МОНТАЖНАЯ ПЛАТА, СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ, ДИСПЛЕЙНАЯ ПАНЕЛЬ И ДИСПЛЕЙНОЕ УСТРОЙСТВО
CIRCUIT BOARD, MANUFACTURING METHOD OF CARD, DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
Настоящее изобретение относится к монтажной плате с повышенной устойчивостью к коррозии, способу изготовления такой монтажной платы, дисплейной панели и дисплейного устройства.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
В последние годы наблюдается быстрое распространение дисплейных устройств, в которых используются такие средства отображения, как жидкие кристаллы, органическая электролюминесценция и неорганическая электролюминесценция. Среди таких дисплейных устройств широкое применение получили дисплейные устройства с активной матрицей благодаря тому, что у них высокая скорость отклика и они облегчают отображение множества оттенков.
Дисплейное устройство с активной матрицей содержит подложку активной матрицы, на которой в виде матрицы расположено большое количество пикселей; и противоположную подложку, расположенную таким образом, что она обращена к подложке активной матрицы.
Подложка активной матрицы по площади больше, чем противоположная подложка. Подложка активной матрицы и противоположная подложка скрепляются герметиком (не показано), нанесенным по краю противоположной подложки. Между подложкой активной матрицы и противоположной подложкой помещается средний отображающий слой, составляемый любыми описанными выше средствами отображения.
На подложке активной матрицы содержатся проводники развертки и сигнальные проводники, расположенные внутри ячейки, окруженной герметиком, таким образом, что они пересекаются друг с другом. Рядом с каждым пересечением проводников развертки и сигнальных проводников располагается пиксельная часть, содержащая тонкопленочный транзистор.
По внешней части подложки активной матрицы имеется область, которая выходит за пределы противоположной подложки. В данной области находится соединительная область, содержащая (i) выводящие проводники, состоящие из металлических проводников, подходящих от пиксельных частей, расположенных внутри ячейки, и (ii) контактных областей (контактных электродов). Такое дисплейное устройство требует подключения каждого тонкопленочного транзистора к внешнему формирователю, такому как интегральная схема формирователя.
Подключение каждого тонкопленочного транзистора к внешнему формирователю осуществляется путем подключения контактных электродов к гибкой монтажной плате, такой как TCP (плата на ленточном носителе), на которую установлена интегральная схема формирователя. Такой контактный электрод подключается к гибкой монтажной плате с помощью ACF (анизотропной проводящей пленки).
Однако, как правило, за счет ограничений, связанных с требованиями монтажа, существует расстояние в несколько миллиметров между областью между подложкой активной матрицы и противоположной подложкой, где находится герметик, и местом на соединительной области, к которому крепится ACF. Таким образом, металлические проводники располагаются в области между местом крепления ACF и областью, в которой находится герметик. По этой причине, в данной области, влага, инородные предметы и т.д., скорее всего, пристанут к металлическим проводникам, таким образом, приводя к нежелательной коррозии металлических проводников.
Соответственно, в качестве способов решения такой проблемы, как примеры, были предложены способы, описанные в Патентном источнике 1 и Патентном источнике 2.
На Фиг.21 приведено поперечное сечение, показывающее структуру соединительной области на подложке активной матрицы, описанную в Патентном источнике 1.
Как показано на Фиг.21, подложка активной матрицы содержит стеклянную подложку 301; нижний металлический проводник 302, проходящий от зоны отображения к соединительной области, расположенный на краю стеклянной подложки 301; межслойную изолирующую пленку 303 (выравнивающую пленку), покрывающую нижний металлический проводник 302; контактное окно 304, сформированное в межслойной изолирующей пленке 303; верхний металлический проводник 305, сформированный на межслойной изолирующей пленке 303 и соединенный с нижним металлическим проводником 302 через контактное окно 304; прозрачную проводящую пленку 306, полностью покрывающую верхний металлический проводник 305; защитную изолирующую пленку 307, сформированную на прозрачной проводящей пленке 306, в которой есть окно, расположенное у контактной области (контактного электрода) верхнего металлического проводника 305. К контактной области через ACF 310 подключается проводник 312, из медной фольги, гибкой монтажной платы 311.
В Патентном источнике 1, коррозия металлического проводника, сформированного под прозрачной проводящей пленкой 306 предотвращается путем удаления той части верхнего металлического проводника 305, которая не защищена ни защитной изолирующей пленкой 307, ни ACF 310.
Далее, на Фиг.22 приведен вид сверху, показывающий структуру соединительной области на подложке активной матрицы, описанную в Патентном источнике 2.
Как показано на Фиг.22, подложка активной матрицы содержит стеклянную подложку 401; проводники 402 развертки, расположенные на стеклянной подложке 401; противоположную подложку 411; и герметик 412, находящийся между стеклянной подложкой 401 и противоположной подложкой 411, проводники развертки идут от пиксельной части в область за пределами герметика 412. Каждый из проводников 402 развертки имеет конец, который служит контактным электродом 403 (входным выводом затвора), используемым для соединения с внешней гибкой монтажной платой 420, состоящей из полимерной пленки или ей подобной.
В Патентном источнике 2, каждая открытая часть каждого проводника 402 развертки разделена на части, путем формирования в них щелей 404 за пределами герметика 412.
Таким образом, в патентном источнике 2, с помощью щелей 404 пресекается коррозия, вызываемая оседанием конденсата и ему подобного на проводнике 402 развертки.
Список упомянутых материалов
Патентный источник 1
Заявка на патент Японии, Tokukaihei, №.8-6059 (дата публикации: 12 января 1996)
Патентный источник 2
Заявка на патент Японии, Tokukaihei, №.8-82805 (дата публикации: 26 марта 1996)
Сущность изобретения
Задача изобретения
Вместе с тем, структура, описанная выше в Патентном источнике 1, - это структура, из которой была удалена часть каждого металлического проводника, как было упомянуто выше. По этой причине попытка получения структуры, описанной в Патентном источнике 1 приводит к увеличению числа масок, необходимых для производства, из чего вытекает увеличение стоимости производства.
Кроме того, в таком случае, как в Патентном источнике 2, где щели 404 формируются на открытой области каждого проводника 402 развертки, коррозия проводника 402 развертки может быть пресечена. Тем не менее, в патентном источнике 2 не пресекается коррозия как таковая. По этой причине, Патентный источник 2 не дает фундаментального решения проблем, описанных выше.
В частности, в последнее время сопротивление металлических проводников стало меньше, когда выросло разрешение и увеличился размер экрана дисплейных устройств. По этой причине, проводящие материалы, такие как Al (алюминий) и Cu (медь), имеющие низкое сопротивление, но слабо противостоящие коррозии, получили широкое распространение взамен обычным проводящим материалам, таким как Cr (хром), который имеет стойкость к коррозии.
Как уже упоминалось выше, такой же металлический проводник используется в соединительной области и каждой пиксельной части, расположенной внутри ячейки. По этой причине, если металлический проводник изготовлен из проводящего материала с низким сопротивлением, такого как Cu, то дефект прозрачного электрода, такого как электрод из оксида индия и олова, покрывающий торцевую поверхность межслойной изолирующей пленки (выравнивающей пленки), при контакте с металлическим проводником вызывает его коррозию от межслойной изолирующей пленки и торцевой поверхности изолирующей пленки, такой, как изолирующая пленка затвора под межслойной изолирующей пленкой, что приводит к нежелательным проблемам, таким как обрыв проводника.
Возможная причина этого заключается в следующем: такая межслойная изолирующая пленка, состоящая из смолы (то есть органическая изолирующая пленка), не имеет такой плотной структуры, как неорганическая изолирующая пленка, и ее поверхность сама по себе делается шероховатой при сухом травлении. В случае, когда на такой межслойной изолирующей пленке с шероховатой поверхностью формируется прозрачная проводящая пленка, такая как пленка из оксида индия и олова, то получающаяся прозрачная проводящая пленка не лишена дефектов. Такие дефекты позволяют влаге и т.п. проникать через торцевую поверхность изолирующей пленки под прозрачной проводящей пленкой, приводя таким образом к коррозии.
Тем не менее, ни патентный источник 1, ни патентный источник 2 не упоминают ничего о различиях, зависящих от состояния поверхности нижнего слоя (слоя основы), на который наносят прозрачную поводящую пленку.
Настоящее изобретение было сделано в связи с вышеизложенными проблемами, и целью настоящего изобретения является создание монтажной платы, способной предотвращать коррозию металлических электродов по причине дефектов прозрачной проводящей пленки, покрывающей торцевую поверхность органической изолирующей пленки, как описано выше, способа изготовления такой подложки со слоем межсоединений, дисплейной панели и дисплейного устройства.
Решение поставленной задачи
Для решения перечисленных проблем, монтажная плата в соответствии с настоящим изобретением содержит изолирующую подложку; металлический проводник, расположенный на изолирующей подложке; неорганическую изолирующую пленку, покрывающую металлический проводник; органическую изолирующую пленку, покрывающую неорганическую изолирующую пленку; и проводящую пленку, формируемую на органической изолирующей пленке. Металлический проводник снабжается областью, где проводящую пленку наносят непосредственно на металлический проводник без помещенных между ними неорганической изолирующей пленки и органической изолирующей пленки. Кроме того, проводящая пленка распространяется по области таким образом, чтобы покрывать торцевую поверхность органической изолирующей пленки, которая обращена к области, и торцевую поверхность неорганической изолирующей пленки, которая обращена к области, а торцевая поверхность органической изолирующей пленки находится дальше от области по сравнению с торцевой поверхностью неорганической изолирующей пленки.
В целях создания металлического проводника с областью, где проводящую пленку наносят непосредственно на металлический проводник без помещенных между ними неорганической изолирующей пленки и органической изолирующей пленки, такой как область подключения внешних устройств или область соединения проводников на подложке со слоем межсоединений, необходимо выполнить этап формирования рисунка органической изолирующей пленки, этап сухого травления неорганической изолирующей пленки с использованием органической изолирующей пленки в качестве маски и т.д. По этой причине, поверхность выполненной таким образом органической изолирующей пленки в подложке со слоем межсоединений повреждается перед формированием проводящей пленки. По этой причине, часть проводящей пленки, которая контактирует с органической изолирующей пленкой, формируется не плотной и, поэтому, может страдать от дефектов.
Однако, даже если на этой части проводящей пленки, покрывающей органическую изолирующую пленку, возникает дефект, в вышеизложенной структуре сохраняется большое расстояние между дефектом и областью ниже, где неорганическая пленка контактирует с проводящей пленкой. Это предотвращает проникновение элементов, ускоряющих коррозию.
Таким образом, даже если в проводящей пленке на органической пленке возникает дефект, вышеописанная структура может предотвратить коррозию или разрыв металлического проводника из-за состояния поверхности органической изолирующей пленки.
Таким образом, вышеописанная структура позволяет создать монтажную плату, которая может предотвратить коррозию металлического проводника по причине дефектов в прозрачной проводящей пленке, покрывающей торцевую поверхность органической изолирующей пленки, и которая является более совершенной по коррозионной стойкости.
Кроме того, в соответствии с вышеописанной структурой, торцевая поверхность неорганической изолирующей пленки, обращенная к области, и торцевая поверхность органической изолирующей пленки, покрывающей неорганическую пленку, находятся на расстоянии друг от друга. По этой причине, между неорганической изолирующей пленкой и органической изолирующей пленкой существует ступень. По этой причине, в вышеописанной структуре, ступень, образованная проводящей пленкой, идущей от поверхности органической изолирующей пленки внутрь области, может быть повторена более плавно. В итоге, покрытие проводящей пленки также может быть улучшено.
Кроме того, дисплейная панель в соответствии с настоящим изобретением содержит такую монтажную плату. Дисплейное устройство в соответствии с настоящим изобретением содержит такую дисплейную панель. Это позволяет создать дисплейную панель и дисплейное устройство, которые могут предотвратить коррозию металлического проводника по причине дефектов в прозрачной проводящей пленке, покрывающей торцевую поверхность органической изолирующей пленки, и которые являются более совершенными по коррозионной стойкости.
Для решения перечисленных проблем, способ изготовления подложки с межсоедиениями в соответствии с настоящим изобретением включает этап формирования металлического проводника, включающий формирование металлического проводника на изолирующей подложке; этап формирования неорганической изолирующей пленки, включающий формирование неорганической изолирующей пленки, покрывающей металлический проводник; этап формирования органической изолирующей пленки, включающий формирование органической изолирующей пленки, покрывающей неорганическую изолирующую пленку, по трафарету; этап формирования рисунка неорганической изолирующей пленки, включающий формирование рисунка неорганической изолирующей пленки с использованием органической изолирующей пленки в качестве маски и, таким образом, открывающий часть металлического проводника; и этап формирования проводящей пленки, включающий формирование проводящей пленки на органической изолирующей пленке таким образом, чтобы проводящая пленка покрывала торцевую поверхность органической изолирующей пленки и торцевую поверхность неорганической изолирующей пленки и контактировала с открытой частью металлического проводника, дополнительно, способ включает этап формирования масочного слоя на неорганической изолирующей пленке таким образом, чтобы масочный слой перекрывал металлический проводник, масочный слой действует, как маска во время формирования рисунка неорганического изоляционного слоя, этап формирования масочного слоя выполняют между этапом формирования неорганической изолирующей пленки и этапом формирования органической изолирующей пленки, путем формирования рисунка органической изолирующей пленки во время этапа формирования органической изолирующей пленки, таким образом, что торцевая поверхность органической изолирующей пленки располагается на масочном слое, и путем формирования рисунка неорганической изолирующей пленки во время этапа формирования неорганической изолирующей пленки с использованием органической изолирующей пленки и масочного слоя в качестве масок, обеспечивают расположение торцевой поверхности органической изолирующей пленки дальше от области, чем торцевая поверхность неорганической изолирующей пленки, где под областью понимается область, в которой открыт металлический проводник, а каждая из торцевых поверхностей обращена к области.
Кроме того, для решения перечисленных проблем, способ изготовления подложки с межсоедиениями в соответствии с настоящим изобретением включает этап формирования металлического проводника, включающий формирование металлического проводника на изолирующей подложке; этап формирования неорганической изолирующей пленки, включающий формирование неорганической изолирующей пленки, покрывающей металлический проводник; этап формирования органической изолирующей пленки, включающий формирование органической изолирующей пленки, покрывающей неорганическую изолирующую пленку, по трафарету; этап формирования рисунка неорганической изолирующей пленки, включающий формирование рисунка неорганической изолирующей пленки с использованием органической изолирующей пленки в качестве маски и, таким образом, открывающий часть металлического проводника; и этап формирования проводящей пленки, включающий формирование проводящей пленки на органической изолирующей пленке таким образом, чтобы проводящая пленка покрывала торцевую поверхность органической изолирующей пленки и торцевую поверхность неорганической изолирующей пленки и контактировала с открытой частью металлического проводника. Кроме того, способ включает этап частичного удаления органической изолирующей пленки, включающий травление (например, озоление или озоление с частичным открытием во время формирования органической изолирующей пленки) части органической изолирующей пленки, покрывающей неорганическую изолирующую пленку, с обеспечением, таким образом, расположения торцевой поверхности органической изолирующей пленки дальше от области, чем торцевой поверхности неорганической изолирующей пленки, под областью понимается область, в которой открыт металлический проводник, и каждая из торцевых поверхностей обращена к указанной области, а этап частичного удаления органической изолирующей пленки выполняют между этапом формирования рисунка неорганической изолирующей пленки и этапом формирования проводящей пленки.
Кроме того, для решения перечисленных проблем, способ изготовления подложки с межсоедиениями в соответствии с настоящим изобретением включает этап формирования первого металлического проводника, включающий формирование первого металлического проводника на изолирующей подложке; этап формирования первой неорганической изолирующей пленки, включающий формирование первой неорганической изолирующей пленки, покрывающей первый металлический проводник; этап формирования второго металлического проводника, включающий формирование второго металлического проводника на первой неорганической изолирующей пленке; этап формирования второй неорганической изолирующей пленки, включающий формирование второй неорганической изолирующей пленки, покрывающей второй металлический проводник; этап формирования органической изолирующей пленки, включающий формирование органической изолирующей пленки, покрывающей неорганическую изолирующую пленку, по трафарету; этап формирования рисунка неорганической изолирующей пленки, включающий формирование окна путем формирования рисунка первой и второй неорганических изолирующих пленок с использованием органической изолирующей пленки в качестве маски и, таким образом, открывающий части первого и второго металлических проводников в окне; и этап формирования проводящей пленки, включающий формирование проводящей пленки на органической изолирующей пленке таким образом, чтобы проводящая пленка покрывала торцевую поверхность органической изолирующей пленки и торцевую поверхность первой и второй неорганических изолирующих пленок и контактировала с открытыми частями первого и второго металлических проводников, дополнительно, способ включает этап частичного удаления органической изолирующей пленки, включающий травление (например, озоление или озоление с частичным открытием во время формирования органической изолирующей пленки) частей органической изолирующей пленки, покрывающих первую и вторую неорганические изолирующие пленки, и таким образом делающий торцевую поверхность органической изолирующей пленки дальше от области, чем торцевые поверхности первой и второй неорганических изолирующих пленок, под областью понимается область, где открываются первый и второй металлические проводники, каждая из торцевых поверхностей обращена к области, этап частичного удаления органической изолирующей пленки выполняют между этапом формирования рисунка неорганической изолирующей пленки и этапом формирования проводящей пленки.
Кроме того, для решения перечисленных проблем, способ изготовления подложки с межсоедиениями в соответствии с настоящим изобретением включает этап формирования первого металлического проводника, включающий формирование первого металлического проводника на изолирующей подложке; этап формирования первой неорганической изолирующей пленки, включающий формирование первой неорганической изолирующей пленки, покрывающей первый металлический проводник; этап формирования второго металлического проводника, включающий формирование второго металлического проводника на первой неорганической изолирующей пленке; этап формирования второй неорганической изолирующей пленки, включающий формирование второй неорганической изолирующей пленки, покрывающей второй металлический проводник; этап формирования органической изолирующей пленки, включающий формирование органической изолирующей пленки, покрывающей неорганическую изолирующую пленку, по трафарету; этап формирования рисунка неорганической изолирующей пленки, включающий формирование окна путем формирования рисунка первой и второй неорганических изолирующих пленок с использованием органической изолирующей пленки в качестве маски и, таким образом, открывающий части первого и второго металлических проводников в окне; и этап формирования проводящей пленки, включающий формирование проводящей пленки на органической изолирующей пленке таким образом, чтобы проводящая пленка покрывала торцевую поверхность органической изолирующей пленки и торцевую поверхность первой и второй неорганических изолирующих пленок и контактировала с открытыми частями первого и второго металлических проводников, дополнительно, способ включает этап формирования масочного слоя, включающий формирование масочного слоя на первой неорганической изолирующей пленке, таким образом, чтобы масочный слой перекрывал первый металлический проводник, масочный слой действует в качестве маски во время создания рисунка первого неорганического изолирующего слоя, этап формирования масочного слоя выполняют между этапом формирования первого металлического проводника и этапом формирования первой неорганической изолирующей пленки, путем формирования рисунка органической изолирующей пленки во время этапа формирования органической изолирующей пленки таким образом, чтобы торцевая поверхность органической изолирующей пленки располагалась на масочном слое и путем формирования рисунков первой и второй изолирующих пленок во время этапа формирования рисунка неорганической изолирующей пленки с использованием органической изолирующей пленки и масочного слоя в качестве масок, торцевую поверхность органической изолирующей пленки выполняют дальше от области, чем торцевая поверхность первой неорганической изолирующей пленки, под областью понимается область, в которой открыт первый металлический проводник, и каждая из торцевых поверхностей обращена к указанной области.
Использование любого из описанных выше способов позволяет изготовить монтажную плату, соответствующую настоящему изобретению. Следует отметить, как описано выше, что в случае, когда под областью подразумевается область соединения между первым металлическим проводниковым слоем и вторым металлическим проводниковым слоем и формируется в пределах площади, ограниченной герметиком, возникновение коррозии менее вероятно, чем в случае, когда область выполняется за пределами площади, ограниченной герметиком. По этой причине, в таком случае, как описан выше, монтажная плата может быть выполнена таким образом, что масочный слой предохраняет от коррозии только первый металлический проводниковый слой.
Преимущества изобретения
Согласно монтажной плате, способу изготовления монтажной платы, жидкокристаллической панели и дисплейного устройства, соответствующим настоящему изобретению, как описано выше, торцевая поверхность органической изолирующей пленки, которая обращена к области, где проводящая пленка нанесена непосредственно на металлический проводник без помещенных между ними неорганической изолирующей пленки и органической изолирующей пленки, формируется дальше от области, чем торцевая поверхность неорганической изолирующей пленки, обращенной к области.
По этой причине, даже если на этой части проводящей пленки, покрывающей органическую изолирующую пленку, возникает дефект, в вышеизложенной структуре сохраняется большое расстояние между дефектом и областью ниже, где неорганическая пленка контактирует с проводящей пленкой. Это предотвращает проникновение элементов, ускоряющих коррозию.
Таким образом, даже если в проводящей пленке на органической пленке возникает дефект, настоящее изобретение может предотвратить коррозию или разрыв металлического проводника из-за состояния поверхности органической изолирующей пленки.
Краткое описание чертежей
Фиг.1
На Фиг.1(а) представлен вид сверху, схематически изображающий структуру соединительной области проводника развертки на подложке активной матрицы, согласно варианту реализации настоящего изобретения, а также окружающую область, а на Фиг.1(b) представлено поперечное сечение подложки активной матрицы, сделанное по оси А-А Фиг.1(а).
Фиг.2
На Фиг.2 представлена блок-схема, изображающая структуру основной части жидкокристаллического дисплейного устройства, в соответствии с Вариантом реализации 1 настоящего изобретения.
Фиг.3
На Фиг.3 представлен вид в перспективе, схематически изображающий структуру жидкокристаллической панели в жидкокристаллическом дисплейном устройстве Фиг.2.
Фиг.4
На Фиг.4 представлен вид сверху, схематически изображающий структуру разводки основной части подложки активной матрицы в жидкокристаллической панели Фиг.3.
Фиг.5
На Фиг.5 представлено поперечное сечение контактного электрода и области вокруг, для объяснения эффекта предотвращения попадания элемента, ускоряющего коррозию, внутрь подложки активной матрицы с Фиг.1(a) и Фиг.1(b).
Фиг.6
На Фиг.6 представлен ряд поперечных сечений с (а) по (е) подложки активной матрицы с Фиг.1, поперечные сечения с (а) по (е) показывают последовательные этапы процесса, по которому изготавливается подложка активной матрицы.
Фиг.7
На Фиг.7 представлен ряд поперечных сечений с (а) по (с), показывающий последовательные этапы процесса, по которому изготавливается противоположная подложка.
Фиг.8
На Фиг.8 представлен вид сверху, изображающий структуру соединительной области проводника развертки на подложке активной матрицы, в соответствии с Вариантом реализации 2 настоящего изобретения.
Фиг.9
На Фиг.9(а) представлено поперечное сечение, изображающее другой пример структуры соединительной области проводника развертки на подложке активной матрицы, согласно Варианту реализации 3 настоящего изобретения, а на Фиг.9(b) представлено поперечное сечение подложки активной матрицы, сделанное по оси В-В Фиг.9.
Фиг.10
На Фиг.10(а) представлен вид сверху, схематически изображающий структуру соединительной области проводника развертки на подложке активной матрицы, согласно Варианту реализации 4 настоящего изобретения, а также окружающую область, а на Фиг.10(b) представлено поперечное сечение подложки активной матрицы, сделанное по оси С-С Фиг.10(a).
Фиг.11
На Фиг.11 представлен ряд поперечных сечений с (а) по (f) подложки активной матрицы, соответствующей Варианту реализации 5, настоящего изобретения, поперечные сечения с (а) по (f) показывают последовательные этапы процесса, по которому изготавливается данная подложка активной матрицы.
Фиг.12
На Фиг.12 представлен вид сверху, изображающий структуру соединительной области проводника развертки на подложке активной матрицы, в соответствии с Вариантом реализации 6 настоящего изобретения.
Фиг.13
На Фиг.13 представлено поперечное сечение подложки активной матрицы, сделанное по оси D-D с Фиг.12.
Фиг.14
На Фиг.14 представлен вид сверху, изображающий структуру соединительной области проводника развертки на подложке активной матрицы, в соответствии с Вариантом реализации 7 настоящего изобретения.
Фиг.15
На Фиг.15(а) представлено поперечное сечение подложки 20 активной матрицы, сделанное по оси Е-Е с Фиг.14, а на Фиг.15(b) представлено поперечное сечение подложки активной матрицы, сделанное по оси F-F с Фиг.14.
Фиг.16
На Фиг.16 представлен ряд поперечных сечений с (а) по (f) подложки 20 активной матрицы, соответствующей Варианту реализации 7, настоящего изобретения, поперечные сечения с (а) по (f) показывают последовательные этапы процесса, по которому изготавливается данная подложка 20 активной матрицы.
