СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБОСОБЛЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ ГИТРИДОВ ЭЛЕМЕНТОВ III ГРУППЫ

1. Способ изготовления обособленной пластины (6) нитридов элементов III группы, причем способ включает стадии:
- выращивания при температуре выращивания внутри реактора (7) выращивания первого слоя (2) нитридов элементов III группы на инородной подложке (1) для выращивания,
- выращивания при температуре выращивания внутри реактора (7) выращивания второго слоя (5) нитридов элементов III группы на первом слое (2) нитридов элементов III группы, и
- отделения путем лазерного отслаивания второго слоя (5) нитридов элементов III группы от подложки (1) для выращивания так, чтобы образовать обособленную пластину (6) нитридов элементов III группы,
отличающийся тем, что
- стадию отделения путем лазерного отслаивания второго слоя (5) нитридов элементов III группы от подложки для выращивания посредством лазерного отслаивания выполняют при температуре выращивания и внутри реактора (7) выращивания, и что
- способ также включает стадию обработки первого слоя нитридов элементов III группы путем лазерной обработки при температуре выращивания внутри реактора (7) выращивания перед выращиванием второго слоя нитридов элементов III группы так, чтобы обеспечить области (4) снятия напряжения в первом слое (2) нитридов элементов III группы.
2. Способ по п.1, в котором стадию отделения путем лазерного отслаивания второго слоя (5) нитридов элементов III группы от подложки (1) для выращивания выполняют при температуре, которая находится в пределах ±50°C от температуры выращивания.
3. Способ по п.1, в котором стадия обработки первого слоя (2) нитридов элементов III группы путем лазерной обработки включает по меньшей мере одно из следующего: отрезание, сверление и травление.
4. Способ по п.3, в котором стадия обработки первого слоя (2) нитридов элементов III группы путем лазерной обработки включает образование бороздок, отверстий или других полостей (3) в первом слое нитридов элементов III группы.
5. Способ по любому из пп.1-4, в котором на стадии выращивания при температуре выращивания внутри реактора выращивания первого слоя (2) нитридов элементов III группы на инородной подложке (1) для выращивания образуют первый слой нитридов элементов III группы, содержащий множество подслоев.
6. Реактор (7) выращивания для выращивания слоев (2, 5) нитридов элементов III группы на инородной подложке (1) для выращивания, где реактор выращивания содержит первую зону (8) для указанного выращивания слоев нитридов элементов III группы путем ХОПФ, отличающийся тем, что реактор (7) выращивания также содержит
- вторую зону (9) и систему (10) лазерного отслаивания для отделения во второй зоне путем лазерного отслаивания от обратной стороны слоя (5) нитридов элементов III группы подложки (1) для выращивания, и
- систему (11) лазерной обработки для обработки во второй зоне (9) с передней стороны слоя (2) нитридов элементов III группы, выращенного в первой зоне (8), так, чтобы обеспечить области (4) снятия напряжения в слое нитридов элементов III группы.
7. Реактор (7) выращивания по п.6, в котором система (11) лазерной обработки смонтирована для обработки слоя (2) нитридов элементов III группы путем по меньшей мере одного из следующего: лазерного отрезания, сверления и травления.