ТЕХНОЛОГИЯ И ПРОИЗВОДСТВО НИЗКОРАЗМЕРНОГО МАТЕРИАЛА, ПОДДЕРЖИВАЮЩЕГО КАК САМОТЕРМАЛИЗАЦИЮ, ТАК И САМОЛОКАЛИЗАЦИЮ

1. Фоноэлектрический элемент, используемый как часть фоноэлектрического столба из одного или более смежных фоноэлектрических элементов, содержащий:
первый слой проводника;
первый слой бора в контакте с первым слоем проводника, при этом первый слой бора содержит икосаэдрический бор и водород и имеет более высокую относительную атомную концентрацию бора, чем любого другого атома;
второй слой бора в контакте с первым слоем бора, при этом второй слой бора содержит икосаэдрический бор, водород и кислород и имеет более высокую относительную атомную концентрацию бора, чем любого другого атома;
второй слой проводника в контакте со вторым слоем бора; и
причем электрический потенциал генерируется между первым слоем проводника и вторым слоем проводника.
2. Фоноэлектрический элемент по п. 1, причем первый слой бора дополнительно содержит кремний.
3. Фоноэлектрический элемент по п. 2, причем первый слой бора представляет собой силаборан.
4. Фоноэлектрический элемент по п. 3, причем первый слой бора представляет собой пикокристаллический силаборан.
12
w
x
y
5. Фоноэлектрический элемент по п. 3, причем слой силаборана представляет собой силаборан, имеющий формулу (BH)Si, где 3≤w≤5, 2≤x≤4 и 3≤y≤5.
12
4
x
y
z
6. Фоноэлектрический элемент по п. 5, причем слой силаборана представляет собой пикокристаллический силаборан, имеющий формулу (BH)SiO, где 2≤x≤4 и 3≤y≤5.
12
4
3
5
7. Фоноэлектрический элемент по п. 6, причем слой силаборана представляет собой пикокристаллический силаборан, имеющий формулу (BH)Si.
8. Фоноэлектрический элемент по п. 1, причем второй слой бора дополнительно содержит кремний.
9. Фоноэлектрический элемент по п. 8, причем второй слой бора представляет собой оксисилаборан.
10. Фоноэлектрический элемент по п. 9, причем второй слой бора представляет собой пикокристаллический оксисилаборан или
12
w
x
y
z
слой оксисилаборана представляет собой оксисилаборан, имеющий формулу (BH)SiO, где 3≤w≤5, 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
12
4
x
y
z
11. Фоноэлектрический элемент по п. 10, причем слой оксисилаборана представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (BH)SiO, где 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
12
4
2
4
2
12. Фоноэлектрический элемент по п. 11, причем слой оксисилаборана представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (BH)SiO.
13. Фоноэлектрический элемент по п. 1, причем каждый из первого и второго слоя проводника является металлическим электродом, предпочтительно металлический электрод представляет собой алюминий, или
икосаэдрическая симметрия первого и второго слоев бора является практически свободной от искажения Яна-Теллера.
14. Фоноэлектрический элемент по п. 2, причем второй слой бора дополнительно содержит кремний.
15. Фоноэлектрический элемент по п. 3, причем второй слой бора представляет собой оксисилаборан.
16. Фоноэлектрический элемент по п. 4, причем второй слой бора представляет собой пикокристаллический оксисилаборан.
12
w
x
y
z
17. Фоноэлектрический элемент по п. 5, причем слой оксисилаборана представляет собой оксисилаборан, имеющий формулу (BH)SiO, где 3≤w≤5, 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
12
4
x
y
z
18. Фоноэлектрический элемент по п. 6, причем слой оксисилаборана представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (BH)SiO, где 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
12
4
2
4
2
19. Фоноэлектрический элемент по п. 7, причем слой оксисилаборана представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (BH)SiO.
