УСТРОЙСТВО ОБРАБОТКИ МАГНИТНОГО НОСИТЕЛЯ ЗАПИСЕЙ И СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ИМ
DEVICE FOR PROCESSING MAGNETIC RECORDING MEDIA AND METHOD OF CONTROLLING THEREOF

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
[0001] Настоящее изобретение относится к устройству обработки магнитного носителя записей, которое считывает магнитные данные, записанные на магнитном носителе записей, и записывает магнитные данные на магнитный носитель записей, и способу управления им.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
[0002] Традиционно широко используется считыватель карт для устройства обработки магнитного носителя записей, который считывает магнитные данные, записанные на магнитном носителе записей в форме карты (в дальнейшем называемый "картой"), и/или записывает магнитные данные на карту. Считыватель карт такого типа устанавливается и используется в главном устройстве, таком как ATM (Автоматическая Кассовая Машина (банкомат)), которое устанавливается в таком финансовом учреждении, как банк. В последние годы в отрасли финансовых учреждений, где используются считыватели карт, серьезную проблему представляет собой "скимминг", означающий, что мошенник прикрепляет магнитную головку к передней части отверстия для вставки карты считывателя карт с целью незаконного получения магнитных данных карт.
[0003] Поэтому был предложен считыватель карт, оборудованный генерирующим магнитное поле устройством, причем данное генерирующее магнитное поле устройство генерирует мешающее магнитное поле, чтобы мешать считыванию магнитных данных на картах магнитной головкой скиммера, прикрепленной к передней части отверстия для вставки карты (Патентный документ 1, например). Считыватель карт, раскрытый в Патентном документе 1, оборудован генерирующим магнитное поле (магнетизм) устройством, которое монтируется в отверстии для вставки карты считывателя карт и имеет технологию, которая позволяет мешать магнитной головке скиммера осуществлять считывание магнитных данных пользователя карты с помощью мешающего магнитного поля, высвобождаемого из генерирующего магнитное поле (магнетизм) устройства.
[0004] В данной технологии схема, которая генерирует мешающее магнитное поле, внедряет конфигурацию, которая включает источник мощности катушки (катушки индуктивности) с помощью транзистора, имеющего функцию переключения.
[0005] В считывателе карт, раскрытом в Патентном документе 1, вышеупомянутое генерирующее магнитное поле (магнетизм) устройство применяется следующим образом. Мошенник прикрепляет магнитную головку скиммера, которая является магнитной головкой, и схему магнитного считывания в отверстие для вставки карты считывателя карт, чтобы считывать магнитные данные на картах. Для предотвращения считывания магнитных данных магнитной головкой скиммера в отношении нее генерируется мешающее магнитное поле.
Список источников
Патентные документы
[0006] Патентный документ 1
Не подвергшаяся экспертизе публикация заявки на патент Японии 2001-67524 (Альтернативно патент №3936496)
Раскрытие изобретения
Техническая проблема
[0007] Однако в генерирующем магнитное поле устройстве, раскрытом в патентном документе 1, схема управляет источником мощности катушки (катушки индуктивности) с помощью транзистора, имеющего функцию переключения; поэтому магнитное поле генерируется по принципу "включено-выключено" с более коротким мешающим временем или слабым магнитным полем, затрудняя надежное предотвращение незаконного считывания посредством магнитной головки скиммера. При усилении магнитного поля генерирующего магнитное поле устройства, даже если возбуждение генерации магнитного поля остановлено, остаточное магнитное поле может влиять на фактическое считывание магнитных данных законным считывателем карт.
[0008] Поэтому задача настоящего изобретения состоит в предоставлении устройства обработки магнитного носителя записей, в котором уменьшается влияние на магнитное считывание данных, а также предотвращается незаконное получение магнитных данных, и способа управления таким устройством обработки магнитного носителя записей.
Решение проблемы
[0009] Устройство обработки магнитного носителя записей согласно первой задачи настоящего изобретения содержит блок механизма обнаружения для обнаружения магнитного носителя записей в форме карты, вставленного в отверстие для вставки или выпущенного из него, предварительную головку для считывания магнитных данных посредством скольжения по магнитной полосе, выполненной на магнитном носителе записей в форме карты, затвор, который выполнен с возможностью открывания/закрывания согласно результату обнаружения посредством блока механизма обнаружения, часть обработки карты для обработки магнитной информации, записанной на магнитном носителе записей в форме карты, и генерирующее магнетизм устройство, которое имеет генерирующий магнитное поле блок для генерирования магнитного поля в резонансном блоке и схему управления возбуждением для управления генерирующим магнитное поле блоком; при этом схема управления возбуждением генерирующего магнетизм устройства включает в себя блок подачи мощности возбуждения для подачи напряжения возбуждения, блок опорного потенциала и блок возбуждения резонанса для возбуждения резонансного блока; резонансный блок содержит резонансный контур, в котором катушка индуктивности и конденсатор соединены между первым узлом и вторым узлом, выполнен с возможностью приема напряжения возбуждения в первом узле, резонирования при состоянии, в котором второй узел соединен с блоком опорного потенциала, и генерирования магнитного поля; блок возбуждения резонанса содержит элемент переключения возбуждения, который соединен между вторым узлом в резонансном блоке и блоком опорного потенциала и для которого предусмотрена возможность переключения между проводящим состоянием и непроводящим состоянием согласно сигналу управления для переключения статуса соединения между вторым узлом в резонансном блоке и блоком опорного потенциала между соединенным состоянием и разъединенным состоянием. Это позволяет уменьшать влияние на считывание магнитных данных посредством устройства обработки магнитного носителя записей, а также с уверенностью предотвращать незаконное получение магнитных данных.
[0010] Предпочтительно, чтобы схема управления возбуждением имела блок управления разрядкой, включающий в себя первый переключающий элемент, который соединен между первым узлом в резонансном блоке и блоком потенциала разрядки и для которого предусмотрена возможность переключения между проводящим состоянием и непроводящим состоянием в ответ на сигнал приостановки генерации магнитного поля для переключения статуса соединения между первым узлом в резонансном блоке и блоком потенциала разрядки между соединенным состоянием и разъединенным состоянием, а также выполняет переключение первого переключающего элемента в проводящее состояние во время приостановки генерации магнитного поля. Это позволяет не только увеличивать выходную мощность мешающего магнитного поля, но также и предотвращать ложное обнаружение магнитного поля посредством предварительной головки устройства обработки магнитного носителя записей, соответственно открывать/закрывать затвор и предотвращать соударение (столкновение) карты с затвором, даже когда карта вставляется быстро.
[0011] Схема управления возбуждением может быть выполнена с блоком управления разрядкой, включающим в себя первый переключающий элемент, который соединен между первым узлом в резонансном блоке и блоком потенциала разрядки и для которого предусмотрена возможность переключения между проводящим состоянием и непроводящим состоянием в ответ на первый сигнал приостановки генерации магнитного поля для переключения статуса соединения между первым узлом в резонансном блоке и блоком потенциала разрядки между соединенным состоянием и разъединенным состоянием, при этом блок подачи мощности возбуждения может быть выполнен с возможностью включения в себя второго переключающего элемента, который соединен между блоком подачи напряжения возбуждения и первым узлом в резонансном блоке и для которого предусмотрена возможность переключения между проводящим состоянием и непроводящим состоянием в ответ на второй сигнал приостановки генерации магнитного поля для переключения статуса соединения между блоком подачи напряжения возбуждения и первым узлом в резонансном блоке между соединенным состоянием и разъединенным состоянием.
Также предпочтительно, чтобы схема управления возбуждением сначала переключала второй переключающий элемент в блоке подачи мощности возбуждения в непроводящее состояние и затем переключала первый переключающий элемент в блоке управления разрядкой в проводящее состояние во время приостановки генерации магнитного поля. Также предпочтительно, чтобы схема управления возбуждением сначала переключала первый переключающий элемент в блоке управления разрядкой в непроводящее состояние и затем переключала второй переключающий элемент в блоке подачи мощности возбуждения в проводящее состояние в начале генерации магнитного поля. Даже в данном случае не только выходная мощность мешающего магнитного поля может быть увеличена, но также может быть предотвращено и ложное обнаружение магнитного поля посредством предварительной головки устройства обработки магнитного носителя записей, соответственно может быть обеспечена возможность открывания/закрывания затвора, и обеспечена возможность предотвращения соударения (столкновения) карты с затвором, даже когда карта вставляется быстро.
[0012] Предпочтительно, чтобы блок возбуждения резонанса возбуждал резонансный блок так, чтобы была обеспечена возможность периодического и/или апериодического переключения статуса соединения между вторым узлом в резонансном блоке и блоком опорного потенциала между соединенными и разъединенными состояниями, и поэтому осуществлялось периодическое и/или апериодическое индуцирование резонанса для периодического и/или апериодического генерирования магнитного поля. С помощью этого осуществляется постоянное генерирование сильного магнитного поля в течение предварительно определенного промежутка времени; в результате выходная мощность мешающего магнитного поля может быть увеличена с целью уверенного предотвращения незаконного получения магнитных данных.
[0013] Предпочтительно, чтобы блок управления был выполнен для управления возбуждением генерирующего магнитное поле устройства согласно результату обнаружения посредством блока механизма обнаружения и информации обнаружения, полученной предварительной головкой, и чтобы блок управления управлял генерирующим магнитное поле устройством для остановки генерации магнитного поля, когда носитель записей обнаружен предварительной головкой, и возобновления генерации магнитного поля, когда магнитная информация обнаружена предварительной головкой. Также предпочтительно, чтобы, после обнаружения предварительной головкой магнитной информации и возобновления генерации магнитного поля в генерирующем магнитное поле устройстве, блок управления открывал затвор для приема магнитного носителя записей. Даже в данном случае не только выходная мощность мешающего магнитного поля может быть увеличена, но также может быть предотвращено и ложное обнаружение магнитного поля посредством предварительной головки устройства обработки магнитного носителя записей, соответственно может быть обеспечена возможность открывания/закрывания затвора, и обеспечена возможность предотвращения соударения (столкновения) карты с затвором, даже когда карта вставляется быстро.
