ПРОЗРАЧНЫЕ ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ

1. Фотогальванический элемент, содержащий:
прозрачную подложку,
первый активный материал, расположенный поверх подложки, при этом первый активный материал имеет пик поглощения при длине волны более чем приблизительно 650 нм;
второй активный материал, расположенный поверх подложки, при этом второй активный материал имеет пик поглощения при длине волны за пределами спектра видимого света;
прозрачный катод и
прозрачный анод.
2. Фотогальванический элемент по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере один из электродов, катод или анод, сконфигурирован для максимального усиления поглощения в первом активном материале.
3. Фотогальванический элемент по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере один из электродов, катод или анод, сконфигурирован для максимального усиления поглощения во втором активном материале.
4. Фотогальванический элемент по п.1, отличающийся тем, что первый активный материал и второй активный материал расположены в отдельных слоях.
5. Фотогальванический элемент по п.1, отличающийся тем, что первый активный материал имеет второй пик поглощения при длине волны менее чем приблизительно 450 нм.
6. Фотогальванический элемент по п.1, отличающийся тем, что первый активный материал является донором, а второй активный материал является акцептором.
7. Фотогальванический элемент по п.1, отличающийся тем, что дополнительно содержит прозрачное для видимого света зеркало, отражающее длины волн в ближней инфракрасной области.
8. Фотогальванический элемент по п.1, отличающийся тем, что первый активный материал содержит органический материал.
9. Фотогальванический элемент по п.1, отличающийся тем, что первый активный материал содержит по меньшей мере один из следующих: фталоцианиновый, порфириновый или нафталоцианиновый краситель.
10. Фотогальванический элемент по п.1, отличающийся тем, что первый активный материал содержит фталоцианин хлоралюминия.
11. Фотогальванический элемент по п.1, отличающийся тем, что первый активный материал содержит фталоцианин олова.
60
12. Фотогальванический элемент по п.1, отличающийся тем, что второй активный материал содержит по меньшей мере одно из следующего: углерод-60 (С) или нанотрубки.
13. Фотогальванический элемент по п.1, отличающийся тем, что первый и второй активные материалы сконфигурированы для применения с гибкими герметизирующими слоями.
14. Фотогальванический элемент по п.1, отличающийся тем, что фотогальванический элемент встроен в одно из следующего: дисплейный экран, часовое стекло, автомобильное стекло или архитектурное стекло.
15. Фотогальваническая матрица, содержащая несколько электрически соединенных фотогальванических элементов по п.1.
16. Фотогальванический элемент по п.1, отличающийся тем, что прозрачная подложка является гибкой.
17. Фотогальванический элемент, содержащий:
прозрачную подложку,
первый активный материал, расположенный поверх подложки, при  этом первый активный материал имеет пик поглощения при длине волны более чем приблизительно 650 нм;
второй активный материал, расположенный поверх подложки, при этом второй активный материал имеет пик поглощения при длине волны более чем приблизительно 650 нм или менее чем приблизительно 450 нм;
прозрачный катод и
прозрачный анод.
18. Фотогальванический элемент, содержащий:
зону рекомбинации, расположенную между первым и вторым подэлементами, при этом каждый из подэлементов, первый и второй, имеет пики поглощения при длине волны за пределами спектра видимого света; и
прозрачный катод; и
прозрачный анод.
19. Фотогальванический элемент по п.18, отличающийся тем, что фотогальванический элемент является прозрачным или полупрозрачным.
20. Способ изготовления фотогальванического элемента, включающий:
изготовление материала первого электрода на подложке, при этом материал электрода и подложка являются прозрачными для видимого света;
изготовление по меньшей мере одного слоя, содержащего первый активный материал с пиком поглощения при длине волны более чем приблизительно 650 нм, и второго активного материала с пиком поглощения при длине волны менее чем приблизительно 450 нм; и
изготовление материала второго электрода, прозрачного для видимого света.
21. Способ по п.20, отличающийся тем, что дополнительно включает выбор толщины по меньшей мере одного из электродов, первого или второго, так, чтобы поглощение ближнего инфракрасного света в активном слое, поглощающем ближний инфракрасный свет, было максимальным.
22. Способ по п.20, отличающийся тем, что дополнительно включает изготовление многослойного зеркала для ближнего инфракрасного света.
23. Способ изготовления фотогальванического элемента, включающий:
изготовление первого и второго подэлементов, при этом каждый из подэлементов, первый и второй, имеет пики поглощения при длинах волн за пределами спектра видимого света;
изготовление зоны рекомбинации, расположенной между первым и вторым подэлементами;
изготовление прозрачного катода и прозрачного анода.
24. Способ по п.23, отличающийся тем, что фотогальванический элемент является прозрачным или полупрозрачным.
25. Способ генерирования электричества, включающий:
создание фото альванического элемента, содержащего:
прозрачную подложку,
первый активный материал, расположенный поверх прозрачной подложки, при этом первый активный материал имеет пик поглощения при длине волны более чем приблизительно 650 нм;
второй активный материал, расположенный поверх подложки, при этом второй активный материал имеет пик поглощения за пределами спектра видимого света; прозрачный катод и
прозрачный анод; и
воздействие источника света на фотогальванический элемент.