СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ПОКРЫТИЯ НА БРИТВЕННОМ ЛЕЗВИИ

1. Способ формирования бритвенного лезвия, содержащий этапы, на которых:
а) обеспечивают основу;
б) формируют клиновидную заостренную кромку на упомянутой основе с внутренним углом менее чем 30° и радиусом закругления менее 1000 Å;
в) помещают упомянутую основу в вакуумную камеру;
г) вводят первую твердую мишень в упомянутую вакуумную камеру;
д) вводят газ в вакуумную камеру для ионизации, и
е) генерируют поток ионов из упомянутой первой твердой мишени путем приложения отрицательного напряжения к упомянутой первой твердой мишени в виде импульсов, в результате чего упомянутые ионы образуют тонкопленочное покрытие на клиновидной заостренной кромке основы.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что упомянутой первой твердой мишенью является металл, уголь или бор.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что упомянутый металл выбирают из группы, состоящей из Al, Nb, Zr, Cr, V, Ta, Ti, W, Ni, Hf, Si, Mo, и сплава, содержащего элементы данной группы в любой комбинации.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что дополнительно содержит этап, на котором:
ж) генерируют поток дополнительных ионов из упомянутой первой твердой мишени путем приложения второго низкого отрицательного напряжения к упомянутой первой твердой мишени в виде импульсов, в результате чего упомянутые ионы образуют тонкопленочное покрытие на клиновидной заостренной кромке основы.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержит дополнительный этап, на котором:
ж) вращают упомянутую заготовку вокруг оси во время этапа е).
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что дополнительно содержит этапы, на которых:
ж) вводят вторую твердую мишень в упомянутую вакуумную камеру,
з) генерируют поток ионов из упомянутой второй твердой мишени путем приложения отрицательного напряжения к упомянутой второй твердой мишени в виде импульсов, в результате чего упомянутые ионы образуют тонкопленочное покрытие на клиновидной заостренной кромке основы.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что упомянутая вторая твердая мишень расположена в другом положении относительно упомянутой основы, нежели упомянутая первая твердая мишень.
2
2
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что импульсы на этапе ж) обеспечивают таким образом, что в импульсе развивается плотность мощности в диапазоне от 0,1 кВт/см до 20 кВт/см.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что на этапе ж) генерируют импульсы с частотой в диапазоне от 5 Гц до 10000 Гц.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что на этапе ж) генерируют импульсы с напряжением в диапазоне от -100 В до -10000 В.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что на этапе ж) генерируют импульсы длительностью в диапазоне от 10 мкс до 10000 мкс.
2
2
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что импульсы на этапе ж) генерируют таким образом, что пиковая плотность ионного тока на мишень составляет от 0,01 А/см до 0,5 А/см.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что напряжение на основе изменяют в диапазоне от -20 В до -1000 В.
14. Способ по п.1, отличающийся тем, что газ является инертным.
15. Способ по п.1, отличающийся тем, что газ является химически активным.
2
4
2
2
2
16. Способ по п.1, отличающийся тем, что газ выбирают из группы, состоящей из Ar, Ne, Kr, Xe, N, CH, CH, O и любых их комбинаций.
17. Способ по п.1, отличающийся тем, что газ находится под давлением в диапазоне от 1 миллиторр до 10 миллиторр.