ПОКРЫТОЕ ИЗДЕЛИЕ

1. Покрытое изделие, содержащее:
стеклянную подложку, поддерживающую покрытие, непосредственно или косвенно осажденное на ее первой основной поверхности, причем покрытие включает в порядке, следуя от стеклянной подложки по меньшей мере следующие слои:
первый диэлектрический слой на основе кремния, имеющий показатель преломления 1,5-2,1,
электропроводный слой, содержащий ITO, имеющий толщину 75 – 175 нм, и
второй диэлектрический слой на основе кремния, имеющий показатель преломления 1,5-2,1;
причем покрытие является внешним покрытием, выполненным с возможностью быть обращенным к внешней атмосфере, и
покрытие имеет коэффициент полусферического излучения, меньший или равный около 0,20, и удельное поверхностное сопротивление, меньшее или равное около 20 Ом/квадрат.
2. Покрытое изделие по п.1, в котором слой, содержащий ITO, расположен между первым и вторым диэлектрическими слоями и в непосредственном контакте с каждым из первого и второго диэлектрических слоев.
3. Покрытое изделие по п.1, в котором второй диэлектрический слой является самым внешним слоем покрытия на стеклянной подложке.
4. Покрытое изделие по п.1, причем покрытие дополнительно содержит защитное верхнее покрытие, содержащее оксид циркония, расположенное на стеклянной подложке поверх второго диэлектрического слоя на основе кремния.