ПАССИВАЦИОННАЯ КОМПОЗИЦИЯ НА ОСНОВЕ СМЕСЕЙ ФОСФОРНЫХ И ФОСФИНОВЫХ КИСЛОТ

1. Водная пассивационная композиция для обработки покрытий из цинка или цинкового сплава, имеющая значение pH менее 3 и содержащая
i) фосфорную кислоту;
ii) по меньшей мере одну растворимую в воде полифосфиновую кислоту или ее растворимую в воде соль, в которой упомянутая полифосфиновая кислота имеет общую формулу (I):
,
где n равно по меньшей мере 2;
Z представляет собой соединительную органическую функциональную группу, имеющую эффективную валентность n,
1
2
причем упомянутая полифосфиновая кислота характеризуется тем, что по меньшей мере две фосфиновые группы разделяются мостиком из алкилена, имеющим 1 или 2 атома углерода (алкилена C-C);
2+
iii) по меньшей мере один двухвалентный металлический катион (M); и
iv) по меньшей мере одну растворимую или диспергируемую в воде фторкислоту или ее соль, причем упомянутая фторкислота определяется следующей общей эмпирической формулой (II):
p
q
r
s
HTFO  (II),
где каждый из q и r представляет собой целое число от 1 до 10;
каждый из p и s представляет собой целое число от 0 до 10;
T представляет собой элемент, выбираемый из группы, состоящей из Ti, Zr, Hf, Si, Sn, Al, Ge и B.
2. Композиция по п. 1, в которой в общей формуле (I) n является целым числом от 2 до 5.
3. Композиция по п. 1 или 2, в которой упомянутая полифосфиновая кислота выбирается из группы, состоящей из аминотрис(метиленфосфиновой кислоты) (ATMP); 1-гидроксиэтилиден-1,1-дифосфиновой кислоты (HEDP); гексаметилендиаминтетра(метиленфосфиновой кислоты) (HDTMP); диэтилентриаминпента(метиленфосфиновой кислоты); диэтилентриаминпента(метиленфосфиновой кислоты) (DTPMP), а также их смесей.
4. Композиция по п. 3, в которой упомянутая полифосфиновая кислота содержит или состоит из 1-гидроксиэтилиден-1,1-дифосфиновой кислоты (HEDP).
3
4
5. Композиция по любому из пп. 1-4, отличающаяся тем, что молярное отношение групп фосфината к фосфорной кислоте (HPO) находится в диапазоне от 2:1 до 1:1, предпочтительно в диапазоне от 1,75: 1 до 1,25: 1, и более предпочтительно от 1,6: 1 до 1,4: 1.
2+
2+
2+
2+
2+
2+
2+
2+
2+
6. Композиция по любому из пп. 1-5, в которой упомянутый по меньшей мере один двухвалентный металлический катион (M) выбирается из группы, состоящей из: Mg; Ca; Mn; Co; Ni; Sr; Ba и Zn.
2+
7. Композиция по п. 6, содержащая Mg.
2+
8. Композиция по любому из пп. 1-7, в которой полная концентрация двухвалентных металлических катионов (M) находится в диапазоне от 0,01 до 1 моль/л, предпочтительно от 0,01 до 0,5 моль/л.
9. Композиция по любому из пп. 1-8, в которой в формуле (II)
T выбирается из Ti, Zr или Si;
p равно 1 или 2;
q равно 1;
r равно 2, 3, 4, 5 или 6; и
s равно 0, 1 или 2.
2
6
2
6
2
6
4
2
6
2
6
2
6
3
6
10. Композиция по любому из пп. 1-8, в которой упомянутая по меньшей мере одна фторкислота выбирается из группы, состоящей из фтортитановой кислоты (HTiF), фторциркониевой кислоты (HZrF), фторкремнистоводородной кислоты (HSiF), фторборной кислоты (HBF), фтороловянной кислоты (HSnF), фторгерманиевой кислоты (HGeF), фторгафниевой кислоты (HHfF) и фторалюминиевой кислоты (HAlF).
2
6
2
6
2
6
11. Композиция по п. 10, в которой упомянутая по меньшей мере одна фторкислота выбирается из группы, состоящей из: фтортитановой кислоты (HTiF), фторциркониевой кислоты (HZrF) и фторкремнистоводородной кислоты (HSiF).
3
4
12. Композиция по любому из пп. 1-11, содержащая фторкислоту в таком количестве, чтобы молярное отношение фосфорной кислоты (HPO) к металлу (T) упомянутой фторкислоты находилось в диапазоне от 20:1 до 2:1, предпочтительно от 12:1 до 3:1, и более предпочтительно от 10:1 до 4:1.
13. Композиция по любому из пп. 1-12, дополнительно содержащая по меньшей мере одну α-оксикарбоновую кислоту, представленную общей формулой (III)
1
RCH(OH)COOH (III),
1
1
4
2
6
1
6
3
6
6
10
где R представляет собой атом водорода, алкильную группу C-C, алкенильную группу C-C, алкокси-группу C-C, циклоалкильную группу C-C или арильную группу C-C.
14. Композиция по любому из пп. 1-13, которая по существу не содержит пероксидных и персульфатных соединений.
15. Способ нанесения пассивационной пленки на подложку, на которую нанесено покрытие из цинка или сплава цинка, по меньшей мере на одну ее поверхность, причем упомянутый способ включает контактирование упомянутой по меньшей мере одной покрытой поверхности подложки с водной композицией по любому из пп. 1-14 при температуре от 20°C к 90°C в течение времени, достаточного для формирования на ней пассивационной пленки.
16. Пассивированная подложка, получаемая с помощью процесса по п. 15.