АВТОМАТИЗИРОВАННАЯ ИДЕНТИФИКАЦИЯ КРИСТАЛЛОВ, ВЫПОЛНЯЕМАЯ ПОСРЕДСТВОМ МОДИФИЦИРУЕМЫХ ШАБЛОНОВ

1. Способ идентификации кристаллов в системах радионуклидной визуализации, при этом способ содержит этапы, на которых:
формируют залитое изображение (30), которое содержит множество пиков, причем каждый пик является откликом на принятое излучение, при этом каждый пик соответствует соответствующему сцинтилляционному кристаллу;
разбивают залитое изображение на множество областей (56), причем каждую область маскируют для соответствия одной из матриц детекторов ядерных излучений;
аппроксимируют каждый пик по меньшей мере одной гауссовой моделью;
формируют изображение (62) моделей, на котором аппроксимирующие гауссовы модели представляют идентифицированные пики;
определяют неправильно идентифицированные пики на изображении (62) моделей, на котором положения пиков в залитом изображении (30) отличаются от соответствующего сцинтилляционного кристалла; и
корректируют положение неправильно идентифицированных пиков в залитом изображении (30) на основании по меньшей мере одного из (i) общих данных обо всех пиках и (ii) локальных данных о соседних пиках в изображении моделей.
2. Способ по п.1, в котором локальный максимум каждой аппроксимирующей гауссовой модели определяет положение соответствующего сцинтилляционного кристалла.
3. Способ по п.1, дополнительно включающий в себя этап, на котором:
корректируют положения пиков в залитом изображении (30) согласно фактическому положению сцинтилляционных кристаллов.
4. Способ по п.3, дополнительно включающий в себя этап, на котором:
определяют набор параметров деформации для каждой области разбиения посредством сопоставления области разбиения с шаблоном.
5. Способ по п.4, дополнительно включающий в себя этап, на котором:
определяют границы для каждого сцинтилляционного кристалла на основании соответствующего скорректированного положения и локального минимума, равноудаленно расположенного между соседними гауссовыми моделями на изображении моделей.
6. Способ по любому из пп.3-5, в котором этап определения неправильно идентифицированных пиков в изображении моделей включает в себя этапы, на которых:
идентифицируют разделенные точки на изображении моделей, которые возникают в промежуточной зоне между двумя соседними датчиками ядерного излучения или вблизи нее, при этом разделенная точка возникает, когда два или более датчиков ядерного излучения обнаруживают одно и то же событие излучения, приводящее к возникновению двух или более пиков в непосредственной близости друг к другу, соответствующих одному и тому же сцинтилляционному кристаллу; и
обновляют положение локального минимума, равноудаленного между неразделенным центром и ближайшим центром разделенных точек для одного и того же сцинтилляционного кристалла.
7. Способ по п.1, в котором этап определения неправильно идентифицированных пиков включает в себя этапы, на которых:
вычисляют расстояние между положениями соседних моделей гауссовой поверхности в каждой области разбиения;
сравнивают расстояния с общим средним расстоянием между всеми соседними пиками и/или локальным средним расстоянием соседних моделей гауссовой поверхности;
помечают модель гауссовой поверхности как идентифицированную неправильно, если по меньшей мере одно расстояние между соседними моделями не удовлетворяет критерию общего среднего и/или критерию локального среднего.
8. Способ по любому из пп.4 и 5, в котором этап определения набора параметров деформации для каждой области разбиения включает в себя этапы, на которых:
формируют базу данных шаблонов;
итерационно искривляют каждую область по двум измерениям, чтобы определить коэффициент сдвига, коэффициент масштабирования и коэффициент поворота, пока искривленная область не будет соответствовать по меньшей мере одному из шаблонов из базы данных шаблонов в соответствии с оптимизацией методом наименьших квадратов; и
при этом коэффициент сдвига, коэффициент масштабирования, коэффициент поворота и сопоставленный шаблон совместно определяют набор параметров деформации.
