СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Солнечный элемент, содержащий, по меньшей мере: полупроводниковую подложку, в которой сформирован р-n переход, гребенчатый электрод, сформированный, по меньшей мере, на одной стороне полупроводниковой подложки, и шину, связанную с гребенчатым электродом, сформированным на полупроводниковой подложке, и имеющую на своей поверхности рельеф в виде выступов и впадин.
2. Солнечный элемент по п.1, отличающийся тем, что высота выступов относительно впадин на рельефе шины, образованном выступами и впадинами, выбрана в интервале 5-50 мкм.
3. Солнечный элемент по п.1, отличающийся тем, что контур рельефа в виде выступов и впадин в проекции на плоскость подложки имеет вид полос, сетки, гребенки, системы ячеек или множества точек.
4. Солнечный элемент по п.2, отличающийся тем, что контур рельефа в виде выступов и впадин в проекции на плоскость подложки имеет вид полос, сетки, гребенки, системы ячеек или множества точек.
5. Солнечный элемент по п.1, отличающийся тем, что расстояние между смежными выступами составляет от 50 мкм до 1 мм.
6. Солнечный элемент по п.2, отличающийся тем, что расстояние между смежными выступами составляет от 50 мкм до 1 мм.
7. Солнечный элемент по п.3, отличающийся тем, что расстояние между смежными выступами составляет от 50 мкм до 1 мм.
8. Солнечный элемент по п.4, отличающийся тем, что расстояние между смежными выступами составляет от 50 мкм до 1 мм.
9. Солнечный элемент по п.1, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм.
10. Солнечный элемент по п.2, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм.
11. Солнечный элемент по п.3, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм.
12. Солнечный элемент по п.4, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм.
13. Солнечный элемент по п.5, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм.
14. Солнечный элемент по п.6, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм.
15. Солнечный элемент по п.7, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм.
16. Солнечный элемент по п.8, отличающийся тем, что шина имеет ширину 1-2 мм и толщину не более 80 мкм.
17. Солнечный элемент по любому из пп.1-16, отличающийся тем, что шина содержит два слоя.
18. Солнечный элемент по п.17, отличающийся тем, что рельеф в виде выступов и впадин сформирован, по меньшей мере, в одном из двух слоев шины.
19. Солнечный элемент по любому из пп.1-16, отличающийся тем, что шина сформирована методом трафаретной печати с применением электропроводной пасты и впекания указанной пасты.
20. Солнечный элемент по п.17, отличающийся тем, что шина сформирована с применением метода трафаретной печати электропроводной пастой и впекания указанной пасты.
21. Солнечный элемент по п.18, отличающийся тем, что шина сформирована с применением метода трафаретной печати электропроводной пастой и впекания указанной пасты.
22. Солнечный элемент по любому из пп.1-16, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка представляет собой монокристалл кремния p-типа, легированный галлием.
23. Солнечный элемент по п.17, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка представляет собой монокристалл кремния p-типа, легированный галлием.
24. Солнечный элемент по п.18, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка представляет собой монокристалл кремния p-типа, легированный галлием.
25. Солнечный элемент по п.19, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка представляет собой монокристалл кремния p-типа, легированный галлием.
26. Солнечный элемент по п.20, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка представляет собой монокристалл кремния p-типа, легированный галлием.
27. Солнечный элемент по п.21, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка представляет собой монокристалл кремния p-типа, легированный галлием.
28. Способ изготовления солнечного элемента, включающий формирование p-n перехода в полупроводниковой подложке с последующим формированием, по меньшей мере, на одной поверхности указанной подложки гребенчатого электрода и шины, связанной с гребенчатым электродом, сформированным на полупроводниковой подложке, при этом
шину, имеющую двухслойную структуру, формируют посредством двух нанесений электропроводной пасты методом печати с впеканием указанной пасты после каждого нанесения, причем на поверхности шины, имеющей двухслойную структуру, формируют посредством, по меньшей мере, одного из двух указанных нанесений электропроводной пасты и одного впекания рельеф в виде выступов и впадин.