СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНВЕРТОРА И ИНВЕРТОР

1. Способ изготовления инвертора, работающего в режиме обогащения/обеднения (E/D), имеющего множество тонкопленочных транзисторов на одной и той же подложке, канальные слои упомянутых транзисторов состоят из оксидного полупроводника, содержащего по меньшей мере один элемент, выбранный из In, Ga и Zn, способ содержит этапы, на которых:
формируют первый транзистор и второй транзистор, толщина канальных слоев первого и второго транзисторов является взаимно различной; и
применяют термообработку по меньшей мере к одному из канальных слоев первого и второго транзисторов.
2. Способ по п.1, в котором на этапе применения термообработки термообработка выполняется посредством приложения большего количества тепла к какому-либо одному из канальных слоев первого транзистора и второго транзистора.
3. Способ по п.1, в котором этап применения термообработки содержит этап, на котором локально нагревают частичную область канального слоя посредством контактного нагревания или облучения электромагнитными волнами.
4. Способ по п.1, в котором инвертор имеет по меньшей мере один вид структуры из:
структуры, в которой составляющий материал электрода истока первого транзистора и составляющий материал электрода истока второго транзистора являются взаимно различными,
структуры, в которой составляющий материал электрода стока первого транзистора и составляющий материал электрода стока второго транзистора являются взаимно различными, и
структуры, в которой составляющий материал электрода затвора первого транзистора и составляющий материал электрода затвора второго транзистора являются взаимно различными, и
этап применения термообработки содержит этап, на котором нагревают канальный слой посредством облучения электромагнитными волнами.
5. Способ по п.4, в котором инвертор имеет по меньшей мере один вид структуры из:
структуры, в которой свойство составляющего материала электрода истока первого транзистора и свойство составляющего материала электрода истока второго транзистора являются взаимно различными,
структуры, в которой свойство составляющего материала электрода стока первого транзистора и свойство составляющего материала электрода стока второго транзистора являются взаимно различными, и
структуры, в которой свойство составляющего материала электрода затвора первого транзистора и свойство составляющего материала электрода затвора второго транзистора являются взаимно различными, и
свойство является по меньшей мере одним свойством, выбранным из удельного сопротивления, удельной теплоемкости и коэффициента поглощения.
6. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап, на котором применяют травление к канальному слою, чтобы сделать толщину канальных слоев первого и второго транзисторов различной.
7. Способ по п.1, в котором, чтобы сделать толщину канальных слоев первого и второго транзисторов различной, количество раз выполнения или время этапа осаждения канального слоя первого транзистора делается отличным от количества раз выполнения или времени этапа осаждения канального слоя второго транзистора.
8. Способ изготовления инвертора, работающего в режиме обогащения/обеднения (E/D), имеющего множество тонкопленочных транзисторов на одной и той же подложке, канальные слои упомянутых транзисторов состоят из оксидного полупроводника, содержащего по меньшей мере один элемент, выбранный из In, Ga и Zn, способ содержит этапы, на которых:
формируют общую осажденную пленку, действующую в качестве канального слоя первого транзистора и канального слоя второго транзистора; и
выполняют термообработку посредством приложения большего количества теплоты к какому-либо одному из канальных слоев первого транзистора и второго транзистора.
9. Способ по п.8, в котором этап выполнения термообработки содержит этап, на котором локально нагревают частичную область канального слоя посредством контактного нагревания или облучения электромагнитными волнами.
10. Способ по п.8, в котором инвертор имеет по меньшей мере один вид структуры из:
структуры, в которой составляющий материал электрода истока первого транзистора и составляющий материал электрода истока второго транзистора являются взаимно различными,
структуры, в которой составляющий материал электрода стока первого транзистора и составляющий материал электрода стока второго транзистора являются взаимно различными, и
структуры, в которой составляющий материал электрода затвора первого транзистора и составляющий материал электрода затвора второго транзистора являются взаимно различными, и
этап выполнения термообработки содержит этап, в котором нагревают канальный слой посредством облучения электромагнитными волнами.
11. Способ по п.10, в котором инвертор имеет по меньшей мере один вид структуры из:
структуры, в которой свойство составляющего материала электрода истока первого транзистора и свойство составляющего материала электрода истока второго транзистора являются взаимно различными,
структуры, в которой свойство составляющего материала электрода стока первого транзистора и свойство составляющего материала электрода стока второго транзистора являются взаимно различными, и
структуры, в которой свойство составляющего материала электрода затвора первого транзистора и свойство составляющего материала электрода затвора второго транзистора являются взаимно различными, и
свойство является по меньшей мере одним свойством, выбранным из удельного сопротивления, удельной теплоемкости и коэффициента поглощения.
12. Инвертор, в котором среди множества оксидных полупроводниковых тонкопленочных транзисторов, которые сформированы на одной и той же подложке, и каждый из которых содержит по меньшей мере один элемент, выбранный из In, Ga и Zn, толщина канальных слоев по меньшей мере двух транзисторов является взаимно различной, и пороговые напряжения двух транзисторов являются взаимно различными.
13. Инвертор по п.12, в котором инвертор работает, если подается напряжение источника питания, которое удовлетворяет такому условию, что разность между пороговыми напряжениями двух транзисторов составляет 70% или больше и 200% или меньше от напряжения источника питания.