[0014] В устройстве обработки магнитного носителя записей, которое содержит блок механизма обнаружения для обнаружения магнитного носителя записей по типу карты, вставляемого в отверстие для вставки или выпускаемого из него, предварительную головку для считывания магнитных данных посредством скольжения по магнитной полосе, выполненной на магнитном носителе записей по типу карты, затвор, который выполнен с возможностью открывания или закрывания согласно результату обнаружения блоком механизма обнаружения, часть обработки карты для обработки магнитной информации, записанной на магнитном носителе записей по типу карты, и генерирующее магнетизм устройство, имеющее генерирующую магнитное поле часть для генерирования магнитного поля посредством резонансного блока, содержащего резонансный контур, в котором катушка индуктивности и конденсатор соединены между первым узлом и вторым узлом, и схему управления возбуждением для возбуждения генерирующей магнитное поле части, при этом схема управления возбуждением генерирующего магнетизм устройства включает в себя блок подачи мощности возбуждения для подачи напряжения возбуждения, блок опорного потенциала, блок возбуждения резонанса, содержащий элемент переключения возбуждения, который соединен между вторым узлом в резонансном блоке и блоком опорного потенциала и для которого предусмотрена возможность переключения между проводящим состоянием и непроводящим состоянием согласно сигналу управления для переключения статуса соединения между вторым узлом в резонансном блоке и блоком опорного потенциала между соединенным состоянием и разъединенным состоянием, способ управления устройством обработки магнитного носителя записей согласно второму аспекту настоящего изобретения содержит этап, на котором переключают первый переключающий элемент в проводящее состояние во время приостановки генерации магнитного поля. Предпочтительно, чтобы при управлении приостановкой генерацией магнитного поля в устройстве обработки магнитного носителя записей, содержащем второй переключающий элемент, который соединен между источником подачи напряжения возбуждения и первым узлом в резонансном блоке и для которого предусмотрена возможность переключения между проводящим состоянием и непроводящим состоянием согласно второму сигналу приостановки генерации магнитного поля для переключения статуса соединения между источником подачи напряжения возбуждения и первым узлом в резонансном блоке между соединенным состоянием и разъединенным состоянием, блок подачи мощности возбуждения переключал первый переключающий элемент в блоке управления разрядкой в непроводящее состояние и затем переключал второй переключающий элемент в блоке подачи мощности возбуждения в проводящее состояние во время генерирования магнитного поля и переключал первый переключающий элемент в блоке управления разрядкой в проводящее состояние и затем второй переключающий элемент в непроводящее состояние во время приостановки генерации магнитного поля. Это может уменьшать влияние на считывание магнитных данных устройством обработки магнитного носителя записей, а также надежно предотвращать незаконное получение магнитных данных.
Технические результаты изобретения
[0015] Согласно настоящему изобретению может быть уменьшено [вредное] влияние на считывание магнитных данных устройством обработки магнитного носителя записей и может быть надежно предотвращено незаконное получение магнитных данных.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
[0016] На ФИГ. 1 показана схема, изображающая конфигурацию главной части считывателя карт, который является устройством обработки магнитного носителя записей согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения.
На ФИГ. 2 показана схема, изображающая конфигурацию отверстия для вставки карты считывателя карт, который является устройством обработки магнитного носителя записей согласно упомянутому варианту осуществления.
На ФИГ. 3 показана первая блок-схема, изображающая конфигурацию блока управления и связанных с ним частей считывателя карт, изображенного на ФИГ. 1.
На ФИГ. 4 показана вторая блок-схема, изображающая конфигурацию блока управления и связанных с ним частей считывателя карт, изображенного на ФИГ. 1.
На ФИГ. 5 показана принципиальная схема устройства с магнитной головкой скиммера, прикрепленного к наружной части устройства.
На ФИГ. 6 показана принципиальная схема, изображающая генерирующий магнитное поле блок и схему управления возбуждением генерирующего магнитное поле устройства согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения.
На ФИГ. 7 показана волновая форма для объяснения функционирования генерирующего магнитное поле устройства согласно первому варианту осуществления.
На ФИГ. 8 показана принципиальная схема, изображающая генерирующий магнитное поле блок и схему управления возбуждением генерирующего магнитное поле устройства согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения.
На ФИГ. 9 показана подробная принципиальная схема главной части схемы управления возбуждением согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения, главным образом для объяснения функционирования генерирующего магнитное поле устройства согласно второму варианту осуществления во время приостановки генерации магнитного поля.
На ФИГ. 10 показаны волновые формы для объяснения функционирования генерирующего магнитное поле устройства согласно второму варианту осуществления.
На ФИГ. 11 показана принципиальная схема, изображающая генерирующий магнитное поле блок и схему управления возбуждением генерирующего магнитное поле устройства согласно третьему варианту осуществления настоящего изобретения.
На ФИГ. 12 показана блок-схема последовательности операций для объяснения функционирования [устройства обработки магнитного носителя записей] при приеме карты.
На ФИГ. 13 показана схема для объяснения функционирования [устройства обработки магнитного носителя записей] при приеме карты.
На ФИГ. 14 показана блок-схема последовательности операций для объяснения функционирования [устройства обработки магнитного носителя записей] при выпуске карты.
На ФИГ. 15 показана схема для объяснения функционирования [устройства обработки магнитного носителя записей] при выпуске карты.
ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0017] Далее совместно с чертежами описывается вариант осуществления настоящего изобретения.
[0018] Данный вариант осуществления объясняется с использованием считывателя карт в качестве примера устройства обработки магнитного носителя записей, которое считывает магнитные данные, записанные на носителях записей по типу карты, или записывает магнитные данные.
[0019] Сначала описывается конфигурация считывателя карт согласно данному варианту осуществления, а затем подробная конфигурация схемы и функционирование генерирующего магнитное поле устройства, которое генерирует мешающее магнитное поле. Далее совместно с временной диаграммой возбуждения генерирующего магнитное поле устройства описаны варианты функционирования считывателя карт для приема карты и выпуска карты.
[0020] Конфигурация считывателя карт
На ФИГ. 1 показана схема конфигурации главной части считывателя карт, который является устройством обработки магнитного носителя записей согласно данному варианту осуществления настоящего изобретения.
На ФИГ. 2 показана схема, иллюстрирующая конфигурацию отверстия для вставки карты считывателя карт, который является устройством обработки магнитного носителя записей согласно данному варианту осуществления.
[0021] Считыватель 10 карт согласно данному варианту осуществления является устройством обработки магнитного носителя записей для считывания магнитных данных, записанных на карту МС, и/или записи магнитных данных на карту МС и монтируется в предварительно определенном главном устройстве, таком как автоматическая кассовая машина (automated teller machine, ATM), например, установленном в финансовом учреждении. Считыватель 10 карт помещается глубоко вовнутрь передней панели 20, которая образует переднюю грань в случае главного устройства. В передней панели 20 выполнено отверстие 21 для вставки или выпуска карты МС, в качестве магнитного носителя записей, на котором записаны магнитные данные.
[0022] Как показано на ФИГ. 1, считыватель 10 карт снабжен частью 30 обработки карты для считывания магнитных данных, записанных на карте МС, и/или для записи магнитных данных на карту МС, частью 31 для вставки карты, в которой отверстие 311 для вставки карты выполнено для вставки и выпуска карты МС, блоком 40 управления для управления считывателем 10 карт и генерирующим магнитное поле устройством 50, которое генерирует мешающее магнитное поле для предотвращения считывания магнитных данных карты МС посредством магнитной головки скиммера. Внутри считывателя 10 карт выполнен канал 32 для перемещения карты, в котором перемещается карта МС, вставленная из отверстия 311 для вставки карты. Кроме того, блок 40 управления для выполнения различного управления в считывателе 10 карт фактически смонтирован на схемной плате (не изображена).
[0023] В данном варианте осуществления карта МС переносится в направлении X (направление слева направо), изображенном на ФИГ. 1 и на ФИГ. 2. Другими словами, направление X является направлением переноса карты МС. Кроме того, направление Z (направление сверху вниз), изображенное на ФИГ. 1, является направлением толщины карты МС; направление Y, изображенное на ФИГ. 1 и на ФИГ. 2 (перпендикулярное направление к странице на ФИГ. 1), ортогональное к направлению X и направлению Z, является направлением ширины карты МС (направление вдоль короткой стороны).
[0024] Карта МС является прямоугольной картой, изготовленной из поливинилхлорида, имеющей толщину приблизительно в 0,7-0,8 мм, например. На данной карте МС выполнена магнитная полоса mp. Следует заметить, что кристалл интегральной схемы (IC) может быть защищен на карте МС, или в карте может быть встроена антенна для осуществления связи. Кроме того, карта МС может быть картой из полиэтилентерефталата (polyethylene terephthalate, PET), имеющей толщину приблизительно в 0,18-0,36 мм, или бумажной картой, имеющей предварительно определенную толщину.
[0025] Часть 30 обработки карты оборудована механизмом 33 для перемещения карты с целью перемещения карты МС с помощью канала 32 для перемещения карты, магнитной головкой 34 для считывания и записи магнитных данных и фотодатчиком 35 для обнаружения присутствия карты МС в канале 32 для перемещения карты.
[0026] Механизм 33 для перемещения карты оборудован тремя перемещающими роликами 331-333, приводным двигателем 36 для приведения в движение перемещающих роликов 331-333 и механизм передачи мощности (не изображен) для передачи движущей силы приводного двигателя 36 перемещающим роликам 331-333. Механизм 33 для перемещения карты оборудован прижимными роликами 334-336, которые соответственно размещены напротив перемещающих роликов 331-333 и активизируются по отношению к перемещающим роликам 331-333. Данные три перемещающих ролика 331-333 расположены на предварительно определенном расстоянии в направлении перемещения карты МС.
[0027] Каждый из перемещающих роликов 331, 332 и 333 приводится в действие приводным двигателем 36 под управлением блока 40 управления.
[0028] Магнитная головка 34, как показано на ФИГ. 1, размещена так, чтобы центр вращения перемещающего ролика 332, размещенного в центре части 30 обработки карты, был согласован с центром магнитной головки 34 в направлении X. Кроме того, опорный ролик 335 выполнен напротив магнитной головки 34 для приложения активизирующей силы, которая направлена навстречу магнитной головке 34, к карте МС, проходящей в канале 32 для перемещения карты.
[0029] Фотодатчик 35 является оптическим датчиком, имеющим светоизлучающее устройство и светоприемное устройство.
В данном варианте осуществления магнитная головка 34 считывает магнитные данные, записанные на магнитной полосе mp, сразу после того, как передний край карты МС обнаружен фотодатчиком 351, и заканчивает считывание магнитных данных сразу перед тем, как карта МС перестанет обнаруживаться фотодатчиком 351. Другими словами, фотодатчик 351 может обнаруживать, считывает ли или нет магнитная головка 34 магнитные данные.
[0030] Часть 31 для вставки карты снабжена механизмом 37 обнаружения вставки карты в качестве части механизма обнаружения для обнаружения того, вставлена ли карта МС из отверстия 311 для вставки карты, затвором 38, который открывает/закрывает канал 32 для перемещения карты, и предварительной головкой (магнитной головкой) для считывания магнитных данных, записанных на магнитную полосу mp.
[0031] Механизм 37 обнаружения вставки карты, как показано на ФИГ. 2, например, оборудован датчиком 372 ширины карты (датчиком обнаружения карты) для обнаружения того, примыкает ли рычаг 371 датчика, который выполнен с возможностью примыкания к одному из краев в направлении ширины карты МС, к карте МС. Следует заметить, что рычаг 371 датчика выполнен с возможностью поворота вокруг предварительно определенной оси вращения и выполнен с возможностью входа в канал 32 для перемещения карты.
