БУФЕРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С МАЛЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ СМЕЩЕНИЯ НУЛЯ
BUFFER AMPLIFIER WITH LOW ZERO-SHIFT VOLTAGE

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве выходного усилителя мощности аналоговых микросхем различного функционального назначения (например, прецизионных повторителях сигналов, драйверов линий связи и т.п.).
В современной радиоэлектронной аппаратуре находят широкое применение буферные усилители (БУ) на основе р-n-р и n-р-n транзисторов - так называемые «бриллиантовые» транзисторы, которые выпускаются ведущими микроэлектронными фирмами как в виде самостоятельных микросхем (BUF1, BUF600, LMH6321 и др.), так и в составе мостовых входных и двухтактных выходных каскадов различных аналоговых устройств [1-46].
Ближайшим прототипом заявляемого устройства является классический буферный усилитель (фиг.1), представленный в патенте США фирмы Analog Devices №5.323.122, fig.2. Он содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы, базы которых подключены ко входу устройства 3, первый 4 и второй 5 выходные транзисторы, эмиттеры которых связаны с выходом 6 устройства, первый 7 токостабилизирующий двухполюсник, подключенный к базе первого 4 выходного транзистора, второй 8 токостабилизирующий двухполюсник, подключенный к базе второго 5 выходного транзистора.
см
Существенный недостаток известного БУ состоит в том, что он характеризуется сравнительно большим напряжением смещения нуля (U).
Основная цель предлагаемого изобретения состоит в уменьшении напряжения смещения нуля буферного усилителя и его температурной и/или радиационной зависимости.
Поставленная цель достигается тем, что в буферном усилителе фиг.1, содержащем первый 1 и второй 2 входные транзисторы, базы которых подключены ко входу устройства 3, первый 4 и второй 5 выходные транзисторы, эмиттеры которых связаны с выходом 6 устройства, первый 7 токостабилизирующий двухполюсник, подключенный к базе первого 4 выходного транзистора, второй 8 токостабилизирующий двухполюсник, подключенный к базе второго 5 выходного транзистора, предусмотрены новые элементы и связи - эмиттер первого 1 входного транзистора соединен с базой первого 4 выходного транзистора через первую 9 цепь смещения потенциала и подключен к первому 10 дополнительному токостабилизирующему двухполюснику, эмиттер второго 2 входного транзистора соединен с базой второго 5 выходного транзистора через вторую 11 цепь смещения потенциала и подключен ко второму 12 дополнительному токостабилизирующему двухполюснику.
На фиг.1 показана схема БУ-прототипа.
На фиг.2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с п.1 и п.2 формулы изобретения.
На фиг.3 приведена схема предлагаемого БУ в соответствии с п.3 формулы изобретения.
Фиг.4 соответствует п.4 и п.3 формулы изобретения.
На фиг.5 приведена схема БУ-прототипа в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар».
На фиг.6 приведена схема заявляемого устройства фиг.2 в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар».
На фиг.7 приведена схема заявляемого БУ, соответствующего п.3 формулы изобретения, в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар».
На фиг.8 приведена схема фиг.4 в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар».
На фиг.9 показаны температурные зависимости напряжения смещения нуля буферных усилителей фиг.5, фиг.6, фиг.7 и фиг.8, которые показывают, что в сравнении с БУ-прототипом (фиг.5) предлагаемый подкласс БУ (фиг.6, фиг.7, фиг.8) характеризуется более чем на порядок меньшими абсолютными значениями напряжения смещения нуля, а также его температурного дрейфа.
Буферный усилитель фиг.2 содержит первый 1 и второй 2 входные транзисторы, базы которых подключены ко входу устройства 3, первый 4 и второй 5 выходные транзисторы, эмиттеры которых связаны с выходом 6 устройства, первый 7 токостабилизирующий двухполюсник, подключенный к базе первого 4 выходного транзистора, второй 8 токостабилизирующий двухполюсник, подключенный к базе второго 5 выходного транзистора. Эмиттер первого 1 входного транзистора соединен с базой первого 4 выходного транзистора через первую 9 цепь смещения потенциала и подключен к первому 10 дополнительному токостабилизирующему двухполюснику, эмиттер второго 2 входного транзистора соединен с базой второго 5 выходного транзистора через вторую 11 цепь смещения потенциала и подключен ко второму 12 дополнительному токостабилизирующему двухполюснику.
