payamvha/North_RAG huggingface dataset:
را جهت اطمینان دولت انگلیس به لندن بفرستد و لرد گرانویل وزیر امور خارجه انگلیس در گشایش مجلس انگلیس به وکلای ملت اطمینان داد که دولت روس به‌هیچ‌وجه در خیال نگاه داشتن خیوه نیست. شدت جنگ خیوه بازتاب جهانی داشت و خبرنگاران از اقصی نقاط دنیا به خیوه آمده بودند و برخی از آنان یادداشت‌های مفصلی دربارهٔ فتح خیوه توسط روس‌ها نگاشتند. پس از انقلاب روسیه در ۲۶ آوریل ۱۹۲۰ م. جمهوری خلق خوارزم تشکیل شد و خیوه جزء آن درآمد. پس از واژگونی تزارها سرانجام خیوه در تقسیم‌بندی تازه کشور در سال ۱۹۲۴ به ازبکستان پیوست.
در علم مواد، یک نابجایی (Dislocation) یا نابجایی تیلور یک نقص کریستالوگرافی خطی یا بی‌نظمی درون ساختار کریستالی است که تغییرات ناگهانی در چیدمان اتم‌ها را شامل می‌شود. حرکت نابجایی‌ها به اتم‌ها این امکان را می‌دهد که در سطوح فشار پایین روی یکدیگر بلغزند. این پدیده به عنوان لغزش شناخته می‌شود. نظم کریستالی در هر دو طرف یک نابجایی لغزشی بازیابی می‌شود، اما اتم‌ها در یک طرف به اندازهٔ یک موقعیت جابه‌جا شدند. نظم کریستالی در یک نابجایی ناقص به‌طور کامل بازیابی نمی‌شود. یک نابجایی، مرز بین نواحی لغزیده و
نمی‌شود. یک نابجایی، مرز بین نواحی لغزیده و لغزیده‌نشدهٔ مواد را تعریف می‌کند. در نتیجه باید یک حلقهٔ کامل تشکیل دهد یا به لبه‌های کریستال امتداد یابد. یک نابجایی می‌تواند با فاصله و جهت حرکتی که به اتم‌ها وارد می‌کند مشخص شود که به عنوان بردار برگرز تعریف می‌شود. دو نوع اصلی نابجایی‌ها عبارت اند از: نابجایی‌های سسیل (sessile) که غیرقابل حرکت هستند و نابجایی‌های گلیسیل (glissile) که قابل حرکت هستند. دو نوع اصلی از نابجایی‌های حرکتی شامل نابجایی‌های پیچشی (Screw dislocation) و نابجایی‌های لبه‌ای (Edge
(Screw dislocation) و نابجایی‌های لبه‌ای (Edge dislocation) هستند. نابجایی‌های لبه‌ای می‌توانند به صورت توقف یک صفحه از اتم‌ها در وسط کریستال تصور شوند. در این حالت، صفحات اطراف مستقیم نیستند، بلکه به دور لبه صفحهٔ خاتمه یافته خم می‌شوند به طوری که ساختار کریستالی در هر دو طرف به‌طور کامل مرتب است. تاریخچه. نظریه‌ای که میدان‌های الاستیک عیوب را توصیف می‌کند، نخستین بار توسط ویتو ولترا در سال ۱۹۰۷ میلادی توسعه داده شد. اصطلاح «نابجایی» که به یک نقص در مقیاس اتمی اشاره دارد توسط جی.آی. تیلور در سال ۱۹۳۴
اتمی اشاره دارد توسط جی.آی. تیلور در سال ۱۹۳۴ میلادی ابداع شد. پیش از دههٔ ۱۹۳۰ میلادی، یکی از چالش‌های پایدار علم مواد توضیح پلاستیسیته در مقیاس میکروسکوپی بود. مکانیزم‌ها. یک نابجایی، یک نقص خطی درون یک ساختار بلوری است که شامل تغییر ناگهانی در چیدمان اتم‌ها می‌باشد. نظم کریستالی در هر دو طرف یک نابجایی بازسازی می‌شود، اما اتم‌ها در یک طرف جابه‌جا شده یا لغزیده‌اند. نابجایی مرز بین نواحی لغزیده و نلغزیده را تعریف می‌کند و نمی‌توانند درون یک شبکه به پایان برسند و باید یا به لبهٔ آزاد امتداد یابند یا یک
برسند و باید یا به لبهٔ آزاد امتداد یابند یا یک حلقه درون کریستال تشکیل دهند. یک نابجایی می‌تواند توسط فاصله و جهت حرکتی که به اتم‌ها در شبکه وارد می‌کند مشخص شود که به آن بردار برگرز گفته می‌شود. نابجایی‌های متحرک با نام گلیسیل (Glissile) و نابجایی‌های غیرمتحرک با نام سسیل (Sessile) شناخته می‌شوند. حرکت نابجایی‌های متحرک اجازه می‌دهد که اتم‌ها در سطوح تنش پایین روی یکدیگر بلغزند که این پدیده به نام لغزش یا حرکت شناخته می‌شود. حرکت نابجایی‌ها ممکن است توسط عناصر دیگر درون کریستال تقویت یا ممانعت شود و در
