СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НИТРИДОВ МЕТАЛЛОВ III ГРУППЫ

1. Способ выращивания кристаллов нитридов металлов III группы из газовой фазы, включающий размещение подложки в рабочей зоне реактора и подачу к поверхности подложки в направлении, противоположном направлению силы тяжести, газовых потоков, каждый из которых содержит, по крайней мере, один химически активный газ и, по крайней мере, один несущий газ, отличающийся тем, что подложку размещают в верхней части реактора над источником металла III группы, устанавливают расходы химически активных газов, удовлетворяющие условию:
V
III
G/G=5÷1000,
V
где G - мольный расход химически активных газов, включающих элемент V группы - азот,
III
G - мольный расход химически активных газов, содержащих металл III группы,
смешивают каждый химически активный газ с, по крайней мере, одним несущим газом до получения газовых потоков, общая плотность газовых смесей в которых удовлетворяет соотношению:
III
V
ρ<ρ,
III
где ρ - плотность газовой смеси, содержащей химически активный газ,
включающий металл III группы,
V
ρ - плотность газовой смеси, содержащей химически активный газ,
включающий элемент V группы - азот,
а затем подают полученные газовые потоки в направлении подложки.
2. Способ по п.1 отличающийся тем, что газовые потоки подают по кольцевым каналам, сформированным симметрично относительно оси реактора.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве химически активного газа, содержащего азот, используют аммиак.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в направлении подложки дополнительно подают газовый поток несущего газа.
5. Способ по п.1 или 4, отличающийся тем, что в поток несущего газа добавляют хлористый водород.