Décadas más tarde, los avances en la tecnología de múltiples puertas permitieron la escala de los dispositivos de transistor de efecto de campo de metal óxido semiconductor (MOSFET) hasta niveles de nanoescala menores que la longitud de la puerta de 20 nm, comenzando con el FinFET (transistor de efecto de campo de aleta), un MOSFET tridimensional, no plano y de doble puerta.