УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ДЛЯ КАЛИБРОВКИ ТЕРМОМЕТРА ПО МЕСТУ

Ph
1. Устройство для калибровки термометра по месту, содержащее датчик (S) температуры для определения температуры (Т), отличающееся тем, что предусмотрен эталонный элемент (К) для калибровки датчика (S) температуры, причем эталонный элемент (К), по меньшей мере, частично состоит из ферроэлектрического материала (D), который в актуальном для калибровки датчика (S) температуры температурном интервале претерпевает фазовый переход при, по меньшей мере, одной заданной температуре (Т).
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что под ферроэлектрическим материалом (D) является твердое вещество.
3. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что ферроэлектрический материал (D) имеет кристаллическую структуру и при фазовом переходе кристаллическая структура ферроэлектрического материала (D) изменяется.
4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что при фазовом переходе объем ферроэлектрического материала (D) изменяется.
5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что ферроэлектрический материал (D) имеет электрические или диэлектрические свойства, которые при фазовом переходе изменяются.
Ph
6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что фазовый переход, в частности изменение электрических или диэлектрических свойств ферроэлектрического материала (D), происходит скачкообразно при, по меньшей мере, одной заданной температуре (Т).
7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что эталонный элемент (К) состоит из конденсаторного элемента с диэлектриком, причем диэлектрик конденсаторного элемента, по меньшей мере, частично состоит из ферроэлектрического материала (D).
8. Устройство по п.1, отличающееся тем, что ферроэлектрический материал (D) выполнен в виде подложки для датчика (S) температуры.
9. Устройство по п.8, отличающееся тем, что при, по меньшей мере, одной заданной температуре происходит фазовый переход ферроэлектрического материала подложки из ферроэлектрического состояния в параэлектрическое состояние, или из параэлектрического состояния в ферроэлектрическое состояние, и/или между различными кристаллическими структурами.
10. Устройство по п.1, отличающееся тем, что ферроэлектрический материал (D) выполнен в виде подложки для изготовленного в тонкопленочной технологии или в толстопленочной технологии резисторного элемента.
11. Устройство по п.1, отличающееся тем, что под заданной температурой понимается температура фазового перехода, причем ферроэлектрический материал легирован примесными атомами, в частности, для оказания воздействия на температуру фазового перехода и/или на образование кристаллических доменов.
12. Устройство по п.1, отличающееся тем, что ферроэлектрический материал, в частности, для формирования подобных кристаллических доменов, легирован двухатомными ионами щелочноземельного металла и/или ионами металлов подгруппы Периодической системы элементов.
13. Устройство по п.12, отличающееся тем, что процент легирования ферроэлектрического материала двухатомными ионами щелочноземельного металла и/или ионами металлов подгруппы периодической системы элементов составляет до 1%.
14. Устройство по п.1, отличающееся тем, что ферроэлектрический материал, в частности, для оказания воздействия на температуру фазового перехода, легирован стронцием, свинцом и/или титанатом.
15. Устройство по п.1, отличающееся тем, что процент легирования ферроэлектрического материала стронцием, свинцом и/или титанатом составляет до 80%.
16. Устройство по п.1, отличающееся тем, что служащее для поляризации ферроэлектрического материала напряжение может быть приложено к ферроэлектрическому материалу.
17. Устройство по п.1, отличающееся тем, что служащее для поляризации подложки напряжение может быть приложено, в частности, через конденсаторное устройство, которое состоит из двух электродов, между которыми расположена подложка.
18. Устройство по п.1, отличающееся тем, что датчик (S) температуры и эталонный элемент (К) расположены в одной единственной верхней части датчика.
Ph
19. Способ калибровки термометра по месту, причем для определения температуры (Т) используют датчик (S) температуры, отличающийся тем, что для калибровки используют эталонный элемент (К), причем эталонный элемент (К), по меньшей мере, частично состоит из ферроэлектрического материала (D) и, что при, по меньшей мере, одной заданной температуре (Т) для калибровки датчика (S) температуры используют фазовый переход ферроэлектрического материала (D).
20. Способ по п.19, отличающийся тем, что в качестве ферроэлектрического материала (D) используют твердое вещество.
21. Способ по п.19 или 20, отличающийся тем, что за счет фазового перехода, по меньшей мере, частично состоящего из ферроэлектрического материала (D) твердого вещества, кристаллическая структура, объем и/или диэлектрические или электрические свойства ферроэлектрического материала (D) изменяют и, по меньшей мере, одно из этих изменений используют для калибровки датчика (S) температуры.
22. Способ по п.19, отличающийся тем, что датчик (S) температуры и эталонный элемент (К) подвергают воздействию, в основном, одной и той же температуры окружающей среды.
Ph
23. Способ по п.19, отличающийся тем, что термометр нагревают или охлаждают для индуцирования фазового перехода ферроэлектрического материала (D) при заданной температуре (Т).
24. Способ по п.19, отличающийся тем, что используют легированный примесными атомами ферроэлектрический материал, в частности, для оказания воздействия на температуру фазового перехода и/или на образование кристаллических доменов.
25. Способ по п.19, отличающийся тем, что легированный двухатомными ионами щелочноземельного металла и/или ионами металлов подгруппы периодической системы элементов ферроэлектрический материал используют для образования подобных кристаллических доменов.
26. Способ по п.19, отличающийся тем, что легированный стронцием, свинцом и/или титанатом ферроэлектрический материал используют, в частности, для оказания воздействия на температуру фазового перехода.
27. Способ по п,19, отличающийся тем, что служащее для поляризации ферроэлектрического материала напряжение может быть приложено к ферроэлектрическому материалу.
28. Способ по п.19, отличающийся тем, что служащее для поляризация подложки напряжение, в частности, посредством конденсаторного устройства, состоящего из двух электродов, между которыми располагается подложка, прикладывают к подложке.