ИНДИКАТОР

Полезная модель относится к области электронной техники и может быть использована в производстве индикаторов, например, газоразрядных индикаторных панелей (ГИП), жидкокристаллических индикаторов.
Известен индикатор - ГИП, содержащий ячейки индикации расположенные между двумя диэлектрическими пластинами, на внешней поверхности лицевой из которых сформировано антибликовое покрытие в виде продольных и поперечных полос, расположенных между ячейками индикации [Патент РФ №2070749, HО1J 17/49, 1996 г. кол.3].
К недостатком ГИП относятся сложность технологического процесса ее изготовления, обусловленная использованием сложного высокоточного оборудования, высокая трудоемкость и низкий процент выхода годных приборов.
Известен индикатор, включающий ячейки индикации между нижней диэлектрической пластиной и лицевой диэлектрической пластиной, имеющей сплошное антибликовое покрытие на внешней поверхности [Патент РФ №2070749, HО1J 17/49, 1996 г.]
Недостатком данного индикатора является то, что антибликовое покрытие на диэлектрической пластине с допустимыми технологическими дефектами, имеет низкое качество из-за неоднородности его светотехнических параметров.
Наиболее близким устройством того же назначения к заявляемому объекту по совокупности признаков является индикатор, содержащий нижнюю диэлектрическую пластину и лицевую диэлектрическую пластину, на внешней стороне которой поочередно нанесены оптически прозрачный слой и антибликовое покрытие, ячейки индикации между диэлектрическими
пластинами [Патент РФ №49357, HO1J 17/49, GО2F 1|133, 2005 г. - прототип]
Формирование антибликового покрытия на оптически прозрачном слое не исключает полностью влияние технологических дефектов диэлектрической пластины на качество антибликового слоя.
Задачей, на решение которой направлена полезная модель, является создание индикатора с антибликовым покрытием высокого качества.
Указанный технический эффект достигается тем, что в известном индикаторе, содержащем нижнюю диэлектрическую пластину и лицевую диэлектрическую пластину, на внешней стороне которой поочередно нанесены оптически прозрачный слой и антибликовое покрытие, ячейки индикации между диэлектрическими пластинами, оптически прозрачный слой сформирован при нагреве до температуры 40÷60°С.
Формирование антибликового покрытия на промежуточном оптически прозрачном слое, сформированном при нагреве до 40÷60°С, исключает влияние технологических дефектов диэлектрической пластины: царапин, «выщелачеваний», припекшихся частиц, выколок различной формы и глубины на качество антибликового покрытия, так как за счет значительного уменьшения вязкости материала оптически прозрачного слоя, приобретения им «текущих» свойств происходит заполнение указанных дефектов материалом оптически прозрачного слоя.
Проведенный заявителем анализ уровня техники, включающий поиск по патентным и научно-техническим источникам информации, и выявление источников, содержащих сведения об аналогах заявленной полезной модели, позволяет установить, что заявителем не обнаружен аналог, характеризующийся признаками, идентичными признакам заявленной полезной модели, а определение из перечня выявленных аналогов прототипа, как наиболее близкого по совокупности признаков аналога, позволил выявить совокупность существенных по отношению к усматриваемому
заявителем техническому результату отличительных признаков в заявленном объекте, изложенных в формуле полезной модели.
Следовательно, заявленная полезная модель соответствует требованию «новизна».
Полезная модель поясняется чертежом.
На чертеже фиг.1 представлен один из вариантов заявленного индикатора - ГИП переменного тока.
ГИП переменного тока (фиг.1) содержит нижнюю 1 и лицевую 2 диэлектрические пластины, ячейки индикации, образованные при пересечении электродов 3 и 4, покрытых диэлектриком 5, шов герметизации 6, оптически прозрачный слой 7 и антибликовое покрытие 8 на внешней стороне лицевой диэлектрической пластины 2.
