Способ изготовления полупроводникового прибора
METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления структур с низкой дефектностью.
0,52
x
1-x
0,48
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Заявка 2148867 Япония, МКИ H01L 29/68] с уменьшенным рассеянием электронов на коллекторном барьере. Слой коллекторного барьера формируется на основе In (AIGa)As, при этом х изменяется от 0,5 до 0 в направлении от базы к коллектору. В качестве коллектора используется слой InAs. В результате зонная диаграмма гетероструктуры имеет величину энергетического зазора у слоя базы 0,45 эВ, а у слоя коллектора 0,55 эВ. В таких приборах из-за механических напряжений в многослойных структурах повышается дефектность и ухудшаются электрические параметры приборов.
2
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент 5091767 США, МКИ H01L 29/04] на основе гетероструктуры с согласованной кристаллической решеткой и малой плотностью дислокаций. На границе слоя GeSi и Si-подложки формируется скрытый участок SiO толщиной 200 нм, который служит стоком для дислокаций, перемещающиеся из верхнего GeSi слоя.
Недостатками этого способа являются: высокие значения токов утечек; высокая дефектность; низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением: снижение плотности дефектов, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
-5
2
Задача решается формированием гетероструктуры GeSi нанесением германия на кремний при давлении 2*10 Па, толщиной аморфного слоя пленки 150 нм, со скоростью осаждения 3 нм/с, с последующим воздействием единичного импульса электронного луча с энергией электронов 25 кэВ и последующего электроннолучевого отжига при 0,8 Дж/см в атмосфере водорода в течение 12 минут при температуре 325°С.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 21,5%.
Технический результат: снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
-5
2
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования гетероструктуры GeSi нанесением германия на кремний при давлении 2*10 Па, толщиной аморфного слоя пленки 150 нм, со скоростью осаждения 3 нм/с, с последующим воздействием единичного импульса электронного луча с энергией электронов 25 кэВ и последующего электроннолучевого отжига при 0,8 Дж/см в атмосфере водорода в течение 12 минут при температуре 325°С, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.