СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОСТАВНОЙ ПОДЛОЖКИ ИЗ SIC

1. Способ изготовления составной подложки из SiC, содержащий монокристаллический слой SiC на поликристаллической подложке из SiC, причем способ содержит следующие этапы в таком порядке: обеспечение монокристаллического слоя SiC на передней стороне опорной подложки, которая выполнена из кремния и имеет пленку оксида кремния на передней и задней своих сторонах, с получением носителя монокристаллического слоя SiC; удаление некоторой или всей толщины пленки оксида кремния по некоторой области или всей задней стороне опорной подложки в носителе монокристаллического слоя SiC с тем, чтобы придать коробление носителю монокристаллического слоя SiC; осаждение поликристаллического SiC на монокристаллический слой SiC путем химического осаждения из паровой фазы с образованием поликристаллической подложки из SiC; и физическое и/или химическое удаление опорной подложки.
2. Способ изготовления составной подложки из SiC по п. 1, в котором пленка оксида кремния опорной подложки представляет собой термооксидную пленку.
3. Способ изготовления составной подложки из SiC по п. 1 или 2, в котором некоторую часть или всю пленку оксида кремния по всей задней стороне опорной подложки в носителе монокристаллического слоя SiC удаляют химическим травлением.
4. Способ изготовления составной подложки из SiC по любому из пп. 1-3, в котором монокристаллический слой SiC обеспечивают путем перенесения на опорную подложку монокристаллической тонкой пленки SiC, отслоенной от монокристаллической подложки из SiC путем расслаивания с помощью ионной имплантации.
5. Способ изготовления составной подложки из SiC по любому из пп. 1-3, в котором монокристаллический слой SiC обеспечивают путем гетероэпитаксиального выращивания SiC на опорной подложке.
6. Способ изготовления составной подложки из SiC по любому из пп. 1-5, в котором составная подложка из SiC имеет величину прогиба, которая задана в диапазоне от -50 мкм до +50 мкм.