СХЕМА ПЕРЕДАЧИ, СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА И ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО
TRANSMISSION CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND STORAGE DEVICE

ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА НА РОДСТВЕННУЮ ЗАЯВКУ
[0001] Настоящее раскрытие основано на патентной заявке Китая № 202010873287.4, поданной 26 августа 2020 и озаглавленной "Схема передачи, схема интерфейса и запоминающее устройство", содержание которой полностью включено в настоящий документ посредством ссылки.
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
[0002] Варианты реализации настоящего раскрытия относятся к схеме передачи, схеме интерфейса и запоминающему устройству.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
[0003] Динамическое оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) (DRAM) является полупроводниковым запоминающим устройством (ЗУ), обычно используемым в компьютерах, и состоит из множества повторяющихся блоков ЗУ. Каждый блок ЗУ в целом включает в себя конденсатор и транзистор. Управляющий электрод транзистора соединен с шиной слов, сток транзистора соединен с шиной битов, исток транзистора соединен с конденсатором, а сигнал напряжения на шине слов может управлять открытием или закрытием транзистора, так что информация в виде данных, сохраненная в конденсаторе, считывается через шину битов или информация в виде данных записывается в конденсатор для хранения через шину битов.
[0004] DRAM может быть разделена на DRAM с удвоенной скоростью передачи данных (Double Data Rate, DDR), DRAM с удвоенной скоростью передачи графики (Graphics Double Data Rate, GDDR) и DRAM с удвоенной скоростью передачи данных с низким энергопотреблением (Low Power Double Data Rate, LPDDR). Поскольку все больше и больше областей применения DRAM, таких как все большее и большее использование DRAM в области мобильных устройств, пользователи предъявляют все более высокие требования к показателю энергопотребления DRAM.
РАСКРЫТИЕ СУЩНОСТИ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0005] В соответствии с одним вариантом реализации настоящего раскрытия обеспечена схема передачи, которая включает в себя контактную площадку сигнала синхронизации верхнего слоя, М контактных площадок данных верхнего слоя, контактную площадку сигнала синхронизации нижнего слоя и М контактных площадок данных нижнего слоя. Контактная площадка сигнала синхронизации верхнего слоя выполнена с возможностью передачи сигнала синхронизации. М контактных площадок данных верхнего слоя выполнены с возможностью передачи сигналов данных. Контактная площадка сигнала синхронизации нижнего слоя электрически соединена с контактной площадкой сигнала синхронизации верхнего слоя, а площадь контактной площадки сигнала синхронизации нижнего слоя меньше, чем площадь контактной площадки сигнала синхронизации верхнего слоя. М контактных площадок данных нижнего слоя электрически соединены с М контактными площадками данных верхнего слоя во взаимно-однозначном соответствии, а площадь контактной площадки данных нижнего слоя меньше, чем площадь контактной площадки данных верхнего слоя. Контактная площадка сигнала синхронизации верхнего слоя и контактные площадки данных верхнего слоя расположены на первом слое, при этом контактная площадка сигнала синхронизации нижнего слоя и контактные площадки данных нижнего слоя расположены на втором слое, между первым слоем и вторым слоем расположен диэлектрический слой, причем все из первого слоя, диэлектрического слоя и второго слоя расположены на одной и той же подложке, при этом М является целым числом, которое больше или равно 2.
[0006] В соответствии с одним вариантом реализации настоящего раскрытия дополнительно обеспечена схема интерфейса, которая включает в себя схему передачи, описанную выше, и М входных буферных схем. М входных буферных схем находятся во взаимно-однозначном соответствии с контактными площадками данных нижнего слоя, а каждая входная буферная схема выполнена с возможностью приема сигнала данных, переданного контактной площадкой данных нижнего слоя, соответствующей указанной входной буферной схеме, под управлением сигнала синхронизации. Контактная площадка сигнала синхронизации нижнего слоя и контактные площадки данных нижнего слоя расположены в первом ряду, при этом М контактных площадок данных нижнего слоя расположены с двух сторон контактной площадки сигнала синхронизации нижнего слоя, а по половине М контактных площадок данных нижнего слоя расположено с каждой стороны. М входных буферных схем расположены во втором ряду и образуют ось, перпендикулярную первому ряду, с контактными площадками данных нижнего слоя в качестве опорных точек, при этом М входных буферных схем расположены с двух сторон оси, а по половине М входных буферных схем расположено с каждой стороны. Расстояние между каждой входной буферной схемой и осью меньше, чем расстояние между контактной площадкой данных нижнего слоя, соответствующей указанной входной буферной схеме, и осью.
[0007] В соответствии с одним вариантом реализации раскрытия дополнительно обеспечено запоминающее устройство, которое включает в себя схему интерфейса, описанную выше.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
[0008] На ФИГ. 1 показана структурная схема для схемы интерфейса.
[0009] На ФИГ. 2 показана схема расположения для эквивалентной схемы передачи в соответствии с одним вариантом реализации настоящего раскрытия.
[0010] На ФИГ. 3 показана структурная схема вида в разрезе слоя RDL на кристалле.
[0011] На ФИГ. 4 показана структурная схема вида с частичным разрезом для схемы передачи в соответствии с одним вариантом реализации настоящего раскрытия.
[0012] На ФИГ. 5 показана структурная схема для схемы интерфейса в соответствии с одним вариантом реализации настоящего раскрытия.
[0013] На ФИГ. 6 схематически показана схема для схемы интерфейса в соответствии с одним вариантом реализации настоящего раскрытия.
[0014] На ФИГ. 7 схематически показана еще одна схема расположения для схемы интерфейса в соответствии с одним вариантом реализации настоящего раскрытия.
ОСУЩЕСТВЛЕНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0015] Из уровня техники очевидно, что рабочие характеристики DRAM в данной области техники все еще нуждается в улучшении.
[0016] В запоминающем устройстве сигнал выборки данных записи (сигнал Dqs или сигнал Wck) используется в качестве сигнала синхронизации для записи данных. Во время операции записи фронты (нарастающий фронт и спадающий фронт) сигнала Dqs или сигнала Wck должны быть выровнены по времени с центром сигнала данных (сигнала DQ), что также может обеспечить существенное выравнивание с центром, принимая во внимание границы синхроимпульсов. Путь передачи сигнала DQ задан как путь данных, а длина пути данных может влиять на момент времени, в который фронты сигнала DQ достигают порта устройства (такого как порт передачи данных регистра). Путь передачи сигнала Dqs или Wck задан как путь сигнала синхронизации, а длина пути сигнала синхронизации может влиять на момент времени, в который сигнал Dqs или Wck достигает порта устройства (такого как порт сигнала синхронизации регистра). Разность между путем данных сигнала DQ и путем сигналов Dqs или Wck синхронизации задана как tDQS2DQ или tWCK2DQ. Чем меньше разность tDQS2DQ или tWCK2DQ, тем лучше согласование пути данных и пути сигнала синхронизации, и, соответственно, лучше синхронизация схемы. Следует понимать, что разность, описанная выше, является интервалом времени между фронтами сигнала Dqs или сигнала Wck и центром сигнала DQ. Применение Wck является таким же или подобным применению Dqs, например, сигнал синхронизации в LPDDR4 называется как Dqs, а в LPDDR5 называется как Wck.
[0017] Конкретный анализ выполнен ниже в сочетании с ФИГ. 1. На ФИГ. 1 схематически показана структурная схема для схемы интерфейса.
