ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ЛИТОГРАФИЯ С РЕЗИСТОМ В ДВУХСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЕ

1. Способ обработки стопы (100) материала, включающий:
нанесение (1200) слоя (200) силсесквиоксана водорода на стопу (100) материала;
нанесение (1202) слоя алюминия на слой (200) силсесквиоксана водорода с образованием двухслойной структуры (302);
направление (1204) пучка (400) электронов через поверхность (402) двухслойной структуры (302) для образования проэкспонированной части (404) двухслойной структуры (302)и
проявление (1206) двухслойной структуры (302) гидроксидом тетраметиламмония, причем гидроксид тетраметиламмония удаляет слой алюминия и не проэкспонированную часть (406) слоя (200) силсесквиоксана водорода с оставлением проэкспонированной части (404) слоя (200) силсесквиоксана водорода на стопе (100) материала.
2. Способ по п. 1, также включающий травление (1300) стопы (100) материала с проэкспонированной частью (404) слоя (200) силсесквиоксана водорода на стопе (100) материала.
3. Способ по п. 2, также включающий удаление (1400) проэкспонированной части (404) слоя (200) силсесквиоксана водорода из стопы (100) материала после травления стопы (100) материала с проэкспонированной частью (404) слоя (200) силсесквиоксана водорода.
4. Способ по любому предшествующему пункту, согласно которому пучок (400) электронов направляют для применения дозы, которая выбрана на основании плотности рисунка рельефа элементов для стопы (100) материала так, чтобы иметь требуемый уровень экспонирования слоя (200) силсесквиоксана водорода.
5. Способ по любому из пп. 1-3, согласно которому пучок (400) электронов имеет дозу, которую изменяют на основании плотности рисунка рельефа элементов в различных местоположениях на стопе (100) материала, причем дозу изменяют так, чтобы в указанных различных местоположениях вызвать требуемый уровень экспонирования слоя (200) силсесквиоксана водорода.
6. Способ по п. 5, согласно которому элементы выбраны по меньшей мере из одного из следующего: затвора, отведения или линии.
7. Способ по любому из пп. 1-3, согласно которому слой алюминия имеет толщину, выбранную для увеличения величины времени до старения слоя (200) силсесквиоксана водорода с изменением дозы в пучке (400) электронов, необходимой для экспонирования слоя (200) силсесквиоксана водорода, с тем, чтобы получить требуемую ширину для выбранной геометрии элемента.
8. Способ по любому из пп. 1-3, согласно которому стопа (100) материала выбрана по меньшей мере из одного из следующего: подложки или набора слоев на подложке.
9. Способ по любому из пп. 1-3, согласно которому толщина слоя (200) силсесквиоксана водорода составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм.
10. Способ по любому из пп. 1-3, согласно которому толщина слоя алюминия составляет примерно от 5 нм до 50 нм.
11. Способ по любому из пп. 1-3, согласно которому обработка стопы (100) материала образует набор структур, выбранных по меньшей мере из одного из следующего: квантового бита, кубита на квантовых точках, волновода, оптического волновода, оптического резонатора, фотоноизлучающей квантовой памяти и транзистора.
12. Система (1800) для управления продуктом, содержащая: изготовительное оборудование (1808) и систему (1814) управления, причем система (1814) управления выполнена с возможностью управления изготовительным оборудованием (1808) для осуществления любого этапа способа по пп. 1-11.
13. Система (1800) для управления продуктом, содержащая: изготовительное оборудование (1808) и
систему (1814) управления, причем система (1814) управления выполнена с возможностью управления изготовительным оборудованием (1808) для:
нанесения слоя (200) силсесквиоксана водорода на стопу (100) материала;
нанесения диффузионного барьерного слоя (300) на слой (200) силсесквиоксана водорода с образованием двухслойной структуры (302), причем диффузионный барьерный слой (300) образован из материала, имеющего толщину, которая увеличивает величину времени до старения слоя (200) силсесквиоксана водорода с изменением дозы в пучке (400) электронов, необходимой для экспонирования слоя (200) силсесквиоксана водорода для требуемой ширины для выбранной геометрии элемента;
направления пучка (400) электронов через поверхность (402) двухслойной структуры (302) для образования проэкспонированной части (404) двухслойной структуры (302), причем пучок (400) электронов применяет дозу к проэкспонированной части (404) двухслойной структуры (302), которая выбрана на основании плотности рисунка рельефа элементов для стопы (100) материала так, чтобы иметь требуемый уровень экспонирования слоя (200) силсесквиоксана водорода для выбранной геометрии элемента; и
проявления слоя (200) силсесквиоксана водорода, причем проэкспонированная часть (404) слоя (200) силсесквиоксана водорода, подвергнутая воздействию пучка (400) электронов, остается на стопе (100) материала.