УПРАВЛЯЕМЫЙ ИЗБИРАТЕЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
CONTROLLED SELECTIVE AMPLIFIER

Предлагаемое изобретение относится к области радиотехники и связи и может использоваться в устройствах фильтрации радиосигналов, телевидении, радиолокации и т.п.
В задачах выделения высокочастотных сигналов сегодня широко используются интегральные операционные усилители со специальными элементами RC-коррекции, формирующими амплитудно-частотную характеристику резонансного типа [1, 2]. Однако классическое построение таких избирательных усилителей (ИУ) сопровождается значительными энергетическими потерями, которые идут в основном на обеспечение статического режима достаточно большого числа второстепенных транзисторов, образующих универсальный операционный усилитель [1, 2]. В этой связи весьма актуальной является задача построения избирательных усилителей на биполярных транзисторах, обеспечивающих выделение узкого спектра сигналов с достаточно высокой добротностью (Q) резонансной характеристики (Q=2÷10) при малом энергопотреблении.
в
н
в
н
Известны схемы ИУ, интегрированных в архитектуру RC-фильтров на основе биполярных транзисторов, которые обеспечивают формирование амплитудно-частотной характеристики коэффициента усиления по напряжению в заданном диапазоне частот Δf=f-f [3-17]. Причем их верхняя граничная частота f иногда формируется инерционностью транзисторов схемы (емкостью на подложку), а нижняя f определяется корректирующим конденсатором.
Ближайшим прототипом заявляемого устройства является избирательный усилитель, представленный в патенте RU 2428786, фиг.2. Он содержит источник входного напряжения 1, выходной транзистор 2, база которого подключена к источнику вспомогательного напряжения 3, а коллектор через последовательно соединенные первый 4 и второй 5 частотозадающие резисторы связан с первой 6 шиной источника питания, первый 7 корректирующий конденсатор, роль которого выполняет присутствующая всегда емкость на подложку выходного транзистора 2, второй 8 корректирующий конденсатор, включенный между эмиттером выходного транзистора 2 и общим узлом первого 4 и второго 5 частотозадающих резисторов, цепь установления статического режима 9 выходного транзистора 2, вторую 10 шину источника питания.
<mrow><mi>Q</mi><mo>≈</mo><mfrac><mrow><msub><mi>f</mi><mi>o</mi></msub></mrow><mrow><msub><mi>f</mi><mi>в</mi></msub><mo>−</mo><msub><mi>f</mi><mi>н</mi></msub></mrow></mfrac></mrow>
0
0
Существенный недостаток известного ИУ-прототипа состоит в том, что он не обеспечивает высокую добротность
амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) и коэффициент усиления по напряжению К>1 на частоте квазирезонанса (f).
0
0
Основная задача предлагаемого изобретения состоит в повышении добротности АЧХ ИУ и его коэффициента усиления по напряжению (К) на частоте квазирезонанса f. Это позволяет в ряде случаев уменьшить общее энергопотребление и реализовать высококачественное избирательное устройство.
Поставленная задача решается тем, что в управляемом избирательном усилителе фиг.1, содержащем источник входного напряжения 1, выходной транзистор 2, база которого подключена к источнику вспомогательного напряжения 3, а коллектор через последовательно соединенные первый 4 и второй 5 частотозадающие резисторы связан с первой 6 шиной источника питания, первый 7 корректирующий конденсатор, второй 8 корректирующий конденсатор, включенный между эмиттером выходного транзистора 2 и общим узлом первого 4 и второго 5 частотозадающих резисторов, цепь установления статического режима 9 выходного транзистора 2, вторую 10 шину источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - источник входного напряжения 1 соединен с коллектором выходного транзистора 2 через первый 7 корректирующий конденсатор, в качестве цепи установления статического режима 9 выходного транзистора 2 используется токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером выходного транзистора 2 и второй 10 шиной источника питания, выход устройства 11 связан с общим узлом последовательно соединенных первого 4 и второго 5 частотозадающих резисторов, эмиттер выходного транзистора 2 соединен с базой первого 12 дополнительного транзистора, эмиттер которого подключен к эмиттеру второго 13 дополнительного транзистора и соединен со второй 10 шиной источника питания через первый 14 дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, база второго 13 дополнительного транзистора соединена с эмиттером третьего 15 дополнительного транзистора и через второй 16 токостабилизирующий двухполюсник соединена со второй 10 шиной источника питания, причем коллектор второго 13 дополнительного транзистора соединен с коллектором выходного транзистора 2, коллектор первого 12 дополнительного транзистора соединен с коллектором третьего 15 дополнительного транзистора и связан с первой 6 шиной источника питания, а база третьего 15 дополнительного транзистора соединена с источником вспомогательного напряжения 3.
