payamvha/North_RAG huggingface dataset:
اپتیاکسی خلاء فضایی در دانشگاه هوستون، نتایجی را در یک کنفرانس حافظهٔ غیر فرار که در سان دیگو، کالیفرنیا، در 6-7 نوامبر برگزار شد، در مقاله‌ای با عنوان «مفهوم جدید برای حافظهٔ غیر فرار: پالس الکتریکی ناشی از اثر تغییر مقاومتی لایه‌های غول آسای نازک با مقاومت مغناطیسی»، ارائه دادند. به نظر می‌رسد که این اولین شناسایی اهمیت لایه‌های دوتایی اکسیدی برای رسیدن به یک نسبت مقاومت بالا به پایین باشد. اطلاعات، شامل منحنی‌های گذرنده از صفر Lissajous است که توسط چاو وکانگ مورد بحث قرار گرفت، اما هنوز به ارتباطی با
وکانگ مورد بحث قرار گرفت، اما هنوز به ارتباطی با ممریستورها اشاره نشده بود و توضیحی برای مکانیزم زمینه ارائه نشد. Ju.H.krieger، S.V Trubin S.B. ، Vaschenko و N.F.Vaschenko، مقاله‌ای را تحت عنوان «سلول حافظهٔ آنالوگ مولکولی بر پایهٔ سوئیچینگ الکتریکی و حافظه در لایه‌های نازک مولکولی» منتشر کردند. مقاله تولید یک آرایهٔ 8 در 8 سوئیچینگ مقاومت دو پایانه‌ای را، بر پایهٔ اولیگومرهای قابل حل یک پلیمر کونژوگر و یک تجمع یونی (نمک سدیم) نشان می‌دهد. این اصل، امکان ایجاد سلول‌های حافظه، چند بیت بر هر سلول را فراهم
ایجاد سلول‌های حافظه، چند بیت بر هر سلول را فراهم می‌کند، و زمینه کار روی نورون مصنوعی برای شبکه‌های عصبی و کامپیوترهای عصبی را فراهم می‌کند. Ju.H.Krieger و N.F.Yudanov، در انتظار تأکید یک برنامه بین‌المللی PCT، PCT/RUO 1/00334 هستند، که سلول حافظهٔ دارای لایه‌های فعال و غیرفعال را که ممکن است چندین بیت اطلاعات ذخیره کنند را توصیف می‌کند. لایهٔ فعال ممکن است شامل پلیمرهای کونژوگر، ترکیب‌ها یا انواع مختلف اکسید که مقاومت‌های متغیری بر مبنای حرکت یون‌ها و الکترون‌ها بین لایهٔ فعال و لایهٔ غیرفعال دارد، باشد.
بین لایهٔ فعال و لایهٔ غیرفعال دارد، باشد. لایهٔ غیر فعال ممکن است یک مادهٔ سوپر یونی باشد که تحرک یون و الکترون بالایی دارد. 2003: A.Bandyopadhyay و A.t..pal از انجمن علمی هند، اثبات کردند که اثرات سوئیچینگ رسانایی و حافظه، به مقدار زیادی در مولکول‌های عالی برای کاربردهای ذخیره اطلاعات وجود دارد. آن‌ها مشخصه‌های ولتاژ جریان مشابه پیش‌بینی chua در مورد ممریستور را نشان دادند، و حافظهٔ دسترسی تصادفی را میلیون‌ها بار و حافظهٔ فقط خواندنی را برای ساعت‌ها نشان دادند. آن‌ها ویژگی ممریستور را با استفاده از
نشان دادند. آن‌ها ویژگی ممریستور را با استفاده از گروه‌های تابعی کردند، A.bandyopadhyay و chen B 107 ،A.JPAS، آن‌ها ویژگی ممریستیو را از طریق ساختارهای ابر مولکولی خود مونتاژ میزان کردند. 2004: N.F .yadanov،ju.N .kriger امتیاز نامه 157،768،(27ژوئیه)،526،806(19 اکتبر)،268،815،6(9 نوامبر)(در خصوص دستگاه‌های پیشرفته بسیار ریزی) را برای توصیف اینکه سلول‌های حافظه‌ای دارای لایه فعال و غیر فعال ممکن است بیت‌های اطلاعاتی چندگانه را ذخیره کنند، دریافت کردند. لایه فعال ممکن است شامل پلیمرها، ترکیبات یا انواع مختلف
ممکن است شامل پلیمرها، ترکیبات یا انواع مختلف اکسید که مقاومت‌های متغیری بر مبنای حرکت یون‌ها و الکترون‌ها بین لایه فعال و غیر فعال دارد، باشد. لایه غیرفعال ممکن است یک ماده سوپر یونی باشد که تحرک یونی بالایی دارد. (15-17نوامبر) مقاله‌ای در مجموعه مقالات IEEE «همایش فناوری حافظه غیر فرار» سال 2004، با عنوان «حافظه غیر فرار بر پایه پدیده‌های سوئیچینگ و ابقا در لایه‌های نازک پلیمری» منتشر کردند. این کار عملی، فرایند تغلیظ پویای پلیمر و مواد دی الکتریک مانند را به منظور بهبود مشخصه‌های سوئیچینگ و ابقای مورد
