СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ

Способ изготовления фотопреобразователя со встроенным диодом, включающий создание на германиевой подложке с выращенными эпитаксиальными слоями трехкаскадной структуры фоторезистивной маски с окнами под лицевые контакты фотопреобразователя со встроенным диодом, вытравливание диодной площадки, напыление слоев лицевой металлизации, удаление фоторезиста, создание фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и встроенного диода, вытравливание мезы, удаление фоторезиста, напыление слоев тыльного контакта, отжиг контактов, вскрытие оптического окна травлением, нанесение просветляющего покрытия, вырезку из пластины фотопреобразователя со встроенного диодом, отличающийся тем, что вытравливание диодной площадки проводят капельным смачиванием, а для напыления слоев лицевой металлизации используются слои хрома толщиной 5÷15 нм, серебра толщиной 5~15 нм, золото-германия толщиной 50÷80 нм, серебра толщиной 5÷6 мкм, золота толщиной 30÷80 нм, кроме того, после создания фоторезистивной маски с окнами под меза-изоляцию фотопреобразователя и встроенного диода проводят вытравливание мезы с одновременным удалением эпитаксиальных наростов по тыльной стороне германиевой подложки, а затем наносят защитное покрытие, после чего стравливают германиевую подложку в растворе азотной, плавиковой и уксусной кислот, и далее после удаления защитного покрытия и фоторезиста напыляют слои тыльной металлизации, используя слои хрома толщиной 5÷15 нм, золота толщиной 20÷50 нм, серебра толщиной 5÷6 мкм, золота толщиной 30÷80 нм, кроме того, вырезанный из пластины фотопреобразователь со встроенным диодом выпрямляют путем охлаждения его в жидком азоте.