УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Полезная модель относится к полупроводниковой технике, преимущественно к групповой высокотемпературной обработке полупроводниковых пластин, а именно к попарной высокотемпературной сварке или спайке.
Известно устройство для высокотемпературной обработки полупроводниковых пластин, включающее кварпевую кассету, средство для удержания пластин в виде набора плоскопараллельных шайб из полупроводникового материала, покрытых нитридом кремния, узел регулировки усилия сжатия пластин, подвижный шток между средством для удержания пластин и узлом регулировки усилия сжатия пластин, содержащий шаровую опору. Патент РФ № 1547619, кл. H01L 21/324,1987.
Однако известная конструкция имеет недостатки. В процессе эксплуатации происходит нежелательное приваривание подвижных соприкасающихся деталей друг к другу и к обрабатываемым полупроводниковым пластинам. Особенно велика опасность приварки полупроводниковых пластин к поверхностям плоскопараллельных прижимных шайб, поскольку пластины обычно имеют полированную поверхность, В известном устройстве эта проблема решается путём выполнения на поверхности шайб защитного слоя нитрида кремния. Однако наличие такого слоя усложняет конструкцию, поскольку нанесение нитрида кремния достаточно трудоёмко. Кроме того, в случае нарушения покрытия, сохраняется опасность приварки обрабатываемых деталей к поверхности шайб, а реставрация покрытия требует съёма остатков старого, что также трудоемко.
Конструкция узла регулировки усилия сжатия пластин известного устройства обеспечивает возможность регулировки усилия сжатия непосредственно в процессе термообработки, но вызьтает некоторые затруднения и неудобство контроля и регулирования усилия сжатия.
Полезная модель направлена на упрощение конструкции и удобство контроля при создании и регулировании усилия сжатия пластин.
Задача полезной модели - исключение приваривания подвижных деталей устройства друг к другу и плоскопараллельных прижимных шайб к полупроводниковым пластинам при длительных термообработках, а также обеспечение одинакового усилия сжатия пластин и удобство контроля.
Технический результат достигается тем, что плоскопараллельные прижимные шайбы из полупроводникового материала и сопрягаемые подвижные детали устройства имеют шероховатую поверхность с высотой микронеровностей 3-10 мкм, получаемую, например, шлифовкой. Шероховатость поверхности кремниевых прижимных шайб в процессе эксплуатации устройства практически не меняется, таким образом, опасность приварки исключена.
Обеспечение одинакового усилия сжатия пластин и улучшение регулировки достигается за счёт того, что узел создания и регулировки усилия сжатия пластин вьшолнен в виде винта с рукояткой и расположенной на ней гайки с рукояткой, соединённой посредством нормально сжатой пружины со втулкой, установленной в отверстие трубы кассеты, при этом конец винта упирается в глухое отверстие пятки, установленной в отверстие трубы, служащей подвижным штоком. Удобство контроля и регулировки усилия сжатия пластин достигается тем, что узел создания и регулировки усилия сжатия пластин дополнительно содержит линейку со шкалой и указатель.
На фиг. 1 изображён узел создания и регулировки усилия сжатия пластин; на фиг. 2 - средство для удержания пластин.
Устройство состоит из кассеты 1 с трубой 2, средства для удержания пластин в виде двух плоскопараллельных шайб 3 из полупроводникового материала, подвижного штока в виде трубы 4 с шаровой опорой 5, упора 6, а также узла создания и регулировки усилия сжатия.
Узел создания и регулировки усилия сжатия пластин выполнен в виде винта 7 с рукояткой 8, на котором расположена гайка 9 с рукояткой 10, соединённая посредством нормально сжатой пружины 11 со втулкой 12, установленной в отверстие трубы 2, при этом конец винта 7 упирается в глухое отверстие пятки 13, установленной в отверстие трубы 4, служащей подвижным штоком.
Узел создания и регулировки усилия сжатия пластин содержит линейку 14 со шкалой 15, прикрепленную ко втулке 12, и указатель 16, прикреплённый к гайке 9.
Устройство работает следующим образом. Пакет 17 полупроводниковых пластин, подлежащих термообработке, помещают между плоскопараллельными щгшбами 3, которые расположены между упором 6 и шаровой опорой 5 подвижного штока 4. Придерживая гайку 9 за рукоятку 10, вращают винт 7 рукояткой 8, при этом гайка 9 начинает растягивать пружину 11, а усилие, развиваемое пружиной , передаётся упорным концом винта 7 через пятку 13 штоку 4. В это время противодействующая сила приложена через втулку 12 и трубу 2 кассеты к упору 6. Таким образом, усилие сжатия, создаваемое пружиной 11 узла регулировки сжатия, передаётся через шаровую опору 5 штока 4 и упор 6 на плоскопараллельные шайбы 14 и, через них, на обрабатываемые полупроводниковые пластины 17. По мере растяжения пружины 11, её удлинение контролируют при помощи линейки 14 со шкалой 15 и указателя 16.