СПОСОБ ПРОГНОЗА КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФАЗ И ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

2
2
2
2
0
Способ прогноза аллотропных модификаций кристаллических фаз кристаллов полупроводникового кремния, отличающийся тем, что на основе совмещенных периодических систем химических элементов (ПСХЭ), кристаллографических индексов (ПСКИ) и натурального ряда чисел (ПСНРЧ), смещения нижней границы ПСХЭ на 13 позиций, введении для каждого элемента структурного индекса N=Z+13, анализа равенства N=X+Y+Z, трансформации оснований квадратов в кристаллографические индексы (hkl), анализа вариантов конструирования из них двух форм ячеек дисконтинуума, когерентных 14 группам симметрии тензоров напряжения и определения всех вариантов сингоний полиморфных модификаций кристаллов с последующим вычислением параметров кристаллических решеток и ширины запрещенной зоны Е кремния по формулам, учитывающим его местоположение в ПСХЭ, ширины запрещенной зоны соединений кремния по реперу - химическому элементу, заряд ядра которого равен сумме зарядов элементов, входящих в соединение.