СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИНТЕГРИРОВАНИЯ ИНФРАКРАСНОГО (ИК) ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА НА ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ

1. Панель солнечных элементов, содержащая:
первый фотоэлектрический элемент, причем первый фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими первыми длинами волн, и одна или несколько первых длин волн находятся в первом диапазоне длины волн; и
второй фотоэлектрический элемент, причем второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими вторыми длинами волн, и одна или несколько вторых длин волн находятся во втором диапазоне длин волн;
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн находится вне первого диапазона длин волн;
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких первых длин волн находится вне второго диапазона длин волн; и
по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн составляет по меньшей мере 0,7 мкм.
2. Панель солнечных элементов по п.1, выполненная таким образом, чтобы свет, падающий на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, который проходит через первый фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода первого фотоэлектрического элемента, падал на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, а затем входил во второй фотоэлектрический элемент.
3. Панель солнечных элементов по п.1, в которой второй фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.
4. Панель солнечных элементов по п.3, в которой квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
5. Панель солнечных элементов по п.2, в которой второй фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.
6. Панель солнечных элементов по п.5, в которой квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
7. Панель солнечных элементов по п.1, дополнительно содержащая газообразный аргон, причем первый фотоэлектрический элемент и второй фотоэлектрический элемент расположены так, чтобы, по меньшей мере, часть света, проходящего через первый фотоэлектрический элемент, проходила через газообразный аргон перед попаданием во второй фотоэлектрический элемент.
8. Панель солнечных элементов по п.1, в которой второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от 850 до приблизительно 2000 нм.
9. Панель солнечных элементов по п.8, в которой второй фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны менее 850 нм.
10. Панель солнечных элементов по п.1, в которой первый фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от приблизительно 400 до 850 нм.
11. Панель солнечных элементов по п.10, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 850 нм.
12. Панель солнечных элементов по п.1, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
13. Панель солнечных элементов по п.2, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
14. Панель солнечных элементов по п.3, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
15. Панель солнечных элементов по п.4, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
16. Панель солнечных элементов по п.5, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
17. Панель солнечных элементов по п.6, в которой первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
18. Панель солнечных элементов по п.1, в которой второй фотоэлектрический элемент содержит прозрачный анод и прозрачный катод.
3
3
19. Панель солнечных элементов по п.18, в которой прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg.
3
3
20. Панель солнечных элементов по п.19, в которой по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg, характеризуется толщиной менее 30 нм и слой магний : серебро характеризуется сосоотношением состава 10:1 (магний : серебро).
3
3
3
21. Панель солнечных элементов по п.19, в которой по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg, причем слой Alg, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg, характеризуется толщиной от 0 до приблизительно 200 нм.
22. Панель солнечных элементов по п.18, в которой прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
23. Панель солнечных элементов по п.1, в которой первый фотоэлектрический элемент содержит прозрачный анод и прозрачный катод.
3
3
24. Панель солнечных элементов по п.23, в которой прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg.
3
3
25. Панель солнечных элементов по п.24, в которой по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg, характеризуется толщиной менее 30 нм и слой магний : серебро характеризуется сосоотношением состава 10:1 (магний : серебро).
3
3
3
26. Панель солнечных элементов по п.24, в которой по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg, причем слой Alg, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg, характеризуется толщиной от 0 до приблизительно 200 нм.
27. Панель солнечных элементов по п.23, в которой прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
28. Панель солнечных элементов по п.1, в которой панель солнечных элементов сконфигурирована так, чтобы свет, падающий на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, который проходит через второй фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода второго фотоэлектрического элемента, падал на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, а затем входил в первый фотоэлектрический элемент.
