payamvha/North_RAG huggingface dataset:
و مهارگسیخته مثل هالوپریدول کاربرد دارد اما چون اثرگذاری آن خیلی سریع نیست بر هالوپریدول تزریقی برتری ندارد. در یک آزمایش برای مقایسه این دو دارو جهت سرکوب فوری مهارگسیختگی و حملات سایکوز مشخص گردید که گرچه قطعاً در بیماران بستری شده در بیمارستان تزریق هالوپریدول/بیپریدن ارجحیت دارد اما در مورد بیماران غیربستری و درمان خانگی، و همچنین در موارد خفیف‌تر؛ کوئتیاپین انتخاب بسیار بهتری است این تصمیم از بابت فقدان عوارض خارج هرمی و دیگر عوارض مانند سندرم نورولپتیک بدخیم از یک جهت و تحمل بهتر کوئتیاپین و تطابق
بدخیم از یک جهت و تحمل بهتر کوئتیاپین و تطابق بهتر با موارد خفیف از جهت دیگر است. داروسازان و دانشمندان علوم پزشکی پیشنهاد ساخت فرمولاسیون تزریقی کوئتیاپین را به چندین شرکت بزرگ داروسازی از جمله هوفمن لا روش و فایزر ارائه کردند آنها با بیان اینکه انجام این اختراع می تواند دستاورد بزرگ و انقلابی هم در درمان کلی بیماری های سایکوتیک نظیر اسکیزوفرنی باشد و هم یک جایگزین مناسب برای هالوپریدول در همین فرمول؛ جداً فواید این اقدام را بر ضررها برتری داده‌اند. کوئتیاپین برای درمان اسکیزوفرنی، اختلال دوقطبی و اختلال
برای درمان اسکیزوفرنی، اختلال دوقطبی و اختلال افسردگی اساسی توسط FDA تایید شده است. این دارو بعنوان یک خواب آور به صورت بسیار گسترده‌ای استفاده می شود اما افراد باید حتما توجه کنند که این دارو به هیچ عنوان برچسب خواب آور به طور رسمی ندارد و عوارض آن نیز در میان‌مدت بر خواب‌آوری‌اش سیطره دارد. کوئتیاپین همچنین خارج از تاییدیه برای درمان برخی از انواع اختلالات شخصیتی و اضطرابی شدید مانند اختلال پانیک استفاده می‌شود درحالی که فقط تا زمان مصرف، آن بیماری ها را سرپوش می گذارد و اصلا درمانگر نیست. فرمول شیمیایی
سرپوش می گذارد و اصلا درمانگر نیست. فرمول شیمیایی دارو با داروی قدرتمند کلوزاپین شباهت بسیار دارد. علیرغم اینکه به دلیل اثر آرام بخشی که دارد به‌طور گسترده به عنوان یک خواب‌آور بسیار قوی و به نوعی خط آخر درمان خواب(در عوام مردم) بکار گرفته می‌شود، جداً به نظر نمی‌رسد که مزایای چنین استفاده ای به‌طور کلی از عوارض جانبی آن بیشتر باشد.این موضوع هم از نظر تجربه گرایانه(بالینی) و هم آزمایش های پزشکی تایید شده است. دارو به صورت خوراکی(قرص)مصرف می‌شود. عوارض جانبی رایج شامل خواب‌آلودگی، یبوست، افزایش وزن، خشکی
رایج شامل خواب‌آلودگی، یبوست، افزایش وزن، خشکی دهان و در کل عمدتاً عوارض آنتی کولینرژیک است. کوئتیاپین فاقد عوارض خارج هرمی است اما در موارد نادر(کمتر از ۲٪)عوارض اکستراپیرامیدال ضعیف دیده شده است که تجویز بیپریدن در دوزهای پایین(بین ۱ تا ۳ میلی گرم) معمولا بسیار خوب آن را برطرف می کند. در درمان درازمدت(حداقل ۶ ماه) در ۱۵ تا ۲۵ درصد افراد یبوست شدید، افزایش وزن زیاد و خشکی دهان طولانی یک سری عارضه همیشگی شده است! به همین خاطر گاهی در کنار آن بیپریدن نیز تجویز می‌شود. درکل بیشترین و طولانی مدت ترین عوارض،
می‌شود. درکل بیشترین و طولانی مدت ترین عوارض، خواب‌آلودگی و یبوست شدید است که ممکن است تا سالها ادامه یابد. کوئتیاپین قرص خواب نیست اما تقریباً هرگز بدن فرد به اثر خواب آوری‌اش مقاوم نمی‌شود! سایر عوارض جانبی عبارتند از فشار خون پایین هنگام ایستادن، تشنج، نعوظ طولانی مدت ،هیپرگلیسمی، دیسکینزی دیررس، و سندرم بدخیم نورولپتیک. در افراد مسن مبتلا به زوال عقل، استفاده از آن خطر مرگ را افزایش می‌دهد. مصرف در سه‌ماهه سوم بارداری ممکن است تا مدتی پس از تولد منجر به اختلال حرکتی در کودک شود. اعتقاد بر این است که
به اختلال حرکتی در کودک شود. اعتقاد بر این است که کوئتیاپین با مسدود کردن تعدادی از گیرنده‌ها از جمله سروتونین، دوپامین، اثر بتا بلاکری ، گیرنده آلفا، اپی نفرین و نور اپی نفرین عمل می‌کند. کوئتیاپین در سال ۱۹۸۵ توسعه یافت و در سال ۱۹۹۷ برای استفاده پزشکی در ایالات متحده تأیید شد. این دارو به عنوان یک داروی عمومی در دسترس است. در سال ۲۰۱۹، این دارو با بیش از ۱۳ میلیون نسخه پنجاه و ششمین داروی رایج تجویز شده در ایالات متحده بود. دوزها. کوئتیاپین ۲۵ - ۵۰ - ۲۰۰-۱۰۰ - ۱۵۰(آهسته رهش) - ۲۰۰(آهسته رهش) موارد مصرف.
