СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ВЫСОКООМНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Способ определения фотоэлектрических параметров высокоомных полупроводников, заключающийся в возбуждении нестационарной фотоэдс в объеме кристалла посредством освещения образца интерференционной картиной, сформированной опорным и фазомодулированным сигнальным пучками света, отличающийся тем, что фазовая модуляция сигнального пучка осуществляется непосредственно самим сигналом нестационарной фотоэдс, а фотоэлектрические параметры (время максвелловской релаксации, время релаксации проводимости, их произведение, подвижность носителей заряда и частота волн пространственной перезарядки ловушек) определяются по значению частоты возникающих автоколебаний.