ПОДЛОЖКА ДЛЯ УСТРОЙСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ
SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE AND DISPLAY DEVICE

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к подложке для устройства отображения и устройству отображения. Более конкретно, настоящее изобретение относится к подложке для устройства отображения, содержащей внешние соединительные контактные выводы для соединения гибких печатных схем (FPC), и к устройству отображения, надлежащим образом используемому в жидкокристаллическом устройстве отображения, или к органическому электролюминесцентному устройству отображения (органическому электролюминесцентному дисплею), содержащему такую подложку для устройства отображения.
Уровень техники
Портативные электронные устройства, такие как мобильные телефоны и КПК, которые включают в себя жидкокристаллические устройства отображения, органические электролюминесцентные устройства отображения и тому подобное, сегодня требуют дополнительного уменьшения размера и веса. Наряду с этим необходимо уменьшение размера внешней границы области отображения, т.е. уменьшение площади области рамки, и сегодня исследуется и создается технология для удовлетворения такой потребности.
Примеры таких устройств отображения включают в себя устройство отображения, содержащее общий проводник для питания возбуждающей схемы линии сканирования для возбуждения линии сканирования, общий проводник для питания возбуждающей схемы сигнальной линии для возбуждения сигнальной линии, межслойную изолирующую пленку для соответствующей изоляции общих проводников и множество внешних соединительных контактных выводов, размещаемых выше множества контактных окон, предоставленных в межслойной изолирующей пленке таким образом, что каждый из общих проводников является частично открытым (см. патентный документ 1).
Патентный документ 1
Публикация нерассмотренной заявки на патент Японии № Hei-10-282522
Раскрытие изобретения
Тем не менее, область техники, раскрытая в патентном документе 1, не позволяет достигать достаточного уменьшения площади области рамки.
Настоящее изобретение осуществлено с учетом вышеуказанного современного уровня техники, и его цель заключается в том, чтобы предоставлять подложку для устройства отображения, которая обеспечивает дополнительное уменьшение площади области рамки, и устройство отображения, содержащее подложку.
Авторы настоящего изобретения провели различные исследования подложки для устройства отображения, которая обеспечивает дополнительное уменьшение площади области рамки и устройства отображения, и сфокусировали свое внимание на области техники для предоставления проводника в слое ниже внешних соединительных контактных выводов (нижнего проводника). Авторы настоящего изобретения выяснили следующее. Простое использование современного уровня техники приводит к формированию большого соединительного отверстия, относительно ширины проводника, для электрического соединения внешнего соединительного контактного вывода с нижним проводником вследствие точности обработки межслойной изолирующей пленки, предоставленной между внешним соединительным контактным выводом и нижним проводником. Это сокращает число нижних проводников. Напротив, можно не допускать размещения соединительных отверстий выше направления прохождения нижних проводников, чтобы сужать шаг смежных нижних проводников, при условии, что множество нижних проводников идет рядом друг с другом в направлении через множество внешних соединительных контактных выводов, изгибается к той же стороне относительно направления прохождения в порядке от самого дальнего нижнего проводника и, соответственно, подключается к частям вне изогнутых частей нижних проводников. Как результат, вышеуказанные проблемы превосходно разрешены, приводя к осуществлению настоящего изобретения.
А именно, настоящее изобретение предусматривает подложку для устройства отображения, содержащую: множество внешних соединительных контактных выводов; и множество нижних проводников, идущих ниже множества внешних соединительных контактных выводов; при этом подложка дополнительно содержит межслойную изолирующую пленку, размещенную между слоем из множества внешних соединительных контактных выводов и слоем из множества нижних проводников и содержащую множество соединительных отверстий, множество нижних проводников идут рядом друг с другом, пересекая множество внешних соединительных контактных выводов, и изгибаются к той же стороне относительно направления прохождения в порядке от самого дальнего нижнего проводника при виде в плане подложки для устройства отображения, и каждый из множества внешних соединительных контактных выводов подключается по меньшей мере через одно из множества соединительных отверстий к части вне изогнутой части любого из множества нижних проводников.
В подложке для устройства отображения настоящего изобретения, поскольку соединительные отверстия не предоставляются выше направления прохождения нижних проводников, можно сужать шаг смежных нижних проводников. Соответственно, можно увеличивать число нижних проводников, размещаемых ниже внешних соединительных контактных выводов так, что достигается дополнительное уменьшение площади области рамки. Следовательно, предпочтительно не размещать соединительное отверстие в области, в которой нижний проводник пересекает множество внешних соединительных контактных выводов.
Здесь множество нижних проводников, идущих рядом друг с другом, не должно размещаться строго параллельно друг с другом. Помимо этого, множество нижних проводников, изогнутых к той же стороне, не должно изгибаться в точно том же направлении относительно направления прохождения. Примерные режимы включают в себя режим, в котором нижние проводники изгибаются вместе внутрь или к периферийной стороне подложки для устройства отображения. Дополнительно, самый дальний проводник может быть самым дальним проводником на периферийной стороне подложки для устройства отображения или самым дальним проводником на внутренней стороне подложки для устройства отображения. Помимо этого, направление прохождения может быть направлением через множество внешних соединительных контактных выводов.
В настоящем описании "выше, над" означает сторону, более удаленную от изолирующей подложки (например, стеклянной подложки, пластмассовой подложки, кремниевой подложки), в подложке для устройства отображения, а "ниже, низко, под" означает сторону, более близкую к изолирующей подложке в подложке для устройства отображения. А именно, верхний уровень означает слой дальше от изолирующей подложки в подложке для устройства отображения, а нижний слой означает слой ближе к изолирующей подложке в подложке для устройства отображения.
Дополнительно, в настоящем описании, соединительное отверстие может быть отверстием, обычно называемым контактным окном, сквозным отверстием или переходным отверстием.
Конфигурация подложки для устройства отображения настоящего изобретения конкретно не ограничивается до тех пор, пока она, по существу, включает в себя такие компоненты. Подложка для устройства отображения может включать в себя или не включать в себя другие компоненты.
Множество соединительных отверстий может предоставляться коллинеарно при виде в плане подложки для устройства отображения. Это дает возможность дополнительного уменьшения площади области рамки.
Настоящее изобретение также предусматривает устройство отображения, содержащее подложку для устройства отображения согласно настоящему изобретению. Это дает возможность производства устройства отображения, имеющего меньшую область рамки.
Конфигурация устройства отображения согласно настоящему изобретению конкретно не ограничивается до тех пор, пока она, по существу, включает в себя такие компоненты. Устройство отображения может включать в себя или не включать в себя другие компоненты.
Предпочтительные варианты осуществления устройства отображения настоящего изобретения упоминаются подробнее ниже. Следующие варианты осуществления могут использоваться в комбинации.
Устройство отображения дополнительно может содержать: внешний соединительный компонент, имеющий множество соединительных частей; и множество проводящих элементов, электрически соединяющих подложку для устройства отображения с внешним соединительным компонентом, каждый из множества внешних соединительных контактных выводов подключается по меньшей мере через один из множества проводящих элементов к любой из множества соединительных частей, и множество соединительных отверстий размещаются вне области, в которой множество соединительных частей и множество проводящих элементов перекрывают друг друга при виде в плане подложки для устройства отображения. В этом варианте осуществления, даже если внешний соединительный компонент подвергается термокомпрессии к подложке для устройства отображения, проводящие слои внешних соединительных контактных выводов с меньшей вероятностью выводятся из строя посредством проводящих элементов, поскольку соединительные отверстия отсутствуют в области, в которой соединительные части и проводящие элементы перекрываются, чтобы к ним прикладывалось давление во время термокомпрессии. Как результат, можно предотвращать повреждение соединения.
Здесь соединительные части означают соединительные контактные выводы, такие как контактные столбики и проводники, которые могут подключаться к подложке для устройства отображения.
Устройство отображения дополнительно может содержать герметизирующий материал для герметизации элемента отображения.
Множество соединительных отверстий может быть размещено между герметизирующим материалом и областью, в которой множество соединительных частей и множество проводящих элементов перекрывают друг друга при виде в плане подложки для устройства отображения. Это дает возможность компоновки соединительного отверстия в краевой области между герметизирующим материалом и проводящим элементом. Как результат, можно предотвращать повреждение соединения и сохранять увеличение площади области рамки на минимуме.
Множество соединительных отверстий может быть размещено дальше к внутренней стороне подложки для устройства отображения, чем герметизирующий материал, при виде в плане подложки для устройства отображения. Это повышает надежность соединительной части внешнего соединительного контактного вывода.
Множество соединительных отверстий может перекрывать герметизирующий материал при виде в плане подложки для устройства отображения. Это дает возможность дополнительного уменьшения площади области рамки.
В настоящем описании режим, в котором элемент A перекрывает элемент B, означает режим, в котором элемент A полностью перекрывает элемент B, или режим, в котором элемент A частично перекрывает элемент B.
Подложка для устройства отображения дополнительно может содержать фоторазделитель, размещенный в герметизирующем материале. Это предотвращает повреждение соединения и дает возможность дополнительного уменьшения площади области рамки и повышения надежности.
Подложка для устройства отображения дополнительно может содержать изолирующую пленку, сформированную ниже герметизирующего материала. Это предотвращает повреждение соединения и дает возможность дополнительного уменьшения площади области рамки и повышения надежности.
Изолирующая пленка может быть размещена ниже практически всего герметизирующего материала. Это предотвращает ухудшение качества отображения, которое вызывается посредством неравномерной толщины ячейки вследствие разности уровней, сформированной посредством изолирующей пленки в жидкокристаллическом устройстве отображения.
Множество проводящих элементов может включать в себя проводящие частицы. В частности, в случае, если используется анизотропная проводящая пленка, проводящий слой внешнего соединительного контактного вывода может разрываться в форме кольца посредством проводящих частиц в анизотропной проводящей пленке, легко приводя к повреждению соединения. Когда проводящие элементы содержат проводящие частицы, такой дефект, как повреждение соединения, эффективно предотвращается.
Преимущества изобретения
Согласно подложке для устройства отображения и устройству отображения настоящего изобретения может достигаться дополнительное уменьшение площади области рамки.
Краткое описание чертежей
Фиг. 1 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим конфигурацию области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 1.
Фиг. 2 являются схематичными видами в поперечном сечении, каждый из которых иллюстрирует конфигурацию области рамки жидкокристаллического устройства отображения по варианту осуществления 1. Фиг. 2(a) является видом в поперечном сечении вдоль линии A-B на фиг. 1, а фиг. 2(b) является видом в поперечном сечении вдоль линии C-D на фиг. 1.
Фиг. 3-1 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим конфигурацию области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2.
Фиг. 3-2 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим конфигурацию области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2, и является видом в поперечном сечении вдоль линии E-F на фиг. 3-1.
Фиг. 4 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2.
Фиг. 5-1 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2.
Фиг. 5-2 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2, и является видом в поперечном сечении вдоль линии G-H на фиг. 5-1.
Фиг. 6-1 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2.
Фиг. 6-2 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2, и является видом в поперечном сечении вдоль линии I-J на фиг. 6-1.
Фиг. 7-1 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2.
Фиг. 7-2 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2, и является видом в поперечном сечении вдоль линии K-L на фиг. 7-1.
Фиг. 8-1 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2.
Фиг. 8-2 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2, и является видом в поперечном сечении вдоль линии M-N на фиг. 8-1.
Фиг. 9 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим модифицированный пример структуры области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2.
Фиг. 10 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2.
Фиг. 11 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2.
Фиг. 12 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим структуру области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 3.
Фиг. 13 являются схематичными видами в поперечном сечении, каждый из которых иллюстрирует конфигурацию жидкокристаллического устройства отображения по варианту осуществления 3. Фиг. 13(a) является видом в поперечном сечении вдоль линии P-Q на фиг. 12, а фиг. 13(b) является видом в поперечном сечении вдоль линии R-S на фиг. 12.
Фиг. 14-1 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим конфигурацию области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по сравнительному варианту осуществления 1.
Фиг. 14-2 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим конфигурацию области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по сравнительному варианту осуществления 1, и является видом в поперечном сечении вдоль линии T-U на фиг. 14-1.
Фиг. 15 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по сравнительному варианту осуществления 1.
Фиг. 16-1 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2.
Фиг. 16-2 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2, и является видом в поперечном сечении вдоль линии V-W на фиг. 16-1.
