УСТРОЙСТВО ПЛАЗМЕННОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОПЕРЕХОДНЫХ КРЕМНИЕВЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МОДУЛЕЙ И ПАНЕЛЕЙ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА

1.Устройство плазменного осаждения из паровой фазы для получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента, включающее:
средства крепления подложки, упомянутую подложку, имеющую наружную поверхность и внутреннюю поверхность; устройство плазменной горелки, устанавливаемое проксимально к упомянутой внутренней поверхности для осаждения, по меньшей мере, одного слоя тонкой пленки на упомянутую внутреннюю поверхность упомянутого субстрата, причем устройство плазменной горелки установлено на расстоянии от упомянутого субстрата;
и средства подачи химических реагентов к упомянутому устройству плазменной горелки, где упомянутый, по меньшей мере, один тонкопленочный слой формирует упомянутые кремниевые тонкопленочные модули солнечного элемента.
2. Устройство плазменного осаждения из паровой фазы для получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.1, в котором упомянутое средство крепления включает:
передвижную платформу для перемещения упомянутой подложки относительно упомянутого устройства плазменной горелки вдоль ее продольной оси.
3. Устройство плазменного осаждения из паровой фазы для получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.1, в котором упомянутое средство крепления дополнительно включает:
по меньшей мере, один выполненный с возможностью вращения зажим, для вращения упомянутой подложки вокруг ее продольной оси относительно упомянутого устройства плазменной горелки.
4. Устройство плазменного осаждения из паровой фазы для получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.1, дополнительно включающее:
скрайбер, устанавливаемый проксимально к упомянутой внутренней поверхности, для скрайбирования соединений в упомянутом, по меньшей мере, одном тонкопленочном слое для получения упомянутых кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента.
5. Устройство плазменного осаждения из паровой фазы для получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.4,в котором упомянутым скрайбером является лазер.
6. Устройство плазменного осаждения из паровой фазы для получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.4, дополнительно включающее:
по меньшей мере, одно впрыскивающее сопло, устанавливаемое проксимально к упомянутой наружной поверхности, для впрыскивания жидкости или газа для управления температурой субстрата.
7. Устройство плазменного осаждения из паровой фазы для получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.4, в котором упомянутое устройство ориентировано практически в вертикальном положении.
8. Устройство для плазменного осаждения из паровой фазы для получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.4, в котором упомянутое устройство ориентировано практически в горизонтальном положении.
9. Устройство плазменного осаждения из паровой фазы для получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента п.1, в котором упомянутым средством плазменной горелки является горелка с индуктивно-связанной плазмой.
10. Способ получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента, включающий:
крепление подложки, причем упомянутая подложка имеет наружную и внутреннюю поверхности;
предоставление горелки с высокочастотной индуктивно-связанной плазмой, включающей индукционную катушку, причем упомянутую горелку с высокочастотной индуктивно-связанной плазмой выбирают с возможностью установки параллельно участку поверхности упомянутой внутренней поверхности упомянутого субстрата;
введение плазменного газа в упомянутую горелку с высокочастотной индуктивно-связанной плазмой для формирования плазмы внутри упомянутой катушки;
впрыскивание, по меньшей мере, одного химического реагента в упомянутую горелку с высокочастотной индуктивно-связанной плазмой; и
осаждение, по меньшей мере, одного тонкопленочного слоя на упомянутую внутреннюю поверхность упомянутой подложки, в котором упомянутый, по меньшей мере, один тонкий слой включает тонкопленочные кремниевые модули солнечного элемента.
11. Способ получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.10, в котором упомянутое осаждение, по меньшей мере, одного слоя тонкой пленки включает:
возвратно-поступательное движение подложки в направлении ее продольной оси относительно упомянутой горелки с высокочастотной индуктивно-связанной плазмой.
12. Способ получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.10, в котором упомянутое осаждение, по меньшей мере, одного слоя тонкой пленки дополнительно включает:
вращение подложки вокруг ее продольной оси относительно упомянутой горелки с высокочастотной индуктивно-связанной плазмой.
