КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ МЕТАЛЛОВ, СОДЕРЖАЩАЯ ВЫРАВНИВАЮЩИЙ АГЕНТ

1. Композиция, содержащая источник ионов металлов, один или более подавляющих агентов и по меньшей мере одну добавку, содержащую линейное или разветвленное полимерное бигуанидиновое соединение, содержащее структурное звено формулы L1
,
1
в которой R каждый независимо выбирается из атома водорода (H) или органического радикала, содержащего от 1 до 20 атомов углерода,
2
R представляет собой двухвалентный органический радикал, содержащий от 1 до 20 атомов углерода, необязательно содержащий полимерные бигуанидиновые ветви,
n является целым числом, равным 2 или более,
или соответствующую соль полимерного бигуанидинового соединения, образованную взаимодействием бигуанидиновых групп с органическими или неорганическими кислотами.
1
2. Композиция по п.1, в которой R выбирается из атома Н или замещенных или не замещенных алкильных радикалов с 1-10 атомами углерода.
1
3. Композиция по п.1, в которой R представляет собой атом H.
2
4. Композиция по п.1, в которой R выбирается из замещенных или незамещенных линейных алкандиилов с 2-8 атомами углерода.
5. Композиция по п.1, в которой n составляет от 2 до 6000.
n
6. Композиция по п.1, в которой среднечисловая молекулярная масса M полимерного бигуанидинового соединения, определенная посредством гельпроникающей хроматографии, составляет более чем 300 г/моль.
7. Композиция по п.1, в которой добавку получают взаимодействием
- дицианамидного соединения,
- по меньшей мере одного аминосоединения, содержащего по меньшей мере две первичные и/или вторичные аминогруппы, и
- неорганической или органической протонсодержащей кислоты.
8. Композиция по п.7, в которой по меньшей мере одно аминосоединение является алифатическим или ароматическим диамином, триамином, мультиамином или их смесями.
9. Композиция по п.7, в которой по меньшей мере одно аминосоединение является концевым диамином.
10. Композиция по п.1, в которой ионы металлов содержат ионы меди.
11. Композиция по п.1, дополнительно содержащая один или более ускоряющих агентов.
A
A1
A1,
A
3
3
12. Композиция по п.11, в которой ускоряющий агент выбирается из соединений формулы MOS-R-S-S-R-SOM в которой
A
M является водородом или щелочным металлом,
A
X представляет собой P или S,
d является целым числом от 2 до 4,
A1
R выбирается из алкильной или гетероалкильной группы с 1-8 атомами углерода, арильной группы или гетероароматической группы,
A1,
A1
A1,
A1
R выбирается из R, где R может быть идентичным или отличаться от R,
A,
A
A,
A
X выбирается из X, где X может быть идентичным или отличаться от X, и
A,
A
A,
A
M выбирается из M где M может быть идентичным или отличаться от M.
13. Композиция по п.11, в которой ускоряющим агентом является бис-(3-сульфопропил)-дисульфид.
14. Композиция по любому одному из пп.1-13, дополнительно содержащая ионы галогенов.
15. Композиция по п.14, в которой ионы галогенов являются ионами хлора.
16. Применение добавки, как определено в любом одном из пп.1-9, в ванне для осаждения содержащих металл слоев.
17. Способ осаждения металлического слоя на подложке посредством
a) контакта металлической гальванической ванны, содержащей композицию по любому из пп.1-16, с подложкой, и
b) приложения плотности тока к подложке в течение времени, достаточного для осаждения металлического слоя на подложке.
18. Способ по п.17, в котором подложка содержит дефекты микрометрических или нанометрических размеров, и осаждение осуществляется для заполнения дефектов микрометрических или нанометрических размеров.
19. Способ по п.18, в котором дефекты микрометрических или нанометрических размеров обладают размером от 1 до 1000 нм и/или коэффициентом пропорциональности, равным 4 или более.
20. Способ по п.18 или 19, в котором дефекты микрометрических или нанометрических размеров обладают размером от 1 до 100 нм.