III-НИТРИДНОЕ УСТРОЙСТВО, ВЫРАЩЕННОЕ НА ШАБЛОНЕ С КРАЕВЫМИ ДИСЛОКАЦИЯМИ

1. Устройство, содержащее:
вюрцит III-нитрид полупроводниковую структуру, содержащую:
светоизлучающий слой 72, расположенный между областью n-типа 71 и областью p-типа 73;
шаблонный слой 75, выращенный до светоизлучающего слоя, причем:
шаблонный слой имеет конечное число дислокаций; и,
по крайней мере, 70% дислокаций являются краевыми дислокациями 29, 30, 31, 32.
2. Устройство по п.1, также содержащее поверхность раздела, параллельную основной поверхности светоизлучающего слоя 72 и расположенную между шаблонным слоем 75 и светоизлучающим слоем, причем:
большинство краевых дислокаций 29, 30, 31, 32 в шаблонном слое пересекает основную поверхность шаблонного слоя под углом, практически равным 90°; и,
по крайней мере, часть краевых дислокаций в шаблонном слое распространяется до поверхности раздела; и,
по крайней мере, часть краевых дислокаций, распространяющихся до поверхности раздела, пересекают поверхность раздела под углом меньше 90°.
3. Устройство по п.1, где полупроводниковая структура также содержит слой 20 изгибания дислокаций, расположенный между шаблонным слоем 18 и светоизлучающим слоем 72, причем, по крайней мере, часть краевых дислокаций 29, 30, 31, 32 в шаблонном слое распространяется в слой изгибания дислокаций, и, по крайней мере, часть краевых дислокаций 33 в слое изгибания дислокаций имеет отличную ориентацию от соответствующих краевых дислокаций в шаблонном слое.
4. Устройство по п.3, где величина напряжения в слое 20 изгибания дислокаций отличается от величины напряжения в шаблонном слое 18.
5. Устройство по п.3, где слой 20 изгибания дислокаций имеет содержание InN большее, чем содержание InN в шаблонном слое 18.
6. Устройство по п.3, где слой 20 изгибания дислокаций тоньше, чем шаблонный слой 18.
7. Устройство по п.3, где слой 20 изгибания дислокаций имеет большую концентрацию добавок n-типа, чем шаблонный слой 18.
8. Устройство по п.3, также содержащее:
первую поверхность раздела, расположенную между шаблонным слоем 18 и слоем 20 изгибания дислокаций; и
вторую поверхность раздела, расположенную между светоизлучающим слоем 72 и слоем изгибания дислокаций;
причем:
основное количество краевых дислокаций 29, 30, 31, 32 в шаблонном слое пересекает первую поверхность раздела под углом, практически равным 90°; и,
по крайней мере, часть краевых дислокаций 33, распространяющихся в слой изгибания дислокаций, пересекает вторую поверхность раздела под углом менее 90°.
9. Устройство по п.1, где шаблонный слой 75 включает множество не монокристаллических слоев 12; 16 образования центров кристаллизации.
10. Устройство по п.1, также содержащее первый и второй контакты 76, 78, электрически соединенные с областью n-типа 71 и областью p-типа 73, где первый и второй контакты оба формируются на одной стороне полупроводниковой структуры.
11. Метод, включающий:
выращивание III-нитрид структуры на подложке 10, III-нитрид структура содержит:
шаблонный слой 18, причем:
шаблонный слой имеет конечное число дислокаций; и,
по крайней мере, 70% дислокаций являются краевыми дислокациями 29, 30, 31, 32;
слой 20 изгибания дислокаций, причем:
слой изгибания дислокаций выращивается на шаблонном слое;
по крайней мере, часть краевых дислокаций в шаблонном слое распространяется в слой изгибания дислокаций; и,
по крайней мере, часть краевых дислокаций 33 в слое изгибания дислокаций имеет отличную ориентацию от соответствующих краевых дислокаций в шаблонном слое;
III-нитрид, светоизлучающий слой 72, выращенный на слое изгибания дислокаций, причем III-нитрид, светоизлучающий слой расположен между областью n-типа 71 и областью p-типа 73.
12. Метод по п.11, где выращивание III-нитридной структуры также включает:
выращивание первого слоя 12 образования центров кристаллизации прямо на подложке; и
выращивание второго слоя 16 образования центров кристаллизации на первом слое образования центров кристаллизации, причем второй слой образования центров кристаллизации тоньше, чем первый слой образования центров кристаллизации и выращен более медленно, чем первый слой образования центров кристаллизации.
13. Метод по п.11, также содержащий:
соединение III-нитридной структуры с основанием 84; и
удаление подложки 10.