ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Прибор (10), содержащий:
- подложку (12) с передней поверхностью (14) и задней поверхностью (24);
- полупроводниковый элемент (16), предусмотренный на передней поверхности подложки;
- первый пассивирующий слой (18); и
- второй пассивирующий слой (22), при этом один из упомянутого первого пассивирующего слоя и упомянутого второго пассивирующего слоя выполнен имеющим заданное внутреннее сжимающее напряжение, тогда как оставшийся первый или второй пассивирующий слой выполнен имеющим заданное внутреннее растягивающее напряжение, тем самым обеспечивая заданную настройку результирующего механического напряжения, вызванного первым пассивирующим слоем и вторым пассивирующим слоем.
2. Прибор по п.1, при этом упомянутый второй пассивирующий слой (22) предусмотрен на задней поверхности подложки.
3. Прибор по п.1, при этом первый пассивирующий слой предусмотрен поверх передней поверхности подложки.
4. Прибор по п.2, при этом первый пассивирующий слой предусмотрен на втором пассивирующем слое.
5. Прибор по п.3, дополнительно содержащий по меньшей мере один контакт (20a-20e), соединенный с полупроводниковым элементом и простирающийся через первый пассивирующий слой, предусмотренный поверх передней поверхности подложки, при этом второй пассивирующий слой предусмотрен поверх первого пассивирующего слоя и частично покрывает упомянутый по меньшей мере один контакт.
6. Прибор по любому предыдущему пункту, при этом полупроводниковый элемент представляет собой элемент на основе III-V.
7. Прибор по любому предыдущему пункту, при этом пассивирующие слои представляют собой диэлектрические слои.
8. Способ изготовления прибора (10), содержащего первый пассивирующий слой (18), причем данный способ включает в себя:
- обеспечение подложки (12) с передней поверхностью (14) и задней поверхностью (24);
- обеспечение полупроводникового элемента (16) на передней поверхности подложки; и
- обеспечение второго пассивирующего слоя (22),
при этом один из упомянутого первого пассивирующего слоя и упомянутого второго пассивирующего слоя выполняют имеющим заданное внутреннее сжимающее напряжение, тогда как оставшийся первый или второй пассивирующий слой выполняют имеющим заданное внутреннее растягивающее напряжение, тем самым обеспечивая заданную настройку результирующего механического напряжения, вызванного первым пассивирующим слоем и вторым пассивирующим слоем.
9. Способ по п.8, при этом упомянутый второй пассивирующий слой выполняют на задней поверхности подложки.
10. Способ по п.8, при этом упомянутый второй пассивирующий слой выполняют на первом пассивирующем слое.