МАГНИТНЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ ПЕРЕХОД, СОДЕРЖАЩИЙ ПОЛЯРИЗУЮЩИЙ СЛОЙ

1. Способ для изготовления магнитного туннельного перехода, записываемого спин-поляризованным током, причем магнитный туннельный переход содержит туннельный барьерный слой между первым ферромагнитным слоем, имеющим первую намагниченность с фиксированной ориентацией, и вторым ферромагнитным слоем, имеющим вторую свободно ориентируемую намагниченность, и поляризующий слой, имеющий поляризующую намагниченность, содержащий:
осаждение первого ферромагнитного слоя, туннельного барьерного слоя и второго ферромагнитного слоя;
отжиг осажденных ферромагнитных слоев при первой температуре отжига так, чтобы туннельное магнитосопротивление магнитного туннельного перехода было равно или больше, чем около 150%;
осаждение слоя поляризатора; и
отжиг осажденного слоя поляризатора при второй температуре отжига так, чтобы ориентировать поляризующую намагниченность, по существу, перпендикулярно первой и второй намагниченности, причем упомянутый отжиг осажденных ферромагнитных слоев при первой температуре отжига выполняется до осаждения слоя поляризатора.
2. Способ по п.1, в котором вторая температура отжига ниже первой температуры отжига.
3. Способ по п.1, в котором первая температура отжига находится в интервале между около 340°C и 360°C.
4. Способ по п.1, в котором вторая заданная температура отжига находится в интервале между около 150°C и 250°C.
5. Способ по п.1, в котором осаждение второго ферромагнитного слоя, туннельного барьерного слоя и первого ферромагнитного слоя выполняется именно в таком порядке.
6. Способ по п.1, в котором осаждение первого ферромагнитного слоя, туннельного барьерного слоя и второго ферромагнитного слоя выполняется именно в таком порядке.
7. Ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства, содержащая магнитный туннельный переход, содержащий туннельный барьерный слой между первым ферромагнитным слоем, имеющим первую намагниченность с фиксированной ориентацией, и вторым ферромагнитным слоем, имеющим вторую свободно ориентируемую намагниченность, и поляризующий слой, имеющий поляризующую намагниченность, по существу, перпендикулярную первой и второй намагниченности; причем первый и второй ферромагнитные слои отжигаются так, чтобы туннельное магнитосопротивление магнитного туннельного перехода было равно или больше, чем около 150%.
8. Устройство магнитной памяти, содержащее множество ячеек магнитного оперативного запоминающего устройства, причем каждая ячейка магнитного оперативного запоминающего устройства содержит магнитный туннельный переход, содержащий туннельный барьерный слой между первым ферромагнитным слоем, имеющим первую намагниченность с фиксированной ориентацией, и вторым ферромагнитным слоем, имеющим вторую свободно ориентируемую намагниченность, и поляризующий слой, имеющий поляризующую намагниченность, по существу, перпендикулярную первой и второй намагниченности; причем первый и второй ферромагнитные слои таковы, что туннельное магнитосопротивление магнитного туннельного перехода равно или больше, чем около 150%.