ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ПРОИЗВОДСТВА

1. Полупроводниковое устройство, отличающееся тем, что содержит:
полупроводниковый чип (1), содержащий задающие режим клеммы (15d, 15f) и задающие режим соединительные линии (20d, 20f), соответственно соединенные с задающими режим клеммами (15d 15e, 15f);
уплотняющий слой, покрывающий полупроводниковый чип и площадку первой задающей режим соединительной линией, которая является одной из задающих режим соединительных линий (20d, 20е, 20f), при этом уплотняющий слой (43) включает себя задающее режим переходное отверстие, сформированное над площадкой второй задающей режим соединительной линией, при этом вторая задающая режим соединительная линия является одной из задающих режим соединительных линий и отличается от первой задающей режим соединительной линии;
задающий режим вложенный проводник, расположенный в задающем режим переходном отверстии и соединенный со второй задающей режим соединительной линией;
задающую режим проводящую дорожку (46b), соединенную с задающим режим вложенным проводником и расположенную на уплотняющем слое над площадкой первой задающей режим соединительной линии.
2. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что первая задающая режим соединительная линия и задающая режим клемма, соединенная с первой задающей режим соединительной линией находятся в не соединенном состоянии, и
вторая задающая режим соединительная линия и задающая режим клемма, соединенная со второй задающей режим соединительной линией, находятся в состоянии заранее определенного напряжения через вложенный проводник и задающую режим проводящую дорожку.
3. Полупроводниковое устройство по п.2, отличающееся тем, что заранее определенное напряжение является одним из напряжения земли,и напряжения питания, отличающегося от напряжения земли.
4. Полупроводниковое устройство по п.3, отличающееся тем, что задающая режим проводящая дорожка является одной из проводящей дорожки заземления и проводящей дорожки напряжения питания.
5. Полупроводниковое устройство по п.2, отличающееся тем, что задающая режим проводящая дорожка соединена с контактным столбиком (51), и заранее определенное напряжение подается на задающую режим проводящую дорожку через контактный столбик.
6. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что между площадкой первой задающей режим соединительной линии и задающей режим проводящей дорожкой, расположенной над площадкой первой задающей режим соединительной линии, вставлены первый задающий режим электрод, являющийся одним из задающих режим электродов (24d, 24f), и уплотняющий слой, и
между площадкой второй задающей режим соединительной линии и задающей режим проводящей дорожкой, расположенной над площадкой второй задающей режим соединительной линии, вставлены второй задающий режим электрод, являющийся одним из задающего режим электрода (24d, 24f) и отличный от первого задающего режим электрода, и задающий режим вложенный проводник.
7. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что полупроводниковый чип содержит клеммы (15) и соединительные линии (20), соответственно соединенные с клеммами (15),
уплотняющий слой содержит переходные отверстия (44), соответственно сформированные над площадками (23) соединительных линий,
вложенные проводники (45) соответственно сформированные внутри переходных отверстий, и
проводящие дорожки (46), соответственно соединенные с вложенными проводниками (45) и расположенные на уплотняющем слое.
8. Полупроводниковое устройство по п.7, отличающееся тем, что если смотреть сверху, проводящие дорожки, задающее режим переходное отверстие и задающий режим вложенный проводник расположены между площадкой (47b) задающей режим проводящей дорожки и площадкой (46с) одной из проводящих дорожек или между двумя площадками любых двух проводящих дорожек.
9. Полупроводниковое устройство по п.1, отличающееся тем, что режимы, каждый их которых соответствует состоянию напряжения, заданного на задающих режим клеммах и отличающиеся друг от друга, включают в себя начальную установку тактового генератора после сброса при включении питания полупроводникового чипа, задание ширины шины памяти, задание формата данных, и задание рабочего режима полупроводникового чипа.
10. Способ производства полупроводникового устройства, отличающийся тем, что содержит этапы, при которых:
формируют уплотняющий слой (43) на полупроводниковом чипе (1), который содержит задающие режим клеммы (15d, 15e, 15f) и задающие режим соединительные линии (20d, 20e, 20f), соответственно соединенные с задающими режим клеммами, при этом уплотняющий слой формируют для покрытия площадки первой задающей режим соединительной линии, которая является одной из задающих режим соединительных линий, и площадки второй задающей режим соединительной линии, которая является одной из задающих режим соединительных линий и которая отличается от первой задающей режим соединительной линии;
формируют задающее режим переходное отверстие в уплотняющем слое (43) над площадкой второй задающей режим соединительной линии; и
формируют задающую режим проводящую дорожку (46b), которая соединена с площадкой второй задающей режим соединительной линии через задающее режим переходное отверстие и которая расположена на уплотняющем слое над площадкой первой задающей режим соединительной линии.
11. Способ производства полупроводникового устройства по п.10, отличающийся тем, что дополнительно содержит этапы, на которых:
формируют задающий режим вложенный проводник в задающем режим переходном отверстии для соединения с площадкой второй задающей режим соединительной линии и
формируют задающую режим проводящую дорожку (46b), которая соединена с задающим режим вложенным проводником над площадкой второй задающей режим соединительной линии и которая расположена на уплотнительном слое над площадкой первой задающей режим соединительной линии.
