СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВА ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ТАКОЕ УСТРОЙСТВО ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

1. Способ изготовления устройства тонкопленочных солнечных элементов для батареи тонкопленочных солнечных элементов, содержащий:
обеспечение подложки;
создание на поверхности подложки пакета слоев, содержащего нижний электродный слой, фотоактивный слой и верхний электродный слой, причем нижний электродный слой расположен на поверхности подложки, фотоактивный слой расположен на нижнем электродном слое, верхний электродный слой расположен на фотоактивном слое, и
создание изолирующего слоя, расположенного на верхнем электродном слое;
создание в изолирующем слое и пакете слоев первой канавки, которая простирается до поверхности подложки;
создание в изолирующем слое и пакете слоев, с первой стороны от первой канавки, второй канавки, которая простирается ниже верхнего электродного слоя в фотоактивный слой, причем вторую канавку разносят от первой канавки на первое расстояние в первом направлении;
заполнение первой и второй канавок изолирующим материалом;
создание в изолирующем слое и пакете слоев третьей канавки, расположенной между первой заполненной канавкой и второй заполненной канавкой, причем третья канавка простирается в нижний электродный слой таким образом, что нижний электродный слой открывается;
создание со второй стороны от первой канавки, противоположной первой стороне, четвертой канавки, простирающейся через изолирующий слой в верхний электродный слой таким образом, что верхний электродный слой открывается;
заполнение третьей и четвертой канавок проводящим материалом; и
создание на верху изолирующего слоя между верхней частью третьей заполненной канавки и верхней частью четвертой заполненной канавки мостикового элемента из проводящего материала, пересекающего первую заполненную канавку.
2. Способ изготовления панели тонкопленочных солнечных элементов, содержащий:
обеспечение подложки;
создание на поверхности подложки пакета слоев, содержащего нижний электродный слой, фотоактивный слой и верхний электродный слой, причем нижний электродный слой расположен на поверхности подложки, фотоактивный слой расположен на нижнем электродном слое и верхний электродный слой расположен на фотоактивном слое;
создание в пакете слоев первой канавки, которая простирается до поверхности подложки;
создание в пакете слоев, с первой стороны от первой канавки, второй канавки, которая простирается ниже верхнего электродного слоя в фотоактивный слой, при этом вторую канавку разносят от первой канавки на первое расстояние в первом направлении;
создание локального изолирующего слоя выше первой и второй канавок таким образом, что первая и вторая канавки заполняются материалом изолирующего слоя и что локальный изолирующий слой покрывает первую и вторую заполненные канавки и простирается поперечно вдоль участка верхнего электродного слоя в по меньшей мере первом и втором направлении;
создание в локальном изолирующем слое и пакете слоев третьей канавки, расположенной между первой заполненной канавкой и второй заполненной канавкой, причем третья канавка простирается до нижнего электродного слоя таким образом, что нижний электродный слой открывается;
создание в локальном изолирующем слое со второй стороны от первой канавки, противоположной первой стороне, четвертой канавки, простирающейся до верхнего электродного слоя таким образом, что верхний электродный слой открывается;
заполнение третьей и четвертой канавок проводящим материалом; и
создание на локальном изолирующем слое между верхней частью третьей заполненной канавки и верхней частью четвертой заполненной канавки мостикового элемента из проводящего материала, пересекающего первую заполненную канавку.
3. Способ по п. 1 или 2, в котором создание первой, второй, третьей или четвертой канавок осуществляют путем аблятивного лазерного скрайбирования.
4. Способ по п. 1 или 2, в котором заполнение первой и второй канавок изолирующим материалом содержит нанесение печатью чернил, содержащих изолирующий материал, в местоположении первой и второй канавок и последующее отверждение нанесенных печатью чернил.
5. Способ по п. 2, в котором создание локального изолирующего слоя содержит нанесение печатью чернил, содержащих изолирующий материал, в форме такого локального изолирующего слоя и последующее отверждение нанесенных печатью чернил.
6. Способ по п. 4, в котором создание локального изолирующего слоя содержит этап заполнения первой и второй канавок изолирующим материалом.
7. Способ по п. 5, в котором создание локального изолирующего слоя содержит этап заполнения первой и второй канавок изолирующим материалом.
8. Способ по п. 1 или 2, в котором созданный изолирующий слой или созданный локальный изолирующий слой является по существу сплошным и непрерывным.
9. Способ по п. 1 или 2, в котором заполнение третьей и четвертой канавок содержит один этап заполнения, выбранный из: нанесения печатью чернил, содержащих проводящий материал, окрашивания краской, содержащей проводящий материал, через щелевую головку и распыления чернил, содержащих проводящий материал, причем за упомянутым выбранным этапом заполнения следует отверждение чернил или краски.
10. Способ по п. 9, в котором создание мостикового элемента содержит один этап создания, выбранный из:
нанесения печатью чернил, содержащих проводящий материал, окрашивания краской, содержащей проводящий материал, через щелевую головку и распыления чернил, содержащих проводящий материал, причем за упомянутым выбранным этапом создания следует отверждение чернил или краски.
