ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ПРИБОР

2
M
Полупроводниковый светоизлучающий прибор, выполненный на основе диоксида кремния, включающий подложку, нижний и верхний электроды, а также сформированные в процессе магнетронного распыления слои, образующие гетероструктуру с p-n-переходом, отличающийся тем, что слой активной области с p-n-переходом, выполнен из пористого диоксида кремния (SiO ) с шириной запрещенной зоны >4 эВ.