ПОДЛОЖКА УСТРОЙСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ УСТРОЙСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ, УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО УСТРОЙСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ И ОРГАНИЧЕСКОЕ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНОЕ УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ
DISPLAY DEVICE SUBSTRATE, METHOD OF MAKING DISPLAY DEVICE SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, METHOD OF MAKING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Настоящее изобретение относится к подложке устройства отображения, способу изготовления подложки устройства отображения, устройству отображения, жидкокристаллическому устройству отображения, способу изготовления жидкокристаллического устройства отображения и органическому электролюминесцентному устройству отображения. Более конкретно, настоящее изобретение относится к подложке устройства отображения, способу изготовления подложки устройства отображения, устройству отображения, жидкокристаллическому устройству отображения, способу изготовления жидкокристаллического устройства отображения и органическому электролюминесцентному устройству отображения, которые пригодны для жидкокристаллического устройства отображения или органического электролюминесцентного (EL) дисплея, в отношении чего на подложке обеспечивается светочувствительная пленка на основе смолы (смоляная).
ПРЕДШЕСТВУЮЩИЙ УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Многодоменное вертикальное ориентирование (молекул жидких кристаллов) (MVA) является известным видом в числе видов формирования изображения в жидкокристаллических устройствах отображения. В жидкокристаллических устройствах отображения вида MVA используется жидкий кристалл, имеющий отрицательную анизотропию диэлектрической проницаемости, герметизированный между парой подложек, слой ориентирования по вертикали, который обеспечивает, чтобы молекулы жидких кристаллов были ориентированы по существу ортогонально относительно поверхности подложек, и упорядочивающую ориентацию структуру, которая упорядочивает направление ориентации молекул жидкого кристалла. Примеры упорядочивающей ориентацию структуры включают в себя, например, линейные выступы, содержащие диэлектрик, и бороздки (щели) в электроде. Более широкий угол обзора в таких жидкокристаллических устройствах отображения вида MVA может быть получен обеспечением, в одном пикселе, множества областей (доменов), в которых молекулы жидких кристаллов имеют взаимно различные направления ориентации, с помощью такой упорядочивающей ориентацию структуры.
Однако в жидкокристаллических устройствах вида MVA есть тенденция, что в течение отображения белого будет образовываться снижение пропускания света на границах между доменами, например в областях, где обеспечиваются линейные выступы или щели, в пикселах. Время отклика жидкого кристалла снижается в случае, когда интервал размещения между упорядочивающими ориентацию структурами является расширенным, чтобы устранять появление вышеупомянутого. Следовательно, ориентирующие пленки могут подвергаться ориентирующим обработкам для придания начальной ориентации жидкому кристаллу в смысле обеспечения быстрого отклика для жидкого кристалла при уменьшении снижения пропускания света в течение отображения белого. Жидкокристаллические устройства отображения вида MVA, однако, обеспечиваются упорядочивающей ориентацию структурой, и, следовательно, ориентирующая обработка трением обычно не выполняется.
В этом контексте известные эффективные технологии для выполнения жидкокристаллических устройств отображения вида MVA включают в себя способ ориентации жидких кристаллов, поддерживаемой полимерами (PSA). PSA является способом, в котором полимеризуемая составляющая, такая как мономер или олигомер, подмешивается в жидкий кристалл, и полимеризуемая составляющая полимеризуется в состоянии, где молекулы жидких кристаллов наклонно ориентированы приложением напряжения к жидкому кристаллу, в результате чего на подложке обеспечивается полимер, запоминающий направление, в которое попадает жидкий кристалл (например, Патентный документ 1).
В органических EL дисплеях до сих пор обычно применялись герметично-корпусные структуры, в которых влагопоглощающее вещество прикрепляется к имеющему гравировку стеклу, и внешняя сторона внешней периферии органического EL элемента герметизируется, наподобие рамки, с помощью герметизирующей смолы, чтобы препятствовать ухудшению (параметров) органического EL элемента, обусловленному внешним кислородом или влагой. Такая герметично-корпусная структура, однако, затрудняет принятие структуры с верхней эмиссией, в которой свет извлекается с верхней поверхности панели (увеличение апертурного отношения), и реализацию тонкопрофильных панелей. Следовательно, в последние годы были разработаны герметизирующие структуры, которые используют плоские подложки (ниже в документе, плоские герметизирующие структуры). Конкретно, были разработаны технологии, в которых органический EL элемент герметизируется наклеиванием плоской подложки на органический EL элемент с помощью связующего материала, который содержит светочувствительную смолу.
В обычных подложках устройства отображения, в частности в подложках матриц на тонкопленочных транзисторах (TFT) (ниже в документе также именуемых TFT подложками), формируется светочувствительная смоляная пленка, имеющая эффект выравнивания, в качестве межуровневой изолирующей пленки, с точки зрения избегания разъединения в проводке соединений. Как таковые были раскрыты межуровневые изолирующие пленки, например, радиационно-чувствительная смоляная композиция, которая содержит радиационно-чувствительный кислото-образующий состав, и смолу, являющуюся растворимой в щелочном водном растворе, и которая содержит, в одной молекулярной цепи, карбоксильную группу или ангидрид и эпоксидную группу (например, Патентный документ 2). Патентный документ 1: JP 2003-149647 А. Патентный документ 2: JP 5-165214 А.
В обычных жидкокристаллических устройствах отображения вида PSA (жидкокристаллические устройства отображения, изготовленные с использованием технологий PSA), и в органических EL дисплеях, имеющих плоско-пластинчатые подложки, однако, газообразное вещество и/или пузырьки могут появляться в области пикселов после этапа полимеризации мономера, диспергированного в область пикселов ультрафиолетовым (УФ, UV) излучением, или после этапа отверждения связующего материала, содержащего светочувствительную смолу UV облучением, в соответствии с чем может быть изготовлено дефектное устройство. На Фиг.35 показано схематическое представление вида в плане, иллюстрирующее обычную панель жидкокристаллического устройства отображения вида PSA. В испытании на удар панели жидкокристаллического устройства отображения вида PSA после этапа UV облучения, пузырьки 139 могут вбрасываться в ячейку в области Р пикселов, как проиллюстрировано на Фиг.35, вследствие удара. В испытании на удар шарик пачинко бросали на панель с высоты 30 см при высокой температуре (80°С).
РАСКРЫТИЕ СУЩНОСТИ ИЗОБРЕТЕНИЯ
В свете вышеупомянутого задачей настоящего изобретения является обеспечить подложку (схемы) устройства отображения, способ изготовления подложки устройства отображения, устройство отображения, жидкокристаллическое устройство отображения, способ изготовления жидкокристаллического устройства отображения и органическое электролюминесцентное устройство отображения, которые позволяют устранить дефекты, получаемые из-за появления газообразного вещества и/или пузырьков в области пикселов.
Изобретатели провели различные исследования по вопросу подложек устройства отображения, которые должны позволять устранение дефектов, получаемых вследствие формирования газообразного вещества и/или пузырьков в области пикселов, и остановили внимание на светочувствительных смолах, которые используются в качестве выравнивающих пленок в TFT подложках. Изобретатели установили, что обычно газообразное вещество 138 образуется от светочувствительной смоляной пленки 152, как проиллюстрировано на Фиг.36, вследствие UV излучения (глухие стрелки на Фиг.36), и что газообразное вещество 138 приводит к пузырькам в жидкокристаллическом слое 110, в частности, когда панель подвергается ударам, таким как механические воздействия, при высокой температуре. Возможные причины вышеупомянутого включают в себя нижеследующее. Во-первых, светочувствительная смоляная пленка обычно содержит фотосенсибилизатор нафтохинондиазид для фотосенсибилизации, и эпоксидную составляющую. Считается, что вышеупомянутое высвобождает малые количества газообразного азота и водяного пара, являющихся результатом гидролиза, в течение первого этапа экспонирования, второго этапа экспонирования и этапа выжигания в процессах первого экспонирования, проявления, второго экспонирования и выжигания. В результате считается, что малые количества непрореагировавших веществ, которые остаются в светочувствительной смоляной пленке, должны вступать в реакцию вследствие UV света и тепла, приводя к появлению газообразных веществ, при UV облучении в процессе полимеризации мономер-дисперсного жидкого кристалла (жидкокристаллический материал, в котором диспергирована полимеризуемая составляющая), или в процессе отверждения связующего материала, содержащего светочувствительную смолу. Возможные примеры такого появления могут включать, например, процесс, в котором газ азот образуется посредством реакции между непрореагировавшими диазо-группами радиационно-чувствительного кислотно-образующего состава (состав с наличием характеристики, в соответствии с которой растворимость состава в щелочи возрастает, если соединение подвергается облучению), используемого в качестве
2
фотосенсибилизатора, и когда кислотный продукт реакции (кислота, образуемая воздействием облучения) повторно этерифицируется (гидролизуется), и результирующая HO становится водяным паром при высокой температуре. В результате, такие газы могут инжектироваться в жидкокристаллический слой или органический слой вследствие механического напряжения, полученного от ударов или подобного. После дополнительного исследования изобретатели установили, что обеспечение газонепроницаемой (представляющей газовый барьер) изолирующей пленки (изолирующей пленки, которая препятствует распространению газообразного вещества, образуемого от светочувствительной смоляной пленки) на слое выше светочувствительной смоляной пленки, или между светочувствительной смоляной пленкой и электродом пиксела, имеет результатом препятствие проникновению газообразного вещества в жидкокристаллический слой или органический слой, даже если газообразное вещество образуется от светочувствительной смоляной пленки после UV облучения в процессе полимеризации мономер-дисперсного жидкого кристалла или в процессе отверждения связующего материала, который содержит светочувствительную смолу. Изобретатели пришли к настоящему изобретению исходя из представления, что вышеописанные задачи могут быть замечательно решены на основе вышеупомянутого заключения.
Конкретно, настоящим изобретением является подложка устройства отображения (ниже в документе также называемая "первая подложка устройства отображения по настоящему изобретению"), которая содержит:
светочувствительную смоляную пленку; и
электрод пиксела, в этом порядке, со стороны изолирующей подложки,
причем подложка устройства отображения содержит газонепроницаемую изолирующую пленку на слое выше светочувствительной смоляной пленки, чтобы препятствовать распространению газообразного вещества, образуемого от светочувствительной смоляной пленки. Дефекты, обусловленные образованием газообразного вещества и/или формированием пузырьков в области пикселов, в результате могут устраняться в устройстве отображения, снабженным первой подложкой устройства отображения по настоящему изобретению. К тому же дефекты соединений проводки могут устраняться благодаря обеспеченной светочувствительной смоляной пленке.
При условии, что вышеуказанные основные составляющие элементы формируются в ней, конфигурация первой подложки устройства отображения по настоящему изобретению конкретно не ограничивается, и может необязательно содержать другие составляющие элементы.
Настоящим изобретением также является подложка устройства отображения (ниже в документе также называемая "вторая подложка устройства отображения по настоящему изобретению"), которая содержит:
светочувствительную смоляную пленку; и
электрод пиксела, в этом порядке, со стороны изолирующей подложки,
причем подложка устройства отображения имеет в составе газонепроницаемую изолирующую пленку между светочувствительной смоляной пленкой и электродом пиксела, чтобы препятствовать распространению газообразного вещества, образуемого от светочувствительной смоляной пленки. Дефекты, обусловленные образованием газообразного вещества и/или формированием пузырьков в области пикселов, в результате могут устраняться в устройстве отображения, снабженном второй подложкой устройства отображения по настоящему изобретению. К тому же газонепроницаемая изолирующая пленка располагается на слое ниже электрода пиксела. Это устраняет снижение напряжения, которое прикладывается к жидкокристаллическому слою или излучающему слою. Поскольку газонепроницаемая изолирующая пленка расположена на слое ниже электрода пиксела, структура, в которой газонепроницаемая изолирующая пленка прослаивается между электродом пиксела и слоем проводки на слое ниже, чем электрод пиксела, может использоваться в качестве запоминающего конденсатора пиксела. Также дефекты соединений проводки могут устраняться благодаря обеспеченной светочувствительной смоляной пленке.
Как используется в настоящем описании, термин "выше", "высший" и "верхний" обозначает позицию, более далекую от изолирующей подложки, и термины "нижний", "ниже" и "под" обозначают позицию, более близкую к изолирующей подложке. Соответственно, "верхний слой" обозначает слой, более далекий от изолирующей подложки, и “нижний слой” обозначает слой, более близкий к изолирующей подложке.
При условии, что вышеуказанные основные составляющие элементы сформированы в ней, конфигурация второй подложки устройства отображения по настоящему изобретению конкретно не ограничивается, и может необязательно содержать другие составляющие элементы.
Предпочтительные варианты осуществления первой и второй подложек устройства отображения по настоящему изобретению поясняются подробно далее. Различные нижеописанные варианты осуществления могут подходящим образом комбинироваться друг с другом.
Снижение напряжения может возникать вследствие емкостной составляющей газонепроницаемой изолирующей пленки, если газонепроницаемая изолирующая пленка расположена на слое выше электрода пиксела. Соответственно, газонепроницаемая изолирующая пленка может перекрывать часть внешнего края электрода пиксела и имеет отверстие на электроде пиксела (области, соответствующей электроду пиксела). Верхняя поверхность (поверхность на стороне верхнего слоя) и боковая поверхность светочувствительной смоляной пленки могут иметь область, не покрытую электродом пиксела, и область, селективно покрытую газонепроницаемой изолирующей пленкой. Подложка устройства отображения может содержать электрод пиксела в виде множества, множество электродов пиксела выполняются разнесенными на расстояние с промежутками между собой, и газонепроницаемая изолирующая пленка селективно обеспечивается в промежутках между множеством электродов пиксела. В результате это позволяет устранять появление газообразного вещества и/или пузырьков в области пикселов, при этом избегая падения напряжения. Вышеуказанные признаки могут использоваться и в первой, и во второй подложке устройства отображения по настоящему изобретению, и конкретно предпочтительно в первой подложке устройства отображения по настоящему изобретению.
Газонепроницаемая изолирующая пленка может содержать термореактивную смоляную пленку. Газонепроницаемая изолирующая пленка отверждается в результате (прохождения) тепловой реакции, и, следовательно, образование газообразного вещества из-за UV света может эффективно устраняться на этапе UV облучения, следующем за формированием газонепроницаемой изолирующей пленки.
Газонепроницаемая изолирующая пленка может содержать неорганическую изолирующую пленку. В результате образование газообразного вещества из-за UV света может эффективно устраняться на этапе UV облучения, следующем за формированием газонепроницаемой изолирующей пленки.
Газонепроницаемая изолирующая пленка может содержать пленку на основе оксида кремния. Это позволяет устранять ослабление света, конкретно UV света, в газонепроницаемой изолирующей пленке.
Подложка устройства отображения может иметь в составе набор органических-неорганических пленок, в котором неорганическая изолирующая пленка размещается ярусно непосредственно на светочувствительной смоляной пленке. Светочувствительная смоляная пленка в результате может быть защищена неорганической изолирующей пленкой, которая имеет превосходную механическую прочность. Следовательно, организация набора органических-неорганических пленок в области вывода (контактной области) позволяет устранять отслоение светочувствительной смоляной пленки или повреждение по отношению к ней, даже если является необходимой повторная обработка в процессе подсоединения подложки устройства отображения к другой схемной плате или компоненту, например гибкой печатной плате (FPC). В результате становится возможным устранить экспонирование слоя проводки, позиционированного на слое ниже светочувствительной смоляной пленки, чтобы препятствовать посредством этого коррозии слоя проводки, обусловленной влагой и т.п. Становится также возможным устранять появление дефектного контакта между контактными выводами и компонентом внешнего соединения, таким как FPC, обусловленного остатками, падающими из непокрытой светочувствительной смоляной пленки. То есть становится возможным повысить надежность области вывода. Неорганическая изолирующая пленка может использоваться в качестве оградительного материала для озоления резистной маски. Следовательно, способ, используемый для формирования контактных окон в наборе органических-неорганических пленок, может быть способом, содержащим этап озоления, а именно, таким как сухое травление, в котором используется резистная маска, имеющим высокую точность микрообработки. В результате, проводка, позиционированная ниже набора органических-неорганических пленок, конкретно проводка, такая как проводка схемных соединений (проводников), выполненная в области периферийной схемы и требующая микрообработку, может формироваться в виде узких линий с высокой точностью. Также может стать менее вероятным, что светочувствительная смоляная пленка будет повреждена озолением. Это позволяет устранять появление дефектов соединения между линиями проводки, расположенными на слоях выше и ниже набора органических-неорганических пленок.
Светочувствительная смоляная пленка может иметь отверстие. Предпочтительно, отверстие светочувствительной смоляной пленки покрывается проводкой на слое выше неорганической изолирующей пленки. То есть подложка устройства отображения может иметь проводку, обеспеченную на слое выше неорганической изолирующей пленки, и отверстие светочувствительной смоляной пленки предпочтительно покрывается проводкой (проводкой верхнего слоя). В результате отверстие светочувствительной смоляной пленки может быть закрытым проводкой верхнего слоя, и область в светочувствительной смоляной пленке, не закрытая проводкой верхнего слоя, может быть покрытой неорганической изолирующей пленкой. Это дает возможность, чтобы светочувствительная смоляная пленка менее вероятно повреждалась озолением или сухим травлением, каковое в свою очередь позволяет устранять появление дефектов соединения между линиями проводки, расположенными на слоях выше и ниже набора органических-неорганических пленок.
По меньшей мере, часть стороны верхнего слоя поверхности стенки отверстия светочувствительной смоляной пленки может быть покрыта неорганической изолирующей пленкой. В результате может становиться менее вероятным, что светочувствительная смоляная пленка будет повреждаться озолением или сухим травлением, даже если рисунок неорганической изолирующей пленки формируется жидкостным травлением. Это позволяет устранять появление дефектов соединения между линиями проводки, расположенными на слоях выше и ниже набора органических-неорганических пленок.
Неорганическая изолирующая пленка может обеспечиваться так, чтобы покрывать полную светочувствительную смоляную пленку за исключением, по меньшей мере, части, на стороне нижнего слоя, поверхности стенки отверстия в светочувствительной смоляной пленке. Альтернативно, полная поверхность стенки отверстия в светочувствительной смоляной пленке может покрываться неорганической изолирующей пленкой. В последнем случае неорганическая изолирующая пленка может быть протравлена способом, таким как сухое травление, использующим резистную маску, имеющим высокую точность микрообработки. Это позволяет, чтобы проводка, позиционированная на более низком слое, чем набор органических-неорганических пленок, обрабатывалась микрообработкой, избегая при этом появления дефектов соединения между линиями проводки, расположенными на слоях выше и ниже набора органических-неорганических пленок.
Подложка устройства отображения может содержать, по меньшей мере, одно из области вывода, в которой обеспечивается контактный вывод для соединения с компонентом внешнего соединения, и области периферийной схемы, в которой обеспечивается периферийная схема. Это дает возможность микрообработки проводки в области периферийной схемы, и/или повышение надежности устройства отображения.
Подложка устройства отображения может содержать область вывода и область перифирийной схемы. Конкретно, подложка устройства отображения может содержать, на изолирующей подложке, область вывода, в которой обеспечивается контактный вывод для соединения с компонентом внешнего соединения, и область периферийной схемы, в которой обеспечивается периферийная схема. Это дает возможность микрообработки межсоединения в области периферийной схемы и повышения надежности устройства отображения.
Компонент внешнего соединения конкретно не ограничивается при условии, что является элементом и/или схемной платой, которая может быть соединена с панелью отображения, конфигурированной с использованием вышеописанной подложки устройства отображения, и может быть, например, платой FPC (гибкая печатная схема), TCP (корпус на ленточном носителе), COG (кристалл на стеклянной подложке), резистивным элементом, емкостным элементом, предпочтительно платой FPC.
Подложка устройства отображения может иметь набор органических-неорганических пленок в области вывода. Это позволяет повысить надежность устройства отображения.
Подложка устройства отображения может иметь набор органических-неорганических пленок в области периферийной схемы. Это позволяет формирование периферийной схемы, которая обеспечивается изготовленной микрообработкой проводкой.
Подложка устройства отображения может содержать набор органических-неорганических пленок в виде множества. Это позволяет, чтобы проводка прокладывалась во многих слоях. Подложка устройства отображения может содержать набор органических-неорганичесеих пленок в виде множества в области вывода. Это дает возможность формирования в области вывода многослойной проводки с узкими линиями.
Предпочтительно, множество наборов органической-неорганической пленки располагаются друг над другом с чередованием между собой.
Подложка устройства отображения может иметь множество слоев проводки, соответственно обеспеченных в множестве наборов органической-неорганической пленки. Контактный вывод может содержать слой проводки из числа множества слоев проводки, за исключением слоя проводки, позиционированного на стороне самого нижнего слоя. Таким образом, подложка устройства отображения может иметь слой проводки в виде множества, так что множество наборов органической-неорганической пленки и множество слоев проводки располагаются друг над другом с чередованием между собой, и контактный вывод может содержать слой проводки из числа множества слоев проводки, за исключением слоя проводки, позиционированного на стороне самого нижнего слоя. В результате это позволяет формирование проводки ниже контактного вывода, обеспечивая при этом надежность устройства отображения. Более конкретно, различие в величине деформации проводящих микрочастиц между контактной площадкой и областью, отличной от контактной площадки, может быть уменьшено, каковое позволяет устранить появление дефектов соединения, обусловленных неоднородным механическим напряжением.
Контактный вывод может содержать слой проводки, позиционированный на стороне самого верхнего слоя, из числа множества слоев проводки. В результате это дает возможность формирования дополнительно проводки ниже контактного вывода, при этом обеспечивая надежность устройства отображения.
