КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ РЕЗИСТА И СПОСОБЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ

1. Жидкая композиция, содержащая
(A) по меньшей мере, один полярный органический растворитель, выбранный из группы, состоящей из растворителей, проявляющих в присутствии от 0,06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора (АВ), постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,
(B) по меньшей мере, один гидроксид четвертичного аммония, и
(C) по меньшей мере, один ароматический амин, содержащий, по меньшей мере, одну первичную аминогруппу.
2. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что не содержит N-алкилпирролидоны и гидроксиламин и производные гидроксиламина.
3. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что ароматический амин (С) содержит одну первичную аминогруппу в качестве единственной функциональной группы.
4. Жидкая композиция по п.3, характеризующаяся тем, что ароматическим амином является анилин.
5. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что демонстрирует динамическую сдвиговую вязкость при 50°С, измеренную методом ротационной вискозиметрии, от 1 до 10 мПа·с.
6. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что, по меньшей мере, два растворителя (А) выбираются так, чтобы барьерный просветляющий слой удалялся в течение 90 с.
7. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворители (А) имеют точку кипения выше 100°С.
8. Жидкая композиция по п.7, характеризующаяся тем, что растворители (А) имеют точку вспышки, измеренную в закрытом тигле, выше 50°С.
9. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что растворитель (А) выбирается из группы, состоящей из алифатических полиаминов, содержащих, по меньшей мере, две первичные аминогруппы, алифатических алканоламинов, имеющих, по меньшей мере, одну углеродную цепь из, по меньшей мере, 3 атомов углерода между одной первичной аминогруппой и одной гидроксильной группой, алифатических сульфоксидов и N-замещенных имидазолов.
10. Жидкая композиция по п.9, характеризующаяся тем, что растворитель (А) выбирается из группы, состоящей из диэтилентриамина, N-метилимидазола, 3-амино-1-пропанола, 5-амино-1-пентанола и диметилсульфоксида.
11. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что гидроксид четвертичного аммония (В) выбирается из группы, состоящей из гидроксидов тетраметиламмония, тетраэтиламмония, тетрапропиламмония, тетрабутиламмония, бензилтриметиламмония и (2-гидроксиэтил)аммония.
12. Жидкая композиция по п.11, характеризующаяся тем, что гидроксидом четвертичного аммония (В) является гидроксид тетраметиламмония.
13. Жидкая композиция по п.1, характеризующаяся тем, что она содержит, по меньшей мере, один дополнительный компонент, выбранный из группы, состоящей из воды (D), полярных органических растворителей (Е), отличных от растворителей (А), ингибиторов коррозии (F), отличных от ароматических аминов (С), хелатообразующих веществ (G), фторидных солей (Н) и поверхностно-активных веществ (I).
14. Жидкая композиция по п.13, характеризующаяся тем, что полярный органический растворитель (Е) выбирается из группы растворителей, проявляющих в присутствии от 0,06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора (ЕВ), интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение, которая увеличивается с увеличением концентрации гидроксида тетраметиламмония (В).
15. Жидкая композиция по п.14, характеризующаяся тем, что полярный растворитель (Е) выбирается из группы, состоящей из этаноламина, N-метилэтаноламина, N-этилэтаноламина, изопропаноламина, 2-(2-аминоэтиламино)этанола, 2-(2-аминоэтокси)этанола, диэтиленгликоля моноэтилового эфира, диэтиленгликоля монобутилового эфира, N-(2-гидроксиэтил)пиперидина, 1,3-диметил-3,4,5,6-тетрагидро-2-(1Н)-пиримидинона и N-(3-аминопропил)имидазола.
16. Жидкая композиция по п.13, характеризующаяся тем, что ингибитор коррозии (F) выбирается из группы, состоящей из ингибиторов коррозии меди.
17. Способ получения жидкой композиции, где указанный способ содержит стадии
(I) выбор, по меньшей мере, одного полярного органического растворителя (А), проявляющего в присутствии от 0,06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора, постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальне УФ-излучение, и
(II) смешивание, по меньшей мере, одного из выбранных полярных органических растворителей (А), по меньшей мере, одного гидроксида четвертичного аммония (В) и, по меньшей мере, одного ароматического амина (С), содержащего, по меньшей мере, одну первичную аминогруппу.
18. Способ по п.17, характеризующийся тем, что динамическую сдвиговую вязкость при 50°С смеси, полученной на стадии (II) процесса, доводят до значения от 1 до 10 мПа·с, измеренного методом ротационной вискозиметрии.
