СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ВОДЫ

1. Способ удаления воды из композиции A, включающей
производное акриловой кислоты, описывающееся формулой (I):
в которой
1
2
R и R являются одинаковыми или разными и каждый означает алкил, фторалкил, арил, который может содержать один или большее количество заместителей, галоген или водород,
3
R означает алкил, фторалкил, арил, который может содержать один или большее количество заместителей, или водород, и
X означает алкил, фторалкил, галоген или водород; и
воду,
способ включает стадию A введения композиции A во взаимодействие с цеолитом.
1
1-20
1-20
2. Способ по п. 1, в котором R означает водород, C алкил или C фторалкил.
2
1-20
1-20
3. Способ по п. 1 или 2, в котором R означает водород, C алкил или C фторалкил.
3
1-20
4. Способ по любому из пп. 1-3, в котором R означает C линейный алкил.
1-20
5. Способ по любому из пп. 1-4, в котором X означает C алкил, фтор, хлор или водород.
6. Способ по любому из пп. 1-5, в котором цеолитом является синтетический цеолит.
7. Способ по п. 6, в котором цеолитом является синтетический цеолит, обладающий порами со средним размером, равным от 3 до 5 Å.
8. Способ по любому из пп. 1-7, в котором композиция A является органической фазой, полученной промывкой водой композиции B, включающей производное акриловой кислоты, описывающееся формулой (I), и растворимая в воде примесь, и удалением водной фазы, образованной вследствие промывки.
9. Способ по п. 8, в котором растворимая в воде примесь представляет собой по меньшей мере один элемент, выбранный из группы, включающей спирты и альдегиды.
10. Композиция, включающая
производное акриловой кислоты, описывающееся формулой (I):
в которой
1
2
R и R являются одинаковыми или разными и каждый означает алкил, фторалкил, арил, который может содержать один или большее количество заместителей, галоген или водород,
3
R означает алкил, фторалкил, арил, который может содержать один или большее количество заместителей, или водород, и
X означает алкил, фторалкил, галоген или водород; и
воду,
где содержание воды в композиции находится в диапазоне от 1000 до 20000 част./млн (мас./мас.).