ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА С НАНОПРОВОДНЫМИ ДАТЧИКАМИ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ, ИЗГОТОВЛЕННЫХ ХИМИЧЕСКИМ МЕТОДОМ, СЕНСОРНОЕ УСТРОЙСТВО, СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Интегральная схема датчика, содержащая
полупроводниковую подложку;
изолирующий слой поверх упомянутой подложки;
первый транзистор на упомянутом изолирующем слое, при этом упомянутый первый транзистор содержит открытую канальную область между областью истока и областью стока и чувствительный затвор в упомянутой канальной области, причем эта канальная область выполнена с возможностью обнаружения аналита; и
генератор волнового сигнала напряжения, проводящим образом соединенный с полупроводниковой подложкой для снабжения первого транзистора напряжением смещения во время периода улавливания сигнала обнаружения, при этом генератор волнового сигнала напряжения выполнен с возможностью генерирования содержащего периодически возрастающую амплитуду переменного волнового сигнала напряжения смещения.
2. Интегральная схема по п. 1, дополнительно содержащая процессор сигналов, проводящим образом соединенный с первым транзистором, и при этом первый транзистор выполнен с возможностью выделения измерения аналита из сигнала, полученного во время упомянутого периода улавливания сигнала обнаружения.
3. Интегральная схема по п. 1, в которой волновой сигнал напряжения смещения имеет усредненный по времени нулевой потенциал, который предпочтительно чередуется по знаку вокруг нулевого значения.
4. Интегральная схема по п. 3, в которой волновой сигнал напряжения смещения содержит множество чередующихся положительных и отрицательных импульсов напряжения, при этом только один из положительных импульсов напряжения и отрицательных импульсов напряжения проявляет периодически возрастающую амплитуду.
5. Интегральная схема по п. 1, в которой канальная область содержит нанопровод или нанотрубку.
6. Интегральная схема по п. 5, в которой нанопровод содержит кремниевый нанопровод или состоит из него.
7. Интегральная схема по п. 5, в которой нанотрубка содержит углеродную нанотрубку или состоит из нее.
8. Интегральная схема по п. 1, в которой канальная область покрыта оксидным слоем.
9. Интегральная схема по п. 1, в которой первый транзистор является частью массива первых транзисторов.
10. Сенсорное устройство, содержащее камеру образца и интегральную схему по п. 1, при этом первый транзистор открыт для воздействия в упомянутой камере образца.
11. Сенсорное устройство по п. 10, в котором упомянутая камера образца содержит проточный канал.
12. Способ измерения представляющего интерес аналита в среде, содержащий
обеспечение интегральной схемы по п. 1;
воздействие на первый транзистор средой, потенциально включающей в себя обнаруживаемый первым транзистором аналит;
смещение первого транзистора волновым сигналом напряжения смещения посредством генератора волновых сигналов напряжения, проводящим образом соединенного с полупроводниковой подложкой, причем упомянутое смещение содержит периодически возрастающую амплитуду во время периода улавливания сигнала обнаружения первым транзистором; и
выделение измерения аналита из сигнала, полученного во время упомянутого периода улавливания сигнала.
13. Способ измерения по п. 12, в котором волновой сигнал напряжения смещения имеет усредненный по времени нулевой потенциал.
14. Способ измерения по п. 12, в котором волновой сигнал напряжения смещения чередуется по знаку вокруг нулевого значения.
15. Способ измерения по п. 14, в котором волновой сигнал напряжения смещения содержит множество чередующихся положительных и отрицательных импульсов напряжения, при этом только один из положительных импульсов напряжения и отрицательных импульсов напряжения проявляет периодически возрастающую амплитуду.