ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ТРАНЗИСТОР И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ

1. Тонкопленочныи транзистор, содержащий:
изолирующую пленку затвора между электродом затвора и слоем оксидного полупроводника, при этом:
на стороне электрода затвора и на стороне слоя оксидного полупроводника, противоположной электроду затвора, расположена слоистая пленка, включающая в себя первый слой, выполненный из оксида алюминия, и второй слой, выполненный из изолирующего материала, содержащего кремний (Si).
2. Тонкопленочный транзистор по п.1, в котором первый слой и второй слой расположены один на другом, причем первый слой расположен со стороны слоя оксидного полупроводника.
3. Тонкопленочный транзистор по п.1, в котором на подложке в указанном порядке расположены: электрод затвора, изолирующая пленка затвора, слой оксидного полупроводника, защитная пленка канала, электроды истока/стока, и пассивирующая пленка, при этом изолирующая пленка затвора, а также защитная пленка канала и/или пассивирующая пленка являются слоистыми пленками.
4. Тонкопленочный транзистор по п.2, в котором электрод затвора, изолирующая пленка затвора, слой оксидного полупроводника, защитная пленка канала, электроды истока/стока, и пассивирующая пленка в указанном порядке расположены на подложке, при этом изолирующая пленка затвора, а также защитная пленка канала, и/или пассивирующая пленка являются слоистыми пленками.
5. Тонкопленочный транзистор по п.1, в котором второй слой включает в себя одну или более пленок из следующих пленок: пленка из оксида кремния, пленка из нитрида кремния, пленка из оксинитрида кремния.
6. Тонкопленочный транзистор, содержащий подложку, на которой в указанном порядке расположены: электрод затвора, изолирующая пленка затвора, слой оксидного полупроводника, защитная пленка канала, электроды истока/стока, и пассивирующая пленка, при этом пассивирующая пленка выполнена из оксида, нитрида или оксинитрида, содержащих один или более элементов из следующей группы элементов: алюминий (Al), титан (Ti) и тантал (Та).
7. Тонкопленочный транзистор по п.6, в котором пассивирующая пленка выполнена из оксинитрида алюминия или нитрида алюминия.
3
3
8. Тонкопленочный транзистор по п.6, в котором пассивирующая пленка имеет плотность 3,0 г/см или выше, но не более 4,0 г/см.
9. Тонкопленочный транзистор по п.6, в котором пассивирующая пленка является однослойной пленкой.
10. Тонкопленочный транзистор по п.7, в котором пассивирующая пленка является слоистой пленкой.
11. Тонкопленочный транзистор по п.10, в котором слоистая пленка включает в себя нижний слой, выполненный из оксида, содержащего алюминий (Al), и верхний слой, выполненный из оксинитрида или нитрида, содержащего алюминий (Al).
12. Тонкопленочный транзистор по п.6, в котором пассивирующая пленка сформирована методом распыления.
13. Устройство отображения, содержащее:
тонкопленочный транзистор и
элемент отображения, при этом:
тонкопленочный транзистор содержит:
изолирующую пленку затвора между электродом затвора и слоем оксидного полупроводника, и
на стороне электрода затвора и на стороне слоя оксидного полупроводника, противоположной электроду затвора, расположена слоистая пленка, включающая в себя первый слой, выполненный из оксида алюминия, и второй слой, выполненный из изолирующего материала, содержащего кремний (Si).
14. Устройство отображения по п.13, в котором элемент отображения является органическим светоизлучающим элементом, содержащим: анод; органический слой, включающий в себя светоизлучающий слой; и катод, расположенные в указанном порядке от стороны тонкопленочного транзистора.
15. Устройство отображения, содержащее:
тонкопленочный транзистор; и
элемент отображения, причем:
тонкопленочный транзистор содержит: электрод затвора, изолирующую пленку затвора, слой оксидного полупроводника, защитную пленку канала, электрод истока/стока и пассивирующую пленку, расположенные на подложке в указанном порядке,
при этом пассивирующая пленка выполнена из оксида, нитрида или оксинитрида, содержащих один или более элементов из следующей группы элементов: алюминий (Al), титан (Ti) и тантал (Та).
16. Устройство отображения по п.15, в котором элемент отображения является органическим светоизлучающим элементом, содержащим: анод, органический слой, включающий в себя светоизлучающий слой, и катод, расположенные в указанном порядке от стороны тонкопленочного транзистора.