عناصر دیگر درون کریستال تقویت یا ممانعت شود و در طول زمان این عناصر ممکن است به نابجایی‌ها نفوذ کنند و یک جو کاترل (Cottrell atmosphere)تشکیل دهند. گیر کردن و آزاد شدن از این عناصر برخی رفتارهای عجیب در تغییر شکل فولادها را توضیح می‌دهد. به نظر می‌رسد نابجایی‌ها به عنوان یک موجودیت جداگانه درون یک مادهٔ کریستالی رفتار می‌کنند، به طوری که برخی انواع نابجایی‌ها می‌توانند از طریق ماده حرکت کنند، خم شوند، انعطاف‌پذیر باشند و شکل خود را تغییر دهند و با نابجایی‌های دیگر و ویژگی‌های درون کریستال تعامل داشته
دیگر و ویژگی‌های درون کریستال تعامل داشته باشند. نابجایی‌ها توسط تغییر شکل یک مادهٔ کریستالی مانند فلزات ایجاد می‌شوند، که می‌تواند باعث شود آن‌ها از سطوح شروع شوند، به ویژه در تمرکزهای تنش یا درون ماده در عیوب و مرز دانهها. تعداد و چیدمان نابجایی‌ها موجب بروز بسیاری از خواص فلزات مانند چکش‌خواری، سختی و استحکام تسلیم می‌شود. انواع نابجایی. اگر یک نیم صفحه از اتم‌ها را در بین صفحات اتمی یک کریستال وارد کنیم موجب تغییر موقعیت اتم‌های اطرافش می‌گردد. به چنین خرابی‌ای، نابجایی لبه‌ای گفته می‌شود. در نابجایی
خرابی‌ای، نابجایی لبه‌ای گفته می‌شود. در نابجایی لبه‌ای، بردار برگرز به خط نابجایی عمود است و در داخل صفحهٔ لغزش نابجایی قرار دارد. نابجایی پیچی را می‌توان با برش یک بلور در یک صفحه و لغزش نیمی از آن به سمت دیگر با یک بردار شبکه، به طوری که دو نیمه بدون ایجاد نقص دوباره به هم می‌چسبند، تصور کرد. اگر برش تنها بخشی از بلور را قطع کند، مرز برش یک نابجایی پیچی (screw dislocation) است. در نابجایی‌های پیجی، بردار برگرز با خط نابجایی موازی است. مرزهای پیچشی می‌توانند تأثیر زیادی بر خواص مکانیکی و الکتریکی
می‌توانند تأثیر زیادی بر خواص مکانیکی و الکتریکی بگذارند. در بسیاری از مواد نابجایی‌ها در جایی پیدا می‌شوند که جهت خطی و بردار برگرز نه برهم عمود و نه موازی هستند، این نابجایی‌ها به نام نابجایی‌های مختلط(Mixed dislocations) نام دارند این نابجایی‌ها یک نقص در چینش (Stacking fault) به جا می‌گذارند. این نابجایی دو نوع دارد: نابجایی جزئی فرانک (Frank partial dislocation) و نابجایی جزئی شوکلی (Shockely partial dislocation). نابجایی فرانک، ثابت (Sessile) و شوکلی متحرک (Glissile) است. روش‌های تشخیص نابجایی.
متحرک (Glissile) است. روش‌های تشخیص نابجایی. به‌طور کلی مکانیزم‌های تشخیص نابجایی‌ها به دو دستهٔ زیر تقسیم می‌شوند: ۱) روش‌هایی که بر مبنای واکنش‌های شیمیایی در محل نابجایی‌ها شکل گرفته‌اند. مانند: روش چال حک - روش تشکیل رسوب در محل نابجایی ۲) روش‌هایی که بر مبنای ساختار فیزیکی در مکان نابجایی عمل می‌کنند. مانند: میکروسکوپ الکترونی عبوری - استفاده از تفرق اشعهٔ ایکس میکروسکوپ نوری بازتابی. اگر بلوری که دارای نابجایی است، در محیطی قرار گیرد که اتم‌ها از سطح جدا شوند، سرعت جدایش اتم‌ها در اطراف محل ظهور
سطح جدا شوند، سرعت جدایش اتم‌ها در اطراف محل ظهور نابجایی با مناطق دیگر سطح متفاوت است. اگر سرعت جدایش اتم‌ها در اطراف نابجایی‌ها بیشتر باشد، همان‌طور که در شکل‌های زیر دیده می‌شود، در این محل‌ها حفره‌هایی به وجود می‌آید. این عکس‌ها، با بزرگنمایی ۵۰۰ برابر، توسط میکروسکوپ نوری بازتابی از نمونه‌های اچ شدهٔ تک‌کریستالهای سیلسیم تهیه شده است: میکروسکوپ الکترونی عبوری. می‌تواند برای مشاهدهٔ نابجایی‌ها درون میکروساختار ماده استفاده شود. فویل‌های نازک از ماده‌ای تهیه می‌شوند که آن‌ها را شفاف کند و اجازه دهند که
تهیه می‌شوند که آن‌ها را شفاف کند و اجازه دهند که پرتوی الکترونی میکروسکوپ از آن عبور کند. پرتو الکترونی توسط صفحات منظم شبکهٔ بلوری دچار انحراف می‌شود و الگوی پراش ایجاد می‌شود و کنتراست تصویر به واسطهٔ این پراش تولید می‌شود. نابجایی‌ها ساختار اتمی مجلی متفاوتی دارند و میدان تنشی ایجاد می‌کنند و بنابراین باعث می‌شوند که الکترون‌ها در میکروسکوپ به روش‌های مختلفی پراکنده شوند. به کنتراست مشخص «موجی» خطوط نابجایی‌ها توجه کنید که وقتی از ضخامت ماده عبور می‌کنند در تصویر قابل مشاهده است (نابجایی‌ها در بلور
