СПОСОБ СОЗДАНИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК НА ПОВЕРХНОСТИ GAAS С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МАГНЕТРОННО СФОРМИРОВАННОГО СЛОЯ ДИОКСИДА МАРГАНЦА

2
2
-3
Способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности GaAs с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца, включающий предварительную обработку пластин GaAs концентрированной плавиковой кислотой, промывание их дистиллированной водой, высушивание на воздухе, формирование слоя MnO толщиной 30±1 нм, последующее термооксидирование при температуре от 450 до 550°С в течение 60 мин при скорости потока кислорода 30 л/ч, отличающийся тем, что формирование слоя MnO производят методом магнетронного распыления мишени в атмосфере аргона при давлении порядка 10 Торр.