СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, ОПТИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ, МИКРОМАШИН И МЕХАНИЧЕСКИХ ВЫСОКОТОЧНЫХ УСТРОЙСТВ, ИМЕЮЩИХ СЛОИ СТРУКТУРИРОВАННОГО МАТЕРИАЛА СО СТРОЧНЫМ ИНТЕРВАЛОМ 50 нм И МЕНЕЕ

1. Способ получения интегральных схем, оптических устройств, микромашин и механических высокоточных устройств, где указанный способ включает стадии
(1) получения подложки, имеющей слои структурированного материала, имеющие строчный интервал 50 нм и менее и характеристическое отношение >2;
(2) получения поверхности слоев структурированного материала с положительным или отрицательным электрическим зарядом посредством контакта полупроводниковой подложки по меньшей мере один раз с водным не содержащим фтора раствором S, содержащим по меньшей мере одно не содержащее фтор катионное поверхностно-активное вещество A, имеющее по меньшей мере одну катионную или потенциально катионную группу, по меньшей мере одно не содержащее фтора анионное поверхностно-активное вещество A, имеющее по меньшей мере одну анионную или потенциально анионную группу, или по меньшей мере одно не содержащее фтора амфотерное поверхностно-активное вещество A; и
(3) выведение водного не содержащего фтор раствора S из контакта с подложкой.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложкой является полупроводниковая подложка.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что слои структурированного материала имеют строчный интервал 32 нм и менее и характеристическое отношение >10 для не фоторезистных структур и характеристическое отношение >2 для фоторезистных структур.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что водный раствор S применяется в качестве иммерсионной жидкости S для погружения фоторезиста во время облучения актиничным светом через маску, раствора проявителя S для фоторезистных слоев, облученных актиничным излучением через маску и иммерсионную жидкость, и/или в качестве химического промывочного раствора S для промывки слоев структурированного материала.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что слои структурированного материала выбираются из группы, включающей структурированные проявленные фоторезистные слои, структурированные слои барьерного материала, структурированные слои многослойного материала и структурированные слои диэлектрического материала.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что потенциально катионные или катионные группы выбираются из группы, включающей первичные, вторичные или третичные аминогруппы, первичные, вторичные, третичные или четвертичные аммониевые группы, урониевые, тиоурониевые и гуанидиниевые группы, четвертичные фосфониевые группы и третичные сульфониевые группы; и потенциально анионные и анионные группы выбираются из группы, включающей группы карбоновой кислоты, сульфоновой кислоты, фосфоновой кислоты, сложного моноэфира серной кислоты, сложного моноэфира фосфорной кислоты и сложного диэфира фосфорной кислоты, и карбоксилатные, сульфонатные, фосфонатные, моноэфирсульфатные, моноэфирфосфатные и диэфирфосфатные группы.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что раствор S содержит, по отношению к полной массе раствора S, от 0,0005 до 1 мас.% ионного поверхностно-активного вещества A.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что раствор S выводят из контакта с подложкой посредством сушки центрифугированием или другими способами сушки, в которых применяют эффект Марангони.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложку, имеющую слои структурированного материала, имеющие строчный интервал 50 нм и менее и характеристическое отношение >2, получают методом фотолитографии.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что метод фотолитографии включает стадии
(i) получения подложки со слоем иммерсионного фоторезиста, слоем фоторезиста экстремального УФ (ЭУФ) или слоем электронно-пучкового (eBeam) фоторезиста;
(ii) облучения слоя фоторезиста актиничным облучением через маску c или без иммерсионной жидкости;
(iii) проявления облученного слоя фоторезиста раствором проявителя с получением структуры, имеющей строчный интервал 32 нм и менее и характеристическое отношение >2;
(iv) нанесения химического промывочного раствора на проявленный структурированный слой фоторезиста; и
(v) сушки центрифугированием полупроводниковой подложки после применения химического промывочного раствора;
где по меньшей мере один из следующих: иммерсионный раствор, раствор проявителя или химический промывочный раствор является водным не содержащим фтор раствором S.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что его применяют для предотвращения разрушения структуры, для снижения размытия краев изображения, для предотвращения и удаления муарового дефекта и для снижения дефектов при удалении частиц.
12. Способ по любому из п.п.1-11, отличающийся тем, что интегральные схемы включают интегральные схемы, имеющие большую степень интеграции (БИС), очень большую степень интеграции (ОБИС) или ультра большую степень интеграции (УБИС).