УСТАНОВКА ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ИЗДЕЛИЙ, ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Полезная модель касается гидродинамической очистки поверхности пластин из полупроводниковых материалов, стекла, кварца и других материалов от загрязнений и частиц, возникающих по маршруту их изготовления и применения, и может быть использована, например, в микроэлектронике.
Известна установка для очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, содержащая корпус, внутри которого установлены планшайба для размещения очищаемой пластины, установленные над планшайбой сопла подачи жидкости и газа, и патрубок для удаления продуктов очистки [1].
В данной установке не предусмотрены средства, препятствующие попаданию капель жидкости со стенок корпуса на обрабатываемую пластину в процессе ее обработки, что снижает эффективность очистки.
Известна также установка для очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, содержащая корпус, внутри которого установлены планшайба для размещения очищаемой пластины, установленные над планшайбой сопла подачи жидкости и газа, и патрубок для удаления продуктов очистки. Установка снабжена шторкой для обдува крышки и конической обечайкой, охватывающей планшайбу [2].
Наличие шторки для обдува крышки и конической обечайки предотвращает появление капель на внутренней поверхности корпуса, однако данная установка сложна в изготовлении и эксплуатации.
Задачей, на решение которой направлена полезная модель, является упрощение конструкции и повышение надежности работы.
Поставленная задача решена тем, что в установке для очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, содержащей корпус, внутри которого установлены планшайба для размещения очищаемой пластины, сопло подачи жидкости и/или газа, сливной и вытяжной патрубки, в верхней части корпуса выполнена крышка с возможностью вращения в горизонтальной плоскости на валу электродвигателя.
Поставленная задача может быть решена также тем, что крышка снабжена средством обдува, например, выполненным в виде шторки; планшайба для размещения очищаемой пластины установлена с возможностью вращения в горизонтальной плоскости на валу электродвигателя; сопло подачи жидкости и/или газа установлено с возможностью углового перемещения относительно поверхности очищаемой пластины снабжено нагревательным элементом.
На Фиг.1 представлен вид сбоку установки для очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, в разрезе.
Установка для очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, содержит корпус 1, внутри которого установлена планшайба 2, на которой размещают очищаемую пластину 3. Планшайба 2 может быть установлена с возможностью вращения в горизонтальной плоскости на валу электродвигателя 4. Над планшайбой 2 установлено сопло подачи жидкости и/или газа 5. Сопло 5 может быть установлено с возможностью углового перемещения относительно поверхности очищаемой пластины 3 на валу электродвигателя 6 и снабжено нагревательным элементом (На Фиг.1 не показано). В корпусе 1 выполнены сливной патрубок 7, и вытяжной патрубок 8, подсоединенные, соответственно, к сливной цеховой канализации и вытяжной цеховой вентиляции. В верхней части корпуса 1 выполнена крышка 9, установленная на валу электродвигателя 10 с возможностью вращения в горизонтальной плоскости. Крышка 9 имеет механизм подъема и опускания 11 и может быть снабжена средством обдува 12, например, выполненным в виде шторки.
Установка для очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, работает следующим образом. Крышку 9 поднимают с помощью механизма опускания и подъема крышки 11. В вертикальном положении крышка удерживается газовым амортизатором (на Фиг.1 не показано). На планшайбу 2 устанавливают обрабатываемую пластину 3. После чего крышку 9 закрывают. Фиксацию пластины 3 относительно планшайбы 2 обеспечивают путем создания разряжения между нижней поверхностью пластины и поверхностью планшайбы с помощью вакуумной системы (на Фиг.1 не показано). После размещения пластины 3 на планшайбе 2 последняя может быть приведена во вращение. Через сопло 5 на пластину 2 подают струю деионизированной воды, смешанной со сжатым воздухом, при этом сопло 5 может совершать угловые перемещения относительно поверхности очищаемой пластины 2. Скорость вращения пластины 2 и скорость перемещения сопла 5 относительно поверхности пластины регулируют, задавая соответствующие параметры с пульта управления установкой (на Фиг.1 не показано). В процессе мойки крышка 9 вращается, не позволяя образовываться каплям воды на ее внутренней поверхности. Кроме того, крышка 9 может быть оснащена средством обдува 12, например, шторкой. Отсос водяного тумана, образующегося в процессе мойки, осуществляют через патрубок 8 в цеховую систему вентиляции. Жидкие продукты очистки удаляются через сливной патрубок 7 в цеховую канализацию. По завершению мойки увеличивают число оборотов планшайбы 2 и включают обдув пластины чистым сжатым газом, например, воздухом или инертным газом, который подают через сопло 5. Газ может быть подогрет с помощью нагревательного элемента, расположенного в сопле 5 (на Фиг.1 не показано). После завершения процесса сушки вращение планшайбы 2 останавливают и отключают от вакуумной системы (на Фиг.1 не показано). Чистую сухую пластину 3 снимают с планшайбы 2 и направляют на дальнейшую обработку, а на планшайбу 2 устанавливают другую подлежащую очистке пластину.
Использование вращающейся крышки, предотвращающей появление капель на ее внутренней поверхности, за счет простоты конструкции обеспечивает надежность работы предлагаемой установки.
Источники информации:
1. RU 53592 U1, 2006.
2. US 20090031948 А1, 2009.