МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ АЛМАЗНЫЙ МАТЕРИАЛ

1. Способ получения выращенной монокристаллической алмазной подложки, включающий:
(a) обеспечение первой алмазной подложки, которая имеет главную поверхность (001), причем эта главная поверхность ограничена по меньшей мере одним ребром <100>, длина упомянутого по меньшей мере одного ребра <100> превышает любое измерение поверхности, которое является ортогональным упомянутому по меньшей мере одному ребру <100>, в соотношении по меньшей мере 1,3:1; и
(b) выращивание алмазного материала гомоэпитаксиально на главной поверхности (001) алмазного материала при условиях синтеза методом химического осаждения из паровой или газовой фазы (CVD), причем алмазный материал растет как по нормали к главной поверхности (001), так и вбок от нее.
2. Способ по пункту 1, при этом обеспеченная первая алмазная подложка имеет главную поверхность (001), причем эта главная поверхность ограничена по меньшей мере одним ребром <100>, и способ включает выращивание алмазного материала гомоэпитаксиально на главной поверхности (001) алмазного материала, причем рост продолжают в одну или более стадий до тех пор, пока не станет достаточной толщина выращенного алмазного материала, чтобы связанный с ним боковой рост алмазного материала стал достаточно большим для достижения полного эффективного поворота упомянутой главной поверхности (001) алмазного материала.
3. Способ по пункту 1, при этом исходная алмазная подложка имеет главную поверхность (001), которая является практически прямоугольной.
4. Способ по пункту 3, при этом прямоугольная подложка ограничена ребрами <100>.
5. Способ по пункту 3, включающий начальную стадию обеспечения алмазной подложки-предшественника, имеющей главную поверхность (001), и вырезания вписанной прямоугольной алмазной подложки из алмазной подложки-предшественника, причем вписанную прямоугольную подложку вырезают имеющей ребра <100>, а вырезанная вписанная прямоугольная подложка обеспечивает упомянутую первую алмазную подложку.
6. Способ по пункту 5, при этом вырезанный прямоугольник вырезан с максимизацией значения a+b, где a и b представляют собой, соответственно, длинную и короткую стороны прямоугольной подложки.
7. Способ по пункту 5, включающий вырезание n прямоугольных подложек из подложки-предшественника, где n>1.
8. Способ по пункту 7, при этом каждую из n прямоугольных подложек используют в качестве первой подложки в способе по любому из предыдущих пунктов, при этом каждый выращенный алмазный материал имеет главную поверхность (001), и при этом суммарная площадь упомянутых главных поверхностей (001) n выращенных алмазных материалов составляет по меньшей мере 120% площади алмазного материала, выращенного из подложки-предшественника, если он не разрезан и выращен до полного эффективного поворота с главной поверхностью (001).
9. Способ по пункту 1, при этом первая алмазная подложка имеет главную поверхность (001), которая является практически треугольной.
10. Способ по пункту 9, при этом практически треугольная главная поверхность представляет собой прямоугольный треугольник, который ограничен одним ребром <100> и двумя ребрами <110>, или же двумя ребрами <100> и одним ребром <110>.
11. Способ по пункту 1, включающий (a) вырезание сечения алмазного материала из области бокового роста выращенной монокристаллической алмазной подложки так, что вырезанное сечение алмаза обеспечивает поверхность (001) с ребром <100>, и (b) выращивание алмазного материала гомоэпитаксиально на этой поверхности (001) вырезанного сечения алмаза.
12. Способ по пункту 11, при этом вырезанное сечение бокового роста обеспечивает практически прямоугольную или треугольную поверхность (001).
13. Способ по пункту 3, включающий расположение двух или более прямоугольных подложек, каждая из которых имеет главную поверхность (001) и по меньшей мере одно ребро <100>, рядом друг с другом так, чтобы обеспечить непрерывное ребро <100>, которое превышает длину наиболее длинного ребра <100> любой из упомянутых двух или более прямоугольных подложек.
14. Способ по пункту 1, при этом во время процесса CVD значение α составляет в интервале от 1,4 до 2,6, где α=(√3×скорость роста в <001>) ÷ скорость роста в <111>.
15. Способ по пункту 14, при этом α составляет в интервале от 1,8 до 2,2.
16. Способ по пункту 1 для получения монокристаллической алмазной пластинки, включающий стадию обработки выращенного методом гомоэпитаксиального CVD алмазного материала в пластинку.
17. Выращенный методом CVD алмазный материал, содержащий множество рядов дислокаций, каждый ряд простирается практически в направлении <001>, причем каждый ряд дислокаций при проецировании на плоскость (001) определяет точку, и эти точки при соединении определяют первый отрезок, простирающий в направлении <100>, и второй отрезок, который пересекает упомянутый первый отрезок и простирается в направлении <100> или <110>, а соотношение первого отрезка ко второму отрезку, или наоборот, составляет по меньшей мере 1,3:1.
18. Выращенный методом CVD алмазный материал по пункту 17, при этом каждый ряд дислокаций при проецировании на плоскость (001) определяет точку, и эти точки при соединении определяют четыре простирающихся в направлении <100> отрезка, образующих прямоугольник с соотношением сторон по меньшей мере 1,3:1.
19. Выращенный методом CVD алмазный материал по пункту 17, при этом каждый ряд дислокаций при проецировании на плоскость (001) определяет точку, и эти точки при соединении определяют два отрезка <100> и один отрезок <011>, или же один отрезок <100> и два отрезка <011>, причем эти отрезки образуют равнобедренный прямоугольный треугольник.