payamvha/North_RAG huggingface dataset:
تفسیر آن. فر و گرونبرگ مقاومت الکتریکی ساختارهای دارای مواد فرو مغناطیسی و غیرفرومغناطیسی را مطالعه کردند. به‌طور خاص، فر روی غشاهای چندلایه کار کرد و گرونبرگ در سال ۱۹۸۶ اندرکنش تبادل ضدفرومغناطیسی را در غشاهای Fe / Cr کشف کرد. کار کشف جیی‌ام‌آر توسط دو گروه روی نمونه‌های با اندکی تفاوت انجام شد. گروه فر از ابرشبکه‌های Fe/formula_2Crformula_2 استفاده کرد که در آن لایه‌های Fe و Cr در یک خلأ زیاد بر روی یک بستر گالیم‌آرسنید در ۲۰ درجه سانتی‌گراد نگهداری شده و اندازه‌گیری‌های مغنامقاومت در دمای پایین انجام
و اندازه‌گیری‌های مغنامقاومت در دمای پایین انجام شد (به‌طور معمول ۴٬۲ کلوین). کار گرونبرگ بر روی چندلایه‌ای‌های Fe و Cr بر روی گالیم‌آرسنید در دمای اتاق انجام شد. در چندلایه‌ای‌های Fe / Cr با لایه‌های آهن به ضخامت ۳ نانومتر، افزایش ضخامت لایه‌های غیرمغناطیسی Cr از ۰٬۹به ۳ نانومتر باعث ضعیف شدن اتصال ضدفرومغناطیسی بین لایه‌های Fe شده و کاهش میدان مغناطیس‌زدایی را نتیجه می‌دهد. و همچنین با گرم شدن نمونه از ۴٬۲ کلوین به دمای اتاق این مورد دوباره کاهش می‌یابد. تغییر ضخامت لایه‌های غیرمغناطیسی منجر به کاهش
تغییر ضخامت لایه‌های غیرمغناطیسی منجر به کاهش قابل‌توجهی از مغناطش باقی‌مانده در حلقهپسماند می‌شود. مقاومت الکتریکی با میدان مغناطیسی خارجی در ۴٬۲ کلوین تا ۵۰٪ تغییر می‌کند. فر این اثر جدید را به عنوان مغناطیسی‌غول‌پیکر نامید تا تفاوت آن را با مقاومت‌مغناطیسی ناهمسانگرد برجسته کند. آزمایش گرونبرگ همان کشف را نتیجه داد، اما به دلیل قرار گرفتن نمونه‌ها در دمای اتاق و نه دمای پایین، اثر آن کمتر برجسته بود (۳٪ در مقایسه با ۵۰٪). کاشفان پیشنهاد کردند که این اثر مبتنی بر الکترون‌های وابسته به اسپین در ابرشبکه‌ها
بر الکترون‌های وابسته به اسپین در ابرشبکه‌ها است و به ویژه به مقاومت لایه‌ها به جهت‌گیری‌های نسبی مغناطش و اسپین الکترون وابسته است. در سال ۱۹۸۹، کملی و بارناس هندسه «جریان در صفحه» (CIP) را محاسبه کردند، جایی که جریان در امتداد لایه‌ها جریان می‌یابد، در حالی که در تقریب کلاسیک، لوی از فرمالیسم‌کوانتومی استفاده کرد. نظریه جیی‌ام‌آر برای جریان عمود بر لایه‌ها (جریان عمود بر صفحه یا هندسه CPP)، معروف به نظریه والت-فرت، در سال ۱۹۹۳ گزارش شد. کاربردها و درخواست‌ها هندسه CPP را ترجیح می‌دهند زیرا مغنامقاومت
هندسه CPP را ترجیح می‌دهند زیرا مغنامقاومت بیشتری (δH) را فراهم می‌کند و منجر به حساسیت بیشتر قطعه‌ می‌شود. تئوری. پراکندگی وابسته به اسپین. در مواد مرتب‌شده مغناطیسی، مقاومت‌الکتریکی به‌دلیل پراکندگی الکترون‌ها در زیرشبکه‌مغناطیسی کریستال، که توسط اتم‌های معادل به‌شکل کریستالوگرافی با گشتاورهای‌مغناطیسی غیرصفر تشکیل می‌شود، تأثیر اساسی دارد. پراکندگی به جهت‌گیری‌های نسبی چرخش الکترون و گشتاورهای‌مغناطیسی آن بستگی دارد: وقتی موازی هستند ضعیف‌ترین است و وقتی موازی نیستند در قوی‌ترین حالت است. در حالت
و وقتی موازی نیستند در قوی‌ترین حالت است. در حالت پارامغناطیسی، که در آن گشتاورمغناطیسی اتم‌ها جهت‌گیری تصادفی دارند، نسبتاً قوی است. برای هادی‌های خوب مانند طلا یا مس، تراز فرمی در لایه sp قرار دارد و لایه d کاملاً پر می‌شود. در فرومغناطیسها وابستگی پراکندگی اتم-الکترون در جهت گشتاورهای مغناطیسی آنها، مربوط به پر شدن لایه مسئول خواص مغناطیسی فلز است. تراز فرمی برای اکثریت اسپین الکترون‌ها در لایه sp قرار دارد و انتقال آن‌ها در فرومغناطیس و فلزات غیرمغناطیسی مشابه است. برای اقلیت اسپین الکترون‌ها، لایه‌های
