СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК КАРБИДА ВОЛЬФРАМА

-4
Способ формирования тонких пленок карбида вольфрама, включающий нанесение тонкой вольфрамосодержащей пленки на полупроводниковую подложку, карботермический синтез, отличающийся тем, что тонкая пленка вольфрама наносится импульсно-плазменным осаждением, а карботермический синтез проводят, помещая полупроводниковую подложку с тонкой пленкой фольфрама на графитовый столик и подвергая термообработке в вакууме при давлении не выше 5·10 Па при температуре от 450 до 600°С при времени выдержки при данных температурах не менее 40 мин.