СИСТЕМА И СПОСОБ СОЗДАНИЯ МАГНИТНОЙ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ

1. Способ выравнивания магнитной пленки, причем способ содержит:
прикладывание первого магнитного поля вдоль первого направления в области, в которой находится подложка во время осаждения первого магнитного материала на подложку, причем магнитная пленка содержит первый магнитный материал; и
прикладывание второго магнитного поля вдоль второго направления в области во время осаждения первого магнитного материала на подложку.
2. Способ по п.1, в котором первое магнитное поле и второе магнитное поле прикладывают приблизительно в одно и то же время.
3. Способ по п.2, в котором первое магнитное поле и второе магнитное поле прикладывают в течение общего промежутка времени.
4. Способ по п.1, в котором первое магнитное поле ориентировано приблизительно параллельно первой оси легкого намагничивания первого участка подложки, и второе магнитное поле ориентировано приблизительно параллельно второй оси легкого намагничивания второго участка подложки.
5. Способ по п.1, в котором первое магнитное поле имеет первую напряженность магнитного поля, в котором первая напряженность магнитного поля имеет значение меньше, чем приблизительно 1000 Э.
6. Способ по п.1, в котором второе магнитное поле имеет вторую напряженность магнитного поля, в котором вторая напряженность магнитного поля имеет значение меньше, чем приблизительно 1000 Э.
7. Способ по п.1, в котором подложка содержит второй магнитный материал.
8. Способ по п.1, более того содержащий после осаждения первого магнитного материала магнитный отжиг первого магнитного материала, в котором магнитный отжиг содержит прикладывание третьего магнитного поля к области, причем третье магнитное поле ориентировано по существу вдоль первого направления.
9. Способ по п.8, в котором третье магнитное поле имеет третью напряженность магнитного поля, которая превышает первую напряженность магнитного поля, ассоциированную с первым магнитным полем.
10. Способ по п.8, более того содержащий прикладывание четвертого магнитного поля к области, в котором четвертое магнитное поле ориентировано по существу вдоль второго направления.
11. Способ по п.10, в котором четвертое магнитное поле имеет четвертую напряженность магнитного поля, которая превышает вторую напряженность магнитного поля, ассоциированную со вторым магнитным полем.
12. Способ по п.1, в котором подложка содержит:
первый участок подложки, имеющий первую ось легкого намагничивания, и второй участок подложки, имеющий вторую ось легкого намагничивания;
в котором подложка ориентирована в области так, что первая ось легкого намагничивания ориентирована по существу вдоль первого направления, и вторая ось легкого намагничивания ориентирована по существу вдоль второго направления.
13. Устройство, содержащее:
камеру для осаждения, сконфигурированную для осаждения магнитного материала на подложку, причем камера для осаждения включает в себя область осаждения;
средство для прикладывания первого магнитного поля в области для осаждения, причем первое магнитное поле ориентировано по существу вдоль первого направления;
средство для прикладывания второго магнитного поля в области для осаждения, причем второе магнитное поле ориентировано по существу вдоль второго направления;
в котором магнитный материал находится в области для осаждения во время процесса осаждения.
14. Устройство по п.13, в котором первое магнитное поле имеет первую напряженность магнитного поля, которая не превышает нескольких сотен эрстед.
15. Устройство по п.13, в котором первое магнитное поле имеет первую напряженность магнитного поля, которая не превышает приблизительно 100 Э.
16. Устройство по п.13, в котором второе магнитное поле имеет вторую напряженность магнитного поля, которая не превышает нескольких сотен эрстед.
17. Устройство по п.13, в котором второе магнитное поле имеет вторую напряженность магнитного поля, которая не превышает 100 Э.
18. Устройство по п.13, в котором первое направление является приблизительно перпендикулярным второму направлению.
19. Устройство по п.13, более того, содержащее средство для прикладывания третьего магнитного поля в первой области, причем третье магнитное поле ориентировано по существу вдоль третьего направления, которое отличается от первого направления и второго направления.
20. Устройство по п.19, в котором подложка содержит:
первый участок подложки, имеющий первую ось легкого намагничивания,
второй участок подложки, имеющий вторую ось легкого намагничивания, и
третий участок подложки, имеющий третью ось легкого намагничивания;
в котором первая ось легкого намагничивания ориентирована по существу вдоль первого направления, вторая ось легкого намагничивания ориентирована по существу вдоль второго направления, и третья ось легкого намагничивания ориентирована по существу вдоль третьего направления.
21. Устройство, содержащее:
корпус, определяющий ограждение, сконфигурированное ограждать подложку, включающую в себя первый участок подложки, имеющий первую ось легкого намагничивания, и второй участок подложки, имеющий вторую ось легкого намагничивания, причем подложка получает магнитный материал посредством осаждения, в то время когда подожка находится в ограждении;
генератор первого магнитного поля, сконфигурированный генерировать первое магнитное поле в ограждении, причем первое магнитное поле имеет первое направление магнитного поля;
генератор второго магнитного поля, сконфигурированный генерировать второе магнитное поле в ограждении, причем второе магнитное поле имеет второе направление магнитного поля;
в котором, если первое направление магнитного поля по существу совпадает с первой осью легкого намагничивания, первая часть осажденного магнитного материала, находящаяся на первом участке подложки, имеет первую магнитную ориентацию, которая, по меньшей мере, частично выровнена с первой осью легкого намагничивания; и
в котором, если второе магнитное поле по существу совпадает со второй осью легкого намагничивания, вторая часть осажденного магнитного материала, находящаяся на втором участке подложки, имеет вторую магнитную ориентацию, которая, по меньшей мере, частично выровнена со второй осью легкого намагничивания.
22. Устройство по п.20, в котором первая часть осажденного магнитного материала и вторая часть осажденного магнитного материала формируют магнитную пленку, по меньшей мере, частично покрывающую подложку.
23. Устройство по п.21, в котором магнитный туннельный переход сформирован из участка подложки и участка магнитной пленки.
24. Магнитная оперативная память (MRAM), содержащая:
подложку, включающую в себя первый участок подложки, имеющий первую ось легкого намагничивания, и второй участок подложки, имеющий вторую ось легкого намагничивания;
пленку, включающую в себя магнитный материал, осажденный на подложке, причем пленка включает в себя первый участок пленки и второй участок пленки;
причем первый участок пленки соединен с первым участком подложки, при этом первый участок пленки включает в себя первую часть магнитного материала, которая выровнена по существу вдоль первой оси легкого намагничивания;
причем второй участок пленки соединен со вторым участком подложки, при этом второй участок пленки включает в себя вторую часть магнитного материала, которая выровнена по существу вдоль второй оси легкого намагничивания;
в которой во время осаждения пленки, подложку подвергают воздействию первого магнитного поля, которое ориентировано по существу вдоль первой оси легкого намагничивания, в то же время подложку подвергают воздействию второго магнитного поля, которое ориентировано по существу вдоль второй оси легкого намагничивания.
25. MRAM по п.24, в которой первое магнитное поле имеет первую напряженность магнитного поля, которая меньше, чем несколько сотен эрстед, и второе магнитное поле имеет вторую напряженность магнитного поля, которая меньше, чем несколько сотен эрстед.