СПОСОБ ВЫДЕЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ ПОВЫШЕННОЙ НАДЕЖНОСТИ
METHOD FOR IDENTIFICATION OF HIGHER RELIABILITY TRANSISTORS

Изобретение относится к области электротехники, в частности к производству и эксплуатации транзисторов, и может быть использовано для выделения из партии транзисторов повышенной надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.
Известен способ [1] выборочного контроля надежности транзисторов в партии, по которому на транзисторы подают импульсы электростатических разрядов (ЭСР) напряжением, в два раза превышающим допустимое по техническим условиям (ТУ), после чего проводят отжиг в две стадии (при 25°С в течение 3-7 дней и при 100-125°С в течение 1 часа), а вывод о степени надежности транзисторов делают по величине рассчитанного коэффициента для измеренного информативного параметра.
Недостатками данного способа являются: выборочный контроль, превышение напряжения ЭСР допустимой нормы, длительный период отжига.
Из техники известно [2], что предварительный отжиг полупроводниковых изделий (ППИ) может повышать их стойкость к ЭСР.
ЭСР
В предлагаемом способе партию транзисторов подвергают температурному отжигу дважды: до и после воздействия ЭСР при максимально допустимой температуре кристалла, в течение 4-8 часов. По величине изменения информативного параметра до, после отжига, после ЭСР и после второго отжига судят о степени надежности транзисторов. При равенстве информативного параметра у транзистора при всех измерениях считают, что транзистор стабилен и будет обладать повышенной надежностью. Воздействие ЭСР осуществляют потенциалом U, предельно допустимым по ТУ для данного вида транзисторов.
ЭБО
Предлагаемый способ был апробирован на 15 транзисторах типа КТ312 (маломощные биполярные транзисторы n-p-n-типа). В качестве информативного параметра использовался обратный ток эмиттера I, измерение которого проводилось с точностью 0,001 мкА. Максимально допустимое значение этого параметра по ТУ составляет 10 мкА. Воздействие ЭСР осуществлялось на переход эмиттер-база (ЭБ) пятью импульсами в прямом и обратном смещении, напряжением
ЭСР
U=1000 В. Результаты измерений представлены в таблице.
Таблица
Номер транзистора
Значения I<sub>ЭБО</sub>, мкА
начальное
отжиг №1
после ЭСР
отжиг №2
1
0,001
0,001
0,001
0,001
2
0,002
0,001
0,215
0,161
3
0,002
0,002
0,800
0,370
4
0,002
0,002
0,002
0,002
5
0,001
0,001
0,166
0,100
6
0,001
0,001
0,033
0,015
7
0,001
0,001
0,544
0,193
8
0,001
0,001
0,001
0,001
9
0,005
0,002
0,337
0,182
10
0,017
0,001
0,123
0,097
11
0,006
0,006
0,006
0,006
12
0,001
0,001
0,035
0,026
13
0,001
0,001
0,001
0,001
14
0,012
0,010
0,170
0,095
15
0,003
0,002
0,150
0,004
ЭБО
На основании данных, представленных в таблице, видно, что у транзисторов №1, 4, 8, 11, 13 значения I после каждого измерения не изменилось. Поэтому можно сделать вывод, что данные транзисторы будут иметь повышенную надежность.
Источники информации
1. Патент РФ №2204142, 2003.
2. Горлов М.И., Емельянов А.В., Плебанович В.И. Электростатические заряды в электронике. - Мн.: Бел. Наука. 2006. - 295 с.