УСТРОЙСТВО С ПЕРЕХОДНЫМИ ОТВЕРСТИЯМИ В ПОДЛОЖКЕ И СПОСОБ ЕГО ПРОИЗВОДСТВА

1. Устройство (10) с переходными отверстиями в подложке, содержащее:
подложку (12), выполненную из материала подложки и имеющую первую поверхность (12а) подложки и вторую поверхность (12b) подложки, противоположную первой поверхности (12а) подложки,
множество соседних первых канавок (14), обеспеченных проводящим материалом и проходящих с первой поверхности (12а) подложки внутрь подложки (12), так что между первыми канавками (14) формируется множество спейсеров (16) из материала подложки,
вторую канавку (18), обеспеченную проводящим материалом и проходящую со второй поверхности (12b) подложки внутрь материала подложки (12), причем вторая канавка (18) соединена с первыми канавками (14),
проводящий слой (20), выполненный из проводящего материала и сформированный на стороне первой поверхности (12а) подложки, причем проводящий материал заполняет первые канавки (14), так что первый проводящий слой (20) имеет, по существу, планарную и закрытую поверхность, покрывающую заполненные первые канавки и формирующую электрическое соединение между заполненными канавками.
2. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее второй проводящий слой (22), выполненный из проводящего материала и сформированный на второй поверхности (12b) подложки.
3. Устройство по п. 2, содержащее проводящий материал на поверхностях второй канавки (18), так что первый проводящий слой (20) и второй проводящий слой (22) электрически соединены.
4. Устройство по п. 2, причем второй проводящий слой (22) формируется по меньшей мере на части второй поверхности (12b) подложки, окружающей вторую канавку (18).
5. Устройство по п. 2, дополнительно содержащее электрическое соединение (39) между вторым проводящим слоем (22) и ASIC (40).
18
6. Устройство по п. 1, причем вторая канавка (18) имеет ширину (w), проходящую через значительную часть или все из первых канавок (14) и/или спейсеров (16).
14
16
7. Устройство по п. 1, причем ширина (w, w) каждой первой канавки (14) и/или каждого спейсера (16) находится в диапазоне между 0,5 и 5 нм.
14
16
8. Устройство по п. 1, причем глубина (l, l) каждой первой канавки (14) и/или каждого спейсера (16) составляет меньше 100 нм, в частности меньше 40 нм.
9. Устройство по п. 1, причем отношение размеров первых канавок (14) и/или вторых канавок (16) - между 10 и 30, в частности около 20.
10. Устройство по п. 1, причем подложка дополнительно содержит слой (15) электрически изолирующей поверхности.
11. Устройство по п. 1, где проводящий материал является поликремнием.
12. Сборка (100) емкостного ультразвукового преобразователя, подвергнутого микрообработке, содержащая устройство с переходными отверстиями в подложке по п. 1 и содержащая по меньшей мере одну ячейку (30) CMUT, электрически соединенную с первым проводящим слоем (20).
13. Способ производства устройства (10) с переходными отверстиями в подложке, причем способ содержит:
обеспечение подложки (12), выполненной из материала подложки и имеющей первую поверхность (12а) подложки и вторую поверхность (12b) подложки, противоположную первой поверхности (12а) подложки,
вытравливание множества соседних первых канавок (14) с первой поверхности (12а) подложки внутрь материала подложки (12), так что между первыми канавками (14) формируется множество спейсеров (16) из материала подложки,
вытравливание второй канавки (18) со второй поверхности (12b) подложки внутрь подложки (12), причем вторая канавка (18) соединена с первыми канавками (14), и
обеспечение проводящего слоя (20), выполненного из проводящего материала на стороне первой поверхности (12а) подложки, причем проводящий материал заполняет первые канавки (14), так что первый проводящий слой (20) имеет, по существу, планарную и закрытую поверхность, покрывающую заполненные первые канавки и формирующую электрическое соединение между заполненными первыми канавками.