ПОДЛОЖКА ДИСПЛЕЯ И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ
DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE

Область техники, к которой относится изобретение
По меньшей мере один вариант осуществления настоящего изобретения относится к подложке дисплея и устройству отображения.
Уровень техники
Органические светоизлучающие диоды, благодаря своим характеристикам, а именно, самосвечению, высокой эффективности, яркому цвету, малой толщине и легкости, энергосбережению, возможности изгиба и использования в широком температурном диапазоне и т.д., постепенно применялись в таких областях, как широкоформатное отображение, освещение, дисплеи, установленные на транспортном средстве, и тому подобное.
Раскрытие сущности изобретения
По меньшей мере один вариант осуществления настоящего изобретения предлагает подложку дисплея и устройство отображения. Подложка дисплея содержит: базовую подложку и множество первых цветовых субпикселей, множество вторых цветовых субпикселей и множество третьих цветовых субпикселей, расположенных на базовом подложке; линию сигнала управления светоизлучением, простирающуюся вдоль первого направления; линию данных, простирающуюся вдоль второго направления, причем первое направление пересекается со вторым направлением; и линию электропитания, перекрывающуюся с линией данных в третьем направлении, перпендикулярном базовой подложке, причем по меньшей мере один субпиксель содержит органический светоизлучающий элемент и пиксельную схему для управления органическим светоизлучающим элементом, органический светоизлучающий элемент содержит первый электрод, второй электрод и светоизлучающий слой, расположенный между первым электродом и вторым электродом; пиксельная схема содержит управляющий транзистор и первый транзистор управления светоизлучением, и пиксельная схема дополнительно содержит соединительную структуру, расположенную в том же слое, что и линия данных, по меньшей мере а одном втором цветовом субпикселе, первый электрод первого транзистора управления светоизлучением второго цветового субпикселя электрически соединен с соединительной структурой через первое соединительное отверстие, и соединительная структура электрически соединена со вторым электродом второго цветового субпикселя через второе соединительное отверстие, ортографическая проекция по меньшей мере части первого соединительного отверстия на базовой подложке расположена на стороне ортографической проекции линии сигнала управления светоизлучением на базовой подложке, а ортографическая проекция по меньшей мере части второго соединительного отверстия на базовой подложке расположена на другой стороне ортографической проекции линии сигнала управления светоизлучением на базовой подложке; по меньшей мере в одном третьем цветовом субпикселе второй электрод третьего цветового субпикселя не перекрывается с каналом управляющего транзистора, управляющего органическим светоизлучающим элементом третьего цветового субпикселя в третьем направлении.
Например, по меньшей мере в одном варианте изобретения второй электрод, по меньшей мере, одного третьего цветового субпикселя не перекрывается с каналами управляющих транзисторов для управления органическими светоизлучающими элементами субпикселей других цветов в третьем направлении.
Например, по меньшей мере, в одном варианте осуществления настоящего изобретения подложка дисплея содержит активный полупроводниковый слой, включающий в себя канал и область истока-стока каждого транзистора каждого субпикселя, и соединительная структура электрически соединена с активным полупроводниковым слоем через первое соединительное отверстие в неорганическом слое между соединительной структурой и активным полупроводниковым слоем; соединительная структура электрически соединена со вторым электродом через второе соединительное отверстие по меньшей мере в одном из органического слоя и неорганического слоя между соединительной структурой и вторым электродом, и во втором цветовом субпикселе центр ортографической проекции первого соединительного отверстия на базовой подложке и центр ортографической проекции второго соединительного отверстия на базовой подложке соответственно расположены на обеих сторонах ортографической проекции линии сигнала управления светоизлучением на базовой подложке.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения по меньшей мере в одном втором цветовом субпикселе ортографическая проекция первого соединительного отверстия на базовой подложке находится дальше от ортографической проекции второго электрода на базовой подложке по сравнению с ортографической проекцией второго соединительного отверстия на базовой подложке.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения по меньшей мере в одном втором цветовом субпикселе второй электрод второго цветового субпикселя перекрывается с каналом управляющего транзистора, управляющего органическим светоизлучающим элементом второго цветового субпикселя в третьем направлении.
Например, по меньшей мере, в одном варианте осуществления настоящего изобретения, линия данных, соединенная с пиксельной схемой по меньшей мере одного второго цветового субпикселя и второй электрод по меньшей мере одного второго цветового субпикселя разнесены друг друга в первом направлении.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения второй электрод по меньшей мере одного второго цветового субпикселя и линия данных, соединенная с пиксельной схемой третьего цветового субпикселя, перекрываются в третьем направлении.
Например, по меньшей мере, в одном варианте осуществления настоящего изобретения ортографическая проекция второго электрода по меньшей мере одного первого цветового субпикселя и ортографическая проекция второго электрода по меньшей мере одного третьего цветового субпикселя на первой прямой линии, простирающейся вдоль второго направления, перекрывается с ортографической проекцией соединительной структуры по меньшей мере одного второго цветового субпикселя на первой прямой линии.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения ортографическая проекция второго электрода по меньшей мере одного третьего цветового пикселя на второй прямой линии, простирающейся вдоль первого направления, перекрывается с ортографической проекцией соединительной структуры по меньшей мере одного второго цветового субпикселя на второй прямой линии.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения второй электрод по меньшей мере одного субпикселя содержит основной электрод и соединительный электрод, электрически соединенный с первым транзистором управления светоизлучением, ортографическая проекция основного электрода по меньшей мере одного первого цветового субпикселя на первой прямой линии перекрывается с ортографической проекцией соединительной структуры по меньшей мере одного второго цветового субпикселя на первой прямой линии.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения ортографическая проекция основного электрода по меньшей мере одного третьего цветового субпикселя на второй прямой линии перекрывается с ортографической проекцией соединительной структуры по меньшей мере одного второго цветового субпикселя на второй прямой линии.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения подложка дисплея дополнительно содержит: линию сигнала сканирования и линию сигнала управления сбросом, при этом по меньшей мере в одном субпикселе пиксельная схема дополнительно содержит транзистор записи данных и транзистор сброса, причем электрод затвора транзистора записи данных выполнен с возможностью электрического соединения с линией сигнала сканирования для приема сигнала сканирования, а электрод затвора транзистора сброса выполнен с возможностью электрического соединения с линией сигнала управления сбросом для приема сигнала управления сбросом.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения по меньшей мере в одном субпикселе пиксельная схема дополнительно содержит второй транзистор управления светоизлучением, и электрод затвора первого транзистора управления светоизлучением и электрод затвора второго транзистора управления светоизлучением оба электрически соединены с линией сигнала управления светоизлучением для приема сигнала управления светоизлучением.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения второй электрод по меньшей мере одного второго цветового субпикселя перекрывается с линией сигнала сканирования в третьем направлении.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения второй электрод по меньшей мере одного второго цветового субпикселя перекрывается с линией сигнала сканирования, электрически соединенной с пиксельной схемой второго цветового субпикселя в третьем направлении.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения, оба из второго электрода по меньшей мере одного первого цветового субпикселя и второго электрода по меньшей мере одного третьего цветового субпикселя перекрываются с линией сигнала управления светоизлучением в третьем направлении.
Например по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения второй электрод по меньшей мере одного первого цветового субпикселя содержит первую субчасть электрода и вторую субчасть электрода, расположенные на обеих сторонах линии сигнала управления светоизлучением соответственно, и площадь первой субчасти электрода больше площади второй субчасти электрода; по меньшей мере, в одном первом цветовом субпикселе центр ортографической проекции второго соединительного отверстия на базовой подложке и ортографической проекции первой субчасти электрода на базовой подложке расположены на обоих сторонах ортографической проекции линии сигнала управления светоизлучением на базовой подложке соответственно.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения по меньшей мере в одном субпикселе пиксельная схема дополнительно содержит накопительный конденсатор, второй электрод накопительного конденсатора также используется в качестве электрода затвора управляющего транзистора, и площадь второго электрода накопительного конденсатора по меньшей мере одного первого цветового субпикселя отличается от площади второго электрода накопительного конденсатора по меньшей мере одного второго цветового субпикселя.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения площадь второго электрода по меньшей мере одного первого цветового субпикселя больше площади второго электрода по меньшей мере одного второго цветового субпикселя, а площадь второго электрода накопительного конденсатора по меньшей мере одного первого цветового субпикселя больше площади второго электрода накопительного конденсатора по меньшей мере одного второго цветового субпикселя.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения по меньшей мере в одном втором цветовом субпикселе первый электрод накопительного конденсатора перекрывается со соединительной структурой в третьем направлении.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения по меньшей мере в одном субпикселе канал управляющего транзистора субпикселя содержит множество субчастей канала, соединенных последовательно, по меньшей мере часть множества субчастей канала простирается вдоль первого направления, и ортографические проекции двух субчастей канала, простирающихся вдоль первого направления на второй прямой линии, не перекрываются.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения множество субчастей канала содержит пять субчастей канала, соединенных последовательно, три из пяти субчастей канала простираются вдоль первого направления, ортографические проекции двух из трех субчастей канала на второй прямой линии не перекрываются, ортографические проекции двух из трех субчастей канала на первой прямой линии перекрываются и ортографические проекции двух субчастей канала, отличных от указанных трех субчастей канала из пяти субчастей канала на первой прямой линии, перекрываются.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения пять субчастей канала содержат первую субчасть канала, вторую субчасть канала, третью субчасть канала, четвертую субчасть канала и пятую субчасть канала, которые соединены последовательно, первая субчасть канала, третья субчасть канала и пятая субчасть канала простираются вдоль первого направления, первая субчасть канала и третья субчасть канала параллельны друг другу, и первая субчасть канала и пятая субчасть канала пересекаются третьей прямой линией, простирающейся вдоль первого направления, и ортографические проекции первой субчасти канала и пятой субчасти канала на второй прямой линии не перекрываются, и вторая субчасть канала и четвертая субчасть канала простираются вдоль второго направления и параллельны друг другу.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения подложка дисплея дополнительно содержит: слой определения пикселя, расположенный на стороне второго электрода каждого субпикселя на удалении от базовой подложки, причем слой определения пикселя содержит отверстие для ограничения светоизлучающей области каждого субпикселя, по меньшей мере часть органического светоизлучающего слоя каждого субпикселя расположена в указанном отверстии, и ортографическая проекция отверстия слоя определения пикселя на базовой подложке расположена в ортографической проекции основного электрода второго электрода каждого субпикселя на базовой подложке; в слое определения пикселя площадь отверстия, ограничивающего область светоизлучения каждого третьего цветового субпикселя, превышает площадь отверстия, ограничивающего область светоизлучения каждого второго цветового субпикселя, и меньше площади отверстия, ограничивающего область светоизлучения каждого первого цветового субпикселя.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения второй электрод по меньшей мере одного первого цветового субпикселя перекрывается с линией данных в третьем направлении, и длина перекрываемого участка второго электрода и линия данных во втором направлении превышает 80% от максимальной длины второго электрода во втором направлении.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения второй электрод по меньшей мере одного первого цветового субпикселя перекрывается с линией электропитания в третьем направлении, и длина перекрываемого участка второго электрода и линии электропитания во втором направлении превышает 80% от максимальной длины второго электрода во втором направлении.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения по меньшей мере в одном втором цветовом субпикселе ортографическая проекция первого соединительного отверстия на базовой подложке имеет первую площадь, ортографическая проекция второго соединительного отверстия на базовой подложке имеет вторую площадь, и первая площадь отличается от второй площадь.
Например, по меньшей мере в одном варианте осуществления настоящего изобретения по меньшей мере в одном втором цветовом субпикселе первое соединительное отверстие имеет первое расстояние от линии сигнала управления светоизлучением во втором направлении, второе соединительное отверстие имеет второе расстояние от линии сигнала управления светоизлучением во втором направлении, и первое расстояние отличается от второго расстояния.
Другой вариант осуществления настоящего изобретения предлагает устройство отображения, содержащее упомянутую подложку дисплея.
Краткое описание чертежей
Далее приведено краткое описание вариантов осуществления настоящего изобретения со ссылкой на чертежи для ясного изложения технического решения вариантов осуществления настоящего изобретения. Очевидно, что описанные ниже чертежи относятся только к некоторым вариантам осуществления настоящего изобретения и, таким образом, не ограничиваются настоящим раскрытием.
Фиг.1А представляет собой двухмерную схему подложки матрицы, предоставляемую вариантом осуществления настоящего изобретения;
Фиг.1В является видом частичного сечения подложки матрицы, показанной на фиг.1А;
Фиг.1С представляет собой двухмерную схему подложки матрицы, предоставляемую вариантом осуществления настоящего изобретения;
Фиг.1D и фиг.1E являются двухмерными схемами транзисторов управления первого цветового субпикселя и второго цветового субпикселя, соответственно;
Фиг.2 представляет собой блок-схему алгоритма способа изготовления подложки матрицы, предоставляемой вариантом осуществления настоящего изобретения;
Фиг.3 представляет собой кривую моделирования входного сигнала данных субпикселя каждого цвета и тока насыщения, протекающего через органический светоизлучающий элемент субпикселя каждого цвета во втором примере варианта осуществления настоящего изобретения;
Фиг.4 является кривой напряжений электрода затвора и токов насыщения транзисторов управления с различными отношениями ширина-длина канала, обеспечиваемым вариантом осуществления настоящего изобретения;
Фиг.5А-фиг.5C являются схемами отношений ширина-длина канала управляющего транзистора и скорости зарядки в субпикселе каждого цвета;
Фиг.6 представляет собой блок-схему подложки дисплея, предоставляемую вариантом осуществления настоящего изобретения;
Фиг.7 является схемой повторяющихся блоков подложки дисплея, предоставляемой вариантом осуществления настоящего изобретения;
Фиг.8 представляет собой двухмерную схему подложки дисплея, предоставляемую вариантом осуществления настоящего изобретения;
Фиг.9А-фиг.10А являются схемами слоев пиксельной схемы, предоставляемой некоторыми вариантами осуществления настоящего изобретения;
Фиг.10В и фиг.10C являются сечениями по линии AA' и линии BB’, показанные на фиг.10А;
Фиг.11А представляет собой частичную схему подложки матрицы, предоставляемую примером варианта осуществления настоящего изобретения;
Фиг.11В является схемой структуры размещения пикселей, показанных на фиг.11А; и
Фиг.12 представляет собой частичную схему подложки матрицы, предоставляемую другим примером варианта осуществления.
Осуществление изобретения
Далее будет приведено полное и четкое описание вариантов осуществления настоящего изобретения для раскрытия объектов, технических деталей и преимуществ вариантов осуществления настоящего изобретения со ссылкой на прилагаемые чертежи. Очевидно, что описанные варианты осуществления являются просто частью, но не всеми вариантами осуществления изобретения. На основании описанных вариантов осуществления специалисты в данной области техники могут получить другие варианты осуществления без творческих усилий, которые должны находиться в пределах объема изобретения.
Если не определено иное, все технические и научные термины, используемые в данном документе, имеют одинаковые значения, которые обычно используются в данной области техники, к которой принадлежит настоящее изобретение. Термины «первый», «второй» и т.д., которые используются в описании и формуле изобретения настоящего изобретения, не предназначены для обозначения какой-либо последовательности, количества или важности, но используются для различия различных компонентов. Кроме того, термины «содержит», «содержащий» и т.д. используются для указания, что элементы или объекты, указанные до этих терминов, охватывают элементы или объекты и их эквиваленты, перечисленные после этих терминов, но не исключают другие элементы или объекты.
По меньшей мере, один вариант осуществления настоящего изобретения относится к подложке дисплея и устройству отображения. Подложка дисплея содержит: базовую подложку и множество первых цветовых субпикселей, множество вторых цветовых субпикселей и множество третьих цветовых субпикселей, расположенных на базовой подложке; линию сигнала управления светоизлучением, простирающуюся вдоль первого направления; линию данных, простирающуюся вдоль второго направления, первое направление пересекается со вторым направлением; и линию электропитания, перекрывающуюся с линией данных в третьем направлении, перпендикулярном базовой подложке. По меньшей мере, один субпиксель содержит органический светоизлучающий элемент и пиксельную схему для управления органического светоизлучающего элемента, органический светоизлучающий элемент содержит первый электрод, второй электрод и светоизлучающий слой, расположенный между первым электродом и вторым электродом; пиксельная схема содержит управляющий транзистор и первый транзистор управления светоизлучением, и пиксельная схема дополнительно содержит структуру соединения, расположенную в том же слое, что и линия данных. По меньшей мере, один второй цветовой субпиксель, первый электрод первого транзистора управления светоизлучением второго цветового субпикселя электрически соединены со соединительной структурой через первое соединительное отверстие, и соединительная структура электрически соединена со вторым электродом второго цветового субпикселя через второе соединительное отверстие, ортографическая проекция, по меньшей мере, части первого соединительного отверстия на базовой подложке расположена на стороне ортографической проекции линии сигнала управления светоизлучением на базовой подложке, и ортографическая проекция, по меньшей мере, части второго соединительного отверстия на базовой подложке расположена на другой стороне ортографической проекции линии сигнала управления светоизлучением на базовой подложке. По меньшей мере, один третий цветовой субпиксель, второй электрод третьего цветового субпикселя не перекрываются с каналом управляющего транзистора, управляющего органическим светоизлучающим элементом третьего цветового субпикселя в третьем направлении. Настоящее изобретение предлагает структуру компоновки пикселей, которая может эффективно управлять вторым цветовым субпикселем для излучения света соединительной структурой на основании улучшения компактности компоновки пикселей для повышения разрешения пикселей посредством установки позиционной взаимосвязи между двумя отверстиями для присоединения и линии сигнала управления светоизлучением и позиционной взаимосвязи между вторым электродом третьего цветового субпикселя и каналом управляющего транзистора третьего цветового субпикселя. В настоящем изобретении линии данных и линии электропитания расположены в разных слоях, а именно, двухслойные сигнальные линии, для реализации плотной компоновки пикселей и оптимизированной прокладки электрических проводов.
Далее приведено описание подложки дисплея и устройства отображения, предусмотренные вариантами осуществления настоящего изобретения, со ссылкой на чертежи.
Фиг.1А представляет собой двухмерную схему подложки матрицы, предоставляемую вариантом осуществления настоящего изобретения; и фиг.1В является частичным сечением подложки матрицы, показанной на фиг.1А по линии AA. Как показано на фиг.1А, вариант осуществления настоящего изобретения предлагает подложку матрицы, которая содержит базовую подложку 100 и первый цветовой субпиксель 110 и второй цветовой субпиксель 120 на базовой подложке100. Первый цветовой субпиксель 110 содержит первый управляющий транзистор 111 , второй цветовой субпиксель 120 содержит второй управляющий транзистор 121 , и отношение W1/L1 ширина-длина канала первого транзистора 111 управления больше, чем отношение W2/L2 ширина-длина канала второго транзистора 121 управления. То есть, ширина канала первого транзистора 111 управления представляет собой W1 и длина канала первого транзистора 111 управления является L1, ширина канала второго транзистора 121 управления является W2 и длина канала второго транзистора 121 управления равна L2, и W1, L1, W2 и L2 удовлетворяют отношению W1/L1> W2/L2. Фиг.1А схематично показывает, что первый управляющий транзистор и второй управляющий транзистор имеют одинаковую длину канала, но имеют разные ширины канала. Варианты осуществления настоящего изобретения этим не ограничены и ширина канала первого транзистора управления и второго транзистора управления может быть одинаковой, но длины канала различны, или ширины канала и длины канала первого транзистора управления и второго транзистора управления отличается.
