Атомная структура силикатных пленок, полученных методом ионного распыления

МЕЖФАЗНЫЕ СЛОИ И ПРОЦЕССЫ ВЗАИМОДЕИСТВИЯ В НИХ

УДК 666.11.01

АТОМНАЯ СТРУКТУРА СИЛИКАТНЫХ ПЛЕНОК, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ

О. М. КАНУННИКОВА, С. Ф. ЛОМАЕВА, С. С. МИХАЙЛОВА Физико-технический институт УрО РАН, Россия, Ижевск

АННОТАЦИЯ. Методом рентгеноэлектронной спектроскопии и атомной силовой микроскопии исследованы силикатные и свинцовосиликатные пленки, полученные методом ионного распыления. Обсуждается зависимость химического строения пленок от их толщины.

ВВЕДЕНИЕ

Круг применения тонких силикатных пленок в настоящее время стал необычайно широк. Они используются в микроэлектронике для пассивации поверхности, в качестве отражающих и защитных оптических покрытий, являются компонентами различных устройств техники связи и вычислительной техники. Эксплуатационные свойства устройств на основе пленок определяются их составом, строением, толщиной и морфологией поверхности.

В данной работе исследована зависимость состава и химического строения силикатных и свинцовосиликатных пленок от толщины. Пленки изготовлены методом ионного распыления.

Основной структурной единицей силикатов являются тетраэдры [8104], которые увязаны между собой в циклы (кольца) разного размера, различающиеся межатомными расстояниями 81-0 и углами связи 81-0-81 [1,2]. Величина угла связи 81-0-81 определяет размеры кремнийкислородных структур - для многочленных структур характерны большие углы связи, а для малочленных - меньшие [3]. Известно, что в стеклообразном кварце большая часть тетраэдров связана в 5-6 членные циклы. Согласно результатам моделирования [4], в состав 5,6-членных циклов входит порядка 70% тетраэдров. Кроме того, часть тетраэдров входит в состав малочленных (3-4 членных) циклов. Количество 7-8 членных циклов в структуре стеклообразного кварца незначительно. Малочленные циклы являются «слабыми звеньями», с разрушения которых начинается трансформация структуры стекла при его размягчении [4]. Экспериментальные оценки количества кремнийкислородных структур разного размера отсутствуют. Методика

реытгеыоэлектронных исследований традиционно используется для анализа химического состава тонких поверхностных слоев материалов, однако, систематизация накопленного экспериментального материала позволяет выявить корреляции между атомным строением материалов и положением линий компонентов в рентгеноэлектронных спектрах. Так, в работе [5] была выявлена зависимость энергии связи линий в спектрах ряда элементов (01s,Fls) от межатомных расстояний в соединениях этих элементов. Изменение расстояния элемент-кислород на ОД Á сопровождается изменением энергии связи линии Ois примерно на 0,7 эВ в рентгеноэлектронных спектрах. Кроме того, для силикатов была обнаружена зависимость между величинами химических сдвигов 812р-линии и угла связи Si-0-Si [6]: увеличение угла связи на 10° приводит к смещению линии Si2p в сторону больших энергий связи на 0,3-0,8 эВ.

В настоящее время актуальным является исследование тонких силикатных пленок, анализ строения которых прямыми структурно - чувствительными методами затруднителен. Толщина анализируемого методом рентгеноэлектронной спектроскопией слоя составляет 5-7 нм. Поэтому, учитывая вышесказанное, этот метод может быть использован для качественного анализа атомного строения тонких стеклообразных пленок.

ОБЪЕКТЫ И МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ

Объектами исследования являлись силикатные нелегированные пленки, двойные и многокомпонентные свинцовосиликатные пленки толщиной 200 - 3000 Â, нанесенные на подложки стали и бронзы.

Нелегированные силикатные пленки получены методом ионного распыления в вакуумной камере (остаточный вакуум 10~8 мм рт. ст.) катодным распылением кремния в кислороде. В качестве подложек использованы сталь, медь и бронза. Подложки полировались и очищались нагревом в вакуумной камере при температуре 250°С. Для получения двойных и многокомпонентных свинцовосиликатных пленок на подложку попеременно наносились слои парциальных оксидов соответствующих элементов при одновременной или последующей термогомогенизации (при температуре 400°С) [8]. Для получения двойных пленок оксиды свинца и кремния осаждались на подложку в соотношении 40 мол. % РЬО + 60 мол. % Si02 . Для получения многокомпонентных пленок оксиды осаждались на подложку в соотношении

64 %Si02 +16,8 %РЪО+ 4,3 %ВаО+ 11 %Na20+ 3,2 %А1203. Термогомогенизация пленок проводилась при температуре 400 °С. В состав стальной подложки входили:

Fe-88,4 ат. %; Сг - 9,5 ат.%; Al - 1,7 ат.%; Ti - 0,4 ат. %.

