СПОСОБ ПОКРЫТИЯ ОБОЛОЧКОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЭЛЕКТРОННОГО КОМПОНЕНТА

1. Способ покрытия оболочкой полупроводникового электронного компонента, содержащего выполненные рельефно на поверхности изолирующей керамической пластинки токопроводящие дорожки, боковые края которых образуют вместе с поверхностью указанной пластинки соответственно края и дно канавок, разделяющих токопроводящие дорожки, характеризующийся тем, что содержит этап, на котором в указанную канавку наносят гибридный материал, содержащий изолирующее связующее с взвешенными частицами полупроводникового материала.
2. Способ по п.1, в котором в качестве изолирующего связующего используют гели, или лаки, или клеи, или смолы.
3. Способ по любому из пп.1 и 2, в котором в качестве полупроводникового материала указанных частиц используют оксид цинка, или карбид кремния, или графит, или смесь этих материалов.
4. Способ по п.1, в котором гибридный материал содержит не менее 18 мас.% частиц из полупроводникового материала.
5. Способ по п.4, в котором гибридный материал содержит от 40 до 60 мас.% частиц из полупроводникового материала.
6. Способ по п.1, содержащий этап, на котором сверху на токопроводящие дорожки и гибридный материал наносят слой изолирующего материала.
7. Способ по п.6, в котором указанным изолирующим материалом является силиконовый гель.
8. Полупроводниковый электронный компонент, содержащий выполненные рельефно на поверхности изолирующей керамической пластинки токопроводящие дорожки, боковые края которых образуют вместе с поверхностью указанной пластинки соответственно края и дно канавок, разделяющих токопроводящие дорожки, характеризующийся тем, что покрыт оболочкой при помощи способа по любому из пп.1-7.
9. Силовой электронный прибор, содержащий, по меньшей мере, один полупроводниковый электронный компонент по п.8.