СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПАНЕЛИ, СТЕКЛЯННАЯ ПОДЛОЖКА ДЛЯ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПАНЕЛИ И СОДЕРЖАЩАЯ ЕЕ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ
METHOD FOR MANUFACTURING OF LIQUID-CRYSTAL PANEL, GLASS SUBSTRATE FOR LIQUID-CRYSTAL PANEL AND LIQUID-CRYSTAL PANEL COMPRISING IT

Область техники
[0001] Настоящее изобретение относится к способу изготовления жидкокристаллической панели, включающему в себя этап разметки, посредством лазерной разметки, различных типов информации на разметочной площадке, предусмотренной на стеклянной подложке для жидкокристаллической панели, а также к стеклянной подложке для жидкокристаллической панели, включающей в себя разметочную площадку, имеющую область разметки, пригодную для лазерной разметки, а также к содержащей ее жидкокристаллической панели.
Уровень техники
[0002] В общем, жидкокристаллическая панель пригодна для использования в дисплее для жидкокристаллического телевизора или персонального компьютера, служащем устройством отображения, и в последние годы получила широкое применение. В жидкокристаллической панели, из-за необходимости в управлении в ходе производства или необходимости в обслуживании после отгрузки, размечаются различные типы информации, например серийная информация и информация о ее использовании. Лазерная разметка обычно хорошо подходит для этой разметки, и вышеописанные различные типы информации размечаются в процессе производства путем облучения стеклянной подложки для жидкокристаллической панели, которая входит в состав жидкокристаллической панели, лазерными лучами.
[0003] В качестве способа разметки различных типов информации в стеклянной подложке для жидкокристаллической панели с использованием лазерной разметки известны, например, способ разметки облучением пленки ITO (оксида индия-олова), сформированной на поверхности стеклянной подложки, лазерными лучами (см. выложенный патент Японии №6-51328 (патентный источник 1)), способ разметки облучением ориентирующей пленки, сформированной на поверхности стеклянной подложки, лазерными лучами (см. выложенный патент Японии №10-278422 (патентный источник 2)), способ разметки облучением металлической пленки, сформированной на поверхности стеклянной подложки, лазерными лучами, и пр.
[0004] Из них, в частности, в способе разметки облучением лазерными лучами металлической пленки, сформированной на поверхности стеклянной подложки, разметка обеспечивается в стеклянной подложке путем предусматривания разметочной площадки формированием металлической пленки на периферийном участке стеклянной подложки, не служащем участком жидкокристаллического дисплея, облучением этой разметочной площадки лазерными лучами и, таким образом, формированием сквозного отверстия на разметочной площадке. Заметим, что различные типы информации, размечаемые таким образом, размечаются в стеклянной подложке в виде двухмерного кода данных с информацией, представленной в виде матрицы данных, и эта информация считывается с использованием камеры, действующей по принципу отражения, и камеры, действующей по принципу пропускания.
Библиография
Патентные источники
[0005] PTL 1: Японская патентная публикация №6-51328
PTL 2: Японская патентная публикация №10-278422
Сущность изобретения
Техническая проблема
[0006] Рассматриваются следующие два типа последовательностей операций в случае, когда разметка обеспечивается путем облучения лазерными лучами металлической пленки, сформированной на стеклянной подложке для жидкокристаллической панели. Первая последовательность операций называется одноподложечным процессом и является последовательностью операций, в которой до связывания подложки TFT (тонкопленочных транзисторов), которая представляет собой снабжаемую разметкой стеклянную подложку, с подложкой CF (цветного фильтра), с которой был связан цветной фильтр, различные типы информации размечают путем непосредственного облучения лазерными лучами разметочной площадки, предусмотренной на подложке TFT, а затем подложку TFT и подложку CF связывают друг с другом. Вторая последовательность операций называется многоподложечным процессом и является последовательностью операций, в которой после связывания друг с другом подложки TFT и подложки CF различные типы информации размечают путем облучения лазерными лучами разметочной площадки, предусмотренной на подложке TFT, через подложку CF.
[0007] В случае применения вышеописанного одноподложечного процесса, поскольку разметочная площадка непосредственно облучается лазерными лучами, разрешение сформированной разметки (т.е. форма или размер сквозного отверстия, степень потемнения вокруг сквозного отверстия и пр.) может быть пригодно для считывания с помощью камеры, действующей по принципу пропускания, или камеры, действующей по принципу отражения.
[0008] С другой стороны, однако, поскольку в одноподложечном процессе процесс лазерной разметки требуется до связывания подложки TFT с подложкой CF, время цикла, необходимое для изготовления подложек TFT, увеличивается, что приводит к значительному дисбалансу между количеством изготовленных подложек TFT в единицу времени и количеством изготовленных подложек CF в единицу времени. Для решения этой проблемы необходимо либо вводить новые производственные мощности для увеличения количества изготовленных подложек TFT в единицу времени, либо приспосабливаться к скорости изготовления подложек TFT, намеренно снижая скорость изготовления подложек CF, что приводит к увеличению производственных затрат и необходимости в неэффективном регулировании производства.
[0009] Между прочим, поскольку в случае применения вышеописанного многоподложечного процесса разметочная площадка, предусмотренная на подложке TFT, облучается лазерными лучами через подложку CF, разрешение сформированной разметки ниже, чем в вышеописанном одноподложечном процессе, и может возникать ошибка чтения при считывании с помощью камеры, действующей по принципу пропускания, или камеры, действующей по принципу отражения.
[0010] Однако поскольку в случае применения многоподложечного процесса процесс лазерной разметки осуществляется после связывания подложки TFT с подложкой CF, вышеописанный дисбаланс в количестве изготовленных подложек TFT и подложки CF менее вероятен, что позволяет добиться более эффективного производства жидкокристаллических панелей.
[0011] Таким образом, если применяется вышеописанный многоподложечный процесс и все же удается повысить разрешение сформированной разметки, можно добиться одновременно эффективного производства жидкокристаллических панелей и снижения себестоимости.
[0012] Таким образом, задачей настоящего изобретения является обеспечение способа изготовления жидкокристаллической панели, позволяющего обеспечивать разметку высокого разрешения даже в случае, когда разметочная площадка, предусмотренная на стеклянной подложке для жидкокристаллической панели, облучается лазерными лучами через другую стеклянную подложку для жидкокристаллической панели, спаренную со стеклянной подложкой для жидкокристаллической панели.
[0013] Кроме того, задачей настоящего изобретения является обеспечение стеклянной подложки для жидкокристаллической панели, включающей в себя разметочную площадку, пригодную для процесса лазерной разметки, и жидкокристаллической панели.
Решение проблемы
[0014] Способ изготовления жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению включает в себя следующие этапы (A)-(D):
(A) подготавливают первую стеклянную подложку жидкокристаллической панели, включающую в себя участок, служащий участком жидкокристаллического дисплея, и периферийный участок, не служащий участком жидкокристаллического дисплея;
(B) предусматривают разметочную площадку, включающую в себя область разметки, образованную стопкой, состоящей только из металлической пленки и пленки ITO, на главной поверхности периферийного участка первой стеклянной подложки жидкокристаллической панели;
(C) связывают вторую стеклянную подложку жидкокристаллической панели, спаренную с первой стеклянной подложкой жидкокристаллической панели, с первой стеклянной подложкой жидкокристаллической панели так, чтобы она размещалась напротив главной поверхности области разметки на разметочной площадке на расстоянии от нее; и
(D) обеспечивают разметку путем выполнения сквозного отверстия, проходящего через пленку ITO и металлическую пленку в области разметки на разметочной площадке, облучением области разметки на разметочной площадке лазерными лучами через вторую стеклянную подложку жидкокристаллической панели.
