payamvha/North_RAG huggingface dataset:
فیلم مجازات شدن زن کلاهبرداری را نشان می‌دهد که خاطراتش را برای کشیشی بازگو می‌کند و داستانش را که زنی کلاهبردار (با بازی آنجلینا جولی) به نام بونی کسل بوده و خود را به جای جولیا راسل جا زده را نشان می‌دهد و او با کمک همکار خود مردهای ثروت‌مند را گول‌می‌زند و ثروت‌شان را مورد هدف قرار می‌دهد. در این جریانات با مردی تاجر به نام لوئیس وارگاس (با بازی آنتونیو باندراس) آشنا می‌شود با او ازدواج می‌کند و به او وابسته می‌شود، ولی با فشار همکارش مجبور می‌شود که همانند اشخاص دیگر اموال شخص موردنظر را از او گیرد و
اشخاص دیگر اموال شخص موردنظر را از او گیرد و این کار را می‌کند و لوئیس از اعتماد به جولیا روسول پشیمان می‌شود و پس از مدتی پیدایش می‌کند ولی او را می‌بخشد. همکار زن کلاه‌بردار در جریانی مرد تاجر را زخمی می‌کند و خود در درگیری توسط جولیا کشته می‌شود و او را زندانی می‌کنند، اما در آخر به کمک کشیشی که خاطراتش را برایش بازگو می‌کرد فرار می‌کند و به لوئیس می‌پیوندد و با او به مراکش رفته و با هم زندگی می‌کنند.
گرافن نامِ یکی از آلوتروپ‌هایِ کربن است. این ماده با استفاده از یک ساختار بلوری لانه زنبوری دوبعدی تشکیل شده‌است که در آن هر اتم کربن به کمک سه الکترون ظرفیت خود، با سه پیوند SP2 هیبریدیزه شده به سه اتم کربن دیگر متصل شده‌است. یک الکترون ظرفیت باقی‌مانده نیز بر روی کل صفحهٔ گرافن و بین تمام اتم‌ها به اشتراک گذاشته‌شده و الکترونِ آزاد است. در صورت وجود ناخالصی بر روی صفحات گرافن مانند اکسیژن این الکترون به صورت پیوند π در پیوند میان کربن با اکسیژن شرکت می‌کند. در گرافیت (فراوان‌ترین آلوتروپ کربن)، هر کدام از
در گرافیت (فراوان‌ترین آلوتروپ کربن)، هر کدام از اتم‌هایِ چهارظرفیتیِ کربن، با سه پیوندِ کووالانسی به سه اتمِ کربنِ دیگر متصل شده‌اند و یک شبکهٔ گسترده را تشکیل داده‌اند. این لایه خود بر رویِ لایه‌ای کاملاً مشابه قرار گرفته‌است و به این ترتیب، چهارمین الکترونِ ظرفیت نیز یک پیوندِ شیمیایی داده‌است، اما پیوندِ این الکترونِ چهارم، از نوعِ پیوندِ واندروالسی است که پیوندی ضعیف است. به همین دلیل لایه‌هایِ گرافیت به راحتی بر رویِ هم سر می‌خورند و می‌توانند در نوکِ مداد به کار بروند. گرافن ماده‌ای است که در آن
مداد به کار بروند. گرافن ماده‌ای است که در آن تنها یکی از این لایه‌هایِ گرافیت وجود دارد و به عبارتی چهارمین الکترونِ پیوندیِ کربن، به عنوان الکترونِ آزاد باقی‌مانده‌است. هر چند نخستین بار در سال ۱۹۴۷ فیلیپ والاس دربارهٔ گرافن نوشت و سپس از آن زمان تلاش‌هایِ زیادی برایِ ساختِ آن صورت گرفته بود اما قضیه‌ای به نامِ قضیهٔ مرمین-واگنر در مکانیکِ آماری و نظریهٔ میدان‌هایِ کوانتومی وجود داشت که ساختِ یک مادهٔ دوبعدی را غیرممکن و چنین ماده‌ای را غیرپایدار می‌دانست؛ زیرا بر اساس این نظریه نیروی اعوجاجات اتم‌های
زیرا بر اساس این نظریه نیروی اعوجاجات اتم‌های درون یک ساختار دوبعدی در دمای اتاق از نیروی پیوندی میان اتم‌ها بزرگ‌تر شده و ساختار دوبعدی از هم گسسته می‌شود. اما به هر حال در سال ۲۰۰۴، آندره گایم و کنستانتین نووسلف، از دانشگاه منچستر موفق به ساختِ این ماده شده و نشان دادند که قضیهٔ مرمین-واگنر نمی‌تواند کاملاً درست باشد. جایزهٔ نوبلِ فیزیکِ ۲۰۱۰ نیز به خاطرِ ساختِ "ماده‌ای دوبعدی" به این دو دانشمند تعلق گرفت. معرفی. گرافن ساختار دو بعدی از یک لایه منفرد شبکه لانه زنبوری کربنی می‌باشد. گرافن به علت داشتن
