Устройство и способ изготовления двухстороннего кремниевого матричного солнечного элемента

-
+
+
+
1. Устройство кремниевого двухстороннего матричного солнечного элемента с n-р-р (р-n-n)-структурой с базовой областью p(n)-типа, выполненного в виде матрицы из последовательно скоммутированных микрофотопреобразователей, у которых ширина базы соизмерима с диффузионной длиной неосновных носителей заряда, а плоскости р-n-переходов перпендикулярны рабочим поверхностям, отличающееся тем, что на рабочих поверхностях размещены изолирующая пассивирующая пленка хлорида одного из металлов цинка, алюминия, тантала, бериллия, гафния, циркония или тория и просветляющее покрытие из полимерной силановой пленки с толщиной покрытия 100 Å.
2. Способ изготовления кремниевого двухстороннего матричного солнечного элемента, включающий химическую отмывку пластин, диффузионное легирование, металлизацию, сборку пластин в столбик, сплавление металлизированных дисков, резку столбиков на элементы и припайку выводов, отличающийся тем, что изолирующую пассивирующую пленку хлорида одного из металлов: цинка, алюминия, тантала, бериллия, гафния, циркония или тория, наносят методом химического осаждения из органических растворов, а просветляющее покрытие из полимерной силановой пленки - методом химического осаждения из органозамещенных низкомолекулярных силанов.