СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНКИ АЛЮМИНИЯ (Al)
METHOD FOR ETCHING OF ALUMINIUM FILM (Al)

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к травлению алюминия в процессе формирования контакта базовой и эмиттерной областей.
Известны способы травления пленки алюминия, сущность которых состоит в травлении алюминия с контактных участков [1, 2].
Основным недостатком этого способа является неровный рельеф профиля, длительность процесса (30-40 минут), высокая температура травления (70-80°С).
Целью изобретения является получение ровного рельефа профиля и уменьшение времени и температуры травления.
Поставленная цель достигается использованием травителя, в состав которого входят следующие основные компоненты: азотная кислота, фосфорная кислота, уксусная кислота в соотношении 1: 50:12.
Сущность способа заключается в том, что на поверхности кремниевых пластин происходит достижение равномерности и скорости травления пленки алюминия за счет добавления уксусной кислоты и использования фосфорной кислоты (85%), полное стравливание алюминия с поверхности подложки, не защищенной слоем фоторезиста, и минимальное воздействие травителя на пленку фоторезиста.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки при соотношений компонентов:
3
3
4
3
HNO:НРO:СНСООН=1:50:15.
Температура травителя 40±5°С, время травления 15±5 минут.
Разброс по толщине слоя алюминия составляет 6,5÷7,0%.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:
3
3
4
3
HNО:НРO:СНСООН=1:50:13.
Температура травителя 40±5°С, время травления 15±5 минут.
Разброс по толщине слоя алюминия составляет 5,5÷6,0%.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:
3
3
4
3
HNО:НРO:СНСООН=1:50:12.
Разброс по толщине слоя алюминия составляет 4,5÷5,0%.
Температура травителя 40±5°С, время травления 15±5 минут.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает равномерное и полное вытравливание алюминия при более низкой температуре и при меньшем времени процесса травления.
Литература
1. А.И.Курносов, В.В.Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. - М.: «Высшая школа». 1986. - С.166.
2. Е.З.Мазель, Ф.П.Пресс. Планарная технология кремниевых приборов. - М.: «Энергия». 1974. - С.243.