لانه زنبوری کربنی می‌باشد. گرافن به علت داشتن خواص فوق‌العاده در رسانندگی الکتریکی و رسانندگی گرمایی، چگالی بالا و تحرک‌پذیری حامل‌های بار، رسانندگی اپتیکی و خواص مکانیکی به ماده‌ای منحصربه‌فرد تبدیل شده‌است. این سامانه جدید حالت جامد به واسطه این خواص فوق‌العاده به عنوان کاندید بسیار مناسب برای جایگزینی سیلیکان در نسل بعدی قطعه‌های فوتونیکی و الکترونیکی در نظر گرفته شده‌است و از این رو توجه کم سابقه‌ای را در تحقیقات بنیادی و کاربردی به خود جلب کرده‌است. طول پیوند کربن ـ کربن در گرافن در حدود ۰٫۱۴۲ نانومتر
پیوند کربن ـ کربن در گرافن در حدود ۰٫۱۴۲ نانومتر است. ساختار زیر بنایی برای ساخت نانو ساختارهای کربنی، تک لایه گرافن است که اگر بر روی هم قرار بگیرند توده سه بعدی گرافیت را تشکیل می‌دهند که برهم‌کنش بین این صفحات از نوع واندروالسی با فاصلهٔ بین صفحه‌ای ۰٫۳۳۵ نانومتر می‌باشد. اگر تک لایه گرافنی حول محوری لوله شود نانولوله کربنی شبه یک بعدی واگر به صورت کروی پیچانده شود فلورین شبه صفر بعدی را شکل می‌دهد. لایه‌های گرافنی از ۵ تا ۱۰ لایه را به نام "گرافن کم لایه" و بین ۲۰ تا ۳۰ لایه را به نام "گرافن چند لایه"،
و بین ۲۰ تا ۳۰ لایه را به نام "گرافن چند لایه"، "گرافن ضخیم" یا "نانو بلورهای نازک گرافیتی"، می‌نامند. از نظر مکانیکی، مقاومت کششی نهایی گرافن برابر ۱۳۰ گیگاپاسکال (در مقایسه با مثلاً ۴۰۰مگاپاسکال فولاد) است. از نظر الکتریکی، گرافن خالص تک لایه از خود خواص شبه‌فلزی نشان می‌دهد. در گرافن طیف حامل‌ها شبیه به طیف فرمیون‌های دیراک بدون جرم می‌باشد و به علاوه کوانتش ترازهای لاندائو، اثر کوانتومی هال صحیح و کسری، در این سامانه باعث شده‌است که توجه بسیاری از فیزیکدان‌ها از حوزه‌های مختلف فیزیک به آن جلب شود.
از حوزه‌های مختلف فیزیک به آن جلب شود. علاوه بر این‌ها خصوصیات سامانه‌های گرافن به‌طور مستقیم به تعداد لایه‌های گرافن موجود در سامانهٔ مورد نظر بستگی دارد. به عنوان مثال، گذردهی نوری برای گرافن تک لایه تقریباً برابر با ۹۷ درصد و مقاومت صفحهٔ آن ۲/۲ می‌باشد و گذردهی نوری برای گرافن‌های دو، سه و چهار لایه به ترتیب ۹۵، ۹۲ و ۸۹ درصد با مقاومت صفحهٔ به ترتیب ۱، ۷۰۰ و ۴۰۰ است که نشان دهندهٔ آن است که با افزایش تعداد صفحات گرافن گذردهی نوری سامانه کم می‌شود. از سوی دیگر چگالی حامل بار در گرافن از مر تبه ۱۰۱۳ بر
دیگر چگالی حامل بار در گرافن از مر تبه ۱۰۱۳ بر سانتی‌متر مربع با تحرک‌پذیری تقریباً و با مقاومتی از مرتبه ۶-۱۰ اهم-سانتی‌متراست که به نحو مطلوبی قابل مقایسه با ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) می‌باشد. خواص منحصربفرد گرافن آن را کاندیدهای بسیار مطلوبی برای طراحی نسل بعدی قطعه‌های الکترونیکی و نوری همچون ترانزیستورهای بالستیک، ساطع‌کننده‌های میدان، عناصر مدارهای مجتمع، الکترودهای رسانای شفاف، و حسگرها قرار داده‌است. همچنین، رسانندگی الکتریکی و گذردهی نوری بالای گرافن، آن را به عنوان کاندیدی مناسب برای
بالای گرافن، آن را به عنوان کاندیدی مناسب برای الکترودهای رسانای شفاف، که مورد استفاده در صفحه‌های لمسی و نمایشگرهای بلوری مایع و سلول‌های فوتوالکتریک و به علاوه دیودهای نور گسیل آلی (OLED) معرفی می‌کند. به‌کارگیری بسیاری از این سامانه‌های اشاره شده منوط به داشتن تک لایه گرافنی پایدار بر روی زیر لایه مناسب با شکاف انرژی قابل کنترل می‌باشند که این موضوع خود با چالش جدی روبروست. روش‌های ساخت گرافن. امروزه روش‌های بسیار متنوعی برای ساخت گرافن بکار برده می‌شود که از متداول‌ترین آن‌ها می‌توان به روش‌های لایه
