СПОСОБ ГЕТТЕРИРУЮЩЕЙ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР

m
m
Способ геттерирующей обработки полупроводниковых структур, включающий аморфизацию поверхности структур с нерабочей стороны облучением ионами средних энергий при комнатной температуре, отличающийс  тем, что перед облучением структуры в течение 2,5-3,0 ч выдерживают в инертной атмосфере при температуре из интервала (0,4-0,7)Т, где Т - температура плавлени  материала структуры, а затем структуры охлаждают в жидком азоте.