مشابه است. برای اقلیت اسپین الکترون‌ها، لایه‌های sp و d ترکیبی (هیبریداسیون شده) هستند و تراز فرمی در لایه d قرار دارد. لایه spd ترکیبی دارای تراکم بالایی از حالت‌ها است، که منجر به پراکندگی قوی‌تر و در نتیجه کوتاه‌تر بودن مسیر آزاد λ برای اقلیت-اسپین نسبت به اکثریت-اسپین الکترون‌ها می‌شود. در نیکل دوپ شده با کبالت، نسبت formula_4 می‌تواند به ۲۰ برسد. طبق مدل دروده، رسانایی متناسب با λ است که از چند تا چند ده نانومتر در غشاهای فلزی نازک متغیر است. الکترون‌ها جهت چرخش را طول آرامش چرخشی (یا طول انتشار چرخش)
جهت چرخش را طول آرامش چرخشی (یا طول انتشار چرخش) به اصطلاح «به خاطر می‌آورند»، که می‌تواند به‌طور قابل‌توجهی از میانگین مسیر آزاد فراتر رود. حمل و نقل چرخش-وابسته به وابستگی هدایت الکتریکی به جهت چرخش حامل‌های بار اشاره دارد که در فرومغناطیس‌ها، به دلیل انتقال الکترون بین 4s تقسیم نشده و لایه‌های 3d تقسیم شده رخ می‌دهد. در برخی از مواد، اندرکنش بین الکترون‌ها و اتمها وقتی که گشتاورهای‌مغناطیسی آنها بیشتر از موازی ضدموازی باشد در ضعیف‌ترین حالت است. ترکیبی از هر دو نوع مواد می‌تواند منجر به اثر وارون
از هر دو نوع مواد می‌تواند منجر به اثر وارون جیی‌ام‌آر شود. هندسه‌های سی‌آی‌پی و سی‌پی‌پی. جریان الکتریکی به دو طریق می‌تواند از طریق ابرشبکه‌های مغناطیسی عبور کند. جریان در صفحه (CIP)، در امتداد لایه‌ها جریان می‌یابد و الکترودها در یک طرف ساختار قرار دارند یا جریان عمود بر پیکربندی صفحه (CPP)، که جریان عمود بر لایه‌ها عبور می‌کند و الکترودها در دو طرف مختلف ابرشبکه قرار دارند. هندسه CPP از دو برابر جیی‌ام‌آر بالاتر است، اما تحقق آن در عمل دشوارتر از پیکربندی CIP است. انتقال حامل از طریق یک ابرشبکه
پیکربندی CIP است. انتقال حامل از طریق یک ابرشبکه مغناطیسی. ترتیب مغناطیسی در ابرشبکه‌ها با برهم‌کنش فرومغناطیسی و ضدفرومغناطیسی بین لایه‌ها متفاوت است. در حالت اول، جهت‌های مغناطش در لایه‌های مختلف فرومغناطیسی در غیاب میدان‌مغناطیسی اعمال شده یکسان است، درحالی‌که در حالت دوم، جهت‌های مخالف در چندلایه متناوب هستند. الکترون‌هایی که از طریق ابرشبکه مغناطیسی عبور می‌کنند نسبت به حالت موازی بودن آن بسیار ضعیف‌تر عمل می‌کنند درحالی‌که جهت چرخش آن‌ها مخالف مغناطش شبکه است. چنین ناهمسانگردی برای ابرشبکه مغناطیسی
شبکه است. چنین ناهمسانگردی برای ابرشبکه مغناطیسی مشاهده نمی‌شود. در نتیجه، الکترون‌ها را قوی‌تر از ابرشبکه‌های مغناطیسی پراکنده می‌کند و مقاومت‌الکتریکی بالاتری از خود نشان می‌دهد. کاربردهای اثر جیی‌ام‌آر نیاز به جابجایی دینامیکی بین مغناطش موازی و ضدموازی لایه‌ها در یک ابرشبکه دارد. در تقریب اول، چگالی انرژی اندرکنش بین دو لایه فرومغناطیسی جدا شده توسط یک لایه غیرمغناطیسی متناسب با ضرب اسکالر مغناطش آنها است و می‌توان آن را به‌شکل formula_5 نوشت. ضریب J یک تابع نوسانی از ضخامت لایه غیرمغناطیسی ds است؛