- ۱۵۰(آهسته رهش) - ۲۰۰(آهسته رهش) موارد مصرف. این دارو برای درمان برخی شرایط روحی-خلقی (مانند اسکیزوفرنی، اختلال دو قطبی، دوره‌های ناگهانی مانیا یا شیدایی یا افسردگی مرتبط با اختلال دو قطبی) استفاده می‌شود و به عنوان داروی آنتی سایکوتیک استفاده‌می‌شود. این دارو به فرد کمک می‌کند تا واضح و مثبت فکر نماید، کمتر عصبی شود و در زندگی فعال‌تر ظاهر شود، همچنین ممکن است باعث بهبود روحیه، خواب، اشتها و سطح انرژی شود. کوئتیاپین می‌تواند به جلوگیری از تغییرات شدید خلقی کمک کند و یا باعث کاهش دفعات تغییرات خلقی
خلقی کمک کند و یا باعث کاهش دفعات تغییرات خلقی می‌شود. در افراد مبتلا به اختلال دوقطبی، کوئتیاپین برای درمان دوره‌های افسردگی، دوره‌های شیدایی حاد مرتبط با اختلال دوقطبی نوع یک (به عنوان تک درمانی یا درمان کمکی با لیتیوم؛ والپروات یا لاموتریژین) استفاده می‌شود. اختلال افسردگی اساسی. کوئتیاپین زمانی مؤثر است که به تنهایی و در کنار سایر داروها در اختلال افسردگی اساسی (MDD) استفاده شود. با این حال، آرام بخشی اغلب یک عارضه جانبی نامطلوب است. در ایالات متحده، بریتانیا و استرالیا کوئتیاپین برای استفاده به عنوان
و استرالیا کوئتیاپین برای استفاده به عنوان یک درمان کمکی در اختلال افسردگی اساسی جواز دارد. بیماری آلزایمر. کوئتیاپین باعث کاهش بیقراری در افراد مبتلا به آلزایمر نمی شود. کوئتیاپین عملکرد فکری را در سالمندان مبتلا به زوال عقل بدتر می‌کند و بنابراین توصیه نمی‌شود. دیگر موارد استفاده. استفاده از دوزهای پایین کوئتیاپین برای بی‌خوابی، اگرچه رایج است، اما توصیه نمی‌شود. شواهد کمی از سود و نگرانی در مورد اثرات نامطلوب وجود دارد. دوزهای کوئتیاپین مورد استفاده برای بی خوابی از ۱۲٫۵ تا ۸۰۰ متغیر است، رایج‌ترین آن
بی خوابی از ۱۲٫۵ تا ۸۰۰ متغیر است، رایج‌ترین آن ۲۵ تا ۲۰۰ میلی‌گرم می‌باشد. گاهی اوقات از داروی فوق به صورت استفاده بدون مجوز به عنوان یک عامل تقویت کننده برای درمان بیماری‌هایی مانند سندرم تورت، توهمات موسیقی و اختلالات اضطرابی استفاده می‌شود. اثرات جانبی. منابع فهرست‌های بروز:
نوبرانه و نوعی صدقه و هدیه مذهبی به خداوند است و نخستین خرمن و محصول کشاورزی را در بر می‌گیرد. این آیین در تورات شناسانده شده است و اجرای آن در عصر جدید از زمان روم باستان و یونان باستان به‌جای مانده است.