[0018] Со ссылкой на ФИГ. 1, схема интерфейса включает в себя множество контактных площадок 11 передачи данных, центральную ось AA1, контактную площадку 13 сигналов синхронизации, множество входных буферных схем 14, множество выходных буферных схем (не показаны), схему 16 приемника сигналов синхронизации и схему 17 генерации сигналов синхронизации. Множество контактных площадок 11 передачи данных расположены рядом друг с другом и выполнены с возможностью передачи сигналов данных, при этом половина множества контактных площадок 11 передачи данных распределена с одной стороны центральной оси AA1, а другая половина распределена с другой стороны центральной оси AA1. Контактная площадка 13 сигналов синхронизации расположена на центральной оси AA1. Множество входных буферных схем 14 соответствуют контактным площадкам 11 передачи данных, и путь данных между каждой входной буферной схемой 14 и соответствующей контактной площадкой 11 передачи данных является таким же (или по существу таким же в пределах определенного диапазона погрешностей, учитывая, что точно такой же путь является лишь идеальной ситуацией в реальном процессе проектирования и производства схемы, так что путь здесь и далее имеет одно и то же определение и включает в себя понятие того, что по существу он является тем же самым в пределах определенного диапазона погрешностей, и этот определенный диапазон погрешностей в данном случае может пониматься, но не ограничиваясь этим, как погрешность между различными путями в пределах 1% или 3%). Множество выходных буферных схем (не показаны) соответствуют контактным площадкам 11 передачи данных, и путь для сигналов синхронизации между каждой выходной буферной схемой и соответствующей контактной площадкой 11 передачи данных является одинаковым. Схема 16 приемника сигналов синхронизации электрически соединена с контактной площадкой 13 сигналов синхронизации и выполнена с возможностью приема сигналов синхронизации и передачи сигналов синхронизации схеме 17 генерации сигналов синхронизации, при этом схема 17 генерации сигналов синхронизации принимает сигнал синхронизации и генерирует управляющий сигнал синхронизации, а входные буферные схемы 14 принимают управляющий сигнал синхронизации и сигналы данных и передают сигналы данных.
[0019] На ФИГ. 1 контактные площадки 11 передачи данных обозначены как ссылочные позиции DQ0/DQ1... DQ7. Контактная площадка 13 сигналов синхронизации обозначена как ссылочная позиция CLK, и обозначение CLK может быть показано как Dqs или Wck. Входные буферные схемы 14 обозначены как ссылочные позиции RX0/RX1... RX7, при этом входные буферные схемы 14 также являются схемами приемника. Схема 16 приемника сигналов синхронизации обозначена как ссылочная позиция RX_CLK. Схема 17 генерации сигнала синхронизации обозначена как ссылочная позиция CLK GEN.
[0020] Путь данных, по которому сигнал данных от контактной площадки 11 передачи данных передается соответствующей входной буферной схеме 14, является первым путем, а синхронизирующий путь, по которому сигнал синхронизации от контактной площадки 13 сигналов синхронизации передается соответствующей входной буферной схеме 14, является вторым путем. На ФИГ. 1 различные входные буферные схемы 14 имеют одинаковый первый путь. Однако, входная буферная схема 14, находящаяся дальше от контактных площадок 13 сигналов синхронизации, имеет более длинный второй путь. Таким образом, чем дальше входная буферная схема 14 от контактной площадки 13 сигналов синхронизации, тем больше зазор между первым путем и вторым путем, что приводит к большей соответствующей разности tDQS2DQ или tWCK2DQ, и проблема нарушения синхронизации становится более серьезной. На ФИГ. 1 показаны tDQS2DQ или tWCK2DQ, соответствующие входной буферной схеме 14, наиболее удаленной от контактной площадки 13 сигналов синхронизации.
[0021] Сигналы данных от различных контактных площадок 11 передачи данных достигают соответствующих входных буферных схем 14 в близкие моменты времени. Например, при рассмотрении входных буферных схем 14, которые являются самой дальней и самой близкой относительно контактной площадки 13 сигналов синхронизации, как показано на ФИГ. 1, понятно, что момент времени, когда сигнал синхронизации достигает входной буферной схемы 14, расположенной дальше всех от контактной площадки 13 сигналов синхронизации (входной буферной схемы 14, которая соответствует площадке DQ0), является самым поздним, а момент времени, когда сигнал синхронизации достигает входной буферной схемы 14, ближайшей к контактной площадке 13 сигналов синхронизации (входная буферная схема 14, которая соответствует площадке DQ3), является самым ранним, так что входная буферная схема 14, ближайшая к контактной площадке 13 сигналов синхронизации, принимает и передает сигнал данных первой, в то время как входная буферная схема 14, самая дальняя от контактной площадки 13 сигналов синхронизации, передает сигнал данных последней, и разница во времени между двумя входными буферными схемами 14 при передаче сигнала данных является большой. Соответственно, если путь сигнала синхронизации и путь данных входной буферной схемы 14, которая соответствует площадке DQ3, согласованы, путь сигнала синхронизации и путь данных входной буферной схемы 14, которая соответствует площадке DQ0, вряд ли будут согласованы.
[0022] В частности, в сочетании с ФИГ. 1, каждая контактная площадка 11 передачи данных имеет соответствующий первый порт d0/d1... d7. Каждая входная буферная схема 14 имеет второй порт r0/r1... r7, соединенный с первым портом соответствующей контактной площадки 11 передачи данных соответственно. Каждая входная буферная схема 14 имеет третий порт v0/v1... v7, соединенный со схемой 17 генерации сигнала синхронизации соответственно. Схема 17 генерации сигнала синхронизации имеет четвертый порт c0, соединенный с каждой входной буферной схемой 14, расположенной на одной стороне центральной оси AA1, и схема 17 генерации сигнала синхронизации также имеет пятый порт c1, соединенный с каждой входной буферной схемой 14, расположенной с другой стороны центральной оси AA1. Для RX0 путем синхронизации сигнала синхронизации является путь c0→v0, а путем данных сигнала данных является путь d0→r0; для RX1 путем синхронизации сигнала синхронизации является путь c1→v1, а путем данных сигнала данных является путь d1→r1; и так далее. Не трудно найти, что для различных входных буферных схем 14 соответствующие пути данных не изменяются, но входная буферная схема 14, ближайшая к центральной оси AA1, имеет более короткий путь сигнала синхронизации. Таким образом, возникает проблема большей разности в tDQS2DQ или tWCK2DQ.
[0023] Из вышеуказанного анализа, tDQS2DQ или tWCK2DQ, соответствующие различным входным буферным схемам 14, сильно различаются, и существуют строгие требования к значению tDQS2DQ или tWCK2DQ в запоминающем устройстве, например, требование, чтобы значение tDQS2DQ или tWCK2DQ было не больше чем 800 пс, поскольку в противном случае возникают нарушения синхронизации.
[0024] Для решения вышеупомянутой проблемы вариант реализации настоящего раскрытия обеспечивает схему передачи. Контактная площадка сигнала синхронизации верхнего слоя и контактные площадки данных верхнего слоя, соответственно соединенные с контактной площадкой сигнала синхронизации нижнего слоя и контактными площадками данных нижнего слоя, сконструированы с расположением на кристалле в виде слоя перераспределения сигналов (redistribution layer, RDL); при этом контактная площадка сигнала синхронизации нижнего слоя и контактные площадки данных нижнего слоя расположены централизованно, так что каждая входная буферная схема, соединенная с контактными площадками данных нижнего слоя, также может быть расположена централизованно, тем самым сокращая путь сигнала синхронизации, передаваемого каждой входной буферной схеме, вследствие чего сокращено значение разности между путем сигнала синхронизации и путем сигнала данных. Таким образом, разность tDQS2DQ или tWCK2DQ сокращена, и проблема нарушений синхронизации дополнительно смягчена. Ниже со ссылкой на сопроводительные чертежи подробно описана схема интерфейса согласно данному варианту реализации.
[0025] На ФИГ. 2 схематически показана схема расположения для эквивалентной схемы передачи в соответствии с одним вариантом реализации настоящего раскрытия. На ФИГ. 3 показана структурная схема вида в разрезе слоя RDL на кристалле. На ФИГ. 4 показана структурная схема вида с частичным разрезом для схемы передачи в соответствии с одним вариантом реализации настоящего раскрытия.
[0026] Со ссылкой на ФИГ. 2-4, в данном варианте реализации схема передачи включает в себя контактную площадку 101 сигнала синхронизации верхнего слоя, М контактных площадок 102 данных верхнего слоя, контактную площадку 111 сигнала синхронизации нижнего слоя и М контактных площадок 112 данных нижнего слоя. Контактная площадка 101 сигнала синхронизации верхнего слоя выполнена с возможностью передачи сигнала синхронизации. М контактных площадок 102 данных верхнего слоя выполнены с возможностью передачи сигналов данных. Контактная площадка 111 сигнала синхронизации нижнего слоя электрически соединена с контактной площадкой 101 сигнала синхронизации верхнего слоя, а площадь контактной площадки 111 сигнала синхронизации нижнего слоя меньше, чем площадь контактной площадки 101 сигнала синхронизации верхнего слоя. М контактных площадок 112 данных нижнего слоя электрически соединены с М контактными площадками 102 данных верхнего слоя во взаимно-однозначном соответствии, а площадь контактной площадки 112 данных нижнего слоя меньше, чем площадь контактной площадки 102 данных верхнего слоя. Контактная площадка 101 сигнала синхронизации верхнего слоя и контактные площадки 102 данных верхнего слоя расположены на первом слое, контактная площадка 111 сигнала синхронизации нижнего слоя и контактные площадки 112 данных нижнего слоя расположены на втором слое, а диэлектрический слой 103 расположен между первым слоем и вторым слоем, при этом все из первого слоя, диэлектрического слоя 103 и второго слоя расположены на той же самой подложке 100, а М является целым числом, которое больше или равно 2.
