СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ АТОМНОГО СЛОЯ И УСТРОЙСТВО, СОДЕРЖАЩЕЕ ИСТОЧНИК ФОТОНОВ

1. Способ осаждения, включающий следующие операции:
подают пары прекурсоров в канал, проходящий через устройство для осуществления осаждения, и
осаждают материал из паров прекурсоров на подложку при ее перемещении через указанное устройство, воздействуя на подложку внутри канала парами прекурсоров при чередовании периодов фотонного воздействия и затенения.
2. Способ по п. 1, в котором канал выполняют ограничивающим движение паров прекурсоров в вертикальном направлении.
3. Способ по п. 1, в котором пары прекурсоров содержат первое прекурсорное вещество и газообразный источник второго прекурсора, выполняющий функцию газа-носителя для первого прекурсорного вещества.
4. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором в период затенения первое прекурсорное вещество вступает в реакцию с реакционноспособными участками на поверхности подложки, а в следующий за ним период фотонного воздействия второе прекурсорное вещество реагирует с хемосорбированным первым прекурсорным веществом.
5. Способ по п. 4, включающий обеспечение протекания реакции в период фотонного воздействия за счет восприятия фотонной энергии.
6. Способ по любому из пп. 1-3, включающий задание периодов фотонного воздействия и затенения путем затенения поверхности подложки таким образом, что область тени задает период затенения, а незатененная область - период фотонного воздействия.
7. Способ по любому из пп. 1-3, в котором реакции, имеющие место в течение периода затенения, являются самоограниченными поверхностными реакциями.
8. Устройство для осуществления осаждения, содержащее проходящий через устройство канал и по меньшей мере одну питающую линию для подачи в канал паров прекурсоров, при этом указанное устройство сконфигурировано с возможностью осаждения материала из паров прекурсоров на подложку, при ее продвижении через указанное устройство, путем воздействия на подложку внутри канала парами прекурсоров и чередования периодов фотонного воздействия с периодами затенения.
9. Устройство по п. 8, в котором канал сконфигурирован ограничивающим движение паров прекурсоров в вертикальном направлении.
10. Устройство по п. 8, в котором пары прекурсоров содержат первое прекурсорное вещество и газообразный источник второго прекурсора, причем устройство сконфигурировано с возможностью использования газообразного источника второго прекурсора в качестве газа-носителя для первого прекурсорного вещества.
11. Устройство по любому из пп. 8-10, в котором устройство сконфигурировано с возможностью обеспечения реакции первого прекурсорного вещества с реакционноспособными участками на поверхности подложки в период затенения и, в течение следующего за этим периода фотонного воздействия, реакции второго прекурсорного вещества с хемосорбированным первым прекурсорным веществом.
12. Устройство по п. 11, содержащее источник фотонов, сконфигурированный с возможностью испускания фотонной энергии для обеспечения протекания реакции в период фотонного воздействия.
13. Устройство по любому из пп. 8-10, содержащее затенитель, находящийся между подложкой и источником фотонов и имеющий участки, проницаемые для фотонов, и участки, непроницаемые для фотонов, для задания периодов фотонного воздействия и периодов затенения путем затенения поверхности подложки таким образом, что область тени задает период затенения, а незатененная область - период фотонного воздействия.