История в лицах - Инденбом В.Л.

ИНДЕНБОМ Владимир Львович

(1924–1998)

Доктор физико-математических наук, профессор

Родился 8 ноября 1924 году. В годы Великой отечественной войны В.Л. Инденбом участвовал в тяжелых боях на территории Венгрии и Австрии. После окончания войны Владимир Львович поступил на физический факультет МГУ. По воспоминаниям однокурсников он был одним из самых ярких студентов на потоке. После окончания Университета Владимир Львович получил распределение на Московский завод кинескопов, где ему пришлось окунуться проблемы технологии обработки и прочности стекла. Будучи от природы человеком высокой ответственности, он отнесся к новому поприщу со всей серьезностью и стал надоедать технологам диковинными предложениями, которые неизменно приводили к уменьшению процента брака продукции.

За несколько лет работы в лаборатории ему удалось не только обобщить теорию фотоупругости и поляризационно-оптических измерений напряжений в стеклах, но и внедрить ее в практику. Созданная им в эти годы теория термоупругих напряжений в стеклах стала основой его кандидатской диссертации.

В Институт кристаллографии В.Л. Инденбом пришел в 1955 году по приглашению М.В. Классен-Неклюдовой, руководившей созданной ею лабораторией механических свойств кристаллов. Здесь им были заложены основы новой теории внутренних напряжений в кристаллах, которая была продолжением его предыдущей деятельности. В первые годы своей работы в Институте кристаллографии Владимир Львович увлекся теорией дислокаций. Он устраивал научные семинары и широкие диспуты, пропагандируя плодотворность дислокационной концепции. Им были поставлены и решены фундаментальные проблемы теории пластических явлений, разработаны механизмы и модели зарождения и развития трещин в кристаллах. Он инициировал широкое экспериментальное и теоретическое изучение динамики дислокаций. Результатом стала доказанная в конце шестидесятых годов теорема Инденбома-Орлова, позволяющая свести упругие поля произвольных криволинейных дислокаций к полям прямолинейных.

Впрочем, научные интересы В.Л. Инденбома уже в этот период выходили далеко за пределы теории дислокаций. В частности, им был выдвинут новый нетривиальный подход к теории фазовых превращений и на этой основе предсказаны новые типы переходов (например, несобственные сегнетоэлектрики), а также построена оригинальная систематизация разных типов превращений.

После защиты докторской диссертации в 1964 году В.Л. Инденбому с его кипучей энергией стало "тесно" в лаборатории М.В. Классен-Неклюдовой. Вскоре Б.К. Вайнштейн, тогда еще молодой директор Института кристаллографии, предложил ему организовать в институте теоретический отдел. Предложение было принято с энтузиазмом, и с начала 1966 года В.Л. Инденбом начал набор сотрудников в теоретический отдел. Кроме В.И. Даниловской, которая уже была зрелым ученым, доктором физико-математических наук, в теоротдел первого набора пришли: В.И. Альшиц, М.Х. Блехерман, Г.Н. Дубнова, С.С. Орлов, Б.В. Петухов, С.А. Пикин, И.Ш. Слободецкий, В.М. Чернов, Ф.Н. Чуховский, А.А. Штольбсрг, Ю.З. Эстрин. Как оказалось, в своем выборе В.Л. Инденбом практически ни в ком не ошибся. Большинство молодых сотрудников и аспирантов теоротдела выросли в ученых мирового уровня, лидеров в своих областях исследований.

С самого начала тематика теоротдела была весьма разнообразной. Здесь были теория внутренних напряжений в кристаллах, теория дислокаций (статика и динамика), теория микротрещин, теория динамической дифракции рентгеновских лучей и электронных пучков на дефектах в кристалле, теория фазовых превращений, а немного позднее и теория жидких кристаллов. В.Л. Инденбом принимал активное участие в исследованиях по большинству из перечисленных направлений.

В.Л. Инденбом всегда считал, что наука должна приносить реальную пользу стране и народу. Поэтому, наряду с высокими теориями, он занимался вполне практическими проблемами: регулированием внутренних напряжений при росте кристаллов, механизмами лазерного разрушения кристаллов, причинами деградации материалов под влиянием радиационных воздействий, методами контроля дефектов в полупроводниках. Многим памятна знаменитая Бакурианская зимняя школа по радиационной физике, которую он вел много лет. Под руководством В.Л. Инденбома в Институте кристаллографии при большом стечении ученых из разных учреждений страны регулярно собирался Московский семинар по дефектам в кремнии.