СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ОТДЕЛЬНЫХ СЛОЕВ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ МАТЕРИАЛОВ СО СТРУКТУРИРОВАННЫМИ ПОВЕРХНОСТЯМИ

1. Способ литографии, содержащий этапы, на которых: обеспечивают твердотельный материал по меньшей мере с одной открытой поверхностью; наносят вспомогательный слой на открытую поверхность с образованием составной структуры; оказывают воздействие на составную структуру посредством условий, вызывающих формирование распределения напряжений во вспомогательном слое и в твердотельном материале, что способствует разламыванию твердотельного материала, по существу, вдоль плоскости на глубине; и удаляют вспомогательный слой и вместе с ним слой твердотельного материала, заканчивающийся на указанной глубине разлома, при этом открытая поверхность удаленного слоя твердотельного материала имеет топологию поверхности, соответствующую картине указанного распределения напряжений.
2. Способ по п.1, в котором по меньшей мере одно из свойств материала вспомогательного слоя изменяется в соответствии с рисунком, в зависимости от местоположения в пределах вспомогательного слоя.
3. Способ по п.2, в котором вспомогательный слой представляет собой составную структуру; или по меньшей мере одно из свойств материала вспомогательного слоя, которое изменяется в соответствии с рисунком, влияет на величину и/или ориентацию локальных напряжений, возникающих, когда на вспомогательный слой оказывают воздействие посредством условий, вызывающих указанные напряжения; или указанное по меньшей мере одно из свойств материала вспомогательного слоя, которое изменяется в соответствии с рисунком, влияет на динамику развития трещины во время разламывания твердотельного материала; или указанное по меньшей мере одно из свойств материала вспомогательного слоя, которое изменяется в соответствии с рисунком, влияет на степень, до которой объем материала вспомогательного слоя изменяется при оказании воздействия посредством условий, вызывающих напряжения; или указанным по меньшей мере одним из свойств материала вспомогательного слоя, которое изменяется в соответствии с рисунком, является коэффициент теплового расширения (СТЕ); или указанное по меньшей мере одно из свойств материала вспомогательного слоя, которое изменяется в соответствии с рисунком, влияет на степень, до которой материал вспомогательного слоя набухает, когда поглощает растворитель; или указанным по меньшей мере одним из свойств материала вспомогательного слоя, которое изменяется в соответствии с рисунком, является модуль упругости; или указанным по меньшей мере одним из свойств материала вспомогательного слоя, которое изменяется в соответствии с рисунком, является локальная толщина вспомогательного слоя; или указанное по меньшей мере одно из свойств материала вспомогательного слоя, которое изменяется в соответствии с рисунком, локально модифицируется посредством по меньшей мере одного активного устройства, которое локально внедрено во вспомогательный слой, в частности, пьезоэлектрическим возбудителем, который локально внедрен во вспомогательный слой; или указанное по меньшей мере одно из свойств материала вспомогательного слоя, которое изменяется в соответствии с рисунком, также изменяется с течением времени во время выполнения указанного способа.
4. Способ по п.1, в котором указанные условия, вызывающие напряжения, изменяются в соответствии с рисунком, в зависимости от местоположения в пределах вспомогательного слоя.
5. Способ по п.2, в котором указанные условия, вызывающие напряжения, изменяются в соответствии с рисунком, в зависимости от местоположения в пределах вспомогательного слоя.
6. Способ по пп.1, 2, 4, 5 в котором указанные условия, вызывающие напряжения, влияют на величину и/или ориентацию локальных напряжений, вызываемых, когда на вспомогательный слой оказывают воздействие посредством условий, вызывающих напряжения, или указанные условия, вызывающие напряжения, влияют на динамику развития трещины во время разламывания твердотельного материала, или указанные условия, вызывающие напряжения, влияют на изменение объема материала вспомогательного слоя.
7. Способ по п.4 или 5, в котором указанными условиями, вызывающими напряжения, которые изменяются в соответствии с рисунком, являются различные температуры, которые поддерживаются в различных местах в пределах вспомогательного слоя, или указанными условиями, вызывающими напряжения, которые изменяются в соответствии с рисунком, являются различные концентрации химических веществ, которые поддерживаются в различных местах в пределах вспомогательного слоя.
8. Способ по пп.1, 2, 4, 5, в котором указанными условиями, вызывающими напряжения, являются внешние механические силы, которые применяют к вспомогательному слою, или указанные условия, вызывающие напряжения, влияют на модуль упругости вспомогательного слоя, или указанные условия, вызывающие напряжения, включают в себя поглощение растворителя по меньшей мере частью вспомогательного слоя.
9. Способ по п.4 или 5, в котором указанные условия, вызывающие напряжения, которые изменяются в соответствии с рисунком, влияют по меньшей мере на одно активное устройство, в частности, пьезоэлектрический возбудитель, который локально внедрен во вспомогательный слой.
