ПИКСЕЛЬНЫЙ МАССИВ И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ
PIXEL ARRAY AND DISPLAY DEVICE

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее раскрытие относится к области технологии отображения и, в частности, к пиксельному массиву и устройству отображения.
Уровень техники
Устройство отображения на органических светодиодах (OLED) является одним из актуальных направлений в области исследований современных плоскопанельных устройств отображения и обладает такими преимуществами, как низкое энергопотребление, низкая стоимость изготовления, самолюминесценция, широкий угол обзора, высокая скорость отклика и т.п. по сравнению с жидкокристаллическим устройством отображения. В настоящее время в области плоскопанельных устройств отображения, таких как мобильный телефон, планшетный компьютер, цифровая камера и т.п., устройство отображения OLED стало вытеснять традиционный жидкокристаллический дисплей (LCD).
Структура OLED-устройства отображения в основном включает в себя: подложку и пиксели, размещенные в матрице на подложке. В общем, в каждом из пикселей органическое светоизлучающее устройство формируется в позиции соответствующего пикселя на матричной подложке с использованием органического материала с помощью высокоточной металлической маски и технологии формирования тонкопленочного покрытия путем напыления.
Однако в современном OLED-устройстве отображения расстояние между двумя смежными размещенными пикселями является большим, поэтому открытая зона каждого из пикселей является маленькой при условии одинакового разрешения, и, таким образом, требование к яркости отображения может быть выполнено путем увеличения тока возбуждения. Однако работа OLED-устройства отображения при большом токе возбуждения имеет тенденцию к увеличению скорости старения OLED-устройства отображения, тем самым сокращая срок службы OLED-устройства отображения.
Раскрытие сущности изобретения
Настоящее раскрытие направлено на решение по меньшей мере одной из технических задач, существующих в предшествующем уровне техники, и предоставляет пиксельный массив и устройство отображения.
В первом аспекте варианты осуществления настоящего раскрытия предоставляют пиксельный массив, включающий в себя множество подпикселей, которые включают в себя первые подпиксели, вторые подпиксели и третьи подпиксели; первые подпиксели и третьи подпиксели поочередно размещаются вдоль направления строки и образуют множество первых пиксельных строк, первые подпиксели и третьи подпиксели, которые находятся в одном и том же столбце, в множестве первых пиксельных строк размещаются поочередно, и вторые подпиксели размещаются бок о бок вдоль направления строки и образуют множество вторых пиксельных строк; линии, соединяющие последовательно один за другим центры двух первых подпикселей и двух третьих подпикселей, которые размещаются в массиве, вместе образуют первый виртуальный четырехугольник, и один из вторых подпикселей находится в каждом первом виртуальном четырехугольнике; где
по меньшей мере часть внутренних углов первого виртуального четырехугольника не равна 90°;
формы первых подпикселей, вторых подпикселей и третьих подпикселей включают в себя многоугольник, и расстояние от точки пересечения продолжающихся линий двух сторон по меньшей мере одного угла при вершине по меньшей мере одного подпикселя, который имеет форму многоугольника, из первых подпикселей, вторых подпикселей и третьих подпикселей до центра по меньшей мере одного подпикселя отличается от расстояния от точки пересечения продолжающихся линий двух сторон другого угла при вершине по меньшей мере одного подпикселя до центра по меньшей мере одного подпикселя.
В варианте осуществления минимальное расстояние от точки пересечения продолжающихся линий двух сторон по меньшей мере одного угла при вершине по меньшей мере одного подпикселя из первых подпикселей, вторых подпикселей и третьих подпикселей до границы по меньшей мере одного подпикселя отличается от минимального расстояния от точки пересечения продолжающихся линий двух сторон другого угла при вершине по меньшей мере одного подпикселя до границы по меньшей мере одного подпикселя.
В варианте осуществления форма первых подпикселей включает в себя многоугольник, и углы каждого первого подпикселя включают в себя первый угол и второй угол, расположенные напротив друг друга, и третий угол и четвертый угол, расположенные напротив друг друга; второй угол, третий угол и четвертый угол имеют по существу одинаковую форму, и расстояние от точки пересечения продолжающихся линий двух сторон первого угла первого подпикселя до центра первого подпикселя больше, чем расстояние от точки пересечения продолжающихся линий двух сторон второго угла до центра первого подпикселя.
В варианте осуществления форма третьих подпикселей включает в себя многоугольник, и углы каждого третьего подпикселя включают в себя первый угол и второй угол, расположенные напротив друг друга, и третий угол и четвертый угол, расположенные напротив друг друга; второй угол, третий угол и четвертый угол имеют по существу одинаковую форму, и расстояние от точки пересечения продолжающихся линий двух сторон первого угла третьего подпикселя до центра третьего подпикселя больше, чем расстояние от точки пересечения продолжающихся линий двух сторон второго угла третьего подпикселя до центра третьего подпикселя.
В варианте осуществления форма вторых подпикселей включает в себя многоугольник, и углы каждого второго подпикселя включают в себя первый угол и второй угол, расположенные напротив друг друга, и третий угол и четвертый угол, расположенные напротив друг друга; второй угол, третий угол и четвертый угол имеют по существу одинаковую форму, и расстояние от точки пересечения продолжающихся линий двух сторон первого угла второго подпикселя до центра второго подпикселя больше, чем расстояние от точки пересечения продолжающихся линий двух сторон второго угла второго подпикселя до центра второго подпикселя.
В варианте осуществления отношение расстояния между точкой пересечения продолжающихся линий двух сторон первого угла первого подпикселя и вершиной первого угла первого подпикселя к расстоянию между вершиной первого угла первого подпикселя и вершиной второго угла, противоположного первому углу, находятся в диапазоне от 1/5 до 1/2, и вершиной первого угла первого подпикселя является точка, которая имеет минимальное расстояние от точки пересечения продолжающихся линий двух сторон соответствующего угла при вершине, на границе первого подпикселя.
В одном варианте осуществления первый угол скошен по кругу или скошен по прямой линии.
В варианте осуществления виртуальные углы при вершинах, образованные пересечением продолжающихся линий двух сторон углов при вершинах, соответствующих второму углу, третьему углу и четвертому углу, соответственно, по существу равны друг другу.
В одном варианте осуществления виртуальные углы при вершинах, образованные пересечениями продолжающихся линий двух сторон углов при вершинах, соответствующих второму углу, третьему углу и четвертому углу, соответственно, находятся в диапазоне от приблизительно 80° до приблизительно 100°.
В одном варианте осуществления зона, окруженная продолжающимися линиями с двух сторон угла при вершине первого угла и контуром границы первого угла, является первой углубленной зоной, и зона, окруженная продолжающимися линиями двух сторон угла при вершине второго угла и контуром границы второго угла, представляют собой вторую углубленную зону, и первая углубленная зона больше по площади, чем вторая углубленная зона.
В варианте осуществления минимальные расстояния от центра второго подпикселя в каждом первом виртуальном четырехугольнике до границ светоизлучающих зон двух первых подпикселей, непосредственно смежных со вторым подпикселем, равны друг другу.
В варианте осуществления в подпикселях, соответствующих первому виртуальному четырехугольнику, два первых подпикселя симметричны относительно линии, соединяющей центры двух третьих подпикселей, и два третьих подпикселя симметричны относительно линии, соединяющей центры двух первых подпикселей.
В варианте осуществления по меньшей мере один из внутренних углов первого виртуального четырехугольника находится в диапазоне от 70° до 110°.
В варианте осуществления пара противоположных внутренних углов первого виртуального четырехугольника включает в себя два внутренних угла, каждый из которых равен 90°, и другая пара противоположных внутренних углов первого виртуального четырехугольника включает в себя один внутренний угол более 90°, и другой внутренний угол менее 90°.
В варианте осуществления пара противоположных внутренних углов первого виртуального четырехугольника включает в себя два внутренних угла, равных друг другу, и другая пара противоположных внутренних углов первого виртуального четырехугольника включает в себя два внутренних угла, один из которых равен 90°.
В варианте осуществления все внутренние углы первого виртуального четырехугольника не равны 90°, и некоторые из внутренних углов первого виртуального четырехугольника равны друг другу.
В варианте осуществления первый виртуальный четырехугольник включает в себя виртуальный параллелограмм или виртуальную трапецию.
В варианте осуществления четыре первых виртуальных четырехугольника, расположенных в виде массива, образуют второй виртуальный многоугольник, первые подпиксели и третьи подпиксели находятся в углах при вершинах или на сторонах второго виртуального многоугольника и поочередно распределяются по часовой стрелке на сторонах или углах при вершинах второго виртуального многоугольника. 19. Пиксельный массив по п.18 формулы изобретения, в котором второй виртуальный многоугольник включает в себя прямоугольник.
В варианте осуществления во втором виртуальном многоугольнике центры третьих подпикселей в одной и той же строке находятся, по существу, на прямой линии, параллельной направлению строки, и/или центры третьих подпикселей в одном том же столбце находятся, по существу, на прямой линии, параллельной направлению столбца.
В варианте осуществления во втором виртуальном многоугольнике центры вторых подпикселей в одной и той же строке по существу находятся на прямой линии, параллельной направлению строки, и/или центры вторых подпикселей в одном том же столбце по существу находятся на прямой линии, параллельной направлению столбца.
В варианте осуществления для первого подпикселя и третьего подпикселя, смежных друг с другом в каждой первой пиксельной строке, продолжающаяся линия линии, соединяющей конечные точки, наиболее удаленные от ее соответствующих центров на первой стороне в направлении столбца, пересекает продолжающуюся линию линии, соединяющей конечные точки, наиболее удаленные от ее соответствующих центров на второй стороне, противоположной первой стороне, под углом между ними менее 30°.
В варианте осуществления для первого подпикселя и третьего подпикселя, смежных друг с другом в одном и том же столбце, продолжающаяся линия линии, соединяющей конечные точки, наиболее удаленные от ее соответствующих центров на первой стороне в направлении строки, пересекает продолжающуюся линию линии, соединяющей конечные точки, наиболее удаленные от ее соответствующих центров на второй стороне, противоположной первой стороне, под углом между ними менее 30°.
В варианте осуществления для первого подпикселя и третьего подпикселя, смежных друг с другом в одной и той же строке, по меньшей мере один угол первого подпикселя является противоположным по меньшей мере одному углу третьего подпикселя, и точка пересечения продолжающихся линий двух сторон по меньшей мере одного угла первого подпикселя и точка пересечения продолжающихся линий двух сторон по меньшей мере одного угла третьего подпикселя находятся на прямой линии, параллельной направлению строки; и/или
для первого подпикселя и третьего подпикселя, смежных друг с другом в одном и том же столбце, по меньшей мере один угол первого подпикселя является противоположным по меньшей мере одному углу третьего подпикселя, и точка пересечения продолжающихся линий двух сторон по меньшей мере одного угла первого подпикселя и точка пересечения продолжающихся линий двух сторон по меньшей мере одного угла третьего подпикселя находятся на прямой линии, параллельной направлению столбца.
В варианте осуществления прямая линия, проходящая через центр по меньшей мере одного подпикселя первого подпикселя и третьего подпикселя вдоль направления строки или направления столбца, делит по меньшей мере один подпиксель на две части, и отношение площадей двух частей находится в диапазоне от 2:8 до 8:2.
В одном варианте осуществления первые подпиксели являются красными подпикселями, вторые подпиксели являются зелеными подпикселями, и третьи подпиксели являются синими подпикселями.
