МЕЖСОЕДИНЕНИЯ И ТЕПЛОРАССЕИВАТЕЛИ НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУР

1. Интегральная схема, содержащая
опору;
проводящую подложку на этой опоре;
межсоединение, опирающееся на проводящую подложку, причем это межсоединение содержит по меньшей мере одну наноструктуру, и при этом наноструктура содержит
множество промежуточных слоев на проводящей подложке, причем это множество промежуточных слоев включает в себя по меньшей мере один слой, который влияет на морфологию наноструктуры, и по меньшей мере один слой, который влияет на электрическое свойство интерфейса между проводящей подложкой и наноструктурой.
2. Интегральная схема по п.1, в которой проводящая подложка содержит металл.
3. Интегральная схема по п.2, в которой металл выбран из группы, состоящей из вольфрама, молибдена, ниобия, платины и палладия.
4. Интегральная схема по п.1, в которой множество промежуточных слоев содержит слой металла и слой полупроводникового материала.
5. Интегральная схема по п.4, в которой слой полупроводникового материала представляет собой аморфный кремний или аморфный германий.
6. Интегральная схема по п.1, в которой наноструктура представляет собой углеродную наноструктуру.
7. Интегральная схема по п.1, в которой наноструктура содержит пучок углеродных наноструктур.
8. Интегральная схема по п.1, в которой наноструктура выполнена из соединения, выбранного из группы, состоящей из: InP, GaAs и AlGaAs.
9. Интегральная схема по п.1, в которой множество промежуточных слоев образуют омический контакт.
10. Интегральная схема по п.1, в которой множество промежуточных слоев образуют барьер Шотки.
11. Интегральная схема по п.1, в которой опора представляет собой пластину из кремния или окисленного кремния.
12. Интегральная схема по п.1, в которой множество промежуточных слоев составляет в толщину между 1 нм и 1 мкм.
13. Интегральная схема по п.1, в которой промежуточный слой, примыкающий к наноструктуре, представляет собой слой катализатора, и при этом катализатор выбран из группы, состоящей из Ni, Fe, Mo, NiCr и Pd.
14. Интегральная схема по п.1, также содержащая множество наноструктур.
15. Интегральная схема по п.1, также содержащая по меньшей мере одну наноструктуру, выполненную с возможностью рассеивать тепло от этой схемы.
16. Интегральных схема, содержащая
изолирующую подложку;
наноструктуру, заделанную в изолирующий слой, причем эта наноструктура выполнена с возможностью рассеивать тепло от интегральной схемы в пространство, окружающее эту схему, и при этом наноструктура содержит:
множество промежуточных слоев на изолирующем слое, причем это множество промежуточных слоев включает в себя по меньшей мере один слой, который влияет на морфологию наноструктуры, и по меньшей мере один слой, который влияет на электрическое свойство интерфейса между изолирующим слоем и наноструктурой.
17. Интегральная схема по п.16, в которой наноструктура содержит
проводящий базовый слой;
слой аморфного кремния проводящем базовом слое;
слой катализатора на слое аморфного кремния; и
углеродную наноструктуру, размещенную на слое катализатора.
18. Интегральная схема по п.16, в которой наноструктура содержит
проводящий базовый слой;
слой аморфного германия на проводящем базовом слое;
слой катализатора на слое аморфного германия; и
углеродную наноструктуру, размещенную на слое катализатора.
19. Способ формирования межсоединения, содержащий
осаждение полупроводникового слоя на проводящую подложку;
осаждение слоя катализатора на полупроводниковом слое;
без отжига подложки вначале, вызывание нагрева подложки до температуры, при которой может образовываться наноструктура; и
выращивание наноструктуры на слое катализатора при этой температуре.
20. Способ по п.19, также содержащий формирование верхнего металлического контакта в соответствии с
осаждением изолирующего слоя сверху наноструктуры и окружающим наноструктуру;
травлением изолирующего слоя для обнажения кончика наноструктуры;
осаждением временного слоя на изолирующем слое;
формированием множества отверстий во временном слое;
осаждением металлического материала поверх временного слоя и на изолирующем слое в отверстиях; взрывной литографией временного слоя, чтобы оставить на подложке части металлического слоя, соответствующие отверстиям.
21. Межсоединение, сформированное способом по п.19.
22. Межсоединение в интегральной схеме, содержащее
по меньшей мере одно межсоединение, сформированное способом по п.19.
23. Способ формирования теплорассеивателя, содержащий
осаждение полупроводникового слоя на изолирующей подложке;
осаждение слоя катализатора на полупроводниковом слое;
без отжига подложки вначале, вызывание нагрева подложки до температуры, при которой может образовываться наноструктура; и
выращивание наноструктуры на слое катализатора при этой температуре.
24. Теплорассеиватель, сформированный способом по п.23.
25. Интегральная схема, содержащая
7
2
по меньшей мере одно межсоединение, содержащее углеродную наноструктуру, причем эта интегральная схема может допускать плотность тока ≥10 A/см при протекании через нее тока.