10. Способ по пп.1, 2, 4, 5, в котором указанные условия, вызывающие напряжения, изменяются со временем во время выполнения способа, в частности включают в себя по меньшей мере изменение температуры, поддерживаемой на вспомогательном слое, или охлаждение вспомогательного слоя ниже комнатной температуры.
11. Способ по п.1, в котором разламывание твердотельного материала вызывается в глубине твердотельного материала и по существу вдоль плоскости, которая по существу параллельна поверхности раздела между вспомогательным слоем и твердотельным материалом.
12. Способ по п.1, в котором на этапе удаления появляется новая открытая поверхность твердотельного материала, имеющая топологию поверхности, комплементарную к топологии поверхности удаленного слоя твердотельного материала.
13. Способ по п.1, в котором указанная по меньшей мере одна открытая поверхность твердотельного материала имеет ранее сформированную топологию поверхности, в частности, указанная по меньшей мере одна открытая поверхность твердотельного материала содержит ранее сформированные микроэлектронные и/или микромеханические устройства.
14. Способ по п.1, дополнительно содержащий этапы, на которых: наносят новый вспомогательный слой на открытую поверхность удаленного слоя твердотельного материала для формирования новой составной структуры, состоящей из нового вспомогательного слоя, удаленного слоя твердотельного материала и ранее нанесенного вспомогательного слоя; оказывают воздействие на новую составную структуру посредством условий, вызывающих новое распределение напряжений в новом вспомогательном слое, в твердотельном материале и ранее нанесенном вспомогательном слое, что способствует разламыванию удаленного слоя твердотельного материала по существу вдоль плоскости на новой глубине; и удаляют новый вспомогательный слой и вместе с ним новый слой твердотельного материала, заканчивающийся на указанной новой глубине разлома, причем открытая поверхность нового удаленного слоя твердотельного материала имеет топологию поверхности, соответствующую новой картине распределения напряжений.
15. Способ по п.12, дополнительно содержащий этапы, на которых: наносят новый вспомогательный слой на указанную новую открытую поверхность твердотельного материала для формирования новой составной структуры; оказывают воздействие на новую составную структуру посредством условий, вызывающих новое распределение напряжений в новом вспомогательном слое и в твердотельном материале, что способствует разламыванию твердотельного материала по существу вдоль плоскости на новой глубине; и удаляют новый вспомогательный слой и вместе с ним новый слой твердотельного материала, заканчивающийся на новой глубину разлома, причем открытая поверхность нового удаленного слоя твердотельного материала имеет топологию поверхности, соответствующую новой картине распределения напряжений.
16. Способ литографии, содержащий этапы, на которых: обеспечивают твердотельный материал по меньшей мере с двумя открытыми поверхностями; наносят несколько вспомогательных слоев на несколько из указанных по меньшей мере двух открытых поверхностей, по одному отдельному вспомогательному слою на каждую из указанных открытых поверхностей, для формирования составной структуры; оказывают воздействие на составную структуру посредством условий, вызывающих распределение напряжений в указанных нескольких вспомогательных слоях и в твердотельном материале, что способствует разламыванию твердотельного материала, для каждого вспомогательного слоя, по существу, вдоль плоскости на глубине твердотельного материала; и удаляют указанные несколько вспомогательных слоев, причем с каждым вспомогательным слоем удаляется слой твердотельного материала, заканчивающийся на указанной глубине разлома, при этом открытая поверхность удаленного слоя твердотельного материала имеет топологию поверхности, соответствующую картине указанного распределения напряжений этого вспомогательного слоя, в частности, по меньшей мере две плоскости разлома, по существу, совмещаются, и топология поверхностей соответствующих удаленных слоев твердотельного материала, по существу, соответствует суперпозиции картин распределения напряжений в соответствующих вспомогательных слоях.
17. Способ литографии, содержащий этапы, на которых: обеспечивают твердотельный материал с двумя противоположными и, по существу, параллельными открытыми поверхностями; наносят вспомогательный слой на каждую из открытых поверхностей для формирования составной структуры; оказывают воздействие на составную структуру посредством условий, вызывающих распределение напряжений в двух вспомогательных слоях и в твердотельном материале, что способствует разламыванию твердотельного материала по существу вдоль плоскости на глубине, между двумя противоположными открытыми поверхностями; и удаляют два вспомогательных слоя, причем удаляют с первым вспомогательным слоем первый слой твердотельного материала, заканчивающийся на указанной глубине разлома, при этом открытая поверхность указанного первого удаленного слоя твердотельного материала имеет топологию поверхности, соответствующую суперпозиции картин распределения напряжений в двух вспомогательных слоях; а со вторым вспомогательным слоем удаляют второй слой твердотельного материала, который является дополнением первого удаленного слоя твердотельного материала до первоначально обеспеченного твердотельного материала, причем открытая поверхность второго удаленного слоя твердотельного материала имеет топологию поверхности, комплементарную топологии поверхности первого удаленного слоя твердотельного материала; в частности, на этапе обеспечения твердотельного материала обеспечивают структуру, выбранную из группы, состоящей из подложки, пластины, чипа и диска; в частности, на этапе обеспечения твердотельного материала обеспечивают структуру, содержащую ранее сформированные микроэлектронные и/или микромеханические устройства.
