СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ОТЛОЖЕНИЙ

1. Способ измерения толщины любых отложений материала на внутренней стенке структуры, пропускающей поток углеводородного флюида, способ содержит этапы, на которых
(a) применяют первый тепловой импульс или непрерывный нагрев к, по меньшей мере, одной первой секции структуры для удаления отложений на внутренней стенке первой секции структуры,
(b) применяют второй тепловой импульс к первой секции структуры и к, по меньшей мере, одной второй секции структуры, причем первая и вторая секции разнесены друг от друга, причем тепловой импульс не ослабляет никакие отложения материала во второй секции,
(c) измеряют температуру стенки структуры или флюида в течение второго теплового импульса на первой и второй секциях, и
(d) определяют толщину любых отложений материала на внутренней стенке структуры на второй секции на основании измеренных температур.
2. Способ по п.1, в котором тепловой импульс содержит, по меньшей мере, один цикл нагрева, сопровождаемый циклом охлаждения.
3. Способ по п.1 или 2, в котором первый тепловой импульс или непрерывный нагрев поднимает температуру внутренней стенки структуры первой секции выше температуры выпадения осадка, в случае парафина, выше температуры выпадения парафинов (WAT), и, для гидратов, выше температуры образования гидратов.
4. Способ по п.1, в котором второй тепловой импульс обеспечивает температуры внутренних стенок структуры первой и второй секций выше их рабочих температур, но на второй секции ниже температуры выпадения осадка, в случае парафина, ниже температуры выпадения парафинов (WAT), и для гидратов ниже температуры образования гидратов.
5. Способ по п.1, в котором температура выпадения осадка равна около 30°C.
6. Способ по п.1, в котором второй тепловой импульс обеспечивает разность температур внутренних стенок структуры в первой и второй секциях примерно на 10°C выше их соответствующих рабочих температур.
7. Способ по п.1, в котором толщина отложений на внутренней стенке на второй секции структуры определяется корреляцией температур, измеренных на первой и второй секциях спустя заранее определенное время после второго теплового импульса.
8. Способ по п.1, в котором измерения температуры на этапе (c) осуществляются в стенке структуры 1 на определенном расстоянии от внешних и/или внутренних поверхностей структуры.
9. Способ по п.1, в котором измерения температуры на этапе (c) осуществляются на внешней поверхности структуры.
10. Способ по п.1, дополнительно содержащий дополнительные вторые секции на структуре для осуществления этапов (b)-(d) для определения толщины отложений на внутренней стенке в других местах структуры.
11. Способ по п.1, дополнительно содержащий дополнительные первые секции на структуре для осуществления этапов (a)-(d) для мониторинга возможностей других первых секций по удалению отложений.
12. Способ по п.10 или 11, дополнительно содержащий этап, на котором прогнозируют толщину любых отложений материала на одном или нескольких участках структуры, удаленных от вторых секций, путем ввода определенной толщины в модель осаждения материала для структуры.
13. Устройство 500 для измерения толщины любых отложений 201 материала на внутренней стенке 2 структуры 1, несущей углеводородный флюид 200, устройство содержит
по меньшей мере, один первый блок 20, содержащий первое средство датчика 21, которое может располагаться на структуре 1 или во флюиде 200, для регистрации температур структуры 1 или флюида 100, и первое средство нагрева 22, которое может располагаться на внешней стенке 3 структуры вблизи средства датчика 22 для нагрева структуры 1,
по меньшей мере, один второй блок 30, содержащий второе средство датчика 31, которое может располагаться на структуре 1 или во флюиде 200, для регистрации температур структуры 1 или флюида 100, и второе средство нагрева 32, которое может располагаться на внешней стенке 3 структуры вблизи средства датчика 31 для нагрева структуры 1,
причем второй блок 30 располагается на расстоянии от первого блока 20, и первый блок 20 и второй блок 30 соединены с первым средством 400 для определения толщины любых отложений материала 201 на внутренней стенке 2 структуры 1 на основании теплового потока, измеренного первым и вторым блоками.
14. Устройство по п.13, в котором первое и второе средства датчика 21 и 31 первого и второго блоков располагаются в стенке структуры 1 на определенном расстоянии от внешних и/или внутренних поверхностей структуры.
15. Устройство по п.10, в котором первое и второе средства датчика 21 и 31 первого и второго блоков располагаются на внешней поверхности структуры 1.
16. Устройство по п.13, в котором первое и второе средства датчика 21 и 31 первого и второго блоков располагаются под соответствующим средством нагрева 22 и 32.
17. Устройство по п.13, в котором первый и второй блоки могут крепиться зажимом к внешней поверхности структуры 1.
18. Устройство по п.13, в котором структура и первый и второй блоки покрыты изолирующим слоем 4.
19. Устройство по п.13, в котором первое устройство 400 является центральным средством обработки 400, например компьютерным устройством, которое управляет циклами нагрева и охлаждения первого и второго устройств согласно способу по любому из пп.1-9, регистрируя при этом температуры от первого и второго блоков предпочтительно в заранее определенное время в цикле охлаждения, и более предпочтительно вычисляет толщину отложений в структуре на основании зарегистрированных температур.
20. Способ для удаления отложений на внутренних стенках структуры, переносящей углеводородный флюид, содержащий измерение толщины отложений согласно способу по любому из пп.1-12, с заранее определенными интервалами, и автоматическое инициирование удаления отложений при заранее определенном значении толщины.