ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ МОДУЛЬ, СОДЕРЖАЩИЙ ПРОЗРАЧНЫЙ ПРОВОДЯЩИЙ ЭЛЕКТРОД ПЕРЕМЕННОЙ ТОЛЩИНЫ И СПОСОБЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТАКОГО МОДУЛЯ

1. Фотогальванический модуль (1), содержащий, по меньшей мере, два последовательно соединенных фотогальванических элемента (7, 7'), при этом каждый элемент (7, 7') имеет прямоугольную форму и содержит соответственно
- задний тонкослойный электрод (5, 5'),
- фотогальванический набор, по меньшей мере, из двух активных фотогальванических материалов (3, 3'), расположенный между задним электродом (5, 5') и тонкослойным проводящим прозрачным электродом (ТС)(4,4'),
при этом указанный электрод ТС (4, 4') выполнен с возможностью отбора и передачи электрического тока (10, 10'), генерируемого фотогальваническим набором (3, 3'),
при этом оба фотогальванических элемента (7, 7') последовательно электрически соединены электрической контактной полосой (6), проходящей вдоль стороны, смежной с двумя элементами (7, 7'), при этом указанная контактная полоса (6) находится между электродом ТС (4) первого элемента (7) и задним электродом (5') второго элемента (7'),
отличающийся тем, что локальная толщина (е) тонкослойного прозрачного электрода (4) элемента (7) меняется в зависимости от расстояния до указанной электрической контактной полосы (6).
2. Фотогальванический модуль (1) по п.1, отличающийся тем, что оптоэлектронные свойства тонкослойного прозрачного электрода (4) меняются в зависимости от расстояния до указанной электрической контактной полосы (6).
3. Фотогальванический модуль (1) по п.1 или 2, отличающийся тем, что локальная толщина (е) и/или оптоэлектронные свойства тонкослойного прозрачного электрода (4) элемента (7) линейно уменьшаются, начиная от контактной полосы (6), в направлении (X) в плоскости указанного тонкослойного прозрачного электрода (4).
4. Фотогальванический модуль (1) по п.1 или 2, отличающийся тем, что локальная толщина (е) и/или оптоэлектронные свойства тонкослойного прозрачного электрода(4) элемента (7) нелинейно уменьшаются, начиная от контактной полосы (6), в направлении (X) в плоскости указанного тонкослойного прозрачного электрода (4).
2
5. Фотогальванический модуль (1) по п.1 или 2, отличающийся тем, что материалом электрода ТС (4) является прозрачный проводящий оксид, выбираемый из оксида олова, легированного фтором (SnO:F), оксида цинка, легированного алюминием (ZnO:Al) или сплава металлических оксидов (ITO).
6. Фотогальванический модуль (1) по п.3, отличающийся тем, что материалом электрода ТС (4) является прозрачный проводящий оксид, выбираемый из оксида олова, легированного фтором (Sn02:F), оксида цинка, легированного алюминием (ZnO:Al) или сплава металлических оксидов (ITO).
2
7. Фотогальванический модуль (1) по п.4, отличающийся тем, что материалом электрода ТС (4) является прозрачный проводящий оксид, выбираемый из оксида олова, легированного фтором (SnO:F), оксида цинка, легированного алюминием (ZnO:Al) или сплава металлических оксидов (ITO).
8. Фотогальванический модуль (1) по одному из пп.1, 2, 6, 7, отличающийся тем, что содержит ряд идентичных фотогальванических элементов (7, 7', 7"…), нанесенных на ту же подложку (2), при этом фотогальванический набор активных материалов (3, 3', 3"…) содержит легированный или не легированный аморфный кремний (a-Si:H).
9. Фотогальванический модуль (1) по п.3, отличающийся тем, что содержит ряд идентичных фотогальванических элементов (7, 7' 7"…), нанесенных на ту же подложку (2), при этом фотогальванический набор активных материалов (3, 3', 3"…) содержит легированный или не легированный аморфный кремний (a-Si:H).
10. Фотогальванический модуль (1) по п.4, отличающийся тем, что содержит ряд идентичных фотогальванических элементов (7, 7', 7"…), нанесенных на ту же подложку (2), при этом фотогальванический набор активных материалов (3, 3', 3"…) содержит легированный или не легированный аморфный кремний (a-Si:H).
