ПОДЛОЖКА МАТРИЦЫ ТПТ И ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ ПАНЕЛЬ ОТОБРАЖЕНИЯ

1. Подложка матрицы тонкопленочных транзисторов (ТПТ), в которой элементы ТПТ и пиксельные электроды, соответственно, соединенные с элементами ТПТ, расположены в виде матрицы на изолирующей подложке, причем подложка матрицы ТПТ содержит:
линии шины затворов на изолирующей подложке, причем линии шины затворов, соответственно, соединены с элементами ТПТ и выполнены из первого металлического материала; и
линии шины истоков на изолирующей подложке, причем линии шины истоков, соответственно, соединены с элементами ТПТ и выполнены из второго металлического материала,
пиксельные электроды, изготовленные из третьего металлического материла,
изолирующую подложку, имеющую область отображения, в которой пиксельные электроды размещены в виде матрицы, и периферийную область вокруг области отображения,
периферийную область, выполненную со схемами возбудителей для возбуждения элементов ТПТ, соответствующих им,
периферийную область, выполненную с (i) ответвительными межсоединениями, которые, соответственно, соединены со схемами возбудителей, и (ii) основным межсоединением, которое соединено с ответвительными межсоединениями,
ответвительные межсоединения, выполненные из одного из первого металлического материала и второго металлического материала,
основное межсоединение, выполненное из другого одного из первого металлического материала и второго металлического материала,
периферийную область, выполненную с соединительными частями, в которой основное межсоединение соединено с соответствующими ответвительными межсоединениями,
причем в каждой из соединительных частей соединительный проводник электрически соединяет основное межсоединение с соответствующим одним из ответвительных межсоединений,
соединительный проводник, выполненный из третьего металлического материала,
соединительные части, каждая из которых имеет сквозное отверстие ответвительного межсоединения, через которое соответствующее одно из ответвительных межсоединений, которое закрыто соединительным проводником, подвергается воздействию,
по меньшей мере, одну из соединительных частей, которая является такой, что, по меньшей мере, часть сквозного отверстия ответвительного межсоединения перекрывается основным межсоединением при виде сверху.
2. Подложка матрицы ТПТ по п.1, в которой:
основное межсоединение выполнено из первого металлического материала;
ответвительные межсоединения выполнены из второго металлического материала; и
по меньшей мере, одна из соединительных частей является такой, что сквозное отверстие ответвительного межсоединения полностью перекрывается основным межсоединением при виде сверху.
3. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.1-2, в которой;
периферийная область выполнена с множеством основных межсоединений; и
основные межсоединения, за исключением одного, расположенного ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, идентичны по ширине межсоединения.
4. Подложка матрицы ТПТ по п.3, в которой:
основное межсоединение, расположенное ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, больше по ширине межсоединения, чем основные межсоединения, за исключением одного, расположенного ближе всего к краю подложки изолирующей подложки.
5. Подложка матрицы ТПТ по п.3, в которой
основное межсоединение, расположенное ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, представляет собой межсоединение для подачи питания на стороне с низким потенциалом.
6. Подложка матрицы ТПТ по п.3, в которой
основное межсоединение, которое расположено ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, имеет свободные части.
7. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.1-2, в которой
периферийная область выполнена с множеством основных межсоединений; и
множество основных межсоединений идентично по ширине межсоединения.
8. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.1-2, 4-6, в которой
на соединительных частях при виде сверху, выполнен соединительный проводник на основном межсоединении или основных межсоединениях, которые не выходят за пределы основного межсоединения или основных межсоединений.
9. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.1-2, 4-6, в которой
каждая соединительная часть имеет сквозное отверстие основного межсоединения, через которое основное межсоединение или соответствующее одно из основных межсоединений подвергается воздействию, которое закрывает соединительный проводник;
сквозное отверстие ответвительного межсоединения позволяет соответствующему одному из основных межсоединений электрически соединено с соединительным проводником; и
сквозное отверстие основного межсоединения позволяет электрически соединить с соединительным проводником основное межсоединение или соответствующее одно из основных межсоединений.
10. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.1-2, 4-6, в которой:
в дополнение к соответствующему одному из ответвительных соединений, сквозное отверстие ответвительного межсоединения также оставляет незащищенным основное межсоединение или соответствующее одно из основных межсоединений, которое закрыто соединительным проводником; и
на сквозном отверстии ответвительного межсоединения, соответствующее одно из ответвительных межсоединений электрически соединено с основным межсоединением или соответствующим одним из основных межсоединений.
11. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.1-2, 4-6, в которой,
в периферийной области, по меньшей мере, любое из основного межсоединения (основных межсоединений) или ответвительных межсоединений имеет (имеют) свободные участки, в которых отсутствует металлический материал.
12. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.1-2, 4-6, в которой
периферийная область выполнена с частями пересечения, в которых основное межсоединение (основные межсоединения), соответственно, пересекает (пересекают) ответвительные межсоединения без электрического соединения с ответвительными межсоединениями; и,
на частях пересечения, по меньшей мере, любое из основного межсоединения (основных межсоединений) или ответвительных межсоединений имеет (имеют) зауженную часть, в которой заужена ширина его межсоединения.
13. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.1-2, 4-6, в которой
периферийная область выполнена с множеством ответвительных межсоединений;
ответвительные межсоединения имеют и электрически соединены с частью для удлинения ответвительного межсоединения, продолжающейся на и вдоль основного межсоединения или соответствующего одного из основных межсоединений.
14. Подложка матрицы ТПТ по любому из пп.1-2, 4-6, в которой
периферийная область выполнена с множеством ответвительных межсоединений;
ответвительные межсоединения имеют и электрически связаны с частью для удлинения ответвительного межсоединения, продолжающейся на или вдоль первого основного межсоединения, причем первое основное межсоединение является основным межсоединением или соответствующим одним из основных межсоединений, посредством чего число соединительных частей, выполненных на первом основном межсоединении, меньше, чем число ответвительных межсоединений.
15. Подложка матрицы ТПТ по п.13, в которой соединительный проводник имеет часть для удлинения соединительного проводника на и вдоль первого основного межсоединения.
16. Подложка матрицы ТПТ по п.1, в которой
в периферийной области, по меньшей мере, некоторые из схем возбудителей выполнены между соединительными частями и краем подложки изолирующей подложки.
17. Подложка матрицы ТПТ по п.16, в которой,
в периферийной области, по меньшей мере, некоторые из схем возбудителей выполнены между соединительными частями и краем подложки изолирующей подложки;
между, по меньшей мере, некоторых схем возбудителей и оставшейся частью схем возбудителей выполнено основное межсоединение, и это основное межсоединение представляет собой межсоединение синхронизации.
18. Жидкокристаллическая панель отображения, содержащая:
подложку матрицы ТПТ по любому одному из пп.1-17;
противоподложку, собранную с подложкой матрицы ТПТ с помощью изолирующего слоя,
причем изолирующий слой выполнен в периферийной области.
19. Жидкокристаллическая панель отображения по п.18, в которой соединительные части находятся под изолирующим слоем.
20. Жидкокристаллическая панель отображения по п.18 или 19, в которой изолирующий слой отверждается с использованием УФ света.
21. Подложка матрицы ТПТ, в которой элементы ТПТ и пиксельные электроды, соответственно, соединенные с элементами ТПТ, расположены в виде матрицы на изолирующей подложке, причем подложка матрицы ТПТ содержит:
линии шины затворов на изолирующей подложке, причем линии шины затворов, соответственно, соединены с элементами ТПТ и выполнены из первого металлического материала; и
линии шины истоков на изолирующей подложке, причем линии шины истоков, соответственно, соединены с элементами ТПТ и выполнены из второго металлического материала,
пиксельные электроды, изготовленные из третьего металлического материала,
изолирующую подложку, имеющую область отображения, в которой пиксельные электроды расположены в виде матрицы, и периферийную область вокруг области отображения,
периферийную область, выполненную с периферийными элементами ТПТ для возбуждения элементов ТПТ, соответствующих ей,
периферийную область, выполненную с (i) ответвительными межсоединениями, соответственно, соединенными с периферийными элементами ТПТ, и (ii) основным межсоединением, соединенным с ответвительными межсоединениями,
ответвительные межсоединения, выполненные из одного из первого металлического материала и второго металлического материала,
основное межсоединение, выполненное из другого одного из металлического материала и другого металлического материала,
периферийную область, выполненную с соединительными частями, в которой основное межсоединение соединено с соответствующими ответвительными межсоединениями, причем в каждой из соединительных частей соединительный проводник электрически соединяет основное межсоединение с соответствующим одним из ответвительных межсоединений,
соединительный проводник, выполненный из третьего металлического материала,
соединительные части, каждая из которых имеет сквозное отверстие ответвительного межсоединения, через которое соответствующее одно из ответвительных межсоединений подвергается воздействию при условии, что соединительный проводник закрывает этот незащищенный участок соответствующего одного из ответвительных межсоединений,
по меньшей мере, одну из соединительных частей, которая является такой, что, по меньшей мере, часть сквозного отверстия ответвительного межсоединения перекрывается основным межсоединением при виде сверху.
22. Подложка матрицы ТПТ по п.21, в которой:
основное межсоединение выполнено из первого металлического материала;
ответвительные межсоединения выполнены из второго металлического материала; и
по меньшей мере, одна из соединительных частей является такой, что сквозное отверстие ответвительного межсоединения полностью перекрывается основным межсоединением при виде сверху.
23. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.21-22, в которой;
периферийная область выполнена с множеством основных межсоединений; и
основные межсоединения, за исключением одного, расположенного ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, идентичны по ширине межсоединения.
