ФРОНТАЛЬНЫЙ КОНТАКТ С ТСО С ВЫСОКОЙ РАБОТОЙ ВЫХОДА ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ УСТРОЙСТВЕ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

1. Фотоэлектрическое устройство, содержащее:
переднюю стеклянную подложку;
активную полупроводниковую пленку;
электропроводящий и по существу прозрачный фронтальный контакт, расположенный между, по меньшей мере, передней стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой;
причем фронтальный контакт содержит (a) первую пленку из прозрачного проводящего оксида (TCO), имеющую относительно низкую работу выхода, и (b) вторую TCO-пленку, имеющую относительно высокую работу выхода; и
причем вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, которая выше, чем работа выхода первой TCO-пленки, находится между первой TCO-пленкой и самой верхней частью полупроводниковой пленки и контактирует с ними.
2. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, содержит обогащенный кислородом оксид индия-олова (ITO).
3. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором первая TCO-пленка имеет работу выхода не более примерно 4,4 эВ, а вторая TCO-пленка имеет работу выхода, по меньшей мере, 4,5 эВ.
4. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, имеет работу выхода от примерно 4,5 до 5,7 эВ.
5. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, имеет работу выхода от примерно 4,7 до 5,3 эВ.
6. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором первая TCO-пленка, имеющая относительно низкую работу выхода, содержит одно или более из оксида олова и оксида цинка.
7. Фотоэлектрическое устройство по п.1, дополнительно содержащее задний электрод, причем предоставляется активная полупроводниковая пленка между, по меньшей мере, передним электродом и задним электродом.
8. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, имеет толщину от примерно 10-100 Е.
9. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, изменяется по степени окисления, непрерывно или дискретно, чтобы иметь большее содержание кислорода вблизи полупроводниковой пленки, чем вблизи первой TCO-пленки.
10. Фронтальный контакт, подходящий для использования в фотоэлектрическом устройстве, включающий в себя активную полупроводниковую пленку, причем фронтальный контакт содержит:
переднюю стеклянную подложку;
первую пленку из по существу прозрачного проводящего оксида (TCO);
вторую пленку из по существу прозрачного проводящего оксида (TCO), имеющую высокую работу выхода, причем работа выхода второй TCO-пленки выше, чем у первой TCO-пленки; и
причем первая TCO-пленка находится между стеклянной подложкой и второй TCO-пленкой, так чтобы вторая TCO-пленка, имеющая высокую работу выхода, могла располагаться между первой TCO-пленкой и самым верхним участком полупроводниковой пленки фотоэлектрического устройства и контактировать с ними.
11. Фронтальный контакт по п.10, в котором вторая TCO-пленка содержит обогащенный кислородом оксид индия-олова (ITO).
12. Фронтальный контакт по п.10, в котором первая TCO-пленка имеет работу выхода не более 4,4 эВ, а вторая TCO-пленка имеет работу выхода по меньшей мере 4,5 эВ.
13. Фронтальный контакт по п.10, в котором вторая TCO-пленка имеет работу выхода от примерно 4,5 до 5,7 эВ.
14. Фронтальный контакт по п.10, в котором вторая TCO-пленка имеет работу выхода от примерно 4,7 до 5,3 эВ.
15. Фронтальный контакт по п.10, в котором первая TCO-пленка содержит одно или более из оксида олова и оксида цинка.
16. Фронтальный контакт по п.10, в котором вторая TCO-пленка имеет толщину от примерно 10-100 Е.
17. Фронтальный контакт по п.10, в котором вторая TCO-пленка, имеющая высокую работу выхода, изменяется по степени окисления, непрерывно или дискретно, так чтобы иметь большее содержание кислорода вблизи ее первой стороны, которую можно помещать рядом с полупроводниковой пленкой, чем вблизи первой TCO-пленки.
18. Способ получения фотоэлектрического устройства, причем способ включает:
получение стеклянной подложки;
осаждение первой пленки из по существу прозрачного проводящего оксида (TCO) на стеклянную подложку;
осаждение второй пленки из по существу прозрачного проводящего оксида (TCO), имеющей относительно высокую работу выхода, на стеклянную подложку в контакте с первой TCO-пленкой, причем вторая TCO-пленка имеет более высокую работу выхода, чем первая TCO-пленка; и
формирование фотоэлектрического устройства так, чтобы вторая TCO-пленка, имеющая относительно высокую работу выхода, находилась между каждой первой TCO-пленкой и полупроводниковой пленкой фотоэлектрического устройства и контактировала с ними.
19. Способ по п.18, в котором вторая TCO-пленка содержит обогащенный кислородом оксид индия-олова (ITO).
20. Способ по п.18, в котором первая TCO-пленка имеет работу выхода не более 4,4 эВ, а вторая TCO-пленка имеет работу выхода по меньшей мере 4,5 эВ.
21. Способ по п.18, в котором вторая TCO-пленка имеет работу выхода от примерно 4,5 до 5,7 эВ.
22. Способ по п.18, в котором каждый из указанных этапов осаждения включает напыление.