УСТРОЙСТВА, ОСНОВАННЫЕ НА ИЗБИРАТЕЛЬНО ЭПИТАКСИАЛЬНО ВЫРАЩЕННЫХ МАТЕРИАЛАХ III-V ГРУПП

1. Способ изготовления устройства на основе материала III-V групп, включающий этапы, на которых:
на кремниевую подложку наносят первый буферный слой на основе материала III-V групп;
на первый буферный слой на основе материала III-V групп наносят второй буферный слой на основе материала III-V групп; и
на второй буферный слой на основе материала III-V групп наносят слой канала устройства на основе материала III-V групп.
2. Способ по п. 1, в котором второй буферный слой на основе материала III-V групп имеет параметр решетки, соответствующий параметру решетки слоя канала устройства на основе материала III-V групп.
3. Способ по п. 1, в котором первый буферный слой на основе материала III-V групп имеет параметр решетки, лежащий в диапазоне между параметрами решеток кремниевой подложки и слоя канала устройства на основе материала III-V групп.
4. Способ по п. 1, дополнительно включающий этап, на котором:
на слой канала устройства на основе материала III-V групп наносят верхний защитный слой.
5. Способ по п. 1, дополнительно включающий этап, на котором:
в изолирующем слое на подложке формируют канавку, в которую наносят первый слой на основе материала III-V групп.
6. Способ по п. 1, дополнительно включающий этап, на котором:
формируют ребро, содержащее слой канала устройства на основе материала III-V групп на втором буферном слое на основе материала III-V групп на участке первого буферного слоя на основе материала III-V групп, и
на ребро наносят слой диэлектрика затвора.
7. Способ по п. 1, дополнительно включающий этап, на котором:
на слой канала устройства на основе материала III-V групп наносят легированный слой материала III-V групп.
8. Устройство на основе материала III-V групп, содержащее:
первый буферный слой на основе материала III-V групп на кремниевой подложке;
второй буферный слой на основе материала III-V групп на первом буферном слое на основе материала III-V групп; и
слой канала устройства на основе материала III-V групп на втором буферном слое на основе материала III-V групп.
9. Устройство на основе материала III-V групп по п. 8, в котором второй буферный слой на основе материала III-V групп имеет параметр решетки, соответствующий параметру решетки слоя канала устройства на основе материала III-V групп.
10. Устройство на основе материала III-V групп по п. 8, в котором первый буферный слой на основе материала III-V групп имеет параметр решетки, лежащий в диапазоне между параметрами решеток кремниевой подложки и слоя канала устройства на основе материала III-V групп.
11. Устройство на основе материала III-V групп по п. 8, в котором:
на слое канала устройства на основе материала III-V групп осажден слой верхнего защитного слоя.
12. Устройство на основе материала III-V групп по п. 8, дополнительно содержащее изолирующий слой на подложке, причем первый слой на основе материала III-V групп осаждают в канавке в изолирующем слое.
13. Устройство на основе материала III-V групп по п. 8, в котором:
сформировано ребро из слоя канала устройства на основе материала III-V групп, второго буферного слоя на основе материала III-V групп; и первого буферного слоя на основе материала III-V групп.
14. Устройство на основе материала III-V групп по п. 8, дополнительно содержащее слой на основе легированного материала III-V групп поверх участка слоя канала устройства на основе материала III-V групп.
15. Устройство на основе материала III-V групп по п. 8, в котором концентрация индия в слое канала устройства на основе материала III-V групп составляет по меньшей мере 53%.
16. Способ изготовления электронного устройства, включающий этапы, на которых:
в канавку в изолирующем слое на подложке наносят первый буферный слой;
на первый буферный слой наносят второй буферный слой; и
на второй буферный слой наносят устройство, где второй буферный слой имеет параметр решетки, соответствующий параметру решетки слоя канала устройства.
17. Способ по п. 16, в котором первый буферный слой имеет параметр решетки, лежащий в диапазоне между параметрами решеток подложки и слоя канала устройства.
18. Способ по п. 16, в котором по меньшей мере один из первого буферного слоя, второго буферного слоя и слоя канала устройства является слоем на основе материала III-V групп, и подложка является кремниевой подложкой.
19. Способ по п. 16, в котором на слой устройства наносят верхний защитный слой.
20. Способ по п. 16, в котором по меньшей мере один из первого буферного слоя на основе материала III-V групп; второго буферного слоя на основе материала III-V групп, и слоя канала устройства на основе материала III-V групп осаждают, используя химическое осаждение из паровой фазы.