СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОЧАСТИЦ, ЗАКАНЧИВАЮЩИХСЯ СТАБИЛЬНЫМ КИСЛОРОДОМ

1. Способ получения неорганических полупроводниковых наночастиц, имеющих стабильную поверхность, в котором:
подготавливают неорганический полупроводниковый материал; и
перемалывают сыпучий полупроводниковый материал в присутствии выбранного восстанавливающего агента, химическим путем восстанавливающего оксиды одного или нескольких составных элементов полупроводникового материала, образующихся при размоле, или предотвращающего образование подобных оксидов, будучи преимущественно окисленным, и
тем самым получают полупроводниковые наночастицы неорганического сыпучего полупроводникового материала, имеющие стабильную поверхность, обеспечивающую электрический контакт между наночастицами.
2. Способ по п.1, в котором поверхности наночастиц заканчиваются монослоем субстехиометрического оксида или индивидуальным кислородом, водородом и гидроксильными группами, которые завершают активные центры.
3. Способ по п.1, в котором восстанавливают стабильный стехиометрический оксид одного или более составного элемента полупроводникового материала или предотвращают его образование с помощью предпочтительной химической реакции.
4. Способ по п.1, в котором восстанавливают промежуточный субстехиометрический оксид одного или более составного элемента полупроводникового материала или предотвращают его образование с помощью предпочтительной химической реакции, препятствуя таким образом образованию конечной стабильной стехиометрической фазы оксида.
5. Способ по п.3 или 4, в котором предпочтительную химическую реакцию промотируют путем осуществления размола при температуре выше комнатной и ниже температуры плавления или разложения полупроводникового материала.
6. Способ по п.5, в котором размол осуществляют при температуре от 100°С до 200°С.
7. Способ по любому из пп.1-4, в котором средства размола и/или один или более компонент мельницы включает выбранный восстанавливающий агент.
8. Способ по п.7, в котором средства размола или мельницу выполняют из металла, выбранного из группы, включающей железо, хром, кобальт, никель, олово, титан, вольфрам, ванадий и алюминий, или сплав, содержащий один или более из этих металлов.
9. Способ по п.8, в котором средства размола или мельница включают твердую сталь, сплав нержавеющей стали или титановый сплав.
10. Способ по п.1, в котором сыпучий полупроводниковый материал измельчают с использованием высокоэнергетической молотковой мельницы, у которой пестик, ступка или оба элемента выполнены из выбранного восстанавливающего агента.
11. Способ по п.1, в котором сыпучий полупроводниковый материал измельчают с использованием низкоэнергетической мельницы с перемешиваемой средой, причем средства размола, облицовка мельницы или оба этих элемента выполнены из выбранного восстанавливающего агента.
12. Способ по п.1, в котором выбранный восстанавливающий агент включает жидкость, содержащуюся в мельнице в процессе размола сыпучего полупроводникового материала.
13. Способ по п.12, в котором выбранным восстанавливающим агентом является кислотный раствор, содержащий любую из хлористоводородной, серной, азотной, уксусной, муравьиной или карбоновой кислот, или их смесь.
14. Способ по п.12, в котором поддерживают температуру измельчаемого полупроводникового материала ниже 100°С в процессе его размола.
15. Способ по п.14, в котором поддерживают температуру измельчаемого сыпучего полупроводникового материала ниже 50°С в процессе его размола.
16. Способ по п.1, в котором неорганический сыпучий полупроводниковый материал является элементом IV группы.
17. Способ по п.16, в котором неорганическим сыпучим полупроводниковым материалом является кремний или германий.
18. Способ по п.1, в котором неорганический сыпучий полупроводниковый материал представляет собой соединение или сплав, содержащий элементы из групп II, III, IV, V и VI, исключая полупроводниковые оксиды.
x
1-x
19. Способ по п.18, в котором соединение или сплав включает GaAs, InSb, CdTe, PbS или CuIn Se.
20. Устройство для получения неорганических полупроводниковых наночастиц со стабильной поверхностью, содержащее мельницу, включающую средства размола, или по меньшей мере один компонент, который включает выбранный восстанавливающий агент, способный химическим путем окислять оксиды одного или нескольких составных элементов неорганического сыпучего полупроводникового материала, образовавшихся в процессе размола упомянутого сыпучего полупроводникового материала, или предотвращать образование подобных оксидов будучи предпочтительно окисленным, и таким образом обеспечивать получение полупроводниковых наночастиц неорганического сыпучего полупроводникового материала, имеющих стабильную поверхность, обеспечивающую электрический контакт между наночастицами.
21. Устройство по п.20, в котором выбранным восстанавливающим агентом является металл, выбранный из группы, содержащей железо, хром, кобальт, никель, олово, титан, вольфрам, ванадий и алюминий, или сплав, содержащий один или более из этих металлов.
22. Устройство по п.21, в котором выбранный восстанавливающий агент включает твердую сталь, сплав нержавеющей стали или титановый сплав.