СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СИСТЕМ, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИХ РЕГУЛИРОВАНИЕ ВОЗДУШНОГО ЗАЗОРА

1. Способ изготовления по меньшей мере двух типов устройств на основе микроэлектромеханических систем, имеющих различные раскрепленные состояния после удаления временного материала, согласно которому
берут подложку,
по меньшей мере на части подложки формируют первый электропроводящий слой,
по меньшей мере на части первого электропроводящего слоя формируют первый временный слой,
поверх первого временного слоя формируют электропроводящие подвижные элементы и
поверх подложки формируют регуляторы прогиба, выполненные с возможностью поддерживания электропроводящих подвижных элементов после удаления временного слоя, при этом по меньшей мере часть по меньшей мере одного регулятора прогиба выполнена с возможностью поддерживания по меньшей мере одного подвижного элемента и расположена выше него,
причем первый временный слой выполнен с возможностью удаления для раскрепления устройств на основе микроэлектромеханических систем и формирования между первым электропроводящим слоем и подвижными элементами зазоров, имеющих по меньшей мере два размера.
2. Способ по п.1, согласно которому дополнительно формируют диэлектрический слой на первом проводящем слое.
3. Способ по п.1, согласно которому толщина первого временного слоя по существу одинакова под электропроводящими подвижными элементами.
4. Способ по п.1, согласно которому дополнительно
поверх подвижных элементов формируют второй временный слой и
поверх по меньшей мере части второго временного слоя формируют механический слой, который выполнен с возможностью присоединения к подвижным элементам и поддерживания регуляторами прогиба,
причем второй временный слой выполнен с возможностью удаления для формирования зазоров и раскрепления устройств на основе микроэлектромеханических систем.
5. Способ по п.1, согласно которому дополнительно удаляют по существу весь первый временный слой для раскрепления устройств на основе микроэлектромеханических систем.
6. Способ по п.5, согласно которому первый временный слой содержит молибден или аморфный кремний, а для удаления первого временного слоя на него воздействуют парами твердого дифторида ксенона.
7. Способ по п.1, согласно которому регуляторы прогиба содержат по меньшей мере одни из следующих структур: опорные структуры и заклепочные структуры.
8. Способ по п.1, согласно которому при формировании регуляторов прогиба дополнительно формируют по меньшей мере два типа регуляторов прогиба, элементы различных размеров которых контактируют с подвижными элементами.
9. Способ по п.4, согласно которому при формировании регуляторов прогиба дополнительно формируют по меньшей мере два типа регуляторов прогиба, элементы различных размеров которых контактируют с механическим слоем.
10. Способ по п.8 или 9, согласно которому элементы различных размеров содержат выступы опорных или заклепочных структур, имеющие различные размеры, причем указанные выступы по существу параллельны подложке и электропроводящим подвижным элементам.
11. Способ изготовления по меньшей мере двух типов интерферометрических модуляторов, имеющих зазоры различной глубины после удаления временного материала, согласно которому
берут подложку,
по меньшей мере на части подложки формируют оптическую стопу,
по меньшей мере на части оптической стопы формируют временный материал, выполненный с возможностью удаления для формирования зазоров,
формируют электропроводящий слой на участках временного материала и
поверх подложки формируют регуляторы прогиба по меньшей мере двух типов, выполненные с возможностью поддерживания электропроводящего слоя, при этом указанные по меньшей мере два типа регуляторов прогиба содержат элементы различных размеров, выполненные с возможностью формирования после удаления временного слоя зазоров различной глубины под участками электропроводящего слоя, причем по меньшей мере часть по меньшей мере одного регулятора прогиба выполнена с возможностью поддерживания по меньшей мере части электропроводящего слоя и расположена выше нее.
12. Способ по п.11, согласно которому дополнительно удаляют по существу весь временный слой.
13. Устройство на основе микроэлектромеханических систем, содержащее
подложку,
подвижные элементы, расположенные поверх подложки, каждый из которых отделен от подложки зазором, и
регуляторы прогиба, расположенные поверх подложки, выполненные с возможностью поддерживания подвижных элементов, при этом среди регуляторов прогиба имеется по меньшей мере два регулятора прогиба, имеющих различающиеся друг от друга размеры, выполненных с возможностью поддерживания по меньшей мере двух подвижных элементов и расположенных выше них,
причем указанные различающиеся размеры выбраны так, чтобы формировать между подложкой и указанными по меньшей мере двумя подвижными элементами по меньшей мере два зазора, имеющих по меньшей мере два размера.
14. Устройство по п.13, в котором различающиеся размеры указанных по меньшей мере двух регуляторов прогиба содержат различные толщины.
15. Способ регулирования глубины зазора между двумя слоями устройства, содержащего по меньшей мере один пленочный слой, согласно которому
берут подложку,
по меньшей мере на части подложки формируют временный слой,
по меньшей мере на части временного слоя формируют подвижный слой и
поверх подложки формируют по меньшей мере один регулятор прогиба, выполненный с возможностью поддерживания подвижного слоя и формирования такого зазора между подложкой и подвижным слоем, что после удаления подвижного слоя его глубина примерно по меньшей мере на 30% превышает глубину временного слоя, причем глубина измеряется перпендикулярно подложке, а по меньшей мере часть по меньшей мере одного регулятора прогиба выполнена с возможностью поддерживания по меньшей мере части подвижного слоя и расположена выше нее.
