ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ SiC/Si И Diamond/SiC/Si, А ТАКЖЕ СПОСОБЫ ИХ СИНТЕЗА

3
3
1. Способ выращивания гетероэпитаксиальной полупроводниковой пленки карбида кремния на монокристаллической подложке кремния, включающий синтез гетероструктуры SiC/Si на монокристаллической подложке кремния в горизонтальном реакторе с горячими стенками путем подачи парогазовой смеси водорода и CHSiCl, отличающийся тем, что в качестве подложки кремния используют пластину, имеющую угол наклона относительно кристаллографического направления (111), в направлении (110) от 1 до 30 угловых градуса и в направлении (101) от 1 до 30 угловых градуса.
3
3
2. Способ выращивания гетероэпитаксиальной полупроводниковой пленки карбида кремния на монокристаллической подложке кремния, включающий синтез гетероструктуры SiC/Si на монокристаллической подложке кремния в горизонтальном реакторе с холодными стенками путем подачи парогазовой смеси водорода и CHSiCl, отличающийся тем, что в качестве подложки кремния используют пластину, имеющую угол наклона относительно кристаллографического направления (100), в направлении (010) от 1 до 30 угловых градуса ив направлении (001) от 1 до 30 угловых градуса.
3. Способ выращивания гетероэпитаксиального слоя алмаза на подложке кремния, включающий синтез гетероструктуры Diamond/SiC/Si на монокристаллической подложке кремния с предварительно синтезированной эпитаксиальной пленкой карбида кремния в реакторе для плазмохимического синтеза путем подачи водорода, источников углерода и кремния, отличающийся тем, что в качестве подложки кремния используется пластина, имеющая угол наклона относительно кристаллографического направления (100), в направлении (010) от 1 до 30 угловых градуса и в направлении (001) от 1 до 30 угловых градуса.
4. Гетероструктура, полученная способом по п.1, состоящая из полупроводниковой монокристаллической пленки карбида кремния и монокристаллической подложки кремния, отличающаяся тем, что подложка кремния имеет угол наклона относительно кристаллографического направления (111) в направлении (110) от 1 до 30 угловых градуса и в направлении (101) от 1 до 30 угловых градуса.
5. Гетероструктура, полученная способом по п.2, состоящая из полупроводниковой монокристаллической пленки карбида кремния и монокристаллической подложки кремния, отличающаяся тем, что подложка кремния имеет угол наклона относительно кристаллографического направления (100) в направлении (010) от 1 до 30 угловых градуса и в направлении (001) от 1 до 30 угловых градуса.
6. Гетероструктура, полученная способом по п.3, состоящая из слоя алмаза, полупроводниковой монокристаллической пленки карбида кремния и монокристаллическои подложки кремния, отличающаяся тем, что подложка кремния имеет угол наклона относительно кристаллографического направления (100) в направлении (010) от 1 до 30 угловых градуса и в направлении (001) от 1 до 30 угловых градуса.