ФОТОКАТОДНЫЙ УЗЕЛ ВАКУУМНОГО ФОТОЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРА С ПОЛУПРОЗРАЧНЫМ ФОТОКАТОДОМ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

3
5
1. Фотокатодный узел вакуумного фотоэлектронного прибора с полупрозрачным фотокатодом, содержащий входное окно из сапфира с гетероэпитаксиальной структурой соединений типа AB, выращенной на монокристаллической подложке, отличающийся тем, что в него введен фланец из активного металла, закрепленный по периферийному контуру входного окна, выполненного в виде плоского диска из сапфира.
2. Фотокатодный узел по п.1, отличающийся тем, что гетероэпитаксиальная структура выполнена в виде структуры GaN/GaAlN, выращенной на упомянутом плоском диске из сапфира, имеющем толщину 0,5-0,7 мм.
3. Фотокатодный узел по п.1, отличающийся тем, что гетероэпитаксиальная структура выполнена на основе GaAs/GaAlAs, InGaAs/GaAs, выращенных на непрозрачных подложках GaAs и InP/InGaAs/InP, выращенных на InP, а между плоским диском из сапфира и гетероэпитаксиальной структурой расположен переходный слой стекла толщиной (0,1-0,2 мм), имеющего температурный коэффициент линейного расширения ((57±2)×10-7)1/°С в диапазоне температур 20-500°С.
4. Фотокатодный узел по п.1, отличающийся тем, что в качестве активного металла использован титан.
5. Способ изготовления фотокатодного узла вакуумного фотоэлектронного прибора с полупрозрачным фотокатодом, включающий изготовление гетероэпитаксиальной структуры на монокристаллической подложке и закрепление ее на входном окне, отличающийся тем, что в качестве входного окна используют плоский диск из сапфира, на монокристаллической подложке эпитаксиально выращивают последовательно стопорный, активный и буферный слои гетероэпитаксиальной структуры, приваривают ее к материалу сапфира входного окна, подложку и стопорный слой стравливают селективным травлением, после чего по периферии входного окна приваривают фланец из активного металла.
6. Способ изготовления фотокатодного узла по п.5, отличающийся тем, что в качестве монокристаллической подложки используют плоскую подложку из GaAs, на которой последовательно выращивают эпитаксиально стопорный слой GaAlAs, активный слой GaAs и буферный слой GaAlAs, а гетероэпитаксиальную структуру к материалу сапфира входного окна приваривают через стеклянную прокладку или прокладку из аналогичного пластичного материала.
7. Способ изготовления фотокатодного узла по п.5, отличающийся тем, что гетероэпитаксиальную структуру с подложкой к материалу сапфира входного окна приваривают термокомпрессионной сваркой.