СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН
METHOD OF SILICON PLATE SURFACE PROCESSING

Изобретение относится к технологии изготовления мощных транзисторов, в частности к обработке поверхности кремниевых пластин от загрязнений после операции шлифовки, полировки и пескоструйной обработки.
Обычно загрязнения с поверхности полупроводниковых пластин после операции шлифовки, полировки и пескоструйной обработки удаляют с помощью кистей, щеток, батистовых салфеток.
Основным недостатком механического способа удаления загрязнения является разрушение структуры кремниевых подложек, приводящее к появлению трещин и сколов [1].
Техническим результатом изобретения является полное удаление загрязнений с поверхности без повреждений структуры кремниевой подложки.
Технический результат достигается обработкой поверхности подложек в изопропиловом спирте при частоте ультразвука 25±5 Гц.
Сущность способа заключается в том, что пластины загружают в ванну, заполненную изопропиловым спиртом, и при частоте ультразвука 25±5 Гц проводят удаление загрязнений в течение 5±1 минут. При такой обработке кремниевые пластины не повреждаются, не образуются сколы и трещины.
Контроль производится под сфокусированным светом, по количеству светящихся точек. Количество светящихся точек не превышает 5 штук.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки, при частоте ультразвука, равной 20 Гц.
Температура комнатная и время очистки 5±1 минут.
Светящихся точек на пластине не более 5 штук.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при частоте ультразвука, равной 30 Гц. Температура комнатная и время очистки 4 минуты.
Светящихся точек на пластине не более 5 штук.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1.
Процесс проводят при частоте ультразвука, равной 25±5 Гц.
Температура комнатная и время очистки 5±1 минут.
Светящихся точек на пластине не более 5 штук.
Таким образом, предлагаемый способ обеспечивает удаление загрязнений с поверхности подложек при частоте ультразвука, равной 25±5 Гц, и времени, равном 5±1 минут. Светящихся точек на пластине обеспечивается не более 5 штук.
Источники информации
1. Е.З.Мазель, Ф.П.Пресс. Планарная технология кремниевых приборов. - М.: Энергия. 1974. - С.243.