ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ МНОГОПРОХОДНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА

1
2
Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая узкозонную область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью понижения пороговой плотности тока накачки, между упомянутыми широкозонными слоями введены, по крайней мере, два дополнительных слоя с разными ширинами запрещенной зоны, меньшими ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, а суммарная толщина дополнительных слоев не менее обратной величины меньшего коэффициента поглощения в них излучения из области излучательной рекомбинации, но не более диффузионной длины неосновных носителей в этих слоях, толщина наиболее узкозонного дополнительного слоя d меньше толщины второго дополнительного слоя d в число раз, определяемое из соотношения
i
а разность ширины запрещенной зоны Δ области излучательной рекомбинации и каждого из дополнительных слоев выбрана из соотношения
i
где P - концентрация основных носителей дополнительного слоя (i=1,2);
i
τ - время жизни неосновных носителей дополнительного слоя;
gi
E - ширина запрещенной зоны дополнительного слоя;
i
d - толщина дополнительного слоя;
P, τ, d - соответствующие параметры области излучательной рекомбинации;
L - диффузионная длина неосновных носителей в этой области;
К - постоянная Больцмана;
Т - температура структуры, K;
i
S - скорость поверхностной рекомбинации на гетерограницах дополнительного слоя.