МИНИМИЗАЦИЯ ПЕРЕХОДНОГО ПРОЦЕССА В ВИДЕ КОЛЕБАНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВАХ С ШИРОКОЙ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНОЙ

1. Схема преобразования электроэнергии, содержащая:
первый и второй полупроводниковые ключи; и
схему возбуждения, выполненную с возможностью создавать период оперативного перекрытия для первого и второго ключей посредством установки напряжения на затворе первого ключа в промежуточное значение выше порогового напряжения первого ключа во время операций включения и выключения второго ключа.
2. Схема преобразования электроэнергии по п. 1, в которой, для упомянутой операции включения, период начинается после понижения напряжения на затворе первого ключа до промежуточного значения и заканчивается при выключении первого ключа.
3. Схема преобразования электроэнергии по п. 1, в которой, для упомянутой операции выключения, период начинается при повышении напряжения на затворе первого ключа до промежуточного значения и заканчивается перед полным включением первого ключа.
4. Схема преобразования электроэнергии по п. 1, в которой схема возбуждения включает в себя:
первый формирователь сигналов управления затвором, присоединенный к первому полупроводниковому ключу,
второй формирователь сигналов управления затвором, присоединенный ко второму полупроводниковому ключу, и
контроллер, выполненный с возможностью выдавать входные сигналы в первый формирователь сигналов управления затвором для управления напряжением на затворе первого ключа и выдавать входные сигналы на второй формирователь сигналов управления затвором для управления операциями включения и выключения второго ключа.
5. Схема преобразования электроэнергии по п. 1, в которой первый и второй полупроводниковые ключи являются полевыми МОП-транзисторами (MOSFET), содержащими полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной.
6. Схема преобразования электроэнергии по п. 5, в которой полупроводниковым материалом с широкой запрещенной зоной является карбид кремния (SiC).
7. Схема преобразования электроэнергии по п. 6, дополнительно содержащая первый диод, присоединенный к первому полупроводниковому ключу, и второй диод, присоединенный ко второму полупроводниковому ключу, при этом, первый и второй диоды выполнены из карбида кремния (SiC).
8. Способ приведения в действие первого и второго полупроводниковых устройств, состоящий в том, что:
понижают напряжение на затворе первого устройства до промежуточного значения выше порогового напряжения, в то время как второе устройство выключено;
выключают первое устройство после того, как включают второе устройство;
повышают напряжение на затворе первого устройства до промежуточного значения, в то время как второе устройство включено; и
полностью включают первое устройство после того, как выключают второе устройство.
9. Способ по п. 8, дополнительно состоящий в том, что включают второе устройство, повышая напряжение на затворе второго устройства до максимального рабочего значения.
10. Способ по п. 8, дополнительно состоящий в том, что выключают второе устройство, понижая напряжение на затворе второго устройства до минимального рабочего значения.
11. Способ по п. 8, в котором выключение первого устройства заключается в том, что понижают напряжение на затворе первого устройства с промежуточного значения до минимального рабочего значения.
12. Способ по п. 8, в котором полное включение первого устройства заключается в том, что повышают напряжение на затворе первого устройства с промежуточного значения до максимального рабочего значения.
13. Способ по п. 8, в котором первое и второе полупроводниковые устройства являются полевыми МОП-транзисторами (MOSFET), содержащими полупроводниковый материал с широкой запрещенной зоной.
14. Способ по п. 13, в котором полупроводниковым материалом с широкой запрещенной зоной является карбид кремния (SiC).
15. Способ по п. 14, в котором первое и второе полупроводниковые устройства присоединены к первому и второму диодам, соответственно, первый и второй диоды выполнены из карбида кремния (SiC).