ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР НА ОСНОВЕ СУЛЬФИДА САМАРИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО АТОМАМИ СЕМЕЙСТВА ЛАНТАНОИДОВ, И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)

1+x
y
1. Термоэлектрический генератор, включающий по крайней мере один слой полупроводникового материала SmLnS на основе сульфида самария, легированного атомами Ln семейства лантаноидов и токовые контакты, отличающийся тем, что упомянутый слой расположен между токовыми контактами.
2. Термоэлектрический генератор по п.1, отличающийся тем, что в качестве атомов Ln используется гадолиний Gd или церий Се, причем концентрации атомов удовлетворяют соотношениям у≤0,15, x≤0,2.
3. Термоэлектрический генератор по п.1, отличающийся тем, что в качестве атомов Ln, относящихся к семейству лантаноидов, используется европий Eu или иттербий Yb, причем концентрации атомов удовлетворяют соотношениям y≤0,2, x≤0,2.
1+x
y
4. Термоэлектрический генератор по п.1, отличающийся тем, что включает по крайней мере один слой полупроводникового материала SmLnS, в пределах которого величина хотя бы одной из концентраций "x" и "у" монотонно возрастает в направлении от первого токового контакта ко второму токовому контакту.
1+x
y
5. Термоэлектрический генератор по п.1, отличающийся тем, что включает по крайней мере два последовательно расположенных слоя полупроводникового материала SmLnS, причем величина хотя бы одной из концентраций "x" и "у" монотонно возрастает от слоя к слою в направлении от первого токового контакта ко второму токовому контакту, тогда как в пределах каждого из упомянутых слоев как концентрация "x", так и концентрация "y" приблизительно постоянны.
6. Способ изготовления термоэлектрического генератора, включающий выкалывание из монокристаллического слитка сульфида самария SmS плоскопараллельной пластины; нанесение на верхнюю поверхность пластины раствора, содержащего избыточные атомы самария и атомы, относящиеся к семейству лантаноидов; диффузию упомянутых атомов вглубь пластины с помощью высокотемпературного отжига в вакууме, отличающегося тем, что после проведения отжига величина концентрации хотя бы одной из разновидностей упомянутых атомов вблизи верхней поверхности пластины отличается от величины концентрации упомянутых атомов вблизи нижней поверхности пластины; нанесение металлических токовых контактов к верхней и нижней поверхностям пластины.
7. Способ изготовления термоэлектрического генератора по п.6, отличающийся тем, что в качестве атомов, относящихся к семейству лантаноидов, используются атомы гадолиния Gd, концентрация которых не превосходит 0.15, либо атомы церия Се, концентрация которых не превосходит 0.15, либо атомы европия Eu, концентрация которых не превосходит 0.2, либо атомы иттербия Yb, концентрация которых не превосходит 0.2; при этом концентрация избыточных атомов самария Sm не превосходит 0.2.
1+x
y
8. Способ изготовления термоэлектрического генератора, включающий синтез слоев материалов с составом SmLnS, где Ln обозначает атомы, относящиеся к семейству лантаноидов за исключением самария Sm, путем смешивания порошков SmS, Sm и Ln в необходимой пропорции; брикетирование смеси и проведение отжига смеси; соединение в стопу по крайней мере двух упомянутых слоев таким образом, что хотя бы одна из концентраций "x" и "y" монотонно изменяется от слоя к слою; спекание стопы в вакууме или атмосфере инертного газа; нанесение металлических токовых контактов к двум противоположным поверхностям стопы, расположенным в направлении изменения упомянутой концентрации атомов.
9. Способ изготовления термоэлектрического генератора по п.8, отличающийся тем, что в качестве атомов, относящихся к семейству лантаноидов, используются атомы гадолиния Gd, концентрация которых не превосходит 0.15, либо атомы церия Се, концентрация которых не превосходит 0.15, либо атомы европия Eu, концентрация которых не превосходит 0.2, либо атомы иттербия Yb, концентрация которых не превосходит 0.2; при этом концентрация избыточных атомов самария Sm не превосходит 0.2.
1+x
y
10. Способ изготовления термоэлектрического генератора, включающий нанесение на подложку с металлической поверхностью, являющейся одновременно первым токовым контактом, методом взрывного испарения в вакууме последовательности из, по крайней мере, двух располагающихся друг за другом поликристаллических слоев полупроводникового материала SmLnS, где Ln обозначает атомы, относящиеся к семейству лантаноидов за исключением самария Sm, причем хотя бы одна из концентраций "x" и "у" монотонно изменяется от слоя к слою; присоединения к последнему из упомянутых слоев второго металлического токового контакта, отличающийся тем, что в качестве исходного материала для нанесения упомянутых слоев используют порошки сульфида самария SmS, самария Sm и Ln, смешанные в необходимой пропорции.
11. Способ изготовления термоэлектрического генератора по п.10, отличающийся тем, что в качестве атомов, относящихся к семейству лантаноидов, используются атомы гадолиния Gd, концентрация которых не превосходит 0.15, либо атомы церия Се, концентрация которых не превосходит 0.15, либо атомы европия Eu, концентрация которых не превосходит 0.2, либо атомы иттербия Yb, концентрация которых не превосходит 0.2; при этом концентрация избыточных атомов самария Sm не превосходит 0.2.