Варианты осуществления настоящего раскрытия дополнительно предоставляют пиксельный массив, включающий в себя множество подпикселей, которые включают в себя первые подпиксели, вторые подпиксели и третьи подпиксели; первые подпиксели и третьи подпиксели поочередно размещаются вдоль направления строки и образуют множество первых пиксельных строк, первые подпиксели и третьи подпиксели, которые находятся в одном и том же столбце, в множестве первых пиксельных строк размещаются поочередно, и вторые подпиксели размещаются бок о бок вдоль направления строки и образуют множество вторых пиксельных строк; линии, соединяющие последовательно один за другим центры двух первых подпикселей и двух третьих подпикселей, которые размещаются в массиве, вместе образуют первый виртуальный четырехугольник, и один из вторых подпикселей находится в каждом первом виртуальном четырехугольнике; где
по меньшей мере часть внутренних углов первого виртуального четырехугольника не равна 90°;
формы первых подпикселей, вторых подпикселей и третьих подпикселей включают в себя многоугольник и минимальное расстояние от точки пересечения продолжающихся линий двух сторон по меньшей мере одного угла при вершине по меньшей мере одного подпикселя, который имеет форму многоугольника, из первого подпикселя, второго подпикселя и третьего подпикселя до границы по меньшей мере одного подпикселя отличается от минимального расстояния от точки пересечения продолжающихся линий двух сторон другого угла при вершине по меньшей мере одного подпикселя до границы по меньшей мере одного подпикселя.
В варианте осуществления каждый из первых подпикселей является осесимметричным, первые подпиксели имеют одинаковую форму, и по меньшей мере некоторые из первых подпикселей имеют оси симметрии, которые не проходят в одном и том же направлении; или
каждый из вторых подпикселей является осесимметричным, вторые подпиксели имеют одинаковую форму, и по меньшей мере некоторые из вторых подпикселей имеют оси симметрии, которые не проходят в одном и том же направлении; или
каждый из третьих подпикселей является осесимметричным, третьи подпиксели имеют одинаковую форму, и по меньшей мере некоторые из третьих подпикселей имеют оси симметрии, которые не проходят в одном и том же направлении.
В варианте осуществления каждый из первых подпикселей и третьих подпикселей является осесимметричным, и по меньшей мере некоторые из первых подпикселей и третьих подпикселей имеют оси симметрии, которые не проходят в одном и том же направлении.
В варианте осуществления каждый из вторых подпикселей является неосесимметричным.
В варианте осуществления по меньшей мере один из каждого первого подпикселя и каждого третьего подпикселя имеет форму, включающую в себя только одну ось симметрии.
В варианте осуществления по меньшей мере две из числа осей симметрии формы каждого первого подпикселя, числа осей симметрии формы каждого второго подпикселя и числа осей симметрии формы каждого третьего подпиксели отличаются друг от друга.
Во втором аспекте варианты осуществления настоящего раскрытия предоставляют устройство отображения, которое включает в себя пиксельный массив согласно любому из вышеупомянутых вариантов осуществления первого аспекта настоящего раскрытия.
Краткое описание чертежей
Фиг.1 – схематичное представление, иллюстрирующее структуру тонкопленочных слоев примерного пиксельного массива.
Фиг.2 – схематичное представление, иллюстрирующее примерный пиксельный массив.
Фиг.3а – схематичное представление, иллюстрирующее четырехугольник.
Фиг.3b – схематичное представление, иллюстрирующее другой четырехугольник.
Фиг.4 – схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив согласно первому примеру вариантов осуществления настоящего раскрытия.
Фиг.5 – схематичное представление, иллюстрирующее распределение фактических центров яркости пиксельного массива во время отображения, при этом первый угол каждого синего подпикселя скруглен (то есть скошен по кругу) и является аналогичным прямому углу, согласно варианту осуществления настоящего раскрытия.
Фиг.6 – схематичное представление, иллюстрирующее синий подпиксель согласно варианту осуществления настоящего раскрытия.
Фиг.7 – схематичное представление, иллюстрирующее синий подпиксель согласно варианту осуществления настоящего раскрытия.
Фиг.8 – схематичное представление, иллюстрирующее красный подпиксель и синий подпиксель, расположенные рядом друг с другом в одной строке, согласно варианту осуществления настоящего раскрытия.
Фиг.9 – схематичное представление, иллюстрирующее красный подпиксель и синий подпиксель, расположенные рядом друг с другом в одной строке, согласно варианту осуществления настоящего раскрытия.
Фиг.10 – схематичное представление, иллюстрирующее распределение подпикселей в первом четырехугольнике из вторых виртуальных четырехугольников пиксельного массива, который находится в верхнем левом углу пиксельного массива, показанного на фиг.4.
Фиг.11 – схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив согласно второму примеру вариантов осуществления настоящего раскрытия.
Фиг.12 – схематичное представление, иллюстрирующее распределение подпикселей в первом четырехугольнике из вторых виртуальных четырехугольников пиксельного массива, который находится в верхнем левом углу пиксельного массива, показанного на фиг.11.
Фиг.13 – схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив согласно третьему примеру вариантов осуществления настоящего раскрытия.
Фиг.14 – схематичное представление, иллюстрирующее распределение подпикселей в первом четырехугольнике из вторых виртуальных четырехугольников пиксельного массива, который находится в верхнем левом углу пиксельного массива, показанного на фиг.13.
Фиг.15 – схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив согласно четвертому примеру вариантов осуществления настоящего раскрытия.
Фиг.16 – схематичное представление, иллюстрирующее распределение подпикселей в первом четырехугольнике из вторых виртуальных четырехугольников пиксельного массива, который находится в верхнем левом углу пиксельного массива, показанного на фиг.15.
Фиг.17 – схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив согласно пятому примеру вариантов осуществления настоящего раскрытия.
Фиг.18 – схематичное представление, иллюстрирующее распределение подпикселей в первом четырехугольнике из вторых виртуальных четырехугольников пиксельного массива, который находится в верхнем левом углу пиксельного массива, показанного на фиг.17.
Фиг.19 – схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив, в котором первый угол каждого синего подпикселя скошен по прямой линии (или прямолинейно), согласно варианту осуществления настоящего раскрытия.
Фиг.20 – схематичное представление, иллюстрирующее распределение подпикселей в первом четырехугольнике из вторых виртуальных четырехугольников пиксельного массива, который находится в верхнем левом углу пиксельного массива, показанного на фиг.19.
Фиг.21 – схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив, в котором первый угол каждого красного подпикселя скошен по прямой линии (или прямолинейно), согласно варианту осуществления настоящего раскрытия.
Фиг.22 – схематичное представление, иллюстрирующее распределение фактических центров яркости пиксельного массива во время отображения, при этом первый угол каждого красного подпикселя скруглен (то есть скошен по кругу) и является аналогичным прямому углу, согласно варианту осуществления настоящего раскрытия.
Фиг.23 – схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив, в котором первый угол каждого зеленого подпикселя скошен по прямой линии (или прямолинейно), согласно варианту осуществления настоящего раскрытия.
Фиг.24 – схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив, в котором первый угол каждого из красных подпикселей и синих подпикселей скошен по прямой линии (или прямолинейно), согласно варианту осуществления настоящего раскрытия.
Осуществление изобретения
Чтобы дать возможность обычному специалисту в данной области техники лучше понять технические решения настоящего раскрытия, настоящее раскрытие будет дополнительно подробно описано ниже со ссылкой на сопроводительные чертежи и примерные варианты осуществления.
Если не указано иное, технические или научные термины, используемые в данном документе, имеют общее значение, как их понимает обычный специалист в той области, к которой принадлежит настоящее раскрытие. Термины «первый», «второй» и т.п., используемые в данном документе, не предназначены для обозначения какого-либо порядка, количества или важности, а скорее используются для различения одного элемента от другого. Кроме того, используемые в данном документе формы единственного числа и т.п. не обозначают количественное ограничение, и скорее обозначают присутствие по меньшей мере одного элемента. Термин «содержащий», «включающий в себя» и т.п. означает, что элемент или компонент, предшествующий термину, содержит элемент или компонент, перечисленный после термина, и его эквивалент, но не исключает наличия других элементов или компонентов. Термины «соединенный», «связанный» и т.п. не ограничиваются физическими или механическими соединениями, но могут включать в себя электрические соединения, прямые или косвенные соединения. Термины «верхний», «нижний», «левый», «правый» и т.п. используются только для указания относительных позиционных отношений, и когда абсолютная позиция описываемого объекта изменяется, относительные позиционные отношения также могут, соответственно, изменяться.
Следует отметить, что в данном документе направление строки и направление столбца представляют только разные направления в вариантах осуществления настоящего раскрытия, но не ограничиваются перпендикулярностью друг другу. На чертежах, иллюстрирующих варианты осуществления настоящего раскрытия, случай, когда направление строки и направление столбца перпендикулярны друг другу, показан просто в качестве примера, но не ограничивает варианты осуществления настоящего раскрытия.
В дополнение к этому, случай, когда два объекта идентичны или равны друг другу в варианте осуществления настоящего раскрытия, не ограничивается случаем, когда два объекта являются абсолютно одинаковыми по размеру или форме, но может включать в себя случай, когда два объекта являются приблизительно одинаковыми или приблизительно равными друг другу в определенном интервале погрешностей.
Перед описанием пиксельного массива, устройства отображения и высокоточной маски согласно вариантам осуществления настоящего раскрытия сначала будут пояснены концепции подпикселя, первого подпикселя, второго подпикселя, третьего подпикселя, и т.п., которые будут дополнительно описаны позже. В варианте осуществления настоящего раскрытия пиксельный массив относится к структуре компоновки светоизлучающих устройств (либо разных цветов, либо имеющих разные цвета) на подложке отображения, тогда как структура компоновки пиксельных схем для управления соответствующими светоизлучающими устройствами не является ограничивающей. Соответственно, следует отметить, что подпиксель в варианте осуществления настоящего раскрытия относится к структуре светоизлучающего устройства, и первый подпиксель, второй подпиксель и третий подпиксель представляют собой подпиксели трех разных цветов, соответственно. В варианте осуществления настоящего раскрытия описание может быть выполнено на примере, в котором первый подпиксель является красным подпикселем, второй подпиксель является зеленым подпикселем, и третий подпиксель является синим подпикселем. Однако пример, в котором первый подпиксель является красным подпикселем, второй подпиксель является зеленым подпикселем, и третий подпиксель является синим подпикселем, не ограничивает объем варианта осуществления настоящего раскрытия.
Форма каждого подпикселя, как правило, определяется отверстием подпикселя в задающем пиксельном слое, и светоизлучающий слой формируется по меньшей мере частично в отверстии подпикселя. Таким образом, определяется форма светоизлучающей зоны подпикселя, то есть форма подпикселя, упомянутого в варианте осуществления настоящего раскрытия. Когда форма отверстия подпикселя является четырехугольной, форма подпикселя является четырехугольной.
