СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМООБРАБОТАННОГО ПОКРЫТОГО ИЗДЕЛИЯ С ПРОЗРАЧНЫМ ПОКРЫТИЕМ ИЗ ПРОВОДЯЩЕГО ОКСИДА (ППО) ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ УСТРОЙСТВЕ

1. Способ изготовления термообрабатываемого устройства, включающего полупроводниковую пленку и прозрачную пленку из проводящего оксида металла (ППО), нанесенную на стеклянную подложку, причем способ включает
получение стеклянной подложки;
осаждение путем напыления пленки на основе, по существу, аморфного оксида металла, содержащей Sn и Sb, на стеклянную подложку приблизительно при комнатной температуре;
формирование полупроводниковой пленки на стеклянной подложке поверх пленки на основе, по существу, аморфного оксида металла;
термообработку стеклянной подложки с пленкой на основе, по существу, аморфного оксида металла, содержащей Sn и Sb, и нанесенной на нее полупроводниковой пленкой;
причем тепло, используемое в упомянутой термообработке, вызывает преобразование, по существу, аморфной пленки в, по существу, кристаллическую пленку, содержащую Sn и Sb, и при этом, по существу, кристаллическая пленка является электропроводной и прозрачной для видимого света.
2. Способ по п.1, в котором тепло, используемое при упомянутой термообработке, вызывает понижение поверхностного электросопротивления слоя, по существу, аморфной пленки, по меньшей мере, примерно на 20 Ом/100 кв.фут.
3. Способ по п.1, в котором тепло, используемое при упомянутой термообработке, вызывает понижение поверхностного электросопротивления слоя, по существу, аморфной пленки, по меньшей мере, примерно на 50 Ом/100 кв.фут.
4. Способ по п.1, в котором термообработка включает термообработку стеклянной подложки с пленкой на основе, по существу, аморфного оксида металла, содержащей Sn и Sb, и нанесенной на нее полупроводниковой пленкой, при температуре примерно 200°C.
5. Способ по п.1, в котором термообработка включает термообработку стеклянной подложки с пленкой на основе, по существу, аморфного оксида металла, содержащей Sn и Sb, и нанесенной на нее полупроводниковой пленкой, при температуре примерно 400-630°C.
6. Способ по п.1, в котором, по существу, кристаллическая пленка обладает поверхностным сопротивлением слоя не более примерно 100 Ом/100 кв.фут.
7. Способ по п.1, в котором, по существу, кристаллическая пленка содержит оксид Sn, и в котором содержание Sb в кристаллической пленке составляет примерно 0,001-30%.
8. Способ по п.1, в котором, по существу, кристаллическая пленка содержит оксид Sn, и в котором содержание Sb в кристаллической пленке составляет примерно 1-15%.
9. Способ по п.1, в котором на стеклянной подложке находится другой слой, расположенный между стеклянной подложкой и кристаллической пленкой.
x
10. Способ по п.1, в котором кристаллическая пленка содержит SnO:Sb и пропускает, по меньшей мере, примерно 70% видимого света.
11. Способ по п.1, в котором упомянутая термообработка является частью этапа хлорирования при изготовлении фотогальванического прибора.
12. Способ по п.1, в котором упомянутое осаждение напылением включает напыление, по меньшей мере, одной керамической мишени ионного распыления, содержащей оксид Sn:Sb.
13. Способ по п.1, в котором устройство представляет собой фотогальванический прибор, в котором, по существу, кристаллическая пленка, содержащая Sn и Sb, используется в качестве фронтального электрода или контакта фотоэлектронного прибора, и в котором фотоэлектронный прибор представляет собой полупроводниковую пленку.
14. Способ изготовления фотоэлектронного прибора, включающего способ по п.1.
15. Способ изготовления термообрабатываемого устройства, включающего полупроводниковую пленку и прозрачную пленку из проводящего оксида металла (ППО) на стеклянной подложке, причем способ включает
получение стеклянной подложки;
x
x
осаждение путем напыления пленки на основе, по существу, аморфного оксида металла, содержащей ZnAlO:Ag и/или ZnAlO, на стеклянной подложке приблизительно при комнатной температуре;
формирование полупроводниковой пленки на стеклянной подложке поверх пленки, по существу, аморфного оксида металла;
x
x
термообработку стеклянной подложки с пленкой на основе, по существу, аморфного оксида металла, содержащей ZnAlO:Ag и/или ZnAlO, и нанесенную на нее полупроводниковую пленку;
x
x
причем тепло, используемое в упомянутой термообработке, вызывает преобразование, по существу, аморфной пленки в, по существу, кристаллическую пленку, содержащую ZnAlO:Ag и/или ZnAlO, и при этом, по существу, кристаллическая пленка является электропроводной и прозрачной для видимого света.
16. Способ по п.15, в котором тепло, используемое в упомянутой термообработке, вызывает понижение поверхностного сопротивления слоя, по существу, аморфной пленки, по меньшей мере, примерно на 20 Ом/100 кв.фут.
17. Способ изготовления термообрабатываемого устройства, включающего полупроводниковую пленку и прозрачную пленку из проводящего оксида металла (ППО) на стеклянной подложке, причем способ включает
получение стеклянной подложки;
x
x
осаждение путем напыления пленки на основе оксида металла, содержащей ZnAlO:Ag и/или ZnAlO, на стеклянной подложке, приблизительно при комнатной температуре;
формирование полупроводниковой пленки на стеклянной подложке поверх пленки на основе оксида металла;
x
x
x
x
термообработку стеклянной подложки с пленкой на основе оксида металла, содержащей ZnAlO:Ag и/или ZnAlO, и нанесенной на нее полупроводниковой пленкой, вследствие чего после упомянутой термообработки пленка, содержащая ZnAlO:Ag и/или ZnAlO, является электропроводной и, по существу, прозрачной, по меньшей мере, для видимого света.
x
x
18. Способ по п.17, в котором устройство представляет собой фотоэлектронный прибор, в котором пленку, содержащую ZnAlO:Ag и/или ZnAlO, используют в качестве фронтального электрода или контакта фотоэлектронного прибора, причем полупроводниковая пленка представляет собой фотоэлектрическую пленку.