ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

1. Высокочастотный сверхпроводящий элемент памяти, включающий образованную на подложке область слабой связи в виде тонкопленочной слоистой структуры, содержащей слои магнитного материала и слой сверхпроводящего материала между ними, два электрода из сверхпроводящего материала, и токоподводы для подключения области слабой связи к источнику тока,
отличающийся тем, что
при изменении направления намагниченности одного из магнитных слоев в сверхпроводящей пленке, локализованной в области слабой связи между магнитными слоями, происходит существенное восстановление (подавление) сверхпроводимости в этой пленке, которое в том числе может сопровождаться и фазовым переходом из нормального состояния в сверхпроводящее или из сверхпроводящего в нормальное.
2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что в планарной геометрии слой сверхпроводника нанесен на подложку, а первый магнитный слой, промежуточный слой сверхпроводника, второй магнитный слой и второй слой сверхпроводника в указанной последовательности нанесены поверх него, при этом площади упомянутых слоев совпадают.
3. Прибор по п.1, отличающийся тем, что в торцевой геометрии слой сверхпроводника и первый магнитный слои нанесены на подложку, а промежуточный слой сверхпроводника, второй магнитный слой и второй слой сверхпроводника в указанной последовательности нанесены поверх упомянутых слоев, при этом промежуточная пленка сверхпроводника, второй магнитный слой и второй слой сверхпроводника нанесены и на границу раздела первого слоя сверхпроводника и первого магнитного слоя.
4. Прибор по п.1, отличающийся тем, что в мостиковой геометрии первый магнитный слой нанесен на подложку, а промежуточный слой сверхпроводника и второй магнитный слой нанесены поверх него, при этом площади упомянутых слоев совпадают, поверх второго магнитного слоя нанесен слой сверхпроводника, в котором создан разрыв, заполненный изолятором.
5. Прибор по п.3, отличающийся тем, что в мостиковой геометрии под первым слоем магнитного материала непосредственно на подложке может находиться вспомогательный слой антиферромагнетика.
6. Прибор по п.3, отличающийся тем, что в мостиковой геометрии часть второго слоя магнитного материала, находящаяся непосредственно под сверхпроводящими электродами, заменена на изолятор или нормальный металл.
7. Прибор по п.1, отличающийся тем, что в качестве сверхпроводника использован ниобий или сплав на его основе.
2
3
7-х
8. Прибор по п.1, отличающийся тем, что в качестве сверхпроводника использовано соединение редкоземельных купратов общей формулы ReBaCuO, где Re - редкоземельный металл.
x
1-x
x
1-x
x
1-x
x
1-x
x
1-x
x
1-x
9. Прибор по п.1, отличающийся тем, что в качестве материала магнитного слоя использован магнитно-мягкий ферромагнетик, например сплавы PdFe, PdNi, PdCo PtFe, PtNi, PtCo с содержанием ферромагнитных металлов менее 10 атомных процентов.
10. Прибор по п.1, отличающийся тем, что в качестве магнитных слоев использованы слои диэлектрика, например, аморфного кремния, легированные магнитными атомами, Fe, Co, Ni.
11. Прибор по п.1, отличающийся тем, что в качестве нормального металла использован элемент из группы Cu, Au, Al, Pt.
12. Прибор по п.1, отличающийся тем, что в качестве магнитных слоев использованы слои магнитно-мягкого ферромагнетика и находящиеся непосредственно под ними слои диэлектрика.
13. Прибор по п.1, отличающийся тем, что векторы намагниченности в магнитных слоях направлены параллельно плоскости слоев, и могут быть развернуты внешним магнитным полем.
14. Прибор по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что слои магнитного материала имеют различающиеся значения коэрцитивного поля.
15. Прибор по п.1, отличающийся тем, что толщины слоев магнитного материала в области слабой связи составляют 1-10 нм.
16. Прибор по п.1, отличающийся тем, что толщина сверхпроводящего материала в области слабой связи составляет 10-100 нм.