ЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ С НАНОАЛМАЗНЫМ СЛОЕМ

1. Отражательный электронный умножитель (1) для детектора электромагнитного излучения или потока ионов, содержащий по меньшей мере одну активную структуру (2), предназначенную для приема потока налетающих электронов и испускания в ответ потока электронов, называемых вторичными, причем указанная активная структура (2) содержит подложку (3), на которой расположен тонкий наноалмазный монослой (4), образованный из алмазных частиц, средний размер которых меньше 100 нм, отличающийся тем, что указанная активная структура (2) является микроканальной пластиной (2), в которой каждый из указанных микроканалов (12) проходит через указанную подложку (3), начиная от входного отверстия (13A) для потока налетающих электронов и до выходного отверстия (13B) для потока вторичных электронов, причем указанный наноалмазный монослой (4) простирается на внутренней поверхности (14) каждого из указанных микроканалов (12), начиная от соответствующего входного отверстия (13A).
2. Электронный умножитель (1) по п. 1, отличающийся тем, что указанный наноалмазный слой (4) простирается в микроканале (12) на длину, составляющую от одного до тридцати средних диаметров микроканалов (12).
3. Электронный умножитель (1) по п. 1 или 2, отличающийся тем, что указанный наноалмазный слой (4) простирается на внутренней поверхности (14) каждого из указанных микроканалов (12) до расстояния относительно соответствующего указанного выходного отверстия (13B), составляющего от одного до десяти средних диаметров микроканалов (12).
4. Электронный умножитель (1) по одному из пп. 1  или 2, отличающийся тем, что указанный наноалмазный слой (4) простирается на всю длину внутренней поверхности (14) каждого из указанных микроканалов (12) до соответствующего выходного отверстия (13B).
5. Электронный умножитель (1) по п. 1, отличающийся тем, что средний размер алмазных частиц указанного наноалмазного слоя (4) заключен между 1 нм и 10 нм.
6. Электронный умножитель (1) по п. 1, отличающийся тем, что указанный наноалмазный слой (4) имеет среднюю толщину по существу меньше 50 нм.
7. Электронный умножитель (1) по п. 1, отличающийся тем, что указанный наноалмазный слой (4) находится в контакте с подложкой (3), причем указанная подложка (3) является проводником электричества и имеет заданный электрический потенциал.
8. Электронный умножитель (1) по п. 1, отличающийся тем, что указанный наноалмазный слой (4) покоится на подслое (5) из электропроводящего материала, причем указанный подслой (5) находится в контакте с указанной подложкой (3), и указанная подложка (3) является электроизолятором.
2
3
9. Электронный умножитель (1) по п. 8, отличающийся тем, что указанный подслой (5) состоит из AlO и ZnO, или из MgO и ZnO.
10. Электронный умножитель (1) по п. 7, отличающийся тем, что указанная подложка (3) указанной микроканальной пластины (2) выполнена из свинцового стекла.
11. Электронный умножитель (1) по п. 8 , отличающийся тем, что указанная подложка (3) указанной микроканальной пластины (2) выполнена из стекла и имеет по существу нулевую концентрацию оксида свинца PbO.
12. Система обнаружения электромагнитного излучения или потока ионов, отличающаяся тем, что она содержит:
- входное устройство для приема излучения электронов или потока ионов и испускания в ответ потока электронов, называемых первичными,
- отражательный электронный умножитель (1) по любому из предыдущих пунктов для приема указанного потока первичных электронов и испускания в ответ потока электронов, называемых вторичными, и
- выходное устройство для приема указанного потока вторичных электронов и испускания в ответ выходного сигнала.
13. Система обнаружения по п. 12, отличающаяся тем, что указанный наноалмазный слой (4) расположен таким образом, чтобы принимать указанный поток первичных электронов.
14. Система обнаружения по любому из пп. 12 или 13, отличающаяся тем, что эта система является фотоумножительной трубкой, трубкой-усилителем изображения или трубкой-детектором потока ионов.
15. Способ получения отражательного электронного умножителя (1) для детектора электромагнитного излучения или потока ионов, содержащего по меньшей мере одну активную структуру (2,2i), предназначенную для приема потока налетающих электронов и испускания в ответ потока электронов, называемых вторичными, причем указанная активная структура (2,2i) содержит подложку (3), отличающийся тем, что он включает в себя этап формирования наноалмазного монослоя (4) на указанной подложке (3), причем указанный этап содержит приведение в контакт, по меньшей мере частичный, указанной подложки (3) с коллоидным раствором, содержащим алмазные частицы, средний размер которых меньше 100 нм, в ультразвуковой ванне на заданный период времени.
16. Способ получения электронного умножителя (1) по п. 15, отличающийся тем, что алмазные частицы имеют средний размер, меньше или равный 10 нм, причем указанному этапу ультразвуковой ванны предшествует этап уменьшения алмазных частиц с помощью элементов уменьшения на основе циркония.
17. Способ получения электронного умножителя (1) по п. 16, отличающийся тем, что алмазные частицы получены заранее детонацией.