МОСТИКОВОЕ МЕЖСОЕДИНЕНИЕ ПОСРЕДСТВОМ СКВОЗНЫХ ОТВЕРСТИЙ ЧЕРЕЗ КРЕМНИЙ

1. Система мостиковых межсоединений интегральной схемы (ИС), содержащая:
первый кристалл, имеющий первую сторону и вторую сторону;
второй кристалл, имеющий первую сторону и вторую сторону, предоставленный в прилегающей конфигурации с первым кристаллом; и
мостиковый кристалл, имеющий первую сторону и вторую сторону, расположенный, по меньшей мере, частично, на первых сторонах первого кристалла и второго кристалла, причем мостиковый кристалл электрически соединяет первый кристалл и второй кристалл.
2. Система по п.1, в которой мостиковый кристалл содержит сквозные отверстия через кремний (TSV) мостикового кристалла от первой стороны мостикового кристалла к второй стороне мостикового кристалла, причем TSV мостикового кристалла заполнены металлизациями для соединения проводящих линий на первой стороне мостикового кристалла, чтобы обеспечить межсоединение.
3. Система по п.2, в которой мостиковый кристалл дополнительно содержит активные схемы на первой стороне.
4. Система по п.2, в которой одна или более контактных площадок на второй стороне мостикового кристалла соединяют одну или более контактных площадок на первых сторонах первого и второго кристаллов.
5. Система по п.2, в которой, по меньшей мере, один из первого и второго кристаллов содержит:
перевернутый кристалл, имеющий схемы, расположенные на второй стороне; и
TSV перевернутого кристалла от первой стороны перевернутого кристалла ко второй стороне перевернутого кристалла, причем TSV перевернутого кристалла заполнены металлизациями для соединения активных схем на второй стороне перевернутого кристалла с одной или более контактными площадками на первой стороне перевернутого кристалла.
6. Система по п.2, в которой, по меньшей мере, один из первого и второго кристаллов содержит схемы, расположенные на первой стороне кристалла.
7. Система по п.2, дополнительно содержащая:
одну или более контактных площадок на первом и втором кристаллах.
8. Система по п.7, в которой мостиковый кристалл дополнительно содержит:
одну или более контактных площадок на второй стороне мостикового кристалла, соответствующих TSV мостикового кристалла и противоположных и соответствующих одной или более контактным площадкам на первых сторонах первого и/или второго кристалла.
9. Система по п.8, дополнительно содержащая:
по меньшей мере, один дополнительный кристалл, уложенный в стопку на мостиковом кристалле, причем, по меньшей мере, один дополнительный кристалл дополнительно содержит пассивные схемы, активные схемы и/или схемы межсоединений.
10. Система по п.1, в которой мостиковой кристалл изготавливается с использованием технологического маршрута, который отличается от технологического маршрута, соответствующего первому и/или второму кристаллам.
11. Система сборки интегральной схемы, содержащая:
корпус для размещения полупроводниковых кристаллов;
подложку, расположенную в корпусе, для приема полупроводниковых кристаллов;
первый кристалл, имеющий первую сторону и вторую сторону, причем первый кристалл расположен на подложке с второй стороной, обращенной к подложке;
второй кристалл, имеющий первую сторону и вторую сторону, предоставленный в прилегающей конфигурации с первым кристаллом, причем второй кристалл расположен на подложке с второй стороной, обращенной к подложке; и
мостиковый кристалл, имеющий первую сторону и вторую сторону, причем мостиковый кристалл расположен, по меньшей мере, частично на первых сторонах первого кристалла и второго кристалла, при этом мостиковый кристалл соединяет первый кристалл и второй кристалл.
12. Система сборки по п.11, в которой мостиковый кристалл содержит сквозные отверстия через кремний (TSV) мостикового кристалла от первой стороны мостикового кристалла к второй стороне мостикового кристалла, причем TSV мостикового кристалла заполнены металлизациями для соединения проводящих линий на первой стороне мостикового кристалла, чтобы обеспечить межсоединение.
13. Система сборки по п.12, в которой мостиковый кристалл дополнительно содержит активные схемы на первой стороне.
14. Система сборки по п.12, в которой одна или более контактных площадок на второй стороне мостикового кристалла соединяют соответствующую одну или более контактных площадок на первых сторонах первого и второго кристаллов.
15. Система сборки по п.12, в которой, по меньшей мере, один из первого и второго кристаллов содержит:
перевернутый кристалл, имеющий схемы, расположенные на второй стороне, причем перевернутый кристалл соединен с подложкой с помощью шарикового соединения, соединения со столбиковым выводом из припоя либо проводящей пастой;
TSV перевернутого кристалла от первой стороны ко второй стороне перевернутого кристалла;
причем TSV перевернутого кристалла заполнены металлизациями для соединения проводящих линий на второй стороне с одной или более контактными площадками на первой стороне перевернутого кристалла.
16. Систем сборки по п.12, в которой, по меньшей мере, один из первого и второго кристаллов содержит схемы, расположенные на первой стороне кристалла.
17. Система сборки по п.12, в которой каждый из первого и второго кристаллов имеет одну или более контактных площадок.
18. Система сборки по п.17, в которой мостиковый кристалл дополнительно содержит:
одну или более контактных площадок на второй стороне мостикового кристалла, соответствующих TSV мостикового кристалла и противоположных и соответствующих одной или более контактным площадкам на первых сторонах первого и/или второго кристаллов.
19. Система сборки по п.18, дополнительно содержащая:
по меньшей мере, один дополнительный кристалл, уложенный в стопку на мостиковый кристалл, причем, по меньшей мере, один дополнительный кристалл дополнительно содержит пассивные схемы, активные схемы и/или схемы межсоединений.
20. Система сборки по п.11, в которой мостиковый кристалл изготавливается с использованием технологического процесса, который отличается от технологического процесса, соответствующего первому и/или второму кристаллам.