БЕЗЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Безэпитаксиальная структура биполярного транзистора, включающая в себя:
области коллектора, области базы и эмиттера в пластине кремния,
контакты к областям коллектора, базы и эмиттера, при этом контакты к областям базы и эмиттера осуществляются через электроды из поликристаллического кремния;
изолирующий полевой окисел вокруг области базы транзистора и между областями базы и контакта к коллектору;
первую высоколегированную область одного с областью коллектора типа проводимости, расположенную под полевым окислом, окружающим область базы с четырех сторон;
вторую высоколегированную область одного с коллектором типа проводимости, располагаемую в коллекторе под областью активной базы,
отличающаяся тем, что
электрод эмиттера сформирован на окисле кремния по типу затвора МОП-транзистора, при этом реальный размер области эмиттера определяется величиной торцевого травления слоя окисла кремния под электродом эмиттера,
область эмиттера заполнена поликристаллическим кремнием,
контакт к базе выполнен с помощью электрода из поликристаллического кремния,
вторая высоколегированная область одного с коллектором типа проводимости размещена только под областями активной базы на участках между областью эмиттера и полевым окислом.