УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ И СПОСОБ ЛАЗЕРНОГО ОБЛУЧЕНИЯ

1. Устройство для лазерной обработки для снижения размера магнитного домена листа электротехнической стали с ориентированной структурой путем фокусирования лазерного луча на листе электротехнической стали с ориентированной структурой и сканирования листа электротехнической стали с ориентированной структурой в направлении сканирования с помощью лазерного луча, причем устройство для лазерной обработки содержит:
- лазерный генератор, испускающий лазерный луч; и
- блок лазерного облучения, наводящий лазерный луч, передаваемый от лазерного генератора, на лист электротехнической стали с ориентированной структурой,
1
2
1
1
2
2
1
2
причем блок лазерного облучения обладает структурой, обеспечивающей распределение интенсивности лазерного луча, сфокусированного на листе электротехнической стали с ориентированной структурой, представленной на поперечном разрезе, в направлении, перпендикулярном направлению сканирования на листе электротехнической стали с ориентированной структурой, таким образом, чтобы удовлетворялось отношение Ib/Ia≤2, где, когда интеграл распределения интенсивности рассчитывают из центроида распределения интенсивности в каждом из направлений, - в первом и во втором, оба из которых перпендикулярны направлению сканирования, Ra представляет собой расстояние между центроидом распределения интенсивности и позицией, при которой значение интегрирования интенсивности, полученное из центроида распределения интенсивности в первом направлении, составляет 43% от общего значения интегрирования интенсивности, Ra представляет собой расстояние между центроидом распределения интенсивности и позицией, при которой значение интегрирования интенсивности, полученное из центроида распределения интенсивности во втором направлении, составляет 43% от общего значения интегрирования интенсивности, интенсивность луча Iа представляет собой интенсивность, соответствующую Ra, интенсивность луча Iс представляет собой интенсивность, соответствующую Ra, Ia представляет собой среднее значение интенсивности луча Ia и интенсивности луча Ia, а Ib представляет собой интенсивность лазерного луча в центроиде распределения интенсивности.
2. Устройство для лазерной обработки по п. 1,
1
2
1
1
2
2
1
2
в котором структура блока лазерного облучения обеспечивает распределение интенсивности по направлению C для лазерного луча, сфокусированного на листе электротехнической стали с ориентированной структурой, на поперечном разрезе в направлении сканирования на листе электротехнической стали с ориентированной структурой таким образом, чтобы удовлетворялось отношение 1,5≤Id/Ic≤10, где, когда интеграл распределения интенсивности по направлению C рассчитывают из центроида распределения интенсивности по направлению C по каждому из направлений, - по третьему и четвертому, оба из которых проходят вдоль направления сканирования, Rc представляет собой расстояние между центроидом распределения интенсивности по направлению C и позицией, при которой значение интегрирования интенсивности, полученное из центроида распределения интенсивности по направлению C, по третьему направлению составляет 43% от общего значения интегрирования интенсивности по направлению C, Rc представляет собой расстояние между центроидом распределения интенсивности по направлению C и позицией, при которой значение интегрирования интенсивности, полученное из центроида распределения интенсивности по направлению C, по четвертому направлению, составляет 43% от общего значения интегрирования интенсивности по направлению C, интенсивность луча Iс представляет собой интенсивность, соответствующую Rc, интенсивность луча Iс представляет собой интенсивность, соответствующую Rc, Ic представляет собой среднее значение от интенсивности луча Iс и интенсивности луча Iс, а Id представляет собой интенсивность лазерного луча в центроиде распределения интенсивности по направлению C.
3. Устройство для лазерной обработки по п. 1 или 2, котором Ib/Ia находится в диапазоне 1,0-2,0.
1
2
4. Устройство для лазерной обработки по п. 1 или 2, в котором Ra находится в диапазоне 5-100 мкм, где Ra представляет собой среднее значение от Ra и Ra.
5. Устройство для лазерной обработки по п. 4, в котором Ra находится в диапазоне 5-60 мкм.
6. Устройство для лазерной обработки по п. 1 или 2, в котором произведение параметров луча для лазерного луча, сфокусированного на листе электротехнической стали с ориентированной структурой, находится в диапазоне от λ/π до 10 мм∙мрад, где λ длина волны лазерного луча, мкм.
