ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ, СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ДИСПЛЕЙНОЕ УСТРОЙСТВО

3
1. Жидкокристаллическая панель, содержащая пару подложек, обращенных друг к другу; жидкокристаллический слой, расположенный между указанной парой подложек; верхний электрод и нижний электрод, расположенные на одной из подложек указанной пары подложек и перекрывающие друг друга через изоляционный слой, причем верхний электрод содержит гребенчатые электроды, а средняя энергия электрического поля составляет не менее 0,44 Дж/м в части жидкокристаллического слоя, расположенной на 0,1 мкм в глубину от поверхности другой подложки указанной пары подложек и перекрывающей гребенчатые электроды, если смотреть на жидкокристаллический слой в направлении, перпендикулярном плоскости подложки.
2. Жидкокристаллическая панель по п.1, в которой верхний электрод содержит первый и второй гребенчатые электроды, а возможность управления жидкокристаллическим слоем обеспечена с использованием электрического поля, создаваемого между первым и вторым гребенчатыми электродами, смежными друг с другом.
3. Жидкокристаллическая панель по п.1 или 2, в которой относительная диэлектрическая проницаемость изоляционного слоя равна 3,3, расстояние между первым и вторым гребенчатыми электродами, смежными друг с другом, не превышает 12,0 мкм, а толщина изоляционного слоя лежит в диапазоне от не менее 0,1 мкм до не более 2,8 мкм.
4. Жидкокристаллическая панель по п.1 или 2, в которой относительная диэлектрическая проницаемость изоляционного слоя лежит в диапазоне от 3,3 до 6,9, расстояние между первым и вторым гребенчатыми электродами, смежными друг с другом, не превышает 12 мкм, а толщина изоляционного слоя лежит в диапазоне от не менее 0,1 мкм до не более 1,8 мкм.
5. Жидкокристаллическая панель по п.1, в которой обеспечена возможность управления жидкокристаллическим слоем с использованием электрического поля, создаваемого между верхним электродом и нижним электродом.
3
6. Жидкокристаллическая панель по п.5, в которой энергия электрического поля составляет не менее 0,60 Дж/м.
7. Жидкокристаллическая панель по п.5, в которой относительная диэлектрическая проницаемость изоляционного слоя составляет 6,9, расстояние между любыми двумя смежными гребенчатыми электродами верхнего электрода составляет 8,0 мкм, а толщина изоляционного слоя лежит в диапазоне от не менее 0,1 мкм до не более 0,65 мкм.
8. Жидкокристаллическая панель по п.5, в которой относительная диэлектрическая проницаемость изоляционного слоя лежит в диапазоне от 3,3 до 6,9, расстояние между любыми двумя смежными гребенчатыми электродами верхнего электрода составляет 8,0 мкм, а толщина изоляционного слоя лежит в диапазоне от не менее 0,1 мкм до не более 0,35 мкм.
9. Жидкокристаллическая панель по п.5, в которой относительная диэлектрическая проницаемость изоляционного слоя составляет 6,9, толщина изоляционного слоя составляет 0,1 мкм, а расстояние между любыми двумя смежными гребенчатыми электродами верхнего электрода составляет не менее 4,5 мкм.
10. Жидкокристаллическая панель по п.5, в которой относительная диэлектрическая проницаемость изоляционного слоя составляет 6,9, толщина изоляционного слоя лежит в диапазоне от 0,1 мкм до 0,3 мкм, а расстояние между любыми двумя смежными гребенчатыми электродами верхнего электрода лежит в диапазоне от не менее 6,0 мкм до не более 12,0 мкм.
11. Жидкокристаллическая панель по п.1 или п.2, в которой изоляционный слой содержит слой цветофильтра.
12. Жидкокристаллическое дисплейное устройство, содержащее жидкокристаллическую панель по любому из пп.1-11.
3
13. Способ изготовления жидкокристаллической панели, согласно которому формируют верхний электрод и нижний электрод на одной из подложек пары подложек, которые обращены друг к другу и между которыми расположен жидкокристаллический слой, причем верхний электрод содержит гребенчатые электроды и перекрывается с нижним электродом через изоляционный слой, дополнительно определяют такую комбинацию расстояния между гребенчатыми электродами, толщины изоляционного слоя, относительной диэлектрической проницаемости изоляционного слоя и режима управления, что обеспечена средняя энергия электрического поля не менее 0,44 Дж/м в части жидкокристаллического слоя, расположенной на 0,1 мкм в глубину от поверхности другой подложки из указанной пары, и перекрывающей гребенчатые электроды, если смотреть на жидкокристаллический слой в направлении, перпендикулярном плоскости подложки.