ОРГАНИЧЕСКИЙ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД СО СЛОЕМ МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ

1. Органический светоизлучающий диод (10), содержащий
Подложку и
слой модификации поверхности, расположенный над подложкой, включающий в себя
первую пленку по меньшей мере над частью подложки, имеющую первый коэффициент расширения, причем первая пленка содержит наночастицы, и
вторую пленку по меньшей мере над частью первой пленки, имеющую второй коэффициент расширения и содержащую выступы и углубления,
о
-6
при этом первый коэффициент расширения больше, чем второй коэффициент расширения, причем первый коэффициент расширения больше 100 (при 20С, 10 м/мК).
2. Органический светоизлучающий диод по п. 1, в котором вторая пленка находится в непосредственном контакте с первой пленкой.
3. Органический светоизлучающий диод по п. 1, в котором наночастицы представляют собой оксид металла.
4. Органический светоизлучающий диод по п. 3, в котором оксид металла выбран из группы, состоящей из оксида алюминия, диоксида титана, оксида церия, оксида цинка, оксида олова, диоксида кремния, пирогенного диоксида кремния и диоксида циркония.
5. Органический светоизлучающий диод по п. 1, в котором вторая пленка содержит оксид, оксид металла, нитридную или оксинитридную пленку, имеющую металл, выбранный из группы, содержащей Zn, Fe, Mn, Al, Ce, Sn, Sb, Gf, Zr, Ni, Zn, Bi, Ti, Co, Cr, Si и In.
6. Органический светоизлучающий диод по п. 1, в котором вторая пленка тоньше, чем первая пленка.
7. Органический светоизлучающий диод по п. 1, в котором вторая пленка содержит оксид, выбранный из группы, состоящей из оксида алюминия, диоксида кремния, оксида цинка, диоксида циркония и их комбинаций.
8. Органический светоизлучающий диод по п. 1, в котором вторая пленка содержит оксид алюминия и диоксид кремния.
9. Органический светоизлучающий диод по п. 1, в котором вторая пленка содержит полиалкилсилоксан.
о
-6
10. Органический светоизлучающий диод по п. 1, в котором второй коэффициент расширения составляет по меньшей мере 4 (при 20С, 10 м/мК).
11. Органический светоизлучающий диод по п. 1, также содержащий первый электрод над слоем модификации поверхности, излучающий слой над первым электродом и второй электрод над излучающий слоем.
12. Способ изготовления слоя модификации поверхности, содержащий этапы, на которых
формируют первую пленку, имеющую первый коэффициент расширения, по меньшей мере над частью подложки, при этом подложка представляет собой стекло или прозрачный полимерный материал, причем первая пленка содержит наночастицы;
нагревают подложку, покрытую первой пленкой, до повышенной температуры, достаточной для того, чтобы вызвать расширение первой пленки до второй площади поверхности;
формируют вторую пленку, имеющую второй коэффициент расширения, над первой пленкой, в то время, когда первая пленка расширилась до второй площади поверхности;
охлаждают подложку, покрытую первой пленкой и второй пленкой, в результате чего образуются выступы и углубления во второй пленке,
при этом первый коэффициент расширения больше, чем второй коэффициент расширения; и
формируют активный пакет над второй пленкой.
13. Способ по п. 12, в котором вторая пленка содержит оксид металла.
14. Способ по п. 13, в котором оксид металла выбран из группы, состоящей из оксида алюминия, диоксида кремния, оксида цинка, диоксида циркония и их комбинаций.
15. Способ по п. 13, в котором оксид металла представляет собой смесь оксида алюминия и диоксида кремния.
16. Способ по п. 12, в котором наночастицы выбраны из группы, состоящей из оксида алюминия, диоксида титана, оксида церия, оксида цинка, оксида олова, диоксида кремния, пирогенного диоксида кремния и диоксида циркония.
17. Способ по п.12, в котором первая пленка содержит от 0,01 до 5 мас.% наночастиц.
°
-6
18. Способ по п.12, в котором первый коэффициент расширения составляет по меньшей мере 100 (при 20С, 10 м/мК).
°
-6
19. Способ по п.18, в котором второй коэффициент расширения составляет не более чем 100 (при 20С, 10 м/мК).
20. Способ по п.12, в котором первая пленка содержит полиалкилсилоксан.