ИЗДЕЛИЕ С НИЗКОЭМИССИОННЫМ ПОКРЫТИЕМ, ИМЕЮЩЕЕ ОТРАЖАЮЩИЙ ИК-ИЗЛУЧЕНИЕ СЛОЙ ИЛИ СЛОИ И ЛЕГИРОВАННЫЙ НИОБИЕМ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЛОЙ ИЗ ДИОКСИДА ТИТАНА ИЛИ СЛОИ, И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Изделие с покрытием, включающее в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, причем покрытие содержит:
первый прозрачный диэлектрический слой на стеклянной подложке;
отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро, на стеклянной подложке, расположенный над по меньшей мере первым прозрачным диэлектрическим слоем;
второй прозрачный диэлектрический слой на стеклянной подложке, расположенный над по меньшей мере отражающим ИК-излучение слоем; и
при этом по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев является аморфным или по существу аморфным и содержит оксид Ti, легированный по меньшей мере одним из Nb, Sn, SnZn, Zr, Y и Ba, и при этом содержание металла в аморфном или по существу аморфном слое составляет около 70-99,5% Ti и около 0,5-30% по меньшей мере одного из Nb, Sn, SnZn, Zr, Y и Ba (атомные %).
2. Изделие с покрытием по п. 1, в котором содержание металла в аморфном или по существу аморфном слое составляет около 80-99% Ti и около 1-20% по меньшей мере одного из Nb, Sn, SnZn, Zr, Y и Ba (атомные %).
3. Изделие с покрытием по п. 1, в котором содержание металла в аморфном или по существу аморфном слое составляет около 87-99% Ti и около 1-13% по меньшей мере одного из Nb, Sn, SnZn, Zr, Y и Ba (атомные %).
4. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором аморфный или по существу аморфный слой имеет показатель преломления (n) по меньшей мере 2,12.
5. Изделие с покрытием по п. 4, в котором аморфный или по существу аморфный слой имеет показатель преломления (n) по меньшей мере 2,20.
6. Изделие с покрытием по п. 4, в котором аморфный или по существу аморфный слой имеет показатель преломления (n) по меньшей мере 2,25.
n
7. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие представляет собой низкоэмиссионное покрытие и имеет нормальный коэффициент эмиссии (E) не более чем 0,2.
n
8. Изделие с покрытием по п. 7, в котором покрытие представляет собой низкоэмиссионное покрытие и имеет нормальный коэффициент эмиссии (E) не более чем 0,10.
9. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Nb, а содержание металла составляет около 70-99,5% Ti и около 0,5-30% Nb (атомные %).
10. Изделие с покрытием по п. 9, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Nb, а содержание металла составляет около 80-99% Ti и около 1-20% Nb (атомные %).
11. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором первый диэлектрический слой представляет собой упомянутый аморфный или по существу аморфный слой и расположен между стеклянной подложкой и отражающим ИК-излучение слоем.
12. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие содержит внешнее покрытие, включающее в себя слой, содержащий нитрид кремния.
13. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие дополнительно содержит слой, содержащий нитрид кремния, расположенный между по меньшей мере стеклянной подложкой и первым прозрачным диэлектрическим слоем.
14. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие дополнительно содержит слой, содержащий оксид цинка, расположенный под и в непосредственном контакте с отражающим ИК-излучение слоем.
15. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие дополнительно содержит слой, содержащий оксид Ni и/или Cr, расположенный над и в непосредственном контакте с отражающим ИК-излучение слоем.
16. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, которое подвергнуто термической закалке.
17. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, которое имеет коэффициент пропускания видимого света по меньшей мере 50%.
x
x
18. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие содержит внешнее покрытие, предусмотренное на отражающем ИК-излучение слое, содержащем серебро, причем внешнее покрытие содержит слой, содержащий TiNbO, слой, содержащий оксид цинка, и слой, содержащий нитрид кремния, и при этом слой, содержащий оксид цинка, расположен между и в непосредственном контакте со слоем, содержащим TiNbO, и слоем, содержащим нитрид кремния.
x
19. Изделие с покрытием по п. 18, в котором внешнее покрытие дополнительно содержит самый верхний слой, содержащий AlSiBO.
