Способ изготовления активного слоя для резистивной памяти

1. Способ изготовления активного слоя для резистивного элемента памяти, отличающийся тем, что готовят суспензию графена, затем к суспензии добавляют раствор плавиковой кислоты и осуществляют фторирование графена до степени, составляющей от 50 до 80%, включая указанные значения, после чего на подложке формируют активный слой.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что готовят суспензию графена посредством измельчения природного очищенного графита, последующей интеркаляции в полученный порошок растворителя, не приводящего к химическому окислению графита, но способствующего расслоению графита, и финального использования ультразвуковой обработки для расслоения частиц графита и получения суспензии графена.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что в качестве растворителя, не приводящего к химическому окислению графита, но способствующего расслоению графита, используют диметилформамид или N-метилпирролидон.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что готовят суспензию графена 50%, добавляют раствор плавиковой кислоты в составе плавиковой кислоты от 3 до 10%, воды от 40 до 47%, включая указанные значения интервалов, с соответствием меньшего количества плавиковой кислоты большему количеству воды и наоборот, фторирование графена до степени, составляющей от 50 до 80%, включая указанные значения, осуществляют в течение времени от 20 до 60 дней, включая указанные значения.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на подложке формируют активный слой тем, что профторированную суспензию наносят на подложку капельно или в сочетании с использованием спинкоултера, распределяя ее по подложке с достижением требуемой толщины слоя, затем осуществляют сушку слоя с последующим промыванием в воде, либо профторированную суспензию сначала промывают, а затем наносят на подложку капельно или в сочетании с использованием спинкоултера, распределяя ее по подложке с достижением требуемой толщины слоя, после чего осуществляют сушку слоя.
6. Способ изготовления активного слоя для резистивного элемента памяти, отличающийся тем, что от объемного графита отделяют слой графена или мультиграфена и размещают его на подложке или на подложке формируют слой графена или мультиграфена химическим осаждением из газовой фазы, затем осуществляют фторирование слоя в растворе плавиковой кислоты до степени, составляющей от 50 до 80%, включая указанные значения.
7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что осуществляют фторирование слоя в растворе плавиковой кислоты до степени, составляющей от 50 до 80%, включая указанные значения, при этом используют раствор плавиковой кислоты с содержанием HF от 1 до 10%, включая указанные значения интервала, а продолжительность фторирования выбирают соответствующим времени достижения точки перехода выдерживаемого слоя от проводящего в изолирующее состояние.