ОРГАНИЧЕСКИЙ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД С ИСПУСКАЮЩИМ СВЕТ ЭЛЕКТРОДОМ

1. Органический светоизлучающий диод (10), содержащий:
подложку (20);
первый электрод (12);
эмиссионный активный пакет (14); и
второй электрод (18),
при этом по меньшей мере один из первого электрода (12) и второго электрода (18) является светоиспускающим электродом (26), содержащим металлический слой (28), причем металлический слой (28) содержит светорассеивающие элементы (29) на металлическом слое (28) и/или в металлическом слое (28).
2. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором светорассеивающие элементы (29) выбраны из группы, состоящей из выступов, дендритов, трещин, пустот, участков с плотностью, отличающейся от плотности металлического слоя (28), и участков с химическим составом, отличающимся от состава металлического слоя (28).
3. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1 или 2, в котором светорассеивающие элементы (29) содержат выступы.
4. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором светорассеивающие элементы (29) содержат выступы, имеющие высоту в диапазоне от 5 до 100 нм, такую как от 10 до 80 нм, такую как от 20 до 60 нм, такую как от 30 нм до 60 нм, такую как от 30 до 50 нм.
5. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором светорассеивающие элементы (29) содержат выступы, при этом по меньшей мере некоторые из таких выступов имеют минимальную высоту 5 нм, такую как 10 нм, такую как 15 нм, такую как 20 нм, такую как 25 нм, такую как 30 нм, такую как 35 нм, такую как 40 нм, такую как 50 нм.
6. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором светорассеивающие элементы (29) содержат выступы, при этом по меньшей мере некоторые из таких выступов имеют максимальную высоту 100 нм, такую как 90 нм, такую как 80 нм, такую как 70 нм, такую как 60 нм, такую как 55 нм, такую как 50 нм, такую как 45 нм, такую как 40 нм.
7. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором по меньшей мере некоторые из светорассеивающих элементов (29) имеют форму дендритов.
8. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 7, в котором по меньшей мере некоторые из имеющих форму дендритов светорассеивающих элементов (29) имеют диаметр в диапазоне от 10 до 50 мкм, такой как от 10 до 40 мкм, такой как от 20 до 40 мкм, такой как от 30 до 40 мкм.
9. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором металлический слой (28) содержит по меньшей мере один металл, выбранный из группы, состоящей из платины, иридия, осмия, палладия, алюминия, золота, меди, серебра и их смесей и/или сплавов.
10. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором металлический слой (28) содержит металлическое серебро.
11. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором светоиспускающий электрод (26) представляет собой многослойную структуру, содержащую металлический слой (28) со светорассеивающими элементами (29).
12. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором светоиспускающий электрод (26) является анодом.
13. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором второй электрод (18) является прозрачным.
14. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором второй электрод (18) расположен ближе к подложке (20), чем первый электрод (12).
15. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, включающий подслой (30), расположенный между металлическим слоем (28) и подложкой (20).
16. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 15, в котором подслой (30) содержит один или несколько металл-оксидных материалов, выбранных из группы, состоящей из оксидов кремния, титана, алюминия, циркония, фосфора, гафния, ниобия, цинка, висмута, свинца, индия, олова, их сплавов и смесей.
17. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 15, в котором подслой (30) выбран из группы, состоящей из однородного слоя, градиентного слоя и многослойной структуры.
18. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 15, в котором подслой (30) содержит по меньшей мере один слой из слоев оксида цинка и станната цинка.
19. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 15, в котором подслой (30) содержит слой оксида цинка поверх слоя станната цинка.
20. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, включающий слой (36) праймера поверх металлического слоя (28).
21. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 20, в котором слой (36) праймера содержит материал, выбранный из группы, состоящей из титана, кремния, диоксида кремния, нитрида кремния, оксинитрида кремния, хромо-никелевых сплавов, циркония, алюминия, сплавов кремния и алюминия, сплавов, содержащих кобальт и хром, и их смесей.
22. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 20, в котором слой (36) праймера содержит титан.
23. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, включающий верхний слой (38) поверх металлического слоя (28).
24. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 23, в котором верхний слой (38) содержит по меньшей мере один материал оксида, выбранный из группы, состоящей из оксидов цинка, олова, циркония, алюминия, кремния, индия и их смесей.
25. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 23, в котором верхний слой (38) содержит станнат цинка.
26. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 23, в котором верхний слой (38) содержит смесь диоксида кремния и оксида алюминия.
27. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 23, в котором верхний слой (38) содержит проводящий слой, выбранный из группы, состоящей из оксида олова-индия, оксида алюминия-цинка и оксида цинка-индия.
28. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором первый электрод (12) является катодом, выбранным из группы, состоящей из бария, кальция и магния.
29. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором второй электрод (12) является непрозрачным и/или отражающим.
30. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором подложка (20) содержит стекло.
31. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором светоиспускающий электрод (26) имеет поверхностное сопротивление в диапазоне от 1 до 20 , такое как от 1 до 15 , такое как от 1 до 10 , такое как от 1 до 8 , такое как от 2 до 8 , такое как от 4 до 8
32. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором светоиспускающий электрод (26) имеет пропускание видимого света в диапазоне от 50 до 97%, такое как от 70 до 95%, такое как от 75 до 95%, такое как от 80 до 95%, такое как от 85 до 95%, такое как от 88 до 95%, такое как от 90 до 95%.
33. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором светоиспускающий электрод (26) имеет степень мутности в диапазоне от 0,5 до 10%, такую как от 1 до 10%, такую как от 1 до 8%.
34. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором светоиспускающий электрод (26) имеет среднеквадратичное значение шероховатости поверхности в диапазоне от 5 до 60 нм, такое как от 25 до 60 нм, такое как от 40 до 60 нм, такое как от 50 до 60 нм.
35. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором подложка (20) содержит стекло, при этом первый электрод (12) является катодом, а светоиспускающий электрод (26) является анодом, причем светорассеивающие элементы (29) содержат выступы, выступающие от первой поверхности (22) подложки (20), и по меньшей мере некоторые из выступов имеют высоту в диапазоне от 20 до 60 нм.
36. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 1, в котором подложка (20) содержит стекло, при этом первый электрод (12) является катодом, первый электрод (12) является непрозрачным и/или отражающим, а светоиспускающий электрод (26) является анодом, причем анод (18) расположен ближе к подложке (20), чем первый электрод (12), при этом металлический слой (28) содержит металлическое серебро, светорассеивающие элементы (29) содержат выступы, выступающие от первой поверхности (22) подложки (20), и по меньшей мере некоторые из выступов имеют высоту в диапазоне от 20 до 60 нм.
37. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 35, включающий подслой (30), расположенный между металлическим слоем (28) и подложкой (20), при этом подслой (30) содержит слой оксида цинка поверх слоя станната цинка.
38. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 35, включающий слой (36) праймера поверх металлического слоя (28), причем слой праймера (36) содержит титан.
39. Органический светоизлучающий диод (10) по п. 35, включающий верхний слой (38) поверх металлического слоя (28), причем верхний слой (38) выбран из группы, состоящей из станната цинка, смеси диоксида кремния и оксида алюминия, оксида олова-индия, оксида цинка-алюминия и оксида цинка-индия.
40. Способ изготовления органического светоизлучающего диода (10), включающий обеспечение первого электрода (12), эмиссионного активного пакета (14) и второго электрода (18) поверх подложки (29),
при этом по меньшей мере один из первого и второго электродов (12, 18) является светоиспускающим электродом (26), содержащим металлический слой (28), причем металлический слой (28) содержит светорассеивающие элементы (29) на металлическом слое (28) и/или в металлическом слое (28).
41. Способ по п. 40, в котором светорассеивающие элементы (29) выбраны из группы, состоящей из выступов, дендритов, трещин, пустот, участков с плотностью, отличающейся от плотности металлического слоя (28), и участков с химическим составом, отличающимся от состава металлического слоя (28).
42. Способ по п. 40 или 41, в котором светорассеивающие элементы (29) содержат выступы.
43. Способ по п. 40, в котором светорассеивающие элементы (29) содержат выступы, имеющие высоту в диапазоне от 5 до 100 нм, такую как от 10 до 80 нм, такую как от 20 до 60 нм, такую как от 30 до 60 нм, такую как от 30 до 50 нм.
