СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Способ изготовления солнечного элемента путем формирования р-n-перехода в полупроводниковой подложке, причем способ включает следующие операции:
наносят на указанную подложку покрытие из содержащего допант материала и осуществляют термодиффузионное легирование из паровой фазы для формирования одновременно первого диффузионного слоя в области, на которую нанесено покрытие, и второго диффузионного слоя, образованного смежно с первым диффузионным слоем путем термодиффузионного легирования из паровой фазы и имеющего меньшую проводимость, чем проводимость первого диффузионного слоя.
2. Способ изготовления солнечного элемента путем формирования р-n-перехода в полупроводниковой подложке, имеющей первый тип проводимости, причем способ включает следующие операции:
наносят на указанную подложку покрытие из содержащего допант материала и осуществляют термодиффузионное легирование из паровой фазы для формирования одновременно второго диффузионного слоя в области, на которую нанесено покрытие, и первого диффузионного слоя, образованного смежно со вторым диффузионным слоем путем термодиффузионного легирования из паровой фазы и имеющего большую проводимость, чем проводимость второго диффузионного слоя.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что материал указанного покрытия содержит соединение кремния.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что материал указанного покрытия содержит соединение кремния.
5. Способ по п.3, отличающийся тем, что соединение кремния представляет собой силикатный гель или прекурсор оксида кремния.
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что соединение кремния представляет собой силикатный гель или прекурсор оксида кремния.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что поверх указанного покрытия наносят дополнительное покрытие, после чего осуществляют термодиффузионное легирование.
8. Способ по п.2, отличающийся тем, что поверх указанного покрытия наносят дополнительное покрытие, после чего осуществляют термодиффузионное легирование.
9. Способ по п.3, отличающийся тем, что поверх указанного покрытия наносят дополнительное покрытие, после чего осуществляют термодиффузионное легирование.
10. Способ по п.4, отличающийся тем, что поверх указанного покрытия наносят дополнительное покрытие, после чего осуществляют термодиффузионное легирование.
11. Способ по п.5, отличающийся тем, что поверх указанного покрытия наносят дополнительное покрытие, после чего осуществляют термодиффузионное легирование.
12. Способ по п.6, отличающийся тем, что поверх указанного покрытия наносят дополнительное покрытие, после чего осуществляют термодиффузионное легирование.
13. Способ по любому из пп.1-12, отличающийся тем, что поверхность диффузионного слоя, сформированного посредством термодиффузионного легирования, подвергают травлению.
14. Способ по любому из пп.1-12, отличающийся тем, что поверхность диффузионного слоя, сформированного посредством термодиффузионного легирования, подвергают окислению.
15. Способ по п.13, отличающийся тем, что поверхность диффузионного слоя, сформированного посредством термодиффузионного легирования, подвергают окислению.
16. Способ по любому из пп.1-12, отличающийся тем, что первый диффузионный слой и второй диффузионный слой формируют на светоприемной и/или тыльной стороне полупроводниковой подложки.
17. Способ по п.13, отличающийся тем, что первый диффузионный слой и второй диффузионный слой формируют на светоприемной и/или тыльной стороне полупроводниковой подложки.
18. Способ по п.14, отличающийся тем, что первый диффузионный слой и второй диффузионный слой формируют на светоприемной и/или тыльной стороне полупроводниковой подложки.
19. Способ по п.15, отличающийся тем, что первый диффузионный слой и второй диффузионный слой формируют на светоприемной и/или тыльной стороне полупроводниковой подложки.
20. Солнечный элемент, изготовленный способом в соответствии с любым из пп.1-12 и содержащий
первый диффузионный слой, имеющий проводимость противоположного типа по отношению к типу проводимости полупроводниковой подложки, и
второй диффузионный слой, имеющий меньшую проводимость, чем проводимость первого диффузионного слоя, при этом
первый диффузионный слой и второй диффузионный слой сформированы на светоприемной поверхности полупроводниковой подложки.
21. Солнечный элемент по п.21, отличающийся тем, что дополнительно содержит диффузионный слой, сформированный на тыльной стороне подложки и имеющий проводимость типа, совпадающего с типом проводимости подложки.