РАДИАЦИОННО СТОЙКОЕ СТАТИЧЕСКОЕ ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО (ОЗУ) НА КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ МЕТАЛЛ-ОКИСЕЛ-ПОЛУПРОВОДНИК ТРАНЗИСТОРАХ

Полезная модель относится к области микроэлектроники, а именно, к радиационно стойким статическим оперативным запоминающим устройствам (ОЗУ) на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах, и может быть использовано при проектировании, по нанометровым технологиям объемного кремния, сверхбольших интегральных схем (СБИС), предназначенных для авионики, аэрокосмических и других применений.
Наиболее близким к заявленной полезной модели является запоминающее устройство, описанное в патенте US  8,116,164 B2. Данное запоминающее устройство выбрано в качестве прототипа заявленной полезной модели.
Недостатком запоминающего устройства прототипа является отсутствие в накопителях блоков обнаружения и исправления ошибок, что приводит к понижению сбоеустойчивости этих блоков.
Техническим результатом полезной модели является создание радиационно стойкого статического оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах с перестраиваемой организацией с повышенной устойчивостью к одиночным сбоям при воздействии отдельных ядерных частиц (ОЯЧ), при этом отсутствии многократных сбоев в разрядах шины данных, относящихся к одному информационному слову, за счет расположения блоков обнаружения и исправления ошибок вне накопителей, а также за счет разнесения разрядов одного слова на расстояние, достаточное для исключения многократных сбоев в разрядах шины данных, относящихся к одному информационному слову.
Поставленный технический результат достигнут путем создания радиационно стойкого статического оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах, содержащего блоки адресных формирователей, блоки буферных формирователей данных, схему управления, схему разрешения выходов, о т л и ч а ю щ е г о с я тем, что также содержит два накопителя, два блока обнаружения и исправления ошибок, блок формирователей адресных и управляющих сигналов, который соединен с накопителями, которые соединены с блоками обнаружения и исправления ошибок, которые соединены с блоками буферных формирователей данных, выходы которых являются выходами устройства, причем выходы блоков адресных формирователей и схемы управления соединены с входами блока формирователей адресных и управляющих сигналов, выход которого соединен со входом схемы разрешения выходов, выходы которой соединены с входами блоков буферных формирователей данных, при этом каждый накопитель выполнен в виде матрицы ячеек памяти и содержит блоки, состоящие из базовых субблоков, которые содержат разрядные секции основных разрядов и разрядные секции контрольных разрядов, которые относятся к разным словам и конструктивно расположены таким образом, что разряды одного слова разнесены на расстояние, достаточное для исключения многократных сбоев в разрядах шины данных, относящихся к одному информационному слову.
В предпочтительном варианте осуществления устройство содержит четыре блока адресных формирователей, при этом каждый адресный формирователь содержит детектор изменения адреса.
В предпочтительном варианте осуществления устройства первый накопитель соответствует младшему байту слова, а второй накопитель соответствует старшему байту слова, при этом каждый накопитель выполнен в виде матрицы ячеек памяти и содержит 8 блоков, состоящих из 16 базовых субблоков, которые содержат 12 разрядных секций, из которых 8 секций основных разрядов и 4 секции контрольных разрядов.
В предпочтительном варианте осуществления устройство содержит разрядные секции основных разрядов и разрядные секции контрольных разрядов, которые относятся к разным словам, при этом между смежными секциями расположена сплошная p+ область привязки подложки к земле шириной 2 мкм, а минимальное расстояние между одноадресными ячейками равно 64 мкм.
Для лучшего понимания заявленной полезной модели далее приводится ее подробное описание с соответствующими графическими материалами.
Фиг.1.  Схема радиационно стойкого статического оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах емкостью 16 Мбит с перестраиваемой организацией, выполненная согласно полезной модели.
Фиг. 2. Схема накопителей радиационно стойкого статического оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах, содержащая блоки, субблоки и секции ячеек памяти, выполненная согласно полезной модели.
