СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФАКТОРА НАСЫЩЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕХОДОВ ПАРАМАГНИТНОЙ ПОДСИСТЕМЫ В ВЕЩЕСТВЕ

1
2
1
2
2
1
1. Способ определения фактора насыщения электронных переходов парамагнитной подсистемы в веществе, заключающийся в том, что берут вещество, содержащее парамагнитную подсистему, помещают в резонатор двойного электронно-ядерного резонанса спектрометра ЯМР, МРТ, ДЭЯР или ДЛЯ со схемой накачки на частоте(ах) электронного резонанса и детектирования, на частоте(ах) ядерного резонанса, измеряют положение линии ядерного резонанса вещества δ при приложении некоторой мощности микроволнового излучения с частотой нерезонансной с электронными переходами электронной подсистемы, далее измеряют положение линии ядерного резонанса вещества δ при приложении той же мощности микроволнового излучения на частоте резонансной с электронными переходами электронной подсистемы, после чего сравнивают сдвиги линии ядерного резонанса вещества δ и δ и определяют искомый фактор насыщения из сопоставления результатов измерений друг с другом, а именно из относительного сдвига линии ядерного резонанса δ=δ-δ.
2. Способ по п.1, где указанный способ применяется для исследований любых веществ находящихся в жидкой фазе.
3. Способ по п.2, где указанный способ применяется для исследований водных растворов, содержащих парамагнитные примеси и/или поляризующие агенты.
4. Способ по п.3, где указанный способ применяется для исследований водных растворов нитроксильных радикалов с детектированием протонного резонанса воды.