СПОСОБ ОЧИСТКИ КАРБИД-КРЕМНИЕВОЙ ТРУБЫ
METHOD OF CLEANING CARBIDE-SILICON PIPE

Изготовление относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки карбид-кремниевой трубы, применяемой для высокотемпературных процессов в диффузионных печах. Известны способы обработки изделий в различных травителях при высоких температурах [1].
2
Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений с карбид-кремниевой трубы. Известен способ обработки карбид-кремниевой трубы раствором, в состав которого входят плавиковая кислота - HF, соляная кислота - НС1 и деионизованная вода- HO в соотношении 1:1:3,5. Сущность данного способа в том, что карбид-кремниевую трубу подвергают обработке раствором в течение 20±5 минут [2].
Основным недостатком этого способа является длительность процесса, неполное удаление загрязнений, использование небезопасной плавиковой кислоты.
Целью изобретения является уменьшение длительности и упрощение процесса, полное удаление загрязнений.
4
2
2
Поставленная цель достигается тем, что удаление загрязнений с карбид-кремниевой трубы происходит за счет использования раствора, в состав которого входят бифторид аммония - NHHF, соляная кислота - НС1 и деионизованная вода - HO в соотношении 1:1,5:4. Длительность обработки составляет 10±7 минут. По окончании обработки трубу промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 30 минут. Сущность способа заключается в том, что карбид-кремниевую трубу подвергают обработке раствором в течение 10±7 минут. Качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги, которую следует приложить к мокрой внутренней поверхности трубы. В случае покраснении индикаторной бумаги следует повторить обработку. После чего установить трубу в шкаф и выдержать при комнатной температуре не менее 11 часов. Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке обработки карбид-кремниевой трубы в растворе, состоящем из бифторида аммония, соляной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:
4
2
2
NHHF:HCl:HO
1:1,5:5,0
Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 15±5 минут. По окончании обработки карбид-кремниевую трубу промывают в деионизованной воде в течение 30 минут. Качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги.
ПРИМЕР 2. Способ обработки осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки карбид-кремниевой трубы в растворе, состоящем из бифторида аммония, соляной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:
4
2
2
NHHF:HC1:HO
1:1,5:4,0
Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 10±7 минут. По окончании обработки карбид-кремниевую трубу промывают в деионизованной воде в течение 30 минут. Качество обработки определяется с помощью индикаторной бумаги. Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипами обеспечивает полное удаление загрязнений, безопасный процесс обработки, уменьшение длительности процесса.
Литература
1. А.И. Курсонов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Высшая школа, 1980, стр.88-89.
2. Патент №2377690, Н 01 L 21/306, 27.12.2009