СВЕТОДИОД И СВЕТОДИОДНАЯ ЛАМПА С НОРМИРОВАННОЙ ЯРКОСТЬЮ

1. Светодиод (A) выполненный в виде устройства, по крайней мере, соответствующего габаритам, направлениям излучения, напряжению подключения к электрической цепи/сети, устройству ответных частей коммутационных устройств, по крайней мере, одного электросветового устройства (B), выбираемого из группы (C), в которую входит, по крайней мере, один светодиод, выполненный любым известным из уровня техники способом, представляет собой техническую систему (D), под которой понимается система взаимодействующих между собой материальных объектов, которые совершают в определенном порядке действия над внешними объектами и друг над другом для обеспечения реализации, по крайней мере, одной полезной функции светодиода (E), выбираемой из группы полезных функций (F), состоящей из функции излучения светового потока, функции управления интенсивностью излучаемого светового потока, функции управления спектром излучения светового потока, состоящую из, по крайней мере, одного коммутирующего устройства (G), выбираемого из группы устройств (H), в которую входит, по крайней мере, одно устройство коммутации с надсистемой (I), где надсистема (J) представляет собой систему, включающую элементы окружающей среды, в которую техническая система (D) светодиода (A) входит в качестве компонента, которое обеспечивает подключение, по крайней мере, одной электрической цепи светодиода (A) к электрической цепи надсистемы (J), выбираемое из группы (K), состоящей из выполненных любым известным из уровня техники способом, устройств, соответствующих по установочным размерам, наличию и расположению электрических контактов светодиодов в надсистеме (J), по крайней мере, одного монтажного проводника (L), выбираемого из группы (M) устройств монтажных проводников, но не ограничиваемого ею, состоящую из, по крайней мере, одного соединительного электропроводящего материал (N), выбираемого из группы (O), но не ограничиваемый ею: клей электропроводящий, припой, эвтектика, известные из уровня техники, и/или по крайней мере, одного соединительного провода, (P) выбираемого из группы (Q), но не ограничиваемого ею: проволока металлическая, например одножильная, например, золотая, например алюминиевая, например медная, и/или пленочный проводник (R), выбираемый из группы (S), но не ограничиваемый ею печатный проводник, напыленный проводник, и/или по крайней мере, одного устройства для монтажа (T), выбираемого из группы монтажных устройств (U), включающей в себя корпус (V), подложку для чипов (W), и/или, по крайней мере, одного оптико-защитного устройства (X), выполненного любым известным из уровня техники способом, выбираемого из группы (Y), которая включает в себя линзу (Z), выполненный любым известным из уровня техники способом, промежуточную оптическую среду (АА), представляющую собой, по крайней мере, один любой известный из уровня техники материала оптически прозрачный твердый материал, например упругий материал, заполняющий пространство между линзой (Z) и корпусом (V), например силикон (ВВ), выполненный любым известным из уровня техники способом, и/или по крайней мере, одного теплопередающего устройства (CC), выбираемого из группы устройств (DD), включающей в себя выполненное любым известным способом из уровня техники, по крайней мере, одно специализированное теплоотводящее устройство (EE), выбираемое из группы специальных устройств, (FF), предназначенных для вывода избыточного тепла, вырабатываемого в светодиоде (A), за пределы светодиода (A), включающей в себя, по крайней мере, одно теплоотводящее устройство, внутри которого отвода тепла от одной его части устройства к другой части осуществляется любым известным из уровня техники способом, например, фазовый переход и/или гравитационную конвекцию, например и/или принудительное перемещение теплоносителя, теплоотводящее устройство использующие термоэлектрический эффект, например, эффект Пельтье и/или эффект Томсона, теплоотводящее использующие эффект теплопроводности, и, по крайней мере, один теплопроводящий элемент (GG) светодиода (A), для которого функция теплопередачи вторична, выбираемого из группы (НН), включающей в себя, по крайней мере, одно коммутирующее устройство (G), и/или устройство для монтажа (T), и/или линзу (Z), и/или промежуточная оптическая среда (АА), и/или, по крайней мере, одного устройства преобразования (II), выбираемого из группы устройств преобразования (JJ), состоящую, из, по крайней мере, одного устройства преобразования электрической энергии в световую (KK), выбираемого из группы (LL), в которую входит, по крайней мере, один выполненный любым известным из уровня техники способом чип (MM), представляющий собой твердотельный полупроводниковый прибор, состоящий из, по крайней мере, частично монокристаллических структур, формируемых