Схема усилителя-прототипа показана на фиг.1. На фиг.2 представлена схема заявляемого устройства в соответствии с формулой изобретения.
На фиг.3 приведена схема ИУ фиг.2 в среде компьютерного моделирования Cadence на моделях SiGe транзисторов.
На фиг.4 показаны логарифмическая амплитудно-частотная и фазочастотная характеристики ИУ фиг.3 в диапазоне частот от 10 МГц до 100 ГГц при следующих параметрах элементов: Rvar1=260 Ом, Rvar2=730 Ом, Cvar1=170 фФ, Cvar2=560 фФ.
0
17
На фиг.5 представлена зависимость добротности Q и резонансной частоты f ИУ фиг.3 от величины тока Ivar=I.
17
На фиг.6 показана ЛАЧХ ИУ фиг.3 при различных значениях тока Ivar=I.
22
23
На фиг.7 показана схема ИУ фиг.2, в котором в качестве резисторов 4 и 5 используются сопротивления р-n переходов Q, Q.
0
На фиг.8 приведены ЛАЧХ и ФЧХ ИУ фиг.7 в диапазоне частот от 10 МГц до 100 ГГц при I=6.6 мА, Ivar=10 мА, Cvar 1=520 фФ, Cvar2=7,3 пФ.
0
0
На фиг.9 представлена зависимость добротности Q и резонансной частоты f ИУ фиг.7 от тока I.
0
На фиг.10 показана ЛАЧХ ИУ фиг.7 при различных значениях тока I.
0
На фиг.11 приведена зависимость добротности Q и резонансной частоты f ИУ фиг.7 от параметра Ivar.
На фиг.12 представлена ЛАЧХ ИУ фиг.7 при различных значениях тока Ivar.
Управляемый избирательный усилитель фиг.2 содержит источник входного напряжения 1, выходной транзистор 2, база которого подключена к источнику вспомогательного напряжения 3, а коллектор через последовательно соединенные первый 4 и второй 5 частотозадающие резисторы связан с первой 6 шиной источника питания, первый 7 корректирующий конденсатор, второй 8 корректирующий конденсатор, включенный между эмиттером выходного транзистора 2 и общим узлом первого 4 и второго 5 частотозадающих резисторов, цепь установления статического режима 9 выходного транзистора 2, вторую 10 шину источника питания. Источник входного напряжения 1 соединен с коллектором выходного транзистора 2 через первый 7 корректирующий конденсатор, в качестве цепи установления статического режима 9 выходного транзистора 2 используется токостабилизирующий двухполюсник, включенный между эмиттером выходного транзистора 2 и второй 10 шиной источника питания, выход устройства 11 связан с общим узлом последовательно соединенных первого 4 и второго 5 частотозадающих резисторов, эмиттер выходного транзистора 2 соединен с базой первого 12 дополнительного транзистора, эмиттер которого подключен к эмиттеру второго 13 дополнительного транзистора и соединен со второй 10 шиной источника питания через первый 14 дополнительный токостабилизирующий двухполюсник, база второго 13 дополнительного транзистора соединена с эмиттером третьего 15 дополнительного транзистора и через второй 16 токостабилизирующий двухполюсник соединена со второй 10 шиной источника питания, причем коллектор второго 13 дополнительного транзистора соединен с коллектором выходного транзистора 2, коллектор первого 12 дополнительного транзистора соединен с коллектором третьего 15 дополнительного транзистора и связан с первой 6 шиной источника питания, а база третьего 15 дополнительного транзистора соединена с источником вспомогательного напряжения 3.
