Комбинированный магниторезистивный датчик

1. Комбинированный магниторезистивный датчик, содержащий концентратор магнитного поля, витки первой и второй секций, образующих между собой коротко-замкнутую катушку, и магниторезистивный мост, отличающийся тем, что магниторезистивный мост, который имеет геометрические размеры, много меньшие размеров концентратора магнитного поля, закрепляется на поверхности указанного концентратора, симметрично относительно его габаритных размеров, через первый диэлектрический слой, толщина которого много меньше толщины (диаметра) концентратора магнитного поля, первая секция короткозамкнутой катушки намотана на концентратор магнитного поля электроизолированным проводом таким образом, что витки ее проходят поверх магниторезистивного моста, причем между витками первой секции и поверхностью магниторезистивного моста размещен внешний диэлектрический слой, витки же второй секции короткозамкнутой катушки уложены поверх концентратора магнитного поля, параллельно виткам первой секции и с сохранением того же направления намотки, но не захватывают поверхность магниторезистивного моста, при этом ось чувствительности магниторезистивного моста, продольная ось симметрии концентратора магнитного поля, центральные оси витков первой и второй секций параллельны друг другу, а вблизи магниторезистивного моста размещен источник постоянного магнитного поля, воздействующий своим магнитным полем на указанный мост.
2. Датчик по п. 1, отличающийся тем, что гальваническое замыкание первой и второй секций в короткозамкнутую катушку осуществляется через управляющий проводник, магнитное воздействие от которого на магниторезистивный мост совпадает по своему направлению с магнитным воздействием первой секции, причем управляющий проводник выполнен по тонкопленочной технологии и проложен между внешним диэлектрическим слоем и вторым диэлектрическим слоем, расположенным над магниторезистивным мостом и имеющим минимально допустимую технологией изготовления толщину, которая, по крайней мере, в пять-десять раз меньше, чем толщина первого диэлектрического слоя.
3. Датчик по п. 1, отличающийся тем, что концентратор магнитного поля изготовлен из ферромагнитного металла (сплава).
4. Датчик по п. 1, отличающийся тем, что концентратор магнитного поля изготовлен из феррита.
5. Датчик по п. 1, отличающийся тем, что магниторезистивный мост состоит из тонкопленочных магниторезисторов с анизотропным или гигантским магниторезистивными эффектами.
6. Датчик по п. 1, отличающийся тем, что магниторезистивный мост имеет четную (V-образную) или нечетную (S-образную) статическую вольтэрстедную характеристику.
7. Датчик по п. 1, отличающийся тем, что источник постоянного магнитного поля выполнен в виде микромагнита, закрепленного на поверхности концентратора магнитного поля вблизи магниторезистивного моста.