МЕМРИСТОР НА ОСНОВЕ НИТРИДА КРЕМНИЯ С КРЕМНИЕВЫМИ НАНОКРИСТАЛЛАМИ

3
4
0.8
Устройство представляет собой мемристор, обладающий гистерезисом вольтамперной характеристики и переключением проводимости, отличающееся тем, что представляет собой осажденную на кремниевую подложку многослойную пленку из нитрида кремния с кремниевыми нанокристаллами, состоящую из чередующихся барьерных слоев из стехиометрического нитрида кремния SiN, и слоев с избытком кремния SiN, в которых при отжиге образуются кремниевые нанокристаллы.