Осуществление изобретения
Настоящее изобретение подробнее поясняется ниже в отношении вариантов осуществления с использованием чертежей, но не ограничено только этими вариантами осуществления.
Первый вариант осуществления
Фиг. 1 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим конфигурацию области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 1. Фиг. 2 являются схематичными видами в поперечном сечении, каждый из которых иллюстрирует конфигурацию жидкокристаллического устройства отображения по варианту осуществления 1. Фиг. 2(a) является видом в поперечном сечении вдоль линии A-B на фиг. 1, а фиг. 2(b) является видом в поперечном сечении вдоль линии C-D на фиг. 1.
Как проиллюстрировано на фиг. 1 и 2, жидкокристаллическое устройство 100 отображения настоящего варианта осуществления имеет конфигурацию, в которой подложка 111 с тонкопленочными транзисторами (TFT) в качестве подложки для устройства отображения подключается через ACF (анизотропную проводящую пленку) 180 к FPC (гибким печатным схемам) 170 и кристаллу 175 интегральной микросхемы в качестве внешних соединительных элементов в области рамки жидкокристаллического устройства отображения. FPC 170 и кристалл 175 интегральной микросхемы размещаются рядом вдоль одной стороны TFT-подложки 111, имеющей прямоугольную форму при виде в плане. В настоящем варианте осуществления и в других вариантах осуществления, описанных ниже, FPC 170 может содержать только гибкое основание, или FPC 170 может быть жесткой FPC, содержащей гибкое основание и твердую (жесткую) часть, прикрепленную к ней. Далее, описывается случай использования жесткой FPC. Часть гибкого основания, содержащая полиимид и т.п., называется FPC, а часть, в которой электронные компоненты, такие как различные микросхемы, включенные в жидкокристаллический контроллер и т.п., резистор и конденсатор, монтируются, называется жесткой частью. Узел из части основания и жесткой части называется жесткой FPC.
В дополнение к TFT-подложке 111, жидкокристаллическое устройство 100 отображения дополнительно содержит CF-подложку, размещенную напротив TFT-подложки 111. CF-подложка содержит, на изолирующей подложке, (1) черную матрицу, содержащую экранирующий материал и цветные светофильтры красного, зеленого и синего цвета, (2) слой внешнего покрытия, (3) общий электрод, содержащий прозрачную проводящую пленку, и (4) совмещающую пленку, в этом порядке со стороны изолирующей подложки. TFT-подложка 111 и CF-подложка герметизируются на внешней границе посредством герметизирующего материала в форме рамки, и зазор между ними заполняется жидкокристаллическим материалом. На TFT-подложке 111 жесткая FPC 170 и кристалл 175 интегральной микросхемы размещаются в области, отличной от области, в которой TFT-подложка 111 располагается напротив CF-подложки.
Жесткая FPC 170 содержит множество проводников 171, проходящих рядом друг с другом на основании 172. Множество проводников 171 выступает в качестве соединительных контактных выводов (соединительных частей) жесткой FPC 170. Жесткая FPC 170 имеет электронные компоненты, такие как различные микросхемы, включенные в жидкокристаллический контроллер и т.п., резистор и конденсатор, смонтированные на ней.
Кристалл 175 интегральной микросхемы имеет контактные столбики 176 для ввода сигналов и контактные столбики 177 для вывода сигналов. Контактные столбики 176 и 177 выступают в качестве соединительных контактных выводов (соединительных частей) кристалла 175 интегральной микросхемы. Кристалл 175 интегральной микросхемы монтируется, в качестве бескорпусного кристалла, на TFT-подложке 111, согласно технологии COG (монтажа на стеклянную подложку). Кристалл 175 интегральной микросхемы обычно содержит драйвер истока, драйвер затвора, схему электропитания, сенсорную схему и т.п. Здесь схемы, которые должны быть включены в кристалл 175 интегральной микросхемы, определяются посредством свойств TFT, который должен формироваться на TFT-подложке 111. Например, свойства TFT, который должен формироваться на TFT-подложке 111, варьируются в соответствии с его материалом, к примеру, LPS (низкотемпературный поликристаллический кремний), CGS (кремний с постоянным зерном) и аморфный кремний. Следовательно, схемы, которые должны быть включены в кристалл 175 интегральной микросхемы и TFT-подложку 111, определяются с учетом удобства использования схем с TFT, который должен формироваться на TFT-подложке 111, вероятности того, что масштаб схем становится слишком большим, вероятности того, что объем выпуска понижается, и т.п. Контактные столбики 176 для ввода сигналов размещаются рядом друг с другом, и контактные столбики 177 для вывода сигналов предоставляются в совмещении со сдвигом, т.е. в двух строках в конфигурации со сдвигом. Здесь кристалл 175 интегральной микросхемы может быть LSI-микросхемой, конечно.
TFT-подложка 111 содержит множество внешних соединительных контактных выводов 141, множество внешних соединительных контактных выводов 142 и множество внешних соединительных контактных выводов 143. Множество внешних соединительных контактных выводов 141 соответствует проводникам 171 в жесткой FPC 170 и выравнивается рядом друг с другом. Множество внешних соединительных контактных выводов 142 соответствует контактным столбикам 176 для ввода сигналов и выравнивается рядом друг с другом. Множество внешних соединительных контактных выводов 143 соответствует контактным столбикам 177 для вывода сигналов и имеет форму полосы.
ACF 180 покрывает внешние соединительные контактные выводы 141, 142 и 143. Внешние соединительные контактные выводы 141 подключаются к проводникам 171 жесткой FPC 170 через проводящие шарики (проводящие частицы) 181, которые являются проводящими элементами в ACF 180. Внешние соединительные контактные выводы 142 подключаются к контактным столбикам 176 для ввода сигналов через проводящие шарики 181. Внешние соединительные контактные выводы 143 подключаются к контактным столбикам 177 для вывода сигналов через проводящие шарики 181.
Каждый внешний соединительный контактный вывод 141 подключается через контактное окно 131, предоставленное в межслойной изолирующей пленке 152, сформированной в слое ниже внешнего соединительного контактного вывода 141, к соединительной части проводника, размещенной на одном конце проводника 112, который является нижним проводником, сформированным в слое ниже межслойной изолирующей пленки 152. Здесь соединительная часть проводника является частью проводника, а более конкретно, частью, подключающейся (контактирующей) к проводящему элементу, такому как другой проводник и контактный вывод. Проводник 112 идет от точки под внешним соединительным контактным выводом 141 к точке под внешним соединительным контактным выводом 142. Соединительная часть проводника на другом конце проводника 112 подключается к внешнему соединительному контактному выводу 142 через контактное окно 132, предоставленное в межслойной изолирующей пленке 152. Таким образом, жесткая FPC 170 подает сигнал и электричество в кристалл 175 интегральной микросхемы.
Контактные окна 131 предоставляются коллинеарно (вдоль линии параллельно с направлением прохождения проводников 112) в положениях, соответствующих концам внешних соединительных контактных выводов 141, размещенных на периферийной стороне TFT-подложки 111. Контактные окна 131 перекрываются с проводниками 171 жесткой FPC 170, но не с ACF 180. А именно, контактные окна 131 размещаются вне области, в которой проводники 171 и ACF 180 перекрываются друг с другом. Соответственно, каждый внешний соединительный контактный вывод 141 подключается к любому из проводников 112 в области, отличной от области, в которой проводник 171 и ACF 180 перекрываются друг с другом. Внешний соединительный контактный вывод 141 имеет часть, соединяющуюся с проводником 171 жесткой FPC 170 (часть, контактирующую с проводящими шариками 181), и часть, соединяющуюся с проводником 112 (часть, контактирующую с соединительной частью проводника для проводника 112), отдельно. Часть, соединяющаяся с проводником 112, размещается так, чтобы не перекрываться ни с проводником 171 жесткой FPC 170, ни с ACF 180.
Контактные окна 132 предоставляются коллинеарно (вдоль линии параллельно с направлением прохождения проводников 112) в концах внешних соединительных контактных выводов 142, размещенных на периферийной стороне TFT-подложки 111. Контактные окна 132 размещаются так, чтобы не перекрываться как с контактными столбиками 176 для ввода сигналов, так и с ACF 180. Соответственно, каждый внешний соединительный контактный вывод 142 подключается к любому из проводников 112 в области, отличной от области, в которой контактный столбик 176 для ввода сигналов и ACF 180 перекрываются друг с другом. Внешний соединительный контактный вывод 142 имеет часть, соединяющую с контактным столбиком 176 для ввода сигналов (часть, контактирующую с проводящими шариками 181), и часть, соединяющую с проводником 112 (часть, контактирующую с соединительной частью проводника для проводника 112), отдельно. Часть, соединяющая с проводником 112, размещается так, чтобы не перекрываться как с контактным столбиком 176 для ввода сигналов, так и с ACF 180.
Внешние соединительные контактные выводы 141 и 142 размещаются вдоль области, в которой ACF 180 размещается. Проводники 112 ниже внешних соединительных контактных выводов 141 и 142 идут рядом друг с другом, главным образом, в направлении матричной структуры внешних соединительных контактных выводов 141 и 142. Проводники 112 изгибаются около своих концов на одной стороне к той же стороне (направлении к внешней границе TFT-подложки 111 и ортогонально к направлению прохождения проводников 112) в порядке от самого дальнего проводника на периферийной стороне TFT-подложки 111. Соединительные части проводника, контактирующие с внешними соединительными контактными выводами 141, предоставляются в частях вне изогнутых частей проводников 112. Дополнительно, проводники 112 также изгибаются около своих концов с другой стороны к той же стороне (направлении к внешней границе TFT-подложки 111 и ортогонально к направлению прохождения проводников 112) в порядке от самого дальнего проводника на периферийной стороне TFT-подложки 111. Соединительные части проводника, контактирующие с внешними соединительными контактными выводами 142, предоставляются в частях вне изогнутых частей проводников. Соответственно, каждый проводник 112 имеет квадратную U-образную форму при виде в плане.
С другой стороны, каждый внешний соединительный контактный вывод 143 подключается к соединительной части проводника, размещенной на одном конце общего проводника 115, который является нижним проводником, сформированным в слое ниже межслойной изолирующей пленки 152, через контактное окно 133, предоставленное в межслойной изолирующей пленке 152. Каждый общий проводник 115 идет от точки под внешним соединительным контактным выводом 143 и проходит ниже внешнего соединительного контактного вывода 141. Затем, общий проводник 115 подключается к элементу TFT-подложки 111, такому как полупроводниковый элемент, конденсатор и резистор. Полупроводниковый элемент обычно является транзистором, более конкретно TFT. Каждый общий проводник 115 подключается к двум или более элементам, таким как полупроводниковый элемент, конденсатор и резистор, чтобы подавать общий сигнал и электричество в них. Таким образом, выходной сигнал и выводимое электричество, сформированные из кристалла 175 интегральной микросхемы, подаются в каждый элемент на TFT-подложке 111, такой как полупроводниковый элемент, конденсатор и резистор.
Контактные окна 133 предоставляются в совмещении со сдвигом, соответствующем концам внешних соединительных контактных выводов 143, размещенных на внутренней стороне TFT-подложки 111. Контактные окна 133 размещаются так, чтобы не перекрываться как с контактными столбиками 177 для вывода сигналов, так и с ACF 180. Соответственно, каждый внешний соединительный контактный вывод 143 подключается к любому из общих проводников 115 в области, отличной от области, в которой контактный столбик 177 для вывода сигналов и ACF 180 перекрываются друг с другом. А именно, внешний соединительный контактный вывод 143 имеет часть, соединяющую с контактным столбиком 177 для вывода сигналов (часть, контактирующую с проводящими шариками 181), и часть, соединяющую с общим проводником 115 (часть, контактирующую с соединительной частью проводника для общего проводника 115), отдельно. Часть, соединяющая с общим проводником 115, размещается так, чтобы не перекрываться как с контактным столбиком 177 для вывода сигналов, так и с ACF 180.
