III-НИТРИДНЫЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ПРИБОРЫ, ВЫРАЩЕННЫЕ НА ШАБЛОНАХ ДЛЯ УМЕНЬШЕНИЯ ДЕФОРМАЦИИ

1. Прибор, содержащий III-нитридную структуру, содержащую первый слой 22, причем этот первый слой практически не содержит индия, второй слой 26, выращенный поверх первого слоя, причем этот второй слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий, и приборные слои 10, выращенные поверх второго слоя, причем эти приборные слои содержат III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа.
2. Прибор по п.1, в котором первым слоем 22 является GaN, а вторым слоем 26 является InGaN.
3. Прибор по п.1, в котором III-нитридная структура дополнительно содержит третий слой 22, расположенный между первым слоем 22 и вторым слоем 26, причем этот третий слой является немонокристаллическим слоем, практически не содержащим индия.
4. Прибор по п.1, в котором III-нитридная структура дополнительно содержит третий слой 26, расположенный между вторым слоем 26 и светоизлучающим слоем, причем этот третий слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий.
5. Прибор по п.4, в котором второй слой 32 имеет иное содержание индия, чем третий слой 34.
6. Прибор по п.1, дополнительно содержащий слой 35 с градиентным составом, расположенный между светоизлучающим слоем и первым слоем.
7. Прибор по п.1, в котором
объем
светоизлучающий слой имеет объемную постоянную решетки а, соответствующую постоянной решетки свободностоящего материала с таким же самым составом, как и у светоизлучающего слоя,
плоскост
светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки а, соответствующую постоянной решетки светоизлучающего слоя, выращенного в упомянутой структуре, и
плоскост
объем
объем
|(а-а)|/а в светоизлучающем слое составляет менее чем 1%.
8. Прибор по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет a-постоянную решетки большую, чем 3,189 Å.
9. Прибор, содержащий III-нитридную структуру, содержащую первый практически монокристаллический слой 24, второй практически монокристаллический слой 28 и немонокристаллический слой 26, содержащий индий, расположенный между первым и вторым практически монокристаллическими слоями.
10. Прибор по п.9, в котором III-нитридная структура дополнительно содержит светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, причем второй практически монокристаллический слой 28 расположен между светоизлучающей областью и немонокристаллическим слоем 26.
11. Прибор по п.10, в котором состав первого практически монокристаллического слоя 24 отличается от состава второго практически монокристаллического слоя 28.
12. Прибор по п.10, в котором первый практически монокристаллический слой 24 представляет собой GaN или InGaN, второй практически монокристаллический слой 28 представляет собой InGaN и второй практически монокристаллический слой имеет большее содержание InN, чем первый практически монокристаллический слой.
13. Прибор по п.10, в котором второй практически монокристаллический слой 28 имеет большую плоскостную a-постоянную решетки, чем первый практически монокристаллический слой 24.
14. Прибор по п.10, в котором немонокристаллическим слоем 26 является InGaN.
15. Прибор по п.10, дополнительно содержащий третий практически монокристаллический слой 30, расположенный между первым практически монокристаллическим слоем 24 и немонокристаллическим слоем 26.
16. Прибор по п.10, дополнительно содержащий третий практически монокристаллический слой 31, расположенный между немонокристаллическим слоем 26, содержащим индий, и светоизлучающим слоем.
17. Прибор по п.10, в котором
объем
светоизлучающий слой имеет объемную постоянную решетки а, соответствующую постоянной решетки свободностоящего материала с таким же самым составом, как и у светоизлучающего слоя,
плоскост
светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки а, соответствующую постоянной решетки светоизлучающего слоя, выращенного в упомянутой структуре, и
плоскост
объем
объем
|(а-а)|/а в светоизлучающем слое составляет менее чем 1%.
18. Прибор по п.10, в котором светоизлучающий слой имеет a-постоянную решетки большую, чем 3,189 Å.
9
-2
19. Прибор, содержащий III-нитридную структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа, причем плотность пронизывающих дислокаций в светоизлучающем слое составляет менее чем 3·10см, и a-постоянная решетки в светоизлучающем слое составляет больше чем 3,200 Е.