СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ОТЛОЖЕНИЙ НА ВНУТРЕННЕЙ ПОВЕРХНОСТИ ТРУБ ВИХРЕТОКОВЫМ МЕТОДОМ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
DETERMINATION OF DEPOSITION THICKNESS AT INNER SIDE OF PIPES BY EDDY CURRENT METHOD AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Изобретение относится к методам неразрушающего контроля и может быть использовано на трубопроводах нефти и газа на химических и нефтехимических предприятиях, тепловых и атомных энергоустановках.
Существует способ [1] определения толщины слоя парафинов на внутренней стороне нефте- и газопроводов. Изобретение относится к области транспортировки углеводородов по трубопроводам. Техническим результатом изобретения является повышение точности определения отложений парафинов. В способе определения толщины слоя парафинов на внутренней стороне нефте- и газопровода, при котором локально подводят акустическую энергию к внешней поверхности трубопровода и определяют характер затухания колебаний как для трубопровода, на внутренней стороне которого отсутствуют отложения, так и для участков трубопровода с отложениями известной толщины и, сравнивая эти данные, судят о толщине отложений, при определении характера затухания колебаний регистрируют кривую затухания многократно отраженного внешнего отклика, сравнивая при этом угол наклона кривых.
Наиболее близким к предлагаемому техническому решению является способ [2] определения толщины слоя отложений, возникающих в процессе эксплуатации на внутренних и внешних поверхностях труб, с помощью вихретоковых приборов. Чтобы реализовать данный способ необходимо создание калибровочного образца с минимум двумя «кольцами» отложений, применение вихретокового прибора к калибровочной трубе, причем амплитуда сигнала от калибровочной трубы используется для получения степенной зависимости вихретокового сигнала от реальной толщины колец отложения, получения базового смещения сигнала от калибровочной трубы, применение вихретокового метода к парогенератору, определяя и записывая сигналы от парогенератора, вычитанию базового смещения сигнала от сигнала с трубок парогенератора для получения скорректированного сигнала и определения толщины отложений в парогенераторе по скорректированному вихретоковому сигналу и алгебраическому уравнению. К недостаткам данного способа можно отнести:
1. Необходимость использования чистой трубы без отложений, соответствующей по своим параметрам (толщине стенки и удельной электрической проводимости материала) трубам с отложениями, которые необходимо контролировать.
2. Необходимость наличия калибровочного образца с двумя толщинами отложений (используемого для получения зависимости вихретокового сигнала от толщины отложения), что является довольно сложной технической проблемой, учитывая, что параметры получаемых искусственно отложений могут отличаться от реальных.
3. Не учитывается зависимость вихретокового сигнала от структуры и типа отложений, что подразумевает применимость прибора для отложений того типа, который использовался при создании калибровочных толщин.
Технической задачей, решаемой предлагаемым техническим решением, является возможность проведения контроля отложений без использвания калибровочных образцов и возможность определения структурного состояния (электропроводимости) отложений, что дает возможность контроля отложений различного типа.
в
м
м
о
о
м
м
<mrow><mn>3</mn><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow><mo>></mo><msub><mi>R</mi><mi>в</mi></msub><mo>></mo><mn>1,0</mn><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msub><mi>T</mi><mi>в</mi></msub><mo>≥</mo><mn>3</mn><msub><mi>R</mi><mi>в</mi></msub><msub><mi>μ</mi><mn>0</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow>
<mrow><mi>t</mi><mo>=</mo><mrow><mo>(</mo><mrow><mn>0,03</mn><mo>÷</mo><mn>0,3</mn></mrow><mo>)</mo></mrow><msub><mi>R</mi><mi>в</mi></msub><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><msub><mi>μ</mi><mn>0</mn></msub></mrow>
<mrow><mi>t</mi><mo>=</mo><mrow><mo>(</mo><mrow><mn>0,4</mn><mo>÷</mo><mn>0,6</mn></mrow><mo>)</mo></mrow><msub><mi>R</mi><mi>в</mi></msub><msub><mi>μ</mi><mn>0</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
Технический эффект, выражающийся в определении электропроводимости отложения, обеспечивается тем, что в известном способе определения отложений на внутренней поверхности труб вихретоковым методом с помощью накладного датчика, по круговой возбуждающей катушке которого пропускают переменный ток, а измерительная катушка подключена к блоку обработки сигнала, по изменениям тока судят о параметрах отложения согласно изобретению на возбуждающую катушку радиусом R, выбираемым из соотношения
, где
и
- номинальное и максимальное значение толщины, соответственно, стенки трубы и отложений, воздействуют прямоугольными импульсами тока с периодом
, где
и
- номинальное и максимальное значение удельной электропроводимости, соответственно, металла и отложения, о параметрах отложения судят по амплитудно-временным характеристикам отклика измерительной катушки, причем в интервале времени
измеряют толщину δ и электропроводимость δ металла трубы и в интервале
определяют параметры отложения δ и σ с учетом определенных ранее δ и σ.
