ЯЧЕЙКА MRAM И СПОСОБ ДЛЯ ЗАПИСИ В ЯЧЕЙКУ MRAM С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТЕРМИЧЕСКОЙ ОПЕРАЦИИ ЗАПИСИ С ПОНИЖЕННЫМ ТОКОМ ПОЛЯ

1. Способ для записи в ячейку оперативной памяти (MRAM) с использованием термической операции записи, причем упомянутая ячейка MRAM содержит:
- магнитный туннельный переход, содержащий слой запоминания, обладающий намагниченностью запоминания, которую можно отрегулировать, когда магнитный туннельный переход нагрет до высокотемпературного порога, и зафиксировать, когда магнитный туннельный переход охлажден до низкотемпературного порога; опорный слой, обладающий фиксированным опорной намагниченностью; и туннельный барьерный слой, расположенный между слоями считывания и запоминания; и
- линию тока, электрически соединенную с упомянутым магнитным туннельным переходом;
- при этом упомянутый способ содержит этапы, на которых:
- пропускают ток нагрева по магнитному туннельному переходу через линию тока для нагрева магнитного туннельного перехода;
- сразу после достижения магнитным туннельным переходом высокотемпературного порога, пропускают ток поля, который генерирует магнитное поле записи, которое переключает намагниченность запоминания в записанном направлении, по существу, параллельно или антипараллельно относительно опорной намагниченности, в соответствии с полярностью тока поля;
причем величина тока нагрева является такой, что он действует как спин-поляризованный ток и вызывает регулировку переноса спина по намагниченности запоминания; и
полярность тока нагрева является такой, что она вызывает регулировку переноса спина по намагниченности запоминания, по существу, в упомянутом записанном направлении.
2. Способ по п. 1, в котором ячейка MRAM дополнительно содержит биполярный транзистор в электрическом соединении с одним концом магнитного туннельного перехода, причем биполярный транзистор установлен для управления пропусканием тока нагрева в магнитном туннельном переходе и полярностью тока нагрева.
3. Способ по п. 1, в котором ток поля пропускают по линии тока.
4. Способ по п. 1, в котором ячейка MRAM дополнительно содержит линию поля, и в котором ток поля пропускают по линии поля.
5. Способ по п. 1, в котором ячейка MRAM дополнительно содержит антиферромагнитный слой запоминания, имеющий обменную связь со слоем запоминания и закрепляющий намагниченность запоминания, когда магнитный туннельный переход находится при низкотемпературном пороге, и высвобождающий намагниченность запоминания, когда магнитный туннельный переход находится при высокотемпературном пороге.
6. Способ по п. 1, в котором слой запоминания содержит первый ферромагнитный слой со стороны туннельного барьерного слоя и обладающий намагниченностью первого ферромагнетика, второй ферромагнитный слой, обладающий намагниченностью второго ферромагнетика, и немагнитный связывающий слой, отделяющий первый и второй ферромагнитные слои, и в котором упомянутое пропускание тока поля переключает намагниченность первого и второго ферромагнетика относительно опорной намагниченности так, что первая намагниченность запоминания находится в записанном направлении.