АЛМАЗНЫЙ МАТЕРИАЛ

1. Способ, включающий этапы, на которых:
а) обеспечивают азотсодержащий алмазный материал, который проявляет измеримое различие по меньшей мере одной из его абсорбционных характеристик в первом и втором состояниях, причем первое состояние имеет место после воздействия излучения, имеющего энергию по меньшей мере 5,5 эВ, и второе состояние возникает после термической обработки при температуре 798 К,
b) обрабатывают указанный азотсодержащий алмазный материал регулируемым облучением указанного азотсодержащего алмазного материала так, чтобы ввести достаточное количество дефектов в алмазный материал для создания одного или обоих из:
-1
-1
(i) коэффициента поглощения, измеренного при температуре 77 К, составляющего по меньшей мере 0,01 см и не более 1 см при длине волны 741 нм; и
-1
-1
(ii) коэффициента поглощения, измеренного при температуре 77 К, составляющего по меньшей мере 0,01 см и не более 0,5 см при длине волны 394 нм;
в соответствии с чем измеримое различие указанных абсорбционных характеристик обработанного облучением алмазного материала в указанных первом и втором состояниях, подвергнутого такому же облучению и термической обработке, как исходный алмаз, сокращается относительно измеримого различия указанных абсорбционных характеристик исходного алмазного материала в указанных первом и втором состояниях.
2. Способ по п.1, в котором измеримое различие абсорбционных характеристик обработанного алмазного материала в его первом и втором состояниях, и сокращение указанного измеримого различия после обработки облучением проявляются в видимых изменениях цвета.
3. Способ по п.1, в котором:
-1
-1
-1
(а) спектр поглощения исходного алмазного материала в одном или обоих из его первого и второго состояний имеет (i) коэффициент поглощения по меньшей мере 0,05 см при 270 нм, и один или оба из (ii) коэффициента поглощения по меньшей мере 0,05 см при 350 нм и (iii) коэффициента поглощения по меньшей мере 0,02 см при 510 нм;
-1
(b) измеримое различие абсорбционных характеристик исходного алмазного материала в его первом и втором состояниях представляет собой различие в коэффициенте поглощения при одной или обеих длинах волн 350 нм и 510 нм, составляющее по меньшей мере 0,15 см; и
-1
(c) этап обработки регулируемым облучением сокращает указанное различие между коэффициентами поглощения в первом и втором состояниях при одной или обеих длинах волн 350 нм и 510 нм по меньшей мере на 0,05 см.
4. Способ по п.1, в котором измеримое различие абсорбционных характеристик исходного алмазного материала в его первом и втором состояниях представляет собой различие в значении С* насыщенности согласно градации цвета исходного алмазного материала в его первом и втором состояниях по меньшей мере на 1, при этом различие в значении С* насыщенности цвета сокращается по меньшей мере на 0,5 с помощью этапа регулируемого облучения.
5. Способ по п.1, в котором измеримое различие абсорбционных характеристик исходного алмазного материала в его первом и втором состояниях представляет собой различие по меньшей мере на два уровня градации цвета по измерениям по шкале GIA в форме эквивалентного RBC-камня массой 0,5 карата, при этом различие в градации цвета сокращается по меньшей мере на один уровень градации цвета по измерениям по шкале GIA с помощью этапа регулируемого облучения.
6. Способ по п.5, в котором уровень градации цвета облученного алмазного материала в его равновесном состоянии является таким же уровнем градации цвета или более высоким, чем уровень градации цвета исходного алмазного материала в его равновесном состоянии.
7. Способ по п.4, в котором значение С* облученного алмазного материала в его равновесном состоянии является численно более низким, чем значение С* исходного алмазного материала в его равновесном состоянии.
-1
8. Способ по п.1, в котором облученный алмазный материал имеет коэффициент поглощения при 570 нм, который составляет менее 0,01 см.
9. Способ по п.1, в котором облучение проводят одним или более из электронов, нейтронов или гамма-фотонов.
15
17
2
10. Способ по п.8, в котором облучение создает флюенс электронов в диапазоне от 1·10 до 2·10 электронов/см.
11. Способ по п.1, в котором исходный алмазный материал был изготовлен способом синтеза по технологии CVD.
12. Способ по п.1, в котором алмазный материал представляет собой монокристалл.
13. Способ по п.12, в котором монокристалл находится в форме драгоценного камня.
14. Алмазный материал, который имеет спектр поглощения с одной или обеими из следующих характеристик:
<b>Обозначение</b>
<b>Пик</b>
<b>Коэффициент поглощения (при пике)</b>
V<sup>0</sup>
741 нм
0,01 см<sup>-1</sup> - 1 см<sup>-1 </sup>(при температуре 77 К)
V<sup>--</sup>
394 нм
0,01 см<sup>-1</sup> - 0,5 см<sup>-1</sup> (при температуре 77 К)
15. Алмазный материал по п.14, который представляет собой синтетический алмаз.
16. Алмазный материал по п.15, который представляет собой CVD-алмазный материал, и который имеет спектр поглощения со следующими дополнительными характеристиками:
(i)
<b>Обозначение</b>
<b>Начало пика</b>
<b>Конец пика</b>
<b>Пик</b>
<b>Коэффициент поглощения (при пике)</b>
270 нм
220 нм
325 нм
270 нм
0,05 см<sup>-1</sup> - 20 см<sup>-1</sup>
и
(ii) одной или более из
<b>Обозначение</b>
<b>Начало пика</b>
<b>Конец пика</b>
<b>Пик</b>
<b>Коэффициент поглощения (при пике)</b>
Полоса 350 нм
270 нм
450 нм
350 нм±10 нм
0,05 см<sup>-1</sup> - 10 см<sup>-1</sup>
Полоса 510 нм
420 нм
640 нм
510 нм±50 нм
0,02 см<sup>-1</sup> - 10 см<sup>-1</sup>
Обозначение
Форма кривой
Коэффициент поглощения
Линейный наклон
Повышение фонового уровня формы; коэффициент поглощения (см<sup>-1</sup>)=С×λ<sup>-3</sup> (С = константа, λ в мкм)
Вклад при 510 нм составляет: <1,5 см<sup>-1</sup>
-1
17. Алмазный материал по любому из пп.14-16, который имеет коэффициент поглощения при 570 нм, который составляет менее 0,04 см.
18. Алмазный материал по любому из пп.14-16, который имеет спектр фотолюминесценции в его равновесном состоянии, показывающий одну или более из следующих характеристик:
<b>Длина волны (нм)</b>
<b>Рамановская нормализованная интенсивность</b>
512,6
0,095
526,4
0,001
486,2
0,01
19. Алмазный материал по любому из пп.14-16, который представляет собой монокристалл.
20. Алмазный материал по п.19, в котором монокристалл находится в форме драгоценного камня.
21. Алмазный материал, полученный способом по любому из пп.1-13.