ПОДЛОЖКА С НАНООТПЕЧАТКОМ

1. Способ формирования поверхности подложки с заданным отпечатком, свободной от остатков материала, включающий следующие операции:
покрывают слой подложки слоем смолы;
накладывают шаблон наномасштаба, чтобы создать в указанной смоле отпечаток в виде наноструктур;
отверждают указанную смолу без изменения положения указанного шаблона для получения отвержденной смолы;
удаляют указанный шаблон;
наносят первый герметизирующий слой на верхнюю поверхность отвержденной смолы;
приваривают участок отвержденной смолы к находящемуся с ним в контакте соединительному участку слоя подложки, и
удаляют первый герметизирующий слой, приваренный к участку отвержденной смолы, находящемуся в контакте с соединительным участком слоя подложки.
2. Способ по п. 1, в котором удаление первого герметизирующего слоя приводит к образованию на поверхности слоя подложки одного или более участков, свободных от остатков материала.
3. Способ по п. 2, в котором
один или более участков, свободных от остатков материала, расположены по периметру слоя подложки; или
один или более участков, свободных от остатков материала, по существу, окружают наноструктуры, сформированные шаблоном наномасштаба.
4. Способ по п. 1, в котором для осуществления сварки применяют технологию, обеспечивающую передачу энергии соединительным участкам посредством инфракрасного лазера.
5. Способ по п. 1, в котором смола для получения отпечатка находится в жидком состоянии, а отверждение указанной смолы включает ее облучение посредством источника ультрафиолетового (УФ) излучения.
6. Способ по п. 1, в котором отверждение смолы включает следующие операции:
повышают температуру смолы и
понижают ее температуру для получения отпечатка по истечении периода отверждения.
7. Способ по п. 1, в котором указанное сваривание участка включает передачу энергии только участку, находящемуся в контакте с соединительным участком, но не другим участкам отвержденной смолы.
8. Способ по п. 1, который дополнительно включает следующие операции:
после удаления первого герметизирующего слоя на верхнюю поверхность отвержденной смолы наносят второй герметизирующий слой;
приваривают второй герметизирующий слой к участку слоя подложки, свободному от остатков материала, и
удаляют второй герметизирующий слой.
9. Способ формирования поверхности подложки с заданным отпечатком, включающий следующие операции:
формируют наноструктуры в слое смолы;
наносят первый слой фоторезиста на верхнюю поверхность слоя смолы;
накладывают фотолитографическую маску на верхнюю поверхность первого слоя фоторезиста;
облучают первый слой фоторезиста посредством источника излучения через фотолитографическую маску;
удаляют фотолитографическую маску;
обрабатывают первый слой фоторезиста для получения защитного фоторезиста;
осуществляют травление фоторезиста и участков слоя смолы без наноструктур и
удаляют защитный фоторезист.
10. Способ по п. 9, в котором формирование наноструктур в слое смолы включает следующие операции:
покрывают слой подложки слоем смолы;
накладывают шаблон наномасштаба, чтобы создать в указанной смоле отпечаток в виде наноструктур;
отверждают указанную смолу без изменения положения указанного шаблона для получения отвержденной смолы с отпечатком и
удаляют указанный шаблон.
11. Способ по п. 9, в котором
фотолитографическую маску, материал фоторезиста в слое фоторезиста и метод проявления скрытого фотолитографического изображения выбирают такими, чтобы обеспечить позитивный фотолитографический процесс; или
фотолитографическую маску, материал фоторезиста в слое фоторезиста и метод проявления скрытого фотолитографического изображения выбирают такими, чтобы обеспечить негативный фотолитографический процесс.
12. Способ по п. 9, в котором слой фоторезиста содержит фоторезистивный материал NR-9, а источник излучения является источником УФ излучения.
13. Способ по п. 9, в котором технология травления выбрана из группы, состоящей из сухого травления, реактивного ионного травления и влажного травления, выбранного из группы, состоящей из кислотного травления и щелочного травления.
14. Способ по п. 9, который дополнительно включает обработку слоя смолы с формированием поверхностных химических реагентов, которую проводят до нанесения первого слоя фоторезиста или после удаления защитного фоторезиста.
15. Проточная кювета, содержащая:
первый слой-подложку, содержащий отпечаток по меньшей мере одной наноструктуры и первый участок, свободный от остатков материала;
второй слой-подложку;
слой-прокладку, связанный с первым слоем-подложкой на указанном первом участке, свободном от остатков материала, посредством первого соединения и связанный со вторым слоем-подложкой посредством второго соединения, и
по меньшей мере одну герметизированную камеру, причем единственная или каждая герметизированная камера образована пространством между первым слоем подложки, вторым слоем подложки, углублением в прокладке или любой комбинацией указанных пространств,
при этом указанная по меньшей мере одна герметизированная камера выдерживает давление, составляющее по меньшей мере около 6,9 кПа.
16. Кювета по п. 15, в которой
первый слой-подложка представляет собой слой стекла;
слой-прокладка представляет собой слой способной к прикреплению термопластичной полиимидной пленки и
указанная по меньшей мере одна отпечатанная наноструктура содержит полиимидную смолу.
17. Кювета по п. 15, в которой второй слой-подложка содержит отпечаток наноструктур и второй участок, свободный от остатков материала, причем слой-прокладка прикреплен ко второму слою-подложке на втором участке, свободном от остатков материала.
18. Кювета по п. 15, в которой
по меньшей мере на поверхности одного отпечатка наноструктуры имеются химические реагенты; или
химические реагенты имеются на первом слое-подложке.
19. Кювета по п. 15, в которой по меньшей мере 99% поверхности свободного от остатков материала первого участка первого слоя-подложки свободны от остатков материала.
20. Кювета по п. 15, в котором адгезионная прочность первого соединения составляет не менее 9,8 Н.