ФОРМИРОВАНИЕ РИСУНКА

1. Способ формирования рисунка электронного или фотонного материала на подложке, содержащий:
образование пленки упомянутого электронного или фотонного материала на упомянутой подложке; и
использование фторполимера для защиты областей упомянутого электронного или фотонного материала во время процесса формирования рисунка.
2. Способ по п.1, при этом упомянутый фторполимер осаждают в виде слоя на упомянутой пленке упомянутого электронного или фотонного материала.
3. Способ по п.2, при этом на упомянутый слой фторполимера перед формированием рисунка осаждают изменяющий поверхностную энергию слой.
4. Способ по любому из пп.1-3, при этом упомянутый процесс формирования рисунка содержит:
(i) фотолитографию, содержащую использование светочувствительного слоя; и
(ii) травление.
5. Способ по п.4, при этом упомянутый фторполимер защищает области упомянутого электронного или фотонного материала во время удаления областей светочувствительного слоя.
6. Способ по любому из пп.1-3, при этом упомянутый процесс формирования рисунка содержит:
(a) осаждение светочувствительного слоя на упомянутый фторполимер или, в случае его присутствия, упомянутый изменяющий поверхностную энергию слой;
(b) формирование рисунка упомянутого электронного или фотонного материала с использованием фотолитографии и травления; и
(c) удаление областей светочувствительного слоя, которые остаются после формирования рисунка,
при этом упомянутый фторполимер защищает области упомянутого электронного или фотонного материала во время любой из стадий (a), (b) и/или (c).
7. Способ по п.6, дополнительно содержащий стадию удаления областей слоя фторполимера, которые остаются после формирования рисунка.
8. Способ по п.7, при этом упомянутый фторполимер удаляют растворением в растворителе.
9. Способ по п.7, при этом упомянутый фторполимер удаляют с помощью клея.
10. Способ по любому из пп.1-3, при этом фторполимер представляет собой перфторполимер.
11. Применение фторполимера в приготовлении снабженного рисунком электронного или фотонного материала на подложке, при этом упомянутый фторполимер защищает нижележащий электронный или фотонный материал во время удаления вышележащего светочувствительного слоя, остающегося после формирования рисунка.
12. Способ изготовления электронного прибора на подложке, содержащий:
образование пленки органического полупроводникового материала на упомянутой подложке;
формирование рисунка упомянутой пленки органического полупроводникового материала с использованием защитного полимера для защиты областей упомянутого органического полупроводникового материала во время процесса формирования рисунка; и
удаление защитного полимера, который остается после формирования рисунка,
при этом при работе упомянутый электронный прибор использует электрический ток через поверхность упомянутого органического полупроводникового материала, который находится в контакте с защитным слоем во время формирования рисунка.
13. Способ по п.12, при этом упомянутый электронный прибор представляет собой светоизлучающий диод.
14. Способ по п.12, при этом упомянутый электронный прибор представляет собой полевой транзистор с верхним затвором.
15. Способ по любому из пп.12-14, дополнительно содержащий стадию осаждения диэлектрика на упомянутый органический полупроводниковый материал.
16. Способ по п.15, дополнительно содержащий стадию осаждения затвора на упомянутый диэлектрик.
17. Способ по любому из пп.12-14, при этом упомянутый защитный полимер представляет собой фторполимер.
18. Способ по любому из пп.12-14, при этом упомянутый органический полупроводниковый материал осаждают из раствора.
19. Способ по любому из пп.12-14, при этом формирование рисунка упомянутой пленки органического полупроводникового материала осуществляют способом по любому из пп.1-3.
20. Способ формирования рисунка по меньшей мере первого электронного или фотонного материала и второго электронного или фотонного материала на подложке, содержащий:
(A) формирование рисунка упомянутого первого электронного или фотонного материала на подложке способом, содержащим:
образование пленки упомянутого первого электронного или фотонного материала на упомянутой подложке; и
использование защитного полимера для защиты областей упомянутого электронного или фотонного материала во время процесса формирования рисунка; и
(B) формирование рисунка упомянутого второго электронного или фотонного материала способом, содержащим:
образование пленки упомянутого второго электронного или фотонного материала на рисунке, полученном в результате стадии (A); и
селективное удаление тех областей второго электронного или фотонного материала, которые имеют нижележащий защитный полимер.
21. Способ по п.20, при этом упомянутые первый и второй материалы образуют латеральный гетеропереход.
22. Способ по п.20, при этом упомянутая пленка упомянутого второго электронного или фотонного материала заполняет рисунок упомянутого первого электронного или фотонного материала, перекрывает края упомянутого рисунка и имеет области, выходящие за края упомянутого рисунка.
23. Способ по п.20, при этом упомянутые первый и второй электронный или фотонный материалы приближаются друг к другу на расстояние менее чем 10 нм.
24. Способ по п.20, при этом упомянутые первый и второй электронный или фотонный материалы приближаются друг к другу на расстояние менее чем 1 нм.