[0032] Датчик 372 ширины карты образован контактным переключателем, имеющим рычажный элемент и контакт, который должен быть прижат рычажным элементом. В данном варианте осуществления, когда краевая часть карты МС в направлении ширины, которая вставляется из отверстия 311 для вставки карты, образует контакт с рычагом 371 датчика, рычаг 371 датчика поворачивается и образует контакт с рычажным элементом датчика 372 ширины карты, и затем этот контакт прижимается рычажным элементом. Другими словами, датчик 372 ширины карты согласно данному варианту осуществления обнаруживает, что карта МС вставлена из отверстия 311 для вставки карты, посредством обнаружения того, что карта МС, вставленная из отверстия 311 для вставки карты, образовала контакт с рычагом 371 датчика.
[0033] Следует заметить, что датчик 372 ширины карты может быть оптическим датчиком, имеющим светоизлучающее устройство и светоприемное устройство. Кроме того, механизм 37 обнаружения вставки карты может быть механическим механизмом обнаружения, имеющим контакт, который непосредственно образует контакт с краевой частью карты МС в направлении ширины.
[0034] Предварительная головка 39 размещена вблизи отверстия 311 для вставки карты в направлении перемещения карты МС. В более подробном описании, предварительная головка 39 размещена вблизи механизма 37 обнаружения вставки карты, то есть, вблизи контактной части рычага 371 датчика с картой МС, например. В данном варианте осуществления предварительная головка 39 считывает магнитные данные, записанные на магнитной полосе mp, сразу после того, как передний край карты МС обнаружен механизмом 37 обнаружения вставки карты, и заканчивает магнитное считывание данных прямо перед тем, как механизм 37 обнаружения вставки карты перестанет обнаруживать карту МС. Другими словами, в данном варианте осуществления механизм 37 обнаружения вставки карты может обнаружить, считывает ли предварительная головка 39 магнитные данные или нет. Механизм 37 обнаружения вставки карты согласно данному варианту осуществления функционирует в качестве средства обнаружения статуса считывания для обнаружения того, что предварительной головкой 39 выполняется магнитное считывание данных.
[0035] Следует заметить, что генерирующее магнитное поле устройство 50 включает в себя резонансный блок (резонансный контур) в качестве генерирующего магнитное поле блока и имеет технический признак в конфигурации своей схемы управления возбуждением; его конфигурация описана подробно позже с использованием примера множества вариантов осуществления.
[0036] Конфигурация блока управления считывателя карт
На ФИГ. 3 показана первая блок-схема, изображающая конфигурацию блока 40 управления и связанных с ним частей считывателя 10 карт, изображенного на ФИГ. 1. На ФИГ. 4 показана вторая блок-схема, изображающая конфигурацию блока 40 управления и связанных с ним частей считывателя 10 карт, изображенного на ФИГ. 1. На ФИГ. 3 и на ФИГ. 4 также показан пример конфигурации катушки индуктивности и конденсатора магнитного генерирующего устройства, которое генерирует мешающее магнитное поле.
[0037] Блок 40 управления смонтирован на схемной плате (не изображена). Блок 40 управления выполняет различное управление над различными участками считывателя 10 карт и выполнен с возможностью включения в себя CPU 41, например. Блок 40 управления управляет действием по перемещению карты МС, действием по считыванию посредством магнитной головки 34 и т.д. согласно программе управления, сохраненной во встроенном ROM. Дополнительно, фотодатчик 35, датчик 372 обнаружения карты и предварительная головка соединены с блоком 40 управления, в который вводятся выходные сигналы от каждой из этих конфигураций. Кроме того, приводной двигатель 36 соединен с блоком 40 управления через блок 42 приводного управления. Кроме того, кодер 361 соединен с блоком 40 управления так, чтобы выходные сигналы из кодера 361, который обнаруживает состояние поворота двигателя 36, вводились в блок 40 управления.
[0038] В данном варианте осуществления с блоком 40 управления также соединено генерирующее магнитное поле устройство 50, которое генерирует мешающее магнитное поле по отношению к магнитной головке скиммера, которая установлена незаконно. Генерирующим магнитное поле устройством 50 осуществляется управление для генерирования магнитного поля или остановки генерирования магнитного поля согласно результату обнаружения карты посредством датчика 372 обнаружения карты и результату магнитного обнаружения посредством предварительной головки 39.
[0039] Конфигурация генерирующего магнитное поле устройства
Генерирующее магнитное поле устройство 50 согласно данному варианту осуществления имеет магнитный генерирующий блок 51 и схему (блок управления возбуждением) 52 управления возбуждением для управления генерацией магнитного поля посредством генерирующего магнитное поле блока и приостановкой генерирующего магнитное поле блока.
[0040] Генерирующий магнитное поле блок 51 генерирующего магнитное поле устройства 50 выполнен с возможностью включения в себя катушки L1 индуктивности для генерирования магнитного поля. Катушка L1 индуктивности образована катушкой CL, как показано на ФИГ. 3. Альтернативно катушка L2 индуктивности образована посредством наматывания катушки CL вокруг железного сердечника FC, как показано на ФИГ. 4. В данном варианте осуществления генерирующий магнитное поле блок 51 размещен в части 31 для вставки карты. В генерирующем магнитное поле блоке 51 создающего помехи генерирующего магнитное поле устройства 50 согласно данному варианту осуществления катушка L1 или L2 индуктивности соединена с конденсатором С1 или С2 для образования резонансного блока (параллельного резонансного контура) так, чтобы по сравнению с конфигурацией только с катушкой индуктивности, мешающее магнитное поле генерировалось постоянно, и выходная мощность мешающего магнитного поля увеличивалась.
[0041] В генерирующем магнитное поле устройстве 50 в катушку CL подается переменный ток или постоянный ток под управлением схемы 52 управления возбуждением, управление которой полностью осуществляется блоком 40 управления. С подачей тока, генерируется мешающее магнитное поле снаружи отверстия 21 или блока 31 для вставки карты. Область, над которой генерируется мешающее магнитное поле, включает в себя область, в которой проходит магнитная полоса mp, выполненная на магнитной карте МС, которая вставляется или выпускается через блок 31 для вставки карты.
[0042] Генерирующее магнитное поле устройство 50, выполненное как указано выше, может быть размещено вблизи внутренней части (задней стороны) передней панели 20, как показано на ФИГ. 1, включая в себя совместно генерирующий магнитное поле блок 51 и схему 52 управления возбуждением. Следует заметить, что возможны различные варианты конфигурации, например размещение только резонансного блока для генерирующего магнитное поле блока, который образован катушкой (катушкой индуктивности) L51 и конденсатором С51, например, вблизи внутренней части передней панели 20.
[0043] На ФИГ. 5 показана принципиальная схема, в которой магнитная головка скиммера (и скиммер, включающий ее) прикреплена к наружной стороне устройства.
[0044] В считывателе 10 карт, как только передний край карты МС вставлен в отверстие 311 для вставки карты, карта МС перемещается с предварительно определенной скоростью перемещающим роликом 311. Схожим образом при выпуске магнитной карты МС магнитная карта МС перемещается с предварительно определенной скоростью перемещающим роликом 331, пока по существу не будет выпущена в наружную часть.
[0045] Поэтому когда скиммер (устройство считывания, которое незаконно считывает данные на магнитных картах), включающее в себя магнитную головку скиммера и схему магнитного считывания, прикреплено с наружи отверстия 311 для вставки карты, то карта перемещается с предварительно определенной скоростью вдоль магнитной головки скиммера. Поэтому данные записи карты могут быть считаны такой [незаконной] магнитной головкой, прикрепленной снаружи отверстия для карты.
[0046] В считывателе 10 карт согласно данному варианту осуществления, даже если скиммер 60, включающий в себя магнитную головку 61, незаконно смонтировано на передней поверхности передней панели 20, на которой выполнено разъемное отверстие 21 для карты, как показано на ФИГ. 5, то [незаконное] действие по считыванию карты МС посредством такой магнитной головки 61 скиммера может быть предотвращено посредством мешающего магнитного поля, генерируемого генерирующим магнитное поле устройством 50.
[0047] Другими словами, данный вариант осуществления внедряет генерирующее магнитное поле устройство 50, имеющее конфигурацию со следующим признаком, которое выполнено с возможностью постоянного генерирования мешающего магнитного поля для уверенного предотвращения незаконного получения магнитных данных.
[0048] Пример конфигурации генерирующего магнитное поле блока 51 (резонансного блока) и блока 52 управления возбуждением генерирующего магнитное поле устройства 50
Более конкретная конфигурация и функционирование схемы генерирующего магнитное поле блока 51 и схемы 52 управления возбуждением генерирующего магнитное поле устройства 50 описаны подробно во множестве (с первого по третий) вариантов осуществления. В описании ниже резонансный блок 511 в качестве генерирующего магнитное поле блока 51 генерирующего магнитное поле устройства 50 согласно первому варианту осуществления имеет параллельный резонансный LC-контур, образованный соединением катушки L, которая является катушкой индуктивности, с конденсатором С, и функционирует для постоянного генерирования магнитного поля посредством параллельного резонансного LC-контура. Дополнительно, в данном варианте осуществления, данный генерирующий магнитное поле блок 51 имеет функцию для генерирования более сильного магнитного поля по сравнению с традиционным случаем. С помощью этого генерирующее магнитное поле устройство 50 постоянно генерирует магнитное поле на протяжении предварительно определенного промежутка времени; в результате выходная мощность мешающего магнитного поля увеличивается, предотвращая незаконное получение магнитных данных, которое осуществляется посредством использования магнитной головки скиммера.
[0049] Следует заметить, что поскольку выходная мощность мешающего магнитного поля увеличивается в генерирующем магнитное поле устройстве 50, как описано выше, даже когда управление возбуждением остановлено, сильное магнитное поле остается; другими словами, остаточное магнитное поле, сопровождающее остаточную резонансную энергию, может препятствовать считыванию магнитных данных посредством предварительной головки 39. В считывателе 10 карт затвор 38 обычно закрыт для предотвращения попадания инородных предметов, но затвор 38 открывается, на основе выходного сигнала магнитных данных от предварительной головки 39; однако предварительная головка 39 может не быть способной считать магнитные данные, или предварительная головка 39 может осуществить ложное обнаружение вследствие остаточного магнитного поля. Поэтому затвор 38 представляет плохое реагирование на управление открыванием/закрыванием, что в свою очередь может вызвать соударение (столкновение) карты МС с затвором 38, когда пользователь быстро вставляет карту. Для решения вышеупомянутых проблем в считывателе 10 карт предварительная головка 39 и затвор 38 расположены друг от друга в направлении перемещения карты на расстоянии, внутри которого резонансная энергия затухает, и поэтому не будет влиять на магнитную головку. Альтернативно выходная мощность резонансной энергии может быть установлена так, чтобы затухать. Альтернативно канал 32 для перемещения карты может быть выполнен с возможностью приема нажатия, когда карта перемещается, так чтобы достижение картой затвора 38 могло занимать больше времени.
