payamvha/North_RAG huggingface dataset:
خیلی منطقی است با این وجود وقتی که کارت روی میز افتاده نمی‌توان آن را نام برد. دفاعیات از پارادوکس. حتی اگر پارادوکس را به صورت ساده‌تر یعنی دو روز (دو جعبه و دو کارت برای پارادوکس‌های همانند) هم مطرح شود، باز هم به اشکال برخورد می‌کند. به عنوان مثال پارادوکس پیک نامنتظره به‌صورت زیر تبدیل می‌شود: فرض کنید که انتخاب شخص تنها از میان آس و دولو پیک باشد. حقیقت این است که اگر کارت روی میز دولو باشد، فرد مقابل شرط را می‌برد چرا که زمانی که آس را نام برد و نه شنید می‌تواند با اطمینان کامل و استدلال، به وجود
شنید می‌تواند با اطمینان کامل و استدلال، به وجود دولو پی ببرد. چون که آس که نباشد، تنها یک کارت یعنی دولو باقی می‌ماند. بنابراین برای اینکه شخص صاحب کارت نبازد، باید به اجبار آس را روی میز بگذارد و به همین دلیل می‌توان با یقین گفت که آس روی میز است و باز هم شرط را برد؛ ولی عجیب آن است که نمی‌توان گفت بردن صد در صد است و اینجاست که می‌توان به عمق و قدرت این پارادوکس پی برد. پیش‌گویی بر این قضیه استوار است که کارت یا آس است یا دولو و چون دولو را می‌توان پیش‌بینی کرد، پس آس است؛ ولی حالا که آس بودن کارت روی
کرد، پس آس است؛ ولی حالا که آس بودن کارت روی میز مسلم شد، فرد صاحب کارت اجباری ندارد که آس را روی میز بگذارد و شرط را ببازد. به عبارت دیگر آن کارت دولو که در ابتدای استدلال، عاملی برای باخت بود، اکنون آس هم به آن اضافه می‌شود و این نتیجه به‌دست می‌آید که قرار دادن آس تنها عامل برد است و دچار یک دُور می‌شود یا این که هیچ دلیل منطقی‌ای وجود ندارد که یکی از کارت‌ها بر دیگری ترجیح داشته باشد و اینجاست که قطعیت وجود آس باز هم زیر سؤال می‌رود.
عیدی امین دادا اومه (حدود ۱۹۲۵ – ۱۶ اوت ۲۰۰۳) رهبر خودکامه، دیکتاتور نظامی ، همچنین سومین رئیس‌جمهور اوگاندا از ژانویه سال ۱۹۷۱ تا آوریل سال ۱۹۷۹ و یک بوکسور بود زندگی سیاسی. به قدرت رسیدن. او که فرماندهی ارتش اوگاندا را در اختیار داشت، قدرت را با کودتا علیه میلتون اوبوته به چنگ آورد و در دوران حکومت خود در زمینه نقض حقوق بشر از جمله اعدام‌های خودسرانه، سرکوب مخالفان سیاسی و اقلیت‌های قومی و اخراج آسیایی‌ها از کشور، کارنامه سیاهی از خود به جای گذاشت. مقتولان دوران فرمان‌روایی وی بین صد تا پانصد هزار نفر
دوران فرمان‌روایی وی بین صد تا پانصد هزار نفر شمارش می‌شوند. اوگاندا در ۱۹۷۷ تا ۱۹۷۹ به عضویت کمیسیون حقوق بشر ملل متحد انتخاب و عیدی امین در ۱۹۷۵ و ۱۹۷۶ به ریاست اتحادیه آفریقا منصوب شد. القاب. عیدی امین با گذشت زمان سرسخت‌تر و دمدمی‌مزاج‌تر شد و رفتارهای غیرعادی و غیرقابل پیش‌بینی او نمایان‌تر شد. او برای خود القاب و عنوان‌های مختلفی انتخاب می‌کرد از جمله: عالی‌جناب، رئیس‌جمهور ابدی، فیلد مارشال، حاجی، دکتر و «خداوندگار همهٔ جانداران روی زمین و ماهیان دریاها و فاتح قلمرو امپراتوری بریتانیا در آفریقا و
و فاتح قلمرو امپراتوری بریتانیا در آفریقا و به‌ویژه در اوگاندا». بریتانیا در سال ۱۹۷۷ روابط دیپلماتیک خود را با رژیم امین قطع کرد. پس از این اتفاق، امین مدعی شکست دادن بریتانیا شد و خود را فاتح قلمرو امپراتوری بریتانیا نامید. او همچنین مدعی تاج‌وتخت در اسکاتلند بود. درگیری با اسرائیل. حمله نیروهای ارتش اسرائیل (تحت رمز عملیات انتبه) به فرودگاه بین‌المللی انتبه در اوگاندا (نزدیک به شهر کامپالا) در سال ۱۹۷۶ برای آزادسازی گروگان‌های پرواز ایر فرانس، در زمان عیدی امین اتفاق افتاد. افول قدرت. عیدی امین در جنگی
امین اتفاق افتاد. افول قدرت. عیدی امین در جنگی که سال ۱۹۷۸ برای ضمیمه کردن ایالت کاگرا در تانزانیا به کشور خود بر پا کرد، حکومت خود را از دست داد و به زئیر (جمهوری دموکراتیک کنگو امروزی) گریخت. او دو سال بعد به عربستان سعودی نقل مکان کرد و تا پایان عمر در شهر جده زیست. زندگی شخصی. عیدی امین حداقل ۶ همسر داشت و تعداد فرزندانش نیز بین ۳۴ تا ۵۴ نفر برآورد می‌شوند. تابان امین، پسر بزرگش، تا هنگام مرگ پدر، جبههٔ کرانه نیل غربی گروه شورشی مخالف حکومت یوری موسونی را رهبری می‌کرد. اما در سال ۲۰۰۵ از سوی موسونی
را رهبری می‌کرد. اما در سال ۲۰۰۵ از سوی موسونی بخشیده شد و هم‌اکنون نایب رئیس سازمان امنیت داخلی اوگاندا است.
