ОХЛАЖДАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРИСТАЛЛА

1. Охлаждающее устройство для охлаждения полупроводникового кристалла, содержащее:
радиатор (112), термически соединенный с полупроводниковым кристаллом (111), и выполненный с возможностью рассеивания тепла с полупроводникового кристалла (111);
корпус (150), к которому прикреплен радиатор (112);
первый канал (153) потока текучей среды для обеспечения принудительного потока текучей среды внутри корпуса (150); и
тракт потока текучей среды, выполненный с возможностью направления текучей среды в первом направлении между первым каналом (153) потока текучей среды и радиатором (112), а также направления потока текучей среды вдоль радиатора (112) во втором направлении, отличном от первого направления, от полупроводникового кристалла (111).
2. Охлаждающее устройство по п.1, в котором корпус (150) содержит:
первую панель для поддержки полупроводникового кристалла (111); и
вторую панель (152) напротив первой панели (151), причем вторая панель снабжена отверстием (1522), выполненным с возможностью приема через него радиатора (112), при этом, по меньшей мере, часть тракта потока текучей среды для принудительного потока текучей среды вдоль радиатора (112) во втором направлении определена стенками отверстия (1552) и стенками радиатора (112).
3. Охлаждающее устройство по п.2, в котором первый канал потока текучей среды расположен на боковой стенке (154) корпуса (150), перпендикулярно первой панели (151) и второй панели (152).
4. Охлаждающее устройство по п.2, в котором отверстие (1522) для приема радиатора (112) образует второй канал потока текучей среды для вывода или вода потока текучей среды из или в корпус (150).
5. Охлаждающее устройство по п.2, в котором радиатор (112) проходит от полупроводникового кристалла (111) через отверстие (1522) так, что радиатор (112) сообщается с текучей средой вне корпуса (150).
6. Охлаждающее устройство по п.1, в котором, по меньшей мере, часть тракта потока текучей среды определена узлом канала (155).
7. Охлаждающее устройство по п.1, в котором первый канал потока текучей среды (253) соединен по текучей среде с генератором пульсирующих воздушных струй (220).
8. Охлаждающее устройство по п.7, в котором полый сердечник (3122) радиатора (312) соединен по текучей среде с генератором пульсирующих воздушных струй (320).
9. Охлаждающее устройство по п.1, в котором радиатор (112) присоединен к корпусу (150) защелкивающимся креплением.
10. Охлаждающее устройство по п.1, содержащее, по меньшей мере один радиатор (612), термически соединенный с множеством полупроводниковых кристаллов (611), и, по меньшей мере, одно отверстие (6522), выполненное в корпусе (150) для приема, по меньшей мере, одного радиатора (612), при этом тракт потока текучей среды выполнен с возможностью направления текучей среды между первым каналом (653) потока текучей среды и отверстием каждого радиатора (612).
11. Охлаждающее устройство по п.10, содержащее:
множество радиаторов (612), каждый из которых термически соединен с соответствующим полупроводниковым кристаллом (611); и
множество отверстий (6522), выполненных в корпусе (150), каждое из которых выполнено с возможностью приема через него соответствующего радиатора (612).
12. Оптическое устройство, содержащее, по меньшей мере, один полупроводниковый кристалл (111) со свойствами излучения света и охлаждающее устройство по п.1 для охлаждения указанного, по меньшей мере, одного полупроводникового кристалла (111).
13. Способ охлаждения полупроводникового кристалла (111), содержащий:
термическое соединение радиатора (112) с полупроводниковым кристаллом (111) для рассеивания тепла от полупроводникового кристалла (111);
установку радиатора (112) на корпус (150);
обеспечение принудительного потока текучей среды внутри корпуса (150);
направление принудительного потока текучей среды вдоль тракта потока текучей среды в первом направлении между первым отверстием (153), выполненным в корпусе, и радиатором (112); и
направление принудительного потока текучей среды во втором направлении вдоль радиатора (112), при этом второе направление отличается от первого направления, от полупроводникового кристалла (111).
14. Способ по п.13, дополнительно содержащий всасывание текучей среды вблизи радиатора (212) и/или выведение текучей среды вдоль радиатора (212).
15. Способ по п.13, дополнительно содержащий всасывание текучей среды из полого сердечника (3122) радиатора (312) и/или выведение текучей среды через полый сердечник (3122) радиатора (312).