ЛИСТ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЙ СТАЛИ С ОРИЕНТИРОВАННОЙ ЗЕРЕННОЙ СТРУКТУРОЙ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Лист электротехнической стали с ориентированной зеренной структурой, содержащий стальную полосу и стекловидную покрывающую пленку на основе форстерита, сформированную на поверхности стальной полосы, при этом, когда участок, толщина которого непрерывно превышает вдвое или более среднюю толщину стекловидной покрывающей пленки и размер которого в направлении, параллельном поверхности стальной полосы, составляет 3 мкм или более, определяется как агрегированный участок, причем
отношение суммарной длины агрегированных участков, пересекаемых линейным сегментом, к длине этого линейного сегмента задано составляющим 0,15 или менее в произвольном линейном сегменте, параллельном поверхности стальной полосы.
2. Лист по п.1, в котором упомянутое отношение составляет 0,1 или менее.
3. Лист по п.1, в котором упомянутое отношение составляет 0,09 или менее.
4. Лист по п.1, в котором стальная полоса содержит Si в количестве от 2,0 мас.% до 7,0 мас.%, а
содержание С в стальной полосе составляет 0,005 мас.% или менее.
5. Лист по п.4, в котором остальное содержание стальной полосы составляют Fe и неизбежные примеси.
6. Лист по п.1, содержащий нитрид.
2
3
4
7. Лист по п.1, содержащий в качестве нитрида нитрид, по меньшей мере, одного типа, выбранный из группы, состоящей из AlN, BN, NbN и SiN.
2
2
2
2
2
2
8. Способ изготовления листа ориентированной электротехнической стали, заключающийся в том, что осуществляют процесс азотирования стальной полосы, а затем осуществляют отжиг для формирования стекловидной покрывающей пленки на основе форстерита на поверхности стальной полосы, при этом осуществляемый отжиг заключается в том, что осуществляют нагревание до 1000°C или более в смешанной газовой атмосфере, содержащей газообразный H и газообразный N, а доля газообразного N составляет 20 объем.% или более, и потом переключают атмосферу на атмосферу газообразного H при температуре от 1000°C или более до 1100°C или менее, при этом кислородный потенциал P(HO)/P(H) задают составляющим от 0,05 до 0,3, когда температура составляет 850°C или менее во время нагревания в смешанной газовой атмосфере.
9. Способ по п.8, в котором во время отжига проводят вторичную рекристаллизацию.