любым известным из уровня техники способом, например, методом эпитаксии, в виде совокупности слоев подложки кристалла (OO), буферного слоя, активных гетероструктур, токораспределительных дорожек и соединенных с ними контактных площадок чипа (РР) для подключения проводников, выполненный в виде призмы, по крайней мере, в виде параллелепипеда с габаритными размерами: длина, ширина и высота, где высота измеряется по направлению, соответствующему направлению роста эпитаксиальных слоев чипа на подложке кристалла, в котором при прохождении электрического тока чипа (QQ) через кристалл от подложки кристалла к верхнему слою чипа, или наоборот, в активных гетероструктурах формируется оптическое излучение (RR) чипа, с, по крайней мере, одной длиной волны, обусловленной свойством материалов чипа, которое выходит из чипа через, по крайней мере, одну грань чипа, поверхность которой может иметь специально сформированную любым известным из уровня техники способом, неровность поверхности, например, химическим травлением и/или например, обработкой лазером, например, в виде выступов и/или углублений, например, призматической формы, и/или глухих отверстий, при которой глубина неровности не достигает зоны гетероперехода (NN), для увеличения выхода квантов из чипа, без например, в виде по крайней мере, одного устройства преобразования световой энергии в световую энергию (SS), выбираемую из группы (TT), состоящей из выполненного любым известным из уровня техники способом в виде, по крайней мере, частицы люминофора (UU) материала, обладающего способностью преобразования, по крайней мере, части падающего на него электромагнитного излучения со спектром, из, по крайней мере, одной длины волны, в поток электромагнитного излучения со спектром излучения, из, по крайней мере, одной длины волны, отличающегося от спектра излучения падающего на люминофор, размещенного любым известным из уровня техники способом на, по крайней мере, одном, устройстве, выбираемом из группы (VV), которая включает в себя, по крайней мере, одно, оптико-защитное устройство (X) и устройство преобразования электрической энергии в световую (KK), в которой, по крайней мере, одно электропроводящее устройство (WW), выбираемое из группы (XX), включающей в себя устройства из группы (H), группы (DD), группы (U), группы (LL), образует, по крайней мере, одну, группу (AAA), представляющую собой, по крайней мере, одну электрическую цепь, через которую проходит, по крайней мере, один электрический ток (YY), выбираемый из группы (ZZ) токов электропроводящих устройств (WW), включающей в себя группу токов (BBB), состоящей, из, по крайней мере, одного тока, проходящего через, по крайней мере, одно устройство из группы (H), группу токов (CCC), состоящую, из, по крайней мере, одного тока, проходящего через, по крайней мере, одно устройство из группы (DD), группу токов (DDD), состоящую из, по крайней мере, одного тока, проходящего через, по крайней мере, одно устройство из группы (U), группу токов (EEE), состоящую из, по крайней мере, одного тока, проходящего через, по крайней мере, одно устройство из группы (LL), отличающийся тем, что в светодиоде (A) световой поток, излучаемый, по крайней мере, одним чипом светодиода (MM), полностью и/или, по крайней мере, частично, направляется на, по крайней мере, один отражатель (BB), где поверхность отражателя (BB), например, равномерно рассеивает отраженный световой поток в, по крайней мере, части пространства окружающего светодиод (A), а площадь отражателя (BB), например, превосходит, например, многократно, площадь, по крайней мере, одной излучающей поверхности чипа светодиода (MM), и, например, снижет яркость светового излучения светодиода (A) до требуемого уровня, например, комфортного для восприятия глазом человека на заданном эксплуатационном расстоянии, по крайней мере, в одном заданном направлении от светодиода (A).
2. Светодиод (A), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, отличающийся тем, что в светодиоде (A), вместо линзы (Z), определение которой дано в п.1 настоящей формулы, устанавливается светопрозрачный колпак (KKK), который, например, может быть цветным и выполнять функцию светофильтра, выполненный любым известным из уровня техники способом, к которому, например, с внутренней стороны крепится любым известным из уровня техники способом, по крайней мере, одна подложка чипа (W), определение которой дано в п.1 настоящей формулы, на которой может быть установлен, по крайней мере, один чип (MM), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, и, по крайней мере, один монтажный проводник (L), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, и/или соединительный провод (P), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, обеспечивающие прохождение через чип (MM) электрического тока.