Рассмотрим работу схемы фиг.2.
BX
0
0
0
Источник входного сигнала u (1) посредством первого 7 корректирующего конденсатора изменяет ток коллекторной цепи транзистора 2. Характер коллекторной нагрузки этого транзистора, образованной резисторами 4 и 5, а также конденсаторами 7 и 8, обеспечивает преобразование этого тока в ток конденсатора 8 выходной цепи. При этом наличие резистивного делителя, образованного резисторами 4 и 5, обеспечивает функциональную зависимость этого тока, соответствующую частотным характеристикам избирательного усилителя. Действительно, конденсатор 7 уменьшает этот ток в области нижних частот (f<f), где fявляется частотой квазирезонанса ИУ, а конденсатор 8 уменьшает выходное напряжение в области верхних частот (f>f). Таким образом, используемая коллекторная нагрузка обеспечивает необходимый вид амплитудно и фазочастотных характеристик схемы ИУ.
вх
Комплексный коэффициент передачи ИУ фиг.2 как отношение выходного напряжения (выход устройства 11) к входному напряжению и(1) определяется формулой, которую можно получить с помощью методов анализа электронных схем:
<mrow><mi>K</mi><mrow><mo>(</mo><mrow><mi>j</mi><mi>f</mi></mrow><mo>)</mo></mrow><mo>=</mo><mfrac><mrow><msub><mi>u</mi><mrow><mn>11</mn></mrow></msub></mrow><mrow><msub><mi>u</mi><mrow><mi>в</mi><mi>х</mi></mrow></msub></mrow></mfrac><mo>=</mo><msub><mi>K</mi><mn>0</mn></msub><mfrac><mrow><mi>j</mi><mi>f</mi><mfrac><mrow><msub><mi>f</mi><mn>0</mn></msub></mrow><mi>Q</mi></mfrac></mrow><mrow><msubsup><mi>f</mi><mn>0</mn><mn>2</mn></msubsup><mo>−</mo><msup><mi>f</mi><mn>2</mn></msup><mo>+</mo><mi>j</mi><mi>f</mi><mfrac><mrow><msub><mi>f</mi><mn>0</mn></msub></mrow><mi>Q</mi></mfrac></mrow></mfrac><mo>,</mo><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>
где f - частота входного сигнала;
0
f - частота квазирезонанса избирательного усилителя;
Q - добротность АЧХ избирательного усилителя;
0
0
К - коэффициент усиления ИУ на частоте квазирезонанса f.
Причем
<mrow><msub><mi>f</mi><mn>0</mn></msub><mo>=</mo><mfrac><mn>1</mn><mrow><mn>2</mn><mi>π</mi><msqrt><mrow><msub><mi>C</mi><mn>8</mn></msub><msub><mi>C</mi><mn>7</mn></msub><msub><mi>R</mi><mn>4</mn></msub><mrow><mo>(</mo><mrow><msub><mi>R</mi><mn>5</mn></msub><mo>+</mo><msub><mi>h</mi><mrow><mn>11.2</mn></mrow></msub></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow></msqrt></mrow></mfrac><mo>,</mo><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mrow><mo>(</mo><mn>2</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>
8
7
4
5
где C, С, R, R - параметры элементов схемы 8, 7, 4 и 5;
11.2
h - h-параметр выходного транзистора 2 в схеме с общей базой.
