МЕТАЛЛИЧЕСКИЙ НАПОЛНИТЕЛЬ, РАЗДЕЛЯЮЩИЙ СЛОИ Р- И N-ТИПА, ДЛЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ, МОНТИРУЕМЫХ МЕТОДОМ ПЕРЕВЕРНУТОГО КРИСТАЛЛА

1. Структура перевернутых кристаллов светоизлучающих диодов (СИДов), содержащая:
полупроводниковые слои, включающие в себя слой первой проводимости, активный слой и слой второй проводимости, причем полупроводниковые слои имеют нижнюю поверхность, обращенную к кристаллодержателю, и верхнюю поверхность, через которую излучается свет;
первый электрод напротив нижней поверхности, электрически соединенный со слоем первой проводимости;
второй электрод напротив нижней поверхности, электрически соединенный со слоем второй проводимости, причем между первым электродом и вторым электродом имеется, по меньшей мере, один зазор;
первый диэлектрический слой, изолирующий боковые стенки упомянутого, по меньшей мере, одного зазора; и
первый металлический слой, сформированный отдельно от первого электрода и второго электрода, причем первый участок первого металлического слоя, по меньшей мере, частично заполняет упомянутый, по меньшей мере, один зазор и электрически изолирован от второго электрода.
2. Структура по п. 1, в которой первый участок первого диэлектрического слоя покрывает участок второго электрода, а второй участок первого металлического слоя сформирован лежащим поверх первого участка первого диэлектрического слоя.
3. Структура по п. 2, в которой второй участок первого
металлического слоя образует первую группу столбиковых выводов, которые контактируют с контактными площадками на кристаллодержателе.
4. Структура по п. 3, в которой первая группа столбиковых выводов электрически изолирована от первого электрода, второго электрода и первого участка первого металлического слоя.
5. Структура по п. 1, в которой слой первой проводимости содержит слой проводимости p-типа, а слой второй проводимости содержит слой проводимости n-типа, причем участки слоя проводимости p-типа и активного слоя удалены, чтобы открыть участок слоя проводимости n-типа для осуществления электрического контакта со вторым электродом.
6. Структура по п. 1, в которой первый металлический слой представляет собой осажденный металл.
7. Структура по п. 1, в которой первый металлический слой содержит столбиковые выводы, лежащие поверх первого электрода и второго электрода.
8. Структура по п. 1, в которой структура дополнительно содержит кристаллодержатель, имеющий контактные площадки, причем первый электрод, второй электрод и участки первого металлического слоя соединены с упомянутыми контактными площадками.
9. Структура по п. 1, в которой первый участок первого металлического слоя, по меньшей мере, частично заполняющий упомянутый, по меньшей мере, один зазор, электрически соединен с первым электродом посредством второго участка первого металлического слоя, продолжающегося по краю первого
диэлектрического слоя.
10. Структура по п. 1, в которой структура дополнительно содержит кристаллодержатель, имеющий контактные площадки, причем первый электрод, второй электрод и участки первого металлического слоя соединены с упомянутыми контактными площадками,
при этом участки первого металлического слоя образуют столбиковые выводы, лежащие поверх первого электрода и второго электрода, и
при этом столбиковые выводы поверх второго электрода электрически изолированы от первого участка первого металлического слоя, по меньшей мере, частично заполняющего упомянутый, по меньшей мере, один зазор.
11. Структура по п. 10, в которой столбиковые выводы поверх первого электрода электрически соединены с первым электродом и первым участком металлического слоя.
12. Структура по п. 1, в которой первый металлический слой механически поддерживает полупроводниковые слои.
13. Структура по п. 1, в которой кристаллодержатель представляет собой пластину-кристаллодержатель, имеющую множество установленных на ней перевернутых кристаллов СИДов, причем первый металлический слой, по меньшей мере, частично механически поддерживает полупроводниковые слои, когда первый электрод, второй электрод и первый металлический слой соединены с контактными площадками пластины-кристаллодержателя во время обработки множества СИДов на уровне пластины.
14. Способ формирования структуры перевернутых кристаллов
светоизлучающих диодов (СИДов), заключающийся в том, что:
формируют полупроводниковые слои, включающие в себя слой первой проводимости, активный слой и слой второй проводимости, причем полупроводниковые слои имеют нижнюю поверхность, обращенную к кристаллодержателю, и верхнюю поверхность, через которую излучается свет;
травят участки слоя первой проводимости и активного слоя, открывая участок слоя второй проводимости;
формируют первый электрод напротив нижней поверхности, электрически соединенный со слоем первой проводимости;
формируют второй электрод напротив нижней поверхности, электрически соединенный со слоем второй проводимости, причем между первым электродом и вторым электродом имеется, по меньшей мере, один зазор;
формируют первый диэлектрический слой, изолирующий боковые стенки упомянутого, по меньшей мере, одного зазора; и
формируют первый металлический слой, формируемый отдельно от первого электрода и второго электрода, причем первый участок первого металлического слоя, по меньшей мере, частично заполняет упомянутый, по меньшей мере, один зазор и электрически изолирован от второго электрода.
15. Способ по п. 14, в котором первый участок первого диэлектрического слоя покрывает участок второго электрода, а второй участок первого металлического слоя формируют лежащим поверх первого участка первого диэлектрического слоя.