ПОДЛОЖКА ОРГАНИЧЕСКОГО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ДИОДА, СОСТОЯЩАЯ ИЗ ПРОЗРАЧНОГО ПРОВОДЯЩЕГО ОКСИДА (ТСО) И АНТИРАДУЖНОГО ПРОМЕЖУТОЧНОГО СЛОЯ

1. Способ получения светоизлучающего устройства, при этом способ включает:
обеспечение подложки, имеющей первый коэффициент преломления;
присоединение прозрачного электрода к органическому слою, при этом прозрачный электрод имеет второй коэффициент преломления, отличный от первого коэффициента преломления;
выбор промежуточного слоя, имеющего третий коэффициент преломления, с тем, чтобы в значительной степени согласовать первый коэффициент преломления со вторым коэффициентом преломления; и
обеспечение промежуточного слоя между подложкой и прозрачным электродом.
2. Способ по п.1, где органический слой излучает свет через прозрачный электрод, и
этап выбора промежуточного слоя включает минимизацию отражения излучаемого света на границе между прозрачным электродом и подложкой.
3. Способ по п.2, где этап выбора промежуточного слоя включает повышение количества света, передаваемого от прозрачного электрода к подложке.
4. Способ по п.2, где этап выбора промежуточного слоя включает снижение электрического удельного сопротивления, прозрачного электрода.
5. Способ по п.1, где этап выбора промежуточного слоя включает выбор нескольких подслоев для получения третьего коэффициента преломления,
где расположенный между подложкой и прозрачным электродом промежуточный слой включает несколько выбранных подслоев.
6. Способ по п.1, где этап выбора промежуточного слоя включает выбор промежуточного слоя для снижения радужности прозрачного электрода.
7. Способ по п.1, где этап выбора промежуточного слоя включает выбор промежуточного слоя для снижения перемещения ионов натрия от подложки к прозрачному электроду.
8. Светоизлучающее устройство, содержащее:
подложку, имеющую первый коэффициент преломления;
прозрачный электрод, связанный с органическим слоем и расположенный между органическим слоем и подложкой, при этом прозрачный электрод имеет второй коэффициент преломления, отличный от первого коэффициента преломления; и
промежуточный слой, расположенный между подложкой и прозрачным электродом, при этом промежуточный слой имеет третий коэффициент преломления,
где промежуточный слой сформирован с третьим коэффициентом преломления так, что первый коэффициент преломления в значительной степени согласуется со вторым коэффициентом преломления.
9. Светоизлучающее устройство по п.8, где промежуточный слой содержит один или несколько подслоев, выбранных для получения третьего коэффициента преломления.
10. Светоизлучающее устройство по п.9, где один или несколько подслоев сформированы с использованием одного и того же материала.
11. Светоизлучающее устройство по п.8, где материал промежуточного слоя включает по меньшей мере одно из оксида кремния, оксида олова, оксида титана, оксида алюминия или оксида цинка.
12. Светоизлучающее устройство по п.8, где подложка сформирована из прозрачного материала.
13. Светоизлучающее устройство по п.12, где материал подложки включает натриево-кальциево-силикатное стекло или боросиликатное стекло.
14. Светоизлучающее устройство по п.8, где материал прозрачного электрода включает легированный оксид цинка, оксид индия-олова (ITO), оксид индия-цинка (IZO), легированный фтором оксид олова или легированный ниобием диоксид титана.
15. Светоизлучающее устройство по п.8, дополнительно содержащее металлический электрод, расположенный на органическом слое.
16. Светоизлучающее устройство по п.8, где светоизлучающее устройство содержит органический светоизлучающий диод (OLED).
17. Способ производства светоизлучающего устройства, при этом способ включает:
формирование промежуточного слоя на подложке посредством первого процесса химического осаждения из газовой фазы (CVD);
формирование прозрачного электрода на промежуточном слое посредством второго процесса химического осаждения из газовой фазы (CVD) и
формирование органического слоя на прозрачном электроде,
где подложка имеет первый коэффициент преломления, а прозрачный электрод имеет второй коэффициент преломления, отличный от первого коэффициента преломления, и
промежуточный слой сформирован с третьим коэффициент преломления так, что первый коэффициент преломления в значительной степени согласуется со вторым коэффициентом преломления.
18. Способ по п.17, где этап формирования промежуточного слоя включает формирование одного или нескольких подслоев посредством процесса химического осаждения из газовой фазы (CVD) для создания третьего коэффициента преломления.
19. Способ по п.17, где процесс химического осаждения из газовой фазы (CVD) выполняют при температуре от 300°C до 650°C.
20. Способ по п.17, где процесс химического осаждения из газовой фазы (CVD) выполняют при атмосферном давлении.
21. Способ по п.17, дополнительно включающий формирование металлического электрода на органическом слое.