СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ С НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫМ СЛОЕМ И СПОСОБЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ

1. Солнечный элемент, содержащий:
базу и
наноструктурированный слой, сформированный на базе, причем этот слой содержит наноструктурированную поверхность противоположную базе, при этом наноструктурированная поверхность содержит квазипериодический анизотропный массив удлиненных ребристых элементов, имеющих рисунок волнообразной структуры, причем каждый ребристый элемент имеет волнообразное поперечное сечение и ориентирован по существу в первом направлении.
2. Солнечный элемент по п. 1, в котором наноструктурированный слой является эмиттерным слоем или слоем с электрическим полем на лицевой стороне, или слоем с электрическим полем на тыльной стороне.
3. Солнечный элемент по п. 1, в котором наноструктурированный слой содержит плоскую поверхность, прилегающую к базе.
4. Солнечный элемент по п. 1, дополнительно содержащий пассивирующий слой, расположенный поверх по меньшей мере части наноструктурированной поверхности наноструктурированного слоя.
5. Солнечный элемент по п. 1, в котором коэффициент отражения наноструктурированной поверхности не превышает 5% в интервале длин волн света от 400 до 900 нм.
6. Солнечный элемент по п. 1, в котором коэффициент отражения наноструктурированной поверхности не превышает 2% в интервале длин волн света от 400 до 900 нм.
7. Солнечный элемент по п. 1, в котором база содержит кремний.
8. Солнечный элемент по п. 1, дополнительно содержащий слой прозрачного проводника, сформированный поверх наноструктурированной поверхности.
9. Солнечный элемент по п. 1, в котором переход между наноструктурированным слоем и базой является планарным.
10. Солнечный элемент по п. 1, в котором средний период массива находится в интервале от 20 до 200 нм.
11. Солнечный элемент по п. 1, в котором отношение средней высоты ребристых элементов к среднему периоду массива находится в интервале от 2 до 3.
12. Солнечный элемент по п. 1, в котором каждый ребристый элемент имеет ширину вблизи его пика не более 10 нм.
13. Полупроводниковый прибор, содержащий:
кремниевую базовую область и
легированный слой, расположенный на кремниевой базовой области, причем легированный слой содержит кремний, легированный первой легирующей примесью первого типа проводимости, при этом легированный слой также содержит наноструктурированную поверхность противоположную базе, причем наноструктурированная поверхность содержит квазипериодический анизотропный массив удлиненных ребристых элементов, имеющих рисунок волнообразной структуры, причем каждый ребристый элемент имеет волнообразное поперечное сечение и ориентирован по существу в первом направлении.
14. Полупроводниковый прибор по п. 13, в котором кремниевая базовая область легирована второй легирующей примесью второго типа проводимости, отличающейся от первого типа проводимости.
15. Полупроводниковый прибор по п. 14, в котором первым типом проводимости является n-тип.
16. Полупроводниковый прибор по п. 13, в котором переход между легированным слоем и кремниевым базовым слоем не является наноструктурированным.
17. Полупроводниковый прибор по п. 13, в котором легированный слой имеет толщину не более 10 нм.
18. Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий:
облучение поверхности пластины наклонным пучком ионов азота для того, чтобы
сформировать наномаску, содержащую квазипериодический анизотропный массив удлиненных элементов с рисунком волнообразной структуры и волнообразным поперечным сечением с гребнями волн, по существу перпендикулярными плоскости падания ионов азота,
травление поверхности пластины с наномаской для того, чтобы создать наноструктурированную поверхность, соответствующую этой наномаске; и
формирование в пластине легированного слоя, содержащего наноструктурированную поверхность.
19. Способ по п. 18, в котором формирование легированного слоя включает легирование части пластины перед облучением поверхности пластины наклонным пучком ионов азота.
20. Способ по п. 18, в котором формирование легированного слоя включает легирование части пластины после создания наноструктурированной поверхности.
21. Способ по п. 18, в котором формирование легированного слоя включает легирование части пластины после формирования наномаски и перед созданием наноструктурированной поверхности.
22. Способ по п. 18, в котором травление поверхности пластины включает удаление наномаски.
23. Способ по п. 18, дополнительно включающий травление нарушенного резкой пилой слоя пластины.
24. Способ по п. 18, дополнительно включающий перемещение пластины во время облучения ее поверхности наклонным пучком ионов азота.