Конструкция тонкопленочного солнечного модуля и способ ее изготовления

1. Конструкция тонкопленочного солнечного модуля, состоящая из последовательно расположенных:
- фронтальной стеклянной подложки;
- фронтального контактного слоя из прозрачного проводящего оксида;
- подслоя нестехиометрического карбида кремния р-типа;
x
x
- аморфного и микрокристаллического каскадов, соединенных последовательно, при этом аморфный каскад состоит из р-слоя на основе слоя наночастиц кремния в матрице гидрогенизированного нестехиометрического оксида кремния легированного бором (nc-Si/SiO:H), собственного слоя на основе аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H) и n-слоя на основе слоя наночастиц кремния в матрице гидрогенизированного нестехиометрического оксида кремния легированного фосфором (nc-Si/SiO:H), а микрокристаллический каскад состоит из pin структуры на основе микрокристаллического кремния (uс-Si:H);
- тыльного контактного слоя;
- продольных и поперечных электрических контактных шин;
- тыльного отражателя выполняющего герметизирующую функцию, установленного вместе с тыльным стеклом;
- коммутационной коробки.
2. Конструкция по п. 1, отличающаяся тем, что фронтальный контактный слой из прозрачного проводящего оксида и тыльный контактный слой выполнены из оксида цинка или оксида олова.
3. Способ изготовления конструкции тонкопленочного солнечного модуля, включающий
- нанесение на фронтальную стеклянную подложку слоя прозрачного проводящего оксида;
- нанесение подслоя нестехиометрического карбида кремния методом плазмохимического осаждения из газовой фазы с добавлением в состав силан-водородной плазмы метана;
x
x
- на подслой методом плазмохимического осаждения из газовой фазы нанесен аморфный каскад, состоящий из слоя наночастиц кремния в матрице гидрогенизированного нестехиометрического оксида кремния р-типа легированного бором (nc-Si/SiO:H), выполняющего роль входного широкозонного окна, слоя на основе аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H), слоя наночастиц кремния в матрице гидрогенизированного нестехиометрического оксида кремния n-типа легированного фосфором (nc-Si/SiO:H), выполняющего роль промежуточного отражателя;
- на слой аморфного каскада нанесен слой микрокристаллического каскада, нанесен тыльный контактный слой, после чего нанесены продольные и поперечные электрические шины, поверх которых нанесен тыльный отражатель, выполняющий герметизирующую функцию, на который установлено тыльное стекло и коммутационная коробка.
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что в состав силановой плазмы при плазмохимическом осаждении, при нанесении слоя р-типа, введен углекислый газ в соотношении к силану 1 к 1, водород в соотношении к силану 1 к 300 и триметилбор в соотношении к силану 6 к 1000.
5. Способ по п. 3, отличающийся тем, что фронтальный контактный слой из прозрачного проводящего оксида и тыльный контактный слой выполнены из оксида цинка или оксида олова.
6. Способ по п. 3, отличающийся тем, что после нанесения слоя прозрачного проводящего оксида, слоя микрокристаллического каскада и тыльного контактного слоя выполняют скрайбирование слоев на отдельные элементы и изоляцию по периметру.