Подложка устройства отображения может иметь область, в которой неорганическая изолирующая пленка ярусно размещается непосредственно на контактном выводе, в области вывода. К тому же подложка устройства отображения может не обеспечиваться светочувствительной смоляной пленкой в области вывода. Механическая надежность устройства отображения может быть в частности повышена таким образом.
Более конкретно, область вывода предпочтительно является областью, в которой расположен проводящий материал (предпочтительно, материал с анизотропной проводимостью, такой как ACF (пленка с анизотропной проводимостью)), чтобы соединять подложку устройства отображения по настоящему изобретению и компонент внешнего соединения (предпочтительно, схемную плату). Таким образом, неорганическая изолирующая пленка может покрывать светочувствительную смоляную пленку таким образом, что светочувствительная смоляная пленка, по меньшей мере, не входит в контакт с проводящим материалом.
Подложка устройства отображения может иметь множество наборов органической-неорганической пленки в области периферийной схемы. Это дает возможность формирования периферийной схемы, которая обеспечивается прецизионной многослойной проводкой. Также в области периферийной схемы, может обеспечиваться неорганическая изолирующая пленка, чтобы покрывать, по меньшей мере, лицевую сторону (лицевую поверхность) светочувствительной смоляной пленки на стороне верхнего слоя. Неорганическая изолирующая пленка может обеспечиваться в области периферийной схемы таким образом, чтобы покрывать полную светочувствительную смоляную пленку за исключением, по меньшей мере, части, на стороне нижнего слоя, поверхности стенки отверстия в светочувствительной смоляной пленке, или может обеспечиваться в области периферийной схемы, чтобы покрывать полную светочувствительную смоляную пленку, включая поверхность стенки отверстия в светочувствительной смоляной пленке.
Настоящее изобретение составляет также способ изготовления подложки устройства отображения (ниже в документе также именуемый "первый способ изготовления подложки устройства отображения по настоящему изобретению"), являющийся способом изготовления подложки устройства отображения по настоящему изобретению, способ изготовления содержит: этап травления светочувствительной смоляной пленки для травления светочувствительной смоляной пленки; этап формирования неорганической изолирующей пленки для формирования неорганической изолирующей пленки после этапа травления светочувствительной смоляной пленки; и этап травления неорганической изолирующей пленки для травления неорганической изолирующей пленки после этапа формирования неорганической изолирующей пленки. В результате проводка может изготавливаться микрообработкой при устранении при этом появления дефектов соединений проводки.
Первый способ изготовления подложки устройства отображения по настоящему изобретению конкретно не ограничивается по отношению к другим процессам при условии, что способ содержит вышеуказанные этапы.
Предпочтительные варианты осуществления первого способа изготовления подложки устройства отображения по настоящему изобретению поясняются подробно ниже. Различные нижеописанные варианты осуществления могут подходящим образом комбинироваться друг с другом.
На этапе формирования неорганической изолирующей пленки может осуществляться сухое травление неорганической изолирующей пленки с помощью первого резиста. Это позволяет, чтобы проводка изготавливалась микрообработкой более надежно.
На этапе травления неорганической изолирующей пленки, область, которая перекрывает область, в которой вытравляется светочувствительная смоляная пленка, может быть вытравлена из неорганической изолирующей пленки. Это позволяет формировать малые контактные отверстия.
Способ изготовления подложки устройства отображения может дополнительно содержать этап экспонирования светочувствительной смоляной пленки для облучения светом светочувствительной смоляной пленки через первый фотошаблон перед этапом травления светочувствительной смоляной пленки. Это позволяет устранять дефекты соединения проводки еще более надежно. Таким образом, светочувствительная смоляная пленка предпочтительно облучается светом и протравляется (проявляется), то есть получается фототравлением.
Способ изготовления подложки устройства отображения может дополнительно содержать: этап формирования резиста для формирования второго резиста на неорганической изолирующей пленке после этапа формирования неорганической изолирующей пленки; и этап экспонирования резиста для облучения светом второго резиста через первый фотошаблон после этапа формирования резиста. Соответственно, тот же первый фотошаблон может использоваться на этапе экспонирования светочувствительной смоляной пленки и этапе экспонирования резиста. В результате число требуемых фотошаблонов может быть уменьшено на единицу в процессе изготовления, и затраты на изготовление уменьшаются соответственно. При использовании двух фотошаблонов, позиционное несоответствие окон в светочувствительной смоляной пленке и неорганической изолирующей пленке, которое может возникать вследствие различия в состоянии между двумя фотошаблонами, представляет затруднение. Однако вышеуказанная конфигурация позволяет устранить появление позиционного несоответствия между соответственными отверстиями светочувствительной смоляной пленки и неорганической изолирующей пленки.
Настоящее изобретение составляет также способ изготовления подложки устройства отображения (ниже в документе, также именуемый "второй способ изготовления подложки устройства отображения по настоящему изобретению"), являющийся способом изготовления подложки устройства отображения по настоящему изобретению, способ изготовления содержит: этап травления неорганической изолирующей пленки для травления неорганической изолирующей пленки способом жидкостного травления, с использованием третьего резиста в качестве маски; этап удаления резиста для удаления третьего резиста после этапа травления неорганической изолирующей пленки; и этап травления светочувствительной смоляной пленки для травления светочувствительной смоляной пленки с использованием неорганической изолирующей пленки в качестве маски после этапа удаления резиста. Таким образом, травление неорганической изолирующей пленки осуществляется жидкостным травлением, и, следовательно, озоление не требуется, так что третий резист может удаляться раствором для удаления резиста. Следовательно, это позволяет предотвращать повреждение, обусловленное озолением непокрытой поверхности стенки светочувствительной смоляной пленки в контактных отверстиях. Дефекты соединений проводки могут устраняться в результате.
Второй способ изготовления подложки устройства отображения по настоящему изобретению конкретно не ограничивается по отношению к другим процессам при условии, что способ содержит вышеуказанные этапы.
Настоящее изобретение составляет также устройство отображения (ниже в документе, также именуемое "первое устройство отображения по настоящему изобретению"), содержащее подложку устройства отображения по настоящему изобретению. В результате дефекты, обусловленные пузырьками в области пикселов, могут устраняться.
При условии, что вышеуказанные основные составляющие элементы сформированы в ней, конфигурация первого устройства отображения по настоящему изобретению конкретно не ограничивается, и может необязательно содержать другие составляющие элементы.
Настоящее изобретение составляет также жидкокристаллическое устройство отображения, содержащее подложку устройства отображения по настоящему изобретению. Дефекты, обусловленные пузырьками в области пикселов, могут быть устранены в результате.
При условии, что вышеуказанные основные составляющие элементы выполнены в ней, конфигурация жидкокристаллического устройства отображения по настоящему изобретению конкретно не ограничивается и может необязательно содержать другие составляющие элементы.
Жидкокристаллическое устройство отображения может иметь в составе жидкокристаллический слой, содержащий жидкий кристалл мономер-дисперсного типа. Это позволяет эффективное устранение дефектов, обусловленных пузырьками в области пикселов, в жидкокристаллическом устройстве отображения вида PSA. В сходных терминах, жидкокристаллическое устройство отображения может содержать подложку, обращенную к подложке устройства отображения по настоящему изобретению, и жидкокристаллический слой, прослоенный между вышеприведенными двумя подложками, так что полимер, который задает угол предварительного наклона молекул жидкого кристалла в жидкокристаллическом слое, может быть сформирован, по меньшей мере, на одной из двух подложек (предпочтительно, на обеих подложках), на стороне жидкокристаллического слоя полимеризацией полимеризуемой составляющей в жидкокристаллическом слое под действием приложения напряжения к жидкокристаллическому слою.
Жидкокристаллическое устройство отображения может содержать противоположную подложку, обращенную к подложке устройства отображения, жидкокристаллический материал, герметизированный между подложкой устройства отображения и противоположной подложкой, и герметизирующий материал для герметизации жидкокристаллического материала между подложкой устройства отображения и противоположной подложкой. Вышеуказанная газонепроницаемая изолирующая пленка может быть выполнена перекрывающей (соприкасающейся с) герметизирующий материал. В результате дефекты, обусловленные образованием газообразного вещества и/или формированием пузырьков в области пикселов, могут устраняться более эффективно в жидкокристаллическом устройстве отображения вида PSA.
Настоящее изобретение составляет также способ изготовления жидкокристаллического устройства отображения, являющийся способом изготовления жидкокристаллического устройства отображения по настоящему изобретению, и способ изготовления содержит этап излучения света на жидкокристаллический слой после этапа наполнения жидкими кристаллами. Это дает возможность изготовления жидкокристаллического устройства отображения вида PSA, при этом эффективно устраняя дефекты, обусловленные пузырьками в области пикселов.
Способ изготовления жидкокристаллического устройства отображения по настоящему изобретению конкретно не ограничивается в отношении других процессов при условии, что способ содержит вышеуказанные этапы.
Настоящее изобретение составляет также органическое электролюминесцентное устройство отображения (ниже в документе также называемое органический EL дисплей), которое содержит подложку устройства отображения по настоящему изобретению, органическое электролюминесцентное устройство отображения имеет в составе подложку, прикрепленную к подложке устройства отображения с помощью светоотверждаемого связующего материала. Это позволяет эффективно устранять дефекты, обусловленные образованием газообразного вещества в области пикселов, в органическом EL дисплее, имеющем плоскую герметизирующую структуру.
При условии, что вышеуказанные основные составляющие элементы сформированы в ней, конфигурация органического электролюминесцентного устройства отображения по настоящему изобретению конкретно не ограничивается и может необязательно содержать другие составляющие элементы. Подложка предпочтительно является герметизирующей подложкой.
Настоящее изобретение составляет также устройство отображения (ниже в документе именуемое также "второе устройство отображения" по настоящей заявке), содержащее подложку устройства отображения, изготовленную в соответствии со способом изготовления подложки устройства отображения по настоящему изобретению. Дефекты, обусловленные образованием газообразного вещества и/или формированием пузырьков в области пикселов, могут устраняться в результате.
При условии, что вышеуказанные основные составляющие элементы сформированы в ней, конфигурация второго устройства отображения по настоящему изобретению конкретно не ограничивается, и может необязательно содержать другие составляющие элементы.
ЭФФЕКТ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Подложка устройства отображения, способ изготовления подложки устройства отображения, устройство отображения, жидкокристаллическое устройство отображения, способ изготовления жидкокристаллического устройства отображения и органическое электролюминесцентное устройство отображения по настоящему изобретению позволяют устранять дефекты, обусловленные образованием газообразного вещества и/или формированием пузырьков в области пикселов.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ФИГУР ЧЕРТЕЖЕЙ
Фиг.1 - схематичное представление поперечного сечения области пикселов в жидкокристаллическом устройстве отображения по примерному осуществлению 1;
Фиг.2 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее вариант области пикселов в жидкокристаллическом устройстве отображения по примерному осуществлению 1;
Фиг.3 - схематичное представление поперечного сечения области пикселов в другом жидкокристаллическом устройстве отображения по примерному осуществлению 1;
Фиг.4 - схематичное представление поперечного сечения области пикселов в органическом EL дисплее примерного осуществления 2;
Фиг.5 - схематичное представление поперечного сечения области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по примерному осуществлению 3, где на Фиг.5(a) иллюстрируется область вывода и на фиг.5(b) иллюстрируется область периферийной схемы;
Фиг.6 - схематичное представление поперечного сечения области пикселов в жидкокристаллическом устройстве отображения по примерному осуществлению 3;
Фиг.7 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область периферийной схемы в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3;
Фиг.8 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область пикселов в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3;
Фиг.9 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее вариант жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3, где на Фиг.9(a) иллюстрируется область вывода в области рамки и на Фиг.9(b) иллюстрируется сечение периферийной схемы в области рамки;
Фиг.10 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область пикселов в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3;
Фиг.11 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее вариант жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3, где на Фиг.11(a) иллюстрируется область вывода в области рамки и на Фиг.11(b) иллюстрируется сечение периферийной схемы в области рамки;
Фиг.12 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область пикселов в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3;
Фиг.13 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область пикселов в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3;
Фиг.14 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее вариант жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3, где на Фиг.14(a) иллюстрируется область вывода в области рамки и на Фиг.14(b) иллюстрируется сечение периферийной схемы в области рамки;
Фиг.15 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область пикселов в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3;
Фиг.16 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее вариант жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3, где на Фиг.16(a) иллюстрируется область вывода в области рамки и на Фиг.16(b) иллюстрируется сечение периферийной схемы в области рамки;
Фиг.17 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область пикселов в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3;
Фиг.18 - схематичное представление поперечного сечения области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по примерному осуществлению 4, где на Фиг.18(a) иллюстрируется область вывода и на Фиг.18(b) иллюстрируется область периферийной схемы;
Фиг.19 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее вариант жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 4, где на Фиг.19(а) иллюстрируется область вывода в области рамки и на Фиг.19(b) иллюстрируется сечение периферийной схемы в области рамки;
Фиг.20 - схематичное представление поперечного сечения области вывода в жидкокристаллическом устройстве отображения по примерному осуществлению 5;
Фиг.21 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее вариант жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 5;
Фиг.22 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее вариант жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 5, где на Фиг.22(a) иллюстрируется область вывода в области рамки и на Фиг.22(b) иллюстрируется сечение периферийной схемы в области рамки;
Фиг.23 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область пикселов в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3;
Фиг.24 - схематичное представление поперечного сечения области вывода в жидкокристаллическом устройстве отображения по примерному осуществлению 6;
Фиг.25 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее вариант жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 6;
Фиг.26 - схематичное представление поперечного сечения области вывода в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 6;
Фиг.27 - схематичное представление поперечного сечения области периферийной схемы в жидкокристалличких устройствах отображения согласно примерным осуществлениям 1-6;
Фиг.28-1(а)-28-1(d) - схематичные представления поперечного сечения области периферийной схемы в жидкокристаллических устройствах отображения согласно примерным осуществлениям 1-6 в процессе изготовления;
Фиг.28-2(е)-28-2(g) - схематичные представления поперечного сечения области периферийной схемы в жидкокристаллических устройствах отображения согласно примерным осуществлениям 1-6 в процессе изготовления;
Фиг.29 - схематичное представление поперечного сечения другой формы области периферийной схемы, проиллюстрированной на Фиг.28-2(g);
Фиг.30-1(а)-30-1(d) - схематичные представления поперечного сечения области периферийной схемы в варианте жидкокристаллических устройств отображения согласно примерным осуществлениям 1-6 в процессе изготовления;
Фиг.30-2(е)-30-2(h) - схематичные представления поперечного сечения области периферийной схемы в варианте жидкокристаллических устройств отображения согласно примерным осуществлениям 1-6 в процессе изготовления;
Фиг.31-1 (а)-31-1(с) - схематичные представления поперечного сечения области периферийной схемы в варианте жидкокристаллических устройств отображения согласно примерным осуществлениям 1-6 в процессе изготовления;
Фиг.31-2(d)-31-2(f) - схематичные представления поперечного сечения области периферийной схемы в варианте жидкокристаллических устройств отображения согласно примерным осуществлениям 1-6 в процессе изготовления;
Фиг.32(a) и 32(b) - схематичные представления поперечного сечения области периферийной схемы в варианте жидкокристаллических устройств отображения согласно примерным осуществлениям 1-6 в процессе изготовления;
Фиг.33 - схематичное представление поперечного сечения области пикселов в жидкокристаллическом устройстве отображения по сравнительному примерному осуществлению 1;
Фиг.34 - схематичное представление поперечного сечения области пикселов в жидкокристаллическом устройстве отображения по сравнительному примерному осуществлению 2, где на Фиг.34(a) иллюстрируется область вывода и на Фиг.34(b) иллюстрируется область периферийной схемы;
Фиг.35 - схематичное представление вида в плане, иллюстрирующее обычную панель жидкокристаллического устройства отображения вида PSA;
Фиг.36 - схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее обычную панель жидкокристаллического устройства отображения вида PSA; и
Фиг.37 - схематичное представление вида в плане жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 1.
ЛУЧШИЙ ВАРИАНТ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Настоящее изобретение будет пояснено более подробно ниже на основании вариантов осуществления со ссылкой на сопроводительные чертежи. Однако настоящее изобретение не ограничивается вариантами осуществления.
(Примерное осуществление 1)
На Фиг.1 показано схематичное представление поперечного сечения области пикселов в жидкокристаллическом устройстве отображения по примерному осуществлению 1. Жидкокристаллическим устройством 700 отображения по данному примерному осуществлению является жидкокристаллическое устройство отображения
пропускающего типа, и, как иллюстрируется на Фиг.1, 37, содержит TFT подложку 15 в качестве подложки устройства отображения, и CF (цветового фильтра) подложку 90, расположенную обращенной к TFT подложке 15. Жидкокристаллический слой 10 формируется герметизацией жидкокристаллического материала между двумя подложками 15, 90 с помощью герметизирующего материала 39, обеспеченного по периферии подложек 15, 90.
TFT подложка 15 имеет структуру, в которой изолирующая подложка 21 в области пикселов (область изображения, в которой организовано множество пикселов) содержит последовательно ярусно размещенные на ней, со стороны изолирующей подложки 21, пленку 22 базового покрытия, полупроводниковый слой 23, изолятор 24 затвора, электрод 25 затвора, неорганическую изолирующую пленку 41, действующую в качестве межуровневой изолирующей пленки, электрод 34 истока и электрод 35 стока, содержащие первый слой 61 проводки, набор из светочувствительной смоляной пленки 52 и неорганической изолирующей пленки 41а, причем светочувствительная смоляная пленка 52 действует в качестве межуровневой изолирующей пленки и в качестве выравнивающей пленки, неорганическая изолирующая пленка 41а действует в качестве газонепроницаемой изолирующей пленки, электроды 36 пикселов выполняются для каждого пиксела, и ориентирующая пленка 37 выполняется так, чтобы покрывать каждую область пикселов. Таким образом, TFT 29, действующий в качестве переключающего пиксел элемента, и который содержит полупроводниковый слой 23, изолятор 24 затвора и электрод 25 затвора, выполнен непосредственно на изолирующей подложке 21, образующей TFT подложку 15, для каждого пиксела. Электрод 34 истока и электрод 35 стока, содержащие первый слой 61 проводки, соединяются с истоковой/стоковой областью полупроводникового слоя 23 с помощью контактных окон 31f, которые обеспечиваются в неорганической изолирующей пленке 41а. Каждый из электродов 36 пикселов соединяется с электродом 35 стока, содержащим первый слой 61 проводки, с помощью контактного отверстия (сквозное отверстие) 31g, которое обеспечивается в светочувствительной смоляной пленке 52 и неорганической изолирующей пленке 41а.
Органические пленки, такие как светочувствительная смоляная пленка 52, являются мягкими и, следовательно, легко отслаиваются и повреждаются, но имеют отличную плоскостность. Напротив, неорганические пленки, такие как неорганическая изолирующая пленка 41а, имеют плохую плоскостность, но являются жесткими, и, следовательно, легко не отслаиваются и не повреждаются.
Как используется в настоящем описании, термин «выравнивающая пленка» означает пленку, имеющую планаризующий эффект для сглаживания (уменьшения) разностей высот. Предпочтительно, поверхность выравнивающей пленки является по существу плоской, но может являть перепады высот, высота которых не больше приблизительно 500 нм (нанометр), (предпочтительно 200 нм). Если выравнивающая пленка имеет порцию перепада высот на своей поверхности, радиус кривизны для порции перепада высот предпочтительно является больше высоты перепада высот. В результате, образование остатка травления может эффективно устраняться в течение травления для формирования слоя проводки на слое выше выравнивающей пленки. Примеры выравнивающих пленок включают, например, органические пленки, такие как светочувствительная смоляная пленка 52, и пленки SOG (нанесенные центрифугированием на стекло).
CF подложка 90 содержит, в области пикселов, изолирующую подложку 91, и последовательно формируемые на ней, в этом порядке со стороны изолирующей подложки 91, черную матрицу (решетку) 92, содержащую светоэкранирующий элемент, выполненный между каждым пикселом, цветовой фильтр 93 красного, зеленого и синего, обеспеченный для каждого пиксела, общий электрод 94, содержащий прозрачную проводящую пленку и ориентирующую пленку 95.
Способ изготовления жидкокристаллического устройства 700 отображения по примерному осуществлению 1 поясняется ниже.
Способ изготовления TFT подложки 15 будет пояснен следующим.
В качестве предварительной обработки, изолирующая подложка 21, во-первых, подвергается очистке и предварительному отжигу. Изолирующая подложка 21 конкретно не ограничивается, но предпочтительно является, например, стеклянной подложкой или смоляной подложкой, с точки зрения затрат, среди прочего. Этапы (1)-(14) ниже выполняются следующими.
(1) Этап формирования пленки базового покрытия
4
2
3
4
3
На изолирующей подложке 21 формируется пленка 22 базового покрытия последовательным формированием пленки SiON, имеющей толщину пленки в 50 нм, и пленки SiOx, имеющей толщину пленки в 100 нм плазмохимическим осаждением из газовой фазы (PECVD). Примеры газа исходного материала для формирования пленки SiON включают, например, газовую смесь моносилана (SiH), газа закиси азота (NO) и аммиака (NH). Предпочтительно, пленка SiOx формируется с использованием газа тетраэтилортосиликата (TEOS) в качестве газа исходного материала. Пленка 22 базового покрытия может также содержать пленку нитрида кремния (SiNx), формируемую с использованием, например газовой смеси моносилана (SiH) и аммиака (NH) в качестве газа исходного материала.
