ПЛАЗМЕННО-ИММЕРСИОННАЯ ИОННАЯ ОБРАБОТКА И ОСАЖДЕНИЕ ПОКРЫТИЙ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ ПРИ СОДЕЙСТВИИ ДУГОВОГО РАЗРЯДА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ

1. Система вакуумного нанесения покрытия и плазменной обработки, содержащая: узел формирования плазмы, находящийся напротив подложки, при этом указанный узел формирования плазмы содержит:
катод магнетрона с длинной кромкой, короткой кромкой и магнитный полюс, формирующие рейстрек распыления в мишени магнетрона, имеющей поверхность; при этом магнитный полюс образует электромагнитный барьер;
анод, электрически соединенный с катодом магнетрона;
по меньшей мере один удаленный дуговой разряд, генерируемый отдельно от катода магнетрона и вблизи мишени магнетрона, при этом удаленный дуговой разряд проходит вдоль направления, параллельного длинной кромке мишени магнетрона, и при этом удаленный дуговой разряд удерживается в пределах объема удаленного разряда вблизи мишени магнетрона, причем указанный объем удаленного разряда ограничен поверхностью мишени с одной стороны и указанным электромагнитным барьером со всех других сторон;
защитный кожух катода удаленного дугового разряда, расположенный поверх дугового разряда и поперек короткой кромки катода магнетрона; и
защитный кожух анода удаленного дугового разряда; магнитную систему, создающую магнитные силовые линии, которые проходят в плазму и удерживают плазму напротив указанного узла формирования плазмы и подложки; источник электрического питания катода магнетрона, подключенный к катоду магнетрона и к аноду; и
источник электрического питания удаленного дугового разряда, включенный между по меньшей мере двумя электродами удаленного дугового разряда.
2. Система по п. 1, в которой катод магнетрона питается электрической энергией от источника питания постоянного тока, имеющего выходное напряжение от 100 до 2000 В.
3. Система по п. 1, в которой катода магнетрона питается электрической энергией от источника радиочастотной энергии.
4. Система по п. 1, в которой катод магнетрона питается электрической энергией от импульсного источника питания постоянного тока.
5. Система по п. 4, в которой импульсный источник питания постоянного тока имеет выходное напряжение от 300 В до 10 кВ.
2
2
6. Система по п. 4, в которой плотность энергии, подводимой к мишени магнетрона, составляет от 50 Вт/см до 50 кВт/см.
7. Система по п. 1, в которой используется два удаленных дуговых разряда, в которых падение напряжения составляет от 50 до 3000 В.
8. Система по п. 1, в которой мишень магнетрона выполнена с возможностью перемещаться и входить в плазму и выходить из плазмы.
9. Система по п. 1, в которой магнитный полюс представляет собой электромагнит, установленный сзади мишени и предназначенный для создания магнитного поля перед мишенью.
10. Система по п. 1, в которой магнитный полюс представляет собой постоянный магнит, установленный сзади мишени для генерирования магнитного поля перед мишенью.
2
11. Система по п. 1, в которой плотность тока в дуговом разряде составляет  от 1 до 300 А/см.
12. Система по п. 1, дополнительно содержащая проволочный электрод, которому придана форма с выпуклым профилем, причем вершина выпуклости проволоки направлена в сторону подложки.
13. Система по п. 1, дополнительно содержащая более чем одну систему вакуумного покрытия и плазменной обработки, установленные вблизи друг друга, при этом указанная магнитная система создает магнитные силовые линии, проходящие от магнитных катушек, которые имеют чередующиеся направления токов.
14. Система по п. 1, дополнительно содержащая второй узел нанесения покрытия с магнитными катушками, обращенными в сторону первого узла нанесения покрытия, при этом каждая из двух сторон держателя подложки обращена в сторону узла нанесения покрытия.
15. Система по п. 1, в которой дуговой разряд входит в плазму со стороны размещения защитного кожуха катода.
16. Система по п. 1, в которой дуговой разряд генерируется вбросом от электродуговой струи.
17. Система по п. 1, в которой в качестве источника питания дугового разряда используется источник питания постоянного тока.
18. Система по п. 1, в которой в качестве источника питания дугового разряда используется импульсный источник питания постоянного тока.
19. Система оп п. 18, в которой импульсный ток составляет  от 10А до 100 кА.
20. Система по п. 1, в которой дуговой разряд питается от источника радиочастотной энергии.
21. Система по п. 1, в которой дуговой разряд генерируется с помощью оппозитно расположенных стержневых электродов, при этом ось стержней проходит от одного стержневого электрода к противоположному стержневому электроду, причем один стержневой электрод выполнен с центральным входным отверстием для газа.
22. Система по п. 21, в которой расстояние между осью стержней и поверхностью мишени составляет от 5 до 40 мм.
23. Система по п. 21, в которой расстояние между осью стержней и поверхностью мишени составляет от 10 до 25 мм.
24. Система по п. 21, в которой расстояние между оппозитно расположенными стержневыми электродами составляет от 2 до 30 мм.
25. Система по п. 21, в которой диаметр стержневых электродов составляет от 5 до 30 мм.
26. Система для вакуумного нанесения покрытия и плазменной обработки, содержащая:
узел формирования плазмы, находящийся напротив подложки, при этом указанный узел формирования плазмы содержит:
катод магнетрона с длинной кромкой, короткой кромкой и магнитный полюс, формирующие рейстрек распыления в мишени магнетрона, имеющей поверхность; при этом магнитный полюс образует электромагнитный барьер;
анод, электрически соединенный с катодом магнетрона;
по меньшей мере один удаленный дуговой разряд, генерируемый отдельно от катода магнетрона и вблизи мишени магнетрона, при этом удаленный дуговой разряд проходит вдоль направления, параллельного длинной кромке мишени магнетрона, при этом удаленный дуговой разряд удерживается в пределах объема удаленного разряда вблизи мишени магнетрона, причем объем удаленного разряда ограничивается поверхностью мишени с одной стороны и электромагнитным барьером со всех других сторон;
защитный кожух катода удаленного дугового разряда, расположенный поверх дугового разряда и поперек короткой кромки катода магнетрона; и
защитный кожух анода удаленного дугового разряда; магнитную систему, создающую магнитные силовые линии, которые проходят в плазму и удерживают плазму напротив указанного узла формирования плазмы и подложки; источник электрического питания катода магнетрона, подключенный к катоду магнетрона и к аноду;
источник электрического питания удаленного дугового разряда, включенный между по меньшей мере двумя электродами удаленного дугового разряда; и
проволочный электрод, которому придана форма с выпуклым профилем, причем выпуклость направлена в сторону подложки.
27. Система по п. 26, дополнительно содержащая более чем одну систему вакуумного покрытия и плазменной обработки, указанные системы установлены вблизи друг друга, при этом магнитная система создает магнитные силовые линии, проходящие от магнитных катушек, которые имеют чередующиеся направления токов.
28. Система по п. 26, дополнительно содержащая второй узел нанесения покрытия с магнитными катушками, обращенными в сторону первого узла нанесения покрытия, при этом каждая из двух сторон держателя подложки обращена в сторону узла нанесения покрытия.
29. Система по п. 26, в которой дуговой разряд генерируется оппозитно размещенными стержневыми электродами, при этом ось стержней проходит от одного стержневого электрода к противоположному стержневому электроду.
30. Способ нанесения покрытия на подложку, включающий:
подачу энергии на катод,
подачу энергии для дугового разряда,
подачу энергии на магнитную катушку,
подачу газа в вакуумную камеру,
откачку газа из вакуумной камеры и
нанесение покрытия на подложку.