ПЛАСТИНА С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ GaN И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ

1. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN, включающий в себя:
этап формирования первого слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают первый слой GaN на подложке;
следующий за упомянутым этапом формирования первого слоя GaN этап формирования ямок, на котором формируют ямки на передней стороне подложки; и
следующий за упомянутым этапом формирования ямок этап формирования второго слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают второй слой GaN на первом слое GaN.
2. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN по п.1, включающий в себя этап формирования слоя маски, выполняемый до упомянутого этапа формирования первого слоя GaN, на котором формируют слой маски на передней стороне подложки.
3. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN по п.1 или 2, в котором подложка состоит из одного слоя.
4. Способ изготовления пластины с эпитаксиальным слоем GaN по п.1 или 2, в котором:
подложка состоит из множества слоев; и
на упомянутом этапе формирования ямок ямки формируются на самом верхнем слое подложки.
5. Способ изготовления полупроводникового устройства, включающий в себя:
этап формирования первого слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают первый слой GaN на подложке;
следующий за упомянутым этапом формирования первого слоя GaN этап формирования ямок, на котором формируют ямки на передней стороне подложки;
следующий за упомянутым этапом формирования ямок этап формирования второго слоя GaN, на котором эпитаксиально наращивают второй слой GaN на первом слое GaN, чтобы изготовить пластину с эпитаксиальным слоем GaN; и
этап изготовления устройства, на котором используют пластину с эпитаксиальным слоем GaN, чтобы изготовить полупроводниковое устройство.
6. Способ изготовления полупроводникового устройства по п.5, включающий в себя этап формирования слоя маски, выполняемый до упомянутого этапа формирования первого слоя GaN, на котором формируют слой маски на передней стороне подложки.
7. Способ изготовления полупроводникового устройства п.5 или 6, в котором подложка состоит из одного слоя.
8. Способ изготовления полупроводникового устройства по п.5 или 6, в котором:
подложка состоит из множества слоев; и
на упомянутом этапе формирования ямок ямки формируются на самом верхнем слое подложки.
9. Способ изготовления полупроводникового устройства по любому из пп.5-8, в котором для упомянутого этапа изготовления устройства пластина GaN, полученная путем удаления подложки с пластины с эпитаксиальным слоем GaN, используется для изготовления полупроводникового устройства.
10. Пластина с эпитаксиальным слоем GaN, снабженная:
подложкой, имеющей ямки в главной поверхности; и
поликристаллический слой GaN, нанесенный на главную поверхность.
11. Пластина с эпитаксиальным слоем GaN по п.10, включающая в себя слой маски, расположенный между упомянутой подложкой и упомянутым поликристаллическим слоем GaN.
12. Пластина с эпитаксиальным слоем GaN по п.10 или 11, в которой подложка состоит из одного слоя.
13. Пластина с эпитаксиальным слоем GaN по п.10 или 11, в которой:
упомянутая подложка состоит из множества слоев; и
самый верхний слой подложки имеет упомянутые ямки.
14. Полупроводниковое устройство, отличающееся тем, что оно снабжено:
подложкой, имеющей ямки в своей главной поверхности;
пластину с эпитаксиальным слоем GaN, имеющую поликристаллический слой GaN, нанесенный на упомянутую главную поверхность; и
полупроводниковый слой, нанесенный на упомянутый поликристаллический слой GaN на упомянутой пластине с эпитаксиальным слоем GaN.