АДАПТАЦИЯ ШИРИН ИМПУЛЬСОВ СЛОВАРНОЙ ШИНЫ В ЗАПОМИНАЮЩИХ СИСТЕМАХ

1. Устройство, содержащее запоминающую систему, причем запоминающая система содержит:
запоминающее устройство, работающее согласно импульсу словарной шины (WL) с ассоциированной шириной импульса WL;
модуль встроенного самотестирования (BIST), который взаимодействует с запоминающим устройством, причем BIST-модуль выполнен с возможностью проводить самотестирование внутренней функциональности запоминающего устройства и предоставлять сигнал, указывающий то, прошло или не прошло запоминающее устройство самотестирование; и
схему адаптивного управления WL, которая взаимодействует с BIST-модулем и запоминающим устройством, причем схема адаптивного управления WL выполнена с возможностью регулировать ширину импульса WL запоминающего устройства на основе сигнала, предоставленного посредством BIST-модуля.
2. Устройство по п.1, в котором схема адаптивного управления WL выполнена с возможностью увеличивать ширину импульса WL, если сигнал, предоставленный посредством BIST-модуля, указывает, что запоминающее устройство не прошло самотестирование, и уменьшать ширину импульса WL, если сигнал, предоставленный посредством BIST-модуля, указывает, что запоминающее устройство прошло самотестирование.
3. Устройство по п.2, в котором схема адаптивного управления WL дополнительно выполнена с возможностью инструктировать BIST-модуль на выполнение последующих самотестирований внутренней функциональности запоминающего устройства по мере того, как ширина импульса WL увеличивается или уменьшается до тех пор, пока результат самотестирования не изменяется с прохождения на не прохождение или с не прохождения на прохождение.
4. Устройство по п.3, в котором схема адаптивного управления WL выполнена с возможностью задавать ширину импульса WL запоминающего устройства равной значению ширины импульса WL, используемому непосредственно перед тем, как самотестирование изменено с прохождения на не прохождение.
5. Устройство по п.3, в котором схема адаптивного управления WL выполнена с возможностью задавать ширину импульса WL запоминающего устройства равной значению ширины импульса WL, используемому, когда самотестирование изменяется с не прохождения на прохождение.
6. Устройство по п.3, в котором схема адаптивного управления WL выполнена с возможностью увеличивать или уменьшать ширину импульса WL от начального значения способом контура обратной связи посредством предоставления нового значения, определенного на основе сигнала, предоставленного посредством BIST-модуля.
7. Устройство по п.6, в котором схема адаптивного управления WL выполнена с возможностью увеличивать или уменьшать ширину импульса WL.
8. Устройство по п.1, в котором схема адаптивного управления WL содержит:
первую схему управления, которая взаимодействует с BIST-модулем, причем первая схема управления выполнена с возможностью определения того, увеличивать или уменьшать ширину импульса WL запоминающего устройства, на основе сигнала, предоставленного посредством BIST-модуля, и предоставлять первый управляющий сигнал, указывающий определенные регулирования ширины импульса WL; и
вторую схему управления, которая взаимодействует с первой схемой управления, причем вторая схема управления выполнена с возможностью регулировать ширину импульса WL на основе первого управляющего сигнала, предоставленного посредством первой схемы управления.
9. Устройство по п.8, в котором первая схема управления определяет увеличивать ширину импульса WL, если сигнал, предоставленный посредством BIST-модуля, указывает, что запоминающее устройство не прошло самотестирование, и уменьшать ширину импульса WL, если сигнал, предоставленный посредством BIST-модуля, указывает, что запоминающее устройство прошло самотестирование.
10. Устройство по п.8, в котором вторая схема управления дополнительно выполнена с возможностью предоставлять сигнал перегрузки в первую схему управления, указывающий то, что ширина импульса WL достигла максимального или минимального разрешенного значения.
11. Устройство по п.10, в котором вторая схема управления представляет собой счетчик, выполненный с возможностью увеличивать или уменьшать значение ширины импульса WL согласно первому управляющему сигналу, предоставленному посредством первой схемы управления, и выполненный с возможностью предоставлять отрегулированную ширину импульса WL как увеличенное/уменьшенное значение и предоставлять сигнал перегрузки как бит переполнения операции увеличения/уменьшения.
12. Устройство по п.8, в котором схема адаптивного управления WL дополнительно выполнена с возможностью преобразовывать отрегулированную ширину импульса WL в допустимые ширины импульсов WL запоминающего устройства способом монотонного увеличения или уменьшения.
13. Устройство по п.8, в котором схема адаптивного управления WL дополнительно включает в себя модуль перепрограммирования, который взаимодействует с первой и второй схемами управления, причем вторая схема управления выполнена с возможностью предоставлять отрегулированное значение ширины импульса WL в модуль перепрограммирования, при этом первая схема управления выполнена с возможностью предоставлять сигнал записи, который инструктирует модулю перепрограммирования сохранять отрегулированное значение ширины импульса WL, предоставленное посредством второй схемы управления, и модуль перепрограммирования выполнен с возможностью предоставлять энергонезависимое хранение отрегулированного значения ширины импульса WL.
14. Устройство по п.8, в котором модуль перепрограммирования реализуется как запоминающее устройство eFUSE.
15. Устройство по п.8, при этом устройство представляет собой устройство беспроводной связи, причем устройство дополнительно содержит системный контроллер.
16. Устройство по п.15, в котором системный контроллер выполнен с возможностью инструктировать запоминающей системе регулировать ширину импульса WL при начальном включении питания устройства беспроводной связи.
17. Устройство по п.15, в котором системный контроллер выполнен с возможностью инструктировать запоминающей системе периодически регулировать ширину импульса WL согласно данному интервалу времени.
