payamvha/North_RAG huggingface dataset:
تک‌نفره" (۱۹۷۹)، "هشت‌ضلعی" (۱۹۸۰)، و "چشم در برابر چشم" (۱۹۸۱) بود. این امر شهرت بین‌المللی نوریس را تضمین کرد. او به ساخت فیلم‌های استودیویی مانند "خشم خاموش" (۱۹۸۲) برای کلمبیا پیکچرز، "انتقام اجباری" (۱۹۸۲) برای مترو گلدوین مایر و "گرگ تنها، مکوئید" (۱۹۸۳) برای اوریون پیکچرز ادامه داد. این امر باعث شد که شرکت گروه کانن با نوریس قرارداد فیلمی چندگانه امضا کند که با "عملیات جنگی" (۱۹۸۴) آغاز شد که بسیار موفق بود و یک سه‌گانه را راه اندازی کرد. نوریس تقریباً به‌طور انحصاری روی فیلم‌های اکشن پرمخاطب برای
به‌طور انحصاری روی فیلم‌های اکشن پرمخاطب برای کانن کار کرد و در دهه ۱۹۸۰ به ستاره اصلی آنها تبدیل شد. فیلم‌های او کانن شامل "تهاجم آمریکایی" (۱۹۸۵)، "نیروی دلتا" (۱۹۸۶)، "فایروالکر" (۱۹۸۶) و غیره بودند. نوریس به غیر از فیلم‌های کانن، "رمز سکوت" (۱۹۸۵) را ساخت که به عنوان یکی از بهترین فیلم‌های او مورد استقبال قرار گرفت. در دهه ۱۹۹۰، او از سال ۱۹۹۳ تا ۲۰۰۱ نقش اصلی را در سریال تلویزیونی طولانی مدت "واکر، رنجر تگزاس" برای سی‌بی‌اس بازی کرد. نوریس تا سال ۲۰۰۶ به ایفای نقش‌های اصلی در فیلم‌های اکشن از جمله ""
به ایفای نقش‌های اصلی در فیلم‌های اکشن از جمله "" (۱۹۹۰)، "هیتمن" (۱۹۹۱)، "ضربه جانبی" (۱۹۹۲)، "جنگجوی جنگل" (۱۹۹۶)، "آقای رئیس‌جمهور" (۲۰۰۰) و (۲۰۰۲) ادامه داد. نوریس آخرین حضور سینمایی خود را تا به امروز در "بی‌مصرف‌ها ۲" ساخته سیلوستر استالونه (۲۰۱۲) انجام داد. نوریس در طول دوران حرفه ای خود در سینما و تلویزیون از فعالیت‌های معمول خود متفاوت بود. او نویسنده ای مشهور است که کتاب‌هایی در زمینه‌های هنرهای رزمی، ورزش، فلسفه، سیاست، مسیحیت، داستان‌های غربی، و زندگی‌نامه نوشته‌است. او دو بار نویسنده پرفروش
و زندگی‌نامه نوشته‌است. او دو بار نویسنده پرفروش نیویورک تایمز بوده‌است، نخستین بار با کتابش در مورد فلسفه شخصی خود از نیروی مثبت و روان‌شناسی خودسازی بر اساس حکایات شخصی به نام «"راز قدرت درونی: داستان من"» (۱۹۸۸). دومین کتاب پرفروش نیویورک تایمز او، «"وطن‌پرستی کمربند سیاه: چگونه آمریکا را دوباره بیدار کنیم"» (۲۰۰۸)، دربارهٔ نقد او دربارهٔ مسائل جاری در ایالات متحده بود. نوریس همچنین در چندین آگهی تبلیغاتی ظاهر شده‌است و چندین محصول را تأیید کرده که مهم‌ترین آنها یکی از سخنگویان اصلی آگهی‌های تبلیغاتی
آنها یکی از سخنگویان اصلی آگهی‌های تبلیغاتی توتال جیم بود. در سال ۲۰۰۵، زمانی که «حقایق چاک نوریس» به یک میم اینترنتی تبدیل شد، نوریس شهرت جدیدی در سراسر اینترنت پیدا کرد که شاهکارهای طنز، تخیلی و اغلب پوچ در مورد قدرت و استقامت وی را ثبت می‌کرد. اگرچه نوریس خود این «حقایق» را تولید نکرده‌است، اما برای تأیید بسیاری از محصولاتی که «حقایق چاک نوریس» را در تبلیغات گنجانده بودند، استخدام شد. این پدیده منجر به ایجاد شش کتاب (دو تای آنها پرفروش‌ترین "نیویورک تایمز")، دو بازی ویدیویی و چندین حضور در برنامه‌های
