СОХРАНЕНИЕ ПЕРЕРАСПРЕДЕЛЯЮЩИХ ТОКОПРОВОДЯЩИХ ДОРОЖЕК, ИМЕЮЩИХ МЕЛКИЙ ШАГ

1. Полупроводниковый аппарат, содержащий:
перераспределяющий слой (RDL-слой), включающий в себя рельефную токопроводящую дорожку перераспределяющего слоя, имеющую две боковые стенки перераспределяющего слоя, причем перераспределяющий слой содержит материал, выбранный из группы, содержащей Cu (медь) и Au (золото);
защитные боковые стенки, непосредственно контактирующие с этими двумя боковыми стенками перераспределяющего слоя;
затравочный слой, включающий в себя этот материал; и
барьерный слой;
при этом (а) токопроводящая дорожка перераспределяющего слоя имеет ширину токопроводящей дорожки перераспределяющего слоя, ортогональную по отношению к этим двум боковым стенками перераспределяющего слоя и простирающуюся между ними, и (b) затравочный и барьерный слои каждый включают в себя ширину, параллельную ширине токопроводящей дорожки перераспределяющего слоя и более широкую, чем эта ширина.
2. Аппарат по п. 1, в котором затравочный слой включает в себя край, выровненный по вертикали с краем одной из защитных боковых стенок.
3. Аппарат по п. 2, в котором барьерный слой включает в себя край, выровненный по вертикали с краем затравочного слоя.
4. Аппарат по п. 1, в котором перераспределяющий слой сопрягается с проходящим через кремний сквозным отверстием (TSV-отверстием).
5. Аппарат по п. 1, содержащий:
дополнительную рельефную токопроводящую дорожку перераспределяющего слоя, входящую в состав этого перераспределяющего слоя, имеющую две дополнительные боковые стенки перераспределяющего слоя;
дополнительные защитные боковые стенки, непосредственно контактирующие с этими двумя дополнительными боковыми стенками перераспределяющего слоя;
дополнительный затравочный слой, включающий в себя этот материал и лежащий в одной плоскости с затравочным слоем; и
дополнительный барьерный слой, лежащий в одной плоскости с барьерным слоем;
при этом (а) дополнительный перераспределяющий слой имеет ширину дополнительной токопроводящей дорожки перераспределяющего слоя, ортогональную по отношению к этим двум дополнительным боковым стенкам перераспределяющего слоя и простирающуюся между ними, и (b) дополнительные затравочный и барьерный слои каждый включают в себя ширину, параллельную ширине дополнительной токопроводящей дорожки перераспределяющего слоя и более широкую, чем эта ширина.
6. Аппарат по п. 5, в котором между участком рельефной токопроводящей дорожки перераспределяющего слоя и дополнительным участком дополнительной рельефной токопроводящей дорожки перераспределяющего слоя не существует никакого диэлектрического материала и никакой другой рельефной токопроводящей дорожки перераспределяющего слоя.
7. Аппарат по п. 5, в котором затравочный слой непосредственно не контактирует с дополнительным затравочным слоем.
8. Аппарат по п. 7, в котором барьерный слой непосредственно не контактирует с дополнительным барьерным слоем.
9. Аппарат по п. 7, содержащий пустую полость между рельефной токопроводящей дорожкой перераспределяющего слоя и дополнительной рельефной токопроводящей дорожкой перераспределяющего слоя, при этом пустая полость пересекается осью, соединяющей рельефную токопроводящую дорожку перераспределяющего слоя и дополнительную рельефную токопроводящую дорожку перераспределяющего слоя.
10. Аппарат по п. 9, в котором пустая полость не включает в себя никакого диэлектрического материала.
11. Аппарат по п. 1, в котором ширина токопроводящей дорожки перераспределяющего слоя составляет меньше чем 5 микронов.
