ДОСТУП К БЛОКАМ ПАМЯТИ В БАНКЕ ПАМЯТИ
ACCESS TO MEMORY BLOCKS IN MEMORY BANK

ПРЕДПОСЫЛКИ
[0001] Блоки памяти широко используют для хранения информации. Например, в печатающей головке информацию, относящуюся к атрибутам печатающего картриджа, обычно хранят в блоках памяти. Информацию можно хранить в блоках памяти в бинарной форме, т. е. в виде «0» и «1». Блоки памяти некоторых примерных типов представляют собой блоки памяти масочного постоянного запоминающего устройства (MROM), стираемого программируемого постоянного запоминающего устройства (EPROM) и электрически стираемого программируемого постоянного запоминающего устройства (EEPROM). В некоторых случаях несколько блоков памяти компонуют вместе в форме единого банка памяти. Банк памяти может содержать множество блоков памяти в форме матрицы, т. е. строк и столбцов.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ФИГУР
[0002] Следующее подробное описание относится к чертежам, где:
[0003] Фиг. 1 иллюстрирует кристалл выброса текучего вещества в соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения.
[0004] Фиг. 2(a) иллюстрирует картридж текучего вещества, содержащий кристалл выброса текучего вещества, в соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения.
[0005] Фиг. 2(b) иллюстрирует печатающий картридж, содержащий печатающую головку, в соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения.
[0006] Фиг. 3 иллюстрирует связь транзистора выбора банка с матрицей блоков памяти электрически программируемого постоянного запоминающего устройства (EM) в банке памяти в соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения.
[0007] Фиг. 4 иллюстрирует раскладку EM банка в соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения.
[0008] Фиг. 5 иллюстрирует EM банк имеющий множество матриц EM блоков памяти в соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения.
[0009] Фиг. 6 иллюстрирует регистр выбора столбца, регистр выбора строки и регистр выбора банка для генерации сигнала выбора столбца, сигнала выбора строки и сигнала выбора банка, соответственно, в соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения.
[0010] Фиг. 7 иллюстрирует первый каскад сдвигового регистра выбора банка, который генерирует сигнал выбора банка для EM банка, в соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ
[0011] Банки памяти можно использовать в кристалле выброса текучего вещества, таком как печатающая головка, чтобы хранить различную информацию, связанную с кристаллом выброса текучего вещества, такую как идентификационная информация, серийные номера, информация о безопасности, информация об улучшении признака и т. п. Поскольку банк памяти включает в себя множество блоков памяти, чтобы считывать или записывать данные в блок памяти в банке памяти, перед операцией считывания или записи блок памяти подлежит выбору. Поскольку блоки памяти скомпонованы в строках и столбцах, блок памяти можно выбирать посредством выбора строки и столбца, в которых расположен блок памяти. Строка и столбец, соответствующие блоку памяти, можно выбирать посредством предоставления набора сигналов выбора, такого как сигнал выбора строки, который применяют к строке, соответствующей блоку памяти, и сигнал выбора столбца, который применяют к столбцу, соответствующему блоку памяти.
[0012] В случаях, когда большое количество данных подлежит хранению, можно использовать несколько банков памяти. В таком случае, чтобы осуществлять доступ к блоку памяти для считывания или записи, в дополнение к выбору строки и столбца, соответствующих блоку памяти, банк памяти, соответствующий блоку памяти, также подлежит выбору. Соответственно, сигнал выбора банка также предусмотрен для банка памяти, соответствующего блоку памяти, подлежащему выбору.
[0013] Различные сигналы выбора можно генерировать с помощью одного или нескольких регистров. Таким образом, выбор блока памяти можно осуществлять посредством одного или нескольких регистров, которые генерируют сигнал выбора строки для того, чтобы выбирать строку блока памяти, сигнал выбора столбца для того, чтобы выбирать столбец блока памяти, и сигнал выбора банка для того, чтобы выбирать банк, в котором присутствует блок памяти.
[0014] Данный объект изобретения относится к аспектам осуществления доступа к блокам памяти в банке памяти. Реализации данного объекта изобретения предусматривают эффективную раскладку, которая минимизирует количество расходуемого пространства, например, в кристалле выброса текучего вещества, для реализации различных регистров выбора.
[0015] В соответствии с примерной реализацией данного объекта, предусмотрен транзистор выбора банка, общий для множества блоков памяти, присутствующих в банке памяти. Множество блоков памяти в банке памяти скомпонованы в форме матрицы, имеющей множество строк и столбцов. Транзистор выбора банка способствует осуществлению доступа к блоку памяти из множества блоков памяти в банке памяти на основе сигнала выбора банка, который можно предоставлять с помощью регистра выбора.
[0016] В соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения, множество банков памяти предусмотрено в устройстве, таком как кристалл выброса текучего вещества. В каждом банке памяти предусмотрено множество блоков памяти и транзистор выбора банка, общий для множества блоков памяти. Транзистор выбора банка в банке памяти принимает сигнал выбора банка для облегчения осуществления доступа к блоку памяти в банке памяти. Транзистор выбора банка можно соединять с каждым блоком памяти через транзистор выбора строки и транзистор выбора столбца, соединенные с блоком памяти, и он может способствовать осуществлению доступа к блоку памяти из множества блоков памяти при приеме сигнала выбора банка.
[0017] Поскольку транзистор выбора банка является общим для множества блоков памяти в банке памяти, доступом к множеству блоков памяти можно управлять с использованием одного сигнала выбора банка, который предоставляют на транзистор выбора банка. Кроме того, посредством предоставления одного транзистора выбора банка обычно для множества блоков памяти в банке памяти, вместо предоставления одного транзистора выбора банка на блок памяти, данный объект изобретения значительно снижает число транзисторов, подлежащих предоставлению в банке памяти, чтобы содействовать осуществлению доступа к блокам памяти. Это уменьшает размер устройства, использующего банки памяти. Следовательно, аспекты данного объекта изобретения можно использовать в устройствах ограниченных размеров, таких как печатающие головки, для хранения большого количества данных в ограниченном количестве пространства. Уменьшение числа предусмотренных транзисторов также позволяет иметь больше блоков памяти и банков памяти в устройстве, тем самым увеличивая число функций, выполняемых устройством.
[0018] Следующее описание относится к сопроводительным рисункам. Везде где возможно, одинаковые номера позиций используют на фиг. и в последующем описании, чтобы отослать к одинаковым или схожим частям. Поскольку в описании описано несколько примеров, возможны модификации, адаптации и другие реализации. Соответственно, следующее подробное описание не ограничивает раскрытые примеры. Вместо него, надлежащий объем раскрытых примеров можно определять с помощью приложенной формулы изобретения.