9. Способ по п.5, в котором этап определения границ для каждого сцинтилляционного кристалла включает в себя этапы, на которых:
отображают скорректированные положения и соответствующие гауссовы модели в изображении моделей из пространства изображения в шаблон, такой как прямоугольное пространство, инвариантное относительно деформации;
определяют границы каждого сцинтиллятора на основании отображенных гауссовых моделей на шаблоне; и
отображают шаблон и определенные границы обратно в пространство изображения.
10. Способ радионуклидной визуализации, содержащий этапы, на которых:
вводят радиофармацевтический препарат субъекту, помещенному в область исследования системы радионуклидной визуализации;
обнаруживают пары совпадающих событий излучения, порождаемых введенным радиофармацевтическим препаратом, и определяют данные проекций, соответствующие совпадающим парам;
корректируют геометрические искажения в полученных данных проекций с использованием определенных границ по п.5; и
реконструируют скорректированные данные проекций в представляемое изображение.
11. Система (40) идентификации кристаллов, содержащая:
память (24) изображений, которая принимает залитое изображение (30), которое содержит множество пиков, при этом каждый пик является откликом на излучение, обнаруженное соответствующим сцинтилляционным кристаллом;
процессор (42) идентификации кристаллов, выполненный с возможностью выполнения этапов, на которых:
разбивают залитое изображение (30) на множество областей (56), причем каждую область маскируют для соответствия одной из матриц детекторов ядерных излучений;
аппроксимируют каждый пик по меньшей мере одной гауссовой моделью;
формируют изображение (62) моделей, в котором аппроксимирующие гауссовы модели представляют идентифицированные пики;
определяют неправильно идентифицированные пики на изображении (62) моделей, на котором положения пиков в залитом изображении (30) отличаются от соответствующего сцинтилляционного кристалла; и
корректируют положение неправильно идентифицированных пиков на залитом изображении (30) на основании общих данных обо всех пиках и локальных данных о соседних пиках в изображении моделей.
12. Система идентификации кристаллов по п.11, в которой локальный максимум для каждой аппроксимирующей гауссовой модели определяет положение соответствующего сцинтилляционного кристалла.
13. Система идентификации кристаллов по любому из пп.11 и 12, в которой процессор для идентификации кристаллов дополнительно выполнен с возможностью выполнения этапа, на котором:
корректируют положение пиков на залитом изображении (30) согласно фактическому положению сцинтилляционных кристаллов.
14. Система идентификации кристаллов по п.13, в которой процессор для идентификации кристаллов дополнительно выполнен с возможностью выполнения этапа, на котором:
определяют набор параметров деформации для каждой области разбиения посредством сопоставления области разбиения с шаблоном.
15. Система (10) радионуклидной визуализации, содержащая:
матрицу детекторов (10) излучения, ориентированных вокруг области (12) исследования для приема излучения от радиофармацевтического препарата, введенного субъекту;
детектор (52) совпадений, который обнаруживает пары обнаруженных событий излучения и определяет данные проекций, соответствующие совпадающим парам;
систему (40) идентификации кристаллов, которая включает в себя процессор (42) идентификации кристаллов, выполненный с возможностью выполнения этапов, на которых:
разбивают залитое изображение (30) на множество областей (56), при этом каждую область маскируют для соответствия одной из матриц детекторов ядерных излучений;
аппроксимируют каждый пик по меньшей мере одной гауссовой моделью;
формируют изображение (62) моделей, в котором аппроксимирующие гауссовы модели представляют идентифицированные пики;
определяют неправильно идентифицированные пики в изображении (62) моделей, на котором положения пиков на залитом изображении (30) отличаются от соответствующего сцинтилляционного кристалла; и
корректируют положение неправильно идентифицированных пиков на залитом изображении (30) на основании общих данных обо всех пиках и локальных данных о соседних пиках на изображении моделей;
определяют границы для каждого сцинтилляционного кристалла на основании соответствующего скорректированного положения и локального минимума, равноудаленного между соседними гауссовыми моделями на изображении моделей;
калибровочный процессор (43), который корректирует геометрические искажения в полученных данных проекций с использованием определенных границ; и
реконструирующий процессор (22), который реконструирует скорректированные данные проекций в виде представляемого изображения.