payamvha/North_RAG huggingface dataset:
به‌طور ایده‌آل عمل می‌کند. چون جریان تونل‌زنی به سرعت از بین می‌رود، می‌توان دیود تونلی با ولتاژ متغیر برای کاهش جریان با افزایش ولتاژ، تولید کرد. این ویژگی خاص در چندین مورد کاربرد دارد. دیود تونلی تشدید شده، استفاده از تونل‌زنی کوانتومی را در روش‌های مختلف برای دسترسی به نتایج شبیه به این ممکن می‌سازد. این دیود در جریان زیاد ولتاژ خاصی را ایجاد می‌کند که ولتاژ تشدید گفته می‌شود. اینجا یک چاه پتانسیل کوانتومی ایجاد می‌شود که دارای حداقل سطح انرژی گسسته است. وقتی که این مقدار انرژی بیشتر از انرژی الکترون
وقتی که این مقدار انرژی بیشتر از انرژی الکترون باشد هیچ تونل‌زنی اتفاق نمی‌افتد و دیود در بایاس معکوس است. ترانزیستور وابسته به میدان تونلی (FET). یک پروژه تحقیقاتی اروپایی اثبات کرد که FETهایی که در آن‌ها Gate ورودی با تونل‌زنی کوانتومی بیش از پاشش گرمایی کنترل می‌شود، ولتاژ Gateرا از ۱ ولت تا ۰٫۲ ولت همچنین توان مصرفی را نیز تا ۱۰۰ برابر کاهش می‌دهند. رسانایی کوانتومی. می‌توان با استفاده از تونل‌زنی کوانتومی پدیده برخورد و رفتار الکترون‌ها را توضیح داد. وقتی یک بسته موج الکترون آزاد به آرایه‌ای از چند سد
یک بسته موج الکترون آزاد به آرایه‌ای از چند سد برخورد می‌کند، قسمت بازتابیده موج با قسمت عبور کرده تداخل می‌کند، در نتیجه مواردی با صد در صد عبور وجود دارد. این نظریه پیش‌بینی می‌کند که اگر هسته با بار مثبت آرایه مستطیلی کاملی تشکیل دهد، الکترون‌های درون فلز به عنوان الکترون‌های آزاد تونل می‌زنند و این کار منجر به رسانایی بالا می‌شود. میکروسکوپ تونل‌زنی. میکروسکوپ تونل‌زنی (STM)که توسط گرد بینینگ (Gred binning) و هاینریش رورر (Heinrich rohrer) ابداع شده است، امکان تصویر برداری و مطالعه سطح فلزات و بعضی
است، امکان تصویر برداری و مطالعه سطح فلزات و بعضی نیمه رساناها را به ما می‌دهد. این وسیله با بهره‌گیری از رابطهٔ بین تونل‌زنی کوانتومی با فاصله عمل می‌کند. وقتی نوک سوزن STM خیلی نزدیک به سطح رسانایی که ولتاژ بایاس دارد قرار گیرد با اندازه‌گیری جریان الکترون‌هایی که در حال تونل زدن بین سوزن و سطح رسانا هستند، فاصله بین سوزن و سطح را می‌توان اندازه گرفت. این کار با استفاده از میله پیزوالکتریک که اندازه‌اش تغییر می‌کند، انجام می‌شود. پس از اعمال ولتاژ در دو سر آن‌ها ارتفاع نوک را می‌توان تنظیم کرد و این کار
آن‌ها ارتفاع نوک را می‌توان تنظیم کرد و این کار برای تثبیت جریان تونل‌زنی می‌باشد. ولتاژ متغیر با زمان که به این میله‌ها اعمال می‌شود نیز ثبت می‌شود که برای تصویر برداری از سطح رسانا به کار برده می‌شود. STMها دقتی در حدود 0.001 nm یا حدود ۱٪ ضخامت اتمی دارند. ریاضیات تونل‌زنی کوانتومی. این بخش فرمول بندی ریاضی تونل‌زنی کوانتومی را توصیف می‌کند. معادله شرودینگر. معادله مستقل از زمان شرودینگر برای ذره در یک بعد را می‌توان به صورت زیر نوشت: یا در اینجا ħ (ثابت پلانک)، m (جرم ذره)، x (نشان دهنده جابجایی در جهت
پلانک)، m (جرم ذره)، x (نشان دهنده جابجایی در جهت حرکت ذره)، Ψ(تابع موج شرودینگر)،V (انرژی پتانسیل ذره) و E (انرژی ذره) است که وابسته به حرکت ذره در راستای xو M کمیتی است که با V(x)-E توضیح داده می‌شود و نام پذیرفته شده‌ای در فیزیک ندارد. جواب معادله شرودینگر در مقدارهای مختلف x و با توجه به اینکه M مثبت است یا منفی متفاوت خواهند بود. اگر M ثابت و منفی باشد، می‌توان معادله شرودینگر را به صورت زیر نوشت: جواب این معادله موج عبوری با ثابت فاز –k یا +k را نشان می‌دهد. همچنین اگر M ثابت و مثبت باشد، می‌توان
