ЭЛЕМЕНТ И СХЕМА ХРАНЕНИЯ МАГНИТНОГО СОСТОЯНИЯ

1. Устройство для элемента хранения состояния спина, содержащее:
магнитное устройство с переменной резистивностью, выполненное с возможностью принимать магнитный сигнал управления для регулирования сопротивления указанного магнитного устройства с переменной резистивностью; и
магнитное логическое переключающее устройство, связанное с магнитным устройством с переменной резистивностью, причем магнитное логическое переключающее устройство выполнено с возможностью приема магнитного логического входного сигнала и выполнения логической операции на основе магнитного логического входного сигнала, а также и с возможностью возбуждения выходного магнитного сигнала на основе сопротивления указанного магнитного устройства с переменной резистивностью.
2. Устройство по п. 1, в котором магнитный сигнал управления представляет собой магнитное состояние для связывания со свободным магнитным слоем указанного магнитного устройства с переменной резистивностью.
3. Устройство по п. 1, в котором магнитное устройство с переменной резистивностью выполнено с возможностью при функционировании принимать магнитный сигнал управления, который является сигналом электрического поля или спинового тока.
4. Устройство по п. 1, в котором магнитное логическое переключающее устройство содержит:
входной магнит, выполненный с возможностью принимать магнитный логический входной сигнал; и
выходной магнит, выполненный с возможностью возбуждения выходного магнитного сигнала.
5. Устройство по п. 2, в котором магнитное устройство с переменной резистивностью выполнено с возможностью при функционировании обеспечивать возбуждение магнитного логического входного сигнала для выходного магнита, посредством магнитного логического переключающего устройства, когда магнитное устройство с переменной резистивностью имеет меньшую резистивность по сравнению с опорной резистивностью.
6. Устройство по п. 2, в котором магнитное устройство с переменной резистивностью выполнено с возможностью при функционировании обеспечивать возбуждение магнитного логического входного сигнала для выходного магнита, посредством магнитного логического переключающего устройства, когда поляризованные по спину электроны туннелируют с одного конца на другой конец магнитного устройства с переменной резистивностью, при этом указанный другой конец связан с магнитным логическим переключающим устройством.
7. Устройство по п. 2, в котором магнитное устройство с переменной резистивностью выполнено с возможностью при функционировании блокировать возбуждение магнитным логическим переключающим устройством магнитного логического входного сигнала для выходного магнита, когда магнитное устройство с переменной резистивностью имеет более высокую резистивность, чем опорная резистивность.
8. Устройство по п. 2, в котором магнитное устройство с переменной резистивностью выполнено с возможностью при функционировании блокировать возбуждение магнитным логическим переключающим устройством магнитного логического входного сигнала для выходного магнита, когда магнитное устройство с переменной резистивностью по существу прекращает транспортировать спин электронов с одного конца на другой конец магнитного устройства с переменной резистивностью, при этом указанный другой конец связан с магнитным логическим переключающим устройством.
9. Устройство по п. 8, в котором указанный другой конец связан с входным магнитом и выходным магнитом магнитного логического переключающего устройства.
10. Устройство по п. 8, в котором выходной магнит блокированного магнитного логического переключающего устройства выполнен с возможностью сохранять на выходном магните предыдущее магнитное значение.
11. Устройство по п. 8, в котором магнитное устройство с переменной резистивностью выполнено с возможностью при функционировании по существу прекращать транспорт спина электронов, который представляет собой диффузию спина или туннелирование спина.
12. Устройство по п. 1, в котором магнитное устройство с переменной резистивностью основано на магнитном туннельном переходе (MTJ) и/или спиновом клапане.
13. Устройство по п. 1, в котором магнитное устройство с переменной резистивностью содержит:
первый вывод, связанный с источником питания;
второй вывод, связанный с магнитным логическим переключающим устройством; и
третий вывод, выполненный с возможностью приема указанного магнитного сигнала управления.
14. Устройство по п. 13, в котором первый вывод выполнен с возможностью при функционировании принимать по меньшей мере один из следующих источников питания:
положительный источник питания;
отрицательный источник питания;
источник питания постоянного тока (DC);
синхронизированный источник питания; и
источник питания с отключенным питанием.
15. Устройство по п. 13, в котором второй вывод выполнен с возможностью при функционировании обеспечивать для магнитного логического переключающего устройства указанный источник питания или версию указанного источника питания.
16. Устройство по п. 1, в котором магнитное устройство с переменной резистивностью содержит:
первый слой, имеющий прикрепленный магнит, для обеспечения опорного значения; и
множество магнитных слоев, один из которых связан с первым слоем, причем по меньшей мере один из указанного множества магнитных слоев является восприимчивым к спиновому току электрона.
17. Устройство по п. 16, в котором указанное множество магнитных слоев указанного устройства с переменной резистивностью содержит свободный магнитный слой, при этом магнитный сигнал управления представляет собой магнитное состояние, связанное со свободным магнитным слоем.
18. Устройство по п. 16, в котором указанное множество магнитных слоев указанного устройства с переменной резистивностью содержит слой скремблирования спина (SSL), предназначенный для получения тока электронов от указанного магнитного устройства с переменной резистивностью, без поляризации спина.
19. Устройство по п. 18, в котором SSL используется для преобразования зависимого от спина электрохимического потенциала в скалярное напряжение на одном выводе магнитного устройства с переменной резистивностью.
20. Устройство по п. 18, в котором SSL имеет короткую длину переворота спина, для дефазирования спина электронов в магнитном устройстве с переменной резистивностью.
21. Устройство по п. 1, в котором магнитное устройство с переменной резистивностью и магнитное логическое переключающее устройство образуют элемент хранения спина электрона.
22. Вычислительная система, содержащая:
беспроводную антенну; и
процессор, выполненный с возможностью обмена данными через беспроводную антенну, при этом процессор имеет элемент хранения магнитного состояния, содержащий:
магнитное устройство с переменной резистивностью, выполненное с возможностью приема магнитного сигнала управления для регулирования сопротивления указанного магнитного устройства с переменной резистивностью; и
магнитное логическое переключающее устройство, связанное с указанным магнитным устройством с переменной резистивностью, при этом магнитное логическое переключающее устройство выполнено с возможностью приема магнитного логического входного сигнала и выполнения логической операции на основе магнитного логического входного сигнала, а также с возможностью возбуждения выходного магнитного сигнала на основе сопротивления указанного магнитного устройства с переменной резистивностью.
23. Вычислительная система по п. 22, в которой указанный элемент хранения магнитного состояния содержит магнитный триггер D-типа и/или набор магнитных триггеров.
24. Вычислительная система по п. 22, дополнительно содержащая модули магнитной комбинаторной логики, включающие в себя магнитное логическое переключающее устройство.
25. Вычислительная система по п. 22, дополнительно содержащая модуль дисплея.