16. Способ по п.15, согласно которому регуляторы прогиба содержат по меньшей мере одни из следующих структур: опорные структуры и заклепочные структуры.
17. Способ по п.16, согласно которому регуляторы прогиба содержат по меньшей мере одну опорную структуру и по меньшей мере одну заклепочную структуру, причем указанные структуры содержат выступы различных размеров.
18. Способ по п.17, в котором указанные выступы по существу параллельны подложке и подвижному слою.
19. Нераскрепленное устройство на основе микроэлектромеханических систем, содержащее
подложку,
временный слой, расположенный по меньшей мере на части подложки, причем временный слой выполнен с возможностью удаления травлением,
подвижный элемент, расположенный на первом временном слое, и
по меньшей мере один регулятор прогиба, расположенный поверх подложки, выполненный с возможностью поддерживания подвижного элемента и формирования такого зазора между подложкой и подвижным элементом, что его глубина после удаления временного слоя примерно по меньшей мере на 30% превышает глубину временного слоя, причем глубина измеряется перпендикулярно подложке.
20. Устройство по п.19, в котором по меньшей мере один регулятор прогиба содержит по меньшей мере одну опорную структуру и по меньшей мере одну заклепочную структуру, причем указанные структуры содержат элементы различных размеров, контактирующие с подвижным элементом.
21. Устройство по п.19 или 20, в котором по меньшей мере один регулятор прогиба сформирован при наличии напряжений при растяжении или напряжений при сжатии, причем суммарные напряжения регуляторов прогиба вызывают прогиб подвижного элемента после удаления временного слоя, формируя, таким образом, зазор, глубина которого примерно по меньшей мере на 30% превышает глубину временного слоя.
22. Нераскрепленный интерферометрический модулятор, содержащий
первые средства отражения света,
вторые средства отражения света,
первые средства поддерживания вторых отражающих средств, выполненные с возможностью удаления травлением, и
вторые средства поддерживания вторых отражающих средств и формирования после удаления первых поддерживающих средств зазора между первыми отражающими средствами и вторыми отражающими средствами, глубина которого примерно по меньшей мере на 30% превышает глубину первых поддерживающих средств, причем глубина измеряется перпендикулярно первым отражающим средствам.
23. Модулятор по п.22, в котором первые отражающие средства содержат частично отражающий слой.
24. Модулятор по п.22, в котором вторые отражающие средства содержат подвижный отражающий слой.
25. Модулятор по п.22, в котором первые поддерживающие средства содержат временный слой.
26. Модулятор по п.22, в котором вторые поддерживающие средства содержат по меньшей мере одну из следующих структур: опорная структура и заклепочная структура.
27. Способ регулирования глубины зазора между двумя слоями устройства, содержащего по меньшей мере один пленочный слой, согласно которому
берут подложку,
по меньшей мере на части подложки формируют временный слой, причем временный слой выполнен с возможностью удаления травлением,
по меньшей мере на части временного слоя формируют первый пленочный слой и
поверх подложки формируют по меньшей мере один регулятор прогиба, имеющий по меньшей мере один выступ, по существу параллельный подложке, при этом указанные регуляторы прогиба выполнены с возможностью поддерживания первого пленочного слоя и смещения пленочного слоя к подложке после удаления временного слоя, причем по меньшей мере часть по меньшей мере одного регулятора прогиба выполнена с возможностью поддерживания по меньшей мере части пленочного слоя и расположена выше нее.
28. Нераскрепленное устройство на основе микроэлектромеханических систем, содержащее
подложку,
временный слой, расположенный по меньшей мере на части подложки, причем временный слой выполнен с возможностью удаления травлением,
подвижный элемент, расположенный поверх первого временного слоя, и
по меньшей мере один регулятор прогиба, расположенный поверх подложки, выполненный с возможностью поддерживания подвижного элемента и его смещения к подложке после удаления временного слоя.
29. Нераскрепленный интерферометрический модулятор, содержащий
первые средства отражения света,
вторые средства отражения света,
первые средства поддерживания вторых отражающих средств, причем первые поддерживающие средства выполнены с возможностью удаления травлением, и
вторые средства поддерживания вторых отражающих средств и осуществления перемещения вторых отражающих средств в направлении первых отражающих средств после удаления первых поддерживающих средств.
30. Модулятор по п.29, в котором первые отражающие средства содержат частично отражающий слой.
31. Модулятор по п.29, в котором вторые отражающие средства содержат подвижный отражающий слой.
32. Модулятор по п.29, в котором первые поддерживающие средства содержат временный слой.
33. Модулятор по п.29, в котором вторые поддерживающие средства содержат по меньшей мере одну из следующих структур: опорная структура и заклепочная структура.