ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО

1. Полупроводниковое устройство, содержащее схему, включающую в себя множество тонкопленочных транзисторов и по меньшей мере один диод, при этом:
множество тонкопленочных транзисторов имеют одинаковый тип проводимости;
когда тип проводимости множества тонкопленочных транзисторов является N-типом, электрод катодной стороны по меньшей мере одного диода присоединяется к линии, присоединенной к затвору выбранного одного из множества тонкопленочных транзисторов, и другой диод, скомпонованный так, что его электрод анодной стороны присоединяется к линии, не сформирован на линии;
когда тип проводимости множества тонкопленочных транзисторов является P-типом, электрод анодной стороны по меньшей мере одного диода присоединяется к линии, присоединенной к затвору выбранного одного из множества тонкопленочных транзисторов; и другой диод, скомпонованный так, что его электрод катодной стороны присоединяется к линии, не сформирован на линии.
2. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором пиковым значением напряжения схемы является 20 В или более.
3. Полупроводниковое устройство по п.1 или 2, в котором полупроводниковые слои по меньшей мере одного диода и выбранного одного из тонкопленочных транзисторов сформированы из одной и той же полупроводниковой пленки.
4. Полупроводниковое устройство по п.3, в котором одна и та же полупроводниковая пленка является пленкой микрокристаллического кремния.
5. Полупроводниковое устройство по любому одному из пп.1, 2 и 4, в котором схема включает в себя сдвиговый регистр.
6. Полупроводниковое устройство по п. 5, в котором:
сдвиговый регистр включает в себя множество каскадов, каждый последовательно выдает выходные сигналы.
каждый из множества каскадов включает в себя первый транзистор для выдачи выходного сигнала и множество вторых транзисторов, чья область истока или область стока электрически присоединена к электроду затвора первого транзистора; и
множество вторых транзисторов включает в себя многоканальный транзистор, имеющий активный слой, включающий в себя по меньшей мере две канальных области, область истока и область стока.
7. Полупроводниковое устройство по любому одному из пп.1, 2, 4 и 6, в котором по меньшей мере один диод включает в себя: электрод затвора, сформированный на подложке; слой изоляции затвора, сформированный на электроде затвора;
по меньшей мере один полупроводниковый слой, сформированный на слое изоляции затвора и имеющий первую область и вторую область;
первый электрод, предусмотренный в первой области и электрически присоединенный к первой области и электроду затвора; и
второй электрод, предусмотренный во второй области и электрически присоединенный ко второй области.
8. Полупроводниковое устройство по п.7, в котором:
по меньшей мере один полупроводниковый слой включает в себя канальную область, перекрывающуюся с электродом затвора, со слоем изоляции затвора, вставленным между ними, и резистивную область, не перекрывающуюся с электродом затвора, со слоем изоляции затвора, вставленным между ними; и
путь тока, включающий в себя канальную область и резистивную область, сформирован между первым электродом и вторым электродом, в то время как диод находится о включенном состоянии.