СПОСОБ СОЗДАНИЯ БИПОЛЯРНОГО КРЕМНИЕВОГО ПЛАНАРНОГО ТРАНЗИСТОРА

12
15
-2
2
3
Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора, включающий легирование путем облучения ионами расположенных над массивными областями базы и покрытых слоем окисла кремния участков поверхности сформированной транзисторной структуры и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных транзисторов путем уменьшения тока утечки через переход база - коллектор, легирование проводят ионами фосфора в слой окисла на глубину проецированного пробега, равную 0,6-0,8 толщины слоя, дозой 10 - 10 см, а отжиг проводят при температуре 573-723 K в течение 6·10- 3,5·10 с.