СВЧ-УСИЛИТЕЛЬ НА ОСНОВЕ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СКВИДА С ЧЕТЫРЬМЯ ДЖОЗЕФСОНОВСКИМИ КОНТАКТАМИ

1. СВЧ-усилитель на основе высокотемпературного СКВИДа, включающий параллельно соединенные первый и второй джозефсоновские контакты, образованные в слое высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) в форме петли и размещенные вдоль бикристаллической границы подложки, и входной индуктивный элемент, включенный между смежными токоподводами упомянутых джозефсоновских контактов,
отличающийся тем, что
дополнительно введены третий и четвертый джозефсоновские контакты, причем критический ток первого и второго джозефсоновских контактов совпадает, третьего - меньше величины критического тока первого и второго переходов, а четвертого контакта - превышает эту величину,
петля в слое ВТСП замкнута дорожкой, которая дважды пересекает бикристаллическую границу и образует замкнутый контур с упомянутым индуктивным элементом, расположенным по одну сторону бикристаллической границы, при этом
третий и четвертый джозефсоновские контакты размещены в местах пересечений упомянутой дорожки с бикристаллической границей по обе стороны от первого и второго джозефсоновских контактов, а ширина дорожки в месте размещения четвертого джозефсоновского контакта превышает одноименную для третьего джозефсоновского контакта.
2. СВЧ-усилитель по п.1, отличающийся тем, что ширина дорожки в месте размещения четвертого джозефсоновского контакта превышает одноименную для третьего джозефсоновского контакта.
3. СВЧ-усилитель по п.1, отличающийся тем, что отношение критического тока упомянутого четвертого джозефсоновского контакта к критическому току остальных джозефсоновских контактов более 4.
4. СВЧ-усилитель по п.1, отличающийся тем, что бикристаллическая подложка выполнена из сапфира с углом разориентации 24°.
2
3
7-x
2
5. СВЧ-усилитель по п.1, отличающийся тем, что слой ВТСП представляет собой соединение общей формулы YBaCuOи образован на подслое из CeO.