СПОСОБ КОНТРОЛЯ ВНУТРЕННЕГО КВАНТОВОГО ВЫХОДА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЕТОДИОДНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ GaN

1. Способ контроля внутреннего квантового выхода полупроводниковых светодиодных гетероструктур на основе GaN, включающий облучение гетероструктуры пучком электронов и возбуждение католюминесценции, отличающийся тем, что возбуждение катодолюминесценции осуществляют путем облучения светоизлучающей полупроводниковой гетероструктуры в импульсном режиме с длительностью импульса от 10 нс до 100 мкс.
2. Способ контроля внутреннего квантового выхода по п.1, отличающийся тем, что энергию электронов задают 18 кэВ и выше.