СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ СИНТЕЗА АЛМАЗОВ ПОСРЕДСТВОМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ

1. Способ синтезирования материала в камере химического осаждения и на подложке синтеза между двумя электродами, генерирующими плазму, согласно которому:
- в камеру вводят газ-носитель, содержащий атомы синтезируемого материала, и
- около подложки создают плазму активирования атомов газа-носителя, содержащего атомы синтезируемого материала,
отличающийся тем, что плазму сжимают для повышения объемной плотности активированных атомов около подложки и, следовательно, скорости осаждения синтезируемого материала.
2. Способ по п. 1, согласно которому плазму создают приложением между двумя электродами постоянного тока (DC) и радиочастотного (RF) переменного тока.
3. Способ синтезирования материала в камере химического осаждения и на подложке синтеза между двумя электродами, генерирующими плазму, согласно которому:
- в камеру вводят газ-носитель, содержащий атомы синтезируемого материала, и
- около подложки создают плазму для активирования атомов газа-носителя, содержащего атомы синтезируемого материала,
отличающийся тем, что плазму создают приложением между двумя электродами постоянного тока (DC) и радиочастотного (RF) переменного тока.
4. Способ по любому из пп. 1-3, согласно которому
- около подложки прикладывается магнитное поле.
5. Способ по любому из пп. 1-4, в котором синтезируемый материал представляет собой алмаз, газ-носитель, содержащий атомы синтезируемого материала, представляет собой газ-носитель, содержащий атомы углерода, и
- для генерирования атомов реактивного углерода около подложки создают плазму (28).
6. Способ по п. 2, согласно которому отношение DC/RF является регулируемым во время синтеза.
7. Камера (1) для химического осаждения из газовой фазы для реализации способа по п. 1, оснащенная входом (2) и выходом (3) для газа, и внутри которой установлены два электрода (4, 5), генерирующие плазму (28), которые подключены к источнику (6) постоянного тока (DC),
отличающаяся тем, что между двумя электродами (4, 5) обеспечено наличие средств (20) для сжатия плазмы.
8. Камера по п. 7, в которой два электрода (4, 5) также подключены к источнику (46) радиочастотного (RF) переменного тока.
9. Камера по любому из пп. 7 и 8, в которой два электрода представляют собой анод (4) и катод (5), при этом катод образует подложку (5) для осаждения алмаза (45).
10. Камера по любому из пп. 7-9, содержащая средства (50) для генерирования магнитного поля вокруг подложки (5).