ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ ПЕРЕДАЧИ ДАННЫХ

1. Полупроводниковое оптоэлектронное устройство содержащее:
a) по меньшей мере одну область резонатора,
b) по меньшей мере один многослойный интерференционный отражатель,
c) по меньшей мере одну область модуляции, которая электрооптически настраивает длину волны края стоп-зоны многослойного интерференционного отражателя по отношению к резонансной длине волны первого резонатора,
d) по меньшей мере один светогенерирующий элемент, содержащий область усиления, который генерирует свет при приложении к области усиления прямого смещения, и
e) по меньшей мере три электрических контакта, которые независимо подают смещение к области модуляции и к светогенерирующему элементу,
при этом настройка происходит через варьирование оптического пропускания многослойного интерференционного отражателя.
2. Полупроводниковое оптоэлектронное устройство по п.1, в котором область модуляции настраивает длину волны края стоп-зоны многослойного интерференционного отражателя относительно по меньшей мере одной резонансной длины волны резонатора, используя квантово-ограниченный эффект Штарка путем приложения обратного смещения для настройки компоненты коэффициента преломления области модуляции резонансно относительно длины волны края стоп-зоны для многослойного интерференционного отражателя.
3. Полупроводниковое оптоэлектронное устройство по п.1, в котором область модуляции настраивает длину волны края стоп-зоны многослойного интерференционного отражателя относительно по меньшей мере одной резонансной длины волны резонатора с использованием эффекта выцветания экситона путем инжекции неравновесных носителей путем приложения прямого смещения.
4. Полупроводниковое оптоэлектронное устройство по п.1, в котором область модуляции настраивает длину волны края стоп-зоны многослойного интерференционного отражателя относительно по меньшей мере одной резонансной длины волны резонатора через инжекцию элекронно-дырочной плазмы посредством приложения прямого смещения.
5. Полупроводниковое оптоэлектронное устройство по п.1, в котором модуляция коэффициента преломления для области модуляции изменяет длину волны края стоп-зоны многослойного интерференционного отражателя по отношению к резонансной длине волны резонатора, так что выходная оптическая мощность подвергается модуляции.
6. Полупроводниковое оптоэлектронное устройство по п.1, в котором инверсия населенности осуществлена в области усиления, так что усиление превышает общие потери, позволяя лазерную генерацию.
7. Полупроводниковое оптоэлектронное устройство по п.6, в котором устройство выбирается из группы, состоящей из;
a) плоскостного лазера с вертикальным резонатором,
b) лазера с торцевым излучением,
c) лазера с торцевым излучением и распределенной обратной связью,
d) многосекционного лазера с торцевым излучением,
e) лазера с наклонным резонатором.
8. Полупроводниковое оптоэлектронное устройство по п.1, в котором устройство модулирует пропускание света через фильтр, состоящий из по меньшей мере одного резонатора и многослойного интерференционного отражателя, посредством модулирования длины волны края стоп-зоны указанного отражателя.
9. Полупроводниковое оптоэлектронное устройство по п.1, в котором по меньшей мере один элемент устройства образован материалами, выбранными из группы, состоящей из:
i) полупроводниковых материалов III-V групп,
ii) сплавов, основанных на полупроводниковых материалах групп III-V,
при этом полупроводниковые материалы III-V групп выбраны из группы бинарных соединений элемента А, выбранного из группы химических элементов Al, Ga, In, и элемента В, выбранного из группы химических элементов N, P, As, Sb.
10. Полупроводниковое оптоэлектронное устройство по п.1, в котором многослойный интерференционный отражатель также содержит:
i) по меньшей мере одну настраиваемую секцию, и
ii) по меньшей мере одну ненастраиваемую секцию на стороне по меньшей мере одной настраиваемой секции, противоположной к резонансной полости,
при этом настройка варьирует оптическое пропускание по меньшей мере одной настраиваемой секции многослойного интерференционного отражателя, так что варьируется длина волны лазерного света.
11. Способ управления интенсивностью лазерного излучения, излучаемого полупроводниковым оптоэлектронным устройством, содержащим резонансную полость и многослойный интерференционный отражатель, по меньшей мере одну область модуляции, по меньшей мере один светогенерирующий элемент, который генерирует свет при приложении прямого смещения, а также по меньшей мере три электрических контакта, при этом способ управления включает в себя следующие шаги:
а) калибровка, при этом калибровка состоит из шагов:
i) установка микроамперметра в ту же электрическую цепь, в которой смещение приложено к области модуляции, при этом микроамперметр выполнен с возможностью измерения фототока, генерируемого в модуляторе при приложении обратного смещения,
ii) независимое приложение смещения к области модуляции и к светогенерирующему элементу через электрические контакты,
iii) электрооптическая настройка длины волны края стоп-зоны многослойного интерференционного отражателя относительно резонансной длины волны резонатора,
iv) варьирование оптического пропускания устройства, так что выходная оптическая мощность варьируется,
v) измерение фототока в электрической цепи секции модулирования при обратном смещении, и измерение выходной оптической мощности устройства,
vi) получение калибровочных кривых излучение-фототок, и
b) управление устройством, состоящее также из этапов:
i) независимое приложение смещения к области модуляции и к светогенерирующему элементу через электрические контакты,
ii) электрооптическая настройка длины волны края стоп-зоны многослойного интерференционного отражателя относительно резонансной длины волны резонатора,
iii) варьирование оптического пропускания устройства, так что выходная оптическая мощность варьируется,
iv) измерение фототока в электрической цепи секции модулирования при обратном смещении,
v) подстройка тока возбуждения в цепи активного элемента для поддержания нужной выходной мощности устройства посредством калибровочных кривых излучение-фототок.
12. Полупроводниковый фотодетектор с резонансной полостью, содержащий:
a) по меньшей мере одну резонансную полость,
b) по меньшей мере один многослойный интерференционный отражатель,
c) по меньшей мере одну область модуляции, которая электрооптически настраивает длину волны края стоп-зоны многослойного интерференционного отражателя относительно резонансной длины волны первого резонатора,
d) по меньшей мере один светопоглощающий элемент, который поглощает свет и генерирует фототок при подаче на светопоглощающий элемент нулевого или обратного смещения, и
e) по меньшей мере три электрических контакта, через которые смещение независимо подается на область модуляции и светогенерирующий элемент,
при этом настройка варьирует резонансную длину волны устройства.