Использование наноразмерных гидрофобизирующих покрытий для получения электретов на основе диоксида кремния

УДК 537.22

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ ГИДРОФОБИЗИРУЮЩИХ ПОКРЫТИЙ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРЕТОВ НА ОСНОВЕ ДИОКСИДА КРЕМНИЯ

Н.С.ПЩЕЛКО

Военная академия связи им. СМ.Буденного, Санкт-Петербург, Россия

Рассмотрены физико-технологические основы формирования электрета на основе диоксида кремния ^Ю2) для использования его в устройствах микросистемной техники. Исследования показали, что лучшими электретными свойствами обладает SiO2, полученный в атмосфере «влажного» кислорода, по сравнению с образцами, полученными другими методами окисления. Вероятно, это связано с большим количеством групп Si-ОН на поверхности оксида во «влажном» SiO2, что повышает эффективность действия гидрофобизирующих покрытий при модификации поверхности SiO2. Выявлено, что другие способы получения окисла, например, электрохимический или плазмохимический, не позволяют получить SiO2 с хорошими электретными свойствами. Уменьшение инжектированного в электрет заряда может происходить вследствие наличия объемной или поверхностной проводимости, а также экранировки этого заряда зарядами противоположного знака из атмосферы, приводящих при высокой окружающей влажности к катастрофическому падению поверхностного потенциала электрета. С целью увеличения стабильности электретного эффекта необходима гидро-фобизация поверхности SiO2 - нанесение на его поверхность тонких (наноразмерных) водоотталкивающих покрытий. Приведены экспериментальные результаты по стабильности электретного поверхностного потенциала при использовании различных гидрофобизаторов. Наиболее перспективными для использования в качестве гидрофобизаторов являются высокотемпературный фоторезист ФПТ-1-40 и полиимидные нанослое-вые композиции - пленки Ленгмюра - Блоджетт.

Ключевые слова: электрическое поле, электрет, диоксид кремния, гидрофобизация

Как цитировать эту статью: Пщелко Н.С. Использование наноразмерных гидрофобизирующих покрытий для получения электретов на основе диоксида кремния // Записки Горного института. 2018. Т. 230. С. 146-152. DOI: 10.25515/РЖ2018.2.146

Введение. Стабильный электретный эффект, сравнительно недавно обнаруженный в диоксиде кремния (8Ю2) [2, 13], открывает возможность применения электретов на основе этого материала в качестве источников постоянных полей миниатюрных электроакустических преобразователей, так как технология изготовления микроэлектретного преобразователя может быть совмещена со стандартной кремниевой технологией изготовления микросхем [5, 6, 8]. Очевидно, в этом случае удобно в качестве электрета использовать 8Ю2. Создание стабильного электрета на основе этого материала является актуальной задачей, использование электретов из 8Ю2 позволит широко внедрить их в современную стандартную планарную кремниевую технологию изготовления микросхем. Это, в частности, позволило бы создать миниатюрные электретные микрофоны и другие датчики, встроенные непосредственно в микросхему и изготовляемые одновременно с самой микросхемой в едином технологическом цикле. Хотя на сегодняшний день имеется значительный задел по контролю параметров, расчету и оптимизации таких конструкций [10-13], эта задача окончательно не решена из-за отсутствия стабильного во времени электрета на основе 8Ю2. Задача получения большого по величине стабильного и устойчивого к внешним воздействиям электрического заряда (ЭЗ) в вЮ2 представляет интерес с точки зрения возможности повышения адгезии различных покрытий, наносимых непосредственно на 8Ю2 или на другие объекты с использованием создаваемого электретом электрического поля. Сильное влияние электрического поля на адгезию доказано как теоретически, так и экспериментально [9, 14, 15, 17].