Внешние соединительные контактные выводы 141 и 143 размещаются вдоль области, в которой ACF 180 размещается. Общие проводники 115 ниже внешних соединительных контактных выводов 141 и 143 идут рядом друг с другом, главным образом, в направлении матричной структуры внешних соединительных контактных выводов 141 и 143. Общие проводники 115 изгибаются около своих концов на одной стороне к той же стороне (направлении к внешней границе TFT-подложки 111 и ортогонально к направлению прохождения общих проводников 115) в порядке от самого дальнего проводника на внутренней стороне TFT-подложки 111. Соединительные части проводника, контактирующие с внешними соединительными контактными выводами 143, предоставляются в частях вне изогнутых частей общих проводников. Соответственно, каждый общий проводник 115 имеет L-образную форму при виде в плане.
Схемный блок 146, включающий в себя TFT 129 и маршрутизирующий проводник 130, непосредственно формируется в TFT-подложке 111 в областях, в которых TFT-подложка 111 перекрывает жесткую FPC 170, а также с кристаллом 175 интегральной микросхемы. В схемном блоке 146 схема, которая не перекрывается со схемой в кристалле 175 интегральной микросхемы, формируется, такая как драйвер истока, драйвер затвора и схема электропитания.
Далее, более конкретно описывается структура в поперечном сечении жидкокристаллического устройства 100 отображения.
Как проиллюстрировано на фиг. 2(a) и 2(b), область рамки TFT-подложки 111 имеет слоистую структуру, содержащую пленку 122 подложки, полупроводниковый слой 123, изолирующую пленку 124 затвора, первый слой 161 проводников, межслойную изолирующую пленку 151, второй слой 162 проводников, межслойную изолирующую пленку 152, третий слой 163 проводников, прозрачный проводящий слой 164, последовательно ламинируемые на изолирующей подложке 121 в этом порядке. TFT 129 включает в себя полупроводниковый слой 123, изолирующую пленку 124 затвора и электрод затвора 125, сформированные посредством первого слоя 161 проводников. Дополнительно, проводник 128 "сток-исток", содержащий второй слой 162 проводников, подключается к области "сток-исток" полупроводникового слоя 123 через контактное окно, проникающее через межслойную изолирующую пленку 151 и изолирующую пленку 124 затвора.
Первый слой 161 проводников формирует маршрутизирующий проводник 130. Второй слой 162 проводников формирует проводники 112 и общие проводники 115. Слоистая конструкция третьего слоя 163 проводников и прозрачного проводящего слоя 164 формирует внешние соединительные контактные выводы 141, 142 и 143. Жесткая FPC 170 и кристалл 175 интегральной микросхемы, соответственно, подвергаются термокомпрессии к TFT-подложке 111 посредством вставки ACF 180. Таким образом, они подключаются к TFT-подложке 111 через проводящие шарики 181 в ACF 180 и крепятся с TFT-подложкой 111 посредством клейкого компонента 182, который содержит термореактивную смолу и содержится в ACF 180.
Дополнительно, давление прикладывается через проводящие шарики 181 во время термокомпрессии к внешним соединительным контактным выводам 141, 142 и 143 и их соответствующим компонентам, включающим в себя проводники 171 жесткой FPC 170, контактные столбики 176 для ввода сигналов и контактные столбики 177 для вывода сигналов кристалла 175 интегральной микросхемы. Соответственно, если контактные окна 131, 132 и 133 предоставляются в областях, в которых давление прикладывается (областях, в которых проводники 171, контактные столбики 176 для ввода сигналов и контактные столбики 177 для вывода сигналов перекрываются с проводящими шариками 181), может иметь место то, что внешние соединительные контактные выводы 141, 142 и 143 выходят из строя в областях во время термокомпрессии, приводя к повреждению соединения, поскольку слоистая конструкция третьего слоя 163 проводников и прозрачного проводящего слоя 164 в контактном окне является более тонкой по сравнению с другими частями. В частности, в случае, если проводящие шарики 181, содержащиеся в ACF 180, используются в качестве проводящих материалов, внешние соединительные контактные выводы 141, 142 и 143 могут разрываться в форме кольца так, что повреждение соединения часто возникает.
Напротив, контактные окна 131, 132 и 133 размещаются в областях, отличных от областей, в которых проводящие шарики 181 перекрываются с проводниками 171 жесткой FPC 170, контактными столбиками 176 для ввода сигналов и контактными столбиками 177 для вывода сигналов кристалла 175 интегральной микросхемы, соответственно, при виде в плане TFT-подложки 111 в жидкокристаллическом устройстве 100 отображения. Соответственно, можно не допускать приложения давления к внешним соединительным контактным выводам 141, 142 и 143 в тонких частях пленок в контактных окнах 131, 132 и 133 во время термокомпрессии, поскольку проводящие шарики 181 контактируют только со сравнительно толстыми частями на верхней поверхности внешних соединительных контактных выводов 141, 142 и 143. Как результат, можно предотвращать повреждения контактов между TFT-подложкой 111 и жесткой FPC 170 и между TFT-подложкой 111 и кристаллом 175 интегральной микросхемы, которые могут вызываться посредством выхода из строя внешних соединительных контактных выводов 141, 142 и 143.
Настоящий технический уровень серийного производства дает возможность уменьшения ширины линии и шага (линии и пространства) между группами проводников, такими как проводники 112 и общие проводники 115, приблизительно до 2 мкм посредством сухого травления, используемого в микрообработке. Когда фотолитография выполняется посредством использования межслойной изолирующей пленки 152, предоставленной в группах проводников в качестве фоточувствительной органической изолирующей пленки, линия и пространство приблизительно в 4 мкм является пределом микрообработки. Соответственно, чтобы формировать контактные окна 131, 132 и 133 для соединения групп проводников с внешними соединительными контактными выводами 141, 142 и 143 в таких группах проводников, фактические контактные окна 131, 132 и 133 должны быть шире групп проводников с точки зрения точности управления положением и точности микрообработки контактных окон 131, 132 и 133. Следовательно, простая компоновка контактных окон 131, 132 и 133 в области прохождения групп проводников может увеличивать расстояние между смежными проводниками, приводя к снижению числа проводников, которые могут размещаться ниже внешних соединительных контактных выводов 141, 142 и 143.
Напротив, в жидкокристаллическом устройстве 100 отображения, проводники 112 идут рядом друг с другом, пересекая внешние соединительные контактные выводы 141 и 142, и изгибаются к той же стороне относительно направления прохождения (направления, пересекающего внешние соединительные контактные выводы 141 и 142) в порядке от самого дальнего проводника при виде в плане TFT-подложки 111, и контактные окна 131 и 132 подключаются к частям вне изогнутых частей (соединительным частям проводника) проводников 112. Дополнительно, общие проводники 115 идут рядом друг с другом, пересекая внешние соединительные контактные выводы 141 и 143, и изгибаются к той же стороне относительно направления прохождения (направления, пересекающего внешние соединительные контактные выводы 141 и 143) в порядке от самого дальнего проводника при виде в плане TFT-подложки 111, и контактные окна 133 подключаются к частям вне изогнутых частей (соединительным частям проводника) проводников 112. Соответственно, компоновка контактных окон 131, 132 и 133 за пределами областей прохождения проводников 112 и общих проводников 115 позволяет сохранять линию и пространство групп проводников, таких как проводники 112 и общие проводники 115, максимально узкой даже в случае, если межслойная изолирующая пленка 152 является фоточувствительной органической изолирующей пленкой. Помимо этого, можно сохранять линию и пространство максимально узкими независимо от числа проводников в группах проводников. Следовательно, достигается уменьшение площади области рамки, поскольку необязательно сокращать число проводников, которые могут размещаться ниже внешних соединительных контактных выводов 141, 142 и 143.
Дополнительно, поскольку контактные окна 131 и 132 предоставляются коллинеарно (более предпочтительно вдоль линии параллельно с направлением прохождения проводников 112) при виде в плане TFT-подложки 111, можно иметь площадь всей области, в которой контактные окна 131 и 132 размещаются, меньшей при обеспечении соответствующего размера соответствующих контактных окон 131 и 132 по сравнению со случаем, когда контактные окна 131 и 132 размещаются произвольно, например, в зигзагообразном рисунке. А именно, достигается большее уменьшение площади области рамки.
Здесь плоская форма контактных окон 131, 132 и 133 не ограничивается конкретным образом. Дополнительно, каждое контактное окно 131, 132 или 133 может быть разделено на множество отверстий.
Далее, приводится описание примера способа изготовления жидкокристаллического устройства отображения по варианту осуществления 1.
Во-первых, предварительная обработка, включающая в себя очистку и предварительный отжиг, выполняется к изолирующей подложке 121. Изолирующая подложка 121 не ограничивается конкретным образом, и стеклянная подложка или полимерная подложка предпочтительно используется с точки зрения затрат и т.п. Затем выполняются следующие этапы (1)-(15).
(1) Формирование пленки подложки
4
2
3
4
3
Пленка на основе SiON, имеющая толщину 50 нм, и пленка на основе SiOx, имеющая толщину 100 нм, формируются на изолирующей подложке 121 в этом порядке с использованием метода PECVD (плазмохимического осаждения из паровой фазы) так, что пленка 122 подложки формируется. Примеры исходного газа для формирования пленки на основе SiON включают в себя газовую смесь, содержащую моносилан (SiH), газ на основе закиси азота (NO) и аммиак (NH). Пленка на основе SiOx предпочтительно формируется с использованием газа TEOS (тетраэтилортосиликат) в качестве исходного газа. Пленка 122 подложки может включать в себя пленку на основе нитрида кремния (SiNx), сформированную с использованием газовой смеси, содержащей моносилан (SiH) и аммиак (NH) в качестве исходного газа.
(2) Формирование полупроводникового слоя
4
2
6
4
2
Пленка на основе аморфного кремния (a-Si), имеющая толщину 50 нм, формируется посредством PECVD-метода. Примеры исходного газа для формирования пленки на основе a-Si включают в себя SiH и дисилан (SiH). Поскольку пленка на основе a-Si, сформированная посредством PECVD-метода, содержит водород, пленка на основе a-Si обрабатывается приблизительно при 500°C, чтобы понижать ее концентрацию водорода (дегидрогенизация). Затем, выполняется лазерный отжиг для того, чтобы плавить/расплавить, охлаждать и кристаллизовать пленку на основе a-Si, чтобы формировать пленку на основе поликристаллического кремния (поликремния, p-Si). Лазерный отжиг выполняется посредством использования, например, эксимерного лазера. В формировании пленки на основе p-Si металлический катализатор, такой как никель, может применяться к пленке на основе a-Si без дегидрогенизации, и рост кристаллов из твердой фазы может выполняться посредством термической обработки (чтобы получать кремний с постоянным зерном (CG-кремний)) как предварительная обработка лазерного отжига. Только рост кристаллов из твердой фазы посредством термической обработки может выполняться как кристаллизация пленки на основе a-Si. Затем, пленка на основе p-Si формирует рисунок посредством сухого травления с использованием газовой смеси, содержащей четырехфтористый углерод (CF) и кислород (O) так, что при этом формируется полупроводниковый слой 123.
(3) Формирование изолирующей пленки затвора
Изолирующая пленка 124 затвора, содержащая диоксид кремния, имеющая толщину 45 нм, формируется с использованием газа TEOS в качестве исходного газа. Материал изолирующей пленки 124 затвора не ограничивается конкретным образом, и пленка на основе SiNx, пленка на основе SiON и т.п. может использоваться. Исходный газ, чтобы формировать пленку на основе SiNx и пленку на основе SiON, может быть исходным газом, идентичным газу, упомянутому в описании формирования пленки подложки. Изолирующая пленка 124 затвора может быть слоистой конструкцией из множества упомянутых выше материалов.
(4) Ионное легирование
Чтобы управлять пороговым значением TFT 129, полупроводниковые слои 123 легируются с помощью примесей, таких как бор, посредством ионного легирования или ионной имплантации. Более конкретно, полупроводниковые слои, которые должны формироваться в TFT с каналом n-типа и TFT с каналом p-типа, легируются с помощью примесей, таких как бор (первое легирование), а затем полупроводниковый слой, который должен формироваться в TFT с каналом n-типа, дополнительно легируется с помощью примесей, таких как бор (второе легирование), в то время как полупроводниковый слой, который должен формироваться в TFT с каналом p-типа, маскируется с помощью резиста. В случае, если необязательно управлять пороговым значением TFT с каналом p-типа, необязательно выполнять первое легирование.
