МОНТАЖНАЯ ПОДЛОЖКА ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ЭЛЕМЕНТА, КАРКАС ЗАДНЕЙ ПОДСВЕТКИ, ДИСПЛЕЙНОЕ УСТРОЙСТВО И ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ПРИЕМНИК

1. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента для монтажа полупроводникового светоизлучающего элемента, имеющего положительный электрод и отрицательный электрод на идентичной плоскости, содержащая изолированную подложку; пару электродных рисунков, соответственно подключенных к положительному электроду и отрицательному электроду на изолированной подложке; и рисунок межсоединений, продолженный из каждой пары электродных рисунков, при этом каждый из пары электродных рисунков имеет большую площадь, чем рисунок межсоединений.
2. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.1, в которой пара электродных рисунков имеет расположенные напротив друг друга части, расположенные напротив друг друга практически параллельно через предварительно определенный зазор, и положительный электрод и отрицательный электрод полупроводникового светоизлучающего элемента подключаются к расположенным напротив друг друга частям.
3. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.2, в которой изолированная подложка имеет длинную полосковую форму, пара электродных рисунков проходит в продольном направлении на изолированной подложке и имеет различные ширины, и в паре частей электродных рисунков, в которых размещаются положительный электрод и отрицательный электрод полупроводникового светоизлучающего элемента, по меньшей мере один из более широкого электродного рисунка и более узкого электродного рисунка имеет выступающую часть, сформированную так, что она выступает к другому электродному рисунку.
4. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.3, в которой из положительного электрода и отрицательного электрода полупроводникового светоизлучающего элемента электрод на дальней стороне от активного слоя подключается к более узкому электродному рисунку.
5. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.3, в которой вогнутая часть, располагающаяся напротив выступающей части через предварительно определенный зазор, формируется на стороне другого электродного рисунка.
6. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.5, в которой зазор между выступающей частью и вогнутой частью размещается практически в центре в направлении ширины пары электродных рисунков.
7. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.5, в которой выемка формируется на обеих сторонах продольного направления вогнутой части.
8. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.3, в которой выступающая часть имеет ступенчатую форму.
9. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.3, в которой полупроводниковый светоизлучающий элемент имеет положительный электрод и отрицательный электрод, сформированные на идентичной стороне поверхности, и имеет площадь электрода для сформированного одного электрода, превышающую площадь электрода для другого электрода, и в которой электрод с большей площадью электрода подключается к стороне более широкого электродного рисунка.
10. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.9, в которой электрод с большей площадью электрода полупроводникового светоизлучающего элемента располагается ближе к активному слою, чем электрод с меньшей площадью электрода.
11. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.1, в которой направления продолжения рисунка межсоединений, продолженного из каждой пары электродных рисунков, являются направлениями, отличающимися друг от друга.
12. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.1, в которой изолированная подложка имеет длинную полосковую форму и зазор пары электродных рисунков формируется параллельно с продольным направлением полосковой формы.
13. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.1, в которой изолированная подложка имеет длинную полосковую форму и множество пар электродных рисунков формируется вдоль продольного направления полосковой формы так, что они предоставляют компоновку множества полупроводниковых светоизлучающих элементов.
2
14. Монтажная подложка полупроводникового светоизлучающего элемента по п.1, в которой, когда W (Вт) является мощностью полупроводникового светоизлучающего элемента, S (м) является площадью пары электродных рисунков, L (м) является толщиной изолированной подложки, и ρ (Вт/(м·К)) является теплопроводностью изолированной подложки, средняя разность ∆T температур между одной поверхностью и другой поверхностью изолированной подложки, вычисленная посредством ∆T=W·L/S/ρ, равна или меньше 12°С.
15. Каркас задней подсветки, содержащий монтажную подложку полупроводникового светоизлучающего элемента по п.1.
16. Дисплейное устройство, содержащее монтажную подложку полупроводникового светоизлучающего элемента по п.1.
17. Телевизионный приемник, содержащий дисплейное устройство по п.16.