Способ изготовления последовательности фотогальванических слоев методом печати при комнатной температуре и последовательность фотогальванических слоев, полученная данным способом

1. Способ изготовления последовательности фотогальванических слоев, в котором основные неорганические элементы обрабатывают при комнатной температуре с использованием водных растворов и/или водных дисперсий для получения путем печати завершенной последовательности фотогальванических слоев, с которой обеспечен контакт через электроды, характеризующийся тем, что включает в себя следующие этапы:
- на этапе (а) полупроводниковые частицы (100) размером от 0,5 мкм до 100 мкм, состоящие из по меньшей мере двух элементов, диспергируют в водном реакционном растворе (200), частично растворяют путем окисления или восстановления и равномерно наносят на поверхность подложки (300);
- на этапе (б) реакционный раствор (200) преобразуют с сокращением объема в слой (201) отвержденного реакционного раствора, в котором частицы (100) выступают за пределы слоя (201) отвержденного реакционного раствора, при этом их нижняя сторона закреплена в слое (201) реакционного раствора, а верхняя сторона выступает за пределы слоя (201) реакционного раствора;
- на этапе (в) верхнюю сторону частиц оснащают, по меньшей мере частично, верховым контактом (400).
2. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что на по меньшей мере одном дополнительном этапе частицы (100) кондиционируют путем окисления или восстановления на по меньшей мере одном участке поверхности, в результате чего образуются участки частиц (102), подвергнутых восстановительной обработке, или участки частиц (103), подвергнутых окислительной обработке.
3. Способ по п. 1 или 2, характеризующийся тем, что на дополнительном этапе в непосредственном контакте с частицами (100) по меньшей мере одного участка поверхности, предпочтительно участка поверхности на верхней стороне, формируют наноразмерные структуры, содержащие по меньшей мере одну структуру, выбранную из группы, состоящей из цепочек, ячеек и ячеистых трубок.
4. Способ по п. 2, характеризующийся тем, что смежные участки поверхности с частицами (100) кондиционируют с помощью различных растворов, образуя смежные участки с частицами (100) в чередующейся последовательности в виде участков частиц (102), подвергнутых восстановительной обработке, и участков частиц (103), подвергнутых окислительной обработке.
5. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что на по меньшей мере одном дополнительном этапе сначала на плоский материал наносят электроды, включая по меньшей мере один электрод (301) подложки и/или слой верхнего контакта (400), а затем соединяют эти электроды на плоском материале с последовательностью фотогальванических слоев.
6. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве подложки для последовательности фотогальванических слоев используют длинные плоские листы материала, предпочтительно листы пленки и/или листы бумаги, более предпочтительно, листы конопляной бумаги.
7. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в нем используют измельченные, предпочтительно механически измельченные, частицы (100) крупностью не более 50 мкм, предпочтительно 30±15 мкм, более предпочтительно, от 0,5 мкм до 10 мкм.
8. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что
- на этапе (а) полупроводниковые частицы SiC (100) технической чистоты с максимальным размером 30±15 мкм диспергируют в водном реакционном растворе (200), состоящем из подщелоченного гидроксидом натрия раствора диоксида кремния, при небольшом выделении газа, частично растворяют их за счет окисления и наносят на участки поверхности пленочной и/или бумажной подложки (300) с предварительно нанесенным электродом (301) подложки и предпочтительно с дополнительно напечатанной границей (302);
- на этапе (б) реакционный раствор (200) преобразуют с сокращением объема в слой (201) отвержденного реакционного раствора, в котором частицы (100) выступают за пределы слоя (201) отвержденного реакционного раствора, при этом их нижняя сторона закреплена в слое (201) реакционного раствора, а верхняя сторона выступает за пределы слоя (201) реакционного раствора;
- участки поверхности верхней стороны подвергают окислительной или восстановительной обработке, в результате чего образуются участки частиц (102), подвергнутых восстановительной обработке, или участки частиц (103), подвергнутых окислительной обработке, на которых, в свою очередь, образуют наноразмерные структуры, включая по меньшей мере одну структуру, выбранную из группы, состоящей из цепочек, ячеек, ячеистых трубок, предпочтительно цепочек углеродных нанотрубок и/или цепочек галогенов, находящиеся в непосредственном контакте с частицами (100) на по меньшей мере одном участке поверхности, и - смежные участки поверхности с частицами (100) кондиционируют с помощью различных растворов, формируя смежные участки с частицами (100) в чередующейся последовательности в виде участков частиц (102), подвергнутых восстановительной обработке, и участков частиц (103), подвергнутых окислительной обработке,
- на этапе (в) верхнюю сторону частиц оснащают, по меньшей мере частично, верхним контактом (400), а подвергавшиеся чередующемуся кондиционированию участки поверхности с кондиционированными частицами (100) соединяют последовательно и подключают к конечным контактным электродам.
9. Способ п. 1, характеризующийся тем, что контактные электроды печатают и/или располагают на внутренней стороне покровной пленки, а полученную последовательность фотогальванических слоев ламинируют покровной пленкой для обеспечения электрического контакта, выступающего из компаунда.
10. Последовательность фотогальванических слоев, полученная согласно способу по любому из предшествующих пунктов.