[0019] Примерные реализации данного объекта изобретения описаны в отношении банков памяти, используемых в кристаллах выброса текучего вещества, таких как печатающие головки. Несмотря на то, что не описано, понятно, что реализации данного объекта изобретения можно использовать с кристаллами выброса текучего вещества других типов, где доступу подлежит блок памяти в одном из нескольких банков памяти.
[0020] Фиг. 1 иллюстрирует кристалл 100 выброса текучего вещества, в соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения. Пример кристалла 100 выброса текучего вещества включает, но не ограничиваясь этим, печатающую головку, такую как термическая струйная (TIJ) печатающая головка и пьезоэлектрическая струйная печатающая головка. Кристалл 100 выброса текучего вещества выбрасывает капли текучего вещества, такого как чернила и жидкий тонер, через множество отверстий или сопел 104 на запечатываемую среду (не показано на фиг. 1), чтобы осуществлять печать на запечатываемой среде. Запечатываемая среда может представлять собой подходящий листовой материал любого типа, такой как бумага, стопка карточек, материя и т. п. Обычно сопла 104 скомпонованы одним или несколькими столбцами или массивами так, что надлежащий последовательный выброс текучего вещества из сопел обеспечивает знаки, символы и/или другую графику или изображения, подлежащие печати на запечатываемой среде.
[0021] Банк 102 памяти также содержит множество блоков 106-1, 106-2,..., 106-n памяти, в совокупности обозначаемых как блоки 106 памяти. Блоки 106 памяти скомпонованы в банке 102 памяти в форме матрицы, имеющей множество строк и столбцов.
[0022] Каждый из блоков 106 памяти способен хранить данные. Данные, которые можно хранить в блоке памяти, могут представлять собой, например, один бит данных, т. е. логический «0» или логическую «1». Кроме того, данные, хранимые в блоке памяти, можно извлекать. Другими словами, в каждом блоке памяти можно осуществлять запись или считывание. Доступ к блоку памяти можно осуществлять для записи данных или считывания данных. Для того чтобы содействовать осуществлению доступа к блоку памяти из блоков 106 памяти, кристалл 100 выброса текучего вещества содержит транзистор 108 выбора банка. Несмотря на то, что транзистор 108 выбора банка показан располагаемым снаружи банка 102 памяти, в одной из реализаций транзистор 108 выбора банка располагают внутри банка 102 памяти.
[0023] Транзистор 108 выбора банка является общим для блоков 106 памяти. Транзистор 108 выбора банка можно делать общим для блоков 106 памяти посредством соединения транзистора 108 выбора банка с каждым блоком памяти из блоков 106 памяти. Здесь транзистор 108 выбора банка показан соединенным с блоками 106 памяти через стрелки, чтобы показывать, что транзистор 108 выбора банка можно соединять с блоками 106 памяти или непосредственно или опосредованно. Объяснение связи транзистора 108 выбора банка с блоками 106 памяти приведено со ссылкой на фиг. 3. Транзистор 108 выбора банка принимает сигнал 110 выбора банка. На основе сигнала 110 выбора банка, транзистор 108 выбора банка способствует осуществлению доступа к блокам памяти в банке 102 памяти.
[0024] В одной из реализаций, блоки 106 памяти представляют собой блоки памяти электрически программируемого постоянного запоминающего устройства (EM). Термин «EM блок памяти», как используют в настоящем описании, следует понимать широко как любое программируемое постоянное запоминающее устройство, которое сохраняет свои данные, когда его исток мощности выключают. В одном из примеров, EM представляет собой стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство (EPROM). В другом примере, EM представляет собой электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство (EEPROM).
[0025] Несмотря на то, что фиг. 1 иллюстрирует единый банк 102 памяти в кристалле 100 выброса текучего вещества, кристалл 100 выброса текучего вещества может включать множество банков памяти. Соответственно, каждый банк памяти может иметь соответствующий транзистор выбора банка, который является общим для множества блоков памяти в этом банке памяти.
[0026] Транзистор 108 выбора банка принимает сигнал 110 выбора банка от регистра выбора банка (не показан на фиг. 1), который генерирует сигнал 110 выбора банка на основе банка памяти, блок памяти которого подлежит доступу. Каждый блок памяти также может иметь транзистор выбора строки и транзистор выбора столбца (оба не показаны на фиг. 1), ассоциированный с ним. Доступ к блоку памяти можно осуществлять, когда транзистор выбора строки и транзистор выбора столбца, соединенные с ним, принимает сигнал выбора строки и сигнал выбора столбца, соответственно, и транзистор 108 выбора банка принимает сигнал 110 выбора банка. Предоставляя общий транзистор 108 выбора банка для множества блоков 106 памяти вместо отдельного транзистора выбора банка, соответствующего каждому блоку памяти, в кристалле 100 выброса текучего вещества достигают существенной экономии пространства.
[0027] Описанные выше реализации объяснены более подробно со ссылкой на последующие абзацы.
[0028] Фиг. 2(a) иллюстрирует картридж 200 текучего вещества, в соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения. Картридж 200 текучего вещества в более общем смысле представляет собой точно распределяющее струю текучего вещества устройство или структуру выбрасывателя текучего вещества, которые точно распределяют текучее вещество, такое как чернила и жидкий тонер. В одном из примеров картридж 200 текучего вещества может представлять собой печатающий картридж, такой как одноцветный картридж чернил для принтера со струей текучего вещества.
[0029] Хотя настоящее описание в целом описывает картридж струйной печати, который выбрасывает чернила на среды, примеры данного описания могут не быть ограничены только картриджами струйной печати. В целом, примеры из данного описания относятся к точно распределяющим струю текучего вещества или выбрасывающим устройствам любого типа, которые дозируют текучее вещество. Термин текучее вещество следует интерпретировать широко как любое вещество, которое деформируется под приложенным усилием. Примеры текучих веществ, следовательно, включают жидкости и газы. Точно распределяющее струю текучего вещества устройство представляет собой устройство, в котором печати или распределения рассматриваемого текучего вещества достигают посредством точной печати или распределения в точно определяемые местоположения, создавая или не создавая в них конкретное изображение, которое печатают или распределяют. Таким образом, в целях объяснения описан печатающий картридж или картридж чернил. Однако понятно, что картридж текучего вещества любого типа можно использовать с использованием принципов, описанных в настоящем описании.
[0030] В одной из реализаций, картридж 200 текучего вещества содержит резервуар 202 текучего вещества для того, чтобы хранить текучее вещество, такое как чернила и жидкий тонер, и кристалл 204 выброса текучего вещества, такой как кристалл 100 выброса текучего вещества, который сопрягают с резервуаром 202 текучего вещества. Когда картридж 200 текучего вещества представляет собой печатающий картридж, текучее вещество, которое хранят в резервуаре 202 текучего вещества, можно обозначать как печатающий материал, и резервуар 202 текучего вещества можно обозначать как резервуар печатающего материала. Текучее вещество, хранимое в резервуаре 202 текучего вещества, может течь к кристаллу 204 выброса текучего вещества, который выбрасывает капли текучего вещества через множество сопел 206 в сторону запечатываемой среды.
