НАСТРАИВАЕМЫЙ ПОСРЕДСТВОМ ПОЛЕВОГО ЭФФЕКТА ПОГЛОТИТЕЛЬ С БЛИЗКОЙ К НУЛЮ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТЬЮ

1. Электронное устройство, содержащее:
по меньшей мере один слой проводящего материала, имеющий толщину относительно толщины области пространственного заряда для проводящего материала, который выполнен с возможностью обеспечения режима с близкой к нулю диэлектрической проницаемостью (ENZ-режима) для диэлектрической проницаемости идеального поглощения на данной длине волны от падающего света с одного направления, и выполненный с возможностью настраиваться для изменения диэлектрической проницаемости прикладываемым электрическим смещением,
при этом по меньшей мере один слой проводящего материала, имеющий толщину относительно толщины области пространственного заряда, имеет соотношение 8:1 или меньше.
2. Устройство по п. 1, в котором проводящий материал содержит по меньшей мере один частично прозрачный полупроводниковый материал, легированный металлом или полуметаллом, для образования концентрации носителей заряда в материале для режима с близкой к нулю диэлектрической проницаемостью (ENZ-режима) для диэлектрической проницаемости.
3. Устройство по п. 1, в котором полупроводниковый материал содержит по меньшей мере один слой из по меньшей мере одного из материала прозрачного проводящего оксида («TCO») или материала нитрида переходных металлов.
4. Устройство по п. 1, причем упомянутое устройство содержит по меньшей мере два слоя с разными концентрациями носителей заряда.
5. Устройство по п. 1, причем упомянутое устройство содержит по меньшей мере два слоя с разными ENZ–режимами.
6. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее слой оксида, соединенный с упомянутым по меньшей мере одним слоем, и слой металла, соединенный со слоем оксида, дистальный относительно упомянутого по меньшей мере одного слоя, для образования конфигурации металл–оксид–полупроводник (МОП-конфигурации).
7. Устройство по п. 6, в котором МОП–конфигурация является настраиваемой для поглощения частот света посредством приложения электрического смещения к МОП–конфигурации.
8. Устройство по п. 1, причем упомянутое устройство дополнительно содержит металлический отражатель, соединенный с упомянутым по меньшей мере одним слоем.
9. Устройство по п. 1, причем упомянутое устройство дополнительно содержит материал с высоким показателем преломления, выполненный с возможностью принимать свет перед упомянутым по меньшей мере одним слоем.
10. Устройство по п. 1, в котором по меньшей мере один из множества проводящих слоев, имеющий толщину относительно толщины области пространственного заряда, имеет соотношение 5:1 или меньше.
11. Электронное устройство, содержащее:
пакет из множества проводящих слоев, имеющих режим с близкой к нулю диэлектрической проницаемостью (ENZ-режим) для диэлектрической проницаемости на данной длине волны, причем по меньшей мере два слоя из этих слоев имеют разные ENZ–режимы и выполнены с возможностью поглощать свет на разных частотах, по меньшей мере один из множества проводящих слоев имеет толщину относительно толщины области пространственного заряда для проводящего материала, который выполнен с возможностью обеспечения режима с близкой к нулю диэлектрической проницаемостью (ENZ-режима) для диэлектрической проницаемости идеального поглощения на данной длине волны света с одного направления, и выполнен с возможностью настраиваться для изменения диэлектрической проницаемости прикладываемым электрическим смещением,
при этом по меньшей мере один из множества проводящих слоев, имеющий толщину относительно толщины области пространственного заряда, имеет соотношение 8:1 или меньше.
12. Устройство по п. 11, в котором по меньшей мере один из множества слоев содержит полупроводниковый материал, легированный по меньшей мере одним металлом или полуметаллом, для образования концентрации носителей заряда.
13. Устройство по п. 11, причем упомянутое устройство является настраиваемым на разные диэлектрические проницаемости посредством приложения к упомянутому устройству электрического смещения.
14. Устройство по п. 11, причем упомянутое устройство дополнительно содержит металлический отражатель, соединенный с упомянутым по меньшей мере одним слоем.
15. Устройство по п. 11, причем упомянутое устройство дополнительно содержит материал с высоким показателем преломления, выполненный с возможностью принимать свет перед упомянутым по меньшей мере одним слоем.
16. Устройство по п. 11, дополнительно содержащее слой оксида, соединенный с упомянутым по меньшей мере одним слоем, и слой металла, соединенный со слоем оксида, дистальный относительно упомянутого по меньшей мере одного слоя, для образования конфигурации металл–оксид–полупроводник (МОП–конфигурации).
17. Устройство по п. 16, в котором МОП–конфигурация является настраиваемой для поглощения разных частот света посредством приложения электрического смещения к МОП–конфигурации.
18. Устройство по п. 11, в котором по меньшей мере один из множества проводящих слоев, имеющий толщину относительно толщины области пространственного заряда, имеет соотношение 5:1 или меньше.
19. Способ использования электронного устройства, имеющего по меньшей мере один слой проводящего материала, имеющий толщину относительно толщины области пространственного заряда для проводящего материала, который выполнен с возможностью обеспечения режима с близкой к нулю диэлектрической проницаемостью (ENZ-режима) для диэлектрической проницаемости идеального поглощения на данной длине волны,
при этом по меньшей мере один слой проводящего материала, имеющий толщину относительно толщины области пространственного заряда, имеет соотношение 8:1 или меньше,
причем упомянутый способ содержит этапы, на которых:
прикладывают электрическое смещение к упомянутому устройству; и
настраивают упомянутое устройство для поглощения различных частот света.
20. Способ по п. 19, в котором по меньшей мере один слой содержит полупроводниковый материал, легированный металлом или полуметаллом, для образования концентрации носителей заряда в материале для режима с близкой к нулю диэлектрической проницаемостью (ENZ-режима) для диэлектрической проницаемости идеального поглощения на данной длине волны.
21. Способ по п. 19, в котором упомянутое устройство содержит по меньшей мере два слоя с разными ENZ–режимами, причем упомянутый способ дополнительно содержит этап, на котором поглощают разные частоты падающего света, проходящего через упомянутые по меньшей мере два слоя.