Способ формирования элемента резистивной памяти на основе мемристорных наноструктур

Способ формирования элемента резистивной памяти на основе мемристорных наноструктур, состоящий из этапов последовательного формирования на подложке нижнего контактного электрода, запоминающего слоя и верхнего контактного электрода, отличающийся тем, что запоминающий слой формируют методом анодного окисления поверхности нижнего контактного электрода.