УСТРОЙСТВО И СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ АТОМНОГО СЛОЯ

1. Устройство для нанесения атомного слоя на поверхность подложки, причем устройство включает в себя инжекторную головку для прекурсора, где инжекторная головка для прекурсора содержит систему подачи прекурсора и пространство нанесения, которое при использовании ограничивается инжекторной головкой для прекурсора и поверхностью подложки, при этом инжекторная головка для прекурсора приспособлена для инжекции газообразного прекурсора из системы подачи прекурсора в пространство нанесения для контакта с поверхностью подложки, причем устройство приспособлено для относительного перемещения между пространством перенесения и подложкой в плоскости поверхности подложки, и устройство снабжено удерживающей структурой, предназначенной для удерживания введенного газообразного прекурсора в пространстве нанесения, прилегающем к поверхности подложки.
2. Устройство по п.1, которое приспособлено также для относительного перемещения между инжекторной головкой для прекурсора и подложкой в плоскости вне поверхности подложки, причем инжекторная головка для прекурсора содержит также газовый инжектор для инжекции газа между инжекторной головкой для прекурсора и поверхностью подложки, где газовый инжектор образован газонесущим инжектором для создания газосодержащего слоя, а газонесущий инжектор отделен от системы подачи прекурсора.
3. Устройство по п.2, приспособленное для приложения усилия предварительного напряжения к инжекторной головке для прекурсора, обращенной к поверхности подложки, где газовый инжектор приспособлен для противодействия усилию предварительного напряжения за счет регулирования давления в газосодержащем слое.
4. Устройство по п.1, в котором удерживающая структура образована барьером для потока газообразного прекурсора вдоль внешнего пути течения, размещенного в процессе использования между инжекторной головкой для прекурсора и поверхностью подложки до внешней среды, для того, чтобы по существу затруднить объемный расход газообразного прекурсора вдоль внешнего пути потока по сравнению с объемным расходом введенного газообразного прекурсора.
5. Устройство по п.2 или 4, в котором газосодержащий слой образует барьер для потока.
6. Устройство по п.4, в котором барьер для потока образуется удерживающей газовой завесой и/или давлением удерживающего газа во внешнем пути потока.
7. Устройство по п.4, в котором барьер для потока образуется проемом для потока между инжекторной головкой для прекурсора и поверхностью подложки и/или между инжекторной головкой для прекурсора и поверхностью, которая проходит от поверхности подложки в плоскости поверхности подложки, причем ширина и длина проема для потока вдоль внешнего пути потока приспособлена для того, чтобы по существу затруднить объемный расход газообразного прекурсора вдоль внешнего пути потока по сравнению с объемным расходом введенного газообразного прекурсора.
8. Устройство по п.2, в котором инжекторная головка для прекурсора снабжена выступающими частями, при этом в процессе применения формируется газосодержащий слой между выступающими частями и подложкой, и/или между выступающими частями и поверхностью держателя подложки в держателе подложки.
9. Устройство по п.8, в котором толщина газосодержащего слоя меньше толщины пространства нанесения, измеренной в плоскости вне поверхности подложки.
10. Устройство по п.8 или 9, в котором толщина газосодержащего слоя находится в диапазоне от 3 до 15 мкм, и/или толщина пространства нанесения вне плоскости подложки находится в диапазоне от 3 до 100 мкм.
11. Устройство по п.1, в котором система подачи прекурсора образована щелью, имеющей волнистую форму.
12. Устройство по п.1, приспособленное для подачи плазмы в реакционное пространство для осуществления реакции, например окисления, прекурсора с химически активным газом после нанесения газообразного прекурсора по меньшей мере на часть поверхности подложки для того, чтобы получить атомный слой на по меньшей мере части поверхности подложки.
13. Способ нанесения атомного слоя на поверхность подложки с использованием устройства, включающего в себя инжекторную головку для прекурсора, причем инжекторная головка для прекурсора содержит систему подачи прекурсора и пространство нанесения, где пространство нанесения в процессе использования ограничено инжекторной головкой прекурсора и поверхностью подложки, при этом способ включает операции:
а) инжекции газообразного прекурсора из системы подачи прекурсора в пространство прекурсора для контакта с поверхностью подложки;
b) установления относительного перемещения между пространством нанесения и подложкой в плоскости поверхности подложки; и
с) удерживания газообразного прекурсора в пространстве нанесения рядом с поверхностью подложки, чтобы получить пространство нанесения, которое при использовании ограничено инжекторной головкой для прекурсора и поверхностью подложки.
14. Способ по п.13, в котором устройство содержит реакционное пространство, содержащий операцию:
d) подачи по меньшей мере одного химически активного газа, плазмы, возбужденного лазером излучения, ультрафиолетовой радиации в реакционном пространстве для осуществления реакции прекурсора с химически активным газом после нанесения газообразного прекурсора на по меньшей мере часть поверхности подложки для получения атомного слоя на по меньшей мере части поверхности подложки.
15. Способ по п.13 или 14, который включает в себя получение газосодержащего слоя в проеме между инжекторной головкой прекурсора и поверхностью подложки.