ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ С НИЗКООМНЫМИ ВХОДАМИ

1. Дифференциальный усилитель с низкоомными входами, содержащий первый (1) n-p-n и второй (2) p-n-p входные транзисторы, эмиттеры которых соединены с соответствующими первым (3) и вторым (4) токовыми входами дифференциального усилителя, первый (5) вспомогательный p-n-p транзистор, коллектор которого соединен с базой первого (1) n-p-n входного транзистора, второй (6) n-p-n вспомогательный транзистор, коллектор которого связан с базой второго (2) n-p-n входного транзистора, база первого (5) р-n-р вспомогательного транзистора соединена с первым (7) источником напряжения смещения, а эмиттер подключен к шине первого (8) источника питания чрез первый (9) вспомогательный двухполюсник, база второго (6) n-p-n вспомогательного транзистора соединена со вторым (10) источником напряжения смещения, а эмиттер подключен к шине второго (11) источника питания через второй (12) вспомогательный двухполюсник, причем коллекторы первого (5) вспомогательного р-n-р транзистора и второго (6) вспомогательного р-n-р транзистора соединены друг с другом по переменному току, отличающийся тем, что коллектор первого (1) n-p-n входного транзистора соединен с эмиттером первого (5) р-n-р вспомогательного транзистора, а коллектор второго (2) р-n-р входного транзистора соединен с эмиттером второго (6) вспомогательного n-р-n транзистора.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что между базами первого (1) n-p-n входного транзистора и второго (2) р-n-р входного транзистора включена цепь смещения статического потенциала (13), имеющая малое сопротивление на переменном токе.
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что коллектор первого (1) n-p-n входного транзистора соединен с эмиттером первого (5) р-n-р вспомогательного транзистора через первый (14) двухполюсник нагрузки.
4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что коллектор второго (2) р-n-р входного транзистора соединен с эмиттером второго (6) n-p-n вспомогательного транзистора через второй (15) двухполюсник нагрузки.
5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в схему введены первый (18) и второй (19) дополнительные транзисторы, коллекторы которых соединены с первым (20) и вторым (21) токовыми выходами дифференциального усилителя, их базы подключены к соответствующим первому (7) и второму (10) источникам напряжения смещения, а эмиттеры связаны с эмиттерами соответствующих первого (5) р-n-р и второго (6) n-p-n вспомогательных транзисторов.
6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в схему введены третий (22) и четвертый (23) дополнительные транзисторы, коллекторы которых соединены с третьим (24) и четвертым (25) токовыми выходами дифференциального усилителя, их базы подключены к базам соответствующих первого (1) n-p-n и второго (2) р-n-р входных транзисторов, а эмиттеры связаны с эмиттерами соответствующих первого (1) n-p-n и второго (2) р-n-р входных транзисторов.
7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что к третьему (24) и четвертому (25) токовым выходам дифференциального усилителя подключены третий (26) и четвертый (27) двухполюсники нагрузки.
8. Устройство по п.6, отличающееся тем, что третий (24) токовый выход дифференциального усилителя соединен с эмиттером пятого (28) дополнительного транзистора, коллектор которого связан с пятым (29) токовым выходом дифференциального усилителя, четвертый токовый выход (25) дифференциального усилителя соединен с эмиттером шестого (30) дополнительного транзистора, коллектор которого связан с шестым (31) токовым выходом дифференциального усилителя, причем к эмиттерам пятого (28) и шестого (30) дополнительных транзисторов подключены первый (32) и второй (33) дополнительные двухполюсники.
9. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в схему введены седьмой (34) и восьмой (35) дополнительные транзисторы, эмиттер седьмого (34) дополнительного транзистора подключен ко второму (4) токовому входу дифференциального усилителя, его коллектор соединен с эмиттером, а база с коллектором первого (5) р-n-р вспомогательного транзистора, эмиттер восьмого (35) вспомогательного транзистора подключен к первому (3) токовому входу дифференциального усилителя, его коллектор соединен с эмиттером, а база - с коллектором второго (6) n-p-n вспомогательного транзистора.
10. Устройство по п.9, отличающееся тем, что в коллекторные цепи первого (1) n-p-n и второго (2) p-n-p входных транзисторов, а также седьмого (34) и восьмого (35) дополнительных транзисторов включены пятый (36), шестой (37), седьмой (38) и восьмой (39) двухполюсники нагрузки.
11. Устройство по п.5 или 9, отличающееся тем, что параллельно эмиттерно-базовым p-n переходам седьмого (34) и восьмого (35) дополнительных транзисторов включены эмиттерно-базовые p-n переходы девятого (40) и десятого (41) дополнительных транзисторов, коллекторы которых являются вспомогательными токовыми выходами (42) и (43) дифференциального усилителя.
12. Устройство по п.1, отличающееся тем, что коллектор первого (5) вспомогательного p-n-p транзистора связан с базой первого (1) n-p-n входного транзистора через первый эмиттерный повторитель (44), коллектор второго (6) вспомогательного n-p-n транзистора соединен с базой второго (2) входного p-n-p транзистора через второй эмиттерный повторитель (45), коллектор первого (1) n-p-n входного транзистора связан с эмиттером первого (5) р-n-р вспомогательного транзистора через девятый (50) двухполюсник нагрузки, коллектор второго (2) р-n-р входного транзистора связан с эмиттером второго (6) n-p-n вспомогательного транзистора через десятый (51) двухполюсник нагрузки.