СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖКИ, ОБЕСПЕЧИВАЮЩИЙ ПАССИВАЦИЮ БЕЗ УЧАСТИЯ ХРОМА VI И КОБАЛЬТА

1. Способ для обработки металлической подложки, который обеспечивается пассивированием, которое не содержит хром VI и кобальт, путем применения первого кислотного пассивирования и второго щелочного пассивирования на металлической подложке, отличающийся тем, что для изготовления второго щелочного пассивирования используется водная щелочная композиция, которая содержит силикаты, модифицированные силаном и/или силоксаном.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что во втором щелочном пассивировании водная щелочная композиция наносится на подложку, причем композиция содержит модифицированный силаном и/или модифицированный силоксаном силикат с долей силана от 1% по массе до 99% по массе.
3. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что для изготовления второго щелочного пассивирования водная щелочная композиция наносится на металлическую подложку, причем композиция содержит один или более силикатов из группы, включающей коллоидные золи диоксида кремния, натрий, калий, литий и силикат аммония, все силикаты в данном случае также включают полисиликаты.
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что для изготовления второго щелочного пассивирования применяется водная, щелочная композиция, которая содержит полисиликат лития или смесь полисиликата лития с коллоидными золями диоксида кремния, силикатами натрия, калия и/или аммония.
5. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что водная щелочная композиция, применяемая для изготовления второго щелочного пассивирования, содержит винил-, амино- или эпокси-функциональный силан и/или силоксан, или смесь этих силанов или силоксанов.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что водный раствор, применяемый для изготовления второго щелочного пассивирования, содержит один или более силанов из группы, содержащей метакрилокси-метилтриэтоксисилан, 3-аминопропилметилдиэтоксисилан, 3-аминопропилтриэтоксисилан, N-(2-аминоэтил)-3-аминопропилметилдиметоксисилан, 3-
глицидилоксипропил-триметоксисилан, винилтриметоксисилан, винилтриэтоксисилан, метилтриметоксисилан, этилтриметоксисилан, а также 3-меркаптопропилтриметоксисилан и силоксаны.
7. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что водная щелочная композиция, используемая для изготовления второго щелочного пассивирования, содержит силикаты, силаны, силоксаны и модифицированные силаном и/или модифицированные силоксаном силикаты, которые используются в частично или полностью гидролизованной форме.
8. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что подложка, на которую наносится покрытие, имеет металлическую поверхность из группы, включающей поверхность цинка, алюминия, сплава цинк-алюминий, сплава цинк-железо или сплава цинка или алюминия с одним или несколькими другими металлами.
9. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что у второго щелочного пассивирования толщина слоя составляет от 10 нм до 1 мкм и предпочтительно от 20 нм до 500 нм.
10. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что наносят первое, кислотное пассивирование, которое необязательно впоследствии сушат, и что второе щелочное пассивирование наносят на первое высушенное пассивирование.
11. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что для изготовления первого, кислотного пассивирования, водную кислотную композицию наносят на подложку, причем композиция содержит соединение хрома (III), которое выбирают из группы, содержащей сульфат хрома (III), гидроксид хрома (III), дигидрофосфат хрома (III), хлорид хрома (III), нитрат хрома (III), сульфат хрома (III)-натрий, сульфат хрома (III)-калий и соли хрома (III) с органическими кислотами.
12. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что для изготовления первого, кислотного пассивирования, водную кислотную композицию наносят на подложку, при этом композиция содержит нитратное соединение.
13. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что для изготовления первого, кислотного пассивирования, водную кислотную композицию наносят на подложку, при этом композиция
содержит источник фтора, который выбран из группы соединений, содержащей: фтористоводородную кислоту, гексафтортитановую кислоту, гексафторциркониевую кислоту, фторид натрия, фторид калия, фторид аммония, бифторид натрия, бифторид калия и бифторид аммония.
14. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что для изготовления первого, кислотного пассивирования, водную, кислотную композицию наносят на подложку, причем данная композиция содержит один или более соединений металлов молибдена, ванадия или вольфрама.
15. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что для изготовления первого, кислотного пассивирования, водную, кислотную композицию наносят на подложку, причем данная композиция содержит одно или более соединений из группы, содержащей молибдат калия, молибдат натрия, ортованадат калия, метаванадат калия, ортованадат натрия, метаванадат натрия, вольфрамат натрия, паравольфрамат натрия и пятиокись ванадия.
16. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что для изготовления первого, кислотного пассивирования, водную, кислотную композицию наносят на подложку, причем данная композиция содержит фосфоновую кислоту и/или ее производные.
17. Способ по п. 16, отличающийся тем, что для изготовления первого, кислотного пассивирования, водную композицию наносят на подложку, причем в данной композиции используются одна или более кислот из группы, содержащей (1-гидроксиэтан-1,1-диил) бифосфоновую кислоту, 2-фосфонобутан-1,2,4-трикарбоновую кислоту, аминотриметилен фосфоновую кислоту, этилендиамин тетраметилен фосфоновую кислоту или диэтилентриамин пента(метиленфосфоновую кислоту).
18. Способ по п. 16, отличающийся тем, что, для изготовления первого, кислотного пассивирования, водную, кислотную композицию наносят на подложку, причем данная композиция содержит отдельные фосфонаты или в виде смеси из группы, содержащей тетранатрий (1-гидроксиэтан-1,1-диил) бифосфонат, тринатрий (1-гидроксиэтан-1,1-диил) бифосфонат, пентанатрий этилендиамин тетраметилен фосфонат или гептанатрий диэтилентриамин пентаметилен фосфонат.
19. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что для изготовления первого кислотного пассивирования водную кислотную композицию наносят на подложку, причем данная композиция содержит один или более элементов, или их соединений из группы, содержащей молибден, марганец, церий, лантан.
20. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что первое кислотное пассивирование имеет слой толщиной от 10 нм до 1 мкм, предпочтительно до 500 нм.
21. Водная кислотная композиция для пассивирования подложки, свободная от хрома(VI) и кобальта, включающая соединение хрома (III), кислоту и источник фтора, отличающаяся тем, что данная композиция содержит одно или более соединений металлов молибдена, ванадия или вольфрама.
22. Водная кислотная, свободная от хрома (VI) и кобальта композиция по п. 21, отличающаяся тем, что в ней в качестве соединения металлов ванадия или вольфрама используется/ются одно или более соединений из группы, содержащей молибдат калия, молибдат натрия, ортованадат калия, метаванадат калия, ортованадат натрия, метаванадат натрия, вольфрамат натрия, паравольфрамат натрия и пятиокись ванадия.
23. Металлическая подложка с пассивированием, свободным от кобальта, содержащим элементы хрома, фтора, а также, по меньшей мере, один из элементов от группы, содержащей молибден, ванадий и вольфрам.
24. Металлическая подложка с пассивированием, свободным от кобальта, по п. 23, отличающаяся тем, что пассивирование содержит кислородные соединения металлов молибдена, ванадия и/или вольфрама.
25. Металлическая подложка со свободным от кобальта пассивированием по п. 23, содержащим модифицированный силаном и/или модифицированный силоксаном силикат.
26. Металлическая подложка по любому из пп. 23-25, отличающаяся тем, что первый пассивирующий слой наносится непосредственно на подложку, при этом в данном слое могут быть обнаружены элементы хром, фтор, а также, по меньшей мере, один из элементов группы, содержащей молибден, ванадий, вольфрам, а
также металлические и редкоземельные элементы.
27. Металлическая подложка по п. 26, отличающаяся тем, что второй пассивирующий слой, в котором могут быть обнаружены кремний и/или натрий, калий или литий, наносится на первый пассивирующий слой.
28. Металлическая подложка по любому из пп. 23-25 или 27, отличающаяся тем, что второй пассивирующий слой содержит кремний-углеродные связи.
29. Металлическая подложка по любому из пп. 23-25 или 27, отличающаяся тем, что первый пассивирующий слой и второй пассивирующий слой имеют толщину каждый от 10 нм до 1 мкм.
30. Металлическая подложка по любому из пп. 23-25 или 27, отличающаяся тем, что металлическая подложка обеспечивается пассивированием, причем подложка имеет поверхность из цинка, алюминия, стали, железа или цинкового сплава, или алюминиевого сплава.
31. Устройство для нанесения многоступенчатого пассивирования подложки, причем устройство имеет первое прикладное приспособление для нанесения первой кислотной композиции для пассивирования, а также второе прикладное приспособление для нанесения второй щелочной композиции для пассивирования.
32. Устройство по п. 31, отличающееся тем, что устройства для нанесения первой кислотной композиции или второй щелочной композиции для пассивирования обеспечивается сушильная камера для удаления жидкости с поверхности подложки.