МНОГОЯРУСНЫЕ МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ КРИСТАЛЛЫ, ВСТРОЕННЫЕ В МИКРОЭЛЕКТРОННУЮ ПОДЛОЖКУ

1. Микроэлектронное устройство, содержащее:
по меньшей мере один первый микроэлектронный кристалл;
второй микроэлектронный кристалл, причем указанный по меньшей мере один первый микроэлектронный кристалл прикреплен ко второму микроэлектронному кристаллу с помощью множества межсоединений;
материал для неполного заполнения, размещенный между указанными по меньшей мере одним первым микроэлектронным кристаллом и вторым микроэлектронным кристаллом; и
при этом указанные по меньшей мере один первый микроэлектронный кристалл и второй микроэлектронный кристалл заделаны в микроэлектронную подложку.
2. Устройство по п. 1, в котором активная поверхность по меньшей мере одного из кристаллов, первого микроэлектронного кристалла и второго микроэлектронного кристалла, прикреплена к другому первому микроэлектронному кристаллу и второму микроэлектронному кристаллу с помощью множества межсоединений.
3. Устройство по п. 1, в котором по меньшей мере один из указанных кристаллов, первый микроэлектронный кристалл и второй микроэлектронный кристалл, включает в себя по меньшей мере одно переходное отверстие в кремнии.
4. Устройство по п. 3, в котором по меньшей мере одно переходное отверстие в кремнии на задней поверхности по меньшей мере одного из указанных кристаллов, первого микроэлектронного кристалла и второго микроэлектронного кристалла, прикреплено к другому первому микроэлектронному кристаллу и второму микроэлектронному кристаллу с помощью множества межсоединений.
5. Устройство по п. 1, в котором микроэлектронная подложка включает в себя первую поверхность, ближайшую к первому микроэлектронному кристаллу, и вторую поверхность, ближайшую ко второму микроэлектронному кристаллу.
6. Устройство по п. 5, дополнительно содержащее слой межсоединения на первой поверхности микроэлектронной подложки и/или на второй поверхности микроэлектронной подложки.
7. Устройство по п. 6, дополнительно содержащее внешнее межсоединение на указанном слое межсоединения.
8. Устройство по п. 1, в котором микроэлектронная подложка содержит первый наслаиваемый слой и второй наслаиваемый слой.
9. Устройство по п. 8, в котором между первым наслаиваемым слоем и вторым наслаиваемым слоем образована граница раздела, причем граница раздела примыкает к материалу для неполного заполнения границы раздела, или первому микроэлектронному кристаллу, или второму микроэлектронному кристаллу.
10. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее по меньшей мере одно проводящее переходное отверстие в микроэлектронной подложке.
11. Способ формирования микроэлектронного устройства, включающий:
прикрепление по меньшей мере одного первого микроэлектронного кристалла ко второму микроэлектронному кристаллу с помощью множества межсоединений;
размещение, после указанного прикрепления, материала для неполного заполнения между указанными по меньшей мере одним первым микроэлектронным кристаллом и вторым микроэлектронным кристаллом;
размещение первого наслаиваемого слоя рядом с указанным по меньшей мере одним первым микроэлектронным кристаллом;
размещение второго наслаиваемого слоя рядом с указанным вторым микроэлектронным кристаллом; и
приложение давления к первому наслаиваемому слою и ко второму наслаиваемому слою для формирования микроэлектронной подложки, в которую заделаны указанные по меньшей мере один первый микроэлектронный кристалл и второй микроэлектронный кристалл.
12. Способ по п. 11, в котором размещение материала для неполного заполнения между указанными по меньшей одним первым микроэлектронным кристаллом и вторым микроэлектронным кристаллом, после указанного прикрепления, включает в себя размещение материала для неполного заполнения между указанными по меньшей между одним первым микроэлектронным кристаллом и вторым микроэлектронным кристаллом после их прикрепления под действием капиллярного эффекта.
13. Способ по п. 11, в котором прикрепление по меньшей мере одного первого микроэлектронного кристалла ко второму микроэлектронному кристаллу с помощью множества межсоединений включает в себя прикрепление активной поверхности первого микроэлектронного кристалла и/или второго микроэлектронного кристалла к другому из указанных кристаллов, первому микроэлектронному кристаллу и второму микроэлектронному кристаллу, с помощью множества межсоединений.