دو بازی ویدیویی و چندین حضور در برنامه‌های گفتگوی تلویزیونی شد، مانند "آخر شب با کونان اوبراین" که در آن خودش این «حقایق» را خواند یا در طرح‌ها شرکت کرد. اوایل زندگی. نوریس در راین، اکلاهما، در ۱۰ مارس ۱۹۴۰، از ویلما (با نام خانوادگی اسکاربری) و ری دی نوریس، که یک سرباز ارتش جنگ جهانی دوم، یک مکانیک، راننده اتوبوس و راننده کامیون بود، به دنیا آمد. نوریس گفته‌است که ریشه‌های ایرلندی و چروکی دارد. نوریس به افتخار کارلوس بری، کاهن پدرش نامگذاری شد. او بزرگ‌ترین از سه برادر بود که دو برادر کوچکتر ویلند و آرون
از سه برادر بود که دو برادر کوچکتر ویلند و آرون دارد. وقتی نوریس شانزده ساله بود، والدینش طلاق گرفتند، و او بعداً به پریری ویلیج، کانزاس و سپس با مادر و برادرانش به تورانس، کالیفرنیا نقل مکان کرد. نوریس دوران کودکی خود را بد توصیف کرده‌است. او غیرورزشی، خجالتی و از نظر تحصیلی متوسط بود. پدرش، ری، به‌طور متناوب به عنوان مکانیک اتومبیل کار می‌کرد و مشروبات الکلی می‌نوشید که در یک زمان ماه‌ها ادامه داشت. نوریس که از رفتار پدرش و وضعیت مالی خانواده خجالت می‌کشید، درون‌گرایی ضعیف‌کننده‌ای پیدا کرد که در طول
درون‌گرایی ضعیف‌کننده‌ای پیدا کرد که در طول تمام دوران کودکی او ادامه داشت. زندگی شخصی. خانواده. نوریس در دسامبر ۱۹۵۸ با همکلاسی خود دایان کی هولچک (متولد ۱۹۴۱)، زمانی که او ۱۸ و دایان ۱۷ ساله بود، ازدواج کرد. آنها در سال ۱۹۵۶ در دبیرستان تورنس، کالیفرنیا با هم آشنا شدند. در سال ۱۹۶۲، اولین فرزند آنها، مایک، به دنیا آمد. او همچنین یک دختر به نام دینا دارد که در سال ۱۹۶۳ در یک رابطه غیر زناشویی به دنیا آمد. او بعداً در سال ۱۹۶۴ صاحب یک پسر دوم به نام اریک با همسرش شد. پس از ۳۰ سال زندگی مشترک، نوریس و هولچک
همسرش شد. پس از ۳۰ سال زندگی مشترک، نوریس و هولچک پس از جدایی در سال ۱۹۸۸ در جریان فیلمبرداری "نیروی دلتا ۲"، در سال ۱۹۸۹ از هم جدا شدند. نوریس در ۲۸ نوامبر ۱۹۹۸ با مدل سابق گنا اوکلی که ۲۳ سال از نوریس کوچکتر بود ازدواج کرد. اوکلی از ازدواج قبلی خود دو فرزند داشت. آنها در ۳۰ اوت ۲۰۰۱ صاحب یک دوقلو شدند. در ۲۲ سپتامبر ۲۰۰۴، نوریس به مری هارت از "سرگرمی امشب" گفت که تا ۲۶ سالگی دختر نامشروع خود را از رابطه قبلی اش ملاقات نکرده‌است، اگرچه او در ۱۶ سالگی متوجه شد که او پدرش است. یک سال پس از طلاق نوریس از
شد که او پدرش است. یک سال پس از طلاق نوریس از همسر اولش دایان هولچک، او پس از ارسال نامه ای به او از رابطه آنها در سال ۱۹۹۰ مطلع شد. نوریس سیزده نوه دارد. مسیحیت. نوریس به عنوان یک مسیحی صریح، نویسنده چندین کتاب با مضمون مسیحیت است. او در ۲۲ آوریل ۲۰۰۸ حمایت خود را از «جنبش طراحی هوشمندانه» مطرح کرد که در آن بن استاین را برای Townhall.com بررسی کرد. او یک باپتیست و عضو کلیسای باپتیست پرستونوود (کنوانسیون باپتیست جنوبی) در دالاس است.