[0027] Вариант реализации настоящего раскрытия обеспечивает схему передачи с превосходными структурными характеристиками. М контактных площадок 102 данных верхнего слоя и контактная площадка 101 сигнала синхронизации верхнего слоя расположены на первом слое, а М контактных площадок 112 данных нижнего слоя и контактная площадка 111 сигнала синхронизации нижнего слоя расположены на втором слое, при этом площадь контактной площадки 111 сигнала синхронизации нижнего слоя меньше, чем площадь контактной площадки 101 сигнала синхронизации верхнего слоя, а площадь контактной площадки 112 данных нижнего слоя меньше, чем площадь контактной площадки 102 данных верхнего слоя. Таким образом, из сравнения позиционного соотношения между контактной площадкой 102 данных верхнего слоя и контактной площадкой 101 сигнала синхронизации верхнего слоя видно, что расстояние между контактной площадкой 112 данных нижнего слоя и контактной площадкой 111 сигнала синхронизации нижнего слоя является более коротким, так что достигнута централизованная обработка сигналов на контактной площадке 112 данных нижнего слоя, и также может быть достигнута централизованная обработка сигналов во входных буферных схемах, при этом сокращен путь сигнала синхронизации для передачи сигнала синхронизации каждой входной буферной схеме, улучшена степень согласования пути сигнала синхронизации и пути данных, а также в качестве преимущества уменьшены разности tDQS2DQ или tWCK2DQ и нарушение синхронизации. Кроме того, за счет сокращения пути сигнала синхронизации снижаются потери энергии в схеме интерфейса.
[0028] Схема передачи согласно данному варианту реализации подробно описана ниже со ссылкой на сопроводительные чертежи.
[0029] В данном варианте реализации указанная схема передачи может быть применена к запоминающему устройству DRAM, такому как LPDDR5.
[0030] Контактная площадка 101 сигнала синхронизации верхнего слоя и М контактных площадок 102 данных верхнего слоя расположены в первом ряду, при этом М контактных площадок 102 данных верхнего слоя расположены с двух сторон контактной площадки 101 сигнала синхронизации верхнего слоя, причем по половине М контактных площадок 102 данных верхнего слоя расположено с каждой стороны. Контактные площадки 102 данных верхнего слоя являются площадками данных DQ и выполнены с возможностью передачи сигналов DQ, т.е. сигналы данных включают в себя входные и выходные данные. Когда М является четным числом, например, М равно 8, по 4 контактные площадки 102 данных верхнего слоя расположены с каждой стороны оси AA1. Когда М является нечетным числом, например, М равно 7, 3 контактных площадки 102 данных верхнего слоя расположены с одной стороны оси AA1, и 4 контактных площадки 102 данных верхнего слоя расположены с другой стороны. Термин "половина", упомянутый выше, когда М является четным числом, должен пониматься как М/2, а когда М является нечетным числом, должен пониматься как ("M-1")/2 или (M+1)/2, далее по аналогии.
[0031] Восемь контактных площадок 102 данных верхнего слоя на ФИГ. 2 приведены для примера, и контактные площадки 102 данных верхнего слоя обозначены как ссылочные позиции DQ0, DQ1, DQ2, DQ3, DQ4, DQ5, DQ6, DA7. Понятно, что в других вариантах реализации количество контактных площадок данных верхнего слоя может быть обоснованно задано в соответствии с фактическими требованиями схемы передачи.
[0032] Контактная площадка 101 сигнала синхронизации верхнего слоя может быть выполнена с возможностью передачи сигнала CLK, т.е. сигнал синхронизации является сигналом Dqs или WCK, которые относятся к сигналу синхронизации записи или сигналу синхронизации считывания. Соответственно, контактная площадка 101 сигнала синхронизации верхнего слоя представляет собой дифференциальную входную контактную площадку и включает в себя первую контактную площадку 141 сигнала синхронизации верхнего слоя и вторую контактную площадку 151 сигнала синхронизации верхнего слоя, при этом как первая контактная площадка 141 сигнала синхронизации верхнего слоя, так и вторая контактная площадка 151 сигнала синхронизации верхнего слоя соответственно передают взаимодополняющие сигналы синхронизации. В частности, на ФИГ. 2 первая контактная площадка 141 сигнала синхронизации верхнего слоя обозначена как ссылочная позиция Wckt и выполнена с возможностью передачи сигнала Wckt синхронизации. Вторая контактная площадка 151 сигнала синхронизации верхнего слоя обозначена как ссылочная позиция Wckc и выполнена с возможностью передачи сигнала Wckc синхронизации.
[0033] Количество контактных площадок 111 сигнала синхронизации нижнего слоя является таким же, как и количество контактных площадок 101 сигнала синхронизации верхнего слоя, а количество контактных площадок 112 данных нижнего слоя является таким же, как и количество контактных площадок 102 данных верхнего слоя. В частности, контактная площадка 111 сигнала синхронизации нижнего слоя включает в себя первую контактную площадку 142 сигнала синхронизации нижнего слоя и вторую контактную площадку 152 сигнала синхронизации нижнего слоя. Первая контактная площадка 142 сигнала синхронизации нижнего слоя электрически соединена с первой контактной площадкой 141 сигнала синхронизации верхнего слоя, а вторая контактная площадка 152 сигнала синхронизации нижнего слоя электрически соединена со второй контактной площадкой 151 сигнала синхронизации верхнего слоя.
[0034] В данном варианте реализации контактная площадка 111 сигнала синхронизации нижнего слоя и М контактных площадок 112 данных нижнего слоя расположены во втором ряду, при этом М контактных площадок 112 данных нижнего слоя расположены с двух сторон контактной площадки 111 сигнала синхронизации нижнего слоя, причем по половине М контактных площадок 112 данных нижнего слоя расположено на каждой стороне.
[0035] Следует отметить, что выражение "первый слой" не означает, что контактная площадка 101 сигнала синхронизации верхнего слоя и контактные площадки 102 данных верхнего слоя расположены в первом слое в общей структуре схемы передачи, но оно используется только чтобы указать, что контактная площадка 101 сигнала синхронизации верхнего слоя и контактные площадки 102 данных верхнего слоя расположены в одном и том же слое в схеме передачи. В фактической схеме передачи контактная площадка 101 сигнала синхронизации верхнего слоя и контактные площадки 102 данных верхнего слоя могут быть расположены в любом слое в общей структуре схемы передачи. Схожим образом, выражение "второй слой" не означает, что контактная площадка 111 сигнала синхронизации нижнего слоя и контактные площадки 112 данных нижнего слоя расположены во втором слое в общей структуре схемы передачи, но оно используется только чтобы указать, что контактная площадка 111 сигнала синхронизации нижнего слоя и контактные площадки 112 данных нижнего слоя расположены в одном и том же слое в схеме передачи и расположены в слое, отличающемся от слоя контактной площадки 101 сигнала синхронизации верхнего слоя и контактных площадок 102 данных верхнего слоя. В фактической схеме передачи контактная площадка 111 сигнала синхронизации нижнего слоя и контактные площадки 112 данных нижнего слоя могут быть расположены в любом слое в общей структуре схемы передачи, а между первым слоем и вторым слоем также могут быть расположены другие функциональные слои.
[0036] Следует понимать, что подобные выражения, упомянутые выше, также справедливы в отношении "первого ряда" и "второго ряда".
