Достижения и перспективы применения легированных оксидных пленок в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Эта величина практически является энергией диссоциации молекулы И28 на поверхности оксида олова. Сравнивая полученное значение с энергией активации диссоциации молекулы И28 в невозбужденном состоянии, заметим, что под влиянием поверхности 8п02 эта величина снижается примерно в 1,3 раза.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК

1. Герасимов В.В., Герасимова В.В., Самойлов АТ. Энергия активации реакций при гетерогенном катализе // ДАН, 1992. Т.322 №4. С.744-748.

2. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мелихова. М.: Энергоатомиздат,1991. 1232с.

3. Харин А.Н., Катаева НА., ХаринаЛ.Т. Курс химии. М.: Высш. шк., 1983. 511с.

4. Раби нович В А., Хавин З.Я. Краткий химический справочник. Л.: Химия. 1978. 392с.

УДК 621.382.33:541.13

Л.П. Милешко

ДОСТИЖЕНИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ ПРИМЕНЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ ОКСИДНЫХ ПЛЕНОК В ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ

МИКРОСХЕМ

Применение диффузии примесей в кремний из анодных оксидных пленок (АОП) для формирования эмиттерных и базовых областей позволяет улучшить некоторые электрические параметры п-р-п-транзисторов по сравнению с традиционными способами диффузии фосфора из жидкого, а бора из твердого внешнего . , р-п-

типа КТ-315, созданных диффузией фосфора из АОП (иэб = 9,4 ± 0,6 В), выше, чем у эммитерных областей, сформированных диффузией Р из РС13 (иэб = 5,6 ± 0,4В). Фототранзисторы с базовыми областями, полученными диффузией бора из АОП, имеют более высокие значения коэффициента усиления в схеме с общим эмиттером р = 440 ±160 в сравнении с изготовленными при помощи диффузии бора из пластины кварцевого стекла, насыщенного борным ангидридом (Р = 170±100).

Предложены технологические схемы изготовления кремниевых ИС на взаи--

легированных АОП как твердого диффузанта и подзатворного диэлектрика, а также кремниевых многодиодных матриц (с использованием в качестве твердого диффузанта анодноокисленных в электролитах с легирующими добавками пленок 813^ и 8Ю2).

Разработаны составы пленкообразующих растворов на основе тетраэтоксиси-лана для получения легированных висмутом или серебром золь-гельных силикатных пленок и исследованы их газочувствительные свойства.

-

пленок кремния открывает перспективу реализации нового поколения интегральных оптических и сенсорных устройств, объединяющих элементы световой обработки информации и газочувствительные структуры с уникальными характеристи-

.