Способ изготовления полупроводникового прибора
METHOD FOR MAKING SEMICONDUCTOR DEVICE

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженным сопротивлением затвора.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. №5302846, США, МКИ HO1L 29/46] с пониженным сопротивлением затвора, путем формирования структуры полевого транзистора в диффузионном кармане, ограниченном участками полевого окисла. Электрод затвора с боковой пристеночной изоляцией заглублен внутрь кармана, области стока/истока располагаются вблизи поверхности кармана, при этом канал вытянут вдоль одной из боковых поверхностей электрода затвора. В таких полупроводниковых структурах из-за нетехнологичности процесса создания диффузионного кармана образуется большое количество дефектов, которые ухудшают параметры приборов.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. №5296386 США, МКИ HOIL 21/265] с пониженным сопротивлением областей стока и истока путем создания промежуточного контактного слоя кремния, обогащенного германием. Этот слой формируют имплантацией германия или эпитаксиальным выращиванием твердого раствора кремний-германий.
Недостатками способа являются: высокие значения сопротивления затвора; повышенные значения токов утечек; низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением: снижение сопротивления затвора, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
2
2
Задача решается путем формирования поверх слоя подзатворного диэлектрика SiO окиси олова SnO толщиной 70 нм со скоростью осаждения окиси олова 20 нм/мин, при температуре подложки 400-450°С, расходе кислорода 0,2 л/мин, гелия - 0,8 л/мин.
2
2
4
Технология способа состоит в следующем: после формирования подзатворного диэлектрика SiO, поверх этого слоя осаждают окись олова SnO разложением SnCl в присутствии кислорода, с использованием газа носителя - гелия, при расходе кислорода 0,2 л/мин, гелия - 0,8 л/мин, при температуре подложки 400-450°С и скорости осаждения окиси олова 20 нм/мин, толщиной 70 нм, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 25 минут. Затем формировали n-канальные полевые транзисторы и электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых приборов, на партии пластин сформированных в оптимальном режиме увеличился на 19,6%.
Технический результат: снижение сопротивления затвора, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличения процента выхода годных.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
2
2
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формирования поверх слоя подзатворного диэлектрика SiO окиси олова SnO толщиной 70 нм со скоростью осаждения окиси олова 20 нм/мин, при температуре подложки 400-450°С, расходе кислорода 0,2 л/мин, гелия - 0,8 л/мин, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность.