СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ГЕТЕРОФАЗНЫМИ ГРАНИЦАМИ

1. Светоизлучающее устройство, содержащее:
- подложку;
- буферный слой, сформированный на подложке;
- первый слой из полупроводника с проводимостью n-типа, сформированный на буферном слое;
- второй слой из полупроводника с проводимостью p-типа;
- активный слой, расположенный между первым и вторым слоями,
отличающееся тем, что первый, второй и активный слои образуют чередование слоев со структурой фазы цинковой обманки и слоев со структурой фазы вюрцита с образованием гетерофазных границ между ними.
2. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что активный слой выполнен из полупроводника со структурой фазы цинковой обманки, первый и второй слои выполнены из полупроводника со структурой фазы вюрцита.
3. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка выполнена из оксида алюминия.
4. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка выполнена из карбида кремния.
5. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка выполнена из нитрида галлия.
6. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что буферный слой выполнен из нитрида галлия.
7. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что буферный слой выполнен из нитрида алюминия.
8. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что первый контактный слой выполнен из легированного кремнием нитрида галлия.
9. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что второй контактный слой выполнен из легированного магнием нитрида галлия.
x
y
z
1-z
10. Светоизлучающее устройство по п.1, отличающееся тем, что активный слой выполнен из нитрида галлия (GaN) или твердого раствора нитрида бор-алюминий-галлий-индия (BAlGaInN).
11. Светоизлучающее устройство по п.2, отличающееся тем, что активный слой выполнен составным, состоящим из слоев из полупроводника со структурой фазы цинковой обманки и барьеров между ними со структурой фазы вюрцита с образованием гетерофазных границ.