СПОСОБ И УСТРОЙСТВО НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ, ПОСТОЯННЫЙ МАГНИТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Способ нанесения покрытия, содержащий первый этап нагревания рабочей камеры и создания атмосферы металлических паров внутри рабочей камеры путем испарения испаряемого металлического материала, предварительно размещенного внутри рабочей камеры, и второй этап введения в рабочую камеру покрываемых изделий, поддерживавшихся при более низкой температуре, чем температура в рабочей камере, и последующего селективного осаждения испаряемого металлического материала на поверхность покрываемого изделия под действием разницы температур между температурой в рабочей камере и температурой покрываемых изделий.
2. Способ нанесения покрытия по п.1, в котором атмосфера металлических паров находится в рабочей камере в насыщенном состоянии.
3. Устройство нанесения покрытия, содержащее рабочую камеру, которое может нагревать, по существу, равномерно внутренность рабочей камеры до высокой температуры с помощью нагревательного средства, подготовительную камеру, сообщающуюся с рабочей камерой, вакуумирующее средство для поддержания рабочей и подготовительной камер на заранее заданном уровне вакуума, средство открытия/закрытия, перемещающееся между открытым положением, в котором рабочая и подготовительная камеры сообщаются друг с другом, и закрытым положением, в котором рабочая камера плотно закрыта, и транспортировочное средство, которое может перемещать покрываемые изделия между рабочей камерой и подготовительной камерой и может плотно закрывать рабочую камеру, когда покрываемые изделия перемещены в рабочую камеру при открытом положении средства открытия/закрытия, при этом рабочая камера нагревается при закрытом положении средства открытия/закрытия, атмосфера металлических паров создается путем испарения испаряемого металлического материала, предварительно размещенного внутри рабочей камеры, покрываемые изделия в подготовительной камере перемещаются в рабочую камеру с помощью транспортировочного средства при перемещенном в открытое положение средстве открытия/закрытия для селективного осаждения испаряемого металлического материала на поверхность покрываемого изделия под действием разницы температур между температурой в рабочей камере и температурой покрываемых изделий.
4. Устройство нанесения покрытия по п.3, в котором рабочая камера расположена внутри вакуумной камеры, оснащенной другим вакуумирующим средством, и образована равномерно нагревающейся пластиной, выполненной с отверстием в одной из своих боковых сторон, теплоизоляционный элемент расположен таким образом, что он заключает в себя равномерно нагревающуюся пластину, исключая указанную боковую сторону равномерно нагревающейся пластины, в которой выполнено указанное отверстие, и нагревательное средство для нагревания равномерно нагревающейся пластины расположено между равномерно нагревающейся пластиной и теплоизоляционным элементом.
5. Устройство нанесения покрытия по п.3 или 4, дополнительно содержащее средство подачи газа для подачи инертного газа в подготовительную камеру, и при этом инертный газ подается в подготовительную камеру через средство подачи газа таким образом, чтобы поддерживать отрицательное давление в рабочей камере по отношению к давлению в подготовительной камере.
6. Устройство нанесения покрытия по п.3 или 4, в котором подготовительная камера оснащена средством подачи газа для подачи газообразного гелия (He) в подготовительную камеру, и при этом газообразный гелий подается в подготовительную камеру через средство подачи газа таким образом, чтобы поддерживать давление в рабочей камере, по существу, таким же, как и давление в подготовительной камере.
7. Устройство нанесения покрытия по п.6, в котором рабочая камера расположена под подготовительной камерой.
8. Устройство нанесения покрытия по п.3 или 4, дополнительно содержащее средство размещения, на котором испаряемый металлический материал может быть размещен внутри рабочей камеры, и при этом средство размещения выполнено в виде кольца таким образом, чтобы испаряемый металлический материал мог быть расположен вокруг покрываемых изделий, когда эти покрываемые изделия перемещены в рабочую камеру с помощью транспортировочного средства.
9. Устройство нанесения покрытия по п.3 или 4, в котором подготовительная камера оснащена плазмогенерирующим средством для очистки поверхности покрываемого изделия с использованием плазмы.
