СИСТЕМА И СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ ПЛАЗМЫ

1. Система для управления временем жизни магнитного поля замагниченной плазмы, причем система содержит
контроллер, содержащий устройство ввода, процессор и устройство вывода;
несколько датчиков, расположенных в разных радиальных, осевых и угловых положениях, причем каждый из нескольких датчиков предназначен для подачи сигналов по меньшей мере одного параметра плазмы в устройство ввода контроллера; и
источник питания, соединенный с устройством вывода контроллера, причем источник питания предназначен для подачи в систему одного или нескольких импульсов дополнительного тока для увеличения тороидального магнитного поля плазмы и содержит средство для регулирования постоянной времени индуктивность/сопротивление (L/R) источника питания, чтобы регулировать ослабление тока импульсов тока,
причем контроллер содержит запоминающее устройство, содержащее программный код, исполняемый процессором для обработки сигналов, полученных от нескольких датчиков, для обнаружения неравномерности в полученных сигналах и запуска источника питания для подачи импульса дополнительного тока, исходя из обнаруженной неравномерности в сигнале по меньшей мере одного датчика,
при этом постоянная времени L/R источника питания настроена так, чтобы быть короче наименьшего времени ослабления полоидального поля плазмы.
2. Система по п. 1, в которой средство для настройки постоянной времени L/R представляет собой катушку индуктивности.
3. Система по п. 1, в которой контроллер дополнительно содержит программный код, исполняемый процессором для дополнительного расчета отношения тороидального магнитного поля плазмы к полоидальному, сравнения рассчитанного отношения с эмпирически полученным нижним пороговым значением и запуска источника питания для подачи импульса дополнительного тока, если расчетное отношение ниже нижнего порогового значения.
4. Система по п. 3, в которой контроллер дополнительно содержит программный код, исполняемый процессором для поддерживания отношения магнитных полей между нижним пороговым значением и верхним пороговым значением.
5. Система по п. 1, в которой контроллер дополнительно содержит программный код, исполняемый процессором для дополнительного обнаружения каких-либо колебаний в каких-либо сигналах, полученных от датчиков, причем при обнаружении колебаний в сигнале, полученном от по меньшей мере одного из датчиков, осуществляется подача импульса дополнительного тока.
6. Система по п. 5, в которой контроллер дополнительно содержит программный код, исполняемый процессором для расчета режима неустойчивости плазмы по фазе колебаний в сигналах, полученных от датчиков, расположенных в разных угловых положениях, причем программный код дополнительно исполняется для регулирования времени подачи импульса дополнительного тока, исходя из рассчитанного режима неустойчивости.
7. Способ управления временем жизни магнитного поля замагниченной плазмы, причем способ предусматривает
настройку постоянной времени индуктивность/сопротивление (L/R) источника питания короче наименьшего времени ослабления полоидального поля замагниченной плазмы;
измерение одного или нескольких параметров плазмы несколькими датчиками, расположенными в разных радиальных, осевых и угловых положениях в стенке камеры сохранения потока, для выявления параметров в разном положении от магнитной оси плазмы;
обработку сигналов, полученных от нескольких датчиков, и выявление неравномерности в полученных сигналах; и
запуск источника питания для подачи импульса дополнительного тока, исходя из обнаруженной неравномерности в сигнале по меньшей мере одного датчика.
8. Способ по п. 7, дополнительно содержащий расчет отношения тороидального магнитного поля плазмы к полоидальному, сравнение рассчитанного отношения с эмпирически полученным нижним пороговым значением и запуск источника питания для подачи импульса дополнительного тока, если расчетное отношение ниже нижнего порогового значения.
9. Способ по п. 7, дополнительно содержащий выявление, присутствуют ли в сигналах, полученных от датчиков, какие-либо колебания, и подачу импульса дополнительного тока, если колебания выявлены.
10. Способ по п. 7, дополнительно содержащий расчет режима неустойчивости плазмы по фазе колебаний в сигналах датчиков, расположенных в разных угловых положениях, и регулирование времени подачи импульса дополнительного тока, исходя из рассчитанного режима неустойчивости.