СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ МОДУЛЬ, БЛОК ИСТОЧНИКОВ СВЕТА И СПОСОБЫ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Светоизлучающий модуль (10), содержащий:
- подложку (1), сформированную из керамического материала и имеющую структурированное металлическое покрытие (2, 2а, 2b) для обеспечения электрического интерфейса светоизлучающего модуля и его внутренних электрических соединений; и
- множество светоизлучающих полупроводниковых кристаллов (3), размещенных на подложке и электрически связанных с металлическим покрытием, причем каждый светоизлучающий полупроводниковый кристалл заключен в герметизирующий материал (5);
отличающийся тем, что герметизирующий материал образует единый сплошной герметизирующий слой (5) на подложке (1), причем этот герметизирующий слой ограничен в поперечном направлении окружающим пространством (8).
2. Светоизлучающий модуль (10) по п.1, в котором внешняя поверхность (12) герметизирующего слоя структурирована для улучшения извлечения света из светоизлучающего модуля.
3. Блок источников света (9), содержащий множество светоизлучающих модулей (10) по п.1 или 2, при этом подложки (1) светоизлучающих модулей образуют единую общую подложку (11).
4. Блок источников света (9) по п.3, в котором общая подложка (11) имеет ослабляющую разметку для облегчения разделения блока источников света на отдельные осветительные элементы (14), каждый из которых содержит один или более светоизлучающих модулей (10).
5. Блок источников света (9) по п.3 или 4, в котором металлическое покрытие (2) содержит контактный элемент (13), электрически связывающий вместе два соседних светоизлучающих модуля (10).
6. Блок источников света (9) по п.5, в котором контактный элемент (13) имеет толщину в диапазоне от 10 до 40 мкм.
7. Способ изготовления светоизлучающего модуля (10), включающий следующие этапы:
- обеспечение наличия подложки (1), сформированной из керамического материала и имеющей структурированное металлическое покрытие (2, 2а, 2b) для обеспечения электрического интерфейса светоизлучающего модуля и его внутренних электрических соединений;
- размещение множества светоизлучающих полупроводниковых кристаллов (3) на подложке и их электрическое соединение с металлическим покрытием; и
- заключение каждого светоизлучающего полупроводникового кристалла в герметизирующий материал (5);
отличающийся тем, что этап заключения каждого светоизлучающего полупроводникового кристалла в герметизирующий материал включает формирование единого сплошного герметизирующего слоя (5) на подложке (1), содержащей множество светоизлучающих полупроводниковых кристаллов (3), причем герметизирующий слой формируют так, чтобы он был ограничен в поперечном направлении окружающим пространством (8).
8. Способ по п.7, который также включает структурирование внешней поверхности (12) герметизирующего слоя для улучшения извлечения света из светоизлучающего модуля (10).
9. Способ изготовления блока (9) источников света, включающий изготовление согласно способу по п.7 или 8 множества светоизлучающих модулей (10), при этом указанное множество светоизлучающих модулей изготавливают так, что подложки (1) светоизлучающих модулей формируют единую общую подложку (11).
10. Способ по п.9, который также включает формирование ослабляющей разметки в общей подложке (11) для облегчения разделения блока источников света (9) на отдельные осветительные элементы (14), каждый из которых содержит один или более светоизлучающих модулей (10).
11. Способ по любому из п.9 или 10, в котором подложки (1) двух соседних светоизлучающих модулей (10) сформированы так, что их металлические покрытия (2) образуют контактный элемент (13), электрически связывающий вместе указанные два соседних светоизлучающих модуля.
12. Способ по п.11, в котором контактный элемент (13) имеет толщину в диапазоне от 10 до 40 мкм.