را به منظور بهبود مشخصه‌های سوئیچینگ و ابقای مورد نیاز برای فلق سلول‌های کاربردی حافظه، توصیف می‌کند. 2005: (22مارس) Darrell Rinerson, Christophe Chevallier, Steven Longcor, Wayne Kinney, Edmond Ward, و استیو کئورن امتیاز6،870،755 ثبت اختراع V.S در خصوص «نمیه هادی منسجم»، که شامل اعطای ثبت اختراع مواد سوئیچینگ مقاومت دو ترمینالی برگشت پذیر بر مبنای اکسیدهای فلزی بودرا دریافت کردند. N.F.Yadanof و ju.Hriger و امتیاز خاصه 830،720 ثبت اختراع (4ژانویه) 6،855،977 (15 فوریه) 6 ،858،481 (22 فوریه) 6،864،522 (8
(15 فوریه) 6 ،858،481 (22 فوریه) 6،864،522 (8 مارس) 6،873،540 (29 مارس) در خصوص «دستگاه‌های پیشرفته بسیار ریزی» را برای توصیف تولید سلول‌های حافظه سوئیچینگ مقاومت دارای لایه‌های فعال و غیر فعال، دریافت کردند. به‌کارگیری خود مونتاژها باعث تولید سلول‌های حافظه پلیمری در مکان‌های دقیق نقاط تماس آرایه‌های ترانزیستور می‌شود. مکانیزم القای تغییر رسانایی پلیمر با تغییر غلظت دوپینگ آن، رویکرد امید بخشی را برای ساخت دستگاه‌های حافظه‌ای مختلف، فراهم می‌کند. 2006: (14 فوریه) Stanford ovshinsky امتیازنامه 6،999،593
فوریه) Stanford ovshinsky امتیازنامه 6،999،593 ثبت اختراع U.S را برای توصیف یک سیستم عصبی سیناپسی بر اساس ماده تغییر فازی که به عنوان سوئیچ مقاومت دو ترمینالی مورد استفاده قرار می‌گرفت، دریافت کرد. مقاله اصلی leonchun در مورد ممریستور، توسط اداره ثبت اختراع آمریکا، به عنوان یک مربع مربوط به روش قبلی مورد استفاده قرار گرفته‌است. اما هیچ اشاره خاصی به ارتباط با نظریه ممریستور نشده‌است. Ju. H. Krieger و N.F. Yudanov امتیاز نامه 6،992،323 ثبت اختراع u.s در 31 ژانویه و 7،113،420 در 26 سپتامبر در خصوص «دستگاهای
و 7،113،420 در 26 سپتامبر در خصوص «دستگاهای پیشرفته بسیار ریزی» را برای توصیف تولید سلول‌های حافظه سوئیچینگ مقاومت دو ترمینالی دریافت کردند. (11 سپتامبر) Shangquig Liu, Naijuan Wu, Alex Ignatiev وJianren Li publish مقاله‌ای را تحت عنوان((اثر تغییر ظرفیت خازنی ناشی از پالس الکتریکی در لایه‌های نازک اکسید perovskite،منتشر کردند که به نظر می‌رسد اثرات مشابه آن چه که مربوط به یک memcampacitor است را افشا می‌کند. 2007: (2 ژانویه) Juri H. Krieger و Stuart M. Spitzer receiveامتیاز نامه 157،382 ثبت اختراع (در خصوص
receiveامتیاز نامه 157،382 ثبت اختراع (در خصوص SPANSION را برای توفیق تولید یک دیود با قابلیت سوئیچ با حافظه که دارای لایه‌های فعال و غیر فعال با خواص نیمه هادی متقارن است) دریافت کردند. لایه فعال ممکن است شامل پلیمرهای ترکیبات یا انواع مختلف اکسید که مقاومت‌های متغیری بر مبنای حرکت یون‌ها و الکترون‌ها در بین لایه‌های فعال و غیر فعال دارند، باشد. لایه غیر فعال ممکن است یک ماده سوپر یونی باشد که تحرک یونی بالایی دارد. (27 فوریه) Vladimir Bulovic, Aaron Mandell, و Andrew Perlmanرا دریافت کردند که شامل
