ФЕРРОМАГНИТНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА

2
2
Ферромагнитная полупроводниковая гетероструктура, включающая ферромагнитную при температурах не менее 300 К пленку легированного полупроводникового диоксида титана на полупроводниковой подложке, отличающаяся тем, что пленка диоксида титана легирована ванадием в количестве от 3 до 18 ат.% по отношению к титану, имеет кристаллическую структуру рутила и удельное электрическое сопротивление в диапазоне 0.01 до 0.1 Ом·см, или в диапазоне от 2 до 20 кОм·см, и эпитаксиально выращена на монокристаллической подложке диоксида титана в той же кристаллической модификации так, что гетероструктура отвечает формуле TiO:V/TiO.