Анализ элемента 2И-НЕ на транзисторах

Цифровая интегральная микросхема

Для нахождения коэффициента разветления при состояния нуля на выходе требуется найти ток нагрузки при состоянии нуля на выходе. Выражение для тока нагрузки есть, но подробного объяснения к нему нет.

Вычисляется ток базы четвертого транзистора через первый закон Кирхгофа. Токи IR2 и IR4 я не стал здесь рассписывать, они понятны мне. В токе IR1 мне непонятно откуда взялась лишнее U*. Две U* взялись из двух переходов база-эммитер в двухэммитерном транзисторе. Третье U* - ?. Я так понял, что напряжение в данном токе мы находим через второй закон Кирхгофа, достраивая контур по левую сторону от ветви с R1. Хотя здесь я могу ошибаться. Но если взять по правую сторону контур, то там небудет вообще пороговых напряжений эммитер-база, а только коллектор-база (2 штуки).

Вопрос №2. В каком же включении МЭТ? С общим эммитером или базой?

По ходу обсуждения я добавлю несколько вопросов.