СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

3
3
Способ химического травления полупроводников, включающий обработку поверхности полупроводников, отличающийся тем, что обработку поверхности полупроводников ведут в травителе, состоящей из следующих компонентов: фтористоводородной (HF), азотной (HNO) и уксусной (СНСООН) кислот в соотношении 1:6:3, время обработки 6 мин, при этом процент выхода годных приборов составил 98%.