СПОСОБЫ СЕЛЕКТИВНОЙ ГИДРОГЕНИЗАЦИИ С ПРИМЕНЕНИЕМ КАТАЛИТИЧЕСКОЙ КОМПОЗИЦИИ С ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ

1. Способ, включающий селективную гидрогенизацию технологического потока с помощью каталитической композиции для селективной гидрогенизации, по меньшей мере, части технологического потока, технологический поток, включающий, по меньшей мере, одно соединение, имеющее, по меньшей мере, одно заданное гидрогенизируемое место, в котором каталитическая композиция включает
в значительной степени непористую подложку, имеющую внешнюю поверхность, область поверхности и область под поверхностью,
по меньшей мере, один каталитический компонент, и,
по меньшей мере, одну каталитически-активную область, включающую, по меньшей мере, один каталитический компонент, в котором
a) в значительной степени непористая подложка имеет
N2-ВЕТ
Kr.BET
2
i) общую площадь поверхности, измеренную с помощью способа, который выбирают из группы, состоящей из S.A. , S.А. и их комбинаций, равную примерно от 0,01 до 10 м/г; и
ii) заданную изоэлектрическую точку (IEP), полученную в диапазоне рН более чем 0, но менее чем или равную 14;
b) по меньшей мере, одну каталитически-активную область, возможно, соприкасающуюся или несоприкасающуюся и имеет
i) среднюю толщину менее чем или равную примерно 30 нм; и
ii) каталитически эффективное количество, по меньшей мере, одного каталитического компонента; и
c) расположение, по меньшей мере, одной каталитически-активной области в значительной степени
i) на внешней поверхности,
ii) в области поверхности,
iii) частично на внешней поверхности и частично в области поверхности, или
iv) комбинации (с) (i), (ii) и (iii).
2. Способ по п.1, в котором существует, по меньшей мере, один каталитический компонент, который выбирают из группы, состоящей из кислот Бренстеда и Льюиса, оснований Бренстеда и Льюиса, катионов благородного металла и комплексных катионов и анионов благородных металлов, катионов переходных металлов и комплексных катионов и анионов переходных металлов, оксианионов переходных металлов, хальконид-анионов переходных металлов, оксианионов основной группы, галогенидов, ионов редкоземельных элементов, комплексных катионов и анионов редкоземельных элементов, благородных металлов, переходных металлов, оксидов переходных металлов, сульфидов переходных металлов, оксисульфидов переходных металлов, карбидов переходных металлов, нитридов переходных металлов, боридов переходных металлов, фосфидов переходных металлов, гидроксидов редкоземельных элементов, оксидов редкоземельных элементов и их комбинаций.
3. Способ по п.1, в котором перед тем, как композицию помещают в условия стационарного протекания реакции селективной гидрогенизации, по меньшей мере, один каталитический компонент представляет собой первый каталитический компонент, имеющий
(a) первое предреакционное состояние окисления и
(b) первое предреакционное взаимодействие с подложкой, которое выбирают из группы, состоящей из взаимодействия ионных зарядов, взаимодействия электростатических зарядов и их комбинаций.
4. Способ по п.3, в котором первый каталитический компонент представляет собой компонент, который выбирают из группы, состоящей из кислот, оснований, хальконидов и их комбинаций.
5. Способ по п.3, в котором перед тем, как композицию помещают в условия стационарного протекания реакции селективной гидрогенизации, по меньшей мере, часть первого каталитического компонента модифицируют или вытесняют для получения второго каталитического компонента, имеющего
(a) второе предреакционное состояние окисления и
(b) соответствующее второе предреакционное взаимодействие с подложкой; в котором второе предреакционное состояние окисления второго каталитического компонента или менее чем, или более, чем или равно второму предреакционному состоянию окисления первого каталитического компонента.
6. Способ по п.5, в котором второй каталитический компонент представляет собой компонент, который выбирают из группы, состоящей из Pd, Pt, Rh, Ir, Ru, Os, Cu, Ag, Au, Re, Ni, Co, Fe, Mn, Cr и их комбинаций.
Na
7. Способ по п.1, в котором подложка представляет собой стеклянную композицию, имеющую SARC менее чем или равную примерно 0,5.
8. Способ по п.1, в котором, по меньшей мере, одна каталитически-активная область представляет собой область, в значительной степени сконцентрированную в рамках средней толщины менее чем или равной примерно 20 нм.
9. Способ по п.1, в котором в значительной степени непористая подложка представляет собой подложку, которую выбирают из группы, состоящей из AR-стекла, редкоземельно-натриево-силикатного стекла, кремниево-боро-алюминатного стекла, Е-стекла, безборного Е-стекла, S-стекла, R-стекла, редкоземельно-силикатного стекла, Ва-Ti-силикатного стекла, азотированного стекла, А-стекла, С-стекла и СС-стекла и их комбинаций.
10. Способ по п.1, в котором полученная с помощью выщелачивания ЕЕР для в значительной степени непористой подложки перед первой обработкой или после нее равна более чем или примерно 6,0, но менее чем 14.