СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПУТЕМ РАЗЛОЖЕНИЯ МЕТАЛЛООРГАНИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ С ПРИМЕНЕНИЕМ В КАЧЕСТВЕ НИХ АЛКИЛИНДИЕВЫХ СОЕДИНЕНИЙ В ВИДЕ ИХ РАСТВОРОВ В УГЛЕВОДОРОДАХ

3
1. Способ получения индийсодержащего слоя методом осаждения из газовой фазы путем разложения металлоорганических соединений, при этом индийсодержащий слой формируют на подложке в реакционной камере (4), а индий подают в процесс в виде индийсодержащего соединения-предшественника формулы InR, где остатки R независимо друг от друга выбраны из алкильных остатков с 1-6 атомами углерода, отличающийся тем, что индийсодержащее соединение-предшественник подают в растворе, содержащем растворитель и растворенное в нем индийсодержащее соединение-предшественник, при этом растворитель содержит по меньшей мере один углеводород с 1-8 атомами углерода.
2. Способ по п. 1, где метод осаждения из газовой фазы путем разложения металлоорганических соединений представляет собой метод газофазной эпитаксии путем разложения металлоорганических соединений.
3. Способ по меньшей мере по одному из предыдущих пунктов, где соединение-предшественник представляет собой триметилиндий.
4. Способ по меньшей мере по одному из предыдущих пунктов, где растворитель содержит по меньшей мере один алкан и/или по меньшей мере одно ароматическое соединение.
5. Способ по меньшей мере по одному из предыдущих пунктов, где растворитель состоит из углеводородов с 5-8 атомами углерода, предпочтительно представляет собой пентан, гексан, гептан, октан, толуол, бензол, ксилол или их смесь.
6. Способ по меньшей мере по одному из предыдущих пунктов, где на долю соединения-предшественника в растворе приходится от 5 до 60 мас. %.
7. Способ по меньшей мере по одному из предыдущих пунктов, при осуществлении которого раствор перед его подачей в реакционную камеру (4) переводят в газовую фазу с помощью испарителя (2) прямого действия.
8. Способ по п. 7, при осуществлении которого температура в испарителе (2) прямого действия составляет от 0 до 100°С, предпочтительно от 10 до 50°С, и/или давление в нем составляет от 50 до 1200 мбар.
9. Способ по меньшей мере по п. 7 или 8, при осуществлении которого газовую фазу перед ее поступлением в реакционную камеру (4) смешивают с газом-носителем.
10. Способ по п. 9, где испаритель (2) прямого действия имеет смесительную камеру (2), в которой газовую фазу смешивают с газом-носителем.
11. Способ по меньшей мере по одному из пп. 7-10, где испаритель (2) прямого действия имеет регулятор (5) расхода жидкости, регулятор (12) расхода газа, смесительную камеру (2) и смесительный клапан.
12. Способ по меньшей мере по одному из предыдущих пунктов, при осуществлении которого в реакционную камеру (4) вводят еще по меньшей мере одно реакционноспособное вещество.
13. Применение раствора, состоящего из
3
(а) соединения формулы InR, где остатки R независимо друг от друга выбраны из алкильных остатков с 1-6 атомами углерода, в количестве от 5 до 60 мас. % и
(б) по меньшей мере одного углеводорода с 1-8 атомами углерода в количестве от 40 до 95 мас. %,
для получения индийсодержащего слоя методом осаждения из газовой фазы путем разложения металлоорганических соединений.