Электромагнитный терроризм. Новая угроза для информационно-управляющих систем

УДК 355.7:623.093

Фоминич Э.Н., Владимиров Д.Р.

Fominich E.N., Vladimirov D.R.

Электромагнитный терроризм.

Новая угроза для информационно-управляющих систем

Electromagnetic terrorism.

New threat to information and control systems

Аннотация:

Последнее десятилетие характеризуется активным развитием практического использования технологий, связанных с деструктивным воздействием электромагнитных полей на микропроцессорные блоки. Следствием этого является появление нового вида террористической угрозы - электромагнитного терроризма, заключающегося в оказании преднамеренного электромагнитного воздействия на системы и аппаратуру, в которых процесс обработки информации является ядром системы с целью ее блокирования или уничтожения. Безопасность и стабильность современного информационного общества в настоящее время особенно уязвима для электромагнитного терроризма по причине широкого использования микропроцессорных средств и отсутствия средств защиты от электромагнитного терроризма.

Abstract:

The last decade is characterized by the rapid development of the practical use of technology related to the destructive influence of electromagnetic fields on the microprocessor unit. The consequence of this is the emergence of a new kind of terrorist threat - electromagnetic terrorism (EMT). Purpose of EMT is to provide an intentional electromagnetic effects on systems and equipment in which information processing is the core of the system with the aim of blocking or destruction. Security and stability of the modern information society is now particularly vulnerable to electromagnetic terrorism because of the wide use of microprocessors and the lack ofprotection against electromagnetic terrorism.

Ключевые слова — электромагнитный терроризм, безопасность, угроза.

Keywords — electromagnetic terrorism, security, threat.

В настоящее время наблюдается стремительное развитие радиоэлектронных и микропроцессорных систем. Параллельно с развитием идет повсеместное внедрение микропроцессорных средств и цифровых элементов, как наиболее современных элементов контроля и управления. Результатом этого становится появление новых типов устройств, использующих цифровые технологии, а также повсеместное внедрение микропроцессорных блоков управления практически во все областях жизни.

Современные требования к техническим параметрам микропроцессорных средств требуют от них высокого быстродействия, которое достигается за счет миниатюризации, уменьшения уровня полезного сигнала, уменьшения времени переключения до единиц и долей наносекунд и существенным повышением тактовых частот. Высокая доля использования таких средств, а также огромные объемы передаваемой информации требуют от них устойчивого функционирования в различной электромагнитной обстановке.

Качественное развитие микроэлектроники и компактных энергоемких источников питания, а также все возрастающая зависимость общества в целом от информационных технологий, породило новый вид угрозы -электромагнитный терроризм. Электромагнитный терроризм заключается в оказании деструктивного электромагнитного воздействия на микропроцессорные средства с целью их разрушения или нарушения работы.

Электромагнитный терроризм может осуществляться различными способами: по сетям электропитания, по сетям связи (информации), по портам заземления, а также посредством электромагнитного импульса (ЭМИ) на различные порты технического средства или непосредственно на передаваемый сигнал.

Особый интерес в перечисленных способах воздействия представляет собой воздействие с помощью электромагнитного импульса. Одним из перспективных направлений исследований и работы является использование специальных импульсных излучателей для генерирования сверхширокополосных электромагнитных импульсов (СШП ЭМИ), которые характеризуются пикосекундными временами фронта и длительности импульса.

Исследования, проведенные в США, Израиле, Китае и представленные на ряде международных конференций, показывают высокую потенциальную уязвимость микропроцессорных и радиоэлектронных систем различного назначения к данному виду воздействий. Такие генераторы могут быть использованы в качестве тактического экологически чистого оружия, а также в качестве специальных средств для функционального поражения микропроцессорных и радиоэлектронных систем общего и специального назначения.

В России исследования в этой области начаты не так давно и не доведены до практической реализации, а по данным зарубежных исследований в настоящее время в США активно ведутся исследования по созданию неядерного электромагнитного оружия. Для данных целей переоборудуются снимаемые с вооружения крылатые ракеты, на которые предполагается устанавливать неядерные ЭМИ генераторы.

Прототип такой ракеты был испытан США в 2012 году. Согласно официальным заявлениям ВВС США при испытаниях тактической электромагнитной ракеты CHAMP были поражены все 7 зданий-целей, представляющие из себя 7 этажные здания стандартной конструкции с работающим оборудованием. Более того, согласно заявлениям, не представилось возможным измерить параметры воздействующих импульсов, так как все измерительные приборы также были поражены.

