СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ НИТРИДА ТРЕТЬЕЙ ГРУППЫ НА РОСТОВОЙ ПОДЛОЖКЕ

1. Способ выращивания эпитаксиальной пленки нитрида третьей группы на ростовой подложке, характеризующийся тем, что при выращивании эпитаксиальной пленки используют полиморфный углеродный буферный слой, расположенный между подложкой и эпитаксиальной пленкой и состоящий из смеси поликристаллического углерода с преимущественно вертикально ориентированными базисными плоскостями, поликристаллического углерода с преимущественно горизонтально ориентированными базисными плоскостями и аморфного углерода.
2. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что на границе между полиморфным углеродным слоем и подложкой формируют промежуточный интердиффузионный слой путем взаимной диффузии атомов подложки в полиморфный углеродный слой и атомов углерода из полиморфного углеродного слоя в подложку.
3. Способ по п. 1 и 2, характеризующийся тем, что полиморфный углеродный буферный слой наносят при температуре в интервале от 100°C до 1200°C, причем указанный слой имеет толщину в пределах от 0,01 мкм до 10 мкм и содержит от 1 до 99% вертикально ориентированного поликристаллического углерода с базисными плоскостями, отклоняющимися от вертикали не более чем на 30°, а также от 1 до 99% горизонтально ориентированного поликристаллического углерода, с базисными плоскостями, отклоняющимися от горизонтали не более чем на 30°, и от 0 до 50% аморфного углерода.
x
1-x
x
1-x
x
y
1-x-y
x
y
z
1-x-y-z
4. Способ по п. 1 и 2, характеризующийся тем, что в качестве эпитаксиальной пленки используют нитриды третьей группы AlN, GaN и их твердые растворы AlGaN, InGaN, AlGaInN, BAlGaIn, где x, y и z изменяются в пределах от 0 до 1.
5. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что в качестве подложки используют сапфир, карбид кремния, кремний, арсенид галлия, нитрид галлия и нитрид алюминия.
4-х
3
6. Способ по п. 2, характеризующийся тем, что в качестве подложки используют сапфир, а в качестве промежуточного интердиффузионного слоя используют твердый раствор AlС, где x изменяется от 0 до 4.
x
1-x
7. Способ по п. 2, характеризующийся тем, что в качестве подложки используют кремний, а в качестве промежуточного интердиффузионного слоя используют твердый раствор SiC, где x изменяется от 0 до 1.
x
1-x
8. Способ по п. 2, характеризующийся тем, что в качестве подложки используют карбид кремния, а в качестве промежуточного интердиффузионного слоя используют твердый раствор SiC, где x изменяется от 0 до 0,5.