УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ, ИСПОЛЬЗУЮЩЕЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО
DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Настоящее раскрытие относится к устройству отображения и, более конкретно, к устройству отображения, использующему полупроводниковое светоизлучающее устройство.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
В последние годы устройства отображения, имеющие превосходные характеристики, такие как низкий профиль, гибкость и подобное, была разработаны в области техники воспроизведения отображения. И наоборот, промышленно выпускаемые в настоящее время основные устройства отображения представлены жидкокристаллическими дисплеями (LCD) и активными матрицами на органических светоизлучающих диодах (AMOLED).
Однако, существуют проблемы, такие как не такое быстрое время отклика, трудная реализация гибкости в случае LCD-дисплеев, и существуют недостатки, такие как короткий срок службы, не такой хороший выход годных, а также малая гибкость в случае AMOLED-дисплеев.
С другой стороны, светодиоды (СИД, LED) являются известными светоизлучающими устройствами для преобразования электрического тока в световое излучение и использовавшимися в качестве источника света для воспроизведения изображения в электронном устройстве, включая информационно-коммуникационные устройства, поскольку светодиоды красного свечения, использующие составные полупроводники на GaAsP, стали коммерчески доступными в 1962 вместе со светодиодами на основе GaP:N зеленого свечения. Соответственно, полупроводниковые светоизлучающие устройства могут использоваться для реализации гибкого дисплея, тем самым представляя схему для решения проблем.
Кроме того, вдобавок, может быть возможным придумать структуру соединительных линий, подходящую для гибкого дисплея, использующего полупроводниковые светоизлучающие устройства.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ТЕХНИЧЕСКАЯ ЗАДАЧА ИЗОБРЕТЕНИЯ
Объект настоящего раскрытия состоит в том, чтобы обеспечить новый тип устройства отображения с наличием гибкости, который отличается от родственных в области техники.
Другой объект настоящего раскрытия состоит в том, чтобы обеспечить устройство отображения, способное упростить процесс формирования разделительной перегородки между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами, содержащимися в нем.
РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Чтобы решить вышеуказанные задачи, аспект настоящего раскрытия обеспечивает устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство.
Такое устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, может включать в себя первую подложку, содержащую электродную часть, проводящий адгезионный слой, расположенный на первой подложке, и множество полупроводниковых светоизлучающих устройств, по меньшей мере, часть которых утоплены в верхней области проводящего адгезионного слоя, чтобы составить отдельные пиксели с электрическим соединением с электродной частью.
Кроме того, проводящий адгезионный слой может содержать непрозрачную смолу, чтобы блокировать прохождение света между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами.
Непрозрачная смола может включать в себя черную или белую смолу. Кроме того, проводящий адгезионный слой может быть окрашенным.
Чтобы решить вышеуказанные задачи, другой аспект настоящего раскрытия обеспечивает способ изготовления устройства отображения, использующего полупроводниковое светоизлучающее устройство.
Такой способ изготовления устройства отображения может включать в себя приклеивание анизотропной проводящей пленки, содержащей непрозрачную смолу, к первой подложке, содержащей электродную часть, обеспечение возможности второй подложке, расположенной с множеством полупроводниковых светоизлучающих устройств, соответствующих расположению электродной части и составляющих отдельные пиксели, размещаться таким образом, что электродная часть обращена к полупроводниковому светоизлучающему устройству, прессование термически первой подложки ко второй подложке, чтобы утопить, по меньшей мере, часть полупроводниковых светоизлучающих устройств в верхней области анизотропной проводящей пленки, и удаление второй подложки.
Согласно настоящему раскрытию, при наличии вышеуказанной конфигурации можно присоединить полупроводниковые светоизлучающие устройства с проводящим адгезионным слоем, чтобы сформировать разделительную перегородку между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами. Другими словами, согласно настоящему раскрытию, проводящий адгезионный слой может образовывать разделительную перегородку между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами, посредством этого сокращая процесс формирования разделительной перегородки отдельно. Благодаря этому, согласно настоящему раскрытию, затраты на обработку разделительной перегородки и технологическое оборудование, требуемые для технологического процесса выполнения разделительной перегородки, могут быть ненужными, посредством этого упрощая процесс изготовления устройства отображения и повышая ценовую конкурентоспособность.
Технические эффекты настоящего раскрытия могут не обязательно ограничиваться предшествующим описанием, и другие, не описанные выше технические эффекты такового специалисты в данной области техники ясно поймут из последующего описания.
ПОЛЕЗНЫЕ ЭФФЕКТЫ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Согласно вариантам осуществления настоящего изобретения, раскрытого в настоящем описании и чертежах, конкретный пример представлен только для помощи в понимании настоящего раскрытия, но не предназначен для ограничения объема настоящего раскрытия. Кроме того, специалистам в этой области техники будет очевидно, что различные модификации на основе технической идеи настоящего раскрытия могут быть выполнены для него в дополнение к вариантам осуществления, раскрытым в документе.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Фиг. 1 – концептуальное представление, иллюстрирующее устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно варианту осуществления настоящего раскрытия;
Фиг. 2 - частичное увеличенное изображение участка "A" на Фиг. 1, и Фиг. 3A и 3B - виды в разрезе, выполненном по линиям B-B и C-C на Фиг. 2;
Фиг. 4 - концептуальное представление, иллюстрирующее полупроводниковое светоизлучающее устройство типа «перевернутый кристалл» на Фиг. 3A;
Фиг. 5A - 5C концептуальные представления, иллюстрирующие различные формы для реализации цветов в связи с полупроводниковым светоизлучающим устройством типа «перевернутый кристалл»;
Фиг. 6 - виды в разрезе, иллюстрирующие способ изготовления устройства отображения, использующего полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно настоящему раскрытию;
Фиг. 7 - вид в перспективе, иллюстрирующий устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно другому варианту осуществления настоящего раскрытия;
Фиг. 8 - вид в разрезе, выполненном по линии C-C на Фиг. 7;
Фиг. 9 - концептуальное представление, иллюстрирующее полупроводниковое светоизлучающее устройство вертикального типа на Фиг. 8;
Фиг. 10 – схематичный вид, иллюстрирующий устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно варианту осуществления настоящего раскрытия;
Фиг. 11 - вид в разрезе, выполненном по секущей линии A-A на Фиг. 10;
Фиг. 12 - частичный схематичный вид, иллюстрирующий проводящий адгезионный слой;
Фиг. 13 - вид в разрезе, иллюстрирующий пример полупроводникового светоизлучающего устройства, используемого в устройстве отображения;
Фиг. 14-17 - виды в разрезе, иллюстрирующие способ изготовления устройства отображения, использующего полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно варианту осуществления настоящего раскрытия;
Фиг. 18 - схематичный вид, иллюстрирующий устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно другому варианту осуществления настоящего раскрытия;
Фиг. 19 - вид в разрезе, выполненном по секущей линии A-A на Фиг. 18;
Фиг. 20 - схематичный вид, иллюстрирующий устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно еще одному другому варианту осуществления настоящего раскрытия;
Фиг. 21 - вид в разрезе, выполненном по секущей линии A-A на Фиг. 20; и
Фиг. 22 - вид в разрезе, иллюстрирующий пример полупроводникового светоизлучающего устройства, используемого в устройстве отображения.
ВАРИАНТ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
В дальнейшем варианты осуществления, раскрытые в документе, будут описаны подробно со ссылкой на сопроводительные чертежи, и одинаковые или подобные элементы обозначаются одинаковыми ссылочными позициями независимо от ссылочных позиций на чертежах, и их дублирующее описание будет опускаться. Термин "модуль" или "блок", используемый для составляющих элементов, раскрытых в последующем описании, предназначен просто для легкого изложения описания изобретения, и сам термин не задает какого-либо особого смысла или функции. В описании вариантов осуществления, раскрытых в документе, кроме того, подробное описание будет опускаться, когда конкретное описание для общеизвестных технологий, к которым относится изобретение, будет считаться затеняющим суть настоящего изобретения. Кроме того, нужно отметить, что сопроводительные чертежи проиллюстрированы просто для легкого пояснения идеи изобретения, и, следовательно, их не следует истолковывать, чтобы ограничить технологическую идею, раскрытую в документе, сопроводительными чертежами.
