ИЗДЕЛИЕ С LOW-E ПОКРЫТИЕМ, ВКЛЮЧАЮЩИМ ОДИН ИЛИ НЕСКОЛЬКО СЛОЕВ, СОДЕРЖАЩИХ ОКСИД ЦИНКА С ОДНИМ ИЛИ НЕСКОЛЬКИМИ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫМИ МЕТАЛЛАМИ

1. Изделие с покрытием, включающее low-E покрытие на стеклянной основе, включающее:
первый диэлектрический слой,
первый и второй ИК-отражающие слои на стеклянной основе, находящиеся выше по меньшей мере первого диэлектрического слоя, и
второй диэлектрический слой, находящийся между по меньшей мере первым и вторым ИК-отражающими слоями, причем второй диэлектрический слой содержит оксид одного или более из SnPd, SnAg, SnMg, SnSb, SnZnBi, SnInZn, SnZnSb, SnZnA!, SnZnMg, SnCuSb, SnCuBi, SnBi, SnW, SnSbBi, SnZnCu, SnZnBiIn и SnInGa.
2. Изделие с покрытием по п. 1, причем первый и второй ИК-отражающие слои содержат серебро.
3. Изделие с покрытием по п. 1, причем первый диэлектрический слой содержит оксид цинка и находится между стеклянной основой и первым ИК-отражающим слоем, и причем первый диэлектрический слой, содержащий оксид цинка, находится в прямом контакте с первым ИК-отражающим слоем.
4. Изделие с покрытием по п. 1, причем покрытие включает, кроме того, слой, содержащий нитрид кремния, между стеклянной основой и первым ИК-отражающим слоем.
5. Изделие с покрытием по п. 1, причем покрытие включает, кроме того, третий диэлектрический слой, находящийся между по меньшей мере первым и вторым ИК-отражающими слоями, причем второй и третий диэлектрические слои отделены друг от друга по меньшей мере одним четвертым диэлектрическим слоем, и причем третий диэлектрический слой содержит оксид одного или более из SnPd, SnAg, SnMg, SnSb, SnZnBi, SnInZn, SnZnSb, SnZnAl, SnZnMg, SnCuSb, SnCuBi, SnBi, SnW, SnSbBi, SnZnCu, SnZnBiIn и SnInGa.
6. Изделие с покрытием по п. 5, причем четвертый диэлектрический слой содержит нитрид кремния.
7. Изделие с покрытием по п. 1, причем покрытие включает, дополнительно, другой слой, содержащий оксид цинка, находящийся под и в прямом контакте с указанным вторым ИК-отражающим слоем.
8. Изделие с покрытием по п. 1, причем изделие имеет коэффициент пропускания видимого света по меньшей мере 30%, и причем диэлектрический слой является, по существу, полностью окисленным и/или полностью окисленным.
9. Изделие с покрытием по п. 1, причем изделие с покрытием имеет коэффициент пропускания видимого света по меньшей мере 50%.
10. Изделие с покрытием по п. 1, причем поверхностное сопротивление покрытия не превышает 5 Ом/квадрат.
11. Изделие с покрытием по п. 1, причем изделие является термообработанным.
12. Изделие с покрытием по п. 1, причем изделие с покрытием является термообработанным и имеет параметр отражения ΔΕ* со стороны стекла не более 5,0 благодаря термообработке.
13. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой содержит оксид SnPd.
14. Изделие с покрытием по п. 1, причем содержания металлов во втором диэлектрическом слое составляют примерно 70-99% Sn и примерно 1-20% Pd.
15. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой, по существу, состоит из оксида SnPd.
16. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой содержит оксид SnAg.
17. Изделие с покрытием по п. 1, причем содержания металлов во втором диэлектрическом слое составляют примерно 75-99% Sn и примерно 1-10% Ag.
18. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой, по существу, состоит из оксида SnAg.
19. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой содержит оксид SnMg.
20. Изделие с покрытием по п. 1, причем содержания металлов во втором диэлектрическом слое составляют примерно 70-99% Sn и примерно 1-20% Mg.
21. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой, по существу, состоит из оксида SnMg.
22. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой содержит оксид SnSb.
23. Изделие с покрытием по п. 1, причем содержания металлов во втором диэлектрическом слое составляют примерно 75-99% Sn и примерно 1-20% Sb.
24. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой, по существу, состоит из оксида SnSb.
25. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой содержит оксид SnZnBi.
26. Изделие с покрытием по п. 1, причем содержания металлов во втором диэлектрическом слое составляют примерно 20-60% Sn, примерно 30-70% Zn и примерно 2-20% Bi.
27. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой, по существу, состоит из оксида SnZnBi.
28. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой содержит оксид SnInZn.
29. Изделие с покрытием по п. 1, причем содержания металлов во втором диэлектрическом слое составляют примерно 20-60% Sn, примерно 30-70% In и примерно 1-20% Zn.
30. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой, по существу, состоит из оксида SnZnIn.
31. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой содержит оксид SnZnSb.
32. Изделие с покрытием по п. 1, причем содержания металлов во втором диэлектрическом слое составляют примерно 10-55% Sn, примерно 30-70% Zn и примерно 5-40% Sb.
33. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой, по существу, состоит из оксида SnZnSb.
34. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой содержит оксид SnZnAl.
35. Изделие с покрытием по п. 1, причем содержания металлов во втором диэлектрическом слое составляют примерно 40-93% Sn, примерно 2-35% Zn и примерно 1-15% Al.
36. Изделие с покрытием по любому из пп. 1 или 34, 35, причем второй диэлектрический слой по существу состоит из оксида SnZnAl.
37. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой содержит оксид SnZnMg.
38. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой, по существу, состоит из оксида SnZnMg.
39. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой содержит оксид SnCuSb.
40. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой, по существу, состоит из оксида SnCuSb.
41. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой содержит оксид SnCuBi.
42. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой, по существу, состоит из оксида SnCuBi.
43. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой содержит оксид SnZnBiIn.
44. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой состоит, по существу, из оксида двухкомпонентного сплава.
45. Изделие с покрытием по п. 1, причем второй диэлектрический слой содержит оксид одного или более из SnPd, SnAg, SnInZn, SnCuSb, SnCuBi, SnW, SnZnCu, SnZnBiIn и SnInGa.
46. Изделие с покрытием, содержащее low-E покрытие на стеклянной основе, причем покрытие включает диэлектрический слой и ИК-отражающий слой на стеклянной основе, и причем диэлектрический слой содержит оксид одного или более из SnPd, SnAg, SnInZn, SnCuSb, SnCuBi, SnW, SnZnCu, SnZnBiIn и SnInGa.
47. Изделие с покрытием по п. 46, причем диэлектрический слой содержит оксид SnPd.
48. Изделие с покрытием по п. 46, причем содержания металлов в диэлектрическом слое составляют примерно 70-99% Sn и примерно 1-20% Pd.
49. Изделие с покрытием по п. 46, причем диэлектрический слой содержит оксид SnAg.
50. Изделие с покрытием по п. 46, причем содержания металлов в диэлектрическом слое составляют примерно 75-99% Sn и примерно 1-10% Ag.
51. Изделие с покрытием по п. 46, причем диэлектрический слой содержит оксид SnInZn.
53. Изделие с покрытием по п. 46, причем диэлектрический слой содержит оксид SnCuSb.
53. Изделие с покрытием по п. 46, причем диэлектрический слой содержит оксид SnCuBi.
54. Изделие с покрытием по п. 46, причем диэлектрический слой содержит оксид SnZnBiIn.