Варианты осуществления настоящего изобретения могут повысить яркость отображения устройства отображения, содержащего подложку матрицы, оптимизируя отношения ширина-длина канала транзисторов управления субпикселей с разными цветами на подложке матрицы.
В некоторых примерах эффективность тока первого цветового субпикселя меньше, чем эффективность тока второго цветового субпикселя. Эффективность тока здесь относится к интенсивности светоизлучения субпикселя каждого цвета на единицу тока (единица измерения: кандела на ампер, cd/A). Поскольку эффективность тока субпикселей с разными цветами различна, посредством установки отношений ширина-длина канала транзисторов управления субпикселей с разными цветами на различные значения, в случае, когда белый свет, отображаемый устройством отображения, содержащее подложку матрицы, находится на максимальной шкале серого, следует избегать эффекта недостаточной яркости первого цвета.
В некоторых примерах первый цветовой субпиксель 110 представляет собой субпиксель синего цвета и второй цветовой субпиксель 120 представляет собой субпиксель красного цвета или субпиксель зеленого цвета. В вариантах осуществления настоящего изобретения, установив отношение ширина-длина канала транзистора управления субпикселя синего цвета больше, чем отношение ширина-длина канала транзистора управления субпикселя красного цвета или субпикселя зеленого цвета, в случае, когда белый свет, отображаемый устройством отображения, содержащее подложку матрицы, находится на максимальной шкале серого, следует избегать явления недостаточной яркости синего света, так чтобы баланс белого света цветовой координаты на самом высоком уровне серого может быть сохранен согласно расчетному значению.
Вышеупомянутый баланс белого света относится к балансу белого света, то есть, индикатору точности белого света, образованного путем смешивания трех основных цветов красного, зеленого и синего, отображаемого устройством отображения.
Например, первый цветовой субпиксель 110 может также представлять собой субпиксель синего цвета и второй цветовой субпиксель 120 также может быть субпикселем желтого цвета.
Фиг.1С представляет собой двухмерную схему подложки матрицы, предоставляемую вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг.1С, подложка матрицы может дополнительно содержать третий цветовой субпиксель 130, и третий цветовой субпиксель 130 содержит третий транзистор 131 управления.
Например, первый цветовой субпиксель 110 представляет собой субпиксель синего цвета, второй цветовой субпиксель 120 представляет собой субпиксель красного цвета и третий цветовой субпиксель 130 представляет собой субпиксель зеленого цвета.
Например, для упрощения процесса изготовления, отношение ширина-длина канала второго транзистора 121 управления субпикселя красного цвета может совпадать с отношением ширина-длина канала третьего транзистора 131 управления субпикселя зеленого цвета. Однако варианты осуществления не ограничиваются этим случаем, и отношения ширина-длина канала транзисторов управления субпикселя красного цвета и субпикселя зеленого цвета могут быть отрегулированы в соответствии с требованиями яркости каждого цветового света в случае, когда устройство отображения использует дисплей повышенной яркости.
В некоторых примерах отношение ширина-длина канала транзистора управления субпикселя красного цвета, отношение ширина-длина канала транзистора управления субпикселя зеленого цвета и отношение ширина-длина канала транзистора управления субпикселя синего цвета составляет около 1: (0,7 ~ 1,3):(1,5 ~ 2,5), так что, в случае, когда яркость белого света, отображаемого устройством отображения, составляет 800 нит или даже 1000 нит, явление недостаточной яркости синего света не возникнет.
В некоторых примерах, для упрощения фактического процесса производства отношение ширина-длина канала транзистора управления красного субпикселя, отношение ширина-длина канала транзистора управления субпикселя зеленого цвета и отношение ширина-длина канала транзистора управления субпикселя синего цвета может составлять 1: 1: 2.
В некоторых примерах, фиг.1D и фиг.1E представляют собой двухмерные схемы транзисторов управления первого цветового субпикселя и второго цветового субпикселя соответственно. Как показано на фиг.1D и фиг.1Е, участок активного слоя первого транзистора 111 управления первого цветового субпикселя 110, который перекрывается с электродом 114 затвора, является каналом первого транзистора 111 управления, и отношение W1/L1 ширина-длина канала первого транзистора 111 управления может составлять 5/25. Участок активного слоя второго транзистора 121 управления второго цветового субпикселя 120, который перекрывается с электродом 124 затвора, представляет собой канал второго транзистора 121 управления и отношение W2/L2 ширина-длина канала второго транзистора 121 управления может составлять 3/30. Например, как показано на фиг.1D, центральные точки участков активного слоя первого транзистора 111 управления, перекрывающихся с краями электрода 114 затвора, простирающиеся в направлении X, представляют собой O и O', соответственно, и центральная линия C1 участка активного слоя первого транзистора 111 управления, перекрывающийся с электродом 114 затвора, простирается от O до O'. «Длина» в вышеуказанном отношении ширина-длина канала относится к длине L1 центральной линии C1, и «ширина» в отношении ширина-длина канала относится к размеру участков активного слоя первого транзистора 111 управления, перекрывающийся с краями электрода 114 затвора, простирающейся в направлении X. Аналогично, как показано на фиг.1Е, «длина» в отношении ширина-длина канала второго транзистора 121 управления относится к длине L2 центральной линии C2, и «ширина» в отношении ширина-длина канала относится к размеру участков активного слоя второго транзистора 121 управления, перекрывающийся с краями электрода 124 затвора, простирающейся в направлении Х.
Например, как показано на фиг.1E, по меньшей мере, в одном пиксельном блоке канал транзистора Т1 управления в каждом субпикселе включает в себя множество субчастей канала, соединенных последовательно, по меньшей мере, часть множества субчастей канала, простирающиеся вдоль первого направления, и ортографические проекции двух субчастей канала, простирающиеся вдоль первого направления на второй прямой линии, простирающиеся в первом направлении, не перекрываются.
Например, как показано на фиг.1E, множество субчастей канала включает в себя пять субчастей T1с-1, T1с-2, T1с-3, T1с-4 и T1с-5 канала, соединенные последовательно, три субчасти T1с-1, T1с-3 и T1с-5 канала простираются вдоль первого направления, ортографические проекции двух субчастей T1с-2 и T1с-4 канала на первой прямой линии, простирающиеся во втором направлении, перекрываются, ортографические проекции двух субчастей T1с-1 и T1с-5 канала трех субчастей T1с-1, T1с-3 и T1с-5 канала на второй прямой линии не перекрываются и ортографические проекции двух субчастей T1с-1 и T1с-5 канала трех субчастей T1с-1, T1с-3 и T1с-5 канала на первой прямой линии перекрываются.
Например, как показано на фиг.1E, пять субчастей T1с-1, T1с-2, T1с-3, T1с-4 и T1с-3, T1с-4 и T1с-5 канала включают в себя первую субчасть T1с-1 канала, вторую субчасть T1с-2 канала, третью субчасть T1с-3 канала, четвертую субчасть T1с-4 канала и пятую субчасть T1с-5 канала, которые соединены последовательно. Первая субчасть T1с-1 канала, третья субчасть T1с-3 канала и пятая субчасть T1с-5 канала простираются вдоль первого направления, первая субчасть T1с-1 канала и третья субчасть T1с-3 канала параллельны друг другу. Первая субчасть T1с-1 канала и пятая субчасть T1с-5 канала пересекаются третью прямой линией, проходящей вдоль первого направления и ортографические проекции первой субчасти T1с-1 канала и пятой субчасти T1с-5 канала на второй прямой линии не перекрываются, и вторая субчасть T1с-2 канала и четвертая субчасть T1с-4 канала параллельны друг другу.
Например, как показано на фиг.1D, при широкой ширине канала, канал транзистора Т1 управления включает в себя три субчасти канала, соединенные последовательно, которые все простираются вдоль первого направления и образуют форму канала, аналогичную «n» форме.
Например, как показано на фиг.1D и фиг.1Е, отношение ширина-длина канала транзистора управления субпикселя синего цвета может составлять 5/25 и отношение ширина-длина канала субпикселя зеленого цвета и соотношение ширина-длина канала субпикселя красного цвета может быть 3/30.
Варианты осуществления настоящего изобретения не ограничивают конкретные отношения ширина-длина канала транзистора управления субпикселя каждого цвета, до тех пор, пока отношения ширина-длина канала транзисторов управления субпикселей соответствующих цветов удовлетворяют вышеуказанному диапазону отношения.
В некоторых примерах субпиксель каждого цвета в подложке матрицы содержит органический светоизлучающий элемент, органический светоизлучающий элемент содержит светоизлучающий слой и первый электрод и второй электрод на двух сторонах органического светоизлучающего слоя, один из первого электрода и второго электрода соединен с управляющим транзистором, то есть, подложка матрицы в вариантах осуществления настоящего изобретения представляет собой подложку матрицы, применяемой в устройстве отображения с использованием органического светоизлучающего диода.
Например, как показано на фиг.1А и фиг.1B, первый цветовой субпиксель 110 содержит первый органический светоизлучающий слой 112, первый электрод 114 на стороне первого органического светоизлучающего слоя 112 на расстоянии от базовой подложки 100, и второй электрод 113 на стороне первого органического светоизлучающего слоя 112, обращенный к базовой подложке 100, и второй электрод 113 подключен к одному из: электроду истока и электроду стока первого транзистора 111 управления. Второй цветовой пиксель 120 содержит второй органический светоизлучающий слой 122, первый электрод 124 на стороне второго органического светоизлучающего слоя 122 на расстоянии от базовой подложки 100, и второй электрод 123 на стороне второго органического светоизлучающего слоя 122, обращенный к базовой подложке 100, и второй электрод 123 подключен к одному из: электроду истока и электроду стока второго транзистора 121 управления. Первые электроды субпикселей с различными цветами, показанными на фиг.1B, может быть общим электродом, и для упрощения процесса первые электроды субпикселей с различными цветами могут быть сформированы на том же слое и из того же материала.
Например, как показано на фиг.1С, второй электрод 133 органического светоизлучающего элемента в третьем цветовом субпикселе 130 соединен с одним из: электродом истока и электродом стока третьего транзистора 131 управления.
Например, как показано на фиг.1B, подложка матрицы дополнительно содержит слой 101 определения пикселя между соседними органическими светоизлучающими слоями и сглаживающим слоем 102 между вторым электродом и управляющим транзистором.
Например, первый электрод субпикселя каждого цвета может представлять собой катод и катод также используется в качестве соединительного электрода для передачи отрицательного напряжения субпикселя каждого цвета и имеет лучшую проводимость и более низкое значение рабочей функции. Вариант осуществления содержит, но не ограничивается этим. Второй электрод субпикселя каждого цвета может быть анодом. Анод также используется в качестве соединительного электрода для передачи положительного напряжения субпикселя каждого цвета и имеет лучшую проводимость и более высокое значение рабочей функции. Вариант осуществления содержит, но этим не ограничивается.
Например, управляющий транзистор субпикселя каждого цвета в вариантах осуществления настоящего изобретения может представлять собой низкотемпературный полисиликоновый (LTPS) тонкопленочный транзистор. Для субпикселя, содержащего низкотемпературный полисиликоновый тонкопленочный транзистор, ток I насыщения, который протекает через органический светоизлучающий элемент, удовлетворяет следующему отношению:
2
I = K1 * (W/L) * (Vgs-Vth) , (1)
В вышеуказанном отношении (1) W и L являются шириной канала и длиной канала транзистора управления, соответственно, K1 относится к мобильности канала транзистора управления и емкости канала на единичную площадь и Vgs и Vth являются напряжением между электродом затвора и электродом истока, и пороговым напряжением транзистора управления, соответственно, и K1 является коэффициентом, определяемым характеристиками канала каждого транзистора управления, такого как мобильность канала.
Приведенный выше ток I насыщения и яркость Y и эффективность E тока субпикселя удовлетворяют следующим отношениям:
I = (Y * S)/E, (2)
Из вышеуказанных отношения (1) и отношения (2) получается следующее отношение:
2
I= (Y * S)/E = K1 * (W/L) * (Vgs-Vth) , (3)
Согласно отношению (3), можно получить отношение ширина-длина канала транзистора управления субпикселя каждого цвета, которое удовлетворяет следующему отношению:
W/L = K2 * (Y/E), (4)
2
K2 представляет собой коэффициент, относящийся к K1, (Vgs-Vth) и S. Следовательно, отношение ширина-длина канала первого транзистора управления первого цветового субпикселя, отношение ширина-длина канала второго транзистора управления второго цветового субпикселя и отношение ширина-длина канала третьего транзистора управления третьего цветового субпикселя удовлетворяют вышеуказанному отношению (4).
В приведенных выше отношениях (2-4) S является площадью эффективной области отображения, содержащейся в подложке матрицы. В устройстве отображения, содержащее подложку матрицы, предоставляемую вариантами осуществления настоящего изобретения, S является площадью эффективной области отображения экрана дисплея устройства отображения. В вариантах осуществления настоящего изобретения упомянутая Y представляет собой яркость субпикселя каждого цвета в случае, когда белый свет, образовавшийся путем смешивания света субпикселей соответствующих цветов, находится в балансе белого.
Например, в вариантах осуществления настоящего изобретения в случае, если Y является максимальной яркостью отображения субпикселя каждого цвета после прохождения через экран дисплея, в котором белый свет, образованный путем смешивания света субпикселей соответствующих цветов, находится на самом высоком уровне серого, описываются в качестве примера. Например, Y может быть яркостью отображения света, испускаемого органическим светоизлучающим элементом после прохождения через экран дисплея. Например, поскольку сторона дисплея устройства отображения, содержащее вышеуказанную подложку матрицы, обычно имеет круговой поляризатор, сенсорный экран и т.д., общий коэффициент пропускания T светового потока экрана дисплея для белого света обычно составляет около 0,4, и общий коэффициент пропускания светового потока с разными цветами немного отличается. Для облегчения расчета в этом варианте осуществления общий коэффициент пропускания светового потока экрана для белого света, красного света, зеленого света и синего света составляет для всех 0,42, и вариант осуществления содержит, но не ограничивается этим случаем.
Например, согласно вышеуказанному отношению (4), отношения ширина-длина канала транзисторов управления в субпикселе красного цвета, субпикселе зеленого цвета и субпикселе синего цвета, содержащиеся в подложке матрицы, удовлетворяют следующему отношению взаимосвязи (5):
R
G
B
R
R
R
2
G
G
2
B
B
(W/L) : (W/L) : (W/L)  = [K2 * (Y []/E)]: [KG * (Y []/E)]: [KB * (Y []/E)].
Например, предполагая, что разность однородности, вызванные в процессе, не рассматривается, мобильность канала и емкость канала на единицу площади транзистора управления в субпикселе каждого цвета имеют одинаковое значение.
Предполагая, что учитывается компенсация Vth, например, для транзистора управления, разность напряжения между электродом затвора и электродом истока равна Vgs = Vdata + Vth-Vdd, управляющий транзистор находится в насыщенном состоянии, и заряжает органический светоизлучающий элемент, выходной ток I насыщения удовлетворяет:
2
I = K1 * (W/L) * (Vgs- Vth)
2
= K1 * (W/L) * (Vdata + Vth - Vdd - Vth)
2
= K1 * (W/L) * (Vdata-Vdd) (6)
Приведенное выше Vdata является входным сигналом данных в субпикселе, содержащий управляющий транзистор, и Vdd является входным напряжением электропитания для транзистора управления. Для каждого субпикселя, в случае, когда напряжение Vdd электропитания не изменяется, величина тока I возбуждения напрямую относится к сигналу Vdata данных (то есть, напряжение данных отображения). В случае, когда сигнал Vdata данных равен Vdd напряжению электропитания, выходной ток I транзистора управления равен нулю, то есть, ток не течет через органический светоизлучающий элемент. В этом случае субпиксель, содержащий органический светоизлучающий элемент, не испускает свет, то есть, отображает черный цвет. В случае, когда сигнал Vdata данных не равен напряжению Vdd электропитания, выходной ток I транзистора управления не равен нулю, то есть, ток течет через органический светоизлучающий элемент. В этом случае субпиксель, содержащий органический светоизлучающий элемент, испускает свет и, чем больше разница между сигналом Vdata данных и напряжением Vdd электропитания, тем выше выходной ток, тем выше шкала серого, отображаемая соответствующим субпикселем, и тем больше яркость субпикселя.
Учитывая разность однородности, вызванную фактическим процессом, после расчета отношений ширина-длина канала транзисторов управления субпикселей соответствующих цветов посредством отношения (5) и отношения (6), отношение может быть скорректировано в диапазоне, который удовлетворяет условию процесса. Например, в случае, когда отношения ширина-длина канала транзисторов управления субпикселей соответствующих цветов рассчитывается вышеупомянутым отношением взаимосвязи, что составляет 1: 0,97: 2.03, для удобства проектирования и производственного процесса можно считать корректировкой упомянутого отношения до 1: 1: 2.
Фиг.2 представляет собой блок-схему алгоритма способа изготовления подложки матрицы, предоставляемой вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг.2, способ изготовления транзистора управления субпикселя каждого цвета, предусмотренного вариантами осуществления настоящего изобретения, содержит следующие этапы.
S101: получить оптический параметр устройства отображения, содержащее подложку матрицы, и вычислить заданную яркость субпикселя каждого цвета в соответствии с оптическим параметром.
[B]
[B]
[B]
[G]
[G]
[G]
[R]
[R]
[R]
[W]
[W]
[W]
В некоторых примерах подложка матрицы может содержать субпиксели трех цветов, а именно, субпиксель синего цвета (первый цветовой субпиксель), субпиксель красного цвета (второй цветовой субпиксель) и субпиксель зеленого цвета (третий цветовой субпиксель). Тристимулус цвета объекта синего света, излучаемого субпикселем синего цвета, представляет собой (X, Y, Z), тристимулус цвета объекта зеленого цвета, излучаемого субпикселем зеленого цвета является (X, Y, Z), тристимулус цвета объекта красного света, испускаемого субпикселем красного цвета, равен (X, Y, Z) и тристимулус цвета объекта белого света, образованного путем смешивания синего света, зеленого света и красного света представляют собой (X, Y, Z). Тристимулус цвета объекта, относящийся к величине красного, зеленого и синего основных цветов, необходимые для сопоставления отраженного света объекта (три основных цвета здесь не являются физическими реальными цветами, но воображаемыми цветами), и также относятся к колориметрическим значениям цвета объекта. Цвет объекта относится к цвету объекта, видимого глазами, то есть, цвету света, отраженного или передаваемого объектом.
Например, упомянутый тристимулус цвета объекта X, Y и Z субпикселя каждого цвета удовлетворяют следующему отношению:
,, (7)
[B]
[G]
[R]
[W]
В приведенном выше отношении (7), Ф (λ) представляет собой функцию спектра излучения света с длиной волны λ. Вышеприведенное, , и представляют собой спектральный тристимулус, который также известен как CIE1931 спектральный тристимулус стандартного колориметрического наблюдателя. Следует отметить, что Y в тристимулусе каждого цветового света может представлять максимальную яркость, которая может быть достигнута с помощью яркости цветового света, подлежащего сопоставлению в случае, когда белый свет, образованный смешиванием в устройстве отображения, находится в состоянии баланса белого. Следовательно, Y, Y, Y и Y могут быть максимальной яркостью синего света, зеленого света, красного света и белого света в случае состояния баланса белого цвета, и максимальная яркость также является заданной яркостью каждого цветового света в вариантах осуществления настоящего изобретения.
