ПОПЕРЕЧНОЕ РАССЕИВАНИЕ ТЕПЛА 3-D ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ

1. Способ рассеивания тепла в трехмерном устройстве интегральной схемы (ИС), содержащем первый кристалл, уложенный с образованием слоистой структуры на второй кристалл, причем каждый из кристаллов имеет сконструированные в нем элементы, и кристаллы соединены друг с другом множеством межслоевых соединений, причем межслоевые соединения создают промежуток между первым и вторым кристаллами, при этом упомянутый способ содержит:
обеспечение сквозного отверстия через подложку, заполненного первым проводящим тепло материалом, расположенного в первом кристалле;
нанесение проводящего тепло слоя на поверхность второго кристалла; и
обеспечение физического межсоединения между вторым кристаллом и сквозным отверстием через подложку, посредством проводящего тепло слоя.
2. Способ по п.1, в котором первый проводящий тепло материал является электрически изолирующим.
3. Способ по п.1, в котором первый проводящий тепло материал является структурированной пленкой.
4. Способ по п.1, в котором упомянутое нанесение проводящего тепло слоя содержит, по меньшей мере, одним из следующего: ХОГФ, ФОГФ, эжектирования, нанесения.
5. Способ по п.1, в котором проводящий тепло слой выбирается из списка, состоящего из: алмазной матрицы и алмазной пленочной структуры.
6. Способ по п.1, в котором первый проводящий тепло материал дополнительно является электрически проводящим.
7. Способ по п.6, в котором первый проводящий тепло материал, по меньшей мере, частично состоит из углеродных нанотрубок.