СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

Способ изготовления полевого транзистора, включающий создание контактов стока и истока на контактом слое полупроводниковой структуры (гетероструктуры), выделение активной области (травлением или ионной имплантацией), нанесение пленки диэлектрика на поверхность контактного слоя, формирование субмикронной щели в пленке диэлектрика для последующих операций травления контактного слоя и нанесения металла затвора через маску резиста, отличающийся тем, что после нанесения пленки диэлектрика проводят литографию для вскрытия в диэлектрике окон, у которых, по крайней мере, один из краев совпадает с местоположением затворов Шоттки в изготавливаемом транзисторе, а после вскрытия этих окон на всю поверхность наносят второй слой диэлектрика, удаляют резист и посредством литографии создают окна в резисте, окружающие щели, образованные между двумя диэлектриками, проводят селективное травление контактного слоя, после чего напыляют пленки металлов для формирования затворов.