ممریستور یا مقاومت حافظه‌دار از المان‌های دو پایانه‌ای مدارها هستند. ممریستور در ابعاد و مقیاس نانو ساخته شده و مقاومت آن به دامنه ، پلاریته و مدت زمان ولتاژ اعمال شده به آن بستگی دارد . منحنی هیسترتیک جریان – ولتاژ در ممریستور باعث می‌شود تا این عنصر بتواند به عنوان یک حافظه مقاومتی غیر فرار عمل کرده و اطلاعات را تا زمانی که ولتاژی با مقدار و پلاریته متفاوتی به آن اعمال شود حتی تا یک سال بعد به یاد آورد . حافظه "RAM" به صورت ذاتی پس از قطعی جریان، به‌طور کامل پاک می‌شود. با این حال در سال ۱۹۷۱ ایده حفظ
کامل پاک می‌شود. با این حال در سال ۱۹۷۱ ایده حفظ حافظه به صورت تئوری مطرح شد و این پدیده در سال ۲۰۰۸ به عمل انجامید. ممریستور یا مموری رزیستور یک عضو الکتریکی دارای ۲ ترمینال است که در آن یک ارتباط کاربردی بین بار الکتریک و شار مغناطیسی برقرار است. وقتی جریان از یک جهت وارد همین وسیله شود مقاومت الکتریکی افزایش می‌یابد و وقتی جریان از جهت مخالف آن وارد شود مقاومت کاهش می‌یابد. اما زمانی‌که جریان متوقف شد این جزء مدار آخرین مقاومتی را که داشته‌است حفظ می‌کند و وقتی دوباره جریان بار شروع می‌شود، مقاومت مدار
و وقتی دوباره جریان بار شروع می‌شود، مقاومت مدار به میزان آخرین زمان فعالیت خواهد بود. این وسیله یک عملگر مقاومتی با مقاومت تقریباً خطی است تا زمانی که نمودار جریان بر حسب زمان در یک محدوده خاص باقی بماند. ممریزستور از لحاظ نظری توسط چوا در یک مقاله که در سال ۱۹۷۱ منتشر شد فرمول بندی و نامگذاری شد. در سال ۲۰۰۸ یک گروه در آزمایشگاه HP تولید یک ممریستور متغیر بر پایه لایه‌های نازک را رسماً اعلام کردند. این یعنی ممریستور برای به‌کارگیری در حافظه‌های نانو الکتریک و ساختارهای نورومورفیک کامپیوتر استفاده شود. در
و ساختارهای نورومورفیک کامپیوتر استفاده شود. در مقاله ۱۹۷۱ شن چوا یک مفهوم بین مقاومت و القاگر - خازن را دریافت و ایده ساده و اساسی، مشابه ابزاری مانند ممریستور را از آن الهام گرفت. هرچند رابطه بین ولتاژ و جریان در ممریستور مانند واریستور خطی نیست، اما دانشمندان دیگر هم قبل از او روابط غیر خطی برای شار بار الکتریکی بیان کردند ولی نظریه چوا فراگیرتر بود. مقاومت ممریستور به قسمت صحیح ورودی که به ترمینال آن داده می‌شود، وابسته است (برخلاف واریستور که به مقدار لحظه‌ای ورودی بستگی دارد). این جز مدار میزان
لحظه‌ای ورودی بستگی دارد). این جز مدار میزان جریانی که از آن گذاشته است را به باد می‌آورد، توسط چوا به عنوان ممریستور ناگذاری شد. به عبارت دیگر ممریستور عضوی خنثی از مدار و دارای دو ترمینال است که بتواند رابطه تابعی از جریان بر حسب زمان و ولتاژ بر حسب زمان را حفظ کند. نمودار این تابع ممریستنس نامیده می‌شود؛ و مشابه مقاومت متغیر است. باتری‌ها نیز ممریستنس دارند ولی عضو خنثی نیستند. تعریف ممریستور به‌طور خاص بر پایه متغیرهای اصلی مدار یعنی جریان و ولتاژ و رابطه آن‌ها با زمان است. درست مانند مقاومت، خازن و
آن‌ها با زمان است. درست مانند مقاومت، خازن و القاگر. برخلاف این سه جزء مدار (مقاومت، القاگر و خازن) که می‌توانند مقادیر ثابت نسبت به زمان داشته باشند رابطه ممریستور غیر خطی بوده و می‌تواند به صورت تابعی از متغیر مدار یعنی جریان بار خالص بیان شود. چیزی به عنوان ممریستور استاندارد وجود ندارد. در عوض هر وسیله‌ای که نقش تابعی بازی می‌کند که ولتاژ بر حسب جریان یا بر عکسی را بیان می‌نماید. گونه‌ای از ممریستور مقاومت ساده است. مانند سایر اجزای دوسره مدار (خازن و مقاومت و القاگر) ممریستور ایده‌آل وجود ندارد. بلکه
