ИЗГОТОВЛЕНИЕ КВАНТОВОГО УСТРОЙСТВА

1. Способ изготовления квантового устройства, содержащий этапы, на которых:
в фазе формирования маски, формируют первый сегмент аморфной маски на нижележащем базовом слое подложки, причем первый сегмент включает в себя первую серию канавок, обнажающих базовый слой;
в фазе формирования маски, формируют второй сегмент аморфной маски на базовом слое, причем второй сегмент включает в себя вторую серию канавок, обнажающих базовый слой, при этом первый и второй сегменты не перекрываются, причем открытый конец одной из канавок первой серии обращен к открытому концу одной из канавок второй серии, но концы разделены участком аморфной маски;
в фазе выращивания полупроводника, выращивают, в условиях выращивания на локальной площади, полупроводниковый материал в первой и второй сериях канавок с образованием первой и второй субсетей нанопроволок на базовом слое; и
соединяют первую и вторую субсети нанопроволок с образованием единой нанопроволочной сети на базовом слое.
2. Способ по п.1, в котором упомянутое соединение включает в себя слияние боковым ростом полупроводникового материала во время фазы выращивания полупроводника.
3. Способ по п.1, в котором упомянутое соединение содержит, в последующей фазе после фазы выращивания полупроводника, соединение открытого конца упомянутой одной из канавок первой серии с открытым концом упомянутой одной из канавок второй серии посредством электрического проводника или сверхпроводника.
4. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором базовый слой представляет собой вафлю подложки.
5. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором открытый конец первой канавки первой серии отделен от открытого конца первой канавки второй серии неактивным участком нанопроволочной сети.
6. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором первая и вторая сети канавок формируются травлением аморфной маски от базового слоя.
7. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором упомянутое выращивание полупроводникового материала содержит этапы, на которых:
осаждают соответствующую каплю первого материала в первую и вторую серии канавок;
затем осаждают второй материал для преобразования первого материала в полупроводниковый материал.
8. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором полупроводниковый материал выращивают эпитаксией или испарением.
9. Способ по любому из предшествующих пунктов, содержащий этап, на котором в фазе выращивания сверхпроводника, выращивают слой сверхпроводящего материала поверх, по меньшей мере, части нанопроволочной сети.
10. Квантовое устройство, содержащее:
подложку и аморфную маску, сформированную на нижележащем базовом слое подложки, причем аморфная маска включает в себя первый сегмент, включающий в себя первую серию канавок, и второй сегмент, включающий в себя вторую серию канавок, при этом первый и второй сегменты не перекрываются, причем открытый конец первой канавки из первой серии канавок отделен от открытого конца первой канавки из второй серии канавок и обращен к нему; и
нанопроволочную сеть на базовом слое, при этом нанопроволочная сеть сформирована из соединения первой и второй субсетей нанопроволок поверх маски, причем первая и вторая субсети нанопроволок включают в себя полупроводниковый материал, выращенный в первой и второй сериях канавок.
11. Устройство по п.10, причем устройство включает в себя электрический проводник, соединяющий открытые концы первых канавок первой и второй серии канавок.
12. Устройство по п.10 или 11, в котором подложка включает в себя вафлю, и в котором базовый слой представляет собой вафлю.
13. Устройство по любому из пп.10-12, в котором аморфная маска представляет собой диэлектрик.
14. Устройство по любому из пп.10-13, причем устройство включает в себя слой сверхпроводящего материала, выращенный, по меньшей мере отчасти, поверх нанопроволочной сети.
15. Способ работы устройства по любому из пп.10-14, при этом способ содержит индуцирование по меньшей мере одного Майорановского фермиона (MZM) в одной или более нанопроволоках нанопроволочной сети, причем этот по меньшей мере один MZM индуцируют охлаждением сверхпроводника до температуры сверхпроводимости и приложением магнитного поля к устройству.