СВЕТОДИОДНЫЙ ИСТОЧНИК СВЕТА

1. Светодиодный источник (100) света, содержащий
массив (110) красных светодиодов и
массив (120) покрытых люминофором синих светодиодов;
отличающийся тем, что
цветовая точка от смешанного света, исходящего от массива (120) покрытых люминофором синих светодиодов, попадает в пределы четырехугольника диаграммы цветности CIE, при этом координатами четырех вершин четырехугольника являются (0,375, 0,427), (0,390, 0,456), (0,366, 0,430), (0,38, 0,46);
при этом, когда температура перехода светодиодов из массива (120) покрытых люминофором синих светодиодов и светодиодов из массива (110) красных светодиодов, по существу, равняется комнатной температуре, соотношение выхода люменов массива (120) покрытых люминофором синих светодиодов по отношению к выходу люменов массива (110) красных светодиодов находится в диапазоне от 4:1 до 1,5:1.
2. Светодиодный источник (100) света по п.1, в котором количественное соотношение и/или соотношение площадей светодиодов из массива (120) покрытых люминофором синих светодиодов к светодиодам из массива (110) красных светодиодов настраивается таким образом, что соотношение выхода люменов массива (120) покрытых люминофором синих светодиодов по отношению к выходу люменов массива (110) красных светодиодов находится в диапазоне от 4:1 до 1,5:1.
3. Светодиодный источник (100) света по п.1, в котором компонентное соотношение и/или размер гранул люминофора настраивается таким образом, что цветовая точка смешанного света, исходящего от массива (120) покрытых люминофором синих светодиодов, попадает в пределы четырехугольника.
4. Светодиодный источник (100) света по п.1, в котором длина волны пика излучения массива (120) покрытых люминофором синих светодиодов установлена в пределах от 440 до 460 нм.
5. Светодиодный источник (100) света по п.4, в котором массив (120) синих светодиодов содержит массив основанных на нитриде галлия синих светодиодах.
6. Светодиодный источник (100) света по п.1, в котором длина волны пика излучения массива (110) красных светодиодов установлена в пределах от 600 до 620 нм.
7. Светодиодный источник (100) света по п.6, в котором массив (110) красных светодиодов содержит массив AIInGaP светодиодов.
8. Светодиодный источник (100) света по п.1, в котором люминофор представляет собой YAG или TAG.
9. Светодиодный источник (100) света по п.5, в котором массив светодиодов на основе нитрида галлия содержит массив GaN синих светодиодов, массив GaAIN синих светодиодов, массив InGaN светодиодов или массив InAlGaN синих светодиодов.
10. Осветительное устройство (10), содержащее одноканальный драйвер (200) и светодиодный источник (100) света по любому из пп.1-9, в котором светодиодный источник (100) света управляется при помощи одноканального драйвера (200).