АНТИМИКРОБНОЕ ПОКРЫТИЕ ИМПЛАНТАТА

1. Покрытие для компонента имплантата, в частности компонента имплантата позвоночника, причем покрытие представляет собой керамическое покрытие из нитрида титана, которое, кроме доли Ti в ат.% и доли N в ат.%, имеет содержание Ag 5-30 ат.%.
2. Покрытие по п. 1, причем покрытие имеет 5-20 ат.% Ag, 8-15 ат.% Ag, 8-10 ат.% Ag или около 10 ат.% Ag.
3. Покрытие по п. 1 или 2, причем на поверхности покрытия Ag и нитрид титана сформированы находящимися рядом друг с другом.
4. Покрытие по одному из предшествующих пунктов, причем покрытие имеет толщину 2,5-6 мкм, 3,5-5,5 мкм или около 4,5 мкм.
5. Покрытие по одному из предшествующих пунктов, причем покрытие из нитрида титана представляет собой по существу стехиометрический TiN-слой.
6. Компонент имплантата, в частности, имплантата позвоночника, который, по меньшей мере, на отдельных участках покрыт покрытием по одному из предшествующих пунктов.
7. Компонент имплантата по п. 6, причем компонент имплантата представляет собой по меньшей мере компонент имплантата для спондилодеза или кейдж.
8. Компонент имплантата по п. 6 или 7, в котором поверхность покрытого участка имеет нитрид титана со встроенными Ag-островками.
9. Компонент имплантата по одному из пп. 6-8, причем покрываемый компонент имплантата имеет титановый сплав, и предпочтительно состоит из него.
10. Способ нанесения покрытия имплантата по одному из предшествующих пунктов на компонент имплантата, который включает стадии:
- размещения покрываемого компонента имплантата, в частности, компонента имплантата для имплантата позвоночника, в камере для нанесения покрытия;
- размещения по меньшей мере одной мишени, которая имеет предварительно заданное для покрытия содержание серебра и титана в ат.%, и/или размещение по меньшей мере одной Ti-мишени и по меньшей мере одной Ag-мишени;
- создания по меньшей мере азотсодержащей атмосферы;
- испарения по меньшей мере одной мишени; и
- одновременного нанесения покрытия на компонент имплантата из испаренного металла по меньшей мере одной мишени.
11. Способ нанесения покрытия имплантата по п. 10, причем испарение по меньшей мере одной мишени выполняют электродуговым испарением, и при этом подводимое к мишеням напряжение составляет 15-30 В или 20-25 В, и сила подводимого тока составляет 40-70 А.
12. Способ по п. 10 или 11, в котором после размещения покрываемого имплантата в камере для нанесения покрытия проводят очистку поверхности покрываемого имплантата тлеющим разрядом в атмосфере водорода.
13. Способ по одному из пп. 10-12, в котором после введения покрываемого имплантата в камеру для нанесения покрытия проводят очистку поверхности покрываемого имплантата путем бомбардировки поверхности имплантата ионами в инертной атмосфере.
14. Применение покрытия по одному из пп. 1-9 для предотвращения образования биопленки на имплантате, в частности, имплантате позвоночника.