می‌دهد. همچنین اگر M ثابت و مثبت باشد، می‌توان معادله شرودینگر را به صورت زیر نوشت: جواب‌های این معادله به صورت نمایی به شکل موج نا پایدار در حال افزایش و کاهش است. وقتی M با مکان تغییر می‌کند، بسته به این کهM مثبت است یا منفی، همین تفاوت در رفتار هم رخ می‌دهد؛ یعنی اینکه علامت M تعیین تعیین‌کننده است.M مثبت متناظر با محیط Aو M منفی متناظر با ناحیه Bاست. همچنین این علامت تعیین می‌کند که جفت شدگی موج ناپایدار می‌تواند اتفاق بیفتد البته اگر ناحیه باM مثبت بین دو ناحیه باM منفی قرار بگیرد؛ بنابراین یک سد
بین دو ناحیه باM منفی قرار بگیرد؛ بنابراین یک سد پتانسیل ایجاد می‌کند. ریاضیات مربوط با شرایطی که M با x تغییر می‌کند سخت و مشکل است به جز حالت‌هایی خاص که معمولاً در واقعیت اتفاق نمی‌افتد. یک روش تقریبی نیمه کلاسیکی که در کتاب‌های فیزیک طرح شده است در قسمت بعدی بررسی خواهد شد. یک روش ریاضی کامل و پیچیده در سال ۱۹۶۵ در مقاله‌ای توسط Froman ذکر شده است. این نظریه در کتاب‌های فیزیک ثبت نشده است اما تصحیح آن، نتایج کمی اندکی در پی داشت. تقریب WKB. تابع موج به صورت نمایی بیان شده است: سپسformula_7به قسمت‌های
صورت نمایی بیان شده است: سپسformula_7به قسمت‌های موهومی و حقیقی تقسیم شده است: که A و B توابعی با مقدارهای حقیقی‌اند. با جاگذاری معادله دوم در معادله اول و استفاده از این موضوع که قسمت موهومی باید صفر باشد، داریم: برای حل این معادله با استفاده از تقریب نیمه کلاسیکی، هر تابع باید به صورت سری توانی از ħ بسط داده شود. از معادله داریم که سری توانی باید با جمله حداقل از مرتبه ۱- ħ شروع شود تا قسمت حقیقی معادله را ارضا کند. برای یک حد کلاسیکی خوب شروع با بیشترین توان ثابت پلانک بهتر است که منجر می‌شود به: و با
توان ثابت پلانک بهتر است که منجر می‌شود به: و با همان فرض جملات کمترین توان داریم: و در اینصورت می‌توان دربارهٔ دو حالت نهایی بحث کرد: حالت اول که متناظر با حرکت کلاسیکی است. جواب مراتب بعدی بسط نتیجه می‌دهد: حالت دوم که متناظر با تونل‌زنی است. جواب مراتب بعدی بسط نتیجه می‌دهد: در هر دو حالت می‌توان از مخرج دریافت که هر دو جواب تقریبی همان‌طور که نشان داده شده، نزدیک نقطه برگشت کلاسیکی هستند formula_18. دور از چاه پتانسیل، ذره مثل یک موج نوسان‌کننده آزاد رفتار می‌کند. تحت اثر چاه پتانسیل دامنه حرکت ذره به
می‌کند. تحت اثر چاه پتانسیل دامنه حرکت ذره به صورت نمایی تغییر می‌کند. با در نظر گرفتن رفتار در این حدود و نقطه برگشت کلاسیک، می‌توان یک جواب کلی ساخت. برای شروع یک نقطه برگشت کلاسیک x۱ انتخاب کرده و formula_19 را به صورت سری توانی حول x۱ بسط می‌دهیم: فقط جملهٔ مرتبهٔ اول به صورت خطی رفتار می‌کند: با استفاده از این تقریب، معادله نزدیک x۱ به معادله دیفرانسیلی تبدیل می‌شود. می‌توان این معادله را با استفاده از عملکرد هوا، حل کرد. با استفاده از این جواب برای همه نقاط برگشت کلاسیکی می‌توان یک جواب ساخت که
همه نقاط برگشت کلاسیکی می‌توان یک جواب ساخت که جواب‌های حدی را به هم وصل می‌کند. ضریب ۲ به یک طرف نقطه برگشت کلاسیکی و ضریب ۲ به طرف دیگر نقطه برگشت کلاسیکی می‌دهیم تا با استفاده از این جواب موضعی آن‌ها را به هم وصل کنیم. پس جواب تابع Airy در حدود مناسب با sinx و cosx و تابع نمایی مجانب خواهد بود. رابطه بینformula_23 و formula_24 به صورت زیر است. و با ضرایب به دست آمده، جواب کلی محاسبه می‌شود. هم چنین ضریب عبور برای ذره که در یک سد پتانسیل تونل می‌زند به صورت زیر است: که x۲ و x۱ دو نقطه عطف کلاسیکی برای حد
زیر است: که x۲ و x۱ دو نقطه عطف کلاسیکی برای حد پتانسیل هستند.
