Способ изготовления варикапа с обратным градиентом

1
2
2
Способ изготовления полупроводникового варикапа с обратным градиентом, включающий выращивание участка p-типа, участка n-слоя с относительно низкой и постоянной концентрацией n, участка n-слоя с концентрацией носителей заряда, которая повышается по мере приближении к границе p – n-перехода до величины n, отличающийся тем, что после выращивания участка n-слоя с изменяющейся концентрацией носителей заряда и перед наращиванием p-слоя выращивается тонкий n-слой с постоянной концентрацией n.