ПРОЦЕСС ПЛАЗМЕННОГО ОСАЖДЕНИЯ С УДАЛЕНИЕМ ТРУБКИ ПОДЛОЖКИ

1. Способ для производства прекурсора для первичной заготовки оптических волокон посредством процесса внутреннего плазменного осаждения, включающий в себя стадии:
i) обеспечения полой трубки подложки;
ii) создания первой зоны плазменной реакции, имеющей первые условия реакции, внутри упомянутой полой трубки подложки посредством электромагнитного излучения для осуществления осаждения неостеклованных слоев диоксида кремния на внутренней поверхности упомянутой полой трубки подложки; и
iii) создания второй зоны плазменной реакции, имеющей вторые условия реакции, внутри упомянутой полой трубки подложки посредством электромагнитного излучения для осуществления осаждения остеклованных слоев диоксида кремния на неостеклованных слоях диоксида кремния, осажденных на стадии ii);
iv) удаления полой трубки подложки с остеклованных слоев диоксида кремния, осажденных на стадии iii) и неостеклованных слоев диоксида кремния, осажденных на стадии ii), чтобы получить осажденную трубку.
2. Способ по п. 1, включающий в себя выполнение после стадии iv) дополнительной стадии v) подвергания осажденной трубки, полученной на стадии iv), сжимающей обработке для того, чтобы сформировать первичную заготовку.
3. Способ по п. 1 или 2, включающий в себя выполнение после стадии iv) или стадии v) дополнительной стадии vi) обеспечения упомянутой осажденной трубки, полученной на стадии iv), или упомянутой первичной заготовки, полученной на стадии v), дополнительным количеством стекла с ее наружной стороны.
4. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором во время стадии iv) трубка подложки удаляется механически.
5. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором первые условия реакции включают в себя давление выше, чем 30 мбар, предпочтительно выше, чем 60 мбар.
6. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором первые условия реакции включают в себя давление ниже, чем 1000 мбар, предпочтительно ниже, чем 200 мбар.
7. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором вторые условия реакции включают в себя давление от 1 до 25 мбар, предпочтительно от 5 до 20 мбар, более предпочтительно от 10 до 15 мбар.
8. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором в качестве трубки подложки, обеспечиваемой на стадии i), используется некварцевая трубка подложки, предпочтительно трубка подложки из оксида алюминия.
9. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором на стадии ii) осаждается от 1 до 500 неостеклованных слоев диоксида кремния.
10. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором каждый из неостеклованных слоев диоксида кремния независимо от других имеет толщину от 1 до 5 мкм, предпочтительно от 2 до 3 мкм.
11. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором осажденные неостеклованные слои диоксида кремния в сумме имеют толщину от 1 до 1000 мкм.
12. Способ по любому из пп. 1 или 3-11, в котором прекурсор первичной заготовки является трубкой подложки.
13. Способ по любому из пп. 1 или 3-11, в котором прекурсор первичной заготовки используется в качестве трубки подложки для производства первичной заготовки посредством процесса внутреннего плазменного осаждения.
14. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором используемое электромагнитное излучение является микроволновым излучением.