Например, центральные значения цветовой координаты каждого цветового света представляют собой (x, y, z), и центральные значения цветовой координаты каждого цветового света и тристимулус цвета объекта удовлетворяют следующему отношению:
x = X/(X+ Y+Z),
y= Y/(X+ Y+Z),
z= Z/(X+ Y+Z), (8)
из вышеуказанного отношения (8) получают x+y+z=1 (9)
В соответствии с соотношением вышеуказанных цветовых координат и колориметрического значения цвета объекта, после получения заданной цветовой координаты субпикселя каждого цвета, может быть получено отношение взаимосвязи трех параметров в колориметрическом значении цвета объекта.
Например, в соответствии с теорией адаптивного смешивания цветов, колориметрическое значение цвета объекта белого света, образованного путем смешивания красного света, зеленого света и синего света, и колориметрические значения цвета объекта красного света, зеленого света и синего света удовлетворяет следующему отношению:
[W]
[B]
[G]
[R]
X= X+ X+ X,
[W]
[B]
[G]
[R]
Y= Y+ Y+ Y,
[W]
[B]
[G]
[R]
Z= Z+ Z+ Z. (10)
Вышеуказанные отношения написаны в матричной форме как:
(11)
[R]
[G]
[B]
Максимальная яркость Y, Y и Y вышеуказанного красного света, зеленого света и синего света может быть получена обратной матрицей:
(12)
[R]
[W]
[G]
[W]
[B]
[W]
Следовательно, пропорции красного света, зеленого света и синего света в белом свете являются: Y/Y, Y/Y, Y/Y, соответственно.
В некоторых примерах при формировании отношений взаимосвязи ширина-длина канала транзисторов управления субпикселей с разными цветами, следует учитывать оптический параметр после использования подложки матрицы на органическом светоизлучающем диодном устройстве отображения.
В некоторых примерах оптический параметр может содержать целевую яркость (заданную яркость, например, максимальную яркость после прохождения через экран дисплея) белого света, испускаемого органическим светоизлучающим диодным устройством отображения, целевая координата баланса белого света (заданная координата баланса белого) и целевое центральное значение цветовой координаты (заданная цветовая координата) субпикселя каждого цвета, например, заданные цветовые координаты первого цветового субпикселя, второго цветового субпикселя и третьего цветового субпикселя.
[W]
[W]
[W]
Например, этап расчета заданной яркости субпикселя каждого цвета в соответствии с оптическим параметром содержит: получение колориметрического значения (X, Y, Z) цвета объекта белого света в соответствии с заданной координатой баланса белого света и заданной яркостью белого света; и расчет заданной яркости субпикселя каждого цвета в зависимости от матричных отношений (12) и заданной цветовой координаты субпикселя каждого цвета.
Например, в первом примере вариантов осуществления настоящего изобретения заданная яркость белого света может быть установлена на 800 нит и заданная координата баланса белого света может быть (0.30, 0.32). Поскольку Y в колориметрическом значении цвета объекта белого света составляет 800, колориметрическое значение цвета объекта белого света составляет (750, 800, 950) в зависимости от отношений (8-9).
Например, центральное значение заданной цветовой координаты субпикселя красного цвета может быть (0.685, 0.315), центральное значение заданной цветовой координаты субпикселя зеленого цвета может быть (0.252, 0.718), центральное значение заданной цветовой координаты субпикселя синего цвета может быть (0.135, 0.05). Варианты осуществления настоящего изобретения этим не ограничены, и значения могут быть выбраны в соответствии с конкретными требованиями.
Согласно вышеуказанным отношениям (8-10) и отношению (12), получено следующее отношение:
=
Согласно вышеуказанному процессу расчета, может быть рассчитана заданная яркость субпикселя каждого цвета (то есть, максимальная яркость после прохождения через экран дисплея), заданная яркость субпикселя красного цвета составляет 184,1 нит, заданная яркость субпикселя зеленого цвета составляет 559,1 нит, заданная яркость субпикселя синего цвета составляет 56,8 нит. Заданная яркость белого света в приведенном выше расчете составляет 800 нит, что является максимальной яркостью, учитывая общий коэффициент пропускания светового потока экрана дисплея устройства отображения, содержащее подложку матрицы. Следовательно, заданная яркость субпикселя каждого цвета также является максимальной яркостью, учитывая общий коэффициент пропускания светового потока экрана дисплея.
Например, во втором примере вариантов осуществления настоящего изобретения заданная яркость белого света может быть установлена на 800 нит и заданная координата баланса белого света может быть (0,307, 0,321), затем колориметрическое значение цвета объекта белого света составляет (765,1, 800, 927,1).
Например, центральное значение заданной цветовой координаты субпикселя красного цвета может быть (0,697, 0,303), центральное значение заданной координаты цветового субпикселя зеленого цвета может быть (0,290, 0,68) и центральное значение заданной цветовой координаты субпикселя синего цвета может быть (0,132, 0,062). Согласно вышеуказанным отношениям (8-10) и отношению (12), заданная яркость субпикселя красного цвета составляет 16,2 нит, заданная яркость субпикселя зеленого цвета составляет 567,4 нит и заданная яркость субпикселя синего цвета составляет 69,4 нит.
Например, в третьем примере вариантов осуществления настоящего изобретения заданная яркость белого света может быть установлена на 1000 нит, и заданная координата баланса белого света может быть (0,307, 0,321) и колориметрическое значение цвета объекта белого света составляет (956,4, 1000, 1158,9).
Например, центральное значение заданной цветовой координаты субпикселя красного цвета может быть (0,698, 0,302), центральное значение заданной цветовой координаты субпикселя зеленого цвета может быть (0,298, 0,662) и центральное значение заданной цветовой координаты субпикселя синего цвета может быть (0,137, 0,062). Согласно вышеуказанным отношениям (8-10) и отношению (12), заданная яркость субпикселя красного цвета составляет 190,4 нит, заданная яркость субпикселя зеленого цвета составляет 723,3 нит и заданная яркость субпикселя синего цвета составляет 86,3 нит.
S102: получить заданную эффективность тока субпикселя каждого цвета.
Например, эффективность тока субпикселя каждого цвета может быть непосредственно измерена путем оптического испытательного оборудования и электрическим испытательным оборудованием. Оптическое испытательное устройство может быть, например, спектрофотометром PR788 и электрическое испытательное устройство может быть, например, цифровым источником-измерителем Keithley 2400. В процессе разработки отношений ширина-длина канала транзисторов управления субпикселей с разными цветами требуемая заданная эффективность тока может быть получена в соответствии с измеренной эффективностью тока субпикселя каждого цвета в обычном устройстве отображения. Согласно различным материалам органических светоизлучающих элементов субпикселей с различными цветами, заданная эффективность тока соответствующих органических светоизлучающих элементов также различна.
Например, в первом примере эффективность тока субпикселя красного цвета, субпикселя зеленого цвета и субпикселя синего цвета представляют собой 48 кд/А, 118 кд/А и 7,2 кд/А, соответственно.
Например, рассматривая площадь эффективной области отображения устройства отображения, содержащего подложку матрицы в вариантах осуществления настоящего изобретения, равную 0.031981 квадратных метров в качестве примера, токи, требуемые субпикселем красного цвета, субпикселем зеленого цвета и субпикселем синего цвета, можно получить в соответствии с вышеуказанным соотношением (3), и токи субпикселя красного цвета, субпикселя зеленого цвета и субпикселя синего цвета равны 292 мА, 361 мА и 601 мА, соответственно. Следует отметить, что яркость, используемая при расчете тока, является яркостью, учитывающая общий коэффициент пропускания светового потока экрана. В вариантах осуществления настоящего изобретения общий коэффициент пропускания светового потока экрана дисплея составляет 42%, и яркость субпикселя красного цвета, используемого для вычисления тока, составляет 438,3 нит, яркость субпикселя зеленого цвета, используемого для расчета тока, равна 1331,2 нит, и яркость субпикселя синего цвета, используемого для расчета тока, составляет 135,2 нит.
Согласно вышеуказанным параметрам, предполагая, что транзисторы управления субпикселей соответствующих цветов используют одно и то же отношение ширина-длина канала, ток, необходимый для поставки в субпиксель синего цвета, составляет 2,06 раз тока, необходимого для поставки субпикселю красного цвета, и ток, необходимый для поставки в субпиксель синего цвета, составляет в 1,67 раза тока, необходимого для обеспечения субпикселя зеленого цвета. В результате управляющий транзистор субпикселя синего цвета не сможет обеспечить такой большой ток из-за недостаточной способности возбуждения, что приводит к недостаточной яркости синего света устройства отображения, что влияет на баланс белого цвета.
Например, во втором примере эффективность тока субпикселя красного цвета, субпикселя зеленого цвета и субпикселя синего цвета равна 24 кд/А, 98 кд/А и 5,8 кд/А, соответственно.
Например, принимая площадь эффективной области отображения устройства отображения устройства, содержащего вышеупомянутую подложку матрицы, равную 0,031981 квадратных метров в качестве примера, согласно вышеуказанному отношению (3), могут быть получены необходимые токи субпикселя красного цвета, субпикселя зеленого цвета и субпикселя синего цвета, и требуемые токи составляют 518 мА, 441 мА и 911 мА, соответственно.
Согласно вышеуказанным параметрам, предполагая, что транзисторы управления субпикселей соответствующих цветов используют одно и то же отношение ширина-длина канала, ток, необходимый для обеспечения субпикселя синего цвета, составляет 1,76 раз тока, необходимого для предоставления в субпиксель красного цвета и 2,06 раз тока, требуемый в субпиксель зеленого цвета. В результате управляющий транзистор субпикселя синего цвета не может обеспечить такой большой ток из-за недостаточной способности возбуждения, что приводит к недостаточной яркости синего света устройства отображения, что влияет на баланс белого цвета.
Например, в третьем примере эффективность тока субпикселя красного цвета, субпикселя зеленого цвета и субпикселя синего цвета представляют собой 30 кд/А, 118 кд/А и 8 кд/А, соответственно.
Например, принимая площадь эффективной области отображения устройства отображения, содержащего вышеуказанную подложку матрицы, равную 0,031981 квадратных метров в качестве примера, требуемые токи субпикселя красного цвета, субпикселя зеленого цвета и субпикселя синего цвета могут быть получены в соответствии с вышеуказанным соотношением (3), и требуемые токи составляют 483 мА, 467 мА и 821 мА, соответственно.
Согласно вышеуказанным параметрам, предполагая, что транзисторы управления субпикселей соответствующих цветов используют одно и то же отношение ширина-длина канала, ток, необходимый для обеспечения субпикселя синего цвета, составляет 1,7 раза тока, требуемого для субпикселя красного цвета и 1,76 раза тока, необходимый для предоставления в субпиксель зеленого цвета. В результате управляющий транзистор субпикселя синего цвета не сможет обеспечить такой большой ток из-за недостаточной способности возбуждения, что приводит к недостаточному яркости синего света устройства отображения, что влияет на баланс белого цвета.
В вариантах осуществления настоящего изобретения отношение ширина-длина канала транзистора управления субпикселя синего цвета должно превышать отношения ширина-длина канала транзисторов управления субпикселей других цветов, так что управляющий транзистор субпикселя синего цвета может обеспечить значение тока, необходимое для максимальной яркости или высочайшего уровня серого субпикселя синего цвета, так что яркость белого света может достигать 800 нит или более при обеспечении того, что белый свет устройства отображения находится в заданном состоянии цветовых координат баланса белого цвета.
S103: расчет отношений ширина-длина канала управления транзисторов субпикселей соответствующих цветов в соответствии с заданной яркостью и заданной эффективностью тока субпикселей соответствующих цветов.
Например, заданная эффективность тока первого цветового субпикселя является E1, заданная эффективность тока второго цветового субпикселя является E2, заданная яркость первого цветового субпикселя равна Y1 и заданная яркость второго цветового субпикселя равна Y2. Согласно заданной яркости и заданной эффективности тока первого цветового субпикселя и второго цветового субпикселя, этап расчета взаимосвязи отношения ширина-длина канала первого транзистора управления к отношения ширина-длина канала второго транзистора управления содержит: установку отношения ширина-длина канала первого транзистора управления равной W1/L1, и отношения ширина-длина канала второго транзистора управления равной W2/L2; получение заданного входного сигнала Vdata1 данных первого цветового субпикселя и заданного входного сигнала Vdata2 данных второго цветового субпикселя и заданного входного напряжения Vdd электропитания субпикселя каждого цвета; и расчет отношения в соответствии с взаимосвязи отношения (W1/L1):(W2/L2), что отношение ширина-длина канала первого транзистора управления и отношение ширина-длина канала второго транзистора управления, по существу, удовлетворено.
B
R
G,
[B]
[R]
[G],
Например, заданная эффективность тока субпикселя синего цвета, заданная эффективность тока субпикселя красного цвета и заданная эффективность тока субпикселя зеленого цвета являются E, E и E соответственно, и заданная яркость субпикселя синего цвета, заданная яркость субпикселя красного цвета и заданная яркость субпикселя зеленого цвета представляет собой Y, Y и Yсоответственно.
Например, отношение ширина-длина канала транзисторов управления субпикселей соответствующих цветов может быть рассчитана в соответствии с вышеуказанными параметрами и отношением (5). Предполагая, что заданный входной сигнал Vdata данных субпикселя каждого цвета одинаков и, в случае, когда яркость субпикселя каждого цвета является максимальной яркостью или имеет самый высокий уровень серого устройства отображения, отношения ширина-длина канала транзисторов управления в субпикселе красного цвета, субпикселе зеленого цвета и субпикселе синего цвета удовлетворяют следующему отношению взаимосвязи (13):
R
G
B
[R]
R
[G]
G
[B]
B
(W/L) :(W/L) :(W/L) = (Y/E): (Y/E): (Y/E).
Подставляя параметры в первом примере в отношение (13), можно получить:
R
G
B
(W/L):(W/L):(W/L) =1:1,24:2,06.
Подставляя параметры во втором примере в отношение (13), можно получить:
R
G
B
(W/L):(W/L):(W/L) =1:0,85:1,76.
Подставляя параметры в третьем примере в отношения (13), можно получить:
R
G
B
(W/L):(W/L):(W/L) = 1:0,97:1,7.
В фактическом процессе отображения разность входных сигналов данных, субпикселей соответствующих цветов, может быть установлена на малые величины (например, разница входных сигналов данных в субпикселях с разными цветами не превышает 1,5 В), так что субпиксели соответствующих цветов имеют, по существу, одни и те же диапазон сигнала данных.
Учитывая неравенство в реальной реализации процесса, отношение ширина-длина канала транзисторов управления субпикселя красного цвета, субпикселя зеленого цвета и субпикселя синего цвета можно установить на 1: 1: 2. Варианты осуществления настоящего изобретения этим не ограничены, до тех пор, пока отношение ширина-длина канала транзисторов управления субпикселя красного цвета, субпикселя зеленого цвета и субпикселя синего цвета удовлетворяет диапазону 1: (0,7 ~ 1,3): (1,5 ~ 2,5).
Например, отношение ширина-длина канала транзистора управления субпикселя синего цвета может быть установлено на 5/25 и отношения ширина-длина канала субпикселя зеленого цвета и субпикселя красного цвета установлена на 3/30 в соответствии с отношением ширина-длина канала транзисторов управления вышеуказанных субпикселей с разными цветами. Варианты осуществления настоящего изобретения этим не ограничены и отношения могут быть отрегулированы в соответствии с фактическими требованиями процесса. Например, отношение ширина-длина канала транзистора управления субпикселя синего цвета может быть установлено в диапазоне 4/25 ~ 6,5/25 и отношение ширина-длина канала субпикселя зеленого цвета и субпикселя красного цвета находится в диапазоне 2,4/30 ~ 4/30 в соответствии отношением взаимосвязи ширина-длина канала транзисторов управления вышеуказанных субпикселей с разными цветами.
R
G
B
2
Фиг.3 представляет собой кривую моделирования входного напряжения данных субпикселя каждого цвета и тока, текущего между электродом стока и электродом истока тонкопленочного транзистора для управления органическим светоизлучающим элементом субпикселя каждого цвета во втором примере вариантов осуществления настоящего изобретения. Согласно взаимосвязи отношения ширина-длина канала транзисторов управления субпикселей во втором примере (то есть, (W/L) : (W/L) : (W/L)  ≈1:1:2) устанавливается отношение ширина-длина канала транзистора управления субпикселя каждого цвета, тем самым, получая кривую моделирования, показанную на фиг.3. Как показано на фиг.3, предполагая, что эффективная область отображения устройства отображения составляет 0,031981 м, и разрешение составляет 1920 * 720, в случае, когда заданное входное напряжение данных субпикселя каждого цвета равно -2,118В, ток, текущий между электродом стока и электродом истока тонкопленочного транзистора для управления органическим светоизлучающим элементом субпикселя синего цвета составляет около 666,9 наноампер, и значение тока, требуемое для всех субпикселей синего цвета, составляет 666,9 * 1920 * 720 наноампер, то есть, 921 миллиампер; ток, текущий между электродом стока и электродом истока тонкопленочного транзистора для управления органическим светоизлучающим элементом субпикселя красного цвета, составляет около 322,9 миллиампера, и значение тока, необходимое для всех субпикселей красного цвета, составляет 322,9 * 1920 * 720 наноампер, то есть, 446 миллиампер; и ток, протекающий между электродом стока и электродом истока тонкопленочного транзистора для управления органическим светоизлучающим элементом субпикселя зеленого цвета, составляет около 378,3 миллиампер, и значение тока, требуемое для всех субпикселей зеленого цвета, составляет 378,3 * 1920 * 720 наноампер, то есть, 523 миллиампера. Результирующие значения на этой кривой моделирования примерно соответствуют значению тока, требуемого субпикселем каждого цвета во втором примере. Следовательно, путем установки отношения ширина-длина канала транзистора управления субпикселя синего цвета, превышающим отношения ширина-длина канала транзисторов управления субпикселей с другими цветами, управляющий транзистор субпикселя синего цвета может обеспечить значение тока, необходимое для максимальной яркости или самой высокой шкалы серого субпикселя синего цвета, так что яркость белого света может достигать 800 нит или более при обеспечении того, что белый свет находился в состоянии баланса белого света.
Фиг.4 является кривой напряжений затвора и токов между электродом стока и электродом истока транзисторов управления с различными отношениями ширина-длина канала. Разные кривые на фиг.4 соответственно представляют различные отношения ширина-длина канала. Как показано на фиг.4, в управляющем транзисторе с отношением ширина-длина канала равным 3/35, пороговое напряжение транзистора управления составляет -2,47094В, и напряжение затвора транзистора управления составляет -5,9 В; в управляющем транзисторе с отношением ширина-длина канала равным 4/35, пороговое напряжение транзистора управления составляет -2,5126 В, напряжение затвора транзистора управления составляет -5,9 В; и в управляющем транзисторе с отношением ширина-длина канала равным 5/35, пороговое напряжение транзистора управления составляет -2,4872В и напряжение затвора транзистора управления составляет -5,4В. Значения напряжения затвора и пороговое напряжение каждого транзистора управления указывают, что изменение отношения ширина-длина канала транзистора управления, в основном, не влияет на характеристики управления транзистора управления.
