СПОСОБ БЕСКОНТАКТНОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХОЛЛОВСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Способ бесконтактного определения холловского сопротивления полупроводников, включающий охлаждение полупроводника до гелиевых температур, воздействие на него изменяющимся постоянным магнитным полем, вектор В индукции которого перпендикулярен поверхности образца и дополнительно переменным магнитным полем, изменяющимся со звуковой частотой, имеющим амплитуду во много меньшую В и вектор индукции, направленный параллельно вектору В, облучение образца СВЧ-излучением заданной частоты в направлении, параллельном вектору индукции В постоянного магнитного поля, выбор частоты излучения меньше частоты столкновений носителей заряда с атомами полупроводника, измерение первой производной интенсивности отраженного от образца СВЧ-излучения в зависимости от величины индукции В постоянного магнитного поля и определение по этой зависимости концентрации носителей заряда n и холловского сопротивления  расчетным путем, отличающийся тем, что охлаждают дополнительно полупроводник до температуры ниже 2К, регистрируют сигнал, пропорциональный второй производной мощности СВЧ-излучения в зависимости от магнитного поля В, измеряют значение магнитного поля, соответствующее минимуму отраженного сигнала, определяют квантованное холловское сопротивление в широком диапазоне квантующих магнитных полей расчетным путем по формуле:
где l - число периодов осцилляций Шубникова-де Гааза;
e - заряд электрона;
h - постоянная Планка;
N+l
N
B и В -значения магнитного поля, соответствующие N+l и N максимумам отраженного от полупроводника сигнала в области постоянного  периода осцилляции Шубникова-де Гааза, Тл;
ν
B - значение магнитного поля, соответствующее минимуму отраженного от полупроводника сигнала.