В дополнение к этому в варианте осуществления настоящего раскрытия форма по меньшей мере одного из красного подпикселя, зеленого подпикселя и синего подпикселя включает в себя многоугольник. Следующий вариант осуществления настоящего раскрытия будет описан на примере, в котором красный подпиксель, зеленый подпиксель и синий подпиксель являются многоугольниками. Каждый многоугольник может иметь три или более углов в зависимости от формы многоугольника, и, например, четырехугольник или форма, подобная четырехугольнику, включает в себя четыре угла при вершинах. На фиг.3а показано схематичное представление, иллюстрирующее многоугольник, и на фиг.3b показано схематичное представление, иллюстрирующее другой многоугольник. Как показано на фиг.3a и 3b, каждый многоугольник включает в себя четыре угла при вершинах, которые представляют собой первый угол, второй угол, третий угол и четвертый угол. Например, первый угол и второй угол расположены напротив друг друга, и третий угол и четвертый угол расположены напротив друг друга. Конечно, следует отметить, что, если подпиксель имеет форму многоугольника, количество углов при вершинах подпикселя альтернативно может быть больше четырех, что не ограничено в варианте осуществления настоящего раскрытия. Однако следует отметить, что так называемый угол при вершине в варианте осуществления настоящего варианта осуществления не обязательно является углом между двумя прямыми линиями, но фактически участки, которые продолжаются в направлении вершины угла при вершине, пересекая друг друга, двух сторон угла при вершине могут быть сформированы как сегмент дуги или отрезок прямой, так что угол при вершине становится скошенным по кругу или по прямой линии. Как показано на фиг.3a и 2b, в варианте осуществления настоящего раскрытия описание будет выполнено на примере, в котором первый угол 11 по меньшей мере одного из синего подпикселя, красного подпикселя и зеленого подпикселя скошен по кругу или по прямой линии, а остальные углы аналогичны прямым углам, соответственно. Однако вариант осуществления настоящего раскрытия не ограничивается этим примером. Второй угол, третий угол и четвертый угол являются практически одинаковыми. Например, второй угол, третий угол и четвертый угол аналогичны прямым углам, что означает, что эти три угла могут быть скругленными углами, но каждый из них имеет радиус кривизны меньше, чем радиус кривизны первого угла. Следует отметить, что второй угол, третий угол и четвертый угол являются по существу одинаковыми, это означает, например, что три угла имеют одинаковое значение угла, одинаковый контур, одинаковый размер, одинаковую кривизну скругленного угла и/или тому подобное.
Чтобы сделать структуру каждого подпикселя в пиксельном массиве согласно варианту осуществления настоящего раскрытия более ясной, структура тонкопленочных слоев пиксельного массива согласно варианту осуществления настоящего раскрытия будет описана в сочетании со способом изготовления пиксельного массива. На фиг.1 показано схематичное представление, иллюстрирующее примерную структуру тонкопленочных слоев пиксельного массива. Как показано на фиг.1, способ может включать в себя следующие этапы.
(1) Базовая подложка формируется на стеклянной несущей пластине.
В некоторых примерных вариантах осуществления базовая подложка 10 может быть гибкой базовой подложкой и, например, включать в себя первый слой гибкого материала, первый слой неорганического материала, полупроводниковый слой, второй слой гибкого материала и второй слой неорганического материала, последовательно уложенные стопой стеклянной несущей пластине. Каждый из первого слоя гибкого материала и второго слоя гибкого материала выполнен из полиимида (PI), полиэтилентерефталата (PET), полимерной мягкой пленки, подвергнутой поверхностной обработке, или тому подобного. Каждый из первого слоя неорганического материала и второго слоя неорганического материала выполнен из нитрида кремния (SiNx), оксида кремния (SiOx) и т.п. для повышения водо- и кислородостойкости базовой подложки, и первый слой неорганического материала и второй слой неорганического материала также называются барьерными слоями. Материалом полупроводникового слоя может быть аморфный кремний (a-si). В некоторых примерных вариантах осуществления структурой в виде стопы слоев может быть, например, структура PI1/Barrier1/a-si/PI2/Barrier2. Процесс изготовления структуры в виде стопы слоев может включать в себя: сначала нанесение полиимидного слоя на стеклянную несущую пластину 1 и отверждение полиимидного слоя для образования пленки в качестве первого гибкого слоя (PI1); затем нанесение барьерной пленки на первый гибкий слой для образования первого барьерного слоя (Barrier1), покрывающего первый гибкий слой; затем нанесение пленки аморфного кремния на первый барьерный слой для образования слоя аморфного кремния (a-si), покрывающего первый барьерный слой; далее нанесение полиимидного слоя на слой аморфного кремния и отверждение полиимидного слоя для образования пленки в качестве второго гибкого слоя (PI2); после этого осаждение барьерной пленки на второй гибкий слой для образования второго барьерного слоя (Barrier2), покрывающего второй гибкий слой, тем самым завершая формирование базовой подложки 10, как показано на фиг.6.
(2) На базовой подложке формируется слой структуры возбуждения. Слой структуры возбуждения включает в себя множество схем возбуждения, каждая из которых включает в себя множество транзисторов и по меньшей мере один накопительный конденсатор, и, например, каждая из множества схем возбуждения может использовать 2T1C (то есть 2 транзистора и 1 конденсатор), 3T1C (то есть 3 транзистора и 1 конденсатор) или 7T1C (то есть 7 транзисторов и 1 конденсатор). Иллюстрация будет сделана на примере, в котором включены три подпикселя, и схема возбуждения каждого подпикселя включает в себя только один транзистор и один накопительный конденсатор.
В некоторых вариантах осуществления процесс изготовления слоя структуры возбуждения может быть таким, как описано ниже. Процесс изготовления схемы возбуждения будет теперь описан на примере красного подпикселя 01.
На базовую подложку 10 последовательно осаждают первую изолирующую пленку и пленку активного слоя, и формируют рисунок пленки активного слоя посредством процесса формирования рисунка, чтобы сформировать первый изолирующий слой 011, покрывающий всю базовую подложку 010, и рисунка активного слоя, размещенного на первом изолирующем слое 011. Рисунок активного слоя включает в себя по меньшей мере первый активный слой.
Затем последовательно осаждают вторую изолирующую пленку и первую металлическую пленку, и на первой металлической пленке формируют рисунок посредством процесса формирования рисунка, чтобы сформировать второй изолирующий слой 012, покрывающий рисунок активного слоя, и рисунок первого металлического затворного слоя, расположенный на втором изолирующем элементе. слой 012. Первый рисунок металлического затворного слоя включает в себя по меньшей мере первый электрод затвора и первый электрод конденсатора.
Затем последовательно осаждают третью изолирующую пленку и вторую металлическую пленку, и на второй металлической пленке формируют рисунок посредством процесса формирования рисунка, чтобы сформировать третий изолирующий слой 013, покрывающий первый металлический затворный слой, и рисунок второго металлического затворного слоя, размещенный на третьем изолирующем слое 013. Рисунок второго металлического затворного слоя включает в себя по меньшей мере второй электрод конденсатора, и позиция второго электрода конденсатора соответствует позиции первого электрода конденсатора.
Далее осаждают четвертую изолирующую пленку и формируют рисунок посредством процесса формирования рисунка, чтобы сформировать четвертый изолирующий слой 014, покрывающий рисунок второго металлического затворного слоя. Четвертый изолирующий слой 014 снабжен по меньшей мере двумя первыми сквозными отверстиями, и участки четвертого изолирующего слоя 014, третьего изолирующего слоя 013 и второго изолирующего слоя 012 в двух первых сквозных отверстиях травят, чтобы обнажить поверхность первого активного слоя.
После этого осаждают третью металлическую пленку и формируют рисунок посредством процесса формирования рисунка, чтобы сформировать рисунок металлического истокового-стокового слоя на четвертом изолирующем слое 014. Рисунок металлического истокового-стокового слоя включает в себя по меньшей мере первый истоковый электрод и первый стоковый электрод, которые расположены в области отображения. Первый истоковый электрод и первый стоковый электрод могут быть соединены с первым активным слоем через первые сквозные отверстия, соответственно.
В схеме возбуждения каждого красного подпикселя 01 в области отображения первый активный слой, первый электрод затвора, первый истоковый электрод и первый стоковый электрод могут образовывать первый транзистор 210, и первый электрод конденсатора и второй электрод конденсатора могут образовывать первый накопительный конденсатор 212. В вышеупомянутом процессе изготовления схема возбуждения каждого зеленого подпикселя 02 и схема возбуждения каждого синего подпикселя 03 могут быть сформированы одновременно.
В некоторых примерных вариантах осуществления первый изолирующий слой 011, второй изолирующий слой 012, третий изолирующий слой 013 и четвертый изолирующий слой 014 могут быть однослойным, многослойным или композитным слоем, включающим в себя любое одно или более из: оксида кремния (SiOx), нитрида кремния (SiNx) и оксинитрида кремния (SiON). Первый изолирующий слой 011 может называться буферным слоем для повышения водо- и кислородостойкости базовой подложки. Второй изолирующий слой 012 и третий изолирующий слой 013 могут упоминаться как изолирующий затворный (GI) слой. Четвертый изолирующий слой 014 может упоминаться как межслойный диэлектрический (ILD) слой. Каждая из первой металлической пленки, второй металлической пленки и третьей металлической пленки выполнена из металлического материала, такого как одно или более из: серебра (Ag), меди (Cu), алюминия (Al), титана (Ti) и молибдена (Mo), или выполнен из сплава вышеуказанных металлов, такого как алюминий-неодим (AlNd) или молибден-ниобий (MoNb), и может иметь однослойную структуру или многослойную композитную структуру, такую как Ti/Al/Ti или т.п. Пленка активного слоя состоит из одного или более из: аморфного оксида индия, галлия и цинка (a-IGZO), оксинитрида цинка (ZnON), оксида индия, цинка и олова (IZTO), аморфного кремния (a-Si), поликристаллического кремния (p-Si), гексатиофена, политиофена и т.п. То есть настоящее раскрытие может быть применимо к транзисторам, изготовленным, соответственно, на основе оксидной технологии, кремниевой технологии и технологии органических веществ.
(3) Слой выравнивания формируют на базовой подложке, снабженной вышеуказанными рисунками.
В некоторых примерных вариантах осуществления выравнивающую пленку из органического материала наносят на базовую подложку 010, на которой сформированы вышеуказанные рисунки для формирования выравнивающего слоя 015 (PLN), покрывающего всю базовую подложку 010, и множество вторых сквозных отверстий формируют в выравнивающем слое 015 и в области отображения посредством процессов маскирования, экспонирования и проявления. Участки выравнивающего слоя 015 в множестве вторых сквозных отверстий удаляются в процессе проявления, чтобы обнажить поверхность первого электрода стока первого транзистора 210 схемы возбуждения каждого красного подпикселя 01, поверхность первого электрод стока первого транзистора схемы возбуждения каждого зеленого подпикселя 02 и поверхность первого электрода стока первого транзистора схемы возбуждения каждого синего подпикселя 03, соответственно.
(4) Рисунок первого электрода формируют на базовой подложке, снабженной вышеуказанными рисунками. В некоторых примерах первый электрод представляет собой отражающий анод.
В некоторых примерных вариантах осуществления проводящую пленку осаждают на базовую подложку 010, на которой сформированы вышеуказанные рисунки, и на ней формируют рисунок посредством процесса формирования рисунка для формирования рисунка первого электрода. Первый анод 213 каждого красного подпикселя 01 соединен с первым электродом стока первого транзистора 210 через второе сквозное отверстие, второй анод 223 каждого зеленого подпикселя 022 соединен с первым электродом стока первого транзистора зеленого подпикселя 02 через второе сквозное отверстие, и третий анод 233 каждого синего подпикселя 23 соединен с первым электродом стока первого транзистора синего подпикселя 03 через второе сквозное отверстие.
В некоторых примерах первый электрод может быть выполнен из металлического материала, такого как один или более из: магния (Mg), серебра (Ag), меди (Cu), алюминия (Al), титана (Ti) и молибдена (Mo), или выполнен из сплава вышеуказанных металлов, такого как алюминий-неодим (AlNd) или молибден-ниобий (MoNb), и может иметь однослойную структуру или многослойную композитную структуру, такую как Ti/Al/Ti или т.п., или структуру в виде стопы слоев из металла и прозрачного проводящего материала, такого как отражающие материалы из ITO/Ag/ITO, Mo/AlNd/ITO или т.п.
(5) Рисунок задающего пиксельного слоя (PDL) формируется на базовой подложке, снабженной вышеуказанными рисунками.