مدار مغناطیسی (به انگلیسی :Magnetic circuit) از یک یا چند مسیر مدور بسته تشکیل شده‌است که دارای جریان مغناطیسی می‌باشد. جریان مذکور معمولاً توسط آهنرباهای دائمی و یا آهنرباهای الکتریکی تولید می‌شود و توسط هسته‌های مغناطیسی متشکل از مواد فرومغناطیسی؛ مانند آهن، صرفاً در مسیر مورد نظر چرخش می‌کند، اگرچه ممکن است در مسیر موانعی چون خلأ یا مواد دیگر وجود داشته باشد. چرخه‌های مغناطیسی برای انتقال هر چه بهتر میدان‌های مغناطیسی در بسیاری از ابزارآلات مانند، موتورهای الکتریکی، ژنراتورها، ترانسفورماتورها، رله‌ها،
الکتریکی، ژنراتورها، ترانسفورماتورها، رله‌ها، آهنرباهای الکتریکی بارکش، قلاب‌های سنگین ماهی‌گیری، گالوانومترها، و هدهای ثبت‌کنندهٔ مغناطیسی نظریهٔ «چرخهٔ مغناطیسی» از انطباق دقیق بین معادلات میدان مغناطیسی در مواد فرومغناطیسی سیر نشده و یک چرخهٔ الکتریکی استفاده می‌کند. با استفاده از این نظریه و روش‌ها و تکنیک‌هایی که برای چرخه‌های الکتریکی مطرح شده‌اند، میدان‌های مغناطیسی ابزارآلات پیچیده مانند ترارنسفورماتورها به آسانی مورد تجزیه و تحلیل قرار می‌گیرد. بعضی از مثال‌های چرخه‌های مغناطیسی به شرح زیر
بعضی از مثال‌های چرخه‌های مغناطیسی به شرح زیر می‌باشند: -آهنربای نعل اسبی با نگه دارندهٔ آهنی (چرخه‌ای با مقاومت مغناطیسی کم) -آهنربای نعل اسبی بدون نگه دارنده (چرخه‌ای با مقاومت مغناطیسی زیاد) -موتور الکتریکی (چرخه‌ای با مقاومت مغناطیسی متغیر) نیروی محرکهٔ مغناطیسی (MMF). همانگونه که نیروی الکتریکی محرکه(EMF) باعث جریان یافتن بار الکتریکی در چرخه‌های الکتریکی می‌شود، نیروی محرکهٔ مغناطیسی(MMF) جریان مغناطیسی را در چرخهٔ مغناطیسی به حرکت درمی‌آورد. واژهٔ «نیروی محرکهٔ مغناطیسی»، با این حال اسم بی مسمایی
«نیروی محرکهٔ مغناطیسی»، با این حال اسم بی مسمایی می‌باشد؛ چراکه نه یک نیرو بوده و نه یک شیء محرک محسوب می‌شود. شاید بهتر باشد که آن را MMF بنامیم. در مقایسه با تعریف EMF، نیروی محرکهٔ مغناطیسی F در حول یک مدار بسته، به صورت زیر تعریف می‌شود: MMF نشان‌دهندهٔ پتانسیل یک بار مغناطیسی فرضی می‌باشد که با کامل کردن حلقه می‌تواند آن را به دست آورد. جریان مغناطیسی که به حرکت در آمده است، جریان بار مغناطیسی نمی‌باشد؛ این جریان عمدتاً واجد رابطه‌ای با MMF می‌باشد که جریان الکتریکی با EMF دارد. واحد نیروی محرکهٔ
که جریان الکتریکی با EMF دارد. واحد نیروی محرکهٔ مغناطیسی امپر-دور(At) می‌باشد، که توسط جریان الکتریکی ثابت و مستقیم آمپری که در حلقهٔ یک دور که از مواد الکتریکی خلا به وجود آمده است، جریان دارد. گیلبرت (Gb)، که توسط IEC در سال ۱۹۳۰ معرفی شد، واحد CGS نیروی محرکه مغناطیسی می‌باشد و و اندکی از واحد آمپر-دور کمتر می‌باشد. واحد مذکور به افتخار ویلیام گیلبرت(۱۵۴۴-۱۶۰۳)، فیزیکدان انگلیسی و فیلسوف طبیعی به این اسم نامیده شده‌است. نیروی محرکهٔ نیروی مغناطیسی توسط قانون آمپر به راحتی محاسبه می‌شود، نیروی محرکه
قانون آمپر به راحتی محاسبه می‌شود، نیروی محرکه مغناطیسی F یک سیم پیچ دراز به شکل زیر می‌باشد: که در آن N تعداد دورها و Iجریان درون سیم پیچ می‌باشد. در عمل معادلهٔ فوق برای MMF واسطه‌های واقعی استفاده می‌شود که در آن N تعداد پیچ‌های سیم پیچ واسط است. جریان مغناطیسی. MMF به کار برده شده، جریان مغناطیسی را در طول اجزای مغناطیسی سیستم به حرکت در می‌آورد. جریان مغناطیسی در طول جزء مغناطیسی متناسب با تعداد خطوط میدان مغناطیسی می‌باشد که از عرض سطح مقطع آن جزء می‌گذرد. تعداد خطوط میدان مغناطیسی زمانی خالص می‌باشد
