ПРЕДВАРИТЕЛЬНАЯ МОДИФИЦИРУЮЩАЯ ОБРАБОТКА МЕТАЛЛОВ ДЛЯ УЛУЧШЕНИЯ КРОЮЩЕЙ СПОСОБНОСТИ

1. Композиция для обработки металлической подложки, содержащая:
(a) ион металла Группы IV (b),
(b) ион меди,
(c) фторид-ион и
(d) органофосфоновую кислоту.
2. Композиция по п. 1, в которой (а) обеспечен из соединения циркония или смесей соединений циркония.
4
4
2
2
3. Композиция по п. 1, в которой (с) обеспечен соединением, выбранным из группы, содержащей HF, NHF, NHHF, NaF и NaHF.
4. Композиция по п. 1, в которой органофосфоновая кислота является монофосфоновой кислотой.
5. Композиция по п. 1, в которой органическая группа органофосфоновой кислоты имеет 6 или менее атомов углерода.
6. Композиция по п. 1, в которой органическая группа органофосфоновой кислоты имеет от 2 до 4 атомов углерода.
7. Композиция по п. 1, в которой (а) присутствует в композиции в количествах от 50 до 300 частей на миллион (ч./млн.), в расчете на элементарный металл и общую массу композиции.
8. Композиция по п. 1, в которой (b) присутствует в композиции в количествах от 5 до 40 ч./млн., в расчете на элементарную медь и общую массу композиции.
9. Композиция по п. 1, в которой (с) присутствует в композиции в количествах от 50 до 200 ч./млн., в расчете на элементарный фтор и общую массу композиции.
10. Композиция по п. 1, в которой (d) присутствует в композиции в количествах от 15 до 50 ч./млн., в расчете на элементарный фосфор и общую массу композиции.
11. Способ нанесения покрытия на металлическую подложку, включающий:
(a) предварительную обработку металлической подложки ионом металла Группы IV(b), за которой следует
(b) обработка подложки со стадии (а) композицией, содержащей:
(i) ион металла Группы IV(b),
(ii) ион меди,
(iii) фторид-ион и
(iv) органофосфоновую кислоту, за которой следует
(с) электроосаждение на подложке со стадии (b) катионной электроосаждаемой композиции.
12. Способ по п. 11, в котором ион металла Группы IV(b) из (а) обеспечен из соединения циркония или смеси соединений циркония.
13. Способ по п. 12, в котором ион металла Группы IV(b) из (а) присутствует в водной композиции в количествах от 50 до 300 ч./млн., в расчете на элементарный металл Группы IV(b) и общую массу композиции.
14. Способ по п. 11, в котором ион металла Группы IV(b) из (b) обеспечен из соединения циркония или смесей соединений циркония.
15. Способ по п. 11, в котором органофосфоновая кислота является монофосфоновой кислотой.
16. Способ по п. 11, в котором органическая группа органофосфоновой кислоты имеет 6 или менее атомов углерода.
17. Способ по п. 11, в котором органическая группа органофосфоновой кислоты имеет от 2 до 4 атомов углерода.
18. Способ по п. 11, в котором (b)(i) присутствует в композиции в количествах от 50 до 300 ч./млн., в расчете на элементарный металл Группы IV(b) и общую массу композиции.
19. Способ по п. 11, в котором (b)(ii) присутствует в композиции в количествах от 5 до 40 ч./млн., в расчете на элементарную медь и общую массу композиции.
20. Способ по п. 11, в котором (b)(iii) присутствует в композиции в количествах от 50 до 200 ч./млн., в расчете на элементарный фтор и общую массу композиции.
21. Способ по п. 11, в котором (b)(iv) присутствует в композиции в количествах от 15 до 50 ч./млн., в расчете на элементарный фосфор и общую массу композиции.