ومن بعد داكشي بعقود من الزمان، أتاحت التطورات في التكنولوجيا متعددة البوابات إمكانية توسيع نطاق أجهزة الترانزستور الحقلية ذات التأثير المعدني وأكسيد أشباه الموصلات إلى مستويات على نطاق النانو أصغر من 20 نانومتر من طول البوابة، بدءاً بالترانزستور الحقلي مول الزعنفة، وهو ترانزستور ما مستاوش ثلاثي الأبعاد عندو بوابات مزدوجة.