یک تابع نوسانی از ضخامت لایه غیرمغناطیسی ds است؛ بنابراین J می‌تواند اندازه و علامت خود را تغییر دهد. اگر مقدار ds با حالت ضدموازی مطابقت داشته باشد، یک میدان‌خارجی می‌تواند ابرشبکه را از حالت ضدموازی (مقاومت بالا) به حالت موازی (مقاومت کم) تبدیل کند. مقاومت کل ساختار را می‌توان به صورت formula_6 نوشت. بطوری که R0 مقاومت ابرشبکه مغناطیسی است، ΔR میزان افزایش جیی‌ام‌آر است و θ زاویه بین مغناطش لایه‌های مجاور است. شرح ریاضی. پدیده جیی‌ام‌آر را می‌توان با استفاده از دو مجرای اسپین-وابسته به رسانایی الکترون
از دو مجرای اسپین-وابسته به رسانایی الکترون توصیف کرد که مقاومت در آن‌ها حداقل یا حداکثر است. رابطه بین آن‌ها اغلب از نظر ضریب ناهمسانگردی چرخش β تعریف می‌شود. این ضریب را می‌توان با استفاده از حداقل و حداکثر مقاومت‌الکتریکی ویژه formula_7 برای جریان قطبش چرخشی به‌شکل formula_8 نوشت. جایی که ρF مقاومت متوسط فرومغناطیس است. مدل مقاومتی برای ساختارهای سی‌آی‌پی و سی‌پی‌پی. اگر پراکندگی حامل‌های بار در رابط بین فلز فرومغناطیسی و غیرمغناطیسی کم باشد و جهت اسپین الکترون به اندازه کافی طولانی شود، مناسب است که
الکترون به اندازه کافی طولانی شود، مناسب است که مدلی را در نظر بگیرید که در آن مقاومت کل نمونه ترکیبی از مقاومت در برابر لایه‌های مغناطیسی و غیرمغناطیسی است. در این مدل، دو پیوند رسانایی برای الکترون‌ها با جهت چرخش مختلف نسبت به مغناطش لایه‌ها وجود دارد؛ بنابراین، مدار معادل ساختار جیی‌ام‌آر از دو اتصال موازی متناظر با هر یک از کانال‌ها تشکیل شده‌است. در این حالت می‌توان جیی‌ام‌آر را به صورت زیر بیان کرد. formula_9 تحت شرایط formula_10 رابطه می‌تواند ساده شود با استفاده از ضریب عدم تقارن اسپین رابطه به شکل
با استفاده از ضریب عدم تقارن اسپین رابطه به شکل formula_11 در می‌آید. مدل والت-فر. در سال ۱۹۹۳، تیری والت و آلبر فر بر اساس معادلات بولتزمان مدلی را برای مقاومت‌مغناطیسی غول‌پیکر در هندسه CPP ارائه دادند. در این مدل پتانسیل‌شیمیایی درون لایه مغناطیسی به دو تابع تقسیم می‌شود که تفاوت این دو تابع مربوط به الکترون‌های دارای چرخش‌های موازی و ضدموازی مغناطش لایه است. اگر لایه غیرمغناطیسی به اندازه کافی نازک باشد، در میدان خارجی formula_12 ، اصلاحات پتانسیل‌الکتروشیمیایی و میدان در داخل نمونه شکل می‌گیرد و
و میدان در داخل نمونه شکل می‌گیرد و خواهیم داشت: formula_13 formula_14 جایی که formula_15ℓ متوسط طول زمان استراحت اسپین-اسپین است و مختصات z از مرز بین لایه‌های مغناطیسی و غیرمغناطیسی اندازه‌گیری می‌شود (z &lt;0 مربوط به فرومغناطیسی است). بنابراین الکترون‌هایی با پتانسیل‌شیمیایی بیشتر در مرز فرومغناطیسی تجمع می‌یابند. این را می‌توان با پتانسیل تجمع چرخشی Vas یا به اصطلاح مقاومت رابط (مرز بین فرومغناطیسی و ماده غیرمغناطیسی) نشان داد. formula_16 که j تراکم جریان در نمونه است، formula_17ℓs و formula_18ℓs به
در نمونه است، formula_17ℓs و formula_18ℓs به ترتیب زمان استراحت اسپین-اسپین در مواد غیرمغناطیسی و مغناطیسی هستند. آمایش قطعه‌. مواد و داده‌های تجربی. بسیاری از ترکیبات مواد جیی‌ام‌آر را نشان می‌دهند و متداول‌ترین آنها به شرح زیر است: مقاومت‌مغناطیسی به پارامترهای زیادی مانند هندسه قطعه‌ (CIP یا CPP)، دما و ضخامت لایه‌های فرومغناطیسی و غیرمغناطیسی بستگی دارد. در دمای ۴٬۲ کلوین و ضخامت لایه‌های کبالت ۱٫۵ نانومتر، افزایش ضخامت لایه‌های مس dCu از ۱ به ۱۰ نانومتر باعث کاهش δH از ۸۰ به ۱۰ درصد در هندسه CIP شد.
