БАЗОВАЯ ПЛАТА, СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА БАЗОВОЙ ПЛАТЫ И ПОДЛОЖКА УСТРОЙСТВА

1. Базовая плата, содержащая множество подложек панели,
причем
базовая плата имеет тонкую пленку из кремния, сформированную на основной поверхности,
каждая из подложек панели имеет область формирования транзистора и область края,
область формирования транзистора сформирована посредством поликристаллизации тонкой пленки из кремния,
область края предусмотрена на внешней кромке каждой из подложек панели, и
по меньшей мере, одна из подложек панели имеет область края, включающую в себя область с тонкой пленкой из кремния, которая имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора.
2. Базовая плата по п.1,
в которой подложки панели скомпонованы в шаблон матрицы таким образом, что области края ориентированы в одном направлении, и включают в себя первую подложку панели и вторую подложку панели,
первая подложка панели имеет область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет первый профиль кристаллов, и вторая подложка панели имеет область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет второй профиль кристаллов, отличающийся от первого профиля кристаллов.
3. Базовая плата по п.2,
в которой профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзисторов является таким же, как и первый профиль кристаллов.
4. Базовая плата по пп.1-3,
в которой область формирования транзистора включает в себя монолитную интегральную схему, содержащую тонкую пленку из кремния.
5. Базовая плата по п.1,
в которой тонкая пленка из кремния формирует метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон в области края.
6. Базовая плата по п.5,
в которой метка управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон включает в себя
метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон, который включает в себя тонкую пленку из кремния, имеющую первый профиль кристаллов, и
метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон, который включает в себя тонкую пленку из кремния, имеющую второй профиль кристаллов.
7. Базовая плата по п.1,
в которой профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора и профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области края отличаются, по меньшей мере, одним свойством, выбранным из среднего размера зерен кристалла, распределения размера зерен кристалла и шероховатости поверхности кристаллов.
8. Базовая плата по п.2,
в которой первый профиль кристаллов и второй профиль кристаллов отличаются, по меньшей мере, одним свойством, выбранным из среднего размера зерен кристаллов, распределения размера зерен кристаллов и шероховатости поверхности кристаллов.
9. Базовая плата по п.2,
в которой первый профиль кристаллов является поликристаллическим, и второй профиль кристаллов является нестабильно-кристаллическим и/или аморфным.
10. Базовая плата по п.1,
в которой каждая из подложек панели имеет область формирования транзистора, включающую в себя прямоугольную область отображения и область края, сформированную с одной стороны внешней кромки подложки панели.
11. Способ производства базовой платы, содержащей множество подложек панели, каждая из которых имеет область формирования транзистора и область края, при этом способ содержит этапы, на которых:
наносят тонкую пленку из кремния на основную поверхность базовой платы; и
выполняют отжиг лазером тонкой пленки из кремния для каждой предварительно определенной области,
причем этап отжига лазером осуществляют таким образом, чтобы сформировать область формирования транзистора посредством перемещения лазера и базовой платы относительно друг друга для поликристаллизации тонкой пленки из кремния в предварительно определенной области, и чтобы сформировать область с тонкой пленкой из кремния в, по меньшей мере, одной области края, при этом тонкая пленка из кремния имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, которая формирует область формирования транзистора.
12. Способ производства базовой платы по п.11,
в котором этап отжига лазером включает в себя
относительное перемещение базовой платы и лазера относительно друг друга вдоль направления строки или столбца таким образом, что подложки панели скомпонованы в шаблоне матрицы на основной поверхности базовой платы, и
отжиг лазером подложек панели, так что подложки панели включают в себя первую подложку панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет первый профиль кристаллов, и подложку второй панели, имеющую область края с тонкой пленкой из кремния, которая имеет второй профиль кристаллов, отличающийся от первого профиля кристаллов.
13. Способ производства базовой платы по п.12,
в котором этап отжига лазером осуществляют таким образом, что профиль кристаллов тонкой пленки из кремния в области формирования транзистора является таким же, как и первый профиль кристаллов.
14. Способ производства базовой платы по п.11, дополнительно содержащий этап, на котором формируют шаблон тонкой пленки из кремния в области края для формирования метки управления процессом изготовления и/или оценочного шаблона.
15. Способ производства базовой платы по п.14,
в котором тонкая пленка из кремния для формирования шаблона представляет собой тонкую пленку из нестабильно кристаллизованного кремния и/или тонкую пленку из аморфного кремния.
16. Способ производства базовой платы по п.11,
в котором лазер представляет собой эксимерный лазер.
17. Подложка устройства, содержащая область формирования транзистора и область края,
причем область формирования транзистора сформирована посредством поликристаллизации тонкой пленки из кремния,
область края предусмотрена на внешней кромке подложки устройства, и
область края включает в себя область с тонкой пленкой из кремния, которая имеет профиль кристаллов, отличающийся от профиля кристаллов тонкой пленки из кремния, формирующей область формирования транзистора.
18. Подложка устройства по п.17,
в которой на тонкой пленке из нестабильно кристаллизованного кремния или на тонкой пленке из аморфного кремния формируют метку управления процессом изготовления и/или оценочный шаблон в области края.