ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ, УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ И ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО

1. Полупроводниковый элемент, содержащий:
органический полупроводниковый слой;
электрод, расположенный на упомянутом органическом полупроводниковом слое в контакте с упомянутым органическим полупроводниковым слоем; и
слой межсоединений, выполненный отдельно от упомянутого электрода и электрически соединенный с упомянутым электродом.
2. Полупроводниковый элемент по п.1,
включающий в себя
упомянутый органический полупроводниковый слой,
электрод затвора,
пару электродов исток-сток в качестве упомянутого электрода, и
упомянутый слой межсоединений, при этом
полупроводниковый элемент выполнен в виде тонкопленочного транзистора.
3. Полупроводниковый элемент по п.2, дополнительно содержащий:
изолирующую пленку затвора, и
защитную пленку,
при этом упомянутый электрод затвора, упомянутая изолирующая пленка затвора, упомянутый органический полупроводниковый слой, упомянутые электроды исток-сток, упомянутая защитная пленка и упомянутый слой межсоединений уложены слоями на подложке в следующем порядке: упомянутый электрод затвора, упомянутая изолирующая пленка затвора, упомянутый органический полупроводниковый слой, упомянутые электроды исток-сток, упомянутая защитная пленка и упомянутый слой межсоединений.
4. Полупроводниковый элемент по п.3,
в котором упомянутый органический полупроводниковый слой имеет выступающие участки в виде областей, перекрывающих упомянутые электроды исток-сток, расположенные вне области формирования упомянутой защитной пленки.
5. Полупроводниковый элемент по п.3,
в котором упомянутая защитная пленка содержит углубленные участки в виде областей с выемкой, а
упомянутый органический полупроводниковый слой и упомянутые электроды исток-сток перекрывают друг друга в упомянутых областях с выемкой.
6. Полупроводниковый элемент по п.3,
в котором упомянутый органический полупроводниковый слой или упомянутая защитная пленка расположены в области перекрытия между упомянутым электродом затвора и упомянутым слоем межсоединений.
7. Полупроводниковый элемент по п.3,
в котором линия внешнего контура упомянутого органического полупроводникового слоя расположена внутри линии внешнего контура упомянутого электрода затвора в области, соединяющей пару слоев межсоединений в качестве упомянутого слоя межсоединений друг с другом, причем пара слоев межсоединений, соответственно, соединена с упомянутой парой электродов исток-сток.
8. Полупроводниковый элемент по п.2,
в котором упомянутая пара электродов исток-сток включает в себя области, вмещающие смещение для выравнивания, выполненные так, чтобы включать в себя упомянутые электроды исток-сток по отдельности.
9. Полупроводниковый элемент по п.2,
в котором упомянутые электроды исток-сток выполнены из одного из металла, проводящего полимера, или углерода.
10. Устройство отображения, содержащее:
полупроводниковый элемент; и
слой отображения;
при этом упомянутый полупроводниковый элемент включает в себя
органический полупроводниковый слой,
электрод, расположенный на упомянутом органическом полупроводниковом слое в контакте с упомянутым органическим полупроводниковым слоем, и
слой межсоединений, выполненный отдельно от упомянутого электрода и электрически соединенный с указанным электродом.
11. Электронное устройство, содержащее:
устройство отображения, содержащее:
полупроводниковый элемент и
слой отображения;
при этом упомянутый полупроводниковый элемент включает в себя
органический полупроводниковый слой,
электрод, расположенный на упомянутом органическом полупроводниковом слое в контакте с упомянутым органическим полупроводниковым слоем, и
слой межсоединений, выполненный отдельно от упомянутого электрода и электрически соединенный с упомянутым электродом.
12. Способ изготовления полупроводникового элемента, содержащий этапы, на которых:
формируют органический полупроводниковый слой на подложке;
формируют электрод на упомянутом органическом полупроводниковом слое в контакте с упомянутым органическим полупроводниковым слоем, и
формируют слой межсоединений, электрически соединенный с упомянутым электродом после формирования упомянутого электрода.
13. Способ изготовления полупроводникового элемента по п.12,
в котором формируют упомянутый электрод с использованием процесса печати, формируют упомянутый слой межсоединений с использованием процесса формирования вакуумной пленки и технологии фотолитографии.