18. Способ регулирования ширины импульса словарной шины (WL) в запоминающей системе, включающей в себя запоминающее устройство, работающее согласно импульсу WL, при этом способ содержит этапы, на которых:
выполняют самотестирование в запоминающей системе, чтобы тестировать внутреннюю функциональность запоминающего устройства при текущей ширине импульса WL; и
регулируют ширину импульса WL запоминающего устройства на основе результатов самотестирования с использованием схем адаптивного управления WL на микросхеме.
19. Способ по п.18, в котором этап регулирования включает в себя этап, на котором увеличивают ширину импульса WL, если запоминающее устройство не проходит самотестирование, и уменьшают ширину импульса WL, если запоминающее устройство проходит самотестирование.
20. Способ по п.19, дополнительно содержащий этап, на котором:
- повторяют выполнение и регулирование до тех пор, пока результат самотестирования не изменяется с прохождения на не прохождение или с не прохождения на прохождение.
21. Способ по п.20, дополнительно содержащий этап, на котором:
преобразуют отрегулированную ширину импульса WL в допустимые ширины импульсов WL запоминающего устройства способом монотонного увеличения или уменьшения.
22. Способ по п.20, дополнительно содержащий этап, на котором:
задают ширину импульса WL запоминающего устройства равной значению ширины импульса WL, используемому непосредственно перед тем, как самотестирование изменено с прохождения на не прохождение.
23. Способ по п.20, дополнительно содержащий этап, на котором:
задают ширину импульса WL запоминающего устройства равной значению ширины импульса WL, используемому, когда самотестирование изменяется с не прохождения на прохождение.
24. Способ по п.18, в котором операции выполнения и регулирования инициируются при начальном включении питания запоминающей системы.
25. Способ по п.18, в котором операции выполнения и регулирования инициируются периодически согласно данному интервалу времени.
26. Устройство для регулирования ширины импульса словарной шины (WL) в запоминающей системе, включающей в себя запоминающее устройство, работающее согласно импульсу WL, при этом устройство содержит:
средство для выполнения самотестирования в запоминающей системе, чтобы тестировать внутреннюю функциональность запоминающего устройства при текущей ширине импульса WL; и
средство на микросхеме для регулирования ширины импульса WL запоминающего устройства на основе результатов самотестирования.
27. Устройство по п.26, в котором средство для регулирования включает в себя средство для увеличения ширины импульса WL, если запоминающее устройство не проходит самотестирование, и средство для уменьшения ширины импульса WL, если запоминающее устройство проходит самотестирование.
28. Устройство по п.27, дополнительно содержащее:
средство для повторения выполнения и регулирования до тех пор, пока результат самотестирования не изменяется с прохождения на не прохождение или с не прохождения на прохождение.
29. Устройство по п.28, дополнительно содержащее:
средство для преобразования отрегулированной ширины импульса WL в допустимые ширины импульсов WL запоминающего устройства способом монотонного увеличения или уменьшения.
30. Устройство по п.28, дополнительно содержащее:
средство для задания ширины импульса WL запоминающего устройства, равной значению ширины импульса WL, используемому непосредственно перед тем, как самотестирование изменено с прохождения на не прохождение.
31. Устройство по п.28, дополнительно содержащее:
средство для задания ширины импульса WL запоминающего устройства, равной значению ширины импульса WL, используемому, когда самотестирование изменяется с непрохождения на прохождение.
32. Машиночитаемый носитель, включающий в себя наборы инструкций, исполняемых посредством процессора, чтобы регулировать ширину импульса словарной шины (WL) в запоминающей системе, включающей в себя запоминающее устройство, работающее согласно импульсу WL, при этом машиночитаемый носитель содержит:
первый набор инструкций, чтобы выполнять самотестирование в запоминающей системе, чтобы тестировать внутреннюю функциональность запоминающего устройства при текущей ширине импульса WL; и
второй набор инструкций, чтобы регулировать ширину импульса WL запоминающего устройства на основе результатов самотестирования.
33. Машиночитаемый носитель по п.32, в котором второй набор инструкций включает в себя инструкции, исполняемые посредством процессора, чтобы увеличивать ширину импульса WL, если запоминающее устройство не проходит самотестирование, и уменьшать ширину импульса WL, если запоминающее устройство проходит самотестирование.
34. Машиночитаемый носитель по п.33, дополнительно содержащий:
третий набор инструкций, чтобы повторять первый и второй наборы инструкций до тех пор, пока результат самотестирования не изменяется с прохождения на непрохождение или с непрохождения на прохождение.
35. Машиночитаемый носитель по п.34, дополнительно содержащий:
четвертый набор инструкций, чтобы преобразовывать отрегулированную ширину импульса WL в допустимые ширины импульсов WL запоминающего устройства способом монотонного увеличения или уменьшения.
36. Машиночитаемый носитель по п.34, дополнительно содержащий:
пятый набор инструкций, чтобы задавать ширину импульса WL запоминающего устройства, равной значению ширины импульса WL, используемому непосредственно перед тем, как самотестирование изменено с прохождения на не прохождение.
37. Машиночитаемый носитель по п.34, дополнительно содержащий:
шестой набор инструкций, чтобы задавать ширину импульса WL запоминающего устройства, равной значению ширины импульса WL, используемому, когда самотестирование изменяется с непрохождения на прохождение.
38. Машиночитаемый носитель по п.32, дополнительно содержащий:
седьмой набор инструкций, чтобы выполнять первый и второй набор инструкций при начальном включении питания запоминающей системы.
39. Машиночитаемый носитель по п.32, дополнительно содержащий:
восьмой набор инструкций, чтобы выполнять первый и второй набор инструкций периодически согласно данному интервалу времени.