УСТРОЙСТВО ЗОНДОВОЕ (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)

1. Устройство, содержащее контактный элемент (КЭ) с выпуклостью и вертикальной упругостью, две опоры (ОП) контактного элемента и подложку или, по меньшей мере, один держатель опор, отличающееся тем, что КЭ представляет собой рабочий элемент (РЭ) на одном или двух несущих элементах (НЭ) или на одной или двух группах несущих элементов, расположенный с симметричностью НЭ, причем те элементы соединены внахлест с электропроводностью, образуя ступенчато-пирамидальную форму, две концевые части которой сформированы с электропроводностью на опорах (ОП), сформированных из металла, а РЭ и НЭ сформированы из слоев металла со способностью к дисперсионному твердению с увеличением прочности и упругости, например из меди (Cu), содержащей приблизительно 2% бериллия (Be), притом, по меньшей мере, кромка вершинного слоя РЭ имеет округленную форму и, по меньшей мере, вершинный слой РЭ имеет покрытие из металла для электроконтактов, например из золота (Au).
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что ОП сформированы с электропроводностью на одном или врозь на двух пленочных проводниках (ПП), сформированных на жесткой диэлектрической подложке, например на плате коммутационной (ПК) из ситалла, на которой сформирован экран с обхватом, по меньшей мере, двух сторон ОП и ПП, притом ОП, ПП и экран - из одного или более слоев металла, например меди, и притом РЭ сформированы с топологическим и с планарным размещением контактных площадок (КП) зондируемой микросхемы, образуя многозондовое устройство.
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что ОП сформированы с электропроводностью, по меньшей мере, на одном держателе, притом последний и ОП сформированы из одного или более слоев меди.
4. Устройство по п.3, отличающееся тем, что держатели сформированы с электропроводностью на ПП, которые сформированы на ПК или на гибкой полимерной подложке, например, на основе полиимида, притом РЭ сформированы с топологическим и с планарным размещением КП, образуя многозондовое устройство.
5. Устройство по п.3, отличающееся тем, что держатель сформирован с консолью и с электропроводностью на части плоской пружины, сформированной на кронштейне с выступом, вместе образуя рычажный держатель (РД), притом пружина - из слоев металла со способностью к дисперсионному твердению, повышающему прочность и упругость, например из металла КЭ, а кронштейн и консоль каждый - из одного или более слоев меди.
2
6. Устройство по п.3, отличающееся тем, что каждый из двух держателей сформирован с консолью и с электропроводностью на части плоской пружины, сформированной с выступом на каждом из двух кронштейнов, вместе образуя два РД, притом, по меньшей мере, держатели скреплены сформированным в вертикальной плоскости электроизоляционным материалом с воздушным зазором между пружинами, а ОП сформированы с электропроводностью на держателях порознь, притом пружина - из слоев металла со способностью к дисперсионному твердению, повышающему прочность и упругость, например из металла КЭ, а кронштейн и консоль каждый - из одного или более слоев меди, и тот материал, например, представляет собой двуокись кремния SiO.
2
7. Устройство по п.3, отличающееся тем, что на каждом из двух кронштейнов с продольной близостью и один над другим сформированы с выступом и с электропроводностью по одной плоской пружине с держателем, притом держатели и кронштейны обеих скреплены сформированным в горизонтальной плоскости электроизоляционным материалом с воздушным зазором между пружинами, образуя из двух РД пружинный параллелограмм, ОП сформированы с электропроводностью на держателях порознь, а на нижней части кронштейна введен упор консольный с ограничением опускания держателя, притом упор консольный сформирован из одного или более слоев металла с пластичностью, например меди, а также кронштейн и держатель каждый сформирован из одного или более слоев меди, а пружина - из слоев металла со способностью к дисперсионному твердению, повышающему прочность и упругость, например из металла КЭ, и тот материал представляет собой SiO.
2
8. Устройство по п.3, отличающееся тем, что каждый из двух держателей сформирован с консолью и с электропроводностью на части плоской пружины, сформированной с выступом на каждом из двух кронштейнов, вместе образуя два РД, притом, по меньшей мере, держатели скреплены сформированным в вертикальной плоскости электроизоляционным материалом с воздушным зазором между пружинами, ОП сформированы с электропроводностью на одном держателе, а на другом держателе между опорами сформирован с электропроводностью контакт с воздушным зазором между подвижной частью КЭ и с ограничением подъема последнего, притом пружина - из слоев металла со способностью к дисперсионному твердению, повышающему прочность и упругость, например из металла КЭ, а кронштейн и консоль каждый - из одного или более слоев меди, и тот материал представляет собой двуокись кремния SiO.
2
9. Устройство по п.3, отличающееся тем, что каждый из трех держателей сформирован с консолью и с электропроводностью на части плоской пружины, сформированной с выступом на каждом из трех кронштейнов, вместе образуя три РД, притом, по меньшей мере, держатели скреплены сформированным в вертикальной плоскости электроизоляционным материалом с воздушным зазором между пружинами и каждая из ОП сформирована с электропроводностью на крайних держателях порознь, а на среднем держателе между опорами сформирован с электропроводностью контакт с воздушным зазором между подвижной частью КЭ и с ограничением подъема последнего, притом пружина - из слоев металла со способностью к дисперсионному твердению, повышающему прочность и упругость, например из металла КЭ, а кронштейн и консоль каждый - из одного или более слоев меди, тот материал представляет собой двуокись кремния SiO и контакт - из одного или более слоев металла, например из металла ОП.
10. Устройство по любому из пп.5-9, отличающееся тем, что кронштейны сформированы с электропроводностью на ПП, сформированных на ПК, притом множество РЭ сформировано с топологическим и с планарным размещением КП, образуя многозондовое устройство.
11. Устройство по п.1, отличающееся тем, что каждая опора содержит элемент с вертикальной упругостью (ОПУ), например, в виде пружины П-образной формы, ОПУ ниже пружины имеет консоль равно перекладину на вторую ОПУ, притом каждая с упором, сформированным с воздушным зазором между подвижной частью КЭ с ограничением подъема последнего, ОПУ сформированы с электропроводностью на одном или врозь на двух ПП, последний сформирован из одного или более слоев металла, например из меди, на жесткой диэлектрической подложке, например на ПК из ситалла, ОПУ сформированы из слоев металла со способностью к дисперсионному твердению, повышающему прочность и упругость, например из металла КЭ, а упор, консоль равно перекладина - из одного или более слоев металла, например из металлов ОПУ и КЭ.
12. Устройство по п.1, отличающееся тем, что каждая опора содержит элемент с вертикальной упругостью (ОПУ), например, в виде пружины П-образной формы, ОПУ сформированы с электропроводностью врозь на двух ПП, в ОПУ ниже пружины введена консоль с упором, сформированным с воздушным зазором между подвижной частью КЭ с ограничением подъема последнего, между ОПУ сформирован с электропроводностью на третьем ПП контакт с воздушным зазором между консолью с ограничением сжатия ОПУ, притом ПП сформированы из одного или более слоев металла, например из меди, на жесткой диэлектрической подложке, например на ПК из ситалла, а ОПУ - из слоев металла со способностью к дисперсионному твердению, повышающему прочность и упругость, например из металла КЭ, а консоль и контакт - из одного или более слоев металла, например из металлов ОПУ и КЭ.
13. Устройство по любому из пп.11 и 12, отличающееся тем, что РЭ сформированы с топологическим и с планарным размещением КП, образуя многозондовое устройство.
14. Способ группового изготовления устройств на подложке, содержащий технологические циклы изготовления интегральных схем, адаптированные для создания трехмерных механических структур, включающие физическое осаждение материала из газовой фазы, например с осаждением потоков плазмы меди (Cu) и бериллия (Be) в одном процессе, а также наращивание материала электрохимическим и химическим осаждением, травление материала, растворение или разделение подложки, отличающийся тем, что в вакууме или в среде, инертной для материалов устройства, например в азоте (N), устройства подвергают электротермической и/или термической обработке, а также после электротермической или до термической обработки, по меньшей мере, кромку вершинного слоя РЭ округляют химическим или электрохимическим травлением и затем, по меньшей мере, на вершинный слой РЭ осаждают химическим или электрохимическим методом металл для электроконтактов, например золото (Au).
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что подложку с устройствами размещают в переменном электромагнитном поле с генерацией в тех токов Фуко с энергией теплового размягчения сопрягаемых вершин слоев перекрытий, притом одновременно с силовым нагруженным, по меньшей мере, КЭ, производимым контактным натягом.
16. Способ по п.14, отличающийся тем, что, по меньшей мере, к двум зондовым цепям контактного элемента подают импульс или множество импульсов напряжения с энергией плавления сопрягаемых вершин слоев перекрытий, притом с пропуском тока с амплитудой, равной или превышающей ток тестирования микросхемы, и с прекращением той подачи при назначенном электросопротивлении цепи и/или прекращении уменьшения того, притом одновременно с силовым нагружением, по меньшей мере, КЭ, производимым контактным натягом.
17. Способ по п.14, отличающийся тем, что устройства на подложке нагревают и выдерживают с обеспечением упрочнения и увеличения упругости дисперсионным твердением металла КЭ и/или ОПУ в течение приблизительно 2 ч при температуре 310-330°C.
18. Способ по п.14, отличающийся тем, что в многозондовом устройстве упор консольный сгибают механическим методом от РЭ с пластической деформацией, планаризируя последние, притом с обеспечением нижнего контактного нажатия в поле допуска.
19. Способ по п.14, отличающийся тем, что подложку разделяют на однозондовые равно многозондовые устройства, например, лазерной резкой.
20. Способ по п.14, отличающийся тем, что однозондовые устройства формируют на удаляемой технологической подложке, например, из монокристаллического кремния, которую затем растворяют в растворе флотационном для материалов устройства, получая те россыпью.