МНОГОКРИСТАЛЬНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР С ПРИЖИМНЫМ КОНТАКТОМ

Полезная модель относится к силовой полупроводниковой технике и может быть использована при создании новых приборов силовой полупроводниковой электроники.
Известен многокристальный полупроводниковой прибор с прижимным контактом (патент US №5708299, кл. H01L 21/52, 13.01.1998 г.) содержащий в герметичном корпусе полупроводниковые элементы, помещенные в фиксирующие оправки и термокомпенсаторы.
Однако корпус полупроводникового прибора не содержит средств обеспечивающих прижим элементов, а лишь их взаимное расположение, изоляцию и герметичность. В известной конструкции усилие прижима модуля необходимое для работы обеспечивается внешней силой приложенной к корпусу, что ограничивает его применение.
Задача полезной модели - повышение надежности в работе и простоты применения за счет обеспечения прижимного усилия.
Технический результат достигается тем, что многокристальный полупроводниковый прибор с прижимным контактом содержащий в герметичном корпусе, состоящим из основания и крышки, полупроводниковые элементы установленные в фиксирующие оправки, термокомпенсаторы, расположенные сверху и снизу каждого полупроводникового элемента и подпружиненные выводы затворов, содержит прижимные средства выполненные в виде траверсы с отверстиями под резьбовые шпильки, резьбовых шпилек заделанных в основании корпуса и проходящих через отверстия траверсы, гаек, накрученных на резьбовые шпильки и упругого элемента в виде набора тарельчатых пружин.
На фиг.1 изображена общая схема прибора;
на фиг.2 - прижимной узел;
на фиг.3 - общая схема прибора, вид спереди;
на фиг.4, 5 - прижимные узлы биполярных транзисторов с изолированным затвором;
на фиг.6 - прижимной узел быстровосстанавливающегося диода;
Многокристальный полупроводниковый прибор с прижимным контактом содержит герметичный корпус 1, состоящий из основания 2 и крышки 3 с токовыводами 4.
В корпусе 1 прибора расположены:
- полупроводниковые элементы 5, 6, представляющие собой кристаллы, биполярные транзисторы с изолированным затвором и быстровосстанавливающиеся диоды, установленные в фиксирующие оправки 7-12 для фиксации их позиций в горизонтальной плоскости;
- термокомпенсаторы 13-16 изготовленные из молибдена, расположенные сверху и снизу кристаллов 5, 6;
- подпружиненные выводы затворов 17;
- прижимные узлы 18-20, представляющие собой прижимные средства, выполненные в виде траверсы 21 прижима полупроводниковых элементов 5, 6, с отверстиями 22 под резьбовые шпильки 23;
- резьбовые шпильки 23 заделанные в основании 2, проходящие через отверстия 22 траверсы 21;
- гайки 24 прижима накрученные на резьбовые шпильки 23;
- упругий элемент в виде набора тарельчатых пружин 25 для каждого полупроводникового элемента.
Конструкция работает следующим образом.
Траверсы 21 прижима полупроводниковых элементов 5, 6, закрепленные на шпильках 23 гайками 24 прижима через ось-фиксатор 26 удерживают в сжатом состоянии тарельчатые пружины 25, которые создают заданное усилие прижима и передают его через изоляторы 27 на шины 28, 29, полупроводниковых элементов 5, 6, обеспечивая взаимный прижим с заданным усилием шин 28, 29, термокомпенсаторов 13, 15, прокладок-компенсаторов 30, 31, шин 32, 33, керамики 34, 35 и основания 2.
Взаимный прижим указанных деталей с заданным усилием обеспечивает надежный электрический и тепловой контакт между ними.
Прижимные детали удерживаются на своих позициях фиксирующими оправками (7-12) и прокладкой 36.
Прижимные узлы 18, 19, 20 находятся внутри герметичного корпуса в контролируемой атмосфере, что исключает влияние окружающей среды на детали.