СПОСОБ И УСТАНОВКА ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1. Установка (50) для подачи промывочной воды, содержащая
блок (54) производства ультрачистой воды; и
подающий трубопровод (52), первый конец которого соединён с выходом из упомянутого блока (54) производства ультрачистой воды;
причём второй конец упомянутого подающего трубопровода выполнен с возможностью соединения с устройством (40) промывки полупроводников,
отличающаяся тем, что
блоком (53) управления работой для упомянутого блока (54) производства ультрачистой воды;
причём упомянутый блок (53) управления работой выполнен с возможностью управления упомянутым блоком (54) производства ультрачистой воды для производства заданного количества ультрачистой воды по запросу; и
нагнетательной установкой (55) для ультрачистой воды, имеющей доступ к источнику инертного газа;
причём нагнетательная установка (55) для ультрачистой воды выполнена с возможностью очистки упомянутого подающего трубопровода (52) от воды упомянутым инертным газом после подачи упомянутого заданного количества ультрачистой воды через упомянутый подающий трубопровод (52).
2. Установка (50) для подачи промывочной воды по п. 1, отличающаяся тем, что упомянутая нагнетательная установка (55) для ультрачистой воды выполнена с возможностью проведения упомянутого заданного объёма ультрачистой воды через упомянутый подающий трубопровод (52), нагнетаемого упомянутым инертным газом.
3. Установка (50) для подачи промывочной воды по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что упомянутый блок (54) производства ультрачистой воды выполнен с возможностью работы в чистой зоне (20).
4. Установка (50) для подачи промывочной воды по любому из пп. 1-3, отличающаяся тем, что упомянутый блок (53) управления работой выполнен с обеспечением возможности установки упомянутого заданного количества ультрачистой воды.
5. Установка (50) для подачи промывочной воды по любому из пп. 1-4, отличающаяся тем, что упомянутый блок (53) управления работой выполнен с возможностью управления хронированием работы упомянутого блока (54) производства ультрачистой воды для подачи упомянутого заданного количества свежепроизведённой ультрачистой в момент времени, установленный принятым запросом.
6. Установка (50) для подачи промывочной воды по любому из пп. 1-5, отличающаяся тем, что упомянутый блок (54) производства ультрачистой воды содержит множество ёмкостей (60), в которые вводится производимая ультрачистая вода, и из которых упомянутая производимая ультрачистая вода подаётся в упомянутый подающий трубопровод (52).
7. Установка (50) для подачи промывочной воды по любому из пп. 1-6, отличающаяся блоком анализа воды, выполненным с возможностью измерения содержания частиц в пробном объёме ультрачистой воды, извлечённом из упомянутого заданного количества ультрачистой воды.
8. Система (30) промывки полупроводников, отличающаяся
установкой (50) для подачи промывочной воды по любому из пп. 1-7; и
устройством (40) промывки полупроводников, с которым соединён упомянутый второй конец упомянутого подающего трубопровода.
9. Система (30) промывки полупроводников по п. 8, отличающаяся тем, что упомянутое заданное количество ультрачистой воды равно количеству воды, необходимой для операции промывки в упомянутом устройстве (40) промывки полупроводников.
10. Система (1) производства полупроводников, содержащая
чистую зону (20), содержащую по меньшей мере один участок (10) производства полупроводников; и
служебную зону (25), расположенную в соединении с упомянутой чистой зоной (20),
отличающаяся тем, что
по меньшей мере один из упомянутого по меньшей мере одного участка (10) производства полупроводников содержит систему (30) промывки полупроводников по п. 8 или 9, расположенную внутри упомянутой чистой зоны (20);
причём в упомянутую установку (50) для подачи ультрачистой воды упомянутой системы (30) промывки полупроводников подаётся вода из упомянутой служебной зоны (25).
11. Способ подачи промывочной воды, содержащий этапы, на которых
производят (S4) заданное количество ультрачистой воды по запросу; и
подают (S6), в связи с упомянутым производством, упомянутое заданное количество ультрачистой воды в устройство (40) промывки полупроводников через подающий трубопровод (52),
отличающийся дополнительным этапом, на котором
очищают (S8) упомянутый подающий трубопровод (52) от воды посредством инертного газа после упомянутой подачи упомянутого заданного количества ультрачистой воды через упомянутый подающий трубопровод (52).
12. Способ по п. 11, отличающийся тем, что упомянутая подача упомянутой ультрачистой воды через упомянутый подающий трубопровод (52) содержит этап, на котором нагнетают упомянутую ультрачистую воду через упомянутый подающий трубопровод (52) посредством упомянутого инертного газа.
13. Способ по п. 11 или 12, отличающийся дополнительным этапом, на котором измеряют содержание частиц в пробном объёме ультрачистой воды, извлечённом из упомянутого заданного количества ультрачистой воды.