НИЗКОВОЛЬТНЫЙ МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР БТИЗ (IGBT) 400 V И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Низковольтный мощный транзистор БТИЗ (IGBT) 400 v и способ его изготовления, отличающийся тем, что изготавливают кристалл транзистора в 3 раза меньше, чем кристалл транзистора-аналога за счет расположения затворов (глубиной 3,5 мкм и шириной 1 мкм) в 2 ряда друг над другом, что достигают с помощью специального способа изготовления на основе мезапланарной технологии, в котором используется подложка с двумя слоями эпитаксиального наращивания.