Кроме того, будет подразумеваться, что когда элемент, такой как слой, область или подложка, упоминается находящимся "на" другом элементе, он может непосредственно находиться на другом элементе, или промежуточный элемент также может быть помещен между ними.
Устройство отображения, раскрытое в документе, может включать в себя портативный телефон, смартфон, переносной компьютер, цифровой вещательный терминал, персональный цифровой ассистент (PDA), портативный проигрыватель мультимедиа (PMP), навигатор, компактный планшетный компьютер (Slate PC), планшетный ПК (PC), ультрабук, цифровой телевизор, настольный компьютер и подобное. Однако специалисты в данной области техники легко поймут, что конфигурация, раскрытая в документе, может быть применимой к любому допускающему воспроизведение устройству даже при том, что оно представляет новый тип продукта, который будет разработан впоследствии.
Фиг. 1 является концептуальным представлением, иллюстрирующим устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно варианту осуществления настоящего раскрытия.
Согласно чертежу, информация, обработанная в контроллере устройства 100 отображения, может быть отображена с использованием гибкого дисплея.
Гибкий дисплей может включать в себя гибкий, сгибаемый, скручиваемый, складной и надежный дисплей. Например, гибкий дисплей может быть дисплеем, изготовленным на тонкой и гибкой подложке, которая может быть деформирована, согнута, свернута или скручена подобно листу бумаги, поддерживая при этом характеристики отображения для дисплея с плоским экраном в предшествующем уровне техники.
Область отображения гибкого дисплея становится плоскостью в конфигурации, в которой гибкий дисплей не деформирован (например, конфигурация с бесконечным радиусом кривизны, в дальнейшем называемая "первая конфигурация"). Область отображения такового становится искривленной поверхностью в конфигурации, в которой гибкий дисплей в первой конфигурации деформируют внешней силой (например, конфигурация с конечным радиусом кривизны, в дальнейшем называемая "вторая конфигурация"). Как проиллюстрировано на чертеже, информация, отображаемая во второй конфигурации, может быть визуальной информацией, отображенной на криволинейной поверхности. Визуальная информация может быть реализована путем индивидуального управления световым излучением подпикселей, расположенных в форме матрицы. Подпиксель обозначает минимальную единицу для реализации одного цвета.
Подпиксель гибкого дисплея может быть реализован посредством полупроводникового светоизлучающего устройства. Согласно настоящему раскрытию, светодиод (LED) иллюстрируется в качестве типа полупроводникового светоизлучающего устройства. Светодиод может быть сформирован имеющим малый размер, чтобы благодаря этому исполнять роль подпикселя даже во второй конфигурации.
В дальнейшем, гибкий дисплей, реализованный с использованием светодиода, будет описан более подробно со ссылкой на сопроводительные чертежи.
Фиг. 2 является частичным увеличенным изображением участка "A" на Фиг. 1, и фигуры Фиг. 3A и 3B являются видами в разрезе, выполненном по линиям B-B и C-C на Фиг. 2, Фиг. 4 является концептуальным представлением, иллюстрирующим полупроводниковое светоизлучающее устройство типа «перевернутый кристалл» по Фиг. 3A, и фигуры Фиг. 5A - 5C являются концептуальными представлениями, иллюстрирующими различные формы для реализации цветов в связи с полупроводниковым светоизлучающим устройством типа «перевернутый кристалл».
Согласно чертежам на Фиг. 2, 3A и 3B, иллюстрируется устройство 100 отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство типа «пассивной матрицы» (PM), в качестве устройства 100 отображения, использующего полупроводниковое светоизлучающее устройство. Однако следующая иллюстрация также может быть применимой к полупроводниковому светоизлучающему устройству типа «активной матрицы» (AM).
Устройство 100 отображения может включать в себя подложку 110, первый электрод 120, проводящий адгезионный слой 130, второй электрод 140 и множество полупроводниковых светоизлучающих устройств 150.
Подложка 110 может быть гибкой подложкой. Подложка 110 может содержать стекло или полиимид (PI), чтобы реализовывать гибкое устройство отображения. Кроме того, если она является гибким материалом, может использоваться любой, такой как полиэтиленнафталат (PEN), полиэтилентерефталат (PET), или подобный. Кроме того, подложка 110 может быть любым материалом из прозрачного и непрозрачного материалов.
Подложка 110 может быть подложкой межсоединений, размещенной с первым электродом 120, и таким образом первый электрод 120 может быть помещен на подложке 110.
Согласно чертежу, изолирующий слой 160 может быть размещен на подложке 110, помещенной с первым электродом 120, и вспомогательный электрод 170 может быть помещен на изолирующий слой 160. В этом случае, конфигурация, в которой изолирующий слой 160 наносится на подложку 110, может быть одиночной подложкой межсоединений. Более конкретно, изолирующий слой 160 может быть введен в подложку 110 с изолирующим и гибким материалом, таким как полиимид (PI), PET, PEN или подобный, чтобы сформировать единую подложку межсоединений.
Вспомогательный электрод 170 в качестве электрода для электрической связи первого электрода 120 с полупроводниковым светоизлучающим устройством 150, помещен на изолирующий слой 160, и размещен, чтобы соответствовать расположению первого электрода 120. Например, вспомогательный электрод 170 имеет точечную форму, и может иметь электрическое соединение с первым электродом 120 при посредстве электродного окна 171, проходящего через изолирующий слой 160. Электродное окно 171 может быть сформировано путем заполнения проводящего материала в межслойном отверстии.
Со ссылкой на чертежи, проводящий адгезионный слой 130 может быть сформирован на одной поверхности изолирующего слоя 160, но настоящее раскрытие может не обязательно ограничиваться этим. Например, может быть возможным иметь также структуру, в которой проводящий адгезионный слой 130 размещен на подложке 110 без изолирующего слоя 160. Проводящий адгезионный слой 130 может исполнять роль изолирующего слоя в структуре, в которой проводящий адгезионный слой 130 размещен на подложке 110.
Проводящий адгезионный слой 130 может быть слоем, имеющим адгезионную способность и проводимость, и с этой целью, электропроводный материал и материал адгезива могут быть смешанными на проводящем адгезионном слое 130. Кроме того, проводящий адгезионный слой 130 может обладать гибкостью, посредством этого обеспечивая в устройстве отображения функцию гибкости.
Для такого примера проводящий адгезионный слой 130 может быть пленкой с анизотропной проводимостью (ACF), анизотропной проводящей пастой, раствором, содержащим проводящие частицы, и подобным. Проводящий адгезионный слой 130 может позволять в z-направлении электрическое межслойное соединение, проходящее сквозь его толщу, но может быть сконфигурирован в виде слоя, имеющего электрическую изоляцию в горизонтальном направлении x-y такового. Соответственно, проводящий адгезионный слой 130 может именоваться проводящим слоем по оси z (однако, именуемым в дальнейшем "проводящий адгезионный слой").
Анизотропная проводящая пленка является пленкой в форме, в которой анизотропный проводящий материал смешан с изолирующей основой, и таким образом, когда нагрев и давление применяют к ней, только конкретный участок таковой может иметь проводимость благодаря анизотропному проводящему материалу. В дальнейшем, нагрев и давление применяют к анизотропной проводящей пленке, но другие способы также могут быть пригодными для анизотропной проводящей пленки, чтобы иметь проводимости частично. Способы могут включать в себя применение только одного любого из нагрева и давления к таковой, отверждение ультрафиолетовым излучением (UV) и подобное.
Кроме того, анизотропный проводящий материал может быть проводящими шариками или частицами. Согласно чертежу, в настоящем варианте осуществления, анизотропная проводящая пленка является пленкой в форме, в которой анизотропный проводящий материал смешан с изолирующей основой, и таким образом, когда к ней применяют нагрев и давление, только конкретный участок таковой может иметь проводимость за счет проводящих шариков. Анизотропная проводящая пленка может находиться в состоянии, в котором внутренняя часть с проводящим материалом содержит множество частиц, покрытых изолирующим слоем с полимерным материалом, и в этом случае она может иметь проводимость за счет внутренней части при разрушении изолирующего слоя на участке, к которому применяют нагрев и давление. Здесь, внутренняя часть может быть трансформирована, чтобы реализовать слой, имеющий обе поверхности, с которыми осуществляют контакт объекты в направлении толщины пленки.