و القاگر) ممریستور ایده‌آل وجود ندارد. بلکه در حد کمی خاصیت مقاومتی، خازنی و القاگری دارد. نحوه عملکرد. Memristor، مخفف واژه Memory Resistor به معنای مقاومت حافظه‌دار است. از لحاظ سخت‌افزاری، یک ابزار میکروسکوپیک است که می‌تواند شرایط الکتریکی ماقبل خود را حفظ کند و با این ترفند می‌توان، حافظه موقتی را حتی پس از قطع جریان برق، حفظ کرد. اگر مقاومت را همچون لوله آب، و آب را بار الکتریکی در نظر بگیریم. میزان مقاومت با قطر لوله نسبت عکس خواهد داشت. تاکنون مقاومت‌ها، قطر لوله ثابتی داشته‌اند اما ممریستور مانند
قطر لوله ثابتی داشته‌اند اما ممریستور مانند لوله‌ای است که قطرش با میزان و جهت جریان تغییر می‌کند اگر جریان در جهت موافق باشد قطر لوله بیشتر و اگر در جهت مخالف باشد قطر لوله کمتر می‌شود همچنین اگر جریان قطع شود، قطر لوله تا برقراری مجدد جریان ثابت می‌ماند. این ویژگی‌های منحصر به فرد سبب شده، ساخت ممریستور نوید تحولی بزرگتر از تحول اختراع ترانزیستور در قرن بیستم بدهد. انواع ممریستور. ممریستورهای تیتانیوم دی‌اکسید. ممریستور اسپینترونیک. یین چن (Xin "Chen") و زیوبین وانگ، دو محقق در فناوری تولید هارد دیسک در
زیوبین وانگ، دو محقق در فناوری تولید هارد دیسک در شرکت سیگیت (Seagate Technology)، در بلومینگتون، مینه سوتا در ماه مارس ۲۰۰۹، سه نمونه احتمالی از ممریستورهای مغناطیسی را تشریح نمودند. در یکی ازسه نمونه مقاومت ایجاد شده با چرخش الکترون ها در یک بخش از اشاره گر دستگاه در یک جهت متفاوت نسبت به بخش‌های دیگر "دیوارمیدانی" مرزی را بین دو وضعیت ایجاد می‌کند. الکترون‌های در حال حرکت به سمت دستگاه دارای اسپین خاصی هستند که باعث ایجاد تغییر در حالت مغناطیسی دستگاه می‌شود. تغییر مغناطیسی، به نوبه خود باعث حرکت دیوار
تغییر مغناطیسی، به نوبه خود باعث حرکت دیوار میدانی و تغییر مقاومت دستگاه می‌شود. این کار مورد توجه فراوان مطبوعات الکترونیک قرار گرفته‌است که از جمله آن‌ها می‌توان به مصاحبه در رابطه با طیف IEEE اشاره کرد. مقاومت مغناطیسی انتقال گشتاور چرخشی. MRAM انتقال گشتاور اسپینی، ابزار شناخته شده‌ای است که رفتار ممریستیو را نشان می‌دهد. مقاومت به جهت چرخش نسبی بین دو طرف محل اتصال تونل مغناطیسی بستگی دارد. این به نوبه خود می‌تواند به وسیله گشتاور چرخشی القا شده توسط جریان بواسطه اتصال کنترل شود. با این حال، طول زمان
بواسطه اتصال کنترل شود. با این حال، طول زمان جریان از طریق اتصال مقدار مورد جریان مورد نیاز را تعیین می‌کند، به‌طور مثال بار الکتریکی شارژ شده از این طریق متغیر اصلی محسوب می‌شود. علاوه بر این، همان‌طور که توسط Krzysteczko و همکاران گزارش شده، اتصالات تونل مغناطیسی بر مبنایMgO رفتار ممریستیو بر اساس راندگی جای خالی اکسیژن در داخل لایه MgO عایق (تعویض مقاومتی) را نشان می‌دهد؛ بنابراین، ترکیب گشتاور چرخشی و تعویض مقاومتی به‌طور طبیعی منجر به ایجاد یک سیستم ممرستیو مرتبه دوم با W = (WI, W2) می‌شود که در آن WI
مرتبه دوم با W = (WI, W2) می‌شود که در آن WI بیان‌کننده وضعیت مغناطیسی اتصال تونل مغناطیسی و W2 نشان دهنده حالت مقاومتی مانع MgO است. توجه داشته باشید که در این مورد در تغییر WI، جریان کنترل شده‌است (گشتاور چرخشی به علت چگالی بالای جریان است) در حالی که در تغییر W2 ولتاژ کنترل شده‌است. (راندگی جای خالی اکسیژن به دلیل میدان‌های الکتریکی بالاست). سیستم‌های ممریستیو چرخشی. مکانیزم اساساً متفاوت برای رفتار ممرستیو توسط یوری وی پرشین و ماسیمیلیانو دی ونترا در مقاله‌ای تحت عنوان "سیستم‌های ممرستیو چرخشی" ارائه
