МАСКА ДЛЯ БЛИЖНЕПОЛЬНОЙ ЛИТОГРАФИИ И ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЕ

1. Способ формирования снабженной нанорисунком цилиндрической фотомаски, содержащий:
формирование рисунка шаблона на подложке шаблона, причем рисунок шаблона включает в себя элементы размером в диапазоне от примерно 1 нанометра до примерно 100 микрон;
формирование слоя эластомерного материала на поверхности прозрачного цилиндра;
перевод рисунка шаблона с шаблона в слой эластомерного материала на поверхности цилиндра.
2. Способ по п.1, при этом подложка шаблона является плоской жесткой подложкой.
3. Способ по п.1, при этом подложка шаблона выполнена из гибкого материала.
4. Способ по п.1, при этом перевод рисунка шаблона с шаблона в слой эластомерного материала на поверхности цилиндра включает в себя наноимпринтную литографию «с пластины на цилиндр», оптическую литографию в стандартной контактной или ближнепольной конфигурациях, литографию со связыванием и отсоединением или переводную литографию, микроконтактную печать, нанопереводную печать и интерференционную литографию со сканирующим лучом.
5. Способ по п.1, при этом перевод рисунка шаблона с шаблона в слой эластомерного материала на поверхности цилиндра включает в себя непрерывное вращение цилиндра в течение процесса литографии, при котором шаблон используется в качестве маски литографии.
6. Способ по п.1, при этом перевод рисунка шаблона с шаблона в слой эластомерного материала на поверхности цилиндра включает в себя режим «шаг и поворот», при котором литографию осуществляют на одном участке цилиндра в один момент времени, с последующим этапом поворота между процессами литографии.
7. Способ по п.1, при этом перевод рисунка шаблона с шаблона в слой эластомерного материала на поверхности цилиндра включает в себя технологию наноимпринтной литографии в конфигурации «с пластины на цилиндр».
8. Способ по п.7, при этом технология наноимпринтной литографии включает в себя контактирование цилиндра с наноструктурированным шаблоном-подложкой, имеющей рельефный профиль, для отпечатывания этого рельефного профиля в эластомерный материал на поверхности цилиндра.
9. Способ по п.8, дополнительно содержащий отверждение отпечатанной части эластомерного материала на поверхности цилиндра.
10. Способ по п.1, при этом перевод рисунка шаблона с шаблона в слой эластомерного материала на поверхности цилиндра включает в себя использование контактной оптической литографии.
11. Способ по п.1, при этом перевод рисунка шаблона с шаблона в слой эластомерного материала на поверхности цилиндра включает в себя использование технологии литографии со связыванием-отсоединением.
12. Способ по п.11, при этом технология литография со связыванием-отсоединением включает в себя формирование рисунка шаблона в слое металла на подложке с осажденным или выращенным на ней оксидным слоем, активацию эластомера и оксидного слоя воздействием плазмы, ультрафиолета (УФ), озона или коронного разряда, контактирование подвергнутых воздействию участков активированного оксидного слоя и активированного эластомера так, чтобы они связывались друг с другом, а покрытые металлом участки оксидного слоя - нет, и поворота цилиндра для оттягивания связанных частей эластомера от цилиндра.
13. Способ по п.1, при этом рисунок включает в себя элементы размером в диапазоне от примерно 10 нанометров до примерно 1 микрона.
14. Способ по п.1, при этом рисунок включает в себя элементы размером в диапазоне от примерно 50 нанометров до примерно 500 нанометров.
15. Способ формирования снабженной нанорисунком цилиндрической фотомаски, содержащий:
формирование рисунка на эластомерной подложке, причем этот рисунок включает в себя элементы размером в диапазоне от примерно 1 нанометра до примерно 100 микрон;
ламинирование снабженной рисунком эластомерной подложки на поверхность цилиндра.
16. Способ по п.15, при этом снабженный нанорисунком эластомер выполнен слегка длинней, чем окружность цилиндра, так чтобы пленка слегка перекрывала саму себя на своих концах при присоединении к цилиндру.
17. Способ по п.15, дополнительно содержащий заполнение шва между концами эластомерной пленки на цилиндре с рисунком.
18. Способ по п.15, при этом эластомерная пленка покрыта тонким металлическим покрытием, и наноструктурный рисунок формируют в этом металлическом покрытии, при этом эластомер присоединяют к цилиндру так, что эластомер находится между цилиндром и сформированным в металлическом покрытии наноструктурным рисунком, за счет чего фотомаска представляет собой плазмонную фотомаску.
19. Способ по п.15, при этом эластомерная пленка включает в себя два или более слоя.
20. Способ по п.19, при этом два или более слоя включают в себя относительно толстый и мягкий первый слой и относительно тонкий и жесткий второй слой, при этом первый и второй слои ламинируют на поверхность цилиндра так, что первый слой находился между поверхностью цилиндра и вторым слоем, при этом наноструктурный рисунок формируют во втором слое.
21. Способ по п.15, при этом формирование рисунка на эластомерной подложке включает в себя формирование небольшого шаблона с рисунком, соответствующим участку рисунка, подлежащему формированию на эластомерной подложке, перевод рисунка с небольшого шаблона на один или более вспомогательных шаблонов, использование вспомогательного шаблона в качестве формы для импринтинга рисунка на эластомерную подложку.