Морфология поверхности пленок исследована методом атомно-силовой микроскопии на микроскопе Solver Р-47 в полуконтактном режиме на воздухе с использова-

нием кремниевых зондов фирмы NT MDT. Исследование поверхности в режиме «фазового контраста» позволяет выявить контраст деталей поверхностной структуры пленок, связанной с локальными различиями поверхностной адгезии и вязкоу пру гости. Поскольку эти характеристики связаны с различием состава локальных областей, исследования в этом режиме позволяют оценивать однородность исследуемой поверхности по составу.

Химический состав и атомное строение силикатных пленок исследованы методом рентгеноэлектронной спектроскопии на спектрометре ЭС-2401. Спектры возбуждались MgKa - излучением. Математическая обработка спектров проводилась по методике, описанной в работе [9].

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

В качестве эталонного образца силикатного стекла с известной структурой было проведено рентгеноэлектронное исследование скола стеклообразного кварца. Структура стеклообразного кварца сформирована 5,6-членными и 3,4-членными кремнийкисло-родными циклами [2], относительное количество которых составляет 70-80% и 20-30%, соответственно [4]. При сколе на поверхности возможно образование слоя, структура которого отличается от объемной, однако, известно, что толщина нарушенного слоя невелика, и его вклад в рентгеноэлектронные спектры, возбужденные MgKa-излучением, не превышает 2-3% [7]. В Ois -спектре стеклообразного кварца (рис. 1) выделены составляющие с энергиями связи 532,4 эВ и 533,2 эВ. Соответствующие Si2p-cneKTpbi приведены на рис.2. Для малочленных (3,4-) кремнийкислородных колец

Рис.1. Рентгеноэлектронные Ols-спектры стеклообразного (1) и кристаллического (2) кварца

530 532 534 536

530 532 534 536

г vv

\

\

98 100 102 104 106 108

98 100 102 104 106 108

Рис. 2. Рентгеноэлектронные Si2p-cneicrpbi стеклообразного(1) и кристаллическо-го(2) кварца

характерны меньшие межатомные расстояния Si-0 и большие углы связи Si-O-Si, чем для многочленных [3]. Атомам кислорода, расположенным на меньшем расстоянии от атома кремния, соответствует составляющая Ois спектра с меньшей энергией связи в (532,4 эВ), а атомам кислорода находящимся на большем расстоянии - составляющая с энергией связи 533,2 эВ [5]. Составляющая Si2p-cneKTpa с меньшей энергией связи соответствует структуре с меньшим углом связи Si-O-Si. Поэтому низкоэнергетические составляющие Ois спектра с энергией связи 532,4 эВ и Si2p-cneKTpa с энергией связи 102,3 эВ могут быть приписаны связям Si-0 и углам Si-O-Si в 3,4-членных кремний-кислородных циклах, а высокоэнергетические составляющие этих спектров (533,2 эВ и 103,2 эВ) - 5,6-членным циклам. Доля малочленных циклов составляет 25% и 13% для стеклообразного и кристаллического кварца, соответственно. Эти оценки хорошо согласуются с теоретическими, приведенными в [4].

Нелегированные силикатные пленки

АСМ- изображения пленок SiÛ2 толщиной 500 Â и 1000 Â приведены на рис.3, 4. Видно, что рост пленки начинался с образования первичных зародышей сферической формы, которые равномерно располагались по поверхности. Сплошная пленка образуется при достижении толщины 1000 Â. С увеличением толщины пленки от 500 Â до 1000 Â количество зародышей на поверхности увеличивается (от -100 до ~ 600 на участке площадью 1x1 цкм). Радиус их уменьшается. Увеличивается количество зародышей с малой высотой. Важно отметить, что уменьшается также диапазон их размеров (табл.1).

Исследования механизмов роста пленок в процессе ионного распыления [10, 11] показали, что такое изменение размеров поверхностных структур наблюдается в том случае, если доминирующим процессом при формировании пленок является процесс испарения-конденсации, а не поверхностная диффузия.

