СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ НЕЖЕЛАТЕЛЬНОЙ ЕМКОСТНОЙ СВЯЗИ В ТРАНЗИСТОРНОМ УСТРОЙСТВЕ

1. Транзисторное устройство, содержащее:
проводники истока и стока, соединенные полупроводниковым каналом,
проводник затвора, связанный емкостной связью с полупроводниковым каналом через диэлектрический затворный слой и содержащий по меньшей мере один участок, перекрывающийся по меньшей мере с участком по меньшей мере одного из указанных проводников истока и стока;
и дополнительно содержащее структурированный изолятор, введенный по меньшей мере между указанным участком одного из проводников истока и стока и по меньшей мере указанным одним перекрывающимся участком проводника затвора таким образом, чтобы обеспечить ослабление емкостной связи по меньшей мере между одним из проводников истока и стока и проводником затвора сильнее, чем любое ослабление емкостной связи между полупроводниковым каналом и проводником затвора.
2. Устройство по п. 1, в котором указанный структурированный изолятор введен по меньшей мере между одним из проводников истока и стока и диэлектрическим затвором.
3. Устройство по п. 2, в котором структурированный изолятор введен по меньшей мере между участком по меньшей мере одного из проводников истока и стока и полупроводниковым слоем, образующим указанный полупроводниковый канал.
4. Транзисторная матрица, содержащая множество транзисторных устройств, выполненных в соответствии с любым из п.п. 1-3, в которой проводники истока и стока для множества транзисторных устройств заданы структурированным проводящим слоем, полупроводниковые каналы для множества транзисторных устройств образованы полупроводящим слоем, диэлектрические затворы для множества транзисторных устройств образованы диэлектрическим затворным слоем, а проводники затвора для множества транзисторных устройств образованы другим структурированным проводящим слоем.
5. Устройство или матрица по любому из предыдущих пунктов, в котором (в которой) структурированный изолятор селективно размещен над одним или более участками по меньшей мере проводника истока, относительно удаленных от проводника стока.
6. Способ изготовления транзисторного устройства, включающий: нанесение проводящего слоя на подложку; нанесение слоя изолятора на первый проводящий слой; структурирование слоя изолятора с получением маски для структурирования первого проводящего слоя; структурирование первого проводящего слоя с использованием указанной маски для формирования проводников истока и стока; сохранение по меньшей мере части структурированного слоя изолятора на по меньшей мере части по меньшей мере одного проводника истока и стока; формирование на подложке полупроводящего слоя для образования полупроводникового канала, соединяющего проводники истока и стока; формирование диэлектрического затвора над полупроводящим слоем и структурированным слоем изолятора и формирование проводника затвора над диэлектрическим затвором для образования емкостной связи с полупроводниковым каналом.
7. Способ по п. 6, в котором структурирование слоя изолятора включает создание профиля по толщине слоя изолятора таким образом, что толщина слоя изолятора уменьшается в направлении по меньшей мере ближайших краев по меньшей мере одного из проводников истока и стока, а также удаление части поверхности структурированного слоя изолятора после структурирования проводящего слоя, чтобы открыть верхние поверхности краевых участков по меньшей мере одного из проводников истока и стока.
8. Способ по п. 6 или 7, включающий полное удаление структурированного слоя изолятора с одного или более участков проводников истока и стока в зоне, в которой они находятся на наименьшем расстоянии друг от друга, при сохранении структурированного слоя изолятора на одном или более участках по меньшей мере проводника истока относительно удаленных от проводника стока.