Способ химического обезжиривания поверхности кремниевых подложек при изготовлении мощных транзисторов

Способ химического обезжиривания поверхности кремниевых подложек при изготовлении мощных транзисторов, включающий обработку поверхности кремниевых подложек от органических, неорганических и различных загрязнений, отличающийся тем, что подложек подвергают обработке в растворе, состоящий из следующих компонентов
температура раствора Т=(80±5)°С, длительность процесса - 5 мин; количество пылинок составило 3 штук.