19. Способ по п.17, характеризующийся тем, что не применяются N-алкилпирролидон и гидроксиламин и производные гидроксиламина.
20. Способ по п.17, характеризующийся тем, что получается жидкая композиция по любому из пп.1-16.
21. Способ изготовления электрических устройств, содержащий стадии
(1) нанесение изоляционного диэлектрического слоя, состоящего, по меньшей мере, из одного материала с низкой или ультранизкой диэлектрической проницаемостью, на поверхность подложки,
(2) нанесение слоя положительного или негативного резиста на поверхность изоляционного диэлектрического слоя (1),
(3) подвергание слоя резиста (2) селективному воздействию электромагнитного излучения или корпускулярного излучения,
(4) проявление селективно подвергнутого излучению слоя резиста (3) для образования рисунка в резисте,
(5) сухое травление изоляционного диэлектрического слоя (1) с использованием рисунка в резисте (4) в качестве маски для образования проводных канавок и/или сквозных отверстий, сообщающихся с поверхностью подложки,
(6) выбор, по меньшей мере, одного полярного органического растворителя (А), проявляющего в присутствии от 0,06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора (АВ), постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,
(7) обеспечение, по меньшей мере, одной композиции для удаления резиста, содержащей
(A) по меньшей мере, один полярный органический растворитель, выбранный в соответствии со стадией (6) процесса, и
(B) по меньшей мере, один гидроксид четвертичного аммония, и
(С) по меньшей мере, один ароматический амин, содержащий, по меньшей мере, одну первичную аминогруппу,
(8) удаление рисунка в резисте и травильных шламов с помощью влажного метода, используя, по меньшей мере, одну композицию для удаления резиста (7), полученную в соответствии со стадией (7) процесса, и
(9) заполнение проводных канавок (5) и сквозных отверстий (5), по меньшей мере, одним материалом, обладающим низким электрическим сопротивлением.
22. Способ по п.21, характеризующийся тем, что на стадии (7) процесса получается жидкая композиция по любому из пп.1-16.
23. Способ по п.21, характеризующийся тем, что слой жесткой маски (10) располагается между слоем резиста (2) и изоляционным диэлектрическим слоем (1), где указанный слой жесткой маски (10) селективно протравливается, используя рисунок в резисте (4) в качестве маски на стадии (5) процесса.
24. Способ по п.21, характеризующийся тем, что барьерный просветляющий слой (11) располагается между слоем резиста (2) и изоляционным диэлектрическим слоем (1), где указанный барьерный просветляющий слой (11) селективно протравливается, используя рисунок в резисте (4) в качестве маски на стадии (5) процесса.
25. Способ по п.23, характеризующийся тем, что барьерный просветляющий слой (11) располагается между слоем жесткой маски (10) и слоем резиста (2), где указанный барьерный просветляющий слой (11) и слой жесткой маски (10) селективно протравливаются на стадии (5) процесса.
26. Способ по п.24, характеризующийся тем, что селективно протравленный барьерный просветляющий слой (11) удаляется на стадии (8) процесса.
27. Способ по п.25, характеризующийся тем, что селективно протравленный барьерный просветляющий слой (11) удаляется на стадии (8) процесса.
28. Способ по п.21, характеризующийся тем, что медь применяется в качестве материала (9), обладающего низким электрическим сопротивлением.
29. Способ по п.21, характеризующийся тем, что изготовленные электрические устройства представляют собой полупроводниковые интегральные схемы, жидкокристаллические индикаторные панели, органические электролюминесцентные индикаторные панели, печатные платы, микромашины, ДНК-чипы и микрозаводы.
30. Применение жидкой композиции для удаления негативных и позитивных фоторезистов и травильных шламов при изготовлении 3D пакетированных интегральных схем и 3D корпусировании на уровне пластин путем формирования рельефа сквозных соединений через кремний (TSV) и/или путем осаждения и путем формирования столбиковых выводов, причем указанная жидкая композиция содержит
(А) по меньшей мере, один полярный органический растворитель, выбранный из группы, состоящей из растворителей, проявляющих в присутствии от 0,06 до 4 мас.% растворенного гидроксида тетраметиламмония (В), массовая доля которого взята, исходя из полного веса соответствующего тестируемого раствора (АВ), постоянную интенсивность удаления при 50°С для полимерного барьерного просветляющего слоя толщиной 30 нм, содержащего хромофорные группы, поглощающие дальнее УФ-излучение,
(B) по меньшей мере, один гидроксид четвертичного аммония, и
(C) по меньшей мере, один ароматический амин, содержащий, по меньшей мере, одну первичную аминогруппу.