СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ СЛОЯ ЧАСТИЧНО КРИСТАЛЛИЗИРОВАННЫХ РАСПЛАВОВ

1. Способ измерения толщины слоя частично кристаллизованных расплавов на ленточном транспортере посредством магнитных полей в рамках способа непрерывной отливки полосы, причем магнитное поле формируется на одной стороне частично кристаллизованного расплава (2), и магнитное поле проникает через частично кристаллизованный расплав (2), и магнитное поле на другой стороне частично кристаллизованного расплава (2) измеряется, отличающийся тем, что спад магнитного поля на другой стороне частично кристаллизованного расплава (2) применяется для вычисления толщины слоя частично кристаллизованного расплава (2) и что для формирования магнитного поля применяются электромагнитные катушки (1) мешалки.
2. Способ по п.1, причем выработанные магнитные поля имеют частоты от 500 Гц до 10000 Гц.
3. Способ по п.1, причем электромагнитные катушки (1) мешалки используются с частотами менее 20 Гц, причем при работе катушек (1) мешалки возникают высшие гармоники, которые имеют частоты от 500 Гц до 10000 Гц.
4. Способ по п.1, причем частоты от 500 Гц до 10000 Гц непосредственно вводятся в катушки (1) мешалки.
5. Способ по п.1, причем для измерения толщины слоя применяется несколько частот между 500 Гц и 10000 Гц.
6. Способ по п.1, причем несколько сенсоров (3) размещаются по ширине ленточного транспортера, чтобы получить несколько точек измерения.
7. Способ по п.1, причем способ представляет собой способ непрерывной разливки тонкой полосы, причем толщина слоя частично кристаллизованного расплава (2) находится в пределах между 10 мм и 30 мм.
8. Способ по любому из пп.1-7, причем поля формируются над или, по выбору, под частично кристаллизованным расплавом (2) и измеряются под или, по выбору, над частично кристаллизованным расплавом (2).
9. Способ по любому из пп.1-7, причем магнитное поле формируется однородным по ширине ленточного транспортера.
10. Устройство для измерения толщины слоя частично кристаллизованных расплавов на ленточном транспортере, которое содержит следующее:
блок для формирования магнитного поля на одной стороне частично кристаллизованного расплава (2);
по меньшей мере один сенсор (3) для измерения магнитного поля, прошедшего через частично кристаллизованный расплав (2), на другой стороне частично кристаллизованного расплава (2), отличающееся тем, что блок для формирования магнитного поля образован катушками (1) мешалки, и устройство выполнено таким образом, что для вычисления толщины слоя частично кристаллизованного расплава применяется спад измеренного сенсорами (3) магнитного поля на другой стороне частично кристаллизованного расплава (2).
11. Устройство по п.10, причем катушки (1) мешалки формируют магнитные поля с частотами между 500 Гц и 10000 Гц.
12. Устройство по п.10, причем электромагнитные катушки (1) мешалки работают с частотами менее 20 Гц, причем при работе катушек (1) мешалки возникают высшие гармоники, которые имеют частоты между 500 Гц и 10000 Гц.
13. Устройство по п.10, причем частоты между 500 Гц и 10000 Гц непосредственно вводятся в катушки (1) мешалки.
14. Устройство по п.10, причем катушки (1) мешалки формируют несколько частот между 500 Гц и 10000 Гц.
15. Устройство по любому из пп.10-14, причем расстояние между электромагнитными катушками (1) мешалки и сенсорами (3) составляет от 50 мм до 150 мм.
16. Установка, которая содержит ленточный транспортер установки непрерывного литья полосы для транспортировки частично кристаллизованного расплава, отличающаяся тем, что установка содержит устройство для определения толщины слоя частично кристаллизованного расплава по любому из пп.10-15.
17. Установка по п.16, причем устройство для определения толщины слоя частично кристаллизованного расплава содержит несколько сенсоров (3), которые размещены по ширине ленточного транспортера, так что в направлении по ширине имеется несколько точек измерения.
18. Установка по п.16 или 17, причем электромагнитные катушки (1) мешалки размещены на расстоянии менее чем 150 мм над и/или под частично кристаллизованным расплавом (2).