АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ С ПЛАЗМЕННЫМ ИСТОЧНИКОМ

1. Способ, включающий:
эксплуатацию реактора плазменного атомно-слоевого осаждения, конфигурация которого обеспечивает осаждение материала в реакционной камере на по меньшей мере одну подложку посредством последовательных самонасыщающихся поверхностных реакций, и
обеспечение потока газа из источника химически неактивного газа в расширительное устройство для подачи радикалов, открывающееся в реакционную камеру, по существу в течение всего цикла осаждения.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что
обеспечение потока газа из источника химически неактивного газа в устройство для подачи радикалов через плазменный источник осуществляют в течение периода импульса плазменного прекурсора, входящего в период плазменного атомно-слоевого осаждения, причем газ в течение этого периода импульса функционирует как газ-носитель для генерируемых радикалов.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что
обеспечение потока газа из источника химически неактивного газа в устройство для подачи радикалов через плазменный источник осуществляют в течение периода продувки, входящего в период плазменного атомно-слоевого осаждения, причем газ в течение этого периода продувки функционирует как продувочный и инертный защитный газ.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что
обеспечение потока газа из источника химически неактивного газа в устройство для подачи радикалов через плазменный источник осуществляют как в течение периода плазменного атомно-слоевого осаждения, так и в период термического атомно-слоевого осаждения.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что
обеспечение потока газа из источника химически неактивного газа в устройство для подачи радикалов осуществляют по пути, который идет в обход плазменного источника.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что
обеспечение потока газа из источника химически неактивного газа в устройство для подачи радикалов осуществляют как по пути, проходящему через плазменный источник, так и по другому пути, который идет в обход плазменного источника, в течение периода плазменного атомно-слоевого осаждения.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что
обеспечение потока газа из источника химически неактивного газа в устройство для подачи радикалов осуществляют только по пути, который идет в обход плазменного источника, в течение периода термического атомно-слоевого осаждения, и
газ из источника химически неактивного газа, который идет через плазменный источник, в течение этого периода направляют в отводящую линию.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что
инертный газ направляют в реакционную камеру по питающей линии (или линиям) термического атомно-слоевого осаждения в течение периода плазменного атомно-слоевого осаждения, причем питающая линия (или линии) термического атомно-слоевого осаждения является отдельной от линии (или линий) плазменного источника, по которым радикалы направляют в реакционную камеру в течение периода плазменного атомно-слоевого осаждения.
9. Способ по п. 1, отличающийся тем, что
используют деформируемое устройство для подачи радикалов, которое может деформироваться с переходом из сокращенной формы в расширенную форму и обратно за счет по меньшей мере одного механического привода.
10. Способ по п. 9, отличающийся тем, что держатель подложки, удерживающий по меньшей мере одну подложку, механически соединен с деформируемым устройством для подачи радикалов, и способ включает:
обеспечение, за счет деформации деформируемого устройства для подачи радикалов, подъема держателя подложки, удерживающего по меньшей мере одну подложку, в верхнее положение для загрузки или удаления подложки.
11. Установка для плазменного атомно-слоевого осаждения, содержащая:
газовую линию от источника химически неактивного газа к расширительному устройству для подачи радикалов, открывающемуся в реакционную камеру; и
систему управления, конфигурация которой обеспечивает поток газа из источника химически неактивного газа в устройство для подачи радикалов по существу в течение всего цикла осаждения, и
реактор плазменного атомно-слоевого осаждения, конфигурация которого обеспечивает осаждение материала в реакционной камере на по меньшей мере одну подложку посредством последовательных самонасыщающихся поверхностных реакций.
12. Установка по п. 11, отличающаяся тем, что система управления имеет конфигурацию, обеспечивающую поток газа из источника химически неактивного газа в устройство для подачи радикалов через плазменный источник в течение периода импульса прекурсора плазмы, входящего в период плазменного атомно-слоевого осаждения, причем газ в течение этого периода импульса функционирует как газ-носитель для генерируемых радикалов.
13. Установка по п. 11, отличающаяся тем, что система управления имеет конфигурацию, обеспечивающую поток газа из источника химически неактивного газа в устройство для подачи радикалов через плазменный источник в течение периода продувки, входящего в период плазменного атомно-слоевого осаждения, причем газ в течение этого периода продувки функционирует как продувочный и инертный защитный газ.
14. Установка по п. 11, отличающаяся тем, что система управления имеет конфигурацию, обеспечивающую поток газа из источника химически неактивного газа в устройство для подачи радикалов через плазменный источник как в течение периода плазменного атомно-слоевого осаждения, так и в период термического атомно-слоевого осаждения.
15. Установка по п. 11, отличающаяся тем, что система управления имеет конфигурацию, обеспечивающую поток газа из источника химически неактивного газа в устройство для подачи радикалов по пути, который идет в обход плазменного источника.
16. Установка по п. 11, отличающаяся тем, что система управления имеет конфигурацию, обеспечивающую поток газа из источника химически неактивного газа в устройство для подачи радикалов как по пути, проходящему через плазменный источник, так и по другому пути, который идет в обход плазменного источника, в течение периода плазменного атомно-слоевого осаждения.
17. Установка по п. 11, отличающаяся тем, что система управления имеет конфигурацию, обеспечивающую поток газа из источника химически неактивного газа в устройство для подачи радикалов только по пути, который идет в обход плазменного источника, в течение периода термического атомно-слоевого осаждения, и
газ из источника химически неактивного газа, который идет через плазменный источник, в течение этого периода направляют в отводящую линию.
18. Установка по п. 11, отличающаяся тем, что система управления имеет конфигурацию, обеспечивающую направление инертного газа в реакционную камеру по питающей линии (или линиям) термического атомно-слоевого осаждения в течение периода плазменного атомно-слоевого осаждения, причем питающая линия (или линии) термического атомно-слоевого осаждения является отдельной от линии (или линий) плазменного источника, по которым радикалы направляют в реакционную камеру в течение периода плазменного атомно-слоевого осаждения.
19. Установка по п. 11, отличающаяся тем, что устройство для подачи радикалов является деформируемым, и установка содержит по меньшей мере один механический привод для деформации устройства для подачи радикалов с переходом из сокращенной формы в расширенную форму и обратно.
20. Установка по п. 19, отличающаяся тем, что держатель подложки, удерживающий по меньшей мере одну подложку, механически соединен с деформируемым устройством для подачи радикалов, и деформация деформируемого устройства для подачи радикалов вызывает подъем держателя подложки, удерживающего по меньшей мере одну подложку, в верхнее положение для загрузки или удаления подложки.