УСТРОЙСТВО КАЛИБРОВКИ ДЛЯ СУБПИКСЕЛЬНОЙ СХЕМЫ OLED, СХЕМА ВОЗБУЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОДА ИСТОКА И СПОСОБ КОМПЕНСАЦИИ НАПРЯЖЕНИЯ ДАННЫХ
CALIBRATION DEVICE FOR SUBPIXEL OLED CIRCUIT, SOURCE ELECTRODE EXCITATION CIRCUIT AND DATA VOLTAGE COMPENSATION METHOD

ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА НА РОДСТВЕННУЮ ЗАЯВКУ
[0001] Эта заявка испрашивает приоритет по китайской патентной заявке номер 201610440604.7, поданной 17 июня, 2016, содержимое которой включается сюда по ссылке в полноте.
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
[0002] Настоящее изобретение относится к области технологии органических светоизлучающих устройств отображения, и, конкретно, к устройству калибровки, ассоциированному с каждой субпиксельной схемой, схеме возбуждения электрода истока, и способу компенсации напряжения данных, используемым в оборудовании органических светоизлучающих устройств отображения.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
[0003] Органический светоизлучающий диод (OLED) широко используется в качестве основанного на источнике тока излучателя света для оборудования отображения высокой производительности. Конкретно, в устройстве отображения OLED с активной матрицей, каждая строка матрицы пикселей последовательно включается посредством последовательного сканирования строка за строкой для отображения. Напряжение данных подводится к каждой строке пикселей, которая включается, на основе чего генерируется ток OLED, чтобы вызывать, чтобы диоды в строке пикселей излучали свет для отображения изображения, управляемого посредством напряжения данных.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0004] В одном аспекте, настоящее изобретение обеспечивает устройство калибровки, ассоциированное с субпиксельной схемой, при этом субпиксельная схема содержит транзистор возбуждения, имеющий затвор, соединенный с линией данных, и сток, соединенный с линией считывания, чтобы возбуждать излучатель света; устройство калибровки содержит схему измерения емкости, соединенную с источником импульсного напряжения, сконфигурированную с возможностью заряжать паразитную емкость на основе импульсного напряжения, обеспечиваемого источником импульсного напряжения, и выводить напряжение измерения емкости, ассоциированное с паразитной емкостью и импульсным напряжением; схему считывания заряда, сконфигурированную с возможностью считывать зарядное напряжение на линии считывания в ответ на опорное напряжение данных, подведенное к линии данных; и калибратор параметров, сконфигурированный с возможностью вычислять электрические параметры транзистора возбуждения на основе напряжения измерения емкости, импульсного напряжения, опорного напряжения данных, и зарядного напряжения.
[0005] Необязательно, схема считывания заряда содержит проводящий провод и сконфигурирована с возможностью считывать первое зарядное напряжение на линии считывания в ответ на первое опорное напряжение данных, подведенное к линии данных, и считывать второе зарядное напряжение на линии считывания в ответ на второе опорное напряжение данных, подведенное к линии данных; при этом калибратор параметров вычисляет электрические параметры транзистора возбуждения на основе напряжения измерения емкости, импульсного напряжения, первого опорного напряжения данных, первого зарядного напряжения, второго опорного напряжения данных, и второго зарядного напряжения.
[0006] Необязательно, электрические параметры включают в себя пороговое напряжение и скорость подвижности носителей.
[0007] Необязательно, схема измерения емкости содержит источник импульсного напряжения, имеющий первый контактный вывод, соединенный со вторым контактным выводом источника питания, и второй контактный вывод для вывода импульсного напряжения; компаратор напряжения, имеющий неинвертирующий входной контактный вывод, соединенный со вторым контактным выводом источника импульсного напряжения, инвертирующий входной контактный вывод, соединенный с линией считывания, и выходной контактный вывод для вывода напряжения измерения емкости; и схему обратной связи, имеющую первый контактный вывод, соединенный с выходным контактным выводом компаратора напряжения, и второй контактный вывод, соединенный с инвертирующим входным контактным выводом компаратора напряжения.
[0008] Необязательно, схема обратной связи содержит первый резистор и первый конденсатор, имеющие первый общий контактный вывод, соединенный с инвертирующим входным контактным выводом компаратора напряжения, и второй общий контактный вывод, соединенный с выходным контактным выводом компаратора напряжения; при этом разность между напряжением измерения емкости и импульсным напряжением является пропорциональной паразитной емкости линии считывания, пропорциональной импульсному напряжению, и обратно пропорциональной емкости первого конденсатора, когда импульсная частота импульсного напряжения выше, чем предварительно определенная пороговая частота.
[0009] В другом аспекте, настоящее изобретение обеспечивает схему возбуждения электрода истока, сконфигурированную с возможностью генерировать напряжение данных для каждой соответствующей субпиксельной схемы в матрице пикселей, при этом матрица пикселей включает в себя множество субпикселей, множество первых линий сканирования, множество вторых линий сканирования, множество линий данных, и множество линий считывания, каждый субпиксель содержит субпиксельную схему, включающую в себя транзистор возбуждения, первый переключающий транзистор, второй переключающий транзистор, и излучатель света, при этом линия считывания содержит паразитную емкость; схему возбуждения электрода истока, содержащую первый мультиплексор, сконфигурированный с возможностью выбирать каждую линию считывания в матрице пикселей; схему измерения емкости, соединенную с выходным контактным выводом первого мультиплексора, при этом схема измерения емкости содержит источник импульсного напряжения, схема измерения емкости сконфигурирована с возможностью заряжать линию считывания, выбранную посредством первого мультиплексора, на основе импульсного напряжения, сгенерированного источником импульсного напряжения, и сконфигурирована с возможностью выводить напряжение измерения емкости, ассоциированное с импульсным напряжением и паразитной емкостью линии считывания, выбранной посредством первого мультиплексора; второй мультиплексор содержит множество входных линий, сконфигурированных с возможностью выбирать каждую линию считывания в матрице пикселей, и выходную линию, сконфигурированную с возможностью выводить зарядное напряжение, чтобы заряжать линию считывания, выбранную посредством второго мультиплексора; и калибратор параметров, соединенный с выходной линией второго мультиплексора и сконфигурированный с возможностью вычислять электрические параметры транзистора возбуждения в субпиксельной схеме, соответствующий линии считывания, выбранной посредством второго мультиплексора, на основе напряжения измерения емкости, соответствующего линии считывания, выбранной посредством второго мультиплексора, и на основе опорного напряжения данных, подведенного к линии данных, и зарядного напряжения, чтобы заряжать линию считывания, выбранную посредством второго мультиплексора.
[0010] Необязательно, матрица пикселей включает в себя M строк и N столбцов пикселей, каждый пиксель включает в себя, по меньшей мере, один субпиксель, каждая строка субпикселей совместно использует первую линию сканирования и вторую линию сканирования, и каждый столбец субпикселей совместно использует линию данных и линию считывания.
[0011] Необязательно, схема возбуждения электрода истока дополнительно содержит третий мультиплексор, сконфигурированный с возможностью выбирать одно из напряжения измерения емкости, принятого от схемы измерения емкости, чтобы управлять схемой возбуждения электрода истока для работы в режиме измерения емкости, и зарядного напряжения, принятого от второго мультиплексора, чтобы управлять схемой возбуждения электрода истока для работы в режиме считывания заряда.
[0012] Необязательно, схема возбуждения электрода истока дополнительно содержит аналого-цифровой преобразователь, соединенный с выходным контактным выводом третьего мультиплексора, для преобразования аналогового сигнала, ассоциированного либо с напряжением измерения емкости, либо с зарядным напряжением, в цифровой сигнал; модуль компенсации напряжения данных, сконфигурированный с возможностью определять напряжение данных компенсации для каждой субпиксельной схемы в матрице пикселей на основе заданного напряжения данных, подведенного к линии данных субпиксельной схемы, и электрических параметров транзистора возбуждения субпиксельной схемы, полученных посредством калибратора параметров; и генератор напряжения данных, сконфигурированный с возможностью генерировать и подводить напряжение данных компенсации к линии данных, соединенной с субпиксельной схемой.
