ТВЕРДОТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭТОГО УСТРОЙСТВА И СИСТЕМА ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ

1. Твердотельное устройство формирования изображения, содержащее:
первую полупроводниковую область первого типа проводимости, обеспеченную на подложке методом эпитаксиального выращивания;
вторую полупроводниковую область первого типа проводимости, обеспеченную на первой полупроводниковой области; и
третью полупроводниковую область второго типа проводимости, обеспеченную во второй полупроводниковой области так, что между второй полупроводниковой областью и третьей полупроводниковой областью образуется p-n-переход,
причем первая полупроводниковая область сформирована так, что концентрация примеси первой полупроводниковой области уменьшается, по мере того как положение в пределах первой полупроводниковой области переходит со стороны подложки на сторону третьей полупроводниковой области, и
распределение концентрации примеси во второй полупроводниковой области формируется методом ионной имплантации.
2. Устройство по п. 1, в котором вторая полупроводниковая область включает в себя первую область рядом с третьей полупроводниковой областью и вторую область, обеспеченную между первой областью и первой полупроводниковой областью, и концентрация примеси первого типа проводимости первой области выше, чем концентрация примеси первого типа проводимости второй области.
3. Устройство по п. 2, в котором вторая полупроводниковая область дополнительно включает в себя третью область, обеспеченную между второй областью и первой полупроводниковой областью, и концентрация примеси первого типа проводимости третьей области выше, чем концентрация примеси первого типа проводимости второй области.
4. Устройство по п. 3, в котором концентрация примеси первого типа проводимости третьей области во второй полупроводниковой области ниже, чем концентрация примеси первого типа проводимости участка первой полупроводниковой области около границы между первой полупроводниковой областью и второй полупроводниковой областью.
5. Устройство по п. 1, в котором третья полупроводниковая область образует часть участка фотоэлектрического преобразования.
6. Устройство по п. 1, в котором первая полупроводниковая область и вторая полупроводниковая область формируют потенциалы, которые обуславливают дрейф неосновного носителя в первой полупроводниковой области и неосновного носителя во второй полупроводниковой области по направлению к третьей полупроводниковой области.
7. Устройство по п. 1, в котором концентрация примеси первого типа проводимости во второй полупроводниковой области ниже, чем концентрация примеси первого типа проводимости участка первой полупроводниковой области около границы между первой полупроводниковой областью и второй полупроводниковой областью.
8. Устройство по п. 1, в котором распределение концентрации
примеси во второй полупроводниковой области включает в себя множество пиков концентрации примеси первого типа проводимости.
9. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее четвертую полупроводниковую область второго типа проводимости, обеспеченную на первой полупроводниковой области и находящуюся в поперечном направлении рядом со второй полупроводниковой областью.
10. Устройство по п. 9, в котором четвертая полупроводниковая область обеспечена методом эпитаксиального выращивания.
11. Устройство по п. 10, в котором вторая полупроводниковая область сформирована посредством осуществления имплантации примеси с помощью метода ионной имплантации в области, обеспеченной одновременно с четвертой полупроводниковой областью.
12. Устройство по п. 9, содержащее множество пикселей, каждый из которых включает в себя участок фотоэлектрического преобразования и блок, выполненный с возможностью обмена сигналами между множеством пикселей, причем упомянутый блок обеспечен в четвертой полупроводниковой области.
13. Устройство по п. 12, в котором упомянутый блок включает в себя транзистор со структурой "металл - оксид - полупроводник" (МОП-транзистор), карман первого типа проводимости обеспечен в четвертой полупроводниковой области, область истока второго типа проводимости и область стока второго типа проводимости МОП-транзистора обеспечены в кармане, пятая полупроводниковая область второго типа проводимости обеспечена между карманом и частью четвертой полупроводниковой области, и концентрация примеси пятой полупроводниковой области выше, чем концентрация примеси четвертой полупроводниковой области.
14. Устройство по п. 12, содержащее область пикселей, в которой упорядочено множество пикселей, и периферийную область, которая отличается от области пикселей и в которой расположен упомянутый блок.
15. Устройство по п. 1, в котором толщина первой полупроводниковой области находится в пределах диапазона от 5 мкм (включительно) до 500 мкм (включительно).
16. Устройство по п. 1, в котором толщина второй полупроводниковой области находится в пределах диапазона от 1 мкм (включительно) до 10 мкм (включительно).
17. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее шестую полупроводниковую область первого типа проводимости, обеспеченную между подложкой и первой полупроводниковой областью, причем концентрация примеси первого типа проводимости в шестой полупроводниковой области выше, чем концентрация примеси первого типа проводимости в первой полупроводниковой области.
18. Система формирования изображения, содержащая: твердотельное устройство формирования изображения по п. 1 и блок отображения, выполненный с возможностью выдачи изображения на основе излучения ближнего инфракрасного диапазона, и изображения на основе видимого света, полученных упомянутым твердотельным устройством формирования изображения с наложением.
19. Способ изготовления твердотельного устройства формирования изображения, содержащий этапы, на которых:
формируют первую полупроводниковую область первого типа проводимости на подложке методом эпитаксиального выращивания;
формируют вторую полупроводниковую область первого типа проводимости посредством осуществления ионной имплантации в одном из верхнего участка первой полупроводниковой области и области, сформированной на первой полупроводниковой области; и
формируют третью полупроводниковую область второго типа проводимости во второй полупроводниковой области так, что между второй полупроводниковой областью и третьей полупроводниковой областью образуется p-n-переход,
причем первую полупроводниковую область формируют так, что концентрация примеси первой полупроводниковой области уменьшается, по мере того как положение в пределах первой полупроводниковой области переходит со стороны подложки на сторону третьей полупроводниковой области.
20. Способ по п. 19, дополнительно содержащий этап, на котором формируют четвертую полупроводниковую область второго типа проводимости на первой полупроводниковой области методом эпитаксиального выращивания, при этом в части четвертой полупроводниковой области осуществляют ионную имплантацию.
21. Способ по п. 19, в котором вторая полупроводниковая область включает в себя первую область рядом с участком фотоэлектрического преобразования и вторую область, расположенную между первой областью и первой полупроводниковой областью, и при формировании второй полупроводниковой области формируют упомянутую вторую полупроводниковую область так, что концентрация примеси первой области выше, чем концентрация примеси второй области.
22. Способ по п. 21, в котором ионную имплантацию для формирования первой области и ионную имплантацию для формирования второй области осуществляют при разных условиях.
23. Способ по п. 19, в котором при формировании первой полупроводниковой области формируют упомянутую первую полупроводниковую область так, что толщина первой полупроводниковой области находится в пределах диапазона от 5 мкм (включительно) до 500 мкм (включительно).
24. Способ по п. 19, в котором при формировании второй полупроводниковой области формируют упомянутую вторую полупроводниковую область так, что толщина второй полупроводниковой области находится в пределах диапазона от 1 мкм (включительно) до 10 мкм (включительно).
25. Способ по п. 19, дополнительно содержащий этап, на котором перед формированием первой полупроводниковой области формируют шестую полупроводниковую область первого типа проводимости посредством имплантации примеси первого типа проводимости в подложку, причем концентрация примеси первого типа проводимости в шестой полупроводниковой области выше, чем концентрация примеси первого типа проводимости в первой полупроводниковой области.