payamvha/North_RAG huggingface dataset:
دفتونز یک گروه آلترنتیو متال آمریکایی از شهر ساکرامنتو ایالت کالیفرنیا است که در سال ۱۹۸۸ آغاز به‌کار کرد. این گروه توسط چینو مورنو (خوانندهٔ اصلی)، استیون کارپنتر (گیتاریست لید) و ایب کانینگهام (درامر)، شکل گرفت. چی چنگ (بیسیست) در سال ۱۹۹۰ و فرانک دلگادو (کیبوردیست و دی‌جی) در سال ۱۹۹۹ به گروه پیوستند. ماهیت تجربی این گروه باعث شده‌است که برخی منتقدان آن‌ها را «ریدیوهد موسیقی متال» توصیف نمایند. پس از تثبیت ترکیب گروه در سال ۱۹۹۳، گروه با ماوریک ریکوردز قرارداد ضبط امضا کرد و در سال ۱۹۹۵ اولین آلبوم خود،
ضبط امضا کرد و در سال ۱۹۹۵ اولین آلبوم خود، "آدرنالین"، را منتشر نمودند. تورهای گسترده و تبلیغات دهان‌به‌دهان باعث شد که طرفداران وفاداری به دست آورد. دومین آلبوم آن‌ها، "اطراف خز" (۱۹۹۷)، گروه‌را در سبک آلترناتیو متال افزایش داد و همراه‌با تک‌آهنگ‌هایشان در جدول‌های موسیقی جایگاه قابل توجهی کسب کردند. این آلبوم همچنین اولین اثر گروه بود که موفق به دریافت گواهی آرآی‌ای‌ای شد. آلبوم‌ها. &lt;/small&gt;
خویی می‌تواند اشاره به یکی از افراد زیر باشد: روستای خویی چهارمحال وبختیاری
آرامگاه بین المللی کوه هرتسل آرامگاه ملی اسرائیل است که در شهر اورشلیم قرار دارد. بسیاری از پایه‌گذاران جنبش تشکیل کشور اسرائیل، قهرمانان ملی ارتش و بزرگان اهل اسرائیل بر روی کوه هرتسل (تپه هرتسل) دفن شده‌اند. کوه هرتسل (تپه هرتسل) به یاد تئودور هرتسل، بنیان‌گذار جنبش سیاسی صهیونیسم، نام‌گذاری شده است. تئودور هرتسل در تاریخ ۳ ژوئیه ۱۹۰۴ میلادی، در شهر وین، اتریش درگذشت، اما در سال ۱۹۴۹ میلادی و یک سال پس از اعلام تشکیل کشور اسرائیل، جسد وی بر پایه وصیتش مبنی بر خاک شدن در سرزمین پدری، از وین به اورشلیم
مبنی بر خاک شدن در سرزمین پدری، از وین به اورشلیم انتقال داده شد و بر بالاترین نقطه کوه هرتسل (تپه هرتسل) مدفون گردید. در سمت غربی کوه هرتسل (تپه هرتسل)، موزه ید و شم قرار دارد که محل نگهداری یاد قربانیان جنایات نازی‌ها و حفظ اسناد و آثار فاجعه نسل‌کشی یهودیان است. تاریخچه. در سال ۱۹۳۴، رهبر صهیونیست مناخیم اوسیشکین مراسم انتقال دوباره پیکر لئون پینسکر را در غار نیکانور در کوه اسکوپوس برگزار کرد، تلاشی برای ایجاد یک پانتئون برای رهبران بزرگ ملت یهود. خود اوسیشکین نیز در سال ۱۹۴۱ در همان‌جا به خاک سپرده شد.
نیز در سال ۱۹۴۱ در همان‌جا به خاک سپرده شد. هنگامی که کوه اسکوپوس به یک محاصره و جدا از اورشلیم تبدیل شد، اجرای این طرح دیگر امکان‌پذیر نبود. در تابستان ۱۹۴۹، پیکر تئودور هرتسل بر فراز تپه‌ای در بخش غربی اورشلیم که از دور با کوه زیتون روبه‌رو بود، دوباره به خاک سپرده شد و آن تپه به افتخار او «کوه هرتسل» نام گرفت. در نوامبر ۱۹۴۹، سربازانی که در جنگ استقلال ۱۹۴۷–۱۹۴۹ در منطقه اورشلیم کشته شده بودند، در دامنهٔ شمالی این تپه دفن شدند. کوه هرتسل (تپه هرتسل) محل دفن پنج تن از نخست‌وزیران اسرائیل است: لوی اشکول،