[0013] Необязательно, калибратор параметров и модуль компенсации напряжения данных, каждый, содержит цифровой сигнальный процессор для обработки электрических параметров и напряжения данных компенсации в цифровом формате.
[0014] Необязательно, генератор напряжения данных содержит цифроаналоговый преобразователь, сконфигурированный с возможностью преобразовывать напряжение данных компенсации в цифровом формате, определенное посредством модуля компенсации напряжения данных, в аналоговый сигнал и подводить напряжение данных компенсации в аналоговом формате к линии данных, соединенной с субпиксельной схемой.
[0015] Необязательно, второй мультиплексор сконфигурирован с возможностью выводить первое зарядное напряжение, соответствующее линии считывания, выбранной в порядке посредством второго мультиплексора из строки субпиксельных схем, выбранной из матрицы пикселей, при этом к каждой линии данных, соединенной со строкой субпиксельных схем, подводится первое опорное напряжение данных; второй мультиплексор дополнительно сконфигурирован с возможностью выводить второе зарядное напряжение, соответствующее линии считывания, выбранной в порядке посредством второго мультиплексора из строки субпиксельных схем, выбранной из матрицы пикселей, при этом к каждой линии данных, соединенной со строкой субпиксельных схем, подводится второе опорное напряжение данных; и калибратор параметров сконфигурирован с возможностью определять электрические параметры транзистора возбуждения каждой субпиксельной схемы в матрице пикселей на основе напряжения измерения емкости на линии считывания, соединенной с субпиксельной схемой, измеренного посредством схемы измерения емкости, первого опорного напряжения данных, подведенного к соответствующей линии данных, соединенной с субпиксельной схемой, первого зарядного напряжения на соответствующей линии считывания, соединенной с субпиксельной схемой, второго опорного напряжения данных, подведенного к соответствующей линии данных, и второго зарядного напряжения на соответствующей линии считывания, при этом первое опорное напряжение данных и второе опорное напряжение данных подводятся к соответствующей линии данных в разные периоды времени.
[0016] Необязательно, электрические параметры содержат пороговое напряжение и скорость подвижности носителей, ассоциированную с транзистором возбуждения в субпиксельной схеме.
[0017] Необязательно, схема измерения емкости содержит источник импульсного напряжения, имеющий первый контактный вывод, который заземлен, и второй контактный вывод, выводящий импульсное напряжение; компаратор напряжения, имеющий неинвертирующий входной контактный вывод, соединенный со вторым контактным выводом источника импульсного напряжения, и инвертирующий входной контактный вывод, соединенный с линией считывания, и выходной контактный вывод, выводящий напряжение измерения емкости, и схему обратной связи, имеющую первый контактный вывод, соединенный с выходным контактным выводом компаратора напряжения, и второй контактный вывод, соединенный с инвертирующим входным контактным выводом компаратора напряжения.
[0018] Необязательно, схема обратной связи содержит первый резистор и первый конденсатор, имеющие первый общий контактный вывод, соединенный с инвертирующим входным контактным выводом компаратора напряжения, и второй общий контактный вывод, соединенный с выходным контактным выводом компаратора напряжения; и калибратор параметров сконфигурирован с возможностью определять электрические параметры транзистора возбуждения субпиксельной схемы, соответствующей линии считывания, выбранной посредством второго мультиплексора, на основе напряжения измерения емкости, измеренного для линии считывания посредством схемы измерения емкости, и ассоциированного импульсного напряжения, емкости первого конденсатора, опорного напряжения данных, подведенного к линии данных, соединенной с субпиксельной схемой, и зарядного напряжения, чтобы заряжать линию считывания.
[0019] В другом аспекте, настоящее изобретение обеспечивает способ для компенсации напряжения данных, подведенного к каждой линии данных выбранной строки субпиксельных схем, возбуждаемых посредством схемы возбуждения электрода истока, здесь описываемой, при этом способ содержит выбор напряжения измерения емкости, принятого от схемы измерения емкости, посредством третьего мультиплексора, чтобы управлять схемой возбуждения электрода истока для работы в режиме измерения емкости, при этом напряжение измерения емкости ассоциировано с паразитной емкостью линии считывания, выбранной посредством первого мультиплексора; при этом первый мультиплексор последовательно выбирает каждую линию считывания, ассоциированную с выбранной строкой субпиксельных схем; вывод первого опорного напряжения данных в первом периоде из цифрового генератора напряжения последовательно в одну линию данных после другой и получение первого зарядного напряжения для каждой субпиксельной схемы, считанного из в текущее время заряженного напряжения на соответствующей линии считывания, последовательно выбираемой посредством второго мультиплексора для выбранной строки субпиксельных схем из матрицы пикселей; вывод второго опорного напряжения данных во втором периоде из цифрового генератора напряжения последовательно в одну линию данных после другой и получение второго зарядного напряжения для каждой субпиксельной схемы, считанного из в текущее время заряженного напряжения на соответствующей линии считывания, последовательно выбираемой посредством второго мультиплексора для выбранной строки субпиксельных схем из матрицы пикселей; вычисление электрических параметров транзистора возбуждения в каждой из выбранной строки субпиксельных схем из матрицы пикселей посредством калибратора параметров на основе напряжения измерения емкости, измеренного для соответствующей линии считывания, первого зарядного напряжения и второго зарядного напряжения каждой субпиксельной схемы, ассоциированной с соответствующей линией считывания, полученных соответственно в первый период времени и второй период времени; и определение напряжения данных компенсации субпиксельной схемы посредством модуля компенсации напряжения данных на основе заданного напряжения данных, подведенного к соответствующей линии данных субпиксельной схемы, и электрических параметров транзистора возбуждения в субпиксельной схеме, генерирование и подведение напряжения данных компенсации к линии данных, соединенной с субпиксельной схемой.
[0020] Необязательно, вывод первого опорного напряжения данных в каждую линию данных и получение первого зарядного напряжения из каждой соответствующей линии считывания дополнительно содержат соединение линии считывания в матрице пикселей с контактным выводом опорного напряжения в качестве первого опорного напряжения данных, которое последовательно выводится в каждую соответствующую линию данных; отсоединение линии считывания, которая заряжается посредством субпиксельной схемы, от контактного вывода опорного напряжения; последовательные выбор каждой линии считывания посредством второго мультиплексора и считывание заряженного напряжения в текущее время на линии считывания в качестве вывода; и выбор вывода посредством третьего мультиплексора во время режима считывания заряда и вывод вывода в качестве первого зарядного напряжения.
[0021] Необязательно, вывод второго опорного напряжения данных в каждую линию данных и получение второго зарядного напряжения из каждой соответствующей линии считывания дополнительно содержат соединение линии считывания в матрице пикселей с контактным выводом опорного напряжения в качестве второго опорного напряжения данных, которое последовательно выводится в каждую соответствующую линию данных; отсоединение линии считывания, которая заряжается посредством субпиксельной схемы, от контактного вывода опорного напряжения; последовательные выбор каждой линии считывания посредством второго мультиплексора и считывание заряженного напряжения в текущее время на линии считывания в качестве вывода; и выбор вывода посредством третьего мультиплексора во время режима считывания заряда и вывод вывода в качестве второго зарядного напряжения.
[0022] Необязательно, определение напряжения данных компенсации субпиксельной схемы содержит обработку цифровых сигналов, ассоциированных с заданным напряжением данных, подведенным к линии данных субпиксельной схемы, и соответствующими электрическими параметрами транзистора возбуждения в субпиксельной схеме, чтобы вычислять цифровой сигнал напряжения, преобразование цифрового сигнала напряжения в аналоговый сигнал напряжения посредством генератора напряжения данных, вывод аналогового сигнала напряжения в качестве напряжения данных компенсации в линию данных субпиксельной схемы.
[0023] Необязательно, электрические параметры транзистора возбуждения включают в себя пороговое напряжение и скорость подвижности носителей, ассоциированную с транзистором возбуждения в субпиксельной схеме.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
[0024] Последующие чертежи являются всего лишь примерами для иллюстративных целей согласно различным раскрытым вариантам осуществления и не предназначены, чтобы ограничивать объем настоящего изобретения.
