СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ ПОДЛОЖКИ В СИСТЕМЕ ЛИТОГРАФИИ, ПОДЛОЖКА ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ТАКОМ СПОСОБЕ И СИСТЕМА ЛИТОГРАФИИ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ ТАКОГО СПОСОБА

1. Система для определения положения подложки в системе (1) литографии, содержащая:
оптическую колонну (PO), выполненную с возможностью проецирования одного или более экспонирующих лучей на подложку (12, 513);
первый чувствительный элемент (SS, 500) оптического совмещения, установленный на системе таким образом, что он имеет по существу постоянное расстояние от оптической колонны (PO), причем первый чувствительный элемент (SS, 500) оптического совмещения выполнен с возможностью испускания луча (511) света с предопределенной длиной волны на подложку (12, 513), а также с возможностью измерения профиля интенсивности луча (518) отраженного света нулевого порядка;
луч света, фокусируемый в пятно, имеющее размер пятна на подложке;
подложку содержащую оптическую отметку (SMRK, DMRK, 100) положения, имеющую высоту (MH) отметки, длину (ML) отметки и предопределенное известное положение на подложке (12, 513), оптическая отметка (100) положения проходит вдоль первого направления и выполнена с возможностью изменения коэффициента отражения отметки (SMRK, DMRK, 100) положения вдоль упомянутого первого направления, причем оптическая отметка положения содержит:
- первую главную область (110), содержащую первую пару (105) областей;
в которой первая пара (105) областей первой главной области (110) содержит:
- первую область (101), имеющую первый коэффициент отражения и первую ширину (W);
- вторую область (102), имеющую второй коэффициент отражения и вторую ширину (W), причем второй коэффициент отражения отличается от первого коэффициента отражения; при этом вторая область граничит с первой областью (101);
в которой первая область (101) содержит субволновые структуры (SWS) по сравнению с предопределенной длиной волны испускаемого
луча света;
в которой субволновые структуры (SWS) содержат множество регулярных сегментов, сформированных с помощью сегментации первой области вдоль первого направления и/или второго направления, перпендикулярного первому направлению;
в которой упомянутые первая ширина и вторая ширина больше, чем упомянутый размер пятна; и
при этом система выполнена с возможностью сканирования первым чувствительным элементом (SS, DS, 500) оптического совмещения оптической отметки (SMRK, DMRK, 100) положения в первом направлении.
2. Система по п. 1, в которой первая главная область (110) содержит вторую пару (105) областей, по существу равную первой паре (105) областей.
3. Система по п. 1 или 2, в которой вторая область по существу не содержит субволновых структур (SWS).
4. Система по п. 1, дополнительно содержащая вторую главную область (120), граничащую с первой главной областью (110), причем вторая главная область (120) по существу не содержит структур.
5. Система по п. 4, дополнительно содержащая третью главную область (130), граничащую со второй главной областью (120), в которой вторая главная область (120) расположена между первой главной областью (110) и третьей главной областью (130), если смотреть в первом направлении, и в которой третья главная область (130) включает в себя третью пару областей;
в которой третья пара областей третьей главной области содержит:
третью область, имеющую третий коэффициент отражения и третью ширину; и
четвертую область, имеющую четвертый коэффициент отражения и четвертую ширину, причем четвертый коэффициент отражения отличается от третьего коэффициента отражения; при этом четвертая область граничит с третьей главной областью.
в которой третья область содержит субволновые структуры по сравнению с предопределенной длиной волны испускаемого луча света.
6. Система по п. 5, в которой первая главная область (110) и третья главная область (130) по существу идентичны.
7. Система по п. 1, дополнительно содержащая первую концевую область (140), расположенную на первом конце первой оптической отметки (100) положения, граничащую с первой главной областью (110), причем первая концевая область (140) по существу не содержит структур.
8. Система по п. 5, дополнительно содержащая вторую концевую область (140), расположенную на втором конце оптической отметки (SMRK, DMRK, 100) положения, граничащую с третьей главной областью (130), причем вторая концевая область (140) по существу не содержит структур.
9. Система по п. 1, в которой высота (MH) отметки во много раз больше длины волны красного или инфракрасного света.
10. Система по п. 1, в которой первая ширина и вторая ширина находятся в диапазоне от 1 мкм до 2 мкм.