О 1030 2000 3000 пГ1

Рис. 3. Силикатная пленка толщиной 500 А: а-топография поверхности, б- профиль сечения

а б

Рис. 4. Силикатная пленка толщиной 1000 Â: а-топография поверхности, б- профиль сечения

В табл.2 приведены параметры рентгеноэлектронных Si2p и Ois - спектров пленок различной толщины (рис.5). Составляющие Si2p-cneKTpa с энергией связи 103,2 эВ соответствуют 5,6-членным циклам, доминирующим в структуре массивного силикатного стекла, а составляющие с энергией связи 102,2 эВ соответствуют малочленным (3,4-членным) структурам с меньшими углами связи. Малоинтенсивная составляющая 104,1 эВ в Si2p-cneicTpe пленки толщиной 1000 Â свидетельствует о присутствии соединений типа НЬЭЮз [5] и формировании некоторого количества многочленных (7,8-

3000

3808

2888 1888

2800

1888

г»М 3000 2500 2000 1500 1000

500

0

2500

2000

1500

1000 500

членных) кремнийкиелородных анионов с большими углами связи. Относительная интенсивность этой составляющей в спектрах растет с уменьшением толщины пленок.

Таблица 1. Изменение размеров зародышей с увеличением толщины силикатной пленки, полученной ионным распылением

Толщина пленки,А Высота зародышей, А Диаметр, А Количество зародышей на 1 мм2

500 8-10 25% 17-20 50% -30 25% 300-1000 -100

1000 8-10 65% 15-17 35% 40-200 -600

Таблица 2. Параметры Б\2р и ОЬ-спектров тонких пленок стеклообразного кварца на металлических подложках

Толщина пленки, А (подложка) 812р ОЬ 0/81

Есв компонентов, эВ Отн. сод., % Есв компонентов, эВ Отн. сод., %

3000 102.4 64.6 531.8 8.1 1,96

(сталь) 103.2 35.4 532.3 69.0

533.1 22.5

1000 102.2 50.3 531.4 16.2 1,96

(сталь) 103.2 41.0 532.3 52.5

104.1 8.7 533.1 31.2

500 99.3 6.8 530.4 5.3 1,94

(сталь) 101.3 14.9 531.5 20.3

102.4 16.6 532.3 40.0

103.2 24.4 533.1 30.0

104.1 37.2 534.4 4.1

200 101.1 6.4 530.2 3.4 1,94

(медь) 102.3 25.2 531.1 9.6

103.2 55.8 532.2 34.5

104.2 12.5 533.2 42.0

534.3 10.5

Рис. 5. Рентгеноэлектронные Si2p- и Ois - спектры силикатных пленок: 1-3000Â; 2-1000Â; 3- 500À; 4-200Â; 5- 200Â 1,2,3,4 - подложка - сталь; 5 - подложка - медь

В Si2p- спектрах пленок толщиной 500 Ä и менее на стальных подложках появляются составляющие с энергией связи 99,2 эВ, характерной для чистого кремния и силицидов металлов, и возрастает вклад составляющей с энергией связи 104,2 эВ. В этих пленках согласно АСМ исследованиям наблюдались несплошности и поэтому заметный вклад в спектры этих пленок дают соединения, образовавшиеся на границе раздела пленка-подложка. Титан и алюминий, входящие в состав стальной подложки, относятся к числу металлов, свободная энергия образования оксидов которых меньше, чем у SiÜ2 и они могут непосредственно восстанавливать диоксид кремния с образованием чистого кремния, силицидов и оксидов металлов [13]. Пики с энергией связи 101,2 ± 0,1 эВ относятся к кремнию в составе силикатов металлов [3].

В Ols-спектре составляющая с энергией связи 534,3 эВ относится к кислороду адсорбированного загрязняющего слоя. Низкоэнергетические составляющие (531,8 эВ) относятся к кислороду, связанному с металлами подложки (оксиды, силикаты). Атомы кислорода в составе кремнийкислородных структур имеют величину Ес» = 532,2 эВ. Поверхностные слои пленок обеднены свинцом, причем обеднение возрастает с увеличением толщины пленки: пленки толщиной 200 Ä -500 Ä обеднены на 30-35%, а пленки толщиной 1000 Ä - на 80-85%. В пленках толщиной 1000 Ä и более обеднение увеличивается по мере удаления от подложки (рис. 6). Низкое содержание РЬО в составе пленки связано с высоким давлением паров этого оксида: при нагреве, большая часть его улетучивается, что, по-видимому, связано с увеличением продолжительности процесса изготовления пленок.

