ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА И СПОСОБЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Способ изготовления полупроводникового устройства, содержащий этапы, в которых:
(i) обеспечивают полупроводниковую пластину, имеющую полупроводниковый слой;
(ii) формируют первый масочный слой поверх полупроводникового слоя;
(iii) формируют второй масочный слой поверх первого масочного слоя;
(iv) проводят отжиг второго масочного слоя для формирования островков;
(v) проводят травление через первый масочный слой и полупроводниковый слой с использованием островков в качестве маски с образованием матрицы из столбиков;
(vi) выращивают полупроводниковый материал между столбиками и затем поверх вершин столбиков.
2. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап, на котором удаляют островки перед выращиванием полупроводникового материала.
3. Способ по п.1 или 2, в котором покрытие, сформированное из одного из масочных слоев, оставляют на вершине каждого из столбиков во время выращивания полупроводникового материала.
4. Способ по п.1 или 2, в котором полупроводниковый слой поддерживается на подложке.
5. Способ по п.4, в котором подложка содержит по меньшей мере одно из сапфира, кремния и карбида кремния.
6. Способ по п.1 или 2, в котором полупроводниковый слой формируют из нитрида III группы.
7. Способ по п.1 или 2, в котором первый масочный слой формируют из по меньшей мере одного из диоксида кремния и нитрида кремния.
8. Способ по п.1 или 2, в котором второй масочный слой формируют из металла.
9. Способ по п.8, в котором второй масочный слой формируют из никеля.
10. Способ по п.1 или 2, в котором на этапе выращивания остаются зазоры вокруг оснований столбиков.
11. Способ по п.10, в котором полупроводниковый материал, выращенный на соседних столбиках, соединяется на уровне, отдаленном от подложки, таким образом, что зазоры остаются ниже этого уровня.
12. Полупроводниковое устройство, содержащее матрицу из столбиков, сформированных из полупроводникового материала, каждый из которых включает в себя покрытие, сформированное из материала маски, сформированного на его вершине, и полупроводниковый материал, продолжающийся между столбиками и поверх вершины столбиков с образованием сплошного слоя.
13. Полупроводниковое устройство по п.12, сформированное согласно способу по любому из пп.1-11.
14. Полупроводниковое устройство по п.12 или 13, в котором по меньшей мере 90% столбиков имеют диаметр менее 1000 нм.
15. Полупроводниковое устройство по п.12 или 13, в котором столбики имеют высоту по меньшей мере 500 нм.