payamvha/North_RAG huggingface dataset:
۱۰۰۰ تا ۵۰۰۰۰ ولت به سمت آند شتاب گرفته و با سرعت به سمت آن می‌روند و بخشی از آن‌ها از سوراخ میانی آند عبور کرده با سرعت به سمت ستون اپتیکی میکروسکوپ و در نهایت نمونه فرستاده می‌شوند. لازم است ذکر شود که در این تفنگها علاوه بر کاتد و آند، یک درپوش نیز قرار دارد که دارای سوراخ بوده و نسبت به کاتد در بایاس منفی قرار دارد تا با یک میدان الکترو استاتیک به متمرکز شدن الکترونها کمک کند. آنچه در مورد تفنگهای الکترونی اهمیت دارد، تأثیر جریان فیلمان بر روشنایی تصویر است، به‌طور نمونه با افزایش دمای فیلمان از ۲۷۰۰
است، به‌طور نمونه با افزایش دمای فیلمان از ۲۷۰۰ به ۳۰۰۰ درجه روشنایی حدود ۵ برابر افزایش می‌یابد اما عمر آن بین ۳۰ تا ۶۰ برابر کاهش می‌یابد که این لزوم تنظیم دما را به خوبی نشان می‌دهد. تفنگهای انتشار میدانی این تفنگها از قدرت و دقت و هزینه بالاتر و ساخت به مراتب پیچیده تری نیز برخوردارند. این تفنگها از یک تک بلور تنگستن با یک نوک بسیار تیز (۰٫۲ میکرومتر) تشکیل شده که که به آن میدانی وارد می‌شود و این میدان سبب جدا شدن الکترونها از بلور می‌شود. برای اینکه میدان در سر بلور بیشتر شود سر آن را خیلی تیز
میدان در سر بلور بیشتر شود سر آن را خیلی تیز می‌کنند و این سر تیز سبب می‌شود قطر پرتو خروجی نیز کوچکتر شود؛ بنابراین در این تفنگ ۲ کاتد وجود دارد که اولی وظیفه جدا کردن الکترونها و دومی‌برای سرعت دادن به الکترونها بکار گرفته می‌شود؛ و الکترونهای خروجی از میان دو آند به سمت ستون اپتیک فرستاده می‌شود. یکی از مزیتهای پرتو تولیدی این تفنگ آن است که اختلاف انرژی الکترونها کمتر بوده و در کل پرتو تولیدی از کیفیت بالاتری برخوردار است که در نتیجه به خطاهای کمتر و تصاویر بهتر و شفافتری منجر خواهد شد. این موارد در
تصاویر بهتر و شفافتری منجر خواهد شد. این موارد در کنار عمر بالای این تفنگها سبب اقبال عمومی به آن‌ها شده‌است. در دستگاه SEM پرتاب کننده‌های الکترون (تفنگ‌های الکترونی) باید خصوصیاتی نظیر تولید پرتوهای الکترونی ثابت با جریان بالا، اشغال فضای کم، انرژی قابل تغییر و پراکندگی انرژی اندک داشته باشند. در SEMهای قدیمی از منبع تنگستن یا لانتانیوم هگزا بورید استفاده می‌شد. اما در SEMهای جدید از میدان منابع نشرکننده، که دارای جریان بالا و پراکندگی انرژی کم‌تر هستند، استفاده می‌شود. طول عمر منبع نیز از ملاک‌های تأثیر
می‌شود. طول عمر منبع نیز از ملاک‌های تأثیر گذار در انتخاب منبع است. لنزها. بخشی از SEM که پرتو الکترونی را متمرکز، جابجا و اصلاح می‌کند، به ستون اپتیکی معروف است و عملاً بخش‌های آن با اتفاقاتی که برای نور در میکروسکوپ نوری می‌افتد مشابه‌سازی و نام‌گذاری شده‌است که مهمترین بخش این ستون نیز لنزها هستند که با هدف متراکم کردن پرتو الکترونی استفاده می‌شوند. لنزهای نوری بر اساس شکست نور کار می‌کنند اما در لنزهای اشعه الکترونی، با اعمال نیرو به الکترونها مسیر آن‌ها عوض می‌شود. ذرات الکترون بار منفی دارند لذا
آن‌ها عوض می‌شود. ذرات الکترون بار منفی دارند لذا عملاً دو راه برای اعمال نیرو به آن‌ها وجود دارد که این دو راه استفاده از میدانهای الکتریکی و مغناطیسی است. هرچند روابط حاکم بر میدان الکتریکی ساده‌تر است اما از آنجا که امکان ایجاد و کنترل میدان مغناطیسی قوی با هدف متمرکز کردن پرتو الکترونی ساده‌تر است معمولاً در SEM از لنزهای مغناطیسی استفاده می‌شود. ستون اپتیکی از تعدادی لنز متمرکزکننده و یک لنز نهایی تشکیل شده که در انتهای ستون و قبل از جسم قرار گرفته‌است. اصول کار این لنزها تقریباً یکسان است با این
