СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ НАНОСТРУКТУР МЕДИ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖЕК

2
1. Способ формирования эпитаксиальных наноструктур меди на поверхности полупроводниковых подложек, включающий осаждение меди на атомарно-чистой поверхности Si(111)7×7 с формированием буферного слоя силицида меди CuSi моноатомной толщины при температуре 550-600°C в условиях сверхвысокого вакуума с последующим осаждением на него меди, отличающийся тем, что осаждение меди на подготовленную подложку силицида меди осуществляют при температуре подложки 500-550°C и эффективной толщине меди в диапазоне от 0,4 до 2,5 нм при том, что при эффективной толщине меди от 0,4 до 0,8 нм формируют островки эпитаксиальных наноструктур меди треугольной и многоугольной формы, а при толщине меди в диапазоне от 0,8 до 2,5 нм наряду с островками меди треугольной и многоугольной форм формируют идеально ровные проволоки меди.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что боковые грани сформированных эпитаксиальных наноструктур ориентированы вдоль кристаллографических направлений <110>Cu║<112>Si.