[0031] В одном из примеров кристалл 204 выброса текучего вещества содержит множество EM банков 208-1,..., 208-n, в совокупности обозначаемых как EM банки 208. EM банк относится к любой комбинации любого числа матриц EM блоков памяти. EM банки 208 можно использовать для того, чтобы хранить различную информацию об устройстве, в котором их используют. Например, если кристалл 204 выброса текучего вещества представляет собой печатающую головку, хранимая информация может представлять собой идентификационную информацию, такую как идентификацию печатающей головки, тип картриджа чернил и тип чернил, содержащихся в картридже чернил, серийные номера, информацию о безопасности, информацию об улучшении признака и т. п. На основе информации, хранимой в EM банках 208, контроллер принтера (не показан на фиг. 2(a)) в принтере (не показан на фиг. 2(a)), который содержит кристалл 204 выброса текучего вещества, может выполнять одно или несколько действий, таких как меняющиеся подпрограммы печати, чтобы поддерживать качество изображения.
[0032] Каждый EM банк содержит матрицу из множества EM блоков памяти. Матрица блоков памяти относится к компоновке блоков памяти в множестве строк и столбцов. Например, EM банк 208-1 содержит EM блоки 210-1, 210-2,..., 210-n памяти в форме матрицы. Аналогичным образом, EM банк 208-n содержит EM блоки 212-1, 212-2,..., 212-n памяти в форме матрицы.
[0033] В одном из примеров EM банк содержит 64 блока памяти. В одном из примеров, матрица блоков памяти содержит блоки памяти, скомпонованные в 8 строк и 8 столбцов, т. е. матрица блоков памяти представляет собой компоновку блоков памяти 8 × 8. В другом примере матрица блоков памяти представляет собой компоновку блоков памяти 8 × 4, т. е. имеет блоки памяти, скомпонованные в 8 строк и 4 столбца. В других примерах можно использовать другие компоновки, такие как 4 × 8, 2 × 16 и т. п.
[0034] В дополнение к матрице множества EM блоков памяти, каждый EM банк также содержит транзистор выбора банка. Например, EM банк 208-1 содержит транзистор 214 выбора банка и EM банк 208-n содержит транзистор 216 выбора банка. Транзистор выбора банка в EM банке является общим для множества EM блоков памяти. Для того чтобы делать транзистор выбора банка общим для множества EM блоков памяти, транзистор выбора банка можно соединять с каждым блоком памяти из множеств* EM блоков памяти. Например, со ссылкой на фиг. 2(a), транзистор 214 выбора банка можно соединять с каждым EM блоком памяти, т. е. с EM блоком 210-1 памяти, EM блоком 210-2 памяти,..., EM блоком 210-n памяти, из EM блоков памяти 210. Объяснение связи транзистора выбора банка с множеством EM блоков памяти приведено со ссылкой на фиг. 3.
[0035] Каждый транзистор выбора банка содержит вывод затвора. Вывод затвора можно использовать для того, чтобы принимать сигнал выбора банка, который представляет собой сигнал, используемый для того, чтобы выбирать конкретный EM банк. Когда транзистор выбора банка принимает сигнал выбора банка на своем выводе затвора, транзистор выбора банка включают. Поскольку транзистор выбора банка является общим для матрицы множества EM блоков памяти, включение транзистора выбора банка способствует осуществлению доступа к EM блоку памяти в матрице для считывания или записи.
[0036] Следовательно, также со ссылкой на фиг. 2(a), когда транзистор 214 выбора банка принимает сигнал 218 выбора банка на своем выводе затвора, способствуют осуществлению доступа к EM блокам 210-1, 210-2,..., 210-n памяти. Аналогичным образом, когда транзистор 216 выбора банка принимает сигнал 218 выбора банка на своем выводе затвора, способствуют осуществлению доступа к EM блокам 212-1, 212-2,..., 212-n памяти. Транзисторы выбора банка в различных EM банках могут принимать сигнал 218 выбора банка в различные моменты времени, чтобы, в любой момент времени способствовать осуществлению доступа к EM блокам памяти отдельно в одном EM банке. Объяснение генерации сигнала выбора банка приведено со ссылкой на фиг. 5. В одной из реализаций транзистор 214 выбора банка соединен с каждым EM блоком памяти через транзистор выбора строки и транзистор выбора столбца, соединенный с EM блоком памяти.
[0037] Фиг. 2(b) иллюстрирует печатающий картридж 250, в соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения. Печатающий картридж 250 может быть схож с картриджем 200 текучего вещества. Компонент печатающего картриджа 250, который соответствует компоненту картриджа 200 текучего вещества, обозначают номером позиции, который на 50 больше, чем соответствующий компонент картриджа 200 текучего вещества. Например, сопло 256 в печатающем картридже 250 соответствует соплам 206 в картридже 200 текучего вещества. Подобно картриджу 200 текучего вещества, печатающий картридж 250 также может содержать n EM банков. Однако для прозрачности показан один EM банк 258-1. Аналогичным образом, EM банк 258-1 содержит EM блоки памяти в множестве строк и столбцов, несмотря на то, что показан один столбец EM блоков памяти.
[0038] EM блок 260-1 соединяют с транзистором 264 выбора банка через транзистор 270 выбора столбца и транзистор 272 выбора строки. Аналогичным образом, EM блок 260-m соединяют с транзистором 264 выбора банка через транзистор 274 выбора столбца и транзистор 276 выбора строки. Объяснение связи транзистора выбора банка с матрицей множества EM блоков памяти в банке памяти, через транзисторы выбора строки и выбора столбца, приведено со ссылкой на фиг. 3. Матрицу множества EM блоков памяти можно взаимозаменяемо обозначать как матрицу EM блоков памяти.
[0039] Фиг. 3 иллюстрирует связь транзистора 302 выбора банка с матрицей 304 EM блоков памяти в банке 300 памяти, в соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения. Матрица 304 EM блоков памяти содержит множество EM блоков 306-1, 306-2,..., 306-m, 306-n памяти, в совокупности обозначаемых как EM блоки 306 памяти. Несмотря на то, что матрица 304 EM блоков памяти показана содержащей EM блоки памяти в 2 строки и 2 столбца, следует понимать, что матрица может содержать любое число строк и столбцов EM блоков памяти. В одном из примеров матрица 304 представляет собой матрицу 8 × 8 EM блоков памяти.