Значительный интерес представляет использование электретов на основе вЮ2 в различных технологиях, которые используются или могут быть применены в металлургии и обогащении. Рассмотрим простой пример. Для использования крупных кусков добытой руды ее подвергают дроблению. Различают крупное дробление, среднее, а также мелкое измельчение и тонкое измельчение. Крупное, среднее и мелкое дробление осуществляют в дробилках, а измельчение - в мельницах. Дробление можно выполнять раздавливанием, истиранием, раскалыванием, ударом и сочетанием перечисленных способов. В этих процессах размеры частиц уменьшаются примерно от 1000 до 1 мм. Очевидно, рассмотренные процессы сопровождаются вибрациями и большим числом других физических эффектов, в частности, акустических. Получение этой информации с помощью электретных преобразователей (акселерометров, микрофонов, пороговых датчиков дозы радиации, запыленности и др.) представляет очевидный интерес. Следует отметить, что элек-

0Н.С.Пщелко 001: 10.25515/РМ1.2018.2.146

Использование наноразмерных гидрофобизирующих покрытий...

тризованный диоксид кремния, как неорганический материал, значительно выигрывает в плане возможностей его использования по сравнению с традиционными электретами на основе полимерных материалов. Кроме того, возможность миниатюризации датчиков на основе SiO2 открывает дополнительные возможности. Другим аспектом, связанным с перспективностью использования электретов в металлургии и обогащении, является внешнее электрическое поле электрета. Это поле аналогично традиционно используемому электростатическому полю, создаваемому внешним источником высокого напряжения, которое нашло применение в различных фильтрах, сепараторах, пылеулавливателях и др. Использование электретов открывает перспективы для значительного уменьшения применяемых электрических напряжений или даже отказа от них. Высокая по сравнению с полимерами твердость SiO2 в этом отношении выгодно отличает данный материал от традиционно используемых электретов.

Наконец, электрическое поле электрета на основе SiO2 может оказаться востребованным для самых разнообразных применений. В частности, известно о его влиянии на биологические объекты, на процессы горения и др. [7].

В первых конструкциях полупроводниковых преобразователей в качестве электрета использовалась полимерная пленка, которая закреплялась на поверхности SiO2. Существенные недостатки таких структур выявились в процессе сборки. Операции, связанные с закреплением пленки на диоксиде кремния, плохо согласуются со стандартной интегральной технологией. Кроме того, закрепление пленки происходит при высокой температуре с использованием плазменного разряда, что ухудшает электретные свойства фторопласта и препятствует серийному выпуску таких преобразователей. Использование SiO2 как электретного материала позволяет избавиться от указанных недостатков, сохраняя перечисленные преимущества.

Методология исследования. Несмотря на то, что SiO2 находит широкое применение в технологии изготовления полупроводниковых приборов, многие физические процессы и явления, определяющие эксплуатационные характеристики диоксида кремния, такие как способность сохранять внедренный ЭЗ, локализация этого заряда, влияние поверхностных явлений на спад поверхностного потенциала, не совсем ясны. В этой связи проводятся интенсивные исследования, направленные на изучение механизмов появления и локализации ЭЗ в SiO2 в зависимости от технологии его формирования, а также возможностей использования неразрушающего контроля соответствующих МДП-структур.

В настоящее время на основе данных термоактивационной токовой спектроскопии [1, 2] считается, что в диоксиде кремния существует четыре вида ловушек и соответствующих ЭЗ:

1. ЭЗ, захваченный в окисле Qit, представляющий собой заряд электронных состояний, которые локализованы на границе раздела Si-SiO2.

2. Фиксированный ЭЗ окисла Qf, расположенный на границе раздела или в непосредственной близости от нее.

3. ЭЗ, захваченный в окисле Qot. Этот заряд возникает, например, при рентгеновском облучении структур или инжекции горячих электронов в диэлектрик. Соответствующие ловушки более или менее равномерно распределены по толщине слоя окисла.

4. ЭЗ подвижных ионов Qm обусловлен присутствием в термическом оксиде кремния положительно заряженных ионов щелочных металлов Li+ К+, а также ионов Н+, распределенных по объему оксида.

Из всех этих видов заряда три вида Qit, Qf, Qm, по-видимому, не могут вызвать стабильный электретный эффект в силу своей подвижности, либо местоположения. Можно предположить, что заряд, влияющий на устойчивость электретного эффекта, создается носителями типа Qot, которые в процессе инжекции заменяют нейтральные центры захвата. Вероятно, образование заряда Qot связано с диссоциацией воды в SiO2.