در تصویر قابل مشاهده است (نابجایی‌ها در بلور نمی‌توانند پایان یابند و این نابجایی‌ها در سطح‌ها تمام می‌شوند چون تصویر یک برآورد دو بعدی است) نابجایی‌ها ساختار تصادفی ندارند و ساختار اتمی محلی یک نابجایی توسط بردار برگرز تعیین می‌شود. یکی از کاربردهای بسیار مفید میکروسکوپ الکترونی عبوری در تصویربرداری نابجایی‌ها، توانایی تعیین تجربی بردار برگرز است. تعیین این بردار از طریق آنچه که به آن تجزیه و تحلیل formula_1 گفته می‌شود، انجام می‌شود. در میکروسکوپ برداری میدان تاریک(dark field microscopy) یک نقطهٔ منعطف
میدان تاریک(dark field microscopy) یک نقطهٔ منعطف از الگوی انکسار (diffraction pattern) انتخاب می‌شود تا تصویر تشکیل دهد. تصویر فقط از الکترون‌هایی که از صفحه‌ای که مسئول آن نقطهٔ منعطف است، عبور کرده‌اند، تشکیل می‌شود. برداری که از نقطهٔ منتقل شده به نقطهٔ منعطف، formula_2 نامیده می‌شود. تصویر نابجایی‌ها با حاصل ضرب نقطه‌ای این بردار(formula_2)و بردار برگرز مقیاس بندی می‌شود. اگر formula_2 و formula_5 عمود برهم باشند، هیچ سیگنالی از نابجایی نخواهیم داشت و نابجایی در تصویر نمایش داده نمی‌شود؛ بنابراین، با
نابجایی در تصویر نمایش داده نمی‌شود؛ بنابراین، با بررسی تصاویر مختلف میدان تاریک که از نقاط مختلف با بردارهای formula_2 متفاوت تشکیل شده‌اند، می‌توان بردار برگرز را شناسایی و تعیین کرد. نیروها بر نابجایی‌ها. حرکت نابجایی‌ها به عنوان نتیجه‌ای از تنش‌های خارجی وارد بر شبکهٔ بلوری، می‌تواند با استفاده از نیروهای داخلی مجازی که عمود بر خط نابجایی‌ها عمل می‌کنند توصیف شوند. معادلهٔ پیچ_کولر (Peach-Koehler equation) می‌تواند برای محاسبهٔ نیروی وارد بر یک نابجایی به ازای هر واحد طول به عنوان تابعی از بردار برگرز
به ازای هر واحد طول به عنوان تابعی از بردار برگرز (B)، تنش اعمال شده در سیستم(σ) و بردار جهتی که نیرو به آن وارد می‌شود(s): formula_7 F نیروی وارد بر هر نابجایی به ازای هر واحد طول است. منابع. George E. Dieter / Mechanical Metallurgy / McGraw-Hill , 1988 1.Hull, D. ; Bacon, D. J. (2001). "Introduction to dislocations" (4th ed.). Butterworth-Heinemann. doi:10.1016/B978-0-7506-4681-9.X5000-7. ISBN &lt;bdi&gt;978-0-7506-4681-9&lt;/bdi&gt;. 2.Anderson, Peter M. ; Hirth, John Price; Lothe, Jens (2017). "Theory
; Hirth, John Price; Lothe, Jens (2017). "Theory of Dislocations" (Third ed.). New York, NY: Cambridge University Press. ISBN &lt;bdi&gt;978-0-521-86436-7&lt;/bdi&gt;. OCLC ۹۵۰۷۵۰۹۹۶. 5.Suzuki, Taira (1991). "Dislocation Dynamics and Plasticity". Takeuchi, Shin. , Yoshinaga, Hideo. Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg. p. ۸ 6.Soboyejo, Winston O. (2003). "6 Introduction to Dislocation Mechanics". "Mechanical properties of engineered materials". New York: Marcel Dekker. ISBN
materials". New York: Marcel Dekker. ISBN &lt;bdi&gt;0-8247-8900-8&lt;/bdi&gt;. OCLC ۵۰۸۶۸۱۹۱. Physical Metallurgy Principles, Reedhill-Robert E. Abbaschian Reza, PWS Publishing Company, 1994
ساختار روتایل یکی از پلی‌مورف‌های معدنی TiO۲ است. آناتاز و بروکایت پلی‌مورف‌های (چندریخت‌های) دیگر آن هستند. روتایل یکی از بالاترین شاخص‌های ضریب انعطاف‌پذیری در طول موج‌های مرئی از هر کریستال شناخته شده را دارد و همچنین دارای پراکندگی مخصوصاً بزرگ و پراکندگی زیاد است. با توجه به این خصوصیات، برای ساخت عناصر نوری خاص، به ویژه اپتیک پلاریزاسیون، برای طول موجهای دیدنی و مادون قرمز طولانی‌تر تا حدود ۴٫۵ میکرومتر مفید است. روتایل طبیعی ممکن است حاوی ۱۰٪ آهن و مقادیر قابل توجهی نیوبیوم و تانتالوم باشد. Rutile
