СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИТРИДНОЙ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ GaSb
METHOD OF MAKING NITRIDE FILM ON SURFACE OF GaSb BASED HETEROSTRUCTURE

Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхностей антимонида галлия GaSb, твердых растворов GalnAsSb и приборов на их основе.
Антимонид галлия и его твердые растворы GalnAsSb широко применяются при создании оптоэлектронных приборов (источников света и быстродействующих фотодетекторов) для спектрального диапазона 2-5 мкм. Одной из главных проблем при разработке технологии приборов на их основе является высокая химическая активность поверхности и, как следствие этого, высокая скорость роста собственного окисла. Причем химический состав и толщина этих оксидов зависят от условий окружающей среды и изменяются во времени. Эти свойства являются серьезной проблемой в технологии как на стадии роста гетероструктуры, так и на стадии формирования прибора на основе этой гетероструктуры. Для создания гетеропереходов с заданными электронными и оптическими свойствами необходимо получение структурно-совершенных эпитаксиальных слоев. Это в значительной мере зависит от планарности интерфейса и плотности дефектов, возникающих на интерфейсе на начальной стадии роста слоев. Кроме того, при переходе к разработке приборов микронных размеров решающим образом на их параметры начинают влиять свойства боковой поверхности структур, такие как: химический состав, топография поверхности, рельеф и пр.
Технологические приемы, направленные на решение этих проблем, сводятся к разработке как методов очистки поверхности от окисла, так и методов сохранения заданного состояния поверхности и ее электронных характеристик в условиях технологических процессов путем создания на ней тонких когерентных покрытий.
2
Известен способ пассивации боковой поверхности гетероструктур в системе InAs-GaSb с целью уменьшения токов утечки (P.Y.Delaunay, A.Hood, B.Ngueyen, D.Hoffmai, Y.Wei, M.Razeghi. - Passivation of type-II InAs/GaSb double heterostructure". - Appl. Physic Letters 91, 0911112, 2007). Известный способ включает предварительное удаление окислов и плазменное напыление пленки SiO толщиной 200 нм при температуре 260°С. Однако было обнаружено, что эти пленки содержат поры, через которые возможно окисление в процессе эксплуатации. Кроме того, на границе пленка - полупроводник появляется встроенный заряд, который приводит к увеличению токов утечки по боковой поверхности гетероструктуры.
3
5
Кристаллические пленки нитридов мономолекулярной толщины, когерентно связанные с поверхностью кристаллов GaSb, GalnAsSb, являются наиболее эффективным решением данной проблемы, поскольку они химически стабильны на воздухе либо в иной технологической среде и обладают высокой термической стабильностью. В настоящее время нитридные соединения, такие как нитрид бора, нитрид кремния, широко используются в качестве пассивирующих покрытий поверхности полупроводников типа АB и приборов на их основе. Такие пленки обычно получают методами химического и плазмохимического осаждения из газовой фазы. Однако граница пассивирующий слой - полупроводник оказывается дефектной, а сам пассивирующий слой - аморфным, что не позволяет существенно снизить плотность поверхностных состояний полупроводника и уменьшить токи утечки.
3
5
-2
-2
Так, известен способ получения слоев нитрида бора на подложках полупроводников АB (см. патент RU №2012092, МПК H01L 21/318, опубликован 30.04.94), включающий размещение подложки в нагреваемой зоне реактора, удаленной от зоны плазмы, создаваемой с помощью ВЧ-разряда частотой 13,56 МГц, и введение в реактор боразола и гелия. Температуру подложки поддерживают в интервале 160-200°С, расстояние между подложкой и краем индуктора устанавливают в интервале 10-14 см; мощность, подводимая к индуктору, составляет 6-10 Вт. Процесс ведут при парциальном давлении гелия (3-8)·10 Торр и парциальном давлении боразола (2-3)·10 Торр. Гелий вводят через зону ВЧ-разряда, а боразол вводят за зоной индуктора на расстоянии не более 1 см от его края.
При использовании известного способа граница аморфный пассивирующий слой - полупроводник оказывается дефектной, что не обеспечивает существенного снижения плотности собственных поверхностных состояний полупроводника.
Известен способ получения нитрированного слоя на подложке из полупроводникового материала (см. патент RU №2008745, МПК H01L 21/318, опубликован 28.02.94), включающий формирование окисного слоя на подложке и последующее термическое нитридизирование его в азотсодержащей газовой среде в поле электромагнитного излучения. Диапазон длин волн электромагнитного излучения выбирают при этом из условия ионизации азотсодержащей газовой среды.
