СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ВОДОРОДА ИЗ УСТРОЙСТВА, ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО К ВОДОРОДУ, С ПОМОЩЬЮ НЕИСПАРЯЕМОГО ГЕТТЕРНОГО СПЛАВА НА ОСНОВЕ ИТТРИЯ

1. Способ удаления водорода из устройств, которые чувствительны к его присутствию, с помощью неиспаряемого геттерного сплава, состоящего из первого элемента, содержащего, по меньшей мере, 99 атомн.% иттрия или смеси на основе иттрия, содержащей, по меньшей мере, 95 атомн.% иттрия, вплоть до 4% редкоземельных элементов и вплоть до 1% неизбежных элементов, присутствующих в следовых количествах; и второго элемента, выбранного из Si, B, Ge, Pd, Cd, In, Sb, Tl, Pb, Ag, Bi, в котором атомный процент упомянутого первого элемента составляет:
от 65 до 98%, если упомянутый второй элемент выбран из Si, Ge, Pd, Cd, In, Sb, Tl, Pb, Bi;
- от 50 до 98%, если упомянутый второй элемент представляет собой Ag, или
- от 30 до 98%, если упомянутый второй элемент представляет собой B;
и в котором баланс достигается за счет второго элемента.
2. Способ по п.1, в котором упомянутый сплав нагревают до температуры, равной 100°C или выше.
3. Способ по п.1, в котором атомный процент второго элемента составляет, по меньшей мере, 5%.
4. Способ по п.1, в котором атомный процент второго элемента составляет, по меньшей мере, 8%.
5. Способ по п.1, в котором упомянутый геттерный сплав присутствует в форме тонкой пленки.
6. Способ по п.5, в котором упомянутую пленку получают путем напыления или электронно-лучевого распыления.
7. Способ по п.1, в котором упомянутый неиспаряемый геттерный сплав размещают в системе газоочистки.
8. Способ по п.1, в котором упомянутый геттерный сплав применяют в геттерных насосах.
9. Устройство, чувствительное к водороду, отличающееся тем, что водород удаляется с помощью неиспаряемого геттерного сплава, состоящего из первого элемента, содержащего, по меньшей мере, 99 атомн.% иттрия или смеси на основе иттрия, содержащей, по меньшей мере, 95 атомн.% иттрия, вплоть до 4% редкоземельных элементов и вплоть до 1% других элементов; и второго элемента, выбранного из Si, B, Ge, Pd, Cd, In, Sb, Tl, Pb, Bi, Ag, в котором атомный процент упомянутого первого элемента составляет:
- от 65 до 98% в том случае, когда упомянутый второй элемент выбран из Si, Ge, Pd, Cd, In, Sb, Tl, Pb, Bi;
- от 50 до 98% в том случае, когда упомянутый второй элемент представляет собой Ag; или
- от 30 до 98% в том случае, когда упомянутый второй элемент представляет собой B;
и в котором баланс достигается за счет второго элемента.
10. Устройство, чувствительное к водороду, по п.9, в котором упомянутое устройство представляет собой солнечный коллектор.
11. Солнечный коллектор по п.10, в котором упомянутый второй элемент представляет собой кремний или сурьму.
12. Устройство, чувствительное к водороду, по п.9, в котором упомянутое устройство представляет собой осветительную лампу.
13. Лампа по п.12, в которой упомянутый второй элемент выбран из Si, B, Ge.
14. Устройство, чувствительное к водороду, по п.9, в котором упомянутое устройство представляет собой геттерный насос.
15. Насос по п.14, в котором упомянутый второй элемент выбран из Si, Sb, Bi.