СПОСОБ АТОМНО-СЛОЕВОГО ВЫРАЩИВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ХИМИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ НА ПОДЛОЖКАХ

1. Способ атомно-слоевого выращивания тонких пленок химических соединений на подложках, включающий подачу реагентов в реакционную зону с принудительным удалением не прореагировавших продуктов реакции, отличающийся тем, что термоактивацию обеспечивают импульсно-периодическим лазерным облучением подложки с периодом следования импульсов, достаточным для самоохлаждения облучаемой зоны и образования на подложке адсорбированного мономолекулярного слоя реагента, причем упомянутое принудительное удаление производят газовым потоком, подающим пары реагентов.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что состав газового потока периодически изменяют путем замены в нем паров реагентов.