12. Способ производства полупроводникового устройства по п.10, отличающийся тем, что на уплотняющий слой над площадкой второй задающей режим соединительной линии направляют лазерное излучение для формирования задающего режим переходного отверстия.
13. Способ производства полупроводникового устройства по п.10, отличающийся тем, что первая задающая режим соединительная линия и задающая режим клемма, соединенная с первой задающей режим соединительной линией находятся в неподсоединенном состоянии, и
вторая задающая режим соединительная линия и задающая режим клемма, соединенная со второй задающей режим соединительной линией, находятся в состоянии заранее определенного напряжения через задающий режим вложенный проводник и задающую режим проводящую дорожку.
14. Способ производства полупроводникового устройства по п.13, отличающийся тем, что заранее определенным напряжением является одно из напряжения земли и напряжения питания, отличающегося от напряжения земли.
15. Способ производства полупроводникового устройства по п.13, отличающийся тем, что дополнительно содержит этап, при котором формируют контактный столбик (51) для соединения с задающей режим проводящей дорожкой, используемый для подачи заранее определенного напряжения.
16. Способ производства полупроводникового устройства по п.14. отличающийся тем, что задающая режим проводящая дорожка является одной из проводящей дорожки заземления и проводящей дорожки напряжения питания.
17. Способ производства полупроводникового устройства по п.10, отличающийся тем, что полупроводниковый чип включает в себя первый задающий режим электрод, сформированный на площадке первой задающей режим соединительной линии, и второй задающий режим электрод, сформированный на площадке второй задающей режим соединительной линии, при этом первый задающий режим электрод является одним из задающих режим электродов, второй задающий режим электрод является одним из задающих режим электродов и отличается от первого задающего режим электрода, и
уплотняющий слой формируют на первом задающем режим электроде и на втором задающем режим электроде.
18. Способ производства полупроводникового устройства по п.10. отличающийся тем, что полупроводниковый чип содержит клеммы (15) и соединительные линии (20), соответственно соединенные с клеммами (15),
формируют переходные отверстия (44) в уплотняющем слое, над площадками (23) соединительных линий (20),
формируют вложенные проводники (45) для размещения в переходных отверстиях (44),
формируют на уплотняющем слое проводящие дорожки (46), соответственно соединенные с вложенными проводниками (45).
19. Способ производства полупроводникового устройства по п.17, отличающийся тем, что если смотреть сверху, проводящие дорожки, задающее режим переходное отверстие и задающий режим вложенный проводник расположены между площадкой (47b) задающей режим проводящей дорожки и площадкой (46b) одной из проводящих дорожек или между площадками любых двух проводящих дорожек.
20. Полупроводниковое устройство, отличающееся тем, что содержит:
полупроводниковый кристалл (1), содержащий задающую режим клемму и задающую режим соединительную линию, при этом задающая режим линия содержит по меньшей мере первую площадку и вторую площадку и соединена с задающей режим клеммой;
уплотняющий слой, покрывающий полупроводниковый чип и одну из первой площадки и второй площадки задающей режим соединительной линии, при этом уплотняющий слой включает в себя задающее режим переходное отверстие, сформированное над другой из первой площадки и второй площадки задающей режим соединительной линии;
задающий режим вложенный проводник, расположенный внутри задающего режим переходного отверстия и который выполнен для соединения с другой площадкой задающей режим соединительной линии; и
задающие режим проводящие дорожки (46b, 46c) выполненные на уплотняющем слое,
в котором первая задающая режим проводящая дорожка, являющаяся одной из задающих режим проводящих дорожек, выполнена на уплотняющем слое над одной площадкой задающей режим проводящей линии, а вторая задающая режим проводящая дорожка, являющаяся одной из задающих режим проводящих дорожек, и отличающаяся от первой задающей режим проводящей дорожки, соединена с задающим режим вложенным проводником.
21. Полупроводниковое устройство по п.20, отличающееся тем, что одно из первого заранее определенного напряжения и второго заранее определенного напряжения, отличающегося от первого заранее определенного напряжения, подается на первую задающую режим проводящую дорожку, а другое из первого заранее определенного напряжения и второго заранее определенного напряжения подается на вторую задающую режим проводящую дорожку, и
другое из первого заранее определенного напряжения и второго заранее определенного напряжения подается на задающую режим клемму через задающую режим соединительную линию, другую площадку, задающий режим вложенный проводник и вторую задающую режим проводящую дорожку.
22. Полупроводниковое устройство по п.21, отличающееся тем, что первое заранее определенное напряжение является напряжением земли, а второе заранее определенное напряжение является напряжением питания, отличающимся от напряжения земли.
23. Полупроводниковое устройство по п.20, отличающееся тем, что первый задающий режим электрод, являющийся одним из задающих режим электродов, и уплотняющий слой вставлены между одной площадкой задающей режим соединительной линии и первой задающей режим проводящей дорожкой, и
второй задающий режим электрод и задающий режим вложенный проводник вставлены между другой площадкой задающей режим соединительной линии и второй задающей режим проводящей дорожкой, при этом второй задающий режим электрод является одним из задающих режим электродов (24d1, 24d2, 24e1, 24e2, 24f1, 24f2) и отличается от первого задающего режим электрода.