Особенностями СШП ЭМИ является то, что он может создаваться скрытно, анонимно и на большом удалении от объекта. После себя он не оставляет запаха, разрушений, не обладает характеристиками цвета или запаха, поэтому является идеальным средством поражения для электронного оборудования.

На рис. 1 и 2 представлен внешний вид компактного генератора СШП ЭМИ.

Рис. 1. Внешний вид генератора СШП ЭМИ Рис. 2. Генератор ЭМИ в собранном виде.

Как видно из представленных фотографий, массо-габаритные показатели генераторов СШП ЭМИ невелики, а сам генератор со всеми вспомогательными элементами может быть замаскирован под кейс, чемодан, портфель.

Стоимость такого «кейса» составляет около 15000$ США, а его поражающая способность такова, что может нарушить работу, вывести из строя или необратимо разрушить микропроцессорное оборудование в объеме 2.. .3 этажного здания или части здания.

Существуют и более мощные по своим энергетическим параметрам генераторы ЭМИ, которые обладают большими массо-габаритными показателями по сравнению с «кейсом», однако и они могут легко поместиться на заднее сиденье автомашины класса «седан», а их энергетика такова, что они способны нарушить работу оборудования в 4.5 этажном здании.

В настоящее время для нормативного регулирования требований по помехоэмиссии и помехоустойчивости технических средств в России действуют гармонизированные Европейские стандарты по электромагнитной совместимости (ЭМС) серии ГОСТ Р 51317.4.х. Соответствие стандартам ЭМС характеризует техническое средство со стороны качества функционирования в условиях воздействия электромагнитных помех в текущей электромагнитной обстановке, применительно к конкретным условиям эксплуатации. В этом случае общим требованием к оборудованию является импульсная прочность изоляции, характеризующая стойкость оборудования к электромагнитным помехам.

При уровнях воздействующих электромагнитных импульсов выше уровня помехоустойчивости работоспособность оборудования нарушается. Возможен даже выход его из строя. Задачей ЭМС является обеспечение нормальной работы оборудования и систем в реальных условиях эксплуатации с учетом возможного воздействия помех со стороны источников с учетом механизмов связи.

Анализ существующих и перспективных технических средств электромагнитного терроризма позволил сформулировать требования к параметрам испытательных воздействий и стойкости оборудования с учетом специфики оказываемого воздействия. Разработанные требования отражены в государственном стандарте ГОСТ Р 52863-2007 "Защита информации. Автоматизированные системы в защищенном исполнении. Испытания на устойчивость к преднамеренным силовым электромагнитным воздействиям".

Рассматриваемый нормативный документ учитывает в своих требованиях воздействия по различным портам оборудования, для чего испытательные воздействия разделяются на воздействия по портам электропитания, по информационным портам, по металлоконструкциям и посредством электромагнитного поля. Такое разделение позволяет учесть специфику воздействия по проводным линиям связи (кондуктивный путь проникновения, воздействие посредством наведенных и и I) и посредством электромагнитного поля (индуктивный путь проникновения, воздействие электромагнитным полем), разделить линии по конструкции

проводников, уровням сигнала, типам сигнала (информационные сети и сети электропитания). В зависимости от условий эксплуатации и потребляемой мощности испытательные воздействия подразделяются на 4 степени жесткости, выбор и принятие которых производится перед проведением испытаний. Для примера и актуализации рассматриваемой проблемы в таблице 1 приведены параметры испытательных воздействий в соответствии с требованиями ГОСТ Р 52863-2007 в сравнении с аналогичными стандартами отражающими аналогичные испытания из области ЭМС.

Анализ параметров испытательных воздействий современных стандартов, отражающих в своих требованиях возможности современных и перспективных технических средств электромагнитного терроризма, и сравнение их с существующими стандартами из области ЭМС показал, что электромагнитный терроризм представляет серьезную угрозу. Об этом свидетельствует то, что по некоторым видам испытаний аналогов в области ЭМС нет, а так же в ряде случаев параметры воздействий качественно отличаются от ЭМС. Основные отличия заключаются в увеличенных энергетических параметрах воздействия, уменьшенных значениях времени фронтов импульсов и увеличенных длительностях импульса, а также в повышенных амплитудах воздействия. Так, например, наиболее мощные помехи в области ЭМС - микросекундные импульсные помехи по сети электропитания имеют длительность импульса до 50 мкс и энергию накопительного конденсатора не превышающую 0,2 кДж, а технические средства электромагнитного терроризма могут иметь длительность импульса 0Д...20 мс с энергией 1...150 кДж. Высоковольтные однократные наносекундные импульсы напряжения по энергии превышают похожие на них наносекундные импульсные помехи ЭМС на 4.5 порядков и могут достигать значений воздействующего напряжения от 50 до 250 кВ. Особое внимание стоит уделить воздействию электромагнитным полем, в котором значения длительностей импульсов лежат в пикосекундном диапазоне, а следовательно, их спектральная плотность лежит в гигагерцовом диапазоне, т.е. в диапазоне работы блоков микропроцессорных устройств.

