ИЗГОТОВЛЕНИЕ СВОБОДНОГО ОТ ДЕФЕКТОВ УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ РЕБРА В ОБЛАСТИ ПОПЕРЕЧНОГО ЭПИТАКСИАЛЬНОГО НАРАЩИВАНИЯ

1. Способ формирования пары ребер электронного устройства, характеризующийся тем, что:
выполняют эпитаксиальное выращивание первого слоя первого эпитаксиального материала на поверхности подложки на дне щели, сформированной несколькими областями узкощелевой изоляции (STI), имеющими боковые стенки STI, определяющие первую ширину и первую высоту щели;
выполняют эпитаксиальное выращивание второго слоя второго эпитаксиального материала на первом слое в щели и поверх верхних поверхностей областей STI до второй высоты над первой высотой, причем второй слой имеет вторую ширину, простирающуюся поверх щели и поверх участков верхних поверхностей областей STI; и
структурируют и вытравливают второй слой для формирования пары ребер электронного устройства поверх участков верхних поверхностей областей STI, при этом каждый из указанных участков расположен рядом с боковыми стенками щели.
2. Способ по п. 1, в котором травление включает в себя травление второго и первого слоев для (1) удаления первого и второго слоев на первой ширине сверху и внутри щели для того, чтобы раскрыть верхнюю поверхность подложки, и для (2) удаления второго эпитаксиального слоя поверх участков верхних поверхностей областей STI на ширине, находящейся на расстоянии от щели.
3. Способ по п. 1, в котором также:
формируют слой STI в обработанной травлением щели и поверх ребер;
полируют слой STI для формирования плоской поверхности поверх верхней поверхности ребер; и подвергают обработке травлением отполированный слой STI для того, чтобы раскрыть участок каждого ребра устройства, содержащий второй материал.
4. Способ по п. 3, в котором также:
формируют транзисторное устройство по меньшей мере на одной боковой стенке устройства каждого ребра.
5. Способ по п. 1, в котором первая высота составляет по меньшей мере 1,5 размера первой ширины.
6. Способ по п. 1, в котором первая ширина составляет от 10 до 100 нанометров (нм), и первая высота составляет от 30 до 300 нм.
7. Способ по п. 1, в котором поверхность подложки является кремниевой и имеет индекс (100) ориентации кристалла.
8. Способ по п. 1, в котором второй слой содержит буферный слой, выращенный от верхней поверхности первого слоя, и слой устройства, выращенный от верхней поверхности буферного слоя.
9. Способ по п. 1, в котором также перед структуризацией полируют верхнюю поверхность второго слоя для формирования плоской поверхности, имеющей третью высоту над первой высотой и поверх верхних поверхностей областей STI.
10. Способ формирования пары ребер электронного устройства, характеризующийся тем, что:
выполняют эпитаксиальное выращивание первого слоя первого эпитаксиального материала на поверхности подложки на дне щели, сформированной несколькими областями узкощелевой изоляции (STI), имеющими боковые стенки STI, определяющие первую ширину и первую высоту указанной щели, при этом первый слой имеет вторую высоту, которая меньше, чем первая высота;
выполняют эпитаксиальное выращивание второго слоя второго эпитаксиального материала на первом слое в щели и поверх верхних поверхностей областей STI до третьей высоты над первой высотой, при этом второй слой имеет третью ширину, простирающуюся поверх щели и поверх первых участков верхних поверхностей областей STI;
выполняют эпитаксиальное выращивание третьего слоя третьего эпитаксиального материала на верхней поверхности второго слоя до четвертой высоты над первой высотой, причем четвертая высота больше, чем третья высота, и третий слой имеет четвертую ширину, простирающуюся поверх верхней поверхности второго слоя и поверх вторых участков верхних поверхностей областей STI;
полируют верхнюю поверхность третьего слоя для формирования четвертого слоя, имеющего плоскую поверхность с пятой шириной, при этом четвертый слой имеет пятую высоту над первой высотой и над верхними поверхностями областей STI, пятая высота меньше, чем четвертая высота, но больше, чем третья высота;
структурируют плоскую поверхность для формирования двух масок поверх участков указанной пятой ширины, при этом каждый из указанных участков имеет шестую ширину, которая меньше, чем половина пятой ширины, каждый из указанных участков расположен рядом с боковыми стенками щели, и поверх верхних поверхностей областей STI; и
выполняют травление четвертого, второго и первого слоев для формирования пары ребер электронного устройства таким образом, чтобы:
удалить на указанной первой ширине первый, второй и четвертый эпитаксиальные слои в щели, с тем чтобы открыть верхнюю поверхность подложки;
удалить второй и четвертый эпитаксиальные слои на участках четвертой ширины на расстоянии от щели, с тем чтобы открыть верхние поверхности областей STI.
