СПОСОБ БЕСКОНТАКТНОГО ИЗМЕРЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ

Способ бесконтактного измерения плотности электронных состояний в двумерных кристаллических пленках, заключающийся в определении плотности электронных состояний в материале по экспериментально измеренному профилю распределения зарядовой плотности стационарной волны, сформированной по краю ленты Мебиуса в квантующем магнитном поле, при этом стационарная волна зарядовой плотности формируется по краю ленты, когда длина свободного пробега электронов не превышает ширину ленты Мебиуса, при этом профиль стационарной волны зарядовой плотности определяется взаимоотношением между зависимостью химического потенциала носителей заряда от магнитного поля и их экранированного Кулоновского отталкивания.