Таблица 1.

Значения типовых параметров испытательных воздействий электромагнитным полем.

Требования ГОСТ Р 52863-2007 Требования стандартов из области ЭМС

№ п/п Вид воздействия Виды испытательных воздействий Параметры воздействий (для IV степени жесткости) Параметры воздействий (для IV степени жесткости) ГОСТ

1 Однократные наносекундные импульсы электромагнитного поля Длительность импульса, нс 100

Напряженность импульсного электрического поля, кВ/м 10

2 Периодические наносекундные импульсы электромагнитного поля с низкой частотой повторения Длительность фронта, нс Длительность импульса, нс 0,2±0,1 0,8±0,3 ГОСТ Р 51317.4.3

Напряженность импульсного электрического поля, кВ/м 30 0,030

Частота следования, кГц 1

3 Периодические наносекундные импульсы электромагнитного поля с высокой частотой повторения Длительность импульса, нс 0,2±0,1 0,8±0,3 ГОСТ Р 51317.4.3

Напряженность импульсного электрического поля, кВ/м 0,2 0,030

Частота следования, кГц 1000

Не стоит забывать и еще про одну специфику СШП ЭМИ, которая обусловлена тем, что СШП ЭМИ, ввиду малых длительностей воздействующих импульсов, занимает достаточно широкий спектр, перекрывающий большую часть диапазонов работы радиоэлектронной аппаратуры, потенциальной соизмеримостью частот следования импульсов СШП ЭМИ с частотами смены состояний модулированного сигнала, а также дискретной природой воздействующего импульса, что обусловливает высокую восприимчивость цифровых систем. При высоких энергетических характеристиках СШП ЭМИ его влияние возможно не только на антенно-фидерную систему устройств, но также и аппаратную часть ввиду формирования наводок в цепях обработки информации.

Более того, следует отметить, что развитие современного микропроцессорного оборудования и радиоэлектронной аппаратуры идет по пути использования современных методов цифровых модуляций с расширением полосы частот при высокой плотности передаваемой информации. Это ведет к росту скорости смены состояний модулированного сигнала. Сигналы, модулированные с расширением спектра, как правило, имеют более низкие амплитудные характеристики, чем узкополосные сигналы. Все это приводит к тому, что длительность импульсов СШП ЭМИ, а также частота их следования могут быть близки к длительностям символов и их скорости в модулированном сигнале и, как следствие, будут увеличивать вероятность искажения принимаемой информации [1].

Таким образом, существующие стандарты из области ЭМС не в полной мере соответствуют последним достижениям в области разработки технических средств электромагнитного поражения. Соответствие технического средства, выполненного с использованием микропроцессорных средств, стандартам из области ЭМС не может гарантировать его помехоустойчивость к современным средствам поражения, что свидетельствует о том, что такие технические средства потенциально могут быть уязвимы для электромагнитного терроризма. На основании этого следует сделать заключение о том, что исследование проблемы обеспечения защиты микропроцессорных блоков и систем от электромагнитного терроризма является задачей актуальной, а разработка методов, средств и мероприятий для их защиты или повышения помехоустойчивости - первоочередной.

Для подтверждения опасности были проведены теоретические исследования воздействия СШП ЭМИ на микропроцессорные средства.

