САМООТНОСИМЫЙ ЭЛЕМЕНТ МАГНИТНОЙ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ, СОДЕРЖАЩИЙ СИНТЕТИЧЕСКИЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ СЛОЙ

1. Элемент оперативной памяти (MRAM), содержащий магнитный туннельный переход, содержащий: запоминающий слой; слой считывания; и туннельный барьерный слой, заключенный между запоминающим слоем и слоем считывания; причем запоминающий слой содержит:
первый магнитный слой, имеющий первую намагниченность запоминания;
второй магнитный слой, имеющий вторую намагниченность запоминания; и
немагнитный связующий слой, отделяющий первый и второй магнитные слои так, что первая намагниченность запоминания, по существу, антипараллельна второй намагниченности запоминания; причем первый и второй магнитные слои сконфигурированы так, что:
при температуре чтения первая намагниченность запоминания, по существу, равна второй намагниченности запоминания; и
при температуре записи, которая выше, чем температура чтения, вторая намагниченность запоминания больше, чем первая намагниченность запоминания.
2. Элемент MRAM по п. 1, в котором
первый магнитный слой содержит первый ферромагнитный слой, имеющий первую температуру Кюри, а второй магнитный слой содержит второй ферромагнитный слой, имеющий вторую температуру Кюри, которая выше, чем первая температура Кюри.
3. Элемент MRAM по п. 2, в котором
температура записи находится ниже первой и второй температуры Кюри.
4. Элемент MRAM по п. 2, в котором
температура записи находится выше первой температуры Кюри и ниже второй температуры Кюри.
5. Элемент MRAM по п. 1, в котором
первый магнитный запоминающий слой содержит ферримагнитный аморфный сплав, содержащий подрешетку атомов переходных металлов, обеспечивающую 3d намагниченность запоминания, и подрешетку атомов редкоземельного элемента, обеспечивающую 4f намагниченность запоминания, являющуюся антипараллельной 3d намагниченности запоминания; и причем
первая намагниченность запоминания соответствует векторной сумме 3d намагниченности запоминания и 4f намагниченности запоминания.
6. Элемент MRAM по п. 5, в котором
подрешетка редкоземельного элемента имеет первую температуру Кюри, а подрешетка атомов переходного металла имеет вторую температуру Кюри, которая выше, чем первая температура Кюри.
7. Элемент MRAM по п. 6, в котором
температура записи соответствует, по существу, температуре компенсации ферримагнитного запоминающего слоя, когда первая намагниченность запоминания становится, по существу, нулевой.
8. Элемент MRAM по п. 6, в котором
температура записи соответствует, по существу, первой температуре Кюри подрешетки редкоземельного элемента ферримагнитного запоминающего слоя.
9. Способ записи в элемент MRAM, содержащий магнитный туннельный переход, включающий в себя: запоминающий слой; слой считывания; и туннельный барьерный слой между запоминающим слоем и слоем считывания; причем запоминающий слой содержит: первый магнитный слой, имеющий первую намагниченность запоминания; второй магнитный слой, имеющий вторую намагниченность запоминания; и немагнитный связующий слой, отделяющий первый и второй магнитные слои так, что первая намагниченность запоминания, по существу, антипараллельна второй намагниченности запоминания; причем первый и второй магнитные слои сконфигурированы так, что: при температуре чтения первая намагниченность запоминания, по существу, равна второй намагниченности запоминания; и при температуре записи, которая выше, чем температура чтения, вторая намагниченность запоминания больше, чем первая намагниченность запоминания; причем упомянутый способ содержит этапы, на которых:
нагревают магнитный туннельный переход до температуры записи;
регулируют первую и вторую намагниченности запоминания; и
охлаждают магнитный туннельный переход до температуры чтения.
10. Способ по п. 9, в котором
регулирование первой и второй намагниченностей запоминания выполняют посредством приложения магнитного поля записи.
11. Способ по п. 9, в котором
элемент MRAM дополнительно содержит линию тока в электрическом контакте с одним концом магнитного туннельного перехода; и в котором
нагревание магнитного туннельного перехода содержит пропускание тока нагрева в магнитном туннельном переходе по линии тока.