СПОСОБ ОБРАБОТКИ ОБРАТНОЙ СТОРОНЫ КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК НА ОСНОВЕ ПОЛИРОВАЛЬНОЙ ПОДУШКИ
PROCESSING OF SILICON SUBSTRATE BACK BY GRINDING PADS

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способу обработки кремниевых подложек для снятия припуска с помощью полировальной подушки.
Известны различные способы обработки, которые широко применяются для полирования на мягких подложках: из фетра, велюра, или батиста, пропитанных абразивными пастами на жировой основе с крупностью зерен абразива от 3 до 0,25 мкм [1].
Основным недостатком этих способов является то, что при обработке поверхности кремния образуются микротрещины, которые в дальнейшем приводят к созданию сети трещин, и вызывают сколы отдельных участков.
Целью изобретения является обеспечение чистой поверхности кремниевых подложек без сколов и царапин, и повреждений обрабатываемой поверхности.
Поставленная цель достигается использованием полировальных подушек, пропитанныхсуспензией, позволяющей проводить высокоточную и высокоэффективную обработку кремниевых подложек.
Сущность способа заключается в том, что поверхность кремниевой подложки подвергается обработке полировальной подушкой, пропитанной суспензией, в два этапа:
1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 28±2 мкм, скорость удаления 0,8±0,1 мкм/мин;
2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 6±1 мкм, скорость удаления 1,0±0,1 мкм/мин.
Контроль качества полировки определяется по глубине нарушенного слоя 0,6 мкм.
Предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что полировальная подушка позволяет создать паутину волнообразной структурой, трехмерную направленность, при которой обеспечивается хорошая однородность.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
ПРИМЕР 1. Процесс проводят с предварительной химической обработкой поверхности кремниевых подложек. Поверхность кремниевой подложки подвергается обработке полировальной подушкой, пропитанной суспензией, в два этапа:
1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 24±2 мкм, скорость удаления 0,5±0,1 мкм/мин;
2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 10±1 мкм, скорость удаления 0,7±0,1 мкм/мин.
Контроль качества полировки поверхности кремниевой подложки определяется глубиной нарушенного слоя 1,0 мкм.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят в два этапа:
1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 26±2 мкм, скорость удаления 0,7±0,1 мкм/мин;
2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 8±1 мкм, скорость удаления 0,9±0,1 мкм/мин.
Контроль качества полировки поверхности кремниевой подложки определяется глубиной нарушенного слоя 0,8 мкм.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят в два этапа:
1. Алмазная суспензия марки 3 до 13 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 28±2 мкм, скорость удаления 0,8±0,1 мкм/мин;
2. Алмазная суспензия марки 1 до 14 класса чистоты поверхности, толщина удаляемого слоя 6±1 мкм, скорость удаления 1,0±0,1 мкм/мин.
Контроль качества полировки поверхности кремниевой подложки определяется глубиной нарушенного слоя 0,6 мкм.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами позволяет получить поверхность кремниевых подложек чистой, без сколов и царапин. Полировальные подушки позволяют проводить высокоточное полирование разнообразных полупроводниковых кристаллических материалов, металлов, стекла и др. Подушки полировальные специально разрабатываются для высокоточных отделочных работ, при проведении которых не образуются повреждения и царапины на поверхности обрабатываемой кремниевой подложки.
Литература
1. Пичугин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов. - М.: Высш. шк., 1984. - 288 с.