Способ изготовления полупроводникового прибора
METHOD FOR MANUFACTURING OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовленияконтактов с пониженным сопротивлением.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора[Пат. 5309025 США, МКИ H01L 23/29] путем создания контактов на полупроводниковых кристаллах, имеющих повышенную прочность на отрыв, формированием матрицы из островков металлизации в виде прямоугольных площадок, в которых нижний барьерный слой образован TiN, а верхним проводящим слоем служит AI,Ti или W. Затем на всю площадь контакта напыляется второй проводящий слой AI. В таких приборах из-за не технологичности формирование барьерного слоя образуется большое количество дефектов, которые ухудшают электрические параметры приборов.
Известен способ изготовленияполупроводникового прибора [Пат. 5296386 США, МКИ H01L 21/265] путем создания контактов к областям стока/истока в полевых транзисторах, созданием промежуточного контактного слоя Si, обогащенного германием, имплантацией Ge или эпитаксиальным выращиванием твердого раствора Si-Ge.
Недостатками этого способа являются:
- высокие значения контактного сопротивления;
- повышенная дефектность;
- низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением: снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
-5
Задача решается путем последовательного нанесения при температуре 250°С и давлении 2*10Па, слоя германия толщиной 150 нм, со скоростью осаждения 3 нм/с, слоя Ni толщиной 200 нм, со скоростью осаждения 1 нм/с, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 15 мин в атмосфере аргона.
-5
Технология способа состоит в следующем: после формирования активных областей истока, стока, по стандартной технологии, последовательно наносят при температуре 250°С и давлении 2*10Па, слой германия толщиной 150 нм, со скоростью осаждения 3 нм/с, слой Ni толщиной 200 нм, со скоростью осаждения 1 нм/с, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 15 мин в атмосфере аргона.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Таблица
Параметры полупроводникового прибора, изготовленного по стандартной технологии
Параметры полупроводникового прибора, изготовленного по предлагаемой технологии
№
плотность дефектов, см<sup>-2</sup>
Контактное сопротивление,R.10<sup>-6 </sup>Ом.см<sup>2</sup>
плотность дефектов, см<sup>-2</sup>
Контактное сопротивление,R.10<sup>-6 </sup>Ом.см<sup>2</sup>
1
10,1
5,4
0,9
1,1
2
10,2
3,5
1,2
0,9
3
12,1
5,2
0,8
0,7
4
10,7
5,3
0,9
0,8
5
10,4
6,5
1,5
1,3
6
10,6
5,7
0,8
1,0
7
10,2
5,6
0,8
0,6
8
9,7
6,7
0,7
0,7
9
10,5
5,5
0,8
1,2
10
10,9
5,6
0,9
0,8
11
11,3
6,1
0,7
0,6
12
11,1
5,7
0,9
0,7
13
10,4
6,1
0,8
0,8
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 15,6%.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Технический результат: снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
-5
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем последовательного нанесения при температуре 250°С и давлении 2*10Па, слоя германия толщиной 150 нм, со скоростью осаждения 3 нм/с, слоя Ni толщиной 200 нм, со скоростью осаждения 1 нм/с, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 15 мин в атмосфере аргона, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшит их надежность.