СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ КОНТАКТА К КОЛЛЕКТОРНОЙ ОБЛАСТИ КРЕМНИЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

Способ формирования контакта к коллекторной области транзистора при посадке кристалла транзистора на основание корпуса полупроводникового прибора, включающий последовательное напыление на посадочную поверхность кристалла слоев металлов, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности соединения, уменьшения температур и экономичности процесса используют два металла (титан-медь), процесс проводят в едином технологическом цикле, температура процесса посадки составляет 250-280°C.