(5) Формирование первого слоя проводников
6
4
2
2
Пленка на основе нитрида тантала (TaN), имеющая толщину 30 нм, и пленка на основе вольфрама (W), имеющая толщину 370 нм, формируются в этом порядке посредством метода разбрызгивания. Затем, пленка резиста формирует требуемый рисунок посредством метода фотолитографии так, что формируется резистная маска. После этого сухое травление выполняется с использованием газовой смеси, в качестве газа для травления, подготавливаемого посредством смешения управляемых величин аргона (Ar), гексафторида серы (SF), четырехфтористого углерода (CF), кислорода (O), хлора (Cl) и т.п. Таким образом, первый слой 161 проводников формируется. Примеры материала первого слоя 161 проводников включают в себя тугоплавкие металлы, имеющие плоскую поверхность и стабильные свойства, такие как тантал (Ta), молибден (Mo), вольфрамо-молибден (MoW), и низкоомные металлы, такие как алюминий (Al). Первый слой 161 проводников может быть слоистой конструкцией, содержащей множество упомянутых выше материалов.
(6) Формирование области "сток-исток"
Полупроводниковый слой 123 сильно легируется с помощью примесей посредством ионного легирования или ионной имплантации с использованием электрода затвора 125 в качестве маски так, что область "сток-исток" TFT 129 формируется. Здесь, TFT с каналом n-типа легируется с помощью примесей, таких как фосфор, а TFT с каналом p-типа легируется с помощью примесей, таких как бор. В этом случае область LDD (слаболегированного стока) необязательно может формироваться. Затем, активация нагревом приблизительно при 700°C в течение шести часов выполняется для того, чтобы активировать примесные ионы, присутствующие в полупроводниковом слое 123. Это повышает удельную проводимость области "сток-исток". Активация также может выполняться посредством облучения с помощью эксимерного лазера.
(7) Формирование межслойной изолирующей пленки и контактного окна
Пленка на основе SiNx, имеющая толщину 100-400 нм (предпочтительно 200-300 нм), и пленка TEOS, имеющая толщину 500-1000 нм (предпочтительно 600-800 нм), формируются на всей поверхности изолирующей подложки 121 посредством PECVD-метода. Таким образом, межслойная изолирующая пленка 151 формируется. Пленка на основе SiON также может использоваться в качестве межслойной изолирующей пленки 151. Помимо этого, пленка с тонким защитным покрытием (например, пленка TEOS), имеющая толщину приблизительно 50 нм, может формироваться ниже межслойной изолирующей пленки 151, чтобы предотвращать ухудшение качества свойств TFT вследствие кратковременного уменьшения и стабилизировать электрические свойства TFT 129. После формирования резистной маски посредством формирования рисунка на пленке резиста в требуемом рисунке посредством фотолитографии влажное травление выполняется для изолирующей пленки 124 затвора и межслойной изолирующей пленки 151 с использованием раствора для травления на основе плавиковой кислоты. Таким образом, контактные окна формируются в изолирующей пленке 124 затвора и межслойной изолирующей пленке 151. Сухое травление также может использоваться вместо влажного травления.
(8) Гидрогенизация
Термическая обработка приблизительно при 400°C в течение одного часа затем выполняется так, что дефекты кристаллов Si в полупроводниковом слое 123 корректируются посредством водорода, поданного из пленки на основе SiNx межслойной изолирующей пленки 151.
(9) Формирование второго слоя проводников
Пленка на основе титана (Ti), имеющая толщину 100 нм, пленка на основе алюминия (Al), имеющая толщину 500 нм, и пленка на основе Ti, имеющая толщину 100 нм, формируются посредством напыления и т.п. в этом порядке. Затем, пленка резиста формирует требуемый рисунок посредством метода фотолитографии так, что формируется резистная маска. Затем, металлическая слоистая конструкция Ti/Al/Ti формирует рисунок посредством сухого травления, чтобы формировать второй слой 162 проводников. В качестве металла, составляющего второй слой 162 проводников, сплав Al-Si также может использоваться вместо Al. В данном случае Al используется для более низкого сопротивления проводников. Тем не менее, в случае, если высокое тепловое сопротивление требуется, и увеличение сопротивления является приемлемым до некоторой степени (например, в случае короткой структуры проводников), материалы первого слоя 161 проводников (Ta, Mo, MoW, W, TaN и т.п.) могут использоваться в качестве металла, составляющего второй слой 162 проводников.
(10) Формирование межслойной изолирующей пленки и контактного окна
Пленка на основе фоточувствительной смолы, такая как пленка на основе фоточувствительной акриловой смолы, имеющая толщину 1-5 мкм (предпочтительно 2-3 мкм), формируется на всей поверхности изолирующей подложки 121 посредством покрытия методом центрифугирования и т.п. Таким образом, формируется межслойная изолирующая пленка 152. Примерные материалы межслойной изолирующей пленки 152 могут включать в себя нефоточувствительную смолу, такую как нефоточувствительная акриловая смола, (не-)фоточувствительная полиалкисилоксановая смола, (не-)фоточувствительная полисилазановая смола,
(не-)фоточувствительная полиимидная смола или
(не-)фоточувствительная пареллиновая смола. Примерные материалы межслойной изолирующей пленки 152 также могут включать в себя материалы из метилсодержащего полисилоксана (MSQ) и материалы из пористого MSQ. В случае, если фоточувствительная смола используется в качестве материала межслойной изолирующей пленки 152, пленка на основе фоточувствительной смолы экспонируется через фотомаску, имеющую требуемый экранирующий рисунок, сначала, и травление (проявка) выполняется для того, чтобы удалять пленку на основе фоточувствительной смолы в области, в которой контактные окна 131, 132 и 133 должны формироваться. Затем, спекание пленки на основе фоточувствительной смолы выполняется (например, при 200°C в течение 30 минут). Эта обработка сглаживает форму отверстий (окон) межслойной изолирующей пленки 152 так, что соотношение сторон контактных окон 131, 132 и 133 уменьшается. Помимо этого, озоление (раскрепление) не требуется при удалении контактных частей (частей, которые должны быть контактными окнами 131, 132 и 133) межслойной изолирующей пленки 152 сначала. Межслойная изолирующая пленка 152 может быть слоистой конструкцией из множества пленок, содержащих различные материалы.
(11) Формирование третьего слоя проводников
Пленка на основе титана (Ti), имеющая толщину 100 нм, пленка на основе алюминия (Al), имеющая толщину 500 нм, и пленка на основе Ti, имеющая толщину 100 нм, формируются посредством напыления и т.п. в этом порядке. Затем, пленка резиста формирует требуемый рисунок посредством метода фотолитографии так, что формируется резистная маска. Затем, металлическая слоистая конструкция Ti/Al/Ti формирует рисунок посредством сухого травления, чтобы формировать третий слой 163 проводников. В качестве металла, составляющего третий слой 163 проводников, сплав Al-Si также может использоваться вместо Al. В данном случае Al используется для более низкого сопротивления проводников. Тем не менее, в случае, если высокое тепловое сопротивление требуется, и увеличение сопротивления является приемлемым до некоторой степени (например, в случае короткой структуры проводников), материалы первого слоя 161 проводников (Ta, Mo, MoW, W, TaN и т.п.) могут использоваться в качестве материала третьего слоя 163 проводников.
(12) Формирование органической изолирующей пленки
Пленка на основе фоточувствительной акриловой смолы, имеющая толщину 1-3 мкм (предпочтительно 2-3 мкм), формируется посредством покрытия методом центрифугирования так, что органическая изолирующая пленка формируется в области отображения TFT-подложки 111. Примерная органическая изолирующая пленка может включать в себя пленки на основе нефоточувствительной смолы, такие как пленка на основе нефоточувствительной акриловой смолы и пленка, содержащая (не-)фоточувствительную полиалкисилоксановую смолу, (не-)фоточувствительную полисилазановую смолу, (не-)фоточувствительную полиимидную смолу или
(не-)фоточувствительную пареллиновую смолу. Примерные материалы органической изолирующей пленки также могут включать в себя материалы из метилсодержащего полисилоксана (MSQ) и материалы из пористого MSQ. В этом случае фоточувствительная смола, такая как нафтохинондиазидовая смола с ультрафиолетовым отверждением, имеющая толщину 1-5 мкм (предпочтительно 2-3 мкм), применяется ко всей поверхности подложки 121 посредством покрытия методом центрифугирования и т.п., чтобы формировать органическую изолирующую пленку. Органическая изолирующая пленка экспонируется через фотомаску, имеющую требуемый экранирующий рисунок, а затем травится (проявляется) так, что органическая изолирующая пленка удаляется из области, в которой контактные окна должны формироваться. Затем, выполняется спекание органической изолирующей пленки (например, при 200°C в течение 30 минут). Эта обработка сглаживает форму отверстий (окон) органической изолирующей пленки 51 так, что соотношение сторон контактных окон уменьшается. Помимо этого, озоление (раскрепление) не требуется при удалении контактных частей (частей, которые должны быть контактными окнами) органической изолирующей пленки сначала.
(13) Формирование прозрачного проводящего слоя
Пленка на основе ITO (оксида индия и олова) и/или пленка на основе IZO (оксида индия и цинка), имеющая толщину 50-200 нм (предпочтительно 100-150 нм), формируется посредством метода напыления, а затем пленка формирует требуемый рисунок. Таким образом, формируется первый слой 164 проводников. В области отображения TFT-подложки 111 пиксельные электроды, каждый из которых соответствует пикселу, формируются в матричном рисунке. Затем, совмещающая пленка применяется в области отображения, и обработка совмещения выполняется для нее. Соответственно, TFT-подложка 111 полностью подготавливается.
Каждый из внешних соединительных контактных выводов 141, 142 и 143 может содержать один слой из прозрачного проводящего слоя 164. Тем не менее, с точки зрения уменьшения электрического сопротивления, каждый из внешних соединительных контактных выводов 141, 142 и 143 предпочтительно является слоистой конструкцией из прозрачного проводящего слоя 164 в качестве самого верхнего проводящего слоя и третьего слоя проводников, который является проводящим слоем, который является вторым проводящим слоем в плане. В однослойной структуре, содержащей только самый верхний проводящий слой, каждый из внешних соединительных контактных выводов 141, 142 или 143 с большой вероятностью имеет высокое поверхностное сопротивление слоя, поскольку самым верхним проводящим слоем обычно является прозрачная проводящая пленка, такая как пленка на основе ITO. Напротив, слоистая структура, содержащая самый верхний проводящий слой и нижний проводящий слой, имеющий более низкое сопротивление, предположительно должна давать возможность уменьшения поверхностного сопротивления слоя каждого из внешних соединительных контактных выводов 141, 142 или 143. В случае, если второй проводящий слой в плане удаляется, чтобы формировать слоистую структуру, содержащую самый верхний проводящий слой и проводящий слой, который является третьим проводящим слоем в плане (второй слой 162 проводников в настоящем варианте осуществления), третий проводящий слой может иметь поврежденную поверхность посредством сухого травления, чтобы увеличивать контактное сопротивление между третьим проводящим слоем и самым верхним проводящим слоем, приводя к увеличению сопротивления на контактных выводах. Соответственно, с точки зрения уменьшения сопротивления на контактных выводах каждого внешнего соединительного контактного вывода 141, 142 или 143, третий слой 163 проводников (второй проводящий слой в плане) располагается ниже прозрачного проводящего слоя 164 (самого верхнего проводящего слоя).
(14) Изготовление панели
Связывание TFT-подложки 111 и CF-подложки, впрыскивание жидкокристаллических материалов и прикрепление поляризующей пластины последовательно выполняются для того, чтобы формировать жидкокристаллическую дисплейную панель. Впрыскивание жидкокристаллических материалов выполняется посредством однокапельного заполнения, вакуумного впрыскивания и т.п. Вакуумное впрыскивание выполняется посредством впрыскивания жидкокристаллических материалов через вход для жидких кристаллов, предоставленный в части герметизирующего материала, используемого, чтобы связывать TFT-подложку 111 и CF-подложку, и последующей герметизации входа для жидких кристаллов с помощью смолы с ультрафиолетовым отверждением и т.п.
