СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БЕЗЭПИТАКСИАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Способ изготовления безэпитаксиальной структуры биполярного транзистора, включающий выполнение следующих операций:
формируют в кремниевой пластине карманы двух типов проводимости для размещения полевых и биполярного транзисторов,
создают полевой окисел на поверхности карманов,
формируют высоколегированные области одного с областью коллектора типа проводимости под полевым окислом, окружающие область базы с любой из трех сторон, кроме стороны, где располагается контакт к области базы, и при этом одна из этих трех сторон граничит с областью контакта к коллектору биполярного транзистора,
формируют базу,
создают подзатворный диэлектрик,
формируют затворы полевых и электрода эмиттера биполярного транзистора из двух слоев поликристаллического кремния с последующим созданием высоколегированной области в базе одного с базой типа проводимости вокруг области эмиттера и в месте контакта к области базы, при этом вначале осаждают первый слой поликристаллического кремния непосредственно на подзатворный диэлектрик, отличающийся тем, что формирование затворов и эмиттерного электрода из первого слоя поликристаллического кремния производят плазмохимическим травлением до подзатворного окисла, защищают затворы маской фоторезиста, удаляют подзатворный окисел вокруг эмиттерного электрода в жидкостном травителе до кремния и одновременно вытравливают его частично на расчетную величину под слоем поликристаллического кремния, формируют изолирующий слой на боковых стенках затворов и эмиттерного электрода затворы путем осаждения второго слоя поликристаллического кремния и его окисления до кремния с последующим удалением полученного окисла кремния плазмохимическим травлением с горизонтальных участков структуры.