دنیس لی هاپر (زادهٔ ۱۶ مهٔ ۱۹۳۵ - درگذشتهٔ ۲۹ مهٔ ۲۰۱۰) هنرپیشه، فیلم‌نامه‌نویس، کارگردان، عکاس و نقاش آمریکایی بود. زندگی و حرفه. او در شهر داج سیتی در ایالت تگزاس آمریکا زاده شد. از همان سنین نوجوانی با شرکت در سریال‌های تلویزیونی نظیر "پزشک" (۱۹۵۴)، "شاین" (۱۹۵۵) و "شوگرفوت" (۱۹۵۷) وارد عرصه بازیگری شد. نخستین بار در سینما در وسترن کلاسیک نیکلاس ری به نام "جانی گیتار" (۱۹۵۴) به ایفای نقش پرداخت و پس از آن در فیلم دیگری از این کارگردان، "شورش بی‌دلیل" (۱۹۵۵) در کنار جیمز دین و ناتالی وود به ایفای نقش
(۱۹۵۵) در کنار جیمز دین و ناتالی وود به ایفای نقش پرداخت. با ادامه فعالیت‌هایش در حرفه بازیگری؛ در سال ۱۹۶۹ او با کمک پیتر فوندا و تری ساترن فیلم نامه‌ای تهیه و با فراهم آوردن مبلغ چهارصدهزار دلار فیلم "ایزی رایدر" (۱۹۶۹) به بازیگری پیتر فوندا و جک نیکلسن را کارگردانی کرد. موفقیت تجاری این فیلم سبب ایجاد موجی از اقتباس‌های هالیوودی از فیلم او شد. با این حال فیلم بعدی او با نام "آخرین فیلم" (۱۹۷۱) هم از دیدگاه منتقدان و هم از نظر فروش یک شکست بود. بعدها اقرار کرد که در دهه هفتاد به شدت درگیر مواد مخدر بود و
کرد که در دهه هفتاد به شدت درگیر مواد مخدر بود و این باعث نزول کیفیت کارهای او بوده‌است. هشت سال بعد در "اینک آخرالزمان" (۱۹۷۹) اثر فرانسیس فورد کاپولا در کنار بازیگرانی به دقت دستچین شده به ایفای نقش پرداخت. در دهه ۸۰ توانست با تلاش فراوان اعتیاد خود را به الکل و موادمخدر ترک کند. در این سال‌ها با ساخت فیلمی به نام "رنگ‌ها" (۱۹۸۹) با استقبال منتقدان و تماشاگران رو به رو شد. از دیگر فیلم‌های او که به عنوان بازیگر در آن به ایفای نقش پرداخت می‌توان به: "مخمل آبی" (۱۹۸۶)، "سرعت" (۱۹۹۴) و "دنیای آب" (۱۹۹۵)
آبی" (۱۹۸۶)، "سرعت" (۱۹۹۴) و "دنیای آب" (۱۹۹۵) اشاره کرد. آخرین مجموعه تلویزیونی او سریال ۲۶ قسمتی "تصادف" و واپسین نقش او در سینما "آخرین جشنواره فیلم" (۲۰۱۰) است. افزون بر فعالیت در سینما دنیس هاپر به عکاسی و نقاشی نیز اشتغال داشت و آثارش به تناوب در گالری‌هایی در اروپا و آمریکا به نمایش گذاشته می‌شد. وی همچنین به عنوان یکی از مجموعه داران بزرگ آثار مدرن شناخته می‌شد. وی در ۲۹ مه سال ۲۰۱۰ در خانه‌اش واقع در ونیزبیچ کالیفرنیا در اثر سرطان پروستات درگذشت.
باتو می‌تواند به موارد زیر اشاره کند:
آلایش یا دوپینگ در تولید نیم‌رسانا، به واردکردن عمدی ناخالصی‌ها به یک نیم‌رسانای ذاتی به منظور تغییر در ویژگی‌های الکتریکی، نوری و ساختاری آن است. مادهٔ آلاییده به عنوان یک نیم‌رسانای غیرذاتی نامیده می‌شود. تعداد کمی از اتم های ناخالص می توانند توانایی یک نیمه هادی برای هدایت الکتریسیته را تغییر دهند. هنگامی که به ترتیب یک اتم ناخالص به هر 100 میلیون اتم اضافه شود، آلایش(دوپینگ) کم یا سبک است. هنگامی که تعداد زیادی اتم ناخالص اضافه می شود، به ترتیب یک در ده هزار اتم، آلایش(دوپینگ) به عنوان زیاد یا سنگین
ده هزار اتم، آلایش(دوپینگ) به عنوان زیاد یا سنگین نامیده می شود. این اغلب به صورت n+ برای دوپینگ نوع n یا p+ برای دوپینگ نوع p نشان داده می شود.(برای توضیح دقیق تر مکانیسم دوپینگ به مقاله نیمه هادی ها مراجعه کنید.) نیمه هادی که تا حد بالایی دوپ شده باشد که بیشتر شبیه هادی عمل می کند تا نیمه هادی، نیمه هادی منحط نامیده می شود. یک نیمه هادی را می توان نیمه هادی ذاتی در نظر گرفت که در مقادیر مساوی p و n آلایش(دوپ) شده باشد. در زمینه فسفر و سوسوزن، آلایش به عنوان فعال سازی شناخته می شود. این را نباید با فعال
