УСТРОЙСТВО ВВОДА

1. Устройство ввода, содержащее:
блок отображения для вывода экрана отображения;
блок распознавания электромагнитного излучения, размещенный под блоком отображения, чтобы распознавать магнитное поле, сгенерированное посредством электромагнитного пера при приближении или контакте с верхней поверхностью блока отображения;
слой частичного экранирования магнитного поля, размещенный под блоком распознавания электромагнитного излучения, в котором распределен магнитный порошок; и
геомагнитный датчик для распознавания магнитного поля Земли, проходящего через слой частичного экранирования магнитного поля.
2. Устройство ввода по п. 1, в котором слой частичного экранирования магнитного поля сформирован посредством смешивания и нанесения магнитного порошка и адгезива.
3. Устройство ввода по п. 1, в котором слой частичного экранирования магнитного поля имеет плотность с проницаемостью 100~200 μ0 в диапазоне прямого тока (DC).
4. Устройство ввода по п. 1, в котором слой частичного экранирования магнитного поля имеет толщину 50 мкм или более.
5. Устройство ввода по п. 4, в котором упомянутая толщина изменяется с проницаемостью слоя частичного экранирования магнитного поля.
6. Устройство ввода по п. 1, при этом магнитный порошок является магнитным металлическим порошком, выбранным из группы, состоящей из феррита, порошка MolyPermalloy (MPP), материала, основанного на Fe-Si-Al, и материала, основанного на Ni-Fe.
7. Устройство ввода по п. 6, в котором слой частичного экранирования магнитного поля сформирован посредством смешивания магнитного металлического порошка и порошка аморфного металла с адгезивом.
8. Устройство ввода по п. 1, в котором слой частичного экранирования магнитного поля сформирован посредством нанесения на поверхность блока распознавания электромагнитного излучения.
9. Устройство ввода по п. 1, дополнительно содержащее блок платы с печатной схемой (PCB), размещенный под слоем частичного экранирования магнитного поля, на котором размещен геомагнитный датчик.
10. Устройство ввода по п. 9, дополнительно содержащее слой экранирования, содержащий тонкую пленку аморфного металла, расположенный под слоем частичного экранирования магнитного поля и предпочтительно в близости к магнитному компоненту, когда магнитный компонент размещается на или на стороне блока PCB.
11. Устройство ввода по п. 10, в котором слой частичного экранирования магнитного поля сформирован посредством нанесения на поверхность блока распознавания электромагнитного излучения и слой экранирования, содержащий тонкую пленку аморфного металла, размещается на части слоя частичного экранирования магнитного поля.
12. Устройство ввода по п. 10 или 11, в котором магнитный компонент содержит, по меньшей мере, одно из громкоговорителя и камеры.
13. Устройство ввода по п. 1, в котором слой частичного экранирования магнитного поля содержит:
слой экранирования магнитного порошка, на котором распределен магнитный порошок для пропускания части магнитного поля Земли; и
слой экранирования аморфного металла, содержащий тонкую пленку аморфного металла для блокировки магнитного поля.
14. Устройство ввода по п. 13, в котором положение слоя экранирования магнитного порошка и слоя экранирования, содержащего тонкую пленку аморфного металла, различается согласно положению геомагнитного датчика.
15. Устройство ввода по п. 13 или 14, в котором слой экранирования магнитного порошка размещается вокруг геомагнитного датчика и слой экранирования, содержащий тонкую пленку аморфного металла, размещается в области другой, нежели область, где размещается слой экранирования магнитного порошка.