СПОСОБ ДОПРОЯВЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА НА ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖКАХ

3
Способ допроявления фоторезиста на пьезоэлектрических подложках, включающий операции нанесения слоя фоторезиста и обработки этого слоя в кислородсодержащей плазме, отличающийся тем, что обрабатываемые подложки размещают в плазмохимическом реакторе внутри перфорированного металлического цилиндра, а процесс допроявления проводят в плазме смеси кислорода и инертного газа, где в качестве инертного газа используется гелий либо неон, либо аргон, при этом содержание кислорода находится в пределах 5-15 об.%, а инертного газа - в пределах 85-95 об.% при давлении в реакционной камере 80-150 Па при плотности ВЧ-мощности в пределах 0,03-0,07 Вт/см и времени обработки в пределах 20-210 с.