СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ
METHOD OF PROCESSING SILICON CRYSTALS

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния.
Известны способы обработки кремния: кислотные и щелочные травители, сущность которых состоит в удалении различных примесей и загрязнений [1].
Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений, высокие температуры и длительность обработок.
Целью изобретения является полное удаление различных примесей и загрязнений, уменьшение времени и температуры обработок.
3
3
Поставленная цель достигается тем, что удаление загрязнений с кремния происходит за счет использования травителя, в состав которого входят азотная кислота -HNO, фтористоводородная кислота -HF и уксусная кислота -CHCOOH в соотношении компонентов
3
3
3
3
Сущность способа заключается в том, что кристаллы кремния подвергаются обработке, в травителе, состоящем из азотной кислоты -HNO, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CHCOOH в соотношении компонентов 3:2:8. При травлении происходит растворение исходного материала, основанное на окислении его поверхности и последующем удалении образовавшихся окислов и различных загрязнений. В качестве окислителя используется азотная кислота -HNO, а замедлителем является уксусная кислота -CHCOOH. Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 8±2 минут. По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
3
3
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе, состоящем из азотной кислоты -HNO, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CHCOOH в соотношении компонентов
Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 15±5 минут.
По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.
Процент выхода годных кристаллов составляет 92%.
3
3
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе состоящей из азотной кислоты -HNO, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CHCOOH в соотношении компонентов:
Температура раствора -25°С. Длительность обработки составляет 10±5 минут.
По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.
Процент выхода годных кристаллов составляет 95%.
3
3
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе, состоящем из азотной кислоты -HNO, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CHCOOH в соотношении компонентов
Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 8±2 минут.
По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.
Процент выхода годных кристаллов составляет 98%.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает полное удаление различных загрязнений и примесей с кристаллов кремния, уменьшение длительности и температуры обработки.