УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА САПФИРА

1. Устройство для выращивания монокристалла сапфира, в котором выращивают монокристалл сапфира с помощью стадий: размещения затравочного кристалла и сырьевого материала в тигле; помещения тигля в цилиндрическом нагревателе, расположенном в печи для выращивания; и нагревания тигля с помощью цилиндрического нагревателя, чтобы расплавить сырьевой материал и часть затравочного кристалла,
причем теплозащитный экран устанавливают в печи для выращивания, теплозащитный экран охватывает цилиндрический нагреватель, таким образом, образуя зону нагрева,
теплозащитный экран состоит из множества цилиндрических секций, которые располагают вертикально друг над другом и их радиальные местоположения определяют с помощью средств позиционирования, и
цилиндрические секции выполнены из углеродного волокна.
2. Устройство по п.1,
в котором теплозащитный экран дополнительно имеет каркасную секцию вертикально поддерживающую вес всех или части цилиндрических секций.
3. Устройство по п.1,
в котором создают температурный градиент в печи для выращивания, при котором температура в верхней части выше, чем температура в нижней части, для того чтобы осуществить способ направленной кристаллизации для последовательной кристаллизации расплава сырьевого материала и затравочного кристалла,
теплозащитный экран содержит трубчатую часть, которая охватывает, по меньшей мере, внешнюю боковую поверхность цилиндрического нагревателя,
радиальная толщина верхней части трубчатой части, которая соответствует верхней части печи для выращивания, где температура является более высокой согласно указанному температурному градиенту, превышает радиальную толщину нижней части трубчатой части, и
радиальная толщина нижней части трубчатой части, которая соответствует нижней части печи для выращивания, где температура более низкая согласно указанному температурному градиенту, является меньшей, чем радиальная толщина верхней части трубчатой части.
4. Устройство по п.2,
в котором создают температурный градиент, при котором температура верхней части выше, чем температура в нижней части, для того чтобы осуществить способ направленной кристаллизации для последовательной кристаллизации расплава сырьевого материала и затравочного кристалла,
теплозащитный экран содержит трубчатую часть, которая охватывает, по меньшей мере, внешнюю боковую поверхность цилиндрического нагревателя,
радиальная толщина верхней части трубчатой части, которая соответствует верхней части печи для выращивания, где температура является более высокой согласно указанному температурному градиенту, превышает радиальную толщину нижней части трубчатой части, и
радиальная толщина нижней части трубчатой части, которая соответствует нижней части печи для выращивания, где температура более низкая согласно указанному температурному градиенту является меньшей, чем радиальная толщина верхней части трубчатой части.
5. Устройство по п.2,
в котором каркасная секция включает в себя: кольцеобразную часть, на которую устанавливают цилиндрические секции; и цилиндрическую часть, которая поддерживает общую массу кольцеобразной части и цилиндрических секций, и
при этом кольцеобразную часть и цилиндрическую часть образуют с помощью формования углеродного вещества.
6. Устройство по п.2,
в котором теплозащитный экран, который включает в себя кольцевой пластинчатый элемент, установленный на самой верхней цилиндрической секции непосредственно или с каркасной секцией, и
круглый пластинчатый элемент выполнен из углеродного волокна.
7. Устройство по п.4,
в котором верхняя, более толстая часть трубчатой части теплозащитного экрана, которая соответствует верхней части печи для выращивания, образована из цилиндрической секции малого диаметра и цилиндрической секции большого диаметра, которые радиально расположены друг над другом, и
нижняя, более тонкая часть трубчатой части теплозащитного экрана, которая соответствует нижней части печи для выращивания, образована из цилиндрической секции малого диаметра или цилиндрической секции большого диаметра.