УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ПОКРЫТИЯ ПОДЛОЖЕК С ПРИБЛИЖЕННЫМ ПРОЦЕССОМ ИЗОЛЯЦИИ

1. Устройство для покрытия подложки, проходящей сквозь него, содержащее:
первое обрабатывающее отделение, выполненное с возможностью прохождения подложки сквозь него по первому проходу первой длины, продолжающемуся от входа до выхода из первого обрабатывающего отделения, и для покрытия подложки посредством первого газа;
второе обрабатывающее отделение, выполненное с возможностью прохождения подложки сквозь него по второму проходу второй длины, продолжающемуся от входа к выходу второго обрабатывающего отделения, и для покрытия подложки посредством второго газа, причем первый газ и второй газ являются одинаковыми или различными; и
отделение насоса, расположенное между первым обрабатывающим отделением и вторым обрабатывающим отделением, причем отделение насоса выполнено с возможностью прохождения через него подложки по проходу с длиной прохода, продолжающегося от входа к выходу отделения насоса, при этом проход находится в оперативной связи с первым проходом и вторым проходом;
причем отделение насоса находится в оперативной связи с первым обрабатывающим отделением и вторым обрабатывающим отделением и в прямой оперативной связи с проходом для откачивания оттуда газа посредством насосов;
при этом отделение насоса выполнено с возможностью приближенного изолирования первого газа и второго газа друг относительно друга в связи с процессом покрытия подложки, когда длина прохода меньше в два раза первой длины, второй длины или среднего из первой длины и второй длины.
2. Устройство по п.1, в котором обеспечивается соотношение давления первого газа в первом обрабатывающем отделении и давления первого газа во втором обрабатывающем отделении вплоть до приблизительно 35 : 1 в связи с процессом покрытия подложки.
3. Устройство по п.1, в котором обеспечивается соотношение давления второго газа во втором обрабатывающем отделении и давления второго газа в первом обрабатывающем отделении вплоть до приблизительно 35 : 1 в связи с процессом покрытия.
4. Устройство по п.2 или 3, в котором обеспечивается соотношение более или равное приблизительно 20 : 1 в связи с процессом покрытия подложки.
5. Устройство по п.1, дополнительно содержащее, по меньшей мере, одно дополнительное первое обрабатывающее отделение, смежное с первым обрабатывающим отделением, и/или, по меньшей мере, одно дополнительное второе обрабатывающее отделение, смежное со вторым обрабатывающим отделением.
6. Устройство по п.5, в котором количество первого обрабатывающего отделения и, по меньшей мере, одного дополнительного первого обрабатывающего отделения или второго обрабатывающего отделения и, по меньшей мере, одного дополнительного второго обрабатывающего отделения, составляет от приблизительно 20 до приблизительно 40 на отделение насоса.
7. Устройство по п.1 или 5, дополнительно содержащее, по меньшей мере, одно дополнительное отделение насоса, смежное с отделением насоса, в котором количество отделения насоса и, по меньшей мере, одного дополнительного отделения насоса меньше, чем количество отделений насоса, выполненных другим образом для такого приближенного изолирования первого газа и второго обрабатывающего газа друг относительно друга в связи с процессом покрытия подложки.
8. Устройство по п.1, в котором насосы выбирают из диффузионного насоса, турбомолекулярного насоса, криогенного насоса, любого другого высоковакуумного насоса и/или любой их комбинации.
9. Устройство по п.1, в котором насосы включают в себя, по меньшей мере, один диффузионный насос для откачивания газа из прохода и, по меньшей мере, один насос, который отличен от диффузионного насоса, для откачивания газа из, по меньшей мере, одного из первого обрабатывающего отделения и второго обрабатывающего отделения.
10. Устройство по п.1, в котором насосы включают в себя, по меньшей мере, один диффузионный насос для откачивания газа из прохода и, по меньшей мере, один турбомолекулярный насос для откачивания газа из, по меньшей мере, одного из первого обрабатывающего отделения и второго обрабатывающего отделения.
11. Устройство по п.1, в котором насосы включают в себя, по меньшей мере, один концевой насос, который находится в оперативной связи с отделением насоса посредством конца отделения насоса.
12. Устройство по п.1, в котором упомянутый, по меньшей мере, один концевой насос включает в себя насос для откачивания газа из прохода.
13. Устройство по п.11, в котором упомянутый, по меньшей мере, один концевой насос включает в себя насос, выбранный из диффузионного насоса, турбомолекулярного насоса, крионасоса, любого другого высоковакуумного насоса и/или любой их комбинации.
