АНТЕННА ДЛЯ АБЛЯЦИИ

1. Устройство для радиочастотной абляции (RFA), содержащее:
диэлектрический элемент;
первый проводник, расположенный внутри диэлектрического элемента; и
второй проводник, расположенный на внешней поверхности диэлектрического элемента, причем:
первый проводник выполнен с возможностью электрического соединения с одним из радиочастотного источника и заземления, и
второй проводник выполнен с возможностью электрического соединения с другим из радиочастотного источника и заземления.
2. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее зондовый элемент, причем диэлектрический элемент расположен внутри дистальной части зондового элемента.
3. Устройство по п. 2, дополнительно содержащее один или более датчиков, соединенных с зондовым элементом и выполненных с возможностью измерения по меньшей мере одного или более из температуры, проводимости и влажности вблизи одного или более датчиков.
4. Устройство по п. 2, дополнительно содержащее систему охлаждения, расположенную внутри зондового элемента, причем система охлаждения содержит одну или более охлаждающих трубок, причем одна или более трубок выполнены с возможностью удержания жидкости, протекающей по ним.
5. Устройство по п. 2, дополнительно содержащее систему охлаждения, расположенную внутри зондового элемента, причем система охлаждения содержит одну или более из тепловой трубки, трубки кондуктивной теплопередачи и системы возврата с заслонкой.
6. Устройство по п. 2, в котором диэлектрический элемент соединен с дистальным концом коаксиального кабеля, причем коаксиальный кабель расположен по меньшей мере частично внутри зондового элемента.
7. Устройство по п. 6, в котором диэлектрический элемент охватывает по меньшей мере часть дистального конца коаксиального кабеля.
8. Устройство по п. 1, в котором диэлектрический элемент имеет диэлектрическую постоянную между приблизительно 4 и приблизительно 30.
9. Устройство по п. 1, в котором первый проводник соединен с источником радиочастотной передачи.
10. Устройство по п. 1, в котором первый проводник соединен с заземлением.
11. Устройство по п. 1, в котором второй проводник расположен по спиральной схеме на внешней поверхности диэлектрического элемента.
12. Устройство по п. 1, в котором второй проводник расположен по фрактальной или псевдофрактальной схеме на внешней поверхности диэлектрического элемента.
13. Устройство по п. 1, в котором первый проводник расположен по спиральной схеме.
14. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее:
третий проводник, расположенный на внешней поверхности диэлектрического элемента, причем второй проводник электрически соединен с радиочастотным источником, и причем третий проводник электрически соединен с радиочастотным источником; и
контроллер для регулировки разности фаз между радиочастотными сигналами, передаваемыми на второй проводник и на третий проводник.
15. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее:
третий проводник, расположенный внутри диэлектрического элемента, причем первый проводник электрически соединен с радиочастотным источником, и причем третий проводник электрически соединен с радиочастотным источником; и
контроллер для регулировки разности фаз между радиочастотными сигналами, передаваемыми на первый проводник и на третий проводник.
16. Устройство по п. 1, в котором второй проводник электрически соединен с множеством проводящих частиц.
17. Устройство по п. 1, в котором первый проводник электрически соединен с множеством проводящих частиц, расположенным внутри диэлектрического элемента.
18. Устройство по п. 1, в котором первый проводник электрически соединен с множеством проводящих проводов различной длины, расположенных внутри диэлектрического элемента.
19. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее муфту, соединенную с коаксиальным кабелем с возможностью регулировки, причем муфта выполнена с возможностью вращательного регулирования вокруг продольной оси коаксиального кабеля и осевого регулирования вдоль продольной оси коаксиального кабеля.
20. Устройство по п. 19, в котором муфта дополнительно содержит диэлектрическую трубку, имеющую один или более проводников, расположенных на внешней поверхности диэлектрической трубки.
21. Устройство по п. 20, дополнительно содержащее зазор, расположенный между муфтой и внешней поверхностью второго проводника.
22. Устройство по п. 1, в котором радиочастотный источник выполнен с возможностью выдачи достаточной мощности на первый проводник или второй проводник, чтобы формировать достаточно тепла для абляции ткани вблизи первого проводника или второго проводника.
23. Устройство по п. 1, в котором радиочастотный источник выполнен с возможностью выдачи радиочастотной мощности с частотой в микроволновом диапазоне на первый проводник или второй проводник.
24. Способ изготовления антенны для радиочастотной абляции (RFA), причем способ содержит этапы, на которых:
обеспечивают внутренний проводник;
осаждают слой диэлектрического материала на наружную сторону центрального проводника, причем слой диэлектрического материала принимает трубчатую форму; и
осаждают внешний проводник на внешнюю поверхность слоя диэлектрического материала.
25. Способ по п. 24, в котором осаждение внешнего проводника содержит этапы, на которых:
осаждают слой проводящего материала на слой диэлектрического материала; и
удаляют одну или более частей слоя проводящего материала таким образом, что на диэлектрическом материале остается полоска проводящего материала, причем полоска проводящего материала имеет заданную схему.
26. Способ по п. 25, в котором заданная схема представляет собой одну из спиральной, фрактальной или псевдофрактальной схем.
27. Способ по п. 24, в котором обеспечение внутреннего проводника содержит этапы, на которых:
обеспечивают поддерживающий стержень;
осаждают слой проводящего материала на поддерживающий стержень; и
удаляют одну или более частей слоя проводящего материала таким образом, что полоска проводящего материала остается на поддерживающем стержне, причем полоска проводящего материала имеет заданную схему.
28. Способ по п. 24, дополнительно содержащий этапы, на которых:
соединяют внутренний проводник с одним из радиочастотного источника или заземления; и
соединяют внешний проводник с другим из радиочастотного источника и заземления.
29. Устройство для микроволновой абляции (MWA), содержащее:
зондовый элемент; и
микрополосковый антенный элемент, расположенный внутри зондового элемента, причем микрополосковый антенный элемент содержит:
диэлектрическую подложку, имеющую диэлектрическую постоянную между приблизительно 4 и приблизительно 30, причем подложка имеет первую по существу плоскую поверхность и вторую по существу плоскую поверхность, причем вторая поверхность расположена напротив первой поверхности;
первый проводник, расположенный на первой поверхности диэлектрической подложки; и
второй проводник, расположенный на второй поверхности диэлектрической подложки, причем второй проводник представляет собой микрополосковую дорожку; и
причем первый проводник выполнен с возможностью электрического соединения с одним из радиочастотного источника и заземления, и второй проводник выполнен с возможностью электрического соединения с другим из радиочастотного источника и заземления.
30. Антенна для MWA по п. 29, в которой один или более из первого проводника и второго проводника соединены с множеством проводящих частиц.
31. Устройство для радиочастотной абляции (RFA), содержащее:
зондовый элемент для RFA-абляции; и
спиральный дипольный антенный элемент, расположенный внутри зондового элемента, причем спиральный антенный элемент содержит:
первый проводник; и
второй проводник, причем каждый из первого проводника и второго проводника проходят по существу в параллельном направлении вдоль продольной оси спиральной дипольной антенны до центральной точки спиральной дипольной антенны, причем первый проводник спирально скручен вокруг продольной оси в дистальном направлении от центральной точки, и второй проводник спирально скручен вокруг продольной оси в проксимальном направлении от центральной точки.