ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

1. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110), содержащее:
первую проводящую пластину (12);
множество полупроводниковых кристаллов (22, 24, 26), расположенных на первой проводящей пластине (12; 112); и
первый внешний вывод (32), соединенный с первой проводящей пластиной (12; 112),
при этом
множество полупроводниковых кристаллов (22, 24, 26) содержит первый полупроводниковый кристалл (22), второй полупроводниковый кристалл (24) и третий полупроводниковый кристалл (26),
второй полупроводниковый кристалл (24) расположен между первым полупроводниковым кристаллом (22) и третьим полупроводниковым кристаллом (26),
участок (33) первой проводящей пластины (12; 112), где подсоединен первый внешний вывод (32), является ближайшим ко второму полупроводниковому кристаллу (24) из упомянутых первого, второго и третьего полупроводниковых кристаллов (22, 24, 26) и
первая проводящая пластина (12, 112) содержит проем (40), расположенный между участком (33) первой проводящей пластины (12), где подсоединен первый внешний вывод (32), и участком первой проводящей пластины (12; 112), где подсоединен второй полупроводниковый кристалл (24).
2. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 1, в котором проем (40) выполнен таким образом, что по меньшей мере часть тока (C24), протекающего между первым внешним выводом (32) и вторым полупроводниковым кристаллом (24), огибает проем (40).
3. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 2, в котором проем (40) выполнен таким образом, что весь ток (C24), протекающий между первым внешним выводом (32) и вторым полупроводниковым кристаллом (24), огибает проем.
4. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 1, в котором компоновка первого, второго и третьего полупроводниковых кристаллов (22, 24, 26) практически симметрична относительно плоскости (PS) симметрии, которая перпендикулярна первой проводящей пластине (12; 112).
5. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 4, в котором плоскость (PS) симметрии пересекается с участком (33) первой проводящей пластины (12; 112), где подсоединен первый внешний вывод (32).
6. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 4, в котором проем (40) имеет горловину, которая симметрична относительно плоскости (PS) симметрии.
7. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 4, в котором проем (40) имеет форму щели, продольная ось которой перпендикулярна плоскости (PS) симметрии.
8. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 4, в котором в направлении, перпендикулярном плоскости (PS) симметрии, размер проема (40) больше размера второго полупроводникового кристалла (24).
9. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 4, в котором в направлении, перпендикулярном плоскости (PS) симметрии, размер проема (40) меньше расстояния между центром (22X) первого полупроводникового кристалла (22) и центром (26X) третьего полупроводникового кристалла (26).
10. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 4, в котором участок (33) первой проводящей пластины (12, 112), где подсоединен первый внешний вывод (32), симметричен относительно плоскости (PS) симметрии.
11. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 4, в котором в направлении, перпендикулярном плоскости (PS) симметрии, размер проема (40) больше участка (33) первой проводящей пластины (12, 112), где подсоединен первый внешний вывод (32).
12. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b) по п. 4, в котором
первая проводящая пластина (12) содержит расширенный участок (13), размер которого в направлении, перпендикулярном плоскости (PS) симметрии, увеличивается от участка (33) первой проводящей пластины (12), где подсоединен первый внешний вывод (32), в направлении участка первой проводящей пластины (12), где подсоединено множество полупроводниковых кристаллов (22, 24, 26), и
проем (40) по меньшей мере частично находится в пределах расширенного участка (13).
13. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 4, в котором первый, второй и третий полупроводниковые кристаллы (22, 24, 26) размещены линейно вдоль направления, перпендикулярного плоскости (PS) симметрии.
14. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 1, в котором
первая проводящая пластина (112) представляет собой изолированную подложку, содержащую внутренний проводниковый слой (112a), внешний проводниковый слой (112c) и изолирующий слой (112b), расположенный между внутренним проводниковым слоем (112a) и внешним проводниковым слоем (112c),
первый внешний вывод (32) электрически соединен с множеством полупроводниковых кристаллов (22, 24, 26) через внутренний проводниковый слой (112a) и
проем (40) предусмотрен во внутреннем проводниковом слое (112a).
15. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 14, в котором проем (40) предусмотрен только во внутреннем проводниковом слое (112a) и содержит нижнюю поверхность, ограниченную изолирующим слоем (112b).
16. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 14, в котором каждый из внутреннего проводникового слоя (112a) и внешнего проводникового слоя (112c) представляет собой слой металла, а изолирующий слой (112b) представляет собой керамическую подложку.
17. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 14, в котором изолированная подложка (112) представляет собой DBC-подложку (с прямым присоединением меди).
18. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 1, дополнительно содержащее вторую проводящую пластину (14; 114), расположенную напротив первой проводящей пластины (12, 112) и соединенную с каждым из множества полупроводниковых кристаллов (22, 24, 26).
19. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 18, дополнительно содержащее по меньшей мере один второй внешний вывод (34), соединенный со второй проводящей пластиной (14).
20. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 19, в котором упомянутый по меньшей мере один второй внешний вывод (34) включает в себя два вторых внешних вывода.
21. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 20, в котором
компоновка первого, второго и третьего полупроводниковых кристаллов (22, 24, 26) практически симметрична относительно плоскости (PS) симметрии, которая перпендикулярна первой проводящей пластине (12; 112),
один из упомянутых двух вторых внешних выводов (34) соединен со второй проводящей пластиной (14; 114) на одной стороне относительно плоскости (PS) симметрии, а
другой из упомянутых двух вторых внешних выводов (34) соединен со второй проводящей пластиной (14; 114) на другой стороне относительно плоскости (PS) симметрии.
22. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 21, в котором компоновка двух вторых внешних выводов (34) практически симметрична относительно плоскости (PS) симметрии.
23. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 19, в котором на виде сверху вдоль направления, перпендикулярного первой и второй проводящим пластинам (12, 14; 112, 114), площадь второй проводящей пластины (14, 114) больше площади первой проводящей пластины (12, 112).
24. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b) по п. 19, в котором
первая проводящая пластина (12) содержит расширенный участок (13) и
на виде сверху вдоль направления, перпендикулярного первой и второй проводящим пластинам (12), ширина расширенного участка (13) увеличивается от участка (33) первой проводящей пластины (12), где подсоединен первый внешний вывод (32), в направлении участка первой проводящей пластины (12), где подсоединено множество полупроводниковых кристаллов (22, 24, 26).
25. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b) по п. 24, в котором
толщина расширенного участка (13) первой проводящей пластины (12) меньше толщины участка первой проводящей пластины (12), где подсоединено множество полупроводниковых кристаллов (22, 24, 26), и
расширенный участок (13) покрыт оболочкой (16).
26. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b) по п. 24, в котором
расширенный участок (13) содержит пару боковых кромок (13a), причем каждая из боковых кромок (13a) проходит от своего базового конца (13b), расположенного близко к множеству полупроводниковых кристаллов (22, 24, 26), до своего дистального конца (13c), расположенного близко к первому внешнему выводу (32), и
базовые концы (13b) боковых кромок (13a) расширенного участка (13) находятся дальше от первого внешнего вывода (32), чем боковая кромка (34a) упомянутого по меньшей мере одного второго внешнего вывода (34), расположенного близко к первому внешнему выводу (32).
27. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b) по п. 24, в котором по меньшей мере часть расширенного участка (13) обращена к упомянутому по меньшей мере одному второму внешнему выводу (34).
28. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 18, в котором каждый из первого, второго и третьего полупроводниковых кристаллов (22, 24, 26) содержит IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), снабженный эмиттером и коллектором, и
эмиттеры электрически соединены с первой проводящей пластиной (12; 112), а коллекторы электрически соединены со второй проводящей пластиной (14; 114).
29. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110) по п. 18, в котором вторая проводящая пластина (114) представляет собой изолированную подложку, содержащую внутренний проводниковый слой (114a), внешний проводниковый слой (114c) и изолирующий слой (114b), расположенный между внутренним проводниковым слоем (114a) и внешним проводниковым слоем (114c), и
упомянутый по меньшей мере один второй внешний вывод (34) электрически соединен с множеством полупроводниковых кристаллов (22, 24, 26) через внутренний проводниковый слой (114a) второй проводящей пластины (114).
30. Полупроводниковое устройство (10; 10a; 10b; 110), содержащее:
первую проводящую пластину (12; 112);
множество полупроводниковых кристаллов (22, 24, 26), расположенных на первой проводящей пластине (12; 112); и
первый внешний вывод (32), соединенный с первой проводящей пластиной (12,112),
при этом
множество полупроводниковых кристаллов (22, 24, 26) содержит первый полупроводниковый кристалл (22), второй полупроводниковый кристалл (24) и третий полупроводниковый кристалл 26, и
первая проводящая пластина (12; 112) содержит проем (40), выполненный с возможностью выравнивать токи (C22, C24, C26), протекающие через первый, второй и третий полупроводниковые кристаллы (22, 24, 26) соответственно.