payamvha/North_RAG huggingface dataset:
تتراکسیدِ زنون با فرمول شیمیایی XeO۴ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۱۹۵٫۲۹ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، بلورهای جامد بی‌رنگ است. در زیر 36- درجه سانتیگراد پایدار است، اما بالاتر از این دما به طور انفجاری تجزیه می شوند. تتروکسید زنون در آب حل می شود و اسید پرکسنیک و در قلیاها برای تشکیل نمک های پرکسنات حل می شود : منابع. ترکیبات زنون
اکسید ایتریم (III) با فرمول شیمیایی Y۲O۳ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۲۲۵٫۸۱ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، جامد زرد در دمای زیر −۳۶°C است.
ایتریم(III) سولفید با فرمول شیمیایی Y۲S۳ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۲۷۴٫۰۱ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، جامد سفید است.
اکسید ایتربیم (III) با فرمول شیمیایی Yb۲O۳ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۳۹۴٫۰۸ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، دستگاه بلوری مکعبی است.
ایتربیم باریم مس اکسید با فرمول شیمیایی YBa۲Cu۳O۷ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۶۶۶٫۱۹ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، جامد سیاه است.
برمید ایتربیم(III) با فرمول شیمیایی YbBr۳ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۸۳۷۰۸ است. که جرم مولی آن ۴۱۲٫۷۷ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، جامد سیاه است.
کلرید ایتربیم(III) با فرمول شیمیایی YbCl۳ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۲۷۹٫۴ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، بلورهای سفید است.
کلرید ایتریم(III) با فرمول شیمیایی YCl۳ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۱۹۵٫۲۶ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر سفید است.
هیدروکسید روی با فرمول شیمیایی Zn(OH)۲ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۹۹٫۴۲۴ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، دستگاه بلوری مکعبی است.
پیروفسفات روی با فرمول شیمیایی Zn۲P۲O۷ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۶۲۶۴۱ است. که جرم مولی آن ۳۰۴٫۷۲ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر سفید است.
فلورید روی با فرمول شیمیایی ZnF۲ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۲۴۵۵۱ است. که جرم مولی آن ۱۰۳٫۴۰۶ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر بلورین سفید است.
هیدروکسید زیرکونیم(IV) با فرمول شیمیایی Zr(OH)۴ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۸۴۴۶۵ است. که جرم مولی آن ۱۵۹٫۲۵۳ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، بلورهای دستگاه بلوری راست‌لوزی سفید و نقره‌ای است.
سولفات زیرکونیم(IV) با فرمول شیمیایی Zr(SO۴)۲ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۱۶۲۱۳۷۸۵ است. که جرم مولی آن ۲۸۵٫۳۵ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، سفید است.
دی‌برید زیرکونیوم با فرمول شیمیایی ZrB۲ یک ترکیب شیمیایی است که جرم مولی آن ۱۱۲٫۸۵ گرم بر مول می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، جامد سفید است. دی‌برید زیرکونیوم (ZrB2) یک ماده سرامیکی دیرگداز با کوالانت بالا با یک ساختار کریستالی هگزاگونال است. ZrB2 یک سرامیک فوق دمای بالا (UHTC) با نقطه ذوب 3246 درجه سانتی­‌گراد است. این در کنار چگالی نسبتا پایین‌اش تقریبا معادل ۶/۰۹ گرم بر سانتی متر مکعب و استحکام دمای بالای خوبش این ماده را به کاندیدایی برای کاربرد­های فضایی دمای بالا مثل سیستم های پروازی فراصوت و سیستم های
دمای بالا مثل سیستم های پروازی فراصوت و سیستم های انفجار موشک بدل کرده است. این ماده یک سرامیک معمول است و دارای رسانایی حرارتی و الکتریکی نسبتا بالا می‌­باشد، خواصی که با دی‌برید تیتانیوم ایزوساختار و دی‌برید هافمیوم به اشتراک می­‌گذارد. قطعات ZrB2 معمولا پرس داغ (فشار بر پودر حرارات داده شده اعمال می­شود) می­‌شوند و سپس با ماشینکاری شکل داده می­‌شوند. فرآیند زینترینگ ZrB2 به خاطر طبیعت مواد کووالانت و حضور اکسید­های سطحی که در حین زینترینگ و پیش از فشرده شدن، درشت شدگی دانه را افزایش می­‌دهند، کمی مشکل
