ПОДДАЮЩЕЕСЯ ТЕРМООБРАБОТКЕ ИЗДЕЛИЕ С ПОКРЫТИЕМ, ИМЕЮЩЕЕ ОТРАЖАЮЩИЕ ИК-ИЗЛУЧЕНИЕ СЛОИ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ТИТАНА И ITO

1. Изделие с покрытием, включающее в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, причем покрытие содержит:
первый отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий ITO, на стеклянной подложке;
первый диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере первого отражающего ИК-излучение слоя, содержащего ITO;
второй отражающий ИК-излучение слой, содержащий нитрид титана, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере первого диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния, так что первый диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, расположен между по меньшей мере первым отражающим ИК-излучение слоем, содержащим ITO, и вторым отражающим ИК-излучение слоем, содержащим нитрид титана;
второй диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере второго отражающего ИК-излучение слоя, содержащего нитрид титана;
причем покрытие не содержит отражающего ИК-излучение слоя на основе серебра;
n
где покрытие имеет значение нормальной излучательной способности (E) не более 0,30; и
при этом изделие с покрытием имеет при измерении в монолите: пропускание видимого света около 15-80%, отражение видимого света со стороны пленки не более 10%, отражение видимого света со стороны стекла не более около 30%, значение a* при отражении со стороны стекла от -10,0 до +1,6 и отношение пропускания света к теплопритоку от солнечного излучения (LSG) по меньшей мере 1,10.
2. Изделие с покрытием по п. 1, в котором покрытие содержит только два отражающих ИК-излучение слоя.
3. Изделие с покрытием по любому из предшествующих пунктов, в котором первый диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, размещается между первым и вторым отражающими ИК-излучение слоями и непосредственно контактирует с ними.
x
4. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором второй отражающий ИК-излучение слой, содержащий нитрид титана, содержит TiN, где x составляет от 0,8 до 1,2.
x
5. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором второй отражающий ИК-излучение слой, содержащий нитрид титана, содержит TiN, где x составляет от 0,9 до 1,1.
6. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором второй отражающий ИК-излучение слой содержит 0-8% кислорода (атомный %).
7. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором второй отражающий ИК-излучение слой содержит 0-5% кислорода (атомный %).
8. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие дополнительно содержит другой диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, размещенный между стеклянной подложкой и первым отражающим ИК-излучение слоем и контактирующий с ними.
9. Изделие с покрытием по п. 8, в котором другой диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, дополнительно содержит кислород.
10. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором второй отражающий ИК-излучение слой состоит по существу из нитрида титана.
11. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие дополнительно содержит внешний слой, содержащий оксид циркония.
12. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором изделие с покрытием имеет пропускание видимого света около 20-70% и отношение пропускания света к теплопритоку от солнечного излучения (LSG) по меньшей мере 1,15.
13. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором изделие с покрытием имеет отношение пропускания света к теплопритоку от солнечного излучения (LSG) по меньшей мере 1,22.
14. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором изделие с покрытием имеет отражение видимого света со стороны пленки не более 8%.
15. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором изделие с покрытием имеет отражение видимого света со стороны пленки не более 5%.
16. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором стеклянная подложка представляет собой прозрачную стеклянную подложку.
17. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором изделие с покрытием имеет значение a* по отражению со стороны стекла от -8 до +1,0 и значение a* по отражению со стороны пленки от -9 до +9.
18. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором один или более из диэлектрических слоев, содержащих нитрид кремния, дополнительно содержат кислород и допированы алюминием.
19. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором изделие с покрытием представляет собой монолитное окно.
20. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором изделие с покрытием имеет значение SHGC не более 0,52 при измерении в монолите.
21. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором изделие с покрытием имеет значение SHGC не более 0,45 при измерении в монолите.
22. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором первый отражающий ИК-излучение слой, содержащий ITO, имеет толщину 100-1000 Å, а второй отражающий ИК-излучение слой, содержащий нитрид титана, имеет толщину 50-450 Å.
23. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором первый отражающий ИК-излучение слой, содержащий ITO, имеет толщину 250-450 Å, и/или второй отражающий ИК-излучение слой, содержащий нитрид титана, имеет толщину 130-300 Å.
