ПОКРЫТИЕ ПОЛОТНА ПОДЛОЖКИ ОСАЖДЕНИЕМ АТОМНЫХ СЛОЕВ

1. Способ атомно-слоевого осаждения, включающий:
подачу покрываемого полотна в реакционное пространство реактора атомно-слоевого осаждения;
формирование для покрываемого полотна в реакционном пространстве траектории с повторяющейся конфигурацией и
обеспечение доступности покрываемого полотна в реакционном пространстве разделенным во времени импульсам подачи прекурсоров для нанесения на указанное полотно материала посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций.
2. Способ по п. 1, включающий многократное изменение направления движения покрываемого полотна для формирования повторяющейся конфигурации.
3. Способ по п. 1, включающий подачу покрываемого полотна через входной шлюз, предотвращающий выход газов из реакционного пространства.
4. Способ по п. 1, включающий подачу покрываемого полотна через расширенный проход, в котором создают избыточное давление.
5. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором траектория с повторяющейся конфигурацией задает в реакционном пространстве проточные каналы, причем поступление прекурсоров в течение указанных импульсов в каждый из проточных каналов осуществляют с использованием распределителя потока.
6. Способ по п. 5, в котором используют распределитель потока, содержащий расширитель с множеством ответвлений с выполненными в них подающими отверстиями.
7. Способ по п. 6, включающий регулировку длины траектории в реакционном пространстве путем настройки ее конфигурации.
8. Аппарат для атомно-слоевого осаждения, содержащий:
входной шлюз, сконфигурированный с возможностью вводить движущееся покрываемое полотно в реакционное пространство реактора атомно-слоевого осаждения для нанесения материалов;
элементы для задания траектории, сконфигурированные с возможностью формировать для покрываемого полотна в реакционном пространстве траекторию с повторяющейся конфигурацией, и
узел подачи паров прекурсоров, сконфигурированный для обеспечения доступности покрываемого полотна в реакционном пространстве разделенным во времени импульсам подачи прекурсоров для нанесения на указанное полотно материала посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций.
9. Аппарат по п. 8, содержащий поворачивающие элементы, сконфигурированные с возможностью многократно изменять направление движения покрываемого полотна для формирования повторяющейся конфигурации.
10. Аппарат по п. 8, в котором входной шлюз сконфигурирован с возможностью обеспечения сквозного прохода через него покрываемого полотна, подаваемого в реакционное пространство, и с возможностью предотвращения выхода газов из реакционного пространства.
11. Аппарат по п. 10, в котором входной шлюз содержит находящийся под избыточным давлением расширенный проход, выполненный с возможностью перемещения по нему покрываемого полотна.
12. Аппарат по любому из пп. 8-11, в котором траектория с повторяющейся конфигурацией выбрана с возможностью задавать в реакционном пространстве проточные каналы, при этом аппарат дополнительно содержит распределитель потока для обеспечения поступления прекурсоров в течение указанных импульсов в каждый из проточных каналов.
13. Аппарат по п. 12, в котором распределитель потока содержит расширитель с множеством ответвлений с выполненными в них подающими отверстиями.
14. Производственная линия, содержащая аппарат, выполненный согласно любому из пп. 8-13 и сконфигурированный с возможностью осуществления способа согласно любому из пп. 1-7.
15. Аппарат для атомно-слоевого осаждения, содержащий:
входные средства для введения движущегося покрываемого полотна в реакционное пространство реактора атомно-слоевого осаждения для нанесения материалов;
средства формирования траектории для формирования для покрываемого полотна в реакционном пространстве траектории с повторяющейся конфигурацией и
средства подачи паров прекурсоров для обеспечения доступности покрываемого полотна в реакционном пространстве разделенным во времени импульсам подачи прекурсоров для нанесения на указанное полотно материала посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций.