СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

2
4
Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование на подложке слоя диоксида кремния, отличающийся тем, что прибор формируют нанесением полуизолирующего аморфного кремния насыщенного кислородом толщиной 0,5 мкм при атмосферном давлении и температуре 650°С в атмосфере азота при соотношении газовой смеси NO/SiH=0,2.