[0050] Генерирующее магнитное поле устройство 50В согласно второму варианту осуществления выполнено с функцией быстрого (мгновенного) высвобождения резонансной энергии в резонансном контуре LC, который генерирует мешающее магнитное поле, согласно первому варианту осуществления при приостановке генерации мешающего магнитного поля. Данное генерирующее магнитное поле устройство 50В выполнено с возможностью не только увеличения выходной мощности мешающего магнитного поля, но также и предотвращения ложного обнаружения магнитного поля предварительной головкой 39, с наличием затвора 38 для хорошего реагирования на управление открыванием/закрыванием и предотвращения соударения (столкновения) карты с затвором 38, даже когда карта вставляется быстро.
[0051] Первый вариант осуществления генерирующего магнитное поле устройства
Сначала будет описано генерирующее магнитное поле устройство согласно первому варианту осуществления.
На ФИГ. 6 показана принципиальная схема, изображающая генерирующий магнитное поле блок и схему управления возбуждением генерирующего магнитное поле устройства согласно первому варианту осуществления.
[0052] Генерирующее магнитное поле устройство 50А с ФИГ. 6 имеет первичный резонансный блок 511 в качестве генерирующего магнитное поле блока 51А, блок 521 подачи мощности возбуждения в качестве схемы 52А управления возбуждением, которая подает напряжение VCC подачи мощности возбуждения, блок 522 опорного потенциала и блок 523 возбуждения резонанса.
[0053] В данном варианте осуществления напряжение VCC подачи мощности возбуждения (в дальнейшем называемое напряжением возбуждения), подаваемое блоком 521 подачи мощности возбуждения, устанавливается в 24В или 20В. Блок 521 подачи мощности возбуждения подает напряжения VCC возбуждения в резонансный блок 511 через узел ND51 соединения, который соединен с источником SVCC подачи напряжения VCC возбуждения. Предотвращающий обратный ток диод D51 соединен в блоке 521 подачи мощности возбуждения между узлом ND51 соединения и узлом вводимой мощности (первым узлом N52) резонансного блока 511. Диод D51 соединен так, чтобы находиться в прямом направлении от узла N51 соединения к первому узлу ND52 резонансного блока 511. Другими словами, диод D51 соединен так, чтобы его анод был соединен с узлом ND51 соединения, а его катод был соединен с первым узлом ND52 резонансного блока 511.
[0054] Блок 522 опорного потенциала установлен в опорный потенциал VSS. В данном варианте осуществления опорный потенциал является потенциалом GND заземления.
[0055] Резонансный блок 511 включает в себя резонансный контур, в котором катушка L51 индуктивности и конденсатор С51 соединены между первым узлом ND52 и вторым узлом ND53, принимает напряжение VCC возбуждения в первом узле ND52, резонирует в состоянии, при котором второй узел ND53 электрически соединен с блоком 522 опорного потенциала, и генерирует магнитное поле, соответствующее электрическому току, протекающему в катушке L51 индуктивности. Другими словами, резонансный блок 511 выполнен с возможностью генерирования мешающего магнитного поля по отношению к магнитной головке скиммера для предотвращения незаконного получения магнитных данных.
[0056] В данном варианте осуществления резонансный контур образован параллельным резонансным LC-контуром, в котором катушка L51 индуктивности и конденсатор С51 соединены параллельно между первым узлом ND52 и вторым узлом ND53. Один конец катушки, которая является катушкой L51 индуктивности, соединен с первым узлом ND52, и другой конец катушки соединен со вторым узлом ND53. Один из электродов (выводов) конденсатора С51 соединен с первым узлом ND52, а другой электрод соединен со вторым узлом ND53. Первый узел ND52 соединен с подающей линией напряжения VCC подачи мощности блока 521 подачи мощности возбуждения. Второй узел ND53 выборочно соединяется с блоком 522 опорного потенциала через высокомощный элемент DSW51 переключения возбуждения блока 523 возбуждения резонанса.
[0057] В параллельном резонансном LC-контуре ток от катушки индуктивности и ток от конденсатора взаимно компенсируют друг друга и извне кажется присутствие бесконечного полного сопротивления на резонансной частоте. В это время энергия, запасенная в качестве электрического поля внутри конденсатора С51, и энергия, запасенная в качестве магнитного поля внутри катушки, которая является катушкой L51 индуктивности, взаимно перемещаются в системе. В данном варианте осуществления происходит управление резонансным блоком 511 для периодического резонирования посредством импульсного сигнала CTL управления через блок 523 возбуждения резонанса. Следует заметить, что может осуществляться управление импульсным сигналом CTL управления для резонирования апериодически, либо им может осуществляться управление для сочетания периодического и апериодического резонанса.
[0058] Когда соединение между вторым узлом ND53 и блоком 522 опорного потенциала переключается через блок 523 возбуждения резонанса между соединенным состоянием и разъединенным состоянием, управление резонансным блоком 511 осуществляется так, чтобы индуцировался резонанс и генерировалось мешающее магнитное поле. Когда карта МС вставлена в отверстие 311 для вставки карты и датчик 372 обнаружения карты обнаруживает карту МС, управление резонансным блоком 511 осуществляется через блок 523 возбуждения резонанса (управление приостановкой генерации магнитного поля), чтобы не генерировалось мешающее магнитное поле в течение периода, более долгого по сравнению с вышеупомянутым периодом, пока сгенерированное магнитное поле не потеряет (ослабит) функцию мешающего магнитного поля или сгенерированное магнитное поле не исчезнет. Блок 40 управления оценивает, обнаружен ли или нет магнетизм посредством предварительной головки 39 в течение предварительно определенного периода, в течение которого приостановлена генерация мешающего магнитного поля. После того как резонансное действие индуцировано и магнитное поле сгенерировано, происходит затухание интенсивности магнитного поля после затухания резонансной энергии; период, упомянутый здесь, означает период, за который может быть индуцирован резонанс, при одновременном продолжающимся сохранением затухающим магнитным полем функции мешающего магнитного поля.
[0059] Когда соединение второго узла ND53 в резонансном блоке 511 и блока 522 опорного потенциала переключается между соединенным состоянием и разъединенным состоянием согласно сигналу CTL управления от блока 40 управления, управление блоком 523 возбуждения резонанса осуществляется для того, чтобы индуцировать резонанс и генерировать мешающее магнитное поле. Когда соединение второго узла ND53 в резонансном блоке 511 и блока 522 опорного потенциала переключается в разъединенное состояние периодически или/и апериодически согласно сигналу CTL управления от блока 40 управления, управление блоком 523 возбуждения резонанса осуществляется для того, чтобы не генерировать мешающее магнитное поле в течение периода, более долгого по сравнению с вышеописанным периодом, в течение которого сгенерированное магнитное поле больше не может сохранять функцию мешающего магнитного поля.
[0060] Блок 523 возбуждения резонанса выполнен с возможностью включения в себя высокомощного элемента DSW51 переключения возбуждения, в состав которого входит биполярный транзистор, например. Элемент DSW51 переключения возбуждения соединен между вторым узлом ND53 в резонансном блоке 511 и блоком 522 опорного потенциала и для него предусмотрена возможность переключения между проводящим состоянием и непроводящим состоянием согласно сигналу CTL управления для переключения соединения второго узла ND53 в резонансном блоке 51 и блока 522 опорного потенциала между соединенным состоянием и разъединенным состоянием.
[0061] При приеме сигнала CTL управления на активном высоком уровне блок 523 возбуждения резонанса переводит элемент DSW51 переключения возбуждения в проводящее состояние. При приеме сигнала CTL управления на не активном низком уровне блок 523 возбуждения резонанса переводит элемент DSW51 переключения возбуждения в непроводящее состояние.
[0062] Далее описано функционирование генерирующего магнитное поле устройства 50А согласно первому варианту осуществления совместно с ФИГ. 7.
На ФИГ. 7 показаны волновые формы для объяснения функционирования генерирующего магнитное поле устройства согласно первому варианту осуществления. На ФИГ. 7 показаны волновые формы, происходящие в результате моделирования, где генерирующее магнитное поле устройство 50А с ФИГ. 6 вмонтировано в считывателе 10 магнитной карты с ФИГ. 1. На ФИГ. 7(а) изображен сигнал CTL управления; На ФИГ. 7(b) изображено мешающее магнитное поле DMG.
[0063] В состоянии, при котором никакого мешающего магнитного поля не генерируется, сигнал CTL управления подается в блок 523 возбуждения резонанса схемы 52А управления возбуждением генерирующего магнитное поле устройства 50А для генерирования мешающего магнитного поля, как показано на ФИГ. 7(а) и на ФИГ. 7(b). В это время, сигнал CTL управления подается на активном высоком уровне (Н). Когда блок 523 возбуждения резонанса принимает сигнал CTL управления на активном высоком уровне, то элемент DSW51 переключения возбуждения переводится в проводящее состояние.
[0064] Данный второй узел ND53 в резонансном блоке 511 становится электрически соединенным с блоком 522 опорного потенциала. В резонансном блоке 511 напряжение VCC возбуждения подается в первый узел ND52 от блока 521 подачи мощности возбуждения. Другими словами, когда соединение между вторым узлом ND53 и блоком 522 опорного потенциала переключено в соединенное состояние через блок 523 возбуждения резонанса, осуществляется управление резонансным блоком 511 для индуцирования резонансной функции и увеличения электрического тока, протекающего в катушке (катушке индуктивности) L51, с целью генерирования мешающего магнитного поля.
[0065] В данный момент сигнал CTL управления переключается на неактивный низкий уровень (L) и подается в блок 523 возбуждения резонанса. При приеме сигнала CTL управления на неактивном низком уровне элемент DSW51 переключения возбуждения переводится в непроводящее состояние в резонансном блоке 523.
[0066] В данный момент второй узел ND53 в резонансном блоке 511 становится электрически отсоединенным от блока 522 опорного потенциала; однако электрический ток IL из катушки (катушки индуктивности) L51 по-прежнему протекает с затуханием в резонансном блоке 511 вследствие индуцированной резонансной энергии, приводя в результате к затуханию мешающего магнитного поля, которое, тем не менее, продолжает генерироваться.
[0067] В это время, когда блок 40 управления подает импульсный сигнал CTL управления, например, в блок 523 возбуждения резонанса, резонансное действие индуцируется в резонансном блоке 511, и поэтому генерируется магнитное поле, однако магнитное поле затухает вслед за затуханием резонансной энергии; однако сигнал CTL управления подается в блок 523 возбуждения резонанса на активном высоком уровне (Н) с постоянным периодом от предыдущего вывода (подачи) или/и произвольно так, чтобы резонанс мог быть индуцирован, в то время как затухающее магнитное поле все еще сохраняет функцию мешающего магнитного поля.
