СПОСОБ ПЛАЗМЕННОГО НАПЫЛЕНИЯ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИОНОПРОВОДЯЩЕЙ МЕМБРАНЫ

2
1. Способ плазменного напыления для изготовления ионопроводящей мембраны, которая обладает ионной проводимостью, при котором мембрану осаждают в виде слоя (11) на подложку (10) в рабочей камере, причем исходный материал (Р) напыляют на поверхность подложки (10) в форме рабочего пучка (2) посредством рабочего газа (G), при этом исходный материал вводят в плазму при низком рабочем давлении, которое составляет не более 10000 Па, и частично или полностью расплавляют в ней, отличающийся тем, что в рабочую камеру (12) во время напыления подают кислород (O; 22) с расходом, который составляет по меньшей мере 1%, предпочтительно по меньшей мере 2%, от общего расхода рабочего газа.
2. Способ по п.1, в котором плазма дефокусирует и ускоряет рабочий пучок (2).
3. Способ по п.1 или 2, в котором рабочее давление в рабочей камере (12) устанавливают на значение по меньшей мере 50 Па и не более 2000 Па.
4. Способ по п.1 или 2, в котором исходный материал (Р) представляет собой порошок, химический состав которого является по существу таким же, как и химический состав слоя (11).
5. Способ по п.1 или 2, в котором исходный материал (Р) представляет собой порошок, фазовый состав которого является по существу таким же, как и фазовый состав слоя (11).
6. Способ по п.1 или 2, в котором образующий мембрану слой (11) состоит из керамического материала, который представляет собой оксид типа перовскита.
7. Способ по п.1 или 2, в котором слой состоит из перовскита, который включает лантан (La), стронций (Sr), кобальт (Со) и железо (Fe).
8. Способ по п.1 или 2, при этом общий расход рабочего газа при плазменном напылении является меньшим, чем 200 SLPM, и, в частности, составляет от 100 до 160 SLPM.
9. Способ по п.1 или 2, при этом рабочий газ представляет собой смесь аргона и гелия.
10. Способ по п.1 или 2, в котором рабочий газ состоит из аргона, гелия и водорода.
11. Способ по п.1 или 2, при этом полученный на подложке (10) слой (11) имеет толщину менее 150 мкм, а предпочтительно от 20 до 60 мкм.
12. Способ по п.1 или 2, в котором рабочим пучком (2) совершают поворотное движение или сканирование относительно поверхности подложки (10).
13. Способ по п.1 или 2, в котором ионопроводящая мембрана представляет собой проницаемую для кислорода мембрану, которая обладает ионной проводимостью по кислороду.
14. Ионопроводящая мембрана, в частности, проницаемая для кислорода мембрана, изготовленная согласно способу по любому из пп.1-13.