СВЕТОДИОД-ЛАМПА

1. Светодиод (A), выполненный в виде устройства, по крайней мере, соответствующего габаритам, направлениям излучения, напряжению подключения к электрической цепи/сети, устройству ответных частей коммутационных устройств, по крайней мере, одного, электросветового устройства (B), выбираемого из группы (C), в которую входит, по крайней мере, один светодиод, выполненный любым известным из уровня техники способом, представляет собой техническую систему (D), под которой понимается система взаимодействующих между собой материальных объектов, которые совершают в определенном порядке действия над внешними объектами и друг над другом для обеспечения реализации, по крайней мере, одной полезной функции светодиода (E), выбираемой из группы полезных функций (F), состоящей из функции излучения светового потока, функции управления интенсивностью излучаемого светового потока, функции управления спектром излучения светового потока, состоящую из, по крайней мере, одного коммутирующего устройства (G), выбираемого из группы устройств (Н), в которую входит, по крайней мере, одно устройство коммутации с надсистемой (I), где надсистема (J) представляет собой систему, включающую элементы окружающей среды, в которую техническая система (D) светодиода (A), входит в качестве компонента, которое обеспечивает подключение, по крайней мере, одной электрической цепи светодиода (A) к электрической цепи надсистемы (J), выбираемое из группы (K), состоящей из выполненных любым известным из уровня техники способом, устройств, соответствующих по установочным размерам, наличию и расположению электрических контактов светодиодов в надсистеме (J), по крайней мере, одного монтажного проводника (L), выбираемого из группы (M) устройств монтажных проводников, но не ограничиваемого ею, состоящую из, по крайней мере, одного соединительного, электропроводящего материал (N), выбираемого из группы (O), но не ограничиваемый ею: клей электропроводящий, припой, эвтектика известный из уровня техники, и/или по крайней мере, одного соединительного провода (P), выбираемый из группы (Q), но не ограничиваемый ею: проволока металлическая, например одножильная, например золотая, например алюминиевая, например медная, и/или пленочный проводник (R), выбираемый из группы (S), но не ограничиваемый ею печатный проводник, напыленный проводник, и/или по крайней мере, одного устройства для монтажа (T), выбираемого из группы монтажных устройств (U), включающей в себя корпус (V), подложку для чипов (W) и/или, по крайней мере, одного оптико-защитного устройства (X), выполненного любым известным из уровня техники способом, выбираемого из группы (Y), которая включает в себя линзу (Z), выполненный любым известным из уровня техники способом, промежуточную оптическую среду (АА), представляющую собой, по крайней мере, один любой известный из уровня техники материала оптически прозрачный твердый материал, например упругий материал, заполняющий пространство между линзой (Z) и корпусом (V), например силикон (ВВ), выполненный любым известным из уровня техники способом, и/или по крайней мере, одного теплопередающего устройства (CC), выбираемого из группы устройств (DD), включающей в себя выполненное любым известным способом из уровня техники, по крайней мере, одно специализированное теплоотводящее устройство (EE), выбираемое из группы специальных устройств, (FF), предназначенных для вывода избыточного тепла, вырабатываемого в светодиоде (A), за пределы светодиода (A), включающей в себя, по крайней мере, одно теплоотводящее устройство, внутри которого отвод тепла от одной его части устройства к другой части осуществляется любым известным из уровня техники способом, например фазовый переход и/или гравитационную конвекцию, например и/или принудительное перемещение теплоносителя, теплоотводящее устройство, использующее термоэлектрический эффект, например эффект Пельтье и/или эффект Томсона, теплоотводящее, использующее эффект теплопроводности, и, по крайней мере, один теплопроводящий элемент (GG) светодиода (A), для которого функция теплопередачи вторична, выбираемого из группы (НН), включающей в себя, по крайней мере, одно коммутирующее устройство (G) и/или устройство для монтажа (T), и/или линзу (Z), и/или промежуточная оптическая среда (АА), и/или, по крайней мере, одного устройства преобразования (II), выбираемого из группы устройств преобразования (JJ), состоящей, из, по крайней мере, одного устройства преобразования электрической энергии в световую (KK), выбираемого из группы (LL), в которую входит, по крайней мере, один выполненный любым известным из уровня техники способом, чип (MM), представляющий собой твердотельный полупроводниковый прибор, состоящий из, по крайней мере, частично, монокристаллических структур, формируемых любым известным из уровня техники