دفن پنج تن از نخست‌وزیران اسرائیل است: لوی اشکول، گلدا مئیر، اسحاق شامیر، اسحاق رابین (که در کنار همسرش لیا به خاک سپرده شده) و شیمون پرز. رؤسای‌جمهور اسرائیل نیز در کوه هرتسل (تپه هرتسل) دفن می‌شوند، همان‌طور که دیگر رهبران برجسته یهودی و صهیونیست در آنجا آرام گرفته‌اند. کوه هرتسل (تپه هرتسل) محل برگزاری بسیاری از مراسم یادبود و جشن‌های ملی است. بخش نظامی توسط دو معمار مجارستانی‌تبار، آشر حیرام و حایم گیلادی، طراحی و محوطه‌سازی شده است. قبر تئودور هرتسل. تئودور هرتسل در سال ۱۹۰۳ در وصیت‌نامه‌اش نوشت: آرزو
هرتسل در سال ۱۹۰۳ در وصیت‌نامه‌اش نوشت: آرزو دارم در تابوتی فلزی در کنار پدرم به خاک سپرده شوم و تا زمانی که مردم یهود پیکرم را به سرزمین اسرائیل منتقل کنند، همان‌جا بمانم. تابوت‌های پدرم، خواهرم پلین، و اقوام نزدیکم که تا آن زمان فوت کرده باشند نیز به آنجا منتقل خواهند شد. یک سال بعد، هنگامی که هرتسل درگذشت، او در وین به خاک سپرده شد. چهل‌وپنج سال بعد، پیکر هرتسل به اسرائیل منتقل و در اورشلیم دوباره دفن گردید. مکان آرامگاه توسط کمیسیون ویژه دولتی بر فراز تپه‌ای در اورشلیم انتخاب شد. او در ۱۷ اوت ۱۹۴۹ به
تپه‌ای در اورشلیم انتخاب شد. او در ۱۷ اوت ۱۹۴۹ به خاک سپرده شد. سنگی موقت برای چند سال قبر او را مشخص می‌کرد تا زمانی که محل به گورستان ملی تبدیل شد. شصت‌وسه طرح برای مسابقه طراحی سنگ قبر جدید او ارائه شد. برنده، طرح یوزف کلارواین بود که شامل سنگی از گرانیت سیاه ساده با کتیبه‌ای از نام «هرتسل» بود. محوطه اطراف آرامگاه او به میدانی گسترش یافت که نخستین مراسم روز استقلال در سال ۱۹۵۰ در آن برگزار شد. با وجود خواسته‌های هرتسل، دخترش پلین و پسرش هانس در ابتدا در کنار او دفن نشدند. پیکرهای آن‌ها در سال ۲۰۰۶ به
کنار او دفن نشدند. پیکرهای آن‌ها در سال ۲۰۰۶ به کوه هرتسل (تپه هرتسل) منتقل شد. دختر سوم او در جریان هولوکاست به قتل رسید و محل دفنش نامعلوم است. پارک کوچک «استفان نورمن» که میان موزه هرتسل و مرکز آموزشی هرتسل قرار دارد، به یادبود تنها نوه او اختصاص یافته است؛ کسی که پس از اطلاع از سرنوشت خانواده‌اش در هولوکاست و مواجهه با رنج یهودیان در اردوگاه‌های آوارگان، در سال ۱۹۴۶ در ایالات متحده خودکشی کرد و در دسامبر ۲۰۰۷ دوباره در کوه هرتسل (تپه هرتسل) به خاک سپرده شد. پدر و مادر و خواهر هرتسل نیز در کوه هرتسل
شد. پدر و مادر و خواهر هرتسل نیز در کوه هرتسل (تپه هرتسل) دفن شده‌اند. گورستان ملی غیرنظامی. مهمترین گورستان اسرائیل برای رهبران کشور و کسانی که جان خود را در راه کشور فدا کرده‌اند، در دامنه جنوبی کوه هرتسل (تپه هرتسل) قرار دارد. این گورستان در سال ۱۹۵۲ زمانی بنیان گذاشته شد که بن گوریون تصمیم گرفت وزیر دارایی را در «حِلقَت گِدولِی هاأوما» در نزدیکی آرامگاه هرتسل به خاک بسپارد. طراحی محوطه گورستان در سال‌های بعد ادامه یافت و دیگر شخصیت‌های مشهور جنبش صهیونیسم نیز برای دفن به آنجا منتقل شدند. رهبران بزرگ
نیز برای دفن به آنجا منتقل شدند. رهبران بزرگ ملت. قطعه یا پارک یادبود «رهبران بزرگ ملت» محل دفن چندین نخست‌وزیر، رئیس‌جمهور، رؤسای کنست و دیگر رهبران منتخب ملی کشور اسرائیل است. این بخش جداگانه‌ای از گورستان کوه هرتسل (تپه هرتسل) را تشکیل می‌دهد که از محل دفن رهبران سازمان صهیونیستی (پس از ۱۹۶۰: سازمان جهانی صهیونیسم) که در نزدیکی آن قرار دارد، متمایز است. نام عبری «حِلقَت گِدولِی هاأوما» (عبری: חלקת גדולי האומה) در کاربرد رایج یا به معنای محدودتر برای بخش رهبران کشور اسرائیل به کار می‌رود، یا در معنای
