МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЙ КОМПОНЕНТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Способ изготовления компонента, в частности микромеханического, микроэлектромеханического или микрооптоэлектромеханического компонента, согласно которому
изготавливают первый слоистый композитный материал, имеющий первую подложку (2) и первый изолирующий слой (3), который покрывает по меньшей мере одну часть поверхности (1) первой подложки (2),
изготавливают второй слоистый композитный материал, содержащий вторую подложку (12) и второй изолирующий слой (14), который покрывает по меньшей мере одну часть поверхности (13) второй подложки (12),
наносят по меньшей мере частично проводящий структурный слой (7) на первый изолирующий слой (3),
наносят второй композитный материал на структурный слой (7), так что второй изолирующий слой (14) примыкает к структурному слою (7),
причем первый и второй слоистые композитные материалы, а также структурный слой (7) сконфигурированы таким образом, что по меньшей мере одна часть структурного слоя (7), которая содержит активную область (8) компонента, герметически изолирована первым и вторым слоистыми композитными материалами, а
после нанесения второго композитного материала на структурный слой (7) формируют в первой и/или второй подложке (2,12) контактные отверстия (4) для обеспечения контакта с проводящими зонами (9) структурного слоя (7).
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что активную структуру (8) изготавливают путем формирования рельефа структурного слоя (7), которое осуществляют перед нанесением структурного слоя (7) на первый слоистый композитный материал или после этого.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что контактные отверстия (4) формируют в первой подложке (2).
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что первые углубления (4) выполняют на той стороне первой подложки (2), которая обращена к структурному слою (7), перед нанесением структурного слоя (7) на первый слоистый композитный материал, причем края указанных первых углублений по меньшей мере частично соответствуют краям контактных отверстий, которые затем формируют в первой подложке (2).
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что зоны поверхности (1) первой подложки (2), которые примыкают непосредственно к первым углублениям (4), оставляют не покрытыми первым изолирующим слоем (3).
6. Способ по п.3, отличающийся тем, что вторые углубления (5, 5') выполняют на той стороне первой и/или второй положки (2,12), которая обращена к структурному слою (7), перед нанесением структурного слоя (7) на первый слоистый композитный материал, причем края указанных вторых углублений по меньшей мере частично соответствуют краям активной структуры (8) структурного слоя (7).
7. Способ по п.3, отличающийся тем, что в той поверхности первой подложки, которая удалена от структурного слоя (7), выполняют третьи углубления, которые служат кромками необходимого разрыва.
8. Способ по п.2, отличающийся тем, что в структурном слое (7) при формировании его рельефа выполняют канавки (11), которые электрически изолируют активную структуру (8) от внешних зон (10) структурного слоя (7).
9. Способ по п.4, отличающийся тем, что для формирования контактных отверстий (4), проходящих от той поверхности первой подложки (2), которая удалена от структурного слоя (7), по меньшей мере одну часть первой подложки удаляют до такой позиции по вертикали, которая соответствует позиции по вертикали донышек первых углублений (4).
10. Способ по п.4, отличающийся тем, что по завершении формирования контактных отверстий (4) на поверхность первой подложки (2), находящуюся на удалении от структурного слоя (7), методом осаждения наносят металлический слой (15).
11. Способ по п.3, отличающийся тем, что контактные отверстия, первые, вторые и третьи углубления (4, 5, 5') и/или структурный слой (7) формируют способом травления.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что первая подложка (2) и вторая подожка (12), а также структурный слой (7) выполнены из одного и того же полупроводникового материала, в частности кремния.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что в структурном слое (7) формируют углубления, края которых по меньшей мере частично соответствуют краям активной структуры (8) структурного слоя (7).
14. Способ по п.1, отличающийся тем, что в первом и/или втором изолирующем слое сформированы углубления, края которых по меньшей мере частично соответствуют краям активной структуры (8) структурного слоя (7).
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что углубления изолирующего слоя служат в качестве стопоров для части активной структуры во время ее перемещения.
16. Способ изготовления компонента, в частности микромеханического, микроэлектромеханического или микрооптоэлектромеханического компонента, состоящий из следующих этапов, на которых
наносят на первую непроводящую подложку (2) по меньшей мере частично проводящий структурный слой (7),
наносят на структурный слой (7) вторую непроводящую подложку (12),
причем первая и вторая подложки (2, 12), а также структурный слой (7) сконфигурированы так, что по меньшей мере одна часть структурного слоя (7), которая содержит активную область (8) компонента, оказывается заключена в герметическую оболочку первой и второй подложками, а
- после нанесения второй непроводящей подложки (12) на структурный слой (7) формируют в первой и/или второй подложке (2,12) контактные отверстия (4) для обеспечения контакта с проводящими зонами (9) структурного слоя.
17. Способ по п.16, отличающийся тем, что первая и вторая подложки выполнены их кварца, пирекса (Pyrex) или SD2 или содержат эти материалы.
18. Способ по п.16 или 17, отличающийся тем, что контактные отверстия формируют в первой подложке (2), а первые углубления (4) выполняют на той стороне этой подложки, которая обращена к структурному слою (7), перед нанесением этого слоя на подложку, причем края первых углублений по меньшей мере частично соответствуют краям контактных отверстий, которые затем формируют в первой подложке (2), и первые углубления (4) имеют ступенчатую форму, так что края верхних зон первых углублений размещены шире краев соответствующих нижних зон.
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что ступенчатую структуру первых углублений (4) выполняют посредством двухэтапного формирования рельефа.
20. Микромеханический, микроэлектромеханический или микрооптоэлектромеханический компонент, содержащий:
первый слоистый композитный материал, имеющий первую подложку (2) и первый изолирующий слой (3), который покрывает по меньшей мере одну часть поверхности (1) первой подложки (2),
второй слоистый композитный материал, имеющий вторую подложку (12) и второй изолирующий слой (14), который покрывает по меньшей мере одну часть поверхности (13) второй подложки (12),
по меньшей мере частично проводящий структурный слой (7), размещенный между первым изолирующим слоем (3) и вторым изолирующими слоем (14), причем первый и второй слоистые композитные материалы, а также структурный слой (7) сконфигурированы таким образом, что по меньшей мере одна часть структурного слоя (7), которая содержит активную область (8) компонента, герметически изолирована первым и вторым слоистыми композитными материалами, а компонент дополнительно содержит
контактные отверстия (4) в первой и/или второй подложке (2, 12), предназначенные для обеспечения контакта с проводящими зонами (9) структурного слоя (7).
21. Микромеханический, микроэлектромеханический или микрооптоэлектромеханический компонент, содержащий:
первую непроводящую подложку (2),
вторую непроводящую подложку (12),
по меньшей мере частично проводящий структурный слой (7), размещенный между первой и второй подложками (2, 12), которые как и структурный слой (7) сконфигурированы таким образом, что по меньшей мере одна часть структурного слоя (7), которая содержит активную область (8) компонента, герметически изолирована первой и второй подложками, и
контактные отверстия (4) в первой и/или второй подложке (2, 12), предназначенные для обеспечения контакта с проводящими зонами (9) структурного слоя (7).