способом, например методом эпитаксии, в виде совокупности слоев подложки кристалла (NN), буферного слоя, активных гетероструктур, токораспределительных дорожек и соединенных с ними контактных площадок чипа (OO) для подключения проводников, выполненный в виде призмы, по крайней мере, в виде параллелепипеда с габаритными размерами: длина, ширина и высота, где высота измеряется по направлению, соответствующему направлению роста эпитаксиальных слоев чипа на подложке кристалла, в котором при прохождении электрического тока чипа (РР) через кристалл от подложки кристалла к верхнему слою чипа, или наоборот, в активных гетероструктурах формируется оптическое излучение (QQ) чипа, с, по крайней мере, одной длиной волны, обусловленной свойством материалов чипа, которое выходит из чипа через, по крайней мере, одну грань чипа, по крайней мере, одного устройства преобразования световой энергии в световую энергию (RR), выбираемого из группы (SS), состоящей из выполненного любым известным из уровня техники способом, в виде, по крайней мере, частицы люминофора (ТТ) материала, обладающего способностью преобразования, по крайней мере, части падающего на него электромагнитного излучения со спектром, из, по крайней мере, одной длины волны, в поток электромагнитного излучения со спектром излучения, из, по крайней мере, одной длины волны, отличающегося от спектра излучения, падающего на люминофор, размещенного любым известным из уровня техники способом на, по крайней мере, одном устройстве, выбираемом из группы (UU), которая включает в себя, по крайней мере, одно оптико-защитное устройство (X) и устройство преобразования электрической энергии в световую (KK), в которой, по крайней мере, одно электропроводящее устройство (VV), выбираемое из группы (WW), включающей в себя устройства из группы (Н), группы (DD), группы (U), группы (ККК), группы (LL), образует, по крайней мере, одну группу (ZZ), представляющую собой, по крайней мере, одну электрическую цепь, через которую проходит, по крайней мере, один электрический ток (XX), выбираемый из группы (YY), токов электропроводящих устройств (VV), включающей в себя группу токов (AAA), состоящей, из, по крайней мере, одного тока, проходящего через, по крайней мере, одно устройство из группы (H), группу токов (ВВВ), состоящей, из, по крайней мере, одного тока, проходящего через, по крайней мере, одно устройство из группы (DD), группу токов (ССС), состоящей, из, по крайней мере, одного тока, проходящего через, по крайней мере, одно устройство из группы (U), группу токов (DDD), состоящей, из, по крайней мере, одного тока, проходящего через, по крайней мере, одно устройство из группы (ККК), группу токов (ЕЕЕ), состоящей, из, по крайней мере, одного тока, проходящего через, по крайней мере, одно устройство из группы (LL), отличающееся тем, что в светодиоде (A) присутствует, по крайней мере, одно устройство, выбираемое из группы (ККК), состоящей из, по крайней мере, одного устройства преобразования электрической энергии в электрическую энергию, выполненного любым известным из уровня техники способом, обеспечивающего, по крайней мере, согласование электрического напряжения, присутствующего в надсистеме, например, переменного, и подаваемое в светодиод (A) через, по крайней мере, одно коммутирующее устройство (G), с электрическим напряжением, необходимым для обеспечения выполнения функций, по крайней мере, одного устройства полезной нагрузки (LLL), являющегося полезной электрической нагрузкой, выбираемого из группы (МММ) устройств полезной электрической нагрузки, состоящей из, по крайней мере, одного теплоотводящего устройства (EE), и/или устройства (КК) преобразования электрической энергии в энергию света, по крайней мере, одного управляющего устройства (NNN), выполненного любым способом, известным из уровня техники, преобразования управляющего сигнала (OOO), принимаемого любым известным из уровня техники способом от, по крайней мере, одного источника сигнала (РРР), выбираемого из группы (QQQ), состоящей из, по крайней мере, одного выполненного любым известным из уровня техники способом устройства ручного управления и/или датчика, например условий освещенности и/или цветовой баланс внутри светодиода (A) и/или, по крайней мере, одного внешнего управляющего сигнала, передаваемого любым известным из уровня техники способом.
2. Светодиод (A), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, отличающийся тем, что в светодиоде (A), по крайней мере, два чипа установлены, в, по крайней мере, двух различных плоскостях.
3. Чип светодиода (MM), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, отличающийся тем, что он выполнен в виде чипа-полосы ((UUU)), у которого длина в разы, по крайней мере, в два, и далее без ограничения превышает ширину чипа, например в 10 раз, например в 100 раз.
