КОНТРОЛИРУЕМОЕ ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ СИНТЕТИЧЕСКОМ АЛМАЗНОМ МАТЕРИАЛЕ

1. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой, содержащий сетку непараллельных дислокаций, причем сетка непараллельных дислокаций содержит множество дислокаций, формирующих сетку взаимно пересекающихся дислокаций, как это видно на рентгеновском топографическом изображении сечения или в условиях люминесцентной методики, причем слой монокристаллического CVD синтетического алмаза имеет толщину, равную или большую, чем 1 мкм, при этом сетка непараллельных дислокаций простирается по объему, составляющему, по меньшей мере, 30% от полного объема монокристаллического CVD синтетического алмазного слоя, и при этом направление, в котором распространяется дислокация, измеряется по среднему направлению, по меньшей мере, по 30% от полной длины дислокации.
2. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1, причем слой монокристаллического CVD синтетического алмаза имеет толщину, равную или большую, чем 10 мкм, 50 мкм, 100 мкм, 500 мкм, 1 мм, 2 мм или 3 мм.
-2
8
-2
2
-2
8
-2
4
-2
7
-2
3. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, содержащий плотность дислокаций в пределах от 10 см до 1×10 см, от 1×10см до 1×10 см или от 1×10 см до 1×10 см.
-4
-5
-5
-6
-6
4. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, содержащий значение двулучепреломления, равное или меньшее, чем 5×10, 5×10, 1×10, 5×10 или 1×10.
5. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п.1 или 2, причем монокристаллический CVD синтетический алмазный слой представляет собой слой с ориентацией {110} или {113}.
6. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, в котором сетка непараллельных дислокаций простирается по объему, составляющему, по меньшей мере, 40%, 50%, 60%, 70%, 80% или 90% от полного объема монокристаллического CVD синтетического алмазного слоя.
7. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, в котором сетка непараллельных дислокаций содержит первый набор дислокаций, распространяющихся в первом направлении через монокристаллический CVD синтетический алмазный слой, и второй набор дислокаций, распространяющихся во втором направлении через монокристаллический CVD синтетический алмазный слой, и причем угол между первым и вторым направлениями находится в пределах от 40° до 100°, от 50° до 100° или от 60° до 90°, как это видно на рентгеновском топографическом изображении сечения или в условиях люминесцентной методики.
8. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, в котором направление, в котором распространяется дислокация, измеряется по среднему направлению, по меньшей мере, по 40%, 50%, 60%, 70%, 80% или 90% от полной длины дислокации и/или, по меньшей мере, 50 мкм, 100 мкм, 250 мкм, 500 мкм, 1000 мкм, 1500 мкм или 2000 мкм.
9. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, в котором, по меньшей мере, 30%, 40%, 50%, 70%, 80% или 90% от общего количества видимых дислокаций в пределах объема монокристаллического CVD синтетического алмазного слоя формируют сетку непараллельных дислокаций, как это видно на рентгеновском топографическом изображении сечения или в условиях люминесцентной методики, причем упомянутый объем составляет, по меньшей мере, 30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80% или 90% от полного объема монокристаллического CVD синтетического алмазного слоя.
10. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п.1 или 2, в котором сетка непараллельных дислокаций наблюдается на рентгеновском топографическом изображении сечения, но не в условиях люминесцентной методики, или, альтернативно, сетка непараллельных дислокаций наблюдается в условиях люминесцентной методики, но не на рентгеновском топографическом изображении сечения.
11. Монокристаллический CVD синтетический алмазный слой по п. 1 или 2, обладающий твердостью, по меньшей мере, 100 ГПа или, по меньшей мере, 120 ГПа.
12. Монокристаллический CVD синтетический алмазный объект, содержащий монокристаллический алмазный слой по любому предыдущему пункту, причем монокристаллический алмазный слой составляет, по меньшей мере, 30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80% или 90% от полного объема монокристаллического CVD синтетического алмазного объекта.
13. Применение монокристаллического CVD синтетического алмазного объекта по п. 12 в оптическом, механическом, люминесцентном и/или электронном устройстве или приложении.
14. Монокристаллический CVD синтетический алмазный объект по п. 12, причем монокристаллический CVD синтетический алмазный объект вырезан в конфигурации ювелирного изделия.