СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПОДУПРОВОДНИКА И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

1. Способ уменьшения эффектов памяти во время эпитаксиального выращивания полупроводниковых материалов, содержащий:
обеспечение реакционной камеры;
обеспечение полупроводниковой подложки;
обеспечение прекурсорного газа или газов;
выполнение эпитаксиального CVD выращивания легированного полупроводникового материала на указанной подложке в указанной реакционной камере для формирования первого слоя;
продувку указанной реакционной камеры газовой смесью, включающей водород и газ, содержащий галоген; и
выполнение эпитаксиального CVD выращивания легированного полупроводникового материала на указанной подложке в указанной реакционной камере для формирования второго слоя.
2. Способ по п.1, в котором указанная реакционная камера продувается при температуре примерно от 450°С до 1800°С.
3. Способ по п.1, в котором указанная реакционная камера продувается при температуре примерно от 1300°С до 1600°С.
4. Способ по п.1, в котором указанный полупроводниковый материал выбран из SiC, GaN, GaAs и SiGe.
2
2
4
3
5. Способ по п.1, в котором указанный содержащий галоген газ выбран из НСl, Cl, F, CF, СlF и НВr.
6. Способ по п.1, в котором указанная полупроводниковая подложка остается в указанной камере во время процесса продувки.
7. Способ по п.1, в котором указанная полупроводниковая подложка удаляется из указанной камеры до указанного процесса продувки и заменяется после указанного процесса продувки.
8. Способ по п.1, в котором указанная полупроводниковая подложка удаляется из указанной камеры до указанного процесса продувки и заменяется новой полупроводниковой подложкой после указанного процесса продувки.
9. Способ по п.1, в котором указанный первый слой легированного полупроводникового материала содержит донорную примесь SiC, и указанный второй слой легированного полупроводникового материала содержит акцепторную примесь SiC.
10. Способ по п.1, в котором указанный первый слой легированного полупроводникового материала содержит акцепторную примесь SiC и указанный второй слой легированного полупроводникового материала содержит акцепторную примесь SiC, имеющую более низкую концентрацию легирующей примеси, чем указанный первый слой.
11. Способ по п.1, в котором концентрация указанного содержащего галоген газа лежит в диапазоне от 0,1% до 10%.
12. Полупроводниковое устройство на основе карбида кремния, имеющее структуру, выполненную способом по п.1.