СПОСОБ ЗАЩИТЫ p-n-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ОКИСИ БЕРИЛЛИЯ
METHOD OF PROTECTING BERYLLIUM OXIDE-BASED p-n JUNCTIONS

-
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам защиты поверхности p-nпереходов.
Известен способ защиты поверхности p-n-переходов на основе окислов металлов: циркония, титана, алюминия и др. [1].
Основным недостатком этого способа является неравномерность, высокая температура и длительность процесса.
Целью изобретения является достижение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса.
Поставленная цель достигается использованием защитной пленки на основе пленки окиси бериллия.
Предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получить пленку для защиты поверхности p-n-переходов на основе окиси бериллия в виде порошка при температуре 1000°C и при этом достигается равномерность поверхности и уменьшение длительности процесса.
Сущность способа заключается в том, что защита поверхности p-n-переходов осуществляется на основе пленки окиси бериллия вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре 1000°C, температура кристалла 600°C. Окись бериллия в виде порошка, а в качестве несущего агента используется галоген HBr.
Поставленная цель достигается путем пропускания в кварцевую трубу инертного газа, при котором устанавливается перепад температур между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом. Расстояние между источником окиси бериллия и кристаллом равно 12 см.
Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина пленки окиси бериллия δ=0,8±0,1 мкм.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1. Процесс защиты поверхности p-n-переходов из окиси бериллия осуществляется вакуумным катодным распылением. Создание защитной пленки проводится в печи при температуре рабочей зоны -900°C, температура полупроводникового кристалла 600°C. Затем источник окиси бериллия в виде порошка загружают в кварцевую трубу, а в качестве несущего агента используется галоген HBr. Расстояние между источником окиси бериллия и кристаллом 8 см. Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной пленки окиси бериллия δ=0,6±0,1 мкм.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1.
Температура рабочей зоны 950°C.
Расстояние между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом 10 см.
Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной пленки окиси бериллия δ=0,7±0,1 мкм.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Температура рабочей зоны 1000°C.
Расстояние между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом 12 см.
Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной пленки окиси бериллия δ=0,8±0,1 мкм.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получить пленку для защиты поверхности p-n-переходов на основе окиси бериллия при температуре 1000°C и при этом достигается равномерность поверхности и уменьшение длительности процесса.
ЛИТЕРАТУРА
1. А.И.Курносов, В.В.Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов. - М.: «Высшая школа», 1974, 400 с.