СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА

1. Способ изготовления солнечного элемента путем формирования р-n-перехода в полупроводниковой подложке, имеющей первый тип проводимости, причем способ включает следующие операции:
наносят на указанную подложку первое покрытие из материала, содержащего допант и агент для предотвращения рассеяния допанта, и второе покрытие из материала, содержащего допант, с обеспечением возможности контакта материала второго покрытия, по меньшей мере, с материалом первого покрытия, и
осуществляют одновременное формирование посредством термодиффузионной обработки первого диффузионного слоя в области, на которую нанесено первое покрытие, и в области, на которую нанесено второе покрытие, второго диффузионного слоя, имеющего меньшую проводимость, чем проводимость первого диффузионного слоя.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что материал второго покрытия содержит агент для предотвращения автолегирования.
3. Способ изготовления солнечного элемента путем формирования р-n-перехода в полупроводниковой подложке, имеющей первый тип проводимости, причем способ включает следующие операции:
формируют канавку в указанной подложке;
на всю поверхность подложки наносят первое покрытие из материала, содержащего допант и агент для предотвращения рассеяния допанта; и
формируют на дне указанной канавки посредством термодиффузионной обработки первый диффузионный слой и одновременно в области вне дна канавки второй диффузионный слой, имеющий меньшую проводимость, чем проводимость первого диффузионного слоя.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что термодиффузионную обработку осуществляют в атмосфере источника легирования из паровой фазы.
5. Способ по п.2, отличающийся тем, что термодиффузионную обработку осуществляют в атмосфере источника легирования из паровой фазы.
6. Способ по п.3, отличающийся тем, что термодиффузионную обработку осуществляют в атмосфере источника легирования из паровой фазы.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что агент для предотвращения рассеяния допанта содержит соединение кремния.
8. Способ по п.2, отличающийся тем, что агент для предотвращения рассеяния допанта содержит соединение кремния.
9. Способ по п.3, отличающийся тем, что агент для предотвращения рассеяния допанта содержит соединение кремния.
10. Способ по п.4, отличающийся тем, что агент для предотвращения рассеяния допанта содержит соединение кремния.
11. Способ по п.5, отличающийся тем, что агент для предотвращения рассеяния допанта содержит соединение кремния.
12. Способ по п.6, отличающийся тем, что агент для предотвращения рассеяния допанта содержит соединение кремния.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что материалы первого и второго покрытий различаются, по меньшей мере, по одной из следующих характеристик процесса нанесения покрытий: содержание допанта, вязкость, содержание агента для предотвращения рассеяния допанта, содержание агента для предотвращения автолегирования, тип допанта, толщина пленок первого и/или второго покрытия после нанесения.
14. Способ по п.2, отличающийся тем, что материалы первого и второго покрытий различаются, по меньшей мере, по одной из следующих характеристик процесса нанесения покрытий: содержание допанта, вязкость, содержание агента для предотвращения рассеяния допанта, содержание агента для предотвращения автолегирования, тип допанта, толщина пленок первого и/или второго покрытия после нанесения.
15. Способ по п.13, отличающийся тем, что содержание допанта в материале первого покрытия превышает его содержание в материале второго покрытия в 4 или более раз.
16. Способ по п.14, отличающийся тем, что содержание допанта в материале первого покрытия превышает его содержание в материале второго покрытия в 4 или более раз.
2
17. Способ по п.7, отличающийся тем, что соединение кремния в составе агента для предотвращения рассеяния допанта представляет собой SiO.
2
18. Способ по п.8, отличающийся тем, что соединение кремния в составе агента для предотвращения рассеяния допанта представляет собой SiO, a соединение кремния в составе агента для предотвращения автолегирования представляет собой прекурсор оксида кремния.
2
19. Способ по п.9, отличающийся тем, что соединение кремния в составе агента для предотвращения рассеяния допанта представляет собой SiO.
2
20. Способ по п.10, отличающийся тем, что соединение кремния в составе агента для предотвращения рассеяния допанта представляет собой SiO.
