СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПУЧКОМ НЕЙТРАЛЬНЫХ ЧАСТИЦ, ОСНОВАННЫЙ НА ТЕХНОЛОГИИ ОБРАБОТКИ ПУЧКОМ ГАЗОВЫХ КЛАСТЕРНЫХ ИОНОВ, И ПОЛУЧЕННЫЕ ТАКИМ ОБРАЗОМ ИЗДЕЛИЯ

1. Способ обработки поверхности оптического элемента, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают камеру с пониженным давлением;
формируют пучок газовых кластерных ионов, содержащий газовые кластерные ионы внутри камеры с пониженным давлением;
ускоряют газовые кластерные ионы с образованием пучка ускоренных газовых кластерных ионов вдоль траектории пучка внутри камеры с пониженным давлением;
стимулируют фрагментацию и/или диссоциацию по меньшей мере части ускоренных газовых кластерных ионов вдоль траектории пучка;
удаляют заряженные частицы с траектории пучка с образованием ускоренного нейтрального пучка вдоль траектории пучка в камере с пониженным давлением;
удерживают оптический элемент на траектории пучка;
обрабатывают по меньшей мере участок поверхности оптического элемента путем облучения его ускоренным нейтральным пучком; и
причем этапы стимулирования и удаления выполняют до облучения поверхности.
2. Способ по п. 1, в котором на этапе удаления удаляют по существу все заряженные частицы с траектории пучка.
3. Способ по п. 1, в котором нейтральный пучок по существу не содержит кластеров промежуточных размеров.
4. Способ по п. 1, в котором нейтральный пучок состоит по существу из газа из пучка газовых кластерных ионов.
5. Способ по п. 1, в котором этап стимулирования включает в себя повышение ускоряющего напряжения на этапе ускорения или улучшение эффективности ионизации при формировании пучка газовых кластерных ионов.
6. Способ по п. 1, в котором этап стимулирования включает в себя расширение диапазона скоростей ионов в ускоренном пучке газовых кластерных ионов.
7. Способ по п. 1, в котором этап стимулирования включает в себя введение одного или более газообразных элементов, используемых в формировании пучка газовых кластерных ионов, в камеру с пониженным давлением для повышения давления вдоль траектории пучка.
8. Способ по п. 1, в котором этап стимулирования включает в себя увеличение размера апертуры скиммера, используемого на этапе формирования пучка газовых кластерных ионов.
9. Способ по п. 1, в котором этап стимулирования включает в себя облучение ускоренного пучка газовых кластерных ионов или нейтрального пучка лучистой энергией.
10. Способ по п. 1, в котором нейтральный пучок, обрабатывающий по меньшей мере участок поверхности заготовки, состоит по существу из мономеров, имеющих энергию между 1 эВ и несколькими тысячами эВ.
11. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором перемещают заготовку с держателем заготовки для обработки множества участков поверхности.
12. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором сканируют заготовку с держателем заготовки для обработки протяженных участков поверхности.
13. Способ по п. 1, в котором на этапе удержания вводят оптическое устройство, которое содержит любое из:
электроизоляционного материала;
материала с высоким удельным электрическим сопротивлением;
кристаллического материала;
аморфного материала;
гигроскопичного материала;
стеклянного материала;
материала драгоценного камня;
кварца; или
прозрачного материала.
14. Способ по п. 1, в котором на этапе обработки формируют оптическое покрытие на оптическом элементе.
15. Способ по п. 1, в котором на этапе обработки изменяют оптическую характеристику оптического элемента.
16. Способ по п. 15, в котором оптическая характеристика представляет собой показатель преломления.
17. Способ по п. 1, в котором оптический элемент представляет собой материал драгоценного камня.
18. Способ по п. 17, в котором материал драгоценного камня выбирают из группы, состоящей из алмаза, сапфира, кварца, или искусственного материала драгоценного камня.
19. Способ по п. 1, в котором оптический элемент содержит триборат лития (LBO), и дополнительно в котором на этапе обработки формируют поверхностный барьер, который снижает восприимчивость или чувствительность к деградации поверхности LBO под действием влаги.