Известный способ позволяет улучшить электрофизические параметры и радиационную стойкость нитрированного окисного слоя при толщине свыше 100 А, однако такое покрытие оказывается аморфным и имеет неоднородный состав по толщине слоя. Кроме того, известный способ является многостадийным и требует применения сложного технологического оборудования, включающего вакуумные, газораспределительные и электротехнические схемы.
Известен способ получения тонкой нитридной пленки на сапфировой подложке (см. заявка KR №20070116649, МПК H01L 21/205, опубликована 10.12.2007), включающий предварительную высокотемпературную обработку сапфировой подложки в атмосфере водорода электронным пучком и нанесение тонкой нитридной пленки на подложку с использованием металлоорганического метода осаждения.
Обработка поверхности подложки электронным пучком в атмосфере водорода приводит к существенному нарушению приповерхностного слоя кристалла, что приводит к увеличению токов утечки.
Известен способ получения нитридной пленки на поверхности кремния (см. заявка US №2007204959, МПК H01L 21/3065, опубликована 06.09.2007), включающий обработку поверхности кремниевой подложки плазменным разрядом в атмосфере смеси азота и инертного газа для образования нитридной пленки на поверхности подложки и последующую гидрогенизацию нитридной пленки путем обработки ее плазменным разрядом в атмосфере водорода.
Известный способ позволяет предотвратить деградацию электрических свойств изолирующей пленки. Однако такая технология приводит к нарушению стехиометрии поверхности кристаллов, а покрытие оказывается аморфным и имеет неоднородный состав по толщине слоя.
3
5
2
4
Известен способ получения нитридной пленки на поверхности полупроводниковых соединений АB (см. Антипов В.Г., Зубрилов А.С., Меркулов А.В. и др. - "Молекулярно-пучковая эпитаксия кубического GaN на подложках GaAs (001) с использованием гидразина." - ФТП, т.29, вып.10, с.1812-1821). Известный способ включает предварительную десорбцию окислов с поверхности полупроводникового соединения при высоких температурах (600°С) в потоке паров мышьяка и нитридизацию поверхности полупроводника с помощью паров гидразина NН при 480°С.
3
5
Процесс взаимодействия поверхности полупроводниковых соединений АB с парами гидразина в известном способе приводит к химической реакции замещения элемента 5 группы полупроводника на азот с образованием соответствующего нитрида. Для обеспечения кристалличности такого слоя процесс проводят при температурах не ниже 450°С. Однако использование высоких температур приводит к формированию относительно толстых (более 10 мономолекулярных слоев) пленок, в которых протекают процессы релаксационного дефектообразования: возникают микротрещины, дефекты упаковки, дислокации несоответствия. Таким образом, нитридные пленки, получаемые в процессе замещения, не являются когерентными исходной поверхности полупроводника, а их диэлектрические свойства неоднородны.
3
5
3
5
2
4
Известен способ получения нитридной пленки на поверхности полупроводниковых соединений AB (см. патент RU №2168237, МПК H01L 21/318, опубликован 27.03.2001), совпадающий с заявляемым техническим решением по наибольшему числу существенных признаков и принятый за прототип. Способ-прототип включает удаление окислов с поверхности и ее последующую нитридизацию погружением поверхности полупроводниковых соединений AB в щелочной водный раствор гидразина NH концентрацией 2-10 моль/л и водорастворимого моносульфида концентрацией 0,05-0,15 моль/л.
Известный способ-прототип обеспечивает получение монослойной нитридной пленки, когерентной к исходной поверхности кристалла полупроводника GaAs, создание планарной, бездефектной границы полупроводник GaAs - нитридный слой и тем самым позволяет максимально снизить плотность поверхностных состояний, лежащих в запрещенной зоне полупроводника. Однако при использовании способа-прототипа для получения нитридной пленки на поверхности гетероструктуры на основе GaSb было обнаружено, что в процессе пассивации удаляется не только поверхностный окисный слой, но и происходит травление самого кристалла. Это приводит к развитию микрорельефа поверхности, и даже к изменению заданного рельефа мезаструктуры. Шероховатость боковой поверхности при приложении напряжения к гетероструктуре формирует неравномерное распределение электрического поля. Локальная концентрация силовых линий приводит к локальному пробою, увеличению тока утечки по поверхности прибора и уменьшению его срока службы. При уменьшении времени обработки боковой поверхности гетероструктуры в растворе, приведенном в прототипе, не обеспечивается формирование сплошного покрытия.
