МОДУЛЬ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ

Заявленная полезная модель относится к области компьютерной техники и может быть использована при проектировании серверных платформ с высокой удельной плотностью компоновки системы, предназначенных для проведения высокопроизводительных вычислений и компьютерного моделирования.
Известен модуль памяти (см. патент США №6737738, кл. 257/686), содержащий множество микросхем памяти размещенных на одной поверхности печатной платы, при этом указанные микросхемы попарно располагаются с разным удалением от поверхности печатной платы, что позволяет расположить одну из микросхем пары между второй и поверхностью печатной платы в целях более рационального использования объема, занимаемого модулем памяти.
Недостатками указанного модуля является усложнение эффективного охлаждения такого модуля, а также то, что подобная компоновка микросхем не позволяет использовать пространство, выделенное для установки модуля памяти, с максимальной эффективностью.
Наиболее близким к предлагаемой полезной модели является модуль памяти (см. патент США №7540743, кл. 439/65), содержащий множество микросхем памяти размещенных на одной поверхности печатной платы, при этом указанные микросхемы соединены с соединительными разъемами, расположенными на трех боковых сторонах печатной платы.
Недостатками указанного модуля является расположение разъемов на боковых сторонах, что далеко не всегда позволяет компактно разместить модуль памяти в серверной платформе с высокой удельной плотностью компоновки системы.
Техническим результатом, который может быть получен в заявленной полезной модели, является создание модуля памяти, оптимальным образом использующего пространство, выделенное для установки модуля памяти в серверной платформе с высокой удельной плотностью компоновки системы, при одновременном увеличении быстродействия системы и упрощении охлаждения микросхем памяти.
Технический результат достигается тем, что в модуле памяти, содержащем множество микросхем памяти размещенных на одной поверхности печатной платы и соединенных с соединительным разъемом, расположенным на печатной плате, множество микросхем памяти образуют канал памяти, при этом центры микросхем памяти расположены на одной прямой линии, параллельной внешней поверхности соединительного разъема, размещенного на поверхности платы противоположной поверхности, на которой размещены микросхемы памяти, кроме того, канал памяти соединен с соединительным разъемом, при этом длина соединительных элементов, соединяющих микросхемы канала памяти с соединительным разъемом, одинакова.
Заявленная полезная модель поясняется при помощи схем приведенных на фиг.1-3, где:
- на фиг.1 представлен вид поверхности, на которой размещены микросхемы памяти модуля памяти;
- на фиг.2 представлен вид поверхности, на которой размещены соединительные разъемы модуля памяти;
- на фиг.3 представлен вид сбоку модуля памяти.
Модуль памяти состоит из печатной платы 1, на одной поверхности которой размещено множество микросхем 2 памяти, а на противоположной поверхности печатной платы 1 размещен соединительный разъем 3 и специализированные крепления 4.
Множество микросхем 2 памяти образуют канал памяти. При этом канал памяти образован микросхемами 2 памяти, расположенными в один ряд на поверхности печатной платы 1 таким образом, что центры микросхем 2 памяти расположены на одной прямой линии, параллельной внешней поверхности соединительного разъема 3. Кроме того, канал памяти соединен с соединительным разъемом 3, а длина соединительных элементов (на фиг.1-3 не показаны), соединяющих микросхемы 2 памяти канала памяти с соединительным разъемом 3, одинакова.
При таком взаимном расположении соединительного разъема 3 и микросхем памяти 2, модуль памяти присоединяется к ответному устройству как плоская пластина и практически не занимает места при таком компактном расположении.
Заявленный модуль памяти реализуется следующим образом.
Во время работы серверной платформы, предназначенной для проведения высокопроизводительных вычислений и компьютерного моделирования, микросхемы 2 памяти функционируют при тактовой частоте до 1866 МГц. Для обеспечения функционирования при тактовой частоте достигающей 1866 МГц, длина соединительных элементов, соединяющих микросхемы 2 памяти канала памяти с соединительным разъемом 3, должна быть одинакова, в противном случае, могут происходить серьезные сбои в работе модуля памяти.
При тактовой частоте достигающей 1866 МГц происходит интенсивный нагрев микросхем 2 памяти. Для улучшения охлаждения контактным методом модуля памяти, его наиболее нагретые поверхности, которыми являются поверхности микросхем 2 памяти, обращены от поверхности устройства, с которым соединен соединительный разъем 3. Кроме того, наличие специализированных креплений в каждом углу модуля памяти позволяет равномерно прижимать нагретые поверхности модуля памяти к единому радиатору вычислительного модуля тем самым охлаждая их до нормальной рабочей температуры и позволяет серверной платформе работать с требуемым быстродействием.
Таким образом, за счет того, что множество микросхем памяти образуют канал памяти, при этом центры микросхем памяти канала расположены на одной прямой линии, параллельной внешней поверхности соединительного разъема, который размещен на поверхности платы противоположной поверхности, на которой размещены микросхемы памяти, модуль памяти компактно размещен в серверной платформе с высокой удельной плотностью компоновки системы при сохранении быстродействия системы.