مهرداد میرکیانی، چهره‌پرداز ایرانی متولد سال ۱۳۴۲ در تهران است. وی پس از اخذ مدرک دیپلم در رشتهٔ اقتصاد، در سال ۱۳۶۳ در دورهٔ چهره‌پردازی زیر نظر جلال معیریان و مسعود ولدبیگی شرکت کرد. با فیلم سینمایی وکیل اول (جمشید حیدری) فعالیت سینمایی خود به عنوان چهره‌پرداز را آغاز کرد.
بافت تاریخی بروجرد به محدوده‌ای از مناطق مرکزی شهر بروجرد گفته می‌شود که هسته قدیمی این شهر را تشکیل می‌دهند. در سال‌های اخیر، مطالعه و حفاظت از بناهای ارزشمند این بافت مورد توجه سازمان‌های مرتبط قرار گرفته‌است. بیشتر آثار موجود در این منطقه مربوط به دوره قاجار و قبل از آن هستند و برخی مسجدها و خانه‌های اعیانی آن از ارزش گردشگری و تاریخی زیادی برخوردارند. پیشینه. با توجه به قدمت تاریخی و وجود بناها و ساختمان‌های قدیمی قابل توجه، بافت قدیم بروجرد به عنوان یک طرح ویژه مورد توجه سازمان میراث فرهنگی قرار گرفت و
ویژه مورد توجه سازمان میراث فرهنگی قرار گرفت و کار مطالعاتی آن از سال ۱۳۸۵ آغاز شد. به همین منظور با اختصاص ردیفی در بودجه ملّی، مطالعات اولیه و مستندسازی این بافت آغاز شد. در این راستا با ایجاد پایگاه بافت تاریخی بروجرد، شهرداری بروجرد، سازمان مسکن و شهرسازی استان لرستان و اداره کل میراث فرهنگی، گردشگری و صنایع دستی لرستان، طرح مشترکی را برای مطالعه و بررسی بافت تاریخی این شهر آغاز کردند که هدف آن شناسائی حدود بافت تاریخی، بناها و گذرهای موجود و زمینه‌سازی برای حفاظت از آن بوده‌است . «پایگاه بافت تاریخی
برای حفاظت از آن بوده‌است . «پایگاه بافت تاریخی بروجرد» مشتمل بر گروهی از کارشناسان میراث فرهنگی است و زیرمجموعه اداره میراث فرهنگی این شهر است. محدوده. بافت تاریخی بروجرد، مجموعه‌ای بالغ بر ۲۸۰ هکتار از مناطق مرکز و شرق این شهر را شامل می‌شود که امروزه بیشتر در محدوده خیابانهای جعفری، صفا، شهدا و بحرالعلوم قرار گرفته‌اند. این بافت تقریباً شامل حدود تقریبی شهر بروجرد در سال ۱۸۵۰ میلادی (۱۲۲۸ هجری شمسی) است که بر اساس نقشه‌ای که در آن سال توسط ارتش روسیه از این شهر تهیه شده تعریف شده‌است. محله ها. بافت
از این شهر تهیه شده تعریف شده‌است. محله ها. بافت تاریخی بروجرد چهار محله یا کوی داشته‌است: دودانگه محله اصلی و مرکز تجاری و اقتصادی این بافت به‌شمار می‌رود . هر محله نیز دارای مرکزی است که خود هسته‌های دیگری را شامل می‌شوند. تک بناها. بناهای تاریخی قابل توجهی مانند امامزاده جعفر، مسجد جامع بروجرد و مسجد سلطانی در این بافت قرار گرفته‌اند که قدمت برخی از آن‌ها به بیش از هزار سال می‌رسد. بازار قدیمی بروجرد و چندین کاروانسرای تاریخی نیز در همین منطقه قرار گرفته‌اند. برخی دیگر بناهای تاریخی در بافت قدیمی بروجرد