20. Способ повышения адгезии оптического покрытия, имеющего толщину на поверхности оптической подложки, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают камеру с пониженным давлением;
формируют пучок газовых кластерных ионов, содержащий газовые кластерные ионы, внутри камеры с пониженным давлением;
ускоряют газовые кластерные ионы с образованием пучка ускоренных газовых кластерных ионов вдоль траектории пучка внутри камеры с пониженным давлением;
при необходимости выводят ускоренный нейтральный пучок из пучка ускоренных газовых кластерных ионов;
удерживают оптическое покрытие на траектории пучка или траектории выведенного пучка;
обрабатывают по меньшей мере участок поверхности оптического покрытия облучением его пучком или выведенным пучком; и
причем на этапе ускорения ускоряют на заданную величину для обеспечения того, чтобы меньшей мере часть пучка или выведенного пучка проникала на всю толщину оптического покрытия для повышения адгезии покрытия к оптической подложке.
21. Способ обработки гигроскопичного кристаллического материала, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают камеру с пониженным давлением;
формируют пучок газовых кластерных ионов, содержащий газовые кластерные ионы, внутри камеры с пониженным давлением;
ускоряют газовые кластерные ионы с образованием пучка ускоренных газовых кластерных ионов вдоль траектории пучка внутри камеры с пониженным давлением;
при необходимости выводят ускоренный нейтральный пучок из пучка ускоренных газовых кластерных ионов;
удерживают кристаллический материал в траектории пучка или траектории выведенного пучка;
обрабатывают по меньшей мере часть поверхности кристаллического материала путем его облучения пучком или выведенным пучком; и
формируют поверхностный барьер на кристаллическом материале, который снижает реакционную способность или чувствительность к деградации под действием влаги на поверхности кристаллического материала.
22. Оптический элемент, содержащий оптическую подложку и поверхностное покрытие, прикрепленное на оптической подложке путем облучения нейтральным пучком, выведенным из пучка газовых кластерных ионов.
23. Оптический элемент по п. 22, в котором поверхностное покрытие состоит из предназначенных для поверхностного покрытия материалов и атомов газов, используемых для формирования нейтрального пучка.
24. Оптический элемент по п. 23, в котором поверхностное покрытие состоит из предназначенных для поверхностного покрытия материалов.
25. Оптический элемент по п. 22, в котором атомы газов, используемые для формирования нейтрального пучка, проникают в поверхностное покрытие и достигают подложки.
26. Оптический элемент по п. 25, в котором участки поверхностного покрытия встроены в оптическую подложку путем облучения нейтральным пучком.
27. Оптический элемент по п. 22, в котором оптическая подложка имеет оптическую характеристику, которая изменяется под действием облучения нейтральным пучком.
28. Оптический элемент по п. 27, в котором оптическая характеристика представляет собой показатель преломления.
29. Оптический элемент по п. 22, в котором оптический элемент представляет собой материал драгоценного камня.
30. Оптический элемент по п. 29, в котором материал драгоценного камня состоит из алмаза, сапфира, кварца, или искусственного материала драгоценного камня.
31. Оптический элемент по п. 22, в котором поверхностное покрытие сформировано путем облучения нейтральным пучком.
32. Оптический элемент по п. 31, в котором оптическая подложка является гигроскопичной, и дополнительно в котором упомянутое поверхностное покрытие имеет улучшенные гигроскопические свойства относительно оптической подложки.
33. Гигроскопичная подложка, содержащая поверхностное покрытие, сформированное путем облучения ускоренным нейтральным пучком гигроскопичной подложки, причем поверхностное покрытие имеет улучшенные гигроскопические свойства относительно гигроскопичной подложки.
34. Способ по п. 19, в котором этап формирования дополнительно содержит формирование пучка газовых кластерных ионов, содержащего газовые кластерные ионы, содержащие метан.
35. Способ по п. 19, в котором на этапе обработки выравнивают по меньшей мере часть поверхности LBO до среднеквадратичной (RMS) шероховатости менее 0,3 нм.
36. Способ по п. 21, в котором этап формирования дополнительно содержит формирование пучка газовых кластерных ионов, содержащего газовые кластерные ионы, содержащие метан.
37. Способ по п. 21, в котором на этапе обработки выравнивают по меньшей мере часть поверхности кристаллического материала до среднеквадратичной (RMS) шероховатости менее 0,3 нм.