Способ формирования слоя пористого кремния на кристаллической подложке

4
2
1. Способ формирования слоя пористого кремния на кристаллической подложке с использованием внутреннего источника тока в электролите, отличающийся тем, что слои пористого кремния на поликристаллической подложке p-Si получают неэлектролитическим путем в растворе 40% NHHF с постоянной инжекцией озон-кислородной смеси с дозой озона не более 7,5 мг/л.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что слои пористого кремния получают в отсутствии контрэлектрода.