Жидкокристаллический режим жидкокристаллической дисплейной панели не ограничивается конкретным образом, и его примеры включают в себя TN (твистированный нематический) режим, режим IPS (плоскостной коммутации), режим VA (вертикального выравнивания), VATN (твистированный нематический с вертикальным выравниванием) режим и режим PSA (с микрорельефной поверхностью). Жидкокристаллическая дисплейная панель может быть многодоменной панелью, в которой пиксел имеет множество доменов. Дополнительно, жидкокристаллическая дисплейная панель может иметь пропускающий тип, отражательный тип или полупропускающий (отражательно-пропускающий) тип. Система возбуждения жидкокристаллической дисплейной панели может изменяться на простой матричный тип.
(15) Прикрепление жесткой FPC и кристалла интегральной микросхемы
Жесткая FPC 170 и кристалл 175 интегральной микросхемы, соответственно, подвергаются термокомпрессии к подложке TF 111 посредством вставки ACF (анизотропной проводящей пленки) 180, содержащей клейкий компонент 182 (например, термореактивные смолы, такие как термореактивные эпоксидные смолы), в котором рассеиваются проводящие шарики 181.
Сборка жидкокристаллической дисплейной панели и модуля задней подсветки полностью подготавливает жидкокристаллическое устройство 100 отображения настоящего варианта осуществления.
Второй вариант осуществления
Фиг. 3-1 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим конфигурацию области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2. Фиг. 3-2 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим конфигурацию области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2, и является видом в поперечном сечении вдоль линии E-F на фиг. 3-1.
Как проиллюстрировано на фиг. 3-1 и 3-2, жидкокристаллическое устройство 200 отображения настоящего варианта осуществления имеет конфигурацию, в которой TFT-подложка 211 в качестве подложки для устройства отображения и жесткая FPC 270 в качестве внешнего соединительного компонента соединяются посредством ACF 280 в области рамки.
В дополнение к TFT-подложке 211 жидкокристаллическое устройство 200 отображения дополнительно содержит CF-подложку, размещенную напротив TFT-подложки 211. CF-подложка содержит, на изолирующей подложке, (1) черную матрицу, содержащую экранирующий материал и цветные светофильтры красного, зеленого и синего цвета, (2) слой внешнего покрытия, (3) общий электрод, содержащий прозрачную проводящую пленку, и (4) совмещающую пленку, в этом порядке со стороны изолирующей подложки. TFT-подложка 211 и CF-подложка герметизируются на внешней границе посредством герметизирующего материала 255 в форме рамки, и зазор между ними заполняется жидкокристаллическим материалом. На TFT-подложке 211 жесткая FPC 270 размещается в области, отличной от области, в которой TFT-подложка 211 располагается против CF-подложки.
Жесткая FPC 270 содержит множество проводников 271, проходящих рядом друг с другом на основании 272. Множество проводников 271 выступает в качестве соединительных контактных выводов (соединительных частей) жесткой FPC 270. Жесткая FPC 270 переносит электронные компоненты, такие как различные кристаллы, включенные в жидкокристаллический контроллер, IC электропитания и т.п., резистор и конденсатор.
TFT-подложка 211 содержит множество внешних соединительных контактных выводов 241, которые соответствуют множеству проводников 271 жесткой FPC 270 и совмещаются рядом друг с другом.
ACF 280 предоставляется, чтобы покрывать внешние соединительные контактные выводы 241. Внешние соединительные контактные выводы 241 подключаются к проводникам 271 жесткой FPC 270 через проводящие шарики (проводящие частицы) 281, которые являются проводящими элементами в ACF 280.
Каждый внешний соединительный контактный вывод 241 подключается через контактное окно 231, предоставленное в межслойной изолирующей пленке 252, сформированной в слое ниже внешнего соединительного контактного вывода 241, к соединительной части проводника, размещенной на одном конце общего проводника 215, который является нижним проводником, сформированным в слое ниже межслойной изолирующей пленки 252. Каждый общий проводник 215 идет от точки под внешним соединительным контактным выводом 241 вдоль внешней границы TFT-подложки 211 к другой части области рамки TFT-подложки 211, в которой внешние соединительные контактные выводы 241 не предусмотрены. Соответственно, общие проводники 215 подключаются к элементам, смонтированным на TFT-подложке 211, таким как полупроводниковый элемент, конденсатор и резистор. Полупроводниковый элемент является обычно транзистором, более конкретно TFT. Каждый общий проводник 215 подключается к двум или более элементам, таким как полупроводниковый элемент, конденсатор и резистор, чтобы подавать общий сигнал и электричество в них. Таким образом, сигнал и электричество подаются из жесткой FPC 270 в каждый элемент на TFT-подложке 211, такой как полупроводниковый элемент, конденсатор и резистор.
Контактные окна 231 предоставляются коллинеарно (вдоль линии параллельно с направлением прохождения общих проводников 215) в положениях, соответствующих концам внешних соединительных контактных выводов 241, размещенных на внутренней стороне TFT-подложки 211. Контактные окна 231 не перекрываются как с ACF 280, так и с проводником 271 жесткой FPC 170. Другими словами, контактные окна 231 размещаются в области, отличной от области, в которой проводники 271 и ACF 280 перекрываются друг с другом. Соответственно, каждый внешний соединительный контактный вывод 241 подключается к любому из общих проводников 215 в области, отличной от области, в которой проводник 271 и ACF 280 перекрываются друг с другом. А именно, внешний соединительный контактный вывод 241 имеет часть, соединяющую с проводником 271 жесткой FPC 270 (часть, контактирующую с проводящими шариками 281), и часть, соединяющую с общим проводником 215 (часть, контактирующую с соединительной частью проводника для общего проводника 215), отдельно. Часть, соединяющая с общим проводником 215, размещается так, чтобы не перекрываться как с проводниками 271 жесткой FPC 270, так и с ACF 280.
Контактные окна 231 предоставляются между ACF 280 и герметизирующим материалом 255, более конкретно между областью, в которой проводники 271 жесткой FPC 270 и ACF 280 перекрываются друг с другом, и герметизирующим материалом 255.
Внешние соединительные контактные выводы 241 размещаются вдоль области, в которой ACF 180 размещается. Общие проводники 215 ниже внешних соединительных контактных выводов 241 идут рядом друг с другом в направлении, главным образом, вдоль направления матричной структуры внешних соединительных контактных выводов 241. Общие проводники 215 изгибаются около своих концов на одной стороне к той же стороне в направлении к внутренней стороне TFT-подложки 211 и ортогонально к направлению прохождения общих проводников 215; горизонтальном направлении на фиг. 3-1) в порядке от самого дальнего проводника на внутренней стороне TFT-подложки 211. Соединительные части проводника, контактирующие с внешними соединительными контактными выводами 241, предоставляются в частях вне изогнутых частей проводников. Соответственно, каждый общий проводник 215 имеет L-образную форму при виде в плане около одного конца.
Далее, конфигурация в поперечном сечении жидкокристаллического устройства 200 отображения описывается более конкретно.
Как проиллюстрировано на фиг. 3-2, область рамки TFT-подложки 211 имеет слоистую структуру, содержащую второй слой 262 проводников, межслойную изолирующую пленку 252, третий слой 263 проводников, прозрачный проводящий слой 264, последовательно ламинируемые на изолирующей подложке 221 в этом порядке. Следует отметить, что пленка подложки, полупроводниковый слой, изолирующая пленка затвора, первый слой проводников и межслойная изолирующая пленка последовательно ламинируются в этом порядке ниже второго слоя 262 проводников таким же образом, как в варианте осуществления 1.
Второй слой 262 проводников составляет общие проводники 215. Слоистая конструкция третьего слоя 263 проводников и прозрачного проводящего слоя 264 составляет внешние соединительные контактные выводы 241. TFT-подложка 211 и жесткая FPC 270 подвергаются термокомпрессии посредством вставки ACF 280, чтобы подключаться друг к другу посредством проводящих шариков 281 в ACF 280, и крепятся друг с другом посредством клейкого компонента 282, содержащего термореактивную смолу в ACF 280.
Дополнительно, давление прикладывается через проводящие шарики 281 во время термокомпрессии к внешним соединительным контактным выводам 241 и их соответствующим проводникам 271 жесткой FPC 270. Соответственно, если контактное окно 231 предоставляется в области, в которой давление прикладывается (области, в которой проводники 271 перекрываются с проводящими шариками 281), давление также прикладывается к внешним соединительным контактным выводам 241 в нормально тонких частях пленок в контактном окне 231. Как результат, внешние соединительные контактные выводы 241 в этой части могут выходить из строя во время термокомпрессии, приводя к повреждению соединения. В частности, в случае, если проводящие шарики 281 в ACF 280 используются в качестве проводящих материалов, внешние соединительные контактные выводы 241 могут разрываться в форме кольца так, что зачастую возникает повреждение соединения.
Напротив, контактное окно 231 размещается в области, отличной от области, в которой проводники 271 жесткой FPC 270 перекрываются с проводящими шариками 281 при виде в плане TFT-подложки 211 в жидкокристаллическом устройстве 200 отображения. Соответственно, можно не допускать приложения давления к внешнему соединительному контактному выводу 241 в тонкой части пленки в контактном окне 231 во время термокомпрессии, поскольку проводящие шарики 181 контактируют только со сравнительно толстой частью на верхней поверхности внешнего соединительного контактного вывода 241. Как результат, можно предотвращать повреждение контактов между TFT-подложкой 211 и жесткой FPC 270, которое может вызываться посредством выхода из строя внешнего соединительного контактного вывода 241.
Настоящий технический уровень серийного производства дает возможность уменьшения ширины линии и шага (линии и пространства) групп проводников, таких как общие проводники 215, приблизительно до 2 мкм посредством сухого травления, используемого в микрообработке. Когда фотолитография выполняется посредством использования межслойной изолирующей пленки 252, предоставленной в группах проводников в качестве фоточувствительной органической изолирующей пленки, линия и пространство приблизительно в 4 мкм являются пределом микрообработки. Соответственно, чтобы формировать контактные окна 231 для соединения групп проводников с внешними соединительными контактными выводами 241 в таких группах проводников, фактический размер контактных окон 231 должен превышать ширину проводника в группах проводников с точки зрения точности управления положением и точности микрообработки контактных окон 231. Следовательно, простая компоновка контактных окон 231 в области прохождения групп проводников может увеличивать расстояние между смежными проводниками, приводя к снижению числа проводников, которые могут размещаться ниже внешнего соединительного контактного вывода 231.
Напротив, в жидкокристаллическом устройстве 200 отображения, общие проводники 215 идут рядом друг с другом, пересекая внешние соединительные контактные выводы 241, и изгибаются к той же стороне относительно направления прохождения (направления, пересекающего внешние соединительные контактные выводы 241) в порядке от самого дальнего проводника при виде в плане TFT-подложки 211, и контактные окна 231 подключаются к частям вне изогнутых частей (соединительным частям проводника) общих проводников 215. Соответственно, компоновка контактного окна 231 за пределами областей прохождения общих проводников 215 позволяет сохранять линию и пространство общих проводников 215 максимально узкими даже в случае, если межслойная изолирующая пленка 252 является фоточувствительной органической изолирующей пленкой. Помимо этого, можно сохранять линию и пространство максимально узкими независимо от числа общих проводников 215. Следовательно, достигается уменьшение площади области рамки, поскольку необязательно сокращать число проводников, которые могут размещаться ниже внешних соединительных контактных выводов 241.
Дополнительно, поскольку контактные окна 231 предоставляются коллинеарно (более предпочтительно, вдоль линии параллельно с направлением прохождения общих проводников 215) при виде в плане TFT-подложки 211, можно делать площадь всей области, в которой контактные окна 231 размещаются, меньшей при обеспечении соответствующего размера соответствующих контактных окон 231 по сравнению со случаем, когда контактные окна 231 размещаются произвольно, например, в зигзагообразном рисунке. А именно, достигается большее уменьшение площади области рамки.
Каждое контактное окно 231 предоставляется между областью, в которой проводники 271 жесткой FPC 270 и ACF 280 перекрываются друг с другом, и герметизирующим материалом 255 при виде в плане TFT-подложки 211. Область между ACF 280 и герметизирующим материалом 255 выполнена как краевая область, необходимая для точности совмещения при прикреплении ACF и точности компоновки герметизации. Давление обычно не прикладывается к области во время термокомпрессии. Соответственно, компоновка контактного окна 231 в этой краевой области ограничивает увеличение площади области рамки на минимуме при предотвращении повреждения контактов.