رهبران کشور اسرائیل به کار می‌رود، یا در معنای گسترده‌تر که رهبران صهیونیست پیش از تشکیل دولت را نیز شامل می‌شود. در آنجا رؤسای‌جمهور زلمان شازار و حایم هرتسوگ، شیمون پرز و نخست‌وزیران لوی اشکول، گلدا مئیر، اسحاق رابین و همسرش لیا رابین به خاک سپرده شده‌اند. دیگر قبرهای شاخص شامل نخستین رئیس کنست، یوسف سپرینتساک و همسرش حنا، نخستین وزیر دارایی الیعزر کاپلان، شهردار اورشلیم تدی کولک و بانوی اول آورا هرتسوگ است. با وجود اهمیت ملی این گورستان، برخی از رهبران اسرائیل در مکان‌های دیگری دفن شده‌اند؛ از جمله حییم
در مکان‌های دیگری دفن شده‌اند؛ از جمله حییم وایزمن (درحیاط خانه وایزمن)، اسحاق بن‌ زوی (در گورستان هار همنوحوت)، دیوید بن‌گوریون (در مدرسه بن‌گوریون)، مناخم بگین (در کوه زیتون) و آریل شارون (در حیاط خانه‌اش در نگب). تصمیم‌گیری درباره اینکه چه کسی باید در کوه هرتسل (تپه هرتسل) دفن شود، گاه بحث‌برانگیز بوده است. برای مثال، تصمیم به دفن زئِو ژابوتینسکی، که در سال ۱۹۴۰ درگذشت، با مخالفت شدید بسیاری از اعضای قدیمی حزب کارگر روبه‌رو شد؛ آن‌ها ادعا می‌کردند ژابوتینسکی یک ملی‌گرای افراطی راست‌گراست و شایستگی چنین
یک ملی‌گرای افراطی راست‌گراست و شایستگی چنین افتخاری را ندارد. تنها در سال ۱۹۶۴ بود که نخست‌وزیر لوی اشکول به نفع دفن او در آنجا تصمیم گرفت، به منظور ترویج آشتی ملی و کنار گذاشتن کینه‌های سیاسی. همچنین سربازانی که مدال شجاعت دریافت کرده‌اند نیز می‌توانند در کوه هرتسل (تپه هرتسل) به خاک سپرده شوند. در شمال آرامگاه هرتسل، قطعه‌ای برای رهبران سازمان (جهانی) صهیونیسم در نظر گرفته شده است که از جمله شامل دیوید وولفسون، نحوم سوکولوف، سیمخا دینیتز و آریه دولزین می‌شود. در همان بخش، قبرها و یادمان‌های بستگان نزدیک
در همان بخش، قبرها و یادمان‌های بستگان نزدیک تئودور هرتسل نیز قرار دارد. یادبود قربانیان اعمال تروریستی. یادبود قربانیان اعمال تروریستی، یادبود اصلی تمامی قربانیان تروریسم در اسرائیل از سال ۱۸۵۱ تا امروز است. این یادبود در سال ۱۹۹۷ افتتاح شد و هر ساله مراسمی در میدان آن به یاد قربانیان ترور برگزار می‌شود. این یادبود در گورستان ملی غیرنظامی در کنار «حِلقَت گِدولِی هاأوما» قرار دارد. گورستان ملی نظامی. اصلی‌ترین گورستان نیروهای دفاعی اسرائیل در دامنهٔ شمالی کوه هرتسل (تپه هرتسل) قرار دارد. این گورستان در
کوه هرتسل (تپه هرتسل) قرار دارد. این گورستان در نوامبر ۱۹۴۹ تأسیس شد، زمانی که سربازانی که در منطقه اورشلیم کشته شده بودند، در آنجا دفن شدند. در همان سال ۱۹۴۹، دولت تصمیم گرفت این مکان را به گورستان اصلی اعضای ارتش اسرائیل که در حین انجام وظیفه جان باخته‌اند تبدیل کند. گورستان پلیس اسرائیل، برای افسرانی که در حین خدمت کشته شده‌اند، نیز در همان‌جا قرار دارد. تمامی سربازان، بدون توجه به درجه یا یگان، در کنار یکدیگر به خاک سپرده می‌شوند. سنگ‌قبرها ساده و بدون تزئین هستند و تنها شامل نام، درجه، نام والدین، و
تزئین هستند و تنها شامل نام، درجه، نام والدین، و محل و تاریخ تولد و مرگ می‌باشند. گورستان نظامی همچنین یاد سربازان مسیحی، مسلمان و دروزی اسرائیل را که در نیروهای امنیتی این کشور خدمت کرده‌اند و جان باخته‌اند، گرامی می‌دارد.