Фиг.17
На Фиг.17 представлен ряд поперечных сечений с (а) по (f) подложки активной матрицы, соответствующей Варианту реализации 8, настоящего изобретения, поперечные сечения с (а) по (f) показывают последовательные этапы процесса, по которому изготавливается данная подложка активной матрицы.
Фиг.18
На Фиг.18 представлен ряд поперечных сечений с (а) по (f) подложки активной матрицы, соответствующей Варианту реализации 9, настоящего изобретения, поперечные сечения с (а) по (f) показывают последовательные этапы процесса по которому изготавливается данная подложка активной матрицы.
Фиг.19
На Фиг.19 приведено поперечное сечение, схематично показывающее структуру соединительной области на сравнительной подложке активной матрицы и окружающую область.
Фиг.20
На Фиг.20 представлено поперечное сечение контактного электрода и области вокруг, поперечное сечение показывает путь попадания элемента, ускоряющего коррозию, внутрь сравнительной подложки активной матрицы с Фиг.19.
Фиг.21
На Фиг.21 приведено поперечное сечение, показывающее структуру соединительной области на подложке активной матрицы, описанную в Патентном источнике 1.
Фиг.22
На Фиг.22 приведено поперечное сечение, показывающее структуру соединительной области на подложке активной матрицы, описанную в Патентном источнике 2.
Описание вариантов реализации
[Вариант реализации 1]
Ниже описывается вариант реализации настоящего изобретения, главным образом, со ссылками с Фиг.1(а)-(b) по Фиг.7(а)-(b), Фиг.19 и Фиг.20.
На Фиг.2 представлена блок-схема, схематически изображающая структуру основной части жидкокристаллического дисплейного устройства, в соответствии с настоящим вариантом реализации.
Как показано на Фиг.2, жидкокристаллическое дисплейное устройство 1 в соответствии с настоящим вариантом реализации содержит жидкокристаллическую панель 2 (дисплейную панель), на которой пиксели 10 расположены в виде матрицы; схему формирователя, которая запускает жидкокристаллическую панель 2; управляющую схему контроля, которая осуществляет управление формирователем, при необходимости, устройство подсветки (не показано) и др.
Жидкокристаллическая панель 2 снабжается проводниками 22 развертки и сигнальными проводниками 27, каждый из которых пересекается с каждым из проводников 22 развертки и содержит пиксель 10 (пиксельную часть), имеющейся для каждого сочетания проводника 22 развертки и сигнального проводника 27. Кроме того, жидкокристаллическая панель 2 имеет проводники 23 вспомогательного конденсатора, выполняемого, при необходимости, в том же слое, что и проводники 22 развертки, таким образом, чтобы проходить главным образом параллельно проводникам 22 развертки через пиксели 10.
Дополнительно, формирователь содержит формирователь 4 для проводников развертки, который управляет проводниками 22 развертки в жидкокристаллической панели 2; формирователь 5 для сигнальных проводников, который управляет сигнальными проводниками 27 в жидкокристаллической панели 2, и, при необходимости, формирователь 6 для проводников вспомогательного конденсатора, который управляет проводниками 23 вспомогательного конденсатора в жидкокристаллической панели 2. Формирователь 4 для проводников развертки, формирователь 5 для сигнальных проводников и формирователь 6 для проводников вспомогательного конденсатора подключены к проводникам 22 развертки, сигнальным проводникам 27 и проводникам 23 вспомогательного конденсатора соответственно таким образом, чтобы иметь возможность независимо подавать внешние потенциалы на эти металлические проводники. Каждый из этих формирователей подключен к схеме 3 управления и управляется управляющими сигналами и видео сигналами, подаваемыми со схемы 3 управления.
На Фиг.3 представлен вид в перспективе, схематически показывающий структуру жидкокристаллической панели в жидкокристаллическом дисплейном устройстве Фиг.2.
Как показано на Фиг.3, жидкокристаллическая панель 2 содержит подложку 20 активной матрицы (подложку-основу, монтажную плату), на которой располагаются управляющие элементы (элементы переключения; не показано); противоположную подложку 80; и жидкокристаллический слой 92 (см. Фиг.1(b)), располагающийся между подложкой 20 активной матрицы и противоположной подложкой 80. Дополнительно, при необходимости, на поверхностях, противоположных тем поверхностям подложки 20 активной матрицы и противоположной подложки 80, которые обращены друг к другу, располагаются волновая пластина и поляризатор (оба не показаны).
Как показано на Фиг.3, подложка 20 активной матрицы по площади больше, чем противоположная подложка 80. Подложка 20 активной матрицы и противоположная подложка 80 соединяются друг с другом с помощью герметика 91, располагающегося вдоль кромки противоположной подложки 80.
Жидкокристаллический слой 92 состоит из жидкокристаллического материала, запечатанного в пространстве, окруженном герметиком 91 (т.е. во внутренней части ячейки, окруженной герметиком 91 и формируемой подложкой 20 активной матицы и противоположной подложкой 80).
Подложка 20 активной матрицы содержит отображающую область 41, которая отображает изображение, видимое зрителем; и неотображающую область 42, расположенную вне отображающей области, где изображение невидимо зрителем.
Отображающая область 41 - это область, окруженная герметиком 91, где подложка 20 активной матрицы и противоположная подложка 80 обращены друг к другу, а между ними помещается жидкокристаллический слой 92. Таким образом, неотображающая область 42 состоит из уплотняющей детали 43, где располагается герметик 91, и соединительной области 44 (внешней пограничной области), расположенной вне уплотняющей детали 43.
На подложке 20 активной матрицы по внешней части существует область, которая выходит за край противоположной подложки 80. В данной области располагается соединительная область 44, содержащая (i) выводящие проводники, идущие изнутри (отображающая область 41) ячейки, которые отходят от металлических проводников, таких как проводники 22 развертки и сигнальные проводники 27, и (ii) контактные области (см. Фиг.4) выводящих проводников.
Каждый из контактных электродов соединительной области 44 имеет электрическое соединение через анизотропную проводящую пленку или подобную к внешнему устройству или, конкретно, к интегральной схеме формирователя, такой как схема 4 формирователя проводников развертки или схема 5 формирователя сигнальных проводников, БИС (большой интегральной схеме) формирователя или выходному выводу шины на гибкой монтажной плате (гибкой печатной плате: FPC), такой как TCP или COF (кристалл на ленточном носителе), на которую устанавливается такая схема формирователя.
На Фиг.4 приведен вид сверху, показывающий структуру разводки основной части подложки 20 активной матрицы в жидкокристаллической панели по Фиг.3. Настоящий вариант реализации описывается, принимая в качестве примера случай, когда использованная подложка 20 активной матрицы - это подложка с тонкопленочными транзисторами, использующая в качестве управляющих элементов тонкопленочные транзисторы.
Как показано на Фиг.4, на подложке 20 активной матрицы имеются проводники 22 развертки и сигнальные проводники 27, расположенные внутри ячейки, окруженной герметиком 91, таким образом, что они пересекаются друг с другом. Рядом с каждым пересечением между проводниками 22 развертки и сигнальными проводниками располагается пиксель 10 (пиксельная часть), имеющий тонкопленочный транзистор 11, в качестве управляющего элемента (элемента переключения). Каждый пиксель 10 снабжается пиксельным электродом 30.
У каждого из тонкопленочных транзисторов 11 есть свой электрод 12 развертки, подключенный к проводнику 22 развертки, сигнальный электрод 13, подключенный к сигнальному проводнику 27, и электрод стока, электрически соединенный с пиксельным электродом 30 через проводник 15 стока, в соответствии с чем, когда выбирается проводник 22 развертки, тонкопленочный транзистор 11 в каждом пикселе 10 становится проводящим, так что напряжение сигнала, определяемое на основе сигнала данных отображения, подаваемого со схемы 3 управления, прикладывается формирователем 5 для сигнальных проводников к жидкокристаллической панели 2 через сигнальный проводник 27. В идеале, жидкокристаллическая панель 2 сохраняет напряжение отсечки в то время, как тонкопленочный транзистор 11 закрывается после окончания периода выбора проводников 22 развертки.
Кроме того, как упоминалось выше, жидкокристаллическая панель 2 имеет проводники 23 вспомогательного конденсатора, располагающиеся в том же слое, что и проводники 22 развертки, таким образом, чтобы проходить главным образом параллельно проводникам 22 развертки через пиксели 10.
На каждом из проводников 23 вспомогательного конденсатора, каждый пиксель 10 снабжается промежуточным электродом 16, проходящим от проводников 15 стока, в том же слое, что и электрод 14 стока, через изолирующую пленку 24 затвора (не показано; см. Фиг.6(е)).
Промежуточный электрод 16 электрически соединен с пиксельным электродом 30 через контактное окно 17. Электрод 23 вспомогательного конденсатора и промежуточный электрод 16 действуют, как электроды для вспомогательного конденсатора, который формируется в каждом пикселе 10. Согласно настоящему варианту реализации, вспомогательный конденсатор, формируемый между электродом 23 вспомогательного конденсатора и промежуточным электродом 16, позволяет стабилизировать потенциал пикселя. Тем не менее, электрод 23 вспомогательного конденсатора и промежуточный электрод 16 могут быть сформированы при необходимости и не являются необходимыми.
В соединительной области 40 на подложке 20 активной матрицы, как показано на Фиг.4, располагаются соединительная область 50 проводников развертки, соединительная область 60 сигнальных проводников, область 70 соединения проводников, и, при необходимости, соединительная область вспомогательных проводников, и т.д. (не показано).
Соединительная область 50 проводников развертки содержит (i) выводы 51 развертки (контактные электроды), через которые проводники 22 развертки получают внешние сигналы, соответственно, и (ii) выводящие проводники, идущие от проводников 22 развертки, соответственно. Соединительная область 60 сигнального проводника содержит (i) сигнальные выводы 61 (контактные электроды), через которые сигнальные проводники 27 получают внешние сигналы, соответственно, и (ii) выводящие проводники, идущие от сигнальных проводников 27 (соединительные проводники 62 подключены к сигнальным проводникам 27), соответственно. Область 70 соединения проводников используется для электрического соединения первого проводникового слоя (металлического слоя затвора), в котором располагаются проводники 22 развертки, и второго проводникового слоя (металлического слоя истока), в котором располагаются сигнальные проводники 27. Кроме того, соединительная область проводников вспомогательного конденсатора (не показана) содержит сигнальные выводы (контактные электроды), через которые проводники 23 вспомогательного конденсатора получают внешние сигналы, соответственно.
Далее, слои, составляющие подложку 20 активной матрицы, описываются ниже со ссылкой на Фиг.6(е).
Следует отметить, что следующее описание дается, принимая многослойную структуру в соединительной области 50 проводников развертки, в качестве примера многослойной структуры соединительной области 44.
Тем не менее, многослойная структура в соединительной области 60 сигнального проводника по структуре аналогична многослойной структуре в соединительной области 50 проводников развертки, до тех пор, пока описываются многослойные структуры. То есть, как показано на Фиг.4, сигнальные проводники 27 электрически соединены через контактные окна 71, расположенные в соединительной области 70 проводников с соединительными проводниками 62, расположенными в том же слое, что и проводники 22 развертки.
По этой причине, как описано выше, контактные области сигнальных проводников 27 изменяют подключения (изменяя слои) с металлического слоя истока на металлический слой затвора в соединительной области 70 проводников, в связи с этим, они формируются в том же слое, что и проводники 22 развертки. В соединительной области 60 сигнального проводника, соединительные проводники 62, формируемые в том же слое, что и проводники 22 развертки, выполняются вместо выводящих проводников, отходя от проводников 22 развертки.
Следует отметить, что, как описано выше, область 70 соединения проводников может располагаться внутри или вне области, окруженной герметиком 91 (внутри или вне ячейки).
На Фиг.6 представлен ряд поперечных сечений с (а) по (е) подложки 20 активной матрицы, поперечные сечения с (а) по (е) показывают последовательные этапы процесса, по которому изготавливается подложка 20 активной матрицы. Следует отметить, что каждая из Фиг.6(а)-(е), поперечное сечение соединительной области 50 проводников развертки и поперечное сечение области возле тонкопленочного транзистора 11 в каждом пикселе 10, сопоставляются, как поперечные сечения неотображающей области 42 и отображающей области 41 подложки 20 активной матрицы в конце соответствующего этапа.
Как показано на Фиг.6(е), подложка 20 активной матрицы, согласной настоящему варианту реализации содержит стеклянную подложку 21, в качестве прозрачной изолирующей подложки (подложки основы, средства вмещения проводников).
Следует отметить, что в качестве изолирующей подложки не обязательно должна использоваться стеклянная подложка, а может, например, использоваться пластиковая или другая подобная подложка. Кроме того, изолирующая подложка не обязательно должна быть прозрачной, а необходимо только, чтобы по меньшей мере прозрачностью обладала либо подложка 20 активной матрицы, либо противоположная подложка 80. Изолирующая подложка (подложка основы) не имеет особых ограничений, учитывая, что на ней могут быть вмещены средства отображения, такие как жидкие кристаллы и проводники.
Во-первых, описывается многослойная структура отображающей области 41 подложки 20 активной матрицы.
На подложке 20 активной матрицы имеется отображающая область 41, выполненная таким образом, что тонкопленочным транзистором 11, служащим в качестве управляющего элемента, снабжается каждый пиксель 10 на стеклянной подложке 21. В частности, первый металлический проводниковый слой (металлический слой затвора), изолирующая пленка 24 затвора, слой 25 канала (полупроводниковый слой), слой 26 электродных контактов (полупроводниковый слой), второй металлический проводниковый слой (металлический слой истока), защитная пленка 28 (пленка пассивирования), межслойная изолирующая пленка 29 и пиксельный электрод 30 располагаются в названном порядке над стеклянной подложкой 21. Дополнительно, на подложке 20 активной матрицы располагается упорядочивающая пленка (не показано), при необходимости, на пиксельном электроде 30.
Первый металлический проводниковый слой составляют электроды 12 развертки (например, верхний электрод развертки 12b/нижний электрод развертки 12а), проводник 22 развертки (например, верхний проводник 22b развертки/нижний проводник 22а развертки), проводник 23 вспомогательного конденсатора (см. Фиг.4, например, верхний проводник вспомогательного конденсатора/нижний проводник вспомогательного конденсатора), соединительный проводник 62 (см. Фиг.4, например, верхний соединительный проводник/нижний соединительный проводник), и т.д. Затем, второй металлический проводниковый слой составляют сигнальные электроды 13 (например, верхний сигнальный электрод 13b/нижний сигнальный электрод 13а), электроды 14 стока (например, верхний электрод стока 14b/нижний электрод стока 14а), (сигнальные проводники 27 (см. Фиг.4, например, верхний сигнальный проводник/нижний сигнальный проводник), промежуточный электрод 16 (см. Фиг.4 например, верхний промежуточный электрод/нижний промежуточный электрод), и т.д.
Как показано на Фиг.6(е) тонкопленочный транзистор 11 выполнен таким образом, что электрод 12 развертки, изолирующая пленка 24 затвора, слой 25 канала, слой 26 электродных контактов, сигнальный электрод 13 и электрод стока 14 наносятся слоями в названном порядке. Дополнительно, поверхности тонкопленочного транзистора 11 и второго металлического проводникового слоя защищены защитной пленкой 28, как описано выше, так что металлические пленки не имеют возможности оторваться.
Далее описывается многослойная структура соединительной области 50 проводников развертки на подложке 20 активной матрицы.
В соединительной области 50 проводников развертки, как показано на Фиг.6(е), проводник 22 развертки, соединяющийся с электродом 12 развертки (отображающим электродом), выполняют, как выводящий проводник, проходящий изнутри (отображающей области 21) ячейки.
На проводник 22 развертки в соединительной области 50 проводников развертки, в названном порядке слоями наносятся: изолирующая пленка 24 затвора, первый полупроводниковый слой 31, защитная пленка 28, межслойная изолирующая пленка 29 и прозрачный электрод 33. Дополнительно, путем нанесения прозрачного электрода 33 непосредственно на проводник 22 развертки, конец проводников 22 развертки снабжается контактной областью 55.
Как описано выше, проводник 22 развертки, изолирующая пленка 24 затвора и межслойная изолирующая пленка 29, расположенные в области пикселя, проходят в соединительную область 50 проводников развертки. В соединительной области 60 сигнального проводника, сигнальные проводники 27, изолирующая пленка 24 затвора и межслойная изолирующая пленка 29, расположенные в области пикселя, проходят в соединительную область 60 сигнального проводника. Первый металлический проводниковый слой, изолирующая пленка 24 затвора, межслойная изолирующая пленка 29 используются и в отображающей области 41 и в неотображающей области 42 (соединительной области 44).
Кроме того, как показано на Фиг.6(е), первый полупроводниковый слой 31 формируется в том же слое, что и слой канала 25. То есть, первый полупроводниковый слой 31 может быть сформирован из того же материала и в то же время, что и слой канала 25.
Кроме того, как показано на Фиг.6(е), пиксельный электрод 30 и прозрачный электрод 33, формируемые на межслойной изолирующей пленке 29, формируются в одном и том же слое. То есть пиксельный электрод 30 и прозрачный электрод 33 могут быть сформированы из одного материала и в одно время.
Предпочтительно, чтобы первый металлический проводниковый слой и второй металлический проводниковый слой были представлены металлическими пленками с малым сопротивлением. В частности, в последние годы наблюдается устойчивая потребность в том, чтобы металлические проводники имели меньшее сопротивление, в виду того, что стали изготавливаться дисплейные устройства с большим разрешением и большим размером экрана.
По этой причине, первый металлический проводниковый слой и второй металлический проводниковый слой, которые надлежит изготавливать из металлов, изготавливаются, например, из металлов с низким сопротивлением, таких как Al (алюминий) и Cu (медь), или их сплавов (например, сплава меди; в дальнейшем подобные металлы и сплавы с низким сопротивлением будут совместно называться "металлы с низким сопротивлением").
Первый металлический проводниковый слой и второй металлический проводниковый слой могут каждый иметь однослойную или многослойную структуру, такую как двухслойная структура или трехслойная структура. Когда первый металлический проводниковый слой и второй металлический проводниковый слой имеют такие многослойные структуры, первый металлический проводниковый слой и второй металлический проводниковый слой обретают преимущества, заключающиеся в том, что разрыв проводника становится менее вероятным, нежели когда первый металлический проводниковый слой и второй металлический проводниковый слой имеют однослойную структуру.
Когда первый металлический проводниковый слой и второй металлический проводниковый слой имеют такие многослойные структуры, предпочтительно, чтобы верхний слой первого металлического проводникового слоя и второго металлического проводникового слоя был изготовлен из такого металла с низким сопротивлением, как те, что были названы выше.
С другой стороны, нижние слои первого металлического проводникового слоя и второго металлического проводникового слоя могут быть изготовлены, но без особых ограничений, из Cr (хрома), Ti (титана), Та (тантала), Мо (молибдена) или, например, их сплавов (например, сплав Мо-Ti).
Путем создания, например, нижнего металлического проводникового слоя, изготовленного из Ti, под верхним металлическим проводниковым слоем, изготовленным из Cu, как будет описано ниже, первый металлический проводниковый слой может быть приведен в достаточно близкий контакт со стеклянной подложкой 21.
x
2
Дополнительно, в качестве изолирующей пленки 24 затвора и защитной пленки 28 могут быть использованы неорганические изолирующие пленки, состоящие из SiN (нитрида кремния), SiO оксида кремния). Каждая из этих изолирующих пленок также может иметь однослойную структуру или многослойную структуру.
Кроме того, как будет описано ниже, пригодным к использованию примером материала (полупроводникового материала), из которого выполняют слой 25 канала и первый полупроводниковый слой 31, является аморфный кремний. Тем не менее, слой 25 канала и первый полупроводниковый слой 31 не ограничиваются таким материалом и могут, например, быть изготовлены из IGZO (In, Ga, Zn, О) - оксида, содержащего In (индий), Ga (галлий), и цинк (Zn), или оксидированного полупроводника, такого как ZnO (оксид цинка).
Кроме того, как будет описано ниже, пригодным к использованию примером слоя 26 электродных контактов и второго полупроводникового слоя 32, описанным ниже (см. Фиг.6(b)), является слой n+ аморфного кремния, получаемый путем сильного легирования аморфного кремния примесями n-типа. Однако слой 26 электродных контактов и второй полупроводниковый слой 32 не ограничиваются таким слоем, и, например, каждый из них может быть полупроводниковым слоем, полученным путем легирования примесями любого полупроводникового материала, названного выше.
Кроме того, используемая межслойная изолирующая пленка 29 является органической изолирующей пленкой, состоящей из акриловой смолы или ей подобного.
Кроме того, пригодным к использованию примером пиксельного электрода 30 и прозрачного электрода 33 является прозрачная проводящая пленка, состоящая из ITO (оксида индия и олова), IZO (оксида индия и цинка) и т.п.
Следует отметить, что способ формирования (способ нанесения) каждого из слоев особо не ограничивается, и для этого могут быть использованы различные обыкновенные общеизвестные способы.
Подложка 20 активной матрицы соединяется с противоположной подложкой 80 областями, отличными от контактных областей 55 проводников 22 развертки и контактных областей (не показано) сигнальных проводников 27. Между выводами 51 развертки, и сигнальными выводами 61 и противоположной подложкой располагается поле для соединения противоположной подложки 80 с внешними устройствами через выводящие проводники.
Эти выводы 51 развертки и сигнальные выводы 61 используются, как контактные области для внешних устройств (в частности, ИС формирователей, БИС формирователей, и внешних линий, таких как гибкая печатная плата). Например, подключая эти выводы 51 развертки и сигнальные выводы 61 к выводам ленты TAB (к автоматизированной сборке кристаллов на ленточном носителе), служащей корпусом БИС формирователя, подключенной к гибкой печатной плате, можно изготовить жидкокристаллическое дисплейное устройство, управляемое с помощью БИС формирователя.
Далее со ссылками на Фиг.1(а) и Фиг.1(b) подробно описывается структура контактной области 50 проводников развертки, структура контактной области 60 сигнального проводника и структура контактной области проводников вспомогательного конденсатора (не показано), с взятой в качестве примера контактной области, используемой для соединения с внешними устройствами, контактной областью 50 проводников развертки соединительной области 44.
Следует отметить, что следующее описание дается, принимая соединительную область 50 проводников развертки, соединительной области 44, в качестве примера соединительной области, используемого для подключения внешних устройств.
Однако, как упомянуто выше, контактные области сигнальных проводников 27 изменяют подключения (изменяя слои) с металлического слоя истока на металлический слой затвора в соединительной области 70 проводников, в связи с этим, они формируются в том же слое, что и проводники 22 развертки. Таким же образом, соединительная область вспомогательного конденсатора также имеет свои выводящие проводники, формируемые в металлическом слое затвора. По этой причине, соединительная область 50 проводников развертки, соединительная область 60 сигнального проводника и соединительная область проводников вспомогательного конденсатора отличаются только наименованием проводников и идентичны друг другу по структуре.
По этой причине, например, соединительная область 50 проводников развертки, проводники 22 развертки, выводы 51 развертки и электроды 12 могут рассматриваться, как соединительная область 60 сигнального проводника, соединительные проводники 62, сигнальные выводы 61 и сигнальные электроды 13 соответственно. Кроме того, в соединительной области проводников также возможно подобное понимание, лишь с изменением наименований металлических слоев (проводников).
На Фиг.1(а) представлен вид сверху, схематически изображающий структуру соединительной области проводников 50 развертки на подложке 20 активной матрицы, а также окружающую область, а на Фиг.1(b) представлено поперечное сечение подложки 20 активной матрицы, сделанное по оси А-А Фиг.1(а).
Как упомянуто выше, в контактной области 50 проводников развертки, проводники 22 развертки выполняются, как выводящие проводники, идущие из ячейки, окруженной герметиком 91.
Как показано на Фиг.1(b), каждый из проводников 22 развертки выполнен так, что его верхний проводник 22b развертки располагается на его нижнем проводнике 22а развертки. Однако, как уже объяснялось, проводник 22 развертки не ограничен подобной конфигурацией.
Как показано на Фиг.1(а) и Фиг.1(b), проводник 22 развертки полностью накрыт изолирующей пленкой 24 затвора и межслойной изолирующей пленкой 29, расположенной над изолирующей пленкой 24 затвора, за исключением контактной области 55, где прозрачный электрод 33 (проводящая пленка) нанесен непосредственно на проводник 22 развертки. Контактная область 55 не снабжается межслойной изолирующей пленкой 29 и изолирующей пленкой затвора.
В области между контактной областью 55 и герметиком 91 сформирован первый полупроводниковый слой 31 полупроводниковый слой, составляемый тем же полупроводниковым слоем, что и полупроводниковый слой (слой канала 25) в каждом тонкопленочном транзисторе (то есть полупроводниковый слой, сформированный из того же материала, в то же время, в том же слое, что и слой канала 25).