44. Способ по п. 40, в котором светорассеивающие элементы (29) содержат выступы и по меньшей мере некоторые из выступов имеют минимальную высоту 5 нм, такую как 10 нм, такую как 15 нм, такую как 20 нм, такую как 25 нм, такую как 30 нм, такую как 35 нм, такую как 40 нм, такую как 50 нм.
45. Способ по п. 40, в котором по меньшей мере некоторые из выступов имеют максимальную высоту 100 нм, такую как 90 нм, такую как 80 нм, такую как 70 нм, такую как 60 нм, такую как 55 нм, такую как 50 нм, такую как 45 нм, такую как 40 нм.
46. Способ по п. 40, в котором по меньшей мере некоторые из светорассеивающих элементов (29) имеют форму дендритов.
47. Способ по п. 46, в котором по меньшей мере некоторые из имеющих форму дендритов светорассеивающих элементов (29) имеют диаметр в диапазоне от 10 до 50 мкм, такой как от 10 до 40 мкм, такой как от 20 до 40 мкм, такой как от 30 до 40 мкм.
48. Способ по п. 40, в котором светоиспускающий электрод (26) является анодом.
49. Способ по п. 40, в котором светорассеивающие элементы (29) обеспечивают с помощью по меньшей мере одного из следующих процессов:
воздействие кислородом на металлический слой (28);
нагревания металлического слоя (28);
воздействие лазером на металлический слой (28);
обработка металлического слоя (28) кислородной плазмой;
легирование металлического слоя (28).
50. Способ по п. 40, включающий воздействие на металлический слой (28) кислородом в течение времени в диапазоне от 1 до 20 минут, такого как от 1 до 10 минут, такого как от 1 до 5 минут, такого как от 3 до 5 минут, такого как от 3 до 4,5 минут.
51. Способ по п. 40, включающий нагревание металлического слоя (28) до температуры в диапазоне от 400 до 1000°C, такой как от 500 до 900°C, такой как от 600 до 800°C, такой как от 700 до 800°C, такой как от 700 до 750°C.
52. Способ по п. 40, включающий легирование металлического слоя (28) допантом, выбранным из группы, состоящей из меди, алюминия и цинка.
53. Способ по п. 40, включающий размещение второго электрода (18) ближе к подложке (20), чем первого электрода (12).
54. Способ по п. 40, включающий обеспечение подслоя (30) между металлическим слоем (28) и подложкой (20).
55. Способ по п. 54, в котором подслой (30) содержит по меньшей мере один из следующих слоев: слоя оксида цинка и слоя станната цинка.
56. Способ по п. 40, включающий обеспечение слоя (36) праймера поверх металлического слоя (28).
57. Способ по п. 56, в котором слой (36) праймера содержит титан.
58. Способ по п. 40, включающий обеспечение верхнего слоя (38) поверх металлического слоя (28).
59. Способ по п. 58, в котором верхний слой (38) выбирают из группы, состоящей из станната цинка, смеси диоксида кремния и оксида алюминия, оксида олова-индия, оксида цинка-алюминия, оксида цинка-индия и их смесей.
60. Способ по п. 40, в котором металлический слой (28) содержит серебро.
61. Светоиспускающий электрод (26), содержащий:
металлический слой (28), содержащий светорассеивающие элементы (20) на металлическом слое (28) и/или в металлическом слое (28).
62. Светоиспускающий электрод (26) по п. 61, в котором светорассеивающие элементы (29) выбраны из группы, состоящей из выступов, дендритов, трещин, пустот, участков с плотностью, отличающейся от плотности металлического слоя (28), и участков с химическим составом, отличающимся от состава металлического слоя (28).
63. Светоиспускающий электрод (26) по п. 61 или 62, в котором светорассеивающие элементы (29) содержат выступы.
64. Светоиспускающий электрод (26) по п. 61, в котором светорассеивающие элементы (29) содержат выступы, имеющие высоту в диапазоне от 10 до 80 нм, такую как от 20 до 60 нм, такую как от 30 до 60 нм, такую как от 30 до 50 нм.
65. Светоиспускающий электрод (26) по п. 61, в котором светорассеивающие элементы (29) содержат выступы и по меньшей мере некоторые из выступов имеют минимальную высоту 5 нм, такую как 10 нм, такую как 15 нм, такую как 20 нм, такую как 25 нм, такую как 30 нм, такую как 35 нм, такую как 40 нм, такую как 50 нм.