Механизм захвата может быть представлен в виде химической реакции. Первый этап - образование гидроксильных групп:

Si - О - Si + Н2О ~ 2 SiOН.

Второй этап - гидролиз молекул воды на поверхности SiO2:

SiOН + Н2О ~ SiO- + Нз0+.

0Н.С.Пщелко 001: 10.25515/РМ1.2018.2.146

Использование наноразмерных гидрофобизирующих покрытий...

Далее предполагается, что входящий электрон захватывается протонодонорным центром:

SiO- + НзО+ + е ^ SiO- + Н2О + Н.

Эта электрохимическая реакция приводит к образованию стабильного отрицательного заряда с малой вероятностью появления в этом месте нейтральной ловушки, что подтверждается экспериментально [2].

Уменьшение инжектированного в электрет заряда может происходить вследствие наличия объемной или поверхностной проводимости, а также экранировки этого заряда зарядами противоположного знака из атмосферы, приводящих при высокой окружающей влажности к катастрофическому падению поверхностного потенциала электрета [3, 16]. Поэтому с целью увеличения стабильности электретного эффекта необходима гидрофобизация поверхности SiO2 -нанесение на его поверхность тонких (наноразмерных) водоотталкивающих покрытий.

Для электретов типична сильная зависимость стабильности как от способа получения, так и от способа модификации их поверхности. Как показали проведенные исследования, в полной мере это наблюдение можно отнести к электретам на основе SiO2. В настоящее время достигнут значительный прогресс в решении проблемы получения стабильного электрета на основе SiO2. Вероятно, наиболее перспективными гидрофобизирующими покрытиями для SiO2 являются по-лиимидные нанослоевые композиции - пленки Ленгмюра - Блоджетт [2, 6, 8]. Использование данных покрытий позволяет получить не только стабильный электрет, но и совместить его получение со стандартным кремниевым процессом, в частности, с использованием высоких температур. Мы производили в ряде этих экспериментов измерения поверхностного потенциала электрета и участвовали в разработке конструкций субминиатюрных преобразователей на основе SiO2. Однако наиболее подробные результаты были нами получены при проведении работ по получению стабильного электрета из SiO2. В отличие от пленок Ленгмюр - Блоджетт, получение которых требует специального оборудования, изучалась возможность применения более доступных материалов и технологий.

Результаты и обсуждение. Исследовались три группы различных образцов: негидрофоби-зированного, гидрофобизированного винилтриэтоксиланом (ВТЭС) и гидрофобизированного гексаметилсилазаном (ГМДС). В результате экспериментов было получено, что отожженный образец обладает большим удельным поверхностным сопротивлением по сравнению с модифицированными образцами [11]. Таким образом, характерное свойство поверхности SiO2 - значительная зависимость удельного сопротивления от исходного состояния гидратного покрова образца, а не только от влажности среды.

На рис.1 показано возможное состояния поверхности SiO2 с учетом происходящих на поверхности процессов адсорбции: физической адсорбции и хемосорбции влаги, которые могут снижать стабильность электретного потенциала.

При взаимодействии паров воды с поверхностью SiO2 происходит реакция

Si - О - Si + Н2О ~ 2SiОН.

В дальнейшем полярные гидроксильные группы притягивают молекулы воды:

SiОН + Н2О ~ SiОН: ОН2.

При обработке гидрофобизатором затрудняется протонная проводимость вследствие движения протонов в гидроксильных группах и образования проводящего монослоя воды на поверхности SiO2. Например, при обработке гидрофобизатором ГМДС происходит следующая реакция (рис.2):

2SiОН + (СНз)з SiNНSi(СНз)з ^ 2Si - О - Si (СНз)з + ВД.

Такая обработка уменьшает количество гидроксильных групп на поверхности, но не уменьшает число внутренних гидроксильных групп.

Высокотемпературное окисление кремния является одним из распространенных методов получения SiO2. Этот метод применяется и для формирования пленок диоксида кремния для электретов. Условия окисления (температура, давление окислителя, среда окисления и т.д.) определяют скорость роста и количество дефектов в оксиде.