Mandell, و Andrew Perlmanرا دریافت کردند که شامل ادی‌های اساسی برای روش‌های برنامه‌ریزی سوئیچ‌های مقاومت یونی 2 ترمینالی برای فعالیت به عنوان یک فیوز یا ضد فیوز بود. (10 آوریل) Gregory Snider از آزمایشگاه‌های HP امستیاز نامه 203،789،7 و ثبت اختراع را برای توصیف پیاده سازی‌های سوئیچ‌های مقاومت دو ترمینالی مشابه ممرویستورها در محاسبات ببا قابلیت پیکر بندی مجدد، دریافت کردند. (10 آگوست)Gregory Snider از آزمایشگاه‌های HP مقاله «محاسبات فود سازمان یافته با نانو ابزارهای ممریستور را در ((مجله فناوری نانو و علم
ابزارهای ممریستور را در ((مجله فناوری نانو و علم نانو»منتشر کرد. این مقاله نانو ابزارهای ممریستور وفید برای بازشتافت الگو و ساختارهای مدار با قابلیت پیکر بندی مجدد را مورد بحث قرار می‌دهد. 27 نوامبر بلیس موتت دانشجوی کارشناسی ارشد در دانشگاه جورج جیسون امتیاز نامه 7،302،513 ثبت اختراع U.S را برای توصیف کاربردهای ماور سوئیچینگ مقاومت 2 ترمینالی در پردازش سیگنال، سیستم‌های کنترلی، ارتباط‌ها و بازشناخت الگو دریافت کرد. 2008: (15 آوریل) Greg Snider از آزمایشگاه hp امتیاز نامه 7،359،88 ثبت اختراع us را برای
hp امتیاز نامه 7،359،88 ثبت اختراع us را برای ادعای اساسی در مورد یک آرایه خط عرضی سوئیچ مقاومت دو ترمینالی در مقیاس نانو که به شکل یک شبکه عصبی بوده دریافت کرد. (1 می)Dmitri Strukov, Gregory Snider, Duncan Stewart, and Stan Williamsاز آزمایشگاه hp مقاله‌ای را در مورد طبیعت (یافتن ممریستور از دست رفته)منتشر کردند که پیوندی را بین رفتار سوئیچینگ مقاومت دو ترمینالی مشاهده شده در سیستم‌هایی در مقیاس نانو و ممویستور لئون چای شناسایی می‌کنند. (1-5 ژوئن) دانشجوی کارشناسی ارشد در دانشگاه جورج مقاله‌ای را تحت
کارشناسی ارشد در دانشگاه جورج مقاله‌ای را تحت عنوان «ساختارهای محاسباتی غیر منطقی با آرایه‌های خط عرضی در مقیاس نانو» را ارئه داد؛ که ساختارهای محاسباتی آنالوگ را با استفاده از مواد سوئیچینگ مقاومت دو ترمینالی مشابه ممریستور در کنفرانس و نمایشگاه تجارتی فناوری نانو nsti 2008 در بوستون توصیف کرد. (7 ژوئیه) Victor Erokhin و M.P. Fontana ادعا کردند که قبل از ممریستور تیتانیوم دی‌اکسید گروه استان ویلیام در مقاله‌ای ممریستور پلیمری ساختند که 2 سال پیش‌ساخته شده‌اند. (15 ژوئیه) J. Joshua Yang, Matthew D.
شده‌اند. (15 ژوئیه) J. Joshua Yang, Matthew D. Pickett, Xuema Li, Douglas A. A. Ohlberg, Duncan R. Stewart R. Stanley Williams مقاله‌ای در مجله نیچر نانو تکنولوژی چاپ کردند که رفتار ممریستور سوئیچینگ و مکانیزم متال نانو دیوایس آن را در نانو ابزار نشان می‌دهند و اثبات می‌کنند. (26 آگوست) Stefanovich Genrikh, Choong-rae Cho, In-kyeong Yoo, Eun-hong Lee, Sung-il Cho, Chang-wook Moon اختراع خود را که به سامسونگ واگذار شده‌است که شامل ادعای ثبت اختراع اولیه‌ای از بیلایر اکسید برای 2 ترمینال و سوئیچ مقاومت و
از بیلایر اکسید برای 2 ترمینال و سوئیچ مقاومت و دارای ویژگی‌های ممریستور هست دریافت کردند. اگرچه ارتباطی به تئوری لئون چای در توضیحات این اختراع دیده نشد. (14 – 16 سپتامبر) چند دانشجوی فارغ‌التحصیل از دانشگاه جورج ماسان پوستری ارئه دادند که در مجله نیچر نانو سال 2008 که کنفرانس نانو تکنولوژی در بوستون است. (23 سپتامبر) Yu V. Pershin و M. Di Ventra از دانشگاه سن دیگو کالیفرنیا مقاله‌ای منتشر کردند که در آن رفتار ممریستور "spintronic" (یعنی حالت اسپین الکترونیک دارد) ذکر شده‌است. (22-اکتبر)Yu V. Pershin, S.
