СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

1. Способ определения теплового сопротивления цифровых интегральных микросхем, включающий нагрев и измерение изменения электрической греющей мощности одного логического элемента, выбранного в качестве источника тепла, измерение изменения напряжения температурочувствительного параметра другого логического элемента, выбранного в качестве датчика температуры, определение теплового сопротивления как отношение изменения напряжения температурочувствительного параметра к изменению электрической греющей мощности и известному температурному коэффициенту напряжения температурочувствительного параметра, отличающийся тем, что нагрев осуществляют путем пропускания тока через p-n переход логического элемента, выбранного в качестве источника тепла, образованный сильнолегированной p+ областью, электрически соединенной с выходом микросхемы и n подложкой p-МОП транзисторов, электрически соединенной с выводом шины питания микросхемы, измеряют изменение напряжения температурочувствительного параметра на p-n переходе логического элемента, выбранного в качестве датчика температуры, образованным сильнолегированной n+ областью, электрически соединенной с выходом микросхемы, и p-карманом n-МОП транзисторов, электрически соединенным с выводом общей шины питания микросхемы, причем вывод шины питания микросхемы электрически соединяют с выводом общей шины питания микросхемы, а в качестве напряжения температурочувствительного параметра выбирают прямое падение напряжения на p-n переходе при протекании прямого измерительного тока, и изменение электрической греющей мощности определяют как произведение проходящего греющего тока через p-n переход на падение напряжения на нем.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что нагрев осуществляют путем пропускания тока через p-n переход логического элемента, выбранного в качестве источника тепла, образованный сильнолегированной n+ областью, электрически соединенной с выходом микросхемы и p-карманом n-МОП транзисторов, электрически соединенным с выводом общей шины питания микросхемы, измеряют изменение напряжения температурочувствительного параметра на p-n переходе логического элемента, выбранного в качестве датчика температуры, образованным сильнолегированной p+ областью, электрически соединенной с выходом микросхемы и n подложкой p-МОП транзисторов, электрически соединенной с выводом шины питания микросхемы.