که از متداول‌ترین آن‌ها می‌توان به روش‌های لایه برداری مکانیکی، لایه برداری شیمیایی، سنتز شیمیایی و رسوب بخار شیمیایی (CVD) را نام برد. برخی روش‌های دیگری همانند شکافتن نانو لوله‌های کربنی و ساخت با امواج ریزموج نیز اخیراً بکاربرده شده‌اند. یک نمای کلی از روش‌های ساخت گرافن در زیر آمده‌است: در سال ۱۹۷۵گروه Lang برای اولین بار گرافیت کم لایه بر روی سطح بلور پلاتین را با استفاده از روش CVD تولید کردند. در سال ۱۹۹۹ گروه Lu با استفاده از AFM، لایه برداری مکانیکی را بر روی یک گرافیت پیرولیتی به منظور تهیه گرافن
را بر روی یک گرافیت پیرولیتی به منظور تهیه گرافن تک لایه انجام دادند. با این وجود، گرافن تک لایه برای اولین بار در سال۲۰۰۴ توسط گروه Novoselov تولید و گزارش شد. آن‌ها از چسب نواری برای جدا کردن لایه‌های گرافن از سطح زیرلایه استفاده کردند. این روش توانایی و قابلیت تولید لایه‌های متنوع گرافن را دارد و علاوه بر آن، آسان نیز است. روش لایه برداری مکانیکی توسط قابلیت تولید لایه‌های گرافیتی کم لایه و چند لایه را دارد اما ضخامت گرافیت به‌دست آمده توسط این روش برابر با ۱۰ نانومتر است که تقریباً برابر با ۳۰ لایه
با ۱۰ نانومتر است که تقریباً برابر با ۳۰ لایه گرافن تک لایه است. در روش لایه برداری شیمیایی فلزات قلیایی بین صفحات گرافیت پراکنده شده در محلول، قرار می‌گیرند. به‌طور مشابه روش سنتز شیمیایی شامل اکسید گرافیت پراکنده در محلول ناشی شده از کاهش هیدروزین است. همانند تولید نانو لوله‌های‌کربنی توسط روش CTCVD، تولید گرافن توسط این روش یکی از بهترین روش‌ها برای تولید گرافن در ابعاد بزرگ است. در این روش کربنی که به وسیلهٔ گرما جدا شده بر روی سطح یک فلز فعال قرار می‌گیرد و در دمای بالا و تحت فشار اتمسفر یا فشار کم،
و در دمای بالا و تحت فشار اتمسفر یا فشار کم، یک شبکه لانه زنبوری تشکیل می‌دهد. از آنجایی که این روش CVD در یک کوره گرمایی انجام می‌گیرد آن را روش CVD گرمایی می‌نامند. هنگامی که روش شامل رشد به کمک پلاسما باشد، روش CVD پلاسمای غنی شده نامیده می‌شود. هریک از این روش‌ها مزایا و معایب خاص خود را دارند، به عنوان مثال روش لایه برداری مکانیکی توانایی و قابلیت ساخت گرافن یک لایه تا چند لایه را دارد اما همانندی نمونه‌های به‌دست آمده بسیار پایین است، همچنین ساخت گرافن در ابعاد بزرگ یکی از چالش‌های پیش روی این روش
در ابعاد بزرگ یکی از چالش‌های پیش روی این روش است. برای تهیه گرافن تک لایه و چند لایه می‌توان از روش چسب نواری استفاده کرد اما تحقیقات گستردهٔ بیشتری برای توسعه این روش جهت استفاده در قطعه‌های الکترواپتیکی لازم است. روش‌های سنتز شیمیایی از روش‌های دمای پایین هستندکه این ویژگی موجب می‌شود ساخت گرافن بر روی انواع زیر لایه‌های با دمای محیط، به ویژه زیرلایه‌های پلیمری آسان‌تر شود، با این حال، همگنی و یکسانی گرافن تولید شده در ابعاد بزرگ، حاصل از این روش مطلوب نیست. از سوی دیگر ساخت گرافن از اکسیدهای گرافن کاهش
از سوی دیگر ساخت گرافن از اکسیدهای گرافن کاهش یافته اغلب به علت نقص در فرایند کاهش موجب ناکاملی درخواص الکترونی گرافن می‌شود. برآرایی گرافن و گرافیت‌سازی گرمایی بر روی سطح کربید سیلیسیم از دیگر روش‌های تولید گرافن هستند اما دمای بالای این فرایندها و عدم توانایی انتقال بر روی سایر زیر لایه‌ها از محدودیت‌های این روش‌ها هستند. محققان در دانشگاه کمبریج روشی را برای تولید گرافن با کیفیت بالا در نمک مذاب ابداع کرده‌اند. این روش که مبتنی بر نفوذدهی هیدروژن از نمک مذاب لیتیم کلرید به گرافیت می‌باشد، قابلیت تولید
