СПОСОБ ОБРАБОТКИ НЕСОГЛАСОВАННОСТЕЙ В УСТРОЙСТВАХ НА ОСНОВЕ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И УСТРОЙСТВА, ПОЛУЧЕННЫЕ С ЕГО ПОМОЩЬЮ

1. Способ обработки устройства 8 на основе солнечного элемента, включающий:
обнаружение по меньшей мере одной несогласованности 14, 16 в поверхности полупроводниковой подложки 10, имеющей активную область солнечного элемента, образованную в ней [операция 30];
определение топологического рисунка нанесения с учетом местоположения указанной по меньшей мере одной несогласованности 14, 16 [операция 32] и
выборочное нанесение материала на подложку согласно топологическому рисунку нанесения [операция 34].
2. Способ по п. 1, согласно которому определение топологического рисунка нанесения с учетом местоположения указанной по меньшей мере одной несогласованности включает:
обеспечение первоначальной схемы проводки для устройства 8 на основе солнечного элемента;
определение, что выполнение первой части первоначальной схемы проводки приведет к перекрытию несогласованности 16 проводящей линией 24; и
определение модифицированной схемы проводки, которая избегает указанной по меньшей мере одной несогласованности 16.
3. Способ по п. 1, согласно которому выборочное нанесение материала включает выборочное нанесение проводящей линии 24, выполненной так, чтобы избежать указанной по меньшей мере одной несогласованности 14, 16, при этом проводящая линия образует часть передней проводки 12 на устройстве 8 на основе солнечного элемента.
4. Способ по п. 3, согласно которому проводящая линия 24 содержит один или более металлов, выбранных из алюминия, золота, серебра, меди и никеля.
5. Способ по п. 1, согласно которому выборочное нанесение материала включает выборочное нанесение шаблонной маски 50.
6. Способ по п. 5, также включающий нанесение проводящей линии 24 на области подложки 10, не защищенные шаблонной маской 50, при этом проводящую линию наносят выборочно посредством нанесения гальванического покрытия.
7. Способ по п. 5, также включающий нанесение проводящей линии 24 на области подложки 10, не защищенные шаблонной маской 50, при этом проводящую линию 24 наносят выборочно посредством процесса нанесения металлических чернил, а шаблонная маска выполнена с возможностью управления размером проводящей линии.
8. Способ по п. 5, согласно которому шаблонная маска 50 закрывает указанную по меньшей мере одну несогласованность 14, 16.
9. Способ по п. 8, также включающий нанесение металлического слоя 52 поверх шаблонной маски 50 и последующее удаление шаблонной маски с полупроводниковой подложки 10 для получения структурированного металлического слоя.
10. Способ по п. 1, также включающий нанесение слоя 60 фоторезиста поверх полупроводниковой подложки 10, причем выборочное нанесение материала включает выборочное нанесение шаблонной маски 62 для облучения поверх слоя фоторезиста.
11. Способ по п. 10, также включающий воздействие излучением на слой 60 фоторезиста и шаблонную маску 62 для облучения и проявление слоя 60 фоторезиста с формированием топологического рисунка 60а, 60b фоторезиста.
12. Способ по п. 1, согласно которому выборочное нанесение материала включает выборочное нанесение изолирующего слоя 70 поверх указанной по меньшей мере одной несогласованности 14, 16.
13. Способ по п. 12, согласно которому изолирующий слой 70 содержит по меньшей мере один материал, выбранный из электроизоляционного полимера и оксидной керамики.
14. Способ по п. 1, согласно которому как обнаружение указанной по меньшей мере одной несогласованности 14, 16, так и выборочное нанесение материала на подложку 10 выполняют с использованием одного устройства.
15. Устройство 8 на основе солнечного элемента, содержащее:
по меньшей мере одну несогласованность 14, 16 в поверхности полупроводниковой подложки 10, имеющей активную область солнечного элемента, образованную в ней; и
проводящую линию 24, выполненную так, чтобы избежать указанной по меньшей мере одной несогласованности.
16. Устройство на основе солнечного элемента по п. 15, в котором проводящая линия 24 содержит основную часть 24а, являющуюся по существу линейной, и малую часть 24b, отклоняющуюся от по существу линейной формы, так чтобы избежать указанной по меньшей мере одной несогласованности 16.
17. Устройство 8 на основе солнечного элемента, содержащее:
по меньшей мере одну несогласованность 14, 16 в поверхности полупроводниковой подложки 10, имеющей активную область солнечного элемента, образованную в ней;
переднюю проводку 12 на поверхности полупроводниковой подложки для сбора электрического тока, вырабатываемого устройством на основе солнечного элемента, при этом передняя проводка содержит проводящую линию 24, размещенную поверх одной или более из указанных по меньшей мере одной несогласованностей 14, 16; и
структурированный изолирующий слой 70, отделяющий проводящую линию от указанных одной или более несогласованностей.
18. Устройство на основе солнечного элемента по п. 17, в котором изолирующий слой 70 образован только в отдельных областях поверх указанных одной или более несогласованностей 14, 16 и при необходимости окружает их.
19. Устройство на основе солнечного элемента по п. 17, в котором указанные одна или более несогласованностей 14, 16 содержат отверстие в полупроводниковой подложке 10, а структурированный изолирующий слой 70 по меньшей мере частично заполняет указанное отверстие.
20. Устройство на основе солнечного элемента по п. 17, в котором указанные одна или более несогласованностей 14, 16 содержат частицу.