Устройство для получения кристалла оксида галлия

1. Устройство для получения кристалла оксида галлия, содержащее
корпус печи, состоящий из теплостойкого материала,
тигель, расположенный в корпусе печи,
нагреватель, расположенный около тигля,
при этом нагреватель представляет собой резистивный нагреватель, включающий в себя нагревательную часть и проводящую часть, имеющую больший диаметр, чем нагревательная часть, соединенные между собой, причем нагревательная часть состоит из материала, имеющего теплостойкость до 1850°C, а проводящая часть состоит из материала, имеющего теплостойкость до 1800°C.
2. Устройство для получения кристалла оксида галлия по п.1, в котором нагреватель включает в себя нагревательную часть, которая соединяется с проводящей частью через соединительную часть, сформированную таким образом, что она имеет диаметр, который больше нагревательной части и меньше проводящей части, и состоящую из материала, имеющего теплостойкость до 1850°C.
3. Устройство для получения кристалла оксида галлия по п.2, в котором нагреватель имеет соотношение диаметра (x) нагревательной части, диаметра (y) соединительной части и диаметра (z) проводящей части в (x:y:z), которое удовлетворяет 3≤x≤9, 4≤y≤12 и 6≤z≤18 (при условии, что x<y<z).
4. Устройство для получения кристалла оксида галлия по п.3, в котором нагреватель имеет соотношение диаметра (x) нагревательной части, диаметра (y) соединительной части и диаметра (z) проводящей части в (x:y:z), которое удовлетворяет y≤3x, z≤2y и z≤4x (при условии, что x<y<z).
5. Устройство для получения кристалла оксида галлия по любому из пп.1-4, в котором нагреватель сформирован из дисилицида молибдена (MoSi2).
6. Устройство для получения кристалла оксида галлия по любому из пп.1-4, в котором нагреватель предоставляется в линейной форме при виде сбоку таким образом, что проводящая часть проникает через верхний участок корпуса печи и предоставляется в вертикальном направлении в корпусе печи, и нагревательная часть продолжается в вертикальном направлении в верхушке проводящей части в корпусе печи.
7. Устройство для получения кристалла оксида галлия по любому из пп.1-4, в котором нагреватель предоставляется в L-образной форме при виде сбоку таким образом, что проводящая часть проникает через боковую часть корпуса печи и изгибается в вертикальном направлении в корпусе печи, и нагревательная часть продолжается в вертикальном направлении в верхушке проводящей части в корпусе печи.
8. Устройство для получения кристалла оксида галлия по любому из пп.1-4, в котором нагреватель включает в себя две проводящих части, соединенные с нагревательной частью в верхушках, имеющих U-образную форму, нагревательная часть имеет диаметр в 3-9 мм, нагревательная часть имеет ширину изгиба менее 40 мм.