Для более конкретного примера нагрев и давление применяют к анизотропной проводящей пленке в целом, и электрическое соединение в направлении оси z формируется частично согласно разности высот от сопряженного объекта, сцепленного использованием анизотропной проводящей пленки.
Для другого примера анизотропная проводящая пленка может находиться в состоянии содержащей множество частиц, в которых проводящий материал нанесен на изолирующие сердцевины. В этом случае, участок, к которому применяется нагрев и давление, может быть преобразован (спрессован и склеен) в проводящий материал, чтобы иметь проводимость в направлении толщины пленки. Для еще одного примера ее можно формировать имеющей проводимость в направлении толщины пленки, в котором проводящий материал проходит через изолирующую основу в z-направлении. В этом случае, проводящий материал может иметь участок с острым концом.
Согласно чертежу, анизотропная проводящая пленка может быть анизотропной проводящей пленкой (ACF) с фиксированной матрицей, сконфигурированной в форме, в которой проводящие шарики вставлены в одну поверхность изолирующего основания. Более конкретно, изолирующее основание сформировано из клеящего материала, и проводящие шарики интенсивно размещены в нижней части изолирующего основания, и когда нагрев и давление применяют к нему, основание изменяется вместе с проводящими шариками, посредством этого получая проводимость в направлении его вертикали.
Однако настоящее раскрытие может не обязательно ограничиваться этим, и всей анизотропной проводящей пленке может позволяться иметь форму, в которой проводящие шарики случайным образом смешаны с изолирующей основой, или форму, сконфигурированную с множеством слоев, в которых проводящие шарики размещены в любом слое (двойная ACF), и подобное.
Анизотропная проводящая паста в качестве формы, связанной с пастой и проводящими шариками, может быть пастой, в которой проводящие шарики смешаны с изолирующим и клеящим материалом основы. Кроме того, раствор, содержащий проводящие частицы, может быть раствором в форме, содержащей проводящие частицы или наночастицы.
С обращением к чертежу снова, второй электрод 140 расположен на изолирующем слое 160, чтобы являться отделенным от вспомогательного электрода 170. Другими словами, проводящий адгезионный слой 130 размещают на изолирующем слое 160, помещенном с вспомогательным электродом 170 и вторым электродом 140.
Когда проводящий адгезионный слой 130 сформирован в состоянии, что помещены вспомогательный электрод 170 и второй электрод 140, и затем полупроводниковое светоизлучающее устройство 150 присоединяют нему в виде перевернутого кристалла с применением нагрева и давления, полупроводниковое светоизлучающее устройство 150 является электрически связанным с первым электродом 120 и вторым электродом 140.
Со ссылкой на Фиг. 4, полупроводниковое светоизлучающее устройство может быть полупроводниковым светоизлучающим устройством типа «перевернутый кристалл».
Например, полупроводниковое светоизлучающее устройство может включать в себя электрод 156 p-типа, полупроводниковый слой 155 p-типа, сформированный с электродом 156 p-типа, активный слой 154, сформированный на полупроводниковом слое 155 p-типа, полупроводниковый слой 153 n-типа, сформированный на активном слое 154, и электрод 152 n-типа, размещенный, чтобы являться отделенным от электрода 156 p-типа в горизонтальном направлении, на полупроводниковом слое 153 n-типа. В этом случае, электрод 156 p-типа может иметь электрическое соединение с участком 179 приварки посредством проводящего адгезионного слоя 130, и электрод 152 n-типа может иметь электрическую связь со вторым электродом 140.
Со ссылкой на Фиг. 2, 3A и 3B снова, вспомогательный электрод 170 может быть сформирован удлиненным в одном направлении, чтобы иметь электрическую связь с множеством полупроводниковых светоизлучающих устройств 150. Например, левый и правый электроды p-типа в полупроводниковых светоизлучающих устройствах вокруг вспомогательного электрода могут иметь электрические связи с одним вспомогательным электродом.
Более конкретно, полупроводниковое светоизлучающее устройство 150 вдавливается в проводящий адгезионный слой 130, и благодаря этому, только участок между электродом 156 p-типа и вспомогательным электродом 170 полупроводникового светоизлучающего устройства 150 и участок между электродом 152 n-типа и вторым электродом 140 полупроводникового светоизлучающего устройства 150 имеет проводимость, и остающийся участок не имеет проводимости, поскольку не имеется вдавливания полупроводникового светоизлучающего устройства.
Кроме того, множество полупроводниковых светоизлучающих устройств 150 составляют светоизлучающую матрицу, и на светоизлучающей матрице формируют слой 180 люминофора.
Светоизлучающее устройство может включать в себя множество полупроводниковых светоизлучающих устройств с различными значениями самосвечения. Каждое из полупроводниковых светоизлучающих устройств 150 составляет подпиксель и является электрически связанным с первым электродом 120. Например, может существовать множество первых электродов 120, и полупроводниковые светоизлучающие устройства организованы в несколько рядов, например, и каждый ряд полупроводниковых светоизлучающих устройств может иметь электрическую связь с любым электродом из множества первых электродов.
Кроме того, полупроводниковые светоизлучающие устройства могут быть присоединены в виде перевернутого кристалла и таким образом полупроводниковые светоизлучающие устройства выращены на прозрачной диэлектрической подложке. Кроме того, полупроводниковые светоизлучающие устройства могут быть полупроводниковыми светоизлучающими устройствами на основе нитрида кремния, например. Полупроводниковые светоизлучающие устройства 150 имеют превосходную характеристику яркости, и таким образом может быть возможным конфигурировать отдельные подпиксели даже с малым размером таковых.
Согласно чертежу, разделительная перегородка 190 может быть сформирована между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 150. В этом случае, разделительная перегородка 190 может выполнять функцию отделения друг от друга отдельных подпикселей и формироваться как одно целое с проводящим адгезионным слоем 130. Например, подложка анизотропной проводящей пленки может сформировать разделительную перегородку, когда полупроводниковое светоизлучающее устройство 150 вставляют в анизотропную проводящую пленку.
Кроме того, когда подложка анизотропной проводящей пленки является черной, разделительная перегородка 190 может иметь отражательные характеристики, при этом одновременно повышая контрастность без добавочного черного изоляционного материала.
Для другого примера отражательная разделительная перегородка можно отдельно снабжаться разделительной перегородкой 190. В этом случае, разделительная перегородка 190 может включать в себя черный или белый изоляционный материал согласно назначению устройства отображения. Это может иметь эффект повышения отражательной способности тогда как используется разделительная перегородка белого изоляционный материала, и повышения контрастности с наличием при этом отражательных характеристик.
Слой 180 люминофора может быть расположен на наружной поверхности полупроводникового светоизлучающего устройства 150. Например, полупроводниковое светоизлучающее устройство 150 является полупроводниковым светоизлучающим устройством синего свечения, которое излучает синий (B) свет, и слой 180 люминофора выполняет функцию преобразования синего (B) света в цвет подпикселя. Слой 180 люминофора может быть слоем 181 люминофора красного свечения или слоем 182 люминофора зеленого свечения, составляющим отдельные пиксели.
Другими словами, люминофор 181 красного свечения, способный преобразовывать синий свет в красный (R) свет, может быть нанесен на полупроводниковое светоизлучающее устройство 151 синего свечения в местоположении, реализующем красный подпиксель, и люминофор 182 зеленого свечения, способный преобразовывать синий свет в зеленый (G) свет, может быть нанесен на полупроводниковое светоизлучающее устройство 151 синего свечения в местоположении, реализующем зеленый подпиксель. Кроме того, полупроводниковое светоизлучающее 151 устройство синего свечения может одно только использоваться в местоположении, реализующем синий подпиксель. В этом случае, красный (R), зеленый (G) и синий (B) подпиксели могут реализовывать один пиксель. Более конкретно, люминофор одного цвета может быть нанесен вдоль каждой линии первого электрода 120. Соответственно, одна линия на первом электроде 120 может быть электродом, управляющим одним цветом. Другими словами, красный (R), зеленый (G) и синий (B) возможно размещать последовательно, посредством этого реализуя подпиксели.