Теоретические исследования реакций линий, элементов, блоков и систем на воздействие СШП ЭМИ должны выполняться с использованием математических моделей в рамках условий своей применимости. Однако существующие методы расчета не в полной мере применимы для расчета воздействия СШП ЭМИ по причине уменьшенного времени фронта и длительности импульсов (тф = 0,2 нс; т0,5 =0,8 нс). Это обусловлено тем, что:

- при таких параметрах воздействующих импульсов условие поперечной квазистационарности может не выполняться, так как спектральная плотность СШП ЭМИ лежит в областях 1.20 ГГц, что в переводе соответствует длинам волн 0,3 .0,015 м;

- существующие методики расчета наведенных напряжений и токов в линиях базируются на применении условия цилиндрической симметрии, т.е. время прохождения электромагнитной волной расстояния, равного поперечному размеру проводника, должно быть меньше времени достижения максимума импульсов воздействующих высокочастотных полей;

- СШП ЭМИ является воздействием с преимущественным содержанием высокочастотных составляющих, которые требуют учета зависимости электрофизических характеристик линий от частоты, а также учета зависимостей взаимного расположение блоков, геометрии корпуса и иных факторов, которые могут оказать существенное влияние.

Таким образом, для оценки уровней наводимых напряжений и токов, предлагается использовать математическую модель с решением в частотной постановке.

В качестве воздействующего электромагнитного импульса со временем фронта импульса тф = 0,2-10-9 с, длительностью импульса т0,5 = 0,8^ 10-9 с, частотой следования импульсов 1 кГц или 1 МГц и напряженностью электрического поля Е от 0,02 кВ/м до 30 кВ/м [2] применяется аппроксимированный к указанным параметрам двухэкспоненциальный импульс. По причине отсутствия в современных стандартах требований по поляризации компонентов электромагнитных полей СШП ЭМИ, были исследованы варианты, характерные для падений волн на линию при максимальной горизонтальной составляющей напряженности электрического поля Е.

При выполнении расчетов использовалась двухэкспоненциальная форма воздействующего импульса:

где Е0 - амплитуда воздействия (от 0,02 кВ/м до 30 кВ/м); К - коэффициент формы, равный 2,28; а, в - показатели экспоненты, равные а = 1,27-109 с-1, в = 8,9-109 с-1.

Временная зависимость воздействующего импульса построена в среде MathCad и представлена на рис. 3. и, о.е.

1,27109 г

9

8,9-109 г

Е() = Е0  2,28( е

е

)

О 5x10 10 1x10 9 1.5x10 9 2x10 9

Время, с

Рис. 3. Временная форма воздействующего импульса.

Средние значения результатов проведенных расчетов для оценки опасности воздействия СШП ЭМИ приведены в таблице 2.

Таблица 2.

Результаты теоретических исследований.

Воздействие на неэкранированные линии

Амплитуда, В Длительность фронта, с Длительность импульса, с

22 0,6-10-9 2,5-10"9

Воздействие на экранированные линии

Амплитуда, В Длительность фронта, с Длительность импульса, с

1 6-10-8 1,010-6

Как видно из представленных результатов, наибольшую опасность представляет воздействие на неэкранированные линии. Безусловно, металлический корпус оборудования представляет своего рода экран, выполняющий функцию защиты. Однако, как отмечалось выше, спектральная плотность воздействующего импульса лежит в диапазоне 1.20 ГГц, что в переводе соответствует длинам волн 0,3.0,015 м. Иными словами, при наличии дефекта экрана размером 15 мм или в ряде случаев меньше, оказываемое воздействие на микропроцессорное оборудование будет иметь фатальное последствие. Более того, даже экранирование не обеспечивает надежной защиты и позволяет наводить в линиях и до 1В, что в некоторых микропроцессорных блоках соответствует значению логической «1», что, безусловно, доказывает опасность такого рода воздействий.

В настоящее время в России существуют целый ряд генераторов СШП ЭМИ, позволяющий осуществлять экспериментальную проверку устойчивости различного оборудования к воздействию СШП ЭМИ.

В 2007.2009 годах авторами статьи совместно с различными научными коллективами был разработан и создан испытательный комплекс СШП ЭМИ - изделие «Динамит», который позволял генерировать импульсы со следующими параметрами:

- длительность импульса - 5 нс;

- амплитуда импульса - 0,3.30 кВ/м и 100.500 В/м;

- частота повторения импульсов - 1 Гц.1 кГц для амплитуды 0,3 .30 кВ/м и 1 кГц.1 МГц.

Внешний вид комплекса представлен на рис. 4.

Рис. 4. Внешний вид изделия «Динамит». 14

Как видно из представленного рисунка, данный комплекс, несмотря на свои небольшие размеры способен генерировать СШП ЭМИ с высокими энергетическими характеристиками.

