КВЧ-УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭЛЕКТРОТЕРАПИИ

Полезная модель относится к медицинской технике, а именно к средствам электромагнитного воздействия на человека микроволновым излучением КВЧ диапазона в целях терапии.
Известно применение КВЧ излучения в терапевтических целях с помощью устройств, простейшие из которых содержат подключенный к источнику питания генератор электромагнитного излучения, как правило, полупроводниковый, соединенный с излучателем, и блок управления режимом генератора (например, RU29236 U1, 2003.05.10; RU66961 U1, 2007.10.10)..
Выбор той или иной конструкции КВЧ устройства определяется практическим направлением их применения в клинической практике. Так, классическая КВЧ-терапия предполагает применение генераторов излучения с фиксированной частотой 42,2; 53,5; 60,1 ГГц, одинаковой для всех пациентов. Классическая КВЧ терапия основана на том, что при воздействии на пациента КВЧ излучением происходит возбуждение отдельных систем организма. Например, исследование спектра резонансных частот гемоглобина крови на установке ядерного магнитного резонанса показали, что воздействие КВЧ излучением с частотой 42,194 ГГц увеличивает способность эритроцитов крови транспортировать кислород и приводит к ускорению процессов заживления поврежденных тканей, детоксикации организма.
Известные устройства отличаются друг от друга диапазоном генерируемых частот и, как следствие, используемыми в генераторах полупроводниковыми приборами, а также схемами управления генератором и конструкциями излучателей (рупорные, диэлектрические, щелевые и пр.).
Настоящая полезная модель относится к устройствам, реализующим КВЧ-терапию и ФРИ терапию. Концепция ФРИ-терапии основана на формировании низкоинтенсивного излучения с частотным спектром, соответствующим спектру излучения, формируемого отдельными клетками организма человека. Механизм лечения низкоинтенсивным энергетическим воздействием заключается в искусственном замещении спектра излучения, характерного для патогенного микроорганизма, внешним излучением. Параметры внешнего излучения настраиваются в резонанс с излучением патогенного микроорганизма. При воздействии подобного излучения на пациента оно автоматически включается в симбиоз, моделируя наличие в составе организма клеток, подобных чужеродным. При сравнимых значениях энергии внешнего излучения и собственного излучения микроорганизма происходит кратковременное усиление совокупной амплитуды процесса, а затем ослабление и разрушение живой ткани, связанное с необходимостью изменения частотных характеристик в силу известных физических законов.
Наиболее близким аналогом заявляемого устройства является КВЧ устройство для электротерапии, известное по RU2341851 С1, 2008.12.20. Устройство можно использовать как в режиме классической КВЧ-терапии, так и в режиме ФРИ-терапии.
3
5
Устройство содержит корпус, в котором установлен источник питания, и подключенный к нему полупроводниковый прибор со структурой на основе соединения АВ. Полупроводниковый прибор выполнен с вольтамперной характеристикой, имеющей участок с отрицательной дифференциальной проводимостью, величина которой по модулю превышает величину дифференциальной проводимости биологического объекта на собственных частотах биологического объекта. В качестве полупроводникового прибора могут быть использованы диод Ганна, туннельный диод, BARRIT диод, транзистор. Полупроводниковый прибор выполняет функцию активного элемента генератора, функцию приемника отраженного от биологического объекта сигнала в режиме генерации, а также функцию пассивного преобразователя внешнего излучения, когда питание на прибор не подано
Недостатком устройства является неудобство его использования, поскольку для проведения процесса ФРИ-терапии в пассивном режиме работы полупроводникового прибора (при отключении от источника питания) его необходимо в течение некоторого времени удерживать на теле пациента. Для этого полупроводниковый прибор устанавливается на корпусе устройства с возможностью съема. Последующая установка полупроводникового прибора для подключения его к источнику питания, как показывает практика, часто приводит к его неправильному использованию.
Технический результат, получаемый при использовании заявляемого устройства заключается в повышении удобства использования устройства как при использовании его для классической КВЧ-терапии, так и при ФРИ-терапии.
3
5
3
5
Технический результат достигается тем, что в устройстве, содержащем корпус, в котором установлен источник питания, и подключенный к нему полупроводниковый прибор со структурой на основе соединения АВ, полупроводниковый прибор установлен в корпусе, а источник питания соединен с USB разъемом, предназначенным для подключения к нему съемного полупроводникового прибора со структурой на основе соединения АВ.
3
5
3
5
Полезная модель поясняется чертежом, на котором изображена схема устройства, включающая стационарно установленные в корпусе (не показан) источник 1 питания и полупроводниковый прибор 2 со структурой на основе соединения АВ. Источник 1 соединен с USB разъемом 3 для подключения к устройству съемного полупроводникового прибора со структурой на основе соединения АВ (не приведен), при этом съемный полупроводниковый прибор закреплен на одном конце кабеля (провода), другой конец которого снабжен соответствующим USB разъемом.
Корпус устройства выполнен из диэлектрического материала, а в качестве стационарно установленного и съемного полупроводниковых приборов могут быть использованы диод Ганна, туннельный диод, BARRIT диод, транзистор.
Стационарно установленный в корпусе полупроводниковый прибор 2 предназначен для использования устройства в режиме классической терапии, которая предусматривает облучение пациента КВЧ излучением для резонансного воздействия на мембрану клетки.
Съемный полупроводниковый прибор подключается к USB разъему 3 при использовании устройства в режиме ФРИ терапии.
USB разъем 3 обеспечивает удобство использования съемного полупроводникового прибора в пассивном режиме при отключении его от источника 1 питания и не допускает несанкционированного включения устройства в бытовую электросеть, например, детьми.
Устройство может содержать процессор, используемый для задания рабочих параметров стационарного и съемного полупроводниковых приборов, что позволяет расширить возможности терапевтического воздействия.