ПОДЛОЖКА ИЗ НИТРИДА ГАЛЛИЯ И СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ СЛОЯ НИТРИДА ГАЛЛИЯ

6
1. Способ образования слоя нитрида галлия, имеющего удельное сопротивление 1·10 Ом·см или более, включающий стадии:
образования слоя нитрида галлия, содержащего железо, на подложке; и
нагревание указанного слоя нитрида галлия, образованного на указанной подложке.
2. Способ образования слоя нитрида галлия по п.1, в котором указанный слой нитрида галлия нагревается при температуре 800°С или выше в течение пяти минут или более.
3. Способ образования слоя нитрида галлия по п.1 или 2, в котором указанный слой нитрида галлия нагревается при скорости снижения температуры 50°С/мин или менее.
4. Способ образования слоя нитрида галлия по любому из пп.1 и 2, в котором поверхность указанного слоя нитрида галлия расположена под наклоном 0,03° или более от плоскости (0001) указанного слоя нитрида галлия.
5. Способ образования слоя нитрида галлия по любому из пп.1 и 2, в котором указанный слой нитрида галлия содержит углерод.
6. Способ образования слоя нитрида галлия по п.5, в котором концентрация углерода в указанном слое нитрида галлия составляет от 1/20 до 1/5 концентрации железа в указанном слое нитрида галлия.
7
-2
7. Способ образования слоя нитрида галлия по любому одному из пп.1, 2 или 6, в котором плотность дислокации указанного слоя нитрида галлия равна 1·10 см или менее.
6
8. Способ образования слоя нитрида галлия, включающий стадию образования слоя нитрида галлия, имеющего удельное сопротивление 1·10 Ом·см или более и содержащего железо, на подложке, причем поверхность указанного слоя нитрида галлия расположена под наклоном 0,03° или более от плоскости (0001) указанного слоя нитрида галлия.
9. Способ образования слоя нитрида галлия по п.8, в котором указанный слой нитрида галлия содержит углерод.
10. Способ образования слоя нитрида галлия по п.9, в котором концентрация углерода в указанном слое нитрида галлия составляет от 1/20 до 1/5 от концентрации железа в указанном слое нитрида галлия.
7
-2
11. Способ образования слоя нитрида галлия по любому из пп.8-10, в котором плотность дислокации указанного слоя нитрида галлия равна 1·10 см или менее.
6
12. Способ образования слоя нитрида галлия, включающий стадию образования слоя нитрида галлия, имеющего удельное сопротивление 1·10 Ом·см или более и содержащего железо и углерод, на подложке.
13. Способ образования слоя нитрида галлия по п.12, в котором концентрация углерода в указанном слое нитрида галлия составляет от 1/20 до 1/5 от концентрации железа в указанном слое нитрида галлия.
7
-2
14. Способ образования слоя нитрида галлия по п.12 или 13, в котором плотность дислокации указанного слоя нитрида галлия равна 1·10 см или менее.
6
7
-2
15. Способ образования слоя нитрида галлия, включающий стадию образования слоя нитрида галлия, имеющего удельное сопротивление 1·10 Ом·см или более и плотность дислокации 1·10см или менее и содержащего железо, на подложке.
6
16. Подложка из нитрида галлия, имеющая удельное сопротивление 1·10 Ом·см или более и содержащая железо, включающая поверхность, которая расположена под наклоном 0,03° или более от плоскости (0001) указанной подложки из нитрида галлия.
17. Подложка из нитрида галлия по п.16, содержащая углерод.
18. Подложка из нитрида галлия по п.17, в которой концентрация углерода в указанной подложке из нитрида галлия составляет от 1/20 до 1/5 от концентрации железа в указанной подложке из нитрида галлия.
7
-2
19. Подложка из нитрида галлия по любому из пп.16-18, в которой плотность дислокации указанной подложки из нитрида галлия равна 1·10 см или менее.
6
20. Подложка из нитрида галлия, имеющая удельное сопротивление 1·10 Ом·см или более и содержащая железо и углерод.
21. Подложка из нитрида галлия по п.20, в которой концентрация углерода в указанной подложке из нитрида галлия составляет от 1/20 до 1/5 от концентрации железа в указанной подложке из нитрида галлия.
7
-2
22. Подложка из нитрида галлия по п.20 или 21, в которой плотность дислокации указанной подложки из нитрида галлия равна 1·10 см или менее.
6
7
-2
23. Подложка из нитрида галлия, имеющая удельное сопротивление 1·10 Ом·см или более и содержащая железо, причем плотность дислокации указанной подложки из нитрида галлия равна 1·10 см или менее.