Лазерные архитектуры

1. Архитектура для лазерной системы с внешним резонатором, содержащая:
по меньшей мере два элемента лазера поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSEL), причем каждый элемент VCSEL направляет инфракрасное (ИК) излучение в резонатор на траектории световых лучей в первом направлении;
по меньшей мере две микросхемы удвоителя частоты, размещенные в резонаторе и выполненные с возможностью приема ИК-излучения и, по существу, удвоения частоты по меньшей мере части принятого ИК-излучения;
оптический элемент на конце резонатора, расположенный напротив элементов VCSEL и выполненный с высокой отражательной способностью для ИК-излучения; и
брюстеровскую пластинку, размещенную между элементами VCSEL и микросхемами удвоителя и расположенную под углом к траектории световых лучей, причем брюстеровская пластинка выполнена с возможностью:
выводить из внешнего резонатора излучение удвоенной частоты, распространяющееся на траектории световых лучей во втором направлении, противоположном первому направлению.
2. Архитектура по п. 1, в которой излучение удвоенной частоты содержит видимое излучение, выбранное из по меньшей мере одного из красного, зеленого, синего или ультрафиолетового излучения.
3. Архитектура по п. 1, в которой оптический элемент содержит покрытие, расположенное на поверхностях микросхем удвоителя частоты на конце резонатора напротив элементов VCSEL.
4. Архитектура по п. 1, в которой оптический элемент имеет высокую отражающую способность как для ИК-излучения, так и для излучения в видимой части спектра.
5. Архитектура по п. 1, в которой оптический элемент является просветленным для излучения в видимой части спектра.
6. Архитектура по п. 1, дополнительно содержащая множество микролинз, размещенных смежно с микросхемами удвоителя и соответствующих их количеству, причем микролинзы выполнены с возможностью направления излучения в микросхемы удвоителя, а также из них.
7. Архитектура по п. 1, в которой микросхемы удвоителя содержат кристаллы, выбранные из по меньшей мере одного из бората бария, дигидрофосфата калия, титанилфосфата калия, ниобата лития, трибората лития и ниобата калия.
8. Архитектура по п. 1, в которой микросхемы удвоителя располагают в виде набора смежно друг с другом через разделитель, причем архитектура дополнительно содержит носитель для удержания набора микросхем удвоителя таким образом, чтобы ИК-излучение поступало на края микросхем удвоителя.
9. Архитектура по п. 8, в которой набор микросхем удвоителя расположен на носителе на боковой поверхности микросхемы удвоителя, находящейся в конце набора.
10. Архитектура по п. 8, в которой набор микросхем удвоителя расположен на носителе на торцах микросхем удвоителя в наборе.
11. Архитектура по п. 10, дополнительно содержащая щели, сформированные в носителе для пропуска проходящего через него излучения, причем местоположение щелей, по существу, выровнено с по меньшей мере некоторыми гранями микросхем удвоителя.
12. Архитектура по п. 8, в которой разделители выполнены с возможностью рассеивать теплоту от микросхем удвоителя в по меньшей мере часть носителя.
13. Архитектура по п. 1, в которой по меньшей мере два элемента VCSEL содержат массив и в которой массив является более плоским, чем радиус кривизны, составляющий 5 мм.
14. Архитектура для лазерной системы с внешним резонатором, содержащая:
множество элементов лазера поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSEL), причем каждый элемент VCSEL направляет инфракрасное (ИК) излучение в резонатор на траектории световых лучей в первом направлении;
множество микросхем удвоителя частоты, размещенных в резонаторе и выполненных с возможностью приема ИК-излучения и, по существу, удвоения частоты по меньшей мере части принятого ИК-излучения, причем множество микросхем удвоителя располагают в виде набора смежно друг с другом через разделитель;
носитель для удержания набора микросхем удвоителя таким образом, чтобы ИК-излучение поступало на края микросхем удвоителя;
множество микролинз, размещенных смежно с микросхемами удвоителя и выполненных с возможностью направления излучения в микросхемы удвоителя, а также из них;
оптический элемент на конце резонатора, расположенный напротив элементов VCSEL и выполненный с высокой отражательной способностью для ИК-излучения; и
брюстеровскую пластинку, размещенную между элементами VCSEL и микросхемами удвоителя и расположенную под углом к траектории световых лучей, причем брюстеровская пластинка выполнена с возможностью:
поляризовать по меньшей мере ИК-излучение, распространяющееся на траектории световых лучей в первом направлении; и
выводить из внешнего резонатора излучение удвоенной частоты, распространяющееся на траектории световых лучей во втором направлении, противоположном первому направлению.
