ВАКУУМНАЯ PVD-УСТАНОВКА НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ

1. Вакуумная установка нанесения покрытий, включающая в себя:
- вакуумную рабочую камеру (1), которая соединена с насосной системой (2),
- по меньшей мере один впуск (12) реакционноспособного газа, который подсоединен к по меньшей мере одному резервуару (13) реакционноспособного газа,
- по меньшей мере один PVD-источник (8, 21) покрытия с анодом (10) и плоским катодом (11),
- подложкодержатель (6) для приема множества подложек (7),
- дверь (4), которая расположена на вакуумной рабочей камере (1) для загрузки камеры подложкодержателем (6),
- транспортировочное устройство (5) для проведения подложкодержателя (6) через дверь (4) и позиционирования в вакуумной рабочей камере (1) на расстоянии в области плоского катода (11),
- блок (16, 18) питания, который соединен с PVD-источником (8, 16) покрытия,
отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) расположен между по меньшей мере двумя PVD-источниками покрытия и таким образом, что после комплектации подложкодержателя (6) в установке множеством плоских подложек (7) нормали к поверхностям (A) подложек проходят по существу перпендикулярно нормалям к поверхностям катода.
2. Установка нанесения покрытий по п.1, отличающаяся тем, что предусмотрено устройство (26, 27, 30) перемещения для приема подложек (7), которое расположено в одной плоскости с подложкодержателем (6), предпочтительно так, что образуется вращательная компоновка подложек (7).
3. Установка нанесения покрытий по п.1, отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) выполнен так, что после комплектации подложками (7) они разложены позиционированными неподвижно.
4. Установка нанесения покрытий по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) включает в себя подставку (24) под подложки, снабженную множеством отверстий (25) для приема плоских подложек (7), при этом компоновка предпочтительно выполнена в виде решетчатой структуры, такой как, например, проволочная решетка (25'), которая удерживается охватывающей рамкой (23) и которая предпочтительно состоит из электропроводящего материала.
5. Установка нанесения покрытий по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) подходит для приема по меньшей мере 30 подложек (7), предпочтительно максимально 1000, предпочтительно от по меньшей мере 200 до максимально 600 штук.
6. Установка нанесения покрытий по п.4, отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) подходит для приема по меньшей мере 30 подложек (7), предпочтительно максимально 1000, предпочтительно от по меньшей мере 200 до максимально 600 штук.
7. Установка нанесения покрытий по любому из пп.1-3, 6, отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) соединен с устройством (22) перемещения для периодического относительного перемещения по отношению к PVD-источникам (8, 21) покрытия, при этом устройство (22) перемещения предпочтительно является устройством горизонтального перемещения.
8. Установка нанесения покрытий по п.4, отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) соединен с устройством (22) перемещения для периодического относительного перемещения по отношению к PVD-источникам (8, 21) покрытия, при этом устройство (22) перемещения предпочтительно является устройством горизонтального перемещения.
9. Установка нанесения покрытий по п.5, отличающаяся тем, что подложкодержатель (6) соединен с устройством (22) перемещения для периодического относительного перемещения по отношению к PVD-источникам (8, 21) покрытия, при этом устройство (22) перемещения предпочтительно является устройством горизонтального перемещения.
10. Способ одновременного покрытия множества пластинчатых подложек (7) слоем твердого материала, включающий в себя:
- вакуумную рабочую камеру (1), которая соединена с насосной системой (2) для вакуумирования,
- по меньшей мере один впуск (12) реакционноспособного газа, который подсоединен к по меньшей мере одному резервуару (13) реакционноспособного газа для введения технологических газов,
- по меньшей мере один PVD-источник (8, 21) покрытия с анодом (10) и плоским катодом (11) для нанесения покрытия на подложку (7),
- подложкодержатель (6), на котором раскладывают множество подложек (7),
- дверь (4), которая расположена на вакуумной рабочей камере (1) для загрузки камеры подложкодержателем (6),
- транспортировочное устройство (5) для проведения подложкодержателя (6) через дверь (4) и позиционирования в вакуумной рабочей камере (1) на расстоянии в области плоского катода (11),
- блок (16, 18) питания для работы PVD-источника (8, 21) покрытия,
отличающийся тем, что подложкодержатель (6) позиционируют между по меньшей мере двумя PVD-источниками покрытия и выполняют таким образом, что после комплектации подложкодержателя (6) в установке множеством плоских подложек (7) нормали к поверхностям (A) подложек проходят по существу перпендикулярно нормалям к поверхностям катода.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что подложки (7) связывают с устройством (26, 27, 30) перемещения и располагают их вместе в одной плоскости на подложкодержателе (6), предпочтительно так, что подложки (7) приводят во вращательное движение.
