СПОСОБ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЦЕЛЛЮЛОЗНОГО НАТУРАЛЬНОГО, СИНТЕТИЧЕСКОГО ИЛИ СМЕШАННОГО МАТЕРИАЛА В КАЧЕСТВЕ ОДНОВРЕМЕННО НЕСУЩЕГО И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ОСНОВАНИЯ В САМОСТОЯТЕЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ И ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВАХ С ПОЛЕВЫМ ЭФФЕКТОМ

1. Способ изготовления электронного или оптоэлектронного устройства с полевым эффектом, отличающийся тем, что натуральные, синтетические или смешанные волокна соединяют в слои, соединяемые в тонкую пленку (2), используемую в указанном устройстве одновременно в качестве несущего основания и диэлектрика (2), чем обеспечивается самостоятельность указанного устройства.
2. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что волокна, слои или волокна и слои соединяют между собой посредством клеящего вещества, способного модифицировать электроотрицательность и ионность.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что дополнительно наносят активные полупроводники толщиной в 10-100 раз меньше толщины указанных волокон.
4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что указанные слои волокон механически сжимают с получением способности накапливать электрические и ионные заряды на единицу площади, зависящей от характера распределения волокон, их взаимосвязи и соединения в различных механически сжатых плоскостях.
5. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что дополнительно изготавливают по меньшей мере один органический или неорганический компонент, обладающий электрическими свойствами металла (3, 5), полупроводник (1), изолятор (6) или модифицирующий слой (4) в виде однокомпонентных структур, составных двухслойных структур или многослойных структур, для образования активных устройств, содержащих диодные переходы или транзисторы, или устройства с двумя, тремя или четырьмя гибридными выводами.
6. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что на указанный целлюлозный материал или бумагу биоорганического происхождения перед нанесением любого другого компонента или части готового устройства наносят пассивирующий или модифицирующий слой (4).
7. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что указанные компоненты наносят посредством любого известного традиционного или нетрадиционного химического или физического способа, или сочетания этих способов, например, напыления, или распыления или способа с использованием химической эмульсии, при температурах близких к комнатной температуре, с возможностью отжига указанных компонентов при температурах до 150°С.
8. Способ п.1 или 2, отличающийся тем, что наносят полупроводниковый компонент (1), содержащий ковалентный неорганический материал, однокомпонентный ионный материал, многокомпонентный материал или органический материал, толщиной от 2 нм до 20 мкм.
9. Электронное или оптоэлектронное устройство с полевым эффектом, отличающееся тем, что оно содержит натуральные, синтетические или смешанные волокна, соединенные в слои, соединенные в тонкую пленку (2), являющуюся для указанного устройства одновременно несущим основанием и диэлектриком (2), чем обеспечивается самостоятельность указанного устройства.
10. Устройство по предыдущему пункту, отличающееся тем, что волокна, слои или волокна и слои соединены между собой с использованием клеящего вещества, способного модифицировать электроотрицательность и ионность.
11. Устройство по п.9 или 10, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит активные полупроводники толщиной в 10-100 раз меньше толщины указанных волокон.
12. Устройство по п.9 или 10, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит по меньшей мере один компонент органического или неорганического происхождения, обладающий по меньшей мере электрическими свойствами металла, в качестве электродов (3, 5), полупроводник (1), изолятор (6) или модификацию (4), в виде однокомпонентных структур, составных двухслойных структур или многослойных структур, для образования активных устройств, содержащих диоды, транзисторы или устройства с двумя, тремя или четырьмя гибридными выводами, или комплементарные структуры металл-окисел-полупроводник, то есть КМОП (CMOS) структуры.
13. Устройство по п.9 или 10, отличающееся тем, что непосредственно на указанном целлюлозном материале или биоорганической бумаге имеется пассивирующий или модифицирующий слой (4).
14. Устройство по п.9 или 10, отличающееся тем, что полупроводниковый компонент (1) содержит ковалентный неорганический материал, однокомпонентный ионный материал, многокомпонентный ионный материал или органические материалы, имеющие толщину по меньшей мере от 2 нм до 20 мкм.
15. Устройство по п.9 или 10, отличающееся тем, что оно выполнено в виде транзистора p-типа или n-типа, и:
находится во включенном состоянии без необходимости подачи напряжения электрического сигнала на электрод затвора;
находится в ключевом режиме или в режиме усиления, в зависимости от сигнала заряда, накопленного на единицу площади в образующих бумагу волокнах.