Способ повышения прочности стыковки кристаллов

1. Способ повышения прочности стыковки индиевых микроконтактов БИС и МФЧЭ посредством сдавливания индиевых микроконтактов, расположенных на стыкуемых кристаллах, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности стыковки, микроконтакты на обоих кристаллах выполняют в форме вытянутых прямоугольников, расположенных под углом по отношению друг к другу.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что прямоугольные микроконтакты ориентируют по диагоналям ячеек стыкуемых кристаллов.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что прямоугольные микроконтакты на каждом кристалле объединяют в решетки, сдвинутые друг относительно друга на половину шага по двум координатам.