Снятие фоторезистивного материала и полимерного остатка в радиочастотной кислородной плазме

членения. Если в конструкции обе линии кокетки совпадают, то она выполняет исключительно декоративную функцию, не участвуя в формообразовании. Расположение и геометрическое оформление шва кокетки зависит от модельных особенностей предмета одежды.

Подрезы, представляющие собой швы, заканчивающиеся внутри детали, чаще всего используют для создания локальной мягкости, объемности определенного участка формы изделия, хотя в отдельных случаях они могут быть и исключительно декоративными. Как конструктивный элемент подрез образуется двумя линиями, имеющими, как правило, разную длину, одна из которых является ведущей, задавая конфигурацию шва подреза. Расположение и геометрическое оформление линий подреза может быть очень разнообразным в соответствии с характеристикой модельного решения одежды.

Как правило, поперечные членения, имеющиеся в конструкции, обеспечивают возможность разрабатывать ряд модельных элементов, участвующих в создании формы изделия или декорирующих его, например, складки, сборки, фалды, драпировки, карманы и другие.

Представленный перечень линий модной формы, а также рассмотренное разнообразие их параметров могут служить основой для разработки большого количества вариантов силуэтного решения одежды.

Литература

1. Киселева Т. В. Модельные элементы как средство формообразования современной одежды // Наука, техника и образование. [Электронный ресурс]: Электронная библиотека eLIBRARY.RU. Режим доступа: http://elibrary.ru/item.asp?id=25511885/ (дата обращения: 20.06.2016).

2. Киселева Т. В. Основные конструктивные линии современной одежды // Наука, техника и образование. [Электронный ресурс]. URL: http://3minut.ru/images/PDF/2016/23/NTO-5-23.pdf/ (дата обращения: 18.06.2016).

3. Киселева Т. В. Основные элементы структуры формы современной одежды // Наука, техника и образование. [Электронный ресурс]: Электронная библиотека eLIBRARY.RU. Режим доступа: http://elibrary.ru/item.asp?id=25777058/ (дата обращения: 20.06.2016).

4. Киселева Т. В. Особенности формообразования и конструктивного моделирования современной одежды. [Электронный ресурс]: Электронная библиотека Руконт. Режим доступа: http://www.rucont.ru/efd/145738/ (дата обращения: 18.06.2016).

5. Киселева Т. В. Проблемы теоретического обеспечения процесса проектирования современной одежды // Наука, техника и образование. [Электронный ресурс]: Электронная библиотека eLIBRARY.RU. Режим доступа: http://elibrary.ru/item.asp?id=25125981/ (дата обращения: 20.06.2016).

6. Киселева Т. В. Разнообразие ассортимента актуальных материалов для модной одежды // Материалы 65-й научно-практической конференции преподавателей и студентов. [Электронный ресурс]: Научная электронная библиотека eLIBRARY.RU. Режим доступа: http://elibrary.ru/item.asp?id=23722909/ (дата обращения: 20.06.2016).

7. Киселева Т. В. Специфика проектирования моделей одежды для женщин невысокого роста // Наука, техника и образование. [Электронный ресурс]: Научная электронная библиотека eLIBRARY.RU. Режим доступа: http://elibrary.ru/item.asp?id=25388422/ (дата обращения: 20.06.2016).

8. Киселева Т. В. Характеристика силуэта одежды как фактора формообразования современного костюма // Наука, техника и образование. [Электронный ресурс]: Электронная библиотека eLIBRARY.RU. Режим доступа: http://elibrary.ru/item.asp?id=25952362/ (дата обращения: 20.06.2016).

Снятие фоторезистивного материала и полимерного остатка в радиочастотной

кислородной плазме Ерицян Г. С.

Ерицян Георгий Спартакович /ЕНХвуап Овот^у Зрат1акоу1ок — инженер-технолог, Национальный исследовательский универститет Московский институт электронной техники, г. Зеленоград

Аннотация: эффективность, качество и применимость плазмохимической очистки фоторезиста кислородом были исследованы при различных условиях обработки. Например, при изменении температуры, давления, мощности плазмы. В целом, скорость травления значительно увеличивается с ростом температуры, но есть и ограничения по этому параметру для определенных

технологических процессов. Также существенно влияет на скорость травления плотность активных радикалов кислорода в плазме. Исследование представляет собой оценку плазменной очистки кислородом остатка фоторезиста при разных условиях.

Ключевые слова: травление, фоторезист, кислородная плазма, плазмохимическое травление.

