Способ выращивания двумерных монослоёв графена, нитрида бора на поверхностях когерентных нановискеров

1. Способ выращивания когерентных нановискеров, покрытых двумерными монослоями с целью увеличения механической прочности и создания новых электронных свойств на поверхности когерентных нановискеров при облучении структуры сканирующим лазерным излучением, отличающийся тем, что для выращивания графеновых слоев на внешних и внутренних поверхностях вискеров в зоне кристаллизации создают оптимальную контролируемую концентрацию углерода в газовой фазе при помощи обдува инертным газом, не реагирующим с углеродом и осуществляют эпитаксиальный рост графена при высоких давлениях и температурах.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для выращивания когерентных нановискеров, покрытых нитридом бора в двухслойную структуру между слоями вводят контролируемую концентрацию порошка нитрида бора, или чистого бора, или химических соединений бора при помощи увеличения интенсивности обдува зоны кристаллизации снижают концентрацию углерода до величин, прекращающих рост графеновых слоев и осуществляют эпитаксиальный рост монослоев нитрида бора при высоких давлениях и температурах..
3. Способ по пп. 1, 2, отличающийся тем, что в качестве основного материала для выращивания когерентных нановискеров используют металлы, окислы металлов, полупроводниковые материалы, пластические материалы, композитные материалы, высокотемпературные сверхпроводящие материалы.
4. Способ по п. 1, 2, отличающийся тем, что для создания планарных двумерных многослойных поверхностей, подбирают оптимальное значения мощности лазерного излучения, фокусировки, скорости сканирования, излучения, интенсивности обдува инертным газом зоны кристаллизации для уменьшения высоты растущих когерентных нановискеров до 40-100 нм.
5. Способ по пп. 1, 2, 3, отличающийся тем, что для создания нановискерных многослойных гетероструктур, с чередующимися n слоями, на облученную двухслойную структуру наносят основной материал в виде тонкого слоя, покрывают алюминиевой фольгой с дифракционной решеткой и проводят облучение в заданном режиме каждый раз после нанесения двухслойной структуры, где n=1, 2, 3, ….
6. Способ по пп. 1, 2, 3, отличающийся тем для создания гетероструктур материалов, уничтожающих вирусы, фокусировку, мощность излучения, скорость сканирования подбирают таким образом, чтобы одновременно с выращиванием когерентных нановискеров образовывались конические отверстия за счет самофокусировки в твердом теле, размеры которых обеспечивали бы прохождение воздуха для дыхания, но препятствовали проникновению вирусов.
7. Способ по пп. 1, 2, 3, отличающийся тем для создания наклонных когерентных нановискеров в гетероструктурах, уничтожающих патогены и вирусы, используют композитных основные материалы, подбирают дифракционные решетки с малой постоянной, вводят в математическую программу работы лазера более в высокую частоту повторений импульсов, увеличивают мощность облучения для создания более высокого давления на растущие когерентные нановискеры, увеличивают скорость сканирования.