[0025] Фиг. 1 является субпиксельной схемой, ассоциированной с устройством калибровки согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения.
[0026] Фиг. 2 является схематической временной волновой формой, ассоциированной с субпиксельной схемой из фиг. 1, согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения.
[0027] Фиг. 3 является блок-схемой устройства калибровки в субпиксельной схеме согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения.
[0028] Фиг. 4A является блок-схемой схемы измерения емкости в устройстве калибровки согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения.
[0029] Фиг. 4B является схемной диаграммой для схемы измерения емкости согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения.
[0030] Фиг. 5 является схематической диаграммой панели отображения AMOLED согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения.
[0031] Фиг. 6A является схематической диаграммой возбуждения электрода истока согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения.
[0032] Фиг. 6B является схематической диаграммой другой схемы возбуждения электрода истока согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения.
[0033] Фиг. 7 является схематической диаграммой генератора напряжения данных согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения.
[0034] Фиг. 8 является схемной диаграммой канала выборки и хранения в схеме выборки и хранения согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения.
[0035] Фиг. 9 является блок-схемой последовательности операций, показывающей способ для компенсации напряжения данных из схемы возбуждения электрода истока согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ
[0036] Раскрытие теперь будет более конкретно описываться со ссылкой на последующие варианты осуществления. Следует отметить, что последующее описание некоторых вариантов осуществления представлено здесь только для цели иллюстрации и описания. Не предполагается, что оно является исчерпывающим или ограничивающим раскрытой точной формой.
[0037] Устройство отображения OLED с активной матрицей обычно использует тонкопленочный транзистор (TFT) из низко температурного поликристаллического кремния (LTPS) или оксидный TFT для построения каждой субпиксельной схемы для обеспечения тока OLED. По сравнению с обычным TFT из аморфного кремния, LTPS TFT или оксидный TFT является более подходящим для устройства отображения AMOLED вследствие его характеристик на более высокой скорости подвижности носителей и превосходной стабильности. Из-за ограничения в обработке кристаллизации для производства множества транзисторов LTPS TFT на большой стеклянной подложке, несколько электрических параметров, таких как пороговое напряжение и скорость подвижности носителей, не являются равномерными среди транзисторов TFT. Если подводится одно и то же напряжение данных, неравномерность в скоростях подвижности носителей или пороговых напряжениях может давать результатом вариации тока OLED и яркости, что может восприниматься человеческими глазами. Альтернативно, для оксидного TFT, его пороговое напряжение будет смещаться аналогично TFT из аморфного кремния после того, как подводится напряжение данных в течение существенно длительного времени или во время высокотемпературной среды, даже хотя процесс производства для оксидных транзисторов TFT является более равномерным для большой области. Для разных изображений отображения, пороговые напряжения разных оксидных транзисторов TFT в разных частях панели отображения AMOLED также смещаются на разные величины. Таким образом, так как подводится одно и то же напряжение данных, разные смещения порогового напряжения в разных оксидных транзисторах TFT будут вызывать разные токи OLED в разных субпикселях, что дает результатом неравномерную яркость в разных частях устройства отображения AMOLED.
[0038] Дополнительно, в применении устройства отображения AMOLED большого размера, из-за разных расстояний между разными субпиксельными схемами по отношению к выходному порту напряжения данных схемы возбуждения электрода истока и сопротивления линии данных, которая соединяет субпиксельные схемы со схемой возбуждения электрода истока, фактические напряжения данных на разных субпиксельных схемах также изменяются и отличаются от исходного напряжения данных, обеспеченного схемой возбуждения электрода истока. Аналогично, напряжения источника питания (ARVDD), подведенные к разным субпиксельным схемам, также изменяются и отличаются от исходного напряжения источника питания на выходе источника питания. При условии одного и того же напряжения данных, выводимого из схемы возбуждения электрода истока, разные напряжения данных и напряжения источника питания на разных субпиксельных схемах также вызывают разный ток OLED и яркость в разных частях панели отображения большого размера. Поэтому, является желательным иметь схему возбуждения электрода истока, включающую в себя устройство калибровки, чтобы компенсировать неравномерность токов субпиксельной схемы OLED, вызываемую многообразием неравномерности в устройствах отображения AMOLED.
[0039] Соответственно, настоящее изобретение обеспечивает, среди прочего, устройство калибровки, ассоциированное с каждой субпиксельной схемой, схему возбуждения электрода истока, и способ компенсации напряжения данных, используемые в оборудовании органических светоизлучающих устройств отображения, которые, по существу, устраняют одну или более из проблем вследствие ограничений и недостатков предшествующего уровня техники. В одном аспекте, настоящее раскрытие обеспечивает устройство калибровки, ассоциированное с субпиксельной схемой в панели отображения AMOLED, при этом субпиксельная схема включает в себя транзистор возбуждения, первый переключающий транзистор, второй переключающий транзистор, и излучатель света, первый переключающий транзистор имеет затвор, соединенный с первой линией сканирования, первый контактный вывод и второй контактный вывод, соответственно соединенные с линией данных и затвором транзистора возбуждения, второй переключающий транзистор имеет затвор, соединенный со второй линией сканирования, первый контактный вывод и второй контактный вывод, соответственно соединенные с линией считывания и вторым контактным выводом транзистора возбуждения, транзистор возбуждения также имеет первый контактный вывод, соединенный с первым контактным выводом источника питания, излучатель света имеет анод и катод, соответственно соединенные со вторым контактным выводом транзистора возбуждения и вторым контактным выводом источника питания, линия считывания включает в себя паразитную емкость. В некоторых вариантах осуществления, устройство калибровки включает в себя схему измерения емкости, соединенную с источником импульсного напряжения, сконфигурированную с возможностью заряжать паразитную емкость на основе импульсного напряжения, обеспечиваемого источником импульсного напряжения, и выводить напряжение измерения емкости, ассоциированное с паразитной емкостью и импульсным напряжением; схему считывания заряда, сконфигурированную с возможностью считывать зарядное напряжение на линии считывания в ответ на опорное напряжение данных, подведенное к линии данных; и калибратор параметров, сконфигурированный с возможностью вычислять электрические параметры транзистора возбуждения на основе напряжения измерения емкости, импульсного напряжения, опорного напряжения данных, и зарядного напряжения.
[0040] Фиг. 1 является субпиксельной схемой, ассоциированной с устройством калибровки согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения. Устройство калибровки для обеспечения напряжения данных компенсации для преодоления проблемы неравномерности сконфигурировано с возможностью быть ассоциированным с субпиксельной схемой из фиг. 1 устройства отображения AMOLED. Как показано, субпиксельная схема сконструирована с использованием транзисторов TFT N-типа, включающих в себя транзистор DT возбуждения, первый переключающий транзистор T1, второй переключающий транзистор T2, и излучатель EL света.
SENSE
[0041] Как показано на фиг. 1, первый переключающий транзистор T1 имеет первый контактный вывод, соединенный с линией DATA данных. Второй переключающий транзистор имеет второй контактный вывод, соединенный с затвором транзистора DT возбуждения. Затвор первого переключающего транзистора T1 соединен с первой линией G1 сканирования. Транзистор DT возбуждения имеет первый контактный вывод, соединенный с первым контактным выводом ELVDD источника питания. Необязательно, ELVDD является контактным выводом высокого напряжения. Транзистор DT возбуждения имеет второй контактный вывод, соединенный с анодом излучателя EL света, который имеет катод, соединенный со вторым контактным выводом ELVSS источника питания. Необязательно, ELVSS является контактным выводом низкого напряжения. Необязательно, ELVSS заземлен. Второй переключающий транзистор T2 имеет первый контактный вывод, соединенный со вторым контактным выводом транзистора DT возбуждения, и второй контактный вывод, соединенный с линией SENSE считывания. Второй переключающий транзистор T2 также имеет затвор, соединенный со второй линией G2 сканирования. Как показано на фиг. 1, линия SENSE считывания включает в себя паразитную емкость C, формирующую конденсатор линии считывания.
