СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ

Способ формирования диэлектрической пленки, включающий защиту поверхности р-n переходов, отличающийся тем, что процесс ведут в печи вакуумным катодным распылением при температуре 800°С на основе окиси титана в виде порошка и температуры кристалла 500°С, а в качестве несущего агента служит галоген HBr, расстояние между источником окиси титана и кристалла 9 см, причем толщина пленки равна δ=0,7±0,1 мкм.