ФОТОТЕРАПЕВТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, СПОСОБ И ПРИМЕНЕНИЕ

1. Устройство для фототерапии, содержащее:
первый источник света, который может излучать первый луч света, имеющий первую пиковую длину волны, для активации фотоактивируемой композиции, нанесенной на зону обработки или вблизи нее; и
второй источник света, который может излучать второй луч света, имеющий вторую пиковую длину волны, отличную от первой пиковой длины волны,
причем первая и вторая пиковые длины волн находятся в синей и/или фиолетовой областях спектра электромагнитного излучения.
2. Устройство по п. 1, в котором первая пиковая длина волны составляет от приблизительно 430 до приблизительно 500 нм, от приблизительно 440 до приблизительно 500 нм, от приблизительно 450 до приблизительно 500 нм, от приблизительно 430 до приблизительно 475 нм, от приблизительно 435 нм до приблизительно 470 нм, от приблизительно 440 нм до приблизительно 460 нм, от приблизительно 445 нм до приблизительно 455 нм, приблизительно 440 нм, приблизительно 450 нм, приблизительно 460 нм или приблизительно 470 нм.
3. Устройство по п. 1 или 2, в котором вторая пиковая длина волны составляет от приблизительно 400 нм до приблизительно 500 нм, от приблизительно 400 нм до приблизительно 475 нм, от приблизительно 400 нм до приблизительно 450 нм, от приблизительно 400 нм до приблизительно 430 нм, от приблизительно 410 нм до приблизительно 420 нм, или приблизительно 415 нм.
4. Устройство по п. 1 или 2, отличающееся тем, что вторая пиковая длина волны находится в пределах инфракрасной области спектра электромагнитного излучения.
5. Устройство по п. 1 или 2, в котором по меньшей мере один из первого и второго лучей света имеет ширину спектра, равную или меньше приблизительно 20 нм.
6. Устройство по п. 1 или 2, в котором по меньшей мере один из первого и второго лучей света имеет ширину спектра, равную приблизительно 19 нм ± 5 нм
7. Устройство по п. 1 или 2, в котором второй луч света имеет ширину спектра в пределах от приблизительно 15 нм до приблизительно 100 нм, от приблизительно 25 нм до приблизительно 80 нм, от приблизительно 30 нм до приблизительно 70 нм или от приблизительно 20 нм до приблизительно 50 нм.
2
2
2
2
2
2
2
2
2
8. Устройство по п. 1 или 2, в котором средняя плотность мощности света, излучаемого устройством и/или принимаемого зоной обработки от устройства, составляет от приблизительно 4 до приблизительно 75 мВт/см, от приблизительно 15 до приблизительно 75 мВт/см, от приблизительно 10 до приблизительно 200 мВт/см, от приблизительно 10 до приблизительно 150 мВт/см, от приблизительно 20 до приблизительно 130 мВт/см, от приблизительно 55 до приблизительно 130 мВт/см, от приблизительно 90 до приблизительно 140 мВт/см, от приблизительно 100 до приблизительно 140 мВт/см или от приблизительно 110 до приблизительно 135 мВт/см.
9. Устройство по п. 1 или 2, в котором средняя плотность мощности второго луча света ниже средней плотности мощности первого луча света.
10. Устройство по п. 9, в котором средняя плотность мощности второго луча света составляет от приблизительно 0,1% до приблизительно 90%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 80%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 70%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 60%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 50%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 40%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 30%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 20%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 10%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 9%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 8%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 7%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 6%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 5%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 4%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 3%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 2%, от приблизительно 0,1% до приблизительно 1% плотности мощности первого луча света.
2
2
2
2
2
2
11. Устройство по п. 1 или 2, в котором плотность потока энергии света, излучаемого устройством и/или принимаемого зоной обработки от устройства во время одного сеанса обработки, составляет более приблизительно 4 Дж/см, более приблизительно 10 Дж/см, более приблизительно 15 Дж/см, более приблизительно 30 Дж/см, более приблизительно 50 Дж/см, вплоть до 60 Дж/см.
12. Устройство по п. 1 или 2, в котором плотность потока энергии, излучаемого вторым источником света или подаваемого к зоне обработки от второго источника света, меньше плотности потока энергии, излучаемого первым источником света или подаваемого от первого источника света к зоне обработки.
