ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, УСТРОЙСТВО ПЕРЕДАЧИ СИГНАЛОВ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ЧЕРЕЗ ДИЭЛЕКТРИК, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВА И СИСТЕМА ПЕРЕДАЧИ СИГНАЛОВ МИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ЧЕРЕЗ ДИЭЛЕКТРИК

1. Полупроводниковый прибор, содержащий:
полупроводниковый кристалл, расположенный на подложке и выполненный с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне;
антенную структуру, соединенную с полупроводниковым кристаллом;
изоляционный элемент, выполненный так, чтобы закрыть полупроводниковый кристалл; и
элемент для передачи миллиметровых волн, выполненный из диэлектрического материала, включающего в себя диэлектрик, выполненный с возможностью передавать сигнал миллиметрового диапазона, и согласованный с антенной структурой.
2. Полупроводниковый прибор по п.1, в котором элемент для передачи миллиметровых волн включает в себя:
ограничивающий область элемент со сквозным участком, совмещенным с антенной структурой, соединенной с полупроводниковым кристаллом;
причем указанный диэлектрический материал расположен в сквозном участке ограничивающего область элемента.
3. Полупроводниковый прибор по п.2, в котором антенная структура, соединенная с полупроводниковым кристаллом, выполнена на указанном полупроводниковом кристалле.
4. Полупроводниковый прибор по п.3, в котором антенная структура, соединенная с полупроводниковым кристаллом, содержит патч-антенну.
5. Полупроводниковый прибор по п.4, в котором полупроводниковый кристалл включает в себя:
первый генератор сигнала, выполненный с возможностью обработки входного сигнала и генерирования сигнала миллиметрового диапазона;
двунаправленную схему связи сигнала, выполненную с возможностью связи полупроводникового кристалла с антенной структурой, передачи сигнала миллиметрового диапазона, генерируемого первьм генератором сигнала, в элемент для передачи миллиметровых волн и приема сигнала миллиметрового диапазона от элемента для передачи миллиметровых волн;
второй генератор сигнала, выполненный с возможностью обработки сигнала миллиметрового диапазона, принимаемого схемой связи сигнала, и генерирования выходного сигнала.
6. Полупроводниковый прибор по п.5, в котором первый генератор сигнала включает в себя первую секцию преобразования сигнала, выполненную с возможностью преобразования параллельного входного сигнала в последовательный выходной сигнал, а
второй генератор сигнала включает в себя вторую секцию преобразования сигнала, выполненную с возможностью преобразования последовательного входного сигнала в параллельный выходной сигнал.
7. Полупроводниковый прибор по п.2, в котором антенная структура расположена параллельно полупроводниковому кристаллу.
8. Устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик, содержащее:
первый полупроводниковый прибор, выполненный с возможностью передавать сигналы миллиметрового диапазона через диэлектрик и включающий в себя полупроводниковый кристалл, расположенный на одной подложке и выполненный с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне, антенную структуру, соединенную с указанным полупроводниковым кристаллом, и изоляционный элемент, выполненный так, чтобы закрыть полупроводниковый кристалл, и включающий в себя диэлектрик, пропускающий сигнал миллиметрового диапазона;
второй полупроводниковый прибор, выполненный с возможностью передавать сигналы миллиметрового диапазона через диэлектрик и включающий в себя полупроводниковый кристалл, расположенный на другой подложке и выполненный с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне, антенную структуру, соединенную с указанным полупроводниковым кристаллом, и изоляционный элемент, выполненный так, чтобы закрыть полупроводниковый кристалл, и включающий в себя диэлектрик, пропускающий сигнал миллиметрового диапазона; и
элемент для передачи миллиметровых волн, выполненный из диэлектрического материала, включающего в себя диэлектрик, выполненный с возможностью передавать сигнал миллиметрового диапазона, и расположенный между первым полупроводниковым прибором и вторым полупроводниковым прибором,
при этом первый полупроводниковый прибор и второй полупроводниковый прибор установлены так, что элемент для передачи миллиметровых волн расположен между ними для передачи сигнала миллиметрового диапазона между антенной структурой первого полупроводникового прибора и антенной структурой второго полупроводникового прибора.
9. Устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик по п.8, в котором элемент для передачи миллиметровых волн включает в себя:
ограничивающий область элемент со сквозным участком, совмещенным с антенными структурами первого и второго полупроводниковых приборов; и
диэлектрический материал, расположенный в сквозном участке ограничивающего область элемента.
10. Устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик по п.9, в котором антенная структура расположена на полупроводниковом кристалле, причем антенные структуры первого и второго полупроводниковых приборов расположены так, что элемент для передачи миллиметровых волн расположен между указанными антенными структурами.
11. Устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик по п.10, в котором антенная структура включает в себя патч-антенну.
12. Устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик по п.8, в котором соединительный участок между первым и вторым полупроводниковыми приборами выполнен из диэлектрического материала, включающего в себя диэлектрик, выполненный с возможностью передавать сигнал миллиметрового диапазона, и содержит вязкоупругий материал, служащий элементом для передачи миллиметровых волн.
13. Устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик по п.8, в котором антенная структура расположена параллельно полупроводниковому кристаллу, причем антенные структуры первого и второго полупроводниковых приборов расположены так, что элемент для передачи миллиметровых волн расположен между указанными антенными структурами.
14. Устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик по п.8, дополнительно содержащее:
монтажную подложку, на которой первой и второй полупроводниковые приборы, каждый из которых содержит полупроводниковый кристалл, расположены параллельно друг другу,
причем на монтажной подложке расположен элемент для передачи миллиметровых волн,
при этом элемент для передачи миллиметровых волн на монтажной подложке выполнен с возможностью передачи сигнала миллиметрового диапазона, с использованием указанного элемента для передачи миллиметровых волн, между антенной структурой первого полупроводникового прибора и антенной структурой второго полупроводникового прибора.
15. Устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик по п.14, в котором элемент для передачи миллиметровых волн сформирован путем заполнения ограничивающей область канавки или сквозного участка, сформированного в монтажной подложке, диэлектрическим материалом, включающим в себя диэлектрик, выполненный с возможностью передавать сигнал миллиметрового диапазона.
16. Устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик по п.14, в котором антенная структура выведена на поверхность изоляционного элемента, герметизирующего полупроводниковый кристалл.
17. Устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик по любому из пп.8-16, в котором изоляционный элемент включает в себя диэлектрик, выполненный с возможностью пропускать сигнал миллиметрового диапазона.
18. Способ изготовления полупроводникового прибора, содержащий этапы, на которых:
формируют на подложке полупроводниковый кристалл, выполненный с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне;
соединяют антенную структуру со сформированным' на подложке полупроводниковым кристаллом;
изолируют полупроводниковый кристалл посредством закрытия полупроводникового кристалла изоляционным элементом; и
согласуют антенную структуру с элементом для передачи миллиметровых волн, использующим диэлектрический материал, включающий в себя диэлектрик, выполненный с возможностью передавать сигнал миллиметрового диапазона.
19. Способ по п.18, в котором на этапе согласования антенной структуры с элементом для передачи миллиметровых волн:
формируют в изоляционном элементе ограничивающий область элемент;
формируют в ограничивающем область элементе сквозной участок, совмещенный с антенной структурой; и
формируют элемент для передачи миллиметровых волн путем заполнения диэлектрическим материалом сквозного участка ограничивающего область элемента.
20. Способ изготовления устройства передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик, содержащий этапы, на которых:
формируют первый полупроводниковый прибор, выполненный с возможностью передавать сигналы миллиметрового диапазона через диэлектрик, путем размещения на одной подложке полупроводникового кристалла, выполненного с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне, соединения с полупроводниковым кристаллом антенной структуры и закрытия полупроводникового кристалла изоляционным элементом;
формируют второй полупроводниковый прибор, выполненный с возможностью передавать сигналы миллиметрового диапазона через диэлектрик, путем размещения на другой подложке полупроводникового кристалла, выполненного с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне, соединения с полупроводниковым кристаллом антенной структуры и закрытия полупроводникового кристалла изоляционным элементом; и
формируют элемент для передачи миллиметровых волн между первым полупроводниковым прибором и вторым полупроводниковым прибором с использованием диэлектрического материала, включающего в себя диэлектрик, выполненный с возможностью передавать сигнал миллиметрового диапазона,
при этом при формировании элемента для передачи миллиметровых волн первый и второй полупроводниковые приборы устанавливают относительно элемента для передачи миллиметровых волн так, что происходит передача сигнала миллиметрового диапазона между антенной структурой первого полупроводникового прибора и антенной структурой второго полупроводникового прибора.
