СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

1. Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий изготовление структур на полупроводниковой пластине, покрытие пластины изоляционным слоем со вскрытием контактных площадок, предварительный контроль кристаллов, разделение полупроводниковой пластины на отдельные кристаллы, их корпусирование, электротермотренировку и окончательный контроль, отличающийся тем, что проектируют разводку проводников для проведения электротермотренировки функционального контроля кристаллов по лицевой и обратной поверхности полупроводниковой пластины, в результате чего в полупроводниковой пластине в зонах последующей резки пластины и других зонах, не занятых структурами и/или проводниками их соединяющими, прошивают переходные сквозные отверстия; поверхности сквозных отверстий, образовавшиеся сколы, лицевую и обратную поверхности полупроводниковой пластины селективно покрывают изоляционным слоем; в соответствии с результатами проектирования, поверх нанесенного изоляционного слоя на лицевую, обратную поверхности полупроводниковой пластины отверстия наносят преимущественно методом вакуумного осаждения металлические проводники, необходимые для электротермотренировки и полного контроля всех кристаллов, входящих в состав полупроводниковой пластины; удаляют проводники, идущие от забракованных при предварительном контроле кристаллов от общей разводки, нанесенной на полупроводниковую пластину; проводят групповую электротермотренировку и окончательный контроль всех годных после предварительного контроля кристаллов в соответствии с техническими условиями на них; пластину разделяют на кристаллы сквозной резкой, после чего направляют годные кристаллы на корпусирование или используют их в многокристальных сборках или в трехмерных модулях в качестве гарантированно годных компонентов.
2. Способ изготовления полупроводникового прибора по п.1, отличающийся тем, что при прошивке отверстий в полупроводниковой пластине лазерным методом применяют многоступенчатый метод прошивки или другие средства предотвращения разбрызгивания и выброса материала подложки полупроводниковой пластины на кромки отверстий и на поверхности пластины.
3. Способ изготовления полупроводникового прибора по п.1, отличающийся тем, что при прошивке отверстий в полупроводниковой пластине ультразвуковым методом, обработку ведут со стороны поверхности пластины, не содержащей структур.
4. Способ изготовления полупроводникового прибора по п.1, отличающийся тем, что при прошивке отверстий в полупроводниковой пластине методом химического травления, обработку ведут одновременно с противоположных поверхностей пластины с предварительным вскрытием зон травления.
5. Способ изготовления полупроводникового прибора по п.1, отличающийся тем, что неорганический изоляционный слой на поверхности отверстий, на лицевую и обратную поверхности пластины наносят преимущественно методом пиролитического осаждения или магнетронным напылением кремния в кислородной среде.
6. Способ изготовления полупроводникового прибора по п.1, отличающийся тем, что органический изоляционный слой на поверхности отверстий, на лицевую и обратную поверхности пластины наносят преимущественно методом распыления органического диэлектрика с применением вакуумного отсоса.
7. Способ изготовления полупроводникового прибора по п.1, отличающийся тем, что после нанесения изоляционного слоя на обратной стороне полупроводниковой пластины производят формирование электронных компонентов, выполненных по тонкопленочной и/или толстопленочной технологии и необходимых для обеспечения ЭТТ и контроля.
8. Способ изготовления полупроводникового прибора по п.1, отличающийся тем, что одновременно с нанесением проводников образуют внешнюю контактную зону для присоединения внешнего кабеля, состоящую из множества выводных контактов, расположенных по периферийной зоне полупроводниковой пластины на одной или двух ее поверхностях.
9. Способ изготовления полупроводникового прибора по п.1, отличающийся тем, что в случае дальнейшего использования кристаллов в многокристальных сборках или в трехмерных модулях, при сквозной резке пластины на торцах кристаллов оставляют металлизированные впадины, соединенные проводниками между собой и/или с контактными площадками кристаллов; изолируют оголенные участки кристаллов; производят селективное горячее лужение проводников, расположенных во впадинах и частично - на поверхностях кристаллов.