[0068] Другими словами, как показано на ФИГ. 7(а) и (b), сигнал CTL управления подается на активном высоком уровне из блока 40 управления в блок 523 возбуждения резонанса в схеме 52А управления возбуждением для того, чтобы снова генерировать мешающее магнитное поле подобно тому, как описано выше. Когда блок 523 возбуждения резонанса принимает сигнал CTL управления на активном, высоком уровне, элемент DSW51 переключения возбуждения переводится в проводящее состояние.
[0069] Данный второй узел N53 в резонансном блоке 511 становится электрически соединенным с блоком 522 опорного потенциала. В резонансном блоке 511 напряжение VCC возбуждения подается в первый узел ND52 из блока 521 подачи мощности возбуждения. Другими словами, когда соединение между вторым узлом ND53 и блоком 522 опорного потенциала переключается в соединенное состояние через блок 523 возбуждения резонанса, осуществляется управление резонансным блоком 511 для того, чтобы снова индуцировать резонансную функцию, увеличить электрический ток, протекающий в катушке (катушке индуктивности) L51 и сгенерировать мешающее магнитное поле.
[0070] В этот момент сигнал CTL управления переключается на неактивный низкий уровень (L) и подается в блок 523 возбуждения резонанса. При приеме сигнала CTL управления на неактивном низком уровне элемент DSW51 переключения возбуждения в резонансном блоке 523 переводится в непроводящее состояние.
[0071] В это время второй узел ND53 в резонансном блоке 511 становится электрически отсоединенным от блока 522 опорного потенциала; однако резонансный блок 511 находится в состоянии, в котором электрический ток IL из катушки (катушки индуктивности) L51 затухает, но все еще протекает вследствие индуцированной резонансной энергии, приводя в результате к затуханию мешающего магнитного поля, которое, тем не менее, продолжает генерироваться.
[0072] Вышеописанные действия повторяются в течение периода, за который происходит генерация мешающего магнитного поля.
[0073] По вышеупомянутому принципу, в считывателе 10 карт, в котором вмонтировано генерирующее магнитное поле устройство 50А согласно первому варианту осуществления, мешающее магнитное поле генерируется по отношению к устройству с магнитной головкой скиммера, которое незаконно прикреплено к отверстию 311 для вставки карты, для предотвращения незаконного считывания магнитных данных.
[0074] В считывателе 10 карт, в котором вмонтировано генерирующее магнитное поле устройство 50А согласно первому варианту осуществления, ко всему прочему, если мешающее магнитное поле генерируется резонансным блоком (резонансным контуром) 511, генерация мешающего магнитного поля должна быть приостановлена, когда карта обнаружена датчиком обнаружения карты (датчиком ширины карты в данном примере), и поэтому необходимо обнаружить магнетизм посредством предварительной головки 39. Поэтому в считывателе 10 карт, в котором вмонтировано генерирующее магнитное поле устройство 50А, блок 40 управления выполнен с возможностью остановки вывода периодического или/и апериодического сигнала CTL управления в блок 523 возбуждения резонанса в схеме 52А управления возбуждением, вызванной обнаружением карты датчиком 372 обнаружения карты, так чтобы генерация мешающего магнитного поля была остановлена. Таким образом, в считывателе 10 карт, в котором вмонтировано генерирующее магнитное поле устройство 50А, вывод сигнала CTL управления для генерирования мешающего магнитного поля останавливается, что вызвано обнаружением карты датчиком обнаружения карты (датчиком ширины карты) 372; в это время, магнитное поле имеет тенденцию оставаться в течение нескольких мс вследствие резонанса. Магнитное обнаружение выполняется предварительной головкой 39, как описано выше, но если присутствует остаточное магнитное поле, она может быть не способной различать магнитные данные на карте и остаточное мешающее магнитное поле. Поэтому в считывателе 10 карт, в котором вмонтировано генерирующее магнитное поле устройство 50А, ожидая в течение промежутка времени, пока сгенерированное магнитное поле не потеряет свою интенсивность, позволяющую сохранять функцию мешающего магнитного поля, или не исчезнет сгенерированное магнитное поле, управление затвором 38 осуществляется так, чтобы он не открывался, пока не пройдет данное время ожидания.
[0075] Например, предварительная головка 39 и затвор 38 расположены друг от друга в считывателе 10 карт на некотором расстоянии в направлении перемещения карты, в пределах которого резонансная энергия затухает и не влияет на магнитную головку. Альтернативно выходная мощность резонансной энергии может быть установлена на затухание. Дополнительно, канал 32 для перемещения карты может быть выполнен с возможностью приема нажатия при перемещении карты МС, так чтобы достижение картой затвора 38 занимало время.
[0076] По вышеупомянутому принципу генерирующее магнитное поле устройство 50А согласно первому варианту осуществления, имеющее параллельный резонансный LC-контур, в котором соединены катушка L51 в качестве катушки индуктивности и конденсатор С5, постоянно генерирует большое магнитное поле с помощью параллельного резонансного LC-контура в течение предварительно определенного промежутка времени посредством свойства сохранения резонансной энергии; в результате выходная мощность мешающего магнитного поля может быть увеличена и может быть надежно предотвращено незаконное получение магнитных данных. Другими словами, даже если мошенник прикрепляет устройство с магнитной головкой скиммера (включающее в себя схему магнитного считывания) 60 к отверстию 311 для вставки карты считывателя 10 карт снаружи передней панели 20 главного устройства, то может быть сгенерировано сильное магнитное поле и выходная мощность мешающего магнитного поля может быть увеличена для уверенного предотвращения незаконного получения магнитных данных.
[0077] Второй вариант осуществления генерирующего магнитное поле устройства
Далее описано генерирующее магнитное поле устройство согласно второму варианту осуществления.
На ФИГ. 8 показана принципиальная схема, изображающая генерирующий магнитное поле блок и схему управления возбуждением генерирующего магнитное поле устройства согласно второму варианту осуществления. На ФИГ. 9 показана принципиальная схема, изображающая более подробно главную часть схемы управления возбуждением согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения, которая используется для объяснения функционирования генерирующего магнитное поле устройства согласно второму варианту осуществления, когда генерация магнитного поля приостановлена.
[0078] Генерирующее магнитное поле устройство 50В согласно второму варианту осуществления отличается от генерирующего магнитное поле устройства 50А согласно первому варианту осуществления следующим образом. Генерирующее магнитное поле устройство 50В согласно второму варианту осуществления выполнено с функцией быстрого (моментального) высвобождения резонансной энергии параллельного резонансного LC-контура, который генерирует мешающее магнитное поле согласно первому варианту осуществления, при приостановке генерации мешающего магнитного поля. В описании ниже объясняется, почему внедрена данная конфигурация.
[0079] Как описано выше, в считывателе 10 карт, в котором вмонтировано генерирующее магнитное поле устройство 50А, блок 40 управления выполнен с возможностью остановки вывода периодического или/и апериодического сигнала CTL управления в блок 523 возбуждения резонанса схемы 52А управления возбуждением для остановки генерирования мешающего магнитного поля, что вызвано обнаружением карты МС датчиком 372 обнаружения карты. Таким образом, в считывателе 10 карт, в котором вмонтировано генерирующее магнитное поле устройство 50А согласно первому варианту осуществления, выведение сигнала CTL управления, который генерируется для генерации мешающего магнитного поля, приостанавливается, что вызвано обнаружением карты МС датчиком обнаружения карты (датчиком ширины карты); однако магнитное поле имеет тенденцию оставаться в течение нескольких миллисекунд вследствие резонанса. Поэтому в считывателе 10 карт, в котором генерирующее магнитное поле устройство 50А согласно первому варианту осуществления ожидает в течение промежутка времени, на протяжении которого сгенерированное магнитное поле теряет функцию мешающего магнитного поля или исчезает сгенерированное магнитное поле, управление затвором 38 осуществляется так, чтобы он не был открытым, пока не пройдет данное время ожидания.
[0080] Однако так как затвору 38, как правило, для открывания согласно данному способу управления требуется больше времени, то если карта вставляется быстро, карта может удариться (столкнуться) с затвором 38. Поэтому в генерирующем магнитное поле устройстве 50В согласно второму варианту осуществления первый переключающий элемент DSW52 для разрядки соединен с первым узлом ND52 в резонансном блоке 511В, чтобы обеспечивать канал для высвобождения резонансной энергии (канал разрядки, канал выхода). Первый упомянутый здесь переключающий элемент DSW52 образован биполярным транзистором, который выполнен с возможностью переключения большой мощности в данном варианте осуществления; однако он может быть образован другим транзистором, таким как FET-транзистор (полевой транзистор).
[0081] В генерирующем магнитное поле устройстве 50В согласно второму варианту осуществления второй переключающий элемент SW51 соединен с линией подачи напряжения VCC подачи мощности блока 521В подачи мощности возбуждения для остановки подачи напряжения VCC подачи мощности в первый узел ND52 в резонансном блоке 511В во время приостановки генерации мешающего магнитного поля.
[0082] Как описано далее, для остановки резонанса резонансного блока 511В и высвобождения резонансной энергии генерирующее магнитное поле устройство 50В согласно второму варианту осуществления выполнено с возможностью переключения состояния второго переключающего элемента SW51 (такого как транзистор TR2) блока 521В подачи мощности возбуждения в непроводящее состояние (состояние Выключения) для остановки подачи напряжения VCC возбуждения, а затем переключения первого переключающего элемента DSW52 для разрядки (такого как транзистор TR1) в проводящее состояние (состояние Включения) для высвобождения резонансной энергии.
Кроме того, для возобновления генерации магнитного поля схема 52В управления возбуждением согласно второму варианту осуществления выполнена с возможностью переключения первого переключающего элемента DSW52 для разрядки в непроводящее состояние и затем переключения второго переключающего элемента SW51 в проводящее состояние.
[0083] Более конкретная конфигурация генерирующего магнитное поле устройства 50В согласно второму варианту осуществления описана подробно далее, сосредотачиваясь на дополнении конфигурации с ФИГ. 6. В генерирующем магнитное поле устройстве 50В блок 524 управления разрядкой добавлен к схеме 52В управления возбуждением, и конфигурация блока 521В подачи мощности возбуждения (см. ФИГ. 8) отличается от схемы 52А управления возбуждением (см. ФИГ. 6) согласно первому варианту осуществления.