н

н

н н \ /

/°\ / \

О 0 0 0 0

Пары Н20

0—81 — 0—81— () — Я — () -

-81-

V

8Ю2

О О

Хемосорбция

0—81 — 0—81 I I

О О

Физическая адсорбция

Рис. 1. Адсорбция паров воды на поверхности SiO2

Окисление может происходить в среде «сухого» кислорода, также возможен процесс с участием воды: влажное окисление, окисление «в парах воды», или окисление во «влажном» кислороде.

При окислении в «сухом» кислороде происходит реакция:

8Ю + О2 ^ 8Ю2,

а при участии воды в процессе окисления:

+ 2Н2О ^ 8Ю2 + 2Н2.

Исследования показали, что лучшими электретными свойствами обладает диоксид кремния, полученный в атмосфере «влажного» кислорода. Вероятно, это связано с большим количеством групп 8ьОН на поверхности оксида во «влажном» 8Ю2, что повышает эффективность

действия гидрофобизирующих покрытий при модификации поверхности 8Ю2.

Выявлено, что другие способы получения окисла, например, электрохимический или плаз-мохимический, не позволяют получить диоксид кремния с хорошими электретными свойствами.

В результате исследований были определены партии образцов, обнаруживших достаточно хорошую стабильность электретного поверхностного потенциала Ц при комнатных условиях хранения. Как видно из приведенных в табл.1 данных, наилучшие результаты по стабильности показали партии А и К (термический окисел), D и Е (плазмохимичский окисел) и L (двухслойная структура 8Ю2-8^4). Были сделаны выводы о целесообразности использования в дальнейших исследованиях именно этих образцов, а также о выборе соответствующих технологий.

Таблица 1

Зависимость спада иэ от времени хранения заряженного образца в комнатных условиях после электризации

Рис.2. Реакция образования гидрофобизирующего покрытия модификации ГМДС на поверхности 8Ю2

Партия Номер исетки, В Цэо, В Цэ, В

образца 2 ч 1 сут 2 сут 3 сут 5 сут 6 сут 8 сут 9 сут 12 сут 13 сут 15 сут 19 сут 27 сут 29 сут

А А-1 -280 -270 -216 -222 -230 -214 -207 -209 -229 -220 -220 - -221 -215 - -220

А-2 -260 -220 -214 -208 -234 -234 -228 -211 -215 -215 - -220 -221 - -218

В В-1 -255 -166 -141 -135 -136 -128 -120 -123 -119 -119 -115 - -113 -110 - -109

В-2 -166 -140 -126 -126 -125 -123 -121 -116 -116 -114 - -114 -112 - -110

С С-1 -255 -251 -176 -157 -162 -163 -155 -148 -140 -131 -136 - -135 -135 - -132

С-2 -250 -207 -170 -180 -176 -166 -164 -163 -170 -169 - -158 -151 - -149

D D-1 -255 -257 -200 -204 -201 -203 -195 -187 -187 -187 -186 - -175 -173 - -173

D-2 -257 -228 -227 -223 -221 -215 -202 -203 -206 -205 - -202 -192 - -189

Е Е-1 -255 -256 -252 -252 -252 -250 -250 -253 -249 -245 -247 - -247 -232 - -232

Е-2 -256 -232 -208 -195 -197 -185 -185 -181 -174 -173 - -173 -160 - -153

F F-1 F-2 -185 -81 -105 -40 -70 -24 -28 -16 -23 -16 -17 -13 -17 -15 -17 - - - - - - - -

Н Н-1 -160 -69 - -10 - -4 0

К К-1 -280 -280 -282 -282 -280 -280 -282 -280 -279 -273 -271 - -271 -275 - -280

К-2 -280 -279 -283 -280 -279 -283 -285 -278 -274 -182 - -278 -276 - -276

Ь Ь-1 -300 -298 - -286 - -279 -278 -276 -274 -274 - -268 - - - -263

Ь-2 -296 - -292 - -290 -285 -285 -278 -278 - -279 - - - -266

м М-1 М-2 -160 -93 -115 - -7 -18 - 0 -13 0 0 - - - - - - - - -

N N-1 N-2 -160 -123 -122 - -29 -28 - -14 -19 -19 -15 - - - - - - - - -

В рамках проделанной работы отрабатывалась процедура нанесения различных видов гид-рофобизаторов, препятствующих накоплению пленки влаги на гидрофильной поверхности SiO2 и приводящей к катострофическому уменьшению поверхностного потенциала: ГМДС (гексаме-тилдисилазан): ДМДХС (диметилдихлорсилан).

