ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

1. Полупроводниковое запоминающее устройство, содержащее
энергонезависимую матрицу памяти с последовательным доступом, которая имеет адрес ячейки с ограничением записи заранее установленной адресной единицы, которая запоминает данные, характеризующиеся возрастанием значения;
модуль сохранения данных для записи, который сохраняет данные для записи, подлежащие записи по адресу ячейки с ограничением записи с использованием заранее установленной адресной единицы;
модуль записи данных, который записывает сохраненные данные для записи по адресу ячейки с ограничением записи с использованием заранее установленной адресной единицы;
модуль считывания, который считывает существующие данные, запомненные по адресу ячейки с ограничением записи в матрице памяти;
модуль определения, который определяет, больше или равно либо нет значение сохраненных данных для записи значения считанных существующих данных; и
блок управления, который в том случае, когда значение данных для записи больше или равно значению существующих данных, выполняет запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи матрицы памяти с использованием модуля записи.
2. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.1, в котором,
когда значение данных для записи меньше значения существующих данных, блок управления не выполняет запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи.
3. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.1, в котором,
когда отсчет адресов ячеек с ограничением записи составит n раз (где n - натуральное число) заранее установленной адресной единицы,
модуль определения определяет, больше или равно либо нет значение данных для записи значения существующих данных для каждой заранее установленной адресной единицы, и
для всех адресов ячеек с ограничением записи, когда значение существующих данных больше или равно значению данных для записи, блок управления выполняет запись данных для записи с использованием модуля записи по всем адресам ячеек с ограничением записи матрицы памяти.
4. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.3, в котором
для любого из адресов ячеек с ограничением записи, когда значение данных для записи меньше значения существующих данных, блок управления не выполняет запись данных для записи по всем адресам ячеек с ограничением записи.
5. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.1, в котором
модуль определения считывает для каждого 1 адреса данные для записи из модуля сохранения данных для записи каждый раз, когда модуль считывания считывает существующие данные для каждого 1 адреса, и определяет, больше или равно либо нет значение данных для записи значения считанных существующих данных.
6. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.1, в котором
модуль определения использует существующие данные заранее установленной адресной единицы, считанные для каждого 1 адреса модулем считывания, и данные для записи заранее установленной адресной единицы, сохраненные в модуле сохранения данных для записи, и определяет, является ли или нет значение данных для записи равным или большим значения считанных существующих данных.
7. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.1 или 6, в котором
данные запоминают в порядке от самого старшего разряда в адресе ячейки с ограничением записи в матрице памяти, и при этом
модуль записи данных выполняет запись данных в матрицу памяти в порядке от самого старшего разряда.
8. Полупроводниковое запоминающее устройство, содержащее
энергонезависимую матрицу памяти с последовательным доступом, которая имеет адрес ячейки с ограничением записи заранее установленной адресной единицы, где хранятся данные, характеризующиеся уменьшением значения;
модуль сохранения данных для записи, который сохраняет данные для записи, подлежащие записи по адресу ячейки с ограничением записи с использованием заранее установленной адресной единицы;
модуль записи данных, который записывает сохраненные данные для записи по адресу ячейки с ограничением записи с использованием заранее установленной адресной единицы;
модуль считывания, который считывает существующие данные, запомненные по адресу ячейки с ограничением записи в матрице памяти;
модуль определения, который определяет, является ли или нет значение сохраненных данных для записи равным или меньшим значения считанных существующих данных; и
блок управления, который в том случае, когда значение данных для записи меньше или равно значению существующих данных, выполняет запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи матрицы памяти с использованием модуля записи.
9. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.8, в котором,
когда значение данных для записи больше значения существующих данных, блок управления не выполняет запись данных для записи по адресу ячейки с ограничением записи.
