Публикации

Основные публикации

За 2022 год:

1. Р. В. Гайнутдинов, А. К. Лашкова, Д. А. Золотов, В. Е Асадчиков, А. А. Ширяев, А. Г. Иванова, Б. С. Рощин, В. Н. Шут, И. Ф. Кашевич, С. Е. Мозжаров, А. Л. Толстихина. Определение модуля Юнга в кристаллах триглицинсульфата с послойным распределением примеси. // Кристаллография, 2022. Т. 67. №4. С. 636–644.
2. Р.В. Гайнутдинов, А.Л. Толстихина, Е.В. Селезнева, И.П. Макарова. Микроскопический анализ поверхности кристаллов кислых солей сульфатов калия-аммония. // Кристаллография, 2022. Т. 67. № 3. С. 442-450.
3. E. Selezneva, I. Makarova, R. Gainutdinov, A. Tolstikhina, I. Malyshkina, N. Somov, E. Chuprunov. Conductivity, its anisotropy and changes as a manifestation of the features of the atomic and real structures of superprotonic (K1-x(NH4)x)3H(SO4)2 crystals. // Acta Cryst. B, 2023. V. 79. P. 46-54.

За 2021 год:

1. R.V. Gainutdinov, E.V Selezneva, I.P. Makarova, A.L. Vasiliev, A.L. Tolstikhina. Microscopic studies of the surface layer of (NH4)3H(SeO4)2 crystals subject to phase transformations. // Surfaces and Interfaces, 2021. V. 23. P. 100952.
DOI: https://doi.org/10.1016/j.surfin.2021.100952

2. Р.В. Гайнутдинов, А.Л. Толстихина, Е.В. Селезнева, И.П. Макарова. Эволюция поверхности кристаллов (NH4)3H(SeO4)2 при фазовых переходах. // Кристаллография, 2021. Т. 66. С. 461-466.
DOI: 10.31857/S0023476121030061.
3. Р.В. Гайнутдинов, А.Л. Толстихина, Е.В. Селезнева, И.П. Макарова. Комбинированная микроскопия сегнетоэластических кристаллов дигидроселената триаммония. // Известия РАН, 2021. Т. 85. С.1081-1087.
DOI: 10.31857/S036767652108007X
4. Т.Р. Волк, Я.В. Боднарчук, Р.В. Гайнутдинов, Л.С. Коханчик, С.М. Шандаров. Микродоменная инженерия в волноводных и слоистых структурах на основе сегнетоэлектриков для применений в элементах фотоники. // Письма в ЖЭТФ, 2021. Т. 113. Вып. 12. С. 797-808
DOI: 10.31857/S1234567821120053
5. Н.И. Сорокин, Р.В. Гайнутдинов, В.В. Воронов, Е.В. Чернова, П.П. Федоров. Электропроводность скрытокристаллических форм кремнезема. // Кристаллография, 2021. Т. 66. С. 119-122
DOI: 10.31857/S0023476121010203

6. A.A. Luginina, S.V. Kuznetsov. V.K. Ivanov, V.V. Voronov, A.D. Yapryntsev. A.A. Lyapin, E.V. Chernova, A.A. Pynenkov, K.N. Nishchev. R.V. Gainutdinov, D.I. Petukhov, A.V. Bogach, P.P. Fedorov. Laser damage threshold of hydrophobic up-conversion carboxylated nanocellulose/SrF2:Ho composite films functionalized with 3-aminopropyltriethoxysilane. // Cellulose, 2021. V. 28. P. 10841-10862.
DOI: https://doi.org/10.1007/s10570-021-04198-7
7. L.I. Kravets, M.A. Yarmolenko, R.V. Gainutdinov, V. Satulu, B. Mitu, G. Dinescu. Formation of hydrophobic polymer coatings on the track-etched membrane surface. // Journal of Physics: Conference Series. 2021. V. 1954. P. 012022.
DOI: 10.1088/1742-6596/1954/1/012022

За 2020 год:

