ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА

1. Оптоэлектронное устройство, содержащее светоизлучающий полевой транзистор (LEFET) с активным слоем из органического полупроводника и волноводом, сформированным в канале светоизлучающего полевого транзистора, в котором волновод содержит материал, имеющий более высокий показатель преломления, чем органический полупроводник.
2. Оптоэлектронное устройство по п.1, в котором напряжения, подаваемые на LEFET, выбираются так, чтобы зона рекомбинации LEFET располагалась, по меньшей мере, частично поверх волновода для обеспечения эффективного ввода света в волновод.
3. Оптоэлектронное устройство по п.1, в котором волновод также содержит структуру оптической обратной связи для изменения пропускания света, распространяющегося в волноводе.
4. Оптоэлектронное устройство по п.3, в котором структура оптической обратной связи является структурой распределенной обратной связи.
5. Оптоэлектронное устройство по п.3, в котором оптоэлектронное устройство является лазерным устройством.
6. Оптоэлектронное устройство по п.5, в котором накачка лазерного устройства обеспечивается электрическими средствами путем пропускания тока между истоковым и стоковым электродами LEFET.
7. Оптоэлектронное устройство по любому из пп.1-6, содержащее также детектор, отделенный от LEFET, в котором детектор регистрирует свет, излучаемый из LEFET в волновод.
8. Оптоэлектронное устройство по п.7, в котором детектором является органический фотодиод или фототранзистор.
9. Оптоэлектронное устройство по любому из пп.1-6, в котором толщина и размеры отдельных слоев LEFET и волновода оптимизируются, например, для достижения одного или более из следующих: (i) низких оптических потерь, (ii) большого тока LEFET и (iii) ввода света, излучаемого из LEFET, в волновод.
10. Оптоэлектронное устройство по п.4, в котором материалы и размеры волноводной структуры выбираются так, чтобы условие Брэгга для структуры DFB выполнялось на длине волны, близкой длине волны, на которой коэффициент усиления органического полупроводника максимален.
11. Оптоэлектронное устройство по любому из пп.1-6, в котором волновод изготавливается из неорганического оксида с высокой k.
12. Светоизлучающий органический полевой транзистор (LEFET), объединенный с волноводом гребневого или реберного типа, включенным в канал LEFET.
13. Светоизлучающий органический полевой транзистор (LEFET) по п.12, в котором указанный волновод способен обеспечивать механизм оптической обратной связи.
14. Полупроводниковый лазер, содержащий светоизлучающий полевой транзистор (LEFET), причем LEFET имеет канал, который, в ходе эксплуатации, переносит носители заряда двух типов противоположной полярности, волновод, оптически подключенный к каналу LEFET, и светоотражатель, предназначенный для обеспечения оптического резонатора для лазера.
15. LEFET или полупроводниковый лазер по п.13 или 14, в котором механизм оптической обратной связи или светоотражатель содержит структуру распределенной обратной связи, период которой, по существу, отвечает условию Брэгга второго порядка для конкретной длины волны, близкой к максимуму усиления LEFET или лазера.
16. LEFET или полупроводниковый лазер по п.13 или 14, приспособленный одновременно поддерживать множественные резонансные моды на разных длинах волны.
17. Способ ввода света в волновод с использованием светоизлучающего полевого транзистора (LEFET), причем LEFET имеет канал, переносящий носители заряда двух типов противоположной полярности, способ содержит этапы, на которых обеспечивают волновод рядом или в канале LEFET и подают на LEFET смещение для регулировки положения рекомбинации носителей заряда противоположной полярности, в результате чего свет, генерируемый при рекомбинации, поступает в волновод.
18. Оптоэлектронная интегральная схема, содержащая подложку, несущую светоизлучающий полевой транзистор (LEFET), в которой канал полевого транзистора включает в себя волновод.
19. Оптоэлектронное устройство, LEFET, лазер, интегральная схема или способ по любому из пп.1-6, в котором светоизлучающий полевой транзистор (LEFET) является транзистором с верхним затвором.
20. Оптоэлектронное устройство, LEFET, лазер, интегральная схема или способ по любому из пп.1-6, в котором светоизлучающий полевой транзистор (LEFET) имеет затворный электрод, содержащий серебро в качестве металла затвора.