دارد) ذکر شده‌است. (22-اکتبر)Yu V. Pershin, S. La Fontaine, M. Di Ventra مقاله‌ای را که رفتارهای ممریستور در حوزه amoeba را مشخص می‌کند. (۲۸ اکتبر) Duncan Stewart, Patricia Beck, and Doug Ohlberg که در دانشگاه HP تحقیق می‌کردند، ثبت اختراع ای را که شامل ادعای استفاده از مقاومت‌های سوئیچی ۲ ترمیناله قابل تنظیم در ابعاد نانو بود، دریافت کردند. (۲۱ نوامبر)Leon Chua, Stan Williams, Greg Snider, Rainer Waser, Wolfgang Porod, Massimiliano Di Ventraو Blaise Mouttet speak در سمپوزیوم سیستم‌های ممریستور و ممریستیو
speak در سمپوزیوم سیستم‌های ممریستور و ممریستیو که در دانشگاه برکلی کالیفرنیا برگزار شد سخنرانی کردند. بحث‌هایی که شامل تئوری‌های مبانی سیستم‌های ممریستور و ممریستیو و دورنمایی از ویژگی‌های ممریستور برای RRAM و معماری و ساختار الکتریکی NEUROMORPHIC آن‌ها بودرا آقایان Leon Chua و Sung Mo Kang مطرح کردند. 2009: (21ژانویه)Sung Hyun Jo, Kuk-Hwan Kimو Wei Lu از دانشگاه میشیگان مقاله‌ای در nano letter که جزییات مواد ممریستیو پایه سیلیکون با ویژگی‌های آمورفی که قابلیت یکسان شدن با ابزارهای cmos را دارد، بود. (23
یکسان شدن با ابزارهای cmos را دارد، بود. (23 ژانویه) Massimiliano Di Ventra, Yuriy V. Pershin, Leon O. Chua مقاله‌ای را تحت عنوان "عناصر مدار با فاصله:ممریستورها، درمجله‌ای منتشر کردند که شامل مفاهیمی از سیستم‌های ممریستیو در مواد خازن و القایی که به نام خازن و اینداکتیو شناخته می‌شوند و ویژگی آن‌ها به وضعیت و گذشته سیستم بستگی دارد، می‌شد. (10 فوریه) گروه تحقیقاتی آزمایشگاه HP مقاله‌ای تحت عنوان"ممریستور پیوندی، جریان منطقی، ترانزیستور با قابلیت برنامه‌ریزی مستقل در مجموعه مقالات آکادمی ملی علوم به چاپ
مستقل در مجموعه مقالات آکادمی ملی علوم به چاپ رساند. (1 می) مقاله‌ای در nano letter تحت عنوان :مجموعه نانو ذرات به عنوان ممریستور منتشر کرد؛ که مواد با ویژگی‌های ممریستور بر پایه اجزای نانوی مغناطیسی که به تازگی شناخته شده‌اند را تشریح می‌کند. این مواد مدل‌های ممریستوری جدیدی ارائه می‌دهند که شامل هر دو "مقاومت وابسته به زمان و ظرفیت وابسته به زمان است. (19 می)Yuriy Pershin و Massimiliano Di Ventra مقاله‌ای را تحت عنوان ارائه آزمایش حافظه اشتراکی را چاپ کردند که در آن امیلیتور ممریستور از خود خاصیت‌های
کردند که در آن امیلیتور ممریستور از خود خاصیت‌های neural synaps نشان می‌دهد. (2 ژوئن)A.Delgado مقاله‌ای تحت عنوان "خطی شدن ورودی خروجی سیستم‌های ممریستیو در مجموعه مقالات IEEE منتشر کرد. این عمل مشخص کرد که خطی‌سازی معکوس می‌تواند بر مموریستورهایی که دستگاه‌های خطی را ایجاد می‌کنند اعمال گردند. (3 ژوئن) دانشمندان در NIST مقاله‌ای را در خصوص ممریستور انعطاف پذیر منتشر کردند. ممریستور NIST نظیر آزمایشگاه‌های HP بر مبنای TIO2 است اما در دمای اتاق دچار ته نشست می‌شود. اما به عنوان یک سنسور زیستی بالقوه یا در
می‌شود. اما به عنوان یک سنسور زیستی بالقوه یا در شناسایی فرکانس‌های رادیویی مورد استفاده قرار می‌گیرد. (13 ژوئیه) در دومین کنفرانس بین‌المللی اختراعات مهندسی و تکنولوژی Blais mouttet از دانشگاه جرج مایسون نانو ابزارهای ممریستور مفید برای بازشناخت الگو و ساختارهای مدار با قابلیت پیکر بندی مجدد ا مورد بحث قرار می‌دهد و همچنین به تشریح سیستم‌های آنالوگ و سیستم‌های کنترلی روباتیک پرداخت. (4 آگوست) تشخیص فیزیکی آرایه قابل تغییر به صورت الکتریکی سینابس‌های عصبی توسط محققانی در مؤسسه علوم و تکنولوژی گوانجو انجام
محققانی در مؤسسه علوم و تکنولوژی گوانجو انجام شد نتیجه فعالیت آن‌ها در مقاله نانو تکنولوژی به چاپ رسید. (17 سپتامبر) رفتار ممریستیو اتصالات تونل مغناطیسی توسط محققانی از دانشگاه بیلفیلد آلمان تشریح شد. ترکیب سوئیچینگ مقاومتی و مقاومتی مغناطیسی منجر به قرار گرفتن ممریستور در مرتبه دوم شد. دو متغیر در لایه القایی (موفقیت خالی اکسیژن) و الکترودهای مغناطیسی و شناسایی نسبی جهات مغناطیسی می‌باشند. 2010: (17 فوریه) مروری در مورد ممریستور و روساهای مدل‌سازی آن برای انتشار در مجموعه مقالات ROYAL society مورد پذیرش
