ЭЛЕКТРОПРОВОДНАЯ ОСНОВА ДЛЯ ОРГАНИЧЕСКОГО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ДИОДА (OLED), OLED, ВКЛЮЧАЮЩИЙ В СЕБЯ УКАЗАННУЮ ОСНОВУ, И ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЕ

1. Электропроводная основа (100 и 200) для OLED, содержащая в этом порядке:
1
стеклянную подложку (1) из органического или минерального стекла с показателем n преломления от 1,3 до 1,6, имеющую первую основную сторону (11), называемую первой поверхностью; и
электрод, поддерживаемый стеклянной подложкой на той же стороне, что и первая поверхность (11), каковой электрод содержит слой, размещенный в виде сетки (2, 20), называемой металлической сеткой, каковая сетка выполнена из металла(-ов), имеющего(-их) поверхностное сопротивление менее 20 Ом/квадрат, и имеет толщину е2 по меньшей мере 100 нм, причем сетка сформирована из нитей (20), причем нити имеют ширину А, меньшую или равную 50 мкм, и разделены межнитевым расстоянием В, меньшим или равным 5000 мкм, причем нити разделены множеством электрически изолирующих неэлектропроводных зон (31) с показателем преломления выше 1,65,
отличающаяся тем, что на той же стороне, что и первая поверхность (11), основа содержит:
электрически изолирующий световыводящий слой (41-42) под металлической сеткой (2); и
3
электрически изолирующий слой (3), частично структурированный по его толщине, причем этот слой (3) имеет заданный состав и показатель n преломления от 1,70 до 2,3 и размещен на световыводящем слое, каковой частично структурированный слой сформирован:
областью (31), размещенной наиболее отдаленно от световыводящего слоя, структурированной полостями, содержащими металлическую сетку, причем эта область (31) содержит неэлектропроводные зоны; и
еще одной (30) областью, называемой нижней областью, размещенной под металлической сеткой и на световыводящем слое,
и тем, что сетка утоплена вглубь от поверхности, называемой верхней поверхностью (31ʹ) неэлектропроводных зон (31), и промежуток Н между верхней поверхностью (31ʹ) и поверхностью металлической сетки (2) составляет более 100 нм, причем Н измеряется между серединой поверхности нитей и верхней поверхностью, и тем, что нити (20) вдоль их длины имеют центральную зону (21) между боковыми зонами (22, 22ʹ), которые расположены заподлицо с верхней поверхностью (31ʹ).
2. Электропроводная основа (100 и 200) по предшествующему пункту, отличающаяся тем, что Н составляет более 150 нм, и предпочтительно менее 500 нм.
3. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что поверхность нитей (20) лишена выступов с высотой свыше 10 нм вдоль внутренних кромок боковых зон (22, 22ʹ).
4. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что металлическая сетка (2, 20) получена химическим осаждением, и предпочтительно серебрением.
5. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что шероховатость поверхности центральной зоны (21) является более высокой, чем шероховатость поверхности боковых зон (22, 22ʹ), и параметр Rq шероховатости боковых зон (22, 22ʹ) составляет не более 5 нм.
с
c
6. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что боковые зоны (22, 22ʹ) имеют ширину L1, причем L1 является большей, чем высота е полостей, и L1≤2e.
7. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что металлическая сетка (2, 20), которая предпочтительно выполнена из серебра, имеет степень Т покрытия менее 25%, или менее, чем 10%, и даже чем 6%.
2
8. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что толщина е металлической сетки (2, 20) является меньшей, чем 1500 нм, предпочтительно в диапазоне от 100 нм до 1000 нм, и, в частности, в диапазоне от 200 нм до 800 нм, и ширина А является меньшей, чем 30 мкм, и предпочтительно в диапазоне от 1,5 мкм до 20 мкм.
9. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что один или более материалы металлической сетки (20) выбраны из группы, образованной серебром, медью, никелем и сплавами на основе этих металлов, и предпочтительно на основе серебра.
с
с
c
10. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что полости (32, 32ʹ) с высотой е более 200 нм ограничены расширяющимися боковыми поверхностями (32), которые расширяются по мере удаления от стеклянной подложки, с горизонтальным расстоянием L больше, чем е, и с L≤2e.
11. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что структурированная область (31), и предпочтительно нижняя область (30), не содержат никаких рассеивающих частиц.
12. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что частично структурированный слой (3) выполнен из стекловидного материала, предпочтительно эмали.
13. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что подложка (1) предпочтительно выполнена из минерального стекла, и световыводящий слой содержит дополнительный рассеивающий слой (41), компоненты которого содержат стекловидный материал, предпочтительно эмаль, и рассеивающие элементы (4ʹ, 4ʺ), и состав частично структурированного слоя (3) содержит стекловидный материал, предпочтительно эмаль, состав которого в особенности идентичен составу материала дополнительного рассеивающего слоя, и/или что рассеивающая первая поверхность (42) подложки, которая предпочтительно изготовлена из минерального стекла, образует часть или даже представляет собой световыводящий слой, и состав частично структурированного слоя (3) содержит стекловидный материал, предпочтительно эмаль.
5
5
5
14. Электропроводная основа (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что электропроводное покрытие (5) покрывает, предпочтительно непосредственно, верхнюю поверхность (31ʹ) и металлическую сетку (2), которая предпочтительно выполнена из серебра, причем это электропроводное покрытие в особенности имеет толщину е, меньшую или равную 500 нм, удельное электрическое сопротивление ρ менее 20 Ом·см и более высокое, чем удельное электрическое сопротивление металлической сетки, и показатель n преломления по меньшей мере 1,55.