Гидрофобизаторы наносились на образцы партии К и D. Образцы партии D отличаются друг от друга режимом нанесения ГМДС, что выражается различием в величине угла смачивания. После нанесения гидрофобизирующего покрытия были произведены испытания наиболее перспективных образцов во влажной среде.

Образцы были помещены в камеру с относительной влажностью 95-98 % при Т = 20 °С. Основные результаты испытаний представлены в табл.2.

Таблица 2

Зависимость спада иэ от времени хранения после электризации заряженного образца при условиях повышенной влажности, после обработки гидрофобизирующим составом

Партия Образец Номер образца Uсетки, В Угол смачивания, град иэо, В иэ,В

Время хранения образца в условиях повышенной влажности

1 сут 3 сут 4 сут 6 сут 10 сут 13 сут 17 сут 27 сут

1 К-ДМДХС К-1 -300 95 -303 -297 -292 -289 -287 -276 -283 -274 -270

2 К-2 95 -299 -297 -296 -297 -291 -294 -297 -280 -280

3 К-ГМДС К-3 73 -300 -300 -287 -285 -282 -278 -258 -252 -237

4 К-4 70 -298 -300 -295 -294 -290 -294 -293 -278 -270

5 Б-ГМДС Б-1 75 -298 -225 -147 -111 -74 -35 -26 0 0

6 Б-2 80 -298 -290 -264 -260 -239 -207 -182 -150 -73

7 Б-3 80 -298 -269 -260 -248 -220 -172 -137 -106 -34

8 Б-4 77 -300 -192 -77 -61 -34 -21 -18 0 0

9 Б-5 85 -295 -275 -268 -263 -257 -263 -267 -249 -205

Следует отметить, что для образцов одной партии (в частности, D), гидрофобизированных одним и тем же материалом, наблюдается корреляция между увеличением значения угла смачивания и увеличением стабильности электретного потенциала при выдержке образцов в условиях повышенной влажности, но для образцов из различных партий и для разных гидрофобизирую-щих материалов этой корреляции нет.

Была также опробована идея использования позитивного высокотемпературного фоторезиста ФПТ-1-40 в качестве гидрофобизатора для электретных элементов из SiO2 [4].

Гидрофобизатор Ф-П, являясь позитивным фоторезистом, легко встраивается в стандартный планарный процесс и совместим со всеми стандартными процедурами травления, очистки и т.д. Этот тип гидрофобизатора наносился на образцы партии А (толщина слоя диоксида кремния 0,5 мкм). Фоторезист наносился центрифугированием. Толщина нанесенного слоя составляла примерно 0,4 мкм. Затем была выполнена засветка фоторезиста и сформированы образцы размером 10^12 мм2. Электризация проводилась в стандартном режиме через фторопластовую маску с окном 7^7 мм2. Потенциал сетки составлял 250 В. Затем уже электризованные образцы были подвергнуты термообработке при 200 °С в течение 1 ч. В ходе этой термообработки электретный потенциал образцов снизился вследствие дрейфа ЭЗ через слой гидрофобизатора к границе раздела гидрофобизатора с диоксидом кремния. Далее три образца испытывались в нормальных условиях и еще три - в условиях повышенной влажности. Результаты испытаний образцов в комнатных условиях и при повышенной влажности представлены в табл.3, 4.

Таблица 3

Зависимость спада иэ от времени хранения в комнатных условиях для образцов, обработанных высокотемпературным гидрофобизатором ФПТ-1-40

Образец Uсе'Iки, В иэо, В иэ, после т/о, В иэ , В

1 сут 3 сут 5 сут 6 сут 10 сут 15 сут

Ф-4 -250 -240 -169 -171 -170 -171 -171 -166 -166

Ф-5 -237 -161 -164 -164 -160 -162 -157 -159

Ф-6 -237 -171 -171 -168 -172 -170 -172 -171

Таблица 4

Зависимость спада иэ от времени хранения в условиях повышенной влажности для образцов, обработанных высокотемпературным гидрофобизатором ФПТ-1-40

