СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРОВЕРКИ ЦЕННЫХ ДОКУМЕНТОВ

1. Способ проверки ценного документа (1), имеющего защитный элемент (2) с несколькими магнитными участками (h, l, c), к которым относятся по меньшей мере один высококоэрцитивный магнитный участок (h), содержащий высококоэрцитивный магнитный материал с первой коэрцитивной силой, по меньшей мере один низкокоэрцитивный магнитный участок (l), содержащий низкокоэрцитивный магнитный материал со второй коэрцитивной силой, которая меньше первой коэрцитивной силы, и возможно по меньшей мере один комбинированный магнитный участок (c), содержащий одновременно высококоэрцитивный и низкокоэрцитивный магнитные материалы, заключающийся в том, что
- защитный элемент (2) подвергают первому намагничиванию первым магнитным полем, напряженность которого больше первой коэрцитивной силы, в результате чего намагниченность высококоэрцитивного магнитного материала и намагниченность низкокоэрцитивного магнитного материала ориентируются в первом направлении намагничивания,
- детектируют первые магнитные сигналы (M1) защитного элемента (2) первым магнитным детектором (10),
- защитный элемент (2) подвергают второму намагничиванию вторым магнитным полем, напряженность которого меньше первой коэрцитивной силы, но больше второй коэрцитивной силы и которое при этом ориентировано таким образом, что намагниченность низкокоэрцитивного магнитного материала ориентируется в результате второго намагничивания антипараллельно первому направлению намагничивания,
- детектируют вторые магнитные сигналы (M2) защитного элемента (2) первым магнитным детектором (10) или вторым магнитным детектором (20),
- анализируют первые (M1) и вторые (M2) магнитные сигналы защитного элемента (2) для определения тех мест, где на защитном элементе (2) находятся его магнитные участки (h, l, c), и для идентификации каждого из магнитных участков (h, l, c) либо как одного из высококоэрцитивных магнитных участков (h) или как одного из низкокоэрцитивных магнитных участков (l), либо возможно как одного из комбинированных магнитных участков (c).
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что по меньшей мере один комбинированный магнитный участок (c) намагничивают вторым магнитным полем таким образом, что результирующая намагниченность по меньшей мере одного комбинированного магнитного участка (c), которую он приобретает в результате второго намагничивания, по меньшей мере практически полностью исчезает.
3. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что по меньшей мере один комбинированный магнитный участок (c) выполнен таким образом, что его высококоэрцитивный и низкокоэрцитивный магнитные материалы имеют в основном одинаковую остаточную магнитную индукцию, и содержит при этом высококоэрцитивный и низкокоэрцитивный магнитные материалы прежде всего в равных количествах.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для идентификации магнитных участков (h, l, c) второй магнитный сигнал (M2) соответствующего магнитного участка (h, l, c) или сигнал (M2′), полученный на основании второго магнитного сигнала (M2) соответствующего магнитного участка (h, l, c) либо на основании первого (M1) и второго (M2) магнитных сигналов соответствующего магнитного участка (h, l, c), сравнивают с верхним пороговым уровнем (S1) и с нижним пороговым уровнем (S2).
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что каждый магнитный участок (h, l, c), второй магнитный сигнал (M2) которого или полученный на основании второго магнитного сигнала (M2) которого сигнал (M2′) либо полученный на основании первого (M1) и второго (M2) магнитных сигналов которого сигнал (M2′) не выходит ни за верхний пороговый уровень (S1), ни за нижний пороговый уровень (S2), идентифицируют как комбинированный магнитный участок (c).
6. Способ по п. 4 или 5, отличающийся тем, что каждый магнитный участок (h, l, c), второй магнитный сигнал (M2) которого или полученный на основании второго магнитного сигнала (M2) которого сигнал (M2′) либо полученный на основании первого (M1) и второго (M2) магнитных сигналов которого сигнал (M2′) выходит за верхний пороговый уровень (S1) и/или за нижний пороговый уровень (S2), идентифицируют либо как высококоэрцитивный магнитный участок (h), либо как низкокоэрцитивный магнитный участок (l).
7. Способ по п. 4 или 5, отличающийся тем, что второй магнитный сигнал (M2) защитного элемента (2) или сигнал (M2′), полученный на основании этого второго магнитного сигнала (M2) защитного элемента либо на основании его первого (M1) и второго (M2) магнитных сигналов, имеет второй сдвиг (O2), выше которого находится верхний пороговый уровень (S1) и ниже которого находится нижний пороговый уровень (S2).
8. Способ по п. 4 или 5, отличающийся тем, что верхний пороговый уровень (S1) и нижний пороговый уровень (S2) отстоят друг от друга на расстояние, которое составляет по меньшей мере 50%, предпочтительно по меньшей мере 75%, прежде всего по меньшей мере 100%, от среднего размаха (H2) второго магнитного сигнала высококоэрцитивных (h) и/или низкокоэрцитивных (1) магнитных участков относительно его второго сдвига (O2).
h
l
c
h
l
c
9. Способ по п. 4 или 5, отличающийся тем, что для по меньшей мере одного из магнитных участков (h, l, c) верхний пороговый уровень (S1) и/или нижний пороговый уровень (S2) выбирают в зависимости от первого магнитного сигнала (M1), предпочтительно выбирают индивидуально в зависимости от первого магнитного сигнала (M1, M1, M1) соответствующего магнитного участка (h, l, c), прежде всего в зависимости от размаха первого магнитного сигнала (M1, M1, M1) соответствующего магнитного участка (h, l, c).
