ГАЛОГЕНИДСОДЕРЖАЩИЙ КРЕМНИЙ, СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ И ЕГО ПРИМЕНЕНИЕ

1. Галогенидсодержащий кремний, полученный термическим разложением галогенированного полисилана и имеющий содержание галогенида от 1 ат.% до 50 ат.%.
2. Галогенидсодержащий кремний по п.1, отличающийся тем, что он присутствует в гранулированной форме.
3
3. Галогенидсодержащий кремний по п.1 или 2, отличающийся тем, что он имеет объемную плотность 0,2-1,5 г/см.
4. Галогенидсодержащий кремний по п.1 или 2, отличающийся тем, что он имеет размер зерен 50-20000 мкм.
n
2n+2
5. Галогенидсодержащий кремний по п.1 или 2, отличающийся тем, что он включает галогенсиланы (SiX (X = галоген)) в полостях зерен галогенидсодержащего кремния.
6. Галогенидсодержащий кремний по п.1 или 2, отличающийся тем, что он включает галоген, химически прочно связанный с Si-атомами.
7. Галогенидсодержащий кремний по п.1 или 2, отличающийся тем, что он содержит хлорид.
8. Способ получения галогенидсодержащего кремния по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что галогенированный полисилан термически разлагают при непрерывном добавлении в реактор.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что галогенированный полисилан вводят в реактор по каплям.
10. Способ по п.8 или 9, отличающийся тем, что термическое разложение происходит в диапазоне температур 350°С-1200°С.
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что температура разложения галогенированного полисилана составляет менее 400°С.
-3
12. Способ по п.8 или 9, отличающийся тем, что термическое разложение происходит при давлении на величину от 10 мбар до 300 мбар (0,1 Па-30 кПа) выше атмосферного давления.
13. Способ по п.8 или 9, отличающийся тем, что в реакторе, используемом для термического разложения, поддерживают атмосферу инертного газа, в частности атмосферу аргона.
14. Способ по п.8 или 9, отличающийся тем, что содержание галогенида в полученном галогенидсодержащем кремнии регулируют с помощью дополнительной обработки указанного галогенидсодержащего кремния.
15. Способ получения очищенного кремния с использованием галогенидсодержащего кремния по любому из пп.1-7, включающий следующие стадии, на которых:
смешивают галогенидсодержащий кремний с очищаемым кремнием;
расплавляют смесь и тем самым возгоняют загрязняющие примеси.
16. Способ получения очищенного кремния с использованием галогенидсодержащего кремния по любому из п.п.1-7, включающий следующие стадии, на которых:
расплавляют очищаемый кремний;
вводят галогенидсодержащий кремний в расплав и тем самым возгоняют загрязняющие примеси.
17. Способ по п.15 или 16, отличающийся тем, что используемый галогенидсодержащий кремний представляет собой галогенидсодержащий кремний, который содержит фракции галогенсилана, смешанные с фракциями кремния.
18. Способ по п.15 или 16, отличающийся тем, что используемый галогенидсодержащий кремний представляет собой галогенидсодержащий кремний, который содержит галоген, химически связанный с Si-атомами.
19. Способ по п.15 или 16, отличающийся тем, что используют гранулированный, в частности, высокодисперсный галогенидсодержащий кремний.
20. Способ по п.15 или 16, отличающийся тем, что расплав пополняют галогенидсодержащим кремнием.
21. Способ по п.15 или 16, отличающийся тем, что расплав гомогенизируют.
22. Способ по п.15 или 16, отличающийся тем, что его используют в способах кристаллизации кремния, в частности методах литья слитков, методах Чохральского, EFG-способах, способах по технологии «string ribbon», RGS-методах.
23. Очищенный кремний, получаемый по способу по п.15 или 16.