СИЛИКОН-ЭПОКСИДНЫЕ СМОЛЫ, ОТВЕРЖДАЕМЫЕ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ИЗЛУЧЕНИЯ

1. Способ получения отверждаемой под воздействием излучения силикон-эпоксидной смолы, включающий стадии:
a. поликонденсации по меньшей мере одной алкокси-функциональной силиконовой смолы с по меньшей мере частью первичных или вторичных гидроксильных групп циклоалифатической или ароматической эпоксидной смолы и
b. последующего осуществления реакции непрореагировавших оксирановых групп эпоксидной смолы, присоединенной к силиконовой смоле, по меньшей мере с одной ненасыщенной карбоновой кислотой.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что алкокси-функциональная силиконовая смола характеризуется формулой:
1
3
3
где R представляет собой алкил-, арил-, алкокси-, HO-, (R)SiO-;
2
R представляет собой H-, алкил-, арил-;
3
R представляет собой алкил-, арил-, алкокси-, HO-;
1
3
2
и n составляет более 1, при условии, что по меньшей мере один из радикалов R или R представляет собой гидроксильную или алкоксигруппу, предпочтительно алкоксигруппу, и/или предпочтительно или по меньшей мере один из радикалов R представляет собой алкильную группу или водород, предпочтительно алкильную группу.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что n составляет от 4 до 70.
n
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что она характеризуется среднечисленной молекулярной массой M от 300 до 5100 г/моль.
1
2
6
5
3
2
5
5. Способ по любому из пп. 2-4, отличающийся тем, что R представляет собой –CH или -CH, и R представляет собой -CH или -CH.
6. Способ по любому из пп. 1-5, отличающийся тем, что содержание алкоксигрупп в силиконовой смоле составляет 5-30 вес. %.
7. Способ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что эпоксидная смола представляет собой диглицидиловый эфир BPA, гидрированного по кольцу.
8. Способ по любому из пп. 1-7, отличающийся тем, что карбоновая кислота представляет собой акриловую кислоту или метакриловую кислоту.
9. Силикон-эпоксидная смола, получаемая с помощью способа по любому из пп. 1-8.
10. Силикон-эпоксидная смола по п. 9, отличающаяся тем, что она характеризуется общей формулой (IIb):
1
2
1
2
где R представляет собой одинаковые или различные линейные или разветвленные алкильные радикалы, содержащие от 1 до 18 атомов C, n составляет от 4 до 70, n составляет от 4 до 70, и сумма n из n и n составляет от 4 до 70, и при этом m составляет от 1 до 20.
11. Композиция для нанесения покрытия, содержащая силикон-эпоксидную смолу по любому из пп. 9 и 10 или полученная по любому из пп. 1-8.
12. Композиция для нанесения покрытия по п. 11, содержащая по меньшей мере один растворитель, выбранный из группы сложных эфиров, кетонов, ароматических соединений и спиртов.
13. Композиция для нанесения покрытия по п. 11 или 12, содержащая по меньшей мере один радикал-образующий фотоинициатор.
14. Применение композиции для нанесения покрытия по любому из пп. 11-13 для получения защитных слоев или диэлектрических слоев в полупроводниковых элементах.