ПОКРЫТИЕ, СОДЕРЖАЩЕЕ СЛОЙ ПОКРЫТИЯ MCrAl-X

1. Подложка с покрытием, включающая подложку (1), содержащую поверхность (11) металлической подложки с нанесенной системой покрытия (7), состоящей из функционального пленочного покрытия (5) или содержащей его, указанное функциональное пленочное покрытие (5) состоит по меньшей мере из одного слоя покрытия MCrAl-Х или содержит его, отличающаяся тем, что
по меньшей мере один слой покрытия MCrAl-Х нанесен непосредственно на поверхность (11) металлической подложки, или
по меньшей мере один слой покрытия MCrAl-Х нанесен на промежуточный слой покрытия (3), который образован по меньшей мере из одного согласующего с подложкой слоя (31), где по меньшей мере один согласующий с подложкой слой (31) нанесен непосредственно на поверхность (11) металлической подложки,
где слой, нанесенный непосредственно на поверхность (11) металлической подложки, который соответственно представляет собой слой покрытия MCrAl-Х, если он нанесен непосредственно на поверхность (11) металлической подложки, или согласующий с подложкой слой (31), если он нанесен на поверхность (11) металлической подложки, отличается:
частично или полностью эпитаксиальным ростом, или
частично или полностью гетероэпитаксиальным ростом.
2. Подложка с покрытием по п. 1, отличающаяся тем, что материалом поверхности (11) металлической подложки является жаропрочный сплав или алюминид никеля.
3. Подложка с покрытием по п. 2, отличающаяся тем, что материалом поверхности (11) металлической подложки является жаропрочный сплав типа жаропрочного сплава на основе никеля или жаропрочного сплава на основе кобальта, или жаропрочного сплава на основе никеля/кобальта.
4. Подложка с покрытием по любому из пп. 1-3, отличающаяся тем, что слой покрытия MCrAl-Х содержит по меньшей мере два подслоя, первый подслой и второй подслой, где первый подслой нанесен ближе всего к поверхности (11) металлической подложки и второй подслой нанесен на первый подслой, где первый подслой и второй подслой содержат одинаковые элементы, но второй подслой обладает более высоким содержанием Al, чем первый подслой.
5. Подложка с покрытием по п. 4, отличающаяся тем, что слой MCrAl-Х содержит по меньшей мере два подслоя, первый подслой и второй подслой, где второй подслой содержит кислород и поэтому представляет собой слой MCrAl-Х-О.
6. Подложка с покрытием по любому из пп. 4, 5, отличающаяся тем, что выраженная в атомных процентах концентрация Al во втором подслое в два раза больше, чем его концентрация в первом подслое, с учетом только концентрации металлических компонентов М, Cr и Al.
7. Подложка с покрытием по любому из пп. 5, 6, отличающаяся тем, что содержание кислорода во втором подслое увеличивается постепенно.
8. Подложка с покрытием по любому из пп. 5-7, отличающаяся тем, что содержание алюминия во втором подслое увеличивается постепенно.
9. Подложка с покрытием по любому из пп. 1-8, отличающаяся тем, что в слое MCrAl-Х, а также в материале MCrAl-X-O, если он содержится:
М обозначает Ni или Со, или Ni-Co, и
X обозначает Y или Er, или Zr.
10. Подложка с покрытием по любому из пп. 5-9, отличающаяся тем, что по меньшей мере один слой материала MCrAl-X-O, содержащийся в функциональном пленочном покрытии (5), обладает инденторной твердостью (ТВИ), определенной по методикам наноиндентирования, находящейся в диапазоне от 18 до 35 ГПа +/- 2 ГПа, диапазон включает предельные значения 18 и 35 ГПа.
11. Подложка с покрытием по любому из пп. 5-9, отличающаяся тем, что по меньшей мере один слой материала MCrAl-Х, содержащийся в функциональном пленочном покрытии (5), обладает инденторной твердостью (ТВИ), определенной по методикам наноиндентирования, равной 9 ГПа +/- 2 ГПа.