مقادیر قابل توجهی نیوبیوم و تانتالوم باشد. Rutile نام خود را از rutilus لاتین به معنی قرمز گرفته است. این نام به رنگ قرمز عمیقی اشاره دارد که در برخی از نمونه ها هنگام عبور نور از آن‌ها قابل مشاهده است. روتایل برای اولین بار در سال ۱۸۰۳ توسط ابراهیم گوتلوب ورنر توصیف شد. ساختار. ساختار روتایل یکی از ساختارهای دوتایی مواد است که در آن‌ها کاتیون‌ها به صورت مکعبی با وجوه مرکز پر قرار گرفته و آنیون‌ها نیمی از حفره‌های هشت وجهی را پر می‌کنند.
قصهٔ ظهر جمعه قدیمی‌ترین برنامه رادیو ایران است که از سال ۱۳۱۹ آغاز شد و تا به امروز ادامه دارد. این برنامه هر ظهر جمعه به نقل قصه‌ای منتخب می‌پردازد و مخاطبان بسیار در سنین مختلف یافته‌است. انتشارات خردگان سال ۱۴۰۲ کتابی با عنوان "قصه ظهر جمعه، قصه‌های صبحی برای بچه‌ها" منتشر کرده که بنا بر گفته پدیدآورنده در مقدمه آن، مجموعه قصه‌‌هایی است که فضل‌الله مهتدی در برنامه رادیو ملی "قصه ظهر جمعه" برای شنوندگان می‌خواند و بعد در مجله رادیو ایران منتشر می‌شد. در این کتاب مقاله‌هایی درباره خود صبحی به قلم
در این کتاب مقاله‌هایی درباره خود صبحی به قلم صاحب‌نظران آن دوران نیز منتشر شده است. تاریخچه. برنامه قصه ظهر جمعه توسط فضل‌الله مهتدی (صبحی) به فاصله یک هفته از آغاز پخش اخبار رادیو ایران، و یکماه از تأسیس رادیو ایران بنیانگذاری شد. صبحی خود حدود ۲۴ سال قصه گویی این برنامه را بر عهده داشت. پس از او به ترتیب علی جواهرکلام، ایرج گلسرخی، حمید عاملی و مصطفی موسوی گرمارودی هر یک از چند ماه تا حداکثر پنج سال، گویندگی این برنامه پر شنونده رادیویی را بر عهده گرفتند. آخرین قصه گوی این برنامه محمدرضا سرشار (رضا
آخرین قصه گوی این برنامه محمدرضا سرشار (رضا رهگذر) برای ۲۴ سال از ۲۲ بهمن ۱۳۶۰ تا ۱۵ مهرماه ۱۳۸۴ راوی داستان‌ها بود و رکورد کم‌نظیری از خود بر جای گذاشت. وی دربارهٔ دلیل پایان قصه گویی اش بیان کرد که قبل از آنکه مخاطب از برنامه ایی سیر و روگردان شود باید به آن پایان داد. برنامه در دهه ۶۰ بخصوص از برنامه‌های بسیار پرطرفدار رادیو بود. بر اساس یک نظرسنجی سازمان صدا و سیمای ایران این برنامه در سال ۱۳۶۳ دومین برنامه پرشنونده رادیو شناخته شد (پس از صبح جمعه با شما). تا آنجا که جمعی از دولتمردان جمهوری اسلامی
شما). تا آنجا که جمعی از دولتمردان جمهوری اسلامی نظیر میر حسین موسوی، سید علی خامنه‌ای، علی‌اکبر هاشمی رفسنجانی زمانی از شنوندگان آن بودند؛ و سرشار به خاطر اجرای داستان کوتاه دوستان که در آن بخش‌هایی از داستان را به زبان ترکی آذربایجانی تعریف کرده بود، حتی جایزه‌ای از آیت‌الله خامنه‌ای دریافت کرد. دوره جدید این برنامه در گروه فرهنگ وادب طراحی و با روایت رضا خضرایی و تهیه کنندگی ندا حاجی اسماعیلی و مدیریت یدالله گودرزی از اول دی ۱۳۹۹ به روی آنتن رفته‌است. آهنگسازی این کار زیبا بر عهده علی غلامعلی بوده است
فهرست نمایندگان مجلس خبرگان رهبری دوره چهارم که طی انتخابات چهارمین دورهٔ مجلس خبرگان رهبری که در ۲۴ آذر ۱۳۸۵ برگزار شد و تعدادی نیز در انتخابات میان دوره‌ای برگزیده شدند. جلسهٔ گشایش مجلس چهارم در ۱ اسفند همان سال انجام شد. برای این دوره ۸۶ نماینده در نظر گرفته شده بود. نمایندگان فعال ابتدا تا انتهای دوره. اسامی الفبایی نمایندگان دوره چهارم مجلس خبرگان رهبری: نمایندگان درگذشته و جایگرین‌های میان دوره‌ای. با ابطال انتخابات در ایلام تنها کرسی تنها نماینده آن خالی ماند و با ابطال آراء نفر دوم در قزوین کرسی
خالی ماند و با ابطال آراء نفر دوم در قزوین کرسی نماینده دوم آن خالی ماند. ۱۸ نماینده نیز در طول دوره درگذشتند که ۱۰ نفر از آن‌ها با انتخابات میاندوره‌ای جایگزین شدند.
