СПОСОБ ПОСЛОЙНОГО ПРОИЗВОДСТВА ТРЕХМЕРНОГО ОБЪЕКТА

1. Способ послойного производства трехмерного объекта, включающий в себя следующие этапы:
первый этап размещения слоя материала в порошковой форме или жидкого материала на основание или на слой, который был уже отвержден в выбранных точках,
второй этап селективного направления сфокусированного пучка фотонов или частиц (8') на выбранные точки слоя,
отличающийся тем, что на втором этапе пучок фотонов или частиц выбран таким образом, что он вызывает изменение поглощения материала при попадании в слой, и
после завершения второго этапа выполняют третий этап, на котором слой облучают электромагнитным излучением (18') таким образом, чтобы материал однородно отверждался в тех точках слоя, которые соответствуют поперечному сечению формируемого объекта.
2. Способ по п.1, в котором отверждение на третьем этапе производят в тех точках, на которые на втором этапе был направлен пучок фотонов или частиц (8').
3. Способ по п.1, в котором отверждение на третьем этапе производят в тех точках, на которые на втором этапе не был направлен пучок фотонов или частиц (8').
4. Способ по любому из пп.1-3, в котором пучок фотонов или частиц (8') является лучом лазера.
5. Способ по п.4, в котором длина волны излучения лежит в диапазоне 300-10600 нм.
6. Способ по любому из пп.1-3, в котором на втором этапе пучок фотонов или частиц (8') инициирует химическую реакцию в материале.
7. Способ по любому из пп.1-3, в котором на втором этапе пучок фотонов или частиц (8') инициирует фазовый переход в материале.
8. Способ по любому из пп.1-3, в котором на втором этапе пучок фотонов или частиц (8') вызывает изменение плотности материала.
9. Способ по любому из пп.1-3, в котором добавку добавляют в материал в порошковой форме или в жидкий материал, где поглощение добавки изменяется на втором этапе.
10. Способ по п.9, где добавка является наночастицами.
11. Способ по любому из пп.1-3, в котором максимум электромагнитного излучения (18'), которое применяют на третьем этапе, лежит в области длин волн в диапазоне 1000-6000 нм.
12. Способ по любому из пп.1-3, в котором на третьем этапе в качестве электромагнитного излучения (18') применяют микроволновое излучение.
13. Способ по любому из пп.1-3, в котором на третьем этапе для облучения слоя применяют второй сфокусированный пучок фотонов или частиц (80).
14. Способ по любому из пп.1-3, в котором в качестве материала применяют термопласт.
15. Способ по п.14, в котором термопласт относится к типу, который включает в себя группу полиэтиленов (ПЭ, ПЭНД, ПЭВД), полипропиленов (ПП), полиамидов, сложных полиэфиров, сложных полиэфиров/сложных эфиров, полиэфиров/сложных эфиров, полидифениловых эфиров, полиацеталей, полиалкилентерефталатов, в частности полиэтилентерефталат (ПЭТФ) и полибутилентерефталат (ПБТ), полиметилметакрилат (ПММА), поливинилацеталь, поливинилхлорид (ПВХ), полифениленоксид (ПФО), полиоксиметилен (ПОМ), полистирол (ПС), акрилонитрил-бутадиен-стирол (АБС), поликарбонаты (ПК), полиэфирсульфоны, термопластичные полиуретаны (ТПУ), полиэфиримиды (ПЭИ), полиариленсульфиды, в частности полифениленсульфид (PPS), термопластичные полиимиды (ПИ), полиамидоимиды (ПАИ), поливинилиденфториды или сополимеры указанных термопластов, композиции и/или смеси полимеров.
16. Способ по любому из пп.1-3, в котором в качестве материала применяют порошок полиарилэфиркетона (ПАЭК) или сополимер полиарилэфиркетона (ПАЭК)/полиарилэфирсульфона (ПАЭС).
17. Способ по п.16, в котором материал, по меньшей мере, содержит порошок из группы полиэфирэфиркетона (ПЭЭК), полиэфиркетонкетона (ПЭКК), полиэфиркетона (ПЭК), полиэфирэфиркетонкетона (ПЭЭКК), полиэфирэфирэфиркетона (ПЭЭЭК) или полиэфиркетонэфиркетонкетона (ПЭКЭКК).
18. Способ по любому из пп.1-3, в котором первый и второй этапы выполняют последовательно, несколько раз перед третьим этапом.
19. Устройство для производства трехмерного объекта посредством последовательного отверждения слоев отверждаемого материала в форме порошка по точкам, соответствующим поперечному сечению формируемого объекта под действием излучения, включающее в себя:
основание (4), имеющее по существу плоскую поверхность, которая служит для поддерживания формируемого объекта;
устройство для нанесения (10), предназначенное для нанесения слоя материала на поверхность основания или на слой, который уже был, по меньшей мере, частично отвержден,
устройство облучения (7), которое обеспечивает селективное направление электромагнитного луча или пучка частиц (8') на точки слоя, которые соответствуют поперечному сечению объекта, или в альтернативе на те точки слоя, которые не соответствуют поперечному сечению объекта, и
лучистый нагреватель (18), который способен испускать излучение (18') с максимумом при длине волны в диапазоне 1000-6000 нм для нагревания слоя порошка, отличающееся тем, что
устройство оборудовано регулирующим устройством (19), которое вводит время ожидания после завершения селективного облучения слоя перед нанесением нового слоя.
20. Устройство по п.19, в котором регулирующее устройство увеличивает мощность нагревания лучистого нагревателя (18) в течение времени ожидания.
21. Устройство для производства трехмерного объекта посредством последовательного отверждения слоев отверждаемого материала в форме порошка по точкам, соответствующим поперечному сечению формируемого объекта под действием излучения, включающее в себя:
основание (4), имеющее по существу плоскую поверхность, которая служит для поддерживания формируемого объекта;
устройство для нанесения (10), предназначенное для нанесения слоя материала на поверхность основания или на слой, который уже был, по меньшей мере, частично отвержден, и
устройство облучения (7), которое обеспечивает селективное направление первого электромагнитного луча или пучка частиц (8') на слой,
отличающееся тем, что присутствует второй источник облучения (70), предназначенный для селективного направления электромагнитного луча или пучка частиц (80) на слой, где второй луч (80) обладает более высокой удельной мощностью, чем первый луч.
22. Устройство по п.21, которое дополнительно включает в себя:
лучистый нагреватель (18), который обеспечивает передачу излучения (18'), имеющего максимум при длине волны в диапазоне от 1000 нм до 6000 нм, для нагревания слоя порошка, и
регулирующее устройство (10), которое вводит время ожидания после завершения селективного облучения слоя вторым лучом (80) перед нанесением нового слоя.