СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОСТРУКТУРИРОВАННОГО И ВЫСОКОДОПИРОВАННОГО СЛОЯ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ

1. Способ формирования микроструктурированного, высокодопированного атомами серы слоя на поверхности кремния, основанный на облучении поверхности кремния множественными фокусированными ультракороткими -фемто- или короткими пикосекундными -лазерными импульсами (УКИ) в химически активной среде серосодержащих соединений, с разложением серосодержащих соединений на нагретой или расплавленной лазером поверхности кремния и последующей диффузией атомов серы в объем конденсированной фазы кремния, или с лазерной абляцией поверхности кремния УКИ и разложением серосодержащих соединений при взаимодействии с абляционным факелом, сопровождающимся переосаждением и разложением серосодержащих интермедиатов на нагретой или расплавленной лазером поверхности кремния с последующией диффузией атомов серы в объем конденсированной фазы кремния, отличающийся тем, что при этом в качестве химически активной среды выбирают жидкофазные соединения с высоким содержанием серы, в которые погружают облучаемую мишень кремния, а также выбирают такой режим воздействия на мишень УКИ, чтобы излучение УКИ проникало сквозь серосодержащую жидкость к мишени кремния, а энергия, частота следования и фокусировка УКИ обеспечивали абляционное микроструктурирование поверхности кремния.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сначала выполняют абляционное микроструктурирование сухой поверхности кремния под действием множественных УКИ, а затем проводят повторную обработку УКИ микроструктурированной поверхности под тонким слоем жидкой фазы сероуглерода для допирования поверхностного слоя кремния атомами серы.