Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре, применение таковых и нагревательная система на основе тонких пленок, полученных таким способом

1. Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре путем обеспечения электропроводных и/или полупроводниковых неорганических агломератов в дисперсии на поверхности и отверждения их с образованием слоя, отличающийся тем, что:
- отверждение проводят при комнатной температуре и
- отверждение ускоряют посредством приведения в контакт по меньшей мере с одним реагентом.
2. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что формируют последовательность PV-слоев.
3. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что по меньшей мере один наносимый базовый слой представляет собой слой, содержащий агломераты по меньшей мере одного образующего цепи элемента, причем образующий цепи элемент выбран из группы, состоящей из бора, алюминия, галлия, индия, углерода, кремния, германия, олова, свинца, фосфора, мышьяка, сурьмы, серы, селена, теллура, брома, йода.
4. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что базовый слой обеспечивают в виде преимущественно водной дисперсии и отверждают посредством сопутствующей реакции.
5. Способ по любому из двух предыдущих пунктов, отличающийся тем, что базовый слой обеспечивают в виде водной суспензии, рН которой доведен до значения, необходимого для протекания реакции, и наносят, и подвергают по меньшей мере предварительному отверждению при комнатной температуре.
6. Способ по любому из трех предыдущих пунктов, отличающийся тем, что базовый слой обеспечивают в виде водной углеродсодержащей суспензии, содержащей по меньшей мере один тип полиморфов углерода из сажи, графита, активированного угля, смолы, токопроводящей сажи, печной сажи, газовой сажи, ламповой сажи, сажи ESD, при этом ее рН доводят до значения, необходимого для протекания реакции, и отверждают как окислительный или восстановительный слой.
7. Способ по любому из четырех предыдущих пунктов, отличающийся тем, что рН регулируют посредством добавления по меньшей мере одного соединения, причем соединение выбрано из группы, состоящей из раствора гидроксида натрия, раствора гидроксида калия, гидроксида кальция, гидроксида бария, аммиака, соляной кислоты, серной кислоты, азотной кислоты, пероксида водорода, фосфорной кислоты, аскорбиновой кислоты, лимонной кислоты, винной кислоты, солей карбоновых кислот, карбоновых кислот, аминов, аминокислот.
8. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что перед нанесением слой в виде свободно-текучей смеси или раствора смешивают по меньшей мере с одним металлом из группы, состоящей из Li, Na, K, Be, Mg, Са, Sr, Ва, В, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Se, Те, Ti, Zr, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Hg, Au, Ag, Pt, Pd, Cd, no меньшей мере с частичным растворением металла при подходящем значении рН.
2
9. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что в качестве базового слоя применяют слой в виде свободнотекучей смеси или раствора, который наносят тонким слоем и в конечном итоге отверждают посредством сопутствующей реакции, которую осуществляют с помощью по меньшей мере одного средства, причем указанное по меньшей мере одно средство выбрано из группы, состоящей из воздействия УФ-излучения, приведения в контакт с CO, приведения в контакт с кислыми газами, приведения в контакт с основными газами, приведения в контакт с окислительными газами, приведения в контакт с восстановительными газами, приведения в контакт с хлорангидридами, приведения в контакт с растворами мочевины, приведения в контакт с дисперсией оксида металла, приведения в контакт с карбонилами металлов, приведения в контакт с комплексами металлов, приведения в контакт с соединениями металлов, приведения в контакт с солями металлов, приведения в контакт с водой.
10. Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре, в частности базового слоя, по любому из предыдущих пунктов, при котором обеспечивают электропроводные и/или полупроводниковые неорганические агломераты в дисперсии на поверхности и отверждают их с образованием слоя, отличающийся тем, что:
- отверждение проводят при комнатной температуре,
- отверждение ускоряют посредством приведения в контакт по меньшей мере с одним реагентом,
- по меньшей мере один наносимый базовый слой представляет собой слой, содержащий агломераты по меньшей мере одного образующего цепи элемента, причем образующий цепи элемент состоит из углерода, при этом
- базовый слой в виде преимущественно водной углеродсодержащей суспензии, содержащей по меньшей мере микроразмерный графит с аморфным углеродным компонентом и необязательно до 49% добавок из сажи, активированного угля, смолы, токопроводящей сажи, печной сажи, газовой сажи, ламповой сажи, сажи ESD,
- смешивают с порошком по меньшей мере одного металла, который представляет собой порошок растворимого в основаниях металла с размером частиц не более чем микрометрового диапазона, предпочтительно по меньшей мере одного металла из группы, состоящей из кремния, алюминия, галлия, индия, магния, кальция, бария, железа, кобальта, никеля, меди, цинка, более предпочтительно кремния, алюминия и железа,
- рН суспензии доводят до значения, необходимого для протекания реакции, составляющего более 7, и при этом ее наносят в качестве восстановительного слоя и подвергают предварительному отверждению по меньшей мере с получением стабилизированной краевой оболочки, причем
- суспензию, наносимую тонким слоем, отверждают по меньшей мере посредством воздействия сопутствующего УФ-излучения.
11. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что при комнатной температуре для получения проводящей электротехнической тонкой пленки обеспечивают неорганический агломерат в дисперсии на поверхности и отверждают его с образованием слоя, причем
- дисперсию металла или соединения металла
- обеспечивают на восстановительном или окислительном базовом слое,
- отверждение проводят при комнатной температуре, причем
- отверждение ускоряют посредством приведения в контакт по меньшей мере с одним соединением металла с осаждением металла или оксида металла.
12. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что базовый слой обеспечивают в виде основного восстановительного слоя, содержащего углерод, кремний, алюминий и железо.
13. Способ по любому из двух предыдущих пунктов, отличающийся тем, что в качестве дисперсии применяют водный слабокислый медьсодержащий раствор, предпочтительно свежий слабокислый раствор сульфата меди, с осаждением слоя меди.
14. Способ по любому из трех предыдущих пунктов, отличающийся тем, что слой металла толщиной до 100 микрометров, предпочтительно 0,5-80 микрометров, более предпочтительно 3±2,5 микрометра, осаждают в течение не более 5 минут, предпочтительно в течение 1-2 минут, более предпочтительно в течение 30 секунд.
15. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что осаждают слой меди толщиной по меньшей мере 0,5 микрометра с электропроводностью около 100 Ом на сантиметр, предпочтительно 0,5-10 Ом на сантиметр, более предпочтительно 2±1,5 Ом на сантиметр.
16. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что дополнительный электротехнический слой осаждают или формируют поверх слоя меди.
17. Способ по любому из шести предыдущих пунктов, отличающийся тем, что покровный слой наносят и отверждают в определенных зонах поверх базового слоя, а затем слой металла формируют в качестве электродного слоя в зонах, которые все еще доступны.
18. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что базовый слой электростатически заряжают в качестве подготовительной меры, предпочтительно электростатически заряжают во фрикционном контакте с полимерным слоем, более предпочтительно электростатически заряжают во фрикционном контакте с нейлоновым щеточным валиком.
19. Способ по любому из восьми предыдущих пунктов, отличающийся тем, что способ осуществляют в печатной машине.
20. Применение последовательности электротехнических тонких слоев, полученной согласно любому из предыдущих пунктов, где последовательность электротехнических тонких слоев является применимой в качестве пригодного к припаиванию металлического слоя, проводящего слоя интегральной схемы, резистивного слоя схемы, полупроводникового слоя, резистивного датчика, емкостного датчика, датчика влажности, фоторезиста, датчика для окисляющих/восстанавливающих газов, конденсатора, ферроэлектрического активного слоя, диода, тонкопленочного резистивного нагревателя, транзистора, транзистора с управлением полем, биполярного транзистора, измерительного фотоэлемента, последовательности фотоэлектрических слоев, сенсорного датчика.
21. Электротехнический двойной слой, предпочтительно тонкопленочный нагреватель, полученный согласно любому из предыдущих пунктов, имеющий отвержденный основной восстановительный базовый слой поверх необязательного носителя, содержащий:
- углерод в виде графита и необязательно до 49% дополнительных полиморфов углерода и/или углеродсодержащих продуктов,
- по меньшей мере частично растворенное железо и/или алюминий с чистотой 96%, с 4% обычных примесей, таких как кремний, бор, алюминий, фосфор, магний, кальций, цинк,
- отвержденное жидкое стекло,
- силикаты металлов;
и
слой металла на нем, осажденный восстановлением, предпочтительно состоящий из меди, при этом
- слой металла характеризуется металлической проводимостью, составляющей 2,5±2,475 Ом на сантиметр,
и необязательно, предпочтительно в случае слоев меди,
- двойной слой характеризуется напряжением туннельного пробоя p-n-перехода диода предпочтительно в диапазоне 2,7±1 вольт,
- двойной слой характеризуется емкостью предпочтительно в диапазоне 40±39,98 микрофарада, причем более предпочтительно до 25% сопротивления двойного слоя имеет чисто емкостную природу и не оказывает никакого влияния на импеданс при высокой частоте.