باعث کاهش δH از ۸۰ به ۱۰ درصد در هندسه CIP شد. در همین حال، در هندسه CPP حداکثر (δH (۱۲۵٪ برای dCu = ۲٫۵ نانومتر مشاهده شد و افزایش dCu به ۱۰ نانومتر باعث کاهش نوسانی δH به ۶۰٪ شد. هنگامی که یک ابر شبکه (نانومترCo (۱٫۲ / (نانومترCu (۱٫۱ از صفر تا ۳۰۰ کلوین گرم می‌شد، δH آن از ۴۰ به ۲۰ درصد در هندسه CIP و از ۱۰۰ به ۵۵ درصد در هندسه CPP کاهش یافته‌است. لایه‌های غیرمغناطیسی می‌توانند غیرفلزی باشند. به عنوان مثال، δH تا ۴۰ درصد برای لایه‌های آلی در ۱۱ کلوین نشان داده شد. دریچه‌های اسپینی گرافن از طرح‌های
نشان داده شد. دریچه‌های اسپینی گرافن از طرح‌های مختلف، δH را در حدود ۱۲ درصد در ۷ کلوین و ۱۰ درصد در ۳۰۰ کلوین، بسیار پایین‌تر از حد نظری ۱۰۹ درصد به نمایش گذاشته‌اند. اثر جیی‌ام‌آر را می‌توان با فیلترهای چرخشی که الکترون‌هایی با جهت چرخش خاص انتخاب می‌کنند، افزایش داد. آن‌ها از فلزاتی مانند کبالت ساخته شده‌اند. برای یک فیلتر به ضخامت t، تغییر در رسانایی ΔG می‌تواند به صورت formula_19 بیان شود. که formula_20ΔG تغییر در رسانایی دریچه چرخشی بدون فیلتر است ، formula_21ΔG حداکثر افزایش رسانایی با فیلتر است و β
حداکثر افزایش رسانایی با فیلتر است و β یک پارامتر از ماده فیلتر است. انواع جیی‌ام‌آر. ابرشبکه‌های ضدفرومغناطیسی. جیی‌ام‌آر در غشاها برای اولین بار توسط فر و گرونبرگ در مطالعه ابرشبکه‌های تشکیل شده از لایه‌های فرومغناطیسی و غیرمغناطیسی مشاهده شد. ضخامت لایه‌های غیرمغناطیسی به گونه‌ای انتخاب شد که اثر متقابل بین لایه‌ها ضدمغناطیسی و مغناطش در لایه‌های مغناطیسی مجاور ضدموازی باشد. سپس یک میدان مغناطیسی خارجی می‌تواند بردارهای‌مغناطیسی را به موازات خود تحت تأثیر مقاومت‌الکتریکی ساختار قرار دهد. لایه‌های
تأثیر مقاومت‌الکتریکی ساختار قرار دهد. لایه‌های مغناطیسی در چنین ساختارهایی از طریق اتصال ضدفرومغناطیسی برهمکنش می‌کنند، که منجر به وابستگی نوسانی جیی‌ام‌آر به ضخامت لایه غیرمغناطیسی می‌شود. در اولین حسگرهای میدان مغناطیسی با استفاده از ابرشبکه‌های ضدفرومغناطیسی، به دلیل اندرکنش ضدمغناطیسی قوی بین لایه‌های آن‌ها (ساخته شده از کروم، آهن یا کبالت) و زمینه‌های ناهمسانگردی قوی در آن‌ها، میدان اشباع بسیار زیاد بود؛ بنابراین حساسیت قطعه‌‌ها بسیار کم بود؛ بنابراین حساسیت قطعه‌‌ها بسیار کم بود. استفاده از پرمالوی
حساسیت قطعه‌‌ها بسیار کم بود. استفاده از پرمالوی برای مغناطیسی و نقره برای لایه‌های غیرمغناطیسی باعث کاهش میدان اشباع به ده‌ها اورستد شد. دریچه‌های چرخشی با استفاده از تعویض اُریبی. راز موفق‌ترین دریچه‌های چرخشی اثر جیی‌ام‌آر از تحت تأثیر قرار دادن مبادله نشات می‌گیرد. آنها شامل لایه حساس، لایه ثابت و لایه ضدفرومغناطیسی هستند. آخرین لایه جهت مغناطش را در لایه ثابت مسدود می‌کند. لایه‌های حساس و ضدمغناطیسی برای کاهش مقاومت ساختار نازک ساخته می‌شوند. دریچه با تغییر جهت مغناطیس در لایه حساس نسبت به لایه ثابت،
تغییر جهت مغناطیس در لایه حساس نسبت به لایه ثابت، به میدان مغناطیسی خارجی واکنش نشان می‌دهد. تفاوت اصلی این دریچه‌های چرخشی از سایر قطعه‌‌های جیی‌ام‌آر چندلایه وابستگی یکنواخت دامنه اثر بر ضخامت formula_22d لایه‌های غیرمغناطیسی است: formula_23 جایی که formula_24δ یک ثابت عادی است، formula_22λ متوسط مسیر آزاد الکترون‌ها در مواد غیرمغناطیسی است و d0 ضخامت مؤثری است که شامل اندرکنش بین لایه‌ها است.وابستگی به ضخامت لایه فرومغناطیسی می‌تواند به شرح زیر باشد: formula_26 معنی این پارامترها درست مانند معادله قبلی
