СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЕГИРОВАННОГО АЛМАЗА

14
3
19
3
1. Способ получения легированного алмаза методом химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ) на подложку в реакционной камере, отличающийся тем, что легирующий компонент берут в твердом состоянии и размещают в специальной камере легирования, вмонтированной в линию для подачи рабочего газа, при этом в специальной камере легирования выполнено не менее трех присоединительных фланцев, а распыление легирующего компонента осуществляют лазерным излучением, работающим в импульсном режиме, пропускаемым через один присоединительный фланец, снабженный прозрачным окном, причем концентрацию легирующего компонента в алмазе в диапазоне от 10 атом/см до 9×10 атом/см регулируют путем варьирования параметров лазера, например, тока накачки лазерного диода, частоты лазерных импульсов, расстояния от фокуса лазерного излучения до поверхности легирующего компонента.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве рабочего газа используют смесь водорода и метана в объемных соотношениях от 98:2% до 90:10%.
3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что дополнительно в рабочий газ вводят газ кислород.