СИСТЕМА И СПОСОБ РАСПОЛОЖЕНИЯ НАГРЕВАТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА В УСТРОЙСТВЕ ДЛЯ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

1. Устройство для роста кристаллов, содержащее:
исходные материалы, принимаемые в тигле, тигель, расположенный в устройстве; и
нагревательный элемент, расположенный в устройстве, причем нагревательный элемент содержит, по меньшей мере, первый нагревательный компонент, соединенный во включенном состоянии со вторым нагревательным компонентом, первый и второй нагревательные компоненты выполнены с возможностью нагрева и плавления исходных материалов.
2. Устройство для роста кристаллов по п.1, в котором первый и второй нагревательные компоненты соединены через одну и ту же схему.
3. Устройство для роста кристаллов по п.1, в котором первый и второй нагревательные компоненты электрически соединены друг с другом.
4. Устройство для роста кристаллов по п.1, в котором первый и второй нагревательные компоненты термически соединены друг с другом.
5. Устройство для роста кристаллов по п.1, также содержащее, по меньшей мере, одну скобу, выполненную с возможностью соединения, по меньшей мере, одного компонента из первого нагревательного компонента и второго нагревательного компонента с установкой.
6. Устройство для роста кристаллов по п.5, в котором, по меньшей мере, одна скоба выполнена с возможностью соединения первого и второго нагревательных компонентов.
7. Устройство для роста кристаллов по п.5, в котором, по меньшей мере, одна скоба имеет такой размер, что, по меньшей мере, один компонент из первого и второго нагревательных компонентов расположен на заданном расстоянии от тигля.
8. Устройство для роста кристаллов по п.1, также содержащее множество скоб, расположенных на нагревательном элементе, для соединения нагревательного элемента с установкой.
9. Устройство для роста кристаллов по п.8, также содержащее множество крепежных элементов для приема их в скобах.
10. Устройство для роста кристаллов по п.1, в котором первый и второй нагревательные компоненты размещены вдоль верхней части и боковых частей тигля соответственно.
11. Устройство для роста кристаллов, содержащее:
исходные материалы, получаемые в тигле, тигель, расположенный в устройстве; и
нагревательный элемент, расположенный в устройстве, причем нагревательный элемент содержит, по меньшей мере, первый нагревательный компонент, соединенный со вторым нагревательным компонентом с помощью, по меньшей мере, одной скобы, при этом первый и второй нагревательные компоненты выполнены с возможностью нагрева и плавления исходных материалов.
12. Устройство для роста кристаллов по п.11, в котором, по меньшей мере, одна скоба имеет такой размер, что нагревательный элемент расположен на заданном расстоянии от тигля.
13. Устройство для роста кристаллов по п.11, в котором, по меньшей мере, одна скоба выполнена с возможностью соединения нагревательного элемента с установкой.
14. Устройство для роста кристаллов по п.11, в котором первый и второй нагревательные компоненты соединены через одну и ту же схему.
15. Способ расположения нагревательного элемента в устройстве для роста кристаллов, включающий стадии, на которых:
осуществляют прием исходных материалов в тигле, расположенном в устройстве; и
размещают нагревательный элемент относительно тигля, причем нагревательный элемент содержит, по меньшей мере, первый нагревательный компонент, соединенный в рабочем состоянии со вторым нагревательным компонентом, при этом первый и второй нагревательные компоненты выполнены с возможностью нагрева и плавления исходных материалов.