ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛАСТИНА И СПОСОБ КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

1. Полупроводниковая пластина, в которой формируется от одного до двадцати микроотверстий на диаметр в два дюйма.
2. Полупроводниковая пластина по п.1, в которой диаметр микроотверстий составляет от 0,45 до 5 мкм.
3. Способ контроля полупроводниковой пластины, содержащий этапы, на которых:
приводят в контакт платформу держателя с передней стороной пластины, чтобы зажимать ее в держателе под действием вакуума, и определяют то, имеются ли микроотверстия в пластине, посредством либо изменения уровня вакуума за истекшее время, либо обнаружения детектирующего газа; и
направляют пучок света на переднюю сторону пластины, которая, как определено, имеет микроотверстия, обнаруживают световые лучи, проходящие через пластину, и тем самым указывают число и позиции микроотверстий.