УСТРОЙСТВО НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩЕЙ СТРУКТУРЫ ДЛЯ УСТРОЙСТВА, МОБИЛЬНОЕ ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО, ИСПОЛЬЗУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, И МИКРОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО, СОДЕРЖАЩЕЕ УСТРОЙСТВО

1. Устройство накопления заряда, содержащее:
первую электропроводящую структуру и вторую электропроводящую структуру, отделенные друг от друга электрическим изолятором,
при этом:
по меньшей мере одна электропроводящая структура из первой электропроводящей структуры и второй электропроводящей структуры содержит пористую структуру, содержащую множество каналов; и
каждый из каналов имеет отверстие на поверхности пористой структуры.
2. Устройство накопления заряда по п.1, в котором:
наименьший размер каждого из каналов составляет не менее 2 нанометров.
3. Устройство накопления заряда по п.1, в котором:
наименьший размер каждого из каналов составляет не более 1 микрометра.
4. Устройство накопления заряда по п.1, в котором:
пористая структура состоит из материала, выбранного из группы, содержащей кремний, германий, карбид кремния, кремний-германий, алюминий, вольфрам и медь.
5. Устройство накопления заряда по п.1, дополнительно содержащее:
электропроводящее покрытие по меньшей мере на участке пористой структуры и по меньшей мере в некоторых каналах.
6. Устройство накопления заряда по п.1, в котором:
пористая структура содержит легирующую примесь.
7. Устройство накопления заряда по п.1, в котором:
электрический изолятор содержит диэлектрический материал.
8. Устройство накопления заряда по п.1, дополнительно содержащее:
электролит, находящийся в физическом контакте с пористой структурой,
при этом:
электрический изолятор представляет собой двойной слой, созданный за счет наличия электролита.
9. Устройство накопления заряда по п.8, в котором:
электролит представляет собой органический электролит.
10. Устройство накопления заряда по п.8, дополнительно содержащее:
между электролитом и пористой структурой материал, имеющий диэлектрическую проницаемость, значение которой составляет по меньшей мере 3,9.
11. Устройство накопления заряда по п.1, дополнительно содержащее:
наноструктуры, расположенные в пределах по меньшей мере некоторых каналов пористой структуры.
12. Устройство накопления заряда по п.11, дополнительно содержащее:
электропроводящее покрытие по меньшей мере на участке по меньшей мере некоторых наноструктур.
13. Устройство накопления заряда по п.11, дополнительно содержащее:
электролит, находящийся в физическом контакте с пористой структурой.
14. Устройство накопления заряда по п.13, в котором:
по меньшей мере некоторые наноструктуры покрыты материалом, не допускающим электрохимическую реакцию между наноструктурами и электролитом.
15. Устройство накопления заряда по п.13, в котором:
материал является одним материалом из ртути, галлия и галлия-индия-олова;
при этом материал образует монослой на поверхности наноструктур.
16. Устройство накопления заряда по п.11, в котором:
по меньшей мере некоторые наноструктуры содержат легирующую примесь.
17. Устройство накопления заряда, содержащее:
множество дискретных наноструктур; и
электролит, находящийся в физическом контакте по меньшей мере с некоторыми наноструктурами.
18. Устройство накопления заряда по п.17, дополнительно содержащее:
материал между электролитом и наноструктурами, имеющий диэлектрическую проницаемость, значение которой составляет по меньшей мере 3,9.
19. Устройство накопления заряда по п.17, в котором:
по меньшей мере некоторые наноструктуры покрыты материалом, не допускающим электрохимической реакции между наноструктурами и электролитом.
20. Устройство накопления заряда по п.19, в котором:
материалом является ртуть;
причем ртуть образует монослой на поверхности наноструктур.
21. Устройство накопления заряда по п.17, в котором:
электролит представляет собой органический электролит.
22. Устройство накопления заряда по п.17, в котором:
наноструктуры представляют собой наночастицы.
23. Устройство накопления заряда по п.17, в котором:
наноструктуры представляют собой нанопровода.
24. Устройство накопления заряда по п.23, в котором:
нанопровода изготовлены, по меньшей мере частично, из кремния.
25. Устройство накопления заряда по п.17, в котором:
наноструктуры представляют собой углеродные нанотрубки.
26. Устройство накопления заряда по п.17, в котором:
первый поднабор указанного множества дискретных наноструктур образует первый электрод устройства накопления заряда.
27. Устройство накопления заряда по п.26, в котором:
второй поднабор указанного множества дискретных наноструктур образует второй электрод устройства накопления заряда;
при этом устройство накопления заряда дополнительно содержит разделитель между первым электродом и вторым электродом.
28. Способ изготовления электропроводящей структуры для устройства накопления заряда, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают раствор, содержащий множество наноструктур в растворителе;
наносят раствор на подложку;
подвергают отжигу раствор и подложку для формирования электропроводящей структуры.