Элементы:
1 - первый накопитель;
2 - второй накопитель;
3 - блоки обнаружения и исправления ошибок;
4 - блок формирователей адресных и управляющих сигналов;
5 - блоки буферных формирователей данных;
6 - блоки адресных формирователей;
7 - схема управления;
8 - схема разрешения выходов;
9 - блоки накопителей;
10 - субблоки накопителей;
11 - секции накопителей.
Рассмотрим более подобно вариант выполнения заявленной полезной модели, представленный на Фиг. 1 и Фиг. 2. Радиационно стойкое статическое оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах содержит два накопителя 1, 2, два блока 3 обнаружения и исправления ошибок, блок 4 формирователей адресных и управляющих сигналов, блоки 5 буферных формирователей данных, блоки 6 адресных формирователей, схему 7 управления, схему 8 разрешения выходов, блоки 9 накопителя, субблоки 10 накопителя, секции 11 накопителя. Блок 4 формирователей адресных и управляющих сигналов соединен с накопителями 1, 2, которые соединены с блоками 3 обнаружения и исправления ошибок, которые соединены с блоками 5 буферных формирователей данных, выходы которых являются выходами заявленного устройства. Выходы блоков 6 адресных формирователей и схемы 7 управления соединены с входами блока 4 формирователей адресных и управляющих сигналов, выход которого соединен со входом схемы 8 разрешения выходов, выходы которой соединены с входами блоков 5 буферных формирователей данных. Каждый накопитель 1, 2 выполнен в виде матрицы ячеек памяти и содержит блоки 9, состоящие из базовых субблоков 10, которые содержат разрядные секции 11 основных разрядов и разрядные секции 11 контрольных разрядов, которые относятся к разным словам и конструктивно расположены таким образом, что разряды одного слова разнесены на расстояние, достаточное для исключения многократных сбоев в разрядах шины данных, относящихся к одному информационному слову.
Радиационно стойкое статическое оперативное запоминающее устройство  (Фиг. 1, 2) на комплементарных металл-окисел-полупроводник транзисторах (далее ОЗУ) содержит два независимых накопителя, первый НК0 накопитель 1 и второй НК1 накопитель 2, имеющие емкость 1МЧ12. Первый накопитель НК0 соответствует младшему байту слова, а второй накопитель НК1 – старшему байту слова. Каждый из двух накопителей 1, 2 содержит по 8 блоков 9 с организацией 128КЧ12, построенных на основе базовых субблоков 10 с организацией 8КЧ12, содержащих по 8 секций 11 основных разрядов, и 4 секции 11 контрольных разрядов. Все адресные формирователи блоков 6 содержат детекторы изменения адреса, благодаря чему реализуется режим асинхронного адресного чтения данных в ОЗУ, а также асинхронная запись по смене адреса, позволяющая быстро заполнять накопитель константой, например, логическим нулём для его «очистки».
Между смежными секциями 11 накопителя базового субблока 10 расположена сплошная p+ область привязки подложки к земле шириной 2 мкм, а минимальное расстояние между одноадресными ячейками секций 11 получается достаточно большим - 64 мкм, что обеспечивает отсутствие множественных сбоев в одном слове.  Это позволяет в сочетании с дополнительной привязкой подложки к шине нулевого потенциала и n-кармана напряжению питания в каждой ячейке практически полностью подавить множественные сбои в одном байте при воздействии одиночных ядерных частиц (ОЯЧ) и обеспечить нечувствительность ОЗУ к эффекту «защелкивания».
Расположение блоков 3 обнаружения и исправления ошибок вне накопителей 1, 2 позволяет достигнуть более высокой сбоеустойчивости этих блоков по сравнению с их размещением непосредственно в накопителях 1, 2 в базовых субблоках 8KЧ12 с жесткими ограничениями на размеры транзисторов.
Хотя описанный выше вариант выполнения полезной модели был изложен с целью иллюстрации заявленной полезной модели, специалистам ясно, что возможны разные модификации, добавления и замены, не выходящие из объема и смысла заявленной полезной модели, раскрытой в прилагаемой формуле полезной модели.