(2) Этап формирования полупроводникового слоя
4
2
6
4
2
Пленка аморфного кремния (a-Si), имеющая толщину пленки в 50 нм, формируется способом PECVD. Примеры газа исходного материала для формирования пленки a-Si включают, например, SiH, дисилан (SiH). Пленка a-Si, формируемая по способу PECVD, содержит водород, и, следовательно, обработка для снижения концентрации водорода в пленке a-Si выполняется примерно при 500°С (обработка по дегидрогенизации). Лазерный отжиг выполняется следующим, за чем следует формирование пленки p-Si плавлением, охлаждением и кристаллизацией пленки a-Si. Лазерный отжиг выполняется, например, с использованием эксимерного лазера. Чтобы сформировать пленку p-Si, в качестве предварительной обработки для лазерного отжига (чтобы сформировать кремний с непрерывной структурой кристаллов (CG)), применяется металлический катализатор, такой как никель, без выполнения обработки дегидрогенизации, за чем следует выращивание твердой фазы с помощью термической обработки. Для кристаллизации пленки a-Si может выполняться только выращивание твердой фазы с помощью термической обработки. Затем выполняется сухое травление с использованием газовой смеси четыреххлористого углерода (CF) и кислорода (O), чтобы нанести рисунок на пленку p-Si и сформировать полупроводниковый слой 23.
(3) Этап формирования изолятора затвора
Затем формируется изолятор 24 затвора, содержащий оксид кремния и имеющий толщину пленки в 45 нм, с использованием газа TEOS в качестве газа исходного материала. Материал изолятора 24 затвора конкретно не ограничивается и может использоваться, например, пленка SiNx или пленка SiON. Газ исходного материала для формирования пленки SiNx или пленки SiON может быть таким же, как газ исходного материала на описанном выше этапе формирования пленки базового покрытия. Изолятор 24 затвора может быть (многослойным) набором, содержащим вышеуказанное множество материалов.
(4) Этап легирования ионами
Примесь, такая как бор, легируется в полупроводниковый слой 23 легированием ионами, ионной имплантацией или подобным, чтобы регулировать пороговое значение для TFT 29. Более конкретно, примесь, такая как бор, легируется в полупроводниковый слой, который образует TFT N-канального типа или TFT Р-канального типа (первый этап легирования), и затем примесь, такая как бор, дополнительно легируется в полупроводниковый слой, который образует N-канальный тип, в состоянии, где полупроводниковый слой, образующий TFT Р-канального типа, маскирован резистом (второй этап легирования). Первый этап легирования может опускаться, если регулирование порогового значения для TFT Р-канального типа не является необходимым.
(5) Этап формирования электрода затвора
6
4
2
2
Затем, пленка нитрида тантала (TaN), имеющая толщину пленки в 30 нм, и пленка вольфрама (W), имеющая толщину пленки 370 нм, формируются в этом порядке напылением. Затем, способом фотолитографии формируется резистная маска нанесением рисунка (структурированием) резистной пленки по заданной геометрии, после чего электрод 25 затвора формируется сухим травлением с использованием травильного газа, в котором выверены количества газовой смеси, например, из аргона (Ar), элегаза (фтористой серы) (SF), четыреххлористого углерода (CF), кислорода (O), хлора (Cl). В качестве материала электрода 25 затвора может использоваться металл с высокой точкой плавления, имеющий планаризованную поверхность и стабильные характеристики, например тантал (Та), молибден (Мо), молибден вольфрам (MoW) или подобный, или металл с низкой резистивностью, такой как алюминий (Al). Электрод 25 затвора может быть (многослойным) набором, содержащим вышеописанное множество материалов.
(6) Этап формирования истоковой/стоковой области
Затем, для формирования истоковых/стоковых областей для TFT 29 полупроводниковый слой 23 высоко легируется примесью, такой как фосфор, для TFT N-канального типа или примесью, такой как бор, для TFT Р-канального типа способом легирования ионами или ионной имплантации с использованием электрода 25 затвора в качестве маски. Область LDD (слабо легированного стока) также может формироваться в этом случае, если необходимо. Затем, выполняется обработка термической активации при приблизительно 700°С в течение 6 часов, чтобы активизировать ионы примеси в полупроводяниковом слое 23. Электрическая проводимость истоковых/стоковых областей может быть повышена посредством этого. Примеры способа активации включают, например, излучение эксимерного лазера.
(7) Этап формирования неорганической изолирующей пленки
Затем, неорганическая изолирующая пленка 41 формируется способом PECVD на полной поверхности изолирующей подложки 21 посредством формирования пленки SiNx, имеющей толщину пленки в 100-400 нм (предпочтительно, 200-300 нм), и пленки TEOS, имеющей толщину пленки в 500-1000 нм (предпочтительно, 600-800 нм). Пленка SiON или подобная также может использоваться в качестве неорганической изолирующей пленки 41. Тонкая покровная (верхняя) пленка (например, пленка TEOS) приблизительно в 50 нм толщиной может формироваться в слое под неорганической изолирующей пленкой 41, чтобы устранять снижение характеристик TFT, обусловленное ухудшением переходного режима (ухудшение вследствие горячих носителей заряда) и чтобы стабилизировать электрические характеристики TFT 29.
(8) Этап формирования контактного отверстия
Затем, фотолитографическим способом формируется резистная маска нанесением рисунка резистной пленки по заданной геометрии, после чего контактные отверстия 31f формируются жидкостным травлением изолятора 24 затвора и неорганической изолирующей пленки 41 с использованием травильного раствора на основе фтористоводородной (плавиковой) кислоты. Травление может быть сухим травлением. После этого выполняется термическая обработка при 400°С в течение 1 часа, чтобы исправить дефекты в кристалле Si, обусловленные водородом, поступающим от пленки SiNx в неорганической изолирующей пленке 41.
(9) Этап формирования первого слоя проводки
Затем, пленка титана (Ti), имеющая толщину пленки 100 нм, пленка алюминия (А1), имеющая толщину пленки 500 нм, и пленка Ti, имеющая толщину пленки 100 нм, формируются в этом порядке напылением или подобным. Затем, формируется резистная маска литографическим формированием рисунка резистной пленки по заданной геометрии, после чего формируется рисунок многослойной пленки металлов Ti/Al/Ti сухим травлением, чтобы сформировать первый слой 61 проводки. В результате формируются электрод 34 истока и электрод 35 стока. Сплав Al-Si или подобный может использоваться вместо А1 в качестве металла, который составляет первый слой 61 проводки. При этом А1 используется для снижения сопротивления проводки, но вышеописанные материалы электрода затвора (Та, Mo, MoW, W, TaN или подобный) могут использоваться в качестве металла, который составляет первый слой 61 проводки, в случае, когда требуется высокая термостойкость, и некоторое повышение значений сопротивления является допустимым (например, в случае структур короткой проводки).
(10) Этап формирования органического-неорганического набора
Затем, рокрытием светочувствительная смоляная пленка 52 формируется на полной поверхности подложки 21 посредством покрытия, получаемым центрифугированием, или подобным, светочувствительной акриловой смолы, например, UV-отверждаемой смолы на основе нафтохинондиазида, до толщины пленки в 1-5 мк (предпочтительно, 2-3 мк). Светочувствительная смола на основе полиалкилсилоксана также может использоваться в качестве материала светочувствительной смоляной пленки 52. Затем, область светочувствительной смоляной пленки 52, которая дает контактное отверстие 31g, удаляется облучением светом светочувствительной смоляной пленки 52 через фотошаблон со сформированным в нем свето-экранирующим рисунком заданной геометрии, затем следует травление (проявление). Светочувствительная смоляная пленка 52 подвергается далее этапу выжигания (например, при 200°С в течение 30 минут). Таким образом, геометрия отверстия (часть отверстия) светочувствительной смоляной пленки 52 становится менее крутой (наклонной), и соотношение геометрических размеров контактного отверстия 31g может быть уменьшено. Этап озоления (снятия резиста) после начального удаления контактной части светочувствительной смоляной пленки 52 (порции, которая дает контактное отверстие 31g) становится ненужным.
2
2
2
2
Затем, неорганическая изолирующая пленка 41а формируется на полной поверхности изолирующей подложки 21 формированием способом напыления или PECVD, пленки SiNx, имеющей толщину пленки в 10-200 нм (предпочтительно, 20-100 нм), или пленки SiO, имеющей толщину пленки в 10-200 нм (предпочтительно, 20-100 нм) с использованием газа TEOS в качестве газа исходного материала. Пленка SiON или подобная может также использоваться в качестве неорганической изолирующей пленки 41а. Альтернативно, пленка SiO или пленка SiN в качестве неорганической изолирующей пленки 41а, может формироваться напылением, способами CAT-CVD (химического осаждения из газовой фазы), плазменного CVD с индуцируемой плазмой (ICP) (например, способом, который использует аппаратуру ICP-CVD компании SELVAC Co., Ltd), или окислением озона (например, способ, который использует Meiden Pure Ozone Generator (генератор чистого озона) Корпорации Meidensha. Высококачественная пленка может формироваться при низкой температуре посредством вышеуказанных процессов. Из числа вышеупомянутого, пленка SiO является таким же базовым материалом, что и изолирующая подложка, имеющая малое затухание UV света, и, следовательно, затухание UV света может эффективно устраняться на нижеописанном этапе UV облучения, если пленка SiO используется в качестве неорганической изолирующей пленки 41а. К тому же термореактивная смола, например термореактивная смоляная пленка на основе эпоксидной смолы, термореактивная полимидная пленка на основе смолы или термореактивная париленовая пленка на основе смолы, имеющая толщину пленки в 0,1-3,0 мк (предпочтительно, 0,5-2,0 мк), может формироваться вместо неорганической изолирующей пленки 41а в качестве газонепроницаемой изолирующей пленки.
Таким образом, материал газонепроницаемой изолирующей пленки конкретно не ограничивается, при условии, что пленка препятствует распространению газообразного вещества, образуемого при излучении света на светочувствительную смоляную пленку 52, в состоянии, где газообразное вещество из внутренней части панели не имеет пространства для выхода, например, в течение герметизации панели и/или после нее, и при условии, что газообразное вещество не выделяется самой пленкой, если облучается светом (в частности UV облучением).
Затем, формируется резистная маска литографическим формированием рисунка резистной пленки по заданной геометрии. При этом резист для формирования рисунка неорганической изолирующей пленки 41а может экспонироваться с использованием такого же фотошаблона, как используется для облучения светом светочувствительной смоляной пленки 52. Число требуемых фотошаблонов может быть уменьшено на единицу, и затраты на изготовление уменьшаются соответственно путем использования таким образом того же фотошаблона для экспонирования резиста, чтобы формировать рисунок неорганической изолирующей пленки 41а и светочувствительной смоляной пленки 52. В то же время может устраняться появление позиционного несоответствия окон в светочувствительной смоляной пленке 52 и неорганической изолирующей пленке 41а, которое может возникать вследствие различия в состоянии между двумя фотошаблонами. В этом случае, предпочтительно, светочувствительная смоляная пленка 52 «передерживается» (экспозиция с избытком по отношению к надлежащей световой энергии), тогда как резист для формирования рисунка неорганической изолирующей пленки 41а экспонируется обычной энергией экспонирования. Действие подобным образом позволяет неорганической изолирующей пленке 41а оставаться на поверхности стенки отверстия в светочувствительной смоляной пленки 52.
4
2
После этого область неорганической изолирующей пленки 41а, которая дает контактное отверстие 31g, удаляется сухим травлением с использованием четырехфтористого углерода (CF) или подобного, таким образом, что изъятая порция перекрывает область, в которой удаляется светочувствительная смоляная пленка 52. Контактное отверстие 31g может изготавливаться микрообработкой, и нижний слой первого слоя 61 проводки может иметь более узкие линии согласно формированию рисунка неорганической изолирующей пленки 41а сухим травлением. После этого резистная маска озоляется O плазмой с использованием неорганической изолирующей пленки 41а в качестве оградительного материала. В результате формируется контактное отверстие 31g, которое проходит через светочувствительную смоляную пленку 52 и неорганическую изолирующую пленку 41а.
Таким образом, повреждение, обусловленное «сухим» процессом, может устраняться путем формированиия неорганической изолирующей пленки 41а (пассивирующей пленки) на светочувствительной смоляной пленке 52. Более конкретно, полная поверхность светочувствительной смоляной пленки 52 на стороне жидкокристаллического слоя 10 покрывается неорганической изолирующей пленкой 41а в течение травления неорганической изолирующей пленки 41а и электрода 36 пиксела сухим травлением. То есть боковая поверхность (например, поверхность стенки отверстия) и лицевая поверхность светочувствительной смоляной пленки 52 на стороне жидкокристаллического слоя 10 покрываются неорганической изолирующей пленкой 41а. Это позволяет устранять повреждение светочувствительной смоляной пленки 52, обусловленное сухим травлением, и позволяет препятствовать повреждению светочувствительной смоляной пленки 52 кислородной плазмой в течение озоления резиста на этапе формирования контактного отверстия 31g и электрода 36 пиксела. В свете вышеуказанного, предпочтительно, полная поверхность стенки отверстия в отверстии светочувствительной смоляной пленки 52 покрывается неорганической изолирующей пленкой 41а.
Неорганическая изолирующая пленка 41а может быть протравлена жидкостно. В этом случае резистная маска может удаляться с использованием раствора для удаления резиста. Следовательно, это позволяет препятствовать, чтобы светочувствительная смоляная пленка 52 повреждалась озолением или сухим травлением. В случае, если неорганическая изолирующая пленка 41а протравливается жидкостно, часть поверхности стенки отверстия в светочувствительной смоляной пленке 52 на стороне нижнего слоя может стать вскрытой, как иллюстрируется на Фиг.2, вызывая, что отверстие неорганической изолирующей пленки 41а будет больше отверстия светочувствительной смоляной пленки 52. Более того, это позволяет препятствовать, чтобы светочувствительная смоляная пленка 52 повреждалась озолением или сухим травлением.
Для формирования конфигурации, проиллюстрированной на Фиг.2, сначала формируется рисунок резиста, чтобы сформировать рисунок неорганической изолирующей пленки 41а, с использованием фотошаблона, отличающегося от фотошаблона, используемого для облучения светом светочувствительной смоляной пленки 52. Затем формируется контактное отверстие 31g травлением неорганической изолирующей пленки 41а путем жидкостного травления плавиковой кислотой (HF), используя резист для формирования рисунка неорганической изолирующей пленки 41а в качестве шаблона таким образом, что часть поверхности стенки отверстия в светочувствительной смоляной пленке 52, на стороне нижнего слоя, является непокрытой. В заключение, резист для формирования рисунка неорганической изолирующей пленки 41а может удаляться с использованием раствора для удаления резиста.
2
В случае, когда термореактивная смоляная пленка формируется в качестве газонепроницаемой изолирующей пленки, отверстия могут формироваться в термореактивной смоляной пленке лазером, таким как CO-лазер (лазер на углекислом газе).
И в светочувствительной смоляной пленке 52, и в неорганической изолирующей пленке 41а могут ярусно размещаться множество пленок, содержащих различные материалы. То есть множество пленок, содержащих различные материалы, может многослойно размещаться в газонепроницаемой изолирующей пленке также.
В результате вышеуказанных процессов формируется «органический-неорганический» набор, причем неорганическая изолирующая пленка 41а ярусно размещается на светочувствительной смоляной пленке 52. Неорганическую изолирующую пленку 41а (газонепроницаемую изолирующую пленку) не требуется обязательно формировать на полной поверхности изолирующей подложки 21 при условии, что неорганическая изолирующая пленка 41а формируется так, чтобы покрывать, по меньшей мере, область пикселов. Предпочтительно, однако, неорганическая изолирующая пленка 41а формируется, по меньшей мере, проходящей вплоть до (перекрывающей) герметизирующего материала 39, как иллюстрируется на Фиг.37. В результате распространению газообразного вещества 38, образуемого от светочувствительной смоляной пленки 52, можно препятствовать более эффективно. В случае, если, как в примерном осуществлении 3 и затем в описании ниже, область вывода и область периферийной схемы обеспечиваются на TFT подложке 15, то неорганическая изолирующая пленка 41а (газонепроницаемая изолирующая пленка) предпочтительно формируется вплоть до области вывода и области периферийной схемы.
4
2
Светочувствительная смоляная пленка 52 и неорганическая изолирующая пленка 41а могут также формироваться, как изложено ниже. Во-первых, светочувствительная смоляная пленка 52 и неорганическая изолирующая пленка 41а формируются в этом порядке. Затем, формируется резистная маска фотолитографическим формированием рисунка резистной пленки по заданной геометрии, после чего формируется контактное отверстие 31g сухим травлением с использованием газовой смеси из четыреххлористого углерода (CF) и кислорода (O), при регулировке интенсивности подачи обоих газов. Резистная маска озоляется (снимается) с использованием неорганической изолирующей пленки 41а в качестве оградительного материала. В результате контактное отверстие 31g может изготавливаться микрообработкой, посредством чего нижний слой первого слоя 61 проводки может иметь более узкие линии.
В этом случае, однако, толщина пленки для светочувствительной смоляной пленки 52 является большой, например 2 мк или больше, и, следовательно, соотношение геометрических размеров контактного отверстия 31g, формируемого в наборе из светочувствительной смоляной пленки 52 и неорганической изолирующей пленки 41а, является высоким, каковое может затруднять контакт между верхними и нижними слоями. Альтернативно, соотношение геометрических размеров контактного отверстия 31g может быть уменьшено путем использования процедуры, в которой неорганическая изолирующая пленка 41а формируется и вскрывается после вскрытия светочувствительной смоляной пленки 52.
2
В этом случае непокрытая поверхность стенки отверстия светочувствительной смоляной пленки 52 в контактном отверстие 31g также может озоляться в течение O-озоления резистной маски, и поверхность стенки отверстия светочувствительной смоляной пленки 52 может отступить по отношению к поверхности стенки отверстия неорганической изолирующей пленки 41а, так что контактное отверстие 31g нависает (принимает выступающую форму), в результате чего электрод 36 пиксела верхнего слоя и нижний слой первого слоя 61 проводки могут разъединиться в контактном отверстие 31g. В отличие от этого разъединение между электродом 36 пиксела верхнего слоя и нижним слоем первого слоя 61 проводки в контактном отверстие 31g может эффективно устраняться с использованием процедуры, в которой неорганическая изолирующая пленка 41а формируется и вскрывается после вскрытия светочувствительной смоляной пленки 52.
(11) Этап формирования электрода пиксела и ориентирующей пленки
Затем, пленка ITO (оксид индия и олова) и/или пленка IZO (оксид индия и цинка), имеющая толщину пленки в 50-200 нм (предпочтительно, 100-150 нм), формируется напылением или подобным, и затем фотолитографией формируется рисунок по заданной геометрии, чтобы сформировать электрод 36 пиксела. После этого полимидная пленка в качестве ориентирующей пленки 37, например, печатным способом накладывается на электрод 36 пиксела таким образом, чтобы покрыть, по меньшей мере, область пикселов, и ориентирующая пленка 37 подвергается обработке по ориентированию, чтобы завершить этим TFT подложку 15.
(12) Этап формирования подложки CF
В CF подложке 90, во-первых, изолирующая подложка 91
подготавливается таким же образом, как в изолирующей подложке 21. Светоэкранирующая пленка затем формируется напылением, и пленка структурируется, чтобы сформировать черную матрицу 92. Затем, смоляная пленка (сухая пленка) с наличием красного пигмента, диспергированного в ней, ламинируется на полной поверхности области пикселов, и смоляная пленка облучается светом, проявляется и выжигается (термическая обработка) для формирования, таким образом, красного цветового фильтра 93. Затем, смоляная пленка с наличием зеленого пигмента, диспергированного в ней, ламинируется на полной поверхности области пикселов, перекрывая красный цветовой фильтр 93, и смоляная пленка облучается светом, проявляется и выжигается (термическая обработка) для формирования, таким образом, зеленого цветового фильтра 93. Синий цветовой фильтр 93 формируется таким же образом. В это время столбчатый распорный элемент (не показан), содержащий набор из светонепроницаемой пленки и смоляной пленки, формируется в светоэкранирующей области вне отверстия пиксела. Затем, общий электрод 94 формируется на цветовом фильтре 93 способом осаждения ITO из паровой фазы. Затем, полимидная пленка в качестве ориентирующей пленки 95, например, печатным способом накладывается на общий электрод 94 таким образом, чтобы покрыть, по меньшей мере, область пикселов, и ориентирующая пленка 95 подвергается обработке по ориентированиию, чтобы завершить таким образом CF подложку 90. Цветовой фильтр 93 может быть сформирован фотолитографией с использованием цветного резиста. Столбчатый распорный элемент может формироваться фотолитографией с использованием цветного резиста на CF подложке 90. Линии возбуждения и/или линии CS TFT подложки 15 могут формироваться для черной матрицы 92 вместо черной матрицы 92.
(13) Этап присоединения панели и этап наполнения жидкими кристаллами
Затем, герметизирующий материал 39 наносится на внешнюю периферию области пикселов TFT подложки 15, и затем жидкокристаллический материал, в котором полимеризуемая составляющая добавлена к молекулам жидкого кристалла, имеющим отрицательную диэлектрическую проницаемость, капельно вводится внутрь герметизирующего материала 39 с использованием дозатора или подобного. Материал, который может использоваться в качестве полимеризуемой составляющей, конкретно не ограничивается, и, например, может быть фотополимеризуемым мономером или фотополимеризуемым олигомером. Затем, CF подложка 90 присоединяется к TFT подложке 15, содержащей жидкокристаллический материал, капельно введенный в нее. Процесс до данного момента выполняется в вакууме. Затем, присоединенные подложки 15, 90 возвращают в воздушную атмосферу, после чего жидкокристаллический материал диффундирует между двумя соединенными подложками 11, 90 вследствие атмосферного давления. Затем, герметизирующий материал 39 отверждается излучением на него UV света, при перемещении при этом источника UV света по области, покрытой герметизирующим материалом 39. Таким образом, диффузный жидкокристаллический материал герметизируется между двумя подложками 11, 90, чтобы сформировать посредством этого жидкокристаллический слой 10.