تعداد خطوط میدان مغناطیسی زمانی خالص می‌باشد که تعداد خطوطی که از یک جهت می‌گذرند از تعداد خطوطی که از جهت دیگر می‌گذرند، کم شود. جهت میدان مغناطیسی بردار B در درون آهنربا از قطب جنوب به قطب شمال می‌باشد. خارج از میدان خطوط از شمال به جنوب حرکت می‌کنند. جریانی که در طول یک جزء میدان بوده و نسبت به جهت میدان مغناطیسی عمودی می‌باشد. از حاصل ضرب میدان مغناطیسی و جزء میدان به دست میاید. به شکل ساده‌تر، جریان مغناطیسی Φ به طریق حاصلضرب عددی میدان مغناطیسی و بردار جزء میدان تعریف می‌شود. به‌طور کمی، جریان
و بردار جزء میدان تعریف می‌شود. به‌طور کمی، جریان مغناطیسی در طول سطح S به صورت میدان مغناطیسی سراسری در طول میدان مغناطیسی سطح مذکور تعریف می‌شود. برای یک جزء مغناطیسی میدان S که برای محاسبهٔ جریان Φ استفاده می‌شود معمولاً به عنوان سطح مقطع عرضی جزء مورد نظر، لحاظ می‌شود. واحد جریان مغناطیسی در SI، وبر (در واحدهای مشتق شده:ولت-ثانیه) می‌باشد، و واحد میدان مغناطیسی وبر در هر متر مربع، یا تسلا می‌باشد. قانون هاپکین:مغناطیس در مقایسه با قانون اهم در چرخه‌های الکتریکی، قانون اهم یک رابطهٔ تجربی بین EMF £
الکتریکی، قانون اهم یک رابطهٔ تجربی بین EMF £ می‌باشد که در عنصر به کار می‌رود و جریان I که در طول عنصر ایجاد می‌کند. به شکل زیر نوشته می‌شود: که در آن R مقاومت الکتریکی مادهٔ مذکور می‌باشد. قانون هاپکین در نقطهٔ مقابل قانون اهم قرار دارد که در چرخهٔ مغناطیسی استفاده می‌شود. این قانون به افتخار مهندس برق بریتانیایی، جان هاپکینسن، قانون هاپکین نامیده می‌شود. قانون مذکور بیان می‌دارد که: که در آن F نیروی محرکهٔ مغناطیسی(MMF) در طول عنصر مغناطیسی، Φ جریان مغناطیسی در طول عنصر مغناطیسی و Rm مقدار مقاومت
مغناطیسی در طول عنصر مغناطیسی و Rm مقدار مقاومت مغناطیسی عنصر مذکور می‌باشد.(در سطور بعدی؛ نشان داده خواهد شد که این رابطه بر اساس رابطهٔ تجربی بین میدان H و میدان مغناطیسی B،B=µH، که در این رابطه µ مقدار نفوذ پذیری مغناطیسی ماده را نشان می‌دهد) مانند قانون اهم، قانون هاپکین می‌تواند به عنوان معادله‌ای تجربی تعریف شود بگونه‌ای که یا در بعضی از مواد برقرار می‌باشد یا به عنوان تعریفی برای مقاومت پذیرفته می‌شود. مقاومت. مقاومت مغناطیسی، مشابه مقاومت در یک چرخه الکتریکی می‌باشد (با این تفاوت که مقاومت مغناطیسی
الکتریکی می‌باشد (با این تفاوت که مقاومت مغناطیسی از انرژی مغناطیسی نمی‌کاهد). مشابه طریقه‌ای که میدان الکتریکی باعث به جریان افتادن جریان الکتریکی در مسیری با کمترین مقاومت می‌شود، میدان مغناطیسی باعث جریان افتادن جریان مغناطیسی در مسیری با کمترین مقاومت می‌شود. عدد مربوط به مقاومت الکتریکی، مقداری بسیط می‌باشد. مقدار مقاومت کلی برابر با نسیت (MMF)در چرخهٔ مغناطیسی غیر فعال و جریان مغناطیسی در این چرخه می‌باشد. در میدان AC، مقاومت نسبت مقادیر دامنه‌ای برای MMF سینوسی و جریان مغناطیسی می‌باشد. می‌توان آن
MMF سینوسی و جریان مغناطیسی می‌باشد. می‌توان آن را به صورت زیر نیز نشان داد: که در آن R مقاومت آمپر-دورها در هر وبر (واحدی که برابر است با دورها در هر هنری) می‌باشد. همانگونه که در معادلات مکس ول توضیح داده شد، جریان مغناطیسی همواره یک حلقهٔ بسته تشکیل می‌دهد، اما مسیر حلقه بستگی به مقاومت مواد بیرونی د ارد. جریان مغناطیسی حول مسیری تمرکز می‌یابد که کمترین مقاومت را داشته باشد. هوا و خلاء مقاومت بالایی از خود نشان می‌دهند، در حال که موادی که به آسانی تبدیل به آهنربا می‌شوند؛ مانند، آهن نرم، مقاومت پایینی