تحت عنوان "سیستم‌های ممرستیو چرخشی" ارائه شده‌است. نویسندگان نشان می‌دهد که انواع خاصی از سازه‌های اسپینترونیک نیمه هادی متعلق به طبقه گسترده‌ای از سیستم ممرستیو است که توسط چاو و کانگ تعریف شده‌است. مکانیزم رفتار ممرستیو درچنین ساختاری کاملاً بر اساس درجه چرخش الکترون آزادی است که کنترل راحت‌تر حمل و نقل یونی در نانوساختارها را امکان‌پذیر می‌کند. هنگامی که پارامتر کنترل خارجی (مانند ولتاژ) تغییر می‌کند، تنظیم قطبش اسپینی الکترون به خاطر فرایندهای انتشار و رلاکسیون ایجاد شده از سوی پسماند دچار تعویق
و رلاکسیون ایجاد شده از سوی پسماند دچار تعویق می‌شود. این نتیجه در پژوهش استخراج چرخشی در رابط نیمه هادی / فرومغناطیس، پیش‌بینی شده اما در شرایط رفتار ممریستیو تشریح نشده‌است. در یک مقیاس زمانی کوتاه، این سازه‌ها تقریباً به عنوان یک ممریستور ایده‌آل رفتار می‌کنند. این نتیجه باعث گسترش طیف وسیعی از برنامه‌های کاربردی اسپینترونیک‌های نیمه هادی و همچنین گسترش استفاده از سیستم‌های ممریستیو می‌شود. سیستم ممریستیو مغناطیسی. اگر چه استفاده از کلمه "ممریستور" تشریح نشده‌است، اما مطالعه‌ای بر روی لایه‌های اکسیدی دو
نشده‌است، اما مطالعه‌ای بر روی لایه‌های اکسیدی دو لایه بر مبنای منگنیت برای حافظه غیر فرار توسط محققان دانشگاه هوستون در ۲۰۰۱سال انجام شد. برخی از نمودارها مقاومت موزون و تنظیم پذیر بر اساس تعداد پالس ولتاژ اعمال شده مشابه اثرات موجود در دی‌اکسید تیتانیوم مواد ممریستور را نشان می‌دهند این نتایج در مقاله nature" کشف ممریستور از دست رفته "بیان شده‌است. ممریستور دیودی تونل زنی مواج. در سال ۱۹۹۴، اف ای بویت و ای کی راجاگوپال در آزمایشگاه تحقیقات نیروی دریایی ایالات متحده نشان دادند که ویژگی ‌"جریان- ولتاژ"
ایالات متحده نشان دادند که ویژگی ‌"جریان- ولتاژ" پاپیون مانند (I-V) در دیود کوانتومی AIAs / OaAs / AIAs، شامل طراحی دوپینگ خاصی از لایه‌های جداکننده در توافق با نتایج تجربی انتشار یافته رخ می‌دهد. این ویژگی جریان- ولتاژ پاپیون مانند' (I-V) مشخصه یک ممریستور است اگر چه اصطلاح ممریستور در مقالات به صراحت مورد استفاده قرار نگرفته‌است. هیچ تعامل مغناطیسی در تجزیه و تحلیل ویژگی هایپاپیون مانند I-V وجود ندارد. برخی کاربردها. ممریستورهای حالت جامد ویلیامز می‌توانند در ابزارهایی به نام چفت‌های افقی، که می‌تواند
در ابزارهایی به نام چفت‌های افقی، که می‌تواند ترانزیستورها را در رایانه‌های آینده جایگزین کند و فضای اندکی را به خود اختصاص دهد ترکیب شوند. این ممریستورها همچنین می‌توانند در حافظه غیر فرار، حالت جامد قرار بگیرند این حالت حجم اطلاعات بیشتری را نسبت به هارد دیسک‌های با زمان دسترسی بالقوه و مشابه به DRAM، در هر دو جزء امکان‌پذیر می‌کند. HP نمونه آزمایشی یک حافظه‌ای با استفاده از دستگاه‌هایی که می‌تواند ۱۰۰ گیگابایت را در یک سانتیمتر مربع قرار دهد مدلسازی کرد و طرح سه بعدی با مقیاس‌پذیری بالایی را طراحی نمود
و طرح سه بعدی با مقیاس‌پذیری بالایی را طراحی نمود (متشکل از ۱۰۰ لایه یا ۱ پتابیت در هر سانتی‌متر مکعب). HP گزارش کرده‌است که نسخه ممریستور آن در حال حاضر حدود یک دهم سرعت DRAM خواهد بود. مقاومت دستگاه با جریان متناوب بازخوانی می‌شود به‌طوری‌که مقادیر ذخیره شده تحت تأثیر قرار نگیرند. برخی از اختراع ثبت شده مربوط به ممریستورها به نظر می‌رسد که شامل برنامه‌های کاربردی در منطق برنامه‌ریزی، پردازش سیگنال، شبکه‌های عصبی و سیستم‌های کنترل باشد. به تازگی، یک مدار الکترونیکی ساده متشکل از یک شبکه LC و ممریستور برای
