Полевой транзистор с неизолированным затвором со светоизлучающим p-n-переходом и изменением сопротивления сток-исток за счет фоточувствительности полупроводника

Полевой транзистор с неизолированным затвором со светоизлучающим p-n-переходом и изменением сопротивления сток-исток за счет фоточувствительности полупроводника, выполненный в виде полупроводникового прибора, отличающийся тем, что для уменьшения сопротивления проводника n-типа и увеличения силы тока используется дополнительный эффект за счет генерации фотонов в светодиодном p-n-переходе и последующем поглощении этих фотонов в полупроводниковом кристалле для генерации пар электрон-дырка.