Как показано на Фиг.1(а), первый полупроводниковый слой 31 имеет большую ширину линии, чем проводник 22 развертки и прозрачный электрод 33, таким образом, чтобы пересекать проводник 22 развертки и прозрачный электрод 33. Следует отметить, что прозрачный электрод 33 имеет большую ширину линии, чем проводник 22 развертки.
Хотя первый полупроводниковый слой 31, таким образом, имеет большую ширину линии, чем проводник 22 развертки и прозрачный электрод 33, первый полупроводниковый слой 31 уже, чем расстояние (шаг разводки) между проводником 22 развертки и расположенным рядом с ней проводником 22 развертки, так чтобы не соединяться с первым полупроводниковым слоем, расположенным над расположенным рядом проводником 22 развертки.
Первый полупроводниковый слой 31 - это масочный слой, который работает, как маска для создания рисунка (или, в частности, сухого травления) изолирующей пленки 24 затвора.
По этой причине, как показано на Фиг.1(a) и Фиг.1(b), первый полупроводниковый слой 31 выполняется на изолирующей пленке 24 затвора таким образом, чтобы располагаться на торце изолирующей пленки 24 затвора, который обращен к контактной области 55 так, чтобы его торцевая поверхность 31а соприкасалась с торцевой поверхностью 24а изолирующей пленки 24 затвора, которая контактирует с первым полупроводниковым слоем 31.
Термин "торцевая поверхность" в настоящем варианте реализации обозначает торцевую поверхность, обращенную к области (контактной области 55), где прозрачный электрод 33 нанесен непосредственно на проводник 22 развертки, если не указано иное.
Кроме того, торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 формируется таким образом, чтобы перекрывать первый полупроводниковый слой 31.
По этой причине, первый полупроводниковый слой 31 выполняется на изолирующей пленке 24 затвора таким образом, чтобы располагаться на наплыве торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29, так, чтобы наплыв пересекался первым полупроводниковым слоем 31. По этой причине первый полупроводниковый слой 31 покрывает место над тем местом, где проводник 22 развертки пересекается наплывом.
Межслойная изолирующая пленка 29 действует, как маска для создания рисунка (или, в частности, сухого травления) изолирующей пленки 24 затвора и защитной пленки 28 над проводником 22 развертки. По этой причине, торцевая поверхность 28а защитной пленки 28, формируется таким образом, чтобы соприкасаться с торцевой поверхностью 29а межслойной изолирующей пленки 29.
Дополнительно, в области, где существует первый полупроводниковый слой 31, торцевая поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора соприкасается с торцевой поверхностью 31а первого полупроводникового слоя 31. С другой стороны, в области, где нет первого полупроводникового слоя 31, торцевая поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора соприкасается с торцевой поверхностью 29а межслойной изолирующей пленки 29, как показано на Фиг.1(a).
По этой причине, как показано на Фиг.1(a) и Фиг.1(b), в области, где существует первый полупроводниковый слой 31, часть первого полупроводникового слоя 31 и часть изолирующей пленки 24 затвора идут от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 к контактной области 55. То есть часть первого полупроводникового слоя 31 и часть изолирующей пленки 24 затвора выходят дальше, чем торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 к контактной области 55.
Таким образом, торцевая поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора, которая обращена к контактной области 55, располагается ближе к контактной области 55, чем торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29, обращенная к контактной области 55. Другими словами, торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29, обращенная к контактной области 55, располагается дальше от контактной области 55, чем торцевая поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора, обращенная к контактной области 55.
Таким образом, те части первого полупроводникового слоя 31 и изолирующей пленки 24 затвора, которые проходят от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 до контактной области 55, также выполняют функцию отделяющих стенок (отделяющих слоев), которые отделяют проводник 22 развертки (или, в частности, контактную область 55), которая является металлическим проводниковым слоем от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 и от той части прозрачного электрода 33, которая находится на торцевой поверхности 29а.
Прозрачный электрод 33 подходит на контактную область 55 таким образом, чтобы накрывать верхнюю поверхность межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 28а защитной пленки 28, верхнюю поверхность первого полупроводникового слоя 31, торцевую поверхность 31а первого полупроводникового слоя 31 и торцевую поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора. Эта часть прозрачного электрода 33 контактной области 55, которая покрывает проводник 22 развертки используется, как контакт 51 развертки (контактный электрод), который подключен к внешнему устройству через анизотропную проводящую пленку 93 (адгезивный слой).
Как показано на Фиг.1(a), прозрачный электрод 33 проходит на контактную область 55 вдоль проводников 22 развертки, идущей из ячейки, таким образом, чтобы полностью покрывать проводник 22 развертки, которая служит выводящим проводником.
На соединительной области 50 проводников развертки устанавливается внешнее устройство, такое как периферийная ИС, используя в качестве контактного вывода контакт 51 развертки, составленный прозрачным электродом 33, покрывающим контактную область 55 проводников 22 развертки.
Как показано на Фиг.1(a), контакт 51 развертки соединен с помощью напрессовывания с периферической ИС или с подобной через ACF 93, так что напряжение, прикладываемое с периферийной ИС или подобной подается на электрод 12 развертки через проводник 22 развертки.
Далее объясняется эффект предотвращения попадания компонента, ускоряющего коррозию внутрь подложки 20 активной матрицы, со ссылками на Фиг.5, 19 и 20.
Нужно отметить, что следующее описание дается, принимая соединительную область 50 проводников развертки в качестве примера, однако, соединительная область 50 проводников развертки, проводники 22 развертки, выводы 51 развертки и электроды 12 развертки могут рассматриваться, как соединительная область 60 сигнального проводника, соединительные проводники 62, сигнальные выводы 61 и сигнальные электроды 13 соответственно.
На Фиг.5 представлено поперечное сечение контактного электрода 51 и области вокруг, для объяснения эффекта предотвращения попадания элемента, ускоряющего коррозию, внутрь подложки 20 активной матрицы с Фиг.1(a) и Фиг.1(b).
Далее на Фиг.19 приведено поперечное сечение, схематично показывающее структуру соединительной области на сравнительной подложке активной матрицы и окружающую область. Далее, на Фиг.20 представлено поперечное сечение контактного электрода и области вокруг, поперечное сечение показывает путь попадания элемента, ускоряющего коррозию, внутрь сравнительной подложки активной матрицы с Фиг.19.
Как показано на Фиг.19, проводники развертки сравнительной подложки 510 активной матрицы выполнены таким образом, чтобы проводник 502 развертки, изолирующий слой 503 затвора, защитная пленка 504, межслойная изолирующая пленка 505 и прозрачный электрод 506 наносились в указанном порядке на стеклянную подложку 501. Проводник 502 развертки, выходящий из ячейки, имеет на своем конце контактную область 550, получаемую путем нанесения прозрачного электрода 506 непосредственно на проводник 502 развертки.
В Патентном источнике 1, как было показано на Фиг.21, межслойная изолирующая пленка 303 располагается и в месте, где крепится ACF 310, и в окружающей области.
Однако, как и подложка 20 активной матрицы с Фиг.1(a) и Фиг.1(b), сравнительная подложка 510 активной матрицы с Фиг.19 не имеет межслойной изолирующей пленки 505, защитной пленки 504 или изолирующей пленки 503 затвора, расположенных в месте (контакт 540 развертки), к которому крепится ACF или в окружающей области, кои место и окружающая область служат контактной областью 550.
Как и межслойная изолирующая пленка, которая является выравнивающей пленкой, органическая изолирующая пленка, чья толщина может быть легко увеличена, используется для того, чтобы компенсировать неравномерность, появляющуюся из-за разводки. Однако органические изолирующие пленки в общем более восприимчивы к механическим нагрузкам и температурным нагрузкам и, таким образом, более подвержены появлению трещин, нежели неорганические изолирующие пленки.
Подложка активной матрицы имеет соединительные области (контактные электроды), к которым через ACF подключаются внешнее устройство, такое как схема формирователя (периферийная ИС). По этой причине, область подложки активной матрицы, которая выходит за пределы противоположной подложки, восприимчива к нагрузкам во время этапа установки внешнего устройства на соединительные области, разделения подложки (скрайбирования) и т.п.
По этой причине предпочтительно, чтобы в соединительных областях (или, в частности, в местах, к которым крепится ACF и окружающим их областям) подложки активной матрицы не находилась межслойная изолирующая пленка (выравнивающая пленка).
Кроме того, поскольку ACF служит для осуществления электрического соединения между внешним устройством и каждым контактным электродом через проводящие частицы, большой неравномерный переход между контактным электродом в месте, к которому крепится ACF, и другими частями уменьшает вероятность осуществления контакта посредством проводящих частиц с контактным электродом, чем увеличивает вероятность дефекта электрического соединения. По этой причине предпочтительно, чтобы в соединительных областях (или, в частности, в местах, к которым крепится ACF и окружающим их областям) подложки активной матрицы не находилась органическая межслойная изолирующая пленка (выравнивающая пленка), имеющая большую толщину.
По этой причине, межслойная изолирующая пленка подложки активной матрицы формируется в контактных областях по рисунку таким образом, чтобы не накрывать эти контактные области. По этой причине, в соединительной области на подложке активной матрицы, нижние слои, т.е. защитная пленка и изолирующая пленка затвора удаляются травлением (сухим травлением), с использованием межслойной изолирующей пленки в качестве маски, таким образом, чтобы металлические проводники открывались в контактных областях.
В скомпонованной таким образом подложке активной матрицы адгезия между прозрачной проводящей пленкой, такой как пленка ITO, используемой в качестве контактных областей, и поверхностями проводников развертки является достаточной, и прозрачная проводящая пленка формируется достаточно плотной.
По этой причине, в подложках 20 и 510 активной матрицы, скомпонованных таким образом, начало коррозии на контактных областях 55 и 550 маловероятно, и развитие коррозии на контактных областях 55 и 550 так же маловероятно.
Однако, в любом случае до напыления прозрачных электродов 33 и 506, покрывающих межслойные изолирующие пленки 29 и 505, необходимо удалить межслойные изолирующие пленки 29 и 505, защитные пленки 28 и 504 и изолирующие пленки 24 и 503 затворов с контактных областей 55 и 505, как описано выше. Когда это сделано, путем выполнения этапа сухого травления изолирующих пленок 24 и 503 и защитных пленок 28 и 504, с использованием структурированных межслойных изолирующих пленок 29 и 505, в качестве масок, поверхности межслойных изолирующих пленок 29 и 505 повреждаются до того, как напыляются прозрачные электроды 33 и 506.
В итоге, межслойные изолирующие пленки 29 и 505 становятся крайне шероховатыми по поверхности (например, имеют неравномерности по уровню от 20 нм до 50 нм), так что части прозрачных электродов 33 и 506, которые контактируют с межслойными изолирующими пленками 29 и 505, формируются неплотно. Это может привести к образованию дефектов 33а и 506а в этих частях прозрачных электродов 33 и 506, как показано на фиг.5 и 20.
В подложках активной матрицы с Фиг.19 и 20, сухое травление изолирующей пленки 503 затвора и защитной пленки 504 с использованием структурированной межслойной изолирующей пленки 505 в качестве маски позволяет торцевой поверхности 505а межслойной изолирующей пленки 505, торцевой поверхности 503а изолирующей пленки 503 затвора, контактирующей с проводником затвора 502, и торцевой поверхности 504а защитной пленки 504, которая лежит между межслойной изолирующей пленкой 505 и изолирующей пленкой 503 затвора, объединиться вместе друг за другом.
По этой причине, наличие дефекта 506а в прозрачном электроде 560 (или, в частности, в части, которая контактирует с торцовой поверхностью 505а межслойной изолирующей пленки 505) делает возможным проникновение компонента, ускоряющего коррозию, такого как влага, из дефекта 506а через торцевую поверхность 505а межслойной изолирующей пленки 505, торцевую поверхность 504а защитной пленки 504 и торцевую поверхность 503а изолирующей пленки 503 затвора, и в дальнейшем может сделать возможным проникновение компонента, ускоряющего коррозию к проводнику 22 развертки, который контактирует с торцевой поверхностью 503а, как показано на Фиг.20.
По этой причине использование для проводников материала с малым сопротивлением, такого как Сu, для проводников 502 развертки в подложке 510 активной матрицы с фиг.19 и 20 иногда приводит к коррозии проводников 502 развертки, находящейся близко к дефекту 506а.
В итоге, подложка 510 активной матрицы с Фиг.18 и 19 имеет низкий шанс пострадать от коррозии в частях, где проводник 502 и прозрачный электрод 506 находятся в непосредственно близком контакте друг с другом, и в части, покрытой изолирующей пленкой 503 затвора и защитной пленкой 504; однако коррозия, однажды начавшись на проводнике 502 развертки, который находится вблизи от дефекта 506а, продолжает развиваться вдоль границы между проводником 502 развертки и прозрачным электродом 506 и границы между проводником 502 развертки и изолирующей пленкой 503 затвора.
По этой причине, согласно настоящему варианту реализации как упомянуто выше, первый полупроводниковый слой 31 содержится между изолирующей пленкой 24 затвора и межслойной изолирующей пленкой 29 (или, в частности, смежной с изолирующей пленкой 25 затвора), так что торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 формируется таким образом, чтобы перекрывать первый полупроводниковый слой 31, действующий в качестве маски при сухом травлении изолирующей пленки 24 затвора.
В итоге, как упомянуто выше, в области, где существует первый полупроводниковый слой 31, часть первого полупроводникового слоя 31 и часть изолирующей пленки 24 затвора, идут от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 к контактной области 55, вследствие чего, торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 располагается дальше от контактной области 55, чем торцевая поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора.
Слои находятся в близком контакте друг с другом в областях, отличных от поверхности контакта между межслойной изолирующей пленкой 29 и прозрачным электродом 33, как описано выше, а неорганические пленки имеют более плотные структуры, чем органические пленки. Кроме того, при нанесении первого полупроводникового слоя 31, как описано выше, физическое расстояние от дефекта 33а увеличивается. Благодаря этому не происходит проникновения компонента, ускоряющего коррозию, через элементы, отличные от торцевой поверхности 24а.
По этой причине, как показано на Фиг.5, даже если возникает дефект 33а, в той части прозрачного электрода 33, которая покрывает межслойную изолирующую пленку 29, расстояние между дефектом 33а и областью под ним, в которой изолирующая пленка 24 затвора и проводник 22 развертки контактируют друг с другом (или, в частности, торцевая поверхность 24а межслойной изолирующей пленки 24, контактирует с проводником 22 развертки), остается большим. Кроме того, первый полупроводниковый слой 31 уменьшает шероховатость поверхности изолирующей пленки 24 затвора после сухого травления до сравнительно небольшого уровня. По этой причине, та часть прозрачного электрода 33, которая покрывает торцевую поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора, становится плотной, что предотвращает проникновение компонента, ускоряющего коррозию.
По этой причине, в соответствии с настоящим вариантом реализации, даже если межслойная изолирующая пленка 29 имеет шероховатую поверхность и в прозрачном электроде 33 на межслойной изолирующей пленке 29 возникает дефект 33а, то возможно избежать коррозии и обрыва проводников 22 развертки из-за состояния поверхности межслойной изолирующей пленки 29.
Кроме того, согласно настоящему варианту реализации, как упомянуто выше, прозрачный электрод 33 покрывает межслойную изолирующую пленку 29 так же, как и область, идущую от контактной области 55 до верхней поверхности первого полупроводникового слоя 31. По этой причине, даже если дефект в совмещении изображений прозрачного электрода 33 приводит к смещению того края прозрачного электрода 33, который обращен к герметику 91, этот край прозрачного электрода 33, который обращен к герметику 91 не будет иметь (предельного) сдвига (смещения), которое приведет к тому, что он станет ближе к контактной области 55, чем первый полупроводниковый слой 31. По этой причине, поверхность проводников 22 развертки (или, в частности, поверхность проводников 22 развертки, которая находится ближе к торцовой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29) не будет открыта.
Кроме того, при обеспечении тем самым расстояния от первого полупроводникового слоя до торцевой поверхностью 29а межслойной изолирующей пленки 29 и от торцевой поверхностью 24а изолирующей пленки 24 затвора до их обоих, изолирующая пленка 24 затвора и полупроводниковый слой 31 могут более плавно повторить ступени, формируемые прозрачным электродом, проходящим от поверхности межслойной изолирующей пленки 29 к контактной области 55, как описано выше. Так же это делает возможным улучшение покрытия прозрачного электрода 33.
Далее описывается способ изготовления такой подожки 20 активной матрицы, со ссылками на Фиг.6(а)-6(е). Подложка 20 активной матрицы в настоящем варианте реализации изготавливается в пять этапов фотолитографии.
[Этап формирования проводников развертки]
На Фиг.6(а) показано состояние, в котором двухслойный проводник 22 сигнала развертки, состоящий из нижнего проводника 22а развертки и верхнего проводника 22b развертки, формируется, как металлический проводник на стеклянной подложке 21 и проводник 22 развертки снабжается двухслойным электродом 12 развертки, состоящим из нижнего электрода 12а развертки и верхнего электрода 12b развертки. Следует отметить, что этот пример изготовления описывается, принимая в качестве примера случай, когда нижний электрод 12а развертки и нижняя проводник 22а развертки делаются из Ti, а верхний электрод 12b развертки и верхний проводник 22b развертки делаются из Cu. То есть этот пример изготовления описывается, принимая в качестве примера случай, когда первый металлический проводник (металлический слой затвора), включая проводник 22 развертки, имеет двухслойную структуру Ti/Cu, служащую верхним проводником/нижним проводником.
Во-первых, два типа проводящей пленки, изготовленной из Ti и Cu соответственно, формируются последовательно в названном порядке путем напыления на стеклянную подложку 21.
Затем, на проводящей пленке формируется рисунок в слое фоторезиста, путем фотолитографии. После этого, путем жидкостного травления создается рисунок проводящей пленки, а затем слой фоторезиста смывается, посредством чего, в каждом пикселе 10 формируется электрод 12 развертки, имеющий двухслойную Cu/Ti структуру, в которой верхний электрод 12b развертки содержится на нижнем электроде 12а развертки. Дополнительно, в то же время, на стеклянной подложке 21 формируется проводник 22 развертки, имеющий двухслойную Cu/Ti структуру, в которой верхний проводник 22b развертки содержится на нижнем проводнике 22а развертки, сформированной на стеклянной подложке 21, и служащая отображающим электродом в отображающей области 41 и выводящим проводником и контактным электродом в соединительной области 50 проводников развертки.
В это же время могут быть сформированы соединительные проводники 62 и, при необходимости, проводники 23 вспомогательного конденсатора, как показано на Фиг.2 и 4, путем создания рисунка на пленке проводника. Следует отметить, что изменение соединения между сигнальным проводником 27 и соединительным проводником 62 будет описано в вариантах реализации, приведенных ниже, и, таким образом, пропускается в настоящем варианте реализации.
В этом этапе предпочтительно, чтобы формирующаяся так Ti пленка имела толщину от 20 до 150 нм, а формирующаяся так Cu пленка имела толщину от 200 до 500 нм; однако это не подразумевает каких-либо особых ограничений.
[Этап формирования изолирующей пленки затвора/полупроводникового слоя]
x
Во время этого этапа, во-первых, как показано на Фиг.6(b), изолирующая пленка 24 затвора (неорганическая изолирующая пленка), состоящая из нитрида кремния (SiN), формируется посредством химического осаждения из паровой фазы таким образом, чтобы покрывать электрод 12 развертки и проводник 22 развертки. Затем, в качестве полупроводниковых слоев над изолирующей пленкой 24 затвора формируются: слой аморфного кремния и слой n+ аморфного кремния, сильно легированного примесями, а затем путем фотолитографии формируется рисунок в слое фоторезиста. После этого формируется рисунок полупроводниковых слоев, путем сухого травления, а затем слой фоторезиста смывается.
Таким образом, как показано на Фиг.6(b), слой 25 канала, состоящий из слоя аморфного кремния и слой 26 электродных контактов, состоящий из слоя n+ аморфного кремния, нанесенного на слой 25 канала, формируются над изолирующей пленкой 24 затвора в каждом пикселе 10. Затем, первый полупроводниковый слой 31, состоящий из слоя аморфного кремния формируется на изолирующей пленке 24 затвора в контактной области 50 проводников развертки, а второй полупроводниковый слой 32, состоящий из слоя n+ аморфного кремния, формируется на первом полупроводниковом слое 31.
Хотя это не показано, этап также допускает формирование полупроводниковых слоев, идентичных первому и второму полупроводниковым слоям 31 и 32, на изолирующей пленке 24 затвора в соединительной области 60 сигнального проводника. То есть в соединительной области 60 сигнального проводника из того же материала, в то же время, в том же слое, что и первый и второй полупроводниковые слои 31 и 32 в соединительной области 50 проводников развертки, так же формируются первый и второй полупроводниковые слои 31 и 32, отдельно от первого и второго полупроводниковых слоев 31 и 32 в соединительной области проводников 50 развертки.
Во время этого этапа, предпочтительно, чтобы пленка нитрида кремния, формируемая так, чтобы составлять изолирующую пленку 24 затвора, имела толщину от 200 до 500 нм; однако это не подразумевает каких-либо особых ограничений. Кроме того, предпочтительно, чтобы слой аморфного кремния, формируемый таким образом, чтобы составлять слой 25 канала и первый полупроводниковый слой 31, имел толщину от 30 до 300 нм, а слой n+ аморфного кремния, формируемый таким образом, чтобы составлять слой 26 электродных контактов и второй полупроводниковый слой, имел толщину от 20 до 150 нм.
[Этап формирования сигнального проводника]
Далее, хотя это и не показано, на изолирующей пленке 24 затвора формируются двухслойные сигнальные проводники 27 (см. Фиг.2 и 4), каждый из которых состоит из нижнего сигнального проводника и верхнего сигнального проводника и проводников 15 стока (см. Фиг.4). Кроме того, в это же время, как показано на Фиг.6, на изолирующей пленке 24 затвора формируются двухслойные сигнальные электроды 13, каждый из которых состоит из нижнего сигнального электрода 13а и верхнего сигнального электрода 13b, с которыми соответственно выполняются сигнальные проводники 27, а также двухслойные электроды 14 стока, каждый из которых состоит из нижнего электрода стока 14а и верхнего электрода стока 14b.
Следует отметить, что этот пример изготовления описывается, принимая в качестве примера случай, когда нижние сигнальные проводники (не показано), нижний сигнальный электрод 13а и нижний электрод стока 14а делаются из Ti, а верхний сигнальный проводник, верхний сигнальный электрод 13b и верхний электрод стока 14b делаются из Cu. То есть этот пример изготовления описывается, принимая в качестве примера случай, когда второй металлический проводник (металлический слой истока), включая сигнальные электроды 13, имеет двухслойную структуру Ti/Cu, служащую верхним проводником/нижним проводником.
В этом этапе, в первую очередь, два типа проводящей пленки, изготовленной из Ti и Cu, соответственно, формируются последовательно в названном порядке путем напыления на изолирующую пленку 24 затвора, таким образом, чтобы покрыть слой 26 электродных контактов.
На проводящей пленке формируется рисунок в слое фоторезиста путем фотолитографии. После этого формируется рисунок проводящей пленки, путем жидкостного травления, а затем слой фоторезиста смывается.
Таким образом, в каждом пикселе 10 формируется сигнальный электрод 13, имеющий двухслойную структуру, в которой верхний сигнальный электрод 13b выполнен на нижнем сигнальном электроде 13а. Кроме того, отдельно от сигнального проводника 27 формируются: электрод 14 стока, имеющий двухслойную структуру Cu/Ti, в которой верхний электрод 14b стока выполнен на нижнем электроде 14а стока, и проводник 15 стока (см. Фиг.4), отходящий от электрода стока. Дополнительно, в то же время, сигнальный проводник 27 (см. Фиг.2 и 4), имеющий двухслойную Cu/Ti структуру, в которой верхний сигнальный проводник выполнен на нижнем сигнальном проводнике, сформирован, чтобы служить в качестве отображающего электрода в отображающей области 41 и в качестве выводящего проводника (или, в частности, в качестве выводящего проводника для изменения слоя в соединительной области 44 проводников).
Далее, область слоя 26 электродных контактов, служащая частью канала, удаляется (протравливание каналов) посредством сухого травления, а второй полупроводниковый слой 32 удаляется полностью. В это же время, область поверхности слоя 25 канала, служащая частью канала, протравливается таким образом, что подстраивается толщина канальной части. После этого слой фоторезиста смывается, посредством чего формируется тонкопленочный транзистор 11.
В этом этапе предпочтительно, чтобы формируемая так Ti пленка имела толщину от 20 до 150 нм, а формируемая так Cu пленка имела толщину от 200 до 500 нм; однако это не подразумевает каких-либо особых ограничений.
[Этап формирования защитной пленки/межслойной изолирующей пленки]
Во время этого этапа, во-первых, путем осаждения из паровой фазы, на изолирующей пленке 24 затвора формируется пленка нитрида кремния (SiNx), выполняющая функцию защитной пленки 28 (пленки пассивирования, неорганической изолирующей пленки). Данная пленка формируется таким образом, чтобы покрывать сигнальные проводники 27, сигнальные электроды 13 и электроды 14 стока.
