МИКРОТРАНСФОРМАТОР ИНТЕГРАЛЬНЫЙ

Микротрансформатор интегральный относится к области микроэлектроники и может быть использован в интегральных схемах с гальванической развязкой для передачи логической информации.
Известны миниатюрные трансформаторы, использующие планарное и спиральное расположение обмоток: RU 16318 U1 H01F 27/00 опубликован 20.12.2000, RU 60296 U1 H05K 3/46 опубликован 10.01.2007, RU 234510 C1 H05K 3/46 опубликован 27.01.2009, RU 94790 U1 H05K 3/46 опубликован 27.05.2010. Недостатком данных трансформаторов является большие габариты и невозможность применения в интегральной микроэлектронике.
В качестве прототипа выбран трансформатор интегральный (US 6927662 В2 H01F 5/00 опубликован 25.03.2004), включающий спиральные первичную и вторичную проводящие обмотки прямоугольного сечения изолированные вертикальным диэлектрическим слоем. Контактирование к выводам трансформатора осуществляется или в дополнительных проводящих слоях, изолированных от обмоток; или диффузионной шиной; или внешним проводником, контактирующим сварным соединением к дополнительной контактной площадке под толщину проводника.
Основным недостатком прототипа является наличие дополнительных элементов конструкции - проводящих слоев или контактных площадок, усложняющих конструкцию и технологию изготовления.
Полезная модель направлена на получение технического результата - сокращение количества проводящих слоев и исключение контактных площадок из конструкции трансформатора интегрального.
Поставленная цель достигается тем, что первичная и вторичная обмотки в первом проводящем слое расположены спирально и вложены друг в друга, необходимые пересечения обмоток выполнены во втором проводящем слое, изолированном от первого диэлектрическим слоем.
На фиг.1 представлена схема расположения обмоток микротрансформатора интегрального. Микротрансформатор интегральный включает спиралевидную первичную обмотку в проводящем слое 1 и замыкающими перемычками в проводящем слое 2, с выводами К1.1 в проводящем слое 1 и К1.2 в проводящем слое 2; спиралевидную вторичную обмотку вложенную в первичную обмотку в проводящем слое 1 и замыкающими перемычками в проводящем слое 2, с выводами К2.1 в проводящем слое 1 и К2.2 в проводящем слое 2; проводящие слои 1 и 2 разделены диэлектрическим изолирующим слоем, в котором выполнены контакты от первичной и вторичной обмотки к замыкающим перемычкам. Схема расположения контактов в изолирующем слое представлена на фиг.2, где 1 - первичная обмотка в проводящем слое 1; 2 - вторичная обмотка в проводящем слое 1; 3 - контакт в изолирующем слое между проводящими слоями 1 и 2; 4 - перемычка в проводящем слое 2.
Технический результат достигается за счет следующих технических решений.
- расположением спиралевидных первичной и вторичной обмоток в одном проводящем слое с вложением друг в друга и замыканием контура каждой во втором проводящем слое;
- расположением контактов к обмоткам в первом и втором проводящих слоях, что исключает контакты к первичной или вторичной обмотке внутри конструкции или дополнительным проводящим слоем.