Таким образом, можно заключить, что в силикатных пленках, по сравнению с массивным силикатным стеклом, повышено содержание малочленных кремнекисло-родных структур. Этот результат согласуется с результатами исследования таких пленок методом ИК- спектроскопии [14].

[РЬО], мол.%

OD

30 25 20 15 10 5 0

0 200 400 600 800 1000 1200

d, А

Рис. 6. Распределение свинца по толщине двойной свинцовосиликатной пленки.

С увеличением толщины пленок относительное содержание малочленных крем-нийкислородных структур растет (рис. 7).

Свинцовосиликатные пленки

На рис. 8 приведено АСМ- изображение пленки двухкомпонентного свинцовосиликат-ного стекла толщиной 500А, полученного ионным распылением.

Исследования в режиме фазового контраста показали (рис. 8), что поверхность двойных свинцовосиликатных пленок однородна по составу, при этом согласно рентге-ноэлектронному анализу состав пленок изменяется по толщине (табл. 3).

Анализ рентгеноэлектронных Pb4f спектров показал, что химическое состояние свинца в двойных свинцовосиликатных пленках аналогично таковому в массивных стеклах - модификатору ( Есв = 139 эВ) и сеткообразователю (Есв = 138,2 эВ). Соотношение количества атомов свинца- сеткообразователя и свинца - модификатора близко соотношению, наблюдаемому в массивных малосвинцовых стеклах: - 25 : 75. В отличие от массивных стекол в составе пленок появляется неокисленный свинец (Есв 136,6 эВ).

j

a- SiO,

3000 А

1500 А

500 А

200 А

Рис. 7. Соотношение малочленных и многочленных кремнийкислородных структур в стеклообразном кварце и тонких силикатных пленках, полученных ионным распылением

- многочленные (5,6) кремнийкислородные структуры

- малочленные (3,4) кремнийкислородные структуры

а

8 20В 480 680 800 1008 пМ

б

Рис. 8. Топография поверхности свинцовосиликатной пленки толщиной 500 А

Таблица 3. Состав и химическое состояние кремния и свинца в поверхностном слое пленок двухкомпонентных свинцовосиликатиых стекол

Толщина Кремний Свинец Состав

пленки(А)/ поверхностного

подложка Есв> Отн.сод., Есв, Отн.сод. слоя

эВ % эВ %

3 ООО/сталь 103,2 63,8 139,0 73,7 6%РЮ+94%8Ю2

102,4 28,4 138,2 20,6

104,1 7,9 136,6 4,7

1 ООО/сталь 103,2 50,3 139,0 79,9 8%РЮ+92%8Ю2

102,4 29,4 138,2 11,3

104,1 20,3 136,6 8,9

500/сталь 103,2 43,3 139,0 75,6 20%РЬО+

102,4 34,6 138,2 19,0 80%8Ю2 +

101,6 17,1 136,6 5,4

104,1 5,0

20 О/сталь 103,2 52,2 139,0 88,2 29%РЬО+

102,4 37,2 138,2 7,0 71%8Ю2+

101,7 4,8 136,6 4,8

104,1 5,4

200/медь 103,2 63,0 139,0 63,3 26%РЬО+

102,4 27,0 138,2 28,2 74%ЭЮ2

101,8 10,0 136,6 8,5

500/бронза 103,2 66,4 139,0 70,7 зо%рьо+

102,4 23,8 138,2 18,3 70%8Ю2 +

101,7 7,8 136,6 10,0

104,3 2,0

Массивное 103,1 64 139,0 80 зо%рьо+

Стекло 102,2 36 138,2 20 70%8Ю2

Массивное 103,1 60 139,0 75 40%РЬО+

Стекло 102,2 40 138,2 25 60%8Ю2

Анализ 812р-снектров свинцовосиликатиых пленок показал, что по сравнению с нелегированными силикатными пленками, в поверхностных слоях двойных свинцовосиликатиых пленках не наблюдается существенного изменения кремнийкислородной структуры при изменении их толщины, хотя при этом состав поверхностных слоев пленок изменяется. Соотношение интенсивностей компонент 812р-спектров соответст-

вующих кремнийкислородным структурам разного размера (составляющие с энергиями связи 102,4 эВ, 103,2 эВ, 104,1 эВ) близко соотношению, наблюдаемому для нелегированной пленки толщиной -200 А и для массивного малосвинцового стекла. Можно предположить, что кремнекислородная структура формируется на начальных стадиях роста пленок при взаимодействии оксидов свинца и кремния и незначительно изменяется при удалении оксида свинца из состава пленки.

