ПОДЛОЖКА МАТРИЦЫ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ, И ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ДИСПЛЕЙ

1. Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов, включающая:
область расположения электродов пикселей и область расположения электродов данных;
подложку матрицы тонкопленочных транзисторов также включающую прозрачный слой электродов пикселей, сформированный в области расположения электродов пикселей, и включающий первый металлический слой, первый диэлектрический слой, слой аморфного кремния, второй металлический слой, второй диэлектрический слой, выполненный в области расположения электродов пикселей и области расположения электродов данных;
первый диэлектрический слой, покрывающий первый металлический слой;
слой аморфного кремния, второй металлический слой и второй диэлектрический слой, последовательно сформированные на первом диэлектрическом слое;
прозрачный слой электродов пикселей, соединенный с вторым металлическим слоем посредством проходного отверстия, выполненного в области электродов пикселей второго диэлектрического слоя.
2. Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов по п. 1, отличающаяся тем, что подложка матрицы тонкопленочных транзисторов также включает слой фоторезиста, сформированный между первым диэлектрическим слоем и слоем аморфного кремния.
3. Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов по п. 2, отличающаяся тем, что слой фоторезиста является красным слоем фоторезиста, зеленым слоем фоторезиста или синим слоем фоторезиста.
4. Способ изготовления подложки матрицы тонкопленочных транзисторов, включающий:
A) формирование первого металлического слоя в области расположения электродов пикселей и область расположения электродов данных с использованием первой фотомаски;
B) осаждение первого диэлектрического слоя;
C) формирование второго металлического слоя на первом диэлектрическом слое с использованием второй фотомаски;
D) осаждение второго диэлектрического слоя;
E) выполнение проходного отверстия в области расположения электродов пикселей второго диэлектрического слоя с использованием третьей фотомаски;
F) формирование прозрачного слоя электродов пикселей на области расположения электродов пикселей второго диэлектрического слоя с использованием четвертой фотомаски, отличающаяся тем, что прозрачный слой электродов пикселей соединен с область расположения электродов пикселей второго металлического слоя посредством проходного отверстия.
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что способ также включает этап осаждения слоя фоторезиста на первый диэлектрический слой перед выполнением этапа (C).
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что слой фоторезиста является красным слоем фоторезиста, зеленым слоем фоторезиста или синим слоем фоторезиста.
7. Жидкокристаллический дисплей, включающий подложку матрицы тонкопленочных транзисторов, вторую подложку напротив подложки матрицы тонкопленочных транзисторов и слой жидкого кристалла, введенный между подложкой матрицы тонкопленочных транзисторов и второй подложкой;
причем подложка матрицы тонкопленочных транзисторов включает область расположения электродов пикселей и область расположения электродов данных;
и причем подложка матрицы тонкопленочных транзисторов также включает прозрачный слой электродов пикселей, сформированный в области расположения электродов пикселей, а также включает первый металлический слой, первый диэлектрический слой, слой аморфного кремния, второй металлический слой, второй диэлектрический слой, сформированные в области расположения электродов пикселей и области расположения электродов данных;
и причем первый диэлектрический слой покрывает первый металлический слой;
и причем слой аморфного кремния, второй металлический слой и второй диэлектрический слой последовательно выполнены на первом диэлектрическом слое;
и причем прозрачный слой электродов пикселей соединен с вторым металлическим слоем посредством проходного отверстия, выполненного в области электродов пикселей второго диэлектрического слоя.
8. Жидкокристаллический дисплей по п. 7, отличающийся тем, что подложка матрицы тонкопленочных транзисторов также включает слой фоторезиста, сформированный между первым диэлектрическим слоем и слоем аморфного кремния.
9. Жидкокристаллический дисплей по п. 8, отличающийся тем, что слой фоторезиста является красным слоем фоторезиста, зеленым слоем фоторезиста или синим слоем фоторезиста.