СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Светоизлучающее полупроводниковое устройство (1), изготовленное из нитридов металлов III группы и включающее слоистую структуру, включающую слой (2) полупроводника n-типа, слой (3) полупроводника р-типа, активную область (4) между слоем полупроводника n-типа и слоем полупроводника p-типа, причем эта слоистая структура имеет контактную поверхность (5), определяемую слоем полупроводника n- или слом полупроводника p-типа, и дополнительно включает систему (6) отражающего контакта, присоединенную к контактной поверхности; отличающееся тем, что система (6) отражающего контакта содержит:
- первый контактный слой (13) из прозрачного электропроводного оксида (ПЭО), имеющего поликристаллическую структуру, присоединенный к контактной поверхности (5) слоистой структуры,
- второй контактный слой (14) из прозрачного электропроводного оксида, имеющего аморфную структуру, и
- металлический отражающий слой (15), присоединенный ко второму слою ПЭО.
2. Полупроводниковое устройство (1) по п.1, отличающееся тем, что химический состав первого контактного слоя (13) ПЭО подобран для поддержания сильной адгезии с контактной поверхностью (5) слоистой структуры, хорошей прозрачности и высокой электропроводности первого контактного слоя ПЭО, а химический состав второго контактного слоя (14) ПЭО подобран для поддержания сильной адгезии металлического отражающего слоя (15) ко второму контактному слою ПЭО.
3. Полупроводниковое устройство (1) по п.1, отличающееся тем, что слой (3), определяющий контактную поверхность, содержит InGaN p-типа.
4. Полупроводниковое устройство (1) по п.1, отличающееся тем, что первый контактный слой (13) ПЭО содержит оксид индия-олова.
5. Полупроводниковое устройство (1) по п.1, отличающееся тем, что первый контактный слой (13) ПЭО имеет толщину 30-500 нм, предпочтительно 100-150 нм.
6. Полупроводниковое устройство (1) по п.1, отличающееся тем, что второй контактный слой (14) ПЭО включает оксид алюминия-цинка, а металлический отражающий слой (15) включает алюминий, нанесенный на второй контактный слой ПЭО.
7. Полупроводниковое устройство (1) по любому из пп.1-6, отличающееся тем, что второй контактный слой (14) ПЭО имеет толщину 0,2-20 нм, предпочтительно 1-3 нм.
8. Способ изготовления светоизлучающего полупроводникового устройства (1), выполненного из нитридов металлов III группы, включающий изготовление слоистой структуры, включающей слой (2) полупроводника n-типа, слой (3) полупроводника р-типа, активную область (4) между слоем полупроводника n-типа и слоем полупроводника p-типа; при этом слоистая структура имеет контактную поверхность (5), определяемую слоем полупроводника n- или слом полупроводника р-типа, при этом способ дополнительно включает формирование на контактной поверхности системы (6) отражающего контакта; отличающийся тем, что формирование системы (6) отражающего контакта включает следующие стадии:
- формирование на контактной поверхности (5) слоистой структуры первого контактного слоя (13) из прозрачного электропроводного оксида (ПЭО), имеющего поликристаллическую структуру;
- формирование второго контактного слоя (14) из прозрачного электропроводного оксида (ПЭО), имеющего аморфную структуру; и
- формирование металлического отражающего слоя (15) на втором слое ПЭО.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что химический состав первого контактного слоя (13) ПЭО подбирают для поддержания сильной адгезии с контактной поверхностью (5) слоистой структуры, хорошей прозрачности и высокой электропроводности первого контактного слоя ПЭО, а химический состав второго контактного слоя (14) ПЭО подбирают для поддержания сильной адгезии металлического отражающего слоя (15) ко второму слою ПЭО.
10. Способ по п.8, отличающийся тем, что слой (3), определяющий контактную поверхность (5), включает InGaN p-типа.
11. Способ по п.8, отличающийся тем, что первый контактный слой (13) ПЭО включает оксид индия-олова.
12. Способ по п.8, отличающийся тем, что первый контактный слой (13) ПЭО изготавливают толщиной 30-500 нм, предпочтительно 100-150 нм.
13. Способ по п.8, отличающийся тем, что второй контактный слой (14) ПЭО включает оксид алюминия-цинка, а стадия формирования металлического отражающего слоя (15) включает нанесение алюминия на второй контактный слой ПЭО.
14. Способ по любому из пп.8-13, отличающийся тем, что второй контактный слой (14) ПЭО изготавливают толщиной 0,2-20 нм, предпочтительно 1-3 нм.