ساده متشکل از یک شبکه LC و ممریستور برای مدلسازی آزمایش‌ها در رفتار سازشی ارگانیسم‌های تک سلولی مورد استفاده قرار گرفته‌است. نتایج نشان داد که که مدار الکترونیکی در معرض یک رشته پالس دوره‌ای پالس بعدی را شناخته و پیش‌بینی می‌کند و این مشابه رفتار کپک لجن است که که گرانروی کانال‌ها در سیتوپلاسم به تغییرات دوره‌ای محیط پاسخ می‌دهد. چنین مداری ممکن است دارای برنامه‌های کاربردی نظیر تشخیص الگو باشد. پروژه "DARPA’sSyNAPSE "در آزمایشگاه HP با آزمایشگاه عصب‌شناسی دانشگاه بوستون همکاری‌هایی را انجام داده و
دانشگاه بوستون همکاری‌هایی را انجام داده و سرمایه‌گذاری‌هایی نیز برای توسعه ساختارهای عصبی که می‌تواند مبتنی بر سیستم‌های عصبی باشد صورت گرفت. در سال ۲۰۱۰، ماسیمیلیانو ورساچه و بن چندلر با همکاری یکدیگر مقاله‌ای را در خصوص توصیف مدل MoNETA (عامل کشف روندگی شبکه عصبی پیمانه‌ای) ارائه دادند. MoNETA اولین مدل شبکه عصبی در مقیاس بزرگ برای پیاده‌سازی مدارهای کل مغز برای تقویت عامل مجازی و روباتیک، سازگار با محاسبات سخت‌افزاری ممریستیو است. این نرم‌افزار استفاده شده برای پیاده‌سازی MoNETA,Ex Machina COG، استفاده
برای پیاده‌سازی MoNETA,Ex Machina COG، استفاده شده‌است که بر روی صفحه کامپیوتر IEEE در فوریه ۲۰۱۱به‌طور برجسته نشان داده شده‌است و مقاله مشترکی با همکاری آزمایشگاه‌های HP و آزمایشگاه عصب‌شناسی دانشگاه بوستون است. استفاده از ساختار عرضی ممریستور در ساخت و ساز سیستم محاسبات آنالوگ توسط فرنود مریخ بیات و سعید باقری شوراکی ارائه شد. آن‌ها همچنین در سال ۲۰۱۱ نشان دادند که چگونه خطوط عرضی ممریستور می‌تواند با منطق فازی برای ایجاد سیستم محاسبات عصبی فازی ممریستیو آنالوگ با ورودی‌های فازی و پایانه‌های خروجی ترکیب
آنالوگ با ورودی‌های فازی و پایانه‌های خروجی ترکیب شود. شناخت این سیستم بر اساس ایجاد رابطه‌های فازی با الهام از قاعده شناخت Hebbian است. یکی از کاربردهای این پژوهش می‌تواند توسعهٔ نوع جدیدی از حافظهٔ کامپیوتری باشد که ابتدا به صورت مکمل و سپس به عنوان جایگزینی برای حافظهٔ با دستیابی تصادفی دینامیکی (DRAM) امروزی به کار رود. کامپیوترهایی که از DRAM های معمولی استفاده می‌کنند این کمبود را دارند که نمی‌توانند اطلاعات را در صورت قطعی برق نگه دارند. حال با جاری شدن جریان برق در این نوع کامپیوتر، نیاز به اجرای
شدن جریان برق در این نوع کامپیوتر، نیاز به اجرای مرحلهٔ کند بوت شدن می‌باشد تا داده‌ها را از دیسک مغناطیسی ای که برای راه اندازی سیستم لازم است، بازیابی کند. در مقابل، کامپیوتری که بر اساس حافظهٔ ممریستور کار می‌کند، می‌تواند در صورت قطعی برق، اطلاعات را حفظ کند و نیازی هم به بوت شدن ندارد. در نتیجه هم در مصرف برق و هم در زمان صرفه جویی می‌شود. کاربرد متداول مذکور نقش مهمی را به عنوان «محاسبات انبوه» بازی می‌کند. محاسبات انبوه، زیر ساختی از فناوری اطلاعات را که متشکل از صدها هزار سرور و سیستم‌های ذخیره
