МОДИФИКАЦИЯ ЗОНДОВ ДЛЯ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ ПОСРЕДСТВОМ НАПЫЛЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ ИСТОЧНИКОМ ИОННЫХ КЛАСТЕРОВ

1. Способ нанесения покрытия по меньшей мере на один АСМ-зонд посредством источника ионных кластеров с материалом для покрытия в форме наночастиц.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что материал выбирают из списка, включающего: металлический материал, магнитный материал, пьезоэлектрический материал, проводящий материал, изолирующий материал, диэлектрический материал, полупроводниковый материал и любые их сочетания.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что материал выбирают из металлического материала, магнитного материала или полупроводникового материала.
4. Способ по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что газ, который выбирают из гелия, аргона, кислорода, азота или любых их сочетаний, используют в области образования кластеров источника ионных кластеров.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что газ выбирают из аргона или гелия.
6. Способ по любому из пп. 1-3, 5, отличающийся тем, что способ выполняют в условиях вакуума или сверхвысокого вакуума в камере, прикрепленной к области образования кластеров источника ионных кластеров.
7. АСМ-зонд с покрытием, который может быть получен способом по любому из пунктов 1-6.
8. Использование АСМ-зонда по п.7 для определения морфологических характеристик поверхности, определения магнитных или пьезоэлектрических свойств объектов и напыления наночастиц.