УСТАНОВКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОСТОЙКОГО ФОТОРЕЗИСТА

Предложение относится к процессам получения термостойких фоторезистов, предназначенных для образования защитных покрытий и для межслойной изоляции в электронных приборах и элементах.
В настоящее время известны установки для данного технического процесса, из которых наиболее представительными можно считать установку для получения термостойкого фоторезиста, содержащую аппарат для проведения полимеризации (исходных компонентов), рабочую реакционную камеру, контейнеры с исходными компонентами, дозаторы масс компонентов и бункер-накопитель получаемой композиционной системы (готового продукта), /SU 1828291, G03F 7/00, 1989; RU МП №67979, С01В 31/02, 23.08.2007./.
Существенными и очевидными недостатками известной установки является несовершенство и несоответствие принципиальной конструктивной технической схемы устройства, не отвечающего современным требованиям технологии получения термостойкого фоторезиста, что отражается на понижении качества получаемого продукта (термостойкого фоторезиста) и на уменьшении его полезных свойств и эффекта.
Технической задачей и положительным технологическим результатом предлагаемой установки является совершенствование конструкции установки, а также возможность получения, за счет более совершенной конструкции, продукта, обладающего свойством формировать высоко разрешенный микрорельеф на смешанных субстратах: металлоорганике, кремнийсодержащих, что позволяет создавать высококачественное покрытие в многоуровневых микроэлементах и их системах.
Это в предложении заявителя достигается за счет технического решения установки для получения термостойкого фоторезиста, содержащей в своей конструкции аппарат для проведения полимеризации, рабочую реакционную камеру, контейнеры с исходными компонентами, дозаторы масс компонентов и накопитель (бункер-накопитель) получаемой
композиционной системы, при этом установка снабжена дополнительной рабочей камерой, имеющей дополнительные контейнеры с компонентами для поликонденсации и полимеризации, эта дополнительная камера сообщена с рабочей реакционной камерой посредством дозатора массы компонентов, причем обе указанные камеры оснащены термозащитной рубашкой (каждая - отдельно), соединены с источником инертного газа и имеют на выходных патрубках прибор экспресс-анализа смеси компонентов и получаемого продукта.
В этой установке контейнеры с исходными компонентами заполнены отдельно компонентами, соответственно: дихлоридом изофталевой кислоты, дигидрокси-диаминодифенилметаном, амидным растворителем, о-аминофенолом, эпихлоргидрином, бис-нафтохинондиазидосульфоэфир-(гидроксифенил)пропаном, а дополнительные контейнеры заполнены: один - дигидрокси-диаминодифенилметаном, второй - бис-(3-аминопропил)диметилсилоксаном.
На чертеже приведен общий вид установки и компоновочная схема агрегатов и узлов ее конструкции. Установка содержит аппарат I для проведения полимеризации (реакционной системы), рабочую реакционную камеру 2, контейнеры: 3, 4, 5, 6 и 7, заполненные исходными компонентами (далее приводятся), контейнеры 8 и 9. Рабочие камеры и контейнеры оснащены дозаторами масс компонентов - 10 и 11.
Установка имеет контейнер-накопитель 12, прибор экспресс-анализа композиционной системы - 13, в качестве которого используют жидкостный хроматограф с электрохимическим детектором.
Установка снабжена дополнительной рабочей камерой 14, имеющей дополнительные контейнеры 15 и 16, заполненные исходными компонентами, эта дополнительная камера своим выходным патрубком 17 сообщена с рабочей камерой 2 и имеет на выходном патрубке аналогичный (прибору 13) прибор 18 экспресс анализа. Обе указанные камеры оснащены термозащитными рубашками 19 и 20, в полости которых подают теплоноситель (жидкость, газ, парогазовую фазу и т.п.). Обе рабочие камеры соединены с источником инертного газа (баллоном) 21 и 22 и оснащены емкостями 23 и 24, наполненными водой для возможности
визуального контроля нахождения инертного газа в рабочих камерах 2 и 14 (по выходу пузырьков газа из емкостей 23 и 24).
Работа установки осуществляется следующим образом. Производят наполнение контейнеров, соответственно: 3 - дихлоридом изофталевой кислоты, 4 - дигидрокси-диаминодифенилметаном, 5 - амидным растворителем, 6 - 0-аминофенолом, 7 - эпихлоргидрином; контейнер 9 наполняют (обе его части) бис-нафтохинондиазидосульфоэфир-(гидроксифенил)пропаном, контейнер 8 - дихлоридом изофталевой кислоты; контейнеры 15 и 16 (дополнительные) наполняют соответственно: один - дигидрокси-диаминодифенилметаном, второй - бис-(3-аминопропил) диметилсилоксаном. Емкости 23 и 24 наполняют водой (преимущественно - незначительно подкрашенной, - для более простого визуального наблюдения за выходом прозрачных пузырьков газа).
Рабочую камеру 2 заполняют исходными реагентами из указанных контейнеров согласно регламенту проведения полимеризации композиционной системы. В дополнительную рабочую камеру 14 подают компоненты из контейнеров 15 и 16 (как указано выше), смесь этих компонентов подают в камеру 2, выполняя экспресс-анализ смеси прибором 18 (используют хроматограф с электрохимическим детектором), В рабочей камере ведут процесс полимеризации смеси компонентов и поликонденсацию композиционной системы; над верхней границей массы в камере 2 и камере 14 выдерживают объем инертного газа для предупреждения окисления материала; температурный режим, по регламенту, поддерживают подачей теплоносителя (или хладагента) в полости термозащитных рубашек 19 и 20 камер 2 и 14.
Готовность получаемого материала (термостойкого фоторезиста) проверяют прибором 13, соединенным с выходным патрубком 11 камеры 2; в качестве прибора используют жидкостный хроматограф с электрохимическим и ультрафиолетовым детекторами.
Накопление готового материала ведут в контейнере (накопителе) 12 или направляют на непосредственное прямое использование в технологическом
процессе при образовании защитных покрытий и выполнении послойной изоляции в электронных приборах и системах.
Материал, полученный в данной установке для производства термостойкого фоторезиста, обладает следующими основными физико-химическими характеристиками:
15
- удельное сопротивление около 10 Ом · см;
6
- диэлектрическая проницаемость 3,5÷4,5 при 10 Гц;
-3
-2
- тангенс угла диэлектрических потерь 2·10÷2·10;
- пробивное напряжение при толщине пленки 1,5-2,0 мкм - не менее 420 В.
Таким образом, установка для получения термостойкого фоторезиста позволяет производить материал, обладающий высокими физико-химическими показателями и свойствами, что характеризует данную установку как высокоэффективную и прогрессивную в применении.