12. Аппарат по п. 11, в котором барьерный слой включает в себя, по меньшей мере, один материал, выбранный из группы, содержащей Ti (титан), Ta (тантал) и Cr (хром), а защитные боковые стенки включают в себя, по меньшей мере, один материал, выбранный из группы, содержащей нитрид кремния, карбид кремния, диоксид кремния и оксинитрид кремния.
13. Аппарат по п. 1, в котором барьерный слой непосредственно не контактирует с этими двумя боковыми стенками перераспределяющего слоя.
14. Аппарат по п. 13, в котором затравочный слой непосредственно контактирует с барьерным слоем, защитными боковыми стенками и рельефной токопроводящей дорожкой перераспределяющего слоя.
15. Аппарат по п. 1, в котором защитные боковые стенки непосредственно не контактируют с самыми верхними участками этих двух боковых стенок перераспределяющего слоя.
16. Полупроводниковый аппарат, содержащий:
токопроводящую дорожку перераспределяющего слоя (RDL-слоя), имеющую боковые стенки перераспределяющего слоя;
защитные боковые стенки, непосредственно контактирующие с этими боковыми стенками перераспределяющего слоя; и
затравочный слой, включающий в себя этот материал и непосредственно контактирующий с токопроводящей дорожкой перераспределяющего слоя;
при этом (а) токопроводящая дорожка перераспределяющего слоя имеет ширину токопроводящей дорожки перераспределяющего слоя, простирающуюся между этими боковыми стенками перераспределяющего слоя, и (b) затравочный слой включает в себя ширину, более широкую, чем ширина токопроводящей дорожки перераспределяющего слоя.
17. Аппарат по п. 16, в котором затравочный слой включает в себя край, выровненный по вертикали с краем одной из защитных боковых стенок.
18. Аппарат по п. 16, содержащий дополнительную токопроводящую дорожку перераспределяющего слоя, непосредственно контактирующую с дополнительным затравочным слоем, лежащим в одной плоскости с затравочным слоем; при этом затравочный слой непосредственно не контактирует с дополнительным затравочным слоем.
19. Аппарат по п. 18, содержащий пустую полость, пересекаемую осью, соединяющей токопроводящую дорожку перераспределяющего слоя и дополнительную токопроводящую дорожку перераспределяющего слоя.
20. Аппарат по п. 16, в котором ширина токопроводящей дорожки перераспределяющего слоя составляет меньше чем 5 микронов.
21. Способ обработки полупроводников, содержащий этапы, на которых:
формируют перераспределяющую токопроводящую дорожку (перераспределяющего слоя), имеющую боковые стенки перераспределяющего слоя;
формируют защитные боковые стенки, непосредственно контактирующие с этими боковыми стенками перераспределяющего слоя;
формируют затравочный слой, включающий в себя этот материал и непосредственно контактирующий с токопроводящей дорожкой перераспределяющего слоя;
при этом (а) токопроводящая дорожка перераспределяющего слоя имеет ширину токопроводящей дорожки перераспределяющего слоя, простирающуюся между этими боковыми стенками перераспределяющего слоя, и (b) затравочный слой включает в себя ширину, более широкую, чем ширина токопроводящей дорожки перераспределяющего слоя.
22. Способ по п. 21, содержащий этап, на котором формируют край затравочного слоя, который выровнен по вертикали с краем одной из защитных боковых стенок.
23. Способ по п. 21, содержащий этапы, на которых:
формируют дополнительную токопроводящую дорожку перераспределяющего слоя, непосредственно контактирующую с дополнительным затравочным слоем, лежащим в одной плоскости с затравочным слоем; при этом затравочный слой непосредственно не контактирует с дополнительным затравочным слоем; и
формируют пустую полость, пересекаемую осью, соединяющей токопроводящую дорожку перераспределяющего слоя и дополнительную токопроводящую дорожку перераспределяющего слоя.
24. Способ по п. 21, в котором ширина токопроводящей дорожки перераспределяющего слоя составляет меньше чем 5 микронов.