ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР С НЕОДНОРОДНОСТЯМИ

Метод выращивания гетероструктур на основе соединений и твердых растворов в системе AlInGaN на подложке лейкосапфира (Аl203) с профилированной поверхностью, увеличивающей эффективность вывода света из гетероструктуры, содержащий этапы, на которых, выполняется отжиг и нитридизация поверхности подложки, выполняется нанесение низкотемпературного буферного слоя GaN, проводится высокотемпературный отжиг подложки с буферным слоем GaN, выполняется заращивание и планаризация поверхности, после чего в течение 40-60 минут при температуре 1040-1060°С со скоростью напыления 0,90-0,95 мкм/ч выращивается нелегированный слой GaN толщиной 0,9-1,2 мкм, предназначенный для повышения кристаллического совершенства гетероструктуры; после чего выращивается гетероструктура AlInGaN.