КОРПУСА С МНОГОСЛОЙНОЙ УКЛАДКОЙ КРИСТАЛЛОВ В УСТРОЙСТВЕ ТИПА КОРПУС НА КОРПУСЕ, СПОСОБЫ ИХ СБОРКИ И СИСТЕМЫ, СОДЕРЖАЩИЕ ИХ

1. Устройство типа корпус на корпусе, содержащее:
подложку корпуса, включающую в себя сторону кристалла и сторону с площадками;
многослойную укладку кристаллов, расположенную на стороне кристалла, в котором многослойная укладка кристаллов включает в себя нижнюю микросхему, расположенную на стороне кристалла, и верхнюю микросхему, расположенную выше нижней микросхемы, в котором верхняя микросхема поддерживается нижней микросхемой, и в которой многослойная укладка кристаллов имеет высоту смещения; и
промежуточный блок, расположенный на стороне кристалла и окружающий многослойную укладку кристаллов, в котором промежуточный блок соответствует высоте смещения.
2. Устройство по п.1, в котором у промежуточного блока есть массив шариковых контактов, устройство дополнительно включает в себя:
верхний корпус, в котором верхний корпус включает в себя, по меньшей мере, одно микроэлектронное устройство и в котором верхний корпус соответствует массиву шариковых контактов промежуточного блока.
3. Устройство по п.1, в котором многослойная укладка кристаллов включает в себя:
нижняя микросхема представляет собой перевернутый кристалл, смонтированный на стороне кристалла подложки; и
верхняя микросхема представляет собой микросхему с проводными соединениями, расположенную на перевернутом кристалле.
4. Устройство по п.1, в котором многослойная укладка кристаллов включает в себя:
нижняя микросхема представляет собой перевернутый кристалл, смонтированный на стороне кристалла подложки;
вторая микросхема с проводными соединениями, расположенная выше перевернутого кристалла; и
верхняя микросхема представляет собой следующую микросхему, расположенную выше второй микросхемы с проводными соединениями.
5. Устройство по п.1, в котором многослойная укладка кристаллов включает в себя:
нижняя микросхема представляет собой перевернутый кристалл, смонтированный на стороне кристалла подложки;
вторая микросхема со сквозными перемычками через кремний (TSV), расположенная на перевернутом кристалле; и
верхняя микросхема представляет собой следующую микросхему с проводными соединениями, расположенную на второй микросхеме TSV.
6. Устройство по п.1, в котором многослойная укладка кристаллов включает в себя:
нижняя микросхема представляет собой перевернутый кристалл, смонтированный на стороне кристалла подложки;
вторая микросхема со сквозными перемычками через кремний (TSV), расположенная на перевернутом кристалле;
третья микросхема TSV, расположенная на второй микросхеме TSV; и верхняя микросхема представляет собой четвертую микросхему с проводными соединениями, расположенную на третьей микросхеме TSV.
7. Устройство по п.1, в котором многослойная укладка кристаллов включает в себя:
нижняя микросхема представляет собой перевернутый кристалл, смонтированный на стороне кристалла подложки;
вторая микросхема со сквозными перемычками через кремний (TSV), расположенная на перевернутом кристалле;
третья микросхема TSV, расположенная на второй микросхеме TSV, в котором третья микросхема TSV представляет собой множество TSV в диапазоне от 2 до 8 микросхем TSV; и
верхняя микросхема представляет собой следующую микросхему с проводными соединениями, расположенную выше третьей микросхемы TSV.
8. Устройство по п.1, в котором многослойная укладка кристаллов включает в себя:
нижняя микросхема представляет собой перевернутый кристалл, смонтированный на стороне кристалла подложки;
вторая микросхема со сквозными перемычками через кремний (TSV), расположенная на перевернутом кристалле;
третья микросхема TSV, расположенная выше второй микросхемы TSV;
четвертая микросхема с проводными соединениями, расположенная выше второй микросхемы TSV; и
верхняя микросхема представляет собой следующую микросхему с проводными соединениями, расположенную выше четвертой микросхемы с проводными соединениями.
9. Устройство по п.1, в котором многослойная укладка кристаллов включает в себя:
нижняя микросхема представляет собой перевернутый кристалл, смонтированный на стороне кристалла подложки;
вторая микросхема с проводными соединениями, расположенная выше первой микросхемы TSV;
третья микросхема со сквозными перемычками через кремний (TSV), расположенная выше второй микросхемы с проводными соединениями; и
верхняя микросхема представляет собой следующую микросхему с проводными соединениями, расположенную выше третей микросхемы TSV.
11. Устройство по п.1, в котором многослойная укладка кристаллов включает в себя:
нижняя микросхема представляет собой перевернутый кристалл, смонтированный на стороне кристалла подложки; и
верхняя микросхема представляет собой микросхему со сквозными перемычками через кремний (TSV), расположенную на перевернутом кристалле.
12. Устройство по п.1, в котором многослойная укладка кристаллов включает в себя:
нижняя микросхема представляет собой перевернутый кристалл, смонтированный на стороне кристалла подложки;
верхняя микросхема представляет собой следующую микросхему со сквозными перемычками через кремний (TSV), расположенную выше перевернутого кристалла; и
по меньшей мере, одна микросхема TSV, расположенная между нижней микросхемой и верхней микросхемой в диапазоне от 2 до 7.