Вступление

Реактивное ионное травление диоксида кремния (SiO2) является ключевым этапом во многих практических применениях. Этот процесс, например, используется для вскрытия контактов. После травления оксида крайне важно полностью удалить фоторезист и полимерный остаток, получившийся в процессе травления. Конечно же, трудно представить современную микроэлектронику без плазмохимических процессов. Особенности плазменных технологий позволяют проводить уникальные процессы, которые нельзя заменить любым другим методом. ПХТ, в частности, используется для обработки поверхности полупроводниковых структур. Одним из наиболее распространенных методов травления и снятия фоторезистивного материала является обработка в кислородной плазме.

Исследовательская часть работы представляет собой ряд экспериментов, в ходе которых выявляются зависимости результатов травления от варьирующихся параметров технологического процесса.

Эксперимент

В качестве опытных образцов были подготовлены пластины монокристаллического кремния КДБ (100) с нанесенным слоем фоторезиста толщиной 2000±10 нм. Измерение толщины фоторезистивного слоя производилось с использованием спектроскопического эллипсометра Sentech Senduro для длины волны 632,8 нм. Подложки с фоторезистивным материалом прошли термообработку при 100-110°С.

Технологический процесс ставится в рамках определенного изделия, в маршрутном листе которого сформирован температурный бюджет, и именно им ограничиваются все операции. Снятие фоторезистивного материала осуществляется на установке Diener Nano, включающей в себя радиочастотный генератор. Максимальная температура операции не должна выходить за пределы 120°С. В соответствии с данным ограничением был сформирован план эксперимента. Стоит принимать во внимание важный аспект - повышение температуры поверхности, вызванное процессом травления.

Следующим важным требованием является равномерность травления по пластинке. Отклонение параметров должно колебаться в пределах 5% от измеряемой величины. Равномерность травления рассчитывается по формуле:

Равномерность = (((Макс.знач-Мин.знач)/2)/Ср.знач)* 100

Из этого уравнения среди образцов были получены значения от 0,2 до 9 %. Равномерность травления значительно улучшается с ростом температуры, но данный параметр варьировать в больших пределах не представляется возможным. Конструктивная особенность реактора позволяет верхней его части разместить сетки с разными размерами ячеек. Благодаря этому, в плазме практически исключается ионная составляющая и в основном объеме находятся активные радикалы. Наличие данной решетки в течение процесса заметным образом положительно влияет на равномерность, но снижает скорость травления.

Результаты и обсуждение

На рисунке 1 представлена зависимость скорости травления от температуры пластины. Процессы проводились по одной пластине, которые непосредственно находились на нагреваемом столике. При варьировании температуры, давление оставалось неизменным, и было на уровне 0,7 мБар. Расход газа (O2) составлял 100 см3/мин. Скорость снятия фоторезиста в целом увеличивается с ростом температуры. Тем не менее, увеличение скорости замедляется в интервале от 90 до 130°С. Это свидетельствует о том, что кинетика удаления или энергия активации изменяется при температуре около 90°С. При повышении температуры до уровня 120-130°С скорость снятия снова начала увеличиваться [1]. График, показанный на рисунке 2, демонстрирует зависимость скорости травления от давления. Оптимальным давлением является 0,7 мБар. Именно при таких условиях достигается лучшая равномерность процесса.

Рис. 1. Зависимость скорости травления от температуры подложки

Рис. 2. Зависимость скорости травления от давления в реакторе

Заключение

Фоторезист был снят в радиочастотной кислородной плазме, и исследовано влияние параметров процесса на скорость и качество травления фоторезистивного материала. Скорость снятия первоочередно зависит от температуры процесса, от мощности, выдаваемой генератором, от расхода газа, и от давления в камере. Плотность активных радикалов также значительным образом сказывается на скорости травления. Достигнута основная задача - постановка технологического процесса снятия фоторезиста при определенном температурном бюджете [1].

Литература

1. Sung Bae Kim, Hyungtak Seo, Yangdo Kim, Hyeongtag Jeon, Jongkook Song, Hyun Soh, Young Chai Kim, Journal of the Korean Physical Soc., Vol. 41, № 2, August 2002, P. 247-250.

Автоматическое извлечение терминов из сообщений Якупова М. М.

Якупова Марина Мансуровна / Yakupova Marina Mansurovna - магистрант, направление: фундаментальная информатика и информационные технологии, Институт информационных технологий Челябинский государственный университет, г. Челябинск

Аннотация: в статье описывается эксперимент по автоматическому извлечению однословных и двухсловных терминов и фактов из входящих сообщений (неструктурированного текста), основанный на формулировании правил или шаблонов. Проведены эксперименты на 543 текстах сообщений, относящихся к различным областям (учеба, работа, личные сообщения). Ключевые слова: извлечение терминов, обработка неструктурированных текстов, шаблонный метод извлечения фактов, синтаксические конструкции.