Dès an dopu, i prugress in de la tecnologia multi-gate g’han cunsentì el ridimensiunament di dispusitif MOSFET (transistor a efèt de camp a semicundutur de ossid de metal) fin a livei sü nanoscäla inferiur a 20 nm de luungheza del gate, a partir del FinFET (transistor a efèt de camp Fin), un MOSFET tridimensiunal, minga planar, a dopi porta.