ОПОРНЫЕ КОНСТРУКЦИИ ДЛЯ ВТСП-МАГНИТОВ

1. Опорная конструкция для катушки поля, содержащей высокотемпературный сверхпроводник, ВТСП, содержащая:
внутренний элемент переноса нагрузки, выполненный с возможностью прикрепления на одном конце к катушке поля, а на другом конце к внутренней поверхности вакуумного сосуда, содержащего катушку поля, и выполненный с возможностью поддержки катушки поля против электромагнитных сил, действующих на катушку поля;
при этом по меньшей мере часть внутреннего элемента переноса нагрузки выполнена с возможностью оставаться при комнатной температуре во время работы катушки поля.
2. Опорная конструкция по п.1, содержащая внешний опорный элемент, выполненный с возможностью поддержки внутреннего опорного элемента, при этом внешний опорный элемент объединен с вакуумным сосудом или прикреплен к наружной поверхности вакуумного сосуда.
3. Опорная конструкция по п.1, причем внутренний элемент переноса нагрузки выполнен с возможностью прикрепления к верхней внутренней поверхности вакуумного сосуда и к верхней части катушки поля.
4. Опорная конструкция по п.1, причем внутренний элемент переноса нагрузки содержит слоистый материал, причем плоскость слоистого материала перпендикулярна оси нагрузки внутреннего элемента переноса нагрузки.
5. Опорная конструкция по п.4, причем слоистый материал представляет собой стекловолокнистый эпоксидный материал.
6. Опорная конструкция по п.1, причем катушка поля представляет собой катушку тороидального поля для удержания плазмы в токамаке, а внутренний элемент переноса нагрузки выполнен с возможностью прикрепления к верхней части центральной колонны катушки тороидального поля.
7. Опорная конструкция по п.1, причем катушка поля представляет собой катушку тороидального поля для удержания плазмы в токамаке, а внутренний элемент переноса нагрузки выполнен с возможностью прикрепления к возвратной ветви катушки тороидального поля.
8. Опорная конструкция по п.1, причем катушка поля представляет собой катушку полоидального поля для удержания плазмы в токамаке.
9. Криостат для катушки поля, содержащей высокотемпературный сверхпроводник, ВТСП, содержащий:
опорную конструкцию по п.1;
вакуумный сосуд, вмещающий внутренний опорный элемент и катушку поля.
10. Криостат по п.9, дополнительно содержащий теплозащитный экран, расположенный между вакуумным сосудом и катушкой поля, причем теплозащитный экран выполнен с возможностью охлаждения до промежуточной температуры между температурой катушки поля и температурой вакуумного сосуда, при этом внутренний элемент переноса нагрузки проходит через теплозащитный экран.
11. Криостат по п.10, выполненный с возможностью охлаждения теплозащитного экрана с использованием жидкого азота.
12. Сверхпроводящий магнит, содержащий:
криостат по п.9;
катушку поля, содержащую высокотемпературный сверхпроводник, ВТСП; и
систему охлаждения, выполненную с возможностью охлаждения катушки поля до температуры ниже критической температуры ВТСП.
13. Сверхпроводящий магнит по п.12, причем внутренний элемент переноса нагрузки не охлаждается непосредственно системой охлаждения.
14. Сверхпроводящий магнит по п.12, дополнительно содержащий внешнюю опорную раму снаружи криостата и одну или более внешних опор для переноса нагрузки от внутреннего элемента переноса нагрузки на внешнюю опорную раму.
15. Термоядерный реактор, содержащий:
криостат по п.9;
катушку тороидального поля, содержащую высокотемпературный сверхпроводник, ВТСП, к которому прикреплен внутренний элемент переноса нагрузки;
две или более катушек полоидального поля, содержащих ВТСП;
плазменную камеру сферического токамака; и
систему охлаждения, выполненную с возможностью охлаждения катушек тороидального и полоидального полей до температуры ниже критической температуры ВТСП.
16. Термоядерный реактор по п.15, содержащий второй внутренний элемент переноса нагрузки, прикрепленный к катушке полоидального поля.
17. Сверхпроводящий магнит, содержащий:
катушку поля, содержащую высокотемпературный сверхпроводник, ВТСП;
систему охлаждения для охлаждения катушки поля до температуры ниже критической температуры ВТСП;
вакуумный сосуд, содержащий катушку поля;
внутренний элемент переноса нагрузки, выполненный с возможностью прикрепления на одном конце к катушке поля, а на другом конце к внутренней поверхности вакуумного сосуда, содержащего катушку поля, и выполненный с возможностью поддержки катушки поля против электромагнитных сил, действующих на катушку поля;
при этом по меньшей мере часть внутреннего элемента переноса нагрузки выполнена с возможностью оставаться при комнатной температуре во время работы катушки поля.
18. Сверхпроводящий магнит по п.17, причем катушка поля представляет собой катушку тороидального или полоидального поля для удержания плазмы в токамаке.