ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР (ВАРИАНТЫ)

1. Полупроводниковый лазер, включающий гетероструктуру, выращенную на подложке, по крайней мере, с одной активной квантовой ямой и окружающими ее слоями полупроводника, отличающийся тем, что гетероструктура включает буферный слой, покровный слой, контактный слой, область с активной квантовой ямой (активная область) выполнена в p-n и/или в p-i-n переходе, сформированном в окружающих слоях полупроводника, показатель преломления активной квантовой ямы превышает показатели преломления окружающих ее слоев полупроводника, волновод сформирован всеми слоями гетероструктуры за счет разности показателей преломления активной квантовой ямы и окружающих ее слоев полупроводника.
18
18
-3
2. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что подложка легирована сильнее, чем область с квантовыми ямами, степень легирования составляет 10-3·10 см.
3. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что буферный слой выполнен с той же степенью легирования, что и подложка.
17
17
-3
4. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что покровный слой легирован слабо, слабее, чем подложка, степень легирования составляет 10-5·10 см.
19
19
-3
5. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что контактный слой легирован сильно, степень легирования составляет 10-5·10 см.
6. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что в качестве полупроводников используют соединения типа А3В5 и их твердые растворы.
7. Полупроводниковый лазер, включающий гетероструктуру, выращенную на подложке, с активными квантовыми ямами и окружающими их слоями полупроводника, отличающийся тем, что гетероструктура включает буферный слой, промежуточные слои, покровный слой, контактный слой, область с активнми квантовыми ямами (активная область) выполнена в p-n и/или в p-i-n переходе, сформированном в окружающих слоях полупроводника, показатели преломления активных квантовых ям превышают показатели преломления окружающих их слоев полупроводника, волновод сформирован всеми слоями гетероструктуры за счет разности показателей преломления активных квантовых ям и окружающих их слоев полупроводника.
18
18
-3
8. Полупроводниковый лазер, по п.7, отличающийся тем, что подложка легирована сильнее, чем область с квантовыми ямами, степень легирования составляет 10-3·10 см.
9. Полупроводниковый лазер по п.7, отличающийся тем, что буферный слой выполнен с той же степенью легирования, что и подложка.
17
17
-3
10. Полупроводниковый лазер по п.7, отличающийся тем, что покровный слой легирован слабо, слабее, чем подложка, степень легирования составляет 10-5·10 см.
19
19
-3
11. Полупроводниковый лазер по п.7, отличающийся тем, что контактный слой легирован сильно, степень легирования составляет 10-5·10 см.
12. Полупроводниковый лазер по п.7, отличающийся тем, что в качестве полупроводников используют соединения типа А3В5 и их твердые растворы.