ПРИМЕНЕНИЕ ПОВЕРХНОСТНО-АКТИВНЫХ ВЕЩЕСТВ, СОДЕРЖАЩИХ ПО МЕНЬШЕЙ МЕРЕ ТРИ КОРОТКОЦЕПОЧЕЧНЫЕ ПЕРФТОРИРОВАННЫЕ ГРУППЫ, ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА МИКРОСХЕМ, ИМЕЮЩИХ РИСУНКИ С РАССТОЯНИЯМИ МЕЖДУ ЛИНИЯМИ МЕНЕЕ 50 нм

1. Применение поверхностно-активных веществ A, 1 мас.% водные растворы которых имеют статическое поверхностное натяжение <25 мН/м, где указанные поверхностно-активные вещества A содержат по меньшей мере три короткоцепочечные перфторированные группы Rf, выбранные из группы, состоящей из трифторметила, пентафторэтила, 1-гептафторпропила, 2-гептафторпропила и пентафторсульфанила, для производства микросхем, имеющих рисунки с расстояниями между линиями менее 50 нм и со значениями аспектного отношения >3.
2. Применение по п.1, отличающееся тем, что перфторированные группы Rf связаны с одним и тем же мультивалентным центральным фрагментом B.
3. Применение по п.2, отличающееся тем, что перфторированные группы Rf в поверхностно-активном веществе A связаны с мультивалентным центральным фрагментом B через линкер X, выбранный из группы, состоящей из ковалентных связей, атомов кремния, атомов азота, атомов фосфора, атомов кислорода, атомов серы и двухвалентных органических линкерных групп L; где Rf, B и X составляют гидрофобную группу D общей формулы I:
,
где коэффициент n представляет собой целое число, равное по меньшей мере 3.
4. Применение по п.2, отличающееся тем, что поверхностно-активное вещество A содержит по меньшей мере одну гидрофобную группу D.
5. Применение по п.3, отличающееся тем, что по меньшей мере одна гидрофобная группа D связана с по меньшей мере одной гидрофильной группой E, выбранной из группы, состоящей из анионных групп, катионных групп и неионных групп, через линкер Y, выбранный из группы, состоящей из ковалентных связей, атомов кремния, атомов азота, атомов фосфора, атомов кислорода, атомов серы или двухвалентных органических линкерных групп L; причем D, Y и E составляют поверхностно-активное вещество A общей формулы II:
,
где коэффициент m представляет собой целое число, равное по меньшей мере 1.
6. Применение по п.1, отличающееся тем, что поверхностно-активные вещества A применяются в иммерсионных фоторезистных слоях, проявляющих растворах для фоторезистных слоев, подвергающихся воздействию актиничного излучения через маску и иммерсионную жидкость, и в химических промывочных растворах для промывки структурированных слоев материалов, содержащих структуры с высоким аспектным отношением, с расстояниями между линиями 32 нм и менее и со значениями аспектного отношения >10.
7. Применение по п.6, отличающееся тем, что структурированные слои материалов выбираются из группы, состоящей из структурированных проявленных фоторезистных слоев, структурированных слоев изолирующего материала, структурированных слоев многостопочных материалов и структурированных слоев диэлектрика
8. Применение по п.1, отличающееся тем, что поверхностно-активные вещества A применяются для предотвращения разрушения структур, уменьшения размытия края изображения, для предотвращения и удаления дефектов в виде следов от воды, и для уменьшения дефектов путем удаления частиц.
9. Применение по любому из пп.1-8, отличающееся тем, что микросхемы имеют интеграцию высокого уровня (LSI), интеграцию сверхвысокого уровня (VLSI) или интеграцию ультравысокого уровня (ULSI).
10. Способ фотолитографии, включающий следующие стадии
(1) получение субстрата, имеющего иммерсионный фоторезистный слой;
(2) облучение фоторезистного слоя актиничным излучением через маску и иммерсионную жидкость;
(3) проявка экспонированного фоторезистного слоя проявляющим раствором с получением рисунка с расстояниями между линиями менее 50 нм и со значениями аспектного отношения >3;
(4) нанесение химического промывочного раствора на проявленный структурированный фоторезистный слой; и
(5) сушка субстрата при центрифугировании после нанесения химического промывочного раствора.
где иммерсионный фоторезистный слой, проявляющий раствор и/или химический промывочный раствор содержит или содержат по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество A, 1 мас.% водный раствор которого имеет статическое поверхностное натяжение <25 мН/м, и указанное поверхностно-активное вещество A содержит по меньшей мере три короткоцепочечные перфторированные группы Rf, выбранные из группы, состоящей из трифторметильной, пентафторэтильной, 1-гептафторпропильной, 2-гептафторпропильной и пентафторсульфанильной групп.
11. Способ фотолитографии по п.10, отличающийся тем, что перфторированные группы Rf в поверхностно-активном веществе A связаны с одним и тем же мультивалентным центральный фрагментом B.
12. Способ фотолитографии по п.11, отличающийся тем, что перфторированные группы Rf в поверхностно-активном веществе A связаны с мультивалентным центральный фрагментом B линкером X, выбранным из группы, состоящей из ковалентных связей, атомов кремния, атомов азота, атомов фосфора, атомов кислорода, атомов серы и двухвалентных органических связующих L; причем Rf, B и X составляют гидрофобную группу D общей формулы I:
,
где коэффициент n представляет собой целое число, равное по меньшей мере 3.
13. Способ фотолитографии по п.11, отличающийся тем, что поверхностно-активное вещество A содержит по меньшей мере одну гидрофобную группу D.
14. Способ фотолитографии по п.12, отличающийся тем, что по меньшей мере одна гидрофобная группа D связана с по меньшей мере одной гидрофильной группой E, выбранной из группы, состоящей из анионных групп, катионных групп и неионных групп, через линкер Y, выбранный из группы, состоящей из ковалентных связей, атомов кремния, атомов азота, атомов фосфора, атомов кислорода, атомов серы или двухвалентных органических линкерных групп L; где D, Y и E составляют поверхностно-активное вещество A общей формулы II:
,
где коэффициент m представляет собой целое число, равное по меньшей мере 1.
15. Способ фотолитографии по любому из пп.10-14, отличающийся тем, что проявленные структурированные фоторезисты содержат структуры с расстояними между линиями 32 нм и менее и значениями аспектного отношения >10.