УСТАНОВОЧНЫЙ СЛОЙ ДЛЯ ОХЛАЖДАЮЩЕЙ СТРУКТУРЫ

1. Установочный слой (200) для установки по меньшей мере двух светоизлучающих полупроводниковых устройств, причем установочный слой (200) содержит лист материала, при этом установочный слой (200) дополнительно содержит угловой выступ (205) и краевой выступ (210) для выравнивания установочного слоя (200) с охлаждающей структурой (100), причем установочный слой (200) дополнительно содержит выравнивающие отверстия (215), определяющие установочные области (270) для установки светоизлучающего полупроводникового устройства, при этом материал выполнен с возможностью непосредственного присоединения или сварки к охлаждающей структуре (100).
2. Установочный слой (200) по п. 1, в котором материал установочного слоя (200) или покрытие сверху установочного слоя (200) подходит для присоединения пайкой светоизлучающих полупроводниковых устройств.
3. Установочный слой (200) по п. 1 или 2, в котором материал установочного слоя характеризуется удельной теплопроводностью выше 10 Вт/(м⋅K).
4. Установочный слой (200) по п. 1 или 2, в котором установочный слой имеет толщину между 50 мкм и 600 мкм.
5. Установочный слой (200) по п. 2, при этом установочный слой дополнительно содержит барьерный припойный резервуар (220), скомпонованный таким образом, чтобы уменьшить растекание избыточного припоя между смежными установочными областями (270).
6. Установочный слой (200) по п. 2, при этом установочный слой дополнительно содержит припойный резервуар (225), скомпонованный в области установочных областей (270).
7. Охлаждающая структура (100), содержащая охлаждающее тело, присоединенное к установочному слою по п. 1 или 2.
8. Охлаждающая структура (100) по п. 7, которая является μ-канальным охлаждающим устройством (100).
9. Светоизлучающая структура, содержащая охлаждающую структуру (100) по п. 7 или 8 и по меньшей мере два светоизлучающих полупроводниковых устройства.
10. Светоизлучающая структура по п. 9, в которой светоизлучающие полупроводниковые устройства являются полупроводниковыми лазерами.
11. Способ изготовления установочного слоя (200) для установки светоизлучающего полупроводникового устройства, причем этот способ содержит этапы, на которых
- обеспечивают лист материала, причем материал выполнен с возможностью непосредственного присоединения или сварки к охлаждающей структуре (100)
- обеспечивают угловой выступ (205) и краевой выступ (210) в листе материала для выравнивания установочного слоя (200) с охлаждающим телом упомянутой охлаждающей структуры (100), и
- обеспечивают выравнивающие отверстия (215), определяющие установочные области (270) в листе материала для установки светоизлучающего полупроводникового устройства.
12. Способ по п. 11, содержащий дополнительный этап обеспечения барьерного припойного резервуара (220) в листе материала, размещенного таким образом, чтобы уменьшить растекание избыточного припоя между смежными установочными областями (270).
13. Способ по п. 11 или 12, содержащий дополнительный этап обеспечения припойного резервуара (225), размещенного в области установочных областей (270).
14. Способ изготовления охлаждающей структуры (100), содержащий этапы, на которых
- обеспечивают охлаждающее тело, и
- присоединяют установочный слой (200) по п. 1 или 2 к охлаждающему телу.
15. Способ изготовления светоизлучающей структуры, содержащий этапы, на которых
- обеспечивают охлаждающую структуру (100) по п. 7 или 8, и
- прикрепляют на установочные области (270) по меньшей мере два светоизлучающих полупроводниковых устройства.