فعال سازی شناخته می شود. این را نباید با فعال سازی ناخالصی در نیمه هادی ها اشتباه گرفت. آلایش همچنین برای کنترل رنگ در برخی از رنگدانه ها استفاده می شود. تاریخچه. اثرات ناخالصی ها در نیمه هادی ها (دوپینگ) مدت هاست که به طور تجربی در دستگاه هایی مانند آشکارسازهای رادیویی کریستالی و یکسو کننده های سلنیوم شناخته شده بود. به عنوان مثال، در سال 1885 شلفورد بیدوول و در سال 1930 دانشمند آلمانی برنهارد گودن، هر یک به طور مستقل گزارش دادند که خواص نیمه هادی ها به دلیل ناخالصی های موجود در آنها است. یک فرآیند
به دلیل ناخالصی های موجود در آنها است. یک فرآیند آلایش(دوپینگ) به طور رسمی توسط جان رابرت وودیارد که در شرکت اسپری ژیروسکوپ در طول جنگ جهانی دوم کار می کرد، ایجاد شد. اگرچه کلمه دوپینگ(doping) در آن به کار نمی رود، اما ثبت اختراع او در ایالات متحده که در سال 1950 صادر شد، روش هایی را برای افزودن مقادیر بسیار کمی از عناصر جامد از ستون نیتروژن جدول تناوبی به ژرمانیوم برای تولید دستگاه های اصلاح کننده توصیف می کند. درخواسته او برای کار بر روی رادار مانع از ادامه تحقیقات وودیارد در مورد آلایش(دوپینگ) نیمه هادی
تحقیقات وودیارد در مورد آلایش(دوپینگ) نیمه هادی شد. کار مشابهی در آزمایشگاه‌های بل توسط گوردون کی تیل و مورگان اسپارکس انجام شد، با ثبت اختراع ایالات متحده که در سال 1953 صادر شد. ثبت اختراع قبلی وودیارد دلیل دعوی قضایی گسترده توسط اسپری رند بود. غلظت حامل. غلظت ماده ناخالص مورد استفاده بر بسیاری از خواص الکتریکی تأثیر می گذارد. از همه مهمتر غلظت حامل بار ماده است. در یک نیمه هادی ذاتی تحت تعادل حرارتی، غلظت الکترون ها و حفره ها معادل هستند. یعنی: formula_1 در یک نیمه هادی غیر ذاتی تحت تعادل حرارتی، این
در یک نیمه هادی غیر ذاتی تحت تعادل حرارتی، این رابطه تبدیل می شود (برای دوپینگ کم): formula_2 که در آن n0 غلظت الکترون های رسانا، p0 غلظت حفره رسانا، و ni غلظت حامل ذاتی ماده است. غلظت حامل ذاتی بین مواد متفاوت است و به دما بستگی دارد.به عنوان مثال، نیکل سیلیکون تقریباً 1010×1.08 سانتی متر مکعب در 300 کلوين است، تقریباً دمای اتاق. به طور کلی افزایش دوپینگ به دلیل غلظت بیشتر حامل ها منجر به افزایش رسانایی می شود. نیمه هادی های منحط (بسیار دؤپ شده) دارای سطوح رسانایی قابل مقایسه با فلزات هستند و اغلب در
سطوح رسانایی قابل مقایسه با فلزات هستند و اغلب در مدارهای مجتمع به عنوان جایگزینی برای فلز استفاده می شوند. اغلب از نمادهای اضافه و منفی برای نشان دادن غلظت نسبی دوپینگ در نیمه هادی ها استفاده می شود. به عنوان مثال، n+ نشان دهنده یک نیمه هادی نوع n با غلظت دوپینگ بالا، اغلب منحط شده است. به طور مشابه، p- نشان دهنده یک ماده از نوع p بسیار کم دوپ شده است. حتی نمونه های منحط دوپینگ نشان دهنده غلظت کم ناخالصی ها نسبت به نیمه هادی پایه است. در سیلیکون کریستالی ذاتی، تقریباً 1022×5 اتم بر سانتی متر مکعب وجود
ذاتی، تقریباً 1022×5 اتم بر سانتی متر مکعب وجود دارد. غلظت دوپینگ برای نیمه هادی های سیلیکونی ممکن است از 1013 3-cm تا 1018 3-cm باشد. غلظت دوپینگ بالای حدود 1018 3-cm در دمای اتاق منحط در نظر گرفته می شود. سیلیکون منحط دوپ شده دارای نسبتی از ناخالصی به سیلیکون به ترتیب جزء در هزار است. این نسبت ممکن است در سیلیکون بسیار کم دوپ شده به قسمت در میلیارد کاهش یابد. مقادیر غلظت معمولی جایی در این محدوده قرار می گیرند و برای ایجاد خواص مطلوب در دستگاهی که نیمه هادی برای آن در نظر گرفته شده است، تنظیم می شود.
