ФОТОДИОДЫ И ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЕ

1. Лавинный фотодиод, работающий в режиме Гейгера, содержащий:
анод (1202, 1302, 1402);
катод (1306, 1406);
углубленный компонент (502, 1312, 1412);
вертикальный электрод (702, 1314, 1414), имеющий электрическую связь в рабочем состоянии с углубленным компонентом.
2. Фотодиод по п.1, в котором углубленный компонент содержит углубленный полупроводниковый слой, и лавинный фотодиод, работающий в режиме Гейгера, содержит полупроводниковую подложку (402) и считывающие схемы (1102), при этом лавинный фотодиод, работающий в режиме Гейгера, и считывающие схемы сформированы на подложке, вертикальный электрод и углубленный полупроводниковый слой формируют изолирующий карман, и считывающие схемы расположены за пределами изолирующего кармана.
3. Фотодиод по п.1, содержащий изолирующую канавку (602), которая окружает активную площадь фотодиода, при этом вертикальный электрод расположен на той стороне изолирующей канавки, которая обращена к активной области.
4. Фотодиод по п.1, в котором компонент содержит углубленное охранное кольцо (1312, 1412), и вертикальный электрод имеет электрическую связь в рабочем состоянии с углубленным охранным кольцом.
5. Способ изготовления полупроводникового устройства, которое содержит лавинный фотодиод, работающий в режиме Гейгера, при этом способ содержит следующие этапы:
формируют глубокую изолирующую канавку (602, 1308, 1408) в полупроводниковом материале;
формируют компонент (902, 1312, 1412) фотодиода в полупроводниковом материале;
формируют электрод (702, 1314, 1414) вдоль боковой стенки изолирующей канавки, причем электрод находится в электрическом контакте с компонентом.
6. Способ по п.5, в котором полупроводниковое устройство содержит КМОП-схемы, и способ содержит этапы, заключающиеся в том, что
формируют область (902) усиления поля в полупроводниковом материале;
изготавливают КМОП-схемы;
отжигают полупроводниковый материал для устранения дефекта, образующегося в результате формирования области усиления поля, при этом этап отжига выполняют до этапа изготовления.
7. Способ по п.5, в котором полупроводниковое устройство содержит КМОП-схемы, и способ содержит этап осаждения металла в изолирующей канавке во время конечной обработки КМОП-схем.
8. Способ по п.5, в котором полупроводниковое устройство содержит КМОП-схемы, и способ содержит этап формирования фотодиодного оптического окна во время конечной обработки КМОП-схем.
9. Способ по п.5, в котором компонент является углубленным слоем (502), и электрод и углубленный слой формируют изолирующий карман, который окружает область фотодиода.
10. Способ по п.5, содержащий этапы, заключающиеся в том, что
формируют углубленный слой неглубокой ионной имплантацией или диффузией;
выращивают эпитаксиальный слой (504) над углубленным слоем.
11. Способ по п.5, в котором компонент является углубленным охранным кольцом (1312, 1412).
12. Способ по п.5, в котором этап формирования электрода содержит операцию диффузии.
13. Способ по п.5, в котором этап формирования глубокой канавки содержит этап травления канавки до первой глубины до формирования электрода и этап травления канавки до второй глубины после формирования электрода.
14. Способ по п.5, в котором способ содержит этап формирования полевой пластины в канавке.
15. Способ по п.14, в котором полупроводниковый материал содержит высоколегированную подложку, и, при этом полевая пластина имеет рабочее электрическое соединение с подложкой.