ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА, ВЫРАЩЕННЫЕ НА КОМПОЗИТНЫХ ПОДЛОЖКАХ

1. Способ, включающий в себя
выращивание множества III-нитридных полупроводниковых структур 30 на подложке 12, 14, где:
каждая полупроводниковая структура включает в себя светоизлучающий слой 22, расположенный между областью n-типа 20 и областью p-типа 24;
подложка включает в себя основание 12, множество участков III-нитридного материала, разделенных углублениями 34, и связывающий слой 14, расположенный между основанием и множеством участков III-нитридного материала; и
светоизлучающий слой каждой полупроводниковой структуры имеет значение постоянной решетки, большее, чем 3,19 Å; и
формирование проводящего материала 46, 27, 54, 58, который электрически соединяет две из III-нитридных полупроводниковых структур.
2. Способ по п.1, в котором формирование проводящего материала 46, 27, 54, 58 включает в себя формирование металлического слоя 27, 54 на, по крайней мере, части двух соединенных III-нитридных полупроводниковых структур 30.
3. Способ по п.2, в котором металлический слой 54, 58 электрически соединяет области p-типа 24 двух III-нитридных полупроводниковых структур 30.
4. Способ по п.2, в котором металлический слой 27 электрически соединяет область p-типа 24 одной из двух III-нитридных полупроводниковых структур 30 с областью n-типа 20 другой из двух III-нитридных полупроводниковых структур 30.
5. Способ по п.1, в котором формирование проводящего материала 46, 27, 54, 58 включает в себя формирование металлического слоя 46, 58 на креплении 40, 56 и соединение множества III-нитридных полупроводниковых структур 30 с креплением таким образом, что металлический слой электрически соединяет две III-нитридные полупроводниковые структуры.
6. Способ по п.5, также включающий удаление основания 12 после соединения множества III-нитридных полупроводниковых структур 30 с креплением 40, 56.
7. Способ по п.1, в котором каждая III-нитридная полупроводниковая структура 30 имеет длину, равную менее чем 500 мкм.
8. Способ по п.1, в котором каждое углубление 34 имеет ширину в интервале между 5 и 50 мкм.
9. Устройство, включающее:
множество III-нитридных полупроводниковых структур 30, соединенных с креплением 40, 56, где:
каждая полупроводниковая структура включает светоизлучающий слой 22, расположенный между областью n-типа 20 и областью p-типа 24;
соседние полупроводниковые структуры разделены углублениями 34; и
светоизлучающий слой каждой полупроводниковой структуры имеет значение постоянной решетки, большее, чем 3,19 Å; и
проводящий материал 46, 27, 54, 58, расположенный между двумя полупроводниковыми структурами, причем проводящий материал электрически соединяет две из III-нитридных полупроводниковых структур.
10. Структура по п.9, в которой проводящий материал 46, 27, 54, 58 включает в себя металлический слой 27, 54 на, по крайней мере, части двух соединенных III-нитридных полупроводниковых структур 30.
11. Структура по п.10, в которой металлический слой 54, 58 электрически соединяет области p-типа 24 двух III-нитридных полупроводниковых структур 30.
12. Структура по п.10, в которой металлический слой 27 электрически соединяет область p-типа 24 одной из двух III-нитридных полупроводниковых структур 30 с областью n-типа 20 другой из двух III-нитридных полупроводниковых структур 30.
13. Структура по п.9, в которой проводящий материал 46, 27, 54, 58 включает в себя металлический слой 46, 58, расположенный на креплении 40, где металлический слой соединяет множество III-нитридных полупроводниковых структур 30 с креплением таким образом, что металлический слой электрически соединяет две III-нитридные полупроводниковые структуры.
14. Структура по п.9, в которой каждая III-нитридная полупроводниковая структура 30 имеет длину, равную менее чем 500 мкм.
15. Структура по п.9, дополнительно включающая в себя керамический материал 70, приспособленный для поглощения первого света, излучаемого светоизлучающим слоем 22 и излучения второго света, имеющего другое значение пика длины волны, чем первый свет, где керамический материал расположен на стороне множества полупроводниковых структур 30 напротив крепления 56.