Однако настоящее раскрытие может не обязательно ограничиваться этим, и полупроводниковое светоизлучающее устройство 150 может быть объединено с квантовой точкой (QD) вместо люминофора, чтобы реализовывать подпиксели, такие как красный (R), зеленый (G) и синий (B).
Кроме того, черная матрица 191 может быть размещен между каждым слоем люминофора для повышения контрастности. Другими словами, черная матрица 191 может повысить контрастность яркости.
Однако настоящее раскрытие может не обязательно ограничиваться этим, и другая структура для реализации синего, красного и зеленого также может быть применимой для этого.
Со ссылкой на Фиг. 5A, каждое из полупроводниковых светоизлучающих устройств 150 может быть реализовано с помощью светоизлучающего устройства высокой мощности, которое излучает различные видимые излучения, включая синее, в котором большей частью используется нитрид галлия (GaN), и к нему добавлены индий (В) и/или алюминий (Al).
В этом случае, полупроводниковое светоизлучающее устройство 150 может являть собой полупроводниковые светоизлучающие устройства красного, зеленого и синего свечения, соответственно, чтобы реализовывать каждый подпиксель. Например, полупроводниковые светоизлучающие устройства (R, G, B) красного, зеленого и синего свечения размещают поочередно, и подпиксели красного, зеленого и синего свечения реализуют один пиксель с помощью полупроводниковых светоизлучающих устройств красного, зеленого и синего свечения, посредством этого реализуя полноцветное изображение.
Со ссылкой на Фиг. 5B, полупроводниковое светоизлучающее устройство может иметь светоизлучающее устройство белого свечения (W), снабженное слоем желтого люминофора для каждого элемента. В этом случае, слой 181 люминофора красного свечения, слой 182 люминофора зеленого свечения и слой 183 люминофора синего свечения могут обеспечиваться на устройстве излучения белого света (W), чтобы реализовывать подпиксель. Кроме того, цветовой фильтр, повторяемый с красным, зеленым и синим на светоизлучающем устройстве белого свечения (W), может использоваться, чтобы реализовывать подпиксель.
Со ссылкой на Фиг. 5C, может быть возможным также иметь структуру, в которой слой 181 люминофора красного свечения, слой 182 люминофора зеленого свечения и слой 183 люминофора синего свечения могут обеспечиваться на устройстве излучения ультрафиолетового света (UV). Таким образом, полупроводниковое светоизлучающее устройство может использоваться по всей области спектра до ультрафиолетового (UV), а также видимой части спектра, и может быть расширено до формы полупроводникового светоизлучающего устройства, в котором ультрафиолетовый свет (UV) может использоваться в качестве источника возбуждения.
С рассмотрением настоящего примера снова, полупроводниковое светоизлучающее устройство 150 помещают на проводящий адгезионный слой 130, чтобы сконфигурировать подпиксель в устройстве отображения. Полупроводниковое светоизлучающее устройство 150 может иметь превосходные характеристики яркости, и посредством этого может быть возможным конфигурировать отдельные подпиксели даже с малым размером таковых. Размер отдельного полупроводникового светоизлучающего устройства 150 может быть менее чем 80 мкм по длине одной его стороны, и сформированный элементом прямоугольной или квадратной формы. В случае элемента прямоугольной формы его размер может быть менее чем 20×80 мкм.
Кроме того, даже если полупроводниковое светоизлучающее устройство 150 квадратной формы с длиной стороны в 10 мкм используется для подпикселя, оно покажет достаточную яркость для реализации устройства отображения. Соответственно, например, в случае прямоугольного пикселя, в котором одна сторона подпикселя имеет размер 600 мкм и другая сторона такового - 300 мкм, относительное расстояние между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами становится достаточно большим. Соответственно, в этом случае, может быть возможным реализовывать гибкое устройство отображения с качеством изображения HD (высокой четкости).
Устройство отображения, использующее вышеуказанное полупроводниковое светоизлучающее устройство, будет изготавливаться согласно новому типу способа изготовления. Ниже в документе способ изготовления будет описан со ссылкой на Фиг. 6.
Фиг. 6 представляет виды в разрезе, иллюстрирующие способ изготовления устройства отображения, использующего полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно настоящему раскрытию.
Со ссылкой на чертеж, сначала проводящий адгезионный слой 130 формируют на изолирующем слое 160, помещаемым с вспомогательным электродом 170 и вторым электродом 140. Изолирующий слой 160 наносят на первую подложку 110, чтобы сформировать одну подложку (или подложку с межсоединениями), и первый электрод 120, вспомогательный электрод 170 и второй электрод 140 размещают в подложке с межсоединениями. В этом случае, первый электрод 120 и второй электрод 140 могут быть размещены в перпендикулярном друг другу направлении. Кроме того, первая подложка 110 и изолирующий слой 160 могут содержать стекло или полиимид (PI), соответственно, чтобы реализовывать гибкое устройство отображения.
Проводящий адгезионный слой 130 может быть реализован с помощью анизотропной проводящей пленки, например, и для этого анизотропная проводящая пленка может быть покрытием на подложке, помещаемой с изолирующим слоем 160.
Затем, вторую подложку 112, помещаемую с множеством полупроводниковых светоизлучающих устройств 150, соответствующих расположению вспомогательных электродов 170 и вторых электродов 140 и образующих отдельные пиксели, размещают таким образом, что полупроводниковое светоизлучающее устройство 150 обращено к вспомогательному электроду 170 и второму электроду 140.
В этом случае, вторая подложка 112 в качестве подложки роста для выращивания полупроводникового светоизлучающего устройства 150 может быть сапфировой подложкой или кремниевой подложкой.
Полупроводниковое светоизлучающее устройство может иметь зазор и размер, допускающие реализацию устройства отображения, при формировании в единице пластины («вафли»), и таким образом эффективно используемые для устройства отображения.
Затем, подложку с межсоединениями подвергают термическому прессованию ко второй подложке 112. Например, подложка с межсоединениями и вторая подложка 112 могут подвергаться термическому прессованию друг к другу путем применения прессующей головки ACF. Подложка с межсоединениями и вторая подложка 112 присоединяются друг к другу с использованием термокомпрессии. Только участок между полупроводниковым светоизлучающим устройством 150 и вспомогательным электродом 170 и вторым электродом 140 может иметь проводимость вследствие характеристик анизотропной проводящей пленки, имеющей проводимость, благодаря термокомпрессии, посредством этого позволяя электродам и полупроводниковому светоизлучающему устройству 150 иметь электрическую связь друг с другом. В это время полупроводниковое светоизлучающее устройство 150 может вставляться в анизотропную проводящую пленку, посредством этого формируя разделительную перегородку между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 150.
Затем, вторую подложку 112 удаляют. Например, вторая подложка 112 может быть удалена с использованием способа лазерного отслаивания (LLO) или химического отслаивания (CLO).
В заключение, вторую подложку 112 удаляют, чтобы вскрыть полупроводниковые светоизлучающие устройства 150 к наружной стороне. Оксид кремния (SiOx) или подобное может быть нанесено на подложку с межсоединениями, соединенную с полупроводниковым светоизлучающим устройством 150, чтобы сформировать прозрачный изолирующий слой (не показан).
Кроме того, процесс может дополнительно включать в себя процесс формирования слоя люминофора на одной поверхности полупроводникового светоизлучающего устройства 150. Например, полупроводниковое светоизлучающее устройство 150 может быть полупроводниковым светоизлучающим устройством синего свечения, чтобы излучать синий (B) свет, и красный или зеленый люминофор для преобразования синего (B) света в цвет подпикселя может формировать слой на одной поверхности полупроводникового светоизлучающего устройства синего свечения.
