ВОДНАЯ ПОЛИРУЮЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ И СПОСОБ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОДЛОЖЕК, ИМЕЮЩИХ СТРУКТУРИРОВАННЫЕ ИЛИ НЕСТРУКТУРИРОВАННЫЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СЛОИ С НИЗКОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ

1. Водная полирующая композиция, содержащая
(A) по меньшей мере один тип абразивных частиц и
(B) по меньшей мере одно амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество, выбранное из группы, состоящей из растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, имеющих
(b1) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, имеющих 5-20 атомов углерода; и
(b2) по меньшей мере одну гидрофильную группу, выбранную из группы, состоящей из полиоксиалкиленовых групп, содержащих
(b21) оксиэтиленовые мономерные звенья и
(b22) по меньшей мере один тип замещенных оксиалкиленовых мономерных звеньев, в которых заместители выбраны из группы, состоящей из алкильных, циклоалкильных, или арильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильных и алкил-циклоалкил-арильных групп;
где указанная полиоксиалкиленовая группа содержит мономерные звенья (b21) и (b22) в статистическом, чередующемся, градиентном и/или блокоподобном распределении.
2. Водная полирующая композиция по п.1, в которой гидрофобные группы (b1) выбраны из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, имеющих 8-15 атомов углерода.
3. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что оксиалкиленовые мономерные звенья (b22) являются производными замещенных оксиранов, где заместители выбраны из группы, состоящей из алкильных, циклоалкильных, или арильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильных и алкил-циклоалкил-арильных групп.
4. Водная полирующая композиция по п.3, отличающаяся тем, что заместители выбраны из группы, состоящей из алкильных групп, имеющих 1-10 атомов углерода, циклоалкильных групп, имеющих 5-10 атомов углерода в спироциклической, экзоциклической и/или конденсированной конфигурации, арильных групп, имеющих 6-10 атомов углерода, алкил-циклоалкильных групп, имеющих 6-20 атомов углерода, алкил-арильных групп, имеющих 7-20 атомов углерода, циклоалкил-арильных групп, имеющих 11-20 атомов углерода, и алкил-циклоалкил-арильных групп, имеющих 12-30 атомов углерода.
5. Водная полирующая композиция по п.4, отличающаяся тем, что молярное отношение мономерных звеньев (b21) к мономерным звеньям (b22) составляет от 100:1 до 1:1.
6. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что полиоксиалкиленовые группы имеют степень полимеризации от 5 до 100.
7. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что концентрация поверхностно-активного вещества (B) составляет от 1 част./млн до 0,1 мас.%, где массовые количества указаны в пересчете на полный вес композиции.
8. Водная полирующая композиция по п.1, отличающаяся тем, что абразивные частицы (A) выбраны из группы, состоящей из оксида алюминия, оксида кремния, оксида титана, оксида церия, оксида циркония, оксида германия, оксида магния, их совместно образованных продуктов и их смесей.
9. Водная полирующая композиция по любому из пп.1-8, отличающаяся тем, что дополнительно содержит по меньшей мере один функциональный компонент (C), который является отличным от компонентов (a) и (B).
10. Способ химико-механического полирования подложек, имеющих структурированные или неструктурированные диэлектрические слои с низкой или ультранизкой диэлектрической проницаемостью, имеющие диэлектрическую постоянную, равную 3,5 или меньше, который включает стадии
(1) контактирование подложки по меньшей мере один раз с водной полирующей композицией, содержащей
(A) по меньшей мере один тип абразивных частиц и
(Ba) по меньшей мере одно амфифильное неионогенное поверхностно-активное вещество, выбранное из группы, состоящей из растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, имеющих
(b1a) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из линейных алкильных групп, имеющих 5-20 атомов углерода, и разветвленных алкильных групп (b1); и
(b2) по меньшей мере одну гидрофильную группу, выбранную из группы, состоящей из полиоксиалкиленовых групп, содержащих
(b21) оксиэтиленовые мономерные звенья и
(b22) по меньшей мере один тип замещенных оксиалкиленовых мономерных звеньев, в которых заместители выбраны из группы, состоящей из алкильных, циклоалкильных, или арильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильных и алкил-циклоалкил-арильных групп;
где указанная полиоксиалкиленовая группа содержит мономерные звенья (b21) и (b22) в статистическом, чередующемся, градиентном и/или блокоподобном распределении;
(2) химико-механическое полирование подложки в течение периода времени и при температуре, достаточных для достижения требуемой глобальной плоскостности; и
(3) изъятие подложки из контакта с водной полирующей композицией.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что материал диэлектрического слоя с низкой и ультранизкой диэлектрической проницаемостью выбран из группы, состоящей из пористых и непористых органически модифицированных кремниевых стекол и органических полимеров.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что органически модифицированное кремниевое стекло представляет собой допированный углеродом диоксид кремния (CDO).
13. Способ по п.11, отличающийся тем, что подложка дополнительно содержит по меньшей мере один слой, выбранный из группы, состоящей из других диэлектрических слоев, чем диэлектрические слои с низкой и ультранизкой диэлектрической проницаемостью, барьерных слоев и металлических слоев.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что диэлектрический слой представляет собой слой из диоксида кремния.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что касательно показателей скорости удаления материала (MRR) он имеет селективность по отношению к диоксиду кремния по сравнению с диэлектрическим материалом с низкой и ультранизкой диэлектрической проницаемостью>3.
16. Применение водной полирующей композиции, определенной в любом из пп.1-9, для производства электрических, механических и оптических устройств.