11. Система по п. 1, дополнительно содержащая:
второй чувствительный элемент (DS, 500) оптического совмещения, установленный на системе по существу с постоянным расстоянием от оптической колонны (PO), выполненный с возможностью испускания второго луча (511) света, имеющего предопределенную длину волны, на подложку (12, 513) и для измерения профиля интенсивности луча (518) отраженного света нулевого порядка,
причем система выполнена с возможностью сканирования вторым чувствительным элементом (DS, 500) оптического совмещения во втором направлении (Yw), перпендикулярном первому направлению (Xw).
12. Система по п. 11, в которой первый чувствительный элемент (DS, 500) оптического совмещения устанавливается в фиксированном и известном положении относительно оптической колонны (PO) в упомянутом первом направлении (Xw), а второй чувствительный элемент (DS, 500) оптического совмещения устанавливается в фиксированном и известном положении относительно оптической колонны (PO) в упомянутом втором направлении (Yw).
13. Система по п. 11 или 12, в которой каждый из первого и второго элементов (DS, 500) оптического совмещения предназначен для измерения только в одном направлении.
14. Система по п. 11, в которой упомянутая оптическая отметка
положения является второй оптической отметкой (DMRK, 100) положения, подложка дополнительно содержит первую оптическую отметку (SMRK, 100) положения, причем первая оптическая отметка (SMRK, 100) положения имеет высоту (MH) отметки, длину (ML) отметки и предопределенное известное положение на подложке (12, 513), и проходит в упомянутом втором направлении (Yw) и выполнена с возможностью изменения коэффициента отражения отметки (100) положения вдоль упомянутого второго направления (Yw), причем первая оптическая отметка (100) положения имеет ту же структуру, что и вторая оптическая отметка (100) положения.
15. Система по п. 11, в которой первый чувствительный элемент (SS, 500) оптического совмещения смещается в упомянутом первом направлении (Xw) относительно проекционной оптики (PO), и предназначен для измерения второй отметки (DMRK) положения в упомянутом первом направлении (Xw), а второй чувствительный элемент (DS, 500) оптического совмещения смещается в упомянутом втором направлении (Yw) относительно проекционной оптики (PO), и предназначен для измерения первой отметки (SMRK) положения в упомянутом втором направлении (Yw).
16. Система по п. 8 или 9, в которой первое направление (Xw) совпадает с первым направлением (L) перемещения подложки (12, 513) при эксплуатационном использовании системы литографии, а второе направление (Yw) совпадает со вторым направлением (S) перемещения подложки (12, 513) при эксплуатационном использовании системы литографии.
17. Система по п. 11, в которой оптическая колонна (PO) выполнена с возможностью проецирования множества экспонирующих лучей заряженных частиц на подложку (12, 513).
18. Система по п. 1, выполненная с возможностью:
- перемещения подложки (12, 513) таким образом, что оптическая отметка (SMRK, DMRK, 100) положения находится по существу около чувствительного элемента (SS, DS, 500) оптического совмещения в соответствии с предполагаемым положением оптической отметки (SMRK, DMRK, 100) положения относительно чувствительного элемента (SS, DS, 500) оптического совмещения;
- сканирования оптической отметки (SMRK, DMRK, 100) положения
вдоль продольного направления с помощью чувствительного элемента (SS, DS, 500) оптического совмещения для получения измеренного профиля интенсивности, имеющего длину развертки, причем длина развертки больше, чем длина (ML) отметки;
- сравнения измеренного профиля интенсивности с ожидаемым профилем интенсивности, связанным с оптической отметкой (SMRK, DMRK, 100) положения, для определения разности между фактическим положением оптической отметки (SMRK, DMRK, 100) положения и предполагаемым положением; и
- определения фактического положения отметки положения из этой разности.
19. Система по п. 18, выполненная с возможностью сравнения измеренного профиля интенсивности с ожидаемым профилем интенсивности первой оптической отметки положения путем вычисления функции (CRC) перекрестной корреляции между измеренным профилем интенсивности и ожидаемым профилем интенсивности и определения положения максимума (TPR) в функции (CRC) перекрестной корреляции, в которой это положение указывает на упомянутую разность.
