УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛА ОКСИДА ГАЛЛИЯ

1. Устройство для получения кристалла оксида галлия, содержащее печь для выращивания кристаллов  вертикальным  методом Бриджмена, которая содержит: опорную плиту; цилиндрический корпус печи, обладающий термостойкостью, расположенный поверх опорной плиты; крышку, закрывающую корпус печи; нагреватель, расположенный внутри корпуса печи; тигельный шток, обладающий возможностью вертикального перемещения через опорную плиту; и тигель, расположенный на тигельном штоке, нагреваемый посредством нагревателя,
данный тигель является тиглем, содержащим сплав на основе Pt,
корпус печи имеет внутреннюю стенку, которая сформирована как термостойкая стенка, содержащая множество кольцеобразных термостойких элементов, каждый из которых имеет заданную высоту, наложенных один на другой, каждый из кольцеобразных термостойких элементов содержит множество отдельных частей, которые соединены друг с другом в форме кольца.
2. Устройство для получения кристалла оксида галлия по п. 1, в котором тигель является тиглем, содержащим сплав на основе Pt-Rh, имеющий содержание Rh от 10 до 30 масс.%.
3. Устройство для получения кристалла оксида галлия по п. 1 или 2, в котором термостойкая стенка содержит диоксид циркония.
4. Устройство для получения кристалла оксида галлия по п. 1 или 2, в котором нагреватель является резистивным нагревателем.
2
5. Устройство для получения кристалла оксида галлия по п. 4, в котором резистивный нагреватель является резистивным нагревателем, содержащим MoSi в качестве основного материала.
6. Устройство для получения кристалла оксида галлия по п. 1 или 2, в котором нагреватель является высокочастотным индукционным нагревателем.
7. Устройство для получения кристалла оксида галлия по п. 6, в котором высокочастотный индукционный нагреватель содержит сплав на основе Pt-Rh.
8. Устройство для получения кристалла оксида галлия по п. 1 или 2, в котором корпус печи содержит поддерживающий цилиндрический элемент, сформированный из термостойкого материала и расположенный с наружной стороны термостойкой стенки, и теплоизоляционный материал, расположенный между термостойкой стенкой и поддерживающим цилиндрическим элементом, и крышка поддерживается поддерживающим цилиндрическим элементом.
9. Устройство для получения кристалла оксида галлия по п. 1 или 2, в котором крышка содержит теплоизоляционный материал, и упрочняющий элемент размещен в теплоизоляционном материале.
10. Способ получения кристалла оксида галлия, содержащий выращивание кристалла оксида галлия в кислородной атмосфере посредством применения устройства для получения кристалла оксида галлия по п. 1.
2
3
11. Способ получения кристалла оксида галлия по п. 10, в котором оксид галлия является β-GaO.
12. Способ получения кристалла оксида галлия по п. 10 или 11, в котором тигель является тиглем, содержащим сплав на основе Pt-Rh, имеющий содержание Rh от 10 до 30 масс.%.
13. Способ получения кристалла оксида галлия по п. 10 или 11, в котором термостойкая стенка содержит диоксид циркония.
14. Способ получения кристалла оксида галлия по п. 10 или 11, в котором нагреватель является резистивным нагревателем.
2
15. Способ получения кристалла оксида галлия по п. 14, в котором резистивный нагреватель является резистивным нагревателем, содержащим MoSi в качестве основного материала.
16. Способ получения кристалла оксида галлия по п. 10 или 11, в котором нагреватель является высокочастотным индукционным нагревателем.
17. Способ получения кристалла оксида галлия по п. 16, в котором высокочастотный индукционный нагреватель содержит сплав на основе Pt-Rh.