4. Светодиод (A), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, отличающийся тем, что промежуточная оптическая среда (АА), определение которой дано в п.1 является оптически прозрачным теплоносителем (VVV), представляющим собой, например, жидкое, по крайней мере, частично, например, включающее в себя твердые фрагменты, например люминофора (ТТ), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, и/или светоотражающих частиц (XXX), тело, по крайней мере, частично оптически прозрачное, по крайней мере, в диапазоне излучения по крайней мере, одного чипа (MM), определение которого дано в п.1, и/или, по крайней мере, одной частицы люминофора (ТТ), охлаждает, по крайней мере, частично поверхность, по крайней мере, одного чипа (MM), с которым она контактирует, и переносит тепло, двигаясь, по крайней мере, внутри пространства между корпусом (V), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, и линзой (Z), определение которой дано в п.1 настоящей формулы, от чипа (MM) к, по крайней мере, одному устройству (EE), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, под действием эффекта гравитационной конвекции и/или под воздействием, по крайней мере, одного движителя, выполненного любым известным из уровня техники способом, приводимого в движение, например электрическим током, например проходящим, по крайней мере, через один чип (ММ), для защиты, по крайней мере, корпуса (V) от взрыва, например, при внешнем увеличении температуры, например, при пожаре, например, в корпус (V) или линзу (Z) встраивают защитный клапан, выполненный любым способом, известным из уровня техники.
5. Светодиод (A), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, отличающийся тем, что подложка для чипов (W), определение которой дано в п.1 настоящей формулы, выполнена в виде теплорассеивающей подложки (YYY), представляющей собой фрагмент теплопроводного материала с любой геометрией, например в виде плоской пластины, площадь которого многократно превосходит площадь чипа светодиода (MM), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, у которой непосредственный тепловой контакт с устройством (EE), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, отсутствует, и/или, по крайней мере, недостаточен, для отведения большей части тепла, вырабатываемого, по крайней мере, одним чипом (MM), установленным на теплорассеивающей подложке (YYY).
6. Светодиод (A), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, отличающийся тем, что подложка для чипов (W), определение которой дано в п.1 настоящей формулы, выполнена в, по крайней мере, одной контактной площадки (АААА), представляющей собой устройство в виде электропроводящего, по крайней мере, фрагмента, поверхности какого-либо устройства конструкции светодиода (A), например металлизированный фрагмент, предназначенный для подключения к нему любым известным из уровня техники способом, по крайней мере, одного электропроводящего устройства, выбираемого из группы: монтажный проводник (L), определение которого в п.1 настоящей формулы, контактная площадка чипа (OO), определение которой дано в п.1 настоящей формулы, которая может быть расположена на любом элементе конструкции светодиода (A) и быть, например, электрически связанной с этим элементом конструкции, во внутреннем пространстве светодиода (A), например, на теплоотводящем устройстве (EE), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, и/или корпусе (V), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, и/или линзе (Z), определение которой дано в п.1 настоящей формулы, или на специальной пространственно-объемной несущей поверхности группы чипов (ZZZ), представляющих собой пространственно-объемную фигуру и/или ее фрагмент, выбираемую из группы, но не ограничиваемый ею: призма, цилиндр, трубка, конус, винтовая поверхность, спираль, поверхность которого, может быть, например, сплошной или с разрывами, например в виде решетки, выполненную любым известным из уровня техники способом, из диэлектрического, например оптически прозрачного материала, и/или электропроводящего материала, у которой непосредственный тепловой контакт с устройством (EE), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, отсутствует, и/или, по крайней мере, недостаточен, для отведения через контактную площадку (AAAA) к устройству (EE), его, по крайней мере, большей части тепла, вырабатываемого, по крайней мере, одним чипом (ММ), установленным на контактной площадке (AAAA).
7. Светодиод (A), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, отличающийся тем, что подложка для чипов (W), определение которой дано в п.1 настоящей формулы, выполнена в виде теплорассеивающей подложки (YYY), представляющей собой фрагмент теплопроводного материала с любой геометрией, например, в виде плоской пластины, площадь которого многократно превосходит площадь чипа светодиода (ММ), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, у которой непосредственный тепловой контакт с устройством (EE), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, отсутствует, и/или, по крайней мере, недостаточен, для отведения большей части тепла, вырабатываемого, по крайней мере, одним чипом (MM), установленным на теплорассеивающей подложке (YYY).
