СПОСОБ АНАЛИЗА УСТРОЙСТВА

1. Способ, в котором выполняют анализ образца электронного устройства посредством замера некоторого свойства в нескольких точках указанного образца, и подвергают, до выполнения анализа, указанные несколько точек, по меньшей мере, одной обработке, увеличивающей различие указанного свойства, по меньшей мере, в двух элементах образца электронного устройства.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанное свойство выбирают из группы, включающей механическое свойство, физическое свойство, химическое свойство и электрическое свойство.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что анализ выполняют по методике, выбранной из группы, включающей растровую электронную микроскопию, просвечивающую электронную микроскопию и атомно-силовую микроскопию.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, два элемента представляют собой, по меньшей мере, два слоя пакета слоев.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что электронное устройство включает пакет слоев, а указанная обработка включает резку пакета слоев таким образом, что создается различие морфологии в поверхности среза между, по меньшей мере, двумя из указанных слоев пакета.
6. Способ по одному из пп.1-4, отличающийся тем, что обработка представляет собой химическую обработку.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что указанное свойство представляет собой интенсивность рассеяния электронов, а указанная химическая обработка увеличивает различие интенсивности рассеяния электронов в указанных, по меньшей мере, двух элементах.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что включает подготовку указанного образца электронного устройства посредством вскрытия внутренней части электронного устройства.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что электронное устройство включает матрицу тонкопленочных транзисторов.