दशकन बाद, मल्टी-गेट तकनीक में प्रगति मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) उपकरणन के फिनफेट (फिन फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) से शुरू करे पर 20 एनएम गेट लंबा से छोट नैनो-स्केल स्तर तक करल गइल, एक तीन-आयामी, गैर-प्लानर, डबल-गेट MOSFET बनावल गइल.