СТРУКТУРА НА ОСНОВЕ ГИБКИХ ТОКОПРОВОДЯЩИХ ДОРОЖЕК И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Структура на основе гибких токопроводящих дорожек, обладающая заранее изогнутым состоянием, обеспечивающим конструкцию без напряжения, в виде которой изготовлена структура, причем в заранее изогнутом состоянии структура в основном является плоской в первой плоскости и содержит:
набор токопроводящих дорожек, сформированных из слоя (20) металла;
первый слой (22) изолятора поверх токопроводящих дорожек; и
второй слой (22) изолятора под токопроводящими дорожками,
причем токопроводящие дорожки продолжаются в первой плоскости и локально образуют гофрирование, перпендикулярное первой плоскости.
2. Структура на основе гибких токопроводящих дорожек по п. 1, в которой гофры обладают высотой (h) в диапазоне от 0,5 до 10 мкм, более предпочтительно от 1 до 2 мкм.
3. Структура на основе гибких токопроводящих дорожек по любому из предшествующих пунктов, в которой гофры обладают шагом (p) в диапазоне от 5 до 50 мкм, более предпочтительно от 5 до 10 мкм.
4. Структура на основе гибких токопроводящих дорожек по любому из предшествующих пунктов, в которой длина токопроводящей дорожки составляет в диапазоне от 10 до 40 см.
5. Структура на основе гибких токопроводящих дорожек по любому из предшествующих пунктов, в которой набор токопроводящих дорожек содержит от 10 до 30 дорожек.
6. Структура на основе гибких токопроводящих дорожек по любому из предшествующих пунктов, в которой набор дорожек обладает общей шириной от 0,2 до 1,0 мм.
7. Структура на основе гибких токопроводящих дорожек по любому из предшествующих пунктов, в которой каждый из первого и второго слоев изолятора содержит керамический подслой (22), примыкающий к слою металла, и наружный полимерный подслой (24).
8. Проводящая структура, содержащая:
держатель (12); и
структуру на основе гибких токопроводящих дорожек по любому из предшествующих пунктов, намотанную вокруг держателя.
9. Проводящая структура по п. 8, в которой держатель содержит секцию трубчатой или цилиндрической формы.
10. Проводящая структура по п. 9, в которой по меньшей мере одно местоположение в пределах секции держателя обладает сечением с размерами сечения менее 1 мм или менее 0,5 мм.
11. Проводящая структура по п. 10, в которой сечение является круглым, и размером в сечении является диаметр.
12. Устройство для обнаружения и/или стимуляции нейронов, содержащее:
источник сигнала;
датчик и/или блок стимуляции и
проводящую структуру по любому из п.п. 8-12, соединенную с источником сигнала и датчиком и/или блоком стимуляции.
13. Устройство по п. 13, в котором датчик и/или блок стимуляции встроены в гибкую структуру токопроводящих дорожек.
14. Способ формирования структуры на основе гибких токопроводящих дорожек, включающий:
обеспечение первой подложки (50);
обеспечение протравливаемого запирающего слоя (52) поверх подложки;
обеспечение ступенчатого слоя (54) поверх протравливаемого запирающего слоя;
формирование первого слоя (56) изолятора поверх ступенчатого слоя;
формирование слоя (58) металла поверх первого слоя изолятора и его моделирование по шаблону для формирования удлиненных токопроводящих дорожек; и
формирование второго слоя (60) изолятора поверх слоя (58) металла;
прикрепление структуры ко второй подложке (64) с использованием растворимого адгезива на противоположной стороне от первой подложки (50);
травление первой подложки до протравливаемого запирающего слоя (52);
травление протравливаемого запирающего слоя и ступенчатого слоя (54); и
растворение адгезива для удаления второй подложки (64),
причем удлиненные токопроводящие дорожки являются в основном плоскими, но локально гофрированы перпендикулярно основной плоскости с формой, соответствующей ступенчатому слою.
15. Способ по п. 14, в котором формирование второго слоя изолятора включает формирование керамического подслоя, примыкающего к слою металла, и наружного полимерного подслоя, причем первый слой изолятора, сформированный поверх ступенчатого слоя, содержит керамический подслой, и способ дополнительно включает, после травления первой подложки, формирование наружного полимерного подслоя.
16. Способ по п. 14 или 15, в котором ступенчатый слой содержит ряд гребней с высотой в диапазоне от 0,5 до 10 мкм, более предпочтительно от 1 до 2 мкм, и гребни обладают шагом в диапазоне от 5 до 50 мкм, более предпочтительно от 5 до 10 мкм.
17. Способ по любому из пп. 14-16, дополнительно включающий спиральную намотку структуры на основе гибких токопроводящих дорожек вокруг трубчатого держателя с диаметром менее 1 мм или менее 0,5 мм.