دیود ، قطعه‌ای الکترونیکی است که دوسَر دارد، و جریان الکتریکی را در یک جهت از خود عبور می‌دهد (در این حالت، مقاومت دیود ناچیز است) و در جهت دیگر، درمقابل گذر جریان مقاومت بسیار بالایی (در حالت ایدئال، بی‌نهایت) از خود نشان می‌دهد. این خاصیت دیود، باعث‌شده بود تا در سال‌های اولیهٔ ساخت این قطعهٔ الکترونیکی، به آن «یکسوساز» نیز گفته شود. پایه‌ای که به نیم‌رسانای N متصل است «کاتُد» و پایه‌ای که به نیم‌رسانای نوع P متصل است «آنُد» نام دارد. دیود، نخستین قطعه تولید شده با نیم‌رساناها است. مهم‌ترین کاربرد دیود،
شده با نیم‌رساناها است. مهم‌ترین کاربرد دیود، عبور جریان در یک جهت و ممانعت از گذر جریان در جهت دیگر است (یکسو سازی). درنتیجه می‌توان به دیود مثل یک شیر یک‌طرفه الکتریکی نگاه کرد. این ویژگی دیود برای تبدیل جریان متناوب به جریان مستقیم استفاده می‌شود. به لحاظ الکتریکی، یک دیود، هنگامی جریان را از خود می‌گذراند که با برقرارکردن ولتاژ (بایاس کردن) در جهت درست (+ به آنُد و - به کاتُد؛ که به آن بایاس مستقیم می‌گویند)، آمادهٔ کار شود. مقدار ولتاژی که باعث می‌شود تا دیود شروع به هدایت جریان الکتریکی کند، ولتاژ
تا دیود شروع به هدایت جریان الکتریکی کند، ولتاژ آستانه یا (threshold voltage) نامیده می‌شود که چیزی حدود ۰٫۶ تا ۰٫۷ ولت (برای دیودهای سیلیکون) و ۰٫۲ تا ۰٫۳ ولت (برای دیود ژرمانیوم) است. اما هنگامی‌که ولتاژ معکوس به دیود متصل شود، (+ به کاتُد و - به آنُد؛ که به آن بایاس معکوس می‌گویند) جریانی از آن نمی‌گذرد؛ مگر جریان بسیار کمی که به «جریان نشتی» معروف است و در حدود چند میکرو آمپر یا حتی کمتر است. این مقدار جریان معمولاً در اغلب مدارهای الکترونیکی قابل چشم‌پوشی است و تأثیری در رفتار سایر المان‌های مدار
است و تأثیری در رفتار سایر المان‌های مدار نمی‌گذارد. هرچه جنس بلور به‌کاررفته در ساخت دیود، به لحاظ ساختاری، منظم‌تر باشد، دیود مرغوب‌تر و جریان نشتی، کمتر خواهد بود. مقدار جریان نشتی در دیودهای با فناوری جدید، عملاً به صفر می‌گراید. تمام دیودها یک آستانه برای بیشینهٔ ولتاژ معکوس دارند که اگر ولتاژ معکوس، بیش از آن شود، دیود می‌سوزد (بلور ذوب می‌شود) و جریان را در جهت معکوس نیز می‌گذراند. به این ولتاژ آستانه، «ولتاژ شکست» گفته می‌شود. ولتاژ شکست معکوس دیود vb. چنانچه ولتاژ معکوس دیود را تا حد مشخصی
دیود vb. چنانچه ولتاژ معکوس دیود را تا حد مشخصی بیفزاییم، جریان معکوس دیود به‌طور ناگهانی شروع به افزایش سریع می‌کند. پدیده‌ای که در این حالت رخ می‌دهد را «پدیدهٔ شکست» و ولتاژی را که در آن این پدیده آغاز می‌شود ولتاژ شکست دیود دیود گویند و با VBR نشان می‌دهند. ولتاژ شکست دیود، به ساختمان پیوند P-N و غلظت ناخالصی آن بستگی دارد؛ شکست دیود می‌تواند حاصل یکی از دو پدیدهٔ شکست بهمنی و شکست زِنِر باشد. احتمال وقوع پدیدهٔ شکست بهمنی در دیودهای سیلیکونی که ولتاژ شکست آن‌ها بیش از ۶ ولت است، بیشتر است. در حالی که
آن‌ها بیش از ۶ ولت است، بیشتر است. در حالی که شکست زنر به‌صورت پدیدهٔ غالب، تنها در دیودهایی با ولتاژ شکست تا حدود ۶ ولت دیده‌می‌شود. پدیدهٔ شکست بهمنی. در معکوس پیوند، با افزایش ولتاژ معکوس دیود، عرض ناحیهٔ تهی بیشتر می‌شود و شدت میدان الکتریکی در این ناحیه افزایش می‌یابد. در این حالت، حامل‌های اقلیت در واقع در سراشیبی سد پتانسیل ناشی از پتانسیل داخلی و ولتاژ معکوس اِعمالی قرار می‌گیرند و سرعت آن‌ها به‌شدت افزایش می‌یابد. این حامل‌ها با شتاب‌گرفتن خود می‌توانند به اتم‌های سیلیکون واقع در ناحیهٔ تهی
