СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЯ НИТРИДА ГАЛЛИЯ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИТРИДНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА

1. Способ выращивания слоя нитрида галлия с использованием эпитаксии металлоорганических соединений из газовой фазы, включающий
инжекцию в реактор газа - источника азота и газа - источника галлия для выращивания слоя нитрида галлия,
причем инжекция газа - источника азота и газа - источника галлия включает инжекцию в реактор газа, содержащего атомы индия так, что вакантный центр поверхности, определяющий раковину, сформированную на выращиваемом слое нитрида галлия, объединяется вместе с атомами галлия или атомами индия для заполнения раковины.
2. Способ по п.1, в котором газ, содержащий атомы индия, представляет собой TMIn (триметил индия).
3
3. Способ по п.2, в котором TMIn инжектируют в реактор при расходе в 1,5 см/мин.
4. Способ по п.1, в котором порции атомов индия, содержащиеся в газе, содержащем атомы индия, не объединяются с вакантным центром, чтобы действовать как поверхностно-активное вещество для увеличения подвижности атомов галлия.
5. Способ по п.1, в котором газ, содержащий атомы индия, инжектируют при температуре от 850 до 1000°С.
3
6. Способ по п.1, в котором газом - источником азота является NH и газом - источником галлия является TMGa (триметил галлия).
2
7. Способ по п.1, в котором газ H используют как газ-носитель газа - источника азота, газа - источника галлия и газа, содержащего атомы индия, соответственно.
2
8. Способ по п.7, в котором атомы галлия, объединенные с вакантным центром, являются атомами галлия, отделенными от поверхности слоя нитрида галлия, протравленной газом H.
9. Способ по п.1, в котором реактор имеет внутреннее давление от 200 до 500 мбар.
10. Способ получения нитридного полупроводникового устройства, включающий
выращивание слоя нитридного полупроводника n-типа;
выращивание активного слоя на слое нитридного полупроводника n-типа и
выращивание слоя нитридного полупроводника p-типа на активном слое, используя эпитаксию металлоорганических соединений из газовой фазы,
причем выращивание слоя нитридного полупроводника p-типа включает инжекцию газа - источника азота и газа - источника галлия в реактор для выращивания слоя нитрида галлия, определяющего слой нитридного полупроводника p-типа, а
инжекция газа - источника азота и газа - источника галлия включает инжекцию газа, содержащего атомы индия так, что вакантный центр поверхности, определяющий раковину, сформированную на выращиваемом слое нитрида галлия, объединен вместе с атомами галлия или атомами индия для заполнения раковины.
2
11. Способ по п.10, в котором газ H используется как газ-носитель газа - источника азота, газа - источника галлия и газа, содержащего атомы индия соответственно.
12. Способ получения устройства нитридного полупроводника, включающий
выращивание слоя нитридного полупроводника n-типа;
выращивание активного слоя на слое нитридного полупроводника n-типа, используя эпитаксию металлоорганических соединений из газовой фазы, причем активный слой включает слой с квантовыми ямами и слой с квантовыми барьерами, уложенные поочередно; и
выращивание слоя нитридного полупроводника p-типа на активном слое,
причем выращивание активного слоя включает выращивание слоя с квантовыми барьерами в активном слое, и
выращивание слоя с квантовыми барьерами включает инжекцию газа - источника азота и газа - источника галлия для выращивания слоя нитрида галлия, определяющего слой с квантовыми барьерами,
причем инжекция газа - источника азота и газа - источника галлия включает инжекцию газа, содержащего атомы индия так, что вакантный центр поверхности, определяющий раковину, сформированную на выращиваемом слое нитрида галлия, объединяется вместе с атомами галлия или атомами индия для заполнения раковины.
2
13. Способ по п.12, в котором газ N используют как газ-носитель газа - источника азота, газа - источника галлия и газа, содержащего атомы индия соответственно.