ЭЛЕКТРОННОЕ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭТОГО УСТРОЙСТВА

1. Электронное переключающее устройство, включающее электроды истока и стока, полупроводниковую структуру, обеспечивающую полупроводниковый канал между электродами истока и стока, и электрод затвора, отделенный от полупроводниковой структуры структурой диэлектрика затвора, причем структура диэлектрика затвора включает первый, неконформный полимерный диэлектрический слой, расположенный в контакте с полупроводниковой структурой, и второй, конформный диэлектрический слой, расположенный между первым диэлектрическим слоем и электродом затвора.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что второй диэлектрический слой содержит парилен.
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что первый диэлектрический слой имеет толщину менее 200 нм.
4. Устройство по п.2, отличающееся тем, что второй диэлектрический слой имеет толщину в диапазоне 100-1000 нм.
2
5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что дрейфовая подвижность составляет более 0,01 см/Вс.
6. Устройство по одному из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что электрод затвора расположен над полупроводниковым слоем и слоем диэлектрика затвора.
2
5
7. Матрица образованных на подложке электронных переключающих устройств, каждое из которых включает неконформный диэлектрический слой, причем не более 0,1% общего количества устройств, образованных на подложке, дают ток утечки, превышающий 1 мкА/см при напряженности электрического поля 5·10 B/см.
8. Матрица по п.7, отличающаяся тем, что электронные переключающие устройства включают дополнительный диэлектрический слой.
9. Матрица по п.8, отличающаяся тем, что дополнительный диэлектрический слой включает слой парилена.
10. Матрица по п.9, отличающаяся тем, что неконформный диэлектрический слой имеет толщину менее 200 нм.
11. Матрица по п.9 или 10, отличающаяся тем, что дополнительный диэлектрический слой имеет толщину в диапазоне 100-1000 нм.
2
12. Матрица по одному из пп.7-10, отличающаяся тем, что дрейфовая подвижность каждого из электронных переключающих устройств составляет более 0,01 см/Вс.
13. Способ изготовления электронного переключающего устройства, в котором формируют электроды истока и стока и полупроводниковую структуру, обеспечивающую полупроводниковый канал между электродами истока и стока; наносят первый диэлектрический слой на полупроводниковую структуру с использованием метода осаждения из раствора; наносят второй диэлектрический слой на первый диэлектрический слой с использованием метода химического осаждения из паров; и наносят электрод затвора на второй диэлектрический слой.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что второй диэлектрический слой содержит парилен.
15. Способ по п.13, отличающийся тем, что первый диэлектрический слой наносят толщиной менее 200 нм.
16. Способ по п.13, отличающийся тем, что второй диэлектрический слой наносят толщиной в диапазоне 100-1000 нм.
17. Электронное переключающее устройство, включающее электроды истока и стока, полупроводниковую структуру, обеспечивающую полупроводниковый канал между электродами истока и стока, и электрод затвора, отделенный от полупроводниковой структуры структурой диэлектрика затвора, причем структура диэлектрика затвора включает первый, полимерный диэлектрический слой, расположенный в контакте с полупроводниковой структурой, и второй, конформный диэлектрический слой, расположенный между первым диэлектрическим слоем и электродом затвора.