می‌توانند به اتم‌های سیلیکون واقع در ناحیهٔ تهی برخورند و ضمن شکستن پیوندهای کووالانسی آن‌ها تعدادی حامل جدید آزاد کنند. حامل‌های جدید نیز تحت تأثیر میدان الکتریکی زیاد در ناحیهٔ تهی قرار می‌گیرند و پس از برخورد با دیگر اتم‌ها، حامل‌های بیشتری را از پیوند کووالانسی آن‌ها جدا می‌سازند؛ بنابراین، تعداد حامل‌هایی که می‌توانند در ایجاد جریان دخالت کنند به‌طور ناگهانی افزایش می‌یابند و باعث ازدیاد سریع جریان می‌شوند. این پدیده را شکست بهمنی می‌نامند. پدیدهٔ شکست زِنِر. پدیدهٔ دیگری که ممکن است باعث ایجاد شکست
زِنِر. پدیدهٔ دیگری که ممکن است باعث ایجاد شکست در مشخصهٔ ولتاژ-جریان دیود شود به پدیدهٔ زِنِر معروف است. این پدیده چنین است که با افزایش ولتاژ معکوس دیود، شدت میدان الکتریکی در ناحیهٔ تهی ممکن است به حدی برسد که حامل‌های اقلیت موجود در نیمه‌های p یعنی الکترون‌ها بتوانند از داخل لایه سد تونل زده و به طرف مقابل وارد شوند و جریان معکوسی را به وجود آورند. معمولاً دیودهایی که ولتاژ شکست تا حدود ۶ ولت دارند، شکست‌شان با پدیدهٔ زنر و دیودهایی که ولتاژ شکستی بیشتر از ۶ ولت دارند شکست‌شان با پدیدهٔ بهمنی توجیه
از ۶ ولت دارند شکست‌شان با پدیدهٔ بهمنی توجیه می‌شود. مقاومت. با توجه به غیرخطی‌بودن مشخصهٔ دیود، دو نوع مقاومت می‌توان برای دیود تعریف کرد که عبارتند از مقاومت استاتیکی (Rs) که در جریان DC، و مقاومت دینامیکی (rd) که در جریان AC محاسبه می‌شوند. اگر سیگنال ورودی به قدر کافی بزرگ باشد به‌طوری‌که بتواند تغییرات قابل توجهی در منحنی مشخصه دیود ایجاد کند مقاومت مربوط به قطعه در این ناحیه را مقاومت متوسط گویند که از رابطه زیر به دست می‌آید. Rav = ∆Vd/∆Id Vd=ولتاژ دیود Id= جریان دیود ∆= تغییرات ولتاژ یا جریان
دیود Id= جریان دیود ∆= تغییرات ولتاژ یا جریان مقاومت استاتیکی. مقاومت اهمی در دیود از تقسیم ولتاژ دو سر دیود بر جریان عبوری از آن به دست می‌آید. مقاومت دیود در مقابل عبور جریان مستقیم و جریان متناوب فرق می‌کند. مقاومت دیود در مقابل عبور جریان مستقیم را مقاومت استاتیکی می‌نامند و مقدار آن را از رابطه زیر به دست می‌آورند. Rdc = Vf/If مقاومت دینامیکی. مقاومت دیود در مقابل جریان متناوب را مقاومت دینامیکی می‌نامند و از رابطه زیر به‌دست می‌آورند. Rac = ∆Vf/∆If Vf=ولتاژ دیود If= جریان دیود ∆= تغییرات ولتاژ یا
Vf=ولتاژ دیود If= جریان دیود ∆= تغییرات ولتاژ یا جریان مقاومت‌های معادل دیود در شرایط AC. در هر دیود عملاً سه نوع مقاومت وجود دارد. یکی مقاومت مربوط به لایه N و دیگری مقاومت مربوط به لایه P و سومی مربوط به مقاومت دینامیکی لایه سد RAC است. مجموعه این مقاومت‌ها را Rd می‌نامند. Rd = Rp+Rac+Rn دسته‌بندی. پنج دیود مهم عبارتند از: دیود زِنِر. در بایاس مستقیم ولتاژ دو سر دیود تقریباً ثابت است و تغییر جریان در آن تأثیری ندارد. دیودهایی که در بایاس معکوس و ناحیهٔ شکست معکوس استفاده می‌شوند به «دیود زِنِر»
