СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ ПРИ ПОМОЩИ ВЫСОКОМОЩНЫХ ИМПУЛЬСОВ

1. Способ нанесения покрытия на поверхности подложки, на которые необходимо нанести покрытие, посредством распыления материала мишени, который включает следующие стадии:
2
2
- приложение первого импульса мощности к установленной в камере для нанесения покрытия на источнике распыления первой мишени для распыления из первого материала, посредством чего в первый интервал времени на мишень для распыления подается первое количество энергии, причем максимальная удельная мощность при этом превышает 50 Вт/см, предпочтительно 500 Вт/см,
2
2
- приложение второго импульса мощности к установленной в камере для нанесения покрытия на другом источнике распыления второй мишени для распыления из второго материала, посредством чего во второй интервал времени на мишень для распыления подается второе количество энергии, причем максимальная удельная мощность при этом превышает 50 Вт/см, предпочтительно 500 Вт/см,
отличающийся тем, что для формирования смешанного кристалла на покрываемой поверхности подложки по меньшей мере первую и вторую мишени для распыления используют таким образом, что отдельно устанавливают подходящую рабочую точку для соответствующего материала мишени посредством регулирования импульсов мощности, причем первое количество энергии и второе количество энергии отличаются друг от друга.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что соответствующую рабочую точку устанавливают посредством регулирования мощности и/или продолжительности импульса мощности.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что рабочая точка находится, соответственно, в переходной области.
4. Способ по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что второй интервал времени выбирают более длинным, чем первый интервал времени.
5. Способ по п. 2 или 3, отличающийся тем, что первый и второй интервалы времени выбирают между 10 мкс и 100 мс.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что первый и второй интервалы времени выбирают между 50 мкс и 5 мс.
7. Способ по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что первый материал и второй материал содержат элементы из группы, включающей:
такие элементы, как титан, алюминий, кремний, хром, бор, углерод, элементы групп 4А, 4В, 4С периодической системы элементов, а также сочетания двух и более из этих элементов.
8. Способ по п. 7, отличающийся тем, что к покрываемой подложке по меньшей мере время от времени синхронно с импульсами мощности накладывают смещение подложки, которое выбирают с учетом мишени.
9. Способ по п. 7, отличающийся тем, что в процессе пропускают в качестве рабочего газа инертный газ, причем инертный газ - это газ из группы элементов Не, Ne, Ar, Kr или сочетание двух или нескольких газов из этой группы.
2
2
2
2
4
2
10. Способ по п. 9, отличающийся тем, что в процессе по меньшей мере время от времени пропускают реактивный газ из группы элементов или соединений N, О, СН, СН, силан, триметилсилан, CO или сочетание нескольких членов указанной группы.
11. Способ по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что для нанесения слоя смешанного кристалла мишени используют одновременно.
12. Способ по п. 11, отличающийся тем, что подложку в отношении источников распыления располагают так, чтобы поверхность, на которую наносится покрытие, периодически перемещалась мимо источника распыления; при этом формирующийся слой осаждают не в виде однородного смешанного кристалла, а в виде слоя, состоящего из нескольких нанослоев, при этом состав указанного меняется от нанослоя к соседнему нанослою.