СПОСОБ ПОСАДКИ КРИСТАЛЛА НА ОСНОВАНИЕ КОРПУСА

Способ посадки кристалла на основание корпуса, включающий последовательное напыление на установке вакуумного напыления, в которой размещены кремниевые пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности соединения используют два металла титан-германий (Ti-Ge), процесс проводят в едином технологическом цикле, на поверхности полупроводника формируется тонкая металлическая пленка с толщиной 1,5±0,5 мкм, время напыления 4±2 мин.