СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА ПОДЛОЖКИ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ И ПОДЛОЖКА КАРБИДА КРЕМНИЯ

1. Способ производства подложки на основе карбида кремния, включающий этапы:
предоставления покрывающих слоев, каждый из которых содержит оксид кремния, нитрид кремния, карбонитрид кремния или силицид на обеих поверхностях основной подложки, изготовленной из углерода, кремния или карбида кремния для подготовки поддерживающей подложки, имеющей покрывающие слои, каждый из которых имеет гладкую поверхность;
формирование пленок поликристаллического карбида кремния на обеих поверхностях поддерживающей подложки способом осаждения из газовой фазы или способом выращивания из жидкой фазы; и
химического удаления, по меньшей мере, покрывающих слоев в поддерживающей подложке для отделения пленок поликристаллического карбида кремния от поддерживающей подложки в состоянии отображения гладкости поверхностей покрывающих слоев на поверхности пленок поликристаллического карбида кремния, и получения пленок поликристаллического карбида кремния в качестве подложек на основе карбида кремния, каждая из которых имеет размер кристаллического зерна 10 нм или более и 10 мкм или менее, и среднее значение шероховатости Ra, по меньшей мере, на одной из ее главных поверхностей 0,3 нм или менее.
2. Способ производства подложки на основе карбида кремния по п. 1, причем поддерживающая подложка подготовлена посредством сглаживания обеих поверхностей основной подложки, формирования покрывающих слоев, изготовленных из оксида кремния, нитрида кремния, карбонитрида кремния или силицида на обеих поверхностях основной подложки, и отображения гладких поверхностей основной подложки на поверхности покрывающих слоев.
3. Способ производства подложки на основе карбида кремния по п. 1, причем поддерживающая подложка подготовлена посредством формирования покрывающих слоев, изготовленных из фосфоросиликатного стекла или борофосфоросиликатного стекла на обеих поверхностях основной подложки, и оплавления покрывающих слоев для получения гладких поверхностей покрывающих слоев.
4. Способ производства подложки на основе карбида кремния по одному из пп. 1–3, причем пленки поликристаллического карбида кремния сформированы термическим способом CVD.
5. Подложка на основе карбида кремния, содержащая пленку поликристаллического карбида кремния, осажденную из газовой фазы или осажденную из жидкой фазы, при этом подложка на основе карбида кремния имеет размер кристаллического зерна 10 нм или более и 10 мкм или менее, и среднее значение шероховатости Ra, по меньшей мере, одной из ее главных поверхностей 0,3 нм или менее.
6. Подложка карбида кремния по п. 5, причем подложка карбида кремния состоит, по меньшей мере, из одного кубического кристалла и гексагонального кристалла, и объем кристаллических зерен, в которых плотноупакованная плоскость ориентирована под телесным углом в пределах 1/3 π стерадиан от оси, перпендикулярной главной поверхности подложки, составляет половину или менее от общего объема составляющих кристаллических зерен.
7. Подложка карбида кремния по п. 5 или 6, причем значение BOW подложки – –30 мкм или более и 30 мкм или менее, если диаметр подложки составляет 6 дюймов.