СОЕДИНЕНИЕ МЕТОДОМ ПЕРЕВЕРНУТОГО КРИСТАЛЛА ПРИ ПОМОЩИ НЕБОЛЬШОГО ОТВЕРСТИЯ В ПАССИВИРУЮЩЕМ СЛОЕ

1. Электрическое соединение (100, 200, 300) методом перевернутого кристалла между первым и вторым электрическими элементами (110, 180; 410, 480), причем данное соединение (100, 200, 300) содержит:
первый электрический элемент (110, 210, 310, 410), содержащий:
контактную площадку (315), электрически соединенную с первым электрическим элементом (110, 210, 310, 410); и
пассивирующий слой (130, 230, 330), перекрывающий первый электрический элемент (110, 210, 310, 410) и контактную площадку (315), причем пассивирующий слой (130, 230, 330) сконфигурирован, чтобы иметь отверстие (120, 220, 320), расположенное над контактной площадкой (315); и
выступ (240, 340), перекрывающий отверстие (120, 220, 320) и, по существу, перекрывающий пассивирующий слой (130, 230, 330), причем выступ (240, 340) находится в электрическом контакте с контактной площадкой (315) и сконфигурирован для соединения первого и второго электрических элементов (110, 180; 410, 480) в процессе соединения методом перевернутого кристалла.
2. Соединение (100, 200, 300) по п.1, в котором отношение площади поверхности отверстия (120, 220, 320) к площади поверхности пассивирующего слоя (130, 230, 330), перекрывающейся выступом (240, 340), находится в пределах от 5 до 85%.
3. Соединение (100, 200, 300) по п.1, в котором отношение площади поверхности отверстия (120, 220, 320) к площади поверхности пассивирующего слоя (130, 230, 330), перекрывающейся выступом (240, 340), находится в пределах от 5 до 30%.
4. Соединение (100, 200, 300) по п.1, в котором выступ (240, 340) перекрывает большую площадь поверхности пассивирующего слоя (130, 230, 330), чем отверстие (120, 220, 320).
5. Соединение (100, 200, 300) по п.1, в котором первый электрический элемент (110, 210, 310, 410) содержит слой металлизации (350) под выступом, сконфигурированный для электрического соединения контактной площадки (315) с выступом (240, 340).
6. Соединение (100, 200, 300) по п.1, в котором выступ (240, 340) сконфигурирован в виде множества слоев (342, 344, 346), которые осаждаются в течение процесса электроосаждения.
7. Соединение (100, 200, 300) по п.1, в котором первым электрическим элементом (110, 210, 310, 410) является СИС.
8. Соединение (100, 200, 300) по п.1, в котором вторым электрическим элементом (180, 480) является датчик.
9. Способ формирования электрического соединения (100, 200, 300) методом перевернутого кристалла между первым и вторым электрическими элементами (110, 180; 410, 480), в котором первый электрический элемент (110, 210, 310, 410) покрывается пассивирующим слоем (130, 230, 330), причем данный способ включает в себя этапы:
образования отверстия (120, 220, 320) в пассивирующем слое (130, 230, 330) над контактной площадкой (315) первого электрического элемента (110, 210, 310, 410);
осаждения выступа (240, 340), перекрывающего отверстие (120, 220, 320) и по существу перекрывающего пассивирующий слой (130, 230, 330); и
электрического соединения выступа (240, 340) с контактной площадкой (315).
10. Способ по п.9, в котором перед этапом осаждения выступа (240, 340) данный способ включает в себя этап осаждения слоя металлизации (350) под выступом в электрическом контакте с контактной площадкой (315), и в котором этап электрического соединения выступа (240, 340) с контактной площадкой (315) включает в себя этап электрического соединения выступа (240, 340) с слоем металлизации (350) под выступом.
11. Способ по п.10, включающий в себя этап удаления частей слоя металлизации (350) под выступом, которые не перекрываются выступом (240, 340).
12. Способ по п.10, в котором этап осаждения слоя металлизации (350) под выступом включает в себя этап осаждения методом распыления слоя металлизации (350) под выступом.
13. Способ по п.9, в котором этап осаждения выступа (240, 340) включает в себя этап электролитического осаждения множества слоев (342, 344, 346) выступа (240, 340) до тех пор, пока высота выступа будет находиться в пределах 70-100 мкм.
14. Способ по п.9, в котором этап осаждения выступа (240, 340) включает в себя этап осаждения выступа (240, 340), чтобы покрыть отверстие (120, 220, 320) по отношению к площади поверхности пассивирующего слоя (130, 230, 330), в пределах от 5 до 30%.
15. Способ по п.9, включающий в себя этап соединения методом перевернутого кристалла выступа (240, 340) со вторым электрическим элементом (180, 480).
16. Способ по п.15, включающий в себя этап разрезания второго электрического элемента (180, 480) после этапа соединения методом перевернутого кристалла.
17. Способ по п.15, в котором вторым электрическим элементом (180, 480) является акустический элемент.
18. Способ по п.15, в котором этапом соединения методом перевернутого кристалла является одно из множества электрических соединений, образованных в решетке с шагом менее 150 мкм.
19. Способ по п.18, включающий в себя этап разрезания второго электрического элемента (180, 480) после этапа соединения методом перевернутого кристалла для формирования множества акустических элементов (480) из второго электрического элемента (180, 480).
20. Способ по п.15, в котором первым электрическим элементом (110, 210, 310, 410) является СИС, а вторым электрическим элементом (180, 480) является акустический элемент.