СХЕМНАЯ ПОДЛОЖКА

1. Схемная подложка с металлическим несущим слоем, на который по меньшей мере локально нанесен диэлектрический слой, причем диэлектрический слой имеет множество пор, отличающаяся тем, что поры (20) по меньшей мере со стороны диэлектрического слоя (3), противоположной несущему слою (2) подложки, заделаны стеклом (9).
2. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что поверхность диэлектрического слоя (3) со стороны, противоположной несущему слою (2) подложки, по существу свободна от стекла.
3. Подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что на диэлектрический слой (3) нанесены токопроводящие дорожки (4, 4ґ).
4. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что на схемной подложке (1) смонтированы электрические и/или электронные компоненты (5).
2
3
5. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что материалом диэлектрического слоя (3) является керамический материал, предпочтительно, оксид алюминия (AlO) или нитрид алюминия (AlN).
6. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что стекло (9) состоит из оксида висмута III, оксида алюминия, двуокиси кремния или оксида бора III, или из смеси этих двух или нескольких компонентов.
7. Подложка по п.6, отличающаяся тем, что стекло (9) состоит на 55% из оксида висмута III, на 21% - из оксида алюминия, на 14% - из двуокиси кремния и на 10% - из оксида бора III.
8. Подложка по п.1, отличающаяся тем, что количество стекла (9) составляет около 5-30% от общего количества материала диэлектрика и стекла (9).
9. Способ изготовления схемной подложки по любому из пп.1-8, при котором на металлический несущий слой схемной подложки наносят слой диэлектрического материала, отличающийся тем, что во время нанесения слоя диэлектрического материала или после этого на схемную подложку (1) наносят стекло (9).
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что слой диэлектрического материала на металлический несущий слой (2) подложки наносят методом трафаретной печати.
11. Способ по п.9, отличающийся тем, что стекло (9) на слой диэлектрического материала наносят путем обмазки или печати.
12. Способ по п.9, отличающийся тем, что слой диэлектрического материала наносят на металлический несущий слой (2) схемной подложки (1) путем термического напыления, предпочтительно, вместе со стеклом (9).
13. Способ по п.9, отличающийся тем, что для формирования токопроводящих дорожек (4, 4ґ), предпочтительно методом трафаретной печати или струйным способом, на слой (3) диэлектрического материала наносят, а затем в него внедряют проводящую пасту.