РЕЛАКСАЦИЯ ЕМКОСТИ В СТРУКТУРАХ МЕТАЛЛ ПОРИСТЫЙ SiC МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ SiC

УДК 621.380

Ю.Н. Варзарёв

РЕЛАКСАЦИЯ ЕМКОСТИ В СТРУКТУРАХ МЕТАЛЛ - ПОРИСТЫЙ БЮ -

МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ БЮ

Исследование механизмов токопереноса и рекомбинации носителей заряда в пористом карбиде кремния (БЮ) является важной задачей, способствующей более широкому использованию уникальных свойств данного материала в различных приборах. Поскольку пористый полупроводник обладает достаточно развитой внутренней поверхностью, концентрация поверхностных состояний в пористом материале будет гораздо выше, чем в монокристаллическом. Являясь ловушками для носителей заряда, данные поверхностные состояния определяют, таким образом, электрические свойства пористого полупроводника [1]. Для определения параметров таких ловушек широко используются емкостные методы, и в частности емкостная релаксационная спектроскопия глубоких уровней (РСГУ).

Показанные на рисунке кривые изменения емкости от времени структур металл-пористый БС-монокристаллический БС при различных напряжениях обратного смещения ЦТ свидетельствуют об аномальном поведении ловушек в пористом БЮ, а именно: 1) эмиссия и захват электронов протекают достаточно медленно и с одинаковой скоростью; 2) постоянная времени изменяется в процессе релаксации, то есть данные ловушки имеют непрерывный энергетический спектр; 3) постоянная времени зависит от напряжения

смещения.

а) б)

Рис. Релаксация емкости при переключении структуры в обратное смещение (а) и из

обратного смещения

По величине постоянной времени, определенной по наклону начальных участков кривых, была приблизительно оценена минимальная энергия электронных ловушек в пористом SiC, которая составила ~0,8-0,9 эВ.

БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК 1. Ivanov P.A., Mynbaeva M.G., Saddow S.E. Effective carrier density in porous silicon carbide // Semicond. Sci. Technol. 2004. v.19. p.319-322.