معنی این پارامترها درست مانند معادله قبلی است، اما اکنون آن‌ها به لایه فرومغناطیسی اشاره دارند. چندلایه‌ای بدون-اندرکنشی. جیی‌ام‌آر همچنین می‌تواند در صورت عدم وجود اتصال لایه‌های ضدفرومغناطیسی مشاهده شود. در این حالت، مغنامقاومت ناشی از اختلاف در نیروهای وادارندگی است (به عنوان مثال، برای آلومینیوم نسبت به کبالت کوچکتر است). در چندها لایه مانند پرمالوی/ Cu / Co / Cu میدان مغناطیسی خارجی جهت مغناطش اشباع را به حالت موازی در میدان‌های قوی و به ضدموازی در زمینه‌های ضعیف تغییر می‌دهد. چنین سیستم‌هایی دارای یک
ضعیف تغییر می‌دهد. چنین سیستم‌هایی دارای یک میدان اشباع پایین‌تر و δH بزرگتر از ابرشبکه‌های با اتصال ضدفرومغناطیسی هستند. یک اثر مشابه در ساختارهای Co / Cu مشاهده می‌شود. وجود این ساختارها به این معنی است که جیی‌ام‌آر به اتصال بین لایه‌ای احتیاج ندارد و می‌تواند از توزیع گشتاورهای مغناطیسی قابل کنترل توسط یک میدان‌خارجی نشات بگیرد. اثر وارون جیی‌ام‌آر. در جیی‌ام‌آر وارون، مقاومت جهت غیرموازی مغناطش در لایه‌ها حداقل است. جیی‌ام‌آر وارون هنگامی مشاهده می‌شود که لایه‌های مغناطیسی از مواد مختلفی مانند NiCr /
که لایه‌های مغناطیسی از مواد مختلفی مانند NiCr / Cu / Co / Cu تشکیل شده باشد. مقاومت برای الکترون‌هایی که دارای اسپین مخالف هستند را می‌توان به صورت formula_27 نوشت؛ زیرا دارای مقادیر مختلف است، به عنوان مثال ضرایب مختلف β، برای الکترون‌های اسپین-بالا و اسپین-پایین است. اگر لایه NiCr خیلی‌نازک نباشد، ممکن است سهم آن از لایه Co بیشتر شود و نتیجه آن جیی‌ام‌آر وارون می‌شود. توجه داشته باشید که وارونگی جیی‌ام‌آر به علامت حاصل از ضرایب β در لایه‌های فرو مغناطیسی مجاور بستگی دارد و به علائم ضرایب تک بستگی ندارد.
مجاور بستگی دارد و به علائم ضرایب تک بستگی ندارد. اگر آلیاژ NiCr با دوپ شده وانادیوم جایگزین شود،جیی‌ام‌آر وارون مشاهده می‌شود. جیی‌ام‌آر در ساختارهای دانه‌دانه. جیی‌ام‌آر در آلیاژهای دانه‌ای فلزات فرومغناطیسی و غیرمغناطیسی در سال ۱۹۹۲ کشف شد و متعاقباً توسط پراکندگی حامل‌های بار وابسته به اسپین در سطح و قسمت عمده دانه‌ها توضیح داده شد. دانه‌ها خوشه‌های فرومغناطیسی با قطر حدود ۱۰ نانومتر را در یک فلز غیرمغناطیسی جاسازی شده تشکیل می‌دهند و نوعی ابرشبکه را تشکیل می‌دهند. یک شرط لازم برای اثر جیی‌ام‌آر در
تشکیل می‌دهند. یک شرط لازم برای اثر جیی‌ام‌آر در چنین ساختارهایی حلالیت متقابل ضعیف در اجزای آن است (به عنوان مثال، کُبالت و مس). خواص آن‌ها به شدت به اندازه‌گیری و دمای گرم کردن بستگی دارد. آن‌ها همچنین می‌توانند جیی‌ام‌آر وارون از خود نشان دهند. کاربردها. حسگرهای چرخشی. اصل کلی. یکی از کاربردهای اصلی مواد جیی‌ام‌آر در حسگرهای میدان‌مغناطیسی است، به عنوان مثال، در دیسک درایوها، حسگرهای زیستی و همچنین آشکارسازهای نوسانات در MEMS. یک حسگر معمولی مبتنی بر جیی‌ام‌آر از هفت لایه تشکیل شده‌است: لایه‌های اتصال
از هفت لایه تشکیل شده‌است: لایه‌های اتصال دهنده و محافظ اغلب از تانتال ساخته می‌شوند و یک ماده غیرمغناطیسی که به‌طور معمول مس است. لایه حسگر، مغناطش می‌تواند توسط میدان مغناطیسی خارجی تغییر جهت یابد که به‌طور معمول از آلیاژهای NiFe یا کبالت ساخته می‌شود. از FeMn یا NiMn می‌توان برای لایه ضدفرومغناطیسی استفاده کرد. لایه ثابت از ماده مغناطیسی مانند کبالت ساخته شده‌است. چنین حسگری به دلیل وجود لایه ثابت و سخت مغناطیسی دارای یک حلقه هیسترزیس نامتقارن است. دریچه‌های چرخشی ممکن است مقاومت ناهمسانگرد را نشان
چرخشی ممکن است مقاومت ناهمسانگرد را نشان دهند، که منجر به عدم تقارن منحنی حساسیت می‌شود. درایوهای دیسک. در درایوهای دیسک (HDD)، اطلاعات با استفاده از حوزه‌های‌مغناطیسی کدگذاری می‌شوند، و تغییر جهت مغناطش آن‌ها با سطح، یک منطقی است، در حالی که اگر هیچ تغییری نشان ندهند صفر منطقی است. دو روش ضبط وجود دارد: طولی و عمود. در روش طولی، مغناطش بر سطح عمود است. بین حوزه‌ها یک منطقه انتقال (دیواره‌های حوزه) تشکیل می‌شود که در آن میدان مغناطیسی از ماده خارج می‌شود. اگر دیواره‌های حوزه در رابط دو حوزه به جهت قطب شمال