21. Система передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик, содержащая:
первый полупроводниковый прибор, выполненный с возможностью передавать сигналы миллиметрового диапазона через диэлектрик и включающий в себя полупроводниковый кристалл, расположенный на подложке одного электронного устройства и выполненный с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне, антенную структуру, соединенную с полупроводниковым кристаллом, и изоляционный элемент, выполненный так, чтобы закрыть полупроводниковый кристалл электронного устройства;
второй полупроводниковый прибор, выполненный с возможностью передавать сигналы миллиметрового диапазона через диэлектрик и включающий в себя полупроводниковый кристалл, расположенный на подложке другого электронного устройства и выполненный с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне, антенную структуру, соединенную с полупроводниковым кристаллом, и изоляционный элемент, выполненный так, чтобы закрыть полупроводниковый кристалл электронного устройства; и
элемент для передачи миллиметровых волн, выполненный из диэлектрического материала, включающего в себя диэлектрик, выполненный с возможностью передавать сигнал миллиметрового диапазона, и расположенный между первым полупроводниковым прибором и вторым полупроводниковым прибором,
при этом одно электронное устройство и другое электронное устройство контактируют друг с другом через элемент для передачи миллиметровых волн для передачи сигнала миллиметрового диапазона между антенной структурой первого полупроводникового прибора и антенной структурой второго полупроводникового прибора.
22. Полупроводниковый прибор, содержащий:
множество полупроводниковых кристаллов, расположенных на подложке и выполненных с возможностью осуществлять связь в миллиметровом диапазоне;
антенную структуру, соединенную с полупроводниковым кристаллом; и
элемент для передачи миллиметровых волн, выполненный из диэлектрического материала, включающего в себя диэлектрик, выполненный с возможностью передавать сигнал миллиметрового диапазона, и согласованный с антенной структурой.
23. Полупроводниковый прибор по п.22, дополнительно содержащий:
изоляционный элемент, выполненный из диэлектрического материала, характеристики которого обеспечивают передачу сигнала миллиметрового диапазона, выполненный так, чтобы закрыть полупроводниковые кристаллы, и служащий указанным элементом для передачи миллиметровых волн.
24. Полупроводниковый прибор по п.23, в котором множество полупроводниковых кристаллов расположено параллельно друг другу на одной и той же подложке,
при этом изоляционный элемент расположен так, что закрывает все из множества полупроводниковых кристаллов, и служит указанным элементом для передачи миллиметровых волн, обеспечивающим передачу сигналов миллиметрового диапазона между указанным множеством полупроводниковых кристаллов.
25. Полупроводниковый прибор по п.22, в котором множество полупроводниковых кристаллов расположены друг над другом, так что их антенные структуры коаксиальны друг с другом,
при этом соединительный участок между множеством полупроводниковых приборов выполнен из диэлектрического материала, включающего в себя диэлектрик, выполненный с возможностью передавать сигнал миллиметрового диапазона, и содержит вязкоупругий материал, служащий элементом для передачи миллиметровых волн.
26. Устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик, содержащее:
множество полупроводниковых приборов по п.24 или 25 и
тракт передачи сигналов миллиметрового диапазона, выполненный с возможностью передавать информацию в миллиметровом диапазоне между множеством полупроводниковых приборов,
при этом указанное устройство выполнено с возможностью преобразовывать модулирующий сигнал видеодиапазона в сигнал миллиметрового диапазона и передавать сигнал миллиметрового диапазона между несколькими полупроводниковыми приборами через тракт передачи сигналов миллиметрового диапазона.
27. Устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик по п.26, дополнительно содержащее:
монтажную подложку, выполненную из диэлектрического материала, включающего в себя диэлектрик, выполненный с возможностью передавать сигнал миллиметрового диапазона, и служащую трактом передачи сигналов миллиметрового диапазона,
при этом множество полупроводниковых приборов расположены параллельно друг другу на одной и той же монтажной подложке.
28. Устройство передачи сигналов миллиметрового диапазона через диэлектрик по п.26, в котором тракт передачи сигналов миллиметрового диапазона имеет структуру передачи сигнала миллиметрового диапазона, ограничивающую сигнал миллиметрового диапазон трактом передачи.