ВЛИЯНИЕ СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙНА УСТОЙЧИВОСТЬ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ

ВЛИЯНИЕ СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙНА УСТОЙЧИВОСТЬ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ РАДИОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ

Автор: ДМИТРИЕВ В.Г., КУПРИЯНОВ А.И., ПЕРУНОВ Ю.М.
Издательство: РАКЕТНО-КОСМИЧЕСКОЕ ПРИБОРОСТРОЕНИЕ И ИНФОРМАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ

Рассмотрены возможные механизмы, вызывающие деградацию и катастрофические отказы микроэлектронной элементной базы в полях мощного электромагнитного излучения. Проанализированы результаты экспериментальных исследований и модели, используемые для анализа механизмов повреждения современных интегральных микросхем при воздействии радиоизлучения. Определены критериальные уровни функционального поражения полупроводниковых приборов сверхкороткими видеоимпульсами 0,1-1,0 нс при плотности потока от 2 до 5 Вт/см2. Установлено, что снижение критериальных уровней поражения находится в прямой зависимости от увеличения длины волны воздействующего излучения, так как основной механизм пробоя связан с поглощением энергии квантов электромагнитного излучения, энергия которых прямо пропорциональна частоте излучения.

В.Г. Дмитриев, А.И. Куприянов, Ю.М. Перунов Влияние сильных электромагнитных полей на устойчивость элементной базы радиоэлектронных систем // Ракетно-космическое приборостроение и информационные системы. – 2023. – Т. 10, № 2. – С. 89-95) https://doi.org/10.30894/issn2409-0239.2023.10.2.89.95