СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЧ ПРИБОРОВ

Способ изготовления полупроводниковых СВЧ приборов, включающий формирование на сильнолегированной полупроводниковой подложке эпитаксиального слаболегированного полупроводникового слоя одного типа проводимости с подложкой, создание локальных контактов, стравливание подложки с ее обратной стороны и разделение полученной структуры на отдельные элементы, отличающийся тем, что сначала проводят утонение центральной части полупроводниковой пластины двухэтапным изотропным и селективным стравливанием низкоомной подложки с высокоомной эпитаксиальной структуры, затем легируют акцепторной или донорной примесью обе стороны пластины мембраны по всей поверхности, затем создают локальные углубления двухэтапным селективным и изотропным травлением, размеры которых превышают толщину легированного слоя, в местах расположения только правых или левых меза-структур на верхней стороне пластины, а также в местах расположения только левых или правых меза-структур на нижней стороне пластины, после чего обе стороны пластины, кроме углублений, закрывают маскирующим слоем диэлектрика и проводят двухстороннее легирование пластины донорной или акцепторной примесью.