12. Способ по п.10, отличающийся тем, что подложкодержатель (6) выполняют с подставкой (24) под подложки с множеством отверстий (25), в которые вставляют плоские подложки (7), при этом компоновку предпочтительно выполняют в виде решетчатой структуры, такой как, например, проволочная решетка, которая удерживается охватывающей рамкой (23), и эта решетка предпочтительно состоит из электропроводящего материала.
13. Способ по п.11, отличающийся тем, что подложкодержатель (6) выполняют с подставкой (24) под подложки с множеством отверстий (25), в которые вставляют плоские подложки (7), при этом компоновку предпочтительно выполняют в виде решетчатой структуры, такой как, например, проволочная решетка, которая удерживается охватывающей рамкой (23), и эта решетка предпочтительно состоит из электропроводящего материала.
14. Способ по любому из пп.10-13, отличающийся тем, что оба катода (11) одной пары источников (8, 21) покрытия эксплуатируют соединенными с импульсным сильноточным блоком (17) питания, и тем, что по меньшей мере одну пару источников (8, 21) покрытия эксплуатируют с дуговыми источниками-испарителями.
15. Способ по любому из пп.10-13, отличающийся тем, что используют по существу плоские, предпочтительно пластинчатые подложки (7) с протяженностью в диапазоне от 5 мм до 60 мм, а предпочтительно покрывают поворотные режущие пластины.
16. Способ по п.14, отличающийся тем, что используют по существу плоские, предпочтительно пластинчатые подложки (7) с протяженностью в диапазоне от 5 мм до 60 мм, а предпочтительно покрывают поворотные режущие пластины.
17. Способ по любому из пп.10-13, 16, отличающийся тем, что на подложкодержателе (6) для одновременного нанесения покрытия раскладывают по меньшей мере 30 подложек (7), предпочтительно максимально 1000, предпочтительно, от по меньшей мере 200 до максимально 600 штук.
18. Способ по п.14, отличающийся тем, что на подложкодержателе (6) для одновременного нанесения покрытия раскладывают по меньшей мере 30 подложек (7), предпочтительно максимально 1000, предпочтительно, от по меньшей мере 200 до максимально 600 штук.
19. Способ по п.15, отличающийся тем, что на подложкодержателе (6) для одновременного нанесения покрытия раскладывают по меньшей мере 30 подложек (7), предпочтительно максимально 1000, предпочтительно, от по меньшей мере 200 до максимально 600 штук.
20. Способ по любому из пп.10-13, 16, 18, 19, отличающийся тем, что между подложкодержателем (6) и PVD-источниками (8, 21) покрытия с помощью устройства (22) перемещения происходит относительное перемещение, при этом устройство (22) перемещения предпочтительно является устройством горизонтального перемещения, а предпочтительно перемещают подложкодержатель (6).
21. Способ по п.14, отличающийся тем, что между подложкодержателем (6) и PVD-источниками (8, 21) покрытия с помощью устройства (22) перемещения происходит относительное перемещение, при этом устройство (22) перемещения предпочтительно является устройством горизонтального перемещения, а предпочтительно перемещают подложкодержатель (6).
22. Способ по п.15, отличающийся тем, что между подложкодержателем (6) и PVD-источниками (8, 21) покрытия с помощью устройства (22) перемещения происходит относительное перемещение, при этом устройство (22) перемещения предпочтительно является устройством горизонтального перемещения, а предпочтительно перемещают подложкодержатель (6).
23. Способ по п.17, отличающийся тем, что между подложкодержателем (6) и PVD-источниками (8, 21) покрытия с помощью устройства (22) перемещения происходит относительное перемещение, при этом устройство (22) перемещения предпочтительно является устройством горизонтального перемещения, а предпочтительно перемещают подложкодержатель (6).
