СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ПРОВОДЯЩИХ И ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ОСАЖДЕННЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОКСИДА ИНДИЯ-ОЛОВА (ITO)

1. Способ активации тонкой пленки оксида индия-олова (ITO), осажденной непосредственно или опосредованно на подложку, содержащий этапы, на которых:
отжигают тонкую пленку ITO в среде с низким содержанием кислорода при температуре по меньшей мере 450°С на протяжении по меньшей мере 10 минут так, чтобы обеспечить (1) удельное сопротивление тонкой пленки ITO после отжига, которое ниже удельного сопротивления соответствующей тонкой пленки ITO, отожженной в воздухе, (2) поглощение и пропускание в видимом спектре тонкой пленки ITO после отжига, которые соответственно ниже и выше поглощения и пропускания соответствующей тонкой пленки ITO, отожженной в воздухе, и (3) коэффициент отражения в инфракрасном диапазоне тонкой пленки ITO после отжига, который выше коэффициента отражения соответствующей тонкой пленки ITO, отожженной в воздухе.
2. Способ по п.1, при этом средой с низким содержанием кислорода является вакуум.
3. Способ по п.1, при этом тонкую пленку ITO отжигают при температуре по меньшей мере 475°С.
4. Способ по п.1, при этом тонкую пленку ITO отжигают при температуре по меньшей мере 500°С.
5. Способ по п.1, при этом тонкую пленку ITO отжигают меньше 45 мин.
6. Способ по п.1, при этом тонкую пленку ITO отжигают не более 30 мин.
7. Способ по п.1, при этом тонкая пленка ITO после отжига демонстрирует увеличенный коэффициент отражения в инфракрасном диапазоне на длинах волн 1400 нм и выше.
8. Способ по п.1, при этом удельное сопротивление тонкой пленки ITO после отжига на по меньшей мере 25% ниже удельного сопротивления соответствующей тонкой пленки ITO, отожженной в воздухе.
9. Способ по п.1, при этом коэффициент отражения в инфракрасном диапазоне тонкой пленки ITO на по меньшей мере 20% пунктов выше коэффициента отражения соответствующей тонкой пленки ITO, отожженной в воздухе, для длин волн инфракрасного диапазона 1400 нм или выше.
10. Способ изготовления фотогальванического устройства, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают по существу прозрачную подложку;
размещают слой, содержащий оксид индия-олова (ITO), непосредственно или опосредованно на подложке; и
нагревают этот содержащий ITO слой в среде с низким содержанием кислорода до температуры по меньшей мере 475°С на протяжении по меньшей мере 10 мин так, чтобы обеспечить (1) поверхностное сопротивление содержащего ITO слоя после отжига, которое ниже, чем поверхностное сопротивление соответствующей тонкой пленки ITO, отожженной в воздухе, (2) поглощение и пропускание содержащего ITO слоя в видимом спектре после отжига, которые соответственно ниже и выше поглощения и пропускания соответствующей тонкой пленки ITO, отожженной в воздухе, и (3) коэффициент отражения содержащего ITO слоя в инфракрасном диапазоне после отжига, который выше коэффициента отражения соответствующей тонкой пленки ITO, отожженной в воздухе.
11. Способ по п.10, при этом средой с низким содержанием кислорода является вакуум.
12. Способ по п.10, при этом содержащий ITO слой нагревают до температуры по меньшей мере 500°С.
13. Способ по п.10, при этом содержащий ITO слой нагревают не более 60 мин.
14. Способ по п.10, при этом поверхностное сопротивление содержащего ITO слоя в фотогальваническом устройстве на по меньшей мере 25% ниже поверхностного сопротивления соответствующей тонкой пленки ITO, отожженной в воздухе, в соответствующем фотогальваническом устройстве.
15. Способ по п.10, при этом коэффициент отражения содержащего ITO слоя в инфракрасном диапазоне в фотогальваническом устройстве на по меньшей мере 20% пунктов выше коэффициента отражения соответствующей тонкой пленки ITO, отожженной в воздухе, в соответствующем фотогальваническом устройстве на длинах волн инфракрасного диапазона 1400 нм или выше.
16. Способ по п.10, при этом фотогальваническое устройство является фотогальваническим устройством с передним электродом.
17. Способ по п.10, при этом фотогальваническое устройство является фотогальваническим устройством с задним электродом.
18. Способ по п.10, при этом фотогальваническое устройство является фотогальваническим устройством на основе CdTe.
19. Способ по п.18, дополнительно содержащий активацию содержащего ITO слоя, как только сформируют CdTe.
20. Способ изготовления электронного устройства, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают подложку со сформированным непосредственно или опосредованно на ней слоем, содержащим оксид индия-олова (ITO);
нагревают этот содержащий ITO слой в среде с низким содержанием кислорода до температуры по меньшей мере 475°С не более чем 60 мин для активации содержащего ITO слоя так, чтобы содержащий ITO слой имел поверхностное сопротивление ниже, чем поверхностное сопротивление соответствующего содержащего ITO слоя, активированного во включающей воздух среде при температуре не выше, чем 350°С; и
встраивают подложку в электронное устройство.