24. Подложка матрицы ТПТ по п.23, в которой:
основное межсоединение, расположенное ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, больше по ширине межсоединения, чем основные межсоединения, за исключением одного, расположенного ближе всего к краю подложки изолирующей подложки.
25. Подложка матрицы ТПТ по п.23, в которой
основное межсоединение, расположенное ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, представляет собой межсоединение для подачи питания на стороне с низким потенциалом.
26. Подложка матрицы ТПТ по п.23, в которой
основное межсоединение, которое расположено ближе всего к краю подложки изолирующей подложки, имеет свободные части.
27. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.21-22, в которой
периферийная область выполнена с множеством основных межсоединений; и
множество основных межсоединений идентично по ширине межсоединения.
28. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.21-22, 24-26, в которой
на соединительных частях при виде сверху, выполнен соединительный проводник на основном межсоединении или основных межсоединениях, которые не выходят за пределы основного межсоединения или основных межсоединений.
29. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.21-22, 24-26, в которой
каждая соединительная часть имеет сквозное отверстие основного межсоединения, через которое основное межсоединение или соответствующее одно из основных межсоединений подвергается воздействию, которое закрывает соединительный проводник;
сквозное отверстие ответвительного межсоединения позволяет соответствующему одному из основных межсоединений электрически соединено с соединительным проводником; и
сквозное отверстие основного межсоединения позволяет электрически соединить с соединительным проводником основное межсоединение или соответствующее одно из основных межсоединений.
30. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.21-22, 24-26, в которой:
в дополнение к соответствующему одному из ответвительных соединений, сквозное отверстие ответвительного межсоединения также оставляет незащищенным основное межсоединение или соответствующее одно из основных межсоединений, которое закрыто соединительным проводником; и
на сквозном отверстии ответвительного межсоединения, соответствующее одно из ответвительных межсоединений электрически соединено с основным межсоединением или соответствующим одним из основных межсоединений.
31. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.21-22, 24-26, в которой,
в периферийной области, по меньшей мере, любое из основного межсоединения (основных межсоединений) или ответвительных межсоединений имеет (имеют) свободные участки, и которых отсутствует металлический материал.
32. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.21-22, 24-26, в которой
периферийная область выполнена с частями пересечения, в которых основное межсоединение (основные межсоединения), соответственно, пересекает (пересекают) ответвительные межсоединения без электрического соединения с ответвительными межсоединениями; и,
на частях пересечения, по меньшей мере, любое из основного межсоединения (основных межсоединений) или ответвительных межсоединений имеет (имеют) зауженную часть, в которой заужена ширина его межсоединения.
33. Подложка матрицы ТПТ по любому одному из пп.21-22, 24-26, в которой
периферийная область выполнена с множеством ответвительных межсоединений;
ответвительные межсоединения имеют и электрически соединены с частью для удлинения ответвительного межсоединения, продолжающейся на и вдоль основного межсоединения или соответствующего одного из основных межсоединений.
34. Подложка матрицы ТПТ по любому из пп.21-22, 24-26, в которой
периферийная область выполнена с множеством ответвительных межсоединений;
ответвительные межсоединения имеют и электрически связаны с частью для удлинения ответвительного межсоединения, продолжающейся на или вдоль первого основного межсоединения, причем первое основное межсоединение является основным межсоединением или соответствующим одним из основных межсоединений, посредством чего число соединительных частей, выполненных на первом основном межсоединении, меньше, чем число ответвительных межсоединений.
35. Подложка матрицы ТПТ по п.33, в которой соединительный проводник имеет часть для удлинения соединительного проводника на и вдоль первого основного межсоединения.
36. Подложка матрицы ТПТ по п.21, в которой
в периферийной области, по меньшей мере, некоторые из периферийных элементов ТПТ выполнены между соединительными частями и краем подложки изолирующей подложки.
37. Подложка матрицы ТПТ по п.36, в которой
в периферийной области, по меньшей мере, некоторые из периферийных элементов ТПТ выполнены между соединительными частями и краем подложки изолирующей подложки; и
между, по меньшей мере, некоторыми периферийными элементами ТПТ и оставшейся частью периферийных элементов ТПТ выполнено основное межсоединение, и это основное межсоединение представляет собой межсоединение синхронизации.
38. Жидкокристаллическая панель отображения, содержащая:
подложку матрицы ТПТ по любому одному из пп.21-37;
противоподложку, собранную с подложкой матрицы ТПТ с помощью изолирующего слоя,
причем изолирующий слой выполнен в периферийной области.
39. Жидкокристаллическая панель отображения по п.38, в которой соединительные части находятся под изолирующим слоем.
40. Жидкокристаллическая панель отображения по п.38 или 39, в которой изолирующий слой отверждается с использованием УФ света.