ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ИНДУКТИВНОСТИ, УЛУЧШЕННЫЙ МАГНИТНЫМИ НАНОЧАСТИЦАМИ

1. Устройство, содержащее
сердцевину (204), содержащую множество жидких кристаллов (220) и множество магнитных наночастиц (222), и
множество электродов (206), расположенных относительно сердцевины (204),
причем изменение напряжения (226), подаваемого на указанное множество электродов (206), изменяет магнитную проницаемость (230) сердцевины (204).
2. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее
проводник (207), размещенный вокруг сердцевины (204), при этом сердцевина (204), указанное множество электродов (206) и проводник (207) образуют регулируемый элемент (200) индуктивности.
3. Устройство по п. 2, в котором изменение напряжения (226), подаваемого на указанное множество электродов (206), изменяет магнитную проницаемость (230) сердцевины (204) и, таким образом, индуктивность (201) регулируемого элемента (200) индуктивности.
4. Устройство по п. 2, в котором регулируемый элемент (200) индуктивности принадлежит по меньшей мере одной из следующих схем: схема (104) для фильтрации, схема (106) для согласования импедансов и схема (104) для согласования импедансов и фильтрации.
5. Устройство по п. 2, дополнительно содержащее
множество регулируемых конденсаторов (142), электрически соединенных с регулируемым элементом (200) индуктивности.
6. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее
контроллер (224) напряжения, который генерирует напряжение (226) и управляет им, причем изменение пикового значения (232) и/или частоты (234) напряжения (226) изменяет магнитную проницаемость (230) сердцевины (204).
7. Устройство по п. 1, образующее регулируемый элемент (200) индуктивности, при этом сердцевина (204) содержит текучую смесь (218), образованную из множества жидких кристаллов (220) и множества магнитных наночастиц (222), а указанное устройство дополнительно содержит
множество электродов, расположенных относительно сердцевины (204), и
проводник (207), размещенный вокруг сердцевины (204), причем изменение напряжения (226), подаваемого на указанное множество электродов (206), изменяет магнитную проницаемость (230) сердцевины (204) и, таким образом, индуктивность (201) проводника (207).
8. Устройство по п. 7, дополнительно содержащее
диэлектрическую подложку (202), которая служит в качестве основания (132) для регулируемого элемента (200) индуктивности, при этом сердцевина (204) расположена в канале (208) внутри диэлектрической подложки (202).
9. Устройство по п. 7, в котором напряжение (226) представляет собой первое напряжение, а указанное устройство дополнительно содержит
регулируемый конденсатор (300), содержащий
сердцевину (304) конденсатора, содержащую множество жидких кристаллов (320), и
систему (306) проводников, расположенную относительно сердцевины (304) конденсатора, причем изменение второго напряжения, подаваемого на систему (306) проводников, изменяет диэлектрическую проницаемость (330) сердцевины (304) конденсатора и, таким образом, емкость (301) системы (306) проводников.
10. Устройство по п. 9, в котором система (306) проводников содержит по меньшей мере один из указанного множества электродов (307), расположенных на концах (310, 312) сердцевины конденсатора (304), или пару проводящих пластин (322), расположенных вокруг сердцевины (204), но диэлектрически отделенных от сердцевины (304) конденсатора.
11. Устройство по п. 9, дополнительно содержащее
диэлектрическую подложку (202, 302),
при этом сердцевина (204) регулируемого элемента (200) индуктивности расположена в канале (208) внутри диэлектрической подложки (202, 302),
регулируемый элемент (200) индуктивности представляет собой один из множества регулируемых элементов индуктивности (140), связанных с диэлектрической подложкой (202, 302), а регулируемый конденсатор (300) представляет собой один из множества регулируемых конденсаторов (142), связанных с диэлектрической подложкой (202).
12. Устройство по п. 11, дополнительно содержащее
управляющую систему (136) для управления напряжением, которая генерирует первое напряжение, подаваемое на указанное множество электродов (206) регулируемого элемента (200) индуктивности, и управляет им и которая генерирует второе напряжение, подаваемое на систему (306) проводников регулируемого конденсатора (300), и управляет им.
13. Устройство по п. 12, в котором указанное множество регулируемых элементов индуктивности (140), указанное множество регулируемых конденсаторов (142) и управляющая система (136) для управления напряжением образуют по меньшей мере одну из следующих схем: схема (104) для фильтрации, схема (106) для согласования импедансов и схема (108) для согласования импедансов и фильтрации.
14. Устройство по п. 13, в котором схема (104) для фильтрации содержит по меньшей мере одну из следующих схем: схема (110) высокочастотного фильтра, схема (112) низкочастотного фильтра, схема (114) широкополосного фильтра, схема (116) всечастотного фильтра, схема (118) полосового фильтра и схема (120) узкополосного режекторного фильтра.
15. Способ управления магнитной проницаемостью (230) сердцевины (204), согласно которому
подают (1200) напряжение (226) на множество электродов (206), расположенных относительно сердцевины (204), содержащей множество жидких кристаллов (220) и множество магнитных наночастиц (222), и
изменяют (1202) напряжение (226), подаваемое на множество электродов (206), при этом магнитная проницаемость (230) сердцевины (204) изменяется по мере изменения напряжения (226), подаваемого на указанное множество электродов (206).