СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-СТРУКТУР НА InAs ДЛЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ФОТОПРИЕМНИКОВ

1. Способ изготовления МДП-структур на InAs для многоэлементных фотоприемников, заключающийся в том, что полупроводниковую подложку погружают в электролит, содержащий органический растворитель, электропроводящий компонент и фторсодержащую добавку, и осуществляют анодирование, создавая слой, формирующий границу раздела, затем подложку извлекают и на тонком слое, формирующем границу раздела, выращивают слой диэлектрика, получая в результате двухслойную диэлектрическую пленку, после чего осуществляют формирование затвора, отличающийся тем, что в электролите используют в качестве электропроводящего компонента компонент кислотного характера, а фторсодержащую добавку берут в количестве, равном от 0,1 до 15 г/л.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют безводный электролит.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в электролите в качестве электропроводящего компонента кислотного характера используют ортофосфорную кислоту, а в качестве органического растворителя используют изопропиловый спирт и глицерин.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что в электролите в качестве электропроводящего компонента кислотного характера используют ортофосфорную кислоту, а в качестве органического растворителя используют изопропиловый спирт и глицерин.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве фторсодержащей добавки используют фторид аммония.
6. Способ по п.3 или 4, отличающийся тем, что ортофосфорная кислота, изопропиловый спирт и глицерин взяты в соотношении 5:65:30 по объему.
2
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что осуществляют анодирование в гальваностатическом режиме при плотности тока 0,1 мА/см.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой, формирующий границу раздела, выращивают толщиной от 10 до 15 нм.
2
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что на тонком слое, формирующем границу раздела, выращивают слой диэлектрика SiO, являющегося химически инертным и обеспечивающего высокие диэлектрические свойства двухслойной диэлектрической пленке, толщиной 140 нм в реакторе пониженного давления при 220°С.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что затвор формируют методом взрывной литографии, в качестве материала затвора используют слой окиси индия толщиной 120 нм, полученный ионно-плазменным напылением.