Способ изготовления полупроводникового прибора
METHOD FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR APPARATUS

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления диоксида кремния с пониженными значениями токов утечек.
2
Известен способ изготовления прибора [Патент 4889829 США, МКИ H01L 21/76], включающего КНД-структуру с большим напряжением пробоя. Высокая надежность достигается путем формирования термической пленки SiО на кремниевой подложке, между формируемым в последствии методом осаждения изолирующим слоем и подложкой. Далее осаждают слой поликремния, предназначенный для создания структуры КНД и локальным окислением формируют изолирующие области. Из-за различия применяемых материалов при изготовлении приборов повышается дефектность структуры и ухудшаются электрические параметры изделий.
2
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Патент 5393683 США, МКИ H01L 21/265] который предусматривает формирование двухслойного затворного оксида на кремниевой подложке. Сначала окислением подложки в кислородосодержащей атмосфере, а затем окислением в атмосфере NO. Соотношение слоев по толщине (в %) 80:20 от суммарной толщины слоя.
Недостатками этого способа являются: повышенные значения тока утечки; низкая технологичность; высокая дефектность.
Задача, решаемая изобретением: снижение значения токов утечек, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
2
2
4
2
3
Задача решается формированием пленок SiO осаждением из плазмы при отношении концентрации NO/SiH равным 11 и скорости потока газа 3 дм/мин, при скорости осаждения пленок SiO 0,5 нм/с, и температуре 200°С и ВЧ-мощности 20 Вт, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 60 мин.
2
2
4
2
3
Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р -типа проводимости, ориентации (100) формируют пленку SiO осаждением из плазмы при отношении концентрации NO/SiH равным 11 и скорости потока газа 3 дм/мин, при скорости осаждения пленок SiO 0,5 нм/с, и температуре 200°С и ВЧ-мощности 20 Вт, с последующим отжигом при температуре 300°С в течение 60 мин.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 16,1%.
Технический результат: снижение тока утечки, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.