12. Подложка с покрытием по любому из пп. 5-11, отличающаяся тем, что по меньшей мере один слой материала MCrAl-X-O, содержащийся в функциональном пленочном покрытии (5), обладает модулем упругости (МУИ), определенным по методикам наноиндентирования, находящимся в диапазоне от 270 до 320 ГПа +/- 5 ГПа, диапазон включает предельные значения 270 и 320 ГПа.
13. Подложка с покрытием по любому из пп. 5-12, отличающаяся тем, что по меньшей мере один слой материала MCrAl-Х, содержащийся в функциональном пленочном покрытии (5), обладает модулем упругости (МУИ), определенным по методикам наноиндентирования, равным 220 ГПа +/- 5 ГПа.
14. Подложка с покрытием по любому из пп. 5-13, отличающаяся тем, что в функциональном пленочном покрытии (5) содержится по меньшей мере один слой материала MCrAl-X-O, где этот слой содержит кислород в количестве, соответствующем значению, равному от 50 до 60 атомн. % +/- 3 атомн. %, диапазон включает предельные значения 50 и 60 атомн. %, при расчете выраженного в атомных процентах содержания элемента учитываются все элементы, содержащиеся в этом слое.
15. Подложка с покрытием по п. 14, отличающаяся тем, что содержание кислорода соответствует значению, равному более 50 атомн. %.
16. Подложка с покрытием по п. 14, отличающаяся тем, что содержание кислорода соответствует значению, равному менее 60 атомн. %.
17. Подложка с покрытием по любому из пп. 1-16, отличающаяся тем, что в функциональном пленочном покрытии (5) содержится по меньшей мере один слой материала MCrAl-Х, где этот слой обладает кристаллической структурой КГЦ (кубическая гранецентрированная).
18. Способ получения подложки с покрытием по любому из пп. 1-17, отличающийся тем, что по меньшей мере один слой типа MCrAl-X наносят с использованием методики физического осаждения из паровой фазы (ФПФ), где использующейся методикой ФПФ является вакуумно-дуговое испарение или магнетронное распыление, и где в качестве материала - источника покрытия - используют мишень, состоящую из М, Cr, Al и X.
19. Способ по п. 18, отличающийся тем, что используют методику магнетронного распыления типа магнетронного распыления импульсами высокой мощности (МРИВМ).
20. Подложка с покрытием по любому из пп. 1-17, отличающаяся тем, что слой, который наносят непосредственно на поверхность (11) металлической подложки, обладает кристаллической структурой, сходной с кристаллической структурой материала металлической подложки (1), и, соответственно, поверхности (11) металлической подложки, где максимальная степень несоответствия параметров кристаллической решетки составляет 5%, предпочтительно не более 1%.
21. Подложка с покрытием, включающая по меньшей мере одну поверхность (11) металлической подложки с нанесенной системой покрытия (7), содержащей функциональное пленочное покрытие (5) и промежуточное пленочное покрытие (3), нанесенное между по меньшей мере одной металлической поверхностью (11) и функциональным пленочным покрытием (5), отличающаяся тем, что функциональное пленочное покрытие (5) содержит по меньшей мере один слой типа MCrAl-Х и/или по меньшей мере один слой типа MCrAl-X-O и промежуточное пленочное покрытие (3), где по меньшей мере один слой типа MCrAl-Х и/или по меньшей мере один слой типа MCrAl-X-O наносят с помощью вакуумно-дугового испарения или магнетронного распыления, если с помощью распыления, то предпочтительно с помощью МРИВМ, непосредственно по меньшей мере на одну металлическую поверхность (11).
22. Способ получения подложки с покрытием по п. 21, отличающийся тем, что по меньшей мере один слой типа MCrAl-Х и/или по меньшей мере один слой типа MCrAl-X-O наносят с использованием методики физического осаждения из паровой фазы (ФПФ), где использующейся методикой ФПФ является вакуумно-дуговое испарение или магнетронное распыление, если используется распыление, то предпочтительно МРИВМ, где в качестве материала - источника покрытия - используют мишень, состоящую из М, Cr, Al и X, и в случае осаждения по меньшей мере одного слоя типа MCrAl-X-O в качестве реакционноспособного газа используют поток газообразного кислорода.