مذاب لیتیم کلرید به گرافیت می‌باشد، قابلیت تولید گرافن در مقیاس صنعتی را دارد. روش مذکور به وسیلهٔ شرکت سرمایه‌گذاری کمبریج در حال تجاری شدن است. خواص. ساختار اتمی تک‌لایهٔ مجزای گرافن به روش میکروسکوپی عبوردهی الکترونی (Transmission Electron Microscopy) بر روی ورقه‌هایی از گرافن که در بین دو شبکه آهنی نگه داشته شده‌اند، مطالعه شده‌است. طرح‌های پراش الکترونی ساختار شش ضلعی گرافن را نشان داده‌اند. علاوه بر این، گرافن از خود اعوجاج‌هایی را بر روی این ورقه‌های تخت نشان داده‌اند، با دامنه‌ای در حدود یک
تخت نشان داده‌اند، با دامنه‌ای در حدود یک نانومتر. این اعوجاج‌ها ممکن است خصلت ذاتی ای برای گرافن به خاطر ناپایداری کریستال‌های دو بعدی باشد، یا حتی ممکن است در اثر عوامل خارجی ای ناشی از ناخالصی‌هایی که در سرتاسر گرافن وجود دارند و کاملاً به توسط تصاویر TEM تهیه شده از گرافن مشاهده شده‌اند، به وجود آمده باشند. تصاویر فضای حقیقی با دقت اتمی گرفته شده از تک لایهٔ مجزای گرافن قرار گرفته بر روی زیرلایهٔ SiO۲ به وسیلهٔ روش میکروسکوپی تونل زنی اسکن‌کننده (Scanning Tunneling Microscopy) تهیه شده‌اند. این تصاویر
Tunneling Microscopy) تهیه شده‌اند. این تصاویر نشان دادند که اعوجاج‌های تک لایهٔ گرافن قرار گرفته بر روی زیرلایهٔ SiO۲ به خاطر ترکیب و تطبیق یافتن تک لایهٔ گرافن با زیرلایهٔ SiO۲ ایجاد شده‌اند و یک خصلت ذاتی برای آن نمی‌باشند. گرافن با سایر مواد متداول سه بعدی متفاوت است. گرافن طبیعی یک‌نیمه فلز یا یک‌ نیم‌رسانا با شکاف نواری صفر است. درک ساختار الکترونیکی گرافن اولین قدم برای یافتن ساختار نواری گرافیت است. اولین بار خیلی قبل‌تر در سال 1947 P. R. Wallace متوجه خطی بودن رابطهٔ E-k (انرژی و عدد موج کریستال)
خطی بودن رابطهٔ E-k (انرژی و عدد موج کریستال) در نزدیکی شش گوشهٔ منطقهٔ بریلوئن شش ضلعی دوبعدی گرافن برای انرژی‌های پایین ـ که منجر به جرم مؤثر صفر برای الکترون‌ها و حفره‌ها می‌شود ـ شد. به خاطر این رابطهٔ پاشندگی خطی در انرژی‌های پایین، الکترون‌ها و حفره‌ها در نزدیکی این شش نقطه، که دو تا از آن‌ها غیر یکسان هستند، همانند ذرات نسبیتی ای که با معادلهٔ دیراک برای ذرات با اسپین نیم صحیح توصیف می‌شوند، رفتار می‌کنند. به همین خاطر به به این الکترون‌ها و حفره‌ها فرمیون‌های دیراک و به آن شش نقطه، نقاط دیراک گفته
فرمیون‌های دیراک و به آن شش نقطه، نقاط دیراک گفته می‌شود. معادله‌ای بیان گر رابطهٔ E-k، formula_1 می‌باشد که در آن سرعت فرمی vF ~ 10۶ m/s است. نتایج تجربی از اندازه‌گیری‌های ترابرد الکترونی نشان می‌دهند که گرافن دارای تحرک‌پذیری الکترونی بسیار بالایی در دمای اتاق می‌باشد، با مقادیر گزارش شده‌ای بالاتر از . همچنین تقارن اندازه‌گیری‌های تجربی رسانندگی نشان می‌دهد که تحرک‌پذیری برای الکترون‌ها و حفره‌ها باید یکسان باشد. در بازهٔ دمایی بین 10k تا 100k، تحرک‌پذیری تقریباً به دما وابسته نیست، که بیان‌کنندهٔ این
تقریباً به دما وابسته نیست، که بیان‌کنندهٔ این امر است که مکانیزم غالب پراکندگی، پراکندگی ناقص است. پراکندگی به توسط فونون‌های آکوستیک گرافن موجب یک محدودیت ذاتی بر تحرک‌پذیری در دمای اتاق در حد برای چگالی حامل ۱۰۱۲ cm−۲ می‌شود. مقاومت متناظر ورقه‌های گرافن در حد خواهد بود. این مقاومت از مقاومت نقره، مادهٔ شناخته شده به عنوان دارندهٔ کمترین مقاومت در دمای اتاق، کمتر است. اگرچه برای گرافن قرار گرفته بر روی زیر لایهٔ SiO۲، پراکندگی ناشی از فونون‌های اپتیکی زیر لایه در دمای اتاق اثر بزرگ‌تری است از اثر
زیر لایه در دمای اتاق اثر بزرگ‌تری است از اثر پراکندگی ناشی از فونون‌های خود گرافن. این امر تحرک‌پذیری را به میزان محدود می‌کند. خواص اپتیکی منحصر به فرد گرافن، موجب بروز یک شفافیت بالای غیرمنتظره برای یک تک لایهٔ اتمی با یک مقدار سادهٔ شگفت‌انگیز شده‌است، یک تک لایهٔ گرافن πα ≈ ۲٫۳٪ از نور سفید فرودی بر روی خود را جذب می‌کند که در آن α ثابت ساختار ریز شبکه می‌باشد. این امر نتیجهٔ ساختار الکترونیکی کم انرژی غیرمعمول گرافن تک لایه است که طرحی به ساختار نوار انرژی الکترونی ـ حفره‌ای گرافن می‌دهد تا آن‌ها در
