ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ СВЕРХПРОВОДЯЩАЯ ПЛЕНКА НА КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ КВАРЦЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ

2
1. Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей пленки на кристаллической кварцевой подложке, включающий формирование на предварительно очищенной поверхности подложки трехслойного покрытия с последующим отжигом в атмосфере кислорода, при этом первый слой покрытия формируют из диоксида циркония, стабилизированного оксидом иттрия YSZ методом магнетронного распыления, второй слой формируют из диоксида церия СеО методом магнетронного распыления, третий - из оксида иттрия-бария-меди YBCO методом импульсного лазерного осаждения, где каждый слой выполняют толщиной от 90 нм до 110 нм.
2
2
3
2
3
7-х
2. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что стабилизированный оксидом иттрия диоксид циркония получают взаимодействием следующих компонентов: ZrO и YO, а в качестве оксида иттрия-бария-меди используют YBaCuO.
3. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что предварительную очистку поверхности подложки осуществляют посредством погружения подложки сначала в емкость с ацетоном на 10-12 мин, затем в емкость с изопропиловым спиртом, размещенную в ультразвуковой ванне, на 10-12 мин до момента высыхания ацетона, после чего подложку сушат азотом в течение 10-15 с.
2
4. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что первый слой толщиной 90-110 нм формируют в соответствии со следующим режимом: температура подложки - 720-880°C, RF мощность - 90-110 Дж/см, процентное соотношение кислорода в кислород-аргонной смеси 8-10%, длительность напыления 54-66 мин, расстояние от мишени до образца - 4,4-5,4 см, давление в камере - 0,018-0,022 мбар.
2
5. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что второй слой толщиной 90-110 нм формируют в соответствии со следующим режимом: температура подложки - 700-850°C, RF мощность - 44-54 Дж/см, процентное соотношение кислорода в кислород-аргонной смеси 18-22%, длительность напыления 9-11 мин, расстояние от мишени до образца - 2,7-3,3 см, давление в камере - 0,09-0,11 мбар.
2
6. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что третий слой толщиной 90-110 нм формируют в соответствии со следующим режимом: температура подложки - 680-830°C, плотность энергии лазера - 1,53-1,87 Дж/см, число импульсов - 1700-2100, частота импульсов - 4-6, Гц, длительность осаждения - 6 мин - 7 мин 20 с, расстояние от мишени до образца - 5,4-6,6 см, давление в камере - 0,54-0,66 мбар.
7. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что нанесение слоев производится в одном вакуумном процессе.
8. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что кислородный отжиг осуществляют при давлении кислорода 760-940 мбар и температуре 700-850°C в течение 45-55 мин.
2
9. Высокотемпературное сверхпроводящее покрытие, сформированное на кристаллической кварцевой подложке, характеризующееся тем, что оно включает три слоя, первый из которых выполнен из диоксида циркония, стабилизированого оксидом иттрия YSZ и размещен непосредственно на поверхности кварцевой подложки, второй слой размещен на первом слое и сформирован из диоксида церия СеО, третий слой, размещенный на втором слое, выполнен из оксида иттрия бария меди YBCO, при этом толщина каждого слоя составляет 90-110 нм.
2
2
3
2
3
7-х
10. Высокотемпературное сверхпроводящее покрытие по п. 9, характеризующееся тем, что стабилизированный оксидом иттрия диоксид циркония получен взаимодействием ZrO и YO, а в качестве оксида иттрия-бария-меди использован YBaCuO.