МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ОПЕРАТИВНАЯ ПАМЯТЬ С ПЕРЕДАЧЕЙ СПИНОВОГО ВРАЩАТЕЛЬНОГО МОМЕНТА И СПОСОБЫ РАЗРАБОТКИ

1. Способ разработки магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента (STT-MRAM), содержащий
получение характеристической кривой для транзистора доступа,
определение сопротивления состояния 0 и сопротивления состояния 1 туннельного магниторезистивного элемента памяти (MTJ), соответствующих первому и второму состоянию памяти,
определение напряжения записи таким образом, чтобы рабочие точки операций записи первого состояния и второго состояния пересекали характеристическую кривую в области насыщения, и
определение напряжения считывания таким образом, чтобы рабочие точки операций считывания первого состояния и второго состояния пересекали характеристическую кривую в линейной области.
2. Способ по п.1, дополнительно содержащий
установку максимального электрического тока считывания меньшим минимального электрического тока записи.
3. Способ по п.2, в котором максимальный электрический ток считывания определяют на основе параметров изменения процесса, напряжения и температуры (PVT) по меньшей мере одного из сопротивления состояния 0 MTJ, сопротивления состояния 1 MTJ, характеристической кривой транзистора доступа или напряжения считывания.
4. Способ по п.3, в котором изменение PVT моделируют по множеству однобитовых ячеек в матрице памяти.
5. Способ по п.2, в котором минимальный электрический ток записи определяют на основе параметров изменения процесса, напряжения и температуры (PVT) по меньшей мере одного из сопротивления состояния 0 MTJ, сопротивления состояния 1 MTJ, характеристической кривой транзистора доступа или напряжения записи.
6. Способ по п.5, в котором изменение PVT моделируют по множеству однобитовых ячеек в матрице памяти.
7. Способ по п.5, в котором напряжение считывания существенно меньше напряжения записи.
8. Способ по п.1, в котором напряжение записи определяется напряжением питания.
9. Способ по п.1, дополнительно содержащий
определение воздействия изменений процесса, напряжения и температуры (PVT) по множеству однобитовых ячеек в матрице памяти, причем каждая однобитовая ячейка содержит MTJ с сопротивлениями состояния 0 и состояния 1, транзистор доступа, напряжение записи и напряжение считывания.
10. Способ по п.9, дополнительно содержащий
корректировку по меньшей мере одного из сопротивления состояния 0, сопротивления состояния 1, напряжения записи или напряжения считывания на основе определенного воздействия изменений PVT таким образом, чтобы в каждой из множества однобитовых ячеек происходили операции записи, которые пересекают характеристическую кривую в области насыщения, и операции считывания, которые пересекают характеристическую кривую в линейной области.
11. Магниторезистивная оперативная память с передачей спинового вращательного момента (STT-MRAM), содержащая несколько однобитовых ячеек, причем каждая однобитовая ячейка содержит
туннельный магниторезистивный элемент памяти (MTJ), имеющий сопротивление состояния 0 и сопротивление состояния 1, соответствующие первому и второму состоянию памяти,
транзистор доступа, последовательно соединенный с MTJ между разрядной шиной и шиной истока, причем затвор транзистора доступа подсоединен к числовой шине,
DD
напряжение питания (V), подсоединенное к разрядной шине или к шине истока при операции записи, и
R
напряжение считывания (V), подсоединенное к разрядной шине при операции считывания,
при этом напряжение считывания выбирают таким образом, чтобы транзистор доступа функционировал в линейной области при операциях считывания, и чтобы транзистор доступа функционировал в области насыщения при операциях записи.
12. STT-MRAM по п.11, в которой шина истока подсоединена к потенциалу земли при операции считывания.
GS
13. STT-MRAM по п.11, в которой напряжение затвора-истока (V) транзистора доступа по существу является одним и тем же значением при операциях считывания и записи.
14. STT-MRAM по п.13, в которой напряжение питания подсоединено к числовой шине и при операциях считывания, и при операциях записи.
15. Компьютерно-читаемый носитель информации, содержащий сохраненный на нем код для разработки магниторезистивной оперативной памяти с передачей спинового вращательного момента (STT-MRAM), содержащий
код для вызова загрузки компьютером характеристической кривой для транзистора доступа,
код для вызова определения компьютером сопротивления состояния 0 и сопротивления состояния 1 туннельного магниторезистивного элемента памяти (MTJ), соответствующих первому и второму состоянию памяти,
код для вызова определения компьютером напряжения записи таким образом, чтобы рабочие точки операций записи первого состояния и второго состояния пересекали характеристическую кривую в области насыщения, и
код для вызова определения компьютером напряжения считывания таким образом, чтобы рабочие точки операций считывания первого состояния и второго состояния пересекали характеристическую кривую в линейной области.
16. Компьютерно-читаемый носитель информации по п.15, дополнительно содержащий код для вызова установки компьютером максимального электрического тока считывания меньшим минимального электрического тока записи.
17. Компьютерно-читаемый носитель информации по п.15, в котором напряжение записи определяется напряжением питания.
18. Компьютерно-читаемый носитель информации по п.15, в котором напряжение считывания определяется существенно меньшим напряжения записи.
19. Компьютерно-читаемый носитель информации по п.15, дополнительно содержащий код для вызова определения компьютером воздействия изменений процесса, напряжения и температуры (PVT) по множеству однобитовых ячеек в матрице памяти, причем каждая однобитовая ячейка содержит MTJ с сопротивлениями состояния 0 и состояния 1, транзистор доступа, напряжение записи и напряжение считывания.
20. Компьютерно-читаемый носитель информации по п.19, дополнительно содержащий код для вызова корректировки компьютером по меньшей мере одного из сопротивления состояния 0, сопротивления состояния 1, напряжения записи или напряжения считывания на основе определенного воздействия изменений PVT так, чтобы в каждой из множества однобитовых ячеек происходили операции записи, которые пересекают характеристическую кривую в области насыщения, и операции считывания, которые пересекают характеристическую кривую в линейной области.