Затем, посредством метода центрифугирования, формируется материал межслойной изолирующей пленки, состоящий из фоточувствительной смолы. Затем, производится формирование рисунка посредством фотолитографии, а после этого производится сухое травление. Таким образом формируются защитная пленка 28, состоящая из пленки нитрида кремния, и межслойная изолирующая пленка 29 (органическая изолирующая пленка, выравнивающая пленка), состоящая из материала межслойной изолирующей пленки.
В это же время, учитывая, что смещение рисунка или точность травления при сухом травлении будут описываться позднее, предпочтительно, чтобы рисунок межслойной изолирующей пленки 29 создавался таким образом, чтобы торцевая поверхность 29 перекрывала верхнюю поверхность первого полупроводникового слоя 31.
Хотя это не показано, при выполнении сухого травления, с использованием межслойной изолирующей пленки 29 в качестве маски, не прикрытые маской части защитной пленки 28, в каждом пикселе 10, удаляются, таким образом, что сигнальный электрод 13 и электрод 14 стока открываются.
В это время, в соединительной области 50 проводников развертки, как показано на Фиг.6(d), посредством выполнения сухого травления, с использованием в качестве маски межслойной изолирующей пленки 29, не закрытые маской части изолирующей пленки 24 затвора и защитной пленки 28 над проводником 22 развертки, служащей выводящим проводником, удаляются, посредством чего, открывается контактная область 55 (контакт 51 развертки (см. Фиг.1(а)), и окружающая его область) проводников 22 развертки.
В соединительной области 50 проводников развертки, в это же время, как показано на Фиг.6(d), в месте пересечения наплыва торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 и проводников 22 развертки, удаляется первый полупроводниковый слой 31.
Это позволяет первому полупроводниковому слою 31 служить в качестве маски во время сухого травления.
В результате, как показано на Фиг.6(d), 1(а) и 1(b), в области, где существует первый полупроводниковый слой 31, первый полупроводниковый слой 31 и изолирующая пленка 24 затвора, имеют такую структуру, что часть первого полупроводникового слоя 31 и часть изолирующей пленки 24 затвора наплывают (т.е. выходят за пределы) торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29.
Далее, хотя это и не показано, в соединительной области 60 сигнального проводника, как и в соединительной области 50 проводников развертки, посредством выполнения сухого травления, с использованием в качестве маски межслойной изолирующей пленки 29, не закрытые маской части изолирующей пленки 24 затвора и защитной пленки 28 над соединительным проводником 62, служащим выводящим проводником для сигнального проводника 27, удаляются, посредством чего открывается контактная область (сигнальный контакт 61 и окружающая его область) соединительных проводников 62.
В соединительной области 60 сигнального проводника, так же в это же время, в месте пересечения наплыва торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 и проводников 22 развертки, удаляется полупроводниковый слой (первый полупроводниковый слой 31), идентичный полупроводниковому слою 31 в соединительной области 50 проводников развертки.
Это позволяет полупроводниковому слою (первому полупроводниковому слою 31) служить в качестве маски во время сухого травления. В результате в соединительной области 60 сигнального проводника также первый полупроводниковый слой 31 и изолирующая пленка 24 затвора имеют такую структуру, что часть первого полупроводникового слоя 31 и часть изолирующей пленки 24 затвора наплывают, т.е. выходят за пределы торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29.
Во время этого этапа предпочтительно, чтобы пленка нитрида кремния, формирующаяся таким образом, имела толщину от 100 до 700 нм; однако, это не подразумевает каких-либо особых ограничений. Межслойная изолирующая пленка не имеет особых ограничений, пока формируется таким образом, что имеет толщину, достаточную, чтобы компенсировать неравномерности, возникающие из-за металлических проводников и тонкопленочных транзисторов 11 подложки 20 активной матрицы. Межслойная изолирующая пленка формируется с толщиной, например, от 0,5 мкм до 10 мкм.
[Этап формирования прозрачной проводящей пленки]
Во время этого этапа формируется прозрачная проводящая пленка, состоящая из оксида индия и олова, которая полностью покрывает верхнюю поверхность стеклянной подложки 21, над которой формируется межслойная изолирующая пленка 29. Далее, на прозрачной проводящей пленке формируется рисунок в слое фоторезиста путем фотолитографии. После этого формируется рисунок прозрачной проводящей пленки, путем жидкостного травления, а затем слой фоторезиста смывается. Таким образом, на каждом пикселе 10 формируется пиксельный электрод 30, состоящий из прозрачной проводящей пленки.
Затем в соединительной области 50 проводников развертки, как показано на Фиг.6(е), пиксельный электрод 30, состоящий из прозрачной проводящей пленки формируется таким образом, чтобы покрывать верхнюю поверхность межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 28а защитной пленки 28, верхнюю поверхность первого полупроводникового слоя 31, торцевую поверхность 31а первого полупроводникового слоя 31, торцевую поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора и верхнюю поверхность открытой части проводников 22 развертки.
Поскольку прозрачный электрод 33 формируется на открытой части проводников 22 развертки, как описано выше, контакт 51 развертки (контактный электрод) формируется на конце проводников 22 развертки.
Хотя это не показано, описанный выше этап приводит также к формированию в соединительной области 60 прозрачного электрода, аналогичного прозрачному электроду 33. То есть в соединительной области 60 сигнального проводника, из того же материала, в то же время, в том же слое, что и прозрачный электрод в соединительной области 50 проводников развертки, также формируются прозрачный электрод, отдельно от прозрачного электрода в соединительной области 50 проводников развертки.
В соединительной области 50 сигнального проводника, как и в соединительной области 50 проводников развертки, пиксельный электрод 30, состоящий из прозрачной проводящей пленки формируется таким образом, чтобы покрывать верхнюю поверхность межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 28а защитной пленки 28, верхнюю поверхность первого полупроводникового слоя 31, торцевую поверхность 31а первого полупроводникового слоя 31, торцевую поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора и верхнюю поверхность открытой части соединительных проводников 62.
Поскольку прозрачный электрод 33 формируется на открытой части соединительных проводников 62, сигнальный контакт (см. Фиг.4: контактный электрод) формируется на конце соединительных проводников 62.
Во время этого этапа, предпочтительно, чтобы прозрачная проводящая пленка, формирующаяся таким образом, имела толщину от 50 до 200 нм; однако это не подразумевает каких либо особых ограничений.
[Этап формирования упорядочивающей пленки]
В завершении, при необходимости, на поверхности подложки 20 активной матрицы (которая обращена к противоположной подложке 80) формируется упорядочивающая пленка (не показано). Упорядочивающая пленка может быть сформирована, например, путем формирования полиимидной пленки методом печати.
Вышеописанный этап приводит к формированию соединительной области 50 проводников развертки, соединительной области 60 сигнального проводника, и зоны 70 соединения проводников, в соответствующих им местах на подложке 20 активной матрицы, в то же время, когда формируются тонкопленочные транзисторы 11. Следует отметить, что каждая из зон соединений изготавливается при выполнении вышеупомянутых этапов изготовления подожки 20 активной матрицы, с изменениями в формировании шаблонов рисунков в соответствующих этапах.
Далее описывается структура противоположной подложки 80 и способ изготовления такой противоположной подложки 80, со ссылками на Фиг.7(а)-Фиг.6(с).
На Фиг.7 представлен ряд поперечных сечений с (а) по (с), показывающий последовательные этапы процесса, по которому изготавливается такая противоположная подложка 80. На каждой из Фиг.7(a)-Фиг.7(c) представлено поперечное сечение противоположной подложки 80 на момент окончания каждого соответствующего этапа.
Как показано на Фиг.7(c), противоположная подложка 80 выполнена так, что содержит стеклянную подложку 81; слой цветофильтра 82;, нанесенный на стеклянную подложку 81; черную матрицу 83, нанесенную на стеклянную подложку 81; противоположный электрод 84, нанесенный на слой цветофильтра 82 и черную матрицу 83; и распорки 85 колонного типа, нанесенные на противоположный электрод 84.
Как будет показано ниже, противоположная подложка 80 изготавливается в три этапа фотолитографии.
[Этап формирования черной матрицы/цветофильтра]
Во время этого этапа, как показало на Фиг.7(a), методом фотолитографии на стеклянной подложке 81 из светочувствительного материала формируются черная матрица 83 и слой 82 цветофильтра. Примером слоев цветофильтра, сформированных таким образом является R (красный), G (зеленый) и В (синий) слой цветофильтра.
[Этап формирования противоположного электрода] Затем, как показано на Фиг.7(b), путем напыления на стеклянной подложке 81 формируется прозрачная проводящая пленка из оксида индия и олова, таким образом, чтобы покрывать черную матрицу 83 и цветофильтр 82. Затем, на прозрачной проводящей пленке формируется рисунок в слое фоторезиста путем фотолитографии. После этого формируется рисунок прозрачной проводящей пленки, путем жидкостного травления, а затем слой фоторезиста смывается, посредством чего формируется противоположный электрод 84.
Во время этого этапа, предпочтительно, чтобы прозрачная проводящая пленка, формирующаяся таким образом, имела толщину от 50 до 200 нм; однако это не подразумевает каких-либо особых ограничений.
[Этап формирования распорок колонного типа]
Затем, как показано на Фиг.7(с), методом фотолитографии на противоположном электроде 84 формируются распорки 85 колонного типа, таким образом, чтобы покрывать слой 83 черной матрицы.
[Этап формирования упорядочивающей пленки]
В завершении, при необходимости, на поверхности противоположной подложки 80 (которая обращена к подложке 20 активной матрицы) формируется упорядочивающая пленка (не показано). Упорядочивающая пленка может быть сформирована, например, путем формирования полиимидной пленки методом печати. Противоположная подложка изготавливается по этапам, описанным выше.
Однако, следует отметить, что толщина каждого слоя описанная выше, материал каждого слоя описанное выше, и способ формирования каждого слоя, описанный выше не ограничиваются вышеупомянутыми особыми примерами, но могут соответствующими способами быть настроены или изменены.
Далее описывается способ изготовления жидкокристаллической панели 2, соответствующей настоящему варианту реализации.
Жидкокристаллическая панель 2 может быть изготовлена путем выполнения следующих этапов после изготовления подложки 20 активной матрицы и этапов изготовления противоположной подложки 80.
[Этап объединения]
Во время данного этапа, во-первых, как на подложку 20 активной матрицы, так и на противоположную подложку 80 печатным способом наносят герметик 91, таким образом, чтобы он проходил по контуру противоположной подложки 80. Затем в область, окруженную герметиком, 91 наливаются жидкие кристаллы. После этого подложка 20 активной матрицы и противоположная подложка 80 соединяются друг с другом через герметик.
[Этап разрезания подложки]
Затем, подложки, объединенные друг с другом, во время этапа объединения, при необходимости разрезаются (скрайбируются). После выполнения этих этапов формируется жидкокристаллическая панель 2.
После этого, путем присоединения внешнего устройства, такого как плата на ленточном носителе, выполняемого со схемами формирователя, такими как схема 4 формирователя для проводников развертки, схема 5 формирователя для сигнальных проводников и т.п., через анизотропную проводящую пленку 93 к контактным областям, расположенным в соединительных областях внешнего устройства (таких как соединительная область 50 проводников развертки, соединительная область 60 сигнального проводника и т.п.), содержащихся в соединительных областях 44, расположенных на подложке активной матрицы жидкокристаллической панели 2, может быть изготовлено жидкокристаллическое устройство 1, соответствующее настоящему варианту реализации.
Это позволяет получить подложку активной матрицы, способную предотвратить коррозию и обрыв металлических проводников и имеющую улучшенное сопротивление коррозии, и жидкокристаллическое дисплейное устройство 1, содержащее такую подложку 20 активной матрицы.
Подложка 20 активной матицы, соответствующая настоящему варианту реализации, может применяться не только в жидкокристаллической панели 2 и жидкокристаллическом дисплейном устройстве 1, которые были описаны выше, но так же, к дисплейной панели и дисплейному устройству, которые используют органическую электролюминесценцию или неорганическую электролюминесценцию, в качестве средства отображения.
Кроме того, дисплейное устройство может быть соответствующим образом быть использовано в устройстве отображения и т.п.в электрофорезном устройстве, как и в портативном персональном компьютере, сотовом телефоне, электронном органайзере, телеприемнике.
Как описано выше, настоящий вариант реализации был описан, принимая в качестве примера случай, когда тот же полупроводниковый слой, что и в тонкопленочных транзисторах 11 использовался в качестве масочного слоя. Однако настоящий вариант реализации не ограничивается таким примером.
Такой масочный слой должен всего лишь быть слоем, который устойчив к травлению (устойчив к сухому травлению), и действует в качестве маски для создания рисунка изолирующей пленки 24 затвора, и может быть сформирован отдельно от полупроводникового слоя в тонкопленочных транзисторах 11.
Однако при использовании в качестве такого масочного слоя того же полупроводникового слоя, что и в тонкопленочных транзисторах 11, как описано выше, масочный слой может быть сформирован легко и недорого, просто путем изменения формы масок для создания рисунка полупроводниковых слоев без изменения этапов.
Кроме того, настоящий вариант реализации описывается, принимая в качестве примера случай, в котором, при удалении области слоя 26 электродных контактов, служащей частью канала, (при протравливании каналов) посредством сухого травления, удаляется второй полупроводниковый слой 32. Однако настоящий вариант реализации не ограничивается таким примером. Например, так же возможно оставить второй полупроводниковый слой при использовании специальной маски.
[Вариант реализации 2]
Ниже описывается другой вариант реализации настоящего изобретения, со ссылкой на Фиг.8. Следует отметить, что в настоящем варианте реализации в основном описываются различия между настоящим вариантом реализации и вариантом реализации 1, и компоненты, имеющие те же функции, что и в варианте реализации 1 имеют ту же нумерацию и, как таковые, не описываются ниже.
Как и с вариантом реализации 1, настоящий вариант реализации описывается, принимая соединительную область 50 проводников развертки в качестве примера соединительной области 44. Однако соединительная область 50 проводников развертки, проводники 22 развертки, выводы 51 развертки и электроды 12 могут рассматриваться, как соединительная область 60 сигнального проводника, соединительные проводники 62, сигнальные выводы 61 и сигнальные электроды 13 соответственно. Дополнительно, в соединительной области проводников так же возможно подобное понимание, лишь с изменением наименований металлических слоев (проводников).
На Фиг.8 представлен вид сверху, изображающий структуру соединительной области 50 проводников развертки на подложке 20 активной матрицы, в соответствии с настоящим вариантом реализации.
Подложка 20 активной матрицы, соответствующая настоящему варианту реализации имеет ту же структуру, что и подложка 20 активной матрицы Варианта реализации 1, за исключением следующего: В подложке 20 активной матрицы, соответствующей настоящему варианту реализации, как показано на Фиг.8, первый полупроводниковый слой 31 распространяется на область под анизотропной проводящей пленкой 93 (место, к которому крепится анизотропная проводящая пленка 93), вследствие чего, торцевая поверхность 31а первого полупроводникового слоя 31 и торцевая поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора, в области, где существует первый полупроводниковый слой 31, располагаются под анизотропной проводящей пленкой 93.
Это позволяет подложке 20 активной матрицы, соответствующей настоящему варианту реализации предотвращать коррозию и обрыв проводников 22 развертки и электродов 12 развертки, по тому же принципу (причине), который объяснен выше, со ссылкой на Фиг.5 в Варианте реализации 1.
Кроме того, согласно настоящему варианту реализации, как показано на Фиг.8, каждый первый полупроводниковый слой 31 продлевается в направлении параллельном проводнику 22 развертки, таким образом, чтобы проходить в область под анизотропной проводящей пленкой 93, посредством чего, место контакта проводников 22 развертки и прозрачного электрода 33 и, кроме того, та часть прозрачного электрода 33, которая покрывает место контакта торцевой поверхности 24а изолирующей пленки 24 затвора и проводников 22 развертки, полностью попадают в область, ограниченную герметиком, или область под анизотропной проводящей пленкой и, таким образом, не подвергаются воздействию воздуха. Это в большей степени повышает надежность.
В настоящем варианте реализации, конечно, хорошо оставить межслойную изолирующую пленку 29 такой ширины, как это возможно, чтобы торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 была на расстоянии от торцевой поверхности 24а изолирующей пленки 24 затвора. Межслойная изолирующая пленка 29 может доходить до места, близкого к месту, к которому крепится анизотропная проводящая пленка 93, пока межслойная изолирующая пленка не накладывается на место, к которому крепится анизотропная проводящая пленка 93 и располагается на достаточном расстоянии от торцевой поверхности 31а первого полупроводникового слоя 31.
Следует отметить, что, хотя настоящий вариант реализации, описанный выше, выполнен таким образом, что первый полупроводниковый слой 31 проходит (продлевается) до места, к которому крепится анизотропная проводящая пленка 93, настоящий вариант реализации не ограничивается такой конфигурацией.
[Вариант реализации 3]
Ниже описывается другой вариант реализации настоящего изобретения, со ссылками на Фиг.9(a) и Фиг.9(b). Следует отметить, что в настоящем варианте реализации в основном описываются различия между настоящим вариантом реализации и Вариантом реализации 1, и компоненты, имеющие те же функции, что и в варианте реализации 1 имеют ту же нумерацию и, как таковые, не описываются ниже.
Как и с Вариантами реализации 1 и 2, настоящий вариант реализации описывается, рассматривая соединительную область 50 проводников развертки в качестве примера соединительной области 44. Однако соединительная область 50 проводников развертки, проводники 22 развертки, выводы 51 развертки и электроды 12 могут рассматриваться, как соединительная область 60 сигнального проводника, соединительные проводники 62, сигнальные выводы 61 и сигнальные электроды 13 соответственно. Кроме того, в соединительной области проводников так же возможно подобное понимание, лишь с изменением наименований металлических слоев (проводников).
На Фиг.9(а) представлено поперечное сечение, изображающее другой пример структуры соединительной области 50 проводников развертки на подложке 20 активной матрицы, согласно настоящему варианту реализации, а на Фиг.9(b) представлено поперечное сечение подложки активной матрицы, сделанное по оси В-В Фиг.9(a).
Варианты реализации 1 и 2 были описаны выше, принимая в качестве примеров случаи, в которых, после сухого травления изолирующей пленки 24 затвора, изолирующая пленка 24 затвора и первый полупроводниковый слой 31 (или, в частности, часть изолирующей пленки 24 затвора и часть первого полупроводникового слоя 31) остаются такими, что проходят от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 до соединительной области 55.
С другой стороны, в подложке 20 активной матрицы, соответствующей настоящему варианту реализации, как показано на Фиг.9(b), торцевая поверхность 31а первого полупроводникового слоя 31 соприкасается с торцевой поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 и торцевой поверхностью 28а защитной пленки 28, как показано на Фиг.9(a) и 9(b), только изолирующая пленка 24 затвора остается в таком виде, что проходит от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 до контактной области 55.
По этой причине, в настоящем варианте реализации, в отличие от Вариантов реализации 1 и 2, только изолирующая пленка 24 затвора, которая проходит от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 до контактной области 55, выполняет функцию отделяющей стенки (отделяющего слоя), который отделяет проводник 22 развертки (или, в частности, контактную область 55), от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 и от той части прозрачного электрода 33, которая находится на торцевой поверхности 29а.
Однако, в настоящем варианте реализации, также, сторона, обращенная к контактной области 55, т.е. торцевая поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора, которая обращена к контактной области 55, располагается ближе к контактной области 55, чем торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29, обращенная к контактной области 55. Другими словами, торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29, обращенная к контактной области 55, располагается дальше от контактной области 55, чем торцевая поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора, обращенная к контактной области 55.
По этой причине, в настоящем варианте реализации, тоже, как показано на Фиг.9(b), даже если возникает дефект 33а, в той части прозрачного электрода 33, которая покрывает межслойную изолирующую пленку 29, расстояние между дефектом 33а и областью под ним, в которой изолирующая пленка 24 затвора и проводник 22 развертки контактируют друг с другом (или, в частности, торцевая поверхность 24а межслойной изолирующей пленки 24, контактирует с проводником 22 развертки) остается большим. Кроме того, в настоящем варианте реализации, тоже, использование первого полупроводникового слоя, в качестве масочного слоя во время сухого травления изолирующей пленки 24 затвора, уменьшает шероховатость поверхности изолирующей пленки 24 затвора после сухого травления до сравнительно малого уровня. По этой причине, та часть прозрачного электрода 33, которая покрывает торцевую поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора становится плотной, что предотвращает проникновение компонента, ускоряющего коррозию.
По этой причине, даже если межслойная изолирующая пленка 29 имеет шероховатую поверхность и в прозрачном электроде 33 на межслойной изолирующей пленке 29 возникает дефект 33а, как показано на Фиг.9(b), то возможно избежать коррозии и обрыва проводников 22 развертки из-за состояния поверхности межслойной изолирующей пленки 29.
В настоящем варианте реализации, прозрачный электрод 33 проходит на контактную область 55 таким образом, чтобы накрывать верхнюю поверхность межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 28а защитной пленки 28, торцевую поверхность 31а первого полупроводникового слоя 31, верхнюю поверхность изолирующей пленки 24 затвора и торцевую поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора. Эта часть прозрачного электрода 33, которая покрывает проводник 22 развертки в контактной области 55, используется как контакт 51 развертки.
Следует отметить, что хотя настоящий вариант реализации был описан, принимая в качестве примера случай, в котором первый полупроводниковый слой 31 использовался в качестве масочного слоя, как описано выше, и первый полупроводниковый слой 31 и второй полупроводниковый слой 32 могут использоваться в качестве масочного слоя, если оставить второй полупроводниковый слой, например, с помощью специальной маски.
Таким образом, согласно настоящему варианту реализации, прозрачный электрод 33 покрывает межслойную изолирующую пленку 29 так же, как и область, идущую от контактной области 55 до верхней поверхности изолирующей пленки 24 затвора, которая проходит от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29. По этой причине, даже если дефект в совмещении изображений прозрачного электрода 33 приводит к смещению того края прозрачного электрода 33, который обращен к герметику 91, этот край прозрачного электрода 33, который обращен к герметику 91 не будет иметь (предельного) сдвига (смещения), которое приведет к тому, что он станет ближе к контактной области 55, чем изолирующая пленка 24 затвора, проходящая от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29. По этой причине, поверхность проводников 22 развертки (или, в частности, поверхность проводников 22 развертки, которая находится ближе к торцовой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29) не будет открыта.
Кроме того, настоящий вариант реализации, тоже, таким образом сохраняя расстояние между торцевой поверхностью 29а межслойной изолирующей пленки 29 и торцевой поверхностью 24а изолирующей пленки 24 затвора, изолирующая пленка 24 затвора, проходящая от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29, может обеспечить плавность ступеней, образованных прозрачным электродом 33, проходящим от поверхности межслойной изолирующей пленки 29 до контактной области 55. Так же это делает возможным улучшение покрытия прозрачного электрода 33.
Далее описывается способ изготовления подложки 20 активной матрицы, соответствующей настоящему варианту реализации, со ссылками на Фиг.6(а)-6(е) и Фиг.9(a) и 9(b).
Следует отметить, что этапы, начиная с этапа формирования проводников развертки, показанного на Фиг.6(a), по этап формирования сигнального проводника на Фиг.6(c), идентичны таким же в Варианте реализации 1, и поэтому, не описываются ниже.
В настоящем варианте реализации, во-первых, этап формирования защитной пленки/межслойной изолирующей пленки, показанный на Фиг.6(d), формируется такой же рисунок межслойной изолирующей пленки 29, как и в Варианте реализации 1, так что ее торцевая поверхность 29а перекрывает первый полупроводниковый слой 31.
Затем производится сухое травление защитной пленки 28 и изолирующей пленки 24 затвора с использованием межслойной изолирующей пленки 29 в качестве маски. В это же время часть первого полупроводникового слоя удаляется путем изменения условий травления, таким образом, чтобы те части защитной пленки 28 и первого полупроводникового слоя 31, который заходит за пределы торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 и той части изолирующей пленки 24 затвора, которая выходит за границу первого полупроводникового слоя 31 до сухого травления, удалялись при травлении.
Таким образом, как показано на Фиг.9(a) и 9(b), та часть первого полупроводникового слоя 31 которая выходит за пределы торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29, удаляется травлением, таким образом, чтобы первый полупроводниковый слой 31 имел торцевую поверхность 31а, соприкасающуюся с торцевой поверхностью 29а межслойной изолирующей пленки 29 и торцевой поверхностью 28а защитной пленки 28.
Таким образом, формируя, затем, прозрачную проводящую пленку над всей верхней поверхностью стеклянной подложки 21, над которой была сформирована межслойная изолирующая пленка 29, и, формируя рисунок прозрачной проводящей пленки тем же образом, как и во время этапов формирования прозрачной проводящей пленки, показанных на Фиг.6(e), может быть получена подложка активной матрицы 20, соответствующая настоящему варианту реализации, показанная на Фиг.9(a) и 9(b) [Вариант реализации 4].