Задачей заявляемого изобретения являлась разработка такого способа получения нитридной пленки на боковой поверхности гетероструктуры на основе GaSb, который обеспечивал бы получение монослойной нитридной пленки, когерентной к боковой поверхности гетероструктуры при сохранении исходного микрорельефа этой поверхности.
2
4
Поставленная задача решается тем, что способ изготовления гетероструктуры на основе GaSb включает последовательное эпитаксиальное выращивание на подложке n-типа GaSb слоя твердого раствора GalnAsSb n-типа, согласованного по параметру решетки с подложкой, и слоя GalnAsSb р-типа, создание методом фотолитографии мезаструктуры и нанесение нитридной пленки на боковую поверхность получаемой мезаструктуры погружением в щелочной водный раствор гидразина NH концентрацией 10-20 моль/л, кислой соли гидразина концентрацией 6-9 моль/л и водорастворимого моносульфида концентрацией 0,02-0,04 моль/л.
-
-
-
2
Добавление кислой водорастворимой соли гидразина позволяет уменьшить рН раствора до 8, это приводит к тому, что фаза травления сводится только к удалению поверхностного оксидного слоя и внешнего слоя Sb и/или As с поверхности кристалла, но при этом не затрагивается сам кристалл. Затем на вскрытой поверхности, образованной атомами Ga и/или In, формируется нитридное покрытие в процессе постепенного замещения адсорбированных анионов SH и ОН диссоциативно адсорбируемыми молекулами гидразина. Увеличение концентрации гидразина в предлагаемом растворе по отношению к прототипу обеспечивает уменьшение времени переходных процессов до формирования сплошного нитридного покрытия. Кроме того, уменьшение концентрации водорастворимого сульфида и увеличение концентрации гидразина приводит к уменьшению равновесной концентрации сероводорода, который образуется в результате гидролиза анионов SH. Это позволяет снизить скорость накопления на обрабатываемой поверхности элементарной серы, возникающей в результате взаимодействия HS с растворенным из воздуха кислородом. В результате обработки заявляемым раствором рельеф поверхности сглаживается, уменьшается ее среднеквадратичная шероховатость. А поскольку шероховатости поверхности являются источниками концентрации локальных полей, то сглаживание микрорельефа приводит к равномерному распределению поля и уменьшению токов утечки.
2
4
Перед эпитаксией на поверхности подложки GaSb можно формировать нитридную пленку, предварительно удаляя окислы с поверхности подложки и проводя последующую ее нитридизацию погружением поверхности GaSb в щелочной водный раствор гидразина NH концентрацией 10-20 моль/л, кислой соли гидразина концентрацией 6-9 моль/л и водорастворимого моносульфида концентрацией 0,02-0,04 моль/л. Слои, выращенные на подложках с нитридной пленкой на поверхности, имеют меньшую плотность дефектов упаковки и меньшую плотность наклонных дислокации.
2
4
2
4
2
4
В качестве кислой соли гидразина можно ввести, например, солянокислый гидразин (NН·2НСl) или сернокислый гидразин (NH·HSO).
2
4
2
В качестве водорастворимого моносульфида можно ввести сульфидную соль металла 1 группы, в частности, NaS или (NH)S.
Заявляемый способ поясняется чертежами, где:
на фиг.1 показана гетероструктура n-GaSb/n-GalnAsSb/p-GalnAsSb, сформированная методом фотолитографии в виде мезаструктуры;
на фиг.2 показана зависимость темнового тока от приложенного обратного напряжения (ВАХ) для гетероструктур n-GaSb/n-GalnAsSb/p-GalnAsSb: (1 - обработка боковой поверхности по способу-прототипу и 2 - обработка боковой поверхности по заявляемому способу);
на фиг.3 изображена гистограмма темновых токов при обратном смещении - 0,2 В для пластин с гетероструктурами, боковая поверхность которых не обрабатывалась;
на фиг.4 изображена гистограмма темновых токов при обратном смещении - 0,2 В для пластин с гетероструктурами, боковая поверхность которых обрабатывалась способом-прототипом;
на фиг.5 изображена гистограмма темновых токов при обратном смещении - 0,2 В для пластин с гетероструктурами, боковая поверхность которых обрабатывалась заявляемым способом;
на фиг.6 изображена гистограмма темновых токов при обратном смещении - 0,2 В для пластин с гетероструктурами, боковая поверхность которых и подложка GaSb обрабатывалась заявляемым способом;
на фиг.7 в таблице 1 приведены составы растворов, использованных для получения нитридной пленки;
на фиг.8 приведено продолжение таблицы 1, приведенной на фиг.7;
на фиг.9 в таблице 2 приведены характеристики поверхности и полученных нитридных пленок;
на фиг.10 приведена топография поверхности подложки, обработанной заявляемым способом;
на фиг.11 изображен рельеф поверхности подложки, обработанной заявляемым способом.
