СПОСОБ НАКАЧКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА И ДИСКОВЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

1. Способ накачки полупроводникового лазера, где в качестве активного элемента используется полупроводниковая гетероструктура, отличающийся тем, что в качестве источника накачки используется радиоактивный β-источник (в частности Ni-63), обеспечивающей полную автономность лазерного комплекса от внешних источников электрического питания.
2. Дисковый полупроводниковый лазер с вертикальным резонатором с внешним зеркалом, отличающийся тем, что лазер дополнительно оснащен полупроводниковой структурой на квантовых точках, обладающих более низким порогом возбуждения генерации.