Здесь плоская форма контактных окон 231 не ограничивается конкретным образом. Дополнительно, каждое контактное окно 231 может быть разделено на множество отверстий.
Жидкокристаллическое устройство отображения варианта осуществления 2 может быть изготовлено посредством способа изготовления, идентичного способу изготовления жидкокристаллического устройства отображения по варианту осуществления 1. Следовательно, описание способа изготовления здесь опускается.
Далее, описывается модифицированный пример настоящего варианта осуществления.
Фиг. 4 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2. Контактные окна 231 могут быть размещены во внешней области вне внешних соединительных контактных выводов 241 (на периферийной стороне TFT-подложки 211), как проиллюстрировано на фиг. 4.
Фиг. 5-1 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2. Фиг. 5-2 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2, и является видом в поперечном сечении вдоль линии G-H на фиг. 5-1. На фиг. 5-1 проводящие шарики 281, подвергающиеся давлению, окружаются посредством пунктирных линий. Контактные окна 231 могут быть размещены между двумя смежными проводниками 271 жесткой FPC 270, как проиллюстрировано на фиг. 5-1 и 5-2. Даже в таком случае можно не допускать приложения давления к внешним соединительным контактным выводам 241 в сравнительно тонких частях пленок в контактных окнах 231 во время термокомпрессии.
Фиг. 6-1 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2. Фиг. 6-2 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2, и является видом в поперечном сечении вдоль линии I-J на фиг. 6-1. Контактные окна 231 могут быть размещены дальше к внутренней стороне TFT-подложки 211 (к центру TFT-подложки 211), чем герметизирующий материал 255, при виде в плане TFT-подложки 211, как проиллюстрировано на фиг. 5-1 и 5-2. А именно, контактные окна 231 размещаются в жидкокристаллическом слое при виде в плане TFT-подложки 211. Это повышает надежность контактирующих частей внешних соединительных контактных выводов 241 и общих проводников 215.
Фиг. 7-1 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2. Фиг. 7-2 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2, и является видом в поперечном сечении вдоль линии K-L на фиг. 7-1. Контактные окна 231 могут перекрываться с герметизирующим материалом 255 при виде в плане TFT-подложки 211, и TFT-подложка 211 может иметь фоторазделители 256, сформированные в герметизирующем материале 255, как проиллюстрировано на фиг. 7-1 и 7-2. Герметизирующий материал 255 может содержать стекловолокна в качестве распорки. В таком случае компоновка контактных окон 231, перекрывающихся с герметизирующим материалом 255 с целью уменьшения площади области рамки и повышения надежности, может вызывать повреждение внешних соединительных контактных выводов 255 в тонких частях пленок в контактных окнах 231 посредством стекловолокон, приводя к таким дефектам, как повреждение контактов. С другой стороны, просто точно управлять положением фотораспорок 256, поскольку они формируются посредством формирования рисунка фоточувствительной смолы или нефоточувствительной смолы с использованием метода фотолитографии. Соответственно, использование фотораспорок 256 в качестве распорок дает возможность компоновки контактных окон 231, не перекрывающихся с фоторазделителями 256, даже в случае, если герметизирующий материал 255 перекрывает контактные окна 231. Следовательно, настоящий модифицированный пример дает возможность уменьшения площади области рамки и повышения надежности при предотвращении таких дефектов, как повреждение контактов.
В настоящем модифицированном примере все или часть контактных окон 231 могут перекрываться с герметизирующим материалом 255. Фоторазделители 256 могут формироваться на CF-подложке.
Жидкокристаллическое устройство отображения настоящего модифицированного примера имеет полупропускающий тип и имеет отражательно-пропускающие пикселные электроды 265, имеющие конфигурацию, идентичную конфигурации внешних соединительных контактных выводов 241, сформированных в нем. Пикселный электрод 265 является слоистой конструкцией из нижней проводящей пленки 266, являющейся второй отражательной проводящей пленкой, составляющей отражательную часть, и верхней проводящей пленки 267, являющейся второй прозрачной проводящей пленкой, составляющей прозрачную часть. Нижняя проводящая пленка 266 формируется посредством формирования рисунка на пленке на основе алюминия (Al), имеющей толщину 350 нм, сформированной посредством метода напыления, с использованием метода фотолитографии. Верхняя проводящая пленка 267 формируется посредством формирования рисунка на пленке на основе IZO, имеющей толщину 100 нм, сформированной посредством метода напыления, с помощью метода фотолитографии.
Фиг. 8-1 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2. Фиг. 8-2 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2, и является видом в поперечном сечении вдоль линии M-N на фиг. 8-1. Как проиллюстрировано на фиг. 8-1 и 8-2, контактные окна 231 могут перекрываться с герметизирующим материалом 255 при виде в плане TFT-подложки 211, и TFT-подложка 211 может иметь изолирующую пленку 257 ниже герметизирующего материала 255, более конкретно по меньшей мере в областях, в которых контактные окна 231 перекрываются с герметизирующим материалом 255. Помимо этого, герметизирующий материал 255 содержит стекловолокна 258 в качестве распорок. Это предотвращает такие дефекты, как повреждение контактов, которое может вызываться посредством повреждения внешних соединительных контактных выводов 241 в тонких частях пленок в контактных окнах 231 посредством стекловолокон 258, даже в случае, если герметизирующий материал 255 размещается так, чтобы перекрывать контактные окна 231. А именно, этот вариант осуществления также дает возможность уменьшения площади области рамки и повышения надежности при предотвращении таких дефектов, как повреждение контактов.
2
2
В случае формирования межслойной изолирующей пленки 252 из органической изолирующей пленки формирование изолирующей пленки 257 посредством CVD-метода может повреждать органическую изолирующую пленку. Следовательно, изолирующая пленка 257 предпочтительно формируется посредством метода, не вызывающего повреждение межслойной изолирующей пленки, к примеру метода напыления. Примеры материала для изолирующей пленки 257 включают в себя диоксид кремния (SiO). Изолирующая пленка 257 может формироваться посредством формирования рисунка на пленке на основе SiO, сформированной посредством метода напыления, с использованием метода фотолитографии.
Изолирующая пленка 257 размещается ниже практически всего герметизирующего материала 255 за исключением контактных частей с противоположной подложкой. Это предотвращает ухудшение качества отображения, которое вызывается посредством неравномерной толщины ячейки вследствие разности уровней, сформированной посредством изолирующей пленки 257.
В настоящем модифицированном примере все или часть контактных окон 231 могут перекрываться с герметизирующим материалом 255.
Фиг. 9-11 являются схематичными видами в плане, каждый из которых иллюстрирует модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2. Как проиллюстрировано на фиг. 9, кристалл 275 интегральной микросхемы может подключаться к TFT-подложке 211. Кристалл 275 интегральной микросхемы имеет контактный столбик 276 для ввода сигналов и контактный столбик 277 для вывода сигналов. Контактные столбики 276 и 277 выступают в качестве соединительных контактных выводов (соединительных частей) кристалла 275 интегральной микросхемы. Кристалл 275 интегральной микросхемы монтируется, в качестве бескорпусного кристалла, на TFT-подложке 211, согласно технологии COG (монтажа на стеклянную подложку).
Каждый внешний соединительный контактный вывод 241 подключается к контактному столбику 276 для ввода сигналов или контактному столбику 277 для вывода сигналов и идет за пределы ACF 280. Внешний соединительный контактный вывод 241 затем подключается к общему проводнику 215 через контактное окно 231 в области, не перекрывающейся с ACF 280. Это также предотвращает приложение давления к внешним соединительным контактным выводам 241 в тонких частях пленок в контактных окнах 231 во время термокомпрессии.
Контактное окно 231 не должно перекрываться как с контактным столбиком 276 для ввода сигналов или контактным столбиком 277 для вывода сигналов, так и с ACF 280. Следовательно, как проиллюстрировано на фиг. 10, внешние соединительные контактные выводы 241 могут подключаться к общим проводникам 215 через контактные окна 231, перекрывающиеся только с ACF 280.
Как проиллюстрировано на фиг. 11, контактные окна 231 могут предоставляться в областях, отличных от области, в которой контактный столбик 276 для ввода сигналов или контактный столбик 277 для вывода сигналов и ACF 280 перекрываются друг с другом в области, перекрывающейся с кристаллом 275 интегральной микросхемы. Внешние соединительные контактные выводы 241 подключаются к общим проводникам 215 в этой области. Это дает возможность компоновки внешних соединительных контактных выводов 241 в области, перекрывающейся с кристаллом 275 интегральной микросхемы, и, следовательно, достигается дополнительное уменьшение площади области рамки.
Фиг. 16-1 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2. Фиг. 16-2 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 2, и является видом в поперечном сечении вдоль линии V-W на фиг. 16-1. В случае, если необязательно учитывать влияние повреждения контактов TFT-подложки 211 и FPC-подложки 270 вследствие термокомпрессии, контактные окна 231 могут быть размещены в области, в которой проводники 271 FPC-подложки 270 и проводящие шарики 281 (ACF 280) перекрываются друг с другом при виде в плане TFT-подложки 211. Это дает возможность дополнительного уменьшения площади области рамки.
Третий вариант осуществления
Фиг. 12 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим конфигурацию области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по варианту осуществления 3. Фиг. 13 являются схематичными видами в поперечном сечении, каждый из которых иллюстрирует конфигурацию жидкокристаллического устройства отображения по варианту осуществления 3. Фиг. 13(a) является видом в поперечном сечении вдоль линии P-Q на фиг. 12, а фиг. 13(b) является видом в поперечном сечении вдоль линии R-S на фиг. 12.
Жидкокристаллическое устройство 300 отображения настоящего варианта осуществления имеет конфигурацию, в которой TFT-подложка 311 в качестве подложки для устройства отображения подключается к жесткой FPC 370 в качестве внешнего соединительного компонента посредством ACF 380 в области рамки, как проиллюстрировано на фиг. 12, 13(a) и 13(b).
TFT-подложка 311 имеет слоистую структуру, содержащую слой 322 подложки, полупроводниковый слой 323, изолирующую пленку 324 затвора, первый слой 361 проводников, межслойную изолирующую пленку 351, второй слой 362 проводников, межслойную изолирующую пленку 352, третий слой 363 проводников и прозрачный проводящий слой 364, последовательно ламинируемые на изолирующей подложке 321 в этом порядке в области рамки, как проиллюстрировано на фиг. 13(a) и 13(b).
В дополнение к TFT-подложке 311, жидкокристаллическое устройство 300 отображения дополнительно содержит CF-подложку, размещенную напротив TFT-подложки 311. CF-подложка содержит, на изолирующей подложке, (1) черную матрицу, содержащую экранирующий материал и цветные светофильтры красного, зеленого и синего цвета, (2) слой внешнего покрытия, (3) общий электрод, содержащий прозрачную проводящую пленку, и (4) совмещающую пленку, в этом порядке со стороны изолирующей подложки. TFT-подложка 311 и CF-подложка герметизируются на внешней границе посредством герметизирующего материала в форме рамки, и зазор между TFT-подложкой 311 и CF-подложкой заполняется жидкокристаллическим материалом. На TFT-подложке 311 жесткая FPC 370 размещается во внешней области вне области, в которой TFT-подложка 311 и CF-подложка располагаются напротив друг друга.
Жесткая FPC 370 содержит множество проводников 371, проходящих рядом друг с другом на основании 372. Множество проводников 371 выступает в качестве соединительных контактных выводов (соединительных частей) жесткой FPC 370. Жесткая FPC 370 имеет электронные компоненты, такие как различные кристаллы микросхем, включенные в жидкокристаллический контроллер, IC электропитания и т.п., резистор и конденсатор, смонтированные на ней.
Множество внешних соединительных контактных выводов 341 совмещается рядом друг с другом на TFT-подложке 311, соответствующей множеству проводников 371 в жесткой FPC 370. Между двумя смежными внешними соединительными контактными выводами 341 предусмотрен верхний проводник 313, образованный слоем, идентичным слою внешнего соединительного контактного вывода 341. Верхние проводники 313 предусмотрены в области, не перекрывающейся с проводниками 371 жесткой FPC 370.
ACF 380 покрывает внешние соединительные контактные выводы 341 (область выше толстой пунктирной линии на фиг. 12). Внешние соединительные контактные выводы 341 подключаются к проводникам 371 жесткой FPC 370 через проводящие шарики (проводящие частицы) 381 в качестве проводящих элементов в ACF 380.