انتشار در مجموعه مقالات ROYAL society مورد پذیرش قرار گرفت. دومین همایش در رابطه با سیستم ممریستور در تاریخ سه شنبه 2 فوریه 2010 در دانشگاه برکلی برگزار شد. (8 آوریل) آرایه ممریستور برای ایجاد توابع منطقی نشان داده شده‌است. (20آوریل) حافظه نشان پذیر با محتوای ممریستور "nist "معرفی شد؛ و در مذاکرات IEEE در مقیاس بسیار بزرگی پذیرفته شد. (1 ژوئن) در همایش بینالمللی در مورد مدارها و سیستم دو جلسه ویژه‌ای در مورد دستگاه ممریستور و ساخت و ساز برگزار شد. یکی از ارائه‌ها تحت عنوان «دانستنی‌هایی در مورد ممریستور»
تحت عنوان «دانستنی‌هایی در مورد ممریستور» توست بلیس میوت بود. او استدلال کرد که تفسیر ممریستور به عنوان عامل چهارم نادرست بود؛ و دستگاه‌های کشف شده توسط آزمایشگاه HP در واقع ممریستور نبود بلکه بخشی از یک درجه گسترده‌تر از سیستم‌های ممریستور بوده‌است. (31 اوت)HP اعلام کرد آن‌ها با HYNIT تیمی را برای تولید یک محصول تجاری با عنوان RRAM تشکیل دادند. (15 اکتبر) 2010 در کنفرانس در مورد ابزارها و مواد نانو تکنولوژی مقاله‌ای را در مورد «ممریستور به عنوان کنترل‌کننده ارائه داد» این کار باعث شد ممریستور به عنوان
ارائه داد» این کار باعث شد ممریستور به عنوان ابزاری با قابلیت برنامه‌ریزی برای سیستم حلقه بسته و مشتق تابع توصیف تقریبی برای حلقه پسماند شناخته شود. (7 دسامبر) Ju-Hee So و Hyung-Jun Koo از دانشگاه ایالتی کالیفرنیای شمالی یک فرم هیدروژن ممریستور رو که برای ساخت یک واسطه بین مغز و کامپیوتر استفاده می‌شود را معرفی کردند. 2013 در 27 فوریه توماس و همکاران، نشان داد که ممریستور می‌توان برای تقلید یک سیناپس آسانتر از تکنولوژی CMOSهای سنتی و به عنوان پایه و اساس برای ساخت مدارهای فیزیکی قادر به یادگیری استفاده
برای ساخت مدارهای فیزیکی قادر به یادگیری استفاده می‌شود. روش بهره‌گیری از ممریستور به عنوان مؤلفه‌های کلیدی در طرح برای مغز مصنوعی. [94] در تاریخ ۲۳ آوریل والوو، و همکاران، استدلال کرد که تئوری memristive فعلی باید به یک نظریه جدید گسترش به درستی عناصر سوئیچینگ مقاومتی مبتنی بر اکسیداسیون و کاهش (ReRAM) توصیف می‌کنند. دلیل اصلی وجود نانوباتری‌هایی در سوئیچ مقاومتی مبتنی بر اکسیداسیون و کاهش آن را نقض شرط نظریه ممریستور برای پسماند باریکش است. [۵] ۲۰۱۴ در ۱۰ فوریه، نوجنت و مولتر شکل جدیدی از محاسبات لقب
۱۰ فوریه، نوجنت و مولتر شکل جدیدی از محاسبات لقب «AHaH رایانه»، که با استفاده از جفت دیفرانسیل ممریستورها به عنوان رسانه ذخیره‌سازی برای وزن‌های سیناپسی معرفی شده‌اند. معماری پیشنهاد فراهم می‌کند یک راه حل به «تنگنا فون نویمان» با ادغام پردازنده و حافظه، و سخت‌افزار آینده را بر اساس تکنولوژی ممکن است مصرف برق از برنامه‌های کاربردی یادگیری ماشین را کاهش دهد. [۹۵] در تاریخ ۱۰ نوامبر، بسسانوو و همکاران. نوع جدیدی از ممریستور انعطاف‌پذیر شامل ناهمگن MoOx / MoS2 راه حل پردازش انباشته با الکترود نقره‌ای چاپ شده
راه حل پردازش انباشته با الکترود نقره‌ای چاپ شده در فویل پلاستیکی نشان داده است. [۴۷] ۲۰۱۵ در مارس ۲۱، بیوگرافی الهام فناوری از بویزی، آیداهو معرفی اولین ممریستور گسسته تجاری در دسترس. ممریستور با الهام زیستی است در سیلیکون ساخته و بر اساس نقره chalcogenide رسانا طراحی پل پشته. دستگاه آنالوگ است و در پاک کردن و برنامه‌های مختلف ایالات با استفاده از ولتاژ DC یا پالس گسسته برنامه‌ریزی. ممریستور را تشکیل بلوک ساختمان ایده‌آل برای محققان علاقه‌مند در طراحی و نمونه‌سازی مدارهای neuromorphic و معماری حافظه
و نمونه‌سازی مدارهای neuromorphic و معماری حافظه پیشرفته. منابع. ویکی‌پدیای انگلیسی http://en.wikipedia.org/wiki/Memristor
