СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ ДЛЯ ОСАЖДЕНИЯ СИСТЕМЫ СЛОЕВ НА ПОДЛОЖКУ И ПОДЛОЖКА С СИСТЕМОЙ СЛОЕВ

1. Способ нанесения покрытия для осаждения системы (S) слоев, формируемой на подложке (1) из слоев твердых материалов, включающий в себя следующие этапы:
- обеспечение вакуумируемой рабочей камеры (2), имеющей катодно-дуговой источник-испаритель (Q1) с испаряемым материалом (М1) и имеющей источник (Q2) магнетронного разряда с высвобождаемым при разряде материалом (М2), при этом источник (Q2) магнетронного разряда может работать в режиме высокоионизированного импульсного магнетронного распыления (HIPIMS);
- осаждение на поверхность подложки (1) по меньшей мере одного контактного слоя (S1), содержащего испаряемый материал (М1), в процессе вакуумного катодно-дугового испарения только посредством вакуумного катодно-дугового источника-испарителя (Q1);
отличающийся тем, что
после осаждения контактного слоя (S1) осаждают по меньшей мере один промежуточный слой (S2) в виде наноструктурированного смешанного слоя, в частности в виде нанослойного промежуточного слоя (S2) в гибридной фазе или в виде слоя нанокомпозита, содержащего испаряемый материал (М1) и высвобождаемый при разряде материал (М2), при параллельной работе вакуумного катодно-дугового источника-испарителя (Q1) и источника (Q2) магнетронного разряда, причем источник (Q2) магнетронного разряда работает в режиме HIPIMS; а также тем, что затем осаждают по меньшей мере один верхний слой (S3), содержащий материал (М2), только посредством источника (Q2) магнетронного разряда, причем источник (Q2) магнетронного разряда работает в режиме HIPIMS.
2. Способ нанесения покрытия по п.1, при этом при реактивном осаждении посредством метода вакуумного катодно-дугового испарения формируют контактный слой (S1) в виде нитридного контактного слоя (S1) и/или формируют промежуточный слой (S2) в виде нитридного промежуточного слоя (S2).
3. Способ нанесения покрытия по п.1 или 2, при этом при реактивном осаждении посредством метода вакуумного катодно-дугового испарения формируют контактный слой (S1) в виде карбидного контактного слоя (S1) и/или формируют промежуточный слой (S2) в виде карбидного промежуточного слоя (S2).
4. Способ нанесения покрытия по п.1 или 2, при этом при реактивном осаждении посредством метода вакуумного катодно-дугового испарения формируют контактный слой (S1) в виде боридного контактного слоя (S1) и/или формируют промежуточный слой (S2) в виде боридного промежуточного слоя (S2).
5. Способ нанесения покрытия по п.1 или 2, при этом при реактивном осаждении посредством метода вакуумного катодно-дугового испарения формируют контактный слой (S1) в виде оксидного контактного слоя (S1) и/или формируют промежуточный слой (S2) в виде оксидного промежуточного слоя (S2).
6. Способ нанесения покрытия по п.1 или 2, при этом при реактивном осаждении посредством метода вакуумного катодно-дугового испарения формируют контактный слой (S1), и/или промежуточный слой (S2) в виде слоя на основе Ti, слоя на основе Zr, слоя на основе WC или в виде слоя на основе AlTi, слоя на основе Cr, слоя на основе TiSi или в виде слоя на основе AlCr.
7. Способ нанесения покрытия по п.1 или 2, при этом на покрытии посредством источника (Q2) магнетронного разряда формируют промежуточный слой (S2) и/или верхний слой (S3) в виде слоя нитрида VMe, где Ме - металл.
8. Способ нанесения покрытия по п.1 или 2, при этом на покрытии посредством источника (Q2) магнетронного разряда формируют промежуточный слой (S2) и/или верхний слой (S3) в виде слоя VZrN посредством распыления VZrN, причем VZr, в частности, образуется в составе V=98,5 ат.% и Zr=1,5 ат.% в промежуточном слое (S2) и/или верхнем слое (S3).
9. Способ нанесения покрытия по п.1 или 2, при этом на покрытии посредством источника (Q2) магнетронного разряда формируют промежуточный слой (S2) и/или верхний слой (S3) в виде слоя MeSiBNCO, где Ме - металл.
10. Способ нанесения покрытия по п.1 или 2, при этом на покрытии посредством источника (Q2) магнетронного разряда формируют промежуточный слой (S2) и/или верхний слой (S3) в виде слоя SiBNC посредством распыления SiBNC, причем SiBC, в частности, образуется в составе Si=66 ат.%, В=20 ат.% и С=14 ат.% в промежуточном слое (S2) и/или верхнем слое (S3).
11. Способ нанесения покрытия по п.1 или 2, при этом при параллельной работе вакуумного катодно-дугового источника-испарителя (Q1) и источника (Q2) магнетронного разряда давление нанесения выбирают от 0,5 до 20 Па, предпочтительно от 1 до 10 Па.
2
2
12. Способ нанесения покрытия по п.1 или 2, при этом источник (Q2) магнетронного разряда настраивают на распыление в режиме HIPIMS, в частности, для осаждения промежуточного слоя (S2) и/или для осаждения верхнего слоя (S3), так чтобы на вершине импульса достигалась по меньшей мере одна плотность тока в 0,1 А/см, предпочтительно, по меньшей мере 0,3 А/см.
13. Способ нанесения покрытия по п.1 или 2, при этом источник (Q2) магнетронного разряда настраивают на распыление в режиме HIPIMS, в частности, для осаждения промежуточного слоя (S2) и/или для осаждения верхнего слоя (S3), так чтобы достигались длительности импульсов между 10 и 5000 мкс и паузы между импульсами между 100 и 10000 мкс, в частности, с соотношением длительность импульса:пауза между импульсами от 1:3 до 1:20.
14. Способ нанесения покрытия по п.1 или 2, при этом источник (Q2) магнетронного разряда покрывается с помощью вакуумного катодно-дугового источника-испарителя (Q1) испаряемым материалом (М1).
15. Подложка с системой (S) слоев, сформированной в соответствии со способом нанесения покрытия по любому из предыдущих пунктов, при этом контактный слой (S1) предпочтительно имеет толщину 0-50000 нм, промежуточный слой предпочтительно имеет толщину 50-10000 нм, а верхний слой предпочтительно имеет толщину 10-10000 нм.