ПИКСЕЛЬ ДЕТЕКТОРА СО СЧЕТОМ ФОТОНОВ, КОТОРЫЙ ИМЕЕТ АНОД, СОДЕРЖАЩИЙ ДВА ИЛИ БОЛЕЕ ПООЧЕРЕДНО ВЫБИРАЕМЫХ И РАЗДЕЛЬНЫХ ПОД-АНОДА

1. Система (100) визуализации, которая содержит:
источник (112) излучения, который испускает излучение, которое проходит через область исследования;
детекторную матрицу (114) с множеством пикселей (116) детектора со счетом фотонов, которые детектируют излучение, проходящее через область исследования, и соответствующим образом генерируют сигнал, показывающий детектированное излучение, причем пиксель детектора со счетом фотонов содержит:
слой (122) прямого преобразования, который имеет первую принимающую излучение сторону (202) и вторую противоположную сторону (206);
катод (118), прикрепленный к и покрывающий всю или значительную часть первой стороны;
1
2
N
анод (120), прикрепленный к центрально расположенной области (208) второй стороны, причем анод содержит по меньшей мере два под-анода (120, 120, 120, 120); и
металлизацию (124), прикрепленную ко второй стороне, окружающую анод и область анода, с зазором между анодом и металлизацией; и
1
2
N
подложку (128), которая имеет по меньшей мере две контактные площадки (130, 130, 130, 130), по одной для каждого из по меньшей мере двух под-анодов, причем каждая из по меньшей мере двух контактных площадок физически и электрически соединена с одним отличающимся из по меньшей мере двух под-анодов;
обрабатывающую электронику (210); и
переключающую электронику (132), сконфигурированную для того, чтобы поочередно электрически связывать только одну отдельную из по меньшей мере двух контактных площадок с обрабатывающей электроникой; и
реконструктор (144), который реконструирует сигнал для того, чтобы генерировать данные объемного изображения, показывающие область исследования.
2. Система визуализации по п. 1, в которой на под-аноде, физически и электрически связанном с контактной площадкой, поддерживают предварительно определяемый электрический потенциал анода.
3. Система визуализации по п. 2, в которой на других под-анодах поддерживают плавающий электрический потенциал.
4. Система визуализации по любому из пп. 1-3, в которой зазор содержит пассивирующий слой.
5. Система визуализации по п. 1, в которой центрально расположенная область имеет диаметр от приблизительно ста до трехсот микрометров.
6. Система визуализации по п. 1, в которой под-анод имеет диаметр от приблизительно двадцати пяти до ста двадцати пяти микрометров.
7. Система визуализации по п. 1, в которой зазор между анодом и металлизацией находится по меньшей мере в диапазоне от приблизительно десяти микрометров до приблизительно сорока микрометров.
8. Система визуализации по п. 1, в которой расстояние от центра до центра между пикселями детектора находится в диапазоне от приблизительно двухсот микрометров до приблизительно полутора миллиметров.
9. Система визуализации по п. 1, в которой длина пикселя детектора находится в диапазоне от приблизительно двухсот микрометров до приблизительно полутора миллиметров.
10. Система визуализации по п. 1, в которой по меньшей мере два под-анода представляют собой три под-анода.
11. Система визуализации по п. 1, в которой выход через соединение пайкой, соответствующий наличию электрического соединения между по меньшей мере одной под-площадкой и по меньшей мере одной соответствующей контактной площадкой, находится в диапазоне от приблизительно девяноста до ста процентов.
12. Система визуализации по п. 1, в которой слой прямого преобразования содержит слой прямого преобразования, содержащий по меньшей мере одно из теллурида кадмия или теллурида кадмия цинка.
13. Способ, содержащий:
детектирование излучения, проходящего через область исследования, с использованием пикселя (116) детектора со счетом фотонов, причем пиксель детектора со счетом фотонов содержит анод, имеющий по меньшей мере два физически и электрически раздельных под-анода, совместно окруженных металлизацией, при этом по меньшей мере два под-анода связаны с соответствующими контактными под-площадками подложки, и электрический переключатель электрически соединяет только одну отдельную из по меньшей мере двух контактных под-площадок с обрабатывающей электроникой подложки.
14. Способ по п. 13, дополнительно содержащий:
поддержание предварительно определяемого электрического потенциала анода на под-аноде, связанном с упомянутой одной отдельной из по меньшей мере двух контактных площадок.
15. Способ по п. 13 или 14, дополнительно содержащий:
поддержание плавающего электрического потенциала на под-аноде, связанном с контактной площадкой, электрически не соединенной с обрабатывающей электроникой; и по меньшей мере одно из:
определения того, что межсоединение между под-анодом и соответствующей контактной под-площадкой обеспечивает токопровод между под-анодом и контактной под-площадкой и, в ответ, выбора соответствующей контактной под-площадки в качестве упомянутой одной отдельной из по меньшей мере двух контактных под-площадок в электрической связи с обрабатывающей электроникой, или
определения того, что контакт между под-анодом и соответствующей контактной под-площадкой не обеспечивает токопровод между под-анодом и контактной под-площадкой и, в ответ, отсоединения контактной под-площадки от обрабатывающей электроники.