[0084] Блок 524 управления разрядкой выполнен с возможностью включения в себя транзистора TR1 в качестве соответствующего первого переключающего элемента DSW52 большой мощности, который соединен между первым узлом ND52 в резонансном блоке 511В и блоком потенциала разрядки, который является блоком 522 опорного потенциала, например, и для которого предусмотрена возможность переключения между проводящим состоянием и непроводящим состоянием согласно первому сигналу STP1 приостановки генерации магнитного поля для выключения статуса соединения между первым узлом ND52 в резонансном блоке 511В и блоком 522 опорного потенциала в качестве блока потенциала разрядки между соединенным состоянием и разъединенным состоянием. Блок 524 управления разрядкой образует канал высвобождения резонансной энергии (канал разрядки) посредством соединения транзистора TR1 в качестве первого переключающего элемента DSW52 для разрядки с первым узлом ND52 в резонансном блоке 511В.
[0085] Как показано на ФИГ. 9, транзистор TR1 в качестве первого переключающего элемента DSW52 для разрядки блока 524 управления разрядкой согласно данному варианту осуществления соединен между первым узлом ND52 в резонансном блоке 511В и блоком потенциала разрядки, который является блоком 522 опорного потенциала. Транзистор TR1 образован биполярным транзистором n-p-n-типа, который является первым переключающим элементом DSW52, который соответствует большой мощности.
[0086] Транзистор TR1, образующий первый переключающий элемент DSW52, соединен между первым узлом ND52 в резонансном блоке 511В и блоком 522 опорного потенциала и переключается между проводящим состоянием и непроводящим состоянием согласно первому сигналу STP1 приостановки генерации магнитного поля для переключения статуса соединения первого узла ND52 в резонансном блоке 511В и блока 522 опорного потенциала между соединенным состоянием и разъединенным состоянием. Транзистор TR1 соединен так, чтобы его коллектор (С) был соединен с первым узлом ND52 в резонансном блоке 511В, его эмиттер (Е) был соединен с блоком 522 опорного потенциала, а его база (В) была соединена с линией подачи первого сигнала STP1 приостановки генерации магнитного поля.
[0087] При приеме первого сигнала STP1 приостановки генерации магнитного поля на активном высоком уровне блок 524 управления разрядкой переводит транзистор TR1, который является первым переключающим элементом DSW52, в проводящее состояние. При приеме первого сигнала STP1 приостановки генерации магнитного поля на неактивном низком уровне блок 524 управления разрядкой переводит транзистор TR1, который является первым переключающим элементом DSW52, в непроводящее состояние.
[0088] Блок 521В подачи мощности возбуждения выполнен с возможностью включения в себя транзистора TR2, который соединен между источником SVCC подачи напряжения VCC возбуждения и первым узлом ND52 в резонансном блоке 511В и для которого предусмотрена возможность переключения между проводящим состоянием и непроводящим состоянием согласно второму сигналу STP2 приостановки генерации магнитного поля для переключения статуса соединения между источником SVCC подачи напряжения возбуждения и первым узлом ND52 резонансного блока 511В между соединенным состоянием и разъединенным состоянием. В блоке 521В подачи мощности возбуждения согласно второму варианту осуществления подача напряжения VCC возбуждения в первый узел ND52 резонансного блока 511В останавливается посредством второго переключающего элемента SW51 во время приостановки генерации мешающего магнитного поля.
[0089] Как показано на ФИГ. 9, транзистор TR2 в блоке 521В подачи мощности возбуждения согласно данному варианту осуществления соединен в качестве второго переключающего элемента SW51 между источником SVCC подачи напряжения VCC возбуждения и первым узлом ND52 в резонансном блоке 511В. Транзистор TR2 образован биполярным транзистором n-p-n-типа, например.
[0090] Транзистор TR2, образующий второй переключающий элемент SW51, соединен между узлом ND51 соединения и анодом диода D51 (первый узел DN52 резонансного блока 511В далее вниз) и подлежит переключению между проводящим состоянием и непроводящим состоянием согласно второму сигналу STP2 приостановки генерации магнитного поля для переключения статуса соединения между узлом ND51 соединения и первым узлом 52 в резонансном блоке 511В между соединенным состоянием и разъединенным состоянием. Транзистор TR2 соединен так, чтобы его эмиттер (Е) был соединен с узлом ND51 соединения (и далее к источнику VCC подачи напряжения VCC возбуждения), его коллектор (С) с анодом диода D51, и его база (В) с линией подачи второго сигнала приостановки генерации магнитного поля.
[0091] При приеме второго сигнала STP2 приостановки генерации магнитного поля на активном низком уровне блок 521В подачи мощности возбуждения переводит транзистор TR2, который является вторым переключающим элементом SW51, в непроводящее состояние; при приеме второго сигнала STP2 приостановки генерации магнитного поля на неактивном высоком уровне он переводит транзистор TR2, который является вторым переключающим элементом SW51, в проводящее состояние.
[0092] Первый сигнал STP1 приостановки генерации магнитного поля и второй сигнал STP2 приостановки генерации магнитного поля, которые подаются в схему 52В управления возбуждением согласно второму варианту осуществления, в основном создаются блоком 40 управления на дополняющих друг друга уровнях. Другими словами, когда первый сигнал STP1 приостановки генерации магнитного поля установлен в высокий уровень, то второй сигнал STP2 приостановки генерации магнитного поля установлен в низкий уровень; когда первый сигнал STP1 приостановки генерации магнитного поля установлен в низкий уровень, то второй сигнал STP2 приостановки генерации магнитного поля установлен в высокий уровень.
[0093] В данном варианте осуществления во время генерирования магнитного поля, которое присутствует, когда мешающее магнитное поле генерируется по отношению к магнитной головке скиммера, первый сигнал STP1 приостановки генерации магнитного поля установлен в низкий уровень, в то время как второй сигнал STP2 приостановки генерации магнитного поля установлен в высокий уровень. В результате транзистор TR1 в качестве первого переключающего элемента DSW52 в блоке 524 управления разрядкой переключается в непроводящее состояние, в то время как транзистор TR2 в качестве второго переключающего элемента SW51 блока 521В подачи мощности возбуждения переключается в проводящее состояние.
[0094] Во время приостановки генерации магнитного поля первый сигнал STP1 приостановки генерации магнитного поля установлен в высокий уровень, в то время как второй сигнал STP2 приостановки генерации магнитного поля установлен в низкий уровень. В результате транзистор TR1 в качестве первого переключающего элемента DSW52 в блоке 524 управления разрядкой переключается в проводящее состояние, а транзистор TR2 в качестве второго переключающего элемента SW51 в блоке 521В подачи мощности возбуждения переключается в непроводящее состояние. В это время для высвобождения (разрядки) резонансной энергии эффективным образом второй сигнал STP2 приостановки генерации магнитного поля устанавливается в низкий уровень и транзистор TR2 в качестве второго переключающего элемента SW51 переключается в непроводящее состояние, и затем первый сигнал STP1 приостановки генерации магнитного поля переключается в высокий уровень и транзистор TR1 в качестве первого переключающего элемента DSW52 переключается в проводящее состояние.
[0095] Во время начала (возобновления) генерирования магнитного поля для подачи мощности эффективным образом первый сигнал STP1 приостановки генерации магнитного поля устанавливается в низкий уровень и транзистор TR1 в качестве первого переключающего элемента DSW52 переключается в непроводящее состояние, и затем второй сигнал STP2 приостановки магнитной генерации переключается в высокий уровень и транзистор TR2 в качестве второго переключающего элемента SW51 переключается в проводящее состояние.
[0096] Генерирующее магнитное поле устройство 50В, имеющее вышеописанную конфигурацию, может быть выполнено схожим образом с генерирующим магнитное поле устройством 50А согласно вышеописанному первому варианту осуществления. Например, как показано на ФИГ. 1, генерирующее магнитное поле устройство 50В может быть размещено вблизи внутренней части (задней стороны) передней панели 20. Следует заметить, что размещение генерирующего магнитное поле устройства 50В не ограничено размещением, изображенным на ФИГ. 1, так например, только катушка (катушка индуктивности) L51 и конденсатор С51 могут быть размещены вблизи внутренней части (задней стороны) передней панели 20, а другие схемные системы могут быть размещены в других местоположениях, например на стороне блока 40 управления.
[0097] Генерирующее магнитное поле устройство 50В может не только увеличивать и продолжать выводить мешающее магнитное поле, но также и предотвращать ложное обнаружение предварительной головкой 39 магнитного поля, реализовывать управление соответственно открыванием/закрыванием затвора 38 и предотвращать ударение (столкновение) карты с затвором 38, даже когда карта вставляется быстро
[0098] Далее совместно с ФИГ. 9 и ФИГ. 10 описано Функционирование генерирующего магнитное поле устройства 50В согласно второму варианту осуществления. На ФИГ. 9 показана схема для объяснения функционирования генерирующего магнитное поле устройства согласно второму варианту осуществления во время приостановки генерации магнитного поля. На ФИГ. 10 показаны волновые формы для объяснения функционирования генерирующего магнитное поле устройства согласно второму варианту осуществления. На ФИГ. 10 показаны волновые формы, которые являются результатами моделирования случая, при котором генерирующее магнитное поле устройство 50В с ФИГ. 8 и ФИГ. 9 вмонтировано в считывателе карт с ФИГ. 1. На ФИГ. 10(а) показан сигнал CTL управления; на ФИГ. 10(b) показан второй сигнал STP2 приостановки генерации магнитного поля; на ФИГ. 10(с) показан первый сигнал STP1 приостановки генерации магнитного поля; на ФИГ. 10(d) показано мешающее магнитное поле DMG.
[0099] Несмотря на пересечение с описанием функционирования согласно первому варианту осуществления сначала описано обычное функционирование для начала генерации мешающего магнитного поля, а затем вслед описано функционирование по приостановке генерации мешающего магнитного поля, которая сопровождается высвобождением (разрядкой) резонансной энергии после обнаружения карты.
[0100] Действие по генерации мешающего магнитного поля
Когда генерирующее магнитное поле устройство 50В генерирует магнитное поле, которое присутствует, когда мешающее магнитное поле генерируется по отношению к магнитной головке скиммера, необходимо, чтобы никакой резонансной энергии не высвобождалось (не разряжалось), напряжение VCC возбуждения подавалось в первый узел ND52 в резонансном блоке 511В, и второй узел ND53 в резонансном блоке 511В был соединен с блоком 522 опорного потенциала.
[0101] Понимая вышеупомянутое, первый сигнал STP1 приостановки генерации магнитного поля подается на неактивном, низком, уровне (L) из блока 40 управления в блок 524 управления разрядкой в схеме 52В управления возбуждением так, чтобы резонансная энергия не высвобождалась (не разряжалась), как показано посредством волновой формы сигнала на ФИГ. 9(А). Так как блок 524 управления разрядкой принимает первый сигнал STP1 приостановки генерации магнитного поля на неактивном, низком уровне, то транзистор TR1, который является первым переключающим элементом DSW52, переводится в непроводящее состояние. Это обеспечивает состояние, при котором резонансная энергия не будет высвобождаться (разряжаться) из первого узла ND52 в резонансном блоке 511В.
