ОТРАЖАЮЩИЙ КОНТАКТ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

1. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее:
полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, размещенный между областью n-типа и областью p-типа;
p-электрод, размещенный на части области p-типа, причем p-электрод содержит:
отражающий первый материал в непосредственном контакте с первой частью области p-типа; и
второй материал в непосредственном контакте со второй частью области p-типа, соседней с первой частью;
при этом первый материал и второй материал представляют собой плоские слои по существу одинаковой толщины.
2. Устройство по п.1, в котором первый материал содержит серебро.
3. Устройство по п.1, в котором второй материал содержит алюминий.
2
3
2
4. Устройство по п.1, в котором второй материал содержит одно из алюминиевого сплава, пакета алюминий-металл, AlTi, двойного слоя AlO/Al и двойного слоя SiO/Al.
5. Устройство по п.1, в котором p-электрод дополнительно содержит третий материал поверх первого и второго материала, при этом третий материал выполнен с возможностью предотвращения миграции первого материала.
6. Устройство по п.5, в котором третий материал содержит титан и вольфрам.
7. Устройство по п.1, в котором
часть области p-типа и светоизлучающего слоя вытравлены для обнажения части области n-типа;
остальная часть области p-типа образует мезаструктуру; и
второй материал размещен между первым материалом и краем мезаструктуры.
8. Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего устройства, содержащий:
выращивание полупроводниковой структуры, содержащей светоизлучающий слой, размещенный между областью n-типа и областью p-типа;
формирование отражающего первого материала на области p-типа;
формирование слоя резиста на отражающем первом материале;
формирование рисунка слоя резиста для образования отверстия в слое резиста;
удаление части отражающего первого материала, соответствующей отверстию в слое резиста;
формирование второго материала на остальной части слоя резиста и части области p-типа, открытой в результате удаления части отражающего первого материала; и
удаление остальной части слоя резиста;
при этом как отражающий первый материал, так и второй материал содержат металл.
9. Способ по п.8, в котором первый материал и второй материал имеют по существу одинаковую толщину.
10. Способ по п.8, в котором первый материал содержит серебро.
11. Способ по п.8, в котором второй материал содержит алюминий.
12. Способ по п.8, дополнительно содержащий формирование третьего материала на первом и втором материале, причем третий материал выполнен с возможностью предотвращения миграции первого материала.
13. Способ по п.12, в котором третий материал содержит титан и вольфрам.