برخی دیگر بناهای تاریخی در بافت قدیمی بروجرد عبارت‌اند از: خانه های تاریخی. در مطالعه ای که بین سال ۱۳۷۰ تا ۱۳۷۱ صورت گرفت، بیش از ۲۰۰ خانه تاریخی در سطح شهر بروجرد شناسایی شد. طی سال‌های بعد به دلایل مختلف از جمله زمین‌لرزه ۱۳۸۵، تعداد زیادی از این خانه‌ها ویران شدند. تا سال ۱۳۹۵، تعداد این خانه‌ها به حدود ۴۰ خانه تاریخی رسیده است که ۱۸ مورد از آن‌ها به ثبت ملی رسیده‌اند. قدیمی‌ترین خانه تاریخی بروجرد، خانه حاتمی در خیابان بحرالعلوم است که بنای آن به پیش از دوره زندیه می‌رسد. نمونه‌هایی از خانه‌های تاریخی
دوره زندیه می‌رسد. نمونه‌هایی از خانه‌های تاریخی بروجرد عبارتند از: تهدیدها. زمین لرزه، بارش باران وبرف، و نیز فرسودگی، سه عامل طبیعی هستند که بافت قدیمی این شهر را تهدید می‌کنند. قلعه قدیمی شهر که محدوده بافت تاریخی بروجرد بوده در اثر گسترش محدوده شهر به کلی نابود شده‌است و امروزه اثری از آن برجای نمانده‌است. زمین لرزه سال هشتاد و پنج، موجب تخریب سی و نه اثر تاریخی بروجرد شد که بیشتر آن‌ها در محدوده همین بافت تاریخی قرار داشتند . همچنین با توجه به تعداد زیاد خانه‌ها و آثار تاریخی در این بافت، سازمان‌های
خانه‌ها و آثار تاریخی در این بافت، سازمان‌های مربوطه امکان خریداری یا نگهداری مناسب از همه آن‌ها را ندارند. برخی مالکان خصوصی سودجو نیز تمایل به تخریب خانه‌های قدیمی خود و ایجاد مجتمع‌های مسکونی جدید دارند. گرمابه گلستان در بازار بروجرد که قدمت آن به دوران صفوی می‌رسید نیز به همین ترتیب توسط سودجویان تخریب شده‌است. نامگذاری محله‌های قدیمی بروجرد. علاوه بر چهار محله تاریخی که هسته اصلی شهر بروجرد را تشکیل می دهند مناطق دیگری نیز وجود دارند که دارای قدمت تاریخی هستند. از جمله اینها می‌توان به میدان محمدحسن
هستند. از جمله اینها می‌توان به میدان محمدحسن خان در شمال محدوده مسجد جامع اشاره کرد که بقعه‌ای تاریخی نیز در آن موجود است. بسیاری از محله‌های قدیمی بروجرد با عنوان کوی و کوچه شناخته می‌شوند مانند کوی‌های جعفری، سوزنی، قدغون، یخچال و صوفیان و نیز کوچه‌هایی که بر اساس طبقه اجتماعی یا نوع کار ساکنان نام‌گذاری می شده‌اند مانند نال وَن‌ها (نعلبند ها)، گله دارها، چاروادارها و غیره. اسامی برخی شخصیت‌های محترم نیز ممکن است در نامگذاری یک محله به کار رفته باشند از جمله کوچه حاچ ظُهرابی (سهرابی)و میدان مَد حسن خان
جمله کوچه حاچ ظُهرابی (سهرابی)و میدان مَد حسن خان (محمدحسن خان). قلعه تاریخی بروجرد نیز در شکل‌گیری نام برخی مناطق نقش داشته از جمله چال قلعه و پشت قلعه. همچنین برخی مناطق که دارای ارتفاع پست تر نسبت به سایر مناطق بوده‌اند با نام چال شناخته می شده‌اند مانند چال قلعه، چال پسته و باغ چال.
ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیم‌رسانا اکسید-فلز یا ماسفِت معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند. دلیل این نام‌گذاری این است که در ساختمان این ترانزیستور، یک لایهٔ اکسیدِ سیلیسیوم (SiO2) در زیر اتصال فلزیِ پایهٔ گِیت قرار گرفته است (شکل روبرو را ببینید). این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۶میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به‌کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری
به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۷۰، بارِ دیگر نگاه‌ها به ماسفت‌ها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند. در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان (FET) را با سه‌پایه به نام‌های گِیت (Gate)، دِرِین (Drain)، و سورس (Source) در نظر می‌گیرند. در این ترانزیستور، گیت (پایهٔ کنترلی)، جریانی نمی‌کشد، و چنان‌که از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان
پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیم‌رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می‌شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی‌گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفت‌ها، فِت با گیت مجزا نیز گفته می‌شود. مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری
نیز گفته می‌شود. مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ماسفت را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم‌اکنون بیش از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند. ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، کانال N یا کانال P نامیده می‌شوند. در آغازِ کار،
کانال N یا کانال P نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، کانال P ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ کانال N آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از کانال P پیشی گرفت. برخلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای ماسفت، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند. ساختار و کارکرد ماسفت افزایشی. فت دارای سه‌پایه با نام‌های درین D، سورس S و گیت G است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل
که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می‌کند. فت‌ها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می‌کند. FETها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می‌گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند. نوع دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی ماسفت‌ها هستند. یکی از اساسی‌ترین مزیت‌های ماسفت‌ها نویز کمتر آن‌ها در مدار است. برای تست کردن فت کانال N با مولتی‌متر، نخست پایه گیت را پیدا می‌کنیم؛ یعنی پایه‌ای
نخست پایه گیت را پیدا می‌کنیم؛ یعنی پایه‌ای که نسبت به دوپایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر مقاومت آن بی‌نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت از مقاومت پایه درین و سورس بیشتر است که از این طریق می‌توان پایهٔ درین را از سورس تشخیص داد. ماسفت کاهشی. ساختار این گونهٔ ترانزیستور، همانند ساختار ترانزیستورهای افزایشی است، تنها با این تفاوت که هنگامِ ساخت آن، کانال را، به وسیلهٔ یک نوار از جنس سیلیسیم، میانِ سورس و درین تعبیه می‌کنند. از این رو، اگر اختلاف پتانسیل میان آن دو اعمال شود،
این رو، اگر اختلاف پتانسیل میان آن دو اعمال شود، جریانی از سورس به درین خواهیم داشت؛ هرچند که ولتاژ اعمال شده به گیت صفر باشد. تاریخچه. اساس این نوع ترانزیستور برای اولین بار توسط ژولیوس ادگار لیلینفلد در سال ۱۹۲۵به ثبت رسید. بیست و پنج سال بعد، هنگامی که اقدام به ثبت اختراع ترانزیستور اتصالی کرد، آن‌ها دریافتند لیلینفلد در حال حاضر برگزاری یک ثبت اختراع که در راه است که می‌تواند شامل تمام انواع ترانزیستورها شود. آزمایشگاه‌های بل قادر به کار کردن توافق با لیلینفلد، کسی که هنوز زنده بود بودند (که معلوم نیست
