СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОГО СТЕКЛОВИДНОГО ПОКРЫТИЯ НА ПОДЛОЖКАХ С ЦЕЛЬЮ СНИЖЕНИЯ ГАЗОПРОНИЦАЕМОСТИ

1. Способ получения стекловидного прозрачного покрытия на подложке путем нанесения на подложку раствора, содержащего:
а) полисилазан формулы (1)
где R', R'' и R''' означают одинаковые или различные радикалы, и каждый независимо представляет собой водород или необязательно замещенный алкил-, арил-, винил- или (триалкоксисилил)алкильный радикал, где n является целым числом, причем таким, при котором полисилазан имеет величину среднечисловой молекулярной массы в пределах от 150 до 150000 г/моль, и
b) катализатор в органическом растворителе,
последующего удаления этого растворителя путем испарения, оставляя полисилазановый слой толщиной 0,05-3,0 мкм на подложке, и облучения указанного полисилазанового слоя ВУФ-излучением с длиной волны короче 230 нм и УФ-излучением с длиной волны между 230 и 300 нм, в атмосфере, содержащей водяной пар, в присутствии кислорода, активного кислорода и, необязательно, азота.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что катализатор представляет собой основный катализатор, предпочтительно, N,N-диэтилэтаноламин, N,N-диметилэтаноламин, триэтаноламин, триэтиламин, 3-морфолинопропиламин или N-гетероциклические соединения.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что растворитель представляет собой апротонный растворитель, инертный по отношению к полисилазану.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что раствор содержит от 1 до 80 мас.% полисилазана, предпочтительно от 5 до 50 мас.%, и еще более предпочтительно от 10 до 40 мас.% полисилазана.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют ВУФ-излучение с длиной волны короче 180 нм.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют ВУФ-излучение с длинами волн в диапазоне от 180 до 230 нм.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение ВУФ- и УФ-излучением осуществляют одновременно, последовательно или попеременно.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что концентрация кислорода составляет 500-210000 ч./млн.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что концентрация водяного пара составляет от 1000 до 4000 ч./млн.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что в ходе облучения дополнительно подается озон.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что каждый R', R'', R''' в формуле (1) независимо представляет собой радикал из группы, состоящей из водорода, метила, этила, пропила, изопропила, бутила, изобутила, третичного бутила, фенила, винила, или 3-(триэтоксисилил)пропила и 3-(триметоксисилил)пропила.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что раствор содержит, по меньшей мере, один пергидрополисилазан формулы (2)
13. Способ по п.12, отличающийся тем, что упомянутый раствор содержит, по меньшей мере, один полисилазан формулы (3)
где каждый R', R'', R''', R*, R** и R*** независимо означает водород или необязательно замещенный алкил-, арил-, винил- или (триалкоксисилил)алкильный радикал; пир являются целыми числами, причем n имеет такое значение, при котором величина среднечисловой молекулярной массы полисилазана составляет от 150 до 150000 г/моль.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что в формуле (3)
каждый R', R''' и R*** представляет собой водород, и каждый R'', R* и R** означает метил;
каждый R', R''' и R*** означает водород, каждый R'' и R* является метилом, а R** представляет собой винил; или
каждый R', R''', R* и R*** означает водород, и каждый R'' и R** представляют собой метил.
15. Способ по п.12, отличающийся тем, что раствор содержит, по меньшей мере, один полисилазан формулы (4)
1
2
3
где каждый R', R'', R''', R*, R**, R***, R, R и R независимо представляет собой водород или необязательно замещенный алкил-, арил-, винил- или (триалкоксисилил)алкильный радикал; n, p и q являются целыми числами, причем n имеет такое значение, при котором величина среднечисловой молекулярной массы полисилазана составляет от 150 до 150000 г/моль.
16. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложка в ходе процесса окислительного превращения нагревается вследствие облучения инфракрасными излучателями до температуры между 50 и 200°С, в соответствии с термостабильностью подложки.
17. Способ по п.1, отличающийся тем, что в ходе процесса окислительного превращения газ в камере облучения нагревается до температуры между 50 и 200°С, в соответствии с термостабильностью подложки.
18. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложка представляет собой пластиковую пленку, имеющую толщину в пределах от 10 до 100 мкм.
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что подложка представляет собой пленку, изготовленную из полиэтилентерефталата, полиэтиленнафталата, полиимида, полипропилена или полиэтилена.
20. Способ по п.16, в котором нанесение покрытия, высушивание и окислительное превращение путем облучения полисилазанового слоя на пластиковой пленке производится за один рабочий проход с рулона на рулон.