СПОСОБ МОНТАЖА КРИСТАЛЛОВ VCSEL НА КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЕ

1. Способ монтажа кристаллов (1) VCSEL на кристаллодержателе (2), содержащий следующие этапы:
формирование мезаструктур (4) р-типа посредством обеспечения электрических р-контактов (7) на верхней части мезаструктур,
формирование мезаструктуры (28) n-типа посредством покрытия мезаструктуры электрически изолирующим пассивирующим слоем (11), перекрывающим по меньшей мере р-n переход мезаструктуры,
- осаждение несмачиваемого слоя (13) на стороне соединения кристаллов (1) VCSEL
- осаждение дополнительного несмачиваемого слоя (13) на стороне соединения кристаллодержателя (2), причем упомянутые несмачиваемые слои (13) осаждают с рассчитанным рисунком или их рисунки формируют после осаждения для формирования соответствующих областей (21, 14) соединения на кристаллодержателе (2) и кристаллах (1) VCSEL, области (21, 14) соединения которых обеспечивают смачиваемую поверхность для припоя (15),
- нанесение припоя (15) на области (21, 14) соединения по меньшей мере одной из двух сторон соединения,
- размещение кристаллов (1) VCSEL на кристаллодержателе (2) и припаивание кристаллов (1) VCSEL к кристаллодержателю (2) без фиксации кристаллов (1) VCSEL относительно кристаллодержателя (2), чтобы допустить перемещение кристаллов (1) VCSEL на кристаллодержателе (2) за счет сил поверхностного натяжения расплавленного припоя (15), причем кристалл (1) VCSEL содержит
решетку VCSEL с излучением с нижней стороны, которая припаяна своей мезаструктурой к кристаллодержателю (2)
при этом до осаждения несмачиваемого слоя (13) на сторону соединения кристаллов (1) VCSEL осаждают первый металлический слой (10), который электрически подключен к n-контактам (6) VCSEL и перекрывает мезаструктуру (28) n-типа, причем упомянутые n-контакты образуют проводящую сеть между мезаструктурами (4) р-типа VCSEL для электрического соединения VCSEL и распределения тока равномерно среди мезаструктур (4) р-типа.
при этом второй металлический слой (12) осаждают в то же время, что и первый металлический слой (10), чтобы перекрыть мезаструктуры (4) р-типа и р-контакты (7), причем первый металлический слой (10) и второй металлический слой (12) механически стабилизируют кристаллы (1) VCSEL так, что электрическое соединение с n-контактом (6) находится на той же высоте, что и р-контакты (7).
2. Способ по п. 1,
в котором припой (15) предварительно нанесен в виде твердого слоя на области (21, 14) соединения по меньшей мере одной из двух сторон соединения.
3. Способ по п. 1,
в котором перед осаждением несмачиваемого слоя (13) на кристаллодержатель (2) на сторону соединения кристаллодержателя (2) осаждают электрически проводящий слой (16, 25).
4. Способ по п. 1,
в котором несмачиваемый слой (13) формируют путем осаждения Ti, TiW или Ni, которые образуют стабильные поверхностные
оксиды.
5. Способ по п. 1,
в котором формирование рисунка несмачиваемого слоя (13) выполняют локальным удалением несмачиваемого слоя (13) или локальным осаждением материала, образующего смачиваемый слой в области (21, 14) соединения.
6. Способ по п. 1,
в котором AuSn, AgSn или индий используют в качестве компонентов припоя (15) для соединения кристаллов (1) VCSEL с кристаллодержателем (2).
7. Устройство решетки VCSEL, содержащее несколько кристаллов (1) VCSEL, расположенных рядом друг с другом на кристаллодержателе (2), причем кристаллы (1) VCSEL и кристаллодержатель (2) соединены паяными соединениями, образованными между областями (21, 14) соединения на сторонах соединения кристаллов (1) VCSEL и кристаллодержателя (2),
при этом области (21, 14) соединения окружены несмачиваемыми слоями (13), сформированными на сторонах соединения кристаллов (1) VCSEL и кристаллодержателя (2).
причем кристалл (1) VCSEL содержит решетку VCSEL с излучением с нижней стороны, которая припаяна стороной своей мезаструктуры к кристаллодержателю (2),
при этом кристалл (1) VCSEL содержит мезаструктуры (4) р-типа с электрическими р-контактами (7) на верхней поверхности мезаструктуры,
при этом кристалл (1) VCSEL содержит мезаструктуру (28) n-типа, покрытую электрически изолирующим пассивирующим слоем
(11), перекрывающим по меньшей мере р-n переход мезаструктуры, при этом кристалл (1) VCSEL содержит под несмачиваемым слоем (13) на стороне соединения кристаллов (1) VCSEL первый металлический слой (10), который электрически соединен с n-контактами (6) VCSEL и перекрывает мезаструктуру (28) n-типа, причем упомянутые n-контакты образуют проводящую сеть между мезаструктурами (4) р-типа VCSEL для электрического соединения VCSEL и распределения тока равномерно среди мезаструктур (4) р-типа,
при этом кристалл (1) VCSEL содержит второй металлический слой (12) под несмачиваемым слоем (13), перекрывающий мезаструктуры (4) р-типа и р-контакты (7), причем первый металлический слой (l0) и второй металлический слой (12) механически стабилизируют кристаллы (1) VCSEL так, что электрическое соединение с n-контактом (6) находится на той же высоте, что и р-контакты (7).
8. Устройство по п. 7,
в котором кристаллодержатель (2) установлен на теплоотводе (3).