СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Солнечный элемент, содержащий кристаллическую кремниевую легированную подложку, имеющую кристаллографическую плоскость {111}, множество ориентированных перпендикулярно кристаллографической плоскости {111} полупроводниковых нитевидных нанокристаллов с p-n переходом и пространственными промежутками, заполненными электропроводящим и прозрачным в видимом и ИК-спектральных диапазонах материале, контактное поле на обратной стороне пластины для электрического присоединения материала подложки, решетчатое контактное поле на лицевой стороне пластины для электрического присоединения электропроводящего материала и n-легированной эмиттерной области нанокристаллов, отличающийся тем, что p-n переход выполнен коаксиально оси нанокристаллов, причем электронно-дырочный контакт p- и n-областей проходит через свободные от нитевидных нанокристаллов участки поверхности подложки.
2. Элемент по п.1, отличающийся тем, что коаксиально оси нанокристаллов выполнен гетеропереход n-ITO/p-Si.
3
-2
12
-2
3. Элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что нитевидные нанокристаллы равномерно распределены по поверхности солнечного элемента с поверхностной плотностью в интервале от 10 см до 10 см и имеют широкий спектр всевозможных диаметров в интервале между 5 нм и 100 нм.
4. Элемент по любому из пп.1, 2, отличающийся тем, что нитевидные нанокристаллы имеют длину в интервале от 100 нм и выше.
5. Элемент по любому из пп.1, 2, отличающийся тем, что нитевидные нанокристаллы ориентированы относительно подложки под углом, находящимся в интервале от 45° до 90°.
6. Способ изготовления солнечного элемента, включающий создание n-легированной эмиттерной области полупроводника посредством легирования донорной примесью нитевидных нанокристаллов, отличающийся тем, что диффузию легирующей донорной примеси осуществляют одновременно на всех поверхностях, включая поверхность кремниевой подложки, на глубину 20-40 нм.