в
<mrow><mn>3</mn><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow><mo>></mo><msub><mi>R</mi><mi>в</mi></msub><mo>></mo><mn>1,0</mn><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msub><mi>T</mi><mi>в</mi></msub><mo>≥</mo><mn>3</mn><msub><mi>R</mi><mi>в</mi></msub><msub><mi>μ</mi><mn>0</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow>
В части устройства технический эффект, выражающийся в определении электропроводимости отложения на внутренней поверхности труб, достигается тем, что в известном устройстве определения толщины отложений на внутренней поверхности труб вихретоковым методом, содержащем генератор переменного тока, вихретоковый датчик с возбуждающей и измерительной катушками, блок обработки информации сигнала измерительной катушки, согласно изобретению радиус R возбуждающей катушки выбирают из условия
, где
и
- номинальное и максимальное значение толщины, соответственно, стенки трубы и отложений, в качестве генератора переменного тока используют генератор прямоугольных импульсов с периодом
, где
и
- номинальное и максимальное значение удельной электропроводимости, соответственно, металла и отложения, устройство снабжено также усилителем, аналого-цифровым преобразователем, микроконтроллером, индикаторами толщины и электропроводимости, при этом выход генератора прямоугольных импульсов присоединен к возбуждающей катушке датчика, измерительная катушка присоединена ко входу усилителя, выход усилителя подключен ко входу аналого-цифрового преобразователя, выход аналого-цифрового преобразователя соединен со входом микроконтроллера, к одному выходу микроконтроллера присоединен индикатор толщины отложений, ко второму - индикатор электропроводимости отложения.
Предлагаемое решение задачи может быть реализовано с любым типом вихретоковых датчиков. Здесь и далее для примера рассмотрены накладные датчики, которые используются для контроля объектов с любой поверхностью (плоской, цилиндрической и т.п.).
Сущность способа поясняется чертежами
м
о
в
м
о
м
о
м
м
о
о
о
о
1
2
м
м
1
2
мах
мах
мах
мах
о
о
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
На фиг.1 показан двухслойный объект контроля (например, стенка трубы) с верхним слоем металла 1, толщиной δ и нижним слоем отложения 2 толщиной δ, вблизи которого расположен накладной вихретоковый датчик с возбуждающей 3 и измерительной 4 катушками. На фиг.2 - форма импульсного тока i. На фиг.3 - типичная форма импульсного отклика u(t) измерительной катушки для различных значений параметров металла и отложений (толщин δ и δ и электропроводностей σ и σ). На фиг.4 построены разностные кривые для приращений параметров объектов с отложениями по отношению к объекту без отложений: Δu(t)=u(t, σ, δ, δ, σ,)-u(t,
,
, δ=0, σ=0). На фиг.5 в осях u(t) и u(t) построены кривые для различных значений δ и σ (где t и t - моменты времени в начальной стадии импульсного сигнала (фиг.4)). На фиг.6 на плоскости с осями Δu и τ (Δu - максимальное значение кривых на фиг.4 и τ - время, соответствующее этому значению) построены кривые для различных значений δ и σ. На фиг.7 показана структурная схема устройства, реализующего предлагаемый способ.