-
Сущность заявляемого способа получения нитридной пленки заключается в создании когерентного адсорбционного покрытия из атомов азота, встраивающихся в кристаллическую решетку GaSb и его твердых растворов, в процессе обработки водным щелочным раствором, содержащим гидразин, водорастворимую кислую соль гидразина и водорастворимый моносульфид. В основе процесса образования нитридной пленки лежит диссоциативная адсорбция молекул гидразина на электрофильных центрах, образуемых атомами Ga и/или In. Функция кислых солей гидразина заключается в уменьшении рН раствора, а анионов SH, образующихся в растворе, в удалении с обрабатываемой поверхности атомов Sb и/или As.
-
-
-
При взаимодействии исходной поверхности с нитридизирующим раствором первоначально происходит растворение естественного окисла на поверхности полупроводника. Затем идет окислительно-восстановительный процесс на гетерофазной границе полупроводник - электролит, заключающийся в транспорте электронов проводимости из полупроводника на катионы водорода в растворе и формировании электрофильных центров адсорбции на положительно заряженных атомах Ga и/или In. Далее анионы SH селективно адсорбируются на атомах Sb и/или As. Этот процесс завершается образованием сурьмяных тиосоединений и/или мышьяковых тиосоединений, которые удаляются с поверхности кристалла в раствор. После чего уже происходит адсорбция анионов SH, ОН и нуклеофильных молекул гидразина.
3
-
-
Введение кислых солей гидразина в предлагаемый раствор приводит к уменьшению рН раствора (рН=8) по сравнению с прототипом, что приводит к резкому уменьшению концентрации гидроксила в первичном адсорбционном покрытии поверхности. При этом образование молекул Са(ОН), которое могло бы привести к дальнейшему травлению кристалла, исключается. Дальнейшие процессы необратимой двухстадийной диссоциативной адсорбции молекул гидразина приводят к вытеснению с поверхности анионов SH и ОН и формированию сплошного нитридного покрытия. Оптимальная концентрация гидразина в растворе составляет 10-20 моль/л, кислой соли гидразина концентрацией 6-9 моль/л и водорастворимого моносульфида концентрацией 0,02-0,04 моль/л.
2
4
3
-
-
При концентрации гидразина меньше 10 моль/л не достигается сплошность нитридной пленки. А концентрация 20 моль/л определяется максимальным содержанием гидразина в коммерческом растворе-гидразине гидрате (NH)OH. Приведенные концентрации кислой соли гидразина соответствуют диапазону буферной емкости раствора, внутри которого рН раствора остается близким к 8 (8±0,2). При таком рН степень первичного покрытия галлиевой поверхности анионами SH существенно превышает степень покрытия ее анионами ОН, что исключает образование Gа(ОН) и травление кристалла.
При концентрации водорастворимой кислой соли гидразина, превышающей 9 моль/л, раствор становится слишком кислым, что приводит к увеличению концентрации сероводорода в растворе и возрастанию скорости осаждения элементарной серы на обрабатываемой поверхности. Кроме того, необходимо отметить, что концентрация кислой соли гидразина не должна превышать концентрацию гидразина, поскольку введение этой соли переводит нуклеофильные молекулы гидразина в неактивное состояние.
-
При концентрации водорастворимой кислой соли гидразина менее 6 моль/л концентрация анионов ОН оказывается достаточно высокой, что вызывает развитие процессов травления поверхности полупроводника.
3
5
Введение моносульфида концентрацией, превышающей 0,04 моль/л, приводит к появлению серы в получаемом адсорбционном покрытии, что снижает степень заполнения поверхности кристалла азотом. При концентрации сульфидной соли менее 0,02 моль/л может не происходить полного удаления Sb и/или As из поверхностного слоя кристалла. Заявитель не обнаружил в патентной и другой научно-технической литературе описания способа получения нитридной пленки на поверхности полупроводникового соединения АB, который бы содержал заявляемую совокупность существенных признаков, что свидетельствует, по мнению заявителя, о соответствии заявляемого способа критерию "новизна".