[0015] В способе изготовления жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению вышеописанный этап (B) предусматривания разметочной площадки может включать в себя следующие этапы (a) и (b):
(a) формируют металлическую пленку на главной поверхности периферийного участка первой стеклянной подложки жидкокристаллической панели; и
(b) формируют пленку ITO в контакте с металлической пленкой так, чтобы покрыть главную поверхность и периферию металлической пленки.
[0016] В способе изготовления жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению вышеописанный этап (B) предусматривания разметочной площадки может включать в себя следующие этапы (a) и (c)-(e):
(a) формируют металлическую пленку на главной поверхности периферийного участка первой стеклянной подложки жидкокристаллической панели;
(c) формируют изолирующую пленку в контакте с металлической пленкой так, чтобы покрыть главную поверхность и периферию металлической пленки;
(d) удаляют часть изолирующей пленки так, чтобы главная поверхность металлической пленки была открыта, а периферия металлической пленки была покрыта изолирующей пленкой; и
(e) формируют пленку ITO в контакте с металлической пленкой так, чтобы покрыть главную поверхность металлической пленки, открытой в результате удаления части изолирующей пленки.
[0017] В способе изготовления жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению на этапе (c) формирования изолирующей пленки на вышеописанном этапе (B) предусматривания разметочной площадки изолирующую пленку, служащую изолирующей пленкой затвора TFT, предпочтительно формируют одновременно на служащем участком жидкокристаллического дисплея участке первой стеклянной подложки жидкокристаллической панели.
[0018] В способе изготовления жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению на этапе (a) формирования металлической пленки на вышеописанном этапе (B) предусматривания разметочной площадки металлическую пленку, служащую электродом затвора TFT, предпочтительно формируют одновременно на служащем участком жидкокристаллического дисплея участке первой стеклянной подложки жидкокристаллической панели.
[0019] В способе изготовления жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению на этапе (b) или (e) формирования пленки ITO на вышеописанном этапе (B) предусматривания разметочной площадки пленку ITO, служащую пиксельным электродом, предпочтительно формируют одновременно на служащем участком жидкокристаллического дисплея участке первой стеклянной подложки жидкокристаллической панели.
[0020] В способе изготовления жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению этап (a) формирования металлической пленки на вышеописанном этапе (B) предусматривания разметочной площадки может включать в себя этап последовательного наслаивания и формирования множества разных по материалу пленок.
[0021] Способ изготовления жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению может дополнительно включать в себя этап (E) подвергания поверхности металлической пленки, служащей областью разметки на разметочной площадке, обработке анодированием.
[0022] Стеклянная подложка для жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению, включающая в себя участок, служащий участком жидкокристаллического дисплея, и периферийный участок, не служащий участком жидкокристаллического дисплея, включает в себя разметочную площадку на главной поверхности периферийного участка, предназначенную для обеспечения разметки путем облучения лазерными лучами, и эта разметочная площадка включает в себя область разметки, образованную стопкой, состоящей только из металлической пленки и пленки ITO.
[0023] В стеклянной подложке для жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению главная поверхность и периферия металлической пленки, составляющей область разметки на разметочной площадке, могут быть покрыты пленкой ITO, составляющей область разметки на разметочной площадке.
[0024] В стеклянной подложке для жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению периферия металлической пленки, составляющей область разметки на разметочной площадке, может быть покрыта изолирующей пленкой.
[0025] В стеклянной подложке для жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению может быть предусмотрен TFT на главной поверхности участка, служащего участком жидкокристаллического дисплея, и в этом случае изолирующая пленка, покрывающая периферию металлической пленки, составляющей область разметки на разметочной площадке, и изолирующая пленка, составляющая изолирующую пленку затвора TFT, предпочтительно сформированы одновременно за один этап.
[0026] В стеклянной подложке для жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению может быть предусмотрен TFT на главной поверхности участка, служащего участком жидкокристаллического дисплея, и в этом случае металлическая пленка, составляющая область разметки на разметочной площадке, и металлическая пленка, составляющая электрод затвора TFT, предпочтительно сформированы одновременно за один этап.
[0027] В стеклянной подложке для жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению может быть предусмотрен TFT на главной поверхности участка, служащего участком жидкокристаллического дисплея, и в этом случае пленка ITO, составляющая область разметки на разметочной площадке, и пленка ITO, составляющая пиксельный электрод, предпочтительно сформированы одновременно за один этап.
[0028] В стеклянной подложке для жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению металлическая пленка, составляющая область разметки на разметочной площадке, может быть выполнена из пленочной стопки из множества разных по материалу пленок.
[0029] В стеклянной подложке для жидкокристаллической панели согласно настоящему изобретению поверхность металлической пленки, составляющей область разметки на разметочной площадке, может быть подвергнута обработке анодированием.
[0030] Жидкокристаллическая панель согласно настоящему изобретению включает в себя любую вышеописанную стеклянную подложку для жидкокристаллической панели.
Преимущественные результаты изобретения
[0031] Согласно настоящему изобретению можно обеспечить способ изготовления жидкокристаллической панели, позволяющий обеспечивать разметку высокого разрешения даже в случае, когда разметочная площадка, предусмотренная на стеклянной подложке для жидкокристаллической панели, облучается лазерными лучами через другую стеклянную подложку для жидкокристаллической панели, спаренную со стеклянной подложкой для жидкокристаллической панели.
[0032] Кроме того, согласно настоящему изобретению можно обеспечить стеклянную подложку для жидкокристаллической панели, включающую в себя разметочную площадку, пригодную для процесса лазерной разметки, и жидкокристаллическую панель.
Краткое описание чертежей
[0033] Фиг.1 - схематический вид спереди жидкокристаллической панели в первом варианте осуществления настоящего изобретения.
Фиг.2 - увеличенный схематический вид участка записи информации, показанного на фиг.1.
Фиг.3 - схематический вид в разрезе жидкокристаллической панели в первом варианте осуществления настоящего изобретения.
Фиг.4 - блок-схема, иллюстрирующая способ изготовления жидкокристаллической панели в первом варианте осуществления настоящего изобретения.
Фиг.5A - схематический вид в разрезе в процессе производства в случае, когда жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в первом варианте осуществления настоящего изобретения.
Фиг.5B - схематический вид в разрезе в процессе производства в случае, когда жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в первом варианте осуществления настоящего изобретения.
Фиг.6A - схематический вид в разрезе в процессе производства в случае, когда жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в первом варианте осуществления настоящего изобретения.
Фиг.6B - схематический вид в разрезе в процессе производства в случае, когда жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в первом варианте осуществления настоящего изобретения.
Фиг.7 - схематический вид в разрезе в процессе производства в случае, когда жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в первом варианте осуществления настоящего изобретения.
Фиг.8 - схематический вид в разрезе жидкокристаллической панели во втором варианте осуществления настоящего изобретения.
Фиг.9A - схематический вид в разрезе в процессе производства в случае, когда жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели во втором варианте осуществления настоящего изобретения.
