СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ НИОБАТА ЛИТИЯ СОСТАВА, БЛИЗКОГО К СТЕХИОМЕТРИЧЕСКОМУ, И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ

2
2
1. Способ выращивания легированных кристаллов ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому, заключающийся в том, что выращивание проводят методом Чохральского из расплава шихты ниобата лития конгруэнтного состава с отношением Li/Nb=0,938-0,946, содержащим 9-13 мол.% КO и 0,5-2,5 мол.% MgO или ZnO, отличающийся тем, что процесс выращивания ведут в условиях приложенного электрического поля плотностью 0,2-40 А/м.
2. Способ выращивания по п.1, отличающийся тем, что плотность электрического тока изменяют в процессе выращивания.
3. Устройство для выращивания легированных кристаллов ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому, для реализации способа по п.1, содержащее корпус с камерой роста и камерой охлаждения, тигель, размещенный в камере роста, индукционный нагреватель, верхний металлический нагревательный экран, установленный над тиглем, и механизм перемещения кристалла со штоком, стержень с держателем затравочного кристалла, отличающееся тем, что в состав устройства включен дополнительный стабилизированный источник постоянного тока с электродами; над затравочным кристаллом установлен дополнительный груз из электропроводящего материала, отделенный от стенок держателя непроводящим электрический ток материалом, при этом один из электродов подключен к тиглю, а второй электрод подключен к грузу.
4. Устройство по п.3, отличающееся тем, что держатель затравочного кристалла выполнен в виде цилиндра.
5. Устройство по п.3, отличающееся тем, что положительный электрод присоединен к тиглю.