СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИОДА ШОТТКИ И ДИОД ШОТТКИ, ИЗГОТОВЛЕННЫЕ ТАКИМ СПОСОБОМ

1. Способ изготовления диода Шоттки, включающий формирование области N-типа внутри подложки P-типа, формирование разделительных областей двуокиси кремния на подложке P-типа и области N-кармана, формирование в области N-кармана области с более низкой концентрацией примеси, формирование высоколегированных областей P+-типа на подложке P-типа и высоколегированных областей N+-типа в области N-кармана, осаждение слоя межслойной изоляции с последующей термообработкой, отличающийся тем, что после термообработки проводится фотокопия вскрытия окон к области с более низкой концентрацией примеси, на которую напыляется слой Pt с последующей термообработкой, стравливание слоя Pt с областей вне зоны анода диода Шоттки, затем проводится вскрытие контактных окон к P+-областям и N+-областям, после чего напыляется слой Al+Si и проводится фотолитография по металлизации с последующей термообработкой.
2. Способ изготовления диода Шоттки по п.1, отличающийся тем, что слой Pt напыляется на нагретую подложку до 180°С.
3. Способ изготовления диода Шоттки по п.2, отличающийся тем, что напыляемый слой Pt имеет толщину 500А.
4. Способ изготовления диода Шоттки по п.3, отличающийся тем, что термообработка после напыления слоя Pt осуществляется в инертной среде при температуре 550°C в течение 10 мин.
5. Способ изготовления диода Шоттки по п.4, отличающийся тем, что стравливание Pt с областей вне зоны анода диода Шоттки осуществляется в растворе НС1+HN03+H2S04 при температуре 65+70°C в течение 10 мин.
6. Способ изготовления диода Шоттки по п.5, отличающийся тем, что в качестве металлизации используется слой Al+Si толщиной 1,05 мкм.
7. Способ изготовления диода Шоттки по п.6, отличающийся тем, что термообработка после травления металлизации осуществляется при температуре 400°C в инертной среде в течение 50 мин.
8. Диод Шоттки 10, состоящий из подложки P-типа, внутри которой сформирована область N-кармана, разделительных областей двуокиси кремния, сформированных на подложке P-типа и области N-кармана, электрода катода и электрода анода, сформированных в области N-кармана, электрода земли, сформированного на подложке P-типа, высоколегированных областей P+-типа, сформированных на подложке Р-типа, и высоколегированных областей N+-типа, сформированных в области N-кармана, области с более низкой концентрацией примеси относительно области N-кармана, сформированной в области катода диода Шоттки, слоя межслойной изоляции, который имеет контактные окна к области с более низкой концентрацией примеси, катоду и аноду, металлическая разводка, которая сформирована поверх слоя межслойной изоляции и вскрытых контактных окон, состоящая из Al+Si, отличающийся тем, что во вскрытом контактном окне к области с более низкой концентрацией примеси между металлической разводкой и областью N-кармана сформирован слой силицида платины.
9. Диод Шоттки по п.8, отличающийся тем, что слой силицида платины имеет толщину 1000А.