СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КВАНТОВОГО ВЫХОДА ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

1. Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках, включающий подачу электромагнитного излучения с заданными параметрами на поверхность фотоприемника, измерение спектральной чувствительности, определение коэффициента отражения и вычисление квантового выхода, отличающийся тем, что в качестве фотоприемника используются фотоэлектрические мезоструктуры, в которых коэффициент разделения носителей заряда является неизменным в широкой спектральной области длин волн меньших характеристической длины волны структуры, и характеризующиеся теоретической моделью расчета, измеряется одна физическая величина и квантовый выход излучения с длиной волны λ определяется формулой
0
g
g
где λ=hc/2E - длина волны, при которой квантовый выход априорно равен единице, E - ширина запрещенной зоны полупроводника, h - постоянная Планка, с - скорость света в вакууме, J(λ) - спектральная чувствительность мезоструктуры на длине волны λ, R(λ) - коэффициент отражения излучения.
2. Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках по п.1, отличающийся тем, что дополнительно проводится контроль разброса в измерениях квантового выхода внутреннего фотоэффекта на мезоструктурах с пассивированной частью рабочих поверхностей, свободных от барьеров, разделяющих носители и контактов к ним.
3. Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках по п.1, отличающийся тем, что дополнительно определяются зависимости квантового выхода от физико-химических свойств полупроводника и используются фотоэлектрические мезоструктуры с разным химическим составом, разным типом и уровнем легирования.
4. Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках по п.1, отличающийся тем, что используется одна мезоструктура.