СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО SIC

1. Способ получения монокристаллического SiC сублимацией источника SiC на затравочный монокристалл SiC, предусматривающий предварительное травление поверхности затравочного монокристалла SiC в процессе подъема температуры в ростовой ячейке, отличающийся тем, что травление поверхности затравочного кристалла SiC проводят сублимированным AlN, используя источник AlN, размещенный между затравочным кристаллом и источником SiC.
2. Способ получения монокристаллического SiC по п.1, отличающийся тем, что в качестве источника AlN используют порошок AlN, размещенный в кювете, закрепленной в ростовой ячейке на держателе напротив затравочного кристалла.
3. Способ получения монокристаллического SiC по п.1, отличающийся тем, что в качестве источника AlN используют пластину со слоем AlN, закрепленную на стенке ростовой ячейки на держателе напротив затравочного кристалла.
4. Способ получения монокристаллического SiC по п.1, отличающийся тем, что количество размещаемого в ростовой ячейке AlN определяют из расчета
2
2
M=3πnRρ(H+r),
где М - количество размещаемого в ростовой ячейке AlN, г,
n=0,5-3,0 - параметр статистического разброса,
R - глубина нарушенного слоя затравочного кристалла, см,
3
ρ=3,2 - плотность монокристалла SiC, г/см,
Н - расстояние "затравочный кристалл - источник AlN", см,
r - радиус затравочного кристалла, см.