Способ получения тонкой пленки CuInGaSe2 методом управляемой селенизации

2,
1. Способ получения тонкой пленки CuInGaSe включающий в себя термоотжиг в высоковакуумной термодиффузионной печи предварительно напыленной методом магнетронного распыления сплавной мишени стехиометрического состава интерметаллической пленки Cu-In-Ga на стеклянной подложке в реакционной смеси паров селена и инертного газа, отличающийся тем, что первый этап термообработки проводился при температуре Т=250°С и низких значениях давления смеси паров селена и инертного газа для обеспечения чистоты получаемой пленки, а второй этап при Т=550°С и более высоких значениях давления смеси паров селена и инертного газа для уменьшения процессов реиспарения бинарных селенидов меди индия и галлия.
2,
-4
2. Способ получения тонкой пленки CuInGaSe включающий в себя термоотжиг в высоковакуумной термодиффузионной печи предварительно напыленной методом магнетронного распыления сплавной мишени стехиометрического состава интерметаллической пленки Cu-In-Ga на стеклянной подложке в реакционной смеси паров селена и инертного газа, отличающийся тем, что сплавная мишень стехиометрического состава получена сплавлением металлических компонент требуемого состава, помещенных в квазигерметичный графитовый контейнер в высоковакуумной печи предварительно откачанной до остаточного давления 0,5⋅10 Па с последующим напуском высокочистого аргона и синтезом мишени при давлении 10 Па и температуре Т=1100°С в течение 0,5 ч.