СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДОВ ДЛЯ СРЕДНЕВОЛНОВОГО ИК ДИАПАЗОНА СПЕКТРА

1. Способ изготовления диодов для средневолнового ИК диапазона спектра, включающий последовательное выращивание на подложке полупроводниковых слоев с различающимся типом проводимости, по крайней мере, один из которых поглощает/излучает кванты с энергией 0,2-0,6 эВ, проведение фотолитографии, напыление на полупроводниковые слои n- и р-типа последовательности металлических контактных слоев заданной геометрии, по крайней мере, один из которых содержит благородный металл и примеси, и, по крайней мере, один из которых содержит никель и примеси, вжигание контактных слоев при температуре 310-400°C, отличающийся тем, что упомянутое напыление на слой р-типа проводимости начинают с напыления сплава, содержащего серебро (80-97) масс. % и марганец (3-20) масс. %, затем последовательно проводят напыление слоя, содержащего никель и примеси, и слоя золота с примесями.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что напыление слоя, содержащего серебро и марганец, останавливают при достижении им толщины 400-1200 Å.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что напыление слоя, содержащего никель и примеси, останавливают при достижении им толщины 100-600 Å.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что напыление слоя, содержащего золото и примеси, останавливают при достижении им толщины 1000-3000 Å.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в промежутках между процессом напыления металлических контактных слоев к слоям n- и р-типа проводят удаление части полупроводниковых слоев.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в промежутках между процессом напыления металлических контактных слоев к слоям n- и р-типа проводят удаление части подложки.
7. Способ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что по окончании процесса напыления металлических контактных слоев производят химическое осаждение золота из раствора до достижения им толщины 2000-4000 Å.
8. Способ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что по окончании процесса напыления металлических контактных слоев производят осаждение золота из электролита до достижения им толщины 2000-4000 Å при пропускании через систему диод-электролит электрического тока.