СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ p-n ПЕРЕХОДОВ
METHOD OF PROTECTING SURFACE OF p-n JUNCTION CHIPS

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем (ИС), в частности к способам защиты слоем стекла с целью защиты поверхности кристаллов p-n-переходов от различных внешних воздействий.
Известны способы защиты поверхности кристаллов, сущность которых состоят в том, что поверхность полупроводниковых приборов защищают различными методами: окисления (химическое, термическое, пиролитическое), защиты пленками окислов металлов и др. [1].
Основными недостатками этих способов являются нестабильность, высокая температура и длительность процесса.
Целью изобретения является достижение стабильности и уменьшение температуры и длительности процесса.
2
2
3
Поставленная цель достигается использованием пленки стекла, состоящего из смеси микропорошков со спиртом, в состав которого входят: 60% окиси кремния - SiO; 28% окиси бора - BO.
2
2
3
Сущность способа заключается в том, что на чистую полупроводниковую поверхность кристалла с p-n-переходом наносят слой защитного стекла, состоящий из смеси микропорошков со спиртом, в состав которого входят 60% окиси кремния - SiO; 28% окиси бора - BO. После термообработки в вакууме при температуре 280±1°C в течение 18±2 минут образуется стеклообразная пленка толщиной 0,45±0,5 мкм. Далее производится ее сплавление с нижним слоем стекла при температуре 600°C.
Предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что слой стекла, нанесенный на поверхность кристалла, связывает мигрирующие ионы, способствует улучшению стабильности приборов и его надежности. Далее этот слой стекла герметизирует активный элемент (p-n-переходов) от внешних воздействий.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
2
2
3
ПРИМЕР 1. Процесс проводят с предварительной очисткой поверхности кристаллов. На чистую полупроводниковую поверхность кристалла с p-n-переходом наносят слой защитного стекла, состоящий из смеси микропорошков со спиртом, в состав которого входят 60% окиси кремния - SiO; 28% окиси бора - BO. Процесс термообработки в вакууме ведут при температуре 300±10°C, а длительность процесса равна 25±2 минут. Температура сплавления стекла - 800°C.
Толщина стеклообразной пленки - 0,65±0,5 мкм.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при следующих режимах.
Температура термообработки в вакууме - 280±10°C в течение 20±2 минут.
Температура сплавления стекла - 700°C.
Толщина слоя стекла - 0,55±0,5 мкм.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при следующих режимах.
Температура термообработки в вакууме - 280±10°C в течение 18±2 минут.
Температура сплавления стекла - 600°C.
Толщина слоя стекла - 0,45±0,5 мкм.
Таким образом, предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что слой стекла, нанесенный на поверхность кристалла, связывает мигрирующие ионы, способствует улучшению стабильности приборов и его надежности, а также герметизирует активный элемент (p-n-переходов) от внешних воздействий.
ЛИТЕРАТУРА
1. А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: Высшая школа. 1980. 327 с.