УСТРОЙСТВО, УСТАНОВКА И СПОСОБ АНАЛИЗА ОБРАЗЦА

1. Устройство (100) для анализа образца, содержащее
чувствительную к пучку лучей структуру (101), выполненную так, чтобы электрическое свойство части чувствительной к пучку лучей структуры (101) локально модифицировалось пучком (102) лучей, падающим на часть чувствительной к пучку лучей структуры (101);
принимающий образец узел (103), выполненный с возможностью приема образца;
в котором чувствительная к пучку лучей структура (101) и принимающий образец узел (103) расположены так, что локальная модификация электрического свойства части чувствительной к пучку лучей структуры (101) локально модифицирует анализируемое свойство образца в соответствующей части принимающего образец узла (103);
в котором чувствительная к пучку лучей структура (101) содержит фотопроводник.
2. Устройство (100) по п.1, где фотопроводник представляет собой органический фотопроводник.
3. Устройство (100) по п.1 или 2, содержащее подложку (104), причем чувствительная к пучку лучей структура (101) образована на подложке (104).
4. Устройство (100) по п.3, в котором чувствительная к пучку лучей структура (101) представляет собой неструктурированный слой, образованный на подложке (104).
5. Устройство (100) по п.3, в котором чувствительная к пучку лучей структура (101) представляет собой структурированный слой, образованный на подложке (104).
6. Устройство (100) по п.4, в котором подложка (104) прозрачна для пучка (102) лучей.
7. Устройство (100) по п.3, в котором подложка (104) представляет собой вращающийся диск.
8. Устройство (100) по п.3, содержащее электропроводную структуру (201), предусмотренную между подложкой (104) и чувствительной к пучку лучей структурой (101).
9. Устройство (100) по п.8, в котором электропроводная структура (201) прозрачна для пучка (102) лучей.
10. Устройство (100) по п.8, в котором электропроводная структура (201) представляет собой непрерывный слой.
11. Устройство (100) по п.8, в котором электропроводная структура (201) структурирована так, что различные компоненты структурированной электропроводной структуры (201) могут присоединяться к различным источникам напряжения.
12. Устройство (100) по п.1 или 2, в котором чувствительная к пучку лучей структура (101) выполнена так, чтобы омическое сопротивление части чувствительной к пучку лучей структуры (101) было локально модифицировано пучком (102) лучей, падающим на часть чувствительной к пучку лучей структуры (101).
13. Устройство (100) по п.1 или 2, в котором пучок (102) лучей представляет собой один из группы, состоящей из пучка лучей электромагнитного излучения, пучка лучей оптического света, пучка лучей частиц, электронного пучка лучей и пучка лучей механических волн.
14. Устройство (100) по п.1 или 2, дополнительно содержащее слой с отрицательным температурным коэффициентом активного сопротивления.
15. Устройство (100) по п.3, в котором подложка (104) не содержит никакого активного электронного компонента.
16. Устройство (100) по п.3, содержащее фотоэлектрический преобразователь, интегрированный на подложку (104).
17. Устройство (100) по п.8, содержащее противоэлектрод (107) и содержащее узел (106) подачи напряжения, выполненный с возможностью подачи напряжения, в частности, напряжения постоянного тока, между электропроводной структурой (201) и противоэлектродом (107), причем принимающий образец узел (103) расположен между чувствительной к пучку лучей структурой (101) и противоэлектродом (107).
18. Устройство (100) по п.1 или 2, содержащее биологически совместимое покрытие (108), расположенное для отделения принимающего образец узла (103) от чувствительной к пучку лучей структуры (101).
19. Устройство (100) по п.1 или 2, выполненное в качестве одноразового устройства.
20. Устройство (100) по п.1 или 2, выполненное в качестве, по меньшей мере, одного из группы, состоящей из устройства датчика, устройства биологического датчика, биочипа, «лаборатории на чипе», устройства электрофореза, устройства транспортировки образцов, устройства смешивания образцов, устройства для лизиса клеток, устройства промывания образцов, устройства очистки образцов, устройства для проведения полимеразно-цепной реакции и устройства анализа гибридизации.