10. Устройство для проверки ценного документа (1), имеющего защитный элемент (2) с несколькими магнитными участками (h, l, c), к которым относятся по меньшей мере один высококоэрцитивный магнитный участок (h), содержащий высококоэрцитивный магнитный материал с первой коэрцитивной силой, по меньшей мере один низкокоэрцитивный магнитный участок (l), содержащий низкокоэрцитивный магнитный материал со второй коэрцитивной силой, которая меньше первой коэрцитивной силы, и возможно по меньшей мере один комбинированный магнитный участок (c), содержащий одновременно высококоэрцитивный и низкокоэрцитивный магнитные материалы, имеющее
- первый магнитный детектор (10), предназначенный для детектирования первых магнитных сигналов (M1) защитного элемента (2) после его первого намагничивания первым магнитным полем, напряженность которого больше первой коэрцитивной силы, в результате чего намагниченность высококоэрцитивного магнитного материала и намагниченность низкокоэрцитивного магнитного материала ориентируются в первом направлении намагничивания,
- магнитный детектор, предназначенный для детектирования вторых магнитных сигналов (M2) защитного элемента (2) после его второго намагничивания вторым магнитным полем, напряженность которого меньше первой коэрцитивной силы, но больше второй коэрцитивной силы и которое при этом ориентировано таким образом, что намагниченность низкокоэрцитивного магнитного материала ориентируется в результате второго намагничивания антипараллельно первому направлению намагничивания, и представляющий собой либо первый магнитный детектор (10), либо второй магнитный детектор (20),
- устройство (8) обработки сигналов, предназначенное для анализа первых (M1) и вторых (M2) магнитных сигналов и выполненное с возможностью определения тех мест, где на защитном элементе (2) находятся его магнитные участки (h, l, c), и с возможностью идентификации магнитных участков (h, l, c) защитного элемента (2), каждый из которых идентифицируется либо как один из высококоэрцитивных магнитных участков (h) или как один из низкокоэрцитивных магнитных участков (h, l), либо возможно как один из комбинированных магнитных участков (c).
11. Устройство по п. 10, отличающееся тем, что устройство (8) обработки сигналов выполнено с возможностью идентификации всех тех магнитных участков, второй магнитный сигнал которых или полученный на основании второго магнитного сигнала (M2) которых сигнал (M2′) не выходит ни за верхний пороговый уровень (S1), ни за нижний пороговый уровень (S2), как комбинированных магнитных участков (c).
12. Устройство по п. 10 или 11, отличающееся тем, что для идентификации магнитных участков (h, l, c) устройство (8) обработки сигналов выполнено с возможностью сравнения второго магнитного сигнала (M2) соответствующего магнитного участка (h, l, c) или сигнала (M2′), полученного на основании второго магнитного сигнала (M2) соответствующего магнитного участка (h, l, c) либо на основании первого (M1) и второго (M2) магнитных сигналов соответствующего магнитного участка (h, l, c), с верхним пороговым уровнем (S1) и с нижним пороговым уровнем (S2).
13. Устройство по п. 10 или 11, отличающееся тем, что устройство (8) обработки сигналов выполнено с возможностью идентификации каждого из магнитных участков (h, l, c), второй магнитный сигнал (M2) которого или полученный на основании второго магнитного сигнала (M2) которого сигнал (M2′) либо полученный на основании первого (M1) и второго (M2) магнитных сигналов которого сигнал (M2′) выходит за верхний пороговый уровень (S1) и/или за нижний пороговый уровень (S2), либо как высококоэрцитивный магнитный участок (h), либо как низкокоэрцитивный магнитный участок (l).
14. Устройство по п. 10 или 11, отличающееся тем, что при его работе второй магнитный сигнал (M2) защитного элемента (2) или сигнал (M2′), полученный на основании этого второго магнитного сигнала (M2) защитного элемента либо на основании его первого (M1) и второго (M2) магнитных сигналов, имеет второй сдвиг (O2), выше которого находится верхний пороговый уровень (S1) и ниже которого находится нижний пороговый уровень (S2).
h
l
c
15. Устройство по п. 10 или 11, отличающееся тем, что устройство (8) обработки сигналов выполнено с возможностью выбора верхнего порогового уровня (S1) и/или нижнего порогового уровня (S2) для по меньшей мере одного из магнитных участков (h, l, c) в зависимости от первого магнитного сигнала (M1), прежде всего с возможностью индивидуального выбора верхнего порогового уровня (S1) и/или нижнего порогового уровня (S2) для по меньшей мере одного из магнитных участков (h, l, c) в зависимости от первого магнитного сигнала (M1, M1, M1) соответствующего магнитного участка (h, l, c).
16. Устройство по п. 10 или 11, отличающееся тем, что оно имеет первое намагничивающее устройство (9), предназначенное для создания первого магнитного поля, которое предназначено для первого намагничивания высококоэрцитивного и низкокоэрцитивного магнитных материалов в первом направлении намагничивания и напряженность которого при этом больше первой коэрцитивной силы.
17. Устройство по п. 10 или 11, отличающееся тем, что оно имеет второе намагничивающее устройство (19), предназначенное для создания второго магнитного поля, которое предназначено для второго намагничивания низкокоэрцитивного магнитного материала во втором направлении намагничивания, антипараллельном первому направлению намагничивания, и напряженность которого при этом меньше первой коэрцитивной силы, но больше второй коэрцитивной силы.