СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРЫ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ И ДРУГИХ ПРОСТРАНСТВЕННО-УПОРЯДОЧЕННЫХ МЕЗОСКОПИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ С ПОМОЩЬЮ ТРЕХМЕРНОЙ РЕКОНСТРУКЦИИ ОБРАТНОГО ПРОСТРАНСТВА

1. Способ исследования структуры фотонных кристаллов и других пространственно-упорядоченных мезоскопических материалов с помощью трехмерной реконструкции обратного пространства, отличающийся тем, что осуществляется математическая обработка набора дифракционных картин для выделения компонент фонового сигнала, представляющего собой рассеяние на индивидуальных элементах структуры и дифракции на упорядоченной решетке элементов.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что может быть реализован в методах рентгеновской, электронной и нейтронной дифракции, а также дифракционных экспериментах по рассеянию прочих видов электромагнитного излучения.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что восстановление полного обратного пространства кристаллов происходит по данным дифракционных картин, полученных при вращении образца на 180°.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что для идентификации рефлексов анализируется зависимость , где q - вектор рассеяния.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что позволяет обрабатывать ряды дифракционных изображений, формировать из них единое поле данных, представляющее собой трехмерную реконструкцию обратного пространства, и проводить его постобработку с целью количественного анализа распределения интенсивности.
фон
детектор
фон
детектор
детектор
-n
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что для описания функции фона используется метод регрессионного анализа; в малоугловой области для описания функции фона используется степенная функция I(q)=kg+I, в широкоугловой - экспоненциальная функция I(q)=exp(k-ng)+I, где g - вектор рассеяния, k и n - константы, зависящие от контраста и формы рассеивающих частиц, I - темновой сигнал детектора.
7. Способ по п.7, отличающийся тем, что для улучшения процедуры описания фонового сигнала выделяется подмассив f(q) для области малых q, который описывается отдельно по механизму для малоугловой области.
8. Способ по п.4, отличающийся тем, что осуществляется нормировка на толщину образца и учитывается кривизна сферы Эвальда.