ПЛАЗМЕННАЯ ОБРАБОТКА ПОВЕРХНОСТИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ БАРЬЕРНЫХ РАЗРЯДОВ

1. Способ обработки поверхности частиц порошка, содержащий:
a) подачу порошкового материала в виде частиц в горелку диэлектрического барьерного разряда в сборе;
b) модифицирование в полете свойств поверхности частиц в горелке диэлектрического барьерного разряда с получением частиц с обработанной поверхностью и
c) сбор частиц с обработанной поверхностью.
2. Способ по п.1, в котором (b) содержит реагирование поверхности частиц с плазменным разрядом.
3. Способ по п.1, в котором (b) содержит создание материала покрытия посредством инжекции предшественника материала покрытия в горелку диэлектрического барьерного разряда в сборе и осаждение упомянутого материала покрытия на поверхность частиц с получением покрытых частиц.
4. Способ по п.2 или 3, в котором горелка диэлектрического барьерного разряда в сборе работает при атмосферных давлениях или в условиях низкого вакуума.
5. Способ по п.4, в котором частицы порошка выбирают из группы, состоящей из микрочастиц, наночастиц и их смесей.
6. Способ по п.5, в котором частицы порошка выбраны из группы, состоящей из полимерных частиц, металлических частиц, частиц оксидов металлов и их смесей.
7. Способ по п.3, в котором покрытые частицы содержат покрытие, выбранное из группы, состоящей из полимерного, органического, неорганического, металлического, оксидного, нитридного и карбидного.
8. Способ по п.3, в котором упомянутый предшественник материала покрытия содержит мономер, подвергающийся плазменной полимеризации.
9. Способ по п.8, в котором упомянутый мономер выбран из группы, состоящей из изопрена, гексаметилдисилоксана, тетраэтилоксисилана, диэтилдиметилсилоксана, 1,3-бутадиена, стирола, метилметакрилата, тетрафторэтилена, метана, этана, пропана, бутана, пентана, гексана, циклогексана, ацетилена, этилена, пропилена, бензола, пиррола, циклогексана, 1-гексена, аллиламина, ацетилацетона, этиленоксида, глицидилметакрилата, ацетонитрила, тетрагидрофурана, этилацетата, ангидрида уксусной кислоты, аминопропилтриметоксисилана, аминопропилтриэтоксисилана, триэтоксивинилсилана, 1-октанола, акриловой кислоты, ферроцена, кобальтоцена, трикарбонил(циклооктатетраен) железа, дикарбонил(метилциклопентадиенил) железа, димера дикарбонил(дициклопентадиенил) железа, кобальтацетилацетоната циклопентадиенила кобальта, ацетилацетоната никеля, диметил-(2,4-пентан-дионат) золота (III), карбонила никеля, карбонила железа, ацетилацетоната олова, ацетилацетоната индия и тетраметилгептандионата индия.
10. Устройство для обработки в полете поверхности частиц порошка, содержащее:
горелку диэлектрического барьерного разряда, включающую в себя:
первый впуск для подачи в упомянутую горелку плазменного газа;
второй впуск для подачи в упомянутую горелку порошкового материала в виде частиц и
разрядную камеру для обработки упомянутого порошкового материала в виде частиц, причем упомянутая разрядная камера содержит электродную структуру, расположенную на ее внешней поверхности; и
средства для сбора частиц с обработанной поверхностью;
в котором создается плазменный разряд путем пропускания плазмообразующего газа через упомянутую разрядную камеру; упомянутый плазменный разряд вызывает модификацию в полете свойств поверхности частиц.
11. Устройство по п.10, в котором упомянутая обработка поверхности содержит реагирование поверхности частиц с плазменным разрядом.
12. Устройство по п.10, дополнительно содержащее:
средства для подачи предшественника материала покрытия в горелку диэлектрического барьерного разряда и
средства для реагирования упомянутого предшественника материала покрытия с обеспечением материала покрытия и вызывающие покрытие упомянутых частиц.
13. Устройство по п.11 или 12, в котором горелка диэлектрического барьерного разряда работает при атмосферных давлениях или в условиях низкого вакуума.
14. Устройство по п.10, в котором частицы порошка выбраны из группы, состоящей из микрочастиц, наночастиц и их смесей.
15. Устройство по п.13, в котором электродная структура содержит оболочечный электрод.
16. Устройство по п.13, в котором электродная структура содержит по меньшей мере два оболочечных электрода, причем упомянутые оболочечные электроды расположены ступенчато в шахматной конфигурации относительно друг друга.
17. Устройство по п.13, в котором электродная структура содержит по меньшей мере два оболочечных электрода, причем упомянутые оболочечные электроды расположены в ряд относительно друг друга.
18. Устройство по п.13, в котором электродная структура содержит концентрический электрод.
19. Устройство по п.13, в котором разрядная камера содержит диэлектрическую трубку.
20. Устройство по п.18, в котором диэлектрическая трубка содержит кварцевую трубку.
21. Устройство по п.18, в котором диэлектрическая трубка содержит керамическую трубку.
22. Устройство по п.15, в котором электродная структура содержит материал, выбранный из группы, состоящей из металлической пластины, металлической фольги, металлической проволочной сетки и металлизированной краски.
23. Устройство по п.16, в котором электродная структура содержит материал, выбранный из группы, состоящей из металлической пластины, металлической фольги, металлической проволочной сетки и металлизированной краски.
24. Устройство по п.17, в котором электродная структура содержит материал, выбранный из группы, состоящей из металлической пластины, металлической фольги, металлической проволочной сетки и металлизированной краски.
25. Устройство по п.10, в котором упомянутые первый и второй впуски являются общими.
26. Устройство по п.10, в котором упомянутые первый и второй впуски задают отдельные подаваемые потоки.
27. Применение горелки диэлектрического барьерного разряда в сборе, охарактеризованной в п.10, для обработки в полете поверхности частиц порошка.
28. Частица с обработанной поверхностью, полученная посредством горелки диэлектрического барьерного разряда в сборе, охарактеризованной в п.10.