Получение нитридных пленок с использованием гидразина известно (см. способ-прототип). Однако при обработке боковой поверхности гетероструктуры способом-прототипом в процессе пассивации удаляется не только поверхностный окисный слой, но и происходит травление самого кристалла. Это приводит к изменению рельефа боковой поверхности, к развитию микрорельефа поверхности, увеличению ее среднеквадратичной шероховатости и, как следствие этого, увеличению тока утечки по боковой поверхности.
В заявляемом способе процесс удаления окислов и образования нитридной пленки происходит в растворе при указанном выше соотношении гидразина, водорастворимой кислой соли гидразина и моносульфида, что обеспечивает получение нового технического результата - образование кристаллического монослоя нитрида на боковой поверхности гетеростуктуры без нарушения микрорельефа поверхности. Совокупность этих свойств, а именно: гладкий микрорельеф боковой поверхности и кристаллический монослой нитрида с однородными диэлектрическими параметрами, приводит к уменьшению токов утечки гетероструктур.
Заявляемый способ изготовления гетероструктуры на основе GaSb осуществляют следующим образом.
2
4
Подложку GaSb n-типа обезжиривают и последовательно эпитаксиально выращивают слой твердого раствора GalnAsSb n-типа, согласованного по параметру решетки с подложкой, и слой GalnAsSb р-тира. На выращенной пластине методом стандартной фотолитографии формируются мезаструктуры, после чего наносится нитридная пленка на боковую поверхность мезаструктур погружением на несколько минут в приготовленный щелочной водный раствор гидразина NH концентрацией 10-20 моль/л, кислой соли гидразина концентрацией 6-9 моль/л и водорастворимого моносульфида концентрацией 0,02-0,04 моль/л. Затем пластину вынимают из раствора, многократно промывают водой и высушивают на воздухе.
Пример 1.
2
4
2
4
2
Способ изготовления гетероструктуры на основе GaSb заявляемым способом был использован для уменьшения токов утечки приборов путем формирования пассивирующей нитридной пленки на боковой поверхности гетероструктуры. Результат пассивации контролировался измерением темновых вольт-амперных характеристик сформированных гетероструктур. Подложку GaSb n-типа обезжиривали в четыреххлористом углероде, в ацетоне и промывали в деионизованной воде. Затем на этой подложке последовательно методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращивали слой твердого раствора n-GalnAsSb, легигованного теллуром (Те) толщиной 2 мкм, и слой p-GalnAsSb, легированного германием (Ge) толщиной 1 мкм. На выращенной пластине методом стандартной фотолитографии формировались мезаструктуры диаметром 300 мкм, а затем формировались омические контакты (см. фиг.1). По указанной выше процедуре (см. фиг.7 таблица 1) приготавливали пассивирующий раствор, состоящий из водного раствора гидразина NH концентрацией 10 моль/л, водорастворимой солянокислой соли гидразина (NH·2HCl) концентрацией 6 моль/л и водорастворимого сульфата натрия NaS концентрацией 0,02 моль/л, в который погружали пластину на 10 минут. Затем пластину вынимали из раствора, многократно промывали деонизованной водой и высушивали на воздухе. Качество сформированных мезаструктур контролировали вольт-амперными характеристиками (см. фиг.2). Измерения проводились при Т=20°С. Измеряемый темновой ток можно разложить на две составляющие: на ток, протекающий через объем гетероструктуры, и ток утечки по боковой поверхности. Наиболее заметно влияние тока утечки по боковой поверхности на темновой ток при обратном смещении вблизи 0 В, поэтому величина обратного тока при обратном смещении - 0,2 В служила критерием качества сформированных мезаструктур. По результатам измерений вольт-амперных характеристик были построены гистограммы, которые представляют собой распределение количества мезаструктур с определенным темновым током при обратном смещении - 0,2 В по отношению к общему числу структур на пластине. Для анализа влияния пассивации боковой поверхности гетероструктур на токи утечки были построены гистограммы темновых токов при обратном смещении - 0,2 В для пластины с гетероструктурами, боковая поверхность которых не обрабатывалась (см. фиг.3), для пластины с гетероструктурами, боковая поверхность которых обрабатывалась способом-прототипом (см. фиг.4), и для пластин с гетероструктурами, боковая поверхность которых обрабатывалась в заявляемом растворе (см. фиг.5). Количество мезаструктур на