ПОКРЫТИЕ ПОЛОТНА ПОДЛОЖКИ ОСАЖДЕНИЕМ АТОМНЫХ СЛОЕВ

1. Способ атомно-слоевого осаждения, включающий:
подачу покрываемого полотна в реакционное пространство реактора атомно-слоевого осаждения и
обеспечение доступности реакционного пространства разделенным во времени импульсам подачи прекурсоров для нанесения материала на покрываемое полотно посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций.
2. Способ по п. 1, включающий введение покрываемого полотна из зоны избыточного давления в реакционное пространство через прорезь, обеспечивающую поддержание разности давлений между указанной зоной и реакционным пространством.
3. Способ по п. 2, в котором указанную прорезь образуют посредством ограничительных пластин.
4. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором управление толщиной нанесенного материала осуществляют выбором скорости полотна.
5. Способ по п. 2 или 3, включающий подачу неактивного газа в зону избыточного давления.
6. Способ по любому из пп. 1-3, в котором направление потока паров прекурсоров в реакционном пространстве совпадает с направлением движения покрываемого полотна.
7. Способ по п. 6, включающий подачу в реакционное пространство паров прекурсоров с конца указанного пространства, входного для покрываемого полотна, и выведение газов с конца реакционного пространства, выходного для покрываемого полотна.
8. Способ по любому из пп. 1-3, в котором направление распространения паров прекурсора в реакционном пространстве является поперечным по отношению к направлению движения покрываемого полотна.
9. Способ по п. 8, включающий подачу в реакционное пространство паров прекурсоров с боковой стороны реакционного пространства и выведение газов с противоположной боковой стороны реакционного пространства.
10. Способ по любому из пп. 1-3, включающий установку первого и второго рулонов на крышку реакционной камеры.
11. Способ по любому из пп. 1-3, включающий прямолинейное перемещение покрываемого полотна через реакционное пространство.
12. Аппарат для осуществления атомно-слоевого осаждения, содержащий:
приводной узел, сконфигурированный для осуществления перемещения покрываемого полотна в реакционном пространстве реактора атомно-слоевого осаждения, и
узел подачи паров прекурсоров, сконфигурированный для обеспечения доступности реакционного пространства разделенным во времени импульсам подачи прекурсоров для нанесения материала на покрываемое полотно посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций.
13. Аппарат по п. 12, содержащий входную прорезь для введения покрываемого полотна из зоны избыточного давления в реакционное пространство.
14. Аппарат по п. 13, содержащий ограничительные пластины, образующие указанную прорезь.
15. Аппарат по любому из пп. 12-14, содержащий канал, сконфигурированный для доставки неактивного газа в зону избыточного давления.
16. Аппарат по любому из пп. 12-14, имеющий впускное отверстие для паров прекурсоров и выхлопной вывод, расположенные на концах реакционного пространства, входном и выходном для покрываемого полотна соответственно.
17. Аппарат по любому из пп. 12-14, имеющий впускное отверстие (впускные отверстия) для паров прекурсоров на боковой стороне реакционного пространства и выхлопной вывод на противоположной боковой стороне реакционного пространства.
18. Аппарат по любому из пп. 12-14, содержащий крышку реакционной камеры, сконфигурированную для приема первого и второго рулонов.
19. Аппарат для осуществления атомно-слоевого осаждения, содержащий:
средство для подачи покрываемого полотна в реакционное пространство реактора атомно-слоевого осаждения и
средство для обеспечения доступности реакционного пространства разделенным во времени импульсам подачи прекурсоров для нанесения материала на покрываемое полотно посредством последовательных самоограниченных поверхностных реакций.