СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЯ С ПОКРЫТИЕМ ИЗ ОКСИДА ЦИНКА

1. Способ химического осаждения из паровой фазы для нанесения покрытия из оксида цинка на основу, в котором осуществляют
формирование первого потока газообразных исходных веществ, включающего цинксодержащее соединение,
формирование второго потока газообразных исходных веществ, включающего воду,
подачу первого и второго потоков газообразных исходных веществ в зону вблизи поверхности стеклянной основы, на которую наносится покрытие, и
смешивание первого и второго потоков газообразных исходных веществ с образованием смеси исходных веществ и взаимодействием этой смеси с поверхностью основы, которая имеет температуру, достаточную для начала реакции между указанными цинксодержащим соединением и водой,
причем первый и второй потоки газообразных исходных веществ смешивают в течение короткого промежутка времени, достаточного для образования на поверхности покрытия из оксида цинка при скорости осаждения более 5 нм/с.
2. Способ по п.1, в котором стеклянную основу нагревают до температуры не менее 400°С.
3. Способ по п.2, в котором стеклянную основу нагревают до температуры 500-700°С.
1
2
1
2
3
4
5
6
7
8
n
2
m
n
4. Способ по п.1, в котором цинксодержащее соединение имеет формулу RRZn или RRZn-[RRN(CHR)(CH)(CHR)NRR], где
1-8
R могут быть одинаковыми или разными алкильными или арильными группами, такими как метил, этил, изопропил, н-пропил, н-бутил, втор-бутил, фенил или замещенный фенил, и могут включать один или несколько фторсодержащих заместителей,
5
6
R и R могут представлять собой Н-группу или алкильную, или арильную группы,
n может равняться 0 или 1, а
m может равняться 1-6, если n=0, и m может равняться 0-6, если n=1.
5. Способ по п.1, в котором цинксодержащее соединение и воду смешивают в течение менее 1 с.
6. Способ по п.5, в котором цинксодержащее соединение и воду смешивают в течение менее 0,5 с.
7. Способ по п.6, в котором цинксодержащее соединение и воду смешивают в течение 70-100 мс.
8. Способ по п.1, в котором скорость осаждения покрытия из оксида цинка составляет более 20 нм/с.
9. Способ по п.1, в котором молярная концентрация смеси газообразных исходных веществ составляет от 3 до 14 мол.%.
2
2
2
2
2
2
2
2
10. Способ по п.4, в котором цинксодержащее соединение выбрано из группы, включающей MeZn или MeZn·ТМПДА (ТМПДА=N,N,N′,N′-тетраметил-1,3-пропандиамин), или MeZn·ТЭЭДА (ТЭЭДА=N,N,N′,N′-тетраэтилэтилендиамин), или - MeZn·ТМЭДА (ТМЭДА=N,N,N′,N′-тетраметилэтилендиамин), или EtZn, или EtZn·ТЭЭДА, или EtZn·ТМПДА, или EtZn·ТМЭДА.
11. Способ химического осаждения из паровой фазы для нанесения покрытия из оксида цинка на основу, в котором осуществляют
формирование первого потока газообразных исходных веществ, включающего цинксодержащее соединение,
формирование второго потока газообразных исходных веществ, включающего источник кислорода, содержащий воду,
подачу первого и второго потоков газообразных исходных веществ в зону вблизи поверхности стеклянной основы, на которую наносят покрытие, и
смешивание первого и второго потоков газообразных исходных веществ с образованием смеси исходных веществ и взаимодействием этой смеси с поверхностью основы, которая имеет температуру, достаточную для начала реакции между указанными цинксодержащим соединением и водой,
причем первый и второй потоки газообразных исходных веществ смешивают в течение короткого промежутка времени, достаточного для образования на поверхности покрытия из оксида цинка при скорости осаждения более 5 нм/с.
12. Способ по п.11, в котором источником кислорода, содержащим воду, является спирт, содержащий заданное количество воды.
13. Способ по п.12, в котором используют спирт 2-бутанол, а заданное количество воды составляет от 1 до 10 мол.%.