СПОСОБ ЗАЩИТЫ P-N ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ОКИСИ ТИТАНА

Способ защиты р-n переходов на основе окиси титана, включающий защиту поверхности р-n переходов, отличающийся тем, что процесс ведут в печи вакуумным катодным распылением при температуре 1100°С на основе окиси титана в виде порошка и температуры кристалла 700°С, а в качестве несущего агента служит галоген HBr, расстояние между источником и кристалла 10 см, причем толщина пленки равна δ=1,1±0,1 мкм.