СЦИНТИЛЛЯТОРНЫЙ БЛОК, СОДЕРЖАЩИЙ ПОГЛОЩАЮЩУЮ РЕНТГЕНОВСКИЕ ЛУЧИ ОБОЛОЧКУ, И РЕНТГЕНОВСКАЯ ДЕТЕКТОРНАЯ МАТРИЦА, СОДЕРЖАЩАЯ ТАКОЙ СЦИНТИЛЛЯТОРНЫЙ БЛОК

1. Сцинтилляторный блок (2), содержащий:
матрицу пикселей (3) сцинтиллятора, причем каждый из пикселей сцинтиллятора имеет верхнюю поверхность (27), нижнюю поверхность (31) и боковые поверхности (29), и причем пиксели сцинтиллятора размещены так, что боковые поверхности соседних пикселей сцинтиллятора обращены друг к другу; и
поглощающую рентгеновские лучи оболочку (13), содержащую электрически изолирующий, сильно поглощающий рентгеновские лучи материал, причем сильно поглощающий рентгеновские лучи материал имеет атомное число, больше, чем 50;
причем поглощающая рентгеновские лучи оболочка (13) размещена на нижней поверхности (31) пикселей (3) сцинтиллятора.
2. Сцинтилляторный блок по п. 1, в котором сильно поглощающий рентгеновские лучи материал содержит оксид висмута.
3. Сцинтилляторный блок по одному из пп. 1 или 2, в котором поглощающая рентгеновские лучи оболочка содержит от 20 до 70 об. % сильно поглощающего рентгеновские лучи материала.
4. Сцинтилляторный блок по п. 1, в котором поглощающая рентгеновские лучи оболочка содержит частицы сильно поглощающего рентгеновские лучи материала, причем частицы включены в связующий материал.
5. Сцинтилляторный блок по п. 4, в котором 90% частиц имеют размер между 1 и 50 мкм.
6. Сцинтилляторный блок по п. 4, в котором связующий материал представляет собой эпоксидную смолу.
7. Сцинтилляторный блок по п. 1, в котором поглощающая рентгеновские лучи оболочка покрывает, по меньшей мере, 80% нижней поверхности каждого из пикселей сцинтиллятора.
8. Сцинтилляторный блок по п. 1, в котором разделительные промежутки между соседними пикселями сцинтиллятора, по меньшей мере, частично заполнены слабо поглощающим рентгеновские лучи материалом.
9. Сцинтилляторный блок по п. 1, в котором поглощающий рентгеновские лучи материал содержит смесь материалов, имеющих различные атомные номера.
10. Рентгеновская детекторная матрица (1), содержащая:
сцинтилляторный блок (2) по одному из пп. 1-9,
матрицу детекторов (9) сцинтилляционного излучения, причем каждый из детекторов сцинтилляционного излучения размещен как рядом с соответствующим пикселем (3) сцинтиллятора сцинтилляторного блока для обнаружения сцинтилляционного излучения, создаваемого в пикселе сцинтиллятора, и
электронную схему (19), электрически соединенную с матрицей детекторов сцинтилляционного излучения;
причем поглощающая рентгеновские лучи оболочка (13) сцинтилляторного блока (2) размещена между матрицей пикселей (3) сцинтиллятора сцинтилляторного блока и электронной схемой (19).
11. Рентгеновская детекторная матрица по п. 10, в которой электронная схема содержит интегральную микросхему, произведенную по технологии CMOS.
12. Рентгеновская детекторная матрица по п. 10 или 11, в которой электронная схема содержит специализированную
интегральную микросхему (ASIC) по технологии flip-chip.
13. Рентгеновская детекторная матрица по п. 10, в которой поверхность обнаружения сцинтилляционного излучения каждого из детекторов сцинтилляционного излучения размещена вдоль боковой поверхности соответствующего пикселя сцинтиллятора.
14. Рентгеновская детекторная матрица по п. 10, дополнительно содержащая промежуточную пластину (17), вставленную между поглощающей рентгеновские лучи оболочкой сцинтилляторного блока и электронной схемой.
15. Сканер СТ, содержащий рентгеновскую детекторную матрицу по любому из пп. 10-14.