СПОСОБ БЫСТРОГО ОТЖИГА НАБОРА ТОНКИХ СЛОЕВ, СОДЕРЖАЩЕГО ВЕРХНИЙ СЛОЙ НА ОСНОВЕ ИНДИЯ

2
1. Способ термической обработки, включающий в себя облучение подложки, содержащей прозрачный лист, предпочтительно стеклянный лист, покрытый на одной из своих сторон набором тонких слоев, в атмосфере, содержащей кислород (O), электромагнитным излучением с длиной волны, составляющей между 500 и 2000 нм, испущенным из устройства-излучателя, расположенного напротив набора тонких слоев, причем между указанным устройством-излучателем и указанной подложкой создают относительное перемещение так, чтобы довести набор тонких слоев до температуры по меньшей мере равной 300°C за короткое время, меньшее одной секунды, предпочтительно меньшее 0,1 секунды,
причем указанный способ отличается тем, что последний слой набора, находящийся в контакте с атмосферой и называемый верхним слоем, представляет собой металлический слой индия или сплава на основе индия.
2
2
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что поверхностная плотность верхнего слоя, выраженная как масса атомов металлов на единицу площади, составляет между 1 и 30 мкг/см, предпочтительно между 3 и 25 мкг/см.
3. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что верхний слой является слоем из сплава на основе индия, содержащего более 70% атомов индия, предпочтительно более 80% атомов индия от общего количества атомов металлов в сплаве.
4. Способ по одному из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что верхний слой является слоем из сплава индия и олова (InSn), в частности сплава, содержащего примерно 90% атомов индия и 10% атомов олова.
5. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что набор тонких слоев содержит по меньшей мере один электропроводящий слой помимо верхнего слоя, находящегося в контакте с атмосферой, причем этот электропроводящий слой представляет собой металлический слой или слой прозрачного проводящего оксида.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что набор тонких слоев является низкоэмиссионным набором, содержащим по меньшей мере один металлический слой, отражающий инфракрасное излучение, предпочтительно слой серебра, между двумя диэлектрическими слоями.
7. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что предпоследний слой набора тонких слоев, находящийся непосредственно под верхним слоем, контактирующим с атмосферой, является слоем оксида индия и олова (ITO).
8. Способ по одному из пп. 5-7, отличающийся тем, что термическая обработка приводит к уменьшению удельного поверхностного сопротивления и/или коэффициента излучения набора тонких слоев по меньшей мере на 15%, предпочтительно по меньшей мере на 20%.
9. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что электромагнитное излучение является лазерным излучением.
10. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что длина волны лазерного излучения составляет между 900 и 1100 нм, предпочтительно между 950 и 1050 нм.
11. Способ по п. 10, отличающийся тем, что лазерное излучение представляет собой лазерный луч, сфокусированный на уровне плоскости верхнего слоя, в виде лазерной линии, облучающей одновременно всю или часть ширины подложки, предпочтительно всю ширину подложки.
12. Способ по любому из пп. 1-8, отличающийся тем, что устройство-излучатель электромагнитного излучения представляет собой лампу-вспышку.
13. Подложка для осуществления способа по любому из предыдущих пунктов, содержащая прозрачный лист, предпочтительно стеклянный лист, покрытый на одной из своих сторон набором тонких слоев, отличающаяся тем, что последний слой набора, находящийся в контакте с атмосферой и называемый верхним слоем (overcoat), является слоем индия или сплава на основе индия, предпочтительно сплавом индия и олова (InSn).
2
2
14. Подложка, которая может быть получена способом по любому из пп. 1-12, содержащая лист незакаленного стекла, покрытого на одной из своих сторон набором тонких слоев, содержащим тонкий слой серебра между двумя диэлектрическими тонкими слоями, отличающаяся тем, что последний слой набора тонких слоев, находящийся в контакте с атмосферой, является слоем оксида индия или оксида индия и олова (ITO) с поверхностной плотностью, выраженной как масса атомов металлов на единицу площади, составляющей между 1 и 30 мкг/см, предпочтительно между 3 и 25 мкг/см.
15. Подложка по п. 14, отличающаяся тем, что слой оксида индия или оксида индия и олова (ITO) имеет рельеф поверхности со среднеквадратичным отклонением (Ra), определенным методом атомно-силовой микроскопии (АСМ), составляющим между 1 и 5 нм, причем большинство элементов рельефа имеют форму параболического пика.