هادی برای آن در نظر گرفته شده است، تنظیم می شود. تاثیر بر ساختار نوار ممنوعه(Band gap). دوپینگ یک نیمه رسانا در یک کریستال خوب، حالات انرژی مجاز را در داخل شکاف نواری ایجاد می کند، اما بسیار نزدیک به نوار انرژی که با نوع ناخالصی مطابقت دارد. به عبارت دیگر، ناخالصی های دهنده الکترون حالت هایی را در نزدیکی نوار رسانایی ایجاد می کنند در حالی که ناخالصی های گیرنده الکترون حالت هایی را در نزدیکی باند ظرفیت ایجاد می کنند. شکاف بین این حالات انرژی و نزدیکترین باند انرژی معمولاً به عنوان انرژی پیوند محل ناخالصی یا
انرژی معمولاً به عنوان انرژی پیوند محل ناخالصی یا EB نامیده می شود و نسبتاً کوچک است. به عنوان مثال، EB برای بور در حجم سیلیکون 0.045eV است، در مقایسه با فاصله باند سیلیکون حدود 1.12eV. از آنجایی که EB بسیار کوچک است، دمای اتاق به اندازه‌ای گرم است که عملاً تمام اتم‌های ناخالص را از نظر حرارتی یونیزه کند و حامل‌های بار آزاد در نوارهای رسانایی یا ظرفیت ایجاد کند. ارتباط با غلظت حامل (دوپینگ کم). برای سطوح پایین دوپینگ، حالات انرژی مربوطه به صورت پراکنده توسط الکترون ها (باند رسانایی) یا حفره ها (باند ظرفیت)
الکترون ها (باند رسانایی) یا حفره ها (باند ظرفیت) پر می شوند. نوشتن عبارات ساده برای غلظت الکترون و حامل حفره، با نادیده گرفتن طرد پائولی امکان پذیر است (از طریق آمار ماکسول-بولتزمن): formula_3 که در آن EF سطح فرمی، EC حداقل انرژی نوار رسانایی و EV حداکثر انرژی باند ظرفیت است. اینها با مقدار غلظت ذاتی از طریقی مرتبط هستند: formula_4 عبارتی مستقل از سطح دوپینگ، زیرا EC - EV شکاف باند(بند گپ) با دوپینگ تغییر نمي کند. فاکتورهای غلظت NC(T) و NV(T) توسط فرمول زیر به‌دست می آیند: formula_5 که در آن *"me"و*"mh"
به‌دست می آیند: formula_5 که در آن *"me"و*"mh" به ترتیب چگالی حالت‌های جرم مؤثر الکترون‌ها و حفره‌ها هستند، مقادیری که تقریباً در دما ثابت هستند. تکنیک های دوپینگ و سنتز. دوپینگ در طول رشد کریستال. برخی از مواد ناخالص اضافه می شوند زیرا کریستال (معمولاً سیلیکون) توسط فرآیند چکرالسکی رشد می کند، که به ویفر دوپینگ اولیه تقریباً یکنواختی می دهد.[8] متناوبا، سنتز نمونه های نیمه هادی ممکن است شامل استفاده از اپیتاکسی فاز بخار باشد. در اپیتاکسی فاز بخار، یک گاز حاوی پیش ساز ناخالصی می تواند وارد راکتور شود. به
حاوی پیش ساز ناخالصی می تواند وارد راکتور شود. به عنوان مثال، در مورد گاز دوپینگ نوع n از آرسنید گالیم، سولفید هیدروژن اضافه می شود و گوگرد در ساختار گنجانده می شود.[9] این فرآیند با غلظت ثابت گوگرد در سطح مشخص می شود.[10] در مورد نیمه هادی ها به طور کلی، فقط یک لایه بسیار نازک از ویفر باید دوپ شود تا خواص الکترونیکی مورد نظر به دست آید. دوپینگ پس از رشد. برای تعریف عناصر مدار، نواحی انتخاب شده - که معمولاً با فوتولیتوگرافی کنترل می شوند - بیشتر توسط فرآیندهایی مانند انتشار و کاشت یون دوپ می شوند، روش دوم
مانند انتشار و کاشت یون دوپ می شوند، روش دوم به دلیل افزایش قابلیت کنترل در تولیدات بزرگ محبوب تر است. دوپینگ تبدیل نوترون. همچنین ببینید: فعال سازی نوترونی دوپینگ تبدیل نوترون (NTD) یک روش دوپینگ غیر معمول برای کاربردهای خاص است. معمولاً برای دوپ کردن سیلیکون نوع n در آشکارسازهای نیمه رسانا و نیمه هادی پرقدرت استفاده می شود. این بر اساس تبدیل ایزوتوپ Si-30 به اتم فسفر توسط جذب نوترون به شرح زیر است: formula_6 در عمل، سیلیکون معمولاً در نزدیکی یک راکتور هسته ای قرار می گیرد تا نوترون ها را دریافت کند.