Фиг.5А-фиг.5C являются схемами взаимосвязи отношения ширина-длина канала и скоростью зарядки транзистора управления в субпикселе каждого цвета. Фиг.5A показывает изменение скоростей зарядки транзисторов управления с различными отношениями ширина-длина канала в случае, когда сигналы данных, соответствующие высокой шкале серого (например, 255 шкала серого), средней шкале серого (например, 128 шкала серого) и низкой шкале серого (например, 32 шкала серого) записываются в схему возбуждения субпикселя красного цвета. Как показано на фиг.5A, скорость зарядки в случае, когда отношение ширина-длина канала транзистора управления составляет 5/35 или 4/35, больше, чем скорость зарядки в случае, когда отношение ширина-длина канала транзистора управления составляет 3/35. Точно так же фиг.5B показывает изменение скорости зарядки транзисторов управления с различными отношениями ширина-длина канала в случае, когда сигналы данных, соответствующие высокой шкале серого (например, 255 шкала серого), средней шкале серого (например, 128 шкала серого) и низкой шкале серого (например, 32 шкала серого) записываются в схему возбуждения субпикселя зеленого цвета. Как показано на фиг.5В, скорость зарядки в случае, когда отношение ширина-длина канала транзистора управления составляет 5/35 или 4/35, больше, чем скорость зарядки в случае, когда отношение ширина-длина канала транзистора управления составляет 3/35. Фиг.5C показывает изменение скорости зарядки транзисторов управления с различными отношениями ширина-длина канала в случае, когда сигналы данных, соответствующие высокой шкале серого (например, 255 шкала серого), средней шкале серого (например, 128 шкала серого) и низкой шкале серого (например, 32 шкала серого) записываются в схему возбуждения субпикселя синего цвета. Как показано на фиг.5C, скорость зарядки в случае, когда отношение ширина-длина канала транзистора управления составляет 5/35 или 4/35, больше, чем скорость зарядки в случае, когда отношение ширина-длина канала транзистора управления составляет 3/35. Очевидно, что в процессе изменения отношения ширина-длина канала транзистора управления субпикселя каждого цвета удовлетворяется взаимосвязь отношения, можно считать, что увеличение отношения ширина-длина канала (например, увеличение ширины канала) приводит к возрастанию скорости зарядки транзистора управления, тем самым, уменьшая время зарядки.
Другой вариант осуществления настоящего изобретения предлагает органическое светоизлучающее диодное устройство отображения, которое содержит упомянутую подложку матрицы.
В некоторых примерах органическое светоизлучающее диодное устройство отображения является устройством отображения, установленном на транспортном средстве.
В вариантах осуществления настоящего изобретения, посредством установки отношений ширина-длина канала транзисторов управления субпикселей с разными цветами на различные значения, возможно предотвратить, на сколько это возможно, возникновения эффекта недостаточной яркости синего света при отображении изображения высокого яркости на экране дисплея устройства отображения, установленном на транспортном средстве.
Конечно, варианты осуществления настоящего изобретения не ограничиваются органическим светоизлучающим диодным устройством отображения, являющимся устройством, установленным на транспортном средстве, органическое светоизлучающее диодное устройство отображения также может быть любым продуктом или компонентом с функцией отображения, таким как цифровая камера, мобильный телефон, часы, планшетный компьютер, ноутбук и т.д. Варианты осуществления этим не ограничиваются.
Другой вариант осуществления настоящего изобретения предлагает подложку дисплея. Фиг.6 представляет собой блок-схему подложки дисплея, предоставляемую вариантом осуществления настоящего изобретения; Фиг.7 является схемой повторяющихся блоков подложки дисплея, предоставляемой вариантом осуществления настоящего изобретения; и фиг.8 представляет собой двухмерную схему подложки дисплея, предоставляемой вариантом осуществления настоящего изобретения.
Например, как показано на фиг.6-фиг.7, подложка 1000 дисплея, обеспечиваемая вариантами осуществления настоящего изобретения, содержит базовую подложку 100 и множество повторяющихся блоков 11, расположенных вдоль первого направления (то есть, направления Y) и второго направления (то есть, X) на базовой подложке 100, первое направление пересекает второе направление. Например, первое направление перпендикулярно второму направлению. Каждый повторяющийся блок 11 содержит множество субпикселей 22, например, содержащий первый цветовой субпиксель 110 и второй цветовой субпиксель 120. Субпиксель 22 каждого цвета содержит органический светоизлучающий элемент 220 и пиксельную схему 221. Пиксельная схема 221 используется для управления органическим светоизлучающим элементом 220 для излучения света. Пиксельная схема 221 содержит схему 222 управления. Схема 222 управления первого цветового субпикселя 110 содержит первый управляющий транзистор 111, схема 222 управления второго цветового субпикселя 120 содержит второй управляющий транзистор 121 и отношение ширина-длина канала первого транзистора 111 управления больше, чем отношение ширина-длина канала второго транзистора 121 управления. Варианты осуществления настоящего изобретения могут увеличить яркость устройства отображения, содержащего подложку дисплея, оптимизируя отношение ширина-длина канала транзисторов управления субпикселей с разными цветами на дисплее подложки.
Взаимосвязь отношения ширина-длина канала первого транзистора управления и отношения ширина-длина канала второго транзистора управления в варианте осуществления настоящего изобретения является такой же, что и взаимосвязь отношения ширина-длина канала первого транзистора управления и отношения ширина-длина канала второго транзистора управления в варианте осуществления, показанном на фиг.1А-фиг.1Е, описание которого не повторяется.
Например, подложка 1000 дисплея может быть использована на панели дисплея, такой как панель дисплея активной матрицы на органических светодиодах (AMOLED) и тому подобное. Подложка 1000 дисплея может быть подложкой матрицы.
Например, базовая подложка 100 может представлять собой подходящую подложку, такую как стеклянная подложка, кварцевая подложка, пластиковая подложка или тому подобное.
Например, как показано на фиг.7, каждый повторяющий блок 11 дополнительно содержит третий цветовой субпиксель 130, и третий цветовой субпиксель 130 содержит третий транзистор 131 управления, отношение ширина-длина канала третьего транзистора 131 управления меньше, чем отношение ширина-длина первого транзистора 111 управления.
Взаимосвязь отношения ширина-длина канала первого транзистора управления, отношения ширина-длина канала второго транзистора управления и отношения ширина-длина канала третьего транзистора управления в варианте осуществления настоящего изобретения является такой же, что и взаимосвязь отношения ширина-длина канала первого транзистора управления, отношения ширина-длина канала второго транзистора управления и отношения ширина-длина канала третьего транзистора управления в варианте осуществления, показанном на фиг.1А-фиг.1Е, описание которого не повторяется.
Например, как показано на фиг.7, в каждом повторяющемся блоке 11, пиксельная схема первого цветового субпикселя 110, пиксельная схема второго цветового субпикселя 120 и пиксельная схема третьего цветового субпикселя 130 расположена последовательно вдоль первого направления (направление, указанное стрелкой в направлении Y). Например, столбец субпикселей, расположенных в направлении X, являются субпикселями одного цвета.
Например, область, охватываемая ортографической проекцией пиксельной схемы субпикселя каждого цвета на базовой подложке 100, по существу, находится в пределах прямоугольника (как показано пунктирной рамкой 1101 на фиг.10). Следует отметить, что некоторые сигнальные линии пиксельной схемы содержат участки, расположенные внутри прямоугольника, и участки, простирающиеся за пределы прямоугольника, поэтому ортографическая проекция пиксельной схемы на базовой подложке здесь, в основном, содержит ортографические проекции структур, таких как различные транзисторы, конденсаторы и тому подобное на базовой подложке, и ортографические проекции участков каждой линии сигнала в пределах прямоугольника на базовой подложке.
Например, органический светоизлучающий элемент 220 каждого субпикселя 22 содержит первый электрод, второй электрод и светоизлучающий слой между первым электродом и вторым электродом. Один из первого электрода и второго электрода органического светоизлучающего элемента 220 электрически соединен с управляющим транзистором. Пример, показанный на фиг.7-фиг.9E описывается в качестве примера, в котором второй электрод органического светоизлучающего элемента соединен с управляющим транзистором.
Например, как показано на фиг.8, пиксельная схема 221 дополнительно содержит вторую схему 223 управления светоизлучением и первую схему 224 управления светоизлучением. Схема 222 управления содержит вывод управления, первый вывод и второй вывод, и выполнена с возможностью обеспечивать ток управления для управления светоизлучающим элементом 220 для излучения света. Например, вторая схему 223 управления светоизлучением подключена к первому выводу схемы 222 управления и первому выводу VDD напряжения и выполнена с возможностью включать или выключать соединение между схемой 222 управления и первым выводом VDD напряжения, и первая схема 224 управления светоизлучением электрически соединена со вторым выводом схемы 222 управления и первым электродом светоизлучающего элемента 220, и выполнена с возможностью включать или выключать соединения между схемой 222 управления и светоизлучающим элементом 220.
Например, как показано на фиг.8, пиксельная схема 221 дополнительно содержит схему 226 записи данных, схему 227 хранения, схему 228 пороговой компенсации и схему 229 сброса. Схема 226 записи данных электрически подключена к первому выводу схемы 222 управления и выполнена с возможностью записи сигнала данных в схему 227 хранения под управлением сигнала сканирования; схема 227 хранения электрически соединена с выводом управления схемы 222 управления и первым выводом VDD напряжения и выполнена с возможностью хранить сигнал данных; схема 228 пороговой компенсации электрически соединена с выводом управления и вторым выводом схемы 222 управления и выполнена с возможностью выполнять пороговую компенсацию в схеме 222 управления; и схема 229 сброса электрически соединена с выводом управления схемы 222 управления и первым электродом светоизлучающего элемента 220 и выполнена с возможностью сброса значения вывода управления схемы 222 управления и первого электрода светоизлучающего элемента 220 под управлением управляющего сигнала сброса.
Например, как показано на фиг.8, схема 222 управления содержит транзистор T1 управления, вывод управления схемы 222 управления содержит электрод затвора транзистора T1, первый вывод схемы 222 управления содержит первый электрод транзистора Т1 управления и второй вывод схемы 222 управления содержит второй электрод транзистора Т1 управления.
Например, как показано на фиг.8, схема 226 записи данных содержит транзистор T2 записи данных, схема 227 хранения содержит накопительный конденсатор C, схема 228 пороговой компенсации содержит транзистор T3 пороговой компенсации, вторая схему 223 управления светоизлучением содержит второй транзистор Т4 управления светоизлучением, первая схема 224 управления светоизлучением содержит первый транзистор T5 управления светоизлучением, схема 229 сброса содержит первый транзистор T6 сброса и второй транзистор T7 сброса, и сигнал управления сбросом может содержать первый сигнал управления субсбросом и второй сигнал управления субсбросом.
Например, как показано на фиг.8, первый электрод транзистора T2 записи данных электрически соединен с первым электродом транзистора Т1 управления, второй электрод транзистора T2 записи данных выполнен с возможностью электрического подключения к линии Vd данных для приема сигнала данных, и электрод затвора транзистора T2 записи данных выполнен с возможностью электрического подключения к первой линии Ga1 сигнала сканирования для приема сигнала сканирования; первый электрод накопительного конденсатора C электрически соединен с первым выводом VDD напряжения и второй электрод накопительного конденсатора C электрически соединен с электродом затвора транзистора T1 управления; первый электрод транзистора T3 пороговой компенсации электрически соединен со вторым электродом транзистора Т1 управления, второй электрод транзистора T3 пороговой компенсации электрически соединен с электродом затвора транзистора T1 управления, и электрод затвора транзистора T3 пороговой компенсации выполнен с возможностью электрического подключения ко второй линии Ga2 сигнала сканирования для приема сигнала управления компенсацией; первый электрод первого транзистора T6 сброса выполнен с возможностью электрического соединения с первым выводом Vinit1 сброса значения электропитания для приема первого сигнала сброса, второй электрод первого транзистора T6 сброса электрически подключен к электроду затвора транзистора T1 управления и электрод затвора первого транзистора T6 сброса выполнен с возможностью электрического подключения к первой линии Rst1 сигнала управления сбросом для приема первого сигнала управления субсброса; первый электрод второго транзистора T7 сброса выполнен с возможностью электрического соединения со вторым выводом Vinit2 сброса значения электропитания для приема второго сигнала сброса, второй электрод второго транзистора T7 сброса электрически подключен к первому электроду светоизлучающего элемента 220 и электрод затвора второго транзистора T7 сброса выполнен с возможностью электрического подключения ко второй линии Rst2 сигнала управления сбросом для приема второго сигнала управления субсброса; первый электрод второго транзистора Т4 управления светоизлучением электрически соединен с первым выводом VDD напряжения, второй электрод второго транзистора T4 управления светоизлучением электрически подключен к первому электроду транзистора Т1 управления, и электрод затвора второго транзистора T4 управления светоизлучением выполнен с возможностью электрического соединения с первой линией ЕМ1 сигнала управления светоизлучением для приема первого сигнала управления светоизлучением; первый электрод первого транзистора T5 управления светоизлучением электрически соединен со вторым электродом транзистора Т1 управления, второй электрод первого транзистора Т5 управления светоизлучением электрически соединен со вторым электродом светоизлучающего элемента 220, и электрод затвора первого транзистора T5 управления светоизлучением выполнен с возможностью электрического подключения к второй линии EM2 сигнала управления светоизлучением для приема второго сигнала управления светоизлучением; и первый электрод светоизлучающего элемента 220 электрически соединен со вторым выводом VSS напряжения.
Например, один из первого вывода VDD напряжения и второго вывода VSS напряжения представляет собой вывод высокого напряжения и другой из первого вывода VDD напряжения и второго вывода VSS напряжения является выводом низкого напряжения. Например, в варианте осуществления, как показано на фиг. 8, первый вывод VDD напряжения является источником напряжения для вывода постоянного первого напряжения, и первое напряжение представляет собой положительное напряжение; и второй вывод VSS напряжения может быть источником напряжения для вывода постоянного второго напряжения, второе напряжение является отрицательным напряжением или тому подобное. Например, в некоторых примерах второй вывод VSS напряжения может быть заземлен.
Например, как показано на фиг.8, сигнал сканирования может быть таким же, как сигнал управления компенсацией, то есть, электрод затвора транзистора T2 записи данных и электрод затвора транзистора T3 пороговой компенсации могут быть электрически подключены к одной и той же линии сигнала, такой как первая линия Gа1 сигнала сканирования для приема того же сигнала (например, сигнал сканирования), в этом случае, подложка 1000 дисплея не может быть снабжена второй линей Ga2 сигнала сканирования, тем самым, уменьшая количество сигнальных линий. Для другого примера электрод затвора транзистора T2 записи данных и электрод затвора транзистора T3 пороговой компенсации может быть электрически соединен с различными сигнальными линиями, т.е. электрод затвора транзистора T2 записи данных электрически соединен с первой линией Gа1 сигнала сканирования, электрод затвора транзистора T3 пороговой компенсации электрически соединен со второй линией Ga2 сигнала сканирования, и сигнал, передаваемый первой линией Gа1 сигнала сканирования, является таким же сигналом, передаваемым второй линией Ga2 сигнала сканирования.
Следует отметить, что сигнал сканирования и сигнал управления компенсацией также могут быть разными, так что электрод затвора транзистора T2 записи данных и электрод затвора транзистора Т3 пороговой компенсации может быть отдельно и независимо управляться, тем самым, увеличивая гибкость управления пиксельной схемой.
Например, как показано на фиг.8, первый сигнал управления светоизлучением может быть таким же, как и второй сигнал управления светоизлучением, то есть, электрод затвора второго транзистора T4 управления светоизлучением и электрод затвора первого транзистора T5 управления светоизлучением может быть электрически подключен к той же линии сигнала, такой как первая линия EM1 сигнала управления светоизлучением, для приема одного и того же сигнала (например, первый сигнал управления светоизлучением) и, в этом случае, подложка 1000 дисплея может не быть снабжена второй линией EM2 сигнала управления светоизлучением, тем самым, уменьшая количество сигнальных линий. Для другого примера электрод затвора второго транзистора T4 управления светоизлучением и электрод затвора первого транзистора T5 управления светоизлучением также могут быть электрически соединены с различными сигнальными линиями, т.е. электрод затвора второго транзистора T4 управления светоизлучением электрически соединен с первой линией EM1 сигнала управления светоизлучением, электрод затвора первого транзистора T5 управления светоизлучением электрически соединен со второй линией EM2 сигнала управления светоизлучением, и сигнал, передаваемый первой линией EM1 сигнала управления светоизлучением, является таким же, как сигнал, передаваемый второй линией EM2 сигнала управления светоизлучением.
Следует отметить, что в случае, когда в случае, когда второй транзистор T4 управления светоизлучением и первый транзистор Т5 управления светоизлучением являются транзисторами различных типов, например, в случае, когда второй транзистор T4 управления светоизлучением является транзистором P-типа и первый транзистор Т5 управления светоизлучением представляет собой транзистор N-типа, первый сигнал управления светоизлучением и второй сигнал управления светоизлучением также может быть разным, и варианты осуществления настоящего изобретения этим не ограничены.
Например, первый сигнал управления субсбросом может быть таким же, как и второй сигнал управления субсбросом, то есть, электрод затвора первого транзистора T6 сброса и электрод затвора второго транзистора T7 сброса могут быть электрически подключены к той же линии сигнала, такой как первая линия Rst1 сигнала управления сбросом, для приема того же сигнала (например, первый сигнал управления субсбросом). В этом случае подложка 1000 дисплея может быть не снабжена второй линией Rst2 сигнала управления сбросом, тем самым, уменьшая количество сигнальных линий. Для другого примера, электрод затвора первого транзистора T6 сброса и электрод затвора второго транзистора T7 сброса могут быть электрически соединены с различными сигнальными линиями, т.е. электрод затвора первого транзистора T6 сброса электрически соединен с первой линией Rst1 сигнала управления сбросом, электрод затвора второго транзистора T7 сброса электрически подключен ко второй линией Rst2 сигнала управления сбросом, и сигнал, передаваемый первой линией Rst1 сигнала управления сбросом, является таким же, как сигнал, передаваемый второй линией Rst2 сигнала управления сбросом. Следует отметить, что первый сигнал управления субсбросом и второй сигнал управления субсбросом также могут быть разными.
Например, в некоторых примерах второй сигнал управления субсбросом может быть таким же, как сигнал сканирования, то есть, электрод затвора второго транзистора T7 сброса может быть электрически подключен к первой линии Gа1 сигнала сканирования для приема сигнала сканирования в качестве второго сигнала управления субсбросом.
Например, электрод истока первого транзистора T6 сброса и электрод истока второго транзистора T7 сброса соединены с первым выводом Vinit1 сброса значения электропитания и вторым выводом Vinit2 сброса значения электропитания, соответственно. Первый вывод Vinit1 сброса значения электропитания и второй вывод Vinit2 сброса значения электропитания могут представлять собой выводы DC опорного напряжения для выхода опорного DC постоянного напряжения. Первый вывод Vinit1 сброса значения электропитания и второй вывод Vinit2 сброса значения электропитания могут быть одинаковыми, например, электрод истока первого транзистора T6 сброса и электрод истока второго транзистора T7 сброса подключены к тому же выводу сброса значения электропитания. Первый вывод Vinit1 сброса значения электропитания и второй вывод Vinit2 сброса значения электропитания могут быть выводами высокого напряжения или выводами низкого напряжения, до тех пор, пока первый вывод Vinit1 сброса значения электропитания и второй вывод Vinit2 сброса значения электропитания могут обеспечить первый сигнал сброса и второй сигнал сброса для сброса значения электрода затвора транзистора T1 управления и второго электрода светоизлучающего элемента 220 и настоящее изобретение этим не ограничивается.
