Способ изготовления полупроводникового прибора

-5
0
Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы фотолитографии и осаждения полупроводникового слоя, отличающийся тем, что полупроводниковый слой формируют на основе германия, толщиной 0,2-0,3 мкм, при давлении (1,3-2,7)10 Па, со скоростью осаждения 30 А/с, с последующим воздействием электронного луча с энергией электронов 25 кэВ и проведением термообработки при температуре 300-400°С в течение 15-30 с.