ЗАПОЛНЕННЫЙ РЕЗЕЦ ИЗ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АЛМАЗА С ВЫСОКОЙ ТЕПЛОПРОВОДНОСТЬЮ

1. PDC-резец, который включает:
подложку; и
алмазную пластину, прикрепленную к подложке, при этом алмазная пластина включает кристаллы алмаза и внедренное каталитическое связующее вещество, алмазная пластина также содержит лицевую поверхность с термическим каналом, где внедренное каталитическое связующее вещество было удалено, также образованным для дополнительного включения в термический канал материала, где материал является менее термически расширяющимся, чем каталитическое связующее вещество и/или является более теплопроводным, чем каталитическое связующее вещество, и/или обладает меньшей теплоемкостью, чем каталитическое связующее вещество, материал вводится для частичного заполнения, по меньшей мере, некоторых промежуточных полостей, оставленных после удаления каталитического связующего вещества в термическом канале на требуемой глубине.
2. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой кубический нитрид бора или компонент кубического нитрида бора.
3. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой элементарный материал, выбранный из группы: углерод, германий, цинк, алюминий, кремний, молибден, бор, фосфор, медь, серебро и золото.
4. PDC-резец по п.3, отличающийся тем, что материал представляет собой материал, состоящий из комбинации двух или большего количества элементарных материалов, перечисленных в п.3, или сплав, включающий один или несколько элементарных материалов, перечисленных в п.3.
5. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал включает щелочноземельный карбонат.
6. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал включает сульфат.
7. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал включает гидроксид.
8. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой оксид вольфрама.
9. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой карбид бора.
0,6
10. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой ТiС.
11. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой материал, состоящий из одного из оксидов железа или двойного оксида.
12. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой интерметаллический материал.
13. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал представляет собой керамический материал.
14. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал вводится в термический канал алмазной пластины посредством пропитывания.
15. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал вводится в термический канал алмазной пластины посредством горячего изостатического прессования.
16. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал вводится в термический канал алмазной пластины посредством криогенных способов и/или холодной прессовкой.
17. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал вводится в термический канал алмазной пластины посредством ионной имплантации.
18. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что материал вводится в термический канал алмазной пластины посредством одного из искрового плазменного спекания, спекания в электрическом поле или спекания пропусканием пульсирующего электрического тока.
19. PDC-резец по п.1, отличающийся тем, что требуемая глубина находится между 0,010 мм и 1,0 мм.
20. Способ, который включает:
удаление с лицевой поверхности алмазной пластины, прикрепленной к подложке, при этом алмазная пластина включает кристаллы алмаза и внедренное каталитическое связующее вещество, внедренного каталитическое связующее вещество для образования термического канала; и
введение материала в лицевую поверхность алмазной пластины, при этом введенный материал заполняет лицевую поверхность алмазной пластины для заполнения промежуточных полостей, оставленных после удаления каталитического связующего вещества, в термическом канале на заданную глубину, при этом материал является менее термически расширяющимся, чем каталитическое связующее вещество, и/или более теплопроводным, чем каталитическое связующее вещество, и/или обладает меньшей теплоемкостью, чем каталитическое связующее вещество.
21. Способ по п.20, отличающийся тем, что удаление включает выщелачивание внедренного каталитического вяжущего вещества из лицевой поверхности алмазной пластины.
22. Способ по п.20, отличающийся тем, что материал представляет собой кубический нитрид бора.
23. Способ по п.20, отличающийся тем, что материал представляет собой элементарный материал, выбранный из группы: углерод, германий, цинк, алюминий, кремний, молибден, бор, фосфор, медь, серебро и золото.
24. Способ по п.23, отличающийся тем, что материал представляет собой материал, состоящий из комбинации двух или большего количества элементарных материалов, перечисленных в п.23, или сплав, включающий один или несколько элементарных материалов, перечисленных в п.23.
25. Способ по п.20, отличающийся тем, что материал включает щелочноземельный карбонат.
26. Способ по п.20, отличающийся тем, что материал включает сульфат.
27. Способ по п.20, отличающийся тем, что материал включает гидроксид.
28. Способ по п.20, отличающийся тем, что материал представляет собой оксид вольфрама.
29. Способ по п.20, отличающийся тем, что материал представляет собой карбид бора.
0,6
30. Способ по п.20, отличающийся тем, что материал представляет собой TiC.
31. Способ по п.20, отличающийся тем, что материал представляет собой материал, состоящий из одного из оксидов железа или двойного оксида.
32. Способ по п.20, отличающийся тем, что материал представляет собой интерметаллический материал.
33. Способ по п.20, отличающийся тем, что материал представляет собой керамический материал.
34. Способ по п.20, отличающийся тем, что введение материала включает выполнение процесса пропитывания.
35. Способ по п.20, отличающийся тем, что введение материала включает выполнение горячего изостатического прессования.
36. Способ по п.20, отличающийся тем, что введение материала включает выполнение криогенных способов и/или процесса холодной прессовки.
37. Способ по п.20, отличающийся тем, что введение материала включает выполнение ионной имплантации.
38. Способ по п.20, отличающийся тем, что введение материала включает выполнение одного из искрового плазменного спекания, спекания в электрическом поле или спекания пропусканием пульсирующего электрического тока.
39. Способ по п.20, отличающийся тем, что требуемая глубина находится между 0,010 мм и 1,0 мм.