УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ОБЪЕКТ

1. Устройство для воздействия на объект, содержащее генерирующий радиочастотный сигнал полупроводниковый модуль, включенный в плоскую спиральную антенну, сформированную гальванически развязанными проводящими плоскостями, расстояние между которыми возрастает согласно ряду Фибоначчи, а также средство для регулировки рабочей частоты устройства.
2. Устройство по п. 1, характеризующееся тем, что полупроводниковый модуль выполнен генерирующим радиочастотный сигнал, расположенный в диапазонах УВЧ, СВЧ, КВЧ, ГВЧ.
3. Устройство по п. 1, характеризующееся тем, что полупроводниковый модуль выполнен в виде широкополосного генератора, генератора с перестройкой частоты или генератора, настроенного на фиксированную частоту.
4. Устройство по любому из пп. 1-3, характеризующееся тем, что полупроводниковый модуль выполнен на основе диода Ганна, туннельного диода, инжекторного лазера, лавинопролетного диода, транзистора, передающего или приемопередающего модуля.
5. Устройство по п. 1, характеризующееся тем, что полупроводниковый модуль включен в узкий зазор между проводящими плоскостями антенны, соответствующий минимальному расстоянию между плоскостями.
6. Устройство по п. 1, характеризующееся тем, что минимальное расстояние между проводящими плоскостями антенны соответствует верхней рабочей частоте устройства, а максимальное расстояние - нижней рабочей частоте устройства.
7. Устройство по п. 1, характеризующееся тем, что средство для регулировки рабочей частоты устройства выполнено в виде перемычки, размещенной поверх антенны перпендикулярно к проводящим плоскостям.
8. Устройство по п. 7, характеризующееся тем, что перемычка выполнена из диэлектрика или металла, покрытого изоляционным материалом.
9. Устройство по п. 1, характеризующееся тем, что спиральная антенна выполнена закрученной по часовой стрелке или против часовой стрелки.
10. Устройство по п. 1, характеризующееся тем, что спиральная антенна выполнена однозаходной или двухзаходной.
11. Устройство по п. 1, характеризующееся тем, что спиральная антенна расположена на диэлектрической подложке.
12. Устройство по п. 1, характеризующееся тем, что спиральная антенна выполнена на диэлектрической подложке методом гальваники, тонкопленочными технологиями.
13. Устройство по п. 1, характеризующееся тем, что снабжено средством для подачи питания на полупроводниковый модуль.
14. Устройство по любому из пп. 11-13, характеризующееся тем, что средство для подачи питания на полупроводниковый модуль расположено на диэлектрической подложке.
15. Устройство по п. 1, характеризующееся тем, что полупроводниковый модуль и антенна расположены на общем основании, изготовленном из проводящего материала или диэлектрика.