ПОЛНОСТЬЮ ОПТИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ МНОГОСЛОЙНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР (ВАРИАНТЫ)

1. Полностью оптический модулятор лазерного излучения на основе многослойных гетероструктур, содержащий подложку с выращенной периодической многослойной гетероструктурой, которая изготовлена таким образом, что изменение показателя преломления под воздействием возбуждающего лазерного излучения в активном нелинейном полупроводниковом компоненте гетероструктуры за счет генерации плотной электронно-дырочной плазмы вызывает изменение интенсивности модулируемого падающего излучения.
II
VI
2. Модулятор по п.1, отличающийся тем, что активный нелинейный компонент многослойной гетероструктуры выбран из группы полупроводниковых соединений АB.
III
V
3. Модулятор по п.1, отличающийся тем, что активный нелинейный компонент многослойной гетероструктуры выбран из группы полупроводниковых соединений АB.
4. Полностью оптический модулятор лазерного излучения на основе многослойных гетероструктур, содержащий подложку с выращенной периодической многослойной гетероструктурой, которая изготовлена таким образом, что изменение показателя преломления под воздействием возбуждающего лазерного излучения в активном нелинейном полупроводниковом компоненте гетероструктуры за счет генерации плотной электронно-дырочной плазмы вызывает изменение интенсивности модулируемого падающего излучения, а в подложке выполнено оптическое окно.
II
VI
5. Модулятор по п.4, отличающийся тем, что активный нелинейный компонент многослойной гетероструктуры выбран из группы полупроводниковых соединений АB.
III
V.
6. Модулятор по п.4, отличающийся тем, что активный нелинейный компонент многослойной гетероструктуры выбран из группы полупроводниковых соединений АB
7. Полностью оптический модулятор лазерного излучения на основе многослойных гетероструктур, содержащий подложку с выращенной периодической многослойной гетероструктурой, центральный слой активного компонента которой выполнен удвоенной толщины, и она изготовлена таким образом, что изменение показателя преломления под воздействием возбуждающего лазерного излучения в активном нелинейном полупроводниковом компоненте гетероструктуры за счет генерации плотной электронно-дырочной плазмы вызывает изменение интенсивности модулируемого падающего излучения.
II
VI
8. Модулятор по п.7, отличающийся тем, что активный нелинейный компонент многослойной гетероструктуры выбран из группы полупроводниковых соединений АB.
III
V
9. Модулятор по п.7, отличающийся тем, что активный нелинейный компонент многослойной гетероструктуры выбран из группы полупроводниковых соединений АB.
10. Полностью оптический модулятор лазерного излучения на основе многослойных гетероструктур, содержащий подложку с выращенной периодической многослойной гетероструктурой, центральный слой активного компонента которой выполнен удвоенной толщины, и она изготовлена таким образом, что изменение показателя преломления под воздействием возбуждающего лазерного излучения в активном нелинейном полупроводниковом компоненте гетероструктуры за счет генерации плотной электронно-дырочной плазмы вызывает изменение интенсивности модулируемого падающего излучения, а в подложке выполнено оптическое окно.
II
VI
11. Модулятор по п.10, отличающийся тем, что активный нелинейный компонент многослойной гетероструктуры выбран из группы полупроводниковых соединений АB.
III
V
12. Модулятор по п.10, отличающийся тем, что активный нелинейный компонент многослойной гетероструктуры выбран из группы полупроводниковых соединений АB.