انرژی الکترونی ـ حفره‌ای گرافن می‌دهد تا آن‌ها در نقاط دیراک به هم برسند، که به‌طور کیفی از سایر نوارهای انرژی فشردهٔ مرتبهٔ دو معمول متفاوت است. بر مبنای مدل از ساختار نواری گرافن، فواصل بین اتمی، مقادیر پرش، و فرکانس به هنگام محاسبهٔ رسانندگی اپتیکی با استفاده از معادلات فرنل در حد لایه‌های نازک از بین می‌رود. این امر به صورت تجربی تأیید شده ولی هنوز مقادیر اندازه‌گیری شده به اندازهٔ کافی برای محاسبهٔ ثابت ساختار ریز دقیق نبوده‌است. می‌توان شکاف نوار انرژی گرافن را از ۰ تا 0.25 الکترون‌ولت (در حدود طول
گرافن را از ۰ تا 0.25 الکترون‌ولت (در حدود طول موج پنج میکرومتر) به وسیلهٔ اعمال ولتاژ در دمای اتاق به یک ترانزیستور اثر میدان دو دروازه‌ای ساخته شده از یک گرافن دو لایه‌ای، تنظیم نمود. همچنین نشان داده شده‌است که پاسخ اپتیکی نانو نوارهای گرافنی نیز در ناحیهٔ تراهرتز به وسیلهٔ اعمال یک میدان مغناطیسی قابل تنظیم است. علاوه بر این نشان داده شده‌است که سیستم‌های گرافن ـ گرافن اکسید از خود رفتار الکتروکرومیک بروز می‌دهند، که اجازه می‌دهند هم خواص اپتیکی خطی و هم خواص اپتیکی فوق سریع را تنظیم کرد. بزرگ‌ترین
و هم خواص اپتیکی فوق سریع را تنظیم کرد. بزرگ‌ترین گرافن ساخته شده. مشخص است که گرافن تنها به نانو مربوط نمی‌شود، گرافن بااندازهٔ کمتر از ۲۰ نانومتر از لحاظ ترمودینامیکی ناپایدارند، چون حداقل پایداری گرافن هنگامی است که تعداد اتم‌ها بیشتر از ۶۰۰۰ اتم باشد؛ و ۲۴۰۰۰ اتم لازم است تا فلورن پایدار شود. این مبحث در دینامیک مولکولی سیستم‌ها بسیار مهم است، چون نتایج گرفته شده در کمتر از ۲۰ نانومتر می‌تواند درست نباشد. محدودیت‌های گرافن. ضخامت گرافن یک لایه اتم کربن است که دارای پتانسیل بالقوه‌ای برای جایگزینی با
است که دارای پتانسیل بالقوه‌ای برای جایگزینی با سیلیکون می‌باشد که پیشرفت جامعهٔ آینده به آن مدیون خواهد بود. باوجود اینکه دارای مشخصات بالقوه‌ای همچون قدرت و وزن سبک و انعطاف‌پذیری و هدایت بالایی هستند اما محدودیت‌های این ماده به نوعی مانع استفاده آن‌ها در میکروپردازنده‌ها و وسایل الکترونیکی می‌باشد. اینکه گرافن چگونه در دستگاه‌هایی در جهان واقعی به کار رود و دوم اینکه ورق‌های گرافن ماهیت شکننده‌ای دارند که این ناشی از اتصالات ضعیف آن‌ها می‌باشد. اگر هدایت حرارتی گرافن را به عنوان فاکتور مثبتی برای این
حرارتی گرافن را به عنوان فاکتور مثبتی برای این ماده در نظر بگیریم، نباید از این نکته غافل شویم که هدایت حرارتی گرافن معلق بسیار بیشتر از گرافن بر روی بستر است، حال آنکه همین هدایت حرارتی باعث می‌شود که حرارت توزیع شده و یک نقطهٔ داغ به وجود نیاید؛ و افسوس اینکه گرافن در جهان واقعی باید بر روی یک بستر قرار بگیرد ونه اینکه آزادانه و معلق در خلأ باشد؛ یعنی وقتی وسیله‌ای ساخته می‌شود حتماً باید بر روی بستر قرار گیرد اما این منجر به کاهش شدید هدایت حرارتی گرافن می‌شود. همچنین هدایت حرارتی با رشد تعداد لایه‌های
می‌شود. همچنین هدایت حرارتی با رشد تعداد لایه‌های گرافنی و رسیدن به ۳۴ لایه افزایش می‌یابد (که ضخامت بسیار کمی است) اما پس از اینکه به حالتی به نام تودهٔ گرافیت می‌رسیم، هدایت حرارتی خوب نیست. تلاش‌های بسیاری صورت گرفته‌است تا راه‌های جدیدی کشف شود تا بتوان گرافن را در جهان ماکروسکوپیک به کار برد. اتصالات سه بعدی ساختار فوم گرافن و گرافیت فوق‌العاده نازک یا استفاده از بورون نیترید هگزاگونال همه در این راستا کشف شدند. ژرمانن دیگر مادهٔ سه بعدی است که برای استفاده در الکترونیک یا وسایل تبدیل انرژی حرارتی
