СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОВОДЯЩИХ СЕТЧАТЫХ МИКРО- И НАНОСТРУКТУР И СТРУКТУРА ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ

1. Способ получения проводящих микро - и наноструктур, включающий следующие шаги:
a. на первой подложке располагают несущий слой, выполненный в виде перколированной сетки, средняя ширина дорожек которой лежит в диапазоне 10 нм-50 мкм, средняя толщина указанных дорожек в диапазоне 10 нм-10 мкм; средняя величина ячеек сетки в диапазоне 100 нм-10 мм, который имеет в своем составе, по меньшей мере, один слой, выполненный как минимум из одного металлического или неметаллического проводящего материала или комбинации данных материалов;
b. формируют на несущем слое, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой при помощи гальванического осаждения или электрофореза, в частности диэлектрофореза, или каталитического или термического осаждения из жидкой или газовой фазы;
c. соединяют вторую подложку с, по меньшей мере, одной областью отсоединяемого проводящего слоя, расположенного на несущем слое первой подложки;
d. отделяют вторую подложку, причем, по меньшей мере, часть отсоединяемого проводящего слоя отделяется от несущего слоя и остается на второй подложке в виде, по меньшей мере, части проводящей сетки.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что на поверхности несущего слоя создают дополнительный проводящий или диэлектрический слой, обеспечивающий снижение адгезии к отсоединяемому слою.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что на несущем слое формируют, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой посредством реакции серебряного или медного зеркала с нагревом несущего слоя, протекающим через него электрическим током или посредством нагрева несущего слоя внешним источником тепла.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что на несущем слое формируют, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой посредством приложения к несущему слою электрического потенциала и гальванического осаждения металла из содержащего катионы осаждаемого металла электролита.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что на несущем слое формируют, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой посредством приложения к несущему слою переменного электрического потенциала и последующего диэлектрофореза нанопроволок из содержащего нанопроволоки коллоидного раствора.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что после диэлектрофореза нанопроволок из содержащего нанопроволоки коллоидного раствора осуществляют гальваническое осаждение металла из содержащего катионы осаждаемого металла электролита.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что на несущем слое формируют, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой посредством синтеза графена, и/или углеродных нанотрубок, и/или графита в рамках реакции химического осаждения из газовой фазы, при этом, по меньшей мере, часть несущего слоя выполнена из материла, являющегося катализатором для синтеза графена, и/или углеродных нанотрубок, и/или графита методом химического осаждения из газовой фазы.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что при соединении второй подложки с, по меньшей мере, одной областью отсоединяемого проводящего слоя, расположенного на первой подложке, осуществляют нагрев несущего слоя посредством протекающего через него электрического тока.
9. Способ по любому из пп.1-8, отличающийся тем, что после отделения второй подложки от первой подложки указанная, по меньшей мере, часть проводящей сетки дополнительно обрабатывают посредством гальванического осаждения или травления, электрофореза, в частности диэлектрофореза, каталитического или термического осаждения из жидкой или газовой фазы, жидкостного или газофазного травления.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что на несущем слое формируют, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой посредством приложения к несущему слою переменного электрического потенциала и последующего диэлектрофореза нанопроволок из содержащего нанопроволоки коллоидного раствора, а в качестве дополнительной обработки используют гальваническое осаждение металла.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что в качестве нанопроволок используют углеродные нанотрубки и/или серебряные наностержни.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве второй подложки используют диэлектрическую подложку, которая содержит на своей поверхности слой проводящих наночастиц или нанопроволок.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве второй подложки используют диэлектрическую подложку, на которой формируют слой наночастиц или нанопроволок после разделения второй подложки с первой подложкой, поверх, по меньшей мере, части проводящей сетки, перенесенной на вторую подложку.
14. Способ по любому из п.12 или 13, отличающийся тем, что в качестве нанопроволок используют углеродные нанотрубки и/или серебряные наностержни.
15. Способ по п.1, отличающийся тем, что после отделения второй подложки от первой подложки указанную часть проводящей сетки механически снимают с указанной второй подложки с образованием свободной от подложки проводящей сетки.
16. Способ по п.9, отличающийся тем, что после отделения второй подложки от первой подложки указанную часть проводящей сетки механически снимают с указанной второй подложки с образованием свободной от подложки проводящей сетки.
17. Структура для формирования микро- и наноструктурированных проводящих покрытий способом по пп.1-16, представляющая собой подложку, на которой в форме перколированной сетки, средняя ширина дорожек которой лежит в диапазоне 10 нм-50 мкм, средняя толщина указанных дорожек в диапазоне 10 нм-10 мкм; средняя величина ячеек сетки в диапазоне 100 нм-10 мм, расположен несущий слой, состоящий, по меньшей мере, из одного слоя, выполненного, по меньшей мере, из одного металлического или неметаллического проводящего материала или комбинации данных материалов, на указанном несущем слое расположен, по меньшей мере, один отсоединяемый слой.
18. Структура по п.17, отличающаяся тем, что отсоединяемый слой выполнен из проводящего материала посредством гальванического осаждения или электрофореза, в частности диэлектрофореза, или каталитического или термического осаждения из жидкой или газовой фазы.
19. Структура по п.17, отличающаяся тем, чт, на поверхности несущего слоя дополнительно сформирован проводящий или диэлектрический слой, обеспечивающий снижение адгезии к отсоединяемому слою.
20. Структура по п.17, отличающаяся тем, что на несущем слое сформирован, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой нанопроволок.
21. Структура по п.20, отличающаяся тем, что в качестве нанопроволок использованы углеродные нанотрубки и/или серебряные наностержни.
22. Структура по п.17, отличающаяся тем, что на несущем слое сформирован, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой из графена, и/или углеродных нанотрубок, и/или графита, при этом, по меньшей мере, часть несущего слоя выполнена из материла, являющегося катализатором для синтеза графен, и/или углеродных нанотрубок, и/или графита.
23. Структура по п.17, отличающаяся тем, что на несущем слое сформирован, по меньшей мере, один отсоединяемый проводящий слой из металла.
24. Структура по п.23, отличающаяся тем, что отсоединяемый слой выполнен посредством гальванического или термического осаждения.