10. Полупроводниковое запоминающее устройство, которое запоминает данные, характеризующиеся как перезаписываемые данные с возрастанием значения, причем устройство содержит
энергонезависимую матрицу памяти, которая имеет последовательный доступ и для которой имеется 8 простейших элементов данных, запоминающих один разряд данных на 1 строку, и которая имеет строку с ограничением записи, которая запоминает перезаписываемые данные;
модуль приема данных, который принимает данные для записи в единицах, кратных 8 разрядам, подлежащих записи в строку с ограничением записи матрицы памяти;
модуль сохранения данных для записи, который сохраняет 8 разрядов принятых данных для записи;
модуль записи данных, который записывает 8 сохраненных разрядов данных для записи в 8-разрядных единицах в строку с ограничением записи;
модуль считывания, который считывает существующие данные, сохраненные в простейшем элементе данных строки с ограничением записи в матрице памяти;
модуль определения, который определяет для каждой 8-разрядной единицы данных для записи, является ли или нет значение данных для записи равным или большим значения считанных существующих данных; и
блок управления, который в том случае, когда значение данных для записи больше или равно значению существующих данных для всех данных для записи в виде 8-разрядных единиц, выполняет запись данных для записи во все рассматриваемые простейшие элементы данных строки с ограничением записи с использованием модуля записи.
11. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.10, в котором,
когда значение данных для записи меньше значения существующих данных для любых данных для записи в виде 8-разрядных единиц, блок управления не выполняет запись данных для записи во все рассматриваемые простейшие элементы данных строки с ограничением записи.
12. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.10, в котором
модуль определения считывает данные для записи из модуля сохранения данных для записи для каждого 1 разряда каждый раз, когда модуль считывания считывает существующие данные для каждого 1 разряда, и определяет является ли или нет значение данных для записи равным или большим значения считанных существующих данных.
13. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.10, в котором
модуль определения использует существующие данные в виде единиц, кратных 8 разрядам, считанных для каждого 1 разряда модулем считывания, и данные для записи в виде единиц, кратных 8 разрядам, сохраненных в модуле сохранения данных для записи, и определяет, является ли или нет значение данных для записи равным или большим значения считанных существующих данных.
14. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.10 или 13, в котором
данные запоминаются последовательно от самого старшего разряда в простейшем элементе данных строки с ограничением записи, и
модуль записи данных выполняет запись данных в матрицу памяти последовательно с самого старшего разряда.
15. Полупроводниковое запоминающее устройство, которое запоминает данные, характеризующиеся как перезаписываемые данные убыванием значения, причем устройство содержит
энергонезависимую матрицу памяти, которая имеет последовательный доступ и для которой имеется 8 простейших элементов данных, где запоминают один разряд данных на 1 строку, и которая имеет строку с ограничением записи, которая запоминает перезаписываемые данные;
модуль приема данных, который принимает данные для записи в единицах, кратных 8 разрядам, подлежащих записи в строку с ограничением записи матрицы памяти;
модуль сохранения данных для записи, который сохраняет 8 разрядов принятых данных для записи;
модуль записи данных, который записывает 8 сохраненных разрядов данных для записи в 8-разрядных единицах в строку с ограничением записи;
модуль считывания, который считывает существующие данные, запомненные в простейшем элементе данных строки с ограничением записи в матрице памяти;
модуль определения, который определяет для каждой 8-разрядной единицы данных для записи, является ли или нет значение данных для записи равным или меньшим значения считанных существующих данных; и
блок управления, который в том случае, когда значение данных для записи меньше или равно значению существующих данных для всех данных для записи в виде 8-разрядных единиц, выполняет запись данных для записи во все рассматриваемые простейшие элементы данных строки с ограничением записи с использованием модуля записи.
16. Полупроводниковое запоминающее устройство по п.15, в котором,
когда значение данных для записи больше значения существующих данных для любых данных для записи в виде 8-разрядных единиц, блок управления не выполняет запись данных для записи во все рассматриваемые простейшие элементы данных строки с ограничением записи.
