СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ПРИБОР НА ОСНОВЕ НИТРИДА ЭЛЕМЕНТА III ГРУППЫ СО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИМ СЛОЕМ С УМЕНЬШЕННЫМИ НАПРЯЖЕНИЯМИ

1. Способ формирования полупроводниковой структуры, содержащий этапы
выращивания светоизлучающего слоя 12 между областью 11 n-типа и областью 13 p-типа и текстурирование поверхности внутри 1000 Å светоизлучающего слоя.
2. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой 12 является смежным с текстурированной поверхностью.
3. Способ по п.1, в котором текстурированная поверхность расположена внутри области 11 n-типа.
4. Способ по п.1, в котором текстурированная поверхность содержит элементы, литографически сформированные на слое нитрида элемента III группы так, что элементы имеют в поперечном сечении профиль, напоминающий выступы, разделенные углублениями.
5. Способ по п.4, в котором наибольшее горизонтальное расстояние между двумя соседними выступами составляет менее чем 200 нм.
6. Способ по п.1, в котором текстурированный слой содержит слой изоляционного материала 15, расположенный внутри полупроводниковой структуры, причем множество отверстий 16 расположено в этом изоляционном материале.
7. Способ по п.6, в котором изоляционный материал 15 содержит, по меньшей мере, один нитрид кремния.
8. Способ по п.6, в котором наибольший горизонтальный размер одного из отверстий 16 составляет менее чем 200 нм.
9. Способ по п.6, в котором наибольший горизонтальный размер одного из отверстий составляет менее 100 нм.
bulk
in-plane
in-plane
bulk
bulk
10. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой 12 имеет объемную постоянную a решетки, соответствующую постоянной решетки самостоятельного материала того же самого состава, что и светоизлучающий слой; светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки a, соответствующую постоянной решетки светоизлучающего слоя как выращенного в структуре, и (a-a)/a составляет менее чем 1%.
11. Способ по п.1, в котором толщина светоизлучающего слоя 12 составляет более чем 50 Å.
18
20
-3
12. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой 12 легирован кремнием до концентрации примеси между 1·10 и 1·10см.
13. Способ по п.1, дополнительно содержащий
размещение контактов 68, 70, электрически соединенных с областью 11 n-типа и областью 13 p-типа, и размещение покрытия 108, расположенного поверх полупроводниковой структуры на основе нитрида элемента III группы.
14. Способ формирования полупроводниковой структуры, содержащий этапы
размещения светоизлучающего слоя между областью n-типа и областью p-типа;
обеспечение маскирующего слоя 24, имеющего множество отверстий; и
размещение множества столбиков 26 из полупроводникового материала, соответствующих отверстиям в маскирующем слое 24, причем это множество столбиков разделено изоляционным материалом 25; при этом, по меньшей мере, 90% поперечного сечения множества столбиков в плоскости, параллельной поверхности маскирующего слоя, занято столбиками.
15. Способ по п.14, в котором маскирующий слой 24 содержит кремний и азот.
16. Способ по п.14, в котором диаметр каждого из столбиков 26 составляет менее чем 150 нм.
17. Способ по п.14, в котором светоизлучающий слой 28 расположен внутри столбиков.
18. Способ по п.14, дополнительно содержащий расположение планарного слоя из полупроводникового материала 32 p-типа поверх множества столбиков 26.
19. Способ по п.14, дополнительно содержащий расположение планарного слоя из полупроводникового материала 34 n-типа поверх столбиков 26.
20. Способ по п.14, в котором столбики имеют высоту между 50 нм и 3 мкм.
21. Способ по п.14, в котором изоляционный материал 25 представляет собой воздух, резистивный нитрид элемента III группы или оксид кремния.
22. Способ по п.14, в котором столбики имеют форму усеченных многогранников.
23. Способ по п.14, в котором столбики имеют форму многогранников 82.
24. Способ по п.14, в котором светоизлучающий слой 84 является конформным слоем, сформированным поверх многогранников 82.
bulk
in-plane
in-plane
bulk
bulk
25. Способ по п.14, в котором светоизлучающий слой имеет объемную постоянную a решетки, соответствующую постоянной решетки самостоятельного материала того же самого состава, что и светоизлучающий слой; светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки a, соответствующую постоянной кристаллической решетки светоизлучающего слоя как выращенного в структуре, и (a-a)/a составляет менее чем 1%.
26. Способ по п.14, в котором толщина светоизлучающего слоя составляет более чем 50 Å.
18
20
-3
27. Способ по п.14, в котором светоизлучающий слой легирован кремнием до концентрации примеси, составляющей 1·10-1·10см.
28. Способ по п.14, дополнительно содержащий
размещение контактов 68, 70 поверх области n-типа и области p-типа и
размещение защитного покрытия 108 поверх полупроводниковой структуры на основе нитрида элемента III группы.