Способ изготовления или структура устройства отображения, использующего вышеуказанное полупроводниковое светоизлучающее устройство, могут быть модифицированы в различных формах. Для такого примера вышеуказанное устройство отображения может быть применимым к вертикальному полупроводниковому светоизлучающему устройству. Ниже в документе, вертикальная структура будет описана со ссылкой на Фиг. 5 и 6.
Кроме того, согласно последующему модифицированному примеру или варианту осуществления, одинаковые или подобные ссылочные позиции назначены одинаковым или подобным конфигурациям для предшествующего примера, и описание такового будет замещаться более ранним описанием.
Фиг. 7 является видом в перспективе, иллюстрирующим устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно другому варианту осуществления настоящего раскрытия. Фиг. 8 является видом в разрезе, выполненном по линии C-C на Фиг. 7, и Фиг. 9 является концептуальным представлением, иллюстрирующим полупроводниковое светоизлучающее устройство вертикального типа на Фиг. 8.
Согласно чертежам, устройство отображения может быть устройством отображения, использующим тип вертикального полупроводникового светоизлучающего устройства с пассивной матрицей (PM).
Устройство отображения может включать в себя подложку 210, первый электрод 220, проводящий адгезионный слой 230, второй электрод 240 и множество полупроводниковых светоизлучающих устройств 250.
Подложка 210 в качестве подложки с межсоединениями, размещенной с первым электродом 220, может включать в себя полиимид (PI), чтобы реализовывать гибкое устройство отображения. Кроме того, может использоваться любой материал, если является изолирующим и гибким материалом.
Первый электрод 220 может быть расположен на подложке 210, и сформирован электродом с удлиненной в одном направлении полоской. Первый электрод 220 может быть сформирован, чтобы исполнять роль электрода данных.
Проводящий адгезионный слой 230 формируют на подложке 210 помещенным с первым электродом 220. Подобно устройству отображения, к которому применяется светоизлучающее устройство типа перевернутого кристалла, проводящий адгезионный слой 230 может быть анизотропной проводящей пленкой (ACF), анизотропной проводящей пастой, раствором, содержащим проводящие частицы и подобным. Однако настоящий вариант осуществления иллюстрирует случай, где проводящий адгезионный слой 230 реализован анизотропной проводящей пленкой.
Когда анизотропную проводящую пленку располагают в состоянии, что первый электрод 220 расположен на подложке 210, и затем применяют нагрев и давление, чтобы к этому присоединить полупроводниковое светоизлучающее устройство 250, полупроводниковое светоизлучающее устройство 250 получает электрическую связь с первым электродом 220. В этот момент полупроводниковое светоизлучающее устройство 250 может быть предпочтительно размещено на первом электроде 220.
Электрическое соединение создается, поскольку анизотропная проводящая пленка частично обладает проводимостью в направлении толщины, когда нагрев и давление применяют, как описано выше. Соответственно, анизотропная проводящая пленка разделятся на часть 231 с наличием проводимости и часть 232 без наличия проводимости в направлении ее толщины.
Кроме того, анизотропная проводящая пленка содержит клеящий компонент, и таким образом проводящий адгезионный слой 230 реализует механическое соединение, а также электрическое соединение между полупроводниковым светоизлучающим устройством 250 и первым электродом 220.
Таким образом, полупроводниковое светоизлучающее устройство 250 помещают на проводящий адгезионный слой 230, посредством этого задавая конфигурацию отдельного подпикселя в устройстве отображения. Полупроводниковое светоизлучающее устройство 250 может иметь превосходные характеристики яркости, и таким образом может быть возможным конфигурировать отдельные подпиксели даже с малым размером таковых. Размер отдельного полупроводникового светоизлучающего устройства 250 может быть менее чем 80 мкм по длине одной его стороны, и формироваться элементом прямоугольной или квадратной формы. В случае элемента прямоугольной формы размер такового может быть менее чем 20×80 мкм.
Полупроводниковое светоизлучающее устройство 250 может быть вертикальной структурой.
Множество вторых электродов 240, размещенных в направлении, пересекающемся с направлением по длине первого электрода 220, и имеющих электрическую связь с вертикальным полупроводниковым светоизлучающим устройством 250, могут быть расположены между вертикальными полупроводниковыми светоизлучающими устройствами.
Со ссылкой на Фиг. 9, вертикальное полупроводниковое светоизлучающее устройство может включать в себя электрод 256 p-типа, полупроводниковый слой 255 p-типа, сформированный с электродом 256 p-типа, активный слой 254, сформированный на полупроводниковом слое 255 p-типа, полупроводниковый слой 253 n-типа сформированный на активном слое 254 и электрод 252 n-типа, сформированный на полупроводниковом слое 253 n-типа. В этом случае, электрод 256 p-типа, расположенный в нижней части такового, может иметь электрическую связь с первым электродом 220 посредством проводящего адгезионного слоя 230, и электрод 252 n-типа, расположенный в верхней части такового, может иметь электрическую связь со вторым электродом 240, который будет описан позже. Электроды могут быть размещены в направлении вверх/вниз в вертикальном полупроводниковом светоизлучающем устройстве 250, посредством этого обеспечивая значительное преимущество, допускающее уменьшение размера кристалла.
Со ссылкой на Фиг. 8 снова, слой 280 люминофора может быть сформирован на одной поверхности полупроводникового светоизлучающего устройства 250. Например, полупроводниковое светоизлучающее устройство 250 является полупроводниковым светоизлучающим устройством 251 синего свечения, которое излучает синий (B) свет, и на нем может обеспечиваться слой 280 люминофора для преобразования синего (B) света в цвет подпикселя. В этом случае, слой 280 люминофора может быть люминофором 281 красного свечения и люминофором 282 зеленого свечения, составляющих отдельные пиксели.
Другими словами, люминофор 281 красного свечения, способный преобразовывать синий свет в красный (R) свет, может быть нанесен на полупроводниковое светоизлучающее устройство 251 синего свечения в местоположении, реализующем красный подпиксель, и люминофор 282 зеленого свечения, способный преобразовывать синий свет в зеленый (G) свет, может быть нанесен на полупроводниковое светоизлучающее устройство 251 синего свечения в местоположении, реализующем зеленый подпиксель. Кроме того, только полупроводниковое светоизлучающее устройство синего свечения 251 может одиночно использоваться в местоположении, реализующем синий подпиксель. В этом случае, красный (R), зеленый (G) и синий (B) подпиксели могут реализовывать один пиксель.
Однако настоящее раскрытие может не обязательно ограничиваться этим, и другая структура для реализации синего, красного и зеленого может также быть применимой для этого, как описано выше, в устройстве отображения, к которому применяется светоизлучающее устройство типа перевернутого кристалла.
Принимая рассмотрение настоящий вариант осуществления снова, второй электрод 240 расположен между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 250 и электрически связан с полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 250. Например, полупроводниковые светоизлучающие устройства 250 могут быть размещены в виде множества рядов, и второй электрод 240 может быть расположен между рядами полупроводниковых светоизлучающих устройств 250.
Поскольку расстояние между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 250, составляющими отдельные пиксели, являются достаточно большими, второй электрод 240 может быть расположен между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 250.
Второй электрод 240 может быть сформирован электродом, имеющим полоску, удлиненную в одном направлении, и размещен в направлении перпендикулярном к первому электроду.
Кроме того, второй электрод 240 может иметь электрическое соединение с полупроводниковым светоизлучающим устройством 250 посредством соединительного электрода, выступающего из второго электрода 240. Более конкретно, соединительный электрод может быть электродом n-типа для полупроводникового светоизлучающего устройства 250. Например, электрод n-типа сформирован омическим электродом для омического контакта, и второй электрод является покрытием, по меньшей мере, части омического электрода литографией или осаждением. Благодаря этому второй электрод 240 может иметь электрическую связь с электродом n-типа полупроводникового светоизлучающего устройства 250.