На фиг.2 в соответствии с п.2 формулы изобретения первая 9 и вторая 10 цепи смещения потенциалов выполнены в виде двух последовательно соединенных р-n переходов 13, 14 и 15, 16.
На фиг.3 в соответствии с п.3 формулы изобретения в схему введен первый 17 дополнительный транзистор, база которого подключена к базе второго 5 выходного транзистора, а эмиттер подключен к коллектору второго 2 входного транзистора.
На фиг.4 в соответствии с п.4 формулы изобретения в схему введен второй 18 дополнительный транзистор, база которого подключена к базе первого 4 выходного транзистора, а эмиттер подключен к коллектору первого 1 входного транзистора.
В частном случае для повышения быстродействия БУ, зависящего от скорости перезаряда паразитных емкостей, в предлагаемых схемах (фиг.2-4) могут вводиться двухполюсники 19 и 20 (фиг.4).
Рассмотрим работу заявляемого устройства фиг.3 на постоянном токе.
На основании второго закона Кирхгофа можно составить следующую систему уравнений, связывающую входные и выходные напряжения:
см
где U - напряжение смещения нуля БУ;
эб.i
U - напряжение эмиттер-база i-го транзистора.
При этом без учета внутренней обратной связи в транзисторах
т
где φ≈26 мВ - температурный потенциал;
э.i
I - статический ток эмиттера i-го транзистора;
эо.i
I - обратный ток эмиттерного перехода i-го транзистора.
эо
Так как эмиттерные переходы n-р-n транзисторов одинаковы, то при одинаковых обратных токах I одинаковых транзисторов 1, 4, 13 и 14 напряжение смещения нуля будет близко к нулю.
В БУ-прототипе фиг.1 напряжение смещения нуля определяется двумя n-р-n и р-n-р транзисторами, которые в силу технологических проблем имеют разные обратные токи:
или с учетом (2)
см
В связи с тем, что обратные токи р-n-р и n-р-n транзисторов всегда отличаются, схеме фиг.1 всегда присущи более высокие значения U, на практике это 15÷20 мВ.
Данные теоретические выводы подтверждаются результатами компьютерного моделирования схем фиг.5, фиг.6 и фиг.7 - заявляемый БУ имеет более чем на порядок меньшее напряжение смещения нуля.
см
В схемах фиг.3, фиг.4 за счет введения транзисторов 17 и 18 уменьшается входная проводимость, а также влияние эффекта Эрли на U.
эб
Предлагаемые схемы эффективны и при радиационном воздействии на полупроводниковые элементы, которое выражается в деградации U транзисторов.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Патент США №6.181.204 fig.2
2. Патент ЕР 0318811
3. Патентная заявка Японии JP 2000/183666
4. Патентная заявка Японии JP 2000/106508
5. Патент Японии JP 6204759
6. Патент Японии JP 6310950
7. Патент Японии JP 11167368
8. Патент Японии JP 10163763
9. Патент Японии JP 10065457
10. Патент Японии JP 10022747
11. Патент США №6.281.752
12. Патент США №6.215.357
13. Патент США №5.512.859
14. Патент США №5.515.007
15. Патент США №5.568.090
16. Патент США №5.907.262
17. Патент США №4.160.216
18. Патент США №6.710.654
19. Патент США №6.160.451
20. Патент США №6.268.769
21. Патент США №6.501.334
22. Патент США №5.144.259
23. Патент США №5.327.095
24. Патент США №5.357.211
25. Патент США №5.479.133
26. Патент США №6.492.870
27. Патент США №4.791.383
28. Патент США №4.833.424
29. Патент США №5.179.355
30. Патент США №5.323.122
31. Патент США №5.557.238
32. Патент США №5.623.230
33. Патент РФ №2193273
34. Патент Японии JP 10270954
35. Патент США №5.374.897
36. Патент США №4.837.523
37. Патент США №6.542.032
38. Патент Японии JP 11251846
39. Патент РФ №2168263
40. Патент РФ №1160530
41. Патент РФ №1506512
42. Патент РФ №1007185
43. Патент США №6.535.063
44. Патент США №5.378.938
45. Патент ЕР 0786858
46. Патент США №5.515.007