СПОСОБ СОЗДАНИЯ СВЕРХБЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕГО ВАКУУМНОГО ТУННЕЛЬНОГО ФОТОДИОДА С НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫМ ЭМИТТЕРОМ

Способ создания сверхбыстродействующего вакуумного туннельного фотодиода с наноструктурированным эмиттером, включающий измерение фототока вакуумного фотодиода, возникающего при облучении непрерывным или импульсным оптическим излучением эмиттера при установке определенного значения ускоряющего напряжения на аноде, отличающийся тем, что облучают планарную поверхность наноструктурированного эмиттера лазерным пучком с длиной волны, выбранной из УФ, видимого или ИК диапазона при энергии фотона меньше работы выхода электронов из эмиттера, устанавливают фиксированное значение напряжения на аноде U не превышающее значение, определяемое из соотношения:
max
3
2
U≤10 (А- 1240/λ)·Z/β (2),
при этом быстродействие τ фотодиода при выбранном расстояние эмиттер - анод Z определятся из соотношения:
-12
1/2
τ ≤ 1,68 10 Z/U (3),
где τ-время быстродействия туннельного фотодиода (с);
U - разность потенциала эмиттер -анод (В);
Z - расстояние эмиттер-анод (мкм);
β - усиление локальной напряженности электростатического поля на эмиттере (безразмерная величина);
А - работа выхода электронов с поверхности эмиттера (электрон-вольт);
1240/λ=hc/λ=hν - энергия фотона в эВ, облучающего эмиттер и вызывающего туннельный фотоэмиссионный ток;
λ - детектируемая длина волны оптического излучения (нм);
h - постоянная Планка;
с - скорость света.