КАНТИЛЕВЕР С ОДНОЭЛЕКТРОННЫМ ТРАНЗИСТОРОМ ДЛЯ ЦЕЛЕЙ ЗОНДОВОЙ МИКРОСКОПИИ

1. Зонд для сканирующего зондового микроскопа, включающий размещенный на острие кантилевера зарядовый сенсор в виде транзистора, выполненного в слое кремния структуры кремний-на-изоляторе на подложке,
отличающийся тем, что
зарядовый сенсор образован в слое кремния, допированном примесью до состояния вырождения и представляет собой одноэлектронный транзистор, имеющий
два подводящих электрода, размещенные под острым углом друг к другу в плоскости подложки, сходящиеся концы которых контактируют с проводящим островом транзистора и выполняют функции истока и стока, и
средний электрод заостренной формы, размещенный в зоне схождения подводящих электродов, острие которого направлено в сторону проводящего острова с образованием емкостного зазора с последним, выполняющий функции затвора транзистора, при этом
перемычки в зоне контакта концов подводящих электродов с островом транзистора выполнены резистивными с возможностью образования туннельного перехода, ребро подложки скошено, а остров транзистора, перемычки и примыкающие к скосу оконечные части подводящих и среднего электродов выступают за пределы слоя изолятора.
2. Зонд по п.1, отличающийся тем, что угол между подводящими электродами лежит в диапазоне 20-160°, преимущественно 90°.
20
-3
3. Зонд по п.1, отличающийся тем, что слой кремния допирован примесями до концентрации, превышающей 10 см, а его толщина составляет 5-50 нм.
4. Зонд по п.1, отличающийся тем, что линейный размер острова транзистора лежит в диапазоне 5-50 нм.
5. Зонд по п.1, отличающийся тем, что транзистор и балка кантилевера с острием выполнены за одно целое из пластины кремния-на-изоляторе методами электронной литографии, реактивно-ионного и жидкостного травления.