Способ формирования слоя, геттерирующего примеси, на поверхности тонкодисперсного кристаллического материала

Способ формирования слоя, геттерирующего примеси, на поверхности тонкодисперсного кристаллического материала, основанный на приведении поверхности дисперсного материала, находящегося ниже температуры плавления, в контакт с примесью, способной образовывать с элементами кристаллического материала аморфное вещество, например стекло, обладающее более низкой температурой плавления в сравнении с кристаллическим веществом, отличающийся тем, что, с целью связывания поверхностных дефектов слоем геттерирующего расплава, состоящего из элементов кристаллического материала и поверхностной примеси, активацию процесса аморфизации поверхности микрокристалла осуществляют импульсным воздействием, создаваемым при детонации взрывчатого вещества, при этом толщина поверхностной пленки геттера задается концентрацией поверхностной примеси и временем воздействия детонационной волны.