КОНСТРКУЦИИ, ВКЛЮЧАЮЩИЕ МОЛЕКУЛЯРНЫЕ СТРУКТУРЫ С ВЫСОКИМ АСПЕКТНЫМ СООТНОШЕНИЕМ, И СПОСОБЫ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Конструкция, включающая молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением (ВАСМ-структуры), где конструкция включает по существу плоскую сеть (2) ВАСМ-структур, и подложку (3), находящуюся в контакте с сетью (2); отличающаяся тем, что подложка (3) имеет отверстие (5), причем по периферийной области (4) указанного отверстия (5) сеть (2) контактирует с подложкой (3) так, что средняя часть сети (2) является незакрепленной на подложке (3), а также тем, что сеть (2) включает по существу случайным образом ориентированные ВАСМ-структуры.
2. Конструкция по п.1, отличающаяся тем, что подложка (3) представляет собой по существу плоскую пластину, отверстие (5) в которой представляет собой полость в средней части пластины.
3. Конструкция по любому из пп.1 и 2, отличающаяся тем, что сеть (2) включает по существу случайным образом ориентированные ВАСМ-структуры, выбранные из группы молекул углеродных нанотрубок и молекул углеродных нанопочек.
4. Способ изготовления конструкции, включающей молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением (ВАСМ-структуры), отличающийся тем, что способ включает стадии:
- изготовления по существу плоской сети (2) из по существу случайным образом ориентированных ВАСМ-структур на подготовительной подложке (1), путем нанесения ВАСМ-структур на подготовительную подложку (1),
- приведения сети (2) на подготовительной подложке (1) в непосредственную близость с подложкой (3), имеющей отверстие (5);
- перенесения сети (2) на подложку (3) так, что сеть (2) контактирует с подложкой (3) в периферийной области (4) отверстия (5) в подложке (3), а средняя часть сети (2) является незакрепленной на подложке (3); и
- удаления подготовительной подложки (1) с сети (2).
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что стадия приведения сети (2) на подготовительной подложке (1) в непосредственную близость с подложкой (3), имеющей отверстие (5), включает нанесение сети (2) на подготовительную подложку (1), находящуюся в непосредственной близости с подложкой (3).
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что способ включает стадию:
- помещения сети (2) на подложке (3) в поток газа так, чтобы газ проходил через сеть (2) и через отверстие (5) в подложке (3), для осуществления модификации сети (2).
7. Способ по п.4, отличающийся тем, что способ включает стадию:
- нанесения жидкости на сеть (2) на подложке (3) так, чтобы жидкость впитывалась и покрывала сеть (2).
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что жидкость представляет собой растворитель с растворенным в нем веществом.
9. Способ по любому из пп.4-8, отличающийся тем, что способ включает стадии:
- приведения сети (2), находящейся на подложке (3), в контакт с третичной подложкой (6), при этом поверхностная энергия третичной подложки (6) ниже, чем поверхностная энергия подготовительной подложки (1), и
- переноса сети (2) с подложки (3) на третичную подложку (6).
10. Применение конструкции по п.1 в устройстве, выбранном из группы, состоящей из оптического элемента в лазере, формирователя световых импульсов, аудио-громкоговорителя, фильтра для частиц аэрозоля, газового фильтра, датчика давления, датчика потока, датчика частиц, газового сенсора, электромагнитного приемника и антенны.