ПЕРЕДНИЙ ЭЛЕКТРОД ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПРИБОРЕ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Фотоэлектрический прибор, содержащий
переднюю подложку;
полупроводниковую пленку;
по существу, прозрачный передний электрод, расположенный между по меньшей мере передней подложкой и полупроводниковой пленкой;
при этом, по существу, прозрачный передний электрод содержит, удаляясь от передней подложки к полупроводниковой пленке, по меньшей мере первый, по существу, прозрачный проводящий, по существу металлический, отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро и/или золото, и первую пленку прозрачного проводящего оксида (ППО), расположенную между по меньшей мере отражающим ИК излучение слоем и полупроводниковой пленкой.
2. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором первая пленка ППО содержит один или более из оксида цинка, оксида цинка-алюминия, оксида олова, оксида индия-олова и оксида индия-цинка.
3. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий по меньшей мере один диэлектрический слой, предусмотренный между по меньшей мере передней подложкой и отражающим ИК излучение слоем, причем этот АО диэлектрический слой имеет показатель преломления (n) от примерно 2,2 до 2,6.
4. Фотоэлектрический прибор по п.3, в котором диэлектрический слой имеет показатель преломления (n) от примерно 2,3 до 2,5.
5. Фотоэлектрический прибор по п.3, в котором диэлектрический слой содержит оксид титана и/или оксид ниобия.
6. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий по меньшей мере один диэлектрический слой, предусмотренный между по меньшей мере передней подложкой и отражающим ИК излучение слоем, причем этот диэлектрический слой содержит один или более из нитрида кремния, оксида кремния и/или оксинитрида кремния.
7. Фотоэлектрический прибор по п.6, в котором диэлектрический слой имеет показатель преломления (n) от примерно 1,6 до 2,0.
8. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передний электрод дополнительно содержит затравочный слой, содержащий по меньшей мере один оксид металла, расположенный между передней подложкой и отражающим ИК излучение слоем, причем этот затравочный слой непосредственно контактирует с отражающим ИК излучение слоем.
9. Фотоэлектрический прибор по п.8, в котором затравочный слой содержит оксид цинка, который необязательно может быть легирован алюминием.
10. Фотоэлектрический прибор по п.8, в котором затравочный слой является диэлектриком.
11. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передний электрод дополнительно содержит покровный слой, предусмотренный между отражающим ИК излучение слоем и первой пленкой ППО и контактирующий с каждым из них.
12. Фотоэлектрический прибор по п.11, в котором покровный слой содержит один или более из оксида Ni и/или Cr и/или оксида цинка.
13. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий вторую пленку ППО, предусмотренную между первой пленкой ППО и полупроводниковой пленкой.
14. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором, по существу, прозрачный передний электрод дополнительно содержит второй, по существу, прозрачный проводящий, по существу, металлический, отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро и/или золото.
15. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором первый отражающий ИК излучение слой содержит серебро, и/или в котором передняя стеклянная подложка содержит стекло.
16. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий диэлектрический слой, имеющий показатель преломления от примерно 1,6 до 2,2, расположенный между передней стеклянной подложкой и передним электродом.
17. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором первый отражающий ИК излучение слой составляет от примерно 3 до 12 нм в толщину.
18. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором первая пленка ППО составляет от примерно 40 до 130 нм в толщину.
19. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передняя подложка и передний электрод, взятые вместе, обладают пропусканием по меньшей мере примерно 80% в по меньшей мере существенной части диапазона длин волн от примерно 450-600 нм.
20. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передняя подложка и передний электрод, взятые вместе, имеют коэффициент отражения ИК по меньшей мере примерно 45% в по меньшей мере существенной части диапазона длин волн ИК излучения от примерно 1400-2300 нм.
21. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передняя подложка и передний электрод, взятые вместе, имеют коэффициент отражения ИК по меньшей мере примерно 45% в по меньшей мере большей части диапазона длин волн ИК излучения от примерно 1000-2500 нм.
22. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором полупроводниковая пленка содержит CdS и/или CdTe.
23. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором полупроводниковая пленка содержит a-Si.
24. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором полупроводниковая пленка содержит первый слой, содержащий CdS, и второй слой, содержащий CdTe, причем первый слой, содержащий CdS, предусмотрен между передней подложкой и вторым слоем, содержащим CdTe.
25. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором упомянутая первая пленка ППО содержит первый слой, содержащий первый оксид металла, и второй слой, содержащий второй оксид металла, причем первый слой пленки ППО имеет удельное сопротивление существенно меньшее, чем у второго слоя пленки ППО, и при этом первый слой пленки ППО расположен ближе к передней подложке, чем второй слой пленки ППО.
26. Фотоэлектрический прибор по п.25, в котором первый слой пленки ППО существенно толще, чем второй слой пленки ППО.
