СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МЕМРИСТОРА НА ОСНОВЕ ТВЕРДОТЕЛЬНОГО СПЛАВА Si:Me И СТРУКТУРА МЕМРИСТОРА НА ОСНОВЕ ТВЕРДОТЕЛЬНОГО СПЛАВА Si:Me

1. Способ формирования мемристора на основе металл-изолятор-металл структуры, включающий формирование слоя изолятора из твердотельного сплава Si:Me на высоколегированной полупроводниковой подложке Si, формирование слоя металла на слое изолятора, отличающегося тем, что слой твердотельного сплава Si:Me формируют с заранее заданным профилем концентрации Me по толщине, обеспечивая рост концентрации Me в Si, по направлению от первого электрода в пределах 1-25%.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что формируют слой Si:Me толщиной 2-30 нм.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что формируют слой Si:Me, последовательно осаждая слои Si и Me толщинами 0,01-1 нм каждый.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что формируют количество слоев Si и Me в пределах 5-50.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что формируют слой Si:Me, используя в качестве Me Au, Ag или Ni.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что при формировании верхнего слоя металла используют Au, Ag или Ni.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что верхний металлический слой осаждают толщиной от 10-300 нм.
18
-3
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что формируют слой изолятора на высоколегированной полупроводниковой подложке из кремния (Si) с высокой степенью легирования >10 см.
2
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что перед осаждением слоя Si:Me на поверхности полупроводниковой подложки формируют слой SiO толщиной 0-3 нм.
10. Структура мемристора на основе металл-изолятор-металл структуры, содержащий первый слой металла, второй слой металла и изолятор, расположенный между слоями металла, при этом второй слой металла выполнен в виде высоколегированной полупроводниковой подложки Si, а изолятор выполнен из твердотельного сплава Si:Me, отличающийся тем, что слой изолятора Si:Me выполнен с заранее заданным профилем концентрации Me по толщине, обеспечивая рост концентрации Me в Si, по направлению от первого электрода в пределах 1-25%.
11. Мемристор по п.10, отличающийся тем, что слой Si:Me выполнен толщиной 2-30 нм.
12. Мемристор по п.10, отличающийся тем, что слой Si:Me выполнен последовательно осажденными слоями Si и Me толщиной 0,01-1 нм каждый.
13. Мемристор по п.10, отличающийся тем, что количество слоев Si и Me может быть в пределах 5-50.
14. Мемристор по п.10, отличающийся тем, что слой Si:Me выполнен из Au, Ag или Ni.
15. Мемристор по п.10, отличающийся тем, что верхний слой металла выполнен из Au, Ag или Ni.
16. Мемристор по п.10, отличающийся тем, что верхний металлический слой M1 выполнен толщиной от 10-300 нм.
18
-3
17. Мемристор по п.10, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка выполнена из кремния (Si) с высокой степенью легирования (>10 см).
2
18. Мемристор по п.10, отличающийся тем, что между слоем изолятора и подложкой выполнен слой SiO толщиной 0-3 нм.