10. Устройство нанесения покрытия по п.3 или 4, в котором подготовительная камера оснащена другим нагревательным средством для очистки поверхности покрываемого изделия с помощью термической обработки с подачей инертного газа в вакуумную атмосферу или подготовительную камеру через связанное с ней средство подачи газа.
11. Устройство нанесения покрытия по п.3 или 4, в котором испаряемым металлическим материалом является сплав, содержащий каждый из Dy и Tb или содержащий по меньшей мере один из Dy и Tb, а покрываемым изделием является спеченный магнит типа Fe-B-редкоземельные элементы, имеющий заранее заданную конфигурацию.
12. Способ изготовления постоянного магнита, включающий в себя этапы нанесения испаряемого металлического материала, содержащего по меньшей мере один из Dy и Tb, на поверхность магнита типа Fe-B-редкоземельные элементы, имеющего заранее заданную конфигурацию, и диффузии испаряемого металлического материала, нанесенного на поверхность магнита, в пограничные фазы кристаллических зерен спеченного магнита с помощью термической обработки испаряемого металлического материала при заранее заданной температуре, характеризующийся тем, что этап нанесения покрытия включает в себя первый этап нагревания рабочей камеры, используемой для проведения этапа нанесения покрытия, и создания атмосферы металлических паров внутри рабочей камеры путем испарения испаряемого металлического материала, предварительного размещенного внутри рабочей камеры, и второй этап введения в рабочую камеру магнита, поддерживавшегося при более низкой температуре, чем температура в рабочей камере, и последующего селективного осаждения испаряемого металлического материала на поверхности магнита под действием разницы температур между температурой в рабочей камере и температурой магнита, пока магнит достигает заранее заданной температуры.
13. Способ изготовления постоянного магнита по п.12, в котором атмосфера металлических паров находится в рабочей камере в насыщенном состоянии.
14. Способ изготовления постоянного магнита по п.12 или 13, в котором испаряемый металлический материал дополнительно содержит по меньшей мере один из Nd, Pr, Al, Cu, Ga и Ta.
15. Способ изготовления постоянного магнита по п.12 или 13, в котором заранее заданная температура на втором этапе составляет менее 250 или более 450°С.
16. Способ изготовления постоянного магнита по п.12 или 13, дополнительно включающий в себя этап очистки поверхности магнита в вакуумной атмосфере перед введением в рабочую камеру магнита, поддерживавшегося при более низкой температуре, чем температура в рабочей камере.
17. Способ изготовления постоянного магнита по п.12 или 13, в котором температура в рабочей камере на первом этапе задана в диапазоне 1000-1700°С.
18. Способ изготовления постоянного магнита по п.12 или 13, в котором диаметр частиц испаряемого металлического материала, расположенного внутри рабочей камеры на этапе нанесения покрытия, находится в диапазоне 10-1000 мкм.
19. Постоянный магнит, содержащий магнит типа Fe-B-редкоземельные элементы, имеющий заранее заданную конфигурацию, причем поверхность магнита селективно покрывается испаряемым металлическим материалом под действием разницы температур между температурой в рабочей камере и температурой магнита, пока магнит достигает заранее заданной температуры, при создании атмосферы металлических паров в рабочей камере путем испарения испаряемого металлического материала, содержащего по меньшей мере один из Dy и Tb, и при введении в рабочую камеру магнита, поддерживавшегося при более низкой температуре, чем температура в рабочей камере, после чего магнит подвергается термической обработке для того, чтобы обеспечить диффузию по меньшей мере одного из Dy и Tb на поверхности магнита в пограничные фазы кристаллических зерен магнита.
20. Постоянный магнит по п.19, в котором поверхность и граница кристаллических зерен магнита имеют богатую фазу, содержащую по меньшей мере один из Dy и Tb.
21. Постоянный магнит по п.19 или 20, в котором поверхность магнита покрыта богатой фазой, а граница кристаллических зерен содержит 1-50% богатой фазы.