ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ТРАНСЗИСТОР, СДВИГОВЫЙ РЕГИСТР, СХЕМА УПРАВЛЕНИЯ ШИНОЙ СИГНАЛОВ РАЗВЕРТКИ, ДИСПЛЕЙНОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ТРАНЗИСТОРА

1. Тонкопленочный транзистор, содержащий
первый конденсатор, содержащий область, в которой первый электрод конденсатора, соединенный с электродом истока, и второй электрод конденсатора расположены друг на друге в направлении толщины с противоположных сторон первого слоя диэлектрика, сформированного между ними;
второй конденсатор, содержащий область, в которой третий и четвертый электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон второго слоя диэлектрика, сформированного между ними;
первую выводную шину, проходящую от первого электрода конденсатора в плоскостном направлении;
вторую выводную шину, проходящую от электрода затвора в плоскостном направлении;
третью выводную шину, проходящую от третьего электрода конденсатора в плоскостном направлении;
четвертую выводную шину, проходящую от четвертого электрода конденсатора в плоскостном направлении;
первое соединение, пересекающее вторую и четвертую выводные шины, если смотреть в направлении толщины; и
второе соединение, пересекающее первую и третью выводные шины, если смотреть в направлении толщины, причем
второй электрод конденсатора и электрод затвора соединены друг с другом через вторую выводную шину,
третий электрод конденсатора и электрод истока не соединены друг с другом,
четвертый электрод конденсатора и электрод затвора не соединены друг с другом.
2. Тонкопленочный транзистор по п.1, в котором
первый и третий электроды конденсатора, первая и третья выводные шины, а также первое соединение выполнены из металла истока, а
второй и четвертый электроды конденсатора, вторая и четвертая выводные шины, а также второе соединение выполнены из металла затвора.
3. Тонкопленочный транзистор по п.1, в котором
первый и второй слои диэлектрика представляют собой слой диэлектрика затвора.
4. Тонкопленочный транзистор по п.1, который
изготовлен с использованием аморфного кремния
или микрокристаллического кремния.
5. Тонкопленочный транзистор, содержащий
первый конденсатор, выполненный таким образом, что первый электрод конденсатора, соединенный с электродом истока, и второй электрод конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон первого слоя диэлектрика, расположенного между ними;
второй конденсатор, выполненный таким образом, что третий электрод конденсатора и четвертый электрод конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон второго слоя диэлектрика, расположенного между ними.
первую выводную шину, проходящую от первого электрода в плоскостном направлении;
вторую выводную шину, проходящую от электрода затвора в плоскостном направлении;
третью выводную шину, проходящую от третьего электрода в плоскостном направлении;
четвертую выводную шину, проходящую от четвертого электрода в плоскостном направлении;
первое соединение, пересекающее вторую и четвертую выводные шины, если смотреть в направлении толщины; и
второе соединение, пересекающее первую и третью выводные шины, если смотреть в направлении толщины, причем
второй электрод конденсатора и электрод затвора не соединены друг с другом;
первая и третья выводные шины соединены со вторым соединением таким образом, что третий электрод конденсатора и электрод истока соеиднены друг с другом,
вторая и четвертая выводные шины, соединены с первым соединением таким образом, что четвертый электрод и электрод затвора соединены друг с другом.
6. Тонкопленочный транзистор по п.5, в котором
первый и третий электроды конденсатора, первая и третья выводные шины, а также первое соединение выполнены из металла истока, а
второй и четвертый электроды конденсатора, вторая и четвертая выводные шины, а также второе соединение выполнены из металла затвора.
7. Тонкопленочный транзистор по п.5, в котором
первый и второй слои диэлектрика представляют собой слой диэлектрика затвора.
8. Тонкопленочный транзистор по п.5, который
изготовлен с использованием аморфного кремния
или микрокристаллического кремния.
9. Тонкопленочный транзистор, содержащий
выводную шину, соединенную с электродом истока; и
конденсатор, содержащий область, в которой первые электроды конденсатора и второй электрод конденсатора, соединенный с электродом затвора, расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон слоя диэлектрика, сформированного между ними, причем первые электроды конденсатора проходят от выводной шины в плоскостном направлении.
10. Тонкопленочный транзистор по п.9, в котором
каждый из первых электродов конденсатора содержит парную часть, образующую пару со вторым электродом конденсатора, расположенным в области конденсатора, и непарную часть, не образующую пару со вторым электродом и проходящую от выводной шины к парной части.
11. Тонкопленочный транзистор по п.10, в котором
в первом электроде конденсатора на границе между непарной частью и парной частью и/или в выводной шине, в месте разветления первого электрода конденсатора и выводной шины, выполнен вырез.
12. Тонкопленочный транзистор по любому из пп.9-11, в котором
первые электроды конденсатора и выводная шина выполнены из металла истока, а
второй электрод конденсатора выполнен из металла затвора.