Ниже описывается другой вариант реализации настоящего изобретения, со ссылками на Фиг.10(a), Фиг.10(b), и с Фиг.11(a) - по Фиг.11(f). Следует отметить, что в настоящем варианте реализации в основном описываются различия между настоящим вариантом реализации и Вариантом реализации 1, и компоненты, имеющие те же функции, что и в варианте реализации 1 имеют ту же нумерацию и, как таковые, не описываются ниже.
На Фиг.10(а) представлен вид сверху, схематически изображающий структуру соединительной области 50 проводников развертки на подложке 20 активной матрицы, согласно настоящему варианту реализации, а так же окружающую область, а на Фиг.10(b) представлено поперечное сечение подложки 20 активной матрицы, сделанное по оси С-С Фиг.10(а).
Как показано на Фиг.10(a) и 10(b), соединительная область 50 проводников развертки подложки 20 активной матрицы выполнена таким образом, чтобы проводник 22 развертки, изолирующий слой 24 затвора, защитная пленка 28, межслойная изолирующая пленка 29 и прозрачный электрод 33 наносились в указанном порядке на стеклянную подложку 21. Кроме того, путем нанесения прозрачного электрода 33 непосредственно на проводник 22 развертки на конце проводников 22 развертки выполняется контактная область 55.
В настоящем варианте реализации, тоже, как показано на Фиг.10(b), проводник 22 развертки выполнен так, что ее верхний проводник 22b развертки располагается на его нижнем проводнике 22а развертки. Однако, как упомянуто выше в Варианте реализации 1, проводник 22 развертки не ограничен подобной конфигурацией.
Подложка 20 активной матрицы, соответствующая настоящему варианту реализации, имеет ту же структуру, что и подложка 20 активной матрицы, показанная на Фиг.9(a) и 9(b) в Варианте реализации 3, за исключением того, что ни первый полупроводниковый слой 31 ни второй полупроводниковый слой 32 не выполняются над изолирующей пленкой 24 затвора.
То есть в подложке 20 активной матрицы, согласно настоящему варианту реализации, только изолирующий слой 24 затвора проходит от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки до контактной области 55. По этой причине, в настоящем варианте реализации, как и в Варианте реализации 3, только изолирующая пленка 24 затвора, которая проходит от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 до контактной области 55, выполняет функцию отделяющей стенки (отделяющего слоя), который отделяет проводник 22 развертки (или, в частности, контактную область 55), от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 и от той части прозрачного электрода 33, которая находится на торцевой поверхности 29а.
В настоящем варианте реализации, прозрачный электрод проходит на контактную область 55 таким образом, чтобы накрывать верхнюю поверхность межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 28а защитной пленки 28 и торцевую поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора.
Такая подложка 20 активной матицы может легко быть сформирована, например, путем сухого травления защитной пленки 28 и изолирующей пленки 24 затвора, затем, озолением межслойной изолирующей пленки затвора 29 с помощью кислорода (O2 - озолением), и, таким образом, протравливанием межслойной изолирующей пленки 29.
Таким образом, путем проведения O2 - озоления, или ему подобного, для того, чтобы торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 была дальше от контактной области 55, чем торцевая поверхность 28а защитной пленки 28 и торцевая поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора, торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 может с легкостью быть отделена достаточным расстоянием от торцевой поверхности 28а защитной пленки 28 и торцевой поверхности 24а изолирующей пленки 24 затвора.
Таким образом, в настоящем варианте реализации, тоже, торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29, обращенная к контактной области 55, располагается дальше от контактной области 55, чем торцевая поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора, обращенная к контактной области 55. По этой причине, в настоящем варианте реализации, тоже, как показано на Фиг.9(b), даже если возникает дефект 33а, в той части прозрачного электрода 33, которая покрывает межслойную изолирующую пленку 29, расстояние между дефектом 33а и областью под ним, в которой изолирующая пленка 24 затвора и проводник 22 развертки контактируют друг с другом (или, в частности, торцевая поверхность 24а межслойной изолирующей пленки 24, контактирует с проводником 22 развертки) остается большим. Кроме того, в настоящем варианте реализации, тоже, шероховатость поверхности изолирующей пленки 24 затвора после сухого травления уменьшается до сравнительно небольшого уровня. По этой причине, та часть прозрачного электрода 33, которая покрывает торцевую поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора становится плотной, что предотвращает проникновение компонента, ускоряющего коррозию.
По этой причине, даже если межслойная изолирующая пленка 29 имеет шероховатую поверхность и в прозрачном электроде 33 на межслойной изолирующей пленке 29 возникает дефект 33а, как показано на Фиг.10(b), то возможно избежать коррозии и обрыва проводников 22 развертки из-за состояния поверхности межслойной изолирующей пленки 29.
Ниже описывается способ изготовления подложки 20 активной матрицы, соответствующей настоящему варианту реализации, со ссылками на Фиг.11(а)-по Фиг.11(f)
На Фиг.11 представлен ряд поперечных сечений с (а) по (f) подложки 20 активной матрицы, поперечные сечения с (а) по (f) показывают последовательные этапы процесса, по которому изготавливается подложка 20 активной матрицы. Следует отметить, что каждая из Фиг.11(a)-Фиг.11(f), поперечное сечение соединительной области 50 проводников развертки и поперечное сечение области возле тонкопленочного транзистора 11 в каждом пикселе 10 сопоставляются как поперечные сечения неотображающей области 42 и отображающей области 41 подложки 20 активной матрицы на конец соответствующего этапа.
В следующем примере изготовления такие условия, как толщина каждого слоя аналогичны условиям в Варианте реализации 1, если не указано иное.
[Этап формирования проводников развертки]
На Фиг.11(а) показано состояние, в котором двухслойный проводник 22 сигнала развертки, состоящий из нижнего проводника 22а развертки и верхнего проводника 22b развертки, формируется как металлический проводник на стеклянной подложке 21 и проводник 22 развертки снабжается двухслойным электродом 12 развертки, состоящим из нижнего электрода 12а развертки и верхнего электрода 12b развертки.
Этот этап аналогичен тому, который показан на Фиг.6(a), в Варианте реализации 1 и, поэтому, этап не описывается ниже.
Следует отметить, что этот пример изготовления описывается, принимая в качестве примера случай, когда первый металлический проводник (металлический слой затвора), включая проводник 22 развертки имеет двухслойную структуру Ti/Cu, служащую верхним проводником/нижним проводником. Однако, как упомянуто выше в Варианте реализации 1, настоящее изобретение не ограничивается таким примером, и первый металлический проводниковый слой может иметь однослойную структуру или многослойную структуру.
[Этап формирования изолирующей пленки затвора/полупроводникового слоя]
Этот этап аналогичен тому, который показан на Фиг.6(b) в Варианте реализации 1, за исключением того, что ни первый полупроводниковый слой 31, ни второй полупроводниковый слой 32 не формируются в соединительной области 44.
То есть во время этапа формирования изолирующей пленки затвора/полупроводникового слоя, согласно настоящему варианту реализации, во-первых, как показано на Фиг.11(b), изолирующая пленка 24 затвора (неорганическая изолирующая пленка), состоящая из нитрида кремния (SiNx) формируется посредством химического осаждения из паровой фазы, таким образом, чтобы покрывать электрод 12 развертки и проводник 22 развертки. Затем, в качестве полупроводниковых слоев над изолирующей пленкой 24 затвора формируются: слой аморфного кремния и слой n+ аморфного кремния, сильно легированного примесями, а затем, путем фотолитографии формируется рисунок в слое фоторезиста. После этого формируется рисунок полупроводниковых слоев, путем сухого травления, а затем, слой фоторезиста смывается.
Таким образом, как показано на Фиг.11(b), слой 25 канала, состоящий из слоя аморфного кремния и слой 26 электродных контактов, состоящий из слоя n+ аморфного кремния, нанесенного на слой 25 канала, формируются над изолирующей пленкой 24 затвора в каждом пикселе 10.
[Этап формирования сигнального проводника]
Этот этап аналогичен тому, который показан на Фиг.6(с) Варианта реализации 1. То есть подложка 20 активной матрицы на этом этапе выполнена так же, как это показано на Фиг.6(c), за исключением того, что как показано на Фиг.11(с), на ней нет полупроводниковых слоев (ни первого полупроводникового слоя 31, ни второго полупроводникового слоя 32), сформированных в соединительной области 44 и в соединительной области 44 нет неоднородностей, образовавшихся из-за таких полупроводниковых слоев.
По этой причине, в настоящем варианте реализации данный этап не описывается. Следует отметить, что этот пример изготовления описывается, принимая в качестве примера случай, когда второй металлический проводник (металлический слой истока), включая сигнальные электроды 13, имеет двухслойную структуру Ti/Cu, служащую верхним проводником/нижним проводником. Однако, как в случае первого металлического проводникового слоя (металлического слоя затвора) настоящее изобретение не ограничивается таким примером.
[Этап формирования защитной пленки/межслойной изолирующей пленки]
Во время этого этапа, во-первых, путем осаждения из паровой фазы, на изолирующей пленке 24 затвора формируется пленка нитрида кремния (SiNx), выполняющая функцию защитной пленки 28 (пленки пассивирования, неорганической изолирующей пленки). Данная пленка формируется таким образом, чтобы покрывать сигнальные проводники 27, сигнальные электроды 13 и электроды 14 стока. Таким образом, в каждом пикселе 10 формируется тонкопленочный транзистор 11.
Затем, посредством метода центрифугирования, формируется материал межслойной изолирующей пленки, состоящей из фоточувствительной смолы. Затем, производится формирование рисунка посредством фотолитографии, а после этого производится сухое травление. Таким образом формируются защитная пленка 28, состоящая из пленки нитрида кремния, и межслойная изолирующая пленка 29 (органическая изолирующая пленка, выравнивающая пленка), состоящая из материала межслойной изолирующей пленки.
В этот же момент времени, хотя, это не показано, при выполнении сухого травления, с использованием межслойной изолирующей пленки 29 в качестве маски, не прикрытые маской части защитной пленки 28, в каждом пикселе 10, удаляются, таким образом, что сигнальный электрод 13 и электрод 14 стока открываются.
В это время, в соединительной области 50 проводников развертки, как показано на Фиг.11(d), посредством выполнения сухого травления, с использованием в качестве маски межслойной изолирующей пленки 29, не закрытые маской части изолирующей пленки 24 затвора и защитной пленки 28 над проводником 22 развертки, служащей выводящим проводником, удаляются, посредством чего, открывается контактная область 55 проводников 22 развертки, и окружающая ее область.
Как описано выше, этот этап по сути аналогичен тому, который показан на Фиг.6(d) Варианта реализации 1. Однако, поскольку в настоящем варианте реализации нет полупроводниковых слоев, сформированных в соединительной области 44, в нем нет полупроводникового слоя (первого полупроводникового слоя, показанного на Фиг.6(d)), сформированного в соединительной области 50 проводников развертки, как показано на Фиг.11(d).
По этой причине, как показано на Фиг.11(d), защитная пленка 28 и изолирующая пленка 24 затвора подвергаются сухому травлению, таким образом, что их соответствующие торцевые поверхности 28а и 24а соприкасаются с торцевой поверхностью 29а межслойной изолирующей пленки 29.
[Этап озоления]
Во время этого этапа, межслойная изолирующая пленка 29 протравливается, посредством сухого травления защитной пленки 28 и изолирующей пленки 24 затвора, как показано на Фиг.11(d), а затем производится озоление межслойной изолирующей пленки 29 с помощью кислорода (O2 - озоление).
Таким образом, путем проведения O2 - озоления, или ему подобного, для того, чтобы торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 была дальше от контактной области 55, чем торцевая поверхность 28а защитной пленки 28 и торцевая поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора, торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 отдалена на расстояние х от торцевой поверхности 28а защитной пленки 28 и торцевой поверхности 24а изолирующей пленки 24 затвора. Расстояние х такое же, как упоминалось ранее.
В итоге, как показано на Фиг.10(a) и 10(b), и Фиг.11(e), изолирующая пленка 24 затвора структурирована таким образом, что часть изолирующей пленки 24 затвора проходит от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29.
Следует отметить, в данном этапе, что условия озоления не имеют особых ограничений. Условия озоления должны только быть выбраны таким образом, что, как описано выше, торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 должна получиться дальше от контактной области 55, чем торцевая поверхность 28а защитной пленки 28 и торцевая поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора.
[Этап формирования прозрачной проводящей пленки]
Этот этап по сути аналогичен тому, который показан на Фиг.6(е) Варианта реализации 1. Во время этого этапа формируется прозрачная проводящая пленка, состоящая из оксида индия и олова, которая полностью покрывает верхнюю поверхность стеклянной подложки 21, над которой формируется межслойная изолирующая пленка 29. Далее, на прозрачной проводящей пленке формируется рисунок в слое фоторезиста путем фотолитографии. После этого формируется рисунок прозрачной проводящей пленки, путем жидкостного травления, а затем слой фоторезиста смывается.
Таким образом, в настоящем варианте реализации, тоже, как показано на Фиг.11(f), в каждом пикселе 10 формируется пиксельный электрод 30, состоящий из прозрачной проводящей пленки.
В это время, поскольку, как упомянуто выше, в настоящем варианте реализации нет полупроводникового слоя, сформированного в соединительной области 50 проводников развертки, этап приводит к тому, что прозрачный электрод 33, состоящий из прозрачной проводящей пленки, формируется в соединительной области 50 проводников развертки, таким образом, чтобы покрывать верхнюю поверхность межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29, верхнюю поверхность защитной пленки 28, торцевую поверхность 28а защитной пленки 28, торцевую поверхность 24а изолирующей пленки затвора 24, и верхнюю поверхность открытой части соединительных проводников 22.
Поскольку прозрачный электрод 33 формируется на открытой части проводников 22 развертки, как описано выше, контакт 51 развертки (контактный электрод) формируется на конце проводников 22 развертки.
[Этап формирования упорядочивающей пленки]
В завершении, как в Варианте реализации 1, при необходимости, на поверхности подложки 20 активной матрицы (которая обращена к противоположной подложке 80) формируется упорядочивающая пленка (не показано).
Таким образом, может быть изготовлена подложка 20 активной матрицы.
Вышеупомянутый пример изготовления был описан, принимая в качестве примера случай, когда, как описано выше, межслойная изолирующая пленка 29 подвергается O2 - озолению после этапа формирования защитной пленки/межслойной изолирующей пленки (т.е. после сухого травления защитной пленки 28 и изолирующей пленки 24 затвора). Однако настоящий вариант реализации не ограничивается таким примером. Например, торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 может быть отдалена (потравлена) на определенное расстояние х от торцевой поверхности 28а защитной пленки 28 и торцевой поверхности 24а изолирующей пленки 24 затвора с помощью приема частичной экспозиции, O2 - озоления и т.п. В этом случае, тоже, может быть изготовлена подложка 20 активной матрицы, соответствующая настоящему варианту реализации, показанному на Фиг.10(a) и 10(b).
Расстояние х (расстояние протравливания) особым образом не ограничивается. Тем не менее, для обеспечения эффекта, желательно, чтобы расстояние х составляло 0,5 мкм или более. Кроме того, в случае, когда протравливание производится озолением, расстояние х в реальности не будет больше, чем толщина межслойной изолирующей пленки 29. По этой причине, расстояние х выбирается равным или меньшим, чем толщина межслойной изолирующей пленки 29 (например, в диапазоне от 0,5 мкм до 5 мкм). С другой стороны, в случае, когда протравливание производится в сочетании с приемом частичного экспонирования, расстояние х может быть сделано больше (например, сделано больше, чем толщина межслойной изолирующей пленки 29)
[Вариант реализации 5]
Ниже описывается другой вариант реализации настоящего изобретения, со ссылкой на Фиг.12 и 13. Следует отметить, что в настоящем варианте реализации в основном описываются различия между настоящим вариантом реализации и Вариантом реализации 14, и компоненты, имеющие те же функции, что и в варианте реализации 14, имеют ту же нумерацию и, как таковые, не описываются ниже.
На Фиг.12 представлен вид сверху, изображающий структуру соединительной области 70 проводников на подложке 20 активной матрицы, в соответствии с настоящим вариантом реализации. На Фиг.13 представлено поперечное сечение подложки 20 активной матрицы, сделанное по оси D-D с Фиг.12.
В соединительной области 70 проводников, как упомянуто выше, делается изменение в подключении (изменение слоя) с металлического слоя истока на металлический слой затвора.
Как показано на Фиг.13, область 70 соединения проводников подложки 20 активной матрицы выполнена таким образом, что соединительный проводник 62, состоящий из первого металлического проводникового слоя (металлического слоя затвора), изолирующая пленка 24 затвора, сигнальные проводники 27, состоящие из второго металлического проводникового слоя (металлического слоя истока), защитная пленка 28, межслойная изолирующая пленка 29, и прозрачный электрод 33 наносятся в указанном порядке на стеклянную подложку 21.
В настоящем варианте реализации, тоже, и первый металлический проводниковый слой и второй металлический проводниковый слой имеют двухслойную структуру. То есть, в настоящем варианте реализации, соединительный проводник 62, как показано на Фиг.13, выполнен таким образом, что его верхний соединительный проводник 62b располагается на его нижнем соединительном проводнике 62а. Кроме того, сигнальный проводник 27, как показано на Фиг.13, выполнен таким образом, что верхний сигнальный проводник 27b располагается на нижним сигнальном проводнике 27а. Однако, как упомянуто выше, в Варианте реализации 1, ни первый металлический проводниковый слой, ни второй металлический проводниковый слой не ограничиваются такой конфигурацией.
Сигнальные проводники 27 электрически соединены с соединительным проводником 62 через контактное окно 71 (окно), расположенное в соединительной области 70 проводников. Поверхность контактного окна 71 покрыта прозрачным электродом 33.
Соединительный проводник 62 и сигнальные проводники 27 формируются таким образом, чтобы проходить в разных направлениях друг от друга. Контактные окна 71 формируются таким образом, что грань (торцевая поверхность), по меньшей мере, либо соединительных проводников 62, либо сигнального проводника 27 (в настоящем варианте реализации сигнального проводника 27) расположена внутри контактного окна 71.
Контактное окно 71, показанное на Фиг.12 и 13, может быть сформировано способом, описанным в Варианте реализации 4. Ниже описывается способ изготовления такого контактного окна 71, со ссылками на Фиг.11(а)-11(f) и на Фиг.12 и 13.
Во время [Этапа формирования проводников развертки], описанного выше в Варианте реализации 4, соединительный проводник 62, состоящий из того же первого металлического проводникового слоя, что и проводник 22 развертки, формируется в том же слое, что и проводник 22 развертки на стеклянной подложке 21 в соединительной области 70 проводников.
Затем, во время [Этапа формирования изолирующей пленки затвора/полупроводникового слоя], изолирующая пленка 24 затвора формируется на соединительном проводнике 62 в соединительной области 70 проводников.
Затем, во время [Этапа формирования сигнального проводника], сигнальные проводники 27 затвора формируются на изолирующей пленке 24 затвора в соединительной области 70 проводников.
Затем, во время [Этапа формирования защитной пленки/межслойной изолирующей пленки], посредством выполнения сухого травления, с использованием межслойной изолирующей пленки 29 в качестве маски, не закрытые маской части изолирующей пленки 24 затвора и защитной пленки 28 удаляются, посредством чего окно, служащее контактным окном 71, формируется в области изменения разводки между сигнальным проводником 27 и соединительным проводник 62 (то есть в области, выполняющей функцию соединительной области между сигнальным проводником 27 и соединительным проводник 62, для перемены слоя, в дальнейшем называемого просто "участок перемены").
В это же время, во-первых, серия сухого травления с использованием межслойной изолирующей пленки 29, в качестве маски приводит к формированию окон в тех частях защитной пленки 28, которые прилегают к сигнальному проводнику 27 и к изолирующей пленке 24 затвора соответственно, таким образом, что открывается часть сигнального проводника 27, как показано на Фиг.12 и 13. Затем, при использовании межслойной изолирующей пленки 29 и сигнального проводника 27 в качестве масок, окна формируются в тех частях изолирующей пленки 24 затвора и защитной пленки 28, которые прилегают к соединительному проводнику 62 соответственно, таким образом, что открывается часть соединительного проводника 62.
Таким образом, как показано на Фиг.12, в окнах, чьи торцевые поверхности окон - это торцевая поверхность 28а защитной пленки 28 и торцевая поверхность (не показана) межслойной изолирующей пленки 29 перед озолением, соответственно, формируется окно, чья торцевая поверхность окна - это торцевая поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора. Поскольку в защитной пленке 28 имеется окно, сформированное в ней с использованием межслойной изолирующей пленки 29 в качестве маски, торцевая поверхность 28а защитной изолирующей пленки 28 формируется таким образом, что соприкасается (перекрывает) торцевую поверхность (торцевую поверхность окна) межслойной изолирующей пленки 29 до озоления. По этой причине, на Фиг.14 показана торцевая поверхность 28а (торцевая поверхность окна) защитной пленки 28 и не показана межслойная изолирующая пленка 29 до озоления.
После того, во время [Этапа озоления], межслойная изолирующая пленка 29 протравливается путем O2 - озоления или подобного. Таким образом, как показано на Фиг.12 и 13, торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 отдаляется от открытых частей соединительных проводников 62 и сигнального проводника 27 дальше, чем торцевая поверхность 28а защитной пленки 28 на расстояние у.
То есть расстояние y - это расстояние протравливания торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 после озоления с торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 до озоления, и оно равно расстоянию между торцевой поверхностью 28а защитной пленки 28 и торцевой поверхностью 29а межслойной изолирующей пленки 29 после озоления.
В итоге, окно в межслойной изолирующей пленке 28 увеличивается, и формируется окно, сформированное торцевой поверхностью 29а межслойной изолирующей пленки 29 с Фиг.12 и 13.
В итоге, как показано на Фиг.12 и 13, изолирующая пленка 24 затвора, защитная пленка 28 и сигнальные проводники 27 структурированы таким образом, что часть изолирующей пленки 24 затвора, часть защитной пленки 28 и сигнального проводника 27 проходят от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29. То есть изолирующая пленка 24 затвора, защитная пленка 28 и сигнальные проводники 27 структурированы таким образом, что часть изолирующей пленки 24 затвора, часть защитной пленки 28, и сигнального проводника 27 выходят в окно дальше, за пределы торцевой поверхности 29а, которая является торцевой поверхностью окна межслойной изолирующей пленки 29.
Далее, во время [Этапа формирования проводящей пленки], прозрачный электрод 33 формируется таким образом, чтобы покрывать частично или полностью участок перемены, целиком включая окно, сформированное торцевой поверхностью 29а межслойной изолирующей пленки 29, верхнюю поверхность и торцевую поверхность 28а защитной пленки 28, которая проходит от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29, верхнюю поверхность и торцевую поверхность 27d верхней сигнального проводника 27b, которая проходит от расположения торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 до озоления (то есть от торцевой поверхности 28а защитной пленки 28) торцевую поверхность 27 с нижнего сигнального проводника 27а, и торцевую поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора. Таким образом, электрически соединяются соединительный проводник 62 и сигнальный проводник 27 через прозрачный электрод 33. Таким образом формируется контактное окно 71.
Как описано выше, согласно настоящему варианту реализации, торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 располагается дальше от области, где непосредственно соединяются друг с другом соединительный проводник 62 и прозрачный электрод 33 (первая соединительная область участка перемены), и от области, где непосредственно соединяются друг с другом сигнальные проводники 27 и прозрачный электрод 33 (вторая соединительная область участка перемены), чем торцевая поверхность 24а межслойной изолирующей пленки 24, которая обращена к этим областям (то есть к первой и второй соединительным областям), и торцевая поверхность 28а защитной пленки 28, которая обращена к этим областям (то есть к первой и второй соединительным областям).
По этой причине, в настоящем варианте реализации, тоже, даже если возникает дефект 33а, в той части прозрачного электрода 33, которая покрывает межслойную изолирующую пленку 29, расстояние между дефектом 33а и первой и второй соединительными областями (то есть, областями в каждом металлическом проводнике, где проводящая пленка нанесена непосредственно на металлический проводник без помещенных между ними неорганической изолирующей пленки и органической изолирующей пленки) остается большим. Кроме того, в настоящем варианте реализации, тоже, шероховатость поверхности изолирующей пленки 24 затвора и защитной пленки 28 после сухого травления уменьшается до сравнительно небольшого уровня. По этой причине, те части прозрачного электрода 33, которые покрывают торцевую поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора и торцевую поверхность 28а защитной пленки 28, становятся плотными, что предотвращает проникновение компонента, ускоряющего коррозию.
По этой причине, в настоящем варианте реализации, тоже, даже если межслойная изолирующая пленка 29 имеет шероховатую поверхность и в прозрачном электроде 33 на межслойной изолирующей пленке 29 возникает дефект 33а, то возможно избежать коррозии и обрыва проводников 22 развертки из-за состояния поверхности межслойной изолирующей пленки 29.