Согласно чертежу, второй электрод 240 может быть расположен на проводящем адгезионном слое 230. Согласно условиям, прозрачный изолирующий слой (не показан), содержащий оксид кремния (SiOx), может быть сформирован на подложке 210, сформированной с полупроводниковым светоизлучающим устройством 250. Когда прозрачный изолирующий слой сформирован, и затем на него помещен второй электрод 240, второй электрод 240 может быть расположен на прозрачном изолирующем слое. Кроме того, второй электрод 240 может быть сформирован, чтобы являться отделенным от проводящего адгезионного слоя 230 или прозрачного изолирующего слоя.
Если используется прозрачный электрод, такой как оксид индия и олова (ITO), чтобы поместить второй электрод 240 на полупроводниковое светоизлучающее устройство 250, у материала ITO имеется проблема плохой сцепляемости с полупроводником n-типа. Соответственно, второй электрод 240 может быть расположен между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 250, посредством этого получая преимущество, что не требуется прозрачный электрод. Соответственно, полупроводниковый слой n-типа и проводящий материал, имеющий хорошую адгезионную способность, могут использоваться в качестве горизонтального электрода без ограничения выбором прозрачного материала, посредством этого повышая эффективность извлечения света.
Согласно чертежу, может быть сформирована разделительная перегородка 290 между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 250. Другими словами, разделительная перегородка 290 может быть сформирована между вертикальными полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 250, чтобы изолировать полупроводниковое светоизлучающее устройство 250, составляющее отдельные пиксели. В этом случае, разделительная перегородка 290 может выполнять функцию отделения друг от друга отдельных подпикселей, и формироваться как одно целое с проводящим адгезионным слоем 230. Например, основа анизотропной проводящей пленки может сформировать разделительную перегородку, когда полупроводниковое светоизлучающее устройство 250 вставляют в анизотропную проводящую пленку.
Кроме того, когда основа анизотропной проводящей пленки является черной, разделительная перегородка 290 может иметь отражательные характеристики, при этом повышая в то же время контрастность без добавочного черного изоляционный материала.
В качестве другого примера отражательная разделительная перегородка может отдельно обеспечиваться разделительной перегородкой 290. В этом случае, разделительная перегородка 290 может включать в себя черный или белый изоляционный материал согласно назначению устройства отображения.
Если второй электрод 240 расположен точно на проводящем адгезионном слое 230 между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 250, разделительная перегородка 290 может располагаться между полупроводниковым светоизлучающим устройством 250 и вторым электродом 240. Соответственно, отдельные подпиксели могут быть сконфигурированы даже при малом размере с использованием полупроводникового светоизлучающего устройства 250, и расстояние между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 250 может быть относительно достаточно большим, чтобы поместить второй электрод 240 между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 250, посредством этого получая эффект реализации гибкого устройства отображения, имеющего качество изображения HD.
Кроме того, согласно чертежу, фильтр черная матрица 291 может размещаться между каждым слоем люминофора для повышения контрастности. Другими словами, черная матрица 191 может повысить контрастность яркости.
Как описано выше, полупроводниковое светоизлучающее устройство 250 расположено на проводящем адгезионном слое 230, посредством этого образуя отдельные пиксели на устройстве отображения. Поскольку полупроводниковое светоизлучающее устройство 250 имеет превосходные характеристики яркости, посредством этого конфигурирующим отдельные подпиксели даже с малым размером таковых. В результате может быть возможным реализовывать полноцветное изображение, в котором красный (R), зеленый (G) и синий (B) подпиксели реализуют один пиксель при помощи полупроводникового светоизлучающего устройства.
Ниже в документе различные варианты осуществления устройства отображения, использующего полупроводниковое светоизлучающее устройство, будут описаны более подробно со ссылкой на сопроводительные чертежи.
Фиг. 10 является схематичным представлением, иллюстрирующим устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно варианту осуществления настоящего раскрытия, и Фиг. 11 является видом в разрезе, выполненном по секущей линии A-A на Фиг. 10.
Со ссылкой на фигуры Фиг. 10 и 11, устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, может включать в себя первую подложку 1100, проводящий адгезионный слой 1200 и множество полупроводниковых светоизлучающих устройств 1300.
Первая подложка 1100 может включать в себя электродную часть 1110. Первая подложка 1100 может быть подложкой межсоединений. Электродная часть 1110 может включать в себя множество первых электродов 1111 и вторых электродов 1112. Первый электрод 1111 может быть электродом данных, и второй электрод 1112 может быть сканирующим электродом. Однако настоящее раскрытие может не обязательно ограничиваться этим, и например, первый электрод, 1111 может быть сканирующим электродом, и второй электрод 1112 может быть электродом данных.
Материал первой подложки 1100 может включать в себя стекло или полиимид (PI), чтобы реализовывать гибкое устройство отображения. Кроме того, может использоваться любой материал, если он является изолирующим и гибким материалом.
Проводящий адгезионный слой 1200 расположен на первой подложке 1100. Проводящий адгезионный слой 1200 будет описан подробно со ссылкой на Фиг. 12.
Фиг. 12 является частичным схематичным представлением, иллюстрирующим проводящий адгезионный слой.
Проводящий адгезионный слой 1200 может быть сконфигурирован слоем, обеспечивающим электрическое внутреннее соединение в направлении z, проходящее сквозь его толщу, но имеющее электрическую изоляцию в горизонтальном направлении x-y. Соответственно, проводящий адгезионный слой 1200 может именоваться проводящим слоем по оси z.
Со ссылкой на Фиг. 12, проводящий адгезионный слой 1200 может быть анизотропной проводящей пленкой и именоваться слоем 1200 анизотропной проводящей пленки в последующих примерах (примеры на фигурах Фиг. 12-22). Однако настоящее раскрытие может не обязательно ограничиваться этим, и проводящий адгезионный слой может быть анизотропной проводящей пастой, раствором, содержащим проводящие частицы и подобным.
Слой 1200 анизотропной проводящей пленки может включать в себя непрозрачную смолу 1211 и большое количество частиц, в которых проводящие сердцевины 1212 покрыты изолирующим слоем 1213, внутри непрозрачной смолы 1211.
Соответственно, когда прикладывают давление или нагрев, слой 1200 анизотропной проводящей пленки получает электрическую связь с сердцевиной 1212, тогда как изолирующий слой 1213 разрушен только на приложенном участке.
В этот момент геометрия сердцевины 1212 деформируется, чтобы сформировать взаимно контактный слой. Соответственно, слой 1200 анизотропной проводящей пленки может выполнять функцию сцепления, а также функцию соединения электрически.
Соответственно, слой 1200 анизотропной проводящей пленки может включать в себя непрозрачную смолу 1211, чтобы блокировать прохождение света между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300, каковое будет описано далее. Другими словами, он в то же время выполняет роль разделительной перегородки для блокирования прохождения света между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300.
Например, непрозрачная смола 1211 может включать в себя черную или белую смолу.
С другой стороны, слой 1200 анизотропной проводящей пленки может быть окрашенным, чтобы блокировать прохождение света между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300.
Со ссылкой на Фиг. 10 и 11 снова, только участок между полупроводниковым светоизлучающим устройством 1300 и первым электродом 1111 и второй электрод 1112 является слоем 1220 анизотропной проводящей пленки, имеющим проводимость, и оставшийся участок является слоем 1210 анизотропной проводящей пленки, не имеющим проводимости.
Соответственно, слой 1200 анизотропной проводящей пленки может позволять взаимное сопряжение, а также электрическое соединение между полупроводниковым светоизлучающим устройством 1300 и первым электродом 1111 и вторым электродом 1112.
По меньшей мере, часть полупроводникового светоизлучающего устройства 1300 утапливают в верхней области слоя 1200 анизотропной проводящей пленки, чтобы образовать отдельные пиксели с электрическим соединением с электродной частью 1110.
Здесь, полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300 может быть предпочтительно утоплено в верхней области слоя 1200 анизотропной проводящей пленки целиком. Таким образом слой 1200 анизотропной проводящей пленки может быть полностью утопленным, посредством этого максимизируя эффект блокирования прохождения света между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300.
Полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300 может иметь превосходные характеристики яркости, и посредством этого может быть возможным конфигурировать отдельные подпиксели даже с малым размером таковых.
