МИШЕНЬ ДЛЯ РЕАКТИВНОГО ОСАЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОИЗОЛИРУЮЩИХ СЛОЕВ МЕТОДОМ ИОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ

1. Мишень для реактивного осаждения методом ионного распыления электроизолирующих слоев в камере для нанесения покрытия,
отличающаяся тем, что
M1
M2
мишень, по меньшей мере, в поверхностной области (10) содержит, по меньшей мере, одну первую область (B) и одну вторую область (B), причем
M1
1
1
- первая область (B) образована из первого материала (M), который состоит из одного элемента или нескольких элементов, которые могут вступать в реакцию с реакционным газом таким образом, что полученный в ходе реакции M-содержащий композитный материал соответствует составу желаемого материала слоя, необходимого для покрытия покрываемых субстратов, и
M2
2
2
1
- вторая область (B) образована из второго материала (M), который состоит из одного элемента или нескольких элементов, которые по отношению к вышеупомянутому реакционному газу инертны или могут вступать в реакцию с вышеупомянутым реакционным газом таким образом, что полученный в ходе реакции M-содержащий композитный материал имеет более высокую электрическую проводимость по сравнению с M-содержащим композитным материалом, и
2
1
- второй материал (M) отличается от первого материала (M), по меньшей мере, в одном элементе.
1
2
2. Мишень по п. 1, отличающаяся тем, что поверхность (10) мишени имеет, по меньшей мере, один скос, который определен заданным углом (W), причем в скошенной области поверхности мишени имеется "область смешивания", в которой первый материал (M) и второй материал (M) находятся друг около друга.
M1
3. Мишень по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что первая область (B) содержит центральную область мишени.
M2
4. Мишень по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что вторая область (B) содержит краевую область мишени.
5. Способ покрытия субстратов, по меньшей мере, одним слоем, который осаждают с использованием, по меньшей мере, одной мишени по любому из пп. 1-4.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что слой осаждают, по меньшей мере, частично при помощи реактивного процесса ионного распыления и/или, по меньшей мере, частично при помощи реактивного процесса магнетронного распыления импульсами высокой мощности (HIPIMS - high-power impulse magnetron sputtering), причем во время процесса используют реакционный газ, для того чтобы изготовлять слой посредством реакции между распыленным материалом мишени и реакционным газом.
M1
M2
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что скорость эрозии в поверхностной области (10) мишени во время процесса ионного распыления и/или процесса HIPIMS в первой области (B) мишени больше, чем во второй области (B) мишени.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что слой является электроизолирующим.
M1
M2
9. Способ по любому из пп. 6-8, отличающийся тем, что скорость эрозии в поверхностной области (10) мишени во время процесса ионного распыления и/или процесса HIPIMS в первой области (B) мишени больше, чем во второй области (B) мишени.
1
10. Способ по любому из пп. 6-8, отличающийся тем, что слой покрытия, по меньшей мере, преимущественно имеет состав, который соответствует составу композитного материала, получающегося в ходе реакции между первым материалом (M) мишени и реакционным газом.
11. Способ по любому из пп. 6-8, отличающийся тем, что реакционный газ содержит кислород или азот или их смесь.
1
12. Способ по любому из пп. 6-8, отличающийся тем, что первый материал (M) мишени, по меньшей мере, преимущественно содержит алюминий.
2
13. Способ по любому из пп. 6-8, отличающийся тем, что второй материал (M) мишени содержит алюминий и хром.
1
14. Способ по п. 13, отличающийся тем, что первый материал (M) содержит алюминий в концентрации, по меньшей мере, 99,9% в атомных процентах, и слой покрытия, по меньшей мере, преимущественно содержит оксид алюминия.
2
15. Способ по п. 14, отличающийся тем, что второй материал (M) содержит алюминий и хром в концентрации 50:50% в атомных процентах.