شدن، درشت شدگی دانه را افزایش می­‌دهند، کمی مشکل می­‌شود. زینترینگ بدون فشار ZrB2 با افزودنی­‌های زینتر همچون کاربید بور و کربن که برای افزایش نیروی محرکه زینترینگ با اکسیدهای سطحی واکنش می‌دهند، امکان پذیر است اما خواص مکانیکی در مقایسه با فرآیند پرس داغ (hot press) تنزل می‌کند. افزودن تقریبا ۳۰ % حجمی SiC به ZrB2 اغلب برای بهبود مقاومت اکسیداسیون به خاطر اینکه SiC یک لایه اکسیدی محافظت کننده (مشابه با لایه آلومینای محافظت کننده بر روی آلومینیوم) تشکیل می­‌دهد، انجام می­‌گیرد. ZrB2 در کامپوزیت‌های با
می­‌دهد، انجام می­‌گیرد. ZrB2 در کامپوزیت‌های با ماتریکس سرامیک فوق دمای بالا (UHTCMCs) استفاده می­‌شود. کامپوزیت های دی­‌برید زیرکونیوم تقویت شده بالا الیاف کربن چقرمگی بالایی از خود نشان می­‌دهند درحالی که کامپوزیت های دی­ برید زیرکونیوم تقویت شده با کاربید سیلیکون ترد هستند و شکست ناگهانی از خود نشان می‌­دهند. آماده سازی. دی برید زیرکونیوم می‌تواند با واکنش استوکیومتری بین عناصر تشکیل دهنده اش سنتز شود که در اینجا Zr و B هستند. این واکنش برای کنترل استوکیومتری دقیق مواد انجام می‌شود. در دمای ۲۰۰۰ درجه
دقیق مواد انجام می‌شود. در دمای ۲۰۰۰ درجه کلوین تشکیل دی برید زیرکونیوم با واکنش استوکیومتری از نظر ترمودینامیکی انجام پذیر است. (G= -279.6) و از اینرو منشاء واکنش می تواند برای تولید ZrB2 توسط سنتز دمای بالای همراه با خود کثیری(Self propagation) باشد. (SHS) این روش مزایایی به خاطر گرماده بودن واکنش دارد که حاصل از احتراق سریع و دمای بالا است. مزایای SHS شامل خلوص بالاتر محصولات سرامیکی، افزایش قابلیت زینتر پذیری و زمان فرایند کمتر می‌شود. با این وجود، نرخ های گرمایش فوق سریع می‌تواند باعث واکنش ناقص بین
های گرمایش فوق سریع می‌تواند باعث واکنش ناقص بین زیرکونیوم و بور، تشکیل اکسید پایدار زیرکونیم و بقای تخلخل‌ها شود. واکنش های استوکیومتریک همچنین با آسیاب کردن (خرد کردن آسیاب مواد با سایش) پودر Zr و B ‌سپس پرس داغ در ۶۰۰ درجه سانتی‌­گراد برای مدت زمان ۶ ساعت انجام شدند و ذرات نانو مقیاس در کریستالیت‌های پیش ­ماده‌های زیرکونیوم و بور با‌ اندازه ۱۰ نانومتر‌ مشاهده شدند. فرآیند احیای ZrO2 و HfO2 به دی بورید های آن‌ها می‌تواند با احیاء متالوترمال ‌دست یافته شود. پیش ماده های ارزان طبق رابطه زیر استفاده و واکنش
پیش ماده های ارزان طبق رابطه زیر استفاده و واکنش داده می‌شوند. ZrO2 + B2O3 + 5Mg → ZrB2 + 5MgO این روش نیاز به افزودن تدریجی بور دارد به این خاطر که بور در حین فرآیند احیاء کاربید بور اکسایش می­‌شود. همچنین ZrC به عنوان محصول واکنش مشاهده شد اما اگر واکنش با 20_ 25 درصد B4C اضافی انجام گردد، فاز ZrC محو می شود و فقط ZrB2 باقی می‌ماند. دماهای پایین‌تر سنتز ( ۱۶۰۰ °C) سرامیک‌های فوق دمای بالایی (UHTC) تولید می‌کند که اندازه دانه های کوچک‌تر تولید می‌کند و زینتر پذیری بهتری دارد. کاربید بور باید پیش از فرایند
پذیری بهتری دارد. کاربید بور باید پیش از فرایند احیا سایش شود. این کار به خاطر افزایش فرآیند نفوذ و احیاء اکسید است. همچنین در صورتی که پوشش UHTC مد نظر (لازم) باشد، احیای کاربید بور می‌تواند توسط اسپری پلاسمای فعال انجام شود. ذرات پیش ماده یا پودر با پلاسما در دمای ( °C 6000_15000) واکنش می‌دهند که زمان واکنش را کاهش می‌دهد. فاز های ZrB2 b ZrO2 با استفاده از ولتاژ پلاسمای ۵۰ ولت و جریان ۵۰۰ آمپر تشکیل داده شدند. این مواد پوشش، توزیع یکنواخت ذرات ریز و میکروساختارهای متخلخل را از خود نشان می‌دهند که نرخ
