ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА

1. Способ, включающий формирование на несущей подложке множества электронно-функциональных элементов, образованных стопкой слоев, содержащей нижний проводящий слой, формирование между несущей подложкой и нижним проводящим слоем непроводящего слоя, который обеспечивает увеличение сцепления нижнего проводящего слоя с несущей подложкой, где непроводящий слой содержит нитридный слой, содержащий на поверхности раздела с нижним проводящим слоем менее 10 атомарных процентов кислорода.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что несущая подложка содержит полимерную основу.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что несущая подложка содержит полимерную основу и покрывающий ее планаризирующий слой.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что непроводящий слой сформирован непосредственно на планаризирующем слое.
5. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что нижний проводящий слой образует пары электродов «исток-сток» транзисторной матрицы.
6. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что нижний проводящий слой образует затворные шины транзисторной матрицы.
7. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что непроводящий слой формируют с использованием способа конформального осаждения.
-4
8. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что формирование нитридного слоя осуществляют посредством напыления, причем перед указанным формированием нитридного слоя осуществляют нагревание подложки в распылительной камере под давлением примерно 10 Па.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что дополнительно нитридный слой подвергают плазменной обработке.
10. Конструкция устройства, содержащая: несущую подложку и множество электронно-функциональных элементов, образованных стопкой слоев, содержащей нижний проводящий слой, причем конструкция устройства между несущей подложкой и нижним проводящим слоем содержит непроводящий слой, который обеспечивает увеличение сцепления нижнего проводящего слоя с несущей подложкой, при этом непроводящий слой содержит нитридный слой, содержащий на поверхности раздела с нижним проводящим слоем менее 10 атомарных процентов кислорода.
11. Конструкция устройства по п.10, отличающаяся тем, что несущая подложка содержит полимерную основу.
12. Конструкция устройства по п.10, отличающаяся тем, что несущая подложка содержит полимерную основу и покрывающий ее планаризирующий слой.
13. Конструкция устройства по п.12, отличающаяся тем, что непроводящий слой сформирован непосредственно на планаризирующем слое.
14. Конструкция устройства по любому из пп.10-13, отличающаяся тем, что нижний проводящий слой образует пары электродов «исток-сток» транзисторной матрицы.
15. Конструкция устройства по любому из пп.10-13, отличающаяся тем, что нижний проводящий слой образует затворные шины транзисторной матрицы.