ВЫСОКОПРОЧНЫЙ КОМПОЗИТ АЛМАЗ-SiC И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

3
4
1. Способ приготовления связанного с помощью карбида кремния ("SiC") алмазного композита, при этом упомянутый способ включает спекание смеси, упомянутая смесь включает алмаз, кремний (Si) и необязательно, по меньшей мере, один компонент, выбранный из группы SiN, AlN, hBN и их комбинаций, причем упомянутое спекание имеет место при давлении приблизительно от 10 кбар и приблизительно до 80 кбар, при температуре приблизительно от 1600°C и приблизительно до 1800°C; и причем упомянутое спекание длится, по меньшей мере, приблизительно 10 минут.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что упомянутая смесь находится в контакте с массой твердого или порошкового Si во время упомянутого спекания.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что упомянутая смесь дополнительно включает элемент, выбранный из группы Ti, Hf, Nb, Zr, Ta, W, Мо, V, U, Th, Sc, Be, Re, Rh, Ru, Ir, Os, Pt и их комбинаций.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что упомянутая масса твердого или порошкового Si дополнительно содержит элемент, выбранный из группы Ti, Hf, Nb, Zr, Ta, W, Мо, V, U, Th, Sc, Be, Re, Rh, Ru, Ir, Os, Pt и их комбинаций.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что Si имеет d95 меньше чем приблизительно 30 микрон.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что температура составляет приблизительно 1690°C.
7. Связанный с помощью SiC алмазный композит, приготовленный способом по п.1, причем упомянутый, связанный с помощью SiC алмазный композит имеет содержание непрореагировавшего Si меньше чем приблизительно 2 мас.% и содержание графита меньше чем приблизительно 1 мас.%.
8. Связанный с помощью SiC алмазный композит по п.7, отличающийся тем, что прочность упомянутого композита составляет, по меньшей мере, приблизительно 700 МПа.
9. Связанный с помощью SiC алмазный композит по п.7, отличающийся тем, что упомянутое содержание непрореагировавшего Si меньше чем приблизительно 1,5 мас.%.
10. Связанный с помощью SiC алмазный композит по п.9, отличающийся тем, что упомянутое содержание непрореагировавшего Si меньше чем приблизительно 1 мас.%.
11. Связанный с помощью SiC алмазный композит по п.7, отличающийся тем, что упомянутое содержание графита меньше чем приблизительно 0,1 мас.%.
12. Связанный с помощью SiC алмазный композит по п.7, отличающийся тем, что упомянутая температура составляет приблизительно 1690°С.
3
4
13. Способ для приготовления связанного с помощью карбида кремния ("SiC") алмазного композита, при этом упомянутый способ включает спекание смеси, упомянутая смесь включает алмаз, кремний (Si) и необязательно, по меньшей мере, один компонент, выбранный из группы SiN, AlN, hBN и их комбинации, причем упомянутое спекание имеет место при давлении приблизительно от 10 кбар и приблизительно до 80 кбар, при температуре приблизительно от 1400°C и приблизительно до 1600°C; и причем d95 для Si меньше чем приблизительно 30 мкм.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что упомянутая смесь находится в контакте с массой твердого или порошкового Si во время упомянутого спекания.
15. Способ по п.13, отличающийся тем, что упомянутая смесь дополнительно включает в себя элемент, выбранный из группы Ti, Hf, Nb, Zr, Ta, W, Мо, V, U, Th, Sc, Be, Re, Rh, Ru, Ir, Os, Pt и их комбинации.
16. Способ по п.14, отличающийся тем, что упомянутая масса твердого или порошкового Si дополнительно включает в себя элемент, выбранный из группы Ti, Hf, Nb, Zr, Ta, W, Мо, V, U, Th, Sc, Be, Re, Rh, Ru, Ir, Os, Pt и их комбинаций.
17. Способ по п.13, отличающийся тем, что d95 для Si меньше чем приблизительно 10 мкм.
18. Способ по п.16, отличающийся тем, что d95 для Si составляет приблизительно 7,5 мкм.
19. Способ по п.13, отличающийся тем, что температура составляет приблизительно 1600°C.
20. Связанный с помощью SiC алмазный композит, приготовленный способом по п.13, причем упомянутый, связанный с помощью SiC алмазный композит имеет содержание непрореагировавшего Si меньше чем приблизительно 2 мас.% и содержание графита меньше чем приблизительно 1 мас.%.
21. Связанный с помощью SiC алмазный композит по п.20, отличающийся тем, что прочность упомянутого композита составляет, по меньшей мере, приблизительно 700 МПа.
22. Связанный с помощью SiC алмазный композит по п.20, отличающийся тем, что упомянутое содержание непрореагировавшего Si меньше чем приблизительно 1,5 мас.%.
23. Связанный с помощью SiC алмазный композит по п.22, отличающийся тем, что упомянутое содержание непрореагировавшего Si меньше чем приблизительно 1 мас.%.
24. Связанный с помощью SiC алмазный композит по п.20, отличающийся тем, что упомянутое содержание графита меньше чем приблизительно 0,1 мас.%.
25. Связанный с помощью SiC алмазный композит по п.20, отличающийся тем, что упомянутая прочность составляет, по меньшей мере, приблизительно 800 МПа.
26. Связанный с помощью SiC алмазный композит, содержащий приблизительно от 60% и приблизительно до 95 мас.% алмаза, приблизительно 10-40 мас.% SiC, меньше чем приблизительно 2 мас.%  непрореагировавшего Si и меньше чем приблизительно 1 мас.% графита.
27. Связанный с помощью SiC алмазный композит по п.26, отличающийся тем, что упомянутого алмаза содержится приблизительно от 81% и приблизительно до 82 мас.% композита; упомянутого SiC содержится приблизительно от 17% и приблизительно до 18 мас.% композита, и упомянутого непрореагировавшего Si содержится меньше чем приблизительно 1,5 мас.% композита.
28. Связанный с помощью SiC алмазный композит по п.26, отличающийся тем, что упомянутого непрореагировавшего Si содержится меньше чем приблизительно 0,9 мас.% упомянутого, связанного с помощью SiC алмазного композита.
29. Связанный с помощью SiC алмазный композит по п.26, отличающийся тем, что упомянутого графита меньше чем приблизительно 0,1 мас.%.
30. Связанный с помощью SiC алмазный композит по п.26, отличающийся тем, что прочность упомянутого композита составляет, по меньшей мере, приблизительно 700 МПа.
31. Связанный с помощью SiC алмазный композит по п.26, отличающийся тем, что упомянутое содержание непрореагировавшего Si меньше чем приблизительно 1,1 мас.%.