СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
SEMICONDUCTOR CHEMICAL ETCHING METHOD

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к обработке поверхности чистых полупроводников перед технологическими операциями.
Известны способы химического травления поверхности полупроводников, сущность которых состоит в том, что обработку проводят в различных растворах, травителях и т.п. [1].
Недостатками химического травления поверхности полупроводников являются недостаточное удаление образовавшегося оксида и длительность обработки процесса.
Целью изобретения является полное удаление образовавшегося оксида на поверхности полупроводников и сокращение времени обработки.
3
3
Поставленная цель достигается использованием травителя, в состав которого входят следующие компоненты: фтористоводородная кислота (HF), азотная кислота (HNO) и уксусная кислота (CHCOOH) в соотношении 1:6:3.
3
3
Сущность способа заключается в том, что химическое травление поверхности полупроводников проводят в травителе, состоящем из следующих компонентов: фтористоводородной (HF), азотной (HNO) и уксусной (CHCOOH) кислот в соотношении 1:6:3. Время химического травления равно 6 минут.
Предлагаемый способ отличается от известного тем, что химическое травление чистых полупроводников основано на окислении их поверхности и удалении (растворении) образовавшегося оксида. Травители, применяемые для обработки полупроводников, состоят из окислителя и растворителя, а также добавок, которые вызывают ускорение или замедление химических реакций. Большую часть травителей для кремния представляют собой смеси на основе фтористоводородной и азотной кислот. В процессе травления кремний, взаимодействуя с азотной кислотой, образует оксид, который далее растворяется в фтористоводородной кислоте:
3
2
2
2
Si+2HNO→SiO+NO↑+NO↑+HO
2
4
2
SiO+4HF→SiF+2HO
2
3
Скорость образования оксида кремния должна быть ниже скорости непрерывного удаления окисла SiO с поверхности. Для этого в состав травителя вводится замедлитель процесса окисления - уксусная кислота CHCOOH.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки, при соотношении компонентов:
3
3
HF:HNO:CHCOOH
1:7:4
Время травления 9 мин.
Процент выхода годных приборов составил 92%.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:
3
3
HF:HNO:CHCOOH 1:7:3,5
Время травления 8 мин.
Процент выхода годных приборов составил 94%.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:
3
3
HF:HNO:CHCOOH 1:6:3,5
Время травления 7 мин.
Процент выхода годных приборов составил 96%.
ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:
3
3
HF:HNO:CHCOOH 1:6:3
Время травления 6 мин.
Процент выхода годных приборов составил 98%.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает полное удаление образовавшегося оксида на поверхности полупроводников и сокращение времени обработки.
Литература
1. Обработка полупроводниковых приборов/ Под редакцией В.П. Запорожский, Б.А. Лапшинов. М., с.183.