را که متشکل از صدها هزار سرور و سیستم‌های ذخیره هستند، می‌طلبد. حافظه و سیستم‌های ذخیره‌ای که امروزه به عنوان زیرساخت‌های محاسبات انبوه از آن‌ها استفاده می‌شود، توان قابل ملاحظه‌ای برای ذخیره، بازیابی و حفظ اطلاعات میلیون‌ها کاربر وب در سرتاسر جهان نیاز دارد. حافظه‌هایی که بر اساس ممریستور کار می‌کنند این توانایی را دارند که مصرف برق را کاهش دهند و در صورت بروز قطعی برق، قابلیت اطمینان بالا و همچنین حالت برگشت‌پذیری را برای یک مرکز داده فراهم کنند. از دیگر کاربردهای فناوری ممریستور می‌توان به توسعهٔ
دیگر کاربردهای فناوری ممریستور می‌توان به توسعهٔ سیستم‌های کامپیوتری اشاره کرد که نحوهٔ ارتباطشان با حوادث و وقایع، شبیه الگوهای مغز انسان است. نتیجهٔ این کاربرد می‌تواند منجر به پیشرفت فناوری تشخیص چهرهٔ امروزی شود. همچنین می‌تواند به دستگاه‌های امنیتی و محرمانه که مجموعه‌ای از ویژگی‌های بیومتریک یک فرد خاص را تشخیص می‌دهد، این توانایی را بدهد که به اطلاعات شخصی دست پیدا کنند یا یک وسیله را قادر سازد که یاد گیریش بر اساس تجربه باشد. ویلیامز مدیر بخش اطلاعات آزمایشگاه‌های شرکت HP و آزمایشگاه سیستم‌های
آزمایشگاه‌های شرکت HP و آزمایشگاه سیستم‌های کوانتومی می‌باشد. وظیفهٔ این آزمایشگاه‌ها، تبدیل پیشرفت‌های بنیادی در زمینه‌های ریاضیات و علوم طبیعی (شامل فیزیک، شیمی، نجوم و…) به فناوری‌هایی که برای شرکت HP مفید هستند، می‌باشد. طی ۱۲ سال گذشته، ویلیامز و گروهش پژوهش‌های علمی اولیه خود را در زمینهٔ اطلاعات و محاسبات انجام داده‌اند به‌طوری‌که منجر به یک سری پیشرفت‌های اساسی در نانوالکترونیک و نانوفوتونیک شده‌است. از دیگر کاربردهای آن می‌توان به موارد زیر اشاره کرد. استفاده از این تکنولوژی از ذخیره‌سازی
اشاره کرد. استفاده از این تکنولوژی از ذخیره‌سازی حافظه‌های فلش، بسیار ارزان‌تر و سریع تر خواهد بود. این فناوری همانند مغز انسان که مجموعه وقایعی را جمع‌آوری و درک می‌کند، به رایانه‌ها اجازه می‌دهد با درک الگوهای گذشته از اطلاعاتی که جمع‌آوری کرده‌اند، تصمیم‌گیری کنند. این تکنولوژی می‌تواند باعث انقلاب جدیدی در صنعت حافظه‌هایی نظیر Flash, RAM و حتی درایوهای حافظه باشد. ساخت کامپیوترهایی که می‌توانند مانند لامپ روشن و خاموش شوند یکی دیگر از موارد استفاده از ممریستور می‌باشد. تاریخچه. در سال ۱۹۷۱، لئون چوا،
ممریستور می‌باشد. تاریخچه. در سال ۱۹۷۱، لئون چوا، با فرمول‌های ریاضی و فیزیکی، اساس این تکنولوژی را اثبات کرد؛ ولی ۳۷ سال طول کشید تا برای اولین تکنولوژی آن به‌طور عملی به ثبت رسید. آزمایشگاه شرکت HP، به سرپرستی استانلی ویلیامز، ادعا کرد که یک سوئیچ با این تکنولوژی ابداع کرده‌است. در زیر به تفصیل مطالبی در مورد تاریخچه ممریستور گفته شده‌است. 1960: برنارد ویدرو دستگاهی با سه ترمینال به نام "ممیسیتور memistor" را به عنوان یک جز جدید مدار اصلی توسعه داد که مبنای تشکیل مدار شبکه‌های عصبی به نام ADALINE (نورون
تشکیل مدار شبکه‌های عصبی به نام ADALINE (نورون تطبیقی خطی) است. 1967: J.G. سیمونز و وردربر مقاله‌ای را در انجمن سلطنتی لندن تحت عنوان «هدایت جدید و پدیده‌های حافظه‌های قابل برگشت در لایه‌های عایق نازک» منتشر کردند. در این مقاله مباحثی در رابطه با اثرات سوئیچینگ مقاومت در لایه نازک (2-30 نانومتر) اکسید سیلیکون پس از تزریق یون‌های طلا ارائه شده‌است. به دام انداختن الکترون به عنوان توضیحی برای این پدیده پیشنهاد شده‌است. 1968: F. Argall مقاله‌ای را در خصوص الکترونیک حالت جامد تحت عنوان «پدیده سوئیچینگ در لایه
