СОЕДИНЕНИЕ ДРУГ С ДРУГОМ ДВУХ УСТРОЙСТВ ДЛЯ ОБРАБОТКИ ОТРАБОТАВШЕГО ГАЗА

1. Структура (1), содержащая два расположенных друг за другом устройства (2, 3) для очистки отработавшего газа (ОГ) в выпускном трубопроводе (4), причем первое устройство (2) для очистки ОГ первой частичной областью (5) через по меньшей мере один опорный элемент (6) соединено со второй частичной областью (7) второго устройства (3) для очистки ОГ, причем опорный элемент (6) имеет противолежащие концы (9) и на концах (9) через присоединительные точки (8) соединен с соответственно одной частичной областью (5, 7), причем, по меньшей мере, вторая частичная область (7) образована посредством металлических компонентов (10), которые посредством взаимного контактирования образуют контактные поверхности (11), причем максимально 20% площади контактных поверхностей (11) имеют, по меньшей мере, паяные соединения (12) или диффузионные соединения (13).
2. Структура (1) по п.1, в которой, по меньшей мере, второе устройство (3) для очистки ОГ является сотовым телом (14), содержащим по меньшей мере одну сотовую структуру (15) и окружающий сотовую структуру (15) корпус (16), причем сотовая структура (15), по меньшей мере, частично образована посредством гладких и структурированных металлических пластов (17).
3. Структура (1) по п.1 или 2, в которой первое устройство (2) для очистки ОГ, по меньшей мере, частично образовано посредством стопки из металлических пластов (17), причем пласты (17), по меньшей мере, в первой частичной области (5), по меньшей мере, частично отделены друг от друга посредством воздушных зазоров (18).
4. Структура (1) по п.1 или 2, в которой первое устройство (2) для очистки ОГ является электрически обогреваемым сотовым телом (14).
5. Структура (1) по п.1 или 2, в которой второе устройство (3) для очистки ОГ имеет обращенный от первого устройства (2) для очистки ОГ первый торец (19), а также продольную ось (20) и в направлении продольной оси (20) между второй частичной областью (7) и первым торцом (19) на одном лишь аксиально-ограниченном участке (21) имеет контактные поверхности (11) взаимно контактирующихся металлических компонентов (10), причем по меньшей мере 80% площади контактных поверхностей (11) имеют паяные соединения (12) и/или диффузионные соединения (13).
6. Структура (1) по п.1 или 2, в которой второе устройство (3) для очистки ОГ имеет обращенный к первому устройству (2) для очистки ОГ второй торец (43), а также продольную ось (20), причем второе устройство (3) для очистки ОГ содержит по меньшей мере один металлический компонент (10) с различными по длине областями (22) в направлении продольной оси (20), причем присоединительные точки (8), по меньшей мере, частично расположены в более длинных областях (22) компонентов (10), причем более длинные области (22) компонентов (10) на втором торце (43), по меньшей мере, во второй частичной области (7) в направлении продольной оси (20) выступают за пределы более коротких областей (22) компонента (11).
7. Структура (1) по п.1 или 2, в которой второе устройство (3) для очистки ОГ образовано, по меньшей мере, с одним металлическим компонентом (10) по меньшей мере с одной выемкой (23), причем выемка (23), по меньшей мере, частично расположена рядом с присоединительной точкой (8), и при этом выемка (23), по меньшей мере, частично предусмотрена между обращенным к первому устройству (2) для очистки ОГ торцом (43) и присоединительной точкой (8).
8. Структура (1) по п.1 или 2, в которой опорный элемент (6) при 20°C расположен параллельно продольной оси (20) первого устройства (2) для очистки ОГ и второго устройства (3) для очистки ОГ и вследствие термической нагрузки структуры (1) до 800°C максимально на 2 угловых градуса наклоняется относительно продольной оси (20).
9. Структура (1) по п.1 или 2, в которой второе устройство (3) для очистки ОГ является сотовым телом (14) с множеством выполненных с возможностью прохождения через них ОГ (24) каналов (25), причем вторая частичная область (7), по меньшей мере:
а) имеет меньшее число каналов (25) на единицу площади, чем остальные области сотового тела (14), или
б) образована из металлических пластов (17), которые имеют меньшую толщину (26) материала, чем металлические пласты (17) в остальных областях сотового тела (14).