ЯЧЕЙКА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ МНОГОКОМПОНЕНТНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА

Ячейка для получения гетероструктур на основе многокомпонентного полупроводникового материала, включающая источник вводимого компонента, твердый электролит, содержащий ионы вводимого компонента, подложку из многокомпонентного полупроводникового материала и графитовые токоподводы, отличающаяся тем, что, с целью сокращения продолжительности процесса получения трехслойных гетероструктур, ячейка выполнена сдвоенной и ее компоненты расположены по схеме:
n+
n+
C, Me/Me, ТЭ/МеХ, С-С, МеХ/ТЭ, Me/Me, С,
где С - графитовые токоподводы;
Ме - источник вводимого компонента;
n+
Me - компонент, вводимый или выводимый из подложки;
ТЭ - твердый электролит;
МеХ - многокомпонентный полупроводниковый материал подложки.