استفاده در الکترونیک یا وسایل تبدیل انرژی حرارتی می‌تواند به کار رود. به منظور درک فیزیک، نیاز به تئوری است یعنی اگر فقط آزمایش کنید شما روند را می‌بینید اما معنای نتایج را درک نمی‌کنید؛ بنابراین تئوری و آزمایش دو جزء جدایی ناپذیرند. گرافن همچنین دارای محدودیت‌های دیگری در جهان واقعی می‌باشد، می‌دانیم پیوندهای بین اتم‌های کربن قوی‌ترین پیوندها در طبیعت می‌باشد، پس ورق بدون نقصی از گرافن باید دارای این خاصیت باشد، اما در کاربردهای واقعی، گرافن این‌طور نیست. آزمایشی که بر روی تافنس شکست گرافن دارای نقص جزئی
آزمایشی که بر روی تافنس شکست گرافن دارای نقص جزئی صورت گرفت مقدار استحکام آن به‌طور قابل ملاحظه‌ای از استحکام گرافن ذاتی پایین‌تر بود؛ لذا درست است که استحکام گرافن ذاتی بسیار بالاست، اما وقتی گرافن دارای نقص باشد، دیگر پیوندهای بین اتم‌های کربن، قوی‌ترین نمی‌باشد. می‌دانیم در ورق‌های بزرگتر، همیشه نقص‌ها افزایش می‌یابد پس گرافن در جهان ماکرو استحکام بسیار پایینی خواهد داشت؛ لذا تولید ورق گرافن با استانداردهای دقیق و بدون نقص بسیار اهمیت دارد. ساختارهای دوبعدی دیگری همچون گرافن (ساختار لانه زنبوری SP2)
دوبعدی دیگری همچون گرافن (ساختار لانه زنبوری SP2) وجود دارد که از آن جمله می‌توان به ۱- سیلیسین ۲- بروفن ۳- فسفورن ۴- استنن ۵- ژرمانن ۶- گرافن (محتوی SP+SP2 هیبریدیزه شده) اشاره کرد. اما این ساختارهای دو بعدی همه به جز گرافن ناپایدارند یا پتنت ثبت شده برای آن‌ها بسیار کم است طوری‌که اعتمادی به این ساختارها وجود ندارد. با توجه به اینکه از اولین ترانزیستورهای با گیت بالا چیزی نگذشته‌است. با توجه به این زمان کوتاه و اینکه همهٔ جانشینان احتمالی با جریان اصلی در ترانزیستورهای معمولی با مشکلات جدی روبه رو هستند،
ترانزیستورهای معمولی با مشکلات جدی روبه رو هستند، لذا می‌شود به توسعهٔ سریع گرافن کمک کرد. مفاهیم جدیدی که در این سال‌ها بررسی شده، همچون ترانزیستورهای اسپینی یا وسایل مولکولی، به نظر می‌رسد که به دور از واقعیت نسبت به گرافن باشد و معلوم نیست که به مرحلهٔ تولید برسند. در حال حاضر جایگزین ترانزیستورهای معمولی (سیلیکونی) غیرممکن است. با این حال تحقیقات ITRS به شدت به مطالعهٔ گستردهٔ در زمینهٔ گرافن توصیه می‌کند و حتی برنامهٔ تحقیق و توسعه برای نانوالکترونیک بر پایهٔ کربن شکل گرفته‌است؛ لذا راه برای اینکه
بر پایهٔ کربن شکل گرفته‌است؛ لذا راه برای اینکه گرافن به عنوان جایگزین قرار گیرد باز است. اما برای هیجان زده شدن در این مورد زمان زیادی لازم است. گرافن و کنترل تبخیر آب. یک پوشش گرافنی، قادر به کنترل تبخیر آب از طریق توقف میزان تبخیر روی سطوح آب‌دوست و سرعت بخشیدن به تبخیر روی سطوح آب‌گریز است. تبخیر قطره آب، پدیده پیچیده‌ای بوده و نقش مهمی در طبیعت و صنعت ایفا می‌کند. درک سازوکار تبخیر در مقیاس اتمی و کنترل میزان تبخیر، برای کاربردهایی از جمله انتقال حرارت و کنترل دمای بدن بسیار حائز اهمیت است. زمانی که
و کنترل دمای بدن بسیار حائز اهمیت است. زمانی که یک سطح آب دوست با گرافن پوشش داده می‌شود، خط تماس قطره آب، به دلیل تنظیم و اصلاح زاویه‌های تر شدن، به‌طور چشمگیری کوتاه یا کشیده می‌شود؛ این مسئله منجر به تغییر در میزان تبخیر می‌شود. مولکول آب، قبل از تبخیر، یک وضعیت پیشرو (و جدید) در خط تماس ایجاد می‌کند. تحلیل‌های بیشتر نشان داد که چگالی آب در حالت‌های گذار در خط تماس بسیار زیاد است.
