СПОСОБ РОСТА КРИСТАЛЛОВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ, ПОДЛОЖКИ ИЗ КРИСТАЛЛОВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ, СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛАСТИН И ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛАСТИНЫ

1. Способ роста кристаллов нитрида галлия, в котором используют газ-носитель, предшественник нитрида галлия и газ, содержащий кремний в виде легирующей примеси, кристалл нитрида галлия выращивают на подслое методом газофазной эпитаксии из гидридов, отличающийся тем, что температура точки росы газа-носителя в процессе роста кристалла нитрида галлия -60°С или ниже.
2. Способ роста кристаллов нитрида галлия по п.1, в котором парциальное давление газа-носителя в процессе роста кристаллов нитрида галлия составляет от 0,56 до 0,92 атм включительно.
3. Подложка из кристаллов нитрида галлия, полученная способом роста кристаллов нитрида галлия по п.1 или 2, включающая
слой, расположенный под подложкой (подслой);
кристалл нитрида галлия, сформированный на подслое.
4. Способ получения эпитаксиальной пластины, включающий
этап роста кристалла нитрида галлия на подслое способом роста кристалла нитрида галлия по пп.1-2;
этап удаления, по крайней мере, подслоя для формирования подложки, состоящей из кристалла нитрида галлия;
этап формирования эпитаксиально растущего слоя на подложке и
этап обработки поверхности подложки на стороне, противоположной той, на поверхности которой формируется эпитаксиально растущий слой, для уменьшения толщины.
5. Эпитаксиальная пластина, полученная способом получения эпитаксиальных пластин по п.4, включающая
подложку и
эпитаксиально растущий слой, формируемый на подложке.