[0037] Расстояние между каждой контактной площадкой 112 данных нижнего слоя и контактной площадкой 111 сигнала синхронизации нижнего слоя является первым расстоянием, а расстояние между контактной площадкой 102 данных верхнего слоя, соответствующей контактной площадке 112 данных нижнего слоя, и контактной площадкой 101 сигнала синхронизации верхнего слоя, является вторым расстоянием. Поскольку площадь контактной площадки 112 данных нижнего слоя меньше, чем площадь контактной площадки 102 данных верхнего слоя, а площадь контактной площадки 111 сигнала синхронизации нижнего слоя меньше, чем площадь контактной площадки 101 сигнала синхронизации верхнего слоя, первое расстояние меньше, чем второе расстояние, т.е. по сравнению с контактной площадкой 102 данных верхнего слоя и контактной площадкой 101 сигнала синхронизации верхнего слоя, контактная площадка 112 данных нижнего слоя расположена ближе к контактной площадке 111 сигнала синхронизации нижнего слоя.
[0038] По сравнению со схемой, показанной на ФИГ. 1, когда схема передачи в данном варианте реализации применяется к запоминающему устройству, входные буферные схемы, соответствующие контактным площадкам 112 данных нижнего слоя, расположены таким образом, а путь сигнала синхронизации входной буферной схемы, наиболее удаленной от контактной площадки 111 сигнала синхронизации нижнего слоя, уменьшен в такой степени, что указанный сигнал синхронизации может быть передан входной буферной схеме, наиболее удаленной от контактной площадки 111 сигнала синхронизации нижнего слоя, намного быстрее. Таким образом, время задержки сигнала, вызванной приходом сигнала данных, но неприходом сигнала синхронизации, уменьшено. Соответственно, пути сигнала синхронизации каждой входной буферной схемы сокращены таким образом, что время задержки сигнала всех входных буферных схем может быть соответственно уменьшено. Таким образом, в данном варианте реализации разность tDQS2DQ или tWCK2DQ может быть уменьшена, также могут быть уменьшены нарушения синхронизации, и может быть снижено энергопотребление на пути сигнала синхронизации.
[0039] Кроме того, по сравнению с разностью между путем данных, проходящим между каждой контактной площадкой 101 сигнала синхронизации верхнего слоя и соответствующей входной буферной схемой, и путем сигнала синхронизации, проходящим между каждой контактной площадкой 102 данных верхнего слоя и соответствующей входной буферной схемой, разность между путем данных, проходящим между каждой контактной площадкой 111 сигнала синхронизации нижнего слоя и соответствующей входной буферной схемой, и путем сигнала синхронизации, проходящим между каждой контактной площадкой 112 данных нижнего слоя и соответствующей входной буферной схемой, уменьшена таким образом, что в данном варианте реализации разность tDQS2DQ или tWCK2DQ различных входных буферных схем может быть сокращена, тем самым повышена степень согласования пути сигнала синхронизации и пути данных различных входных буферных схем и улучшены характеристики синхронизации передачи сигнала данных различных входных буферных схем.
[0040] В данном варианте реализации площадь контактной площадки 112 данных нижнего слоя равна площади контактной площадки 111 сигнала синхронизации нижнего слоя. В других вариантах реализации площадь контактной площадки данных нижнего слоя также может быть больше или меньше, чем площадь контактной площадки сигнала синхронизации нижнего слоя.
[0041] Схема передачи дополнительно включает в себя первую металлическую соединительную линию 104 и вторую металлическую соединительную линию 105. Первая металлическая соединительная линия 104 расположена между контактной площадкой 111 сигнала синхронизации нижнего слоя и контактной площадкой 101 сигнала синхронизации верхнего слоя. Вторая металлическая соединительная линия 105 расположена между контактной площадкой 112 данных нижнего слоя и контактной площадкой 102 данных верхнего слоя, соответствующей контактной площадке 112 данных нижнего слоя. Длина первой металлической соединительной линии 104 меньше, чем длина второй металлической соединительной линии 105.
[0042] Поскольку длина первой металлической соединительной линии 104 меньше, чем длина второй металлической соединительной линии 105, целесообразным является централизованное расположение контактных площадок 111 сигнала синхронизации нижнего слоя.
[0043] В данном варианте реализации электрическое соединение между контактной площадкой 111 сигнала синхронизации нижнего слоя и контактной площадкой 101 сигнала синхронизации верхнего слоя и электрическое соединение между контактной площадкой 112 данных нижнего слоя и контактной площадкой 102 данных верхнего слоя достигаются расположением на кристалле в виде слоя перераспределения сигналов (redistribution layer, RDL), т.е. посредством монтажного слоя на чипе.
[0044] На ФИГ. 3 показан вид в разрезе, изображающий структурную схему слоя RDL на кристалле, как показано на ФИГ. 3, которая включает в себя первый функциональный слой 1101, второй функциональный слой 1102, первую контактную площадку 1103, вторую контактную площадку 1104, первую токопроводящую вставку 1113, вторую токопроводящую вставку 1114, первый монтажный слой 1123, второй монтажный слой 1124, первую монтажную контактную площадку 1133 и вторую монтажную контактную площадку 1134. Первый функциональный слой 1101 и второй функциональный слой 1102 последовательно уложены друг на друга. Первая контактная площадка 1103 и вторая контактная площадка 1104 расположены на первом функциональном слое 1101. Первая токопроводящая вставка 1113 проникает через второй функциональный слой 1102 и электрически соединена с первой контактной площадкой 1103, а вторая токопроводящая вставка 1114 проникает через второй функциональный слой 1102 и электрически соединена со второй контактной площадкой 1104. Первый монтажный слой 1123 расположен на поверхности второго функционального слоя 1102 и электрически соединен с первой токопроводящей вставкой 1113, а второй монтажный слой 1124 расположен на поверхности второго функционального слоя 1102 и электрически соединен со второй токопроводящей вставкой 1114. Первая монтажная контактная площадка 1133 расположена на поверхности второго функционального слоя 1102 и электрически соединена с первым монтажным слоем 1123, а вторая монтажная контактная площадка 1134 расположена на поверхности второго функционального слоя 1102 и электрически соединена со вторым монтажным слоем 1124. Путем позиционного расположения первой токопроводящей вставки 1113 и первого монтажного слоя 1123 обоснованно регулируется относительное положение и размерное соотношение между первой монтажной контактной площадкой 1133 и первой контактной площадкой 1103, а также регулируется относительное положение и размерное соотношение между второй монтажной контактной площадкой 1134 и второй контактной площадкой 1104, так что размер первой монтажной контактной площадки 1133 больше, чем размер первой контактной площадки 1103, размер второй монтажной контактной площадки 1134 больше, чем размер второй контактной площадки 1104, а расстояние между первой монтажной контактной площадкой 1133 и второй монтажной контактной площадкой 1134 больше, чем расстояние между первой контактной площадкой 1103 и второй контактной площадкой 1104. Первый монтажный слой 1123 является намного более толстым, чем металлический слой, где расположена первая контактная площадка 1103, т.е., например, толщина первого монтажного слоя 1123 составляет 4 мкм, а толщина металлического слоя, где расположена первая контактная площадка 1103, составляет 400 нм.
[0045] В частности, в данном варианте реализации первая контактная площадка 1103 и вторая контактная площадка 1104 могут быть контактными площадками данных нижнего слоя или контактными площадками сигнала синхронизации нижнего слоя, а первая монтажная контактная площадка 1133 и вторая монтажная контактная площадка 1134 могут быть контактными площадками данных верхнего слоя или контактными площадками сигнала синхронизации верхнего слоя. На ФИГ. 4 показана структурная схема вида с частичным разрезом для схемы передачи в соответствии с одним вариантом реализации настоящего раскрытия.
[0046] Как показано на ФИГ. 4, в одном примере контактная площадка 111 сигнала синхронизации нижнего слоя и контактные площадки 112 данных нижнего слоя расположены внутри слоя 100 подложки, а диэлектрический слой 103 уложен на слой 100 подложки. Первая металлическая соединительная линия 104 включает в себя первое токопроводящее отверстие 114, причем первое токопроводящее отверстие 114 проникает через диэлектрический слой 103 и входит в контакт с контактной площадкой 111 сигнала синхронизации нижнего слоя и контактной площадкой 101 сигнала синхронизации верхнего слоя. Вторая металлическая соединительная линия 105 включает в себя второе токопроводящее отверстие 115 и второй металлический слой 125. Второе токопроводящее отверстие 115 проникает через диэлектрический слой 103 и входит в контакт с контактной площадкой 112 данных нижнего слоя, а второй металлический слой 125 расположен на одной стороне диэлектрического слоя 103 на расстоянии от первого слоя и находится в контакте со вторым токопроводящим отверстием 115 и контактной площадкой 102 данных верхнего слоя.
