداری با نور کم، اسکن PET و میکروسکوپ تصویر برداری از طول عمر فلوئورسنس مفید است. با این حال، در حالی که مدار بازیابی بهمن در حال فروپاشی بهمن و بازیابی سوگیری است، اس‌پی‌ای‌دی نمی‌تواند ورود فوتونهای بیشتر را تشخیص دهد. هر فوتونی (یا فوتونهای تاریک پس از پالس) که در این مدت
(یا فوتونهای تاریک پس از پالس) که در این مدت کوتاه به آشکارساز برسد، محاسبه نمی‌شود. همان‌طور که تعداد فوتونها افزایش می‌یابد به طوری که فاصله زمانی (آماری) بین فوتونها در یک فاکتور ده یا بیشتر از زمان بازیابی بهمن قرار می‌گیرد، تعداد از دست رفته از نظر آماری قابل توجه می‌شود و میزان شمارش از یک رابطه خطی با سطح نور شناسایی شده شروع می‌شود. در این مرحله اس‌پی‌ای‌دی شروع به اشباع شدن می‌کند. اگر قرار باشد سطح نور بیشتر شود، در نهایت تا جایی که اس‌پی‌ای‌دی بلافاصله در لحظه بازیابی بایاس مدار بازیافت بهمن
بلافاصله در لحظه بازیابی بایاس مدار بازیافت بهمن اشباع شود، میزان شمارش به حداکثر می‌رسد که صرفاً با زمان بازیابی بهمن در صورت خاموش شدن فعال تعریف می‌شود (صد میلیون شمارش در ثانیه یا بیشتر). این می‌تواند برای اس‌پی‌ای‌دی مضر باشد زیرا تقریباً به‌طور مداوم جریان بهمن را تجربه خواهد کرد. در حالت غیرفعال، ممکن است اشباع با رسیدن حداکثر به میزان شمارش منجر شود. این حالت فلج یا پارالیز نامیده می‌شود، در نتیجه فوتونی که در حال شارژ منفعل اس‌پی‌ای‌دی است، احتمال تشخیص کمتری دارد، اما می‌تواند زمان تلف شده را
تشخیص کمتری دارد، اما می‌تواند زمان تلف شده را افزایش دهد. شایان ذکر است که خاموش شدن منفعل، گرچه از نظر مدار ساده‌تر است، اما در حداکثر نرخ شمارش باعث کاهش 1 / e می‌شود. میزان شمارش تاریک (DCR). علاوه بر حاملهای تولید شده توسط فوتون، حاملهای تولید شده با حرارت (از طریق فرایندهای تولید مجدد ترکیب در داخل نیم‌رسانا) نیز می‌توانند روند ایجاد بهمن را روشن کنند؛ بنابراین، وقتی اس‌پی‌ای‌دی در تاریکی کامل قرار دارد، می‌توان پالس‌های خروجی را مشاهده کرد. تعداد متوسط شمارش حاصل در ثانیه "میزان شمارش تاریک" (DCR)
شمارش حاصل در ثانیه "میزان شمارش تاریک" (DCR) نامیده می‌شود و پارامتر اصلی در تعریف نویز آشکارساز است. شایان ذکر است که متقابل میزان شمارش تاریک، میانگین زمانی را که اس‌پی‌ای‌دی قبل از اینکه توسط یک تولید حرارتی نامطلوب تحریک شود، در بالای خرابی مغرضانه تعریف می‌کند، تعریف می‌کند؛ بنابراین، برای کار به عنوان یک ردیاب تک فوتونی، اس‌پی‌ای‌دی باید بتواند برای مدت زمان کافی مغناطیسی بالاتر از شکست داشته باشد (به عنوان مثال، چند میلی ثانیه، مربوط به میزان شمارش بسیار کمتر از هزار شمارش در ثانیه، cps). نویز پس
