ВЧ УСТРОЙСТВО И УСКОРИТЕЛЬ С ТАКИМ ВЧ УСТРОЙСТВОМ

1. ВЧ устройство (100), содержащее
ВЧ резонансное устройство (110) с электрически проводящей внешней стенкой (111), причем внешняя стенка (111) имеет щель (114), проходящую вдоль ее периметра, и
устройство (130) ввода
G
с ВЧ генератором (131), размещенным на внешней стороне (113) внешней стенки (111) ВЧ резонансного устройства (110) в зоне щели (114) для ввода ВЧ излучения определенной частоты (f) генератора через щель (114) внутрь ВЧ резонансного устройства (110), и
с экраном (134), экранирующим генератор (131) наружу и электрически перекрывающим щель (114) на внешней стороне (113) внешней стенки (111),
G
при этом экран (134) выполнен как резонатор с высоким импедансом для частоты (f) генератора.
2. ВЧ устройство (100) по п.1,
R
G
причем экран (134) настроен на резонансную частоту (f), отличающуюся от частоты (f) генератора.
3. ВЧ устройство (100) по п.1 или 2,
A
G
причем экран (134) настроен на резонансную частоту (f) выше частоты (f) генератора.
4. ВЧ устройство (100) по п.1 или 2,
G
причем емкостные и индуктивные свойства экрана (134) настроены таким образом, что в экране (134) на частоте (f) генератора образуется стоячая электромагнитная волна с узлом тока в зоне щели (114).
5. ВЧ устройство (100) по п.1 или 2,
причем электрическая длина проводника экрана (134), по существу, составляет четверть длины волны λ генерируемой генератором электромагнитной волны.
6. ВЧ устройство (100) по п.1 или 2,
причем ВЧ резонансное устройство (110) выполнено как ВЧ резонатор.
7. ВЧ устройство (100) по п.1 или 2,
причем ВЧ резонансное устройство (110) выполнено как волновод.
8. ВЧ устройство (100) по п.1 или 2,
причем ВЧ резонансное устройство (110) выполнено как коаксиальное проводящее соединение.
9. ВЧ устройство (100) по п.1 или 2,
причем генератор (131) содержит несколько транзисторных модулей (132), размещенных распределенным образом по периметру ВЧ резонансного устройства (110).
10. ВЧ устройство (100) по п.9,
причем щель ограничена двумя противолежащими фланцами (117, 118) внешней стенки (111) ВЧ резонансного устройства (110),
причем транзисторные модули (132) размещены в выемках (124) внутри обоих фланцев (117, 118).
11. Ускоритель (200) частиц с по меньшей мере одним ВЧ устройством (100) по любому из пп.1-10.
12. Ускоритель (200) частиц по п.11,
причем ускоритель (200) частиц имеет по меньшей мере два включенных друг за другом ВЧ резонатора(100).