هسته ای قرار می گیرد تا نوترون ها را دریافت کند. همانطور که نوترون ها از طریق سیلیکون عبور می کنند، اتم های فسفر بیشتر و بیشتری در اثر تغییر شکل تولید می شوند و بنابراین دوپینگ بیشتر و قوی تر از نوع n می شود. روش دوپینگ NTD بسیار کمتر از انتشار یا کاشت یون است، اما مزیت ایجاد توزیع ناخالصی بسیار یکنواخت را دارد. معمولاً در هنگام ساخت ويفر عنصرهای ناخالصی به نیم‌رسانا افزوده می‌شوند. اگر نیاز باشد، سپس مقداری ناخالصی دیگر نیز به روش نفوذ یا کاشت یون افزوده می‌گردد. روش کاشت یون در تولید انبوه کاربرد بیشتری
روش کاشت یون در تولید انبوه کاربرد بیشتری دارد زیرا کنترل‌پذیرتر است. عناصر ناخالصی‌ها. نیمه هادی های گروه چهارم. برای نیمه هادی های گروه IV مانند الماس، سیلیکون، ژرمانیوم، کاربید سیلیکون و سیلیکون ژرمانیوم، رایج ترین مواد ناخالص پذیرنده های گروه III یا اهداکنندگان عناصر گروه V هستند. از بور، آرسنیک، فسفر و گاهی گالیم برای دوپ کردن سیلیکون استفاده می شود. بور ناخالصی نوع p انتخابی برای تولید مدار مجتمع سیلیکونی است زیرا با سرعتی پخش می شود که عمق اتصالات را به راحتی قابل کنترل می کند. فسفر معمولاً برای
را به راحتی قابل کنترل می کند. فسفر معمولاً برای دوپینگ فله ای ویفرهای سیلیکونی استفاده می شود، در حالی که آرسنیک برای پخش اتصالات استفاده می شود، زیرا کندتر از فسفر پخش می شود و بنابراین قابل کنترل تر است. با دوپینگ سیلیکون خالص با عناصر گروه V مانند فسفر، الکترون‌های ظرفیت اضافی اضافه می‌شوند که از اتم‌های منفرد نامحدود می‌شوند و به ترکیب اجازه می‌دهند تا یک نیمه‌رسانای n نوع رسانای الکتریکی باشد. دوپینگ با عناصر گروه III، که الکترون چهارم ظرفیت را ندارند، "پیوندهای شکسته" (حفره) را در شبکه سیلیکونی
"پیوندهای شکسته" (حفره) را در شبکه سیلیکونی ایجاد می کند که حرکت آزاد دارند. نتیجه یک نیمه هادی از نوع p رسانای الکتریکی است. در این زمینه، عنصر گروه V به عنوان دهنده الکترون و عنصر گروه III به عنوان پذیرنده گفته می شود. این یک مفهوم کلیدی در فیزیک یک دیود است. یک نیمه هادی بسیار دوپ شده بیشتر شبیه یک رسانا خوب (فلز) رفتار می کند و بنابراین ضریب حرارتی مثبت خطی بیشتری را نشان می دهد. چنین اثری برای مثال در حسگرها استفاده می شود. دوز کمتری از دوپینگ در انواع دیگر ترمیستورها (NTC یا PTC) استفاده می شود.
دیگر ترمیستورها (NTC یا PTC) استفاده می شود. ناخالصی های سیلیکون. پذیرنده ها، نوع P: اهدا کنندگان، نوع N: دیگر : سایر نیمه هادی ها. در لیست زیر، "(جایگزین X)" به همه مواد قبل از پرانتز اشاره دارد. جبران خسارت. در بیشتر موارد، انواع مختلفی از ناخالصی ها در نیمه هادی دوپینگ حاصل وجود دارند. اگر تعداد مساوی دهنده و پذیرنده در نیمه هادی وجود داشته باشند، الکترون های هسته اضافی ارائه شده توسط اولی برای ارضای پیوندهای شکسته ناشی از دومی مورد استفاده قرار می گیرند، به طوری که دوپینگ هیچ حامل آزاد از هر دو نوع
به طوری که دوپینگ هیچ حامل آزاد از هر دو نوع تولید نمی کند. این پدیده به عنوان جبران شناخته می شود و در اتصال p-n در اکثریت قریب به اتفاق دستگاه های نیمه هادی رخ می دهد. جبران جزئی، در جایی که تعداد اهداکنندگان از پذیرنده ها بیشتر است یا برعکس، به سازندگان دستگاه اجازه می دهد تا به طور مکرر نوع لایه خاصی را در زیر سطح یک نیمه هادی حجیم با پخش یا کاشت دوزهای بالاتر از مواد ناخالص، که اصطلاحاً ضد دوپینگ نامیده می شود، معکوس کنند (معکوس کنند). اکثر دستگاه های نیمه هادی مدرن با مراحل متوالی ضد دوپینگ انتخابی
نیمه هادی مدرن با مراحل متوالی ضد دوپینگ انتخابی برای ایجاد نواحی لازم از نوع P و N در زیر سطح سیلیکون حجیم ساخته می شوند. این جایگزینی برای رشد متوالی چنین لایه‌هایی با اپیتاکسی است. اگرچه می توان از جبران برای افزایش یا کاهش تعداد دهنده ها یا پذیرنده ها استفاده کرد، تحرک الکترون و حفره همیشه با جبران کاهش می یابد زیرا تحرک تحت تأثیر مجموع یون های دهنده و گیرنده قرار می گیرد. دوپینگ در پلیمرهای رسانا. مقاله اصلی: پلیمر رسانا پلیمرهای رسانا را می‌توان با افزودن واکنش‌دهنده‌های شیمیایی برای اکسید کردن، یا