Топография поверхности многокомпонентных пленок толщиной 500 А и 1000 А на подложках бронзы и стали представлена на рис. 9, 10. Высота структур на поверхно-

11 м

пМ

15-

18-

г»М

5-

п М

14

12 10 8

8

280 488 680 800

пМ

а

800-

600 -

400-

200-

Ъея 0.0

-0.1-

-0.2-

-0.3-

-0.4

400

600

800 пИ

В

Рис. 9. Топография поверхности многокомпонентной свинцовосиликатной пленки толщиной 500 А на бронзе

пМ : :

0 588 1088 пМ

В

Рис, 10. Топография поверхности многокомпонентной свинцовосиликатной пленки толщиной 1000 А на бронзе

сти подложек бронзы и стали составляла 60 нм и 20 нм, соответственно. Напыление пленок приводит к сглаживанию поверхности. Поверхность пленок составлена из сферических структур диаметром 20 - 80 нм, выступающих над поверхностью на 1,5-3,0 нм и ячеек таких же размеров, глубиной 1,5-3,0 нм. С увеличением толщины пленки диапазон размеров структур, формирующих пленку, уменьшается. Исследова-

ние поверхности в режиме «фазового контраста», показало, что поверхностный слой многокомпонентных свинцово-силикатных пленок, в отличие от двухкомпонентных свинцовосиликатных пленок неоднороден и сферические структуры имеют разный состав.

Система РЬО-БЮг в широком диапазоне концентрации оксида свинца обладает высокими стеклообразующими свойствами. Однако во многих других двойных силикатных системах при плавлении происходят процессы ликвации, т.е. наблюдается жидкостная несмешиваемость в результате чего выделяются некристаллические микрофазы одна из которых обогащена оксидом кремния, а другая - оксидом металла. Состав мик-рофаз обычно стремится к составу определенных силикатов. К потенциально способным к ликвации системам относятся к стеклообразные системы «оксид щелочного металла - БЮг» (ЫагО-ЭЮг) и «оксид щелочноземельного металла - 8102 » [15]. По-видимому, склонность систем Ыа20 - БЮг и ВаО-8Ю2 к несмешиваемости привела к тому, что в исследованных пленках не происходит полного взаимодействия распыленных оксидов.

Результаты рентгеноэлектронного анализа многокомпонентных свинцовосиликатных стекол представлены в табл. 4. Видно, что содержание алюминия повышено,

Таблица 4. Состав и химическое состояние кремния и свинца в поверхностном слое тонких пленок многокомпонентных свинцовосиликатных стекол

Толщина пленки (А)/ подложка Кремний Свинец Состав поверхностного слоя

Связь Отн.сод., % Связь Отн.сод., %

1500/сталь 81-0-81 66,1 8ьО-А1,РЬ 23,1 8Ю-Ва,№ 10,7 139,0 25,6 138,2 74,4 83,6%8Ю2+1,8%РЬО+1 %Ва О +6,2%Ыа20 +7,3%А1203

500/сталь 81-0-81 60,0 &-0-А1,РЬ 25,0 81-0-Ва,№ 15,0 139,0 28,0 138,2 72,0 83,3%8Ю2+2,6%РЬО+ 2,3%Ва0+5,5%Ыа20+ +11,5%А1203

200/сталь 81-0-81 53,0 &-0-А1,РЬ 29,1 8ьО-Ва,Ыа 15,9 139,0 58,0 138,2 42,0 78,5%8Ю2+1,9%РЬО+ 2,1%Ва0+3,4%Ыа20+ + 15%А1203

1 ООО/бронза 81-0-81 70,0 8ьО-А1,РЬ 22,5 8ьО-Ва,Ка 7,5 139,0 31,6 138,2 68,4 84,3%8Ю2+2,5%РЬО+ 1,8%Ва0+6,7%Ыа20+ +4,7%А1203

причем степень обогащения возрастает с уменьшением толщины пленки. Поверхностные слои пленок обеднены свинцом, барием и натрием. На АСМ- изображениях поверхности пленок наблюдаются ячейки, размеры которых сравнимы с размерами островков. Можно предположить, что ячейки появляются в результате испарения поверхностных структур сформированных из оксида свинца, который является наиболее легколетучим в данных условиях.