2
21. Способ по п.11, отличающийся тем, что соединение кремния в составе агента для предотвращения рассеяния допанта представляет собой SiO, a соединение кремния в составе агента для предотвращения автолегирования представляет собой прекурсор оксида кремния.
2
22. Способ по п.12, отличающийся тем, что соединение кремния в составе агента для предотвращения рассеяния допанта представляет собой SiO.
23. Способ по п.1, отличающийся тем, что наносят третье покрытие из материала, содержащего соединение кремния, покрывающее верхнюю часть первого и/или второго покрытия, а термодиффузионную обработку проводят после нанесения третьего покрытия.
24. Способ по п.3, отличающийся тем, что наносят третье покрытие из материала, содержащего соединение кремния, покрывающее верхнюю часть первого и/или второго покрытия, а термодиффузионную обработку проводят после нанесения третьего покрытия.
25. Способ по п.1, отличающийся тем, что осуществляют травление поверхностей диффузионных слоев, сформированных в результате термодиффузионной обработки.
26. Способ по п.3, отличающийся тем, что осуществляют травление поверхностей диффузионных слоев, сформированных в результате термодиффузионной обработки.
27. Способ по п.1, отличающийся тем, что осуществляют окисление поверхностей диффузионных слоев, сформированных в результате термодиффузионной обработки.
28. Способ по п.3, отличающийся тем, что осуществляют окисление поверхностей диффузионных слоев, сформированных в результате термодиффузионной обработки.
29. Способ по п.1, отличающийся тем, что первый и второй диффузионные слои формируют, по меньшей мере, на светоприемной или тыльной поверхности полупроводниковой подложки.
30. Способ по п.3, отличающийся тем, что первый и второй диффузионные слои формируют, по меньшей мере, на светоприемной или тыльной поверхности полупроводниковой подложки.
31. Солнечный элемент, изготовленный способом в соответствии с любым из пп.1-30, причем первый диффузионный слой солнечного элемента, имеющий проводимость противоположного типа по отношению к первому типу проводимости, который имеет полупроводниковая подложка, и второй диффузионный слой, проводимость которого ниже, чем проводимость первого диффузионного слоя, сформированы на светоприемной поверхности полупроводниковой подложки.
32. Солнечный элемент по п.31, отличающийся тем, что на тыльной стороне полупроводниковой подложки дополнительно сформирован диффузионный слой, имеющий, по меньшей мере, тот же тип проводимости, что и первый тип проводимости.
33. Солнечный элемент, изготовленный способом в соответствии с любым из пп.1-30, причем первый диффузионный слой солнечного элемента, имеющий проводимость противоположного типа по отношению к первому типу проводимости, который имеет полупроводниковая подложка, второй диффузионный слой, который имеет указанный противоположный тип проводимости и проводимость которого ниже, чем проводимость первого диффузионного слоя, и диффузионный слой, имеющий тот же тип проводимости, что и первый тип проводимости, сформированы на тыльной стороне полупроводниковой подложки.
34. Способ изготовления полупроводникового устройства, включающий следующие операции:
наносят на полупроводниковую подложку, имеющую первый тип проводимости, первое покрытие из материала, содержащего допант и агент для предотвращения рассеяния допанта, и второе покрытие из материала, содержащего допант, с обеспечением возможности контакта материала второго покрытия, по меньшей мере, с материалом первого покрытия, и
осуществляют одновременное формирование посредством термодиффузионной обработки первого диффузионного слоя в области, на которую нанесено первое покрытие, и в области, на которую нанесено второе покрытие, второго диффузионного слоя, проводимость которого отлична от проводимости первого диффузионного слоя.
35. Материал покрытия, наносимого на полупроводниковую подложку для легирования указанной подложки допантом посредством термодиффузии, содержащий, по меньшей мере, допант и агент для предотвращения рассеяния допанта.
36. Материал по п.35, отличающийся тем, что агент для предотвращения рассеяния допанта содержит соединение кремния.
2
37. Материал по п.36, отличающийся тем, что соединение кремния представляет собой SiO.
38. Материал по любому из пп.35-37, отличающийся тем, что дополнительно содержит сгуститель.
39. Материал по п.35, отличающийся тем, что предназначен для нанесения методом трафаретной печати.