[0047] Первая металлическая соединительная линия 104 дополнительно может включать в себя первый металлический слой, причем первый металлический слой расположен на поверхности диэлектрического слоя 103 на расстоянии от слоя 100 подложки и находится в контакте с первым токопроводящим отверстием 114 и контактной площадкой 101 сигнала синхронизации верхнего слоя.
[0048] Длина первого токопроводящего отверстия 114 является такой же, как и длина второго токопроводящего отверстия 115, а длина первого металлического слоя меньше, чем длина второго металлического слоя 125. Форма поперечного сечения первого токопроводящего отверстия 114 может быть прямолинейной, форма поперечного сечения второго токопроводящего отверстия 115 может быть прямолинейной, а длины первого токопроводящего отверстия 114 и второго токопроводящего отверстия 115 равны толщине диэлектрического слоя 103.
[0049] В другом примере первая металлическая соединительная линия 104 может включать в себя первую токопроводящую вставку, при этом первая токопроводящая вставка проникает через диэлектрический слой 103 и находится в контакте с контактной площадкой 111 сигнала синхронизации нижнего слоя и контактной площадкой 101 сигнала синхронизации верхнего слоя. Вторая металлическая соединительная линия 105 включает в себя вторую токопроводящую вставку, при этом вторая токопроводящая вставка проникает через диэлектрический слой 103 и находится в контакте с контактной площадкой 112 данных нижнего слоя и контактной площадкой 102 данных верхнего слоя. Длина первой токопроводящей вставки меньше, чем длина второй токопроводящей вставки.
[0050] В частности, форма поперечного сечения первой токопроводящей вставки может быть прямолинейной, форма поперечного сечения второй токопроводящей вставки может иметь форму ломаной линии. Длина первой токопроводящей вставки может быть равна толщине диэлектрического слоя, а длина второй токопроводящей вставки может быть больше, чем толщина диэлектрического слоя.
[0051] В данном варианте реализации, со ссылкой на ФИГ. 2, схема передачи дополнительно может включать в себя множество испытательных контактных площадок 106 нижнего слоя, при этом множество испытательных контактных площадок 106 нижнего слоя имеют одинаковую площадь. Площадь испытательной контактной площадки 106 нижнего слоя больше, чем площадь контактной площадки 112 данных нижнего слоя. В частности, испытательные контактные площадки 106 нижнего слоя, контактные площадки 112 данных нижнего слоя и контактная площадка 111 сигнала синхронизации нижнего слоя расположены на одном и том же слое и могут быть использованы в качестве испытательной контактной площадки для испытательного зонда, при этом зонд в процессе испытания должен находиться в контакте с испытательной контактной площадкой 106 нижнего слоя, а испытательная контактная площадка 106 нижнего слоя должна иметь относительно большую площадь, чтобы уменьшить сложность испытания. Например, площадь испытательной контактной площадки 106 нижнего слоя составляет 60 мкм × 60 мкм, а площадь контактной площадки 112 данных нижнего слоя составляет 40 мкм × 40 мкм.
[0052] В соответствии со схемой передачи варианта реализации контактная площадка сигнала синхронизации нижнего слоя, электрически соединенная с контактной площадкой сигнала синхронизации верхнего слоя, и контактные площадки данных нижнего слоя, электрически соединенные с контактными площадками данных верхнего слоя, расположены на кристалле в виде слоя RDL, при этом площадь контактной площадки сигнала синхронизации нижнего слоя меньше, чем площадь контактной площадки сигнала синхронизации верхнего слоя, а площадь контактной площадки данных нижнего слоя меньше, чем площадь контактной площадки данных верхнего слоя. После того, как будут расположены входные буферные схемы, соответствующие контактным площадкам данных нижнего слоя, длина пути сигнала синхронизации, требуемая для передачи сигнала синхронизации каждой входной буферной схеме, в качестве преимущества сокращена, а также повышена степень согласования пути сигнала синхронизации и пути данных таким образом, что разность tDQS2DQ или tWCK2DQ и нарушение синхронизации уменьшены. Разность длины пути сигнала синхронизации, соответствующего входной буферной схеме, мала, и в то же время может быть удовлетворено требование высокой степени согласования путей сигнала синхронизации и пути данных входной буферной схемы.
[0053] Соответственно, данный вариант реализации настоящего раскрытия дополнительно обеспечивает схему интерфейса, которая включает в себя схему передачи, описанную в вышеуказанном варианте реализации, и дополнительно включает в себя М входных буферных схем. Схема интерфейса в соответствии с данным вариантом реализации подробно описана ниже со ссылкой на чертежи.
[0054] ФИГ. 5 показана структурная схема для схемы интерфейса в соответствии с одним вариантом реализации настоящего раскрытия.
[0055] Со ссылкой на ФИГ. 5, в данном варианте реализации схема интерфейса включает в себя контактную площадку 101 сигнала синхронизации верхнего слоя, М контактных площадок 102 данных верхнего слоя, контактную площадку 111 сигнала синхронизации нижнего слоя, М контактных площадок 112 данных нижнего слоя и М входных буферных схем 201. Контактная площадка 101 сигнала синхронизации верхнего слоя выполнена с возможностью передачи сигнала синхронизации. М контактных площадок 102 данных верхнего слоя выполнены с возможностью передачи сигналов данных. Контактная площадка 111 сигнала синхронизации нижнего слоя электрически соединена с контактной площадкой 101 сигнала синхронизации верхнего слоя, при этом площадь контактной площадки 111 сигнала синхронизации нижнего слоя меньше, чем площадь контактной площадки 101 сигнала синхронизации верхнего слоя. М контактных площадок 112 данных нижнего слоя электрически соединены с М контактными площадками 102 данных верхнего слоя в режиме взаимно-однозначного соответствия, при этом площадь контактных площадок 112 данных нижнего слоя меньше, чем площадь контактной площадки 102 данных верхнего слоя. Контактная площадка 101 сигнала синхронизации верхнего слоя и контактные площадки 102 данных верхнего слоя расположены на первом слое, при этом контактная площадка 111 сигнала синхронизации нижнего слоя и контактные площадки 112 данных нижнего слоя расположены на втором слое, диэлектрический слой 103 расположен между первым слоем и вторым слоем, причем все из первого слоя, диэлектрического слоя 103 и второго слоя расположены на одной и той же подложке, а М является целым числом, которое больше или равно 2. М входных буферных схем 201 находятся во взаимно-однозначном соответствии с контактными площадками 112 данных нижнего слоя, при этом каждая входная буферная схема выполнена с возможностью приема сигнала данных, переданного контактной площадкой 112 данных нижнего слоя, соответствующей входной буферной схеме 201, под управлением сигнала синхронизации. Контактная площадка 111 сигнала синхронизации нижнего слоя и контактные площадки 112 данных нижнего слоя расположены в первом ряду, при этом М контактных площадок данных нижнего слоя расположены с двух сторон контактной площадки 111 сигнала синхронизации нижнего слоя, причем по половине М контактных площадок данных нижнего слоя расположены с каждой стороны. М входных буферных схем 201 расположены во втором ряду и образуют ось AA1, перпендикулярную первому ряду с контактными площадками 112 данных нижнего слоя в качестве опорных точек, при этом М входных буферных схем 201 расположены с двух сторон оси AA1, причем по половине М входных буферных схем 201 расположены с каждой стороны, а расстояние между каждой входной буферной схемой 201 и осью меньше, чем расстояние между контактной площадкой 112 данных нижнего слоя, соответствующей входной буферной схеме 201, и осью AA1.
[0056] Ниже в сочетании с чертежами подробно описана схема интерфейса в соответствии с данным вариантом реализации.
[0057] Контактная площадка 111 сигнала синхронизации нижнего слоя является дифференциальной входной контактной площадкой и включает в себя первую контактную площадку 142 сигнала синхронизации нижнего слоя и вторую контактную площадку 152 сигнала синхронизации нижнего слоя. Первая контактная площадка 142 сигнала синхронизации нижнего слоя и вторая контактная площадка 152 сигнала синхронизации нижнего слоя соответственно передают взаимодополняющие сигналы синхронизации. Первая контактная площадка 142 сигнала синхронизации нижнего слоя и вторая контактная площадка 152 сигнала синхронизации нижнего слоя симметрично расположены относительно оси AA1.