[0040] EM блок 306-1 памяти содержит транзистор 308 с плавающим затвором. Вывод стока транзистора 308 с плавающим затвором соединяют с одним выводом резистора 314. Другой вывод резистора 314 соединяют с идентификационной (ID) линией 316, через которую к транзистору 308 с плавающим затвором можно осуществлять доступ для считывания или записи. Вывод истока транзистора 308 с плавающим затвором соединяют с выводом стока транзистора 310 выбора столбца. Вывод истока транзистора 310 выбора столбца соединяют с выводом стока транзистора 312 выбора строки. Таким образом, транзистор 308 с плавающим затвором, транзистор 310 выбора столбца и транзистор 312 выбора строки соединяют вместе. Такую связь транзистора 308 с плавающим затвором, транзистора 310 выбора столбца и транзистора 312 выбора строки можно обозначать как последовательное соединение. Кроме того, вывод истока транзистора 312 выбора строки соединяют с выводом стока транзистора 302 выбора банка. Таким образом, транзистор 302 выбора банка соединяют с EM блоком 306 памяти-1. Такую связь транзистора 302 выбора банка с EM блоком 306 памяти-1 (через транзистор 310 выбора столбца и транзистор 312 выбора строки) можно обозначать как последовательное соединение. Вывод истока транзистора 302 выбора банка можно соединять с опорным напряжением, например, землей 318.
[0041] Транзистор 308 с плавающим затвором, транзистор 310 выбора столбца и транзистор 312 выбора строки могут представлять собой, например, металл-оксид-полупроводниковые полевые транзисторы (MOSFET). В одном из примеров транзистор 308 с плавающим затвором, транзистор 310 выбора столбца и транзистор 312 выбора строки представляют собой устройства N-типа (NMOS). В других примерах транзистор 308 с плавающим затвором, транзистор 310 выбора столбца и транзистор 312 выбора строки представляют собой PMOS устройства или CMOS устройства. В одной из реализаций транзистор 302 выбора банка представляет собой MOSFET и может представлять собой NMOS устройство.
[0042] В одной из реализаций каждый EM блок памяти содержит соответствующий транзистор выбора столбца. Другими словами, транзистор с плавающим затвором в EM блоке памяти соединяют с транзистором выбора столбца, специализированным для EM блока памяти. Например, транзистор 310 выбора столбца специализируют для EM блока 306 памяти-1 и не соединяют с любым транзистором с плавающим затвором, отличным от транзистора 308 с плавающим затвором. Однако транзистор выбора строки является общим для всех EM блоков памяти в конкретной строке матрицы EM блоков памяти. Другими словами, транзистор выбора строки соответствует строке матрицы EM блоков памяти. Со ссылкой на фиг. 3, транзистор 312 выбора строки соответствует первой строке EM блоков памяти в матрице 304. Следовательно, транзистор 312 выбора строки соединяют с каждым транзистором выбора столбца в первой строке матрицы 304. Несмотря на то, что транзистор выбора строки показан соответствующим всей строке EM блоков памяти, тогда как транзистор выбора столбца соответствует одному EM блоку памяти, в одной из реализаций транзистор выбора столбца может соответствовать всему столбцу EM блоков памяти, тогда как транзистор выбора строки соответствует одному EM блоку памяти. В другой реализации каждый EM блок памяти может иметь транзистор выбора строки и транзистор выбора столбца, соответствующий ему.
[0043] Другие EM блоки 306-2,..., 306-m, 306-n памяти могут быть идентичны EM блоку 306 памяти-1 и содержать схожие компоненты и связи, как в EM блоке 306 памяти-1. Следовательно, вывод истока транзистора с плавающим затвором каждого EM блока памяти соединяют с выводом стока транзистора выбора столбца, соответствующим этому EM блоку памяти, и вывод истока транзистора выбора столбца соединяют с выводом стока транзистора выбора строки, соответствующим строке, содержащей этот EM блок памяти. Кроме того, вывод истока транзистора выбора строки, соответствующий каждой строке в матрице 304, соединяют с выводом стока транзистора 302 выбора банка. Таким образом, транзистор 302 выбора банка соединяют с каждым EM блоком памяти в матрице 304 EM блоков памяти. Другими словами, такая связь позволяет делать транзистор 302 выбора банка общим для множества EM блоков 306-1, 306-2,..., 306-n памяти в матрице 304.
[0044] Несмотря на то, что предоставление общего транзистора выбора банка для матрицы EM блоков памяти проиллюстрировано с помощью последовательного соединения транзистора выбора банка с другими транзисторами в матрице, понятно, что можно использовать любой другой способ делать транзистор выбора банка общим для матрицы.
[0045] Транзистор 308 с плавающим затвором содержит два вывода затвора, которые отделяют друг от друга слоем оксида, который выполняет функцию диэлектрика. Один из затворов называют плавающим затвором, а другой называют управляющим затвором. Плавающий затвор связывают с ID линией 316 через управляющий затвор. Когда открывают выводы затвора всех из транзистора 308 с плавающим затвором, транзистора 310 выбора столбца и транзистора 312 выбора строки, т. е. не подают сигнал напряжения, EM блок 306-1 памяти не хранит данные, что устанавливает его значение на логический «0» (состояние низкого сопротивления). В таком случае, плавающий затвор не имеет заряда, что обеспечивает низкое пороговое напряжение EM блока 306-1 памяти. Другими словами, в этом случае, EM блок 306-1 памяти хранит значение логического «0».
[0046] Для того чтобы менять значение, хранимое в EM блоке 306-1 памяти, на логическую «1» (состояние высокого сопротивления), транзистор 310 выбора столбца и транзистор 312 выбора строки подлежат включению посредством подачи сигнала напряжения на соответствующие им выводы затвора. После этого, программирующее напряжение подлежит подаче на управляющий затвор и вывод стока транзистора 308 с плавающим затвором. Программирующее напряжение можно подавать через ID линию 316. Программирующее напряжение направляет возбужденные электроны на плавающий затвор, тем самым увеличивая пороговое напряжение. Возбужденные электроны проталкивают и захватывают на другой стороне тонкого слоя оксида, придавая ему отрицательный заряд. Эти отрицательно заряженные электроны действуют в качестве барьера между управляющим затвором и плавающим затвором, тем самым меняя хранимое значение на состояние высокого сопротивления, т. е. логическую «1». Подачу программирующего напряжения для того, чтобы менять хранимое значение, обозначают как запись данных.
[0047] Для того чтобы считывать значение, хранимое в EM блоке 306-1 памяти, сначала транзистор 310 выбора столбца и транзистор 312 выбора строки подлежат включению. После этого можно воспринимать пороговое напряжение EM блока 306-1 памяти. Если пороговое напряжение низкое, например, ниже порогового уровня, то говорят, что EM блок 306-1 памяти имеет значение логического «0». Если пороговое напряжение высокое (т. е. выше порогового уровня), то говорят, что EM блок 306-1 памяти имеет значение логической «1». Пороговое напряжение можно воспринимать с использованием ID линии 316. Поскольку ID линию 316 соединяют со всеми EM блоками памяти в матрице 304, все EM блоки памяти можно записывать и считывать через ID линию 316.