24. Способ по любому из пп.10-13, 16, 18, 19, 21-23, отличающийся тем, что на подложку (7) на боковых поверхностях активной режущей кромки (E') осаждают слой с толщиной в диапазоне от 0,1 мкм до 50 мкм.
25. Способ по п.14, отличающийся тем, что на подложку (7) на боковых поверхностях активной режущей кромки (E') осаждают слой с толщиной в диапазоне от 0,1 мкм до 50 мкм.
26. Способ по п.15, отличающийся тем, что на подложку (7) на боковых поверхностях активной режущей кромки (E') осаждают слой с толщиной в диапазоне от 0,1 мкм до 50 мкм.
27. Способ по п.17, отличающийся тем, что на подложку (7) на боковых поверхностях активной режущей кромки (E') осаждают слой с толщиной в диапазоне от 0,1 мкм до 50 мкм.
28. Способ по п.20, отличающийся тем, что на подложку (7) на боковых поверхностях активной режущей кромки (E') осаждают слой с толщиной в диапазоне от 0,1 мкм до 50 мкм.
29. Способ по любому из пп.10-13, 16, 18, 19, 21-23, 25-28, отличающийся тем, что подложки (7) в подложкодержателе вместе с компоновкой PVD-источников покрытия обеспечивают постоянное, непрерываемое воздействие на по меньшей мере активные режущие кромки (E') подложек (7), так что материалопоток от источника к подложке не прерывается в течение всей продолжительности нанесения покрытия, при этом поддерживается максимальное отклонение материалопотока в ±30%, предпочтительно максимально ±20%, а особенно предпочтительно максимально ±10%.
30. Способ по п.14, отличающийся тем, что подложки (7) в подложкодержателе вместе с компоновкой PVD-источников покрытия обеспечивают постоянное, непрерываемое воздействие на по меньшей мере активные режущие кромки (E') подложек (7), так что материалопоток от источника к подложке не прерывается в течение всей продолжительности нанесения покрытия, при этом поддерживается максимальное отклонение материалопотока в ±30%, предпочтительно максимально ±20%, а особенно предпочтительно максимально ±10%.
31. Способ по п.15, отличающийся тем, что подложки (7) в подложкодержателе вместе с компоновкой PVD-источников покрытия обеспечивают постоянное, непрерываемое воздействие на по меньшей мере активные режущие кромки (E') подложек (7), так что материалопоток от источника к подложке не прерывается в течение всей продолжительности нанесения покрытия, при этом поддерживается максимальное отклонение материалопотока в ±30%, предпочтительно максимально ±20%, а особенно предпочтительно максимально ±10%.
32. Способ по п.17, отличающийся тем, что подложки (7) в подложкодержателе вместе с компоновкой PVD-источников покрытия обеспечивают постоянное, непрерываемое воздействие на по меньшей мере активные режущие кромки (E') подложек (7), так что материалопоток от источника к подложке не прерывается в течение всей продолжительности нанесения покрытия, при этом поддерживается максимальное отклонение материалопотока в ±30%, предпочтительно максимально ±20%, а особенно предпочтительно максимально ±10%.
33. Способ по п.20, отличающийся тем, что подложки (7) в подложкодержателе вместе с компоновкой PVD-источников покрытия обеспечивают постоянное, непрерываемое воздействие на по меньшей мере активные режущие кромки (E') подложек (7), так что материалопоток от источника к подложке не прерывается в течение всей продолжительности нанесения покрытия, при этом поддерживается максимальное отклонение материалопотока в ±30%, предпочтительно максимально ±20%, а особенно предпочтительно максимально ±10%.
34. Способ по п.24, отличающийся тем, что подложки (7) в подложкодержателе вместе с компоновкой PVD-источников покрытия обеспечивают постоянное, непрерываемое воздействие на по меньшей мере активные режущие кромки (E') подложек (7), так что материалопоток от источника к подложке не прерывается в течение всей продолжительности нанесения покрытия, при этом поддерживается максимальное отклонение материалопотока в ±30%, предпочтительно максимально ±20%, а особенно предпочтительно максимально ±10%.