Способ моделирования механизма инвариантности переходного состояния при переносе электрона через дискретный двойной слой

1. Способ моделирования механизма инвариантности переходного состояния при переносе электрона через дискретный двойной слой, отличающийся тем, что две электропроводных пластины располагают одна над другой, дискретность двойного слоя воспроизводят выполнением верхней пластины составной в виде кольца и диска, свободно находящегося в отверстии кольца, радиус отверстия кольца выполняют больше зазора между краями пластин, заряжают пластины от противоположных полюсов источника тока, перенос электрона через дискретный двойной слой имитируют вертикальным перемещением заряженного диска из отверстия в кольце верхней пластины на изолированную поверхность нижней пластины, определяют работу действующих на диск электрических сил как функцию параметра дискретности, который равен отношению величины зазора между краями пластин к радиусу отверстия кольца, показывают, что указанная работа электрических сил меньше произведения заряда диска на разность потенциалов между краями пластин, отмечают аналогию механизма снижения найденной работы с механизмом снижения потенциальной энергии электрона, уменьшающим скорость реакции разряда иона.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что обнаруженный путем моделирования эффект снижения потенциальной энергии электрона в дискретном двойном слое используют для объяснения наблюдаемого в опытах половинного наклона зависимости логарифма тока от перенапряжения, а также для объяснения постоянства указанного половинного наклона в широком интервале перенапряжения без влияния перенапряжения на переходное состояние,
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что показывают необходимость постоянства энергии переходного состояния при изменении перенапряжения для выполнения принципа сохранения энергии.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для оценки влияния фактора дискретности двойного слоя на потенциальную энергию электрона получают выражения
р
где Е - потенциальная энергия электрона при его переносе через дискретный двойной слой, е - заряд электрона, η - перенапряжение, θ - коэффициент снижения потенциальной энергии, σ - фактор дискретности двойного слоя, s - толщина двойного слоя, α - половина среднего расстояния между одноименными зарядами двойного слоя.