НАНОРАЗМЕРНАЯ СТРУКТУРА С КВАЗИОДНОМЕРНЫМИ ПРОВОДЯЩИМИ НИТЯМИ ОЛОВА В РЕШЕТКЕ GaAs

Наноразмерная структура с квазиодномерными проводящими нитями олова в решетке GaAs, включающая монокристаллическую полуизолирующую вицинальную подложку GaAs (100) с углом разориентации 0,3°÷0,4° в направлении типа <011>, буферный нелегированный слой GaAs, дельта-легированный слой, закрывающий нелегированный слой GaAs и контактный легированный кремнием слой GaAs, отличающаяся тем, что в качестве примеси для дельта-легированного слоя используется олово.