x
КОМПОЗИЦИОННЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ SiO И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

x
x
x
1. Композиционный материал на основе SiO, содержащий участки SiO, соединенные с дискретными участками проводящего Si, при этом SiO содержится в количестве в пределах между примерно 50% и примерно 80% по весу в расчете на композиционный материал.
2. Материал по п.1, отличающийся тем, что он находится в виде порошка.
3. Материал по п.2, отличающийся тем, что он смешан с другим материалом.
4. Материал по п.3, отличающийся тем, что другой материал представляет собой
2
SiO.
x
5. Материал по п.2, отличающийся тем, что, по меньшей мере, некоторые частицы SiO композиционного материала покрыты электропроводящим Si.
6. Материал по п.1, отличающийся тем, что он является спеченным.
7. Материал по п.6, отличающийся тем, что спеченный композиционный материал имеет сопротивление, равное примерно 200 Ом·см или менее.
8. Материал по п.6, отличающийся тем, что спеченный композиционный материал имеет сопротивление, равное примерно 20 Ом·см или менее.
9. Материал по п.6, отличающийся тем, что спеченный композиционный материал имеет сопротивление, равное примерно 10 Ом·см или менее.
10. Материал по п.6, отличающийся тем, что спеченный композиционный материал сжат до достижения плотности, равной, по меньшей мере, 90% от теоретической плотности.
x
11. Способ изготовления проводящего композиционного материала на основе SiO, включающий:
x
получение порошка SiO и
x
соединение проводящего Si с SiO.
x
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что проводящий Si наносят в одной из форм, включающих жидкую, газовую или полутвердую формы, на частицы SiO.
x
13. Способ по п.11, отличающийся тем, что стадию соединения Si с SiO проводят в неокисляющей среде для того, чтобы защитить Si от окисления во время процесса.
x
14. Способ по п.11, отличающийся тем, что порошок SiO содержится в количестве от примерно 50% до примерно 80% по весу в расчете на композиционный материал.
x
15. Способ по п.11, отличающийся тем, что до соединения Si получают сначала в виде порошка и смешивают с порошком SiO и затем сжимают и спекают в неокисляющей среде.
16. Способ по п.15, отличающийся тем, что получают сжатый и спеченный композиционный материал с плотностью, равной, по меньшей мере, 90% от теоретической плотности.
17. Способ по п.11, отличающийся тем, что получают композиционный материал с сопротивлением около 200 Ом·см или менее.
18. Способ по п.11, отличающийся тем, что получают композиционный материал с сопротивлением около 20 Ом·см или менее.
19. Способ по п.11, отличающийся тем, что получают композиционный материал с сопротивлением около 10 Ом·см или менее.
x
20. Способ изготовления проводящего композиционного материала на основе SiO, включающий:
x
получение порошка SiO и
x
соединение Si с SiO и легирование для придания ему проводимости.