8. Светодиод (A), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, отличающийся тем, что вместо чипа светодиода (MM), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, в светодиоде (A) размещается пространственно-скрепленная группа чипов (BBBB), представляющего собой устройство, состоящее из, по крайней мере, двух последовательно соединенных чипов светодиода (MM), между которыми может располагаться, по крайней мере, один диэлектрический материал, эластичный и/или неэластичный, выбираемый из группы, но не ограничиваемый ею: электроизолирующий адгезив, изоляционный материал, и/или электропроводящий материал, выбираемые из группы, но не ограничиваемые ею: электропроводящий адгезив, электропроводящая резина, припой, эвтектика, и/или, по крайней мере, одно устройство, известное из уровня техники и выбираемое из группы, но не ограничиваемое указанной группой: монтажный проводник (L), определение которого в п.1 настоящей формулы, электромеханическое коммутирующие устройство, устройство механического крепления, электронное устройство, например, изменяющее проводимость, например, под воздействием внешнего управляющего сигнала, которые обеспечивают последовательное механическое соединение группы чипов светодиода (MM) в пространственную фигуру, например, в, по крайней мере, одну прямую, например в виде отрезка и/или кривую линию, например в виде фрагмента винтовой линии, и/или объединения линий, например в виде пространственной решетки, например в форме линейной и/или нелинейной поверхности, потоки оптического излучения, по крайней мере, двух чипов светодиода (MM), находящиеся, например в одной линии, могут быть ориентированы в, по крайней мере, два различных направления пространства, по крайней мере, два чипа, например, находящихся в одной пространственной линии и располагающихся в ней друг за другом, могут образовывать между собой, по крайней мере, одну электрическую цепь, например параллельную и/или последовательную, через которую может проходить, по крайней мере, часть электрического тока (XX), определение которого в п.1 настоящей формулы, которая входит/выходит по крайней мере, через одну контактную площадку, по крайней мере, одного чипа светодиода (MM), и/или, контактную площадку, например в виде фрагмента поверхности, по крайней мере, одного электропроводящего элемента, являющегося элементом пространственно-скрепленной группы чипов (ВВВВ), находящегося в электрическом контакте и/или в, по крайней мере, одной электрической цепи с, по крайней мере, одним чипом светодиода (MM).
9. Способ соединения пространственно-скрепленной группы чипов (ВВВВ), определение которой дано в п.8, состоящей из, по крайней мере, двух чипов светодиода (MM), определение которого дано в п.1 настоящей формулы, осуществляемый любым известным из уровня техники способом из готовых, сформированных чипов светодиода (ММ), отличающийся тем, что сначала формируется заготовка в виде сэндвич-блока (СССС), представляющая собой, по крайней мере, две или более соединенных между собой любым известным из уровня техники способом, по крайней мере, фрагменты (DDDD) подложек со сформированными светодиодными структурами, которые могут генерировать оптическое излучение с различными длинами волн, но не разделенных на отдельные чипы, расположенные, например, параллельно, пространство между которыми может быть заполнено, по крайней мере, одним слоем эластичного и/или неэластичного материала, выбираемого из группы: диэлектрик, полупроводник, проводник, например не изменяющего свои свойства в процессе резки, и/или выполненное из него любое, известное из уровня техники устройство, которое при разрезании может быть разделено на фрагменты, например без нарушения его работоспособности, например устройство в виде плоского разъемного механического крепления, например в виде пластин с расположенными на их, по крайней мере, соприкасающихся поверхностях множествами устройств для обеспечения крепления, например неразъемного, пластин друг к другу, например гибкого, или устройства, например представляющего собой распределенную сеть проводников, например не изменяющих свои свойства, например в процессе резки, например металлическая сетка или перфорированный металлический лист, обеспечивающего, например гибкое электрическое соединение между соседними слоями и/или, например изменяющих свои свойства, например по электрической проводимости, под любым известным из уровня техники воздействием, например в виде электрического сигнала, например подаваемого через ток светодиода, и/или физического воздействия, например воздействия магнитным полем, например твердотельное полупроводниковое устройство, состоящих из равномерно распределенных в слое полупроводникового материала, сети параллельных элементов, например электронных ключей и управляющих элементов электронных ключей, чувствительных к внешнему воздействию, способных закрывать и открывать электронные ключи, а затем осуществляется резка сэндвич-блока (СССС) любым известным из уровня техники способом, в направлении, например неперпендикулярном к плоскости поверхности, по крайней мере, одного фрагмента (DDDD), например на полосы, состоящие из скрепленных между собой и электрически например связанных между собой чипов светодиода (MM), например в одну электрическую цепь, или в виде нескольких электрических цепей.