دیواره‌های حوزه در رابط دو حوزه به جهت قطب شمال واقع شده باشد، میدان به سمت بیرون هدایت می‌شود و برای دو حوزه قطب جنوب به سمت داخل هدایت می‌شود. برای خواندن جهت میدان‌مغناطیسی بالای دیواره حوزه، جهت مغناطیسی به صورت عمود به سطح در لایه ضدمغناطیسی و به موازات سطح در لایه حسگر ثابت می‌شود. تغییر جهت میدان مغناطیسی خارجی باعث منحرف شدن مغناطش در لایه حسگر می‌شود. وقتی میدان می‌خواهد مغناطش را در لایه‌های حسگر و ثابت تراز کند، مقاومت الکتریکی حسگر کاهش می‌یابد و بالعکس. آراِی‌ام مغناطیسی. یک سلول از حافظه
و بالعکس. آراِی‌ام مغناطیسی. یک سلول از حافظه دسترسی-تصادفی مغناطومقاومت (MRAM) ساختاری شبیه به حسگر چرخشی دارد. مقدار بیت‌های ذخیره شده را می‌توان از طریق جهت مغناطش در لایه حسگر رمزگذاری کرد که با اندازه‌گیری مقاومت ساختار خوانده می‌شود. از مزایای این فناوری می‌توان به استقلال منبع تغذیه (اطلاعات هنگام قطع شدن برق به دلیل وجود سد احتمالی جهت تغییر جهت مغناطیس حفظ می‌شود)، مصرف کم انرژی و سرعت زیاد اشاره کرد. در یک واحد ذخیره‌سازی معمولی مبتنی بر جیی‌ام‌آر، یک ساختار CIP بین دو سیم عمود بر یکدیگر قرار
یک ساختار CIP بین دو سیم عمود بر یکدیگر قرار دارد. این هادی‌ها را خطوط ردیف و ستون می‌نامند. پالس‌های جریان الکتریکی عبوری از خطوط، یک میدان مغناطیسی گردابی تولید می‌کنند، که بر ساختار جیی‌ام‌آر تأثیر می‌گذارد. خطوط میدان اشکال بیضی دارند و جهت میدان (در جهت عقربه‌های ساعت یا خلاف جهت عقربه‌های ساعت) با توجه به جهت جریان در خط تعیین می‌شود. در ساختار جیی‌ام‌آر، مغناطش در امتداد خط قرار دارد. جهت میدان تولید شده توسط خط ستون تقریباً موازی با گشتاورهای مغناطیسی است و نمی‌تواند آنها را از نو تغییر جهت دهد. خط
است و نمی‌تواند آنها را از نو تغییر جهت دهد. خط ردیف عمود است و صرف نظر از اندازه میدان می‌تواند مغناطش را فقط ۹۰ درجه بچرخاند. با عبور همزمان پالس‌ها از امتداد خطوط ردیف و ستون، از میدان مغناطیسی کل در محل ساختار جیی‌ام‌آر با توجه به یک نقطه و یک مبهم به نقاط دیگر در یک زاویه حاد هدایت می‌شود. اگر مقدار میدان از مقداری حیاتی فراتر رود، دومی جهت خود را تغییر می‌دهد. چندین روش ذخیره و خواندن برای سلول توصیف شده وجود دارد. در یک روش، اطلاعات در لایه حسگر ذخیره می‌شود. از طریق اندازه‌گیری مقاومت خوانده می‌شود
می‌شود. از طریق اندازه‌گیری مقاومت خوانده می‌شود و با خواندن پاک می‌شود. در طرح دیگری، اطلاعات در لایه ثابت نگهداری می‌شود، که در مقایسه با جریان‌های خوانده شده، به جریان‌های ضبط شده بالاتری نیاز دارد. مقاومت‌مغناطیسی تونل (TMR) گسترش حسگرهای چرخشی جیی‌ام‌آر است، که در آن الکترون‌ها با عبور از یک تونل عایق نازک چرخش خود را به‌طور عمود به دور لایه‌ها (جایگزین فاصله‌دهنده غیرفرومغناطیسی) انجام می‌دهند. این موضوع اجازه می‌دهد تا به یک امپدانس بزرگتر، مقدار مغنامقاومت بزرگتر و به یک وابستگی به درجه حرارت ناچیز
بزرگتر و به یک وابستگی به درجه حرارت ناچیز برسیم. TMR اکنون جایگزین جیی‌ام‌آر در MRAMها و درایوهای دیسک شده‌است. از ویژگی آن‌ها می‌توان به چگالی سطحی زیاد و ثبت عمود اشاره کرد. کاربردهای دیگر. عایق‌های مغناطیسی برای انتقال بدون‌تماس سیگنال بین دو قسمت جدا شده الکتریکی از مدارهای‌الکتریکی برای اولین بار در سال ۱۹۹۷ به عنوان جایگزینی برای اپتوکوپلر نمایش داده شدند. یک پل ویتستون که از چهار قطعه‌ جیی‌ام‌آر یکسان تشکیل شده‌است، نسبت به یک میدان‌مغناطیسی یکنواخت حساس نیست و فقط هنگامی واکنش نشان می‌دهد که