Размер отдельного полупроводникового светоизлучающего устройства 150 может быть менее чем 50 мкм по длине одной его стороны, и сформированы элементом прямоугольной или квадратной формы.
Кроме того, даже если полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300 квадратной формы с длиной стороны в 10 мкм используется для подпикселя, оно продемонстрирует достаточную яркость для реализации устройства отображения.
Соответственно, например, в случае прямоугольного пикселя, в котором одна сторона подпикселя имеет размер 600 мкм, и остающейся его стороной является 300 мкм, относительное расстояние между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами становится достаточно большим.
Соответственно, в этом случае это имеет эффект, обеспечивающий реализацию гибкого устройства отображения.
Фиг. 13 является видом в разрезе, иллюстрирующим пример полупроводникового светоизлучающего устройства, используемого в устройстве отображения. Со ссылкой на Фиг. 13 полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300 имеет горизонтальную структуру.
Горизонтальное полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300 может включать в себя полупроводниковый слой 1310 n-типа, активный слой 1320, сформированный на полупроводниковом слое 1310 n-типа, полупроводниковый слой 1330 p-типа, сформированный на активном слое 1320, электрод 1340 p-типа, сформированный на полупроводниковом слое 1330 p-типа, и электрод 1350 n-типа, сформированный на вскрытой поверхности полупроводникового слоя 1310 n-типа.
В этом случае, полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300 может иметь электрическое соединение с первым электродом 1111 и вторым электродом 1112 первой подложки 1100 при помощи соединения методом перевернутого кристалла.
С другой стороны, полупроводниковое светоизлучающее устройство на основе нитрида может использоваться для полупроводникового светоизлучающего устройства 1300.
Полупроводниковое светоизлучающее устройство на основе нитрида реализует мощное светоизлучающее устройство, которое излучает различные видимые излучения, включая синий, в котором большей частью используется нитрид галлия (GaN), и к нему добавлены индий (В) и/или алюминий (Al).
Фигуры Фиг. 14–17 являются видами в разрезе, иллюстрирующими способ изготовления устройства отображения, использующего полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно варианту осуществления настоящего раскрытия.
Со ссылкой на Фиг. 14, слой 1200 анизотропной проводящей пленки, содержащий непрозрачную смолу, приклеен к первой подложке 1100, включая электродную часть 1110. Электродная часть 1110 при этом может включать в себя множество первых электродов 1111 и вторых электродов 1112.
Соответственно, анизотропная проводящая пленка может являться покрытием на первой подложке 1100, помещенным с множеством первых электродов 1111 и вторых электродов 1112, чтобы сформировать слой 1200 анизотропной проводящей пленки.
Слой 1200 анизотропной проводящей пленки может содержать непрозрачную смолу 1211.
Затем, вторая подложка 1101, помещаемая с множеством полупроводниковых светоизлучающих устройств 1300, соответствующих расположению электродной части 1110 и составляющих отдельные пиксели, размещается таким образом, что электродная часть 1110 обращена к полупроводниковому светоизлучающему устройству 1300. Здесь, вторая подложка 1101 может быть подложкой роста для выращивания полупроводникового светоизлучающего устройства 1300.
Со ссылкой на Фиг. 15 и 16, первую подложку 1100 термически прессуют ко второй подложке 1101, чтобы утопить, по меньшей мере, часть полупроводникового светоизлучающего устройства 1300 в верхней области слоя 1200 анизотропной проводящей пленки.
Соответственно, первая подложка 1100 является присоединенной ко второй подложке 1101. Кроме того, только участок между первым электродом 1111 и вторым электродом 1112 и полупроводниковым светоизлучающим устройством 1300 может иметь проводимость благодаря характеристикам анизотропной проводящей пленки, имеющей проводимость, путем термокомпрессии.
Соответственно, электродная часть 1110 и второй электрод 1112 могут иметь электрическую связь с полупроводниковым светоизлучающим устройством 1300.
Например, электродная часть 1110 и второй электрод 1112 могут быть термически спрессованы путем применения прессующей головки ACF.
С другой стороны, полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300 может быть предпочтительно утоплено в верхней области слоя 1200 анизотропной проводящей пленки целиком.
Может быть возможным выполнять функцию блокирования прохождения света между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300, поскольку слой 1200 анизотропной проводящей пленки содержит непрозрачную смолу. Другими словами, без дополнительного процесса изготовления разделительной перегородки, разделительная перегородка может быть сформирована между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300 благодаря процессу термокомпрессии первой подложки 1100 ко второй подложке 1101.
Соответственно, может быть возможным упростить процесс изготовления разделительной перегородки между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300.
Со ссылкой на Фиг. 17, вторую подложку 1101 удаляют. Например, вторая подложка 1101 может быть удалена с использованием способа лазерного отслаивания (LLO) или химического отслаивания (CLO).
Фиг. 18 является схематичным представлением, иллюстрирующим устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно другому варианту осуществления настоящего раскрытия, и Фиг. 19 является видом в разрезе, выполненном по секущей линии A-A на Фиг. 18.
Со ссылкой на Фиг. 18 и 19, иллюстрируется конструктивное решение полноцветного дисплея, на котором слой люминофора нанесен на матрицу полупроводниковых светоизлучающих устройств типа PM.
Устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, может включать в себя первую подложку 1100, включая электродную часть 1110, слой 1200 анизотропной проводящей пленки, полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300 и слой 1400 люминофора. Электродная часть 1110 включает в себя множество первых электродов 1111 и вторых электродов 1112.
Другими словами, множество первых электродов 1111 и вторых электродов, 1112 расположены на первой подложке 1100, и слой 1200 анизотропной проводящей пленки расположен на этом.
Слой 1200 анизотропной проводящей пленки может включать в себя непрозрачную смолу, чтобы блокировать прохождение света между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300, каковое будет описано далее. Другими словами, она выполняет роль разделительной перегородки, чтобы блокировать прохождение света между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300 в то же время.
Например, непрозрачная смола может включать в себя черную или белую смолу.
С другой стороны, слой 1200 анизотропной проводящей пленки может быть окрашенным, чтобы блокировать прохождение света между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300.
Кроме того, по меньшей мере, часть полупроводниковых светоизлучающих устройств 1300, утопленных в нем, расположены в верхней области слоя 1200 анизотропной проводящей пленки. Полупроводниковые светоизлучающие устройства 1300 имеют электрическую связь с первым электродом 1111 и вторым электродом 1112, каковое представляет электродную часть 1110, чтобы составить отдельные пиксели.
Кроме того, слой 1400 люминофора расположен на полупроводниковом светоизлучающем устройстве 1300.
Например, полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300 является полупроводниковым светоизлучающим устройством синего свечения, которое излучает синий (B) свет, и может быть снабжен слоем 1400 люминофора для преобразования синего (B) света в цвет подпикселя. Здесь, слой 1400 люминофора может быть слоем 1401 люминофора красного свечения или слоем 1402 люминофора зеленого свечения, составляющими отдельные пиксели.
Другими словами, люминофор 1401 красного свечения, способный преобразовывать синий свет в красный (R) свет, может обеспечиваться на полупроводниковом светоизлучающем устройстве синего свечения в местоположении, реализующем один подпиксель, и люминофор 1402 зеленого свечения, способный преобразовывать синий свет в зеленый (G) свет, может обеспечиваться на полупроводниковом светоизлучающем устройстве синего свечения в местоположении, реализующем другой подпиксель.
Кроме того, только полупроводниковое светоизлучающее устройство синего свечения 1403 может одиночно использоваться в местоположении, реализующем синий подпиксель.
Здесь, фильтр «черная матрица» (BM) может обеспечиваться между каждым люминофором для повышения контрастности. Другими словами, черная матрица может обеспечивать максимальную контрастность яркости.
Соответственно, люминофор красного и зеленого свечения может быть наложен на полупроводниковое светоизлучающее устройство синего свечения, чтобы создать полноцветное изображение.
С другой стороны согласно условиям полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300 может быть, конечно, снабжено светоизлучающим устройством белого свечения, имеющим слой желтого люминофора, для каждого устройства, и в этом случае люминофор красного свечения, люминофор зеленого свечения и люминофор синего свечения могут обеспечиваться, чтобы реализовывать каждый подпиксель (не показан).
