ОСАЖДЕНИЕ И СЕЛЕКТИВНОЕ УДАЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОГО ВСПОМОГАТЕЛЬНОГО СЛОЯ ДЛЯ ОБРАБОТКИ НАНОСТРУКТУРЫ

1. Способ формирования одной или нескольких наноструктур, данный способ содержит:
осаждение электропроводного вспомогательного слоя на верхней поверхности подложки;
выращивание одной или нескольких наноструктур на электропроводном вспомогательном слое; и
селективное удаление электропроводного вспомогательного слоя между и вокруг одной или нескольких наноструктур с применением одной или нескольких наноструктур в качестве самосовмещающейся маски.
2. Способ по п.1, также содержащий стадию осаждения слоя катализатора в виде рисунка на электропроводном вспомогательном слое перед выращиванием одной или нескольких наноструктур.
3. Способ по п.1, в котором указанная подложка содержит электропроводный металлический нижний слой на ее указанной верхней поверхности,
указанный электропроводный вспомогательный слой осажден таким образом, чтобы покрывать указанный металлический нижний слой.
4. Способ по п.3, в котором металлический нижний слой сформирован в виде рисунка.
5. Способ по п.3, в котором указанный металлический нижний слой изготовлен из материала, который отличается от указанного электропроводного вспомогательного слоя.
6. Способ по п.5, в котором указанная стадия селективного удаления электропроводного вспомогательного слоя содержит следующую стадию:
травление с применением травителя или травящего газа, который обладает селективностью в отношении между указанным электропроводным вспомогательным слоем и указанным металлическим нижним слоем.
7. Способ по п.1, в котором одна или несколько наноструктур содержит углерод, GaAs, ZnO, InP, InGaAs, GaN, InGaN или Si.
8. Способ по п.1, в котором электропроводный вспомогательный слой содержит материал, выбранный из: полупроводника, электропроводного полимера и сплава.
9. Способ по п.1, в котором селективное удаление электропроводного вспомогательного слоя выполняется травлением.
10. Способ по п.1, также включающий следующую стадию:
осаждение дополнительного буферного слоя, разделяющего электропроводный вспомогательный слой и металлический нижний слой.
11. Прибор, содержащий:
подложку;
одну или несколько наноструктур, расположенных на подложке, и
электропроводный вспомогательный слой, расположенный между подложкой и одной или несколькими наноструктурами,
в котором электропроводный вспомогательный слой присутствует лишь непосредственно под указанными одной или несколькими наноструктурами.
12. Прибор по п.11, также содержащий слой катализатора, расположенный между электропроводным вспомогательным слоем и одной или несколькими наноструктурами, в котором слой катализатора присутствует лишь непосредственно под указанными одной или несколькими наноструктурами.
13. Прибор по п.11 или 12, в котором подложка содержит один или несколько открытых металлических островков, разделенных одним или несколькими изолирующими участками.
14. Способ формирования одной или нескольких наноструктур, данный способ содержит:
осаждение металлического нижнего слоя на верхней поверхности подложки;
осаждение слоя катализатора на металлическом нижнем слое;
осаждение слоя изолятора на слое катализатора;
осаждение электропроводного вспомогательного слоя на слое изолятора; создание переходных отверстий через слой изолятора от электропроводного вспомогательного слоя к слою катализатора;
выращивание одной или нескольких наноструктур на слое катализатора через переходные отверстия; и
селективное удаление электропроводного вспомогательного слоя.