СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПЕРИОДИЧЕСКИ ПОЛЯРИЗОВАННОГО НИОБАТА И ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ ДЛЯ НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЛОКАЛЬНОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ НИОБАТА И ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ

1. Способ формирования периодически поляризованного ниобата и танталата лития для нелинейно-оптических элементов, заключающийся в формировании периодической доменной структуры путем приложения электрического поля, посредством которого осуществляют переключение направления поляризации в периодических локальных участках монокристаллической пластины, изготовленной из конгруэнтного ниобата или танталата лития, номинально чистого или легированного магнием, на поверхность которой предварительно наносят слой с избыточным относительно конгруэнтного состава содержанием лития, обладающего пониженным коэрцитивным полем, отличающийся тем, что нанесение слоя с избыточным относительно конгруэнтного состава содержанием лития, обладающего пониженным коэрцитивным полем, осуществляют в расплаве смеси, содержащей соли лития, при температуре 100-550°C на глубину 50-1000 нм через нанесенную на поверхность монокристаллической пластины изолирующую маску из материала с высоким удельным сопротивлением, в которой период открытых участков соответствует периоду формируемой доменной структуры, а их ширина составляет 0,1-0,4 части периода.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение слоя с избыточным относительно конгруэнтного состава содержанием лития, обладающего пониженным коэрцитивным полем, производят приложением электрического поля.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что электрическое поле величиной 10-200 В/мм прикладывают к нижней поверхности монокристаллической пластины и расплаву смеси, содержащей соли лития.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что изолирующая маска, которую наносят на монокристаллическую пластину, изготовлена из оксида кремния.
5. Устройство для локальной поляризации ниобата и танталата лития для нелинейно-оптических элементов, содержащее термостатированный корпус с крышкой, отличающееся тем, что устройство дополнительно снабжено металлическим кольцом для уплотнения и подвода высокого потенциала электрического тока к слою расплава, нанесенному на одну из поверхностей монокристаллической пластины, а на другую ее поверхность нанесен слой эвтектики состава Ga-In-Sn, через который осуществляют подвод тепла посредством медной пластины и низкого потенциала электрического тока.
6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что между металлическим кольцом и монокристаллической пластиной расположено уплотнение из силикона.
7. Устройство по любому из пп.5 или 6, отличающееся тем, что на поверхность монокристаллической пластины нанесена изолирующая маска из материала с высоким удельным сопротивлением, в которой период открытых участков соответствует периоду формируемой доменной структуры, а их ширина составляет 0,1-0,4 части периода.