СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ

1. Способ изготовления светоизлучающего устройства, включающий в себя этапы:
предоставления структуры полупроводниковой пластины, включающей в себя светоизлучающий слой III-нитридного полупроводникового материала;
сухого травления полупроводниковой пластины, по меньшей мере, отчасти через светоизлучающий слой, чтобы оставить вскрытыми поверхности излучающего слоя; и
обработки вскрытых поверхностей излучающего слоя азотной кислотой при температуре, по меньшей мере, 100°С.
2. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой включает в себя, по меньшей мере, одно из InGaN, GaN, AlGaN и GaN.
3. Способ по п.2, в котором светоизлучающий слой содержит соседние слои из InGaN и GaN или соседние слои из AlGaN и GaN.
4. Способ по любому предшествующему пункту, в котором упомянутая температура составляет, по меньшей мере, 200°С.
5. Способ по п.4, в котором упомянутая температура составляет, по меньшей мере, 250°С.
6. Способ по любому из пп. 1-3, 5, в котором азотная кислота находится в концентрации, по меньшей мере, 50%.
7. Способ по любому из пп. 1-3, 5, в котором поверхности обрабатывают, в течение, по меньшей мере, 1 минуты.
8. Способ по п.7, в котором поверхности обрабатывают, в течение, по меньшей мере, 3 минут.
9. Способ изготовления светоизлучающего устройства, включающий в себя:
предоставление структуры полупроводниковой пластины, включающей в себя светоизлучающий слой III-нитридного полупроводникового материала;
сухое травление полупроводниковой пластины, по меньшей мере, отчасти через светоизлучающий слой, так, чтобы оставить вскрытыми поверхности излучающего слоя; и
обработка вскрытых поверхностей излучающего слоя плазмой.
10. Способ по п.9, в котором плазмой является водородная плазма.
11. Способ по любому из пп.9 и 10, в котором плазма находится под давлением от 5 до 100 мТорр, предпочтительно, по меньшей мере, 20 мТорр, и предпочтительно не более чем 50 мТорр.
12. Способ по любому из п.п.9, 10, в котором плазму получают введением газа в камеру и приложением радиочастотного сигнала к ней через, по меньшей мере, один электрод.
13. Способ изготовления светоизлучающего устройства, включающий в себя этапы:
предоставления структуры полупроводниковой пластины, включающей в себя светоизлучающий слой III-нитридного полупроводникового материала;
сухого травления полупроводниковой пластины, чтобы оставить множество столбиков, имеющих вскрытые поверхности,
выполнения стадии модификации поверхности, чтобы модифицировать вскрытые поверхности, так чтобы улучшить оптические характеристики устройства.
14. Способ по п.13, в котором модификация поверхности включает изменение энергии Ферми участка поверхности материала.
15. Способ по любому из пп.13 и 14, в котором модификация поверхности включает в себя уменьшение или исключение поверхностных состояний материала.
16. Способ по п.14, в котором модификация поверхности включает в себя изменение уровня Ферми на участке поверхности в сторону уровня основной массы столбиков.