[0048] Как отмечено раньше, включение транзистора 310 выбора столбца и транзистора 312 выбора строки можно достигать посредством подачи сигналов напряжения на соответствующие им выводы затвора. Сигнал напряжения, подаваемый на вывод затвора транзистора 310 выбора столбца, обозначают как сигнал выбора столбца 320, и сигнал напряжения, подаваемый на вывод затвора транзистора 312 выбора строки, обозначают как сигнал выбора строки 322. В одной из реализаций, выводы затвора всех транзисторов выбора столбца в одном столбце матрицы 304 соединяют вместе, чтобы сигнал выбора столбца 320 для этого столбца мог включать все транзисторы выбора столбца в этом столбце. Например, вывод затвора транзистора 310 выбора столбца и вывод затвора транзистора выбора столбца 314, соответствующие EM блоку 306-m памяти, соединяют вместе, поскольку оба EM блока 306-1 и 306-m памяти находятся в первом столбце матрицы 304.
[0049] Как изложено ранее, транзистор 302 выбора банка соединяют со всеми транзисторами выбора строки в матрице 304. Следовательно, чтобы записывать данные или считывать данные в EM блоке памяти в матрице 304, транзистор 302 выбора банка подлежит включению посредством подачи сигнала 324 выбора банка на транзистор 302 выбора банка. Кроме того, чтобы предотвращать запись или считывание данных в любом EM блоке памяти в матрице 304, сигнал 324 выбора банка можно не подавать на транзистор 302 выбора банка. Вкратце, доступом к EM блоку памяти в матрице 304 можно управлять посредством подачи или не подачи сигнала 324 выбора банка на транзистор 302 выбора банка.
[0050] Предоставление транзистора 302 выбора банка в качестве общего для всех EM блоков памяти в матрице 304 вместо связи индивидуального транзистора выбора банка в каждом EM блоке памяти, позволяет уменьшать размер матрицы 304 и, следовательно, EM банка 300. В одном из примеров, предоставление общего транзистора выбора банка для множества EM блоков памяти позволяет располагать 320 EM блоков памяти в пространстве, которое может вмещать 256 EM блоков памяти, если бы каждый EM блок памяти имел специализированный транзистор выбора банка. Таким образом, данный объект изобретения позволяет вмещать большее число EM блоков памяти в ограниченном пространстве. Следовательно, печатающая головка с использованием приемов данного объекта изобретения позволяет вмещать большое число EM блоков памяти, даже если она имеет ограниченную доступность пространства.
[0051] Фиг. 4 иллюстрирует раскладку EM банка 400, в соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения. Как изложено ранее, EM банк 400 может содержать матрицу EM блоков 402-1, 402-2,..., 402-n памяти.
[0052] EM блок 402-1 памяти содержит транзистор 404 с плавающим затвором для того, чтобы хранить бит данных. Транзистор 404 с плавающим затвором охватывают транзистором 406 выбора столбца. Кроме того, транзистор 408 выбора строки располагают около транзистора 406 выбора столбца. Как изложено ранее, в этой реализации, поскольку транзистор 408 выбора строки соответствует всей строке, содержащей EM блок 402-1 памяти, транзистор 408 выбора строки охватывает все транзисторы выбора столбца в строке, содержащей EM блок 402-1 памяти. Кроме того, как изложено ранее, выводы затвора всех транзисторов выбора столбца в одном столбце матрицы EM блоков памяти соединяют вместе. Такая связь проиллюстрирована перемычкой 410, которая соединяет вывод затвора транзистора 406 выбора столбца с транзистором 412 выбора столбца в том же столбце и следующей строке.
on
on
on
[0053] Транзистор выбора банка 414 располагают около матрицы EM блоков 402-1, 402-2,..., 402-n памяти. Такое размещение транзистора 412 выбора банка обычно облегчает его соединение со всеми транзисторами выбора строки в матрице. Кроме того, такое размещение позволяет предоставлять транзистор большого размера в качестве транзистора 412 выбора банка. Большой размер транзистора 412 выбора банка гарантирует, что он имеет малое сопротивление. Кроме того, большой размер также позволяет транзистору 412 выбора банка иметь большую краевую электрическую емкость. Эта большая краевая электрическая емкость усовершенствует эффективность зарядки транзистора 412 выбора банка, что, в свою очередь, увеличивает напряжение на выводе затвора (Vg) транзистора 412 выбора банка. Более высокое Vg снижает сопротивление транзистора 412 выбора банка. Следовательно, дополнительное сопротивление, вводимое в каждый EM блок памяти из-за связи транзистора 412 выбора банка, является минимальным. Другими словами, полное сопротивление (R) последовательного включения EM блока памяти мало. Малое значение R увеличивает эффективность программирования EM блока памяти. Другими словами, поскольку R мало, значимую часть программирующего напряжения, подаваемого на EM блок памяти, используют для программирования транзистора с плавающим затвором в EM блоке памяти.
[0054] В одной из реализаций EM блоки памяти на одной и той же высоте и разделенные по ширине (например, 402-1 и 402-2) образуют строку EM блоков памяти, и EM блоки памяти, которые распределены вертикально, т. е. один под другим (например, 402-1 и 402-i), образуют столбец EM блоков памяти. Такую компоновку EM блоков памяти можно обозначать как ориентация вертикального столбца, поскольку столбцы имеют вертикальную ориентацию. Однако в другой реализации EM блоки памяти на одной и той же высоте образуют столбец матрицы и EM блоки памяти один под другим образуют строку матрицы. Другими словами, транзистор выбора строки, соответствующий строке, можно располагать около всех EM блоков памяти один под другим, и выводы затвора всех транзисторов выбора столбца на одной и той же высоте можно соединять вместе. Такую компоновку EM блоков памяти можно обозначать как ориентацию горизонтального столбца.
