УСТАНОВКА ВАКУУМНОЙ ОБРАБОТКИ И СПОСОБ ВАКУУМНОЙ ОБРАБОТКИ

1. Установка вакуумной обработки для проведения плазменного процесса, причем эта установка обработки включает в себя по меньшей мере одну вакуумную камеру, в которой размещены устройство для генерирования электрического низковольтного дугового разряда (НВДР), состоящее из катода и анода, электрически соединяемого с катодом через дуговой генератор, и электрически соединяемый с генератором напряжения смещения носитель изделия для приема и перемещения изделий, а также по меньшей мере один ввод для инертного и/или реакционного газа, отличающаяся тем, что по меньшей мере часть поверхности анода изготовлена из графита.
2. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что анод включает в себя графитовую облицовку.
3. Установка вакуумной обработки по п.2, отличающаяся тем, что графитовая облицовка выполнена как графитовая вставка, графитовая накладка или как графитовый тигель.
4. Установка вакуумной обработки по п.2, отличающаяся тем, что графитовая облицовка размещена на охлаждаемом теле анода.
5. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что анод состоит из графита.
6. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что анод не охлаждают или охлаждают лишь косвенно, или в непосредственной близости от поверхности анода не предусмотрены никакие охлаждающие приспособления, в частности охлаждающие каналы для охлаждающих сред.
7. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере часть графитовой поверхности анода является нагреваемой.
8. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что анод размещен на или в одной стороне установки обработки, или охватывающим носитель изделия, или предпочтительно в середине осесимметричного держателя изделия.
9. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере два анода приданы одному катоду.
10. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что по меньшей мере два катода приданы одному аноду.
11. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что генератор напряжения смещения представляет собой постоянно-токовый, переменно-токовый или униполярный или биполярный импульсный генератор.
12. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что дуговой генератор представляет собой генератор постоянного тока, в частности генератор постоянного тока с переменно регулируемым выходным током.
13. Установка вакуумной обработки по п.11, отличающаяся тем, что параллельно или последовательно генератору постоянного тока подключен импульсный генератор.
14. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что катод низковольтного дугового разряда представляет собой горячий катод, НВД-дуговой катод или полый катод.
15. Установка вакуумной обработки по п.14, отличающаяся тем, что горячий катод включает в себя по меньшей мере одну нить накала, предпочтительно нагревательную спираль, которая размещена в ионизационной камере, отделенной от вакуумной камеры заслонкой.
16. Установка вакуумной обработки по п.14, отличающаяся тем, что НВД-дуговой катод включает в себя по меньшей мере одну катодно подключенную мишень, которая оптически отделена крышкой от вакуумной камеры, в частности от изделий.
17. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что устройство для генерирования низковольтного дугового разряда расположено соосно с одной или несколькими электромагнитными катушками для генерирования поля Гельмгольца.
18. Установка вакуумной обработки по п.1, отличающаяся тем, что эта установка обработки представляет собой установку вакуумного нанесения покрытий для проведения процесса плазменного CVD и/или PVD для осаждения плохо проводящих, изолирующих и/или алмазоподобных (DLC) слоев.
19. Установка вакуумной обработки по п.18, отличающаяся тем, что она представляет собой установку вакуумного нанесения покрытий, и в вакуумной камере размещены один или несколько источников-испарителей.
20. Установка вакуумной обработки по п.19, отличающаяся тем, что источник-испаритель включает в себя одно из следующих устройств: источник-распылитель, в частности магнетрон, дуговой источник, в частности катодно-дуговой источник, электронно-лучевой испаритель, графитовый тигель.
21. Установка вакуумной обработки по п.19, отличающаяся тем, что в источнике-испарителе размещен следующий материал для испарения: углерод, металл или сплав, в частности сплав из двух или нескольких элементов IV, V или VI группы Периодической системы, а также алюминий, бор или кремний.
22. Установка вакуумной обработки по п.21, отличающаяся тем, что материал для испарения присутствует как мишень.
23. Установка вакуумной обработки по п.19, отличающаяся тем, что материал для испарения представляет собой плотный высокочистый графит с предпочтительно изотропной структурой.
24. Способ вакуумной обработки для плазменной обработки изделий, при котором в вакуумной камере установки обработки зажигают и используют электрический низковольтный дуговой разряд (НВДР) между катодом и анодом, электрически соединенным с катодом через дуговой генератор, в то время как на изделия подают напряжение подложки с помощью генератора напряжения смещения и подводят рабочий газ из по меньшей мере одного источника газа, отличающийся тем, что применяют горячий анод, поверхность которого по меньшей мере частично состоит из графита.