Образец ^^етки В иэо, В иэ, после т/о, В иэ, В

1 сут 3 сут 5 сут 6 сут 10 сут 15 сут

Ф-1 -250 -253 -143 -143 -133 -119 -118 -107 -95

Ф-2 -240 -142 -142 -135 -124 -120 -102 -76

Ф-3 -240 -144 -144 -140 -130 -125 -113 -89

Первый эксперимент по использованию этого материала в качестве гидрофобизатора дал следующие результаты:

• термообработка при 200 °С в течение 1 ч для стабилизации электретного потенциала привела к примерно 30-40 %-ному спаду потенциала, что объясняется, на наш взгляд, дрейфом ЭЗ сквозь слой гидрофобизатора с последующим закреплением заряда на поверхности диоксида кремния;

• при хранении в комнатных условиях в течение двух недель электретный потенциал практически не изменился;

• выдержка в условиях повышенной относительной влажности (95 %) при комнатной температуре в течение 10 суток привела к 28 % - ному спаду электретного потенциала, что значительно хуже, чем в случае ГМДС. Однако, есть реальная перспектива существенно улучшить этот результат при продолжении экспериментов по отработке режимов нанесения и использования гидрофобизатора.

На основе проведенных исследований можно сформулировать предлагаемые варианты технологического процесса для получения стабильного электрета из SiO2:

Первый вариант:

1. Термическое окисление исходной пластины в стандартном режиме по технологии ТЦ (кислород сухой - влажный - сухой).

2. Термообработка в вакууме при Т = 550 °С, 1 ч.

3. Нанесение ГМДС из паровой фазы. Пластина предварительно должна быть отмыта и высушена при Т = 100 °С. Затем выдержка в замкнутом объеме в течение 10 мин в парах ГМДС, нагретого до Т = 60 °С. Краевой угол смачивания гидрофобизированных образцов должен быть не меньше 80 град.

4. Электризация электретных элементов в коронном разряде с использованием трехэлек-тродной схемы. Требуемое значение потенциала электретного элемента задается потенциалом сеточного электрода и может варьироваться от -50 до -300 В. Рекомендуемое время электризации 3 мин.

5. Термостабилизация электретного потенциала при Т = 130 °С в течение 1 ч.

Второй вариант:

1. Термическое окисление исходной пластины по технологии ТЦ (кислород сухой - влажный - сухой).

2. Термообработка в вакууме при Т = 550°С в течение 1 ч.

3. Нанесение в качестве гидрофобизатора на всю пластину слоя позитивного фоторезиста марки Ф-П толщиной 0,1 -0,4 мкм методом центрифугирования.

4. Засветка с целью формирования электретных элементов заданной геометрии.

5. Травление фоторезиста.

6. Задубливание (температура задубливания должна на 20 °С превышать максимальную температуру, используемую в последующих технологических операциях). Максимальная рабочая температура гидрофобизатора Ф-П 450 °С.

7. Электризация электретных элементов в коронном разряде с использованием трехэлек-тродной схемы. Требуемое значение потенциала электретного элемента задается потенциалом сеточного электрода и может варьироваться от -50 до -300 В. Рекомендуемое время электризации 3 мин.

8. Термостабилизация электретного потенциала путем нагрева со средней скоростью 10 град/мин до Т = 300 °С с последующим охлаждением примерно с той же скоростью.

Заключение. По результатам проведенных исследований можно сделать следующие выводы:

1. Для получения стабильного электрета на основе диоксида кремния окисный слой необходимо получать в режиме окисления в атмосфере «влажного» кислорода

2. Все исследованные гидрофобизаторы позволили существенно повысить стабильность заряда SiO2 до уровней, позволяющих использовать такой электрет в некоторых устройствах электроники.

3. Наиболее перспективными для использования в качестве гидрофобизаторов являются высокотемпературный фоторезист ФПТ-1-40 и полиимидные нанослоевые композиции - пленки Ленгмюра - Блоджетт.

4. Многолетней стабильности электретов на основе диоксида кремния, требуемой в устройствах электроники в ряде случаев, достигнуто не было. Необходимы и перспективны дополнительные исследования.