اصول کار این لنزها تقریباً یکسان است با این تفاوت که لنز نهایی از قدرت بیشتر و شکلی متفاوت برخوردار است. روزنه. روزنه‌ها سوراخهایی با ابعاد متفاوت هستند که در مکانهای گوناگون ستون اپتیکی قرار گرفته و علاوه بر کاهش قطر پرتو الکترونی سبب حذف الکترونهایی می‌شوند که از مرکز ستون فاصله دارند که این کار می‌تواند سبب افزایش کنتراست تصویر بشود و خروجی بهتری را ایجاد کند. آنچه در مورد روزنه‌ها محدودکننده است یکی کاهش روشنایی تصویر و دیگری مبحث پراش الکترونی است که در صورتی رخ می‌دهد که قطر روزنه در درجه طول موج
در صورتی رخ می‌دهد که قطر روزنه در درجه طول موج الکترونها باشد و باعث از بین رفتن وضوح تصویر می‌شود و در هنگام تنظیم و استفاده از روزنه‌ها همواره باید آن را مد نظر قرار داد. سیستم روبشگر. همانگونه که گفته شد برای ایجاد یک تصویر کامل باید پرتو الکترون با تک تک نقاط یک ناحیه از نمونه برخورد کند که ابعاد این ناحیه بر حسب بزرگنمایی تعیین می‌شود. پس از تعیین ناحیه، لازم است پرتو تغییر جهت داده و کل منطقه مشخص شده را در ردیفهای موازی و به صورت نقطه به نقطه در دو راستای X و Y روبش کند و برای این کار از دو سیم پیچ
X و Y روبش کند و برای این کار از دو سیم پیچ با میدانهای مغناطیسی استفاده می‌شود که با اعمال میدانهایی عمود بر مسیر پرتو و با مقدار کنترل شده سبب تغییر جهت پرتو الکترونی می‌شوند. به‌این ترتیب پرتو الکترون به صورت کنترل شده با نقطه مشخص برخورد می‌کند. محفظه نمونه. همانگونه که در ادامه به آن خواهیم پرداخت، نمونه SEM در خلأ مورد بررسی قرار می‌گیرد همچنین از برخورد پرتو الکترونهای پرسرعت با نمونه، اشعه X حاصل می‌شود که برای کاربر بسیار زیان‌آور است، این عوامل سبب می‌شود نمونه درون محفظه‌ای قرار بگیرد که بسیار
می‌شود نمونه درون محفظه‌ای قرار بگیرد که بسیار محکم بوده و دارای سرب است. این محفظه دارای مکانهایی برای قرارگیری نمونه است که در هر لحظه می‌توان چندین نمونه را بر روی آن قرار داد و از بیرون مشخص کرد که کدامیک مورد بررسی قرار بگیرد یا نمونه را برای بررسی بالا و پایین برد یا زاویه دار کرد. همچنین در این محفظه مکانهایی برای قرارگیری حسگرها قرارداده شده و اتصالاتی نیز قرار دارد که امکان برقراری ارتباط ایمن از داخل محفظه به بیرون را فراهم می‌آورد بدون اینکه خلأ دچار مشکل شود یا اینکه اشعه X به کاربر آسیب
خلأ دچار مشکل شود یا اینکه اشعه X به کاربر آسیب برساند. بر روی این محفظه همچنین سوراخهایی قرار دارد که با در پوشهایی پوشانده شده و در صورتی که قرار باشد قطعه‌ای به SEM اضافه شود از آن‌ها استفاده خواهد شد. سیستم خلأ. میکروسکوپهای الکترونی تحت خلأ کار می‌کنند که دلایل زیادی برای آن وجود دارد. مهمترین این دلایل را می‌توان دست یافتن به پرتو متمرکزتر و عمر بیشتر دستگاه دانست. مسافت طی شده بدون برخورد توسط الکترون در فشار یک اتمسفر ۱ سانتی‌متر است در حالیکه در فشارTorr 10-6 این مسافت برابر ۶ متر خواهد بود. Torr
10-6 این مسافت برابر ۶ متر خواهد بود. Torr واحد قدیمی‌فشار هوا است که در سیستم‌های خلأ میکروسکوپهای الکترونی کاربرد دارد و هر Torr برابر ۱۳۳ پاسکال است. همچنین در صورت وجود هوا امکان تخلیه الکتریکی نیز وجود دارد. علاوه بر این امکان سوختن، از بین رفتن و ایجاد واکنش بر روی نمونه و فیلمان تفنگ الکترونی نیز وجود دارد که تمام این موارد به لزوم ایجاد خلأ بالا در دستگاه اشاره دارد. برای ایجاد خلأ در این دستگاه روش‌های متنوعی وجود دارد که به صورت تکی یا ترکیبی بنا به مدل دستگاه استفاده می‌شوند. سیستم نمایش. سیستم