حالت جامد تحت عنوان «پدیده سوئیچینگ در لایه نازک اکسید تیتانیوم» منتشر کرد. با وجودی که این مقاله در مقالات ممریستور HP ذکر نشده‌است اما اطلاعات تجربی به‌طور قابل ملاحظه‌ای در هر دو مقاله مشابه است. 1969: جی. درنالی ای ام استونهام و دی وی. مورگان، مدل میله‌ای برای سوئیچینگ را نشان می‌دهد. آن‌ها نشان دادند که یون‌های طلای تزریقی در یونهای اکسید سیلیکن وجود ندارد. مقاله 1970 جی. درنالی ای ام استونهام و دی وی. مورگان به بررسی و مقایسه مکانیسم‌های متعددی پرداخته است. این مقاله در سال 1974 به روسی ترجمه
پرداخته است. این مقاله در سال 1974 به روسی ترجمه شده‌است. 1971: لئون چاو، استاد در دانشگاه برکلی عناصر مدار با دو ترمینال جدید را از طریق رابطه بین پیوند بارالکتریکی و شار به عنوان عنصر چهارم مدار اساسی در مقاله‌ای با عنوان یک «ممریستور - عنصر مدار از دست رفته» در مذاکرات IEEE در نظریه مدار منتشر کرد. 1976: لئون چاو و شاگردش سانگ مو کانگ مقاله‌ای با عنوان «دستگاه‌ها و سیستم‌های ممریستیو» را در مجموعه مقالات IEEE با گسترش نظریه سیستم‌های ممریستیو و ممریستورها از جمله عبور صفر در رفتار منحنی Lissajous در
از جمله عبور صفر در رفتار منحنی Lissajous در مقابل رفتار ولتاژ ارائه دادند. 1986: رابرت جانسون و استنفورد اشینسکای با ساخت سیستم آرایه سوئیچینگ مقاومت تغییر ساختار داده، بر اساس مرحله تغییر مواد با 2 ترمینال ثبت اختراع 4597162 را در ایالات متحده دریافت کردند. در حالی که متمایز از رفتار ممریستور، برخی از عناصر اساسی بعدها توسط گروه استن ویلیامز مانند استفاده از ساختار خط عرضی و استفاده اساسی از سوئیچ مقاومت 2 - ترمینال استفاده شد و منجربه ثبت پروانه اختراع شد. 1990: S.Thakoor, A. Moopenn, T. Daud, A.P.
شد. 1990: S.Thakoor, A. Moopenn, T. Daud, A.P. Thakoor مقاله‌ای تحت عنوان «ممریستور لایه نازک با حالت جامد برای شبکه‌های عصبی الکترونیکی» را در مجله فیزیک کاربردی منتشر کردند. این مقاله آموزش می‌دهد که اکسید تنگستن به‌طور الکتریکی دستگاه مقاومت متغیر با قابلیت برنامه‌ریزی مجدد است، اما مشخص نیست که آیا «ممیستور» ارائه شده همان ممریستور چاو است یا خیر. به علاوه، منابع ذکر شدهٔ این مقاله، هیچ‌کدام از مقالات منتشر شدهٔ چاو را در مورد ممریستور شامل نمی‌شود، بنابراین به نظر می‌رسد که این، یک انطباق باشد. 1992:
به نظر می‌رسد که این، یک انطباق باشد. 1992: (27 آگوست) Juri H.krieger و Nikolai F.Yudanof امتیازنامهٔ RU. Patent 2,071,126 را برای اولین توصیف در مورد کاربرد یک مادهٔ فوق العاده یونی با ترکیب یونی بالا برای ایجاد یک سلول حافظهٔ سوئیچ تعویض مقاومت، دریافت کردند. 1993: (3 نوامبر) Ju H. Krieger، N.F.Yudanov، I. K. Igumenov و S. B. Vaschenko، مقاله‌ای را با عنوان «مطالعهٔ ساختارهای آزمایشی یک عنصر حافظهٔ مولکولی» {49} منتشر کردند. این مقاله، تولید یک سلول حافظهٔ سوئیچ مقاومت بر پایهٔ پلیمر کونژوگه را توصیف
سوئیچ مقاومت بر پایهٔ پلیمر کونژوگه را توصیف می‌کند. Katsuhio Nichogi , Akira Taomoto , Shiro Asakawa و Kunio Yoshida از مؤسسهٔ تحقیقاتی Matsuhita، امتیازنامه U.S.Patent 5,223,750 را برای توصیف یک مدار عملکردی عصبی مصنوعی تشکیل شده از سوئیچ‌های دو پایانه‌ای مقاومت لایه نازک، که به نظر می‌رسد چند ویژگی شبیه به ممریستور داشته باشند، دریافت کردند. با این حال، هیچ اشارهٔ خاصی به ممریستور نشده‌است. ۱۹۹۴: F.A.Buot و A.K.Rajagopal، مقاله‌ای را با عنوان "ذخیرهٔ مضاعف اطلاعات در تورش (bias) صفر در دیودهای کوانتومی،
