СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ЕМКОСТЬЮ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРА И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ КОНДЕНСАТОР НА ЕГО ОСНОВЕ

1. Способ управления емкостью электрического конденсатора путем шунтирования емкости его полупроводникового слоя, расположенного между слоями диэлектрика, отличающийся тем, что указанное шунтирование проводят в слое из примесного полупроводника, в котором изменяют концентрацию его подвижных носителей заряда, находящихся в зоне действия основного поля конденсатора, для чего к указанному слою примесного полупроводника прикладывают управляющее электрическое поле, ориентированное поперек основного поля конденсатора, а изменение емкости конденсатора осуществляют увеличением или уменьшением напряженности управляющего электрического поля.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облегчают перемещение подвижных носителей заряда слоя примесного полупроводника под действием управляющего поля, для чего в указанном слое формируют токопроводящий канал, ориентированный по направлению действия управляющего поля.
3. Полупроводниковый конденсатор, содержащий слои диэлектрика и полупроводника, обкладки, предназначенные для создания основного поля конденсатора, и электроды, служащие для формирования в полупроводниковом слое управляющего поля, отличающийся тем, что обкладки конденсатора разделены слоями диэлектрика или сегнетоэлектрика с расположенным между ними частично выступающим за габариты обкладок слоем примесного полупроводника, к противоположным выступающим частям которого через слои диэлектрика или сегнетоэлектрика подведены электроды управляющего поля.
4. Конденсатор по п.3, отличающийся тем, что в слое примесного полупроводника сформирован токопроводящий канал, ориентированный по направлению действия управляющего поля.