11. Способ по п. 1 или 2, в котором изготовление осуществляют по технологии с рулона на рулон.
12. Способ по п. 1 или 2, в котором создание изолирующего слоя осуществляют с помощью процесса осаждения или процесса формирования, предназначенных для создания сплошного и непрерывного слоя изолятора.
13. Способ по п. 1 или 2, в котором создание первой канавки и второй канавки осуществляют за счет выполнения пары скрайбов параллельными лазерными лучами.
14. Способ по п. 1 или 2, в котором создание третьей канавки и четвертой канавки осуществляют за счет выполнения пары скрайбов параллельными лазерными лучами.
15. Способ по п. 1 или 2, в котором четвертую канавку выполняют имеющей гребенчатую структуру с пальцами, простирающимися поверх изолирующего слоя или локальной изолирующей структуры в сторону, противоположную позиции первого изолирующего тела, и заполняя гребенчатую четвертую канавку с получением гребенчатой структуры второго проводящего тела.
16. Способ по п. 15, в котором мостиковый элемент имеет гребенчатую структуру, подобную гребенчатой структуре четвертой канавки или структуре второго проводящего тела.
17. Устройство тонкопленочных солнечных элементов, содержащее подложку и батарею тонкопленочных солнечных элементов, расположенных на упомянутой подложке; причем
каждый тонкопленочный солнечный элемент имеет слоистую структуру пакета, содержащую нижний электродный слой, фотоактивный слой, верхний электродный слой и изолирующий слой,
причем нижний электродный слой расположен на поверхности подложки, фотоактивный слой расположен на нижнем электродном слое, верхний электродный слой расположен на фотоактивном слое и изолирующий слой расположен на верхнем электродном слое,
первый тонкопленочный солнечный элемент и второй тонкопленочный солнечный элемент, смежный с первым тонкопленочным солнечным элементом в первом направлении, разделены первой канавкой и второй канавкой;
вторая канавка параллельна первой канавке и находится с первой стороны от первой канавки и на первом расстоянии от первой канавки;
первая канавка простирается в пакете слоев до поверхности подложки и заполнена изолирующим материалом;
вторая канавка простирается в пакете слоев ниже верхнего электродного слоя в фотоактивный слой и заполнена изолирующим материалом;
третья канавка расположена между первой и второй канавками и простирается в пакете слоев до нижнего электродного слоя таким образом, что нижний электродный слой открыт, причем третья канавка заполнена проводящим материалом;
четвертая канавка расположена со второй стороны от первой канавки, противоположной первой стороне, и простирается через изолирующий слой до верхнего электродного слоя таким образом, что верхний электродный слой открыт, причем четвертая канавка заполнена проводящим материалом,
и между верхней частью третьей заполненной канавки и верхней частью четвертой заполненной канавки находится мостиковый элемент из проводящего материала, причем мостиковый элемент пересекает первую заполненную канавку.
18. Устройство тонкопленочных солнечных элементов по п. 17, в котором изолирующий слой представляет собой локальный изолирующий слой, который закрывает первую и вторую канавки и простирается поперечно вдоль участка верхнего электродного слоя в по меньшей мере первом и втором направлении, противоположном первому направлению.
19. Устройство тонкопленочных солнечных элементов по п. 17 или 18, в котором
подложку выбирают из группы, содержащей термопластичную фольгу, пленку или пластинку из полиэтилентерефталата (PET), пленку или пластинку из полиэтиленнафталата (PEN), стеклянную подложку, металлическую подложку с изоляционным поверхностным слоем и керамическую подложку.
20. Устройство тонкопленочных солнечных элементов по п. 17 или 18, в котором фотоактивный слой выбирают из группы, содержащей тонкопленочный кремний, (ди)селенид меди-индия-галлия CIGS, теллурид кадмия CdTe, органический фотоэлектрический материал OPV и перовскит.
21. Устройство тонкопленочных солнечных элементов по п. 17 или 18, в котором по меньшей мере один из верхнего электрода и нижнего электрода содержит прозрачный проводящий оксид.
22. Устройство тонкопленочных солнечных элементов по п. 21, в котором толщина прозрачного проводящего оксида из упомянутого по меньшей мере одного из верхнего электрода и нижнего электрода составляет примерно 1 мкм.
23. Устройство тонкопленочных солнечных элементов по п. 17 или 18, в котором толщина изолирующего слоя или локального изолирующего слоя в слоистой структуре пакета составляет примерно от 100 нм до примерно 4 мкм.
24. Устройство тонкопленочных солнечных элементов по п. 17 или 18, в котором заполненная четвертая канавка имеет гребенчатую структуру с пальцами, простирающимися поверх изолирующего слоя или локальной изолирующей структуры в сторону, противоположную позиции первой изолирующей канавки, и мостиковый элемент имеет гребенчатую структуру, покрывающую гребенчатую структуру заполненных четвертых канавок.