Форсунка для мегазвуковой обработки полупроводниковых пластин деионизированной водой

Полезная модель относится к технике очистки поверхности плоских изделий с помощью ультразвука, мегазвука и может быть использовано в полупроводниковом производстве при изготовлении ИС, БИС и для очистки полупроводниковых пластин перед проведением технологических операций, например, в кластерной линии фотолитографии.
Известна форсунка для ультразвуковой обработки полупроводниковых пластин деионизированной водой, включающая излучатель и коническое сопло с цилиндрическим хвостовиком, размещенные в корпусе со штуцером подачи деионизированной воды (описание к патенту США №5927306, МПК В08В 3/02, В08В 3/12, H01L 21/67051, H01L 21/6715, прототип).
В известном техническом решении решается задача по повышению устойчивости устройства к ультразвуковым волнам, коррозионной стойкости к жидкости и защите подложек от загрязнения, когда химическая жидкость используется в качестве раствора для обработки.
Задача полезной модели - повышение качества очистки полупроводниковых пластин.
Технический результат - повышение равномерности подачи деионизованной воды в зону мегазвукового излучателя за счет исключения появления турбулентных потоков деионизованной воды в зоне входа ее в полость форсунки.
Технический результат достигается тем, что форсунка для мегазвуковой обработки полупроводниковых пластин деионизированной водой, включающая излучатель и коническое сопло с цилиндрическим хвостовиком, размещенные в корпусе со штуцером подачи деионизированной воды, дополнительно снабжена рассекателем в виде частично перфорированной втулки, сопряженной с хвостовиком сопла, при этом на внутренней поверхности корпуса на выходе штуцера выполнена кольцевая П-образная проточка, которую перекрывает перфорированная поверхность втулки.
На фиг. 1 изображена форсунка для мегазвуковой обработки полупроводниковых пластин деионизированной водой; на фиг. 2 - рассекатель в продольном сечении; на фиг. 3 - поперечное сечение рассекателя в перфорированной части.
Форсунка содержит корпус 1 со штуцером 2 подвода деионизованной воды. В корпусе 1 размещены излучатель 3 мегазвуковой, коническое сопло 4 с цилиндрическим хвостовиком 5, рассекатель 6.
На внутренней поверхности корпуса 1 со стороны выходного отверстия 7 штуцера 2 и напротив кольцевой проточки на наружной поверхности хвостовика 5 выполнена кольцевая П-образная проточка 8.
Рассекатель 6 выполнен в виде частично перфорированной втулки 9, сопряженной с хвостовиком 5 сопла 4. Перфорация выполнена в виде рядов отверстий 10 малого диаметра вдоль образующих цилиндрической поверхности втулки с шагом 30-45°. Высота перфорированной поверхности втулки 9 равна ширине проточки 8, перекрывает полость, образованную последней.
В процессе мегазвуковой обработки полупроводниковых пластин деионизированную воду по штуцеру 2 подают в корпус 1 форсунки. Перед поступлением воды к излучателю 3 она заполняет полость, образованную проточкой 8. Далее просачиваясь через отверстия рассекателя турбулентный поток деионизированной воды упорядочивается. Вода равномерно по кругу подается к поверхности излучателя 3.
Излучатель 3, в свою очередь, равномерно озвучивает деионизованную воду по всему объему конического канала сопла 4, включая и участок, заключенный в хвостовике 5. На поверхность подложки, озвученная, деионизированная вода подается ламинарным потоком, что обеспечивает равномерную очистку пластин по всей поверхности.