کسی که هنوز زنده بود بودند (که معلوم نیست آن‌ها به او پول پرداخت کردند یا نه). که در آن زمان به نسخه آزمایشگاه‌های بل ترانزیستور اتصال دو قطبی، یا اتصال به سادگی ترانزیستور (simply junction transistor) نام داده شد، و طراحی Lilienfeld نام ترانزیستور اثر میدانی بر گرفت. در سال ۱۹۵۹ توسط محمد محمد عطاالله و داوون کانگ در آزمایشگاه‌های بل، فلز اکسید نیم‌رسانا ترانزیستور اثر میدانی (ماسفت) به عنوان شاخه‌ای به طراحی FET اختراع شد. عملکرد و ساختارهای مختلف از اتصال دو قطبی ترانزیستور، ماسفت با قرار دادن یک لایه
دو قطبی ترانزیستور، ماسفت با قرار دادن یک لایه عایق در سطح نیم‌رسانا و سپس با قرار دادن یک الکترود گیت فلزی که در آن ساخته شده بود. این سیلیکون کریستالی نیم‌رسانا است و از لایه‌ای از دی‌اکسید سیلیکون برای عایق استفاده می‌شود. مدارهای CMOS. ماسفت در ساخت نیم‌رسانا اکسید فلزی مکمِّل (CMOS) استفاده می‌شود، که به عنوان بلوک‌های ساختمانی با استفاده از p-و ماسفت کانال N-است. مسئله عمده در مدارهای مجتمع، گنجاندن ترانزیستورهای بیشتر در تراشه‌های کوچکتر است. سیماس مصرف برق را کاهش می‌دهد، زیرا به جز زمانی که ورودی
برق را کاهش می‌دهد، زیرا به جز زمانی که ورودی به گیت‌های منطقی در حال تغییر است، هیچ جریانی (ایده‌آل) و در نتیجه هیچ قدرتی مصرف نمی‌شود. این کاهش مصرف با قرار دادن nماسفت در کنار p ماسفت و اتصال هر دو گیت و هر دو درین به هم به دست می‌آید. یک ولتاژ بالا بر روی دروازه باعث خواهد شد n ماسفت برای انجام و p ماسفت به انجام و ولتاژ پایین بر روی دروازه باعث معکوس. در طول زمان کلیدزنی ولتاژ از یک حالت به حالت دیگر می‌رود. به این ترتیب تا حد زیادی مصرف برق و تولید گرما را کاهش می‌دهد. کاربردهای سیماس دیجیتال و
گرما را کاهش می‌دهد. کاربردهای سیماس دیجیتال و آنالوگ در زیر توضیح داده شده است. دیجیتال. رشد فناوری‌های دیجیتال انگیزه پیشبرد فناوری ماسفت را بیش از هر نوع دیگری از ترانزیستور پایه سیلیکون فراهم کرده است. یک مزیت بزرگ ماسفت برای سوئیچینگ دیجیتال این است که لایهٔ اکسید بین گیت و کانال مانع از شارش جریان DC از طریق گیت می‌شود و همچنین اتلاف توان را می‌کاهد و امپدانس ورودی بسیار بالا را ایجاد می‌کند. اکسید عایق بین گیت و کانال، ماسفتی را که در یک مرحله منطقی است به‌طور مؤثر از مراحل قبل و بعد خود جدا می‌کند،
به‌طور مؤثر از مراحل قبل و بعد خود جدا می‌کند، این قابلیت اجازه می‌دهد تا خروجی یک ماسفت بتواند ورودی تعداد قابل توجهی از ماسفت‌ها باشد. واضح است که این ویژگی چقدر کار طراحان را آسان می‌سازد تا از بعضی محدودیت‌ها صرف نظر نمایند. این حد با فرکانس عامل تعریف می‌شود: هر چه فرکانس افزایش یابد، امپدانس ورودی ماسفت‌ها کاهش می‌یابد. آنالوگ. مزایای ماسفت در مدارهای دیجیتال را نباید به عنوان برتری آن در مدارهای آنالوگ تفسیر نمود. دو نوع مدار بر اساس ویژگی‌های مختلف ترانزیستور رفتار می‌کنند. ماسفت‌ها به‌طور
مختلف ترانزیستور رفتار می‌کنند. ماسفت‌ها به‌طور گسترده‌ای در بسیاری از انواع مدارات آنالوگ به دلیل مزایای خاصی استفاده می‌شود. کاربردها. موتورهای سروو، کنترل چرخش ملخ‌های پهباد، کنترل سرعت چرخش موتورهای الکتریکی (متفاوت با سیستم موتورهای استپر)
کمیسیون وینوگراد (در انگلیسی: Winograd Commission در عبری: ועדת וינוגרדدر روسی: Виноград)نام کمیته تحقیق دولتی و مستقل اسرائیل است که در ۱۷ سپتامبر ۲۰۰۶ برای بررسی عملکرد دولتمردان و نظامیان این کشور در جریان جنگ اسرائیل و لبنان (۲۰۰۶) با حزب‌الله لبنان در شهر تل‌آویو با اختیارات تام تشکیل شد. برخی از رسانه‌های معتبر بین‌المللی در واکنش به انتشار گزارش کمیته وینوگراد، تشکیل این کمیته و نبود هیچ محدودیتی برای انجام تحقیقات و احضار تمامی مقامات بلندپایه و تبعیت مقامات ارشد سیاسی و نظامی اسرائیل به حکم آن را،
مقامات ارشد سیاسی و نظامی اسرائیل به حکم آن را، نشانه وجود دمکراسی و شفافیت در جامعه اسرائیل و پایبندی دولت اسرائیل به ارزش‌های دمکراتیک خواندند و آن را ستودند. وضعیت تحقیقات. این کمیته بعد از بازجویی ۷۰ نفر از جمله نخست‌وزیر در ۱۳ مارس ۲۰۰۷ (۱۰ اردیبهشت) گزارش مقدماتی ۱۵ صفحه‌ای خود را ارائه داد. در این گزارش ایهود اولمرت (نخست‌وزیر)، عمیر پرتز (وزیر دفاع) و دان حالوتس (رئیس پیشین ستاد کل نیروهای دفاعی اسرائیل) را مسئول بخشی از ناکامی‌های جدی در فرماندهی جنگ با حزب‌الله لبنان معرفی کرد. گزارش نهایی کمیته.