ال‌ئی‌دی یا دیود نورگسیل یک منبع نور نیم‌رسانا است که با عبور جریان الکتریکی از آن، از خود نور تابش می‌کند. الکترونهای موجود در ماده نیم‌رسانا با حفره‌های الکترون بازترکیب می‌شوند و انرژی خود را به شکل فوتون آزاد می‌کنند. رنگ نور تابیده‌شده (مربوط به انرژی فوتون‌ها) بستگی به انرژی مورد نیاز الکترون‌ها برای عبور از شکاف انرژی نیم‌رسانا دارد. برای به‌دست آوردن نور سفید از چندین نیم‌رسانای مختلف استفاده می‌شود یا اینکه لایه‌ای از فسفر تاباننده نور بر روی افزاره نیم‌رسانا قرارداده‌می‌شود. ال‌ئی‌دی‌ها به عنوان
نیم‌رسانا قرارداده‌می‌شود. ال‌ئی‌دی‌ها به عنوان یک قطعه الکترونیکی کاربردی در سال ۱۹۶۲ ظهور کردند، و فقط می‌توانستند نور فروسرخ ضعیفی از خود تابش‌کند. از ال‌ئی‌دی‌های فروسرخ در کنترل از راه دور افزاره‌های الکترونیکی مصرفی مانند تلویزیون‌ها استفاده گردید. اولین ال‌ئی‌دی‌های با نور مرئی بسیار ضعیف بوده و فقط محدود به رنگ قرمز بودند. امروزه ال‌ئی‌دی‌هایی با خروجی‌های بالا و در کل طیف نور مرئی، فرابنفش، و امواج فروسرخ موجود هستند. ال‌ئی‌دی‌های اولیه اغلب به عنوان لامپ‌های نشانگر، جایگزینی برای لامپ‌های رشته‌ای
لامپ‌های نشانگر، جایگزینی برای لامپ‌های رشته‌ای کوچک و در نمایشگرهای هفت بخشی استفاده می‌شدند. تحولات اخیر ال‌ئی‌دی‌های سفید با نور بالا و مناسب برای روشنایی اتاق و فضای باز تولید کرده‌اند. اختراع ال‌ئی‌دی‌ها منجر به اختراع نمایشگرها و حسگرهای جدید شده‌است، و نرخ بالای کلیدزنی آنها در فناوری ارتباطات پیشرفته مفید است. ال‌ئی‌دی‌ها نسبت به لامپ‌های رشته‌ای مزایای فراوانی دارند، از جمله: مصرف انرژی کمتر، عمر بالاتر، استحکام فیزیکی بالاتر، اندازه کوچکتر، و کلیدزنی سریع‌تر. ال‌ئی‌دی‌ها همچنین در کاربردهای
کلیدزنی سریع‌تر. ال‌ئی‌دی‌ها همچنین در کاربردهای متنوعی استفاده می‌شوند، از جمله: لامپ هواپیماها، لامپ‌های ریسه‌ای، چراغ‌جلوی خودروها، تبلیغات، نورپردازی‌های عمومی، چراغ‌های راهنمایی، فلش دوربین‌ها، لامپ‌های پرورش گیاه، و تجهیزات پزشکی. برخلاف لیزر، نوری که از ال‌ئی‌دی تابش می‌شود نه از نظر طیفی همدوس است و نه حتی خیلی مونوکرومیک است. با این حال، طیف آن به اندازه کافی باریک است که در چشم انسان به عنوان یک رنگ خالص (اشباع) ظاهر می‌شود. همچنین برخلاف اکثر لیزرها، تابش آن از نظر مکانی همدوس نیست، بنابراین
لیزرها، تابش آن از نظر مکانی همدوس نیست، بنابراین نمی‌تواند به روشنایی‌های بسیار زیاد مشخصه لیزرها نزدیک شود. تاریخچه. اکتشافات و افزاره‌های اولیه. الکترولومینسانس به عنوان یک پدیده در سال ۱۹۰۷ توسط آزمایشگر انگلیسی "اچ. جی. روند" از آزمایشگاه‌های مارکونی، با استفاده از کریستال کاربید سیلیسیم و آشکارساز سیبیل گربه‌ای (cat whisker detector) کشف شد. اولِگ لوسِف، مخترع روسی، اختراع اولین ال‌ئی‌دی را در سال ۱۹۲۷ خبر داد. تحقیقات وی در مجلات علمی شوروی، آلمان و انگلیس توزیع شد، اما تا چندین دهه از این کشف
و انگلیس توزیع شد، اما تا چندین دهه از این کشف استفاده عملی نشد. در سال ۱۹۳۶، ژورژ دِسترائو مشاهده کرد که هنگامی که پودر روی سولفید در یک عایق به حالت تعلیق در می‌آید و میدان الکتریکی متناوبی به آن اعمال می‌شود، می‌توان الکترولومینسانس تولید کرد. دسترائو در انتشارات خود اغلب از الکترولومینسانس به عنوان "نور-لوسِف" یاد می‌کند. دسترائو در آزمایشگاه‌های ماری کوری، که او هم یک پیشگام در زمینه الکترولومینسانس با تحقیق در مورد رادیوم بود، کار کرد. زولتان لایوش بای به همراه گئورگ سیگتی در سال ۱۹۳۹ با ثبت اختراع
به همراه گئورگ سیگتی در سال ۱۹۳۹ با ثبت اختراع یک دستگاه روشنایی مبتنی بر کاربید سیلیسیم، و کاربید بور به عنوان یک جایگزین، نور ال‌ئی‌دی را در مجارستان انحصاری کردند، که بسته به ناخالصی‌های موجود، نوری سفید، سفید مایل به زرد یا سفید مایل به سبز منتشر می‌کرد. روبین براونشتاین از شرکت رادیویی آمریکا در مورد انتشار امواج فروسرخ از گالیم آرسنید و سایر آلیاژهای نیم‌رسانا در سال ۱۹۵۵ گزارش داد. براونشتاین انتشار فروسرخ تولید شده توسط ساختارهای ساده دیود را با استفاده از گالیم آنتیمونید، گالیم آرسنید، ایندیم
استفاده از گالیم آنتیمونید، گالیم آرسنید، ایندیم فسفید و آلیاژهای سیلیسیم-ژرمانیم در دمای اتاق و در ۷۷ کلوین مشاهده کرد. در سال ۱۹۵۷، براونشتاین همچنین نشان داد که می‌توان از وسایل ابتدایی برای ارتباطات غیر-رادیویی در یک فاصله کوتاه استفاده کرد. در سپتامبر ۱۹۶۱، جیمز آر. بیارد و گری پیتمن که در شرکت تگزاس اینسترومنتس کار می‌کردند، انتشار نور نزدیک فروسرخ (۹۰۰ نانومتر) را از دیود تونلی که روی بستر GaAs ساخته بودند، مشاهده و کشف کردند. تا اکتبر ۱۹۶۱، آنها انتشار نور و اتصال سیگنال کارآمد را بین یک فرستنده
نور و اتصال سیگنال کارآمد را بین یک فرستنده نوری اتصال p-n گالیم آرسنید و یک آشکارساز نوری نیم‌رسانای الکتریکی نشان دادند. در اکتبر ۱۹۶۲، تگزاس اینسترومنتس اولین محصول تجاری ال‌ئی‌دی یعنی (SNX-100) را معرفی کرد که از کریستال خالص گالیم آرسنید برای تولید نور ۸۹۰ نانومتر استفاده می‌کرد. در اکتبر ۱۹۶۳، تگزاس اینسترومنتس اولین ال‌ئی‌دی نیم‌کره‌ای تجاری را با نام "SNX-110" ارائه کرد. اولین ال‌ئی‌دی با طیف نور مرئی (قرمز) توسط نیک هولونیاک در ۹ اکتبر ۱۹۶۲ هنگامی که برای جنرال الکتریک کار می‌کرد، نشان داده شد.