В настоящем варианте реализации, тоже, условия озоления не имеют особых ограничений. Условия озоления должны только быть выбраны таким образом, что, как описано выше, торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 должна получиться дальше от торцевой поверхности 28а защитной пленки 28 и торцевой поверхности 24а изолирующей пленки 24 затвора.
Расстояние у протравливания торцевой поверхности межслойной изолирующей пленки 29 в соединительной области 70 проводников не имеет особых ограничений. Тем не менее, для обеспечения эффекта, желательно, чтобы расстояние у составляло 0,5 мкм или более. Кроме того, в случае, когда протравливание производится озолением, расстояние у в реальности не будет больше, чем толщина межслойной изолирующей пленки 29. По этой причине расстояние у выбирается равным или меньшим, чем толщина межслойной изолирующей пленки 29 (например, в диапазоне от 0,5 мкм до 5 мкм). С другой стороны, в случае, когда протравливание производится в сочетании с приемом частичного экспонирования, расстояние у протравливания межслойной изолирующей пленки 29 может быть сделано больше (например, сделано больше, чем толщина межслойной изолирующей пленки 29).
Однако в случае использования вышеописанного приема в участке перемены в разводке (контактное окно 71), как описано выше, верхний предел расстояния у ограничен шириной проводников (то есть шириной соединительного проводника 62 и шириной сигнального проводника 27, или, в примере, показанном на Фиг.12, в частности, шириной сигнального проводника 27, ширина которой меньше).
[Вариант реализации 6]
Ниже описывается другой вариант реализации настоящего изобретения, со ссылками на Фиг.14, а также на Фиг.15(a) и Фиг.15(b). Следует отметить, что в настоящем варианте реализации в основном описываются различия между настоящим вариантом реализации и Вариантами реализации 1 и 4, и компоненты, имеющие те же функции, что и в Вариантах реализации 1 и 4 имеют ту же нумерацию и, как таковые, не описываются ниже.
На Фиг.14 представлен вид сверху, изображающий структуру соединительной области 70 проводников развертки на подложке 20 активной матрицы, в соответствии с настоящим вариантом реализации. Кроме того, на Фиг.15(а) представлено поперечное сечение подложки 20 активной матрицы, сделанное по оси Е-Е с Фиг.14, а на Фиг.15(b) представлено поперечное сечение подложки активной матрицы, сделанное по оси F-F с Фиг.14.
Как показано на Фиг.15(a) и (b), область 70 соединения проводников подложки 20 активной матрицы, согласно настоящему варианту реализации, выполнена таким образом, что соединительный проводник 62, состоящий из первого металлического проводникового слоя (металлического слоя затвора), изолирующая пленка 24 затвора, первый полупроводниковый слой 31, второй полупроводниковый слой 32, сигнальные проводники 27, состоящие из второго металлического проводникового слоя (металлического слоя истока), защитная пленка 28, межслойная изолирующая пленка 29 и прозрачный электрод 33 наносятся в указанном порядке на стеклянную подложку 21.
Следует отметить, что настоящий вариант реализации также описывается, принимая в качестве примера случай, когда и первый металлический проводниковый слой и второй металлический проводниковый слой имеют двухслойную структуру, когда соединительные проводники 62 состоят из нижнего соединительного проводника 62а и верхнего соединительного проводника 62b, и когда сигнальные проводники 27 состоят из нижнего сигнального проводника 27а и верхнего сигнального проводника 27b; однако, как и Вариант реализации 5, настоящий вариант реализации не ограничивается таким примером.
В настоящем варианте реализации, тоже, сигнальный проводник 27 электрически соединен с соединительным проводником 62 через контактное окно 71 (окно), расположенное в соединительной области 70 проводников. Поверхность контактного окна 71 покрыта прозрачным электродом 33.
Кроме того, соединительный проводник 62 и сигнальный проводник 27 формируются таким образом, чтобы проходить в разных направлениях друг от друга. Контактные окна 71 формируются таким образом, что грань (торцевая поверхность), по меньшей мере, либо соединительного проводника 62, либо сигнального проводника 27 (в настоящем варианте реализации сигнального проводника 27) расположена внутри контактного окна 71.
Поскольку в настоящем варианте реализации первый полупроводниковый слой 31 снабжается окном, образующим контактное окно 71, первый полупроводниковый слой 31 имеет форму кольца.
Контактное окно с Фиг.14 и 15(а) и (b) может быть сформировано сочетанием способа, описанного выше в Варианте реализации 4 со способом, описанным выше в Варианте реализации 1. Ниже описывается способ изготовления такого контактного окна 71, со ссылками на Фиг.6(а)-Фиг.6(е), на Фиг.11(а)-Фиг.11(f), Фиг.14 и Фиг.15(а) и (b).
Во время [Этапа формирования проводников развертки], описанного выше в Варианте реализации 1, соединительный проводник 62, состоящий из того же первого металлического проводникового слоя, что и проводник 22 развертки, формируется в том же слое, что и проводник 22 развертки на стеклянной подложке 21 в соединительной области 70 проводников.
Затем, во время [Этапа формирования изолирующей пленки затвора/полупроводникового слоя], изолирующая пленка 24 затвора, первый полупроводниковый слой 31 и второй полупроводниковый слой 32 формируются в названном порядке на соединительном проводнике 62 в соединительной области 70 проводников. Во время данного этапа, и первый полупроводниковый слой 31 и второй полупроводниковый слой 32, сформированные таким образом, имеют форму островка.
После этого, во время [Этапа формирования сигнальных проводников] два типа проводящей пленки, изготовленной из Ti и Cu соответственно, формируются последовательно в названном порядке путем напыления на изолирующую пленку 24 затвора, таким образом, чтобы покрыть первый и второй полупроводниковые слои 31 и 32.
Затем, на проводящей пленке формируется рисунок в слое фоторезиста путем фотолитографии. После этого, методом жидкостного травления формируется рисунок проводящей пленки. В это же время, та область второго полупроводникового слоя, которая не прикрыта слоем фоторезиста, удаляется при формировании рисунка. После этого слой фоторезиста смывается.
Сформированные таким образом на изолирующей пленке 24 затвора сигнальные проводники 27 покрывают часть первого полупроводникового слоя 31 и второй полупроводниковый слой 32.
Кроме того, во время [Этапа формирования защитной пленки/межслойной изолирующей пленки], посредством выполнения сухого травления, с использованием межслойной изолирующей пленки 29 в качестве маски, не закрытые маской части изолирующей пленки 24 затвора и защитной пленки 28 удаляются, посредством чего окно, служащее контактным окном 71, формируется в области изменения разводки между сигнальным проводником 27 и соединительным проводником 62 (участок перемены).
В это же время, во-первых, этап сухого травления с использованием межслойной изолирующей пленки 29, в качестве маски приводит к формированию окон в тех частях защитной пленки 28, которые прилегают к сигнальному проводнику 27, ко второму полупроводниковому слою 32 и к изолирующей пленке 24 затвора соответственно, таким образом, что открывается часть сигнального проводника 27, как показано на Фиг.14 и Фиг.15(a) и (b). Затем, при использовании межслойной изолирующей пленки 29, сигнального проводника 27, первого полупроводникового слоя 31 и второго полупроводникового слоя 32 в качестве масок, окна формируются в тех частях изолирующей пленки 24 затвора и защитной пленки 28, которые прилегают к соединительному проводнику 62 соответственно, таким образом, что открывается часть соединительных проводников 62.
Таким образом, как показано на Фиг.14, в окнах, чьи торцевые поверхности окон - это торцевая поверхность 28а защитной пленки 28 и торцевая поверхность (не показана) межслойной изолирующей пленки 29 перед озолением, соответственно, формируется окно, чью торцевая поверхность окна - это торцевая поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора. Поскольку, в защитной пленке 28 имеется окно, сформированное в ней с использованием межслойной изолирующей пленки 29 в качестве маски, торцевая поверхность межслойной изолирующей пленки 29 (торцевая поверхность окна) формируется таким образом, что соприкасается (перекрывает) торцевую поверхность 28а защитной пленки 28. По этой причине, на Фиг.14 показана торцевая поверхность 28а (торцевая поверхность окна) защитной пленки 28 и не показана межслойная изолирующая пленка 29 до озоления. Кроме того, как показано на Фиг.15 (а) и (b), торцевая поверхность 31а первого полупроводникового слоя 31 (торцевая поверхность окна) формируется таким образом, чтобы соприкасаться (перекрывать) торцевую поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора. По этой причине, на Фиг.14 показана торцевая поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора и не показана торцевая поверхность 31а (торцевая поверхность окна) первого полупроводникового слоя 31. Поскольку, как упомянуто выше, второй полупроводниковый слой 32, открытый от сигнального проводника 27, был удален во время создания рисунка сигнального проводника 27, торцевая поверхность 32а второго полупроводникового слоя 32 формируется, как показано на Фиг.15b, таким образом, чтобы соприкасаться с торцевой поверхностью сигнального проводника 27.
После того, во время [Этапа озоления], межслойная изолирующая пленка 29 протравливается путем O2 - озоления или подобного. Таким образом, как показано на Фиг.14 и Фиг.15(a) и (b), торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 отдаляется от открытых частей соединительных проводников 62 и сигнального проводника 27 дальше, чем торцевая поверхность 28а защитной пленки 28 на расстояние y.
В настоящем варианте реализации, тоже, расстояние у -это расстояние протравливания торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 после озоления с торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 до озоления, и оно равно расстоянию между торцевой поверхностью 28а защитной пленки 28 и торцевой поверхностью 29а межслойной изолирующей пленки 29 после озоления.
В итоге, окно в межслойной изолирующей пленке 28 увеличивается, и формируется окно, сформированное торцевой поверхностью 29а межслойной изолирующей пленки 29 с Фиг.14 и Фиг.15(a) и (b).
В итоге, как показано на Фиг.14 и Фиг.15(а) и (b), подложка 20 активной матрицы выполнена таким образом, что часть изолирующей пленки 24 затвора, часть первого полупроводникового слоя 31, часть второго полупроводникового слоя 32, часть сигнального проводника 27 и часть защитной пленки 28 проходят от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 (то есть выходят дальше за пределы торцевой поверхности 29а, которая является торцевой поверхностью окна межслойной изолирующей пленки 29, внутри окна).
Далее, во время [Этапа формирования проводящей пленки], прозрачный электрод 33 формируется таким образом, чтобы покрывать частично или полностью участок перемены, целиком включая окно, сформированное торцевой поверхностью 29а межслойной изолирующей пленки 29, верхнюю поверхность и торцевую поверхность 28а защитной пленки 28, которая проходит от торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29, верхнюю поверхность и торцевую поверхность 27d верхнего сигнального проводника 27b, которая проходит от расположения торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 до озоления (то есть от торцевой поверхности 28а защитной пленки 28) торцевую поверхность 27 с нижнего сигнального проводника 27а, торцевую поверхность 32а второго полупроводникового слоя 32, торцевую поверхность 31а первого полупроводникового слоя 31 и торцевую поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора. Таким образом, электрически соединяются соединительный проводник 62 и сигнальный проводник 27 через прозрачный электрод 33. Таким образом формируется контактное окно 71.
Как описано выше, в настоящем варианте реализации, тоже, торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 располагается дальше от области, где непосредственно соединяются друг с другом соединительный проводник 62 и прозрачный электрод 33 (первая соединительная область участка перемены), и от области, где непосредственно соединяются друг с другом сигнальные проводники 27 и прозрачный электрод 33 (вторая соединительная область участка перемены), чем торцевая поверхность 24а межслойной изолирующей пленки 24, которая обращена к этим областям (то есть к первой и второй соединительным областям), и торцевая поверхность 28а защитной пленки 28, которая обращена к этим областям (то есть к первой и второй соединительным областям).
По этой причине, в настоящем варианте реализации, тоже, даже если возникает дефект 33а, в той части прозрачного электрода 33, которая покрывает межслойную изолирующую пленку 29, расстояние между дефектом 33а и первой и второй соединительными областями (то есть областями в каждом металлическом проводнике, где проводящая пленка нанесена непосредственно на металлический проводник без помещенных между ними неорганической изолирующей пленки и органической изолирующей пленки) остается большим. Кроме того, в настоящем варианте реализации, тоже, шероховатость поверхности изолирующей пленки 24 затвора и защитной пленки 28, после сухого травления уменьшается до сравнительно небольшого уровня. По этой причине, те части прозрачного электрода 33, которые покрывают торцевую поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора и торцевую поверхность 28а защитной пленки 28, становятся плотными, что предотвращает проникновение компонента, ускоряющего коррозию.
По этой причине, в настоящем варианте реализации, тоже, даже если межслойная изолирующая пленка 29 имеет шероховатую поверхность и в прозрачном электроде 33 на межслойной изолирующей пленке 29 возникает дефект 33а, то возможно избежать коррозии и обрыва проводников 22 развертки из-за состояния поверхности межслойной изолирующей пленки 29.
Следует отметить, в данном этапе, что условия озоления не имеют особых ограничений. Условия озоления должны только быть выбраны таким образом, что, как описано выше, торцевая поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29 должна получиться дальше от торцевой поверхности 28а защитной пленки 28 и торцевая поверхность 24а изолирующей пленки 24 затвора.
В настоящем варианте реализации, тоже, расстояние у протравливания торцевой поверхности межслойной изолирующей пленки 29 в соединительной области 70 проводников не имеют особых ограничений. Кроме того, в случае, когда протравливание осуществляется путем озоления, расстояние у устанавливается, например, в диапазоне от 0,5 мкм до 5 мкм по той же причине, что приведена выше в Варианте реализации 5. С другой стороны, в настоящем варианте реализации, тоже, в случае, когда протравливание производится в сочетании с приемом частичного экспонирования, расстояние у протравливания межслойной изолирующей пленки 29 может быть сделано больше (например, сделано больше чем толщина межслойной изолирующей пленки 29).
В настоящем варианте реализации, тоже, в случае использования вышеописанного приема в участке перемены в разводке (контактное окно 71), как описано выше, верхний предел расстояния у ограничен шириной проводников (то есть шириной соединительного проводника 62 и шириной сигнального проводника 27, или, в примере, показанном на Фиг.14, в частности, шириной сигнального проводника 27, ширина которого меньше).
Как описано выше, в случае, когда настоящее изобретение применяется к соединительной области 70 проводников, предпочтительно, чтобы структура, увеличивающая расстояние между торцевой поверхностью 29а межслойной изолирующей пленки 29 и торцевой поверхностью 28а защитной пленки 28, также выполнялась на сигнальном проводнике 27. По этой причине, в случае, когда настоящее изобретение применяется к соединительной области 70 проводников, предпочтительно, чтобы подложка 20 активной матрицы была выполнена, как показано в Варианте реализации 5 или в настоящем варианте реализации.
Однако в случае, когда область 70 соединения проводников формируется внутри области, ограниченной герметиком 91, вероятность возникновения коррозии меньше. По этой причине, [Этап озоления] может быть пропущен в примере изготовления настоящего варианта реализации, при применении только способа, описанного выше в Варианте реализации 1. Таким образом, подложка 20 активной матрицы может быть выполнена так, чтобы предотвращать коррозию только соединительных проводников 60 (первого проводникового слоя).
Кроме того, настоящий вариант реализации был описан, принимая в качестве примера случай, когда второй полупроводниковый слой 32, открытый от сигнального проводника 27, был удален во время создания рисунка сигнального проводника 27, как упомянуто выше. Однако настоящий вариант реализации не ограничивается таким примером. Например, возможно оставить второй полупроводниковый слой, используя специальную маску для травления полупроводникового слоя, например производя травления металлического проводника и полупроводникового слоя отдельно.
[Вариант реализации 7]
Ниже описывается другой вариант реализации настоящего изобретения, со ссылками на Фиг.16(a)-16(f). Следует отметить, что в настоящем варианте реализации в основном описываются различия между настоящим вариантом реализации и Вариантом реализации 1, и компоненты, имеющие те же функции, что и в варианте реализации 1, имеют ту же нумерацию и, как таковые, не описываются ниже.
На Фиг.16 представлен ряд поперечных сечений с (а) по (f) подложки 20 активной матрицы, поперечные сечения с (а) по (е) показывают последовательные этапы процесса по которому изготавливается подложка 20 активной матрицы. Следует отметить, что каждая из Фиг.16(a)-Фиг.11(f), поперечное сечение соединительной области 50 проводников развертки и поперечное сечение области возле тонкопленочного транзистора 11 в каждом пикселе 10, сопоставляются, как поперечные сечения неотображающей области 42 и отображающей области 41 подложки 20 активной матрицы на конец соответствующего этапа.
В начале, слои, составляющие подложку 20 активной матрицы, описываются ниже со ссылкой на Фиг.16(f).
Как и с Вариантом реализации 1, настоящий вариант реализации описывается, принимая соединительную область 50 проводников развертки в качестве примера соединительной области 44. Однако соединительная область 50 проводников развертки, проводники 22 развертки, выводы 51 развертки и электроды 12 могут рассматриваться, как соединительная область 60 сигнального проводника, соединительные проводники 62, сигнальные выводы 61 и сигнальные электроды 13 соответственно.
Как показано на Фиг.16(f), отображающая область 41 подложки 20 активной матрицы согласно настоящему варианту реализации выполнена таким образом, что первый металлический проводниковый слой (металлический слой затвора), такой как электрод 12 развертки, изолирующая пленка 24 затвора, слой 25 канала, защитный слой 101 канала, слой 26 электродных контактов, второй металлический проводниковый слой (металлический слой истока), такой как сигнальный электрод 13 и электрод 14 стока, защитная пленка 28, межслойная изолирующая пленка 29, пиксельный электрод 30, и, при необходимости, упорядочивающая пленка (не показано) выполняются в названном порядке на стеклянной подложке 21.
Тем временем, соединительная область 50 проводников развертки подложки 20 активной матрицы выполнена таким образом, что проводник 22 развертки, изолирующая пленка 24 затвора, первый полупроводниковый слой 31, защитная пленка 28, межслойная изолирующая пленка 29 и прозрачный электрод 33 наносятся в названном порядке поверх стеклянной подложки 21. Кроме того, путем нанесения прозрачного электрода 33 непосредственно на проводник 22 развертки на конце проводников 22 развертки выполняется контактная область 55.
В настоящем варианте реализации, тоже, проводник 22 развертки выполнен так, что его верхний проводник 22b развертки располагается на его нижнем проводнике 22а развертки. Однако, как упомянуто выше в Варианте реализации 1, проводник 22 развертки не ограничен подобной конфигурацией.
Подложка 20 активной матрицы согласно настоящему варианту реализации выполнена так же, как подложка 20 активной матрицы Варианта реализации 1, за исключением того, что защитный слой 101 канала выполняется между слоем 25 канала и слоем 26 электродных контактов, и что полупроводниковый слой, который служит слоем 26 электродных контактов так же выполняется под вторым металлическим проводниковым слоем (не показано).
В следующем, описывается способ изготовления подложки 20 активной матрицы, соответствующей настоящему варианту реализации, со ссылками на Фиг.16(а)-по Фиг.16(f) В следующем примере изготовления, такие условия, как толщина каждого слоя аналогичны условиям в Варианте реализации 1, если не указано иное.
[Этап формирования проводников развертки]
Этот этап аналогичен тому, который показан на Фиг.6(a), в Варианте реализации 1 и, поэтому, этап детально не описывается ниже.
Однако во время этапа формирования изолирующей пленки затвора/полупроводникового слоя, согласно настоящему варианту реализации, пленка Ti, толщиной от 30 до 150 нм и пленка Cu, толщиной от 200 до 500 нм, последовательно формируются в названном порядке, методом напыления поверх стеклянной подложки 21. Таким образом были сформированы: электрод 12 развертки, имеющий двухслойную Cu/Ti структуру, в которой верхний электрод 12b развертки располагается на нижнем электроде 12а развертки, и проводник 22 развертки, имеющий двухслойную Cu/Ti структуру, в которой верхний проводник 22b развертки располагается на нижнем проводнике 22а развертки.
[Этап формирования изолирующей пленки затвора/первого полупроводникового слоя/защитного слоя канала]
Во время этого этапа, как показано на Фиг.16b, формируются: слой 25 канала, защитный слой 101 канала и слой 26 электродных контактов.
В начале, изолирующая пленка 24 затвора (неорганическая изолирующая пленка), состоящая из нитрида кремния (SiNx), слой аморфного кремния (полупроводниковый слой), для формирования слоя 25 канала, и слой нитрида кремния (SiNx), для формирования защитного слоя 101 канала, последовательно формируются методом химического осаждения из газовой фазы, в названном порядке, таким образом, чтобы покрывать электрод 12 развертки и проводник 22 развертки.
После этого, путем двукратного повторения этапа, содержащего формирование слоя фоторезиста, посредством фотолитографии и смывания слоя фоторезиста, формируется рисунок слоя нитрида кремния (SiNx) и слоя аморфного кремния, которые являются самыми верхними слоями, как показано на Фиг.16(b).
Таким образом, как показано на Фиг.16(b), слой 25 канала, состоящий из слоя аморфного кремния и защитный слой 101 канала, нанесенный на слой 25 канала, формируются над изолирующей пленкой 24 затвора в каждом пикселе 10. Кроме того, первый полупроводниковый слой 31, состоящий из слоя аморфного кремния формируется на изолирующей пленке 24 затвора в контактной области 50 проводников развертки. Следует отметить, что самый верхний слой нитрида кремния был полностью удален при создании рисунка, а исключением части канала.
Во время этого этапа, предпочтительно, чтобы пленка нитрида кремния, формируемая так, чтобы составлять изолирующую пленку 24 затвора, имела толщину от 200 до 500 нм; однако, это не подразумевает каких-либо особых ограничений. Кроме того, предпочтительно, чтобы слой аморфного кремния, формируемый таким образом, чтобы составлять слой 25 канала и первый полупроводниковый слой 31, имел толщину от 30 до 300 нм, а слой нитрида кремния, формируемый таким образом, чтобы составлять защитный слой 101 канала, имел толщину от 100 до 300 нм.
[Этап формирования второго полупроводникового слоя/сигнального проводника]
Во время этого этапа, в начале, как показано на Фиг.16(c), на изолирующей пленке 24 затвора, методом химического осаждения из газовой фазы, формируется слой 102 n+ аморфного кремния, сильно легированный примесями n-типа, таким образом, чтобы покрывать слой 25 канала, защитную пленку 101 канала и первый полупроводниковый слой 31.
Затем, два типа проводящей пленки, изготовленной из Ti и Cu соответственно, формируются последовательно в названном порядке путем напыления на слой 102 n+ аморфного кремния.
Затем, на проводящей пленке формируется рисунок в слое фоторезиста путем фотолитографии. После этого, путем травления создается рисунок проводящей пленки и слоя 102 n+ аморфного кремния, и второй полупроводниковый слой 32, состоящий из слоя 102 n+ аморфного кремния, удаляется. После этого слой фоторезиста смывается.
Таким образом, как показано на Фиг.16(d), в отображающей области 41 формируются: второй металлический проводниковый слой, структурированный таким образом (например, сигнальные электроды 13, электроды 14 стока, сигнальные проводники 27, проводники 15 стока, промежуточные электроды 16, и т.п.), и слой 26 электродных контактов, состоящий из слоя 102 n+ аморфного кремния, который выполняется под вторым металлическим проводниковым слоем, таким образом, чтобы перекрывать второй металлический проводниковый слой. В то же время, в соединительной области 44, формируется шаблон полупроводникового слоя 31, который электрически отключен от слоя 25 канала и слоя 26 электродных контактов, в отображающей области 41.
В этом этапе предпочтительно, чтобы формируемый так слой n+ аморфного кремния имел толщину от 50 до 150 нм, чтобы формируемая так Ti пленка имела толщину от 20 до 150 нм, а формируемая так Сu пленка имела толщину от 100 до 400 нм; однако, это не подразумевает каких-либо особых ограничений.
Следует отметить, что этот пример изготовления, так же был описан, принимая в качестве примера случай, когда второй металлический проводник (металлический слой истока), включая сигнальные электроды 13, имеет двухслойную структуру Ti/Cu, служащую верхним проводником/нижним проводником. Однако, как в случае первого металлического проводникового слоя (металлического слоя затвора), настоящее изобретение не ограничивается таким примером.
[Этап формирования защитной пленки/межслойной изолирующей пленки]
Этот этап по сути аналогичен тому, который показан на Фиг.6(d) Варианта реализации 1. Во время этого этапа, во-первых, как показано на Фиг.16(e) путем осаждения из паровой фазы, на изолирующей пленке 24 затвора формируется пленка нитрида кремния (SiNx), выполняющая функцию защитной пленки 28, таким образом, чтобы покрывать сигнальные проводники 27, сигнальные электроды 13 и электроды 14 стока, составленные вторым металлическим проводниковым слоем.
