ИНТЕРФЕРОМЕТРИЧЕСКИЙ МОДУЛЯТОР С ВНУТРЕННЕЙ ПОЛЯРИЗАЦИЕЙ И СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ЭТИМ УСТРОЙСТВОМ

1. Способ изготовления устройства на основе микроэлектромеханических систем, имеющего первый и второй электроды, включающий
получение первого слоя, расположенного между первым и вторым электродами,
нагревание первого слоя с одновременным приложением первого напряжения между первым и вторым электродами,
получение второго слоя, по меньшей мере частично отражающего свет, и
получение третьего слоя, являющегося по существу светоотражающим и расположенного в рабочей близости от второго слоя, причем второй и третий слои выполняют с образованием между ними зазора, а третий слой с возможностью перемещения по отношению ко второму слою при приложении второго напряжения между первым и вторым электродами.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что указанный первый слой выполняют с возможностью сохранения некоторого ненулевого дипольного момента после нагревания первого слоя с одновременным приложением первого напряжения между первым и вторым электродами, причем при отсутствии напряжения между первым и вторым электродами ненулевой дипольный момент продолжает существовать.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что второй слой содержит первый электрод, а третий слой содержит второй электрод.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что первое напряжение, приложенное между первым и вторым электродами, больше, чем третье напряжение, необходимое для перемещения третьего слоя на расстояние, достаточное для того, чтобы по существу закрыть зазор между вторым и третьим слоями.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что при получении первого слоя напыляют первый слой на второй.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что он дополнительно включает охлаждение первого слоя при поддержании между первым и вторым электродами первого напряжения.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что перед наведением в первом слое ненулевого дипольного момента первый слой имеет ненулевой суммарный дипольный момент.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что при нагревании первого слоя повышают его температуру по меньшей мере до 50°С.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что при нагревании первого слоя повышают его температуру по меньшей мере до 70°С.
10. Способ по одному из пп.1-9, отличающийся тем, что первый слой содержит диэлектрический материал.
11. Способ по одному из пп.1-9, отличающийся тем, что первый слой содержит ферроэлектрический материал.
12. Способ по одному из пп.1-9, отличающийся тем, что первый слой содержит SiOx, где х меньше 2.
13. Способ по одному из пп.1-9, отличающийся тем, что первый слой содержит нитрид кремния.
2
14. Способ по одному из пп.1-9, отличающийся тем, что первый слой содержит материал, выбранный из следующей группы: оксид кремния, нитрид кремния, азотированный SiO, оксид титана, полуизолирующий поликристаллический кремний и оксинитрид.
15. Устройство на основе микроэлектромеханических систем, изготовленное способом по п.1.
16. Устройство на основе микроэлектромеханических систем, содержащее
первый электрод,
второй электрод, являющийся по существу светоотражающим,
первый слой, расположенный между первым и вторым электродами и имеющий некоторый ненулевой дипольный момент, когда между первым и вторым электродами не приложено напряжение, и
второй слой, являющийся по меньшей мере частично светоотражающим, причем второй электрод расположен в рабочей близости от второго слоя и выполнен с возможностью перемещения по отношению ко второму слою при приложении напряжения между первым и вторым электродами.
17. Устройство по п.16, отличающееся тем, что первый слой содержит диэлектрический материал.
18. Устройство по п.16, отличающееся тем, что первый слой содержит ферроэлектрический материал.
19. Устройство по п.16, отличающееся тем, что первый слой содержит SiOx, где х меньше 2.
20. Устройство по п.16, отличающееся тем, что первый слой содержит нитрид кремния.
2
21. Устройство по п.16, отличающееся тем, что первый слой содержит материал, выбранный из следующей группы: оксид кремния, нитрид кремния, азотированный SiO, оксид титана, полуизолирующий поли кристаллический кремний и оксинитрид.
22. Устройство по одному из пп.15-20, отличающееся тем, что второй слой содержит первый электрод.
23. Устройство по п.22, отличающееся тем, что первый слой получен путем напыления на второй слой.
24. Устройство по одному из пп.16-21, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит
дисплей,
процессор, состоящий в электрическом взаимодействии с дисплеем и выполненный с возможностью обработки данных об изображении, и
запоминающее устройство, состоящие в электрическом взаимодействии с указанным процессором.
