УСТРОЙСТВО СНЯТИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ И СИСТЕМА СНЯТИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ

1. Устройство фотоэлектрического преобразования, содержащее:
множество блоков фотоэлектрического преобразования, каждый из которых включает в себя множество элементов фотоэлектрического преобразования,
причем сигнальные несущие, сгенерированные во множестве элементов фотоэлектрического преобразования, включенных во множество блоков фотоэлектрического преобразования, или сигналы на основе сигнальных несущих складываются,
причем каждый из множества элементов фотоэлектрического преобразования включает в себя первую полупроводниковую область первого типа проводимости, которая накапливает сигнальные несущие,
причем первые полупроводниковые области, включенные в состав элементов фотоэлектрического преобразования, которые включаются в состав каждого из блоков фотоэлектрического преобразования и располагаются смежно друг к другу, размещают между собой вторую полупроводниковую область второго типа проводимости, и
при этом высота потенциального барьера для сигнальных несущих, сгенерированных в определенной области второй полупроводниковой области, меньше высоты потенциального барьера для сигнальных несущих, сгенерированных в области, находящейся между каждой из первых полупроводниковых областей и стоковой областью для избыточных зарядов первого типа проводимости.
2. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.1,
в котором область, находящаяся между каждой из первых полупроводниковых областей и стоковой областью для избыточных зарядов первого типа проводимости, является третьей полупроводниковой областью второго типа проводимости.
3. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.1,
в котором каждый из блоков фотоэлектрического преобразования включает в себя множество элементов фотоэлектрического преобразования, на которые падает свет, собранный посредством одной микролинзы.
4. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.1,
в котором стоковая область для избыточных зарядов является полупроводниковой областью первого типа проводимости, расположенной в вертикальном направлении первой полупроводниковой области.
5. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.4,
в котором полупроводниковая область первого типа проводимости является полупроводниковой подложкой первого типа проводимости.
6. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.1,
в котором стоковая область для избыточных зарядов является полупроводниковой областью первого типа проводимости, расположенной в поперечном направлении первой полупроводниковой области.
7. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.6,
в котором полупроводниковая область первого типа проводимости является истоковой областью или стоковой областью транзистора первого типа проводимости, включенного в состав каждого из блоков фотоэлектрического преобразования.
8. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.2,
в котором концентрация примеси третьей полупроводниковой области, по меньшей мере, в три раза превышает концентрацию примеси определенной области.
9. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.8,
в котором концентрация примеси третьей полупроводниковой области, по меньшей мере, в десять раз превышает концентрацию примеси определенной области.
10. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.1,
в котором вторая полупроводниковая область включает в себя первую часть и вторую часть, а концентрация примеси первой части ниже концентрации примеси второй части или же ширина первой части при просмотре в плане меньше ширины второй части при просмотре в плане.
11. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.10,
в котором первая часть располагается на глубине, отличной от глубины, на которой располагается вторая часть.
12. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.10,
в котором, при просмотре второй полупроводниковой области в плане, первая часть располагается в позиции, отличной от позиции, в которой располагается вторая часть.
13. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.10,
в котором пиковая концентрация примеси первой части отличается от пиковой концентрации примеси первой полупроводниковой области.
14. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.10,
в котором каждый из блоков фотоэлектрического преобразования включает в себя множество элементов фотоэлектрического преобразования, на которые падает свет, собранный посредством одной микролинзы, и
в котором первая часть располагается со смещением, по меньшей мере, в одном направлении относительно позиции выступа центральной позиции микролинзы на светоприемной поверхности.
15. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.14,
в котором степень смещения составляет 0,1 мкм или более.
16. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.1,
в котором множество элементов фотоэлектрического преобразования располагается в различных позициях при просмотре в плане.
17. Устройство фотоэлектрического преобразования по любому из пп.1-16,
в котором четвертая полупроводниковая область второго типа проводимости обеспечивается между первыми полупроводниковыми областями, включенными в состав соседних элементов фотоэлектрического преобразования, которые включаются в состав различных блоков фотоэлектрического преобразования, расположенных смежно друг к другу, а высота потенциального барьера, сгенерированного, по меньшей мере, в определенной области второй полупроводниковой области, меньше высоты потенциального барьера, сгенерированного в четвертой полупроводниковой области.
18. Устройство фотоэлектрического преобразования по п.17,
в котором высота потенциального барьера, сгенерированного в четвертой полупроводниковой области, превышает высоту потенциального барьера, сгенерированного в третьей полупроводниковой области.
19. Система снятия изображения, содержащая:
устройство фотоэлектрического преобразования по п.1,
причем захват изображения выполняется с использованием сигналов, полученных посредством сложения сигналов множества элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в состав множества блоков фотоэлектрического преобразования, и
при этом обнаружение фокуса во время захвата изображения выполняется с использованием, по меньшей мере, одного из сигналов множества элементов фотоэлектрического преобразования, включенных в состав множества блоков фотоэлектрического преобразования.
20. Система снятия изображения по п.19,
в которой обнаружение фокуса прекращается по превышению величины заряда, который накапливается посредством одного или более элементов фотоэлектрического преобразования во множестве блоков фотоэлектрического преобразования.