СПОСОБ МОДИФИКАЦИИ НАНОСТРУКТУР МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ГАЗОВЫМИ КЛАСТЕРНЫМИ ИОНАМИ

1. Способ модификации наноструктур материалов электронной техники газовыми кластерными ионами, включающий удаление из пучка кластерных ионов любого нежелательного ионизирующего излучения, отличающийся тем, что пучок газовых кластерных ионов подают в импульсном режиме.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что при импульсном режиме облучение осуществляется импульсами тока кластерных ионов на мишень длительностью 150-200 мс при коэффициенте заполнения 0,1-0,25.