به آهنربا می‌شوند؛ مانند، آهن نرم، مقاومت پایینی دارند. تمرکز جریان در موادی که مقاومت پایینی دارند، قطب‌های موقتی نیرومندی تشکیل می‌دهد و باعث می‌شوند نیروهای مکانیکی موجب حرکت اشیاء به طرف نواحی‌ای شوند که دارای جریان بیشتری هستند؛ بنابراین، این نیرو همواره مورد توجه بوده‌است. معکوس مقاومت رسانایی نام دارد: واحد رسانایی در SI هنری (همانند واحد خود القایی، با اینکه دو مفهوم جداگانه هستند) می‌باشد. اصول میکروسکوپیک مقاومت مقاومت چرخهٔ مغناطیسیی عنصری که با قوهٔ مغناطیسی یکدست شده‌است، می‌تواند به طریق زیر
قوهٔ مغناطیسی یکدست شده‌است، می‌تواند به طریق زیر به دست آید: که در آن معادلهٔ فوق مشابه معادله مقاومت الکتریکی در مواد می‌باشد، به همراه نفوذ پذیری که مانند رسانایی می‌باشد؛ نقطه مقابل نفوذ پذیری، مقاومت مغناطیسی بوده و مشابه مقاومت الکتریکی می‌باشد. اشکال هندسی درازتر و نازک‌تر که نفوذپذیری کمتری دارند داری مقاومت بالایی نیز هستند. مقاومت پایین، مانند مقاوت پایین در چرخه‌های الکتریکی، عموماً ترجیح داده می‌شوند. خلاصه‌ای از تشابهات موجود بین چرخه‌های مغناطیسی و چرخه‌های الکتریکی. لیست‌های زیر تشابهات
و چرخه‌های الکتریکی. لیست‌های زیر تشابهات ریاضیاتی بین نظریه چرخهٔ الکتریکی و نظریهٔ چرخهٔ مغناطیسی را خلاصه‌وار توضیح می‌دهد. تشابه مورد اشاره یک مشابهات ریاضی و نه مشابهت فیزیکی می‌باشد. اشیائی که در یک ردیف قرار می‌گیرند نقش ریاضی یکسانی دارند؛ اما از منظر علم فیزیک دو نظریهٔ متفاوت هستند. جریان، شار بار الکتریکی می‌باشد، در حالی که جریان مغناطیسی شار هیچ‌گونه کمیتی نمی‌باشد. نارسایی‌های موجود در مقایسهٔ جریان الکتریکی و مغناطیسی زمانی که از تشابه بین چرخه‌های مغناطیسی و الکتریکی استفاده می‌کنیم،
بین چرخه‌های مغناطیسی و الکتریکی استفاده می‌کنیم، محدودیت‌های آن را باید در خاطر داشته باشیم. این دو چرخه به دلیل مشابهت موجود بین قانون هاپکین و قانون اهم صرفاً در ظاهر مشابه یکدیگر می‌باشند. چرخه‌های مغناطیسی حائز تفاوت‌های قابل توجهی می‌باشند که باید در ساخت خود مورد توجه واقع شوند: -چرخه‌های الکتریکی همان جریان ذرات (الکترون‌ها) هستند و حامل نیرو نیز می‌باشند که به صورت گرما در عایق‌ها پخش می‌شود. میدان‌های مغناطیسی نشان‌دهندهٔ هیچ‌گونه "جریانی" نیستند، و هیچ‌گونه نیرویی نبوده و هیچ نیروی در عایق‌های
و هیچ‌گونه نیرویی نبوده و هیچ نیروی در عایق‌های آن پخش نمی‌شود. -جریان در چرخه‌های الکتریکی معمولی، تنها محدود به یک چرخه می‌باشد با نشت بسیار اندک. در چرخهٔ مغناطیسی معمولی تمام میدان مغناطیسی محدود به چرخهٔ مغناطیسی نمی‌باشد"؛ نشتی جریان "قابل توجهی در فضای بیرون هسته‌های مغناطیسی موجود می‌باشند، که باید مورد توجه واقع شوند اما محاسبهٔ آنها دشوار می‌باشد. -نکتهٔ مهم دیگر اینکه، چرخه‌های مغناطیسی خطی نمی‌باشند؛ مقاومت در چرخهٔ مغناطیسی ثابت نیست، در حالی که مقاومت الکتریکی عددی ثابت می‌باشد ولی مقاومت
که مقاومت الکتریکی عددی ثابت می‌باشد ولی مقاومت مغناطیسی بسته به میدان مغناطیسی تغییر می‌کند. در جریان‌های مغناطیسی قوی مواد فرو مغناطیسی که در هسته‌های چرخه‌های مغناطیسی به کار رفته شده‌است، جریان مغناطیسی را اشباع و محدود می‌نماید، به طوری که بالاتر از این سطح مقاومت به سرعت افزایش می‌یابد. مقاومت همچنین در جریان‌های پایین نیز افزایش می‌یابد. به علاوه؛ مواد فرومغناطیسی در معرض پسماندهای مغناطیسی نیز قرار دارند در نتیجه جریان موجود در آن‌ها صرفاً وابسته به MMF که اکنون استفاده می‌شود نیست بلکه به مدت
