СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВОМ ДЛЯ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ В ПЛАЗМЕННО-ИММЕРСИОННОМ РЕЖИМЕ

1. Способ управления устройством для ионной имплантации, содержащий источник (АР) питания плазмы и источник (PS) питания подложки, причем источник питания подложки содержит:
- электрогенератор (НТ) с заземленным положительным полюсом;
- первый переключатель (SW1), первый полюс которого соединен с отрицательным полюсом генератора (НТ), и второй полюс которого соединен с выходным разъемом (S) источника питания подложки; и
- второй переключатель (SW2), первый полюс которого соединен с выходным разъемом (S), а второй полюс которого соединен с нейтрализующим разъемом (N);
при этом способ включает стадию (A-D) имплантации, на которой:
- приводят в действие источник питания плазмы;
- замыкают первый переключатель (SW1) и
- размыкают второй переключатель (SW2);
причем способ также включает стадию (Е-Н) нейтрализации, на которой:
- размыкают первый переключатель (SW1); и
- замыкают второй переключатель (SW2);
при этом способ отличается тем, что:
- он дополнительно включает стадию (C-F) релаксации, которая по времени наложена на стадию имплантации и стадию нейтрализации, причем в стадии релаксации источник (АР) питания плазмы не приведен в действие; а
- стадия нейтрализации включает предварительный этап (E-F) замыкания второго переключателя (SW2), причем после предварительного этапа следует отменяющий этап (F-G) для приведения в действие источника (АР) питания плазмы.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после отменяющего этапа (F-G) следует инактивирующий этап (G-H) для отключения указанного источника (АР) питания плазмы.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что после указанного инактивирующего этапа (G-H) следует прерывающий этап, на котором размыкают второй переключатель (SW2).
4. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что стадия имплантации включает инициализирующий этап (А-В) для замыкания первого переключателя, причем за этим инициализирующим этапом после периода стабилизации следует активирующий этап (В-С) для приведения в действие источника питания плазмы.
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что после активирующего этапа (В-С) следует этап (C-D) угасания для отключения источника (АР) питания плазмы.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что после этапа (C-D) угасания следует этап (D-E) приостановки для размыкания первого переключателя (SW1).
7. Устройство для ионной имплантации, отличающееся тем, что оно содержит средства выполнения способа по любому из пп. 1-6.