СПОСОБ АНАЛИЗА ВЕЩЕСТВА

1. Способ анализа вещества, включающий следующие шаги:
- изготовление структуры, включающей вышеупомянутое вещество и не менее одного графенового слоя;
- проведение не менее одного шага измерений в отношении вышеуказанной структуры; и
- анализ результатов указанного шага измерений для получения не менее одного результата анализа вышеупомянутого вещества.
2. Способ по п. 1, в котором в слое (слоях) графена изготавливается не менее одного участка криволинейной поверхности вблизи вещества.
3. Способ по п. 2, в котором шаг изготовления структуры дополнительно включает шаг добавления усиливающего поле материала, при этом вещество отделяется от усиливающего поле материала посредством не менее одного слоя графена.
4. Способ по п. 3, в котором структура изготавливается таким образом, что и слой (слои) графена и усиливающий поле материал имеют участок криволинейной поверхности вблизи закрытого вещества.
5. Способ по п. 4, в котором шаг измерений включает шаги создания электромагнитного излучения и направления электромагнитного излучения в сторону вещества.
6. Способ по п. 5, в котором длина волны электромагнитного излучения попадает в диапазон длины волны, в котором электромагнитное излучение может возбуждать усиливающий поле материал или слой графена с образованием вторичных электромагнитных полей, которые увеличивают амплитуду электромагнитного излучения внутри вещества.
2
7. Способ по п. 6, в котором усиливающий поле материал состоит из или включает один или несколько из следующих материалов: металл, графит и MoS.
8. Способ по п. 1, в котором вышеупомянутый шаг выполнения не менее одного шага измерений включает следующие шаги:
- создание электромагнитного излучения в УФ, видимом и (или) инфракрасном диапазоне и направление электромагнитного излучения в сторону закрытого вещества, а также
- возбуждение слоя графена для образования вторичных полей, которые увеличивают амплитуду излучения внутри вещества.
9. Способ по п. 1, в котором шаг изготовления структуры включает следующие шаги:
- подготовка подложки;
- расположение вещества на подложке; а также
- покрытие подложки и вещества хотя бы одним слоем графена.
10. Способ по п. 9, в котором:
- подложка состоит из моноклинного силиката или хотя бы имеет поверхность из моноклинного силиката;
- вещество располагается на поверхности подложки из моноклинного силиката; и
- вещество покрыто хотя бы одним слоем графена.
11. Способ по п. 1, в котором шаг изготовления структуры включает расположение вещества между двумя и более слоями графена.
12. Способ по п. 1, в котором шаг изготовления структуры включает следующие шаги:
- подготовка подложки, состоящей из или включающего усиливающий поле материал, при этом подложка имеет как минимум одно отверстие для расположения вещества на подложке;
- размещение не менее одного слоя графена на подложке; и
- закладка вещества в вышеупомянутое отверстие, при этом хотя бы один слой графена отделяет вещество от подложки.
13. Способ по п. 1, в котором анализируемое вещество включает одно или несколько из следующих веществ: одиночная молекула, совокупность одиночных молекул, самособранные молекулярные слои, полимерная молекула, совокупность полимерных молекул, вещество с термической, химической и (или) механической нестабильностью, ДНК, РНК, белок, синтетический полинуклеотид, полипептид.
14. Способ по п. 1, в котором вышеупомянутый хотя бы один шаг измерений включает метод зондового сканирования, и/или спектроскопию КР, и/или инфракрасную спектроскопию, и/или сканирующую туннельную микроскопию, и/или сканирующую туннельную спектроскопию, и/или сканирующую зондовую микроскопию, и/или поверхностно-усиленную спектроскопию КР.
2
15. Способ по п. 1, в котором структура изготавливается с использованием подложки, состоящей из или хотя бы включающего один или несколько из следующих материалов: графит, подложка, покрытая хотя бы одним слоем графена, материал слюдяной группы, MoS, стекло, позолота и кремниевая подложка.