24. Полупроводниковое устройство по п.20, отличающееся тем, что полупроводниковый чип содержит клеммы (15) и соединительные линии (20), соответственно соединенные с клеммами (15),
уплотняющий слой содержит переходные отверстия (44), соответственно сформированные над площадками соединительных линий (20),
вложенные проводники (45) соответственно сформированы внутри переходных отверстий (44), и
проводящие дорожки (46) соответственно соединены с вложенными проводниками (45) и выполнены на уплотняющем слое.
25. Полупроводниковое устройство по п.21, отличающееся тем, что задающая режим проводящая дорожка соединена с контактным столбиком (51) и другое заранее определенное напряжение подается на задающую режим проводящую дорожку через контактный столбик (51).
26. Полупроводниковое устройство по п.20, отличающееся тем, что режимы, каждый их которых соответствует состоянию напряжения, заданного на задающих режим клеммах и отличающиеся друг от друга, включают начальную установку тактового генератора после сброса полупроводникового кристалла по подаче питания, задание ширины шины памяти, задание формата данных, и задание рабочего режима полупроводникового чипа.
27. Способ производства полупроводникового устройства дополнительно, отличающийся тем, что содержит этапы, при которых:
формируют уплотняющий слой (43) на полупроводниковом чипе (1), который содержит задающую режим клемму и задающую режим соединительную линию, включающую в себя по меньшей мере первую площадку и вторую площадку, и соединенную с задающей режим клеммой, при этом уплотняющий слой формируют для покрытия первой площадки и второй площадки задающей режим соединительной линии;
формируют задающее режим переходное отверстие над одной из первой площадки и второй площадки задающей режим соединительной линии и
формируют задающие режим проводящий дорожки (46b, 46c) на уплотняющем слое,
при котором задающие режим проводящие дорожки формируют так, что первая задающая режим проводящая дорожка выполнена на уплотняющем слое над другой площадкой, которая является одной из первой площадки и второй площадки задающей режим соединительной линии и которая отличается от одной площадки, и так, что вторая задающая режим проводящая дорожка соединена с одной площадкой задающей режим соединительной линии через задающее режим переходное отверстие, при этом первая задающая режим проводящая дорожка является одной из задающих режим проводящих дорожек и отличается от первой задающей режим проводящей дорожки.
28. Способ производства полупроводникового устройства по п.26, отличающийся тем, что дополнительно содержит этап, при котором:
формируют задающий режим вложенный проводник в задающем режим переходном отверстии для соединения с одной площадкой задающей режим соединительной линии,
при этом задающие режим проводящие дорожки формируют так, что вторая задающая режим проводящая дорожка соединена с задающим режим вложенным проводником над одной площадкой задающей режим соединительной линии.
29. Способ производства полупроводникового устройства по п.27, отличающийся тем, что на уплотняющий слой над одной площадкой задающей режим соединительной линии направляют лазерное излучение для формирования задающего режим переходного отверстия.
30. Способ производства полупроводникового устройства по п.27, отличающийся тем, что первая задающая режим проводящая дорожка является проводящей дорожкой, на которую подается одно из первого заранее определенного напряжения и второго заранее определенного напряжения, отличного от первого заранее определенного напряжения, а вторая задающая режим проводящая дорожка является проводящей дорожкой, на которую подается другое из первого заранее определенного напряжения и второго заранее определенного напряжения.
31. Способ производства полупроводникового устройства по п.30, отличающийся тем, что первое заранее определенное напряжение является напряжением земли, а второе заранее определенное напряжение является напряжением питания, отличающимся от напряжения земли.
32. Способ производства полупроводникового устройства по п.30, отличающийся тем, что дополнительно содержит этап, при котором формируют контактный столбик, соединенный с задающей режим проводящей дорожкой для подачи другого заранее определенного напряжения.
33. Способ производства полупроводникового устройства по п.27, отличающийся тем, что дополнительно этап, на котором:
на другой площадке задающей режим соединительной линии формируют первый задающий режим электрод, который является одним из задающих режим электродов (24d1, 24d2, 24e1, 24e2, 24f1, 24f2), и на одной площадке задающей режим соединительной линии формируют второй задающий режим электрод, который является одним из задающих режим электродов и отличается от первого задающего режим электрода, и
при котором первый задающий режим электрод остается покрытым уплотняющим слоем, и в уплотняющем слое формирую переходное отверстие над вторым задающим режим электродом и затем в этом задающем режим переходном отверстии формируют задающий режим вложенный проводник.
34. Способ производства полупроводникового устройства по п.27, отличающийся тем, что полупроводниковый кристалл содержит клеммы (15) и соединительные линии (20), соответственно соединенные с клеммами (15),
формируют переходные отверстия (44) в уплотняющем слое, над площадками (23) соединительных линий (20),
формируют вложенные проводники (45) для размещения в переходных отверстиях, и
формируют на уплотняющем слое проводящие дорожки (46), соответственно соединенные с вложенными проводниками (45).