ЛАЗЕР ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ

Лазер полупроводниковый относится к оптико-электронному приборостроению и предназначен для излучения оптических импульсов в инфракрасном диапазоне.
Известный квантово-электронный модуль рис.1 (а, б, в, г) состоит из изоляционных пластин 1, четырехвыводной пластины 2, бескорпусного конденсатора 3, изоляционной прокладки 4, на которую установлен теплоотвод 5 с транзисторами 6. На пластину 11 установлен тиристор диодный ТД 10. Затем устанавливается изоляционная пластина 12, диод лазерный ДЛ, состоящий из кристалла 7, изоляторов 9, пластины 8. Данная конструкция устанавливается в корпус 13, герметизируемый лазерной сваркой в аргоне с крышкой 14 и стеклом 15, соединенных между собой герметично методом спая стекла с металлом. Окончательная герметизация осуществляется компаундом заливочным ЭЗК-6 со стороны четырехвыводной пластины 2 (квантово-электронный модуль СД3.971.007).
Недостатком квантово-электронного модуля является наличие значительного количества механических деталей, раздельно устанавливаемых диода лазерного ДЛ и тиристора диодного ТД, применение значительной номенклатуры вспомогательных материалов, сложных ручных технологических процессов, селективной сборки, различных методов герметизации (лазерная сварка в среде аргона корпуса и крышки, спая стекла и крышки в вакууме, заливка конструкции заливочным компаундом ЭЗК-6 с последующей полимеризацией до твердого состояния).
Предлагаемая конструкция полезной модели направлена на сокращение количества деталей, вспомогательных и конструкционных материалов, исключение селективной сборки, автоматизацию процессов изготовления, сокращение видов герметизации с трех до одного с применением объединенной сборки диода лазерного ДЛ и тиристора диодного ТД, а также изменением диаграммы направленности лазерного излучения на 90°.
Данный технический результат достигается тем, что изображенный на рис.2 (а, б) лазер полупроводниковый состоит из керамической микроплаты 1 с проводниками и контактными площадками, изготовленной групповым методом по тонкопленочной микроэлектронной технологии с установленными на нее бескорпусной сборкой 2 из диода лазерного ДЛ и тиристора диодного ТД, бескорпусного конденсатора 3, транзисторами 4, четырехвыводной пластины 5. Данная конструкция загерметизирована методом заливки специальным светопроницаемым веществом с последующей полимеризацией до твердого состояния определенной формы и габаритных размеров как у аналога.
Источники информации:
1. Квантово-электронный модуль СД3.971.007.
Изготовитель РЕФ-Оптоэлектроника, г.Саратов