1. Р.В. Гайнутдинов, А.Л. Толстихина, Е.В. Селезнева, И.П. Макарова. Методы атомно-силовой микроскопии для исследования суперпротонных кристаллов. // Журнал технической физики, 2020. С. 1843-1849.
DOI 10.21883/JTF.2020.11.49972.116-20

2. T.R. Volk, Y.V. Bodnarchuk, R.V. Gainutdinov, L.I. Ivleva. Anomalous domains formed under AFM-TIP voltages in Sr 0.61 Ba 0.39 Nb 2 O 6 crystals and their suppression. // Applied Physics Letters, 2020. P. 52902.
DOI: 10.1063/5.0016308

За 2019 год:

1. V. Gainutdinov, N.V. Belugina, A.K. Lashkova, V.N. Shut, I.F. Kashevich, S.E. Mozzharov, A.L. Tolstikhina. Scanning capacitance microscopy of TGS – TGS+Cr ferroelectric crystals R. // Ferroelectrics, 2019. V. 541. P. 39-46.
DOI:10.1080/00150193.2019.1574640

2. Р.В. Гайнутдинов, А.Л. Толстихина, А.К. Лашкова, Н.В. Белугина, В.Н. Шут, С.Е. Мозжаров, И.Ф. Кашевич. Применение сканирующей емкостной силовой микроскопии для выявления примесных фаз в сегнетоэлектрике триглицинсульфат. // Журнал технической физики, 2019. С. 1692-1698
DOI: 10.1134/S1063784219110094

3. R. Gainutdinov, Y. Bodnarchuk, T.R. Volk, X. Wei, X. Liu. Domain patterning in PMN-0.4PT crystals by AFM-tip voltages, the normal and anomalous domain. // Journal of Applied Physics, 2019. V. 126. P. 024101.

За 2018 год:

1. Р.В. Гайнутдинов, А.Л. Толстихина, Н.В. Белугина, Б.С. Рощин, Д.А. Золотов, В.Е. Асадчиков, В.Н. Шут, И.Ф. Кашевич, С.Е. Мозжаров. Сканирующая емкостная микроскопия кристаллов триглицинсульфата с профильным распределением примеси хрома. // Кристаллография, 2018. Т. 63, С. 766-772.
DOI: 10.1134/S0023476118050119

2. A.L. Tolstikhina, R.V. Gainutdinov, N.V. Belugina, A.K. Lashkova, А.S. Кalinin, V.V. Atepalikhin, V.V. Polyakov, V.A. Bykov. Study of the quasi – periodic one dimensional domain structure near TC of TGS crystal by PFM and Hybrid PFM methods. // Physica B: Condensed Matter, 2018. V. 550. P. 332-339.

За 2017 год:

1. А.Л. Толстихина, Н.В. Белугина, Р.В Гайнутдинов. Использование трансформант Фурье для анализа изображений доменной структуры одноосного сегнетоэлектрика. // Кристаллография, 2017. Т. 62. С. 478-483.
DOI: 10.7868/S0023476117030225

2. G.I. Ovchinnikova, A.P. Eremeev, N.V. Belugina, R.V. Gainutdinov, E.S. Ivanova, A.L. Tolstikhina. Dielectric Losses of Triglycine Sulfate Crystal at Heating and Cooling. // Physics of Wave Phenomena, 2017. V. 25. P. 231-237.
DOI: 10.3103/S1541308X17030116

3. Р. В. Гайнутдинов, Е. С. Иванова, Е. А. Петржик, А. К. Лашкова, Т. Р. Волк. Эффекты магнитной памяти в сегнетоэлектрических кристаллах триглицинсульфата. // Письма в ЖЭТФ, 2017. Т. 106. С. 84-89.
DOI: 10.7868/S0370274X17140065

4. T.R. Volk, RV. Gainutdinov, H. Zhang. Domain-wall conduction in AFM-written domain patterns in ion-sliced LiNbO3 films. // Applied Physics Letters, 2017. V. 110. P. 132905.
DOI: 10.1063/1.4978857