СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КРИСТАЛЛА НИТРИДА III ГРУППЫ, СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКИ ИЗ НИТРИДА III РУППЫ И ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДЛОЖКА ИЗ НИТРИДА III РУППЫ

1. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы, включающий следующие стадии:
приготовление нижней подложки и
выращивание первого полупроводникового кристалла нитрида III группы, легированного кремнием при использовании газообразного тетрахлорида кремния в качестве легирующего газа, на указанной нижней подложке выращиванием из паровой фазы,
в котором скорость роста указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы составляет по меньшей мере 200 мкм/ч и не превышает 2000 мкм/ч.
2. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап выращивания указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы гидридной эпитаксией из паровой фазы.
3. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.2, в котором указанная стадия выращивания включает этап выращивания указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы при температуре по меньшей мере 1050°C и не более 1300°C.
16
-3
20
-3
4. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап подачи указанного легирующего газа к указанной нижней подложке таким образом, что концентрация указанного кремния в указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы составляет по меньшей мере 5×10 см и не превышает 5×10 см.
18
-3
19
-3
5. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.4, в котором указанная стадия выращивания включает этап подачи указанного легирующего газа к указанной нижней подложке таким образом, что концентрация указанного кремния в указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы составляет по меньшей мере 3×10 см и не превышает 5×10 см.
-4
6. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап выращивания указанного первого полупроводникового кристалла нитрида III группы таким образом, что удельное сопротивление составляет по меньшей мере 1×10 Ом·см и не превышает 0,1 Ом·см.
7. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия приготовления включает этап приготовления указанной нижней подложки, образованной из материала, включающего по меньшей мере один вид материала из группы, состоящей из кремния, сапфира, арсенида галлия, карбида кремния, нитрида галлия и нитрида алюминия.
8. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия приготовления включает стадию приготовления кристаллической подложки со структурой шпинели в качестве указанной нижней подложки.
x
y
(1-x-y)
9. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанный первый полупроводниковый кристалл нитрида III группы является кристаллом AlInGaN (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1).
10. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанный первый полупроводниковый кристалл нитрида III группы является кристаллом нитрида галлия.
16
-3
11. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, в котором указанная стадия выращивания включает этап подачи указанного легирующего газа к указанной нижней подложке таким образом, что концентрация кислорода в указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы не превышает 5×10 см.
12. Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1, также включающий стадию выращивания на указанном первом полупроводниковом кристалле нитрида III группы второго полупроводникового кристалла нитрида III группы, легированного кремнием, при использовании газообразного тетрахлорида кремния в качестве легирующего газа.
13. Способ изготовления полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида III группы, включающий следующие стадии:
выращивание полупроводникового кристалла нитрида III группы на указанной нижней подложке способом выращивания полупроводникового кристалла нитрида III группы по п.1 и
удаление по меньшей мере указанной нижней подложки, чтобы сформировать полупроводниковую кристаллическую подложку из нитрида III группы, образованную указанным полупроводниковым кристаллом нитрида III группы, толщиной по меньшей мере 100 мкм.
14. Способ изготовления полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида III группы по п.13, также включающий стадию резки указанного полупроводникового кристалла нитрида III группы на пластины в направлении толщины, чтобы образовать несколько полупроводниковых кристаллических подложек из нитрида III группы, состоящих из полупроводникового кристалла нитрида III группы, толщиной по меньшей мере 100 мкм и не более 1000 мкм.
15. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы, изготовленная способом изготовления полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида III группы по п.13 и имеющая диаметр по меньшей мере 25 мм и не более 160 мм, которая имеет
-4
удельное сопротивление по меньшей мере 1×10 Ом·см и не более 0,1 Ом·см,
распределение удельного сопротивления в диаметральном направлении по меньшей мере -30% и не более 30% и
распределение удельного сопротивления в направлении толщины по меньшей мере -16% и не более 16%.
16. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, имеющая толщину по меньшей мере 2 мм и не более 160 мм.
17. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, имеющая толщину по меньшей мере 100 мкм и не более 1000 мкм.
-3
-3
18. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, которая имеет удельное сопротивление по меньшей мере 1×10 Ом.см и не более 8×10 Ом.см.
16
-3
20
-3
19. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, в которой концентрация кремния составляет по меньшей мере 5×10 см и не превышает 5×10 см.
18
-3
19
-3
20. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, в которой концентрация кремния составляет по меньшей мере 3×10 см и не превышает 5×10 см.
7
-2
21. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, в которой плотность дислокаций составляет не более 1×10 см.
22. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, в которой основная поверхность расположена под углом по меньшей мере -5° и не более 5° по отношению к любой плоскости из плоскости (0001), плоскости (1-100), плоскости (11-20) и плоскости (11-22).
23. Полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида III группы по п.15, для которой полная ширина на половине высоты кривой качания при дифракции рентгеновского излучения составляет по меньшей мере 10 угловых секунд и не превышает 500 угловых секунд.