СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ, СОДЕРЖАЩЕГО УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИ

1. Способ изготовления датчика давления, содержащего углеродные нанотрубки, включающий: нанесение первого диэлектрического слоя на поверхность подложки, формирование электрической разводки, нанесение второго диэлектрического слоя, формирование области роста массива углеродных нанотрубок в виде углубления в подложке с использованием литографии, формирование буферного слоя, формирование над буферным слоем функционального слоя, содержащего катализатор роста углеродных нанотрубок, удаление маски резиста, нанесенной в процессе литографии, проведение синтеза углеродных нанотрубок с плазменной стимуляцией процесса роста углеродных нанотрубок.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что проведение синтеза углеродных нанотрубок осуществляют путем введения подложки в объем рабочей камеры и помещения ее на поверхность нагретого рабочего стола, подачу газа-носителя, введение в нагретый реактор углеродсодержащего газа, стабилизацию давления, поджиг плазмы.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что в качестве газа-носителя используют аргон и/или аммиак, и/или водород, и/или гелий, и/или азот.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что в качестве углеродсодержащего газа используют метан и/или этилен, и/или ацетилен, и/или окись углерода.
5. Способ по п.2, отличающийся тем, что давление в рабочей камере задается в диапазоне от 50 Па до 700 Па.
6. Способ по п.2, отличающийся тем, что температура рабочего стола задается в диапазоне от 400°C до 800°C.
7. Способ по п.2, отличающийся тем, что для поджига плазмы в рабочую камеру подается от генератора электромагнитное излучение с частотой 13,56 МГц и мощностью в диапазоне от 10 Вт до 200 Вт.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что углубление в подложке выполняют в виде меандра или прямоугольника или овала.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что электрическую разводку выполняют из титана и/или молибдена, и/или золота, и/или платины и/или алюминия, и/или меди, и/или хрома, и/или легированного поликремния толщиной от 0,1 мкм до 5 мкм.
10. Способ по 1, отличающийся тем, что используют подложку из кварца и/или кремния и/или оксида кремния и/или оксида алюминия и/или нитрида кремния.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что первый и/или второй диэлектрический слой выполняют из оксида кремния, оксида алюминия, нитрида кремния, поликремния или их композиции толщиной от 10 нм до 5 мкм.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что углубление в подложке выполняют глубиной от 0,5 мкм до 100 мкм.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что буферный слой выполняют из титана и/или нитрида титана, и/или оксида кремния толщиной от 1 нм до 200 нм.
14. Способ по п.1, отличающийся тем, что функциональный слой, содержащий катализатор роста углеродных нанотрубок, содержит железо, и/или кобальт, и/или никель и/или их сплавы.
15. Способ по п.1, отличающийся тем, что дополнительно формируют верхний герметизирующий слой, по меньшей мере, над массивом углеродных нанотрубок.
16. Способ по п.15, отличающийся тем, что верхний герметизирующий слой выполняют из оксида кремния, и/или оксида алюминия, и/или нитрида кремния, и/или поликремния толщиной от 0,5 мкм до 200 мкм.
17. Способ по п.15, отличающийся тем, что верхний слой соединяют с поверхностью методом сращивания.
18. Способ по п.15, отличающийся тем, что верхний слой формируют методом осаждения.