СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ С ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ ПРОЦЕССОМ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕТОДОМ КИРОПУЛОСА

1. Способ автоматического управления с обратной связью процессом выращивания монокристаллов методом Киропулоса, включающий динамическое измерение веса выращиваемого кристалла и автоматическое регулирование мощности нагревателя, отличающийся тем, что вычисляют производную по времени измеренного веса, вычисляют ее рассогласование с опорным значением производной веса, задаваемым согласно функции от времени на основе данных, полученных экспериментально, или модели массопереноса процесса роста, при этом входящими данными модели являются линейная скорость кристаллизации, форма фронта кристаллизации, геометрические размеры тигля, масса загрузки тигля шихтой, диаметр затравочного кристалла, плотности кристалла и расплава, коэффициент поверхностного натяжения расплава, угол роста кристалла, а выходными данными является форма выращиваемого кристалла и соответствующее ей опорное значение, формируют основной сигнал управления по каналу мощности нагревателя с применением регулятора с зоной нечувствительности, а дополнительное управление по каналу скорости вытягивания осуществляют при условии превышения рассогласования заранее установленного порогового значения.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что зону нечувствительности регулятора увеличивают с ростом показаний датчика веса кристалла.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве регулятора, используемого для формирования основного сигнала управления, применяется пропорционально-интегрально-дифференциальный регулятор, либо релейный регулятор, либо предиктор-корректор, либо регулятор на основе нечеткой логики.