ПЕРЕКЛЮЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С КАСКОДНОЙ СХЕМОЙ

1. Переключающее устройство для переключения тока между первым выводом (1) и вторым выводом (2), содержащее каскодную схему с последовательным включением первого полупроводникового переключателя (М) и второго полупроводникового переключателя (J), причем оба этих полупроводниковых переключателя (М, J) соединены друг с другом через общую точку (13), при этом управление первым полупроводниковым переключателем (М) производится посредством первого управляющего входа (3, 3') в соответствии с напряжением между первым управляющим входом (3, 3') и первым выводом (1), а управление вторым полупроводниковым переключателем (J) производится посредством второго управляющего входа (4) в соответствии с напряжением между вторым управляющим входом (4) и общей точкой (13), отличающееся тем, что между вторым выводом (2) и по меньшей мере одним из управляющих входов (3, 3', 4) подключена управляющая схема (8, 9, 10, 11, 12), оснащенная емкостью (С), выполненной с возможностью предварительной установки ее величины.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что управляющая схема (8, 9, 10, 12) подключена между вторым выводом (2) и вторым управляющим входом (4).
g
3. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что второй управляющий вход (4) тождественен выводу затвора или выводу базы второго полупроводникового переключателя (J) или второй управляющий вход (4) через последовательный резистор (R), выполненный с возможностью предварительной установки его величины, соединен с выводом затвора или выводом базы второго полупроводникового переключателя (J).
4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что управляющая схема (11) подключена между вторым выводом (2) и первым управляющим входом (3, 3').
5. Устройство по п.4, отличающееся тем, что первый управляющий вход (3, 3') тождественен выводу (3) затвора или выводу базы первого полупроводникового переключателя (М) или тождественен неинвертирующему входу (3') усилителя-формирователя (V) для управления выводом (3) затвора или выводом базы первого полупроводникового переключателя (М).
St
St
6. Устройство по любому из пп.1, 2, 4, 5, отличающееся тем, что управляющая схема (8, 9, 10, 11, 12) содержит емкость (С), включенную последовательно с демпфирующим резистором (R) или параллельно демпфирующему резистору (R).
St
7. Устройство по любому из пп.1, 2, 4, 5, отличающееся тем, что управляющая схема (8, 9, 10, 11, 12) имеет две параллельные ветви с емкостями (С) и/или демпфирующими резисторами (R), причем обе ветви имеют встречно-включенные диоды (D), так что в зависимости от полярности напряжения на управляющей схеме ток течет по одной или другой из этих двух ветвей.
8. Устройство по любому из пп.1, 2, 4, 5, отличающееся тем, что между вторым управляющим входом (4) и первым выводом (1) установлена резистивная схема (7).
9. Устройство по п.8, отличающееся тем, что резистивная схема (7) имеет отдельный резистор в качестве добавочного резистора (R).
ON
OFF
ON
OFF
10. Устройство по п.8, отличающееся тем, что резистивная схема (7) содержит параллельное включение, в каждом случае состоящее из последовательного включения диода (D, D) выбора и дополнительного добавочного резистора (R, R), причем оба диода включены встречно-параллельно друг другу.
11. Устройство по любому из пп.1, 2, 4, 5, 9, 10, отличающееся тем, что первый полупроводниковый переключатель (М) представляет собой ПТИЗ (полевой транзистор с изолированным затвором), в частности МОП-транзистор.
12. Устройство по любому из пп.1, 2, 4, 5, 9, 10, отличающееся тем, что второй полупроводниковый переключатель (J) представляет собой ПТУП (полевой транзистор с управляющим переходом).
13. Устройство по любому из пп.1, 2, 4, 5, 9, 10, отличающееся тем, что управляющая схема (8, 9, 10, 11, 12) и дополнительные элементы (7) схемы (6) имеют параметризированы таким образом, что при включении и/или выключении управляющей схемы скорость изменения напряжения на переключающем устройстве по меньшей мере в два, пять или десять раз меньше по сравнению с переключающим устройством без схемы (6).