СИСТЕМЫ И СПОСОБЫ ДЛЯ ОБРАБОТКИ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКИ ПОСРЕДСТВОМ КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ И ГЕРМЕТИЗИРУЮЩЕЙ КОМПОЗИЦИИ

1. Система для обработки подложки, содержащая:
- композицию предварительной обработки для обработки по меньшей мере части подложки, причем указанная композиция предварительной обработки содержит катион металла IVB группы; и
- герметизирующую композицию для обработки по меньшей мере части подложки, обработанной указанной композицией предварительной обработки, причем указанная герметизирующая композиция содержит катион металла группы IA.
2. Система по п. 1, в которой катион металла группы IVB включает цирконий, титан или их комбинации.
3. Система по п. 1, в которой катион металла группы IVB присутствует в количестве от 50 ч./млн до 500 ч./млн в расчете на общую массу композиции предварительной обработки.
4. Система по п. 1, в которой композиция предварительной обработки дополнительно содержит ион электроположительного металла, присутствующий в количестве от 5 ч./млн до 100 ч./млн в расчете на общую массу композиции предварительной обработки.
5. Система по п. 1, в которой композиция предварительной обработки дополнительно содержит катион лития в количестве от 5 ч./млн до 250 ч./млн в расчете на общую массу композиции предварительной обработки.
6. Система по п. 1, в которой композиция предварительной обработки дополнительно содержит катион молибдена в количестве от 20 ч./млн до 200 ч./млн в расчете на общую массу композиции предварительной обработки.
7. Система по п. 1, в которой композиция предварительной обработки дополнительно содержит промотор адгезии, присутствующий в количестве от 10 ч./млн до 10000 ч./млн в расчете на общую массу композиции предварительной обработки.
8. Система по п. 1, в которой композиция предварительной обработки имеет концентрацию свободного фторида от 5 ч./млн до 500 ч./млн в расчете на общую массу композиции предварительной обработки.
9. Система по п. 1, в которой катион металла группы IA присутствует в герметизирующей композиции в количестве от 5 ч./млн до 30000 ч./млн в расчете на общую массу герметизирующей композиции.
10. Система по п. 1, в которой катион металла группы IA включает литий, натрий, калий, рубидий, цезий или их комбинации.
11. Система по п. 1, в которой герметизирующая композиция дополнительно содержит карбонат, гидроксид или их комбинации.
12. Система по п. 1, в которой герметизирующая композиция имеет рН от 8 до 13.
13. Система по п. 1, в которой система по существу свободна от фосфатов.
14. Подложка, обработанная системой по п. 1.
15. Подложка по п. 14, в которой содержание фторида в пленке, осажденной на поверхности подложки композицией предварительной обработки, составляет не более 10% фторида.
16. Подложка по п. 14, имеющая среднее отношение F-Zr от 1:5 до 1:200.
17. Подложка по п. 14, имеющая коэффициент уменьшения фторида по меньшей мере 2.
18. Способ обработки подложки, включающий:
- обеспечение контакта по меньшей мере части поверхности подложки с композицией предварительной обработки, содержащей катион металла IVB группы; и
- обеспечение контакта по меньшей мере части поверхности подложки с герметизирующей композицией для обработки по меньшей мере части подложки, обработанной композицией предварительной обработки, содержащей катион металла группы IA; причем контакт с композицией предварительной обработки происходит до контакта с герметизирующей композицией.
19. Способ по п. 18, в котором подложку промывают водой перед контактом с герметизирующей композицией.
20. Способ по п. 18, в котором подложку промывают водой после контакта с герметизирующей композицией.
21. Способ по п. 18, дополнительно включающий шлифование по меньшей мере части поверхности подложки; где шлифование осуществляют до контакта с композицией предварительной обработки.
22. Подложка, обработанная способом по п. 21, в которой отшлифованная поверхность подложки, обработанная согласно способу, имеет снижение значения b* по сравнению с отшлифованной поверхностью подложки, не обработанной герметизирующей композицией.
23. Подложка, обработанная способом по п. 21, причем подложка имеет значение дельта Е, уменьшенное на 25% по сравнению с подложкой, не контактировавшей с герметизирующей композицией.