СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С САМОСОВМЕЩЕННЫМ ЗАТВОРОМ СУБМИКРОННОЙ ДЛИНЫ

1. Способ изготовления GaAs полевых транзисторов с самосовмещенным затвором субмикронной длины, предусматривающий создание канала n-типа путем ионного легирования полуизолирующих подложек арсенида галлия однозарядными ионами кремния, осаждение диэлектрических слоев оксида кремния, различных по составу и скорости жидкостного травления, формирование многослойного диэлектрического макета затвора посредством реактивного ионного травления диэлектрических слоев, последующее жидкостное химическое травление столбика макета, ионное легирование контактных областей стока и истока с использованием макета затвора в качестве элемента самосовмещения, высокотемпературный активационный отжиг, планаризацию поверхности фоторезистом, реактивное ионное травление фоторезиста, замену многослойного диэлектрического макета на металлический затвор, создание омических контактов, отличающийся тем, что осаждается четыре слоя оксида кремния различных по составу и с различной скоростью жидкостного травления, при этом слои с большей и меньшей скоростью жидкостного травления чередуются, формирование многослойного диэлектрического макета затвора производится реактивно-ионным травлением диэлектрических слоев таким образом, что часть толщины первого слоя диэлектрика остается на поверхности, жидкостное химическое травление столбика производится с одновременным удалением оставленной части первого слоя, а ионное легирование контактных областей истока и стока производится с помощью двух наклонных имплантаций.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что энергии ионов первой и второй наклонной имплантации различны.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что дозы легирования ионов первой и второй наклонной имплантации различны.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что углы наклонов пучка ионов первой и второй наклонной имплантации различны.