g
ref
g
g
ref
[0042] Фиг. 2 является схематической временной волновой формой, ассоциированной с субпиксельной схемой из фиг. 1, согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения. Временная волновая форма показывает то, как субпиксельная схема работает как один блок устройства отображения AMOLED. Как показано на фиг. 2, в первом периоде t1 времени (периоде времени установки в исходное состояние), первая линия G1 сканирования обеспечивается высоким уровнем напряжения, и вторая линия G2 сканирования также обеспечивается высоким уровнем напряжения. Линии DATA данных дается напряжение данных V. Линия SENSE считывания соединена с контактным выводом опорного напряжения, обеспеченным V. Высокий уровень напряжения обеспечивает возможность первому переключающему транзистору T1 в состоянии проводимости подводить напряжение данных V к затвору транзистора DT возбуждения и также обеспечивает возможность второму переключающему транзистору T2 в состоянии проводимости соединять второй контактный вывод транзистора DT возбуждения с контактным выводом опорного напряжения. Во время этого первого периода t1 времени, напряжение затвор-источник транзистора DT возбуждения равняется V-V. Необязательно, контактный вывод опорного напряжения может соединяться с ELVSS, или быть заземлен, или любым другим контактным выводом низкого напряжения.
g
ref
DT
[0043] Как показано на фиг. 2, во втором периоде t2 времени (периоде времени считывания), первая линия G1 сканирования находится на низком уровне напряжения, и вторая линия G2 сканирования находится на высоком уровне напряжения. Линия SENSE считывания отсоединяется от контактного вывода опорного напряжения. Первый переключающий транзистор T1 находится в состоянии блокировки вследствие низкого уровня напряжения на G1 и второй переключающий транзистор T2 остается в состоянии проводимости вследствие высокого уровня напряжения на G2. В начале t2, напряжение затвор-источник транзистора возбуждения равняется V-V. Ток возбуждения i, который проходит через транзистор DT возбуждения, может представляться посредством
, (1)
th
DT
ref
DT
SENSE
DT
SENSE
g
DT
где V является пороговым напряжением транзистора DT возбуждения и k является коэффициентом, пропорциональным скорости подвижности носителей транзистора возбуждения. Во время второго периода t2 времени, конденсатор линии считывания заряжается посредством тока возбуждения i, что делает напряжение на линии считывания (то есть, напряжение на втором контактном выводе транзистора DT возбуждения) равным V+i×Δt/C. Предполагается, что изменение напряжения на линии считывания i×Δt/C является, по существу, более малым, чем напряжение данных V, так что изменение тока возбуждения i ограничено некоторым диапазоном, например, 0-20%. Затем, в конце t2, напряжение на линии считывания может быть приблизительно представлено посредством
, (2)
где t2 является временным промежутком второго периода времени.
SENSE
th
[0044] При предположении, что паразитная емкость C является известной, формула (2) выше может использоваться, чтобы определять смещения электрических параметров, такие как пороговое напряжение V и скорость подвижности носителей, транзистора DT возбуждения. Однако вследствие неравномерности обработки устройства отображения AMOLED, паразитная емкость, ассоциированная с каждой линией считывания, является разной и должна определяться индивидуально.
[0045] В одном варианте осуществления, паразитная емкость линии считывания сначала измеряется до смещения электрических параметров транзистора возбуждения в соответствующей субпиксельной схеме, соединенной с линией считывания. С другой стороны, измерение паразитной емкости на линии считывания не должно выполняться напрямую для получения значения емкости, вместо этого, может измеряться альтернативный электрический параметр, который отражает значение емкости. Например, может измеряться уровень напряжения на конденсаторе линии считывания.
[0046] Фиг. 3 является блок-схемой устройства калибровки в субпиксельной схеме согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения. Устройство калибровки обеспечивается, чтобы быть ассоциированным с вышеупомянутой субпиксельной схемой для обеспечения компенсации напряжения данных, чтобы, по меньшей мере, частично компенсировать смещения электрических параметров транзистора возбуждения в субпиксельной схеме. Как показано на фиг. 3, устройство 300 калибровки, ассоциированное с субпиксельной схемой, включает в себя схему 301 измерения емкости, схему 302 считывания заряда, и калибратор 303 параметров.
[0047] Схема 301 измерения емкости сконфигурирована с возможностью заряжать конденсатор линии считывания с использованием импульсного напряжения, обеспеченного источником импульсного напряжения, и выводить напряжение измерения емкости, ассоциированное с емкостью конденсатора линии считывания и импульсным напряжением.
[0048] Схема 302 считывания заряда сконфигурирована с возможностью считывать в текущее время заряженное напряжение на конденсаторе линии считывания при условии, что опорное напряжение данных подводится к соответствующей линии данных той же субпиксельной схемы. Необязательно, схема 302 считывания заряда может быть проводящим проводом, чтобы напрямую пропускать заряженное напряжение от конденсатора линии считывания к калибратору 303 параметров.
[0049] Калибратор 303 параметров сконфигурирован с возможностью вычислять электрические параметры транзистора возбуждения субпиксельной схемы на основе напряжения измерения емкости, импульсного напряжения, опорного напряжения данных, и зарядного напряжения, всех упомянутых выше. Электрические параметры транзистора возбуждения включают в себя пороговое напряжение и скорость подвижности носителей.
[0050] Фиг. 4A является блок-схемой схемы измерения емкости в устройстве калибровки согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 4A, схема 301 измерения емкости включает в себя источник импульсного напряжения, компаратор COMP напряжения, и схему обратной связи FB. Источник импульсного напряжения имеет первый контактный вывод, соединенный с землей, и второй контактный вывод для вывода импульсного напряжения Vin. Компаратор COMP напряжения имеет неинвертирующий входной контактный вывод, соединенный со вторым контактным выводом источника импульсного напряжения, и инвертирующий входной контактный вывод, соединенный с линией SENSE считывания. Схема обратной связи FB имеет первый контактный вывод, соединенный с выходным контактным выводом компаратора напряжения, и второй контактный вывод, соединенный с инвертирующим входным контактным выводом компаратора напряжения.
f
f
f
f
f
f
[0051] В одном конкретном варианте осуществления, как в схемной диаграмме, показанной на фиг. 4B, схема обратной связи FB включает в себя первый резистор R и первый конденсатор C, соединенные параллельно. Первый контактный вывод первого резистора R и первый контактный вывод первого конденсатора C, в общем, соединены с инвертирующим входным контактным выводом компаратора напряжения. Второй контактный вывод первого резистора R и второй контактный вывод второго конденсатора C, в общем, соединены с выходным контактным выводом компаратора напряжения.
f
f
[0052] Конфигурация схемного соединения, ассоциированного с первым резистором R, первым конденсатором C, и компаратором COMP напряжения, формирует высокочастотный фильтр для эффективного отфильтровывания шума низкой частоты.
SENSE
SENSE
[0053] Как показано на фиг. 4B, на схемной диаграмме никакой ток не проходит через инвертирующий входной контактный вывод и неинвертирующий входной контактный вывод. Таким образом, ток, проходящий через конденсатор C линии считывания, является таким же как ток, проходящий через схему обратной связи FB. Конденсатор C линии считывания заряжается до уровня напряжения, равного импульсному напряжению Vin. Отношение между импульсным напряжением Vin и выходным напряжением Vout компаратора напряжения может представляться посредством следующей формулы:
, (3)
(4)
SENSE
Где jωC является импедансом конденсатора линии считывания, ω=2πf, f является основной частотой импульсного напряжения Vin, и j является мнимой единицей.
[0054] Когда основная частота f импульсного напряжения Vin является достаточно высокой, например, выше, чем предварительно определенная пороговая частота, формула (4) может быть приблизительно перезаписана как:
(5)
Это упрощается как:
(6)
(7)
SENSE
f
[0055] Как видно в формуле (6), когда частота импульсного напряжения является более высокой, чем пороговая частота, разность между напряжением Vout измерения емкости, выведенным на выходном контактном выводе компаратора напряжения, и импульсным напряжением Vin является пропорциональной паразитной емкости C линии считывания, пропорциональной импульсному напряжению Vin, и обратно пропорциональной емкости C первого конденсатора.
