СПОСОБ ВСТРАИВАНИЯ СУЩЕСТВУЮЩЕГО КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА В 3-МЕРНЫЙ ИНТЕГРИРОВАННЫЙ ПАКЕТ

1. Устройство, содержащее:
первый кристалл, содержащий множество электропроводных, продолжающихся через подложку пропускных отверстий (ПОК), причем первый кристалл содержит площадь поверхности; и
множество вторых кристаллов, каждый из которых содержит множество контактных точек, соединенных с ПОК первого кристалла, причем множество вторых кристаллов расположено так, что они совместно составляют площадь поверхности, приблизительно равную площади поверхности первого кристалла.
2. Устройство по п.1, в котором первый кристалл и множество вторых кристаллов соединены в конфигурации, в которой передняя сторона обращена к задней стороне.
3. Устройство по п.2, в котором первый кристалл содержит ЦПУ или логический кристалл.
4. Устройство по п.3, в котором множество вторых кристаллов содержит модули запоминающего устройства.
5. Устройство по п.3, в котором множество вторых кристаллов содержит модули динамического оперативного запоминающего устройства.
6. Устройство по п.1, в котором первый кристалл содержит многоядерный процессор, и множество вторых кристаллов имеет такую конфигурацию, что каждый из множества вторых кристаллов расположен на соответствующих ядрах многоядерного процессора.
7. Устройство по п.1, в котором первый кристалл дополнительно содержит множество контактных точек, соединенных с ПОК через электропроводный слой перераспределения, и множество контактных точек каждого из вторых кристаллов соединено с множеством контактов первого кристалла.
8. Способ, содержащий:
размещают множество вторых кристаллов на первом кристалле таким образом, что совместно множество вторых кристаллов составляет площадь поверхности, приблизительно равную площади поверхности первого кристалла; и
электрически соединяют множество вторых кристаллов с множеством электропроводных, продолжающихся через подложку проходных отверстий (ПОК) первого кристалла.
9. Устройство по п.8, в котором первый кристалл и множество вторых кристаллов соединены в конфигурации соединения, в которой передняя сторона обращена к задней стороне.
10. Устройство по п.9, в котором первый кристалл содержит ЦПУ или логический кристалл.
11. Устройство по п.10, в котором множество вторых кристаллов содержит модули запоминающих устройств.
12. Устройство по п.10, в котором множество вторых кристаллов содержит модули динамического оперативного запоминающего устройства.
13. Способ по п.8, в котором первый кристалл содержит многоядерный процессор, и размещение множества вторых кристаллов на первом кристалле содержит такую компоновку, что каждый из множества вторых кристаллов соединен с соответствующим одним из ядер многоядерного процессора.
14. Способ по п.8, в котором первый кристалл содержит множество контактных точек, соединенных с ПОК через электропроводный слой перераспределения, и соединение множества вторых кристаллов содержит соединение контактных точек множества вторых кристаллов с множеством контактных точек первого кристалла.
15. Система, содержащая:
электронное устройство, включающее в себя печатную плату и модуль, соединенный с печатной платой, модуль, содержащий:
первый кристалл, содержащий множество электропроводных, продолжающихся через подложку пропускных отверстий (ПОК), причем первый кристалл содержит площадь поверхности; и
множество вторых кристаллов, каждый из которых содержит множество контактных точек, соединенных с ПОК первого кристалла, причем множество вторых кристаллов размещено таким образом, что совместно они составляют площадь поверхности, приблизительно равную площади поверхности первого кристалла.
16. Система по п.15, в которой первый кристалл и множество вторых кристаллов соединены в конфигурации с соединением передней стороны с задней стороной.
17. Система по п.16, в которой первый кристалл содержит ЦПУ или логический кристалл.
18. Система по п.17, в которой множество вторых кристаллов содержит модули запоминающих устройств.
19. Система по п.17, в которой множество вторых кристаллов содержит модули динамического оперативного запоминающего устройства.
20. Система по п.15, в которой первый кристалл содержит многоядерный процессор и множество вторых кристаллов, выполненных таким образом, что каждый из множества вторых кристаллов расположен на соответствующих ядрах многоядерного процессора.
21. Система по п.15, в которой первый кристалл дополнительно содержит множество контактных точек, соединенных с ПОК через электропроводный слой перераспределения, и множество контактных точек каждого из вторых кристаллов соединено с множеством контактных точек первого кристалла.