متخلخل را از خود نشان می‌دهند که نرخ سیلان هیدروژن را افزایش می‌دهند. یک روش دیگر برای سنتز UHTC ها احیای گرمایی بور از ZrO2، TiO2 یا HfO2 با B است. در دماهای بالاتر از ۱۶۰۰ درجه سانتیگراد دی‌بورید‌های خالص می‌توانند از این روش به دست آیند. ‌با توجه به فقدان یا نبود برخی بور‌ها در جاهایی مثل اکسید بور، به اضافی در طول احیای گرمایی بور مورد نیاز است. سایش (milling) مکانیکی می‌تواند دمای واکنش مورد نیاز در طول احیای حرارتی بور ( borothermic) را کاهش دهد. این به خاطر افزایش مخلوط نظرات و عیوب شبکه لتیس است که
خاطر افزایش مخلوط نظرات و عیوب شبکه لتیس است که از کاهش اندازه های ذرات ZrO2 و B بعد از فرآیند آسیاب (سایش مکانیکی) ناشی می‌شود‌. همچنین این روش در کاربردهای صنعتی خیلی مفید نیست که به خاطر نبود بور با کیفیب به عنوان اکسید بور در حین واکنش است. نانو کریستال‌های ZrB2 به صورت موفقیت آمیزی توسط واکنش Zoli سنتز شدند. فرآیند احیاء ZrO2 با NaBH4 با نسبت مولی M به B ، یک به چهار در دمای ۷۰۰ درجه سانتی­گراد برای مدت زمان ۳۰ دقیقه تحت جریان آرگون انجام شد. ZrO2 + 3NaBH4→ ZrB2 + 2Na(g,l)+ NaBO2 +6H2 تهیه ZrO2 می
3NaBH4→ ZrB2 + 2Na(g,l)+ NaBO2 +6H2 تهیه ZrO2 می تواند با روش سنتز بر پایه محلول انجام شود. اگرچه که مطالعات بنیادی کمی انجام شده است روش های مبتنی بر محلول قادرند در دمای سنتز پایین پودرهای UHTC بسیار ریز ایجاد کنند. یان و همکارانش، پودرهای ZrB2 را با استفاده از پیش ماده‌های آلی و غیرآلی ZrOC12.8H2O‌، بوریک اسید و رزین فنولیک در دمای ۱۵۰۰ درجه سانتی‌گراد سنتز کردند. پودرهای سنتز شده اندازه کریستالیت ۲۰۰ nm و مقدار اکسیژن کم (تقریبا ۱ ٪ وزنی ) را از خود نشان دادند. تهیه دی‌بورید زیرکونیوم از پیش ماده های
دادند. تهیه دی‌بورید زیرکونیوم از پیش ماده های پلیمری هم جدیداً مورد بررسی قرار گرفته است. ZrO2 و HfO2 پیش از واکنش می‌توانند در پیش ماده های کاربید بور ناپدید شوند. حرارت دادن مخلوط واکنش تا ۱۵۰۰ درجه‌سانتی گراد منجر به تولید در جای کاربید بور و کربن می‌شود و احیای ZrO2 به ZrB2 در پی آن انجام می‌گیرد. پلیمر باید پایدار، قابل فرآوری و برای تاثیر گذاری مطلوب در واکنش حاوی بور و کربن باشد. پلیمر‌های دی‌نیتریت ساخته شده از فشرده شدن دی نیتریت با دی کربن این خواسته را انجام می‌دهند. روش رسوب دهی بخار شیمیایی (
را انجام می‌دهند. روش رسوب دهی بخار شیمیایی ( CVD) می‌تواند برای تولید دی‌برید زیرکونیوم مورد استفاده قرار گیرد. گاز هیدروژن برای کاهش بخارهای زیرکونیم تتراکلراید و بور تری‌کلراید در دما های بیشتر از ۱۸۰۰ درجه سانتی‌گراد استفاده می‌شود. اخیراً فیلم های نازک با کیفیت بالای ZrB2 میتوانند توسط رسوب‌دهی بخار فیزیکی (PVD) تولید شوند. عیوب و فازهای ثانویه در دی‌برید زیرکونیوم. دی برید زیرکونیم پایداری مکانیکی دمای بالایش را از انرژی های بالای عیوب اتمی به دست می‌آورد. ‌این بدین معنی است که غلظت عیوبی که به مقدار
‌این بدین معنی است که غلظت عیوبی که به مقدار کم باقی می‌مانند حتی در دمای بالا مانع از شکست ماده می‌شود. همچنین پیوند لایه‌های بین هر لایه بسیار قوی است اما به این معنی است که سرامیک بسیار آن ایزوتروپ بوده و دارای انبساط های حرارتی مختلف در جهت &lt;1 0 0&gt; Z است. درکنار این که این ماده خواص دمای بالای عالی دارد این هم است که سرامیک باید فوق‌العاده با دقت تولید شود به طوری که هیچ گونه زیرکونیوم یا بور اضافی در شبکه نباشد. وگرنه‌ یک فاز با نقطه ذوب پایین تشکیل می شود که ممکن است تحت شرایط حاد شکست را شروع
می شود که ممکن است تحت شرایط حاد شکست را شروع کند. نفوذ و استحاله در دی‌برید زیرکونیوم. دی‌برید زیرکونیوم به عنوان یک ماده قابل استفاده در قسمت کنترل راکتور هسته‌ای نیز مورد تحقیق قرار گرفته است. 10B + nth → [11B] → α + 7Li + 2.31 MeV به خاطر حضور بور و هافنیوم ساختار لایه یک صفحه را برای انجام نفوذ هلیوم فراهم می‌کند. که به عنوان یک محصول استحاله با بور _ ۱۰ تشکیل می‌شود. که همان ذره آلفا در واکنش بالا است و به سرعت میان شبکه و بین لایه‌های زیرکونیوم و بور مهاجرت ‌‌می‌کند. البته نه در جهت Z . دیگر محصول
مهاجرت ‌‌می‌کند. البته نه در جهت Z . دیگر محصول یعنی لیتیوم تقریباً در جاهای خالی بور که به وسیله استحاله بور _۱۰ تولید شده است و از شبکه نیست به دام می‌افتد.
