ПОДЛОЖКА АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ДИСПЛЕЙНЫЙ БЛОК, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ДИСПЛЕЙНОЕ УСТРОЙСТВО И ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ПРИЕМНИК

1. Подложка активной матрицы, содержащая:
линии сигнала данных, проходящие в направлении столбцов;
линии сигнала развертки, проходящие в направлении строк;
первые транзисторы, каждый из которых соединен с одной соответствующей линией сигнала данных и одной соответствующей линией сигнала развертки;
вторые транзисторы, каждый из которых соединен с одной соответствующей линией сигнала данных и одной соответствующей линией сигнала развертки;
третьи транзисторы, каждый из которых соединен с линией сигнала развертки, соседней по отношению к указанной одной соответствующей линией сигнала развертки; и
линии запоминающего конденсатора,
при этом каждая пиксельная область содержит: (i) первый пиксельный электрод, соединенный с каждым первым транзистором, (ii) второй пиксельный электрод, соединенный с каждым вторым транзистором, (iii) связующий электрод и (iv) первый и второй конденсаторные электроды, расположенные в слое, в котором расположена указанная одна соответствующая линия сигнала данных,
связующим электродом и вторым пиксельным электродом образован конденсатор, связующий электрод соединен с первым пиксельным электродом через каждый третий транзистор,
первый конденсаторный электрод и одна соответствующая линия запоминающего конденсатора перекрываются через первую изолирующую пленку, первый конденсаторный электрод соединен с первым пиксельным электродом,
второй конденсаторный электрод и одна соответствующая линия запоминающего конденсатора перекрываются через первую изолирующую пленку, а второй конденсаторный электрод соединен со вторым пиксельным электродом.
2. Подложка по п.1, в которой:
связующий электрод и второй пиксельный электрод перекрываются через вторую изолирующую пленку,
первый конденсаторный электрод и первый пиксельный электрод соединены через первое контактное окно, проходящее через вторую изолирующую пленку, а второй конденсаторный электрод и второй пиксельный электрод соединены через второе контактное окно, проходящее через вторую изолирующую пленку.
3. Подложка по п.1, в которой перекрываются весь первый конденсаторный электрод и указанная одна соответствующая линия запоминающего конденсатора и перекрываются весь второй конденсаторный электрод и указанная одна соответствующая линия запоминающего конденсатора.
4. Подложка по любому из пп.1-3, в которой связующий электрод и одна соответствующая линия запоминающего конденсатора перекрываются через первую изолирующую пленку.
5. Подложка по любому из пп.1-3, в которой первый конденсаторный электрод, связующий электрод и второй конденсаторный электрод расположены в направлении строк в указанном порядке.
6. Подложка по любому из пп.1-3, в которой первая изолирующая пленка представляет собой изолирующую пленку затвора.
7. Подложка по п.2, в которой вторая изолирующая пленка представляет собой межслойную изолирующую пленку, покрывающую канал транзистора.
8. Подложка по п.7, в которой область межслойной изолирующей пленки тоньше, чем окружающая ее область, и является по меньшей мере частью, в которой перекрываются межслойная изолирующая пленка, связующий электрод и второй пиксельный электрод.
9. Подложка по п.8, в которой
межслойная изолирующая пленка имеет структуру, в которой неорганическая межслойная изолирующая пленка и органическая межслойная изолирующая пленка наложены одна на другую, а
в указанной области межслойной изолирующей пленки органическая межслойная изолирующая пленка тоньше, чем окружающая ее область, или органическая межслойная изолирующая пленка удалена.
10. Подложка по любому из пп.1-3 или 7-9, в которой зазор между первым и вторым пиксельными электродами служит выравнивающим управляющим устройством.
11. Подложка активной матрицы, содержащая:
линии сигнала данных, проходящие в направлении столбцов;
линии сигнала развертки, проходящие в направлении строк;
первые транзисторы, каждый из которых соединен с одной соответствующей линией сигнала данных и одной соответствующей линией сигнала развертки;
вторые транзисторы, каждый из которых соединен с одной соответствующей линией сигнала данных и одной соответствующей линией сигнала развертки;
третьи транзисторы, каждый из которых соединен с линией сигнала развертки, соседней по отношению к указанной одной соответствующей линии сигнала развертки; и
линии запоминающего конденсатора,
при этом каждая пиксельная область содержит: (i) первый пиксельный электрод, соединенный с каждым первым транзистором, (ii) второй пиксельный электрод, соединенный с каждым вторым транзистором, и (iii) связующий электрод,
каждый первый и второй пиксельные электроды и одна соответствующая линия запоминающего конденсатора перекрываются,
связующим электродом и вторым пиксельным электродом образован конденсатор, связующий электрод соединен с первым пиксельным электродом через каждый третий транзистор,
по меньшей мере первая область изолирующего слоя и по меньшей мере вторая область изолирующего слоя являются более тонкими, чем окружающие их области, изолирующий слой расположен между слоем, в котором расположена указанная одна соответствующая линия запоминающего конденсатора, и слоем, в котором расположены первый и второй пиксельные электроды, первая область представляет собой по меньшей мере часть, в которой перекрываются изолирующий слой, указанная одна соответствующая линия запоминающего конденсатора и первый пиксельный электрод, а вторая область представляет собой по меньшей мере часть, в которой перекрываются изолирующий слой, указанная одна соответствующая линия запоминающего конденсатора и второй пиксельный электрод.
12. Подложка по п.11, в которой изолирующая пленка имеет структуру, в которой изолирующая пленка затвора и межслойная изолирующая пленка, покрывающая канал транзистора, наложены одна на другую.
13. Подложка по п.12, в которой указанная межслойная изолирующая пленка удалена (i) в указанной первой области изолирующей пленки и (ii) в указанной второй области изолирующей пленки.