ЛИТЕРАТУРА

1. Гороховатский Ю.А. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков / Ю.А.Гороховатский, Г.А.Бордовский. М.: Наука, 1991. 248 с.

2. КозодаевД.А. Электретный эффект в структурах Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3 N4: Автореф. дис...канд. техн. наук / Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет. СПб, 2002. 16 с.

3. Кузьмин Ю.И. Перколяционная модель релаксации электрета / Ю.И.Кузьмин, В.Н.Таиров // ЖТФ. 1984. Т. 54. № 5. С. 964-965.

4. Модификация термостойких фотолаков для новых областей применения / Н.В.Климова, Г.К.Лебедева, Н.С.Пщелко, Л.В.Рудая, И.М.Соколова, Т.А.Юрре // Петербургский журнал электроники. 2002. № 3. С. 33-37.

5. Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы / Под ред. В.В.Лучинина, Ю.М.Таирова. М.: Физматлит. 2006. 552 с.

6. От молекулярного наслаивания к эпитаксии органических веществ методом Ленгмюра - Блоджетт / С.И.Голоудина, П.П.Карагеоргиев, В.В.Лучинин, В.М.Пасюта // Нано- и микросистемная техника. 2013. № 12. С. 34-38.

7. Патент РФ № 2562505. Способ повышения эффективности сгорания углеводородного топлива / В.С.Нагорный, Д.Ю.Колодяжный, Е.Ю.Марчуков, С.А.Федоров, Н.С.Пщелко. Опубл. 27.06.2015. Бюл. № 25.

8. Полиимидные нанослоевые композиции, как стабилизирующие покрытия микроэлектронных структур / С.И.Голоудина, В.М.Пасюта, Д.А.Козодаев, В.В.Кудрявцев, В.В.Лучинин, В.П.Склизкова, В.И.Закржевский, Д.Э.Темнов // Петербургский журнал электроники. 2001. № 4. С. 79-86.

9. Пщелко Н.С. Анализ влияния пространственного распределения заряда на электроадгезионные силы // Записки Горного института. 2016. Т. 218. С. 296-305.

10. Пщелко Н.С. Методика определения параметров капсюлей конденсаторных структур с подвижными обкладками // Записки Горного института. 2010. Т. 187. С. 117-124.

11. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2015661225. Программа для определения диэлектрической проницаемости и удельного сопротивления высокоомных материалов / Т.Р.Акчурин, Н.С.Пщелко, Е.Г.Водкайло. 0публ.20.11.2015.

12. Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ № 2016610272. Программа для контроля параметров емкостных структур методом вольт-фарадных характеристик / Т.Р.Акчурин, Е.Г.Водкайло, Н.С.Пщелко. Опубл. 20.02.2016.

13. Kozodaev D.A. Analysis of Electret Sub-Miniature Microphones / D.A.Kozodaev, N.S.Pshchelko, V.I.Zakrzhevskiy // Proc. ISE - 10. Athens. 1999. P. 973-978.

14. Low temperature wafer anodic bonding / J.Wei, H.Xie, M.L.Nai, C.K.Wong, L.C.Lee // J.Micromech. Microeng. 2003. Vol. 13. P. 217-222.

15. Pshchelko N.S. Modeling of physical and chemical processes of anodic bonding technology / N.S.Pshchelko, M.P.Sevryugina // Advanced Materials Research. 2014. Vol. 1040. P. 513-518.

16. The Percolation Behavior of Electret at Presence of Water Condensation / U.I.Kuzmin, N.S.Pshchelko, I.M.Sokolova, V.I.Zakrzhevskiy // Proc. ISE -8. Paris. 1994. P. 124-129.

17. Tomaev V. V. Polarization of Surface Layers of Ionic Dielectrics at the Interface Between the Electroadhesive Contact and a Dielectric / V.V.Tomaev, N.S.Pshchelko // Glass Physics and Chemistry. 2016. Vol. 42. № 1. P. 105-109.

Автор Н.С.Пщелко, д-р техн. наук, профессор, nikolsp@mail.ru (Военная академия связи им. С.М.Буденного, Санкт-Петербург, Россия).

Статья принята к публикации 11.05.2017.