ПОДЛОЖКА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЙ МЕТОДОМ УСИЛЕННОГО ПОВЕРХНОСТЬЮ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ

1. Подложка для исследований методом усиленного поверхностью комбинационного рассеяния, включающая полупроводниковую поверхность, содержащую нитевидные кристаллы, покрытую металлом, выбранным из группы, состоящей из серебра, золота, платины, меди и/или их сплавов, отличающаяся тем, что полупроводник является содержащим галлий нитридом, а каждый нитевидный кристалл имеет внутри линейный дефект.
2. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что нитевидные кристаллы соединены друг с другом своими удаленными от полупроводниковой поверхности концами, образуя конические пучки.
3. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что линейный дефект представляет собой дислокацию или инверсионную область.
4. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что толщина металлической пленки на полупроводниковой поверхности составляет от 50 нм до 150 нм, предпочтительно от 70 нм до 80 нм.
5. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что длина нитевидных кристаллов составляет от 0,2 мкм до 2,0 мкм, предпочтительно от 0,5 мкм до 1,5 мкм.
6. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что диаметр нитевидных кристаллов составляет от 40 нм до 150 нм, предпочтительно от 50 нм до 70 нм.
7. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что отношение длины нитевидных кристаллов к их диаметру составляет от 5 до 50, предпочтительно от 10 до 30.
8
2
10
2
8. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что плотность поверхности нитевидных кристаллов составляет от 10/см до 10/см.
9. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что металл представляет собой золото.
10. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что содержащий галлий нитрид представляет собой нитрид галлия GaN.
11. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что поверхность полупроводника нитрида галлия представляет собой поверхность, аналогичную кристаллографической плоскости с индексами Миллера (0001), т.е. кристаллографическую плоскость C полярности Ga.
12. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что поверхность полупроводника нитрида галлия представляет собой поверхность, аналогичную кристаллографической плоскости с индексами Миллера (000-1), т.е. кристаллографическую плоскость C полярности N.
4
6
13. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что для молекул, адсорбированных на ее поверхности, коэффициент усиления EF выше 10, предпочтительно выше 10.
14. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что воспроизводимость спектров комбинационного рассеяния, записанных в различных точках одной и той же подложки, составляет не менее 80%.
15. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что воспроизводимость спектров комбинационного рассеяния, записанных на различных подложках, составляет не менее 75%.