Способ изготовления транзисторных структур

Способ изготовления транзисторных структур, включающий формирование маски на поверхности структуры пленкой диэлектрика, вытравливанием в диэлектрике эмиттерного окна, осаждение легированной пленки кремния, формирование эмиттера и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и плотности тока эмиттера на высоких частотах, после маскирования поверхности структуры пленкой диэлектрика на него наносят поликристаллический кремний толщиной 0,1÷0,2 мкм, а в процессе осаждения легированной пленки кремния получают монокристаллический, поликристаллический кремний и эмиттер в диапазоне 1÷26.