СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИТНОЙ ПОДЛОЖКИ SiC И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКИ

1. Способ изготовления композитной подложки SiC, имеющей монокристаллический слой SiC на поликристаллической подложке SiC, включающий:
обеспечение монокристаллического слоя SiC на одной поверхности удерживающей подложки, изготовленной из Si, для подготовки носителя монокристаллического слоя SiC, после этого
осаждение поликристаллического SiC на монокристаллический слой SiC с помощью физического или химического средства для подготовки слоистого материала SiC, при этом монокристаллический слой SiC и поликристаллическая подложка SiC послойно наносятся на удерживающую подложку, и после этого
удаление удерживающей подложки физическим и/или химическим способом.
2. Способ изготовления композитной подложки SiC по п.1, дополнительно включающий: перед осаждением поликристаллического SiC на монокристаллический слой SiC, вызывание деформации в носителе монокристаллического слоя SiC путем создания физического повреждения поверхности, расположенной напротив поверхности, несущей монокристаллический слой SiC удерживающей подложки в носителе монокристаллического слоя SiC.
3. Способ изготовления композитной подложки SiC по п.1 или 2, дополнительно включающий: после осаждения поликристаллического SiC на монокристаллический слой SiC, создание физического повреждения на поверхности, расположенной напротив прилегающей поверхности поликристаллической подложки SiC с монокристаллическим слоем SiC в слоистом материале SiC.
4. Способ изготовления композитной подложки SiC по п.2 или 3, в котором физическое повреждение создается по меньшей мере одним способом обработки, выбранным от пескоструйной обработки, шлифовки, резки, лазерной обработки и электроискровой обработки.
5. Способ изготовления композитной подложки SiC по любому из пп.1-4, в котором монокристаллический слой SiC обеспечивают на одной поверхности удерживающей подложки с промежуточным слоем, изготовленным из оксида кремния, нитрида кремния или оксинитрида кремния и размещенным между ними.
6. Способ изготовления композитной подложки SiC по любому из пп.1-5, в котором монокристаллическая тонкая пленка SiC, отслоенная от монокристаллической подложки SiC способом ионно-имплантированного отслоения, переносится на удерживающую подложку для обеспечения монокристаллического слоя SiC.
7. Способ изготовления композитной подложки SiC по любому из пп.1-6, в котором поликристаллический SiC осаждается на монокристаллический слой SiC путем химического осаждения из паровой фазы.
8. Способ изготовления полупроводниковой подложки, включающий: изготовление композитной подложки SiC способом изготовления композитной подложки SiC по любому из пп.1-7, и, с использованием композитной подложки SiC в качестве шаблона, гетероэпитаксиальное выращивание монокристалла SiC на монокристаллическом слое SiC для послойного нанесения монокристаллического SiC.