НАНЕСЕНИЕ ОКСИДА КРЕМНИЯ ПУТЕМ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ ПРИ АТМОСФЕРНОМ ДАВЛЕНИИ

1. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке, включающий:
(a) нагрев подложки;
(b) испарение по меньшей мере одного предшественника, содержащего моноалкилсилан, имеющий алкильную группу с более чем двумя атомами углерода для образования потока испаренного предшественника; и
(c) контактирование поверхности нагретой подложки с потоком испаренного предшественника при примерно атмосферном давлении для нанесения по меньшей мере одного слоя, содержащего оксид кремния, на поверхность подложки.
2. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что по меньшей мере один содержащий оксид кремния слой имеет показатель преломления в диапазоне от примерно 1,4 до примерно 2,0.
3. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что по меньшей мере один содержащий оксид кремния слой является практически прозрачным.
4. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что моноалкилсилан выбирают из группы, состоящей из н-бутилсилана, н-гексилсилана, н-окстилсилана и их смесей.
5. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем,
что алкильная группа моноалкилсилана содержит по меньшей мере четыре атома углерода.
6. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что подложку выбирают из группы, состоящей из стекла, фторполимерных смол, сложных полиэфиров, полиакрилатов, полиамидов, полиимидов и поликарбонатов.
7. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что по меньшей мере один слой, наносимый на поверхность подложки, представляет собой практически чистый оксид кремния.
8. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что по меньшей мере один слой, наносимый на поверхность подложки, представляет собой смешанный оксид, содержащий оксид кремния.
9. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 8, характеризующийся тем, что смешанный оксид содержит оксид с высоким показателем преломления, выбранный из группы, состоящей из оксидов олова, оксидов титана, оксидов алюминия, оксидов цинка, оксидов индия и их смесей.
10. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что поток испаренного предшественника дополнительно содержит по меньшей мере одно из сухого воздуха, кислорода, азота и водяного пара.
11. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что поток испаренного предшественника не содержит активатора.
12. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что моноалкилсилан не является галогенированным.
13. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что подложку нагревают до температуры в диапазоне от примерно 400°C до примерно 800°C.
14. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что по меньшей мере один содержащий оксид кремния слой наносят на поверхность подложки со скоростью выше примерно 3 нм/с.
15. Способ формирования по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя на подложке по п. 1, характеризующийся тем, что содержащий оксид кремния слой наносят на поверхность подложки со скоростью выше примерно 5 нм/с.
16. Содержащая оксид кремния тонкая пленка, получаемая с использованием химического процесса осаждения из паровой фазы при атмосферном давлении, включающего:
(a) нагрев подложки; и
(b) контактирование поверхности нагретой подложки с газом-предшественником, содержащим испаренный моноалкилсилан, имеющий алкильную группу с более чем двумя атомами углерода, при примерно атмосферном давлении с получением содержащей оксид кремния пленки.
17. Содержащая оксид кремния тонкая пленка по п. 16, отличающаяся тем, что содержащая оксид кремния тонкая пленка содержит менее 10 вес.% остаточного углерода.
18. Содержащая оксид кремния тонкая пленка по п. 16, отличающаяся тем, что содержащая оксид кремния тонкая пленка содержит менее 1000 частей на миллион остаточного углерода.
19. Содержащая оксид кремния тонкая пленка по п.16, отличающаяся тем, что содержащая оксид кремния тонкая пленка имеет толщину в диапазоне от примерно 20 нм до примерно 500 нм.
20. Способ получения по меньшей мере одного антирадужного покрытия из оксида кремния на стеклянной подложке, включающий:
(a) нагрев стеклянной подложки;
(b) испарение по меньшей мере одного предшественника, содержащего моноалкилсилан, имеющий алкильную группу с более чем двумя атомами углерода с образованием потока испаренного предшественника; и
(c) контактирование поверхности нагретой стеклянной подложки с потоком испаренного предшественника и окислителем при примерно атмосферном давлении для нанесения по меньшей мере одного содержащего оксид кремния слоя, имеющего показатель преломления в диапазоне от примерно 1,4 до примерно 2,0, на поверхность стеклянной подложки.
21. Способ получения по меньшей мере одного антирадужного покрытия из оксида кремния на стеклянной подложке по п. 20, характеризующийся тем, что окислитель вводят в виде по меньшей мере одного из сухого воздуха и водяного пара.
22. Способ получения по меньшей мере одного антирадужного
покрытия из оксида кремния на стеклянной подложке по п. 20, характеризующийся тем, что по меньшей мере один слой, наносимый на поверхность стеклянной подложки, представляет собой практически чистый оксид кремния.
23. Способ получения по меньшей мере одного антирадужного покрытия из оксида кремния на стеклянной подложке по п. 20, характеризующийся тем, что по меньшей мере один слой, наносимый на поверхность подложки, представляет собой смешанный оксид, содержащий оксид кремния и оксид, выбранный из группы, состоящей из оксидов олова, оксидов титана, оксидов алюминия, оксидов цинка и их смесей.