СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА В ВИДЕ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ, СВЕРХПРОВОДЯЩЕЕ УСТРОЙСТВО И СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ МАТЕРИАЛ В ВИДЕ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ

1. Способ получения сверхпроводящего материала в виде тонкой пленки (10), включающий:
стадию образования нижележащего слоя (2, 3); и
стадию образования сверхпроводящего слоя (4) с помощью способа осаждения из паровой фазы, таким образом, что сверхпроводящий слой находится в контакте с указанным нижележащим слоем, в котором
между стадией образования нижележащего слоя и стадией образования сверхпроводящего слоя нижележащий слой выдерживают в среде с пониженным содержанием водяного пара или среде с пониженным содержанием диоксида углерода.
2. Способ по п.1, в котором на стадии образования нижележащего слоя нижележащий сверхпроводящий слой (3) формируют в виде указанного нижележащего слоя.
3. Способ по п.1, в котором
на стадии образования нижележащего слоя нижележащий слой (2, 3) формируют на подложке в форме ленты (1) и указанный нижележащий слой формируют, когда положение формирования нижележащего слоя на указанной подложке перемещают в одном направлении (C1) вдоль продольного направления подложки, и
на стадии образования сверхпроводящего слоя сверхпроводящий слой (4) формируют, когда положение формирования сверхпроводящего слоя на указанной подложке перемещают в направлении (C2), противоположном указанному одному направлению.
4. Сверхпроводящее устройство, использующее сверхпроводящий материал в виде тонкой пленки (10), полученный с помощью способа получения сверхпроводящего материала в виде тонкой пленки, как изложено в п.1.
5. Способ получения сверхпроводящего материала в виде тонкой пленки (10), включающий:
стадию образования нижележащего слоя (2, 3); и
стадию образования сверхпроводящего слоя (4) с помощью способа осаждения из паровой фазы, таким образом, что сверхпроводящий слой находится в контакте с указанным нижележащем слоем, в котором
между стадией образования нижележащего слоя и стадией образования сверхпроводящего слоя нижележащий слой выдерживают, не подвергая воздействию атмосферы.
6. Способ по п.5, в котором на стадии образования нижележащего слоя нижележащий сверхпроводящий слой (3) формируют в виде указанного нижележащего слоя.
7. Способ по п.5, в котором
на стадии образования нижележащего слоя нижележащий слой (2, 3) формируют на подложке в форме ленты (1), при этом указанный нижележащий слой формируют, когда положение формирования нижележащего слоя на подложке перемещают в одном направлении (C1) вдоль продольного направления подложки, и
на стадии образования сверхпроводящего слоя сверхпроводящий слой (4) формируют, когда положение формирования сверхпроводящего слоя на подложке перемещают в направлении (C2), противоположном указанному одному направлению.
8. Сверхпроводящее устройство, использующее сверхпроводящий материал в виде тонкой пленки (10), полученный с помощью способа по п.5.
9. Сверхпроводящий материал в виде тонкой пленки (10), содержащий первый сверхпроводящий слой (3), второй сверхпроводящий слой (4), образованный находящимся в контакте с первым сверхпроводящим слоем, и третий сверхпроводящий слой (5), образованный находящимся в контакте со вторым сверхпроводящим слоем, и имеющий величину критического тока больше, чем 70 (А/см в ширину).