СЛОИСТАЯ ПОДЛОЖКА ИЗ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОЕДИНЕНИЯ, СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ

1. Слоистая подложка из полупроводникового соединения, содержащая:
две монокристаллические подложки из полупроводникового соединения, каждая из которых содержит A и B в качестве составляющих элементов, и обе имеют один и тот же состав и одно и то же расположение атомов, причем данные подложки непосредственно соединены вместе и наслоены,
при этом передняя поверхность и задняя поверхность слоистой подложки являются полярными гранями, образованными атомами одного и того же вида из A или B,
и поверхность раздела наслоения является однополярной антифазной границей, которая образована связями любых атомов из B и A друг с другом и обеспечивает когерентность в их кристаллических решетках.
2. Слоистая подложка из полупроводникового соединения по п. 1, которая выполнена из карбида кремния, нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида галлия, фосфида индия, нитрида алюминия или антимонида индия.
3. Слоистая подложка из полупроводникового соединения по п. 1 или 2, в которой каждая из наслоенных подложек из полупроводникового соединения имеет равномерную толщину.
4. Слоистая подложка из полупроводникового соединения по любому из пп. 1-3, в которой одна из упомянутых двух подложек из полупроводникового соединения является тонкой пленкой из полупроводникового соединения.
5. Слоистая подложка из полупроводникового соединения по п. 4, в которой одна из упомянутых двух подложек из полупроводникового соединения является эпитаксиально выращенной пленкой.
6. Способ изготовления слоистой подложки из полупроводникового соединения, включающий:
приготовление двух монокристаллических подложек из полупроводникового соединения, в каждой из которых одна основная поверхность является A–гранью, которая представляет собой полярную грань, образованную A-атомами, а другая основная поверхность является B–гранью, которая представляет собой полярную грань, образованную B-атомами, каждая из которых содержит A и B в качестве составляющих элементов, и обе из которых имеют один и тот же состав и одно и то же расположение атомов; и
наложение непосредственно вместе B-граней или A-граней упомянутых двух подложек из полупроводникового соединения в состоянии, когда конкретные кристаллические плоскости обеих подложек выровнены, и тем самым осуществление соединения двух подложек из полупроводникового соединения с получением слоистой подложки из полупроводникового соединения, в которой передняя поверхность и задняя поверхность слоистой подложки являются полярными гранями, образованными атомами одного и того же вида из A или B, а поверхность раздела наслоения является однополярной антифазной границей, которая образована связями любых атомов из B и A друг с другом и обеспечивает когерентность в их кристаллических решетках.
7. Способ изготовления слоистой подложки из полупроводникового соединения по п. 6, в котором в предписанном относительном положении между обеими подложками задают ориентационные плоскости или выемки, каждая из которых предусмотрена обеспечивающей возможность идентификации конкретной кристаллической плоскости подложки из полупроводникового соединения, и тем самым выравнивают конкретные кристаллические плоскости.
8. Способ изготовления слоистой подложки из полупроводникового соединения по п. 6 или 7, в котором поверхность одной подложки из полупроводникового соединения из упомянутых двух подложек из полупроводникового соединения, которая должна быть соединена с другой подложкой из полупроводникового соединения, заранее подвергают ионной имплантации, затем выполняют соединение, а после этого выполняют отслаивание в области ионной имплантации с образованием тонкого слоя из подложки из полупроводникового соединения.
9. Способ изготовления слоистой подложки из полупроводникового соединения по п. 6 или 7, в котором одна подложка из полупроводникового соединения из упомянутых двух подложек из полупроводникового соединения является подложкой из полупроводникового соединения, в которой на ее поверхности, подлежащей соединению с другой подложкой из полупроводникового соединения, заранее формируют гомоэпитаксиально выращиваемый слой из того же самого соединения, что и упомянутая одна подложка из полупроводникового соединения.
10. Способ изготовления слоистой подложки из полупроводникового соединения по п. 9, в котором между упомянутой одной подложкой из полупроводникового соединения и гомоэпитаксиально выращенным слоем предоставляют буферный слой, получаемый легированием того же самого соединения примесью.
11. Способ изготовления слоистой подложки из полупроводникового соединения по п. 9 или 10, в котором гомоэпитаксиально выращенный слой заранее подвергают ионной имплантации, затем выполняют соединение, а затем выполняют отслаивание в области ионной имплантации и часть гомоэпитаксиально выращенного слоя переносят в виде образования из тонкого слоя из подложки из полупроводникового соединения.
12. Способ изготовления слоистой подложки из полупроводникового соединения по любому из пп. 6-11, в котором упомянутые две подложки из полупроводникового соединения получают из одной и той же монокристаллической подложки из полупроводникового соединения.
13. Способ изготовления слоистой подложки из полупроводникового соединения по любому из пп. 6-12, в котором упомянутые две подложки из полупроводникового соединения одновременно подвергают поверхностной обработке при одних и тех же условиях обработки, и поверхностные состояния для соединяемых поверхностей обеих подложек выполняют эквивалентными.
14. Способ изготовления слоистой подложки из полупроводникового соединения по любому из пп. 6-13, в котором перед осуществлением соединения, обе соединяемые поверхности упомянутых двух подложек из полупроводникового соединения подвергают обработке активирования поверхности при одних и тех же условиях обработки.
15. Полупроводниковое устройство, использующее слоистую подложку из полупроводникового соединения по любому из пп. 1-5.