ЯЧЕЙКА ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТНОГО ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА (MTJ) ЯЧЕЙКИ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

1. Запоминающее устройство, содержащее
- подложку в первой плоскости;
- первое металлическое соединение, тянущееся во второй плоскости, при этом вторая плоскость является по существу перпендикулярной первой плоскости; и
- первый магнитный туннельный переход (MTJ), имеющий первый слой, соединенный с металлическим соединением таким образом, что первый слой MTJ ориентирован вдоль второй плоскости.
2. Запоминающее устройство по п.1, в котором первый MTJ включает в себя один или более слоев, ориентированных вдоль второй плоскости.
3. Запоминающее устройство по п.1, в котором транзистор сформирован на подложке.
4. Запоминающее устройство по п.3, в котором первое металлическое соединение соединяется с транзистором.
5. Запоминающее устройство по п.4, дополнительно содержащее
- соединение линии истока и соединение словарной линии, причем каждое соединяется с транзистором.
6. Запоминающее устройство по п.5, дополнительно содержащее
- соединение битовой линии, соединенное со вторым слоем первого MTJ, при этом второй слой ориентирован вдоль второй плоскости.
7. Запоминающее устройство по п.6, в котором ток выполнен с возможностью протекать между соединением битовой линии и металлическим соединением через слои первого MTJ во второй плоскости.
8. Запоминающее устройство по п.1, в котором первый слой является закрепленным слоем, и в котором первый MTJ дополнительно включает в себя
- слой туннельного перехода, ориентированный вдоль второй плоскости; и
- свободный слой, ориентированный вдоль второй плоскости.
9. Запоминающее устройство по п.8, дополнительно содержащее
- канавку, сформированную в изоляторе, при этом закрепленный туннельный переход и свободные слои MTJ сформированы в канавке,
- причем канавка имеет нижнюю часть, параллельную первой плоскости, и наклонную часть, наклоненную относительно второй плоскости, и
- причем по меньшей мере слой туннельного перехода является более толстым в нижней части и наклонной части, чем часть, ориентированная вдоль второй плоскости.
10. Запоминающее устройство по п.1, дополнительно содержащее
- второе металлическое соединение, тянущееся во второй плоскости; и
- второй магнитный туннельный переход (MTJ), имеющий первый слой, соединенный со вторым металлическим соединением таким образом, что первый слой второго MTJ ориентирован вдоль второй плоскости.
11. Запоминающее устройство по п.10, в котором одна линия истока совместно используется для каждой пары MTJ.
12. Запоминающее устройство по п.11, дополнительно содержащее
- первую словарную линию для первого MTJ; и
- вторую словарную линию для второго MTJ.
13. Запоминающее устройство по п.12, в котором первая словарная линия размещается между первым металлическим соединением и соединением линии истока, и в котором вторая словарная линия размещается между вторым металлическим соединением и соединением линии истока.
14. Запоминающее устройство по п.10, в котором первый MTJ расположен на первой стороне первого металлического соединения и в котором второй MTJ расположен на стороне второго металлического соединения, которая является смежной с первой стороной первого металлического соединения.
15. Способ формирования магнитного туннельного перехода (MTJ) в ячейке запоминающего устройства, при этом способ содержит
- предоставление подложки в первой плоскости;
- формирование металлического соединения, тянущегося во второй плоскости, при этом вторая плоскость является по существу перпендикулярной первой плоскости;
- вытравливание канавки в оксидном слое, чтобы открыть по меньшей мере первую часть металлического соединения, при этом первая часть металлического соединения ориентирована вдоль второй плоскости; и
- осаждение множества слоев MTJ в канавке так, что множество слоев MTJ ориентировано вдоль второй плоскости, и так, что первый слой MTJ соединен с первой частью металлического соединения.
16. Способ по п.15, в котором канавка включает в себя по меньшей мере первую поверхность, которая ориентирована вдоль второй плоскости, и вторую поверхность, имеющую наклон относительно второй плоскости, и
- в котором первый слой MTJ осаждается на первой поверхности и второй поверхности канавки.
17. Способ по п.16, в котором канавка включает в себя третью поверхность, которая ориентирована параллельно первой плоскости, и
- в котором первый слой MTJ осаждается на третьей поверхности канавки.
18. Способ по п.17, в котором слой туннельного перехода MTJ является более тонким на первой поверхности, чем на второй или третьей поверхности.
19. Способ по п.15, дополнительно содержащий
- заполнение по меньшей мере канавки металлическим слоем; и
- при этом металлический слой соединяется со вторым слоем MTJ.
20. Способ по п.19, дополнительно содержащий
- формирование соединения битовой линии на металлическом слое, при этом соединение битовой линии соединяет металлический слой с битовой линией.
21. Способ по п.19, дополнительно содержащий
- удаление части металлического слоя и множества слоев MTJ, которые находятся вне канавки.
22. Способ по п.21, в котором удаление включает в себя
- травление металлического слоя и множества слоев MTJ до высоты металлического соединения.
23. Способ по п.21, в котором удаление включает в себя
- полировку металлического слоя и множества слоев MTJ до высоты металлического соединения.