СПОСОБ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ В НАПРАВЛЕННОЕ СИЛОВОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ НА ОБЪЕКТ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ

1. Способ преобразования энергии высокочастотного электромагнитного поля в направленное силовое воздействие на объект, при котором на объекте размещают источник электромагнитного излучения и приемное тело, посредством источника возбуждают высокочастотное электромагнитное поле и воздействуют полем на приемное тело, отличающийся тем, что высокочастотное электромагнитное поле возбуждают в виде, по крайней мере, одной пары поляризованных электромагнитных волн одинаковой частоты, формируют в пространстве их суперпозицию, при этом векторы направлений волн, перпендикулярные векторам электрической и магнитной составляющих каждой волны, перекрещивают, а векторы электрических составляющих ориентируют таким образом, чтобы проекция каждого из них на плоскость, образованную векторами направлений, была не равна нулю, выделяют ограниченную поверхностями узлов электрических составляющих суперпонируемых электромагнитных волн периодическую структуру зон переменного градиентного электрического поля, выделяют внутри зон области, в которых градиент напряженности электрического поля не равен нулю, и совмещают приемное тело с такой областью, по крайней мере, одной зоны структуры, в которой импульс силы, действующей на него за период одного колебания суперпонируемых волн не равен нулю.
2 Способ по п.1, отличающийся тем, что электромагнитные волны возбуждают в виде стоячих волн.
3 Способ по п.1, отличающийся тем, что размещают в качестве приемного тела электрический диполь, например молекулу диэлектрика.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что размещают в качестве приемного тела диэлектрическую структуру, например кристаллическую решетку диэлектрика, дополнительно выбирают направление силового воздействия на приемное тело, и совмещают диполи диэлектрической структуры с областями зон периодической структуры, в которых проекция импульса силы, действующей на установленный в ней диполь, на выбранное направление силового воздействия за период одного колебания волн положительна.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что размещают в качестве приемного тела диэлектрическую пластину, внутренний объем которой не выступает за поверхности, проведенные через противолежащие линии пересечения поверхностей узлов электрических составляющих, образующих зоны переменного градиентного электрического поля, четного числа диагональных рядов периодической структуры зон, выбирают направление силового воздействия на пластину и совмещают ее с областями диагональных рядов зон, в которых сумма проекций импульсов сил действующих на электрические диполи, образующие пластину, на выбранное направление силового воздействия за период одного колебания волн положительна.
6. Устройство для преобразования энергии высокочастотного электромагнитного поля в направленное силовое воздействие на объект, включающее корпус объекта, и закрепленные на корпусе источник электромагнитного поля и приемное тело, отличающееся тем, что источник электромагнитного поля выполнен в виде возбуждаемых от генератора высокочастотных электромагнитных колебаний, по крайней мере, одной пары излучателей поляризованных электромагнитных волн одинаковой частоты, при этом излучатели закреплены на корпусе устройства так, что векторы направлений распространения излучаемых ими волн перекрещены, области излучений совмещены, приемное тело выполнено в виде установленной в области совмещения излучений диэлектрической структуры.
7. Устройство по п.6, отличающееся тем, что излучатели снабжены установленными на корпусе вдоль направлений излучений открытыми зеркальными резонаторами высокочастотных электромагнитных колебаний, при этом внутренние объемы резонаторов совмещены, зеркала резонаторов охватывают приемное тело, а зеркало, размещенное напротив излучателя, выполнено с возможностью ввода излучения в резонатор.
8. Устройство по п.6, отличающееся тем, что в качестве диэлектрической структуры взят искусственный диэлектрик.
9. Устройство по п.6, отличающееся тем, что в качестве диэлектрической структуры взяты диэлектрические пластины.