РАСТВОРЫ-ПРЕДШЕСТВЕННИКИ НАНОКОМПОЗИТОВ, НАНЕСЕННЫХ ИЗ РАСТВОРА, СПОСОБЫ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК И ТОНКИЕ ПЛЕНКИ, ПОЛУЧЕННЫЕ ЭТИМИ СПОСОБАМИ

1. Раствор-предшественник, содержащий один или больше золь-гель предшественников металла и/или золь-гель предшественников полуметалла, полярный протонный растворитель и полярный апротонный растворитель, причем указанный раствор-предшественник образует гель после приложения к нему усилия сдвига, и указанный полярный апротонный растворитель содержится в указанном растворе в количестве от приблизительно 1 до 25 об.%.
2. Раствор-предшественник по п.1, вязкость которого растет с ростом усилия сдвига.
3. Раствор-предшественник по п.1, в котором металл в указанном одном или большем количестве золь-гель предшественников металла выбран из группы, состоящей из переходных металлов, лантаноидов, актиноидов, щелочноземельных металлов и металлов Групп IIIA-VA.
4. Раствор-предшественник по п.1, в котором полуметалл в указанном одном или большем количестве золь-гель предшественников полуметалла выбран из группы, состоящей из бора, кремния, германия, мышьяка, сурьмы, теллура, висмута и полония.
5. Раствор-предшественник по п.1, в котором указанный один или больше золь-гель предшественников металла представляет собой соединение металла, выбранное из группы, состоящей из металлоорганических соединений, органических солей металла и неорганических солей металла.
6. Раствор-предшественник по п.5, в котором указанное металлоорганическое соединение представляет собой алкоксид металла.
7. Раствор-предшественник по п.6, в котором указанный алкоксид металла выбран из группы, состоящей из метоксидов, этоксидов, пропоксидов, бутоксидов и феноксидов.
8. Раствор-предшественник по п.5, в котором указанная органическая соль металла выбрана из группы, состоящей из формиатов, ацетатов и пропионатов.
9. Раствор-предшественник по п.5, в котором указанная неорганическую соль металла выбрана из группы, состоящей из галогенида, гидроксида, нитрата, фосфата и сульфата.
10. Раствор-предшественник по п.1, в котором указанный полярный протонный растворитель выбран из группы, состоящей из органических кислот и органических спиртов.
11. Раствор-предшественник по п.10, в котором указанная органическая кислота выбрана из группы, состоящей из муравьиной кислоты, уксусной кислоты, пропионовой кислоты и масляной кислоты.
12. Раствор-предшественник по п.10, в котором указанный органический спирт выбран из группы, состоящей из метилового спирта, этилового спирта, пропилового спирта и бутилового спирта.
13. Раствор-предшественник по п.1, в котором указанный полярный апротонный растворитель выбран из группы, состоящей из алкилгалогенидов, простых алкиловых эфиров, сложных алкиловых эфиров, кетонов, альдегидов, алкиламидов, алкиламинов, алкилонитрилов и алкилсульфоксидов.
14. Раствор-предшественник по п.1, в котором указанный алкилгалогенидный полярный апротонный растворитель выбран из группы, состоящей из дихлорметана, 1,2-дихлорэтана, 1,2-дихлорпропана, 1,3-дихлорпропана, 2,2-дихлорпропана, дибромметана, дииодметана и бромэтана.
15. Раствор-предшественник по п.13, в котором указанный простой алкилэфирный полярный апротонный растворитель выбран из группы, состоящей из тетрагидрофурана, метилцианида и ацетонитрила.
16. Раствор-предшественник по п.13, в котором указанный кетонный полярный апротонный растворитель выбран из группы, состоящей из ацетона, метилизобутилкетона и метилэтилкетона.
17. Раствор-предшественник по п.13, в котором указанный алкиламидный полярный апротонный растворитель выбран из группы, состоящей из диметилформамида, диметилфенилпропионамида, диметилхлорбензамида и диметилбромбензамида.
18. Раствор-предшественник по п.13, в котором указанный алкиламинный полярный апротонный растворитель выбран из группы, состоящей из диэтилентриамина, этилендиамина, гексаметилентетрамина, диметилэтилендиамин, гексаметилендиамина, трис(2-аминоэтил)амин, этаноламин, пропаноламин, этиламин, метиламин, 1-(2-аминоэтил)-пиперазин.
19. Раствор-предшественник по п.13, в котором указанный алкилонитрильный апротонный растворитель включает ацетонитрил.
20. Раствор-предшественник по п.13, в котором указанный алкилсульфоксидный апротонный растворитель выбран из группы, состоящей из диметилсульфоксида, диэтилсульфоксида и бутилсульфоксида.
21. Раствор-предшественник по п.1, в котором, по меньшей мере, один из указанных предшественников металла или полуметалла представляет собой металлорганическое или полуметаллоорганическое соединение, включающее органический фрагмент, способный полимеризоваться.
22. Раствор-предшественник по п.1, дополнительно включающий способный полимеризоваться органический мономер, органический олигомер или органический полимер.
23. Раствор-предшественник по любому из пп.1-22, дополнительно включающий фотоиндупируемый катализатор полимеризации.
24. Раствор-предшественник по п.23, в котором указанный фотоиндуцируемый катализатор полимеризации выбран из группы, состоящей из титаноценов, бензофенонов/аминов, тиоксантонов/аминов, простых эфиров бензоина, ацилфосфиноксидов, бензилкеталей, ацетофенонов и алкилфенонов.
25. Раствор-предшественник по любому из пп.1-22 и 24, дополнительно включающий кислотный или основный катализатор.
26. Раствор-предшественник по п.23, дополнительно включающий кислотный или основный катализатор.
27. Способ получения слоя твердой тонкой пленки, включающий стадию нанесения раствора-предшественника по любому из пп.1-26 на одну или больше поверхностей подложки, в котором указанное нанесение обеспечивает достаточное усилие сдвига, чтобы вызвать гелеобразование указанного раствора-предшественника с получением гелеобразного тонкого слоя.
28. Способ по п.27, дополнительно включающий воздействие на указанный гелеобразный тонкий слой ультрафиолетовым, видимым или инфракрасным излучением.
29. Способ по п.28, в котором указанное воздействие вызывает образование твердой тонкой пленки.
30. Способ по п.29, в котором указанное воздействие повышает температуру указанной твердой тонкой пленки с образованием кристаллической структуры.
31. Способ по п.27, в котором указанное нанесение покрытия выполняют методом окунания, методом центрифугирования или их комбинацией.
32. Способ по п.27, в котором указанное нанесение покрытия выполняют валиком или методом с рулона на рулон.
33. Тонкая пленка, полученная способом по любому из пп.27-32.
2
34. Тонкая пленка, имеющая толщину от 1 до 500 нм и площадь поверхности, по меньшей мере, 50 см.
35. Устройство, содержащее тонкую пленку, имеющую толщину от 1 до 500 нм и имеющую площадь поверхности, по меньшей мере, 50 см.