ناحیهٔ شکست معکوس استفاده می‌شوند به «دیود زِنِر» معروف‌اند. البته اینکه این دیودها را زنر می‌نامند، بدان مفهوم نیست که پدیدهٔ شکست بهمنی در آن‌ها صورت نمی‌گیرد؛ بلکه هر دو پدیده می‌توانند در شکست این دیودها نقش داشته‌باشند. ولتاژ شکست این‌گونه دیودها را «ولتاژ زِنِر» نیز می‌نامند و با Vz نشان می‌دهند. مقدار ولتاژ شکست در دیود زِنِر به میزان چگالی ناخالصی بستگی دارد. با افزایش چگالی ناخالصی، ولتاژ شکست دیود کاهش می‌یابد. دیودهای زنر تجاری، با ولتاژ زِنِر از ۲٬۴ تا ۲۰۰ ولت و تا توان‌های حدود ۱۰۰ وات ساخته
۲٬۴ تا ۲۰۰ ولت و تا توان‌های حدود ۱۰۰ وات ساخته می‌شوند. چون دیود زنر باید به صورت معکوس بایاس شود، کاتد آن به قطب مثبت منبع ولتاژ و آند آن به قطب منفی وصل می‌شود. در این صورت، جهت جریان از کاتد به آند خواهد بود. معمولاً کارخانهٔ سازنده یک جریان کمینه Ik و یک جریان بیشینه مشخص می‌سازد که تغییرهای جریان دیود زِنِر باید به آن محدود شوند. قابل توجه است که مشخصهٔ دیود زنر در حالت بایاس مستقیم، مشابه دیودهای معمولی است. از دیود زنر، برای تثبیت ولتاژ در تنظیم‌کننده‌های ولتاژ استفاده می‌شود. دیود خازنی (دیود
ولتاژ استفاده می‌شود. دیود خازنی (دیود واراکتور). هرگاه یک پیوند P-N به صورت معکوس بایاس شود، در حوالی پیوند یک ناحیهٔ تهی یا بار فضایی متشکل از بارهای ساکن مثبت در طرف N و بارهای ساکن منفی در طرف P پدید می‌آید. با توجه به اینکه در ناحیه‌های خنثای P و N، حامل‌های بار الکتریکی، آزادند و مانند رسانا عمل می‌کنند، می‌توان پیوند P-N را در این حالت به صورت خازنی مُدل کرد که در آن، ناحیه‌های خنثی همانند دو صفحهٔ خازن، ناحیهٔ تهی (همانند عایق) را در میان گرفته‌اند. formula_1 در رابطهٔ فوق C، ظرفیت خازن ناحیهٔ تهی؛
formula_1 در رابطهٔ فوق C، ظرفیت خازن ناحیهٔ تهی؛ A، سطح مقطع پیوند؛ ε (اپسیلون)، ضریب دی‌الکتریک ناحیهٔ تهی که بستگی به جنس بلور و شیوهٔ توزیع بار در این ناحیه دارد؛ و W، عرض ناحیهٔ تهی است. چون عرض ناحیهٔ تهی با افزایش ولتاژ معکوس پیوند تغییر می‌کند، بنابراین خازن پیوند را می‌توان به عنوان یک خازن متغیر با ولتاژ لحاظ کرد. وقتی از این رابطه برای محاسبهٔ ظرفیت خازنی استفاده می‌کنیم، درحقیقت فرض یکنواخت بودن میدان در عایق را پذیرفته‌ایم. می‌توان نشان داد که برای یک پیوند P-N با چگالی ناخالصی یکنواخت، ظرفیت
برای یک پیوند P-N با چگالی ناخالصی یکنواخت، ظرفیت خازنی ناحیهٔ تهی با ولتاژ معکوس دو سر دیود، به صورت زیر ارتباط دارد. formula_2 در این رابطه V0 اختلاف پتانسیل پیوند است و formula_3 ظرفیت خازنی دیودهای معمولی در حدود چند پیکو فاراد است. دیودهایی که برای استفاده به عنوان یک خازن متغیر ساخته می‌شوند به «دیود خازنی» یا «دیود وَرَکتور» مشهورند. این‌گونه دیودها همیشه به صورت معکوس بایاس می‌شوند. دیودهای خازنی معمولاً از جنس سیلیکون و برای ظرفیت‌های نامی تا 2500pf ساخته می‌شوند. از دیود خازنی برای تغییر فرکانس
ساخته می‌شوند. از دیود خازنی برای تغییر فرکانس مدارهای تشدید LC در نوسان‌گرها استفاده می‌شود. دیود تونلی. تفاوت اساسی ساختمان دیود تونلی با دیودهای معمولی در چگالی بسیار بالای ناخالصی در نیم‌رساناهای نوع P و N به‌کاررفته در آن است. چون عرض ناحیهٔ تهی با چگالی ناخالصی، نسبت عکس دارد؛ بنابراین در دیود تونلی، عرض ناحیهٔ تهی بسیار کم و در حدود ۰٬۰۱ دیودهای معمولی است. این دیود در ولتاژهای معکوس و ولتاژهای مستقیم کوچک، دارای مقاومت بسیار کوچکی است. از ویژگی‌های بارز دیود تونلی، مقاومت منفی در بخشی از مشخصه‌اش