17. Способ управления записью данных в полупроводниковое запоминающее устройство, которое содержит энергонезависимую матрицу памяти, имеющую адрес ячейки с ограничением записи заранее установленной адресной единицы, которая запоминает данные, характеризующиеся возрастанием значения, и для которой данные записывают в матрицу памяти в заранее установленных адресных единицах, причем способ содержит этапы, на которых
считывают существующие данные, запомненные по адресу ячейки с ограничением записи в матрице памяти;
определяют то, является или нет значение данных для записи, записанных по адресу ячейки с ограничением записи, равным или большим значения считанных существующих данных; и
записывают данные для записи по адресу ячейки с ограничением записи в заранее установленных адресных единицах, когда значение данных для записи больше или равно значению существующих данных.
18. Способ управления записью данных в полупроводниковое запоминающее устройство, которое содержит энергонезависимую матрицу памяти, имеющую адрес ячейки с ограничением записи заранее установленной адресной единицы, где запоминаются данные, характеризующиеся убыванием значения, и для которой данные записывают в матрицу памяти в заранее установленных адресных единицах, причем способ содержит этапы, на которых
считывают существующие данные, запомненные по адресу ячейки с ограничением записи в матрице памяти;
определяют, является или нет значение данных для записи, записанных по адресу ячейки с ограничением записи, равным или меньшим значения считанных существующих данных; и
записывают данные для записи по адресу ячейки с ограничением записи в заранее установленных адресных единицах, когда значение данных для записи меньше или равно значению существующих данных.
19. Способ управления записью данных в полупроводниковое запоминающее устройство, которое содержит энергонезависимую матрицу памяти, имеющую строку с ограничением записи для запоминания перезаписываемых данных, характеризующихся возрастанием значения, причем матрица имеет последовательный доступ и 8 простейших элементов данных, где запоминают 1 разряд данных на 1 строку, и где данные записывают в матрицу памяти в 8-разрядных единицах, причем способ содержит этапы, на которых
принимают данные для записи в единицах, кратных 8 разрядам, подлежащих записи в матрицу памяти;
сохраняют 8 разрядов принятых данных для записи;
считывают существующие данные, запомненные в простейшем элементе данных строки с ограничением записи в матрице памяти;
определяют, является или нет значение данных для записи больше или равным значения считанных существующих данных для каждых данных для записи в виде 8-разрядных единиц, и
когда значение данных для записи больше или равно значению существующих данных для всех данных для записи в виде 8-разрядных единиц, то записывают данные для записи во все простейшие элементы данных строки с ограничением записи.
20. Способ управления записью данных в полупроводниковое запоминающее устройство, которое содержит энергонезависимую матрицу памяти, имеющую строку с ограничением записи для запоминания перезаписываемых данных, характеризующихся убыванием значения, причем матрица имеет последовательный доступ и 8 простейших элементов данных, в которых запоминается 1 разряд данных на 1 строку, причем способ содержит этапы, на которых
принимают данные для записи в единицах, кратных 8 разрядам, подлежащих записи в матрицу памяти;
сохраняют 8 разрядов принятых данных для записи;
считывают существующие данные, запомненные в простейшем элементе данных строки с ограничением записи в матрице памяти;
определяют, является ли или нет значение данных для записи меньшим или равным значения считанных существующих данных для каждых данных для записи в виде 8-разрядных единиц; и
когда значение данных для записи меньше или равно значению существующих данных для всех данных для записи в виде 8-разрядных единиц, то записывают данные для записи во все простейшие элементы данных строки с ограничением записи.
