ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

1. Полевой транзистор, содержащий:
активный слой, и
изолирующую затвор пленку,
причем активный слой содержит слой аморфного оксида, содержащий аморфную область и кристаллическую область, и кристаллическая область находится вблизи от или в контакте с поверхностью раздела между слоем аморфного оксида и изолирующей затвор пленкой.
2. Полевой транзистор по п.1, в котором кристаллическая область отсутствует вблизи от второй поверхности раздела, противоположной первой поверхности раздела, которая является поверхностью раздела между слоем аморфного оксида и изолирующей затвор пленкой.
3. Полевой транзистор по п.1, в котором слой аморфного оксида состоит из оксида, содержащего In, Zn и Ga.
4. Полевой транзистор по п.1, в котором слой аморфного оксида имеет толщину 0,05 мкм или более и 1 мкм или менее.