Магниторезистивный элемент на основе МДП структуры

2
Магниторезистивный элемент на основе МДП структуры, включающий немагнитную подложку, слой диэлектрика и слой ферромагнитного металла, подверженного оптическому облучению, отличающийся тем, что он имеет CIP геометрию, к которой прикладывается внешнее магнитное поле и у которой в качестве подложки используют p-Si, в качестве диэлектрика используют SiO и слой ферромагнитного металла в виде двух контактов, при оптическом облучении одного из которых не поляризованным светом создается неравновесное состояние неосновных носителей в полупроводнике, при этом скорость рекомбинации носителей увеличивается, за счет чего проводимость структуры падает.