Дистанционное определение места повреждения линии методом стоячих волн

Remote fault location line by standing waves method 1 2 Katerov F. , Remesnik D.

Дистанционное определение места повреждения линии методом

стоячих волн 12 Катеров Ф. В. , Ремесник Д. В.

1Катеров Филипп Викторович /Katerov Filipp - магистр, ассистент; 2Ремесник Денис Вячеславович /Remesnik Denis - инженер, магистр, ЗАО «ПИРС»,

кафедра электроснабжения промышленных предприятий, Омский государственный технический университет, г. Омск

Аннотация: в статье представлена методика определения места повреждения методом стоячих волн.

Abstract: the article presents a method of determining fault location by standing waves.

Ключевые слова: электроснабжение, электрические системы, определение места повреждения, метод стоячих волн.

Keywords: electricity, power systems, fault location, standing waves.

Дистанционное определение места повреждения линии (ОМП) методом стоячих волн заключается в последовательном измерении входного полного сопротивления в различном диапазоне частот, так как известно, что расстояние между максимумами и минимумами входного сопротивления (которые являются резонансными частотами) зависит от расстояния до места аварии (либо однофазного замыкания на землю). Линия передачи и проводники имеют сопротивления и индуктивности, которые распределены равномерно по всей длине линии. При возникновении неисправности бегущие волны распространяются вдоль линии передачи в обоих направлениях от них. Эти переходные процессы распространяются вдоль линий и отражаются на концах линии [1].

Для ОМП предложенным методом поврежденную линию выводят из работы и к ней подключают источник периодического высокочастотного синусоидального сигнала. Если частота достаточно высока, то ЛЭП необходимо рассматривать как линию с распределенными параметрами [2].

При синусоидальном напряжении источника питания напряжение в любой точке длинной линии можно представить в виде суммы двух слагаемых:

U = ит+вш-ух + Umeiat-yx, m

m m ' у1)

где Um + - комплексная амплитуда прямой волны напряжения;

U m - комплексная амплитуда обратной волны напряжения; У - постоянная распространения.

Если задать фиксированный момент времени t=0 (например) и вычислить изменение мгновенного значения напряжения на протяжении всей линии, и поставить в зависимость от координаты x, то каждое слагаемое в уравнении (1) будет описывать гармоническую волну напряжения. Сформированные переходные компоненты содержат обширную информацию о месте повреждения.

Искомое расстояние до места повреждения будет находиться по формуле (2), где v - фазовая скорость распространения по данному каналу;

V

Lx:=-

2 Afx

Ax - интервал между частотами.

Таким образом, в данном методе предполагается настройка на резонансную частоту собственной частоты источника и частоты участка линии, расположенном от места установки аппаратуры до места повреждения. По этой причине данный метод иногда называют резонансным. Недостатком данного метода является необходимость наличия сложной и дорогостоящей аппаратуры, поэтому хоть метод стоячих волн известен давно, но широкого распространения на практике он не получил, а предпочтение отдается импульсным методам [3].

Литература

1. Бурчевский В. А. и др. Дистанционное определение места повреждения в распределительных сетях методом стоячих волн // Омский научный вестник, 2009. №. 3-83.

2. Владимиров Л. В., Ощепков В. А., Суриков В. И. Алгоритм и методика определения места повреждения в распределительных сетях электроэнергетических систем методом стоячих волн // Омский научный вестник, 2011. № 3-103.

3. Катеров Ф. В., Ремесник Д. В. Особенности энергетических систем // Научный журнал, 2016. № 8 (9). С. 23-25.

4. Катеров Ф. В., Ремесник Д. В. Виды режимов энергетических систем // Научный журнал, 2016. № 8 (9). С. 22-23.

Effect of electric fields on the structure formation of liquid crystals

Faizullina S.1, Khakimzyanov D.2

Влияние электрических полей на структуру образования жидких

кристаллов 12 Файзуллина С. С. , Хакимзянов Д. М.

1Файзуллина Сюмбель Сабирзяновна /Faizullina Sumbel - магистр, кафедра технической химии и материаловедения, инженерный факультет, Башкирский государственный университет; 2Хакимзянов Динар Мылтыкбаевич / Khakimzyanov Dinar - магистр, кафедра нефтехимии и химической технологии, технологический факультет, Уфимский государственный нефтяной технический университет, г. Уфа

Аннотация: в статье анализируется влияние внешних электрических полей на структуру образования жидких кристаллов. Это существенно искажает ориентацию директора и является причиной целого ряда новых эффектов, в частности флексоэлектричество. Abstract: this article analyzes the influence of external electric fields on the structure of the formation of liquid crystals. This significantly distorts the orientation of the director and is responsible for a number of new effects, in particular flexoelectricity.

Ключевые слова: диэлектрическая анизотропия, пьезоэлектрический эффект, флексоэлектричество.

Keywords: dielectric anisotropy, the piezoelectric effect, flexoelectricity.

Действие электрических полей на структуру образования жидких кристаллов обусловлено энергетическими причинами.

Плотность свободной энергии, связанная с влиянием электрического поля на жидкие кристаллы, записывается следующим образом:

FB = — — е,Е2 — — Де (1),

Б 8ж 8ж V ''

где Де = е — е±- диэлектрическая анизотропия.

25