СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ ДЛЯ ПАССИВАЦИИ КРЕМНЕВЫХ ПЛАСТИН

1. Способ двухстороннего осаждения слоя (7) покрытия из аморфного гидрогенизированного углерода на кремниевую пластину (4), содержащую первую главную сторону с первым скосом по кромке первой главной стороны и вторую главную сторону с центральным участком и вторым скосом по кромке второй главной стороны, окружающей центральный участок, причем вторая главная сторона противоположна первой главной стороне, включающий стадии, на которых: помещают пластину (4) на опору (31) для подложки держателя (3) подложки, причем опора (31) для подложки выполнена таким образом, что лишь центральный участок второй главной стороны пластины (4) находится в контакте с опорой (31) для подложки; помещают держатель подложки с пластиной (4) в реакционную камеру (8) плазменного реактора, в которой на первый и второй скосы одновременно воздействуют плазмой (6), с тем чтобы создавать осажденный слой (7), причем аморфный гидрогенизированный углерод осаждается из плазмы.
2. Способ по п.1, в котором температура пластины в процессе осаждения поддерживается ниже 200°С.
3. Способ по п.1, в котором пластину (4) охлаждают перед помещением на держатель (3) подложки, или держатель (3) подложки охлаждают перед помещением в реакционную камеру (8), или пластину (4) и держатель (3) подложки охлаждают перед помещением в реакционную камеру (8).
4. Способ по п.1, в котором реакционная камера (8) содержит два параллельных плоских электрода (1, 2), при этом пластину (4) принудительно охлаждают в процессе осаждения с помощью средства (22) охлаждения, расположенного в электродах (2) реакционной камеры (8), или пластину (4) принудительно охлаждают в процессе осаждения слоя с помощью средства (32) охлаждения, размещенного в держателе (3) подложки или в опоре (31) для подложки держателя (3) подложки.
5. Держатель (3) подложки для поддержки кремниевой пластины (4) при изготовлении полупроводникового устройства в процессе двухстороннего осаждения слоя (7) покрытия на поверхность пластины (4) в камере (8) плазменного реактора, характеризующийся тем, что пластина (4) содержит первую главную сторону с первым скосом по кромке первой главной стороны и вторую главную сторону с центральным участком и вторым скосом по кромке второй главной стороны, окружающей центральный участок, причем вторая главная сторона расположена противоположно первой главной стороне, при этом держатель (3) подложки содержит опору (31) для подложки для поддержки пластины (4), причем опора (31) для подложки выполнена с возможностью размещения на ней пластины (4) таким образом, что лишь центральный участок второй главной стороны пластины (4) находится в контакте с опорой (31) для подложки.
6. Держатель подложки по п.5, характеризующийся тем, что опора (31) для подложки является цилиндрической или опора (31) для подложки содержит участок поверхности на плоскости поверхности, выполненный с возможностью размещения на нем центрального участка пластины, причем держатель (3) подложки имеет поперечное сечение, уменьшающееся с увеличением расстояния от плоскости поверхности, по меньшей мере, до первой глубины.
7. Держатель подложки по п.5 или 6, характеризующийся тем, что содержит несколько опор (31) для подложки, каждая из которых для поддержки пластины (4).
8. Держатель подложки по п.5 или 6, в котором опора (31) для подложки является отдельной деталью, которая прикреплена к держателю (3) подложки.
9. Держатель подложки по п.5, характеризующийся тем, что содержит держатель (3) подложки содержит опору (31) для подложки, выполненную с возможностью размещения на ней первой пластины, причем на первой пластине стопкой размещена по меньшей мере одна дополнительная пластина.
10. Держатель подложки по п.9, в котором между соседними пластинами (4, 4') в стопке расположена дополнительная опора (31') для подложки, причем пластины в каждой паре соседних пластин отделены одна от другой дополнительной опорой (31') для подложки.
11. Держатель подложки по п.10, в котором средство (32) охлаждения расположено в дополнительной опоре (31') для подложки.
12. Держатель подложки по п.10 или 11, в котором между дополнительной опорой (31') для подложки и опорой (31) для подложки и/или держателем (3) подложки и/или электродом (2), поддерживающим держатель (3) подложки, выполнено электропроводящее соединение (34).
13. Устройство для двухстороннего осаждения слоя (7) покрытия на кремниевую пластину (4), содержащее два параллельных плоских электрода (1, 2) внутри реакционной камеры (8) плазменного реактора, держатель (3) подложки по любому из пп.3-6 по меньшей мере для одной пластины (4), помещенной на опору (31) для подложки, причем держатель (3) подложки размещен на одном из электродов (2).
14. Устройство по п.13, содержащее средства (22, 32) охлаждения для охлаждения пластины (4) в процессе осаждения слоя покрытия.
15. Устройство по п.14, в котором средства (22) охлаждения размещены в электроде (2), поддерживающем держатель (3) подложки.
16. Устройство по п.14 или 15, в котором средства (32) охлаждения размещены в держателе (3) подложки или в опоре (31) для подложки держателя (3) или средства (32) охлаждения выполнены в маске (5), покрывающей пластину (4) на поверхности, обращенной к другому электроду из двух плоских электродов (1).