СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СИЛОВОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

1. Способ изготовления силового полупроводникового прибора, включающий следующие этапы:
формирование первого оксидного слоя (22) на первой основной стороне подложки (1) первого типа проводимости,
формирование слоя (3, 3') электрода затвора, по меньшей мере, с одним отверстием (31) на первой основной стороне сверху первого оксидного слоя (22),
имплантирование первой легирующей примеси первого типа проводимости в подложку (1) с первой основной стороны, используя слой (3, 3') электрода затвора в качестве маски,
диффундирование первой легирующей примеси в подложку (1),
имплантирование второй легирующей примеси второго типа проводимости в подложку (1) с первой основной стороны и
диффундирование второй легирующей примеси в подложку (1), отличающийся тем, что
после диффузии первой легирующей примеси в подложку (1), но перед имплантацией второй легирующей примеси в подложку (1) первый оксидный слой (22) частично удаляют и используют слой (3, 3') электрода затвора в качестве маски для имплантации второй легирующей примеси.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что
первый оксидный слой (22) удаляют в тех областях, где расположено указанное, по меньшей мере, одно отверстие (31) слоя (3, 3') электрода затвора, в результате чего формируется оксидный слой (2) затвора.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве первой легирующей примеси используют ионы фосфора и/или ионы мышьяка.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что в качестве первой легирующей примеси используют ионы фосфора и/или ионы мышьяка.
12
14
2
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что первую легирующую примесь имплантируют с энергией от 40 до 150 кэВ и/или с дозой 1·10-1·10/см.
12
14
2
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что первую легирующую примесь имплантируют с энергией от 40 до 150 кэВ и/или с дозой 1·10-1·10/см.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что первая легирующая примесь диффундирует в подложку (1) на глубину, равную по меньшей мере 1 мкм и максимально до 10 мкм, в частности максимально до 8 мкм, предпочтительно максимально до 6 мкм.
8. Способ по п.3, отличающийся тем, что первая легирующая примесь диффундирует в подложку (1) на глубину, равную по меньшей мере 1 мкм и максимально до 10 мкм, в частности максимально до 8 мкм, предпочтительно максимально до 6 мкм.
9. Способ по п.6, отличающийся тем, что первая легирующая примесь диффундирует в подложку (1) на глубину, равную по меньшей мере 1 мкм и максимально до 10 мкм, в частности максимально до 8 мкм, предпочтительно максимально до 6 мкм.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве второй легирующей примеси используют ионы бора, алюминия, галлия и/или индия.
11. Способ по п.3, отличающийся тем, что в качестве второй легирующей примеси используют ионы бора, алюминия, галлия и/или индия.
13
14
2
12. Способ по п.10, отличающийся тем, что вторую легирующую примесь имплантируют с энергией 20-120 кэВ и/или с дозой 5·10-3·10/см.
13. Способ по любому из пп.1-12, отличающийся тем, что вторая легирующая примесь диффундирует в подложку (1) на максимальную глубину (54), составляющую от 0,5 мкм до 9 мкм, в частности от 0,5 мкм до 7 мкм, предпочтительно от 0,5 мкм до 5 мкм.