СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ АМОРФНЫХ УГЛЕВОДОРОДНЫХ ПОКРЫТИЙ

Способ осаждения аморфных углеводородных покрытий на изделия из металлических материалов, имеющих потенциал катода плазменной камеры, разложением углеводородсодержащих газов в плазме тлеющего разряда импульсно-периодического действия, поддерживаемого между катодом и анодом плазменной камеры в смеси инертного газа и, по меньшей мере, одного углеводородсодержащего газа, отличающийся тем, что между анодом и стенками плазменной камеры создают несамостоятельный импульсно-периодический электрический разряд, который поддерживают в широком диапазоне изменения давления и состава газовой смеси, плотности плазмы, напряжения между анодом и стенками плазменной камеры, находящимися под катодным потенциалом, электронной эмиссией плазменного катода с сеточной стабилизацией, эмитирующая плазма которого генерируется разрядом постоянного тока, причем энергию ионов, бомбардирующих растущее аморфное углеводородное покрытие, задают амплитудой импульсного напряжения, прикладываемого между анодом и стенками плазменной камеры, а плотность плазмы несамостоятельного разряда регулируют величиной тока эмиссии плазменного катода, причем высокую адгезию осажденного углеводородсодержащего покрытия обеспечивают предварительной ионной очисткой поверхности помещенных в плазменную камеру изделий ионами из плазмы химически инертного газа, например аргона, создаваемой электрическим разрядом между анодом и стенками плазменной камеры; формированием переходного слоя иммерсионной ионной имплантацией и имплантацией атомов отдачи в результате бомбардировки поверхности изделий ионами из плазмы разряда между анодом и стенками плазменной камеры в смеси химически инертного газа и, по меньшей мере, одного углеводородсодержащего газа, ускоренными приложенным между изделиями и стенками плазменной камеры напряжением смещения величиной 1-10 кВ; и последующим осаждением на поверхность изделий аморфного углеводородного покрытия в результате поступления углеводородсодержащих частиц и ионов из плазмы импульсно-периодического разряда между анодом и стенками плазменной камеры в смеси инертного газа и, по меньшей мере, одного углеводородсодержащего газа.