СПОСОБ ОЧИСТКИ КРЕМНЕЗЕМНОГО ПОРОШКА, УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОЧИСТКИ И ОЧИЩЕННЫЙ КРЕМНЕЗЕМНЫЙ ПОРОШОК

1. Способ очистки кремнеземного порошка, включающий:
перевод кремнеземного порошка в псевдоожиженное состояние;
введение очистительного газа в контакт с кремнеземным порошком в псевдоожиженном состоянии при высокой температуре с целью удаления примесных компонентов кремнеземного порошка,
где кремнеземный порошок в псевдоожиженном состоянии помещают в область магнитного поля и
кремнеземный порошок вводят в контакт с очистительным газом, в процессе чего кремнеземный порошок подвергается воздействию разности потенциалов электрического поля, которое генерируется при перемещении кремнеземного порошка.
2. Способ очистки кремнеземного порошка по п.1, в котором кремнеземный порошок в псевдоожиженном состоянии помещают в область магнитного поля напряженностью 10 гаусс или более и вводят в контакт с очистительным газом при температуре 1000°С или выше.
3. Способ очистки кремнеземного порошка по п.1, в котором очистительный газ содержит газообразный галоген или/и газообразный галогеноводород.
4. Способ очистки кремнеземного порошка по п.2, в котором очистительный газ содержит газообразный галоген или/и газообразный галогеноводород.
5. Способ очистки кремнеземного порошка по любому из пп.1-4, в котором температура очистки составляет от 1000°С или выше до 1300°С или ниже.
6. Устройство для очистки кремнеземного порошка, включающее псевдоожиженный слой для псевдоожижения кремнеземного порошка или реакционную емкость для приема псевдоожиженного кремнеземного порошка,
средство для введения очистительного газа в псевдоожиженный слой или реакционную емкость,
средство для нагрева в псевдоожиженном слое или реакционной емкости от 1000 до 1300°С и
средство для создания в псевдоожиженном слое или в реакционной емкости магнитного поля напряженностью 10 гаусс или более.
7. Устройство для очистки по п.6,
в котором псевдоожиженный слой обладает функцией реакционной емкости, нижняя часть вертикального цилиндрического псевдоожиженного слоя отделена донной плитой, имеющей множество отверстий для воздуха, кремнеземный порошок подается на верхнюю сторону донной плиты, на нижней стороне донной плиты имеется входное отверстие для очистительного газа, а на верхней стороне псевдоожиженного слоя имеется отверстие для выхода газа;
в котором на внешней периферии псевдоожиженного слоя имеется нагреватель, а на наружной стороне нагревателя установлено средство для образования магнитного поля;
в котором кремнеземный порошок в псевдоожиженном слое переводят в псевдоожиженное состояние с помощью очистительного газа;
в котором внутренняя часть псевдоожиженного слоя нагревают от 1000°С или выше до 1300°С или ниже; и
в котором создают магнитное поле напряженностью 10 гаусс или более с помощью средства для создания магнитного поля.
8. Очищенный кремнеземный порошок, в котором примесные компоненты удалены с помощью способа очистки согласно любому из пп.1-5.