СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОПТИМАЛЬНОГО УРОВНЯ ЛЕГИРОВАНИЯ НЕЛИНЕЙНОГО КРИСТАЛЛА GaSe

'(2)
Способ определения оптимального уровня легирования нелинейного кристалла GaSe для применения в составе параметрических преобразователей частоты лазерного излучения, включающий изготовление кристаллических буль GaSe легированных в различной концентрации изовалентными примесями, изготовление рабочих элементов и определение коэффициента оптического поглощения в терагерцовом диапазоне спектра с помощью спектрофотометра терагерцового диапазона с временным разрешением, отличающееся тем, что легирование изовалентными примесями осуществляют в пределах концентраций приводящих к увеличению и последующему спаду интенсивности коэффициента поглощения фононной моды скольжения Е с увеличением уровня легирования, а за оптимальный уровень легирования принимают тот уровень, который обеспечивает максимальное значение коэффициента поглощения в центре пика фоновой моды поглощения.