Способ получения эпитаксиальных пленок нитридов металлов третьей группы

1. Способ получения высококачественных пленок нитридов металлов третьей группы, включающий испарение материала мишени электронно-лучевым испарителем, возбуждение его паров в плазме высокочастотного разряда в реакционный объеме, окруженном кварцевым экраном, и осаждение на поверхность подложки, отличающийся тем, что в качестве материала мишени используется Ga, Аl или In, в поток распыляемого материала дозируется необходимое количество азота или аммиака, возбуждение плазмы осуществляют за счет высокочастотного индуктора, расположенного за кварцевым экраном вне реакционного объема.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кварцевый экран выполнен в форме конуса, в основании которого расположен подложкодержатель.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что температура подложки дополнительно регулируется.