شرارهٔ خورشیدی از انفجار بزرگ در اتمسفر خورشید به وجود می‌آید و باعث آزاد شدن انرژی در حد شش ضربدر ۱۰ بتوان ۲۵ ژول می‌شود. (که در حدود یک‌ششم انرژی خروجی از سطح خورشید در هر دقیقه است) این پدیده در سایر ستارگان هم دیده می‌شود که به آن‌ها نیز شرارهٔ ستاره‌ای گفته می‌شود. شرارهٔ خورشیدی کلیهٔ لایه‌های سطح خورشید شامل شیدسپهر، تاج خورشیدی و فام‌سپهر) را مورد تأثیر قرار می‌دهد و باعث گرم شدن پلاسما تا چندین میلیون درجهٔ کلوین می‌شود. همچنین باعث سرعت یافتن الکترون‌ها، پروتون‌ها و ین‌های سنگین تا نزدیکی سرعت نور
پروتون‌ها و ین‌های سنگین تا نزدیکی سرعت نور می‌شود. همچنین اشعه‌ای را تولید می‌کند و لایه‌های الکترومغناطیس را ایجاد می‌کند که شامل کلیهٔ امواج الکترومغناطیس می‌باشد. از امواج رادیویی تا اشعهٔ گاما. شراره‌ها خود را از آزادسازی انرژی مغناطیسی ذخیره‌شده در تاج خورشیدی تغذیه می‌کنند. تأثیرها. اشعهٔ ایکس و اشعهٔ ماورای بنفش می‌توانند روی یون‌کره تأثیر بگذارند و تولید امواج ارتباطی با طول موج بالا بنمایند که این این امواج می‌تواند باعث اختلال در رادارها و تجهیزاتی که با فرکانس کار می‌کنند بشود. شرارهٔ خورشیدی
که با فرکانس کار می‌کنند بشود. شرارهٔ خورشیدی برای نخستین‌بار در روی خورشید توسط ریچارد کریستوفر کارینگتون و همچنین توسط ریچارد هدسون در سال ۱۸۵۹م مشاهده گردید. همچنین شرارهٔ ستارگان در روی بسیاری از ستارگان دیده شده‌است. فرکانس‌های به وجود آمده از شراره‌های خورشیدی مختلف است. از ۱ روز زمانی که خورشید در حالت فعال قرار دارد تا ۱ بار در هفته زمانی که سطح خورشید آرام است تغییر می‌کند همچنین این نوع طوفان بر شبکه‌های برق رسانی و ماهواره‌ها و تجهیزات الکترونیکی تأثیر می‌گذارد و موجب از کارافتادن آنها می‌شود.
