ИСТОЧНИК ПЛАЗМЫ

1. Источник (1) плазмы, предназначенный для нанесения покрытия на подложку (9) и выполненный с возможностью соединения с источником (Р) энергии, содержащий:
a) электрод (2), ограничивающий разрядную камеру (3), выходящую в проем (6), напротив которого можно расположить упомянутую подложку, при этом поперечное сечение упомянутого электрода имеет первую и вторую боковую стенку (21, 22), расположенные с одной и другой стороны от дна (23, 24), имеющего центральную часть (25), выступающую в упомянутую разрядную камеру, при этом упомянутая центральная часть содержит первую и вторую центральную стенку (26, 27) и вершину (28), соединяющую две центральные стенки,
b) магнитный узел (4), находящийся на периферии упомянутого электрода и содержащий совокупность магнитов, соединенных между собой магнитной опорой (46), при этом каждый из упомянутых магнитов содержит открытый полюс, обращенный к разрядной камере, и защищенный полюс, ориентированный к упомянутой магнитной опоре, при этом упомянутая совокупность магнитов включает в себя:
i. по меньшей мере первый и второй боковой магнит (41, 42), при этом упомянутый первый боковой магнит, соответственно второй боковой магнит, расположены сзади упомянутой первой боковой стенки (21), соответственно второй боковой стенки, (22) вблизи упомянутого проема (6), при этом упомянутые два боковых магнита ориентированы таким образом, что их открытые полюсы имеют и одинаковую полярность,
ii. по меньшей мере первый и второй центральный магнит (43, 44), при этом упомянутый первый центральный магнит, соответственно второй центральный магнит, расположены сзади упомянутой первой центральной стенки (26), соответственно второй центральной стенки (27), при этом упомянутые два центральных магнита ориентированы таким образом, что их открытый полюс имеет полярность, противоположную полярности открытых полюсов боковых магнитов,
iii. по меньшей мере один головной магнит (45), расположенный сзади упомянутой вершины (28) и ориентированный таким образом, что его открытый полюс имеет такую же полярность, что и открытые полюсы боковых магнитов,
с) электрически изолирующую оболочку (5), расположенную таким образом, чтобы окружать электрод и магниты, не перекрывая при этом проема.
2. Источник плазмы по п. 1, в котором проем (6) имеет такую же ширину, что и разрядная камера.
3. Источник плазмы по любому из предыдущих пунктов, в котором магнитная опора имеет Е-образную форму, и ее средняя ветвь содержит конец, расширенный таким образом, что защищенный полюс головного магнита (45) полностью находится в контакте с магнитной опорой.
4. Источник плазмы по п. 1, в котором магнитная опора выполнена в виде единой детали.
5. Источник плазмы по п. 2, в котором магнитная опора выполнена в виде единой детали.
6. Источник плазмы по п. 3, в котором магнитная опора выполнена в виде единой детали.
7. Источник плазмы по п. 1, дополнительно содержащий средство (7) охлаждения магнитов и электрода.
8. Источник плазмы по п. 2, дополнительно содержащий средство (7) охлаждения магнитов и электрода.
9. Источник плазмы по п. 3, дополнительно содержащий средство (7) охлаждения магнитов и электрода.
10. Источник плазмы по п. 4, дополнительно содержащий средство (7) охлаждения магнитов и электрода.
11. Источник плазмы по п. 7, в котором средство охлаждения содержит пространство (7) между электродом и магнитным узлом, предназначенное для циркуляции текучей среды-теплоносителя.
12. Источник плазмы по п. 7, в котором средство (7) охлаждения содержит систему трубок.
13. Источник плазмы по п. 1, дополнительно содержащий средство (8) нагнетания, предназначенное для нагнетания ионизируемого газа в разрядную камеру (3).
14. Источник плазмы по п. 13, в котором средство (8) нагнетания расположено вблизи дна (23, 24).
15. Устройство вакуумного осаждения, содержащее источник плазмы по любому из пп. 1-14.
16. Устройство вакуумного осаждения по п. 15, дополнительно содержащее второй источник плазмы по любому из пп. 1-14, причем оба источника плазмы предназначены для сопряженной работы.
17. Устройство вакуумного осаждения по п. 16, в котором оси симметрии обоих источников плазмы образуют угол α, составляющий между 20 и 110°.
18. Устройство вакуумного осаждения по любому из пп. 16 или 17, в котором расположенные друг против друга полюсы боковых магнитов первого источника плазмы имеют полярность, противоположную полярности расположенных друг против друга полюсов боковых магнитов второго источника плазмы.
19. Устройство вакуумного осаждения по п. 15, дополнительно содержащее инжектор (10) исходного газа.
20. Устройство вакуумного осаждения по п. 15, дополнительно содержащее дополнительный магнит (11), расположенный напротив проема (6) и предназначенный для размещения вблизи подложки (9) со стороны, противоположной источнику (1) плазмы, и с полюсом, ориентированным к источнику (1) плазмы и имеющим полярность, обратную полярности расположенных друг напротив друга полюсов боковых магнитов.