РЕГУЛИРОВАНИЕ КРАЕВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В МАТРИЦЕ СИД, ОТДЕЛЕННОЙ ОТ БЛОКА

1. Способ производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине, включающий в себя:
формирование пластины устройства с матрицами СИД;
разъединение матриц СИД на пластине устройства;
разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД;
нанесение по существу непрерывного отражающего покрытия на поверхность матриц СИД и в промежутках между матрицами СИД;
удаление первых частей отражающего покрытия с поверхности матриц СИД; и
разлом или отделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД,
при этом вторые части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД, чтобы регулировать краевое излучение.
2. Способ по п.1, в котором отражающее покрытие является полимером или смолой с отражающими частицами.
3. Способ по п.2, в котором отражающее покрытие является силиконом, эпоксидной смолой или акриловым материалом, а отражающие частицы являются оксидом титана, оксидом цинка, двуокисью кремния, окисью алюминия или двуокисью циркония.
4. Способ по п.2, в котором нанесение отражающего слоя в промежутки между матрицами СИД включает в себя нанесение отражающего покрытия с помощью золь-гель процесса, процесса втирания, процесса центрифугирования или процесса формования.
5. Способ производства структур светоизлучающих диодов (СИД) на одной пластине, включающий в себя:
формирование пластины устройства с матрицами СИД;
разъединение матриц СИД на пластине устройства;
разделение матриц СИД с целью создания промежутков между матрицами СИД;
нанесение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД; и
разлом или отделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД,
где части отражающего покрытия остаются на боковых сторонах матриц СИД, чтобы регулировать краевое излучение, и
отражающее покрытие является тонкой металлической пленкой.
6. Способ по п.5, в котором отражающим покрытием является алюминий, серебро, хром, золото, никель, ванадий, платина, палладий или их сочетание.
7. Способ по п.5, в котором применение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД включает в себя нанесение отражающего покрытия с помощью осаждения из пара или напыления.
8. Способ по п.1, дополнительно включающий в себя:
перед разъединением матриц СИД на пластине устройства установку пластины устройства с матрицами СИД на растягивающуюся пленку;
при этом разделение матриц СИД включает в себя перенос матриц СИД с растягивающейся пленки на пленку для переноса с целью создания промежутков между матрицами СИД.
9. Способ по п.1, дополнительно включающий в себя:
перед разъединением матриц СИД на пластине устройства установку пластины устройства с матрицами СИД на растягивающуюся пленку;
при этом разделение матриц СИД включает в себя растяжение растягивающейся пленки для разделения в боковом направлении матриц СИД до нанесения отражающего покрытия на матрицы СИД и в промежутки между матрицами СИД.
10. Способ по п.9, в котором разлом и разделение отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД включает в себя:
ослабление или разлом отражающего покрытия в промежутках между матрицами СИД; и
повторное растяжение растягивающейся пленки, чтобы сильнее разделить матрицы СИД.
11. Способ по п.9, дополнительно включающий в себя:
удаление любого отражающего покрытия с верхней части матриц СИД.
12. Способ по п.11, в котором удаление отражающего покрытия с верхней части матриц СИД включает в себя процесс отделения, травления, лазерной абляции или пескоструйного травления.
13. Способ по п.11, дополнительно включающий в себя:
установку матриц СИД на другую растягивающуюся пленку другой стороной матриц СИД; и
удаление растягивающейся пленки с матриц СИД.
14. Способ по п.13, дополнительно включающий в себя:
тестирование матриц СИД после установки матриц СИД на другую растягивающуюся пленку с другой стороны матриц СИД.
15. Способ по п.1, в котором указанное формирование пластины устройства с матрицами СИД включает в себя:
формирование СИД устройств на пластине для выращивания для формирования пластины устройства, причем СИД устройства включают в себя слой n-типа над пластиной для выращивания, светоизлучающий слой над слоем n-типа и слой p-типа над светоизлучающим слоем;
соединение пластины для переноса с p-стороной пластины устройства, причем p-стороной пластины устройства является та сторона, которая ближе к слою p-типа, чем к слою n-типа;
удаление пластины для выращивания с n-стороны пластины устройства, причем n-стороной пластины устройства является та сторона, которая ближе к слою n-типа, чем к слою p-типа;
соединение пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства; и
удаление пластины для переноса с p-стороны пластины устройства.
16. Способ по п.15, в котором:
соединение пластины для перемещения включает в себя использование связывающего материала, который разъединяет при воздействии теплом, раствором или светом, для соединения пластины для переноса с p-стороной пластины устройства; и
удаление пластины для переноса включает в себя применение тепла, раствора или света, чтобы отделить пластину для переноса от пластины устройства.
17. Способ по п.15, в котором удаление пластины для выращивания включает в себя использование лазерного отделения для отделения пластины для выращивания от пластины устройства.
18. Способ по п.15, дополнительно включающий в себя процесс, делающий слой n-типа шероховатым до соединения пропускающего слоя с n-стороной пластины устройства.
19. Способ по п.15, в котором соединение пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства включает в себя нанесение силикона или эпоксидной смолы на n-сторону пластины устройства, чтобы соединить пропускающую пластину с n-стороной пластины устройства.
20. Способ по п.15, в котором соединение пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства включает применение прямого молекулярного, соединения плавлением или анодного соединения.
21. Способ по п.20, дополнительно включающий в себя формирование оксидного или стеклянного слоя на n-стороне пластины устройства до соединения пропускающей пластины с n-стороной пластины устройства.
22. Способ по п.15, в котором СИД устройства дополнительно включают в себя контактные площадки над слоем p-типа, причем каждая контактная площадка электрически соединена со слоем n-типа или слоем p-типа.
23. Способ по п.1, включающий в себя нанесение жертвенного слоя на первую поверхность, чтобы облегчить удаление отражающего покрытия.
24. Способ по п.23, в котором жертвенный слой наносится до разделения матриц СИД.
25. Способ по п.5, включающий в себя удаление отражающего покрытия с поверхностей матриц СИД.
26. Способ по п.25, включающий в себя нанесение жертвенного слоя на поверхности матриц СИД, чтобы облегчить удаление отражающего покрытия.
27. Способ по п.26, в котором жертвенный слой наносится до разделения матриц СИД.