کلرید زیرکونیم(III) با فرمول شیمیایی ZrCl۳ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۱۹۷٫۵۸۳ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر سیاه و خاکستری است.
کلرید زیرکونیم (IV) با فرمول شیمیایی ZrCl۴ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۲۳۳٫۰۴ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، بلورهای آبی تیره است.
فلوئورید زیرکونیم(IV) با فرمول شیمیایی ZrF۴ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۱۶۷٫۲۱ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، بلورهای سفید است.
هیدرید زیرکونیم(II) با فرمول شیمیایی ZrH۲ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۹۳٫۲۴ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر بلورین سفید است.
سولفید زیرکونیم(IV) با فرمول شیمیایی ZrS۲ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۱۵۵٫۳۵۶ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، بلورهای قهوه‌ای و زرد است.
سدیم پلی‌اکریلات که با نام سوپر جاذب نیز شناخته میشود، با فرمول شیمیایی (C۳H۳NaO۲)n یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۴۰۶۸۵۳۳ است. شکل ظاهری این ترکیب، پودر خاکستری روشن بلورین سفید است. کاربرد. سدیم پلی‌اکریلات به عنوان جاذب در پوشک بچه، برف تزئینی مصنوعی و در مواد شوینده پودر ماشین لباسشویی و صنعت کشاورزی به کار می‌رود. این ماده یک پلیمر شیمیایی است که توانایی جذب چند صد برابر جرم آن در آب استفاده می‌شود از یک مولکول اکسیژن، یک مولکول اکسید سدیم، یک پایگاه کربن و سه مولکول هیدروژن ساخته شده‌است.
نقره سولفید با فرمول شیمیایی Ag۲S یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۲۴۷٫۸ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر بلورین سیاه است.
بریلیم نیترات با فرمول شیمیایی Be(NO۳)۲ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۲۶۱۲۶ است. که جرم مولی آن ۱۳۳٫۰۲۱۹۸۲ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، بلور مکعبی سیاه است.
ایسیلین با فرمول شیمیایی C۱۶H۱۳N۳O۴ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۱۶۱۹۳۰ است. که جرم مولی آن ۳۱۱٫۲۹ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، پودر بلورین سفید و هنگام اشتعال، گاز بی‌رنگ است.
کانابیوارین با فرمول شیمیایی C۱۹H۲۲O۲ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۶۲۲۵۴۵ است. که جرم مولی آن ۲۸۲٫۳۸ g/mol می‌باشد.
دی‌سدیم تتراکربونیل‌فرات با فرمول شیمیایی C۴FeNa۲O۴ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۲۱۳٫۸۷ g/mol می‌باشد.
باسیلوزامین با فرمول شیمیایی C۶H۱۴N۲O۳ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۱۹۲۸۳۵ است. که جرم مولی آن ۱۶۲٫۱۹ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، جامد بی رنگ است.
"N"-استیل‌گلوکزامین با فرمول شیمیایی C۸H۱۵NO۶ یک هگزوزآمین با شناسه پاب‌کم ۲۴۱۳۹ است؛ که جرم مولی آن ۲۲۱٫۲۱ g/mol می‌باشد. گلیکوزآمینوگلیکان‌ها مانند اسید هیالورونیک پلی ساکاریدهای بدون شاخه طولانی می‌باشند که متشکل از واحدهای دی ساکاریدی هستند. این واحدهای دی ساکاریدی (به جز کراتین سولفات) عبارتند از یک هگزوزآمین (مانند ان استیل گلوکزآمین یا گالاکتوزآمین) و یک قند اورونیک مانند گلوکورونیک اسید یا گالاکتوز.