Фиг.9B - схематический вид в разрезе в процессе производства в случае, когда жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели во втором варианте осуществления настоящего изобретения.
Фиг.10A - схематический вид в разрезе в процессе производства в случае, когда жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели во втором варианте осуществления настоящего изобретения.
Фиг.10B - схематический вид в разрезе в процессе производства в случае, когда жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели во втором варианте осуществления настоящего изобретения.
Фиг.11A - схематический вид в разрезе в процессе производства в случае, когда жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели во втором варианте осуществления настоящего изобретения.
Фиг.11B - схематический вид в разрезе в процессе производства в случае, когда жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели во втором варианте осуществления настоящего изобретения.
Фиг.12 - схематический вид в разрезе в процессе производства в случае, когда жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели во втором варианте осуществления настоящего изобретения.
Фиг.13 - схематический вид в разрезе разметочной площадки согласно первой модификации.
Фиг.14 - схематический вид в разрезе разметочной площадки согласно второй модификации.
Фиг.15A - увеличенная фотография, демонстрирующая один пример разметочной площадки, подвергнутой процессу лазерной разметки в многоподложечном процессе с применением настоящего изобретения.
Фиг.15B - увеличенная фотография, демонстрирующая один пример разметочной площадки, подвергнутой процессу лазерной разметки в многоподложечном процессе без применения настоящего изобретения.
Описание вариантов осуществления
[0034] Ниже будет подробно описан вариант осуществления настоящего изобретения со ссылкой на чертежи. В представленном ниже варианте осуществления и его модификации одни и те же элементы обозначены одинаковыми ссылочными позициями, и их описание не будет повторяться.
Первый вариант осуществления
[0035] На фиг.1 показан схематический вид спереди жидкокристаллической панели в первом варианте осуществления настоящего изобретения, а на фиг.2 показан увеличенный схематический вид участка записи информации жидкокристаллической панели, показанной на фиг.1. На фиг.3 показан схематический вид в разрезе жидкокристаллической панели, показанной на фиг.1. Сначала, со ссылкой на эти фиг.1-3, будет описана конструкция жидкокристаллической панели и стеклянной подложки для жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления.
[0036] Как показано на фиг.1 и 3, жидкокристаллическая панель 1A в данном варианте осуществления в основном включает в себя подложку 10A TFT, подложку 20 CF, герметизирующий элемент 30 и жидкий кристалл 32. Жидкокристаллическая панель 1A в данном варианте осуществления является так называемой жидкокристаллической панелью с активной матрицей, в которой множество пикселей дисплея, размещенных в виде матрицы, по отдельности управляются предусмотренными для этих пикселей дисплея TFT-транзисторами.
[0037] Подложка 10A TFT также называется подложкой активной матрицы и в основном имеет стеклянную подложку 11, служащую опорным элементом, множество TFT-транзисторов 40, сформированных на ее главной поверхности 11a, и множество пиксельных электродов 46, электрически подключенных к соответствующим TFT 40. Подложка 10A TFT включает в себя участок A, служащий участком жидкокристаллического дисплея для отображения изображения, и периферийный участок B, не служащий участком жидкокристаллического дисплея, и вышеописанное множество TFT 40 и пиксельных электродов 46 размещены в виде матрицы на участке A, служащем участком жидкокристаллического дисплея. Заметим, что подложка 10A TFT (в ряде случаев, стеклянная подложка 11, служащая опорным элементом для подложки 10A TFT) соответствует первой стеклянной подложке жидкокристаллической панели.
[0038] Подложка 20 CF также называется противолежащей подложкой и в основном имеет стеклянную подложку 21, служащую опорным элементом, цветной фильтр (не показан), связанный с ее главной поверхностью, и противоэлектрод (не показан), сформированный на цветном фильтре. Подложка 20 CF имеет только участок, служащий участком жидкокристаллического дисплея. Цветной фильтр связан с участком стеклянной подложки 21, служащим участком жидкокристаллического дисплея, а множество вышеописанных противоэлектродов размещены в виде матрицы на главной поверхности цветного фильтра. Заметим, что эта подложка 20 CF (в ряде случаев, стеклянная подложка 21, служащая опорным элементом для подложки 20 CF) соответствует второй стеклянной подложке жидкокристаллической панели.
[0039] Подложка 10A TFT и подложка 20 CF связаны друг с другом герметизирующим элементом 30 так, что они располагаются напротив друг друга на предписанном расстоянии (например, приблизительно 5 мкм). Герметизирующий элемент 30 предусмотрен окружающим участок жидкокристаллического дисплея, и жидкий кристалл 32 герметизирован в пространстве, окруженном этим герметизирующим элементом 30 и лежащем между подложкой 10A TFT и подложкой 20 CF. Жидкий кристалл 32 обладает такой характеристикой, что его коэффициент пропускания света изменяется в соответствии с подаваемым напряжением, и он расположен между вышеописанным пиксельным электродом 46, предусмотренным на подложке 10A TFT, и вышеописанным противоэлектродом, предусмотренным на подложке 20 CF. Заметим, что на участке подложки 10A TFT и подложки 20 CF, обращенном к жидкому кристаллу 32, предусмотрена непоказанная ориентирующая пленка.
[0040] В предписанном положении на периферийном участке B подложки 10A TFT, не служащем участком жидкокристаллического дисплея, предусмотрен участок 2 записи информации, где записываются различные типы информации. Как показано на фиг.2, участок 2 записи информации включает в себя разметочную площадку 50, где различные типы информации записываются в виде двухмерного кода данных, и участок 60 символьных данных, где различные типы информации записываются в виде символьных данных. Из них на разметочной площадке 50, где записываются различные типы информации в виде двухмерного кода данных, информация записывается в виде сквозного отверстия 58, выполненного на разметочной площадке 50 путем осуществления процесса лазерной разметки, который будет описан ниже.
[0041] Как показано на фиг.3, на участке A подложки 10A TFT, служащем участком жидкокристаллического дисплея, на главной поверхности 11a стеклянной подложки 11 предусмотрен TFT 40. TFT 40 имеет электрод 41 затвора, электрически подключенный к межсоединению затвора, изолирующую пленку 42 затвора, сформированную покрывающей электрод 41 затвора, первый полупроводниковый слой 43, сформированный на электроде 41 затвора с расположенной между ними изолирующей пленкой 42 затвора, второй полупроводниковый слой 44, сформированный в предписанном положении на первом полупроводниковом слое 43, и электрод 45a истока и электрод 45b стока, сформированные на втором полупроводниковом слое 44.
[0042] Электрод 41 затвора сформирован из однослойной металлической пленки, выполненной, например, из алюминия (Al), меди (Cu), тантала (Ta), титана (Ti) или т.п. Кроме того, изолирующая пленка 42 затвора сформирована в виде однослойной или многослойной изолирующей пленки, выполненной из нитрида кремния (SiNx), оксида кремния (SiOx) или т.п.
+
[0043] Первый полупроводниковый слой 43 сформирован из пленки полупроводника с собственной проводимостью, выполненной, например, из аморфного кремния. Кроме того, второй полупроводниковый слой 44 сформирован из пленки легированного примесью полупроводника, выполненной, например, из аморфного кремния типа n. Заметим, что второй полупроводниковый слой 44 выполняет функцию контактного слоя между первым полупроводниковым слоем 43 и электродом 45a истока и между первым полупроводниковым слоем 43 и электродом 45b стока.
