СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИЗКОВОЛЬТНОГО БТИЗ НА 400 В

Способ изготовления измерительного транзистора БТИЗ НА 400 В, включающий процессы формирования областей затворов на подложке с двойным слоем эпитаксиального наращивания и отличающийся формированием затворов в 2 ряда друг над другом, что позволяет получить кристалл с меньшими габаритными размерами 3.2×4.7 мм.