СЕНСОР С АКТИВНОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ

1. Устройство, содержащее:
подложку, содержащую контактную площадку подложки,
сенсор, расположенный сверху подложки и содержащий активную поверхность и контактную площадку сенсора,
формовочный слой, расположенный сверху подложки и покрывающий боковые стороны сенсора, причем формовочный слой имеет высоту формовки относительно верхней поверхности подложки, при этом высота формовки больше высоты активной поверхности сенсора относительно верхней поверхности подложки, и
покровный слой, расположенный сверху формовочного слоя и сверху активной поверхности, при этом
покровный слой и формовочный слой вместе образуют промежуток над активной поверхностью сенсора, определяющий проточный канал.
2. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее проволочное соединение, связывающее контактную площадку сенсора с контактной площадкой подложки, при этом формовочный слой покрывает проволочное соединение.
3. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее сквозную перемычку в кремнии (TSV), проходящую через сенсор и электрически соединяющую контактную площадку сенсора с перераспределительным слоем сенсора (RDL) на нижней поверхности сенсора, причем перераспределительный слой находится в электрическом контакте с контактной площадкой подложки.
4. Устройство по п. 1, в котором формовочный слой включает в себя первый формовочный слой и второй формовочный слой, причем первый формовочный слой содержит сквозную перемычку в формовочном слое (TMV), проходящую через первый формовочный слой, при этом устройство дополнительно содержит перераспределительный слой (RDL), соединяющий контактную площадку сенсора с перемычкой в формовочном слое, причем второй формовочный слой расположен сверху указанного перераспределительного слоя и первого формовочного слоя.
5. Устройство по любому из пп. 1-4, дополнительно содержащее пассивирующий слой, расположенный сверху активной поверхности сенсора.
6. Устройство по п. 5, в котором пассивирующий слой содержит реакционные углубления.
7. Устройство по п. 5 или 6, дополнительно содержащее функционализированное покрытие, расположенное сверху пассивирующего слоя.
8. Устройство по любому из пп. 1-7, в котором проточный канал охватывает по существу всю активную поверхность сенсора.
9. Устройство по любому из пп. 1-8, в котором проточный канал охватывает всю активную поверхность сенсора и по меньшей мере часть неактивной поверхности сенсора.
10. Устройство по любому из пп. 1-9, в котором проточный канал охватывает горизонтальную поверхность формовочного слоя.
11. Устройство по любому из пп. 1-10, в котором покровный слой содержит впускной порт и выпускной порт.
12. Устройство по п. 11, в котором поверхность формовочного слоя находится между впускным портом и активной поверхностью сенсора внутри проточного канала.
13. Устройство по любому из пп. 1-12, в котором подложка содержит один или более диэлектрических слоев, причем каждый из указанных одного или более диэлектрических слоев внутри содержит один или более электропроводящих каналов.
14. Устройство по любому из пп. 1-13, в котором сенсор представляет собой комплементарное металл-оксид-полупроводниковое (КМОП) детектирующее устройство.
15. Устройство по любому из пп. 1-14, представляющее собой часть картриджа для выполнения биологического анализа, химического анализа или обоих видов анализа.
16. Способ, содержащий этапы, на которых:
размещают на подложке сенсор, причем сенсор содержит активную поверхность и контактную площадку сенсора, а подложка содержит контактную площадку подложки,
размещают на подложке формовочный слой, который покрывает боковые стороны сенсора,
выборочно удаляют участки формовочного слоя непосредственно над активной поверхностью сенсора, и
размещают покровный слой сверху формовочного слоя и сверху поверхности сенсора для образования промежутка над активной поверхностью сенсора, при этом указанный промежуток определяет проточный канал.
17. Способ по п. 16, дополнительно содержащий формирование проволочных соединений контактной площадки сенсора с контактной площадкой подложки, при этом формовочный слой покрывает указанные проволочные соединения.
18. Способ по п. 16, дополнительно содержащий формирование:
сквозной перемычки в кремнии (TSV), проходящей от контактной площадки сенсора через сенсор, и
перераспределительного слоя (RDL) на нижней поверхности сенсора, при этом контактную площадку сенсора электрически соединяют с перераспределительным слоем.
19. Способ по п. 16, в котором указанный формовочный слой представляет собой второй формовочный слой, при этом способ дополнительно содержит формирование:
первого формовочного слоя до высоты по существу равной высоте активной поверхности сенсора относительно подложки,
сквозной перемычки в формовочном слое (TMV) сквозь первый формовочный слой до контактной площадки подложки,
перераспределительного слоя (RDL) на верхней поверхности сенсора для электрического соединения контактной площадки сенсора со сквозной перемычкой в формовочном слое, и
второго формовочного слоя сверху перераспределительного слоя и первого формовочного слоя.
20. Способ по любому из пп. 16-19, дополнительно содержащий формирование впускного порта и выпускного порта в покровном слое.
21. Способ по любому из пп. 16-20, дополнительно содержащий формирование пассивирующего слоя на поверхности сенсора.
22. Способ по п. 21, дополнительно содержащий формирование реакционных углублений в пассивирующем слое.
23. Способ по п. 21 или 22, дополнительно содержащий формирование функционализированного покрытия на пассивирующем слое.
24. Устройство, содержащее:
сенсор, расположенный сверху подложки и содержащий активную поверхность и контактную площадку сенсора,
сквозную перемычку в кремнии (TSV), проходящую через сенсор и электрически соединяющую контактную площадку сенсора с перераспределительным слоем (RDL), расположенным на нижней поверхности сенсора, при этом перераспределительный слой находится в электрическом контакте с контактной площадкой подложки,
формовочный слой, расположенный сверху подложки и покрывающий боковые стороны сенсора, причем формовочный слой имеет высоту формовки относительно верхней поверхности подложки, при этом высота формовки по существу равна высоте активной поверхности сенсора относительно верхней поверхности подложки,
промежуточный слой, расположенный сверху формовочного слоя,
сквозную перемычку в кремнии (TSV), находящуюся в электрическом контакте с контактной площадкой подложки, причем сквозная перемычка в кремнии проходит через подложку, и
покровный слой, расположенный сверху промежуточного слоя и сверху активной поверхности,
при этом покровный слой и промежуточный слой вместе образуют промежуток над активной поверхностью сенсора, определяющий проточный канал.