Способ изготовления кремниевого диффузионного диода

Способ изготовления диффузионных диодов с использованием сильно развитого рельефа поверхности с глубокой мезоструктурой, включающий в себя формирование по диэлектрической маске глубокой мезоструктуры с элементами совмещения, локальное окисление боковой поверхности мезоструктуры по диэлектрической маске, удаление маскирующих покрытий, формирование диффузионного перехода, формирование перекрывающей мезоструктуру по диэлектрическому покрытию металлизации верхнего омического контакта, отличающийся тем, что на первом этапе перед формированием глубокой мезоструктуры с элементами совмещения в едином технологическом цикле формируют элементы совмещения, одни из которых могут быть как защищены диэлектрическими или резистивными слоями, так и не защищены и предназначены в основном для привязки координат глубокого рельефа поверхности к полупроводниковой пластине и проведения последующих технологических операций; а другие элементы совмещения дополнительно защищаются от влияния последующих технологических операций резистивной или иными масками и открываются только перед использованием для более точного совмещения глубокого рельефа мезоструктуры с элементами конструкции кристалла диода, требующими более точного совмещения.