СИСТЕМЫ ДЛЯ ОБРАБОТКИ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ОСНОВЫ

1. Система для обработки основы, содержащая:
очищающую композицию; и/или
раскисляющую композицию, содержащую металл группы IVA и/или металл группы IVB и свободный фторид, и имеющую pH от 1,0 до 3,0; и/или
герметизирующую композицию; и
покрывающую композицию.
2. Система по п. 1, содержащая:
очищающую композицию, причем очищающая композиция содержит гомополимер или сополимер, содержащий фосфорсодержащую мономерную субъединицу m1; и
покрывающую композицию.
3. Система по п. 2, отличающаяся тем, что очищающая композиция дополнительно содержит не-фосфорсодержащую мономерную субъединицу m2.
4. Система по п. 1, содержащая:
раскисляющую композицию; и
покрывающую композицию.
5. Система по п. 4, отличающаяся тем, что раскисляющая композиция дополнительно содержит гомополимер или сополимер, содержащий фосфорсодержащую мономерную субъединицу m1.
6. Система по п. 4, отличающаяся тем, что раскисляющая композиция дополнительно содержит не-фосфорсодержащую мономерную субъединицу m2.
7. Система по п. 4, дополнительно содержащая очищающую композицию.
8. Система по п. 4, дополнительно содержащая герметизирующую композицию.
9. Система по п. 8, отличающаяся тем, что герметизирующая композиция содержит восковую композицию.
10. Система по п. 1, содержащая:
герметизирующую композицию, причем герметизирующая композиция содержит гомополимер или сополимер, содержащий фосфорсодержащую мономерную субъединицу m1; и
покрывающую композицию.
11. Система по п. 10, отличающаяся тем, что герметизирующая композиция дополнительно содержит не-фосфорсодержащую мономерную субъединицу m2.
12. Система по п. 1, отличающаяся тем, что покрывающая композиция содержит адгезивную композицию, структурную адгезивную композицию, термопластическую пленкообразующую смолу, термоотверждаемую пленкообразующую смолу, покрывающую композицию, наносимую электрохимическим способом, жидкую покрывающую композицию, порошковую покрывающую композицию, грунтовочную покрывающую композицию, отделочную покрывающую композицию или их комбинации.
13. Система по п. 1, отличающаяся тем, что покрывающая композиция содержит адгезивную композицию, содержащую:
эпоксидсодержащий компонент; и
отверждающий агент, который вступает в реакцию с эпоксидсодержащим компонентом.
14. Система по п. 13, отличающаяся тем, что отверждающий агент содержит амин, аминовый аддукт, тиол или их комбинации.
15. Система по п. 13, отличающаяся тем, что отверждающий агент содержит по меньшей мере один гуанидин, имеющий размер частиц D90, составляющий 25 мкм по данным измерения методом динамического рассеяния света.
16. Система по п. 13, отличающаяся тем, что эквивалетное отношение отверждающего агента к эпоксидсодержащему компоненту составляет от 0,5:1 до 1,5:1.
17. Система по п. 13, отличающаяся тем, что адгезивная композиция дополнительно содержит эластомерные частицы.
18. Система по п. 17, отличающаяся тем, что эластомерные частицы присутствуют в количестве от 0,1% по массе до 11% по массе в расчете на общую массу адгезивной композиции.
19. Система по п. 17, отличающаяся тем, что эластомерные частицы присутствуют в количестве, большем чем от 11% по массе до 25% по массе в расчете на общую массу адгезивной композиции.
20. Система по п. 17, отличающаяся тем, что по меньшей мере 50% по массе эластомерных частиц содержат стирол-бутадиеновое ядро в расчете на общую массу эластомерных частиц.
21. Система по п. 17, отличающаяся тем, что по меньшей мере 50% эластомерных частиц имеют средний размер частиц менее 150 нм по данным измерения методом трансмиссионной электронной микроскопии.
