СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ С АНТИОТРАЖАЮЩИМ ПОКРЫТИЕМ, СОДЕРЖАЩИМ ФТОРИД МЕТАЛЛА И/ИЛИ КРЕМНЕЗЕМ, И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Фотоэлектрический прибор, содержащий
фотоэлектрический слой и по меньшей мере одну стеклянную подложку на обращенной к падающему свету стороне фотоэлектрического слоя;
антиотражающее покрытие, предусмотренное на этой стеклянной подложке, причем антиотражающее покрытие расположено на обращенной к падающему свету стороне стеклянной подложки; и
2
при этом антиотражающее покрытие содержит слой, содержащий MgF и кремнезем.
2
2. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором антиотражающее покрытие включает в себя только один единственный слой, содержащий MgF и кремнезем, и антиотражающее покрытие непосредственно контактирует с обращенной к падающему свету поверхностью стеклянной подложки.
2
3. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором антиотражающее покрытие включает в себя больше кремнезема, чем MgF.
4. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором антиотражающее покрытие обладает показателем преломления (n) от примерно 1,20 до 1,45.
5. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором антиотражающее покрытие обладает показателем преломления (n) от примерно 1,23 до 1,40.
6. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором антиотражающее покрытие обладает показателем преломления (n) от примерно 1,25 до 1,35.
2
7. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором MgF составляет от примерно 1 до 45% антиотражающего покрытия.
2
8. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором MgF составляет от примерно 1 до 15% антиотражающего покрытия.
2
9. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором антиотражающее покрытие состоит, по существу, из MgF и кремнезема.
10. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором стеклянная подложка содержит
Компонент
Общий (мас.%)
Более предпочтительный
Наиболее предпочти-тельный
Всего железа (в пересчете на Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>):
0,001-0,06%
0,005-0,04%
0,01-0,03%
Оксид церия:
0-0,30%
0,01-0,12%
0,01-0,07%
TiO<sub>2</sub>
0-1,0%
0,005-0,1%
0,01-0,04%
Оксид эрбия:
0,05-0,5%
0,1-0,5%
0,1-0,35%
причем стеклянная подложка сама по себе обладает пропусканием видимого света в по меньшей мере 90%, цветовым значением a* на пропускание от -1,0 до +1,0 и цветовым значением b* на пропускание от 0 до +1,5.
11. Фотоэлектрический прибор, содержащий
фотоэлектрический слой и по меньшей мере одну стеклянную подложку на обращенной к падающему свету стороне фотоэлектрического слоя;
антиотражающее покрытие, предусмотренное на этой стеклянной подложке, причем антиотражающее покрытие расположено на обращенной к падающему свету стороне стеклянной подложки; и
при этом антиотражающее покрытие содержит слой, содержащий (a) фторид магния и/или фторид кальция и (b) кремнезем.
2
12. Фотоэлектрический прибор по п.11, в котором антиотражающее покрытие включает в себя только один единственный слой, содержащий CaF и кремнезем, и антиотражающее покрытие непосредственно контактирует с обращенной к падающему свету поверхностью стеклянной подложки.
2
2
13. Фотоэлектрический прибор по п.11, в котором антиотражающее покрытие содержит CaF, и антиотражающее покрытие включает в себя больше кремнезема, чем CaF.
14. Фотоэлектрический прибор по п.11, в котором антиотражающее покрытие обладает показателем преломления (n) от примерно 1,20 до 1,45, более предпочтительно - от примерно 1,23 до 1,40, а еще более предпочтительно - от примерно 1,25 до 1,35.
2
2
15. Фотоэлектрический прибор по п.11, в котором антиотражающее покрытие содержит CaF, и при этом CaF составляет от примерно 1 до 45% антиотражающего покрытия, более предпочтительно - от примерно 1 до 15% антиотражающего покрытия.
16. Фотоэлектрический прибор по п.11, в котором антиотражающее покрытие содержит слой, содержащий фторид магния, фторид кальция и кремнезем.
2
17. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором антиотражающее покрытие дополнительно включает в себя CaF.
18. Фотоэлектрический прибор, содержащий
фотоэлектрический слой и по меньшей мере одну стеклянную подложку на обращенной к падающему свету стороне фотоэлектрического слоя;
антиотражающее покрытие, предусмотренное на этой стеклянной подложке, причем антиотражающее покрытие расположено на обращенной к падающему свету стороне стеклянной подложки; и
при этом антиотражающее покрытие содержит слой, содержащий по меньшей мере один фторид металла и кремнезем.
2
2
19. Фотоэлектрический прибор по п.18, в котором антиотражающий слой содержит кремнезем и один или оба из MgF и CaF.
20. Способ изготовления фотоэлектрического прибора, включающий в себя
обеспечение стеклянной подложки;
смешивание золя, содержащего фторид металла, и золя, содержащего кремнезем, с образованием раствора смеси;
осаждение раствора смеси, включающего в себя золь, содержащий фторид металла, и золь, содержащий кремнезем, на стеклянную подложку;
нагревание стеклянной подложки с раствором смеси на нее с образованием тем самым изделия с покрытием, содержащего антиотражающее покрытие на стеклянной подложке; и
связывание изделия с покрытием, содержащего антиотражающее покрытие и стеклянную подложку, с по меньшей мере фотоэлектрическим слоем при изготовлении фотоэлектрического прибора.
21. Способ по п.20, в котором фторид металла содержит фторид магния и/или фторид кальция.