СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛА НИТРИДА III ГРУППЫ С НИЗКОЙ ПЛОТНОСТЬЮ ДИСЛОКАЦИЙ

1. Способ получения кристалла нитрида III группы с низкой плотностью дислокаций, включающий следующие стадии:
а) осаждение первого слоя нитрида III группы;
б) образование ямок в местах пронизывающих дислокаций;
в) формирование маскирующего слоя в областях ямок посредством процесса самосовмещения;
г) осаждение второго слоя нитрида III группы,
где нитрид III группы - это нитрид галлия, нитрид алюминия, нитрид индия или их сплав любого состава; распространение дислокаций во второй слой нитрида III группы предотвращают указанным выше маскирующим слоем, и области ямок латерально заращивают указанным слоем нитрида III группы с образованием плоской поверхности.
2. Способ по п.1, где ямки представляют собой перевернутые пирамиды, образованные при выращивании первого слоя нитрида III группы.
3. Способ по п.1, где ямки образуют in situ травлением с использованием водорода, хлористого водорода, хлора или любой их смеси.
4. Способ по п.1, где ямки образуют ex situ химическим травлением с использованием кислоты или щелочи.
5. Способ по п.1, где образование маскирующего слоя включает следующие стадии:
а) осаждение диэлектрического слоя;
б) нанесение слоя смолы на диэлектрическую поверхность центрифугированием;
в) травление слоя смолы, оставляя смолу только в ямках;
г) избирательное травление диэлектрического слоя, оставляя диэлектрическую маску только в ямах;
е) удаление смолы.
6. Способ по п.1, где образование маскирующего слоя включает следующие стадии:
а) нанесение слоя стекла (ЦС) центрифугированием на слой нитрида III группы;
б) обжиг и отверждение слоя ЦС;
в) травление слоя ЦС, оставляя ЦС только в ямках.
7. Способ по п.1, где образование маскирующего слоя включает следующие стадии:
а) осаждение диэлектрического слоя;
б) травление диэлектрического слоя при скользящем угле падения, оставляя диэлектрическую маску только в ямках.