با حزب‌الله لبنان معرفی کرد. گزارش نهایی کمیته. گزارش نهایی کمیته وینوگراد از ارزیابی کامل دلایل ناکامی نیروهای دفاعی اسرائیل در نبرد با حزب‌الله لبنان، با مسئول معرفی کردن سه مقام ارشد، شامل: نخست‌وزیر، وزیر جنگ و رئیس وقت ستاد مشترک کل نیروهای دفاعی اسرائیل منتشر شد. وینوگراد در گزارش نهایی خود، ایهود اولمرت نخست‌وزیر، عمیر پرتز وزیر جنگ و دان حالوتس رئیس سابق ستاد مشترک کل نیروهای دفاعی اسرائیل را مسئول ناکامی اسرائیل در نابودی کامل حزب‌الله لبنان در جنگ اسرائیل علیه لبنان (۲۰۰۶) معرفی کرد. برطبق نتایج
اسرائیل علیه لبنان (۲۰۰۶) معرفی کرد. برطبق نتایج تحقیقات کمیته وینوگراد، ایهود اولمرت نخست‌وزیر، در جنگ اسرائیل علیه لبنان (۲۰۰۶) برخلاف قوانین موجود، مسئولیت تصمیم‌گیری و اداره جنگ را به فرماندهان ارتش و ستاد کل فرماندهی و عملیات نیروهای دفاعی اسرائیل واگذار کرده بود، در حالیکه طبق قانون مسئولیت اداره جنگ برعهده شخص نخست‌وزیر بود. عمیر پرتز در مقام وزارت دفاع اسرائیل، از کارشناسان امنیتی استفاده نکرد و دان حالوتس که مقام فرماندهی ستاد کل نیروهای دفاعی اسرائیل را برعهده داشت، توان موشکی حزب‌الله لبنان به
را برعهده داشت، توان موشکی حزب‌الله لبنان به شهرهای شمالی اسرائیل را جدی نگرفت و در هیچ برهه‌ای از جنگ به غیر از هدف قراردادن سکوهای پرتاب موشک حزب‌الله، برنامه مشخصی را برای نابودی کامل با این حملات ارائه نکرد. دولت اولمرت فرمان جنگ را در حالی صادر کرد که هیچ برنامه و طرح منسجمی از قبل برای آن نداشت. نخست‌وزیر برای پرهیز از افزایش شمار مجروحان از دست زدن به عملیات زمینی در جنوب لبنان تا روزهای پایانی جنگ خودداری کرد، در حالیکه در ازای آن هیچ راه حل جایگزینی به غیر از حملات بی‌وقفه هوایی ارائه نکرد. نتایج.
به غیر از حملات بی‌وقفه هوایی ارائه نکرد. نتایج. استعفاها. عمیر پرتز وزیر دفاع نیروهای دفاعی اسرائیل، پس از آنکه در گزارش کمیسیون وینوگراد از عملکرد او در جنگ اسرائیل و لبنان (۲۰۰۶) انتقاد شد، در روز ۶ مه (۱۶ اردیبهشت) اعلام کرد که از مقام خود کنار خواهد رفت. پس از گزارش، رئیس فراکسیون حزب کادیما در کنیست هم استعفا کرد. اعتراضات. در ۲ مه ۲۰۰۷ کمیسیون وینوگراد، ایهود اولمرت را مقصر ناکامی در فرماندهی جنگ با حزب‌الله لبنان معرفی کرد این حکم باعث شد ۱۰۰٫۰۰۰ نفر از مردم اسرائیل در تجمعی در تل‌آویو خواستار
نفر از مردم اسرائیل در تجمعی در تل‌آویو خواستار استعفای او شوند.
