СЕНСОРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ СЕЛЕКТИВНОГО УСИЛЕНИЯ СИГНАЛА ГИГАНТСКОГО КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА

1. Сенсорный элемент для селективного усиления сигнала гигантского комбинационного рассеяния света, имеющий структуру, содержащую тонкую металлическую пленку с толщиной более 10 нм; структурированный диэлектрический слой в виде периодически расположенных элементов с размерами от 10 нм до 10000 нм, расстоянием между элементами от 1 нм до 10000 нм; металлических наночастиц, расположенных на поверхности диэлектрического слоя с размером от 1 нм до 200 нм.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что элементарная ячейка поверхности диэлектрического слоя может быть анизотропной, т.е. состоящей из двух и более элементов, отличающихся геометрическими параметрами
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что зеркальная металлическая пленка и наночастицы на поверхности диэлектрического слоя выполнены из золота (Au).
4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что зеркальная металлическая пленка и наночастицы на поверхности диэлектрического слоя выполнены из серебра (Ag).
5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что зеркальная металлическая пленка и наночастицы на поверхности диэлектрического слоя выполнены из алюминия (Аl).
6. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что зеркальная металлическая пленка и наночастицы на поверхности диэлектрического слоя выполнены из меди (Cu).
7. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что зеркальная металлическая пленка и наночастицы на поверхности диэлектрического слоя выполнены из платины (Pt).
8. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что зеркальная металлическая пленка и наночастицы на поверхности диэлектрического слоя выполнены из нитрида титана (TiN).
9. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что структурированный диэлектрический слой выполнен из кремния (Si).
2
10. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что структурированный диэлектрический слой выполнен из диоксида кремния (SiO).
11. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что структурированный диэлектрический слой выполнен из полиметилметакрилата (ПММА)
2
12. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что структурированный диэлектрический слой выполнен из диоксида церия (СеО).
2
13. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что структурированный диэлектрический слой выполнен из оксида цинка (ZnO).
2
14. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что структурированный диэлектрический слой выполнен из оксида олова (SnO).
2
15. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что структурированный диэлектрический слой выполнен из оксида титана (TiO).
2
16. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что структурированный диэлектрический слой выполнен из оксида кадмия (CdO).
2
17. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что структурированный диэлектрический слой выполнен из оксида ниобия (NbO).
18. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что периодически расположенные элементы диэлектрического слоя выполнены в форме многогранников с 4 и более гранями.
19. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что периодически расположенные элементы диэлектрического слоя выполнены в сферической форме.
20. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что периодически расположенные элементы диэлектрического слоя выполнены в эллипсоидальной форме.
21. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что периодически расположенные элементы диэлектрического слоя выполнены в тороидальной форме.
22. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что периодически расположенные элементы диэлектрического слоя выполнены в конусообразной форме.
23. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что периодически расположенные элементы диэлектрического слоя выполнены в цилиндрической форме.
24. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что наночастицы на поверхности диэлектрического слоя выполнены в сферической форме.
25. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что наночастицы на поверхности диэлектрического слоя выполнены в эллипсоидальной форме.
26. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что наночастицы на поверхности диэлектрического слоя выполнены в цилиндрической форме.
27. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что наночастицы на поверхности диэлектрического слоя выполнены в форме многогранников с 4 и более гранями.
28. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что наночастицы на поверхности диэлектрического слоя выполнены в форме звездчатых многогранников.