که برای جنرال الکتریک کار می‌کرد، نشان داده شد. جورج کرافورد، دانشجوی سابق تحصیلات تکمیلی هولونیاک، اولین ال‌ئی‌دی زرد را اختراع کرد و روشنایی ال‌ئی‌دی‌های قرمز و نارنجی-قرمز را در سال ۱۹۷۲ با ضریب ده بهبود داد. در سال ۱۹۷۶، تی.پی. پیرسال با اختراع مواد نیم‌رسانای جدید اولین ال‌ئی‌دی‌های با روشنایی بالا و کارایی بالا را برای مخابرات فیبر نوری طراحی کرد. توسعه تجاری اولیه. اولین ال‌ئی‌دی‌های تجاری با طول‌موج مرئی معمولاً به عنوان جایگزین لامپ‌های رشته‌ای و لامپ‌های نئون و در نمایشگرهای هفت بخشی، ابتدا در
لامپ‌های نئون و در نمایشگرهای هفت بخشی، ابتدا در تجهیزات گران‌قیمت مانند تجهیزات آزمایشگاهی و الکترونیکی و سپس در وسایل خانگی مانند ماشین حساب، تلویزیون، رادیو، تلفن و همچنین ساعت استفاده شدند. تا سال ۱۹۶۸، ال‌ئی‌دی‌های مرئی و فروسرخ به میزان ۲۰۰ دلار در هر واحد قیمت داشتند که بسیار گران بودند و از این رو کاربرد عملی کمی داشتند. شرکت هیولت پاکارد بین سال‌های ۱۹۶۲ تا ۱۹۶۸ در "hp associates" و آزمایشگاه‌های اچ‌پی، توسط یک تیم تحقیقاتی با رهبری هاوارد بوردون، جرالد پیگینی و محمد عطاالله، به تحقیق و توسعه در
جرالد پیگینی و محمد عطاالله، به تحقیق و توسعه در مورد ال‌ئی‌دی‌های عملی مشغول بود. در طی این دوره، عطاالله پروژه تحقیقاتی علم مواد در مورد افزاره‌هایی بر مبنای گالیم آرسنید، گالیم آرسنید فسفید و ایندیم آرسنید را در اچ‌پی آغاز کرد و آنها در زمینه تولید اولین محصولات ال‌ئی‌دی قابل استفاده با شرکت مونسانتو همکاری کردند. اولین محصولات قابل استفاده ال‌ئی‌دی، نمایشگر ال‌ئی‌دی اچ‌پی و چراغ نشانگر ال‌ئی‌دی مونسانتو بودند که هر دو در سال ۱۹۶۸ راه اندازی شدند. مونسانتو اولین سازمانی بود که با تولید انبوه
مونسانتو اولین سازمانی بود که با تولید انبوه ال‌ئی‌دی‌های با نور مرئی، با استفاده از فسفید آرسنید گالیم در سال ۱۹۶۸، ال‌ئی‌دی‌های قرمز مناسب برای نشانگرها تولید کرد. مونسانتو پیش از این پیشنهاد کرده بود که گالیوم آرسنید فسفید (GaAsP) را برای اچ‌پی تأمین کند، اما اچ‌پی تصمیم گرفت گالیوم آرسنید فسفید را خود تولید کند. در فوریه ۱۹۶۹، اچ‌پی نشانگر عددی مدل ۵۰۸۲–۷۰۰۰ را معرفی کرد، که اولین دستگاه ال‌ئی‌دی با فناوری مدار مجتمع (مدار ال‌ئی‌دی یکپارچه) بود. این دستگاه اولین نمایشگر ال‌ئی‌دی هوشمند بود و انقلابی در
اولین نمایشگر ال‌ئی‌دی هوشمند بود و انقلابی در فناوری نمایشگرهای دیجیتال به وجود آورد و جایگزین لامپ نیکسی شد و مبنایی برای نمایشگرهای ال‌ئی‌دی جدید گردید. عطاالله اچ‌پی را ترک کرد و در سال ۱۹۶۹ به فرچایلد سمیکانداکتر پیوست. وی از زمان آغاز به کارش در ماه مه ۱۹۶۹ تا نوامبر ۱۹۷۱ معاون رئیس و مدیر کل بخش میکروموج و الکترونیک نوری بود. عطاالله کار خود را در زمینه ال‌ئی‌دی‌ها ادامه داد و در سال ۱۹۷۱ پیشنهاد داد که آنها می‌توانند برای چراغ‌های نشانگر (لامپ سیگنال) و خواننده‌های نوری استفاده شوند. ال‌ئی‌دی‌های
و خواننده‌های نوری استفاده شوند. ال‌ئی‌دی‌های اولیه قرمز فقط برای استفاده به عنوان نشانگر مناسب بودند، زیرا نور خروجی آنها برای روشن کردن یک اتاق کافی نبود. بازخوانی در ماشین حساب‌ها آنقدر کم بود که روی هر رقم عدسی‌های پلاستیکی ساخته می‌شد تا خوانایی بیشتری داشته باشد. بعداً رنگ‌های دیگر به‌طور گسترده در دسترس قرار گرفتند و در وسایل و تجهیزات ظاهر شدند. ال‌ئی‌دی آبی. اولین ال‌ئی‌دی آبی-بنفش با استفاده از نیترید گالیم با آلایش منیزیم در دانشگاه استنفورد در سال ۱۹۷۲ توسط هرب ماروسکا و والی راینز، دانشجویان