ان-استیل‌گالاکتوزامین با فرمول شیمیایی C۸H۱۵NO۶ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۸۴۲۶۵ است. که جرم مولی آن ۲۲۱٫۲۱ g/mol می‌باشد.
کولین یا کُلین با فرمول شیمیایی «کربن۵هیدروژن۱۴نیترواکسیژن۱» یک ترکیب شیمیایی است که با شناسه پاب‌کم ۶۲۰۹ و جرم مولی ۱۰۴٫۱۷۰۸ گرم بر مول می‌باشد. کولین نمک‌های مختلفی مانند کولین کلرید و کولین بی تارتارات را تشکیل می‌دهد. این ماده مغذی برای انسان و بسیاری از حیوانات ضروری است و بخشی مهم و ساختاری در فسفولیپیدها و غشای سلولی است. کولین برای سنتز استیل کولین، یک انتقال دهنده عصبی درگیر در کنترل ماهیچه‌ها و عملکردهای متعدد سیستم عصبی استفاده می‌شود. کولین در رشد اولیه مغز، بیان ژن، سیگنال دهی غشای سلولی و
رشد اولیه مغز، بیان ژن، سیگنال دهی غشای سلولی و متابولیسم مغز نقش دارد. اگرچه انسان‌ها کولین را در کبد تولید می‌کنند، اما مقدار تولید شده به‌طور طبیعی برای پاسخگویی به عملکردهای سلولی کافی نیست و نیاز است که مقداری کولین از غذاها یا مکمل‌های غذایی به دست آید. کولین در شیر مادر وجود دارد و معمولاً به عنوان یک عنصر به غذاهای کودک اضافه می‌شود. میزان کولین در مواد غذایی. تخم‌مرغ، گوشت و ماهی، و برخی غلات سبوس‌دار، منبع خوبی از کولین هستند. مثال‌های دیگر از منابع غذایی خوب عبارت‌اند از: اهمیت کولین در بارداری.
غذایی خوب عبارت‌اند از: اهمیت کولین در بارداری. کولین یک مادهٔ مغذی مهم در دوران بارداری است که به رشد صحیح مغز و نخاع جنین کمک می‌کند. برخی مطالعات نشان می‌دهد که این ماده ممکن است از بروز نقص لولهٔ عصبی در نوزاد جلوگیری کند. یک خانم باردار بهتر است که روزانه ۴۵۰ میلی‌گرم کولین دریافت کند و با پیشرفت بارداری این مقدار را افزایش دهد.
مونوکلسیم آلومینات با فرمول شیمیایی CaAl۲O۴ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۱۵۹۴۱۵ است. که جرم مولی آن ۱۵۸٫۰۳۸۶۷۶ g/mol می‌باشد.
پنتادکان با فرمول شیمیایی CH۳(CH۲)۱۳CH۳ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۱۲۳۹۱ است.
دی‌کوپر کلرید تری‌هیدروکسید با فرمول شیمیایی Cu۲(OH)۳Cl یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۲۱۳٫۵۶ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، مایع شفاف بی‌رنگ است.
کرومیت مس با فرمول شیمیایی Cu۲Cr۲O۵ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۳۰۸۴۱۰۱ است. که جرم مولی آن ۳۱۱٫۰۸۱۲ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، بلورهای سبز جامد است.
اکسید ایندیم(III) با فرمول شیمیایی In۲O۳ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۱۵۰۹۰۵ است. که جرم مولی آن ۲۷۷٫۶۴ g/mol می‌باشد. اکسید نیمه رسانای شفاف (TSO) اکسید ایندیم (In2O3) برای چندین دهه مورد بررسی قرار گرفته‌است. با این حال، پس از تحقیقات اولیه کوتاه در مورد خواص نیمه هادی آن، بیشترین تلاش برای کاربرد گسترده آن به عنوان اکسید رسانای شفاف (TCO) ایندیم-قلع-اکسید و تا حدی به عنوان ماده حسگر گاز فعال معطوف شده‌است. تنها در دهه گذشته، In2O3 و TSOهای مرتبط دوباره به عنوان نیمه‌رساناهای باند پهن واقعی کشف
دوباره به عنوان نیمه‌رساناهای باند پهن واقعی کشف شده‌اند و از دیدگاه فیزیک نیمه‌رساناها به‌شدت مورد بررسی قرار گرفته‌اند. اکثر تحقیقات در مورد In2O3 بیش از ۶۰ سال پیش آغاز شد، زمانی که روپرشت یک لایه ایندیوم رسوب‌شده در تبخیر را در دمای بالا در هوا اکسید کرد و دریافت که In2O3 چند کریستالی حاصل شفاف و رسانا است. رسانایی آن به محتوای اکسیژن محیط در دمای بالا بستگی دارد و در خلاء با روشنایی تغییر می‌کند. این یافته‌های تجربی اساس استفاده امروزی از In2O3 به عنوان ماده فعال در حسگرهای گاز، با رسانایی یا ضریب
