СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧИПОВ МНОГОСЛОЙНЫХ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

1. Способ изготовления чипов многослойных фотопреобразователей на основе многослойной полупроводниковой структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, включающий нанесение омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности структуры, разделение структуры на чипы методом химического травления, пассивацию боковой поверхности чипов диэлектриком, удаление части фронтального контактного слоя структуры методом химического травления и нанесение антиотражающего покрытия на фронтальную поверхность структуры, отличающийся тем, что после нанесения основы омического контакта на тыльную поверхность структуры проводят очистку фронтальной поверхности структуры методом ионно-лучевого травления на глубину 0,005-0,1 мкм, напыляют на фронтальную поверхность структуры основу омического контакта через маску фоторезиста, проводят вжигание основы омических контактов при температуре 360-370°С в течение 10-60 с, проводят утолщение основы омических контактов путем электрохимического осаждения через маску фоторезиста последовательно слоев золота, никеля и вновь золота общей толщиной 1,6-3,5 мкм, проводят разделительное химическое травление структуры со стороны фронтальной поверхности на глубину 15-50 мкм через маску фоторезиста, упомянутую пассивацию проводят нанесением слоя нитрида кремния, затем проводят химическое травление контактного слоя структуры в местах, свободных от омического контакта, после чего наносят антиотражающее покрытие в свободных от омических контактов местах через окна в маске.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что многослойную полупроводниковую структуру GaInP/Ga(In)As/Ge выращивают на германиевой подложке р-типа, а напыляемые основы омических контактов выполняют на тыльную поверхность структуры из последовательно наносимых слоя сплава, содержащего серебро 95 мас.% и марганец 5 мас.%, слоев никеля и золота, а на фронтальную поверхность структуры из последовательно расположенных слоя сплава, содержащего золото 90 мас.% и германий 10 мас.%, слоев никеля и золота, общей толщиной 0,2-0,4 мкм.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что электрохимическое осаждение слоев золота осуществляют при температуре 60-75°С из электролита, содержащего компоненты при следующем их соотношении, мас.ч.:
K[Au(CN)<sub>2</sub>]
20-40
C<sub>6</sub>H<sub>8</sub>O<sub>7</sub>
50-100
вода
остальное
при рН 5,5-5,0.
2
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что антиотражающее покрытие наносят последовательным напылением слоев ZnS толщиной 0,045 мкм и MgF толщиной 0,095 мкм в свободных от омических контактов местах через окна в маске, изготовленной из магнитного материала и закрепляемой на фронтальной поверхности структуры с помощью магнита, располагаемого на тыльной стороне структуры.