2
3
2
[0044] Электрод 45a истока и электрод 45b стока сформированы из однослойной или многослойной металлической пленки, выполненной, например, из алюминия, меди, тантала, титана или т.п. Кроме того, пиксельный электрод 46 сформирован, например, из пленки ITO (т.е. смешанной пленки оксида индия (InO) и оксида олова (SnO)).
[0045] Между прочим, на периферийном участке B подложки 10A TFT, не служащем участком жидкокристаллического дисплея, на главной поверхности 11a стеклянной подложки 11 предусмотрена разметочная площадка 50. Разметочная площадка 50 имеет область разметки C, в которой предусмотрена разметка, и периферийную область D, окружающую область разметки C. Область разметки C на разметочной площадке 50 сформирована (образована) из стопки, состоящей только из металлической пленки, служащей нижним слоем 51, и пленки ITO, служащей верхним слоем 56, и периферия служащей нижним слоем 51 металлической пленки покрыта служащей верхним слоем 56 пленкой ITO в периферийной области D.
[0046] Служащая нижним слоем 51 металлическая пленка сформирована из однослойной металлической пленки, выполненной, например, из алюминия, меди, тантала, титана или т.п. Главная поверхность служащей нижним слоем 51 металлической пленки (т.е. поверхность, контактирующая с верхним слоем 56) может быть подвергнута обработке анодированием. Заметим, что вышеописанные нижний слой 51 в области разметки C на разметочной площадке 50 и электрод 41 затвора TFT 40 предпочтительно сформированы одновременно, и в этом случае металлическая пленка, образующая электрод 41 затвора TFT 40, и металлическая пленка, образующая нижний слой 51 на разметочной площадке 50, образованы из одинакового материала с одинаковой толщиной.
[0047] Вышеописанные верхний слой 56 в области разметки C на разметочной площадке 50 и пиксельный электрод, подключенный к TFT 40, предпочтительно сформированы одновременно, и в этом случае пленка ITO, образующая пиксельный электрод 46, подключенный к TFT 40, и пленка ITO, образующая верхний слой 56 на разметочной площадке 50, образованы из одинакового материала с одинаковой толщиной.
[0048] При этом в области разметки C на разметочной площадке 50 предусмотрено множество сквозных отверстий 58, проходящих сквозь служащую верхним слоем 56 пленку ITO и служащую нижним слоем 51 металлическую пленку. Это сквозное отверстие 58 реализует двухмерный код данных, в котором закодированы различные типы информации, например серийная информация и информация об использовании, и эта информация считывается с использованием камеры, действующей по принципу пропускания, или камеры, действующей по принципу отражения.
[0049] В частности, в случае, когда используется камера, действующая по принципу пропускания, различные типы информации считываются путем обнаружения (регистрации) света, проходящего через подложку 10A TFT, когда он проходит через сквозное отверстие 58, предусмотренное в области разметки C на разметочной площадке 50. С другой стороны, в случае, когда используется камера, действующая по принципу отражения, различные типы информации считываются путем обнаружения сквозного отверстия 58, предусмотренного в области разметки C на разметочной площадке 50, и возникшего вокруг него потемнения в отличие от окружающего фона за счет использования различия в контрастности.
[0050] На фиг.4 показана блок-схема, иллюстрирующая способ изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления, и на фиг.5A-7 показаны схематические виды в разрезе в процессе производства в случае, когда жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления. Способ изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления будет описан со ссылкой на эти фиг.4-7.
[0051] Как показано на фиг.4, в способе изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления первоначально осуществляют одновременно изготовление подложки 10A TFT (этап S101) и изготовление подложки 20 CF, спаренной с подложкой 10A TFT (этап S102). При изготовлении подложки 20 CF ее изготавливают подготовкой стеклянной подложки 21, связыванием с ней цветной пленки и формированием противоэлектродов, с последующим формированием ориентирующей пленки. При изготовлении подложки 10A TFT, в частности, осуществляют следующий процесс. Заметим, что в методе изготовления подложки 10A TFT, представленном ниже, TFT 40 и пиксельный электрод 46, а также разметочную площадку 50 формируют одновременно путем эффективного использования общих этапов.
3
2
4
2
[0052] Первоначально, как показано на фиг.5A, подготавливают стеклянную подложку 11, включающую в себя участок A, служащий участком жидкокристаллического дисплея, и периферийный участок B, не служащий участком жидкокристаллического дисплея, и на ней формируют и снабжают рисунком металлическую пленку. Таким образом, электрод 41 затвора TFT 40 формируют на участке A, служащем участком жидкокристаллического дисплея, а нижний слой 51 на разметочной площадке 50 формируют на периферийном участке B. В частности, формируют пленку алюминия на главной поверхности 11a стеклянной подложки 11, например, напылением, и эту пленку алюминия снабжают рисунком методом фотолитографии, тем самым формируя электрод 41 затвора и нижний слой 51. Заметим, что в качестве процесса травления при фотолитографии можно использовать сухое травление с использованием, например, BCl+Cl, CF(+O) или т.п. При этом главную поверхность сформированной пленки алюминия можно, при необходимости, подвергать анодированию.
[0053] Затем, как показано на фиг.5B, на главной поверхности 11a участка A стеклянной подложки 11, служащего участком жидкокристаллического дисплея, формируют и снабжают рисунком изолирующую пленку. Таким образом, изолирующую пленку 42 затвора TFT 40 формируют на участке A, служащем участком жидкокристаллического дисплея. В частности, формируют пленку нитрида кремния на главной поверхности 11a участка A стеклянной подложки 11, служащего участком жидкокристаллического дисплея, например, методом PECVD (усиленного плазмой химического осаждения из паровой фазы), и эту пленку нитрида кремния снабжают рисунком методом фотолитографии, тем самым формируя изолирующую пленку 42 затвора.
4
2
4
2
6
[0054] Затем, как показано на фиг.5B, на главной поверхности 11a участка A стеклянной подложки 11, служащего участком жидкокристаллического дисплея, формируют и снабжают рисунком слой аморфного кремния или т.п. Таким образом на участке A, служащем участком жидкокристаллического дисплея, формируют первый полупроводниковый слой 43 и второй полупроводниковый слой 44. При этом сформированный второй полупроводниковый слой 44 находится в такой форме, что покрывает всю главную поверхность первого полупроводникового слоя 43, и его формируют путем имплантации ионов в верхнюю часть слоя аморфного кремния при надлежащем использовании метода ионной имплантации. Заметим, что в качестве процесса травления при снабжении рисунком можно использовать сухое травление с использованием, например, CF+O, CCl+O, SF или т.п.
3
2
4
2
[0055] Затем, как показано на фиг.5B, на главной поверхности 11a участка A стеклянной подложки 11, служащего участком жидкокристаллического дисплея, формируют и снабжают рисунком металлическую пленку. Таким образом, на участке A, служащем участком жидкокристаллического дисплея, формируют электрод 45a истока и электрод 45b стока TFT 40. В частности, на главной поверхности 11a стеклянной подложки 11, служащей участком жидкокристаллического дисплея, формируют пленку алюминия, например, напылением, и эту пленку алюминия снабжают рисунком методом фотолитографии, тем самым формируя электрод 45a истока и электрод 45b стока. Заметим, что в качестве процесса травления при фотолитографии можно использовать сухое травление с использованием, например, BCl+Cl, CF(+O) или т.п.
