ДОСТУП К ПАМЯТИ

1. Магнитное логическое устройство, содержащее:
в основном плоскую первую подложку для электрической схемы;
множество в основном плоских вторых подложек для схемы на магнитных элементах, сформированной в виде многослойной структуры поверх первой подложки;
при этом каждая упомянутая вторая подложка содержит сформированную на ней схему на магнитных элементах;
при этом каждая схема на магнитных элементах содержит множество логических элементов, элемент для записи данных и элемент для считывания данных;
в котором элемент для записи данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости соответствующему магнитоэлектрическому записывающему элементу первой подложки;
в котором элемент для считывания данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости соответствующему магнитоэлектрическому считывающему элементу первой подложки; и
в котором элемент для записи данных и элемент для считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на первой из вторых подложек, смещены относительно элемента для записи данных и элемента для считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на второй из вторых подложек.
2. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором магнитные логические элементы содержат, по меньшей мере, один элемент для хранения данных.
3. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором вторые подложки разделены неферромагнитной прослойкой.
4. Магнитное логическое устройство по п.3, в котором неферромагнитная прослойка содержит материал, выбранный из группы, содержащей диэлектрик, полимерный материал и материал из неферромагнитного металла.
5. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором каждая упомянутая вторая подложка содержит сформированное на ней множество схем на магнитных элементах.
6. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором схема на магнитных элементах сформирована из нанопроводников, выполненных из магнитного материала.
7. Магнитное логическое устройство по п.5, в котором каждый логический элемент сформирован из соединения между нанопроводниками.
8. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором элементом для записи данных и элементом для считывания данных является единый физический элемент.
9. Магнитное логическое устройство по п.1, дополнительно содержащее генератор магнитного поля, предназначенный для генерации вращающегося магнитного поля для приведения в действие схем на магнитных элементах.
10. Магнитное логическое устройство по п.9, в котором генератор магнитного поля способен функционировать таким образом, что осуществляет генерацию магнитного поля, вращающегося в направлении по часовой стрелке и/или против часовой стрелки.
11. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором элемент для записи данных содержит увеличенный конец шлейфа логического элемента "НЕ".
12. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором элемент для записи данных содержит участок схемы с более низкой коэрцитивностью, чем коэрцитивность соседнего участка схемы.
13. Магнитное логическое устройство по п.12, в котором участок схемы с более низкой коэрцитивностью, чем коэрцитивность соседнего участка схемы, сформирован имеющим иную геометрическую конфигурацию, чем соседний участок схемы.
14. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором схема на магнитных элементах дополнительно содержит узел стирания.
15. Магнитное логическое устройство по п.14, в котором узел стирания соответствует по его месту расположения на плоскости соответствующему электрическому узлу стирания первой подложки.
16. Магнитное логическое устройство по п.1, в котором магнитные свойства схемы на магнитных элементах зависят от физической геометрической конфигурации схемы.
17. Запоминающее устройство для хранения данных, содержащее магнитное логическое устройство по любому из предыдущих пунктов.
18. Устройство со схемой на магнитных элементах, содержащее:
множество в основном плоских подложек, сформированных в виде многослойной структуры, при этом каждая упомянутая подложка содержит сформированную на ней схему на магнитных элементах;
причем каждая схема на магнитных элементах содержит множество логических элементов, элемент для записи данных и элемент для считывания данных;
в котором элемент для записи данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости ожидаемому положению соответствующего магнитоэлектрического записывающего элемента; и
в котором элемент для считывания данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости ожидаемому положению соответствующего магнитоэлектрического считывающего элемента; и
в котором элемент для записи данных и элемент для считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на первой подложке, смещены относительно элемента для записи данных и элемента для считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на второй подложке.
19. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.18, в котором вторые подложки разделены неферромагнитной прослойкой.
20. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.19, в котором неферромагнитная прослойка содержит материал, выбранный из группы, содержащей диэлектрик, полимерный материал и материал из неферромагнитного металла.
21. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.18, в котором каждая упомянутая вторая положка содержит сформированное на ней множество схем на магнитных элементах.
22. Устройство со схемой на магнитных элементах по по п.18, в котором схема на магнитных элементах сформирована из нанопроводников, выполненных из магнитного материала.
23. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.18, в котором элементом для записи данных и элементом для считывания данных является единый физический элемент.
24. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.18, в котором каждая схема на магнитных элементах функционирует таким образом, что приводится в действие вращающимся магнитным полем.
25. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.18, в котором элемент для записи данных содержит увеличенный конец шлейфа логического элемента "НЕ".
26. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.18, в котором элемент для записи данных содержит участок схемы с более низкой коэрцитивностью, чем коэрцитивность соседнего участка схемы.
27. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.26, в котором участок схемы с более низкой коэрцитивностью, чем коэрцитивность соседнего участка схемы, сформирован имеющим иную геометрическую конфигурацию, чем соседний участок схемы.
28. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.18, в котором схема на магнитных элементах дополнительно содержит узел стирания.
29. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.28, в котором узел стирания соответствует по его месту расположения на плоскости ожидаемому положению соответствующего магнитоэлектрического элемента для стирания.
30. Устройство со схемой на магнитных элементах по п.18, в котором магнитные свойства схемы на магнитных элементах зависят от физической геометрической конфигурации схемы.
31. Запоминающее устройство для хранения данных, содержащее устройство со схемой на магнитных элементах по любому из пп.18-30.
32. Способ изготовления магнитного логического устройства, содержащий этапы, на которых:
формируют электрическую схему на первой подложке, причем эта электрическая схема содержит множество магнитоэлектрических записывающих элементов и считывающих элементов;
формируют множество в основном плоских вторых подложек в виде многослойной структуры поверх первой подложки, причем каждая упомянутая вторая подложка содержит сформированную на ней схему на магнитных элементах;
при этом каждая схема на магнитных элементах содержит множество логических элементов, элемент для записи данных и элемент для считывания данных;
причем элемент для записи данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости соответствующему магнитоэлектрическому записывающему элементу первой подложки; и
причем элемент для считывания данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости соответствующему магнитоэлектрическому считывающему элементу первой подложки; и
причем элемент для записи данных и элемент для считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на первой из вторых подложек, смещены относительно элемента для записи данных и элемента для считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на второй из вторых подложек.
33. Способ изготовления магнитного логического устройства, содержащий этапы, на которых:
формируют первую часть устройства, содержащую электрическую схему, расположенную на первой подложке, причем эта электрическая схема содержит множество магнитоэлектрических записывающих элементов и считывающих элементов;
формируют вторую часть устройства, содержащую множество в основном плоских вторых подложек в виде многослойной структуры, расположенных поверх третьей подложки, причем каждая упомянутая вторая подложка содержит сформированную на ней схему на магнитных элементах, содержащую множество логических элементов, элемент для записи данных и элемент для считывания данных, причем узел записи данных и узел считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на первой из вторых подложек, смещены относительно узла записи данных и узла считывания данных схемы на магнитных элементах, расположенной на второй из вторых подложек; и
скрепляют первую и вторую части устройства таким образом, что вторые подложки расположены между первой и третьей подложками, и таким образом, что элемент для записи данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости соответствующему магнитоэлектрическому записывающему элементу первой подложки, а элемент для считывания данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости соответствующему магнитоэлектрическому считывающему элементу первой подложки.
34. Способ изготовления запоминающего устройства, содержащий этапы, на которых изготавливают магнитное логическое устройство по п.32 или 33 и встраивают магнитное логическое устройство в запоминающее устройство.
35. Способ записи данных в схему на магнитных элементах, сформированную в основном на плоской подложке, которая способна функционировать вместе с другими такими подложками, расположенными в виде многослойной структуры, причем схема на магнитных элементах содержит множество логических элементов, элемент для записи данных и элемент для считывания данных, при этом элемент для записи данных схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости ожидаемому положению соответствующего магнитоэлектрического записывающего элемента и смещен относительно ожидаемого положения элемента для записи данных схемы на магнитных элементах, сформированной на другой подложке, а элемент для считывания данных каждой схемы на магнитных элементах соответствует по его месту расположения на плоскости ожидаемому положению соответствующего магнитоэлектрического считывающего элемента и смещен относительно ожидаемого положения узла считывания данных схемы на магнитных элементах, сформированной на другой подложке, причем способ содержит этапы, на которых:
схему на магнитных элементах помещают во вращающееся магнитное поле; и
выполняют модуляцию вращающегося магнитного поля, по меньшей мере, в месте расположения элемента для записи данных схемы на магнитных элементах.
36. Способ по п.35, в котором элемент для записи данных содержит участок схемы с более низкой коэрцитивностью, чем коэрцитивность соседнего участка схемы.
37. Способ по п.35 или 36, в котором схема на магнитных элементах не является электрически соединенной с источником модуляции поля.
38. Способ записи данных в схему на магнитных элементах, причем схема на магнитных элементах состоит из множества логических элементов, элемента для записи данных и элемента для считывания данных, содержащий этапы, на которых:
схему на магнитных элементах помещают во вращающееся магнитное поле; и
выполняют модуляцию вращающегося магнитного поля, по меньшей мере, в месте расположения элемента для записи данных схемы на магнитных элементах, причем этот элемент для записи данных содержит участок схемы с более низкой коэрцитивностью, чем коэрцитивность соседнего участка схемы.
39. Способ по п.38, в котором схема на магнитных элементах не является электрически соединенной с источником модуляции поля.