سال ۱۹۷۲ توسط هرب ماروسکا و والی راینز، دانشجویان دکترای علوم و مهندسی مواد ساخته شد. در اواخر دهه ۱۹۸۰، موفقیت‌های کلیدی کسب‌شده در رشد برآرایی GaN و آلایش نوع-پی، باعث آغاز عصر جدیدی از افزاره‌های نوری-الکترونیکی مبتنی بر نیترید گالیم شد. با استفاده از این پایه، تئودور موستاکاس در دانشگاه بوستون روشی را برای تولید ال‌ئی‌دی‌های آبی با روشنایی بالا با استفاده از یک فرایند دو مرحله ای جدید در سال ۱۹۹۱ ثبت اختراع کرد. دو سال بعد، یعنی در سال ۱۹۹۳، شوجی ناکامورا از شرکت نیچیا با استفاده از فرایندی برای رشد
از شرکت نیچیا با استفاده از فرایندی برای رشد گالیم نیترید، ال‌ئی‌دی‌های آبی با روشنایی بالا را اختراع کرد. به موازات آن، ایسامو آکازاکی و هیروشی آمانو در شهر ناگویا ژاپن در حال توسعه رسوب GaN در بسترهای یاقوت کبود و نمایش آلایش نوع-پی از GaN بودند. این پیشرفت جدید، انقلابی در روشنایی ال‌ئی‌دی ایجاد کرد و منابع نور آبی پرقدرت را عملی ساخت و منجر به توسعه فناوری‌هایی مانند بلو-ری شد. ناکامورا به خاطر اختراع خود جایزه فناوری هزاره ۲۰۰۶ را دریافت کرد. در سال ۲۰۱۴ ایسامو آکاساکی، هیروشی آمانو و شوجی ناکامورا سه
ایسامو آکاساکی، هیروشی آمانو و شوجی ناکامورا سه دانشمند ژاپنی، به دلیل کارهایی که در اوایل دهه ۱۹۹۰ در ساخت گالیم نیترید با کیفیت و ساخت ال‌ئی‌دی آبی انجام داده بودند موفق به دریافت جایزه نوبل فیزیک شدند. در سال ۲۰۱۵، دادگاه ایالات متحده حکم داد که سه شرکت حق ثبت اختراع قبلی موستاکاس را نقض کرده‌اند و به آنها دستور پرداخت هزینه‌های صدور مجوز به ارزش حداقل ۱۳ میلیون دلار را داده‌است. در سال ۲۰۰۱ و ۲۰۰۲، فرایندهایی برای رشد ال‌ئی‌دی‌های پایه نیترید گالیم روی سیلیسیم با موفقیت نشان داده شد. در ژانویه ۲۰۱۲،
سیلیسیم با موفقیت نشان داده شد. در ژانویه ۲۰۱۲، اوسرام ال‌ئی‌دی‌های InGaN با قدرت بالا که روی لایه‌های سیلیسیمی تولید می‌شوند را برای استفاده تجاری رونمایی کرد و ال‌ئی‌دی‌های نیترید گالیم بر روی سیلیسیم در شرکت "Plessey Semiconductors" در حال تولید هستند. در سال ۲۰۱۷، برخی از تولیدکنندگان از SiC به عنوان بستر تولید ال‌ئی‌دی استفاده می‌کنند، اما استفاده از یاقوت کبود متداول‌تر است، زیرا خصوصیات آن به گالیم نیترید شباهت بسیار دارد، و نیاز به الگودهی به ویفر یاقوت کبود را کاهش می‌دهد (ویفرهای طرح دار با نام
یاقوت کبود را کاهش می‌دهد (ویفرهای طرح دار با نام "اِپی ویفر" شناخته می‌شوند) سامسونگ، دانشگاه کمبریج و توشیبا در حال تحقیق دربارهٔ نیترید گالیم در مورد ال‌ئی‌دی‌های سیلیسیمی هستند. توشیبا احتمالاً به دلیل بازده پایین، تحقیقات را متوقف کرده‌است. بعضی از آنها برآرایی را انتخاب می‌کنند، که برای سیلیسیم دشوار است، درحالی‌که برخی دیگر، مانند دانشگاه کمبریج، به منظور کاهش عدم تطابق شبکه و نسبت‌های مختلف انبساط حرارتی، برای جلوگیری از ترک چیپ ال‌ئی‌دی در دماهای بالا (برای مثال در هنگام تولید)، کاهش تولید گرما و