Добротность ИУ определяется формулой
<mrow><msup><mi>Q</mi><mrow><mo>−</mo><mn>1</mn></mrow></msup><mo>=</mo><msub><mi>D</mi><mn>0</mn></msub><mo>+</mo><msqrt><mrow><mfrac><mrow><msub><mi>C</mi><mn>8</mn></msub></mrow><mrow><msub><mi>C</mi><mn>7</mn></msub></mrow></mfrac></mrow></msqrt><msqrt><mrow><mfrac><mrow><msub><mi>R</mi><mn>4</mn></msub></mrow><mrow><msub><mi>R</mi><mn>5</mn></msub><mo>+</mo><msub><mi>h</mi><mrow><mn>11.2</mn></mrow></msub></mrow></mfrac></mrow></msqrt><mrow><mo>[</mo><mrow><mn>1</mn><mo>−</mo><msub><mi>α</mi><mn>3</mn></msub><mo>−</mo><mfrac><mrow><msub><mi>α</mi><mrow><mn>13</mn></mrow></msub></mrow><mn>4</mn></mfrac><mfrac><mrow><msub><mi>I</mi><mrow><mn>14</mn></mrow></msub></mrow><mrow><msub><mi>I</mi><mn>0</mn></msub></mrow></mfrac></mrow><mo>]</mo></mrow><mo>,</mo><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mrow><mo>(</mo><mn>3</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>
i
где α - коэффициент передачи по току эмиттера i-го транзистора;
14
0
I, I - токи двухполюсников 14 и 9;
<mrow><msub><mi>D</mi><mn>0</mn></msub><mo>=</mo><mrow><mo>(</mo><mrow><msqrt><mrow><mfrac><mrow><msub><mi>R</mi><mn>5</mn></msub><mo>+</mo><msub><mi>h</mi><mrow><mn>11.2</mn></mrow></msub></mrow><mrow><msub><mi>R</mi><mn>4</mn></msub></mrow></mfrac></mrow></msqrt><mo>+</mo><msqrt><mrow><mfrac><mrow><msub><mi>R</mi><mn>4</mn></msub></mrow><mrow><msub><mi>R</mi><mn>5</mn></msub><mo>+</mo><msub><mi>h</mi><mrow><mn>11.2</mn></mrow></msub></mrow></mfrac></mrow></msqrt></mrow><mo>)</mo></mrow><msqrt><mrow><mfrac><mrow><msub><mi>C</mi><mn>7</mn></msub></mrow><mrow><msub><mi>C</mi><mn>8</mn></msub></mrow></mfrac></mrow></msqrt></mrow>
- эквивалентное затухание пассивной частотозависимой цепи.
За счет выбора параметров элементов, входящих в формулу (3), можно обеспечить Q>>1.
0
Формула для коэффициента усиления K в комплексном коэффициенте передачи (1) имеет вид
<mrow><msub><mi>K</mi><mn>0</mn></msub><mo>=</mo><mo>−</mo><mi>Q</mi><msqrt><mrow><mfrac><mrow><msub><mi>C</mi><mn>8</mn></msub></mrow><mrow><msub><mi>C</mi><mn>7</mn></msub></mrow></mfrac></mrow></msqrt><msqrt><mrow><mfrac><mrow><msub><mi>R</mi><mn>4</mn></msub></mrow><mrow><msub><mi>R</mi><mn>5</mn></msub><mo>+</mo><msub><mi>h</mi><mrow><mn>11.2</mn></mrow></msub></mrow></mfrac></mrow></msqrt><mo>.</mo><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mrow><mo>(</mo><mn>4</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>
особенностью
Важной  схемы является возможность оптимизации ее параметрической чувствительности.
4
5
14
0
7
8
Оптимальным соотношением является равенство сопротивлений резисторов 4 и 5 (R=R). В этой связи необходимое значение добротности Q может быть реализовано как структурно (выбором соотношений токов I и I(3), так и параметрически - установлением определенного соотношения между емкостями конденсаторов 7 (С) и 8 (C).
реализации
Так, при  условия
<mrow><mfrac><mrow><msub><mi>I</mi><mrow><mn>14</mn></mrow></msub></mrow><mrow><msub><mi>I</mi><mn>0</mn></msub></mrow></mfrac><mo>=</mo><mn>4</mn><mfrac><mrow><mn>1</mn><mo>−</mo><msub><mi>α</mi><mn>3</mn></msub></mrow><mrow><msub><mi>α</mi><mrow><mn>13</mn></mrow></msub></mrow></mfrac><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mrow><mo>(</mo><mn>5</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>
0
4
5
из (3) можно найти, что Q=1/D. При этом указанное выше равенство R=R обеспечивает следующие параметрические чувствительности добротности ИУ
<mrow><msubsup><mi>S</mi><mrow><msub><mi>R</mi><mn>4</mn></msub></mrow><mi>Q</mi></msubsup><mo>=</mo><msubsup><mi>S</mi><mrow><msub><mi>R</mi><mn>5</mn></msub></mrow><mi>Q</mi></msubsup><mo>=</mo><mn>0</mn><mo>;</mo><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><msubsup><mi>S</mi><mrow><msub><mi>C</mi><mn>7</mn></msub></mrow><mi>Q</mi></msubsup><mo>=</mo><mo>−</mo><msubsup><mi>S</mi><mrow><msub><mi>C</mi><mn>8</mn></msub></mrow><mi>Q</mi></msubsup><mo>=</mo><mo>−</mo><mfrac><mn>1</mn><mn>2</mn></mfrac><mo>,</mo><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mrow><mo>(</mo><mn>6</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>
которые являются минимальными для резистивных элементов схемы. Однако, для ряда техпроцессов доминирующими компонентами схемы оказываются конденсаторы С7 и С8, имеющие более высокие погрешности. Можно показать, что в этом случае реализация условия
<mrow><mfrac><mrow><msub><mi>I</mi><mrow><mn>14</mn></mrow></msub></mrow><mrow><msub><mi>I</mi><mn>0</mn></msub></mrow></mfrac><mo>=</mo><mfrac><mn>4</mn><mrow><msub><mi>α</mi><mrow><mn>13</mn></mrow></msub></mrow></mfrac><mrow><mo>(</mo><mrow><mn>1</mn><mo>−</mo><mfrac><mn>1</mn><mrow><mn>8</mn><msup><mi>Q</mi><mn>2</mn></msup></mrow></mfrac><mo>−</mo><msub><mi>α</mi><mn>3</mn></msub></mrow><mo>)</mo></mrow><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mrow><mo>(</mo><mn>7</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>
обеспечивает минимизацию
<mrow><msubsup><mi>S</mi><mrow><msub><mi>C</mi><mn>7</mn></msub></mrow><mi>Q</mi></msubsup><mo>=</mo><mo>−</mo><msubsup><mi>S</mi><mrow><msub><mi>C</mi><mn>8</mn></msub></mrow><mi>Q</mi></msubsup><mo>=</mo><mn>0</mn></mrow>
.
При этом реализуемая добротность определяется соотношением емкостных элементов схемы
<mrow><mi>Q</mi><mo>=</mo><mfrac><mn>1</mn><mn>4</mn></mfrac><msqrt><mrow><mfrac><mrow><msub><mi>C</mi><mn>8</mn></msub></mrow><mrow><msub><mi>C</mi><mn>7</mn></msub></mrow></mfrac></mrow></msqrt><mo>.</mo><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mrow><mo>(</mo><mn>8</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>
Отмеченные свойства схемы ИУ не исключают возможность реализации равнономинальных резистивных и емкостных элементов схемы. Действительно, как это следует из (3), при выполнении параметрических условий
<mrow><msub><mi>R</mi><mn>4</mn></msub><mo>=</mo><msub><mi>R</mi><mn>5</mn></msub><mo>+</mo><msub><mi>h</mi><mrow><mn>11.2</mn></mrow></msub><mo>=</mo><mi>R</mi><mo>,</mo><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><msub><mi>C</mi><mn>8</mn></msub><mo>=</mo><msub><mi>C</mi><mn>7</mn></msub><mo>=</mo><mi>C</mi><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mrow><mo>(</mo><mn>9</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>
