ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

1. Полупроводниковое устройство, содержащее герметичный корпус, основание с присоединительными выводами, по меньшей мере, один из которых изолирован от основания, и углублением с плоским дном для посадки одного или нескольких полупроводниковых элементов с выводами, отличающееся тем, что основание выполнено двухслойным, нижний слой которого выполнен из алмаза, а верхний - из кремния, при этом глубина углубления выполнена равной толщине кремниевого слоя.
2. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что полупроводниковые элементы, размещенные в углублении, непосредственно на алмазном слое, а число изолированных от основания присоединительных выводов устройства соответствует числу выводов полупроводниковых элементов.
3. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве полупроводникового элемента используются полупроводниковые кристаллы одноцветного или разноцветного излучения оптического диапазона.
4. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве полупроводникового элемента используются кристаллы транзистора, или кристаллы выпрямительного диода, или диоды Шоттки, или кристаллы интегральных схем или микропроцессоров.
5. Полупроводниковое устройство по п.2, отличающееся тем, что глубина углубления не менее чем в два раза больше толщины полупроводникового кристалла, но не превышает его более чем в четыре раза, а диагональ плоского дна углубления больше диагонали нижней части полупроводникового кристалла, но не более чем в два раза.
6. Полупроводниковое устройство по п.2, отличающееся тем, что верхняя поверхность герметичного корпуса выполнена в виде оптической линзы.
7. Полупроводниковое устройство по п.2, отличающееся тем, что верхняя поверхность герметичного корпуса выполнена в виде линзы Френеля.
8. Полупроводниковое устройство по п.4, отличающееся тем, что верхняя поверхность герметичного корпуса выполнена плоской.
9. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что углубление заполнено герметизирующим компаундом.
10. Полупроводниковое устройство по п.2, отличающееся тем, что углубление заполнено герметизирующим компаундом с добавлением люминофора или диспергатора.
11. Полупроводниковое устройство по п.2, отличающееся тем, что боковая поверхность углубления выполнена в виде отражающей излучение поверхности.
12. Полупроводниковое устройство по п.9, отличающееся тем, что боковая поверхность углубления выполнена в виде поверхности обратного конуса.
13. Полупроводниковое устройство по п.5, отличающееся тем, что оптическая линза выполнена из материала, выбранного из группы: силгель, макролон, эпоксидная смола.
14. Полупроводниковое устройство по п.4, отличающееся тем, что углубление выполнено в виде параллелепипеда.
15. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что присоединительные выводы выполнены в виде ленты.
16. Полупроводниковое устройство по п.12, отличающееся тем, что лента выполнена перфорированной.
17. Полупроводниковое устройство по п.2, отличающееся тем, что в качестве полупроводникового кристалла одноцветного или разноцветного излучения оптического диапазона используется материал, выбранный из группы: GaN, InGaAIN, GaAs, InP, SiC, ZnO.
18. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве полупроводникового элемента используется материал, выбранный из группы: Si, Ge, SiC, GaAs.
19. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что в качестве изоляционного материала для вывода, изолированного от основания используется или термостойкий термопластичный полимер, или стеклообразный диэлектрик, или керамический диэлектрик.
20. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что присоединительные выводы выполнены из одного или нескольких слоев материалов, выбранных из группы: Ti, Pt, Ni, Au, Sn, Cu.