СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

1. Светоизлучающее полупроводниковое устройство, содержащее:
- подложку;
- первый слой из полупроводника с проводимостью n-типа, сформированный на подложке;
- второй слой из полупроводника с проводимостью р-типа;
- активный слой, расположенный между первым и вторым слоями;
- проводящий слой, расположенный на втором слое,
- первый контакт, нанесенный на подложку,
- второй контакт, нанесенный на проводящий слой, причем подложка содержит, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, выполненное в форме усеченной инвертированной пирамиды, при этом первый, второй, активный и проводящий слои нанесены как на горизонтальные участки подложки, так и на внутренние грани отверстий.
2. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором количество граней упомянутых пирамид лежит в пределах от 3 до 24, длина боковой стороны основания пирамид лежит в пределах от 10 мкм до 1 мм, угол наклона боковых граней упомянутых пирамид по отношению к поверхности подложки лежит в пределах от 10° до 90°, высота отсеченной части пирамиды составляет от 5% до 50% от ее полной высоты.
3. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором сквозные отверстия расположены в виде двумерной решетки.
4. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором толщина подложки лежит в пределах от 10 мкм до 1 мм.
5. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором подложка выполнена из нитрида галлия.
6. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором подложка выполнена из карбида кремния.
7. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором подложка выполнена из оксида алюминия.
8. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором проводящий слой является прозрачным или полупрозрачным.
9. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.8, в котором проводящий слой выполнен из оксида индия с оловом (ITO).
10. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.8, в котором проводящий слой выполнен из металла толщиной от 50 до 400 Å.
11. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором первый слой из полупроводника с проводимостью n-типа выполнен из нитрида галлия легированного кремнием.
12. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором второй слой из полупроводника с проводимостью р-типа выполнен из легированного магнием нитрида галлия.
x
y
z
1-z
13. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором активный слой выполнен из нитрида галлия (GaN) и твердого раствора нитрида бор - алюминий - галлий - индия (BAlGaInN).
14. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором активный слой выполнен составным, состоящим из слоев из полупроводника со структурой фазы цинковой обманки и слоев со структурой фазы вюрцита.
x
y
z
1-z
15. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором активный слой содержит множество квантовых ям, выполненных из твердого раствора нитрида бор - алюминий - галлий - индия (BAlGaInN).
x
y
z
1-z
16. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором активный слой содержит одну широкую яму и множество квантовых ям, выполненных из твердого раствора нитрида бор - алюминий - галлий - индия (BAlGaInN).
17. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором он дополнительно содержит слой люминофора, расположенный на верхней поверхности чипа, для конверсии голубого света в белый свет.
18. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором он дополнительно содержит оптический рассеиватель света, расположенный на верхней поверхности чипа, для получения белого света из смеси разноцветных световых потоков, излучаемых из граней пирамид и из плоских участков вне пирамид.
19. Светоизлучающее полупроводниковое устройство по п.1, в котором второй контакт выполнен несплошным с возможностью частичного пропускания света.