کاروس با نام کامل مارکوس اورلیوس کاروس (زادهٔ حدود ۲۳۰ - درگذشتهٔ ۲۸۳) امپراتور روم برای مدت کوتاهی از ۲۸۲ تا هنگام مرگش در ۲۸۳ بود. در سال ۲۸۳ میلادی کاروس امپراتور روم میان‌رودان را فتح می‌کند اما سپاهیانش پس از مرگ او بلافاصله آن سرزمین را ترک می‌کنند. زندگی‌نامه. سال‌های آغازین. اطلاعات زیادی در مورد اصلیت کاروس در دست نیست. بیشتر منابع زادگاه او را ناربو ذکر کرده‌اند و با نگاه به اینکه او درهنگام رسیدن به امپراتوری در ۲۸۲ دارای دو فرزند بالغ و یک نوه بوده‌است، چنین تخمین زده می‌شود که در حدود ۲۳۰ زاده
چنین تخمین زده می‌شود که در حدود ۲۳۰ زاده شده باشد. همچنین نام واقعی او پیش از جلوس احتمالاً مارکوس نومریوس کاروس بوده‌است. رسیدن به قدرت. کاروس فرماندهٔ گارد محافظان پروبوس بود که پس از کشته‌شدن او به دست سربازانش در سپتامبر یا اکتبر ۲۸۲، از سوی سپاهیان به عنوان امپراتور جدید روم برگزیده شد. برخی منابع نیز چنین روایت کرده‌اند که کاروس خود علیه پروبوس طغیان کرده بود. پس از این انتخاب کاروس نیز همچون فرمانروایان پیشین خود نام "مارکوس اورلیوس" را به عنوان لقب امپراتوری خویش برگزید. دوران امپراتوری. کاروس کمی
امپراتوری خویش برگزید. دوران امپراتوری. کاروس کمی پس از رسیدن به قدرت عنوان سزار را به پسر خود کارینوس اعطا و او را به عنوان نایب‌السلطنهٔ خود معرفی نمود. پس از آن به سرعت علیه اقوام سرمتی و قبایل ژرمانی کوادی وارد جنگ شد و پس از پیروزی بر آنان به «ژرمانیکوس ماکسیموس» ملقب گردید. سپس با هدف گرفتن انتقام آمادهٔ جنگی عظیم با ایرانیان شد و همراه با پسر کوچکترش نومریان که در این زمان به او نیز عنوان سزار را اعطا داشته بود به سوی مرزهای شرقی حرکت کرد و کارینوس که اینک عنوان آگوستوس را داشت برای مراقبت از
که اینک عنوان آگوستوس را داشت برای مراقبت از استان‌های غربی در گل باقی ماند. حمله به ایران. کاروس سرانجام در سال ۲۸۳ پس از میلاد به ایران حمله کرد و توانست پیروزی بزرگی را به‌دست‌آورد. او تهاجم خود را بنا بر نوشته‌های سیدونیوس آپولیناریس از ارمنستان آغاز نمود و پس از آن از رود دجله گذر کرد. بهرام دوم، پادشاه ساسانی که درگیر منازعات داخلی بود نتوانست ارتش هماهنگی را برای مقابله با کاروس گرد آورد و او همراه با لشگریانش وارد تیسفون، پایتخت پادشاهی ساسانی شد. این پیروزی برای رومیان به منزلهٔ انتقام شکست‌هایشان
پیروزی برای رومیان به منزلهٔ انتقام شکست‌هایشان از ایرانیان در سال‌های پیشین بود و کاروس در این زمان خود را «پرسیکوس ماکسیموس» نامید. درگذشت. کاروس که سرخوش از این پیروزی بزرگ خود بر ایرانیان بود ناگهان در اواخر ژوئیه یا اوایل اوت ۲۸۳ مرد. علت واقعی مرگ او در هاله‌ای از ابهام قرار دارد. ابتلا به بیماری را محتمل‌ترین دلیل برای مرگ ناگهانی کاروس دانسته‌اند هرچند در برخی از منابع قدیمی برخورد صاعقه با او را عامل مردنش عنوان کرده‌اند. همچنین از آنجا که سپاه به‌تازگی به یک پیروزی بزرگ دست یافته بود، احتمال کمی
به یک پیروزی بزرگ دست یافته بود، احتمال کمی وجود دارد که توسط آنها کشته شده باشد.اگرچه محتملترین نظریه با توجه به کشفیات تازه باستان شناسی, از مرگ کاروس در نبرد میان او و بهرام دوم خبر میدهد همان گونه که در سنگ نگاره بهرام دوم در نقش رستم بهرام به این موضوع اشاره میکند.
کتاب راهنمای میشلن سری کتاب‌های راهنمایی است که "شرکت لاستیک سازی میشلن" در فرانسه آن را منتشر می‌کند. در میان این سری از کتاب‌ها شناخته‌شده‌ترین آن کتابی است که به ارزیابی کیفیت غذای رستوران‌ها و نشان دادن آن با ستاره پرداخته‌است و کتاب راهنمای رستوران و هتل میشلن نامیده می‌شود. رنگ جلد این کتاب همواره قرمز است و "کتاب قرمز میشلن" نیز نامیده می‌شود. فروش سالیانه این کتاب که رستوران‌های چندین کشور مختلف را بررسی کرده‌است، از یک میلیون جلد فراتر می‌رود. عنوان دیگر این سری از کتاب‌ها کتاب راهنمای سفر میشلن با
دیگر این سری از کتاب‌ها کتاب راهنمای سفر میشلن با رنگ جلد سبز است و "کتاب سبز میشلن" نیز نامیده می‌شود. این کتاب به معرفی جاها و نقشهٔ جاده‌های چندین کشور پرداخته‌است. راهنمای رستوران و هتل. افراد و رستوران‌هایی که نام آنها به "کتاب راهنمای رستوران و هتل میشلن" وارد می‌شود به‌سرعت بسیار محبوب می‌شوند. در راهنمای میشلن انواع رستوران و غذاهای جهان معرفی می‌شوند. ستاره‌های میشلین به طور گسترده به عنوان اوج موفقیت در دنیای آشپزی در نظر گرفته می‌شوند که نشان دهنده برتری، نوآوری، و تعهد به صنعت آشپزی در میشلن