СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ПУТЕМ ИСПУСКАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ КАТОДА С АВТОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИЕЙ В НАНОСТРУКТУРНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ АНОДА

1. Устройство для излучения света, содержащее вакуумную оболочку; катод с автоэлектронным испусканием электронов, располагающийся в вакуумной оболочке; и анод, располагающийся в вакуумной оболочке отделенным от указанного катода зазором и устанавливающийся так, чтобы получать электроны от катода, при этом анод содержит испускающие свет полупроводниковые наноструктуры, которые принимают испускаемые катодом электроны и в ответ на получение электронов испускают фотоны.
2. Устройство по п.1, дополнительно содержащее наружные контакты электродов для подачи напряжения между анодом и катодом, стимулирующего эмиссию электронов из указанного катода и результирующую эмиссию фотонов из испускающих свет полупроводниковых наноструктур.
3. Устройство по п.2, дополнительно содержащее трансформатор для преобразования напряжения.
4. Устройство по п.3, дополнительно включает основание, поддерживающее вакуумную оболочку и содержащее указанный трансформатор.
5. Устройство по п.1, в котором зазор находится в пределах приблизительно 50-200 мкм.
6. Устройство по п.1, в котором зазор равняется приблизительно 110 мкм, а катод с автоэлектронной эмиссией содержит углеродные нанотрубки.
7. Устройство по п.1, дополнительно содержащее разделитель, устанавливающий зазор между анодом и катодом.
8. Устройство по п.1, в котором испускающие свет наноструктуры содержат полупроводниковые нанопровода.
9. Устройство по п.1, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой множество типов нанопроводов, которые испускают фотоны в различных диапазонах длин волн.
10. Устройство по п.1, в котором анод и катод представляют собой параллельные пластины, разделенные указанным зазором.
11. Устройство по п.1, в котором анод и катод располагаются концентрически и разделяются указанным зазором.
12. Устройство по п.1, в котором анод содержит прозрачный субстрат, электрод на этом субстрате и испускающие свет полупроводниковые наноструктуры, располагающиеся на указанном электроде.
13. Устройство по п.1, в котором испускающие свет полупроводниковые наноструктуры представляют собой полупроводниковые нанопровода.
14. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой гетероструктурные нанопровода с сердцевиной и оболочкой.
15. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой аксиальные гетероструктурные нанопровода.
16. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой стержневые и разветвленные гетероструктурные нанопровода.
17. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой нанопровода групп III-V.
18. Устройство по п.17, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой нанопровода группы III-нитриды.
19. Устройство по п.17, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой нанопровода группы III-арсениды.
20. Устройство по п.17, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой нанопровода группы III-фосфиды.
21. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой нанопровода групп II-VI.
22. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой нанопровода группы IV.
23. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой полупроводниковые нанопровода с легирующими присадками.
24. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой полупроводниковые нанопровода с добавками.
25. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой матрицу или распределение нанопроводов GaN p-типа с добавкой.
26. Устройство по п.25, в котором указанные нанопровода GaN р-типа получают добавку с Mg.
27. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода ZnO р-типа получают добавку с одним из металлов Mg, Be и Cd.
28. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой множество различных типов нанопроводов, имеющих различные диапазоны излучаемых длин волн.
29. Устройство по п.1, в котором указанные полупроводниковые излучающие свет наноструктуры представляют собой полупроводниковые нанотрубки.
30. Устройство по п.1, дополнительно содержащее полупроводниковые излучающие свет наноструктуры на обратной стороне анода.
31. Устройство по п.1, содержащее дополнительный анод внутри вакуумного корпуса, отделенный зазором от катода и расположенный с возможностью получать электроны, испускаемые катодом, причем дополнительный анод содержит полупроводниковые излучающие свет наноструктуры, которые принимают электроны от катода и испускают фотоны в ответ на получение электронов.
32. Устройство по п.1, дополнительно содержащее люминофор, нанесенный на внутреннюю поверхность вакуумного корпуса.
33. Способ излучения света, содержащий этапы стимулирования эмиттера электронов испускать электроны в окружающее пространство; получения электронов из окружающего пространства полупроводниковыми излучающими свет наноструктурами для возбуждения электролюминесценции полупроводниковыми излучающими свет наноструктурами.
34. Излучающее свет устройство, содержащее источник света; и наноструктурированные гетеропереходные люминофоры, содержащие нанопровода типа сердечник-оболочка-оболочка, аксиальные наноструктурированные люминофоры, стержневые-разветвленные нанопроводные структуры, квантовые точки, нанотрубки, наноцветы, тетраподы и треножники.
35. Устройство по п.34, в котором источник света содержит матрицу гетеропереходных нанопроводов, а указанные наноструктурные гетеропереходные люминофоры окружают матрицу гетеропереходных нанопроводов.