СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОГО ДИОДА С ПОВЫШЕННОЙ ЯРКОСТЬЮ ИЗЛУЧЕНИЯ

1. Способ изготовления лазерного диода с повышенной яркостью излучения, который состоит в том, что формируют широко-эмиттерную лазерную среду, способную генерировать многомодовое оптическое излучение, которая имеет активный волноводный излучающий слой, первый конец и второй конец; формируют частично прозрачное зеркало на втором конце широко-эмиттерной лазерной среды; размещают широко-эмиттерную лазерную среду с частично прозрачным зеркалом на подложке с высокой теплопроводностью;
и отличающийся тем, что, с целью увеличения яркости излучения, формируют устройство перестройки модовой структуры, основанное на цифровой планарной голограмме, имеющее входной торец, причем указанное устройство образуют путем формирования цифровой планарной голограммы у первого конца широко-эмиттерной лазерной среды в оптическом взаимодействии с ней, используют цифровую планарную голограмму в качестве непрозрачного зеркала, размещая ее на той же подложке, на которой размещена лазерная среда, в результате чего формируется оптический резонатор, и осуществляют селекцию, перестройку и усиление мод оптического излучения лазерного диода по заданной функции.
2. Способ по п.1, в котором устройство перестройки модовой структуры формируют из волноводного слоя и по меньшей мере одной оболочки, соприкасающейся с волноводным слоем по всей его поверхности, и множества наноэлементов, имеющих глубину меньшую толщины волноводного слоя и длину, меньшую чем половина длины волны света, излучаемого лазерной средой, а ширину от 30 нм до 160 нм, при этом наноэлементы располагают в соответствии с рисунком, который локально изменяет коэффициент преломления света в волноводном слое и осуществляет наперед заданную функцию.
3. Способ по п.1, в котором резонатор формируют совмещением указанного первого конца широко-эмиттерной лазерной среды с входным торцем цифровой лазерной голограммы устройства перестройки модовой структуры.
4. Способ по п.1, в котором резонатор формируют совмещением указанного первого конца широко-эмиттерной лазерной среды с входным торцем волноводного слоя устройства перестройки модовой структуры.
5. Способ по п.2, в котором наноэлементы представляют собой канавки, выполненные в волноводном слое устройства перестройки модовой структуры.
6. Способ по п.5, в котором канавки изготовляют методами нанолитографии или нано-печати в форме прямоугольных параллелепипедов, допускающих изготовление в виде бинарных элементов.
7. Способ по п.6, состоящий в том, что канавки располагают в виде указанного рисунка, который позволяет осуществить наперед заданную функцию и локально изменить распределение коэффициента преломления света в волноводном слое.