ماده فعال در حسگرهای گاز، با رسانایی یا ضریب Seebeck است که به شدت به اتمسفر گاز در تماس با In2O3 بستگی دارد. نمونه اولیه حسگر ازن که با روشنایی فعال می‌شود. به عنوان ماده حسگر، فیلم‌های پلی کریستالی، متشکل از دانه‌های In2O3 تک کریستالی به اندازه نانومتر، در حال حاضر استفاده می‌شوند و نانوسیم‌های تک کریستالی پیشنهاد و بررسی می‌شوند. هر دو این هندسه نسبت سطح به حجم بالایی را ارائه می‌کنند که تأثیر شیمی سطح را بر خمش باند سطح (مناطق تخلیه یا لایه‌های تجمع) به عنوان مکانیزم زیربنایی برای تأثیرگذاری بر غلظت
به عنوان مکانیزم زیربنایی برای تأثیرگذاری بر غلظت حامل، ضریب Seebeck و رسانایی منطقی می‌کند. حدود ۵۰ سال پیش گروت نشان داد که چگونه دوپینگ In2O3 توسط چند درصد اتمی Sn یا Ti به شدت علم و فناوری نیمه هادی‌ها را افزایش می‌دهد. علمی تکنولوژی منجر به رسانایی غیرعادی بالا و بازتاب مادون قرمز در حالی که شفافیت در قسمت مرئی را حفظ می‌کند. بر اساس این مشاهدات، In2O3 دوپ شده با TCO Sn - که بیشتر به عنوان اکسید ایندیوم-قلع (ITO) شناخته می‌شود - کاربردهای اصلی خود را در پنجره‌های بازتابنده مادون قرمز و الکتروکرومیک،
در پنجره‌های بازتابنده مادون قرمز و الکتروکرومیک، لایه‌های شفاف پخش کننده جریان در دیودهای ساطع نور سطحی یافت. ۱۰، کنتاکت‌های شفاف برای نمایشگرهای صفحه تخت و سلول‌های خورشیدی، و - اخیراً - لایه‌های روکش برای لیزرهای مبتنی بر InGaN، به‌طور شماتیک نشان داده شده‌است. افزایش اخیر در تولید دستگاه‌هایی با الکترودهای بزرگ ITO و در نتیجه تقاضای بالاتر برای ایندیم منجر به افزایش شدید قیمت ایندیم شد که باعث جستجو برای TCOهای جایگزین بر اساس فلزات فراوان شد. در مقابل، قیمت ایندیم در حال حاضر یک عامل محدود کننده برای
قیمت ایندیم در حال حاضر یک عامل محدود کننده برای تولید یا توسعه دستگاه‌های نیمه هادی مبتنی بر درون به دلیل مساحت کوچکتر و ارزش کل بالاتر آنها نیست. In2O3 دارای ویژگی‌های بسیاری با TSOs, ZnO, SnO2، CdO, Ga2O3 است، که همچنین در حسگرهای گاز استفاده می‌شود یا به TCOها برای کاربردهای تماسی با دوپینگ بالای اهداکننده تبدیل می‌شود. این کاربردهای مرسوم معمولاً با کیفیت مواد پایین (که امکان سنتز ارزان قیمت را فراهم می‌کند) در مقایسه با استانداردهای نیمه هادی از نظر تبلور و خلوص یا کنترل دوپینگ کافی است. فقط در دهه
تبلور و خلوص یا کنترل دوپینگ کافی است. فقط در دهه گذشته، In2O3 و سایر اکسیدهای نیمه رسانا به عنوان نیمه هادی‌های باند پهن واقعی به تنهایی کشف شده‌اند که به بالاترین کیفیت و خلوص مواد ممکن (تک کریستالی) نیاز دارند که استاندارد برای نیمه هادی‌های مستقر مانند Si بوده‌است. (In, Ga, Al) یا (In, Ga, Al)N. این رویکرد نیمه هادی که برای کاربردهای معمولی بسیار ضروری نیست، این فرصت را دارد که چشم‌اندازهایی را برای In2O3 به عنوان ماده دستگاه فعال در برنامه‌های کاربردی جدید، مانند الکترونیک شفاف، و همچنین برای بهبود
