ЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ

1. Электронный умножитель, содержащий:
подложку с поверхностью формирования канала;
слой эмиссии вторичных электронов с нижней поверхностью, обращенной к поверхности формирования канала, и поверхностью эмиссии вторичных электронов, которая находится напротив нижней поверхности и испускает вторичный электрон в результате падения заряженной частицы, причем слой эмиссии вторичных электронов выполнен из первого изолирующего материала; и
слой сопротивления, проложенный между подложкой и слоем эмиссии вторичных электронов,
при этом слой сопротивления включает слой металла, в котором на поверхности формирования слоя двумерно расположено множество металлических частиц в смежном друг с другом состоянии с помещенной между этими металлическими частицами частью первого изолирующего материала, причем металлические частицы выполнены из металлического материала, значение сопротивления которого обладает положительной температурной характеристикой, причем поверхность формирования слоя совпадает с или по существу параллельна поверхности формирования канала, и
при этом слой металла имеет толщину, заданную на 5-40 ангстрем, причем толщина определяется средней толщиной множества металлических частиц по направлению укладки в стопку от поверхности формирования канала к поверхности эмиссии вторичных электронов.
2. Электронный умножитель по п. 1, в котором
толщина слоя металла задана на 5-15 ангстрем.
3. Электронный умножитель по п. 2, в котором
толщина слоя металла задана на 7-14 ангстрем, и
степень покрытия множеством металлических частиц поверхности формирования слоя задана на 50-60%, причем степень покрытия определяется в состоянии, при котором поверхность формирования слоя рассматривается в направлении от слоя эмиссии вторичных электронов к подложке.
4. Электронный умножитель по п. 1, в котором
толщина слоя металла задана на 15-40 ангстрем.
5. Электронный умножитель по п. 4, в котором
толщина слоя металла задана на 18-37 ангстрем, и
степень покрытия множеством металлических частиц поверхности формирования слоя задана на 50-70%, причем степень покрытия определяется в состоянии, при котором поверхность формирования слоя рассматривается в направлении от слоя эмиссии вторичных электронов к подложке.
6. Электронный умножитель по любому из пп. 1-5, дополнительно содержащий
нижележащий слой, обеспеченный между подложкой и слоем эмиссии вторичных электронов, причем нижележащий слой имеет поверхность формирования слоя в положении, обращенном к нижней поверхности слоя эмиссии вторичных электронов, и выполнен из второго изолирующего материала.
7. Электронный умножитель по любому из пп. 1-6, в котором
слой сопротивления обладает температурной характеристикой в пределах диапазона, в котором значение сопротивления слоя сопротивления при температуре -60°C кратно 2,7 или менее, а значение сопротивления слоя сопротивления при +60°C кратно 0,3 или более в сравнении со значением сопротивления слоя сопротивления при температуре 20°C.