РЕЗИСТ ДЛЯ РЕНТГЕНОВСКОЙ И/ИЛИ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ЛИТОГРАФИИ

1. Резист для рентгеновской и/или электронно-лучевой литографии, представляющий из себя полимер, образованный из мономеров на базе органических молекул, в том числе высокомолекулярный полимер, отличающийся тем, что в составе не менее 50% мономеров вместо атома углерода содержится по меньшей мере один атом кремния и/или германия.
2. Резист по п.1, отличающийся тем, что полимер представляет из себя полиметилметакрилат, в составе мономеров которого атом кремния находится в скелетной цепи полимера.
3. Резист по п.2, отличающийся тем, что полимер представляет из себя полиметилметакрилат, в составе мономеров которого вместо атомов углерода содержится по меньшей мере два атома кремния, при этом по меньшей мере один атом кремния находится в скелетной цепи полимера.