СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУРИРОВАННЫХ ТОКОПРОВОДЯЩИХ ПОВЕХНОСТЕЙ

1. Способ изготовления структурированных токопроводящих поверхностей на основе, который включает следующие стадии:
a) структурирование находящегося на основе базового слоя, содержащего покрываемые без тока и/или гальванически частицы, в соответствии с заданной структурой путем удаления материала базового слоя посредством лазера, причем покрываемые без тока и/или гальванически частицы снабжены покрытием, которое слабо отражает лазерное излучение, или они состоят из материала, который слабо отражает лазерное излучение,
b) активирование поверхности покрываемых без тока и/или гальванически частиц и
c) нанесение токопроводящего покрытия на структурированный базовый слой.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что перед удалением материала базового слоя посредством лазера на основу с целью формирования базового слоя наносят дисперсию, содержащую покрываемые без тока и/или гальванически частицы.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что для формирования базового слоя дисперсию наносят на основу методом печати, методом налива, валковым методом, методом окунания или методом распыления.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что дисперсию перед нанесением на основу перемешивают, перекачивают и/или термостатируют в приемной емкости.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесенную на основу дисперсию по меньшей мере частично сушат и/или отверждают.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что по меньшей мере частичную сушку или отверждение дисперсии осуществляют до или после удаления материала базового слоя, осуществляемого посредством лазера.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве лазера используют твердотельный лазер, волоконный лазер, лазер на полупроводниковом диоде, газовый лазер или эксимерный лазер.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что длина волн лазерного излучения находится в интервале от 150 до 10600 нм, предпочтительно от 600 до 10600 нм.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что покрываемые без тока и/или гальванически частицы содержат по меньшей мере один металлический порошок, углерод или их смесь.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что металл металлического порошка выбран из группы, включающей железо, никель, серебро, олово, цинк и медь.
11. Способ по п.9, отличающийся тем, что металлическим порошком является порошок карбонильного железа.
12. Способ по п.2, отличающийся тем, что дисперсия содержит абсорбент лазерного излучения.
13. Способ по п.12, отличающийся тем, что абсорбентом лазерного излучения является углерод или гексаборид лантана.
14. Способ по п.1, отличающийся тем, что покрываемые без тока и/или гальванически частицы обладают различными геометрическими характеристиками.
15. Способ по п.1, отличающийся тем, что содержащиеся в дисперсии покрываемые без тока и/или гальванически частицы перед нанесением без тока и/или гальваническим нанесением покрытия обнажают химическим, физическим или механическим методом.
16. Способ по п.1, отличающийся тем, что с целью активирования поверхности покрываемых без тока и/или гальванически частиц удаляют, при необходимости, имеющееся на них покрытие.
17. Способ по п.2, отличающийся тем, что перед нанесением дисперсии, содержащей покрываемые без тока и/или гальванически частицы, основу подвергают сухой, мокрой химической и/или механической очистке.
18. Способ по п.1, отличающийся тем, что структурированной токопроводящей поверхностью снабжают как верхнюю, так и нижнюю стороны основы.
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что структурированные токопроводящие поверхности верхней и нижней сторон основы соединяют друг с другом по меньшей мере одним металлизированным сквозным отверстием.
20. Способ по п.1, отличающийся тем, что токопроводящее покрытие наносят на базовый слой химически и/или гальванически.
21. Способ по п.20, отличающийся тем, что для гальванического нанесения покрытия базовый слой снабжен вспомогательными линиями контактирования, которые контактируют по меньшей мере с одним катодом.
22. Способ по одному из пп.1-21 для изготовления токопроводящих дорожек на печатных платах, RFID-антенн, ретрансляционных антенн или антенн других типов, модулей чип-карт, плоских кабелей, обогревателей сидений, пленочных проводников, токопроводящих дорожек в солнечных элементах и жидкокристаллических или плазменных мониторах, 3D-литых коммутирующих устройств, интегральных микросхем, резистивных, емкостных или индуктивных элементов, диодов, транзисторов, датчиков, исполнительных элементов, оптических конструктивных элементов, приемнопередающих устройств, декоративных или функциональных поверхностей изделий, используемых для экранирования электромагнитного излучения, для теплопередачи или в качестве упаковки, тонкой металлической фольги или полимерных основ с нанесенной с одной или двух сторон металлической фольгой, а также для изготовления изделий любой формы, снабженных гальваническим покрытием.