ТИРИСТОР СТАДИИ ЗАЖИГАНИЯ С РАЗВЯЗЫВАЮЩЕЙ СТАДИЕЙ ЗАЖИГАНИЯ

1. Тиристор с корпусом (1) из полупроводникового материала, в котором в вертикальном направлении (v), начиная с задней стороны (14), по направлению к передней стороне (13), противолежащей задней стороне (14), последовательно расположены эмиттер(8) р-типа, база (7)n-типа, база (6) р-типа и эмиттер (5) n-типа, и который имеет такие признаки:
структура стадий зажиганий (AG) с по меньшей мере одной стадией зажигания (AG1, AG2, AG3, AG4), каждая из которых включает в себя находящийся на расстоянии от эмиттера (5) n-типа эмиттер (51, 52, 53, 54), стадии зажигания n-типа, расположенный в базе(6) р- типа;
- электрод (42), который контактирует на передней стороне (13) с одним (52) из эмиттеров (51, 52, 53, 54) стадии зажигания и образует с ним первую контактную поверхность (421), и он контактирует с базой (6) р-типа на обращенной к эмиттеру(5) n-типа стороне одного (52) из эмиттеров стадии зажигания на передней стороне (13) на второй контактной поверхности (422), причем вторая контактная поверхность (422) находится на расстоянии как от первой контактной поверхности (421), так и от одного из эмиттеров (52) стадии зажигания, причем база (6) р-типа состоит из секции (60) с первой подсекцией (61), второй подсекцией (62) и третьей подсекцией (63), при этом
- в первой подсекции (61) и третьей подсекции (63) более высокая концентрация легирующей примеси нетто (р+), чем во второй подсекции (62);
- вторая подсекция (62) граничит с первой (61) и третьей подсекцией (63); и
- между одним (52) из эмиттеров (51, 52, 53, 54) стадии зажигания и первой подсекцией (61) образован переход (521) pn-типа,
1
- причем концентрация легирующей примеси нетто вдоль оси (al, а2, а3, а4), перпендикулярной к вертикальному направлению (v), имеет как минимум два расположенных на расстоянии друг от друга локальных максимума (El, Е2, Е2) с типом проводимости "р",
отличающийся тем, что вдоль оси (а3, а4), перпендикулярной к вертикальному направлению (v), между по меньшей мере двумя максимумами (El, Е2) расположена секция (71) базы (7)n-типа.
2. Тиристор по п.1, в котором диэлектрик (18) нанесен между первой контактной поверхностью (421) и второй (422) на переднюю сторону (13).
3. Тиристор по п.2, в котором диэлектрик (18) расположен, по меньшей мере, по секциям между электродом (42) и передней стороной (13).
4. Тиристор по любому из п.п.2 или 3, в котором база (6) р-типа проявляет поверхностное удельное сопротивление (RS) с локальным максимумом.
5. Тиристор по п.4, в котором локальный максимум расположен между первой контактной поверхностью (421) и базой (7) n- типа.
6. Тиристор по п.4, в котором локальный максимум расположен между диэлектриком (18) и базой (7) n-типа.
7. Тиристор по п.1, в котором один (52) из эмиттеров (51, 52, 53, 54) стадии зажигания расположен в первой подсекции (61).
8. Тиристор по п.1, в котором вторая контактная поверхность (422) контактирует с третьей подсекцией (63).
9. Тиристор по п.1, в котором один из локальных максимумов (Е1) расположен между второй контактной поверхностью (422) и базой(7) n-типа.
10. Тиристор по п.1, в котором первая контактная поверхность (421) расположена на расстоянии от базы (6)р-типа.
11. Тиристор по п.1, в котором первая контактная поверхность (421) и вторая контактная поверхность (422) разделены между собой секцией передней стороны (13), которая имеет форму замкнутого круга и нигде не контактирует с электродом (42).
12. Тиристор по п.1, в котором есть одна пусковая область (ZAB) зажигания, где структура (AG) стадии зажигания расположена между пусковой областью (ZAB) зажигания и эмиттером(5) n-типа.
13. Тиристор по п.12, в котором одна из стадий (AG1) зажигания ближе всего расположена к пусковой (ZAB)области зажигания.
14. Тиристор по п.12, в котором одна из стадий (AG2) зажигания ближе всего расположена к стадии (AG1) зажигания, ближайшей к пусковой области (ZAB) зажигания.