РОСТ НАНОСТРУКТУРЫ НА ПОДЛОЖКЕ И УСТРОЙСТВА С ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИЕЙ НА ИХ ОСНОВЕ

1. Наноструктурная сборка, содержащая:
проводящую подложку;
наноструктуру, опирающуюся на проводящую подложку;
слой катализатора, примыкающий к наноструктуре и являющийся опорой для нее или опирающийся на нее; и
множество промежуточных слоев между проводящей подложкой и тем из наноструктуры и слоя катализатора, кто ближе к проводящей подложке, причем это множество промежуточных слоев не представляют собой того же самого материала, что и катализатор, и при этом множество промежуточных слоев включают в себя по меньшей мере один слой, который влияет на морфологию наноструктуры, и по меньшей мере один слой, чтобы влиять на электрическое свойство интерфейса между проводящей подложкой и наноструктурой.
2. Наноструктурная сборка по п.1, в которой проводящая подложка содержит металл.
3. Наноструктурная сборка по п.2, в которой металл выбран из группы, состоящей из вольфрама, молибдена, ниобия, платины и палладия.
4. Наноструктурная сборка по п.1, в которой множество промежуточных слоев содержит слой металла и слой полупроводникового материала.
5. Наноструктурная сборка по п.4, в которой слой полупроводникового материала представляет собой аморфный кремний.
6. Наноструктурная сборка по п.1, в которой наноструктура представляет собой углеродную нанотрубку.
7. Наноструктурная сборка по п.1, в которой наноструктура представляет собой углеродное нановолокно.
8. Наноструктурная сборка по п.7, в которой наноструктура имеет конусный угол менее 2°.
9. Наноструктурная сборка по п.1, в которой наноструктура выполнена из соединения, выбранного из группы, состоящей из: InP, GaAs и AlGaAs.
10. Наноструктурная сборка по п.1, в которой множество промежуточных слоев образуют омический контакт.
11. Наноструктурная сборка по п.1, в которой множество промежуточных слоев образуют барьер Шотки.
12. Массив наноструктурных сборок по п.1, в котором проводящая подложка находится непосредственно на пластине из кремния или окисленного кремния.
13. Наноструктурная сборка по п.1, в которой множество промежуточных слоев составляет между 1 нм и 1 мкм в толщину.
14. Наноструктурная сборка по п.1, в которой катализатор в слое катализатора выбран из группы, состоящей из: Ni, Fe, Mo, NiCr и Pd.
15. Предшественник для наноструктурной сборки, содержащий:
проводящую подложку;
слой катализатора; и
множество промежуточных слоев между проводящей подложкой и слоем катализатора, причем это множество промежуточных слоев включает в себя по меньшей мере один слой, чтобы влиять на морфологию наноструктуры, подлежащей формированию на слое катализатора, и по меньшей мере один слой, чтобы влиять на электрические свойства интерфейса между проводящей подложкой и наноструктурой.
16. Наноструктурная сборка по п.1, содержащая:
по существу, прямую, в целом цилиндрическую углеродную наноструктуру, имеющую конусный угол менее 2°.
17. Массив углеродных наноструктур, опирающихся на подложку, причем каждая углеродная наноструктура в этом массиве содержит наноструктурную сборку по п.1, и
при этом упомянутая каждая углеродная наноструктура отделена от любой другой углеродной наноструктуры в этом массиве расстоянием между 70 нм и 200 нм.
18. Массив по п.17, в которой наноструктуры отделены друг от друга расстоянием между 70 нм и 120 нм.
19. Способ формирования наноструктуры, содержащий:
осаждение слоя полупроводникового материала на проводящей подложке;
осаждение слоя металла на слое полупроводникового материала;
осаждение слоя катализатора на слое металла;
без отжига подложки вначале, вызывание нагрева подложки до температуры, при которой может образовываться наноструктура; и
выращивание наноструктуры на слое катализатора при этой температуре.
20. Способ формирования предшественника наноструктуры, содержащий:
осаждение временного слоя на проводящей подложке;
формирование множества отверстий во временном слое;
осаждение множества промежуточных слоев, содержащего по меньшей мере один полупроводниковый слой и по меньшей мере один слой металла, поверх временного слоя и на подложке в отверстиях;
осаждение слоя катализатора поверх множества промежуточных слоев; и
взрывную литографию временного слоя, чтобы оставить на подложке части промежуточных слоев и слоя катализатора, соответствующие отверстиям.
21. Электронно-лучевое устройство формирования рисунка, содержащее:
опору;
изолирующий слой на этой опоре;
третий слой материала на изолирующем слое, расположенный с образованием полости;
металлический электрод на изолирующем слое, в полости;
наноструктуру, построенную на металлическом электроде; и
электродный слой, осажденный на третьем слое материала.
22. Электронно-лучевое устройство формирования рисунка, содержащее:
наноструктуру, имеющую основание и кончик, причем основание прикреплено к первому электроду;
множество вторых электродов, расположенных вокруг наноструктуры; и
электрическую схему, которая соединяет первый электрод со множеством вторых электродов и выполнена с возможностью:
вызывать возникновение разности потенциалов между первым электродом и множеством вторых электродов;
вызывать испускание электронов из кончика; и
вызывать перемещение кончика в пространстве к одному из множества вторых электродов.
23. Электронно-лучевое устройство формирования рисунка по п.22, в котором множество вторых электродов расположены симметрично вокруг наноструктуры.
24. Электронно-лучевое устройство формирования рисунка по п.22, в котором основание наноструктуры содержит множество слоев, причем по меньшей мере один из этого множества слоев представляет собой слой полупроводникового материала, а другой из этого множества слоев представляет собой слой катализатора.
25. Устройство с автоэлектронной эмиссией, содержащее:
множество пикселей, причем каждый пиксель содержит:
проводящую подложку;
множество наноструктур, осажденных опирающимися на проводящую подложку;
слой катализатора, примыкающий к наноструктурам и являющийся опорой для них или опирающийся на них;
при этом множество промежуточных слоев между тем из наноструктур и слоя катализатора, кто ближе к проводящей подложке, и проводящей подложкой включает в себя по меньшей мере один слой полупроводникового материала;
и при этом проводящая подложка образует электрод, который находится в электрической связи с источником напряжения и вторым электродом;
и при этом второй электрод имеет покрытие из люминофора; и
при этом при приложении напряжения между проводящей подложкой и вторым электродом наноструктуры испускают электроны к покрытию из люминофора.
26. Наноструктурная сборка по п.1, в которой слой катализатора является несущим наноструктуру и дополнительно содержащим второй слой катализатора, опирающийся на наноструктуру.