حساس نیست و فقط هنگامی واکنش نشان می‌دهد که جهت‌های میدان در بازوهای همسایه پل ضدموازی باشد. چنین قطعه‌‌هایی در سال ۲۰۰۳ گزارش شده و ممکن است به عنوان یکسوکننده با پاسخ فرکانس خطی استفاده شوند. تقاضاهای آینده. همین‌طور که ابعاد ترانزیستورها کوچک می‌شود، خواص کوانتومی الکترون‌ها مانند ماهیت موجی آن‌ها بیشتر خود را نشان می‌دهد و باید در طراحی‌ها آن‌ها را در نظر گرفت. سرعت بالاتر و کاهش توان‌مصرفی که قطعات جیی‌ام‌آر این خواص را از خود نشان داده‌اند، بسیار مهم است. طراحی بر مبنای جیی‌ام‌آر برتری‌هایی همچون
است. طراحی بر مبنای جیی‌ام‌آر برتری‌هایی همچون ترکیب عملکردهای منطقی، ذخیره‌سازی و حسگری بر تکنولوژی حال حاضر دارد، که منجر به جلب‌شدن تحقیقات به سمت آن شده‌است. از مهم‌ترین دستاوردهای قطعات می‌توان به کامپیوترهای‌کوانتومی و مخابرات‌کوانتومی است، که تکنولوژی ارتباطات و فناوری‌اطلاعات قرن ۲۱ را دچار انقلاب وسیعی خواهد کرد.
این لیست کشورها بر اساس آی پی تا تاریخ ۲ آوریل ۲۰۱۲ است که شامل ۲۵۲ منطقه، تمام کشورهای عضو سازمان ملل متحد به علاوهٔ سریر مقدس، کوزوو و تایوان می‌باشد. در آی پی ورژن ۴، ۲۳۲ (بیش از ۴ بیلیون) آدرس وجود دارد. این آدرس‌ها را آیانا از طریق ثبت کنندگان منطقه‌ای اینترنت به کشورها اختصاص می‌دهد.
هونیاسنجابک‌مانان – مترادف با زبَرنخستیان – کلادی (بالاراسته‌ای) از پستانداران است که شامل جونده‌سانان، خرگوش‌سانان، حشره‌خواران درختی، پوست‌پرسانان و انسان‌ها می‌شود. جایگاه. رابطهٔ فرضی کنونی میان هونیاسنجابک‌مان‌ها به صورت زیر است:
مازماهیان به گروهی از ماهیان بومی آب‌های آفریقا و آسیا گفته می‌شود که دارای اندام مازمانندی (شبیه به هزارتو) شبیه به ریه هستند که به کمک آن‌ها ماهی می‌تواند در آب‌هایی که دارای کمبود اکسیژن هستند از هوای اتمسفر خارج از آب تنفس کنند. البته این بدان معنی نیست که این ماهی‌ها می‌توانند بدون هیچ مشکلی در آب‌های کم اکسیژن زندگی کنند، بلکه در چنین شرایطی پس از مدتی بیمار می‌شوند. مازماهیان معمولاً گونه‌های آرام و صلح‌جویی هستند که در سطح میانی یا بالایی آب به سر می‌برند. تکثیر این گونه ماهی‌ها آسان است. مشهورترین
تکثیر این گونه ماهی‌ها آسان است. مشهورترین مازماهیان عبارتند از آناباس، فایتر و ماهی بهشتی و کلاً خانواده گورامی ها. این سه نوع ماهی از جمله محبوب‌ترین ماهیان گروه مازماهیان برای نگهداری در آکواریوم هستند.
فلسفه افلاطونی یا پلاتونیسم در صورتی که به عنوان اسم خاص به کار برده شود، به اندیشه‌های فلسفی افلاطون و سایر سیستم‌های فلسفی‌ای که به آن نزدیک هستند یا از آن مشتق شده‌اند گفته می‌شود. در یک کاربرد محدودتر، فلسفه افلاطونی به عنوان یک اسم عام در مقابل نام‌گرایی به کار می‌رود و «وجود» اموری انتزاعی را تأیید می‌کند که گفته می‌شود در یک «حوزه سوم» در مقابل دو حوزه دیگر اظهار وجود می‌کند: دنیای محسوس بیرونی و دنیای هوشیاری درونی. لازم است ذکر شود که «فلسفه افلاطونی» در صورتی که در مقابل نام گرایی به کار برده شود،
در صورتی که در مقابل نام گرایی به کار برده شود، نیازی به پذیرش هیچ‌یک از دکترین افلاطون را ندارد. در یک مفهوم محدودتر، این اصطلاح، به دکترین واقع‌گرایی افلاطونی اشاره دارد. مفهوم مرکزی فلسفه افلاطونی، در نظر گرفتن تفکیک بین دو نوع از واقعیت است: واقعیتی که محسوس است، ولی پیچیده و نامفهوم است و واقعیتی که غیرقابل مشاهده و نامحسوس است، ولی معقول، روشن و قابل فهم است. در نظر گرفتن این مفهوم، برای نظریه اشکال، اساسی و ضروری است. اشکال، معمولاً در مکالمات افلاطون (مجموعه آثار افلاطون) مانند فایدون، ضیافت و
(مجموعه آثار افلاطون) مانند فایدون، ضیافت و جمهور، به عنوان الگوهای اصلی بی عیب و نقص و ماورایی توصیف می‌شوند که نمونه‌های دنیای روزمره، نسخه‌های ناقص آن‌ها هستند.