21. Устройство по п.1 или 2, в котором емкостное сопротивление фотопроводника выше, чем емкостное сопротивление образца.
2
22. Устройство по п.1 или 2, в котором активное сопротивление фотопроводника в неосвещенном состоянии выше, чем 1 МОм·м.
23. Устройство по п.1 или 2, в котором активное сопротивление фотопроводника выше, чем активное сопротивление образца без освещения, и ниже при освещении.
24. Установка (150) для анализа образца, содержащая
устройство (100) по п.1 или 2;
генерирующий пучок лучей узел (110), выполненный с возможностью генерирования пучка (102) лучей, падающего на часть чувствительной к пучку лучей структуры (101) устройства (100).
25. Установка (150) по п.24, содержащая узел (111) управления, выполненный с возможностью регулирования генерирующего пучок лучей узла (110), в соответствии с заданным протоколом анализа образца.
26. Установка (150) по п.24, в которой генерирующий пучок лучей узел (110) выполнен с возможностью сканирования чувствительной к пучку лучей структуры (101), в соответствии с предварительно заданным протоколом анализа образца.
27. Установка (150) по п.24, в которой генерирующий пучок лучей узел (110) выполнен с возможностью генерирования пучка (102) лучей, имеющего переменную интенсивность.
28. Установка (150) по п.24, в которой генерирующий пучок лучей узел (110) выполнен с возможностью генерирования пучка (102) лучей, имеющего множество несоприкасающихся частей пучка лучей.
29. Установка (150) по п.24, содержащая структурирующий пучок лучей элемент, расположенный между генерирующим пучок лучей узлом (110) и чувствительной к пучку лучей структурой (101), и выполненный с возможностью структурирования пучка (102) лучей для наличия множества несоприкасающихся частей пучка лучей.
30. Установка (150) по п.24, содержащая фокусирующий пучок лучей элемент (112), расположенный между генерирующим пучок лучей узлом (110) и чувствительной к пучку лучей структурой (101), и выполненный с возможностью фокусирования пучка (102) лучей.
31. Установка по п.24, содержащая узел (106) подачи напряжения для подачи резко увеличивающегося напряжения для обеспечения возможности одновременного перемещения частиц в образце.
32. Установка по п.24, содержащая узел (106) подачи напряжения для подачи устойчиво нарастающего или уменьшающегося напряжения при его линейном изменении с тем, чтобы большая часть напряжения падала при прохождении через фотопроводник при отсутствии освещения.
33. Установка по п.32, в которой увеличение или уменьшение напряжения при его линейном изменении составляет менее чем 0,75 В/с.
34. Способ анализа образца, содержащий этапы, на которых
обеспечивают падение пучка (102) лучей на часть чувствительной к пучку лучей структуры (101), которая выполнена так, чтобы электрическое свойство части чувствительной к пучку лучей структуры (101) локально модифицировалось падающим пучком (101) лучей;
обеспечивают размещение образца в принимающий образец узел (103);
располагают чувствительную к пучку лучей структуру (101) и принимающий образец узел (103) так, чтобы локальная модификация электрического свойства части чувствительной к пучку лучей структуры (101) локально модифицировала анализируемое свойство образца в соответствующей части принимающего образец узла (103);
в котором чувствительная к пучку лучей структура (101) содержит фотопроводник.
35. Способ по п.34, в котором фотопроводник представляет собой органический фотопроводник.
36. Способ по п.34 или 35, включающий, по меньшей мере, один этап из группы, состоящей из перемещения электрически заряженных частиц (113) образца по предварительно заданной траектории под влиянием локально модифицированного электрического свойства части чувствительной к пучку лучей структуры (101), и накопления электрически заряженных частиц (113) образца под влиянием локально модифицированного электрического свойства части чувствительной к пучку лучей структуры (101).