21. Полупроводниковое запоминающее устройство, содержащее
энергонезависимую матрицу памяти; и
контроллер считывания/записи, который управляет записью данных в матрицу памяти и считыванием данных из матрицы памяти; где
контроллер считывания/записи при приеме запроса на запись данных в матрицу памяти сравнивает значение многоразрядных данных для записи, которые были введены, со значением многоразрядных запомненных данных, запомненных в многоразрядной области памяти, куда должны быть записаны многоразрядные данные для записи,
если для значения каждого разряда запомненных данных имеется разряд, для которого определено, что он удовлетворяет конкретному соотношению по величине, записывает данные для записи для разряда, который был определен таким образом, после чего проверяет, соответствуют ли запомненные данные, которые были запомнены в области памяти, куда была выполнена запись, данным для записи для того разряда, который был определен, и если соответствует, то записывает данные для записи для разряда, который идет после разряда, который был определен, а если не соответствуют, запрещает запись данных для записи для всех разрядов, идущих после разряда, который был определен.
22. Полупроводниковое запоминающее устройство, содержащее
энергонезависимую матрицу памяти; и
контроллер считывания/записи, который управляет записью данных в матрицу памяти и считыванием данных из матрицы памяти; где
m
контроллер считывания/записи при приеме запроса на запись данных в матрицу памяти сравнивает значение многоразрядных данных для записи, которые были введены, со значением многоразрядных запомненных данных, запомненных в многоразрядной области памяти, куда должны быть записаны многоразрядные данные для записи, причем указанное сравнение выполняется по разрядам, начиная с наибольшего разряда из многоразрядных данных для записи, и если для значения каждого разряда запомненных данных имеется разряд, для которого определено, что он удовлетворяет конкретному соотношению по величине, контроллер записывает сразу все данные для записи для n разрядов (где n - целое число, равное 2, и где m - положительное целое число), начиная с разряда, который был определен указанным образом, после чего проверяет, соответствуют ли запомненные данные, которые были запомнены в области памяти, куда была выполнена запись, данным для записи для тех разрядов, которые были определены, и если соответствует, то записывает в n-разрядных единицах для данных для записи из разрядов, начиная от n разрядов после тех разрядов, которые были определены, а если не соответствуют, запрещает запись данных для записи из разрядов, начиная от n разрядов после тех разрядов, которые были определены указанным образом.
23. Способ управления записью в полупроводниковом устройстве, имеющем энергонезависимую матрицу памяти, причем способ содержит этапы, на которых
принимают запрос на запись данных в матрицу памяти;
сравнивают значения многоразрядных данных для записи со значением запомненных многоразрядных данных, где многоразрядные данные для записи являются данными, подлежащими вводу, и где значение запомненных многоразрядных данных запоминают в многоразрядной области памяти, куда должны быть записаны многоразрядные данные для записи; и
реализуют запись многоразрядных данных для записи, которые удовлетворяют конкретному соотношению по величине со значением запомненных данных, и запрещают запись тех многоразрядных данных для записи, которые не удовлетворяют соотношению по величине.
24. Способ управления записью в полупроводниковом устройстве, имеющем энергонезависимую матрицу памяти, причем способ содержит этапы, на которых
принимают запрос на запись данных в матрицу памяти;
сравнивают значения многоразрядных данных для записи со значением запомненных многоразрядных данных по разрядам от самого старшего разряда многоразрядных данных для записи, где многоразрядные данные для записи являются данными, подлежащими вводу, и где значение запомненных многоразрядных данных запоминают в многоразрядной области памяти, куда должны быть записаны многоразрядные данные для записи; и
если для значения каждого разряда запомненных данных имеется разряд, для которого определено, что он удовлетворяет конкретному соотношению по величине, то записывают данные для записи для разряда (разрядов), следующего за тем разрядом, для которого это было определено, а если было определено, что ни один разряд не удовлетворяет конкретному соотношению по величине, то запрещают запись данных для записи для разряда (разрядов), следующего за разрядом, для которого это было определено вышеуказанное.