[0058] В данном варианте реализации первая контактная площадка 142 сигнала синхронизации нижнего слоя и вторая контактная площадка 152 сигнала синхронизации нижнего слоя симметрично расположены относительно оси AA1. Путь сигнала синхронизации между первой контактной площадкой 142 сигнала синхронизации нижнего слоя и входной буферной схемой 201, расположенной с одной стороны оси AA1, является первым путем сигнала синхронизации, а путь сигнала синхронизации между второй контактной площадкой 152 сигнала синхронизации нижнего слоя и входной буферной схемой 201, расположенной с другой стороны оси AA1, является вторым путем сигнала синхронизации, при этом такое размещение является выгодным, так как способствует уменьшению разности между первым путем сигнала синхронизации и вторым путем сигнала синхронизации, таким образом уменьшая или устраняя отрицательные воздействия на разность tDQS2DQ или tWCK2DQ, вызванные большой разностью между первым путем сигнала синхронизации и вторым путем сигнала синхронизации.
[0059] Следует отметить, что в других вариантах реализации первая контактная площадка сигнала синхронизации нижнего слоя и вторая контактная площадка сигнала синхронизации нижнего слоя также могут быть расположены с одной и той же стороны оси.
[0060] Кроме того, выражения "первый ряд" и "второй ряд" не означают конкретный первый ряд и второй ряд в общих контактных площадках схемы передачи, но используются для указания того, что контактные площадки, расположенные в первом ряду, находятся в другом ряду относительно контактных площадок, расположенных во втором ряду.
[0061] Схема интерфейса дополнительно включает в себя схему 202 обработки сигнала синхронизации, которая электрически соединена с контактной площадкой 111 сигнала синхронизации нижнего слоя и множеством входных буферных схем 201 и выполнена с возможностью приема сигнала синхронизации и обработки сигнала синхронизации, который должен служить в качестве управляющего сигнала синхронизации для М входных буферных схем 201. Схема 202 обработки сигнала синхронизации включает в себя схему приемника сигналов синхронизации и схему генерации фазы, при этом схема приемника сигналов синхронизации электрически соединена с контактной площадкой 111 сигнала синхронизации нижнего слоя и выполнена с возможностью приема сигнала синхронизации, а выходной сигнал схемы приемника сигналов синхронизации служит входным сигналом для схемы генерации фазы, причем схема генерации фазы выполнена с возможностью генерирования управляющего сигнала синхронизации.
[0062] Схема 202 обработки сигнала синхронизации совмещена с осью AA1, т.е. схема 202 обработки сигнала синхронизации размещена в местоположении, где расположена ось AA1. Таким образом, предпочтительно уменьшить разность путей сигнала синхронизации, требуемых для передачи управляющего сигнала синхронизации входным буферным схемам 201 с обеих сторон оси AA1. Схема 202 обработки сигнала синхронизации расположена в местоположении, в котором расположена ось AA1, но это не означает, что схема 202 обработки сигнала синхронизации полностью симметрична относительно оси AA1. С учетом фактической ситуации при проектировании и изготовлении схем, схема обработки сигнала синхронизации расположена приблизительно в местоположении, в котором расположена ось AA1, и ее средняя линия может отклоняться от AA1 на определенную величину, такую как 10% или 20%.
[0063] Каждая входная буферная схема 201 расположена непосредственно ниже соответствующей контактной площадки 112 данных нижнего слоя. Входная буферная схема 201 принимает сигнал данных под управлением сигнала синхронизации и продолжает передавать сигнал данных. Таким образом, когда сигнал данных контактной площадки 102 данных верхнего слоя передан входной буферной схеме 201, входная буферная схема 201 принимает сигнал данных и передает сигнал данных только тогда, когда сигнал синхронизации также передается входной буферной схеме 201. Когда сигнал данных передан входной буферной схеме 201, но сигнал синхронизации не пришел, входная буферная схема 201 не передает сигнал данных.
[0064] В данном варианте реализации благодаря централизованному расположению контактных площадок 112 данных нижнего слоя по сравнению с контактной площадкой 102 данных верхнего слоя, расстояние между каждой входной буферной схемой 201 и осью AA1 меньше, чем расстояние между контактной площадкой 102 данных верхнего слоя, соответствующей входной буферной схеме 201, и осью AA1, т.е. каждая входная буферная схема 201 находится ближе к оси AA1, чем контактная площадка 102 данных верхнего слоя. В частности, если рассматривать ось AA1 в качестве опорной точки, плотность расположения М входных буферных схем 201 выше, чем плотность расположения М контактных площадок 102 данных верхнего слоя. Для каждой контактной площадки 102 данных верхнего слоя и соответствующей входной буферной схемы 201 расстояние между контактной площадкой 102 данных верхнего слоя и осью AA1 больше, чем расстояние между входной буферной схемой 201 и осью AA1. Кроме того, чем ближе контактная площадка 102 данных верхнего слоя к оси AA1, тем ближе входная буферная схема 201, соответствующая площадке данных верхнего слоя 102, к оси AA1.
[0065] В частности, длина пути входных данных между каждой входной буферной схемой 201 и контактной площадкой 102 данных верхнего слоя, соответствующей входной буферной схеме 201, является первой длиной, а длина пути сигнала синхронизации между каждой входной буферной схемой 201 и контактной площадкой 101 сигнала синхронизации верхнего слоя является второй длиной, при этом первая длина и вторая длина находятся в отношениях положительной корреляции. Таким образом, для всех входных буферных схем 201 большая первая длина соответствует большей второй длине, и меньшая первая длина соответствует меньшей второй длине. Таким образом, чем дальше контактная площадка 102 данных верхнего слоя отстоит от оси AA1, тем дальше входная буферная схема 201, соответствующая контактной площадке 102 данных верхнего слоя, отстоит от оси AA1; и чем ближе контактная площадка 102 данных верхнего слоя к оси AA1, тем ближе входная буферная схема 201, соответствующая контактной площадке 102 данных верхнего слоя, к оси AA1.
[0066] По сравнению со схемой, показанной на ФИГ. 1, в которой расстояние между каждой входной буферной схемой и осью равно расстоянию между соответствующей контактной площадкой данных и осью, в данном варианте реализации для каждой контактной площадки 102 данных верхнего слоя и каждой входной буферной схемы 201, расположенных с той же самой стороны оси AA1, путь сигнала синхронизации входной буферной схемы 201, наиболее удаленной от контактной площадки 101 сигнала синхронизации верхнего слоя, сокращен, поэтому сигнал синхронизации может передаваться входной буферной схеме 201, наиболее удаленной от контактной площадки 101 сигнала синхронизации верхнего слоя, быстрее, так что время задержки сигнала, вызванной приходом сигнала данных, но неприходом сигнала синхронизации, уменьшено. Соответственно, путь сигнала синхронизации каждой входной буферной схемы 201 уменьшен, так что время задержки сигнала всех входных буферных схем 201 может быть уменьшено соответствующим образом. Таким образом, в данном варианте реализации разность tDQS2DQ или tWCK2DQ может быть сокращена, нарушение синхронизации может быть уменьшено, и может быть снижено энергопотребление на пути сигнала синхронизации.
[0067] Кроме того, разность между путем данных, проходящим между каждой контактной площадкой 102 сигнала синхронизации нижнего слоя и соответствующей входной буферной схемой 201, и путем сигнала синхронизации, проходящим между каждой контактной площадкой 101 сигнала синхронизации верхнего слоя и соответствующей входной буферной схемой 201, уменьшена, так что в данном варианте реализации разность tDQS2DQ или tWCK2DQ различных входных буферных схем 201 может быть сокращена, тем самым повышена степень согласования путей сигнала синхронизации и путей данных различных входных буферных схем, а также улучшены характеристики синхронизации передачи сигнала данных различных входных буферных схем 201.