На данном комплексе были проведены экспериментальные исследования устойчивости системы видеонаблюдения (СВ) к воздействию СШП ЭМИ. Данная система была выбрана, так как соответствует ряду важных параметров:

- содержит в себе большое количество цифровых блоков и микропроцессорных средств;

- элементы системы видеонаблюдения взаимодействуют между собой на частотах от единиц МГц до нескольких ГГц, что соответствует частотному диапазону СШП ЭМИ;

- система видеонаблюдения выполняет функции системы контроля и управления доступом, а, следовательно, будет являться первоочередной целью для осуществления воздействия с целью проникновения на режимный объект.

Испытания проводились при следующих параметрах испытательных воздействий, которые были определены перед проведением испытаний с помощь измерительного оборудования, входящего в состав изделия «Динамит»:

-/= 1 кГц и Е = 1.100 кВ/м - Тф = 190 пс, то,5 = 270 пс;

-/= 1 МГц и Е = 1.8 кВ/м - Тф = 190 пс, то,5 = 270 пс.

Испытаниям подвергалось каждая составная часть системы видеонаблюдения при работе в штатном режиме передачи видеосигнала.

Для примера на рис. 5 приведена схема испытаний передающего блока системы видеонаблюдения.

Рис. 5. Схема проведения испытаний передающего блока.

В результате экспериментальных исследований были получены данные, на основании которых сделаны выводы, приведенные ниже:

1. Передатчик СВ выдерживает электромагнитное воздействие напряженностью до 100 кВ/м и частотой до 1 МГц;

2. Видеокамера выдерживает электромагнитное воздействие напряженностью до 5 кВ/м с частотой 1 кГц и напряженностью 3 кВ/м с частотой 1 МГц. При больших уровнях воздействия ЭМИ видеокамера выходит из строя. При этом анализ результатов экспериментальных исследований показал, что наиболее слабым местом видеокамеры PANASONIC является её электронная начинка. С целью поиска возможности повышения стойкости системы видеонаблюдения к СШП ЭМИ была испытана черно-белая видеокамера без электронной начинки. Повторные экспериментальные исследования показали, что черно-белая видеокамера выдерживает воздействие СШП ЭМИ напряженностью 80 кВ/м и частотой до 1 МГц.

3. В приемной антенне СВ с подключенным приемником при напряженности воздействующего электрического поля 8,9 кВ/м и частоте следования импульсов 1 МГц происходит резкое ухудшение

качества изображения, вплоть до полной потери изображения на время ее воздействия. При отключении воздействия изображение сразу восстанавливается полностью без потери качества. Данный факт свидетельствует о том, что импульсное воздействие проникает в антенно-фидерную систему совместно с полезным сигналом, разделить которые технически нельзя.

Таким образом, на основании результатов проведенных исследований устойчивости системы видеонаблюдения к СШП ЭМИ можно сделать следующие выводы:

- система видеонаблюдения не обладает устойчивостью с СШП ЭМИ;

- нарушение работы СВ происходит в микропроцессорных блоках составных частей;

- металлический корпус СВ не обеспечивает защиты от СШП ЭМИ [3].

Создание изделия «Динамит» решало задачу по разработке экспериментальной и промышленной технологии создания многофункциональных комплексов СШП ЭМИ.

В настоящее время создан и эксплуатируются испытательный комплекс СШП ЭМИ изделие «Вагон», который обладает следующими техническими параметрами:

- длительность импульсов - 0,15.0,25 нс;

- частота повторения импульсов - до 60 МГц;

- амплитуда импульсов: 100 кВ/м при 10 МГц и 25 кВ/м при 50 МГц.

В отличие от предыдущих средств генерации СШП ЭМИ изделие «Вагон обеспечивает значительно большую энергетику воздействия на объекты поражения. Кроме того изделие «Вагон» обладает целым рядом усовершенствований, основные из которых:

- использованные полупроводниковые ФИД-генераторы имеют по сравнению с существующими аналогами более низкие массогабаритные показатели и имеют возможность формирования последовательности импульсов с частотой следования порядка нескольких десятков МГц;

- ввиду ограничений по излучаемой мощности для существующих типов ФИД-генераторов, достижение требуемых энергетических показателей возможно на основе создания многоканальной системы синхронизации;

- излучающая система оснащается устройством управления и синхронизации с возможностью задания оптимальных режимов работы генераторов СШП ЭМИ;

- количество каналов излучения 64 (каждый из которых состоит еще из четырех синхронизированных каналов).