3. Чип светодиода (MM), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, отличающийся тем, что неровности на, по крайней мере, одной поверхности чипа, создаваемые для повышения выхода квантов из чипа, представляют собой систему, состоящую из, по крайней мере, одного световыводящего отверстия (LLL), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, например, глухого, выполненного любым известным из уровня техники способом, с сечением любой геометрической формы, например, в форме круга, и/или, например, прямоугольной, например, прямыми линиями, и/или системы объединяющей геометрических фигур, глубина глухого световыводящего отверстия (LLL) может доходить до зоны гетероперехода (NN), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, и/или пересекать зону гетероперехода (NN), стенки световыводящего отверстия (LLL) могут быть, например, параллельны, границы, по крайней мере, одного световыводящего отверстия (LLL), сечение которого представляет собой вытянутую геометрическую фигуру, например, прямоугольник, могут располагаться, например, вдоль вектора растекания носителей электрического тока от, по крайней мере, одной контактной площадки чипа (PP), определение которой дано в п.1 настоящей формулы, по крайней мере, по внешней поверхности, по крайней мере, части, по крайней мере, поверхностного слоя чипа светодиода (MM), на котором расположена контактная площадка чипа (PP), при выполнении световыводящего отверстия (LLL) сквозным через него может, например, принудительно, например, под давлением, протекать газ и/или жидкость, например диэлектрическая.
4. Светодиодная лампа (MMM), выполненная, например, в виде аналога, например, по габаритам и напряжению подключения лампы накаливания или газоразрядной лампы, в которой источником света является, по крайней мере, один светодиод (A), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, направление светового потока которого, по крайней мере, большей его части, соответствует направлению светового потока светодиодной лампы (МММ), световой поток от, по крайней мере, одного светодиода (A) может рассеиваться, например, оптическим устройством, например линзой, и/или светофильтрами, выполненными любым известным из уровня техники способом, которые, например, могут иметь матовую поверхность, меньшая часть светового потока, излучаемая светодиодом (A), сначала отражается от деталей конструкции лампы или рефлекторов лампы, например зеркальный или матовый, которые направляют отраженный световой поток, который составляет меньшую часть светового потока излученного светодиодом (A) в соответствии с направлением излучения светодиодной лампы (MMM), отличающаяся тем, что, по крайней мере, половина или большая часть светового потока, излучаемого, по крайней мере, одним светодиодом (A), направляется на рефлектор (NNN) любой геометрии, обеспечивающей распределение, например, рассеянного светового потока в соответствии с диаграммой направленности светодиодной лампы (MMM), выполненный любым известным из уровня техники способом, поверхность которого может быть иметь текстуру, например может быть матовой, по крайней мере, часть поверхности рефлектора (NNN) может иметь, например, неравномерную спектральную характеристику по отражению и/или может быть покрыта люминофором.
5. Светодиод (A), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, отличающийся тем, что, по крайней мере, одна подложка для чипов (W), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, предназначенная для установки чипа светодиода (ММ), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, выполняется в виде подложки-зажима (OOO), в которой фиксация чипа осуществляется внатяг и/или посредством замка любой известной из уровня техники конструкции и/или посредством прижимного устройства (PPP) любой известной из уровня техники конструкции, являющегося, например, частью, например, ответной, для подложки-зажима (OOO), любой известной из уровня техники конструкции, подложка-зажим (OOO) подложка и/или прижимное устройство (РРР) может быть выполнено, например, из светопрозрачного и/или проводящего материала, подложка-зажим (OOO) подложка и/или прижимное устройство (PPP) может быть выполнено из светопрозрачного материала, например, имеющего в своем составе дополнительные включения, например люминофор (III), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, может иметь форму, обеспечивающую, например, рассеивание проходящего через него, по крайней мере, оптического излучения чипа (RR), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, может иметь на своей поверхности прижимной электрический контакт любой конструкции, известной из уровня техники, для, по крайней мере, электрической коммуникации между, по крайней мере, одной контактной площадкой, по крайней мере, одного чипа (MM) и электрической цепью, состоящей из, по крайней мере, коммутирующего устройства (G), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, обеспечивающей подвод и прохождение через чип (MM) тока из группы (EEE), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, по крайней мере, две и более подложки-зажима (OOO) могут быть соединяться любым известным из уровня техники способом между собой механически, например, образуя гибкую механическую связь и/или, по крайней мере, одну электрическую цепь.