СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАГОТОВОК ДЛЯ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ ИЗ ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Способ изготовления заготовок для детекторов ионизирующих излучений из монокристаллов широкозонных полупроводниковых материалов, включающий создание исходного кристалла из CdTe или CdZnTe в форме практически правильного прямоугольного параллелепипеда; нанесение металлического слоя на верхнюю и нижнюю поверхности кристалла таким образом, что вдоль оси предполагаемого разреза на верхней и нижней поверхностях кристалла металлический слой отсутствует на ширину как минимум в 10 раз больше ширины режущего инструмента и разрезание кристалла на заготовки режущим инструментом по этой оси перпендикулярно верхней поверхности кристалла, отличающийся тем, что металлический слой наносят на всю верхнюю и на всю нижнюю поверхность кристалла; затем, на металлический слой верхней и нижней поверхности кристалла приклеивают пластины из графита таким образом, чтобы весь металлический слой был закрыт; а после процесса разрезания кристалла на заготовки, пластины из графита удаляют.