Увеличение количества каналов излучения позволяет использовать полупроводниковые элементы в излучающих генераторах нового поколения меньших габаритных размеров, при работе которых выделяется значительно меньше тепла. Это позволяет обойтись без применения охлаждения на основе использования массивных радиаторов или системы жидкостного охлаждения, а использовать только принудительное воздушное охлаждение. В конечном итоге это приводит к повышению ресурсоемкости и оперативности ремонта; повышение гибкости управления комплексом в целом и позволяет повысить энергетические характеристики комплекса в целом.

На рис. 7 и 8 представлен единичный модуль антенный и вид комплекса в сборе.

Рис. 7. Единичный модуль антенный Рис. 8. Вид комплекса в мобильном исполнении.

Подводя итог, следует сказать следующее:

- электромагнитный терроризм представляет реальную угрозу для существующего микропроцессорного оборудования;

- целью электромагнитного терроризма является воздействие на информацию и микропроцессорные блоки, в которых нарушение процесса обработки информации приводит к выходу из строя оборудования.

Список литературы:

1. ГОСТ Р 52863-2007, М., Стандартинформ, 2008 г.

2. Пименов П.Н. Сравнительный анализ влияния сверхкороткого электромагнитного импульса на узкополосные, широкополосные, сверхширокополосные системы радиосвязи / П.Н. Пименов // Технологии ЭМС. - 2015. - № 1(52). - С. 13-16.

3. Владимиров Д.Р., Фоминич Э.Н.: «Защита технических средств от преднамеренных силовых электромагнитных воздействий»:, 2012 г, Журнал "Энергобезопасность и энергосбережение", выпуск № 4, Изд-во МИЭЭ, Москва, 2012 г.

Проектирование, строительство и реконструкция объектов военного назначения

УДК 355.673:621.182/621.18

Бондарев А.В., Смирнов А.В.

Bondarev A. V., Smirnov A. V.

Перспективы и опыт создания систем комплексной автоматизации топочных процессов твердотопливных котлоагрегатов с топками кипящего слоя при реконструкции и строительстве котельных

Prospects and the experience of the creation of the systems of the complex automation of the burning processes of solid-propellant boilers with the furnaces of fluidized bed when constructing and reconstructing boiler-houses

Аннотация:

В статье отражено существующее техническое состояние котельных малой мощности в муниципальных и ведомственных образованиях РФ. Показаны практические примеры оборудования, с использованием уникальной экспериментальной базы в теплоэнергетическом комплексе с котлами кипящего слоя малой мощности на всех видах низкосортного твердого топлива с двумя котлоагрегатами ВТКС на полигоне Министерства Обороны РФ (МО РФ) в пос. Приветнинское, Ленинградской области.

Abstract:

The article deals with the existing technical condition of low power boiler-houses in municipal districts. Practical examples of the equipment of heat and power engineering complex located in the RF Ministry of Defence military camp of the settlement Privetninskoe, Leningrad region, with the boilers of small power fluidized bed of all the forms of low-grade solid fuel with two VTKS boiler units are shown.

Ключевые слова: высокотемпературный кипящий слой, котлоагрегат КВП-1,74 ВТКС

Keywords: Boilers with high-temperature fluidized bed, boiler-KVP 1.74 VTKS

В сложной современной военно-политической ситуации многократно возросли угрозы внешней военной агрессии в отношении Российской Федерации. В связи с этим, боеготовность Вооруженных Сил, возможность немедленного ответного реагирования, остается главным приоритетом страны.

Бесперебойное и эффективное теплоснабжение военно-технических комплексов видов Вооруженных Сил Российской Федерации является важной составляющей по обеспечению их жизнедеятельности. Источниками теплоснабжения на объектах общего и специального назначения, как правило, являются автономные отопительные и технологические котельные, вырабатывающие горячую воду для отопления, хозяйственного и технологического водоснабжения.

Число таких котельных по данным Департамента эксплуатационного содержания и обеспечения коммунальными услугами МО РФ составляет 3928, из них 2642 приходится на низкоэффективные угольные и жидкотопливные котельные [1].

Анализ приведенных котельных показал:

1. Из общего количества 2642 котельные работают на твердом топливе (каменные и бурые угли низкого качества) и жидком топливе (высоковязкие сернистые обводненные мазуты и дорогостоящее дизельное топливо).

2. Из всего числа твердотопливных и жидкотопливных котельных 515 котельных не подлежит передаче в муниципальную собственность, переводу работы на электрокотлы, а также, переводу на квалифицированное