В некоторых примерных вариантах осуществления задающая пиксельная пленка наносится на базовую подложку 010, на которой сформированы вышеуказанные рисунки, и подвергается процессам маскирования, экспонирования и проявления для формирования рисунка задающего пиксельного слоя. Как показано на фиг.12, участок задающего пиксельного слоя 30 в области отображения включает в себя множество задающих пиксельных участков 302, и множество отверстий 301 задающего пиксельного слоя сформировано между каждыми двумя смежными двумя из множества задающих пиксельных участков 302. Участки задающего пиксельного слоя 30 в множестве отверстий 301 удаляются в процессе проявления, чтобы обнажить по меньшей мере участок поверхности первого анода 213 каждого красного подпикселя 01, по меньшей мере участок поверхности второго анода 223 каждого зеленого подпикселя 02 и по меньшей мере участок поверхности третьего анода 233 каждого синего подпикселя 03, соответственно.
В некоторых примерах задающий пиксельный слой 30 может быть выполнен из полиимида, акрила, полиэтилентерефталата или т.п.
(6) На базовой подложке, на которой сформированы вышеперечисленные рисунки, формируют рисунок столбиковой распорки (PS).
В некоторых примерных вариантах осуществления пленку из органического материала наносят на базовую подложку 010, на которой сформированы вышеуказанные рисунки, и подвергают процессам маскирования, экспонирования и проявления для формирования рисунка столбиковой распорки 34. Столбиковая распорка 34 может служить в качестве опорного слоя, выполненного с возможностью поддержки тонкой металлической маски (FMM) во время нанесения покрытия напылением. В некоторых примерах две смежные столбиковые распорки 34 разнесены друг от друга на один повторяющийся блок вдоль направления строки, в котором размещаются подпиксели. Например, столбиковая распорка 34 может располагаться между красным подпикселем 01 и синим подпикселем 03, которые находятся рядом друг с другом.
(7) Органический функциональный слой и второй электрод последовательно формируют на базовой подложке, снабженной вышеуказанными рисунками. В некоторых примерах второй электрод представляет собой прозрачный катод. Каждый светоизлучающий элемент может излучать свет со стороны прозрачного катода, удаленной от базовой подложки 010, тем самым реализуя излучение сверху. В некоторых примерах органический функциональный слой каждого светоизлучающего элемента включает в себя: слой инжекции дырок, слой переноса дырок, светоизлучающий слой и слой переноса электронов.
В некоторых примерных вариантах осуществления на базовой подложке 010, на которой сформированы вышеуказанные рисунки, последовательно формируют слой 241 инжекции дырок и слой 242 переноса дырок путем нанесения покрытия напылением с использованием открытой маски, затем излучающий синий свет слой 236, излучающий зеленый свет слой 216 и излучающий красный свет слой 226 последовательно формируют путем нанесения покрытия напылением с использованием FMM, и затем слой 243 переноса электронов, катод 244 и оптически связывающий слой 245 последовательно формируют путем нанесения покрытия напылением с использованием открытой маски. Слой 241 инжекции дырок, слой 242 переноса дырок, слой 243 переноса электронов и катод 244 являются общими слоями для множества подпикселей. В некоторых примерах органический функциональный слой может дополнительно включать в себя регулирующий микрополости слой, расположенный между слоем переноса дырок и светоизлучающим слоем. Например, после того, как слой переноса дырок сформирован, синий регулирующий микрополости слой, синий светоизлучающий слой, зеленый регулирующий микрополости слой, зеленый светоизлучающий слой, красный регулирующий микрополости слой и красный светоизлучающий слой могут быть последовательно сформированы путем нанесения покрытия напылением с использованием FMM.
В некоторых примерных вариантах осуществления органический функциональный слой сформирован в каждой подпиксельной области, так что органический функциональный слой соединяется с соответствующим анодом. Катод сформирован на задающем пиксельном слое и соединен с органическим функциональным слоем.
В некоторых примерных вариантах осуществления катод может быть выполнен из одного или более из: магния (Mg), серебра (Ag) и алюминия (Al), или из сплава любого одного или нескольких из указанных выше металлов, или из прозрачного проводящего материала, такого как оксид индия и олова (ITO), или может быть многослойной композитной структурой из металла и прозрачного проводящего материала.
В некоторых примерных вариантах осуществления оптически связывающий слой может быть сформирован на стороне катода 244, удаленной от базовой подложки 10, и может быть общим слоем для множества подпикселей. Оптически связывающий слой может взаимодействовать с прозрачным катодом для увеличения светоотдачи. Например, материал оптически связывающего слоя может быть полупроводниковым материалом. Однако настоящий вариант осуществления не ограничивается этим.
(8) Инкапсулирующий слой формируют на базовой подложке, снабженной вышеуказанными рисунками.
В некоторых примерных вариантах осуществления инкапсулирующий слой формируют на базовой подложке 010, на которой сформированы вышеуказанные рисунки, и может включать в себя первый инкапсулирующий слой 41, второй инкапсулирующий слой 42 и третий инкапсулирующий слой 43, которые объединяют последовательно вместе в виде стопы. Первый инкапсулирующий слой 41 выполнен из неорганического материала и покрывает катод 244 в области отображения. Второй инкапсулирующий слой 42 выполнен из органического материала. Третий инкапсулирующий слой 43 выполнен из неорганического материала и покрывает первый инкапсулирующий слой 41 и второй инкапсулирующий слой 42. Однако настоящий вариант осуществления не ограничивается этим. В некоторых примерах инкапсулирующий слой может представлять собой пятислойную структуру, которая состоит из неорганического/органического/неорганического/органического/неорганического материалов.
На фиг.2 показано схематичное представление примерного пиксельного массива. Как показано на фиг.2, пиксельный массив включает в себя множество первых пиксельных строк 1 и множество вторых пиксельных строк 2, и первые пиксельные строки 1 и вторые пиксельные строки 2 размещаются поочередно. Каждая первая пиксельная строка 1 включает в себя красные подпиксели 01 и синие подпиксели 03, которые размещаются поочередно, и красные подпиксели 01 и синие подпиксели 03, которые расположены в одном и том же столбце, в множестве первых пиксельных строк 1 также размещаются поочередно. Каждая вторая пиксельная строка 2 включает в себя множество зеленых подпикселей 02, расположенных бок о бок, и множество зеленых подпикселей 02 размещаются в шахматном порядке с красными подпикселями 01 и синими подпикселями 03 в смежном ряду. При такой компоновке пикселей пиксельный массив может быть разделен на повторяющиеся блоки, размещенные в массиве, и каждый повторяющийся блок включает в себя две строки и четыре столбца подпикселей. То есть каждый повторяющийся блок включает в себя 1 (то есть один) красный подпиксель 01, 1 (то есть один) синий подпиксель 03 и 2 (то есть два) зеленых подпикселя 02, и красный подпиксель 01 и синий подпиксель 03 являются общими подпикселями. 4 подпикселя могут осуществлять отображение 2 виртуальных пиксельных блоков с помощью виртуального алгоритма. Например, красный подпиксель 01 во втором повторяющемся блоке в первой строке, синий подпиксель 03 в первом повторяющемся блоке в первой строке и зеленый подпиксель 02, ближайший к красному подпикселю 01 и синему подпикселю 03, образуют виртуальный пиксельный блок, и красный подпиксель 01 и синий подпиксель 03 во втором повторяющемся блоке в первой строке и зеленый подпиксель 02, ближайший к красному подпикселю 01 и синему подпикселю 03, образуют блок виртуального пикселя; кроме того, синий подпиксель 03 и другой зеленый подпиксель 02 во втором повторяющемся блоке в первой строке и ближайший красный подпиксель 01 в третьем повторяющемся блоке в первой строке образуют виртуальный пиксельный блок. Таким образом, можно эффективно повысить разрешение панели отображения, включающей в себя пиксельный массив.
Однако авторы концепции настоящего раскрытия обнаружили, что, так как каждый красный подпиксель 01 и каждый синий подпиксель 03 представляют собой общим подпикселем и имеют площадь, превышающую площадь каждого зеленого подпикселя 02, согласно спектрам излучения света каждого красного подпикселя 01 и каждого синего подпикселя 03, в частности, площадь каждого синего подпикселя 03 больше, чем площадь каждого красного подпикселя 01, фактические центры яркости, сформированные с помощью виртуальных пиксельных блоков, являются неоднородными при отображении панели отображения. В связи с этим, другие варианты осуществления настоящего раскрытия предоставляют следующие технические решения.
В первом аспекте на фиг.4 показано схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив согласно вариантам осуществления настоящего раскрытия (их первому примеру). Как показано на фиг.4, пиксельный массив согласно настоящему варианту осуществления включает в себя множество первых пиксельных строк 1 и множество вторых пиксельных строк 2, и множество первых пиксельных строк 1 и множество вторых пиксельных строк 2 размещаются поочередно. Каждая первая пиксельная строка 1 включает в себя красные подпиксели 01 и синие подпиксели 03, которые размещаются поочередно, и красные подпиксели 01 и синие подпиксели 03, которые расположены в одном и том же столбце, в множестве первых пиксельных строк 1 также размещаются поочередно. Каждая вторая пиксельная строка 2 включает в себя множество зеленых подпикселей 02, расположенных бок о бок, и множество зеленых подпикселей 02 размещаются в шахматном порядке с красными подпикселями 01 и синими подпикселями 03 в смежном ряду. Линии, последовательно соединяющие центры двух красных подпикселей 01 и двух синих подпикселей 03, которые размещаются в виде массива (то есть линии, последовательно соединяющие четыре центра вместе), образуют первый виртуальный четырехугольник (или четырехугольник) 10 и зеленый подпиксель 02 размещается внутри каждого первого виртуального четырехугольника 10. Например, по меньшей мере некоторые внутренние углы каждого первого виртуального четырехугольника 10 не равны 90°. Форма каждого красного подпикселя 01, каждого зеленого подпикселя 02 и каждого синего подпикселя 03 включает в себя многоугольник. Кроме того, по меньшей мере в одном из каждого красного подпикселя 01, каждого зеленого подпикселя 02 и каждого синего подпикселя 03, которые представляют собой многоугольник, расстояние между точкой пересечения продолжающихся линий двух сторон по меньшей мере одного угла при вершине и центром одного подпикселя не равно расстоянию между точкой пересечения продолжающихся линий двух сторон противоположного угла одного угла при вершине и центром одного подпикселя.
Следует отметить, что в варианте осуществления настоящего раскрытия многоугольник включает в себя, но не без ограничения, скругленный многоугольник (то есть многоугольник со скругленным углом), выпуклый многоугольник и вогнутый многоугольник. Центр подпикселя представляет собой, например, геометрический центр подпикселя или точку пересечения перпендикуляров, проходящих через середины сторон подпикселя, или точку в подпикселе, который имеет приблизительно равные расстояния по вертикали со сторон подпикселя. Конечно, центр подпикселя может допускать некоторую ошибку. Например, центром подпикселя может быть любая точка внутри круга, имеющего геометрический центр подпикселя в качестве центра и имеющего радиус 3 мкм.
В настоящем варианте осуществления формы некоторых из подпикселей регулируются таким образом, чтобы по меньшей мере некоторые внутренние углы каждого первого виртуального четырехугольника 10, который образован линиями, последовательно соединяющими центры двух красных подпикселей 01 и двух синих подпикселей 03, которые размещаются в массиве, не были равны 90°, и расстояние между точкой пересечения продолжающихся линий двух сторон по меньшей мере одного угла при вершине по меньшей мере в одном из каждого красного подпикселя 01, каждого зеленого подпикселя 02 и каждого синего подпикселя 03 и центром одного подпикселя не были равны расстоянию между точкой пересечения продолжающихся линий двух сторон противоположного угла одного угла при вершине и центром одного подпикселя, тем самым регулируя фактический центр яркости каждого виртуального пиксельного блока и делая более равномерным распределение фактических центров яркости на всей панели отображения.
