СПОСОБ ПРОВОДЯЩЕГО СОЕДИНЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КОНСТРУКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА НА СВЕТОПРОНИЦАЕМОЙ ПЛАТЕ МИКРОСХЕМЫ (ВАРИАНТЫ)

1. Способ проводящего соединения электрического конструктивного элемента, по меньшей мере, с одной токопроводящей дорожкой или проводящим слоем, причем токопроводящую дорожку или проводящий слой наносят на, по существу, видимую в диапазоне длин волн света, светопроницаемую плату микросхемы, причем светопроницаемая плата микросхемы содержит теплопоглощающий слой, а проводящий слой одновременно является теплопоглощающим слоем, выбранным из одного или нескольких следующих оксидов металла:
- lnOx:Sn,
- SnOx:F,
- SnOx:Sb,
- ZnOx:Ga,
- ZnOx:B,
- ZnOx:F,
- ZnOx:AI,
причем х находится на участке между 1 и 2, в зависимости от концентрации диффузанта; содержащий следующие этапы:
- электрический конструктивный элемент или токопроводящая дорожка или проводящий слой снабжают на участке, где конструктивный элемент нужно соединять с проводящим слоем или с токопроводящей дорожкой, паяльным материалом;
- паяльному материалу автоматически подводят энергию от источника энергии, испускающего коротковолновое инфракрасное излучение, так, что подведенную энергию, по существу, вводят в теплопоглощающую токопроводящую дорожку или в проводящий слой на месте, на котором нужно фиксировать элемент, так что
- паяльный материал расплавляют и образуют неразъемное сплошное проводящее соединение между электрическим конструктивным элементом и токопроводящей дорожкой или проводящим слоем при минимальной нагрузке элемента при коротком промежутке времени пайки, менее чем 30 с.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что время пайки находится в промежутке между 0,1 с и 10 с, между 1 с и 10 с.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что время пайки находится в промежутке между 1 с и 10 с.
4. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что длина волны испускаемого коротковолнового инфракрасного излучения находится в диапазоне 500 нм до 1500 нм.
5. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что источником энергии является галогенная лампа с потребляемой мощностью между 50 Вт и 1000 Вт.
6. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что источником энергии является источник лазерного излучения.
7. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что электромагнитное излучение фокусируют в фокальное пятно, причем фокальное пятно имеет диаметр в диапазоне 0,1 мм до 100 мм, предпочтительно 1 мм до 10 мм.
8. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что светопроницаемая плата микросхемы имеет верхнюю сторону и нижнюю сторону, причем токопроводящую дорожку или проводящий слой наносят на верхнюю сторону, а энергию источника энергии вводят к паяльному материалу с нижней стороны насквозь через светопроницаемую плату микросхемы.
9. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что проводящий слой наносят на светопроницаемую плату микросхемы при помощи одного из следующих способов:
- способ химического осаждения из паровой фазы (CVD),
- способ термовакуумного осаждения из паровой фазы (PVD),
- пиролиз с использованием напыления,
- ионное напыление,
- способ золь-гель.
10. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что светопроницаемая плата микросхемы закалена и/или предварительно напряжена.
11. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что паяльным материалом является сплав для пайки на основе одного из следующих материалов:
- олово-свинец,
- олово,
- свинец,
- золото,
- индий,
- алюминий.
12. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что паяльный материал наносят на проводящий слой светопроницаемой платы микросхемы, паяльный материал образует проводящее соединение между конструктивным элементом и проводящим слоем на светопроницаемой плате микросхемы.
13. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что на проводящий слой или на проводящую дорожку наносят контактные выводы, и паяльный материал образует проводящее соединение между конструктивным элементом и контактным выводом.