УСТРОЙСТВО ДЛЯ УМЕНЬШЕНИЯ ВОЗДЕЙСТВИЯ НА УЧАСТОК ПОВЕРХНОСТИ С ПОМОЩЬЮ ПОЛОЖИТЕЛЬНО ЗАРЯЖЕННЫХ ИОНОВ И ИОННЫЙ УСКОРИТЕЛЬ

1. Устройство для уменьшения воздействия положительно заряженных ионов на участок поверхности, отличающееся тем, что предусмотрена магнитная система, которая в пространственной области в направлении нормали к упомянутому участку поверхности перед ним создает магнитное поле, проходящее преимущественно параллельно этому участку поверхности.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что упомянутый участок поверхности имеет непроводящую поверхность.
3. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что магнитное поле содержит по меньшей мере одну структуру Cusp.
4. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что упомянутый участок поверхности является элементом космического летательного аппарата и обращен в свободное пространство.
5. Устройство по п.4, отличающееся тем, что упомянутый участок поверхности является частью электронного устройства.
6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что упомянутый участок поверхности является элементом системы солнечных элементов.
7. Ионный ускоритель с устройством для уменьшения воздействия положительно заряженных ионов на участок поверхности с ионизационной камерой и устройством для ионизации рабочего газа, подаваемого в ионизационную камеру, а также с электродом для электростатического ускорения образовавшихся ионов с помощью высокого напряжения и их испускания в виде плазменного пучка из выходного отверстия для пучка ионизационной камеры, отличающийся тем, что предусмотрена экранирующая поверхность, расположенная с боковым смещением относительно выходного отверстия, в частности, окружающая его и обращенная к испускаемому плазменному пучку, которая в работе ионного ускорителя пространственно расположена между испускаемым плазменным пучком и элементами с потенциалом массы, в частности, внешними поверхностями космического летательного аппарата с потенциалом массы, а электрически имеет потенциал, отделенный от потенциала массы космического летательного аппарата.
8. Устройство по п.7, отличающееся тем, что экранирующая поверхность по меньшей мере частично является непроводящей.
9. Устройство по п.7, отличающееся тем, что экранирующая поверхность электрически изолирована от потенциала массы ионного ускорителя.
10. Устройство по одному из пп.7-9, отличающееся тем, что экранирующая поверхность в режиме привода приводного устройства имеет скользящий потенциал.
11. Устройство по одному из пп.7-9, отличающееся тем, что экранирующая поверхность в режиме привода смещена на определенное напряжение относительно потенциала массы ионного ускорителя.
12. Устройство по п.7, отличающееся тем, что электрод-катод за пределами ионизационной камеры смещен в сторону относительно выходного отверстия.
13. Устройство по п.12, отличающееся тем, что экранирующая поверхность в радиальном направлении проходит между электродом-катодом и выходным отверстием для пучка.
14. Устройство по п.7, отличающееся тем, что магнитная система создает магнитное поле, которое между экранирующей поверхностью и пространственной областью плазменного пучка, испускаемого из отверстия для пучка, проходит преимущественно параллельно экранирующей поверхности.
15. Устройство по п.12, отличающееся тем, что поле, созданное магнитной системой между центральной продольной осью ионизационной камеры и краем выходного отверстия для пучка с преимущественно радиальным расположением магнитного поля, образует структуру Cusp.
16. Устройство по п.7, отличающееся тем, что экранирующая поверхность по меньшей мере преимущественно расширяется в виде воронки.
17. Устройство по п.7, отличающееся тем, что экранирующая поверхность образована покрытием на корпусе основы, имеющем большую устойчивость против ионного распыления, чем корпус основы.
18. Устройство по п.7, отличающееся тем, что оно выполнено в космическом летательном аппарате на его внешней стороне с направлением испускания плазменного пучка в сторону от космического летательного аппарата и работает как приводное устройство.