В некоторых вариантах осуществления, если первый угол каждого синего подпикселя 03 скошен по кругу или по прямой линии, расстояние между вершиной первого угла каждого синего подпикселя 03 и границей светоизлучающего слоя отличается от каждого из расстояний между вершинами других углов каждого синего подпикселя 03 и границей светоизлучающего слоя. Например, вершина первого угла каждого синего подпикселя 03 находится на определенном расстоянии от границы пикселя, тогда как вершина каждого из других углов каждого синего подпикселя 03 находится на расстоянии, равном приблизительно 0, от границы. То есть расстояние между вершиной первого угла каждого синего подпикселя 03 и границей больше, чем расстояние между вершиной другого угла и границей синего подпикселя 03.
Далее, как показано на фиг.4, светоизлучающие слои в задающем пиксельном слое задают эффективные светоизлучающие зоны подпикселей, соответственно, и эффективные светоизлучающие зоны каждого красного подпикселя 01, каждого зеленого подпикселя 02 и каждого синего подпикселя 03 представляют собой первую эффективную светоизлучающую зону, вторую эффективную светоизлучающую зону и третью эффективную светоизлучающую зону, соответственно. В некоторых вариантах осуществления каждая первая эффективная светоизлучающая зона задается светоизлучающим слоем, который находится в соответствующем красном подпикселе 01, расположенном между анодом и катодом напротив друг друга в направлении, перпендикулярном базовой подложке, и должна возбуждаться, чтобы излучать свет. Например, каждая вторая эффективная светоизлучающая зона задается светоизлучающим слоем, который находится в соответствующем зеленом подпикселе 02, расположена между анодом и катодом напротив друг друга в направлении, перпендикулярном базовой подложке, и должна возбуждаться, чтобы излучать свет. В некоторых вариантах осуществления каждая эффективная светоизлучающая зона задается соответствующим светоизлучающим слоем и электродом (анодом или катодом) или участком электрода, который переносит носители (дырки или электроны) с помощью (из/в) соответствующего светоизлучающего слоя. В некоторых вариантах осуществления каждая эффективная светоизлучающая зона задается по меньшей мере участком катода и по меньшей мере участком анода, ортогональная проекция по меньшей мере участка катода на базовую подложку и ортогональная проекция по меньшей мере участка анода на базовую подложку перекрывают друг друга, ортогональные проекции по меньшей мере участка катода и по меньшей мере участка анода на базовую подложку не перекрывают ортогональную проекцию первого изолирующего слоя на базовую подложку, и первый изолирующий слой расположен между катодом и анодом в направлении, перпендикулярном базовой подложке. Например, первый изолирующий слой включает в себя задающий пиксельный слой. В некоторых вариантах осуществления каждый из каждого красного подпикселя 01, каждого зеленого подпикселя 02 и каждого синего подпикселя 03 включает в себя первый электрод, светоизлучающий слой на стороне первого электрода, удаленной от базовой подложки, и второй электрод на стороне светоизлучающего слоя, удаленной от первого электрода. Второй изолирующий слой расположен между первым электродом и светоизлучающим слоем и/или между вторым электродом и светоизлучающим слоем в направлении, перпендикулярном базовой подложке. Проекция второго изолирующего слоя на базовую подложку перекрывает проекцию первого электрода или второго электрода на базовую подложку. Кроме того, второй изолирующий слой имеет отверстие, и отверстие второго изолирующего слоя может обнажать по меньшей мере участок первого электрода или участок второго электрода на стороне, проксимальной к светоизлучающему слою, так что первый электрод или второй электрод находится в контакте со светоизлучающим слоем или функциональным слоем, способствующим испусканию света. Каждая из каждой первой эффективной светоизлучающей зоны и каждой второй эффективной светоизлучающей зоны задается участком первого электрода или участком второго электрода, находящимся в контакте со светоизлучающим слоем или функциональным слоем, способствующим испусканию света. В некоторых вариантах осуществления второй изолирующий слой включает в себя задающий пиксельный слой. В некоторых вариантах осуществления функциональный слой, способствующий испусканию света, может представлять собой одно или более из: слоя инжекции дырок, слоя переноса дырок, слоя переноса электронов, слоя блокировки дырок, слоя блокировки электронов, слоя инжекции электронов, вспомогательного светоизлучающего слоя, слоя, улучшающего границу раздела, антиотражающего слоя и т.п. В некоторых вариантах осуществления первый электрод может быть анодом, и второй электрод может быть катодом. В некоторых вариантах осуществления первый электрод может включать в себя по меньшей мере два многослойных слоя из оксида индия-олова (ITO) и серебра (Ag) и, например, может представлять собой три многослойных слоя из ITO, Ag и ITO. В некоторых вариантах осуществления второй электрод может включать в себя одно или более из: магния (Mg), Ag, ITO и оксида индия-цинка (IZO) и, например, может быть смешанным слоем или слоем из сплава Mg и Ag.
Каждый подпиксель включает в себя светоизлучающий слой. Каждый красный подпиксель 01 включает в себя светоизлучающий слой первого цвета в отверстии и на задающем пиксельном слое, и каждый зеленый подпиксель 02 включает в себя второй цветной светоизлучающий слой в отверстии и на задающем пиксельном слое.
Например, компоновка, в которой четыре из зеленых подпикселей 02 окружают один из красных подпикселей 01, может быть компоновкой внутри области отображения, и компоновка на краю области отображения может отличаться от компоновки внутри области отображения. Например, на краю области отображения, в случае, когда красный подпиксель 01 является подпикселем в первой строке, или первом столбце, или последней строке или последнем столбце, только два из зеленых подпикселей пиксели 02 могут окружать красный подпиксель 01. Например, край области отображения может включать в себя скругленный угол, или область отображения является областью отображения специальной формы, такой как непрямоугольная область отображения, такая как круглая область отображения, или прямоугольная область отображения с отверстием, сформированным рядом с границей прямоугольной области отображения. В этом случае на краю области отображения один из красных подпикселей 01 может быть окружен одним, двумя или тремя зелеными подпикселями 02.
В некоторых вариантах осуществления светоизлучающий слой 101 каждого красного подпикселя, светоизлучающий слой 102 каждого зеленого подпикселя и светоизлучающий слой 103 каждого синего подпикселя могут иметь одинаковую или по существу одинаковую форму. Каждый светоизлучающий слой в задающем пиксельном слое определяет эффективную светоизлучающую зону каждого подпикселя. В варианте осуществления настоящего раскрытия первый угол каждого синего подпикселя 03 может быть скошен по кругу или по прямой линии, и расстояние между вершиной первого угла каждого синего подпикселя 03 и границей соответствующего светоизлучающего слоя отличается от расстояния между вершиной каждого из его других углов и границей соответствующего светоизлучающего слоя. Например, расстояние между вершиной первого угла каждого синего подпикселя 03 и границей соответствующего светоизлучающего слоя больше, чем расстояние между вершиной каждого из других его углов и границей соответствующего светоизлучающего слоя.
В некоторых вариантах осуществления минимальные расстояния между центром зеленого подпикселя 02 в каждом первом виртуальном четырехугольнике 10 и границами светоизлучающих зон двух красных подпикселей 01, непосредственно смежных с зеленым подпикселем 02, равны друг другу. Кроме того, минимальные расстояния между центром зеленого подпикселя 02 и границами светоизлучающих зон двух синих подпикселей 03, непосредственно смежных с зеленым подпикселем 02, также равны друг другу. Например, отношение минимальных расстояний между центром зеленого подпикселя 02 и границами светоизлучающих зон двух красных подпикселей 01, непосредственно примыкающих к зеленому подпикселю 02, к минимальному расстоянию между центром зеленого подпикселя 02 и границей светоизлучающих зон двух синих подпикселей 03, непосредственно смежных с зеленым подпикселем 02, находится в диапазоне от приблизительно 0,8 до приблизительно 1,2.
В частности, на фиг.5 показано схематичное представление, иллюстрирующее распределение фактических центров яркости пиксельного массива во время отображения, при этом первый угол каждого синего подпикселя 03 скруглен (то есть скошен по кругу) и является аналогичным прямому углу, согласно варианту осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг.5, например, первые углы всех синих подпикселей в пиксельном массиве могут быть направлены вправо. На фиг.5 угол, показанный пунктирной линией, в первом углу каждого синего подпикселя 03 на фиг.5 представляет пиксельный массив уровня техники, в котором первый угол каждого синего подпикселя 03 является аналогичным прямому углу, символы «×» представляют фактические центры яркости при отображении пиксельного массива уровня техники, и символы “•” представляют фактические центры яркости при отображении пиксельного массива согласно варианту осуществления настоящего раскрытия. Как видно из фиг.5, когда первые углы синих подпикселей скруглены, распределение их фактических центров яркости становится более равномерным.
В некоторых вариантах осуществления каждый из внутренних углов каждого первого виртуального четырехугольника 10 находится в диапазоне от приблизительно 70° до приблизительно 110° и может находиться ближе к 90°, что является более предпочтительным. Однако каждый из внутренних углов каждого первого виртуального четырехугольника 10 не ограничивается диапазоном от 70° до 110°, если не все внутренние углы каждого первого виртуального четырехугольника 10 равны 90°.
В некоторых вариантах осуществления каждый первый виртуальный четырехугольник 10 включает в себя, но без ограничений, виртуальный параллелограмм или виртуальную трапецию. Например, каждый первый виртуальный четырехугольник 10 может быть любым из: ромба, равнобедренной трапеции и равнобокой трапеции (которая также может называться прямоугольной трапецией).
В некоторых вариантах осуществления на фиг.6 показано схематичное представление, иллюстрирующее синий подпиксель согласно варианту осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг.6, первый угол синего подпикселя 03 скруглен (то есть скошен по кругу) или скошен по прямой линии. Расстояние между точкой пересечения продолжающихся линий двух сторон первого угла и вершиной первого угла равно d1, и расстояние между вершиной первого угла и вершиной второго угла составляет d2, причем отношение d1/d2 находится в диапазоне от приблизительно 1/5 до приблизительно 1/2. Например, вершина первого угла синего подпикселя 03 представляет собой точку, которая имеет минимальное расстояние от точки пересечения продолжающихся линий двух сторон соответствующего угла при вершине, на границе синего подпикселя. Аналогичным образом, в случае, когда первый угол каждого из красного подпикселя 01 и зеленого подпикселя 02 скошен по кругу или по прямой линии, расстояние между точкой пересечения продолжающихся линий двух сторон их первого угла и вершиной первого угла и расстояние между вершиной первого угла и вершиной второго угла могут быть установлены в соответствии с вышеописанными размерами (или размерами).
В некоторых вариантах осуществления виртуальные углы при вершинах, образованные пересечением продолжающихся линий двух сторон соответствующих углов при вершинах второго угла, третьего угла и четвертого угла синего подпикселя 03, приблизительно равны друг другу и могут быть приблизительно равны, 90°, например, могут быть равны от приблизительно 80° до приблизительно 100°.
В некоторых вариантах осуществления зона, окруженная продолжающимися линиями двух сторон угла при вершине первого угла синего подпикселя 03 и контуром первого угла, является первой углубленной зоной, и зона, окруженная продолжающимися линиями двух сторон угла при вершине второго угла синего подпикселя 03 и контуром границы второго угла, представляет собой вторую углубленную зону, причем первая углубленная зона больше, чем вторая углубленная зона по площади.
