ОПТИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, СВЯЗАННЫЙ С НИЗКОПРОФИЛЬНЫМ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИМ ДИОДОМ БОКОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

1. Устройство, содержащее:
нелазерный светоизлучающий диод (СИД) (10) бокового излучения, при этом светоизлучающий диод имеет множество светоизлучающих боковых стенок, при этом каждая светоизлучающая боковая стенка имеет верхний участок и нижний участок; в котором светоизлучающий диод излучает свет со своих светоизлучающих боковых стенок без использования линзы бокового излучения; и
оптический элемент (70), причем каждая из светоизлучающих боковых стенок светоизлучающего диода оптически связана с оптическим элементом, оптический элемент имеет нижний край, в котором свет, направляемый ниже нижнего края оптического элемента, не входит в оптический элемент; в котором нижний край оптического элемента расположен на уровне или ниже нижнего участка светоизлучающей боковой стенки,
подложку (90), на которой светоизлучающий диод установлен; и
первый силиконовый участок (98), сформированный поверх подложки и вокруг светоизлучающего диода, при этом верхняя поверхность первого силиконового участка имеет криволинейную форму, при этом криволинейная форма отлого поднимается вверх к светоизлучающему диоду и заканчивается ниже светоизлучающих боковых стенок светоизлучающего диода, при этом первый силиконовый участок имеет первый показатель преломления;
в котором оптический элемент (70) содержит второй силиконовый участок, сформированный поверх верхней поверхности первого силиконового участка и граничащий с ней, при этом второй силиконовый участок имеет второй показатель преломления более высокий, чем первый показатель преломления, так что имеется полное внутреннее отражение света светоизлучающего диода на границе раздела первого силиконового участка и второго силиконового участка.
2. Устройство по п.1, в котором оптический элемент (70) перенаправляет излучаемый свет бокового излучения от светоизлучающего диода (10) в направленный вперед свет.
3. Устройство по п.1, в котором оптический элемент (70) представляет собой коллимирующую линзу, при этом каждая светоизлучающая боковая стенка светоизлучающего диода (10) оптически связана с входной областью коллимирующей линзы.
4. Устройство по п.3, в котором светоизлучающий диод (10) установлен на литой выводной рамке (80), которая имеет сформованную верхнюю поверхность, которая сформована как нижняя поверхность коллимирующей линзы (70), при этом коллимирующая линза отформована поверх литой выводной рамки.
5. Устройство по п.3, в котором светоизлучающий диод (10) установлен на сформованной подложке (90), которая сформована как нижняя поверхность коллимирующей линзы (70), при этом коллимирующая линза отформована поверх сформованной подложки, в которой светоизлучающий диод установлен на сформованной подложке без промежуточной подложки.
6. Устройство по п.3, в котором коллимирующая линза (70) имеет входную область, через которую передается свет, излучаемый боковой стенкой светоизлучающего диода (10), при этом входная область имеет нижний край и верхний край, в котором верхний край входной области расположен на уровне или выше верхнего участка светоизлучающей боковой стенки.
7. Устройство по п.1, дополнительно содержащее подложку (22), имеющую верхнюю поверхность, при этом светоизлучающий диод установлен на верхней поверхности подложки.
8. Устройство по п.7, в котором нижний край оптического элемента (70) расположен на уровне или ниже верхней поверхности подложки (22).
9. Устройство по п.7, в котором светоизлучающий диод содержит:
полупроводниковый светоизлучающий прибор, имеющий контакты (94) на нижней поверхности, которые установлены на подложке (22) в конфигурации перевернутого кристалла, при этом полупроводниковый светоизлучающий прибор имеет верхнюю поверхность;
преобразующий длину волны материал (30) поверх верхней поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, при этом преобразующий длину волны материал имеет верхнюю поверхность и боковые стенки, которые являются боковыми стенками бокового излучения;
отражатель (32) поверх верхней поверхности преобразующего длину волны материала и являющийся в основном параллельным верхней поверхности полупроводникового светоизлучающего прибора, так что в основном весь свет, падающий на отражатель, перенаправляется обратно в преобразующий длину волны материал.
10. Устройство по п.1, в котором светоизлучающий диод (10) излучает белый свет.
11. Устройство по п.1, в котором светоизлучающий диод (10) имеет толщину меньше чем 0,5 мм.
12. Устройство по п.1, дополнительно содержащее множество нелазерных светоизлучающих диодов (10) бокового излучения, установленных вместе с соответствующими оптическими элементами (70) в матрицу; и световод (36), оптически связанный принимать свет бокового излучения от светоизлучающих диодов.
13. Устройство по п.1, дополнительно содержащее множество нелазерных светоизлучающих диодов (10) бокового излучения с соответствующими оптическими элементами (70) в матрице и ячеистые стенки (152b), окружающие каждый светоизлучающий диод, при этом каждая ячеистая стенка образована из рассеивающего свет материала.