Следует отметить, что схема 222 управления, схема 226 записи данных, схема 227 хранения, схема 228 пороговой компенсации и схема 229 сброса в пиксельной схеме, как показано на фиг.8, являются только схематичными. Конкретные структуры схемы 222 управления, схема 226 записи данных, схема 227 хранения, схема 228 пороговой компенсации и схема 229 сброса могут быть установлены в соответствии с фактическими требованиями реализации, и варианты осуществления настоящего изобретения конкретно этим не ограничивается.
Например, в соответствии с характеристиками транзисторов, транзисторы могут быть разделены на транзисторы N-типа и транзисторы P-типа. Для ясности варианты осуществления настоящего изобретения иллюстрируют техническое решение настоящего изобретения, принимая случай, когда транзисторы являются транзисторами P-типа (например, MOS транзисторы P-типа) в качестве примера, то есть, в описаниях настоящего изобретения, транзистор T1 управления, транзистор T2 записи данных, транзистор Т3 пороговой компенсации, второй транзистор T4 управления светоизлучением, первый транзистор T5 управления светоизлучением, первый транзистор T6 сброса, второй транзистор T7 сброса и т.д. могут быть транзисторами P-типа. Однако транзисторы вариантов осуществления настоящего изобретения не ограничиваются транзисторами Р-типа, и специалисты в данной области также могут использовать транзисторы N-типа (например, MOS транзисторы N-типа) для выполнения функций одного или нескольких транзисторов в вариантах осуществления настоящего изобретения в соответствии с фактическими потребностями.
Следует отметить, что транзисторы, используемые в вариантах осуществления настоящего изобретения, могут быть тонкопленочными транзисторами или полевыми транзисторами или другими коммутационными устройствами с одинаковыми характеристиками, и тонкопленочные транзисторы могут содержать тонкопленочные транзисторы на оксидном полупроводнике, тонкопленочные транзисторы из аморфного кремния или поликремневые тонкопленочные транзисторы и т.д. Электрод истока и электрод стока транзистора могут быть симметричными в структуре, поэтому электрод истока и электрод стока транзистора могут быть неотличимы в физической структуре. В вариантах осуществления настоящего изобретения для различия двух электродов транзисторов, за исключением электрода затвора, используемый в качестве электрода управления, один из двух электродов непосредственно описывается как первый электрод, и другой из двух электродов описан в качестве второго электрода, поэтому первые электроды и вторые электроды всех или части транзисторов в вариантах осуществления настоящего изобретения являются взаимозаменяемыми, по мере необходимости.
Следует отметить, что в вариантах осуществления настоящего изобретения, в дополнение к 7T1C структуре, как показано на фиг.8 (т.е. содержащей семь транзисторов и один конденсатор), пиксельная схему субпикселя также может иметь структуру, содержащую другое количество транзисторов, такую как 7T2C структура, 6T1C структура, 6T2C структура или 9T2C структура, варианты осуществления настоящего изобретения этим не ограничены.
Фиг.9А-фиг.10А являются схемами различных слоев пиксельной схемы, предоставляемой некоторыми вариантами осуществления настоящего изобретения. Со ссылкой на фиг.9А-фиг.10А далее будет описана позиционная взаимосвязь соответствующих схем в пиксельной схеме на соединительной плате. Пример, показанный на фиг.9А-фиг.10А, иллюстрирует пиксельные схемы 221 одного повторяющегося блока 11 в качестве примера, и показана позиция каждого транзистора пиксельной схемы в первом цветовом пикселе 110, и компоненты пиксельных схем субпикселях с другими цветами, по существу, являются такими же, как позиции транзисторов в первом цветовом субпикселе. Как показано на фиг.9А, пиксельная схема 221 первого цветового субпикселя 110 содержит транзистор T1 управления, транзистор T2 записи данных, транзистор T3 пороговой компенсации, второй транзистор T4 управления светоизлучением и первый транзистор T5 управления светоизлучением, первый транзистор T6 сброса и второй транзистор T7 сброса и накопительный конденсатор C, как показано на фиг. 8.
Фиг.9А-фиг.10A также показывают первую линию Ga1 сигнала сканирования, вторую линию Ga2 сигнала сканирования, первую линию Rst1 сигнала управления сбросом, вторую линию Rst2 сигнала управления сбросом, первую линию Init1 сигнала сброса значения электропитания первого вывода Vinit1 сброса значения электропитания, вторую линию Init2 сигнала сброса значения электропитания второго вывода Vinit2 сброса значения электропитания, первую линию EM1 сигнала управления светоизлучением, вторую линию EM2 сигнала управления светоизлучением, линию Vd данных, первую линию VDD1 сигнала электропитания первого вывода VDD1 сигнала электропитания, вторую линию VDD2 сигнала электропитания, третью линию VDD3 сигнала электропитания (то есть, линия электропитания) и линию 344 экранирования, которые электрически соединены с пиксельной схемой 121 субпикселя каждого цвета. Первая линия VDD1 сигнала электропитания и вторая линия VDD2 сигнала электропитания электрически соединены друг с другом, и первая линия VDD1 сигнала электропитания и третья линия VDD3 сигнала электропитания электрически соединены друг с другом. Третья линия VDD3 сигнала электропитания перекрывается с линией VD данных в третьем направлении, перпендикулярном базовой подложке.
Следует отметить, что в примере, показанном на фиг.9A-фиг.9E, первая линия Ga1 сигнала сканирования и вторая линия Ga2 сигнала сканирования являются одинаковыми сигнальными линиями, первая линия Init1 сигнала сброса значения электропитания и вторая линия Init2 сигнала сброса значения электропитания являются одинаковыми сигнальными линиями, первая линия Rst1 сигнала управления сбросом и вторая линия Rst2 сигнала управления сбросом представляет собой одинаковую линию сигнала и первая линия EM1 сигнала управления светоизлучением и вторая линия EM2 сигнала управления светоизлучением являются одинаковыми сигнальными линиями, но варианты осуществления этим не ограничиваются.
Например, фиг.9А показывает активный полупроводниковый слой 310 пиксельной схемы в подложке дисплея. Активный полупроводниковый слой 310 может быть изготовлен с использованием полупроводникового материала. Активный полупроводниковый слой 310 может использоваться для формирования активных слоев вышеупомянутого транзистора Т1 управления, транзистора Т2 записи данных, транзистора T3 пороговой компенсации, второго транзистора T4 управления светоизлучением, первого транзистора T5 управления светоизлучением, первого транзистора Т6 сброса, второй транзистора T7 сброса. Активный полупроводниковый слой 310 содержит шаблон активного слоя и шаблон легированной области (то есть, область S истока и область D стока, показанные в третьем цветовом субпикселе) транзисторов соответствующих субпикселей, и шаблон активного слоя и шаблон легированной области соответствующих транзисторов в одной и той же пиксельной схеме являются интегральными.
Следует отметить, что активный слой может содержать интегрально сформированный низкотемпературный полисиликоновый слой и область истока и область стока могут быть проводящим посредством легирования или тому подобным для реализации электрического соединения каждой структуры. То есть, активный полупроводниковый слой транзисторов каждого субпикселя представляет собой интегрированный шаблон, образованный из р-кремния, и каждый транзистор в одной и той же пиксельной схеме содержит шаблоны легированной области (то есть, область S истока и область D стока) и шаблон активного слоя, и активные слои разных транзисторов разделены легированной структурой.
Например, активные полупроводниковые слои в пиксельных схемах субпикселей с различными цветами, расположенными вдоль первого направления, не имеют соединения и отсоединены друг от друга. Активные полупроводниковые слои в пиксельных схемах субпикселей одного цвета, расположенные вдоль второго направления, могут быть представлены интегральным образом или могут быть отсоединены друг от друга.
Например, активный полупроводниковый слой 310 может быть получен аморфным кремнием, полисиликом, оксидным полупроводниковым материалом или тому подобным. Следует отметить, что вышеупомянутая область истока и область стока могут быть областями, легированными примесями N-типа или примесями P-типа.
Например, металлический слой электрода затвора пиксельной схемы может содержать первый проводящий слой и второй проводящий слой. Изоляционный слой затвора (как показано на фиг.10В и фиг.10С) образуется на активном полупроводниковом слое 310 для защиты активного полупроводникового слоя 310. Фиг.9B показывает первый проводящий слой 320 подложки дисплея, первый проводящий слой 320 расположен на изоляционном слое затвора, чтобы быть изолированным от активного полупроводникового слоя 310. Первый проводящий слой 320 может содержать второй электрод CC2 накопительного конденсатора C, первую линию Ga1 сигнала сканирования, первую линию Rst1 сигнала управления сбросом, первую линию ЕМ1 сигнала управления светоизлучением и электроды затвора транзистора Т1 управления, транзистора Т2 записи данных, транзистора Т3 пороговой компенсации, второго транзистора T4 управления светоизлучением, первый транзистор T5 управления светоизлучением, первый транзистор T6 сброса и второй транзистор T7 сброса.
Например, как показано на фиг.9В, электрод затвора транзистора T2 записи данных, который может представлять собой участок первой линии Ga1 сигнала сканирования, который перекрывается с активным полупроводником слоем 310, электрод затвора второго транзистора T4 управления светоизлучением может быть первым участком первой линии ЕМ1 сигнала управления светоизлучением, который перекрывается с активным полупроводниковым слоем 310, электрод затвора первого транзистора T5 управления светоизлучением может представлять собой второй участок первой линии ЕМ1 сигнала управления светоизлучением, который перекрывается с активным полупроводником слоем 310, электрод затвора первого транзистора T6 сброса может представлять собой первый участок первой линию Rst1 сигнала управления сбросом, который перекрывается с активным полупроводниковым слоем 310, электрод затвора второго транзистора T7 сброса является вторым участком первой линии Rst1 сигнала управления сбросом, который перекрывается с активным полупроводниковым слоем 310. Транзистора T3 пороговой компенсации может быть тонкопленочным транзистором с двойным затвором, первый электрод затвора транзистора T3 пороговой компенсации может представлять собой участок первой линии Ga1 сигнала сканирования, который перекрывается с активным полупроводниковым слоем 310 и второй электрод затвора транзистора T3 пороговой компенсации может быть участком выступа, выступающим из первой линии Ga1 сигнала сканирования, который перекрывается с активным полупроводником слоем 310. Как показано на фиг.8 и фиг.9B, электрод затвора транзистора T1 управления может быть вторым электродом CC2 накопительного конденсатора C.
Следует отметить, что соответствующие пунктирные прямоугольные рамки на фиг.9А показывают соответствующие участки первого проводящего слоя 320, которые перекрываются с активным полупроводниковым слоем 310.
Например, как показано на фиг.9B, первая линия Ga1 сигнала сканирования, первая линия Rst1 сигнала управления сбросом и первая линия ЕМ1 сигнала управления светоизлучением расположены вдоль второго направления Х. Первая линия Ga1 сигнала сканирования находится между первой линией Rst1 сигнала управления сбросом и первой линией ЕМ1 сигнала управления светоизлучением.
Например, во втором направлении X второй электрод CC2 накопительного конденсатора C (т.е. электрод затвора транзистора T1 управления) расположен между первой линией Ga1 сигнала сканирования и первой линией ЕМ1 сигнала управления светоизлучением. Выступающий участок P, выступающий из первой линии Ga1 сигнала сканирования, расположен на стороне первой линии Ga1 сигнала сканирования на расстоянии от первой линии ЕМ1 сигнала управления светоизлучением.
Например, как показано на фиг.9А, во втором направлении X, электрод затвора транзистора T2 записи данных, электрод затвора транзистора T3 пороговой компенсации, электрод затвора первого транзистора T6 сброса, и электрод затвора второго транзистора T7 сброса все расположенные на первой стороне электрода затвора транзистора Т1 управления, электрод затвора второго транзистора T4 управления светоизлучением и электрод затвора первого транзистора T5 управления светоизлучением, оба расположенные на второй стороне электрода затвора транзистора T1 управления. Например, в примере, как показано на фиг. 9А-фиг.10А, первая сторона и вторая сторона электрода затвора транзистора Т1 управления в пиксельной схеме первого цветового субпикселя являются противоположными сторонами электрода затвора транзистора T1 управления во втором направлении X. Например, как показано на фиг.9А-фиг.10А, в плоскости XY, первая сторона электрода затвора транзистора Т1 управления в пиксельной схеме первого цветового субпикселя может представлять собой верхнюю сторону электрода затвора транзистора Т1 управления и вторая сторона электрода затвора транзистора T1 управления в пиксельной схеме первого цветового субпикселя может представлять собой нижнюю сторону электрода затвора транзистора Т1 управления. Например, для нижней стороны сторона подложки дисплея для соединения IC является нижней стороной подложки дисплея, и нижняя сторона электрода затвора транзистора T1 управления является стороной электрода затвора в транзисторе T1 управления рядом с IC. Например, верхняя сторона является противоположной стороной нижней стороны, например, является стороной электрода затвора транзистора T1 управления на расстоянии от IC.
Например, в некоторых вариантах осуществления, как показано на фиг.9А-фиг.10A, в первом направлении Y, электрод затвора транзистора T2 записи данных и электрод затвора второго транзистора Т4 управления светоизлучением оба находятся на третьей стороне электрода затвора транзистора Т1 управления, первый электрод затвора транзистора T3 пороговой компенсации, электрод затвора первого транзистора Т5 управления светоизлучением и электрод затвора второго транзистора T7 сброса, все расположены на четвертой стороне электрода затвора транзистора Т1 управления. Например, в примере, показанном на фиг.9А-фиг.10А, третья сторона и четвертая сторона электрода затвора транзистора Т1 управления в пиксельной схеме первого цветового субпикселя находятся на противоположных сторонах электрода затвора транзистора T1 управления в первом направлении Y. Например, как показано на фиг.9А-фиг.10А, третья сторона электрода затвора транзистора Т1 управления в пиксельной схеме первого цветового субпикселя может представлять собой левую сторону электрода затвора транзистора Т1 управления в пиксельной схеме первого цветового субпикселя, и четвертая сторона электрода затвора транзистора Т1 управления в пиксельной схеме первого цветового субпикселя может быть правой стороной электрода затвора транзистора T1 управления в пиксельной схеме первого цветового субпикселя. Для левой стороны и правой стороны, например, в одной и той же пиксельной схеме линия данных находится на левой стороне первой линии VDD1 сигнала электропитания, и первая линия VDD1 сигнала электропитания находится на правой стороне линии данных.
Например, первый изолирующий слой (как показано на фиг.10В и фиг.10С) сформирован на первом проводящем слое 320 для защиты первого проводящего слоя 320, как упомянуто выше. Фиг.9C показывает второй проводящий слой 330 пиксельной схемы. Второй проводящий слой 330 содержит первый электрод CC1 накопительного конденсатора C, первую линию Init1 сигнала сброса значения электропитания, вторую линию VDD2 сигнала электропитания и участок S экранирования света. Вторая линия VDD2 сигнала электропитания и первый электрод CC1 накопительного конденсатора C формируется интегральным образом. Первый электрод CC1 накопительного конденсатора C и второй электрод CC2 накопительного конденсатора C, по меньшей мере, частично перекрываются друг с другом для образования накопительного конденсатора C.
Например, второй изолирующий слой (как показано на фиг.10В и фиг.10С) образуется на втором проводящем слое 330 для защиты второго проводящего слоя 330. Фиг.9D показывает металлический слой 340 электрода исток-сток и металлический слой 340 электрода исток-сток содержит линию Vd данных, первую линию VDD1 сигнала электропитания и линию 334 экранирования. Упомянутые линия Vd данных, первая линия VDD1 сигнала электропитания и линия 334 экранирования простираются вдоль направления X. Линия 344 экранирования и линии Vd данных формируются в одном слое и имеет тот же материал, что линия экранирования и линия данных могут быть сформированы одновременно в том же процессе формирования шаблона, тем самым, избегая добавления дополнительного процесса формирования шаблона для изготовления линии экранирования, упрощая процесс производства подложки дисплея, а также, сокращая производственные затраты.
Например, металлический слой 340 электрода истока-стока дополнительно содержит первый участок 341 соединения, второй участок 342 соединения и третий участок 343 соединения (то есть, структуру 343 соединения). Фиг.9D также показывает примерные местоположения множества переходных отверстий и металлический слой 340 истока-стока соединен с множеством слоев пленки между металлическим слоем 340 истока-стока и базовой подложкой посредством множества переходных отверстий, как показано на чертеже. Как показано на фиг.9D, по-разному установленные переходные отверстия указывают, что металлический слой 340 истока-стока соединен с различными слоями пленки через переходные отверстия. Например, металлический слой 340 истока-стока соединен с активным полупроводниковым слоем 310, показанным на фиг.9A, через установленное переходное отверстие белого цвета, и металлический слой 340 истока-стока соединен со вторым полупроводниковым слоем, показанным на фиг.9C, через установленное переходное отверстие с черной точкой. Конкретный слой пленки, в котором установлено каждое переходное отверстие, и конкретная взаимосвязь соединения каждого переходного отверстия будет подробно описано в последующем чертеже, показанном на фиг.10А.
Например, третий изолирующий слой и четвертый изолирующий слой (как показано на рис.10В и фиг.10С) сформированы на вышеупомянутом металлическом слое 340 электрода истока-стока для защиты металлического слоя 340 электрода истока-стока, как упомянуто выше. Второй электрод светоизлучающего элемента каждого субпикселя может находиться на стороне третьего изолирующего слоя и четвертого изолирующего слоя на расстоянии от базовой подложки.
Фиг.9E показывает третий проводящий слой 350 пиксельной схемы, третий проводящий слой 350 содержит четвертый участок 353 соединения и третью линию VDD3 сигнала электропитания, и третья линия VDD3 сигнала электропитания распределяется по поперечному направлению в направлении X и направлении Y. Фиг.9E также показывает примерные расположения множества переходных отверстий 351 и 354, и третий проводящий слой 350 подключен к металлическому слою 340 истока-стока с помощью множества переходных отверстий 351 и 354.
Фиг.10А представляет собой схему уложенных один на другой вышеупомянутый активный полупроводниковый слой 310, первый проводящий слой 320, второй проводящий слой 330, металлический слой 340 электрода истока-стока и третий проводящий слой 350. Как показано на фиг.9А-фиг.10A, линия Vd данных соединена с областью истока транзистора T2 записи данных в активном полупроводниковом слое 310, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, через переходное отверстие 381) в изолирующем слое затвора, первом изолирующем слое и втором изолирующем слое. Первая линия VDD1 сигнала электропитания подключена к области истока второго транзистора T4 управления светоизлучением в активном полупроводниковом слое 310 через, по меньшей мере, одно переходное отверстие (например, через переходное отверстие 382) в изолирующем слое затвора, первом изолирующем слое и втором изолирующем слое.
