СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ НИТРИДОВ ТРЕТЬЕЙ ГРУППЫ НА СЛОИСТОЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЕ

1. Способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов нитридов третьей группы на слоистой кристаллической структуре, имеющей границу между слоями с ослабленной механической прочностью, причем слой, примыкающий к указанной границе с одной стороны, является сильно поглощающим лазерное излучение, а остальные слои, расположенные с другой стороны указанной границы, являются прозрачными для него,
отличающийся тем, что слоистую кристаллическую структуру, имеющую границу с ослабленной механической прочностью, получают посредством оптической обработки сфокусированным лазерным излучением, при этом
- направляют сфокусированный лазерный луч сквозь прозрачные слои указанной кристаллической структуры на сильно поглощающий слой, и создают области с ослабленной механической прочностью, возникающие вследствие частичного разрушения нитрида третьей группы на границе между прозрачными слоями и сильно поглощающим слоем в районе пересечения конуса фокусировки лазерного излучения с вышеуказанной границей,
- перемещают лазерный луч с шагом, осуществляя сканирование фокусом луча всей границы между прозрачными слоями и сильно поглощающим слоем, создавая тем самым множество областей с ослабленной механической прочностью, и получая слоистую кристаллическую структуру с оптически ослабленной границей,
- выращивают эпитаксиальные слои полупроводниковых кристаллов нитридов третьей группы на слоистой кристаллической структуре с оптически ослабленной границей.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что слоистая кристаллическая структура содержит подложку, выполненную из сапфира или карбида кремния, или кремния, или арсенида галлия, или нитрида галлия, или нитрида алюминия, поглощающую лазерное излучение и слои нитридов третьей группы, прозрачные для лазерного излучения.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сканирование фокусом луча всей границы между прозрачными слоями и сильно поглощающим слоем осуществляют возвратно-поступательным перемещением луча со сдвигом на шаг с формированием траектории перемещения фокуса в виде меандра.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сканирование фокусом луча всей границы между прозрачными слоями и сильно поглощающим слоем осуществляют по спирали от периферии кристаллической структуры к ее центру.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что эпитаксиальный слой полупроводникового кристалла нитрида третьей группы, выращенный на кристаллической структуре с оптически ослабленной границей, является нитридом галлия.
x
1-x
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что эпитаксиальный слой полупроводникового кристалла нитрида третьей группы, выращенный на кристаллической структуре с оптически ослабленной границей, является твердым раствором InGaN.
x
1-x
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что эпитаксиальный слой полупроводникового кристалла нитрида третьей группы, выращенный на кристаллической структуре с оптически ослабленной границей, является твердым раствором AlGaN.
x
1-x
x
1-x
x
1-x-y
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что набор эпитаксиальных слоев полупроводниковых кристаллов нитридов третьей группы, выращенный на кристаллической структуре с оптически ослабленной границей, является слоистой эпитаксиальной полупроводниковой приборной структурой, содержащей слои нитрида галлия, слои твердых растворов InGaN, слои твердых растворов AlGaN, и слои твердых растворов AlInyGaN.