ИНТЕРФЕРОМЕТРИЧЕСКИЙ ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ

1. Фотогальванический элемент, содержащий
активный слой, выполненный с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения им света;
отражательный слой, расположенный таким образом, чтобы отражать свет, проходящий через активный слой; и
оптический резонатор, расположенный между активным и отражательным слоями и содержащий диэлектрик, причем наличие указанного резонатора увеличивает количество света, поглощаемого активным слоем.
2. Элемент по п.1, в котором активный слой содержит полупроводник.
3. Элемент по п.2, в котором активный слой содержит р-n-переход или p-i-n-переход.
4. Элемент по п.1, в котором отражательный слой имеет коэффициент отражения по меньшей мере 10%.
5. Элемент по п.4, в котором отражательный слой имеет коэффициент отражения более 80%.
6. Элемент по п.1, в котором отражательный слой содержит металл.
7. Элемент по п.6, в котором металл выбран из группы, включающей алюминий, молибден, серебро или золото.
8. Элемент по п.1, в котором отражательный слой содержит проводник.
9. Элемент по п.1, в котором отражательный слой является частично отражающим таким образом, что указанный элемент является частично оптически пропускающим для излучения некоторых длин волн видимого диапазона.
10. Элемент по п.1, в котором отражательный слой является частично отражающим таким образом, что указанный элемент является частично оптически пропускающим для излучения некоторых длин волн инфракрасного или ультрафиолетового диапазона.
11. Элемент по п.1, в котором оптический резонатор содержит непроводящий оксид.
2
12. Элемент по п.11, в котором оптический резонатор содержит SiO.
13. Элемент по п.1, в котором оптический резонатор содержит полую область.
14. Элемент по п.13, в котором полая область содержит воздушный зазор.
15. Элемент по п.1, в котором оптический резонатор содержит слои.
16. Элемент по п.1, в котором толщина оптического резонатора оптимизирована для увеличения поглощения света в активном слое.
17. Элемент по п.1, в котором наличие оптического резонатора уменьшает количество света, поглощаемого по меньшей мере в одном слое, окружающем активный слой.
18. Элемент по п.1, в котором наличие оптического резонатора обеспечивает резонанс электрического поля в активном слое.
19. Элемент по п.1, в котором наличие оптического резонатора обеспечивает увеличение средней напряженности электрического поля, интегрированной по солнечному спектру, которое в активном слое больше, чем в любом другом слое указанного элемента.
20. Элемент по п.1, дополнительно содержащий противоотражающий слой, расположенный на активном слое.
21. Элемент по п.1, дополнительно содержащий первое межслойное отверстие, обеспечивающее электрическое соединение с активным слоем через указанный диэлектрик.
22. Элемент по п.21, дополнительно содержащий второе межслойное отверстие, электрически соединенное с активным слоем.
23. Элемент по п.1, в котором оптический резонатор имеет толщину менее примерно 2000 нм.
24. Элемент по п.1, в котором активный слой имеет эффективность поглощения излучения длин волн солнечного спектра, и эта эффективность поглощения, интегрированная по длинам волн солнечного спектра, возрастает по меньшей мере примерно на 20% при наличии указанного оптического резонатора.
25. Элемент по п.24, в котором указанная эффективность поглощения, интегрированная по длинам волн солнечного спектра, возрастает по меньшей мере примерно на 25% при наличии указанного оптического резонатора.
26. Элемент по п.25, в котором указанная эффективность поглощения, интегрированная по длинам волн солнечного спектра, возрастает по меньшей мере примерно на 30% при наличии указанного оптического резонатора.
27. Элемент по п.1, который имеет полную эффективность преобразования для излучения длин волн солнечного спектра, и эта полная эффективность преобразования, интегрированная по длинам волн солнечного спектра, возрастает по меньшей мере примерно на 15% при наличии указанного оптического резонатора.
28. Элемент по п.27, в котором указанная полная эффективность преобразования, интегрированная по длинам волн солнечного спектра, возрастает по меньшей мере примерно на 20% при наличии указанного оптического резонатора.
29. Элемент по п.27, в котором указанная полная эффективность преобразования, интегрированная по длинам волн солнечного спектра, возрастает по меньшей мере примерно на 25% при наличии указанного оптического резонатора.
30. Элемент по п.1, в котором наличие указанного оптического резонатора увеличивает среднюю напряженность электрического поля в активном слое при воздействии на указанный элемент излучения солнечного спектра.
31. Элемент по п.1, в котором наличие указанного оптического резонатора увеличивает среднюю напряженность электрического поля в активном слое по меньшей мере на 20% при воздействии на указанный элемент излучения солнечного спектра.
32. Элемент по п.1, в котором наличие указанного оптического резонатора увеличивает среднюю напряженность электрического поля в активном слое по меньшей мере на 25% при воздействии на указанный элемент излучения солнечного спектра.
33. Элемент по п.1, в котором наличие указанного оптического резонатора увеличивает среднюю напряженность электрического поля в активном слое по меньшей мере на 30% при воздействии на указанный элемент излучения солнечного спектра.
34. Элемент по п.1, в котором оптический резонатор имеет такую толщину, что полная эффективность преобразования указанного элемента, интегрированная по солнечному спектру, превышает 0,7.
35. Элемент по п.1, в котором оптический резонатор имеет такую толщину, что полная эффективность преобразования указанного элемента, интегрированная по солнечному спектру, превышает 0,8.
36. Элемент по п.1, в котором оптический резонатор имеет такую толщину, что полная эффективность преобразования указанного элемента, интегрированная по солнечному спектру, превышает 0,9.
37. Элемент по п.1, в котором оптический резонатор имеет такую толщину, что полная эффективность преобразования указанного элемента, интегрированная по солнечному спектру, превышает 0,95.
38. Элемент по п.1, дополнительно содержащий по меньшей мере один дополнительный активный слой и по меньшей мере один неактивный слой, отделяющий указанные активные слои друг от друга.
39. Элемент по п.38, в котором указанный по меньшей мере один неактивный слой содержит по меньшей мере один оптический резонансный слой.
40. Элемент по п.1, дополнительно содержащий по меньшей мере один дополнительный оптический резонансный слой.
41. Элемент по п.40, в котором указанный по меньшей мере один дополнительный оптический резонансный слой содержит по меньшей мере один оптический резонатор, расположенный между активным и отражательным слоями.
42. Фотогальванический элемент, содержащий
светопоглощающие средства, выполненные с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения ими света;
светоотражающие средства, расположенные таким образом, чтобы отражать свет, проходящий через светопоглощающие средства; и
средства для обеспечения оптического резонанса, расположенные между светопоглощающими и светоотражающими средствами, выполненные с возможностью увеличения количества света, поглощаемого светопоглощающими средствами, и содержащие средства для обеспечения электрической изоляции.
43. Элемент по п.42, в котором светопоглощающие средства содержат активный слой, или светоотражающие средства содержат отражательный слой, или средства для обеспечения оптического резонанса содержат оптический резонатор, или средства для обеспечения электрической изоляции содержат диэлектрик.
44. Способ изготовления фотогальванического элемента, согласно которому
берут активный слой, выполненный с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения им света;
располагают отражательный слой таким образом, чтобы он отражал свет, проходящий через активный слой;
располагают оптический резонатор, содержащий диэлектрик, между активным и отражательным слоями,
причем наличие оптического резонатора увеличивает количество света, поглощаемого активным слоем.