АКТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ МАЗЕРА С ОПТИЧЕСКОЙ НАКАЧКОЙ И МАЗЕР С ОПТИЧЕСКОЙ НАКАЧКОЙ

1. Активный материал для мазера с оптической накачкой, состоящий из кристалла углеродсодержащего материала, содержащего парамагнитные вакансионные дефекты.
2. Активный материал по п.1, в котором кристаллом углеродсодержащего материала является кристалл алмаза, содержащего парамагнитные вакансионно-азотные (NV)-дефекты.
3. Активный материал по п.2, в котором кристалл алмаза представляет собой нанокристалл.
4. Активный материал по п.2, в котором кристалл алмаза содержит уменьшенное содержание изотопа С13 с ядерным магнитным моментом.
5. Активный материал по п.1, в котором кристаллом углеродсодержащего материала является кристалл карбида кремния, содержащего парамагнитные вакансионные дефекты кремния.
6. Активный материал по п.5, в котором кристалл карбида кремния представляет собой нанокристалл.
7. Активный материал по п.5, в котором кристалл карбида кремния содержит уменьшенное содержание изотопов С13 и/или Si29 с ядерным магнитным моментом.
8. Мазер с оптической накачкой, включающий генератор сверхвысокой частоты (СВЧ), циркулятор, магнит, между полюсами которого размещен резонатор со светопрозрачным окном, активный материал, помещенный внутрь резонатора, и источник импульсного или непрерывного света, оптически связанный через светопрозрачное окно резонатора с активным материалом, при этом выход генератора СВЧ соединен коаксиальным кабелем или волноводом с входом циркулятора, вход/выход которого подключен коаксиальным кабелем или волноводом к входу резонатора, а активный материал является кристаллом углеродсодержащего материала, содержащего парамагнитные вакансионные дефекты.
9. Мазер по п.8, в котором кристаллом углеродсодержащего материала является кристалл алмаза, содержащего парамагнитные вакансионно-азотные (NV)-дефекты.
10. Активный материал по п.9, в котором кристалл алмаза представляет собой нанокристалл.
11. Активный материал по п.9, в котором кристалл алмаза содержит уменьшенное содержание изотопа С13 с ядерным магнитным моментом.
12. Мазер по п.8, в котором кристаллом углеродсодержащего материала является кристалл карбида кремния, содержащего парамагнитные вакансионные дефекты кремния.
13. Активный материал по п.12, в котором кристалл карбида кремния представляет собой нанокристалл.
14. Активный материал по п.12, в котором кристалл карбида кремния содержит уменьшенное содержание изотопов С13 и/или Si29 с ядерным магнитным моментом.