18. Способ по пп.14, 16, 17, в котором по меньшей мере одно из свойств материала по меньшей мере одного из вспомогательных слоев изменяется согласно любому или всем способам по п.2 или 3, в частности по меньшей мере одно из свойств материала по меньшей мере одного из вспомогательных слоев изменяется в соответствии с рисунком, который отличается от рисунка изменения того же свойства материала по меньшей мере в одном другом вспомогательном слое, в частности, изменяется в соответствии с рисунком, который является по существу дополнением рисунка изменения того же свойства материала по меньшей мере в одном другом вспомогательном слое.
19. Способ по пп.14, 16, 17, в котором условия, вызывающие напряжения, изменяются согласно любому или всем способам по пп.4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, в частности, по меньшей мере для одного из вспомогательных слоев условия, вызывающие напряжения, изменяются в соответствии с рисунком, который отличается от рисунка изменения условий, вызывающих напряжения по меньшей мере в одном другом вспомогательном слое, в частности, условия, вызывающие напряжения, изменяются в соответствии с рисунком, который является по существу дополнением рисунка изменения условий, вызывающих напряжения по меньшей мере в одном другом вспомогательном слое.
20. Способ по пп.1, 16, 17, в котором на этапе обеспечения твердотельного материала обеспечивают структуру, содержащую полупроводниковый материал, в частности, структуру, содержащую кремний, германий, сапфир, карбид кремния, арсенид галлия, нитрид галлия, оксид цинка и/или кварц.
21. Способ по пп.1, 16, 17, в котором на этапе нанесения одного или нескольких вспомогательных слоев наносят по меньшей мере один вспомогательный слой, содержащий полимер, в частности, содержащий полидиорганосилоксан или полидиметилсилоксан.
22. Способ по пп.1, 16, 17, в котором на этапе нанесения одного или нескольких вспомогательных слоев наносят по меньшей мере один вспомогательный слой, содержащий металл, в частности, алюминий.
23. Способ по пп.1, 16, 17, в котором на этапе нанесения одного или нескольких вспомогательных слоев наносят по меньшей мере один вспомогательный слой, содержащий составную структуру, включающую полимер и неполимер, и/или, в частности, содержащий структуры из одного или нескольких неорганических материалов, внедренных в матрицу, содержащую полидиметилсилоксан.
-6
-1
24. Способ по пп.1, 16, 17, в котором на этапе нанесения одного или нескольких вспомогательных слоев наносят по меньшей мере один вспомогательный слой, характеризующийся коэффициентом теплового расширения (СТЕ), который отличается от СТЕ указанного твердотельного материала по меньшей мере на 10·10 К.
25. Способ по пп.1, 16, 17, в котором для разламывания твердотельного материала перед оказанием воздействия на составную структуру посредством условий, вызывающих напряжения, или во время оказания воздействия на составную структуру посредством условий, вызывающих напряжения, дополнительно обеспечивают в твердотельном материале одну или несколько зон с относительно низким сопротивлением образованию трещин.
26. Способ по пп.1, 16, 17, в котором после удаления вспомогательного слоя вместе со слоем твердотельного материала указанный вспомогательный слой удаляют с указанного удаленного слоя твердотельного материала.
27. Способ по пп.1, 16, 17, в котором полученная топология поверхности соответствует, по существу, топологии поверхности, для которой вертикальный показатель интенсивности напряжений KII внутри составной структуры равен нулю.
28. Способ по п.1 или 16, в котором по меньшей мере одна открытая поверхность, на которую наносят вспомогательный слой, имеет кривизну.
29. Способ по пп.1, 16, 17, в котором полученная топология поверхности является по существу зеркально симметричной или содержит по существу периодические структуры, в частности, периодические структуры с промежутками менее 10 мкм.
30. Способ по пп.13, 14, 17, в котором указанное распределение напряжений вызывают таким образом, чтобы влияние ранее сформированной топологии поверхности на топологию открытой поверхности удаленного слоя было минимальным, в частности, таким образом, чтобы влияние ранее сформированных микроэлектронных и/или микромеханических устройств на топологию открытой поверхности удаленного слоя было минимальным, или, в частности, таким образом, чтобы минимальным было влияние, которое оказывает топология открытой поверхности удаленного слоя на топологию открытой поверхности нового удаленного слоя.