1-x
x
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЕ ПОЛИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО ГЕРМАНИЯ И/ИЛИ МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ SiGe В ПРИСУТСТВИИ ХМП КОМПОЗИЦИИ, ОБЛАДАЮЩЕЙ ЗНАЧЕНИЕМ pH ОТ 3,0 ДО 5,5

1-x
x
1. Способ изготовления полупроводниковых устройств, включающий химико-механическое полирование элементарного германия и/или материала на основе SiGe, в котором 0,1≤x<1,
в присутствии композиции для химико-механического полирования (ХМП), обладающей значением pH в диапазоне от 3,0 до 5,5 и содержащей:
(A) частицы диоксида кремния,
(B) по меньшей мере один тип окислителя и
(C) водную среду.
2. Способ по п. 1, в котором используют ХМП композицию, где композиция дополнительно содержит дополнительные добавки, полное содержание которых составляет не более 1 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции,
причем указанные дополнительные добавки являются веществами, отличными от частиц (А), окислителя (В) или водной среды (С) и веществ, которые добавляют к ХМП композиции только для регулирования ее значения pH.
3. Способ по п. 1, в котором используют ХМП композицию, где композиция дополнительно содержит дополнительные добавки, полное содержание которых составляет не более 0,1 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции,
причем указанные дополнительные добавки являются веществами, отличными от частиц (А), окислителя (В) или водной среды (С) и веществ, которые добавляют к ХМП композиции только для регулирования ее значения pH.
4. Способ по п. 1, в котором элементарным германием были заполнены канавки или элементарный германий был выращен в канавках между диоксидом кремния, кремнием или другим изолирующим и полупроводниковым материалом, используемым в полупроводниковой промышленности.
5. Способ по п. 1, в котором элементарный германий обладает формой слоя и/или нароста и обладает содержанием германия, составляющим более 98% в пересчете на полную массу соответствующего слоя и/или нароста.
6. Способ по п. 1, в котором окислителем (В) является пероксид водорода.
7. Способ по п. 1, в котором содержание частиц (А) находится в диапазоне от 0,01 до 5 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции.
8. Способ по п. 1, в котором содержание окислителя (В) находится в диапазоне от 0,4 до 5 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции.
9. Способ по п. 1, в котором значение pH ХМП композиции находится в диапазоне от 3,7 до 4,3.
10. Способ по п. 1, в котором ХМП композиция обладает значением pH от 3,0 до 5,5 и содержит в качестве компонентов (А)-(С)
(A) коллоидные частицы диоксида кремния в количестве, составляющем от 0,01 до 5 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции,
(B) пероксид водорода в количестве, составляющем от 0,4 до 5 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции, и
(C) воду
и дополнительно содержит дополнительные добавки, полное содержание которых составляет не более 1 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции, причем указанная дополнительная добавка является добавкой, представляющей собой вещества, отличные от частиц (А), окислителя (В) или водной среды (С) и веществ, которые добавляют к ХМП композиции только для регулирования ее значения pH.
11. Способ по любому из пп. 1-10, в котором селективность по отношению к германию по сравнению с диоксидом кремния, рассчитанная на основании скоростей удаления материалов, составляет больше чем 4,5:1.
12. Применение ХМП композиции, обладающей значением pH в диапазоне от 3,5 до 4,5 и содержащей
(A) частицы диоксида кремния,
(B) по меньшей мере один тип окислителя и
(C) водную среду,
для химико-механического полирования подложки, содержащей слой и/или нарост на основе элементарного германия.
13. Применение по п. 12, в котором частицы (А) представляют собой коллоидные частицы диоксида кремния, окислитель (В) представляет собой пероксид водорода.
14. Применение по п. 13, в котором ХМП композиция дополнительно содержит дополнительные добавки, полное содержание которых составляет не более 1 мас. % в пересчете на полную массу ХМП композиции, причем указанные дополнительные добавки являются веществами, отличными от частиц (А), окислителя (В) или водной среды (С) и веществ, которые добавляют к ХМП композиции только для регулирования ее значения pH.