СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БСИТ-ТРАНЗИСТОРА С ОХРАННЫМИ КОЛЬЦАМИ

Способ изготовления БСИТ с охранными кольцами, отличающийся тем, что в полупроводниковой подложке формируется на эпитаксиальном обедненном слое первого типа проводимости, окисление эпитаксиального слоя, осаждение нитрида кремния, формирование защитного фоторезистивного слоя, плазмохимическое травление нитрида кремния для формирования карманов первого типа проводимости без задубливания до слоя окисла кремния, формирование области затвора, снятие фоторезистивного слоя, травление окисла кремния для формирования подзатворной области, отмывка пластин, формирование охранной области посредством диффундирования окон вторым типом проводимости, низкотемпературное окисление поверхности, сквозное формирование области затвора в уже сформированной охранной области, снятие боросиликатного стекла, разгонка диффузанта при повышенной температуре, отмывка пластин, формирование затворной области диффундированием реагента первого типа проводимости, разгонка сформированного слоя в окнах, раскисление образовавшегося боросиликатного стекла в паре, формирование фоторезистивного слоя на всей поверхности кристалла, плазмохимическое травление нитрида кремния для формирования окон второго типа проводимости, формирование истоковой области, травление силикатного стекла и окисла кремния под маску нитрида кремния, окисление истоковой области, плазмохимическое травление нитрида кремния до толщины окисла кремния, отмывка пластины, нанесение третьего слоя фоторезиста, травление силикатного стекла, формирование омических контактов к истоковой области, особое напыление нескольких слоев металлов на обратную сторону пластины,