СПОСОБ ФИКСАЦИИ ИЗМЕНЕНИЙ, ВЫЗВАННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЕМ АКУСТИЧЕСКИХ И ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ БИОЛОГИЧЕСКОЙ СРЕДЫ, В СТРУКТУРЕ ПЕРВОНАЧАЛЬНОГО КРИСТАЛЛА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ, СПОСОБ ДУБЛИРОВАНИЯ ИЗМЕНЕНИЙ СТРУКТУРЫ ПЕРВОНАЧАЛЬНОГО КРИСТАЛЛА В СТРУКТУРЕ КРИСТАЛЛА-ДУБЛИКАТА (ВАРИАНТЫ) И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ (ВАРИАНТЫ), СПОСОБ ВОЗДЕЙСТВИЯ НА БИОЛОГИЧЕСКИЙ ОБЪЕКТ (ВАРИАНТЫ) И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ (ВАРИАНТЫ)

1. Способ фиксации изменений в структуре первоначального кристалла, вызванных воздействиями акустических и электромагнитных полей биологической среды, заключающийся в том, что используют кристалл, структура которого включает, по меньшей мере, один полупроводниковый переход, кристалл располагают на диэлектрической пластине, непосредственно контактирующей с биологической средой, размещенной в емкости, и фиксируют изменения структуры кристалла путем воздействия электрического импульса запирающей полярности на ее полупроводниковый переход.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют диэлектрическую пластину, выполненную из материала, с коэффициентом поглощения акустических волн не более 30 дб/см и электромагнитных волн не более 0,1 непера.
3. Способ по любому из пп.1, 2, отличающийся тем, что воздействие на полупроводниковый переход кристалла осуществляют электрическим импульсом прямоугольной формы с амплитудой 3-4 В и длительностью 0,1-1 с.
4. Способ по любому из пп.1, 2, отличающийся тем, что предварительно на биологическую среду воздействуют инактивирующим агентом, а возбуждение структуры кристалла осуществляют во время максимального уровня поля биологической среды, определенное экспериментально для используемого вида биологической среды при воздействии используемого инактивирующего агента.
5. Способ по п.3, отличающийся тем, что предварительно на биологическую среду воздействуют инактивирующим агентом, а возбуждение структуры кристалла осуществляют во время максимального уровня поля биологической среды, определенного экспериментально для используемого вида биологической среды при воздействии используемого инактивирующего агента.
6. Способ дублирования изменений структуры первоначального кристалла в структуре кристалла-дубликата, заключающийся в том, что используют кристаллы, структура которых включает, по меньшей мере, один полупроводниковый переход, причем в структуре первоначального кристалла зафиксированы изменения, вызванные воздействиями акустических и электромагнитных полей биологической среды в соответствии со способом по любому из пунктов 1, 2, 3, 4 или 5, оба кристалла располагают на одной из граней полой диэлектрической кассеты, заполненной водой, затем на полупроводниковый переход первоначального кристалла многократно воздействуют импульсом воспроизведения прямой полярности, после чего на полупроводниковый переход кристалла-дубликата воздействуют импульсом фиксации запирающей полярности.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что используют диэлектрическую кассету, выполненную из материала с коэффициентом поглощения акустических волн не более 30 дб/см и электромагнитных волн не более 0,1 непера.
8. Способ по любому из пп.6, 7, отличающийся тем, что воздействие на полупроводниковый переход кристалла-дубликата осуществляют электрическим импульсом прямоугольной формы с амплитудой 3-4 вольта и длительностью 0,1-1 секунды.
9. Способ дублирования изменений структуры первоначального кристалла в структуре кристалла-дубликата, заключающийся в том, что используют кристаллы, структура которых включает, по меньшей мере, один полупроводниковый переход, причем в структуре первоначального кристалла зафиксированы изменения, вызванные воздействиями акустических и электромагнитных полей биологической среды в соответствии со способом по любому из пунктов 1, 2, 3, 4 или 5, кристалл-дубликат размещают на диэлектрической пластине, непосредственно контактирующей с жидкой средой, при этом на полупроводниковый переход первоначального кристалла многократно воздействуют импульсом воспроизведения прямой полярности, полученными колебаниями электрического тока модулируют световой поток мощного полупроводникового лазера, которым воздействуют на жидкую среду, размещенную в емкости, радиально симметричной формы, после чего на полупроводниковый переход кристалла-дубликата воздействуют импульсом фиксации запирающей полярности.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что используют диэлектрическую пластину, выполненную из материала, с коэффициентом поглощения акустических волн не более 30 дб/см и электромагнитных волн не более 0,1 непера.
11. Способ по любому из пп.9, 10, отличающийся тем, что воздействие на полупроводниковый переход кристалла-дубликата осуществляют электрическим импульсом прямоугольной формы с амплитудой 3-4 В и длительностью 0,1-1 с.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что в качестве жидкой среды предпочтительно используют физиологический раствор.
