СЛОЙ БАРЬЕРА, ПРЕПЯТСТВУЮЩЕГО ПРОНИКАНИЮ

1. Способ для производства барьера, препятствующего прониканию водорода, содержащий стадию:
a) осаждения на подложке слоевой системы (LS), содержащей, по меньшей мере, один слой (L1; L2; L3);
отличающийся тем, что данная стадия а) содержит стадию
b) осаждения, по меньшей мере, одного слоя водородного барьера (HPBL), содержащего как минимум тернарный оксид.
2. Способ по п.1, где, по меньшей мере, один указанный слой (HPBL) водородного барьера по существу компонуют из указанного, по меньшей мере, тернарного оксида.
3. Способ по п.1 или 2, в котором указанный, по меньшей мере, тернарный оксид содержит, по меньшей мере, один металлический химический элемент.
4. Способ по любому одному из п.1 или 2, где указанный, по меньшей мере, тернарный оксид по существу имеет корунд-типовую структуру.
5. Способ по любому одному из п.1 или 2, где указанный, по меньшей мере, тернарный оксид по существу является твердым раствором.
6. Способ по любому одному из п.1 или 2, где указанный, по меньшей мере, тернарный оксид по существу компонуют из Al, Cr и O.
7. Способ по любому одному из п.1 или 2, где стадию b) проводят при температуре подложки ниже 600°С.
8. Способ по любому одному из п.1 или 2, где указанное осаждение указанного, по меньшей мере, одного слоя (HPBL) водородного барьера проводят, используя способ физического осаждения паров.
9. Способ по любому одному из п.1 или 2, в котором указанное осаждение указанного, по меньшей мере, одного слоя водородного барьера проводят, используя способ катодного дугового испарения.
10. Способ по любому одному из п.1 или 2, где стадию а) проводят в пределах вакуумной обрабатывающей камеры без перемещения указанной подложки из указанной вакуумной обрабатывающей камеры.
11. Способ по любому одному из п.1 или 2, где стадия а) включает перед стадией b), стадию с) осаждения на указанную подложку (SUB) адгезионного слоя (AdhL) для увеличения адгезии указанного, по меньшей мере, одного слоя (HPBL) водородного барьера к указанной подложке (SUB).
12. Способ по любому одному из п.1 или 2, где стадия а) включает стадию е) осаждения на указанную подложку (SUB) слоя, накапливающего водород, способного накапливать и высвобождать водород.
13. Способ по любому одному из п.1 или 2, где стадия а) включает стадию d) осаждения на указанную подложку (SUB) защитного слоя (ProtL) для защиты, по меньшей мере, одного слоя (L1; L2; L3) указанной слоевой системы (LS) от внешних воздействий.
14. Способ по п.13, где указанный защитный слой (ProtL) является, по меньшей мере, одним из группы состоящей из:
- слоя (ThBL) теплового барьера для защиты указанного, по меньшей мере, одного слоя (L1; L2; L3) указанной слоевой системы от тепловых воздействий, причем указанный слой (ThBL) теплового барьера имеет теплопроводность меньше, чем теплопроводность, по меньшей мере, одного какого-нибудь другого слоя (L1; L2; L3) указанной слоевой системы (LS);
- слоя барьера, препятствующего диффузии для сокращения перемещения вещества внутри, внутрь или наружу из указанной слоевой системы (LS), причем указанный слой барьера, препятствующего диффузии, обеспечивает препятствие для перемещения вещества сквозь него сильнее, чем, по меньшей мере, один какой-нибудь другой слой (L1; L2; L3) указанной слоевой системы (LS);
- слоя (OxBL) барьера, препятствующего оксидированию, для защиты указанного, по меньшей мере, одного слоя (L1; L2; L3) указанной слоевой системы (LS) от кислорода, причем указанный слой (OxBL) барьера, препятствующего оксидированию, обеспечивает препятствие для перемещения кислорода сквозь него сильнее, чем, по меньшей мере, один какой-нибудь другой слой (L1; L2; L3) указанной слоевой системы (LS);
- слой (ChBL) химического барьера для защиты указанного, по меньшей мере, одного слоя (L1; L2; L3) указанной слоевой системы (LS) от химического взаимодействия, причем указанный слой (ChBL) химического барьера имеет инертность выше, чем инертность, по меньшей мере, одного какого-нибудь другого слоя указанной слоевой системы (LS);
- износоустойчивый слой (WRL) для увеличения износоустойчивости указанного, по меньшей мере, одного слоя (L1; L2; L3) указанной слоевой системы (LS), причем указанный износоустойчивый слой (WRL) имеет износоустойчивость выше, чем, по меньшей мере, один какой-нибудь другой слой (L1; L2; L3) указанной слоевой системы (LS).