14. Подложка по п.12, в которой межслойная изолирующая пленка тоньше указанных окружающих областей (i) в указанной первой области изолирующей пленки и (ii) в указанной второй области изолирующей пленки.
15. Подложка по п.14, в которой:
межслойная изолирующая пленка имеет структуру, в которой неорганическая межслойная изолирующая пленка и органическая межслойная изолирующая пленка наложены одна на другую, а
в (i) указанной первой области межслойной изолирующей пленки и (ii) указанной второй области межслойной изолирующей пленки органическая межслойная изолирующая пленка является более тонкой, чем окружающие области, или органическая межслойная изолирующая пленка удалена.
16. Подложка по п.12, в которой изолирующая пленка затвора удалена (i) в указанной первой области изолирующей пленки и (ii) в указанной второй области изолирующей пленки.
17. Подложка по п.12, в которой изолирующая пленка затвора тоньше, чем окружающие области (i) в указанной первой области изолирующей пленки и (ii) в указанной второй области изолирующей пленки.
18. Подложка по п.17, в которой:
изолирующая пленка затвора имеет структуру, в которой органическая изолирующая пленка затвора и неорганическая изолирующая пленка затвора наложены одна на другую,
а (i) в указанной первой области изолирующей пленки затвора и (ii) в указанной второй области изолирующей пленки затвора органическая изолирующая пленка затвора тоньше, чем окружающие области, или органическая изолирующая пленка затвора удалена.
19. Подложка по п.12, в которой связующий электрод и второй пиксельный электрод перекрываются через межслойную изолирующую пленку.
20. Подложка по п.12, в которой связующий электрод и указанная одна соответствующая линия запоминающего конденсатора перекрываются через изолирующую пленку затвора.
21. Подложка по п.19, в которой область межслойной изолирующей пленки тоньше, чем окружающая ее область, причем указанная область представляет собой по меньшей мере часть, в которой перекрываются межслойная изолирующая пленка, связующий электрод и второй пиксельный электрод.
22. Подложка по п.21, в которой:
межслойная изолирующая пленка имеет структуру, в которой неорганическая межслойная изолирующая пленка и органическая межслойная изолирующая пленка наложены одна на другую, а
в указанной области межслойной изолирующей пленки органическая межслойная изолирующая пленка тоньше, чем окружающая область, или органическая межслойная изолирующая пленка удалена.
23. Подложка по любому из пп.11-22, в которой зазор между первым и вторым пиксельными электродами служит выравнивающим управляющим устройством.
24. Подложка активной матрицы, содержащая:
линии сигнала данных;
линии сигнала развертки;
первые транзисторы, каждый из которых соединен с одной соответствующей линией сигнала данных и одной соответствующей линией сигнала развертки;
вторые транзисторыв, каждый из которых соединен с одной соответствующей линией сигнала данных и одной соответствующей линией сигнала развертки;
третьи транзисторы, каждый из которых соединен с линией сигнала развертки, соседней по отношению к указанной одной соответствующей линии сигнала развертки; и
линии запоминающего конденсатора,
при этом каждая пиксельная область содержит (i) первый пиксельный электрод, соединенный с каждым первым транзистором, (ii) второй пиксельный электрод, соединенный с каждым вторым транзистором, и (iii) первый и второй конденсаторные электроды и управляющий электрод, каждый из которых расположен в слое, в котором расположена указанная одна соответствующая линия сигнала данных,
управляющий электрод и одна соответствующая линия запоминающего конденсатора перекрываются через первую изолирующую пленку,
первый конденсаторный электрод и одна соответствующая линия запоминающего конденсатора перекрываются через первую изолирующую пленку, первый конденсаторный электрод соединен с первым пиксельным электродом,
второй конденсаторный электрод и указанная одна соответствующая линия запоминающего конденсатора перекрываются через первую изолирующую пленку, второй конденсаторный электрод соединен со вторым пиксельным электродом, а
управляющий электрод соединен со вторым пиксельным электродом через каждый третий транзистор.
25. Подложка по п.24, дополнительно содержащая вторую изолирующую пленку, которая (i) расположена в слое между (а) слоем, в которой расположены каналы каждого первого транзистора и каждого второго транзистора, и (b) слоем, в котором расположены первый и второй пиксельные электроды, (ii) содержит органическое вещество и (iii) толще, чем первая изолирующая пленка.
26. Подложка по п.24, в которой управляющий электрод и первый или второй пиксельный электроды перекрываются через вторую изолирующую пленку.
27. Жидкокристаллическая панель, содержащая:
подложку активной матрицы по п.11 и
противоположную подложку, которая обращена к подложке активной матрицы
и поверхность которой имеет поверхность, из которой выступает область, соответствующая части, в которой изолирующий слой имеет малую толщину.
28. Панель по п.27, в которой:
линии запоминающего конденсатора проходят в направлении строк, а
указанная область расположена между двумя краями указанной одной соответствующей линии запоминающего конденсатора из линии запоминающего конденсатора, проходящих в направлении строк, когда указанная область спроектирована на слой, в котором выполнена указанная одна соответствующая линия запоминающего конденсатора.
29. Панель, содержащая подложку активной матрицы по любому из пп.1-26.
30. Жидкокристаллический дисплейный блок, содержащий:
жидкокристаллическую панель по любому из пп.27-29 и
формирователь сигнала.
31. Жидкокристаллическое дисплейное устройство, содержащее:
жидкокристаллический дисплейный блок по п.30 и
источник света.
32. Телевизионный приемник, содержащий:
жидкокристаллическое дисплейное устройство по п.31 и
тюнер для приема сигнала телевизионной трансляции.