СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВОСПРИЯТИЯ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

1. Устройство для восприятия инфракрасного (ИК) излучения, содержащее:
первый электрод;
ИК-чувствительный слой, первая сторона которого находится в контакте с первым электродом;
первое светоизлучающее устройство (СИУ), первая сторона которого находится в контакте со второй стороной ИК-чувствителыюго слоя;
первый слой разделения зарядов, первая сторона которого находится в контакте со второй стороной первого СИУ;
второе СИУ, первая сторона которого находится в контакте со второй стороной слоя разделения зарядов;
второй электрод, находящийся в контакте со второй стороной второго электрода;
при этом при подаче разности потенциалов между первым и вторым электродами и воздействии ИК-излучения на ИК-чувствительный слой, в ИК-чувствительном слое образуются воспринимающий электрон и воспринимающая дырка, а в первом слое разделения зарядов образуются первая дырка и первый электрон; причем первая дырка или первый электрон проходит к первому СИУ, чувствительный электрон или чувствительная дырка, образованная в ИК-чувствительном слое, проходит в первое СИУ и объединяется в первом СИУ, соответственно, с первой дыркой или первым электроном с образованием первого излученного фотона; при этом другой из указанных первой дырки и первого электрона, образованных в первом слое разделения зарядов, проходит ко второму СИУ и объединяется с соответствующим электроном или дыркой, которые попали во второе СИУ, с образованием второго излученного фотона.
2. Устройство по п.1, в котором чувствительный электрон проходит в первое СИУ и объединяется с первой дыркой, при этом первый электрон проходит во второе СИУ и объединяется с соответствующей дыркой, прошедшей во второе СИУ.
3. Устройство по п.1, в котором чувствительная дырка проходит в первое СИУ и объединяется с первым электроном, при этом первая дырка проходит во второе СИУ и объединяется с соответствующим электроном, прошедшим во второе СИУ.
4. Устройство по п.1,
в котором из второго электрода во второе СИУ проходит соответствующий электрон или дырка, прошедшие во второе СИУ.
5. Устройство по п.1, в котором первый электрод является, по меньшей мере, частично прозрачным.
6. Устройство по п.1, в котором первый электрод является прозрачным.
7. Устройство по п.1, в котором второй электрод является, по меньшей мере, частично прозрачным.
8. Устройство по п.1, в котором второй электрод является прозрачным.
9. Устройство по п.8, в котором второй электрод представляет собой пленку из MgAg.
10. Устройство по п.9, в котором толщина пленки из MgAg составляет 20 мкм или менее.
11. Устройство по п.1, дополнительно содержащее по меньшей мере одно дополнительное СИУ и соответствующий по меньшей мере один дополнительный слой разделения зарядов, причем первая сторона каждого из указанных по меньшей мере одного дополнительного СИУ находится в контакте со второй стороной соответствующего по меньшей мере одного дополнительного слоя разделения зарядов, при этом указанное по меньшей мере одно дополнительное СИУ и указанный соответствующий по меньшей мере один дополнительный слой разделения зарядов расположены между второй стороной второго СИУ и вторым электродом, так что первая сторона первого дополнительного слоя разделения зарядов контактирует со второй стороной второго СИУ, а второй электрод находится в контакте со второй стороной последнего из указанных по меньшей мере одного дополнительного СИУ, при этом другой из указанных первой дырки и первого электрона, образовавшихся в первом слое разделения зарядов, проходит во второе СИУ и объединяется с соответствующим электроном или дыркой, прошедшим во второе СИУ из второго слоя разделения зарядов, причем соответствующий электрон или дырка, прошедшие во второе СИУ, являются вторым электроном и второй дыркой, образовавшимися в первом дополнительном слое разделения зарядов; при этом другой из указанных второго электрона или второй дырки проходит к первому дополнительному СИУ и объединяется с соответствующим электроном или дыркой, прошедшими в первое дополнительное СИУ из второго электрода или из второго дополнительного слоя разделения зарядов.
2
12. Устройство по п.1, в котором ИК-чувствительный слой содержит материал с низкой характеристикой переноса дырок, плотность тока составляет менее 1 мА/см.
13. Устройство по п.1, в котором первый электрод содержит оксид индий-олова (ITO).
14. Устройство по п.1, в котором первое СИУ и второе СИУ представляют собой светоизлучающие диоды.
15. Устройство по п.1, в котором первое СИУ и второе СИУ представляют собой органические светоизлучающие устройства.
16. Устройство по п.14, в котором первое СИУ и второе СИУ представляют собой органические светоизлучающие диоды.
17. Устройство по п.15, в котором ИК-чувствительный слой представляет собой органический ИК-чувствительный слой.
18. Устройство по п.1, в котором первое СИУ и второе СИУ представляют собой тонкопленочные светоизлучающие диоды.
19. Устройство по п.11, в котором указанное по меньшей мере одно дополнительное СИУ содержит от одного до шести дополнительных СИУ, а указанный соответствующий по меньшей мере один дополнительный слой разделения зарядов содержит соответствующие от одного до шести дополнительных слоев разделения зарядов.
20. Устройство по п.1, в котором указанные первый и второй излученные фотоны являются фотонами видимого света.
21. Устройство по п.1, в котором ИК-чувствительный слой является чувствительным для длин волн в диапазоне от 0,8 мкм до 2 мкм.
22. Устройство по п.1, в котором указанные первый и второй излученные фотоны имеют различную длину волны.
23. Устройство по п.15, в котором по меньшей мере одно из указанных первого органического СИУ и второго органического СИУ содержит органический эмиссионный слой, причем органический эмиссионный слой содержит молекулы первого красителя, испускающие синий свет, молекулы второго красителя, испускающие зеленый свет, и молекулы третьего красителя, испускающие красный свет.
24. Устройство для восприятия инфракрасного (ИК) излучения, содержащее:
ИК-чувствительный слой, плотность тока в котором составляет менее 1 мА/см; и
органический светоизлучающий диод (ОСИД) на ИК-чувствительном слое, причем ОСИД выполнен с возможностью принимать электроны, образованные в ИК-чувствительном слое.
25. Устройство для восприятия инфракрасного (ИК) излучения, содержащее:
ИК-чувствительный слой, плотность тока в котором составляет менее 1 мА/см; и
органический светоизлучающий диод (ОСИД) на ИК-чувствительном слое, выполненный с возможностью принимать дырки, образованные в ИК-чувствительном слое.
2
26. Устройство по п.25, дополнительно содержащее первый электрод и слой с низкой характеристикой переноса дырок, расположенный между ИК-чувствительным слоем и первым электродом, причем ИК-чувствительный слой находится в контакте с ОСИД, а плотность тока в слое с низкой характеристикой переноса дырок составляет менее 1 мА/см.
60
27. Устройство по п.25, в котором указанный слой блокирования дырок содержит SnPc:C.
28. Устройство по п.25, в котором ОСИД содержит фосфоресцирующий эмиттер.
29. Устройство по п.25, в котором ИК-чувствительный слой содержит:
органический ИК-поглощающий материал, и
акцепторную примесь, причем органический ИК-поглощающий материал и акцепторная примесь смешаны в ИК-чувствительном слое.
30. Устройство по п.25, в котором ИК-чувствительный слой содержит фуллерен.
31. Устройство по п.25, в котором ИК-чувствительный слой содержит квантовые точки.