SENSE
f
[0056] Как видно в формуле (7), когда частота импульсного напряжения является более высокой, чем пороговая частота, паразитная емкость C может вычисляться на основе значения емкости C первого конденсатора и отношения напряжения Vout измерения емкости на выходном контактном выводе компаратора напряжения и импульсного напряжения Vin.
SENSE
[0057] В некоторых вариантах осуществления, после определения емкости C линии считывания, электрические параметры (с соответствующими смещениями) транзистора DT возбуждения могут определяться с использованием следующего отношения, как показано на фиг. 1 и фиг. 2:
(8)
SENSE
S1
g1
S2
g2
[0058] В одном конкретном варианте осуществления, после определения значения емкости C линии считывания, схема 302 считывания заряда считывает первое зарядное напряжение V на линии SENSE считывания, когда к соответствующей линии DATA данных подводится первое опорное напряжение V данных. Дополнительно в другой период времени, схема 302 считывания заряда считывает второе зарядное напряжение V на линии SENSE считывания, когда к соответствующей линии DATA данных подводится второе опорное напряжение V данных.
g1
g1
ref
g1
ref
SENSE
S1
[0059] Конкретно, в варианте осуществления, как показано на фиг. 1 и фиг. 2, в первом периоде времени (первом периоде установки в исходное состояние), первая линия G1 сканирования находится на высоком уровне напряжения и вторая линия G2 сканирования также находится на высоком уровне напряжения. К линии DATA данных подводится V. Линия SENSE считывания соединена с контактным выводом опорного напряжения. Первый переключающий транзистор T1 в состоянии проводимости пропускает напряжение V данных к затвору транзистора DT возбуждения. Второй переключающий транзистор T2 в состоянии проводимости пропускает опорное напряжение V от линии SENSE считывания ко второму контактному выводу транзистора DT возбуждения. Таким образом, напряжение затвор-источник транзистора DT возбуждения равняется V-V. Во втором периоде времени (первом периоде считывания), первая линия G1 сканирования находится на низком уровне напряжения и вторая линия G2 сканирования находится на высоком уровне напряжения. Линия SENSE считывания отсоединяется от контактного вывода опорного напряжения. Первый переключающий транзистор T1 находится в состоянии блокировки и второй переключающий транзистор T2 находится в состоянии проводимости, так что паразитный конденсатор C линии считывания заряжается посредством напряжения, прошедшего от первого контактного вывода ELVDD источника питания и транзистора DT возбуждения. В третьем периоде времени (первом периоде считывания), первая линия G1 сканирования находится на низком уровне напряжения и вторая линия G2 сканирования также находится на низком уровне напряжения. Линия считывания остается отсоединенной от контактного вывода опорного напряжения. Схема 302 считывания заряда считывает в текущее время заряженное напряжение (то есть, зарядное напряжение на конденсаторе линии считывания) в качестве первого зарядного напряжения V.
g2
ref
g2
ref
g2
ref
SENSE
S2
[0060] Как показано на фиг. 1 и фиг. 2 снова, в четвертом периоде времени (втором периоде установки в исходное состояние, который является, по существу, тем же периодом t1, показанным на фиг. 2), первая линия G1 сканирования находится на высоком уровне напряжения и вторая линия G2 сканирования также находится на высоком уровне напряжения. Линии DATA данных дается напряжение V данных. Линия SENSE считывания соединена с контактным выводом опорного напряжения V. Первый переключающий транзистор T1 в состоянии проводимости обеспечивает возможность подведения напряжения V данных к затвору транзистора DT возбуждения. Второй переключающий транзистор T2 в состоянии проводимости обеспечивает возможность подведения опорного напряжения V ко второму контактному выводу транзистора DT возбуждения, делая напряжение затвор-источник транзистора DT равным V-V. В пятом периоде времени (втором периоде считывания), первая линия G1 сканирования находится на низком уровне напряжения и вторая линия G2 сканирования находится на высоком уровне напряжения. Линия SENSE считывания отсоединяется от контактного вывода опорного напряжения. Первый переключающий транзистор T1 находится в состоянии блокировки и второй переключающий транзистор T2 находится в состоянии проводимости. Конденсатор C линии считывания заряжается посредством напряжения, прошедшего от первого контактного вывода ELVDD напряжения источника питания и транзистора DT возбуждения. В шестом периоде времени (втором периоде считывания), как первая линия G1 сканирования, так и вторая линия G2 сканирования находятся на низком уровне напряжения. Линия SENSE считывания остается отсоединенной от контактного вывода опорного напряжения. Схема 302 считывания заряда считывает в текущее время заряженное напряжение (то есть, зарядное напряжение на конденсаторе линии считывания) в качестве первого зарядного напряжения V.
g1
S1
g2
S2
[0061] Соответственно, калибратор 303 параметров является способным вычислять электрические параметры транзистора DT возбуждения на основе напряжения Vout измерения емкости, импульсного напряжения Vin, первого опорного напряжения V данных, первого зарядного напряжения V, второго опорного напряжения V данных, второго зарядного напряжения V.
SENSE
g1
S1
g2
S2
[0062] Необязательно, калибратор 303 параметров определяет значение емкости конденсатора C линии считывания на основе напряжения измерения емкости, выведенного посредством схемы 301 измерения емкости, и импульсного напряжения Vin, принятого посредством схемы 301 измерения емкости. Затем, калибратор 303 параметров может вычислять электрические параметры транзистора DT возбуждения с использованием емкости конденсатора линии считывания, первого опорного напряжения V данных, первого зарядного напряжения V, второго опорного напряжения V данных, и второго зарядного напряжения V. Конкретно, получаются электрические параметры, такие как пороговое напряжение и скорость подвижности носителей транзистора DT возбуждения.
[0063] Необязательно, четвертый период времени, упомянутый выше, может устанавливаться прямо после третьего периода времени. Необязательно, между четвертым периодом времени и третьим периодом времени может быть, по меньшей мере, один из других периодов времени, упомянутых выше.
SENSE
S1
g1
S2
g1
[0064] В альтернативном варианте осуществления, после того, как напряжение Vout измерения емкости измеряется, или после того, как емкость C линии считывания определяется, схема 302 считывания заряда считывает первое зарядное напряжение V на линии SENSE считывания после периода времени считывания, равного t2, при условии, что к соответствующей линии DATA данных подводится первое опорное напряжение V данных. Дополнительно, схема 302 считывания заряда считывает второе зарядное напряжение V на линии SENSE считывания после периода времени считывания, равного (t2+t4), при условии, что к соответствующей линии DATA данных подведено первое опорное напряжение V данных.
g1
g1
ref
g1
ref
SENSE
S1
[0065] Конкретно, в варианте осуществления, как показано на фиг. 1 и фиг. 2, в первом периоде времени (первом периоде установки в исходное состояние), первая линия G1 сканирования находится на высоком уровне напряжения и вторая линия G2 сканирования также находится на высоком уровне напряжения. К линии DATA данных подводится V. Линия SENSE считывания соединена с контактным выводом опорного напряжения. Первый переключающий транзистор T1 в состоянии проводимости пропускает напряжение V данных к затвору транзистора DT возбуждения. Второй переключающий транзистор T2 в состоянии проводимости пропускает опорное напряжение V от линии SENSE считывания ко второму контактному выводу транзистора DT возбуждения. Таким образом, напряжение затвор-источник транзистора DT возбуждения равняется V-V. Во втором периоде времени (первом периоде считывания), первая линия G1 сканирования находится на низком уровне напряжения, и вторая линия G2 сканирования находится на высоком уровне напряжения. Линия SENSE считывания отсоединяется от контактного вывода опорного напряжения. Первый переключающий транзистор T1 находится в состоянии блокировки и второй переключающий транзистор T2 находится в состоянии проводимости, так что паразитный конденсатор C линии считывания заряжается посредством напряжения, прошедшего от первого контактного вывода ELVDD источника питания и транзистора DT возбуждения. В третьем периоде времени (первом периоде считывания), первая линия G1 сканирования находится на низком уровне напряжения и вторая линия G2 сканирования также находится на низком уровне напряжения. Линия считывания остается отсоединенной от контактного вывода опорного напряжения. Схема 302 считывания заряда считывает в текущее время заряженное напряжение (то есть, зарядное напряжение на конденсаторе линии считывания) в качестве первого зарядного напряжения V.
