СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ АКТИВНОЙ N-ОБЛАСТИ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

3
2
2
2
2
Способ формирования активной n-области солнечных элементов, включающий процесс образования фосфоросиликатного стекла на поверхности полупроводниковой пластины из газовой фазы, отличающийся тем, что в качестве источника диффузанта используется жидкий источник оксихлорид фосфора (POCl) при следующем соотношении компонентов: азот N=280 л/ч, кислород O=300 л/ч, кислород O=15 л/ч, азот через питатель N=14 л/ч.