СПОСОБ ПЛАНИРИЗАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ НАНОСТРУКТУР МАТЕРИАЛОВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ПУЧКОМ ГАЗОВЫХ КЛАСТЕРНЫХ ИОНОВ

Способ планиризации поверхности наноструктур материалов электронной техники пучком газовых кластерных ионов, отличающийся тем, что в качестве рабочего газа пучка газовых кластерных ионов используют ксенон.