МИКРОПРОФИЛЬ СТРУКТУРЫ ВАКУУМНОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СВЧ-СХЕМЫ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

1. Микропрофиль структуры вакуумной интегральной СВЧ-схемы, содержащий расположенные на расстоянии друг от друга пленочные элементы рабочей топологии, сопряженные с поверхностью диэлектрического носителя, в котором выполнена симметрично совмещенная с рабочей топологией микрополость, с образованием над ней нависающих кромок пленочных элементов рабочей топологии и угла между ними и стенками - образующими микрополости, микрополость в диэлектрическом носителе выполнена сквозной с углом β между ее стенками - образующими и нависающими кромками пленочных элементов рабочей топологии, отличающийся тем, что пленочные элементы рабочей топологии имеют вертикальный изгиб между поверхностью диэлектрического носителя пленочных элементов рабочей топологии и гранью сквозной полости, выполненной воронкообразной, образуя скрученную стенку микропрофиля диэлектрического носителя на отрезке ребра микропрофиля, при этом угол между образующей и скрученной стенкой микропрофиля и нависающей над ней кромкой полосковой линии β' изменяется в пределах: 135°<β'≤150°.
2. Способ получения микропрофиля структуры вакуумной интегральной СВЧ-схемы, включающий нанесение методом фотолитографии на диэлектрический носитель топологического рисунка - рабочей топологии с защитным слоем, фоторезистивной маски и удаление ее и защитного слоя с пленочной рабочей топологии, получение методом селективного травления в диэлектрическом носителе симметрично совмещенной с рабочей топологией микрополости с образованием над ней нависающих кромок пленочных элементов рабочей топологии и угла между элементами рабочей топологии и стенками микрополости, при этом на сторону диэлектрического носителя, противоположную стороне, с которой сопряжена пленочная рабочая топология, наносят топологический рисунок, фоторезистивную маску, которую затем удаляют, получая открытый участок диэлектрического носителя и начиная с этого участка, селективно растравливают материал диэлектрического носителя, используя эффект бокового подтрава, формируют микрополость с образованием нависающих над ней кромок пленочных элементов рабочей топологии и тупого угла заданной величины между ними и стенками - образующими микрополости, получая сквозную микрополость, отличающийся тем, что вначале методом селективного травления сквозную воронкообразную микрополость выполняют в верхней части диэлектрического носителя в заданном координатном расположении, причем нижнюю часть диэлектрического носителя дополнительно защищают защитной неадгезионной технологической подложкой, которую потом убирают, затем этим же методом выполняют сквозные микрополости, начиная их формирование со стороны, противоположной стороне, сопряженной с рабочей топологией, и продолжают до образования над ними нависающих кромок пленочных элементов и тупых углов между ними и стенками микрополостей: плоских базовых и новых скрученных.