24. Изделие с покрытием, включающее в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, причем покрытие содержит:
первый отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий ITO, на стеклянной подложке;
первый диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере первого отражающего ИК-излучение слоя, содержащего ITO;
второй отражающий ИК-излучение слой, содержащий нитрид титана, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере первого диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния, так что первый диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, расположен между по меньшей мере первым отражающим ИК-излучение слоем, содержащим ITO, и вторым отражающим ИК-излучение слоем, содержащим нитрид титана;
второй диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере второго отражающего ИК-излучение слоя, содержащего нитрид титана;
причем покрытие не содержит отражающего ИК-излучение слоя на основе серебра;
n
где покрытие имеет значение нормальной излучательной способности (E) не более 0,30; и
при этом изделие с покрытием имеет пропускание видимого света около 15-80% и отношение пропускания света к теплопритоку от солнечного излучения (LSG) по меньшей мере 1,15 при измерении в монолите.
25. Изделие с покрытием, включающее в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, причем покрытие содержит:
первый отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий ITO, на стеклянной подложке;
первый диэлектрический слой на стеклянной подложке, расположенный поверх первого отражающего ИК-излучение слоя, содержащего ITO, и непосредственно контактирующий с ним;
второй отражающий ИК-излучение слой, содержащий нитрид металла, на стеклянной подложке, поверх первого диэлектрического слоя и непосредственно контактирующий с ним, так что первый диэлектрический слой расположен между первым отражающим ИК-излучение слоем, содержащим ITO, и вторым отражающим ИК-излучение слоем, содержащим нитрид металла, и непосредственно контактирует с ними;
второй диэлектрический слой на стеклянной подложке, расположенный поверх второго отражающего ИК-излучение слоя, содержащего нитрид металла, и непосредственно контактирующий с ним;
причем покрытие не содержит отражающего ИК-излучение слоя на основе серебра; и
причем изделие с покрытием имеет пропускание видимого света около 15-80%.
n
26. Изделие с покрытием по п. 25, в котором покрытие имеет значение нормальной излучательной способности (E) не более 0,30.
27. Изделие с покрытием по любому из пп. 25, 26, в котором нитрид металла представляет собой нитрид титана.
28. Изделие с покрытием по любому из пп. 25-27, в котором первый и/или второй диэлектрический слой содержит нитрид кремния.
29. Изделие с покрытием по любому из пп. 25-28, в котором изделие с покрытием имеет отражение видимого света со стороны пленки не более 10%, отражение видимого света со стороны стекла не более около 30%, значение a* при отражении со стороны стекла от -10,0 до +1,6 и отношение пропускания света к теплопритоку от солнечного излучения (LSG) по меньшей мере 1,10.
30. Способ изготовления изделия с покрытием, включающего в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, включающий:
нанесение распылением первого отражающего инфракрасное (ИК) излучение слоя, содержащего ITO, на стеклянную подложку;
нанесение распылением первого диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния, на стеклянную подложку поверх по меньшей мере первого отражающего ИК-излучение слоя, содержащего ITO;
нанесение распылением второго отражающего ИК-излучение слоя, содержащего нитрид титана, на стеклянную подложку поверх по меньшей мере первого диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния, так что первый диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, расположен между по меньшей мере первым отражающим ИК-излучение слоем, содержащим ITO, и вторым отражающим ИК-излучение слоем, содержащим нитрид титана;
n
нанесение распылением второго диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния, на стеклянную подложку поверх по меньшей мере первого и второго отражающих ИК-излучение слоев, так что покрытие не содержит отражающего ИК-излучение слоя на основе серебра, покрытие имеет значение нормальной излучательной способности (E) не более 0,30, и изделие с покрытием имеет при измерении в монолите: (i) пропускание видимого света около 15-80%, (ii) отражение видимого света со стороны пленки не более 10%, (iii) отражение видимого света со стороны стекла не более около 30%, (iv) значение a* при отражении со стороны стекла от -10,0 до +1,6 и (v) отношение пропускания света к теплопритоку от солнечного излучения (LSG) по меньшей мере 1,10.