СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТНОГО ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА НА ОСНОВЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР МЕТАЛЛ-ИЗОЛЯТОР-МЕТАЛЛ И СТРУКТУРА ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА ДЛЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОЙ МАГНИТНОЙ ПАМЯТИ ПРОИЗВОЛЬНОГО ДОСТУПА (ВАРИАНТЫ)

1. Способ формирования магнитного туннельного перехода на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл, включающий формирование магнитного туннельного перехода на подложке, имеющего свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, расположенный между свободно перемагничивающимся слоем и слоем с фиксированной намагниченностью, причем туннельный изолирующий слой формируют осаждением тонкого диэлектрического слоя на свободно перемагничивающемся слое, отличающийся тем, что на подложку в вакууме осаждают слой железа при комнатной температуре, затем на поверхность слоя железа в вакууме осаждают слой кремния при комнатной температуре, далее осуществляют окисление поверхности осажденного кремния в плазме тлеющего разряда при комнатной температуре, после этого в вакууме на слой полученного оксида кремния осаждают слой кремния при комнатной температуре, затем поверх этого слоя кремния осаждают слой железа, после чего формируют одновременно два слоя ферромагнитного силицида под слоем оксида кремния и над слоем оксида кремния путем твердофазной реакции при температуре 400-650°С.
2. Способ формирования магнитного туннельного перехода на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл по п.1, отличающийся тем, что слой железа осаждают методом импульсного лазерного осаждения.
3. Способ формирования магнитного туннельного перехода по п.1, отличающийся тем, что слой железа осаждают методом термического осаждения.
4. Способ формирования магнитного туннельного перехода на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл по п.1, отличающийся тем, что толщина слоя осажденного кремния на поверхность слоя железа рассчитывается по формуле
,
Fe1
Fe
Si
где d и ρ - толщина и атомная плотность Fe;  - толщина и молекулярная плотность оксида кремния  ρ - атомная плотность кремния.
5. Способ формирования магнитного туннельного перехода на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл по п.4, отличающийся тем, что получают слой оксида кремния толщиной 2-3 нм.
6. Способ формирования магнитного туннельного перехода на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл по п.1, отличающийся тем, что толщина слоя осажденного кремния на слой оксида кремния рассчитывается по формуле
,
Fe1
Fe
Si
где d и ρ - толщина и атомная плотность Fe;  - толщина и молекулярная плотность оксида кремния  ρ - атомная плотность кремния.
2
7. Структура магнитного туннельного перехода на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл, содержащая подложку, свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, расположенный между свободно перемагничивающимся слоем, и слоем с фиксированной намагниченностью, при этом туннельный изолирующий слой выполнен из оксида кремния SiO, отличающийся тем, что структура получена способом по любому из пп.1-5.
2
8. Структура магнитного туннельного перехода на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл, содержащая подложку, свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, расположенный между свободно перемагничивающимся слоем и слоем с фиксированной намагниченностью, при этом туннельный изолирующий слой выполнен из оксида кремния SiO, отличающийся тем, что свободно перемагничивающийся слой расположен на подложке, а слой с фиксированной намагниченностью расположен на туннельном изолирующем слое, при этом оба слоя выполнены из ферромагнитного силицида железа.
3
9. Структура магнитного туннельного перехода на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл по п.8, отличающаяся тем, что свободно перемагничивающийся слой выполнен из ферромагнитного силицида железа типа FeSi.
3
10. Структура магнитного туннельного перехода на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл по п.8, отличающаяся тем, что слой с фиксированной намагниченностью выполнен из ферромагнитного силицида железа типа FeSi.
2
3
11. Структура магнитного туннельного перехода на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл, содержащая подложку, свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, расположенный между свободно перемагничивающимся слоем и слоем с фиксированной намагниченностью, при этом туннельный изолирующий слой выполнен из оксида кремния SiO, отличающийся тем, что свободно перемагничивающийся слой расположен на подложке, а слой с фиксированной намагниченностью расположен на туннельном изолирующем слое, при этом оба слоя выполнены из ферромагнитного силицида железа типа типа FeSi.