Способ получения n и p типов протонных полупроводников

+
+
-
3
4
п
о
Способ получения n и p типов протонных полупроводников, заключающийся в определении вида дефектов, их количества и энергии активации за счёт измерения термостимулированных токов деполяризации и удельной электрической проводимости, отличающийся тем, что создаётся избыточная концентрация протонов и протонных дефектов при легировании кристаллических материалов кислотами типа HCl, HI, HF (с преимущественной Н и HO проводимостью, то есть p-типа) или щелочами типа NHOH (с преимущественной ОН проводимостью, то есть n-типа) и определении вида, концентрации и величины энергии активации релаксаторов для более широкого набора кристаллических материалов, для чего образец термостатируется при определенной температуре, не превышающей температуру плавления, заполяризованный объект охлаждается без отключения электрического поля Едо Т= 77 К и поляризованное состояние «замораживается», затем электрическое поле отключается, образец замыкается на измерительный прибор и при нагревании происходит разрушение гетерозаряда, то есть появление токов термостимулированной деполяризации, заключающейся в появлении релаксационных максимумов, величина и смещение которых по шкале температуры позволяет определить вид полупроводника, концентрацию n и p типов носителей заряда и их энергию активации.