ПЕРЕКЛЮЧАЮЩАЯ СХЕМА И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ

1. Переключающая схема, содержащая:
первый переключающий элемент;
резистор, вставленный между управляющим электродом первого переключающего элемента и выходным контактным выводом схемы управления, выполненной с возможностью выполнять управление переключением для первого переключающего элемента; и
первый конденсатор и второй переключающий элемент, подключенные между управляющим электродом первого переключающего элемента и электродом на стороне с низким потенциалом первого переключающего элемента, при этом:
электрод на стороне с высоким потенциалом второго переключающего элемента подключен к управляющему электроду первого переключающего элемента,
электрод на стороне с низким потенциалом второго переключающего элемента подключен к одному электроду первого конденсатора,
другой электрод первого конденсатора подключен к электроду на стороне с низким потенциалом первого переключающего элемента и
управляющий электрод второго переключающего элемента подключен к электроду резистора, при этом упомянутый электрод подключен к схеме управления.
2. Переключающая схема по п. 1, дополнительно содержащая второй конденсатор, вставленный между управляющим электродом второго переключающего элемента и электродом на стороне с низким потенциалом первого переключающего элемента, при этом второй конденсатор имеет емкость, меньшую, чем емкость первого конденсатора.
3. Переключающая схема по п. 1 или 2, в которой:
первый переключающий элемент сформирован из полупроводникового устройства с широкой запрещенной зоной и
полупроводниковое устройство с широкой запрещенной зоной является любым из униполярного транзистора, электрод на стороне с высоким потенциалом которого служит в качестве электрода стока, а электрод на стороне с низким потенциалом служит в качестве электрода истока, и биполярного транзистора, электрод на стороне с высоким потенциалом которого служит в качестве электрода коллектора, а электрод на стороне с низким потенциалом служит в качестве электрода эмиттера.
4. Переключающая схема по п. 1 или 2, в которой:
второй переключающий элемент является любым из PNP-транзистора, электрод на стороне с высоким потенциалом которого служит в качестве электрода эмиттера, а электрод на стороне с низким потенциалом служит в качестве электрода коллектора, и полевого транзистора с каналом p-типа, электрод на стороне с высоким потенциалом которого служит в качестве электрода истока, а электрод на стороне с низким потенциалом служит в качестве электрода стока.
5. Переключающая схема по п. 1 или 2, в которой пороговое напряжение для переключения первого переключающего элемента между включенным состоянием и отключенным состоянием является отрицательным напряжением.
6. Переключающая схема по п. 1, дополнительно содержащая третий конденсатор и третий переключающий элемент, подключенные между управляющим электродом первого переключающего элемента и электродом на стороне с низким потенциалом первого переключающего элемента, при этом:
электрод на стороне с низким потенциалом третьего переключающего элемента подключен к управляющему электроду первого переключающего элемента,
электрод на стороне с высоким потенциалом третьего переключающего элемента подключен к одному электроду третьего конденсатора,
другой электрод третьего конденсатора подключен к электроду на стороне с низким потенциалом первого переключающего элемента и
управляющий электрод третьего переключающего элемента подключен к электроду резистора, при этом упомянутый электрод подключен к схеме управления.
7. Переключающая схема по п. 6, в которой:
третий переключающий элемент имеет пороговое значение для включения на основе разности потенциалов, которая возникает между двумя концами резистора в процессе, посредством которого напряжение, приложенное к управляющему электроду первого переключающего элемента, изменяется с отрицательного на положительное, и
второй переключающий элемент имеет пороговое значение для включения на основе разности потенциалов, которая возникает между двумя концами резистора в процессе, посредством которого напряжение, приложенное к управляющему электроду первого переключающего элемента, изменяется с положительного на отрицательное.
8. Переключающая схема по п. 6 или 7, дополнительно содержащая четвертый конденсатор, имеющий один электрод, подключенный к управляющему электроду третьего переключающего элемента, и другой электрод, подключенный к электроду резистора, который подключен к схеме управления.
9. Переключающая схема по п. 8, дополнительно содержащая:
первый диод и второй резистор, подключенные между одним электродом четвертого конденсатора и одним электродом первого конденсатора, при этом первый диод и второй резистор подключены последовательно, анод первого диода размещен на стороне одного электрода первого конденсатора, а катод первого диода размещен на стороне одного электрода четвертого конденсатора; и
второй диод и третий резистор, подключенные между одним электродом третьего конденсатора и электродом резистора, который подключен к схеме управления, при этом второй диод и третий резистор подключены последовательно, анод второго диода размещен на стороне электрода резистора, причем упомянутый электрод подключен к схеме управления, а катод второго диода размещен на стороне одного электрода третьего конденсатора.
10. Полупроводниковый модуль, в котором полупроводниковые кристаллы, емкостные элементы, резистивные элементы и металлические межсоединения подключены и встроены в полупроводниковый модуль таким образом, чтобы осуществлять переключающую схему по п. 1.