СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКООМНЫХ И НИЗКООМНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ НА ОДНОЙ ПОДЛОЖКЕ

1. Способ изготовления высокоомных и низкоомных тонкопленочных резисторов на одной подложке, заключающийся в последовательном напылении на подложку двух резистивных пленок, сначала с высоким поверхностным сопротивлением, затем с низким поверхностным сопротивлением, нанесением проводникового слоя и последовательным формированием методами фотолитографии сначала низкоомных резисторов, затем высокоомных резисторов - путем селективного химического стравливания низкоомной резистивной пленки с поверхности высокоомной резистивной пленки, отличающийся тем, что в качестве высокоомной и низкоомной резистивной пленки используют один и тот же материал с высоким и низким значениями поверхностного сопротивления соответственно, разделенный промежуточной разделяющей пленкой, не травящейся в травителе для низкоомной и высокоомной резистивной пленки и имеющей поверхностное сопротивление, превышающее поверхностное сопротивление высокоомной резистивной пленки.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве низкоомной и высокоомной резистивной пленки используют пленки тантала или нитрида тантала, а в качестве промежуточной разделяющей пленки используют пленки иттрия.