СЛОИ ДЛЯ МИНИМИЗАЦИИ ВЛИЯНИЯ ДЕФЕКТОВ В ЭЛЕКТРОХРОМНЫХ УСТРОЙСТВАХ

1. Способ изготовления электрохромного (EC) устройства, причем упомянутый способ содержит:
(а) прием подложки, содержащей первый прозрачный проводящий (ТС) слой или формирование первого ТС слоя на подложке;
(b) формирование на нем ЕС слоя;
(c) формирование на нем ион-проводящего (IC) слоя;
(d) после (c) выполнение операции удаления частиц, характеризующейся:
применением акустической энергии в сверхзвуковом диапазоне частот,
применение тепловой энергии с использованием лампы или лазера,
применение тепловой энергии с использованием неизлучающего механизма, и/или
операция удаления частиц выполняется вне вакуумной среды системы, используемой для осаждения слоев EC устройства; и
(e) после (d), завершение изготовления EC устройства.
2. Способ по п.1, в котором выполнение операции удаления частиц характеризуется применением акустической энергии в сверхзвуковом диапазоне частот.
3. Способ по п.1, в котором операция удаления частиц характеризуется применением тепловой энергии с использованием лампы или лазера.
4. Способ по п.1, в котором операция удаления частиц характеризуется применением тепловой энергии с использованием неизлучающего механизма.
5. Способ по п.4, в котором тепловую энергию применяют путем пропускания нагретого газа над подложкой.
6. Способ по п.4, в котором тепловую энергию применяют путем пропускания подложки над нагревателем.
7. Способ по п.1, в котором операцию удаления частиц выполняют за вне вакуумной среды системы, используемой для осаждения слоев ЕС устройства.
8. Способ по п.7, в котором операция удаления частиц содержит применение контактного валика, ленты или щетки, чтобы таким образом удалять частицы из ЕС устройства до того, как оно полностью сформировано.
9. Способ по п.1, в котором операция удаления частиц характеризуется применением тепловой энергии, которая заставляет частицы расширяться или сжиматься относительно слоя или слоев, которые окружают частицы.
10. Способ по п.9, в котором операция удаления частиц содержит облучение подложки на длине волны, которая избирательно поглощается частицами, но не слоем или слоями, которые окружают частицы.
11. Способ по п.9, в котором операция удаления частиц содержит облучение подложки на длине волны, которая избирательно поглощается слоем или слоями, которые окружают частицы, но не частицами.
12. Способ по п.1, дополнительно содержащий перед (b) резку подложки; и выполнение по меньшей мере операции (d) на разрезанной подложке.
13. Способ по п.1, в котором ЕС слой содержит электрохромный материал, который является катодно-окрашиваемым.
14. Способ по п.1, в котором ЕС слой содержит электрохромный материал, который является анодно-окрашиваемым.
15. Система для изготовления электрохромного (EC) устройства, причем упомянутая система содержит:
первую станцию для осаждения, содержащую первую мишень, содержащую первый материал для осаждения слоя EC материала на подложке, когда подложка расположена в первой станции для осаждения;
одну или более дополнительных станций для осаждения, выполненных с возможностью осаждения одного или более дополнительных слоев ЕС устройства;
устройство удаления частиц для удаления частиц с поверхности подложки и/или поверхности EC устройства до того, как оно полностью сформировано; и
контроллер, содержащий:
программные команды для пропускания подложки через станции для осаждения таким образом, чтобы последовательно осаждать структуру на подложке, причем структура содержит слой ЕС материала и слой ион-проводящего (IC) материала; и
программные команды для работы устройства удаления частиц для удаления частиц с поверхности подложки и/или поверхности ЕС устройства до того, как оно полностью сформировано, при этом устройство удаления частиц действует:
путем применения акустической энергии в сверхзвуковом диапазоне частот,
путем применения тепловой энергии с использованием лампы или лазера,
путем применения тепловой энергии с использованием неизлучающего механизма, и/или
вне вакуумной среды для первой станции для осаждения и одной или более дополнительных станций для осаждения.
16. Система по п.15, в которой устройство удаления частиц применяет акустическую энергию в сверхзвуковом диапазоне частот.
