ФОРМИРОВАНИЕ НЕОБРАТИМОГО СОСТОЯНИЯ В ОДНОРАЗРЯДНОЙ ЯЧЕЙКЕ, ИМЕЮЩЕЙ ПЕРВЫЙ МАГНИТНЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ ПЕРЕХОД И ВТОРОЙ МАГНИТНЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ ПЕРЕХОД

1. Способ, содержащий этапы, на которых:
применяют программирующее напряжение к первому магнитному туннельному переходу (МТП, MTJ) одноразрядной ячейки без применения программирующего напряжения ко второму МТП одноразрядной ячейки для формирования необратимого состояния в одноразрядной ячейке; и
определяют необратимое состояние путем сравнения первого значения, считанного с первого МТП и принятого на первом входе дифференциального усилителя, со вторым значением, считанным со второго МТП и принятым на втором входе дифференциального усилителя, причем первое значение соответствует первому напряжению первой разрядной шины, соединенной с первым МТП, а второе значение соответствует второму напряжению второй разрядной шины, соединенной со вторым МТП.
2. Способ по п. 1, в котором программирующее напряжение вызывает разрушение туннельного оксида первого МТП, приводя к постоянному состоянию низкого сопротивления первого МТП.
3. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором поддерживают первый МТП и второй МТП как комплементарные значения ячеек.
4. Способ по п. 1, в котором необратимое состояние соответствует расплавленному состоянию первого МТП.
5. Способ по п. 1, в котором определение необратимого состояния одноразрядной ячейки выполняется без отдельной опорной ячейки.
6. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором перед применением программирующего напряжения применяют записывающее напряжение к первому МТП, чтобы сохранить значение в одноразрядной ячейке.
7. Способ по п. 6, дополнительно содержащий этап, на котором после применения записывающего напряжения к первому МТП считывают первый МТП для тестирования работы одноразрядной ячейки.
8. Способ по п. 1, в котором одноразрядная ячейка находится в памяти со способностью однократного программирования, и дополнительно содержащий этап, на котором тестируют одну или более памяти перед программированием одноразрядной ячейки.
9. Способ по п. 1, в котором одноразрядная ячейка содержит первый входной транзистор, соединенный с первым МТП, и второй входной транзистор, соединенный со вторым МТП.
10. Способ по п. 9, в котором первый входной транзистор имеет толщину оксида, которая, по существу, идентична толщине оксида второго входного транзистора.
11. Способ по п. 1, в котором первый МТП имеет длину первой оси большую, чем длина второй оси, чтобы предоставить возможность переключения первого МТП из первого незапрограммированного состояния во второе незапрограммированное состояние.
12. Способ по п. 11, в котором первый МТП является эллипсоидным.
13. Способ по п. 1, в котором первый МТП, по существу, является круговым, и дополнительно содержащий этап, на котором тестируют одноразрядную ячейку путем сравнения одноразрядной ячейки с внешней ссылкой.
14. Способ по п. 1, в котором первый МТП и второй МТП находятся в матрице МТП, при этом матрица МТП дополнительно содержит третий МТП, который, по существу, идентичен первому МТП и второму МТП, и дополнительно содержащий этап, на котором используют третий МТП в качестве многократно программируемого элемента памяти путем предоставления записывающего напряжения третьему МТП, причем записывающее напряжение ниже, чем программирующее напряжение, и приводит к тому, что третий МТП входит в обратимое состояние.
15. Способ по п. 1, в котором применение программирующего напряжения управляется процессором, интегрированным в электронное устройство.
16. Запоминающее устройство, содержащее:
одноразрядную ячейку с магнитным туннельным переходом (МТП, MTJ), содержащую:
первый МТП; и
второй МТП;
программирующую схему, выполненную с возможностью применения программирующего сигнала к выбранному одному из первого МТП и второго МТП для формирования необратимого состояния в одноразрядной ячейке с МТП; и
схему определения, выполненную с возможностью определения необратимого состояния путем сравнения первого значения, считанного с первого МТП и принятого на первом входе дифференциального усилителя, со вторым значением, считанным со второго МТП и принятым на втором входе дифференциального усилителя, причем первое значение соответствует первому напряжению первой разрядной шины, соединенной с первым МТП, а второе значение соответствует второму напряжению второй разрядной шины, соединенной со вторым МТП.
17. Запоминающее устройство по п. 16, дополнительно содержащее первый входной транзистор, соединенный с первым МТП, и второй входной транзистор, соединенный со вторым МТП.
18. Запоминающее устройство по п. 17, в котором первый входной транзистор имеет толщину оксида, которая, по существу, идентична толщине оксида второго входного транзистора.
19. Запоминающее устройство по п. 16, в котором значение ячейки первого МТП комплементарно значению ячейки второго МТП.
20. Запоминающее устройство по п. 16, интегрированное, по меньшей мере, в один полупроводниковый кристалл.
21. Запоминающее устройство по п. 16, дополнительно содержащее устройство, выбранное из группы, состоящей из телевизионной приставки, музыкального плеера, видеоплеера, блока развлечений, устройства навигации, устройства связи, карманного персонального компьютера (КПК, PDA), блока обработки данных с фиксированным положением и компьютера, в которые интегрировано запоминающее устройство.