جدید، مانند الکترونیک شفاف، و همچنین برای بهبود کاربردهای موجود مانند سنسورهای گاز یا تماس‌های شفاف باز کند. بهبود برای حسگرها می‌تواند از اصلاح مستقل رسانایی توده و سطح به عنوان پارامتر طراحی اضافی به نسبت سطح هندسی به حجم ناشی شود. آخرین اما مهم‌ترین مطالعه In2O3 با کیفیت بالا با روش‌های نیمه‌رسانا به درک فیزیک اساسی In2O3 کمک می‌کند، که پیش‌نیاز توسعه نیمه‌رسانا مبتنی بر علم برنامه‌های کاربردی جدید In2O3، و برای کاوش محدودیت‌های فیزیکی کاربردهای معمولی است. کاربردهای جدید In2O3 در دستگاه‌ها و حسگرهای
است. کاربردهای جدید In2O3 در دستگاه‌ها و حسگرهای پیشرفته (شفاف) همچنین می‌توانند از مهندسی شکاف نواری (به عنوان مثال) و تشکیل ساختار ناهمسان در سیستم آلیاژی In2O3 (Eg = 2.7 eV)–Ga2O3 (Eg ≈ 5eV)–Al2O3 (Eg = 8.8 eV) بهره ببرند. توسعه‌های فعلی برای این منظور پیشنهاد استفاده از Ga2O3 برای ترانزیستورهای قدرت و (In,Ga)2O3 برای آشکارسازهای UV است. ترکیب In2O3 با اکسیدهای نیمه هادی نوع p مسیر را برای دستگاه‌های دوقطبی باز می‌کند. خوب تعریف شده رسانایی و دوپینگ، دوپینگ مدولاسیون برای به حداکثر رساندن تحرک کانال، و
مدولاسیون برای به حداکثر رساندن تحرک کانال، و ویژگی‌های تماس به خوبی تعریف شده (کنتاکت‌های اهمی یا شاتکی) اجزای اساسی برای چنین کاربردهای نیمه هادی پیشرفته ای هستند. به عنوان مثال، یک ترانزیستور اثر میدان شفاف مبتنی بر In2O3 با کارایی بالا - به کانالی با تحرک بالا و غلظت دهنده متوسط نیاز دارد، یک تماس شاتکی به عنوان دروازه کنترل، مناطق منبع و تخلیه کم مقاومت با تماس‌های اهمی، و لایه‌های بافر یا بستر عایق زیرین. با پرداختن به این الزامات، بررسی حاضر آخرین هنر In2O3 را از دیدگاه فیزیک نیمه هادی با تمرکز بر
In2O3 را از دیدگاه فیزیک نیمه هادی با تمرکز بر خواص حمل و نقل حامل بار و فیزیک مرتبط مرتبط با دستگاه‌های الکترونیکی خلاصه می‌کند. پس از مقدمه ای کوتاه در مورد ساختار کریستالی، سنتز تک بلوری و ساختار نواری از جمله شفافیت نوری مربوط به In2O3، من انتقال حامل را از نظر دوپینگ غیرعمدی و عمدی و جبران آن، تجمع سطح و خواص تماس و همچنین تحرک مورد بحث قرار خواهم داد. و مکانیسم پراکندگی در پایان، خواص ترموالکتریک و وضعیت فعلی دوپینگ فرومغناطیسی In2O3 برای کاربردهای بالقوه اسپینترونیک به‌طور خلاصه بررسی خواهد شد. از
اسپینترونیک به‌طور خلاصه بررسی خواهد شد. از ادبیات گسترده در مورد In2O3 و ITO، تنها بخش کوچکی با مواد تک کریستالی و با کیفیت بالا سروکار دارد. در صورت امکان، این بررسی بر این بخش از ادبیات موجود تکیه دارد. منابع. 2.Rupprecht G 1954 Z. Phys 3.Barsan N and Weimar U 2001 J. Electroceram 4. Liess M and Steffes H 2000 J. Electrochem. Soc
تری‌سلنید آنتیموان با فرمول شیمیایی Sb۲Se۳ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۶۳۹۱۶۶۲ است. که جرم مولی آن ۴۸۰٫۴ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، بلورهای بدون بو سبز و زرد است.
تیونیل فلوئورید با فرمول شیمیایی SOF۲ یک ترکیب شیمیایی با شناسه پاب‌کم ۲۴۵۴۸ است. شکل ظاهری این ترکیب، بلورهای سیاه است.
دی‌برید تیتانیم با فرمول شیمیایی TiB۲ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۶۹٫۴۸۹ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، گاز بی‌رنگ است.
روی کلرید هیدروکسید مونوهیدرات با فرمول شیمیایی Zn۵(OH)۸Cl۲·H۲O یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۵۵۱٫۸۸ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، فلز خاکستری غیربراق است.
تری‌یدید فسفر با فرمول شیمیایی PI۳ یک ترکیب شیمیایی است. که جرم مولی آن ۴۱۱٫۶۸۷۱۷ g/mol می‌باشد. شکل ظاهری این ترکیب، جامد بلوری سفید است.