66. Светоиспускающий электрод (26) по п. 61, в котором светорассеивающие элементы (29) содержат выступы и по меньшей мере некоторые из выступов имеют максимальную высоту 100 нм, такую как 90 нм, такую как 80 нм, такую как 70 нм, такую как 60 нм, такую как 55 нм, такую как 50 нм, такую как 45 нм, такую как 40 нм.
67. Светоиспускающий электрод (26) по п. 61, в котором по меньшей мере некоторые из светорассеивающих элементов (29) имеют форму дендритов.
68. Светоиспускающий электрод (26) по п. 67, в котором по меньшей мере некоторые из имеющих форму дендритов светорассеивающих элементов (29) имеют диаметр в диапазоне от 10 до 50 мкм, такой как от 10 до 40 мкм, такой как от 20 до 40 мкм, такой как от 30 до 40 мкм.
69. Светоиспускающий электрод (26) по п. 61, в котором металлический слой (28) содержит по меньшей мере один металл, выбранный из группы, состоящей из платины, иридия, осмия, палладия, алюминия, золота, меди, серебра и их смесей и/или сплавов.
70. Светоиспускающий электрод (26) по п. 61, в котором металлический слой (28) содержит металлическое серебро.
71. Светоиспускающий электрод (26) по п. 61, в котором светоиспускающий электрод (26) представляет собой многослойную структуру, содержащую металлический слой (28) со светорассеивающими элементами (29).
72. Светоиспускающий электрод (26) по п. 61, включающий подслой (30), содержащий один или несколько материалов оксидов металлов, выбранных из группы, состоящей из оксидов кремния, титана, алюминия, циркония, фосфора, гафния, ниобия, цинка, висмута, свинца, индия, олова, их сплавов и смесей.
73. Светоиспускающий электрод (26) по п. 72, в котором подслой (30) содержит по меньшей мере один из следующих слоев: слоя оксида цинка и слоя станната цинка.
74. Светоиспускающий электрод (26) по п. 72, в котором подслой (30) содержит слой оксида цинка поверх слоя станната цинка.
75. Светоиспускающий электрод (26) по п. 61, включающий слой (36) праймера поверх металлического слоя (28), причем слой (36) праймера содержит материал, выбранный из группы, состоящей из титана, кремния, диоксида кремния, нитрида кремния, оксинитрида кремния, хромо-никелевых сплавов, циркония, алюминия, сплавов кремния и алюминия, сплавов, содержащих кобальт и хром, и их смесей.
76. Светоиспускающий электрод (26) по п. 75, в котором слой (36) праймера содержит титан.
77. Светоиспускающий электрод (26) по п. 61, включающий верхний слой (38) поверх металлического слоя (28).
78. Светоиспускающий электрод (26) по п. 77, в котором верхний слой (38) содержит по меньшей мере один оксидный материал, выбранный из группы, состоящей из оксидов цинка, олова, циркония, алюминия, кремния, индия и их смесей.
79. Светоиспускающий электрод (26) по п. 77, в котором верхний слой (38) содержит станнат цинка.
80. Светоиспускающий электрод (26) по п. 77, в котором верхний слой (38) содержит смесь диоксида кремния и оксида алюминия.
81. Светоиспускающий электрод (26) по п. 77, в котором верхний слой (38) содержит проводящий слой, выбранный из группы, состоящей из оксида олова-индия, оксида алюминия-цинка и оксида цинка-индия.
82. Применение органического светоизлучающего диода (10) по любому из пп. 1-39 в устройстве отображения, в частности, устройстве отображения, выбранном из группы, состоящей из компьютерного монитора, экрана компьютера, мобильного телефона, телевизионного экрана, карманного персонального компьютера, часов и осветительного устройства.
83. Применение светоиспускающего электрода (26) по любому из пп. 61-81 в OLED-устройстве (10).
84. Применение светоиспускающего электрода (26) по любому из пп. 61-81 в устройстве отображения, в частности, устройстве отображения, выбранном из группы, состоящей из компьютерного монитора, экрана компьютера, мобильного телефона, телевизионного экрана, карманного персонального компьютера, часов и осветительного устройства.