СПОСОБ ОБРАБОТКИ И УСТРОЙСТВО

1. Способ уменьшения фотоэлектронного выхода (PEY) и/или выхода вторичных электронов (SEY) керамической поверхности, содержащий подачу импульсного лазерного излучения, содержащего последовательность лазерных импульсов, к поверхности для получения периодического расположения структур на поверхности.
2
2
2
2
2. Способ по п. 1, причем удельная мощность импульсов находится в диапазоне от 0,1 ТВт/см до 3 ТВт/см, необязательно в диапазоне от 0,5 ТВт/см до 1,5 ТВт/см.
2
2
2
2
3. Способ по п. 1, причем удельная мощность импульсов находится в диапазоне от 0,1 ГВт/см до 3 ГВт/см, необязательно в диапазоне от 0,2 ГВт/см до 1 ГВт/см.
4. Способ по любому предшествующему пункту, причем подача лазерного излучения является такой, чтобы изменять свойства поверхности так, что эта поверхность имеет значение SEY меньше 2,5, необязательно меньше 2,0, необязательно меньше или равное 1,6, необязательно меньше или равное 1,4, необязательно в диапазоне 0,2-2,0, необязательно в диапазоне 0,5-1,6, необязательно в диапазоне 1,0-1,4.
5. Способ по любому предшествующему пункту, причем лазерные импульсы имеют длительность меньшую, чем время термической релаксации материала поверхности.
6. Способ по любому предшествующему пункту, причем длительность лазерного импульса может находиться в диапазоне от 300 фемтосекунд (фс) до 1 наносекунды (нс), необязательно в диапазоне от 1 нс до 100 нс.
7. Способ по любому предшествующему пункту, причем длительность импульса может находиться в диапазоне от 1 пс до 100 пс, необязательно, длительность импульса может находиться в диапазоне от 1 пс до 50 пс, необязательно, длительность импульса может находиться в диапазоне от 5 пс до 500 пс.
8. Способ по любому предшествующему пункту, причем периодическое расположение структур на поверхности содержит периодическую последовательность пиков и впадин практически параллельных друг другу, и необязательно эти пики могут быть практически плоскими на вершине и/или могут быть закруглены на вершине, и/или могут иметь практически незаостренные и/или заостренные области на вершине.
9. Способ по любому предшествующему пункту, причем расстояние от пика до впадины для по меньшей мере некоторых из пиков и/или среднее или медианное расстояние от пика до впадины находится в диапазоне от 1 мкм до 100 мкм, необязательно в диапазоне от 20 мкм до 80 мкм, необязательно в диапазоне от 30 мкм до 60 мкм.
10. Способ по любому предшествующему пункту, причем периодическое расположение структур содержит перекрестное расположение или расположение практически параллельных линий пиков и впадин практически без пересечения.
11. Способ по любому предшествующему пункту, причем периодическое расположение структур создают одним проходом лазерного источника, который выдает лазерное излучение.
12. Способ по любому предшествующему пункту, причем лазерное излучение содержит импульсный лазерный пучок, который имеет диаметр фокального пятна на поверхности в диапазоне от 5 мкм до 100 мкм или в диапазоне от 1 мкм до 100 мкм.
13. Способ по любому предшествующему пункту, причем импульсное излучение имеет частоту повторения импульсов в диапазоне от 10 кГц до 1 МГц.
14. Способ по любому предшествующему пункту, причем средняя мощность лазерного излучения может находиться в диапазоне от 3 Вт до 8 Вт, или в диапазоне от 1 Вт до 10 Вт, или в диапазоне от 0,3 Вт до 2 Вт, или в диапазоне от 1 Вт до 5 Вт, или в диапазоне от 0,1 Вт до 1 Вт, или в диапазоне от 0,1 Вт до 2 Вт, или в диапазоне от 0,3 Вт до 5 Вт.
15. Способ по любому предшествующему пункту, причем подача лазерного излучения к поверхности содержит сканирование импульсным лазерным пучком по поверхности, и скорость этого сканирования находится в диапазоне от 1 мм/с до 200 мм/с.
16. Способ по любому предшествующему пункту, причем сканирование импульсным лазерным пучком по поверхности повторяют от 2 до 10 раз или выполняют однократно.
17. Способ по любому предшествующему пункту, причем угол падения лазерного излучения на поверхность находится в диапазоне от 0 до 30 градусов или от 90 до 60 градусов.
18. Способ по любому предшествующему пункту, причем длина волны излучения находится в диапазоне от 100 нм до 2000 нм, необязательно 355 нм, или 532 нм, или 1064 нм.
19. Способ по любому предшествующему пункту, причем периодическое расположение структур содержит первую последовательность пиков и впадин, расположенных в первом направлении, и вторую последовательность пиков и впадин, расположенных во втором, отличающемся направлении.
20. Способ по любому предшествующему пункту, причем первая последовательность пиков и впадин и вторая последовательность пиков и впадин пересекаются так, что периодическое расположение структур представляет собой перекрестное расположение.
21. Способ по любому предшествующему пункту, причем лазерное излучение является таким, что подача лазерного излучения к поверхности создает дополнительные структуры, и эти дополнительные структуры меньше, чем структуры с периодическим расположением структур.
22. Способ по любому предшествующему пункту, причем дополнительные структуры содержат дополнительные периодические структуры, необязательно нановолнистости.
23. Способ по любому предшествующему пункту, причем дополнительные структуры содержат индуцированные лазером периодические поверхностные структуры (LIPPS).
24. Способ по любому предшествующему пункту, причем дополнительные структуры имеют периодичность в диапазоне от 10 нм до 1 мкм, необязательно в диапазоне от 100 нм до 1 мкм.
25. Способ по любому предшествующему пункту, причем дополнительные структуры покрывают по меньшей мере часть периодического массива структур и/или сформированы во впадинах и/или на пиках периодического расположения структур.
26. Способ по любому предшествующему пункту, причем поверхность образует часть ламинированной структуры.
27. Способ по любому предшествующему пункту, причем поверхность образует часть ускорителя частиц, инжекционной кикерной системы, канала синхротронного излучения, волновода, например радиочастотного волновода, детектора, детекторного устройства, космического аппарата или вакуумной камеры.
28. Способ по любому предшествующему пункту, причем поверхность содержит поверхность компонента устройства, и способ содержит подачу лазерного излучения к этой поверхности для создания периодического расположения структур на поверхности, а затем установку этого компонента в устройство, или способ содержит подачу лазерного излучения к этой поверхности с компонентом непосредственно в этом устройстве.
29. Способ по любому предшествующему пункту, дополнительно содержащий формирование металлического слоя на по меньшей мере части этой поверхности после подачи лазерного излучения.
30. Способ по любому предшествующему пункту, содержащий по меньшей мере одно из обезжиривания, очистки или сглаживания поверхности после подачи лазерного излучения и/или выполнения процесса поверхностного восстановления углерода по отношению к упомянутой поверхности после подачи лазерного излучения.
31. Устройство для сокращения фотоэлектронного выхода (PEY) и/или выхода вторичных электронов (SEY) керамической поверхности, содержащее
лазерный источник для подачи импульсного лазерного излучения к поверхности; и
лазерный контроллер, выполненный с возможностью управления лазерным источником для подачи лазерного излучения в виде последовательности лазерных импульсов так, чтобы получить периодическое расположение структур на керамической поверхности.
32. Обработанная лазером керамическая поверхность, содержащая периодическое расположение структур.
33. Обработанная лазером керамическая поверхность по п. 32, дополнительно содержащая металлический слой, покрывающий по меньшей мере часть периодического расположения структур.