СПОСОБ СВЧ ПЛАЗМЕННОГО ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК КУБИЧЕСКОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ (3С-SiC)

4
2
4
4
4
2
-4
Способ СВЧ плазменного формирования пленок кубического карбида кремния на кремнии, предусматривающий очистку поверхности пластины, формирование слоя нанопористого кремния на поверхности кремниевой пластины с базовой ориентацией (100) или (111) и осаждение слоя 3C-SiC, отличающийся тем, что очистку поверхности, формирование слоя нанопористого кремния и осаждение слоя 3C-SiC проводят в одной технологической операции в несколько стадий - очистку поверхности и формирование слоя нанопористого кремния проводят с помощью СВЧ плазменной очистки и травления поверхности кремниевой пластины с использованием газов CF и O, а осаждение слоя 3C-SiC проводят с помощью СВЧ плазменного синтеза с использованием газов - SiF (SiH), CF и Н, все технологические операции проводят в СВЧ плазме пониженного давления 1·10÷10 торр, температуре предметного столика 600÷250°C и его электрическом смещении от минус 10 В до минус 300 В.