Чувствительный элемент люминесцентного сенсора и способ его получения

n
4-n
1. Чувствительный элемент люминесцентного сенсора, состоящий из неорганической пористой матрицы, представляющей собой аэросил марки А-175, модифицированный соединениями, выбранными из ряда RSiX, где R представляет собой органический радикал, выбранный из метила или этила, X представляет собой галоген, n принимает значение, равное 2, и содержащими в качестве добавок смесь пиридина и гексаметиламина, взятых в массовом соотношении 1:2, и содержащей в качестве фотоактивного компонента коллоидные полупроводниковые люминофоры, включающие ядро на основе селенида кадмия и полупроводниковые оболочки на основе сульфида кадмия и сульфида цинка.
2. Чувствительный элемент люминесцентного сенсора по п. 1, используемый для определения в газовых и жидких средах целого ряда соединений, таких как молекулярный йод, бром, фтор, хлор, кислород, сероводород, пероксид водорода, ионы переходных металлов, водород, оксиды азота, пиридин.
n
4-n
3. Способ получения чувствительного элемента люминесцентного сенсора по любому из пп. 1, 2, включающий этапы, на которых прокаливают неорганическую пористую матрицу аэросила марки А-175, в вакууме при температуре 200-250°С в течение 2,5-3 часов с последующей модификацией поверхности аэросила марки А-175 соединениями, выбранными из ряда RSiX, где R представляет собой органический радикал, выбранный из метила или этила, X представляет собой галоген, n принимает значение, равное 2, и содержащими в качестве добавок смесь пиридина и гексаметиламина, взятых в массовом соотношении 1:2, при температуре 85-95°С в течение 1,5-2 часов, после которой полученный продукт промывают толуолом и подвергают вакуумированию при температуре 150°С, далее модифицированный аэросил марки А-175 добавляют к неполярному растворителю, выбранному из толуола или гексана, и полученную дисперсию подвергают ультразвуковой обработке при температуре 50-70°С в течение 1-2 часов, затем в полученную смесь добавляют дисперсию коллоидных полупроводниковых люминофоров, включающих ядро на основе селенида кадмия и полупроводниковые оболочки на основе сульфида кадмия и сульфида цинка, в неполярном растворителе, представляющим собой гексан, и подвергают полученнную смесь обработке ультразвуком при температуре 40-50°С в течение 0,5-1 часа, после чего осуществляют отгонку неполярного растворителя гексана из смеси при температуре кипения растворителя до объема 5 мл с получением продукта, который наносят на полированную пластину из кварца и сушат в ваккумном шкафу при температуре 100-110°С.
n
4-n
4. Способ по п. 3, в котором соединения, выбранные из ряда RSiX, представляют собой дихлордиметилсилан или дибромдиэтилсилан.