13. Тонкопленочный транзистор по любому из пп.9-11, в котором
в качестве слоя диэлектрика использован слой диэлектрика затвора.
14. Тонкопленочный транзистор по любому из пп.9-11, который
изготовлен с использованием аморфного кремния
или микрокристаллического кремния.
15. Тонкопленочный транзистор, содержащий:
первый конденсатор, который имеет область, в которой первый электрод конденсатора, соединенный с электродом истока, и второй электрод конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон первого слоя диэлектрика, сформированного между ними, и область, в которой первый и третий электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон второго слоя диэлектрика, сформированного между ними, таким образом, что соединение между первым и третьим электродами конденсатора и соединение между первым и вторым электродами конденсатора выполнены на взаимно противоположных поверхностях первого электрода конденсатора;
второй конденсатор, который имеет область, в которой четвертый и пятый электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон третьего слоя диэлектрика, сформированного между ними; и область, в которой четвертый и шестой электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон четвертого слоя диэлектрика, сформированного между ними, таким образом, что соединение между четвертым и шестым электродами конденсатора и соединение четвертым и пятым электродами конденсатора выполнены на взаимно противоположных поверхностях четвертого электрода конденсатора;
первую выводную шину, проходящую от первого электрода конденсатора в плоскостном направлении;
вторую выводную шину, проходящую от второго электрода конденсатора в плоскостном направлении;
выводную шину затвора, проходящую от электрода затвора в плоскостном направлении;
третью выводную шину, проходящую от третьего электрода конденсатора в плоскостном направлении;
четвертую выводную шину, проходящую от четвертого электрода конденсатора в плоскостном направлении;
пятую выводную шину, проходящую от пятого электрода конденсатора в плоскостном направлении;
первое соединение, пересекающее выводную шину затвора и пятую выводную шину, если смотреть в направлении толщины; и
второе соединение, пересекающее первую и четвертую выводные шины, если смотреть в направлении толщины, причем
третий электрод конденсатора и электрод затвора соединены друг с другом через третью выводную шину,
шестой электрод конденсатора соединен с пятой выводной шиной,
второй электрод конденсатора и электрод затвора соединены друг с другом через вторую выводную шину,
выводная шина затвора и пятая выводная шина не соединены с первым соединением,
выводная шина затвора и четвертая выводная шина не соединены со вторым соединением.
16. Тонкопленочный транзистор по п.15, в котором
первый и четвертый электроды конденсатора, первая и четвертая выводные шины, а также первое соединение выполнены из материала истока,
второй и пятый электроды конденсатора, вторая и пятая выводные шины, а также второе соединение выполнены из металла затвора, а
третий и шестой электроды конденсатора и третья выводная шина выполнены из прозрачных электродов.
17. Тонкопленочный транзистор по п.15, в котором
первый и третий слои диэлектрика использованы в качестве слоя диэлектрика затвора, а
второй и четвертый слои диэлектрика использованы в качестве пассивирующего слоя.
18. Тонкопленочный транзистор по п.15, который
изготовлен с использованием аморфного кремния
или микрокристаллического кремния.
19. Тонкопленочный транзистор, содержащий:
первый конденсатор, который имеет область, в которой первый электрод конденсатора, соединенный с электродом истока, и второй электрод конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон первого слоя диэлектрика, сформированного между ними, и область, в которой первый и третий электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон второго слоя диэлектрика, сформированного между ними, таким образом, что соединение между первым и третьим электродами конденсатора и соединение между первым и вторым электродами конденсатора выполнены на взаимно противоположных поверхностях первого электрода конденсатора;
второй конденсатор, который имеет область, в которой четвертый и пятый электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон третьего слоя диэлектрика, сформированного между ними; и вторую область, в которой четвертый и шестой электроды конденсатора расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон четвертого слоя диэлектрика, сформированного между ними, таким образом, что соединение между четвертым и шестым электродами конденсатора и соединение между четвертым и пятым электродами конденсатора выполнены на взаимно противоположных поверхностях четвертого электрода конденсатора;
первую выводную шину, проходящую от первого электрода в плоскостном направлении;
вторую выводную шину, проходящую от второго электрода в плоскостном направлении;
выводную шину затвора, проходящую от электрода затвора в плоскостном направлении;
третью выводную шину, проходящую от третьего электрода в плоскостном направлении;
четвертую выводную шину, проходящую от четвертого электрода конденсатора в плоскостном направлении;
пятую выводную шину, проходящую от пятого электрода в плоскостном направлении;
первое соединение, пересекающее выводную шину затвора и пятую выводную шину, если смотреть в направлении толщины; и
второе соединение, пересекающе первую и четвертую выводные шины, если смотреть в направлении толщины, причем
третий электрод конденсатора и электрод затвора не соединены друг с другом,
шестой электрод конденсатора соединен с пятой выводной шиной,
второй электрод и электрод затвора не соединены друг с другом,
выводная шина затвора и пятая выводная шины соединены с первым соединением таким образом, что пятый и шестой электроды конденсатора соединены с электродом затвора,
первая и четвертая выводные шины соединены со вторым соединением таким образом, что четвертый электрод конденсатора и электрод истока соединены между собой.
