ПРОЗРАЧНЫЙ ЭЛЕКТРОД НА ПОДЛОЖКЕ ДЛЯ ОСИД

1. Прозрачный электрод на подложке для ОСИД, включающий в себя, последовательно
(i) прозрачную подложку из минерального стекла,
2
3
(ii) рассеивающий слой, образованный из эмали с высоким показателем преломления, содержащий по меньшей мере 30 мас.% BiO,
2
3
2
2
2
(iii) барьерный слой из по меньшей мере одного диэлектрического оксида металла, выбранного из группы, состоящей из AlO, TiO, ZrO и HfO, осажденного путем АСО,
(iv) слой из прозрачного проводящего оксида (ППО).
2
3
2
2
2
2. Электрод по п. 1, характеризующийся тем, что барьерный слой, осажденный путем АСО, содержит несколько слоев AlO, чередующихся со слоями оксидов с более высоким показателем преломления (n>2), выбранных среди TiO, ZrO и HfO.
3. Электрод по п. 1 или 2, характеризующийся тем, что он включает в себя дополнительно металлическую решетку под или на слое ППО и непосредственно в контакте с ним.
4. Электрод по п. 1 или 2, характеризующийся тем, что барьерный слой, осажденный путем АСО, имеет толщину, заключенную между 5 и 200 нм, предпочтительно, между 10 и 100 нм.
5. Электрод по п. 1 или 2, характеризующийся тем, что эмаль с высоким показателем преломления, образующая рассеивающий слой, содержит светорассеивающие элементы, рассредоточенные по толщине слоя.
a
6. Электрод по п. 1 или 2, характеризующийся тем, что граница раздела между эмалью с высоким показателем преломления и нижележащей средой с меньшим показателем преломления имеет профиль шероховатости со среднеарифметическим отклонением R, по меньшей мере равным 0,1 мкм, предпочтительно, заключенным между 0,2 и 5 мкм, в частности, между 0,3 и 3 мкм.
7. ОСИД, содержащий электрод по любому из пп. 1-6.
8. Способ изготовления прозрачного электрода на подложке для ОСИД по любому из пп. 1-6, включающий в себя следующие последовательные этапы:
2
3
(a) предоставление прозрачной подложки, несущей на одной из своих сторон рассеивающий слой, образованный из эмали с высоким показателем преломления, содержащей по меньшей мере 30 мас.% BiO,
2
3
2
2
2
(b) образование, путем атомно-слоевого осаждения (АСО), барьерного слоя из по меньшей мере одного диэлектрического оксида металла, выбранного из группы, состоящей из AlO, TiO, ZrO и HfO, на эмали с высоким показателем преломления и непосредственно в контакте с ней,
(c) образование слоя из прозрачного проводящего оксида (ППО) поверх слоя из диэлектрического оксида металла (b).
9. Способ по п. 8, характеризующийся тем, что он включает в себя дополнительный этап (d) образования металлической решетки непосредственно в контакте со слоем прозрачного проводящего оксида, причем этот этап (d) содержит по меньшей мере один этап травления кислотой.
10. Способ по п. 9, характеризующийся тем, что этап (d) осуществляют после этапа (b) и перед этапом (c) таким образом, чтобы металлическая решетка находилась в контакте одновременно с барьерным слоем из диэлектрического оксида металла и со слоем ППО.
11. Способ по п. 9, характеризующийся тем, что этап (d) осуществляют после этапа (c) таким образом, чтобы металлическая решетка находилась в контакте со слоем ППО, но не с барьерным слоем оксида металла.