به مدل دستگاه استفاده می‌شوند. سیستم نمایش. سیستم نمایش در واقع یک سیستم جانبی در کنار SEM است که برای نمایش دادن تصاویر حاصل از آن بکار گرفته می‌شود. در واقع این سیستم همان مونیتور است که خروجی بدست آمده از هر نقطه از نمونه را با شدت روشنایی معادل‌سازی و به کاربر نشان می‌دهد به‌این ترتیب می‌توان تصویری با رنگ خاکستری ایجاد نمود که نشانگر خواص ماده خواهد بود. بر حسب میزان بزرگنمایی و سطح مورد بررسی بر روی نمونه و دقت قدرت تفکیک میکروسکوپ از یک سو و اندازه و قدرت تفکیک صفحه نمایش از سوی دیگر رابطه‌ای بین
و قدرت تفکیک صفحه نمایش از سوی دیگر رابطه‌ای بین نقاط جسم و صفحه نمایش برقرار خواهد شد. در گذشته این کار به صورت آنالوگ و بر روی صفحات CRT انجام می‌شد که امروزه با پیشرفت تکنولوژی دیجیتال و رایانه‌ها و صفحات کریستال مایع پیشرفت زیادی در کنترل و رابطهای کاربری صورت گرفته‌است. نمونه‌ها. هر جامد یا مایعی که فشار بخاری کمتر از ۱۰−۳ تور داشته باشد. محدودیت اندازه توسط طراحی میکروسکوپ الکترونی روبشی تعیین می‌شود. معمولاً نمونه‌هایی با اندازهٔ ۱۵ تا ۲۰ سانتی‌متر را می‌توان در میکروسکوپ قرار داد. تکنیک‌های پولیش و
می‌توان در میکروسکوپ قرار داد. تکنیک‌های پولیش و اچ متالوگرافی استاندارد برای مواد هادی الکتریسیته کافی هستند. مواد غیر هادی معمولاً با لایهٔ نازکی از کربن، طلا یا آلیاژهای طلا پوشش داده می‌شوند.
میکروسکوپ الکترونی عبوری نوعی میکروسکوپ الکترونی است که در آن پرتویی از الکترون‌ها از یک نمونه فوق‌العاده نازک عبور می‌کنند و در اثر تعامل الکترون‌های عبوری با نمونه تصویر تشکیل می‌شود. سپس تصویر بر روی یک ابزار تصویر ساز مانند یک صفحه نمایش فلورسنت، یا یک لایه از فیلم عکاسی متمرکز و بزرگنمایی شده، یا توسط یک حسگر مانند یک افزاره بارجفت‌شده (CCD) که نوعی حسگر تصویربرداری می‌باشد آشکار می‌گردد. تی‌ئی‌ام‌ها قادر به تصویربرداری با وضوح قابل توجهی بالاتر از میکروسکوپ نوری هستند و علت آن کوچکتر بودن طول موج
میکروسکوپ نوری هستند و علت آن کوچکتر بودن طول موج الکترون‌ها نسبت به طول موج نوراست؛ لذا قابلیت عکس‌برداری از ریزساختار مواد با بزرگنمایی ۱٬۰۰۰ تا ۱٬۰۰۰٬۰۰۰ برابر با وضوح تصویری درحد کوچک‌تر از ۱ نانومتر را دارد. میکروسکوپ الکترونی عبوری همچنین توانایی آنالیز عنصری، تعیین ساختار و جهت کریستالی اجزایی به کوچکی ۳۰ نانومتر را به صورت کیفی و کمی دارد. میکروسکوپ نوری تی‌ئی‌ام‌ در طیف وسیعی از رشته‌های علمی مثل فیزیک، شیمی و علوم زیستی و علم مواد/متالورژی و … مورد استفاده قرار می‌گیرد. تاریخچه. لوئیس دو بروی در
استفاده قرار می‌گیرد. تاریخچه. لوئیس دو بروی در سال ۱۹۲۵ برای اولین بار تئوری خصوصیات موجی الکترون‌ها که طول موجی کمتر از نور مرئی دارند را ارائه کرد. در سال ۱۹۲۷ دیویسون و گرمر و همچنین تامپسون و رید به‌طور مستقل آزمایش‌های کلاسیک تفرق الکترونی را انجام دادند که نشان‌دهندهٔ طبیعت موجی الکترون‌ها بود. در سال ۱۹۳۲ روسکا و نول اولین بار ایدهٔ میکروسکوپ الکترونی را مطرح کردند. در سال ۱۹۳۶ اولین میکروسکوپ الکترونی عبوری توسط شرکت Metropolitian-Vickers در انگلستان ساخته شد. شکل اصلی میکروسکوپ الکترونی،
انگلستان ساخته شد. شکل اصلی میکروسکوپ الکترونی، میکروسکوپ انتقال الکترونی از یک پرتو الکترونی ولتاژ بالا برای ساخت یک تصویر استفاده می‌کند. الکترون‌ها به وسیلهٔ یک تفنگ الکترونی انتشار می‌یابند، که معمولاً با یک کاتد ساخته شده از تنگستن رشته‌ای به عنوان یک منبع الکترون پر شده‌است. پرتو الکترونی به وسیلهٔ یک آند معمولی با ولتاژ kV100+ (40تا 400kV) شتاب می‌گیرد با توجه به نوع کاتد، به وسیلهٔ عدسی‌های الکترواستاتیکی و الکترومغناطیسی تمرکز یافته، و از طریق نمونه که در بخش شفاف به الکترون است انتقال می‌یابد، و