بارز دیود تونلی، مقاومت منفی در بخشی از مشخصه‌اش است. از ویژگی‌های دیود تونلی می‌توان اغتشاش کم، سرعت زیاد و توان مصرفی کم را نام برد. دیود نور گسیل (LED). دیودهای نوراَفشان معمولاً از بلور نیم‌رسانا گالیُم-آرسِناید ساخته می‌شوند. در بایاس مستقیم به دلیل ترکیب الکترون و حفره‌ها در لایه سد، نور تولید می‌شود؛ بنابراین لایه سد در این دیودها به منظور خروج نور نمی‌پوشانند. در بلور گالیم آرسنیک، بازده بازترکیب الکترون آزاد و حفره بسیار بیشتر از بلورهای سیلیکون یا ژِرمانیُم است. نکتهٔ دیگر در مورد این بلور آنست
ژِرمانیُم است. نکتهٔ دیگر در مورد این بلور آنست که آزاد شدن انرژی در هر بازترکیب، به صورت تابش یک فوتون نوری است. در بلورهای سیلیکون و ژرمانیوم، این انرژی به شکل گرما تلف می‌شود و به نور تبدیل نمی‌شود. مشخصهٔ دیودهای نورافشان، مشابه دیودهای معمولی است. تنها تفاوت در ولتاژ آستانهٔ رسانش است که در دیودهای نورافشان فروسرخ تا سبز، مقدار آن از ۱٬۴ تا ۲٬۹ ولت تغییر می‌کند. دیودهای نورافشان، به شکل مستقیم بایاس می‌شوند. با افزایش جریان مستقیم، تولید فوتون‌های نوری زیادتر می‌شود و در نتیجه شدت نور تابشی افزایش
زیادتر می‌شود و در نتیجه شدت نور تابشی افزایش می‌یابد. امروزه دیودهای نورافشان برای نورهای قرمز، زرد، سبز، آبی و فروسرخ ساخته شده‌اند. دیودهای نورافشان در نمایشگرهای رقمی برای نمایش عددها یا حرف‌ها مورد استفاده قرار می‌گیرند. از جمله موردهای مهم کاربرد دیودهای نورافشان فروسرخ، مخابرات نوری است. دیود نوری. در این نوع دیود، جریان اشباع معکوس تقریباً متناسب با شدت نور تابیده به سطح آن است. این‌گونه دیود در واقع یک پیوند P-N معمولی است که داخل یک پوشش پلاستیکی که یک طرف آن شفاف است قرار گرفته‌است. دیود نوری به
یک طرف آن شفاف است قرار گرفته‌است. دیود نوری به صورت معکوس بایاس می‌شود. با تابش فوتون‌های نوری به محل پیوند و جذب این فوتون‌ها توسط الکترون‌های پیوندهای کووالانسی اتم‌های نیم‌رسانا، به تعداد حامل‌های اقلیت افزوده می‌شود و جریان این حامل‌ها تشدید می‌شود. معمولاً مشخصه جریان-ولتاژ دیودهای نوری توسط کارخانهٔ سازنده داده می‌شود. در این مشخصه‌ها تغییرهای جریان معکوس دیود برحسب ولتاژ معکوس دو سر آن به ازای مقدارهای گوناگون شار نوری نمایانده می‌شوند. دیود گان. این دیود در اسیلاتورهای فرکانس بالا (مایکروویو)
این دیود در اسیلاتورهای فرکانس بالا (مایکروویو) به‌کار می‌رود. کاربرد. مهم‌ترین کاربرد دیود، تبدیل جریان الکتریکی متناوب به مستقیم است. در بسیاری از آداپتورها جریان برقی که به‌وسیلهٔ ترانسفورماتور کاهش یافته‌است به کمک یک دیود (یکسوسازی نیم‌موج)، دو دیود (در ترانسفورماتور با ثانویهٔ سه‌سر) یکسوسازی تمام‌موج یا با چهار دیود (در ترانسفورماتور با ثانویهٔ دوسر) یکسوسازی تمام‌موج انجام می‌شود. در ولتاژ یکسو شده پس از این دیودها، بسامد ریپل به میزان دو برابر فرکانس تناوب (درحالت تمام‌موج) را دارد و جهت مستقیم