СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ СЛОЕВ

1. Способ получения подложки, подходящей для поддержки удлиненного сверхпроводящего элемента, причем способ включает:
- предоставление слоистого сплошного элемента, причем слоистый сплошной элемент включает
- нижний слой (303) и
- верхний слой (316),
причем верхний слой расположен рядом с нижним слоем и, по меньшей мере частично, закрывает нижний слой,
- формирование нескольких разрывных полос в верхнем слое (316), посредством чего формируют несколько открытых областей (323) нижнего слоя (303), где каждая открытая область выполнена вдоль разрывной полосы,
отличающийся тем, что способ, кроме того, включает:
- травление открытых областей (323), чтобы сформировать подтравленные объемы (330, 332) между верхним слоем (316) и нижним слоем (303), причем каждый подтравленный объем выполнен вдоль разрывной полосы, и причем применяют травитель, у которого скорость травления нижнего слоя (303) выше чем скорость травления верхнего слоя (316).
2. Способ получения подложки, подходящей для поддержки удлиненного сверхпроводящего элемента, по п. 1, отличающийся тем, что подтравленные объемы расположены ниже остающихся частей нижнего слоя.
3. Способ получения подложки, подходящей для поддержки удлиненного сверхпроводящего элемента, по п. 1, отличающийся тем, что этап
- формирования нескольких разрывных полос в верхнем слое, посредством чего формируют несколько открытых областей нижнего слоя, причем каждая открытая область выполнена вдоль разрывной полосы,
включает процесс деформации.
4. Способ получения подложки (600), подходящей для поддержки удлиненного сверхпроводящего элемента, по п. 1, отличающийся тем, что этап предоставления слоистого сплошного элемента включает
a. предоставление первичного сплошного элемента (202), причем первичный сплошной элемент имеет первичный верхний слой (314), являющийся по существу однородным,
b. формирование верхнего слоя (316) слоистого сплошного элемента любым одним из:
i. упрочнения верхней части первичного верхнего слоя (314), такого как упрочнение в газовой среде,
ii. легирования верхней части первичного верхнего слоя (314),
iii. получение оксидного или нитридного слоя в пределах верхней части первичного верхнего слоя.
5. Способ получения подложки (600), подходящей для поддержки удлиненного сверхпроводящего элемента, по п. 3, отличающийся тем, что этап формирования нескольких разрывных полос в верхнем слое (316) в процессе деформации включает прижатие части верхнего слоя к нижнему слою (303).
6. Способ получения подложки (600), подходящей для поддержки удлиненного сверхпроводящего элемента, по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что толщина (362) верхнего слоя (316) слоистого сплошного элемента составляет от 1 нм до 100 мкм.
7. Способ получения подложки (600), подходящей для поддержки удлиненного сверхпроводящего элемента, по любому из пп. 1-5, отличающийся тем, что расстояние (752) между соседними разрывными полосами в пределах нескольких разрывных полос составляет от 1 мкм до 1 мм.
8. Способ получения подложки (600), подходящей для поддержки удлиненного сверхпроводящего элемента, по п. 1, отличающийся тем, что расстояние (748) между плоскостью, параллельной верхней поверхности нижнего слоя (303) или верхней поверхности верхнего слоя (316), и плоскостью, тангенциальной к низу нескольких разрывных полос, достаточно большое чтобы обеспечить, что сверхпроводящий материал, помещенный на подложку, будет иметь части в разрывных полосах и между разрывными полосами, которые физически разделены.
9. Способ получения удлиненного сверхпроводящего элемента, отличающийся тем, что способ включает помещение слоя сверхпроводящего материала (642, 644, 646) на верхний слой (316) и/или нижний слой (303) подложки, полученной по любому из предшествующих пунктов, так что подтравленные объемы (330, 332) служат для физического разделения отдельных линий сверхпроводящего материала.
10. Способ получения удлиненного сверхпроводящего элемента, отличающийся тем, что способ включает этапы получения подложки, подходящей для поддержки удлиненного сверхпроводящего элемента, по любому одному из пп. 1-8, и отличающийся тем, что способ кроме того включает помещение слоя сверхпроводящего материала (642, 644, 646) на верхний слой (316) и/или нижний слой (303) слоистого сплошного элемента, так что подтравленные объемы (330, 332) служат для физического разделения отдельных линий сверхпроводящего материала.
11. Способ получения удлиненного сверхпроводящего элемента по п. 10, отличающийся тем, что способ, кроме того, включает помещение
c. слоя буферного материала (640) на верхний слой (316) и/или нижний слой (303) слоистого сплошного элемента по любому одному из пунктов 1-6, и
d. слоя сверхпроводящего материала (642, 644, 646) на буферный материал,
так что подтравленные объемы (330, 332) служат для физического разделения отдельных линий сверхпроводящего материала и/или буферного материала.
12. Способ получения удлиненного сверхпроводящего элемента по п. 10, отличающийся тем, что этап помещения слоя сверхпроводящего материала (642, 644, 646) является процессом прямой видимости.
13. Способ получения удлиненного сверхпроводящего элемента по п. 11, отличающийся тем, что этап помещения слоя сверхпроводящего материала (642, 644, 646) и/или слоя буферного материала (640) является процессом прямой видимости.
14. Способ получения удлиненного сверхпроводящего элемента по любому одному из пп. 10-13, причем способ кроме того включает помещение шунтирующего слоя на слой сверхпроводящего материала (642, 644, 646).
15. Подложка, подходящая для поддержки удлиненного сверхпроводящего элемента, причем подложка включает:
слоистый сплошной элемент, причем слоистый сплошной элемент включает
- нижний слой (303),
- линии верхнего слоя (316),
отличающийся тем, что линии верхнего слоя (316) расположены рядом с нижним слоем (303) и частично закрывают нижний слой,
отличающийся тем, что несколько разрывных полос между линиями верхнего слоя (316) разделяют линии верхнего слоя (316),
отличающийся тем, что подтравленные объемы (330, 332) расположены между линиями верхнего слоя (316) и нижним слоем (303), причем каждый подтравленный объем выполнен вдоль разрывной полосы.
16. Подложка (600), подходящая для поддержки удлиненного сверхпроводящего элемента по п. 15, отличающаяся тем, что подложка является лентой.
17. Удлиненный сверхпроводящий элемент, включающий:
- подложку по любому одному из пп. 15 или 16,
- сверхпроводящий слой, помещенный на подложку, так что подтравленные объемы (330, 332) физически разделяют отдельные линии сверхпроводящего материала.
18. Устройство для осуществления способа по любому одному из пп. 1-8.
19. Устройство для осуществления способа по любому одному из пп. 10-14.
20. Использование удлиненного сверхпроводящего элемента по п. 17 в любом одном из рабочей магнитной катушки, трансформатора, генератора, магнитно-резонансного сканера, магнитного криостата, большого адронного коллайдера, сети переменного тока, умной сети.