روستای محمودآباد از توابع بخش اسفرورین در شهرستان تاکستان، استان قزوین، ایران است. این روستا سابقا جزء منطقه دشتابی بود که با تأسیس بخش اسفرورین در سال ۱۳۷۶ جزئی از این بخش گردید. موقعیت. روستای محمودآباد در ۲۰ کیلومتری قسمت جنوب شرقی شهرستان تاکستان و در قسمت شمال شهر اسفرورین قرار دارد. تاریخچه. این روستا حدوداً ۱۰۵ سال پیش توسط شخصی به نام بیگلربیگی بنا گردیده‌است، نامبرده دو فرزند پسر به نامهای محمود و حسین داشته و با توجه به اینکه در زمانهای قدیم املاک و زمینها در اختیار اربابان قرار داشته‌است و برای
و زمینها در اختیار اربابان قرار داشته‌است و برای اینکه بیگلربیگی بتواند کنترل کلیه زمینهای خود را داشته باشد، اقدام به بنای دو روستای مورد نظر یکی به نام حسین و دیگری به نام محمود احداث می‌نماید و یکی را حسین آباد و دیگری را محمودآباد نامگذاری کرده‌است. جمعیت. این روستا در دهستان اک قرار داشته و براساس سرشماری سال ۱۳۸۵جمعیت آن ۴۵۳نفر (۱۱۲خانوار) بوده‌است. زبان مردم این روستا ترکی و مردم آن مسلمان شیعه هستند. محصولات. محصولات کشاورزی این روستا عبارتند از گندم، جو، آفتابگردان، سیب، هلو، شلیل، و غیره.
موقعیت جغرافیایی روستای ازملی (نیمچا) این روستا در 2 کیلومتری شمال شهرستان نکا از طوابع استان مازندران واقع شده است، این روستا از شرق به اراضی روستای ولاشد و از غرب به اراضی روستای آلوکنده و از جنوب به بخش ماکرویوبه شهرستان نکا و از شمال به اراضی روستای سیاوشکلا متصل است. شغل اکثر اهالی این روستا، کشاورزی و باغبانی و دامداری است. نام ترکی این روستا ازملی بوده‌است که بعد از مرور زمان به نام، نیم چاه تغییر نام داده است. زبان ساکنین این روستا زبان ترکی می‌باشد که به دلیل نداشتن هم صحبت در منطقه این زبان کمی با
به دلیل نداشتن هم صحبت در منطقه این زبان کمی با ترکی، فارسی و زبان مازنی ترکیب شده‌است . روستای نیمچاه در زبان بومی " ازملی - EZMELLI " بیان می‌شود که معنی آن " به میل خودت " می‌باشد .تعداد فعلی سکنه روستای نیمچاه ۴۱۳ نفر می‌باشد. تاریچه روستای ازملی (نیمچا) ازملی: واژه‌ای به زبان ترکی است که از دو واژه اوز + میل به معنای ( به میل و اراده خویشتن) تشکیل شده است، به این معنا که (افرادی از سرزمین قبلی خویش با میل و اراده خود به این مکان نقل مکان کردند.) در یک جمله می‌توان گفت با میل و اختیار خویش این مکان را
جمله می‌توان گفت با میل و اختیار خویش این مکان را برای سکونت برگزیدند. سال‌ها قبل گروهی از اهالی شوروی، روسیه کنونی بنا به دلایل سیاسی و منطقه‌ای از سرزمین مادری خود به شهر قوچان کوچ کردند. در دوره ی آقا محمد خان قاجار این افراد ترک برای نگهبانی و مرزبانی به این منطقه منتقل شدند، آقا محمدخان از این اهالی ترک خواست در قبال نگهبانی و مرزبانی چیزی از او بخواهند، این افراد از شاه خواستند که مزرعه، خانه و تفنگ در اختیار آن‌ها قرار دهد و برای خود افرادی آزاد باشند. آب و هوای معتدل و زمین‌های حاصلخیز سبب به اقامت
آب و هوای معتدل و زمین‌های حاصلخیز سبب به اقامت آن‌ها شد. در کنار نگهبانی و مرزبانی به کشاورزی و دامداری مشغول شدند، علی اکبر دهخدا در فرهنگ لغت خود از این روستا این‌گونه یاد میکند: ساکنین گرجی الاصلی که از روسیه مهاجرت نموده‌اند. «دهی است از دهستان قره طغان بخش بهشهر شهرستان ساری . در ۲هزارگزی شمال ایستگاه نکا، در دشت معتدل مرطوبی واقع و ۱۳۰ تن سکنه دارد. آبش از رود نکا، محصولش غلات، برنج، پنبه و شغل اهالی زراعت است .» منابع. امین
دالی ربکا پارتن دین (به ؛ زادهٔ ) خواننده-ترانه‌پرداز، بازیگر و انسان‌دوست آمریکایی است. پارتن از معدود خوانندگان زن سبک موسیقی کانتری است که شهرت و محبوبیت جهانی دارد. شهرت او تا جایی است که لقب ملکهٔ موسیقی کانتری به او داده‌اند. او تابه‌حال موفق به دریافت ۷ جایزهٔ گرمی شده‌است. حدود ۱۰۰ میلیون نسخه از آلبوم‌های موسیقی این خواننده به‌فروش رسیده‌است. مشهورترین ترانهٔ دالی پارتن، جولین نام دارد که در سال ۱۹۷۴ میلادی توسط او ساخته و خوانده شد. او همچنین در فیلم‌های ماگنولیاهای فولادی و نه تا پنج بازی
در فیلم‌های ماگنولیاهای فولادی و نه تا پنج بازی کرده‌است.