20. Система по п. 1, в которой упомянутый испускаемый луч (511) света является поляризованным лучом света, и в которой первый чувствительный элемент (SS, DS, 500) оптического совмещения содержит поляризующий расщепитель (536') луча, выполненный с возможностью направления упомянутого испускаемого луча (511) света на подложку (12, 513), а также направления упомянутого отраженного луча (518) света на детектор (519) интенсивности света, а также четвертьволновую пластину (539), расположенную между расщепителем (536') луча и подложкой (12, 513),
в которой упомянутый чувствительный элемент оптического совмещения предпочтительно дополнительно содержит фокусирующую линзу (512), расположенную между четвертьволновой пластиной (539) и подложкой (12, 513).
21. Подложка (12, 513), содержащая первую оптическую отметку (SMRK, DMRK, 100) положения, выполненную с возможностью изменения интенсивности отражения нулевого порядка луча (511) света, сфокусированного в пятно на подложке, сканирующего отметку вдоль первого направления, причем луч света имеет предопределенную
длину волны и фокусируется в пятно, имеющее размер пятна луча на подложке (12, 513),
первая оптическая отметка (SMRK, DMRK, 100) положения имеет высоту (MH) отметки, длину (ML) отметки и предопределенное известное положение на подложке (12, 513), проходит продольно в первом направлении (Yw) и имеет изменяющийся коэффициент отражения вдоль упомянутого первого направления,
в которой первая оптическая отметка положения содержит первую главную область (110), содержащую множество пар (105) областей, по существу равных друг другу,
в которой пары (105) областей содержат:
- первую область (101), имеющую первый коэффициент отражения и первую ширину;
- вторую область (102), имеющую второй коэффициент отражения и вторую ширину, причем второй коэффициент отражения отличается от первого коэффициента отражения, при этом вторая область граничит с первой областью (101), причем первая область и вторая область образуют пару областей;
в которой упомянутая первая ширина и упомянутая вторая ширина больше, чем упомянутый размер пятна луча,
в которой каждая из первых областей (101) содержит субволновые структуры (SWS) по сравнению с предопределенной длиной волны света; и
в которой субволновые структуры (SWS) содержит множество регулярных сегментов, сформированных путем сегментации первой области вдоль первого и/или второго направления, причем второе направление перпендикулярно первому направлению.
22. Подложка по п. 21, дополнительно содержащая вторую главную область (120), граничащую с первой главной областью (110), причем себя вторая главная область (120) по существу не содержит структур.
23. Подложка по п. 22, дополнительно содержащая третью главную область (130), граничащую со второй главной областью (120), в которой вторая главная область (120) расположена между первой главной областью (110) и третьей главной областью (130), если смотреть в первом направлении, и в которой третья главная область
(130) содержит третью пару областей;
в которой третья пара областей третьей главной области содержит:
- третью область, имеющую третий коэффициент отражения и третью ширину; и
- четвертую область, имеющую четвертый коэффициент отражения и четвертую ширину, причем четвертый коэффициент отражения отличается от третьего коэффициента отражения, при этом четвертая область граничит с третьей областью;
в которой третья область содержит субволновые структуры по сравнению с предопределенной длиной волны испускаемого луча света.
24. Подложка по любому из пп. 21-23, дополнительно содержащая первую концевую область (140), расположенную на первом конце оптической отметки (SMRK, DMRK, 100) положения, граничащую с первой главной областью (110), причем первая концевая область (140) по существу не содержит структур.
25. Подложка по п. 24, дополнительно содержащая вторую концевую область (140), расположенную на втором конце оптической отметки (SMRK, DMRK, 100) положения, граничащую с третьей главной областью (130), причем вторая концевая область (140) по существу не содержит структур.
26. Подложка по п. 21, в которой высота (MH) отметки составляет менее 40 мкм, и в которой длина отметки составляет по меньшей мере 100 мкм.
27. Подложка по п. 21, в которой первая ширина и вторая ширина находятся в диапазоне от 1 мкм до 2 мкм.
28. Подложка по п. 21, которая дополнительно содержит вторую оптическую отметку (SMRK, DMRK, 100) положения, имеющую высоту (MH) отметки, длину (ML) отметки и предопределенное известное положение на подложке, проходящую вдоль упомянутого второго направления и имеющую изменяющийся коэффициент отражения вдоль упомянутого второго направления, причем вторая оптическая отметка положения имеет ту же самую структуру, что и первая оптическая отметка положения.