Способ создания р-области на поверхности кремниевой подложки для изготовления транзисторных структур

2
3
S
S
Способ создания p-области на поверхности кремниевой подложки для изготовления транзисторных структур, отличающийся тем, что процесс диффузии галлия проводят в два этапа: 1 - загонка и 2 - разгонка с использованием источника окиси галлия (GaO) в виде порошка при температуре загонки и разгонки, равной 1210±10°C, время загонки 25±5 минут, а на этапе разгонки 120±5 минут, при этом поверхностное сопротивление равно: на этапе загонки R=330±10 Ом/см, а на этапе разгонки R=240±10 Ом/см.