СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО ТОНКОПЛЕНОЧНОГО МАТЕРИАЛА, СВЕРХПРОВОДЯЩЕЕ УСТРОЙСТВО И СВЕХПРОВОДЯЩИЙ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ МАТЕРИАЛ

1. Способ получения сверхпроводящего тонкопленочного материала (10), включающий:
парофазный этап (S3) образования сверхпроводящего слоя с ростом из паровой фазы (3) парофазным способом; и
жидкофазный этап (S4) образования сверхпроводящего слоя с ростом из жидкой фазы (4) жидкофазным способом, причем сверхпроводящий слой с ростом из жидкой фазы находится в контакте с указанным сверхпроводящим слоем с ростом из паровой фазы.
2. Способ получения сверхпроводящего тонкопленочного материала (10) по п.1, причем
указанный сверхпроводящий слой (3) с ростом из паровой фазы образован на передней поверхности (1a) подложки (1) на указанном парофазном этапе (S3), и способ включает, кроме того:
парофазный этап (S7) образования сверхпроводящего слоя с ростом из паровой фазы (7) по парофазному способу на задней поверхности (1b) указанной подложки; и
жидкофазный этап (S8) образования сверхпроводящего слоя с ростом из жидкой фазы (8) на задней поверхности по жидкофазному способу, так что задний сверхпроводящий слой с ростом из жидкой фазы находится в контакте с указанным задним сверхпроводящим слоем с ростом из паровой фазы.
3. Способ получения сверхпроводящего тонкопленочного материала (10) по п.1, включающий, кроме того, этап образования сверхпроводящего слоя после указанного жидкофазного этапа (S4), причем сверхпроводящий слой находится в контакте с указанным сверхпроводящим слоем с ростом из жидкой фазы (4).
4. Сверхпроводящее устройство, использующее сверхпроводящий тонкопленочный материал (10), полученный способом получения сверхпроводящего тонкопленочного материала по п.1.
5. Способ получения сверхпроводящего тонкопленочного материала (10), включающий:
n парофазных этапов (n есть целое число, по меньшей мере, 2) (S3, S5), каждый, для формирования сверхпроводящего слоя с ростом из паровой фазы (3, 5) по парофазному способу; и
n жидкофазных этапов (S4, S6), каждый, для формирования сверхпроводящего слоя с ростом из жидкой фазы (4, 6) по жидкофазному способу, причем
на первом парофазном этапе (S3) из указанных n парофазных этапов формируется первый сверхпроводящий слой (3) с ростом из паровой фазы,
на первом жидкофазном этапе (S4) из указанных n жидкофазных этапов формируется первый сверхпроводящий слой (4) с ростом из жидкой фазы, причем первый сверхпроводящий слой с ростом из жидкой фазы находится в контакте с указанным первым сверхпроводящим слоем с ростом из паровой фазы,
на k-ом парофазном этапе (k есть целое, удовлетворяющее n≥k≥2) (S5) из указанных n парофазных этапов формируется k-й сверхпроводящий слой (5) с ростом из паровой фазы, причем k-й сверхпроводящий слой с ростом из паровой фазы находится в контакте с (k-1)-м сверхпроводящим слоем (4) с ростом из жидкой фазы, и
на k-ом жидкофазном этапе (S6) из указанных n жидкофазных этапов формируется k-й сверхпроводящий слой (6) с ростом из жидкой фазы, причем k-й сверхпроводящий слой с ростом из жидкой фазы находится в контакте с k-м сверхпроводящим слоем (3) с ростом из паровой фазы.
6. Способ получения сверхпроводящего тонкопленочного материала (10) по п.5, включающий, кроме того, этап формирования сверхпроводящего слоя после указанного n-го жидкофазного этапа (S6), причем сверхпроводящий слой находится в контакте с указанным n-м сверхпроводящим слоем (6) с ростом из жидкой фазы.
7. Сверхпроводящее устройство, использующее сверхпроводящий тонкопленочный материал (10), полученный способом получения сверхпроводящего тонкопленочного материала по п.5.
8. Сверхпроводящий тонкопленочный материал (10), содержащий первый сверхпроводящий слой (3) и второй сверхпроводящий слой (4), образованный в контакте с указанным первым сверхпроводящим слоем, и имеющий значение критического тока более 110 (А/см ширины).