17. Система по п.15, в которой устройство удаления частиц содержит лампу или лазер, которые применяют тепловую энергию.
18. Система по п.15, в которой устройство удаления частиц применяет тепловую энергию с использованием неизлучающего механизма.
19. Система по п.18, в которой устройство удаления частиц пропускает нагретый газ над подложкой.
20. Система по п.18, в которой устройство удаления частиц содержит нагреватель, над которым проходит подложка.
21. Система по п.15, в которой устройство удаления частиц обеспечено и работает за вне вакуумной среды для первой станции для осаждения и одной или более дополнительных станций для осаждения.
22. Система по п.21, в которой устройство удаления частиц содержит контактный валик, ленту или щетку.
23. Способ изготовления электрохромного (EC) устройства, причем упомянутый способ содержит:
(а) формирование первого слоя на подложке в последовательности изготовления ЕС устройства;
(b) после (а) выполнение первой операции удаления частиц для удаления частиц с поверхности подложки;
(c) после (b) формирование второго слоя в последовательности изготовления устройства ЕС поверх первого слоя;
(d) после (c) выполнение второй операции удаления частиц на поверхности подложки; и
(e) после (d), завершение изготовления EC устройства.
24. Способ по п.23, в котором по меньшей мере одна из первой и второй операций удаления частиц содержит контактную очистку подложки по меньшей мере одним валиком, лентой или щеткой.
25. Способ по п.23, в котором по меньшей мере одна из первой и второй операций удаления частиц содержит применение акустической энергии к подложке в ультразвуковом, сверхзвуковом или мегазвуковом диапазоне частот.
26. Способ по п.23, в котором по меньшей мере одна из первой и второй операций удаления частиц содержит нанесение текучей среды на подложку.
27. Способ по п.26, в котором текучая среда содержит диоксид углерода.
28. Способ по п.26, в котором текучую среду распыляют на подложку.
29. Способ по п.23, в котором первая операция удаления частиц удаляет частицы с поверхности подложки, тем самым формируя один или более зазоров, где частицы были ранее расположены в первом слое ЕС устройства, при этом второй слой ЕС устройства формируется на первом слое ЕС устройства, тем самым по меньшей мере частично заполняя один или более зазоров.
30. Способ по п.23, дополнительно содержащий выполнение операции удаления частиц подложки, при этом операцию удаления частиц подложки выполняют на поверхности подложки до (а).
31. Способ по п.30, в котором (а) выполняют сразу после операции удаления частиц подложки.
32. Способ по п.31, в котором второй слой EC устройства формируют непосредственно на первом слое EC устройства без каких-либо промежуточных слоев.
33. Способ по п.23, в котором второй слой EC устройства формируют непосредственно на первом слое EC устройства без каких-либо промежуточных слоев.
34. Способ по п.23, в котором первый слой является прозрачным проводящим (TC) слоем, а второй слой является катодно-окрашиваемым EC слоем.
35. Способ по п.23, в котором первый слой является прозрачным проводящим (TC) слоем, а второй слой является анодно-окрашиваемым противоэлектродным (СЕ) слоем или его частью.
36. Способ по п.23, в котором первый слой является прозрачным проводящим (TC) слоем, а второй слой является изолирующим слоем для минимизации влияния дефектов (DMIL).
37. Способ по п.23, в котором первый слой является прозрачным проводящим (TC) слоем, а второй слой является ион-проводящим (IC) слоем.
38. Способ по п.23, в котором первый слой является катодно-окрашиваемым EC слоем, а второй слой является анодно-окрашиваемым противоэлектродным (СЕ) слоем или его частью.
39. Способ по п.23, в котором первый слой является катодно-окрашиваемым EC слоем, а второй слой является изолирующим слоем для минимизации влияния дефектов (DMIL).
40. Способ по п.23, в котором первый слой является катодно-окрашиваемым EC слоем, а второй слой является ион-проводящим (IC) слоем.
41. Способ по п.23, в котором первый слой является анодно-окрашиваемым противоэлектродным (СЕ) слоем, а второй слой является катодно-окрашиваемым EC слоем или его частью.