14. Устройство по п.1, в котором насосы включают в себя, по меньшей мере, один верхний насос, который находится в оперативной связи с отделением насоса посредством верха отделения насоса.
15. Устройство по п.14, в котором упомянутый, по меньшей мере, один верхний насос включает в себя насос для откачивания газа из первого обрабатывающего отделения или второго обрабатывающего отделения.
16. Устройство по п.14, в котором упомянутый, по меньшей мере, один верхний насос включает в себя, по меньшей мере, два верхних насоса.
17. Устройство по п.14, в котором каждый насос из, по меньшей мере, двух верхних насосов независимо выбирают из диффузионного насоса, турбомолекулярного насоса и любого другого высоковакуумного насоса и/или любой их комбинации.
18. Устройство по п.1, в котором длина прохода меньше, чем длина прохода насосного отделения, выполненного другим образом для такого приближенного изолирования первого газа и второго газа друг относительно друга в связи с процессом покрытия подложки.
19. Устройство по п.1, в котором длина прохода в два раза меньше, чем первая длина или вторая длина, или меньше в два раза среднего из первой длины и второй длины.
20. Устройство по п.19, в котором длина прохода больше или равна приблизительно первой длине или второй длине или среднему из первой длины или второй длины.
21. Устройство по п.1, в котором длина прохода составляет от приблизительно 600 мм до приблизительно 2010 мм.
22. Устройство по п.1, в котором длина прохода составляет от приблизительно 750 мм до приблизительно 1000 мм.
23. Устройство по п.1 дополнительно содержащее, по меньшей мере, одну перегородку, разделяющую зону отделения насоса, связанную с откачивающимся газом из первого обрабатывающего отделения, и другую зону отделения насоса, связанную с откачивающимся газом из второго обрабатывающего отделения.
24. Устройство по п.1 дополнительно содержащее, по меньшей мере, одну перегородку, разделяющую зону отделения насоса, связанную с откачивающимся газом из прохода, и другую зону отделения насоса, связанную с откачиванием газа из первого обрабатывающего отделения и/или второго обрабатывающего отделения.
25. Устройство по п.1, в котором насосы включают в себя, по меньшей мере, один диффузионный насос в оперативной связи с отделением насоса посредством конца отделения насоса для откачивающегося газа из прохода, по меньшей мере, один турбомолекулярный насос в оперативной связи с другим концом отделения насоса для откачивания газа из прохода и, по меньшей мере, один турбомолекулярный насос в оперативной связи с отделением насоса посредством верха отделения насоса для откачивания газа из первого обрабатывающего отделения и второго обрабатывающего отделения.
26. Устройство по п.1, в котором упомянутые насосы включают в себя турбомолекулярные насосы в оперативной связи с отделением насоса посредством верха отделения насоса для откачивания газа из прохода, первого обрабатывающего отделения, а также второго обрабатывающего отделения.
27. Способ откачивания газа из устройства для покрытия подложки, проходящей сквозь него, включает в себя этапы, на которых:
обеспечивают устройство по п.1 и
откачивают газ из прохода первого обрабатывающего отделения, а также второго обрабатывающего отделения посредством насосов в связи с процессом покрытия подложки.
28. Способ по п.27, в котором откачивание является достаточным для приближенной изоляции первого газа и второго газа относительно друг друга в связи с процессом покрытия подложки.
29. Устройство для откачивания газа, связанное с процессом покрытия подложки, включает в себя:
отделение насоса, выполненное с возможностью оперативной связи с первым обрабатывающим отделением, смежным с первой стороной отделения насоса, и первой длиной и вторым обрабатывающим отделением, смежным со второй стороной отделения насоса, и второй длиной, причем отделение насоса включает в себя проход с длиной для прохождения подложки через отделение насоса и выполнено с возможностью прямой оперативной связи с проходом, причем длина прохода меньше в два раза первой длины, второй длины или среднего из первой длины и второй длины; и
высоковакуумные насосы, оперативно связанные с отделением насоса, причем высоковакуумные насосы выполнены с возможностью приближенного изолирования первого газа, связанного с первым обрабатывающим отделением, и второго газа, связанного со вторым обрабатывающим отделением, друг относительно друга в связи с процессом покрытия подложки.
30. Способ откачивания газа, связанного с процессом покрытия подложки, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают устройство по п.29 и
откачивают газ из прохода первого обрабатывающего отделения, а также второго обрабатывающего отделения посредством насосов в связи с процессом покрытия подложки.