СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛЕВОГО КМОП ТРАНЗИСТОРА, СОЗДАННОГО С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДИЭЛЕКТРИКОВ НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ С ВЫСОКИМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ЗАТВОРОВ, И СТРУКТУРА ПОЛЕВОГО КМОП ТРАНЗИСТОРА

1. Способ формирования полевого КМОП транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлических затворов, включающий осаждение на полупроводниковой подложке слоя диэлектрика с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости, на поверхность которого наносят изолирующий слой, на который осаждают металлический затвор, отличающийся тем, что осаждают слой диэлектрика с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости толщиной 1-10 нм, а изолирующий слой выполнен из сурьмы (Sb).
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что изолирующий слой наносят толщиной 0,15-0,41 нм.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что металлический затвор выполнен из силицида никеля (NiSi).
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что металлический затвор осаждают толщиной 300-3000 нм.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка выполнена из кремния (Si).
2
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что на подложке формируют подслой SiO.
2
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что подслой SiO формируют толщиной 0,1-1 нм.
8. Структура полевого КМОП транзистора, созданного с использованием диэлектриков на основе оксидов металлов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемостью и металлических затворов, содержащая полупроводниковую подложку, слой диэлектрика с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости, расположенный на подложке, нанесенный на него изолирующий слой, на котором расположен металлический затвор, отличающаяся тем, что слой диэлектрика с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости выполнен толщиной 1-10 нм, а изолирующий слой выполнен из сурьмы (Sb).
9. Структура по п.8, отличающаяся тем, что изолирующий слой выполнен толщиной 0,15-0,41 нм.
10. Структура по п.8, отличающаяся тем, что металлический затвор выполнен из силицида никеля (NiSi).
11. Структура по п.10, отличающаяся тем, что металлический затвор выполнен толщиной от 300-3000 нм.
12. Структура по п.8, отличающаяся тем, что полупроводниковая подложка выполнена из кремния (Si).
2
13. Структура по п.12, отличающаяся тем, что на подложке выполнен подслой SiO.
2
14. Структура по п.13, отличающаяся тем, что подслой SiO выполнен толщиной 0,1-1 нм.