НЕ ЗАГРЯЗНЯЮЩИЙСЯ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

1. Применение материала, состоящего из основы, имеющей покрытие на основе оксида титана, на которое нанесен тонкий гидрофильный слой, формирующий, по меньшей мере, часть наружной поверхности указанного материала и не содержащий оксид титана, в качестве материала, препятствующего оседанию неорганических загрязнителей на упомянутую наружную поверхность в отсутствие потока воды.
2. Применение по п.1, в котором тонкий гидрофильный слой имеет толщину меньше 10 нм, предпочтительно, между 1 и 2 нм.
3. Применение по п.1 или 2, в котором тонкий гидрофильный слой способен создать, в присутствии влаги окружающей среды и благодаря наличию подслоя из оксида титана, гидратационный слой, менее плотный, чем вода в жидком состоянии.
4. Применение по любому из пп.1 и 2 в котором тонкий гидрофильный слой образован на основе кремния и кислорода.
2
5. Применение по п.4, в котором тонкий гидрофильный слой состоит из оксида кремния (SiO), возможно легированного такими атомами, как алюминий (Аl) или цирконий (Zr).
6. Применение по любому из пп.1 и 2, в котором покрытие на основе оксида титана состоит исключительно из оксида титана, аморфного или со структурой, по меньшей мере, частично кристаллической, в частности, в фазе анатаза или рутила.
7. Применение по любому из пп.1 и 2, в котором покрытие на основе оксида титана содержит различимые частицы оксида титана, по меньшей мере, частично кристаллические и диспергированные в связующем.
8. Применение по п.7, в котором тонкий гидрофильный слой составляет неотъемлемую часть покрытия на основе оксида титана и образует крайнюю поверхность.
9. Применение по любому из пп.1 и 2, в котором покрытие на основе оксида титана и тонкий гидрофильный слой образуют слой, состоящий из оксида титана и оксида кремния, причем содержание оксида титана на уровне упомянутой наружной поверхности не равно нулю, а содержание оксида кремния более высокое на уровне наружной поверхности, чем в центре слоя.
10. Применение по любому из пп.1 и 2, в котором подслой, барьерный к ионам шелочного металла, расположен прямо под покрытием на основе оксида титана.
11. Применение материала, состоящего из основы, имеющей покрытие на основе оксида титана, на которое нанесен тонкий гидрофильный слой, формирующий, по меньшей мере, часть наружной поверхности упомянутого материала и не содержащий оксид титана, в качестве материала, имеющего свойство не загрязняться при установлении его с наружной стороны в зонах, защищенных от дождя, или в географических зонах с очень редкими осадками.
12. Материал, состоящий из основы, имеющей покрытие на основе оксида титана, на которое нанесен тонкий гидрофильный слой, формирующий, по меньшей мере, часть наружной поверхности упомянутого материала и не содержащий оксид титана, отличающийся тем, что упомянутый тонкий гидрофильный слой способен создавать в присутствии влаги окружающей среды и благодаря наличию подслоя из оксида титана гидратационный слой, менее плотный, чем вода в жидком состоянии.
13. Материал, состоящий из основы, имеющей покрытие на основе оксида титана, на который нанесен тонкий гидрофильный слой, формирующий, по меньшей мере, часть наружной поверхности упомянутого материала и не содержащий оксид титана, отличающийся тем, что оксид титана, в основном, аморфен.
14. Материал, состоящий из основы, покрытой, по меньшей мере, одним слоем, поверхность которого формирует, по меньшей мере, часть наружной поверхности упомянутого материала, причем упомянутый слой состоит из оксида титана и оксида кремня, отличающийся тем, что содержание оксида титана на уровне упомянутой наружной поверхности не равно нулю, а содержание оксида кремния более высокое на уровне упомянутой наружной поверхности, чем в центре слоя.
15. Материал по п.14, в котором содержание оксида кремния растет непрерывным образом по толщине слоя от центра слоя, а именно от наиболее близкой к основе части до наружной поверхности.
16. Материал по п.14 или 15, в котором толщина слоя находится в диапазоне значений от 3 до 30 нм, предпочтительно, от 5 до 20 нм.
17. Материал по любому из пп.14 и 15, в котором содержание оксида кремния в наиболее близкой к основе части слоя не равно нулю.
18. Материал по любому из пп.14 и 15, в котором подслой, барьерный к ионам щелочного металла, расположен прямо под слоем, состоящим из оксида титана и оксида кремния.
19. Материал по п.18, в котором подслой, барьерный к ионам щелочного металла, представляет собой слой из SiOC, предпочтительно, нанесенный способом CVD прямо на основу.
20. Материал по п.19, в котором подслой из SiOC имеет на своей поверхности выпуклости, разделенные регулярными промежутками, причем их ширина в основании, предпочтительно, равна примерно от 60 до 120 нм и высота примерно от 20 до 25 нм.
21. Способ получения материала, состоящего из основы, покрытой, по меньшей мере, одним слоем, содержащим оксид титана и оксид кремния, согласно которому упомянутый слой нанесен способом химического осаждения из паровой фазы (CVD) на упомянутую основу, двигающуюся вдоль оси, причем упомянутое осаждение осуществляют с помощью сопла, расположенного поперек оси движения упомянутой основы и имеющего одну щель, причем газообразные предшественники оксида титана и оксида кремния, не реагируя между собой, вводятся одновременно через единственную щель, и, по меньшей мере, один предшественник оксида титана имеет температуру разложения, присущую ему или заданную, достаточно более низкую, чем температура разложения, по меньшей мере, одного предшественника оксида кремния для того, чтобы образовался слой, в котором содержание оксида кремния растет непрерывным образом по толщине слоя.
22. Способ по п.21, в котором вводят один предшественник оксида титана и один предшественник оксида кремния.
23. Способ по п.22, в котором разница между соответствующими температурами разложения предшественников оксида титана и оксида кремния составляет, по меньшей мере, 50°С.
24. Способ по п.23, в котором предшественниками оксида кремния и оксида титана являются, соответственно, тетраэтоксисилан (ТЭОС) и тетраизопропилтитанат (ТИПТ).
25. Способ по любому из пп.21-24, в котором молярное отношение Ti/(Ti+Si), рассчитанное исходя из мольных количеств введенных атомов Ti и Si (присутствующих в газовой фазе), находится в диапазоне значений от 0,85 до 0,96, предпочтительно, от 0,90 до 0,93.
26. Материал, который может быть получен согласно способу по любому из пп.21-25.
27. Материал, по любому из предыдущих пунктов, касающихся материала, в котором основа представляет собой стекло.
28. Стекло или экран для визуализации, включающие, по меньшей мере, один материал по предыдущим пунктам формулы изобретения.