СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНОГО КОНДЕНСАТОРА ПОВЫШЕННОЙ ЕМКОСТИ

1. Способ изготовления планарного конденсатора повышенной емкости, включающий создание первого электрода путем формирования проводящего слоя с развитой поверхностью на проводящей электродной основе, формирование однородного по толщине тонкого диэлектрического слоя, повторяющего рельеф поверхности проводящего слоя с развитой поверхностью, заполнение пустот проводящим материалом между неровностями первого электрода, покрытого диэлектрическим слоем, создавая тем самым второй электрод, отличающийся тем, что проводящий слой с развитой поверхностью формируется из материала, имеющего анизотропию проводимости электрического тока такую, что в горизонтальном направлении электрическая проводимость выше электрической проводимости в вертикальном направлении.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что проводящий слой с развитой поверхностью представляет собой углеродную наноструктуру в виде столбиков.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что проводящий слой с развитой поверхностью формируется химическим осаждением из газовой фазы.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что химическое осаждение из газовой фазы стимулировано плазмой.
5. Способ по п.2, отличающийся тем, что проводящий слой с развитой поверхностью содержит металлические или интерметаллические нанокластеры.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что проводящий слой с развитой поверхностью формируется плазмостимулированным химическим осаждением из газовой фазы при одновременном физическом осаждении из газовой фазы металлических или интерметаллических нанокластеров,
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что тонкий диэлектрический слой формируется атомно-слоевым осаждением.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что второй электрод, состоящий из проводящего материала, заполняющего пустоты между неровностями слоя с развитой поверхностью, покрытого диэлектрическим слоем, формируется электрохимическим осаждением.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что перед электрохимическим осаждением проводящего материала второго электрода производится формирование адгезионно-смачивающего слоя поверх тонкого диэлектрического слоя.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что материал адгезионного-смачивающего слоя содержит элемент из группы Ti, Zr, Hf, Та, W, Cr, V.
2
3
2
2
2
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что материал диэлектрического слоя выбирается из группы AlO, ZrO, HfO, TiO, цирконат-титанат свинца.