ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ И КАМЕРА

1. Твердотельный датчик изображения, содержащий:
область накопления заряда, имеющую первый тип проводимости, сформированную в области полупроводника;
изолирующую область полупроводника, сформированную в упомянутой области полупроводника и образованную из примесной области полупроводника, имеющей второй тип проводимости;
область ограничения канала, образованную из примесной области полупроводника, имеющей второй тип проводимости, находящуюся в упомянутой области полупроводника и сформированную на изолирующей области полупроводника; и
изолятор, расположенный на области ограничения канала,
причем изолятор включает в себя:
первый изолирующий участок, расположенный над изолирующей областью полупроводника через посредство области ограничения канала,
второй изолирующий участок, расположенный рядом с внешней поверхностью первого изолирующего участка, при этом толщина второго изолирующего участка уменьшается с увеличением расстояния от первого изолирующего участка, и
третий изолирующий участок, сформированный на первом изолирующем участке, причем третий изолирующий участок имеет верхнюю поверхность и боковую поверхность, причем боковая поверхность соединяет верхнюю поверхность третьего изолирующего участка с верхней поверхностью второго изолирующего участка.
2. Датчик по п.1, в котором область накопления заряда включает в себя периферийный участок, сформированный путем имплантации ионов в упомянутую область полупроводника через второй изолирующий участок и находящийся в контакте с областью ограничения канала.
3. Датчик по п.1, в котором участок внешней границы области ограничения канала находится снаружи от внутренней границы второго изолирующего участка и изнутри от внешней границы второго изолирующего участка.
4. Датчик по п.1, в котором верхняя поверхность первого изолирующего участка находится в положении, которое ниже максимальной высоты верхней поверхности второго изолирующего участка, чтобы обеспечить образование участка впадины верхней поверхностью первого изолирующего участка и верхней поверхностью второго изолирующего участка, а третий изолирующий участок включает в себя участок, заполняющий участок впадины.
5. Датчик по п.1, в котором первый изолирующий участок и второй изолирующий участок сформированы из оксида кремния.
6. Датчик по п.1, в котором первый изолирующий участок, второй изолирующий участок и третий изолирующий участок сформированы из оксида кремния.
7. Способ изготовления твердотельного датчика изображения, включающий в себя этапы, на которых:
формируют пленку поликристаллического кремния на области полупроводника;
формируют маску, имеющую отверстие, на пленке поликристаллического кремния;
формируют первый изолирующий участок и второй изолирующий участок, расположенный рядом с внешней поверхностью первого изолирующего участка, путем окисления участка пленки поликристаллического кремния посредством использования упомянутой маски, причем толщина второго изолирующего участка уменьшается с увеличением расстояния от первого изолирующего участка;
формируют область ограничения канала, образованную из примесной области полупроводника, имеющей второй тип проводимости, путем имплантации ионов в упомянутую область полупроводника;
формируют изолирующую область полупроводника, образованную из примесной области полупроводника, имеющей второй тип проводимости, путем имплантации ионов в упомянутую область полупроводника; и
формируют область накопления заряда, имеющую первый тип проводимости, в упомянутой области полупроводника так, чтобы привести эту область в контакт с областью ограничения канала, путем имплантации ионов в упомянутую область полупроводника посредством использования второго изолирующего участка в качестве маски.
8. Способ по п.7, дополнительно включающий в себя этап, на котором формируют изолирующую пленку на упомянутой области полупроводника до формирования пленки поликристаллического кремния, при этом пленку поликристаллического кремния формируют на изолирующей пленке.
9. Способ по п.7, в котором этап формирования маски включает в себя этапы, на которых:
формируют пленку нитрида кремния на пленке поликристаллического кремния;
формируют шаблон резиста на пленке нитрида кремния и
формируют отверстие в пленке нитрида кремния путем травления пленки нитрида кремния посредством использования шаблона резиста.
10. Способ по п.7, дополнительно включающий в себя этап, на котором формируют участок впадины в пленке поликристаллического кремния путем травления пленки поликристаллического кремния в незащищенной области через отверстие маски после формирования маски и до окисления пленки поликристаллического кремния.
11. Способ по п.7, в котором этап формирования области ограничения канала проводят после этапа формирования первого изолирующего участка и второго изолирующего участка.
12. Способ по любому из пп.7-11, дополнительно включающий в себя этап, на котором формируют третий изолирующий участок на первом изолирующем участке.
13. Твердотельный датчик изображения, содержащий:
область накопления заряда, имеющую первый тип проводимости, сформированную в полупроводниковой подложке; и
изолирующий элементы участок, включающий в себя изолятор,
причем изолятор включает в себя первый изолирующий участок, расположенный на полупроводниковой подложке, второй изолирующий участок, расположенный рядом с наружной поверхностью первого изолирующего участка, при этом толщина второго изолирующего участка уменьшается с увеличением расстояния от первого изолирующего участка, и третий изолирующий участок, предусмотренный на первом изолирующем участке, причем третий изолирующий участок имеет верхнюю поверхность и боковую поверхность, причем боковая поверхность соединяет верхнюю поверхность третьего изолирующего участка с верхней поверхностью второго изолирующего участка.
14. Датчик по п.13, в котором граница между первым изолирующим участком и вторым изолирующим участком находится на одном уровне с боковой поверхностью третьего изолирующего участка.
15. Датчик по п.13, в котором верхняя поверхность первого изолирующего участка находится в положении ниже максимальной высоты верхней поверхности второго изолирующего участка, чтобы обеспечить образование участка впадины верхней поверхностью первого изолирующего участка и верхней поверхностью второго изолирующего участка, а третий изолирующий участок включает в себя участок, заполняющий участок впадины.
16. Датчик по п.13, в котором под изолятором предусмотрены изолирующая область полупроводника, образованная из примесной области полупроводника, имеющей второй тип проводимости, сформированная в полупроводниковой подложке, и область ограничения канала, образованная из примесной области полупроводника, имеющей второй тип проводимости, находящаяся в полупроводниковой подложке и сформированная на изолирующей области полупроводника.
17. Камера, содержащая:
твердотельный датчик изображения по любому из пп.1-6 и 13-16; и
блок обработки, который обрабатывает сигнал, выдаваемый из твердотельного датчика изображения.
18. Способ изготовления твердотельного датчика изображения, включающий в себя этапы, на которых:
формируют пленку поликристаллического кремния на области полупроводника;
формируют маску, имеющую отверстие, на пленке поликристаллического кремния;
формируют первый изолирующий участок и второй изолирующий участок, расположенный рядом с внешней поверхностью первого изолирующего участка, путем окисления участка пленки поликристаллического кремния с использованием упомянутой маски, причем толщина второго изолирующего участка уменьшается с увеличением расстояния от первого изолирующего участка; и
формируют изолирующую пленку, служащую в качестве третьего изолирующего участка, на первом изолирующем участке.
19. Способ по п.18, дополнительно включающий в себя этап, на котором формируют пленку оксида кремния на упомянутой области полупроводника,
при этом на этапе окисления первая изолирующая пленка включает в себя пленку оксида кремния.