ПОЛУЧЕННЫЕ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТРОЙНЫХ СПЛАВОВ ПОКРЫТИЯ ИЗ СТЕКЛА С НИЗКОЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬНОЙ СПОСОБНОСТЬЮ

1. Панель с низкой излучательной способностью, содержащая:
подложку;
отражающий слой, образованный поверх подложки; и
верхний диэлектрический слой, образованный поверх отражающего слоя так, что отражающий слой образован между верхним диэлектрическим слоем и подложкой,
причем верхний диэлектрический слой содержит оксид алюминия-олова-цинка, при этом атомное отношение цинка к олову в верхнем диэлектрическом слое составляет между примерно 0,67 и примерно 1,5.
2. Панель с низкой излучательной способностью по п. 1, причем концентрация алюминия в верхнем диэлектрическом слое составляет между примерно 1 атомным % и 15 атомными %.
3. Панель с низкой излучательной способностью по п. 1, причем концентрация алюминия в верхнем диэлектрическом слое составляет между примерно 2 атомными % и 10 атомными %.
4. Панель с низкой излучательной способностью по п. 1, причем верхний диэлектрический слой имеет ширину запрещенной зоны между примерно 3 эВ и 6 эВ.
5. Панель с низкой излучательной способностью по п. 1, причем верхний диэлектрический слой является по существу аморфным.
6. Панель с низкой излучательной способностью по п. 1, причем коэффициент поглощения верхнего диэлектрического слоя составляет примерно 0 для диапазона длин волн между примерно 400 нм и 2500 нм.
7. Панель с низкой излучательной способностью по п. 1, причем толщина верхнего диэлектрического слоя составляет между примерно 10 нм и 50 нм.
8. Панель с низкой излучательной способностью по п. 1, дополнительно содержащая барьерный слой, образованный между верхним диэлектрическим слоем и отражающим слоем, причем барьерный слой содержит частично окисленный сплав по меньшей мере никеля, титана и ниобия.
9. Панель с низкой излучательной способностью по п. 8,
дополнительно содержащая верхний диффузионный слой, образованный поверх верхнего диэлектрического слоя так, что верхний диэлектрический слой образован между верхним диффузионным слоем и барьерным слоем, при этом верхний диффузионный слой содержит нитрид кремния.
10. Панель с низкой излучательной способностью по п. 9, дополнительно содержащая нижний диффузионный слой, образованный между подложкой и отражающим слоем, нижний диэлектрический слой, образованный между нижним диффузионным слоем и подложкой, и затравочный слой, образованный между нижним диэлектрическим слоем и отражающим слоем.
11. Способ формирования панели с низкой излучательной способностью, содержащий:
обеспечение частично изготовленной панели,
причем частично изготовленная панель содержит подложку, отражающий слой, образованный поверх подложки, и барьерный слой, образованный поверх отражающего слоя так, что отражающий слой образован между подложкой и барьерным слоем; и
формирование верхнего диэлектрического слоя поверх барьерного слоя с использованием реактивного распыления в кислородсодержащей среде,
причем барьерный слой содержит частично окисленный сплав трех или более металлов,
причем верхний диэлектрический слой содержит оксид алюминия-олова-цинка, при этом атомное отношение цинка к олову в верхнем диэлектрическом слое составляет между примерно 0,67 и примерно 1,5.
12. Способ по п. 11, дополнительно содержащий термообработку частично изготовленной панели с верхним диэлектрическим слоем.
13. Способ по п. 12, причем коэффициент пропускания панели с низкой излучательной способностью для видимого света изменяется менее чем на 3% в ответ на применение термообработки.
14. Способ по п. 11, причем концентрация алюминия в верхнем диэлектрическом слое составляет между примерно 1 атомным % и 15 атомными %.
15. Способ по п. 11, причем концентрация алюминия в верхнем диэлектрическом слое составляет между примерно 2 атомными % и 10 атомными %.
16. Способ по п. 11, причем верхний диэлектрический слой имеет ширину запрещенной зоны между примерно 3 эВ и 6 эВ.
17. Способ по п. 11, причем верхний диэлектрический слой является по существу аморфным.
18. Способ по п. 11, причем толщина верхнего диэлектрического слоя составляет между примерно 10 нм и 50 нм.
19. Способ по п. 11, дополнительно содержащий формирование верхнего диффузионного слоя поверх верхнего диэлектрического слоя, при этом верхний диффузионный слой содержит нитрид титана.
20. Способ формирования панели с низкой излучательной способностью, включающий:
обеспечение подложки;
формирование нижнего диффузионного слоя поверх подложки;
формирование нижнего диэлектрического слоя поверх нижнего диффузионного слоя;
формирование затравочного слоя поверх нижнего диэлектрического слоя;
формирование отражающего слоя поверх затравочного слоя;
формирование барьерного слоя поверх отражающего слоя; и
формирование верхнего диэлектрического слоя поверх барьерного слоя,
причем барьерный слой содержит частично окисленный сплав трех или более металлов,
причем верхний диэлектрический слой содержит оксид алюминия-олова-цинка, причем атомное отношение цинка к олову в верхнем диэлектрическом слое составляет между примерно 0,67 и примерно 1,5,
причем верхний диэлектрический слой образован с использованием реактивного распыления в кислородсодержащей среде.