СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ p-n ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ВАНАДИЯ
VANADIUM-BASED METHOD OF PROTECTING SURFACE OF p-n JUNCTIONS

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам защиты поверхности p-n- переходов.
Известны способы защиты поверхности, сущность которых состоит в том, что поверхность p-n- переходов защищают различными диэлектрическими пленками на основе окислов металлов: циркония, титана, алюминия и бериллия [1].
Основными недостатками этих способов являются неравномерность, высокая температура и длительность процесса.
Целью изобретения является достижение равномерной поверхности, уменьшение температуры и длительности процесса.
2
5
Поставленная цель достигается использованием защитной диэлектрической пленки на основе ванадия, в виде порошкообразной пятиокиси ванадия (VO).
2
5
2
5
Сущность способа заключается в том, что защита поверхности p-n переходов осуществляется на основе пятиокиси ванадия (VO) в виде порошкообразной пятиокиси ванадия (VO). Создание защитной диэлектрической пленки на поверхности кремниевой подложки проводится в печи при температуре -1060°С. В качестве оснастки используется: кварцевая труба и кварцевый парогенератор.
Поставленная цель достигается путем пропускания водяных паров в трубу, содержание кислорода с парциальным давлением 22 мм рт.ст. После окончания процесса кварцевую лодочку с порошком ванадия медленно выдвигают из печи.
Контроль толщины защитной пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина защитной диэлектрической пленки δ=1,0±0,1 мкм.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
2
5
2
5
ПРИМЕР 1. Процесс защиты диэлектрической пленкой поверхность p-n переходов пятиокиси ванадия (VO) проводился в печи, при различных температурах. В качестве оснастки использовалась кварцевая труба, с применением кварцевого парогенератора. Технологический процесс осуществлялся насыщением трубы ванадием в виде порошкообразной пятиокиси ванадия (VO), размещенным в кварцевой лодочке, при этом одновременно в кварцевую трубу подаются водяные пары, содержащие кислород с парциальным давлением 28 мм рт.ст. После окончания процесса кварцевую лодочку с порошком ванадия медленно выдвигают из печи.
Температура нанесения защитной пленки 1200°С.
Контроль толщины защитной диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина пленки δ=1,8±0,1 мкм.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки -1180°С. Кислород с парциальным давлением 26 мм рт.ст.
Контроль толщины защитной диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина пленки δ=1,6±0,1 мкм.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки -1140°С. Кислород с парциальным давлением 24 мм рт.ст.
Контроль толщины защитной диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина пленки δ=1,4±0,1 мкм.
ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки -1100°С. Кислород с парциальным давлением 22 мм рт.ст.
Контроль толщины защитной диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина пленки δ=1,2±0,1 мкм.
ПРИМЕР 5. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения защитной пленки -1060°С. Кислород с парциальным давлением 22 мм рт.ст.
Контроль толщины защитной диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина пленки δ=1,0±0,1 мкм.
2
5
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получить диэлектрическую пленку для защиты поверхности p-n переходов ванадием в виде порошкообразной пятиокиси ванадия (VO), при температуре 1060°С и при этом достигается равномерность поверхности, уменьшение длительности процесса.
ЛИТЕРАТУРА
1. А.И. Курносов, В.В. Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов. -М.: «Высшая школа». 1974. 400 с.