СПОСОБ И СИСТЕМА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ИНФРАКРАСНОГО ПЕРЕДАЮЩЕГО ВОЛОКНА

1. Способ получения инфракрасного передающего волокна (50), включающий в себя стадии:
А) Предоставления заготовки (20) производимого инфракрасного передающего волокна (50), причем указанная заготовка включает в себя контейнер, который является прекурсором оболочки (72) волокна, и твердый раствор, обеспеченный внутри указанного контейнера, причем указанный твердый раствор является прекурсором сердцевины (71) волокна;
В) Нагревания заготовки (20) волокна вплоть до температуры, при которой контейнер размягчается и твердый раствор плавится;
С) Сбора потока, генерированного размягченным контейнером;
D) Вытягивания волокна (50) из собранного потока;
F) Нагревания предоставленного волокна (50) вплоть до температуры, при которой его электрические диполи (90) являются свободными;
G) Приложения электростатического поля (Е) к нагретому волокну (50) для движения электрических диполей (90) в направлении приложенного электростатического поля (Е).
2. Способ по п.1, в котором на стадии (G) электростатическое поле (Е) прикладывается до того, как волокно (50) охладится.
3. Способ по п.1, дополнительно включающий в себя перед стадией (А) стадии:
Н) Введения соответствующих количеств сверхчистых порошков внутрь контейнера;
I) Нагревания контейнера вплоть до температуры, при которой порошки плавятся;
J) Охлаждения контейнера до комнатной температуры для получения твердого раствора внутри контейнера.
4. Способ по п.1, в котором контейнер изготовлен из стекла.
5. Способ по п.1, в котором твердый раствор является галогенидом серебра.
6. Способ по п.5, в котором галогенид серебра включает в себя AgBr и AgCl в равном мольном отношении 1:1.
7. Способ по п.1, в котором на стадии (В) заготовку (20) волокна нагревают вплоть до температуры, заключенной между 600 и 800°С на период, заключенный между 0,25 и 1,5 мин.
8. Способ по п.2, в котором на стадии (F) предоставленное волокно (50) нагревают вплоть до температуры, заключенной между 200 и 350°С на период, заключенный между 15-30 и мин.
9. Способ по п.2, в котором на стадии (G) приложенное электростатическое поле (Е) составляет вплоть до 1,2 кВ.
10. Способ по п.3, в котором на стадии (Н) сверхчистые порошки включают в себя AgBr и AgCl, и в котором на стадии (I) контейнер нагревают вплоть до температуры, заключенной между 400 и 500°С на период, заключенный между 1 и 2 ч.
11. Система получения инфракрасного передающего волокна (50) из заготовки (20), которая включает в себя контейнер, причем указанный контейнер является прекурсором оболочки (72) волокна, и твердый раствор, обеспеченный внутри указанного контейнера, причем указанный твердый раствор является прекурсором сердцевины (71) волокна, характеризуемая тем, что она включает в себя средство для предоставления заготовки (20); средство для нагревания заготовки (20); средство для сбора потока, генерированного нагретой заготовкой (20); средство для вытягивания волокна (50) из собранного потока; средство (73) для нагревания указанного предоставленного волокна (50); и средство для приложения электростатического поля (Е) к нагретому волокну (50).
12. Система по п.11, в которой средство для сбора потока включает в себя барабан.
13. Система по любому из пп.11-12, дополнительно включающая в себя средство для введения соответствующих количеств сверхчистых порошков внутрь контейнера; средство для нагревания контейнера вплоть до температуры, при которой порошки плавятся; и средство для охлаждения контейнера до комнатной температуры.
14. Система по п.13, в которой средство для нагревания контейнера вплоть до температуры, при которой порошки плавятся, включает в себя печь с инертной атмосферой.
15. Способ обработки инфракрасного передающего волокна, включающий в себя стадии:
К) Предоставления подлежащего обработке волокна (50);
L) Нагревания предоставленного волокна (50) вплоть до температуры, при которой его электрические диполи (90) являются свободными;
М) Приложения электростатического поля (Е) к нагретому волокну (50) для движения электрических диполей (90) в направлении приложенного электростатического поля (Е).