ПЛЕНКИ С ЧРЕЗВЫЧАЙНО НИЗКИМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ И СПОСОБЫ ИХ МОДИФИЦИРОВАНИЯ ИЛИ СОЗДАНИЯ

1. Способ улучшения рабочих характеристик ЧНС-пленки, содержащей ЧНС-материал, имеющий кристаллическую структуру, причем способ включает:
наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки, чтобы создать модифицированную ЧНС-пленку, при этом модифицированная ЧНС-пленка обладает улучшенными рабочими характеристиками по сравнению с ЧНС-пленкой без модифицирующего материала.
2. Способ по п.1, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает осаждение модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-материала.
3. Способ по п.1, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает наслаивание модифицирующего материала на грань ЧНС-материала, которая не является по существу параллельной c-плоскости кристаллической структуры ЧНС-материала.
4. Способ по п.3, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает наслаивание модифицирующего материала на грань ЧНС-материала, которая параллельна ab-плоскости кристаллической структуры ЧНС-материала.
5. Способ по п.4, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает наслаивание модифицирующего материала на грань ЧНС-материала, которая параллельна a-плоскости или b-плоскости кристаллической структуры ЧНС-материала.
6. Способ по п.1, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает наслаивание хрома, меди, висмута, кобальта, ванадия, титана, родия, бериллия, галлия или селена на подходящую поверхность ЧНС-пленки.
7. Способ по п.1, дополнительно включающий формирование подходящей поверхности на или в ЧНС-пленке.
8. Способ по п.7, при этом формирование подходящей поверхности на или в ЧНС-пленке включает открывание подходящей поверхности на или в ЧНС-пленке.
9. Способ по п.7, при этом формирование подходящей поверхности на или в ЧНС-пленке включает наслаивание ЧНС-материала на подложку таким образом, что конкретная ось кристаллической структуры ЧНС-материала ориентируется вдоль главной оси подложки, при этом конкретная ось представляет собой линию в c-плоскости кристаллической структуры ЧНС-материала.
10. Способ по п.9, при этом конкретная ось является a-осью или b-осью.
3
4
11. Способ по п.10, при этом наслаивание ЧНС-материала на подложку включает наслаивание ЧНС-материала на MgO, SrTiO, LaSrGaO или их сочетания.
12. Способ по п.8, при этом открывание подходящей поверхности ЧНС-пленки включает травление первичной поверхности ЧНС-пленки, чтобы увеличить площадь первичной поверхности.
13. Способ по п.8, при этом открывание подходящей поверхности ЧНС-пленки включает создание рисунка в первичной поверхности ЧНС-пленки, посредством чего открываются одна или более подходящих поверхностей ЧНС-пленки.
14. Способ по п.13, при этом создание рисунка в первичной поверхности ЧНС-пленки включает прорезание канавки в первичной поверхности ЧНС-пленки.
15. Способ по п.14, при этом наслаивание модифицирующего материала на подходящую поверхность ЧНС-пленки включает осаждение модифицирующего материала в канавку.
16. Способ по п.1, при этом ЧНС-материал включает сверхпроводящий материал.
17. Способ по п.16, при этом сверхпроводящий материал включает медьоксидный перовскит со смешанной валентностью.
18. Способ по п.16, при этом сверхпроводящий материал включает пниктид железа или диборид магния.
19. Способ улучшения рабочей характеристики ЧНС-пленки, имеющей главную ось, которая длиннее любой из ее других двух осей, причем ЧНС-пленка имеет первичную поверхность с большей площадью, чем у любой из ее других ортогональных граней, ЧНС-пленка содержит ЧНС-материал, имеющий кристаллическую структуру, а способ включает:
создание по меньшей мере одной канавки в первичной поверхности ЧНС-пленки, посредством чего открывается грань ЧНС-материала, причем открытая грань является гранью, параллельной ab-плоскости кристаллической структуры ЧНС-материала; и
осаждение модифицирующего материала на открытую грань.
20. Способ по п.19, при этом создание по меньшей мере одной канавки в первичной поверхности ЧНС-пленки включает создание по меньшей мере одной канавки, имеющей глубину, по существу равную толщине ЧНС-материала.
21. Способ по п.19, при этом создание по меньшей мере одной канавки в первичной поверхности ЧНС-пленки включает создание по меньшей мере одной канавки, имеющей меньшую глубину, чем толщина ЧНС-материала.
22. Способ по п.19, при этом осаждение модифицирующего материала на открытую грань включает осаждение слоя в одну структурную единицу модифицирующего материала на открытую грань.
23. Способ по п.19, при этом осаждение модифицирующего материала на открытую грань включает осаждение слоя в две или более структурных единицы модифицирующего материала на открытую грань.
24. Способ по п.19, при этом ширина упомянутой по меньшей мере одной канавки составляет больше чем 10 нм.
25. Способ по п.19, при этом создание по меньшей мере одной канавки в первичной поверхности ЧНС-пленки включает создание по меньшей мере одной канавки в первичной поверхности пленки, которая проходит по существу в направлении главной оси ЧНС-пленки.
26. ЧНС-пленка, содержащая:
первый слой, состоящий из ЧНС-материала; и
второй слой, состоящий из модифицирующего материала, связанного с ЧНС-материалом первого слоя,
при этом ЧНС-материал, связанный с модифицирующим материалом, имеет улучшенную рабочую характеристику по сравнению с рабочими характеристиками ЧНС-материала без модифицирующего материала.
27. ЧНС-пленка по п.26, при этом улучшенная рабочая характеристика включает более высокую температуру перехода.
28. ЧНС-пленка по п.26, дополнительно содержащая третий слой, состоящий из материала подложки.
29. ЧНС-пленка по п.28, при этом первый слой является смежным со слоем подложки.
30. ЧНС-пленка по п.28, при этом второй слой является смежным со слоем подложки.
31. ЧНС-пленка по п.26, дополнительно содержащая буферный или изолирующий слой.
32. ЧНС-пленка по п.31, при этом первый слой является смежным с буферным или изолирующим слоем.
33. ЧНС-пленка по п.31, при этом второй слой является смежным с буферным или изолирующим слоем.
34. ЧНС-пленка по п.26, дополнительно содержащая третий слой ЧНС-материала, связанный со вторым слоем.
35. ЧНС-пленка по п.26, дополнительно содержащая третий слой модифицирующего материала, связанный с первым слоем.
36. ЧНС-пленка по п.28, при этом материал подложки содержит поликристаллический материал, поликристаллический металл, сплав, сплав хастеллой, сплав Хейнса или сплав инконель.
37. ЧНС-пленка по п.26, при этом модифицирующий материал содержит хром, медь, висмут, кобальт, ванадий, титан, родий, бериллий, галлий, селен или другой материал.
38. ЧНС-пленка по п.26, при этом ЧНС-материал содержит сверхпроводящий материал.
39. ЧНС-пленка по п.38, при этом сверхпроводящий материал содержит медьоксидный перовскит со смешанной валентностью.
40. ЧНС-пленка по п.38, при этом сверхпроводящий материал содержит материал пниктид железа.