که در بخش شفاف به الکترون است انتقال می‌یابد، و در نقطه خارج از پرتو آن‌ها پراکنده می‌شود. هنگامی که از نمونه ظاهر می‌شود، پرتو الکترونی اطلاعاتی در مورد ساختار نمونه که به وسیلهٔ عدسی‌های هدف سیستم میکروسکوپ بزرگنمایی شده را حمل می‌نماید. تنوع فضایی در این اطلاعات (تصاویر) ممکن است به وسیلهٔ طرح تصویر الکترونی بزرگ شده بر روی یک صفحه نمایش فلور سنت پوشش داده شده با فسفر یا مادهٔ جرقه زنی مثل سولفید روی مشاهده شود. متناوباً، تصویر می‌تواند به وسیلهٔ نمایش یک فیلم عکسی یا صفحه‌ای مستقیماً رو به پرتو
نمایش یک فیلم عکسی یا صفحه‌ای مستقیماً رو به پرتو الکترونی، یا یک فسفر وضوح بالا همراه شده و بوسیلهٔ سیستم عدسی نوری یا یک فیبر نوری چراغ راهنمایی برای حسگر یک دوربین CCD (دستگاه باردار) ثبت عکسی شود. تصویر بوسیلهٔ CCD که می‌تواند آن را در مانیتور یا کامپیوتر نمایش دهد شناسایی می‌شود. وضوح تی‌ئی‌ام‌ در درجهٔ اول بوسیلهٔ انحراف کروی محدود می‌شود، اما نسل جدید تنظیم‌کننده‌های انحراف قادر به غلبه بر بخشی از انحراف کروی برای افزایش وضوح هستند. سخت‌افزار اصلاح انحراف کروی برای میکروسکوپ انتقال الکترونی با وضوح
کروی برای میکروسکوپ انتقال الکترونی با وضوح بالا (HRتی‌ئی‌ام‌) اجازه داده‌است تصاویری با وضوح بالای ۰/۵ آنگستروم (۵۰ پیکومتر) و بزرگنمایی بالای ۵۰ میلیون بار تولید شود. توانایی تعیین موقعیت اتم‌ها در داخل مواد HRتی‌ئی‌ام‌ را یک ابزار مهم برای توسعه و تحقیق فناوری نانو ساخته‌است. یک حالت استفاده مهم تی‌ئی‌ام‌ پراش الکترون است. مزایای پراش الکترونی روی پرتو ایکس در بلورشناسی این است که نمونه نیازمند یک تک بلور یا حتی پودر چند بلوری نبوده، و همچنین این که تبدیل فوریه بازسازی ساختار شیئ بزرگ‌شده به‌طور فیزیکی
فوریه بازسازی ساختار شیئ بزرگ‌شده به‌طور فیزیکی رخ می‌دهد و درنتیجه بعد از بدست آوردن تصویر بلوری الگوهای پراش پرتو ایکس آن‌ها به صورت یک تک بلور یا پودر چند بلوری، از نیاز به حل مشکل فاز مواجه شده به وسیلهٔ پرتو ایکس اجتناب می‌شود. عمده معایب میکروسکوپ انتقال الکترونی این است که نیازمند بخش‌های بسیار باریک از نمونه، معمولاً حدود 100 نانومتر می‌باشد. نمونه‌های زیستی معمولاً نیازمند ثبوت شیمیایی هستند، آب از دست داده و جاسازی شده در یک رزین پلیمری برای ایجاد ثبات در آن‌ها، به آن‌ها اجازه تشکیل برشی به
ایجاد ثبات در آن‌ها، به آن‌ها اجازه تشکیل برشی به اندازه کافی نازک می‌دهد. بخشی از نمونه‌های زیستی، پلیمرهای آلی و مواد مشابه ممکن است نیاز ویژه به رنگ‌آمیزی با برچسب اتم سنگین به منظور دستیابی به کنتراست تصویر مورد نیاز داشته باشند. اجزای دستگاه. در شکل مقابل اجزای اصلی یک میکروسکوپ الکترونی عبوری نشان داده شده‌است. این طرح، بنا به مورد کاربرد، به منظور به‌کارگیری انواع اثرات متقابل الکترون و نمونه به تجهیزات کمکی ویژه مجهز می‌شود. همان‌طور که مشاهده می‌شود از اجزای اصلی یک دستگاه تی‌ئی‌ام‌، می‌توان تفنگ
از اجزای اصلی یک دستگاه تی‌ئی‌ام‌، می‌توان تفنگ الکترونی، عدسی جمع‌کننده، نگهدارنده نمونه، عدسی شیئی و تصویری، سیستم‌های از بین برنده آلودگی، پرده فلورسنت و دوربین عکاسی را برشمرد. کل سیستم در خلأ حداقل ۰/۰۰۰۱ تور قرار دارد تا مسیر آزاد طولانی برای الکترون موجود باشد. تفنگ الکترونی. در بخش فوقانی دستگاه یعنی حدود یک متر بالاتر از سر کاربری که پشت میکروسکوپ نشسته‌است، تفنگ الکترونی قرار گرفته‌است. رایج‌ترین تفنگ‌های الکترونی مورد استفاده در تی‌ئی‌ام‌ از نوع حرارتی است که می‌توانند الکترون‌ها را در محدوده
