КОМПОНОВКА ШУНТИРУЮЩЕГО СЛОЯ ДЛЯ СИД

1. Светоизлучающее диодное (СИД) устройство, содержащее:
- кристалл (40) СИД, содержащий светоизлучающий полупроводниковый слой (20), эпитаксиально выращенный на подложке роста и продолжающийся, по существу, по всему кристаллу СИД, причем кристалл СИД имеет верхнюю поверхность, содержащую слой (28) растекания тока, покрывающий полупроводниковый слой; и
- металлический электродный рисунок (42, 44, 46) на только участке верхней поверхности для пропускания тока через СИД для питания СИД, причем упомянутый электродный рисунок содержит:
t
- множество металлических контактов (42) на верхней поверхности, имеющих ширины между около в 2 и 10 раз больше, чем длина L передачи контактов, где длина передачи определяется как
s
c
2
где R является поверхностным сопротивлением в Омах на квадрат слоя растекания тока, а ρ является контактным удельным сопротивлением границы раздела контакта и слоя растекания тока, выраженным в Ом/м,
причем металлические контакты, по существу, блокируют свет, излученный светоизлучающим полупроводниковым слоем; и
t
- металлические соединения (44), соединяющие одни из контактов друг с другом, причем металлические соединения имеют ширины меньше, чем 2L.
t
2. Устройство по п.1, в котором множество металлических контактов на верхней поверхности имеют ширины между около в 2 и 5 раз больше, чем длина L передачи контактов.
3. Устройство по п.1, в котором полная площадь контактов составляет менее 2% от светоизлучающей поверхности кристалла СИД.
4. Устройство по п.1, в котором полная площадь контактов составляет менее 5% от светоизлучающей поверхности кристалла СИД.
5. Устройство по п.1, в котором полная площадь контактов составляет менее 10% от светоизлучающей поверхности кристалла СИД.
6. Устройство по п.1, в котором контакты являются по существу круглыми, а ширины являются диаметрами контактов.
7. Устройство по п.1, в котором контакты являются многоугольниками.
8. Устройство по п.1, дополнительно содержащее электрод для проволочного соединения, подсоединенный к контактам посредством по меньшей мере одного из металлических соединений.
9. Устройство по п.8, в котором металлические соединения образуют сетку параллельных и перпендикулярных соединений.
10. Устройство по п.8, в котором металлические соединения радиально продолжаются от электрода для проволочного соединения.
11. Устройство по п.8, в котором по меньшей мере некоторые из контактов увеличиваются в размерах по мере их удаления от электрода для проволочного соединения.
12. Устройство по п.8, в котором плотность контактов увеличивается по мере их удаления от электрода для проволочного соединения.
13. Устройство по п.8, дополнительно содержащее диэлектрический слой между электродом для проволочного соединения и слоем растекания тока для уменьшения плотности тока между электродом для проволочного соединения и слоем растекания тока.
t
t
14. Устройство по п.13, в котором электрод для проволочного соединения продолжается за край диэлектрического слоя на расстояние Wx вокруг диэлектрического слоя, причем 0,5L<Wx<L.
15. Устройство по п.8, дополнительно содержащее концентрическое шунтирующее кольцо, окружающее электрод для проволочного соединения на некотором расстоянии, чтобы уменьшить сжатие тока под и вокруг периферии электрода для проволочного соединения, при этом отсутствуют металлические контакты между шунтирующим кольцом и электродом для проволочного соединения.
t
t
16. Устройство по п.15, в котором ширина шунтирующего кольца находится между 0,lL и L, и в котором диаметр шунтирующего кольца на по меньшей мере 20% больше, чем диаметр электрода для проволочного соединения.
17. Устройство по п.1, дополнительно содержащее металлический шунт по периметру верхней поверхности кристалла СИД, причем упомянутый шунт имеет первую ширину вдоль краев кристалла и более узкую ширину в углах кристалла для уменьшения плотности тока в углах кристалла.
t
t
18. Устройство по п.17, в котором первая ширина шунта вдоль краев кристалла больше, чем L, а более узкая ширина шунта в углах кристалла составляет менее 0,1L для снижения плотности тока на углах кристалла.
19. Устройство по п.1, в котором подложка роста удалена.