СЕТЧАТАЯ МИКРО- И НАНОСТРУКТУРА, В ЧАСТНОСТИ ДЛЯ ОПТИЧЕСКИ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ ПОКРЫТИЙ, И СПОСОБ ЕЁ ПОЛУЧЕНИЯ

1. Способ получения сетчатой микро- и наноструктуры, в процессе осуществления которого на подложке формируют слой из вещества, которое в процессе химической и/или физической реакции способно образовывать трещины; осуществляют операцию образования трещин в указанном слое при помощи химической и/или физической реакции; осуществляют операции по использованию полученного слоя, содержащего трещины, в качестве шаблона для задания геометрии микро- и наноструктуры.
2. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что посредством операций по использованию полученного слоя, содержащего трещины, в качестве шаблона задают геометрию микро- и наноструктуры на указанной подложке или на второй подложке или таким образом, чтобы указанная микро- и наноструктура была частично или полностью механически свободна от какой-либо подложки.
3. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что операции использования полученного слоя, содержащего трещины, в качестве шаблона для задания геометрии микро- и наноструктуры включают операцию формирования проводящего или диэлектрического слоя поверх слоя, содержащего трещины, и последующую операцию полного или частичного удаления слоя, содержащего трещины.
4. Способ по п. 3, характеризующийся тем, что операцию нанесения проводящего или диэлектрического слоя осуществляют посредством вакуумного напыления или осаждения из расплава или из жидкой или газовой фазы, а операцию полного или частичного удаления слоя, содержащего трещины, осуществляют посредством травления или посредством термического или механического воздействия.
5. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что операции использования полученного слоя, содержащего трещины, в качестве шаблона для задания геометрии микро- и наноструктуры включают операцию формирования слоя жидкого прекурсора или расплава поверх слоя, содержащего трещины, операцию введения слоя, содержащего трещины, в контакт со второй подложкой, с вытеснением излишков жидкого прекурсора или расплава, операцию преобразования жидкого прекурсора в целевой материал или операцию затвердевания расплава.
6. Способ по п. 5, характеризующийся тем, что в качестве подложки, на которой формируют слой вещества, содержащий трещины, используют пористую подложку, способную вместить в себя часть указанного прекурсора или расплава.
7. Способ по п. 5, характеризующийся тем, что в качестве указанного жидкого прекурсора используют раствор солей серебра или коллоид наночастиц серебра.
8. Способ по п. 3, характеризующийся тем, что указанный слой вещества, который в процессе химической и/или физической реакции способен образовывать трещины, содержит в своем составе дополнительные слои или компоненты, которые влияют на процесс осаждения проводящего или диэлектрического слоя посредством вакуумного напыления, или на процесс осаждения из расплава или из жидкой или газовой фазы, блокируя или замедляя указанный процесс осаждения относительно осаждения на материал подложки, на которой сформирован слой, содержащий трещины.
9. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что операции использования полученного слоя, содержащего трещины, в качестве шаблона для задания геометрии сетчатой микро- и наноструктуры структуры, включают операцию гальванического осаждения проводящего вещества в зазоры, сформированные трещинами.
10. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что операции использования полученного слоя, содержащего трещины, в качестве шаблона для задания геометрии сетчатой микро- и наноструктуры структуры включают операцию механического контакта указанной подложки со второй подложкой, с целью переноса шаблона и/или микро- и наноструктуры на указанную вторую подложку.
11. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что операции использования полученного слоя, содержащего трещины, в качестве шаблона для задания геометрии сетчатой микро- и наноструктуры структуры включают операции нанесения дополнительных слоев, с последующим формированием слоя материала сетчатой микро- и наноструктуры поверх или между указанных дополнительных слоев.
12. Сетчатая микро- и наноструктура, полученная способом по п. 1, содержащая проводящий или диэлектрический слой, выполненный в виде единой ажурной структуры, причем указанная ажурная структура соответствует геометрии трещин, образованных в слое вещества, использованного в качестве шаблона при формировании указанной сетчатой микро- и наноструктуры.
13. Сетчатая микро- и наноструктура по п. 12, характеризующаяся тем, что в качестве материала указанной ажурной структуры использован металл или проводящий оксид металла, осажденный из расплава, жидкой или газовой фазы или осажденный вакуумным методом.
14. Сетчатая микро- и наноструктура по п. 12, характеризующаяся тем, что в качестве материала указанной ажурной структуры использован композитный материал, включающий проводящие наночастицы, или углеродные нанотрубки, или проводящие наностержни, распределенные в матрице, в частности в матрице, выполненной из проводящего полимера.
15. Сетчатая микро- и наноструктура по п. 12, характеризующаяся тем, что указанная ажурная структура закреплена на подложке, в том числе пористой или оптически прозрачной подложке.
16. Сетчатая микро- и наноструктура по п. 12, характеризующаяся тем, что указанная ажурная структура частично или полностью механически свободна от какой-либо подложки.