ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ИСПОЛЬЗУЮЩИЙ ОКСИДНУЮ ПЛЕНКУ ДЛЯ ПЕРЕДАЧИ ИНФОРМАЦИИ, И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Полевой транзистор, включающий в себя оксидную пленку в качестве полупроводникового слоя, в котором оксидная пленка включает одну из истоковой и стоковой частей, к которой добавлен либо водород, либо дейтерий.
2. Полевой транзистор, включающий в себя оксидную пленку в качестве полупроводникового слоя, в котором оксидная пленка включает канальную часть, истоковую часть и стоковую часть, и в котором концентрация одного из водорода или дейтерия в истоковой части и в стоковой части больше, чем концентрация одного из водорода или дейтерия в канальной части.
3. Полевой транзистор по п.1, в котором истоковая часть и стоковая часть выполнены с электродом затвора и имеют копланарную структуру.
4. Полевой транзистор по п.1, в котором сопротивление одной из истоковой части и стоковой части составляет 1/10 или менее от сопротивления канальной части.
5. Полевой транзистор по п.1, в котором оксидная пленка выполнена из аморфного оксида, представленного в следующем виде:
[(Sn
M4
)O
]a·[(In
M3
)
O
]b·[(Zn
M2
O)]c
1-x
x
2
1-y
y
2
3
1-z
z
где 0≤x≤1; 0≤y≤1; 0≤z≤1; 0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤c≤1, и a+b+c=1;
M4 - элемент VI группы, выбранный из группы состоящей из Si, Ge и Zr с порядковым номером элемента меньшим, чем у Sn;
M3 это Lu или элемент III группы выбранный из группы, состоящей из B, Al, Ga и Y с порядковым номером элемента меньшим, чем у In;
M2 это элемент II группы, выбранный из группы, состоящей из Mg и Ca с порядковым номером элемента меньшим, чем у Zn.
6. Устройство отображения, содержащее:
элемент отображения, включающий в себя электрод; и
полевой транзистор в соответствии с п.1, в котором одна из истоковой и стоковой частей полевого транзистора электрически соединена с электродом устройства отображения.
7. Устройство по п.6, в котором множество элементов отображения и множество полевых транзисторов двумерно размещены на подложке.
8. Способ изготовления полевого транзистора, содержащего оксидную пленку в качестве полупроводникового слоя, содержащий операции:
формирование оксидной пленки на подложке; и
добавку одного из водорода или дейтерия к части оксидной пленки для формирования истоковой части и стоковой части.
9. Способ изготовления полевого транзистора, включающего оксидную пленку в качестве полупроводникового слоя, содержащий операции:
формирование оксидной пленки на подложке; и
формирование изолирующей пленки затвора на оксидной пленке;
формирование электрода затвора на изолирующей пленке затвора; и
добавку одного из водорода или дейтерия к оксидной пленке с использованием образца электрода затвора в качестве шаблона для получения истоковой части и стоковой части в оксидной пленке в/при самосовмещении с образцом электрода затвора.
10. Полевой транзистор, содержащий: оксидный полупроводниковый слой, включающий область проводящего канала;
электрод затвора;
изолятор затвора;
электрод стока; и
электрод истока,
в котором оксидный полупроводниковый слой дополнительно включает пару легированных зон, прилегающих к истоковому и стоковому электродам, при этом каждая из легированных зон имеет не менее одного из водорода или дейтерия, и в которой концентрация одного из водорода или дейтерия в легированной зоне больше, чем концентрация одного из водорода или дейтерия в области канала.