ТОНКАЯ ПЛЕНКА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТАКОЙ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ И ТРАНЗИСТОР, ИЗГОТОВЛЕННЫЙ ИЗ ТАКОЙ ТОНКОЙ ПЛЕНКИ

1. Способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния, включающий этап выращивания слоя аморфного кремния, этап начального выращивания слоя оксида кремния на слое аморфного кремния, последующее формирование некоторого множества вогнутых поверхностей на слое оксида кремния, которые будут отражать лучи света, вертикально проецируемые на оксид кремния, и, последним, этап проецирования луча эксимерного лазера на слой аморфного кремния через слой оксида кремния, чтобы преобразовать слой аморфного кремния в тонкую пленку низкотемпературного поликристаллического кремния.
2. Способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 1, отличающийся тем, что способ по существу включает следующие этапы:
(a) предоставление подложки, на которой расположен буферный слой;
(b) создание слоя аморфного кремния на буферном слое;
(c) создание оксида кремния на аморфном слое и затем создание множества вогнутых поверхностей путем травления;
(d) проецирование луча эксимерного лазера на слой аморфного кремния через слой оксида кремния, чтобы преобразовать слой аморфного кремния в тонкую пленку низкотемпературного поликристаллического кремния.
3. Способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 2, кроме того включающий этап удаления слоя оксида кремния после формирования слоя низкотемпературного поликристаллического кремния.
4. Способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 2, отличающийся тем, что упомянутые вогнутые поверхности расположены в форме матрицы на слое оксида кремния.
5. Способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 4, отличающийся тем, что расстояние между двумя соседними вогнутыми поверхностями составляет 300-600 мкм.
6. Способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 5, отличающийся тем, что каждая из вогнутых поверхностей включает круглую окружность диаметром 10-20 мкм при глубине 150-200 нанометров.
7. Способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 2, отличающийся тем, что на этапе (b) слой аморфного кремния проходит процесс снижения степени водородного охрупчивания при высоких температурах после создания слоя аморфного кремния.
8. Способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 2, отличающийся тем, что буферный слой изготовлен из оксида кремния.
9. Тонкая пленка низкотемпературного поликристаллического кремния, отличающаяся тем, что способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния включает следующие этапы:
выращивание слоя аморфного кремния, этап первоначального выращивания
слоя оксида кремния на слое аморфного кремния;
формирование некоторого множества вогнутых поверхностей на слое оксида кремния, которые будут отражать лучи света, вертикально проецируемые на оксид кремния; и
проецирование луча эксимерного лазера на слой аморфного кремния через слой оксида кремния, чтобы преобразовать слой аморфного кремния в тонкую пленку низкотемпературного поликристаллического кремния.
10. Тонкая пленка низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 9, отличающаяся тем, что способ по существу включает следующие этапы:
(a) предоставление подложки, на которой расположен буферный слой;
(b) создание слоя аморфного кремния на буферном слое;
(c) создание оксида кремния на аморфном слое и затем создание множества вогнутых поверхностей путем травления; и
(d) проецирование луча эксимерного лазера на слой аморфного кремния через слой оксида кремния, чтобы преобразовать слой аморфного кремния в тонкую пленку низкотемпературного поликристаллического кремния.
11. Тонкая пленка низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 10, кроме того включающая этап удаления слоя оксида кремния после формирования слоя низкотемпературного поликристаллического кремния.
12. Способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 10, отличающийся тем, что упомянутые вогнутые поверхности расположены в форме матрицы на слое оксида кремния.
13. Способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 12, отличающийся тем, что расстояние между двумя соседними вогнутыми поверхностями составляет 300-600 мкм.
14. Тонкая пленка низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 13, отличающаяся тем, что каждая из вогнутых поверхностей включает круглую окружность диаметром 10-20 мкм при глубине 150-200 нанометров.
15. Тонкая пленка низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 2, отличающаяся тем, что на этапе (b) слой аморфного кремния проходит процесс снижения степени водородного охрупчивания при высоких температурах после создания слоя аморфного кремния.
16. Тонкая пленка низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 10, отличающаяся тем, что буферный слой изготовлен из оксида кремния.
17. Транзистор из тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния, включающий:
подложку;
полупроводниковый слой, осажденный на подложку в форме тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния, при этом полупроводник включает исток, сток и канал между истоком и стоком;
подзатворный слой и затвор, сформированные на упомянутом полупроводнике, при этом подзатворный слой используется для изоляции затвора и полупроводника, и затвор расположен в положении, соответствующем каналу;
слой диэлектрика, расположенный на подзатворном слое и затворе, при этом слой диэлектрика включает первое отверстие, в котором электрод истока соединен с истоком, и второе отверстие, в котором электрод стока соединен со стоком; при этом
тонкая пленка низкотемпературного поликристаллического кремния изготовлена способом, включающим следующие этапы:
выращивание слоя аморфного кремния, этап первоначального выращивания слоя оксида кремния на слое аморфного кремния;
формирование некоторого множества вогнутых поверхностей на слое оксида кремния, которые будут отражать лучи света, вертикально проецируемые на оксид кремния; и
проецирование луча эксимерного лазера на слой аморфного кремния через слой оксида кремния, чтобы преобразовать слой аморфного кремния в тонкую пленку низкотемпературного поликристаллического кремния.
18. Транзистор из тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 17, отличающийся тем, что способ по существу включает следующие этапы:
(a) предоставление подложки, на которой расположен буферный слой;
(b) создание слоя аморфного кремния на буферном слое;
(c) создание оксида кремния на аморфном слое и затем создание множества вогнутых поверхностей путем травления; и
(d) проецирование луча эксимерного лазера на слой аморфного кремния через слой оксида кремния, чтобы преобразовать слой аморфного кремния в тонкую пленку низкотемпературного поликристаллического кремния.
19. Транзистор из тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 17, отличающийся тем, что способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния кроме того включает следующие этапы:
выполнение процесса снижения степени водородного охрупчивания при высоких температурах на слое аморфного кремния после создания слоя аморфного кремния; и
удаление слоя оксида кремния после создания тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния.
20. Транзистор из тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния по п. 18, отличающийся тем, что упомянутые вогнутые поверхности расположены в форме матрицы на слое оксида кремния, при этом каждая из вогнутых поверхностей включает круглую окружность диаметром 10-20 мкм при глубине 150-200 нанометров, и при этом расстояние между двумя соседними вогнутыми поверхностями составляет 300-600 мкм.