آزمایشگاه‌های فضایی آزمایشگاه‌های بودند که توسط شاتل‌های فضایی حمل می‌شدند و قابل استفاده مجدد بودند. آزمایشگاه از اجزای گوناگون تشکیل شده‌اند، مانند دستگاه‌های تنظیم فشار و… و سخت‌افزارهای مرتبت به محموله‌های که در هر مأموریت در شاتل وجود داشت. اجزای هر محموله فضایی طوری چیده شده بود که در هر سفر فضایی به راحتی با آن‌ها دسترسی آسان داشت. اجزای آزمایشگاه فضایی در مأموریت ۲۲ شاتل‌ها در بیین نوامبر ۱۹۸۳ و آوریل ۱۹۸۸ به مدار زمین فرستاده شد. این آزمایشگاه فضایی به محققان و دانشمندان اجازه می‌داد که تحقیقات و
به محققان و دانشمندان اجازه می‌داد که تحقیقات و آزمایش‌های خود را در مدار زمین در شرایط بی وزنی انجام دهند. زمینه. در اوت ۱۹۷۳ NASA و Espro (در حال حاضر ساز مان فضایی اروپا (European Space Agancy) (ESA) باهم تفاهم نامه‌ای را امضا کردند برای ساختن آزمایشگاه‌های فضایی تحقیقاتی برای استفاده در سفرهای فضایی شاتل. شروع ساختن آزمایشگاه فضایی در سال ۱۹۷۴توسط ERNO شروع شد (زیرگروه VFW - FokkerGMBH و بعد ادغام شد با MBB با نام MMB/ERNO و بعد از سال ۲۰۰۳ توسط EADS SPACE Transportation). اولین قطعات و اجزای تولید شده
Transportation). اولین قطعات و اجزای تولید شده از جمله ماژول آزمایشگاه، LM۱ به رایگان تحویل ناسا داده شد توسط ESA در عوض شانس پرواز فضا نوردان اروپایی گرفته شد. دومین مدل، LM۲ خریده شد توسط ناسا برای استفاده خصوصی از ERNO. اجزا. به علاوه برای اجزای آزمایشگاه که شامل پنج پالت خارجی برای آزمایش خلأ ساخته شد توسط(British Aerospace (ABe. و یک اتاق تحت فشار که شامل زیر سیستم‌های مورد نیاز برای پالتی که فقط برای ماموریت‌های آزمایشی. ۸ پرواز آزمایشی لازم بود برای فهمیدن مشکلات و رفع آن‌ها. ماموریت‌های آزمایشگاه
فهمیدن مشکلات و رفع آن‌ها. ماموریت‌های آزمایشگاه فضایی. ماموریت‌های لغو شده. Spacelab-5, Spacelab-۴ و دیگر بر نامه هی مأموریتی ایستگاه فضایی لغو شد در طی توسعه‌های اخی شاتل‌ها و حادثه چلنجر. میراث. آزمایشگاه فضایی در حال حاضر به حیات خود در قالب‌های ATV و cygns سفینه‌های فضایی ادامه می‌دهد، و همچون برای انتقال دهنده داده‌های ایستگاه بین‌المللی فضایی و مبدل‌های همچون Columbus, Harmony, Tranquility در ایست گاه بین‌المللی فضایی نیز از اجزای آن استفاده می‌شد.
شیمی آلی کروم شاخه‌ای از علم شیمی آلی فلزی است که به بررسی ترکیبات شامل پیوند کربن و کروم می‌پردازد.نخستین ترکیب آلی کروم توسط فرانز هین و در سال ۱۹۱۹ کشف شد.
معایب الرجال کتاب یا رساله‌ای است که در سال ۱۳۱۲ قمری توسط بی‌بی‌خانم استرآبادی در دوران ناصرالدین شاه قاجار نوشته شده است. بی‌بی‌خانم این رساله را در پاسخ به کتاب زن‌ستیرانهٔ "تأدیب النسوان" نوشت که پیش‌تر به قلم شخصی ناشناس منتشر شده بود. "معایب الرجال"، نخستین دفاعیهٔ مکتوب از زنان ایرانی است. تألیف کتاب در زمانه‌ای روی داد که جامعه در کشاکش سنت و مدرنیته بود و بی‌بی‌خانم در این کتاب می‌کوشد با استدلال بر اساس مبانی اسلامی، ادب فارسی و با اشاره به مزایای فرهنگ غرب، از زنان و حقوقشان دفاع کند. کتاب در سه