КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ (СМР), СОДЕРЖАЩАЯ БЕЛОК

1. Композиция для химико-механического полирования, содержащая
(A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или их композит,
(B) белок и
(C) водную среду.
2. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой белок (B) представляет собой белок, содержащий цистеин в качестве аминокислотной единицы.
3. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой белок (B) представляет собой грибной белок.
4. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой белок (B) представляет собой белок, содержащий более чем 100 аминокислотных единиц.
5. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой белок (B) представляет собой гидрофобии или содержит по меньшей мере одну единицу гидрофобина.
6. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой частицы (A) представляют собой частицы оксида церия.
7. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой средний размер частицы частиц (A) составляет от 50 нм до 300 нм, как определено посредством методов динамического светорассеяния.
8. Композиция для химико-механического полирования по любому из пп. 1-7, дополнительно содержащая
(H) сахарное соединение.
9. Композиция для химико-механического полирования по любому одному из пп. 1-7, дополнительно содержащая
(H) сахарное соединение, выбранное из группы, состоящей из моно-, ди-, три-, тетра-, пента-, олиго- и полисахаридов и окисленных моносахаридов.
10. Композиция для химико-механического полирования по п. 8, дополнительно содержащая
(H) сахарное соединение, выбранное из группы, состоящей из моно-, ди-, три-, тетра-, пента-, олиго- и полисахаридов и окисленных моносахаридов.
11. Композиция для химико-механического полирования по любому из пп. 1-7, дополнительно содержащая
(H) сахарное соединение, выбранное из группы, состоящей из глюкозы, галактозы, сахарозы, сукралозы и их стереоизомеров.
12. Композиция для химико-механического полирования по любому из пп. 1-7, в которой значение pH композиции находится в интервале от 5 до 9.
13. Композиция для химико-механического полирования по п. 8, в которой значение pH композиции находится в интервале от 5 до 9.
14. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой
(A) представляют собой частицы оксида церия,
(B) представляет собой гидрофобии.
15. Способ изготовления полупроводниковых устройств, включающий в себя химико-механическое полирование подложки в присутствии композиции для химико-механического полирования, как определена в любом из пп. 1-14.
16. Применение композиции для химико-механического полирования по любому из пп. 1-14 для химико-механического полирования подложки, используемой в полупроводниковой промышленности.
17. Применение по п. 16, где подложка содержит
(i) диоксид кремния и
(ii) нитрид кремния или полисиликон.