[0055] Несмотря на то, что фиг. 4 иллюстрирует одну матрицу EM блоков памяти в банке памяти 400, банк памяти может содержать множество матриц EM блоков памяти. Банк памяти может содержать множество матриц EM блоков памяти, если кристалл, например, кристалл печатающей головки, в котором подлежит размещению банк памяти, не имеет достаточных размеров для размещения всех EM блоков памяти банка памяти в виде одной матрицы. Например, если EM банк 400, который имеет EM блоки памяти в ориентации вертикального столбца, должен содержать 64 EM блока памяти, их можно компоновать в виде одной матрицы 8 × 8 EM блоков памяти, если кристалл печатающей головки имеет достаточную длину для того, чтобы вмещать 8 строк EM блоков памяти, и достаточную ширину для того, чтобы вмещать 8 столбцов EM блоков памяти. Однако если кристалл печатающей головки не имеет достаточную ширину для того, чтобы вмещать 8 столбцов EM блоков памяти, но имеет достаточную длину для того, чтобы содержать 16 строк EM блоков памяти, 64 EM блока памяти в банке памяти можно компоновать в виде двух матриц 8 × 4 EM блоков памяти одну под другой. Аналогичным образом, если EM банк имеет ориентацию горизонтального столбца и должен содержать 64 EM блока памяти и если кристалл печатающей головки не имеет достаточную ширину для того, чтобы вмещать 8 строк EM блоков памяти, но имеет достаточную длину для того, чтобы содержать 16 столбцов EM блоков памяти, 64 EM блока памяти в банке памяти можно компоновать в виде двух матриц 4 × 8 EM блоков памяти одну под другой. Такие компоновки EM банков, имеющих множество матриц с различным числом строк и столбцов для того, чтобы учитывать ограниченную ширину кристалла, известны как тонкая EM раскладка, поскольку эти компоновки позволяют предоставлять «более тонкий» EM банк. С другой стороны, компоновка EM банков, имеющих одну матрицу, которая имеет одинаковое число строк и столбцов, такую как матрица 8 × 8, можно обозначать как широкую EM раскладку. Доступная длина и ширина на кристалле выброса текучего вещества для того, чтобы вмещать EM блоки памяти известна как доступная кремниевая (Si) полезная площадь устройства. В одном из примеров EM банк, имеющий горизонтально ориентированные EM блоки памяти, скомпонованные в виде двух матриц 8 × 4 одна под другой, имеет длину 1023 мкм и ширину 225 мкм. В другом примере, EM банк широкой EM раскладки, в котором скомпонована одна матрица 8 × 8, имеет длину 486 мкм и ширину 425 мкм. Объяснение компоновки множества матриц EM блоков памяти в EM банке приведено со ссылкой на фиг. 5.
[0056] Фиг. 5 иллюстрирует EM банк 500, имеющий множество матриц 502, 504 EM блоков памяти в соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения. Матрицу 502 EM блоков памяти и матрицу 504 EM блоков памяти можно обозначать как первую матрицу EM блоков памяти и вторую матрицу EM блоков памяти, соответственно. EM блоки памяти в первой матрице 502 EM блоков памяти можно обозначать как первое множество EM блоков памяти. Аналогичным образом, EM блоки памяти во второй матрице 504 EM блоков памяти можно обозначать как второе множество EM блоков памяти. Несмотря на то, что первая матрица 502 и вторая матрица 504 показаны содержащими EM блоки памяти в двух строках и одном столбце, матрица 502 и вторая матрица 504 могут содержать любое число строк и столбцов EM блоков памяти. Например, каждая из первой матрицы 502 и второй матрицы 504 может содержать 8 строк и 4 столбца (8 × 4) EM блоков памяти в ориентации вертикального столбца. В другом примере, каждая из первой матрицы 502 и второй матрицы 504 может содержать 4 строки и 8 столбцов (4 × 8) EM блоков памяти в ориентации горизонтального столбца. В одной из реализаций первая матрица 502 и вторая матрица 504 содержат одинаковое число строк EM блоков памяти, а также одинаковое число столбцов EM блоков памяти.
[0057] Несмотря на то, что первая матрица 502 и вторая матрица 504 EM блоков памяти показаны скомпонованными бок о бок в банке 500 памяти, в одной из реализаций, вторую матрицу 504 можно компоновать под первой матрицей 502. Например, первая матрица 502 и вторая матрица 504 могут представлять собой матрицы 8 × 4 в ориентации вертикального столбца или матрицы 4 × 8 в ориентации горизонтального столбца, скомпонованные одна под другой. Как отмечено ранее, такая компоновка первой матрицы 502 и второй матрицы 504 EM блоков памяти позволяет размещать банк 500 памяти на кристалле выброса текучего вещества, таком как печатающая головка, который имеет меньшую ширину.
[0058] В одной из реализаций, каждая матрица в EM банке 500 содержит специализированный транзистор выбора банка. Другими словами, отдельный транзистор выбора банка соединяют с множеством транзисторов выбора строки, присутствующих отдельно в одной матрице. Также со ссылкой на фиг. 5, транзистор 506 выбора банка, также обозначаемый как первый транзистор выбора банка, обычно соединяют с транзистором выбора строки отдельно в первой матрице 504, тогда как второй транзистор 508 выбора банка соединяют с транзисторами выбора строки отдельно во второй матрице 504. Понятно, что если EM банк 500 содержит дополнительные матрицы EM блоков памяти, банк 500 памяти может содержать отдельный транзистор выбора банка для каждой дополнительной матрицы EM блоков памяти. Например, если EM банк 500 содержит 4 матрицы 8 × 2 EM блоков памяти, EM банк 500 может содержать 4 транзистора выбора банка, каждый соединен с транзисторами выбора строки в одной матрице.
[0059] Как проиллюстрировано на фиг. 5, выводы затвора первого транзистора 506 выбора банка и второго транзистора 508 выбора банка соединяют вместе, чтобы они могли принимать сигнал 510 выбора банка одновременно. Следовательно, включением как первого транзистора 506 выбора банка, так и второго транзистора 508 выбора банка управляют вместе на основе сигнала 510 выбора банка. Предоставление отдельного транзистора выбора банка для каждой матрицы EM блоков памяти и соединение их выводов затвора вместе позволяет использовать приемы данного объекта изобретения также в тонкой EM раскладке. Следовательно, приемы данного объекта изобретения можно использовать в печатающих головках, имеющих кристаллы выброса текучего вещества меньшей ширины. Кроме того, поскольку транзисторы выбора банка из множества матриц соединяют вместе, эффективный размер транзистора выбора банка возрастает. Это дополнительно увеличивает краевую электрическую емкость, тем самым увеличивая Vg и уменьшая сопротивление. В одном из примеров, когда матрица EM блоков памяти представляет собой матрицу 8 × 8, транзистор 410 выбора банка имеет соотношение ширины и длины (W/L) 1446 мкм/4 мкм. В одном из примеров, когда матрица EM блоков памяти представляет собой матрицу 8 × 4, транзистор 410 выбора банка имеет соотношение ширины и длины (W/L) 1338 мкм/4 мкм.
