НЕИНВАЗИВНЫЙ ДАТЧИК ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК РОГОВИЦЫ, УСТРОЙСТВО, СОДЕРЖАЩЕЕ УПОМЯНУТЫЙ ДАТЧИК, И ЕГО ПРИМЕНЕНИЕ

1. Датчик для измерения импеданса, содержащий n микроэлектродов, при этом n составляет от 4 до 30, расположенных на подложке, причем размер и схема расположения микроэлектродов подходят для того, чтобы микроэлектроды контактировали с роговицей одновременно, и причем микроэлектроды выбирают для выполнения измерения группами по 4 в виде 2 внешних микроэлектродов и 2 внутренних микроэлектродов.
2. Датчик для измерения импеданса по п.1, в котором микроэлектроды расположены на подложке планарно.
3. Датчик для измерения импеданса по п.1, в котором датчик содержит 10 микроэлектродов.
4. Датчик для измерения импеданса по п.1, в котором микроэлектроды выполнены из металлического материала, выбранного из золота, платины, никеля, алюминия, титана, нитрида титана, хрома и их возможных сплавов.
5. Датчик для измерения импеданса по п.1, в котором микроэлектроды выполнены из неметаллического материала, выбранного из углеродных нанотрубок, графена и проводящих полимеров.
6. Датчик для измерения импеданса по п.1, в котором микроэлектроды имеют удлиненную форму и расположены параллельно вдоль их длинной стороны.
7. Датчик для измерения импеданса по п.1, в котором ширина We каждого электрода составляет от 0,03 мм до 1 мм.
8. Датчик для измерения импеданса по п.7, в котором ширина We каждого электрода равна 0,3 мм.
9. Датчик для измерения импеданса по п.1, в котором длина Le электрода составляет от 0,03 мм до 11 мм.
10. Датчик для измерения импеданса по п.9, в котором длина Le электрода равна 1 мм или 2 мм.
11. Датчик для измерения импеданса по п.1, в котором ширина узла электродов, выбранных для выполнения измерения, или расстояние между средними линиями внешних микроэлектродов, Ws, составляет от 0,2 мм до 11 мм.
12. Датчик для измерения импеданса по п.11, в котором ширина узла электродов, выбранных для выполнения измерения, или расстояние между средними линиями внешних микроэлектродов, Ws, равна 1 мм для эпителия, 1,8 мм для стромы и 5 мм для эндотелиального слоя.
13. Датчик для измерения импеданса по п.1, в котором отношение микроэлектродного зазора, Nre=Sei/Se, где Sei является расстоянием между средними линиями внутренних микроэлектродов, и Se является расстоянием между средними линиями внутреннего электрода и ближайшего внешнего электрода, составляет от 0,1 до 20.
14. Датчик для измерения импеданса по п.13, в котором отношение микроэлектродного зазора, Nre, равно 3.
15. Датчик для измерения импеданса по п.1, в котором подложка, на которой расположены микроэлектроды, выполнена из жесткого материала, выбранного из кремния, карбида кремния, стекла и ПП (печатной платы из материала RF4).
16. Датчик для измерения импеданса по п.15, в котором микроэлектроды имеют длину 2 мм и ширину 0,3 мм.
17. Датчик для измерения импеданса по п.1, в котором подложка, на которой расположены микроэлектроды, выполнена из гибкого материала, выбранного из материала SU8, полиметилметакрилата (PMMA), полидиметилсилоксана (PDMS), полиимида, полиэтиленнафталата (PEN), полиэтилентерефтала (PET), полистирола, циклоолефинового полимера (COP) и поликарбоната.
18. Датчик для измерения импеданса по п.17, в котором микроэлектроды имеют длину 1 мм и ширину 0,3 мм.
19. Датчик для измерения импеданса по любому из пп.15-18, в котором подложка является прозрачной.
20. Датчик для измерения импеданса по п.1, в котором датчик выполнен в форме линзы, с приспособлением к опоре или с приспособлением к контейнеру, который может вмещать изолированные роговицы.
21. Устройство для измерения импеданса, содержащее датчик по любому из пп.1-20 и оборудование для многочастотного измерения импеданса.
22. Устройство для измерения импеданса по п.21, в котором датчик и оборудование для многочастотного измерения импеданса соединены проводами.
23. Устройство для измерения импеданса по п.21, в котором датчик и оборудование для многочастотного измерения импеданса соединены телеметрическими средствами.
24. Применение датчика по любому из пп.1-20 для измерения импеданса с целью определения функциональных характеристик роговицы.
25. Применение устройства, содержащего упомянутый датчик, по любому из пп.21-23 с целью определения функциональных характеристик роговицы.
26. Применение датчика по п.24 для определения функциональных характеристик эпителия, при этом ширина выбранного узла электродов, Ws, меньше чем 1,5 мм, и частота, при которой выполняют измерение, ниже чем 1 кГц.
27. Применение датчика по п.24 для определения функциональных характеристик эндотелия, при этом ширина выбранного узла электродов, Ws, больше, чем 3 мм, и частота, при которой выполняют измерение, содержится в диапазоне от 1 кГц до 100 кГц.
28. Применение датчика по п.24 для определения функциональных характеристик стромы, при этом ширина выбранного узла электродов, Ws, содержится в диапазоне от 1,5 мм до 3 мм, и частота, при которой выполняют измерение, выше чем 100 кГц.