АНТЕННА ТЕРАГЕРЦОВОГО ЧАСТОТНОГО ДИАПАЗОНА

1. Антенна терагерцового частотного диапазона, содержащая:
полупроводниковую пленку (3), имеющую поверхность, приспособленную для проявления поверхностных плазмонов в терагерцовом частотном диапазоне,
при этом поверхность полупроводниковой пленки (3) структурируется для образования конструкции антенны (4), выполненной с возможностью поддержки локализованных поверхностных плазменных резонансов в терагерцовом частотном диапазоне, при этом полупроводниковая пленка (3) предоставляется на пьезоэлектрическом материале (10).
2. Антенна терагерцового частотного диапазона по п.1, в которой конструкция антенны (4) содержит по меньшей мере два элемента (4а, 4b), структурированные в или на поверхности полупроводниковой пленки (3) и разнесенные друг от друга в направлении параллельно поверхности полупроводниковой пленки на зазор (g).
3. Антенна терагерцового частотного диапазона по п.2, в которой зазор (g) имеет ширину (Δ) в диапазоне между 10 нм и 10 мкм, предпочтительно между 50 нм и 200 нм.
4. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из предшествующих пунктов, в которой конструкция антенны (4) состоит из такого же материала, как и полупроводниковая пленка (3).
5. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что функционализированная поверхность, приспособленная для присоединения заранее установленных молекул, предоставляется в области около конструкции антенны (4) и/или область около зазора (g).
6. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, в которой полупроводниковая пленка (3) имеет толщину в диапазоне между 0,5 мкм и 300 мкм, предпочтительно между 0,5 мкм и 100 мкм.
7. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, в которой полупроводниковая пленка (3) размещается на подложке (2), которая прозрачна для электромагнитного излучения в терагерцовом частотном диапазоне.
8. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, которая приспособлена для вставки между генератором терагерцовой частоты (5) и терагерцовым частотным детектором (6).
9. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, в которой пьезоэлектрический материал (10) используется в качестве пьезоэлектрической подложки или предоставляется в качестве пьезоэлектрического промежуточного слоя (10) между полупроводниковой пленкой (3) и подложкой (2).
10. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, в которой полупроводниковая пленка (3) содержит InSb или InAs в качестве основного вещества.
11. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, в которой конструкция антенны (4) организована так, что электрическое поле поверхностных плазмонных резонансов локально усиливается в области конструкции антенны.
12. Электронная система, функционирующая в терагерцовом частотном диапазоне, содержащая антенну терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-11.
13. Электронная система по п.12, где система является одной из системы обнаружения, системы связи, системы формирования изображений, системы обработки сигналов и системы модуляции света.
14. Система для нахождения отличий между терагерцовым сигналом и фоновым шумом, содержащая
модулятор, содержащий антенну терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-11, причем модулятор приспособлен для настройки и отстройки резонанса поверхностных плазмонов в области антенны терагерцового частотного диапазона путем изменения ширины зазора с заранее установленной частотой модуляции, и
детектор, управляемый по заранее установленной частоте модуляции.
15. Способ для настройки отклика антенны терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-11, где способ содержит этап, на котором:
настраивают отклик путем изменения геометрии конструкции антенны (4) или путем изменения характеристик материала полупроводниковой пленки (3).