КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ, СОДЕРЖАЩИЕ ОДИН ИЛИ БОЛЕЕ ПОЛИМЕРОВ, ВЫБРАННЫХ ИЗ ГРУППЫ, ВКЛЮЧАЮЩЕЙ N-ВИНИЛ-ГОМОПОЛИМЕРЫ И N-ВИНИЛОВЫЕ СОПОЛИМЕРЫ

1. Композиция для химико-механической полировки, содержащая следующие компоненты:
(A) поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния, имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6;
(B) один или более полимеров, выбранных из группы, включающей N-винил-гомополимеры и N-виниловые сополимеры;
(C) воду;
(D) необязательно одну или более других составляющих,
где значение рН композиции находится в интервале от 2 до 6.
2. Композиция для химико-механической полировки по п. 1, в которой поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния компонента (А), имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, представляют собой частицы диоксида кремния, анионно модифицированные металлатными ионами или модифицированные сульфоновой кислотой.
3. Композиция для химико-механической полировки по п. 1, в которой поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния компонента (А), имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, представляют собой частицы диоксида кремния, анионно модифицированные металлатными ионами, выбранными из группы, включающей алюминат, станнат, цинкат и плюмбат.
4. Композиция для химико-механической полировки по п. 1, в которой поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния компонента (А), имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, представляют собой частицы диоксида кремния, анионно модифицированные алюминатом.
5. Композиция для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-4, в которой один, по меньшей мере один или все полимеры (В) имеют среднюю молекулярную массу в интервале от 3000 г/моль до 100000 г/моль.
6. Композиция для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-4, в которой полимер (В) выбирается из группы, включающей N-винилпирролидоновые полимеры и N-винилпирролидон/N-винилимидазол сополимеры.
7. Композиция для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-4, в которой
- общее количество (А) поверхностно-модифицированных частиц диоксида кремния, имеющих отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, находится в интервале от 0,01 до 30 мас. % на основе общей массы композиции для СМР;
и/или
- общее количество (В) полимеров, выбранных из группы, включающей N-винил-гомополимеры и N-виниловые сополимеры, находится в интервале от 0,01 до 3 мас. % на основе общей массы композиции для СМР.
8. Композиция для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-4, в которой
- поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния компонента (А), имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, представляют собой частицы диоксида кремния, анионно модифицированные алюминатом или модифицированные сульфоновой кислотой,
и/или
- один, по меньшей мере один или все полимеры (В) имеют среднюю молекулярную массу в интервале от 3000 г/моль до 100000 г/моль.
9. Композиция для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-4, содержащая одну или более других составляющих в качестве компонента (D),
где одна или по меньшей мере одна или все другие составляющие компонента (D) выбираются из группы, включающей окисляющие агенты, абразивные вещества, отличные от поверхностно-модифицированных частиц диоксида кремния, имеющих отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, стабилизаторы, поверхностно-активные вещества, средства, уменьшающие трение, буферные вещества.
10. Применение полимера, выбранного из группы, включающей N-винил-гомополимеры и N-винил-сополимеры в качестве добавки для композиции для химико-механической полировки, предпочтительно в качестве добавки для композиции для химико-механической полировки, содержащей поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния, имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6.
11. Применение по п. 10, в котором полимер, выбранный из группы, включающей N-винил-гомополимеры и N-виниловые сополимеры, имеет среднюю молекулярную массу в интервале от 3000 г/моль до 100000 г/моль.
12. Способ получения полупроводниковых устройств, включающий химико-механическую полировку подложки или слоя в присутствии композиции для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-9.
13. Способ по п. 12, в котором подложка или слой содержит одно или более III-V веществ.
14. Способ по п. 13, где одно, по меньшей мере одно или все III-V вещества выбираются из группы, включающей GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlAs, AlN, InP, InAs, InSb, InGaAs, InAlAs, AlGaAs, GaAlN, GaInN, InGaAlAs, InGaAsP, InGaP, AlInP, GaAlSb, GaInSb, GaAlAsSb и GaInAsSb.
15. Применение композиции для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-9 для полировки подложки или слоя, содержащих одно или более III-V веществ, где одно, по меньшей мере одно или все III-V вещества предпочтительно выбираются из группы, включающей из группы, включающей GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlAs, AlN, InP, InAs, InSb, InGaAs, InAlAs, AlGaAs, GaAlN, GaInN, InGaAlAs, InGaAsP, InGaP, AlInP, GaAlSb, GaInSb, GaAlAsSb и GaInAsSb.