СИСТЕМА ЭЛЕКТРОДОВ ДЛЯ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИМ БАРЬЕРОМ

1. Система электродов  для плазменной обработки с диэлектрическим барьером используемой в качестве противоэлектрода поверхности электрически проводящего тела, с гибким плоским электродом (1) и диэлектриком (2) из плоского гибкого материала, который посредством слоя (3), предотвращающего протекание постоянного тока, экранирует электрод (1) от обрабатываемой поверхности, причем диэлектрик (2) может прилегать к обрабатываемой поверхности через структуру с выступами, и при этом между выступами образованы воздушные полости для формирования плазмы, отличающаяся тем, что структура представляет собой решетчатую структуру (6) из примыкающих друг к другу стенок (7, 8), которые отграничивают многочисленные камеры (9), образующие воздушные полостями, и при этом камеры (9) имеют на стороне дна ограждение посредством предотвращающего протекание постоянного тока слоя (3) диэлектрика (2) и открытую к обрабатываемой поверхности сторону, поверхность контакта которой с обрабатываемой поверхностью состоит из концевых кромок (10) стенок (7, 8) решетчатой структуры (6).
2. Система электродов  по п.1, отличающаяся тем, что решетчатая структура (6) состоит из стоящих под углом друг к другу групп многочисленных стенок (7, 8), из которых одна камера (9) в каждом случае ограничена двумя пересекающимися парами стенок (7, 8).
3. Система электродов  по п.2, отличающаяся тем, что стенки (7, 8) в группах проходят параллельно друг другу.
4. Система электродов  по п.3, отличающаяся тем, что существуют две группы стенок (7, 8), стенки (7, 8) которых стоят перпендикулярно друг к другу.
5. Система электродов  по п.4, отличающаяся тем, что стенки (7, 8) ограничивают квадратные в поперечном сечении камеры (9).
6. Система электродов  по п.1, отличающаяся тем, что камеры (9) сформированы с круглым, овальным или многоугольным поперечным сечением, в частности, в виде сотовой структуры.
7. Система электродов  по одному из пп. 1-6, отличающаяся тем, что толщина материала стенок (7, 8) составляет менее 20% наибольшей ширины камеры (9).
8. Система электродов  по п.7, отличающаяся тем, что толщина материала стенок (7, 8) составляет менее 10% наибольшей ширины камеры (9).
9. Система электродов  по одному из пп. 1-8, отличающаяся тем, что толщина материала стенок (7, 8) составляет между 0,1 и 1,0 мм.
10. Система электродов  по одному из пп. 1-9, отличающаяся тем, что высота стенок (7, 8) над предотвращающим протекание постоянного тока слоем (3) диэлектрика (2) составляет между 0,05 и 3,0 мм.
11. Система электродов  по одному из пп. 1-10, отличающаяся тем, что решетчатая структура (6) сформирована в виде единой детали с предотвращающим протекание постоянного тока слоем (3) диэлектрика (2).
12. Система электродов  по одному из пп. 1-10, отличающаяся тем, что решетчатая структура (6) изготовлена как отдельная деталь и присоединена к предотвращающему протекание постоянного тока слою (3) диэлектрика (2).
13. Система электродов  по одному из пп. 1-12, отличающаяся тем, что плоский электрод (1) имеет сквозные отверстия (11), распределенные по его поверхности, и при этом диэлектрик (2), экранирующий электрод (1), проходит по обеим сторонам плоского электрода (1) и снабжен сквозными отверстиями (12), выполненными для отведения текучей среды от обрабатываемой поверхности, которые являются соосными со сквозными отверстиями (11) электрода (1) и имеют меньшие размеры, чем сквозные отверстия (11) электрода (1), так что диэлектрик (2) полностью покрывает электрод (1) также и в области сквозных отверстий (11).
14. Система электродов  по п.13, отличающаяся тем, что сквозные отверстия (12) в слое (3), предотвращающем протекание постоянного тока, являются соосными с камерами (9) решетчатой структуры (6).
15. Система электродов  по одному из пп. 1-14, отличающаяся тем, что структура (6) состоит из диэлектрического материала.