ПРОПУСКАЮЩАЯ ИНФРАКРАСНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ И БЛОКИРУЮЩАЯ ВИДИМОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ СИСТЕМА ДЛЯ УСТРОЙСТВ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ С ПОВЫШЕНИЕМ ЧАСТОТЫ

1. Устройство преобразования с повышением частоты, имеющее структуру, из нескольких расположенных друг над другом слоев, содержащее пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой, прозрачный электрод для входа ИК-излучения, активируемый ИК-излучением слой, светодиодный (СИД) слой, и прозрачный электрод для выхода видимого излучения, в котором пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой расположен между источником ИК-излучения и светодиодным слоем, при этом пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой препятствует прохождению видимого излучения с длиной волны, испускаемой светодиодным слоем, и допускает прохождение излучения в ближней инфракрасной области в активируемый ИК-излучением слой.
2. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой является композитной структурой, содержащей несколько пар чередующихся пленок из материалов с различными показателями преломления.
2
5
2
2
3. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 2, в котором две чередующихся пленки содержат композитный материал на основе TaO и SiO или композитный материал на основе LiF и TeO.
4. Устройство преобразования с повышением частоты по п.1, в котором пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой содержит одну или несколько пленок на основе Si, CdS, InP и/или CdTe.
5. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором прозрачный электрод для входа ИК-излучения содержит оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), углеродные нанотрубки или серебряные нанопровода.
3
6. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором прозрачный электрод для выхода видимого излучения содержит: оксид индия и олова (ОИО); оксид индия и цинка (ОИЦ); оксид алюминия и олова (ОАО); оксид алюминия и цинка (ОАЦ); углеродные нанотрубки; серебряные нанопровода; стопку из Mg:Ag или стопку из Mg:Ag и Alq.
7. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 6, в котором слой Mg:Ag прозрачного электрода для выхода видимого излучения характеризуется соотношением 10:1 и толщиной менее 30 нм.
3
8. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 6, в котором слой Alq прозрачного электрода для выхода видимого излучения характеризуется толщиной менее 200 нм.
9. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором светодиодный слой содержит слой переноса электронов (СПЭ), светоизлучающий слой и слой переноса дырок (СПД).
3
10. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 9, в котором СПЭ содержит трис[3-(3-пиридил)мезитил]боран (3TPYMB), 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин (ВСР), 4,7-дифенил-1,10-фенантролин (BPhen), а также трис-(8-гидроксихинолин)алюминий (Alq).
3
3
11. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 9, в котором светоизлучающий слой содержит трис-(2-фенилпиридин)иридий, Ir(ppy), поли-[2-метокси-5-(2′-этил-гексилокси)фениленвинилен] (MEH-PPV), трис-(8-гидроксихинолин)алюминий (Alq), или бис-[(4,6-дифторфенил)пиридинат-N,C2′]пиколинат иридия (III) (FIrpic).
12. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 9, в котором слой переноса дырок (СПД) содержит 1,1-бис[(ди-4-толиламино)фенил]циклогексан (ТАРС), N,N′-дифенил-N,N′(2-нафтил)-(1,1,-фенил)-4,4′-диамин (NPB), а также N,N′-дифенил-N,N′-ди(м-толил)бензидин (TPD).
13. Устройство преобразования с повышением частоты по п. 1, в котором пропускающий ИК-излучение и блокирующий видимое излучение слой расположен между источником ИК-излучения и прозрачным электродом для входа ИК-излучения.