ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО

1. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование, либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой имеет ширину запрещенной зоны, соответствующую ультрафиолетовому (УФ) излучению,
термоэлектрический преобразователь имеет поглощающую часть, абсорбирующую инфракрасное (ИК) излучение, и преобразующую его в тепло, и, по крайней мере, часть полупроводникового слоя фотоэлектрического преобразователя обеспечивает фотоэлектрическое преобразование УФ излучения.
2. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование, либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой имеет ширину запрещенной зоны, соответствующей ИК излучению,
термоэлектрический преобразователь имеет поглощающую часть, абсорбирующую ИК излучение, и преобразующую его в тепло, и
по крайней мере, часть полупроводникового слоя фотоэлектрического преобразователя обеспечивает фотоэлектрическое преобразование ИК излучения.
3. Электронное устройство по п.1, в котором полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим, и
термоэлектрический преобразователь содержит термоэлектрический элемент p-типа, выполняющий термоэлектрическое преобразование и термоэлектрический элемент n-типа, выполняющий термоэлектрическое преобразование.
4. Электронное устройство по п.2, в котором полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим, и
термоэлектрический преобразователь содержит термоэлектрический элемент p-типа, выполняющий термоэлектрическое преобразование и термоэлектрический элемент n-типа, выполняющий термоэлектрическое преобразование.
5. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя, выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим,
термоэлектрический преобразователь содержит термоэлектрический элемент p-типа обеспечивающий термоэлектрическое преобразование и термоэлектрический элемент n-типа, обеспечивающий термоэлектрическое преобразование, и
фотоэлектрический преобразователь является фотодиодом, использующим полупроводниковые слои p-типа и n-типа.
6. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, включающий в себя полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя, выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим,
термоэлектрический преобразователь содержит термоэлектрический элемент p-типа обеспечивающий термоэлектрическое преобразование и термоэлектрический элемент n-типа, обеспечивающий термоэлектрическое преобразование, и
имеется изолирующая часть, расположенная между термоэлектрическим элементом p-типа и термоэлектрическим элементом n-типа, обеспечивая электрическую изоляцию полупроводниковых слоев p-типа и n-типа.
7. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим,
термоэлектрический преобразователь содержит термоэлектрический элемент p-типа обеспечивающий термоэлектрическое преобразование и термоэлектрический элемент n-типа, обеспечивающий термоэлектрическое преобразование, и
омический электрод, сформированный на полупроводниковом слое наверху между полупроводниковым слоем p-типа и полупроводниковым слоем n-типа, является нелегированным омическим электродом, а омический электрод, сформированный внизу между полупроводниковым слоем p-типа и полупроводниковым слоем n-типа, является легированным электродом.
8. Электронное устройство, содержащее:
термоэлектрический преобразователь, содержащий полупроводниковый слой, осуществляющий термоэлектрическое преобразование с использованием эффекта Зеебека, и
по меньшей мере, либо фотоэлектрический преобразователь, в котором, по крайней мере, часть полупроводникового слоя выполняет фотоэлектрическое преобразование либо транзистор или диод, имеющий, по крайней мере, часть полупроводникового слоя, выполняющего функции рабочего слоя,
причем полупроводниковый слой имеет модулированную легированную структуру.
9. Электронное устройство по п.1, в котором предусмотрено несколько термоэлектрических и фотоэлектрических преобразователей так, что несколько термоэлектрических преобразователей и несколько фотоэлектрических преобразователей выполнены в форме матрицы, причем предусмотрена часть для выбора, позволяющая выбирать, по крайней мере, один из нескольких термоэлектрических и один из нескольких фотоэлектрических преобразователей, причем также имеется транзистор.
10. Электронное устройство по п.1, в котором полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим, и
термоэлектрический преобразователь содержит:
первый термоэлектрический преобразователь, содержащий первый термоэлектрический элемент n-типа с полупроводниковым слоем n-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование, и первый термоэлектрический элемент p-типа с полупроводниковым слоем p-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование,
второй термоэлектрический преобразователь, содержащий второй термоэлектрический элемент n-типа с полупроводниковым слоем n-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование, и второй термоэлектрический элемент p-типа с полупроводниковым слоем p-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование,
первую балку, содержащую первый термоэлектрический элемент n-типа и второй термоэлектрический элемент p-типа,
вторую балку содержащую первый термоэлектрический элемент p-типа и второй термоэлектрический элемент n-типа,
центральную область, с которой соединены первая и вторая балка и которая содержит первую изолирующую часть для электрической изоляции, по крайней мере, одного из полупроводниковых слоев p-типа или n-типа между первым термоэлектрическим преобразователем и вторым термоэлектрическим преобразователями,
причем первый термоэлектрический преобразователь и второй термоэлектрический преобразователь соединены последовательно таким образом, что соединены первый термоэлектрический элемент n-типа и второй термоэлектрический элемент p-типа.
11. Электронное устройство по п.2, в котором полупроводниковый слой содержит полупроводниковый слой p-типа и полупроводниковый слой n-типа, расположенные один над другим, и
термоэлектрический преобразователь содержит:
первый термоэлектрический преобразователь, содержащий первый термоэлектрический элемент n-типа с полупроводниковым слоем n-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование, и первый термоэлектрический элемент p-типа с полупроводниковым слоем p-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование,
второй термоэлектрический преобразователь, содержащий второй термоэлектрический элемент n-типа с полупроводниковым слоем n-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование, и второй термоэлектрический элемент p-типа с полупроводниковым слоем p-типа, обеспечивающим термоэлектрическое преобразование,
первую балку, содержащую первый термоэлектрический элемент n-типа и второй термоэлектрический элемент p-типа,
вторую балку содержащую первый термоэлектрический элемент p-типа и второй термоэлектрический элемент n-типа,
центральную область, с которой соединены первая и вторая балка и которая содержит первую изолирующую часть для электрической изоляции, по крайней мере, одного из полупроводниковых слоев p-типа или n-типа между первым термоэлектрическим преобразователем и вторым термоэлектрическим преобразователями,
причем первый термоэлектрический преобразователь и второй термоэлектрический преобразователь соединены последовательно таким образом, что соединены первый термоэлектрический элемент n-типа и второй термоэлектрический элемент p-типа.
12. Электронное устройство по п.10, в котором первая балка содержит вторую изолирующую часть для электрической изоляции первого термоэлектрического элемента n-типа и второго термоэлектрического элемента p-типа и вторая балка содержит третью изолирующую часть для электрической изоляции первого термоэлектрического элемента p-типа и второго термоэлектрического элемента n-типа.
13. Электронное устройство по п.11, в котором первая балка содержит вторую изолирующую часть для электрической изоляции первого термоэлектрического элемента n-типа и второго термоэлектрического элемента p-типа и вторая балка содержит третью изолирующую часть для электрической изоляции первого термоэлектрического элемента p-типа и второго термоэлектрического элемента n-типа.