20. Изделие с покрытием, включающее в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, причем покрытие содержит:
первый прозрачный диэлектрический слой на стеклянной подложке;
отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой на стеклянной подложке, расположенный над по меньшей мере первым прозрачным диэлектрическим слоем;
второй прозрачный диэлектрический слой на стеклянной подложке, расположенный над по меньшей мере отражающим ИК-излучение слоем; и
при этом по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев является аморфным или по существу аморфным и содержит оксид Ti и Nb, и при этом содержание металла в аморфном или по существу аморфном слое составляет либо: (a) около 30-70% Ti и около 30-70% Nb (атомные %), либо (b) около 70-99,5% Ti и около 0,5-30% по меньшей мере одного из Nb, более предпочтительно около 80-99% Ti и около 1-20% по меньшей мере одного из Nb, и иногда около 87-99% Ti и около 1-13% Nb (атомные %).
21. Способ изготовления изделия с покрытием, включающего в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, включающий:
нанесение распылением первого прозрачного диэлектрического слоя на стеклянную подложку;
нанесение распылением отражающего инфракрасное (ИК) излучение слоя, содержащего серебро, на стеклянную подложку над по меньшей мере первым прозрачным диэлектрическим слоем;
нанесение распылением второго прозрачного диэлектрического слоя на стеклянную подложку над по меньшей мере отражающим ИК-излучение слоем; и
при этом по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев наносят распылением так, чтобы он был аморфным или по существу аморфным и содержал оксид Ti и по меньшей мере один из Nb, Sn, SnZn, Zr, Y и Ba.
22. Способ по п. 21, в котором содержание металла в аморфном или по существу аморфном слое составляет около 70-99,5% Ti и около 0,5-30% по меньшей мере одного из Nb, Sn, SnZn, Zr, Y и Ba (атомные %).
23. Способ по любому из пп. 21, 22, в котором упомянутый по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев, наносимый распылением так, чтобы он был аморфным или по существу аморфным, наносят распылением в обедненной кислородом атмосфере, так что различие в радиусах металлов во время распыления вызывает разупорядочение кристаллической решетки, приводящее к аморфной или по существу аморфной структуре слоя.
n
24. Способ по любому из пп. 21-23, в котором покрытие представляет собой низкоэмиссионное покрытие и имеет нормальный коэффициент эмиссии (E) не более чем 0,2.
25. Способ по любому из пп. 21-24, дополнительно включающий в себя термическую закалку стеклянной подложки с покрытием на ней.
26. Способ по любому из пп. 21-25, в котором изделие с покрытием имеет коэффициент пропускания видимого света по меньшей мере 50%.
27. Способ по любому из пп. 21-26, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Nb, а содержание металла составляет около 70-99,5% Ti и около 0,5-30% Nb (атомные %).
28. Способ по п. 27, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Nb, а содержание металла составляет около 80-99% Ti и около 1-20% Nb (атомные %).
29. Способ по любому из пп. 21-28, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Nb, и при этом во время процесса распыления для нанесения оксида Ti и Nb слой наносят распылением в обедненной кислородом атмосфере, содержащей 20-60% газообразного кислорода.
30. Способ по п. 29, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Nb, и при этом во время процесса распыления для нанесения оксида Ti и Nb слой наносят распылением в обедненной кислородом атмосфере, содержащей 25-40% газообразного кислорода.
31. Способ изготовления изделия с покрытием, включающего в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, включающий:
нанесение распылением первого прозрачного диэлектрического слоя на стеклянную подложку;
нанесение распылением отражающего инфракрасное (ИК) излучение слоя, содержащего серебро, на стеклянную подложку над по меньшей мере первым прозрачным диэлектрическим слоем;
нанесение распылением второго прозрачного диэлектрического слоя на стеклянную подложку над по меньшей мере отражающим ИК-излучение слоем;
при этом по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев наносят распылением так, чтобы он был аморфным или по существу аморфным и содержал оксид Ti и Nb; и
при этом во время процесса распыления для нанесения слоя, содержащего оксид Ti и Nb, слой наносят распылением в обедненной кислородом атмосфере, содержащей 20-60% газообразного кислорода.
32. Способ по п. 31, в котором обедненная кислородом атмосфера содержит 25-40% газообразного кислорода.