КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОСЛЕ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ

1. Композиция для очистки после химико-механической полировки, содержащая от около 1 до около 30 мас.% водорастворимого амина, от около 10 до около 59 мас.% водорастворимого органического растворителя, и от около 30 до около 89 мас.% деионизированной воды, по отношению к общей массе композиции.
2. Композиция по п.1, где водорастворимый амин выбирается из гидразина, гидрата гидразина или их комбинации.
3. Композиция по п.1, где водорастворимый органический растворитель выбирается из диметилсульфоксида (ДМСО), диольного соединения, N-метилпирролидона (NMP), диметилацетамида (ДМАЦ), диметилформамида (ДМФ) или их смеси.
4. Композиция по п.3, где диольное соединение выбирается из простого монобутилового эфира диэтиленгликоля (БДГ), простого моноэтилового эфира этиленгликоля, простого диметилового эфира этиленгликоля, простого н-бутилового эфира этиленгликоля, ацетата простого монобутилового эфира этиленгликоля или их смеси.
5. Композиция по п.1, где водорастворимый амин присутствует в количестве от около 1 до около 25 мас.%.
6. Композиция по п.5, где водорастворимый амин присутствует в количестве от около 1 до около 10 мас.%.
7. Композиция по п.1, где водорастворимый органический растворитель присутствует в количестве от около 10 до около 50 мас.%.
8. Композиция по п.7, где водорастворимый органический растворитель присутствует в количестве от около 10 до около 25 мас.%.
9. Композиция по п.1, где деионизированная вода присутствует в количестве от около 50 до около 85 мас.%.
10. Композиция по п.9, где деионизированная вода присутствует в количестве от около 65 до около 85 мас.%.
11. Способ очистки после химико-механической полировки, содержащий стадию контакта полупроводниковой пластины, уже подвергшейся химико-механической полировке, с композицией по любому из пп.1-10, в течение времени, эффективного для удаления остаточных загрязнений с пластины.