МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ ДАТЧИКИ НА ОСНОВЕ ГРАФЕНА

1. Графеновая структура, содержащая:
слой подложки и
по меньшей мере два расположенных на подложке графеновых слоя, причем указанные по меньшей мере два графеновых слоя содержат регулируемый напряжением затвора слой и эффективный графеновый слой; эффективный графеновый слой содержит один или более графеновых слоев,
при этом величина магнетосопротивления графеновой структуры определяется разницей в подвижности носителей заряда и/или плотности носителей заряда между регулируемым напряжением затвора слоем и эффективным графеновым слоем, причем подвижность носителей заряда и/или плотность носителей заряда регулируемого напряжением затвора слоя регулируется напряжением затвора, приложенным к графеновой структуре.
2. Графеновая структура по п. 1, в которой количество графеновых слоев составляет от 2 до 6.
3. Графеновая структура по п. 2, в которой число графеновых слоев составляет от 4 до 6.
4. Графеновая структура по п. 1, в которой регулируемый напряжением затвора слой находится ниже эффективного графенового слоя.
5. Графеновая структура по п. 1, в которой регулируемый напряжением затвора слой находится сверху эффективного графенового слоя.
6. Графеновая структура по п. 1, в которой наибольшая величина магнетосопротивления достигается при приложении напряжения затвора приблизительно в точке зарядной нейтральности графеновой структуры.
7. Графеновая структура по п. 1, в которой величина магнетосопротивления почти безразлична к температуре.
8. Датчик магнитного поля, содержащий:
слой подложки и
по меньшей мере два расположенных на подложке графеновых слоя, причем указанные по меньшей мере два графеновых слоя имеют изготовленные на них электроды и содержат регулируемый напряжением затвора слой и эффективный графеновый слой; эффективный графеновый слой содержит один или более графеновых слоев,
при этом величина магнетосопротивления графеновой структуры определяется разницей в подвижности носителей заряда и/или плотности носителей заряда между регулируемым напряжением затвора слоем и эффективным графеновым слоем, причем подвижность носителей заряда и/или плотность носителей заряда регулируемого напряжением затвора слоя регулируется напряжением затвора, приложенным к графеновой структуре через электроды.
9. Датчик магнитного поля по п. 8, в котором число графеновых слоев составляет от 2 до 6.
10. Датчик магнитного поля по п. 9, в котором число графеновых слоев составляет от 4 до 6.
11. Датчик магнитного поля по п. 8, в котором регулируемый напряжением затвора слой находится ниже эффективного графенового слоя.
12. Датчик магнитного поля по п. 8, в котором с регулируемый напряжением затвора слой находится сверху эффективного графенового слоя.
13. Датчик магнитного поля по п. 8, в котором наибольший коэффициент магнетосопротивления достигается при приложении напряжения затвора приблизительно в точке зарядной нейтральности графеновой структуры.
14. Датчик магнитного поля по п. 8, в котором величина магнетосопротивления почти безразлична к температуре.
15. Датчик магнитного поля по п. 8, в котором подложка или подкладка выполнена из нитрида бора.
16. Датчик магнитного поля по п. 8, в котором указанные по меньшей мере два графеновых слоя и слой подложки представляют собой тонкую пленку, дополнительно содержащую: слой основания ниже слоя подложки.
17. Датчик магнитного поля по п. 16, в котором слой основания является гибким.