ЛАЗЕРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПОВЕРХНОСТНОГО ИСПУСКАНИЯ, СПОСОБ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ЭЛЕМЕНТА ПОВЕРХНОСТНОГО ИСПУСКАНИЯ И АТОМНЫЙ ОСЦИЛЛЯТОР

1. Лазерный элемент поверхностного испускания, содержащий полупроводниковую подложку и множество лазеров поверхностного испускания, сконфигурированных с возможностью испускать свет со взаимно различными длинами волн, причем каждый лазер поверхностного испускания включает в себя нижний брэгговский отражатель, обеспеченный на полупроводниковой подложке, резонатор, обеспеченный на нижнем брэгговском отражателе, верхний брэгговский отражатель, обеспеченный на резонаторе, и слой регулирования длины волны, обеспеченный в верхнем брэгговском отражателе или нижнем брэгговском отражателе, причем слои регулирования длины волны, включенные в лазеры поверхностного испускания, имеют взаимно различные толщины, причем, по меньшей мере, один из слоев регулирования длины волны включает в себя слои регулирования, образованные из двух видов материалов, и причем числа слоев регулирования, включенных в слои регулирования длины волны, взаимно различаются.
2. Лазерный элемент поверхностного испускания по п. 1, в котором, по меньшей мере, один из слоев регулирования длины волны сконфигурирован с возможностью удовлетворять условию (2N-1)λ/4≤P<Nλ/2, в котором P является оптической толщиной, по меньшей мере, одного из слоев регулирования длины волны, λ является длиной волны света, который должен испускаться из каждого лазера поверхностного испускания, и N является положительным целым числом.
3. Лазерный элемент поверхностного испускания по п. 1, в котором M является числом слоев регулирования, включенных в, по меньшей мере, один из слоев регулирования длины волны, и позиция, в которой оптическая толщина, по меньшей мере, одного из слоев регулирования длины волны, составляет λ/4 со стороны резонатора, обеспечена в (M+1)/2-м слое регулирования сверху из слоев регулирования в случае, если M является нечетным числом, или в M/2-м или (M/2)+1-м слое регулирования сверху из слоев регулирования в случае, если M является четным числом.
4. Лазерный элемент поверхностного испускания по п. 1, в котором, по меньшей мере, один из слоев регулирования длины волны включает в себя область регулирования длины волны и область регулирования фазы, и область регулирования длины волны включает в себя слои регулирования, образованные из двух видов материалов.
5. Лазерный элемент поверхностного испускания по п. 4, в котором, по меньшей мере, один из слоев регулирования длины волны включает в себя контактный слой, обеспеченный на стороне, ближе к резонатору, чем область регулирования длины волны, и контактный слой соединен с одним электродом.
6. Лазерный элемент поверхностного испускания по п. 1, в котором, по меньшей мере, один из слоев регулирования длины волны обеспечен в верхнем брэгговском отражателе.
7. Лазерный элемент поверхностного испускания по п. 1, в котором один слой регулирования, по меньшей мере, в одном из слоев регулирования длины волны образован из GaInP, а другой слой регулирования из GaAsP или GaAs.
8. Лазерный элемент поверхностного испускания по п. 1, в котором верхний брэгговский отражатель включает в себя первый верхний брэгговский отражатель, слой регулирования длины волны и второй верхний брэгговский отражатель в порядке со стороны резонатора, и второй верхний брэгговский отражатель состоит из попеременно наслаиваемых диэлектриков с различными показателями преломления.
9. Лазерный элемент поверхностного испускания по п. 1, в котором, по меньшей мере, одна из взаимно различных длин волн включена в диапазон 893,6-895,6 нм, 851,3-853,3 нм, 794,0-796,0 нм или 779,2-781,2 нм.
10. Способ для изготовления лазерного элемента поверхностного испускания, включающего в себя множество лазеров поверхностного испускания, сконфигурированных с возможностью испускать свет со взаимно различными длинами волн, содержащий этапы, на которых формируют нижний брэгговский отражатель на полупроводниковой подложке, формируют резонатор на нижнем брэгговском отражателе, формируют верхний брэгговский отражатель на резонаторе, наслаивают слои регулирования, образованные из двух видов материалов, в верхнем брэгговском отражателе или нижнем брэгговском отражателе, с возможностью формировать слой регулирования длины волны, удаляют один слой регулирования в слое регулирования длины волны посредством использования первой текучей среды травления и удаляют другой слой регулирования в слое регулирования длины волны посредством использования второй текучей среды травления, отличающейся от первой текучей среды травления, так что слои регулирования длины волны, включенные в лазеры поверхностного испускания, имеют взаимно различные толщины, и числа слоев регулирования, включенных в слои регулирования длины волны, взаимно различаются.
11. Способ для изготовления лазерного элемента поверхностного испускания по п. 10, в котором один слой регулирования в слое регулирования длины волны образован из GaInP, а другой слой регулирования образован из GaAsP или GaAs.
12. Способ для изготовления лазерного элемента поверхностного испускания по п. 10, в котором верхний брэгговский отражающий слой сформирован с возможностью включения в себя первого верхнего брэгговского отражателя и второго брэгговского отражателя, в котором первый верхний брэгговский отражатель, слой регулирования длины волны и второй брэгговский отражатель сформированы в порядке со стороны резонатора, и при этом второй верхний брэгговский отражатель сформирован посредством попеременного наслаивания диэлектриков с различными показателями преломления.
13. Атомный осциллятор, содержащий лазерный элемент поверхностного испускания по п. 1, ячейку со щелочным металлом, включающую в себя щелочной металл, который должен облучаться светом, испускаемым из лазерного элемента поверхностного испускания, фотодетектор, сконфигурированный с возможностью детектирования света, пропускаемого через ячейку со щелочным металлом, и блок управления, сконфигурированный с возможностью управления частотой осцилляции лазерного элемента поверхностного испускания на основе света, детектируемого посредством фотодетектора.
14. Атомный осциллятор по п. 13, в котором щелочной металл включает в себя рубидий или цезий.