ВЫСОКОПРОВОДЯЩИЕ ПРОЗРАЧНЫЕ УГЛЕРОДНЫЕ ПЛЕНКИ В КАЧЕСТВЕ ЭЛЕКТРОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ

1. Способ приготовления прозрачной проводящей углеродной пленки, содержащий стадии
(i) нанесения раствора дискотических предшественников на подложку и
(ii) нагревание подложки с покрытием в атмосфере защитного газа до температуры от 400 до 2000°С.
2. Способ по п.1, в котором приготовленная прозрачная углеродная пленка при толщине от 30 до 4 нм обладает пропусканием в диапазоне 60-95% при длине волны 700 нм.
3. Способ по п.1 или 2 для приготовления прозрачной проводящей углеродной пленки, в котором приготовленная углеродная пленка характеризуется сопротивлением листа до 30 кОм/кв.
4. Способ по п.1, в котором дискотические предшественники выбирают из олиго- или полициклических ароматических углеводородов, содержащих по меньшей мере три ароматических кольца.
5. Способ по п.1, в котором дискотические предшественники выбирают из суперфеналенов, гексабензокороненов (НВС), оваленов, короненов, периленов, пиренов и их производных; битумных пеков, тяжелых масел из угля или нефти; или расслоенного графита, получаемого химическим или физическим расслоением любого графита или оксида графита.
6. Способ по п.1, в котором приготовленная углеродная пленка имеет толщину ≤50 нм.
7. Способ по п.1, в котором подложкой является прозрачная подложка.
8. Способ по п.1, в котором подложка состоит из стекла, кварца, сапфира или полимера.
9. Способ по п.1, в котором нанесение дискотических предшественников на подложку осуществляют с помощью нанесения при вращении, нанесения распылением, нанесения погружением, зонной разливкой, послойным нанесением и методом Лэнгмюра-Блоджетта.
2
10. Способ по п.1, в котором инертный газ выбирают из азота или благородного газа, в частности Аr, или восстановительного газа, в частности H.
11. Способ по п.1, в котором подложку с покрытием нагревают до температуры от 500 до 1500°С.
12. Способ по п.1, в котором на стадии (i) образуются плоско выровненные дискотические структуры.
13. Способ по п.12, характеризующийся тем, что присоединение плоско выровненных дискотических структур осуществляют с помощью нагрева.
14. Способ по п.1, характеризующийся тем, что на стадии (ii) температуру медленно повышают так, чтобы не происходило расплавления дискотических структур.
15. Способ по п.1, характеризующийся тем, что нагревание осуществляют со скоростью нагрева меньшей или равной 10°С/мин, в частности ≤5°С/мин.
16. Прозрачная проводящая углеродная пленка, которая получена способом по любому из пп.1-15.
17. Электрод, содержащий углеродную пленку по п.16.
18. Применение электрода по п.17 для жидкокристаллических дисплеев, плоскопанельных дисплеев, плазменных дисплеев, сенсорных панелей, электронного наката краски, лазеров, оптических средств связи, светоизлучающих диодов или солнечных элементов.
19. Оптоэлектронное устройство, содержащее электрод по п.17.
20. Оптоэлектронное устройство по п.19, представляющее собой фотодиоды, включающие солнечные элементы, фототранзисторы, фотоумножители, элементы интегральной оптической схемы (IOC), фоторезисторы, инжекционные лазерные диоды или светоизлучающие диоды.