29. Способ по п.28, в котором:
растворитель представляет собой фоторезист.
30. Способ по п.29, в котором:
на этапе нанесения фоторезиста наносят кругами фоторезист на подложку.
31. Способ по п.30, в котором:
на этапе нанесения фоторезиста кругами создают множество волокон, по меньшей мере некоторые из которых имеют длину по меньшей мере 500 микрометров.
32. Способ по п.28, в котором:
наноструктуры являются наночастицами.
33. Способ по п.28, в котором:
наноструктуры являются углеродными нанотрубками.
34. Способ по п.28, дополнительно содержащий этап, на котором:
формируют диэлектрический материал по меньшей мере на некоторых наноструктурах.
35. Способ изготовления устройства накопления заряда, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают электропроводящую структуру, имеющую первую секцию и вторую секцию; и
помещают разделитель между первой секцией и второй секцией, причем разделитель выполнен с возможностью переноса ионного заряда; и
помещают электролит в физический контакт с электропроводящей структурой.
36. Способ по п.35, дополнительно содержащий этап, на котором:
создают канавку между первой секцией и второй секцией посредством травления,
при этом:
на этапе помещения разделителя между первой секцией и второй секцией помещают разделитель в канавку.
37. Способ по п.35, в котором:
на этапе обеспечения электропроводящей структуры:
обеспечивают раствор, содержащий множество наноструктур в растворителе;
наносят раствор на подложку; и
подвергают отжигу раствор и подложку для формирования электропроводящей структуры.
38. Мобильное электронное устройство, содержащее:
микропроцессор; и
устройство накопления заряда, связанное с микропроцессором,
при этом:
устройство накопления заряда содержит первую электропроводящую структуру и вторую электропроводящую структуру, отделенные друг от друга электрическим изолятором; и
по меньшей мере одна электропроводящая структура из первой электропроводящей структуры и второй электропроводящей структуры содержит пористую структуру, содержащую множество каналов.
39. Мобильное электронное устройство по п.38, в котором:
устройство накопления заряда представляет собой одно из множества устройств накопления заряда; а
мобильное электронное устройство дополнительно содержит переключательную схему, связанную с устройствами для накопления заряда.
40. Мобильное электронное устройство по п.39, дополнительно содержащее:
сеть датчиков, связанную с устройствами накопления заряда.
41. Мобильное электронное устройство по п.40, дополнительно содержащее:
блок регулировки напряжения, связанный с сетью датчиков и с устройствами накопления заряда.
42. Мобильное электронное устройство по п.41, дополнительно содержащее:
датчик температуры, связанный с устройствами накопления заряда.
43. Мобильное электронное устройство, содержащее:
микропроцессор; и
устройство накопления заряда, содержащее:
множество наноструктур; и
электролит, находящийся в физическом контакте по меньшей мере с некоторыми наноструктурами.
44. Мобильное электронное устройство по п.43, в котором:
устройство накопления заряда представляет собой одно из множества устройств накопления заряда; а
мобильное электронное устройство дополнительно содержит переключательную схему, связанную с устройствами накопления заряда.
45. Мобильное электронное устройство по п.44, в котором:
переключательная схема выполнена с возможностью конфигурировать множество устройств накопления заряда так, чтобы компенсировать снижение напряжения в устройстве накопления заряда.
46. Мобильное электронное устройство по п.44, дополнительно содержащее:
сеть датчиков, связанную с устройствами накопления заряда.
47. Мобильное электронное устройство по п.46, дополнительно содержащее:
блок регулировки напряжения, связанный с сетью датчиков и с устройствами накопления заряда.
48. Мобильное электронное устройство по п.44, дополнительно содержащее:
датчик температуры, связанный с устройствами накопления заряда.
49. Микроэлектронное устройство, содержащее:
подложку;
микропроцессор, расположенный на подложке; и
устройство накопления заряда, связанное с микропроцессором,
при этом:
устройство накопления заряда содержит первую электропроводящую структуру и вторую электропроводящую структуру, отделенные друг от друга электрическим изолятором; и
по меньшей мере одна электропроводящая структура из первой электропроводящей структуры и второй электропроводящей структуры содержит пористую структуру, содержащую множество каналов.
50. Микроэлектронное устройство по п.49, в котором:
устройство накопления заряда расположено на подложке.
51. Микроэлектронное устройство по п.49, в котором:
устройство накопления заряда расположено на микропроцессоре.
52. Микроэлектронное устройство, содержащее:
подложку;
процессор, расположенный на подложке; и
устройство накопления заряда, связанное с микропроцессором,
при этом:
устройство накопления заряда содержит множество наноструктур и электролит, находящийся в физическом контакте по меньшей мере с некоторыми наноструктурами.
53. Микроэлектронное устройство по п.52, в котором:
устройство накопления заряда расположено на подложке.
54. Микроэлектронное устройство по п.52, в котором:
устройство накопления заряда расположено на микропроцессоре.