ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ МНОГОПРОХОДНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА

Излучательная многопроходная гетероструктура, содержащая излучающий слой, к которому с одной стороны примыкает широкозонный слой, а со стороны, противоположной широкозонному слою, - дополнительный узкозонный слой с шириной запрещенной зоны меньше, чем в излучающем слое, минимальная толщина которого - порядка или больше обратной величины коэффициента поглощения излучения, возникающего в излучающем слое, при этом разница Δ ширин запрещенных зон между дополнительным и излучающим слоями связана с параметрами слоев соотношением
где А - параметр с размерностью длины;
p и τ - концентрация основных носителей и время жизни неосновных носителей, относящиеся к излучающему слою;
0
0
P и τ - те же параметры для дополнительного слоя;
эф
L - эффективная диффузионная длина неосновных носителей в излучающем слое;
К - постоянная Больцмана;
Т - абсолютная температура,
17
19
-3
0
отличающаяся тем, что, с целью увеличения внешнего квантового выхода, дополнительный слой выполнен из компенсированного материала со степенью компенсации примесей не менее 90% и концентрацией их в пределах 10 - 10 см, толщина его и излучающего слоя больше диффузионной длины L неосновных носителей в дополнительном слое и равна параметру А в указанном соотношении.