При подаче импульсов напряжения на электроды 3 и 4 в ячейках индикации возбуждается газовый разряд, обеспечивающий отображение информации. При работе индикатора в условиях повышенной освещенности на внешней поверхности лицевой диэлектрической пластины индикатора образуются блики, которые вызывают усталость глаз оператора и снижают надежность и быстроту считывания информации. Для устранения указанного недостатка на внешней лицевой стороне индикатора формируют антибликовое покрытие, которое должно иметь низкие коэффициенты зеркального и диффузного отражения и высокую однородность светотехнических параметров, что особенно важно для плоских индикаторов с высоким разрешением. Для обеспечения высокой однородности светотехнических параметров антибликового покрытия очень важно качество поверхности, на которой оно формируется. Наличие на поверхности технологических дефектов: царапин, «выщелачеваний», припекшихся частиц, выколок различной формы и глубины и т.д. приводит к образованию на антибликовом покрытии локальных зон с различными коэффициентами преломления и отражения света, приводящих к искажению воспроизводимой информации. Для уменьшения влияния таких дефектов на качество
антибликового покрытия его наносят на промежуточный оптически прозрачный слой толщиной 20÷50 мкм. Однако полностью влияние дефектов не устраняется наличием оптически прозрачного слоя. Указанные дефекты устраняются при нанесении оптически прозрачного слоя нагретого до температуры 40÷60°С, за счет значительного уменьшения вязкости материала оптически прозрачного слоя, приобретения им «текущих» свойств в результате чего происходит заполнение дефектов материалом оптически прозрачного слоя. Если температура будет меньше 40°С, то материал прозрачного слоя будет иметь высокую вязкость, а сформированный прозрачный слой большое поверхностное натяжение, что исключает возможность заполнения материалом оптически прозрачного слоя дефектов диэлектрической пластины. Если температура будет больше 60°С, то материал оптически прозрачного слоя будет иметь высокую текучесть, что затрудняет формирование слоя с равномерной толщиной по всему полю диэлектрической пластины.
Оптически прозрачный слой может наноситься путем нагрева материала слоя, нагрева диэлектрической пластины, на которой формируется антибликовое покрытие или нагрева антибликовой пленки с оптически прозрачным клеевым слоем.
Пример конкретного выполнения.
ГИП переменного тока содержит нижнюю и лицевую стеклянные пластины размером 190×162×4 мм. На стеклянных пластинах из золотосодержащей пасты сформированы параллельные электроды толщиной 8 мкм, шириной 50 мкм с шагом 100 мкм, на которые нанесен диэлектрик на основе легкоплавкого стекла С82-3. Электроды, расположенные на стеклянных пластинах, образуют в перекрестьях ячейки индикации. Для образования замкнутого объема, наполненного смесью газов Не, Хе, Ne при давлении 400 мм рт.ст. стеклянные пластины соединены по периметру швом герметизации из стеклоцемента СЦП-84. На внешней поверхности лицевой стеклянной пластины данной конструкции ГИП переменного тока
2
формировался оптически прозрачный слой из оптического клея марки «Скол» в первом варианте толщиной 40 мкм нагретого до 60°С, во втором - толщиной 20 мкм нагретого до 40°С на котором методом пульверизации формировалось антибликовое покрытие из SiO. В третьем варианте данной конструкции ГИП переменного тока антибликовое покрытие формировалось с использованием антибликовой пленки HEAR-2000K, на которой нанесен оптически прозрачный клеевой слой толщиной 27 мкм нагретый до 50°С.
В изготовленных образцах ГИП переменного тока отсутствуют места с различными коэффициентами преломления и отражения света, коэффициенты диффузного и зеркального отражения одинаковы по всему полю индикации в том числе в местах расположения дефектов на поверхности лицевой стеклянной пластины, в результате чего не наблюдаются искажения воспроизводимой информации.
Таким образом, вышеизложенные сведения свидетельствуют о том, что заявленная полезная модель соответствует требованию «промышленная применимость».