ЕМКОСТНЫЙ МИКРООБРАБОТАННЫЙ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ

1. Емкостный микрообработанный ультразвуковой преобразователь, содержащий:
кремниевую подложку (209);
полость (205);
первый электрод (207), расположенный между кремниевой подложкой (209) и полостью (205), в котором первый электрод (207) расположен под полостью (205);
второй электрод (203), в котором второй электрод (203) расположен над полостью (205) и напротив первого электрода (207), причем второй электрод (203) расположен в мембране, в котором первый электрод (207) и второй электрод (203) выполнены с возможностью подачи на них напряжения; и
первый изоляционный слой (204), расположенный между первым электродом (207) и вторым электродом (203),
отличающийся тем, что
первый изоляционный слой (204) дополнительно содержит первый суб-слой, содержащий оксид, и второй суб-слой, содержащий нитрид.
2. Преобразователь по п.1, в котором изоляционный слой (204) дополнительно содержит третий суб-слой, содержащий оксид.
3. Преобразователь по п.1, в котором второй суб-слой расположен между первым суб-слоем и третьим суб-слоем.
4. Преобразователь по п.1, в котором первый изоляционный слой (204) содержит оксид толщиной по меньшей мере 5 нм.
5. Преобразователь по п.1, содержащий второй изоляционный слой (206), при этом второй изоляционный слой (206) расположен между вторым электродом (203) и полостью (205), первый изоляционный слой (204) расположен между первым электродом (207) и полостью (205), а второй изоляционный слой (206) содержит диэлектрик.
6. Преобразователь по п.1, в котором диэлектрик является слоем с высокой диэлектрической постоянной «higher-k layer», таким как слой, содержащий нитрид, оксид алюминия или оксид гафния или слой ONO.
7. Преобразователь по п.1, в котором давление в полости (205) меньше 1 атм.
8. Преобразователь по п.1, в котором полость (205) является вакуумированной полостью.
2
3
4
9. Преобразователь по п.1, в котором оксидом первого изолирующего слоя является SiO и/или нитридом первого изоляционного слоя является SiN.
10. Преобразователь по п.1, в котором второй электрод (203) внедрен в мембрану.
11. Преобразователь по п.1, в котором преобразователь относится по меньшей мере к одному типу, выбранному из группы, состоящей из: сжатого преобразователя, предварительно сжатого преобразователя, гибкого преобразователя и комбинации этих типов.
12. Система для генерирования или обнаружения ультразвуковых волн, содержащая преобразователь по любому из предшествующих пунктов.
13. Система по п.12, содержащая линейную матрицу или двухмерную матрицу преобразователей по любому из пп.1-11.
14. Способ изготовления преобразователя по любому из пп.1-5 или 7-11, содержащий этапы, на которых
изготавливают преобразователь на кремниевой подложке,
снабжают преобразователь первым и вторым электродами, расположенными по обе стороны от полости,
отличающийся тем, что дополнительно содержит этапы, на которых
поддерживают температуру процесса, используемого для изготовления преобразователя, ниже 400°С,
помещают по меньшей мере один изоляционный слой, содержащий по меньшей мере суб-слой оксида и суб-слой нитрида, между первым и вторым электродами.
15. Способ изготовления преобразователя по любому из пп.1-5 или 7-11, содержащий этап, на котором
изготавливают преобразователь пост-процессом в процессе КМОП.