в
0
м
м
о
о
<mrow><mn>3</mn><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow><mo>></mo><msub><mi>R</mi><mi>в</mi></msub><mo>></mo><mn>1,0</mn><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
<mrow><msub><mi>T</mi><mi>в</mi></msub><mo>≥</mo><mn>3</mn><msub><mi>R</mi><mi>в</mi></msub><msub><mi>μ</mi><mn>0</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow>
Способ осуществляется следующим образом. По возбуждающей катушке вихретокового датчика (фиг.1) радиусом R, таким, что
, пропускают импульсный ток (фиг.2) с периодом
(где
и
- номинальные значения толщины и электропроводимости металла,
и
- максимальные значения толщины и электропроводимости отложений, µ - магнитная постоянная). По типичному отклику u(t) измерительной катушки (фиг.3) для различных значений параметров объекта контроля трудно судить о значениях δ, σ, δ, σ, поэтому на фиг.4 построены разностные кривые Δu(t) при изменении этих параметров.
1
2
о
м
2
Вихревые токи при импульсном возбуждении (фиг.2) постепенно проникают вглубь объекта от поверхности, обращенной к датчику, при этом в начальный момент времени глубина проникновения очень мала и прогрессивно увеличивается с течением времени. Таким образом, в начальные моменты (0-t) времени сигнал зависит только от электропроводимости металла, затем вихревые токи достигают нижней границы металла (t≈t) и проникают в слой отложения и т.д. Электропроводимость отложения σ≈σ/(50÷200), поэтому влияние параметров отложения на величину сигнала в интервале (0-t) пренебрежимо мало.
<mrow><mrow><mo>(</mo><mrow><msub><mi>t</mi><mn>1</mn></msub><mo>−</mo><msub><mi>t</mi><mn>2</mn></msub><mo>≈</mo><mrow><mo>(</mo><mrow><mn>0,03</mn><mo>÷</mo><mn>0,3</mn></mrow><mo>)</mo></mrow><msub><mi>R</mi><mi>в</mi></msub><msub><mi>μ</mi><mn>0</mn></msub><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
1
м
1
2
м
м
1
2
м
м
м
м
1
2
В начальной стадии процесса
разностный сигнал зависит, в основном, от параметров металла, причем в интервале (0-t) величина Δu(t) определяется значением σ, а в интервале (t-t)Δu(t) - функция σ и δ. Если на плоскости с осями u(t) и u(t) отметить точки, соответствующие различным значениям σ и δ, то область, ограниченная кривыми, проведенными через эти точки, позволяет определить путем интерполяции значения σ и δ, соответствующие текущим Δu(t) и Δu(t).
о
о
о
о
о
о
мах
мах
мах
мах
о
о
мах
мах
о
о
<mrow><mrow><mo>(</mo><mrow><msub><mi>t</mi><mn>3</mn></msub><mo>−</mo><msub><mi>t</mi><mn>4</mn></msub><mo>≈</mo><mrow><mo>(</mo><mrow><mn>0,4</mn><mo>÷</mo><mn>0,6</mn></mrow><mo>)</mo></mrow><msub><mi>R</mi><mi>в</mi></msub><msub><mi>μ</mi><mn>0</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
Параметры отложения (δ и σ) определяются в пределах интервала
, где разностные кривые Δu(t)=u(t,
,
, δ, σ)-u(t,
,
, δ=0, σ=0), достигают максимума Δu в моменты времени τ (фиг.4). Если на плоскости с осями координат Δu и τ отметить точки (фиг.4) для различных δ и σ, то получим градуировочные кривые, по которым для текущих Δu и τ можно посредством интерполяции определять δ и σ (при номинальных параметрах
и
). Знание электропроводимости отложения, характеризующее его структурное состояние, представляет определенный интерес для технологов-эксплуатационников и является еще одним преимуществом заявленного способа.
м
м
м
м
о
в
и
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>=</mo><mn>2</mn></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>=</mo><mn>10</mn></mrow>
Если δ и σ отличаются от номинальных, то необходимо строить разностные кривые типа как на фиг.4 с учетом конкретных значений δ и σ (по фиг.5). Зависимости, приведенные на фиг.3, 4, 5, 6, могут быть получены путем экспериментов, что довольно затруднительно, либо моделированием как на фиг.3-6. Объект контроля - слой немагнитного металла с номинальными толщиной
мм и электропроводимостью
МСм, слой отложения толщиной δ=0,1÷2 мм, значение электропроводимости в пределах (0,05÷0,15) МСм, датчик с радиусом R=5 мм, R=4 мм.
