КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ (ХМП), СОДЕРЖАЩАЯ НЕОРГАНИЧЕСКИЕ ЧАСТИЦЫ И ПОЛИМЕРНЫЕ ЧАСТИЦЫ

1. Композиция для химико-механической полировки (ХМП), содержащая
(A) по меньшей мере, один тип неорганических частиц, которые диспергированы в жидкой среде (В),
(Б) по меньшей мере, один тип полимерных частиц, которые диспергированы в жидкой среде (В),
(B) жидкую среду,
где дзета-потенциал неорганических частиц (А) в жидкой среде (В) и
дзета-потенциал полимерных частиц (Б) в жидкой среде (В) являются положительными,
полимерные частицы (Б) имеют, по меньшей мере, один тип функциональной группы, которая является диалкиламино-группой
или имидазольной группой.
2. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация полимерных частиц (Б) составляет не более 0,4 мас.% от композиции для ХМП.
3. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация полимерных частиц (Б) составляет не более 0,2 мас.% от композиции для ХМП.
4. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация неорганических частиц (А) составляет не более 1 мас.% от композиции для ХМП.
5. Композиция для ХМП по п.1, в которой концентрация неорганических частиц (А) составляет не более 0,6 мас.% от композиции для ХМП.
6. Композиция для ХМП по п.1, в которой отношение среднего размера неорганических частиц (А) к среднему размеру полимерных частиц (Б) находится в интервале от 0,1 до 5,0.
7. Композиция для ХМП по п.1, в которой массовое отношение полимерных частиц (Б) к неорганическим частицам (А) находится в интервале от 0,001 до 0,2.
8. Композиция для ХМП по любому из пп.1-7, в которой неорганические частицы (А) представляют собой оксид алюминия, оксид церия, оксид кремния, оксид титана или оксид циркония, или их смесь.
9. Композиция для ХМП по любому из пп.1-7, в которой неорганические частицы (А) представляют собой оксид церия.
10. Композиция для ХМП по любому из пп.1-7, в которой величина рН находится в интервале от 4 до 6.
11. Композиция для ХМП по любому из пп.1-7, содержащая
(А) частицы оксида церия,
(Б) полимерные частицы, содержащие, по меньшей мере, одну диалкиламино-группу или имидазольную группу,
(В) воду,
где отношение среднего размера частиц (А) к среднему размеру частиц (Б) находится в интервале от 0,1 до 5,0, массовое отношение (Б) к (А) находится в интервале от 0,001 до 0,2, и величина рН находится в интервале от 2,5 до 7,5.
12. Способ получения композиции для ХМП, включающий
диспергирование, по меньшей мере, одного типа неорганических частиц (А) и, по меньшей мере, одного типа полимерных частиц (Б) в жидкой среде (В), где
дзета-потенциал неорганических частиц (А) в жидкой среде (В) и
дзета-потенциал полимерных частиц (Б) в жидкой среде (В) являются положительными,
полимерные частицы (Б) имеют, по меньшей мере, один тип функциональной группы, которая является диалкиламино-группой или
имидазольной группой.
13. Способ производства полупроводниковых устройств, включающий химико-механическую полировку поверхности диэлектрического субстрата в присутствии композиции для ХМП по любому пп.1-11.
14. Применение композиции для ХМП по любому из пп.1-11 и способа по любому из п.п.12-13 для химико-механической полировки поверхностей субстратов, используемых в полупроводниковой промышленности.
15. Применение композиции для ХМП по любому пп.1-11 и способа по любому из пп.12-13 для химико-механической полировки поверхностей субстрата, который представляет собой устройство с узкощелевой изоляцией (STI).