11. Фотогальванический модуль (1) по п.5, отличающийся тем, что содержит ряд идентичных фотогальванических элементов (7, 7', 7"…), нанесенных на ту же подложку (2), при этом фотогальванический набор активных материалов (3, 3', 3"…) содержит легированный или не легированный аморфный кремний (a-Si:H).
12. Способ изготовления фотогальванического модуля (1) по одному из пп.1-11, содержащего ряд из N фотогальванических элементов (7, 7', 7"…) прямоугольной формы шириной L, отличающийся тем, что тонкий прозрачный проводящий слой (4, 4', 4"…) переменной толщины наносят на подложку путем катодного напыления материала ТС через трафарет (8), содержащий N зубцов в форме зубцов пилы шириной L, осуществляя во время напыления относительное поступательное перемещение между указанным трафаретом и указанной подложкой в направлении (X) зубцов пилы.
13. Способ изготовления фотогальванического модуля (1) по одному из пп.1-11, содержащего ряд из N фотогальванических элементов (7, 7', 7"…) прямоугольной формы шириной L, отличающийся тем, что тонкий прозрачный проводящий слой (4, 4', 4"…) переменной толщины наносят путем катодного напыления материала ТС через два трафарета (9, 9'), содержащих ряд N щелей шириной L и N экранных зон шириной L, при этом указанные трафареты (9, 9') последовательно приводят в поступательное движение в двух противоположных направлениях.
14. Способ изготовления фотогальванического модуля (1) по одному из пп.1-11, содержащего ряд из N фотогальванических элементов (7, 7', 7"…) прямоугольной формы шириной L, отличающийся тем, что тонкий прозрачный проводящий слой (4, 4', 4"…) переменной толщины наносят на подложку (2) за счет термического разложения исходного вещества через трафарет (8), содержащий N зубцов в форме зубцов пилы шириной L, осуществляя во время термического разложения относительное поступательное перемещение указанного трафарета и указанной подложки в направлении (X) зубцов пилы.
15. Способ изготовления фотогальванического модуля (1) по одному из пп.1-11, отличающийся тем, что содержит этап равномерного нанесения тонкого прозрачного проводящего слоя (ТС) и этап химического травления в жидкой фазе указанного тонкого слоя ТС путем нанесения указанного однородного слоя на верхний край (14) бака (12), содержащего N травильных резервуаров (13, 13', 13", 13"") и, для каждого резервуара, средства заполнения (15) и удаления (16) жидкости (18) для травления прозрачного проводящего материала и средства уплотнения между каждым резервуаром, при этом указанный верхний край (14) образует наклонную плоскость относительно горизонтального уровня жидкости в указанных резервуарах (13, 13', 13", 13""), чтобы при постепенном заполнении и опорожнении резервуаров происходило неравномерное травление прозрачного проводящего слоя (4).
16. Способ изготовления фотогальванического модуля (1) по одному из пп.1-11, отличающийся тем, что содержит этап равномерного нанесения тонкого прозрачного проводящего слоя и этап химического травления в жидкой фазе указанного тонкого слоя путем нанесения указанного однородного слоя на верхний край (14) бака (12'), содержащего N травильных резервуаров (13, 13', 13", 13""), содержащих общие средства заполнения (15) и удаления (16) жидкости (18) для травления прозрачного проводящего материала и средства (17) выпуска воздуха из каждого резервуара, при этом указанный верхний край (14) образует наклонную плоскость относительно горизонтального уровня жидкости (18) в указанных резервуарах (13, 13', 13", 13""), чтобы при постепенном выпуске (17) воздуха из указанных резервуаров происходило неравномерное травление прозрачного проводящего слоя (4).
17. Способ изготовления фотогальванического модуля (1) по одному из пп.1-11, отличающийся тем, что содержит этап нанесения тонкого прозрачного проводящего слоя и этап облучения указанного тонкого прозрачного проводящего слоя интенсивным световым пучком, таким как лазерный пучок, содержащим, по меньшей мере, одну длину волны, поглощаемую указанным тонким прозрачным проводящим слоем.
18. Способ изготовления фотогальванического модуля (1) по одному из пп.1-11, отличающийся тем, что содержит этап нанесения дополнительного слоя, смежного с тонким прозрачным проводящим слоем, и этап облучения указанного смежного слоя интенсивным световым пучком, таким как лазерный пучок, содержащим, по меньшей мере, одну длину волны, поглощаемую указанным смежным слоем таким образом, чтобы передавать энергию, поглощаемую смежным слоем, на указанный тонкий прозрачный проводящий слой (4).