پزشکی قانونی یا دادپزشکی یا پزشکی قضائی مرجعی صاحب صلاحیت برای اظهار نظر پزشکی حقوقی در دادگاه‌ها است. سازمان پزشکی قانونی وابسته به قوه قضائیه است که به منظور کارشناسی در امور پزشکی که نظریات آن برای مراجع قضائی و سایر سازمان‌های دولتی مستند باشد و بررسی و تحقیق در امور پزشکی قانونی در پیشگیری از وقوع جرم تشکیل شده‌است. رئیس این سازمان از سوی رئیس قوه قضائیه از میان پزشکان واجد صلاحیت تعیین می‌شود. سازمان هزینه‌های مقرر خدمات پزشکی قانونی را اخذ و به حساب درآمد عمومی کشور واریز می‌نماید. در ایران اصطلاح
درآمد عمومی کشور واریز می‌نماید. در ایران اصطلاح پزشکی قانونی دو موضوع را تداعی می‌کند: وظیفه سازمان پزشکی قانونی. وظیفه‌های اصلی سازمان پزشک قانونی عبارتند از: ساعت کار پزشکی قانونی همه روزه به جز جمعه‌ها از ساعت ۸ صبح الی ۱۴:۳۰ مطابق با ساعات اداری می‌باشد /وظایف متخصصین پزشکی قانونی در سایت وزارت بهداشت ایران موجود می‌باشد. کارشناسی‌ها. یک دادپزشک (متخصص پزشکی قانونی یا در شرایط فعلی به دلیل کمبود نیرو سایر پزشکان آشنا به مسایل قانونی نیز به صورت دوره‌ای در این حیطه فعالیت می‌کنند) باید با جزئیات موارد
در این حیطه فعالیت می‌کنند) باید با جزئیات موارد زیر به صورت تخصصی آشنا باشد: کلیات پزشک و قانون، مرگ‌شناسی، مرگ‌های ناگهانی طبیعی در بالغین و کودکان، شکنجه و مرگ در زندان، تشخیص هویت، تروماتولوژی (ضرب و جرح)، سلاح گرم و انفجارات، خفگی‌ها، غرق‌شدگی‌ها، تروماهای حرارتی (سوختگی، سرمازدگی، گرمازدگی)، برق‌گرفتگی و صاعقه‌زدگی، حاملگی و سقط جنین، نوزادکشی، کودک‌آزاری، مسائل جنسی در پزشکی قانونی، کلیات سم‌شناسی، الکل‌ها، داروهای مخدر و توهم‌زا، آفت‌کش‌ها، سموم گازی و سموم دارویی. سازمان پزشکی قانونی در ایران.
گازی و سموم دارویی. سازمان پزشکی قانونی در ایران. سازمان پزشکی قانونی به شکل نوین آن در ایران از حدود نه دهه پیش به صورت اداره‌ای وابسته به وزارت دادگستری فعالیت خود را آغاز کرد. با توسعه روش‌های کشف جرم و افزایش نیاز مجامع قضایی به خدمات پزشکی قانونی به اداره کل تبدیل شد و در سال ۱۳۷۲ طبق درخواست متخصصین پزشکی قانونی با تصویب مجلس شورای اسلامی، سازمان پزشکی قانونی کشور به عنوان سازمانی وابسته و زیر نظر رئیس قوه قضائیه تأسیس شد.
