УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛИКВИДАЦИИ НЕГЕРМЕТИЧНОСТИ МАГНИТОПРОВОДНОЙ ОБОЛОЧКИ

1. Устройство для ликвидации негерметичности магнитопроводной оболочки, содержащее герметизирующую прокладку для перекрытия дефектного фрагмента магнитопроводной оболочки и механизм для создания усилия прижатия герметизирующей прокладки к этой оболочке, включающий магнитный захват с рабочей полюсной поверхностью, адекватной по форме поверхности магнитопроводной оболочки, и элемент передачи усилия прижатия герметизирующей прокладки к данной оболочке, отличающееся тем, что элементом передачи усилия прижатия герметизирующей прокладки к магнитопроводной оболочке является рабочая полюсная поверхность магнитного захвата, выполненная по форме и размерам, адекватным дефектному фрагменту данной оболочки, включающему поврежденный и прилегающие к его контуру неповрежденные участки поверхности магнитопроводной оболочки, при этом герметизирующая прокладка выполнена из трехслойного материала, включающего внутренний слой в виде эластичной и механически прочной пластины-основы, связующий слой в виде эластичного самоклеящегося покрытия, обеспечивающего легкоразборное соединение с рабочей полюсной поверхностью магнитного захвата и обладающего адгезией по отношению к материалу этой поверхности, и тампонажный слой из консистентного материала, обладающего адгезией по отношению к материалу магнитопроводной оболочки и обеспечивающего контактное взаимодействие герметизирующей прокладки с дефектным фрагментом магнитопроводной оболочки и его герметизацию, а габаритные размеры герметизирующей прокладки не менее габаритных размеров дефектного фрагмента магнитопроводной оболочки.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оптимальная толщина тампонажного слоя герметизирующей прокладки составляет 5-10 мм.