ПРОЗРАЧНОЕ ПРОВОДЯЩЕЕ ОКСИДНОЕ ПОКРЫТИЕ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ И СПОСОБ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Способ изготовления тонкой пленки, в котором:
подготавливают подложку,
наносят первый слой на по меньшей мере часть подложки,
наносят на по меньшей мере часть первого слоя второй слой, включающий оксид олова или оксид цинка, в присутствии окисляющего вещества при повышенной температуре, и
охлаждают подложку, первый слой и второй слой до температуры внешней среды при воздействии неокисляющей или восстанавливающей среды так, что электрическая проводимость второго слоя увеличивается по меньшей мере примерно на 2%, по сравнению со случаем охлаждения подложки, первого слоя и второго слоя до температуры внешней среды в атмосфере внешней среды.
2. Способ по п.1, в котором используют стеклянную подложку.
3. Способ по п.1, в котором второй слой содержит оксид олова, оксид индия и олова, легированный фтором оксид олова, легированный алюминием оксид цинка или оксид цинка и олова, или их комбинации.
4. Способ по п.1, в котором второй слой содержит легированный фтором оксид олова.
5. Способ по п.1, в котором первый слой содержит кремний.
6. Способ по п.1, в котором первый слой содержит кремний в форме оксида, нитрида или карбида, или их комбинаций.
7. Способ по п.1, в котором первый слой содержит оксид кремния, диоксид кремния, нитрид кремния, оксинитрид кремния, карбид кремния или оксикарбид кремния или их комбинации.
8. Способ по п.1, в котором первый слой содержит оксикарбид кремния.
9. Способ по п.1, в котором окисляющее вещество выбирают из группы, состоящей из чистого кислорода, озона, перекисей, азотной кислоты, нитратов, нитритов, закиси азота, серной кислоты, сульфатов, персульфатов, хлорноватистой кислоты, хлоратов, перхлоратов, бромата, боратов и их комбинаций.
10. Способ по п.1, в котором окисляющее вещество выбирают из группы, состоящей из азотной кислоты, закиси азота, хлорноватистой кислоты, серной кислоты и их комбинаций.
11. Способ по п.1, в котором в качестве окисляющего вещества используют азотную кислоту.
12. Способ по п.1, в котором упомянутая повышенная температура составляет от 200°С до 800°С.
13. Способ по п.1, в котором упомянутая повышенная температура составляет от 450°С до 750°С.
1
8
14. Способ по п.1, в котором неокисляющую среду выбирают из группы, состоящей из спиртов, C-C алкила, моноксида углерода, водорода, азота, гелия, аргона, криптона, неона, ксенона, вакуума, восстанавливающих плазм и их комбинаций.
15. Способ по п.1, в котором неокисляющую среду выбирают из группы, состоящей из азота, аргона и их комбинаций.
16. Способ по п.1, в котором в качестве неокисляющей среды используют азот.
17. Способ по п.1, в котором толщина первого слоя составляет от 400 Å до 1000 Å.
18. Способ по п.1, в котором толщина первого слоя составляет от 600 Å до 900 Å.
19. Способ по п.1, в котором толщина первого слоя составляет от 700 Å до 800 Å.
20. Способ по п.1, в котором толщина второго слоя составляет от 300 нм до 1200 нм.
21. Способ по п.1, в котором толщина второго слоя составляет от 500 нм до 1000 нм.
22. Способ по п.1, в котором обеспечивают увеличение коэффициента пропускания подложки, первого слоя и второго слоя по меньшей мере примерно на 2% по сравнению со случаем, когда подложку, первый слой и второй слой охлаждают до температуры внешней среды в атмосфере внешней среды.
23. Способ изготовления тонкой пленки, в котором:
подготавливают подложку,
наносят первый слой на по меньшей мере часть подложки,
наносят поверх по меньшей мере части первого слоя второй слой, включающий оксид олова или оксид цинка, в присутствии окисляющего вещества при повышенной температуре,
причем нанесение второго слоя в присутствии окисляющего вещества обеспечивает увеличение электрической проводимости второго слоя по меньшей мере примерно на 2%, по сравнению со случаем, когда второй слой наносят в отсутствие окисляющего вещества.
24. Способ по п.23, в котором используют стеклянную подложку.
25. Способ по п.23, в котором второй слой содержит оксид олова, оксид индия и олова, легированный фтором оксид олова, легированный алюминием оксид цинка или оксид цинка и олова, или их комбинации.
26. Способ по п.23, в котором второй слой содержит легированный фтором оксид олова.
27. Способ по п.23, в котором первый слой содержит кремний.
28. Способ по п.23, в котором первый слой содержит кремний в форме оксида, нитрида или карбида, или их комбинаций.
29. Способ по п.23, в котором первый слой содержит оксид кремния, диоксид кремния, нитрид кремния, оксинитрид кремния, карбид кремния или оксикарбид кремния, или их комбинации.
30. Способ по п.23, в котором первый слой содержит по меньшей мере оксикарбид кремния.
31. Способ по п.23, в котором окисляющее вещество выбирают из группы, состоящей из кислорода, озона, перекисей, азотной кислоты, нитратов, нитритов, закиси азота, серной кислоты, сульфатов, персульфатов, хлорноватистой кислоты, хлоратов, перхлоратов, бромата, боратов и их комбинаций.
32. Способ по п.23, в котором окисляющее вещество выбирают из группы, состоящей из азотной кислоты, закиси азота, хлорноватистой кислоты и серной кислоты.
33. Способ по п.23, в котором в качестве окисляющего вещества используют азотную кислоту.
34. Способ по п.23, в котором упомянутая повышенная температура составляет от 200°С до 800°С.
35. Способ по п.23, в котором упомянутая повышенная температура составляет от 450°С до 750°С.
36. Способ по п.23, в котором толщина первого слоя составляет от 400 Å до 1000 Å.
37. Способ по п.23, в котором толщина первого слоя составляет от 600 Å до 900 Å.
38. Способ по п.23, в котором толщина первого слоя составляет от 700 Å до 800 Å.
39. Способ по п.23, в котором толщина второго слоя составляет от 300 нм до 1200 нм.
40. Способ по п.23, в котором толщина второго слоя составляет от 500 нм до 1000 нм.
41. Способ по п.23, в котором обеспечивают увеличение коэффициента пропускания подложки, первого слоя и второго слоя по меньшей мере примерно на 2% по сравнению со случаем, когда второй слой наносят в отсутствие окисляющего вещества.
42. Тонкая пленка, изготовленная способом по п.1.
43. Тонкая пленка, изготовленная способом по п.23.
44. Фотоэлектрическое устройство, включающее тонкую пленку, изготовленную способом по п.1.
45. Фотоэлектрическое устройство, включающее тонкую пленку, изготовленную способом по п.23.