СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОГО СЛОЯ ПЕРЕД ВЫСОКОТЕРМИЧЕСКИМИ ОПЕРАЦИЯМИ

3
2
Способ удаления фоторезистивного слоя с поверхности полупроводниковых пластин, включающий удаление фоторезистивного слоя с поверхности полупроводниковых пластин после фотолитографических операций, проводимое в две стадии, отличающийся тем, что обработку ведут в двух ваннах, причем в 1-й ванне, диметилформамид (CH)NCOH, T=115÷120°C, время τ=3±1 мин; во 2-й ванне, деионизованная вода, T=65÷70°C, время τ=5 мин, после чего отмывку полупроводниковых пластин ведут в двух ваннах с четырехсторонним переливом при расходе воды 500 л/ч и длительности обработки 5 мин в каждой из ванн, при этом количество светящихся точек 3 шт.