25. Устройство по п.24, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит
первый контроллер, выполненный с возможностью отправления на дисплей по меньшей мере одного сигнала, и
второй контроллер, выполненный с возможностью отправления на первый контроллер по меньшей мере части указанных данных об изображении.
26. Устройство по п.24, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит модуль источника изображения, выполненный с возможностью отправления на указанный процессор указанных данных об изображении.
27. Устройство по п.26, отличающееся тем, что модуль источника изображения содержит по меньшей мере одно из следующих устройств: приемник, приемопередатчик, передатчик.
28. Устройство по п.24, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит входное устройство, выполненное с возможностью приема входных данных и их передачи на указанный процессор.
29. Устройство на основе микроэлектромеханических систем, содержащее
средства, по меньшей мере частично отражающие свет,
средства, по существу отражающие свет, расположенные в рабочей близости от указанных по меньшей мере частично отражающих средств,
первые проводящие средства для проведения электрических сигналов,
вторые проводящие средства для проведения электрических сигналов, причем средства, по существу отражающие свет, выполнены с возможностью перемещения по отношению к средствам, по меньшей мере частично отражающим свет, при приложении напряжения между первыми и вторыми проводящими средствами, а устройство дополнительно содержит
средства создания ненулевого дипольного момента между первыми и вторыми проводящими средствами, когда между ними не приложено напряжение.
30. Устройство по п.29, отличающееся тем, что первые проводящие средства содержат электрод.
31. Устройство по п.29, отличающееся тем, что вторые проводящие средства содержат электрод.
32. Устройство по одному из пп.29-31, отличающееся тем, что проводящие средства содержат слой, содержащий диэлектрический материал.
33. Устройство по одному из пп.29-31, отличающееся тем, что проводящие средства содержат слой, содержащий ферроэлектрический материал.
34. Устройство по одному из пп.29-31, отличающееся тем, что проводящие средства содержат слой, содержащий SiOx, где х меньше 2.
35. Устройство по одному из пп.29-31, отличающееся тем, что проводящие средства содержат слой, содержащий нитрид кремния.
2
36. Устройство по одному из пп.29-31, отличающееся тем, что проводящие средства содержат слой, содержащий материал, выбранный из следующей группы: оксид кремния, нитрид кремния, азотированный SiO, оксид титана, полуизолирующий поликристаллический кремний, оксинитрид.
37. Устройство по одному из пп.29-31, отличающееся тем, что средства, по меньшей мере частично отражающие свет, содержат первые проводящие средства.
38. Устройство по одному из пп.29-31, отличающееся тем, что средства, по меньшей мере частично отражающие свет, содержат слой оксида индия и олова.
39. Устройство по одному из пп.29-31, отличающееся тем, что средства, по существу отражающие свет, содержат слой алюминия.
40. Способ создания рабочего напряжения в устройстве на основе микроэлектромеханических систем, включающий
получение первого слоя, содержащего первый электрод и являющегося частично отражающим и частично пропускающим,
получение второго слоя, содержащего второй электрод, являющегося по существу отражающим и выполненного с возможностью перемещения по отношению к первому слою при приложении напряжения между первым и вторым электродами,
получение третьего слоя, расположенного между первым и вторым слоями и имеющего ненулевой дипольный момент, когда между первым и вторым электродами не приложено напряжение,
приложение к первому слою первого потенциала и
приложение ко второму слою второго потенциала, причем второй потенциал больше, чем первый потенциал, а рабочее напряжение равно сумме первого потенциала, второго потенциала и третьего потенциала, созданного ненулевым дипольным моментом третьего слоя.
41. Способ по п.40, отличающийся тем, что сумма значений третьего и первого потенциалов по существу равна значению второго потенциала.
42. Способ по п.40, отличающийся тем, что первый и третий потенциалы являются отрицательными, а второй потенциал является положительным, причем первый и второй потенциалы асимметричны.
43. Устройство на основе микроэлектромеханических систем, содержащее
первый электрод,
второй электрод, являющийся по существу светоотражающим,
первый слой, расположенный между первым и вторым электродами и выполненный с возможностью поддержания во время работы ненулевого дипольного момента и
второй слой, являющийся по меньшей мере частично светоотражающим, расположенный в рабочей близости от второго слоя и выполненный с возможностью перемещения по отношению ко второму слою при приложении напряжения между первым и вторым электродами.
