ЛИСТ ИЗ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЙ СТАЛИ С ОРИЕНТИРОВАННОЙ ЗЕРЕННОЙ СТРУКТУРОЙ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

1. Текстурованный лист из электротехнической стали, являющийся текстурованным листом, содержащим Si в количестве от 0,8 масс.% до 7 масс.%, Mn от 0,05 масс.% до 1 масс.%, B от 0,0005 масс.% до 0,0080 масс.%, при этом содержание каждого из Al, C, N, S, и Se составляет 0,005 масс.% или меньше, остальное составляют Fe и неизбежные примеси, и имеющим стеклянное пленочное покрытие, полученное из смешанного оксида, состоящего в основном из форстерита, на поверхности стального листа, причем:
при условии, что когда на поверхности стеклянного пленочного покрытия образовано вторичное пленочное покрытие толщиной не менее 1 мкм и не более 2 мкм, состоящее из 26-38 масс.% коллоидного оксида кремния, 4-12 масс.% одного или двух веществ, выбранных из группы, состоящей из хромового ангидрида и хромата, а остальное составляет бифосфат алюминия, поверхность вторичного пленочного покрытия исследуют методом оптической эмиссионной спектроскопии в тлеющем разряде (GDS) и получают, что имеется пик интенсивности излучения B, положение которого отличается от положения пика интенсивности излучения Mg, и положение пика интенсивности излучения B находится дальше от поверхности стального листа, чем положение пика Mg, и
кроме того, вне пиков интенсивности излучения B в спектре излучения, наблюдаемом методом оптической эмиссионной спектроскопии в тлеющем разряде (GDS), время образования максимальной интенсивности, tB, для пика, наиболее удаленного от поверхности стального листа, выражается уравнением (1) ниже
tMg·1,6≤tB≤tMg·5
(1)
где tMg означает время наступления пика Mg.
2. Способ получения текстурованного листа из электротехнической стали, включающий:
- нагрев при заданной температуре листового материала электротехнической стали, содержащей: Si от 0,8 масс.% до 7 масс.%, кислоторастворимый Al от 0,01 масс.% до 0,065 масс.%, N от 0,004 масс.% до 0,012 масс.%, Mn от 0,05 масс.% до 1 масс.%, B от 0,0005 масс.% до 0,0080 масс.%, по меньшей мере один элемент, выбранный из группы, состоящей из S и Se, в суммарном количестве от 0,003 масс.% до 0,015 масс.%, C 0,085 масс.% или меньше, остальное Fe и неизбежные примеси;
- проведение горячей прокатки нагретой кремнистой стали, получая горячекатаную стальную полосу;
- проведение отжига горячекатаной стальной полосы, получая отожженную стальную полосу;
- проведение холодной прокатки отожженной стальной полосы один или несколько раз, чтобы получить холоднокатаную стальную полосу;
- проведение обезуглероживающего отжига холоднокатаной стальной полосы, чтобы получить обезуглероженную отожженную стальную полосу, в которой была инициирована первичная рекристаллизация;
- нанесение отжигового сепаратора, содержащего в качестве основного компонента MgO, на обезуглероженную отожженную стальную полосу;
- окончательный отжиг обезуглероженной отожженной стальной полосы, вызывающий вторичную рекристаллизацию; и
- дополнительное проведение азотирования, при котором содержание N в обезуглероженной отожженной стальной полосе увеличивается, между началом обезуглероживающего отжига и наступлением вторичной рекристаллизации при окончательном отжиге,
причем
- когда в кремнистой стали содержатся S и Se, заданная температура является температурой T1(°C), отвечающей приводимому ниже выражению (2) или меньше, температурой T2(°C), отвечающей приводимому ниже выражению (3) или меньше, и температурой T3(°C), отвечающей приводимому ниже выражению (4) или меньше;
- когда в кремнистой стали Se отсутствует, заданная температура является температурой T1(°C), отвечающей приводимому ниже выражению (2) или меньше, и температурой T3(°C), отвечающей приводимому ниже выражению (4) или меньше;
- когда в кремнистой стали отсутствует S, заданная температура является температурой T2(°C), отвечающей приводимому ниже выражению (3) или меньше, и температурой T3(°C), отвечающей приводимому ниже выражению (4) или меньше, и
- конечная температура Tf чистовой прокатки при горячей прокатке удовлетворяет выражению (5) ниже, количества BN, MnS и MnSe в горячекатаной стальной полосе удовлетворяют выражениям (6), (7) и (8) ниже, и во время окончательного отжига температура лежит в диапазоне от 800°C до 1100°C, и атмосфера удовлетворяет выражениям (9) и (10) ниже:
T1=14855/(6,82-log([Mn]·[S]))-273
(2)
T2=10733/(4,08-log([Mn]·[Se]))-273
(3)
T3=16000/(5,92-log([B]·[N]))-273
(4)
Tf≤1000-10000·[B]
(5)
B<sub>asBN</sub>≥0,0005
(6)
[B]-B<sub>asBN</sub>≤0,001
(7)
S<sub>asMnS</sub>+0,5·Se<sub>asMnSe</sub>≥0,002
(8)
0,75≥P<sub>N2</sub>≥0,2
(9)
-0,7≥log[P<sub>H2O</sub>/P<sub>H2</sub>]
(10)
asBN
asMnS
asMnSe
N2
H2O
H2
где [Mn] означает содержание Mn (масс.%) в кремнистой стали, [S] означает содержание S (масс.%) в кремнистой стали, [Se] означает содержание Se (масс.%) в кремнистой стали, [B] означает содержание B (масс.%) в кремнистой стали, [N] означает содержание N (масс.%) в кремнистой стали, B означает количество B (масс.%), выделившегося в виде BN в горячекатаной стальной полосе, S означает количество S (масс.%), выделившегося в виде MnS в горячекатаной стальной полосе, и Se означает количество Se (масс.%) выделившегося в виде MnSe в горячекатаной стальной полосе, причем P означает парциальное давление азота, и P и P означают парциальное давление водяного пара и парциальное давление водорода, соответственно.
3. Способ по п.2, причем температура во время окончательного отжига снижается в температурном диапазоне от 800°C до 1100°C, и атмосфера во время окончательного отжига удовлетворяет выражению (11) ниже:
4∙log[P<sub>N2</sub>]=3∙log[P<sub>H2O</sub>/P<sub>H2</sub>]+A+3455/T
(11)
Здесь удовлетворяются условия
H2O
H2
-3,72≥3·log[P/P]+A≥-5,32 и
H2O
H2
-0,7≥log[P/P],
H2O
H2
H2O
H2
и A означает константу, определенную таким образом, чтобы 3log[P/P]+A попадало в заданный диапазон согласно log[P/P], и T означает абсолютную температуру.
4. Способ по п.2, причем во время окончательного отжига атмосфера при 1100°C или выше удовлетворяет выражениям (12) и (13) ниже:
0,1≥P<sub>N2</sub>
(12)
-2≥log[P<sub>H2O</sub>/P<sub>H2</sub>]
(13)
5. Способ по п.2, причем электротехнический стальной лист содержит, кроме того, по меньшей мере один элемент, выбранный из группы, состоящей из: Cr 0,3 масс.% или меньше, Cu 0,4 масс.% или меньше, Ni 1 масс.% или меньше, P 0,5 масс.% или меньше, Mo 0,1 масс.% или меньше, Sn 0,3 масс.% или меньше, Sb 0,3 масс.% или меньше и Bi 0,01 масс.% или меньше.