Внешний соединительный контактный вывод 341 и верхний проводник 313 формируются посредством использования слоистых конструкций, каждая из которых содержит третий слой 363 проводников и прозрачный проводящий слой 364, и подключаются друг к другу через маршрутизирующий проводник 330, предусмотренный за пределами области, в которой проводники 371 жесткой FPC 370 и ACF 380 перекрываются друг с другом. Маршрутизирующие проводники 330 формируются посредством первого слоя 361 проводников и второго слоя 362 проводников. Более конкретно, оба конца маршрутизирующего проводника 330 формируются посредством второго слоя 362 проводников. Один конец маршрутизирующего проводника 330 подключается к внешнему соединительному контактному выводу 341, сформированному на межслойной изолирующей пленке 352, через контактное окно 331, предоставленное в межслойной изолирующей пленке 352. Другой конец маршрутизирующего проводника 330 подключается к верхнему проводнику 313, сформированному на межслойной изолирующей пленке 352, через контактное окно 332, предоставленное в межслойной изолирующей пленке 352. Таким образом, оба конца маршрутизирующего проводника 330 выступают в качестве соединительных частей проводника.
Контактные окна 331 предоставляются коллинеарно в положениях, соответствующих концам внешних соединительных контактных выводов 341, размещенных на внутренней стороне TFT-подложки 311. Кроме того, контактные окна 331 размещаются в области, не перекрывающейся с ACF 380. Дополнительно, контактные окна 331 размещаются в области, отличной от области, в которой проводники 371 жесткой FPC 371 и ACF 380 перекрываются друг с другом. Каждый внешний соединительный контактный вывод 341 подключается к любому из маршрутизирующих проводников 330 в области, отличной от области, в которой проводники 371 и ACF 380 перекрываются друг с другом. А именно, внешний соединительный контактный вывод 341 имеет часть, соединяющую с проводником 371 жесткой FPC 370 (часть, контактирующую с проводящими шариками 381), и часть, соединяющую с маршрутизирующим проводником 330 (часть, контактирующую с соединительной частью проводника для маршрутизирующего проводника 330), отдельно. Часть, соединяющая с маршрутизирующим проводником 330, размещается так, чтобы не перекрываться как с проводником 371 жесткой FPC 370, так и с ACF 380.
Контактные окна 332 предоставляются коллинеарно в положениях, соответствующих концам верхних проводников 313, размещенных на внутренней стороне TFT-подложки 311. Кроме того, контактные окна 332 размещаются в области, не перекрывающейся с ACF 380. Дополнительно, контактные окна 332 размещаются в области, отличной от области, в которой проводники 371 жесткой FPC 371 и ACF 380 перекрываются друг с другом. Каждый верхний проводник 313 подключается к любому из маршрутизирующих проводников 330 в области, отличной от области, в которой проводник 313 перекрывает проводники 371 и ACF 380. А именно, соединительная часть верхнего проводника 313 с маршрутизирующим проводником 330 размещается так, чтобы не перекрывать как проводник 371, так и ACF 380.
Каждый верхний проводник 313 подключается через контактное окно 333, предоставленное в межслойной изолирующей пленке 352, к любой из соединительных частей проводника для общих проводников 315 в качестве нижних проводников, сформированных в слое ниже межслойной изолирующей пленки 352. Общие проводники 315 размещаются рядом друг с другом вдоль внешней границы TFT-подложки 311, а именно, вдоль направления матричной структуры внешних соединительных контактных выводов 341 (поперечного направления на фиг. 12). Общие проводники 315 идут ниже внешних соединительных контактных выводов 341 в направлении через внешние соединительные контактные выводы 341. Затем общие проводники 315 подключаются к элементам на TFT-подложке 311, таким как полупроводниковый элемент, конденсатор и резистор. Полупроводниковый элемент является обычно транзистором, более конкретно TFT. Верхние проводники 313 являются практически ортогональными к общим проводникам 315 при виде в плане TFT-подложки 311. Общие проводники 315 являются сигнальными проводниками для передачи сигналов, и каждый из них подключается к двум или более элементов, таких как полупроводниковый элемент, конденсатор и резистор, чтобы подавать общие сигналы. Таким образом, различные сигналы, поданные из жесткой FPC 370, передаются в соответствующие элементы на TFT-подложке 311, такие как полупроводниковый элемент, конденсатор и резистор, через внешние соединительные контактные выводы 341, маршрутизирующие проводники 330, верхние проводники 313 и общие проводники 315. Здесь общие проводники 315 могут подключаться к электроду затвора TFT, содержащего полупроводниковый слой, изолирующую пленку затвора и электрод затвора, ламинируемые в этом порядке.
Контактные окна 333 предоставляются в областях, перекрывающихся с ACF 380. Тем не менее, контактные окна 333 размещаются в области, отличной от области, в которой как проводники 371 жесткой FPC 370, так и ACF 380 перекрываются друг с другом. Каждый верхний проводник 313 подключается к любому из общих проводников 315 в области, отличной от области, перекрывающейся с проводниками 371 или ACF 380. А именно, каждый верхний проводник 313 имеет часть, подключенную к общим проводникам 315 в области, не перекрывающейся как с проводниками 371 жесткой FPC 370, так и с ACF 380.
Маршрутизирующие проводники 330 подключаются к схемам 345 защиты от ESD (электростатического разряда), предоставленным на внутренней стороне TFT-подложки 311 относительно внешних соединительных контактных выводов 341. Дополнительно, каждый маршрутизирующий проводник 330 подключается через контактное окно 334, предоставленное в межслойной изолирующей пленке 352, к любому из общих проводников 316, сформированных посредством второго слоя 362 проводников. Здесь схемы 345 защиты от ESD подключаются к общим проводникам 327, сформированным посредством первого слоя 361 проводников. Общие проводники 327 подключают соответствующие ESD-схемы друг к другу. Схемы 345 защиты от ESD предоставляются коллинеарно вдоль линии параллельно с общими проводниками, такими как общие проводники 315 и 316. Маршрутизирующие проводники 330 вплоть до соединительных частей со схемами 345 защиты от ESD формируются посредством первого слоя 361 проводников и выступают в качестве высокоомных областей 339.
В области, перекрывающейся с жесткой FPC 370 в TFT-подложке 311, непосредственно формируются схемные блоки 346 и 347, каждый из которых включает в себя TFT 329 и маршрутизирующий проводник. Дополнительно, в этой области, схемный блок 348 также непосредственно формируется на внутренней стороне TFT-подложки 311 относительно внешних соединительных контактных выводов 341. Драйвер истока, драйвер затвора и схема электропитания формируются в каждом из схемных блоков 346, 347 и 348. TFT 329 включает в себя полупроводниковый слой 323, изолирующую пленку 324 затвора и электрод затвора 325, содержащий первый слой 361 проводников, как проиллюстрировано на фиг. 13(a). Проводник 328 "сток-исток", содержащий второй слой 362 проводников, подключается через контактное окно, проникающее через межслойную изолирующую пленку 351 и изолирующую пленку 324 затвора, к области "сток-исток" полупроводникового слоя 323.
Линия 326 истока, сформированная посредством второго слоя 362 проводников, идет от схемного блока 348 для передачи сигнала изображения в каждый пиксел. Помимо этого, TFT-подложка 311 содержит общие проводники 317 и 318, сформированные посредством второго слоя 362 проводников и выступающие в качестве линии питания, и общий проводник 319, образованный третьим слоем 363 проводников и выступающий в качестве линии питания.
TFT-подложка 311 и жесткая FPC подвергаются термокомпрессии посредством вставки ACF 380. Таким образом, они подключаются друг к другу через проводящие шарики 381 в ACF 380 и крепятся друг с другом посредством клейкого компонента 382, содержащего термореактивную смолу в ACF 380.
Дополнительно, давление прикладывается через проводящие шарики 381 во время термокомпрессии к внешним соединительным контактным выводам 341 и их соответствующим проводникам 371 жесткой FPC 370. Соответственно, если контактные окна 331 предоставляются в областях, в которых давление прикладывается (области, в которой проводники 371 и проводящие шарики 381 перекрываются друг с другом), давление также прикладывается к внешним соединительным контактным выводам в нормально более тонких частях пленки в контактных окнах 331. Как результат, может иметь место то, что внешние соединительные контактные выводы 341 выходят из строя в этой области во время термокомпрессии, приводя к повреждению соединения. В частности, в случае, если проводящие шарики 381 в ACF 380 используются в качестве проводящих элементов, внешние соединительные контактные выводы 341 могут разрываться в форме кольца так, что повреждение соединения часто возникает.
Напротив, контактные окна 331 размещаются в области, отличной от области, в которой проводники 371 жесткой FPC 370 перекрываются с проводящими шариками 381 при виде в плане TFT-подложки 311 в жидкокристаллическом устройстве 300 отображения. Соответственно, можно не допускать приложения давления к внешним соединительным контактным выводам 341 в тонких частях пленки в контактных окнах 331 во время термокомпрессии посредством контакта проводящих шариков 381 только со сравнительно толстыми частями на верхней поверхности внешних соединительных контактных выводов 341. Как результат, можно предотвращать повреждение контактов между TFT-подложкой 311 и жесткой FPC 370, которое может вызываться посредством выхода из строя внешних соединительных контактных выводов 341.
Верхние проводники 313 предоставляются в областях, не перекрывающихся с проводниками 371 жесткой FPC 370, и размещаются так, чтобы не подключаться непосредственно к проводникам 371. Соответственно, даже в случае, если проводящие шарики 381 (ACF 380) перекрываются с верхними проводниками 313, давление не прикладывается к верхним проводникам 313 в тонких частях пленки в контактных окнах 333 через проводящие шарики 381 во время термокомпрессии.
Верхние проводники 313 электрически подключены к внешним соединительным контактным выводам 341 через соединительные части проводника маршрутизирующих проводников 330 и перекрываются с жесткой FPC 370 при виде в плане TFT-подложки 311. Помимо этого, верхние проводники 313 включают в себя проводящие слои, идентичные проводящим слоям, составляющим внешние соединительные контактные выводы 341. Дополнительно, верхние проводники 313 подключаются через контактные окна 333 в межслойной изолирующей пленке 352 к общим проводникам 315 нижних проводников. Это подключает различные схемы, такие как схемы 345 защиты от ESD, к электрическим путям между внешними соединительными контактными выводами 341 и общими проводниками 315 (маршрутизирующими проводниками 330 в настоящем варианте осуществления). А именно, можно достигать уменьшения площади области рамки и повышения функциональности TFT-подложки 311 одновременно. Например, компоновка схемы 345 защиты от ESD, подключенной к электрическому пути между внешним соединительным контактным выводом 341 и верхним проводником 313, подает сигналы из жесткой FPC 370 в полупроводниковый элемент на TFT-подложке 311 при предотвращении ухудшения или выхода из строя полупроводникового элемента вследствие шума и/или электростатического разряда из жесткой FPC 370.
В случае, если общие проводники 315 в качестве нижних проводников подключаются к электродам затвора TFT, ухудшение или выход из строя полупроводниковых элементов имеет тенденцию возникать, поскольку обычно на тонкую изолирующую пленку затвора с большой вероятностью оказывает влияние шум и электростатический разряд. Соответственно, схемы 345 защиты от ESD могут эффективно предотвращать ухудшение или выход из строя полупроводниковых элементов, в частности, в варианте осуществления, в котором общие проводники 345, подключенные к внешним соединительным контактным выводам 341 и верхним проводникам 313, электрически подключены к электродам затвора TFT. Каждый общий проводник 315 подключается к двум или более полупроводниковым элементам. Полупроводниковый элемент является обычно транзистором, более конкретно TFT. TFT, подключенный к общему проводнику 315, может быть TFT с верхним затвором, в котором полупроводниковый слой, изолирующая пленка затвора и электрод затвора ламинируются в этом порядке со стороны изолирующей подложки. Альтернативно, TFT, подключенный к общему проводнику 315, может быть TFT со вторым (нижним) затвором, в котором электрод затвора, изолирующая пленка затвора и полупроводниковый слой ламинируются в этом порядке со стороны изолирующей подложки.
Обычно необязательно подключать схемы защиты от ESD к общим проводникам 317, 318 и 319, выступающим в качестве линий питания.