Как показано на фиг.9А-фиг.10C, один вывод первого участка 341 соединения соединен с областью стока транзистора T3 пороговой компенсации в активном полупроводниковом слое 310, по меньшей мере, по одному переходному отверстию (например, через переходное отверстие 384) в изолирующем слое затвора, первом изолирующем слое и втором изолирующем слое, и другой вывод первого участка 341 соединения подключен к электроду затвора транзистора T1 управления (то есть, второй электрод CC2 накопительного конденсатора C) в первом проводящем слое 320, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, через переходное отверстие 385) в первом изолирующем слое и втором изолирующем слое. Один вывод второго участка 342 соединения подключен к первой линии Init1 через одно переходное отверстие (например, через переходное отверстие 386) во втором изолирующем слое, и другой вывод второго участка 342 соединения подключен к области стока второго транзистора T7 сброса в активном полупроводниковом слое 310, по меньшей мере, по одному переходному отверстию (например, через переходное отверстие 287) в изолирующем слое затвора, первом изолирующем слое и втором изолирующем слое. Третий участок 343 соединения (структура 343 соединения) соединен с областью стока первого транзистора T5 управления светоизлучением в активном полупроводниковом слое 310, по меньшей мере, по одному переходному отверстию (например, через переходное отверстие 352, то есть, первое отверстие 343-1 для присоединения) в неорганическом слое между структурой 343 соединения и активным полупроводниковым слоем 310, таким как изолирующий слой 103 затвора, первый изолирующий слой 104 и второй изолирующий слой 105.
Следует отметить, что область истока и область стока транзистора, используемые в вариантах осуществления настоящего изобретения, могут быть одинаковыми в структуре, поэтому область истока и область стока могут быть неотличимы в структуре и взаимозаменяемыми в соответствии с потребностями.
Как показано на фиг.9А-фиг.10А, первая линия VDD1 сигнала электропитания подключена к первому электроду CC1 накопительного конденсатора C через, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, через переходное отверстие 3832) во втором изолирующем слое между вторым проводящим слоем 330 и металлическим слоем 340 истока-стока.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.10А, линия 344 экранирования простирается в направлении X и ортографическая проекция линии 344 экранирования на базовой подложке расположена между ортографической проекцией транзистора управления на базовой подложке и ортографической проекцией линии данных на базовой подложке. Например, линия экранирования в пиксельной схеме первого цветового субпикселя может уменьшить влияние сигнала, передаваемого по линии данных в пиксельной схеме второго цветового субпикселя, на характеристики транзистора Т3 пороговой компенсации первого цветового субпикселя, тем самым, снижая влияние соединения между электродом затвора транзистора управления первого цветового субпикселя и линии данных, соединяющей второй цветовой субпиксель, и снижая уровень взаимных помех.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.10А, линия 344 экранирования подключена к первой линии Init1 сигнала сброса значения электропитания через, по меньшей мере, одно переходное отверстие во втором изолирующем слое (например, через переходное 232), в дополнение наличию фиксированного потенциала линии экранирования, что также обеспечивает стабильность напряжения сигнала инициализации, передаваемый по первой линии сигнала сброса значения электропитания, что также улучшает рабочую характеристику схемы управления пикселей.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.10A, линия 344 экранирования соответственно соединена с двумя первыми линиями Init1 сигнала сброса значения электропитания, расширяющиеся в направлении Y, так что линия 344 экранирования имеет фиксированный потенциал, и две первые линии Init1 сигнала сброса значения электропитания находятся на двух сторонах линии 344 экранирования вдоль направления Х. Например, две первых линии сигнала сброса значения электропитания соответствуют n-ой строке пиксельных схем и (n + 1) – ой строке пиксельных схем, соответственно.
Например, линия 344 экранирования в том же столбце может представлять собой всю линию экранирования, и вся линия экранирования содержит множество субучастков между двумя соседними первыми линиями сигнала сброса значения электропитания, и каждый субучасток находится в пределах каждой области пиксельной схемы в столбце.
Например, в дополнение к соединению линии 344 экранирования к линии сигнала сброса значения электропитания, линия 344 экранирования также может быть соединена с первой линией сигнала сброса значения электропитания, так что линия 344 экранирования имеет такой же фиксированный потенциал, что и сигнал электропитания, передаваемый первой линией сигнала электропитания.
Например, ортографическая проекция линии 344 экранирования на базовой подложке находится между ортографической проекцией транзистора T3 пороговой компенсации на базовой подложке и ортографической проекцией линии Vd данных на базовой подложке, так что линия 344 экранирования может снижать влияние изменения сигнала, передаваемого по линии данных на характеристику транзистора T3 пороговой компенсации, тем самым, уменьшая соединение между электродом затвора транзистора управления и линии Vd (n + 1 ) сигнала данных, тем самым, снижая вертикальные взаимные помехи, что повышает качество отображения подложкой дисплея во время отображения.
Например, ортографическая проекция линии 344 экранирования на базовой подложке может быть расположена между ортографической проекцией первого участка 341 соединения на базовой подложке и ортографической проекцией линии данных на базовой подложке; и ортографическая проекция линии 344 экранировании на базовой подложке расположена между ортографической проекцией транзистора Т1 управления на базовой подложке и ортографической проекцией линии данных на базовой подложке.
Вышеупомянутая компоновка значительно снижает первые перекрестные помехи, генерируемые между линией данных и транзистором порогового компенсации, и значительно снижает вторые перекрестные помехи, генерируемые между линией данных и первым участком соединения, тем самым, снижая косвенные перекрестные помехи между управляющим транзистором, вызванные первыми перекрестными помехами и вторыми перекрестными помехами. Дополнительно, вышеупомянутая компоновка также уменьшает прямые перекрестные помехи, генерируемые между линией данных и управляющим транзистором, тем самым, улучшая характеристики подложки дисплея.
Например, линия 344 экранирования не ограничивается вышеупомянутой компоновкой, и линия 344 экранирования также может быть соединена только с линией сигнала сброса значения электропитания, соответствующей n-ой строке пиксельных схем, или только с линией сигнала сброса значения электропитания, соответствующей (n + 1)-ой строке пиксельных схем. Более того, расширение длины линии 344 экранирования в направлении X также может быть установлена в соответствии с фактическими потребностями.
Например, пиксельная схема субпикселя каждого цвета дополнительно содержит участок S1 экранирования света, участок S1 экранирования света обеспечивается в другом слое от линии 344 экранирования, и ортографическая проекция участка S1 экранирования на базовой подложке перекрывается с ортографической проекцией линии 344 экранирования на базовой подложке. Линия 344 экранирования подключена к участку S1 экранирования света во втором проводящем слое 330 через переходное отверстие 231 на втором изолирующем слое, так что участок S1 экранирования света имеет фиксированный потенциал, тем самым, лучше уменьшает эффект связи между транзистором Т3 пороговой компенсации и другими проводящими шаблонами поблизости, и обеспечивается стабильность рабочих характеристик подложки дисплея.
Например, участок S1 экранирования света перекрывается с активным полупроводниковым слоем 310 между двумя электродами затвора транзистора T3 пороговой компенсации для предотвращения изменения характеристик активного полупроводникового слоя 310 между двумя электродами затвора при светоизлучении, например, предотвращение изменения напряжения активного полупроводникового слоя 310 между двумя электродами затвора, тем самым, предотвращая перекрестные помехи.
Пример, схематично показывающий, что участок экранирования света соединен с линией экранирования, но варианты осуществления этим не ограничены, и участок экранирования света и линия экранирования могут быть не соединены.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.10А, третья линия VDD3 сигнала электропитания подключена к первой линии VDD1 сигнала электропитания через, по меньшей мере, одно переходное отверстие 351 в третьем изолирующем слое и четвертом изолирующем слое, и четвертый участок 353 соединения соединен с третьим участком 343 соединения через переходное отверстие 354 в третьем изолирующем слое и четвертом изолирующем слое.
Например, третий изолирующий слой может представлять собой пассивирующий слой, четвертый изолирующий слой может представлять собой первый сглаживающий слой и третий изолирующий слой расположен между четвертым изолирующим слоем и основой подложкой. Четвертый изолирующий слой может представлять собой органический слой, и толщина органического слоя толще, чем у неорганического слоя, такого как пассивирующий слой.
Например, переходное отверстие 351 и переходное отверстие 354 вложены в переходные отверстия, то есть, переходное отверстие 351 содержит первое переходное отверстие в третьим изолирующем слое и второе переходное отверстие в четвертом изолирующем слое, и позиция первого переходного отверстия в третьем изолирующем слое соответствует позиции второго переходного отверстия в четвертом изолирующем слое, и ортографическая проекция второго переходного отверстия в четвертом изолирующем слое на базовой подложке находится в ортографической проекции первого переходного отверстия в третьем изолирующем слое на базовой подложке.
Например, третья линия VDD3 сигнала электропитания распределяется в форме сетки и содержит участок, простирающийся в направлении X, и участок, простирающийся в направлении Y. Ортографическая проекция участка третьей линии VDD3 сигнала электропитания, простирающейся в направлении X на базовой подложке, по существу, совпадает с ортографической проекцией первой линии VDD1 сигнала электропитания на базовой подложке или ортографическая проекция первой линии VDD1 сигнала электропитания на базовой подложке находится в ортографической проекции участка третьей линии VDD3 сигнала электропитания, простирающейся в направлении X на базовой подложке (фиг.10А показывает пример, в котором две ортографические проекции, по существу, совпадают друг с другом), и третья линия VDD3 сигнала электропитания и первая линия VDD1 сигнала электропитания электрически соединены для снижения величины падения напряжения первой линии VDD1 сигнала электропитания, тем самым, улучшая однородность устройства отображения.
Например, при изготовлении третьей линия VDD3 сигнала электропитания может быть использован тот же материал, что и металлический слой истока-стока.
Для четкой иллюстрации каждого вида переходного отверстия, фиг.10А не иллюстрирует позиционную взаимосвязь между переходным отверстием и каждым слоем.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.10А, пример настоящего изобретения описывает случай, когда относительные позиционные отношения компонентов, содержащиеся в пиксельных схемах в первом цветовом субпикселе 110 и третьем цветовом субпикселе 130, являются такими же, как, например, случай, в котором четвертые участки 353 соединения первого цветового субпикселя 110 и третьего цветового пикселя 130 соответственно перекрываются с областями стока вторых транзисторов Т5 управления светоизлучением, содержащиеся в соответствующих субпикселях, рассматривается в качестве примера. Четвертый участок 353 соединения в пиксельной схеме второго цветового субпикселя 120 (например, субпиксель красного цвета) не перекрывается с областью стока первого транзистора T5 управления светоизлучением, например, четвертый участок 353 соединения второго цветового субпикселя 120 и область стока первого транзистора T5 управления светоизлучением находятся на двух сторонах третьей линии VDD3 сигнала электропитания, проходящей в направлении Y, соответственно. Например, как показано на фиг.9D, третий участок 343 соединения первого цветового субпикселя и третьего цветового субпикселя оба находятся в блочной структуре, и третий участок 343 соединения второго цветового субпикселя представляет собой участок полосы, простирающийся в направлении X. Один конец участка полосы используется для подключения к четвертому участку 353 соединения, который будет сформирован позже, и другой конец участка полосы используется для подключения к области стока первого транзистора T5 управления светоизлучением для соединения четвертого участка соединения с областью стока первого транзистора T5 управления светоизлучением. Затем, анод субпикселя каждого цвета, сформированного позже, будет подключен к соответствующему четвертому участку 353 соединения посредством переходного отверстия для реализации соединение между анодом и областью стока первого транзистора T5 управления светоизлучением.
Вариант осуществления содержит, но этим не ограничен. Позиция четвертого участка соединения в субпикселе каждого цвета определяется в зависимости от правила компоновки органических светоизлучающих элементов и позиции области светоизлучения.
Фиг.10B представляет собой вид частичного сечения структуры по линии AA', показанную на фиг.10А. Как показано на фиг.10А-фиг.10B, изолирующий слой 103 затвора предусмотрен на стороне второго электрода (например, электрода стока T5d) первого транзистора T5 управления светоизлучением в активном полупроводниковом слое в пиксельной схеме второго цветового пикселя 120 на расстоянии от базовой подложки 100. Первая линия EM1 сигнала управления светоизлучением обеспечивается на стороне изолирующего слоя 103 затвора на расстоянии от базовой подложки 100, первый изолирующий слой 104 предусмотрен на стороне первой линия EM1 сигнала управления светоизлучением на расстоянии от базовой подложки 100, вторая линия VDD2 сигнала электропитания обеспечивается на стороне первого изолирующего слоя 104 на расстоянии от базовой подложки 100, второй изолирующий слой 105 предусмотрен на стороне второй линии VDD2 сигнала электропитания на расстоянии от базовой подложки 100 и третий участок 343 соединения обеспечивается на стороне второго изолирующего слоя 105 на расстоянии от базовой подложки 100. Третий участок 343 второго цветового субпикселя 120 подключен ко второму электроду T5d первого транзистора T5 управления светоизлучением в активном полупроводниковом слое 310 через переходное отверстие 352 в изолирующем слое 103 затвора, первом изолирующем слое 104 и втором изолирующем слое 105. Третий участок 343 соединения перекрывается со второй линией VDD2 сигнала электропитания и первой линией EM1 сигнала управления светоизлучением. Третий изолирующий слой 106 и четвертый изолирующий слой 107 предусмотрен в последовательности на стороне третьего участка 343 соединения на расстоянии от базовой подложки 100, и четвертый участок 353 соединения и третья линии VDD3 сигнала электропитания предусмотрены на стороне четвертого изолирующего слоя 107 на расстоянии от базовой подложки 100. Третья линия VDD3 сигнала электропитания перекрывается со второй линией VDD2 сигнала электропитания. Четвертый участок 353 соединения соединен с третьим участком 343 соединения через вложенные переходные отверстия 354 в третьем изолирующем слое 106 и четвертом изолирующем слое 107 и, таким образом, подключается ко второму транзистору управления светоизлучением.
Например, как показано на фиг.10В, линия Vd данных подключается к электроду Т2s истока транзистора T2 записи данных через переходное отверстие 281 на изолирующем слое 103 затвора, первом изолирующем слое 104 и втором изолирующем слое 105; один конец первого участка 341 соединения соединен с электродом T3d стока транзистора T3 пороговой компенсации через переходное отверстие 284 на изолирующем слое 103 затвора, первом изолирующем слое 104 и втором изолирующем слое 105, и другой конец первого участка 341 соединения подключается к электроду затвора транзистора T1 управления (то есть, второй электрод CC2 накопительного конденсатора C) через переходное отверстие 285 в первом изолирующем слое 104 и втором изолирующим слое 105; Канал T1с транзистора Т1 управления расположен на стороне электрода затвора, обращенной к базовой подложке 100, и канал T1с не перекрывается с переходным отверстием 385, электрод T1d истока транзистора Т1 управления перекрывается с электродом затвора транзистора T1 управления и первым электродом CC1 накопительного конденсатора C.
Фиг.10C является видом частичного сечения структуры по линии B-B', показанной на фиг.10А. Как показано на фиг.10А-фиг.10C, первый цветовой субпиксель 110 отличается от второго цветового субпикселя 120 тем, что ортографическая проекция четвертого участка 353 соединения во втором цветовом пикселе 120 на базовой подложке 100 не перекрывается с ортографической проекцией второго электрода T5d первого транзистора T5 управления светоизлучением второго цветового субпикселя 120 на базовой подложке 100, и ортографическая проекция четвертого участка 353 первого цветового пикселя 130 на базовой подложке 100 перекрывается с ортографической проекцией второго электрода T5d первого транзистора T5 управления светоизлучением первого цветового пикселя 130 на базовой подложке 100. В первом цветовом субпикселе 110 третий участок 343 соединения не перекрывается со второй линией VDD2 сигнала электропитания и первой линией EM1 сигнала управления светоизлучением. В первом цветовом пикселе 110 канал T1c транзистора Т1 управления расположен на стороне электрода затвора транзистора T1 управления, обращенной к базовой подложке 100, и канал T1с транзистора Т1 управления перекрывается с переходным отверстием 385. Видно, что ширина канала транзистора управления в первом цветовом субпикселе больше, чем ширина канала транзистора управления во втором цветовом субпикселе.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.10A, во втором направлении X, первая линия Ga1 сигнала сканирования, первая линия Rst1 сигнала управления сбросом и первая линия Init1 сигнала сброса значения электропитания все расположены на первой стороне электрода затвора транзистора T1 управления в пиксельной схема первого цветового субпикселя и первая линия EM1 сигнала управления светоизлучением расположена на второй стороне транзистора Т1 управления в пиксельной схеме первого цветового субпикселя.
Например, первая линия Ga1 сигнала сканирования, первая линия Rst1 сигнала управления сбросом, первая линия EM1 сигнала управления светоизлучением и первая линия Init1 сигнала сброса значения электропитания все простираются в первом направлении Y и линия Vd данных простирается во втором направлении Х.
Например, первая линия VDD1 сигнала электропитания простирается во втором направлении X и вторая линия VDD2 сигнала электропитания простирается в первом направлении Y. Сигнальные линии, соединяющие первый вывод VDD электропитания, направляются в сеть на подложке дисплея. Другими словами, на всей подложке дисплея первая линия VDD1 сигнала электропитания и вторая линия VDD2 сигнала электропитания расположена в сети, так что сопротивление сигнальных линий, соединяющих первый вывод VDD электропитания, является небольшим, и падение напряжения является низким, тем самым, повышая устойчивость напряжения электропитания, обеспечиваемого первым выводом VDD электропитания.
Следует отметить, что позиционная компоновка схемы управления, первой схемы управления светоизлучением, второй схемы управления светоизлучением, схемы записи данных, схемы хранения, схемы пороговой компенсации и схемы сброса в каждой пиксельной схеме не ограничивается примером, показанным на фиг.9А-фиг.10А, в соответствии с фактическими требованиями реализации, может быть специально разработана позиционная компоновка схемы управления, первой схемы управления светоизлучением, второй схемы управления светоизлучением, схемы записи данных, схемы хранения, схемы пороговой компенсации и схемы сброса.
Фиг.11А представляет собой частичную структурную схему подложки матрицы, предложенную приведенным примером варианта осуществления. Как показано на фиг. 11А, пиксельная схема, содержащаяся в субпикселе каждого цвета в подложке матрицы, представляет собой пиксельную схему, показанную на фиг.10А. Например, как показано на фиг.9А-фиг.11А, пятый изолирующий слой (не показан) предусмотрен на стороне третьей линии VDD3 сигнала электропитания на расстояние от первой линии VDD1 сигнала электропитания. Например, пятый изолирующий слой может представлять собой второй сглаживающий слой и материал пятого изолирующего слоя может быть таким же, как материал четвертого изолирующего слоя (то есть, первого сглаживающего слоя), такой как органический материал.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11B, по меньшей мере, в одном пиксельном блоке, первый электрод первого транзистора T5 управления светоизлучением второго цветового субпикселя 120 электрически соединен со структурой 343 соединения через первое отверстие 343-1 для присоединения и структуру 343 соединения, и структура 343 соединения электрически соединена со вторым электродом 123 второго цветового субпикселя 120 через второе отверстие 343-2 для присоединения (т.е. переходное отверстие 352), ортографическая проекция, по меньшей мере, части первого отверстия 343-1 для присоединения на базовой подложке 100 расположена на стороне ортографической проекции линии EM1 сигнала управления светоизлучением на базовой подложке, и ортографическая проекция, по меньшей мере, части второго отверстия 343-2 для присоединения на базовом подложке 100 расположена на другой стороне ортографической проекции линии EM1 сигнала управления светоизлучением на базовой подложке 100; по меньшей мере, в одном пиксельном блоке второй электрод 133 третьего цветового субпикселя 130 не перекрывается с каналом T1с транзистора Т1 управления, управляющего органическим светоизлучающим элементом третьего цветового субпикселя 130 в третьем направлении перпендикулярным базовой подложке 100.