7. Устройство для лазерной обработки по п. 1 или 2, в котором лазерный генератор представляет собой волоконный лазер или дисковый лазер.
8. Устройство для лазерной обработки п. 1 или 2, в котором формой пятна лазерного луча, сфокусированного на листе электротехнической стали с ориентированной структурой, является эллипс, и
направление короткой оси эллипса перпендикулярно направлению сканирования.
1
2
1
1
2
2
1
2
9. Способ лазерного облучения, содержащий этап лазерного облучения для снижения размера магнитного домена листа электротехнической стали с ориентированной структурой путем фокусирования лазерного луча на листе электротехнической стали с ориентированной структурой и сканирования листа электротехнической стали с ориентированной структурой в направлении сканирования лазерным лучом, в котором Ib/Ia составляет 2,0 или менее, при распределении интенсивности лазерного луча, сфокусированного на листе электротехнической стали с ориентированной структурой, на поперечном разрезе в направлении, перпендикулярном направлению сканирования на листе электротехнической стали с ориентированной структурой, где, когда интеграл распределения интенсивности рассчитывают из центроида распределения интенсивности в каждом из направлений, - в первом и во втором, оба из которых перпендикулярны направлению сканирования, Ra представляет собой расстояние между центроидом распределения интенсивности и позицией, при которой значение интегрирования интенсивности, полученное из центроида распределения интенсивности в первом направлении составляет 43% от общего значения интегрирования интенсивности, Ra представляет собой расстояние между центроидом распределения интенсивности и позицией, при которой значение интегрирования интенсивности, полученное из центроида распределения интенсивности во втором направлении составляет 43% от общего значения интегрирования интенсивности, интенсивность луча Ia представляет собой интенсивность, соответствующую Ra, интенсивность луча Ia представляет собой интенсивность, соответствующую Ra, Ia представляет собой среднее значение интенсивности луча Iaи интенсивности луча Ia, а Ib представляет собой интенсивность лазерного луча в центроиде распределения интенсивности.
10. Способ лазерного облучения по п. 9,
1
2
в котором Id/Ic попадает в диапазон 1,5-10 при распределении интенсивности по направлению C лазерного луча, сфокусированного на листе электротехнической стали с ориентированной структурой, на поперечном разрезе в направлении сканирования на листе электротехнической стали с ориентированной структурой, где, когда интеграл распределения интенсивности по направлению C рассчитывают из центроида распределения интенсивности по направлению C по каждому из направлений, - по третьему и четвертому, оба из которых простираются вдоль направления сканирования, Rc представляет собой расстояние между центроидом распределения интенсивности по направлению C и позицией, при которой значение интегрирования интенсивности, полученное из центроида распределения интенсивности по направлению C по третьему направлению, составляет 43% от общего значения интегрирования интенсивности по направлению C, Rc представляет собой расстояние между центроидом распределения интенсивности по направлению C и позицией, при которой значение интегрирования интенсивности, полученное из центроида распределения интенсивности по направлению C по четвертому направлению, составляет 43% от общего значения интегрирования
1
1
2
2
1
2
интенсивности по направлению C, интенсивность луча Iс представляет собой интенсивность, соответствующую Rc, интенсивность луча Iс представляет собой интенсивность, соответствующую Rc, Iс представляет собой среднее значение интенсивности луча Iс и интенсивности луча Iс, а Id представляет собой интенсивность лазерного луча в центроиде распределения интенсивности по направлению C.
11. Устройство для лазерной обработки по п. 1 или 2, в котором блок лазерного облучения включает в себя зеркало, регулирующее отношение Ia/Ib таким образом, чтобы удовлетворялось отношение Ia/Ib≤2.
12. Способ лазерного облучения по п. 9 или 10, в котором Ia/Ib находится в диапазоне 1,0-2,0.
1
2
13. Способ лазерного облучения по п. 9 или 10, в котором Ra находится в диапазоне 5-100 мкм, где Ra представляет среднее значение от Ra и Ra.
14. Способ лазерного облучения по п. 13, в котором Ra находится в диапазоне 5-60 мкм.
15. Способ лазерного облучения по п. 9 или 10, в котором форма пятна лазерного луча, сфокусированного на листе электротехнической стали с ориентированной структурой, представляет собой эллипс и направление короткой оси эллипса перпендикулярно направлению сканирования.