2
6
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ СОЕДИНЕНИЙ AB

2
6
2
6
1. Способ получения кристаллов соединений AB из расплава под слоем борного ангидрида, включающий загрузку борного ангидрида в контейнер, нагрев, расплавление борного ангидрида, вакуумирование, удаление борного ангидрида из контейнера, охлаждение борного ангидрида, загрузку борного ангидрида и соединения AB в тигель, нагрев, выращивание кристалла из расплава, отличающийся тем, что перед вакуумированием проводят выдержку расплава борного ангидрида в течение 0,5-3 часов при температуре 900-1200°C с осевым градиентом температуры 5-40°C/см с добавлением цинка в количестве 0,8-3,0% от веса борного ангидрида и удаляют примеси, а вакуумирование проводят в течение 0,5-20 часов при температуре 950-1250°C
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при расплавлении борного ангидрида совместно с цинком дополнительно вводят теллур в количестве 0,1-0,3% от веса борного ангидрида.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве исходной загрузки используется борная кислота, часть которой в количестве 10-20% от веса загрузки помещают в контейнер и проводят ее обезвоживание с образованием борного ангидрида, добавляют цинк в количестве 0,4-1,5% от веса борной кислоты, затем оставшуюся часть борной кислоты и перед вакуумированием выдерживают расплав борного ангидрида в течение 0,5-2 ч.