Чувствительный элемент люминесцентного сенсора на основе квантовых точек и графена и способ его получения

1. Чувствительный элемент люминесцентного сенсора, содержащий диэлектрическую подложку, включающую измерительную встречно-штырьевую систему электродов, с последовательно нанесенными на нее графеновым слоем, слоем квантовых точек, включающих ядро на основе селенида кадмия и полупроводниковые оболочки на основе селенида кадмия и сульфида цинка, и слоем пористого неполярного сополимера на основе тетрафторэтилена и винилиденфторида.
2. Чувствительный элемент люминесцентного сенсора по п. 1, используемый для оптического детектирования молекулярного брома и бромсодержащих веществ в газовых и жидких средах.
3. Способ получения чувствительного элемента люминесцентного сенсора по любому из пп. 1-2, включающий этапы, на которых перемешивают тетрагидрофуран, хлорид лития, графит марки ГСМ-1, 35%-ный раствор пероксида водорода, взятые в массовом соотношении 12,7:1:1,43: 1,04 соответственно, при нагревании при температуре 50°С в течение 1 часа с получением смеси; полученную смесь обрабатывают в ультразвуковой ванне до полного растворения твердого графита марки ГСМ-1 и охлаждают до 20-25°С; после чего погружают диэлектрическую положку, включающую измерительную встречно-штырьевую систему электродов, в полученную смесь с последующим осаждением на ней графенового слоя, затем графеновый слой, расположенный на диэлектрической подложке, включающей измерительную встречно-штырьевую систему электродов, промывают дистиллированной водой и сушат при температуре 120-130°С в течение 8 часов; после чего на полученный графеновый слой, расположенный на диэлектрической подложке, включающей измерительную встречно-штырьевую систему электродов, наносят дисперсию квантовых точек, включающих ядро на основе селенида кадмия и полупроводниковые оболочки на основе селенида кадмия и сульфида цинка, которую затем упаривают при температуре 60-80°С, с получением слоя квантовых точек, включающих ядро на основе селенида кадмия и полупроводниковые оболочки на основе селенида кадмия и сульфида цинка; затем полученный слой квантовых точек, включающих ядро на основе селенида кадмия и полупроводниковые оболочки на основе селенида кадмия и сульфида цинка, сушат в вакуумном шкафу при температуре 90-100°С в течение 8 часов; после чего поверх слоя квантовых точек, включающих ядро на основе селенида кадмия и полупроводниковые оболочки на основе селенида кадмия и сульфида цинка, расположенного на графеновом слое, наносят 5%-ный раствор сополимера тетрафторэтилена и винилиденфторида в смеси ацетона и этанола, взятых в массовом соотношении 5:1, который затем упаривают при температуре 60-70°C с последующим испарением ацетона и этанола, взятых в массовом соотношении 5:1, до полного высыхания, с получением слоя пористого неполярного сополимера на основе тетрафторэтилена и винилиденфторида.