СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИСТОКОВОЙ ОБЛАСТИ СИЛОВОГО ТРАНЗИСТОРА

2
2
2
2
2
Способ получения истоковой области силового транзистора, включающий формирование кремниевых транзисторных структур с использованием твердого планарного источника фосфора, отличающийся тем, что процесс проводят при температуре 1125°C на этапе загонки при следующем соотношении компонентов: O=50±0,5 л/ч; N=800 л/ч; Н=8 л/ч и времени, равном 50 мин; на этапе разгонки процесс проводят при температуре 1250°C при следующем расходе газов: O=50±0,5 л/ч; N=800 л/ч и времени разгонки, равном 72 ч.