СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СТРУКТУРЫ С МАГНИТНЫМ ТУННЕЛЬНЫМ ПЕРЕХОДОМ

1. Способ изготовления устройства с магнитным туннельным переходом, при этом способ содержит:
формирование канавки в подложке;
нанесение структуры с магнитным туннельным переходом (MTJ) внутри канавки, причем MTJ структура включает в себя нижний электрод, фиксированный слой, туннельный барьерный слой, свободный слой и верхний электрод; и
выравнивание MTJ структуры без выполнения процесса фототравления на MTJ структуре.
2. Способ по п.1, в котором выравнивание MTJ структуры содержит выполнение процесса Химико-Механической Планаризации (СМР), для удаления лишнего материала.
3. Способ по п.1, дополнительно содержащий применение процесса оборотного фототравления для удаления материала, который непосредственно не выступает из канавки.
4. Способ по п.1, в котором выравнивание MTJ структуры содержит удаление нанесенного материала из подложки для формирования по существу плоской поверхности.
5. Способ по п.1, в котором MTJ структура изготовлена без использования процесса фототравления MTJ.
6. Способ по п.1, который дополнительно содержит выполнение процесса магнитного отжига для формирования ориентации магнитного поля, переносимого фиксированным слоем.
7. Способ по п.1, в котором формирование канавки содержит:
нанесение защитного пленочного слоя на промежуточный диэлектрический слой подложки;
выполнение процесса фото/травления/удаления фоторезиста на защитном пленочном и промежуточном диэлектрическом слое для образования переходного отверстия;
нанесение проводящего материала внутри переходного отверстия;
выполнение процесса Химико-Механической Планаризации (СМР) для выравнивания структуры;
нанесение защитного пленочного слоя; и
образование канавки в подложке, причем канавка имеет размеры, которые определяют MTJ структуру без выполнения процесса фототравления на MTJ структуре.
8. Способ изготовления устройства с магнитным туннельным переходом, причем способ содержит:
образование канавки в подложке;
нанесение структуры с магнитным туннельным переходом (MTJ) внутри канавки;
удаление лишнего материала, который непосредственно не выступает из канавки, используя процесс фототравления с низким разрешением; и
выравнивание MTJ структуры и подложки.
9. Способ по п.8, в котором нанесение MTJ структуры содержит:
нанесение нижнего электрода внутри канавки;
нанесение антимагнитного слоя на нижний электрод внутри канавки;
нанесение первого магнитного слоя на антиферромагнитный слой;
нанесение оксидного металлического материала для формирования туннельного барьера;
нанесение второго магнитного слоя на туннельный барьер; и
нанесение верхнего электрода на второй магнитный слой.
10. Способ по п.8, который дополнительно содержит выполнение процесса магнитного отжига на выбранном слое, для фиксации ориентации магнитного поля, причем выбранный слой содержит фиксированный слой.
11. Способ по п.8, который далее содержит формирование, по меньшей мере, двух электрических соединений с MTJ структурой.
12. Способ по п.8, в котором выравнивание MTJ структуры и подложки содержит выполнение процесса Химико-Механической Планаризации (СМР) без выполнения процесса фототравления на MTJ структуре.
13. Способ по п.8, в котором подложка содержит промежуточный диэлектрический слой и защитный пленочный слой.
14. Способ по п.13, в котором выравнивание MTJ структуры и подложки, содержит выполнение процесса Химико-Механической Планаризации (СМР) для удаления лишнего материала из MTJ структуры, и остановку на защитном пленочном слое.
15. Способ изготовления устройства с магнитным туннельным переходом, причем способ содержит:
образование канавки в подложке, при этом подложка содержит полупроводниковый материал, имеющий промежуточный диэлектрический слой и защитный пленочный слой, причем канавка проходит через защитный пленочный слой в промежуточный диэлектрический слой;
нанесение нижнего электрода внутри канавки;
нанесение MTJ структуры на нижний электрод, при этом MTJ структура включает в себя первый ферромагнитный слой, туннельный барьерный слой и второй ферромагнитный слой;
нанесение верхнего электрода на MTJ структуру; и
выполнение процесса оборотного фототравления и процесса выравнивания MTJ структуры и подложки, чтобы получить в значительной степени плоскую поверхность.
16. Способ по п.15, в котором MTJ структура формируется без выполнения процесса фототравления на MTJ структуре.
17. Способ по п.15, в котором выполнение процесса выравнивания содержит выполнения процесса Химико-Механической Планаризации (СМР) на MTJ структуре и подложке.
18. Способ по п.15, в котором канавка определяет форму MTJ структуры.
19. Способ по п.18, в котором канавка имеет по существу эллиптическую форму.
20. Способ по п.18, в котором канавка имеет по существу прямоугольную форму.