СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ P-ОБЛАСТИ

2
3
S
S
Способ формирования p-области, включающий диффузию галлия, отличающийся тем, что процесс диффузия галлия проводят в два этапа: 1-загонка и 2-разгонка с использованием источника окиси галлия (GaO) в виде порошка при температуре загонки и разгонки, равной 1220°С, время загонки - 30 минут, а на этапе разгонки - 130 минут, при этом поверхностное сопротивление равно: на этапе загонки R=320±10 Ом/см, а на этапе разгонки - R=220±10 Ом/см.