4
2
4
2
6
[0056] Затем, как показано на фиг.5B, используя электрод 45a истока и электрод 45b стока в качестве маски, травят и снабжают рисунком второй полупроводниковый слой 44 так, что в первом полупроводниковом слое 43 образуется канальный участок. Заметим, что в качестве процесса травления при снабжении рисунком можно использовать сухое травление с использованием, например, CF+O, CCl+O, SF или т.п.
3
[0057] Затем, как показано на фиг.6A, на главной поверхности 11a стеклянной подложки 11 формируют и снабжают рисунком пленку ITO, так что на участке A, служащем участком жидкокристаллического дисплея, формируют пиксельный электрод 46, электрически подключенный к TFT 40, а на периферийном участке B формируют верхний слой 56 на разметочной площадке 50. В частности, пленку ITO формируют на стеклянной подложке 11, например, напылением, и эту пленку ITO снабжают рисунком методом фотолитографии, тем самым формируя пиксельный электрод 46 и верхний слой 56. Заметим, что в качестве процесса травления при фотолитографии можно использовать влажное травление с использованием, например, HCl+HNO или т.п.
[0058] После этого на главной поверхности 11a участка A стеклянной подложки 11, служащего участком жидкокристаллического дисплея, формируют ориентирующую пленку. Вышеприведенным изготовление подложки 10A TFT завершено.
[0059] Далее, как показано на фиг.4, подложку 10A TFT, изготовленную на этапе S101, и подложку 20 CF, изготовленную на этапе S102, связывают друг с другом (этап S103). В частности, как показано на фиг.6B, размещают герметизирующий элемент 30 окружающим участок A подложки 10A TFT, служащий участком жидкокристаллического дисплея, позиционируют подложку 20 CF в контакте с этим герметизирующим элементом 30, размещая ее напротив подложки 10A TFT, и отверждают герметизирующий элемент 30. Таким образом связывают друг с другом подложку 10A TFT и подложку 20 CF. При этом в качестве герметизирующего элемента 30 можно использовать термореактивный герметизирующий материал, фотоотверждаемый герметизирующий материал, их комбинацию или т.п.
[0060] В способе изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления как стеклянная подложка 11, служащая опорным элементом для подложки 10A TFT, так и стеклянная подложка 21, служащая опорным элементом для подложки 20 CF, изготавливаются из материнской стеклянной подложки. Таким образом, после того как подложка 20 CF связана с подложкой 10A TFT, участок подложки 20 CF, не служащий участком жидкокристаллического дисплея, располагается напротив периферийного участка B подложки 10A TFT, не служащего участком жидкокристаллического дисплея. А именно, подложка 20 CF размещается напротив главной поверхности области разметки C на разметочной площадке 50, сформированной на периферийном участке B подложки 10A TFT, не служащем участком жидкокристаллического дисплея, на расстоянии от нее.
4
[0061] Далее, как показано на фиг.4, осуществляют процесс лазерной разметки путем излучения лазерных лучей (этап S104). В частности, как показано на фиг.7, область разметки C на разметочной площадке 50 облучают лазерными лучами 100 через подложку 20 CF со стороны подложки 20 CF. Например, в качестве излучаемых лазерных лучей 100 подходящим образом используют основные моды (с длиной волны 1064 нм) или т.п. лазера на YVO, представленные в целом лучами лазера на АИГ (алюмоиттриевом гранате) или лучами лазера на легированном неодимом АИГ. Таким образом, верхний слой 56 и нижний слой 51, составляющие область разметки C на разметочной площадке 50 на участке, облучаемом лазерными лучами 100, локально нагреваются и сублимируют, так что образуется сквозное отверстие 58, проходящее через верхний слой 56 и нижний слой 51.
[0062] Затем, как показано на фиг.4, осуществляют различные этапы, такие как этап заливки жидкого кристалла 32 (этап S105). Далее, подложку 10A TFT и подложку 20 CF делят вдоль разделительной линии E1, показанной на фиг.7 (этап S106), и подложку 20 CF делят вдоль разделительной линии E2, показанной на фиг.7, тем самым удаляя ненужный участок (этап S107). Вышеприведенным изготовление жидкокристаллической панели 1A, показанной на фиг.1 и 3, завершено.
[0063] При изготовлении жидкокристаллической панели 1A согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в данном вышеописанном варианте осуществления можно обеспечить разметку высокого разрешения, несмотря на то, что разметочная площадка 50, предусмотренная на подложке 10A TFT, облучается лазерными лучами 100 через подложку 20 CF (т.е. осуществляется многоподложечный процесс). При этом высокое разрешение означает такое разрешение, которое пригодно для случая, когда информация считывается с использованием камеры, действующей по принципу отражения, или камеры, действующей по принципу пропускания, и, в частности, означает, что форма или размер сквозного отверстия 58, сформированного облучением лазерными лучами 100, степень потемнения вокруг сквозного отверстия 58 или т.п. пригодны для обнаружения. А именно, в случае, когда сформированная разметка имеет низкое разрешение, возникает ошибка чтения двухмерного кода данных, когда информация считывается с помощью камеры, действующей по принципу отражения, или камеры, действующей по принципу пропускания, т.е. такая ошибка, как считывание информации, отличной от исходной информации. Однако в случае, когда сформированная разметка имеет высокое разрешение, как в данном варианте осуществления, ошибка чтения не возникает, и информация считывается верно.
[0064] Таким образом, при изготовлении жидкокристаллической панели 1A согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления вышеописанный многоподложечный процесс может осуществляться так, что достигаются два результата эффективного производства жидкокристаллических панелей и снижения себестоимости, получаемые при применении многоподложечного процесса.
[0065] Кроме того, при изготовлении жидкокристаллической панели 1A согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления можно применять многоподложечный процесс, вместе с тем реализуя разметку высокого разрешения. Поэтому, поскольку пространство, в котором нужно герметизировать жидкий кристалл 32, в процессе лазерной разметки уже находится в состоянии, изолированном от окружающей среды, включая периферийный участок B, посредством герметизирующего элемента 30, можно предотвратить попадание посторонних веществ в это пространство из различных пленок, образующих область разметки C на разметочной площадке 50, которые сублимируют в процессе лазерной разметки, и, следовательно, также можно повысить производительность.
[0066] Кроме того, реализуя конструкции подложки 10A TFT и включающей ее жидкокристаллической панели 1A в данном варианте осуществления, можно получить стеклянную подложку для жидкокристаллической панели, включающую в себя разметочную площадку 50, пригодную для лазерной разметки, и жидкокристаллическую панель, включающую в себя такую стеклянную подложку. Поэтому при изготовлении жидкокристаллической панели 1A, включающей в себя подложку 10A TFT, можно получить жидкокристаллическую панель, с которой можно точно считывать различные типы информации, например серийную информацию и информацию о ее использовании.
