ДИОД С p-n-ПЕРЕХОДОМ, ИМЕЮЩИЙ РЕГУЛИРУЕМУЮ ГЕТЕРОСТРУКТУРУ, САМОПОЗИЦИОНИРУЮЩУЮСЯ НА HgCdTe, ДЛЯ ФОРМИРОВАТЕЛЯ СИГНАЛОВ ИЗОБРАЖЕНИЯ В ИНФРАКРАСНОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА

x
1. Устройство, имеющее по меньшей мере один гетероструктурный p/n-диод, содержащий подложку на основе HgCdTe, главным образом n-легированную, причем упомянутая подложка содержит для каждого диода: первую часть (4), имеющую первую концентрацию кадмия, вторую часть (11), имеющую вторую концентрацию кадмия больше, чем первая концентрация кадмия, причем вторая часть, или концентрированная часть (11), образует гетероструктуру с первой частью (4), р+-легированную зону (9) или р-легированную зону, расположенную в концентрированной части (11), продолжающуюся в первую часть (4) и образующую p/n-переход (10) с n-легированным участком первой части (4), или базовой подложкой (1), в которой концентрированная часть (11) расположена только в р+-легированной зоне (9) и образуют карман (12), по существу, с постоянной концентрацией кадмия.
2. Устройство по п. 1, в котором карман (12) имеет основание, расположенное на, по существу, постоянном среднем расстоянии (D) относительно p/n-перехода (10).
3. Устройство по п. 2, в котором, когда оно содержит по меньшей мере два смежных гетероструктурных p/n-диода, карманы (12) двух смежных диодов отделены, и среднее относительное расстояние (D) в одном из двух диодов, по существу, равно среднему относительному расстоянию (D) в другом диоде.
4. Устройство по любому из пп. 1-3, в котором р+-легированная зона (9) легирована акцепторной легирующей примесью (8).
5. Устройство по п. 4, в котором акцепторная легирующая примесь (8) является мышьяком.
1-x
x
6. Устройство по п. 1, в котором базовая подложка (1) выполнена из HgCdTe, где х имеет значение между 0,15 и 0,95, и описывает первую концентрацию кадмия.
1-y
y
7. Устройство по п. 6, в котором карман (12) выполнен из HgCdTe, где y имеет значение больше чем 0,15 и меньше или равное 0,95, определенно больше чем значение х, и описывает вторую концентрацию кадмия.
8. Способ получения устройства, имеющего по меньшей мере один гетероструктурный p/n-диод, содержащий следующие последовательные стадии:
1-x
x
а) ионную имплантацию акцепторной легирующей примеси (8) в подложку (101), выполненную из HgCdTe, имеющую первую концентрацию кадмия, содержащую донорные примеси n-типа, называемую базовой подложкой (1),
b) диффузию и активацию легирующей примеси (8) в подложке, задающей в подложке р+-легированную зону (9),
с) осаждение пассивирующего слоя (5), в котором один из элементов является кадмием Сd, поверх базовой подложки (1) и р+-легированной зоны (9), до или после стадии b),
1-x
x
1-y
y
d) заполнение вакансий ртути, первоначально присутствующих в подложке или сформированных во время стадии диффузии и активации легирующей примеси, причем базовая подложка (1) становится n-легированной и образует р+/n-переход, или p/n-переход (10) с р+-легированной зоной (9), отличающийся тем, что он содержит перед стадией d) и после стадий b) и с) стадию селективной встречной диффузии кадмия из пассивирующего слоя (5) в р+-легированную зону (9), формирование первой части (4), выполненной из HgCdTe, имеющей первую концентрацию кадмия, и второй части (11), выполненной из HgCdTe, или кармана (12), или концентрированной части, имеющей вторую концентрацию кадмия, которая является, по существу, постоянной и большей, чем первая концентрация кадмия, причем карман (12) размещен внутри р+-легированной зоны (9).
9. Способ по п. 8, в котором стадия селективной встречной диффузии кадмия содержит селективный диффузионный отжиг, выполняемый при температуре выше 100°С, и в течение времени дольше одной минуты.
10. Способ по п. 8, в котором акцепторная легирующая примесь (8) является мышьяком.
11. Способ по п. 8, в котором карман (12) имеет границы, образующие поверхность раздела, или гетеропереход (3), расположенный в p/n-переходе (10), причем карман (12) имеет основание, и способ предназначен для получения множества p/n-диодов одновременно, причем гетеропереход (3) у основания кармана (12) находится, по существу, на идентичном среднем относительном расстоянии (D) от p/n-перехода (10) для всех диодов, сформированных в процессе способа, внутри р+-легированной зоны (9).
12. Способ по п. 8, в котором перед стадией осаждения пассивирующего слоя (5) вся подложка (101) имеет концентрацию кадмия, которая является первой концентрацией.