ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

1. Полупроводниковое устройство, содержащее схему, которая была сформирована на подложке и которая включает в себя тонкопленочный диод и схему защиты с защитным диодом,
причем тонкопленочный диод содержит:
по меньшей мере, один полупроводниковый слой, который располагается на подложке и который имеет первую область, вторую область и канальную область, находящуюся между первой и второй областями;
электрод затвора, который располагается таким образом, чтобы перекрываться с канальной областью;
изолирующий слой затвора, который располагается между электродом затвора и полупроводниковым слоем;
первый электрод, который располагается на первой области и который электрически соединен с первой областью и электродом затвора; и
второй электрод, который располагается на второй области и электрически соединен с ней, и
при этом (a) тип удельной проводимости тонкопленочного диода является N-типом, и анодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода, или
при этом (b) тип удельной проводимости тонкопленочного диода является P-типом, и катодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода, и
при этом защитный диод и тонкопленочный диод не соединяются параллельно, и
при этом схема защиты не включает в себя другие диоды, соединенные с линией так, чтобы получать направление течения тока, противоположное защитному диоду.
2. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором защитный диод содержит:
по меньшей мере, один полупроводниковый слой, который располагается на подложке и который имеет первую область, вторую область и канальную область, находящуюся между первой и второй областями;
электрод затвора, который располагается таким образом, чтобы перекрываться с канальной областью;
изолирующий слой затвора, который располагается между электродом затвора и полупроводниковым слоем;
первый электрод, который располагается на первой области и который электрически соединен с первой областью и электродом затвора; и
второй электрод, который располагается на второй области и электрически соединен с ней.
3. Полупроводниковое устройство по п.2, в котором соответственные полупроводниковые слои тонкопленочного диода и защитного диода выполнены из одной и той же полупроводниковой пленки.
4. Полупроводниковое устройство по одному из пп.1-3, дополнительно содержащее множественные тонкопленочные транзисторы,
при этом тонкопленочные транзисторы имеют тот же тип удельной проводимости, что и тонкопленочный диод, и
при этом соответственные полупроводниковые слои тонкопленочных транзисторов и тонкопленочного диода выполнены из одной и той же полупроводниковой пленки.
5. Полупроводниковое устройство по п.4, в котором не предусматриваются схемы защиты для линии, которая соединена с электродом затвора каждого из упомянутых тонкопленочных транзисторов.
6. Полупроводниковое устройство по одному из пп.1-3 и 5, в котором схема включает в себя либо входную секцию для ввода сигнала от внешнего устройства в схему, либо выходную секцию для вывода сигнала из схемы на внешнее устройство, и
при этом линия, которая соединяет друг с другом тонкопленочный диод и защитный диод, имеет меньшую длину, чем линия, которая соединяет друг с другом входную или выходную секцию и защитный диод.
7. Полупроводниковое устройство по п.6, в котором линия, которая соединяет друг с другом тонкопленочный диод и защитный диод, имеет длину 1 мм или меньше.
8. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором (a) тип удельной проводимости тонкопленочного диода является N-типом, и анодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода, и
при этом, когда потенциал анодного электрода защитного диода является высоким, потенциал катодного электрода защитного диода тоже является высоким.
9. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором (a) тип удельной проводимости тонкопленочного диода является N-типом, и анодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода, и
при этом катодный электрод защитного диода соединяется с линией, ведущей к источнику питания VDD.
10. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором (b) тип удельной проводимости тонкопленочного диода является P-типом, и катодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода, и
при этом, когда потенциал катодного электрода защитного диода является низким, потенциал анодного электрода защитного диода тоже является низким.
11. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором (b) тип удельной проводимости тонкопленочного диода является P-типом, и катодный электрод защитного диода соединяется с линией, которая соединена либо с электродом затвора, либо с первым электродом тонкопленочного диода, и
при этом анодный электрод защитного диода соединяется с линией, ведущей к источнику питания VSS.
12. Полупроводниковое устройство по одному из пп.1-3, 5 и 7-11, в котором схема содержит сдвиговый регистр.