УСТРОЙСТВА ХРАНЕНИЯ ЭНЕРГИИ С ПО МЕНЬШЕЙ МЕРЕ ОДНОЙ ПОРИСТОЙ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКОЙ

1. Структура, содержащая:
первую поликристаллическую подложку, имеющую размер зерна, равный по меньшей мере размеру зерна, при котором фононное рассеяние начинает доминировать над рассеянием на границах зерен; и
первый пористый слой, сформированный внутри первой поликристаллической подложки, где первый пористый слой содержит множество каналов.
2. Структура по п. 1, дополнительно содержащая:
вторую поликристаллическую подложку, имеющую размер зерна, который по меньшей мере равен размеру зерна, при котором фононное рассеяние начинает доминировать над рассеянием на границах зерен;
второй пористый слой, сформированный в пределах второй поликристаллической подложки, где второй пористый слой содержит множество каналов и каждый канал имеет выход на пористую поверхность второй поликристаллической подложки; и
изолирующий материал, сформированный между первой и второй поликристаллическими подложками, где каждый канал первого пористого слоя имеет выход на пористую поверхность первой поликристаллической подложки.
3. Структура по п. 2, в которой указанное множество каналов покрыто графеном.
4. Структура по п. 2, в которой по меньшей мере первая или вторая поликристаллическая подложка содержит по меньшей мере одно из кремния, карбида кремния, германия, углерода, олова или любого другого материала, который может подвергаться травлению с получением пористого материала.
5. Структура по п. 2, в которой по меньшей мере первая или вторая поликристаллическая подложка содержит по меньшей мере одно из кремния или карбида кремния.
6. Структура по п. 2, в которой первая и вторая поликристаллические подложки имеют толщину менее одного миллиметра каждая.
7. Структура по п. 1, в которой зерна первой поликристаллической подложки имеют размер между 200 и 500 нанометрами (нм).
8. Структура по п. 1, в которой пористый слой имеет размер пор приблизительно 20 нанометров (нм).
9. Структура по п. 2, в которой зерна первой и второй поликристаллических подложек имеют размер между 250 и 350 нанометрами (нм).
10. Способ получения устройства хранения энергии, включающий этапы, на которых:
определяют размер кристаллического зерна, который является по меньшей мере таким размером, при котором фононное рассеяние начинает доминировать над рассеянием на границах зерен;
получают материал поликристаллической подложки, имеющий такой размер кристаллического зерна; и
формируют пористый слой внутри поликристаллической подложки, где пористый слой содержит множество каналов.
11. Способ по п. 10, дополнительно включающий обработку пористого слоя при температуре выше 400°C, где пористый слой формируется в результате анодного травления поликристаллической подложки, и где каждый канал пористого слоя имеет выход на пористую поверхность поликристаллической подложки.
12. Способ по п. 10, в котором получение поликристаллической подложки включает экструдирование расплавленного материала подложки через валки из карбида кремния, где расплавленная подложка содержит легированный бором кремний.
13. Способ по п. 12, в котором экструдирование осуществляется с такой скоростью, при которой подложка охлаждается в поликристаллическую структуру с размером зерна, являющимся по меньшей мере таким размером зерна, при котором фононное рассеяние начинает доминировать над рассеянием на границах зерен.
14. Устройство хранения энергии, содержащее:
первую электропроводящую структуру;
вторую электропроводящую структуру;
электрический изолятор, разделяющий первую электропроводящую структуру от второй электропроводящей структуры, где по меньшей мере первая электропроводящая структура или вторая электропроводящая структура содержит поликристаллическую подложку, имеющую размер зерна, который является по меньшей мере таким размером зерна, при котором фононное рассеяние начинает доминировать над рассеянием на границах зерен.
15. Устройство хранения энергии по п. 14, дополнительно содержащее:
пористый слой, сформированный внутри поликристаллической подложки, где пористый слой содержит множество каналов и каждый канал имеет выход на пористую поверхность поликристаллической подложки.
16. Устройство хранения энергии по п. 15, в котором поликристаллическая подложка содержит по меньшей мере одно из кремния, карбида кремния, германия, углерода, олова или любого другого материала, который может быть подвергнут анодному травлению с получением пористого материала.
17. Устройство хранения энергии по п. 14, в котором поликристаллическая подложка имеет толщину менее одного миллиметра.
18. Устройство хранения энергии по п. 14, в котором поликристаллическая подложка содержит кремний.
19. Устройство хранения энергии по п. 14, в котором поликристаллическая подложка содержит карбид кремния.
20. Устройство хранения энергии заявления 14, в котором поликристаллическая подложка имеет размер зерна между 200 и 500 нанометрами (нм).
21. Устройство хранения энергии по п. 14, в котором поликристаллическая подложка имеет размер зерна между 250 и 350 нанометрами (нм).
22. Устройство, содержащее:
подложку;
микропроцессор на подложке; и
устройство хранения энергии, связанное с микропроцессором, причем устройство хранения энергии содержит первую электропроводящую структуру, вторую электропроводящую структуру и электрический изолятор, предназначенный для разделения проводящих структур друг от друга, где по меньшей мере первая электропроводящая структура или вторая электропроводящая структура содержит поликристаллическую подложку с размером зерна, который является по меньшей мере таким размером зерна, при котором фононное рассеяние начинает доминировать над рассеянием на границе зерен.
23. Устройство по п. 22, в котором поликристаллическая подложка содержит пористый слой, где пористый слой содержит множество каналов и каждый канал имеет выход на пористую поверхность поликристаллической подложки.
24. Устройство по п. 22, в котором поликристаллическая подложка содержит по меньшей мере одно из кремния, карбида кремния, германия, углерода, олова или любого другого материала, который может быть подвергнут анодному травлению с получением пористых структур в материале.
25. Устройство по п. 22, в котором поликристаллическая подложка имеет толщину менее одного миллиметра.
26. Устройство по п. 23, в котором пористый слой содержит множество каналов, проходящих с края подложки внутрь части подложки.
27. Устройство по п. 22, в котором поликристаллическая подложка содержит кремний.
28. Устройство по п. 22, в котором поликристаллическая подложка содержит карбид кремния.
29. Устройство по п. 22, в котором поликристаллическая подложка имеет размер зерна между 200 и 500 нанометрами (нм).
30. Устройство по п. 22, в котором поликристаллическая подложка имеет размер зерна между 250 и 350 нанометрами (нм).