КОМПОЗИЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПОДЛОЖКА, ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Композитная полупроводниковая подложка (1) для эпитаксиального выращивания материала полупроводникового соединения, отличающаяся тем, что композитная подложка (1) включает керамический полупроводниковый опорный слой (4) и монокристаллический эпитаксиальный слой (3), сформированный из материала полупроводникового соединения, на керамическом полупроводниковом опорном слое.
2. Композитная полупроводниковая подложка (1) по п.1, в которой керамический полупроводниковый опорный слой (4) сформирован из материала полупроводникового соединения.
3. Композитная полупроводниковая подложка (1) по п.1, в которой материал полупроводникового соединения включает нитрид элемента группы III.
4. Композитная полупроводниковая подложка (1) по п.3, в которой материал полупроводникового соединения включает нитрид галлия GaN.
5. Композитная полупроводниковая подложка (1) по любому из пп.1-4, в которой монокристаллический эпитаксиальный слой (3) имеет толщину от 1 до 100 мкм.
6. Композитная полупроводниковая подложка (1) по п.5, в которой керамический полупроводниковый опорный слой (4) имеет толщину по меньшей мере 0,1 мм.
7. Полупроводниковое устройство (6), включающее композитную полупроводниковую подложку (1) по любому из пп.1-6 и один или более слоев (7) устройства, сформированных из материала полупроводникового соединения посредством эпитаксиального выращивания на монокристаллическом эпитаксиальном слое (3) композитной подложки.
8. Способ изготовления композитной полупроводниковой подложки (1) по любому из пп.1-6, включающий следующие стадии:
- нанесение монокристаллического эпитаксиального слоя (3) материала полупроводникового соединения на инородную подложку (2);
- формирование керамического полупроводникового опорного слоя (4), присоединенного на эпитаксиальный слой (3); и
- удаление инородной подложки (2).
9. Способ по п.8, в котором стадия формирования керамического полупроводникового опорного слоя (4), присоединенного на эпитаксиальный слой (3), включает выращивание керамического полупроводникового опорного слоя на эпитаксиальном слое.
10. Способ по п.8, в котором стадия формирования керамического полупроводникового опорного слоя (4), присоединенного на эпитаксиальный слой (3), включает формирование керамического полупроводникового опорного слоя и присоединение сформированного таким образом опорного слоя на эпитаксиальный слой.