ФОРМА ДЛЯ ГАЛЬВАНОПЛАСТИКИ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Способ (3) изготовления формы (39, 39', 39''), включающий следующие этапы:
a) обеспечение (10) подложки (9, 9'), которая имеет верхний слой (21, 21') и нижний слой (23, 23'), которые изготавливаются из электропроводящего материала на основе кремния и скрепляются друг с другом через электроизолирующий промежуточный слой (22, 22');
b) травление (11, 12, 14, 2, 4) в верхнем слое (21, 21') до промежуточного слоя (22, 22') по меньшей мере одного шаблона (26, 26', 27) с тем, чтобы образовать в указанной форме по меньшей мере одну полость (25, 25');
c) нанесение (6, 16) на верхнюю часть указанной подложки электроизолирующего покрытия (30, 30');
d) направленное травление (8, 18) указанного покрытия и указанного промежуточного слоя с тем, чтобы ограничить их наличие исключительно на вертикальных стенках (31, 31', 33), образующихся в указанном верхнем слое.
2. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что на этапе b) выполняется травление по второму шаблону (27) для получения по меньшей мере одной выемки (28), которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и обеспечивает наличие на указанном верхнем слое второго уровня.
3. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что после этапа d) устанавливается часть (27') для получения по меньшей мере одной выемки (28'), которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и обеспечивает наличие в указанной форме второго уровня.
4. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что он включает следующий завершающий этап:
e) получение (8, 18) с помощью фотолитографии в указанной по меньшей мере одной полости стержня (29, 29') для образования в будущей изготавливаемой в указанной форме детали (41, 41') отверстия (42, 42').
5. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что после предыдущих этапов он включает следующие этапы:
a') осаждения электропроводящего материала на донной части указанной по меньшей мере одной полости;
b') травления (11, 12, 14, 2, 4) нижнего слоя (23, 23') по шаблону (26, 26', 27) так, чтобы осажденный проводящий материал (33) образовал в указанной форме по меньшей мере одну полость (35);
c') нанесения (6, 16) на пакет второго электроизолирующего покрытия (38).
6. Способ (3) по п.5, отличающийся тем, что после этапа c') он включает следующий этап:
d') направленного травления (8, 18) указанного второго покрытия для ограничения его наличия исключительно на вертикальных стенках (39), образующихся в указанном нижнем слое.
7. Способ (3) по п.6, отличающийся тем, что на этапе b') выполняется травление по второму шаблону для получения по меньшей мере одной выемки, которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и обеспечивает наличие на указанном нижнем слое второго уровня.
8. Способ (3) по п.6, отличающийся тем, что после этапа d') устанавливается часть для получения по меньшей мере одной выемки, которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и обеспечивает наличие в указанной форме второго уровня.
9. Способ (3) по п.5, отличающийся тем, что он включает следующий завершающий этап:
e') образование с помощью фотолитографии стержня (37) в указанной по меньшей мере одной полости нижнего слоя (23, 23') для получения отверстия (42'') в будущей изготавливаемой в указанной форме детали (41'').
10. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что из одной и той же подложки (9, 9', 9'') изготавливается несколько форм (39, 39', 39'').
11. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что проводящие слои (21, 21', 23, 23') образуются из легированного кристаллического кремния.
12. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что этап c) осуществляется посредством окисления верхней стороны указанной подложки.
13. Способ (3) по п.12, отличающийся тем, что электроизолирующее покрытие (30, 30′) образуется из диоксида кремния.
14. Способ (1) изготовления микромеханической детали (41, 41', 41'') с помощью гальванопластики, отличающийся тем, что он включает следующие этапы:
i) изготовление формы (39, 39', 39'') согласно способу (3) по любому из пп.1-13;
j) выполнение (5) электролитического осаждения присоединением электрода к проводящему слою (23, 23') на нижней поверхности подложки (9, 9', 9'') для получения указанной детали в указанной форме;
k) извлечения детали (41, 41', 41'') из указанной формы.
15. Форма (39, 39', 39'') для изготовления микромеханической детали (41, 41', 41'') с помощью гальванопластики, отличающаяся тем, что она включает подложку (9, 9', 9''), которая имеет верхний слой (21, 21') и нижний слой (23, 23'), которые изготавливаются из легированного кристаллического кремния, являются электропроводящими и прикрепленными друг к другу через электроизолирующий промежуточный слой (22, 22'), при этом верхний слой (21, 21') включает по меньшей мере одну полость (25, 25'), которая раскрывает часть нижнего слоя (23, 23') указанной подложки и включает электроизолирующие стенки (31, 31') из диоксида кремния, делая возможным прохождение электролитического осаждения в указанной по меньшей мере одной полости.
16. Форма (39, 39', 39'') по п.15, отличающаяся тем, что верхний слой (21, 21') также имеет по меньшей мере одну выемку (28, 28'), которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и имеет электроизолирующие стенки (32, 32') для продолжения электролитического осаждения в указанной по меньшей мере одной выемке после завершения заполнения указанной по меньшей мере одной полости.
17. Форма (39'') по п.15 или 16, отличающаяся тем, что нижний слой (23, 23') имеет по меньшей мере одну полость (35), который раскрывает часть электроизолирующего слоя (33) указанной подложки и имеет электроизолирующие стенки (40) из диоксида кремния, делая возможным прохождение электролитического осаждения в указанной по меньшей мере одной полости (23, 23') нижнего слоя.
18. Форма по п.17, отличающийся тем, что нижний слой (23, 23') также включает по меньшей мере одну выемку, которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью в нижнем слое (23, 23') и имеет электроизолирующие стенки для продолжения электролитического осаждения в указанной по меньшей мере одной выемке после завершения заполнения указанной по меньшей мере одной полости в нижнем слое (23, 23').