Способ наполнения жидкокристаллическим материалом может включать в себя обеспечение порта (впускного отверстия) наполнения жидкими кристаллами на периферии подложек 11, 90 и наполнение жидкокристаллического материала через порт, за которым следует герметизация порта наполнения жидкими кристаллами с использованием UV-отверждаемой смолы или подобного.
(14) Этап облучения светом полимеризуемой составляющей
Затем, переменное (АС) напряжение прикладывается через электрод 34 истока и общий электрод 94 в состоянии, где напряжение, которое актвизирует TFT 29, прикладывается к электроду 25 затвора, и, пока молекулы жидких кристаллов наклонены, UV свет излучается на жидкокристаллический слой 10 со стороны TFT подложки 15 (глухие стрелки на Фиг.1). В результате фотополимеризуемый мономер, добавленный к жидкокристаллическому материалу, полимиризуется, и формируется полимер, который задает угол предварительного наклона молекул жидких кристаллов на поверхности ориентирующих пленок 37, 95 на стороне жидкокристаллического слоя 10.
Жидкокристаллическое устройство 100 отображения по данному примерному осуществлению может быть завершено (укомплектовано) после этого, путем выполнения, например, этапа резания панели, этапа прикрепления поляризатора, этапа прикрепления подложки FCP и этапа объединения панели жидкокристаллического устройства отображения и блока задней подсветки.
Жидкокристаллическое устройство 700 отображения по данному примерному осуществлению содержит газонепроницаемую изолирующую пленку, выполненную между светочувствительной смоляной пленкой 52 и электродом 36 пиксела. Следовательно, проникновению газообразного вещества 38 в жидкокристаллический слой 10 может препятствовать газонепроницаемая изолирующая пленка, как иллюстрируется на Фиг.1, даже если газообразное вещество 38 образуется в светочувствительной смоляной пленке 52 ниже электрода 36 пиксела при излучении UV света на светочувствительную смоляную пленку 52 на этапе облучения светом полимеризуемой составляющей. Формирование пузырьков в жидкокристаллическом слое 10 может устраняться таким образом, в результате чего появление дефектов вследствие пузырьков может также устраняться.
Возможно, газообразное вещество 38, в частности вероятно, будет интрудировать в жидкокристаллический слой 10 через промежутки между смежными электродами 36 пикселов. Однако газонепроницаемая изолирующая пленка покрывает области, в которых лицевая поверхность и боковая поверхность (например, поверхность стенки отверстия) светочувствительной смоляной пленки 52 не прикрыты электродом 36 пиксела. В результате газообразному веществу 38 можно препятствовать более эффективно.
Подобным образом газонепроницаемая изолирующая пленка обеспечивается в промежутках между электродами 36 пикселов. В результате прохождению газообразного вещества 38 можно препятствовать более эффективно.
На Фиг.3 показано схематичное представление поперечного сечения области пикселов в другом жидкокристаллическом устройстве отображения по примерному осуществлению 1. В данном примерном осуществлении электроды 36 пикселов и неорганическая изолирующая пленка 41а могут формироваться в этом порядке. Неорганическая изолирующая пленка 41а, действующая в качестве газонепроницаемой изолирующей пленки, может формироваться на слое выше электродов 36 пикселов, конкретно непосредственно на электродах 36 пикселов. Дефекты, обусловленные пузырьками, могут также устраняться в этом случае. Однако может возникать падение напряжения вследствие емкостной составляющей газонепроницаемой изолирующей пленки, если весь электрод 36 пиксела покрыт неорганической изолирующей пленкой 41а. Предпочтительно, следовательно, неорганическая изолирующая пленка 41а селективно формируется в области, где электрод 36 пиксела отсутствует, как показано на Фиг.3. Предпочтительно, неорганическая изолирующая пленка 41а перекрывает порцию наружного края электрода 36 пиксела и имеет отверстия на электроде 36 пиксела. Предпочтительно, неорганическая изолирующая пленка 41а селективно покрывает область, в которой лицевая поверхность светочувствительной смоляной пленки 52 не покрыта электродами 36 пикселов и селективно обеспечивается в промежутках между электродом 36 пиксела, которые выполняются разнесенными на расстояние друг от друга. В результате это позволяет устранение появления дефектов, обусловленных пузырьками в области пикселов, при этом устраняя падение напряжения вследствие емкостной составляющей газонепроницаемой изолирующей пленки. Если имеется область, в которой боковая поверхность светочувствительной смоляной пленки 52 (например, порция наружного края светочувствительной смоляной пленки 52, позиционированная в область рамки) не покрывается электродами 36 пикселов, то такая область предпочтительно покрывается также неорганической изолирующей пленкой 41а. Величина, до которой газонепроницаемая изолирующая пленка должна перекрывать электроды 36 пикселов, может быть надлежаще установлена в соответствии с точностью формирования рисунка и материалом газонепроницаемой изолирующей пленки в пределах допустимого диапазона падения напряжения.
Жидкокристаллическое устройство 700 отображения по данному примерному осуществлению может иметь тип с делением по доменам. Жидкокристаллическое устройство 700 отображения по данному примерному осуществлению может быть черно-белым дисплеем. Жидкокристаллическое устройство 700 отображения по данному примерному осуществлению может быть отражательного типа или полупропускающего типа (отражательно/пропускающего типа).
(Примерное осуществление 2)
На Фиг.4 показано схематичное представление поперечного сечения области пикселов в органическом EL дисплее по примерному осуществлению 2. Повторные признаки, общие для данного варианта и примерного осуществления 1, не будут поясняться снова.
Органический EL дисплей 800 по данному примерному осуществлению является органическим EL дисплеем с активной матрицей и содержит TFT подложку 16 в качестве подложки устройства отображения и герметизирующую подложку 72, обращенную к TFT подложке 16, как иллюстрируется на Фиг.4.
Подобно TFT подложке 15 по примерному осуществлению 1, TFT подложка 16 имеет структуру, в которой в области пикселов изолирующая подложка 21 содержит последовательно ярусно размещенные на ней, со стороны изолирующей подложки 21, пленку 22 базового покрытия, полупроводниковый слой 23, изолятор 24 затвора, электрод 25 затвора, неорганическую изолирующую пленку 41, действующую в качестве межуровневой изолирующей пленки, электрод 34 истока и электрод 35 стока, содержащий первый слой 61 проводки, и набор из светочувствительной смоляной пленки 52 и неорганической изолирующей пленки 41а, причем светочувствительная смоляная пленка 52 действует в качестве межуровневой изолирующей пленки и в качестве выравнивающей пленки, неорганическая изолирующая пленка 41а действует в качестве газонепроницаемой изолирующей пленки. Также электрод пиксела (нижний электрод) 36, действующий в качестве анода, обеспечивается на неорганической изолирующей пленке 41а для каждого пиксела, и перегородка 73 вдоль границы пиксела обеспечивается на электроде 36 пиксела. EL пленка (органическая пленка) 74, содержащая слой с инжекцией электронных дырок и переносом и эмиссионный слой, формируется в отверстие перегородки 73, соответствующем каждому пикселу. Верхний электрод 75, действующий в качестве катода, обеспечивается на EL пленке 74. Таким образом, TFT 29, действующий в качестве переключающего пиксел элемента и который содержит полупроводниковый слой 23, изолятор 24 затвора и электрод 25 затвора, непосредственно создается на изолирующей подложке 21, которая составляет TFT подложку 16 для каждого пиксела, как в примерном осуществлении 1. Электрод 34 истока и электрод 35 стока, содержащие первый слой 61 проводки, соединяются с истоковой/стоковой областью полупроводникового слоя 23 с помощью контактных окон 31h, которые обеспечиваются в неорганической изолирующей пленке 41. Кроме того, электрод 36 пиксела соединяется с электродом 35 стока, содержащим первый слой 61 проводки, через контактное отверстие (сквозное отверстие) 31i, обеспеченное в светочувствительной смоляной пленке 52 и неорганической изолирующей пленке 41а.
Герметизирующая подложка 72 происоединяется с помощью UV-отверждаемого связующего материала 76, к TFT подложке 16 на стороне верхнего электрода 75.
Способ изготовления органического EL дисплея 800 по примерному осуществлению 2 поясняется ниже.
Способ изготовления TFT подложки 16 будет пояснен следующим. В качестве предварительной обработки, изолирующая подложка 21 во-первых подвергается очистке и предварительному отжигу. Изолирующая подложка 21 конкретно не ограничивается, но предпочтительно является, например, стеклянной подложкой смоляной подложкой или металлической подложкой, с точки зрения затрат, среди прочего.
Затем, выполняются такие же этапы (1)-(10), как в примерном осуществлении 1.
(11) Этап формирования электрода пиксела
Затем, формируется пленка ITO и/или пленка IZO с толщиной пленки в 50-200 нм (предпочтительно, 100-150 нм) способом напыления или подобного, и затем фотолитографией формируется рисунок по заданной геометрии, чтобы сформировать электрод 36 пиксела, действующий в качестве анода для каждого пиксела.
(12) Этап формирования перегородки
Затем, светочувствительная смоляная пленка формируется на полной поверхности подложки 21 покрытием способом центрифугирования или подобного, светочувствительной акриловой смолы, например UV-отверждаемой смолы на основе нафтохинондиазида, до толщины пленки в 1-4 мк (предпочтительно, 2-3 мк). Светочувствительная смола на основе полиалкилсилоксана также может использоваться в качестве материала светочувствительной смоляной пленки. Затем, светочувствительная смоляная пленка облучается светом через фотошаблон со сформированным в нем светоэкранирующим рисунком заданной геометрии, затем следует травление (проявление), чтобы сформировать таким образом отверстия у каждого пиксела. Электрод 36 пиксела является непокрытым таким образом.
Светочувствительная смоляная пленка подвергается следующему этапу выжигания (например, при 200°С в течение 30 минут) для формирования перегородки 73. Прежде формирования перегородки 73 может быть сформирована перегородка, содержащая неорганические материалы, такие как TEOS, до толщины приблизительно в 50-100 нм и имеющая отверстие в эмиссионной области.
(13) Этап формирования EL пленки
Затем, внутреннюю часть отверстия перегородки 73 покрывают по шаблону смешанным водным раствором, содержащим полиэтилендиокситиофен (PEDOT) и полистирол-сульфоновую кислоту (PSS), используя распылительное устройство, после чего следует сушка нагревом. Растворитель, в котором диспергированы PEDOT и PSS, удаляется посредством этой обработки термической сушки, в результате чего формируется слой с инжекцией и переносом заряда, имеющий толщину пленки в 20-70 нм (предпочтительно, 40-60 нм). После этого жидкостные материалы трех цветов, являющиеся результатом растворения красного, синего и зеленого полимерных люминесцентных материалов, таких как полифлюореновые материалы, в неполярном растворителе, таком как ксилол, наносятся по шаблону на слой с инжекцией и переносом заряда в пределах отверстия перегородки 73 с использованием распылительного устройства. После покрытия по шаблону растворитель удаляется, чтобы сформировать посредством этого эмиссионный слой, имеющий толщину пленки в 50-150 нм (предпочтительно, 80-120 нм). Таким образом, типом цветного изображения органического EL дисплея 800 по данному примерному осуществлению является трехцветный тип.
(14) Этап формирования верхнего электрода
Затем, кальций до толщины пленки в 5-30 нм (предпочтительно, 10-20 нм) и алюминий до толщины пленки в 100-400 нм (предпочтительно, 200-300 нм) осаждаются из газовой фазы на эмиссионный слой в этом порядке, чтобы сформировать верхний электрод 75, действующий в качестве катода.
(15) Этап прикрепления герметизирующей подложки
2
Затем, UV-отверждаемый связующий материал 76 накладывается на верхний электрод 75 таким образом, чтобы покрыть EL пленку 74, и затем TFT подложка 16 и плоская герметизирующая подложка 72, являющаяся стеклянной подложкой, смоляной подложкой или подобной, присоединяются друг к другу с помощью UV-отверждаемого связующего материала 76 в среде вакуума или пониженного давления и в которую введен инертный газ, такой как газ азот (N) или сухой воздух.
UV-отверждаемый связующий материал 76 конкретно не ограничивается и может быть светоотверждаемой клеевой композицией, раскрытой в публикации заявки на патент Японии за номером №2004-231938. Более конкретно, светоотверждаемая клеевая композиция может готовиться гомогенным смешиванием при перемешивании со скоростью перемешивания в 3000 об/мин с использованием лопастного смесителя типа Homodisper (модель Homodisper L", компании Primix), нижеследующих компонентов: 70 весовых частей эпоксидной смолы дифенилолпропана А (торговое наименование "Epikote 828" компании Japan Ероху Resin) в качестве фотокатионного полимеризуемого состава; 30 весовых частей нафталиновой эпоксидной смолы (торговое наименование Epiclon НР-4032", корпорации DIC) в качестве фотокатионного полимеризуемого состава; 1 весовой части фотокатионного инициатора полимеризации (торговое наименование "Adeka Optomer SP170", компании Asahi Denka Kogyo) ионного фотокислотно-образующего типа (ионный тип, который образует кислоту при облучении светом), активизируемого световыми лучами видимого спектра или лучами ближней инфракрасной части спектра с длиной волны 340 нм или более длинными, в качестве фотокатионного инициатора полимеризации; 0,2 весовой части фотосенсибилизирующего агента на основе производного от тиоксантона (торговое наименование Kayacure DETX-S, Nippon Kayaku) в качестве фотосенсибилизирующего агента, поглощающего лучи видимого спектра или лучи ближней инфракрасной части спектра с длиной волны 340 нм или более длинные; и 20 весовых частей синтетической слюды (торговое наименование "Micromica МК-100, Co-op Chemical) в качестве наполнителя.
2
UV свет (показанный глухими стрелками на Фиг.4, например, имеющий длину волны 365 нм и энергию излучения в 6000 МДж/см) излучается со стороны TFT подложки 16, чтобы отверждать посредством этого UV-отверждаемый связующий материал 76. EL пленка 74 может в результате закрываться от внешнего воздуха герметизирующей подложкой 72. UV-свет может также излучаться через герметизирующую подложку 72.
После этого органический EL дисплей 800 по данному примерному осуществлению может быть завершен, например, посредством этапа прикрепления FCP подложки.
В органическом EL дисплее 800 по данному примерному осуществлению газонепроницаемая изолирующая пленка обеспечивается между электродом 36 пиксела и светочувствительной смоляной пленкой 52. Следовательно, проникновению газообразного вещества 38 в EL пленку 74 может препятствовать газонепроницаемая изолирующая пленка, как иллюстрируется на Фиг.4, даже если газообразное вещество 38 образуется в светочувствительной смоляной пленке 52 ниже электрода 36 пиксела при излучении UV света на светочувствительную смоляную пленку 52 на этапе прикрепления герметизирующей подложки 72. Это позволяет, следовательно, устранять появление дефектов, обусловленных газообразным веществом 38.
Возможно, газообразное вещество 38, вероятно, интрудирует в EL пленку 74, в частности, через промежутки между смежными электродами 36 пикселов. Однако газонепроницаемая изолирующая пленка покрывает области, в которых лицевая поверхность светочувствительной смоляной пленки 52 не покрывается электродом 36 пиксела. В результате газообразному веществу 38 можно препятствовать более эффективно.
Подобным образом газонепроницаемая изолирующая пленка обеспечивается в промежутках между электродами 36 пикселов. В результате газообразному веществу 38 можно препятствовать более эффективно.
Образованию газообразного вещества от перегородки 73 нельзя препятствовать газонепроницаемой изолирующей пленкой в случае, когда перегородка 73 создается из светочувствительной смолы, как описано выше. Однако частота появления дефектов может снижаться по сравнению с традиционными случаями, поскольку абсолютный объем газообразного вещества уменьшается.
Газонепроницаемая изолирующая пленка может перекрывать порцию наружного края электрода 36 пиксела, может иметь отверстие поверх электродов 36 пикселов, может селективно покрывать области, в которых лицевая поверхность и/или боковая поверхность светочувствительной смоляной пленки 52 не покрывается электродом 36 пиксела, и может селективно обеспечиваться в промежутках между электродами 36 пикселов, которые выполняются разнесенными на расстояние друг от друга.
Органический EL дисплей 800 по данному примерному осуществлению может быть типом с верхней эмиссией или типом с нижней эмиссией. Органический EL дисплей 800 по данному примерному осуществлению может содержать эмиссионный материал низкой молекулярной массы. Таким образом, органический слой между электродом 36 пиксела и верхним электродом 75 может формироваться в соответствии с «жидкостным» способом, как описано выше, или может формироваться в соответствии с «сухим» способом, таким как осаждение из газовой фазы. Кроме того, тип цветного изображения для органического EL дисплея 800 по данному примерному осуществлению может быть типом с преобразованием цветов или типом с цветовым фильтром.
В нижеописанных вариантах осуществления газонепроницаемая изолирующая пленка в вышеописанной неорганической изолирующей пленке, и т.д., используется также в области вывода, области периферийной схемы и области пикселов. В результате может реализовываться не только эффект газового барьера, но также и дополнительный эффект уменьшения числа (технологических) процессов.
(Примерное осуществление 3)
На Фиг.5 показано схематичное представление поперечного сечения области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по примерному осуществлению 3, где на Фиг.5(a) иллюстрируется область вывода и на Фиг.5(b) иллюстрируется область периферийной схемы. На Фиг.6 показано схематичное представление поперечного сечения области пикселов в жидкокристаллическом устройстве отображения по примерному осуществлению 3. Как иллюстрируется на Фиг.5(a), жидкокристаллическое устройство 100 отображения по данному примерному осуществлению имеет структуру, в которой TFT подложка 11, являющаяся подложкой устройства отображения, и FPC плата 70, являющаяся другой схемной платой, соединяются с помощью ACF 80, в области вывода.
Жидкокристаллическое устройство 100 отображения формируется ярусным размещением на изолирующей подложке черной матрицы, содержащей свето-экранирующий элемент; красного, зеленого и синего цветовых фильтров; слоя покрытия; общего электрода, содержащего прозрачную проводящую пленку; и ориентирующей пленки, в этом порядке от изолирующей подложки. Жидкокристаллическое устройство 100 отображения содержит также CF подложку (не показано), расположенную обращенной к TFT подложке 11, так что жидкокристаллический материал заполняется между TFT подложкой 11 и CF подложкой.
Как иллюстрируется на Фиг.5(a), TFT подложка 11 имеет структуру, в которой в области вывода изолирующая подложка 21 содержит последовательно ярусно размещенные на ней со стороны изолирующей подложки 21 пленку 22 базового покрытия, изолятор 24 затвора, электрод 25 затвора, неорганическую изолирующую пленку 41, действующую в качестве межуровневой изолирующей пленки, контактный вывод (внешний контактный вывод) 26, содержащий первый слой 61 проводки, и набор из неорганической изолирующей пленки 41а и органической изолирующей пленки 51а, действующей в качестве защитной пленки. Органическая изолирующая пленка 51а и неорганическая изолирующая пленка 41а удаляются в оконечной части контактного вывода 26, и контактная площадка (примыкающая секция с проводящими микрочастицами 81 в ACF 80) 27 обеспечивается в оконечной части контактного вывода 26. Контактная площадка 27 и контактный вывод 71 FPC платы 70 приходят в контакт с проводящими микрочастицами 81 в ACF 80, посредством чего TFT подложка 11 и FPC плата 70 являются соединенными и прикрепленными друг к другу. Контактный вывод (внешний контактный вывод) 26, содержащий первый слой 61 проводки, соединяется с электродом 25 затвора (проводкой затвора) с помощью контактного отверстия 31а, выполненного в неорганической изолирующей пленке 41.
Как иллюстрируется на Фиг.5(b), TFT подложка 11 имеет структуру, в которой, в области периферийной схемы, изолирующая подложка 21 содержит сформированные на ней со стороны изолирующей подложки 21 пленку 22 базового покрытия, полупроводниковый слой 23, изолятор 24 затвора, электрод 25 затвора, неорганическую изолирующую пленку 41, действующую в качестве межуровневой изолирующей пленки, электроды 28 истока/стока и проводку 30а схемных соединений (проводку для соединения элементов и/или контактов друг с другом), содержащую первый слой 61 проводки, набор из неорганической изолирующей пленки 41а и органической изолирующей пленки 51а, действующей в качестве межуровневой изолирующей пленки и в качестве выравнивающей пленки, проводку 30b схемных соединений, содержащую второй слой 62 проводки, и органическую изолирующую пленку 51, действующую в качестве защитной пленки. Таким образом, TFT 29, который содержит полупроводниковый слой 23, изолятор 24 затвора и электрод 25 затвора и который составляет периферийную схему, такую как схему запуска, формируется непосредственно на изолирующей подложке 21, которая составляет TFT подложку 11. Электроды 28 истока/стока 28, содержащие первый слой 61 проводки, соединяются с истоковой/стоковой областью в полупроводниковом слое 23 с помощью контактных окон 31b, выполненных в неорганической изолирующей пленке 41. Проводка 30b схемных соединений, содержащая второй слой 62 проводки, соединяется с проводкой схемных соединений 30а, содержащей первый слой 61 проводки, и электродами 28 истока/стока, содержащими первый слой 61 проводки, с помощью контактных окон (сквозных отверстий) 31с, которые обеспечиваются в органической изолирующей пленке 51а и неорганической изолирующей пленке 41а. Периферийная схема конкретно не ограничивается и может быть схемой возбуждения, такой как передаточный вентиль, схема-защелка, генератор синхросигнала, схема инвертора с питанием от схемы источника, или схемой, такой как буферная схема, схема цифроаналогового преобразователя (схема ЦАП (DAC)), сдвиговый регистр или памяти с выборкой.
