СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА ОКСИДА ЦИНКА

1. Способ получения монокристалла оксида цинка методом вытягивания из расплава, включающий осаждение кристалла оксида цинка на затравочном кристалле в верхней части и из смешанного расплава оксида цинка и растворителя, способного растворять оксид цинка и имеющего более высокую среднюю плотность, чем оксид цинка в расплаве, и вытягивание монокристалла оксида цинка.
2. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.1, при котором кристалл оксида цинка осаждают на затравочном кристалле из упомянутого смешанного расплава, монокристалл оксида цинка вытягивают из расплава, и при упомянутом вытягивании подают такое же количество исходного материала оксида цинка, что и количество вытянутого оксида цинка, для непрерывного вытягивания монокристалла оксида цинка.
3. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.2, при котором после вытягивания определенного количества кристалла оксида цинка из расплава повторяют операцию подачи в расплав такого же количества исходного материала оксида цинка, что и количество вытянутого оксида цинка, и вновь вытягивают кристалл оксида цинка из расплава, а вытягиваемое количество оксида цинка регулируют до количества, не позволяющего составу расплава вблизи кристалла превратиться в состав, состоящий только из жидкой фазы выше линии ликвидуса на фазовой диаграмме системы с использованием растворителя и оксида цинка в качестве компонентов.
4. Способ получения монокристалла оксида цинка по любому из пп.1-3, при котором исходный материал оксид цинка предварительно нагревают, а затем подают.
5. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.4, при котором разница между температурой предварительного нагрева и температурой расплава составляет в пределах 100°С.
6. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.2 или 3, при котором предусматривают перемычку между областью вытягивания кристалла для вытягивания кристалла из расплава и зоной подачи для подачи исходного материала оксида цинка так, чтобы не вызывать турбулентности в расплаве в области вытягивания кристалла во время подачи исходного материала оксида цинка.
7. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.1 или 2, при котором упомянутым растворителем является растворитель, образованный одним или более видами соединений, дающих эвтектический состав от 30 до 99,9 мол.% в единицах концентрации оксида цинка и с температурой эвтектики от 700 до 1720°С, которые представляют собой соединения, образующие эвтектическую фазовую диаграмму с оксидом цинка в качестве растворяемого вещества.
3
8. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.1 или 2, при котором в качестве упомянутого растворителя используют соединение, образующее эвтектическую фазовую диаграмму с оксидом цинка в качестве растворяемого вещества и имеющее среднюю плотность (при комнатной температуре) в 5,6 г/см или более в твердом состоянии.
9. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.1 или 2, при котором соединение, составляющее упомянутый растворитель, содержит один или более компонентов из оксида и галогенида, такого, как фторид и хлорид.
10. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.1 или 2, при котором соотношение компонентов в смеси между оксидом цинка и соединением, составляющим упомянутый растворитель, составляет от 99,9 до 30 мол.% против от 0,1 до 70 мол.%, а соотношение компонентов в смеси соответствующих растворителей составляет от 0 до 100 мол.%.
3
2
2
2
3
2
2
2
3
2
4
7
11. Способ получения монокристалла оксида цинка по п.1 или 2, при котором соединение, составляющее упомянутый растворитель, содержит один или более компонентов из оксида вольфрама (WO), фторида свинца (PbF), хлорида свинца (PbCl), оксида ниобия (NbO), монооксида кобальта (CoO), диоксида кремния (SiO), оксида титана (TiO), оксида алюминия (AlO) и тетрабората натрия (NaBO).