ПОПЕРЕЧНОЕ РАССЕИВАНИЕ ТЕПЛА 3D-ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ

1. Многослойный полупроводник, содержащий:
первый и второй слои, имеющие элементы, сконструированные в них; и
первый проводящий тепло материал, расположенный между упомянутыми первым и вторым слоями, причем первый материал имеет более высокую тепловую проводимость по сравнению с тепловой проводимостью упомянутых первого и второго слоев.
2. Полупроводник по п.1, в котором упомянутая тепловая проводимость первого материала равна, по меньшей мере, 10 Вт/м/К.
3. Полупроводник по п.2, в котором первый проводящий тепло материал является электрически изолирующим.
4. Полупроводник по п.1, в котором упомянутый первый проводящий тепло материал является пленочной структурой.
5. Полупроводник по п.1, дополнительно содержащий:
второй проводящий тепло материал, расположенный на конце, по меньшей мере, одного слоя, причем упомянутый второй проводящий тепло материал термически соединен с упомянутым первым проводящим тепло материалом, расположенным между упомянутыми слоями.
6. Полупроводник по п.1, в котором упомянутый проводящий тепло материал выбирается из списка, состоящего из алмазной матрицы и алмазной пленочной структуры.
7. Полупроводник по п.1, дополнительно содержащий, по меньшей мере, одно проводящее тепло сквозное соединение, проходящее через, по меньшей мере, часть поверхности одного слоя в местоположении, смещенном в сторону от проблемной тепловой области внутри упомянутого полупроводника.
8. Полупроводник по п.7, в котором сквозное соединение заполнено, по меньшей мере, частично углеродными нанотрубками.
9. Способ изготовления многослойного полупроводника, причем упомянутый способ содержит:
выбор первого кристалла;
нанесение проводящего тепло материала на, по меньшей мере, одну сопрягаемую поверхность упомянутого кристалла и
приведение упомянутой сопрягаемой поверхности упомянутого первого кристалла, имеющей упомянутый проводящий тепло материал, нанесенный на нее, в сопряженный контакт с сопрягаемой поверхностью второго кристалла.
10. Способ по п.9, в котором упомянутое нанесение материала содержит
наложение структурированной пленки на упомянутый кристалл.
11. Способ по п.10, в котором упомянутая структурированная пленка содержит алмазы.
12. Способ по п.11, также содержащий:
повторение упомянутых этапов выбора, нанесения и приведения для дополнительного кристалла.
13. Способ для рассеивания тепла в многослойном ИС-устройстве, причем упомянутый способ содержит:
допущение распространения тепла от проблемной тепловой области одного слоя многослойного ИС-устройства к межслойной области между соседними слоями упомянутого устройства и
облегчение распространения тепла в поперечном направлении в упомянутой межслойной области к, по меньшей мере, одной области рассеивания тепла, находящейся в термической связи с упомянутой межслойной областью.
14. Способ по п.13, в котором упомянутая область рассеивания тепла является сквозным соединением, выполненным через часть, по меньшей мере, одного слоя упомянутого устройства.
15. Способ по п.13, в котором упомянутая область рассеивания тепла является выступающей частью одного слоя.
16. Способ по п.13, в котором упомянутая область рассеивания тепла является проводящим тепло материалом в промежутке между соседними кристаллами в одном и том же слое упомянутого устройства, причем проводящий тепло материал в промежутке рассеивает тепло в направлении первой поверхности устройства.
17. Способ по п.16, в котором упомянутый проводящий тепло материал является электрически изолирующим.
18. Способ по п.13, в котором упомянутое расположение содержит:
нанесение проводящего тепло материала на поверхность слоя, по меньшей мере, одним из следующих способов: ХОГФ, ФОГФ, эжектирование, нанесение.
19. Способ по п.18, в котором упомянутый проводящий тепло материал является структурированной пленкой.
20. Способ по п.17, в котором упомянутый проводящий тепло материал содержит алмазы.
21. Многослойный полупроводник, содержащий:
первый и второй слои, имеющие элементы, сконструированные в них; и
проводящий тепло материал, расположенный между металлическими слоями внутри упомянутых первого и второго слоев, причем проводящий тепло материал имеет более высокую тепловую проводимость по сравнению с тепловой проводимостью упомянутых первого и второго слоев.
22. Полупроводник по п.21, в котором упомянутый проводящий тепло материал содержит алмазы.