42. Способ по п.23, в котором первый слой является анодно-окрашиваемым противоэлектродным (СЕ) слоем, а второй слой является изолирующим слоем для минимизации влияния дефектов (DMIL).
43. Способ по п.23, в котором первый слой является анодно-окрашиваемым противоэлектродным (СЕ) слоем, а второй слой является ион-проводящим (IC) слоем.
44. Система для изготовления электрохромного (EC) устройства, причем упомянутая система содержит:
первую станцию для осаждения, содержащую первую мишень, содержащую первый материал для осаждения первого слоя на подложке в последовательности изготовления ЕС устройства ЕС, когда подложка расположена в первой станции для осаждения;
вторую станцию для осаждения, содержащую вторую мишень, содержащую второй материал для осаждения второго слоя на подложке в последовательности изготовления ЕС устройства, когда подложка расположена во второй станции для осаждения;
устройство удаления частиц для удаления частиц с поверхности подложки и/или с поверхности EC устройства до того, как оно полностью сформировано; и
контроллер, содержащий:
программные команды для пропускания подложки через станции для осаждения таким образом, чтобы последовательно осаждать структуру на подложке, причем структура содержит первый слой и второй слой; и
программные команды для работы устройства удаления частиц для удаления частиц с поверхности подложки и/или поверхности ЕС устройства до того, как оно полностью сформировано, при этом устройство удаления частиц действует, чтобы удалить частицы как в (i) после осаждения первого слоя и до осаждения второго слоя, так и в (ii) после осаждения второго слоя.
45. Система по п.44, в которой устройство удаления частиц содержит валик, ленту или щетку.
46. Система по п.44, в которой устройство удаления частиц применяет акустическую энергию в ультразвуковом, сверхзвуковом или мегазвуковом диапазоне частот.
47. Система по п.44, в которой устройство удаления частиц наносит текучую среду на подложку и/или EC устройство до того, как оно полностью сформировано.
48. Система по п.47, в которой текучая среда является диоксидом углерода.
49. Система по п.47, в которой текучая среда распыляется на подложку и/или EC устройство до того, как оно полностью сформировано.
50. Система по п.44, дополнительно содержащая программные команды для действия устройства удаления частиц, чтобы удалить частицы с поверхности подложки до нанесения первого слоя на подложке.
51. Система по п.44, в которой структура содержит второй слой, осажденный непосредственно на первом слое без каких-либо промежуточных слоев между ними.
52. Система по п.44, в которой первый слой является прозрачным проводящим (TC) слоем, а второй слой является катодно-окрашиваемым EC слоем.
53. Система по п.44, в которой первый слой является прозрачным проводящим (TC) слоем, а второй слой является анодно-окрашиваемым противоэлектродным (СЕ) слоем или его частью.
54. Система по п.44, в которой первый слой является прозрачным проводящим (TC) слоем, а второй слой является изолирующим слоем для минимизации влияния дефектов (DMIL).
55. Система по п.44, в которой первый слой является прозрачным проводящим (TC) слоем, а второй слой является ион-проводящим (IC) слоем.
56. Система по п.44, в которой первый слой является катодно-окрашиваемым EC слоем, а второй слой является анодно-окрашиваемым противоэлектродным (СЕ) слоем или его частью.
57. Система по п.44, в которой первый слой является катодно-окрашиваемым EC слоем, а второй слой является изолирующим слоем для минимизации влияния дефектов (DMIL).
58. Система по п.44, в которой первый слой является катодно-окрашиваемым EC слоем, а второй слой является ион-проводящим (IC) слоем.
59. Система по п.44, в которой первый слой является анодно-окрашиваемым противоэлектродным (СЕ) слоем, а второй слой является катодно-окрашиваемым EC слоем или его частью.
60. Система по п.44, в которой первый слой является анодно-окрашиваемым противоэлектродным (СЕ) слоем, а второй слой является изолирующим слоем для минимизации влияния дефектов (DMIL).
61. Система по п.44, в которой первый слой является анодно-окрашиваемым противоэлектродным (СЕ) слоем, а второй слой является ион-проводящим (IC) слоем.