СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ЭФФЕКТОМ ФАЗОВОЙ ПАМЯТИ

2
4
2
2
5
Способ получения аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти, включающий вакуумно-термическое испарение взрывного типа системы тройных теллуридов германия и сурьмы Ge-Sb-Те, отличающийся тем, что в качестве халькогенидного материала используют смесь стехиометрических составов GeSbTe и GeSbTe (1:1), прошедшую перед напылением механическую активацию, и осаждение ведут на алюминиевый слой в едином технологическом цикле.