44. Устройство по п.43, отличающееся тем, что указанная работа включает активацию.
45. Устройство по п.43, отличающееся тем, что работа включает переход в ненапряженное состояние.
46. Устройство по одному из пп.43-45, отличающееся тем, что первый слой содержит диэлектрический материал.
47. Устройство по одному из пп.43-45, отличающееся тем, что первый слой содержит ферроэлектрический материал.
48. Устройство по одному из пп.43-45, отличающееся тем, что первый слой содержит SiOx, где х меньше 2.
49. Устройство по одному из пп.43-45, отличающееся тем, что первый слой содержит нитрид кремния.
2
50. Устройство по одному из пп.43-45, отличающееся тем, что первый слой содержит материал, выбранный из следующей группы: оксид кремния, нитрид кремния, азотированный SiO, оксид титана, полуизолирующий поликристаллический кремний и оксинитрид.
51. Устройство по одному из пп.43-45, отличающееся тем, что второй слой содержит первый электрод.
52. Устройство по одному из пп.43-45, отличающееся тем, что первый слой получен путем напыления на второй слой.
53. Устройство по одному из пп.43-45, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит
дисплей,
процессор, состоящий в электрическом взаимодействии с дисплеем и выполненный с возможностью обработки данных об изображении, и
запоминающее устройство, состоящее в электрическом взаимодействии с указанным процессором.
54. Устройство по п.53, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит
первый контроллер, выполненный с возможностью отправления на дисплей по меньшей мере одного сигнала, и
второй контроллер, выполненный с возможностью отправления на первый контроллер по меньшей мере части указанных данных об изображении.
55. Устройство по п.53, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит модуль источника изображения, выполненный с возможностью отправления на указанный процессор указанных данных об изображении.
56. Устройство по п.55, отличающееся тем, что модуль источника изображения содержит по меньшей мере одно из следующих устройств: приемник, приемопередатчик, передатчик.
57. Устройство по п.53, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит устройство ввода, выполненное с возможностью приема входных данных и их передачи на указанный процессор.
58. Устройство на основе микроэлектромеханических систем, содержащее
средства, по меньшей мере частично отражающие свет,
средства, по существу отражающие свет, расположенные в рабочей близости от указанных по меньшей мере частично отражающих средств,
первые проводящие средства для проведения электрических сигналов,
вторые проводящие средства для проведения электрических сигналов, причем средства, по существу отражающие свет, выполнены с возможностью перемещения по отношению к средствам, по меньшей мере частично отражающим свет, при приложении напряжения между первыми и вторыми проводящими средствами, а устройство дополнительно содержит
поддерживающие средства для поддержания во время работы ненулевого дипольного момента между первыми и вторыми проводящими средствами.
59. Устройство по п.58, отличающееся тем, что работа включает активацию.
60. Устройство по п.58, отличающееся тем, что работа включает переход в ненапряженное состояние.
61. Устройство по одному из пп.58-60, отличающееся тем, что первые проводящие средства содержат электрод.
62. Устройство по одному из пп.58-60, отличающееся тем, что вторые проводящие средства содержат электрод.
63. Устройство по одному из пп.58-60, отличающееся тем, что поддерживающие средства содержат диэлектрический слой.
64. Устройство по одному из пп.58-60, отличающееся тем, что поддерживающие средства содержат ферроэлектрический слой.
65. Устройство по одному из пп.58-60, отличающееся тем, что поддерживающие средства содержат слой SiOx, где х меньше 2.
66. Устройство по одному из пп.58-60, отличающееся тем, что поддерживающие средства содержат слой нитрида кремния.
2
67. Устройство по одному из пп.58-60, отличающееся тем, что поддерживающие средства содержат слой, содержащий материал, выбранный из следующей группы: оксид кремния, нитрид кремния, азотированный SiO, оксид титана, полуизолирующий поликристаллический кремний и оксинитрид.
68. Устройство по одному из пп.58-60, отличающееся тем, что средства, по меньшей мере частично отражающие свет, содержат первые проводящие средства, а средства, по существу отражающие свет, содержат вторые проводящие средства.
69. Устройство по одному из пп.58-60, отличающееся тем, что средства, по меньшей мере частично отражающие свет, содержат слой оксида индия и олова.
70. Устройство по одному из пп.58-60, отличающееся тем, что средства, по существу отражающие свет, содержат слой алюминия.