СЕНСОРНОЕ УСТРОЙСТВО

1. Сенсорное устройство для селективного обнаружения малых концентраций функциональных углеводородов в газовой фазе по меньшей мере с одним выполненным с возможностью нагрева резистивным датчиком (11, 14), отличающееся тем, что он также имеет по меньшей мере один выполненный с возможностью нагрева датчик (11, 14 и 20) поверхностной ионизации, который находится в электрическом поле.
2. Сенсорное устройство по п.1, отличающееся тем, что резистивный датчик (11, 14) является металлооксидным датчиком (ОМ-датчиком).
3
2
3. Сенсорное устройство по п.2, отличающееся тем, что резистивный сенсорный слой (12) выполнен по существу из МоО или SnO.
4. Сенсорное устройство по п.1, отличающееся тем, что резистивный сенсорный слой (12) является полупроводником или полимером.
5. Сенсорное устройство по п.1, отличающееся тем, что датчик поверхностной ионизации включает в себя сенсорную поверхность (12), а также расположенный на расстоянии от нее электрод (20), между которыми находится электрическое поле.
6. Сенсорное устройство по п.5, отличающееся тем, что сенсорная поверхность (12) датчика поверхностной ионизации состоит по существу из металлооксидного слоя (ОМ).
7. Сенсорное устройство по п.5, отличающееся тем, что сенсорная поверхность (12) датчика поверхностной ионизации выполнена из полупроводника, прежде всего GaN, AlN, SiC, алмаза.
8. Сенсорное устройство по п.5, отличающееся тем, что сенсорная поверхность (12) датчика поверхностной ионизации состоит по существу по меньшей мере из одного благородного металла, прежде всего Pt, Pd, Re.
9. Сенсорное устройство по п.5, отличающееся тем, что расстояние между сенсорной поверхностью/электродом (11) и противоположным электродом (20) составляет 0,3-3,0 мм, предпочтительно 0,5-1,5 мм.
10. Сенсорное устройство по п.5, отличающееся тем, что поданное между сенсорной поверхностью (11, 12) и противоположным электродом (20) напряжение составляет 100-1000 В, при этом сенсорная поверхность (12) представляет собой предпочтительно положительный полюс.
11. Сенсорное устройство по п.1, отличающееся тем, что сенсорная поверхность (12) резистивного датчика и датчика поверхностной ионизации идентичны.
12. Сенсорное устройство по п.1, отличающееся тем, что датчик (11) состоит из нескольких отдельных датчиков.
13. Сенсорное устройство по п.12, отличающееся тем, что отдельные датчики расположены в форме матрицы (в виде периодической структуры).
14. Сенсорное устройство по п.12, отличающееся тем, что отдельные датчики имеют сенсорные поверхности из различных материалов.
15. Сенсорное устройство по п.12, отличающееся тем, что отдельные датчики имеют отдельные нагревательные устройства и выполнены с возможностью нагрева до различных температур.
16. Сенсорное устройство по п.12, отличающееся тем, что сенсорные поверхности (12) имеют температуры поверхностей в диапазоне 400°С - 550°С, предпочтительно от 400°С до 500°С.
17. Применение сенсорного устройства по одному из предшествующих пунктов для селективного обнаружения наличия углеводородов с функциональными аминогруппами, прежде всего диметиланилина или дибутиламина или наркотических веществ на основе амфетамина.