بسیار کمتر از هزار شمارش در ثانیه، cps). نویز پس از رانش. یک اثر دیگر که می‌تواند بهمن را تحریک کند به عنوان پس از رانش شناخته می‌شود. هنگامی که بهمن رخ می‌دهد، محل اتصال PN با حامل‌های بار غرق می‌شود و سطح دام بین ظرفیت و باند هدایت تا حدی اشغال می‌شود که بسیار بیشتر از حد انتظار در توزیع تعادل گرمایی حامل‌های بار است. بعد از اینکه اس‌پی‌ای‌دی خاموش شد، احتمالاً یک حامل بار در سطح دام، انرژی کافی برای آزاد کردن آن از دام و ارتقا آن به باند هدایت دریافت می‌کند، که باعث ایجاد بهمن جدید می‌شود؛ بنابراین،
می‌کند، که باعث ایجاد بهمن جدید می‌شود؛ بنابراین، بسته به کیفیت فرایند و لایه‌های دقیق و ایمپلنت‌هایی که برای ساخت اس‌پی‌ای‌دی استفاده شده‌است، تعداد قابل توجهی از پالس‌های اضافی را می‌توان از یک رویداد تولید حرارتی یا عکس منشأ ایجاد کرد. درجه اندازه‌گیری پس از رانش را می‌توان با اندازه‌گیری همبستگی خودکار زمان رسیدن بین بهمن هنگام تنظیم اندازه‌گیری شمارش تاریک، تعیین کرد. تولید حرارتی آمار پواسونیان را با یک همبستگی عملکرد تکانشی تولید می‌کند و پس از آن نیز آمار غیر پواسونیایی تولید می‌شود. زمان فوتون و
آمار غیر پواسونیایی تولید می‌شود. زمان فوتون و لرزش. لبه جلوی خرابی بهمن اس‌پی‌ای‌دی مخصوصاً برای تعیین زمان ورود فوتون‌ها مفید است. این روش برای تصویربرداری سه بعدی، LIDAR مفید است و به شدت در اندازه‌گیری‌های فیزیکی با تکیه بر شمارش تک فوتون‌های همبسته زمان (TCSPC) استفاده می‌شود. با این حال، برای فعال کردن چنین عملکردهایی به مدارهای اختصاصی مانند مبدل‌های زمان به دیجیتال (TDCها) و مدارهای تبدیل به آنالوگ (TAC) نیاز است. اندازه‌گیری ورود فوتون توسط دو فرایند کلی پیچیده‌است. اولین مورد، نوسان آماری در زمان
کلی پیچیده‌است. اولین مورد، نوسان آماری در زمان رسیدن فوتون است که از ویژگی‌های اساسی نور است. دوم تغییرات آماری در مکانیزم تشخیص در اس‌پی‌ای‌دی به دلیل الف) عمق جذب فوتون، ب) زمان انتشار به محل اتصال p-n فعال، ج) ایجاد آمار بهمن و د) لرزش تشخیص و مدارات زمان‌بندی ضریب پر کردن نوری. برای یک اس‌پی‌ای‌دی واحد، نسبت ناحیه حساس به نوری آن، Aact، به مساحت کل آن، Atot، فاکتور پر شدن، FF = ۱۰۰ * (Aact / Atot) نامیده می‌شود. از آنجا که اس‌پی‌ای‌دی‌ها برای جلوگیری از خرابی زودرس لبه‌ها به یک حلقه محافظ نیاز دارند،
خرابی زودرس لبه‌ها به یک حلقه محافظ نیاز دارند، فاکتور پر کردن نوری با توجه به حلقه محافظ آن به محصولی از شکل و اندازه دیود تبدیل می‌شود. اگر ناحیه فعال بزرگ و حلقه محافظ خارجی نازک باشد، ضریب پر شدن دستگاه زیاد خواهد بود. با یک دستگاه واحد، کارآمدترین روش برای اطمینان از استفاده کامل از ناحیه و حداکثر حساسیت، متمرکز کردن سیگنال نوری ورودی است تا در ناحیه فعال دستگاه قرار گیرد، یعنی همه فوتون‌های حادثه ای در ناحیه مسطح اتصال p-n جذب می‌شوند، به طوری که هر فوتونی در این ناحیه می‌تواند بهمن را تحریک کند.
