КОМПОНЕНТ ТРУБОПРОВОДНОЙ АРМАТУРЫ С КОРРОЗИОННО-СТОЙКИМ ПОКРЫТИЕМ ПОВЕРХНОСТЕЙ СКОЛЬЖЕНИЯ

1. Компонент трубопроводной арматуры, содержащий подложку (1), имеющую по меньшей мере одну поверхность (10) скольжения, предназначенную для скольжения по другой поверхности в процессе работы трубопроводной арматуры, причем по меньшей мере на часть поверхности (10) скольжения нанесено покрытие (2), включающее нижележащий слой (21), содержащий вольфрам, и вышележащий слой (22), нанесенный сверху на нижележащий слой (21) и содержащий алмазоподобный углерод (АПУ), отличающийся тем, что
нижележащий слой (21) содержит углерод и толщина слоя составляет по меньшей мере 11 мкм, а
вышележащий слой (22) имеет более низкий коэффициент трения по сравнению с нижележащим слоем (21) и его толщина составляет по меньшей мере 1,5 мкм.
2. Компонент трубопроводной арматуры по п. 1, в котором толщина нижележащего слоя (21) составляет по меньшей мере 12 мкм.
3. Компонент трубопроводной арматуры по п. 1, в котором толщина нижележащего слоя (21) находится в диапазоне от 20 мкм до 30 мкм.
4. Компонент трубопроводной арматуры по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что нижележащий слой (21) содержит WC, нанесенный путем распыления, с использованием технологии ФОПФ (химическое осаждение из паровой фазы), WC-мишеней в вакуумной камере, содержащей аргон и углеродсодержащий газ.
5. Компонент трубопроводной арматуры по п. 4, отличающийся тем, что углеродсодержащий газ представляет собой газообразный ацетилен.
6. Компонент трубопроводной арматуры по п. 1, отличающийся тем, что между покрытием (2) и поверхностью (10) скольжения нанесен Cr-слой в качестве адгезионного слоя (3), и нижележащий слой (21) включает:
- первый нижележащий слой (211), содержащий Сr и WC и сформированный как многослойная структура, включающая первый подслой, нанесенный на адгезионный Cr-слой (3), второй подслой, нанесенный на первый подслой, и третий подслой, нанесенный на второй подслой,
причем, если в первом нижележащем слое (211) рассматривать только содержание Сr и WC, то:
первый подслой представляет собой градиентный слой, в котором средняя концентрация Сr снижается, а средняя концентрация WC повышается по его толщине в направлении внешнего слоя, при этом исходная средняя концентрация Сr равна 100 атомн. %, а исходная средняя концентрация WC равна 0 атомн. %;
второй подслой содержит Сr и WC с постоянными средними концентрациями по его толщине; и
третий подслой представляет собой градиентный слой, в котором средняя концентрация Сr снижается, а средняя концентрация WC повышается по его толщине в направлении внешнего слоя, при этом конечная средняя концентрация Сr равна 0 атомн. %, а конечная средняя концентрация WC равна 100 атомн. %,
- второй нижележащий слой (212), нанесенный на первый нижележащий слой (211), содержащий WC+С или WC+С+Н;
- третий нижележащий слой (213), нанесенный на второй нижележащий слой (212) как градиентный слой, в котором средняя концентрация WC снижается по его толщине до конечной средней концентрации 0 атомн. %; и
- вышележащий АПУ-слой (22).
7. Способ изготовления компонента трубопроводной арматуры, содержащего подложку (1), имеющую по меньшей мере одну поверхность (10) скольжения, предназначенную для скольжения по другой поверхности в процессе работы трубопроводной арматуры, в котором по меньшей мере на часть поверхности (10) скольжения наносят покрытие (2), причем:
покрытие (2) включает нижележащий слой (21), содержащий вольфрам, и вышележащий слой (22), содержащий алмазоподобный углерод;
вышележащий слой (22) наносят сверху на нижележащий слой (21);
нижележащий слой (21) содержит углерод и толщина слоя составляет по меньшей мере 11 мкм, а вышележащий слой (22) имеет более низкий коэффициент трения по сравнению с нижележащим слоем (21) и его толщина составляет по меньшей мере 1,5 мкм.
8. Способ по п. 7. отличающийся тем, что для нанесения нижележащего слоя (21) используют технологию ФОПФ (физическое осаждение из паровой фазы), а для нанесения вышележащего слоя (22) используют технологию ПХОПФ (химическое осаждение из паровой фазы, поддерживаемое или усиливаемое плазмой) или ФОПФ, или электродугового испарения, или МРИВМ (магнетронное распыление импульсами высокой мощности).
9. Способ по п. 7 или 8, отличающийся тем, что между покрытием (2) и поверхностью (10) скольжения наносят Cr-слой в качестве адгезионного слоя (3) предпочтительно с использованием технологии ФОПФ.
10. Способ по п. 9, отличающийся тем, что нижележащий слой (21) включает:
- первый нижележащий слой (211), содержащий Сr и WC и сформированный как многослойная структура, включающая первый подслой, нанесенный на адгезионный Cr-слой (3), второй подслой, нанесенный на первый подслой, и третий подслой, нанесенный на второй подслой,
причем, если в первом нижележащем слое (211) рассматривать только содержание Сr и WC, то:
первый подслой представляет собой градиентный слой, в котором средняя концентрация Сr снижается, а средняя концентрация WC повышается по его толщине в направлении внешнего слоя, при этом исходная средняя концентрация Сr равна 100 атомн. %, а исходная средняя концентрация WC равна 0 атомн. %;
второй подслой содержит Сr и WC с постоянными средними концентрациями по его толщине; и
третий подслой представляет собой градиентный слой, в котором средняя концентрация Сr снижается, а средняя концентрация WC повышается по его толщине в направлении внешнего слоя, причем конечная средняя концентрация Сr равна 0 атомн. %, а конечная средняя концентрация WC равна 100 атомн. %;
- второй нижележащий слой (212), нанесенный на первый нижележащий слой (211), содержащий WC+С или WC+С+Н;
- третий нижележащий слой (213), нанесенный на второй нижележащий слой (212) в качестве градиентного слоя, в котором средняя концентрация WC снижается по его толщине до конечной средней концентрации 0 атомн. %; и
- вышележащий АПУ-слой (22),
причем для нанесения Сr-слоя Cr-мишени распыляют в среде аргона, после чего наносят первый подслой, для чего распыляют WC-мишени, непрерывно повышая мощность распыления, в то время как мощность распыления Сr-мишеней может поддерживаться на одном уровне,
для нанесения второго подслоя мощность распыления как Cr-мишеней, так и WC-мишеней, поддерживают на одном уровне, а для нанесения третьего подслоя мощность распыления Cr-мишеней непрерывно снижают до отсоединения этих мишеней, и мощность распыления WC-мишеней поддерживают на одном уровне или непрерывно повышают,
для нанесения второго нижележащего слоя (212) в напылительную камеру вводят углеродсодержащий газ, например газообразный ацетилен, и его расход поддерживают на постоянном уровне,
для нанесения третьего нижележащего слоя (213) мощность распыления WC-мишеней непрерывно снижают до отсоединения этих мишеней, в то время как расход подаваемого газообразного ацетилена повышают, а напряжение смещения повышают, пока не будут получены необходимые условия для нанесения вышележащего АПУ-слоя (22).