УСТАНОВКА ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ

Установка ионного легирования, содержащая систему формирования и транспортирования пучка ионов, блок измерения дозы с усилителем постоянного тока, приемную камеру с расположенным в ней контейнером с кассетами, в которых выполнены сквозные пазы, совмещенные с датчиками Фарадея, находящимися внутри контейнера и электрически соединенными с входом усилителя постоянного тока, отличающаяся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, установка дополнительно содержит кристалл биполярного планарного транзистора, размещенный на кассете, и блок измерения времени рассасывания биполярных транзисторов, электрически соединенный с кристаллом транзистора, причем поверхность кристалла со сформированной в ней транзисторной структурой обращена к системе формирования и транспортирования пучка ионов, а толщина защитного покрытия структуры - не менее необходимой для обеспечения работоспособности транзистора и не превышает длины пробега ионов в материале покрытия.