Способ изготовления полупроводникового прибора

2
2
Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку кремния, процессы формирования областей базы, коллектора, эмиттера, слоя диэлектрика, поликристаллического кремния, отличающийся тем, что после формирования области эмиттера на подложке осаждают слой поликристаллического кремния толщиной 0,2 мкм разложением моносилана при температуре 650°С со скоростью 10 нм/мин с последующей термообработкой при температуре 1000-1100°С в течении 30 мин в потоке NO - N.