Настоящее изобретение содержит структуру компоновки пикселей, которая может эффективно управлять вторым цветовым субпикселем для излучения света в соединительной структуре на основании улучшения компактности расположения пикселей для повышения разрешения пикселей, установив позиционные отношения между двумя отверстиями для присоединения и линией сигнала управления светоизлучением и позиционным отношением между вторым электродом третьего цветового субпикселя и каналом транзистора управления третьего цветового субпикселя.
В настоящем изобретении линии данных и линии электропитания расположены в разных слоях, а именно, двухслойные сигнальные линии для реализации компактного расположения пикселей и оптимизированной схемы проводки.
Например, как показано на фиг.11А и фиг.11B, второй электрод второго цветового субпикселя 120 и второй электрод третьего цветового субпикселя 130 попеременно расположены вдоль второго направления. Например, второй электрод третьего цветового субпикселя перекрывается с пиксельной схемой второго цветового субпикселя в направлении, перпендикулярном подложке. В настоящем изобретении, установив второй электрод третьего цветового субпикселя для перекрытия с пиксельной схемой второго цветового субпикселя, повышается компактность расположения пикселей.
Например, центр ортографической проекции первого отверстия 343-1 для присоединения на базовой подложке 100 расположен на стороне ортографической проекции линии EM1 сигнала управления светоизлучением на базовой подложке 100 и центр ортографической проекции второго отверстия 343-2 для присоединения на базовой подложке 100 расположен на другой стороне ортографической проекции линии EM1 сигнала управления светоизлучением на базовой подложке 100.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11В, во втором цветовом пикселе 120, структура 343 соединения электрически соединена со вторым электродом 123 через второе отверстие 343-2 для присоединения, расположенное, по меньшей мере, в одном из: неорганическом слое и органическом слое между структурой 343 соединения и вторым электродом 123. Например, изолирующий слой 106 может представлять собой неорганический слой, и изолирующий слой 107 может представлять собой органический слой 107, но не ограничен этим. Неорганический слой обладает функциями электрической изоляции, изоляции воды и кислорода, и органический слой имеет функцию обеспечения плоскостности анода. Например, второе отверстие 343-2 для присоединения является переходным отверстием 354 в четвертом изолирующем слое 107. Первое соединительное отверстие и второе соединительное отверстие являются отверстиями, непосредственно соединенные со соединительной структурой. Например, соединительная структура электрически соединена со вторым электродом через второе соединительное отверстие, и соединительная структура и второй электрод также могут включать в себя отверстия в других слоях пленки для передачи. Например, структура 343 соединения соединена с четвертым участком 353 соединения через второе отверстие 343-2 для присоединения в третьем изолирующем слое 106 и четвертом изолирующем слое 107, и четвертый участок 353 соединения соединен со вторым электродом через отверстия для передачи в пятом изолирующем слое, тем самым, реализуя электрическое соединение между соединительной структурой и вторым электродом.
Например, как показано на фиг.10А, фиг.10В и фиг.11А, по меньшей мере, в одном втором цветовом субпикселе 120 ортографическая проекция первого отверстия 343-1 для присоединения (т.е. переходное отверстие 352) на базовой подложке 100 имеет первую площадь, и ортографическая проекция второго отверстия 343-2 для присоединения (т.е. переходное отверстие 354) на базовой подложке 100 имеет вторую площадь, которая отличается от первой площади.
Например, как показано на фиг.10А, фиг.10В и фиг.11А, по меньшей мере, в следующем втором цветовом субпикселе 120, первое отверстие 343-1 для присоединения имеет первое расстояние от линии EM1 сигнала управления светоизлучением во втором направлении, и второе отверстие 343-2 для присоединения имеет второе расстояние от линии EM2 сигнала управления светоизлучением во втором направлении, и первое расстояние и второе расстояние разные. Здесь расстояние от соединительного отверстия до линии сигнала управления светоизлучением может относиться к расстоянию между краями соединительного отверстия и линией сигнала управления светоизлучением, близкими друг к другу, но не ограничивается этим, и этим не ограничивается, и может быть расстоянием между центром соединительного отверстия и центральной линией сигнала управления светоизлучением.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11В, второй электрод 113 (то есть, анод) органического светоизлучающего элемента первого цветового субпикселя 110 соединен с четвертым участком 353 через переходное отверстие 1133 (не показано) в пятом изолирующем слое и, таким образом, второй электрод подключен к области стока первого транзистора Т5 управления светоизлучением. Аналогичным образом, второй электрод 133 (то есть, анод) органического светоизлучающего элемента третьего цветового пикселя 130 соединен с четвертым участком 353 соединения через переходное отверстие 1133 (не показано) в пятом изолирующем слое и, таким образом, второй электрод подключен к области стока первого транзистора T5 управления светоизлучением. Второй электрод 123 (то есть анод) органического светоизлучающего элемента второго цветового субпикселя 120 соединен с четвертым участком 353 соединения через переходное отверстие в пятом изолирующем слое и, таким образом, второй электрод подключен к третьему участку 343 соединения для реализации соединения между вторым электродом и областью стока первого транзистора T5 управления светоизлучением.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11В, по меньшей мере, в одном пиксельном блоке, второй электрод 133 третьего цветового субпикселя 130 не перекрывается с каналами транзисторов T1 управления, управляющие органическими светоизлучающими элементами других цветовых субпикселей (таких как, первый цветовой субпиксель 110 и второй цветовой субпиксель 120) в третьем направлении.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11B, по меньшей мере, в одном пиксельном блоке ортографическая проекция первого отверстия 343-1 для присоединения второго цветового субпикселя 120 на базовой подложке 100 находится на расстоянии от ортографической проекции второго электрода 123 второго цветового субпикселя 120 на базовой подложке 100 по сравнению с ортографической проекцией второго отверстия 343-2 для присоединения второго цветового субпикселя 120 на базовой подложке 100. В варианте осуществления настоящего изобретения как первое соединительное отверстие, так и второе соединительное отверстие во втором цветовом субпикселе расположены на расстоянии от области светоизлучения второго цветового субпикселя, поэтому даже, если второе соединительное отверстие находится близко к области, в котором второй электрод перекрывается со слоем светоизлучения, что не оказывает влияния на плоскостность слоя светоизлучения и второго электрода в области светоизлучения.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11B, по меньшей мере, в одном пиксельном блоке второй электрод 123 второго цветового субпикселя 120 перекрывается с каналом транзистора Т1 управления, управляя органическим светоизлучающим элементом второго цветового субпикселя 120 в третьем направлении, так что можно повысить компактность расположения пикселей.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11B, по меньшей мере, в одном пиксельном блоке, линия Vd данных, соединенная с пиксельной схемой второго цветового субпикселя 120, и второй электрод 123 второго цветового субпикселя 120 разнесены друг от друга в первом направлении (то есть, направление Y). Ортографическая проекция линии Vd данных, подключенной к пиксельной схеме второго цветового субпикселя 120 на базовой подложке 100, не перекрывается с ортографической проекцией второго электрода 123 второго цветового субпикселя 120 на базовой подложке 100.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11В, второй электрод 123 второго цветового пикселя 120 и линия Vd данных, подключенная к пиксельной схеме третьего цветового субпикселя 130, перекрываются в третьем направлении.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11В, по меньшей мере, в одном пиксельном блоке ортографическая проекция второго электрода 113 первого цветового субпикселя 110 и ортографической проекции второго электрода 133 третьего цветового пикселя 130 на первой прямой линии, проходящей вдоль второго направления, перекрывается с ортографической проекцией структуры 343 соединения второго цветового субпикселя 120 на первой прямой линии.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11В, по меньшей мере, в одном пиксельном блоке ортографическая проекция второго электрода 133 третьего цветового субпикселя 130 на второй прямой линии, проходящей вдоль первого направления, перекрывается с ортографической проекцией структуры 343 соединения второго цветового субпикселя 120 на второй прямой линии.
Например, как показано на фиг.11А, второй электрод органического светоизлучающего элемента субпикселя каждого цвета содержит основной электрод и соединительный электрод, и основной электрод субпикселя каждого цвета имеет форму шестиугольника.
Например, как показано на фиг.11А, второй электрод 113 первого цветового субпикселя 110 содержит первый основной электрод 1131 и первый соединительный электрод 1132. Первый основной электрод 1131 и первый соединительный электрод 1132 могут представлять собой интегральную структуру, первый соединительный электрод 1132 подключен к четвертому участку 353 соединения через отверстие 1133 для присоединения и, таким образом, первый соединительный электрод подключен к третьему участку 343 для присоединения для реализации соединения между первым соединительным электродом и вторым электродом первого транзистора T5 управления светоизлучением первого цветового субпикселя 110. Второй электрод 123 второго цветового субпикселя 120 содержит второй основной электрод 1231 и второй соединительный электрод 1232. Второй основной электрод 1231 и второй соединительный электрод 1232 могут быть интегрированной структурой и второй соединительный электрод 1232 подключен к четвертому участку 353 соединения через отверстие 1233 для присоединения и, таким образом, второй соединительный электрод подключен к третьему участку 343 соединения для реализации соединения между вторым соединительным электродом и вторым электродом первого транзистора T5 управления светоизлучением второго цветового субпикселя 120. Второй электрод 133 третьего цветового субпикселя 130 содержит третий основной электрод 1331 и третий соединительный электрод 1332. Третий основной электрод 1331 и третий соединительный электрод 1332 могут быть интегрированной структурой, и третий электрод 1332 соединения соединен с четвертым участком 353 соединения через отверстие 1333 для присоединения и, таким образом, третий соединительный электрод соединен с третьим участком 343 соединения для реализации соединения между третьим соединительным электродом и вторым электродом первого транзистора T5 управления светоизлучением третьего цветового субпикселя 130.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11B, ортографическая проекция основного электрода 1131 первого цветового субпикселя 110 на первой прямой линии перекрывается с ортографической проекцией структуры 343 соединения второго цветового субпикселя 120 на первой прямой линии.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11B, ортографическая проекция основного электрода 1331 третьего цветового пикселя 130 на второй прямой линии перекрывается с ортографической проекцией структуры 343 соединения второго цветового субпикселя 120 на второй прямой линии.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11B, второй электрод 123 второго цветового субпикселя 120 перекрывается с линией Ga1 сигнала сканирования в третьем направлении. Ортографическая проекция второго электрода 123 второго цветового пикселя 120 на базовой подложке 100 перекрывается с ортографической проекцией линии Ga1 сигнала сканирования на базовой подложке 100.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11В, второй электрод 123 второго цветового субпикселя 120 перекрывается с линией Ga1 сигнала сканирования, электрически соединенной с пиксельной схемой второго цветового субпикселя 120 в третьем направлении. Например, ортографическая проекция второго электрода 123 второго цветового пикселя 120 на базовой подложке 100 перекрывается с ортографической проекцией линии Ga1 сигнала сканирования, электрически соединенной с пиксельной схемой второго цветового субпикселя 120 на базовой подложке 100.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11В, по меньшей мере, в одном пиксельном блоке, второй электрод 113 первого цветового субпикселя 110 и второй электрод 133 третьего цветового субпикселя 130 оба перекрываются с линией ЕМ1 сигнала управления светоизлучением в третьем направлении. Например, по меньшей мере, в одном пиксельном блоке ортографическая проекция второго электрода 113 первого цветового субпикселя 110 и ортографическая проекция второго электрода 133 третьего цветового пикселя 130 на базовой подложке 100 оба перекрываются с ортографической проекцией линии ЕМ1 сигнала управления светоизлучением на базовой подложке 100.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11B, второй электрод 113 первого цветового субпикселя 110 включает в себя первую субчасть 113-1 электрода и вторую субчасть 113-2 электрода, расположенные с обеих сторон линии ЕМ1 сигнала управления светоизлучением, соответственно, и площадь первой субчасти 113-1 электрода больше площади второй субчасти 113-2 электрода. Ссылаясь на центральную линию линии сигнала управления светоизлучением, как показано на фиг.11А, части второго электрода 113 первого цветового субпикселя 110, расположенные с обеих сторон центральной линии линии сигнала управления светоизлучением, являются первой субчастью 113-1 электрода и второй субчастью 113 -2 электрода, соответственно.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11B, в первом цветовом пикселе 110 центр ортографической проекции второго отверстия 343-2 для присоединения на базовой подложке 100 и ортографическая проекция первой субчасти 113-1 электрода на базовой подложке 100, соответственно, расположены с обеих сторон ортографической проекции линии EM1 сигнала управления светоизлучением на базовой подложке 100.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11В, по меньшей мере, в одном пиксельном блоке, второй электрод CC2 накопительного конденсатора C мультиплексируется в виде электрода затвора транзистора T1 управления и площадь второго электрода CC2 накопительного конденсатора C первого цветового субпикселя 110 отличается от площади второго электрода CC2 накопительного конденсатора C второго цветового субпикселя 120.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11В, площадь второго электрода 113 первого цветового субпикселя 110 больше площади второго электрода 123 второго цветового субпикселя 120, и площадь второго электрода CC2 накопительного конденсатора C первого цветового субпикселя 110 больше площади второго электрода CC2 накопительного конденсатора C второго цветового субпикселя 120.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11В, во втором цветовом субпикселе 120, первый электрод CC1 накопительного конденсатора C перекрывается со структурой 343 соединения в третьем направлении.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11В, второй электрод 113 первого цветового субпикселя 110 перекрывается с линией Vd данных в третьем направлении, и длина перекрываемого участка второго электрода и линии данных во втором направлении превышает 80% от максимальной длины второго электрода 113 во втором направлении, тем самым, повышая плоскостность второго электрода первого цветового субпикселя. Например, ортографическая проекция второго электрода 113 первого цветового субпикселя 110 на базовой подложке 100 перекрывается с ортографической проекцией линии Vd данных на базовой подложке 100, и длина перекрываемого участка второго электрода и линии данных во втором направлении превышают 80% от максимальной длины ортографической проекции второго электрода 113 во втором направлении.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11В, второй электрод 113 первого цветового субпикселя 110 перекрывается с линией VDD3 электропитания в третьем направлении, и длина перекрывающейся части второго электрода и линии электропитания во втором направлении превышает 80% от максимальной длины второго электрода 113 во втором направлении, тем самым, улучшая плоскостность второго электрода первого цветового субпикселя. Например, ортографическая проекция второго электрода 113 первого цветового субпикселя 110 на подложке 100 перекрывается с ортографической проекцией линии VDD3 электропитания на подложке 100, и длина перекрываемого участка второго электрода и линии электропитания во втором направлении превышает 80% от максимальной длины ортографической проекции второго электрода 113 во втором направлении.
Например, первый соединительный электрод 1132 первого цветового субпикселя 110 расположен на стороне центра первого основного электрода 1131 на расстоянии от линии данных, соединяющей пиксельную схему первого цветового субпикселя в направлении Y, и расположено на стороне центра первого основного электрода 1131 на расстоянии от линии сигнала управления светоизлучением, соединяющей пиксельную схему первого цветового субпикселя в направлении X. Например, первый соединительный электрод 1132 и первый основной электрод 1131 первого цветового субпикселя 110 расположены в направлении X, и первый соединительный электрод 1132 расположен в нижнем правом углу первого основного электрода 1131. Например, второй соединительный электрод 1232 второго цветового субпикселя 120 расположен на стороне центра второго основного электрода 1231 на расстоянии от линии данных, соединяющей пиксельную схему второго цветового субпикселя в направлении Y, и расположен на стороне центра второго основного электрода 1231, близко к линии сигнала управления светоизлучением пиксельной схемы второго цветового субпикселя в направлении X. Например, второй соединительный электрод 1232 и второй основной электрод 1231 второго цветового субпикселя 120 расположены в направлении X, и второй соединительный электрод 1232 расположен в нижнем правом углу второго основного электрода 1231. Например, третий соединительный электрод 1332 и третий основной электрод 1331 третьего цветового пикселя 130 расположены в направлении Y, и третий соединительный электрод 1332 расположен на правой стороне третьего основного электрода 1331, то есть, третий соединительный электрод 1332 находится на стороне центра третьего основного электрода, близкого к линии экранирования, соединяющей пиксельную схему субпикселя.
Например, как показано на фиг.9А-фиг.11В, дополнительно предусмотрен слой определения пикселя (например, слой 101 определения пикселя, показанный на фиг.1В) между соседними субпикселями. Слой определения пикселя содержит отверстия для ограничения областей светоизлучения субпикселей с разными цветами. Ортографическая проекция края одного отверстия слоя определения пикселя на базовой подложке представляет собой ортографическую проекцию основного электрода соответствующего второго электрода на базовой подложке.
Например, как показано на фиг.1В, фиг.9А-фиг.11В, устройство отображения дополнительно включает в себя слой 101 определения пикселя, расположенный на стороне второго электрода каждого субпикселя на расстоянии от базовой подложки 100, слой 101 определения пикселя включает в себя отверстие 1010 для ограничения области светоизлучения каждого субпикселя, по меньшей мере, часть органического светоизлучающего слоя каждого субпикселя расположена в отверстии 1010, и ортографическая проекция отверстия 1010 слоя 101 определения пикселя на базовой подложке 100 находится в ортографической проекции основного электрода второго электрода каждого субпикселя на базовой подложке 100. В слое 101 определения пикселя, площадь отверстия 1010-3, ограничивающая область светоизлучения каждого третьего цветового субпикселя 130, превышает площадь отверстия 1010-2, ограничивающую область светоизлучения каждого второго цветового субпикселя 120, и меньше площади отверстия 1010-1, ограничивающую область светоизлучения каждого первого цветового субпикселя 110.
Например, субпиксель каждого цвета дополнительно содержит органический светоизлучающий слой (например, органический светоизлучающий слой 112 или 122, показанный на фиг.1B), и органический светоизлучающий слой расположен на стороне второго электрода на расстоянии от базовой подложки. Второй электрод субпикселя каждого цвета находится в контакте с органическим светоизлучающим слоем на отверстии слоя определения пикселя, и отверстие слоя определения пикселя ограничивает форму области светоизлучения субпикселя. Например, второй электрод (то есть, анод) органического светоизлучающего элемента может быть расположен в соответствии со слоем определения пикселя, и слой определения пикселя содержит отверстие для ограничения субпикселя, отверстие экспонирует часть второго электрода в случае, когда органический светоизлучающий слой формируется в отверстии слоя определения пикселя, органический светоизлучающий слой находится в контакте со вторым электродом, и эта часть может управлять органическим светоизлучающим слоем излучать свет.
Например, ортографическая проекция отверстия слоя определения пикселя на базовой подложке находится в ортографической проекции соответствующего органического светоизлучающего слоя на базовой подложке, то есть, органический светоизлучающий слой покрывает отверстие слоя определения пикселей. Например, площадь органического светоизлучающего слоя больше площади соответствующего отверстия слоя определения пикселя, то есть, органический светоизлучающий слой содержит, по меньшей мере, участок, покрывающий физическую структуру слоя определения пикселя, дополнительно к участку в отверстии слоя определения пикселя и, как правило, органический светоизлучающий слой покрывает физическую структуру слоя определения пикселя на каждой границе отверстия слоя определения пикселя. Следует отметить, что приведенное выше описание шаблона органического светоизлучающего слоя основано на, например, шаблонном органическом светоизлучающем слое каждого субпикселя, образованного FMM процессом. В дополнение к FMM процессу изготовления, некоторые органические светоизлучающие слои могут представлять собой интегральный пленочный слой, образованный процессом открытой маски по всей области отображения, и ортографическая проекция формы интегрального пленочного слоя на базовой подложке непрерывна, таким образом, должен быть участок, расположенный в отверстии слоя определения пикселя и участок, расположенный на физической структуре слоя определения пикселя.
