КРИСТАЛЛИЗАТОР ДЛЯ ОБРАБОТКИ РАСПЛАВЛЕННОГО КРЕМНИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Кристаллизатор для обработки расплавленного кремния, который содержит основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем, причем основной корпус содержит
по меньшей мере 65% по весу карбида кремния;
от 12 до 30% по весу компонента, выбранного из группы, в которую входят диоксид кремния или нитрид,
при этом основной корпус имеет по меньшей мере одно покрытие из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора.
2. Кристаллизатор по п.1, в котором основной корпус дополнительно содержит до 13% по весу одного или нескольких компонентов, выбранных из группы, в которую входят углерод, оксид магния, оксид алюминия, силикат и/или алюминат кальция.
3. Кристаллизатор по п.1 или 2, в котором слой диоксида кремния находится между поверхностным покрытием и стенками поверхностей, образующих внутренний объем кристаллизатора.
4. Кристаллизатор по п.1, в котором слой диоксида кремния находится у поверхности стенок основного корпуса, на стороне, противоположной стороне, образующей внутренний объем.
5. Кристаллизатор по п.1, в котором по меньшей мере 50% по весу частиц карбида кремния имеют размер больше чем 200 мкм.
6. Кристаллизатор по п.1, в котором частицы диоксида или нитрида кремния имеют размер меньше чем 10 мкм.
7. Способ изготовления кристаллизатора для обработки расплавленного кремния, имеющего основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем, причем основной корпус содержит по меньшей мере 65% по весу карбида кремния, от 12 до 30% по весу компонента, выбранного из группы, в которую входят диоксид или нитрид кремния, и имеет по меньшей мере одно покрытие из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора, причем указанный способ включает в себя следующие операции:
a) формование основного корпуса с поверхностью основания и боковыми стенками, образующими внутренний объем;
b) сушка основного корпуса;
c) выдержка основного корпуса; и
d) формирование покрытия из диоксида и/или нитрида кремния по меньшей мере на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора.
8. Способ по п.7, в котором операции с) и d) проводят одновременно путем выдержки основного корпуса в окисляющей или азотирующей газовой среде.
9. Способ по п.7, в котором операция d) предусматривает нанесение покрытия ранее операции выдержки основного корпуса.
10. Применение кристаллизатора, который содержит основной корпус с поверхностью основания и боковыми стенками образующими внутренний объем, причем основной корпус содержит по меньшей мере 65% по весу карбида кремния, от 12 до 30% по весу компонента, выбранного из группы, в которую входят диоксид или нитрид кремния, и имеет по меньшей мере одно покрытие из диоксида и/или нитрида кремния, по меньшей мере на поверхностях, образующих внутренний объем кристаллизатора, для обработки расплавленного кремния.