СПОСОБ НАЛАДКИ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО РЕАКТОРА

1. Способ наладки технологической камеры в устройстве для осаждения по меньшей мере одного III-V-полупроводникового слоя на подложку, удерживаемую подложкодержателем в технологической камере, в котором посредством газовпускного устройства, в частности с помощью газа-носителя, в технологическую камеру вводят технологический газ, который содержит по меньшей мере одно металлоорганическое соединение элемента главной подгруппы III группы и гидрид элемента главной подгруппы V группы, который там разлагается, в частности, на горячих поверхностях, с образованием продуктов разложения, которые имеют компоненты, образующие III-V-полупроводниковый слой, отличающийся тем, что для обращенной к технологической камере поверхности по меньшей мере противолежащей подложкодержателю стенки технологической камеры выбирают материал, оптическая отражательная способность, оптическая поглощательная способность и коэффициент оптического светопропускания которого в каждом случае соответствуют характеристикам слоя.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что поверхности подложкодержателя и/или боковых стенок также имеют оптические свойства, которые соответствуют характеристикам наслоения, осажденного во время роста слоя.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что подложкодержатель представляет собой днище технологической камеры, и впускное устройство размещают в центре потолка технологической камеры.
4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что технологическую камеру продувают газом-носителем и технологическим газом в горизонтальном направлении.
5. Способ по п.3, отличающийся тем, что технологическую камеру продувают газом-носителем и технологическим газом в горизонтальном направлении.
6. Способ по любому из пп.1, 2 или 5, отличающийся тем, что соответствующие оптическим свойствам осаждаемого слоя стенки технологической камеры представляют собой съемные детали облицовки.
7. Способ по п.3, отличающийся тем, что соответствующие оптическим свойствам осаждаемого слоя стенки технологической камеры представляют собой съемные детали облицовки.
8. Способ по п.4, отличающийся тем, что соответствующие оптическим свойствам осаждаемого слоя стенки технологической камеры представляют собой съемные детали облицовки.
9. Устройство для осаждения по меньшей мере одного III-V-полупроводникового слоя на подложку, удерживаемую подложкодержателем, в котором посредством газовпускного устройства, в частности с помощью газа-носителя, в технологическую камеру вводят технологический газ, которыйсодержит по меньшей мере одно металлоорганическое соединение элемента главной подгруппы III группы и гидрид элемента главной подгруппы V группы, который там разлагается, в частности, на горячих поверхностях, с образованием продуктов разложения, которые имеют компоненты, образующие III-V-полупроводниковый слой, отличающееся тем, что по меньшей мере стенка технологической камеры, противолежащая подложкодержателю, образована из съемных деталей облицовки, которая на своей поверхности, обращенной к технологической камере, имеет оптическую отражательную способность, оптическую поглощательную способность и коэффициент оптического светопропускания, которые в каждом случае соответствуют свойствам осаждаемого в технологической камере III-V-полупроводникового слоя.
10. Устройство по п.9, отличающееся тем, что обращенная к технологической камере поверхность подложкодержателя и/или обращенные к технологической камере боковые стенки сформированы из деталей облицовки, обращенные к технологической камере поверхности которых обладают оптическими характеристиками, которые соответствуют характеристикам осаждаемых III-V-полупроводниковых слоев.