CИСТЕМА И СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ИССЛЕДУЕМОГО СЛОЯ В МНОГОСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЕ

1. Система для определения толщины исследуемого слоя в многослойной структуре, содержащая
элемент для контакта с образцом, содержащий первый электрод, имеющий первую поверхность контакта с образцом, выполненную с возможностью размещения в контакте с первой поверхностью многослойной структуры;
второй электрод, имеющий вторую поверхность контакта с образцом, выполненную с возможностью размещения в контакте со второй поверхностью многослойной структуры, при этом вторая поверхность находится с противоположной стороны от первой поверхности;
устройство управления давлением, выполненное с возможностью прижатия указанного первого электрода к многослойной структуре по существу с заранее заданным испытательным давлением, при этом испытательное давление является давлением, при котором электрический импеданс образца достигает эталонного импеданса, соответствующего образцу, и
измерительное устройство, электрически соединенное с указанным первым электродом и указанным вторым электродом и выполненное с возможностью измерения электрического импеданса между указанным первым электродом и указанным вторым электродом.
2. Система по п.1, в которой указанное измерительное устройство также выполнено с возможностью определения толщины исследуемого слоя на основе, по меньшей мере, частично измеренного электрического импеданса.
3. Система по п.2, в которой указанное измерительное устройство также выполнено с возможностью определения толщины исследуемого слоя на основе заранее заданного соотношения между электрическим импедансом и толщиной исследуемого слоя, которое соответствует многослойной структуре.
4. Система по п.1, также содержащая
устройство приложения силы, соединенное с указанным элементом для контакта с образцом и связанное с указанным устройством управления давлением, и
датчик давления, связанный с указанным устройством управления давлением и выполненный с возможностью измерения силы, приложенной к многослойной структуре посредством указанного устройства приложения силы, при этом указанное устройство управления давлением выполнено с возможностью прижатия указанного первого электрода к многослойной структуре с заранее заданным испытательным давлением на основе, по меньшей мере, частично измеренной силы и площади контакта между указанной первой поверхностью контакта с образцом и многослойной структурой.
5. Система по п.1, в которой указанный элемент для контакта с образцом также содержит один или более элементов для регулирования температуры, выполненных с возможностью регулирования температуры многослойной структуры.
6. Система по п.5, также содержащая устройство управления температурой, соединенное с указанными элементами для регулирования температуры и выполненное с возможностью регулирования температуры многослойной структуры до заранее заданной испытательной температуры посредством указанных элементов для регулирования температуры.
7. Система по п.5, в которой указанный элемент для контакта с образцом является первым элементом для контакта с образцом, включающим множество первых элементов для регулирования температуры, причем указанная система также содержит второй элемент для контакта с образцом, включающий указанный второй электрод и множество вторых элементов для регулирования температуры.
8. Система по п.1, в которой указанное измерительное устройство выполнено с возможностью измерения электрического импеданса между указанным первым электродом и указанным вторым электродом в заранее заданном частотном диапазоне.
9. Устройство для определения толщины исследуемого слоя в многослойной структуре, включающее элемент для контакта с образцом, содержащий электрод, имеющий поверхность контакта с образцом и поверхность приложения силы на противоположной стороне от указанной поверхности контакта с образцом, при этом поверхность контакта с образцом выполнена с возможностью размещения в контакте с поверхностью многослойной структуры, устройство управления температурой, выполненное с возможностью регулирования температуры многослойной структуры, и устройство приложения силы, соединенное с указанным элементом для контакта с образцом и выполненное с возможностью приложения силы к указанной поверхности приложения силы указанного электрода посредством указанного элемента для контакта с образцом.
10. Устройство по п.9, в котором указанная поверхность контакта с образцом имеет форму, соответствующую форме поверхности многослойной структуры.
11. Устройство по п.9, в котором указанный элемент для регулирования температуры содержит электронагревательный элемент.
12. Устройство по п.9, в котором указанный элемент для регулирования температуры содержит канал, выполненный с возможностью содержания в нем жидкости.
13. Устройство по п.9, также содержащее теплопроводный слой между указанным элементом для регулирования температуры и указанным электродом.
14. Способ определения толщины исследуемого слоя в многослойной структуре, включающий размещение первого электрода в контакте с первой поверхностью многослойной структуры; размещение второго электрода в контакте со второй поверхностью многослойной структуры, при этом вторая поверхность находится по существу на противоположной стороне от первой поверхности; прижатие первого электрода к многослойной структуре с заранее заданным испытательным давлением; регулирование температуры многослойной структуры до заранее заданной испытательной температуры и измерение электрического импеданса между первым электродом и вторым электродом.
15. Способ по п.14, также включающий определение толщины исследуемого слоя в многослойной структуре на основе, по меньшей мере, частично измеренного электрического импеданса.
16. Способ по п.14, в котором определение толщины исследуемого слоя включает определение толщины слоя термически выращенного оксида между основой и слоем покрытия, создающего тепловой барьер.
17. Способ по п.14, также включающий определение испытательной температуры как температуры, при которой электрический импеданс между первым электродом и вторым электродом изменяется в основном в зависимости от толщины исследуемого слоя.
18. Способ по п.14, в котором регулирование температуры многослойной структуры включает нагревание многослойной структуры.
19. Способ по п.14, в котором регулирование температуры многослойной структуры включает охлаждение многослойной структуры.
20. Способ по п.14, в котором регулирование температуры многослойной структуры включает регулирование температуры на первой поверхности, причем указанный способ также включает изолирование второй поверхности.