ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ МНОГОСЛОЙНАЯ СТРУКТУРА, КОМПОНЕНТ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ТАКУЮ СТРУКТУРУ, И СПОСОБ ЕЕ ОСАЖДЕНИЯ

1. Коррозионностойкая тонкопленочная многослойная структура, обладающая низкой скоростью изнашивания и низким коэффициентом трения, отличающаяся тем, что она содержит:
от 1 до 1000 групп, предпочтительно, от 1 до 500 групп, причем одна группа содержит от 2 до 100 слоев (А, В) на основе углерода, кремния и водорода, предпочтительно, от 2 до 10 слоев; и
необязательно, функциональный поверхностный слой (FSL).
2. Структура по п.1, отличающаяся тем, что ее общая толщина составляет 10 мкм или менее.
3. Структура по п.2, отличающаяся тем, что ее общая толщина составляет от 1 до 6 мкм.
4. Структура по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что каждый слой (А, В) в группе состоит из углерода, кремния и водорода с атомным отношением Si/C в диапазоне от 0,3 до 1,5 и содержит от 10 до 30 ат.% водорода.
5. Структура по п.1, отличающаяся тем, что толщина (ад, ав) каждого слоя изменяется от 5 нм до 5 мкм.
6. Структура по п.1 или 2, отличающаяся тем, что каждый слой (А, В) группы, независимо от других слоев в группе, обладает твердостью от 1 до 100 ГПа и модулем Юнга от 10 до 600 ГПа.
7. Структура по п.1, отличающаяся тем, что функциональный поверхностный слой (FSL) содержит, главным образом, углерод.
8. Структура по п.7, отличающаяся тем, что функциональный поверхностный слой (FSL) содержит от 30 до 100% углерода.
9. Структура по п.7 или 8, отличающаяся тем, что
функциональный поверхностный слой (FSL) содержит дополнительные элементы, выбранные из кремния, водорода, серы, фтора, титана и вольфрама, в пропорции от 0 до 70 ат.%.
10. Структура по п.1, отличающаяся тем, что толщина (dpsi.) функционального поверхностного слоя составляет 3 мкм или менее.
11. Структура по п.10, отличающаяся тем, что толщина (dpsb) функционального поверхностного слоя составляет от 1 нм до 2 мкм.
12. Коррозионностойкий компонент, обладающий низкой скоростью изнашивания и низким коэффициентом трения, отличающийся тем, что он содержит:
металлическую основу, выполненную из материала, который не повреждается при нагревании до температур до 600°С;
связующий слой, расположенный между основой и покрытием; и
покрытие, покрывающее связующий слой, при этом покрытие представляет собой тонкопленочную многослойную структуру по любому из пп.1-11.
13. Компонент по п.12, отличающийся тем, что металлическая основа выполнена из титана или одного из его сплавов, быстрорежущей стали, нержавеющей стали или карбида.
14. Компонент по п.12 или 13, отличающийся тем, что связующий слой является азотированным, цементированным, нитроцементированным или силицированным.
15. Компонент по п.12 или 13, отличающийся тем, что толщина связующего слоя составляет от 0,1 до 100 мкм.
16. Способ осаждения покрытия в виде коррозионностойкой тонкопленочной многослойной структуры с низкой скоростью изнашивания и низким коэффициентом трения на металлическую основу, выполненную из материала, не повреждающегося при нагревании до температур ниже 600°С, путем химического осаждения из газовой фазы, активированного микроволновой плазмой и/или низкочастотной плазмой, включающий следующие последовательные этапы, на которых:
1) устанавливают основу на опору в камере, содержащей зону введения/извлечения и активную зону, в которой может находиться плазма максимальной плотности, при этом этап установки сопровождается следующими этапами обработки поверхности, на которых:
2) создают в камере первичный вакуум, а затем - вторичный вакуум;
3) выполняют травление основы в активной зоне путем введения в первичный вакуум травильного газа, создают плазму этого газа в зоне разряда и отдельно нагревают основу до регулируемой температуры от 200 до 600°С;
4) формируют связующий слой путем введения в активную зону камеры предварительно обработанного газа для замещения плазмы травильного газа плазмой предварительно обработанного газа, при этом продолжая нагревать основу и поддерживать указанную регулируемую температуру;
5) формируют многослойную структуру по любому из пп.1-11 путем введения в активную зону химически активного газа, причем химически активный газ содержит единственное соединение с тетраэдрической кремниевой структурой или кремнийсодержащую смесь для замещения плазмы предварительно обработанного газа химически активным газом, при этом продолжая нагревать основу и поддерживать указанную регулируемую температуру, причем различные слои образуют посредством изменения мощности микроволнового генератора и/или частоты и/или напряжения низкочастотного генератора;
6) необязательно осаждают в активной зоне функционально поверхностный слой путем введения другого химически активного газа для замещения плазмы газа для получения многослойной структуры плазмой химически активного газа, при этом продолжая нагревать основу и поддерживать указанную регулируемую температуру; и
-3
-3
7) прекращают введение химически активного газа на этапе 5) или этапе 6) после окончания заданного времени введения газа, соответствующего получению требуемой толщины функционального поверхностного слоя, и охлаждают основу, при этом величина первичного вакуума, созданного в камере, соответствует давлению от 0,13 до 133,3 Па (от 10 до 1 торр), предпочтительно, от 0,13 до 66,7 Па (от 10 до 0,5 торр).
17. Способ по п.16, отличающийся тем, что предварительно обработанный газ содержит азот, и/или углерод, и/или водород, и/или кремний.
18. Способ по п.17, отличающийся тем, что предварительно обработанный газ содержит не более, около 20% азота и/или метана, смешанных с аргоном.
19. Способ по любому из пп.16-18, отличающийся тем, что химически активный газ на этапе 5) содержит тетраметилсилан или тетраэтилсилан, сами по себе или в виде смеси, или смесь предшественников углеводородов и/или кремнийсодержащих соединений.
20. Способ по п.19, отличающийся тем, что химически активный газ также содержит водород и/или аргон.