САМООТНОСИМАЯ ЯЧЕЙКА MRAM И СПОСОБ ДЛЯ ЗАПИСИ В УПОМЯНУТУЮ ЯЧЕЙКУ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОПЕРАЦИИ ЗАПИСИ С ПЕРЕНОСОМ СПИНОВОГО МОМЕНТА

1. Способ для записи в самоотносимую ячейку MRAM, содержащую магнитный туннельный переход, содержащий:
- запоминающий слой, включающий в себя первый ферромагнитный слой, имеющий первую намагниченность запоминания, второй ферромагнитный слой, имеющий вторую намагниченность запоминания, и немагнитный связующий слой, отделяющий первый и второй ферромагнитные слои;
- слой считывания, имеющий свободную намагниченность считывания; и
- туннельный барьерный слой, заключенный между слоем считывания и запоминающим слоем;
причем, первый и второй ферромагнитные слои расположены так, что дипольное взаимодействие между запоминающим слоем и слоем считывания является по существу нулевым;
при этом упомянутый способ содержит этапы, на которых:
- переключают намагниченность второго ферромагнетика посредством пропускания через магнитный туннельный переход спин-поляризованного тока;
при этом спин-поляризованный ток при прохождении в слое считывания поляризован в соответствии с направлением намагниченности считывания.
2. Способ по п. 1, в котором направление намагниченности считывания определяют приложением магнитного поля до упомянутого переключения намагниченности второго ферромагнетика.
3. Способ по п. 2, в котором слой считывания имеет такую анизотропию формы или магнитокристаллическую анизотропию, чтобы стабилизировать направление намагниченности считывания.
4. Способ по п. 1, в котором направление переключения намагниченности второго ферромагнетика определяют полярностью спин-поляризованного тока.
5. Способ по п. 1, в котором направление намагниченности считывания определяют приложением магнитного поля во время упомянутого переключения намагниченности второго ферромагнетика.
6. Способ по п. 5, в котором направление намагниченности считывания определяют направлением приложенного магнитного поля.