СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНТАКТОВ ШОТТКИ

4
2
5
2
Способ изготовления контактов Шоттки, включающий нанесение на полупроводниковую подложку с высокоомным эпитаксиальным слоем пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава и дополнительной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет снижения токов утечки и повышения термополевой стабильности, нанесение пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава осуществляют ионно-лучевым методом в два этапа, причем на первом этапе наносят слой толщиной 25-35 нм при плотности мощности разряда 5-7×10Вт/м, а на втором этапе доращивают слой до 60-90 нм при плотности мощности разряда (1,0-1,5)·10 Вт/м.