13. Устройство с многослойной укладкой кристаллов типа корпус на корпусе, содержащее:
подложку корпуса, включающую в себя сторону кристалла и сторону с площадками;
многослойную укладку кристаллов, расположенную на стороне кристалла, в котором многослойная укладка кристаллов включает в себя нижнюю микросхему, расположенную на стороне кристалла, и верхнюю микросхему, расположенную выше нижней микросхемы, в котором верхняя микросхема поддерживается нижней микросхемой, и в которой многослойная укладка кристаллов имеет высоту смещения; и
промежуточный блок, расположенный на стороне кристалла и окружающий многослойную укладку кристаллов, в котором промежуточный блок, соответствует высоте смещения;
верхний корпус, расположенный на промежуточном блоке, в котором верхний корпус, включает в себя, по меньшей мере, одно микроэлектронное устройство.
14. Устройство по п.13, в котором многослойная укладка кристаллов включает в себя:
нижняя микросхема представляет собой перевернутый кристалл, смонтированный на стороне кристалла подложки; и
верхняя микросхема представляет собой микросхему со сквозными перемычками через кремний (TSV), расположенную на перевернутом кристалле.
15. Устройство по п.13, в котором многослойная укладка кристаллов включает в себя:
нижняя микросхема представляет собой перевернутый кристалл, смонтированный на стороне кристалла подложки;
верхняя микросхема представляет собой следующую микросхему со сквозными перемычками через кремний (TSV), расположенную выше перевернутого кристалла; и
по меньшей мере, одна микросхема TSV, расположенная между нижней микросхемой и верхней микросхемой в диапазоне от 2 до 7.
16. Устройство по п.13, в котором многослойная укладка кристаллов включает в себя:
нижняя микросхема представляет собой перевернутый кристалл, смонтированный на стороне кристалла подложки; и
верхняя микросхема представляет собой микросхему с проводными соединениями, расположенную на перевернутом кристалле.
17. Устройство по п.13, в котором многослойная укладка кристаллов включает в себя:
нижняя микросхема представляет собой перевернутый кристалл, смонтированный на стороне кристалла подложки;
вторая микросхема с проводными соединениями расположена на перевернутом кристалле; и
верхняя микросхема представляет собой следующую микросхему с проводными соединениями, расположенную выше второй микросхемы с проводными соединениями.
18. Способ сборки устройства с многослойной укладкой кристаллов типа корпус на корпусе, содержащий:
собирают верхний корпус с массивом шариковых контактов, соответствующим массиву шариковых контактов 3-мерного (3-D) устройства с многослойной укладкой кристаллов, при этом 3-D устройство с многослойной укладкой кристаллов, включает в себя:
подложку корпуса, включающую в себя сторону площадки и сторону кристалла;
многослойную укладку кристаллов, расположенную на стороне кристалла, в котором у многослойной укладки кристаллов есть высота корпуса; и
промежуточный блок, включающий в себя сторону кристалла и главную сторону, в котором промежуточный блок образует высоту смещения, которая соответствует высоте корпуса и в котором сборка включает в себя сопряжение верхнего корпуса с промежуточным блоком.
19. Способ по п.18, в котором многослойную укладку кристаллов собирают на подложке корпуса перед сборкой промежуточного блока на подложке корпуса.
20. Способ по п.18, в котором промежуточный блок собирают на подложке корпуса перед сборкой многослойной укладки кристаллов на подложке корпуса.
21. Способ по п.18, дополнительно включающий в себя, обеспечивают герметизацию укладки поверх многослойной укладки кристаллов.
22. Способ по п.18, в котором формируют многослойную укладку кристаллов следующим образом:
устанавливают способом перевернутого кристалла нижнюю микросхему на стороне кристалла подложки; и
устанавливают, используя проводные соединения, верхнюю микросхему, поверх перевернутого кристалла.
23. Способ по п.18, в котором формируют многослойную укладку кристаллов следующим образом:
устанавливают способом перевернутого кристалла нижнюю микросхему на стороне кристалла подложки;
устанавливают вторую микросхему, используя проводные соединения, поверх нижней микросхемы; и
устанавливают, используя проводные соединения, верхнюю микросхему, поверх второй микросхемы.
24. Способ по п.18, в котором формируют многослойную укладку кристаллов следующим образом:
устанавливают способом перевернутого кристалла нижнюю микросхему на стороне кристалла подложки;
устанавливают со сквозными перемычками через кремний (TSV) вторую микросхему на перевернутом кристалле; и
устанавливают, используя проводные соединения, следующую микросхему, как верхнюю микросхему, выше второй микросхемы.
25. Вычислительная система, содержащая:
подложку корпуса, включающую в себя сторону кристалла и сторону с площадками;
многослойную укладку кристаллов, расположенную на стороне кристалла, в котором многослойная укладка кристаллов включает в себя нижнюю микросхему, расположенную на стороне кристалла, и верхнюю микросхему, расположенную выше нижней микросхемы, в котором верхняя микросхема поддерживается нижней микросхемой, и в которой многослойная укладка кристаллов имеет высоту смещения; и
промежуточный блок, расположенный на стороне кристалла и окружающий многослойную укладку кристаллов, в котором промежуточный блок, соответствует высоте смещения; и
верхний корпус, расположенный на промежуточном блоке, в котором верхний корпус, включает в себя, по меньшей мере, одно микроэлектронное устройство; и
кожух устройства, который содержит верхний корпус.
26. Вычислительная система по п.25, в которой вычислительная система представляет собой часть одного из сотового телефона, пейджера, портативного компьютера, настольного компьютера и приемно-передающей радиостанции.