20. Тонкопленочный транзистор по п.19, в котором
первый и четвертый электроды конденсатора, первая и четвертая выводные шины, а также первое соединение выполнены из материала истока,
второй и пятый электроды конденсатора, вторая и пятая выводные шины, а также второе соединение выполнены из металла затвора, а
третий и шестой электроды конденсатора и третья выводная шина выполнены из прозрачных электродов.
21. Тонкопленочный транзистор по п.19, в котором
первый и третий слои диэлектрика использованы в качестве слоя диэлектрика затвора, а
второй и четвертый слои диэлектрика использованы в качестве пассивирующего слоя.
22. Тонкопленочный транзистор по п.19, который
изготовлен с использованием аморфного кремния
или микрокристаллического кремния.
23. Тонкопленочный транзистор, содержащий:
выводную шину, соединенную с электродом истока; и
конденсатор, который имеет область, в которой первые электроды конденсатора, проходящие от выводной шины в плоскостном направлении, и второй электрод, соединенный с электродом затвора, расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон первого слоя диэлектрика, сформированного между ними, и область, в которой первые электроды конденсатора и третий электрод конденсатора, соединенный с электродом затвора, расположены друг над другом в направлении толщины с противоположных сторон второго слоя диэлектрика, сформированного между ними, таким образом, что соединение между первым и третьим электродами конденсатора и соединение между первыми и вторым электродами конденсатора выполнены на взаимно противоположных поверхностях первого электрода конденсатора.
24. Тонкопленочный транзистор по п.23, в котором
каждый из первых электродов конденсатора имеет парную часть, образующую пару с тем из расположенных в области конденсатора второго и третьего электродов конденсатора, который расположен ближе к выводной шине, и непарную часть, не образующую пару со вторым и третьим электродами конденсатора и проходящую от выводной шины к парной части.
25. Тонкопленочный транзистор по п.24, в котором
в первом электроде конденсатора на границе между непарной частью и парной частью и/или в выводной шине, в месте разветления первого электрода конденсатора и выводной шины, выполнен вырез.
26. Тонкопленочный транзистор по любому из пп.23-25, в котором
первый электрод конденсатора и выводная шина сформированы из металла истока,
второй электрод конденсатора выполнен из металла затвора, а
третий электрод конденсатора выполнен из прозрачного электрода.
27. Тонкопленочный транзистор по любому из пп.23-25, в котором
в качестве первого слоя диэлектрика выбран слой диэлектрика затвора, а
в качестве второго слоя диэлектрика выбран пассивирующий слой.
28. Тонкопленочный транзистор по любому из пп.23-25, который изготовлен с использованием аморфного кремния или микрокристаллического кремния.
29. Сдвиговый регистр, содержащий ступени, состоящие из транзисторов, в котором
по меньшей мере один из транзисторов представляет собой тонкопленочный транзистор по любому из пп.1-11 и 15-28.
30. Схема управления шиной сигналов развертки, содержащая сдвиговый регистр по п.29, в которой
сдвиговый регистр использован для генерации сигнала развертки для дисплейного устройства.
31. Схема управления шиной сигналов развертки по п.30, в которой
в качестве тонкопленочного транзистора использован выходной транзистор, который выдает сигнал развертки.
32. Дисплейное устройство, содержащее схему управления шиной сигналов развертки по п.30 или 31.
33. Дисплейное устройство по п.32, в котором
схема управления шиной сигналов развертки сформирована на дисплейной панели и монолитно интегрирована с область дисплея.
34. Дисплейное устройство, содержащее дисплейную панель, в которой сформирован тонкопленочный транзистор по любому из пп.1-11 и 15-28.
35. Способ подстройки тонкопленочного транзистора по п.1, согласно которому
второй электрод конденсатора и электрод затвора разъединяют путем плавления второй выводной шины;
первую и третью выводные шины приваривают к второму соединению; а
вторую и четвертую выводные шины приваривают к первому соединению.
36. Способ подстройки тонкопленочного транзистора по п.9 или 23, согласно которому
по меньшей мере один из первых электродов конденсатора отсоединяют от выводной шины путем плавления.
37. Способ подстройки тонкопленочного транзистора по п.15, согласно которому:
третий электрод конденсатора и электрод затвора разъединяют путем плавления третьей выводной шины;
приваривают шестой электрод конденсатора к пятой выводной шине;
второй электрод конденсатора и электрод затвора разъединяют путем плавления второй выводной шины;
выводную шину затвора и пятую выводную шину приваривают к первому соединению; а
первую и четвертую выводные шины приваривают к второму соединению.