به MMF که اکنون استفاده می‌شود نیست بلکه به مدت زمانی که MMF استفاده شده‌است نیز بستگی دارد. بعد از اینکه منبع جریان مغناطیسی خاموش می‌شود، خاصیت آهن ربایی در چرخهٔ فرومغناطیسی باقی می‌ماند، که باعث تولید جریانی بدون MMF می‌شود. که در آن معادلهٔ فوق مشابه معادله مقاومت الکتریکی در مواد می‌باشد، به همراه نفوذ پذیری که مانند رسانایی می‌باشد؛ نقطه مقابل نفوذ پذیری، مقاومت مغناطیسی بوده و مشابه مقاومت الکتریکی می‌باشد. اشکال هندسی درازتر و نازکتر که نفوذپذیری کمتری دارند داری مقاومت بالایی نیز هستند. مقاومت
کمتری دارند داری مقاومت بالایی نیز هستند. مقاومت پایین، مانند مقاوت پایین در چرخه‌های الکتریکی، عموماً ترجیح داده می‌شوند. "خلاصه‌ای از تشابهات موجود بین چرخه‌های مغناطیسی و چرخه‌های الکتریکی لیست‌های زیر تشابهات ریاضیاتی بین نظریه چرخهٔ الکتریکی و نظریهٔ چرخهٔ مغناطیسی را خلاصه وار توضیح می‌دهد. تشابه مورد اشاره یک مشابهات ریاضی و نه مشابهت فیزیکی می‌باشد. اشیائی که در یک ردیف قرار می‌گیرند، نقش ریاضی یکسانی دارند؛ اما از منظر علم فیزیک دو نظریهٔ متفاوت هستند. جریان، شار بار الکتریکی می‌باشد، در حالی که
جریان، شار بار الکتریکی می‌باشد، در حالی که جریان مغناطیسی شار هیچ‌گونه کمیتی نمی‌باشد. نارسایی‌های موجود در مقایسهٔ جریان الکتریکی و مغناطیسی زمانی که از تشابه بین چرخه‌های مغناطیسی و الکتریکی استفاده می‌کنیم، محدودیت‌های آن را باید در خاطر داشته باشیم. این دو چرخه به دلیل مشابهت موجود بین قانون هاپکین و قانون اهم صرفاً در ظاهر مشابه یکدیگر می‌باشند. چرخه‌های مغناطیسی حائز تفاوت‌های قابل توجهی می‌باشند که باید در ساخت خود مورد توجه واقع شوند: -چرخه‌های الکتریکی همان جریان ذرات (الکترون‌ها) هستند و حامل
همان جریان ذرات (الکترون‌ها) هستند و حامل نیرو نیز می‌باشند که به صورت گرما در عایق‌ها پخش می‌شود. میدان‌های مغناطیسی نشان‌دهندهٔ هیچ‌گونه «جریانی» نیستند و هیچ‌گونه نیرویی نبوده و هیچ نیروی در عایق‌های آن پخش نمی‌شود. -جریان در چرخه‌های الکتریکی معمولی، تنها محدود به یک چرخه می‌باشد؛ با نشت بسیار اندک. در چرخهٔ مغناطیسی معمولی تمام میدان مغناطیسی محدود به چرخهٔ مغناطیسی نمی‌باشد"؛ نشتی جریان "قابل توجهی در فضای بیرون هسته‌های مغناطیسی موجود می‌باشند، که باید مورد توجه واقع شوند اما محاسبهٔ آنها دشوار
باید مورد توجه واقع شوند اما محاسبهٔ آنها دشوار می‌باشد. -نکتهٔ مهم دیگر اینکه، چرخه‌های مغناطیسی خطی نمی‌باشند؛ مقاومت در چرخهٔ مغناطیسی ثابت نیست، در حالی که مقاومت الکتریکی عددی ثابت می‌باشد ولی مقاومت مغناطیسی بسته به میدان مغناطیسی تغییر می‌کند. در جریان‌های مغناطیسی قوی مواد فرو مغناطیسی که در هسته‌های چرخه‌های مغناطیسی به کار رفته شده‌است، جریان مغناطیسی را اشباع و محدود می‌نماید؛ به طوری که بالاتر از این سطح مقاومت به سرعت افزایش می‌یابد. مقاومت همچنین در جریان‌های پایین نیز افزایش می‌یابد. به
همچنین در جریان‌های پایین نیز افزایش می‌یابد. به علاوه، مواد فرومغناطیسی در معرض پسماندهای مغناطیسی نیز قرار دارند؛ در نتیجه جریان موجود در آن‌ها صرفاً وابسته به MMF که اکنون استفاده می‌شود، نیست؛ بلکه به مدت زمانی که MMF استفاده شده‌است. نیز بستگی دارد. بعد از اینکه منبع جریان مغناطیسی خاموش می‌شود، خاصیت آهنربایی در چرخهٔ فرومغناطیسی باقی می‌ماند، که باعث تولید جریانی بدون MMF می‌شود. قوانین چرخه. چرخه‌های مغناطیسی از قوانین دیگری که مشابه قوانین چرخه‌های الکتریکی می‌باشد استفاده می‌کنند. به عنوان مثال،