علیرضا عطاران نویسنده، منتقد ادبی و پژوهشگر اهل ایران است. زندگی. علیرضا عطاران با لقب (علی آرام) داستان‌نویس، پژوهشگر و منتقد ادبیات در سال ۱۳۳۷ در منطقه سناباد و احمدآباد مشهد و در خانواده‌ای غیر سنتی بدنیا آمد. در سال ۱۳۸۱ به آلمان مهاجرت کرد و آنجا زندگی می‌کند. آثار نویسنده در ایران و آلمان منتشر شده‌است. اولین اثر نویسنده مجموعه داستان واکسی است که در آلمان منتشر شد. بررسی آثار. شهرنوش پارسی پور می‌نویسد: علیرضا عطاران نویسنده پرکاری است که آهسته و پیوسته کار کرده و آثاری عرضه کرده‌است… او سعی می‌کند
کار کرده و آثاری عرضه کرده‌است… او سعی می‌کند داستان‌های واقعی را به رشته تحریر درآورد. یعنی تا آنجا که بر می‌آید داستانهای واقعی هستند که یا برای خود نویسنده اتفاق افتاده‌اند یا برای کسان دیگری در اطراف او. البته داستانهایی هم دارد که به نظر می‌آید داستان خالص هستند و ربطی به ماجراهای واقعی ندارند. مثل داستان عطش؛ زن جوانی با بچه‌اش راه می‌افتد و می‌روند که برای بچه یک پرگار بخرند. زن پول مختصری دارد و به دلیل تشنگی مجبور می‌شود یک نوشابه بخرد و تقریباً همه‌اش را خودش می‌خورد و کمی هم به بچه می‌دهد که او
را خودش می‌خورد و کمی هم به بچه می‌دهد که او هم تشنه‌است. به مغازه خرازی می‌رسند و زن می‌بیند پولش برای خرید پرگار کافی نیست. بچه زار می‌زند و گریه می‌کند و زن مجبور می‌شود در قبال پول خودش را تسلیم مغازه‌دار کند. او زنی است تنها. شوهرش به سفر رفته و ناپدید شده‌است و زن باید زندگی خانوادگی را در یک شرایط غم‌انگیز و با فقر بگذراند. این داستان جالبی است که به نظر می‌آید معیارش شخص واقعی نباشد و نویسنده داستان را خودش اختراع کرده؛ ولی چه بسا این داستان هم واقعی باشد چون علاقه علیرضا عطاران به این است که
واقعی باشد چون علاقه علیرضا عطاران به این است که داستانها را به شکل واقعی بنویسد عباس معروفی در مقدمه کتاب شکار پروانه‌ها می‌نویسند: علی‌رضا عطاران این داستان‌نویس که آرام می‌نماید و یک شورشی است، من البته انتظار شکاهکار دارم… همان‌گونه که علی برای «داریوش» و «پروانه» گریسته تا آن لحظه‌های درد را بنویسد، خواهد گریست تا دردهای بشر را تا آنجا که می‌تواند بگرید و بنویسد. علیرضا ذی‌حق می‌نویسد: خلاقیت ادبی نویسنده جدا از موفقیت‌های هنری نویسنده در پرداخت طرح‌های پرحرکت داستانی، بیانگر دنیایی است که در آن ضمن
پرحرکت داستانی، بیانگر دنیایی است که در آن ضمن برانگیخته شدن عواطف، ذهن و ضمیر مخاطب نیزدر پیوند با انگاره‌های معنی دار، به همان اندازه تحریک می‌شود. آثار. رمان. «سیاوش انوشک» رمان تاریخی است که در سال ۱۳۸۰ در مشهد به وسیله گلستانه و نشر نوند منتشر شد. این کتاب در همان زمان در روزنامه خراسان معرفی شد. چاپ دوم رمان در سال ۱۳۸۸ با تجدید نظر و تغییرات از سوی نشر نوند مشهد روانه بازار کتاب شد.
میکویان-گورویچ میگ-۲۵ (نام ناتو: فاکس‌بَت) هواپیمای رهگیر و شناسایی مافوق صوت و یکی از سریع‌ترین هواپیماهای نظامی دنیا و سریع‌ترین هواپیمای جنگنده ساخته شده در تاریخ است که توسط شرکت میگ در اتحاد جماهیر شوروی طراحی شده‌است. اولین پیش‌نمونه میگ-۲۵ در ۱۹۶۴ پرواز کرد. میگ-۲۵ هواپیمایی بسیار سریع با توانایی پرواز در ارتفاع بالاست اما مانورپذیری چندانی ندارد. میگ-۲۵ در اصل برای رهگیری بمب‌افکن بی-۷۰ آمریکایی‌ها ساخته شد که قادر به پرواز با سرعت ۳ ماخ بود. بی-۷۰ هیچگاه تکمیل نشد و در اختیار ارتش آمریکا قرار نگرفت
تکمیل نشد و در اختیار ارتش آمریکا قرار نگرفت اما میگ-۲۵ به عنوان یک رهگیر دوربرد با سرعت فوق‌العاده در اختیار ارتش شوروی قرار گرفت. غرب در سال ۱۹۶۷ با تصاویر هواپیماهای شناسایی یو-۲ آمریکا به وجود میگ-۲۵ پی برد. غربی‌ها در ابتدا تصور می‌کردند که این هواپیما با توجه به بال‌ها و دو سکان بزرگ یک جنگنده برتری هوایی غول‌پیکر است که علاوه بر سرعت قابل ملاحظه توانایی مانورپذیری و چابکی بالایی هم دارد. این موضوع نگرانی زیادی را در غرب ایجاد کرده و باعث پیشرفت سریع در برنامه تولید جنگنده اف-۱۵ در آمریکا شد.