Затем, посредством метода центрифугирования, формируется материал межслойной изолирующей пленки, состоящий из фоточувствительной смолы. Затем, производится формирование рисунка посредством фотолитографии, а после этого производится сухое травление. Таким образом формируются шаблоны защитной пленки 28, состоящей из пленки нитрида кремния, и межслойной изолирующей пленки 29, состоящей из материала межслойной изолирующей пленки.
В этот же момент времени, хотя это не показано, при выполнении сухого травления, с использованием межслойной изолирующей пленки 29 в качестве маски, не прикрытые маской части защитной пленки 28, в каждом пикселе 10, удаляются, таким образом, что сигнальный электрод 13 и электрод 14 стока открываются.
В это время, в соединительной области 50 проводников развертки, как показано на Фиг.16(е), посредством выполнения сухого травления, с использованием в качестве маски межслойной изолирующей пленки 29, не закрытые маской части изолирующей пленки 24 затвора и защитной пленки 28 над проводником 22 развертки, служащей выводящим проводником, удаляются, посредством чего открывается контактная область 55 (контакт 51 развертки и окружающая его область) проводников 22 развертки.
В соединительной области 50 проводников развертки, в это же время, как показано на Фиг.16(е), в месте пересечения наплыва торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 и проводников 22 развертки, удаляется первый полупроводниковый слой 31.
Это позволяет первому полупроводниковому слою 31 служить в качестве маски во время сухого травления. В результате, как показано на Фиг.16(e), первый полупроводниковый слой 31 и изолирующая пленка 24 затвора, имеют такую структуру, что часть первого полупроводникового слоя 31, и часть изолирующей пленки 24 затвора проходят дальше за пределы торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29.
Таким образом, во время этого этапа в настоящем варианте реализации, как показано на Фиг.16(e), формируется подложка 20 активной матрицы, аналогичная подложке 20 активной матрицы, показанной на Фиг.6(d) Варианта реализации 1, за исключением того, что защитный слой 101 канала выполняется между слоем 25 канала и слоем 26 электродных контактов, и что полупроводниковый слой, который служит слоем 26 электродных контактов, также выполняется под вторым металлическим проводниковым слоем в отображающей области 41.
[Этап формирования прозрачной проводящей пленки]
Этот этап по сути аналогичен тому, который показан на Фиг.6(е) Варианта реализации 1. Во время этого этапа формируется прозрачная проводящая пленка, состоящая из оксида индия и олова, которая полностью покрывает верхнюю поверхность стеклянной подложки 21, над которой формируется межслойная изолирующая пленка 29. Далее, на прозрачной проводящей пленке формируется рисунок в слое фоторезиста путем фотолитографии. После этого формируется рисунок прозрачной проводящей пленки, путем жидкостного травления, а затем слой фоторезиста смывается.
Таким образом, в настоящем варианте реализации, тоже, как показано на Фиг.16(f), в каждом пикселе 10 формируется пиксельный электрод 30, состоящий из прозрачной проводящей пленки. Затем, в соединительной области 50 проводников развертки, прозрачный электрод 33, состоящий из прозрачной проводящей пленки, формируется таким образом, чтобы покрывать верхнюю поверхность межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 28а защитной пленки 28, верхнюю поверхность первого полупроводникового слоя 31, торцевую поверхность 31а первого полупроводникового слоя 31, торцевую поверхность 24а изолирующей пленки затвора 24 и верхнюю поверхность открытой части проводников 22 развертки.
Поскольку прозрачный электрод 33 формируется на открытой части проводников 22 развертки, как описано выше, контакт 51 развертки (контактный электрод) формируется на конце проводников 22 развертки.
[Этап формирования упорядочивающей пленки]
В завершении, как в варианте реализации 1, при необходимости, на поверхности подложки 20 активной матрицы (которая обращена к противоположной подложке 80) формируется упорядочивающая пленка (не показано).
Таким образом, может быть изготовлена подложка 20 активной матрицы.
Следует отметить, что настоящий вариант реализации описан, принимая в качестве примера случай, когда во время этапа, показанного на Фиг.16(b), рисунок слоя нитрида кремния и слоя аморфного кремния формируется при двукратном проведении фотолитографии. Однако настоящий вариант реализации не ограничивается таким примером. Рисунок слоя нитрида кремния и слоя аморфного кремния может быть сформирован, например, при выполнении следующего этапа.
В начале, во время [Этапа формирования изолирующей пленки затвора/первого полупроводникового слоя/защитного слоя канала] изолирующая пленка 24 затвора, слой аморфного кремния для формирования слоя 25 канала и слой нитрида кремния (SiNx), для формирования защитного слоя 101 канала, последовательно формируются методом химического осаждения из газовой фазы, в названном порядке, таким образом, чтобы покрывать электрод 12 развертки и проводник 22 развертки, как до этого описано выше.
После этого, на слой нитрида кремния методом центрифугирования прикладывается защитное покрытие, для формирования защитного слоя 101 канала, и слой резиста (растровая маска; не показано), имеющий два уровня толщины, формируется путем частичного экспонирования областей, где формируются: слой 25 канала и защитный слой 101 канала. В это же время, толщина пленки слоя резиста в области, где формируется защитный слой 101 канала, делается тоньше, чем толщина пленки слоя резиста в области, где формируется слой 205 канала.
Далее, путем травления одновременно слоя аморфного кремния и слоя нитрида кремния, с использованием слоя резиста в качестве маски, в областях, где формируются слой 25 канала и защитный слой 101 канала соответственно, формируются рисунки слоя аморфного кремния и слоя нитрида кремния, на которых основаны слой 25 канала и защитный слой 101 канала. То есть травление с использованием слоя резиста в качестве маски позволяет получить структуру, в которой по трафарету формируется слой 25 канала, а слой нитрида кремния для формирования защитного слоя 101 канала наносят на слой 25 канала.
После этого, более тонкая часть слоя резиста, имеющего два уровня толщины, удаляется посредством озоления (например, O2 - озоления). Защитный слой 101 канала формируется по шаблону, посредством травления слоя нитрида кремния, оставшегося на слое 25 канала, с использованием в качестве маски слоя резиста, оставшегося после озоления (то есть более толстой части слоя резиста, имеющего два уровня толщины).
Таким образом, вышеупомянутый способ позволяет сформировать слой 25 канала и защитный слой 101 канала, которые имеют различный рисунок, как показано на Фиг.16(b), посредством только однократного выполнения фотолитографии.
Кроме того, хотя настоящий вариант реализации также был описан, принимая в качестве примера случай, когда второй полупроводниковый слой 32 был удален, настоящий вариант реализации не ограничен таким примером, который описан выше.
[Вариант реализации 8]
Ниже описывается другой вариант реализации настоящего изобретения, со ссылками на Фиг.17(a)-Фиг.17(f). Следует отметить, что в настоящем варианте реализации в основном описываются различия между настоящим вариантом реализации и Вариантом реализации 1, и компоненты, имеющие те же функции, что и в варианте реализации 1 имеют ту же нумерацию и, как таковые, не описываются ниже.
На Фиг.17 представлен ряд поперечных сечений с (а) по (f) подложки 20 активной матрицы, поперечные сечения с (а) по (е) показывают последовательные этапы процесса, по которому изготавливается подложка 20 активной матрицы. Следует отметить, что каждая из Фиг.17(a)-Фиг.17(f), поперечное сечение соединительной области 50 проводников развертки и поперечное сечение области возле тонкопленочного транзистора 11 в каждом пикселе 10, сопоставляются, как поперечные сечения неотображающей области 42 и отображающей области 41 подложки 20 активной матрицы на конец соответствующего этапа.
В начале, слои, составляющие подложку 20 активной матрицы, описываются ниже со ссылкой на Фиг.17(f).
Как и с Вариантом реализации 1, настоящий вариант реализации описывается, принимая соединительную область 50 проводников развертки в качестве примера соединительной области 44. Однако соединительная область 50 проводников развертки, проводники 22 развертки, выводы 51 развертки и электроды 12 могут рассматриваться, как соединительная область 60 сигнального проводника, соединительные проводники 62, сигнальные выводы 61 и сигнальные электроды 13 соответственно.
На подложке 20 активной матрицы, согласно настоящему варианту реализации, имеется структура СОА (цветной фильтр-на-массиве). Как показано на Фиг.17(f), отображающая область 41 подложки 20 активной матрицы, согласно настоящему варианту реализации выполнена таким образом, что первый металлический проводниковый слой (металлический слой затвора), такой как электрод 12 развертки, изолирующая пленка 24 затвора, слой 25 канала, слой 26 электродных контактов, второй металлический проводниковый слой (металлический слой истока), такой как сигнальный электрод 13 и электрод 14 стока, защитная пленка 28, черная матрица 112 и слой цветофильтра 111, межслойная изолирующая пленка 29, пиксельный электрод 30, и, при необходимости, упорядочивающая пленка (не показано) выполняются в названном порядке на стеклянной подложке 21.
Тем временем, соединительная область 50 проводников развертки подложки 20 активной матрицы выполнена таким образом, что проводник 22 развертки, изолирующая пленка 24 затвора, защитная пленка 28, черная матрица 112 и слой цветофильтра 111, межслойная изолирующая пленка 29, и прозрачный электрод 33 наносятся в названном порядке поверх стеклянной подложки 21. Кроме того, путем нанесения прозрачного электрода 33 непосредственно на проводник 22 развертки на конце проводников 22 развертки выполняется контактная область 55.
В настоящем варианте реализации, тоже, проводник 22 развертки выполнен так, что его верхний проводник 22b развертки располагается на его нижнем проводнике 22а развертки. Однако, как упомянуто выше в Варианте реализации 1, проводник 22 развертки не ограничен подобной конфигурацией.
Подложка 20 активной матрицы, согласно настоящему варианту реализации, выполнена так же, как и подложка 20 активной матрицы, соответствующая Варианту реализации 1, за исключением того, что, как описано выше, черная матрица 112 и слой цветофильтра 111, состоящий из органической изолирующей пленки, выполняется между защитной пленкой 28 и межслойной изолирующей пленкой 29.
В следующем, описывается способ изготовления подложки 20 активной матрицы, соответствующей настоящему варианту реализации, со ссылками на Фиг.17(а) - по Фиг.16(f) В следующем примере изготовления, такие условия, как толщина каждого слоя аналогичны условиям в Варианте реализации 1, если не указано иное.
[Этап формирования проводников развертки/полупроводникового слоя/сигнального проводника]
Этапы, показанные на Фиг.17(a)-17(c) аналогичны тем, которые показаны на Фиг.6(a)-6(c) в варианте реализации 1, и, таким образом, этапы не описываются в настоящем варианте реализации.
[Этап формирования защитной пленки/черной матрицы и слоя цветофильтра]
Во время этого этапа, во-первых, как показано на Фиг.17(d), путем осаждения из паровой фазы, на изолирующей пленке 24 затвора формируется пленка нитрида кремния (SiNx), выполняющая функцию защитной пленки 28, таким образом, чтобы покрывать сигнальные проводники 27, сигнальные электроды 13 и электроды 14 стока, этапы до этого аналогичны таким же этапам в Варианте реализации 1.
Далее, материал цветофильтра, состоящий из светочувствительных смол, имеющих соответствующие цвета, и материал черной матрицы, формируются методом центрифугирования на пленке нитрида кремния для каждого соответствующего цвета, их рисунок формируется посредством фотолитографии, в соответствии с чем формируются: черная матрица 112 и R(красный), С(зеленый), В(синий) слой 111 цветофильтра.
Во время этого этапа, предпочтительно, чтобы пленка нитрида кремния, формирующаяся таким образом, имела толщину от 100 до 700 нм; однако это не подразумевает каких-либо особых ограничений. Кроме того, предпочтительно, чтобы формируемая таким образом черная матрица 112 имела толщину от 500 до 5000 нм, а слой 111 цветофильтра, формируемый таким образом, имел толщину от 500 до 5000 нм.
[Этап формирования межслойной изолирующей пленки]
Во время этого этапа, посредством метода центрифугирования, материал межслойной изолирующей пленки, состоящий из фоточувствительной смолы, формируется на черной матрице 112 и слое 111 цветофильтра. Затем, производится формирование рисунка посредством фотолитографии, а после этого производится сухое травление. Таким образом, по шаблону формируется межслойная изолирующая пленка 29, состоящая из материала межслойной изолирующей пленки.
В этот же момент времени, хотя, это не показано, при выполнении сухого травления, с использованием межслойной изолирующей пленки 29 в качестве маски, не прикрытые маской части защитной пленки 28, в каждом пикселе 10, удаляются, таким образом, что сигнальный электрод 13 и электрод 14 стока открываются.
В это время, в соединительной области 44, как показано на Фиг.17(е), посредством выполнения сухого травления, с использованием в качестве маски межслойной изолирующей пленки 29, не закрытая маской часть черной матрицы 112 и слоя 111 цветофильтра, и не закрытые маской части изолирующей пленки 24 затвора и защитной пленки 28 над проводником 22 развертки, служащей выводящим проводником, удаляются, посредством чего открывается контактная область 55 проводники 22 развертки, и окружающая ее область.
В соединительной области 50 проводников развертки, в это же время, как показано на Фиг.17(е), в месте пересечения наплыва торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 и проводников 22 развертки, удаляется первый полупроводниковый слой 31.
Это позволяет первому полупроводниковому слою 31 служить в качестве маски во время сухого травления. В результате, как показано на Фиг.17(e), первый полупроводниковый слой 31 и часть изолирующей пленки 24 затвора, имеют такую структуру, что часть первого полупроводникового слоя 31 и часть изолирующей пленки 24 затвора проходят дальше за пределы торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29.
В настоящем варианте реализации необходимо только, чтобы межслойная изолирующая пленка 29 была сформирована с такой толщиной, чтобы могла быть скомпенсирована неравномерность, вызванная металлическими проводниками, тонкопленочными транзисторами 11, слоем 111 цветофильтра и черной матрицей 112 подложки 20 активной матрицы, однако, это не накладывает каких-либо особых ограничений. Межслойная изолирующая пленка формируется с толщиной, например, от 0,5 мкм до 5 мкм. Кроме того, если слой 111 цветофильтра и черная матрица 112 изготовлены из материалов, обладающих устойчивостью к процессам, слой 111 цветофильтра может быть структурирован таким образом, чтобы служить заменой межслойной изолирующей пленки 29.
[Этап формирования прозрачной проводящей пленки]
Этот этап по сути аналогичен тому, который показан на Фиг.6(е) Варианта реализации 1. Во время этого этапа формируется прозрачная проводящая пленка, состоящая из оксида индия и олова, которая полностью покрывает верхнюю поверхность стеклянной подложки 21, над которой формируется межслойная изолирующая пленка 29. Далее, на прозрачной проводящей пленке формируется рисунок в слое фоторезиста путем фотолитографии. После этого формируется рисунок прозрачной проводящей пленки, путем жидкостного травления, а затем слой фоторезиста смывается.
Таким образом, в настоящем варианте реализации, тоже, как показано на Фиг.17(f), в каждом пикселе 10 формируется пиксельный электрод 30, состоящий из прозрачной проводящей пленки. Кроме того, в соединительной области 50 проводников развертки, прозрачный электрод 33, состоящий из прозрачной проводящей пленки формируется таким образом, чтобы покрывать верхнюю поверхность межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 112а черной матрицы 112, торцевую поверхность (не показано) слоя 112 цветофильтра, торцевую поверхность 28а защитной пленки 28, верхнюю поверхность первого полупроводникового слоя 31, торцевую поверхность 31а первого полупроводникового слоя 31, торцевую поверхность 24а изолирующей пленки затвора 24 и верхнюю поверхность открытой части проводников 22 развертки.
Поскольку прозрачный электрод 33 формируется на открытой части проводников 22 развертки, как описано выше, контакт 51 развертки (контактный электрод) формируется на конце проводников 22 развертки.
[Этап формирования упорядочивающей пленки]
В завершении, как в варианте реализации 1, при необходимости, на поверхности подложки 20 активной матрицы (которая обращена к противоположной подложке 80) формируется упорядочивающая пленка (не показано).
Таким образом, может быть изготовлена подложка 20 активной матрицы.
Кроме того, хотя настоящий вариант реализации также был описан, принимая в качестве примера случай, когда второй полупроводниковый слой 32 был удален, настоящий вариант реализации не ограничен таким примером, который описан выше.
[Вариант реализации 9]
Ниже описывается другой вариант реализации настоящего изобретения, со ссылками на Фиг.18(a)-18(f). Следует отметить, что в настоящем варианте реализации в основном описываются различия между настоящим вариантом реализации и Вариантом реализации 1, и компоненты, имеющие те же функции, что и в варианте реализации 1 имеют ту же нумерацию и, как таковые, не описываются ниже.
На Фиг.18 представлен ряд поперечных сечений с (а) по (f) подложки 20 активной матрицы, поперечные сечения с (а) по (е) показывают последовательные этапы процесса, по которому изготавливается подложка 20 активной матрицы. Следует отметить, что каждая из Фиг.18(a)-18(f), поперечное сечение соединительной области 50 проводников развертки и поперечное сечение области возле тонкопленочного транзистора 11 в каждом пикселе 10, сопоставляются, как поперечные сечения неотображающей области 42 и отображающей области 41 подложки 20 активной матрицы на конец соответствующего этапа.
В начале, слои, составляющие подложку 20 активной матрицы, описываются ниже со ссылкой на Фиг.18(f).
Как и с Вариантом реализации 1, настоящий вариант реализации описывается, принимая соединительную область 50 проводников развертки в качестве примера соединительной области 44. Однако соединительная область 50 проводников развертки, проводники 22 развертки, выводы 51 развертки и электроды 12 могут рассматриваться, как соединительная область 60 сигнального проводника, соединительные проводники 62, сигнальные выводы 61 и сигнальные электроды 13 соответственно.
Как показано на Фиг.18(f), отображающая область 41 подложки 20 активной матрицы, согласно настоящему варианту реализации выполнена таким образом, что первый металлический проводниковый слой (металлический слой затвора), такой как электрод 12 развертки, изолирующая пленка 24 затвора, слой 25 канала, слой 26 электродных контактов, второй металлический проводниковый слой (металлический слой истока), такой как сигнальный электрод 13 и электрод 14 стока, защитная пленка 28, межслойная изолирующая пленка 29, пиксельный электрод 30, и, при необходимости, упорядочивающая пленка (не показано) выполняются в названном порядке на стеклянной подложке 21.
Подложка 20 активной матрицы согласно настоящему варианту реализации отличается от подложки 20 активной матрицы Варианта реализации 1, в которой два полупроводниковых слоя, служащих в качестве слоя 25 канала и слоя 26 электродных контактов, формируются под вторым металлическим проводниковым слоем в отображающей области 41, таким образом, что проходят через всю отображающую область.
Следует отметить, что соединительная область 50 проводников развертки подложки 20 активной матрицы согласно настоящему варианту реализации, идентична по структуре такой же области подложки 20 активной матрицы, соответствующей варианту реализации 1. Соединительная область 50 проводников развертки подложки 20 активной матрицы выполнена таким образом, что изолирующая пленка 24 затвора, первый полупроводниковый слой 31, защитная пленка 28, межслойная изолирующая пленка 29, и прозрачный электрод 33 наносятся в названном порядке поверх стеклянной подложки 21. Кроме того, путем нанесения прозрачного электрода 33 непосредственно на проводник 22 развертки на конце проводников 22 развертки выполняется контактная область 55.
В настоящем варианте реализации, тоже, проводник 22 развертки выполнен так, что его верхний проводник 22b развертки располагается на его нижнем проводнике 22а развертки. Однако, как упомянуто выше в Варианте реализации 1, проводник 22 развертки не ограничен подобной конфигурацией.
В следующем, описывается способ изготовления подложки 20 активной матрицы, соответствующей настоящему варианту реализации, со ссылками на Фиг.18(а)-по Фиг.18(f). В следующем примере изготовления такие условия, как толщина каждого слоя аналогичны условиям в Варианте реализации 1, если не указано иное.
[Этап формирования проводников развертки]
Этап, показанный на Фиг.18(a), аналогичен тому, который показан на Фиг.6(a), в Варианте реализации 1 и, поэтому, этап детально не описывается ниже в настоящем варианте реализации.
[Этап формирования изолирующей пленки затвора/полупроводникового слоя/сигнального проводника]
Во время этого этапа, во-первых, как показано на Фиг.18(b), изолирующая пленка 24 затвора (неорганическая изолирующая пленка), изготовленная из нитрида кремния (SiNx), формируется посредством химического осаждения из паровой фазы, таким образом, чтобы покрывать электрод 12 развертки и проводник 22 развертки.
Затем, в качестве полупроводниковых слоев над изолирующей пленкой 24 затвора формируются: слой 12 аморфного кремния и слой 122 n+ аморфного кремния, сильно легированного примесями.
Затем, проводящая пленка 123, изготовленная из Ti, и проводящая пленка 124, изготовленная из Cu, формируются последовательно в названном порядке путем напыления на слой 122 n+ аморфного кремния.
Затем, методом центрифугирования на проводящую пленку 124 наносят защитное покрытие, и при проведении частичного экспонирования и, таким образом, оставляя только необходимые части защитного покрытия и, частично уменьшая толщину защитного покрытия, формируется слой 125 резиста (растровая маска), имеющий два уровня толщины.
В частности, как показано на Фиг.18(b), толщина пленки тех частей слоя 125 резиста, которая относится к части канала и части, где оставляется первый полупроводниковый слой 31, делается тоньше из-за частичного экспонирования, чем толщина тех частей слоя 125 резиста, которые в итоге служат, как второй металлический проводниковый слой (например, сигнальный электрод 13, электрод 14 стока, сигнальные проводники 27, проводник 15 стока, промежуточный электрод 16 и т.п.). Кроме того, другие части резиста (то есть те, которые относятся к частям, где проводящие пленки 123 и 124 удаляются при последующем травлении) удаляются.
После этого, при травлении с использованием слоя 125 резиста в качестве маски, формируется рисунок проводящих пленок 123 и 124, и слой 25 канала и первый полупроводниковый слой 31, каждый из которых состоит из слоя 121 аморфного кремния, и слой 26 электродных контактов и второй полупроводниковый слой 32, каждый из которых состоит из слоя 122 n+ аморфного кремния, формируются по шаблону.
Затем, более тонкая часть слоя 125 резиста, имеющего два уровня толщины, удаляется посредством озоления (например, O2 - озоления).
Затем, проводящие пленки 123 и 124 подвергаются жидкостному травлению, при использовании в качестве маски слоя 125 резиста, оставшегося до этого (то есть более толстой части слоя 125 резиста, имеющего два уровня толщины). Таким образом, как показано на Фиг.18 (с), формируются (разделение шаблона) сигнальный электрод 13 и электрод 14 стока, которые состоят из проводящих пленок 123 и 124 соответственно, и те части проводящих пленок 123 и 124, которые находятся в соединительной области 50 проводников развертки, удаляются.
После этого, как показано на Фиг.18(d), область слоя 26 электродных контактов, служащая частью канала, удаляется (вытравливание каналов) посредством сухого травления, а второй полупроводниковый слой 32 удаляется полностью. В это же время, область поверхности слоя 25 канала, служащая частью канала, вытравливается таким образом, что подстраивается толщина канальной части. После этого слой фоторезиста смывается, посредством чего формируется тонкопленочный транзистор 11.
В результате, два полупроводниковых слоя, которые служат, как слой 25 канала и слой 26 электродных контактов, остаются под вторым металлическим проводниковым слоем в отображающей области 41, таким образом, что проходят через всю отображающую область 41.
Во время этого этапа, предпочтительно, чтобы пленка нитрида кремния, формируемая так, чтобы составлять изолирующую пленку 24 затвора, имела толщину от 200 до 500 нм; однако, это не подразумевает каких-либо особых ограничений Кроме того, предпочтительно, чтобы слой аморфного кремния, формируемый таким образом, чтобы составлять слой 25 канал и первый полупроводниковый слой 31, имел толщину от 30 до 300 нм, а слой n+ аморфного кремния, формируемый таким образом, чтобы составлять слой контактных электродов 26 и второй полупроводниковый слой, имел толщину от 20 до 150 нм. Кроме того, предпочтительно, чтобы формируемая таким образом проводящая пленка 123, изготовленная из Ti, имела толщину от 20 до 150 нм, а проводящая пленка 124, изготовленная из Cu, имела толщину от 200 до 500 нм.
Следует отметить, что этот пример изготовления, так же был описан, принимая в качестве примера случай, когда второй металлический проводник (металлический слой истока), включая сигнальные электроды 13, имеет двухслойную структуру Ti/Cu, служащую верхним проводником/нижним проводником. Однако, как в случае первого металлического проводникового слоя (металлического слоя затвора) настоящее изобретение не ограничивается таким примером.
[Этап формирования защитной пленки/межслойной изолирующей пленки]
Этот этап по сути аналогичен тому, который показан на Фиг.6(d) Варианта реализации 1. Во время этого этапа, во-первых, как показано на Фиг.18(e) путем осаждения из паровой фазы, на изолирующей пленке 24 затвора формируется пленка нитрида кремния (SiNx), выполняющая функцию защитной пленки 28, таким образом, чтобы покрывать сигнальные проводники 27, сигнальные электроды 13 и электроды 14 стока, составленные вторым металлическим проводниковым слоем.