22. Устройство, содержащее:
средство для хранения значения данных, при этом средство для хранения содержит первый магнитный туннельный переход (МТП, MTJ) и второй МТП;
средство для формирования необратимого состояния в средстве для хранения путем применения программирующего напряжения к первому МТП без применения программирующего напряжения ко второму МТП; и
средство для определения необратимого состояния путем сравнения первого значения, считанного с первого МТП, со вторым значением, считанным со второго МТП, причем первое значение соответствует первому напряжению первой разрядной шины, соединенной с первым МТП, а второе значение соответствует второму напряжению второй разрядной шины, соединенной со вторым МТП.
23. Устройство по п. 22, интегрированное, по меньшей мере, в один полупроводниковый кристалл.
24. Устройство по п. 22, дополнительно содержащее устройство, выбранное из группы, состоящей из телевизионной приставки, музыкального плеера, видеоплеера, блока развлечений, устройства навигации, устройства связи, карманного персонального компьютера (КПК, PDA), блока обработки данных с фиксированным положением и компьютера, в которые интегрировано средство для хранения.
25. Способ, содержащий:
первый этап, на котором формируют необратимое состояние в одноразрядной ячейке путем применения программирующего напряжения к первому магнитному туннельному переходу (МТП, MTJ) одноразрядной ячейки без применения программирующего напряжения ко второму МТП одноразрядной ячейки;
второй этап, на котором определяют необратимое состояние путем сравнения первого значения, считанного с первого МТП и принятого на первом входе дифференциального усилителя, со вторым значением, считанным на втором МТП и принятым на втором входе дифференциального усилителя, причем первое значение соответствует первому напряжению первой разрядной шины, соединенной с первым МТП, а второе значение соответствует второму напряжению второй разрядной шины, соединенной со вторым МТП; и
третий этап, на котором поддерживают первый МТП и второй МТП как комплементарные значения ячеек.
26. Способ по п. 25, в котором первый этап, второй этап и третий этап выполняются процессором, интегрированным в электронное устройство.
27. Машиночитаемый вещественный носитель данных, хранящий инструкции, выполняемые процессором, при этом инструкции содержат инструкции, выполняемые процессором для:
формирования необратимого состояния в одноразрядной ячейке путем применения программирующего напряжения к первому магнитному туннельному переходу (МТП, MTJ) одноразрядной ячейки без применения программирующего напряжения ко второму МТП одноразрядной ячейки; и
определяют необратимое состояние путем сравнения первого значения, считанного с первого МТП, со вторым значением, считанным со второго МТП, причем первое значение соответствует первому напряжению первой разрядной шины, соединенной с первым МТП, а второе значение соответствует второму напряжению второй разрядной шины, соединенной со вторым МТП.
28. Машиночитаемый вещественный носитель данных по п. 27, причем процессор интегрирован в устройство, выбранное из группы, состоящей из телевизионной приставки, музыкального плеера, видеоплеера, блока развлечений, устройства навигации, устройства связи, карманного персонального компьютера (КПК, PDA), блока обработки данных с фиксированным положением и компьютера.
29. Способ, содержащий этапы, на которых:
получают проектно-конструкторскую информацию, представляющую, по меньшей мере, одно физическое свойство полупроводникового устройства, при этом полупроводниковое устройство содержит:
одноразрядную ячейку с магнитным туннельным переходом (МТП, MTJ), содержащую:
первый МТП; и
второй МТП;
программирующую схему, выполненную с возможностью формирования необратимого состояния в одноразрядной ячейке путем применения программирующего сигнала к выбранному одному из первого МТП и второго МТП одноразрядной ячейки; и
схему определения, выполненную с возможностью определения необратимого состояния путем сравнения первого значения, считанного с первого МТП и принятого на первом входе дифференциального усилителя, со вторым значением, считанным со второго МТП и принятым на втором входе дифференциального усилителя, причем первое значение соответствует первому напряжению первой разрядной шины, соединенной с первым МТП, а второе значение соответствует второму напряжению второй разрядной шины, соединенной со вторым МТП;
преобразуют проектно-конструкторскую информацию, чтобы она соответствовала формату файла; и
генерируют файл данных, содержащий преобразованную проектно-конструкторскую информацию.
30. Способ по п. 29, в котором файл данных содержит формат GDSII.
31. Способ по п. 29, в котором файл данных содержит формат GERBER.
32. Способ, содержащий этапы, на которых:
принимают файл данных, содержащий проектно-конструкторскую информацию, соответствующую полупроводниковому устройству; и
производят полупроводниковое устройство согласно проектно-конструкторской информации,
причем полупроводниковое устройство содержит:
одноразрядную ячейку с магнитным туннельным переходом (МТП, MTJ), включающую в себя:
первый МТП; и
второй МТП;
программирующую схему, выполненную с возможностью формирования необратимого состояния в одноразрядной ячейке путем применения программирующего сигнала к выбранному одному из первого МТП и второго МТП одноразрядной ячейки; и
схему определения, выполненную с возможностью определения необратимого состояния путем сравнения первого значения, считанного с первого МТП и принятого на первом входе дифференциального усилителя, со вторым значением, считанным со второго МТП и принятым на втором входе дифференциального усилителя, причем первое значение соответствует первому напряжению первой разрядной шины, соединенной с первым МТП, а второе значение соответствует второму напряжению второй разрядной шины, соединенной со вторым МТП.
33. Способ по п. 32, в котором файл данных имеет формат GDSII.
34. Способ по п. 32, в котором файл данных имеет формат GERBER.