ЦЕНТРИРОВАНИЕ И ВЫБОРОЧНОЕ НАГРЕВАНИЕ ЗАГОТОВОК

1. Центрирующая система для центрирования заготовок, выдаваемых из печи в линии горячей штамповки, при этом центрирующая система содержит:
центрирующий стол и
систему нагрева для нагрева одной или нескольких выбранных зон заготовки при расположении на центрирующем столе.
2. Центрирующая система по п. 1, отличающаяся тем, что система нагрева содержит основание и несколько нагревательных элементов, расположенных в основании.
3. Центрирующая система по п. 2, отличающаяся тем, что дополнительно содержит опорную конструкцию для присоединения основания к центрирующему столу.
4. Центрирующая система по п. 2, отличающаяся тем, что дополнительно содержит опорную конструкцию для закрепления основания на полу или для подвешивания основания на потолке или на стенке.
5. Центрирующая система по любому из пп. 2-4, отличающаяся тем, что нагревательные элементы являются инфракрасными нагревателями или индукционными нагревателями, или резистивными нагревателями или их комбинацией.
6. Центрирующая система по любому из пп. 2-4, отличающаяся тем, что нагревательные элементы являются лазерными нагревателями, предпочтительно диодными лазерными нагревателями.
7. Центрирующая система по любому из пп. 2-5, отличающаяся тем, что система нагрева дополнительно содержит по меньшей мере один контактирующий элемент, нагреваемый нагревательными элементами, при этом по меньшей мере один контактирующий элемент находится в непосредственном контакте с заготовкой.
8. Центрирующая система по п. 7, отличающаяся тем, что температура по меньшей мере одного контактирующего элемента, который находится в непосредственном контакте с заготовкой, находится в диапазонеот 850 до 1000ºC.
9. Центрирующая система по любому из пп. 2-8, отличающаяся тем, что нагревательные элементы предназначены для выборочного включения.
10. Центрирующая система по любому из пп. 2-8, отличающаяся тем, что нагревательные элементы расположены относительно центрирующего стола таким образом, что по сути нагреваются только выбранные зоны заготовки.
11. Центрирующая система по любому из пп. 1-10, отличающаяся тем, что дополнительно содержит систему охлаждения для охлаждения одной или нескольких зон заготовки, которые не выбраны для нагревания.
12. Способ изготовления стального компонента, имеющего твердые зоны и мягкие зоны, при этом мягкие зоны имеют меньшую механическую прочность, чем твердые зоны, при этом способ включает:
нагревание стальной заготовки в печи;
центрирование нагретой заготовки на центрирующем столе, расположенном ниже по потоку от печи;
нагревание одной или нескольких выбранных зон нагретой заготовки, когда заготовка находится на центрирующем столе, при этом выбранные зоны являются зонами заготовки, которые предназначены для образования твердых зон;
перемещение заготовки в приспособление для прессования;
горячее прессование заготовки в приспособлении для прессования; и
закалку выбранных зон заготовки, предназначенных для образования твердых зон.
13. Способ по п. 12, отличающийся тем, что нагревание заготовки в печи включает нагревание заготовки при температуре стали заготовки выше Ac3.
14. Способ по п. 12 или 13, отличающийся тем, что нагревание выбранных зон заготовки включает нагревание выбранных зон выше температуры нагревания печи.
15. Способ по любому из пп. 12-14, отличающийся тем, что нагревание одной или нескольких выбранных зон заготовки, когда заготовка находится на центрирующем столе, дополнительно включает систему охлаждения для охлаждения одной или нескольких зон заготовки, которые не выбраны для нагревания.
16. Способ по любому из пп. 12-15, отличающийся тем, что заготовки остаются на центрирующем столе в течение 15 секунд или менее, предпочтительно в течение 10 секунд или менее.
17. Способ по любому из пп. 12-16, отличающийся тем, что зоны заготовки, не выбранные для нагревания, имеют температуру, находящуюся в диапазоне от 450ºC до 700ºC, когда заготовку перемещают в приспособление для прессования.
18.Способ по любому из пп. 12-17, отличающийся тем, что температура заготовки в приспособлении для формования прессованием уменьшается до 250°C или ниже, предпочтительно до 200°C или ниже.