ПРОЦЕСС ФОРМИРОВАНИЯ ПРОКЛАДКИ ДЛЯ ПЕРЕВЕРНУТЫХ СИД

1. Способ изготовления светоизлучающего устройства, содержащий этапы:
обеспечения кристалла светоизлучающего диода (СИД) (10, 12) на опоре (22), причем между кристаллом СИД и опорой существует зазор, причем кристалл СИД имеет нижнюю поверхность, обращенную к опоре, и верхнюю поверхность, противоположную нижней поверхности,
формование материала (41, 54) прокладки поверх кристалла СИД так, что материал прокладки запечатывает кристалл СИД и, по существу, полностью заполняет зазор между кристаллом СИД и опорой, и
удаление (58) материала (54) прокладки, по меньшей мере, с верхней поверхности кристалла СИД, причем кристалл СИД содержит эпитаксиальные слои (10), выращенные на ростовой подложке (12), причем поверхность ростовой подложки является верхней поверхностью кристалла СИД, при этом способ дополнительно содержит этап удаления ростовой подложки с эпитаксиальных слоев после формования материала (41, 54) прокладки поверх кристалла СИД.
2 Способ по п.1, в котором подложка (12) удаляется с эпитаксиальных слоев методом (60) лазерного отделения после этапа удаления материала (54) прокладки.
4. Способ по п.1, в котором этап удаления материала прокладки (54) содержит удаление материала прокладки путем обдувки микрошариками (58).
5. Способ по п.1, в котором этап удаления материала прокладки (54) содержит удаление материала прокладки путем травления.
6. Способ по п.1, в котором этап формования материала (41, 54) прокладки поверх кристалла (10, 12) СИД содержит этапы:
обеспечения твердого материала прокладки в форме (50),
нагревание формы для плавления или размягчения материала прокладки,
размещение кристалла (10, 12) СИД на опоре (22) по отношению к форме, чтобы сжать расплавленный или размягченный материал прокладки и запечатать кристалл СИД, и
охлаждение материала прокладки.
7. Способ по п.1, в котором этап формования материала (41, 54) прокладки поверх кристалла (10, 12) СИД содержит этапы:
размещения кристалла (10, 12) СИД на опоре (22) по отношению к форме (36),
создание существенного вакуума между опорой (22) и полостью формы (38),
заполнение полости формы под давлением жидким материалом (41) прокладки чтобы запечатать кристалл СИД, и
отверждение материала прокладки.
8. Способ по п.1, в котором этап формования материала (41, 54) прокладки поверх кристалла (10, 12) СИД содержит этапы:
заполнения полости (50) формы размягченным материалом (41) прокладки,
погружение кристалла СИД в размягченный материал прокладки, и
отверждение материала прокладки.
9. Способ по п.1, в котором этап обеспечения кристалла (10, 12) СИД на опоре (22) содержит обеспечение множества кристаллов СИД на опорной пластине (22), причем опорная пластина имеет электроды (18, 20), связанные с соответствующими электродами (14, 16) множества кристаллов СИД, причем каждый кристалл СИД имеет зазор между кристаллом СИД и опорной пластиной, и при этом, этап формования материала (41, 54) прокладки (осуществляется одновременно на всех кристаллах СИД.
10. Способ по п.9, дополнительно содержащий этап сингуляции опорной пластины (22) для разделения кристаллов СИД (10), установленных в соответствующих позициях на опоре, после этапа удаления материала (54) прокладки.
11. Способ по п.1, в котором материалом (41, 54) прокладки является полимер.
12. Способ по п.1, в котором материалом (41, 54) прокладки является эпоксидная формовочная смесь.
13. Способ изготовления светоизлучающего устройства, содержащий этапы:
обеспечения кристалла (10, 12) светоизлучающего диода (СИД) на опоре (22), причем между кристаллом СИД и опорой существует зазор, причем кристалл СИД имеет нижнюю поверхность, обращенную к опоре, и верхнюю поверхность, противоположную нижней поверхности,
формование материала (41, 54) прокладки поверх кристалла СИД так, что материал прокладки запечатывает кристалл СИД и, по существу, полностью заполняет зазор между кристаллом СИД и опорой, и
удаление (58) материала (54) прокладки, по меньшей мере, с верхней поверхности кристалла СИД,
причем кристалл (10, 12) СИД содержит эпитаксиальные слои (10), выращенные на ростовой подложке (12), причем поверхность ростовой подложки является верхней поверхностью кристалла СИД, при этап удаления материала (54) прокладки содержит удаление материала прокладки для полного обнажения всех боковых поверхностей ростовой подложки.
14. Промежуточное светоизлучающее устройство до сингуляции, содержащее:
матрицу кристаллов (10, 12) СИД, установленных на опорной пластине (22), причем опорная пластина (22) припаяна припоем к печатной плате (64), причем опорная пластина имеющая электроды (18, 20), связанные с соответствующими электродами (14, 16) кристаллов СИД, причем каждый кристалл СИД имеет зазор между кристаллом СИД и опорной пластиной, и
g
материал (41, 54) прокладки, одновременно сформованный поверх всех кристаллов СИД и полностью запечатывающий все кристаллы СИД, причем материал прокладки, по существу, полностью заполняет зазор между каждым кристаллом СИД и опорной пластиной, причем материал (41, 54) прокладки имеет температуру (T) стеклования вблизи или выше температуры оплавления припоя.
15. Светоизлучающее устройство, содержащее:
перевернутый кристалл (10, 12) светодиода (СИД),
опору (22), на которой установлен кристалл СИД, причем зазор между кристаллом СИД и опорой существует зазор, печатную плату (64), на которой опора (22) припаяна припоем, и
g
сформованную прокладку (54) между кристаллом СИД и опорой, причем сформованная прокладка (54) имеет температуру (T) стеклования вблизи или выше температуры оплавления припоя.
g
16. Светоизлучающее устройство по п.15, в котором сформованная прокладка (54) содержит полиимид, имеющий температуру (T) стеклования 260-300°C.