УСТРОЙСТВО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ И СИСТЕМА ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЙ, ИСПОЛЬЗУЮЩАЯ ЕГО

1. Устройство фотоэлектрического преобразования, содержащее единицу пиксела, включающую в себя:
- участок фотоэлектрического преобразования, включающий в себя, по меньшей мере, первый элемент фотоэлектрического преобразования;
- участок накопления заряда, включающий в себя, по меньшей мере, первый элемент накопления заряда и хранящий заряд, сформированный в участке фотоэлектрического преобразования;
- множество транзисторов для вывода сигнала на основе заряда, удерживаемого посредством участка накопления заряда; и
- область изоляции для электрической изоляции участка накопления заряда, при этом:
- область изоляции включает в себя:
- первый участок изоляции, имеющий PN-переход; и
- второй участок изоляции, имеющий изолятор и размещаемый между первым элементом накопления заряда и, по меньшей мере, частью множества транзисторов.
2. Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 1, в котором:
- множество единиц пикселов размещается, и первый участок изоляции в одной единице пиксела размещается между первым элементом накопления заряда в одной единице пиксела и первым элементом фотоэлектрического преобразования в другой единице пиксела, смежной с одной единицей пиксела.
3. Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 1, в котором:
- множество единиц пикселов размещается, и первый участок изоляции в одной единице пиксела размещается между первым элементом накопления заряда в одной единице пиксела и первым элементом накопления заряда в другой единице пиксела, смежной с одной единицей пиксела.
4. Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 1, в котором:
- электрод затвора предоставляется между первым элементом фотоэлектрического преобразования и первым элементом накопления заряда, так что электрод затвора, первый элемент фотоэлектрического преобразования и первый элемент накопления заряда формируют транзистор, имеющий утопленный канал.
5. Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 1, в котором:
- первый элемент фотоэлектрического преобразования имеет первую полупроводниковую область с первым типом проводимости,
- по меньшей мере, один из множества транзисторов имеет области истока и стока с первым типом проводимости,
- область истока или стока имеет концентрацию примесей выше концентрации примесей первой полупроводниковой области.
6. Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 1, в котором:
- участок фотоэлектрического преобразования дополнительно включает в себя второй элемент фотоэлектрического преобразования,
- участок накопления заряда дополнительно включает в себя второй элемент накопления заряда, и
- первый участок изоляции размещается между первым элементом накопления заряда и вторым элементом фотоэлектрического преобразования.
7.
Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 6, в котором:
- первый участок изоляции размещается между первым элементом накопления заряда и вторым элементом накопления заряда.
8. Устройство фотоэлектрического преобразования по п. 1, в котором:
- второй участок изоляции формируется в STI-структуре.
9. Система формирования изображений, содержащая:
- устройство фотоэлектрического преобразования по п. 1; и
- схему обработки сигналов для обработки сигнала, выводимого из устройства фотоэлектрического преобразования.