МНОГОСЛОЙНАЯ ГОРИЗОНТАЛЬНАЯ МАТРИЦА ДЕТЕКТОРОВ ДЛЯ КОМПЬЮТЕРНОЙ ТОМОГРАФИИ (КТ), ПО МЕНЬШЕЙ МЕРЕ, С ОДНИМ ТОНКИМ СЛОЕМ МАТРИЦЫ ФОТОДАТЧИКОВ, РАСПОЛОЖЕННЫМ, ПО МЕНЬШЕЙ МЕРЕ, МЕЖДУ ДВУМЯ СЛОЯМИ МАТРИЦЫ СЦИНТИЛЛЯТОРОВ

1. Система визуализации, содержащая:
чувствительную к излучению матрицу детекторов, содержащую:
первый узел, включающий в себя:
первый слой матрицы сцинтилляторов;
первый слой матрицы фотодатчиков, оптически связанный с первым слоем матрицы сцинтилляторов; и
первую схему, электрически соединенную с первым слоем матрицы фотодатчиков;
второй узел, включающий в себя:
второй слой матрицы сцинтилляторов;
второй слой матрицы фотодатчиков, оптически связанный со вторым слоем матрицы сцинтилляторов; и
вторую схему, электрически соединенную со вторым слоем матрицы фотодатчиков; и
считывающую интегральную схему, присоединенную ко второму слою матрицы сцинтилляторов;
при этом первый узел и второй узел уложены в противоположных направлениях, первая схема присоединена ко второй схеме, вторая схема электрически соединена со считывающей интегральной схемой посредством первого гибкого электрического соединения, которое проходит вдоль стороны второго слоя матрицы сцинтилляторов, и первая схема электрически соединена со считывающей интегральной схемой посредством второго гибкого электрического соединения, которое проходит вдоль упомянутой стороны.
2. Система визуализации по п. 1, в которой первый слой матрицы фотодатчиков и второй слой матрицы фотодатчиков расположены между первым слоем матрицы сцинтилляторов и вторым слоем матрицы сцинтилляторов.
3. Система визуализации по п. 1, в которой первый слой матрицы фотодатчиков или второй слой матрицы фотодатчиков формирует первый ток посредством прямого преобразования, который составляет менее одной десятой процента от второго тока, формируемого в первом слое матрицы фотодатчиков или втором слое матрицы фотодатчиков за счет света от первого слоя матрицы сцинтилляторов или второго слоя матрицы сцинтилляторов.
4. Система визуализации по п. 3, в которой первый слой матрицы фотодатчиков и второй слой матрицы фотодатчиков включают в себя материал с атомным числом менее тридцати пяти.
5. Система визуализации по п. 3, в которой первый слой матрицы фотодатчиков и второй слой матрицы фотодатчиков содержат, по меньшей мере, один из кремния или арсенида галлия.
6. Система визуализации по п. 1, в которой первый слой матрицы сцинтилляторов находится ближе к падающему излучению, чем второй слой матрицы сцинтилляторов, причем первый слой матрицы сцинтилляторов включает в себя первый материал с первым атомным числом, а второй слой матрицы сцинтилляторов, который находится дальше от падающего излучения, чем первый слой матрицы сцинтилляторов, включает в себя второй материал со вторым атомным числом, причем первое атомное число меньше второго атомного числа.
7. Система визуализации по п. 6, в которой первый слой матрицы сцинтилляторов включает в себя, по меньшей мере, один из легированного селенида цинка или легированного иттрий-гадолиний-алюминиевого граната.
8. Система визуализации по п. 6, в которой второй слой матрицы сцинтилляторов включает в себя, по меньшей мере, один из сероокиси гадолиния или лютеций-алюминиевого граната.
9. Система визуализации по п. 1, дополнительно содержащая:
различную считывающую электронику для указанных двух слоев матрицы фотодатчиков, причем указанная различная считывающая электроника уложена слоями вдоль направления падающего излучения; и
различные экраны от излучения, соответствующие различной считывающей электронике, причем экраны от излучения расположены чередующимися слоями в многослойной структуре, и каждый из них находится над соответствующей электроникой.
10. Способ, содержащий:
обнаружение излучения с помощью многоспектральной горизонтальной матрицы детекторов системы визуализации,
причем матрица детекторов включает в себя:
первый узел, включающий в себя:
первый слой матрицы сцинтилляторов;
первый слой матрицы фотодатчиков, оптически связанный с первым слоем матрицы сцинтилляторов; и
первую схему, электрически соединенную с первым слоем матрицы фотодатчиков;
второй узел, включающий в себя:
второй слой матрицы сцинтилляторов;
второй слой матрицы фотодатчиков, оптически связанный со вторым слоем матрицы сцинтилляторов; и
вторую схему, электрически соединенную со вторым слоем матрицы фотодатчиков; и
считывающую интегральную схему, присоединенную ко второму слою матрицы сцинтилляторов;
при этом первый узел и второй узел уложены в противоположных направлениях, первая схема присоединена ко второй схеме, вторая схема электрически соединена со считывающей интегральной схемой посредством первого гибкого электрического соединения, которое проходит вдоль стороны второго слоя матрицы сцинтилляторов, и первая схема электрически соединена со считывающей интегральной схемой посредством второго гибкого электрического соединения, которое проходит вдоль упомянутой стороны.
11. Способ по п. 10, в котором первый слой матрицы фотодатчиков и второй слой матрицы фотодатчиков преобразуют менее одного процента падающего на него излучения в ток прямого преобразования.
12. Способ по п. 11, в котором первый слой матрицы фотодатчиков и второй слой матрицы фотодатчиков включают в себя материал с атомным числом менее тридцати пяти.
13. Способ по п. 10, в котором первый слой матрицы фотодатчиков и второй слой матрицы фотодатчиков расположены между первым слоем матрицы сцинтилляторов и вторым слоем матрицы сцинтилляторов.
14. Способ по п. 10, в котором первый слой матрицы фотодатчиков и второй слой матрицы фотодатчиков содержат, по меньшей мере, один из кремния или арсенида галлия.
15. Способ по п. 10, в котором первый слой матрицы сцинтилляторов включает в себя, по меньшей мере, один из легированного селенида цинка или легированного иттрий-гадолиний-алюминиевого граната, а второй слой матрицы сцинтилляторов включает в себя, по меньшей мере, один из сероокиси гадолиния или лютеций-алюминиевого граната.