СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ТОНКОЙ ПОЛИМЕРНОЙ ПЛЕНКИ В ГАЗОВОЙ ФАЗЕ ПРИ НИЗКОМ ДАВЛЕНИИ

1. Способ осаждения одного или нескольких тонких слоев, в котором, в частности, органический материал или образующий полимер технологический газ вместе с газом-носителем с помощью газовпускного устройства (3) вводят в осадительную камеру (8), чтобы на поверхности (7') субстрата (7), размещенного на несущей поверхности (4') держателя (4) подложки, который расположен напротив газовпускного устройства (3) в отдалении от него, осадить тонкий слой, в частности, в форме полимера, отличающийся тем, что газовпускное устройство (3) и/или несущую поверхность (4') термостатируют таким образом, что температура (TS) несущей поверхности (4') является более низкой, чем температура (TG) газовпускного устройства (3), причем временно, перед поступлением технологического газа в осадительную камеру (8), при первом давлении (Р1) в осадительной камере (8) субстрат (7), размещенный на несущей поверхности (4'), стабилизируют путем отведения теплоты к держателю (4) подложки до температуры (TD) субстрата, которая только незначительно превышает температуру (TS) несущей поверхности (4'), но является гораздо более низкой, чем температура (TG) газовпускного устройства (3), после чего давление (Р1) в осадительной камере (8) снижают до рабочего давления (Р2), и по достижении рабочего давления (Р2) в осадительную камеру (8) подают технологический газ.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что газ-носитель и, соответственно, технологический газ выходит из отверстий (6) тщательно отполированной и, в особенности, позолоченной зоны (3') выхода газа.
3. Способ по одному или нескольким из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что нагревают формирующее зону (3') выхода газа, скомпонованное в виде душевого распылителя газовпускное устройство (3).
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что газовпускное устройство (3) нагревают с помощью электрических нагревательных проволок или каналов (19) для протекания жидкости.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что нагревательные проволоки или каналы (19) для протекания жидкости размещают в передней пластине газовпускного устройства (3), формирующей зону (3') выхода газа.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что активно охлаждают держатель (4) подложки, скомпонованный из охлаждающего блока.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что температура (TG) зоны (3') выхода газа по меньшей мере на 50°С, предпочтительно по меньшей мере на 100°С, является более высокой, чем температура (TS) несущей поверхности (4').
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что температура зоны (3') выхода газа варьируют в диапазоне между 150°С и 250°С, и предпочтительно составляет около 200°С.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что температура держателя подложки находится в области от -30°С до 100°С, и предпочтительно в области ниже 0°С.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что рабочее давление (Р2) является меньшим, чем 1 мбар (100 Па), и предпочтительно находится в области между 0,5 мбар (50 Па), и 0,05 мбар в особенности предпочтительно составляет 0,1 мбар (10 Па).
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что температурную стабилизацию проводят при температуре (TD) субстрата ниже 100°С, предпочтительно ниже 10°С, при давлении (Р1) термостатирования выше 1 мбар (100 Па), предпочтительно около 5 мбар (500 Па).
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что технологический газ происходит из испаренного мономера, полученного из полимерного исходного материала, в частности, пара-ксилилена или замещенного производного пара-ксилилена.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что технологический газ образуют испаренные жидкие или твердые исходные материалы, которые конденсируются на субстрате (7) в виде светоизлучающих или фотоэлектрических слоев, в частности, в форме OLED.
14. Способ осаждения одного или многих тонких слоев из полимерного материала, в частности пара-ксилилена, в котором твердый или жидкий исходный материал, в частности, образованный полимером, в частности димером, испаряют в испарителе (1), исходный материал, в частности димер, с помощью газа-носителя транспортируют из испарителя (1) через трубопровод (13) для газа-носителя в пиролитическую камеру (2), пиролитически разлагают в пиролитической камере (2), в частности, до мономера, продукт разложения, в частности мономер, посредством газа-носителя транспортируют из пиролитической камеры (2) в осадительную камеру (8), здесь через газовпускное устройство (3) вводят в осадительную камеру (8) и полимеризуют на поверхности (7') субстрата (7), размещенного на несущей поверхности (4') держателя (4) подложки в виде тонкого слоя, и причем газ-носитель и неполимеризованную часть продукта разложения, в частности мономера, выводят через газовыпускное устройство (5) из рабочей камеры (8), отличающийся тем, что газовпускное устройство (3) и/или несущую поверхность (4') термостатируют таким образом, что температура (TS) несущей поверхности (4') является более низкой, чем температура (TG) газовпускного устройства (3), причем временно, перед поступлением технологического газа в осадительную камеру (8), при первом давлении (Р1) в осадительной камере (8) субстрат (7), размещенный на несущей поверхности (4'), стабилизируют путем отведения теплоты к держателю (4) подложки до температуры (TD) субстрата, которая только незначительно превышает температуру (TS) несущей поверхности (4'), но является гораздо более низкой, чем температура (TG) газовпускного устройства (3), после чего давление (Р1) в осадительной камере (8) снижают до рабочего давления (Р2), и по достижении рабочего давления (Р2) в осадительную камеру (8) подают технологический газ.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что продукт разложения, в частности, мономер, вместе с газом-носителем из газовыпускных отверстий (6) зоны (3') выхода газа в сформированном газовпускным устройством (3) плоском газораспределителе нагнетают в вертикальном направлении на поверхность (7') субстрата в форме плотно смыкающихся «газовых струй», соединяющихся между собой над всей несущей поверхностью по существу в объемный газовый поток, простирающийся в рабочей камере (8), причем газовыпускные отверстия (6) распределены по всей зоне (3') выхода газа, расположенной параллельно несущей поверхности (4').
16. Способ по п.14, отличающийся тем, что площадь поверхности зоны (3') выхода газа является большей, чем площадь поверхности несущей поверхности (4') и, соответственно, субстрата.