ИНТЕГРАЛЬНОЕ МНОГОЭЛЕМЕНТНОЕ ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА

2
2
2
Интегральное многоэлементное фотоприемное устройство инфракрасного диапазона содержит фоточувствительные элементы, выполненные в эпитаксиальном слое фоточувствительного полупроводника, и схему обработки, отличающеес  тем, что фоточувствительные элементы расположены на диэлектрических сло х BaF/CaF, последовательно расположенных на кремниевой подложке, а схема обработки выполнена в эпитаксиальном слое Si, расположенном на диэлектрическом слое CaF, расположенного на той же подложке.