Как иллюстрируется на Фиг.6, TFT подложка 15 имеет структуру, в которой изолирующая подложка 21 в области пикселов (область изображения, в которой организованно множество пикселов) содержит последовательно ярусно размещенные на ней со стороны изолирующей подложки 21 пленку 22 базового покрытия, полупроводниковый слой 23, изолятор 24 затвора, электрод 25 затвора и верхний электрод 66а запоминающего конденсатора, действующий в качестве верхнего электрода 68а запоминающего конденсатора пиксела, неорганическую изолирующую пленку 41, действующую в качестве межуровневой изолирующей пленки, электрод 34 истока и электрод 35 стока, содержащий первый слой 61 проводки, набор из органической изолирующей пленки 51а и неорганической изолирующей пленки 41а, причем органическая изолирующая пленка 51а действует в качестве межуровневой изолирующей пленки и выравнивающей пленки, неорганическая изолирующая пленка 41а действует в качестве газонепроницаемой изолирующей пленки, проводку 65 стока, содержащую второй слой 62 проводки, органическую изолирующую пленку 51, действующую в качестве защитной пленки, электрод 36 пиксела, обеспеченный для каждого пиксела, и ориентирующую пленку (не показано), выполненную так, чтобы покрывать область пикселов. Таким образом, TFT 29, действующий в качестве переключающего пиксел элемента, и который содержит полупроводниковый слой 23, изолятор 24 затвора и электрод 25 затвора, непосредственно создается на изолирующей подложке 21, которая составляет TFT подложку 11, для каждого пиксела. Каждый пиксел содержит непосредственно созданный на нем запоминающий конденсатор 68а пиксела, который функционирует также в качестве запоминающего конденсатора нижнего электрода (электрода, действующего в качестве нижнего электрода для запоминающего конденсатора пиксела), и который содержит полупроводниковый слой 23, изолятор 24 затвора и верхний электрод 66а запоминающего конденсатора. Электрод 34 истока и электрод 35 стока, содержащие первый слой 61 проводки, соединяются с истоковой/стоковой областью полупроводникового слоя 23 с помощью контактных окон 31f, обеспеченных в неорганической изолирующей пленке 41. Проводка 65 стока соединяется с электродом 35 стока, содержащим первый слой 61 проводки, с помощью контактного отверстия (сквозное отверстие) 31g, которое обеспечивается в органической изолирующей пленке 51а и неорганической изолирующей пленке 41а. Каждый электрод 36 пиксела соединяется со стоковой проводкой 65, содержащей второй слой 62 проводки, с помощью контактного отверстия (сквозное отверстие) 31j, которое обеспечивается в органической изолирующей пленке 51.
Органическая пленка, которая составляет органическую изолирующую пленку 51а, является мягкой и, следовательно, вероятно, может отслаиваться и повреждаться, но имеет отличную плоскостность. Напротив, неорганическая пленка, которая составляет неорганическую изолирующую пленку 41а, имеет плохую плоскостность, но является жесткой, и не отслаивается или не повреждается легко.
Жидкокристаллическое устройство 100 отображения содержит «органический-неорганический» набор, действующий в качестве межуровневого изолирующего слоя и/или выравнивающего слоя, в котором неорганическая изолирующая пленка 41а ярусно размещается непосредственно на органической изолирующей пленке 51а. В области ввода, таким образом, органическая изолирующая пленка 51а может быть дополнительно защищена неорганической изолирующей пленкой 41а путем покрытия органической изолирующей пленки 51а (по меньшей мере, верхней поверхности органической изолирующей пленки 51а) неорганической изолирующей пленкой 41а. Следовательно, является возможным предотвращать отслаивение или повреждение органической изолирующей пленки 51а, даже если требуется повторная обработка, в процессе соединения панели и платы 70 FPC, более конкретно, TFT подложки 11 и FPC платы 70. В результате, становится возможным уменьшить экспонирование первого слоя 61 проводки (контактный вывод 26), позиционированного ниже органической изолирующей пленки 51а, чтобы предотвращать посредством этого коррозию первого слоя 61 проводки, обусловленную влагой и т.п. Также является возможным устранить появление дефектного контакта с платой 70 FPC, обусловленное остатками, выпавшими из органической изолирующей пленки 51а. Это позволяет повысить надежность жидкокристаллического устройства 100 отображения.
Неорганическая изолирующая пленка 41а может использоваться в качестве оградительного материала в течение озоления резистной маски. Это позволяет, следовательно, использование способа, который включает в себя этап озоления, то есть, способа, такого как сухое травление, использущего резистную маску, имеющего высокую точность микрообработки, в качестве способа формирования контактных окон 31с, 31g в органической изолирующей пленке 51а и неорганической изолирующей пленке 41а. В результате проводка, позиционированная ниже набора из органической изолирующей пленки 51а и неорганической изолирующей пленки 41а, и в числе такой проводки, проводка 30а схемных соединений и подобное, обеспечиваемое в области периферийной схемы, требующее микрообработку, может формироваться в виде узких линий с высокой точностью.
Также использование выравнивающей пленки в форме органической изолирующей пленки 51а или органической изолирующей пленки 51, имеющей отличную плоскостность, позволяет сокращать перепады высот в первом слое 61 проводки и TFT 29, на стороне нижнего слоя, и позволяет, чтобы второй слой 62 проводки прокладывался на стороне верхнего слоя, при этом эффективно устраняя появление короткого замыкания.
Способ изготовления жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3 поясняется ниже.
В качестве предварительной обработки изолирующая подложка 21, во-первых, подвергается очистке и предварительному отжигу. Изолирующая подложка 21 конкретно не ограничивается, но предпочтительно является, например, стеклянной подложкой или смоляной подложкой, с точки зрения затрат, среди прочего. Следующими выполняются этапы (1)-(17), приведенные ниже в документе.
(1) Этап формирования пленки базового покрытия
4
2
3
4
3
На изолирующей подложке 21 формируется пленка 22 базового покрытия последовательным формированием пленки SiON, имеющей толщину пленки 50 нм, и пленки SiOx, имеющей толщину пленки 100 нм, способом плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD). Примеры газа исходного материала для формирования пленки SiON включают, например, газовую смесь из моносилана (SiH), газа закиси азота (NO) и аммиака (NH). Предпочтительно, пленка SiOx формируется с использованием газа тетраэтилортосиликата (TEOS) в качестве газа исходного материала. Пленка 22 базового покрытия может также содержать пленку нитрида кремния (SiNx), формируемую с использованием, например, газовой смеси из моносилана (SiH) и аммиака (NH) в качестве газа исходного материала.
(2) Этап формирования полупроводникового слоя
4
2
6
4
2
Пленка аморфного кремния, имеющая толщину пленки 50 нм, формируется способом PECVD. Примеры газа исходного материала для формирования пленки аморфного кремния (a-Si) включают, например, SiH, дисилан (SiH). Пленка a-Si, формируемая способом PECVD, содержит водород, и, следовательно, обработка для снижения концентрации водорода в пленке a-Si выполняется примерно при 500°С (обработка дегидрогенизации). Следующим выполняется лазерный отжиг, за которым следует формирование пленки p-Si плавлением, охлаждением и кристаллизацией пленки a-Si. Лазерный отжиг выполняется, например, с использованием эксимерного лазера. Для формирования пленки p-Si, в качестве предварительной обработки для лазерного отжига (чтобы сформировать кремний с непрерывной структурой кристаллов (CG)), металлический катализатор, такой как никель, применяется без выполнения обработки дегидрогенизации, за которым следует выращивание (кристаллов) твердой фазы с помощью термической обработки. Для кристаллизации пленки a-Si может выполняться только выращивание твердой фазы с помощью термической обработки. Затем, выполняется сухое травление с использованием газовой смеси четыреххлористого углерода (CF) и кислорода (O), чтобы структурировать пленку р-Si и сформировать полупроводниковый слой 23.
(3) Этап формирования изолятора затвора
Затем, изолятор 24 затвора, содержащий оксид кремния и имеющий толщину пленки в 45 нм, формируется с использованием газа TEOS в качестве газа исходного материала. Материал изолятора 24 затвора конкретно не ограничивается, и может использоваться, например, пленка SiNx или пленка SiON. Газ исходного материала для формирования пленки SiNx или пленки SiON может быть таким же, как газ исходного материала на этапе формирования пленки базового покрытия, описанном выше. Изолятор 24 затвора может быть многослойным набором, содержащим вышеуказанный ряд материалов.
(4) Этап легирования ионами
Примесь, такая как бор, легируется в полупроводниковый слой 23 легированием ионами, ионной имплантацией или подобным, чтобы регулировать пороговую величину для TFT 29. Более конкретно, примесь, такая как бор, легируется в полупроводниковый слой, который составляет TFT N-канального типа или TFT Р-канального типа (первый этап легирования), и затем примесь, такая как бор, дополнительно легируется в полупроводниковый слой, который составляет N-канальный тип, в состоянии, где полупроводниковый слой, который составляет TFT Р-канального типа, маскируется резистом (второй этап легирования). Первый этап легирования может быть опущен, если регулирование пороговой величины для TFT Р-канального типа не является необходимым.
(5) Этап формирования электрода затвора и верхнего электрода запоминающего конденсатора
6
4
2
2
Затем, напылением формируются пленка нитрида тантала (TaN), имеющая толщину пленки в 30 нм, и пленка вольфрама (W), имеющая толщину пленки в 370 нм, в этом порядке. Затем, формируется резистная маска фотолитографическим формированием рисунка резистной пленки по заданной геометрии, после чего электрод 25 затвора и верхний электрод 66а запоминающего конденсатора формируются сухим травлением с использованием газа для травления, в котором выверены количества газовой смеси, например, из аргона (Ar), элегаза (SF), четыреххлористого углерода (CF), кислорода (O), и хлора (Cl). В качестве материала электрода 25 затвора и верхнего электрода 66а запоминающего конденсатора может использоваться металл с высокой точкой плавления, имеющий планаризованную поверхность и стабилизированные характеристики, например тантал (Та), молибден (Мо), или молибден вольфрам (MoW), или металл с низкой резистивностью, такой как алюминий (Al). Электрод 25 затвора и верхний электрод 66а запоминающего конденсатора могут быть многослойным набором, содержащим вышеописанный ряд материалов.
(6) Этап формирования истоковой/стоковой области
Затем, для формирования истоковых/стоковых областей TFT 29 полупроводниковый слой 23 высоко легируется примесью, такой как фосфор, для TFT N-канального типа или примесью, такой как бор, для TFT Р-канального типа посредством легирования ионами или ионной имплантацией с использованием электрода 25 затвора в качестве шаблона. LDD (слабо легированная стоковая) область также может формироваться в этом случае, если необходимо. Затем, выполняется обработка термической активации примерно при 700°С в течение 6 часов, чтобы активизировать ионы примеси в полупроводниковом слое 23. Электрическая проводимость истоковых/стоковых областей может быть повышена таким образом. Примеры способа активации включают, например, излучение эксимерного лазера.
(7) Этап формирования неорганической изолирующей пленки
Затем, неорганическая изолирующая пленка 41 формируется способом PECVD на полной поверхности изолирующей подложки 21 посредством формирования SiNx пленки, имеющей толщину пленки 100-400 нм (предпочтительно, 200-300 нм), и пленки TEOS, имеющей толщину пленки 500-1000 нм (предпочтительно, 600-800 нм). Пленка SiON или подобная также могут использоваться в качестве неорганической изолирующей пленки 41. Тонкая верхняя пленка (например, пленка TEOS) приблизительно в 50 нм толщиной может формироваться под неорганической изолирующей пленкой 41, чтобы устранять ухудшение характеристик TFT, обусловленное снижением параметров переходного режима, и стабилизировать электрические характеристики TFT 29.
(8) Этап формирования контактного отверстия
Затем, формируется резистная маска литографическим формированием рисунка резистной пленки по заданной геометрии, после чего контактные отверстия 31а, 31b, 31f формируются жидкостным травлением изолятора 24 затвора и неорганической изолирующей пленки 41 с использованием травильного раствора на основе фтороводородной кислоты. Травление может быть сухим травлением.
(9) Этап гидрогенизации
После этого выполняется термическая обработка примерно при 400°С в течение 1 часа, чтобы исправить дефекты в кристалле Si водородом, подаваемым от пленки SiNx неорганической изолирующей пленки 41.
(10) Этап формирования первого слоя проводки
Затем, пленка титана (Ti), имеющая толщину пленки 100 нм, пленка алюминия (Al), имеющая толщину пленки 500 нм, и пленка Ti, имеющая толщину пленки 100 нм, формируются в этом порядке напылением или подобным. Затем, формируется резистная маска литографическим формированием рисунка резистной пленки по заданной геометрии, после чего сухим травлением формируется рисунок многослойной пленки металлов Ti/Al/Ti, чтобы сформировать первый слой 61 проводки. В результате формируются контактный вывод (внешний контактный вывод) 26, электрод 28 истока/стока, проводка 30а схемных соединений, электрод 34 истока и электрод 35 стока. Сплав Al-Si или подобный может использоваться вместо Al в качестве металла, который составляет первый слой 61 проводки. При этом А1 используется для снижения сопротивления проводки, но вышеописанные материалы электрода затвора (Та, Mo, MoW, W, TaN или подобный) могут использоваться в качестве металла, который составляет первый слой 61 проводки, в случае, когда требуется высокая термостойкость, и является допустимым некоторое повышение значений сопротивления (например, в случае структур короткой проводки).
(11) Этап формирования «органического-неорганического» набора
2
2
Затем, формируется органическая изолирующая пленка 51а путем формирования (наложения) светочувствительной смоляной пленки, такой как светочувствительная акриловая смоляная пленка, до толщины пленки в 1-5 мк (предпочтительно, в 2-3 мк), покрытием, полученным центрифугированием или подобным, на полной поверхности изолирующей подложки 21. В качестве материала органической изолирующей пленки 51а могут использоваться, например, светонечувствительные смолы, такие как светонечувствительные акриловые смолы, и светочувствительные или светонечувствительные полиалкилсилоксановые смолы, полисилазановые смолы, полимидные смолы и пареллиновые (parellin) смолы. Другие примеры материалов для органической изолирующей пленки 51а включают метилсодержащие полисилоксановые (MSQ) материалы и пористые MSQ материалы. Среди вышеупомянутого использование светочувствительной смолы в качестве материала органической изолирующей пленки 51а делает возможным формирование рисунка органической изолирующей пленки 51а посредством облучения светом и травления (проявления) светочувствительной смоляной пленки прежде формирования неорганической изолирующей пленки 41а, как описано на этапе (10) формирования органического-неорганического набора в примерном осуществлении 1. Затем, неорганическая изолирующая пленка 41а формируется на полной поверхности изолирующей подложки 21 формированием, напылением или способом PECVD, пленки SiNx, имеющей толщину пленки в 10-200 нм (предпочтительно, 20-100 нм), или пленки SiO, имеющей толщину пленки в 10-200 нм (предпочтительно, 20-100 нм) с использованием газа TEOS в качестве газа исходного материала. Пленка SiON или подобная также может использоваться в качестве неорганической изолирующей пленки 41а. Альтернативно, пленка SiO или пленка SiN могут формироваться в качестве неорганической изолирующей пленки 41а напылением, способом каталитического химического осаждения из газовой фазы (CAT-CVD), плазменным CVD индуцируемой плазмы (ICP) (например, способом, который использует аппаратуру ICP-CVD компании SELVAC Co., Ltd), или окислением озона (например, способом, который использует Meiden Pure Ozone Generator Корпорации Meidensha). Высококачественная пленка может формироваться при низкой температуре посредством вышеуказанных процессов. В результате формируется органический-неорганический набор, в котором неорганическая изолирующая пленка 41а ярусно размещается на органической изолирующей пленке 51а. Органическая изолирующая пленка 51а и неорганическая изолирующая пленка 41а каждая может быть набором из множества пленок, содержащих различные материалы. Не требуется обязательно, чтобы неорганическая изолирующая пленка 41а формировалась на полной поверхности изолирующей подложки 21 при условии, что неорганическая изолирующая пленка 41а формируется так, чтобы покрывать органическую изолирующую пленку 51а, по меньшей мере, в области вывода, области периферийной схемы и области пикселов.
(12) Этап формирования контактного отверстия
4
2
Затем, формируется резистная маска литографическим формированием рисунка резистной пленки по заданной геометрии, после чего формируются контактные отверстия 31с, 31g сухим травлением с использованием газовой смеси из четыреххлористого углерода (CF) и кислорода (O) при регулировке при этом интенсивности подачи обоих газов, и органическая изолирующая пленка 51а и неорганическая изолирующая пленка 41а удаляются из области, в которой обеспечивается контактная площадка 27. Резистная маска озоляется (снимается) с использованием неорганической изолирующей пленки 41а в качестве оградительного материала. В результате контактные отверстия 31с, 31g могут изготавливаться микрообработкой, посредством чего нижний слой первого слоя 61 проводки может иметь более узкие линии.
В этом случае, однако, непокрытые поверхности стенок окон органической изолирующей пленки 51а в контактных отверстиях 31с, 31g могут оголяться также в течение 02 озоления резистной маски, посредством чего поверхность стенки в отверстиях органической изолирующей пленки 51а может скашиваться относительно поверхности стенки в отверстиях верхнего слоя неорганической изолирующей пленки 41а, так что контактные отверстия 31с, 31g выступают (принимают форму выступающих). Это может иметь следствием разъединение между верхним слоем второго слоя 62 проводки и нижним слоем первого слоя 61 проводки в контактных отверстиях 31с, 31g.
(13) Этап формирования второго слоя проводки
Затем, пленка титана (Ti), имеющая толщину пленки в 100 нм, пленка алюминия (Al), имеющая толщину пленки в 500 нм, и пленка Ti, имеющая толщину пленки в 100 нм, формируются в этом порядке напылением или подобным. Затем, формируется резистная маска литографическим формированием рисунка резистной пленки по пленки металлов Ti/Al/Ti сухим травлением, и формируется первый слой 62 проводки. В результате формируются проводка 30b схемных соединений и проводка 65 стока. Сплав Al-Si или подобный может использоваться вместо Al в качестве металла, который составляет второй слой 62 проводки. Причем Al используется для снижения сопротивления проводки, но вышеописанные материалы электрода затвора (Та, Mo, MoW, W, TaN или подобный) могут использоваться в качестве металла, составляющего второй слой 62 проводки в случае, когда требуется высокая термостойкость, и является допустимым некоторое повышение значений сопротивления (например, в случае структур короткой проводки).
Здесь отверстия органической изолирующей пленки 51а покрываются вторым слоем 62 проводки, являющейся проводкой на слое выше неорганической изолирующей пленки 41а. В результате отверстия органической изолирующей пленки 51а покрыты вторым слоем 62 проводки, и область органической изолирующей пленки 51а, которая не покрыта вторым слоем 62 проводки, может покрываться неорганической изолирующей пленкой 41а. В результате может предотвращаться повреждение органической изолирующей пленки 51а озолением или сухим травлением. Это позволяет устранять появление дефектов соединения между проводкой, расположенной на слоях выше и ниже, чем набор органических-неорганических пленок.
(14) Этап формирования органической изолирующей пленки
Затем, формируется органическая изолирующая пленка 51 формированием светочувствительной акриловой смоляной пленки, имеющей толщину пленки в 1-3 мк (предпочтительно, 2-3 мк), посредством покрытия, получаемого центрифугированием, или подобного. В качестве материала органической изолирующей пленки 51 могут использоваться, например, светонечувствительные смолы, такие как светонечувствительные акриловые смолы, и светочувствительные или светонечувствительные полиалкилсилоксановые смолы, полисилазановые смолы, полимидные смолы и пареллиновые смолы. Другие примеры материалов органической изолирующей пленки 51 включают метилсодержащие полисилоксановые (MSQ) материалы и пористые MSQ материалы.
Здесь, органическая изолирующая пленка 51 формируется на полной поверхности подложке 21, покрытием посредством покрытия, получаемого центрифугированием, или подобного, светочувствительной акриловой смолы, например, UV-отверждаемой смолы на основе нафтохинондиазида, до толщины пленки в 1-5 мк (предпочтительно, 2-3 мк). Затем, область органической изолирующей пленки 51, дающая контактное отверстие 31j, удаляется облучением органической изолирующей пленки 51 через фотошаблон с сформированным в нем светоэкранирующий рисунок заданной геометрии, за чем следует травление (проявление). Органическая изолирующая пленка 51 подвергается следующему этапу выжигания (например, при 200°С в течение 30 минут). Таким образом, геометрия отверстия (порция отверстия) органической изолирующей пленки 51 становится менее крутой, и соотношение геометрических размеров контактного отверстия 31j может быть уменьшено. Этап озоления (снятия резиста) после начального удаления контактной части органической изолирующей пленки 51 (порция, которая дает контактное отверстие 31j) становится ненужным.
