ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАТОР ПОПЕРЕЧНОЙ МАГНИТНОЙ ВОЛНЫ, ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ФИЛЬТР ПОПЕРЕЧНОЙ МАГНИТНОЙ ВОЛНЫ И БАЗОВАЯ СТАНЦИЯ

1. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны, содержащий:
объемный резонатор (201) с отверстием на одном конце объемного резонатора и диэлектрическую резонансную колонну (202), установленную в объемном резонаторе (201), причем нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны (202) контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора (201), и внутренняя поверхность объемного резонатора (201) покрыта проводящим материалом, при этом диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны дополнительно содержит:
тонкую пластину-накладку (203), покрывающую отверстие, и толстую пластину-накладку (204), покрывающую тонкую пластину-накладку (203), причем поверхности тонкой пластины-накладки и (203) и толстой пластины-накладки (204) покрыты проводящим материалом; и
паз, расположенный на поверхности толстой пластины-накладки, при этом толстая пластина-накладка (204) контактирует с тонкой пластиной-накладкой (203), причем паз заполнен заполнителем (205), и заполнитель (205) сконфигурирован с возможностью формирования упругой деформации тонкой пластины-накладки (203), когда толстая пластина-накладка (204) покрывает тонкую пластину-накладку (203).
2. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по п.1, в котором продольное сечение участка тонкой пластины-накладки, при этом тонкая пластина-накладка (203) контактирует с диэлектрической резонансной колонной (202), является прямоугольником, дугой окружности или перевернутой трапецией.
3. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по п.1, в котором, по меньшей мере, одна из верхней торцевой поверхности и нижней торцевой поверхности диэлектрической резонансной колонны (202) покрыта проводящим материалом.
4. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по п.1, в котором заполнитель (205) является пластмассовой или металлической пружиной.
5. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по п.1, в котором:
толщина заполнителя (205) зависит от высоты паза на толстой пластине-накладке (204) и соотношения высоты между верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны (202) и объемным резонатором (201).
6. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по п.5, в котором:
высота диэлектрической резонансной колонны (202) является большей, меньшей или равной высоте от внутренней нижней поверхности объемного резонатора (201) до отверстия на одном конце объемного резонатора.
7. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по п.1, в котором:
положение, где внутренняя нижняя поверхность объемного резонатора (201) контактирует с нижней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны (202), задается установочной колонной (206) или установочным пазом, расположенным на внутренней нижней поверхности объемного резонатора (201).
8. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны, содержащий:
объемный резонатор (201) с отверстием на одном конце объемного резонатора и диэлектрическую резонансную колонну (202), установленную в объемном резонаторе (201), причем нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны (202) контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора (201), внутренняя поверхность объемного резонатора (201) покрыта электропроводящим материалом, и высота диэлектрической резонансной колонны (202) больше высоты от внутренней нижней поверхности объемного резонатора (201) до отверстия на одном конце объемного резонатора; при этом диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны дополнительно содержит:
тонкую пластину-накладку (203), покрывающую отверстие, и толстую пластину-накладку (204), покрывающую тонкую пластину-накладку (203), причем поверхности тонкой пластины-накладки (203) и толстой пластины-накладки (204) покрыты проводящим материалом.
9. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по п.8, в котором продольное сечение участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка (203) контактирует с диэлектрической резонансной колонной (202), является прямоугольником, дугой окружности или перевернутой трапецией.
10. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по 8, в котором, по меньшей мере, одна поверхность из верхней торцевой поверхности и нижней торцевой поверхности диэлектрической резонансной колонны (202) покрыта проводящим материалом.
11. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны, содержащий:
объемный резонатор (201) с отверстием на одном конце объемного резонатора и диэлектрическую резонансную колонну (202), установленную в объемном резонаторе (201), причем нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны (202) контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора (201), внутренняя поверхность объемного резонатора (201) покрыта электропроводящим материалом, и высота диэлектрической резонансной колонны (202) больше высоты от внутренней нижней поверхности до отверстия на одном конце; при этом диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны дополнительно содержит:
толстую пластину-накладку (204), покрывающую отверстие, причем нижняя поверхность толстой пластины-накладки (204) контактирует с верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны (202), паз (207) расположен, по меньшей мере, на одной поверхности из нижней поверхности и верхней поверхности толстой пластины-накладки (204), и поверхность толстой пластины-накладки (204) покрыта проводящим материалом.
12. Диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны по п.11, причем горизонтальным поперечным сечением паза (207) является круговое кольцо.
13. Базовая станция, содержащая диэлектрический фильтр поперечной магнитной волны, который включает в себя диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны, причем диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны содержит:
объемный резонатор (201) с отверстием на одном конце объемного резонатора, и диэлектрическую резонансную колонну (202), установленную в объемном резонаторе (201), причем нижняя торцевая поверхность диэлектрической резонансной колонны (202) контактирует с внутренней нижней поверхностью объемного резонатора (201), и внутренняя поверхность объемного резонатора (201) покрыта проводящим материалом, при этом диэлектрический резонатор поперечной магнитной волны дополнительно содержит:
тонкую пластину-накладку (203), покрывающую отверстие, и толстую пластину-накладку (204), покрывающую тонкую пластину-накладку (203), причем поверхности тонкой пластины-накладки (203) и толстой пластины-накладки (204) покрыты проводящим материалом; и
паз, расположенный на поверхности толстой пластины-накладки, где толстая пластина-накладка (204) контактирует с тонкой пластиной-накладкой (203), причем паз заполнен заполнителем (205), и заполнитель (205) сконфигурирован с возможностью формирования упругой деформации тонкой пластины-накладки (203), когда толстая пластина-накладка (204) покрывает тонкую пластину-накладку (203).
14. Базовая станция по п.13, в которой продольное сечение участка тонкой пластины-накладки, где тонкая пластина-накладка (203) контактирует с диэлектрической резонансной колонной (202), является прямоугольником, дугой окружности или перевернутой трапецией.
15. Базовая станция по п.13, в которой, по меньшей мере, одна поверхность из верхней торцевой поверхности и нижней торцевой поверхности диэлектрической резонансной колонны (202) покрыта проводящим материалом.
16. Базовая станция по п.13, в которой заполнитель (205) является пластмассовой или металлическая пружиной.
17. Базовая станция по п.13, в которой:
толщина заполнителя (205) зависит от высоты паза на толстой пластине-накладке (204) и соотношения высоты между верхней торцевой поверхностью диэлектрической резонансной колонны (202) и объемным резонатором (201).
18. Базовая станция по п.17, в которой:
высота диэлектрической резонансной колонны (202) является большей, меньшей или равной высоте от внутренней нижней поверхности объемного резонатора (201) до отверстия на одном конце объемного резонатора.