СПОСОБ РАЗМЕЩЕНИЯ НАНОАЛМАЗОВ С NV-ЦЕНТРАМИ НА НИТРИДЕ КРЕМНИЯ

1. Способ размещения наноалмазов с NV-центрами на поверхности кремниевой подложки, покрытой слоем оксида кремния и слоем нитрида кремния, в виде упорядоченного массива с малым размером агломератов наноалмазов, отличающийся тем, что перед нанесением раствора наноалмазов на поверхности нитрида кремния наносится слой позитивного резиста РММА 3%, в котором методом электронно-лучевой литографии формируется массив «окон» (отверстий) в резисте диаметром 200 нм, поверх которого наносится раствор наноалмазов, содержащих NV-центры в виде капли, распределенной по поверхности пластины в области сформированных «окон», которая, растекаясь, заполняет раствором наноалмазов «окна» в резисте, попавшие в «окна» наноалмазы остаются на поверхности нитрида кремния, а наноалмазы не попавшие в «окна» остаются на поверхности слоя резиста, при этом количество агломератов, оставшихся на поверхности, определяется степенью однородности раствора и диаметром «окон» в резисте, сама жидкость раствора испаряется с поверхности пластины путем медленного нагрева пластины на нагревательной плите 25-70°С до полного испарения капли, то есть в течение 10-15 мин, при этом есть риск, что резист перегреется, и его будет в дальнейшем невозможно удалить с помощью взрывной литографии вместе с остатками высохшего раствора.
2. Способ размещения наноалмазов с NV-центрами на структурах из Si3N4 по п. 1, отличающийся тем, что пластина с нанесенным на нее раствором наноалмазов, поддерживается при постоянной температуре 20-24°С в течение 2-3 часов до полного испарения капли, после чего при взрывной литографии остатки наноалмазов и резиста в местах без «окон» полностью удаляются.
3. Способ размещения наноалмазов с NV-центрами на структурах из Si3N4 по п. 1, отличающийся тем, что после нанесения капли раствора наноалмазов на образец с проявленными «окнами» сверху наносят 20 мкл изопропанола, достигая большего распространения капли в связи с лучшей адгезией к подложке.