СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РИСУНКА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

1. Способ, включающий: формирование многослойной структуры, содержащей полупроводниковый слой для создания полупроводниковых каналов одного или более транзисторов и изоляционного слоя; и формирование рисунка многослойной структуры, чтобы одновременно сформировать в течение одного процесса: (i) одно или более межсоединительных отверстий для соединения уровня проводника на одной стороне многослойной структуры с уровнем проводника на противоположной стороне многослойной структуры; и (ii) одну или более канавок для уменьшения утечки, выполненных с возможностью уменьшения длин путей утечки через полупроводник между проводящими элементами на одной стороне многослойной структуры.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что одно или более межсоединительных отверстий и одна или более канавок для уменьшения утечки имеют разные отношения длины к ширине.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что отношение длины к ширине одной или более канавок для уменьшения утечки больше, чем у одного или более межсоединительных отверстий.
4. Способ по любому из пп. 1-3, включающий: осаждение электропроводящего материала поверх многослойной структуры со сформированным рисунком и формирование рисунка электропроводящего материала, чтобы удалить электропроводящий материал в областях одной или более канавок для уменьшения утечки без удаления электропроводящего материала в области одного или более межсоединительных отверстий.
5. Способ по любому из пп. 1-3, включающий: выборочное осаждение электропроводящего материала по меньшей мере областей одного или более межсоединительных отверстий без осаждения электропроводящего материала в областях одной или более канавок для уменьшения утечки.
6. Способ по любому из предшествующих пунктов, включающий формирование многослойной структуры поверх электропроводящего слоя со сформированным рисунком, и выборочное формирование одной или более канавок для уменьшения утечки только в тех областях, которые не заполнены электропроводящим слоем со сформированным рисунком ниже многослойной структуры.
7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что электропроводящий слой со сформированным рисунком определяет границы по меньшей мере проводников истока и стока для одного или более транзисторов, а также маршрутизирующих проводников или одного или более проводников затвора одного или более транзисторов; при этом межсоединительные отверстия выполнены с возможностью электрического соединения одного или более проводников затвора поверх многослойной структуры с маршрутизирующими проводниками.
8. Способ по п. 7, включающий осаждение электропроводящего материала поверх многослойной структуры со сформированным рисунком и формирование рисунка электропроводящего материала, чтобы: (а) определить границы одного или более проводников затвора, и (b) удалить электропроводящий материал в областях канавок/отверстий для уменьшения утечки за пределами областей одного или более проводников затвора.
9. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что формирование рисунка многослойной структуры включает удаление многослойной структуры на множестве областей, причем суммарная общая площадь всех областей, в которых удаляют многослойную структуру посредством указанного формирования рисунка, составляет менее 50% общей площади верхней поверхности многослойной структуры, предпочтительно менее 10% общей площади верхней поверхности многослойной структуры, и более предпочтительно менее 1% общей площади верхней поверхности многослойной структуры.
10. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что один или более транзисторов образуют по меньшей мере часть одного или более операционных усилителей.
11. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что канавки для уменьшения утечки выполнены исключительно с возможностью уменьшения длин путей утечки через полупроводник между электропроводящими элементами на одной стороне многослойной структуры.
12. Способ, включающий: формирование многослойной структуры, содержащей полупроводниковый слой для создания полупроводниковых каналов одного или более транзисторов и изоляционного слоя; и формирование рисунка многослойной структуры, чтобы одновременно сформировать в течение одного процесса: (i) одно или более межсоединительных отверстий для соединения уровня проводника на одной стороне многослойной структуры с уровнем проводника на противоположной стороне многослойной структуры; и (ii) одно или более отверстий для уменьшения утечки, выполненных с возможностью уменьшения длин путей утечки через полупроводник между проводящими элементами на одной стороне многослойной структуры.
13. Способ по п. 12, отличающийся тем, что формирование рисунка многослойной структуры включает удаление многослойной структуры на множестве областей, причем суммарная общая площадь всех областей, в которых удаляют многослойную структуру посредством указанного формирования рисунка, составляет менее 50% общей площади верхней поверхности многослойной структуры, предпочтительно менее 10% общей площади верхней поверхности многослойной структуры, и более предпочтительно менее 1% общей площади верхней поверхности многослойной структуры.
14. Способ по пп. 12 или 13, отличающийся тем, что отверстия для уменьшения утечки выполнены исключительно с возможностью уменьшения длин путей утечки через полупроводник между электропроводящими элементами на одной стороне многослойной структуры.
15. Способ по любому из пп. 12–14, отличающийся тем, что один или более транзисторов образуют по меньшей мере часть одного или более операционных усилителей.