ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ

1. Полупроводниковый источник излучения, содержащий монолитную матрицу излучающих p-n мезоструктур, сформированную на теплопроводящей диэлектрической подложке и установленную на кристаллодержателе, отличающийся тем, что кристаллодержатель выполнен полым и герметичным из соединенных по краям крышки и основания кристаллодержателя; вся внутренняя полость кристаллодержателя заполнена капиллярно-пористым материалом, который пропитан рабочим веществом, находящемся в жидком и газообразном состоянии; крышка кристаллодержателя имеет в центре сквозное отверстие, в котором герметично установлена теплопроводящая диэлектрическая подложка; на внутренней поверхности крышки и тыловой поверхности теплопроводящей диэлектрической подложки сформирована сеть взаимно пересекающихся капиллярных канавок; капиллярные канавки на тыловой поверхности теплопроводящей диэлектрической подложки и на внутренней поверхности крышки и капиллярные каналы в капиллярно-пористом материале сформированы с размерами поперечного сечения капилляров, при котором обеспечивается их эффективное заполнение жидким рабочим веществом; в капиллярно-пористом материале, граничащим с тыловой частью диэлектрической подложки сформированы крупные поры, размеры которых обеспечивают распространение рабочего вещества в виде газа на весь объем внутренней полости кристаллодержателя; на верхней части диэлектрической крышки сформирован диэлектрический слой, который по толщине выровнен с верхним краем излучающих p-n мезоструктур и на поверхности этого слоя сформированы контактные площадки, которые токоведущими дорожками соединены с входным и выходным контактами светоизлучающих p-n мезоструктур монолитной матрицы.
2
3
2
3
2
2. Полупроводниковый источник излучения по п.1, отличающийся тем, что материалы диэлектрической подложки, крышки и основания кристаллодержателя выполнены из материалов с низкими величинами коэффициентов термического расширения; например, диэлектрическая подложка монолитной матрицы излучающих p-n мезоструктур выполнена из монокристаллических: сапфира AlO, карбида кремния SiC, нитрида алюминия AlN, нитрида галлия GaN; диэлектрическая крышка выполнена из керамики на основе AlO, окиси бериллия BeO, нитрида алюминия AlN; металлическое основание выполнено из сплава медь-молибден МД50, титановых сплавов, силумина.
3. Полупроводниковый источник излучения по п.1 или 2, отличающийся тем, что на поверхность сети капиллярных каналов, сформированных на тыловой стороне диэлектрической подложки матрицы и на смежной поверхности диэлектрической крышки, нанесена металлизация из металла, обеспечивающая увеличение капиллярной силы и сохранение свойств капилляров во времени, например, из золота.