دهه ها بعد، تکنالوژی مولتی-گیت سنجش دستگاه های ترانزیستور نیمه هادی اکساید فلزی فیلد-ایفیکت (MOSFET) را تا به مقیاس سطوح نانو کوچکتر از 20 نانومتر طول دروازه قادر ساخت، که با FinFET (ترانزیستور فین فیلد-ایفیکت) ، یک MOSFET دو دروزاه‌ی، سه بعدی، نن-پلینر آغاز شد.