حرارتی است که می‌توانند الکترون‌ها را در محدوده اختلاف پتانسیل ۴۰ الی۲۰۰ کیلو ولت شتاب دهند. اینکه انرژی الکترون‌ها باید چقدر باشد، به طبیعت نمونه و اطلاعات مورد نیاز بستگی دارد. سیستم متمرکزکننده. در زیر تفنگ الکترونی دو یا چند عدسی متمرکزکننده قرار دارند. این عدسی‌ها به کمک یکدیگر پرتوی منتشره از طریق تفنگ الکترونی را باریک کرده و قطر آن را هنگام برخورد با نمونه کنترل می‌کنند. این امر باعث می‌شود تا اپراتور بتواند سطحی از نمونه را که در معرض پرتو قرار می‌گیرد و نیز شدت پرتو تابیده شده بر روی نمونه را
می‌گیرد و نیز شدت پرتو تابیده شده بر روی نمونه را کنترل کند. دریچه‌ای بین عدسی‌های متمرکزکننده قرار دارد که به دریچه متمرکزکننده معروف بوده و برای کنترل مقدار زاویه همگرایی پرتو مورد استفاده قرار می‌گیرد. میزان پرتوی الکترونی که نمونه را هدف قرار می‌دهد (از لحاظ شدت و وسعت) توسط فردی که با میکروسکوپ کار می‌کند با توجه به نوع اطلاعاتی که از او می‌خواهد و با توجه به نمونه تغییر داده می‌شود. محفظه نمونه. محفظه نمونه یکی از قسمت‌های بسیار مهم میکروسکوپ است که در زیر قسمت سیستم متمرکزکننده قرار دارد. باید
که در زیر قسمت سیستم متمرکزکننده قرار دارد. باید نمونه‌های بسیار کوچک به‌طور بسیار دقیقی در جای مناسب خود در داخل عدسی‌های شیئی قرار گیرد. اما همین نمونه باید بتواند در حد چند میلی‌متر جابه‌جا شده و به میزان زیادی بچرخد. علاوه بر این، اگر از میکروسکوپ برای آنالیز شیمیایی نیز استفاده شود، پرتو ایکس باید بتواند از این محل خارج شود. برای دستیابی به این مشخصات از میله نگهدارنده نمونه استفاده می‌شود که می‌تواند نمونه‌ای به قطر ۳ میلی‌متر یا کوچک‌تر را که بر روی شبکه حمایتی با اندازه ۳ میلی‌متر قرار دارد، بین
شبکه حمایتی با اندازه ۳ میلی‌متر قرار دارد، بین قطب‌های عدسی‌های شیئی قرار دهد. عدسی‌های میانی و شیئی. نقش عدسی شیئی تشکیل اولین تصویر یا الگوی پراش میانی است که بعداً توسط عدسی‌های تصویری بزرگ شده و بر روی صفحه نمایش نموده می‌شود. مشخصه اساسی سیستم شیئی، نگهدارنده دریچه‌ها است که این امکان را به وجود می‌آورد که یکی از سه یا چهار دریچه کوچک بتواند در جایی که صفحه کانونی شیئی قرار دارد و به درون ستون میکروسکوپ برده شود. دریچه شیئی، محدوده‌ای را که الکترون‌های پراکنده شده می‌توانند به طرف پائین ستون
پراکنده شده می‌توانند به طرف پائین ستون میکروسکوپ حرکت و در تشکیل تصویر مشارکت کنند (باید توجه داشت این محدوده به صورت زاویه‌ای در نظر گرفته می‌شود) تعیین می‌کند؛ بنابراین قطر دریچه، قدرت تفکیک نهایی را به دست می‌دهد، کنترل می‌کند. پس برای قدرت تفکیک بالا، دریچه‌ای بزرگ مورد نیاز است. عدسی‌های تصویری. اولین تصویر که توسط عدسی‌های شیئی ایجاد می‌شود، معمولاً از بزرگنمایی ۱۰۰–۵۰ برابر برخوردار است. این تصویر توسط یک سری از عدسی‌های میانی و تصویری بزرگ شده و نهایتاً بر روی صفحه نمایش فلورسانس میکروسکوپ تابانده
بر روی صفحه نمایش فلورسانس میکروسکوپ تابانده می‌شود. با استفاده از سه یا چهار سری عدسی، که هر سری می‌تواند تا بیست برابر تصویر را بزرگ کند، به راحتی، بزرگنمایی نهایی تا حدود یک میلیون قابل دستیابی خواهد بود. برای بزرگنمایی کمتر نیازی به استفاده از تمام عدسی‌ها نیست، لذا می‌توان یک یا تعداد بیشتری از عدسی‌های تصویر را خاموش کرد. نمونه‌ها. فقط مواد جامد دیسکی با قطر ۳ میلی‌متر و ضخامت تقریبی ۵ میکرومتر باید برش‌هایی از نمونه تهیه شده و به کمک الکتروپولیش تا حدی نازک شود که به الکترون‌ها اجازهٔ عبور بدهد. ۳
