ЕМКОСТНЫЙ МИКРООБРАБОТАННЫЙ УЛЬТРАЗВУКОВОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ С ПОДАВЛЕННОЙ АКУСТИЧЕСКОЙ СВЯЗЬЮ С ПОДЛОЖКОЙ

1. Матрица ячеек cMUT ультразвукового преобразователя, которые установлены на множестве массивных пластин, которые установлены на общей подложке, содержащая:
(a) ячейки cMUT, причем каждая ячейка содержит:
мембрану ячейки;
опорную структуру мембраны;
верхний электрод, соединенный с мембраной ячейки;
зазор, обеспечивающий пространство, в котором движется мембрана ячейки; и
нижний электрод, используемый во взаимодействии с верхним электродом;
(b) множество массивных пластин, на которых установлены ячейки cMUT, причем каждая массивная пластина обладает силой инерции, которая по существу направлена противоположно силе акустического давления, генерируемой ячейкой cMUT, установленной на ней, во время передачи ячейкой cMUT, причем каждая массивная пластина и установленная на ней ячейка cMUT сбоку заизолированы движению от соседних массивных пластин с помощью зазора; и
(c) непрерывную подложку, на которой установлено множество массивных пластин и их ячейки cMUT.
2. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой мембрана ячейки, опорная структура мембраны, верхний электрод, нижний электрод и массивные пластины изготовлены с использованием технологий производства полупроводниковых приборов.
3. Матрица ячеек cMUT по п. 2, в которой массивные пластины
изготовлены из электропроводящего материала, с тем чтобы также обеспечить нижний электрод.
4. Матрица ячеек cMUT по п. 3, в которой электропроводящий материал представляет собой тантал, золото, молибден, медь, хром или вольфрам или их сплав.
5. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой каждая массивная пластина дополнительно демонстрирует высокую жесткость, что делает ее размер малым относительно длины волны ультразвука, при которой работают ячейки cMUT.
6. Матрица ячеек cMUT по п. 5, в которой каждая массивная пластина дополнительно демонстрирует высокий акустический импеданс.
7. Матрица ячеек cMUT по п. 6, в которой акустический импеданс составляет более 40 Мрейл.
8. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой каждая массивная пластина установлена на подложке посредством деформируемой опоры.
9. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой каждая массивная пластина установлена на подложке посредством множества разнесенных опор.
10. Матрица ячеек cMUT по п. 9, в которой пространства между разнесенными опорами заполнены одним из следующего: вакуумом, воздухом или деформируемым материалом.
11. Матрица ячеек cMUT по п. 10, в которой деформируемый материал представляет собой кремнекаучук.
12. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой отдельные ячейки cMUT матрицы установлены на массивных пластинах, по отдельности
заизолированных сбоку.
13. Матрица ячеек cMUT по п. 12, в которой отдельные ячейки cMUT и массивные пластины демонстрируют гексагональное расположение.
14. Матрица ячеек cMUT по п. 12, в которой отдельные ячейки cMUT и массивные пластины демонстрируют круговое расположение.
15. Матрица ячеек cMUT по п. 12, в которой ячейки cMUT и массивные пластины сформированы на полупроводниковой подложке, перекрывающей слой интегральной схемы.
16. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой сила инерции массивной пластины противодействует, по меньшей мере, 50% от силы акустического давления, генерируемой установленной на ней ячейкой cMUT.
17. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой сила акустического давления, генерируемая ячейкой cMUT, ослабляется, по меньшей мере, на 6 дБ.
18. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой сила инерции массивной пластины противодействует, по меньшей мере, 66,67% от силы акустического давления, генерируемой установленной на ней ячейкой cMUT.
19. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой сила акустического давления, генерируемая ячейкой cMUT, ослабляется ее массивной пластиной, по меньшей мере, на 10 дБ.
20. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой сила инерции массивной пластины противодействует, по меньшей мере, 90% от силы акустического давления, генерируемой установленной на ней ячейкой cMUT.
21. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой сила акустического давления, генерируемая ячейкой cMUT, ослабляется ее массивной пластиной, по меньшей мере, на 20 дБ.