2
2
В дополнение к этому, зона, окруженная продолжающимися линиями с двух сторон угла при вершине третьего угла синего подпикселя 03 и контур границы третьего угла, является третьей углубленной зоной, и зона, окруженная продолжающимися линиями двух сторон угла при вершине четвертого угла синего подпикселя 03 и контуром границы четвертого угла, представляют собой четвертую углубленную зону. В некоторых вариантах осуществления вторая, третья и четвертая углубленные зоны приблизительно равны друг другу по площади. Например, площадь каждой из второй углубленной зоны, третьей углубленной зоны и четвертой углубленной зоны меньше 4 мкм, и площадь первой углубленной зоны больше 2 мкм.
В некоторых вариантах осуществления на фиг.7 показано схематичное представление, иллюстрирующее синий подпиксель согласно вариантам осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг.7, первый угол синего подпикселя 03 скошен по кругу или по прямой линии. Прямая линия, проходящая через центр синего подпикселя 03 вдоль направления строки пиксельного массива, делит синий подпиксель 03 на две части, имеющие зоны S1 и S2, соответственно, и отношение S1:S2 находится в диапазоне от приблизительно 2:8 до приблизительно 8:2. В качестве альтернативы, прямая линия, проходящая через центр синего подпикселя 03 вдоль направления столбца пиксельного массива, делит синий подпиксель 03 на две части, имеющие зоны S1 и S2, соответственно, и отношение S1:S2 находится в диапазоне от приблизительно 2:8 до приблизительно 8:2. Аналогичным образом, в случае, когда первый угол каждого из красного подпикселя 01 и зеленого подпикселя 02 скошен по кругу или по прямой линии, прямая линия, проходящая через центр каждого из красного подпикселя 01 и зеленого подпикселя 02 вдоль направления строки или столбца пиксельного массива делит каждый из красного подпикселя 01 и зеленого подпикселя 02 на две части, имеющие то же отношение, что и отношение площадей двух частей синего подпикселя 03.
В некоторых вариантах осуществления, как показано на фиг.6, первый угол синего подпикселя скошен по кругу или по прямой линии, и продолжающиеся линии двух сторон первого угла образуют виртуальный угол при вершине приблизительно 90°; и в некоторых вариантах осуществления виртуальной угол при вершине находится в диапазоне от приблизительно 80° до приблизительно 100°. Аналогичным образом, в случае, когда первый угол каждого из красного подпикселя 01 и зеленого подпикселя 02 скошен по кругу или по прямой линии, продолжающиеся линии двух сторон соответствующего первого угла каждого красного 01 и зеленого подпикселя 02 образуют угол, по существу такой же, как и виртуальной угол при вершине, образованный продолжающимися линиями двух сторон первого угла синего подпикселя 03.
В некоторых вариантах осуществления линия, соединяющая противоположные углы в направлении строки красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03 в одной и той же строке, по существу находится на одной прямой линии или образует угол приблизительно 30° с направлением строки. Кроме того, в некоторых вариантах осуществления на фиг.8 показано схематичное представление, иллюстрирующее красный подпиксель и синий подпиксель, которые расположены рядом в одной и той же строке согласно вариантам осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг.8, в первой пиксельной строке 1, например, в красном подпикселе 01 и синем подпикселе 03, которые расположены рядом в одной и той же строке, продолжающаяся линия линии, соединяющей конечные точки, наиболее удаленные от соответствующих центров на первой стороне (то есть на левой стороне) в направлении столбца, пересекает продолжающуюся линию линии, соединяющей конечные точки, наиболее удаленные от соответствующих центров на противоположной второй стороне (то есть на правой стороне), под углом между ними менее 30°.
В некоторых вариантах осуществления на фиг.9 показано схематичное представление, иллюстрирующее красный подпиксель и синий подпиксель, расположенные рядом в одной и той же строке, согласно вариантам осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг.9, в красном подпикселе 01 и синем подпикселе 03, расположенных рядом в одном и том же столбце, продолжающаяся линия линии, соединяющей конечные точки, наиболее удаленные от соответствующих центров на первой стороне (то есть на верхней стороне) в направлении строки пересекает продолжающуюся линию линии, соединяющей конечные точки, наиболее удаленные от соответствующих центров на противоположной второй стороне (то есть на нижней стороне), под углом между ними менее 30°.
В некоторых вариантах осуществления для красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03, смежных друг с другом в одной и той же строке, по меньшей мере один угол красного подпикселя 01 и по меньшей мере один угол синего подпикселя 03 расположены напротив друг друга, и точка пересечения продолжающихся линий двух сторон по меньшей мере одного угла красного подпикселя 01 и точка пересечения продолжающихся линий двух сторон по меньшей мере одного угла синего подпикселя пиксели 03 расположены на прямой линии, параллельной направлению строки. Дополнительно или альтернативно, для красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03, смежных друг с другом в одном и том же столбце, по меньшей мере один угол красного подпикселя 01 и по меньшей мере один угол синего подпикселя 03 расположены напротив друг друга, и точка пересечения продолжающихся линий двух сторон по меньшей мере одного угла красного подпикселя 01 и точка пересечения продолжающихся линий двух сторон по меньшей мере одного угла синего подпикселя пиксели 03 расположены на прямой линии, параллельной направлению столбца. В некоторых вариантах осуществления четыре первых виртуальных четырехугольника 10, расположенных в виде массива, образуют второй виртуальный многоугольник. Например, как показано на фиг.10, второй виртуальный многоугольник, образованный четырьмя первыми виртуальными четырехугольниками 10, расположенными в массиве, имеет структуру четырехугольника, такого как прямоугольник (включая квадрат). В качестве альтернативы, второй виртуальный многоугольник не ограничивается четырехугольником и может быть шестиугольником или другим многоугольником с более чем четырьмя сторонами. В варианте осуществления настоящего раскрытия описание приводится на примере, в котором второй виртуальный многоугольник является четырехугольником и ниже упоминается как второй виртуальный четырехугольник 100. Четыре зеленых подпикселя 02 во втором виртуальном четырехугольнике 100 расположены в форме X. То есть зеленые подпиксели 02, расположенные в одной и той же строке во втором виртуальном четырехугольнике 100, размещаются симметрично относительно направления столбца, и зеленые подпиксели 02 в одном том же столбце во втором виртуальном четырехугольнике 100 размещаются симметрично относительно направления строки. В некоторых вариантах осуществления красные подпиксели 01 во втором виртуальном четырехугольнике 100 расположены в центре и в углах при вершинах второго виртуального четырехугольника 100, соответственно. Синие подпиксели 03 во втором виртуальном четырехугольнике 100 расположены на сторонах второго виртуального четырехугольника 100. Кроме того, красные подпиксели 01, расположенные в углах при вершинах второго виртуального четырехугольника 100, и синие подпиксели 03, расположенные на сторонах второго виртуального четырехугольника 100, поочередно распределены по часовой стрелке в углах при вершинах и на сторонах второго виртуального четырехугольника 100.
В некоторых вариантах осуществления во втором виртуальном четырехугольнике 100 центры синих подпикселей 03, расположенных в одном ряду, по существу находятся на прямой линии, параллельной направлению строки, и/или центры синих подпикселей 03, расположенных в одном том же столбце, находятся по существу на прямой линии, параллельной направлению строки.
В некоторых вариантах осуществления во втором виртуальном четырехугольнике 100 центры зеленых подпикселей 02, расположенных в одной и той же строке, находятся по существу на прямой линии, параллельной направлению строки, и/или центры зеленых подпикселей 03, расположенных в одном том же столбце, находятся по существу на прямой линии, параллельной направлению строки.
В некоторых вариантах осуществления в пиксельном массиве красные подпиксели 01 имеют одинаковую форму, зеленые подпиксели 02 имеют одинаковую форму, и синие подпиксели 03 имеют одинаковую форму. В качестве альтернативы, подпиксели одного и того же цвета могут быть структурами разной формы, и структуры разной формы равномерно распределены в подпикселях одного и того же цвета. Например, красные подпиксели 01 в каждой второй строке или каждом другом столбце имеют одинаковую форму.
В некоторых вариантах осуществления, если первый угол каждого синего подпикселя 03 скошен по кругу или по прямой линии, ориентации первых углов некоторых или всех синих подпикселей 03 в пиксельном массиве могут быть одинаковыми. Например, первые углы синих подпикселей 03 в одной и той же строке имеют одинаковую ориентацию, при этом первые углы синих подпикселей 03 в одном и том же столбце имеют разные ориентации. Аналогичным образом, первые углы зеленых подпикселей 02 и красных подпикселей 01, когда они скошены по кругу и по прямой линии, могут иметь ту же ориентацию, что и ориентации первых углов синих подпикселей 03.
Вариант осуществления настоящего раскрытия предоставляет пиксельный массив, который по существу совпадает с вышеуказанным пиксельным массивом. Пиксельный массив включает в себя множество подпикселей, которые включают в себя красные подпиксели 01, зеленые подпиксели 02 и синие подпиксели 03. Красные подпиксели 01 и синие подпиксели 03 размещаются поочередно вдоль направления строки для формирования множества первых пиксельных строк 1, и красные подпиксели 01 и синие подпиксели 03, которые расположены в одном и том же столбце, в множестве первых пиксельных строк 1 размещаются поочередно. Зеленые подпиксели 02 размещаются бок о бок в направлении строки, чтобы сформировать множество вторых пиксельных строк 2. Линии, последовательно соединяющие друг с другом центры двух красных подпикселей 01 и двух синих подпикселей, размещенных в виде массива, образуют первый виртуальный четырехугольник 10, и зеленый подпиксель размещается в каждом первом виртуальном четырехугольнике 10. Например, по меньшей мере некоторые из внутренних углов первого виртуального четырехугольника 10 не равны 90°. Форма каждого из красного подпикселя 01, зеленого подпикселя 02 и синего подпикселя 03 включает в себя многоугольник. Минимальное расстояние между точкой пересечения продолжающихся линий двух сторон по меньшей мере одного угла при вершине по меньшей мере в одном подпикселе, который имеет форму многоугольника, красного подпикселя 01, зеленого подпикселя 02 и синего подпикселя 03 и границей по меньшей мере одного подпикселя не равно минимальному расстоянию между точкой пересечения продолжающихся линий двух сторон другого угла при вершине по меньшей мере одного подпикселя и границей по меньшей мере одного подпикселя. Например, как показано на фиг.6, первый угол синего подпикселя 03 скошен по кругу или по прямой линии, и расстояние между точкой пересечения продолжающихся линий двух сторон первого угла и вершиной первого угла равно d1, и расстояние между вершиной первого угла и вершиной второго угла равно d2, отношение d1/d2 находится в диапазоне от приблизительно 1/5 до приблизительно 1/2. Например, вершина первого угла синего подпикселя 03 является точкой, которая находится на границе синего подпикселя 03, с минимальным расстоянием от точки пересечения продолжающихся линий двух сторон угол при вершине синего подпикселя 03.
В некоторых вариантах осуществления каждый красный подпиксель 01 является осесимметричным, красные подпиксели 01 имеют одинаковую форму, но оси симметрии по меньшей мере некоторых из красных подпикселей 01 проходят в разных направлениях. В качестве альтернативы, каждый зеленый подпиксель 02 является осесимметричным, зеленые подпиксели 02 имеют одинаковую форму, но оси симметрии по меньшей мере некоторых из зеленых подпикселей 02 проходят в разных направлениях. В качестве альтернативы, каждый синий подпиксель 03 является осесимметричным, синие подпиксели 03 имеют одинаковую форму, но оси симметрии по меньшей мере некоторых из синих подпикселей 03 проходят в разных направлениях. Например, первый угол каждого из синих подпикселей 03 скошен по кругу или по прямой линии, и синие подпиксели 03 в пиксельном массиве одинаковую форму. Ориентации первых углов синих подпикселей 03 являются разными, и, например, ориентации некоторых из первых углов направлены вверх, тогда как ориентации некоторых из первых углов направлены влево. Оси симметрии синих подпикселей 03, первые углы которых направлены вверх, параллельны направлению столбца, тогда как оси симметрии синих подпикселей 03, первые углы которых направлены влево, параллельны направлению строки. То есть оси симметрии синих подпикселей 03, первые углы которых направлены вверх и влево, не проходят в одном и том же направлении.
