МИКРОСХЕМА

МИКРОСХЕМА.
Полезная модель относится к электронной технике, к конструкции микросхем, в частности к конструкции корпусов микросхем.
Известна конструкция микросхемы jflj , содержащая кристалл транзистора с разваренными от него вывоДами-проволочками, и слой герметика на поверхности кристалла.
Данная конструкция микросхемы имеет тонкие, не жесткие, легко гнущиеся вывода-проволочки (15... 50 мкм ), что значительно усложняет последующий монтаж схемы на плату и делает эту работу трудоемкой .
Известна конструкция микросхемы (2 , содержащая герметичный полимерный корпус и расположенные в нем кристалл, вывода и соединения кристалла с выводами.
Такая микросхема не достаточно миниатюрна, объем ее корпуса в 20... 40 раз превышает объм кристалла и не может быть использована во многих миниатюрных изделиях.
Техническим результатом полезной модели является минимизация отношения объема микросхемы к объему кристалла, при жестко ориентированных выводах.
Технический результат достигается тем, что микросхема содержащая полимерный герметичный корпус и расположенный в нем кристалл, вывода и соединения кристалла с выводами, герметичный полимерный корпус выполнен как мининух двухслойным, кристалл и выводы расположены в первом и втором слоях, а соединения кристалла с выводами расположены во втором слое, причем толщина первого слоя не превышает толщины кристалла, а толщина второго слоя не превывает суммарной толщины Кристалла и высоты соединения кристалла и выводов, при этом третий и более слои могут быт расположены как со стороны первого, так и со стороны второго слоя.
Выполнение полимерного корпуса как минимум двуслойным позволяет применить для создания второго слоя технологию нанесения жидкого полимера или лака с последушцей полимеризацией или суякой на воздухе. При этом не требуется пресс-фс рма,что дает возможность создать корпус с минимальным отношением объема кристалла к объему корпуса микросхемы, с высоким процентом выхода годных на данной операции.
Расположение кристалла и выводов в первом и втором слое позволяет жестко фиксировать вывода.
Расположение соединений кристалла с выводами во втором слое обеспечивает нахождение поверхности кристалла и поверхности выводов, на которые крепятся соединения их друг с другом, полностью в монолите второго слоя, что позволяет надежно загерметизировать зти соединения, при минимгшьном отношении объемов кристалла и корпуса микросхемы.
Толщина первого слоя не превышающая толщину кристалла исключает возможность попадания материала слоя на поверхность кристалла и тем самым позволяет создать соединение кристалла с выводами.
Толщина второго слоя, не превышающая суммарную толщину кристалла и высоту соединений кристалла с выводами максимально обеспечивает минимизацию отношения объемов кристалла и микросхемы.
.
-f
Третий и бохеё слой могут быть расположены как со стороны первого, так и  слоев и могут нести дополнительные функции. Например, применение слои с побыменйой прочностью позволяет при минимуме толцины это1ч слоя и минимуме отношения объемов кристалла и микросхемы значительно увеличить прочность схемы. Слои могут быть защитой от электромагнитного излучения и пр.
Изобретение поясняется чертежом, где на Фиг.1 приведены примеры конструкций микросхемы, где первый слой полимера-1,второй слой полимера -2, кристалл -3, выводы -4, соединения кристалла с выводами 5, слой полимера с повышенной механической прочностью -6.
Пример: В данной конструкции кристалл кремния -3 толщиной 150 мкм и выводы -4 из никелиевой фольги толщиной 50 мкм, полученные химическим фрезерованием, вдавлены частично в первый слой полимера- 1 (пленку ИКС-171) и скреплены им. Для механической прочности под первым полимерным слоем находится слой-6 с повышенными механическими свойствами (полиимид толщиной ЗОмкм). Над первым слоем расположен второй слой-2 (лак ФЛ-98), который герметизирует поверхность самого кристалла, всех выводов, а также соединений-5 кристалла и выводов (алхяшниевые проволочки диаметром 30 мкм).
Такая конструкция позволяет создавать схемы с малой толщиной, определяемой практически только суммой толщины кристалла (100...200мкм) и высоты петель соединений кристалла с выводами (для разварки проволокой 30... 100 мкм ). Т.е. общая толщина схемы составит порядка 150...400 мкм. Таким образом отношение объема схемы по отношению к объему кристалла составляет 4...10 раз.
Реализация данного технического решения позволяет не только уменьшить размер микросхем, но кроме того из-за наличия достаточно жестких четко ориентированных выводов значительно уменьшить трудоемкость монтажа таких микросхем на плате.
Источники информации:
1.Поупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник, под редакцией Н.Н., Москва, Энергоиздат, 1982 г.стр. 178.
2.В.Н.Черняев Технология производства интеграьных микросхем и микропроцессоров,Москва,Радио и связь,1987г.,стр.337...340.
ЗАЯВИТЕЛЬ   М.П.ДУХНОВСКИЙ