ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ СЧЕТА ФОТОНОВ

1. Устройство, содержащее:
пару собирающих электродов, противолежащих по отношению друг к другу;
полупроводник, расположенный между парой собирающих электродов;
управляющий электрод, размещенный смежно с одним из пары собирающих электродов; и
легированную область полупроводника, имеющую пространственно-модулированный легирующий профиль и расположенную поверх по меньшей мере участка управляющего электрода и внутри полупроводника.
2. Устройство по п. 1, в котором первый собирающий электрод из пары собирающих электродов является катодом, а второй собирающий электрод из пары собирающих электродов является анодом.
3. Устройство по п. 1, в котором управляющий электрод представляет собой множество электродов, размещенных смежно со вторым собирающим электродом.
4. Устройство по п. 1, в котором легирующий профиль включает в себя множество легирующих атомов по меньшей мере одного легирующего материала.
5. Устройство по п. 1, в котором множество легирующих атомов вводятся посредством сканирующего ионного пучка; при этом множество легирующих атомов генерируются посредством термовакуумного испарения через маску, предварительно прикрепленную к полупроводнику таким образом, что покрыты только области управляющего электрода; или при этом множество легирующих атомов вводятся посредством термовакуумного испарения на маску, предварительно прикрепленную к полупроводнику таким образом, что покрыты только области управляющего электрода, и за которым следует последующее нагревание полупроводника для обеспечения возможности локальной диффузии множества легирующих атомов в глубину.
6. Устройство по п. 1, в котором пространственно-модулированный легирующий профиль обеспечивает возможность уменьшения разности напряжений, приложенной между вторым собирающим электродом и управляющим электродом, расположенными смежно друг с другом.
7. Устройство по п. 1, в котором внешне приложенные электрические потенциалы ко второму собирающему электроду из упомянутой пары собирающих электродов и к управляющему электроду являются практически одинаковыми.
8. Устройство по п. 1, в котором пространственно-модулированный легирующий профиль отделен от управляющего электрода посредством электрически изолирующей области.
9. Детектор излучения, содержащий:
полупроводниковый элемент для генерирования положительных дырок и электронов;
катод, сформированный на первой поверхности полупроводникового элемента;
множество сегментных анодов, сформированных на второй поверхности полупроводникового элемента, при этом вторая поверхность является противоположной по отношению к первой поверхности;
по меньшей мере один управляющий электрод, размещенный смежно с множеством сегментных анодов; и
множество легирующих атомов, расположенных поверх по меньшей мере участка управляющего электрода и внутри полупроводникового элемента, при этом множество легирующих атомов имеют пространственно-модулированный легирующий профиль.
10. Детектор излучения по п. 9, в котором множество легирующих атомов вводятся посредством сканирующего ионного пучка.
11. Детектор излучения по п. 9, в котором множество легирующих атомов генерируются посредством термовакуумного испарения через маску, предварительно прикрепленную к полупроводнику таким образом, что покрыты только площади управляющего электрода; при этом множество легирующих атомов вводятся посредством термовакуумного испарения на маску, предварительно прикрепленную к полупроводнику таким образом, что покрыты только области управляющего электрода, и за которым следует последующее нагревание полупроводника для обеспечения возможности локальной диффузии множества легирующих атомов в глубину; или при этом пространственно-модулированный легирующий профиль обеспечивает возможность уменьшения разности напряжений, приложенной между вторым собирающим электродом и управляющим электродом, расположенными смежно друг с другом.
12. Детектор излучения по п. 9, в котором внешне приложенные электрические потенциалы к множеству сегментных анодов и к управляющему электроду являются практически одинаковыми.
13. Детектор излучения по п. 9, в котором пространственно-модулированный легирующий профиль отделен от управляющего электрода посредством электрически изолирующей области.
14. Способ, содержащий:
обеспечение пары собирающих электродов, противолежащих по отношению друг к другу;
расположение полупроводника между парой собирающих электродов;
размещение управляющего электрода смежно с одним из пары собирающих электродов; и
создание пространственно-модулированного легирующего профиля, включающего в себя множество легирующих атомов внутри полупроводника.
15. Способ по п. 14, дополнительно включающий в себя введение легирующих атомов посредством сканирующего ионного пучка или введение легирующих атомов посредством термовакуумного испарения через маску, предварительно прикрепленную к полупроводнику таким образом, что покрыты только области управляющего электрода.
16. Способ по п. 14, дополнительно включающий в себя обеспечение возможности уменьшения разности напряжений, приложенной между вторым собирающим электродом из упомянутой пары собирающих электродов и управляющим электродом, расположенными смежно друг с другом, посредством множества легирующих атомов изолирующей области.
17. Устройство по п. 1, в котором легированная область частично отрицательно заряжена.
18. Устройство по п. 1, в котором легированная область свободна от электрического поля и не обедненная.
19. Устройство по п. 1, в котором легированная область полностью обедненная.
20. Устройство по п. 1, в котором легированная область представляет собой часть управляющего электрода.