ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ

1. Фотоэлектрический модуль, содержащий множество тонкопленочных фотоэлектрических элементов (2), расположенных на прозрачной подложке (11),
причем каждый тонкопленочный фотоэлектрический элемент (2) содержит прозрачный электрод (12), обеспеченный на прозрачной подложке (11), пакет (13) солнечных элементов, расположенный на прозрачном электроде (12), и верхний электрод (14), расположенный на пакете (13) солнечных элементов,
причем обеспечено множество параллельно соединенных блоков (3) фотоэлектрических элементов, каждый из которых содержит цепочку последовательно соединенных фотоэлектрических элементов (2),
причем фотоэлектрический модуль дополнительно содержит положительную соединительную часть (6, 20a) и отрицательную соединительную часть (5, 20b) в одиночном верхнем слое межсоединений, с обеспечением схемы параллельного соединения параллельно соединенных блоков (3) фотоэлектрических элементов, и по меньшей мере один элемент (9a, 9b) перекрестного соединения в слое, отличном от одиночного верхнего слоя межсоединений, причем по меньшей мере один элемент (9a, 9b) перекрестного соединения обеспечивает электрическое соединение в отрицательной соединительной части (5, 20b) и/или в положительной соединительной части (6, 20a).
2. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором ширина элемента каждого из множества фотоэлектрических элементов составляет менее 10 мм, например, менее 5 мм.
3. Фотоэлектрический модуль по п. 1 или 2, в котором последовательно соединенные фотоэлектрические элементы (2) обеспечены посредством проводящих элементов (14a) между прозрачным электродом (12) фотоэлектрического элемента (2) и верхним электродом (14) смежного фотоэлектрического элемента (2).
4. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором по меньшей мере один элемент (9a) перекрестного соединения для положительной соединительной части (6, 20a) содержит часть (21a) положительного контактного слоя в слое верхних электродов (14), причем часть (21a) положительного контактного слоя соединяет верхние электроды (14) двух смежных фотоэлектрических элементов (2) двух соседних блоков (3) фотоэлектрических элементов.
5. Фотоэлектрический модуль по п. 4, в котором по меньшей мере один элемент (9a) перекрестного соединения для положительной соединительной части (6, 20a) дополнительно содержит соединительный слой (22a) между частью (21a) положительного контактного слоя и положительной соединительной частью (6, 20a).
6. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором по меньшей мере один элемент (9b) перекрестного соединения для отрицательной соединительной части (5, 20b) содержит часть (23b) отрицательного контактного слоя в слое прозрачных электродов (12), причем часть (23b) отрицательного контактного слоя соединяет прозрачные электроды (12) двух смежных фотоэлектрических элементов (2) двух соседних блоков (3) фотоэлектрических элементов, и соединительный пакет (24b, 21b) поверх части (23b) отрицательного контактного слоя.
7. Фотоэлектрический модуль по п. 6, в котором по меньшей мере один элемент (9b) перекрестного соединения для отрицательной соединительной части (5, 20b) дополнительно содержит соединительный слой (22b) между соединительным пакетом (24b, 21b) и отрицательной соединительной частью (5, 20b).
8. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором положительная соединительная часть (6, 20a) содержит множество соединенных между собой положительных линий (20a, 21a) сетки, где первая группа положительных линий (20a) сетки обеспечена в одиночном верхнем слое межсоединений, а вторая группа положительных линий (21a) сетки обеспечена в слое верхних электродов (14), и при этом положительные линии (20a, 21a) сетки первой группы и второй группы ориентированы по существу перпендикулярно друг другу.
9. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором отрицательная соединительная часть (5, 20b) содержит множество соединенных между собой отрицательных линий (20b, 21b) сетки, где первая группа отрицательных линий (20b) сетки обеспечена в одиночном верхнем слое межсоединений, а вторая группа отрицательных линий (21b) сетки обеспечена в слое верхних электродов (14), и при этом отрицательные линии (20b, 21b) сетки первой группы и второй группы ориентированы по существу перпендикулярно друг другу.
10. Фотоэлектрический модуль по п. 8 или 9, в котором обеспечен по меньшей мере один элемент (9a, 9b) перекрестного соединения, где пересекаются положительные и отрицательные линии (20a, 21a, 20b, 21b) сетки.
11. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором фотоэлектрические элементы (2) имеют тонкопленочный тип с обернутыми металлом сквозными соединениями (MWT), причем каждый прозрачный электрод (12) и связанный с ним верхний электрод (14) фотоэлектрического элемента (2) перекрывает множество фотоэлектрических подэлементов, а элементы (16, 16a, 16b) межсоединений обеспечены для последовательного соединения фотоэлектрических элементов (2) в блоке (3) фотоэлектрических элементов, и при этом
элемент (9b) перекрестного соединения содержит полосу (25b) отрицательного параллельного соединительного слоя для смежных блоков (3) фотоэлектрических элементов, которая обеспечена в том же слое, что и элемент (16) межсоединений, причем полоса (25b) отрицательного параллельного соединительного слоя соединена с отрицательной соединительной частью (5) через соединение (26b) промежуточного слоя.
12. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором фотоэлектрические элементы (2) имеют тонкопленочный тип с обернутыми металлом сквозными соединениями (MWT), причем каждый прозрачный электрод (12) и связанный с ним верхний электрод (14) фотоэлектрического элемента (2) перекрывает множество фотоэлектрических подэлементов, а элементы (16, 16a, 16b) межсоединений обеспечены для последовательного соединения фотоэлектрических элементов (2) в блоке (3) фотоэлектрических элементов, и при этом
элемент (9a) перекрестного соединения содержит полосу (25a) положительного параллельного соединительного слоя для смежных блоков (3) фотоэлектрических элементов, которая обеспечена в том же слое, что и элемент (16) межсоединений, причем полоса (25a) положительного параллельного соединительного слоя соединена с положительной соединительной частью (6) через соединение (26a) промежуточного слоя.
13. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором положительная соединительная часть (6, 20a) и отрицательная соединительная часть (5, 20b) в одиночном верхнем слое межсоединений охватывают площадь поверхности, перекрывающую блок (3) фотоэлектрических элементов.
14. Фотоэлектрический модуль по п. 13, в котором упомянутая площадь поверхности снабжена перфорационными отверстиями.
15. Фотоэлектрический модуль по п. 1, в котором фотоэлектрические элементы (2) имеют форму прямоугольных элементов, полосообразных элементов или ромбовидных элементов.
16. Фотоэлектрический модуль по п. 15, в котором фотоэлектрические элементы представляют собой ромбовидные элементы, и каждый блок (3) фотоэлектрических элементов содержит три блока ромбовидных фотоэлектрических элементов (2), имеющих основную ось блока, где основная ось одного блока находится под углом 60 градусов к основной оси смежного блока.