каждой из исследуемых пластин было практически одинаковым и составляло около 50 штук. Из гистограммы темновых токов, построенной для исходной пластины, где мезаструктуры не обрабатывались в пассивирующих растворах (см. фиг.3), следует, что величина темновых токов имеет большой разброс значений - от 5 мкА до 25 мкА. Количество структур, у которых величина тока близка к расчетному значению 5 мкА, составляет около 70%. В случае нитридизации боковой поверхности по способу-прототипу также наблюдается большой разброс (см. фиг.4). Количество структур, у которых величина тока близка к расчетному значению 5 мкА, также близка к 70%. Однако по сравнению с исходной пластиной увеличился процент структур, у которых величина тока находится в области 10-20 мкА. Это связано с травлением боковой поверхности, с развитием ее микрорельефа, что вызывает неоднородное распределение электрического поля и увеличение токов утечки по боковой поверхности. Из сопоставления гистограмм следует, что наибольшее количество мезаструктур с темновым током, меньшим или равным 5 мкА, при обратном смещении - 0,2 В было сформировано на пластине, обработанной в заявляемом растворе (см. фиг.5). Количество структур, у которых величина тока близка к расчетному значению 5 мкА, составляет более 80%. Однако количество структур, у которых величина темновых токов имеет разброс значений от 10 мкА до 25 мкА, составляет около 15%.
Пример 2
2
4
2
4
2
Подобное распределение темновых обратных токов было получено в случае обработки боковой поверхности структур в пассивирующем растворе, состоящем из водного раствора гидразина NH концентрацией 20 моль/л, солянокислой соли гидразина (NH·2HCl) концентрацией 9 моль/л и сульфата натрия NaS концентрацией 0,04 моль/л, в который погружали пластину на 10 минут. Приведенные результаты нитридизации боковой поверхности гетероструктур свидетельствуют, что разброс темновых токов, кроме токов утечки по боковой поверхности, возможно обусловлен токами в объеме полупроводника по дефектам, которые образуются в процессе эпитаксиального роста слоев.
Пример 3
2
4
2
Плотность дефектов во многом определяется степенью планарности и кристаллического совершенства интерфейса гетероструктуры. Нарушение планарности подложки и ее кристаллического совершенства возникает при удалении естественных окислов в ходе предэпитаксиального отжига. Для того чтобы уменьшить плотность дефектов в эпитаксиальных слоях, проводилось формирование пассивирующей нитридной пленки как на боковой поверхности гетероструктуры, так и на поверхности подложки GaSb перед выращиванием гетероструктуры. С этой целью пластину GaSb обезжиривали в четыреххлористом углероде и затем последовательно промывали в ацетоне и деионизованной воде. По указанной выше процедуре приготавливали щелочные водные растворы гидразина, водорастворимой солянокислой соли гидразина (NH·HCl) и сульфата натрия NaS различной концентрации. Исходные концентрации компонентов в приготовленных растворах приведены в таблице 1 на фиг.7 - 8. В приготовленные растворы погружали подложку GaSb и выдерживали при комнатной температуре в течение 10 минут. Затем пластину вынимали из раствора, многократно промывали водой и высушивали на воздухе. Для оценки качества полученных нитридных пленок использовали три методики: дифракцию быстрых электронов; Оже-электронную спектрометрию и атомно-силовую микроскопию (АСМ). Сопоставляя данные, полученные этими методиками, составляли заключение о топографии поверхности подложки, структурном совершенстве и составе адсорбционной пленки. Топография (см. фиг.10) и рельеф поверхности подложки GaSb (см. фиг.11), обработанной в заявляемых растворах, позволяет говорить о планарности поверхности подложки в наноразмерном масштабе при ее подготовке по заявляемому способу.
После этой процедуры на подложке GaSb с нитридной пленкой на поверхности методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращивались гетероструктуры на основе GaSb, как в примере 1 и в примере 2. Гистограмма темновых токов при обратном смещении - 0,2 В для пластин с гетероструктурами, боковая поверхность которых и подложка GaSb обрабатывались заявляемым способом, показана на фиг.6. Из сопоставления гистограмм (см. фиг.3 - 6) следует, что наибольший процент структур с малыми темновыми токами при обратном смещении - 0,2 В получаются только в случае нитридизации как боковой поверхности гетероструктур, так и подложки GaSb перед эпитаксией.