ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ТЕПЛОВОЙ ЭНЕРГИИ В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ

1. Преобразователь тепловой энергии в электрическую, включающий первый и второй электроды и ионную жидкость между ними, отличающийся тем, что первый электрод, воспринимающий тепловую энергию, выполнен из углеродного материала, а второй электрод выполнен из материала, являющегося проводником.
2. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что первый электрод выполнен из углерода в ультрадисперсной форме с размерами частиц не более 10 мкм.
3. Преобразователь по п.2, отличающийся тем, что толщина первого электрода находится в диапазоне от 2 мкм до 10 мм.
4. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что ионная жидкость включает смесь тетраалкиламмониевых солей, полиэфиров и галоидпроизводных гетероциклических азотных оснований.
4
+
-
5. Преобразователь по п.4, отличающийся тем, что в составе ионной жидкости в качестве тетраалкиламмониевых солей используют соединения общей формулы RNX, где R - пропил, бутил, н-пентил, изо-пентил, гексил, а Х - иод, бром, хлор, тетраборфторид, пикрат или бензоат; в качестве полиэфиров используют карбитолы - простые эфиры диэтиленгликоля с числом углеродных атомов от 5 до 8, целлозольвы - простые эфиры этиленгликоля с числом углеродных атомов от 4 до 6 или глимы с числом углеродных атомов от 4 до 10; в качестве галоидпроизводных гетероциклических азотных оснований используют иодиды алкилимидазола, выбранные из группы: 1,3-диметилимидазол иодид, 1-метил, 3-этилимидазол иодид, 1-метил, 3-пропилимидазол иодид, 1-метил, 3-гексилимидазол иодид, 1,2-диметил, 3-этилимидазол иодид или 1-этил, 3-изопропилимидазол иодид.
6. Преобразователь по п.4, отличающийся тем, что концентрация соединения имидазола составляет от 0,005 до 1 М, концентрация тетраалкиламмониевой соли составляет от 0,05 до 2 М, а полиэфир используется в качестве растворителя для указанных выше компонентов.
7. Преобразователь по п.4, отличающийся тем, что толщина слоя ионной жидкости составляет от 10 нм до 100 мкм.
8. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что второй электрод выполнен из металла, выбранного из группы: алюминий, титан, цирконий, гафний, ниобий, тантал или молибден, или углерода.
9. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что второй электрод выполнен с каталитическим покрытием толщиной от 30 до 1000 нм, а в качестве катализатора используются металлы платиновой группы: платина, палладий, родий, иридий, рений, никель, алюминий.
10. Преобразователь по п.9, отличающийся тем, что нанесение каталитического покрытия на втором электроде выполнено химическим осаждением из раствора, или химическим осаждением из газовой фазы, или электрохимическим способом, или напылением металла в вакууме.
11. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что первый электрод выполнен из углеграфитового материала.
12. Преобразователь по п.11, отличающийся тем, что первый электрод выполнен из графита кристаллического природного.
13. Преобразователь по п.11, отличающийся тем, что первый электрод выполнен из графита пиролитического.
14. Преобразователь по п.11, отличающийся тем, что первый электрод выполнен из терморасширенного графита.
15. Преобразователь по п.14, отличающийся тем, что первый электрод выполнен из спрессованного терморасширенного графита.
16. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что первый электрод выполнен из углеродной смеси высокой реакционной способности (УСВР), полученной способом холодной деструкции графита, состоящей из графенов, графеновых свитков, углеродных нанотрубок, углеродных наноколец, нанофракталов и графеновых блочных образований.
17. Преобразователь по п.16, отличающийся тем, что первый электрод выполнен из спрессованной углеродной смеси высокой реакционной способности (УСВР), полученной способом холодной деструкции графита, состоящая из графенов, графеновых свитков, углеродных нанотрубок, углеродных наноколец, нанофракталов и графеновых блочных образований.
18. Преобразователь по п.1, отличающийся тем, что первый электрод дополнительно включает наночастицы полупроводникового материала, выбранного из группы: кремний, германий, антимонид галлия, галлий-индий-сурьма-мышьяк, галлий-индий-мышьяк, с размерами частиц от 5 до 100 нм.
19. Преобразователь по п.18, отличающийся тем, что содержание полупроводникового материала в первом электроде составляет от 0,001 мас.% до 99 мас.%.
20. Преобразователь по п.18, отличающийся тем, что первый электрод выполнен из углеродного и полупроводникового материалов после их механического смешивания или путем химическим осаждением полупроводникового материала из газовой фазы на углеродную матрицу.