حدی نازک شود که به الکترون‌ها اجازهٔ عبور بدهد. ۳ تا ۳۰ ساعت برای هر نمونه (بدون احتساب زمان آماده‌سازی) برخی از کاربردها در شناخت و آنالیز مواد. تی‌ئی‌ام‌ می‌تواند ریز ساختار فلزات را با قدرت تفکیکی تا ابعاد اتمی نشان دهد به شرط اینکه دقت کافی هم در مرحله نمونه‌سازی و هم در کاربرد دستگاه معمول شود. در غیر این صورت نیز قدرت تفکیک تا °۲۰A را با میکروسکوپ‌های مدرن می‌تواند به دست آورد. تی‌ئی‌ام‌ اطلاعات مشروحی دربارهٔ فلزات از قبیل توزیع حرکت ناجابجایی‌ها، اندازه، تعداد و توزیع رسوبات و آخال‌ها، مکانیزم‌های
تعداد و توزیع رسوبات و آخال‌ها، مکانیزم‌های جوانه زنی و رشد، حرکت ترک‌ها و… را ارائه می‌دهد. از آنجا که تعداد زیادی از خواص فیزیکی و مکانیکی وابسته به ریز ساختارها هستند می‌توان ارتباط بین آن‌ها را مورد مطالعه قرار داد. در عمل بررسی ریز ساختارها از اندازه‌گیری تعداد زیادی از خواص مکانیکی آسان‌تر است؛ بنابراین چنانچه ارتباط صحیحی بین ریز ساختار و سایر خواص به دست آید می‌توان از میکروسکوپ در تعیین و کنترل فرایند کمک گرفت. در زیر به برخی از کاربردهای عمده تی‌ئی‌ام‌ در شناخت و آنالیز موارد اشاره شده‌است:
ترجمه دوگانه، همگردان دوگانه، مترجم تقابلی، ‌کامپایلر متقابل یا کراس کامپایلر کامپایلری است که قادر به ایجاد کد اجرایی برای سیستم عامل دیگری غیر از آنچه در آن اجرا می شود، است. به عنوان مثال کامپایلری که روی رایانه شخصی ویندوز اجرا می شود اما کدی را تولید می کند که روی تلفن هوشمند اندروید اجرا می شود، یک کامپایلر متقابل است. یک کامپایلر متقابل برای کامپایل کد برای چندین سیستم‌عامل از یک میزبان توسعه ضروری است. کامپایل مستقیم روی سیستم عامل ممکن است غیرممکن باشد ، برای مثال در میکروکنترلر یک سیستم جاسازی
باشد ، برای مثال در میکروکنترلر یک سیستم جاسازی شده، زیرا این سیستم‌ها فاقد سیستم‌عامل هستند. در مجازی‌سازی، یک رایانه چندین سیستم‌عامل را اجرا می‌کند و یک کامپایلر متقابل می تواند برای هر یک از آنها از یک منبع اصلی کد قابل‌اجرا تولید کند.. کامپایلرهای متقابل از کامپایلرهای منبع‌به‌منبع دو ابزار برنامه‌نویسی متمایز هستند. یک کامپایلر متقابل برای توسعه‌ چندپلتفرمی نرم‌افزارهای کد ماشین است، در حالی که یک کامپایلر منبع‌به‌منبع متن کد را از یک زبان برنامه‌نویسی به زبان دیگر ترجمه می‌کند. استفاده‌ها. کاربرد
به زبان دیگر ترجمه می‌کند. استفاده‌ها. کاربرد اصلی یک کامپایلر متقاطع، جدا کردن محیط ساخت از محیط هدف است. این در چندین موقعیت مفید است: استفاده از ماشین‌های مجازی (مانند JVM جاوا) برخی از دلایل توسعه کامپایلرهای متقابل را برطرف می‌کند؛ پارادایم ماشین مجازی اجازه می‌دهد تا از خروجی کامپایلر یکسان در چندین سیستم هدف استفاده شود، اگرچه این همیشه ایده‌آل نیست زیرا ماشین‌های مجازی اغلب کندتر هستند و برنامه کامپایل‌شده را فقط می‌توان روی رایانه‌های دارای آن ماشین مجازی اجرا کرد. به طور معمول معماری سخت‌افزار
مجازی اجرا کرد. به طور معمول معماری سخت‌افزار متفاوت است (به عنوان مثال تدوین برنامه‌ای که برای معماری MIPS در رایانه x86 تنظیم شده‌است) اما در صورت تفاوت در محیط سیستم‌عامل (مانند تنظیم برنامه FreeBSD تحت لینوکس) یا حتی فقط کتابخانه سیستم (مانند هنگام تدوین برنامه ها با uClibc روی میزبان glibc ) ، کامپایل متقابل نیز قابل اجرا است. منابع. نسخه ۱۴ سپتامبر ۲۰۲۰ https://en.wikipedia.org/wiki/Cross_compiler Wikipedia contributors, "Cross-compilation," Wikipedia, The Free Encyclopedia (نسخهٔ ۱۱ ژوئیهٔ ۲۰۰۶).