[0068] Например, сигнал данных контактной площадки 102 данных верхнего слоя, которая на ФИГ. 5 обозначена как ссылочная позиция DQ0, передается соответствующей входной буферной схеме 201 по пути передачи с первой длиной, причем указанная соответствующая входная буферная схема обозначена на ФИГ. 5 как ссылочная позиция 2010, и сигнал синхронизации передается соответствующей входной буферной схеме 201 по пути передачи с второй длиной. Для DQ0 первая длина относится к длине от точки a0 до точки b0, вторая длина относится к длине от точки c0 до точки d0, при этом точка a0 может пониматься как точка соединения линии передачи с контактной площадкой 102 данных верхнего слоя, точка b0 может пониматься как точка соединения линии передачи с контактной площадкой 112 данных нижнего слоя, точка c0 может пониматься как точка соединения линии передачи со схемой 202 обработки сигнала синхронизации, а точка d0 может пониматься как точка соединения линии передачи с контактной площадкой 112 данных нижнего слоя, причем точки d0 и b0 могут быть одной и той же точкой соединения. Когда сигнал данных передается входной буферной схеме 201, сигнал синхронизации передается входной буферной схеме 201 по истечении времени t1, таким образом обеспечивая, что после приема сигнала данных входная буферная схема 201 может передать сигналы данных в течение времени t1 ожидания. Поскольку скорость, с которой контактная площадка 201 данных передает сигнал DQ0 данных, становится все выше и выше, время для поддержки сигнала DQ0 на высоком уровне "1" или низком уровне "0", становится все короче и короче, таким образом требуя, чтобы время t1 ожидания становилось все меньше и меньше, а первая длина (соответствующая пути данных) была согласована с второй длиной (соответствующей пути сигнала синхронизации) в максимально возможной степени.
[0069] Например, сигнал данных контактной площадки 102 данных верхнего слоя, обозначенной на ФИГ. 5 как ссылочная позиция DQ3, передается соответствующей входной буферной схеме 201 по пути передачи с первой длиной, причем указанная соответствующая входная буферная схема обозначена на ФИГ. 5 как ссылочная позиция 2013, а сигнал синхронизации передается соответствующей входной буферной схеме 201 по пути передачи со второй длиной. Для DQ3 первая длина относится к длине от точки a3 до точки b3, вторая длина относится к длине от точки c0 до точки d3, при этом точки b3 и d3 могут быть одной и той же точкой. Когда сигнал данных передается входной буферной схеме 201, сигнал синхронизации передается входной буферной схеме 201 по истечении времени t2, таким образом обеспечивая, что после приема сигнала данных входная буферная схема 201 может передавать сигналы данных в пределах времени t2 ожидания. Для контактных площадок 102 данных верхнего слоя, обозначенных как ссылочные позиции DQ0 и DQ3, t1 и t2 равны или приблизительно равны, поскольку первая длина и вторая длина входной буферной схемы 201, которая соответствует DQ0, согласованы, при этом первая длина и вторая длина входной буферной схемы 201, которая соответствует DQ3, также согласованы. Таким образом, в данном варианте реализации можно улучшить согласованность по времени сигнала данных, переданного различными входными буферными схемами 201, т.е. улучшить характеристику синхронизации.
[0070] Кроме того, длина входного пути данных между каждой входной буферной схемой 201 и контактной площадкой 112 данных нижнего слоя, соответствующей входной буферной схеме 201, является третьей длиной, а длина пути сигнала синхронизации между каждой входной буферной схемой 201 и контактной площадкой 111 сигнала синхронизации нижнего слоя, соответствующей входной буферной схеме 201, является четвертой длиной, при этом третья длина и четвертая длина находятся в отношениях положительной корреляции.
[0071] Кроме того, схема интерфейса дополнительно может включать в себя контактную площадку 203 метки верхнего слоя, контактную площадку 213 метки нижнего слоя и буферную схему 223 метки. Контактная площадка 203 метки верхнего слоя выполнена с возможностью передачи сигнала метки и расположена на первом слое. Контактная площадка 213 метки нижнего слоя электрически соединена с контактной площадкой 203 метки верхнего слоя и расположена на втором слое, при этом площадь контактной площадки 213 метки нижнего слоя меньше, чем площадь контактной площадки 203 метки верхнего слоя. Буферная схема 223 метки соответствует контактной площадке 203 метки и выполнена с возможностью приема сигнала метки, переданного контактной площадкой 203 метки верхнего слоя под управлением сигнала синхронизации.
[0072] Сигнал метки в целом упоминается как инвертор маски данных для указания того, инвертирован или нет каждый сигнал данных, а контактная площадка 203 метки верхнего слоя в целом упоминается как контактная площадка инвертора маски данных (data mask inverter, DMI), контактная площадка DM или контактная площадка DBI, при этом контактная площадка 203 метки верхнего слоя обозначена на ФИГ. 5 как ссылочная позиция DMI.
[0073] В данном варианте реализации контактная площадка 213 метки нижнего слоя расположена в первом ряду и находится между контактной площадкой 112 данных нижнего слоя и контактной площадкой 111 сигнала синхронизации нижнего слоя. Буферная схема 223 метки расположена во втором ряду и находится с той же стороны оси AA1, как и контактная площадка 213 метки нижнего слоя, между входными буферными схемами 201 и осью AA1. Расстояние между буферной схемой 223 метки и осью AA1 меньше, чем расстояние между контактной площадкой 213 метки нижнего слоя, соответствующей буферной схеме 223 метки, и осью AA1.
[0074] Схема интерфейса дополнительно может включать в себя М выходных буферных схем, которые находятся во взаимно-однозначном соответствии с контактными площадками 112 данных нижнего слоя, при этом каждая выходная буферная схема выполнена с возможностью передачи сигнала данных соответствующей контактной площадке 112 данных нижнего слоя под управлением сигнала синхронизации. Выходная буферная схема электрически соединена с контактной площадкой 111 сигнала синхронизации нижнего слоя в дополнение к тому, что она электрически соединена с контактной площадкой 112 данных нижнего слоя.
[0075] В частности, выходная буферная схема электрически соединена с контактной площадкой 111 сигнала синхронизации нижнего слоя через схему приемника сигналов синхронизации и схему генерации фазы.
[0076] В данном варианте реализации длина пути выходных данных между каждой выходной буферной схемой и контактной площадкой 112 данных нижнего слоя, соответствующей выходной буферной схеме, является одинаковой. В частности, каждая выходная буферная схема расположена непосредственно под соответствующей контактной площадкой 111 данных нижнего слоя или, другими словами, расстояние между каждой выходной буферной схемой и осью AA1 равно расстоянию между соответствующей контактной площадкой данных нижнего слоя и осью AA1. Схожим образом с учетом фактической ситуации при проектировании и изготовлении схем, та же самая длина или равное расстояние также может быть приблизительно тем же самым или приблизительно равным, что допускает возможность определенных ошибок, и подобные описания не будут повторены ниже.
[0077] В данном варианте реализации выходные буферные схемы могут быть объединены с входными буферными схемами 201 в одном функциональном модуле.
[0078] Схема интерфейса дополнительно может включать в себя множество контактных площадок источника питания и контактных площадок заземления, которые выполнены с возможностью соединения с заземлением или стабилизированным источником питания. Множество контактных площадок источника питания и контактных площадок заземления расположены в одном ряду с контактными площадками 102 данных верхнего слоя.
[0079] Схема интерфейса может дополнительно включать в себя первую функциональную контактную площадку 301 верхнего слоя, вторую функциональную контактную площадку 302 верхнего слоя, первую функциональную контактную площадку 311 нижнего слоя и вторую функциональную контактную площадку 312 нижнего слоя. Первая функциональная контактная площадка 301 верхнего слоя и вторая функциональная контактная площадка 302 верхнего слоя расположены на первом слое между контактной площадкой 102 данных верхнего слоя и контактной площадкой 101 сигнала синхронизации верхнего слоя, при этом первая функциональная контактная площадка 301 верхнего слоя выполнена с возможностью передачи сигнала Rqst, а вторая функциональная контактная площадка 302 верхнего слоя выполнена с возможностью передачи сигнала Rqsc. Первая функциональная контактная площадка 311 нижнего слоя и вторая функциональная контактная площадка 312 нижнего слоя расположены на втором слое, при этом первая функциональная контактная площадка 311 нижнего слоя электрически соединена с первой функциональной контактной площадкой 301 верхнего слоя, а вторая функциональная контактная площадка 312 нижнего слоя электрически соединена со второй функциональной контактной площадкой 302 верхнего слоя, причем площадь первой функциональной контактной площадки 311 нижнего слоя меньше, чем площадь первой функциональной контактной площадки 301 верхнего слоя, а площадь второй функциональной контактной площадки 312 нижнего слоя меньше, чем площадь второй функциональной контактной площадки 302 верхнего слоя. Первая функциональная контактная площадка 301 верхнего слоя обозначена как ссылочная позиция Rqst, а вторая функциональная контактная площадка 302 верхнего слоя обозначена как ссылочная позиция Rqsc на ФИГ. 5.
