СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ПРЕОБРАЗОВАННОЙ ДЛИНОЙ ВОЛНЫ

1. Структура, содержащая:
полупроводниковое светоизлучающее устройство, способное излучать первый свет, имеющий первую пиковую длину волны; и
полупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, способный поглощать первый свет и излучать второй свет, имеющий вторую пиковую длину волны; причем
полупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, присоединен к основанию и расположен на пути света, излучаемого полупроводниковым светоизлучающим устройством; и
основание является керамическим люминофором, способным излучать третий свет, имеющий третью пиковую длину волны.
2. Структура по п. 1, в которой вторая пиковая длина волны красная.
3. Структура по п. 1, в которой полупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, включает в себя, по меньшей мере, один светоизлучающий слой, причем, по меньшей мере, один светоизлучающий слой является либо III-V полупроводником, либо II-VI полупроводником.
4. Структура по п. 1, в которой поверхность керамического люминофора является либо текстурированной, либо шероховатой.
5. Структура по п. 1, в которой третья пиковая длина волны является либо зеленой, либо желтой.
6. Структура по п. 1, в которой основание является либо прозрачным, либо полупрозрачным, либо рассеивающим.
7. Структура по п. 1, в которой основание сформировано в виде линзы.
8. Структура по п. 7, в которой линза является либо полусферической линзой, либо линзой Френеля.
9. Структура по п. 7, в которой диаметр линзы больше диагонали полупроводникового светоизлучающего устройства.
10. Структура по п. 1, дополнительно содержащая элемент извлечения света, где полупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, расположен между полупроводниковым светоизлучающим устройством и элементом извлечения света.
11. Структура по п. 10, в которой элемент извлечения света содержит прозрачную пластину с шероховатой или структурированной поверхностью.
12. Структура по п. 1, в которой полупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, содержит, по меньшей мере, один светоизлучающий слой, расположенный между первым и вторым ограничивающим слоями.
13. Структура, содержащая:
полупроводниковое светоизлучающее устройство, способное излучать первый свет, имеющий первую пиковую длину волны; и
полупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, способный поглощать первый свет и излучать второй свет, имеющий вторую пиковую длину волны, причем полупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, включает в себя первый и второй светоизлучающие слои и барьерный слой, расположенный между и находящийся в непосредственном контакте с первым и вторым светоизлучающими слоями; причем
полупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, присоединен к основанию и расположен на пути света, излучаемого полупроводниковым светоизлучающим устройством; и
полупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, имеет структуру, включающую в себя, по меньшей мере, две первые области полупроводникового преобразующего длину волны материала, и, по меньшей мере, одну вторую область без полупроводникового преобразующего длину волны материала, расположенную между, по меньшей мере, двумя первыми областями.
14. Структура по п. 1, дополнительно содержащая, по меньшей мере, один связывающий слой, причем, по меньшей мере, один связывающий слой расположен либо на поверхности контакта между полупроводниковым светоизлучающим устройством и полупроводниковым элементом, преобразующим длину волны, либо на поверхности контакта между полупроводниковым элементом, преобразующим длину волны, и основанием.
15. Структура по п. 14, в которой соединяющий слой является оксидом.
16. Структура по п. 1, в которой поверхность полупроводникового элемента, преобразующего длину волны, является либо структурированной, либо шероховатой.
17. Структура по п. 1, в которой поверхность полупроводникового элемента, преобразующего длину волны, пассивирована.
18. Структура, содержащая:
полупроводниковое светоизлучающее устройство, способное излучать первый свет, имеющий первую пиковую длину волны;
полупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, способный поглощать первый свет и излучать второй свет, имеющий вторую пиковую длину волны; причем
полупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, расположен на пути света, излучаемого полупроводниковым светоизлучающим устройством; и
полупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, имеет структуру, включающую, по меньшей мере, две первые области полупроводникового преобразующего длину волны материала и, по меньшей мере, одну вторую область без полупроводникового преобразующего длину волны материала, расположенную между, по меньшей мере, двумя первыми областями; и
элемент, преобразующий длину волны, расположенный в, по меньшей мере, одной второй области, причем элемент, преобразующий длину волны, способен поглощать первый свет и излучать третий свет, имеющий третью пиковую длину волны.
19. Источник света, содержащий:
первое светоизлучающее устройство, способное излучать первый свет, имеющий первую пиковую длину волны; и
второе светоизлучающее устройство, способное излучать второй свет, имеющий вторую пиковую длину волны, содержащее:
полупроводниковое светоизлучающее устройство, способное излучать третий свет, имеющий третью пиковую длину волны; и
полупроводниковый элемент, преобразующий длину волны, способный поглощать третий свет и излучать второй свет.
20. Источник света по п. 19, дополнительно содержащий третье светоизлучающее устройство, способное излучать четвертый свет, имеющий четвертую пиковую длину волны, причем третье светоизлучающее устройство содержит:
полупроводниковое светоизлучающее устройство, способное излучать пятый свет, имеющий пятую пиковую длину волны; и
элемент, преобразующий длину волны, способный поглощать пятый свет и излучать четвертый свет.
21. Источник света по п. 20, в котором элемент, преобразующий длину волны, является керамическим люминофором.
22. Источник света по п. 20, в котором первая пиковая длина волны является синей, вторая пиковая длина волны является красной, а четвертая пиковая длина волны является либо желтой, либо зеленой.
23. Источник света по п. 19, в котором вторая пиковая длина волны является красной, и второе светоизлучающее устройство излучает свет в спектре, имеющем полную ширину на половине амплитуды, равную 25 нм или менее.
24. Источник света по п. 19, в котором поверхность полупроводникового элемента, преобразующего длину волны, пассивирована.