УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ И МНОГОСЛОЙНЫХ ПОКРЫТИЙ

1. Устройство для формирования многокомпонентных и многослойных покрытий, содержащее вакуумную камеру (1), включающую плазменно-дуговой источник (2) с магнитной системой, с катодом (3) и анодом (4), имеющий продольную ось O1-O2, включающую также источник газовой плазмы (8) с первой электромагнитной катушкой источника газовой плазмы (9), со второй электромагнитной катушкой источника газовой плазмы (10) и с системой напуска и контроля технологических газов (11), имеющий продольную ось O3-O4, включающую также держатель подложки (20) с подложкой (21), размещенные симметрично оси O3-O4 источника газовой плазмы (8) и включающую также средства откачки (30), отличающееся тем, что в него введен магнетронный источник (36), имеющий продольную ось O5-O6, магнитная система плазменно-дугового источника (2) включает электромагнитную катушку плазменно-дугового источника (5), а источник газовой плазмы (8) выполнен в виде кварцевого цилиндра (12) с размещенной симметрично оси O3-O4 антенной (13).
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что антенна (13) выполнена в виде водоохлаждаемых витков магнитного индуктора.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что магнетронный источник (36) оснащен, по меньшей мере, одной мишенью (37).
4. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что мишень (37) выполнена из диэлектрика.
5. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что мишень (37) выполнена из металла.
6. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что мишень (37) выполнена из композиции диэлектрика и металла.
7. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что держатель подложки (20) с подложкой (21) имеют возможность изменения угла α наклона поверхности подложки (21) к оси O1-O2 плазменно-дугового источника в диапазоне 40-90° и имеет возможность изменения угла β наклона поверхности подложки (21) к оси O5-O6 магнетронного источника (36) в диапазоне 40-90°.
8. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в него введена система автоматического управления (45), обеспечивающая одновременное включение плазменно-дугового источника (2), источника газовой плазмы (8) и магнетронного источника (36).
9. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в него введена система автоматического управления (45), обеспечивающая включение только источника газовой плазмы (8).
10. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в него введена система автоматического управления (45), обеспечивающая включение сначала источника газовой плазмы (8), а после этого включение плазменно-дугового источника (2) и магнетронного источника (36).
11. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в него введена система автоматического управления (45), обеспечивающая включение источника газовой плазмы (8) одновременно с включением плазменно-дугового источника (2).
12. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что в него введена система автоматического управления (45), обеспечивающая включение источника газовой плазмы (8) одновременно с включением магнетронного источника (36).