Dicenni appressu, li sbiluppi dâ tecnuluggìa murti-cancellu fìciru addivintari cchiù nichi i dispusitivi a transistor ad effettu di campu mitallu-ossidu-semicunnutturi (MOSFET) nzinu a grannizzi cchiù nichi di 20 nm, accuminciannu cû FinFET (transistor ad effettu di campu di pinna), un MOSFET a cancellu duppiu, nun planari, tridiminziunali.