ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР С ПАРНЫМИ АСИММЕТРИЧНЫМИ БАРЬЕРАМИ

1. Полупроводниковый лазер с парными асимметричными барьерами, формируется в псевдоморфном режиме на кристаллической подложке и включает: n- и p-эмиттеры, ограничивающие два волноводных слоя, между которыми находится активная область, заключенная между асимметричными барьерами, из которых асимметричный барьер со стороны n-эмиттера препятствует протеканию дырок и не препятствует протеканию электронов, а асимметричный барьер со стороны p-эмиттера препятствует протеканию электронов и не препятствует протеканию дырок, причем по крайней мере один из асимметричных барьеров является парным асимметричным барьером, состоящим из двух асимметричных барьерных слоев, разделенных спейсерным слоем.
2. Полупроводниковый лазер с парными асимметричными барьерами согласно п. 1, отличающийся тем, что содержит один одиночный асимметричный барьер и один парный асимметричный барьер.
3. Полупроводниковый лазер с парными асимметричными барьерами согласно п. 2, отличающийся тем, что толщина каждого из асимметричных барьерных слоев, входящих в состав парного асимметричного барьера, в отдельности не превосходит критическую толщину псевдоморфного роста, характерную для осаждения данного материала на кристаллической подложке.
4. Полупроводниковый лазер с парными асимметричными барьерами согласно п. 2, отличающийся тем, что спейсер, входящий в состав парного асимметричного барьера, согласован по параметру кристаллической решетки с материалом кристаллической подложки, а суммарная толщина асимметричных барьерных слоев, входящих в состав парного асимметричного барьера, не превосходит толщину одиночного слоя такого же химического состава, который может быть осажден в псевдоморфном режиме на кристаллической подложке.
5. Полупроводниковый лазер с парными асимметричными барьерами согласно п. 2, отличающийся тем, что спейсер, входящий в состав парного асимметричного барьера, имеет по отношению к кристаллической подложке знак рассогласования, противоположный знаку рассогласования материала асимметричных барьерных слоев, а суммарная толщина асимметричных барьерных слоев, входящих в состав парного асимметричного барьера, превосходит толщину одиночного слоя такого же химического состава, который может быть осажден в псевдоморфном режиме на кристаллической подложке.
6. Полупроводниковый лазер с парными асимметричными барьерами согласно любому из пп. 2-5, отличающийся тем, что парный асимметричный барьер расположен относительно активной области со стороны p-эмиттера, а одиночный асимметричный барьер расположен относительно активной области со стороны n-эмиттера.
7. Полупроводниковый лазер с парными асимметричными барьерами согласно п. 6, отличающийся тем, что каждый из асимметричных барьерных слоев, входящих в состав парного асимметричного барьера образует на гетерогранице с примыкающим к нему волноводным слоем потенциальный барьер в валентной зоне высотой не более 25 мэВ и в зоне проводимости высотой не менее 50 мэВ; одиночный асимметричный барьер образует на гетерогранице с примыкающим к нему волноводным слоем потенциальный барьер в зоне проводимости высотой не более 25 мэВ и в валентной зоне высотой не менее 50 мэВ.
8. Полупроводниковый лазер с парными асимметричными барьерами согласно п. 7, отличающийся тем, что край валентной зоны спейсера, входящего в состав парного асимметричного барьера, примерно совпадает с краем валентной зоны асимметричных барьерных слоев, входящих в состав парного асимметричного барьера.
9. Полупроводниковый лазер с парными асимметричными барьерами согласно любому из пп. 6-8, отличающийся тем, что в качестве материала асимметричный барьерных слоев, входящих в состав парного асимметричного барьера, используется четверной твердый раствор AlGalnAs.
10. Полупроводниковый лазер с парными асимметричными барьерами согласно п. 9, отличающийся тем, что в качестве материала спейсера, входящего в состав парного асимметричного барьера, используется тройной твердый раствор AlGaAs.
11. Полупроводниковый лазер с парными асимметричными барьерами согласно п. 9, отличающийся тем, что в качестве материала спейсера, входящего в состав парного асимметричного барьера, используется четверной твердый раствор AlGaAsP.
12. Полупроводниковый лазер с парными асимметричными барьерами согласно п. 1, отличающийся тем, что содержит два парных асимметричных барьера.