СПОСОБ АКТИВНОГО КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ СИНТЕЗИРУЕМЫХ НАНОСТРУКТУРНЫХ ПЛЕНОК И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ

1. Способ активного контроля параметров синтезируемой наноструктурной пленки, заключающийся в размещении в вакуумной камере основного изделия и в непосредственной близости с ним контрольного образца, нагреве и контроле температуры основного изделия и контрольного образца, проведении технологических операций по синтезу пленки на основном изделии и на контрольном образце, измерении толщины получаемой пленки на контрольном образце, отличающийся тем, что в вакуумную камеру дополнительно устанавливают в непосредственной близости с основным изделием в держателе несколько контрольных образцов, количество которых определяют предварительно в зависимости от продолжительности роста синтезируемой наноструктурной пленки, рассчитанной по математической модели процесса ее синтеза или полученной экспериментальным путем, начинают процесс синтеза наноструктурной пленки на поверхности основного изделия и на контрольных образцах, затем поочередно из держателя контрольные образцы с помощью шлюзового устройства извлекают из вакуумной камеры через заданные интервалы времени, которые определяются как сумма времени на проведение всех операций, таких как извлечение контрольного образца через шлюз, проведение исследования в электронном микроскопе наноструктурной пленки сформировавшейся на контрольном образце, визуальной оценки толщины пленки, определение структуры и (разового состава синтезированной наноструктурной пленки, а также задание интервала времени задержки выемки очередного контрольного образца, задаваемое оператором, по результатам контроля вносят изменения в технологические режимы (температура нагрева поверхности основного изделия и контрольных образцов, давление и состав атмосферы в рабочем объеме вакуумной камеры, изменение скорости напыления с помощью регулировки тока проходящего через испарители и т.д.), далее извлекают второй, третий и т.д. контрольные образцы через заранее заданные интервалы времени, помещают контрольные образцы поочередно по одному в просвечивающий электронный микроскоп и определяют фазовый состав, структуру и толщину, синтезируемой наноструктурной пленки на поверхности очередного контрольного образца, после каждого контроля, используя полученные результаты, вносят, если необходимо, изменения в технологические режимы или прекращают процесс синтеза, если на поверхности очередного контрольного образца получилась пленка заданной структуры, состава и толщины.
2. Устройство для активного контроля параметров синтезируемых наноструктурных пленок, содержащее вакуумную камеру, резистивный испаритель металлов, камертон с закрепленным на его ветвях контрольными образцами, устройство возбуждения колебаний, блок регистрации толщины покрытия, регулируемый источник питания, нагреватель контрольных образцов, соединенный с выходом регулируемого источника питания, первичные преобразователи температуры (термопары) на контрольных образцах и поверхности основного изделия, отличающееся тем, что в вакуумную камеру дополнительно установлен держатель контрольных образцов в непосредственной близости с поверхностью основного изделия, на которую наносится требуемая наноструктурная пленка, шлюзовое устройство с электроприводом для извлечения контрольных образцов из вакуумной камеры, кроме того, термопары на поверхности основного изделия и на держателе контрольных образцов подсоединены через многоканальный нормирующий усилитель и аналогово-цифровой преобразователь (АЦП) к микропроцессорному устройству, в устройство также введены электродуговой испаритель углерода, цепь питания которого соединена с микропроцессорным устройством через управляющий блок, отсекатели молекулярных потоков, электровакуумный клапан и клапан напуска воздуха, соединенные с управляющим блоком, клавиатура и монитор, непосредственно соединенные с микропроцессорным устройством.