СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ КРЕМНИЕВОЙ НАНОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ЛАЗЕРА С ОПТИЧЕСКОЙ НАКАЧКОЙ И ОПТИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ НА ЕЕ ОСНОВЕ

1. Способ формирования активной среды для лазера с оптической накачкой и оптического усилителя на ее основе, отличающийся тем, что активная среда формируется на кремниевой подложке путем последовательного нанесения слоев диоксида кремния и окиси кремния, причем последние после термического отжига в атмосфере азота трансформируются в плотные слои нанокристаллов кремния, а в слои диоксида кремния имплантируют ионы эрбия, после чего вновь производят термический отжиг сформированной полупроводниковой кремниевой наноструктуры.
2. Лазер с оптической накачкой, отличающийся тем, что в качестве активной среды для генерации когерентного оптического излучения в нем используют полупроводниковую кремниевую наноструктуру, сформированную в соответствии с п.1.
3. Оптический усилитель с оптической накачкой, отличающийся тем, что в качестве активной среды для усиления когерентного оптического излучения в нем используют полупроводниковую кремниевую наноструктуру, сформированную в соответствии с п.1.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что лазер с оптической накачкой можно интегрировать на единой кремниевой подложке с другими устройствами микроэлектроники.
5. Способ по п.3, отличающийся тем, что оптический усилитель с оптической накачкой можно интегрировать на единой кремниевой подложке с другими устройствами микроэлектроники.
6. Способ по п.2, отличающийся тем, что оптическая накачка лазера может осуществляться излучателем с широким спектром частот.
7. Способ по п.3, отличающийся тем, что оптическая накачка оптического усилителя может осуществляться излучателем с широким спектром частот.