ЖИДКОСТЬ ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЯ ДЛЯ ОБРАЗОВАНИЯ МЕТАЛЛООКСИДНОЙ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ, МЕТАЛЛООКСИДНАЯ ТОНКАЯ ПЛЕНКА, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

1. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, включающая:
неорганическое соединение индия;
по меньшей мере, одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка; и
простой гликолевый эфир.
2. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки по п.1,
в которой неорганическим соединением индия является, по меньшей мере, одно, выбранное из группы, состоящей из нитрата индия, сульфата индия и хлорида индия;
в которой неорганическим соединением магния является, по меньшей мере, одно, выбранное из группы, состоящей из нитрата магния, сульфата магния и хлорида магния; и
в которой неорганическим соединением цинка является, по меньшей мере, одно, выбранное из группы, состоящей из нитрата цинка, сульфата цинка и хлорида цинка.
3. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки по п.1, причем жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки удовлетворяет следующему выражению (1):
0,25≤[B/(A+B)]≤0,65 Выражение (1)
где А обозначает количество ионов индия, а В обозначает сумму количества ионов магния и количества ионов цинка в жидкости для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки.
4. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки по п.1, дополнительно включающая диол.
5. Жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки по п.1, дополнительно включающая, по меньшей мере, одно из неорганического соединения алюминия и неорганического соединения галлия.
6. Металлооксидная тонкая пленка, полученная способом, включающим в себя:
покрытие объекта для нанесения покрытия жидкостью для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки;
сушку объекта для нанесения покрытия, который был покрыт жидкостью для нанесения покрытия; и
прокаливание высушенного объекта для нанесения покрытия для образования поверх него металлооксидной тонкой пленки,
при этом жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки включает:
неорганическое соединение индия;
по меньшей мере, одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка; и
простой гликолевый эфир.
7. Полевой транзистор, включающий в себя:
электрод затвора, сконфигурированный для приложения напряжения затвора,
электрод истока и электрод стока, сконфигурированные, чтобы снимать ток,
активный слой, образованный из оксидного полупроводника, и расположенный между электродом истока и электродом стока,
изоляционный слой затвора, образованный между электродом затвора и активным слоем,
при этом оксидный полупроводник образован посредством покрытия жидкостью для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, и
жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки включает:
неорганическое соединение индия;
по меньшей мере, одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка; и
простой гликолевый эфир.
8. Способ получения полевого транзистора, включающий в себя:
образование электрода затвора на подложке;
образование изоляционного слоя затвора на электроде затвора;
образование электрода истока и электрода стока на изоляционном слое затвора так, что электрод истока и электрод стока расположены на расстоянии друг от друга, чтобы образовать между ними область канала; и
образование активного слоя, образованного из оксидного полупроводника, на изоляционном слое затвора в области канала между электродом истока и электродом стока,
при этом образованием активного слоя является покрытие изоляционного слоя затвора жидкостью для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, чтобы тем самым образовать активный слой оксидного полупроводника, и
жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки включает:
неорганическое соединение индия;
по меньшей мере, одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка; и
простой гликолевый эфир.
9. Способ получения полевого транзистора, включающий в себя:
образование электрода истока и электрода стока на подложке так, что электрод истока и электрод стока расположены на расстоянии друг от друга, чтобы образовать область канала между ними;
образование активного слоя, образованного из оксидного полупроводника на подложке в области канала между электродом истока и электродом стока;
образование изоляционного слоя затвора на активном слое; и
образование электрода затвора на изоляционном слое затвора,
при этом образованием активного слоя является покрытие подложки жидкостью для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки, чтобы тем самым образовать активный слой оксидного полупроводника, и
жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки включает:
неорганическое соединение индия;
по меньшей мере, одно из неорганического соединения магния и неорганического соединения цинка; и
простой гликолевый эфир.
10. Способ получения полевого транзистора по п.8, в котором регулируют, по меньшей мере, одно из объемного удельного сопротивления, подвижности носителей и плотности носителей оксидного полупроводника, корректируя отношения [B/(A+B)], где А обозначает количество ионов индия, а В обозначает сумму количества ионов магния и количества ионов цинка в жидкости для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки.
11. Способ получения полевого транзистора по п.8, в котором жидкость для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки содержит диол, а вязкость жидкости для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки регулируют, корректируя соотношение простого гликолевого эфира и диола, содержащихся в жидкости для нанесения покрытия для образования металлооксидной тонкой пленки.