22. Способ по п.21, при этом снабжение рисунком вспомогательного(ых) шаблона(ов) осуществляют способом последовательной штамповки.
23. Способ по п.22, при этом размер вспомогательного шаблона выбирают слегка большим, чем шаг между полями, так чтобы небольшое перекрытие рисунков обеспечивало непрерывный рисунок без зазоров на эластомерной подложке.
24. Способ по п.15, при этом формирование рисунка на эластомерной подложке включает в себя применение интерференционной литографии для снабжения рисунком листа эластомера и создание вторичной реплики материала, используемого для формирования эластомерной подложки.
25. Способ по п.15, при этом рисунок включает в себя элементы размером в диапазоне от примерно 10 нанометров до примерно 1 микрона.
26. Способ по п.15, при этом рисунок включает в себя элементы размером в диапазоне от примерно 50 нанометров до примерно 500 нанометров.
27. Способ формирования снабженной нанорисунком цилиндрической фотомаски, содержащий:
формирование слоя эластомерного материала на поверхности прозрачного цилиндра;
формирование рисунка на эластомерном материале на поверхности прозрачного цилиндра при помощи процесса непосредственного снабжения рисунком, при этом рисунок включает в себя элементы размером в диапазоне от примерно 1 нанометра до примерно 100 микрон.
28. Способ по п.27, при этом формирование рисунка на эластомерном материале включает в себя нанесение жидкого полимерного прекурсора на наружную поверхность прозрачного цилиндра, перевод рисунка с полимерного прекурсора плоского шаблона (или вспомогательного шаблона), отверждение полимерного прекурсора для формирования полимерной пленки с зафиксированным в ней рисунком.
29. Способ по п.28, при этом перевод рисунка включает в себя наноимпринтинг рисунка при помощи шаблона.
30. Способ по п.29, дополнительно содержащий частичное отверждение полимерного прекурсора перед наноимпринтингом.
31. Способ по п.27, при этом эластомерная пленка покрыта тонким металлическим покрытием, и наноструктурный рисунок формируют в этом металлическом покрытии, при этом эластомер находится между прозрачным цилиндром и сформированным в металлическом покрытии наноструктурным рисунком, за счет чего фотомаска представляет собой плазмонную маску.
32. Способ по п.27, при этом эластомерная пленка включает в себя два или более слоя.
33. Способ по п.32, при этом два или более слоя включают в себя относительно толстый и мягкий первый слой и относительно тонкий и жесткий второй слой, при этом первый и второй слои ламинируют на поверхность прозрачного цилиндра так, чтобы первый слой находился между поверхностью цилиндра и вторым слоем, при этом наноструктурный рисунок формируют во втором слое.
34. Способ по п.27, при этом формирование рисунка на эластомерном материале на поверхности прозрачного цилиндра путем процесса непосредственного снабжения рисунком включает в себя выполнение интерференционной литографии на нанесенном на цилиндр фоторезисте, проявление резиста, нанесение материала на цилиндр через отверстия в рисунке в проявленном резисте, удаление резиста, оставление рисунка в нанесенном материале на поверхности цилиндра-шаблона, тем самым формируя наноструктурированный цилиндр-шаблон, и использование наноструктурированного цилиндра-шаблона для перевода наноимпринтного рисунка «с цилиндра на цилиндр» в жидкий полимер на прозрачном цилиндре.
35. Способ по п.27, при этом формирование рисунка на эластомерном материале на поверхности прозрачного цилиндра при помощи процесса непосредственного снабжения рисунком включает в себя выполнение лазерной абляции на эластомерном материале на подложке прозрачного цилиндра.
36. Способ по п.35, при этом выполнение лазерной абляции включает в себя использование 2-фотонного или 3-фотонного травления.
37. Способ по п.27, при этом формирование рисунка на эластомерном материале на поверхности прозрачного цилиндра при помощи процесса непосредственного снабжения рисунком включает в себя покрытие цилиндра-шаблона наноструктурированным оксидом алюминия и перевод нанорисунка в наноструктурированном оксиде алюминия в эластомерный материал на поверхности прозрачного цилиндра с использованием наноимпринтной литографии «с цилиндра на цилиндр».
38. Способ по п.27, при этом формирование рисунка на эластомерном материале на поверхности прозрачного цилиндра при помощи процесса непосредственного снабжения рисунком включает в себя снабжение рисунком плоской подложки для создания желаемого наноструктурированного рельефного рисунка поверхности, покрытие прозрачного цилиндра УФ-отверждаемым жидким полимерным материалом-прекурсором, приведение УФ-отверждаемого жидкого полимерного материала в контакт с наноструктурированным рельефным рисунком поверхности так, чтобы жидкий полимерный материал-прекурсор затекал в рельефный рисунок поверхности, подвергание области контакта между поверхностью прозрачного цилиндра и УФ-отверждаемым жидким полимерным материалом-прекурсором воздействию УФ света для отверждения участка УФ-отверждаемого жидкого полимерного материала-прекурсора на поверхности прозрачного цилиндра, и поступательное перемещение подложки с вынуждением прозрачного цилиндра вращаться из-за сил трения между цилиндром и подложкой.
39. Способ по п.27, при этом рисунок включает в себя элементы размером в диапазоне от примерно 10 нанометров до примерно 1 микрона.
40. Способ по п.27, при этом рисунок включает в себя элементы размером в диапазоне от примерно 50 нанометров до примерно 500 нанометров.