ПРОЦЕСС СОЗДАНИЯ И ИСПОЛЬЗОВАНИЯ БУМАГИ НА ОСНОВЕ ВОЛОКОН ИЗ НАТУРАЛЬНОЙ ИЛИ СИНТЕТИЧЕСКОЙ ЦЕЛЛЮЛОЗЫ ИЛИ ИХ КОМБИНАЦИИ В КАЧЕСТВЕ ФИЗИЧЕСКОЙ ОПОРЫ И НОСИТЕЛЯ, СОХРАНЯЮЩЕГО ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЗАРЯДЫ В САМОСТОЯТЕЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ, ИМЕЮЩИХ ПЕРЕХОД С ПОЛЕВЫМ ЭФФЕКТОМ, СНАБЖЕННЫХ ПАМЯТЬЮ, В КОТОРЫХ ИСПОЛЬЗОВАНЫ ОКСИДЫ АКТИВНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1. Способ изготовления активного полевого полупроводникового электронного или оптоэлектронного устройства с энергонезависимой памятью, состоящий из следующих этапов:
а) в состав диэлектрика указанного устройства включают бумагу (2), содержащую натуральные волокна на основе целлюлозы, синтетические волокна или их сочетания, при этом указанные волокна остаются дискретными и соединены химически или механически;
b) на указанную бумагу наносят слой (1) активного полупроводника толщиной по меньшей мере в десять раз меньше толщины волоконной структуры указанной бумаги.
2. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что он дополнительно содержит этап, на котором величинами электроотрицательности и диэлектрической постоянной бумаги управляют с использованием спонтанной электрической поляризации волокон, привнесения статических ионных электрических зарядов посредством смол или клеящих веществ, добавления катионных частиц, например, алюминия, регулировки плотности бумаги или сочетания этих способов.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что он дополнительно содержит этап изготовления бумаги, на котором указанные волокна соединяют в слои с использованием по меньше мере одного связующего вещества.
4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что он дополнительно содержит на этапе изготовления бумаги шаг, на котором указанные волокна соединяют в слои посредством механического сжатия.
5. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что указанная пленка (2) выполняет также функцию подложки указанного устройства, обеспечивая таким образом его автономность.
6. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что полупроводник наносят таким образом, чтобы посредством имеющих покрытие дискретных волокон обеспечить возможность соединения между конечными участками области канала (1), представляющими собой области стока и истока (5).
7. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что он дополнительно содержит по меньшей мере один этап, на котором на одну или на обе поверхности бумаги наносят компоненты органического или неорганического происхождения с электрическими характеристиками металла (3, 5), полупроводник (1), изолятор (6) или модификацию (4) в виде однокомпонентных, композитных или многослойных двухкомпонентных структур, изготовленных дискретным или непрерывным образом, с образованием активных устройств с комплементарными структурами метал оксид полупроводники, КМОП (CMOS) структурами.
8. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что он дополнительно содержит этап, на котором указанные образующие готовые устройства компоненты изготавливают любым известным традиционным или нетрадиционным химическим или физическим способом, или сочетанием таких способов, например напылением, способами с использованием распыления и химической эмульсии, осуществляемыми при комнатной температуре, с возможностью отжига указанных компонентов при температуре до 200°C.
9. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что в нем наносят по меньшей мере один полупроводниковый компонент, такой как:
а) канал (1), содержащий ковалентный неорганический материал, или однокомпонентный или композитный ионный материал, или органический материал толщиной от 1 нм до 5 мкм, предпочтительно кремниевые сплавы или многокомпонентные оксиды на основе цинка;
b) сток и исток (3, 5) на основе органических или неорганических материалов с высокой проводимостью, сходных по своим свойствам с металлами;
c) диэлектрик (6) толщиной до 30 мкм, для обеспечения защиты от внешнего воздействия.
10. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что на указанной бумаге на основе натуральной или синтетической целлюлозы или их сочетаний перед нанесением любого другого компонента готового устройства выполняют пассивирующий или модифицирующий слой (4).
11. Полевое полупроводниковое электронное или оптоэлектронное устройство с энергонезависимой памятью, содержащее:
a) бумагу (2), выполняющую функцию диэлектрика и накопителя зарядов, содержащую натуральные волокна на основе целлюлозы, синтетические волокна или их сочетания, при этом указанные волокна остаются дискретными и соединены химически или механически;
b) нанесенный на указанную бумагу слой (1) активного полупроводника, по меньшей мере в десять раз тоньше волоконной структуры указанной бумаги.
12. Устройство по п.11, полученное способом по любому из пп.1-10.
13. Устройство по п.11 или 12, в котором толщина бумаги превышает 10 мкм.
14. Устройство по п.11 или 12, отличающееся тем, что оно выполнено с возможностью непрерывного накопления сохраненной информации посредством приложения различных напряжений, положительных или отрицательных, различной амплитуды к непрерывному или дискретному электроду затвора (3), размещенному на той стороне бумаги (2), которая противоположна стороне, содержащей активный полупроводник (1), причем, при этом с возможностью удерживать заряды после снятия напряжения, и функционирующие таким образом по принципу работы транзистора с плавающим затвором.
15. Устройство по п.11 или 12, содержащее по меньшей мере одну пару таких сопряженных устройств n-типа и р-типа.