دیدگاه زیگموند فروید دربارهٔ همجنس‌گرایی، بر مبنای غیر اختیاری بودن این گرایش استوار است. بر اساس دیدگاه وی، انسان‌ها همگی در ابتدا دارای «امیال نامتمرکز جنسی» هستند و بر این اساس، همجنس‌گرایی را شکلی خاص و مسیری غیراختیاری از تنوع جنسی می‌دانست. فروید برعکس جریان غالب روزگارش، همجنسگرایی را بیماری و فساد اخلاقی در نظر نگرفت. هنگامی که در سال ۱۹۳۵ زنی از او درمان همجنسگرایی پسرش را خواست، او در پاسخِ معروفی درخواست زن را رد کرد و گفت: «افراد بسیارْ محترمی در دوران باستان و معاصر، همجنسگرا بوده‌اند که
در دوران باستان و معاصر، همجنسگرا بوده‌اند که انسان‌های بزرگی هم در زمرهٔ ایشان است» و اینکه «بی‌عدالتی بزرگی است که همجنسگرایی را به عنوان یک جرم سرزنش کنیم.» وی انواع عمیق و ریشه‌ای از همجنس‌گرایی را غیرقابل تغییر می‌دانست؛ زیرا این عامل را عاملی ناشی از اختلال طبیعی انسانی می‌داند که ریشهٔ روانی ندارد. به همین خاطر، فروید کشف علت همجنسگرایی را بر عهدهٔ شاخه زیست‌شناسی می‌گذارد نه شاخه روان‌شناسی. نگاه اجمالی. مهم‌ترین نظرات فروید پیرامون همجنسگرایی بین سال‌های ۱۹۰۵ تا ۱۹۲۳، یعنی از سالی که سه رساله در
سال‌های ۱۹۰۵ تا ۱۹۲۳، یعنی از سالی که سه رساله در باب جنسیت نوشت تا سالی که کتاب «مکانیسم‌های عصبی قطعی در حسادت، پارانویا و همجنسگرایی» را منتشر کرد. فروید معتقد بود انسان‌ها دوجنسگرا هستند و منظورش این بود که هر انسان در ابتدا دارای ابعاد هر دو جنس (نر و ماده) است و بنابراین به هر دو جنس کشش دارد که درنهایت همجنس‌گرایی یا دگرجنس‌گراییِ او از این حالت اولیهٔ دوجنس‌گرایانه مشتق می‌شد. او این را از لحاظ کالبدشناختی و روان‌کافتی صادق می‌دانست. فروید، ناراحتی از رابطهٔ دگرجنس‌گرایانه را یکی از علل بروز رفتار
از رابطهٔ دگرجنس‌گرایانه را یکی از علل بروز رفتار هم‌جنس‌گرایانه می‌دانست:«آن مواردی که درشان کشش جنسی فرد به شیءِ (Object) معکوسِ شیءِ عادی تبدیل می‌شوند، حایز اهمیت اند.» با توجه به تشویش در آرایِ فروید در برخی آثارش به نظر می‌رسد که ادعای قطعی‌ای پیرامونِ آسیب‌شناسانه‌‌بودن یا نبودنِ همجنس‌گرایی ندارد. فروید با پژوهش بر نمونهٔ کوچکی از بیماران، آشکارا مانند معاصرانش از لفظ «وارونگی» برای توصیف همجنسگرایی بهره می‌بُرد و آن را متمایز از چیزی که «انحرافات لزوماً آسیب‌شناسانه» می‌نامیدش می‌دانست. فروید
لزوماً آسیب‌شناسانه» می‌نامیدش می‌دانست. فروید بیشتر داده‌های خود پیرامونِ همجنس‌گرایی را از روانپزشکان و جنسیت‌شناسانی (سکسولوژیست‌هایی) مانند ریشارد فون کرافت-ابینگ و ماگنوس هیرشفلد به دست آورد و همچنین تأثیرپذیرفته از یوگن استیناخ، متخصص غدد بود که بیضه‌های مردان دگرجنس‌گرا را به مردان همجنسگرا در تلاش برای تغییر گرایش جنسی‌شان پیوند زد. فروید آزمایش‌های استیناخ را از لحاظ ابتکار عمل سُتود اما هشدار داد که این اقدامات صرفا برای کسانی که هم‌جنس‌گرایی‌شان فقط به دلایل فیزیکی است کارساز است و خاطرنشان کرد
فقط به دلایل فیزیکی است کارساز است و خاطرنشان کرد که اقدام مشابهی برای لزبین‌ها هم نمی‌تواند وجود داشته باشد. در واقع آزمایش‌های استیناخ محکوم به شکست بودند چراکه سامانهٔ ایمنی بدن هم‌جنس‌گرایان، بیضه‌های دریافتی را پَس می‌زدند. دیدگاهش نسبت به «درمان» همجنسگرایی. فروید معتقد بود که همجنس‌گرایان به ندرت می‌توانند متقاعد شوند که رابطهٔ جنسی با جنس مخالف همان لذتی را برایشان به ارمغان می‌آورد که از رابطه جنسی با همجنس کسب می‌کنند و بیماران اغلب به دلیل عدم تایید اجتماعی درمان را دنبال می‌کردند. فروید در