[0060] Когда на первый транзистор 506 выбора банка и второй транзистор 508 выбора банка подают сигнал 510 выбора банка, данные можно считывать или записывать в EM блоке памяти в первой матрице 502 или второй матрице 504, при условии что транзистор выбора строки, соответствующий строке этого EM блока памяти, и транзистор выбора столбца, соответствующий этому EM блоку памяти, включают посредством подачи сигнала выбора строки и сигнала выбора столбца на соответствующие им выводы затвора. Например, чтобы записывать данные в EM блоке памяти 512-1 или считывать данные в нем, сигнал 514 выбора столбца следует подавать на вывод затвора транзистора 516 выбора столбца и сигнал 518 выбора строки следует подавать на вывод затвора транзистора 520 выбора строки. Сигнал 514 выбора столбца, сигнал 518 выбора строки и сигнал 510 выбора банка можно генерировать с помощью регистров. В одной из реализаций сигнал 514 выбора столбца генерируют с помощью регистра выбора столбца, сигнал 518 выбора строки генерируют с помощью регистра выбора строки и сигнал 510 выбора банка генерируют с помощью регистра выбора банка.
[0061] Фиг. 6 иллюстрирует регистр 602 выбора столбца, регистр 604 выбора строки и регистр 606 выбора банка для генерации сигнала выбора столбца, сигнала выбора строки и сигнала выбора банка соответственно, в соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения. Каждый из регистра 602 выбора столбца, регистра 604 выбора строки и регистра 606 выбора банка может представлять собой сдвиговый регистр, например, сдвиговый регистр с последовательным входом и параллельным выходом. Если регистр 602 выбора столбца, регистр 604 выбора строки и регистр 606 выбора банка представляют собой сдвиговые регистры, их можно взаимозаменяемо обозначать как сдвиговый регистр 602 выбора столбца, сдвиговый регистр 604 выбора строки и сдвиговый регистр 606 выбора банка, соответственно. Кроме того, сдвиговый регистр 602 выбора столбца, сдвиговый регистр 604 выбора строки и сдвиговый регистр 606 выбора банка можно в совокупности обозначать как сдвиговые регистры выбора. Сдвиговые регистры выбора соединяют с несколькими банками памяти в устройстве, например, устройстве памяти печатающей головки, которое вмещает банки памяти. Например, сдвиговые регистры выбора соединяют с банками 608-1, 608-2,..., 608-n памяти.
[0062] В одной из реализаций каждый из сдвиговых регистров выбора содержит каскад триггерных схем с двумя стабильными состояниями, которые имеют часы общего времени. Каждую триггерную схему можно соединять со вводом данных следующего триггера в каскаде, что дает схему, которая сдвигает хранимый битовый массив посредством сдвига в данных, получаемых на ее входе и сдвига последнего бита в массиве при каждом переходе на вводе синхронизации. Каждую триггерную схему сдвигового регистра выбора можно обозначать как каскад. Сдвиговые регистры выбора могут содержать любое число каскадов. В одном из примеров каждый из сдвиговых регистров выбора содержит 8 каскадов.
[0063] Как отмечено ранее, сдвиговый регистр 602 выбора столбца генерирует сигнал выбора столбца, который можно использовать для того, чтобы выбирать все EM блоки памяти в одном столбце матрицы EM блоков памяти. Для этого, как изложено ранее, выводы затвора транзисторов выбора столбца всех EM блоков памяти в одном столбце соединяют вместе. Следовательно, когда сигнал выбора столбца подают на заданный столбец матрицы EM блоков памяти, включают транзисторы выбора столбца во всех EM блоках памяти в столбце.
[0064] Сдвиговый регистр 602 выбора столбца может подавать сигналы выбора столбца на различные столбцы EM блоков памяти в различные моменты времени, чтобы в любой момент выбирать один столбец EM блоков памяти. Поскольку сдвиговый регистр 602 выбора столбца соединяют с несколькими EM банками 608-1, 608-2,..., 608-n (в совокупности обозначаемыми как EM банки 608), сигнал выбора столбца для данного столбца предоставляют для соответствующего столбца во всех EM банках 608. Например, сигнал выбора столбца для того, чтобы выбирать EM блоки памяти в первом столбце матрицы EM блоков памяти предоставляют для первого столбца каждого из нескольких EM банков 608.
[0065] В одной из реализаций, сигнал выбора столбца для каждого столбца матрицы EM блоков памяти генерируют с помощью отличающегося каскада сдвигового регистра 602 выбора столбца. Следовательно, число каскадов в сдвиговом регистре 602 выбора столбца может быть таким же как число столбцов в матрицах EM блоков памяти. Кроме того, если каждый EM банк имеет более чем одну матрицу EM блоков памяти, имеющую больше столбцов, чем строк, например, две матрицы 4 × 8 EM блоков памяти, сигнал выбора столбца для данного столбца предоставляют для соответствующего столбца во всех матрицах. Аналогичным образом, если каждый EM банк имеет более чем одну матрицу, имеющую больше строк, чем столбцов, число каскадов в сдвиговом регистре 602 выбора столбца может представлять собой сумму числа столбцов в каждой матрице. Например, если EM банк имеет две матрицы 8 × 4 EM блоков памяти, сдвиговый регистр 602 выбора столбца содержит 8 (4+4) каскадов, чтобы для всех 8 столбцов можно было предоставлять различные сигналы выбора столбца.
[0066] Сдвиговый регистр 604 выбора строки генерирует сигнал выбора строки, который можно использовать для того, чтобы выбирать все EM блоки памяти в одной строке матрицы EM блоков памяти. Для этого можно предоставлять сигнал выбора строки на выводе затвора транзистора выбора строки, соответствующего строке EM блоков памяти. Сдвиговый регистр 604 выбора строки может предоставлять сигнал выбора строки для различных строк EM блоков памяти в различные моменты времени, чтобы в любой момент времени выбирать одну строку EM блоков памяти. Поскольку сдвиговый регистр 604 выбора строки соединяют с несколькими EM банками 608, сигнал выбора строки для данной строки предоставляют для соответствующей строки во всех EM банках 608. Например, сигнал выбора строки для того, чтобы выбирать EM блоки памяти во второй строке матрицы EM блоков памяти, предоставляют для второй строки каждого из нескольких EM банков 608.
[0067] В одной из реализаций, сигнал выбора строки для каждой строки матрицы EM блоков памяти генерируют с помощью отличающегося каскада сдвигового регистра 604 выбора строки. Следовательно, число каскадов в сдвиговом регистре 604 выбора строки может быть таким же, как число строк в матрицах EM блоков памяти. Кроме того, если каждый EM банк имеет более чем одну матрицу EM блоков памяти, имеющую больше строк, чем столбцов, например, две матрицы 8 × 4 EM блоков памяти, сигнал выбора строки для данной строки можно предоставлять для соответствующей строки во всех матрицах. Аналогичным образом, если каждый EM банк имеет более чем одну матрицу EM блоков памяти, имеющую больше столбцов, чем строк, число каскадов в сдвиговом регистре 604 выбора строки может представлять собой сумму числа строк в каждой матрице. Например, если EM банк имеет две матрицы 4 × 8 EM блоков памяти, сдвиговый регистр 604 выбора строки содержит 8 (4+4) каскадов, чтобы для всех 8 строк можно было предоставлять различные сигналы выбора строки.
