Способ изготовления полупроводниковых структур
METHOD OF MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с низкими токами утечек.
19
-3
Известен способ изготовления структур [Пат. США №5310711, МКИ H01L 21/22] путем формирования мелких 0,05 мкм p-n переходов с поверхностной концентрацией примеси 10см. Полупроводниковая пластина, свободная от оксидных покрытий, помещается в среду инертного газа, нагревается до 1100°C и выдерживается в смеси легирующих газов в течение 10-30 мин. В таких структурах из-за высоких температур ухудшаются электрофизические параметры.
Известен способ изготовления структур [Пат. США №5340770, МКИ HOL 21/225] путем формирования мелких переходов диффузией примеси из твердофазных источников, в качестве которых применяются стеклообразные слои, наносимые центрифугированием.
Недостатками способа являются:
- высокие значения токов утечек;
- высокая плотность дефектов;
- низкая технологичность.
При проведении поиска не был обнаружен источник информации, содержащий сведения, тождественные всем признакам, заявленным в формуле изобретения.
Задача, решаемая изобретением: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных структур.
2
2
6
2
6
Задача решается формированием мелкозалегающих переходов воздействием импульсного лазера с длительностью импульса 30 нс, при плотности мощности 0,5-1,5 Дж/см, на предварительно нанесенную пленку примесного материала толщиной 10 нм путем ВЧ плазменной обработки в атмосфере BH при температуре подложки 280-300°C, давлении газовой смеси He-BH 27 Па и уровне ВЧ мощности 5 Вт.
2
6
2
6
2
4
2
2
Технология способа состоит в следующем: формирование мелкозалегающих переходов проводят воздействием импульсного лазера, длительностью импульса 30 нс на предварительно нанесенную пленку примесного материала путем ВЧ плазменной обработки в атмосфере BH. На пластины Si n-типа проводимости, сопротивлением 4,5 Ом⋅см, с ориентацией (100) проводили плазменное нанесение пленки примеси, при температуре подложки 280-300°C, давление газовой смеси He-BH (в соотношении 99:1) 27 Па и уровне ВЧ мощности 5 Вт, толщиной - 10 нм. После этого для предохранения пленки от атмосферной влаги поверх нее выращивали (также с помощью плазменного осаждения, в атмосфере NO-SiH-Ar) слой SiO толщиной 100 нм. Лазерную обработку выполняли в герметичной камере, при давлении He~1300 Па, плотности мощности 0,5-1,5 Дж/см. Далее на поверхности образца формировали Al электроды по стандартной технологии.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые структуры. Результаты обработки представлены в табл. 1.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 17,4%.
Технический результат: снижение токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение качества и увеличения процента выхода годных структур.
Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
2
6
2
6
Предложенный способ изготовления полупроводниковой структуры путем формирования мелкозалегающих переходов воздействием импульсного лазера с длительностью импульса 30 нс на предварительно нанесенную пленку примесного материала путем ВЧ плазменной обработки в атмосфере BH при температуре подложки 280-300°C, давлении газовой смеси He-BH 27 Па и уровне ВЧ мощности 5 Вт позволяет повысить процент выхода годных структур и улучшить их надежность.