СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ МАТЕРИАЛОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

3
2
1
6
1. Способ обработки поверхности материалов, заключающийся в формировании на ней слоя ультрадисперсного вещества, состоящего из вещества, полученного в результате воздействия на материалы изолированных друг от друга электродов энергии импульсного электрического разряда, отличающийся тем, что используется разряд между двумя протяженными хотя бы в одном направлении электродами, подвод электромагнитной энергии к которым выполнен таким образом, чтобы обеспечить перемещение разряда по рабочей поверхности электродов, при этом плотность энергии, воздействующей на поверхность электродов, составляет величину от 10 до 5·10 Дж/см, обработка происходит в газовой среде, давление которой составляет величину от 10 до 10 Па, а обрабатываемая поверхность материала расположена напротив рабочей поверхности электродов на расстоянии от 1 до 50 см от них.
2. Устройство для осуществления способа по п.1, содержащее систему электродов, состоящую из двух протяженных хотя бы в одном направлении электродов, систему изоляции электродов, систему инициации разряда на рабочей поверхности электродов, систему токоподводов, связывающих электроды с источником электромагнитной энергии, систему крепления обрабатываемого материала, отличающееся тем, что системы подвода электромагнитной энергии, инициации разряда и изоляции электродов выполнены таким образом, чтобы обеспечить движение разряда по рабочей поверхности электродов, обращенной к системе крепления обрабатываемого материала, при этом источник электромагнитной энергии состоит из источника постоянного напряжения и системы накопления электромагнитной энергии.
3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что система накопления электромагнитной энергии выполнена в виде батареи конденсаторов.
4. Устройство по п.2, отличающееся тем, что система накопления электромагнитной энергии выполнена в виде индуктивного накопителя.
5. Устройство по п.2, отличающееся тем, что система инициации разряда выполнена в виде системы локального высоковольтного искрового пробоя приэлектродных промежутков.
6. Устройство по п.2, отличающееся тем, что система инициации разряда выполнена в виде комбинации коммутирующего прибора, замыкающего один из токоподводов, и токопроводящей вставки, замыкающей электроды.
7. Устройство по п.2, отличающееся тем, что система изоляции электродов выполнена в виде расположенной между электродами сплошной диэлектрической вставки.
8. Устройство по п.2, отличающееся тем, что система инициации разряда расположена со стороны той части системы электродов, к которой подключены токоподводы при постоянном, либо изменяющемся в направлении от системы инициации разряда (уменьшающемся не более чем на 4 мм, либо увеличивающемся не более чем на 2 мм) расстоянии между рабочими поверхностями электродов и постоянной, либо изменяющейся в направлении от системы инициации (уменьшающейся не более чем на 3 мм, либо увеличивающейся не более чем на 2 мм) высоте диэлектрической вставки над рабочей поверхностью электродов.
9. Устройство по п.2, отличающееся тем, что система изоляции электродов выполнена в виде двух диэлектрических вставок, расположенных между электродами, в промежутке между которыми расположена одна испаряемая проводящая вставка, которая изолирована от системы питания.
10. Устройство по п.2, отличающееся тем, что система изоляции выполнена в виде более, чем двух диэлектрических вставок, расположенных между электродами, в промежутках между которыми расположены несколько испаряемых проводящих вставок, которые изолированы от системы питания.
11. Устройство по п.2, отличающееся тем, что система инициации разряда расположена со стороны той части системы электродов, к которой подключены токоподводы при постоянном, или изменяющемся в направлении от системы инициации (уменьшающемся не более чем на 4 мм, либо увеличивающемся не более чем на 3 мм) расстоянии между изолированными поверхностями электродов и постоянной, или изменяющейся в направлении от (уменьшающейся не более чем на 5 мм, либо увеличивающейся не более чем на 2 мм) высоте диэлектрической вставки над рабочей поверхностью электродов.
12. Устройство по п.2, отличающееся тем, что система инициации разряда расположена со стороны большего расстояния между электродами (изменение расстояния между изолированными поверхностями электродов должно составлять от 2 мм до 5 мм) и большей высоте изолятора над рабочей поверхностью электрода (изменение высоты составляет от 2 до 5 мм), при этом система токоподводов подключена к системе электродов в произвольном месте.
13. Устройство по п.2, отличающееся тем, что рабочая граница диэлектрических вставок расположена на расстоянии от -5 до +5 мм относительно уровня рабочей поверхности электродов и выступает за границы электродов менее чем на 1 мм на всех остальных границах.