Способ формирования окисных слоев кремния

2
2
2
SiO2
Способ формирования окисных слоев кремния, включающий способ получения тонкого защитного оксида кремния, в состав которого входят: азот, водород и кислород, отличающийся тем, что кремниевые пластины подвергают обработке при соотношении компонентов: N=400 л/ч; Н=75 л/ч; O=750 л/ч, при рабочей температуре -650°С, где толщина пленки - δ=0,5±0,1 мкм, разброс по толщине пленки оксида кремния на поверхности пластин составил 2,5÷3,0%.