(برای مثال در هنگام تولید)، کاهش تولید گرما و افزایش بهره درخشندگی، از ساختار چندلایه استفاده می‌کنند. برآرایی (یا یاقوت کبود الگودار) را می‌توان توسط طرح‌نگاری نقش-نانو انجام داد. نیترید گالیم اغلب با استفاده از برآرایی بخار فلز-آلی (MOCVD) رسوب داده می‌شود و از نیز استفاده می‌شود. ال‌ئی‌دی‌های سفید و پیشرفت چشمگیر در زمینه روشنایی. با اینکه می‌توان با استفاده از ال‌ئی‌دی‌های قرمز، سبز و آبی جداگانه، نور سفید ایجاد کرد، اما نتیجه، یک نمایش رنگ ضعیف است، زیرا فقط سه باند باریک از طول‌موج نور تابش می‌شود.
فقط سه باند باریک از طول‌موج نور تابش می‌شود. کشف ال‌ئی‌دی آبی پرقدرت بلافاصله منجر به کشف ال‌ئی‌دی سفید شد. در این وسیله پوشش فسفر آلایش شده با :سریم (که به عنوان YAG نیز شناخته می‌شود) از خود نور زرد تا فِلوئورِسانس تابش می‌کند. ترکیب این نور با نور آبی باقی مانده، در چشم سفید به نظر می‌رسد. اولین ال‌ئی‌دی‌های سفید تولید شده، گران و ناکارآمد بودند. با این حال، خروجی نور ال‌ئی‌دی‌ها به‌طور تصاعدی افزایش یافته‌است. نتایج جدیدترین تحقیق و توسعه توسط تولیدکنندگان ژاپنی مانند پاناسونیک و نیچیا و تولیدکنندگان
ژاپنی مانند پاناسونیک و نیچیا و تولیدکنندگان کره‌ای و چینی مانند سامسونگ، کینگسون و دیگران منتشر شده‌است. این روند در افزایش تولید به افتخار رولند هایتز، قانون هایتز نامیده شده‌است. شدت نور و راندمان ال‌ئی‌دی‌های آبی و نزدیک به فرابنفش افزایش یافت و قیمت آنها کاهش پیدا کرد. این امر منجر به استفاده از ال‌ئی‌دی‌های پرقدرت برای روشنایی محیط و جایگزینی آنها با لامپ‌های رشته‌ای و مهتابی گردید. در سال ۲۰۱۴ ال‌ئی‌دی‌های سفید آزمایشی برای تولید ۳۰۳ لومن بر هر وات برق (وات/لومن) به نمایش گذاشته شد. بعضی از آنها
برق (وات/لومن) به نمایش گذاشته شد. بعضی از آنها می‌توانند تا ۱۰۰,۰۰۰ ساعت دوام بیاورند. با این وجود در سال ۲۰۱۸، ال‌ئی‌دی‌های موجود در بازار تا ۲۲۳ لومن بر وات بهره‌وری دارند. رکورد قبلی ۱۳۵ لومن بر وات توسط نیچیا در سال ۲۰۱۰ به‌دست‌آمد. درمقایسه با لامپ‌های رشته‌ای، این یک افزایش چشمگیر در بازده الکتریکی است، و با این‌که خرید ال‌ئی‌دی گران‌تر است، هزینه کلی آن به‌طور قابل توجهی ارزان‌تر از لامپ‌های رشته‌ای است. فیزیک. در یک ال‌ئی‌دی، وقتی جریان الکتریکی از یک اتصال p–n عبور می‌کند، نور تابش می‌شود. به این
یک اتصال p–n عبور می‌کند، نور تابش می‌شود. به این پدیده الکترولومینسانس گفته می‌شود. الکترون‌ها از ناحیه n عبور کرده و با حفره‌های موجود در ناحیه p ترکیب می‌شوند. الکترون‌های آزاد در نوار انرژی هدایت قرار دارند، درحالی‌که حفره‌ها در نوار انرژی ظرفیت قرار دارند. درنتیجه سطح انرژی حفره‌ها از سطح انرژی الکترون‌ها کمتر است. برای بازترکیب دوباره این الکترون‌ها و حفره‌ها مقداری از انرژی باید دفع شود. این انرژی به‌صورت گرما و نور تابش می‌شود. در دیودهای سیلیسیم و ژرمانیم الکترون‌ها انرژی خود را به شکل گرما دفع
