ТЕЛО ВАКУУМНОЙ ИЗОЛЯЦИИ С ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ЭЛЕМЕНТОМ

1. Тело вакуумной изоляции с оболочкой, которая определяет область вакуума,
отличающееся тем, что
внутри области вакуума расположен термоэлектрический элемент, в частности элемент Пельтье, для создания разности температур между двумя предусмотренными на наружной стороне оболочки областями.
2. Тело вакуумной изоляции по п.1, отличающееся тем, что термоэлектрический элемент имеет по существу пластинчатую основную форму и две термоповерхности, которые предпочтительно проходят приблизительно параллельно друг другу и расположены на расстоянии друг от друга.
3. Тело вакуумной изоляции по п.1 или 2, отличающееся тем, что дополнительно предусмотрено расположенное в области вакуума теплопроводное тело, которое находится в передающем тепло, в частности теплопроводном контакте или в прямом контакте с термоэлектрическим элементом и оболочкой.
4. Тело вакуумной изоляции по п.3, причем контактная поверхность между теплопроводным телом и оболочкой больше, чем контактная поверхность между теплопроводным телом и термоэлектрическим элементом.
5. Тело вакуумной изоляции по любому из пп.1-4, дополнительно с теплообменником, который расположен за пределами области вакуума, причем теплообменник термически соединен с областью оболочки, предпочтительно в области, на температуру которой может оказывать влияние термоэлектрический элемент.
6. Тело вакуумной изоляции по любому из пп.1-5, отличающееся тем, что оболочка включает в себя высокобарьерную пленку или является высокобарьерной пленкой, и/или что в области вакуума находится материал основы, в частности перлит.
7. Тело вакуумной изоляции по п.5 или 6, отличающееся тем, что сам теплообменник представляет собой часть оболочки или всю оболочку.
8. Термоэлектрический элемент, в частности элемент Пельтье, включающий в себя: по меньшей мере, один легированный примесью n-типа полупроводниковый элемент и, по меньшей мере, один легированный примесью p-типа полупроводниковый элемент, который при помощи проводящей перемычки соединен с легированным примесью n-типа полупроводниковым элементом, причем оба полупроводниковых элемента расположены на расстоянии друг от друга, так что между ними образовано свободное пространство,
отличающийся тем, что
свободное пространство между легированным примесью n-типа полупроводниковым элементом и легированным примесью p-типа полупроводниковым элементом заполнено материалом в виде порошка, причем предпочтительно предусмотрено то, что материал в виде порошка имеет средний размер зерна порошка, который находится между 5 мкм и 30 мкм, предпочтительно между 10 мкм и 25 мкм и наиболее предпочтительно между 15 мкм и 20 мкм.
9. Тело вакуумной изоляции по любому из пп.1-7, отличающееся тем, что термоэлектрический элемент выполнен по п.8, и предпочтительно материал в виде порошка одновременно является материалом основы тела вакуумной изоляции.
10. Теплоизолированная емкость, по меньшей мере, с одним корпусом и, по меньшей мере, с одним темперированным внутренним пространством, предпочтительно холодильный и/или морозильный аппарат, по меньшей мере, с одним корпусом и, по меньшей мере, с одним охлажденным внутренним пространством, которое окружено корпусом, а также, по меньшей мере, с одним запорным элементом, при помощи которого темперированное и предпочтительно охлажденное внутреннее пространство может закрываться, причем между темперированным и предпочтительно охлажденным внутренним пространством и наружной стенкой резервуара и предпочтительно аппарата находится, по меньшей мере, один промежуток,
отличающаяся тем, что
в промежутке располагается, по меньшей мере, одно тело вакуумной изоляции по любому из пп.1-7 или п.9, и/или термоэлектрический элемент по п.8.