СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ И АППАРАТ ДЛЯ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Способ изготовления солнечного элемента, где:
формируют на кремниевой подложке, проводимость которой имеет р-тип или n-тип, кремниевый слой, включающий в себя легирующую примесь, тип проводимости которой отличается от типа проводимости данной кремниевой подложки; и
вызывают диффузию легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью термической обработки кремниевого слоя.
2. Способ изготовления солнечного элемента по п.1, где дополнительно:
формируют противоотражающую пленку на данном кремниевом слое в состоянии, когда кремниевая подложка поддерживается в атмосфере вакуума, после того, как сформирован кремниевый слой.
3. Способ изготовления солнечного элемента по п.1, где дополнительно:
формируют противоотражающую пленку на данном кремниевом слое после того, как сформирован кремниевый слой; и
формируют верхний электрод на данной противоотражающей пленке, при этом,
когда легирующая примесь, включенная в кремниевый слой, диффундирует в кремниевую подложку, верхний электрод является электропроводящим к данному кремниевому слою или кремниевой подложке, и легирующая примесь диффундирует в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки, в которой были сформированы кремниевый слой, противоотражающая пленка и верхний электрод.
4. Способ изготовления солнечного элемента по п.1, где
когда формируют кремниевый слой, кремниевый слой, включающий в себя легирующую примесь n-типа, формируется на верхней стороне кремниевой подложки р-типа;
после того как сформирован данный кремниевый слой, нижний электрод, включающий в себя алюминий, формируют на обратной стороне кремниевой подложки; и
когда легирующая примесь, включенная в кремниевый слой, диффундирует в кремниевой подложке, данная легирующая примесь диффундирует в кремниевой подложке и часть алюминия нижнего электрода диффундирует в кремниевой подложке с помощью нагрева кремниевой подложки, в которой были сформированы кремниевый слой и нижний электрод.
5. Способ изготовления солнечного элемента по п.1, где
когда легирующая примесь, включенная в кремниевый слой, диффундирует в кремниевой подложке, максимальный уровень температуры нагрева больше или равен 600°С и меньше или равен 1200°С, и время нагрева больше или равно 1 мин и меньше или равно 120 мин.
6. Способ изготовления солнечного элемента по п.1, где дополнительно
подвергают кремниевую подложку действию плазмы в вакууме перед формированием кремниевого слоя и
затем формируют кремниевый слой в состоянии, когда кремниевая подложка поддерживается в атмосфере вакуума после того, как кремниевая подложка подвергалась действию плазмы.
7. Способ изготовления солнечного элемента по п.6, где
кремниевый слой формируют с помощью способа плазменного осаждения из газовой фазы, подвергают кремниевую подложку действию плазмы и формируют кремниевый слой путем применения того же аппарата плазменного осаждения из газовой фазы.
8. Способ изготовления солнечного элемента по п.1, где дополнительно
формируют текстуру путем сухого травления верхней стороны кремниевой подложки в вакууме перед формированием кремниевого слоя; и
затем формируют кремниевый слой в состоянии, когда кремниевая подложка поддерживается в атмосфере вакуума после травления.
9. Способ изготовления солнечного элемента по п.8, где дополнительно
формируют текстуру путем сухого травления верхней стороны кремниевой подложки в вакууме перед формированием кремниевого слоя; и
затем подвергают кремниевую подложку действию плазмы в состоянии, когда кремниевая подложка поддерживается в атмосфере вакуума после травления.
10. Аппарат для изготовления солнечного элемента, содержащий:
устройство формирования первой пленки, формирующее кремниевый слой на подложке при подаче газа, содержащего легирующую примесь, на подложку;
устройство формирования второй пленки, формирующее противоотражающую пленку на кремниевом слое;
устройство формирования электрода, формирующее электрод на подложке или противоотражающей пленке; и
нагревающее устройство, нагревающее подложку.
11. Аппарат для изготовления солнечного элемента по п.10, где
устройство формирования первой пленки содержит нагревающую секцию, нагревающую подложку.
12. Аппарат для изготовления солнечного элемента по п.10, где
устройство формирования первой пленки содержит секцию обработки плазмой, подвергающую подложку действию плазмы.
13. Аппарат для изготовления солнечного элемента по п.10, дополнительно содержащий:
механизм переноса подложки, переносящий подложку в устройство формирования первой пленки, устройство формирования второй пленки, устройство формирования электрода и нагревающее устройство в данном порядке.
14. Способ изготовления солнечного элемента, где:
формируют на кремниевой подложке, проводимость которой имеет р-тип или n-тип, кремниевый слой, включающий в себя легирующую примесь, тип проводимости которой отличается от типа проводимости данной кремниевой подложки; и
вызывают диффузию легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки во время формирования кремниевого слоя.
15. Способ изготовления солнечного элемента по п.14, где
когда легирующая примесь, включенная в кремниевый слой, диффундирует в кремниевой подложке с помощью нагрева кремниевой подложки во время формирования кремниевого слоя, максимальный уровень температуры нагрева больше или равен 600°С и меньше или равен 1200°С, и время нагрева больше или равно 1 мин и меньше или равно 120 мин.
16. Способ изготовления солнечного элемента по п.14, где дополнительно
подвергают кремниевую подложку действию плазмы в вакууме перед диффузией легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки во время формирования кремниевого слоя; и
затем вызывают диффузию легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки во время формирования кремниевого слоя в состоянии, когда кремниевая подложка поддерживается в атмосфере вакуума после того, как кремниевая подложка подвергалась действию плазмы.
17. Способ изготовления солнечного элемента по п.16, где
кремниевый слой формируют с помощью способа плазменного осаждения из газовой фазы, подвергают кремниевую подложку действию плазмы и вызывают диффузию легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки во время формирования кремниевого слоя путем применения того же аппарата плазменного осаждения из газовой фазы.
18. Способ изготовления солнечного элемента по п.14, где дополнительно
формируют текстуру путем сухого травления верхней стороны кремниевой подложки в вакууме перед диффузией легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки во время формирования кремниевого слоя; и
затем вызывают диффузию легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки во время формирования кремниевого слоя в состоянии, когда кремниевая подложка поддерживается в атмосфере вакуума после травления.
19. Способ изготовления солнечного элемента по п.16, где дополнительно
формируют текстуру путем сухого травления верхней стороны кремниевой подложки в вакууме перед диффузией легирующей примеси, включенной в кремниевый слой, в кремниевую подложку с помощью нагрева кремниевой подложки во время формирования кремниевого слоя; и
затем подвергают кремниевую подложку действию плазмы в состоянии, когда кремниевая подложка поддерживается в атмосфере вакуума после травления.