13. Способ воздействия на биологический объект, заключающийся в том, что в качестве источника воздействия используют кристалл, структура которого включает, по меньшей мере, один полупроводниковый переход с зафиксированными в структуре кристалла изменениями, вызванными воздействиями акустических и электромагнитных полей биологической среды в соответствии со способом по любому из пп.1, 2, 3, 6 или 9, кристалл размещают на одной из граней полой диэлектрической кассеты, заполненной водной средой, другой гранью непосредственно контактирующей с биологическим объектом, и осуществляют многократное воздействие электрическим импульсом прямой полярности на полупроводниковый переход кристалла.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что дополнительно колебаниями электрического тока, полученными на выходе кристалла, модулируют световой поток светодиода, которым воздействуют на водную среду.
15. Способ по любому из пп.13, 14, отличающийся тем, что используют диэлектрическую кассету, выполненную из материала с коэффициентом поглощения акустических волн не более 30 дб/см и электромагнитных волн не более 0,1 непера.
16. Способ воздействия на биологический объект, заключающийся в том, что в качестве источника воздействия используют кристалл, структура которого включает, по меньшей мере, один полупроводниковый переход, с зафиксированными в структуре кристалла изменениями, вызванными воздействиями акустических и электромагнитных полей биологической среды в соответствии со способом по любому из пп.1, 2, 3, 6 или 9, при этом на полупроводниковый переход кристалла многократно воздействуют импульсом воспроизведения прямой полярности, полученными колебаниями электрического тока модулируют световой поток светодиода, который направляют на биологический объект.
17. Способ воздействия на биологический объект, заключающийся в том, что в качестве источника воздействия используют кристалл, структура которого включает, по меньшей мере, один полупроводниковый переход, с зафиксированными в структуре кристалла изменениями, вызванными воздействиями акустических и электромагнитных полей биологической среды в соответствии со способом по любому из пп.1, 2, 3, 6 или 9, при этом на полупроводниковый переход кристалла многократно воздействуют импульсом воспроизведения прямой полярности, полученными колебаниями электрического тока модулируют световой поток полупроводникового лазера, который направляют на биологический объект.
18. Способ воздействия на биологический объект, заключающийся в том, что в качестве биологического объекта используют организм человека или животного, предварительно определяют биологическую среду, являющуюся инициатором патологического процесса, используют кристалл с зафиксированными в структуре кристалла изменениями, вызванными воздействиями акустических и электромагнитных полей этой биологической среды в соответствии со способом по любому из пунктов 4, 5, 6 или 9, кристалл размещают на одной из граней полой диэлектрической кассеты, заполненной водной средой, причем кассету располагают на кожном покрове человека или животного в области проекции органа с патологией и осуществляют многократное воздействие от 2 до 6 сеансов в день по 10 с на сеанс в течение не менее 5 дней.
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что дополнительно колебаниями электрического тока, полученными на выходе кристалла, модулируют световой поток светодиода, который направляют на водную среду.
20. Способ по любому из пп.18, 19, отличающийся тем, что используют диэлектрическую кассету, выполненную из материала с коэффициентом поглощения акустических волн не более 30 дб/см и электромагнитных волн не более 0,1 непера.
21. Способ воздействия на биологический объект, заключающийся в том, что в качестве биологического объекта используют организм человека или животного, предварительно определяют биологическую среду, являющуюся инициатором патологического процесса, используют кристалл с зафиксированными в структуре кристалла изменениями, вызванными воздействиями акустических и электромагнитных полей этой биологической среды в соответствии со способом по любому из пунктов 4, 5, 6 или 9, при этом на полупроводниковый переход кристалла многократно воздействуют импульсом воспроизведения прямой полярности, полученными колебаниями электрического тока модулируют световой поток светодиода, который направляют на кожный покров человека или животного в области проекции органа с патологией или поверхность полого органа и осуществляют воздействие от 2 до 6 сеансов в день по 10 с на сеанс в течение не менее 5 дней.
22. Способ воздействия на биологический объект, заключающийся в том, что в качестве биологического объекта используют организм человека или животного, предварительно определяют биологическую среду, являющуюся инициатором патологического процесса, используют кристалл с зафиксированными в структуре кристалла изменениями, вызванными воздействиями акустических и электромагнитных полей этой биологической среды в соответствии со способом по любому из пунктов 4, 5, 6 или 9, при этом на полупроводниковый переход кристалла многократно воздействуют импульсом воспроизведения прямой полярности, полученными колебаниями электрического тока модулируют световой поток полупроводникового лазера, который направляют на кожный покров человека или животного в области проекции органа с патологией или поверхность полого органа и осуществляют воздействие от 2 до 6 сеансов в день по 10 с на сеанс в течение не менее 5 дней.
23. Устройство для фиксации изменений, вызванных воздействиями акустических и электромагнитных полей биологической среды, в структуре первоначального кристалла, включающей, по меньшей мере, один полупроводниковый переход, содержащее генератор импульса фиксации, выход которого соединен в запирающей полярности с полупроводниковым переходом кристалла, установленного на диэлектрической пластине, находящейся в контакте с биологической средой, размещенной в емкости.