15. Архитектура по п. 14, в которой излучение удвоенной частоты содержит видимое излучение, выбранное из по меньшей мере одного из красного, зеленого, синего или ультрафиолетового излучения.
16. Архитектура по п. 14, в которой оптический элемент содержит покрытие, расположенное на поверхностях микросхем удвоителя частоты на конце резонатора напротив элементов VCSEL.
17. Архитектура по п. 14, в которой оптический элемент имеет высокую отражающую способность как для ИК-излучения, так и для излучения в видимой части спектра.
18. Архитектура по п. 14, в которой оптический элемент является просветленным для излучения в видимой части спектра.
19. Архитектура по п. 14, в которой количество микролинз соответствует количеству микросхем удвоителя или превышает его.
20. Архитектура по п. 14, в которой микросхемы удвоителя содержат кристаллы, выбранные из по меньшей мере одного из бората бария, дигидрофосфата калия, титанилфосфата калия, ниобата лития, трибората лития и ниобата калия.
21. Архитектура по п. 14, в которой набор микросхем удвоителя расположен на боковой поверхности микросхемы удвоителя, находящейся в конце набора.
22. Архитектура по п. 14, в которой набор микросхем удвоителя расположен на носителе на торцах микросхем удвоителя в наборе.
23. Архитектура по п. 14, в которой по меньшей мере два элемента VCSEL содержат массив и в которой массив является более плоским, чем радиус кривизны, составляющий 5 мм.
24. Архитектура для лазерной системы с внешним резонатором, содержащая:
массив элементов лазера поверхностного излучения с вертикальным резонатором (VCSEL), причем каждый элемент VCSEL направляет инфракрасное (ИК) излучение в резонатор на траектории световых лучей в первом направлении, и массив является более плоским, чем радиус кривизны, составляющий 5 мм;
набор микросхем удвоителя частоты, разделенных с помощью разделителей, набор, размещенный в резонаторе и выполненный с возможностью приема ИК-излучения и, по существу, удвоения частоты по меньшей мере части принятого ИК-излучения;
носитель для удержания набора микросхем удвоителя таким образом, чтобы ИК-излучение поступало на края микросхем удвоителя, причем разделители находятся в тепловом контакте с носителем для рассеивания тепла из микросхем удвоителя;
множество микролинз, размещенных смежно с микросхемами удвоителя и выполненных с возможностью направления излучения в микросхемы удвоителя, а также из них;
оптический элемент на конце резонатора, расположенный напротив массива и выполненный с высокой отражательной способностью для ИК-излучения; и
брюстеровскую пластинку, размещенную между массивом и микросхемами удвоителя и расположенную под углом к траектории световых лучей, причем брюстеровская пластинка выполнена с возможностью:
поляризовать по меньшей мере ИК-излучение, распространяющееся на траектории световых лучей в первом направлении; и
выводить из внешнего резонатора излучение удвоенной частоты, распространяющееся на траектории световых лучей во втором направлении, противоположном первому направлению.
25. Архитектура по п. 24, в которой излучение удвоенной частоты содержит видимое излучение, выбранное из по меньшей мере одного из красного, зеленого, синего или ультрафиолетового излучения.
26. Архитектура по п. 24, в которой оптический элемент содержит покрытие, расположенное на поверхностях микросхем удвоения частоты на конце резонатора напротив массива.
27. Архитектура по п. 24, в которой оптический элемент имеет высокую отражающую способность как для ИК-излучения, так и для излучения в видимой части спектра.
28. Архитектура по п. 24, в которой оптический элемент является просветленным для излучения в видимой части спектра.
29. Архитектура по п. 24, в которой набор расположен на носителе на боковой поверхности микросхемы удвоителя, находящейся в конце набора.
30. Архитектура по п. 24, в которой набор расположен на носителей на торцах микросхем удвоителя в наборе.
31. Архитектура по п. 1, в которой брюстеровская пластинка выполнена с возможностью поляризации по меньшей мере ИК-излучения, распространяющегося на траектории световых лучей в первом направлении.