The Free Encyclopedia (نسخهٔ ۱۱ ژوئیهٔ ۲۰۰۶). فرهنگ‌نامهٔ انجمن انفورماتیک ایران
حی‌السلام یا یکی از محلات شهر قاهره پایتخت مصر است. این محله در سال ۱۹۷۷ بدست انور سادات رئیس‌جمهور وقت مصر بنیاد شد. "حی" در عربی به معنی کوی و محله است و "السلام" به معنی آشتی و صلح. بخش‌ها، اماکن و خیابان‌ها. کوی اسکندریه، سبیکو، النهضه و عرب بلی که در خاور قاهره در نزدیکی شهر بدر و شهر غنامی شمالی واقع شده‌اند. دیگر مناطق: منشیه السد العالی - خیابان اربعین - دهکده صعایده- بخش ابو رجیله- خیابان کمال حجاب - خیابان وطنیه- برکه الحج - کفر پاشا- کفر ابوصیر -الحرفیین - خیابان جمال عبد الناصر- قباء- شهرک عمر
- خیابان جمال عبد الناصر- قباء- شهرک عمر ابن الخطاب - بازار بین‌المللی قنال - عرب القرعان. منابع. ویکیبیدیا contributors, "حی السلام، " ویکیبیدیا، الموسوعة الحرة، http://ar.wikipedia.org/w/index.php?title=حي_السلام&amp;oldid=245116 (accessed فبرایر ۱۳, ۲۰۰۸).
توسکای ییلاقی یک گونهٔ درختی از راستهٔ راش‌سانان (Fagales)، تیرهٔ توسکایان (Betulaceae) می باشد. این درخت بومی مناطق معتدل ایران و قفقاز است. توسکای ییلاقی درختی برگریز است که تا بلندی ۱۵ تا ۲۵ متر رشد می‌کند. از چوب این درخت در صنعت کاغذسازی و مبل بهره می‌گیرند.
راش شرقی (نام دوجمله‌ای: "Fagus orientalis") یک گونهٔ درختی است از سردهٔ راش (Fagus)، تیرهٔ بلوطان (Fagaceae) و از راستهٔ راش‌سانان (Fagales). این درخت بومی رشته‌کوه البرز، قفقاز و شمال شرقی ترکیه است. جنگل‌های راش تقریباً 17.6 درصد از کل مساحت جنگل‌های هیرکانی ایران را تشکیل می‌دهند. این گونه مقاوم در برابر سایه با پتانسیل رقابتی بالا، جنبه های شمالی ارتفاعات میانی جنگل های هیرکانی را از غرب (آستارا، مرز جمهوری آذربایجان) تا شرق (دره زیارت گرگان) پوشش می دهد. این درخت بین 700 تا 1500 متر بالاتر از سطح
دهد. این درخت بین 700 تا 1500 متر بالاتر از سطح دریا، درخت غالب است. جایی که رطوبت هوا زیاد است و آسمان در اکثر فصول سال به خصوص در فصل رشد پوشیده از مه است.این درخت توده های خالص و مخلوط با سایر درختهای سخت از جمله افرا مخملی، توسکا قفقازی، آهک برگ بزرگ و ممرز معمولی را تشکیل می دهد. با این حال، گروه های کوچک راش را می توان در ارتفاعات حدود 300 تا 2000 متر بالاتر از سطح دریا یافت. برخی از راش های مسن می توانند به ابعاد بالایی دست یابند: قطر تا 1 متر در ارتفاعات بالاتر و 50 متر ارتفاع.
