ИСТОЧНИК ДЛЯ ВАКУУМНОГО ОСАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ

1. Источник атомов для вакуумного осаждения полупроводниковых структур на основе кремния, включающий твердое рабочее вещество, содержащее кремний, и средства для нагрева рабочего вещества, отличающийся тем, что рабочее вещество содержит химическое соединение кремния или кремния и германия с тугоплавким(и) металлом(ами), выбранным(и) из ряда: Mo, Nb, Та, W.
2. Источник по п.1, отличающийся тем, что рабочее вещество сформировано на подложке из тугоплавкого электропроводящего материала в виде покрытия.
3. Источник по п.1, отличающийся тем, что рабочее вещество выполнено в виде порошка или гранул.