СИД, ИСПОЛЬЗУЮЩИЙ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ САПФИР В КАЧЕСТВЕ ПОНИЖАЮЩЕГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

1. Светоизлучающее устройство содержащее:
полупроводниковые слои светоизлучающего диода (СИД), содержащие слой N-типа, активный слой, излучающий первичный свет и слой P-типа; и
люминесцентный сапфир, присоединенный к полупроводниковым слоям, причем полупроводниковые слои СИД и люминесцентный сапфир являются частью кристалла СИД, при этом люминесцентный сапфир содержит кислородные вакансии, которые приводят к образованию центров F-типа, имеющих заданные оптические полосы поглощения и излучения люминесценции;
люминесцентный сапфир, поглощающий часть первичного света и преобразующий с понижением первичный свет для излучения вторичного света через центры F-типа таким образом, чтобы излучение из кристалла СИД, включало в себя по меньшей мере комбинацию из первичного света и вторичного света.
2. Устройство по п. 1, в котором люминесцентный сапфир содержит частицы люминесцентного сапфира, объединенные со связующим веществом для образования смеси, причем смесь расположена лежащей сверху светоизлучающей поверхности полупроводниковых слоев СИД.
3. Устройство по п. 2, в котором смесь наслоена на полупроводниковые слои.
4. Устройство по п. 2 в котором смесь отформована поверх полупроводниковых слоев.
5. Устройство по п. 2, в котором смесь расположена непосредственно на одном из полупроводниковых слоев СИД.
6. Устройство по п. 1, в котором люминесцентный сапфир содержит предварительно сформированную плитку, которая присоединена поверх светоизлучающей поверхности полупроводниковых слоев СИД.
7. Устройство по п. 6, в котором плитка содержит монокристалл люминесцентного сапфира.
8. Устройство по п. 6, в котором плитка содержит в связующем веществе частицы люминесцентного сапфира.
9. Устройство по п. 6, в котором плитка непосредственно присоединена к одному из полупроводниковых слоев СИД с помощью адгезионного слоя.
10. Устройство по п. 1, в котором люминесцентный сапфир содержит подложку для выращивания люминесцентного сапфира, на которой эпитаксиально выращен слой N-типа, активный слой и слой P-типа.
11. Устройство по п. 1, дополнительно содержащий слой люминофора лежащий сверху полупроводниковых слоев СИД в виде части кристалла СИД таким образом, что излучение света из кристалла СИД содержит первичный свет, вторичный свет из люминесцентного сапфира и свет из слоя люминофора.
12. Устройство по п. 11, в котором первичный свет представляет собой синий свет, вторичный свет включает в себя зеленую составляющую света, и свет из слоя люминофора включает в себя красную составляющую света.
13. Устройство по п. 1, в котором первичный свет представляет собой синий свет и вторичный свет включает в себя зеленую составляющую света.
14. Способ, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают кристалл светоизлучающего диода (СИД), содержащий полупроводниковые слои СИД, генерирующие первичный свет, и слой люминесцентного сапфира, преобразующий с понижением некоторую часть первичного света во вторичный свет таким образом, что свет, излучаемый кристаллом СИД содержит по меньшей мере комбинацию из первичного света и вторичного света, при этом люминесцентный сапфир содержит кислородные вакансии, которые приводят к образованию центров F-типа, имеющих заданные оптические полосы поглощения и излучения люминесценции; и
приводят к требуемым свойствам слой люминесцентного сапфира в кристалле СИД с использованием лазерного излучения, чтобы регулировать характеристику вторичного света.
15. Способ по п. 14, дополнительно содержащий активацию люминесцентного сапфира в кристалле СИД посредством отжига люминесцентного сапфира, чтобы увеличить его люминесцентные свойства после формирования кристалла СИД.