СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА МИКРОСИСТЕМЫ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ДВИЖЕНИЯ

1. Способ изготовления чувствительного элемента микросистемы контроля параметров движения, отличающийся тем, что на исходной структуре кремний-на-изоляторе (КНИ) структурируют слой кремния, расположенный на диэлектрическом слое, фокусированным ионным пучком (ФИП) до получения с заданной длиной и шириной тела плоской меандрообразной пружины с площадками на концах, при структурировании слоя кремния обеспечивают геометрическую конфигурацию пружины, приводящую к увеличению электрической длины от 9 до 11 раз по сравнению с формой балки в виде сплошного прямоугольника той же заданной длины и ширины, снижению влияния вертикальной собственной частоты колебаний, возникновению продольной горизонтальной собственной частоты колебаний и возникновению изгиба при вращательном движении, после окончания структурирования слоя кремния с получением конструктивных элементов активного элемента - тела плоской меандрообразной пружины, площадок на концах - из-под тела плоской меандрообразной пружины удаляют полностью материал диэлектрического слоя, получая структуру КНИ мостикообразной формы, подготавливают несущую подложку с диэлектрической рабочей поверхностью, на которой сначала выполняют пару контактных площадок и расположенный между ними управляющий электрод из электропроводящего материала, затем на контактных площадках посредством ФИП осаждают соединяющие активный элемент контактные площадки, активный элемент с плоской меандрообразной пружиной и площадками на концах выделяют из структуры КНИ мостикообразной формы, переносят на несущую подложку и жестко крепят площадками на концах к соединяющим активный элемент контактным площадкам.
2
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве исходной структуры КНИ используют структуру с диэлектрическим слоем SiO.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что исходную структуру КНИ подвергают кипячению в петролейном эфире.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при структурировании слоя кремния ФИП используют ионы Ga.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при структурировании слоя кремния ФИП обеспечивают длину L от 29 до 39 мкм, ширину W от 10 до 15 мкм, ширину образующих пружину прямых участков-линий Н от 0,6 до 1,7 мкм.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при структурировании обеспечивают геометрическую конфигурацию пружины в форме меандра.
4
3
2
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после окончания структурирования слоя кремния осуществляют жидкостное химическое травление в травителе NHF:СНСООН:HO.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что пару контактных площадок и расположенный между ними управляющий электрод выполняют из электропроводящего материала.
9. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве подложки с диэлектрической рабочей поверхностью используют подложку кремния.
10. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при подготовке несущей подложки с диэлектрической рабочей поверхностью на ее контактных площадках осаждают соединяющие контактные площадки.
11. Способ по п. 1, отличающийся тем, что активный элемент с плоской меандрообразной пружиной и площадками на концах выделяют из структуры КНИ мостикообразной формы, переносят на несущую подложку, жестко крепят площадками на концах к соединяющим активный элемент контактным площадкам на несущей подложке с помощью микроманипулятора с тонким острозаточенным зондом.