25. Способ формирования рисунка по меньшей мере первого электронного или фотонного материала и второго электронного или фотонного материала на подложке, содержащий:
(a) формирование рисунка упомянутого первого электронного или фотонного материала на подложке способом, содержащим:
образование пленки упомянутого первого электронного или фотонного материала на упомянутой подложке; и
использование защитного полимера для защиты областей упомянутого электронного или фотонного материала во время процесса формирования рисунка;
(b) осаждение следующего слоя защитного полимера на упомянутом рисунке первого электронного или фотонного материала и формирование рисунка упомянутого защитного полимера; и
(c) образование пленки упомянутого второго электронного или фотонного материала на рисунке, полученном в результате стадии (b); и
(d) селективное удаление тех областей второго электронного или фотонного материала, которые имеют нижележащий защитный полимер.
26. Способ по п.25, при этом упомянутые первый и второй материалы образуют полностью отдельные области.
27. Способ по п.25, при этом упомянутая пленка упомянутого второго электронного или фотонного материала заполняет рисунок упомянутого снабженного рисунком защитного полимера, перекрывает края упомянутого рисунка и имеет области, выходящие за края упомянутого рисунка.
28. Способ по любому из пп.20-27, при этом защитный полимер представляет собой фторполимер.
29. Способ по любому из пп.20-27, при этом упомянутое формирование рисунка пленки первого электронного или фотонного материала осуществляют способом по любому из пп.1-3.
30. Способ по любому из пп.20-27, при этом упомянутая пленка упомянутого второго электронного или фотонного материала является непрерывной.
31. Способ по любому из пп.20-27, при этом селективное удаление областей упомянутого второго электронного или фотонного материала осуществляют с использованием клея.
32. Способ по любому из пп.20-27, при этом селективное удаление областей упомянутого второго электронного или фотонного материала осуществляют с использованием растворителя.
33. Способ по любому из пп.20-27, при этом один из упомянутых первого и второго электронного или фотонного материалов представляет собой электронный материал, а другой - фотонный материал.
34. Способ по любому из пп.20-27, при этом упомянутый второй электронный или фотонный материал осаждают путем обработки в растворах.
35. Способ по любому из пп.1-3, 12-14 и 20-27, при этом упомянутый электронный или фотонный материал представляет собой проводящий полимер, полимерный диэлектрик или нанодисперсный материал.
36. Способ по любому из пп.1-3, 12-14 и 20-27, при этом упомянутый электронный или фотонный материал представляет собой органический полупроводник.
37. Способ по любому из пп.1-3, 12-14 и 20-27, при этом упомянутый электронный или фотонный материал представляет собой сопряженный неполимерный полупроводник.
38. Способ по любому из пп.1-3, 12-14 и 20-27, при этом упомянутый электронный или фотонный материал представляет собой сопряженный полимерный полупроводник.
39. Способ по любому из пп.1-3, 12-14 и 20-27, при этом упомянутую пленку электронного или фотонного материала образуют осаждением из раствора.
40. Способ по любому из пп.1-3, 12-14 и 20-27, при этом упомянутый защитный полимер или фторполимер образуют осаждением из раствора.
41. Снабженный рисунком электронный или фотонный материал на подложке, получаемый способом по любому из пп.1-40.
42. Электронный или фотонный прибор, содержащий снабженный рисунком электронный или фотонный материал на подложке по п.41.
43. Прибор по п.42, при этом упомянутый прибор представляет собой транзистор (например полевой транзистор), содержащий упомянутый снабженный рисунком электронный или фотонный материал в качестве активного полупроводникового слоя.
44. Прибор по п.43, который представляет собой полевой транзистор с нижним затвором.
45. Прибор по п.43, который представляет собой полевой транзистор с верхним затвором.
46. Электронный или фотонный прибор, содержащий:
подложку;
первый рисунок, содержащий первый обработанный в растворах органический полупроводниковый материал;
второй рисунок, содержащий второй обработанный в растворах органический полупроводниковый материал;
при этом упомянутые рисунки упомянутых первого и второго органических полупроводниковых материалов образуют латеральный гетеропереход, и при этом при работе между упомянутыми рисунками первого органического полупроводника и второго органического полупроводника через упомянутый латеральный гетеропереход протекает электрический ток.
47. Электронный или фотонный прибор, содержащий:
подложку;
первый рисунок, содержащий первый обработанный в растворах органический полупроводниковый материал (например PDTTT);
второй рисунок, содержащий второй обработанный в растворах органический полупроводниковый материал (например P(NDI2OD-T2));
при этом упомянутые рисунки упомянутых первого и второго органических полупроводниковых материалов не находятся в физическом контакте.
48. Прибор по п.46 или п.47, дополнительно содержащий третий рисунок, содержащий электронный или фотонный материал (например, органический полупроводниковый материал).
49. Прибор по п.48, при этом упомянутый третий рисунок содержит органический полупроводниковый материал, отличающийся от упомянутых первого и второго рисунков.
50. Прибор по п.48, при этом упомянутый третий рисунок содержит такой же органический полупроводниковый материал, как и один из упомянутых первого или второго рисунков.
51. Прибор по п.46 или п.47, содержащий более чем один (например два) латеральный гетеропереход.
52. Прибор по п.46 или п.47, который представляет собой светоизлучающий полевой транзистор.