СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА СТРУКТУРЫ ЕДИНИЧНОЙ ЯЧЕЙКИ СИЛИКОНОВО-КАРБИДНОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА

1. Способ изготовления одноячеечной структуры карбидокремниевого полевого МОП-транзистора, включающий следующие шаги:
S1: изготовление маски для ионного легирования на поверхности карбидокремниевого эпитаксиального слоя, удаление маски для ионного легирования в легированной области КАРМАНА Р-ТИПА и сохранение маски для ионного легирования в области вертикального проводящего канала, при этом область вертикального проводящего канала имеет изогнутую форму;
S2: легирование ионами первого типа на всей кристаллической пластине для образования области легирования КАРМАНА Р-ТИПА, при этом ион первого типа - ион Р-типа;
S3: изготовление маски для легирования N-области: изготовление маски для ионного легирования на поверхности карбидокремниевого эпитаксиального слоя и удаление маски для ионного легирования в легированной N-области;
S4: легирование ионами второго типа на всей кристаллической пластине для образования N-области легирования, при этом канальная область включает первую канальную область, вторую канальную область и третью канальную область; длина каналов последовательно уменьшается; ион второго типа ион N-типа;
S5: изготовление маски для легирования N+-области: изготовление маски для ионного легирования на поверхности карбидокремниевого эпитаксиального слоя и удаление маски для ионного легирования в легированной N+-области;
S6: легирование ионами второго типа на всей кристаллической пластине для образования N+-области легирования;
S7: изготовление маски для легирования Р+-области: изготовление маски для ионного легирования на поверхности карбидокремниевого эпитаксиального слоя и удаление маски для ионного легирования в легированной Р+-области;
S8: легирование ионами первого типа на всей кристаллической пластине;
S9: активация имплантируемых примесей посредством высокотемпературного отжига;
S10: удаление изолирующего слоя затвора области омического контакта;
S11: изготовление металлического слоя омического контакта;
S12: образование омических контактов Р-типа и N-типа при отжиге;
S13: изготовление электрода затвора в области электрода затвора для охвата всех областей канала; и
S14: выполнение изоляции затвора-истока и утолщение металла.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что четвертая канальная область добавляется между смежными первыми канальными областями.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что легированная Р+-область включает множество ромбовидных легированных Р+-частей, при этом все легированные Р+-части располагаются по прямой линии и две смежных легированных Р+-части соединяются в вершине.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что длина первой канальной области составляет 0,5-1,5 мкм.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что длина второй канальной области составляет 0,2-1,5 мкм.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что длина третьей канальной области составляет 0,1-1,5 мкм.
7. Способ по п. 2, отличающийся тем, что длина четвертой канальной области составляет 0,1-1,5 мкм.
-2
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что концентрация N-области легирования составляет 1е16-5Е19 см, концентрация N+-области легирования 1е18-1Е21.