ИЗДЕЛИЕ С ПОКРЫТИЕМ, ИМЕЮЩЕЕ НИЗКОЭМИССИОННОЕ ПОКРЫТИЕ С ОТРАЖАЮЩИМ (-ИМИ) ИК-ИЗЛУЧЕНИЕ СЛОЕМ (-ЯМИ) И СЛОЕМ С ВЫСОКИМ ПОКАЗАТЕЛЕМ ПРЕЛОМЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ НИОБИЯ И ВИСМУТА, И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

1. Изделие с покрытием, включающее в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, причем покрытие содержит:
первый прозрачный диэлектрический слой на стеклянной подложке;
отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро, на стеклянной подложке, расположенный над по меньшей мере первым прозрачным диэлектрическим слоем;
второй прозрачный диэлектрический слой на стеклянной подложке, расположенный над по меньшей мере отражающим ИК-излучение слоем; и
при этом по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев является аморфным или по существу аморфным и содержит оксид Nb и Bi.
2. Изделие с покрытием по п. 1, в котором упомянутый по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев, содержащий оксид Nb и Bi, содержит субоксид Nb и Bi.
3. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором упомянутый по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев, содержащий оксид Nb и Bi, имеет показатель преломления (n) по меньшей мере 2,2.
4. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором упомянутый по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев, содержащий оксид Nb и Bi, имеет показатель преломления (n) по меньшей мере 2,25.
5. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором первый прозрачный диэлектрический слой является аморфным или по существу аморфным и содержит оксид Nb и Bi.
6. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором второй прозрачный диэлектрический слой является аморфным или по существу аморфным и содержит оксид Nb и Bi.
n
7. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие представляет собой низкоэмиссионное покрытие и имеет нормальный коэффициент эмиссии (E) не более 0,2.
s
8. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие имеет удельное поверхностное сопротивление (R) не более 9 Ом/квадрат.
9. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие содержит внешнее покрытие, включающее слой, содержащий оксид олова, и слой, содержащий нитрид кремния.
10. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие дополнительно содержит слой, содержащий нитрид кремния, расположенный между по меньшей мере стеклянной подложкой и первым прозрачным диэлектрическим слоем.
11. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие дополнительно содержит слой, содержащий оксид цинка, расположенный под и в непосредственном контакте с отражающим ИК-излучение слоем.
12. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие дополнительно содержит слой, содержащий оксид Ni и/или Cr, расположенный над и в непосредственном контакте с отражающим ИК-излучение слоем.
13. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, которое подвергнуто термической закалке.
14. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, которое имеет коэффициент пропускания видимого света по меньшей мере 50%.
15. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором упомянутый по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев, содержащий оксид Nb и Bi, содержит больше Nb, чем Bi, в расчете на атомные %.
16. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором содержание металла в упомянутом по меньшей мере одном из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев, содержащем оксид Nb и Bi, составляет 55-99% Nb и 1-45% Bi (атомные %).
17. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором содержание металла в упомянутом по меньшей мере одном из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев, содержащем оксид Nb и Bi, составляет 60-95% Nb и 5-40% Bi (атомные %).
18. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором содержание металла в упомянутом по меньшей мере одном из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев, содержащем оксид Nb и Bi, составляет 70-90% Nb и 10-30% Bi (атомные %).
19. Способ изготовления изделия с покрытием, включающего в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, включающий:
нанесение распылением первого прозрачного диэлектрического слоя на стеклянную подложку;
нанесение распылением отражающего инфракрасное (ИК) излучение слоя, содержащего серебро, на стеклянную подложку над по меньшей мере первым прозрачным диэлектрическим слоем;
нанесение распылением второго прозрачного диэлектрического слоя на стеклянную подложку над по меньшей мере отражающим ИК-излучение слоем; и
при этом по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев наносят распылением так, чтобы он был аморфным или по существу аморфным и содержал оксид Nb и Bi.
20. Способ по п. 19, в котором упомянутый по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев, содержащий оксид Nb и Bi, наносят распылением так, чтобы он содержал субоксид Nb и Bi.
21. Способ по любому из пп. 19-20, в котором упомянутый по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев, содержащий оксид Nb и Bi, имеет показатель преломления (n) по меньшей мере 2,2.
22. Способ по любому из пп. 19-21, в котором упомянутый по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев, наносимый распылением так, чтобы быть аморфным и содержать оксид Nb или Bi, наносят распылением в обедненной кислородом атмосфере, так что различие в катионных радиусах Nb и Bi вызывает разупорядочение кристаллической решетки, приводящее к аморфной или по существу аморфной структуре этого слоя.
23. Способ по любому из пп. 19-22, в котором упомянутый по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев, наносимый распылением так, чтобы содержать оксид Nb и Bi, наносят распылением с использованием по меньшей мере одной керамической мишени, содержащей Nb, Bi и O.
24. Способ по любому из пп. 19-23, в котором упомянутый по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев, наносимый распылением так, чтобы содержать оксид Nb и Bi, наносят распылением с использованием по меньшей мере одной металлической мишени, содержащей Nb и Bi.
n
25. Способ по любому из пп. 19-24, в котором покрытие представляет собой низкоэмиссионное покрытие и имеет нормальный коэффициент эмиссии (E) не более 0,2.
26. Способ по любому из пп. 19-25, дополнительно включающий термическую закалку стеклянной подложки с покрытием на ней.
27. Способ по любому из пп. 19-26, в котором изделие с покрытием имеет коэффициент пропускания видимого света по меньшей мере 50%.
28. Способ по любому из пп. 19-27, в котором содержание металла в упомянутом по меньшей мере одном из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев, содержащем оксид Nb и Bi, составляет 60-95% Nb и 5-40% Bi (атомные %).
29. Способ изготовления изделия с покрытием, включающего в себя слой, нанесенный на стеклянную подложку, причем способ включает:
обеспечение стеклянной подложки;
нанесение распылением аморфного или по существу аморфного слоя, содержащего оксид Nb и Bi, на стеклянную подложку.
30. Способ по п. 29, дополнительно включающий нанесение распылением слоя, содержащего нитрид кремния, на стеклянную подложку так, чтобы он был расположен между по меньшей мере стеклянной подложкой и аморфным слоем, содержащим оксид Nb и Bi.
31. Способ по любому из пп. 29-30, в котором слой наносят распылением в обедненной кислородом атмосфере, так что различие в катионных радиусах Nb и Bi вызывает разупорядочение кристаллической решетки, приводящее к аморфной или по существу аморфной структуре слоя.
32. Способ по любому из пп. 29-31, в котором содержание металла в слое, содержащем оксид Nb и Bi, составляет 60-95% Nb и 5-40% Bi (атомные %).