Dekady niyskorzij postympy w wielowrotowyj technologiji przizwolyły na skalowanie tranzystorōw MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) do poziōmu nano, myńszyj aniżeli 20 nm dugości wrōt, ôd FinFET (fin field-effect transistor), trōjwymiarowego, niyplanarnego, dwuwrotowego tranzystora MOSFET.