24. Устройство по п.23, отличающееся тем, что диэлектрическая пластина выполнена из материала с коэффициентом поглощения акустических волн не более 30 дб/см и электромагнитных волн не более 0,1 непера, например, из радиочастотной керамики или фторопласта.
25. Устройство для дублирования изменений структуры первоначального кристалла в структуре кристалла-дубликата, содержащее кристаллы, структура которых включает, по меньшей мере, один полупроводниковый переход, причем в структуре первоначального кристалла зафиксированы изменения, вызванные воздействиями акустических и электромагнитных полей биологической среды в соответствии со способом по любому из пунктов 1, 2, 3, 4, 5, 6, или 9, генератор импульсов воспроизведения, соединенный в прямой полярности с полупроводниковым переходом первоначального кристалла, генератор импульса фиксации, соединенный в запирающей полярности с полупроводниковым переходом кристалла-дубликата, при этом кристаллы расположены на одной из граней полой диэлектрической кассеты, заполненной водной средой.
26. Устройство по п.25, отличающееся тем, что диэлектрическая кассета выполнена из материала с коэффициентом поглощения акустических волн не более 30 дб/см и электромагнитных волн не более 0,1 непера, например, из радиотехнической керамики или фторопласта.
27. Устройство для дублирования изменений структуры первоначального кристалла в структуре кристалла-дубликата, содержащее кристаллы, структура которых включает, по меньшей мере, один полупроводниковый переход, причем в структуре первоначального кристалла зафиксированы изменения, вызванные воздействиями акустических и электромагнитных полей биологической среды в соответствии со способом по любому из пунктов 1, 2, 3, 4, 5, 6, или 9, генератор импульсов воспроизведения, соединенный в прямой полярности через усилитель мощности с полупроводниковым переходом первоначального кристалла, выход которого подключен к мощному полупроводниковому лазеру, генератор импульса фиксации, соединенный в запирающей полярности с полупроводниковым переходом кристалла-дубликата, при этом кристалл-дубликат расположен на диэлектрической пластине, непосредственно контактирующей с жидкой средой, размещенной в радиально симметричной емкости, а полупроводниковый лазер расположен с возможностью воздействия на жидкую среду.
28. Устройство по п.27, отличающееся тем, что используют диэлектрическую пластину, выполненную из материала, с коэффициентом поглощения акустических волн не более 30 дб/см и электромагнитных волн не более 0,1 непера.
29. Устройство по любому из пп.27, 28, отличающееся тем, что в качестве жидкой среды, предпочтительно, используют физиологический раствор.
30. Устройство для воздействия на биологический объект, содержащее источник воздействия в виде кристалла, включающего, по меньшей мере, один полупроводниковый переход, в структуре которого зафиксированы изменения, вызванные воздействиями акустических и электромагнитных полей биологической среды в соответствии со способом по любому из пунктов 1, 2, 3, 4, 5, 6 или 9, генератор импульсов воспроизведения, выход которого подключен прямой полярностью к полупроводниковому переходу кристалла, размещенного на одной из граней диэлектрической кассеты, заполненной водной средой, другой гранью контактирующей непосредственно с биологическим объектом.
31. Устройство по п.30, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит светодиод, последовательно подключенный к кристаллу и установленный с возможностью воздействия на водную среду.
32. Устройство по любому из пп.30, 31, отличающееся тем, что диэлектрическая кассета выполнена из материала с коэффициентом поглощения акустических волн не более 30 дб/см и электромагнитных волн не более 0,1 непера, например, из радиотехнической керамики или фторопласта.
33. Устройство для воздействия на биологический объект, содержащее источник воздействия в виде кристалла, включающего, по меньшей мере, один полупроводниковый переход, в структуре которого зафиксированы изменения, вызванные воздействиями акустических и электромагнитных полей биологической среды в соответствии со способом по любому из пунктов 1, 2, 3, 4, 5, 6 или 9, генератор импульсов воспроизведения, подключенный в прямой полярности к полупроводниковому переходу кристалла, выход которого соединен со светодиодом для воздействия на биологический объект.
34. Устройство по п.33, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит гибкий зонд в виде световода, согласованного со светодиодом.
35. Устройство для воздействия на биологический объект, содержащее источник воздействия в виде кристалла, включающего, по меньшей мере, один полупроводниковый переход, в структуре которого зафиксированы изменения, вызванные воздействиями акустических и электромагнитных полей биологической среды в соответствии со способом по любому из пунктов 1, 2, 3, 4, 5, 6 или 9, генератор импульсов воспроизведения, выход которого подключен в прямой полярности к полупроводниковому переходу кристалла, выход которого соединен с полупроводниковым лазером для воздействия на биологический объект.
36. Устройство по п.35, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит гибкий зонд в виде световода, согласованного с полупроводниковым лазером.