в
0
<mrow><mn>3</mn><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow><mo>></mo><msub><mi>R</mi><mi>в</mi></msub><mo>></mo><mn>1,0</mn><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
<mrow><msub><mi>T</mi><mi>в</mi></msub><mo>≥</mo><mn>3</mn><msub><mi>R</mi><mi>в</mi></msub><msub><mi>μ</mi><mn>0</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow>
Таким образом, предлагаемый способ позволяет уменьшить погрешность определения толщины отложений различной физической природы, расширить область возможного его применения и поднять оперативность технического исполнения за счет того, что на исследуемом участке объекта контроля помещают накладной датчик, по возбуждающей катушке которого радиусом R, таким, что
, пропускают импульсный ток с периодом
(где
и
- номинальные значения толщины и электропроводимости металла,
и
- максимальные значения толщины и электропроводимости отложений, µ - магнитная постоянная), фиксируют импульсный отклик измерительной катушки, по амплитудно-временным характеристикам которого судят о величине отложений.
Структурная схема устройства, реализующего предлагаемый способ, изображена на фиг.7.
в
в
о
о
м
м
мах
мах
м
м
о
о
<mrow><mn>3</mn><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow><mo>></mo><msub><mi>R</mi><mi>в</mi></msub><mo>></mo><mn>1,0</mn><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>o</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msub><mi>T</mi><mi>в</mi></msub><mo>≥</mo><mn>3</mn><msub><mi>R</mi><mi>в</mi></msub><msub><mi>μ</mi><mn>0</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow><mrow><mo>(</mo><mrow><mn>0,03</mn><mo>÷</mo><mn>0,3</mn></mrow><mo>)</mo></mrow><msub><mi>R</mi><mi>в</mi></msub><msub><mi>μ</mi><mn>0</mn></msub><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup></mrow>
<mrow />
<mrow><mrow><mo>(</mo><mrow><mn>0,4</mn><mo>÷</mo><mn>0,6</mn></mrow><mo>)</mo></mrow><msub><mi>R</mi><mi>в</mi></msub><msub><mi>μ</mi><mn>0</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mrow><msubsup><mi>δ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>м</mi><mi>н</mi></msubsup><mo>+</mo><msubsup><mi>δ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup><msubsup><mi>σ</mi><mi>о</mi><mi>м</mi></msubsup></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
Вблизи поверхности двухслойного объекта контроля (стенка трубы, плоская поверхность) со стороны слоя металла 1 (более удаленный - слой отложения 2) расположен вихретоковый датчик, возбуждающая катушка 3 (измерительная катушка 4) которого радиуса R, такого, что
(где
- номинальная толщина слоя металла 1,
- максимальная толщина слоя отложения 2) питается от генератора 5 импульсным током i (фиг.2) с периодом
(где
,
- номинальное и максимальное значение электропроводимости слоев металла и отложения). Сигнал измерительной катушки 4 усиливается усилителем 6 и через аналогово-цифровой преобразователь 7 поступает в персональный компьютер или микроконтроллер 8. Для текущего значения сигнала u(t) при произвольных
,
, δ, σ (как на фиг.3) и для сигнала, хранящегося в памяти ПК и полученного либо экспериментально (что затруднительно), либо моделированием (типа как на фиг.3 для объекта без отложений при
и
) получаем разностную кривую как на фиг.4 и по амплитудным характеристикам в интервале времени
и с помощью имеющихся в памяти ПК градуировочных кривых (фиг.5) определяется δ и σ, по разностной кривой для интервала времени
определяем также Δu и τ и по градуировочным кривым (фиг.6), скорректированным с учетом известных δ и σ (фиг.5), находим δ и σ, значения которых поступают на индикаторы 9 и 10.
Источники информации
1. Патент Российской Федерации RU 2257510 С1, МПК F17D 5/00, 27.07.2005 г.
2. Патент US 7405558, опубл. 29.07.2008 г.