Статья

Статья

Исследования плазмы

1980. Т. 18. № 4. С. 695–702

Хаит В.Д.

Теория устойчивости нескинированного индукционного ВЧ-разряда в плотной плазме

С использованием модельной зависимости электропроводности плазмы от температуры найдено точное решение стационарного баланса тепла для индукционного нескинированного ВЧ-разряда в плотной плазме. Введена вольт-амперная характеристика (ВАХ) активной нагрузки, вносимой плазмой в цепь индуктора. Исследована устойчивость баланса по отношению к возмущениям средней температуры плазмы. Показано, что устойчивость зависит от вида нагрузочной характеристики устройства, питающего индуктор. Показано, что даже в случае, когда неустой чивость к возмущениям средней температуры стабилизирована, на падающем участке ВАХ вносимого сопротивления возможно возникновение неустойчивости по отношению к возмущениям, неоднородным вдоль оси индуктора, приводящей к расслоению разряда на две фазы с различными параметрами плазмы в них.

Ссылка на статью:

Хаит В.Д.

Теория устойчивости нескинированного индукционного ВЧ-разряда в плотной плазме, ТВТ, 1980. Т. 18. № 4. С. 695

High Temp. 1980, v.18, №4, pp. 0-0