ПОКРЫТОЕ ИЗДЕЛИЕ, ИМЕЮЩЕЕ ЗАТРАВОЧНЫЙ СЛОЙ НА ОСНОВЕ ЛЕГИРОВАННОГО БОРОМ ОКСИДА ЦИНКА С УЛУЧШЕННОЙ ДОЛГОВЕЧНОСТЬЮ ПОД ФУНКЦИОНАЛЬНЫМ СЛОЕМ, И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Покрытое изделие, включающее поддерживаемое стеклянной подложкой покрытие, причем покрытие содержит по меньшей мере следующие слои, двигаясь от стеклянной подложки:
диэлектрический слой, содержащий легированный бором оксид цинка и по меньшей мере один из галлия и/или алюминия;
отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро и/или золото, расположенный на подложке над и непосредственно контактирующим со слоем, содержащим легированный бором оксид цинка;
диэлектрический слой на подложке поверх по меньшей мере отражающего ИК-излучение слоя; и
при этом слой, содержащий легированный бором оксид цинка и по меньшей мере один из галлия и алюминия, включает от примерно 0,01 до 8% бора.
2. Покрытое изделие по п. 1, причем в состав слоя, содержащего легированный бором оксид цинка и по меньшей мере один из галлия и алюминия, входит от примерно 0,02 до 5% бора.
3. Покрытое изделие по п. 1, причем слой, содержащий легированный бором оксид цинка и по меньшей мере один из галлия и алюминия, включает от примерно 0,5 до 3% бора.
4. Покрытое изделие по п. 1, причем диэлектрический слой, содержащий легированный бором оксид цинка и по меньшей мере один из галлия и алюминия, является практически прозрачным.
5. Покрытое изделие по п. 1, причем диэлектрический слой, содержащий легированный бором оксид цинка, дополнительно содержит галлий.
6. Покрытое изделие по п. 1, причем диэлектрический слой, содержащий легированный бором оксид цинка, дополнительно содержит алюминий.
7. Оконный блок, содержащий покрытое изделие по п. 1.
8. Покрытое изделие по п. 1, причем покрытие является низкоизлучательным (low-E) покрытием.
9. Покрытое изделие по п. 1, причем слой, содержащий легированный бором оксид цинка, состоит, по существу, из легированного бором оксида цинка и по меньшей мере одного из галлия и алюминия.
10. Покрытое изделие по п. 1, причем слой, содержащий легированный бором оксид цинка и по меньшей мере один из галлия и алюминия, имеет твердость по меньшей мере 9 ГПа.
11. Покрытое изделие по п. 1, дополнительно содержащее контактный слой, расположенный над и контактирующим с отражающим ИК-излучение слоем.
12. Покрытое изделие по п. 11, причем контактный слой содержит легированный бором оксид цинка и по меньшей мере один из галлия и алюминия.
13. Покрытое изделие по п. 11, причем контактный слой содержит оксид Ni и/или Cr.
14. Покрытое изделие по п. 1, причем слой, содержащий легированный бором оксид цинка и по меньшей мере один из галлия и алюминия, составляет примерно 10-300 ангстрем в толщину.
15. Покрытое изделие по п. 1, причем покрытие содержит по меньшей мере первый и второй отражающие ИК-излучение слои, содержащие серебро, и каждый из этих первого и второго отражающих ИК-излучение слоев, содержащих серебро, расположен над и контактирующим с соответствующим слоем, содержащим легированный бором оксид цинка и по меньшей мере один из галлия и алюминия.
16. Покрытое изделие, содержащее поддерживаемое подложкой покрытие, причем покрытие содержит по меньшей мере следующие слои, двигаясь от подложки:
практически прозрачный диэлектрический затравочный слой, содержащий первый материал и второй материал, причем диэлектрический затравочный слой имеет твердость по меньшей мере примерно 9 ГПа;
слой, содержащий серебро и/или золото, расположенный на подложке над и непосредственно контактирующим с затравочным слоем;
по меньшей мере один диэлектрический слой поверх по меньшей мере слоя, содержащего серебро и/или золото;
при этом первый материал является металлом, а второй материал используется для легирования оксида первого материала в затравочном слое.
17. Покрытое изделие по п. 16, причем второй материал является бором.
18. Покрытое изделие по п. 16, причем второй материал является алюминием.
19. Покрытое изделие по п. 16, причем первый материал является цинком.
20. Способ изготовления покрытого изделия, включающий в себя этапы:
осаждение распылением из практически металлической мишени диэлектрического слоя, содержащего оксид цинка и бор, на стеклянную подложку поверх по меньшей мере одного диэлектрического слоя, причем практически металлическая мишень содержит по меньшей мере примерно 85% цинка и примерно 0,01-8% бора; и
осаждение распылением отражающего ИК-излучение слоя, содержащего серебро и/или золото, на стеклянную подложку над и непосредственно контактирующим со слоем, содержащим легированный бором оксид цинка.
21. Способ по п. 20, причем практически металлическая мишень содержит по меньшей мере примерно 90% цинка.
22. Способ по п. 20, причем практически металлическая мишень содержит от примерно 0,2 до 5% бора, более предпочтительно от примерно 0,5 до 3% бора.
23. Способ по п. 20, причем практически металлическая мишень дополнительно содержит галлий.
24. Способ по п. 20, причем практически металлическая мишень дополнительно содержит алюминий.
25. Распыляемая мишень для осаждения распылением диэлектрического слоя, содержащего легированный бором оксид цинка, причем мишень является практически металлической и содержит по меньшей мере примерно 85% цинка и от примерно 0,02 до 5% бора.
26. Способ изготовления покрытого изделия, включающий в себя этапы:
осаждение распылением диэлектрического слоя, содержащего легированный бором оксид цинка, на стеклянную подложку поверх по меньшей мере одного диэлектрического слоя, причем слой, содержащий легированный бором оксид цинка, осаждают в распылительной атмосфере, содержащей по меньшей мере примерно 50% кислорода, более предпочтительно по меньшей мере примерно 60% кислорода; и
осаждение распылением отражающего ИК-излучение слоя, содержащего серебро и/или золото, на стеклянную подложку над и непосредственно контактирующим со слоем, содержащим легированный бором оксид цинка.
27. Способ по п. 26, причем диэлектрический слой, содержащий оксид цинка и бор, дополнительно содержит по меньшей мере один из галлия и/или алюминия.