SENSE
S2
[0066] Как показано на фиг. 1 и фиг. 2 снова, в четвертом периоде времени (втором периоде считывания), первая линия G1 сканирования находится на низком уровне напряжения и вторая линия G2 сканирования находится на высоком уровне напряжения. Линия SENSE считывания отсоединяется от контактного вывода опорного напряжения. Первый переключающий транзистор T1 находится в состоянии блокировки и второй переключающий транзистор T2 находится в состоянии проводимости. Таким образом, конденсатор C линии считывания заряжается посредством напряжения, прошедшего от первого контактного вывода ELVDD источника питания и транзистора DT возбуждения. Например, четвертый период времени включает в себя временной промежуток, равный t4, который может быть равным или отличаться от временного промежутка t2, ассоциированного со вторым периодом времени (то есть, первым периодом считывания, упомянутым выше). В пятом периоде времени (втором периоде считывания), первая линия G1 сканирования находится на низком уровне напряжения, и вторая линия G2 сканирования находится на низком уровне напряжения. Линия SENSE считывания остается отсоединенной от контактного вывода опорного напряжения. Схема 302 считывания заряда считывает заряженное напряжение на конденсаторе считывания в качестве второго зарядного напряжения V.
SENSE
g1
S1
S2
[0067] Соответственно, калибратор 303 параметров является способным вычислять электрические параметры транзистора DT возбуждения на основе напряжения Vout измерения емкости (или емкости конденсатора C линии считывания), первого опорного напряжения V данных, временного промежутка t2 над вторым периодом времени, первого зарядного напряжения V, временного промежутка t4 над четвертым периодом времени, и второго зарядного напряжения V. Например, получаются пороговое напряжение и скорость подвижности носителей транзистора DT возбуждения.
[0068] Фиг. 5 является схематической диаграммой панели отображения AMOLED согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 5, панель отображения AMOLED включает в себя матрицу пикселей, имеющую M строк и N столбцов пикселей. Каждый пиксель включает в себя, по меньшей мере, один субпиксель. Каждая строка субпикселей совместно использует первую линию сканирования и вторую линию сканирования. Каждый столбец субпикселей совместно использует линию данных и линию считывания.
[0069] В качестве примера, при предположении, что каждый пиксель включает в себя три субпикселя, имеются n количеств схем возбуждения электрода истока для обеспечения напряжений данных для матрицы пикселей панели отображения AMOLED. Каждая схема возбуждения электрода истока включает в себя m линий данных и m линий считывания. Здесь 3N=m×n. m и n являются целыми числами, более большими, чем 1. В последующих разделах описания, выбирается только одна схема возбуждения электрода истока, то есть n=1, чтобы обеспечивать напряжения данных для матрицы пикселей панели отображения. Конечно, изобретение не ограничено этим выбором.
[0070] Фиг. 6A является схематической диаграммой возбуждения электрода истока согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 6A, схема возбуждения электрода истока включает в себя первый мультиплексор (MUX1) 601, второй мультиплексор (MUX2) 602, схему 603 измерения емкости, и калибратор 604 параметров.
[0071] Первый мультиплексор 601 имеет m избирательных входных портов, соответственно соединенных с m линиями считывания, и сконфигурирован с возможностью последовательно выбирать каждую линию считывания в матрице пикселей, как, например, S1, S2,..., Sm-1, и Sm.
[0072] Схема 603 измерения емкости соединена с выходным портом первого мультиплексора 601 и соединяет источник импульсного напряжения для использования импульсного напряжения, чтобы заряжать любую линию считывания, выбранную посредством первого мультиплексора 601, и выводить напряжение измерения емкости, ассоциированное с импульсным напряжением и значением емкости линии считывания, выбранной посредством выбора посредством первого мультиплексора 601. Схема 603 измерения емкости может быть, по существу, такой же как схема 301 измерения емкости, как показано на фиг. 3.
f
[0073] Для любой линии считывания, выбранной посредством первого мультиплексора 601, калибратор 604 параметров может определять значение емкости конденсатора линии считывания, ассоциированное с выбранной линией считывания, на основе напряжения измерения емкости и импульсного напряжения. В частности, как показано на фиг. 4B, калибратор 604 параметров может определять значение емкости конденсатора линии считывания на основе напряжения Vout измерения емкости на выбранной линии считывания, импульсного напряжения Vin, и конденсатора C обратной связи.
[0074] Второй мультиплексор (MUX2) 602 имеет m избирательных входных портов, соответственно соединенных с m линиями считывания. MUX2 сконфигурирован с возможностью последовательно выбирать каждую линию считывания из S1, S2,..., Sm-1, и Sm в матрице пикселей и выводить зарядное напряжение на выбранной линии считывания.
[0075] Калибратор 604 параметров также соединен с выходным портом мультиплексора MUX2. Для каждой линии считывания, выбранной мультиплексором MUX2, калибратор 604 параметров может вычислять электрические параметры транзистора возбуждения в текущее время выбранной субпиксельной схемы, ассоциированной с в текущее время выбранной линией считывания. Вычисление основывается на напряжении измерения емкости (или емкости линии считывания) выбранной линии считывания, опорном напряжении данных, подведенном к соответствующей линии данных (ассоциированной с той же выбранной субпиксельной схемой), и зарядном напряжении на выбранной линии считывания мультиплексором MUX2. Например, получаются электрические параметры, такие как пороговое напряжение и скорость подвижности носителей транзистора возбуждения.
[0076] Фиг. 6B является схематической диаграммой другой схемы возбуждения электрода истока согласно другому варианту осуществления настоящего изобретения. Схема возбуждения электрода истока также включает в себя третий мультиплексор (MUX3) 606, аналого-цифровой преобразователь (ADC) 607, модуль 608 компенсации напряжения данных, и генератор 609 напряжения данных. Два избирательных входа мультиплексора MUX3 606 соответственно соединены с выходом мультиплексора MUX2 602 и выходом схемы 603 измерения емкости. MUX3 606 сконфигурирован с возможностью выбирать либо зарядное напряжение, выведенное мультиплексором MUX2 602, чтобы управлять схемой возбуждения электрода истока для работы в режиме считывания заряда, либо напряжение измерения емкости, выведенное посредством схемы 603 измерения емкости, чтобы управлять схемой возбуждения электрода истока для работы в режиме измерения емкости. Два избирательных входа мультиплексора MUX3 606 соответственно соединены с выходом мультиплексора MUX2 602 и выходом схемы 603 измерения емкости. Во время режима измерения емкости, выход мультиплексора MUX3 606 выводит напряжение измерения емкости, выведенное посредством схемы 603 измерения емкости. Во время режима считывания заряда, выход мультиплексора MUX3 606 выводит зарядное напряжение, выведенное мультиплексором MUX2 602.
[0077] Аналого-цифровой преобразователь 607 имеет входной контактный вывод, соединенный с выходом мультиплексора MUX3, чтобы преобразовывать аналоговые сигналы, принятые на выходе мультиплексора MUX3 606, в цифровые сигналы. Конкретно, когда MUX3 606 выбирает напряжение измерения емкости из выхода схемы измерения емкости при схеме возбуждения электрода истока в режиме измерения емкости, аналого-цифровой преобразователь 607 принимает напряжение измерения емкости от MUX 606, которое выводится из схемы 603 измерения емкости, и преобразует это напряжение измерения емкости в сигнал в цифровом формате. Когда MUX3 606 выбирает зарядное напряжение из выхода второго мультиплексора при схеме возбуждения электрода истока в режиме считывания заряда, ADC 607 принимает зарядное напряжение от MUX 606, которое выводится из MUX2 602, и преобразует это зарядное напряжение в цифровой сигнал.
