СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ УЛЬТРАТОНКОЙ ПЛЕНКИ

1. Способ формирования ультратонкой пленки, включающий осаждение атомов адсорбата на подложку в вакууме и наращивание пленки монослой за монослоем, отличающийся тем, что кинетическую энергию атомов адсорбата поддерживают преимущественно минимально-возможной, но не менее значения, необходимого для обеспечения скорости осаждения, превышающей скорость осаждения на подложку паров остаточной атмосферы, кроме того, плотность потока атомов адсорбата, одновременно и на всем его протяжении, по сечению, параллельному поверхности подложки, поддерживают одинаковой, при этом осаждение атомов адсорбата периодически прекращают, предпочтительно, в момент начала уменьшения скорости роста температуры пленки и затем возобновляют при достижении температурой поверхности подложки ее исходного уровня, кроме того, используют поверхность подложки преимущественно с наиболее плотной атомной упаковкой, при этом устанавливают энергетическую плотность поверхностных электронных состояний вблизи уровня Ферми преимущественно максимальной и задают более высокое количество и/или противоположный знак носителей заряда, на поверхности подложки по отношению к их количеству и/или знаку в объеме подложки.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение атомов адсорбата периодически прекращают в процессе формирования, по крайней мере, первого монослоя пленки.