СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК И ПОДЛОЖКА, ОБРАБОТАННАЯ ЭТИМ СПОСОБОМ

1. Способ обработки подложек, включающий в себя: распределение частиц на поверхности подложки; и формирование вогнуто-выпуклой структуры на поверхности подложки путем травления поверхности подложки с частицами как маской и одновременного удаления маски травлением.
2. Способ обработки подложек по п.1, причем частицы образованы из органических материалов.
3. Способ обработки подложек по п.2, причем диаметр частиц составляет 0,01 мкм или более и до 10 мкм или менее.
4. Способ обработки подложек по п.1, причем подложка является сапфировой подложкой для светодиода, который формируется со светоизлучающим слоем на поверхности.
5. Способ обработки подложек по п.1, причем подложка является кремниевой подложкой для солнечного элемента, которая образована со слоем фотоэлектрического преобразователя на поверхности.
6. Подложка, содержащая поверхность, на которой распределены частицы; и вогнуто-выпуклую структуру, которая сформирована на поверхности путем проведения обработки травлением с частицами как маской и удаления частиц.