(15) Этап формирования контактной площадки и зоны пиксела
Затем, напылением или подобным формируется пленка ITO и/или пленка IZO толщиной пленки в 50-200 нм (предпочтительно, 100-150 нм), и затем фотолитографией формируется рисунок по заданной геометрии, чтобы сформировать контактную площадку 27 и зону пиксела. В результате электрод 36 пиксела формируется, для каждого пиксела, на органической изолирующей пленке 51 в области изображения. После этого ориентирующая пленка (не показано) наносится на область изображения, и ориентирующая пленка подвергается обработке по ориентированию, чтобы завершить посредством этого TFT подложку 11.
(16) Этап сборки панели
Затем, изготавливается панель жидкокристаллического устройства отображения путем выполнения этапа присоединения TFT подложки 11 и подложки CF, этапа наполнения жидкокристаллическим материалом, и этапа прикрепления поляризатора, как в обычных способах. Мода жидкого кристалла для панели жидкокристаллического устройства отображения конкретно не ограничивается, и может быть, например, модой TN (твист-нематической), модой IPS (планарного переключения (адресации)), модой VATN (твист-нематической с вертикальным ориентированием) или модой PSA. Панель жидкокристаллического устройства отображения может иметь тип с разделением по доменам. Панель жидкокристаллического устройства отображения может быть пропускающего типа, отражательного типа или полупропускающего типа (отражательно/пропускающего типа). Панель жидкокристаллического устройства отображения может приводиться в действие согласно управлению пассивной матрицей.
В случае моды PSA этап присоединения панели и этап наполнения жидкими кристаллами выполняется, как изложено ниже. Во-первых, герметизирующий материал накладывается на внешнюю периферию области пикселов TFT подложки 11, и затем жидкокристаллический материал, в котором полимеризуемая составляющая добавлена к молекулам жидкого кристалла, имеющим отрицательную диэлектрическую проницаемость, капельно вводится внутрь герметизирующего материала с использованием дозатора или подобного. Материал, который может использоваться в качестве полимеризуемой составляющей, конкретно не ограничивается, и может быть, например, фотополимеризуемым мономером или фотополимеризуемым олигомером. Затем, подложка CF присоединяется к подложке 11 TFT с наличем жидкокристаллического материала, капельно введенного в нее. Процесс до этого момента выполняется в вакууме. Затем, соединенные подложки возвращают в воздушную атмосферу, после чего жидкокристаллический материал диффундирует между соединенными двумя подложками под атмосферным давлением. Затем, герметизирующий материал отверждается излучением на него UV света, при перемещении источника UV света по покрытой герметизирующим материалом области для отверждения посредством этого герметизирующего материала. Таким образом, диффузный жидкокристаллический материал герметизируется между двумя подложками, чтобы сформировать посредством этого жидкокристаллический слой.
Способ наполнения жидкокристаллического материала может включать в себя обеспечение порта наполнения жидкими кристаллами на периферии подложек, и наполнение жидкокристаллического материала через порт, за которым следует герметизация порта наполнения жидкими кристаллами с использованием UV-отверждаемой смолы или подобного.
Затем выполняется этап облучения светом полимеризуемой составляющей. Во-первых, переменное (АС) напряжение прикладывается через электрод 34 истока и общий электрод подложки CF в состоянии, где напряжение, которое включает TFT 29, прикладывается к электроду 25 затвора, и пока молекулы жидких кристаллов наклонены, UV свет излучается на жидкокристаллический слой со стороны TFT подложки 11. Фотополимеризуемый мономер, добавленный к жидкокристаллическому материалу, в результате полимеризуется, и формируется полимер, который задает угол предварительного наклона молекул жидкого кристалла на поверхности ориентирующих пленок на стороне жидкокристаллического слоя.
(17) Этап прикрепления подложки FCP
TFT подложка 11 и плата 70 FPC соединяются способом термокомпрессии с помощью/через ACF (пленка с анизотропной проводимостью) 80, которая является связующим материалом на основе смолы (например, термореактивной смолой, такой как термореактивная эпоксидная смола), с наличием проводящих микрочастиц 81, диспергированных в ней. TFT подложка 11 и плата 70 FPC в результате соединяются и прикрепляются друг к другу. Даже если требуется повторная обработка, является возможным препятствовать разъединению или повреждению органической изолирующей пленки 51а, поскольку органическая изолирующая пленка 51а защищается неорганической изолирующей пленкой 41а и не находится в прямом контакте с ACF 80. В результате становится возможным уменьшить облучение первого слоя 61 проводки, позиционированного ниже органической изолирующей пленки 51а, чтобы предотвращать посредством этого коррозию первого слоя 61 проводки, обусловленную влагой и т.п. Также является возможным препятствовать появлению дефектов соединения с платой 70 FPC, обусловленных газообразным веществом, образуемым в непокрытой органической изолирующей пленке 51а.
После этого поляризаторы прикрепляются к внешним поверхностям TFT подложки 11 и подложки CF, и панель жидкокристаллического устройства отображения и блок задней подсветки объединяются вместе. Жидкокристаллическое устройство 100 отображения по данному примерному осуществлению может быть завершено таким образом.
Жидкокристаллическое устройство 100 отображения по данному примерному осуществлению, описанному выше, имеет повышенную надежность и дает возможность микрообработки проводки.
Также неорганическая изолирующая пленка 41а, действующая в качестве газонепроницаемой изолирующей пленки, обеспечивается между органической изолирующей пленкой 51а и электродом 36 пиксела, и, следовательно, дефекты, обусловленные газом или пузырьками для вида PSA, могут устраняться. То есть неорганическая изолирующая пленка 41а может защищать жидкокристаллический слой от проникновения газообразного вещества, образуемого от слоев ниже органической изолирующей пленки 51а, даже если газообразное вещество образуется в слое ниже электродов 36 пикселов в результате облучения органической изолирующей пленки 51а и подобного UV светом на этапе облучения светом полимеризуемой составляющей в случае, когда органическая изолирующая пленка 51а или подобное выполняются из светочувствительной смолы. Образование пузырьков в жидкокристаллическом слое может, следовательно, устраняться.
В данном примере осуществления органическая изолирующая пленка 51а и/или органическая изолирующая пленка 51 могут быть выравнивающими пленками (неорганическими выравнивающими пленками), содержащими неорганическую изолирующую пленку. Пленки, выполненные из Si-H-содержащего полисилоксанового (MSQ) материала, или пористая кремнеземная пленка могут использоваться в этом случае. Жидкокристаллическое устройство 100 отображения по данному примеру осуществления может иметь набор «выравнивающая пленка - неорганическая пленка», в котором неорганическая изолирующая пленка ярусно размещается непосредственно на выравнивающей пленке.
Варианты данного примера осуществления поясняются далее.
На Фиг.7 показано схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область периферийной схемы в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3. На Фиг.8 показано схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область пикселов в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3.
4
2
В данном варианте органическая изолирующая пленка 51а формируется фототравлением с использованием светочувствительной смолы, как иллюстрируется на Фиг.7 и 8. Более конкретно, рисунок органической изолирующей пленки 51а формируется облучением светочувствительной смоляной пленки светом и травлением пленки (проявлением) прежде формирования неорганической изолирующей пленки 41а. Органическая изолирующая пленка 51а подвергается следующему этапу выжигания (например, при 200°С в течение 30 минут). Таким образом, геометрия отверстия (порция отверстия) органической изолирующей пленки 51а становится менее крутой, и соотношение геометрических размеров контактных окон 31с, 31g может быть уменьшено. Этап озоления (снятия резиста) после начального удаления контактной части органической изолирующей пленки 51а (порция, которая дает контактные отверстия 31с, 31g) становится ненужным. После этого формируется неорганическая изолирующая пленка 41а и осуществляется сухое травление четыреххлористым углеродом (CF) или подобным, чтобы удалить область неорганической изолирующей пленки 41а, дающую контактные отверстия 31с, 31g, с тем, чтобы перекрыть изъятую область органической изолирующей пленки 51а. Контактные отверстия 31с, 31g могут изготавливаться микрообработкой, и нижний слой первого слоя 61 проводки может иметь более узкие линии согласно формированию рисунка неорганической изолирующей пленки 41а сухим травлением. После этого резистная маска озоляется O плазмой с использованием неорганической изолирующей пленки 41а в качестве оградительного материала. В результате формируются контактные отверстия 31с, 31g, которые проходят через органическую изолирующую пленку 51а и неорганическую изолирующую пленку 41а.
Таким образом, повреждение, обусловленное «сухим» процессом, может устраняться согласно формированию неорганической изолирующей пленки 41а (пассивирующей пленки) на органической изолирующей пленке 51а, содержащей светочувствительную смолу. Более конкретно, полная поверхность органической изолирующей пленки 51а на стороне жидкокристаллического слоя 10 покрывается неорганической изолирующей пленкой 41а в течение травления неорганической изолирующей пленки 41а способом сухого травления. То есть боковая поверхность (например, поверхность стенки отверстия) и лицевая поверхность органической изолирующей пленки 51а на стороне жидкокристаллического слоя 10 покрываются неорганической изолирующей пленкой 41а. Это позволяет устранять повреждение органической изолирующей пленки 51а, обусловленное сухим травлением, и позволяет препятствовать повреждению органической изолирующей пленки 51а кислородной плазмой в течение озоления резиста на этапе формирования контактных окон 31с, 31g. В свете вышеуказанного, предпочтительно, полная поверхность стенки отверстия органической изолирующей пленки 51а покрывается неорганической изолирующей пленкой 41а.
Неорганическая изолирующая пленка 41а может быть протравлена жидкостным способом. В этом случае резистная маска может удаляться с использованием раствора для удаления резиста. В результате может предотвращаться повреждение органической изолирующей пленки 51а при озолении или сухом травлении.
На Фиг.9 показано схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее вариант жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3, где на Фиг.9(a) иллюстрируется область вывода в области рамки и на Фиг.9(b) иллюстрируется сечение периферийной схемы в области рамки. На Фиг.10 показано схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область пикселов в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3.
В данном варианте неорганическая изолирующая пленка 41с, действующая в качестве газонепроницаемой изолирующей пленки подобно неорганической изолирующей пленке 41а, формируется на органической изолирующей пленке 51, как иллюстрируется на Фиг.9(b) и 10. То есть набор из органической изолирующей пленки 51 и неорганической изолирующей пленки 41с формируется таким же образом, как набор из органической изолирующей пленки 51а и неорганической изолирующей пленки 41а.
Неорганические изолирующие пленки 41а, 41с, которые действуют в качестве газонепроницаемой изолирующей пленки, обеспечиваются под электродом 36 пиксела, и, следовательно, дефекты, обусловленные газообразным веществом или пузырьками для вида PSA, могут дополнительно устраняться. То есть неорганические изолирующие пленки 41а, 41с могут защищать, по существу полностью, жидкокристаллический слой от проникновения газообразного вещества, образуемого от уровней ниже электродов 36 пикселов, даже если газообразное вещество образуется в слое ниже электродов 36 пикселов в результате облучения органических изолирующих пленок 51а, 51 UV светом на этапе облучения светом полимеризуемой составляющей в случае, когда органические изолирующие пленки 51а, 51 выполняются из светочувствительной смолы. Формирование пузырьков в жидкокристаллическом слое, следовательно, может дополнительно устраняться.
Как иллюстрируется на Фиг.9(a), органическая изолирующая пленка 51 не обеспечивается в области вывода. В области вывода, следовательно, неорганическая изолирующая пленка 41с является непосредственно ярусно размещенной на неорганической изолирующей пленке 41а. Таким образом, обеспечение набора неорганических изолирующих пленок 41а, 41с в области вывода позволяет повышать механическую прочность пленок в случае, когда обеспечивается один слой неорганической изолирующей пленки 41а. Следовательно, это позволяет устранять более эффективно различные дефекты, обусловленные повторной обработкой в течение присоединения термокомпрессией платы 70 FPC.
В данном примерном осуществлении слой проводки (ближайший нижний слой 69 проводки, второй слой 62 проводки в данном примерном осуществлении) непосредственно под самым верхним слоем проводки размещается ниже контактной площадки 27, которая формируется из верхнего слоя проводки (прозрачная проводящая пленка, такая как пленка ITO или пленка IZO) на том же слое, что и электроды 36 пикселов. Сопротивление контакта для контактной площадки 27 может быть уменьшено посредством этого. В случае формирования контактной площадки 27 только из верхнего слоя проводки верхний слой проводки является обычно прозрачной проводящей пленкой, такой как пленка ITO, и значение сопротивления слоя является высоким. Однако значение сопротивления слоя для контактной площадки 27 возможно может быть снижено путем использования наборной структуры при низкоомном слое проводки нижнего слоя (первый слой 61 проводки и/или второй слой 62 проводки). В случае, что ближайший нижний слой 69 проводки удаляется сухим травлением или подобным, однако, поверхность слоя проводки под ближайшим нижним слоем 69 проводки (первый слой 61 проводки в данном примерном осуществлении) повреждается при травлении. Это повреждение вызывает повышение контактного сопротивления между слоем проводки (первый слой 61 проводки), находящимся под ближайшим нижним слоем 69 проводки, и верхним слоем проводки (прозрачная проводящая пленка). Таким образом, сопротивление на контактах увеличивается. Предпочтительно, следовательно, ближайший нижний слой 69 проводки остается под верхним слоем проводки контактной площадки 27.
На Фиг.11 показано схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее вариант жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3, где на Фиг.11(a) иллюстрируется область вывода в области рамки и на Фиг.11(b) иллюстрируется сечение периферийной схемы в области рамки. На Фиг.12 показано схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область пикселов в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3. В данном варианте неорганическая изолирующая пленка 41а не формируется. Вместо этого, неорганическая изолирующая пленка 41с, действующая в качестве газонепроницаемой изолирующей пленки подобно неорганической изолирующей пленке 41а, формируется на органической изолирующей пленке 51, как иллюстрируется на фигурах Фиг.11(b) и Фиг.12.
Неорганическая изолирующая пленка 41с, действующая в качестве газонепроницаемой изолирующей пленки, обеспечивается под электродом 36 пиксела, и, следовательно, дефекты, обусловленные газовым веществом или пузырьками для вида PSA, могут устраняться. То есть неорганическая изолирующая пленка 41с может защищать, по существу полностью, жидкокристаллический слой от проникновения газообразного вещества, образуемого от уровней ниже электродов 36 пикселов, даже если газообразное вещество образуется в слое ниже электродов 36 пикселов в результате облучения органических изолирующих пленок 51а, 51 UV светом на этапе облучения светом полимеризуемой составляющей в случае, когда органические изолирующие пленки 51а, 51 выполняются из светочувствительной смолы. Формирование пузырьков в жидкокристаллическом слое может, следовательно, дополнительно устраняться. Также этап формирования неорганической изолирующей пленки 41а может опускаться, что позволяет упростить процесс изготовления.
В области вывода, как иллюстрируется на Фиг.11(a), неорганическая изолирующая пленка 41с ярусно размещается на органической изолирующей пленке 51а так, чтобы обеспечивать набор из органической изолирующей пленки 51а и неорганической изолирующей пленки 41 с. Это позволяет устранять различные дефекты, обусловленные повторной обработкой в течение термокомпрессионного соединения платы 70 FPC, подобно случаю, где используется неорганическая изолирующая пленка 41а. Ближайший нижний слой 69 проводки обеспечивается под верхним слоем проводки контактной площадки 27. Органическая изолирующая пленка 51а формируется фототравлением с использованием светочувствительной смолы, как иллюстрируется на фигурах Фиг.11 и 12.
На Фиг.13 показано схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область пикселов в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3.
4
2
Настоящий вариант имеет такую же конфигурацию, как в примере, проиллюстрированном на Фиг.12, но теперь органическая изолирующая пленка 51 формируется фототравлением с использованием светочувствительной смолы, как иллюстрируется на Фиг.13. Конкретно, рисунок органической изолирующей пленки 51 формируется облучением светочувствительной смоляной пленки светом и травлением пленки (проявлением) перед формированием неорганической изолирующей пленки 41с. Органическая изолирующая пленка 51 подвергается следующему этапу выжигания (например, при 200°С в течение 30 минут). Таким образом, геометрия отверстия (порция отверстия) органической изолирующей пленки 51 становится менее крутой, и соотношение геометрических размеров контактного отверстия 31j может быть уменьшено. Этап озоления (снятия резиста) после начального удаления контактной части органической изолирующей пленки 51 (порция, которая дает контактное отверстие 31j) становится ненужным. После этого формируется неорганическая изолирующая пленка 41с и осуществляется ее сухое травление четыреххлористым углеродом (CF) или подобным, чтобы удалить область неорганической изолирующей пленки 41с, которая дает контактное отверстие 31j, с тем, чтобы перекрыть изъятую область органической изолирующей пленки 51. Контактное отверстие 31j может изготавливаться микрообработкой, и нижний слой второго слоя 62 проводки может иметь более узкие линии посредством формирования рисунка неорганической изолирующей пленки 41 с сухим травлением. После этого резистная маска оголяется O плазмой с использованием неорганической изолирующей пленки 41с в качестве оградительного материала. В результате формируется контактное отверстие 31j, проходящее через органическую изолирующую пленку 51 и неорганическую изолирующую пленку 41с.
Таким образом, повреждение, обусловленное «сухим» процессом, может устраняться формированием неорганической изолирующей пленки 41 с (пассивирующей пленки) на органической изолирующей пленке 51, содержащей светочувствительную смолу. Более конкретно, полная поверхность органической изолирующей пленки 51 на стороне жидкокристаллического слоя покрывается неорганической изолирующей пленкой 41с в течение травления неорганической изолирующей пленки 41с сухим травлением. То есть боковая поверхность (например, поверхность стенки отверстия) и лицевая поверхность органической изолирующей пленки 51 на стороне жидкокристаллического слоя покрываются неорганической изолирующей пленкой 41с. Это позволяет устранять повреждение органической изолирующей пленки 51, обусловленное сухим травлением, и позволяет препятствовать повреждению органической изолирующей пленки 51 кислородной плазмой в течение озоления резиста на этапе формирования контактного отверстия 31j. В свете вышеуказанного, предпочтительно, чтобы полная поверхность стенки отверстия органической изолирующей пленки 51 покрывалась неорганической изолирующей пленкой 41с.
Может осуществляться жидкостное травление неорганической изолирующей пленки 41с. В этом случае резистная маска может удаляться с использованием раствора для удаления резиста. Следовательно, в результате может предотвращаться повреждение органической изолирующей пленки 51 озолением или сухим травлением.
На Фиг.14 показано схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее вариант жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3, где на Фиг.14(a) иллюстрируется область вывода в области рамки и на Фиг.14(b) иллюстрирует сечение периферийной схемы в области рамки. На Фиг.15 показано схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область пикселов в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3.
4
В данном варианте органическая изолирующая пленка 51а подвергается протравливанию, как иллюстрируется на Фиг.14, 15. Более конкретно, после формирования органической изолирующей пленки 51а, органическую изолирующую пленку 51а подвергают протравливанию сухим травлением, при условии, что первый слой 61 проводки является непокрытым. Затем, формируется неорганическая изолирующая пленка 41а, и области, которые становятся контактными отверстиями 31с, 3lg неорганической изолирующей пленки 41а, удаляются сухим травлением с использованием четырехфтористого углерода (CF) или подобного. В данном варианте разность высот между контактной площадкой 27 и областями, отличными от контактной площадки 27, уменьшается на толщину органической изолирующей пленки 51а. В результате различие в величине деформации проводящих микрочастиц 81 в ACF 80 между контактной площадкой 27 и областями, отличными от контактной площадки 27, уменьшается, и рабочая характеристика контакта для ACF может быть улучшена.
Ближайший нижний слой 69 проводки обеспечивается под верхним слоем проводки относительно контактной площадки 27 в области вывода, как иллюстрируется на Фиг.14(a).
На Фиг.16 показано схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее вариант жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3, где на Фиг.16(a) иллюстрируется область вывода в области рамки и на Фиг.16(b) иллюстрируется сечение периферийной схемы в области рамки. На Фиг.17 показано схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область пикселов в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3.
В настоящем варианте, как иллюстрируется на Фиг.17, нижний электрод 67 второго запоминающего конденсатора, образованный первым слоем 61 проводки, и верхний электрод 66b второго запоминающего конденсатора, образованный вторым слоем 62 проводки, выполняются перекрывающими область верхнего электрода 66а запоминающего конденсатора. Органическая изолирующая пленка 51а в области, перекрываемой нижним электродом 67 запоминающего конденсатора и верхним электродом 66b запоминающего конденсатора, удаляется с тем, чтобы нижний электрод 67 запоминающего конденсатора и верхний электрод 66b запоминающего конденсатора располагались обращенными друг к другу через неорганическую изолирующую пленку 41а. Таким образом, каждый пиксел обеспечивается не только запоминающим конденсатором 68а пиксела, содержащим полупроводниковый слой 23, изолятор 24 затвора и верхний электрод 66а запоминающего конденсатора, но также и вторым запоминающим конденсатором 68b пиксела, который содержит нижний электрод 67 запоминающего конденсатора, неорганическую изолирующую пленку 41а и верхний электрод 66b запоминающего конденсатора. Это позволяет уменьшить размер (площадь поверхности) запоминающего конденсатора 68а пиксела и запоминающего конденсатора 68b пиксела по сравнению со случаем, в котором только один запоминающий конденсатор 68а пиксела формируется в одном пикселе. Соотношение геометрических размеров пиксела может быть улучшено таким образом.