13. Устройство по п. 1 или 2, в котором второй луч света имеет большую ширину спектра, чем первый луч света, и при этом второй луч света имеет более низкую среднюю плотность мощности, чем первый луч света
14. Устройство по п. 1 или 2, дополнительно содержащее контроллер, выполненный с возможностью электронного обмена данными с первым и вторым источниками света, для изменения первого спектра излучения первого луча света и/или второго спектра излучения второго луча света, причем первый и второй спектры излучения включают в себя один или более параметров спектра излучения, выбранных из ширины спектра, пиковой длины волны, плотности мощности, времени излучения и плотности потока энергии.
15. Устройство по п. 1 или 2, в котором первый и второй источники света расположены в виде матрицы по меньшей мере на одной панели.
16. Осветитель, содержащий:
головку осветителя, имеющую множество светоизлучающих диодов (СИД), расположенных в виде матрицы, причем матрица содержит по меньшей мере первую группу и вторую группу светодиодов, причем каждая из первой и второй групп содержит по меньшей мере один светодиод;
контроллер осветителя, электрически соединенный с головкой осветителя и имеющий схему для управления светодиодами и приведения их в действие;
причем первая группа светодиодов может генерировать первый луч некогерентного света, имеющий пиковую длину волны от приблизительно 430 нм до приблизительно 500 нм;
причем вторая группа светодиодов может генерировать второй луч некогерентного света, имеющий пиковую длину волны от приблизительно 400 нм до приблизительно 430 нм;
2
2
2
причем плотность мощности света, который может генерироваться головкой осветителя или который может поступать к поверхности обработки, составляет от приблизительно 4 до приблизительно 75 мВт/см или от приблизительно 55 мВт/см до приблизительно 150 мВт/см.
17. Осветитель по п. 16, в котором первая группа светодиодов может генерировать луч света, имеющий ширину спектра приблизительно 19 нм ± 5 нм или от приблизительно 13 до приблизительно 26 нм.
18. Осветитель по п. 16 или 17, дополнительно содержащий третью группу светодиодов, причем третья группа светодиодов генерирует луч некогерентного света, имеющий пиковую длину волны от приблизительно 500 нм до 750 нм.
19. Осветитель по п. 16 или 17, в котором контроллер выполнен с возможностью изменения одного или более параметров первого и/или второго лучей света, причем один или более параметров выбраны из плотности мощности, ширины спектра, длины волны, плотности потока энергии и времени излучения.
20. Осветитель по п. 16 или 17, в котором светодиоды первой и второй групп светодиодов распределены между собой.
21. Осветитель по п. 16 или 17, в котором головка осветителя содержит множество панелей, вмещающих светодиоды, причем указанные панели являются подвижными относительно друг друга.
22. Осветитель по п. 16 или 17, в котором матрица первой и второй групп светодиодов расположена на излучающей поверхности осветителя, причем осветитель дополнительно содержит щуп для установки зазора, проходящий от излучающей поверхности, для индикации расстояния обработки.
23. Способ косметической или медицинской обработки ткани, причем указанный способ содержит этапы, на которых:
облучают фотоактивируемую композицию, нанесенную на зону обработки или вблизи нее на ткани, или зону обработки на ткани первым лучом света, имеющим первую пиковую длину волны, который может вызывать активацию фотоактивируемой композиции; и
облучают эту же или другую фотоактивируемую композицию или зону обработки на указанной ткани вторым лучом света, имеющим вторую пиковую длину волны, отличную от первой пиковой длины волны,
причем первая и вторая пиковые длины волн находятся в синей и/или фиолетовой областях спектра электромагнитного излучения.
24. Способ косметической или медицинской обработки ткани, причем указанный способ содержит этап, на котором:
2
2
2
облучают ткань первым лучом света, имеющим пиковую длину волны от приблизительно 400 до приблизительно 750 нм и плотность мощности от приблизительно 4 до приблизительно 75 мВт/см или от приблизительно 55 мВт/см до приблизительно 150 мВт/см.
25. Способ косметической или медицинской обработки ткани, причем указанный способ содержит этап, на котором облучают ткань первым лучом света, имеющим пиковую длину волны от приблизительно 400 до приблизительно 750 нм и ширину спектра приблизительно 19 нм ± приблизительно 5 нм.