ПЛАСТИКОВАЯ ПЛЕНКА, ПОКРЫТАЯ ОКСИДОМ ЦИНКА-ОЛОВА, ИМЕЮЩАЯ УЛУЧШЕННУЮ СПОСОБНОСТЬ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ

1. Покрытая пластиковая подложка, включающая основной слой, включающий, по меньшей мере, один полимерный материал и, по меньшей мере, одно покрытие оксида цинка-олова, где покрытие оксида цинка-олова получают путем процесса напыления в присутствии водорода в технологическом газе, по меньшей мере, один полимерный материал не содержит полиэтилентерефталат, и покрытая пластиковая подложка имеет коэффициент поглощения менее чем 0.5 л/мкм в области спектра от 380 до 430 нм.
2. Покрытая пластиковая подложка по п. 1, отличающаяся тем, что, по меньшей мере один из полимерных материалов в основном слое представляет собой термопластический полимерный материал, где, по меньшей мере, один термопластический полимерный материал не содержит полиэтилентерефталат.
3. Покрытая пластиковая подложка по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что полимерный материал(ы) представляет собой/представляют собой поликарбонаты или сополикарбонаты на основе дифенолов, поли- или сополи-акрилаты, поли- или сополи-метакрилаты, полимеры или сополимеры с стиролом, термопластические полиуретаны, полиолефины, продукты сополиконденсации терефталевой кислоты, продукты поли- или сополи-конденсации нафталиндикарбоновой кислоты или их смеси.
4. Покрытая пластиковая подложка по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что оксид цинка-олова представляет собой химическое соединение элементов цинка, олова и кислорода, где количество по массе цинка составляет от 5 до 70%.
5. Покрытая пластиковая подложка по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что технологический газ дополнительно содержит кислород.
6. Покрытая пластиковая подложка по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что толщина покрытия оксида цинка-олова составляет в каждом случае от 10 до 1000 нм.
7. Покрытая пластиковая подложка по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что покрытие оксида цинка-олова представляет собой барьерный слой от проникания газов и паров.
8. Покрытая пластиковая подложка по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что она имеет антиотражающий слой на покрытии оксида цинка-олова.
9. Покрытая пластиковая подложка по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что пластиковая подложка является пластиковой пленкой.
10. Барьерное покрытие от проникания газов и паров, предпочтительно кислорода и/или паров воды, на основе оксида цинка-олова, где покрытие оксида цинка-олова получают на пластиковой подложке, которая не является полиэтилентерефталатом, путем процесса напыления в присутствии водорода в технологическом газе, и покрытая пластиковая подложка имеет коэффициент поглощения менее чем 0.5 л/мкм в области спектра от 380 до 430 нм.
11. Электронное устройство, включающее, по меньшей мере, одну покрытую пластиковую подложку согласн, по меньшей мере, одному из пп. 1-9 или, по меньшей мере, одно барьерное покрытие от проникания по п. 10.