ЧИСТЯЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ НА ОСНОВЕ МНОГОЦЕЛЕВОГО КИСЛОТНОГО ОРГАНИЧЕСКОГО РАСТВОРИТЕЛЯ

1. Чистящая композиция для очистки микроэлектронных или наноэлектронных устройств, где чистящая композиция включает:
HF в качестве единственной кислоты, отличающейся от фосфорной кислоты - ингибитора соединения в композиции;
по меньшей мере один основной растворитель, выбранный из группы, состоящей из сульфонов и селенонов;
по меньшей мере один полигидроксилалкильный или арильный спирт в качестве сорастворителя, имеющий центры, способные к комплексообразованию или связыванию с ионом металла;
воду и,
необязательно, по меньшей мере одно соединение фосфониевой кислоты, ингибирующего коррозию,
причем указанная чистящая композиция не содержит амины, основания и другие соли и имеет рН≤5,5.
2. Чистящая композиция по п.1, в которой основной растворитель выбирают из группы, состоящей из сульфолана, метилсульфона, этилсульфона, диметилсульфона, диэтилсульфона, дибутилсульфона, метилфенилсульфона, 2,2'-сульфонилдиэтанола, 4-(метилсульфонил)толуола, этилфенилсульфона, ди-п-толуилсульфона.
3. Чистящая композиция по п.2, в которой по меньшей мере одним основным растворителем является сульфолан.
4. Чистящая композиция по п.1, в которой по меньшей мере один сорастворитель, полигидроксильный алкильный или арильный спирт, выбирают из группы, состоящей из этиленгликоля, диэтиленгликоля, пропиленгликоля, бутиленгликоля, кахетола или пирогаллола.
5. Чистящая композиция по п.4, в которой по меньшей мере одним сорастворителем полигидроксилалкильным или арильным спиртом является этилен-гликоль.
6. Чистящая композиция по п.1, в которой, необязательно, присутствует по меньшей мере одно соединение фосфониевой кислоты, ингибирующего коррозию, выбранное из группы, состоящей из аминотриметиленфосфониевой кислоты, диэтилентриаминпента(метиленфосфониевой кислоты) (DETPA), N,N,N',N'-этилендиаминтетра(метиленфосфоний)-1,5,9-триазациклододекан-N,N',N''-трис(метиленфосфониевой кислоты) (DOTRP), 1,4,7,10-тетраазациклододекан-N,N',N'',N'''-тетракис(метилфосфониевой кислоты) (DOTP), нитрилотрис(метилен)-трифосфониевой кислоты, диэтилентриаминпента(метиленфосфониевой кислоты) (DETAP), аминотри(метиленфосфониевой кислоты), 1-гидроксиэтилен-1,1-дифосфониевой кислоты, бис(гексаметилен)триаминфосфониевой кислоты и 1,4,7-триазациклононан-N,N',N"-трис(метиленфосфониевой кислоты) (NOTP).
7. Чистящая композиция по п.6, в которой соединением фосфониевой кислоты - ингибитором коррозии является аминотриметиленфосфониевая кислота.
8. Чистящая композиция по п.1, в которой по меньшей мере один основной растворитель выбран из группы, состоящей из сульфолана, метилсульфона, этилсульфона, диметилсульфона, диэтилсульфона, дибутилсульфона, метилфенилсульфона, 2,2'-сульфонилдиэтанола, 4-(метилсульфонил)толуола, этилфенилсульфона, ди-п-толуилсульфона, по меньшей мере один сорастворитель полигидроксилалкильный или арильный спирт выбран из группы, состоящей из этиленгликоля, диэтиленгликоля, пропиленгликоля, бутиленгликоля, кахетола или пирогаллола, и, необязательно, присутствует по меньшей мере один ингибитор коррозии - соединение фосфониевой кислоты, выбранное из группы, состоящей из аминотриметиленфосфониевой кислоты, диэтилентриаминпента(метилен-фосфониевой кислоты) (DETPA), N,N,N',N'-этилендиаминтетра (метиленфосфо-ний)-1,5,9-триазациклододекан-N,N',N''-трис(метиленфосфониевой кислоты) (DOTRP), 1,4,7,10-тетраазациклододекан-N,N',N'',N'''-тетракис(метилфосфониевой кислоты) (DOTP), нитрилотрис(метилен)-трифосфониевой кислоты, диэтилентриаминпента(метиленфосфониевой кислоты) (DETAP), аминотри(метилен-фосфониевой кислоты), 1-гидроксиэтилен-1,1-дифосфониевой кислоты, бис(гексаметилен)триаминфосфониевой кислоты и 1,4,7-триазациклононан-N,N',N''-трис(метиленфосфониевой кислоты) (NOTP).
9. Чистящая композиция по п.8, в которой по меньшей мере одним основным растворителем является сульфолан, по меньшей мере одним сорастворителем является этиленгликоль и соединением фосфониевой кислоты - ингибитором коррозии является аминотриметиленфосфониевая кислота.
10. Чистящая композиция по п.1, включающая от 0,01 до 10% HF, от примерно 20 до примерно 60% основного растворителя, примерно от 20 до 70% сорастворителя и от примерно 0,1 до примерно 40% воды, где проценты являются массовыми процентами в расчете на общую массу композиции.
11. Чистящая композиция по п.1, включающая от 0,01 до 10% HF, от примерно 20 до примерно 60% основного растворителя, примерно от 20 до 70% сорастворителя и от примерно 0,1 до примерно 40% воды и от примерно 0,01 до примерно 5% соединения фосфониевой кислоты, где проценты являются массовыми процентами в расчете на общую массу композиции.
12. Чистящая композиция по п.1, включающая от 0,01 до 10% HF, от примерно 20 до примерно 60% сульфолана, от примерно 20 до примерно 70% этиленгликоля и от примерно 0,1 до примерно 40% воды, где проценты являются массовыми процентами в расчете на общую массу композиции.
13. Чистящая композиция по п.1, включающая от 0,01 до 10% HF, примерно от 20 до 60% сульфолана, от примерно 20 до примерно 70% этиленгликоля, от примерно 0,1 до примерно 40% воды и от примерно 0,01 до примерно 5% аминотриметиленфосфониевой кислоты, где проценты являются массовыми процентами в расчете на общую массу композиции.
14. Чистящая композиция по п.1, включающая примерно 0,2% HF, примерно 36,4% сульфолана, примерно 45,4% этиленгликоля и примерно 18% воды, где проценты являются массовыми процентами в расчете на общую массу композиции.
15. Чистящая композиция согласно п.1, включающая примерно 0,2% HF, примерно 36,3% сульфолана, примерно 45,4% этиленгликоля, примерно 18% воды и примерно 0,1% аминотриметиленфосфониевой кислоты, где проценты являются массовыми процентами в расчете на общую массу композиции.
16. Способ очистки микроэлектронного или наноэлектронного устройства, включающий контактирование микроэлектронного или наноэлектронного устройства с чистящей композицией по любому одному из пп.1-15 в течение времени и при температуре, достаточных для удаления фоторезиста.
17. Способ согласно п.16, в котором очищаемое устройство имеет фоторезист, металлизацию медью, диэлектрик с низкой диэлектрической проницаемостью и по меньшей мере один другой элемент, выбранный из твердосплавного шаблона из Ti или TiN, антиотражающего покрытия или CoWP металлического защитного слоя.