[0078] Для каждой субпиксельной схемы в матрице пикселей панели отображения AMOLED, модуль 608 компенсации напряжения данных сконфигурирован с возможностью вычислять напряжение данных компенсации, ассоциированное с субпиксельной схемой, на основе заданного напряжения данных на линии данных и релевантных электрических параметров соответствующего транзистора возбуждения субпиксельной схемы, определенных посредством калибратора 604 параметров. Калибратор 604 параметров и модуль 608 компенсации напряжения данных соответственно сконфигурированы с возможностью использования цифровых сигнальных процессоров. Таким образом, модуль 608 компенсации напряжения данных является способным выводить напряжение данных компенсации в качестве выходного сигнала в цифровом формате.
[0079] Как показано на фиг. 6B, генератор 609 напряжения данных имеет m выходных контактных выводов, соответственно соединенных с m линиями D1, D2,..., Dm-1, и Dm данных, чтобы выводить соответствующие напряжения данных. Для каждой субпиксельной схемы в матрице пикселей, генератор 609 напряжения данных сконфигурирован с возможностью генерировать напряжение данных компенсации на основе напряжения данных компенсации, вычисленного посредством модуля 608 компенсации напряжения данных, и дополнительно подводить напряжение данных компенсации к соответствующей линии данных, соединенной с субпиксельной схемой.
[0080] Далее, в качестве примера используется одиночная субпиксельная схема, чтобы описывать операции калибратора 604 параметров для управления форматом цифрового сигнала. ADC 607 преобразует входное аналоговое напряжение в n-битный цифровой сигнал. Конкретно, ADC 607 имеет базовое напряжение Vbase преобразования. Когда входное аналоговое напряжение равняется Vbase, n-бит цифрового сигнала, выведенного посредством ADC 607, все равняются 1. Для напряжения Vout измерения емкости, ADC 607 преобразует введенное напряжение Vout измерения емкости в n-битный цифровой сигнал Evc. Таким образом, отношение между напряжением Vout измерения емкости и цифровым сигналом Evc может представляться посредством следующей формулы:
(9)
Соответствующим образом, формула (7) может быть перезаписана как:
(10)
SENSE
SENSE
SENSE
С другой стороны, для зарядного напряжения V на конденсаторе линии считывания, ADC 607 преобразует введенное зарядное напряжение V в n-битный цифровой сигнал Evs. Таким образом, отношение между зарядным напряжением V и цифровым сигналом Evs может быть представлено посредством следующей формулы:
(11)
Комбинируя формулы (11) и (2),
(12)
ref
Для упрощения уравнения выше, опорное напряжение V предполагается равным 0, получается следующая формула:
(13)
Подставляя формулу (10) в формулу (13),
(14)
где , . Для конкретной схемы 603 измерения емкости, субпиксельной схемы, и ADC 607, k1 и k2 являются постоянными.
g1
SESNE1
g2
SESNE2
[0081] Как описано в более ранних разделах описания, при условии, что первое опорное напряжение V данных подводится к линии данных, схема 302 считывания заряда считывает первое зарядное напряжение V на соответствующей линии считывания. Аналогично, при другом условии, что первое опорное напряжение V данных подводится к линии данных, схема 302 считывания заряда считывает первое зарядное напряжение V на соответствующей линии считывания. Поэтому, можно вывести следующие уравнения:
(15)
Для каждой линии считывания в матрице пикселей, после того, как ADC 607 преобразует напряжение измерения емкости, сгенерированное посредством схемы 603 измерения емкости, в цифровой сигнал Evc, он может сохранять только цифровой сигнал Evc и не должен вычислять емкость, ассоциированную с линией считывания, на основе цифрового сигнала Evc. Дополнительно, для каждой субпиксельной схемы, после получения цифровых сигналов Evs1 и Evs2, соответственно соответствующих первому зарядному напряжению и второму зарядному напряжению, калибратор 604 параметров может напрямую вычислять релевантные электрические параметры соответствующего транзистора возбуждения субпиксельной схемы на основе цифрового сигнала Evc, ассоциированного с линией считывания, соответствующей субпиксельной схеме, и цифровых сигналов Evs1 и Evs2. Например, пороговое напряжение и скорость подвижности носителей транзистора возбуждения могут вычисляться с использованием вышеописанного способа.
[0082] Дополнительно, как показано на фиг. 6B, схема возбуждения электрода истока также включает в себя первую схему 605 выборки и хранения (S&H1), имеющую m каналов выборки и хранения. Каждый канал выборки и хранения имеет вход и выход. S&H1 605 имеет m входов, соответственно соединенных с m линиями S1, S2,..., Sm-1, и Sm считывания, и m выходов, соответственно соединенных с m избирательными входными портами второго мультиплексора MUX2.
[0083] В некоторых вариантах осуществления, калибратор 303 параметров на фиг. 3 может включать в себя аналого-цифровой преобразователь 607 и калибратор 604 параметров на фиг. 6B. В некоторых вариантах осуществления, схема 302 считывания заряда на фиг. 3 может включать в себя один канал схемы 605 выборки и хранения, один избирательный канал второго мультиплексора MUX2 602, и один избирательный канал третьего мультиплексора MUX3 606 на фиг. 6B.
[0084] Фиг. 7 является схематической диаграммой генератора напряжения данных согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 7, генератор 609 напряжения данных включает в себя цифроаналоговый преобразователь (DAC) 701, четвертый мультиплексор (MUX4) 702, и вторую схему 703 выборки и хранения (S&H2). Для каждой субпиксельной схемы в матрице пикселей, DAC 701 сконфигурирован с возможностью преобразовывать напряжение данных компенсации, выведенное из модуля 608 компенсации напряжения данных для субпиксельной схемы, из цифрового сигнала в аналоговый сигнал. Четвертый мультиплексор MUX4 702 имеет вход, соединенный с выходом DAC 701, и m избирательных выходных портов. MUX4 702 выбирает один из m выходных портов для вывода аналогового сигнала, принятого от DAC 701. Схема 703 S&H2 включает в себя m каналов выборки и хранения. Каждый канал выборки и хранения имеет вход и выход. m входов схемы 703 S&H2 соответственно соединены с m избирательными выходными портами мультиплексора MUX4 702. m выходов схемы 703 S&H2 соответственно соединены с m линиями данных матрицы пикселей.
[0085] Для каждого канала выборки и хранения схемы 702 S&H2, когда выбирается избирательный выходной порт мультиплексора MUX4 702, соединенный с входом канала выборки и хранения, вход канала выборки и хранения принимает напряжение данных компенсации в формате аналогового сигнала, выведенное из DAC 701, и выполняет обработку дискретизации, чтобы поддерживать его дискретизированное напряжение данных компенсации.
[0086] Фиг. 8 является схемной диаграммой канала выборки и хранения в схеме выборки и хранения согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 8, канал выборки и хранения включает в себя входной контактный вывод in, переключатель SW1 дискретизации, поддерживающий конденсатор C, выходной переключатель SW2, и выходной контактный вывод out. Фиг. 8 является только упрощенным примером канала выборки и хранения, хотя настоящее изобретение не ограничено этим.
[0087] Фиг. 9 является блок-схемой последовательности операций, показывающей способ для компенсации напряжения данных из схемы возбуждения электрода истока согласно одному варианту осуществления настоящего изобретения. В некоторых вариантах осуществления, способ осуществляется на основе схемы возбуждения электрода истока, как показано на фиг. 6A и фиг. 6B. Необязательно, в периоде измерения емкости, MUX3 606 (из фиг. 6B) выбирает выход из схемы измерения емкости, так как схема возбуждения электрода истока установлена в режим измерения емкости. MUX1 601 последовательно выбирает каждую линию считывания в матрице пикселей. Для каждой линии считывания, выбранной мультиплексором MUX1 601, схема 603 измерения емкости выводит напряжение измерения емкости, ассоциированное с емкостью линии считывания и импульсным напряжением, обеспеченным ее источником импульсного напряжения. Поэтому, в этом периоде, получается соответствующее напряжение измерения емкости, ассоциированное с соответствующей линией считывания в матрице пикселей. Конкретная операция может ссылаться на фиг. 4B, в которой каждая линия считывания отсоединена от контактного вывода опорного напряжения и второй переключающий транзистор в каждой субпиксельной схеме находится в состоянии блокировки.
