СРЕДСТВО ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ФОТОРЕЗИСТА ПОСЛЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ДЛЯ ПЕРСПЕКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ ПРИМЕНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

1. Композиция для удаления фоторезиста после ионной имплантации, содержащая:
(a) амин,
(b) органический растворитель A, и
(c) сорастворитель,
где
данная композиция по существу не содержит воду;
амин представляет собой гидроксид четвертичного аммония;
2
органический растворитель A выбран из группы, состоящей из диметилсульфоксида (DMSO), диметилсульфона (DMSO), 1-метил-2-пирролидинона (NMP), Y-бутиролактона (BLO)(GBL), этилметилкетона, 2-пентанона, 3-пентанона, 2-гексанона и изобутилметилкетона, 1-пропанола, 2-пропанола, бутилового спирта, пентанола, 1-гексанола, 1-гептанола, 1-октанола, этилдигликоля (EDG), бутилдигликоля (BDG), бензилового спирта, бензальдегида, тридекана, додекана, ундекана, декана, N,N-диметилэтаноламина, ди-н-пропиламина, три-н-пропиламина,
изобутиламина, втор-бутиламина, циклогексиламина, метиламилина, о-толуидина, м-толуидина, о-хлоранилина, м-хлоранилина, октиламина, N,N-диэтилгидроксиламина, хинолина, N,N-диметилэтаноламина, N,N-диметилформамида и их комбинации;
и
сорастворитель выбран из группы, состоящей из изопропиловых спиртов, изобутиловых спиртов, втор-бутиловых спиртов, изопентиловых спиртов, трет-пентиловых спиртов, этиленгликоля (EG), пропиленгликоля, 1,2-пропандиола, 1,3-пропандиола, 1,2,3-пропантриола, 1-амино-2-пропанола, изопропилацетата, этилацетоацетата, триэтаноламина, этаноламина (МЕА), формамида, диметилацетамида (DMAC), 2-метиламино-этанола (NMEA), N-этилдиизопропиламина и их комбинации.
2. Композиция по п.1, в которой амин представляет собой гидроксид тетраметиламмония (ТМАН), гидроксид бензилтриметиламмония (ВТМАН) или их комбинацию.
3. Композиция по п.1, в которой амин присутствует в количестве от 1 до 10 мас.% композиции.
4. Композиция по п.3, в которой амин присутствует в количестве от 1 до 4 мас.% композиции.
5. Композиция по п.1, в которой органический растворитель А представляет собой диметилсульфоксид (DMSO), 1-метил-2-пирролидинон (NMP), бензиловый спирт, пропанол, бутилдигликоль, пентанол, N,N-диметилэтаноламин, бензальдегид или их смесь.
6. Композиция по п.5, в которой органический растворитель А представляет собой DMSO, NMP, бензиловый спирт, бутилдигликоль или их смесь.
7. Композиция по п.1, в которой сорастворитель выбран из группы, состоящей из этиленгликоля, 1,2-пропандиола, 1-амино-2-пропанола, триэтаноламина, этаноламина (МЕА), изопропилацетата и их комбинации.
8. Композиция по п.7, в которой сорастворитель представляет собой этиленгликоль, триэтаноламин, МЕА или их комбинацию.
9. Композиция по п.1, в которой содержание воды в композиции составляет менее 3 мас.% композиции.
10. Композиция по п.9, в которой содержание воды в композиции составляет менее 1 мас.% композиции.
11. Композиция по п.10, в которой содержание воды в композиции составляет менее 0.5 мас.% композиции.
12. Способ удаления фоторезиста после ионной имплантации, включающий стадии:
(a) обеспечение субстрата с имплантированными фоторезистами, и
(b) контактирование субстрата с композицией по п.1 при температуре обработки в течение периода времени, достаточного для удаления фоторезиста с субстрата.
13. Способ по п.12, в котором температура обработки находится в пределах от 25°C до 90°C.
14. Способ по п.13, в котором температура обработки находится в пределах от 40°C до 80°C.
15. Способ по п.14, в котором температура обработки находится в пределах от 60°C до 80°C.
16. Способ по п.12, в котором время контакта составляет от 20 мин до 1 ч.