СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РЕЛЬЕФА ИЗ ЭЛЕКТРОННОГО ИЛИ ФОТОННОГО МАТЕРИАЛА

1. Способ формирования рельефа из электронного или фотонного материала на подложке, включающий:
формирование пленки из упомянутого электронного или фотонного материала на упомянутой подложке и
использование адгезива для избирательного удаления областей упомянутого электронного или фотонного материала из упомянутой пленки
с оставлением, тем самым, на упомянутой подложке упомянутого структурированного электронного или фотонного материала.
2. Способ по п.1, где поверхность подложки обрабатывают так, чтобы обеспечить упомянутую поверхность рисунком, определяющим, где должен присутствовать упомянутый электронный или фотонный материал, до формирования пленки из электронного или фотонного материала.
3. Способ по п.2, где упомянутая пленка электронного или фотонного материала заполняет упомянутый рисунок, перекрывает края упомянутого рисунка и имеет области, простирающиеся за упомянутые края упомянутого рисунка.
4. Способ по п.1, где упомянутая пленка электронного или фотонного материала является непрерывной.
5. Способ по п.2, где упомянутый рисунок содержит области более высокой и более низкой поверхностной энергии или после упомянутого осаждения упомянутого электронного или фотонного материала более высокой и более низкой межфазной прочности.
6. Способ по п.2, где обработка упомянутой поверхности упомянутой подложки включает осаждение слоя модификации поверхностной энергии и структурирование упомянутого слоя модификации поверхностной энергии.
7. Способ по п.2, дополнительно включающий этап осаждения удаляемого слоя на упомянутом электронном или фотонном материале.
8. Способ по п.7, где упомянутый адгезив приводят в контакт с упомянутым удаляемым слоем.
9. Способ по п.1, включающий:
обеспечение структурированной подложки, имеющей области с более высокой и более низкой поверхностной энергией, и имеющей нанесенные на нее (i) непрерывную пленку из электронного или фотонного материала и (ii) удаляемый слой;
приведение адгезива в контакт с упомянутым удаляемым слоем и
отрывание упомянутого адгезива с избирательным удалением областей упомянутого электронного или фотонного материала из упомянутой пленки.
10. Способ по п.1, включающий:
обработку поверхности упомянутой подложки, задающую области, имеющие более высокую и более низкую поверхностную энергию;
формирование пленки из упомянутого электронного или фотонного материала на упомянутой подложке;
осаждение удаляемого слоя на упомянутую пленку;
приведение адгезива в контакт с упомянутым удаляемым слоем и
отрывание упомянутого адгезива с избирательным удалением областей упомянутого электронного или фотонного материала из упомянутой пленки.
11. Способ по п.2, где упомянутый рисунок представляет собой топографический профиль, содержащий выступы и выемки.
12. Способ по п.2 или 11, где обработка упомянутой поверхности упомянутой подложки включает осаждение удаляемого слоя на упомянутой подложке и обработку упомянутого слоя, задающую топографический профиль.
13. Способ по п.12, где упомянутую пленку электронного или фотонного материала формируют на упомянутом удаляемом слое.
14. Способ по п.11, где упомянутый адгезив приводят в контакт с данными выступами.
15. Способ по п.11, включающий:
обеспечение подложки, имеющей осажденный на ней (i) удаляемый слой в форме топографического профиля, содержащего выступы и выемки, и (ii) пленку электронного или фотонного материала;
приведение адгезива в контакт с упомянутыми выступами и
отрывание упомянутого адгезива с избирательным удалением областей электронного или фотонного материала из упомянутой пленки.
16. Способ по п.15, включающий:
осаждение на поверхности подложки удаляемого слоя и обработку упомянутого слоя, задающую топографический профиль;
формирование пленки из упомянутого электронного или фотонного материала на упомянутом профиле;
приведение адгезива в контакт с упомянутыми выступами и
отрывание упомянутого адгезива, с избирательным удалением областей упомянутого электронного или фотонного материала из упомянутой пленки.
17. Способ по п.12, где слой модификации поверхностной энергии осаждают на упомянутой подложке до упомянутого удаляемого слоя.