[0067] Хотя механизм, с помощью которого можно обеспечить разметку высокого разрешения согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления, не ясен, одна из причин может быть следующей. А именно, считается, что, в случае многоподложечного процесса согласно традиционному способу подложка TFT и подложка CF размещаются вблизи друг друга с небольшим зазором приблизительно 5 мкм, что приводит к такой ситуации, когда область вокруг разметочной площадки становится, по существу, герметично изолированным пространством, пленка, образующая разметочную площадку, менее склонна сублимировать, и тепло, выделяемое при облучении лазерными лучами, ограничивается (удерживается) в этом пространстве, что приводит к обесцвечиванию вокруг сквозного отверстия и обусловленной этим сложности обеспечения разметки высокого разрешения. Однако предполагается, что при осуществлении процесса лазерной разметки согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления, разметочная площадка формируется из стопки, состоящей только из металлической пленки и пленки ITO, так что тепловое влияние на участок разметочной площадки поблизости оптимизируется, сублимация составляющих разметочную площадку металлической пленки и пленка ITO усиливается, и ограничение тепла в, по существу, герметично изолированном пространстве также подавляется, и вследствие этого реализуется разметка высокого разрешения.
[0068] Кроме того, автор настоящего изобретения обнаружил, что пленочная конструкция согласно изобретению данной заявки (т.е. двухслойная пленочная конструкция из металлической пленки/пленки ITO) оптимальна, проверив, как изменяется разрешение разметки, если пленочная конструкция разметочной площадки по-разному изменяется за счет применения многоподложечного процесса. При проверке путем создания прототипов других пленочных конструкций (например, двухслойной пленочной конструкции из металлической пленки/изолирующей пленки, трехслойной пленочной конструкции из металлической пленки/изолирующей пленки/металлической пленки, трехслойной пленочной конструкции из металлической пленки/изолирующей пленки/пленки ITO и т.п.) ни в каком случае нельзя было получить удовлетворительных результатов.
Второй вариант осуществления
[0069] На фиг.8 показан схематический вид в разрезе жидкокристаллической панели во втором варианте осуществления настоящего изобретения. Конструкция жидкокристаллической панели и стеклянной подложки для жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления будет описана со ссылкой на фиг.2.
[0070] Как показано на фиг.8, жидкокристаллическая панель 1B в данном варианте осуществления отличается от жидкокристаллической панели 1A в вышеописанном первом варианте осуществления только конструкцией разметочной площадки 50. В частности, разметочная площадка 50, предусмотренная на главной поверхности 11a периферийного участка B подложки 10B TFT, не служащего участком жидкокристаллического дисплея, имеет область разметки C, в которой предусмотрена разметка, и периферийную область D, окружающую область разметки C, причем область разметки C сформирована из стопки, состоящей только из металлической пленки, служащей нижним слоем 51, и пленки ITO, служащей верхним слоем 56, периферия служащей нижним слоем 51 металлической пленки покрыта защитной изолирующей пленкой 52 в периферийной области D, и далее на защитной изолирующей пленке 52 расположены первая покровная пленка 53, сформированная из первого полупроводникового слоя, вторая покровная пленка 54, сформированная из второго полупроводникового слоя, и третья покровная пленка 55, сформированная из металлической пленки.
[0071] Служащая нижним слоем 51 металлическая пленка сформирована из однослойной металлической пленки, выполненной, например, из алюминия, меди, тантала, титана или т.п. Главная поверхность служащей нижним слоем 51 металлической пленки (т.е. поверхность, контактирующая с верхним слоем 56) может быть подвергнута обработке анодированием. Заметим, что вышеописанные нижний слой 51 в области разметки C на разметочной площадке 50 и электрод 41 затвора TFT 40 сформированы одновременно, и их материал и толщина такие же, как у металлической пленки, образующей электрод 41 затвора TFT 40.
[0072] Верхний слой 56 в области разметки C на разметочной площадке 50 и вышеописанный пиксельный электрод, подключенный к TFT 40, сформированы одновременно, и их материал и толщина такие же, как у пленки ITO, образующей пиксельный электрод 46, подключенный к TFT 40.
[0073] Защитная изолирующая пленка 52, расположенная в периферийной области D на разметочной площадке 50, и вышеописанная изолирующая пленка 42 затвора TFT 40 сформированы одновременно, и их материал и толщина такие же, как у изолирующей пленки 42 затвора TFT 40.
[0074] Первая покровная пленка 53 и вторая покровная пленка 54, расположенные в периферийной области D на разметочной площадке 50, а также вышеописанные первый полупроводниковый слой 43 и второй полупроводниковый слой 44 TFT 40 сформированы одновременно, и их материал и толщина такие же, как у первого полупроводникового слоя 43 и второго полупроводникового слоя 44 TFT 40 соответственно.
[0075] Третья покровная пленка 55, расположенная в периферийной области D на разметочной площадке 50, а также вышеописанные электрод 45a истока и электрод 45b стока TFT 40 сформированы одновременно, и их материал и толщина такие же, как у электрода 45a истока и электрода 45b стока TFT 40.
[0076] При этом в области разметки C на разметочной площадке 50 предусмотрено множество сквозных отверстий 58, проходящих сквозь служащую верхним слоем 56 пленку ITO и служащую нижним слоем 51 металлическую пленку. Это сквозное отверстие 58 реализует двухмерный код данных, в котором закодированы различные типы информации, например серийная информация и информация об использовании, и эта информация считывается с использованием камеры, действующей по принципу пропускания, или камеры, действующей по принципу отражения.
[0077] На фиг.9A-12 показаны схематические виды в разрезе в процессе производства в случае, когда жидкокристаллическая панель изготавливается согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления. Способ изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления отличается от способа изготовления жидкокристаллической панели в вышеописанном первом варианте осуществления только процессом изготовления подложки TFT. Поэтому, поскольку жидкокристаллическая панель изготавливается в соответствии с фиг.4, на которую ссылались в вышеописанном первом варианте осуществления, способ изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления будет описан ниже со ссылкой на вышеописанный фиг.4 и фиг.9A-12.
[0078] Как показано на фиг.4, в способе изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления первоначально осуществляют одновременно изготовление подложки 10B TFT (этап S101) и изготовление подложки 20 CF, спаренной с подложкой 10B TFT (этап S102). При изготовлении подложки 20 CF ее изготавливают подготовкой стеклянной подложки 21, связыванием с ней цветной пленки и формированием противоэлектродов с последующим формированием ориентирующей пленки. При изготовлении подложки 10B TFT, в частности, осуществляют следующий процесс.
3
2
4
2
[0079] Первоначально, как показано на фиг.9A, подготавливают стеклянную подложку 11, включающую в себя участок A, служащий участком жидкокристаллического дисплея, и периферийный участок B, не служащий участком жидкокристаллического дисплея, и на ней формируют и снабжают рисунком металлическую пленку. Таким образом, электрод 41 затвора TFT 40 формируют на участке A, служащем участком жидкокристаллического дисплея, а нижний слой 51 на разметочной площадке 50 формируют на периферийном участке B. В частности, формируют пленку алюминия на главной поверхности 11a стеклянной подложки 11, например, напылением, и эту пленку алюминия снабжают рисунком методом фотолитографии, тем самым формируя электрод 41 затвора и нижний слой 51. Заметим, что в качестве процесса травления при фотолитографии можно использовать сухое травление с использованием, например, BCl+Cl, CF(+O) или т.п. При этом главную поверхность сформированной пленки алюминия можно, при необходимости, подвергать анодированию.
