ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИЕМНИК ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

1. Полупроводниковый приемник инфракрасного излучения, включающий полупроводниковую подложку AIIIBV с активной областью в форме диска с отверстем в центре на основе гетероструктуры, выполненной из твердых растворов AIIIBV, первый омический контакт, нанесенный на поверхность активной области, и второй омический контакт, нанесенный на поверхность периферийной области полупроводниковой подложки, противолежащую поверхности с активной областью, при этом в поверхности центральной области полупроводниковой подложки, свободной от второго омического контакта, выполнено по меньшей мере одно углубление.
2. Полупроводниковый приемник по п.1, отличающийся тем, что во всей поверхности центральной области полупроводниковой подложки, свободной от второго омического контакта, выполнены углубления.
3. Полупроводниковый приемник по п.2, отличающийся тем, что углубления соприкасаются друг с другом.
4. Полупроводниковый приемник по п.2, отличающийся тем, что углубления отстоят друг от друга.
5. Полупроводниковый приемник по п.1, отличающийся тем, что поверхность углубления имеет криволинейную поверхность.
6. Полупроводниковый приемник по п.1, отличающийся тем, что углубление выполнено глубиной h, удовлетворяющей соотношению:
λ<h<d, мкм;
где λ - длина волны падающего света с энергией, равной ширине запрещенной зоны активной области полупроводникового приемника инфракрасного излучения, мкм;
d - толщина подложки, мкм.