22. Система по п. 17, отличающаяся тем, что не более 50% по массе эластомерных частиц содержат полибутадиеновое ядро и/или полисилоксановое ядро в расчете на общую массу эластомерных частиц.
23. Система по п. 1, отличающаяся тем, что покрывающая композиция содержит ускоритель.
24. Система по п. 23, отличающаяся тем, что ускоритель включает латентный ускоритель, инкапсулированный ускоритель, не латентный ускоритель, не инкапсулированный ускоритель или их комбинации.
25. Основа, обработанная с помощью системы по п. 1.
26. Основа по п. 25, отличающаяся тем, что часть поверхности основы по меньшей мере частично покрыта покрывающей композицией.
27. Основа по п. 25, отличающаяся тем, что основа по меньшей мере частично зафиксирована в композиции.
28. Основа по п. 25, размещенная на второй основе.
29. Основа по п. 28, размещенная между второй основой и третьей основой.
30. Защитная одежда, содержащая основу по п. 25.
31. Транспортное средство, содержащее основу по п. 25.
32. Банка, содержащая основу по п. 25.
33. Изделие, содержащее основу по п. 25, отличающееся тем, что основа состоит из первого материала.
34. Изделие по п. 33, дополнительно содержащее вторую основу, состоящую из первого материала.
35. Изделие по п. 33, дополнительно содержащее вторую основу, состоящую из второго материала.
36. Способ обработки основы, включающий:
приведение части поверхности основы в контакт с очищающей композицией; и/или
приведение части поверхности в контакт с раскисляющей композицией, содержащей металл группы IVA и/или металл группы IVB и свободный фторид, и имеющей pH от 1,0 до 3,0; и/или
приведение части поверхности в контакт с герметизирующей композицией; и
приведение части поверхности в контакт с покрывающей композицией.
37. Способ по п. 36, отличающийся тем, что поверхность не приводят в контакт с композицией для предварительной обработки.
38. Раскисляющая композиция, содержащая:
металл группы IVA;
металл группы IVB; и
свободный фторид;
причем композиция имеет рН от 1,0 до 3,0.
39. Раскисляющая композиция по п. 38, дополнительно содержащая металл группы IA, металл группы VIB, электроположительный металл, гомополимер или сополимер, содержащий фосфорсодержащую мономерную субъединицу m1, или их комбинации.
40. Раскисляющая композиция по п. 39, дополнительно содержащая не-фосфорсодержащую мономерную субъединицу m2.
41. Основа, содержащая покрытие, образованное из композиции, содержащей эпоксидсодержащий компонент, эластомерные частицы в количестве, большем чем от 11% по массе до 25% по массе в расчете на общую массу композиции, и отверждающий компонент, активируемый внешним источником энергии, причем отверждающий компонент содержит по меньшей мере один гуанидин, имеющий размер частиц D90, составляющий 25 мкм по данным измерения методом динамического рассеяния света.
42. Основа по п. 41, отличающаяся тем, что эпоксидсодержащий компонент имеет среднюю функциональность эпоксида больше 1,0 и меньше 3,2.
43. Основа по п. 41, отличающаяся тем, что по меньшей мере 50% по массе эластомерных частиц содержат стиролбутадиеновое ядро в расчете на общую массу эластомерных частиц, и/или по меньшей мере 50% эластомерных частиц имеют средний размер частиц менее 150 нм по данным измерения методом трансмиссионной электронной микроскопии, и/или не более 50% по массе эластомерных частиц содержат полибутадиеновое ядро и/или полисилоксановое ядро в расчете на общую массу эластомерных частиц.
44. Основа по п. 41, отличающаяся тем, что основа по меньшей мере частично зафиксирована в покрывающей композиции.
45. Основа по п. 44, отличающаяся тем, что основа представляет собой волокнистый материал, лист или сетку.
46. Основа по п. 41, размещенная на второй основе.
47. Основа по п. 41, размещенная между второй основой и третьей основой.
48. Защитная одежда, содержащая основу по п. 41.