СЛОИСТАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ OLED И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТАКОЙ СТРУКТУРЫ

1.Слоистая структура, пригодная в качестве подложки для органического светоизлучающего устройства (OLED), причем упомянутая структура включает в себя:
(i) светопропускающую стеклянную подложку,
2
3
(ii) диффузионный внутренний выводящий слой (IEL) с наружным слоем, выполненным из стекла, содержащего, по меньшей мере, 30 вес.% BiO, сформированный на одной стороне светопропускающей стеклянной подложки,
(iii) кислотостойкий барьерный слой, сформированный на внутреннем выводящем слое (IEL), причем упомянутый кислотостойкий барьерный слой имеет двуслойную структуру, выполненную из
2
3
2
2
2
осажденного методом атомно-слоевого осаждения (ALD) металооксидного слоя в контакте с IEL, причем оксид металла выбран из группы, состоящей из оксида алюминия (AlO), оксида титана (TiO), оксида циркония (ZrO) и оксида гафния ((HfO), и
x
y
осажденного напылением слоя SiON в контакте с полученным осаждением методом ALD металлоксидным слоем.
2. Слоистая структура по п.1, дополнительно включающая в себя (iv) прозрачный электродный слой на кислотостойком барьерном слое.
3. Слоистая структура по п.2, в которой прозрачный электродный слой включает в себя слой прозрачного электропроводящего оксида (TCO).
4. Слоистая структура по п.3, в которой прозрачный электродный слой дополнительно включает в себя металлический слой, предпочтительно слой из Mo-Al-Mo, в контакте со слоем прозрачного электропроводящего оксида.
5. Слоистая структура по п.3, в которой прозрачный электродный слой дополнительно включает в себя металлическую решетку в контакте со слоем прозрачного электропроводящего оксида.
6. Слоистая структура по любому из пп.1-5, в которой осажденный методом ALD металлооксидный слой имеет толщину в диапазоне от 5 до 100 нм, предпочтительно в диапазоне от 10 до 50 нм.
x
y
7. Слоистая структура по любому из пп.1-5, в которой слой SiON имеет толщину в диапазоне от 5 до 200 нм, предпочтительно в диапазоне от 10 до 100 нм.
x
y
8. Слоистая структура по любому из пп.1-5, в которой слой SiON имеет показатель преломления (при 550 нм), по меньшей мере, 1,8, предпочтительно, по меньшей мере, 1,9.
9.Способ получения слоистой структуры по любому из пп.1-8, причем способ включает в себя следующие последовательные стадии:
2
3
(a) обеспечение светопропускающей подложки с диффузионным внутренним выводящим слоем (IEL), образованным на одной стороне светопропускающей подложки, причем наружный слой упомянутого внутреннего выводящего слоя изготавливают из стекла, содержащего, по меньшей мере, 30 вес.% BiO,
2
3
2
2
2
(b) осаждение методом атомно-слоевого осаждения (ALD) на поверхность IEL слоя оксида металла, выбранного из группы, состоящей из оксида алюминия (AlO), оксида титана (TiO), оксида циркония (ZrO) и оксида гафния (HfO),
(c) промывание получившейся подложки с осажденным методом ALD покрытием,
x
y
(d) осаждение напылением слоя SiON на промытую подложку с осажденным методом ALD покрытием.
x
y
10. Способ по п.9, также включающий дополнительную стадию (e) осаждения слоя прозрачного электропроводящего оксида (TCO) на слой SiON.
11. Способ по п.10, также включающий дополнительную стадию (f) осаждения металлического слоя на слой прозрачного проводящего оксида.
12. Способ по п.10 или 11, также включающий дополнительную стадию формирования рисунка слоя TCO, а также необязательного металлического слоя, с помощью фотолитографии и кислотного мокрого травления.
13. Способ по п.9, в котором стадия промывания включает погружение подложки с осажденным методом ALD покрытием в моющий раствор, ополаскивание водой и сушку.
14. Способ по п.13, котором стадия промывания включает в себя воздействие ультразвуком на подложку с осажденным методом ALD покрытием во время погружения в моющий раствор и во время ополаскивания водой.