УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ В МНОГОКРИСТАЛЬНЫХ СБОРКАХ

1. Устройство, содержащее:
первый индуктивный элемент и второй индуктивный элемент;
несколько кристаллов;
схему управления ключами, причем схема управления ключами расположена в первом кристалле устройства, указанная схема управления ключами выполнена с возможностью управления током через первый индуктивный элемент для генерации первого напряжения; и
второй индуктивный элемент связан с возможностью приема первого напряжения и формирования второго напряжения, при этом второе напряжение обеспечивает питание второго кристалла в устройстве.
2. Устройство по п. 1, в котором первый индуктивный элемент магнитно связан со вторым индуктивным элементом.
3. Устройство по п. 1, в котором первое напряжение обеспечивает питание первого кристалла, при этом первый индуктивный элемент и второй индуктивный элемент расположены на первом кристалле; и второе напряжение превосходит по величине первое напряжение.
4. Устройство по п. 2, в котором второй кристалл установлен на первом кристалле; и второе напряжение превосходит по величине первое напряжение.
5. Устройство по п. 1, в котором первый кристалл содержит группу ячеек памяти, причем указанная группа ячеек памяти в первом кристалле сохраняет первые данные; и второй кристалл содержит группу ячеек памяти, причем указанная группа ячеек памяти во втором кристалле сохраняет вторые данные.
6. Устройство по п. 1, в котором первый индуктивный элемент и второй индуктивный элемент расположены в первом кристалле.
7. Устройство по п. 1, в котором первый кристалл и второй кристалл расположены в составе вертикального пакета памяти, в котором планарная поверхность первого кристалла по существу контактирует с планарной поверхностью второго кристалла, при этом устройство дополнительно содержит:
электропроводную перемычку, проходящую от первого кристалла ко второму кристаллу, причем электропроводная перемычка передает второе напряжение от второго индуктивного элемента к диоду, расположенному во втором кристалле.
8. Устройство по п. 7, в котором электропроводная перемычка передает второе напряжение от выходного узла второго индуктивного элемента к аноду диода.
9. Устройство по п. 1, в котором первый узел первого индуктивного элемента соединен с входным напряжением, причем входное напряжение обеспечивает ток через первый индуктивный элемент; при этом первое напряжение превосходит по величине входное напряжение.
10. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее:
главную подложку, причем первый кристалл и второй кристалл расположены один рядом с другим на поверхности главной подложки; и
электропроводную перемычку, проходящую на поверхности главной подложки от первого кристалла ко второму кристаллу, причем указанная электропроводная перемычка передает второе напряжение от второго индуктивного элемента к диоду, расположенному во втором кристалле.
11. Устройство по п. 10, в котором первый индуктивный элемент и второй индуктивный элемент расположены на главной подложке.
12. Устройство по п. 1, в котором первый кристалл представляет собой первое динамическое запоминающее устройство с произвольной выборкой DRAM, а второй кристалл представляет собой второе DRAM.
13. Устройство по п. 1, в котором второе напряжение превосходит по величине первое напряжение, при этом
первый кристалл содержит первую группу полупроводниковых компонентов, причем полупроводниковые компоненты первой группы изготовлены по первой технологии, указанные полупроводниковые компоненты первой группы способны выдерживать воздействие первого максимального порогового напряжения;
второй кристалл содержит вторую группу полупроводниковых компонентов, причем полупроводниковые компоненты второй группы изготовлены по второй технологии, указанные полупроводниковые компоненты второй группы способны выдерживать воздействие второго максимального порогового напряжения;
при этом первое напряжение по величине меньше первого максимального порогового напряжения;
второе напряжение по величине больше первого максимального порогового напряжения; и второе напряжение по величине меньше второго максимального порогового напряжения.
14. Устройство по п. 13, в котором полупроводниковые компоненты первой группы электрически изолированы от второго напряжения для предотвращения повреждения указанных полупроводниковых компонентов первой группы,
при этом первое напряжение используется для выполнения операций сохранения в памяти применительно к ячейкам памяти в первом кристалле; и
второе напряжение используется для выполнения операций сохранения в памяти применительно к ячейкам памяти во втором кристалле.
15. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее:
первую электропроводную перемычку, проходящую от первого кристалла ко второму кристаллу, причем первая электропроводная перемычка передает второе напряжение от первого кристалла к переключающему компоненту, расположенному во втором кристалле; и
вторую электропроводную перемычку, проходящую от первого кристалла ко второму кристаллу, причем вторая электропроводная перемычка передает сигнал управления ключами, формируемый схемой управления ключами, указанному переключающему компоненту, при этом сигнал управления ключами управляет состоянием переключающего компонента.
16. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее:
схему монитора для контроля величины первого напряжения в качестве обратной связи; при этом указанная схема управления ключами выполнена с возможностью управления переключением тока через первый индуктивный элемент для формирования первого напряжения в пределах заданного диапазона напряжений.
17. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее:
схему монитора для контроля величины второго напряжения в качестве обратной связи; при этом указанная схема управления ключами выполнена с возможностью управления переключением тока через второй индуктивный элемент для формирования второго напряжения в пределах заданного диапазона напряжений.
18. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее:
ключ, управляемый указанной переключающей схемой, причем ключ расположен между первым индуктивным элементом и вторым индуктивным элементом, ключ обеспечивает первое напряжение для питания первого кристалла, второй индуктивный элемент принимает первое напряжение и формирует второе напряжение, обеспечивающее питание второго кристалла.
19. Компьютерная система, содержащая устройство по п. 1 и процессор главного компьютера, конфигурированный для управления заданием соответствующих данных, сохраняемых в ячейках памяти первого кристалла и ячейках памяти второго кристалла.
20. Компьютерная система по п. 19, дополнительно содержащая дисплейный экран для представления изображения на основе по меньшей мере части соответствующих данных, сохраняемых в указанном устройстве.
21. Способ, характеризующийся тем, что:
принимают входное напряжение;
управляют током через первый индуктивный элемент посредством переключающей схемы, расположенной на первом кристалле сборки, для формирования первого напряжения из входного напряжения;
получают второе напряжение на основе тока, подаваемого, исходя из первого напряжения, через второй индуктивный элемент; и
передают второе напряжение ко второму кристаллу в сборке, при этом второе напряжение обеспечивает питание схем во втором кристалле.
22. Способ по п. 21, в котором формируют второе напряжение, превосходящее по величине первое напряжение, при этом первое напряжение обеспечивает питание схем на первом кристалле.
23. Способ по п. 21, в котором первый индуктивный элемент и второй индуктивный элемент расположены в первом кристалле.
24. Способ по п. 21, в котором контролируют величину первого напряжения в качестве обратной связи; и управляют переключением тока через первый индуктивный элемент для формирования первого напряжения в пределах заданного диапазона напряжений.
25. Способ по п. 21, в котором первый кристалл и второй кристалл расположены в вертикальном пакете памяти, в котором планарная поверхность первого кристалла по существу контактирует с планарной поверхностью второго кристалла:
при этом передают второе напряжение от второго индуктивного элемента по электропроводной перемычке к диоду, расположенному во втором кристалле.