29. Панель солнечных элементов по п.1, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
30. Панель солнечных элементов по п.29, в которой первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
31. Панель солнечных элементов по п.1, в которой первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
32. Панель солнечных элементов по п.2, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
33. Панель солнечных элементов по п.3, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
34. Панель солнечных элементов по п.4, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
35. Панель солнечных элементов по п.5, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
36. Панель солнечных элементов по п.6, в которой первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
37. Способ изготовления панели солнечных элементов, предусматривающий:
формирование первого фотоэлектрического элемента, причем первый фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими первыми длинами волн, и одна или несколько первых длин волн находятся в первом диапазоне длины волн;
формирование второго фотоэлектрического элемента, причем второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими вторыми длинами волн, и одна или несколько вторых длин волн находятся во втором диапазоне длины волн; и
соединение первого фотоэлектрического элемента и второго фотоэлектрического элемента,
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн находится вне первого диапазона длин волн;
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких первых длин волн находится вне второго диапазона длин волн; и
по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн составляет по меньшей мере 0,7 мкм.
38. Способ по п.37, в котором свет, падающий на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, который проходит через первый фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода первого фотоэлектрического элемента, падает на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, а затем входит во второй фотоэлектрический элемент.
39. Способ по п.37, дополнительно предусматривающий:
нанесение в виде покрытия второго фотоэлектрического элемента на оптически чистую пластмассовую пленку; и
наслоение оптически чистой пластмассовой пленки на первый фотоэлектрический элемент.
40. Способ по п.37, дополнительно предусматривающий:
формирование второго фотоэлектрического элемента на стеклянной подложке; и
соединение стеклянной подложки с первым фотоэлектрическим элементом.
41. Способ по п.37, в котором первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом, причем формирование второго фотоэлектрического элемента предусматривает формирование второго фотоэлектрического элемента непосредственно на первом фотоэлектрическом элементе.
42. Способ по п.37, в котором формирование второго фотоэлектрического элемента предусматривает формирование слоя на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащего квантовые примеси.
43. Способ по п.42, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
44. Способ по п.38, в котором формирование второго фотоэлектрического элемента предусматривает формирование слоя на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащего квантовые примеси.
45. Способ по п.44, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
46. Способ по п.41, в котором формирование второго фотоэлектрического элемента предусматривает формирование слоя на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащего квантовые примеси.
47. Способ по п.46, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
48. Способ по п.37, в котором второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от приблизительно 850 до приблизительно 2000 нм.
49. Способ по п.37, в котором первый фотоэлектрический элемент является не чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
50. Способ по п.37, в котором первый фотоэлектрический элемент является не чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
51. Способ по п.38, в котором первый фотоэлектрический элемент является не чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
52. Способ по п.41, в котором первый фотоэлектрический элемент является не чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
53. Способ по п.37, в котором свет, падающий на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, который проходит через второй фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода второго фотоэлектрического элемента, падает на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, а затем входит в первый фотоэлектрический элемент.
54. Способ по п.41, в котором первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
55. Способ по п.37, в котором первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
56. Способ по п.37, в котором формирование второго фотоэлектрического элемента предусматривает формирование прозрачного анода и прозрачного катода.
3
3
57. Способ по п.56, в котором прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg.
3
3
58. Способ по п.57, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg, характеризуется толщиной менее 30 нм, и слой магний : серебро характеризуется соотношением состава 10:1 (магний : серебро).
3
3
3
59. Способ по п.57, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg, причем слой Alg, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg, характеризуется толщиной от 0 до приблизительно 200 нм.
60. Способ по п.56, в котором прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
61. Способ по п.37, в котором формирование первого фотоэлектрического элемента предусматривает формирование прозрачного анода и прозрачного катода.
3
3
62. Способ по п.61, в котором прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg.
3
3
63. Способ по п.62, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg, характеризуется толщиной менее 30 нм, и слой магний : серебро характеризуется соотношением состава 10:1 (магний : серебро).
3
3
3
64. Способ по п.62, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg, причем слой Alg, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg, характеризуется толщиной от 0 до приблизительно 200 нм.
65. Способ по п.61, в котором прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
66. Способ захвата и сохранения солнечной энергии, предусматривающий:
расположение панели солнечных элементов таким образом, чтобы солнечный свет падал на панель солнечных элементов, причем панель солнечных элементов содержит:
первый фотоэлектрический элемент, причем первый фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими первыми длинами волн, и одна или несколько первых длин волн находятся в первом диапазоне длин волн; и
второй фотоэлектрический элемент, причем второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, характеризующимся одной или несколькими вторыми длинами волн, и одна или несколько вторых длин волн находятся во втором диапазоне длин волн;
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн находится вне первого диапазона длин волн;
причем по меньшей мере одна из одной или нескольких первых длин волн находится вне второго диапазона длин волн; и
по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн составляет по меньшей мере 0,7 мкм.