20. Фоноэлектрический элемент по п. 1, причем относительная атомная концентрации бора в первом слое бора и втором слое бора по меньшей мере на 50% больше, чем любого другого атома, или
первый слой бора имеет толщину, меньшую или равную примерно 4 нм, и второй слой бора имеет толщину, меньшую или равную примерно 4 нм, или
фоноэлектрический столб образован из по меньшей мере двух фоноэлектрических элементов, при этом второй проводник первого фоноэлектрического элемента образует первый проводник второго фоноэлектрического элемента.
21. Выпрямитель, содержащий:
первый слой проводника;
первый слой бора в контакте с первым слоем проводника, при этом первый слой бора содержит икосаэдрический бор и водород и имеет более высокую относительную атомную концентрацию бора, чем любого другого атома;
второй слой бора в контакте с первым слоем бора, при этом второй слой бора содержит икосаэдрический бор, водород и кислород и имеет более высокую относительную атомную концентрацию бора, чем любого другого атома;
второй слой проводника в контакте со вторым слоем бора; и
причем выпрямитель имеет асимметричную электрическую проводимость между первым и вторым слоями проводников.
22. Выпрямитель по п. 21, причем первый слой бора дополнительно содержит кремний.
23. Выпрямитель по п. 22, причем первый слой бора представляет собой силаборан.
24. Выпрямитель по п. 23, причем первый слой бора представляет собой пикокристаллический силаборан.
12
w
x
y
25. Выпрямитель по п. 23, причем слой силаборана представляет собой силаборан, имеющий формулу (BH)Si, где 3≤w≤5, 2≤x≤4 и 3≤y≤5.
12
4
x
y
z
26. Выпрямитель по п. 25, причем слой силаборана представляет собой пикокристаллический силаборан, имеющий формулу (BH)SiO, где 2≤x≤4 и 3≤y≤5.
12
4
3
5
27. Выпрямитель по п. 26, причем слой силаборана представляет собой пикокристаллический силаборан, имеющий формулу (BH)Si.
28. Выпрямитель по п. 21, причем второй слой бора дополнительно содержит кремний.
29. Выпрямитель по п. 28, причем второй слой бора представляет собой оксисилаборан.
30. Выпрямитель по п. 29, причем второй слой бора представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, или
12
w
x
y
z
слой оксисилаборана представляет собой оксисилаборан, имеющий формулу (BH)SiO, где 3≤w≤5, 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
12
4
x
y
z
31. Выпрямитель по п. 30, причем слой оксисилаборана представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (BH)SiO, где 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
12
4
2
4
2
32. Выпрямитель по п. 31, причем слой оксисилаборана представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (BH)SiO.
33. Выпрямитель по п. 21, причем каждый из первого и второго слоя проводника является металлическим электродом, предпочтительно металлический электрод представляет собой алюминий, или
икосаэдрическая симметрия первого и второго слоев бора является практически свободной от искажения Яна-Теллера.
34. Выпрямитель по п. 22, причем второй слой бора дополнительно содержит кремний.
35. Выпрямитель по п. 23, причем второй слой бора представляет собой оксисилаборан.
36. Выпрямитель по п. 24, причем второй слой бора представляет собой пикокристаллический оксисилаборан.
12
w
x
y
z
37. Выпрямитель по п. 25, причем слой оксисилаборана представляет собой оксисилаборан, имеющий формулу (BH)SiO, где 3≤w≤5, 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
12
4
x
y
z
38. Выпрямитель по п. 26, причем слой оксисилаборана представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (BH)SiO, где 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
12
4
2
4
2
39. Выпрямитель по п. 27, причем слой оксисилаборана представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (BH)SiO.
40. Выпрямитель по п. 21, причем относительная атомная концентрации бора в первом слое бора и втором слое бора по меньшей мере на 50% больше, чем любого другого атома, или
первый слой бора имеет толщину, меньшую или равную примерно 4 нм, и второй слой бора имеет толщину, меньшую или равную примерно 4 нм.
41. Интегральная схема, содержащая:
первый схемный элемент;
второй схемный элемент;
проводник, содержащий икосаэдрический бор и водород и имеющий более высокую относительную атомную концентрацию бора, чем любого другого атома;
причем проводник дополнительно содержит следовое количество монетного металла;
причем проводник электрически соединяет первый схемный элемент со вторым схемным элементом в интегральной схеме.
