СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, ВКЛЮЧАЮЩЕЕ В СЕБЯ ЛЮМИНЕСЦЕНТНУЮ КЕРАМИКУ И СВЕТОРАССЕИВАЮЩИЙ МАТЕРИАЛ

1. Устройство, содержащее полупроводниковую структуру 12, содержащую светоизлучающую область 31, расположенную между областью n-типа и областью р-типа; керамическое тело 30, содержащее преобразующий длину волны материал, причем данное керамическое тело расположено на пути света, испускаемого светоизлучающей областью, и слой прозрачного материала 36, расположенный на пути света, испускаемого светоизлучающей областью, причем множество частиц 45, сформированных для рассеяния света, испускаемого светоизлучающей областью, находятся в слое прозрачного материала.
2. Устройство по п.1, где прозрачный материал 36 расположен между полупроводниковой структурой 12 и керамическим телом 30 и соединяет полупроводниковую структуру с керамическим телом.
3. Устройство по п.1, где керамическое тело 30 расположено между прозрачным материалом 36 и полупроводниковой структурой 12.
4. Устройство по п.1, где толщина прозрачного материала 36 составляет меньше чем 50% толщины керамического тела 30.
5. Устройство по п.1, где разница между показателем преломления частиц 45 и показателем преломления прозрачного материала 36 составляет, по меньшей мере, 0,4.
6. Устройство по п.1, где частицы 45 выбирают из группы, состоящей из оксидов иттрия, оксидов титана, оксидов стронция и оксидов рубидия.
7. Устройство по п.1, где частицы 45 имеют средний диаметр от 0,5 λ до 20 λ, где λ представляет собой длину волны света, испускаемого светоизлучающей областью 31, внутри полупроводниковой структуры 12.
8. Устройство по п.1, где прозрачный материал 36 выбирают из группы, состоящей из силикона, эпоксидной смолы и стекла.
9. Устройство по п.1, где слой прозрачного материала 36 имеет толщину от 0,5 до 50 мкм.
10. Устройство по п.1, где полупроводниковая структура 12 содержит множество III-нитридных слоев.
11. Устройство, содержащее полупроводниковую структуру 12, содержащую светоизлучающую область 31, расположенную между областью n-типа и областью р-типа; керамическое тело 30, содержащее первый преобразующий длину волны материал, причем данное керамическое тело расположено на пути света, испускаемого светоизлучающей областью и слой прозрачного материала 36, расположенный на пути света, испускаемого светоизлучающей областью, причем множество частиц 45 из второго, преобразующего длину волны материала находятся в слое прозрачного материала.
12. Устройство по п.11, где прозрачный материал 36 расположен между полупроводниковой структурой 12 и керамическим телом 30 и соединяет полупроводниковую структуру с керамическим телом.
13. Устройство по п.11, где керамическое тело 30 расположено между прозрачным материалом 36 и полупроводниковой структурой 12.
14. Устройство по п.11, где толщина прозрачного материала 36 составляет меньше чем 50% толщины керамического тела 30.
15. Устройство по п.11, где светоизлучающая область 31 сформирована так, чтобы излучать синий свет, первый преобразующий длину волны материал сформирован так, чтобы поглощать синий свет и излучать желтый или зеленый свет, и второй преобразующий длину волны материал сформирован так, чтобы поглощать синий свет и излучать красный свет.
1-x-y-a-b
x
y
3
1-z
z
5
12
a
b
3
5
12
3
5
12
2
2
2
1-u-v-x
u
v
x
2-y-z
y
z
4
2
4
1-x
x
4
3+
3+
2+
2+
2+
2+
16. Устройство по п.11, где первый преобразующий длину волны материал выбирают из группы, состоящей из (LuYGd)(AlGa)O:CePr, где 0<x<1, 0<y<1, 0<z≤0,1, 0<a≤0,2 и 0<b≤0,1; LuAlO:Ce; YAlO:Ce; SrSiNO:Eu; (SrMgCaBa)(GaAlInS):Eu; SrGaS:Eu; и SrBaSiO:Eu.
1-x
x
1-x-y
x
y
2-z
5-a
a
8-a
a
z
2
5
8
0,99
3
0,01
2-x-z
x
5-y
y
8-y
y
z
1-x
2
2
2
2+
2+
2+
2+
2+
2+
17. Устройство по п.11, где второй преобразующий длину волны материал выбирают из группы, состоящей из (CaSr)S:Eu, где 0<x≤1; CaS:Eu; SrS:Eu; (SrBaCa)SiAlNO:Eu , где 0≤a<5, 0<x≤1, 0≤y≤1 и 0<z≤1; SrSiN:Eu; CaAlSiN:Eu; BaMSiAlNO:Eu (M=Sr, Ca; 0≤x≤1, 0≤y≤4, 0,0005≤z≤0,05); и SrSiON:Eu.
18. Устройство по п.11, дополнительно содержащее множество не преобразующих длину волны частиц, расположенных в слое прозрачного материала 36.
19. Устройство по п.11, где прозрачный материал 36 выбирают из группы, состоящей из силикона, эпоксидной смолы и стекла.
20. Устройство по п.11, где прозрачный материал 36 имеет толщину от 0,5 до 50 мкм.
21. Устройство по п.11, где полупроводниковая структура 12 содержит множество III-нитридных слоев.
22. Устройство по п.11, дополнительно содержащее n- и р-контакты 38, 39, электрически соединяющиеся с областями n- и р-типа, и крышку 108, расположенную над светоизлучающей областью.