СПОСОБ ПОСАДКИ КРИСТАЛЛА ТИТАН-ГЕРМАНИЙ (Ti-Ge)

Способ посадки кристалла титан-германий (Ti-Ge), включающий последовательное напыление на посадочную поверхность кристалла слоев металлов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности соединения используют два металла титан-германий (Ti-Ge), процесс проводят в едином технологическом цикле, температура процесса посадки составляет 290±20°С в течение 3±1 с.