СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ И СТАБИЛЬНЫХ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ОТНОШЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ, СЛОИ, ИЗГОТОВЛЕННЫЕ ПО ЭТОМУ СПОСОБУ, И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ

1. Способ изготовления полупроводникового ламината, включающего в себя
первый слой оксида металла, второй слой оксида металла и слой диэлектрика, причем первый слой оксида металла расположен между вторым слоем оксида металла и слоем диэлектрика,
причем способ включает в себя:
формирование первого соля оксида металла, содержащего по меньшей мере один оксид металла, выбранный из группы, которую образуют оксид индия, оксид галлия, оксид цинка, оксид олова или их смеси, из первой жидкой фазы, причем первый слой оксида металла имеет толщину менее 20 нм, и первая жидкая фаза содержит по меньшей мере один оксид металла или по меньшей мере один предшественник оксида металла, причем оксид металла выбирают из группы, которую образуют оксид индия, оксид галлия, оксид цинка, оксид олова или их смеси,
формирование второго слоя оксида металла, содержащего по меньшей мере один оксид металла, выбранный из группы, которую образуют оксид галлия, оксид цинка, оксид олова, оксид гафния, оксид кремния, оксид алюминия, оксид титана, оксиды щелочных металлов, оксиды щелочноземельных металлов или их смеси, из второй жидкой фазы, причем вторая жидкая фаза содержит по меньшей мере один оксид металла или по меньшей мере один предшественник оксида металла, причем оксид металла выбран из группы, которую образуют оксид галлия, оксид цинка, оксид олова, оксид гафния, оксид кремния, оксид алюминия, оксид титана, оксиды щелочных металлов, оксиды щелочноземельных металлов или их смеси.
причем по меньшей мере один оксид металла первого слоя и по меньшей мере один оксид металла второго слоя различны.
2. Способ по п. 1, причем первый слой оксида металла имеет толщину 0,5-20 нм.
3. Способ по п. 1, причем второй слой оксида металла имеет толщину, по меньшей мере равную толщине первого слоя оксида металла.
4. Способ по п. 1, причем второй слой оксида металла включает в себя по меньшей мере один оксид металла, который не содержится в первом слое оксида металла.
5. Способ по п. 1, причем второй слой оксида металла включает в себя по меньшей мере два оксида металла.
6. Способ по п. 1, причем первый слой оксида металла включает в себя по меньшей мере два оксида металла.
7. Способ по п. 1, причем второй слой оксида металла включает в себя оксид кремния.
2
3
8. Способ по п. 1, причем первый слой оксида металла по существу состоит из оксида индия (InO) или оксида индия-галлия.
2
3
2
2
9. Способ по п. 1, причем второй слой оксида металла по существу состоит из ZnO, GaO, HfO, SiO, оксида кремния-галлия или оксида кремния-гафния.
10. Способ по п. 1, причем формирование первого слоя оксида металла включает в себя:
нанесение первой жидкой фазы на слой диэлектрика и
осаждение по меньшей мере одного оксида металла или по меньшей мере одного предшественника оксида металла первой жидкой фазы на слой диэлектрика, чтобы сформировать первый слой оксида металла на слое диэлектрика,
и, причем, формирование второго слоя оксида металла включает в себя:
нанесение второй жидкой фазы на первый слой оксида металла и
осаждение по меньшей мере одного оксида металла или по меньшей мере одного предшественника оксида металла второй жидкой фазы на первый слой оксида металла, чтобы сформировать второй слой оксида металла на первом слое оксида металла.
11. Способ по п. 1, причем формирование второго слоя оксида металла включает в себя:
нанесение второй жидкой фазы на субстрат и
осаждение по меньшей мере одного оксида металла или по меньшей мере одного предшественника оксида металла второй жидкой фазы на субстрат, чтобы сформировать второй слой оксида металла на субстрате,
и причем формирование первого слоя оксида металла включает в себя:
нанесение первой жидкой фазы на второй слой оксида металла и
осаждение по меньшей мере одного оксида металла или по меньшей мере одного предшественника оксида металла первой жидкой фазы на второй слой оксида металла, чтобы сформировать первый слой оксида металла на втором слое оксида металла, и
нанесение слоя диэлектрика на первый слой оксида металла.
12. Способ по п. 10, причем первую и/или вторую жидкую фазы наносят способами, выбранными из группы, которую образуют процессы печати, процессы распыления, способы нанесения покрытия с использованием вращения, погружные процессы и покрытие с помощью щелевых головок.
13. Способ по п. 11, причем первую и/или вторую жидкую фазы наносят способами, выбранными из группы, которую образуют процессы печати, процессы распыления, способы нанесения покрытия с использованием вращения, погружные процессы и покрытие с помощью щелевых головок.
14. Способ по п. 1, причем по меньшей мере один предшественник оксида металла первой и/или второй жидкой фазы происходит из класса алкоксидов металлов и/или оксоалкоксидов металлов.
15. Способ по п. 14, причем первая и/или вторая жидкая фаза включают в себя по меньшей мере один органический растворитель.
16. Способ по п. 15, причем органический растворитель по существу безводен.
17. Способ по п. 1, причем первая и/или вторая жидкая фаза включают в себя по меньшей мере один оксид металла типа частиц оксида металла.
18. Способ по п. 1, причем первая и/или вторая жидкая фаза включают в себя водную фазу.
19. Способ по п. 17, причем первая и/или вторая жидкая фаза включают в себя водную фазу.
20. Способ по п. 10, причем формирование первого и/или второго слоя оксида металла также включает в себя тепловую обработку первой и/или второй жидкой фазы.
21. Способ по п. 11, причем формирование первого и/или второго слоя оксида металла также включает в себя тепловую обработку первой и/или второй жидкой фазы.
22. Способ по одному из пп. 10, 11, 20 и 21, причем формирование первого и/или второго слоя оксида металла включает в себя облучение первой и/или второй жидкой фазы электромагнитным излучением, в частности УФ, ИК и/или видимым излучением, причем, в частности, перед, во время или после тепловой обработки первой и/или второй жидкой фазы первую и/или вторую жидкую фазу облучают УФ-излучением.
23. Способ по одному из пп. 10, 11, 20 и 21, причем первый и/или второй слой оксида металла формируют в содержащей кислород атмосфере, в частности на воздухе.
24. Способ по одному из пп. 20 или 21, причем первый и/или второй слой оксида металла подвергают тепловой обработке при температуре в 100-450°С, предпочтительно при 150-350°С.
25. Способ по п. 1, причем первый слой оксида металла имеет толщину 0,5-10 нм, предпочтительно 2-5 нм.
26. Полупроводниковый ламинат, изготовленный способом по пп. 1-25.
27. Электронная деталь, включающая в себя полупроводниковый ламинат по п. 26.
28. Электронная деталь по п. 27, причем электронная деталь представляет собой транзистор, тонкослойный транзистор, RFID-метку или объединительную плату TFT для экранов.