27. Фотоэлектрический прибор по п.25, в котором первый слой пленки ППО содержит оксид цинка и/или оксид индия-олова, а второй слой пленки ППО содержит оксид олова.
28. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий диэлектрическую пленку, расположенную между по меньшей мере передней подложкой и передним электродом, причем эта диэлектрическая пленка содержит множественные слои.
29. Фотоэлектрический прибор по п.28, в котором упомянутая диэлектрическая пленка содержит, удаляясь от передней подложки, первый диэлектрический слой с показателем преломления (n) от примерно 1,8 до 2,2 и второй диэлектрический слой с показателем преломления (n) от примерно 2,2 до 2,6, причем первый диэлектрический слой имеет показатель преломления меньший, чем у второго диэлектрического слоя.
30. Фотоэлектрический прибор по п.28, в котором упомянутая диэлектрическая пленка содержит, удаляясь от передней подложки, первый диэлектрический слой с показателем преломления (n) от примерно 1,8 до 2,2 и второй диэлектрический слой с показателем преломления (n) от примерно 2,2 до 2,6, причем первый диэлектрический слой имеет показатель преломления меньший, чем у второго диэлектрического слоя, и третий диэлектрический слой с показателем преломления (n) от примерно 1,8 до 2,2.
31. Фотоэлектрический прибор по п.30, в котором первый диэлектрический слой содержит нитрид кремния и имеет показатель преломления от примерно 1,95 до 2,1.
32. Фотоэлектрический прибор по п.30, в котором второй диэлектрический слой содержит оксид титана и имеет показатель преломления от примерно 2,3 до 2,5.
33. Фотоэлектрический прибор по п.30, в котором третий диэлектрический слой содержит оксид цинка и имеет показатель преломления от примерно 1,95 до 2,1.
34. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий слой, содержащий оксид металла, расположенный между отражающим ИК излучение слоем и пленкой ППО, причем этот слой, содержащий оксид металла, является градиентным по степени окисления.
35. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором слой, содержащий оксид металла, содержит оксид Ni и/или Cr.
36. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором пленка ППО составляет от примерно 120-160 нм в толщину.
37. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передняя подложка представляет собой стеклянную подложку.
38. Электродная структура, приспособленная для применения в фотоэлектрическом приборе, включающем в себя полупроводниковую пленку, причем эта электродная структура содержит
по существу, прозрачный многослойный электрод, поддерживаемый подложкой;
при этом, по существу, прозрачный многослойный электрод содержит, удаляясь от подложки, по меньшей мере первый слой, содержащий оксид металла, по существу, прозрачный проводящий, по существу металлический, отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро, и пленку прозрачного проводящего оксида (ППО).
39. Электродная структура по п.38, в которой пленка ППО содержит один или более из оксида цинка, оксида цинка-алюминия, оксида олова, оксида индия-олова и оксида индия-цинка.
40. Электродная структура по п.38, в которой первый слой, содержащий оксид металла, содержит оксид цинка.
41. Электродная структура по п.38, в которой упомянутая пленка ППО содержит первый слой, содержащий первый оксид металла, и второй слой, содержащий второй оксид металла, причем первый слой пленки ППО имеет удельное сопротивление существенно меньшее, чем у второго слоя пленки ППО, и при этом первый слой пленки ППО расположен ближе к подложке, чем второй слой пленки ППО.
42. Электродная структура по п.41, в которой первый слой пленки ППО существенно толще, чем второй слой пленки ППО.
43. Электродная структура по п.41, в котором первый слой пленки ППО содержит оксид цинка и/или оксид индия-олова, а второй слой пленки ППО содержит оксид олова.
44. Электродная структура по п.38, дополнительно содержащая диэлектрическую пленку, расположенную между по меньшей мере подложкой и передним электродом и содержащую множественные слои, при этом упомянутая диэлектрическая пленка содержит, удаляясь от подложки, первый диэлектрический слой с показателем преломления (n) от примерно 1,8 до 2,2 и второй диэлектрический слой с показателем преломления (n) от примерно 2,2 до 2,6, причем первый диэлектрический слой имеет показатель преломления меньший, чем у второго диэлектрического слоя.
45. Фотоэлектрический прибор, содержащий
стеклянную подложку;
полупроводниковую пленку;
по существу, прозрачный электрод, расположенный между по меньшей мере подложкой и полупроводниковой пленкой;
при этом, по существу, прозрачный электрод содержит, удаляясь от стеклянной подложки к полупроводниковой пленке, по меньшей мере первый, по существу, прозрачный проводящий, по существу, металлический слой, содержащий серебро, и первую пленку прозрачного проводящего оксида (ППО), расположенную между по меньшей мере слоем, содержащим серебро, и полупроводниковой пленкой.