СПОСОБ И УСТРОЙСТВО НАНЕСЕНИЯ НАНОРИСУНКА НА БОЛЬШИЕ ПЛОЩАДИ

1. Способ ближнеполевой нанолитографии, содержащий
a) обеспечение подложки, имеющей слой, чувствительный к излучению, на поверхности упомянутой подложки,
b) обеспечение вращаемой маски, имеющей нанорисунок на внешней поверхности упомянутой вращаемой маски,
c) соприкосновение упомянутого нанорисунка с упомянутым слоем, чувствительным к излучению, на поверхности упомянутой подложки,
d) распределение излучения через упомянутый нанорисунок при вращении упомянутой вращаемой маски по упомянутому слою, чувствительному к излучению, посредством чего создают изображение, имеющее размер элемента в диапазоне от менее чем 1 мкм ниже до около 1 нм в упомянутом слое, чувствительном к излучению.
2. Способ по п.1, в котором упомянутый размер элемента варьируется от около 100 нм ниже до около 10 нм.
3. Способ по п.1, в котором упомянутое излучение имеет длину волны 436 нм или менее.
4. Способ по п.1, в котором упомянутый нанорисунок является податливым нанорисунком, который согласуется с упомянутым слоем, чувствительным к излучению, на поверхности упомянутой подложки.
5. Способ по п.4, в котором упомянутый податливый нанорисунок является сформованным или наноструктурированным полимерным материалом.
6. Способ по п.3, в котором упомянутая вращаемая маска представляет собой фазосдвигающую маску, которая заставляет излучение формировать интерференционную картину в упомянутом слое, чувствительном к излучению.
7. Способ по п.3, в котором упомянутая маска использует поведение поверхностных плазмонов.
8. Способ по п.1, в котором упомянутая вращаемая маска представляет собой цилиндр.
9. Способ по п.8, в котором упомянутый цилиндр имеет гибкую стенку, благодаря чему упомянутая цилиндрическая форма может деформироваться при контакте с поверхностью упомянутой подложки.
10. Способ по п.9, в котором для заполнения упомянутого цилиндра используется оптически прозрачный газ.
11. Способ по п.3, в котором упомянутая вращаемая маска представляет собой прозрачный цилиндр, тем самым излучение может пропускаться из местоположения внутри упомянутого цилиндра.
12. Способ по п.11, в котором упомянутая маска представляет собой фазосдвигающую маску, которая присутствует в качестве рельефа на поверхности упомянутого прозрачного цилиндра.
13. Способ по п.11, в котором упомянутая маска представляет собой фазосдвигающую маску, которая присутствует на слое, нанесенном на поверхность упомянутого цилиндра.
14. Способ по п.13, в котором упомянутая фазосдвигающая маска состоит из множественных слоев, и на наружный слой нанесен рисунок для более точного представления предписанных размеров элементов в упомянутом светочувствительном слое.
15. Способ по п.8, в котором упомянутая подложка удерживается в динамическом контакте с упомянутым вращаемым цилиндром и перемещается в направлении к или от контактной поверхности упомянутого вращаемого цилиндра в ходе распределения излучения от упомянутой контактной поверхности упомянутого цилиндра.
16. Способ по п.8, в котором упомянутый цилиндр вращают на упомянутой подложке, когда упомянутая подложка неподвижна.
17. Способ по любому из пп.1-16, в котором множественные вращающиеся маски контактируют со слоем, чувствительным к излучению.
18. Способ по п.1, в котором упомянутая вращаемая маска и поверхность упомянутой подложки движутся независимо с использованием шагового двигателя и моторизованного механизма поступательного движения подложки, и в котором движение упомянутой вращаемой маски и поверхности упомянутой подложки синхронизированы друг с другом, тем самым достигается контактное экспонирование без проскальзывания упомянутого слоя, чувствительного к излучению.
19. Способ по п.1 или п.18, в котором жидкость подается к границе раздела между упомянутой вращаемой маской и поверхностью упомянутой подложки.
20. Устройство для осуществления ближнеполевой литографии, содержащее
a) вращаемую маску, имеющую нанорисунок на внешней поверхности упомянутой маски; и
b) источник излучения, который обеспечивает излучение с длиной волны 436 нм или менее от упомянутого нанорисунка, пока упомянутый нанорисунок находится в контакте с чувствительным к излучению слоем материала.
21. Устройство по п.20, в котором упомянутая вращаемая маска является прозрачной.
22. Устройство по п.21, в котором упомянутая вращаемая маска представляет собой фазосдвигающую маску.
23. Устройство по п.21, в котором упомянутая вращаемая маска использует излучение, генерируемое с использованием методов поверхностных плазмонов.
24. Устройство по п.22, в котором поверхность упомянут ой маски содержит металлический слой, включающий в себя наноотверстия.
25. Устройство по любому из пп.20-24, в котором упомянутая вращаемая маска представляет собой цилиндр.
26. Устройство по п.25, в котором упомянутый цилиндр представляет собой гибкий цилиндр.
27. Устройство по п.26, в котором упомянутый гибкий цилиндр заполнен оптически прозрачным газом.
28. Устройство по п.25, в котором множественные цилиндры присутствуют в конфигурации, так что упомянутые множественные цилиндры последовательно проходят по подложке.
29. Устройство по п.25, в котором присутствуют множественные цилиндры, и в котором цилиндр присутствует как на верхней стороне, так и на нижней стороне подложки, на которой упомянутое устройство создает изображение.
30. Устройство по п.29, в котором, по меньшей мере, один цилиндр, который пропускает излучение для изображения, присутствует как на верхней стороне, так и на нижней стороне подложки, на которой упомянутое устройство создает изображение.
31. Устройство по п.20, в котором вращаемая маска подвешена над упомянутой подложкой с помощью натяжного приспособления, которое можно регулировать для управления величиной силы, прилагаемой к поверхности в контакте с упомянутой вращаемой маской.