СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕЖКОМПОНЕНТНОЙ ИЗОЛЯЦИИ К МДП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

2
2
Способ изготовления межкомпонентной изоляции К МДП интегральных схем, включающий создание в кремниевой подложке областей кармана, формирование на кремниевой подложке нитридной маски, охранных областей, их локальное окисление при температуре 900-1100°С до толщины 0,7-1,5 мкм и отжиг в атмосфере химически инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных схем путем повышения зарядовой стабильности изоляции, перед локальным окислением проводят отжиг в диапазоне температур окисления в атмосфере химически инертного газа в течение 10-60 мин, а локальное окисление осуществляют в два этапа предварительным формированием подслоя двуокиси кремния, последовательной выдержкой сначала в атмосфере кислорода в течение 3-30 мин, а затем в атмосфере кислорода, содержащего 0,1-5 об.% хлористого водорода, в течение 15-90 мин и доокислением подслоя двуокиси кремния до заданной толщины в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водород при соотношении расходуемых компонентов, об.%: O 30-77; H 23-70, HCl 0,1-5.