ТЕРМОРЕЗИСТОР

Теморезистор, содержащий слабопроводящую структуру и частицы проводящего наполнителя в виде частиц металла, сплава или восстановленного оксида металла, отличающийся тем, что терморезистор содержит матрицу (диэлектрик или высокоомный полупроводник) и проводник (частицы графита, металла, сплава или восстановленного оксида металла), причем КТР матрицы должен быть больше КТР проводника в 5-50 раз и иметь удельное объемное сопротивление на 2-20 порядков больше, чем удельное объемное сопротивление проводника, проводник должен быть мелкодисперсным с размером зерна 1-10 мкм и иметь объемную концентрацию на 2-10% меньше порога перколяции данной структуры.