СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОСТРИЯ ЛЕЗВИЯ ИЛИ ИГЛЫ

1. Способ изготовления острия лезвия или иглы, заключающийся в том, что осуществляют раскрой кристаллического материала при расположении режущей или колющей кромки в плоскости спайности, отличающийся тем, что используют кристаллический материал в виде пленки, а раскрой производят путем контролируемого формирования одной или нескольких трещин в пленке, формируя острие на пересечении плоскостей спайности и поверхности пленки.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве кристаллического материала в виде пленки используют напряженную однородно растянутую пленку, которую формируют в процессе выращивания сильно напряженной на подложке, с внутренними механическими напряжениями, близкими к напряжениям образования трещин, содержащей один или более слоев, при этом, по крайней мере, один механически напряжен, или формируют в процессе выращивания механически ненапряженной на подложке, а напряжения вносят после окончания процесса формирования пленки, причем осаждают на подложке предварительно жертвенный слой или не проводят предварительного осаждения жертвенного слоя.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что для раскроя, производимого путем контролируемого формирования одной или нескольких трещин, формируют концентраторы механических напряжений, предварительно нанеся кристаллический материал в виде пленки на подложку с осажденным на ней жертвенным слоем или без него, а после формирования концентраторов механических напряжений пленку локально освобождают от связи с подложкой, удаляя материал жертвенного слоя между концентраторами механических напряжений, между пленкой и подложкой или удаляя материал подложки, выполняющей функцию жертвенного слоя, вызывая тем самым в дальнейшем контролируемое распространение трещин, происходящее вдоль плоскостей спайности.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что раскрой, производимый путем контролируемого формирования одной или нескольких трещин, осуществляют посредством формирования трещин между концентраторами механических напряжений на участках пленки, освобожденных от связи с подложкой, что и осуществляют после формирования концентраторов механических напряжений в пленке, сформированной на подложке, и селективного удаления материала жертвенного слоя, осажденного на подложке перед формированием пленки, или материала подложки, выполняющего функцию жертвенного слоя, между концентраторами механических напряжений, между пленкой и подложкой.
5. Способ по п.3, отличающийся тем, что раскрой, производимый путем контролируемого формирования одной или нескольких трещин, осуществляют посредством формирования трещин между концентраторами механических напряжений на участках пленки, освобожденных от связи с подложкой, что и осуществляют после формирования концентраторов механических напряжений в пленке, сформированной на подложке, и селективного удаления материала жертвенного слоя, осажденного на подложке перед формированием пленки, или материала подложки, выполняющего функцию жертвенного слоя, между концентраторами механических напряжений, между пленкой и подложкой.
6. Способ по любому из пп.2-5, отличающийся тем, что в качестве подложки используют подложки из полупроводникового материала - InAs, или GaAs, или Si.
+
7. Способ по любому из пп.2-5, отличающийся тем, что в качестве пленки используют однослойные пленки кристаллического материала - InGaAs, или р Si, или двухслойные из кристаллического материала - InGaAs/GaAs.
8. Способ по любому из пп.2-5, отличающийся тем, что в качестве материала жертвенного слоя используют нелегированный Si, или AlAsSb, или AlAs.
9. Способ по любому из пп.3-5, отличающийся тем, что механические напряжения, инициирующие трещинообразование при раскрое, в пленку вносят деформированием путем изгибания по линии концентраторов механических напряжений.
10. Способ по любому из пп.3-5, отличающийся тем, что механические напряжения, инициирующие трещинообразование при раскрое, в пленку вносят формированием напряженной пленки при ее выращивании за счет разницы в величинах постоянных кристаллической решетки материалов подложки и пленки.
11. Способ по любому из пп.3-5, отличающийся тем, что механические напряжения, инициирующие трещинообразование при раскрое, в пленку вносят формированием напряженной пленки за счет разницы в величинах коэффициента термического расширения материалов подложки и пленки при переносе или выращивании последней на подложке с другим коэффициентом термического расширения и их нагреванием, при этом в качестве материала подложки с другим коэффициентом термического расширения используют резист SU-8.
12. Способ по любому из пп.3-5, отличающийся тем, что концентраторы механических напряжений формируют литографически в виде сквозных окон в пленке.
13. Способ по любому из пп.3-5, отличающийся тем, что материал жертвенного слоя удаляют в кислотном травителе - растворе плавиковой кислоты.
14. Способ по любому из пп.3-5, отличающийся тем, что материал жертвенного слоя, функцию которого выполняет подложка, удаляют в водном растворе аммиака.
15. Способ по любому из пп.2-5, отличающийся тем, что после раскроя кристаллического материала в виде пленки осуществляют разделение подложки на части, содержащие изготовленное из кристаллической пленки острие лезвия или иглы, при этом подложку раскалывают вдоль бороздок, сформированных на ее нерабочей стороне.
16. Способ по любому из пп.2-5, отличающийся тем, что перед раскроем пленку отделяют от подложки, после чего производят ее раскрой.