[0102] В то же время, как показано посредством волновой формы сигнала с ФИГ. 9(А), второй сигнал STP2 приостановки генерации магнитного поля подается на неактивном высоком уровне (Н) из блока 40 управления в блок 521В подачи мощности возбуждения в схеме 52В управления возбуждением. Когда блок 521В подачи мощности возбуждения принимает второй сигнал STP2 приостановки генерации магнитного поля на неактивном высоком уровне (Н), транзистор TR1, который является вторым переключающим элементом SW51, переводится (включается) в проводящее состояние. Совместно с включением транзистора TR1 в проводящее состояние напряжение VCC возбуждения из блока 521В подачи мощности возбуждения подается в первый узел ND52 в резонансном блоке 511В.
[0103] В состоянии, при котором никакого (мешающего) магнитного поля не генерируется, например, сигнал CTL управления подается из блока 40 управления в блок 523 возбуждения резонанса в схеме 52А управления возбуждением. В это время сигнал CTL управления подается в качестве импульса на активном высоком уровне (Н). Когда блок 523 возбуждения резонанса принимает сигнал CTL управления на активном высоком уровне, элемент DSW51 переключения возбуждения переводится в проводящее состояние.
[0104] Посредством этих действий второй узел ND53 в резонансном блоке 511В становится электрически соединенным с блоком 522 опорного потенциала. В резонансном блоке 511В напряжение VCC возбуждения подается в первый узел ND52 из блока 521 подачи мощности возбуждения. Другими словами, когда статус соединения между вторым узлом ND53 и блоком 522 опорного потенциала изменяется на соединенное состояние через блок 523 возбуждения резонанса, управление резонансным блоком 511В осуществляется так, чтобы индуцировать резонансную функцию, увеличивать ток, протекающий в катушке (катушке индуктивности) L51, и генерировать мешающее магнитное поле по отношению к магнитной головке скиммера.
[0105] В этот момент сигнал CTL управления переключается на неактивный низкий уровень (L) и подается в блок 523 возбуждения резонанса. Когда блок 523 возбуждения резонанса принимает сигнал CTL управления на низком неактивном уровне, элемент DSW51 переключения возбуждения переводится в непроводящее состояние.
[0106] В это время, пока второй узел ND53 в резонансном блоке 511В электрически отсоединен от блока 522 опорного потенциала, ток из катушки (катушки индуктивности) L51 затухает, но все еще течет вследствие индуцированной резонансной энергии в резонансном блоке 511В, и соответственно генерация мешающего магнитного поля затухает, но продолжается.
[0107] В это время, когда блок 40 управления подает импульсный сигнал CTL управления в блок 523 возбуждения резонанса, индуцируется резонансное действие, и магнитное поле генерируется в резонансном блоке 511В, а затем магнитное поле ослабляется совместно с затуханием резонансной энергии; для индуцирования резонанса, в то время как затухающее магнитное поле все еще сохраняет функцию мешающего магнитного поля, блок 40 управления подает сигнал CTL управления на активном высоком уровне в блок 523 возбуждения резонанса с постоянным периодом от предыдущего вывода (подачи) или/и произвольно.
[0108] Другими словами, схожим с вышеописанным вариантом осуществления образом сигнал CTL управления подается на активном высоком уровне из блока 40 управления в блок 523 возбуждения резонанса в схеме 523В управления возбуждением, как показано на ФИГ. 10(а). Когда блок 523 возбуждения резонанса принимает сигнал CTL управления на активном высоком уровне, элемент DSW 51 переключения возбуждения переводится в проводящее состояние.
[0109] Посредством этого второй узел ND53 в резонансном блоке 511В становится электрически соединенным с блоком 522 опорного потенциала. Напряжение VCC возбуждения подается в первый узел ND52 в резонансном блоке 511 из блока 521 подачи мощности возбуждения. Другими словами, управление резонансным блоком 511В осуществляется так, чтобы, когда статус соединения между вторым узлом ND53 и блоком 522 опорного потенциала переключается в соединенное состояние через блок 523 возбуждения резонанса, снова индуцировалась резонансная функция, ток, протекающий в катушке (катушке индуктивности) L51, увеличивался, и генерировалось мешающее магнитное поле.
[0110] В этот момент сигнал CTL управления переключается в бездействующий низкий уровень (L) и подается в блок 523 возбуждения резонанса. Когда блок 523 возбуждения резонанса принимает сигнал CTL управления на неактивном низком уровне, элемент DSW51 переключения возбуждения переводится в непроводящее состояние.
[0111] Несмотря на то что второй узел ND53 в резонансном блоке 511В электрически отсоединен от блока 522 опорного потенциала в это время, ток из катушки (катушки индуктивности) L51 затухает, но все еще течет в резонансном блоке 511В вследствие индуцированной резонансной энергии, и соответственно генерация мешающего магнитного поля затухает, но все еще продолжается.
[0112] Описанные выше действия повторяются в течение периода генерирования мешающего магнитного поля.
[0113] Таким образом, в считывателе 10 карт, в котором вмонтировано генерирующее магнитное поле устройство 50В согласно второму варианту осуществления, мешающее магнитное поле генерируется по отношению к магнитной головке скиммера (включающий в себя схему считывания), которая незаконно прикреплена к отверстию 311 для вставки карты, с целью предотвращения незаконного считывания магнитных данных.
[0114] Действие по приостановке генерации мешающего магнитного поля
Далее описано действие по приостановке генерации мешающего магнитного поля, которая включает в себя высвобождение (разрядку) резонансной энергии после того, как датчик обнаружения карты (датчик ширины карты в данном примере) обнаружил карту. После приема сигнала, указывающего на то, что датчик 372 обнаружения карты обнаружил карту, блок 40 управления реализует управление возбуждением для быстрого устранения высоковероятного оставшегося мешающего магнитного поля посредством высвобождения (разрядки) резонансной энергии. В данном случае необходимо, чтобы первый узел ND52 в резонансном блоке 511В был электрически соединен с блоком 522 опорного потенциала, который является потенциалом разрядки, и желательно, чтобы подача напряжения VCC возбуждения в первый узел ND52 в резонансном блоке 511В была приостановлена.
[0115] Понимая это, второй сигнал STP2 приостановки генерации магнитного поля подается на активном низком уровне (L) из блока 40 управления в блок 521В подачи мощности возбуждения в схеме 52В управления возбуждением, как показано посредством волновой формы сигнала с ФИГ. 9(В), так, чтобы подача напряжения VCC возбуждения в первый узел ND52 в резонансном блоке 511В была остановлена для эффективного высвобождения резонансной энергии. Когда блок 521 подачи мощности возбуждения принимает второй сигнал STP2 приостановки генерации магнитного поля на активном низком уровне (L), транзистор TR2, который является вторым переключающим элементом SW51, переводится (выключается) в непроводящее состояние. Вслед за выключением транзистора TR2 в непроводящее состояние устанавливается состояние, при котором подача напряжения VCC возбуждения из блока 521 подачи мощности возбуждения в первый узел ND52 в резонансном блоке 511В останавливается.
[0116] В то же время, как показано посредством волновой формы сигнала с ФИГ. 9(В), первый сигнал STP1 приостановки генерации магнитного поля переключается из неактивного низкого уровня (L) в активный высокий уровень (Н) и подается из блока 40 управления в блок 524 управления разрядкой в схеме 52В управления возбуждением. Когда блок 524 управления разрядкой принимает первый сигнал STP1 приостановки генерации магнитного поля на активном высоком уровне (Н), транзистор TR1, который является первым переключающим элементом DSW52, переводится в проводящее состояние. Посредством этого первый узел ND52 в резонансном блоке 511В становится электрически соединенным с блоком 522 опорного потенциала, который позволяет осуществлять высвобождение (разрядку) резонансной энергии с первого узла ND52 в резонансном блоке 511В, и затем резонансная энергия в резонансном блоке 511В быстро высвобождается (разряжается).
[0117] Когда мешающее магнитное поле снова генерируется после того, как такое высвобождение резонансной энергии закончено и затвор 38 открыт, то реализуется тоже самое действие, что и вышеописанное действие по генерированию магнитного поля. Следует заметить, что для реализации эффективного переключения и подачи мощности напряжения для такого действия, сначала первый сигнал STP1 приостановки генерации магнитного поля устанавливается в низкий уровень, как показано на ФИГ. 9(В) и (С), и транзистор TR1 в качестве первого переключающего элемента DSW52 переключается в непроводящее состояние, второй сигнал STP2 приостановки генерации магнитного поля переключается в высокий уровень и транзистор TR1 в качестве второго переключающего элемента SW51 переключается в проводящее состояние во время повторного запуска генерации магнитного поля.
[0118] Как описано выше, генерирующее магнитное поле устройство 50В согласно второму варианту осуществления может не только увеличивать и продолжать выведение мешающего магнитного поля, но также и предотвращать ложное обнаружение магнитного поля посредством предварительной головки, позволять соответственно открывать/закрывать затвор 38 и препятствовать ударению (столкновению) карты с затвором 38, даже когда карта вставляется быстро.
[0119] Третий вариант осуществления генерирующего магнитное поле устройства
Далее описано генерирующее магнитное поле устройство согласно третьему варианту осуществления.
На ФИГ. 11 показана принципиальная схема, изображающая генерирующий магнитное поле блок и схему управления возбуждением генерирующего магнитное поле устройства согласно третьему варианту осуществления настоящего изобретения.
[0120] Генерирующее магнитное поле устройство 50С согласно третьему варианту осуществления отличается от генерирующего магнитное поле устройства согласно второму варианту осуществления, изображенного на ФИГ. 9, следующим образом. В схеме 52С управления возбуждением генерирующего магнитное поле устройства 50С транзистор n-p-n-типа в блоке управления разрядкой, который образован высокомощным биполярным транзистором, изображенным на ФИГ. 9, заменен на n-канальный МОП-транзистор (NMOS-транзистор) TR1N, который является n-канальным полевым (FET) транзистором. Схожим образом, транзистор, образованный транзистором n-p-n-типа в схеме 52С управления возбуждением, изображенной на ФИГ. 9, заменен на n-канальный МОП-транзистор (NMOS-транзистор) TR2, который является n-канальным полевым (FET) транзистором.
[0121] Другие конфигурации остаются теми же самыми, что и конфигурации согласно второму варианту осуществления; согласно третьему варианту осуществления могут быть получены те же самые технические результаты, что и в вышеописанном втором варианте осуществления.
[0122] Действия по приему и выпуску карты в считывателе карт
Наконец, описаны действия по приему и выпуску карты МС посредством считывателя 10 карт совместно с временной привязкой возбуждения генерирующего магнитное поле устройства 50В.
