РАСТВОР ДЛЯ ОБРАЗОВАНИЯ ИЗОЛЯЦИОННОГО ПОКРЫТИЯ И ЛИСТ ТЕКСТУРИРОВАННОЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЙ СТАЛИ

1. Раствор для образования изоляционного покрытия листа текстурированной электротехнической стали, содержащий водный раствор, полученный смешиванием фосфатного раствора и коллоидного диоксида кремния, причем частицы коллоидного диоксида кремния поверхностно модифицированы алюминатом, или раствор коллоидного диоксида кремния содержит алюминат, и водный раствор не содержит хрома.
2. Раствор для образования изоляционного покрытия листа текстурированной электротехнической стали по п. 1, в котором фосфатный раствор содержит одно или несколько соединений, выбранных из фосфата алюминия, фосфата магния, фосфата никеля и фосфата марганца.
3. Раствор для образования изоляционного покрытия листа текстурированной электротехнической стали по п. 1 или 2,
в котором количество фосфатного раствора составляет 25-75% масс., и количество коллоидного диоксида кремния составляет 75-25% масс., от общей массы твердых частиц в расчете на безводную форму фосфатного раствора и коллоидного диоксида кремния.
4. Лист текстурированной электротехнической стали, содержащий изоляционное покрытие, которое образовано при использовании раствора для образования изоляционного покрытия листа текстурированной электротехнической стали по любому из пп. 1-3.
5. Лист текстурированной электротехнической стали по п. 4, в котором доля площади пустот в поперечном сечении изоляционного покрытия составляет менее 10%.
31
31
31
3
4
6. Лист текстурированной электротехнической стали по п. 4, в котором изоляционное покрытие включает такую химическую структуру фосфора, что Р спектр ядерного магнитного резонанса изоляционного покрытия демонстрирует химический сдвиг Р около -35 ч/млн, если химический сдвиг Р определяется относительно 85% масс. раствора НРО.
31
31
7. Лист текстурированной электротехнической стали по п. 6, в котором площадь пика химического сдвига Р около -35 ч/млн составляет более 30% от общей площади пика, если площадь пика химического сдвига Р около -35 ч/млн, и общую площадь пика рассчитывают с помощью гауссовой аппроксимации, в которой положение пика определяется в диапазоне от 0 до -60 ч/млн.