СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ НИТРИДОВ III ГРУППЫ, ВЫРАЩЕННЫЕ НА ШАБЛОНАХ ДЛЯ УМЕНЬШЕНИЯ НАПРЯЖЕНИЯ

1. Способ, содержащий: выращивают III-нитридную структуру на подложке 20, III-нитридная структура содержит: шаблон, содержащий: первый слой 22, выращенный непосредственно на подложке, в первом слое, по существу, не содержится индий; и второй слой 26, выращенный над первым слоем, отличающийся тем, что вторым слоем является немонокристаллический слой, содержащий индий; и слои 10 устройства, выращенные над шаблоном, слои устройства, содержащие 111-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что: первый слой 22 является немонокристаллическим слоем GaN, толщина которого менее 500 Å; второй слой 26 является немонокристаллическим слоем InGaN, толщина которого менее 500 Å; и содержание InN во втором слое больше 0 и меньше 20%.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что выращивание III-нитридной структуры содержит отжиг структуры после выращивания одного из слоев: первого слоя 22 и второго слоя 26.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что выращивание III-нитридной структуры содержит выращивание второго слоя 26 при температуре между 400 и 750°С.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что шаблон дополнительно содержит третий слой 22, расположенный между первым слоем 22 и вторым слоем 26, при этом третий слой является немонокристаллическим слоем, по существу, не содержащим индий.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что шаблон дополнительно содержит третий слой 26, выращенный над вторым слоем 26, при этом третий слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что содержание индия во втором слое 26 и третьем слое 26 различно.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что выращивание III-нитридной структуры содержит отжиг структуры после выращивания третьего слоя 26, при этом условия отжига выбирают так, чтобы образовалась область 35 со ступенчато изменяющимся содержанием InN между первым слоем и светоизлучающим слоем.
9. Способ по п.6, отличающийся тем, что: второй 34 и третий 36 слои являются InGaN; и второй слой и третий слой имеют различное содержание InN.
10. Способ по п.6, отличающийся тем, что второй слой 32 и третий слой 34 имеют толщины между 10 и 1000 Å.
11. Способ по п.6, отличающийся тем, что шаблон дополнительно содержит верхний защитный слой GaN 38, расположенный между третьим слоем 34 и светоизлучающим слоем.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что шаблон дополнительно содержит третий слой 22, выращенный над вторым слоем 26, при этом третий слой является немонокристаллическим слоем, по существу, не содержащим индий.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что шаблон дополнительно содержит: третий слой 22, выращенный над вторым слоем 26, третий слой, по существу, не содержит индий; и четвертый слой 26, выращенный над третьим слоем, при этом четвертый слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий.
14. Способ по п.1, отличающийся тем, что шаблон дополнительно содержит третий слой 34, выращенный над вторым слоем 32, и четвертый слой 36, выращенный над третьим слоем, при этом содержание InN в третьем слоем больше, чем содержание InN в четвертом слое.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что выращивание III-нитридной структуры содержит отжиг структуры после выращивания одного из слоев: третьего слоя 34 и четвертого слоя 36.
18
-3
20
-3
16. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержание углерода во втором слое 26 находится между 1·10 см и 1·10 см.
2
-1
7
-1
17. Способ по п.1, отличающийся тем, что один из слоев, включающих второй слой 26, слой непосредственно над вторым слоем и слой непосредственно под вторым слоем, имеет плотность дефектов, параллельную поверхности раздела, расположенной между слоями устройства и первым, по существу, монокристаллическим слоем, между 1·10 см и 1·10 см.
18. Способ по п.1, дополнительно содержащий этапы: соединение 111-нитридной структуры с опорой 84; и удаление ростовой подложки 20.
19. Способ по п.18, дополнительно содержащий удаление части шаблона после удаления ростовой подложки 20.
bulk
in-plane
20. Способ по п.1, отличающийся тем, что: светоизлучающий слой имеет объемную постоянную решетки a, соответствующую постоянной решетки самостоятельного материала того же состава, что и светоизлучающий слой; светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки a, соответствующую постоянной решетки светоизлучающего слоя, выращенного в структуре; и
in-plane
bulk
bulk
|(a - a)|/a в светоизлучающем слое менее 1%.
21. Способ по п.1, отличающийся тем, что значение постоянной решетки а светоизлучающего слоя более 3,189 Å.
22. Способ по п.1, отличающийся тем, что второй слой 26 выращивают при значении скорости менее 5 Å/с.
23. Способ по п.1, отличающийся тем, что значение толщины второго слоя 26 менее 300 Å.