[0080] Затем, как показано на фиг.9B, на главной поверхности 11a стеклянной подложки 11 формируют и снабжают рисунком изолирующую пленку. Таким образом изолирующую пленку 42 затвора TFT 40 формируют на участке A, служащем участком жидкокристаллического дисплея, и на периферийном участке B формируют защитную изолирующую пленку 52 на разметочной площадке 50. В частности, формируют пленку нитрида кремния на главной поверхности 11a стеклянной подложки 11, например, методом PECVD, и эту пленку нитрида кремния снабжают рисунком методом фотолитографии, тем самым формируя изолирующую пленку 42 затвора и защитную изолирующую пленку 52.
4
2
4
2
6
[0081] Затем, как показано на фиг.10A, на главной поверхности 11a стеклянной подложки 11 формируют и снабжают рисунком слой аморфного кремния или т.п. Таким образом, первый полупроводниковый слой 43 и второй полупроводниковый слой 44 формируют на участке A, служащем участком жидкокристаллического дисплея, а на периферийном участке B формируют первый полупроводниковый слой, служащий первой покровной пленкой 53, и второй полупроводниковый слой, служащий второй покровной пленкой 54. При этом второй полупроводниковый слой 44 и вторая покровная пленка 54 находятся в такой форме, что покрывают всю главную поверхность первого полупроводникового слоя 43 и всю главную поверхность первой покровной пленки 53 соответственно, и они формируются путем имплантации ионов в верхнюю часть слоя аморфного кремния при надлежащем использовании метода ионной имплантации. Заметим, что в качестве процесса травления при снабжении рисунком можно использовать сухое травление с использованием, например, CF+O, CCl+O, SF или т.п.
3
2
4
2
[0082] Затем, как показано на фиг.10A, на главной поверхности 11a стеклянной подложки 11 формируют и снабжают рисунком металлическую пленку. Таким образом, электрод 45a истока и электрод 45b стока TFT 40 формируют на участке A, служащем участком жидкокристаллического дисплея, и на периферийном участке B формируют третью покровную пленку 55. В частности, формируют пленку алюминия на главной поверхности 11a стеклянной подложки 11, например, напылением, и эту пленку алюминия снабжают рисунком методом фотолитографии, тем самым формируя электрод 45a истока, электрод 45b стока и третью покровную пленку 55. Заметим, что в качестве процесса травления при фотолитографии можно использовать сухое травление с использованием, например, BCl+Cl, CF(+O) или т.п.
4
2
4
2
6
[0083] Затем, как показано на фиг.10A, используя электрод 45a истока и электрод 45b стока в качестве маски, травят и снабжают рисунком второй полупроводниковый слой 44, так что в первом полупроводниковом слое 43 формируется канальный участок. Заметим, что в качестве процесса травления при снабжении рисунком можно использовать сухое травление с использованием, например, CF+O, CCl+O, SF или т.п.
[0084] Затем, как показано на фиг.10B, вытравливают участок, соответствующий области разметки C в защитной изолирующей пленке 52 и в покровных пленках 53-55 с первой по третью, сформированных на периферийном участке B, тем самым формируя выемку 57 с главной поверхностью служащей нижним слоем 51 металлической пленки в качестве донной поверхности. Таким образом открывают (обнажают) главную поверхность нижнего слоя 51 на участке, соответствующем области разметки C.
3
[0085] Затем, как показано на фиг.11A, на главной поверхности 11a стеклянной подложки 11 формируют и снабжают рисунком пленку ITO, так что пиксельный электрод 46, электрически подключенный к TFT 40, формируют на участке A, служащем участком жидкокристаллического дисплея, а на периферийном участке B формируют верхний слой 56 на разметочной площадке 50. В частности, на стеклянной подложке 11 формируют пленку ITO, например, напылением, и эту пленку ITO снабжают рисунком методом фотолитографии, тем самым формируя пиксельный электрод 46 и верхний слой 56. Заметим, что в качестве процесса травления при фотолитографии можно использовать влажное травление с использованием, например, HCl+HNO или т.п.
[0086] После этого на главной поверхности 11a участка A стеклянной подложки 11, служащего участком жидкокристаллического дисплея, формируют ориентирующую пленку. Вышеприведенным изготовление подложки 10B TFT завершено.
[0087] Далее, как показано на фиг.4, подложку 10B TFT, изготовленную на этапе S101, и подложку 20 CF, изготовленную на этапе S102, связывают друг с другом (этап S103). В частности, как показано на фиг.11B, размещают герметизирующий элемент 30 окружающим участок A подложки 10B TFT, служащий участком жидкокристаллического дисплея, позиционируют подложку 20 CF в контакте с этим герметизирующим элементом 30, размещая ее напротив подложки 10B TFT, и отверждают герметизирующий элемент 30. Таким образом, связывают друг с другом подложку 10B TFT и подложку 20 CF. При этом в качестве герметизирующего элемента 30 можно использовать термореактивный герметизирующий материал, фотоотверждаемый герметизирующий материал, их комбинацию или т.п.
[0088] В способе изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления стеклянная подложка 11, служащая опорным элементом для подложки 10B TFT, и стеклянная подложка 21, служащая опорным элементом для подложки 20 CF, изготавливаются из материнской стеклянной подложки. Поэтому, после того как подложка 20 CF связана с подложкой 10B TFT, участок подложки 20 CF, не служащий участком жидкокристаллического дисплея, располагается напротив периферийного участка B подложки 10B TFT, не служащего участком жидкокристаллического дисплея. А именно, подложка 20 CF размещается напротив главной поверхности области разметки C на разметочной площадке 50, сформированной на периферийном участке B подложки 10B TFT, не служащем участком жидкокристаллического дисплея, на расстоянии от нее.
4
[0089] Далее, как показано на фиг.4, осуществляют процесс лазерной разметки путем излучения лазерных лучей (этап S104). В частности, как показано на фиг.12, область разметки C на разметочной площадке 50 облучают лазерными лучами 100 через подложку 20 CF со стороны подложки 20 CF. Например, в качестве излучаемых лазерных лучей 100 подходящим образом используют основные моды (с длиной волны 1064 нм) или т.п. лазера на YVO, представленные в целом лучами лазера на АИГ или лучами лазера на легированном неодимом АИГ. Таким образом, верхний слой 56 и нижний слой 51, составляющие область разметки C на разметочной площадке 50 на участке, облучаемом лазерными лучами 100, локально нагреваются и сублимируют, так что образуется сквозное отверстие 58, проходящее через верхний слой 56 и нижний слой 51.
[0090] Затем, как показано на фиг.4, осуществляют различные этапы, например этап заливки жидкого кристалла 32 (этап S105). Далее, подложку 10B TFT и подложку 20 CF делят вдоль разделительной линии E1, показанной на фиг.12 (этап S106), и подложку 20 CF делят вдоль разделительной линии E2, показанной на фиг.12, тем самым удаляя ненужный участок (этап S107). Вышеприведенным изготовление жидкокристаллической панели 1B, показанной на фиг.8, завершено.
[0091] При изготовлении жидкокристаллической панели 1B согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в данном вышеописанном варианте осуществления, как и в вышеописанном первом варианте осуществления, можно обеспечить разметку высокого разрешения, несмотря на то, что предусмотренная на подложке 10B TFT разметочная площадка 50 облучается лазерными лучами 100 через подложку 20 CF (т.е. осуществляется многоподложечный процесс). Таким образом, при изготовлении жидкокристаллической панели 1B согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления вышеописанный многоподложечный процесс может осуществляться так, что достигаются оба результата эффективного производства жидкокристаллических панелей и снижения себестоимости, получаемые при применении многоподложечного процесса.