42. Интегральная схема по п. 41, причем проводник дополнительно содержит кремний.
43. Интегральная схема по п. 42, причем проводник представляет собой силаборан.
44. Интегральная схема по п. 43, причем проводник представляет собой пикокристаллический силаборан или
12
w
x
y
проводник представляет собой силаборан, имеющий формулу (BH)Si, где 3≤w≤5, 2≤x≤4 и 3≤y≤5.
12
4
x
y
z
45. Интегральная схема по п. 44, причем проводник представляет собой пикокристаллический силаборан, имеющий формулу (BH)SiO, где 2≤x≤4 и 3≤y≤5.
12
4
3
5
46. Интегральная схема по п. 45, причем проводник представляет собой пикокристаллический силаборан, имеющий формулу (BH)Si.
47. Интегральная схема по п. 42, причем проводник представляет собой оксисилаборан.
48. Интегральная схема по п. 47, причем проводник представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, или
12
w
x
y
z
проводник представляет собой оксисилаборан, имеющий формулу (BH)SiO, где 3≤w≤5, 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
12
4
x
y
z
49. Интегральная схема по п. 48, причем проводник представляет собой пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (BH)SiO, где 2≤x≤4, 3≤y≤5 и 0<z≤3.
12
4
2
4
2
50. Интегральная схема по п. 49, причем проводник представляет пикокристаллический оксисилаборан, имеющий формулу (BH)SiO.
51. Интегральная схема по п. 41, причем икосаэдрическая симметрия проводника является практически свободной от искажения Яна-Теллера, или
относительная атомная концентрация бора в проводнике по меньшей мере на 50% больше, чем любого другого атома, или
проводник является практически свободным от зерен, или
проводник может быть образован при использовании осаждения из паровой фазы, или
18
-3
монетный металл включен в проводник при атомной концентрации до примерно 10 см, или
сопротивление проводника ниже, чем сопротивление медного проводника тех же размеров, или
18
-3
монетным металлом является золото, предпочтительно золото включено в проводник при атомной концентрации до примерно 10 см, или
проводник передает электрическую энергию без передачи электрического заряда, или
проводник образует соединения заднего конца технологической линии.
52. Прибор, содержащий:
первый слой проводника;
первый слой бора в контакте с первым слоем проводника, при этом первый слой бора содержит икосаэдрический бор и водород и имеет более высокую относительную атомную концентрацию бора, чем любого другого атома;
второй слой бора в контакте с первым слоем бора, при этом второй слой бора содержит икосаэдрический бор, водород и кислород и имеет более высокую относительную атомную концентрацию бора, чем любого другого атома;
второй слой проводника в контакте со вторым слоем бора; и
53. Прибор по п. 52, причем первый слой бора дополнительно содержит кремний.
12
w
x
y
12
4
x
y
z
12
4
3
5
54. Прибор по одному или более из пп. 52, 53, причем первый слой бора представляет собой силаборан, более предпочтительно силаборан, имеющий формулу (BH)Si, где 3≤w≤5, 2≤x≤4 и 3≤y≤5, более предпочтительно имеющий формулу (BH)SiO, где 2≤x≤4 и 3≤y≤5, и наиболее предпочтительно имеющий формулу (BH)Si.
55. Интегральная схема, содержащая:
первый схемный элемент;
второй схемный элемент;
проводник, содержащий икосаэдрический бор и водород и имеющий более высокую относительную атомную концентрацию бора, чем любого другого атома;
причем проводник дополнительно содержит следовое количество монетного металла;
причем проводник электрически соединяет первый схемный элемент со вторым схемным элементом в интегральной схеме.
56. Интегральная схема по п. 55, причем первый слой бора дополнительно содержит кремний.
57. Интегральная схема по одному или более из пп. 55, 56, причем икосаэдрическая симметрия проводника является практически свободной от искажения Яна-Теллера.