ИСТОЧНИК ИОНОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ

1. Источник ионов, содержащий:
плазменную генераторную камеру;
ограждающую стенку, выполненную из диэлектрического материала и ограничивающую упомянутую плазменную генераторную камеру;
высокочастотную антенну, установленную на внешней поверхности упомянутой ограждающей стенки и генерирующую плазму в упомянутой плазменной генераторной камере; и
конструкцию, установленную внутри упомянутой плазменной генераторной камеры, при этом упомянутая конструкция выполнена из диэлектрического материала и ограничивает осаждение на внутренней поверхности упомянутой ограждающей стенки, находящейся перед упомянутой высокочастотной антенной.
2. Источник ионов по п.1, в котором упомянутая конструкция представляет собой защитный корпус, выполненный из диэлектрического материала, покрывающий внутреннюю поверхность упомянутой ограждающей стенки и содержащий, по меньшей мере, одну прорезь, сформированную в направлении, пересекающем направление намотки упомянутой высокочастотной антенны.
3. Источник ионов по п.2, в котором упомянутый защитный корпус установлен около внутренней поверхности упомянутой ограждающей стенки.
4. Источник ионов по п.1, в котором упомянутая конструкция представляет собой выступ или углубление, сформированный(ное) на, по меньшей мере, одной части внутренней поверхности упомянутой ограждающей стенки и продолженный(ное) в направлении, пересекающем направление намотки упомянутой высокочастотной антенны.
5. Источник ионов по п.1, в котором упомянутая конструкция содержит:
выступ или углубление, сформированный(ное) на, по меньшей мере, одной части внутренней поверхности упомянутой ограждающей стенки и продолженный(ное) в направлении, пересекающем направление намотки упомянутой высокочастотной антенны; и
защитный корпус, выполненный из диэлектрического материала, покрывающий внутреннюю поверхность упомянутой ограждающей стенки и содержащий, по меньшей мере, одну прорезь, сформированную в направлении, пересекающем направление намотки упомянутой высокочастотной антенны.
6. Источник ионов по п.1, дополнительно содержащий вытягивающий электрод для выведения ионов из плазмы, генерируемой в упомянутой плазменной генераторной камере.
7. Источник ионов по п.1, в котором:
упомянутая конструкция представляет собой защитный корпус, выполненный из диэлектрического материала, покрывающий внутреннюю поверхность упомянутой ограждающей стенки и содержащий, по меньшей мере, одну прорезь, сформированную в направлении, пересекающем направление намотки упомянутой высокочастотной антенны;
вытягивающий электрод для выведения ионов из плазмы, генерируемой в упомянутой плазменной генераторной камере, установлен вблизи упомянутого защитного корпуса; при этом
расстояние между упомянутым защитным корпусом и упомянутым вытягивающим электродом равно или меньше, чем 1 мм.
8. Устройство для плазменной обработки, содержащее:
технологическую камеру для размещения подлежащей обработке подложки;
плазменную генераторную камеру;
ограждающую стенку, выполненную из диэлектрического материала и ограничивающую упомянутую плазменную генераторную камеру;
высокочастотную антенну, установленную на внешней поверхности упомянутой ограждающей стенки и генерирующую плазму в упомянутой плазменной генераторной камере; и
конструкцию, установленную внутри упомянутой плазменной генераторной камеры, при этом упомянутая конструкция выполнена из диэлектрического материала и ограничивает осаждение на внутренней поверхности упомянутой ограждающей стенки, находящейся перед упомянутой высокочастотной антенной.
9. Устройство для плазменной обработки по п.8, в котором предусмотрен вытягивающий электрод для выведения ионов из плазмы, генерируемой в упомянутой плазменной генераторной камере, к упомянутой технологической камере, установленный между упомянутой плазменной генераторной камерой и упомянутой технологической камерой.
10. Устройство для плазменной обработки по п.8, в котором:
упомянутая конструкция представляет собой защитный корпус, выполненный из диэлектрического материала, покрывающий внутреннюю поверхность упомянутой ограждающей стенки и содержащий, по меньшей мере, одну прорезь, сформированную в направлении, пересекающем направление намотки упомянутой высокочастотной антенны;
вытягивающий электрод для выведения ионов из плазмы, генерируемой в упомянутой плазменной генераторной камере, установлен вблизи упомянутого защитного корпуса; при этом
расстояние между упомянутым защитным корпусом и упомянутым вытягивающим электродом равно или меньше, чем 1 мм.
11. Устройство для плазменной обработки по п.8, в котором мишень установки для распыления, облучаемая ионами, выводимыми из упомянутой плазменной генераторной камеры и осаждающая распыляемые материалы на упомянутую, подлежащую обработке подложку, установлена внутри упомянутой технологической камеры.