ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ДЛЯ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Полупроводниковое устройство, включающее в себя множество единичных ячеек, расположенных в ряд в одном направлении, и группу межсоединений, причем упомянутая группа межсоединений содержит:
первое межсоединение; и
второе межсоединение, имеющее модуль Юнга выше, чем модуль Юнга первого межсоединения, и расположенное вдоль концевого участка в упомянутом одном направлении упомянутого полупроводникового устройства.
2. Полупроводниковое устройство по п. 1,
в котором единичные ячейки расположены в ряд в упомянутом одном направлении с шагом d, и
в котором расстояние между одной из единичных ячеек, расположенной наиболее близко к концевому участку, и концевым участком составляет d/2 или менее.
3. Полупроводниковое устройство по п. 1,
в котором температура плавления второго межсоединения выше, чем температура плавления первого межсоединения.
4. Полупроводниковое устройство по п. 1,
в котором второе межсоединение электрически соединено с множеством единичных ячеек.
5. Полупроводниковое устройство по п. 4,
в котором основной материал первого межсоединения выбран из группы, состоящей из алюминия, меди, а также сплава алюминия и меди, и
в котором второе межсоединение соединено с множеством единичных ячеек через первое межсоединение.
6. Полупроводниковое устройство по п. 5,
в котором площадь поперечного сечения второго межсоединения больше, чем площадь поперечного сечения первого межсоединения.
7. Полупроводниковое устройство по п. 1,
в котором полупроводниковое устройство включает в себя множество первых межсоединений и множество вторых межсоедиений.
8. Полупроводниковое устройство по п. 7,
в котором площади поперечного сечения вторых межсоедиений отличаются друг от друга, и
в котором одно из вторых межсоедиений, которое проводит сигнал, имеющий, по меньшей мере, одно из: большей амплитуды и большой частоты, имеет площадь поперечного сечения больше, чем площадь поперечного сечения другого одного из других вторых межсоединений.
9. Полупроводниковое устройство по п. 7,
в котором вторые межсоединения расположены параллельно друг к другу вдоль концевого участка.
10. Полупроводниковое устройство по п. 1,
в котором второе межсоединение проводит к единичным ячейкам напряжение смещения или сигнал управления, используемый для осуществления управления работой единичных ячеек.
11. Полупроводниковое устройство по п. 1,
в котором основным материалом второго межсоединения является поликристаллический кремний или поликристаллический кремний со слоем силицида.
12. Полупроводниковое устройство по п. 1,
в котором упомянутое одно направление является перпендикулярным направлению вдоль концевого участка.
13. Полупроводниковое устройство по п. 1,
в котором межсоединение, имеющее площадь поперечного сечения больше, чем площадь поперечного сечения второго межсоединения, расположено в слое, отличном от слоя, включающего в себя второе межсоединение.
14. Полупроводниковое устройство по п. 1,
в котором каждая из единичных ячеек включает в себя элемент фотоэлектрического преобразования.
15. Блок датчика изображения, включающий в себя множество полупроводниковых устройств по п. 14,
в котором множество полупроводниковых устройств расположены в ряд в одном направлении.
16. Устройство считывания изображения, включающее в себя блок датчика изображения по п. 15.
17. Полупроводниковое устройство по любому из пп. 1-13,
в котором каждая из единичных ячеек включает в себя выпускное отверстие для выпуска жидких капель.
18. Записывающее устройство, включающее в себя множество полупроводниковых устройств по п. 17, которые расположены в ряд в одном направлении.
19. Способ для изготовления полупроводникового устройства, которое включает в себя множество единичных ячеек, которые расположены в ряд в одном направлении, и группу межсоединений, которая включает в себя первое межсоединение и второе межсоединение, имеющее модуль Юнга выше, чем модуль Юнга первого межсоединения, причем упомянутый способ содержит этапы, на которых:
формируют множество единичных ячеек и множество групп межсоединений на полупроводниковой подложке; и
осуществляют резку полупроводниковой подложки вдоль второго межсоединения на, по меньшей мере, одной стороне.
20. Способ для изготовления полупроводникового устройства по п. 19,
в котором резку полупроводниковой подложки осуществляют посредством лазерной резки или резки диском.