СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ПРИБОР С ПРЕОБРАЗУЮЩИМ ДЛИНУ ВОЛНЫ БОКОВЫМ ПОКРЫТИЕМ

1. Структура, содержащая:
полупроводниковый светоизлучающий прибор;
первый преобразующий длину волны элемент, расположенный на верхней поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, при этом первый преобразующий длину волны элемент не шире, чем эта верхняя поверхность; и
второй преобразующий длину волны элемент, расположенный на боковой поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, при этом второй преобразующий длину волны элемент не простирается на верхнюю поверхность;
при этом первый и второй преобразующие длину волны элементы содержат разные преобразующие длину волны материалы.
2. Структура по п. 1, при этом первый преобразующий длину волны элемент содержит заранее изготовленный преобразующий длину волны элемент.
3. Структура по п. 2, при этом первый преобразующий длину волны элемент содержит люминофор, внедренный в прозрачный материал.
4. Структура по п. 1, при этом первый преобразующий длину волны элемент содержит керамический люминофор.
5. Структура по п. 1, при этом второй преобразующий длину волны элемент содержит порошковый люминофор, расположенный в прозрачной матрице.
6. Структура по п. 1, при этом:
первый преобразующий длину волны элемент содержит
преобразующий длину волны материал, который излучает зеленый или желтый свет; а
второй преобразующий длину волны элемент содержит преобразующий длину волны материал, который излучает красный свет.
7. Структура по п. 1, при этом второй преобразующий длину волны элемент содержит рассеивающие частицы.
8. Способ, содержащий:
обеспечение полупроводникового светоизлучающего прибора;
расположение первого преобразующего длину волны материала на верхней поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, при этом первый преобразующий длину волны материал ограничен площадью не шире, чем верхняя поверхность; и
после расположения первого преобразующего длину волны материала на верхней поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, расположение второго преобразующего длину волны материала на боковой поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, при этом второй преобразующий длину волны материал не простирается на верхнюю поверхность.
9. Способ по п. 8, при этом расположение первого преобразующего длину волны материала на верхней поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора содержит прикрепление заранее изготовленного преобразующего длину волны элемента к верхней поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора.
10. Способ по п. 9, при этом первым преобразующим длину волны материалом является керамический люминофор.
11. Способ по п. 9, при этом первым преобразующим длину волны материалом является люминофор, внедренный в стекло.
12. Способ по п. 9, при этом заранее изготовленный преобразующий длину волны элемент содержит первую область из преобразующего длину волны материала и вторую область из прозрачного материала.
13. Способ по п. 12, при этом прикрепление заранее изготовленного преобразующего длину волны элемента к верхней поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора содержит прикрепление заранее изготовленного преобразующего длину волны элемента таким образом, что первая область располагается между полупроводниковым светоизлучающим прибором и второй областью.
14. Способ по п. 12, при этом прикрепление заранее изготовленного преобразующего длину волны элемента к верхней поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора содержит прикрепление заранее изготовленного преобразующего длину волны элемента таким образом, что вторая область располагается между полупроводниковым светоизлучающим прибором и первой областью.
15. Способ по п. 8, при этом расположение второго преобразующего длину волны материала на боковой поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора содержит формование второго преобразующего длину волны материала.
16. Способ по п. 8, при этом первый и второй преобразующий длину волны материалы излучают свет разных цветов.