В некоторых вариантах осуществления красные подпиксели 01 и синие подпиксели 03 являются осесимметричными, и оси симметрии по меньшей мере некоторых из красных подпикселей 01 и синих подпикселей 03 не проходят в одном и том же направлении. Например, все первые углы красных подпикселей 01 и синих подпикселей 03 скошены по кругу и по прямой линии. Первые углы некоторых красных подпикселей 01 сориентированы вверх, и оси симметрии параллельны направлению столбца. Первые углы некоторых из синих подпикселей 03 имеют ориентацию, направленную влево, и имеют оси симметрии, параллельные направлению строки. То есть оси симметрии красных подпикселей 01 и синих подпикселей 03, первые углы которых направлены в разных направлениях, не проходят в одном и том же направлении.
В некоторых вариантах осуществления каждый зеленый подпиксель 02 может быть асимметричным и, например, иметь форму равнобокой трапеции и т.п.
В некоторых вариантах осуществления форма по меньшей мере одного из красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03 включает в себя только одну ось симметрии. Например, первый угол формы по меньшей мере одного из красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03 скошен по кругу или по прямой линии, и второй угол, третий угол и четвертый угол по меньшей мере одного из красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03 имеют по существу одинаковую форму. В этом случае форма по меньшей мере одного из красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03 включает в себя только одну ось симметрии.
В некоторых вариантах осуществления по меньшей мере две из числа осей симметрии формы красного подпикселя 01, числа осей симметрии формы зеленого подпикселя 02 и числа осей симметрии формы синий подпиксель 03 являются разными. Например, один из красного подпикселя 01, зеленого подпикселя 02 и синего подпикселя 03 может быть осесимметричным, а два других могут быть неосесимметричными. В качестве альтернативы, два из красного подпикселя 01, зеленого подпикселя 02 и синего подпикселя 03 могут быть осесимметричными, и третий подпиксель может быть неосесимметричным. В качестве альтернативы, красный подпиксель 01, зеленый подпиксель 02 и синий подпиксель 03 могут быть все осесимметричными, но количество осей симметрии красного подпикселя 01, количество осей симметрии зеленого подпиксель 02 и количество осей симметрии синего подпикселя 03 отличаются друг от друга, например, равны единице, двум и четырем, соответственно. В качестве альтернативы, красный подпиксель 01, зеленый подпиксель 02 и синий подпиксель 03 могут быть все осесимметричными, но количество осей симметрии одного из красного подпикселя 01, зеленого подпикселя 02 и синий подпиксель 03 отличается от количества осей симметрии каждого из двух других из красного подпикселя 01, зеленого подпикселя 02 и синего подпикселя 03, например, один из красного подпикселя 01, зеленого подпикселя 02 и синего подпикселя 03 имеет две или четыре оси симметрии, тогда как каждый из двух других из красного подпикселя 01, зеленого подпикселя 02 и синего подпикселя пиксель 03 имеет одну ось симметрии. Пиксельный массив согласно варианту осуществления настоящего раскрытия будет дополнительно описан ниже со ссылкой на конкретные примеры.
В первом примере фиг.10 показано схематичное представление, иллюстрирующее распределение подпикселей в первом втором виртуальном четырехугольнике (то есть в первом четырехугольнике из вторых виртуальных четырехугольников), который находится в верхнем левом углу пиксельного массива, показанного на фиг.4. Например, как показано на фиг.10 проиллюстрирована только компоновка подпикселей в четырех вторых виртуальных четырехугольниках 100. Как показано на фиг.4 и 7, каждый второй виртуальный четырехугольник 100 включает в себя четыре первых виртуальных четырехугольника 10, расположенные рядом первые виртуальные четырехугольники 10 имеют общую сторону, и расположенные рядом вторые виртуальные четырехугольники 100 имеют общую сторону. Каждый первый виртуальный четырехугольник 10 образован линиями, последовательно соединяющими центры двух красных подпикселей 01 и двух синих подпикселей 03, которые размещаются в виде массива, то есть четыре угла при вершинах каждого первого виртуального четырехугольника 10, соответственно, снабжены двумя красными подпикселями 01 и двумя синими подпикселями 03. Например, два красных подпикселя 01 размещаются в двух противоположных углах при вершинах первого виртуального четырехугольника 10, два синих подпикселя 03 размещаются в двух других противоположных углах при вершинах первого виртуального четырехугольника 10, и центр первого виртуального четырехугольника 10 снабжен одним зеленым подпикселем 02. Для компоновки подпикселей во втором виртуальном четырехугольнике 100 красные подпиксели 01 размещаются в центре и в четырех углах при вершинах второго виртуального четырехугольника 100, и один синий подпиксель 03 размещается между двумя красными подпикселями 01 в каждом из направления строки и направления столбца.
Как показано на фиг.10, первый угол синего подпикселя 03 скруглен (то есть скошен по кругу), и второй угол, третий угол и четвертый угол его все аналогичны прямым углам, соответственно. Для каждого второго виртуального четырехугольника 100 два синих подпикселя, расположенных в одной и той же строке, размещаются симметрично относительно направления столбца, и два синих подпикселя 03, расположенных в одном и том же столбце, размещаются симметрично относительно направления строки. Первые углы синих подпикселей 03 в одной из двух смежных первых пиксельных строк 1 сориентированы (или направлены) в одном направлении, и первые углы синих подпикселей 03 в другой из двух смежных первых пиксельных строк 1 сориентированы (или направлены) в противоположных направлениях, соответственно.
Как показано на фиг.10, первый четырехугольник, который находится в верхнем левом углу, из первых виртуальных четырехугольников 10 имеет пару равных углов (каждый из которых равен 92°, как показано) и другой угол 90°, и каждый из оставшихся первых виртуальных четырехугольников четырехугольник 10 имеет по меньшей мере один угол 90°, и вершина угла 90° расположена в центре красного подпикселя; и синие подпиксели 03, расположенные по диагонали вокруг красного подпикселя 01, являются симметричными относительно центра красного подпикселя 01.
Как показано на фиг.10, если отрезок линии, соединяющей центры красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03, расположенных рядом друг с другом в одном и том же столбце, имеет длину L, второй виртуальный четырехугольник 100 представляет собой квадрат со стороной 2L, и в его центре находится красный подпиксель 01, и центр зеленого подпикселя 02 в каждом первом виртуальном четырехугольнике 10 расположен на перпендикуляре, проходящем через середину линии, соединяющей центры красного подпикселя 01 и синего подпиксель 03, расположенные рядом друг с другом в направлении строк или столбцов. В дополнение к этому, как показано на фиг.10, расстояния по вертикали от центра зеленого подпикселя 02 до границ светоизлучающих зон красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03 в каждом первом виртуальном четырехугольнике 10 равны a и b, соответственно, где a = b.
Во втором примере фиг.13 показано схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив согласно второму примеру вариантов осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг.13, позиции и формы подпикселей в этом пиксельном массиве являются такими же, как и позиции и формы подпикселей в пиксельном массиве согласно первому примеру, за исключением того, что первые углы некоторых из синих подпикселей 03 сориентированы (или направлены) по-разному. В этом пиксельном массиве ориентации первых углов синих подпикселей 03, расположенных в одной и той же строке, являются одинаковыми, и ориентации первых углов синих подпикселей 03, расположенных в одном и том же столбце, являются одинаковыми. Например, на фиг.13 первые углы синих подпикселей 03 в первой строке направлены вверх, и первые углы синих подпикселей 03 в первом столбце направлены влево.
На фиг.10 показано схематичное представление, иллюстрирующее распределение подпикселей в первом втором виртуальном четырехугольнике (то есть в первом четырехугольнике из вторых виртуальных четырехугольников), который находится в верхнем левом углу пиксельного массива, показанного на фиг.13. Как показано на фиг.10, первый четырехугольник, который находится в верхнем левом углу, первых виртуальных четырехугольников 10 второго виртуального четырехугольника 100 имеет пару равных углов (каждый из которых равен 92°, как показано) и другой угол 90°, и каждый из оставшихся первых виртуальных четырехугольников 10 имеет по меньшей мере один угол 90°, вершина которого расположена в центре красного подпикселя; и синие подпиксели 03 на двух концах диагонали первого виртуального четырехугольника расположены симметрично относительно линии, соединяющей друг с другом центры двух красных подпикселей 01 первого виртуального четырехугольника.
Как показано на фиг.10, если отрезок линии, соединяющей центры красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03, расположенных рядом друг с другом в одном и том же столбце, имеет длину L, второй виртуальный четырехугольник 100 представляет собой квадрат со стороной 2L, и в его центре находится красный подпиксель 01, и центр зеленого подпикселя 02 в каждом первом виртуальном четырехугольнике 10 расположен на перпендикуляре, проходящем через середину линии, соединяющей центры красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03, расположенные рядом друг с другом в направлении строк или столбцов. В дополнение к этому, как показано на фиг.10, расстояния по вертикали от центра зеленого подпикселя 02 до границ светоизлучающих зон красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03 в каждом первом виртуальном четырехугольнике 10 равны a и b, соответственно, где a = b. В третьем примере на фиг.13 показано схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив согласно третьему примеру вариантов осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг.13, позиции и формы подпикселей в этом пиксельном массиве являются такими же, как и позиции и формы подпикселей в пиксельном массиве согласно каждому из предыдущих двух примеров, за исключением того, что первые углы некоторых из синих подпиксели 03 сориентированы (или направлены) по-разному. Первые углы всех синих подпикселей 03 в этом пиксельном массиве сориентированы в одном и том же направлении. Например, первые углы всех синих подпикселей 03 на фиг.13 направлены влево.
На фиг.14 показано схематичное представление, иллюстрирующее распределение подпикселей в первом втором виртуальном четырехугольнике (то есть в первом четырехугольнике из вторых виртуальных четырехугольников), который находится в верхнем левом углу пиксельного массива, показанного на фиг.13. Как показано на фиг.14 первый виртуальный четырехугольник 10, который находится в верхнем левом углу, второго виртуального четырехугольника 100 представляет собой равнобедренную трапецию, в которой каждый из двух углов равен 92°, и каждый из двух других углов равен 88°.
Как показано на фиг.14, если отрезок линии, соединяющей центры красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03, расположенных рядом друг с другом в одном и том же столбце, имеет длину L, второй виртуальный четырехугольник 100 представляет собой квадрат со стороной 2L, и в его центре находится красный подпиксель 01, и центр зеленого подпикселя 02 в каждом первом виртуальном четырехугольнике 10 расположен на перпендикуляре, проходящем через середину линии, соединяющей центры красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03, расположенные рядом друг с другом в направлении строк или столбцов. В дополнение к этому, как показано на фиг.14, расстояния по вертикали от центра зеленого подпикселя 02 до границ светоизлучающих зон красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03 в каждом первом виртуальном четырехугольнике 10 равны a и b, соответственно, где a = b.