15. Способ по любому одному из пп.1, 2 или 14, включающий стадию формирования границы между первым (V) и вторым (V') объемом посредством указанного барьера, препятствующего прониканию водорода, в котором концентрация водорода в указанном первом объеме (V) отличается от концентрации водорода в указанном втором объеме (V').
16. Устройство (А), содержащее изолируемый объем (V) и стенку (W), формирующую, по меньшей мере, участок границы, лимитирующий указанный объем (V), где указанная стенка (W) содержит барьер, препятствующий прониканию водорода, включающий слоевую систему (LS), содержащую, по меньшей мере, один слой (L1; L2; L3), отличающееся тем, что указанная слоевая система (LS) включает, по меньшей мере, один слой (HPBL) водородного барьера, содержащего, по меньшей мере, тернарный оксид.
17. Устройство (А) по п.16, где указанный, по меньшей мере, тернарный оксид по существу компонуют из Al, Cr и O.
18. Устройство (А) по п.16 или 17 где указанная слоевая система (LS) содержит, по меньшей мере, одну группу, состоящую из:
- адгезионного слоя (AdhL) для увеличения адгезии указанного, по меньшей мере, одного слоя (HPBL) водородного барьера к указанной подложке (SUB);
- слоя (HStL), накапливающего водород, способного сохранять и высвобождать водород;
- защитного слоя (ProtL) для защиты, по меньшей мере, одного слоя (L1; L2; L3) указанной слоевой системы (LS) от внешних воздействий.
19. Устройство (А) по любому одному из пп.16 и 17, в котором указанное устройство (А) является или содержит, по меньшей мере, одну группу, состоящую из:
- контейнера для хранения водорода;
- контейнера для транспортировки водорода;
- плавильного реактора;
- топливного отсека;
- аккумулятора;
- двигателя внутреннего сгорания;
- сверхпроводной электрической решетки;
- электрического проводящего кабеля;
- резервуара для горючего.
20. Применение слоевой системы (LS) содержащей, по меньшей мере, один слой (L1; L2; L3), содержащий, по меньшей мере, тернарный оксид в качестве барьера, препятствующего прониканию водорода.
21. Применение по п.20, где указанный, по меньшей мере, тернарный оксид по существу компонуют из Al, Cr и O.
22. Применения по п.20 или 21, где указанная слоевая система содержит, по меньшей мере, одну группу, состоящую из:
- адгезионного слоя (AdhL) для увеличения адгезии указанного, по меньшей мере, одного слоя (HPBL) водородного барьера к указанной подложке (SUB);
- слоя (HStL), накапливающего водород, способного накапливать и высвобождать водород;
- защитного слоя (ProtL) для защиты, по меньшей мере, одного слоя указанной слоевой системы (LS) от внешних воздействий.
23. Способ для производства устройства (А) по любому из пп.16-19, отличающийся тем, что включает стадию В) осаждения указанного слоя (HPBL) водородного барьера на указанную стенку (W).
24. Барьер, препятствующий прониканию водорода, содержащий слоевую систему (LS), содержащую, по меньшей мере, один слой (L1; L2; L3), в котором указанная слоевая система (LS) содержит, по меньшей мере, один слой (HPBL) водородного барьера содержащий, по меньшей мере, тернарный оксид.
25. Барьер, препятствующий прониканию водорода, по п.24, где указанный, по меньшей мере, тернарный оксид по существу компонуют из Al, Cr и O.
26. Барьер, препятствующий прониканию водорода по п.24 или 25, где указанная слоевая система (LS) содержит, по меньшей мере, одну группу, состоящую из:
- адгезионного слоя (AdhL) для увеличения адгезии указанного, по меньшей мере, одного слоя (HPBL) водородного барьера к указанной подложке (SUB);
- слоя (HStL), накапливающего водород, способного накапливать и высвобождать водород;
- защитного слоя (ProtL) для защиты, по меньшей мере, одного слоя (L1; L2; L3) указанной слоевой системы (LS) от внешних воздействий.