18. Способ по п.1, где упомянутый электронный или фотонный материал представляет собой проводящий полимер, полимерный диэлектрик или состоящий из наночастиц материал.
19. Способ по п.1, где упомянутый электронный или фотонный материал представляет собой органический полупроводник.
20. Способ по п.19, где упомянутый электронный или фотонный материал представляет собой связанный не полимерный полупроводник.
21. Способ по п.19, где упомянутый электронный или фотонный материал представляет собой связанный полимерный полупроводник.
22. Способ по п.1, где упомянутый адгезив находится на носителе.
23. Способ по п.1, где упомянутую пленку электронного или фотонного материала формируют путем осаждения из раствора.
24. Применение адгезива при изготовлении структурированного электронного или фотонного материала на подложке, где упомянутый адгезив используют, чтобы избирательно удалять области упомянутого электронного или фотонного материала из его пленки, с оставлением, тем самым, на упомянутой подложке упомянутого структурированного электронного или фотонного материала.
25. Структурированный электронный или фотонный материал на подложке, получаемый с помощью способа по п.1.
26. Электронное или фотонное устройство, содержащее структурированный электронный или фотонный материал на подложке по п.25.
27. Устройство по п.26, где данное устройство представляет собой транзистор, содержащий упомянутый структурированный электронный или фотонный материал в качестве активного полупроводникового слоя.
28. Электронное или фотонное устройство, содержащее:
подложку и
по меньшей мере один структурированный слой электронного или фотонного материала;
где упомянутая подложка имеет рисунок модификации поверхностной энергии, согласующийся с рисунком, по меньшей мере, одного структурированного слоя упомянутого электронного или фотонного материала, и упомянутый слой электронного или фотонного материала образован путем осаждения из раствора.
29. Электронное или фотонное устройство по п.28, где упомянутый рисунок модификации поверхностной энергии содержит рисунок в или на одном или нескольких слоях материала модификации поверхностной энергии.
30. Электронное или фотонное устройство, содержащее:
подложку и
по меньшей мере один структурированный слой электронного или фотонного материала;
где толщина упомянутого слоя электронного или фотонного материала на расстоянии 2 мкм от края рисунка находится в пределах 10% от средней толщины данного слоя электронного или фотонного материала.
31. Способ изготовления электронного или фотонного устройства на подложке, включающий:
изготовление структурированного электронного или фотонного материала на подложке согласно п.1 и
использование упомянутой подложки, несущей упомянутый рисунок, в изготовлении устройства.
32. Способ изготовления электронного или фотонного устройства на подложке с использованием осаждения из раствора или вакуумного осаждения электронного или фотонного материала, включающий:
обеспечение упомянутой подложки;
обработку поверхности упомянутой подложки, обеспечивающую упомянутую подложку рисунком, определяющим, где упомянутый электронный или фотонный материал должен присутствовать на упомянутом изготовленном устройстве;
осаждение упомянутого электронного или фотонного материала из раствора или вакуума поверх упомянутого рисунка на упомянутой подложке, так чтобы осажденный материал перекрывал края упомянутого рисунка и имел области, распространяющиеся за упомянутые края упомянутого рисунка;
нанесение носителя, несущего адгезив, поверх упомянутого осажденного электронного или фотонного материала на упомянутой подложке;
удаление упомянутого носителя, несущего адгезив, вместе с упомянутыми областями упомянутого осажденного материала, распространяющимися за упомянутые края упомянутого рисунка, с оставлением упомянутого осажденного материала на своем месте в упомянутом рисунке и
использование упомянутой подложки, несущей упомянутую структуру осажденного материала, для изготовления упомянутого электронного или фотонного устройства.
33. Способ по п.32, где упомянутое электронное или фотонное устройство содержит электронное устройство, где упомянутый электронный или фотонный материал содержит полупроводящий материал, и где упомянутая подложка включает в себя один или несколько электродов, оптимально обеспеченных материалом, согласующим энергетические уровни, для согласования энергетического уровня упомянутого электрода с энергетическим уровнем упомянутого полупроводящего материала.