Другой вариант осуществления настоящего изобретения предлагает устройство отображения, которое включает в себя подложку дисплея, показанную на фиг.9А-фиг.11В.
Как показано на фиг.11А, второй электрод органического светоизлучающего элемента субпикселя каждого цвета имеет форму шестиугольника. Множество субпикселей могут быть разделены на множество групп 10 пиксельных блоков, расположенные в массиве в направлении X и направлении Y. Каждая группа 10 пиксельных блоков содержит два столбца субпикселей, расположенных вдоль направления Y, и каждый столбец субпикселей содержит первый цветовой субпиксель 110, второй цветовой субпиксель 120 и третий цветовой субпиксель 130. Вдоль направления X два столбца субпикселей в каждой группе 10 пиксельных блоков смещены друг от друга на расстоянии менее одного шага субпикселя, например, два столбца субпикселей в каждой группе 10 пиксельных блоков смещены друг от друга примерно на половину шага субпикселя. Например, стороны двух соседних субпикселей, обращенных друг к другу, являются практически параллельными. Например, порядок расположения первого цветового субпикселя, второго цветового субпикселя и третьего цветового субпикселя в соседнем столбце одинаков. Например, в направлении X (столбца), первый цветовой субпиксель расположен между вторым цветовым субпикселем и третьим цветовым субпикселем, который находится в столбце, прилегающем к столбцу первого цветового субпикселя, и второй цветовой субпиксель расположен между первым цветовым субпикселем и третьим цветовым субпикселем, которые находятся в столбце, прилегающем к столбцу второго цветового субпикселя, и третий цветовой субпиксель расположен между первым цветовым субпикселем и вторым цветовым субпикселем, которые находятся в столбце, прилегающем к столбцу третьего цветового субпикселя.
Например, в одной группе 10 пиксельного блока, один первый цветовой субпиксель в первом столбце и один второй цветовой субпиксель и один третий цветовой субпиксель во втором столбце, который примыкает к одному первому цветовому субпикселю в первом столбце, составляют один пиксельный блок, который может реализовать одно представление пикселей. В одной группе 10 пиксельных блоков, среди двух соседних пиксельных блоков, первый столбец субпикселей и второй столбец субпикселей в первом пиксельном блоке меняются с первым столбцом и вторым столбцом во втором пиксельном блоке, например, первый цветовой субпиксель в первом пиксельном блоке расположен в первом столбце, второй цветовой субпиксель и третий цветовой субпиксель в первом пиксельном блоке расположены во втором столбце, и первый цветовой субпиксель во втором пиксельном блоке расположен во втором столбце, и второй цветовой субпиксель и третий цветовой субпиксель во втором пиксельном блоке расположены в первом столбце. Например, первый цветовой субпиксель представляет собой субпиксель синего цвета, второй цветовой субпиксель представляет собой субпиксель красного цвета и третий цветовой субпиксель представляет собой субпиксель зеленого цвета. Каждый пиксельный блок содержит один субпиксель синего цвета в одном столбце и один субпиксель красного цвета и один субпиксель зеленого цвета в соседнем столбце, примыкающий к субпикселю синего цвета.
Например, площадь области светоизлучения одного субпикселя синего цвета больше площади светоизлучающей области одного субпикселя красного или площади светоизлучающей области одного субпикселя зеленого цвета. Например, площадь анода одного субпикселя синего цвета больше площади анода одного субпикселя красного цвета или площади анода одного субпикселя зеленого цвета. Например, основной электрод анода первого цветового субпикселя и форма основного электрода анода третьего цветового субпикселя имеют форму примерно правильного шестиугольника, и форма основного электрода анода второго цветового субпикселя является неправильным шестиугольником и содержит две оси симметрии, и размер оси симметрии в направлении X больше, чем размер оси симметрии в направлении Y.
Например, как показано на фиг.11А, первый основной электрод 1131 второго электрода 113 первого цветового субпикселя 110 покрывает управляющий транзистор первого цветового субпикселя 110, второй основной электрод 1231 второго электрода 123 второго цветового субпикселя 120, по существу, не перекрывается или частично перекрывается с управляющим транзистором второго цветового субпикселя 120 и третий основной электрод 1331 второго электрода 133 третьего цветового субпикселя 130 не перекрывается с управляющим транзистором третьего цветового субпикселя 130.
Например, как показано на фиг.11А, первый основной электрод 1131 первого цветового пикселя 110 (например, субпикселя синего цвета) перекрывается с линией сканирования и линией сигнала управления светоизлучением. Второй основной электрод 1231 второго цветового субпикселя 120 (например, субпиксель красного цвета) перекрывается с линией сканирования и линией сигнала управления сбросом; и третий основной электрод 1331 третьего цветового субпикселя 130 (например, субпиксель зеленого цвета) перекрывается с линией сигнала управления светоизлучением, линия сигнала управления сбросом соединяет следующую строку пиксельных схем, и линия сигнала сброса значения электропитания соединяет следующую строку пиксельной схемы. Например, третий основной электрод 1331 третьего цветового субпикселя 130 (например, субпиксель зеленого цвета) перекрывается с областью пиксельной схемы первого цветового субпикселя (например, субпиксель синего цвета), в следующей строке, рядом с третьим цветовым субпикселем 130.
Например, первый основной электрод 1131 первого цветового субпикселя 110 перекрывается с участком транзистора управления третьего цветового субпикселя 130, прилегающего к первому цветовому субпикселю, и первый основной электрод 1131 первого цветового субпикселя 110 перекрывается с линией данных и линией экранирования, соединяющей пиксельную схему первого цветового субпикселя 110, и линией данных, соединяющая пиксельную схему второго цветового субпикселя 120, примыкающего к первому цветовому субпикселю. Второй основной электрод 1231 второго цветового в субпикселя 120 не перекрывается с линией данных, соединяющей пиксельную схему второго цветового субпикселя 120, и перекрывается с первой линией сигнала электропитания, соединяющей пиксельную схему второго цветового субпикселя 120, первая линия сигнала электропитания и линия данных, соединяющая пиксельную схему третьего цветового субпикселя 130, прилегающей ко второму цветовому субпикселю. Третий основной электрод 1331 третьего цветового субпикселя 130 перекрывается с линией данных и первой линии сигнала электропитания, соединяющей пиксельную схему третьего цветового субпикселя 130, и первой линией сигнала электропитания, соединяющая пиксельную схему второго цветового субпикселя 120, смежного с третьим цветовым субпикселем.
Например, как показано на фиг.11А, сторона первого основного электрода 1131 первого цветового субпикселя 110, близкой к линии сигнала управления сбросом, соединяющая субпиксели в следующей строке, снабжена первым соединительным электродом 1132, соединенным с первым основным электродом 1131; сторона второго основного электрода 1231 второго цветового субпикселя 120, близкого к линии сигнала управления сбросом, соединяющая субпиксели в следующей строке, снабжена вторым соединительным электродом 1232, соединенным со вторым основным электродом 1231; и сторона третьего основного электрода 1331 третьего цветового субпикселя 130, близкого к второму транзистору управления светоизлучением третьего цветового субпикселя 130, снабжена третьим соединительным электродом 1332, соединенным с третьим основным электродом 1331.
Например, как показано на фиг.11А, первый соединительный электрод 1132 первого цветового субпикселя 110 перекрывается со вторым электродом второго транзистора управления светоизлучением в пиксельной схеме первого цветового субпикселя 110. Второй соединительный электрод 1232 второго цветового субпикселя 120 не перекрывается со вторым электродом второго транзистора управления светоизлучением в пиксельной схеме второго цветового субпикселя 120, и второй электрод второго транзистора управления светоизлучением второго цветового субпикселя 120 перекрывается с третьим основным электродом 1331 третьего цветового субпикселя 130. Третий соединительный электрод 1332 третьего цветового субпикселя 130 перекрывается со вторым электродом второго транзистора управления светоизлучением в пиксельной схеме третьего цветового субпикселя 130.
Фиг.12 представляет собой частичную структурную схему подложки матрицы, предусмотренной другим примерным вариантом осуществления. Как показано на фиг.12, пиксельная схема, содержащаяся в субпикселе каждого цвета в подложке матрицы в этом примере, отличается от пиксельной схемы, показанной на фиг.10 тем, что формы третьего участка соединения в пиксельной схеме второго цветового субпикселя 120 и третьего участка соединения третьего цветового субпикселя одинаковы в этом примере, так и относительные позиционные отношения третьего участка соединения в пиксельной схеме второго цветового субпикселя 120 и третьего участка соединения третьего цветового субпикселя одинаковы в примере. Дополнительно, во втором цветовом субпикселе 120 и третьем цветном субпикселе 130 четвертый участок 353 соединения в пиксельной схеме подключается к третьему участку 343 соединения через соединение переходного отверстия 354, и соединение переходного отверстия 354 расположено на стороне второго электрода первого транзистора T5 управления светоизлучением на расстоянии от первой линии EM1 сигнала управления светоизлучением. В первом цветовом субпикселе 110 четвертый участок 353 соединения в пиксельной схеме соединен с третьим участком 343 соединения через соединение переходного отверстия 354, и соединение переходного отверстия 354 расположено на стороне второго электрода первого транзистора T5 управления светоизлучением, близкий к первой линии EM1 сигнала управления светоизлучением. Например, соединение переходного отверстия 354 перекрывается с первой линией ЕМ1 сигнала управления светоизлучением. Второй соединительный электрод 1232 второго электрода 123 второго цветового субпикселя 120 подключен к четвертому участку 353 соединения через второе соединение анода переходного отверстия 1233, и второе соединение анода переходного отверстия 1233 расположено на стороне соединения переходного отверстия 354 близко к первой линии EM1 сигнала управления светоизлучением. Третий соединительный электрод 1332 второго электрода 133 третьего цветового субпикселя 130 подключен к четвертому участку 353 соединения через третьего соединения анода переходного отверстия 1333, и третьего соединения анода переходного отверстия 1333 расположено на стороне переходного отверстия 354 близко к первой линии EM1 сигнала управления светоизлучением. Первый соединительный электрод 1332 второго электрода 113 первого цветового субпикселя 110 соединен с четвертым участком 353 через первое соединение анода переходного отверстия 1133, и первое соединение анода переходного отверстия 1133 расположено на стороне соединения переходного отверстия 354 на расстоянии от первой линии ЕМ1 сигнала управления светоизлучением, так что существует определенное расстояние между соединительным электродом второго электрода первого цветового субпикселя и основным электродом второго электрода третьего цветового субпикселя для предотвращения перекрытия двух электродов или приближения друг другу, что может вызвать сбой в работе.
Например, как показано на фиг.12, вторые цветовые субпиксели 120 (например, субпиксели красного цвета) и третьи цветовые пиксели 130 (например, субпиксель зеленого цвета) поочередно расположены в направлении Y, и первые цветовые субпиксели 110 (например, субпиксели синего цвета), прилегающие к вторым цветовым субпикселям 120 и третьим цветовым субпикселям 130, также расположены в направлении Y, и строка субпикселей, образованная вторыми цветовыми субпикселями 120 и третьими цветовыми субпикселями 130, и строка субпикселей, образованная первыми цветовыми субпикселями 110, попеременно распределяются в направлении X. Например, площадь основного электрода второго электрода одного первого цветового субпикселя 110 превышает площадь основного электрода второго электрода одного второго цветового субпикселя 120 и больше площади основного электрода второго электрода одного третьего цветового субпикселя 130. Например, площадь основного электрода второго электрода третьего цветового субпикселя 130 больше площади основного электрода второго электрода второго цветового субпикселя 120. Например, размер основного электрода второго электрода одного первого цветового субпикселя 110 в направлении Y больше, чем размер основного электрода второго электрода одного второго цветового субпикселя 120 в направлении Y и превышает размер основного электрода второго электрода третьего цветового субпикселя 130 в направлении Y. Например, размер основного электрода второго электрода первого цветового субпикселя 110 в направлении Y не превышает диапазон основного электрода второго электрода второго цветового субпикселя 120 и основного электрода второго электрода третьего цветового субпикселя 130 в направлении Y, то есть, основной электрод второго электрода первого цветового субпикселя 110, основной электрод второго электрода второго цветового субпикселя 120 и основной электрод второго электрода третьего цветового субпикселя 130 проецируются на прямую линию вдоль направления Y, проекция основного электрода второго электрода первого цветового субпикселя 110 расположена между самыми удаленными двумя точками соответственно на проекции основного электрода второго электрода второго цветового субпикселя 120 и проекции основного электрода второго электрода третьего цветового субпикселя 130. Например, размер основного электрода второго электрода одного первого цветового субпикселя 110 в направлении X, размер основного электрода второго электрода второго цветового субпикселя 120 в направлении X и размер основного электрода второго электрода третьего цветового субпикселя 130 в направлении X примерно одинаковы. Например, размер основного электрода второго электрода второго цветового субпикселя 120 в направлении X и размер основного электрода второго электрода третьего цветового субпикселя 130 в направлении X примерно одинаковы, и соотношение размера основного электрода второго электрода третьего цветового субпикселя 130 и размера основного электрода второго электрода одного первого цветового субпикселя 110 в направлении X составляет 0,8-1.2. Например, соединительный электрод второго электрода второго цветового субпикселя 120 и соединительный электрод второго электрода третьего цветового субпикселя 130 расположены на стороне основных электродов второго цветового субпикселя и третьего цветового субпикселя, обращенные к основному электроду второго электрода первого цветового субпикселя 110. Например, соединительный электрод второго электрода первого цветового субпикселя 110 расположен между строкой субпикселей, сформированной вторым цветовым субпикселем 120 и третьим цветовым субпикселем 130, и строкой субпикселей, образованной первым цветовым субпикселем 110, и находится ближе к стороне второго электрода третьего цветового субпикселя 130 на расстоянии от второго электрода второго цветового субпикселя 120.
Например, во втором цветовом субпикселе 120 и третьем цветном субпикселе 130, расположенные в направлении Y, второе соединение анода переходного отверстия 1233 второго цветового субпикселя 120 и третье соединения анода переходного отверстия 1333 третьего цветового субпикселя 130 расположены на прямой линии, простирающейся вдоль направления Y, и первое соединение анода переходного отверстия 1133 первого цветового субпикселя 110, прилегающего ко второму цветовому субпикселю 120 и третьему цветовому субпикселю 130, находится на стороне прямой линии на расстоянии от первой линии Ga1 сканирования. Например, первое соединение анода переходного отверстия 1133 первого цветового субпикселя 110 и соединение переходного отверстия 354 второго цветового субпикселя 120 и соединение переходного отверстия 354 третьего цветового субпикселя 130 расположены, по существу, на одной и той же прямой линии, простирающейся в направлении Y. Второе соединение анода переходного отверстия 1233 второго цветового субпикселя 120 перекрывается со вторым электродом первого транзистора Т5 управления светоизлучением второго цветового субпикселя 120, и третье соединение анода переходного отверстия 1333 третьего цветового субпикселя 130 перекрывается со вторым электродом первого транзистора Т5 управления светоизлучением третьего цветового субпикселя 130. Первое соединение анода переходного отверстия 1133 первого цветового субпикселя 110 расположено на стороне второго электрода первого транзистора T5 управления светоизлучением первого цветового субпикселя 110 на расстоянии от первой линии EM1 сигнала управления светоизлучением.
Например, как показано на фиг.12, четвертый участок соединения перекрывается с областью стока первого транзистора T5 управления светоизлучением в пиксельной схеме второго цветового субпикселя 120. Форма четвертого участка соединения в пиксельной схеме второго цветового субпикселя 120 является такой же, как и четвертого участка соединения третьего цветового субпикселя, и относительное позиционное отношение четвертого участка соединения в пиксельной схеме второго цветового субпикселя 120 является таким же, как и в четвертом участке соединения третьего цветового субпикселя. Длина четвертого участка 353 соединения 353 в пиксельной схеме первого цветового субпикселя 110 в направлении X больше, чем длина четвертого участка 353 соединения субпикселей с другими двумя цветами в направлении X. Четвертый участок 353 соединения в пиксельной схеме первого цветового субпикселя 110 перекрывается с первой линией ЕМ1 сигнала управления светоизлучением, но четвертые участки 353 соединений субпикселей с другими двумя цветами не перекрываются с первой линией ЕМ1 сигнала управления светоизлучением.
Например, как показано на фиг.12, подложка дисплея в этом примере содержит множество пиксельных блоков 1, расположенных в массиве вдоль первого направления и второго направления, и один пиксельный блок 1 содержит один первый цветовой субпиксель 110 и один второй цветовой субпиксель 120 и один третий цветовой субпиксель 130, примыкающий к одному первому цветовому субпикселю 110.
Следует отметить, что в приведенном выше примере на чертежах схематически показаны форма, размер и позиция второго электрода каждого субпикселя. Для каждого субпикселя фактическая область светоизлучения определяется отверстием слоя определения пикселя. Например, слой определения пикселя находится в сеточной структуре, которая покрывает край второго электрода (например, анода) каждого субпикселя, и слой определения пикселя содержит множество отверстий, каждое отверстие экспонирует участок второго электрода одного субпикселя, светоизлучающий слой формируется, по меньшей мере, во множестве отверстий, и первый электрод (например, катод) образуется на стороне светоизлучающего слоя на расстоянии от базовой подложки, и первый электрод и второй электрод, соответствующие отверстию каждого субпикселя, управляет светоизлучающим слоем излучать света. Например, проекция края отверстия слоя определения пикселя каждого субпикселя на базовой подложке находится в проекции второго электрода субпикселя на базовой подложке, так что расположение каждого субпикселя, расположение отверстия слоя определения пикселя и расположение позиции второго электрода находятся в однозначном соответствии. Например, расположение позиции второго электрода субпикселя каждого цвета может быть осуществлено различными способами, как показано на фиг.11А и фиг.12, и может быть применено к другим компоновкам пикселей. Например, пиксельные схемы соответствующих субпикселей расположены в массиве множества строк и множества столбцов в направлении X и направлении Y. Структура пиксельной схемы, такой как линия данных, линия электропитания, конденсаторный электрод и тому подобное, каждого субпикселя, может быть примерно одинаковой, за исключением размера управляющего транзистора и структуры подключения электрода. Например, вдоль направления Y пиксельные схемы соответствующих субпикселей расположены в порядке пиксельной схемы первого цветового субпикселя, пиксельной схемы второго цветового субпикселя и пиксельной схемы третьего цветового субпикселя и вдоль направления X каждая строка пиксельных схем субпикселей расположена неоднократно.
Следует отметить следующее:
(1) В прилагаемых чертежах вариантов осуществления настоящего изобретения чертежи включают в себя только структуру (структуры) применительно к вариантам осуществления настоящего изобретения и, при описании другой структуры (структур), может быть сделана ссылка на общую структуру (структуры).
(2) В случае отсутствия противоречий, признаки в одном варианте осуществления или в разных вариантах осуществления могут быть объединены.
Приведенное выше описание являются лишь конкретными реализациями настоящего изобретения, объем защиты настоящего изобретения этим не ограничивается, и объем защиты настоящего изобретения должен основываться на объеме правовой охраны формулы изобретения.