СТЕКЛЯННАЯ ПОДЛОЖКА, ПОКРЫТАЯ СЛОЯМИ С УЛУЧШЕННОЙ МЕХАНИЧЕСКОЙ ПРОЧНОСТЬЮ

1. Прозрачная стеклянная подложка, связанная с прозрачным электропроводящим слоем, способным образовывать электрод фотогальванической ячейки и состоящим из легированного оксида, и отличающаяся наличием расположенного между стеклянной подложкой и прозрачным электропроводящим слоем смешанного слоя, состоящего по меньшей мере из одного первого нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксик арбида, имеющего хорошие свойства адгезии к стеклу, и по меньшей мере из одного второго нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида, способного образовывать при необходимости в легированном виде прозрачный электропроводящий слой.
2. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что смешанный слой имеет градиент состава с уменьшением содержания по меньшей мере одного первого нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида с увеличением расстояния от стеклянной подложки.
3. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что смешанный слой имеет градиент состава с возрастанием содержания по меньшей мере одного первого нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида с увеличением расстояния от стеклянной подложки.
2
2
4. Подложка по п.1, механическая прочность которой не ухудшается в течение 24 ч после действия по меньшей мере в течение 10 мин, предпочтительно в течение 20 мин электрического поля напряжением по меньшей мере 100 В, предпочтительно 200 В, прилагаемым с одной и другой стороны подложки, и температуры по меньшей мере 200°C, индуцирующих наведение электрического заряда величиной по меньшей мере 2 мКл/см, предпочтительно 8 мКл/см соответственно значениям удельного электрического сопротивления стеклянной подложки при температуре испытания.
5. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что слоистый пакет смешанного слоя с прозрачным электропроводящим слоем имеет размытость не более 30%.
6. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что смешанный слой на границе раздела с прозрачным электропроводящим слоем имеет поверхность, образованную случайно ориентированными стержнеобразными элементами длиной от 10 до 50 нм, диаметром от 5 до 20 нм, создающими шероховатость RMS от 10 до 50 нм и вызывающими увеличение размытости всего слоистого пакета от 5 до 10% по сравнению с таким же слоистым пакетом смешанного слоя с прозрачным электропроводящим слоем, в котором первый названный слой имеет гладкую поверхность.
7. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что слоистый пакет смешанного слоя с прозрачным электропроводящим слоем имеет светопропускание по меньшей мере 75%, предпочтительно 80%.

8. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что слоистый пакет смешанного слоя с прозрачным электропроводящим слоем имеет поверхностное сопротивление R в интервале от 5 до 1000 Ом.
9. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что слоистый пакет смешанного слоя с прозрачным электропроводящим слоем имеет поглощение в видимой и близкой инфракрасной частях спектра не более 10%.
2
2
2
3
10. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере один первый нитрид или оксинитрид, или оксид, или оксикарбид выбран из нитридов или оксинитридов, или оксидов, или оксикарбидов Si, Al и Ti, предпочтительно из SiO, TiO и AlO.
2
11. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере один второй нитрид или оксинитрид, или оксид, или оксикарбид выбран из нитридов или оксинитридов, или оксидов, или оксикарбидов Sn, Zn и In, предпочтительно из SnO, ZnO и InO.
2
2
12. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что прозрачный электропроводящий слой состоит из легированного оксида Sn, Zn или In такого, как SnO:F, SnO:Sb, ZnO:Al, ZnO:Ga, InO:Sn или ZnO:In.
13. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что смешанный слой имеет поверхностное сопротивление не более 100 000 Ом, предпочтительно не более 10 000 Ом.
14. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что смешанный слой имеет молярное соотношение F/Sn, по меньшей мере равное 0,01, предпочтительно равное 0,05.
15. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что толщина смешанного слоя находится в интервале от 20 до 500 нм, предпочтительно в интервале от 50 до 300 нм.
16. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что сторона смешанного слоя, обращенная к стеклянной подложке, предпочтительно образована слоем толщиной от 2 до 20 нм, состоящим по меньшей мере из одного первого нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида.
17. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что сторона смешанного слоя, обращенная от стеклянной подложки, предпочтительно образована слоем толщиной от 2 до 20 нм, состоящим по меньшей мере из одного второго нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида.
18. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что прозрачный электропроводящий слой, состоящий из легированного оксида, связан со смешанным слоем через промежуточный слой, состоящий из такого же, но нелегированного оксида, причем суммарная толщина обоих слоев нелегированного оксида и легированного оксида находится в интервале от 700 до 2000 нм, а соотношение толщин обоих слоев находится в интервале от 1:4 до 4:1.
19. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что прозрачный электропроводящий слой, состоящий из легированного оксида и имеющий толщину в интервале от 300 до 600 нм, сформирован непосредственно на смешанном слое.
20. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что прозрачный электропроводящий слой, состоящий из легированного оксида, покрыт слоем, защищающим при нанесении структурных покрытий фотогальванической ячейки, или слоем, увеличивающим квантовую эффективность фотогальванической ячейки, таким, как оксид цинка или оксид титана.
21. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что одна из сторон подложки покрыта слоистым пакетом, придающим функцию типа противоотражающей способности или гидрофобности, или фотокаталитического действия.
22. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что смешанный слой содержит гранулы, состоящие по меньшей мере из одного первого нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида, в смеси с гранулами, состоящими по меньшей мере из одного второго нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида.
23. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что смешанный слой содержит смешанные гранулы, состоящие по меньшей мере из одного первого нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида и по меньшей мере из одного второго нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида.
24. Подложка по п.22 или 23, отличающаяся тем, что размеры гранул, определенные наблюдением под просвечивающим электронным микроскопом, находятся в интервале от 10 до 80 нм, предпочтительно в интервале от 20 до 50 нм.
25. Способ изготовления подложки по любому из предыдущих пунктов, на которой смешанный слой получают нанесением химическим путем в паровой фазе слоя, образующегося при приведении в контакт с подложкой предшественников по меньшей мере одного первого и одного второго нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида в присутствии по меньшей мере одного соединения фтора.
26. Способ по п.25, отличающийся тем, что смешанный слой получают химическим осаждением из паровой фазы, усиленным плазмой, предпочтительно плазмой при атмосферном давлении.
27. Способ по п.26, отличающийся тем, что смешанный слой получают при температуре подложки не более 300°C.
28. Способ по п.25, отличающийся тем, что смешанный слой получают при температуре подложки, по меньшей мере равной 500°C, предпочтительно по меньшей мере равной 600°C, более предпочтительно по меньшей мере равной 650°C.
29. Способ по любому из пп.25-28, отличающийся тем, что смешанный слой получают в присутствии вспомогательных агентов, управляющих относительными скоростями нанесения по меньшей мере одного первого и одного второго нитрида или оксинитрида, или оксида, или оксикарбида.
4
3
8
2
6
2
3
2
3
2
2
3
3
3
3
30. Способ по п.25, отличающийся тем, что по меньшей мере одно соединение фтора выбрано из перфторметана (CF), перфторпропана (CF), перфторэтана (CF), фтороводорода (HF), дифторхлорметана (CHClF), дифторхлорэтана (CHCClF), трифторметана (CHF), дихлордифторметана (CFCl), трифторхлорметана (CFCl), трифторбромметана (CFBr), трифторуксусной кислоты (ТФУ, CFCOOH) и трифторида азота (NF).
31. Фотогальваническая ячейка, содержащая подложку по любому из пп.1-24.
32. Закаленное и/или изогнутое стекло с радиусом кривизны не более 2000 мм, предпочтительно не более 500 мм, более предпочтительно не более 300 мм, содержащее подложку по любому из пп.1-24.
33. Фасонное греющее стекло, содержащее подложку по любому из пп.1-24.
34. Плазменный экран, содержащий подложку по любому из пп.1-24.
35. Электрод плоской лампы, содержащий подложку по любому из пп.1-24.