الکتریکی می‌باشد استفاده می‌کنند. به عنوان مثال، مقاومت کلی RT عایق‌های R1،R2... در مدارهای سری، به طریق زیر به دست میاید: این قانون همچنین از قانون آمپر نیز تبعیت می‌کند و قابل مقایسه با قانون ولتاژ کیرشهف در رابطه با مقاومت‌های مدارهای سری می‌باشد. همچنین مجموع جریان‌های مغناطیسی ۱Ǫ،۲Ǫ... در هر گرهی همواره صفر می‌باشد: قانون فوق همچنین از قانون گاوس تبعیت کرده و مشابه قانون جریان کیرشهف در رابطه با تحلیل چرخه‌های الکتریکی می‌باشد. سه قانون مزبور در کنار هم نظام کاملی را برای تحلیل چرخه‌های مغناطیسی به
هم نظام کاملی را برای تحلیل چرخه‌های مغناطیسی به روشی مشابه چرخه‌های الکتریکی، تشکیل می‌دهد. مقایسهٔ این دو نوع چرخه نشان می‌دهد که: -معادل مقاومت الکتریکی R،Rm می‌باشد. -معادل جریان الکتریکی I جریان مغناطیسی Ǫ می‌باشد. -معادل ولتاژ V نیروی محرکه مغناطیسی F می‌باشد. چرخه‌های مغناطیسی را می‌توان برای جریان هر شاخه با استفاده از معادل مغناطیسی آن در قانون ولتاژ کریچوف(KVL) که برای منابع \مقاومت‌های خالص می‌باشد، محاسبه کرد. با اینکه KVL بیان می‌دارد ولتاژی که برای تحریک حلقه‌ای به کار می‌رود برار با دفعات
که برای تحریک حلقه‌ای به کار می‌رود برار با دفعات افت ولتاژ می‌باشد. در حول حقه می‌باشد، مشابهات مغناطیسی بیان می‌دارد که نیروی محرکهٔ مغناطیسی (که از تحریک آمپر-دور به دست می‌آید) برابر با مجموع دفعات افت (حاصلضرب جریان و مقاومت) در طول ادامهٔ حلقه می‌باشد.(اگر با چند حلقه مواجه بودیم، جریان هر شاخه را می‌توانیم با معادله ماتریکس به دست آوریم_راه حل‌های ماتریکسی بیشتر برای جریان شاخه‌های چرخه‌های شبکه‌ای در تحلیل حلقه‌ها به دست می‌آید_بعد از آن که جریان‌های هر یک از شاخه‌ها به طریق جمع یا \و تفریق
هر یک از شاخه‌ها به طریق جمع یا \و تفریق حلقه‌های سازندهٔ جریان حاصل می‌شوند. طبق قانون آمپر، تحریک موجود، حاصلضرب جریان و تعداد حلقه‌های کامل می‌باشد و در آمپر-دورها اندازه‌گیری می‌شود. formula_12 (توجه کنید که، طبق قضیهٔ استوکس،انتگرال خط بستهٔ H.dl حول محیط مرئی برابر با انتگرال سطح مسطح منحنی H.dA در طول سطحی است که توسط محیط مرئی مذکور احاطه شده‌است؛ بنابراین؛ با توجه به معادلات مکس ول، منحنی H=J،انتگرال خط بستهٔ H.dl جریان کلی را که از سطح مورد نظر عبور می‌کند را محاسبه می‌کند) سیستم‌های مغناطیسی
عبور می‌کند را محاسبه می‌کند) سیستم‌های مغناطیسی پیچیده، که در آن‌ها جریان محدود به یک حلقهٔ ساده نمی‌باشد، باید از قوانین ابتدایی با استفاده از معادلات ماکسول؛ مورد بررسی قرار گیرند. تاریخچه. واژهٔ "مقاومت" در سال ۱۸۸۸ توسط الیور هویسد معرفی شد. نظریهٔ «مقاومت مغناطیسی» ابتدائاً توسط جیمز جول و اصطلاح «نیروی محرکهٔ مغناطیسی» (MMF) ابتدائاً توسط بسنوکت استعمال شد. نظریهٔ قانون جریان مغناطیسی، مشابه قانون اهم برای حلقه‌های بستهٔ الکتریکی، به H.Rowland نسبت داده می‌شود. نتیجه‌گیری. -خلاء‌های هوایی می‌توانند
می‌شود. نتیجه‌گیری. -خلاء‌های هوایی می‌توانند در هسته‌های ترنسفورمرهای خاص ایجاد شوند تا اثرات ناشی از اشباع شدگی را برطرف کنند. این مسئله باعث افزایش مقاومت چرخهٔ مغناطیسی می‌شود و آن را قادر به ذخیره بیشتر انرژی قبل از اشباع هسته می‌کند. از ایت فرایند در ترنسفرمر فلایبک نیز استفاده می‌شود. -تغیرات مقاومت، اصلی است ورای مقاومت موتور (یا مقاومت متغیر زنراتور) و تناوبگر الکساندرسان. -بلندگوهای چندرسانه‌ای برای کاهش تداخل مغناطیسی که در تلویزیون‌ها و CRTهای دیگر به وجود می‌آیند، معمولاً به طریق مغناطیسی
دیگر به وجود می‌آیند، معمولاً به طریق مغناطیسی محافظت می‌شوند. آهنربای بلندگو با ماده‌ای مانند آهن نرم برای کاهش انحراف میدان مغناطیسی، پوشیده شده‌است.
