СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ИГОЛЬЧАТЫХ КРИСТАЛЛОВ

1. Способ выращивания игольчатых кристаллов, при котором кристалл выращивают на подложке путем осаждения из электролита, отличающийся тем, что в подложке образуют дефект дисклинационного типа, затем подложку погружают в электролит и выращивают на образованном дефекте пентагональный игольчатый кристалл в форме уса, после чего вынимают подложку из электролита.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что дефект дисклинационного типа образуют на поверхности подложки в виде ямки заданной глубины с пятиугольной формой поперечного сечения и с заданным диаметром окружности, описанной на поверхности подложки вокруг дефекта.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что дефект дисклинационного типа образуют на поверхности подложки в виде микротрещины, для чего в подложке или в нанесенном на нее покрытии делают надрез и прилагают к кромкам надреза усилие, с помощью которого осуществляют сдвиг кромок в плоскости надреза, до образования в вершине надреза микротрещины.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве подложки, содержащей дефект дисклинационного типа, используют пленку или фольгу, состоящую из плоских пентагональных кристаллов или содержащую такие кристаллы, выбирают один из этих кристаллов, поверхность подложки вокруг этого кристалла экранируют, нанося на нее неэлектропроводное покрытие, после чего погружают подложку в электролит и выращивают на выбранном пентагональном кристалле игольчатый кристалл в форме уса.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что на поверхность подложки наносят металлическое покрытие, выбирают на поверхности покрытия место на стыке двух или более кристаллов покрытия, после чего экранируют зону вокруг этого стыка кристаллов неэлектропроводным покрытием, погружают подложку в электролит и, используя стык кристаллов в качестве дефекта дисклинационного типа, выращивают на нем игольчатый кристалл в форме уса.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что на подложке образуют несколько дефектов дисклинационного типа и выращивают одновременно несколько игольчатых кристаллов в виде усов.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что после выращивания до требуемых размеров игольчатый кристалл подвергают электрополированию, формируя на его конце острие.
8. Способ по любому из п.1-7, отличающийся тем, что в качестве подложки используют деталь устройства, на которой должен быть закреплен игольчатый кристалл.