СИСТЕМА ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ГЕНЕРАТОРА

1. Система электрического генератора, включающая в себя:
радионуклидный материал,
тонкий слой полупроводникового материала n-типа;
металлические электроды, по меньшей мере один из которых находится в прямом контакте с упомянутым полупроводниковым материалом и образует переход металл-полупроводник между ними, в котором радиоактивные излучения, полученные от упомянутого радионуклидного материала, преобразуются в электрическую энергию на упомянутом переходе металл-полупроводник, и
электрические контакты, подсоединенные к упомянутым электродам, которые облегчают течение упомянутой электрической энергии, когда подсоединены к нагрузке.
2. Система по п. 1, в которой упомянутый полупроводниковый материал n-типа является оксидом цинка.
3. Система электрического генератора, включающая в себя:
радионуклидный материал;
тонкий слой оксида цинка;
металлические электроды, по меньшей мере один из которых находится в прямом контакте с упомянутым оксидом цинка и образует переход металл-полупроводник между ними, в котором радиоактивные излучения, полученные от упомянутого радионуклидного материала, преобразуются в электрическую энергию на упомянутом переходе металл-полупроводник, и
электрические контакты, подсоединенные к упомянутым электродам, которые облегчают течение упомянутой электрической энергии, когда подсоединены к нагрузке.
4. Система по п. 3, в которой упомянутый слой оксида цинка формируется на материале подложки.
5. Система по п. 4, в которой упомянутый материал подложки выбирается из стекла, сапфира или кварца.
6. Система по п. 4 или 5, в которой слой легированного материала оксида металла расположен между слоем оксида цинка и подложкой.
7. Система по п. 6, в которой один из упомянутых металлических электродов располагается в прямом контакте с упомянутым легированным материалом оксида металла.
8. Система по любому из пп. 2-7, в которой упомянутый тонкий слой оксида цинка образуется с помощью процесса ВЧ магнетронного распыления.
9. Система по любому из пп. 2-8, в которой упомянутые металлические электроды сформированы из золота, серебра или алюминия.
10. Система по любому из пп. 2-9, в которой упомянутые металлические электроды нанесены на упомянутый оксид цинка с помощью процесса распыления или электрохимического осаждения из паровой фазы.
11. Система по любому из пп. 2-10, в которой упомянутый радионуклидный материал заключен в герметизирующий материал.
12. Система по п. 11, в которой упомянутый герметизирующий материал выбран из алюминия, металлического сплава, пластмассы или майлара.
13. Система по любому из пп. 2-12, в которой упомянутый радионуклидный материал выбирается из Sr-90, Pm-147, Ni-63 или Н-3.
14. Система по любому из пп. 2-13, в которой тонкий слой оксида цинка имеет толщину 150-1500 нм.
15. Система по п. 14, в которой толщина слоя оксида цинка рана или менее 1250 нм.
16. Устройство электропитания, включающее в себя корпус, содержащий систему электрического генератора в соответствии с любым из предыдущих пунктов.
17. Устройство по п. 16, в котором имеется множество слоев оксида цинка, каждый слой имеет соответствующие металлические электроды и электрические контакты, причем смежные слои разделены изоляционным материалом подложки.