МНОГОПЕРЕХОДНЫЙ СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ, ИМЕЮЩИЙ ПОКРОВНОЕ СТЕКЛО ИЗ ПЛАВЛЕНОГО КВАРЦА

1. Способ (200) изготовления солнечного элемента, включающий осаждение (202) материалов с образованием многопереходного солнечного элемента (130) на первой стороне (104) германиевой пластины (102) с получением обрабатываемой полупроводниковой пластины (105), имеющей германиевый слой (103); выполнение (204) операций шлифования и травления на второй стороне (106) германиевого слоя (103) с уменьшением шероховатости поверхности германиевого слоя (103), при этом вторая сторона (106) германиевого слоя (103) противоположна первой стороне (104) германиевой пластины (102); разделение на кристаллы (206) обрабатываемой полупроводниковой пластины (105) с получением многопереходного солнечного элемента (130) на германиевой подложке; соединение (208) покровного стекла (126) из плавленого кварца с многопереходным солнечным элементом (130) на германиевой подложке с использованием клея (124) и отверждение (210) клея (124) с приклеиванием покровного стекла (126) из плавленого кварца к многопереходному солнечному элементу (130) на германиевой подложке.
2. Способ (200) по п. 1, согласно которому операция шлифования включает одно из следующего: уменьшение толщины германиевого слоя (103) до толщины больше, чем 150 микрометров; уменьшение толщины германиевого слоя (103) до толщины больше, чем 200 микрометров; уменьшение толщины германиевого слоя (103) до толщины больше, чем 150 микрометров, а разделение на кристаллы включает резку германиевого слоя (103) с использованием пилы (120) с алмазным покрытием; уменьшение толщины германиевого слоя (103) до толщины больше, чем 150 микрометров, клей включает в себя силиконовый клей, а отверждение является процессом низкотемпературного отверждения клея, выполняемым при температуре менее чем 100°С; и уменьшение толщины германиевого слоя (103) до толщины больше, чем 150 микрометров, разделение на кристаллы включает резку германиевого слоя (103) с использованием пилы (120) с алмазным покрытием, клей включает в себя силиконовый клей, а отверждение является процессом низкотемпературного отверждения клея, выполняемым при температуре менее чем 100°С.
3. Способ (200) по п. 1, согласно которому клей включает в себя силиконовый клей.
4. Способ (200) по п. 1, согласно которому отверждение является процессом низкотемпературного отверждения клея, выполняемым при температуре менее чем 100°С.
5. Способ (200) по п. 1, согласно которому разделение на кристаллы включает резку германиевого слоя (103) с использованием пилы (120) с алмазным покрытием, клей включает в себя силиконовый клей, а отверждение является процессом низкотемпературного отверждения клея, выполняемым при температуре менее чем 100°С.
6. Способ (300) изготовления солнечного элемента, включающий: осаждение (302) материалов с образованием многопереходного солнечного элемента (130) на первой стороне (104) германиевой пластины (102) с получением обрабатываемой полупроводниковой пластины (105), имеющей германиевый слой (103); выполнение (304) операции шлифования на второй стороне (106) германиевого слоя (103) с уменьшением толщины германиевого слоя (103) до толщины больше, чем 150 микрометров, при этом вторая сторона (106) германиевого слоя (103) противоположна первой стороне (104) германиевой пластины (102); разделение на кристаллы (306) обрабатываемой полупроводниковой пластины (105) с получением многопереходного солнечного элемента (130) на германиевой подложке; соединение (308) покровного стекла (126) из плавленого кварца с многопереходным солнечным элементом (130) на германиевой подложке с использованием клея (124) и отверждение (310) клея (124) с приклеиванием покровного стекла (126) из плавленого кварца к многопереходному солнечному элементу (130) на германиевой подложке.
7. Способ (300) по п. 6, согласно которому операцией шлифования уменьшают толщину германиевого слоя (103) до толщины больше, чем 200 микрометров.
8. Способ (300) по п. 6, согласно которому разделение на кристаллы включает резку германиевого слоя (103) с использованием пилы (120) с алмазным покрытием.
9. Способ (300) по п. 6, согласно которому клей включает в себя силиконовый клей.
10. Способ (300) по п. 6, согласно которому отверждение является процессом низкотемпературного отверждения клея, выполняемым при температуре менее чем 100М°С.
11. Способ (300) по п. 6, согласно которому разделение на кристаллы включает резку германиевого слоя (103) с использованием пилы (120) с алмазным покрытием, клей включает в себя силиконовый клей, а отверждение является процессом низкотемпературного отверждения клея, выполняемым при температуре менее чем 100°С.