Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений содержания озона в воздухе

3
2
3
2
3
1. Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений концентраций газовых примесей, заключающийся в том, что металлооксидные полупроводниковые пленки наносят на нагреваемые диэлектрические подложки и формируют чувствительный слой путем экспериментально установленных многоэтапных режимов отжига при непрерывном измерении сопротивления металлооксидной пленки, отличающийся тем, что для измерений концентраций озона в воздухе в интервале от 0,3 до 30 мкг/м используют металлооксидные пленки на основе InO с добавками FeO, при этом выбирают режим формирования чувствительного слоя, когда пленку нагревают в инертном газе со скоростью не меньше 3 и не больше 10°С/мин до температур 500-600°С, охлаждают до комнатной, а затем нагревают в воздухе со скоростью не меньше 3 и не больше 10°С/мин до температур 500-650°С, затем охлаждают.
3
2
3
2
3
2. Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений концентраций газовых примесей, заключающийся в том, что металлооксидные полупроводниковые пленки наносят на нагреваемые диэлектрические подложки и формируют чувствительный слой путем экспериментально установленных многоэтапных режимов отжига при непрерывном измерении сопротивления металлооксидной пленки, отличающийся тем, что для измерений концентраций озона в воздухе в интервале от 0,3 до 30 мкг/м используют металлооксидные пленки на основе InO с добавками FeO, при этом выбирают режим формирования чувствительного слоя, когда пленку нагревают в воздухе со скоростью не больше 3°С/мин до температуры не больше 500°С, затем охлаждают.