ПОДАВЛЕНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ В УСТРОЙСТВЕ НА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

1. Способ управления устройством, содержащим структурированный проводящий слой, образующий цепь электрода истока и цепь электрода стока для множества транзисторов, полупроводниковый слой, образующий соответствующий полупроводниковый канал для каждого транзистора между цепью электрода истока и цепью электрода стока, и цепь электрода затвора, покрывающую полупроводниковые каналы множества транзисторных устройств, для переключения полупроводниковых каналов между двумя или более уровнями проводимости, при этом указанный способ содержит применение одного или более дополнительных проводников, независимых от указанной цепи электрода затвора, для емкостного индуцирования уменьшения проводимости указанных одной или более областей указанного полупроводникового слоя за пределами указанных полупроводниковых каналов.
2. Способ по п. 1, в котором указанная одна или более область полупроводникового слоя содержат одну или более областей за пределами области цепи электрода затвора.
3. Способ по п. 2, в котором указанные одна или более областей включают в себя одну или более областей, где цепи электродов истока и стока расположены наиболее близко друг к другу за пределами области цепи электрода затвора.
4. Способ по любому из пп. 1-3, содержащий: емкостное индуцирование уменьшения проводимости указанных одной или более областей указанного полупроводникового слоя при одновременном использовании указанной цепи электрода затвора для емкостного индуцирования изменения проводимости одного или более указанных полупроводниковых каналов.
5. Способ по любому из пп. 1-3, в котором указанные один или более дополнительных проводников расположены на противоположной стороне структурированного проводящего слоя относительно цепи электрода затвора.
6. Способ по п. 5, в котором указанные один или более дополнительных проводников содержат проводящий слой, проходящий, по существу, по всей области между цепями электродов истока и стока для множества транзисторов за исключением полупроводниковых каналов.
7. Управляющее устройство, содержащее первый структурированный проводящий слой, образующий цепь электрода истока и цепь электрода стока для множества транзисторных устройств, полупроводниковый слой, обеспечивающий соответствующий полупроводниковый канал для каждого транзисторного устройства между цепью электрода истока и цепью электрода стока одного транзисторного устройства, второй структурированный проводящий слой, образующий цепь электрода затвора для емкостной связи с полупроводниковыми каналами множества транзисторных устройств и переключения полупроводниковых каналов между двумя или более уровнями проводимости, причем указанный полупроводниковый слой проходит за пределами указанных полупроводниковых каналов к другим участкам между указанной цепью электрода истока и цепью электрода стока, при этом указанное устройство дополнительно содержит третий структурированный проводящий слой, расположенный на противоположной стороне полупроводникового слоя относительно второго структурированного проводящего слоя и проходящий, по существу, по всей области между цепями электродов истока и стока для множества транзисторов за исключением полупроводниковых каналов.