МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК ПЕРЕМЕЩЕНИЙ

Магниторезистивный датчик перемещений, выполненный на основе гигантского магниторезистивного эффекта, содержащий пластину проводящего монокремния, в которой с помощью анизотропного травления выполнен подвижный объект, на одном из концов подвижного объекта размещен дискретный источник магнитного поля, первая четырехслойная магниторезистивная структура, содержащая первый свободный ферромагнитный слой, второй проводящий немагнитный слой, третий зафиксированный ферромагнитный слой и четвертый антиферромагнитный слой, отличающийся тем, что в Магниторезистивный датчик перемещений введена вторая четырехслойная магниторезистивная структура, первая и вторая четырехслойные магниторезистивные структуры содержат по два магнито-резистора в виде свободных и зафиксированных ферромагнетиков, которые размещены с разных сторон на пластине проводящего монокремния против конца подвижного объекта с дискретным источником магнитного поля через зазор, отделяющий подвижный объект от магниторезистивных структур, при этом магниторезисторы первой и второй четырехслойных магниторезистивных структур соединены в четырех плечий дифференциальный мост.