ПОКРЫТОЕ ИЗДЕЛИЕ, ИМЕЮЩЕЕ ЗАТРАВОЧНЫЙ СЛОЙ ЛЕГИРОВАННОГО Ga ОКСИДА ЦИНКА С УМЕНЬШЕННЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ ПОД ФУНКЦИОНАЛЬНЫМ СЛОЕМ, И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Покрытое изделие, включающее в себя поддерживаемое стеклянной подложкой покрытие, причем покрытие содержит по меньшей мере следующие слои, двигаясь от стеклянной подложки:
диэлектрический слой, содержащий цинк и галлий;
отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро и/или золото, расположенный на подложке поверх слоя, содержащего цинк и галлий, и непосредственно контактирующий с ним,
диэлектрический слой на подложке поверх по меньшей мере слоя, содержащего цинк и галлий, и отражающего ИК излучение слоя; и
при этом слой, содержащий цинк и галлий, включает от примерно 0,01 до 10% галлия.
2. Покрытое изделие по п. 1, при этом в слое, содержащем цинк и галлий, ионный радиус цинка и ионный радиус галлия отличаются не более чем на примерно 15 пм.
3. Окно, включающее в себя покрытое изделие по п. 1, при этом слой, содержащий цинк и галлий, является практически прозрачным.
4. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытие представляет собой низкоэмиссионное (low-Е) покрытие.
5. Покрытое изделие по п. 1, при этом слой, содержащий цинк и галлий, содержит легированный галлием оксид цинка.
6. Покрытое изделие по п. 1, при этом слой, содержащий цинк и галлий, состоит, по существу, из легированного галлием оксида цинка.
7. Покрытое изделие по п. 1, при этом слой, содержащий цинк и галлий, содержит от примерно 0,25 до 10% галлия.
8. Покрытое изделие по п. 1, при этом слой, содержащий цинк и галлий, содержит оксид цинка и галлий и включает от примерно 1 до 5% галлия.
9. Покрытое изделие по п. 1, при этом ионный радиус цинка и ионный радиус галлия отличаются не более чем на примерно 13,5 пм.
10. Покрытое изделие по п. 1, дополнительно содержащее контактный слой, расположенный над отражающим ИК излучение слоем, при этом контактный слой содержит цинк и галлий.
11. Покрытое изделие по п. 1, при этом слой, содержащий цинк и галлий, является практически прозрачным и диэлектрическим.
12. Покрытое изделие по п. 1, при этом слой, содержащий цинк и галлий, составляет от примерно 10-300 Å в толщину.
13. Покрытое изделие, включающее в себя поддерживаемое подложкой покрытие, причем покрытие содержит по меньшей мере следующие слои, двигаясь от подложки:
практически прозрачный диэлектрический затравочный слой, содержащий первый материал и второй материал, при этом разница между ионным радиусом первого материала и ионным радиусом второго материала отличается не более чем на примерно 15 пм;
слой, содержащий серебро, расположенный на подложке поверх затравочного слоя и непосредственно контактирующий с ним,
по меньшей мере один диэлектрический слой поверх по меньшей мере слоя, содержащего серебро;
при этом первый материал является металлом, а второй материал используется для легирования оксида первого материала в затравочном слое; и
при этом затравочный слой включает от примерно 0,01 до 10%, более предпочтительно, от примерно 0,25% до 10%, второго материала.
14. Покрытое изделие по п. 13, при этом второй материал представляет собой галлий.
15. Покрытое изделие по п. 14, при этом первый материал представляет собой цинк.
16. Покрытое изделие по п. 13, при этом первый материал представляет собой цинк.
17. Окно, включающее в себя покрытое изделие по п. 13.
18. Покрытое изделие по п. 13, при этом покрытие представляет собой низкоэмиссионное (low-Е) покрытие для окон.
19. Покрытое изделие по п. 13, при этом затравочный слой содержит оксид цинка, легированный от примерно 0,25 до 10% галлия.
20. Покрытое изделие по п. 13, при этом затравочный слой содержит оксид цинка, легированный от примерно 1 до 5% галлия.
21. Распыляемая мишень для осаждения распылением слоя, содержащего легированный галлием оксид цинка, при этом мишень содержит цинк и от примерно 0,25 до 10% галлия.
22. Мишень по п. 21, при этом мишень содержит от примерно 0,25 до 5% галлия, более предпочтительно, от примерно 1 до 5% галлия.