ИЗДЕЛИЯ С ПОКРЫТИЯМИ С НИЗКОЙ ЭМИССИОННОЙ СПОСОБНОСТЬЮ С СИСТЕМОЙ (СИСТЕМАМИ) БАРЬЕРНЫХ СЛОЕВ, ВКЛЮЧАЮЩЕЙ (ВКЛЮЧАЮЩИМИ) МНОЖЕСТВЕННЫЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СЛОИ, И/ИЛИ СПОСОБЫ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Термически обрабатываемое изделие с покрытием содержащее многослойное тонкопленочное покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, причем покрытие включает, в порядке удаления от стеклянной подложки:
первый слой на основе кремния;
первый диэлектрический слой;
второй диэлектрический слой, разделенный третьим диэлектрическим слоем, так, что образуются первая и вторая части второго диэлектрического слоя;
металлический или главным образом металлический отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, нанесенный поверх и находящийся в непосредственном контакте со второй частью второго диэлектрического слоя;
верхний контактный слой, состоящий из оксида Ni и/или Cr, непосредственно на слое, отражающем ИК-излучение, и находящийся в контакте с ним;
четвертый диэлектрический слой; и
второй слой на основе кремния,
причем третий диэлектрический слой представляет собой либо оксид титана, либо оксид олова.
2. Изделие с покрытием по п. 1, в котором первый диэлектрический слой - это слой с высоким коэффициентом преломления, содержащий оксид или суб-оксид титана.
3. Изделие с покрытием по п. 1, в котором третий и четвертый диэлектрические слои содержат оксид олова.
4. Изделие с покрытием по п. 3, в котором второй диэлектрический слой содержит оксид цинка.
5. Изделие с покрытием по п. 4, в котором второй слой разделен так, что его части обладают толщинами, отличающимися друг от друга не более чем на 5%.
6. Изделие с покрытием по п. 1, в котором первый и второй слои на основе кремния содержат нитрид кремния, первый диэлектрический слой содержит оксид титана, второй диэлектрический слой содержит оксид цинка, третий и четвертый диэлектрические слои содержат оксид олова, а отражающий ИК-излучение слой содержит Ag.
7. Изделие с покрытием по п. 1, дополнительно включающий пятый диэлектрический слой, расположенный между четвертым диэлектрическим слоем и вторым слоем на основе кремния.
8. Изделие с покрытием по п. 7, в котором:
первый и третий диэлектрические слои содержат оксид титана, а второй и пятый диэлектрические слои содержат оксид цинка.
9. Изделие с покрытием по п. 8, в котором две части разделенного диэлектрического слоя и пятый диэлектрический слой обладают толщинами, которые отличаются не более чем на 5%.
10. Изделие с покрытием по п. 9, в котором первый и третий диэлектрические слои обладают толщинами, отличающимися друг от друга не более чем на 5%.
11. Изделие с покрытием по п. 1, дополнительно включающий верхний слой, содержащий оксид циркония.
12. Способ изготовления подвергаемого термообработке изделия, содержащее многослойное тонкопленочное покрытие на стеклянной подложке, включающий:
нанесение первого слоя на основе кремния на стеклянную подложку;
нанесение первого диэлектрического слоя, прямо или косвенно, на первый слой на основе кремния;
начало нанесения второго диэлектрического слоя, прямо или косвенно, на первый диэлектрический слой;
прерывание нанесения второго диэлектрического слоя и нанесение третьего диэлектрического слоя;
возобновление нанесения второго диэлектрического слоя на третий диэлектрический слой; причем прерывание и возобновление нанесения второго диэлектрического слоя приводит к формированию первой и второй части второго диэлектрического слоя, где каждая из этих частей в основном однородна и аморфна;
нанесение металлического или главным образом металлического отражающего инфракрасного (ИК) излучение слоя поверх и в непосредственном контакте со второй частью второго диэлектрического слоя;
нанесение верхнего контактного слоя, содержащего оксид Ni и/или Cr непосредственно на слой, отражающий ИК-излучение, и находящийся в контакте с ним;
нанесение четвертого диэлектрического слоя, прямо или косвенно, на верхний контактный слой; и
нанесение второго кремниевого слоя, прямо или косвенно, на четвертый диэлектрический слой,
причем третий диэлектрический слой представляет собой либо оксид титана, либо оксид олова.
13. Способ по п. 12, в котором первый диэлектрический слой - это слой с высоким коэффициентом преломления, содержащий оксид или суб-оксид титана.
14. Способ по п. 12, в котором третий и четвертый диэлектрические слои содержат оксид олова.
15. Способ по п. 14, в котором второй диэлектрический слой содержит оксид цинка.
16. Способ по п. 15, в котором второй слой разделен так, что его части обладают толщинами, отличающимися друг от друга не более чем на 5%.
17. Способ по п. 12, в котором первый и второй слои на основе кремния содержат нитрид кремния, первый диэлектрический слой содержит оксид титана, второй диэлектрический слой содержит оксид цинка, третий и четвертый диэлектрические слои содержат оксид олова, а отражающий ИК-излучение слой содержит Ag.
18. Способ по п. 12, в котором пятый диэлектрический слой находится между четвертым диэлектрическим слоем и вторым слоем на основе кремния.
19. Способ по п. 18, в котором:
первый и третий диэлектрические слои содержат оксид титана, а второй и пятый диэлектрические слои содержат оксид цинка.
20. Способ по п. 19, в котором две части разделенного диэлектрического слоя и пятый диэлектрический слой обладают толщинами, которые отличаются не более чем на 5%.
21. Способ по п. 20, в котором первый и третий диэлектрические слои обладают толщинами, которые отличаются друг от друга не более чем на 5%.
22. Способ по п. 12, дополнительно включающий термообработку изделия с покрытием.
23. Способ по п. 12, дополнительно включающий нанесение верхнего слоя из оксида циркония в качестве внешнего слоя изделия с покрытием.
24. Способ по п. 12, в котором каждый слой сформирован путем напыления в реакционноспособной среде из кислорода и/или азота.
25. Блок из изолирующего стекла (IG), включающий:
изделие с покрытием по любому из пп. 1-11; и
вторую подложку, в целом параллельную изделию с покрытием и отделенную от него системой прокладок.
26. Способ изготовления блока из изолирующего стекла (IG), включающий:
осуществление способа по любому из пп. 12-24; и
размещение второй подложки в целом параллельно и на удалении от изделия с покрытием при изготовлении блока IG.