СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование затворного окисла, электрода затвора, отличающийся тем, что электрод затвора формируют путем последовательного нанесения поверх слоя затворного окисла поликремниевой пленки толщиной 180-200 нм с последующим нанесением на него при температуре 600°С пленки нитрида кремния толщиной 1-2 нм, затем осаждают пленку молибдена толщиной 190-200 нм и второй слой пленки нитрида кремния толщиной 80-100 нм и проводят отжиг при температуре 920-1000°С.