СПОСОБ ДОВОДКИ ОРИЕНТАЦИИ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ ЭПИТАКСИИ АЛМАЗА

Способ доводки ориентации подложек для эпитаксии алмаза, заключающийся в том, что в способе доводки ориентации пластин полупроводниковых и оптических материалов, включающем закрепление монокристаллической подложки в оправке поворотного устройства, выполненного с возможностью плавного поворота вокруг оси в двух взаимно перпендикулярных направлениях с фиксацией и контролем угла поворота, отличающийся тем, что на кромке исходной поверхности подложки полируют корректирующую площадку под заданным углом разориентации с выбранной гранью, измеряют рельеф площадки с помощью оптического профилометра с разрешением по вертикали не хуже 1 нм, сравнивают заданный и действительные углы, и в случае их расхождения производят поворот подложки на откорректированный угол, под которым полируют всю ростовую поверхность, при этом площадь корректирующей площадки находится в пределах 1-5% от общей площади подлежащей доводке грани, что позволяет проводить доводку ориентации монокристаллических подложек без переустановок и переполировок с точностью не хуже цены деления нониуса угломера.