УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ОДНОВРЕМЕННОГО ОСАЖДЕНИЯ НЕСКОЛЬКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОКРЫТИЙ В НЕСКОЛЬКИХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ КАМЕРАХ

1. Способ осаждения, по меньшей мере, одного покрытия, в частности, полупроводникового слоя на множество подложек (5), причем в устройстве (1) для нанесения покрытий несколько, в частности, однотипных технологических камер (2) посредством общего устройства (11) для подачи газа снабжаются технологическими газами, которые соответственно через газовпускное устройство (3) поступают в технологическую камеру (2), где на держателе (4) находятся одна или несколько покрываемых подложек (5); при этом высота технологической камеры (H), представляющаяся собой промежуток от потолка (8) технологической камеры до дна (9) технологической камеры, может варьироваться и влияет на скорость роста покрытия, отличающийся тем, что в процессе роста покрытий измеряют толщину покрытия непрерывно или через заданные короткие промежутки времени в каждой технологической камере (2), по меньшей мере, на одной подложке (5) и изменяют высоту технологической камеры (H) при помощи регулятора (12) и регулирующего элемента (6) таким образом, чтобы в технологических камерах осаждались покрытия с одинаковой толщиной.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что измерение толщины покрытий осуществляют при помощи системы оптических датчиков (17), которые встроены в заднюю стенку образующего камеру газовпускного устройства (3), и оптический путь проходит через отверстие (18) газовпускного устройства (3), образующего в потолок (8) технологической камеры.
3. Способ по одному или нескольким предшествующим пунктам, отличающийся общим вакуумным устройством (20) и индивидуальным для каждой технологической камеры (2) устройством (19) для регулировки давления.
4. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что в технологических камерах (2) осуществляют процесс химического осаждения металлорганических соединений из паровой фазы.
5. Способ по п. 3, отличающийся тем, что в технологических камерах (2) осуществляют процесс химического осаждения металлорганических соединений из паровой фазы.
6. Устройство для осаждения, по меньшей мере, одного покрытия, в частности, полупроводникового слоя, на множество подложек (5), с реакторным отсеком (1), имеющим множество по существу однотипных технологических камер (2), причем каждая технологическая камера (2) оснащена газовпускным устройством (3) для подачи технологических газов в технологическую камеру (2) и держателем (4) для размещения, по меньшей мере, одной подложки (5), и высота технологической камеры (H), представляющая собой расстояние от потолка (8) технологической камеры до дна (9) технологической камеры, устанавливается при помощи регулирующего элемента (6), а также общим устройством (11) для подачи газа, для подачи технологических газов в технологические камеры (2), отличающееся тем, что каждая технологическая камера (2) снабжена устройством (10) для измерения толщины покрытия, которое измеряет значения толщины покрытий в процессе роста покрытий, по меньшей мере, на одной подложке непрерывно или через заданные короткие промежутки времени, и предусмотрен регулятор (12), входными значениями для которого являются толщины покрытий, измеренные устройствами (10) для измерения толщины покрытий, а выходными значениями являются параметры для регулирующего элемента (6).
7. Устройство по п. 6, отличающееся наличием установленного под держателем (4), в частности, совместно с держателем (4) перемещаемого по высоте нагревателя (16).
8. Устройство по п. 6 или 7, отличающееся тем, что величины, передаваемые от регулятора (12) на регулирующий элемент (6), зависят от толщин покрытий, измеренных устройством (10) для измерения толщины покрытий.
9. Устройство по п. 6 или 7, отличающееся тем, что регулятор (12) устроен так, что при помощи изменения высоты технологических камер (H) наносят покрытия с одинаковой толщиной.
10. Устройство по п. 8, отличающееся тем, что регулятор (12) устроен так, что при помощи изменения высоты технологических камер (H) наносят покрытия с одинаковой толщиной.