УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННОГО ОСАЖДЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ С ИОННОЙ СТИМУЛЯЦИЕЙ

1. Устройство для вакуумно-плазменного осаждения материалов с ионной стимуляцией, содержащее технологическую камеру (1), сопряженную со средствами откачки (2), в которой установлен подложкодержатель (3) с первой продольной осью O-O1, на котором закреплена подложка (4), содержащее также геликонный источник плазмы (10), включающий разрядную камеру (11) с первым торцом (12) и вторым торцом (13), соленоидальную антенну (14), расположенную с внешней стороны разрядной камеры (11), крышку (16), расположенную со стороны первого торца (12) разрядной камеры (11), а также газовую систему (17), сопряженную с крышкой (16), при этом источник плазмы (10) в зоне второго торца (13) разрядной камеры (11) закреплен на технологической камере (1) симметрично первой продольной оси О-O1, содержащее также магнитную систему (20), расположенную симметрично первой продольной оси O-O1 и включающую первую соленоидальную магнитную катушку (21) и вторую соленоидальную магнитную катушку (23), отличающееся тем, что в него включен, по меньшей мере, один первый магнетрон (25) с продольной осью O-O2, направленный в сторону подложкодержателя (3), при этом ось O-O2 расположена под углом а к плоскости подложки (4), а магнитная система (20) расположена с внешней стороны технологической камеры (1).
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что подложкодержатель (3) установлен с возможностью вращения вокруг первой продольной оси O-O1 и подвижки вдоль ее посредством первого модуля перемещения (5).
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что, по меньшей мере, один первый магнетрон (25) установлен с возможностью подвижки вдоль второй продольной оси O-O2 посредством второго модуля перемещения (26).
4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что первая соленоидальная магнитная катушка (21) и вторая соленоидальная магнитная катушка (23) установлены с возможностью подвижки вдоль первой продольной оси O-O1 посредством соответственно третьего модуля перемещения (28) и четвертого модуля перемещения (29).
5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что на внутреннюю поверхность технологической камеры (1) нанесено покрытие из термостойкого и химически стойкого материала.
6. Устройство по п. 1, отличающееся, тем, что размеры внутреннего диаметра реакционной камеры (11) d1 и диаметра подложкодержателя (3) d2 должны находиться в соотношении d2<0.7d1.
3
3
7. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что расстояние между подложкодержателем (3) и вторым торцом (13) разрядной камеры (11) h должно быть не более длины свободного пробега электрона, при этом должно выполняться соотношение h<L, где L=1/(nq), n - концентрация атомов рабочих газов, q - значение сечения рассеяния электронов на атомах, усредненное по функциям распределения электронов по энергиям.
8. Устройство по п. 1, отличающееся. тем, что внутренний диаметр технологической камеры (1) d3 и внутренний диаметр разрядной камеры (11) d1 должны находиться в соотношении d3≥(1,3-1,5)d1.
9. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в него включен второй магнетрон (30) с третьей продольной осью О-О3, направленный в сторону подложкодержателя (3), при этом третья продольная ось О-О3 расположена под углом β к плоскости подложки (4), причем второй магнетрон (30) установлен с возможностью подвижки вдоль третьей продольной оси О-О3 посредством пятого модуля перемещения (31).