مژده دقیقی (زادهٔ سال ۱۳۳۵) یک مترجم ایرانی است که در ترجمهٔ آثار ادبی نویسندگان آمریکای شمالی به زبان فارسی فعال بوده است. او فارغ‌التحصیل رشتهٔ علوم سیاسی از دانشگاه شهید بهشتی (ملی سابق) است و پس از تحصیل، مدتی در مطبوعات کار می‌کرد. پیوند به بیرون. ظلمت در نیمروز نوشته آرتور کوستلر، ترجمه مژده دقیقی گفتگو با مژده دقیقی، فصلنامه مترجم
شهرک به شهرهای کوچک گفته می‌شود اما با توجه به گسترش شهرها به محله‌هایی که به شکلی از محله‌های دیگر متمایز هستند (از نظر شهرسازی، جمعیت ساکن در آن‌ها و…)، گاه از پیشوند «شهرک» برای نام گذاری آن‌ها استفاده می‌شود. رشد سریع جمعیت و مهاجرت روستاییان به شهرها طی سالیانی دراز علت اصلی توسعه بی‌رویه و به دنبال آن تراکم بیش از حد ممکن در شهرهای بزرگ گردید. بدین لحاظ با توجه به اینکه سرمایه‌گذاری بر روی اینگونه شهرها (طی بررسی‌های به عمل آمده) از نظر اقتصادی مقرون به صرفه نمی‌باشد و از طرفی مواجه با مشکلات عدیده
به صرفه نمی‌باشد و از طرفی مواجه با مشکلات عدیده می‌گردد و نیز ایجاد زیر ساختها با تکنولوژی و سیستم‌های مدرن امروزی غیرممکن به نظر می‌رسد ضرورت ایجاد شهرهای جدید در جوار شهرهای بزرگ با در نظر گرفتن زمینه‌های اقتصادی فرهنگی، اجتماعی و امکانات رفاهی و خدماتی به منظور به وجود آوردن شرایط زیستی مطلوب تر مورد توجه قرار گرفت و در اسفند ماه سال ۱۳۶۴ به تصویب هیئت وزیران وقت ایران رسید.
مترو ، در انگلیسی: Rapid transit, subway) گونه‌ای سامانهٔ ترابری همگانی با گنجایش بالا است که بیشتر در منطقه‌های شهری ایجاد شده‌است. برخلاف اتوبوس یا تراموا، مترو گونه‌ای سامانهٔ ریلی برقی است که در مسیرهای ویژه‌اش کار می‌کند و عابران پیاده یا هیچ وسیلهٔ نقلیهٔ دیگری به این مسیر دسترسی ندارند و بیشتر در تونل‌ها یا ریل‌های مرتفع غیر همسطح حرکت می‌کند. خدمات مترو نوین معمولاً توسط قطارهای خودکششی الکتریکی ارائه می‌شود که بر روی ریل راه‌آهن حرکت می‌کند، هرچند برخی قطارهای دارای چرخ‌های لاستیکی یا شناور
هرچند برخی قطارهای دارای چرخ‌های لاستیکی یا شناور مغناطیسی نیز وجود دارند. ایستگاه‌های مترو معمولاً نسبت به ریل قطار در ارتفاع قرار داشته و فاقد هرگونه پله‌ای به سمت قطار هستند. این سکوها معمولاً نسبت به قطار یک فاصله خالی دارند که برای کاهش این فضای خالی میان سکو و قطار نیاز به ساخت قطارهای سفارشی است. سامانه‌های مترو معمولاً برای حداکثر راحتی و بازدهی با دیگر سامانه‌های ترابری مانند اتوبوس‌ها و تاکسی‌ها تکمیل می‌شوند و معمولاً همگی توسط یک نهاد دولتی یا خصوصی اداره می‌شود. نخستین متروی جهان راه‌آهن
یا خصوصی اداره می‌شود. نخستین متروی جهان راه‌آهن نیمه‌زیرزمینی متروپولیتن بود که در سال ۱۸۶۳ به عنوان یک سامانه ریلی معمولی افتتاح شد و اکنون بخشی از مترو لندن را می‌سازد. در سال ۲۰۲۱، چین بیشترین شمار سامانه متروی جهان را داشته‌است که شمار آن به ۴۰، و طول آن به بیش از ۴۵۰۰ کیلومتر می‌رسید. همچنین بزرگترین سهم را در درصد گسترش سامانه‌های مترو در جهان در دههٔ گذشته داشته‌است. طولانی‌ترین سامانه متروی تک اپراتور جهان از نظر طول مسیر نیز متروی شانگهای است. بزرگترین متروی جهان از نظر شمار ایستگاه نیز متروی
بزرگترین متروی جهان از نظر شمار ایستگاه نیز متروی نیویورک سیتی با ۴۷۲ ایستگاه است.زیباترین مترو های جهان با توجه به طراحی و معماری های خاص، در شهر های مختلف جهان از جمله مسکو و سن پترزبورگ روسیه قرار دارند. تاریخچه. تاریخ مترو در لندن و با افتتاح راه‌آهن متروپولیتن، که اکنون بخشی از مترو لندن است، در سال ۱۸۶۳ آغاز شد. دود لوکوموتیوهای بخار یکی از مشکلات اصلی قطارهایی بود که از درون تونل عبور می‌کردند. نخستین بار در سال ۱۸۶۳ در قطار راه‌آهن شهر و جنوب لندن از کشش الکتریکی برای به حرکت درآوردن قطارهایی که از