СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБЕСПЕЧЕНИЯ СЛОЯ, ЗАПИРАЮЩЕГО НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА В УСТРОЙСТВЕ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ С ПОВЫШЕНИЕМ ЧАСТОТЫ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

1. Устройство для восприятия инфракрасного излучения (IR), содержащее:
анод;
слой, запирающий дырки;
слой, чувствительный к IR, отделенный от анода слоем, запирающим дырки;
органический светоизлучающий слой, отделенный от анода указанным слоем, чувствительным к IR; и
катод, при этом, когда потенциал приложен между анодом и катодом и IR излучение попадает на слой, чувствительный к IR, в органическом светоизлучающем слое генерируется выходное электромагнитное излучение.
3
60
2. Устройство по п.1, в котором слой, запирающий дырки, содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: ВСР, UGH2, BPhen, Alq, mCP, C, 3TPYMB, наночастиц ZnO и их комбинаций.
3. Устройство по п.1, в котором органический светоизлучающий слой генерирует выходное электромагнитное излучение только, когда IR излучение попадает на чувствительный к IR слой.
4. Устройство по п.1, в котором анод выполнен прозрачным, и катод выполнен прозрачным.
5. Устройство по п.1, в котором анод содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: ITO, IZO, АТО, AZO, и углеродные нанотрубки.
3
6. Устройство по п.1, в котором катод содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: LiF/Al, Ag, Ca:Mg, LiF/Al/ITO, Ag/ITO, CsCO/ITO и Ba/Al.
3
7. Устройство по п.1, в котором органический светоизлучающий слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из MEH-PPV, Alq и FIrpic.
8. Устройство по п.1, в котором чувствительный к IR слой является органическим.
60
60
60
9. Устройство по п.8, в котором органический чувствительный к IR слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: SnPc, SnPc:C, AlPcCl, AlPcCl:С, TiOPc и TiOPc:C.
10. Устройство по п.1, в котором чувствительный к IR слой является неорганическим.
11. Устройство по п.10, в котором неорганический чувствительный к IR слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из PbSe и PbS.
12. Устройство по п.11, дополнительно содержащее слой переноса дырок, при этом слой переноса дырок отделяет органический светоизлучающий слой от чувствительного к IR слоя.
13. Устройство по п.12, в котором слой переноса дырок содержит материал, выбранный из группы, состоящей из ТАРС, NPB и TPD.
14. Устройство по п.10, дополнительно содержащее слой переноса электронов, при этом слой переноса электронов отделяет органический светоизлучающий слой от катода.
3
15. Устройство по п.13, в котором слой переноса электронов содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: 3TPYMB, ВСР, BPhen и Alg.
16. Устройство по п.1, в котором выходное излучение генерируется в органическом светоизлучающем слое посредством объединения электронов, инжектированных из катода, с дырками, инжектированными из чувствительного к IR слоя.
17. Устройство по п.16, в котором электроны, инжектированные из катода, перемещаются через слой переноса электронов от катода к светоизлучающему слою.
18. Устройство по п.16, в котором дырки, инжектированные из чувствительного к IR слоя, перемещаются через слой переноса дырок от чувствительного к IR слоя к светоизлучающему слою.
19. Устройство по п.1, в котором выходное электромагнитное излучение не генерируется, пока потенциал не достигнет пороговой величины.
20. Устройство по п.1, в котором генерирование заряда между слоем, запирающим дырки, и слоем, чувствительным к IR незначительно.
21. Способ детектирования инфракрасного (IR) излучения, характеризующийся тем, что:
помещают устройство в интересующую область, при этом устройство содержит: анод;
слой, запирающий дырки;
слой, чувствительный к IR, отделенный от анода слоем, запирающим дырки;
органический светоизлучающий слой, отделенный от анода указанным слоем, чувствительным к IR; и
катод, причем, когда потенциал прикладывается между анодом и катодом и излучение IR попадает на слой, чувствительный к IR, в органическом светоизлучающем слое генерируется выходное электромагнитное излучение; и
выполняют мониторинг выходного электромагнитного излучения, так что, когда детектируется выходное электромагнитное излучение, определяют, что в интересующей области присутствует IR излучение.
3
60
22. Способ по п.21, в котором слой, запирающий дырки, содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: ВСР, UGH2, BPhen, Alq, mCP, C, 3TPYMB, наночастицы ZnO и их комбинации.
23. Способ по п.21, в котором органический светоизлучающий слой генерирует выходное электромагнитное излучение, только когда излучение IR попадает на слой, чувствительный к IR.
24. Способ по п.21, в котором анод выполнен прозрачным, и катод выполнен прозрачным.
25. Способ по п.21, в котором анод содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: ITO, IZO, АТО, AZO, и углеродные нанотрубки.
3
26. Способ по п.21, в котором катод содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: LiF/Al, Ag, Ca:Mg, LiF/Al/ITO, Ag/ITO, CsCO/ITO и Ba/Al.
3
27. Способ по п.21, в котором органический светоизлучающий слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из MEH-PPV, Alq и FIrpic.
28. Способ по п.21, в котором слой, чувствительный к IR, является органическим.
60
60
60
29. Способ по п.28, в котором органический чувствительный к IR слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: SnPc, SnPc:C, AlPcCl, AlPcC1:С, TiOPc и TiOPc:C.
30. Способ по п.21, в котором слой, чувствительный к IR, является неорганическим.
31. Способ по п.30, в котором неорганический чувствительный к IR слой содержит материал, выбранный из группы, состоящей из PbSe и PbS.
32. Способ по п.31, дополнительно содержащий слой переноса дырок, причем слой переноса дырок отделяет органический светоизлучающий слой от слоя, чувствительного к IR.
33. Способ по п.32, в котором слой переноса дырок содержит материал, выбранный из группы, состоящей из ТАРС, NPB и TPD.
34. Способ по п.30, дополнительно содержащий слой переноса электронов, причем слой переноса электронов отделяет органический светоизлучающий слой от катода.
3
35. Способ по п.33, в котором слой переноса электронов содержит материал, выбранный из группы, состоящей из: 3TPYMB, ВСР, BPhen и Alq.
36. Способ по п.31, в котором выходное излучение генерируется в органическом светоизлучающем слое при объединении электронов, инжектированных из катода, с дырками, инжектированными из чувствительного к IR слоя.
37. Способ по п.36, в котором электроны, инжектированные из катода, перемещаются через слой переноса электронов от катода к светоизлучающему слою.
38. Способ по п.36, в котором дырки, инжектированные из слоя, чувствительного к IR, перемещаются через слой переноса дырок от слоя, чувствительного к IR, к светоизлучающему слою.
39. Способ по п.21, в котором выходное электромагнитное излучение не генерируется, пока потенциал не достигнет пороговой величины.
40. Способ по п.21, в котором генерирование зарядов между слоем, запирающим дырки, и слоем, чувствительным к IR, является незначительным.