СПОСОБ ПРОЯВЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА

1
2
Способ проявления позитивного фоторезиста, включающий обработку кремниевой подложки с позитивным фоторезистом толщиной 1,2±0,1 мкм, отличающийся тем, что процесс проводят при следующих технологических режимах: 1 - растекание проявителя 7 с, промывка - I 12±3 с, промывка - II 12±3 с, время 8±1 мин; 2 - сбрасывание: V=2900±100 об/мин и V=3000±100 об/мин; 3 - формирование профиля рисунка; температура сушки в печи равна: I зона - 85±5°C, II зона - 95±5°C, III зона - 100±5°C, время - 6±1 мин.