25. Машиночитаемый носитель, хранящий компьютерную программу, которая управляет записью в полупроводниковом запоминающем устройстве, имеющем энергонезависимую матрицу памяти, причем компьютерная программа реализуется на компьютере и осуществляет
функцию приема запроса на запись данных в матрицу памяти;
функцию сравнения значения многоразрядных данных для записи со значением запомненных многоразрядных данных, в которой многоразрядные данные для записи являются данными, подлежащими вводу, и при этом значение запомненных многоразрядных данных запоминают в многоразрядной области памяти, куда должны быть записаны многоразрядные данные для записи; и
функцию реализации записи многоразрядных данных для записи, которые удовлетворяют конкретному соотношению по величине, со значением запомненных данных, и функцию запрещения записи тех многоразрядных данных для записи, которые не удовлетворяют соотношению по величине.
26. Машиночитаемый носитель, хранящий компьютерную программу, которая управляет записью в полупроводниковом запоминающем устройстве, имеющем энергонезависимую матрицу памяти, причем компьютерная программа реализуется на компьютере и осуществляет
функцию приема запроса на запись данных в матрицу памяти;
функцию сравнения значения многоразрядных данных для записи со значением запомненных многоразрядных данных по разрядам от самого старшего разряда многоразрядных данных для записи, при этом многоразрядные данные для записи являются данными, подлежащими вводу, и при этом значения запомненных многоразрядных данных запоминают в многоразрядной области памяти, куда должны быть записаны многоразрядные данные для записи; и
если для значения каждого разряда запомненных данных имеется разряд, для которого определено, что он удовлетворяет конкретному соотношению по величине, то функцию записи данных для записи для разряда (разрядов), следующего за тем разрядом, для которого это было определено, а если определено, что ни один разряд не удовлетворяет конкретному соотношению по величине, то функцию запрещения записи данных для записи разряда (разрядов), следующего за разрядом, для которого было определено вышеуказанное.
27. Контейнер для записывающего материала для печати для хранения записывающего материала для печати, который является съемным и может монтироваться на печатающем устройстве, причем контейнер содержит
контейнерную часть для хранения записывающего материала для печати; и
полупроводниковое запоминающее устройство, по любому из пп.1-16, 21 или 22 для запоминания информации, относящейся к количеству записывающего материала для печати.
28. Полупроводниковое запоминающее устройство, содержащее
энергонезависимую матрицу памяти для запоминания данных о количестве потребленного материала, которые представляют собой данные, относящиеся к количествам потребленных материалов и которые характеризуются увеличением своего значения;
модуль записи данных, который записывает новые данные о количестве потребленного материала, которые должны запоминаться в матрице памяти;
модуль считывания, который считывает из матицы памяти данные о количестве потребленного материала, которые уже были запомнены, и
блок управления, который выполняет запись новых данных о количестве потребленного материала через модуль записи данных, когда новые данные о количестве потребленного материала больше или равны существующим данным о количестве потребленного материала, и не записывает новые данные о количестве потребленного материала с использованием модуля записи данных, когда значение новых данных о количестве потребленного материала меньше значения существующих данных о количестве потребленного материала.
29. Контейнер для записывающего материала для печати для хранения записывающего материала для печати, который является съемным и монтируется на печатающем устройстве, причем контейнер содержит
контейнерную часть для хранения записывающего материала для печати; и
полупроводниковое запоминающее устройство по п.28 для запоминания информации, относящейся к количеству записывающего материала для печати.
30. Печатающая система, содержащая печатающее устройство и контейнер для записывающего материала для печати по п.27 или 29, который является съемным и смонтированным на печатающем устройстве, в которой
печатающее устройство включает в себя хост-компьютер, где хост-компьютер подсоединен к полупроводниковому запоминающему устройству датчика записывающего материала для печати через шину сигнала данных, шину тактового сигнала, шину сигнала сброса, положительную шину источника питания и отрицательную шину источника питания, и посылает данные о количестве записывающего материала для печати, потребленного в печатающем устройстве, в полупроводниковое запоминающее устройство; и
полупроводниковое запоминающее устройство, прикрепленное к датчику записывающего материала для печати, запоминает в матрице памяти данные о количестве, касающиеся записывающего материала для печати, которые были получены.