СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО МАТЕРИАЛА

1. Способ получения полупроводникового материала, включающий пропускание импульсов постоянного тока через систему источник - твердый электролит - исходный полупроводниковый материал, в которой твердый электролит берут в виде ионопроводящей мембраны, а состав исходного материала изменяют в пределах области гомогенности путем контроля количества пропущенного электричества, причем процесс ведут при повышенной температуре с последующим охлаждением в атмосфере инертного газа, отличающийся тем, что, с целью получения гетероперехода в полупроводниковом материале, предварительно строят калибровочные кривые интегральной и дифференциальной зависимостей ЭДС от количества пропущенного электричества, определяют на их основе ширину области гомогенности, выбирают состав исходного материала в пределах этой области и пропускают количество электричества, необходимое для изменения состава приповерхностного слоя полупроводникового материала на 3-20% ширины области гомогенности, а охлаждение ведут путем закалки системы.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы гетероперехода, процесс ведут при 200-300°C.