Как иллюстрируется на Фиг.16, 17, органические изолирующие пленки 51а, 51 формируются фототравлением с использованием светочувствительной смолы, после чего формируются неорганические изолирующие пленки 41а, 41с и формируется рисунок травлением. В области вывода, как иллюстрируется на Фиг.16(a), набор из неорганических изолирующих пленок 41а, 41с формируется на органической изолирующей пленке 51а. Ближайший нижний слой 69 проводки обеспечивается под самым верхним слоем проводки контактной площадки 27.
(Примерное осуществление 4)
На Фиг.18 показано схематичное представление поперечного сечения области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по примерному осуществлению 4, где на Фиг.18(a) иллюстрируется область вывода и на Фиг.18(b) иллюстрируется область периферийной схемы. Повторные признаки, обычные для данного примерного осуществления и осуществления 3, не будут поясняться снова.
Жидкокристаллическое устройство 200 отображения по данному примеру осуществления имеет структуру, в которой набор из органической изолирующей пленки 51b и неорганической изолирующей пленки 4lb дополнительно формируется на наборе из органической изолирующей пленки 51а и неорганической изолирующей пленки 41 жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3.
Более конкретно, как показано на Фиг.18(a), TFT подложка 12 по данному примерному осуществлению имеет структуру, в которой проводка 30с схемных соединений, содержащая второй слой 62 проводки, и набор из органической изолирующей пленки 51b и неорганической изолирующей пленки 41b, действующей в качестве защитной пленки, кроме того, ярусно размещаются, в этом порядке со стороны изолирующей подложки 21, на наборе из неорганической изолирующей пленки 41а и органической изолирующей пленки 51а, действущей в качестве межуровневой изолирующей пленки и выравнивающей пленки, в области вывода. Проводка 30с схемных соединений, содержащая второй слой 62 проводки, соединяется с контактным выводом (внешний контактный вывод) 26, содержащим первый слой 61 проводки, с помощью контактного отверстия (сквозного отверстия) 31d, выполненного в органической изолирующей пленке 51а и неорганической изолирующей пленке 41а.
Как иллюстрируется на Фиг.18(b), TFT подложка 12 имеет структуру, в которой набор из неорганической изолирующей пленки 41b и органической изолирующей пленки 51b, действующей в качестве межуровневой изолирующей пленки и выравнивающей пленки, и проводка 30d схемных соединений, содержащая третий слой 63 проводки, кроме того, размещаются ярусно, в этом порядке, со стороны изолирующей подложки 21, на втором слое 62 проводки, в области периферийной схемы. Проводка 30d схемных соединений, содержащая третий слой 63 проводки, соединяется с проводкой схемных соединений 30b, содержащей второй слой 62 проводки, с помощью контактного отверстия (сквозного отверстия) 31е, выполненного в органической изолирующей пленке 51b и неорганической изолирующей пленке 4lb.
Таким образом, жидкокристаллическое устройство 200 отображения по данному примеру осуществления позволяет формировать еще больше слоев проводки, которые являются пригодными для микрообработки.
Число дополнительных слоев проводки и число наборов из органической изолирующей пленки и неорганической изолирующей пленки конкретно не ограничиваются, и могут надлежаще подбираться в соответствии с заданной топологией (схемой размещения).
Жидкокристаллическое устройство 200 отображения по данному примеру осуществления может изготавливаться надлежащим повторением столько раз, сколько необходимо, этапа (11) формирования органического-неорганического набора, этапа (12) формирования контактного отверстия и этапа (13) формирования второго слоя проводки по примерному осуществлению 3. Толщинами пленок органической изолирующей пленки 51b и неорганической изолирующей пленки 41b могут быть 1-4 мк (предпочтительно 2-3 мк) и 10-200 нм (предпочтительно 20-100 нм) соответственно. Материал органической изолирующей пленки 51b или материал неорганической изолирующей пленки 41b может быть таким же или отличающимся от такового, используемого для органической изолирующей пленки 51а и неорганической изолирующей пленки 41а соответственно. Органическая изолирующая пленка 51а и органическая изолирующая пленка 51b, а также неорганическая изолирующая пленка 41а и неорганическая изолирующая пленка 41b могут формироваться из соответственно отличающихся материалов.
В данном примерном осуществлении, органическая изолирующая пленка 51а, органическая изолирующая пленка 51b и органическая изолирующая пленка 51 могут быть выравнивающей пленкой (неорганической выравнивающей пленкой), содержащей неорганическую изолирующую пленку. Пленки, создаваемые из Si-H-содержащего полисилоксанового (MSQ) материала, или пористые кремнеземные пленки, могут использоваться в этом случае. Жидкокристаллическое устройство 200 отображения по данному примеру осуществления может содержать набор «выравнивающая пленка - неорганическая пленка», в котором неорганическая изолирующая пленка ярусно размещается непосредственно на выравнивающей пленке.
На Фиг.19 показано схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее вариант жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 4, где на Фиг.19(a) иллюстрируется область вывода в области рамки и на Фиг.19(b) иллюстрируется сечение перифирийной схемы в области рамки.
В данном варианте органические изолирующие пленки 51а, 51b формируются фототравлением с использованием светочувствительной смолы, как иллюстрируется на Фиг.19, после чего формируются неорганические изолирующие пленки 41а, 41b и формируется рисунок травлением. Ближайший нижний слой 69 проводки обеспечивается под контактной площадкой 27, образуемой верхним слоем проводки, в области вывода, как иллюстрируется на Фиг.19(a).
(Примерное осуществление 5)
На Фиг.20 показано схематичное представление поперечного сечения области вывода в жидкокристаллическом устройстве отображения по примерному осуществлению 5. Повторные признаки, общие для данного примерного осуществления и осуществлений 3 и 4, не будут поясняться снова.
Жидкокристаллическое устройство 300 отображения по данному примеру осуществления имеет такую же конфигурацию, как и жидкокристаллическое устройство 200 отображения по примерному осуществлению 4, за исключением того, что теперь контактный вывод (внешний контактный вывод) 26 формируется не из первого слоя 61 проводки, а из верхнего слоя второго слоя 62 проводки.
Более конкретно, как иллюстрируется на Фиг.20, TFT подложка 13 по данному примеру осуществления имеет структуру, в которой в области вывода изолирующая подложка 41 содержит последовательно ярусно размещенные на ней со стороны изолирующей подложки 21 проводку 30е схемных соединений, содержащую первый слой 61 проводки, набор из неорганической изолирующей пленки 41а и органической изолирующей пленки 51а, действующей в качестве межуровневой изолирующей пленки и выравнивающей пленки, контактный вывод (внешний контактный вывод) 26, содержащий второй слой 62 проводки, и набор из неорганической изолирующей пленки 41b и органической изолирующей пленки 51b, действующей в качестве защитной пленки. Контактный вывод (внешний контактный вывод) 26, содержащий второй слой 62 проводки, соединен с проводкой 30е схемных соединений, содержащей первый слой 61 проводки, с помощью контактного отверстия (сквозное отверстие) 31d, обеспечиваемого в органической изолирующей пленке 51а и неорганической изолирующей пленке 41а.
В жидкокристаллическом устройстве 200 отображения по примерному осуществлению 4, большее число наборных структур из слоя проводки и набора из неорганической изолирующей пленки и органической изолирующей пленки вызывает большее различие в величине деформации проводящих микрочастиц 81 в ACF 80 между контактной площадкой 27 и областями, отличными от контактной площадки 27. В результате это может приводить к неоднородному механическому напряжению, которое может иметь следствием дефекты соединения между подложкой 12 TFT и платой 70 FPC.
В отличие от этого углубление, задаваемое контактной площадкой 27, меньше в жидкокристаллическом устройстве 300 отображения по данному примеру осуществления как результат формирования контактного вывода 26 из слоя на несколько возможно высоком уровне, предпочтительно вне слоя проводки непосредственно под самым верхним набором из неорганической изолирующей пленки и органической изолирующей пленки (второй слой 62 проводки по данному примеру осуществления). Различие в величине деформации проводящих микрочастиц 81 в ACF 80 между контактной площадкой 27 и областями, отличными от контактной площадки 27, может таким образом уменьшаться, каковое позволяет устранять появление дефектов соединения, обусловленных неоднородным механическим напряжением.
В данном примере осуществления, органическая изолирующая пленка 51а и/или органическая изолирующая пленка 51b могут быть выравнивающими пленками (неорганическими выравнивающими пленками), содержащими неорганическую изолирующую пленку. Пленки, создаваемые из Si-H-содержащего полисилоксанового (MSQ) материала, или пористая кремнеземная пленка, могут использоваться в этом случае. Жидкокристаллическое устройство 300 отображения по данному примеру осуществления может иметь набор «выравнивающая пленка - неорганическая пленка», в котором неорганическая изолирующая пленка ярусно размещается непосредственно на выравнивающей пленке.
На Фиг.21 показано схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область вывода в области рамки в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 5.
В данном варианте органические изолирующие пленки 51а, 51b формируются фототравлением с использованием светочувствительной смолы, как иллюстрируется на Фиг.21, после чего формируются неорганические изолирующие пленки 41а, 41b и затем формируется рисунок травлением.
На Фиг.22 показано схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее вариант жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 5, где на Фиг.22(а) иллюстрируется область вывода в области рамки и на Фиг.22(b) иллюстрируется сечение периферийной схемы в области рамки. На Фиг.23 показано схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее область пикселов в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 3. Как иллюстрируется на Фиг.22(a), органическая изолирующая пленка 51b удалена из области вывода, и неорганическая изолирующая пленка 41b сформирована непосредственно на контактном выводе 26. В данном варианте разность высот между контактной площадкой 27 и областью, отличной от контактной площадки 27, уменьшается на толщину органической изолирующей пленки 51b. Следовательно, различие в величине деформации проводящих микрочастиц 81 в ACF 80 между контактной площадкой 27 и областями, отличными от контактной площадки 27, уменьшается, и рабочая характеристика контакта ACF может быть улучшена.
Ближайший нижний слой 69 проводки обеспечивается под самым верхним слоем проводки контактной площадки 27. В данном варианте органические изолирующие пленки 51а, 51b формируются фототравлением с использованием светочувствительной смолы, как иллюстрируется на Фиг.22(b), 23, после чего формируются неорганические изолирующие пленки 41а, 4lb и затем формируется рисунок травлением.
(Примерное осуществление 6)
На Фиг.24 показано схематичное представление поперечного сечения области вывода в жидкокристаллическом устройстве отображения по примерному осуществлению 6. Повторные признаки, общие для данного примерного осуществления и осуществленный 3-5, не будут поясняться снова.
Жидкокристаллическое устройство 400 отображения по данному примеру осуществления имеет такую же конфигурацию, как таковая жидкокристаллического устройства 100 отображения по примерному осуществлению 3, за исключением того, что теперь все органические изолирующие пленки удалены в области вывода.
Более конкретно, TFT подложка 14 имеет структуру, в которой, как иллюстрируется на Фиг.7, неорганическая изолирующая пленка 41а, действующая в качестве защитной пленки, непосредственно ярусно размещается на контактном выводе (внешнем контактном выводе) 26, содержащем первый слой 61 проводки, в области вывода.
При условии, что органическая изолирующая пленка присутствует в области вывода, как в жидкокристаллических устройствах отображения 100, 200 и 300 по примерным осуществлениям 3-5, является трудным полностью решить проблему более низкой надежности, обусловленную повторной обработкой платы 70 FPC. Хотя жидкокристаллическое устройство 300 отображения по примерному осуществлению 5 позволяет устранять появление дефектов соединения, обусловленное неоднородным механическим напряжением, все еще имеется разность высот между контактной площадкой 27 и областями, отличными от контактной площадки 27, эквивалентная толщинам пленок, соответствующих органической изолирующей пленке 51b и неорганической изолирующей пленке 41b. Следовательно, различие в величине деформации проводящих микрочастиц 81 в ACF 80 не является полностью однородным поверх контактной площадки 27 и области, отличной от контактной площадки 27. Рабочая характеристика контакта для ACF имеет, таким образом, возможность для улучшения.
Жидкокристаллическое устройство 400 отображения по данному примеру осуществления в отличие от этого имеет структуру, в которой область вывода не содержит органическую изолирующую пленку, которая становится проблемной в течение повторной обработки, и, следовательно, вышеописанная более низкая надежность, обусловленная повторной обработкой, может полностью улучшиться. Разность высот между контактной площадкой 27 и областью, отличной от контактной площадки 27, уменьшается на толщину органической изолирующей пленки. Следовательно, различие в величине деформации проводящих микрочастиц 81 в ACF 80 между контактной площадкой 27 и областями, отличными от контактной площадки 27, уменьшается, и рабочая характеристика контакта для ACF может быть улучшена.
Жидкокристаллическое устройство 400 отображения по данному примеру осуществления может изготавливаться таким же образом, как жидкокристаллическое устройство 100 отображения по примерному осуществлению 3, за исключением того, что теперь органическая изолирующая пленка не формируется в области вывода.
В данном примерном осуществлении, предпочтительно, органическая изолирующая пленка не формируется, по меньшей мере, в области, в которой обеспечивается материал с анизотропный проводимостью, такой как ACF 80.
На Фиг.25 показано схематичное представление поперечного сечения, иллюстрирующее вариант жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 6.
В данном варианте, как иллюстрируется на Фиг.25, ближайший нижний слой 69 проводки обеспечивается под верхним слоем проводки контактной площадки 27.
На Фиг.26 показано схематичное представление поперечного сечения области вывода в варианте жидкокристаллического устройства отображения по примерному осуществлению 6. В TFT подложке 14, как иллюстрируется на Фиг.26, контактный вывод (внешний контактный вывод) 26, содержащий тот же слой, что и электрод затвора (проводка затвора) 25, может доходить до области вывода, и TFT подложка 14 может содержать контактную площадку 27, содержащую первый слой 61 проводки и прозрачную проводящую пленку, такую как пленка ITO. В результате неорганическая изолирующая пленка 41 может действовать в качестве защитной пленки, даже если неорганическая изолирующая пленка 41а не обеспечивается в области вывода, и могут извлекаться такие же эффекты, как в случае, проиллюстрированном на Фиг.24.
Жидкокристаллическое устройство 400 отображения по данному примеру осуществления может иметь такую же конфигурацию, как жидкокристаллическое устройство 300 отображения по примерному осуществлению 5, проиллюстрированному на Фиг.20, за исключением того, что теперь органическая изолирующая пленка 51b удалена в области вывода. Конкретно, подложка 14 TFT по данному примеру осуществления может иметь структуру, в которой в области вывода неорганическая изолирующая пленка 41 содержит последовательно ярусно размещенные на ней со стороны изолирующей подложки 21 проводку 30е схемных соединений, содержащую первый слой 61 проводки, неорганическую изолирующую пленку 41а и органическую изолирующую пленку 51а, действующую в качестве межуровневой изолирующей пленки и выравнивающей пленки, контактный вывод (внешний контактный вывод) 26, содержащий второй слой 62 проводки, и неорганическую изолирующую пленку 41b, действующую в качестве защитной пленки. Вышеуказанная структура позволяет также улучшать рабочую характеристику контакта для ACF, как в случае, проиллюстрированном на Фиг.24. В этой конфигурации органическая изолирующая пленка 51а может быть выравнивающей пленкой (неорганической выравнивающей пленкой), содержащей неорганическую изолирующую пленку. Пленка, выполненная из Si-Н-содержащего полисилоксанового (MSQ) материала, или пористая кремнеземная пленка, может использоваться в этом случае. Жидкокристаллическое устройство 400 отображения по данному примеру осуществления может иметь набор «выравнивающая пленка - неорганическая пленка», в котором неорганическая изолирующая пленка ярусно размещается непосредственно на выравнивающей пленке.
Более подробно ниже поясняется пример осуществления, в котором органическая изолирующая пленка протравляется прежде формирования неорганической изолирующей пленки в устройствах отображения по примерным осуществлениям 1-6. Хотя пример осуществления, описанный ниже, поясняется на основе примера области периферийной схемы, осуществление конкретно не ограничивается областью периферийной схемы, и может применяться к области вывода и области пикселов.
На Фиг.27 показано схематично представление поперечного сечения области периферийной схемы в жидкокристаллических устройствах отображения согласно примерным осуществлениям 1-6. На Фиг.28-1(а)-28-1(d) и Фиг.28-2(е)-28-2(g) показаны схематичные представления поперечного сечения области периферийной схемы в жидкокристаллических устройствах отображения согласно примерным осуществлениям 1-6 в процессе изготовления. Повторяющийся объект изобретения, общий для вариантов осуществления 3-6 не будет поясняться вновь.
В случае, когда органическая изолирующая пленка и неорганическая изолирующая пленка размещаются друг над другом и затем осуществляется сухое травление результирующего набора, чтобы сформировать, таким образом, контактные отверстия, как в способе изготовления, проиллюстрированном в примерном осуществлении 3, толщину пленки для органической изолирующей пленки составляет, например, 2 мк или больше, и соотношение геометрических размеров контактных окон, формируемых в наборе из органической изолирующей пленки и неорганической изолирующей пленки, является высоким, в результате чего контакт между верхним и нижним слоями проводки может затрудняться. Во внутренней стенке контактных окон, органическая изолирующая пленка становится непокрытой в течение сухого травления и озоления резиста. Следовательно, как описано выше, органическая изолирующая пленка может повреждаться в течение травления и озоления резиста, как описано выше.
В отличие от этого жидкокристаллическое устройство 500 отображения по данному примеру осуществления изготавливается в соответствии с нижеописанным способом, в котором светочувствительная смоляная пленка используется в качестве материала органической изолирующей пленки 51а и/или органической изолирующей пленки 51.
Во-первых, процесс по примерному осуществлению 3 выполняется вплоть до этапа (10) формирования первого слоя проводки. Затем, как иллюстрируется на Фиг.28-1(а), формируется органическая изолирующая пленка 51а формированием (наложением) светочувствительной смолы, такой как светочувствительная акриловая смоляная пленка, посредством покрытия, получаемого центрифугированием или подобного, на полной поверхности изолирующей подложки в соответствии с таким же способом, как в примерном осуществлении 3. В результате первый слой 61 проводки становится покрытым органической изолирующей пленкой 51а, и поверхность TFT подложки планаризуется.
Затем осуществляется фототравление органической изолирующей пленки 51а. Как иллюстрируется на Фиг.28-1(b), конкретно, органическая изолирующая пленка 51а облучается светом через фотошаблон 32а, имеющий светоэкранирующий рисунок заданной геометрии, сформированный на ней, и затем протравляется (проявляется), чтобы удалить посредством этого область органической изолирующей пленки 51а, которая дает контактное отверстие 31с.
Затем, органическая изолирующая пленка 51а (светочувствительная смоляная пленка) подвергается этапу выжигания (примерно 200°С, 30 минут). Посредством этого, геометрия отверстия (порция отверстия) органической изолирующей пленки 51а становится менее крутой, как иллюстрируется на Фиг.28-1(с), и соотношение геометрических размеров контактного отверстия 31с может быть уменьшено.
2
Затем, неорганическая изолирующая пленка 41а (пленка SiNx или пленка SiO) формируется напылением способом PECVD или подобным на полной поверхности изолирующей подложки, как проиллюстрировано на Фиг.28-1(d), таким же образом, как в способе по примерному осуществлению 3. Принимая во внимание, например, влияние загрязнения в камере, неорганическая изолирующая пленка 41а предпочтительно формируется напылением, что дает возможность формирования пленки при низкой температуре подложки. Качество неорганической изолирующей пленки 41а может повышаться посредством этого, поскольку высокотемпературная обработка может вызывать рассеивание органических компонентов, что в свою очередь может ухудшать рабочую характеристику пленки и иметь следствием загрязнение камеры.
Затем, фотолитографией формируется рисунок в резисте. Конкретно, резист 33а облучается светом через фотошаблон 32b, который отличается от фотошаблона 32а, и затем проявляется, чтобы удалить посредством этого область резиста 33а, которая дает контактное отверстие 31с, как иллюстрируется на Фиг.28-2(е).
4
Затем, как иллюстрируется на Фиг.28-2(f), контактное отверстие 31 с формируется травлением неорганической изолирующой пленки 41а, посредством сухого травления четыреххлористым углеродом (CF) или подобным, или жидкостного травления плавиковой кислотой (HF) или подобным, с использованием резиста 33а в качестве маски таким образом, что поверхность стенки отверстия в органической изолирующей пленке 51а является полностью покрытой неорганической изолирующей пленкой 41а, и что отверстие неорганической изолирующей пленки 41а перекрывает изъятую область органической изолирующей пленки 51а.
2
Затем, как иллюстрируется на Фиг.28-2(g), резист 33а озоляется O плазмой в случае сухого травления с использованием неорганической изолирующей пленки 41а в качестве оградителя; в случае жидкостного травления резист 33а удаляется раствором для удаления резиста с использованием неорганической изолирующей пленки 41а в качестве оградительного материала.
После этого, как иллюстрируется на Фиг.27, жидкокристаллическое устройство 500 отображения по данному примеру осуществления завершается выполнением этапов от этапа (13) формирования второго слоя проводки далее таким же образом, как в примерном осуществлении 3.
Поскольку светочувствительная смола используется в качестве материала для органической изолирующей пленки 51а, этап озоления (снятия резиста) после начального удаления контактной части органической изолирующей пленки 51а (порции, которая дает контактное отверстие 31с) становится ненужным. В результате, как иллюстрируется на Фиг.27, контактная часть (отверстие) органической изолирующей пленки 51а, формируемая фототравлением, окончательно обрабатывается к пологой форме по сравнению со случаем, в котором контактная часть формируется «сухим» процессом. Следовательно, соотношение геометрических размеров контактного отверстия 31с может быть уменьшено, и появление дефектов соединение во втором слое 62 проводки, ярусно размещенном на нем, может эффективно устраняться.
