СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ НА ПОСТОЯННОМ ТОКЕ

1. Способ получения пленок теллурида кадмия методом магнетронного распыления на постоянном токе, основанный на применении дополнительного источника ионов для увеличения тока разряда, отличающийся тем, что для увеличения тока разряда используется интенсификация ионизации рабочего газа за счет термоэлектронной эмиссии из распыляемой мишени.
2. Способ получения пленок теллурида кадмия по п. 1, отличающийся тем, что интенсификация термоэлектронной эмиссии осуществляется путем предварительного нагрева поверхности распыляемой мишени до 166°C с помощью нагревателя, размещаемого над поверхностью распыляемой мишени.
3. Способ получения пленок теллурида кадмия по п. 1, отличающийся тем, что после предварительного нагрева температура поверхности распыляемой мишени теллурида кадмия, находящейся на поверхности магнетрона, поддерживается в интервале от 156°C до 166°C.
4. Способ получения пленок теллурида кадмия по п. 1, отличающийся тем, что стабилизация тока разряда, при котором осуществляется интенсивное распыление при неизменном напряжении на магнетроне и давлении аргона проводится с точностью 2 мА и осуществляется за счет управления интенсивностью термоэлектронной эмиссии из распыляемой мишени магнетрона, в конструкции которого предусмотрено ее водяное охлаждение, путем включения и выключения нагревателя мишени с помощью автоматизированного устройства отрицательной обратной связи на основе микроконтроллера.
5. Способ получения пленок теллурида кадмия по п. 1, отличающийся тем, что нагреватель до момента разогрева находится не над поверхностью мишени, а после достижения температуры нагревателя 200°C и тока разряда источника ионов до 4 мА нагреватель перемещается и устанавливается над поверхностью мишени теллурида кадмия на расстоянии 70 мм.