В четвертом примере на фиг.15 показано схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив согласно четвертому примеру вариантов осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг.15, позиции и формы подпикселей в этом пиксельном массиве являются такими же, как и позиции и формы подпикселей в пиксельном массиве согласно каждому из трех предыдущих примеров, за исключением того, что первые углы некоторых из синих подпикселей 03 сориентированы (или направлены) по-разному. В этом пиксельном массиве первые углы синих подпикселей 03, расположенных в одной и той же строке, сориентированы в одном и том же направлении, и первые углы синих подпикселей 03, расположенных в первых пиксельных строках 1, которые имеют нечетные номера строк, и первые углы синих подпикселей 03, расположенных в первых пиксельных строках 1, которые имеют четные номера строк, сориентированы в противоположных направлениях, соответственно. Например, все первые углы синих подпикселей 03 в первой из первых пиксельных строк 1 направлены вправо, тогда как все первые углы синих подпикселей 03 во втором одной из первых пиксельных строк 1 направлены влево.
На фиг.16 показано схематичное представление, иллюстрирующее распределение подпикселей в первом втором виртуальном четырехугольнике (то есть в первом четырехугольнике из вторых виртуальных четырехугольников), который находится в верхнем левом углу пиксельного массива, показанного на фиг.15. Как показано на фиг.16, первый виртуальный четырехугольник 10, который находится в верхнем левом углу, второго виртуального четырехугольника 100 имеет пару противоположных тупых углов, каждый из которых равен 92°, и другую пару противоположных углов, каждый из которых равен 88°.
Как показано на фиг.16, если отрезок линии, соединяющей центры красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03, расположенных рядом друг с другом в одном и том же столбце, имеет длину L, каждый второй виртуальный четырехугольник 100 представляет собой квадрат со стороной 2L, и в его центре находится красный подпиксель 01, и центр зеленого подпикселя 02 в каждом первом виртуальном четырехугольнике 10 расположен на перпендикуляре, проходящем через середину линии, соединяющей центры красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03, расположенные рядом друг с другом в направлении строк или столбцов. В дополнение к этому, как показано на фиг.16, расстояния по вертикали от центра зеленого подпикселя 02 до границ светоизлучающих зон красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03 в каждом первом виртуальном четырехугольнике 10 равны a и b, соответственно, где a = b.
В пятом примере на фиг.17 показано схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив пятого примера вариантов осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг.17, позиции и формы подпикселей в этом пиксельном массиве являются такими же, как и позиции и формы подпикселей в пиксельном массиве согласно каждому из предыдущих четырех примеров, за исключением того, что первые углы некоторых из синих подпикселей 03 сориентированы по-разному. В этом пиксельном массиве первые углы синих подпикселей 03, расположенных в одной и той же строке, имеют одинаковую ориентацию, и первые углы синих подпикселей 03, расположенных в одном и том же столбце, также имеют одинаковую ориентацию. Например, на фиг.17 первые углы синих подпикселей 03 в первой строке направлены вверх, и первые углы синих подпикселей 03 в первом столбце направлены влево.
На фиг.18 показано схематичное представление, иллюстрирующее распределение подпикселей в первом втором виртуальном четырехугольнике (то есть в первом четырехугольнике из вторых виртуальных четырехугольников), который находится в верхнем левом углу пиксельного массива, показанного на фиг.17. Как показано на фиг.18, первый виртуальный четырехугольник 10, который находится в верхнем левом углу, второго виртуального четырехугольника 100 имеет пару равных противоположных углов, каждый из которых равен 90°, и другую пару противоположных углов, которые равны 92° и 88°, соответственно.
Как показано на фиг.18, если отрезок линии, соединяющей центры красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03, расположенных рядом друг с другом в одном и том же столбце, имеет длину L, второй виртуальный четырехугольник 100 представляет собой квадрат со стороной 2L, и в его центре находится красный подпиксель 01, и центр зеленого подпикселя 02 в каждом первом виртуальном четырехугольнике 10 расположен на перпендикуляре, проходящем через середину линии, соединяющей центры красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03, расположенные рядом друг с другом в направлении строк или столбцов. В дополнение к этому, как показано на фиг.18, расстояния по вертикали от центра зеленого подпикселя 02 до границ светоизлучающих зон красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03 в каждом первом виртуальном четырехугольнике 10 равны a и b, соответственно, где a = b.
Следует отметить, что приведенные выше примеры не ограничивают компоновку синих подпикселей 03 согласно вариантам осуществления настоящего раскрытия. Например, пиксельный массив, полученный в результате поворота любого одного синего подпикселя 03 вокруг средней точки линии, соединяющей центры двух красных подпикселей 01, смежных с одним синим подпикселем 03 в направлении строки под любым углом, подпадает в пределах объема защиты варианта осуществления настоящего раскрытия.
В некоторых вариантах осуществления только первый угол каждого синего подпикселя 03 скошен по кругу или по прямой линии и направлен вверх. В этом случае линия, соединяющая вершины двух противоположных углов (третий угол и четвертый угол), которые расположены в направлении строки, красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03 в одной и той же строке, приблизительно находится на одной и той же прямой линии. Линия, соединяющая вершины первого и второго углов красного подпикселя 01 и второго угла синего подпикселя 03 в одном и том же столбце, находится приблизительно на одной прямой.
Вышеупомянутые примеры с первого по пятый были описаны на примере, в котором первый угол каждого синего подпикселя 03 скруглен (то есть скошен по прямой линии). В некоторых вариантах осуществления на фиг.19 показано схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив, в котором первый угол каждого синего подпикселя скошен по прямой линии, согласно варианту осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг.19, позиции, формы и компоновка подпикселей в этом пиксельном массиве являются такими же, как и позиции, формы и компоновки подпикселей в пиксельном массиве согласно четвертому примеру. В этом пиксельном массиве первые углы синих подпикселей 03, расположенных в одной и той же строке, сориентированы в одном и том же направлении, и ориентации первых углов синих подпикселей 03, расположенных в первых пиксельных строках 1, которые имеют нечетные номера строк, противоположны ориентациям первых углов синих подпикселей 03, расположенных в первых пиксельных строках 1, которые имеют четные номера строк. Например, все первые углы синих подпикселей 03 в первой из первых пиксельных строк 1 направлены вправо, и все первые углы синих подпикселей 03 во втором одной из первых пиксельных строк 1 направлены влево.
На фиг.20 показано схематичное представление, иллюстрирующее распределение подпикселей в первом втором виртуальном четырехугольнике (то есть в первом четырехугольнике из вторых виртуальных четырехугольников), который находится в верхнем левом углу пиксельного массива, показанного на фиг.19. Как показано на фиг.20, первый виртуальный четырехугольник 10, который находится в верхнем левом углу, второго виртуального четырехугольника 100 имеет пару противоположных тупых углов, каждый из которых равен 91°, и другую пару противоположных углов, каждый из которых равен 89°.
Как показано на фиг.20, если отрезок линии, соединяющей центры красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03, расположенных рядом в одном и том же столбце, имеет длину L, второй виртуальный четырехугольник 100 представляет собой квадрат со стороной 2L, и в его центр находится красный подпиксель 01, и центр зеленого подпикселя 02 в каждом первом виртуальном четырехугольнике 10 расположен на перпендикуляре, проходящем через середину линии, соединяющей центры красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03, расположенных рядом в направлении строки или столбца. В дополнение к этому, как показано на фиг.20, расстояния по вертикали от центра зеленого подпикселя 02 до границ светоизлучающих зон красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03 в каждом первом виртуальном четырехугольнике 10 равны a и b, соответственно, где a = b.
Кроме того, в приведенных выше примерах первый угол синего подпикселя 03 отличается от других трех углов синего подпикселя 03, то есть расстояние от вершины первого угла синего подпикселя 03 до центра синего подпикселя меньше, чем расстояние от вершины каждого из трех других углов до центра соответствующего синего подпикселя. В некоторых вариантах осуществления форма первого угла по меньшей мере одного из красного подпикселя 01 и зеленого подпикселя 02 может быть спроектирована таким образом, чтобы иметь ту же форму, что и форма каждого синего подпикселя 03. Ниже приведено описание со ссылкой на конкретные примеры.
На фиг.21 показано схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив, в котором первый угол каждого красного подпикселя скошен по кругу, согласно варианту осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг.21, первый угол каждого красного подпикселя 01 в пиксельном массиве направлен вправо. В качестве альтернативы, первый угол каждого красного подпикселя 01 может быть сориентирован в произвольном направлении путем поворота первого угла каждого красного подпикселя 01, чтобы изменить центр каждого красного подпикселя 01. Красные подпиксели 01 после поворота их первых углов могут быть размещены таким же образом, как и синие подпиксели 03, как описано выше. На фиг.22 показано схематичное представление, иллюстрирующее распределение фактических центров яркости пиксельного массива во время отображения, при этом первый угол каждого красного подпикселя скруглен (то есть скошен по кругу) и является аналогичным прямому углу, согласно варианту осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг.22, например, первые углы всех красных подпикселей в пиксельном массиве могут быть направлены вправо. Например, угол, показанный пунктирной линией, в первом углу каждого синего подпикселя 03 на фиг.22 представляет то, что первый угол каждого красного подпикселя 01 аналогичен прямому углу в пиксельном массиве уровня техники, символы «×» представляют собой фактические центры яркости при отображении пиксельного массива уровня техники, и символы “•” представляют фактические центры яркости при отображении пиксельного массива согласно настоящему варианту осуществления. Как видно из фиг.22, когда первые углы красных подпикселей скруглены, распределение их фактических центров яркости становится более равномерным.
На фиг.23 показано схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив, в котором первый угол каждого зеленого подпикселя скошен по прямой линии, согласно варианту осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг.23, первые углы четырех зеленых подпикселей 02 в каждом втором виртуальном четырехугольнике 100 в пиксельном массиве имеют ориентацию, отличную друг от друга, и два зеленых подпикселя 02, которые находятся в одном и том же столбце, четырех зеленых подпикселей 02 являются симметричными относительно направления строки. В качестве альтернативы, первые углы зеленых подпикселей 02 могут быть сориентированы в произвольном направлении путем поворота первых углов зеленых подпикселей 02, чтобы изменить центры зеленых подпикселей 02. Зеленые подпиксели пиксели 02 после поворота их первых углов могут быть размещены таким же образом, как и синие подпиксели 03, как описано выше.
На фиг.24 показано схематичное представление, иллюстрирующее пиксельный массив, в котором первый угол каждого из красных подпикселей и синих подпикселей скошен по прямой линии (или прямолинейно), согласно варианту осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг.22, первые углы красных подпикселей 01 в одной и той же строке сориентированы в одном и том же направлении, и первые углы синих подпикселей 03 в одной и той же строке сориентированы в одном и том же направлении. В одной и той же строке ориентация первых углов красных подпикселей 01 является противоположной ориентации первых углов синих подпикселей. В качестве альтернативы, первый угол каждого из красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03 может быть сориентирован в любом направлении путем поворота первого угла каждого из красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03, чтобы изменить центр каждого из красного подпикселя 01 и синего подпикселя 03. Красные подпиксели 01 и синие подпиксели 03 после поворота их первых углов могут быть размещены таким же образом, как и синие подпиксели 03, как описано выше. Во втором аспекте вариант осуществления настоящего раскрытия предоставляет устройство отображения, которое включает в себя панель отображения согласно любому из вышеупомянутых вариантов осуществления настоящего раскрытия. Устройство отображения может быть любым изделием или компонентом с функцией отображения, например, мобильным телефоном, планшетным компьютером, телевизором, дисплеем, портативным компьютером, цифровой фоторамкой, навигатором и т.п.
Следует отметить, что вышеупомянутые варианты осуществления являются просто примерными вариантами осуществления, принятыми для объяснения принципов настоящего раскрытия, и настоящее раскрытие не ограничивается этим. Для обычного специалиста в данной области техники будет очевидно, что в настоящее раскрытие могут быть внесены различные модификации и улучшения, не выходящие за рамки сущности и объема настоящего раскрытия, и такие модификации и улучшения также подпадают под объем настоящего раскрытия.