Полная органическая изолирующая пленка 51а, включая внутреннюю часть стенки (поверхность стенки) контактной части, покрывается неорганической изолирующей пленкой 41а на последующем этапе формирования неорганической изолирующей пленки. Следовательно, органическая изолирующая пленка 51а может быть защищена от повреждения, вызываемого впоследствии в течение травления неорганической изолирующей пленки 41а.
Например, сухое травление, которое дает возможность более точной микрообработки, чем фототравление, может использоваться для травления неорганической изолирующей пленки 41а, которая ярусно размещается после фототравления органической изолирующей пленки 51а. Следовательно, этот способ также дает возможность микрообработки контактного отверстия 31с и микрообработки нижнего слоя для первого слоя 61 проводки.
Светочувствительная смола используется в качестве материала органической изолирующей пленки 51а. В случае, когда настоящий пример осуществления применяется к примерному осуществлению 4, следовательно, органическая изолирующая пленка может удаляться легко в области вывода, что не требует точной микрообработки, прежде размещения ярусно неорганической изолирующей пленки 41а.
На Фиг.29 показано схематичное представление поперечного сечения другой формы области периферийной схемы, проиллюстрированной на Фиг.28-2(g). В случае, когда неорганическая изолирующая пленка 41а обрабатывается жидкостным травлением, часть поверхности стенки отверстия органической изолирующей пленки 51а на стороне нижнего слоя может быть непокрытой, как иллюстрируется на Фиг.29, обуславливая, что отверстие неорганической изолирующей пленки 41а будет больше отверстия органической изолирующей пленки 51а. Следовательно, в результате может предотвращаться повреждение органической изолирующей пленки 51а озолением или сухим травлением.
В этом случае контактное отверстие может выполняться посредством формирования, фототравления и выжигания органической изолирующей пленки 51а и формирования неорганической изолирующей пленки 41а в соответствии с вышеуказанным способом (Фиг.28-1(а)-28-1(d)); нанесения рисунка в резисте с использованием фотошаблона, который отличается от фотошаблона 32а; и травления затем неорганической изолирующей пленки 41а способом жидкостного травления плавиковой кислотой (HF) или подобным, с использованием резиста в качестве маски, таким образом, что нижняя порция поверхности стенки отверстия в органической изолирующей пленке 51а на стороне нижнего слоя является непокрытой. В заключение, резист снимается с использованием раствора для удаления резиста.
Варианты настоящего примерного осуществления поясняются далее. На Фиг.30-1(а)-30-1(d) и Фиг.30-2(е)-30-2(h) показаны схематичные представления поперечного сечения области периферийной схемы в варианте жидкокристаллических устройств отображения согласно примерным осуществлениям 1-6 в процессе изготовления.
В данном варианте, во-первых, процесс по примерному осуществлению 3 выполняется до этапа (10) формирования первого слоя проводки. Затем, как иллюстрирует на Фиг.30-1(а), органическая изолирующая пленка 51а формируется путем формирования (наложения) светочувствительной смолы, такой как светочувствительная акриловая смоляная пленка, посредством покрытия, получаемого центрифугированием или подобного, на полной поверхности изолирующей подложки, в соответствии с таким же способом, как в примерном осуществлении 3. Первый слой 61 проводки в результате покрывается органической изолирующей пленкой 51а, и поверхность TFT подложки является планаризованной.
Затем, осуществляется фототравление органической изолирующей пленки 51а. Конкретно, как иллюстрируется на Фиг.30-1(b), органическая изолирующая пленка 51а облучается светом через фотошаблон 32с со сформированным в нем светоэкранирующим рисунком заданной геометрии, и затем проявляется, чтобы удалить посредством этого область органической изолирующей пленки 51а, дающую контактное отверстие 31с. Органическая изолирующая пленка 51а «переэкспонируется» таким образом, что отверстие (контактная часть) в органической изолирующей пленке 51а является больше отверстия (контактной части) в неорганической изолирующей пленке 41а, описанной ниже.
Затем, органическая изолирующая пленка 51а (светочувствительная смоляная пленка) подвергается этапу выжигания (примерно 200°С, 30 минут). Таким образом, геометрия отверстия органической изолирующей пленки 51а становится менее крутой, как иллюстрируется па Фиг.30-1(с), и соотношение геометрических размеров контактного отверстия 31с может быть уменьшено.
2
Затем, формируется неорганическая изолирующая пленка 41а (пленка SiNx или пленка SiO) напылением, способом PECVD или подобным, на полной поверхности изолирующей подложки, как проиллюстрировано на Фиг.30-1(d), таким же образом как в способе по примерному осуществлению 3. Принимая во внимание, например, влияние загрязнения в камере, неорганическая изолирующая пленка 41а предпочтительно формируется напылением, каковое дает возможность формирования пленки при низкой температуре подложки. Качество неорганической изолирующей пленки 41а может повышаться посредством этого, поскольку высокотемпературная обработка может вызывать рассеяние органических компонентов, каковое в свою очередь может ухудшать рабочую характеристику пленки и приводить к загрязнению камеры.
Затем, фотолитографией формируется рисунок в резисте. Конкретно, резист 33b облучается светом через фотошаблон 32с, который используется в течение облучения светом органической изолирующей пленки 51а, и затем проявляется, чтобы удалить посредством этого область резиста 33b, которая дает контактное отверстие 31с, как иллюстрируется на Фиг.30-2(е). В этом случае резист 33b экспонируется при обычной энергии экспонирования таким образом, что отверстие неорганической изолирующей пленки 41а является меньше отверстия органической изолирующей пленки 51а.
4
Затем, как иллюстрируется на Фиг.30-2(f), контактное отверстие 31с формируется травлением неорганической изолирующей пленки 41а посредством сухого травления четыреххлористым углеродом (CF) или подобного или жидкостного травления плавиковой кислотой (HF) или подобного с использованием резиста 33b в качестве маски таким образом, что травленая часть перекрывает область, в которой удаляется органическая изолирующая пленка 51а. Органическая изолирующая пленка 51а может быть защищена от повреждения в течение вышеописанного травления и нижеописанного озоления, поскольку органическая изолирующая пленка 51а покрыта неорганической изолирующей пленкой 41а, как иллюстрируется на Фиг.30-2(g), являющейся увеличенным видом области, окруженным пунктирной линией на Фиг.30-2(f). Например, может использоваться сухое травление, дающее возможность более точной микрообработки, чем фототравление, для травления неорганической изолирующей пленки 41а. Следовательно, этот способ также дает возможность микрообработки контактного отверстия 31с и микрообработки нижнего слоя первого слоя 61 проводки.
2
Затем, как иллюстрируется на Фиг.30-2(h), резист 33b озоляется O плазмой в случае сухого травления с использованием неорганической изолирующей пленки 41а в качестве оградителя. В случае жидкостного травления резист 33b удаляется раствором для удаления резиста с использованием неорганической изолирующей пленки 41а в качестве оградительного материала.
В данном варианте, таким образом, число требуемых фотошаблонов может быть уменьшено на единицу, и затраты на изготовление уменьшаются соответственно, поскольку тот же фотошаблон 32с используется в течение облучения светом органической изолирующей пленки 51а и резиста 33b. В то же время может устраняться появление позиционного несоответствия в отверстие в органической изолирующей пленке 51а и неорганической изолирующей пленке 41а, которое может возникать вследствие различия в состоянии между двумя фотошаблонами.
На Фиг.31-1(а)-31-1(с) и Фиг.31-2(d)-31-2(f) показаны схематичные представления поперечного сечения области периферийной схемы в варианте жидкокристаллических устройств отображения согласно примерным осуществлениям 1-6 в процессе изготовления.
В данном варианте, во-первых, процесс по примерному осуществлению 3 выполняется вплоть до этапа (10) формирования первого слоя проводки. Затем, как иллюстрируется на Фиг.31-1(a), органическая изолирующая пленка 51а формируется формированием (наложением) светочувствительной смолы, такой как светочувствительная акриловая смоляная пленка, посредством покрытия, получаемого центрифугированием, или подобного, на полной поверхности изолирующей подложки, в соответствии со способом таким же, как в примерном осуществлении 3. Первый слой 61 проводки в результате является покрытым органической изолирующей пленкой 51а, и поверхность TFT подложки является планаризованной.
Затем, если могут потребовать обстоятельства, органическая изолирующая пленка 51а облучается светом, за которым следует этап выжигания (примерно 200°С, 30 минут). В данном сравнительном примере, органической изолирующей пленкой 51а может быть светочувствительная смола или светонечувствительная смола.
2
Затем, формируется неорганическая изолирующая пленка 41а (пленка SiNx или пленка SiO) напылением, способом PECVD или подобным, на полной поверхности изолирующей подложки, как проиллюстрировано на Фиг.31-1(b), таким же образом, как в способе по примерному осуществлению 3. Принимая во внимание, например, влияние загрязнения в камере, неорганическая изолирующая пленка 41а предпочтительно формируется напылением, которое дает возможность формирования пленки при низкой температуре подложки. Качество неорганической изолирующей пленки 41а может повышаться посредством этого, поскольку высокотемпературная обработка может вызывать рассеивание органических компонентов, каковое в свою очередь может ухудшать рабочую характеристику пленки и иметь следствием загрязнение камеры.
Затем, формируется рисунок в резисте способом фотолитографии. Конкретно, резист 33с облучается светом через фотошаблон 32d и затем проявляется, чтобы удалить посредством этого область резиста 33с, которая дает контактное отверстие 31с, как проиллюстрировано на Фиг.31-1(с).
Затем, как показано на Фиг.31-2(d), область неорганической изолирующей пленки 41а, которая дает контактное отверстие 31с, удаляется жидкостным травлением плавиковой кислотой (HF) или подобным с использованием резиста 33с в качестве маски.
Затем, резист 33с снимается раствором для удаления резиста, используя неорганическую изолирующую пленку 41а в качестве оградительного материала, как иллюстрируется на Фиг.31-2(е).
2
Затем, как иллюстрируется на Фиг.31-2(f), контактное отверстие 31с формируется травлением органической изолирующей пленки 51а способом сухого травления O плазмой или подобным с использованием неорганической изолирующей пленки 41а в качестве маски.
В данном варианте, таким образом, неорганическая изолирующая пленка 41а травится жидкостным травлением. Следовательно, озоление не требуется, и резист 33с может сниматься раствором для удаления резиста. Следовательно, поверхность стенки отверстия в органической изолирующей пленке 51а, которая является непокрытой в контактном отверстие 31с, не повреждается озолением.
На Фиг.32(a) и 32(b) показаны схематичные представления поперечного сечения области периферийной схемы в варианте жидкокристаллических устройств отображения в соответствии с примерными осуществлениями 1-6 в процессе изготовления.
В данном варианте, во-первых, процессы выполняются таким же образом, как в вышеописанном варианте, вплоть до этапа формирования рисунка резиста 33с, как иллюстрируется на Фиг.31-1(с).
4
Затем, как иллюстрируется на Фиг.32(a), область, которая дает контактное отверстие 31с в неорганической изолирующей пленке 41а, удаляется сухим травлением четыреххлористым углеродом (CF) или подобным, с использованием резиста 33с в качестве маски. Контактное отверстие 31с может изготавливаться микрообработкой, таким образом, согласно сухому травлению.
2
Затем, как иллюстрируется на Фиг.32(b), контактное отверстие 31с формируется посредством озоления резиста 33b и травления органической изолирующей пленки 51а, сухим травлением, О-плазмой или подобным, с использованием неорганической изолирующей пленки 41а в качестве оградителя.
В данном варианте, таким образом, этап удаления (озоления) резиста 33b и этап травления (вскрытия) органической изолирующей пленки 51а выполняются одновременно. Действие подобным образом дает возможность уменьшить повреждение органической изолирующей пленки 51а, обусловленное сухим травлением.
В настоящем примере осуществления органическая изолирующая пленка 51а и/или органическая изолирующая пленка 51 могут быть выравнивающими пленками (неорганическими выравнивающими пленками), содержащими неорганическую изолирующую пленку. Пленки, создаваемые из Si-H-содержащего полисилоксанового (MSQ) материала, или пористая кремнеземная пленка, могут использоваться в этом случае. Жидкокристаллическое устройство 500 отображения по данному примеру осуществления может иметь, таким образом, набор «выравнивающая пленка - неорганическая пленка», в котором неорганическая изолирующая пленка ярусно размещается непосредственно на выравнивающей пленке.
Настоящее изобретение было пояснено на основе примерных осуществлений 1-6 и других примеров осуществления. Однако примеры осуществления могут надлежаще комбинироваться друг с другом без выхода за рамки объема настоящего изобретения. Например, подложка устройства отображения по настоящему изобретению может не иметь области периферийной схемы, так что набор органических-неорганических пленок обеспечивается только в области вывода. Альтернативно, подложка устройства отображения по настоящему изобретению может иметь набор органических-неорганических пленок только в области периферийной схемы, а не в области вывода, или может иметь область пикселов, изложенную в примерном осуществлении 1 или 2, или область вывода и/или область периферийной схемы, изложенные в любом из примерных осуществлений 3-6.
В примерных осуществлениях 3-6 и других примерных осуществлениях, настоящее изобретение было пояснено на основании примеров жидкокристаллического устройства отображения, но примерные осуществления, поясненные на основе примерного осуществления 3, кроме того, могут также использоваться в устройствах отображения, отличных от жидкокристаллических устройств отображения, например в органических EL дисплеях или подобных.
(Сравнительное осуществление 1)
На Фиг.33 показано схематичное представление поперечного сечения области пикселов в жидкокристаллическом устройстве отображения по сравнительному осуществлению 1.
Жидкокристаллическое устройство отображения 701 по настоящему сравнительному осуществлению имеет такую же конфигурацию, как жидкокристаллическое устройство 700 отображения по примерному осуществлению 1, за исключением того, что теперь не обеспечивается газонепроницаемая изолирующая пленка.
В жидкокристаллическом устройстве 701 отображения по настоящему сравнительному осуществлению газообразное вещество 138 может создаваться светочувствительной смоляной пленкой 152 под электродами пикселов 136 при излучении UV света (глухие стрелки на Фиг.33) на светочувствительную смоляную пленку 152. Вследствие этого, газообразное вещество 138 может выходить через промежутки между смежными электродами 136 пикселов и проникать в жидкокристаллический слой 110, как иллюстрируется на Фиг.33. В результате могут возникать дефекты вследствие формирования пузырьков.
(Сравнительное осуществление 2)
На Фиг.34 показано схематичное представление поперечного сечения области пикселов в жидкокристаллическом устройстве отображения по сравнительному осуществлению 2, где на Фиг.34(a) иллюстрируется область вывода и на Фиг.34(b) иллюстрируется область периферийной схемы. Жидкокристаллическое устройство 600 отображения по сравнительному осуществлению 2 имеет структуру, в которой подложка 111 TFT, являющаяся подложкой устройства отображения, и плата 170 FPC соединены друг с другом, в области вывода, посредством ACF 180, как иллюстрируется на Фиг.34(a).
Как иллюстрируется на Фиг.34(a), подложка 111 TFT имеет структуру, в которой в области вывода изолирующая подложка 121 содержит последовательно ярусно размещенные на ней со стороны изолирующей подложки 121 пленку 122 базового покрытия, изолятор 124 затвора, электрод 125 затвора, неорганическую изолирующую пленку 141, действующую в качестве межуровневой изолирующей пленки, контактный вывод (внешний контактный вывод) 126, содержащий первый слой проводки 161, и органическую изолирующую пленку 151а, действующую в качестве защитной пленки. Контактная площадка 127 обеспечивается в оконечной части контактного вывода 126.
Как иллюстрируется на Фиг.34(b), подложка 111 TFT имеет структуру, в которой в области периферийной схемы изолирующая подложка 121 содержит сформированные на ней со стороны изолирующей подложки 121 пленку 122 базового покрытия, полупроводниковый слой 123, изолятор 124 затвора, электрод 125 затвора, неорганическую изолирующую пленку 141, действующую в качестве межуровневой изолирующей пленки, проводку 130а схемных соединений и электроды 128 истока/стока, содержащие первый слой 161 проводки, органическую изолирующую пленку 151а, действующую в качестве межуровневой изолирующей пленки, проводку 130b схемных соединений, содержащую второй слой проводки 162, и органическую изолирующую пленку 151, действующую в качестве защитной пленки.
Использование органической изолирующей пленки 151а, имеющей отличную плоскостность, в качестве выравнивающей пленки имеет результатом уменьшение перепадов высот в первом слое 161 проводки и TFT 129 на стороне нижнего слоя и предотвращение короткого замыкания во втором слое 162 проводки, даже при том, что второй слой проводки 162 трассируется на стороне верхнего слоя.
Однако при использовании не такого способа, который применяет фототравление, не требующее резистной маски, а способа, такого как сухое травление, использующего резистную маску, имеющего высокую точность микрообработки, как иллюстрируется на Фиг.34(b), в качестве способа формирования контактного отверстия (сквозного отверстия) 131с в органической изолирующей пленке 151а, имеется вероятность, что травление не выполняется надлежаще вследствие отсутствия селективности между резистной маской и органической изолирующей пленкой 151а на этапе озоления (снятия резиста) резистной маски. Это присходит потому, что и резистная маска, и органическая изолирующая пленка 151а являются органическими пленками, и, следовательно, селективность обеих является грубо подобной. Конкретно, резистная маска может озоляться далеко вглубь органической изолирующей пленки 151а. Также, даже если озоляется только резистная маска, органическая изолирующая пленка 151а может повреждаться озолением, так что второй слой проводки 162, подлежащий формированию на органической изолирующей пленке 151а, будет неудовлетворительно полностью осажденным, что может вызывать дефекты соединения между первым слоем проводки 161 и вторым слоем проводки 162. В настоящем сравнительном варианте осуществления, следовательно, органическая изолирующая пленка 151а формируется с использованием светочувствительной смолы, и контактные отверстия 131 с формируются без использования резистной маски. Также рисунок второго слоя проводки 162 формируется «жидкостным» процессом непосредственно на органической изолирующей пленке 151а. Настоящий сравнительный пример осуществления, таким образом, оставляет пространство для усовершенствования в терминах обеспечения возможности микрообработки проводки и устранения появления дефектов соединения между проводкой верхнего и нижнего слоя. Те же трудности имеют место при использовании неорганической выравнивающей пленки вместо органической изолирующей пленки 151а.
В случае, когда самым верхним слоем является органическая изолирующая пленка 151а, как иллюстрируется на Фиг.34(а), органическая изолирующая пленка 151а может отслаиваться или повреждаться, если будет необходимой дополнительная обработка во время этапа соединения панели и платы 170 FPC, поскольку, например, органической изолирующей пленкой 151а является органическая пленка, имеющая более низкую механическую прочность, в терминах, например, сопротивления отслаиванию и твердости (повреждается более легко под внешним давлением), чем неорганические пленки. К тому же проводка под органической изолирующей пленкой 151а может стать открытой. В результате могут возникать коррозия вследствие влаги или подобного, а также дефекты соединения в плате 170 FPC, получаемые из-за газообразного вещества в открытой органической изолирующей пленке 151а. Вышеуказанная конфигурация, таким образом, оставляет возможность для улучшения в показателях надежности. Органическая изолирующая пленка 151а очевидно может удаляться только из области вывода, и первый слой проводки 161 размещаться на самом верхнем слое, но в этом случае также надежность первого слоя проводки 161 будет уменьшаться из-за влияния внешней влаги.
Настоящая заявка притязает на приоритет согласно Парижской конвенции и законам отдельных стран, на основании заявки на патент Японии за номером №2008-257681, поданной 2 октября 2008. Вся совокупность содержимого поданной заявки включена в данную заявку в виде ссылки.
ПОЯСНЕНИЕ ЧИСЛОВЫХ ССЫЛОЧНЫХ ПОЗИЦИЙ
10: жидкокристаллический слой
11, 12, 13, 14, 15, 16: TFT подложка
21: изолирующая подложка
22: пленка базового покрытия
23: полупроводниковый слой
24: изолятор затвора
25: электрод затвора (проводка затвора)
26: контактный вывод (внешний контактный вывод)
27: контактная площадка
28: электрод истока/стока
29: TFT
30а, 30b, 30с, 30d, 30е: проводка схемных соединений
31а, 31b, 31с, 31d, 31е, 31f, 31g, 31h, 31i, 31j: контактное отверстие
32a, 32b, 32c, 32d: фотошаблон
33a, 33b, 33c: резист
34: электрод истока
35: электрод стока
36: электрод пиксела
37: ориентирующая пленка
38: газообразное вещество
39: герметизирующий материал (область герметизации)
41, 41а, 41b, 41с: неорганическая изолирующая пленка
51, 51а, 51b: органическая изолирующая пленка
52: светочувствительная смоляная пленка
61: первый слой проводки
62: второй слой проводки
63: третий слой проводки
65: проводка стока
66а, 66b: верхний электрод запоминающего конденсатора
67: нижний электрод запоминающего конденсатора
68а, 68b: запоминающий конденсатор пиксела
69: ближайший нижний слой проводки
70: плата FPC
71: контактный вывод
72: герметизирующая подложка
73: перегородка
74: электролюминесцентная (EL) пленка
75: верхний электрод
76: UV-отверждаемый связующий материал
80: пленка с анизотропной проводимостью (ACF)
81: проводящие микрочастицы
90: CF подложка
91: изолирующая подложка
92: черная матрица
93: цветовой фильтр
94: общий электрод
95: ориентирующая пленка
100, 200, 300, 400, 500, 700: жидкокристаллическое устройство отображения
800: органический EL дисплей.