ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ПРИБОР, ВЫПОЛНЕННЫЙ С ВОЗМОЖНОСТЬЮ ИЗЛУЧЕНИЯ МНОЖЕСТВА ДЛИН ВОЛН СВЕТА

1. Прибор, содержащий
слой 24 маски, имеющий множество отверстий;
III-нитридную структуру, содержащую
множество столбиков из полупроводникового материала, соответствующих отверстиям в слое маски, причем каждый столбик содержит светоизлучающий слой 28, при этом множество столбиков разделены изолирующим материалом 25;
при этом
каждый светоизлучающий слой расположен между областью 26 n-типа и областью 30 р-типа;
первый светоизлучающий слой, расположенный в первом столбике, выполнен с возможностью излучения света с иной длиной волны, чем второй светоизлучающий слой, расположенный во втором столбике; и
первый столбик имеет иной диаметр, чем второй столбик.
2. Прибор по п.1, в котором III-нитридная структура дополнительно содержит плоский слой полупроводникового материала 32, расположенный поверх множества столбиков.
3. Прибор по п.1, в котором, по меньшей мере, 90% сечения множества столбиков в плоскости, параллельной поверхности слоя маски, занято столбиками.
4. Прибор по п.1, в котором часть столбиков выполнена с возможностью излучения синего света, часть столбиков выполнена с возможностью излучения зеленого света и часть столбиков выполнена с возможностью излучения красного света.
5. Прибор по п.1, в котором первый светоизлучающий слой 28 имеет иное содержание InN, чем второй светоизлучающий слой 28.
6. Прибор по п.1, в котором слой 24 маски содержит кремний и азот.
7. Прибор по п.1, в котором каждый из столбиков имеет диаметр менее 150 нм.
8. Прибор по п.1, в котором столбики имеют высоту между 50 нм и 3 мкм.
9. Прибор по п.1, в котором изолирующим материалом 25 является воздух.
10. Прибор по п.1, в котором светоизлучающий слой 28 имеет толщину более 50 ангстрем.
18
-3
20
-3
11. Прибор по п.1, в котором светоизлучающий слой 28 легирован кремнием до концентрации примеси между 1·10 см и 1·10 см.
12. Прибор по п.1, дополнительно содержащий: контакты 68, 70, электрически соединенные с областью n-типа и областью р-типа; и крышку 108, расположенную поверх III-нитридной полупроводниковой структуры.
13. Прибор по п.1, в котором кристаллическая структура в первом светоизлучающем слое является менее деформированной, чем кристаллическая структура во втором светоизлучающем слое.