СПОСОБ МОДИФИКАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛЕНКИ ЛАЗЕРНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ

6
2
Способ модификации полупроводниковой пленки лазерным излучением, отличающийся тем, что воздействуют на полупроводниковую пленку непрерывным лазерным излучением с энергией кванта, превосходящей ширину запрещенной зоны в диапазоне мощности от 5 до 10 Вт, при диаметре лазерного пучка на поверхности пленки от 30 до 100 мкм, так чтобы интенсивность воздействия не превышала 10 Вт/см при сканировании поверхности пленки со скоростью от 40 до 160 мкм/с.