واکنش‌دهنده‌های شیمیایی برای اکسید کردن، یا گاهی کاهش دادن سیستم، دوپ کرد تا الکترون‌ها به اوربیتال‌های رسانا در سیستم رسانای بالقوه از قبل فشار داده شوند. دو روش اصلی برای دوپینگ پلیمر رسانا وجود دارد که هر دو از فرآیند کاهش اکسیداسیون (به عنوان مثال ردوکس) استفاده می کنند. دوپینگ N بسیار کمتر رایج است زیرا جو زمین غنی از اکسیژن است، بنابراین یک محیط اکسید کننده ایجاد می کند. یک پلیمر غنی از الکترون و دوپ شده با n فوراً با اکسیژن عنصری واکنش می دهد تا پلیمر را از بین ببرد (یعنی به حالت خنثی دوباره اکسید
را از بین ببرد (یعنی به حالت خنثی دوباره اکسید شود). بنابراین، n-doping شیمیایی باید در محیطی از گاز بی اثر (به عنوان مثال، آرگون) انجام شود. دوپینگ الکتروشیمیایی n در تحقیقات بسیار رایج تر است، زیرا حذف اکسیژن از یک حلال در یک فلاسک مهر و موم شده آسان تر است. با این حال، بعید است که پلیمرهای رسانا با n دوپ شده به صورت تجاری در دسترس باشند. دوپینگ در نیمه هادی های مولکولی آلی. آلاینده های مولکولی در نیمه هادی های مولکولی دوپینگ به دلیل سازگاری آنها با میزبان ترجیح داده می شوند، یعنی دمای تبخیر مشابه یا
ترجیح داده می شوند، یعنی دمای تبخیر مشابه یا حلالیت قابل کنترل. ) عموماً مفید هستند و محصور فضایی عالی را برای استفاده در ساختارهای چندلایه مانند OLED و سلول‌های خورشیدی ارگانیک ایجاد می‌کنند. ناخالصی های معمولی نوع p شامل F4-TCNQ و Mo(tfd)3 می باشد. با این حال، مشابه مشکلی که در پلیمرهای رسانای دوپینگ با آن مواجه می‌شویم، ناخالصی های n پایدار در هوا مناسب برای مواد با میل الکترون خواهی کم (EA) هنوز گریزان هستند. اخیراً، فعال‌سازی نوری با ترکیبی از ناخالصی‌های دیمری قابل جداسازی، مانند 2[RuCp∗Mes]، مسیر
دیمری قابل جداسازی، مانند 2[RuCp∗Mes]، مسیر جدیدی را برای تحقق n-دوپینگ مؤثر در مواد با EA پایین پیشنهاد می‌کند. دوپینگ مغناطیسی. مقاله اصلی: نیمه هادی مغناطیسی(به انگلیسی: ) تحقیقات روی دوپینگ مغناطیسی نشان داده است که تغییرات قابل توجهی در برخی خواص مانند گرمای ویژه ممکن است تحت تأثیر غلظت های کوچک یک ناخالصی باشد. به عنوان مثال، ناخالصی های ناخالص در آلیاژهای فرومغناطیسی نیمه رسانا می توانند خواص متفاوتی را ایجاد کنند که اولین بار توسط White، Hogan، Suhl و Nakamura پیش بینی شده است. گنجاندن عناصر ناخالص
و Nakamura پیش بینی شده است. گنجاندن عناصر ناخالص برای ایجاد مغناطیس رقیق در زمینه نیمه هادی های مغناطیسی از اهمیت رو به رشدی برخوردار است. وجود گونه‌های فرومغناطیسی پراکنده، کلید عملکرد اسپینترونیک در حال ظهور است، کلاسی از سیستم‌هایی که علاوه بر بار، از اسپین الکترون نیز استفاده می‌کنند. با استفاده از نظریه تابعی چگالی (DFT) می توان رفتار مغناطیسی وابسته به دما مواد ناخالص در یک شبکه معین را برای شناسایی سیستم های نیمه هادی زیر نظر مدل کرد. ناخالصی منفرد در نیمه هادی ها. وابستگی حساس خواص نیمه هادی به
در نیمه هادی ها. وابستگی حساس خواص نیمه هادی به مواد ناخالص، طیف گسترده ای از پدیده های قابل تنظیم را برای کاوش و اعمال در دستگاه ها فراهم کرده است. شناسایی اثرات یک ناخالصی منفرد بر عملکرد دستگاه تجاری و همچنین بر روی خواص اساسی یک ماده نیمه هادی امکان پذیر است. کاربردهای جدیدی در دسترس قرار گرفته اند که به شخصیت مجزای یک ناخالصی نیاز دارند، مانند دستگاه های تک اسپین در حوزه اطلاعات کوانتومی یا ترانزیستورهای تک ناخالص. پیشرفت‌های چشمگیر در دهه گذشته به سمت مشاهده، ایجاد کنترل‌شده و دستکاری مواد ناخالص
