СПОСОБ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКИ ZNTE И МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПОДЛОЖКА ZNTE

1. Способ термической обработки монокристаллической подложки ZnTe, включающий:
первую стадию увеличения температуры монокристаллической подложки ZnTe до первой температуры термической обработки Т1 и поддержания температуры подложки в течение заданного времени; и
вторую стадию постепенного снижения температуры подложки от первой температуры термической обработки Т1 до второй температуры термической обработки Т2 более низкой, чем температура термической обработки T1 c заданной скоростью,
в котором первую температуру термической обработки Т1 устанавливают в диапазоне 750°С≤T1≤1250°С, и вторую температуру термической обработки Т2 устанавливают в диапазоне Т2≤T1-50, и
в котором: первую и вторую стадии выполняют в атмосфере Zn, по меньшей мере, 1 кПа или более, не менее чем 20 циклов или не менее 108 ч.
2. Способ термической обработки монокристаллической подложки ZnTe по п.1, в котором:
монокристаллическая подложка ZnTe имеет толщину 1 мм или более.
3. Способ термической обработки монокристаллической подложки ZnTe по пп.1-2, в котором:
когда первую и вторую стадии выполняют в виде цикла, то циклы первой и второй стадий повторяют заданное количество раз.
-3
4. Монокристаллическая подложка ZnTe для элемента модуляции света, в которой подложка обладает толщиной 1 мм или более, и отложения, включенные в кристалл, имеют размеры 2 µм или менее и удельный вес ниже 200 см, и монокристаллическая подложка ZnTe обладает светопропусканием 50% или более для луча света с длиной волны 700-1500 нм.
5. Монокристаллическая подложка ZnTe для элемента модуляции света, в которой:
-3
подложка обладает толщиной 1 мм или более, и отложения, включенные в кристалл, имеют размеры 2 µм или менее и удельный вес ниже 200 см, и монокристаллическая подложка ZnTe обладает светопропусканием 60% или более для луча света с длиной волны 900-1500 нм.