ЛЕГИРОВАНИЕ БЕЗСВИНЦОВЫХ ПАЯЛЬНЫХ ПРИПОЕВ И СТРУКТУРЫ, СФОРМИРОВАННЫЕ С ИХ ПОМОЩЬЮ

1. Способ, включающий;
легирование безсвинцового материала припоя никелем, в котором никель составляет вплоть до приблизительно 0,2 мас.% материала припоя; и
нанесение легированного никелем безсвинцового материала припоя на медную подушку подложки.
2. Способ по п.1, при котором легирование никелем содержит процентное соотношение от приблизительно 0,1 промилле до приблизительно 0,2 мас.%.
3. Способ по п.1, при котором формирование IMC между оловом и медью уменьшается и в котором IMC содержит, по меньшей мере, одно из Cu3Sn и Cu5Sn6.
4. Способ по п.1, при котором материал припоя содержит, по меньшей мере, одно из SnAg, SnAgCu и SnCu.
5. Способ по п.1, включающий оплавление материала припоя для формирования легированной никелем структуры взаимного соединения.
6. Способ по п.5, при котором структура взаимного соединения содержит участок структуры паяного соединения.
7. Способ по п.5, при котором отказ из-за электромиграции в структуре взаимного соединения.
8. Способ по п.1, при котором подложка содержит участок микроэлектронного устройства и в котором микроэлектронное устройство дополнительно закреплено на подложке корпуса.
9. Способ, включающий:
легирование никелем безсвинцового материала припоя;
нанесение легированного никелем безсвинцового материала припоя на участок соединительной площадки подложки;
оплавление легированного безсвинцовым материалом припоя для формирования паяной, взаимно соединенной структуры.
10. Способ по п.9, при котором легирование никелем содержит процентное содержание от приблизительно 1 промилле до приблизительно 0,2 мас.%.
11. Способ по п.9, при котором соединительная площадка дополнительно содержит BLM, содержащую, по меньшей мере, один из никеля, ванадия и титана.
12. Способ по п.9, при котором паяная структура взаимного соединения содержит участок соединенной структуры.
13. Способ по п.12, при котором уменьшается интерметаллическое формирование в соединенной структуре.
14. Способ по п.13, при котором интерметаллическое соединение содержит, по меньшей мере, одно из Cu3Sn и Cu5Sn6.
15. Структура, содержащая:
соединительную площадку, расположенную на подложке; и
взаимное соединение безсвинцовым припоем, расположенное на соединительной площадке, в котором безсвинцовое взаимное соединение припоем содержит вплоть до приблизительно 0,2 мас.% никеля.
16. Структура по п.15, в которой взаимное соединение безсвинцовым припоем содержит процентное соотношении от приблизительно 1 промилле до приблизительно 0,2 мас.% никеля.
17. Структура по п.15, в которой взаимное соединение безсвинцовым припоем содержит, по меньшей мере, одно из SnAg, SnAgCu и SnCu.
18. Структура по п.15, в которой соединительная площадка содержит медь и, кроме того, содержит BLM.
19. Структура по п.15, в которой взаимное соединение безсвинцовым припоем содержит участок невысокой структуры паяного соединения.
20. Структура по п.15, в которой соединенная структура содержит участок FLI.
21. Структура по п.15, в которой подложка содержит участок микроэлектронного устройства и в которой взаимное соединение безсвинцовым припоем содержит участок паяного соединения.
22. Структура по п.15, в которой интерметаллическое соединение меди-олова, сформировавшееся на паяном соединении, содержит мелкий размер зерна.
23. Структура, содержащая:
соединительную площадку, расположенную на подложке устройства;
по меньшей мере, одно взаимное соединение безсвинцовым припоем, расположенное на соединительной площадке, в котором, по меньшей мере, одно взаимное соединение безсвинцовым припоем содержит от приблизительно 1 промилле до приблизительно 2 мас.% никеля; и
подложку корпуса, закрепленную, по меньшей мере, на одном взаимном соединении, выполненном безсвинцовым припоем.
24. Структура по п.23, в которой подложка корпуса содержит участок корпуса BGA.
25. Структура по п.23, в которой взаимное соединение безсвинцовым припоем содержит участок структуры паяного соединения.
26. Структура по п.25, в которой IMC, расположенное на границе перехода медь-припой структуры паяного соединения, содержит толщину меньше, чем приблизительно 5 мкм.
27. Структура по п.25, в которой структура паяного соединения, по существу, не содержит пор на границе перехода медь-олово.
28. Структура по п.26, в которой IMC содержит, по меньшей мере, один из Cu3Sn и Cu5Sn6.
29. Структура по п.23, дополнительно содержащая систему, в которой шина соединена с возможностью передачи данных со структурой, и DRAM соединено с возможностью передачи с шиной.
30. Структура по п.28, в которой, по меньшей мере, одно взаимное соединение безсвинцовым припоем, закрепленное на подложке корпуса, содержит участок взаимного соединения первого уровня.