اطلاعات در تورش (bias) صفر در دیودهای کوانتومی، در "مجلهٔ فیزیک کاربردی" منتشر کردند. مقاله، وجود مشخصه‌های ولتاژ جریان یک ممریستور پاپین مانند را در دیودهای کوانتومی AlAs/GaAs/AlAs با طرح لایه‌های فاصله دار اثبات می‌کند. تجزیه و تحلیل‌ها، فعل و انفعال مغناطیسی را شامل نمی‌شود و نویسندگان، از مقالات منتشر شدهٔ چاو در مورد ممریستور اطلاعی نداشته‌اند. به نظر می‌رسد که تجزیه و تحلیل‌ها، ارتباط مستقیمی با ممریستور چاو ندارند. 1998: (2 ژوئن) Michael Kozicki و William West، امتیازنامهٔ U.S.Patent 5,761,115
و William West، امتیازنامهٔ U.S.Patent 5,761,115 (واگذار شده به شرکت فناوری‌های Axon و اعضای هیئت مدیرهٔ شورای آریزونا) را برای توصیف سلول متالیزاسیون قابل برنامه‌ریزی (دستگاهی که شامل یک هادی یون بین دو یا چند الکترود است و مقاومت یا ظرفیت آن می‌تواند از طریق رشد و انحلال یک فلز "دندریت (dendrite)" برنامه‌ریزی شود)، دریافت کردند. این مورد، هیچ ارتباطی با ممریستور ندارد، اما عملکرد مشابهی دارد. (3 ژوئن) Bagwat Swaroop، William West، Gregory Martinez، Michael Kozicki و Lex Akers، یک مقاله تحت عنوان «شبکهٔ
Kozicki و Lex Akers، یک مقاله تحت عنوان «شبکهٔ عصبی قابل برنامه‌ریزی Hebbian قابل برنامه‌ریزی با استفاده از سلول متالیزاسیون قابل برنامه‌ریزی»، در مجموعه مقالات همایش بین‌المللی IEEE در مورد مدارها و سیستم‌ها {50} منتشر کردند، که نشان می‌داد که پیچیدگی یک سیناپس مصنوعی می‌تواند با استفاده از یک دستگاه مقاومت قابل برنامه‌ریزی یونی، کاهش یابد. (۱۲ ژوئن) James R. Heath , Philip Kuekes , Gregory Snider و Stan Williams از آزمایشگاه‌های HP، مقاله‌ای در "Science" تحت عنوان "یک معماری کامپیوتر با تحمل عجیب:
تحت عنوان "یک معماری کامپیوتر با تحمل عجیب: فرصت‌هایی برای نانو تکنولوژی" منتشر کردند. مقاله، به بحث در مورد این مسئله می‌پردازد که امکان یک عنصر بیتی قابل تنظیم دو پایانه‌ای ساخته شده به صورت شیمیایی، می‌تواند در یک پیکربندی کراس بار، اجرا، و برای محاسبات با تحمل عیب، فراهم شود هنوز هم هیچ ارتباطی با ممریستور شناسایی نشده بود. (۱۳ نوامبر) Ju. H. Krieger , N. F. Yudanov , I. K. Igumanov و S. B. Vaschenko مقاله‌ای را با عنوان «سلول حافظهٔ آنالوگ مولکولی» در مجموعه مقالات ششمین کنفرانس دوراندیشی در مورد
در مجموعه مقالات ششمین کنفرانس دوراندیشی در مورد نانوتکنولوژی مولکولی، سانتاکلارا، کالیفرنیا، منتشر کردند. 2000: A.beck، J.G.Bednorz، ch.Gerber، c.Rossed و D.widmer از آزمایشگاه تحقیقاتی IBM زوریخ، اثرهای تجدیدپذیر سوئیچ مقاومت در لایه‌های نازک اکسید را در مقالهٔ «اثرهای تجدیدپذیر سوئیچ مقاومت در لایه‌های نازک اکسید، برای کاربردهای حافظه»، توصیف کردند، که در نشریات فیزیک کاربردی منتشرشد. اشاره شده‌است که سوئیچ‌ها، ویژگی‌های هیسترتیکی مشابه ممریستورها دارند اما هنوز هم به ارتباط با ممریستورها اشاره نشده
اما هنوز هم به ارتباط با ممریستورها اشاره نشده بود. (3 اکتبر) Philip kuekes، Stanley Williams و james Health، از آزمایشگاه‌های HP، امتیازنامهٔ 214 و 128 و u.s.patent 6 (که به Hewlett-packard واگذار شد) را برای توصیف یک کراس بار در ابعاد نانو با استفاده از یک ساختار مولکولی rotaxane به صورت یک سوئیچ مقاومت غیرخطی دوپایانه ای، دریافت کردند. ارتباط با نظریهٔ ممریستور هنوز شناخته نشده بود. 2001: Liu shangging، Naijuan wu، xin chen، و Alex Ignatiev، محققان مرکز اپتیاکسی خلاء فضایی در دانشگاه هوستون، نتایجی را