ПОДЛОЖКА АКТИВНОЙ МАТРИЦЫ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ, ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ ОТОБРАЖЕНИЯ И ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ ПРИЕМНИК

1. Подложка активной матрицы, содержащая линию сигнала данных, линию сигнала развертки, транзистор, соединенный с линией сигнала данных и с линией сигнала развертки, и линию удерживающего конденсатора, при этом
подложка активной матрицы дополнительно содержит первый электрод пикселя и второй электрод пикселя в каждой области пикселя,
первый электрод пикселя соединен с линией сигнала данных через транзистор,
второй электрод пикселя соединен с первым электродом пикселя через конденсатор, сформированный между вторым электродом пикселя и электродом емкостной связи, электрически соединенным с первым электродом пикселя, причем второй электрод пикселя перекрывает линию удерживающего конденсатора через изолирующий слой, а
изолирующий слой содержит тонкую область, расположенную так, что она занимает по меньшей мере часть участка, не перекрывающего электрод емкостной связи.
2. Подложка активной матрицы по п.1, в которой
изолирующая пленка включает в себя первую область, вторую область и третью область,
каждая область из первой области, второй области и третьей области перекрывает линию удерживающего конденсатора и второй электрод пикселя,
первая область и третья область содержат тонкую область, а вторая область содержит участок, перекрывающий электрод емкостной связи и второй электрод пикселя, при этом
первая область, вторая область и третья область выровнены в указанном порядке вдоль направления, в котором проходит линия сигнала развертки.
3. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой
линия отвода, отходящая от проводящего электрода транзистора, и электрод емкостной связи соединены друг с другом на плоскости, на которой расположены линия отвода и электрод емкостной связи, и линия отвода соединена с первым электродом пикселя через контактное отверстие.
4. Подложка активной матрицы по п.1, в которой
изолирующая пленка представляет собой межслойную изолирующую пленку, покрывающую канал транзистора, и/или изолирующую пленку затвора.
5. Подложка активной матрицы по п.4, в которой
изолирующая пленка представляет собой межслойную изолирующую пленку, причем
межслойная изолирующая пленка включает в себя неорганическую изолирующую пленку и органическую изолирующую пленку, при этом
тонкая область на изолирующей пленке выполнена путем утончения органической изолирующей пленки или удаления органической изолирующей пленки.
6. Подложка активной матрицы по п.4 или 5, в которой
изолирующая пленка представляет собой межслойную изолирующую пленку, при этом
межслойная изолирующая пленка выполнена так, что по меньшей мере часть участка перекрытия второго электрода пикселя и электрода емкостной связи является тонкой.
7. Подложка активной матрицы по п.6, в которой
межслойная изолирующая пленка включает в себя неорганическую изолирующую пленку и органическую изолирующую пленку, при этом
по меньшей мере часть участка перекрытия второго электрода пикселя и электрода емкостной связи выполнена так, что органическая изолирующая пленка утончена или органическая изолирующая пленка удалена.
8. Подложка активной матрицы по п.4, в которой
изолирующая пленка представляет собой изолирующую пленку затвора,
изолирующая пленка затвора включает в себя неорганическую изолирующую пленку и органическую изолирующую пленку, при этом
тонкая область на изолирующей пленке выполнена путем утончения органической изолирующей пленки или удаления органической изолирующей пленки.
9. Подложка активной матрицы по п.4 или 8, в которой
изолирующая пленка представляет собой изолирующую пленку затвора, при этом
изолирующая пленка затвора выполнена так, что по меньшей мере часть участка перекрытия второго электрода пикселя и электрода емкостной связи является тонкой.
10. Подложка активной матрицы по п.9, в которой
изолирующая пленка затвора включает в себя неорганическую изолирующую пленку и органическую изолирующую пленку, при этом
по меньшей мере часть участка перекрытия второго электрода пикселя и электрода емкостной связи выполнена так, что органическая изолирующая утончена или органическая изолирующая пленка удалена.
11. Подложка активной матрицы по п.5, в которой
органическая изолирующая пленка включает в себя акриловую смолу, и/или эпоксидную смолу, и/или полиимидную смолу, и/или полиуретановую смолу, и/или смолу новолак, и/или силоксановую смолу.
12. Подложка активной матрицы по п.5 или 8, в которой
первый электрод пикселя и линия сигнала развертки частично перекрывают друг друга.
13. Подложка активной матрицы по п.1, дополнительно содержащая участок ответвления удерживающего конденсатора, отходящий от линии удерживающего конденсатора,
причем участок ответвления удерживающего конденсатора отходит от линии удерживающего конденсатора так, что участок ответвления удерживающего конденсатора проходит вдоль линии сигнала данных и перекрывает край второго электрода пикселя или проходит за пределами края.
14. Подложка активной матрицы по п.1, в которой
зазор между первым электродом пикселя и вторым электродом пикселя имеет функцию управления выравниванием.
15. Подложка активной матрицы по п.1, дополнительно содержащая третий электрод пикселя в упомянутой каждой области пикселя, при этом
третий электрод пикселя электрически соединен с первым электродом пикселя.
16. Подложка активной матрицы по п.15, в которой
первый электрод пикселя, второй электрод пикселя и третий электрод пикселя выровнены в указанном порядке вдоль направления, в котором проходит линия сигнала данных.
17. Подложка активной матрицы, содержащая: транзистор, соединенный с линией сигнала развертки; и линию удерживающего конденсатора, при этом
каждая область пикселя включает в себя: первый электрод пикселя, соединенный с одним проводящим электродом транзистора; второй электрод пикселя, перекрывающий линию удерживающего конденсатора; и электрод емкостной связи, перекрывающий линию удерживающего конденсатора и второй электрод пикселя,
один проводящий электрод или другой проводящий электрод транзистора электрически соединен с электродом емкостной связи, и
в части области, где второй электрод пикселя перекрывает линию удерживающего конденсатора, но не перекрывает электрод емкостной связи, по меньшей мере одна из множества изолирующих пленок, выполненных между линией удерживающего конденсатора и вторым электродом пикселя, является более тонкой, чем область, окружающая упомянутую по меньшей мере одну из множества изолирующих пленок.
18. Жидкокристаллическая панель, содержащая подложку активной матрицы по п.6, и противоположную подложку, обращенную к подложке активной матрицы, при этом
противоположная подложка имеет выпуклость на ее поверхности, причем выпуклость обращена к области подложки активной матрицы, в которой межслойная изолирующая пленка является тонкой.
19. Жидкокристаллическая панель, содержащая подложку активной матрицы по п.9 и противоположную подложку, обращенную к подложке активной матрицы, при этом
противоположная подложка имеет выпуклость на ее поверхности, причем выпуклость обращена к области подложки активной матрицы, в которой изолирующая пленка затвора является тонкой.
20. Жидкокристаллическая панель по п.18, в которой
линия удерживающего конденсатора проходит в направлении строки, и
при проектировании выпуклости поверхности противоположной подложки на слой, в котором выполнена линия удерживающего конденсатора, проецируемая выпуклость располагается между двумя краями линии удерживающего конденсатора в направлении строки.
21. Жидкокристаллическая панель, содержащая подложку активной матрицы по п.1 или 17.
22. Жидкокристаллический модуль отображения, содержащий жидкокристаллическую панель по п.21 и устройство возбуждения.
23. Жидкокристаллическое устройство отображения, содержащее жидкокристаллический модуль отображения по п.22 и устройство - источник света.
24. Телевизионный приемник, содержащий жидкокристаллическое устройство отображения по п.23 и блок тюнера для приема телевизионной широковещательной передачи.