11. Способ по п. 10, в котором первая высота составляет по меньшей мере 1,5 размера первой ширины, при этом первый слой имеет вторую ширину, которая меньше или равна указанной первой ширине.
12. Способ по п. 10, в котором второй слой содержит буферный слой, выращенный от верхней поверхности первого слоя.
13. Способ по п. 10, в котором третий слой содержит слой устройства, выращенный от верхней поверхности второго слоя.
14. Способ по п. 13, в котором слой устройства имеет такую же постоянную кристаллической решетки, как и верхняя поверхность второго слоя.
15. Способ по п. 10, в котором четвертый слой содержит второй эпитаксиальный материал и третий эпитаксиальный материал.
16. Способ по п. 10, в котором пара ребер электронного устройства, формируемая при влажном травлении, содержит (1) участок второго материала, имеющий третью ширину, простирающуюся поверх первых участков верхних поверхностей областей STI, и (2) участок третьего материала, имеющий четвертую ширину, простирающийся поверх верхней поверхности второго слоя и поверх первых участков верхних поверхностей областей STI.
17. Способ по п. 10, в котором также:
формируют слой STI в вытравленной щели и поверх ребер;
полируют слой STI для формирования плоской поверхности поверх верхней поверхности ребер; и
вытравливают полированный слой STI, чтобы раскрыть участок устройства каждого ребра, включающий третий материал, при этом каждый участок устройства имеет две боковых стенки устройства.
18. Способ по п. 17, в котором также формируют транзисторное устройство на указанных двух боковых стенках устройства каждого ребра.
19. Способ формирования пары ребер электронного устройства, характеризующийся тем, что:
выполняют эпитаксиальное выращивание первого слоя первого эпитаксиального материала на поверхности подложки на дне щели, сформированной несколькими областями узкощелевой изоляции (STI), имеющими боковые стенки STI, определяющие первую ширину и первую высоту канавки;
выполняют эпитаксиальное выращивание второго слоя второго эпитаксиального материала на первом слое в щели и поверх верхних поверхностей областей STI, до второй высоты над первой высотой, при этом второй слой имеет вторую ширину, простирающуюся поверх щели и поверх участков верхних поверхностей областей STI;
структурируют и вытравливают второй слой для формирования пары ребер электронного устройства поверх участков верхних поверхностей областей STI, причем каждый из участков расположен рядом с указанными боковыми стенками щели;
формируют слой STI в вытравленной щели и поверх ребер;
полируют слой STI для формирования плоской поверхности над верхней поверхностью ребер;
выполняют травление полированного слоя STI для раскрытия участка каждого ребра устройства, содержащего второй материал; и
формируют транзисторное устройство на двух боковых стенках каждого ребра устройства.
20. Способ по п. 19, в котором при травлении вытравливают второй и первый слои для (1) удаления первого и второго слоев на первой ширине над и внутри щели, с тем чтобы раскрыть верхнюю поверхность подложки, и для (2) удаления второго эпитаксиального слоя над участками верхних поверхностей областей STI на ширине, находящейся на расстоянии от щели.