СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭМИТТЕРНОЙ ОБЛАСТИ ТРАНЗИСТОРА

2
2
2
2
2
Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника, включающий формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника фосфора, отличающийся тем, что процесс проводят при температуре 900°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: O=40±0,5 л/ч; N=750 л/ч; H=8 л/ч и времени, равном 40 мин; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1000°C при следующем расходе газов: O=40±0,5 л/ч; N=750 л/ч и времени разгонки, равном 75 ч.