[0123] Сначала описано действие по приему карты совместно с ФИГ. 12 и ФИГ. 13.
На ФИГ. 12 показана блок-схема последовательности операций для объяснения действия по приему карты.
На ФИГ. 13 показана схема для объяснения действия по приему карты.
[0124] В состоянии, при котором схема 52В управления возбуждением генерирующего магнитное поле устройства 50В приведена в действие и мешающее магнитное поле генерируется по отношению к магнитной головке скиммера под управлением блока 40 управления (Этап ST1), когда пользователь карты вставляет карту МС в отверстие 311 для вставки карты (Этап ST2), вставленная карта обнаруживается датчиком 372 обнаружения карты (Этап ST3). Информация обнаружения подается в блок 40 управления. Как только вставка карты МС обнаружена, блок 40 управления задействует предварительную головку 39 для скольжения по магнитной полосе mp, выполненной на карте МС, с целью считывания магнитных данных, записанных на магнитной полосе mp. Для того чтобы остаточное мешающее магнитное поле не влияло на магнитное обнаружение в настоящий момент времени, когда предварительная головка 39 считывает и обнаруживает магнитные данные на карте МС, блок 40 управления выводит активными первый сигнал STP1 приостановки генерации магнитного поля и второй сигнал STP2 приостановки генерации магнитного поля (Этап ST4 и ST5) для остановки генерации магнитного поля и высвобождения (разрядки) резонансной энергии в резонансном блоке 511В схемы 52В управления возбуждением. При таком состояние магнитная полоса на вставленной карте МС обнаруживается посредством обнаруживающей вставку карты предварительной головки 39 (Этап ST6). С помощью сигнала обнаружения посредством предварительной головки 39 блок 40 управления задействует схему 52В управления возбуждением в генерирующем магнитное поле устройстве 50В в течение предварительно определенного промежутка времени для генерирования мешающего магнитного поля (Этап ST7). В состоянии, при котором генерируется мешающее магнитное поле, блок 40 управления переводит затвор 38 в открытое состояние (Этап ST8), приводит в действие приводной двигатель 38 (Этап ST9) и приводит в действие систему для перемещения, включающую в себя пару захватывающих роликов 331.
[0125] В результате карта МС может быть принята вовнутрь. Когда карта МС вставлена глубже, проходя положения затвора 38, передний край карты крепко удерживается захватывающими/выпускающими роликами 331 и начинается действие по приему карты МС (Этап ST10).
[0126] В данном варианте осуществления после того, как начался прием карты МС вовнутрь, мешающее магнитное поле продолжает генерироваться генерирующим магнитное поле устройством 50В, пока задний край карты МС выступает из отверстия 311 для вставки карты, и затем генерация мешающего магнитного поля останавливается (Этап ST11). Промежутком времени, в который генерируется мешающее магнитное поле, можно управлять со временем прохождения с момента обнаружения посредством предварительной головки 39 обнаружения вставки карты или датчика 37 обнаружения карты.
[0127] После приема карты МС вовнутрь до положения считывающей магнитной головки 31 магнитная головка 34 осуществляет считывание с карты МС или запись на нее (Этап ST12).
[0128] В течение действия по приему карты МС согласно данному варианту осуществления мешающее магнитное поле генерируется, когда задний край карты МС выступает из отверстия 311 для вставки карты. Следовательно, как показано воображаемой линией на ФИГ. 13, например, даже если устройство с магнитной головкой 61 скиммера прикреплено к месту снаружи отверстия для 31 для вставки карты, то есть к передней поверхности передней панели 20 главного устройства, магнитная головка 61 скиммера не сможет полностью считать магнитные данные на вставленной карте МС вследствие сгенерированного мешающего магнитного поля. Поэтому может быть предотвращено незаконное считывание магнитных данных посредством такой магнитной головки 61 скиммера.
[0129] Далее совместно с ФИГ. 14 и ФИГ. 15 описано действие по выпуску.
На ФИГ. 14 показана блок-схема последовательности операций для объяснения действия по выпуску карты.
На ФИГ. 15 показана схема для объяснения действия по выпуску карты.
[0130] Когда начинается действие по выпуску карты МС посредством роликов 311, 332 и 333 (Этап ST21) и передний край выпускаемой карты МС в направлении выпуска обнаруживается датчиком обнаружения карты 37 (Этап ST22), задействуется генерирующее магнитное поле устройство 50В и генерируется мешающее магнитное поле (Этап ST23).
[0131] Когда задний край выпускаемой карты МС обнаруживается фотодатчиком 352 (Этап ST24), приводной двигатель 36 останавливается (Этап ST25) для завершения действия по выпуску карты. Затем блок 40 управления останавливает задействование схемы 52В управления возбуждением в генерирующем магнитное поле устройстве 50 для остановки генерирования мешающего магнитного поля (Этап ST26).
[0132] В конце действия по выпуску карты задний край карты МС все еще крепко удерживается перемещающими роликами 331. Когда пользователь аккуратно забирает карту МС, то карта МС может быть забрана из отверстия 311 для вставки карты. Следует заметить, что, когда пользователь забывает забрать карту МС, перемещающие ролики 36 задействуются после прохождения предварительно определенного времени для забирания карты МС вовнутрь.
[0133] Таким образом, в считывателе 10 карт согласно данному варианту осуществления даже во время выпуска карты, мешающее магнитное поле временно генерируется, пока задний край карты на стороне выпуска выступает из отверстия 311 для вставки карты. Поэтому даже если магнитная головка 61 скиммера прикреплена к передней поверхности передней панели, предотвращается считывание магнитной головкой 61 скиммера магнитных данных на карте МС, которая подлежит выпуску.
[0134] Следует заметить, что несмотря на то что данный вариант осуществления является примером, в котором генерирующее магнитное поле устройство 50В задействуется только однажды в течение предварительно определенного периода, на протяжении которого карта вставляется и выпускается, устройство 50В может быть задействовано два или большее количество раз время от времени.
[0135] Технические результаты данного варианта осуществления
Как описано выше, согласно данному варианту осуществления могут быть получены следующие результаты.
Согласно данному варианту осуществления он имеет параллельный резонансный LC-контур, в котором соединены катушка L в качестве катушки индуктивности и конденсатор С, и непрерывно генерирует сильное магнитное поле посредством параллельного резонансного LC-контура в течение предварительно определенного промежутка времени благодаря свойству сохранения резонансной энергии; в результате выходная мощность мешающего магнитного поля увеличивается для уверенного предотвращения незаконного получения магнитных данных. Другими словами, даже если мошенник прикрепил устройство ("скиммер") 60 с так называемой "магнитной головкой скиммера", включающее в себя магнитную головку скиммера и схему магнитного считывания, к некоторому месту снаружи передней панели, которое является отверстием для вставки карты считывателя карт, для считывания магнитных данных на картах, то может быть сгенерировано сильное магнитное поле, и выходная мощность мешающего магнитного поля может быть увеличена для уверенного предотвращения незаконного получения магнитных данных.
[0136] Согласно данному варианту осуществления в генерирующем магнитное поле устройстве 50В транзистор TR1 в качестве первого переключающего элемента DSW52 для разрядки резонансной энергии соединен с первым узлом ND52 в резонансном блоке 511В для обеспечения канала высвобождения (канала разрядки, выпуска) резонансной энергии. Кроме того, в генерирующем магнитное поле устройстве 50В транзистор TR2 в качестве второго переключающего элемента SW51 соединен с линией подачи напряжения VCC подачи мощности из блока 521В подачи мощности возбуждения в резонансный блок 511В для остановки подачи напряжения VCC подачи мощности в первый узел ND52 в резонансном блоке 511В, пока приостановлена генерация мешающего магнитного поля. В результате, согласно данному варианту осуществления выходная мощность мешающего магнитного поля не только может быть увеличена и продолжать выводиться, но также может быть предотвращено и ложное обнаружение магнитного поля предварительной головкой 39, затвор может соответственно открываться/закрываться, и может быть предотвращено ударение (столкновение) карты с затвором, даже когда карта вставляется быстро.
[0137] Для остановки резонанса в резонансном блоке 511В и высвобождения резонансной энергии генерирующее магнитное поле устройство 50В выполнено с возможностью переключения транзистора TR2 в качестве второго переключающего элемента SW51 в блоке 521В подачи мощности возбуждения в непроводящее состояние (состояние Выключения) для остановки подачи напряжения VCC возбуждения и затем переключения транзистора TR1 в качестве первого переключающего элемента DSW52 для разрядки [резонансной энергии] в проводящее состояние для высвобождения резонансной энергии. Следовательно, резонансная энергия эффективно может быть высвобождена (разряжена).
[0138] Генерирующее магнитное поле устройство 50В согласно второму варианту осуществления выполнено с возможностью переключения транзистора TR1 в качестве первого переключающего элемента DSW52 для разрядки [резонансной энергии] в непроводящее состояние и затем переключения транзистора TR2 в качестве второго переключающего элемента SW55 в проводящее состояние в начале (повторном запуске) генерирования магнитного поля. Следовательно, резонансная энергия эффективно может быть высвобождена (разряжена).
[0139] Согласно генерирующему магнитное поле устройству данного варианта осуществления, даже если мошенник прикрепил так называемое "скиммер", который включает в себя магнитную головку скиммера и схему магнитного считывания к некоторому месту снаружи передней панели, которое находится у отверстия для вставки карты считывателя карт, для считывания магнитных данных на картах, то может быть сгенерировано магнитное поле и выходная мощность мешающего магнитного поля увеличивается и продолжает выводиться с целью уверенного предотвращения незаконного получения магнитных данных. Кроме того, в данном варианте осуществления временная привязка генерирования мешающего магнитного поля происходит во время выпуска карты и вставки карты; поэтому функционированию записывающей/воспроизводящей магнитной головки внутри считывателя карт не будут создаваться помехи даже без предоставления магнитной экранирующей пластины.
Список ссылочных обозначений
[0140] 10 Считыватель карт (Устройство обработки магнитного носителя записей)
20 Передняя панель
21 Отверстие
30 Часть обработки карты
31 Магнитная головка
311 Отверстие для вставки карты
37 Механизм обнаружения вставки карты
372 Датчик обнаружения карты
38 Затвор
39 Предварительная головка
40 Блок управления
50, 50А-50С Генерирующее магнитное поле устройство
51 Генерирующий магнитное поле блок
511, 511А, 511В Резонансный блок
52, 52А, 52В Схема управления возбуждением
521, 521В Блок подачи мощности возбуждения
522 Блок опорного потенциала
523 Блок возбуждения резонанса
524, 524В Блок управления разрядкой
ND51 Узел соединения
ND52 Первый узел
ND53 Второй узел
L51 Катушка индуктивности
С51 Конденсатор
DSW51 Элемент переключения возбуждения
DSW52 Первый переключающий элемент
SW51 Второй переключающий элемент
МС Карта