ПОДЛОЖКА АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ И ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ДИСПЛЕЙНОЕ УСТРОЙСТВО, ИСПОЛЬЗУЮЩЕЕ УКАЗАННУЮ ПОДЛОЖКУ

1. Подложка активной матрицы, содержащая:
изолирующую подложку;
пиксел, содержащий запоминающее устройство, сформированное из активных элементов на изолирующей подложке;
межслойную изолирующую пленку, сформированную на изолирующей подложке и активных элементах; и
отражательный электрод на межслойной изолирующей пленке, причем высота отражательного электрода является разной вследствие неровности, сформированной на поверхности отражательного электрода, в пределах диапазона от 100 нм до 500 нм.
2. Подложка активной матрицы, содержащая:
изолирующую подложку;
пиксел, содержащий запоминающее устройство, сформированное из активных элементов на изолирующей подложке;
межслойную изолирующую пленку, сформированную на изолирующей подложке и активных элементах; и
отражательный электрод на межслойной изолирующей пленке,
причем, если свет поступает по направлению -30° относительно нормали к подложке активной матрицы и измерена интенсивность этого отраженного света, удовлетворяется следующее выражение:
0,02<I(35°)/I(30°)<0,1,
где I(θ°) обозначает интенсивность отраженного света, измеренную в направлении θ градусов относительно нормали к подложке активной матрицы.
3. Подложка активной матрицы по п.2, для которой удовлетворяется следующее выражение:
I(40°)/I(30°)<0,02.
4. Подложка активной матрицы по п.1, в которой область, в которой сформированы активные элементы и проводники, занимает по меньшей мере одну треть от области пикселя.
5. Подложка активной матрицы по п.2, в которой область, в которой сформированы активные элементы и проводники, занимает по меньшей мере одну треть от области пикселя.
6. Подложка активной матрицы по п.3, в которой область, в которой сформированы активные элементы и проводники, занимает по меньшей мере одну треть от области пикселя.
7. Подложка активной матрицы по п.1, в которой межслойная изолирующая пленка структурирована на части, на которой не сформированы указанные активные элементы и проводники.
8. Подложка активной матрицы по п.2, в которой межслойная изолирующая пленка структурирована на части, на которой не сформированы указанные активные элементы и проводники.
9. Подложка активной матрицы по п.3, в которой межслойная изолирующая пленка структурирована на части, на которой не сформированы указанные активные элементы и проводники.
10. Подложка активной матрицы по п.4, в которой межслойная изолирующая пленка структурирована на части, на которой не сформированы указанные активные элементы и проводники.
11. Подложка активной матрицы по п.5, в которой межслойная изолирующая пленка структурирована на части, на которой не сформированы указанные активные элементы и проводники.
12. Подложка активной матрицы по п.6, в которой межслойная изолирующая пленка структурирована на части, на которой не сформированы указанные активные элементы и проводники.
13. Подложка активной матрицы по любому из пп.1-9, в которой межслойная изолирующая пленка обладает толщиной не меньше 1,5 мкм, но не больше 3,5 мкм.
14. Подложка активной матрицы по п.1, в которой неровности на поверхности отражательного электрода сформированы в основном активными элементами и проводниками.
15. Отражательный жидкокристаллический дисплей, содержащий:
подложку активной матрицы по любому из пп.1-13;
подложку, содержащую прозрачный электрод; и
жидкокристаллический слой, выполненный между подложкой активной матрицы и подложкой, содержащей прозрачный электрод.
16. Отражательный жидкокристаллический дисплей по п.15, в котором жидкокристаллический слой в отношении входящего света находится в состоянии рассеяния или в нерассеивающем состоянии в соответствии с электрическим сигналом.
17. Отражательный жидкокристаллический дисплей по п.16, в котором жидкокристаллический слой, находящийся в отношении входящего света в состоянии рассеяния или в нерассеивающем состоянии в соответствии с электрическим сигналом, имеет структуру, в которой капли жидкого кристалла распределены на полимерной мембране, или структуру, в которой полимерная сетка сформирована в жидкокристаллическом слое.