Архитектурное стекло с низкоэмиссионным покрытием, имеющим многослойную структуру, обладающее высокой прочностью, и/или способ его изготовления

1. Изделие с покрытием, нанесенным на стеклянную подложку, при этом покрытие состоит из следующих слоев, последовательно нанесенных на стеклянную подложку
первый диэлектрический слой, содержащий станнат цинка;
x
второй диэлектрический слой, содержащий, по меньшей мере, один из сплавов TiO, нобиума, хрома, где значение x находится между 1,5 и 2,0, расположенный на первом диэлектрическом слое и контактирующим с ним;
затравочный слой, содержащий оксид цинка, расположенный на втором диэлектрическом слое и контактирующий с ним;
слой, отражающий инфракрасное (ИК) излучение, содержащий серебро, и расположенный на подложке и контактирующий с затравочным слоем;
x
блокирующий слой, содержащий NiCrO, расположенный над слоем, отражающим ИК-излучение, и контактирующий с ним, где значение x находится между 1,5 и 2;
x
третий диэлектрический слой, содержащий TiO, расположенный над блокирующим слоем и контактирующий с ним;
x
y
четвертый диэлектрический слой, содержащий оксинитрид кремния (SiON), где отношение x/y находится между 1,8 и 2,2, расположенный над третьим диэлектрическим слоем и контактирующим с ним;
x
и защитный слой, содержащий TiO,
при этом как минимум один из упомянутых выше слоев - первый диэлектрический слой, второй диэлектрический слой или третий диэлектрический слой - находится в субстехиометрическом состоянии;
и каждый указанный выше слой покрытия наносится методом распыления, и покрытие имеет удельное поверхностное сопротивление (RS) от 3 Ом/квадрат до 6 Ом/квадрат, а коэффициент пропускания света в видимой части спектра изделия с покрытием составляет не менее 50%, а отношение коэффициента пропускания видимого света и солнечного фактора g изделия с покрытием составляет более 1,3.
2. Изделие с покрытием по п. 1, в котором слои имеют следующие толщины
первый диэлектрический слой, содержащий станнат цинка - толщина 10-20 нм;
x
второй диэлектрический слой, содержащий TiO - толщина 7-24 нм;
затравочный слой, содержащий оксид цинка - толщина 1-10 нм;
слой, отражающий инфракрасное (ИК) излучение и содержащий серебро - толщина 8-20 нм;
блокирующий слой, содержащий никель и/или хром - толщина 1-4 нм;
x
третий диэлектрический слой, содержащий TiO - толщина 10-24 нм;
четвертый диэлектрический слой, содержащий оксинитрид кремния - толщина 14-34 нм;
x
защитный слой, содержащий TiO - толщина 1-5 нм.
3. Изделие с покрытием по п. 1, в котором первый диэлектрический слой, содержащий станнат цинка, находится в прямом контакте со стеклянной подложкой.
x
4. Изделие с покрытием по п. 1, в котором второй диэлектрический слой содержит TiO.
5. Изделие с покрытием по п. 1, в котором по меньшей мере один из слоев - первый диэлектрический слой, второй диэлектрический слой и третий диэлектрический слой - имеет показатель преломления света между 1,5 и 2,5 при длине волны 550 нм.
6. Изделие с покрытием по п. 1, в котором защитный слой имеет показатель преломления света между 2,2 и 2,7 при длине волны 550 нм.
7. Изделие с покрытием по п. 1, в котором покрытие имеет нормальный коэффициент излучения не более 0,05.