СПОСОБ ЗАПИСИ В ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, ОСНОВАННОЕ НА MRAM, ПРИ УМЕНЬШЕННОЙ ПОТРЕБЛЯЕМОЙ МОЩНОСТИ

1. Способ записи в запоминающее устройство, содержащее множество ячеек магниторезистивной оперативной памяти (MRAM), расположенных в строках и столбцах, причем каждая ячейка MRAM, которая должна быть записана в процессе записи с использованием технологии (TAS) термического переключения, включает магнитный туннельный переход, имеющий сопротивление, которое может быть изменено во время процесса записи, когда магнитный туннельный переход нагревают до высокой пороговой температуры, и выбранный транзистор, электрически присоединенный к магнитному туннельному переходу; множество числовых шин, соединяющих ячейки MRAM вдоль строки; и множество разрядных шин, соединяющих ячейки MRAM вдоль столбца; способ, содержащий в процессе записи этапы, на которых:
подают напряжение разрядной шины на одну из разрядных шин и напряжение числовой шины на одну из числовых шин для прохождения нагревающего тока через магнитный туннельный переход выбранной ячейки MRAM;
когда магнитный туннельный переход достигает высокой пороговой температуры изменяют сопротивление магнитного туннельного перехода; и
охлаждают магнитный туннельный переход для замораживания записанного значения упомянутого сопротивления;
упомянутое напряжение числовой шины является напряжением перегрузки числовой шины, которое выше, чем базовое рабочее напряжение питания ячейки MRAM, так что нагревающий ток имеет величину, достаточно большую для нагрева магнитного туннельного перехода до заданной высокой пороговой температуры.
2. Способ по п.1, в котором напряжение перегрузки числовой шины является импульсом напряжения с длительностью импульса, которая равна или меньше, чем приблизительно 15 нс.
3. Способ по п.1, в котором напряжение перегрузки числовой шины генерируется генератором подкачки заряда или регулируемым внешним напряжением, обеспечиваемым портом ввода-вывода.
4. Способ по п.1, в котором запоминающее устройство дополнительно содержит схему усилителя считывания, и отличающийся тем, что длительность импульса напряжения перегрузки числовой шины регулируется схемой усилителя считывания.
5. Способ по п.1, в котором выбранный транзистор является транзистором большой мощности, имеющим низкое пороговое напряжение.
6. Способ по п.1, в котором запоминающее устройство дополнительно содержит множество исходных шин, соединяющих ячейки MRAM вдоль строки посредством стока их соответствующего выбранного транзистора, и при этом способ дополнительно содержит подачу напряжения перегрузки исходной шины на исходную шину.
7. Способ по п.6, в котором напряжение перегрузки исходной шины имеет значение, по существу, равное значению порогового напряжения выбранного транзистора.
8. Способ по п.6, дополнительно содержащий процесс считывания, включающий измерение сопротивления магнитного туннельного перехода и подачу напряжения перегрузки исходной шины на исходную шину.