СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОЙ ГИБРИДНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ-ДИАПАЗОНА

1. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона, включающий изготовление отдельных диэлектрических слоев заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки, по меньшей мере, с одним сквозным отверстием, нанесение заданного металлизационного покрытия топологического рисунка на каждый из отдельных диэлектрических слоев и - экранной заземляющей металлизации на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки, формирование заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с одновременным совмещением их сквозных отверстий с обеспечением формирования, по меньшей мере, одного сквозного отверстия в многослойной диэлектрической подложке, последующее спекание и отжиг, расположение и закрепление многослойной диэлектрической подложки экранной заземляющей металлизацией на электро- и теплопроводящее основание, расположение и закрепление в каждом сквозном отверстии многослойной диэлектрической подложки активного тепловыделяющего компонента, с обеспечением расположения их лицевых сторон в одной плоскости, соединение электрически контактных площадок активного тепловыделяющего компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия многослойной диэлектрической подложки, отличающийся тем, что при изготовлении отдельных диэлектрических слоев заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки первую их часть изготавливают со сквозным отверстием сечением соразмерным активному тепловыделяющему компоненту с его превышением в сечении не более 0,5 мм, вторую часть - с меньшим сечением, при этом в последней части выполнены дополнительные сквозные отверстия диаметром 0,05-0,5 мм, соотношение площади сквозного отверстия в первой части отдельных диэлектрических слоев и суммы площадей сквозного отверстия с меньшим сечением и дополнительных сквозных отверстий во второй части отдельных диэлектрических слоев выполняют равным 1,4-10,0 соответственно, при нанесении заданного металлизационного покрытия топологического рисунка на каждый из отдельных диэлектрических слоев и - экранной заземляющей металлизации на обратной стороне нижнего слоя многослойной диэлектрической подложки одновременно заполняют материалом металлизационного покрытия и дополнительные сквозные отверстия в их второй части, при формировании заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки с ее лицевой стороны располагают отдельные диэлектрические слои с большим сечением, с обратной стороны - с меньшим, при этом глубину Н широкой части сквозного отверстия многослойной диэлектрической подложки выполняют согласно выражению:
<mrow><mi>H</mi><mo>=</mo><mfrac><mrow><mi>h</mi><mo>⋅</mo><mi>n</mi></mrow><mi>k</mi></mfrac><mo>,</mo></mrow>
где h - толщина отдельного диэлектрического слоя с большим сечением, мм,
n - количество отдельных диэлектрических слоев с большим сечением,
k - коэффициент, равный 0,8-1,2,
при этом отдельные диэлектрические слои второй части располагают с совмещением их дополнительных сквозных отверстий между собой в плане и одновременно в плане отверстий первой части отдельных диэлектрических слоев многослойной диэлектрической подложки.
2. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона по п.1, отличающийся тем, что при изготовлении отдельных диэлектрических слоев заданной последовательности многослойной диэлектрической подложки используют, например, низкотемпературную совместно обжигаемую керамику.
3. Способ изготовления мощной гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона по п.1, отличающийся тем, что сквозные отверстия в каждом отдельном диэлектрическом слое выполняют, например, посредством пробивки.