13. Способ получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.10, в котором упомянутое осаждение, по меньшей мере, одного слоя тонкой пленки дополнительно включает:
скрайбирование упомянутого, по меньшей мере, одного слоя тонкой пленки для получения соединений между упомянутыми кремниевыми тонкопленочными модулями солнечного элемента.
14. Способ получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.10, дополнительно включающий:
впрыскивание жидкости или газа на наружную поверхность для управления температурой подложки.
15. Способ получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.10, дополнительно включающий:
осаждение тонкого слоя молибдена на упомянутую внутреннюю поверхность перед осаждением упомянутого, по меньшей мере, одного слоя тонкой пленки.
16. Способ получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.10, в котором упомянутое осаждение, по меньшей мере, одного слоя тонкой пленки дополнительно включает:
осаждение слоя легированного кремния n-типа на упомянутую внутреннюю поверхность упомянутой подложки.
17. Способ получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.10, в котором упомянутое осаждение, по меньшей мере, одного слоя тонкой пленки дополнительно включает:
осаждение слоя легированного кремния i-типа на упомянутую внутреннюю поверхность упомянутой подложки.
18. Способ получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.10, в котором упомянутое осаждение, по меньшей мере, одного слоя тонкой пленки дополнительно включает:
осаждение слоя легированного кремния p-типа на упомянутую внутреннюю поверхность упомянутой подложки.
4
4
3
4
3
2
6
4
4
4
19. Способ получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.10, в котором упомянутый, по меньшей мере, один химический реагент выбирают из группы, состоящей из SiCl, SiH, SiHCl, SiF, соединений, содержащих кремний, PH, BH, GeH, GeCl, GeFи соединений, содержащих германий.
20. Способ получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.10, в котором упомянутый химический реагент существует в виде, выбранном из группы, состоящей из газа, пара, аэрозоли, мелких частиц и порошка.
21. Способ получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.10, в котором упомянутое осаждение, по меньшей мере, одного тонкопленочного слоя дополнительно включает:
осаждение тонкопленочного слоя прозрачного проводящего оксида металла на упомянутую внутреннюю поверхность упомянутой подложки после осаждения упомянутого, по меньшей мере, одного тонкопленочного слоя.
22. Способ получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.21, в котором упомянутым прозрачным проводящим оксидом металла является оксид, выбираемый из группы, состоящей из оксидов индия, олова и цинка.
23. Способ получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.10, в котором упомянутый плазменный газ выбирают из группы, состоящей из гелия, неона, аргона, водорода и их смесей.
24. Способ получения кремниевых тонкопленочных модулей солнечного элемента по п.10, в котором упомянутые кремниевые тонкопленочные модули солнечных элементов выбирают из группы, состоящей из слоистых структур p-i-n и n-i-p типа.
25. Способ получения кремниевые тонкопленочные модулей солнечного элемента по п.10, дополнительно включающий: разрезание упомянутых модулей солнечного элемента на небольшие части, которые предназначены для монтажа на подложке для получения панели солнечного элемента.
26. Кремниевая тонкопленочная фотогальваническая панель, включающая:
множество вогнутых цилиндрических частей кремниевого тонкопленочного модуля солнечного элемента, размещенных рядом друг с другом; и
соединения между упомянутым множеством вогнутых цилиндрических частей кремниевого тонкопленочного модуля солнечного элемента для того, чтобы проводить электричество.
27. Кремниевая тонкопленочная фотогальваническая панель по п.26, в которой упомянутые кремниевые тонкопленочные модули солнечного элемента выбирают из группы, состоящей из слоистых структур p-i-n и n-i-p типа.
28. Кремниевая тонкопленочная фотогальваническая панель, включающая:
множество частей кремниевого тонкопленочного модуля солнечного элемента в форме диска, размещенных рядом друг с другом; и
соединения между упомянутым множеством частей кремниевого тонкопленочного модуля солнечного элемента в форме диска для того, чтобы проводить электричество.
29. Кремниевая тонкопленочная фотогальваническая панель по п.28, в которой упомянутые кремниевые тонкопленочные модули солнечного элемента выбирают из группы, состоящей из слоистых структур p-i-n и n-i-p типа.