СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОКРЫТИЙ ПРОВОДЯЩИХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ВНУТРЕННЕЙ ПОВЕРХНОСТИ УГЛУБЛЕНИЙ В ПРОЦЕССЕ ПРОИЗВОДСТВА ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ

1. Способ формирования покрытий проводящих и диэлектрических материалов на внутренней поверхности углублений кремниевой пластины, включающий импульсную генерацию и транспортировку плазменного потока через плазмооптическую систему в электрическом и магнитном полях, пересекающих поверхность осаждения, отличающийся тем, что, с целью формирования покрытия на заданной поверхности и заданной степени равномерности, силовые линии магнитного поля, выходящего из плазмооптической системы, сопряжены с силовыми линиями магнитного поля, формируемого дополнительными источниками магнитного поля, создающих заданную конфигурацию магнитного поля на поверхности осаждения.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что не менее одного дополнительного источника магнитного поля выполнено с возможностью перемещения.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что не менее двух дополнительных источников магнитного поля предназначены для конфигурации магнитного поля.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что дополнительных источников магнитного поля не менее 3.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что источников генерации плазмы осаждаемого вещества не менее 2.