СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА

1. Способ получения фотогальванического элемента, включающий создание рабочей области фотодиода, омических контактов к ней, а также антирефрактивного покрытия, отличающийся тем, что рабочую область фотодиода и антирефрактивное покрытие создают путем формирования барьера Шоттки через напыление металлической пленки никеля на кремний n-типа с последующим отжигом при температуре от 350 до 450°С в течение 30-60 мин.
2. Способ получения фотогальванического элемента по п.1, отличающийся тем, что контакты к рабочей области фотодиода создают перед отжигом с помощью напыления сетки электродов из благородного металла (золото, платина) на поверхность никеля.
3. Способ получения фотогальванического элемента по п.1, отличающийся тем, что контакты к рабочей области фотодиода создают после отжига с помощью напыления сетки никелевых электродов с использованием литографического процесса, с локальным вытравливанием NiO.