25. Способ вакуумной обработки по п.24, отличающийся тем, что этот способ обработки включает в себя по меньшей мере одну из следующих стадий: поддерживаемое плазмой нагревание, травление или нанесение покрытия.
26. Способ вакуумной обработки по п.24, отличающийся тем, что по меньшей мере часть графитовой поверхности анода нагревают так, что температура нагретой графитовой поверхности повышается до температуры, при которой поддерживается электропроводность анода и/или предотвращается осаждение изолирующих отложений и/или изолирующих слоев.
27. Способ вакуумной обработки по п.24, отличающийся тем, что низковольтный дуговой разряд направляют магнитным полем, предпочтительно магнитным полем Гельмгольца.
28. Способ вакуумной обработки по п.24, отличающийся тем, что этот способ обработки представляет собой способ вакуумного нанесения покрытия для покрытия изделий по меньшей мере одним плохо проводящим, изолирующим и/или алмазоподобным (DLC) слоем.
29. Способ вакуумной обработки по п.28, отличающийся тем, что он представляет собой способ вакуумного нанесения покрытия, и материал покрытия подводят из по меньшей мере одного источника газа и/или по меньшей мере одного источника-испарителя.
30. Способ вакуумной обработки по п.29, отличающийся тем, что подводимый из источника-испарителя материал покрытия происходит из разряда источника-распылителя, в частности магнетрона, из разряда дугового источника, в частности катодно-дугового источника, из паров электронно-лучевого испарителя или из паров материала, испаряемого из графитового тигля посредством низковольтного дугового разряда.
31. Способ вакуумной обработки по п.29, отличающийся тем, что слой осаждают за счет работы источника-распылителя и/или катодно-дугового источника с по меньшей мере одной мишенью из по меньшей мере одного из материалов из группы металлов, металлических сплавов, соединений металлов или из графита, предпочтительно при подводе реакционного газа.
32. Способ вакуумной обработки по п.29, отличающийся тем, что слой осаждают за счет введения по меньшей мере одного реакционного газа из группы углеводородов, силанов, боранов, германов и/или металлоорганических соединений.
33. Способ вакуумной обработки по п.28, отличающийся тем, что напряжение подложки, низковольтную дугу и/или источник-испаритель используют в импульсном режиме.
34. Способ вакуумной обработки по п.33, отличающийся тем, что подают биполярное импульсное напряжение подложки с положительными импульсами, короткими по сравнению с отрицательными импульсами, или, предпочтительно, униполярное импульсное напряжение подложки.
35. Способ вакуумной обработки по п.28, отличающийся тем, что за счет вариации мощности дуги, напряжения подложки и/или магнитного поля получают слои с различным напряжением в слое, предпочтительно в виде многослойного покрытия.
36. Способ вакуумной обработки по п.28, отличающийся тем, что осаждают покрытие, включающее по меньшей мере один слой одного из следующих материалов: карбид, карбонитрид, нитрид, борид, борокарбид, боронитрид, предпочтительно в соединении с по меньшей мере одним переходным металлом из IV, V, VI группы Периодической системы, алюминием и/или кремнием.
37. Способ вакуумной обработки по п.28, отличающийся тем, что покрытие осаждают в виде многослойного покрытия с различающимся составом, причем переходы между отдельными слоями покрытия предпочтительно выполняют плавными.
38. Способ вакуумной обработки по п.28, отличающийся тем, что за счет введения по меньшей мере одного углеводорода через источник газа осаждают по меньшей мере один алмазоподобный (DLC) слой.
39. Способ вакуумной обработки по п.28, отличающийся тем, что за счет работы источника-распылителя и/или катодно-дугового источника с графитовой мишенью осаждают по меньшей мере один алмазоподобный (DLC) слой.
40. Способ вакуумной обработки по п.38, отличающийся тем, что алмазоподобный (DLC) слой осаждают с металло- или кремнийсодержащим адгезивным слоем и/или с по меньшей мере одним металло- или кремнийсодержащим промежуточным слоем в виде многослойного покрытия.
41. Способ вакуумной обработки по п.38, отличающийся тем, что по меньшей мере графитовую поверхность анода нагревают до температуры в 200, предпочтительно 250°С, чтобы предотвратить осаждение изолирующих алмазоподобных (DLC) отложений.
42. Способ вакуумной обработки по п.38, отличающийся тем, что по меньшей мере часть алмазоподобного (DLC) слоя осаждают как многослойное покрытие со слоями с различающимся напряжением в слое.
43. Способ вакуумной обработки по п.38, отличающийся тем, что сначала на изделие наносят слой согласно способу по пунктам 36-37 и затем следующий слой согласно способу по пп.38-42.