Затем, посредством метода центрифугирования, формируется материал межслойной изолирующей пленки, состоящий из фоточувствительной смолы. Затем, производится формирование рисунка посредством фотолитографии, а после этого производится сухое травление. Таким образом формируются шаблоны защитной пленки 28, состоящей из пленки нитрида кремния, и межслойной изолирующей пленки 29, состоящей из материала межслойной изолирующей пленки.
В этот же момент времени, хотя это не показано, при выполнении сухого травления, с использованием межслойной изолирующей пленки 29 в качестве маски, не прикрытые маской части защитной пленки 28, в каждом пикселе 10, удаляются, таким образом, что сигнальный электрод 13 и электрод 14 стока открываются.
В это время, в соединительной области 50 проводников развертки, как показано на Фиг.18(е), посредством выполнения сухого травления, с использованием в качестве маски межслойной изолирующей пленки 29, не закрытые маской части изолирующей пленки 24 затвора и защитной пленки 28 над проводником 22 развертки, служащей выводящим проводником, удаляются, посредством чего, открывается контактная область 55 (контакт 51 развертки и окружающая его область) проводников 22 развертки.
В соединительной области 50 проводников развертки, в это же время, как показано на Фиг.18 (е), как в Варианте реализации 1, в месте пересечения наплыва торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29 и проводников 22 развертки, удаляется первый полупроводниковый слой 31.
Это позволяет первому полупроводниковому слою 31 служить в качестве маски во время сухого травления. В результате, как показано на Фиг.18(e), первый полупроводниковый слой 31 и часть изолирующей пленки 24 затвора имеют такую структуру, что часть первого полупроводникового слоя 31 и часть изолирующей пленки 24 затвора проходят дальше за пределы торцевой поверхности 29а межслойной изолирующей пленки 29.
[Этап формирования прозрачной проводящей пленки]
Этот этап по сути аналогичен тому, который показан на Фиг.6(е) Варианта реализации 1. Во время этого этапа формируется прозрачная проводящая пленка, состоящая из оксида индия и олова, которая полностью покрывает верхнюю поверхность стеклянной подложки 21, над которой формируется межслойная изолирующая пленка 29. Далее, на прозрачной проводящей пленке формируется рисунок в слое фоторезиста путем фотолитографии. После этого формируется рисунок прозрачной проводящей пленки, путем жидкостного травления, а затем, слой фоторезиста смывается.
Таким образом, в настоящем варианте реализации, тоже, как показано на Фиг.18(f), в каждом пикселе 10 формируется пиксельный электрод 30, состоящий из прозрачной проводящей пленки. Затем, в соединительной области 50 проводников развертки, прозрачный электрод 33, состоящий из прозрачной проводящей пленки формируется таким образом, чтобы покрывать верхнюю поверхность межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 29а межслойной изолирующей пленки 29, торцевую поверхность 28а защитной пленки 28, верхнюю поверхность первого полупроводникового слоя 31, торцевую поверхность 31а первого полупроводникового слоя 31, торцевую поверхность 24а изолирующей пленки затвора 24 и верхнюю поверхность открытой части проводников 22 развертки.
Поскольку прозрачный электрод 33 формируется на открытой части проводника 22 развертки, как описано выше, контакт 51 развертки (контактный электрод) формируется на конце проводников 22 развертки.
[Этап формирования упорядочивающей пленки]
В завершении, как в варианте реализации 1, при необходимости, на поверхности подложки 20 активной матрицы (которая обращена к противоположной подложке 80) формируется упорядочивающая пленка (не показано).
Таким образом, может быть изготовлена подложка 20 активной матрицы.
В соответствии с настоящим вариантом реализации, как описано выше, число масок может быть уменьшено, путем травления вместе второго металлического слоя (металлического слоя истока) и полупроводникового слоя, с использованием растровой маски. Следовательно, в случае, когда полупроводниковый слой остается в соединительной области 44, как описано выше (например, в соединительной области 50 проводников развертки, как описано выше), способ травления вместе второго металлического проводника и полупроводникового слоя, с использованием растровой маски может быть соответствующим образом использована в качестве способа уменьшения количества масок.
Кроме того, хотя настоящий вариант реализации также был описан, принимая в качестве примера случай, когда второй полупроводниковый слой 32 был удален, настоящий вариант реализации не ограничен таким примером, который описан выше.
Кроме того, настоящий вариант реализации был описан, принимая в качестве примера случай, когда, подвергая слой 125 резиста O2 - озолению, а затем жидкостному травлению, с использованием оставшейся пленки 125 резиста, в качестве маски, формируют (разделение шаблона) сигнальный электрод 13 и электрод 14 стока, состоящие из проводящих пленок 123 и 124 соответственно, и те части проводящих пленок 123 и 124, которые находятся в соединительной области 50 проводников развертки, удаляются.
Однако настоящий вариант реализации не ограничивается таким примером. Например, возможно, что при подвергании слоя 125 резиста O2 - озолению, а затем, при жидкостном травлении проводящих пленок 123 и 124, с использованием остатков слоя 125 резиста, в качестве маски, последовательно проводятся: травление проводящих пленок 123 и 124, травление (удаление) той области слоя 26 электродных контактов, которая служит частью канала и части второго полупроводникового слоя 32, и травление поверхности той области слоя 25 канала, которая служит частью канала.
Следует отметить, что каждый из вариантов реализации, описанных выше, монтажная плата (подложка - основа), соответствующая настоящему изобретению, были описаны, принимая, в качестве примера, подложку 20 активной матрицы, содержащую тонкопленочные транзисторы 11 (которые являются элементами с тремя выводами), в качестве управляющих элементов.
Однако настоящее изобретение не ограничивается таким примером. Как описано выше, настоящее изобретение характеризуется по структуре соединительной области, как соединительная область проводников или соединительная область внешнего устройства, и по способу изготовления такой структуры. Таким образом, настоящее изобретение может быть применимо к любой монтажной плате, которая содержит: изолирующую подложку; металлический проводник, расположенный на изолирующей подложке; неорганическую изолирующую пленку, покрывающую металлический проводник; органическую изолирующую пленку, покрывающую неорганическую изолирующую пленку; и проводящую пленку, формируемую на органической изолирующей пленке, металлический проводник, снабженный областью, в которой проводящая пленка нанесена непосредственно на металлический проводник, без помещенных между ними неорганической изолирующей пленки и органической изолирующей пленки.
Как упомянуто выше, монтажная плата может применяться не только в жидкокристаллической панели и жидкокристаллическом дисплейном устройстве, которые были описаны выше, но так же, к дисплейной панели и дисплейному устройству, которые используют органическую электролюминесценцию или неорганическую электролюминесценцию, в качестве средства отображения.
Кроме того, дисплейное устройство может быть соответствующим образом быть использовано в устройстве отображения и т.п. в электрофорезном устройстве, как и в портативном персональном компьютере, сотовом телефоне, электронном органайзере, телеприемнике.
Кроме того, примеры электронных устройств, в которых содержится дисплейное устройство, включают различные электронные устройства, такие как калькуляторы, платы для монтажа ИС, проигрыватели минидисков, доски общественных объявления для уличного использования, и мобильные устройства, такие как КПК, а также сотовые телефоны, электронные органайзеры, телевизионные приемники, электрофорезные устройства.
Как описано выше, монтажная плата согласно настоящему изобретению содержит: изолирующую подложку; металлический проводник, расположенный на изолирующей подложке; неорганическую изолирующую пленку, покрывающую металлический проводник; органическую изолирующую пленку, покрывающую неорганическую изолирующую пленку; и проводящую пленку, формируемую на органической изолирующей пленке. Металлический проводник снабжается областью, где проводящую пленку наносят непосредственно на металлический проводник без помещенных между ними неорганической изолирующей пленки и органической изолирующей пленки. Кроме того, проводящая пленка распространяется по области таким образом, чтобы покрывать торцевую поверхность органической изолирующей пленки, которая обращена к области и торцевую поверхность неорганической изолирующей пленки, которая обращена к области, а торцевая поверхность органической изолирующей пленки находится дальше от области по сравнению с торцевой поверхностью неорганической изолирующей пленки.
Монтажная плата, предпочтительно, выполнена таким образом, что, кроме того, содержит масочный слой, выполняемый между торцевой поверхностью органической изолирующей пленки и неорганической изолирующей пленкой и имеющий большую устойчивость к травлению, чем неорганическая изолирующая пленка.
Например, монтажная плата предпочтительно выполнена таким образом, что содержит: управляющий элемент, содержащий полупроводниковый слой; и полупроводниковый слой, выполненный в том же слое, что и полупроводниковый слой и между торцевой поверхностью органической изолирующей пленки, обращенной к области и неорганической изолирующей пленкой.
Поскольку полупроводниковый слой выполняется между торцевой поверхностью органической изолирующей пленки, которая обращена к области и неорганической изолирующей пленкой, полупроводниковый слой действует в качестве маски, во время сухого травления неорганической изолирующей пленки.
По этой причине, выполненная таким образом монтажная плата позволяет оставить после сухого травления неорганической изолирующей пленки ту часть неорганической изолирующей пленки, на которой располагается полупроводниковый слой или масочный слой. Кроме того, вышеупомянутая конфигурация позволяет быть плотной той части проводящей пленки, которая покрывает торцевую поверхность неорганической изолирующей пленки. Это приводит к повышению эффекта предотвращения проникновения элементов, ускоряющих коррозию. Кроме того, полупроводниковый слой и масочный слой, как таковые, сохраняют большое расстояние между дефектом и областью под ними, в которой неорганическая изолирующая пленка соединяется с проводящей пленкой и образует ступень. По этой причине, вышеупомянутая конфигурация может с большей степенью уверенности предотвратить проникновение элементов, ускоряющих коррозию. Кроме того, в вышеупомянутой конфигурации ступень, образуемая проводящей пленкой, может быть выполнена плавно.
Кроме того, монтажная плата предпочтительно выполнена таким образом, что область является контактной областью для использования при подключении ко внешнему устройству; и полупроводниковый слой распространяется на область, где формируется адгезивный слой, который прилипает ко внешнему устройству, адгезивный слой располагается в области на проводящей пленке.
В соответствии с вышеуказанной конфигурацией, участок контакта между металлическим проводником и проводящей пленкой и, кроме того, проводящая пленка, которая покрывает участок контакта между торцевой поверхностью неорганической изолирующей пленки и металлического проводника, могут быть защищены от воздуха извне. В особенности, в случае, когда монтажная плата используется в дисплейной панели, участок контакта между металлическим проводником и проводящей пленкой, и, кроме того, поводящая пленка, которая покрывает участок контакта между торцевой поверхностью неорганической изолирующей пленки и металлическим проводником, расположены полностью внутри области, ограниченной герметиком или в области под адгезивным слоем, и таким образом, не подвергаются воздействию воздуха извне. Это позволяет в большей степени повысить надежность.
Кроме того, монтажная плата предпочтительно выполнена таким образом, что слой металлизации содержит медь или ее сплав. Это позволяет уменьшить сопротивление металлического проводника.
Дисплейная панель в соответствии с настоящим изобретением содержит такую монтажную плату. Кроме того, дисплейное устройство в соответствии с настоящим изобретением содержит такую дисплейную панель.
Дисплейная панель предпочтительно выполнена таким образом, что монтажная плата и противоположная подложка, имеющая меньшую площадь, чем монтажная плата, соединяются друг с другом с помощью герметика; и область располагается вне области, ограниченной герметиком.
Область за пределами области, окруженной герметиком, подвергается воздействию внешнего воздуха, и, таким образом, легко допускает проникновение внутрь компонента, ускоряющего коррозию По этой причине, применяя настоящее изобретение к дисплейной панели, в которой область располагается вне области, ограниченной герметиком, можно решить проблему коррозии.
Это позволяет предотвратить коррозию металлического электрода из-за дефекта в прозрачной проводящей пленке, покрывающей торцевую поверхность органической изолирующей пленки.
Кроме того, как описано выше, первый способ изготовления подложки с межсоедиениями в соответствии с настоящим изобретением включает: этап формирования металлического проводника, включающий формирование металлического проводника на изолирующей подложке; этап формирования неорганической изолирующей пленки, включающий формирование неорганической изолирующей пленки, покрывающей металлический проводник; этап формирования органической изолирующей пленки, включающий формирование органической изолирующей пленки, покрывающей неорганическую изолирующую пленку, по трафарету; этап формирования рисунка неорганической изолирующей пленки, включающий формирование рисунка неорганической изолирующей пленки с использованием органической изолирующей пленки в качестве маски и, таким образом, открывающий часть металлического проводника; и этап формирования проводящей пленки, включающий формирование проводящей пленки на органической изолирующей пленке таким образом, чтобы проводящая пленка покрывала торцевую поверхность органической изолирующей пленки и торцевую поверхность неорганической изолирующей пленки и контактировала с открытой частью металлического проводника, кроме того, способ включает этап формирования масочного слоя на неорганической изолирующей пленке таким образом, чтобы масочный слой частично покрывал металлический проводник, масочный слой действует как маска во время формирования рисунка неорганического изоляционного слоя, этап формирования масочного слоя выполняют между этапом формирования неорганической изолирующей пленки и этапом формирования органической изолирующей пленки, путем формирования рисунка органической изолирующей пленки во время этапа формирования органической изолирующей пленки, таким образом, что торцевая поверхность органической изолирующей пленки располагается на масочном слое и путем формирования рисунка неорганической изолирующей пленки во время этапа формирования неорганической изолирующей пленки с использованием органической изолирующей пленки и масочного слоя в качестве масок, торцевую поверхность органической изолирующей пленки выполняют дальше от области, чем торцевая поверхность неорганической изолирующей пленки, под областью понимается область, где открывается металлический проводник, каждая из торцевых поверхностей обращена к области.
Кроме того, как описано выше, второй способ изготовления подложки с межсоединениями в соответствии с настоящим изобретением включает: этап формирования металлического проводника, включающий формирование металлического проводника на изолирующей подложке; этап формирования неорганической изолирующей пленки, включающий формирование неорганической изолирующей пленки, покрывающей металлический проводник; этап формирования органической изолирующей пленки, включающий формирование органической изолирующей пленки, покрывающей неорганическую изолирующую пленку, по трафарету; этап формирования рисунка неорганической изолирующей пленки, включающий формирование рисунка неорганической изолирующей пленки с использованием органической изолирующей пленки в качестве маски и, таким образом, открывающий часть металлического проводника; и этап формирования проводящей пленки, включающий формирование проводящей пленки на органической изолирующей пленке таким образом, чтобы проводящая пленка покрывала торцевую поверхность органической изолирующей пленки и торцевую поверхность неорганической изолирующей пленки и контактировала с открытой частью металлического проводника, кроме того, способ включает этап частичного удаления органической изолирующей пленки, включающий травление (например, озоление или озоление с частичным открытием во время формирования органической изолирующей пленки) части органической изолирующей пленки, части, покрывающей неорганическую изолирующую пленку и, таким образом, делающую торцевую поверхность органической изолирующей пленки дальше от области, чем торцевую поверхность неорганической изолирующей пленки, под областью понимается область, где открывается металлический проводник, каждая из торцевых поверхностей обращена к области, этап частичного удаления органической изолирующей пленки выполняют между этапом формирования рисунка неорганической изолирующей пленки и этапом формирования проводящей пленки.
Кроме того, как описано выше, третий способ изготовления подложки с межсоединениями в соответствии с настоящим изобретением включает: этап формирования первого металлического проводника, включающий формирование первого металлического проводника на изолирующей подложке; этап формирования первой неорганической изолирующей пленки, включающий формирование первой неорганической изолирующей пленки, покрывающей первый металлический проводник; этап формирования второго металлического проводника, включающий формирование второго металлического проводника на первой неорганической изолирующей пленке; этап формирования второй неорганической изолирующей пленки, включающий формирование второй неорганической изолирующей пленки, покрывающей второй металлический проводник; этап формирования органической изолирующей пленки, включающий формирование органической изолирующей пленки, покрывающей неорганическую изолирующую пленку, по трафарету; этап формирования рисунка неорганической изолирующей пленки, включающий формирование окна путем формирования рисунка первой и второй неорганических изолирующих пленок с использованием органической изолирующей пленки в качестве маски и, таким образом, открывающий части первого и второго металлических проводников в окне; и этап формирования проводящей пленки, включающий формирование проводящей пленки на органической изолирующей пленке таким образом, чтобы проводящая пленка покрывала торцевую поверхность органической изолирующей пленки и торцевую поверхность первой и второй неорганических изолирующих пленок и контактировала с открытыми частями первого и второго металлических проводников, кроме того, способ включает этап частичного удаления органической изолирующей пленки, включающий травление (например, озоление или озоление с частичным открытием во время формирования органической изолирующей пленки) частей органической изолирующей пленки, покрывающих первую и вторую неорганические изолирующие пленку, и таким образом делающий торцевую поверхность органической изолирующей пленки дальше от области, чем торцевые поверхности первой и второй неорганических изолирующих пленок, под областью понимается область, где открываются первый и второй металлические проводники, каждая из торцевых поверхностей обращена к области, этап частичного удаления органической изолирующей пленки выполняют между этапом формирования рисунка неорганической изолирующей пленки и этапом формирования проводящей пленки.
Кроме того, как описано выше, четвертый способ изготовления подложки с межсоединениями в соответствии с настоящим изобретением включает: этап формирования первого металлического проводника, включающий формирование первого металлического проводника на изолирующей подложке; этап формирования первой неорганической изолирующей пленки, включающий формирование первой неорганической изолирующей пленки, покрывающей первый металлический проводник; этап формирования второго металлического проводника, включающий формирование второго металлического проводника на первой неорганической изолирующей пленке; этап формирования второй неорганической изолирующей пленки, включающий формирование второй неорганической изолирующей пленки, покрывающей второй металлический проводник; этап формирования органической изолирующей пленки, включающий формирование органической изолирующей пленки, покрывающей неорганическую изолирующую пленку, по трафарету; этап формирования рисунка неорганической изолирующей пленки, включающий формирование окна путем формирования рисунка первой и второй неорганических изолирующих пленок с использованием органической изолирующей пленки в качестве маски и, таким образом, открывающий части первого и второго металлических проводников в окне; и этап формирования проводящей пленки, включающий формирование проводящей пленки на органической изолирующей пленке таким образом, чтобы проводящая пленка покрывала торцевую поверхность органической изолирующей пленки и торцевую поверхность первой и второй неорганических изолирующих пленок и контактировала с открытыми частями первого и второго металлических проводников, кроме того, способ включает этап формирования масочного слоя, включающий формирование масочного слоя на первой неорганической изолирующей пленке, таким образом, чтобы масочный слой частично покрывал первый металлический проводник, масочный слой действует в качестве маски во время создания рисунка первого неорганического изолирующего слоя, этап формирования масочного слоя выполняют между этапом формирования первого металлического проводника и этапом формирования первой неорганической изолирующей пленки, путем формирования рисунка органической изолирующей пленки во время этапа формирования органической изолирующей пленки таким образом, чтобы торцевая поверхность органической изолирующей пленки располагалась на масочном слое и путем формирования рисунков первой и второй изолирующих пленок во время этапа формирования рисунка неорганической изолирующей пленки с использованием органической изолирующей пленки и масочного слоя в качестве масок, торцевую поверхность органической изолирующей пленки выполняют дальше от области, чем торцевая поверхность первой неорганической изолирующей пленки, под областью понимается область, где открывается первый металлический проводник, каждая из торцевых поверхностей обращена к области.
Следует отметить, что четвертый способ изготовления монтажной платы предпочтительно так же включает этап частичного удаления органической изолирующей пленки, включающий травление или частичное экспонирование части органической изолирующей пленки, части, покрывающей вторую неорганическую изолирующую пленку, и, таким образом, отдаляющий торцевую поверхность органической изолирующей пленки дальше от области, чем торцевая поверхность второй неорганической изолирующей пленки, под областью подразумевается область, в которой открыт второй металлический проводник, каждая из торцевых поверхностей обращена к области, этап частичного удаления органической изолирующей пленки выполняют между этапом формирования рисунка изолирующей пленки и этапом формирования проводящей пленки.
Использование любого из описанных выше способов позволяет изготовить монтажную плату, соответствующую настоящему изобретению. Следует отметить, как описано выше, что в случае, когда под областью подразумевается область соединения первого проводникового слоя и второго проводникового слоя и формируется в пределах площади, ограниченной герметиком, возникновение коррозии менее вероятно, чем в случае, когда область выполняется за пределами площади, ограниченной герметиком. По этой причине, в таком случае, как описан выше, монтажная плата может быть выполнена таким образом, что масочный слой предохраняет от коррозии только первый проводниковый слой. Тем не менее, для более уверенного предотвращения коррозии, или в целях создания области, вне области, ограниченной герметиком, более предпочтительно, путем протравливания (например, озоления или озоления, совместно с частичным экспонированием во время формирования органической изолирующей пленки) органической изолирующей пленки, в добавок к формированию масочного слоя, структурировать монтажную плату таким образом, чтобы второй металлический проводниковый слой мог так же быть защищен от коррозии.
Настоящее изобретение не ограничено описанием вышеприведенных вариантов реализации, но может быть изменено специалистом в рамках формулы изобретения. Вариант реализации настоящего изобретения, основанный на надлежащей комбинации технических средств, раскрытых в различных вариантах реализации настоящего изобретения, составляет объем настоящего изобретения.
Промышленная применимость
Настоящее изобретение позволяет получить монтажные платы, дисплейные панели и дисплейные устройства, которые имеют более совершенную устойчивость к коррозии. Такие монтажные платы, дисплейные панели и дисплейные устройства могут быть надлежащим образом использованы в различных электронных устройствах, в которых требуется устойчивость к коррозии, в таких как калькуляторы, платы для монтажа ИС, проигрыватели минидисков, доски общественных объявления для уличного использования и мобильные устройства, такие как КПК, а также сотовые телефоны, электронные органайзеры, телевизионные приемники, электрофорезные устройства.
Список обозначений
1 Жидкокристаллическое дисплейное устройство
2 Жидкокристаллическая панель
3 Управляющая схема
4 Схема формирователя проводников развертки (внешняя схема)
5 Схема формирователя сигнального проводника (внешняя схема)
6 Схема формирователя проводников вспомогательного конденсатора (внешняя схема)
10 Пиксель
11 Тонкопленочный транзистор (управляющий элемент)
12 Электрод развертки
12а Нижний электрод развертки
12b Верхний электрод развертки
13 Сигнальный электрод
13а Нижний сигнальный электрод
13b Верхний сигнальный электрод
14 Электрод стока
14а Нижний электрод стока
14b Верхний электрод стока
15 Проводник стока
16 Промежуточный электрод
17 Контактное окно
20 Подложка активной матрицы (монтажная плата)
21 Стеклянная подложка
22 Проводник развертки (металлический проводник)
22а Нижний проводник развертки (металлический проводник)
22b Верхний проводник развертки (металлический проводник)
23 Проводник вспомогательного конденсатора
24 Изолирующая пленка затвора (неорганическая изолирующая пленка)
24а Торцевая поверхность
25 Слой канала (полупроводниковый слой)
26 контактный слой электродов (полупроводниковый слой)
27 Сигнальный проводник (металлический проводник)
27а Нижний сигнальный проводник (металлический проводник)
27b Верхний сигнальный проводник (металлический проводник)
27с Торцевая поверхность
27d Торцевая поверхность
28 Защитная пленка (неорганическая изолирующая пленка)
28а Торцевая поверхность
29 Межслойная изолирующая пленка (органическая изолирующая пленка)
29а Торцевая поверхность
30 Пиксельный электрод
31 Первый полупроводниковый слой (полупроводниковый слой)
31а Торцевая поверхность
32 Второй полупроводниковый слой (полупроводниковый слой)
32а Торцевая поверхность
33 Прозрачный электрод (проводящая пленка)
33а Дефект
41 Отображающая область
42 Неотображающая область
43 Герметизирующая часть
44 Соединительная область
20 Подложка матрицы
50 Соединительная область проводников развертки
51 Контакт развертки
55 Контактная область (область)
60 Соединительная область сигнального проводника
61 Контакт сигнального проводника
62 Соединительный проводник (металлический проводник)
62а Нижний соединительный проводник (металлический проводник)
62b Верхний соединительный проводник (металлический проводник)
70 Область соединения проводников
71 Контактное окно
80 Противоположная подложка
81 Стеклянная подложка
82 Слой цветофильтра
83 Черная матрица
84 Противоположный электрод
91 Герметик
92 Жидкокристаллический слой
93 Анизотропная проводящая пленка (адгезивный слой)
101 Защитный слой канала
102 Слой аморфного кремния
111 Слой цветофильтра
112 Черная матрица
112а Торцевая поверхность
121 Слой аморфного кремния
122 Слой n+ аморфного кремния
123 Проводящая пленка
124 Проводящая пленка
125 Слой резиста