Способы изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений содержания озона в воздухе

3
3
2
3
2
3
1. Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений концентраций газовых примесей, заключающийся в том, что металлооксидные полупроводниковые пленки наносят на нагреваемые диэлектрические подложки и формируют чувствительный слой путем экспериментально установленных многоэтапных режимов отжига при непрерывном измерении сопротивления металлооксидной пленки, отличающийся тем, что для измерений концентраций озона в воздухе в широком интервале концентраций от 10 до 400 мкг/м используют металлооксидные пленки на основе InO с добавками FeO, при этом выбирают режим формирования чувствительного слоя, когда пленку нагревают в инертном газе со скоростью 5°С/мин до температуры 570°С, охлаждают до комнатной, а затем нагревают в воздухе со скоростью от 7 до 10°С/мин до температур 400-600°С, и отжигают в присутствии 250 мкг/м озона в течение 8 ч.
3
2
3
2
3
2. Способ изготовления полупроводниковых резистивных сенсоров для измерений концентраций газовых примесей, заключающийся в том, что металлооксидные полупроводниковые пленки наносят на нагреваемые диэлектрические подложки и формируют чувствительный слой путем экспериментально установленных многоэтапных режимов отжига при непрерывном измерении сопротивления металлооксидной пленки, отличающийся тем, что для измерений концентраций озона в воздухе в широком интервале концентраций от 10 до 400 мкг/м используют металлооксидные пленки на основе InO с добавками FeO, при этом выбирают режим формирования чувствительного слоя, когда пленку нагревают сначала в аргоне со скоростью 5°С/мин до температуры 540°С, а затем в воздухе со скоростью 10°С/мин до температуры 570°С.