ОБНОВЛЕНИЕ ДАННЫХ, СОХРАНЕННЫХ В ПЕРЕКРЕСТНОЙ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ

1. Контроллер памяти для обновления значения напряжения ячейки памяти, этот контроллер памяти содержит:
логическую схему чтения, выполненную для чтения значения напряжения ячейки памяти в перекрестной энергонезависимой памяти, содержащей множество ячеек памяти, при этом во множестве ячеек памяти значения напряжения соответственно установлены равными первому пороговому напряжению или второму пороговому напряжению; и логическую схему записи, соединенную с логической схемой чтения и выполненную для обновления значения напряжения первой одной или более ячеек из множества ячеек памяти, которое установлено равным второму пороговому напряжению, без изменения значения напряжения второй одной или более ячеек из множества ячеек памяти, которое установлено равным первому пороговому напряжению.
2. Контроллер памяти по п. 1, при этом второе пороговое напряжение больше первого порогового напряжения.
3. Контроллер памяти по п. 1, при этом перекрестная энергонезависимая память является памятью (РСМ) на фазовых переходах.
4. Контроллер памяти по любому из пп. 1-3, при этом логическая схема записи выполнена для осуществления операции записи с целью повторной установки значения напряжения каждой ячейки памяти из первой одной или более ячеек из множества ячеек памяти равным второму пороговому напряжению для обновления значения напряжения первой одной или более ячеек из множества ячеек памяти.
5. Контроллер памяти по любому из пп. 1-3, при этом логическая схема чтения выполнена для обновления значения напряжения второй одной или более ячеек из множества ячеек памяти, что делают путем сравнения значения напряжения каждой ячейки памяти во второй одной или более ячейках из множества ячеек памяти с эталонным напряжением.
6. Контроллер памяти по п. 5, при этом эталонное напряжение больше значения первого порогового напряжения и меньше значения второго порогового напряжения,
7. Контроллер памяти по любому из пп. 1-3, дополнительно содержащий логическую схему исправления ошибок, соединенную с логической схемой чтения и логической схемой записи, логическая схема исправления ошибок выполнена для следующего: идентифицируют третью одну или более ячеек памяти из множества ячеек памяти, которые порождают ошибку при чтении значения напряжения третьей одной или более ячеек памяти с помощью логической схемы чтения; и
определяют, превышает ли порог ошибок количество третьих одной или более ячеек памяти из множества ячеек памяти.
8. Контроллер памяти по п. 7, при этом логическая схема записи дополнительно выполнена для следующего: осуществляют операцию записи, в ответ на определение с помощью логической схемы исправления ошибок, что количество третьих одной или более ячеек памяти из множества ячеек памяти превышает порог ошибок, повторно устанавливают соответствующие значения напряжения каждой ячейки памяти в третьих одной или более ячейках памяти равными первому пороговому напряжению, если значение напряжения ячейки памяти установлено равным первому пороговому напряжению; и
осуществляют операцию записи в ответ на определение с помощью логической схемы исправления ошибок, с целью повторной установки соответствующих значений напряжения каждой ячейки памяти в третьих одной или более ячейках памяти равными второму пороговому напряжению, если значение напряжения ячейки памяти установлено равным второму пороговому напряжению.
9. Способ обновления значения напряжения ячейки памяти, включающий в себя следующее:
обновляют, с помощью контроллера памяти, первое значение напряжения первой ячейки памяти в перекрестной энергонезависимой памяти, соответственно содержащей множество ячеек памяти, обладающих значением напряжения установленным равным первому пороговому напряжению или второму пороговому напряжению, первое значение напряжение первой ячейки устанавливают равным первому пороговому напряжению и при этом обновление включает в себя сравнение первого значения напряжение первой ячейки памяти с эталонным напряжением; определяют, с помощью контроллера памяти и после обновления, одну или более ячеек памяти во множестве ячеек памяти, которые порождают ошибку при чтении соответствующих значений напряжения одной или более ячеек памяти;
сравнивают, с помощью контроллера памяти, некоторое количество из одной или более ячеек памяти со значением порога ошибок; и
обновляют, с помощью контроллера памяти, если количество из одной или более ячеек памяти меньше значения порога ошибок, второе значение напряжения второй ячейки памяти в перекрестной энергонезависимой памяти, что делают путем повторной записи второго порогового напряжение во вторую ячейку памяти без изменения первого значения напряжения первой ячейки памяти.
10. Способ по п. 9, дополнительно включающий в себя следующее:
обновляют, с помощью контроллера памяти, если количество из одной или более ячеек памяти больше значения порога ошибок, первое значение напряжения первой ячейки памяти, что делают путем повторной записи первого порогового напряжения в первую ячейку памяти.
11. Способ по любому из п. 9 или 10, в котором первое пороговое напряжение меньше второго порогового напряжения.
12. Способ по любому из п. 9 или 10, в котором эталонное напряжение больше значения первого порогового напряжения.
13. Способ по любому из п. 9 или 10, в котором перекрестная энергонезависимая память является памятью (РСМ) на фазовых переходах.
14. Один или более считываемых компьютером носителей, содержащих команды по обновлению значения напряжения ячейки памяти, эти команды таковы, что выполнение команд с помощью вычислительного устройства приводит к тому, что с помощью контроллера памяти вычислительного устройства:
обновляют первое значение напряжения первой ячейки памяти в перекрестной энергонезависимой памяти, содержащей множество ячеек памяти, до первого порогового напряжения или второго порогового напряжения, при этом обновление включает в себя сравнение первого значения напряжения первой ячейки памяти с эталонным напряжением; и
обновляют второе значение напряжения второй ячейки памяти в перекрестной энергонезависимой памяти, что делают путем повторной записи второго порогового напряжения во вторую ячейку памяти.
15. Один или более считываемых компьютером носителей по п. 14, при этом команды дополнительно выполнены так, чтобы в результате их работы с помощью контроллера памяти:
определяют, после обновления первого значения напряжения и обновления второго значения напряжения, одну или более ячеек памяти во множестве ячеек памяти, которые порождают ошибку при чтении соответствующего значения напряжения упомянутых одной или более ячеек памяти; сравнивают, с помощью контроллера памяти, количество этих одной или более ячеек памяти со значением порога ошибок; и
обновляют, с помощью контроллера памяти, если количество этих одной или более ячеек памяти больше значения порога ошибок, соответствующее значение напряжения этих одной или более ячеек памяти.
16. Один или более считываемых компьютером носителей по п. 15, при этом обновление соответствующего значения напряжения одной или более ячеек памяти включает в себя следующее:
повторно записывают первое пороговое напряжение в первое подмножество ячеек памяти в этих одной или более ячейках памяти, в которых установлено первое пороговое напряжение; и
повторно записывают второе пороговое напряжение во второе подмножество ячеек памяти в этих одной или более ячейках памяти, в которых установлено второе пороговое напряжение.
17. Один или более считываемых компьютером носителей по любому из пп. 14-16, при этом значение первого порогового напряжения меньше значения второго порогового напряжения.
18. Один или более считываемых компьютером носителей по любому из пп. 14-16, при этом эталонное напряжение больше значения первого порогового напряжения.
19. Один или более считываемых компьютером носителей по любому из пп. 14-16, при этом перекрестная энергонезависимая память является памятью (РСМ) на фазовых переходах.