پېړې وروسته، په څو-اړخیزه تکنالوژۍ کې پرمختګونو د فلزي-اکسایدو-نیمه هادي د ساحوي-اغېزې ترانسیستر (MOSFET) په اندازه آلات چې په کوچنیو-مقیاسونو کې یې د اړخ اوږدوالی 20 نانومترو څخه کوچنی ؤ، چې پیل یې په FinFET (field-effect transistor)، یو درې-اړخیزه، غیر-مستوي، جوړه اړخیزه MOSFET ؤ، ترسره شو.