67. Способ по п.66, в котором свет, падающий на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, который проходит через первый фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода первого фотоэлектрического элемента, падает на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, а затем входит во второй фотоэлектрический элемент.
68. Способ по п.66, в котором второй фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.
69. Способ по п.68, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
70. Способ по п.67, в котором второй фотоэлектрический элемент содержит слой на основе активируемого инфракрасным излучением материала, содержащий квантовые примеси.
71. Способ по п.70, в котором квантовые примеси представляют собой квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
72. Способ по п.66, в котором второй фотоэлектрический элемент является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от приблизительно 850 до приблизительно 2000 нм.
73. Способ по п.66, в котором свет, падающий на поверхность для входа второго фотоэлектрического элемента, который проходит через второй фотоэлектрический элемент и выходит из поверхности для выхода второго фотоэлектрического элемента, падает на поверхность для входа первого фотоэлектрического элемента, а затем входит в первый фотоэлектрический элемент.
74. Способ по п.66, в котором первый фотоэлектрический элемент является тонкопленочным фотоэлектрическим элементом.
75. Способ по п.66, в котором первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
76. Способ по п.67, в котором первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
77. Способ по п.74, в котором первый фотоэлектрический элемент является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны более 1 мкм.
78. Способ по п.74, в котором первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
79. Способ по п.66, в котором первый фотоэлектрический элемент содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: CIGS, CdTe, a-Si и поли-Si.
80. Способ по п.66, в котором второй фотоэлектрический элемент содержит прозрачный анод и прозрачный катод.
3
3
81. Способ по п.80, в котором прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg.
3
3
82. Способ по п.81, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg, характеризуется толщиной менее 30 нм, и слой магний : серебро характеризуется соотношением состава 10:1 (магний : серебро).
3
3
3
83. Способ по п.81, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg, причем слой Alg, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg, характеризуется толщиной от 0 нм до приблизительно 200 нм.
84. Способ по п.80, в котором прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
85. Способ по п.66, в котором первый фотоэлектрический элемент содержит прозрачный анод и прозрачный катод.
3
3
86. Способ по п.85, в котором прозрачный анод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: оксида индия и олова (ОИО), углеродных нанотрубок (УНТ), оксида индия и цинка (ОИЦ), серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg, причем прозрачный катод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из: ОИО, УНТ, ОИЦ, серебряного нанопровода и наборного слоя магний : серебро/Alg.
3
3
87. Способ по п.86, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg, причем слой магний : серебро, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg, характеризуется толщиной менее 30 нм, и слой магний : серебро характеризуется соотношением состава 10:1 (магний : серебро).
3
3
3
88. Способ по п.86, в котором по меньшей мере один из прозрачного анода или прозрачного катода содержит наборной слой магний : серебро/Alg, причем слой Alg, входящий в состав наборного слоя магний : серебро/Alg, характеризуется толщиной от 0 до приблизительно 200 нм.
89. Способ по п.85, в котором прозрачный анод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света, причем прозрачный катод является прозрачным, по меньшей мере, для части видимого света, а также, по меньшей мере, для части инфракрасного света.
90. Панель солнечных элементов по п.1, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких длин волн больше 1 мкм.
91. Панель солнечных элементов по п.90, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 1 мкм.
92. Способ по п.37, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн больше 1 мкм.
93. Способ по п.92, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 1 мкм.
94. Способ по п.66, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн больше 1 мкм.
95. Способ по п.94, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 1 мкм.
96. Панель солнечных элементов по п.1, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн больше 0,85 мкм.
97. Панель солнечных элементов по п.90, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 0,85 мкм.
98. Способ по п.37, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн ябольше 0,85 мкм.
99. Способ по п.92, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 0,85 мкм.
100. Способ по п.66, в котором по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн больше 0,85 мкм.
101. Способ по п.94, в которой по меньшей мере одна из одной или нескольких вторых длин волн от 0,7 до 0,85 мкм.