реализуемая добротность
<mrow><msup><mi>Q</mi><mrow><mo>−</mo><mn>1</mn></mrow></msup><mo>=</mo><mn>3</mn><mo>−</mo><msub><mi>α</mi><mn>3</mn></msub><mo>−</mo><mfrac><mrow><msub><mi>α</mi><mrow><mn>13</mn></mrow></msub></mrow><mn>4</mn></mfrac><mfrac><mrow><msub><mi>I</mi><mrow><mn>14</mn></mrow></msub></mrow><mrow><msub><mi>I</mi><mn>0</mn></msub></mrow></mfrac><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mrow><mo>(</mo><mrow><mn>10</mn></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
9
14
определяется соотношением токов источников тока I и I и может достигать любых численных значений. При этом параметрические чувствительности
<mrow><msubsup><mi>S</mi><mrow><msub><mi>I</mi><mrow><mn>14</mn></mrow></msub></mrow><mi>Q</mi></msubsup><mo>=</mo><mo>−</mo><msubsup><mi>S</mi><mrow><msub><mi>I</mi><mn>0</mn></msub></mrow><mi>Q</mi></msubsup><mo>=</mo><mi>Q</mi><mfrac><mrow><msub><mi>α</mi><mrow><mn>13</mn></mrow></msub></mrow><mn>4</mn></mfrac><mfrac><mrow><msub><mi>I</mi><mrow><mn>14</mn></mrow></msub></mrow><mrow><msub><mi>I</mi><mn>0</mn></msub></mrow></mfrac><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mtext> </mtext><mrow><mo>(</mo><mrow><mn>11</mn></mrow><mo>)</mo></mrow></mrow>
определяют основные требования к их реализации двухполюсников 14 и 9 при заданном значении добротности.
Кроме этого, все модификации заявляемого ИУ реализуются на n-p-n транзисторах, что является их существенным преимуществом, например, при построении радиационно-стойких изделий.
0
0
0
9
14
Представленные на фиг.4-6, а также фиг.8-12 результаты моделирования предлагаемого ИУ подтверждают указанные свойства заявляемых схем. Причем графики фиг.5, фиг.6, фиг.9, фиг.10, фиг.11 и фиг.12 показывают зависимость основных параметров ИУ (Q, K, f) от соотношения токов I, I, то есть описывают предлагаемый ИУ как управляемый токами избирательный усилитель.
0
0
Таким образом, предлагаемые схемотехнические решения ИУ характеризуются более высокими значениями коэффициента усиления К на частоте квазирезонанса f, а также повышенными величинами добротности Q, характеризующей его избирательные свойства. Важное достоинство заявляемого ИУ - токовое управление основными параметрами.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Design of Bipolar Differential OpAmps with Unity Gain Bandwidth up to 23 GHz \ N. Prokopenko, A. Budyakov, K. Schmalz, C. Scheytt, P. Ostrovskyy \\ Proceeding of the 4-th European Conference on Circuits and Systems for Communications - ECCSC'08 /- Politehnica University, Bucharest, Romania: July 10-11, 2008. - pp.50-53.
2. СВЧ СФ-блоки систем связи на базе полностью дифференциальных операционных усилителей \ Прокопенко Н.Н., Будяков А.С., К. Schmalz, С.Scheytt \\ Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем- 2010. Сборник трудов / под общ. ред. академика РАН А.Л.Стемпковского. - М: ИППМ РАН, 2010. - С.583-586
3. Патентная заявка US 2008/0122530 fig.4.
4. Патент US 4257518, fig.4.
5. Патент US 6972624, fig.6A.
6. Патентная заявка US 2011/0109388, fig.4.
7. Патент WO/2005/043749, fig.5.
8. Патент WO/2009/127724, fig.4.
9. Патентная заявка US 2011/0057723.
10.Патент US 6011431, fig.4.
11.Патент US 6642794.
12.Патент WO 2007/022705.
13.Патент CN 101204009
14.Патент US 7135923, fig.5.
15.Патент US 6801090, fig.2.
16.Патентная заявка US 2006/0186951 fig.3.
17.Патентная заявка US 2006/0186951.