СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ
METHOD OF DIELECTRIC FILM FORMATION

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам формирования диэлектрических пленок, в частности, на основе окиси титана.
Известны способы защиты поверхности полупроводниковых кристаллов, сущность которых состоит в том, что поверхность р-n-переходов защищают различными диэлектрическими пленками на основе окислов металлов: циркония, титана, бериллия и др. [1].
Основным недостатком этих способов является высокая температура. Целью изобретения является формирование на поверхности подложки диэлектрической пленки окиси титана при низких температурах.
Поставленная цель достигается тем, что на поверхности подложки формируют диэлектрический слой пленки на основе окиси титана.
Сущность способа заключается в том, что формирование диэлектрической пленки окиси титана осуществляется на поверхности подложек вакуумным катодным распылением. Затем источник окиси титана загружают в кварцевую трубу, несущим агентом служит галоген НВr. Создание диэлектрической пленки проводится в печи при температуре 800°С, а температура подложки 500°С. Расстояние между источником окиси титана и подложкой 9 см.
Предлагаемый способ отличается от прототипа тем, что формирование диэлектрической пленки на поверхности р-n-переходов проводят с помощью порошка окиси титана. Затем через рабочую камеру пропускают инертный газ и устанавливают перепад температур между источником окиси титана и полупроводниковой подложкой, при увеличении разницы температур скорость реакции повышается.
Контроль толщины диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина диэлектрической пленки окиси титана δ=0,7±0,1 мкм.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1. Формирование диэлектрической пленки на поверхности подложек осуществляется вакуумным катодным распылением. Создание диэлектрической пленки проводится в печи при температуре рабочей зоны - 1000°С, температура полупроводниковой подложки 500°С. Затем источник окиси титана в виде порошка загружают в кварцевую трубу, несущим агентом служит галоген НВr. Расстояние между источником окиси титана и подложкой 5 см. По окончании процесса кварцевую лодочку с порошком окиси титана медленно выдвигают из печи.
Контроль толщины диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4. Толщина диэлектрической пленки окиси титана δ=0,9±0,1 мкм.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения диэлектрической пленки - 900°С.
Температура полупроводниковой подложки 500°С. Расстояние между источником окиси титана и подложкой 5 см.
Контроль толщины диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина диэлектрической пленки δ=0,8±0,1 мкм.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения диэлектрической пленки - 800°С.
Температура полупроводниковой подложки 600°С. Расстояние между источником окиси титана и подложкой 7 см.
Контроль толщины диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина диэлектрической пленки δ=0,7±0,1 мкм.
ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при температуре нанесения диэлектрической пленки - 800°С.
Температура полупроводниковой подложки 500°С. Расстояние между источником окиси титана и кристаллом 9 см.
Контроль толщины диэлектрической пленки осуществляется с помощью микроскопа МИИ-4.
Толщина диэлектрической пленки δ=0,7±0,1 мкм.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет получить диэлектрическую пленку для защиты поверхности р-n-переходов на основе порошка окиси титана, где через рабочую камеру пропускают инертный газ и устанавливают перепад температур между источником окиси титана и полупроводниковой подложкой.
Литература
1. А.И. Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: Высшая школа. 1980. 327 с.