لوییس بونوئل پورتولس (۲۲ فوریهٔ ۱۹۰۰ – ۲۹ ژوئیهٔ ۱۹۸۳) فیلم‌ساز اسپانیایی بود که در کشورهای اسپانیا، مکزیک و فرانسه به فعالیت می‌پرداخت. از جمله آثار معروف او می‌توان به "سگ اندلسی"، "ویریدیانا"، "میل مبهم هوس" و "جذابیت پنهان بورژوازی" اشاره کرد. وقتی که بونوئل در سن ۸۳ سالگی از دنیا رفت، در آگهی ترحیم او در "نیویورک تایمز" از او با صفاتی همچون «تابوشکن، معلم اخلاق، و انقلابی که در جوانی رهبر جنبش سورئالیسم آوانگارد بود و برای نیم‌قرن بعدی هم کارگردانی چیره‌دست بود»، یاد شده بود. منتقد سینما، راجر ابرت، از
بود»، یاد شده بود. منتقد سینما، راجر ابرت، از نخستین فیلم بونیوئل، تحت عنوان سگ اندلسی که در دوران سینمای صامت ساخته شده بود، به صورت «مشهورترین فیلم کوتاهی که تا به حال ساخته شده» یاد می‌کند و آخرین فیلم او که ۴۸ سال بعد ساخته شد، برنده جایزه بهترین کارگردان از طرف هیئت ملی نقد و بررسی فیلم و اجتماع ملی منتقدان سینما شد. اکتاویو پاز، نویسنده مکزیکی، آثار بونیوئل را «پیوند تصور فیلمی با تصور شعری که یک واقعیت جدید از نوع ویرانگر و فروپاشانه ایجاد کرده» توصیف کرده‌است. بونوئل که اغلب با جنبش سورئالیسم دهه
کرده‌است. بونوئل که اغلب با جنبش سورئالیسم دهه ۱۹۲۰ میلادی هم‌پیوند بود، از همان دهه تا دهه ۱۹۷۰ میلادی به ساخت فیلم مشغول بود. آثار او در دو قاره، سه زبان و تقریباً در تمام ژانرها از جمله فیلم تجربی، فیلم مستند، ملودرام، طنز، موزیکال، شهوانی، کمدی، عاشقانه، درام لباسی، فانتزی، جنایی، ماجراجویی و وسترن هستند. با وجود این گوناگونی، فیلم‌ساز جان هیوستون بر این باور بود که، علی‌رغم این گوناگونی در ژانر، هر یک از فیلم‌های بونوئل آن چنان شاخص است که فوراً می‌توان آن را تشخیص داد، یا، بر طبق گفته اینگمار برگمان،
آن را تشخیص داد، یا، بر طبق گفته اینگمار برگمان، «بونوئل همیشه فیلم‌های بونوئلی می‌سازد. شش فیلم بونیوئل در نظرسنجی منتقدان سال ۲۰۱۲ نشریهٔ "سایت اند ساوند" تحت عنوان «۲۵۰ فیلم برتر همه دوران‌ها» گنجانده شده‌است. ۱۵ فیلم او نیز از طرف «آنها فیلم ساختند، اینطور نیست؟» در فهرست ۱۰۰۰ فیلم برتر همه اعصار گنجانده شده‌است که باعث شده پس از جان فورد که ۱۶ فیلم در این فهرست دارد، در رتبه دوم قرار بگیرد. بونیوئل در فهرست ۲۵۰ کارگردان برتر از همین نشریه، در رده ۱۴ قرار دارد. سال‌های اولیه (۱۹۰۰–۱۹۲۴). بونوئل در
قرار دارد. سال‌های اولیه (۱۹۰۰–۱۹۲۴). بونوئل در کالاندا متولد شد، شهری کوچک در استان تروئل در ناحیه آراگون اسپانیا. پدر او لئوناردو بونوئل، شخصی تحصیل‌کرده از خانواده‌ای با اصل و نصب از آراگون، و مادرش ماریا پورتولس بود که از شوهرش سال‌ها جوان‌تر بود و به خانواده‌ای ثروتمند و با نفوذ تعلق داشت. او بعدها زادگاهش را این‌گونه توصیف کرد که در کلاندا، «قرون وسطا تا جنگ جهانی اول ادامه داشت». لوییس که فرزند ارشد خانواده از مجموع هفت فرزند محسوب می‌شد، دو برادر به نام‌ها آلفونسو و لئوناردو و چهار خواهر به نام‌های
نام‌ها آلفونسو و لئوناردو و چهار خواهر به نام‌های آلیسیا، Concepción، مارگاریتا و ماریا داشت. وقتی که بونوئل تنها چهار سال و نیم عمر داشت، خانواده او به ساراگوسا نقل مکان کردند، که در آنجا جزء ثروتمندترین خانواده‌های شهر محسوب می‌شدند. بونوئل در ساراگوسا، تحت تعلیم سخت‌گیرانه انجمن عیسی در Colegio del Salvador قرار گرفت. یک بار که بونوئل از طرف مراقب سالن مطالعه کتک خورد و تحقیر شد، دیگر به آن مدرسه برنگشت. او به مادرش گفته بود که او را اخراج کرده‌اند، که حقیقت نداشت. در واقع، او بالاترین نمره‌ها را در
حقیقت نداشت. در واقع، او بالاترین نمره‌ها را در امتحان تاریخ جهان کسب کرده بود. بونوئل دو سال پایانی تحصیلات متوسطه‌اش را در یک مدرسه عمومی بومی به پایان رساند. بونوئل حتی در بچگی تا اندازه مهارت‌های سینمایی از خود نشان داده بود؛ دوستان آن دوره‌اش گفته‌اند که بونوئل با استفاده از یک فانوس جادو و یک ملافه، بر روی صفحه‌ای سایه می‌افکنده‌است. او همچنین در بوکس و نواختن ویولن استعداد خوبی داشت. بونوئل در کودکی شخصی بسیار مذهبی بود، در کلیسا خدمت می‌کرد و هر روز در مراسم عشای ربانی شرکت می‌کرد. تا اینکه، در سن