В жидкокристаллическом устройстве 300 отображения верхние проводники 313 пересекают общие проводники 315. Это подключает каждый внешний соединительный контактный вывод 341 к любому из общих проводников 315 ниже внешнего соединительного контактного вывода 341.
Дополнительно, в жидкокристаллическом устройстве 300 отображения, верхние проводники 313 подключаются к общим проводникам 315, и маршрутизирующие проводники 330 подключаются к общим проводникам 316. А именно по меньшей мере два проводника для общих проводников 315 и 316 подключаются к электрическому пути между внешними соединительными контактными выводами 341 и верхними проводниками 313. Это дает возможность передачи сигналов, имеющих идентичные потенциалы, во множество общих проводников 315 и 316.
Маршрутизирующие проводники 330 в частях, пересекающих общие проводники 316, формируются посредством первого слоя 361 проводников, сформированного в слое ниже общих проводников 316. А именно, общие проводники 330 формируются в двух или более слоев проводников, и внешние соединительные контактные выводы 341 и верхние проводники 313 подключаются друг к другу через два или более слоев проводников. Это предоставляет использование проводников 316, предоставленных выше маршрутизирующих проводников 330, в качестве общих проводников.
Плоские формы контактных окон 331, 332, 333 и 334 не ограничиваются конкретным образом. Каждое из контактных окон 331 и 332 может формироваться посредством одного отверстия, и каждое из контактных окон 333 и 334 может быть разделено на множество отверстий.
Схемы 345 защиты от ESD могут предоставляться на периферийной стороне TFT-подложки 311 относительно внешних соединительных контактных выводов 341.
Жидкокристаллическое устройство отображения варианта осуществления 3 может быть изготовлено посредством способа изготовления, идентичного способу изготовления жидкокристаллического устройства отображения по варианту осуществления 1. Следовательно, описание способа изготовления здесь опускается.
Настоящее изобретение упомянуто подробно в отношении вариантов осуществления 1-3. Каждый из вариантов осуществления может быть комбинирован до тех пор, пока возможно комбинированное использование в рамках настоящего изобретения.
Хотя настоящее изобретение упомянуто в контексте жидкокристаллического устройства отображения в вариантах осуществления 1-3, настоящее изобретение может использоваться в органическом электролюминесцентном дисплее, плазменном дисплее, неорганическом электролюминесцентном дисплее и т.п. Настоящее изобретение надлежащим образом используется, в частности, в устройстве отображения, имеющем область отображения, в которой множество пикселов выстраиваются.
Схемные блоки (периферийные схемы), сформированные в области рамки, не ограничиваются конкретным образом и могут быть такими схемами, как буферная схема, схема цифроаналогового преобразователя (DAC-схема), сдвиговый регистр, дискретизирующее запоминающее устройство и т.п., в дополнение к задающей схеме, включающей в себя такую схему, как передающий затвор, защелкивающая схема, генератор тактовых импульсов, инвертор посредством схемы электропитания и т.п.
Внешние соединительные элементы не ограничиваются конкретным образом при условии, что они могут быть комбинированы с устройством отображения. Их примеры включают в себя активные элементы, пассивные элементы, узлы, содержащие пассивные элементы, интегрированные в них, и подложки со слоем проводников (подложки схемы). Примеры активных элементов включают в себя полупроводниковые элементы, такие как полупроводниковые интегральные схемы (интегральные микросхемы), большие интегральные схемы (LSI-микросхему). Примеры пассивных элементов включают в себя резисторы, светодиоды (светоизлучающий диод), конденсаторы и датчики. Подложка со слоем проводников является электрическим компонентом, содержащим проводник, предусмотренный на и/или в изолирующей подложке (основании). Ее примеры включают в себя печатные платы, такие как PWB (плата с печатным монтажом) и FPC-платы и TCP (ленточный кристаллоноситель). Здесь PWB может быть PCB (печатной платой).
Проводящие элементы не ограничиваются конкретным образом при условии, что они могут подключать подложку для устройства отображения, такую как TFT-подложка, к внешнему соединительному компоненту. Их примеры включают в себя припой, в дополнение к проводящим частицам (проводящим шарикам), содержащимся в анизотропных проводящих материалах, таких как анизотропные проводящие пленки и анизотропные проводящие пасты.
Сравнительный вариант осуществления 1
Фиг. 14-1 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим конфигурацию области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по сравнительному варианту осуществления 1. Фиг. 14-2 является схематичным видом в поперечном сечении, иллюстрирующим конфигурацию области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по сравнительному варианту осуществления 1, и является видом в поперечном сечении вдоль линии T-U на фиг. 14-1.
Как проиллюстрировано на фиг. 14-1 и 14-2, жидкокристаллическое устройство 1100 отображения настоящего сравнительного варианта осуществления имеет конфигурацию, в которой TFT-подложка 1111 в качестве подложки для устройства отображения подключается через ACF 1180 к FPC-подложке 1170 в качестве внешних соединительных компонентов в области рамки жидкокристаллического устройства 1100 отображения.
FPC-подложка 1170 содержит проводники 1171, совмещенные рядом друг с другом на основании 1172, и проводники 1171 выступают в качестве соединительных контактных выводов (соединительных частей) FPC-подложки 1170.
TFT-подложка 1111 содержит внешние соединительные контактные выводы 1141, которые соответствуют проводникам 1171 в FPC-подложке 1170 и совмещаются рядом друг с другом на основании 1172.
ACF 1180 покрывает внешние соединительные контактные выводы 1141. Внешние соединительные контактные выводы 1141 подключаются к проводникам 1171 FPC-подложки 170 через проводящие шарики (проводящие частицы) 1181, которые являются проводящими элементами в ACF 1180.
Внешние соединительные контактные выводы 1141 подключаются через контактные окна 1131, предоставленные в межслойной изолирующей пленке 1152, к соединительным частям проводника, размещенным на одном конце общих проводников 1115, которые являются нижними проводниками, сформированными в слое ниже межслойной изолирующей пленки 1152. Каждый общий проводник 1115 идет от точки ниже внешнего соединительного контактного вывода 1141 вдоль внешней границы TFT-подложки 1111 к другой части области рамки TFT-подложки 1111, в которой внешние соединительные контактные выводы 1141 не предоставляются, чтобы подключаться к полупроводниковому элементу, сформированному на TFT-подложке 1111. Полупроводниковый элемент является обычно транзистором, более конкретно TFT.
Ниже внешних соединительных контактных выводов 1141 общие проводники 1115 идут рядом друг с другом вдоль направления матричной структуры внешних соединительных контактных выводов 1141. Контактные окна 1131 предоставляются в положениях, соответствующих концам общих проводников 1115 вдоль направления прохождения общих проводников 1151 в области, перекрывающейся с ACF 1180. Дополнительно, контактные окна 1131 размещаются в области, в которой проводники 1171 FPC-подложки 1170 и ACF 1180 перекрываются друг с другом. Каждый из внешних соединительных контактных выводов 1141 соединяется с любым из общих проводников в области, в которой проводники 1171 FPC-подложки 1170 и ACF 1180 перекрываются друг с другом. А именно, внешний соединительный контактный вывод 1141 имеет часть, подключенную к проводнику 1171 FPC-подложки 1170 (часть, контактирующую с проводящими шариками 1181), и часть, подключенную к общему проводнику 1115 (часть, контактирующую с соединительной частью проводника для общего проводника 1115), которые перекрываются друг с другом. Часть, подключенная к общему проводнику 1115, размещается таким образом, что часть перекрывает как проводник 1171 FPC-подложки 1170, так и ACF 1180.
TFT-подложка 1111 и FPC-подложка 1170 подвергаются термокомпрессии посредством вставки ACF 1180. Таким образом, они подключаются друг к другу через проводящие шарики 1181, содержащиеся в ACF 1180, и крепятся друг с другом посредством клейкого компонента 1182, содержащего термореактивную смолу и т.п., содержащуюся в ACF 1180.
Дополнительно, давление прикладывается через проводящие шарики 1181 во время термокомпрессии к внешним соединительным контактным выводам 1141 и их соответствующим проводникам 1171 FPC-подложки 1170. Здесь давление также прикладывается к внешним соединительным контактным выводам 1141 в нормально тонких частях пленки в контактных окнах 1131, поскольку контактные окна 1131 также размещаются в областях, в которых давление прикладывается (областях, в которых проводник 1171 и проводящие шарики 1181 перекрываются друг с другом). Это приводит к выходу из строя внешних соединительных контактных выводов 1141 в этой части в жидкокристаллическом устройстве отображения настоящего сравнительного варианта осуществления во время термокомпрессии, приводя к повреждению соединения. В частности, в случае, если проводящие шарики 1181, содержащиеся в ACF 1180, используются в качестве проводящих элементов, внешние соединительные контактные выводы 1141 могут разрываться в форме кольца так, что повреждение соединения часто возникает.
Фиг. 15 является схематичным видом в плане, иллюстрирующим модифицированный пример конфигурации области рамки в жидкокристаллическом устройстве отображения по сравнительному варианту осуществления 1. В настоящем модифицированном примере соединительные части проводника для общих проводников 1115 (концы общего проводника 1115) выполнены с возможностью быть шире общего проводника 1115. Дополнительно, контактные окна 1131 также больше контактных окон в сравнительном варианте осуществления.
Настоящий технический уровень серийного производства дает возможность уменьшения ширины линии и шага (линии и пространства) групп проводников, таких как общие проводники 1115, приблизительно до 2 мкм посредством сухого травления, используемого в микрообработке. Когда фотолитография выполняется посредством использования межслойной изолирующей пленки 1152, предоставленной в группах проводников в качестве фоточувствительной органической изолирующей пленки, линия и пространство приблизительно в 4 мкм являются пределом микрообработки. Соответственно, чтобы формировать контактные окна 1131 для соединения групп проводников с внешними соединительными контактными выводами 1141 в таких группах проводников, контактные окна 1131 должны быть шире проводника в группах проводников с точки зрения точности управления положением и точности микрообработки контактных окон 1131, как проиллюстрировано на фиг. 15. Помимо этого, поскольку контактные окна 1131 размещаются в области прохождения групп проводников, расстояние B между общими проводниками 1115 превышает расстояние в случае, проиллюстрированном на фиг. 14-1, приводя к уменьшению числа проводников, которые могут размещаться ниже внешнего соединительного контактного вывода 1141.
Настоящая заявка притязает на приоритет заявки на патент номер 2008-311121, поданной в Японии 5 декабря 2008 года, согласно Парижской конвенции и национальному законодательству в указанном государстве, и все ее содержимое тем самым содержится в данном документе по ссылке.
Пояснение ссылочных позиций и условных обозначений
100, 200, 300 - жидкокристаллическое устройство отображения
111, 211, 311 - TFT-подложка
112 - проводник (нижний проводник)
115, 215, 315, 316, 317, 318, 319, 327 - общий проводник
121, 221, 321 - изолирующая подложка
122, 322 - пленка подложки
123, 323 - полупроводниковый слой
124, 324 - изолирующая пленка затвора
125, 325 - электрод затвора
128, 328 - электрод "сток-исток"
129, 329 - TFT
130, 330 - маршрутизирующий проводник
131, 132, 133, 231, 331, 332, 333, 334 - контактное окно
141, 142, 143, 241, 341 - внешний соединительный контактный вывод
146, 346, 347, 348 - схемный блок
151, 152, 252, 351, 352 - межслойная изолирующая пленка
161, 361 - первый слой проводников
162, 262, 362 - второй слой проводников
163, 263, 363 - третий слой проводников
164, 264, 364 - прозрачный проводящий слой
170, 270, 370 - жесткая FPC
171, 271, 371 - проводник (проводник FPC)
172, 272, 372 - основание
175, 275 - кристалл интегральной микросхемы
176, 276 - контактный столбик для ввода сигналов
177, 277 - контактный столбик для вывода сигналов
180, 280, 380 - ACF
181, 281, 381 - проводящие шарики (проводящие частицы)
182, 282, 382 - клейкий компонент
255 - герметизирующий материал
256 - фоторазделитель
257 - изолирующая пленка
258 - стекловолокно
265 - пикселный электрод
266 - нижняя проводящая пленка
267 - верхняя проводящая пленка
313 - верхний проводник
326 - линия истока
339 - высокоомная область
345 - схемы защиты от ESD (электростатического разряда)