СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД

1. Светодиодный чип (1), выращенный на электроизоляционной подложке (4) и содержащий:
нижний токораспределительный слой (5) первого типа проводимости,
сформированные на нем и отделенные друг от друга в горизонтальном направлении первый электрод (2) и вертикальную слоистую структуру (5, 6, 7), содержащую активный слой (6) и расположенный над ним верхний токораспределительный слой (8) второго типа проводимости,
и второй электрод (3), сформированный на верхнем токораспределительном слое,
при этом геометрия электродов выполнена такой, что горизонтальное расстояние между ними меньше длины растекания тока в чипе,
отличающийся тем, что
между электродами (2, 3) выполнена вертикальная канавка (9), проходящая через чип (1), включая нижний токораспределительный слой (5), для управления током, протекающим горизонтально, с целью достижения одинаковой плотности тока в активном слое (6).
2. Светодиодный чип (1) по п.1, отличающийся тем, что между электродами (2, 3) выполнена дополнительная вертикальная канавка (11), проходящая через чип (1), включая активный слой (6), в направлении протекающего горизонтально тока в токораспределительных слоях (5, 8) для увеличения полного периметра вертикальной слоистой структуры (5, 6, 7) и тем самым для повышения выхода света из чипа.
3. Светодиодный чип (1) по п.1 или 2, отличающийся тем, что боковая стенка (12) вертикальной слоистой структуры (5, 6, 7) выполнена с наклоном к вертикальному направлению для облегчения выхода света из чипа (1).