Кроме того, цветовой фильтр, повторяющийся с красным, зеленым и синим, может использоваться вместо слоя люминофора на таком светоизлучающем устройстве белого свечения, чтобы сконфигурировать пиксель. Здесь, может дополнительно включаться черная матрица между цветовыми фильтрами, чтобы повышать контрастность.
Кроме того, люминофоры красного, зеленого и синего свечения могут применяться к полупроводниковому светоизлучающему устройству синего свечения, чтобы создать полноцветное изображение, используя красный (R), зеленый (G) и синий (B) подпиксели в виде единичного пикселя. Благодаря такой структуре малой мощности можно добиться максимизацией высокой эффективности полупроводникового светоизлучающего устройства синего свечения и люминофора желтого свечения в ходе образования полного белого.
Фиг. 20 является схематичным представлением, иллюстрирующим устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, согласно еще одному другому варианту осуществления настоящего раскрытия, и Фиг. 21 является видом в разрезе, выполненном по секущей линии A-A на Фиг. 20.
Со ссылкой на Фиг. 20 и 21, устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, иллюстрирует устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство типа с пассивной матрицей (PM).
Устройство отображения, использующее полупроводниковое светоизлучающее устройство, может включать в себя первую подложку 1100, первый электрод 1111, слой 1200 анизотропной проводящей пленки, полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300 и второй электрод 1112.
Первая подложка 1100 в качестве подложки с межсоединениями, размещенной с первым электродом 1111, может включать в себя стекло или полиимид (PI), чтобы реализовывать гибкое устройство отображения. Кроме того, может использоваться любой материал, если он является изолирующим и гибким материалом.
Первый электрод 1111 может исполнять роль электрода данных, и располагаться на первой подложке 1100. Например, множество первых электродов 1111 могут размещаться с предопределенными интервалами на подложке. Первый электрод 1111 может быть электродом в форме полоски.
Слой 1200 анизотропной проводящей пленки расположен на первой подложке 1100, помещенной с первым электродом 1111.
Слой 1200 анизотропной проводящей пленки может позволять взаимное связывание, а также электрическое соединение между полупроводниковым светоизлучающим устройством 1300 и первым электродом 1111.
Кроме того, слой 1200 анизотропной проводящей пленки может включать в себя непрозрачную смолу, чтобы блокировать прохождение света между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300. Другими словами, слой 1200 анизотропной проводящей пленки исполняет роль разделительной перегородки для блокирования прохождения света между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300.
Например, непрозрачная смола может включать в себя черную или белую смолу.
С другой стороны, слой 1200 анизотропной проводящей пленки может быть окрашенным, чтобы блокировать прохождение света между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300.
Полупроводниковые светоизлучающие устройства 1300 составляют отдельные пиксели, и по меньшей мере часть таковых утоплены в верхней области слоя 1200 анизотропной проводящей пленки.
Кроме того, полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300 является электрически связанным с первым электродом 1111. Например, они могут иметь электрическую связь друг с другом, поскольку область слоя 1200 анизотропной проводящей пленки, находящаяся между первым электродом 1111 и полупроводниковым светоизлучающим устройством 1300, имеет проводимость. Здесь, полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300 может быть предпочтительно размещено, чтобы располагаться на первом электроде 1111.
С другой стороны полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300 при этом может иметь вертикальную структуру.
Ниже в документе будет подробно описано вертикальное полупроводниковое светоизлучающее устройство.
Фиг. 22 является видом в разрезе, иллюстрирующим пример полупроводникового светоизлучающего устройства, используемого в устройстве отображения. Со ссылкой на Фиг. 22, полупроводниковое светоизлучающее устройство имеет вертикальную структуру.
Вертикальное полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300 может включать в себя электрод 1340 p-типа, полупроводниковый слой 1330 p-типа, помещенный на электрод 1340 p-типа, активный слой 1320, помещенный на полупроводниковый слой 1330 p-типа, полупроводниковый слой 1310 n-типа, помещенный на активный слой 1320, и электрод 1350 n-типа, помещенный на полупроводниковый слой 1310 n-типа.
В этом случае полупроводниковый слой 1340 p-типа, расположенный в нижней его части, может иметь электрическую связь с первым электродом 1111 при помощи слоя 1200 анизотропной проводящей пленки, и электрод 1350 n-типа, расположенный в верхней его части, может иметь электрическую связь со вторым электродом 1112, каковое будет описано далее.
Вертикальное полупроводниковое светоизлучающее устройство может позволять размещение электрода в направлении по вертикали, посредством этого получая преимущество уменьшения размера кристалла.
Со ссылкой на Фиг. 20 и 21 снова, второй электрод 1112 расположен между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300 и электрически связан с полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300.
Например, полупроводниковые светоизлучающие устройства 1300 могут быть размещены в виде множества рядов, и второй электрод 1112 может быть расположен между рядами полупроводниковых светоизлучающих устройств 1300. Поскольку расстояние между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300, составляющими отдельные пиксели, является достаточно большим, второй электрод 1112 может быть расположен между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300.
Второй электрод 1112 может быть электродом в форме полоски. Например, первый электрод 1111 и второй электрод 1112 могут быть размещены в перпендикулярном друг другу направлении. Соответственно, это может иметь структуру типа PM.
Кроме того, второй электрод 1112 может иметь электрическую связь с полупроводниковым светоизлучающим устройством 1300 посредством соединительного электрода 1113, выступающего из второго электрода 1112.
Например, когда полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300 имеет вертикальную структуру, второй электрод 1112 может иметь электрическое соединение с электродом n-типа в полупроводниковом светоизлучающем устройстве 1300 при посредстве соединительного электрода 1113.
Второй электрод 1112 может быть расположен непосредственно на слое анизотропной проводящей пленки.
С другой стороны, когда второй электрод 1112 расположен на полупроводниковом светоизлучающем устройстве 1300, должен использоваться прозрачный электрод, такой как оксид индия и олова (ITO), но материала ITO имеет проблему плохой адгезионной способности к полупроводниковому слою n-типа.
Соответственно, согласно настоящему раскрытию, второй электрод 1112 может быть расположен между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300, посредством этого получая преимущество, что не обязательно используется прозрачный электрод, такой как ITO.
Соответственно, полупроводниковый слой n-типа и проводящий материал, имеющий хорошую адгезионную способность, могут использоваться в качестве горизонтального электрода без ограничения выбором прозрачного материала, посредством этого повышая эффективность извлечения света.
Соответственно, отдельные подпиксели можно сконфигурировать даже с малым размером, используя полупроводниковое светоизлучающее устройство 1300, и расстояние между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300 может быть относительно достаточно большим, чтобы поместить второй электрод 1112 между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300, посредством этого получая эффект реализации гибкого устройства отображения.
Кроме того, структуру компоновки матрицы полупроводникового светоизлучающего устройства можно упростить, используя слой 1200 анизотропной проводящей пленки. В частности, в случае вертикального полупроводникового светоизлучающего устройства оно может иметь более простое конструктивное решение компоновки.
Согласно настоящему раскрытию, слой 1200 анизотропной проводящей пленки может даже исполнять роль разделительной перегородки между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300. Соответственно, может быть возможным обеспечить устройство отображения, в котором упрощается процесс изготовления разделительной перегородки между полупроводниковыми светоизлучающими устройствами 1300.
Соответственно, результирующие расходы на обработку и технологическое оборудование, требуемые для технологического процесса разделительной перегородки, могут дополнительно не требоваться, посредством этого обеспечивая процесс изготовления в пользу выхода массовой продукции и низких затрат.
С другой стороны, согласно вариантам осуществления настоящего изобретения, раскрытого в настоящем описании и чертежах, конкретный пример представлен только для содействия пониманию настоящего раскрытия, но не предназначен для ограничения объема настоящего раскрытия. Кроме того, специалистам в данной области техники будет очевидно, что к нему могут делаться различные модификации на основе технической идеи настоящего раскрытия в дополнение к вариантам осуществления, раскрытым в документе.