СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ И ЭНЕРГИИ АКТИВАЦИИ ПРИМЕСНЫХ ЦЕНТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ

1
2
1
2
1
2
1
2
1
2
1
2
Способ определения параметров полупроводникового слоя в измеряемой структуре диэлектрик-полупроводник, включающий облучение структуры электромагнитным излучением СВЧ-диапазона, измерение спектра отражения излучения от структуры в выбранном частотном диапазоне при двух различных значениях температуры Т и Т, далее по полученным зависимостям решают обратную задачу, определяют электропроводность σ и σ полупроводникового слоя при двух значениях температуры Т и Т соответственно, отличающийся тем, что значения температур выбирают из диапазона, в котором изменение концентрации носителей заряда связано с ионизацией примесных центров, затем определяют энергию активации примесных центров, используя соотношение: ΔW=2kTT[ln(σ/σ)]/(T-T), где k - постоянная Больцмана.