ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Жидкокристаллическое устройство, включающее:
подложку массива тонкопленочных транзисторов, включающую первый электродный слой и первый ориентирующий слой, покрывающий первый электродный слой, слой цветной пленки (ЦФ), образованный между стеклянной подложкой и пассивирующим слоем подложки массива тонкопленочных транзисторов, причем подложка массива тонкопленочных транзисторов включает черную матрицу и фотоспейсер, расположенный на ней;
подложка ЦФ включает в торой электродный слой и второй ориентирующий слой, покрывающий второй электродный слой;
слой жидкого кристалла, расположенный между первым ориентирующим слоем подложки массива тонкопленочных транзисторов и вторым ориентирующим слоем подложки ЦФ;
причем и первый ориентирующий слой и второй ориентирующий слой подразделяются по меньшей мере на одну субобласть, и каждая из субобластей подразделяется на множество ориентирующих областей, и заранее определенное направление ориентации ориентирующей области первого ориентирующего слоя перпендикулярно по отношению к таковому второго ориентирующего слоя; и
каждая из ориентирующих областей первого ориентирующего слоя и второго ориентирующего слоя облучается поляризованными лучами с различными направлениями, направления поляризации поляризованных лучей, облучающих каждую из ориентирующих областей, адаптированы к направлениям ориентации таким образом, что ориентирующие пленки, имеющие заранее определенные направления ориентации, соответствующие каждой из ориентирующих областей, образуются на первом ориентирующем слое и втором ориентирующем слое.
2. Жидкокристаллическое устройство по п. 1, отличающееся тем, что подложка массива тонкопленочных транзисторов, кроме того, включает стеклянную подложку, шину затворов, слой полупроводника и шину данных.
3. Жидкокристаллическое устройство по п. 2, отличающееся тем, что черная матрица расположена над пассивирующим слоем подложки массива тонкопленочных транзисторов, или над стеклянной подложкой подложки массива тонкопленочных транзисторов и под шиной затворов, или над стеклянной подложкой подложки массива тонкопленочных транзисторов и по двум боковым сторонах шины затворов, или между слоем ЦФ и шиной данных подложки массива тонкопленочных транзисторов.
4. Жидкокристаллическое устройство по п. 3, отличающееся тем, что фотоспейсер расположен над черной матрицей, или над пассивирующим слоем подложки массива тонкопленочных транзисторов.
5. Жидкокристаллическое устройство по п. 1, отличающееся тем, что слой ЦФ выполнен из любого из костного клея, акрила, полиимида или полиэстра.
6. Жидкокристаллическое устройство по п. 1, отличающееся тем, что каждая субобласть подразделяется на четыре ориентирующих области двумя разделяющими линиями, перпендикулярными по отношению друг к другу, и по меньшей мере две из четырех ориентирующих областей имеют различающиеся направления ориентации.
7. Жидкокристаллическое устройство по п. 1, отличающееся тем, что первый электродный слой является слоем электрода пикселя, и второй электродный слой является слоем общего электрода.
8. Жидкокристаллическое устройство, включающее:
подложку массива тонкопленочных транзисторов, включающую первый электродный слой и первый ориентирующий слой, покрывающий первый электродный слой, слой цветной пленки (ЦФ) образован между стеклянной подложкой и пассивирующим слоем подложки массива тонкопленочных транзисторов, и подложка массива тонкопленочных транзисторов включает черную матрицу и фотоспейсер, расположенный на ней;
подложка ЦФ включает второй электродный слой и второй ориентирующий слой, покрывающий второй электродный слой;
слой жидкого кристалла, расположенный между первым ориентирующим слоем подложки массива тонкопленочных транзисторов и вторым ориентирующим слоем подложки ЦФ;
причем и первый ориентирующий слой, и второй ориентирующий слой подразделяются на по меньшей мере одну субобласть, и каждая из субобластей подразделяется на множество ориентирующих областей, заранее определенное направление ориентации ориентирующей области первого ориентирующего слоя перпендикулярно по отношению к таковому второго ориентирующего слоя,
и каждая из субобластей подразделяется на четыре ориентирующих области двумя разделяющими линиями, перпендикулярными по отношению друг к другу, и по меньшей мере две из четырех ориентирующих областей имеют различающиеся направления ориентации;
и каждая из ориентирующих областей первого ориентирующего слоя и второго ориентирующего слоя облучается поляризованными лучами с различными направлениями, направления поляризации поляризованных лучей, облучающих каждую из ориентирующих областей, адаптированы к направлениям ориентации таким образом, что ориентирующие пленки, имеющие заранее определенное направление ориентации, соответствующее каждой из ориентирующих областей, образуются на первом ориентирующем слое и втором ориентирующем слое.
9. Способ производства жидкокристаллических устройств, включающий следующие этапы:
обеспечивают подложку массива тонкопленочных транзисторов и подложку ЦФ, формируют слой ЦФ между стеклянной подложкой и пассивирующим слоем подложки массива тонкопленочных транзисторов, покрывают чувствительным к поляризованным лучам материалом первый электродный слой подложки массива тонкопленочных транзисторов для формирования первого ориентирующего слоя, и покрывают чувствительным к поляризованным лучам материалом второй электродный слой подложки ЦФ для формирования второго ориентирующего слоя;
подразделяют и первый ориентирующий слой, и второй ориентирующий слой на по меньшей мере одну субобласть, каждая из субобластей включает множество ориентирующих областей, а заранее определенное направление ориентации ориентирующей области первого ориентирующего слоя перпендикулярно по отношению к заранее определенному направлению ориентации соответствующей ориентирующей области второго ориентирующего слоя; и
облучают каждую из ориентирующих областей первого ориентирующего слоя и второго ориентирующего слоя поляризованными лучами различных направлений, и направление поляризации поляризованных лучей, облучающих каждую из ориентирующих областей, адаптировано к направлению ориентации так, чтобы формировать ориентирующие пленки с заранее определенным направлением ориентации, соответствующим каждой из ориентирующих областей;
обеспечивают электропитанием первый электродный слой подложки массива тонкопленочных транзисторов и второй электродный слой подложки ЦФ таким образом, чтобы завершить ориентацию молекул жидкого кристалла;
располагают черную матрицу на подложке массива тонкопленочных транзисторов; и
располагают фотоспейсер на подложке массива тонкопленочных транзисторов.
10. Способ производства по п. 9, отличающийся тем, что подложка массива тонкопленочных транзисторов, кроме того, включает стеклянную подложку, шину затворов, слой полупроводника, и шину данных.
11. Способ производства по п. 10, отличающийся тем, что черную матрицу располагают над пассивирующим слоем подложки массива тонкопленочных транзисторов, или над стеклянной подложкой подложки массива тонкопленочных транзисторов и под шиной затворов, или над стеклянной подложкой подложки
массива тонкопленочных транзисторов и располагают по двум боковым сторонам шины затворов, или располагают между слоем ЦФ и шиной данных подложки массива тонкопленочных транзисторов.
12. Способ производства по п. 9, отличающийся тем, что фотоспейсер располагают над черной матрицей, или над пассивирующим слоем подложки массива тонкопленочных транзисторов.
13. Способ производства по п. 12, отличающийся тем, что выполняют слой ЦФ из одного из костного клея, акрила, полиимида или полиэстра.