ФИЛЬТР ДЛЯ ДУГОВОГО ИСТОЧНИКА

1. Фильтр для системы дугового осаждения, содержащей удлиненный катод, анод и по меньшей мере одну подложку, характеризующийся тем, что содержит четное число канальных блоков, симметрично расположенных вокруг удлиненного катода, при этом канальные блоки определяют магнитное поле для направления плазмы и имеют преграждающий компонент для блокировки макрочастиц.
2. Фильтр по п.1, в котором канальные блоки электрически смещены для отталкивания положительно заряженных ионов.
3. Фильтр по п.1, характеризующийся тем, что расположен между катодом и подложкой.
4. Фильтр по п.1, в котором соседние канальные блоки имеют противоположную магнитную полярность.
5. Фильтр по п.1, в котором число канальных блоков является четным, от 2 до 8.
6. Фильтр по п.1, в котором число канальных блоков равно четырем.
7. Фильтр по п.1, в котором преграждающий компонент расположен на стороне канального блока, обращенной к катоду, таким образом, что блокируется линия прямой видимости между катодом и зоной подложки.
8. Фильтр по п.1, в котором преграждающий компонент имеет положительно заряженную поверхность.
9. Фильтр по п.1, в котором канальные блоки окружены магнитным полем, полученным пропусканием тока через канальные блоки, причем магнитное поле ориентировано перпендикулярно к удлиненной цилиндрической поверхности катода и имеет напряженность, позволяющую осуществлять направление плазмы.
10. Фильтр для системы дугового осаждения, содержащей удлиненный катод, анод и по меньшей мере одну подложку, характеризующийся тем, что содержит четное число канальных блоков, симметрично расположенных вокруг удлиненного катода, при этом канальные блоки определяют магнитное поле для направления плазмы и электрическое смещение для отталкивания положительно заряженных ионов и имеют преграждающий компонент для блокировки макрочастиц, причем поверхность преграждающего компонента электрически положительно заряжена.
11. Фильтр по п.10, характеризующийся тем, что расположен между катодом и подложкой.
12. Фильтр по п.1, в котором соседние канальные блоки имеют противоположную магнитную полярность.
13. Фильтр по п.1, в котором число канальных блоков является четным, от 2 до 8.
14. Фильтр по п.1, в котором преграждающий компонент расположен на стороне канального блока, обращенной к катоду, таким образом, что блокируется линия прямой видимости между катодом и зоной подложки.
15. Фильтр по п.1, в котором канальные блоки окружены магнитным полем, полученным пропусканием тока через канальные блоки, причем магнитное поле ориентировано перпендикулярно к удлиненной цилиндрической поверхности катода и имеет напряженность, позволяющую осуществлять направление плазмы.
16. Система дугового осаждения, содержащая:
удлиненный катод;
зону подложек, имеющую множество подложек, размещенных вокруг катода дуги;
анод, расположенный на расстоянии от удлиненного катода дуги;
отрицательно смещенную зону подложек; и
фильтр, размещенный между катодом и подложками,
при этом фильтр содержит:
четное число канальных блоков, симметрично расположенных вокруг удлиненного катода, причем канальные блоки формируют магнитное поле для направления плазмы и имеют преграждающий компонент для блокировки макрочастиц, при этом канальные блоки, необязательно, электрически смещены для отталкивания положительно заряженных ионов.
17. Система дугового осаждения по п.16, в которой соседние канальные блоки имеют противоположную магнитную полярность.
18. Система дугового осаждения по п.16, в которой число канальных блоков является четным, от 2 до 8.
19. Система дугового осаждения по п.16, в которой преграждающий компонент расположен на стороне канального блока, обращенной к катоду, таким образом, что блокируется линия прямой видимости между катодом и зоной подложки.
20. Система дугового осаждения по п.16, в которой поверхность преграждающего компонента электрически положительно заряжена.
21. Система дугового осаждения по п.16, в которой канальные блоки окружены магнитным полем, полученным пропусканием тока через канальные блоки, причем магнитное поле ориентировано перпендикулярно к удлиненной цилиндрической поверхности катода и имеет напряженность, позволяющую осуществлять направление плазмы.
22. Система дугового осаждения по п.16, дополнительно содержащая множество постоянных магнитов для изменения магнитного поля.
23. Система дугового осаждения по п.16, в которой магнитное поле имеет переменную величину, от 0 до 200 Гаусс на поверхности катода дуги, при этом магнитное поле изменяется в направлении наименьшей переменной величины ноль - 1000 Гаусс, на заданном расстоянии от поверхности катода дуги, и продолжает снижаться в направлении зоны подложек.
24. Система дугового осаждения по п.16, в которой фильтр выполнен с возможностью функционировать без смещения барьера при низкой напряженности магнитного поля, при давлении ниже 1 мТорр, так что электроны вылетают через выходы фильтра, преобразуя систему дугового осаждения в систему электронных пучков.
25. Система дугового осаждения по п.16, в которой фильтр выполнен с возможностью функционировать при низкой напряженности магнитного поля, при давлении 1 мТорр или выше, так что убегающие электроны дуги ионизируют молекулы газа, которые проходят через выходы фильтра, преобразуя систему дугового осаждения в систему пучков ионов.