14. Способ по п. 11, в котором прикрепление по меньшей мере одного первого микроэлектронного кристалла ко второму микроэлектронному кристаллу с помощью множества межсоединений включает в себя прикрепление по меньшей мере одного переходного отверстия в кремнии на задней поверхности по меньшей мере одного из указанных кристаллов, первого микроэлектронного кристалла и второго микроэлектронного кристалла, к другому из указанных кристаллов, первому микроэлектронному кристаллу и второму микроэлектронному кристаллу, с помощью множества межсоединений.
15. Способ по п. 11, в котором прикладывание давления к первому наслаиваемому слою и второму наслаиваемому слою для формирования микроэлектронной подложки включает в себя прикладывание давления к первому наслаиваемому слою и второму наслаиваемому слою для формирования микроэлектронной подложки, содержащей первую поверхность, которая является ближайшей к указанному по меньшей мере одному первому микроэлектронному кристаллу, и вторую поверхность, которая является ближайшей к указанному второму микроэлектронному кристаллу.
16. Способ по п. 15, в котором дополнительно формируют слой межсоединения на первой поверхности микроэлектронной подложки и/или второй поверхности микроэлектронной подложки.
17. Способ по п. 16, в котором дополнительно формируют внешнее межсоединение на указанном слое межсоединения.
18. Способ по п. 11, в котором дополнительно формируют по меньшей мере одно проводящее переходное отверстие в микроэлектронной подложке.
19. Способ формирования микроэлектронного устройства, включающий:
размещение материала для неполного заполнения на указанном по меньшей мере одном первом микроэлектронном кристалле и/или указанном втором микроэлектронном кристалле;
прикрепление по меньшей мере одного первого микроэлектронного кристалла ко второму микроэлектронному кристаллу с помощью множества межсоединений;
размещение первого наслаиваемого слоя рядом с указанным по меньшей мере одним первым микроэлектронным кристаллом;
размещение второго наслаиваемого слоя рядом с указанным вторым микроэлектронным кристаллом; и
приложение давления к первому наслаиваемому слою и ко второму наслаиваемому слою для формирования микроэлектронной подложки, в которую заделаны указанные по меньшей мере один первый микроэлектронный кристалл и второй микроэлектронный кристалл.
20. Способ по п. 19, в котором прикрепление по меньшей мере одного первого микроэлектронного кристалла ко второму микроэлектронному кристаллу с помощью множества межсоединений включает в себя прикрепление активной поверхности первого микроэлектронного кристалла и/или второго микроэлектронного кристалла к другому из указанных кристаллов, первому микроэлектронному кристаллу и второму микроэлектронному кристаллу, с помощью множества межсоединений.
21. Способ по п. 19, в котором прикрепление по меньшей мере одного первого микроэлектронного кристалла ко второму микроэлектронному кристаллу с помощью множества межсоединений включает в себя прикрепление по меньшей мере одного переходного отверстия в кремнии на задней поверхности по меньшей мере одного из указанных кристаллов, первого микроэлектронного кристалла и второго микроэлектронного кристалла, к другому из указанных кристаллов, первому микроэлектронному кристаллу и второму микроэлектронному кристаллу, с помощью множества межсоединений.
22. Способ по п. 19, в котором прикладывание давления к первому наслаиваемому слою и второму наслаиваемому слою для формирования микроэлектронной подложки включает в себя прикладывание давления к первому наслаиваемому слою и второму наслаиваемому слою для формирования микроэлектронной подложки, содержащей первую поверхность, которая является ближайшей к указанному по меньшей мере одному первому микроэлектронному кристаллу, и вторую поверхность, которая является ближайшей к указанному второму микроэлектронному кристаллу.
23. Способ по п. 22, в котором дополнительно формируют слой межсоединения на указанной первой поверхности микроэлектронной подложки и/или на указанной второй поверхности микроэлектронной подложки.
24. Способ по п. 23, в котором дополнительно формируют внешнее межсоединение на указанном слое межсоединения.
25. Способ по п. 19, в котором дополнительно формируют по меньшей мере одно проводящее переходное отверстие в микроэлектронной подложке.