СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОРАЗМЕРНОЙ ПЛЕНКИ КАРБИДА ВОЛЬФРАМА

1. Способ формирования наноразмерной пленки карбида вольфрама, включающий нанесение тонкой вольфрамосодержащей пленки на полупроводниковую или диэлектрическую подложку и карботермический синтез, отличающийся тем, что на подложку в одном технологическом процессе импульсно-плазменного осаждения наносят двухслойную структуру, состоящую из пленки вольфрама и пленки углерода, с последующей термообработкой в вакууме при давлении не выше 5*10-4 Па и температуре до 450°С, не более 10 мин со скоростью нагрева/охлаждения не менее 25 град/мин.
2
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для формирования пленки состава WC пленка вольфрама и пленка углерода наносится в соотношении 5:1.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что для формирования пленки состава WC пленка вольфрама и пленка углерода наносится в соотношении 3,5:1.