КОМПОЗИТНАЯ ПРОТОНПРОВОДЯЩАЯ МЕМБРАНА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Композитная протонпроводящая мембрана, содержащая пористую кремниевую структуру, поры которой заполнены электролитом на основе протонпроводящего полимерного материала, отличающаяся тем, что пористая кремниевая структура выполнена из макропористого кремния, причем на поверхности кремния и стенках пор размещено покрытие, выполненое из диэлектрика, а протонпроводящий полимерный материал выбран из группы электролитов на основе поливинилового спирта, этерифицированного фенолсульфокислотами с соотношением поливинилового спирта к фенолсульфокислотам в электролите от 2:1 до 10:1.
2. Композитная протонпроводящая мембрана по п.1, отличающаяся тем, что в качестве диэлектрика использована окись кремния.
3. Композитная протонпроводящая мембрана по п.1, отличающаяся тем, что в качестве диэлектрика использован нитрид кремния.
4. Композитная протонпроводящая мембрана по п.1, отличающаяся тем, что в качестве диэлектрика использован оксинитрид кремния.
5. Композитная протонпроводящая мембрана по п.1, отличающаяся тем, что электролит представлен в виде водного раствора.
6. Композитная протонпроводящая мембрана по п.1, отличающаяся тем, что каналы пор имеют градиенто-пористую структуру по толщине мембраны.
7. Композитная протонпроводящая мембрана по п.1, отличающаяся тем, что каналы пор имеют градиенто-пористую структуру в латеральном направлении.
8. Способ изготовления композитной протонпроводящей мембраны по п.1 методом формирования пор в кремниевой структуре анодным травлением с последующим заполнением их протонпроводящим полимерным материалом, отличающийся тем, что в качестве исходной кремниевой структуры берут кремний с низкой проводимостью, анодным травлением изготовливают поры с диаметром от 0,5 мкм до 150 мкм, после чего покрывают поверхность кремния и стенки его пор слоем диэлектрика, а протонпроводящий полимерный материал выбирают из группы электролитов на основе поливинилового спирта, этерифицированного фенолсульфокислотами.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что каналы пор формируют градиентно-пористыми.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что градиентно-пористую структуру каналов формируют путем изменения ингредиентного состава раствора.
11. Способ по п.9, отличающийся тем, что градиентно-пористую структуру каналов формируют путем изменения плотности тока травления.
12. Способ по п.9, отличающийся тем градиентно-пористую структуру каналов формируют путем создания механических напряжений на границе пористый слой-подложка.
13. Способ по п.8, отличающийся тем, что в качестве диэлектрика используют покрытие на основе окиси кремния, сформированное термическим окислением поверхности кремния в кислородосодержащей среде.
14. Способ по п.8, отличающийся тем, что в качестве диэлектрика используют покрытие на основе окиси кремния, нитрида кремния или оксинитрида кремния, сформированных методами осаждения из газовой фазы.