و ژرمانیم الکترون‌ها انرژی خود را به شکل گرما دفع می‌کنند، اما در نیم‌رساناهای گالیم آرسنید فسفید (GaAsP) و گالیم فسفید (GaP)، الکترون‌ها با انتشار فوتون انرژی خود را دفع می‌کنند. اگر نیم‌رسانا شفاف باشد، اتصال تبدیل به یک منبع نور، یا دیود نورگسیل می‌گردد. طول‌موج نور تابش‌شده، و درنتیجه رنگ آن، به انرژی شکاف انرژی مواد تشکیل دهنده "اتصال p-n" بستگی دارد. در دیودهای سیلیسیم یا ژرمانیم، الکترون‌ها و حفره‌ها معمولاً با یک "گذار غیرتابشی" بازترکیب می‌شوند، که هیچ نوع تابش نوری تولید نمی‌کند، چرا که آنها،
که هیچ نوع تابش نوری تولید نمی‌کند، چرا که آنها، موادی با شکاف انرژی غیر مستقیم هستند. موادی که برای ال‌ئی‌دی‌ها استفاده می‌شود دارای شکاف انرژی مستقیم هستند و انرژی آنها متناظر با نور نزدیک-فروسرخ، مرئی، و نزدیک-فرابنفش است. نیم‌رساناهای لخت و بدون‌پوشش مانند سیلیسیم نسبت به هوا ضریب شکست بالایی از خود نشان می‌دهند. فوتون‌هایی که با زاویه‌های زیاد و نزدیک به عمود به سطح نزدیک می‌شوند دچار بازتاب داخلی کامل می‌شوند. این پدیده هم بر روی راندمان گسیل نور ال‌ئی‌دی‌ها و هم بر روی راندمان جذب نور سلول‌های
ال‌ئی‌دی‌ها و هم بر روی راندمان جذب نور سلول‌های فتوولتائیک اثر می‌گذارد. مقدار ضریب شکست سیلیسیم ۳٫۹۶ است (در ۵۹۰ نانومتر)، درحالی‌که مقدار ضریب شکست هوا برابر ۱٫۰۰۰۲۹۲۶ است. به‌طور کلی، یک تراشه مسطح نیم‌رسانای ال‌ئی‌دی بدون روکش، فقط نوری را منتشر می‌کند که تقریباً عمود بر سطح نیم‌رسانا به آن رسیده باشد. نور قابل انتشار از ال‌ئی‌دی معمولاً به شکل یک مخروط به آن رسیده و تابش می‌شود که معمولاً به آن "مخروط نور" یا "مخروط فرار" گفته می‌شود. فوتون‌هایی که با زاویه برخورد بیش از زاویه بحرانی به سطح می‌رسند،
زاویه برخورد بیش از زاویه بحرانی به سطح می‌رسند، دچار بازتاب داخلی کلی شده و به داخل بلور نیم‌رسانا برمی گردند، مانند حالتی که سطح، یک آینه است. اگر زاویه برخورد به اندازه کافی کم باشد و کریستال به اندازه کافی شفاف باشد تا بازتابش فوتون را جذب نکند، بازتاب‌های داخلی می‌توانند از درون وجه‌های بلوری دیگر خارج شوند. اما برای یک ال‌ئی‌دی مربع ساده با سطوح زاویه‌دار ۹۰ درجه در همه طرف، همه وجوه مانند آینه عمل می‌کنند. در این حالت، بیشتر نور نمی‌تواند فرار کند و به‌صورت اتلاف گرما در کریستال از بین می‌رود. یک
و به‌صورت اتلاف گرما در کریستال از بین می‌رود. یک سطح تراشه حلقوی با وجوه شبیه به گوهرسنگ یا لنز فِرِسنل، با توزیع نور، عمود بر سطح تراشه و در سمت‌های جانبی، دور از منبع انتشار فوتون، می‌تواند باعث افزایش خروجی نور گردد. شکل ایدئال نیم‌رسانا با حداکثر خروجی نور، میکروکره است که منبع انتشار فوتون دقیقاً در مرکز قرار داشته، و الکترودها برای تماس در نقطه انتشار به مرکز نفوذ کرده‌اند. تمام پرتوهای نوری که از مرکز خارج می‌شوند عمود بر کل سطح کره بوده و درنتیجه هیچ بازتاب داخلی وجود ندارد. یک نیم‌رسانای نیم
هیچ بازتاب داخلی وجود ندارد. یک نیم‌رسانای نیم کره‌ای نیز به همین شیوه کار می‌کند، و سطح پشتی صاف آن به عنوان آینه فوتون‌های پراکنده به پشت عمل می‌کند. افزاره‌های حالت-جامد مانند ال‌ئی‌دی‌ها در صورتی که با جریان کم و در دماهای پایین کار کنند، عمر بسیار بالایی خواهند داشت. برای ال‌ئی‌دی‌های سفید معمولاً ۲۵۰۰۰ تا ۱۰۰۰۰۰ ساعت عمر کاری ذکر می‌شود، اما گرما و تنظیمات جریان می‌تواند این عمر را به شدت کاهش دهد. ال‌ئی‌دی‌ها از انواع مختلف مواد نیم‌رسانای غیرآلی ساخته می‌شوند. جدول زیر رنگ‌های موجود با طول‌موج، افت