ВОДНАЯ ПОЛИРУЮЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ И СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОДЛОЖЕК, СОДЕРЖАЩИХ ПЛЕНКИ ДИЭЛЕКТРИКА ОКСИДА КРЕМНИЯ И ПОЛИКРЕМНИЯ

1. Водная полирующая композиция, содержащая
(A) по меньшей мере, один тип абразивных частиц, содержащих или состоящих из диоксида церия, которые положительно заряжены при диспергировании в водной среде, свободной от компонента (C) и имеющей pH в интервале от 3 до 9, что подтверждается электрофоретической подвижностью;
(B) по меньшей мере, один растворимый в воде полимер, выбранный из группы, состоящей из линейных и разветвленных гомополимеров и сополимеров алкиленоксидов; и
(C) по меньшей мере, один анионный фосфатный диспергирующий агент,
где композиция содержит растворимый в воде полимер (В) в количествах от 0,001 до 5 мас.%.
2. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что абразивные частицы (А) состоят из диоксида церия.
3. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что она содержит, в пересчете на полную массу указанной полирующей композиции, от 0,005 до 10 мас.% абразивных частиц (A).
4. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что линейные и разветвленные гомополимеры и сополимеры алкиленоксидов (B) выбирают из группы, состоящей из гомополимеров и сополимеров этиленоксида и пропиленоксида.
5. Водная полирующая композиция по п.4, отличающаяся тем, что она содержит полиэтиленгликоль ПЭГ в качестве гомополимера этиленоксида (B).
6. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что анионный фосфатный диспергирующий агент (C) выбирают из группы растворимых в воде конденсированных фосфатов.
7. Водная полирующая композиция по п.6, отличающаяся тем, что растворимый в воде конденсированный фосфат (C) выбирают из группы, состоящей из метафосфатов общей формулы I:
<mrow><mtext>[</mtext><msup><mi>M</mi><mo>+</mo></msup><msub><mrow /><mi>n</mi></msub><msub><mrow><mo stretchy="false">(</mo><mi>P</mi><msub><mi>O</mi><mn>3</mn></msub><mo stretchy="false">)</mo></mrow><mi>n</mi></msub><mtext>]                                                  </mtext><mrow><mo>(</mo><mtext>I</mtext><mo>)</mo></mrow></mrow>
и полифосфатов общей формулы II и III:
<mrow><msup><mi>M</mi><mo>+</mo></msup><msub><mrow /><mi>n</mi></msub><msub><mi>P</mi><mi>n</mi></msub><msub><mi>O</mi><mrow><mn>3</mn><mi>n</mi><mo>+</mo><mn>1</mn></mrow></msub><mtext>                                     </mtext><mrow><mo>(</mo><mrow><mtext>II</mtext></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
;
<mrow><msup><mi>M</mi><mo>+</mo></msup><msub><mi>H</mi><mn>2</mn></msub><msub><mi>P</mi><mi>n</mi></msub><msub><mi>O</mi><mrow><mn>3</mn><mi>n</mi><mo>+</mo><mn>1</mn></mrow></msub><mtext>                                                     </mtext><mrow><mo>(</mo><mrow><mtext>III</mtext></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
,
где M является аммонием, натрием и калием, и индекс n равен от 2 до 10000.
8. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит, по меньшей мере, один агент, регулирующий pH, или буферный агент (E), отличный от компонентов (A), (B) и (C).
9. Водная полирующая композиция по любому из пп.1-8, отличающаяся тем, что величина pH составляет от 3 до 10.
10. Способ полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств путем контактирования подложки, по меньшей мере, один раз с водной полирующей композицией и полирования подложки до получения желаемой плоскостности, отличающийся тем, что применяют водную полирующую композицию, определенную в любом из пп.1-9.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что подложки содержат, по меньшей мере, один слой, содержащий или состоящий из, по меньшей мере, одного диэлектрического материала, представляющего собой оксид кремния, и, по меньшей мере, один слой, содержащий или состоящий из поликремния, и селективность оксид/поликремний составляет более 50.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что материал подложки дополнительно содержит, по меньшей мере, один слой, содержащий или состоящий из нитрида кремния, и селективность оксид/нитрид находится в интервале от 3 до 6.
13. Способ по любому из пп.10-12, отличающийся тем, что электрические устройства представляют собой устройства с интегральными схемами.