УЛУЧШЕНИЕ УСТОЙЧИВОСТИ СЧИТЫВАНИЯ ПАМЯТИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ИЗБИРАТЕЛЬНОЙ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ЗАРЯДКИ

1. Устройство памяти, содержащее:
первую разрядную линию, имеющую первый участок и второй участок; и
схему распределения заряда, избирательно присоединяемую к первому участку и второму участку, в которой схема распределения заряда сконфигурирована для присоединения и отсоединения первого участка от второго участка.
2. Устройство памяти по п.1, в котором первый участок первой разрядной линии предварительно заряжается до первого напряжения, а второй участок первой разрядной линии предварительно заряжается до второго напряжения, отличного от первого напряжения.
3. Устройство памяти по п.2, в котором первый участок первой разрядной линии предварительно разряжается до потенциала земли, а второй участок первой разрядной линии предварительно заряжается до напряжения питания.
4. Устройство памяти по п.2, дополнительно содержащее вторую разрядную линию, имеющую первый участок и второй участок, в котором первый участок второй разрядной линии и второй участок второй разрядной линии предварительно заряжаются до первого напряжения.
5. Устройство памяти по п.1, дополнительно содержащее схему разрешения распределения заряда, сконфигурированную для активизации схемы распределения заряда, когда схема предварительной зарядки неактивна, и сигнал мультиплексирования указывает распределение заряда.
6. Устройство памяти по п.1, дополнительно содержащее разрядную ячейку, присоединенную к первому участку первой разрядной линии.
7.
Устройство памяти по п.1, дополнительно содержащее инверсную разрядную линию, имеющую первый участок и второй участок, в котором схема распределения заряда избирательно присоединяется к первому участку инверсной разрядной линии и второму участку инверсной разрядной линии, и сконфигурирована для присоединения и отсоединения первого участка инверсной разрядной линии от второго участка инверсной разрядной линии.
8. Устройство памяти по п.1, при этом устройство памяти присоединено к микропроцессору.
9. Устройство памяти по п.8, при этом устройство памяти и микропроцессор интегрированы в устройство связи.
10. Способ управления устройством памяти, имеющим разрядную линию, включающую в себя первый участок и второй участок, состоящий в том, что:
предварительно заряжают первый участок разрядной линии до первого напряжения;
предварительно заряжают второй участок разрядной линии до второго напряжения, второе напряжение отличается от первого напряжения; и
распределяют заряд между первым участком разрядной линии и вторым участком разрядной линии для получения заключительного напряжения между первым напряжением и вторым напряжением.
11. Способ по п.10, в котором заключительное напряжение определяется, по меньшей мере, частично емкостью первого участка разрядной линии и емкостью второго участка разрядной линии.
12. Способ по п.10, в котором предварительная зарядка первого участка состоит в том, что предварительно заряжают первый участок разрядной линии до напряжения питания, а предварительная зарядка второго участка состоит в том, что предварительно заряжают второй участок разрядной линии до напряжения с потенциалом земли.
13. Способ по п.10, дополнительно состоящий в том, что:
предварительно заряжают первый участок второй разрядной линии и второй участок второй разрядной линии до первого напряжения.
14. Способ по п.10, в котором распределение заряда происходит согласно сигналу состояния мультиплексирования, когда схема предварительной зарядки неактивна.
15. Способ по п.10, дополнительно состоящий в том, что:
сохраняют в устройстве памяти данные, имеющие отношение к связи.
16. Устройство памяти, содержащее:
средство для предварительной зарядки первого участка разрядной линии до первого напряжения;
средство для предварительной зарядки второго участка разрядной линии до второго напряжения; и
средство для распределения заряда между первым участком разрядной линии и вторым участком разрядной линии.
17. Устройство памяти по п.16, в котором первое напряжение является напряжением питания.
18. Устройство памяти по п.16, в котором второе напряжение является потенциалом земли.
19. Устройство памяти по п.16, при этом устройство памяти включено в сотовый телефон.
20. Способ управления устройством памяти, имеющим разрядную линию, включающую в себя первый участок и второй участок, содержащий этапы, на которых:
предварительно заряжают первый участок разрядной линии до первого напряжения;
предварительно заряжают второй участок разрядной линии до второго напряжения, которое отличается от первого напряжения; и
распределяют заряд между первым участком разрядной линии и вторым участком разрядной линии для получения уровня напряжения между первым напряжением и вторым напряжением.
21. Способ по п.18, дополнительно содержащий этап, на котором предварительно заряжают первый участок второй разрядной линии до первого напряжения и второй участок второй разрядной линии до первого напряжения
22. Способ по п.18, дополнительно содержащий этап, на котором предварительно заряжают первый участок инверсной разрядной линии и второй участок инверсной разрядной линии, и распределяют заряд между первым участком инверсной разрядной линии и вторым участком инверсной разрядной линии.
23. Способ по п.16, дополнительно состоящий в том, что:
сохраняют в устройстве памяти данные, принятые через линию связи.
24. Конструктивное строение памяти, материально воплощенное на машинно-читаемом носителе, содержащее:
первую разрядную линию, имеющую первый участок и второй участок; и
схему распределения заряда, избирательно присоединяемую к первому участку и второму участку, в которой схема распределения заряда сконфигурирована для присоединения и отсоединения первого участка от второго участка.
25. Конструктивное строение памяти по п.24, дополнительно содержащее микропроцессор, присоединенный к первой разрядной линии и схеме распределения заряда.