[0080] Схема интерфейса дополнительно может включать в себя первую функциональную буферную схему 321 и вторую функциональную буферную схему 322. Первая функциональная буферная схема 321 выполнена с возможностью приема сигнала метки, переданного первой функциональной контактной площадкой 311 нижнего слоя под управлением сигнала синхронизации. Вторая функциональная буферная схема 322 выполнена с возможностью приема сигнала Rqsc, переданного второй функциональной контактной площадкой 312 нижнего слоя под управлением сигнала синхронизации.
[0081] Входная буферная схема включает в себя мультиплексор (mux) и триггер-защелку, при этом мультиплексор выполнен с возможностью приема сигнала данных, обработки сигнала данных и выдачи обработанного сигнала данных триггеру-защелке, а выходной сигнал триггера-защелки служит в качестве выходного сигнала входной буферной схемы.
[0082] Схема интерфейса дополнительно может включать в себя М схем последовательно-параллельного преобразования (Sequential to Parallel, S2P), при этом M схем последовательно-параллельного преобразования находятся во взаимно-однозначном соответствии с М входных буферных схем 201, а выходной сигнал входной буферной схемы 201 служит в качестве входного сигнала для соответствующей схемы преобразования S2P. М схем преобразования S2P находятся во взаимно-однозначном соответствии с М контактных площадок 112 данных нижнего слоя, а расстояние между каждой схемой преобразования S2P и контактной площадкой 112 данных нижнего слоя, соответствующей схеме преобразования S2P, является одинаковым. Можно считать, что каждая схема преобразования S2P размещена непосредственно под соответствующей контактной площадкой 112 данных нижнего слоя.
[0083] Схема интерфейса дополнительно может включать в себя М выходных схем типа "первым вошел - первым вышел" (First Input First Output, FIFO), М схем параллельно-последовательного преобразования (Parallel to Sequential, P2S) и М управляющих схем. М выходных схем FIFO находятся во взаимно-однозначном соответствии с М схемами преобразования S2P. М схем преобразования P2S находятся во взаимно-однозначном соответствии с М выходными схемами FIFO, а выходной сигнал каждой выходной схемы FIFO служит в качестве входного сигнала для схемы преобразования P2S, которая соответствует указанной выходной схеме FIFO. М управляющих схем находятся во взаимно-однозначном соответствии с М схемами преобразования P2S, а выходной сигнал каждой схемы преобразования P2S служит входным сигналом для управляющей схемы, которая соответствует схеме преобразования P2S; и М управляющих схем находятся во взаимно-однозначном соответствии с М контактными площадками 112 данных нижнего слоя.
[0084] На ФИГ. 6 схематически показана схема расположения для схемы интерфейса в соответствии с одним вариантом реализации настоящего раскрытия. На ФИГ. 7 схематически показана еще одна схема расположения схемы интерфейса в соответствии с одним вариантом реализации раскрытия. На ФИГ. 6 и 7 контактные площадки данных нижнего слоя обозначены как ссылочные позиции DQ0, DQ1, DQ2, DQ3, DQ4, DQ5, DQ6, DQ7, при этом соответствующие контактные площадки данных верхнего слоя обозначены как ссылочные позиции RDL_DQ0, RDL_DQ1, RDL_DQ2, RDL_DQ3, RDL_DQ4, RDL_DQ5, RDL_DQ6, RDL_DQ7, контактная площадка сигнала синхронизации нижнего слоя обозначена как ссылочная позиция Dqs, а соответствующая контактная площадка сигнала синхронизации верхнего слоя обозначена как ссылочная позиция RDL_Dqs.
[0085] Как показано на ФИГ. 6, в одном примере контактные площадки данных верхнего слоя и контактная площадка сигнала синхронизации верхнего слоя все расположены в одном и том же ряду, при этом контактные площадки данных нижнего слоя и контактные площадки сигнала синхронизации нижнего слоя также все расположены в одном и том же ряду. Как показано на ФИГ. 7, в другом примере часть контактных площадок данных верхнего слоя и контактных площадок сигнала синхронизации верхнего слоя расположена в одном и том же ряду, при этом остальные расположены в одной и той же колонке, а контактные площадки данных нижнего слоя и контактная площадка сигнала синхронизации нижнего слоя расположены в двух рядах. Следует понимать, что контактные площадки данных нижнего слоя и контактная площадка сигнала синхронизации нижнего слоя также могут быть расположены в одном и том же ряду, или контактная площадка сигнала синхронизации верхнего слоя и контактные площадки данных верхнего слоя расположены с трех сторон или четырех сторон контактной площадки сигнала синхронизации нижнего слоя и контактных площадок данных нижнего слоя. Следует понимать, что ситуация, показанная на ФИГ. 7, такова, что контактная площадка сигнала синхронизации верхнего слоя и контактные площадки данных верхнего слоя расположены с двух сторон контактной площадки сигнала синхронизации нижнего слоя и контактных площадок данных нижнего слоя.
[0086] В схеме интерфейса в соответствии с данным вариантом реализации контактная площадка сигнала синхронизации нижнего слоя, электрически соединенная с контактной площадкой сигнала синхронизации верхнего слоя, и контактные площадки данных нижнего слоя, электрически соединенные с контактными площадками данных верхнего слоя, расположены на кристалле в виде слоя RDL, при этом площадь контактной площадки сигнала синхронизации нижнего слоя меньше, чем площадь контактной площадки сигнала синхронизации верхнего слоя, а площадь контактной площадки данных нижнего слоя меньше, чем площадь контактной площадки данных верхнего слоя. Таким образом, достигнуто централизованное расположение каждой входной буферной схемы, сокращена длина пути сигнала синхронизации, требуемого для передачи сигнала синхронизации каждой входной буферной схеме, повышена степень согласования пути сигнала синхронизации и пути данных, а также уменьшены разность tDQS2DQ или tWCK2DQ и нарушение синхронизации. Разность длины пути сигнала синхронизации, соответствующего входной буферной схеме, мала, и в то же время может быть удовлетворено требование высокой степени согласования пути сигнала синхронизации и пути данных входной буферной схемы.
[0087] Кроме того, поскольку длина пути сигнала синхронизации сокращена, длина линии для передачи сигнала синхронизации сокращена соответствующим образом, при этом может быть уменьшено до некоторой степени энергопотребление схемы передачи данных.
[0088] Соответственно, согласно данному варианту реализации раскрытия обеспечено запоминающее устройство, которое включает в себя схему интерфейса, описанную выше.
[0089] Запоминающее устройство может быть типа DRAM, SRAM, MRAM, FeRAM, PCRAM, NAND, NOR или тому подобное. Например, запоминающее устройство может быть запоминающим устройством типа LPDDR4 или LPDDR5.
[0090] Специалистам в данной области техники понятно, что варианты реализации, описанные выше, являются конкретными вариантами реализации для осуществления настоящего изобретения, и в случаях практического применения могут быть сделаны различные изменения в форме и деталях без отклонения от принципа и объема охраны настоящего изобретения. Различные изменения и модификации без отклонения от принципа и объема охраны настоящего изобретения могут быть внесены любым специалистом в данной области техники, и, следовательно, объем охраны настоящего изобретения должен зависеть от объема формулы изобретения. Специалистам в данной области техники понятно, что варианты реализации, описанные выше, являются конкретными вариантами реализации для осуществления настоящего изобретения, и в случаях практического применения могут быть сделаны различные изменения в форме и деталях без отклонения от принципа и объема охраны настоящего изобретения. Различные изменения и модификации без отклонения от принципа и объема охраны настоящего изобретения могут быть внесены любым специалистом в данной области техники, и, следовательно, объем охраны настоящего изобретения должен зависеть от объема формулы изобретения.