а
15. Электропроводная основа (100 и 200) по предшествующему пункту, отличающаяся тем, что электропроводное покрытие (5) содержит минеральный слой с показателем n преломления, заключенным между 1,7 и 2,3, каковой слой предпочтительно менее 150 нм по толщине и выполнен из прозрачного электропроводного  оксида, предпочтительно на основе оксида индия-олова или оксида цинка.
b
16. Электропроводная основа по пп. 14 и 15, отличающаяся тем, что электропроводное покрытие содержит, по меньшей мере в качестве последнего слоя, наиболее отдаленного от подложки, органический слой с толщиной субмикронной величины, выполненный из электропроводного (-ых) полимера(-ов), такого(-их) как PEDOT или PEDOT:PSS с показателем n преломления по меньшей мере 1,55.
17. Электропроводная основа по любому из пп. 14 и 15, отличающаяся тем, что она содержит органическую светоизлучающую систему, осажденную на электропроводное покрытие (5), необязательно включающее в себя дырочно-транспортный слой HTL или дырочно-инжекционный слой HIL.
18. Органическое светоизлучающее устройство, включающее в себя электропроводную основу (100 и 200) по любому из предшествующих пунктов, причем электрод с металлической сеткой образует электрод, называемый нижним электродом, ближайший к подложке.
19. Способ изготовления электропроводной основы (100 и 200) по любому из предшествующих пунктов касательно электропроводной основы, отличающийся тем, что он включает в себя следующие этапы в этом порядке:
предоставление подложки, содержащей:
световыводящий слой (4), предпочтительно сформированный рассеивающей первой поверхностью подложки, и/или сформированный дополнительным рассеивающим слоем на первой поверхности подложки; и
3
на световыводящем слое слой, который называется слоем (3а) с высоким показателем, выполненным из композиции с показателем n преломления, каковой слой (3а) предпочтительно не содержит рассеивающие частицы, причем указанный слой с высоким показателем предпочтительно выравнивает световыводящий слой;
формирование полостей в слое (3а) с высоким показателем, формируя тем самым частично структурированный слой (3), причем этот этап формирования полостей включает в себя:
создание на слое (3а) с высоким показателем прерывистого маскирующего слоя, содержащего заданную конфигурацию сквозных отверстий, имеющих боковые поверхности; и
влажное травление слоя (3а) с высоким показателем через сквозные отверстия в маскирующем слое, причем боковые поверхности маскирующего слоя выступают относительно боковых поверхностей полостей и тем самым определяют участки поверхности, называемые внутренними поверхностями (62, 62ʹ), маскирующего слоя, обращенными к полостям,
формирование металлической сетки (2), причем этот этап формирования металлической сетки включает в себя частичное заполнение полостей предпочтительно мокрым химическим осаждением первого металла сетки, причем этот первый металл осаждают на дно полостей, на боковые поверхности полостей и полностью на внутренние поверхности (62, 62ʹ) маскирующего слоя (60), тем самым образуя боковые зоны нитей (22, 22ʹ), причем эти зоны расположены заподлицо с верней поверхностью и являются менее шероховатыми, чем центральные зоны нитей (21); и
удаление маскирующего слоя.
20. Способ изготовления электропроводной основы (100 и 200) по предшествующему пункту, отличающийся тем, что удаление маскирующего слоя не создает выступов с высотой по меньшей мере 10 нм на поверхности металлической сетки.
21. Способ изготовления электропроводной основы (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов на способ, отличающийся тем, что мокрое осаждение представляет собой серебрение, и сетка (2) предпочтительно представляет собой монослой.
22. Способ изготовления электропроводной основы (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов на способ, отличающийся тем, что маскирующий слой (60) представляет собой фоторезист.
23. Способ изготовления электропроводной основы (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов на способ, отличающийся тем, что после того, как был удален маскирующий слой, он включает в себя осаждение катодным распылением электропроводного покрытия (5) на основе ITO или легированного оксида цинка, или мокрое осаждение полимерного электропроводного покрытия.
24. Способ изготовления электропроводной основы (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов на способ, отличающийся тем, что слой (30) с высоким показателем содержит эмаль, в особенности полученную из первой композиции на основе стеклянной фритты, и предпочтительно дополнительный рассеивающий слой содержит эмаль, полученную из второй композиции на основе стеклянной фритты, которая предпочтительно идентична первой композиции, за исключением того, что она содержит рассеивающие частицы.
25. Способ изготовления электропроводной основы (100 и 200) по одному из предшествующих пунктов на способ, отличающийся тем, что перед осаждением электропроводного покрытия он включает в себя этап нагревания до температуры выше 180°С, предпочтительно заключенной между 250°С и 450°С, в частности между 250°С и 350°С, в течение времени, предпочтительно заключенного между 5 минутами и 120 минутами, в частности между 15 и 90 минутами, и/или тем, что он включает в себя осаждение минерального, предпочтительно ITO, слоя для образования электропроводного покрытия, и последующее нагревание до температуры выше 180°С, предпочтительно заключенной между 250°С и 450°С, в частности между 250°С и 350°С, в течение времени, предпочтительно заключенного между 5 минутами и 120 минутами, в частности между 15 и 90 минутами.