МИКРОСХЕМА

Предполагаемая полезная модель относится к области электронной техники, а именно - к технологии сборки интегральных схем и полупроводниковых приборов.
Известна микросхема, состоящая из корпуса, траверс для приварки гибких выводов, кристалла с контактными площадками под сварку гибких выводов шариком и клином, гибких выводов соединяющих контактные площадки кристалла с траверсами и дном кристалла (см. книгу Shankara K. Prasad, Advanced wirebond interconnection technology, стр. 31). Сварка гибкого вывода шариком на контактную площадку позволяет уменьшить размер контактной площадки до 3 диаметров гибкого вывода, что экономит размер кристалла.
Недостатком данной микросхемы, является то, что для приварки гибких выводов к металлизированной площадке для монтажа кристалла необходим увеличенный зазор между стенками колодца корпуса и кристаллом для размещения инструмента приварки, поэтому размеры колодца корпуса необходимо увеличивать, например, на 100-200 мкм при диаметре проволоки 25-50 мкм, что ухудшает массогабаритные показатели корпуса.
Наиболее близкой к предлагаемой полезной модели является микросхема состоящая из корпуса, траверс для приварки гибких выводов, нескольких кристаллов с контактными площадками под сварку гибких выводов шариком и клином, гибких выводов соединяющих контактные площадки одного кристалла с контактными площадками другого кристалла (см. книгу James J. Licari. Hybrid Microcircuit Technology Handbook, 2nd Edition, pp. 25, 28, 29).
Недостатком данной микросхемы является то, что при формировании гибкого сварного соединения выводов между двумя соседними кристаллами микросхем на одном из кристаллов получается сварное соединение клином.
Кроме того, при сварке клином гибких выводов в виде проволоки на контактные площадки кристалла, на сварочной точке со стороны противоположной гибкому выводу остается хвостик гибкого вывода, который может закоротить металлизацию микросхемы или разрушить защитное покрытие, поэтому размеры площадки под сварку клином делают размером не менее 5 диаметров гибкого вывода.
Техническим результатом данной полезной модели является улучшение массогабаритных показателей корпуса за счет уменьшения размеров контактных площадок, на которых формируется сварное соединение клином и повышение надежности микросхемы за счет исключения возможности появления замыкания металлизации кристалла хвостиком гибкого вывода.
Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известных микросхем, состоящих из корпуса, траверс для приварки гибких выводов, нескольких кристаллов с контактными площадками под сварку гибких выводов шариком и клином, гибких выводов соединяющих контактные площадки одного кристалла с контактными площадками другого кристалла, в предлагаемой микросхеме контактные площадки кристаллов под сварку клином имеют на площадке сварное соединение шариком без гибкого вывода, к которому производится разварка клином.
Сварное соединение на контактных площадках кристалла клином к сварным шарикам без гибкого вывода исключает возможность появления замыкания хвостиком гибкого вывода, металлизации кристалла и повреждения защитного покрытия и позволяет использовать контактные площадки меньшего размера (вместо 5 диаметров проволоки - 3 диаметра проволоки).
Кроме того, данное техническое решение можно использовать при формировании гибких выводов между металлизированной площадкой для монтажа кристалла и контактных площадок кристалла. При этом сварка шариком осуществляется с дном кристалла, а на кристалле производят сварку клином к шарикам без гибкого вывода.
Сущность предлагаемой полезной модели поясняется фигурой. На фиг. 1 изображена конструкция микросхемы, состоящей из керамического корпуса, кристаллов и гибких сварных соединений.
Позициями на фиг. 1 обозначены:
1 - корпус;
2 - сварной вывод (шарик-клин);
3 - гибкий вывод (шарик-клин);
4 - траверса корпуса;
5 - кристалл №1;
6 - металлизированная площадка для монтажа кристаллов;
7 - предварительно сформированные сварные шарики без гибкого вывода;
8 - кристалл №2.
Микросхема, представленная на фиг. 1, состоит из корпуса 1, металлизированной площадки для монтажа кристаллов 6, кристаллов 5 и 8, сварных выводов (шарик-клин) 2, соединяющих контактные площадки кристаллов 5 и 8, траверсы корпуса 4, предварительно сформированных сварных шариков без гибкого вывода 7, гибких выводов (шарик-клин) 3, соединяющих контактные площадки одного кристалла с контактными площадками другого кристалла.
Изготовление предлагаемого устройства осуществляется следующим образом. Вначале на металлизированную площадку для монтажа кристаллов 6 корпуса 1 производится припайка кристаллов 5 и 8 при помощи эвтектического припоя золото-кремний. Затем термокомпрессионной сваркой золотой проволоки диаметром 50 мкм через капилляр создают сварные выводы 2, причем их сварные соединения формируют шариком на контактных площадках кристаллов 5 и 8 и клином на контактных площадках траверсы 4. Затем на контактных площадках кристалла 8 под сварку выводов на площадку под монтаж кристалла формируют сварные шарики без гибкого вывода 7. После этого производят формирование гибких выводов 3 между контактной площадкой кристалла 5 и предварительно сформированными сварными шариками без гибкого вывода 7 на контактных площадках кристалла 8.
Сварное соединение на контактных площадках кристалла 8 клином к предварительно сформированным сварным шарикам без гибкого вывода 7 исключает возможность появления замыканий хвостиком гибкого вывода 3 металлизации кристалла и повреждения защитного покрытия и позволяет использовать контактные площадки меньшего размера (вместо 5 диаметров проволоки - 3 диаметра проволоки).