دانشگاه بست در لشکرگاه، ولایت هلمند، افغانستان، یک مؤسسه آموزش عالی خصوصی است که توسط احمد جان پوپل در سال ۲۰۱۰ تأسیس شد. دانشگاه بست مدرک کارشناسی و دیپلم دو تا شش ساله ارائه می‌دهد. برنامه‌های کارشناسی چهار تا شش ساله شامل مهندسی، حقوق و علوم سیاسی، اقتصاد، پزشکی، علوم کامپیوتر و آموزش و پرورش است. گواهینامه‌های دوره‌های کوتاه‌مدت و آموزش‌هایی که سه سال یا کمتر طول می‌کشند، بخشی از موسسه علوم بهداشتی دانشگاه مانند مامایی، پرستاری، آزمایشگاه، فیزیوتراپی، دندانپزشکی و داروسازی هستند. تاریخچه. در سال ۲۰۱۳،
و داروسازی هستند. تاریخچه. در سال ۲۰۱۳، هیئت کمیسیون کیفیت وزارت آموزش عالی، تمام دانشگاه‌های خصوصی کشور را بررسی کرد. در سال ۲۰۱۵، این هیئت نتایج خود را اعلام کرد و موسسه آموزش عالی بست بالاترین امتیاز (۸۸.۳) را کسب کرد و به عنوان برترین دانشگاه در بین تمام دانشگاه‌های خصوصی افغانستان اعلام شد. وزارت آموزش عالی در نوامبر ۲۰۱۵، این دانشگاه را به دانشگاه بست (بُست پوهنتون) ارتقا داد.
کریستوفر«کریس» اودوود (زاده ٩ اکتبر ١٩٧٩) بازیگر و کمدین ایرلندی است.بیشتر شهرت وی به خاطر بازی در یک مجموعه طنز به نام گروه آی‌تی است. قسمتی از فیلمشناسی. سینما: سریال:
آکاسیا اشبیائی نام یک گونه از سرده آکاسیا است.
آکاسیا آلاکوکارپا نام یک گونه از سرده آکاسیا است.
آکاسیا آیرسیانا نام یک گونه از سرده آکاسیا است.
دانشگاه تعلیم و تربیه کابل، دانشگاهی دولتی در کابل افغانستان است. مکان این دانشگاه در دانشگاه تعلیم و تربیه کابل، سرک عمومی افشار، چهاراهی شمع، کابل، افغانستان است. این دانشگاه در ابتدا در دهه ۱۹۹۰ به عنوان مرکز تربیت معلم فعالیت می‌کرد و با همکاری یونسکو به دانشجویان خود مدرک لیسانس اعطا می‌کرد. در دوران ریاست جمهوری برهان‌الدین ربانی، به موسسه تربیت معلم توسعه یافت و به عنوان موسسه آموزش عالی شناخته شد و به وزارت آموزش عالی منتقل شد. در سال ۲۰۰۳ به عنوان یک دانشگاه، اساسنامه رسمی دریافت کرد. دانشگاه تعلیم
دانشگاه، اساسنامه رسمی دریافت کرد. دانشگاه تعلیم و تربیت کابل، استاد ربانی، یکی از بهترین موسسات آموزشی در افغانستان است که طبق رتبه‌بندی ملی، جزو ۵ دانشگاه برتر قرار دارد. دانشگاه تعلیم و تربیت کابل، استاد ربانی، در رتبه‌بندی ملی افغانستان قرار دارد و این نتیجه چشمگیر در کمتر از ۲۰ سال حاصل شده است. دانشگاه تعلیم و تربیت کابل، دانشگاه ربانی، نسبتاً کوچک است و به طور متوسط حدود ۵۰۰۰ دانشجو را آموزش می‌دهد. پیشینه. دانشگاه تعلیم تربیهٔ کابل که در گذشته با نام انستیتوت پیداگوژی کابل، دانشجویان را در رشته‌های
انستیتوت پیداگوژی کابل، دانشجویان را در رشته‌های مختلف لیسانس تربیه می‌نمود، در سال ۱۳۸۱ (خورشیدی) با تلاش خستگی ناپذیر رئیس آن استاد شجاع الدین خراسانی به دانشگاه ارتقا یافت.
نسخه بارنی (Barney's Version) فیلم کمدی-درام کانادایی است به کارگردانی ریچارد جی. لویس که محصول سال ۲۰۱۱ می‌باشد. این فیلم نامزد جایزه اسکار در بخش بهترین گریم و آرایش مو و برنده بهترین بازیگر مرد فیلم موزیکال یا کمدی گلدن گلاب شد. خلاصه داستان. فیلم، داستان زندگی بارنی پانوفسکی را به تصویر می‌کشد. بارنی (پاول جیاماتی) یک تهیه‌کننده به شدت خوش گذران تلویزیون است که اعتیاد به مشروب دارد. بارنی از نظر مشکلات اخلاقی نیز زبانزد عام هست و او را به عنوان یکی از بدنام‌ترین تهیه کنندگان می‌شناسند! بارنی به تازگی با
تهیه کنندگان می‌شناسند! بارنی به تازگی با خانم جذابی به اسم کلارا (راشل لفوری) در رم آشنا شده است…
اکتینفرید نام یک راسته از ناجورتاژکان است. گونه Actinosphaerium eichhorni گونه کوچک تک‌سلولی است که می‌تواند به شکل ماهرانه‌ای از زائده‌های سخت بیرون‌زده از سیتوپلاسم سلولی‌اش برای شکار سایر میکروارگانیسم‌ها و بلعیدن آنها استفاده کند. این جاندار بزرگ‌ترین عضو رده‌ای است که آغازیان خورشیدی نامیده می‌شوند و مانند آمیب‌ها از زائده‌های سیتوپلاسمی روی سطح خارجی یاخته‌شان بیشتر برای شکار بهره می‌برند تا حرکت.