Способ изготовления матричного фотоприемника

x
1-x
1. Способ изготовления многоэлементного фотоприемника, включающего изготовление матрицы фоточувствительных элементов из одного из полупроводниковых материалов CdHgTe, InSb, InGaAs, QWIP, соединенной со схемой считывания индиевыми микроконтактами, с пассивирующим слоеем, формируемым обработкой поверхности МФЧЭ низкоэгергетическими ионами аргона перед напылением антиотражающего покрытия, и антиотражающим покрытием, обеспечивающим минимальное отражение в спектральном диапазоне чувствительности фотодиодов, отличающийся тем, что антиотражающее покрытие создают вакуумным напылением через маску, не касающуюся фоточувствительной поверхности.
2. Способ изготовления многоэлементного фотоприемника по п. 1, отличающийся тем, что маска является частью прецизионной конструкции устройства загрузки в вакуумную камеру фотоприемного модуля для напыления антиотражающего покрытия.
3. Способ изготовления многоэлементного фотоприемника по п. 1, отличающийся тем, что точность совмещения маски и МФЧЭ определяется допусками на габариты деталей оснастки (сепаратора с направляющими штифтами и маски) и фотоприемного модуля.
4. Способ изготовления многоэлементного фотоприемника по п. 1, отличающийся тем, что детали сепаратора, направляющих штифтов и маски изготавливают лазерной резкой из листовой нержавеющей стали.