فوتونی در این ناحیه می‌تواند بهمن را تحریک کند. ضریب پر کردن هنگامی بیشتر کاربرد دارد که آرایه‌های دستگاه‌های اس‌پی‌ای‌دی را در نظر بگیریم. در اینجا ناحیه فعال دیود ممکن است کوچک یا متناسب با ناحیه حلقه محافظ باشد. به همین ترتیب، روند ساخت آرایه اس‌پی‌ای‌دی ممکن است محدودیت‌هایی را برای جداسازی یک حلقه محافظ به حلقه دیگر ایجاد کند، یعنی حداقل جداسازی اس‌پی‌ای‌دی‌ها. این منجر به وضعیتی می‌شود که ناحیه آرایه به جای اتصالات p-n پذیرنده نوری، تحت سلطه حلقه محافظ و مناطق تفکیک قرار می‌گیرد. هنگامی که مدار باید
و مناطق تفکیک قرار می‌گیرد. هنگامی که مدار باید درون آرایه باشد، ضریب پر کردن بدتر می‌شود زیرا این امر باعث جدایی بیشتر بین مناطق پذیرنده نوری می‌شود. یک روش برای کاهش این مسئله افزایش سطح فعال هر اس‌پی‌ای‌دی در آرایه است به طوری که حلقه‌های محافظ و جداسازی دیگر مسلط نیستند، با این حال برای اس‌پی‌ای‌دی‌های یکپارچه سیماس با افزایش اندازه دیود، تشخیص‌های اشتباه ناشی از شمارش تاریک افزایش می‌یابد. بهبودهای هندسی. یکی از اولین روش‌های افزایش فاکتورهای پر شدن در آرایه‌های اس‌پی‌ای‌دی‌های دایره ای، جابجایی
در آرایه‌های اس‌پی‌ای‌دی‌های دایره ای، جابجایی ترازهای ردیف‌های جایگزین بود به طوری که منحنی یک اس‌پی‌ای‌دی تا حدی از ناحیه بین دو اس‌پی‌ای‌دی در یک ردیف مجاور استفاده می‌کند. این مسیریابی و طرح بندی آرایه مؤثر بود اما پیچیده‌است. برای رفع محدودیت‌های عامل پر در آرایه‌های اس‌پی‌ای‌دی که از اس‌پی‌ای‌دی‌های دایره ای شکل گرفته‌اند، از اشکال دیگری استفاده می‌شود زیرا معلوم است که اینها دارای حداکثر مقادیر بیشتر در یک ناحیه پیکسل مربع و دارای نسبت بسته‌بندی بالاتر هستند. یک اس‌پی‌ای‌دی مربع در یک پیکسل مربع
هستند. یک اس‌پی‌ای‌دی مربع در یک پیکسل مربع بالاترین فاکتور پر شدن را بدست می‌آورد، با این وجود گوشه‌های تیز این هندسه علیرغم وجود یک حلقه محافظ، باعث خرابی زودرس دستگاه می‌شوند و در نتیجه اس‌پی‌ای‌دی‌هایی با سرعت شمارش زیاد ایجاد می‌کنند. برای مصالحه، اس‌پی‌ای‌دی‌های مربع با گوشه‌های کاملاً گرد ساخته شده‌اند. اینها اس‌پی‌ای‌دی‌های فرمات Fermat نامیده می‌شوند در حالی که شکل آنها منحنی فوق بیضی یا منحنی Lamé است. این نامگذاری در ادبیات اس‌پی‌ای‌دی رایج است، با این حال منحنی Fermat به مورد خاصی از بیضوی فوق
با این حال منحنی Fermat به مورد خاصی از بیضوی فوق اشاره دارد که محدودیت‌هایی را در نسبت طول، "a" و عرض شکل، "b" ایجاد می‌کند (آنها باید یکسان باشند، a = b = ۱) و درجه منحنی "n" را به عدد صحیح (۲، ۴، ۶، ۸ و غیره) محدود می‌کند. درجه "n" انحنای گوشه‌های شکل را کنترل می‌کند. در حالت ایده‌آل، برای بهینه‌سازی شکل دیود هم برای نویز کم و هم برای ضریب پر شدن زیاد، پارامترهای شکل باید از این محدودیت‌ها عاری باشند. برای به حداقل رساندن فاصله بین مناطق فعال اس‌پی‌ای‌دی، محققان تمام مدارهای فعال را از آرایه‌ها حذف
محققان تمام مدارهای فعال را از آرایه‌ها حذف کرده‌اند و همچنین استفاده از آرایه‌های سیماس اس‌پی‌ای‌دی فقط اِن‌ماس را برای حذف حلقه محافظ اس‌پی‌ای‌دی به قوانین فاصله PM-n خوب. این مزیت است اما با مسیریابی مسافت و ازدحام در اس‌پی‌ای‌دی‌های مرکزی برای آرایه‌های بزرگتر محدود می‌شود. این مفهوم برای توسعه آرایه‌هایی استفاده شده‌است که از خوشه‌های اس‌پی‌ای‌دی در آرایش‌های اصطلاحاً mini-SiPM استفاده می‌کنند که به موجب آن یک آرایه کوچکتر با مدارهای فعال خود در یک لبه فراهم می‌شود، اجازه می‌دهد آرایه کوچک دوم در لبه
فراهم می‌شود، اجازه می‌دهد آرایه کوچک دوم در لبه دیگری تکیه داده شود. این مسئله با مسیریابی بودن تعداد دیودهای موجود در خوشه و ایجاد تعداد اس‌پی‌ای‌دی مورد نیاز در کل از مجموعه‌های این خوشه‌ها، مشکلات مسیریابی را کاهش می‌دهد. جهش قابل توجهی در ضریب پر کردن و پیچیدگی پیکسل آرایه با تقسیم n- چاه عمیق اس‌پی‌ای‌دی‌ها در فرآیندهای سیماس و اخیراً نیز به اشتراک گذاری بخشهایی از ساختار محافظ حلقه. با این کار یکی از مهمترین قوانین جداسازی حلقه محافظ به حلقه محافظ حذف شد و باعث شد که فاکتور پر شدن به 60 یا 70%. ایده