[0068] В одном из примеров каждый EM банк содержит один EM банк, имеющий EM блоки памяти в 8 строках и 8 столбцах. В другом примере каждый EM банк содержит две матрицы, каждая имеет EM блоков памяти в 8 строках и 4 столбцах. В дополнительном примере каждый EM банк содержит две матрицы, каждая имеет EM блоки памяти в 4 строках и 8 столбцах. В соответствии со всеми тремя примерами, как сдвиговый регистр 602 выбора столбца, так и сдвиговый регистр 604 выбора строки содержат по 8 каскадов каждый.
[0069] Сдвиговый регистр 606 выбора банка может генерировать сигналы выбора банка в различные моменты времени для различных EM банков. Сигнал выбора банка можно предоставлять для транзистора выбора банка в EM банке. Например, сигнал выбора банка для EM банка 608-1 предоставляют на транзистор выбора банка 610. Если каждый банк имеет более чем один транзистор выбора банка, сигнал выбора банка можно предоставлять всем транзисторам выбора банка в этом банке посредством соединения соответствующих им выводов затвора вместе. В одной из реализаций сдвиговый регистр 606 выбора банка содержит такое же число каскадов, как число EM банков, с которыми его соединяют. Другими словами, сдвиговый регистр 606 выбора банка содержит «n» каскадов для предоставления сигналов выбора банка для n различных EM банков.
[0070] Как изложено ранее, чтобы осуществлять доступ к EM блоку памяти в EM банке для считывания или записи, транзистор выбора строки, соответствующий строке EM блока памяти, и транзистор выбора столбца, соответствующий EM блоку памяти, подлежат включению посредством подачи сигнала выбора строки и сигнала выбора столбца на соответствующие им выводы затвора, и транзистор выбора банка в этом EM банке подлежит включению посредством подачи сигнала выбора банка на его вывод затвора. Для этого, сдвиговый регистр 602 выбора столбца, сдвиговый регистр 604 выбора строки и сдвиговый регистр 606 выбора банка могут генерировать сигнал выбора столбца, сигнал выбора строки и сигнал выбора банка, соответствующие EM блоку памяти. Рассмотрим примерный сценарий, в котором EM блок памяти во второй строке и третьем столбце во втором EM банке, т. е. 608-2, подлежит доступу для записи данных в нем. В этом сценарии второй каскад сдвигового регистра 604 выбора строки предоставляет сигнал выбора строки для второй строки, третий каскад сдвигового регистра 602 выбора столбца предоставляет сигнал выбора столбца для третьего столбца и второй каскад сдвигового регистра 606 выбора банка генерирует сигнал выбора банка для второго EM банка 608-2. Таким образом, используя комбинацию сдвиговых регистров выбора, можно осуществлять доступ к любому EM блоку памяти в любых строке, столбец и EM банке.
[0071] Как отмечено ранее, сигнал выбора банка для различных EM банков можно предоставлять с помощью различных каскадов сдвигового регистра 606 выбора банка.
[0072] Фиг. 7 иллюстрирует первый каскад 700 сдвигового регистра 606 выбора банка, который предоставляет сигнал выбора банка для EM банка 608-1 в соответствии с примерной реализацией данного объекта изобретения. Понятно, что сдвиговый регистр выбора банка содержит другие каскады для предоставления сигналов выбора банка для других EM банков.
[0073] Как проиллюстрировано на фиг. 7, первый каскад 700 сдвигового регистра 606 выбора банка содержит множество транзисторов 702-712. Транзисторы могут представлять собой, например, N-канальные полевые транзисторы (FET). Как проиллюстрировано, выводы затвора и стока транзистора 702 принимают синхронизирующий сигнал S1. Вывод истока транзистора 702 сопрягают с узлом Y0. Выводы затвора и стока транзистора 704 принимают синхронизирующий сигнал S3. Вывод истока транзистора 704 сопрягают с узлом Y, который, в свою очередь, соединяют с выводом затвора транзистора 710 выбора банка. Выводы стока транзисторов 706 и 708 сопрягают с узлами Y0 и Y, соответственно. Вывод затвора транзистора 706 принимает синхронизирующий сигнал S2 и вывод затвора транзистора 708 принимает синхронизирующий сигнал S4. Выводы истока транзисторов 706 и 708 сопрягают с выводами стока транзисторов 710 и 712, соответственно. Выводы истока транзисторов 710 и 712 сопрягают с опорным напряжением, таким как земля. Вывод затвора транзистора 710 можно сопрягать с выводом декодирующей схемы (не показано на фиг. 7). Транзисторы, соответствующие транзистору 710, в последующих каскадах сдвигового регистра 506 выбора банка, можно сопрягать с выводами соответствующих им предыдущих каскадов. Например, транзистор, соответствующий транзистору 710 во втором каскаде, можно сопрягать с узлом Y.
[0074] Каждый из синхронизирующих сигналов с S1 до S4 представляет собой периодическую последовательность импульсов с последовательным сдвигом фазы так, что импульс на S2 появляется после импульса на S1, импульс на S3 появляется после импульса S2 и так далее.
[0075] При работе, в течение S1, транзистор 702 заряжает (например, логическая 1) узел Y0. Одновременно декодирующая схема предоставляет импульс и включает транзистор 710. В течение S2, декодирующая схема продолжает предоставлять импульс. Следовательно, узел Y0 будет разряжаться и превращаться в логическую 0, когда оба транзистора 706 и 710 включены. В течение S3, декодирующая схема прекращает предоставлять импульс и узел Y будет заряжаться как транзистор 704. В течение S4, даже несмотря на то, что транзистор 708 включен, поскольку Y0 представляет собой логический 0, транзистор 712 выключен и, следовательно, Y остается заряженным. Поскольку узел Y соединяют с выводом затвора транзистора 710 выбора банка, сигнал выбора банка предоставляют на транзистор 710 выбора банка, когда заряжают узел Y. Понятно, что, когда повторяют вышеуказанный цикл, узел Y остается заряженным, тем самым непрерывно предоставляя сигнал выбора банка на транзистор 710 выбора банка. Для того чтобы останавливать отправку сигнала выбора банка на транзистор 710 выбора банка, например, чтобы выбирать другой EM банк, декодирующая схема может менять последовательность, в которой она предоставляет импульсы, так, что узел Y становится разряженным.
[0076] Несмотря на то, что реализации аспектов осуществления доступа к блокам памяти в банке памяти описаны в конкретных формулировках для структурных признаков и/или способов, следует понимать, что данный объект изобретения не обязательно ограничен конкретными описанными признаками или способами. Скорее конкретные признаки и способы раскрыты и объяснены в качестве примерных реализаций.