СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ИЗ ЭЛЕМЕНТОВ III-V ГРУПП, ВКЛЮЧАЮЩЕЕ В СЕБЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩУЮ СТРУКТУРУ

1. Устройство, содержащее:
подложку, содержащую
основу; и
затравочный слой, связанный с основой; и
полупроводниковую структуру, выращенную поверх затравочного слоя, причем полупроводниковая структура содержит светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа;
при этом вариация показателя преломления в направлении, перпендикулярном направлению роста полупроводниковой структуры, находится между основой и светоизлучающим слоем.
2. Устройство по п.1, дополнительно содержащее неполупроводниковый слой, расположенный между затравочным слоем и полупроводниковой структурой, причем
в неполупроводниковом слое сформирован рисунок, чтобы образовать множество окон; и
полупроводниковая структура выращена таким образом, что полупроводниковый материал заполняет окна в неполупроводниковом слое.
3. Устройство по п.1, дополнительно содержащее:
неполупроводниковый слой, расположенный между затравочным слоем и полупроводниковой структурой, при этом, в неполупроводниковом слое сформирован рисунок, чтобы образовать множество окон; и
пустоты, расположенные в полупроводниковой структуре поверх участков неполупроводникового слоя, расположенных между окнами.
4. Устройство по п.1, в котором
вариация показателя преломления содержит участки связующего слоя, разделенные зазорами; и
вариация показателя преломления находится между основой и затравочным слоем.
5. Устройство по п.4, в котором зазоры заполнены газом и находятся в непосредственном контакте с затравочным слоем.
6. Устройство по п.4, в котором зазоры заполнены газом и находятся в непосредственном контакте с основой.
7. Устройство по п.4, в котором зазоры заполнены газом и разнесены с затравочным слоем и с основой.
8. Устройство по п.1, в котором вариация показателя преломления содержит множество окон, сформированных в поверхности затравочного слоя, противоположной полупроводниковой структуре, и заполненных материалом, обладающим показателем преломления меньше чем 2.
9. Устройство по п.1, в котором вариация показателя преломления содержит множество пустот, расположенных на границе раздела между полупроводниковой структурой и затравочным слоем.
10. Устройство по п.1, в котором:
вариация показателя преломления содержит множество областей первого материала, имеющего первый показатель преломления, разделенных множеством областей второго материала, имеющего второй показатель преломления; и
каждая из областей первого вещества и каждая из областей второго вещества имеет боковую протяженность в направлении вариации показателя преломления между 100 нм и 10 мкм.
11. Устройство по п.1, в котором вариация показателя преломления имеет высоту между 100 нм и 10 мкм.
12. Способ, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают подложку, содержащую
основу; и
затравочный слой, связанный с основой, и
выращивают на подложке полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа;
причем вариация показателя преломления в направлении, перпендикулярном направлению роста полупроводниковой структуры, расположена между основой и светоизлучающим слоем.
13. Способ по п.12, дополнительно содержащий этап, на котором удаляют основу после выращивания полупроводниковой структуры.
14. Способ по п.12, дополнительно содержащий формирование вариации показателя преломления:
формированием неполупроводникового слоя на затравочном слое;
формированием рисунка неполупроводникового слоя, чтобы образовать множество окон; и
выращиванием полупроводниковой структуры так, что полупроводниковый материал заполняет окна в неполупроводниковом слое.
15. Способ по п.12, дополнительно содержащий изменение показателя преломления:
формированием неполупроводникового слоя на затравочном слое;
формированием рисунка неполупроводникового слоя, чтобы образовать множество окон; и
выращиванием полупроводниковой структуры так, что полупроводниковый материал заполняет окна в неполупроводниковом слое, а пустоты сформируют поверх участков неполупроводникового слоя, расположенных между окнами.