МОДУЛЬНАЯ ASIC ДЕТЕКТОРА ВИЗУАЛИЗАЦИИ

1. Детекторная матрица (112) системы визуализации, содержащая:
плиточный детектор (116), включающий в себя:
матрицу (202) фотодатчиков, включающую в себя множество пикселов (204) фотодатчиков;
матрицу (212) сцинтилляторов, оптически соединенную с матрицей фотодатчиков; и
слой (214) электронных схем, электрически соединенный с матрицей фотодатчиков, причем слой электронных схем включает в себя множество отдельных областей (302) обработки, каждая область обработки включает в себя предварительно определенное число каналов, соответствующих подмножеству упомянутого множества пикселов фотодатчиков, при этом области обработки находятся в электрическом соединении друг с другом, и каждая область обработки включает в себя свои собственные электрические цепи (802, 804) опорного напряжения и напряжения смещения.
2. Детекторная матрица системы визуализации по п. 1, причем слой электронных схем является субфрагментом единого цельного кристалла (218), который включает в себя множество слоев электронных схем.
3. Детекторная матрица системы визуализации по п. 2, причем слой электронных схем дополнительно включает в себя:
субфрагмент области цифровых электронных схем, совместно используемый по меньшей мере двумя соседними слоями электронных схем из упомянутого множества слоев электронных схем единого цельного кристалла.
4. Детекторная матрица системы визуализации по п. 3, причем область цифровых электронных схем находится между по меньшей мере двумя из областей обработки.
1
2
5. Детекторная матрица системы визуализации по п. 4, причем область цифровых электронных схем содержит: первый субфрагмент (1202) и второй субфрагмент (1202), при этом область обработки находится между первым субфрагментом и вторым субфрагментом области цифровых электронных схем.
6. Детекторная матрица системы визуализации по любому из пп. 2-5, причем слой электронных схем дополнительно содержит:
субфрагмент области аналоговых электронных схем, совместно используемый по меньшей мере двумя соседними слоями электронных схем из упомянутого множества слоев электронных схем единого цельного кристалла.
7. Детекторная матрица системы визуализации по любому из пп. 2-6, причем единый кристалл включает в себя 512 каналов, а слой электронных схем плиточного детектора включает в себя менее 512 каналов.
8. Детекторная матрица системы визуализации по любому из пп. 2-6, причем слой электронных схем плиточного детектора включает в себя первое число каналов, при этом первое число каналов состоит из группы, состоящей из 16, 32, 64, 128 или 256 каналов, а единый кристалл включает в себя второе число каналов, при этом второе число каналов больше первого числа каналов.
9. Детекторная матрица системы визуализации по любому из пп. 1-6, причем электрические цепи опорного напряжения и напряжения смещения одной из областей обработки являются внутренними по отношению к одной из областей обработки.
10. Детекторная матрица системы визуализации по любому из пп. 1-9, причем электрические цепи опорного напряжения и напряжения смещения одной из областей обработки являются внешними по отношению к одной из областей обработки.
11. Детекторная матрица системы визуализации по любому из пп. 1-10, при этом слой электронных схем является субфрагментом изготовленного кристалла, имеющим как функциональные, так и нефункциональные каналы, при этом слой электронных схем включает в себя функциональные каналы и не включает в себя нефункциональные каналы изготовленного кристалла.
12. Детекторная матрица системы визуализации по любому из пп. 1-11, причем слой электронных схем дополнительно содержит:
преобразователь тока в частоту (I/F), который генерирует цепочку импульсов с частотой импульсов, указывающей рентгеновские фотоны, падающие на пиксел фотодатчика.
13. Детекторная матрица системы визуализации по любому из пп. 1-12, причем слой электронных схем дополнительно содержит:
по меньшей мере одно из гибкого материала, керамического материала, кремниевого материала или платы печатного монтажа.
14. Способ, содержащий:
изготовление и испытание ASIC, которая включает в себя первое число областей обработки, причем каждая область обработки включает в себя предварительно определенное число каналов и каждая область обработки включает в себя свои собственные электрические цепи опорного напряжения и напряжения смещения;
нарезание ASIC на по меньшей мере две полностью функциональные ASIC с уменьшенным числом каналов, соответственно имеющие второе и третье число каналов, при этом второе и третье число каналов меньше первого числа каналов; и
применение по меньшей мере одной из упомянутых по меньшей мере двух полностью функциональных ASIC с уменьшенным числом каналов в детекторной матрице системы визуализации.
15. Способ по п. 14, при этом упомянутые по меньшей мере две полностью функциональные ASIC с уменьшенным числом каналов включают в себя по меньшей мере один из субфрагмента области цифровых электронных схем, совместно используемого упомянутыми по меньшей мере двумя полностью функциональными ASIC с уменьшенным числом каналов перед нарезанием, или субфрагмента области цифровых электронных схем, совместно используемого упомянутыми по меньшей мере двумя полностью функциональными ASIC с уменьшенным числом каналов переднарезанием.