ВЫВОДЫ

Исследованы топография поверхности и химическое строение нелегированных силикатных пленок, двойных и многокомпонентных свинцовосиликатных пленок, полученных методом ионного распыления.

Шероховатость пленок меньше, чем шероховатость исходных подложек (стали и бронзы). С увеличением толщины пленок, полученных ионным распылением, диапазон размеров структур, формирующих пленку, сужается. Доминирующим процессом при ионном распылении силикатных и свинцовосиликатных пленок является процесс распыления-конденсации.

Кремнийкислородная структура нелегированных силикатных пленок зависит от толщины: уменьшение толщины пленки сопровождается увеличением доли анионов с большими углами Si-0-Si, которые характерны для многочленных кремнийкислород-ных структур.

Состав поверхностных слоев многокомпонентных силикатных пленок определяется соотношением давления паров напыляемых оксидов при температуре гомогенизации и направлением термодиффузионных процессов. Свинцово-силикатные системы, легированные оксидами натрия и бария, формируют пленки, поверхность которых неоднородна по составу.

Работа поддерэюана грантом РФФИ 04-03-96015.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Леко В.К. Структура стеклообразного кремнезема \\ Физ. хим. стекла, 1993. Т. 19, №5.

С.673-715.

2. Либау Ф. Структурная химия силикатов. М.: Мир, 1988. 416 с.

3. Taylor D. The relationship between Si-0 distances and Si-O-Si bond angles in the silica

polymorphs \\ Miner. Mag., 1972, v.38, p.629-631.

4. Зюбин A.C., Дембовский С.А. Квантовохимическое моделирование свойств структурных фрагментов непрерывной неупорядоченной сетки в « тетраэдрических « стеклообразователях Si02. GeCb, GeS2, BeF2H ZnCb \\ Материаловедение, 1999. №1. С.2-19.

5. Нефедов В.И. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений. Спра-

вочник. М.: Химия, 1984. 255 с.

6. Newton M.D. Theoretical probes of bonding in the siloxil group \\ Structure and bonding

in crystal, v.l., New York: Acad, press, 1988, p.175-193.

7. Greaves G.N., Smith W., Giulotto E., Pantos E. Local structure, microstructure and glass properties \\ J. Non-Cryst. Sol., 1997, v.222, p. 13-24.

8. Сорокин O.M., Булычева JI.В., Морковина И.И. Исследование термогеиизированных

слоев смесей окислов РЬО и SiC>2 методом УФ фотоэлектронной спектроскопии \\ Физ.хим.стекла, 1986. Т.12, №1. С.62-68.

9. Повстугар В.И., Шаков А.А., Михайлова С.С. и др. Разложение сложных реногено-

электронных спектров с помощью быстрого дискретного преобразования Фурье с улучшенной процедурой сходимости решения. Оценка применимости \\ Ж. ана-лит.химии, 1998. Т.53, №8. С.795-799.

10. Gratz Н. Ostwald ripening: a new relations between particle growth and particle size distribution \\ Scripta Mater., 1997, v.37, N1, p.9-16.

11. Suemitsu M., Togashi IT, Abe T. Autocatalytic reaction model : a phenomenology for nucleation-coalescence growth of thin films \\ Thin Solid Films, 2003, v.428, p.83-86.

12. Revesz A.G., Anwand W., Brauer G. et al. Density gradient in Si02 films on silicon as revealed by positron annihilation spectroscopy \\ Appl. Surf.Sci., 2002, v. 194, p. 101-105.

13. Воробьев Ю.П., Гончаров О.Ю., Крылов П.Н. Взаимодействие на границах раздела пленок Si02/ Cu(Ni) \\ ЖФХ, 1995. Т.69, №12. С.2196-2199.

14. Akamori Tabata, Noriaki Matsuno, Yasuo Suzuoki, Teruyoshi Mizutani. Optical properties and structure of Si02 films prepared by ion-beam sputtering. \\ Thin Solid Films, 1996, v.289, p.84-89.

15. Аппен А.А. Химия стекла Jl.: Химия, 1970. 348 с.

SUMMARY. Silicate and lead-silicate films obtained by ion sputtering have been investigated using X-ray electron spectroscopy and atomic force microscopy. The thickness dependence of the chemical structure of films is discussed.