УСТРОЙСТВО ХРАНЕНИЯ ДАННЫХ

1. Энергонезависимое электрическое устройство хранения данных, содержащее блок памяти в форме карты и блок (11) считывания/записи, выполненные в виде физически разделенных блоков, причем блок памяти содержит запоминающий слой (4) из запоминающего материала, способного находиться, по меньшей мере, в двух различимых физических состояниях, и/или устанавливаться в одно из указанных состояний, или переключаться между ними при приложении к нему электрического поля, тогда как указанные, по меньшей мере, два различимые физические состояния различаются значениями сопротивления или поляризации, а электрическое поле прикладывается в заданных точках и в заданных направлениях, определяя тем самым в заданных позициях в объеме запоминающего материала ячейки памяти, имеющие заданную протяженность, для хранения данных, задаваемых в форме логического значения, приписанного различимому физическому состоянию, в которое устанавливается соответствующая ячейка памяти приложенным к ней электрическим полем, а указанное логическое значение может быть определено и считано приложением к ячейке памяти разности потенциалов, при этом блок памяти содержит сплошной слой (4) запоминающего материала и общий нижний электрод (2), взаимодействующий и контактирующий с запоминающим слоем (4), а блок (11) считывания/записи выполнен перемещаемым, например вручную, и содержит массив контактных средств (9), имеющий заданную геометрическую конфигурацию и обеспечивающий, при сопряжении блока считывания/записи с блоком памяти для осуществления первой операции записи, когда запоминающий слой (4) находится в начальном состоянии, формирование массива ячеек памяти в виде точек данных с геометрической конфигурацией, точно соответствующей указанной конфигурации контактных средств (9) в блоке (11) считывания/записи,
отличающееся тем, что блок памяти содержит взаимодействующий и контактирующий с запоминающим слоем (4) общий верхний электрод (5), который выполнен из анизотропно проводящего материала, в результате чего установление стационарного контакта между верхним электродом (5) и массивом контактных средств (9) блока (11) считывания/записи при выполнении операции первой записи в запоминающем слое блока памяти, находящемся в начальном состоянии, обеспечивает формирование в запоминающем слое (4) в точках, в которых с ним вступают в контакт контактные средства (9), ячеек памяти, геометрическая конфигурация которых совпадает с геометрической конфигурацией контактных средств (9) в блоке (11) считывания/записи, при этом анизотропная проводимость верхнего электрода (5) выбрана такой, что геометрическая протяженность ячейки памяти, формируемой при приложении разности потенциалов к запоминающему слою в процессе первой записи, ограничивается протяженностью индивидуального контактного средства (9).
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что контактные средства (9) блока (11) считывания/записи выполнены в виде одного или более линейных массивов или в виде квадратной или прямоугольной матрицы, причем указанные линейные массивы образуют строки и столбцы прямоугольной или квадратной матрицы.
3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что ячейки памяти, образованные в блоке памяти, сформированы в виде одного или более линейных массивов или в виде квадратной или прямоугольной матрицы, причем указанные линейные массивы образуют строки и столбцы прямоугольной или квадратной матрицы.
4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что контактные средства (9) блока (11) считывания/записи выполнены с возможностью подключения к ним драйверных, распознающих и управляющих средств, находящихся в блоке (11) считывания/записи или в подключенном к нему периферийном блоке.
5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что запоминающий материал является ферроэлектрическим или электретным материалом, способным поляризоваться в любом из двух противоположных направлений и обладающим гистерезисом, а данные, хранящиеся в ячейках памяти, сформированных в ферроэлектрическом или электретном запоминающем материале, задаются приписыванием логического значения каждому из состояний остаточной поляризации.
6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что ферроэлектрический или электретный запоминающий материал является неорганическим керамическим материалом типа перовскита, олигомером, полимером или сополимером, таким как поли(винилиденфторид-трифторэтилен).
7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что запоминающий материал является резистивным диэлектрическим материалом с линейной или нелинейной характеристикой активного сопротивления, значение которого может быть задано приложением к материалу соответствующей разности потенциалов или соответствующего электрического поля, с обеспечением возможностей хранения данных в ячейках памяти в форме различных значений указанного активного сопротивления, которым приписаны различные логические значения, а также считывания и распознавания хранящихся логических значений приложением к запоминающему материалу соответствующей разности потенциалов, не приводящей к изменению установленного значения активного сопротивления ячейки памяти.
8. Устройство по п.7, отличающееся тем, что резистивный запоминающий материал является соединением фталоцианина, органическим соединением на основе небольшой молекулы, металлорганической солью, например типа M(TCNQ), олигомером, полимером или сополимером.
9. Устройство по п.7, отличающееся тем, что содержит слой неорганического или органического полупроводникового материала, расположенного между запоминающим слоем (4) на основе резистивного запоминающего материала и верхним электродом (5), так что в области контакта слоя полупроводникового материала и верхнего электрода (5) сформирован диодный переход.