[0092] Кроме того, при изготовлении жидкокристаллической панели 1B согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления, как и в вышеописанном первом варианте осуществления, можно применять многоподложечный процесс, вместе с тем реализуя разметку высокого разрешения. Таким образом, поскольку пространство, в котором нужно герметизировать жидкий кристалл 32, в процессе лазерной разметки уже находится в состоянии, изолированном от окружающей среды, включая периферийный участок B, посредством герметизирующего элемента 30, можно предотвратить попадание посторонних веществ в это пространство из различных пленок, образующих область разметки C на разметочной площадке 50, которые сублимируют в процессе лазерной разметки, и, следовательно, также можно повысить производительность.
[0093] Кроме того, при изготовлении жидкокристаллической панели 1B согласно способу изготовления жидкокристаллической панели в данном варианте осуществления металлическую пленку, служащую нижним слоем 51 на разметочной площадке 50, которая уже сформирована, всегда можно защитить защитной изолирующей пленкой 52 во время процесса травления или процесса осаждения пленки, осуществляемых на подложке 10B TFT для изготовления TFT 40. Поэтому можно эффективно препятствовать коррозии и повреждению нижнего слоя 51 на разметочной площадке 50 во время процесса травления или процесса осаждения пленки.
[0094] Кроме того, реализуя конструкции подложки 10B TFT и включающей ее жидкокристаллической панели 1B в данном варианте осуществления, как и в вышеописанном первом варианте осуществления, можно получить стеклянную подложку для жидкокристаллической панели, включающую в себя разметочную площадку 50, пригодную для лазерной разметки, и жидкокристаллическую панель, включающую в себя такую стеклянную подложку. Поэтому при изготовлении жидкокристаллической панели 1B, включающей в себя подложку 10B TFT, можно получить жидкокристаллическую панель, с которой можно точно считывать различные типы информации, например серийную информацию и информацию о ее использовании.
Модификация
[0095] На фиг.13 и 14 показаны схематические виды в разрезе разметочных площадок согласно первой и второй модификациям соответственно. В обеих разметочных площадках 50A и 50B согласно этим первой и второй модификациям металлическая пленка, образующая нижний слой 51 в области разметки C на разметочной площадке 50, в вышеописанных первом и втором вариантах осуществления образована из пленочной стопки (набора слоев).
[0096] Как показано на фиг.13, в первой модификации нижний слой 51 в области разметки C на разметочной площадке 50A образован, например, из двухслойной пленочной стопки из первой металлической пленки 51a и второй металлической пленки 51b, сформированной покрывающей главную поверхность первой металлической пленки 51a. Первая металлическая пленка 51a и вторая металлическая пленка 51b образованы путем последовательного формирования разных по материалу металлических пленок напылением или т.п. при формировании нижнего слоя 51 на разметочной площадке 50A. В этом случае главная поверхность второй металлической пленки 51b может быть подвергнута анодированию.
[0097] Например, для использования в качестве первой металлической пленки 51a пригодна танталовая пленка, и, например, для использования в качестве второй металлической пленки 51b пригодна алюминиевая пленка или медная пленка. В этом случае также нижний слой 51 в области разметки C на разметочной площадке 50A, сформированный из двухслойной пленочной стопки, и вышеописанный электрод 41 затвора TFT 40 предпочтительно сформированы одновременно, и в этом случае металлическая пленка, образующая электрод 41 затвора TFT 40, также сформирована в виде двухслойной пленочной стопки, имеющей вышеописанную конструкцию.
[0098] Как показано на фиг.14, во второй модификации нижний слой 51 в области разметки C на разметочной площадке 50B образован, например, из трехслойной пленочной стопки из первой металлической пленки 51a, второй металлической пленки 51b, сформированной покрывающей главную поверхность первой металлической пленки 51a, и третьей металлической пленки 51c, сформированной покрывающей главную поверхность второй металлической пленки 51b. Первая металлическая пленка 51a, вторая металлическая пленка 51b и третья металлическая пленка 51c образованы путем последовательного формирования разных по материалу металлических пленок напылением или т.п. при формировании нижнего слоя 51 на разметочной площадке 50B. В этом случае главная поверхность третьей металлической пленки 51c может быть подвергнута анодированию.
[0099] Например, для использования в качестве первой металлической пленки 51a пригодна танталовая пленка, например, для использования в качестве второй металлической пленки 51b пригодна алюминиевая пленка или медная пленка, и, например, для использования в качестве третьей металлической пленки 51c пригодна танталовая пленка. В этом случае также нижний слой 51 в области разметки C на разметочной площадке 50B, сформированный из трехслойной пленочной стопки, и вышеописанный электрод 41 затвора TFT 40 предпочтительно сформированы одновременно, и в этом случае металлическая пленка, образующая электрод 41 затвора TFT 40, также образована в виде трехслойной пленочной стопки, имеющей вышеописанную конструкцию.
[0100] Согласно вышеописанным первой и второй модификациям также можно получить такие же результаты, как и в вышеописанных первом и втором вариантах осуществления.
[0101] На фиг.15A показана увеличенная фотография, демонстрирующая один пример разметочной площадки, подвергнутой процессу лазерной разметки в многоподложечном процессе с применением настоящего изобретения, а на фиг.15B показана увеличенная фотография, демонстрирующая один пример разметочной площадки, подвергнутой процессу лазерной разметки в многоподложечном процессе без применения настоящего изобретения. Из этих увеличенных фотографий следует, что даже в случае применения многоподложечного процесса разрешение разметки, такое как размер и форма сквозного отверстия и степень потемнения вокруг сквозного отверстия, можно поддерживать высоким, применяя настоящее изобретение, тогда как разрешение разметки снижается, когда настоящее изобретение не применяется.
[0102] Следует понимать, что все раскрытые здесь варианты осуществления и модификации являются иллюстративными и не налагают никаких ограничений. Технический объем настоящего изобретения определяется только формулой изобретения и призван охватывать любые модификации в пределах объема и смысловых эквивалентов признаков формулы изобретения.
Перечень условных обозначений
[0103] 1A, 1B - жидкокристаллическая панель; 2 - участок записи информации; 10A, 10B - подложка TFT; 11 - стеклянная подложка; 11a - главная поверхность; 20 - подложка CF; 21 - стеклянная подложка; 30 - герметизирующий элемент; 32 - жидкий кристалл; 40 - TFT; 41 - электрод затвора; 42 - изолирующая пленка затвора; 43 - первый полупроводниковый слой; 44 - второй полупроводниковый слой; 45a - электрод истока; 45b - электрод стока; 46 - пиксельный электрод; 50, 50A, 50B - разметочная площадка; 51 - нижний слой; 51a - первая металлическая пленка; 51b - вторая металлическая пленка; 51c - третья металлическая пленка; 52 - защитная изолирующая пленка; 53 - первая покровная пленка; 54 - вторая покровная пленка; 55 - третья покровная пленка; 56 - верхний слой; 57 - выемка; 58 - сквозное отверстие; 60 - участок символьных данных; 100 - лазерный луч; A - участок, служащий участком жидкокристаллического дисплея; B - периферийный участок; C - область разметки; D - периферийная область; и E1, E2 - разделительная линия.