ОКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК Р-ТИПА, КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ОКСИДНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА Р-ТИПА, СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКСИДНОГО ПОЛУПРОВОДНИКА Р-ТИПА, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КОМПОНЕНТ, ОТОБРАЖАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ ИЗБРАЖЕНИЙ И СИСТЕМА

1. Оксидный полупроводник p-типа, содержащий:
оксид металла, содержащий таллий (Tl), где оксид металла был легирован дырками.
2. Оксидный полупроводник p-типа по п. 1, при этом оксид металла содержит магний (Mg), кальций (Ca), стронций (Sr), барий (Ba), цинк (Zn), кадмий (Cd), бор (B), алюминий (Al), галлий (Ga), кремний (Si), германий (Ge) или теллур (Те), или любую их комбинацию.
3. Оксидный полупроводник p-типа по п. 1 или 2, при этом оксид металла содержит олово (Sn), сурьму (Sb), свинец (Pb) или висмут (Bi), или любую их комбинацию.
4. Оксидный полупроводник p-типа по п. 1 или 2, при этом оксид металла содержит алюминий (Al) или галлий (Ga), или их оба.
5. Оксидный полупроводник p-типа по п. 4, при этом количество молей таллия (Tl), содержащегося в оксиде металла, по существу равно общей сумме молей алюминия (Al) и галлия (Ga), содержащихся в этом оксиде металла.
6. Композиция для получения оксидного полупроводника p-типа, содержащая:
растворитель; и
содержащее Tl соединение,
при этом композиция используется для получения оксидного полупроводника p-типа по п. 1.
7. Способ получения оксидного полупроводника p-типа, включающий:
нанесение композиции на основание; и
выполнение термической обработки после нанесения,
при этом оксидный полупроводник p-типа является оксидным полупроводником p-типа по п. 1, и
при этом композиция содержит растворитель и содержащее Tl соединение.
8. Полупроводниковый компонент, содержащий:
активный слой,
при этом активный слой содержит оксидный полупроводник p-типа по п. 1.
9. Полупроводниковый компонент по п. 8, при этом полупроводниковый компонент является диодом, содержащим:
первый электрод;
второй электрод; и
активный слой, образованный между первым электродом и вторым электродом.
10. Полупроводниковый компонент по п. 8, при этом полупроводниковый компонент является полевым транзистором, содержащим:
электрод затвора, выполненный с возможностью приложения напряжения затвора;
электрод истока и электрод стока, оба из которых выполнены с возможностью вывода электрических токов;
активный слой, образованный между электродом истока и электродом стока; и
изолирующий слой затвора, образованный между электродом затвора и активным слоем.
11. Отображающий элемент, содержащий:
элемент управления светом, выполненный с возможностью управления выходом света в соответствии с сигналом возбуждения; и
цепь возбуждения, которая содержит полупроводниковый компонент по п. 8 и выполнена с возможностью возбуждения элемента управления светом.
12. Отображающий элемент по п. 11, в котором элемент управления светом содержит органический электролюминесцентный элемент, электрохромный элемент, жидкокристаллический элемент, электрофоретический элемент или электросмачивающий элемент.
13. Устройство отображения изображений, которое отображает изображение, соответствующее данным изображения, и которое содержит:
множество отображающих элементов по п. 11, организованных в матрицу;
множество электрических линий, каждая из которых выполнена с возможностью отдельного приложения напряжения затвора к полевым транзисторам в каждом из отображающих элементов; и
устройство управления дисплеем, выполненное с возможностью индивидуального управления напряжением затвора каждого из полевых транзисторов посредством электрических линий в соответствии с данными изображения.
14. Система, включающая в себя:
устройство отображения изображений по п. 13; и
устройство генерирования данных изображения, выполненное с возможностью генерирования данных изображения на основе информации об изображении, подлежащем отображению, и возможностью вывода сгенерированных данных изображения на устройство отображения изображений.