Способ изготовления полупроводниковой структуры

-5
3
Способ изготовления полупроводниковой структуры с подложкой, включающий процессы формирования слоя кремния, термообработку, отличающийся тем, что пленку кремния формируют на кремниевой подложке со скоростью роста 20 нм/мин, при температуре 750°С, давлении 1,33⋅10 Па, при скорости подачи силана 14,3 см/мин с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 15 с в среде аргона.