[0088] Как показано на фиг. 9, в период считывания первого зарядного напряжения, каждая строка субпиксельных схем в матрице пикселей выбирается одна после другой. Для каждой в текущее время выбранной строки субпиксельных схем, в первом периоде времени, MUX3 606 не управляется, так что все линии считывания в матрице пикселей соединены с соответствующими контактными выводами опорного напряжения. Генератор 609 напряжения данных последовательно выводит первое опорное напряжение данных в каждую линию данных матрицы пикселей. Затем во втором периоде времени, MUX3 606 не управляется, так как каждая линия считывания отсоединена от соответствующих контактных выводов опорного напряжения. Соответственно, каждая линия считывания (с паразитным конденсатором) заряжается посредством соответствующей субпиксельной схемы внутри выбранной строки субпиксельных схем. Впоследствии в третьем периоде времени, MUX3 606 управляется, чтобы выбирать зарядное напряжение из выхода мультиплексора MUX2 602, так как схема возбуждения электрода истока установлена в режим считывания заряда. MUX2 602 последовательно выбирает каждую линию считывания в матрице пикселей таким образом, чтобы первое зарядное напряжение, соответствующее каждой субпиксельной схеме в текущее время выбранной строки субпиксельных схем, могло считываться. Конкретная операция второго периода времени может ссылаться на фиг. 2 выше. Необязательно, в периоде считывания первого зарядного напряжения, способ включает в себя последовательный выбор каждой строки субпиксельных схем в матрице пикселей, и выполнение операций, как упомянуто выше соответственно в первом периоде времени, втором периоде времени, и третьем периоде времени для каждой выбранной строки субпиксельных схем.
[0089] В одном примере, операция включает в себя, в первый период времени, установку первой линии G1 сканирования на высокий уровень напряжения, установку второй линии G2 сканирования на высокий уровень напряжения; во втором периоде времени, установку первой линии G1 сканирования на низкий уровень напряжения и второй линии G2 сканирования на высокий уровень напряжения; и в третьем периоде времени, установку как первой линии G1 сканирования, так и второй линии G2 сканирования на низкий уровень напряжения.
[0090] Как показано на фиг. 9, в периоде считывания второго зарядного напряжения, последовательно выбирается каждая строка субпиксельных схем в матрице пикселей. Для в текущее время выбранной строки субпиксельных схем, способ включает в себя выполнение операций в первом периоде времени, втором периоде времени, и третьих периодах времени, по существу, таких же как операции в периоде считывания первого зарядного напряжения, за исключением того, что осуществляются некоторые другие операции. Другая операция включает в себя, в первый период времени, вывод второго опорного напряжения данных посредством генератора 609 напряжения данных последовательно в каждую линию данных; и в третьем периоде времени, последовательное считывание второго зарядного напряжения, соответствующего каждой субпиксельной схеме в выбранной строке субпиксельных схем. Конкретные операции во время периода считывания второго зарядного напряжения могут ссылаться на фиг. 2.
[0091] Как показано на фиг. 9 снова, в период калибровки параметров, калибратор 604 параметров работает, чтобы вычислять электрические параметры транзистора возбуждения в каждой субпиксельной схеме (или выбранной строке) на основе напряжения измерения емкости для каждой соответствующей линии считывания, полученного в период измерения емкости, первого зарядного напряжения каждой субпиксельной схемы, полученного в периоде считывания первого зарядного напряжения, и второго зарядного напряжения каждой субпиксельной схемы, полученного в периоде считывания второго зарядного напряжения. Например, вычисляются пороговое напряжение и скорость подвижности носителей транзистора возбуждения. Конкретные операции в этом периоде могут ссылаться на фиг. 6B.
[0092] В некоторых вариантах осуществления, способ включает в себя исполнение всех операций в периоде измерения емкости, в периоде считывания первого зарядного напряжения, в периоде считывания второго зарядного напряжения, и в периоде калибровки параметров на регулярной основе на матрице пикселей устройства отображения AMOLED. Например, способ включает в себя исполнение операций один раз каждые полгода, или один раз каждый год, или каждый раз, когда устройство отображения AMOLED начинает свою работу.
[0093] В некоторых вариантах осуществления, способ включает в себя сохранение электрических параметров транзистора возбуждения для каждой субпиксельной схемы в матрице пикселей. В некоторых вариантах осуществления, период измерения емкости не находится обязательно перед периодом считывания первого зарядного напряжения и периодом считывания второго зарядного напряжения, но может находиться между периодом считывания первого зарядного напряжения и периодом считывания второго зарядного напряжения, или может быть после периода считывания первого зарядного напряжения и периода считывания второго зарядного напряжения.
[0094] Как показано на фиг. 9, в периоде компенсации напряжения данных, последовательно выбирается каждая строка субпиксельных схем в матрице пикселей. Для каждой субпиксельной схемы в выбранной строке субпиксельных схем, модуль 608 компенсации напряжения данных работает, чтобы вычислять напряжение данных компенсации субпиксельной схемы на основе заданного напряжения данных в субпиксельную схему и соответствующих электрических параметров субпиксельной схемы, полученных в периоде калибровки параметров. Дополнительно, напряжение данных компенсации в формате аналогового сигнала генерируется и выводится в соответствующую линию данных субпиксельной схемы. Конкретные операции, ассоциированные с периодом компенсации напряжения данных, могут ссылаться на фиг. 7.
[0095] На основе устройства калибровки, ассоциированного с каждой субпиксельной схемой, схемы возбуждения электрода истока, и способа компенсации напряжения данных, обеспеченных посредством настоящего изобретения, посредством измерения напряжения емкости линии считывания и считывания зарядного напряжения на конденсаторе линии считывания при условии, что опорное напряжение данных подводится к соответствующей линии данных, могут определяться релевантные электрические параметры и их смещения транзистора возбуждения каждой выбранной субпиксельной схемы. Дополнительно, напряжение данных, подведенное к линии данных, может регулироваться на основе таким образом определенных смещений электрических параметров транзистора возбуждения, чтобы осуществлять компенсацию неравномерности в яркости пикселей вследствие смещений электрических параметров среди разных субпиксельных схем.
[0096] Предшествующее описание вариантов осуществления изобретения было представлено в целях иллюстрации и описания. Не предполагается, что оно является исчерпывающим или ограничивает изобретение точной формой или раскрытыми иллюстративными вариантами осуществления. Соответственно, предшествующее описание должно рассматриваться как иллюстративное, нежели ограничительное. Очевидно, многие модификации и изменения должны быть ясны практикующим специалистам, квалифицированным в данной области техники. Варианты осуществления выбраны и описаны, чтобы описать принципы изобретения и практическое применение его наилучшего варианта осуществления, тем самым, обеспечить возможность специалистам в данной области техники понять изобретение для различных вариантов осуществления и с различными модификациями, как подходят для конкретного предполагаемого использования или реализации. Предполагается, что объем изобретения определяется посредством формулы изобретения, приложенной здесь, и ее эквивалентов, в которой все признаки предполагаются в их самом широком разумном смысле, если не указывается иное. Поэтому, признак "изобретение", "настоящее изобретение" или подобное не необходимо ограничивает объем формулы изобретения конкретным вариантом осуществления, и ссылка на иллюстративные варианты осуществления изобретения не имеет следствием ограничение на изобретение, и никакое такое ограничение не должно предполагаться. Изобретение ограничено только посредством сущности и объема приложенной формулы изобретения. Более того, формула изобретения может указывать на использование "первого", "второго", и т.д., за которыми следует существительное или элемент. Такие признаки должны пониматься как терминология и не должны толковаться как дающие ограничение на количество элементов, модифицированных посредством такой терминологии, если не задано конкретное количество. Любые описанные преимущества и выгоды могут не применяться ко всем вариантам осуществления изобретения. Следует принять во внимание, что изменения могут осуществляться в вариантах осуществления, описанных специалистами в данной области техники, без отхода от объема настоящего изобретения, как определено последующей формулой изобретения. Более того, никакой элемент и компонент в настоящем раскрытии не предназначен, чтобы быть переданным для публики, независимо от того, изложен ли элемент или компонент явным образом в последующей формуле изобретения.