سمت مشاهده، ایجاد کنترل‌شده و دستکاری مواد ناخالص منفرد، و همچنین کاربرد آن‌ها در دستگاه‌های جدید، امکان باز کردن زمینه جدید سولوترونیک (اپتوالکترونیک ناخالص انفرادی) را فراهم کرده است. دوپینگ مدولاسیون. الکترون‌ها یا حفره‌هایی که توسط دوپینگ وارد می‌شوند متحرک هستند و می‌توانند از نظر فضایی از اتم‌های ناخالصی که از آنها جدا شده‌اند جدا شوند. با این حال، اهداکنندگان و گیرنده‌های یونیزه شده الکترون‌ها و حفره‌ها را جذب می‌کنند، بنابراین این جداسازی فضایی به تغییرات ناگهانی سطوح ناخالصی، شکاف نواری (مثلاً یک
ناگهانی سطوح ناخالصی، شکاف نواری (مثلاً یک چاه کوانتومی)، یا میدان‌های الکتریکی داخلی (مثلاً در مورد کریستال‌های غیرمتقارن) نیاز دارد. این روش دوپینگ مدولاسیون نامیده می‌شود و به دلیل سرکوب پراکندگی حامل- اهداکننده سودمند است و امکان تحرک بسیار بالا را می‌دهد. منابع. ویکی‌پدیای انگلیسی
عصب بویایی اولین زوج از میان دوازده زوج عصب مغزی است. این عصب جزئی از دستگاه بویایی است. عصب بویایی فاقد هسته بوده و مسیر کوتاهی در دستگاه عصبی مرکزی دارد؛ گیرنده‌های حسی بویایی در غشاء مخاط بویایی که یک ناحیه اختصاصی به وسعت ۵/۲ سانتی‌متر در هر غشاء مخاط بینی است، قرار دارند. این گیرنده‌ها به رایحه‌های مختلف، پاسخ‌های گوناگون می‌دهند. پیام‌های بویایی برخلاف اطلاعات حسی دیگر از تالاموس عبور نمی‌کنند. عصب بویایی رابطه مستقیمی با ناحیه عصب بینایی دارد، وهمینطور بخش تکامل خاطرات. بدین ترتیب که آن هنگام که
بخش تکامل خاطرات. بدین ترتیب که آن هنگام که رایحه ای به مشام برسد ومنشا رایحه دیده نشودبلافاصله تصویر منشارایحه ساخته و به محل مورد نظر در مغز تفهیم می‌شود. طبق آزمایشاتی که روی ۱۰ داوطلب انجام شدمشخص شد مشام آن‌ها می‌تواند رایحه‌هایی را در نظر بیاورد که قبلاً دیده ولمسشان کرده اندویا با آن منشأ خاطراتی داشتنه‌اند. سلول‌های اعصاب بویایی و همچنین شکنج دندانه ای هیپوکامپ، تنها بخشی از دستگاه عصبی هستند که در کل طول عمر رشد و تکثیر پیوستهٔ سلول‌ها را دارند. مسیر عصب بویایی. نورون‌های بویایی از اپی تلیوم
مسیر عصب بویایی. نورون‌های بویایی از اپی تلیوم بویایی واقع در قسمت فوقانی حفره بینی شروع می‌شوند. این نورون‌ها دوقطبی بوده که در میان اپی تلیوم بویایی انتشار می‌یابند و حاوی گیرنده‌های حساس بویایی هستند. آکسون‌های نورون‌های دو قطبی، عصب بویایی را می‌سازند. رشته‌ها (آکسون‌ها) ی عصب بویایی در پیاز بویایی خاتمه می‌یابند. دو پیاز بویایی به وسیلهٔ رابط پیشین (قدامی) با یکدیگر نیز ارتباط دارند. آکسون‌های عصب بویایی از طریق صفحه غربالی استخوان پرویزنی(Ethmoid) به حفره جمجمه وارد شده که در پیاز بویایی پایان
به حفره جمجمه وارد شده که در پیاز بویایی پایان می‌یابند. پیاز بویایی یک توده عصبی بیضی شکل به طول ۱۲ میلی‌متر و عرض ۵ میلی‌متر است که بر روی تیغه غربالی استخوان پرویزنی تکیه کرده و آکسون‌های عصب بویایی به سطح تحتانی آن وارد می‌شوند. دو پیاز بویایی که در ارتباط با زوج یکم مغزی هستند، در کف لوب پیشانی قرار می‌گیرند. آکسون‌های عصب بویایی فاقد میلین هستند. نورون‌های اولیه بویایی در حال نابودی و جایگزینی مداوم بوده و توسط سلول‌های پیش ساز اپی تلیوم بویایی جایگزین می‌شوند و این درحالی است که هیچ‌یک از نورون‌های
می‌شوند و این درحالی است که هیچ‌یک از نورون‌های دیگر در دستگاه عصبی توسط سلول‌های پیش ساز جایگزین نمی‌شوند. قشر بویایی. انتقال اطلاعات بویایی از پیاز بویایی به نیمکره‌های مغزی، از طریق راه بویایی صورت می‌گیرد. سلول قشری اصلی عبارت است از سلول میترال که دندریت آن‌ها وارد چندین گلومرول بویایی شده و حدود هزار آکسون نورون دوقطبی را دریافت می‌کند. آکسون سلول‌های میترال (همچنین سلول‌های کلافه‌ای) در راه بویایی قرار می‌گیرند و از طریق سه نوار خارجی، میانی و داخلی، وارد نواحی بویایی نیمکره‌های مغز می‌گردند. مسیر
وارد نواحی بویایی نیمکره‌های مغز می‌گردند. مسیر بویایی به مراکز عالی قشر مخ یک طرفه است، درحالی که راه‌های حسی دیگر به طرف قشر مغز به‌طور کامل یا اکثراً تقاطع می‌کنند. قشر مخ بر اساس تکامل شامل آرکی کورتکس، پالئوکورتکس و نئوکورتکس است. آرکی کورتکس و پالئوکورتکس که در مجموع آلوکورتکس گفته می‌شود، مربوط به بویایی است. نواحی بویایی قشر مخ عبارتنداز: