УСТРОЙСТВО ВИЗУАЛИЗАЦИИ ИНФРАКРАСНОГО И МИЛЛИМЕТРОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
INFRARED AND MILLIMETER RADIATION IMAGING DEVICE

Изобретение относится к технике радиоизмерений, в частности для визуализации непрерывного и импульсного инфракрасного (ИК) излучения в диапазоне 0,4-16,67 мкм и миллиметрового излучения на длинах волн 2 и 3 мм.
Устройства визуализации служат для проверки работоспособности источников излучения, а также для определения размера, конфигурации и средней мощности излучения в миллиметровом диапазоне длин волн. Продолжает быть актуальной разработка устройств визуализации, способных функционировать в условиях лаборатории, цеха, натурных испытаниях источников излучения.
Известна термохромная пленка, представляющая эмульсию производных холестерина в коллоидном растворе поливинилового спирта с черным красителем (сажа). (Адамчик, А. Жидкие кристаллы: пер. с польск. / А. Адамчик, З. Стругальский; под ред. И.Г. Чистякова М.: Сов. радио, 1979. 160 с.). Различным смесям холестерических жидких кристаллов соответствуют определенные температурные интервалы, в которых происходит полное изменение цвета - от красного до голубого.
Холестерические жидкие кристаллы (ХЖК) применяются для визуализации ИК излучения в приборах ночного видения, а также для визуализации микроволнового поля в волноводах и микроволн, находящихся в воздухе.
Недостатки ХЖК: обязательное использование черной подложки; низкая лучевая прочность пленок; чувствительность к ультрафиолетовому излучению; при длительной экспозиции или в процессе хранения имеет место смещение температурного диапазона изменения цветовой окраски на ±1-2°С.
Известен двухмерный ТГц-ИК конвертер, представляющий собой многослойную структуру, состоящую из диэлектрической подложки, покрытой частотно-избирательной поверхностью (ЧИП). С другой стороны подложки нанесен сплошной слой с металлической проводимостью, покрытый эмиссионным слоем. Излучение поглощается резонансным поглотителем, нагрев которого приводит к увеличению интенсивности излучения эмиссионного слоя (Пат. 2447574 РФ, МПК H03D 7/00 Преобразователь терагерцового излучения / С.А. Кузнецов, [и др.]; заявл. 16.11.2010, опубл. 10.04.2012. Бюл. №10).
Недостатки: сложная структура металлизированных микроструктур ограничивает размер ТГц-ИК конвертера; использование уникальных ИК камер; обеспечение требуемой чувствительности ТГц-ИК конвертера достигается за счет фокусирующей ТГц оптики, ТГц объектива.
Известен двухмерный ТГц-ИК конвертер, представляющий собой матрицу с внедренными в нее наночастицами из металла или сплава с частично заполненным пиком плотности электронных состояний на уровне Ферми (Пат. №2511070 РФ МПК G01J 1/02, G02F 1/00, В82В 1/00 Устройства визуализации источников терагерцового излучения / А.К. Кавеев [и др.], патентообладатель: ООО «ТИДЕКС»; заявл. 01.10.2012, опубл. 10.04.2014, Бюл. №10. - 17 с). Наночастицы, нагреваемые ТГц излучением, преобразуют энергию ТГц квантов в теплоту, а двумерная картина, формируемая нагретыми наночастицами конвертера, визуализируется ИК камерой.
Недостатки: использование ИК камер с эквивалентной шумовой разностью температур в 100 мкК; использование трудоемкой технологии изготовления метаматериалов с заданными размерами наночастиц и их объемной концентрацией.
x
x
Наиболее близким к предлагаемому изобретению является (Пат. РФ 2638381 МПК G 01 J 5/20 Устройство визуализации инфракрасного и терагерцового излучений / А.С. Олейник, М.А. Медведев, дата заяв. 20.07.2016, дата опубл. 13.12.2017, Бюл. №35). Устройство содержит плоский корпус с расположенной в нем рамке в виде двух диэлектрических колец и имеющий два окна для регистрации излучения, при этом плоский корпус закреплен на держателе со стойкой, между диэлектрическими кольцами размещен ТГц-ИК конвертер, представляющий собой диэлектрическую подложку с нанесенной двухслойной пленочной структурой Al-VO, которую опоясывает с круговым зазором пленочный нагреватель, на противоположной стороне подложки под пленочной структурой Al-VO, расположена сетка из алюминия, толщиной не более 100 нм, с квадратными отверстиями, при этом длина стороны сетки прямо пропорциональна длине волны терагерцового излучения, распространяющегося в диэлектрической подложке, на свободной части поверхности которой расположен термодатчик.
Недостатки устройства: прецизионная технология изготовления двумерной сетки из алюминия.
Техническая проблема настоящего изобретения заключается в необходимости создания устройства, обеспечивающего визуализацию распределения мощности излучения по сечению пучка в диапазоне длин волн от ИК до миллиметровых, способного функционировать в условиях производственной практики.
x
Сущность изобретения характеризуется тем, что в устройстве визуализации инфракрасного и миллиметрового излучений, содержащем полый корпус с двумя окнами, одно из которых вмонтировано на торце корпуса, а другое окно в крышке, внутри корпуса расположена опорная рамка в виде двух диэлектрических колец, между кольцами размещена диэлектрическая подложка из слюды марки СТ-1, покрытая пленочным поглотителем из сплава нихром (Х20Н80), толщиной 17-23 нм, на другой стороне подложки расположена пленочная структура из термохромного материала, исполняемая в двух вариантах: слой из Al-VO или слой из черного красителя и ХЖК, крышка выполнена с возможностью открывания, для обеспечения замены в опорной рамке подложек с пленочным поглотителем и указанными вариантами термохромного слоя.
x
Кроме того, заявляется устройство, у которого наряду с вышеописанными признаками толщина диэлектрической подложки h должна соответствовать соотношению λ/h=50-75, где λ=2; 3 мм - рабочие длины волн миллиметрового излучения. Кроме того, заявляется также устройство, в котором на противоположных сторонах термохромного слоя нанесены пленочные алюминиевые электроды. Кроме того, заявляется также устройство, в котором поверхность окна, расположенного перед термохромным материалом, покрыта двумерной метрической сеткой с квадратными отверстиями. Кроме того, заявляется также устройство, в котором двумерная термохромная структура Al-VO выполнена в виде квадратных ячеек, размером 0,2×0,2 мм, разделенных между собой зазорами шириной 30 мкм.
Техническим результатом является возможность визуализации больших пучков ИК и миллиметрового излучений низкой и средней интенсивности в условиях производственной практики за счет применения сменных экранов в составе универсального корпуса, экраны выполнены на основе пленочных металлодиэлектрических структур металл-диэлектрик-термохромный слой, отличающихся материалом термохромного слоя.
x
Технический результат базируется на реализации в качестве визуализатора ИК и миллиметрового излучений металлодиэлектрической структуры (металл-диэлектрик-термохромный слой). Пленочный поглотитель из металла или сплава, имеющий частично заполненный пик плотности состояний электронов на уровне Ферми, поглощает излучение на длинах волн 2 и 3 мм при определенных толщинах поглотителя за счет плазмонного резонанса свободных электронов и нагревается. ИК излучение непосредственно поглощается термохромным слоем, вызывая его нагрев. Выбор термохромного слоя на основе пленочных структур: Al-VO или ХЖК - черный краситель, имеют определенный температурный диапазон изменения цветовой окраски, что определяет чувствительность визуализатора. Использование слюдяных подложек, удовлетворяющих отношению длины волны λ миллиметрового диапазона к толщине подложки h (λ/h≥1 порядка) обеспечивает оптимальное быстродействие визуализатора.
x
Нанесение пленочных алюминиевых электродов на поверхности термохромного слоя Al-VO обеспечивает возможность его термостатирования.
Нанесение метрической двумерной сетки на окно перед термохромным слоем обеспечивает экспрессное определение размера пучка излучения.
Выполнение термохромного слоя в виде ячеек (пикселей), размером 0,2×0,2 мм, разделенных между собой постоянным зазором шириной 30 мкм, на поверхности диэлектрической подложки ограничивает растекание изображения цветового пятна при воздействии постоянного излучения и увеличивает быстродействие визуализатора.
x
x
x
-1
Предлагаемое изобретение поясняется с помощью Фиг. 1-8: на Фиг. 1 (а, б) приведена конструкция устройства: а - общий вид; б - продольный разрез; на Фиг. 2 (а, б) представлены конструкции пленочных металлодиэлектрических структур на слюдяной подложке с различными материалами термохромного слоя; на Фиг. 3 (а, б, в) показаны графики коэффициентов пропускания, отражения, поглощения структур: а - VO-Al-слюда при облучении со стороны VO в диапазоне частот 170-260 ГГц; б - ХЖК-сажа, при облучении со стороны слоя ХЖК в диапазоне частот 170-260 ГГц; в - поглощение структуры ХЖК-сажа в диапазоне длин волн 10000-600 см; на Фиг. 4 приведены графики коэффициентов пропускания отражения и поглощения пленочной структуры сплав нихром-слюда, толщина слоя сплав нихром 17-23 нм в диапазоне частот 170-260 ГГц; на Фиг. 5 приведена гистерезисная зависимость яркостного контраста от температуры среды Al-VO, с толщинами пленочных слоев соответственно 100 нм и 60 нм, и требуемая удельная мощность термостатирования; на Фиг. 6 приведена зависимость цвета ХЖК от температуры; на Фиг. 7 приведена схема установки для измерения средней мощности миллиметрового излучения; на Фиг. 8 (а, б, в, г) приведены фотографии экранов визуализаторов под действием излучения на длинах волн 3 мм и 2 мм.
x
Позициями 1-20 обозначены: 1 - полый корпус, 2 - крышка, 3 - прозрачные окна, 4 -опорная рамка, 5 - диэлектрическая подложка, 6 - пленочный поглотитель, 7 - термохромный слой на основе Al-VO, 8 - держатель, 9 - стойка, 10 - метрическая двухмерная сетка, 11 - термохромный слой на основе ХЖК-сажа, 12 - регистрируемое ИК излучение, 13 - регистрируемое миллиметровое излучение, 14 - блок питания, 15 -магнетрон, 16 - волноводный СВЧ тракт, 17 - визуализатор, 18 - пленочный калориметр, 19 - ВЧ-ваттметр, 20 - измеритель мощности.
x
Заявляемое устройство содержит преимущественно цилиндрический полый корпус 1, с крышкой 2, корпус и крышка имеют окна 3, прозрачные для видимого и регистрируемого излучений. Одна сторона корпуса 1 служит для приема миллиметрового излучения, а другая - для визуализации изменения цветовой окраски термохромного слоя и приема ИК излучения. В корпусе 1 между окнами 3 размещена опорная рамка 4, состоящая из двух диэлектрических колец, с расположенной между ними диэлектрической (слюдяной) подложкой 5. С одной стороны подложка 5 покрыта пленочным металлическим поглотителем из сплава нихром (Х20Н80), толщиной 17-23 нм, на другой стороне подложки 5 расположен термохромный слой 7 на основе пленочной структуры Al-VO или термохромный слой, состоящий из черного красителя и ХЖК. Корпус 1 закреплен на держателе 8 со стойкой 9. В корпусе 1 перед окном 3 размещена метрическая двухмерная сетка 10.
На Фиг. 1 а показан общий вид конструкции устройства визуализации инфракрасного и миллиметрового излучений.
На Фиг. 1 б показан продольный разрез конструкции устройства визуализации инфракрасного и миллиметрового излучений.
x
x
Устройство содержит слюдяные подложки 5 марки СТ-1, на которых нанесены пленочные структуры: нихром-слюда-Al-VO или нихром-слюда-сажа-ХЖК. Термохромные слои на основе Al-VO 7 и ХЖК-сажа 11 выполняют функцию экрана, на котором формируется цветное изображение проекции источника излучения. Наличие перед термохромным слоем двухмерной метрической сетки 10 на окне 3 корпуса устройства позволяет экспрессно оценить геометрические размеры цветового изображения (пятна).
Устройство работает следующим образом: миллиметровое излучение 13, проходя через прозрачное окно 3, падает на пленочный поглотитель 6 из сплава нихром, толщиной 17-23 нм. На длинах волн 3 мм и 2 мм поглощение составляет соответственно 15% и 25%. Поглощенное излучение нагревает подложку и термохромный слой, после достижения определенной температуры, появляется изображение в месте нагрева. ИК излучение 12, проходя через окно 3, непосредственно регистрируется термохромным слоем.
x
Термохромные слои на основе ХЖК и слой из смеси оксидных фаз VO изменяет свой цвет при нагреве соответственно на 0,5-1°С и 32°С относительно исходной температуры. Таким образом, используя два варианта термохромных структур, достигают различных величин энергетической чувствительности устройства.
x
Используя режим термостатирования структуры Al-VO, путем пропускания через нее тока, можно резко снизить температуру нагрева, вызывающей изменение ее цвета. Термостатирование обеспечивает режим внутренней памяти (сохранения изображения на неограниченное время).
x
Лучевая прочность пленочных структур на основе ХЖК-сажа и VO-Al сохраняется при их нагреве соответственно на 50 и 200°С.
x
x
На Фиг. 2 а представлен первый вариант металлодиэлектрической структуры нихром-слюда-Al-VO, (пленочный поглотитель-слюда-термохромный слой). Слюдяная подложка 5 марки СТ-1 покрыта пленочным поглотителем из сплава нихром (Х20Н80) 6, толщиной 17-23 нм, на противоположной стороне размещен термохромный слой 7 на основе пленочной структуры Al-VO с толщинами слоев 100 нм и 60 нм соответственно.
На Фиг. 2 б представлен второй вариант металлодиэлектрической структуры нихром-слюда-сажа-ХЖК (пленочный поглотитель-слюда-термохромный слой), выполненной на слюдяной подложке 5. Слюдяная подложка 5 марки СТ-1 покрыта пленочным поглотителем из сплава нихром (Х20Н80) 6, толщиной 17-23 нм, на другой стороне подложки расположен термохромный слой 11 на основе черного красителя (сажа) и смеси ХЖК в виниловом спирте.
x
x
ИК излучение 12 непосредственно поглощается термохромным слоем, а миллиметровое излучение 13 поглощается пленочным металлическим поглотителем. Поглощение указанных излучений приводит к нагреву термохромного слоя и изменению его цветовой окраски при достижении температуры фазового перехода. Регистрация падающего излучения на поверхности экрана визуализатора, покрытого термохромным слоем, происходит визуально по изменению его окраски в месте попадания регистрируемого излучения. Изготовление пленок VO проводилось на основании работы (Пат. РФ №2623573 МПК С23С 14/24, С23С 14/08, С23С 14/58, Н01С 17/10 Способ изготовления пленочного материала на основе смеси фаз VO / А.С. Олейник; опубл. 27.06.2017. Бюл. №18).
В ХЖК, имеет место термический гистерезис длины волны селективно отраженного света. Наличие гистерезиса приводит к тому, что одна и та же длина волны селективно отраженного света появляется при нагревании при одной температуре, а при охлаждении - при другой. Величина этого отклонения зависит от природы вещества и амплитуды температурного изменения. Отклонение температуры, соответствующее одной длине волны, связано с процентным составом смеси (Адамчик, А. Жидкие кристаллы: пер. с польск. / А. Адамчик, З. Стругальский; под ред. И.Г. Чистякова М.: Сов. радио, 1979. 160 с.).
С учетом выявленной потребности разработаны и выпускаются термотропные композиции, дающие цветовые переходы в температурных пределах: 23-28, 28-33 31-34, 31-36, 35-38, 36-39, 36-41°С. Характеристики ХЖК композиций приведены в таблице 1.
Наиболее удобным способом получения жидкокристаллических пленок для термооптических целей, например для приготовления термочувствительных экранов, является аэрозольное распыление раствора в соответствующем растворителе. Распыление дает возможность получить тонкий и гладкий слой и, что всего важнее, хранение жидкокристаллической смеси в растворе исключает опасность медленного, самопроизвольного разделения компонентов смеси. Кроме того, для изготовления жидкокристаллических пленок, может использоваться метод центрифугирования, обеспечивающий получение более однородных и тонких пленок. Сначала на гладкую полированную поверхность слюдяной подложки наносится черный краситель, после застывания красителя наносится эмульсия производных холестерина в коллоидном растворе поливинилового спирта (Олейник А.С. Методы контроля инфракрасного излучения: монография / А.С. Олейник. - Саратов: Сарат. гос. техн. ун-т, 2014. - 164 с.).
x
x
На Фиг. 3 а показаны графики коэффициентов пропускания, отражения, поглощения структуры VO-Al-слюда, при облучении со стороны VO.
На Фиг. 3 б показаны графики коэффициентов пропускания, отражения, поглощения структуры поливиниловая пленка - ХЖК, при облучении со стороны слоя ХЖК в диапазоне 170-260 ГГц.
-1
-1
На Фиг. 3 в показан график поглощения структуры ХЖК- сажа- поливиниловая пленка, при облучении со стороны слоя ХЖК в диапазоне длин волн 10000-600 см. Исследование поглощения пленки на основе ХЖК в диапазоне 10000-600 см проводилось с помощью спектрометра FT-801 сопряженного с ноутбуком, в программе Zair 3.
На Фиг. 4 приведены графики зависимости коэффициентов пропускания, отражения и поглощения слоя нихром в диапазоне 170-260 ГГц.
Измерения коэффициентов пропускания, отражения и поглощения метаматериалов в диапазоне частот 170-260 ГГц проводились с помощью векторного анализатора электрических цепей ZVA-40 производства Rohde & Schwarz.
В качестве метапоглотителя использовалась пленка из сплава нихром Х20Н80 (20% Сr, 80% Ni). Пленка из сплава нихром, содержащая металлы с частично заполненным пиком плотности электронных состояний на уровне Ферми, преобразуют энергию миллиметрового излучения в теплоту. Процесс нанесения тонких слоев нихрома осуществляется методом термического испарения и конденсации в вакууме. Перегрев структуры относительно температуры термостатирования обеспечивает визуальную градацию цветового изображения, характеризующую наличие контролируемого излучения. Стирание изображения обеспечивается прекращением действия источника излучения.
x
На Фиг. 5 приведена зависимость яркостного контраста среды Al-VO, с толщинами слоев 100 нм и 60 нм соответственно, от температуры. Ширина петли гистерезиса ΔT характеризуется разностью температур, соответствующим величинам отражательной способности структуры на уровне середины петли гистерезиса при проходе по прямой и обратной ее ветвям.
с
c
m
c
s
c
m
c
s
c
с
x
Эффективное изменение отражательной способности при температуре Т в режиме памяти: ΔR(T)=R(T) - R(T), где R(T) и R(T) - величины отражательной способности структуры, лежащие соответственно на прямой и обратной ветвях температурного гистерезиса при температуре Т. В режиме термостатирования на уровнях 45°С, 54°С для обеспечения записи в режиме памяти требуется нагреть структуру Al-VO соответственно на 13°С и 4°С, при этом изменение коэффициента контраста K структуры будет составлять 0,2 (первая градация яркости изображения). При термостатировании на уровне 45°С требуется обеспечить перегрев структуры на 17°С, чтобы обеспечить две градации яркости изображения. Первая и вторая градации яркости изображения связаны с перегревом относительно комнатной температуры соответственно на 32°С и 40°С. Цветовой переход пленочной структуры до и после нагрева голубой-синий, при чем насыщенность синего цвета увеличивается по мере нагрева. Цветовой переход отчетливо визуально наблюдается как при комнатном, так и при внешнем освещении.
На Фиг. 6 приведена зависимость цветовой окраски ХЖК от температуры нагрева (Шибаев, В.П. Жидкие кристаллы: холестерики / В.П. Шибаев // Химия и жизнь - XXI век, 2008. -№7. -С. 26-30.)
x
Устройство содержит сменные опорные рамки 4, внутри которых размещены слюдяные подложки 5 марки СТ-1, покрытые термохромной структурой: черный краситель -ХЖК в оболочке из винилового спирта 11, либо слой из смеси оксидных фаз VO - алюминиевое зеркало 7, на другой стороне подложки расположен пленочный поглотитель из сплава нихром (Х20Н80) 6. Опорные рамки 4 помещаются в герметичный корпус 1 со съемной крышкой 2, в которых размещены прозрачные для видимого и регистрируемого излучений окна 3. Окно 3 расположенное перед термохромной структурой покрыто пленочной двумерной метрической сеткой 10.
x
x
x
-11
Устройство работает следующим образом: термохромный слой на основе ХЖК-сажа непосредственно поглощает электромагнитное излучение в диапазоне длин волн от ИК до миллиметровых, вызывая изменение его цветовой окраски. Термохромная структура Al-VOпоглощает излучение в диапазоне длин волн 0,4-16,67 мкм, а на миллиметрах поглощение незначительно (не более 5%). Миллиметровое излучение поглощается пленкой из сплава нихром (не менее 25-40%), передает тепло термохромной структуре, изменение цвета которой воспринимается визуально. Постоянная времени экрана зависит от его теплоемкости и размера облучаемой поверхности экрана. В случае применения ХЖК, постоянная времени определяется скоростью протекания фазового перехода и составляет ≈100 мс, а в пленке VO время протекания фазового перехода составляет 10 с (Пат. РФ №2623573 МПК С23С 14/24, С23С 14/08, С23С 14/58, H01C 17/10 Способ изготовления пленочного материала на основе смеси фаз VO / А.С. Олейник // Опубл. 27.06.2017. Бюл. №18).
Цветное изображение проекции источника излучения (цветовое пятно) на фоне двумерной сетки позволяет экспрессно визуально оценить его геометрические размеры.
На Фиг. 7 приведена схема установки для измерения средней мощности миллиметрового излучения. Установка содержит блок питания 14, который поддерживает величину импульсного напряжения на катоде магнетрона 15, задает длительность импульса излучения и изменяет скважность импульсов. Волноводный вывод излучения совмещен с ответвителем (ВЧ-тракт) 16. Измерение средней мощности на выходе магнетрона осуществлялось с помощью измерителя уровня мощности 20, состоящего из волноводного калориметрического измерителя 17 и ваттметра 18. Источниками миллиметрового излучения служили магнетроны с рабочей длиной волны 3 мм и 2 мм в магнитоэкранированном исполнении (производства ПАО «Тантал» г. Саратов)
Измерения средней мощности магнетронного источника проводились по методике ([Электронный ресурс] Принципы измерения мощности. Начальное руководство по измерению мощности на высоких и сверхвысоких частотах / «Вилком»: wwvv.vilkom.ru).
На Фиг. 8 а приведена фотография экрана визуализатора под действием излучения магнетрона с рабочей длиной волны 3 мм. Время экспозиции 1 с.
На Фиг. 8 б приведена динамика изменения цветового пятна на экране визуализатора под действием излучения магнетрона с рабочей длиной волны 2 мм. Время экспозиции 0,5-5 с.
На Фиг. 8 в приведена фотография экрана визуализатора с термохромным слоем на основе ХЖК-сажа под действием излучения магнетрона с рабочей длиной волны 3 мм. Время экспозиции 1 с.
На Фиг. 8 г приведена фотография экрана визуализатора с термохромным слоем на основе ХЖК-сажа под действием излучения магнетрона с рабочей длиной волны 2 мм. Время экспозиции 1 с.
Пример.
x
x
Экспериментальный образец был изготовлен из металлодиэлектрической структуры (металл-диэлектрик-термохромный слой) на слюдяной подложке марки СТ-1, размером 60×60×0,04 мм. Одна сторона подложки покрыта пленочной структурой Al-VO, с толщинами слоев 100 нм и 60 нм соответственно, или пленкой ХЖК-сажа. На противоположной стороне подложки расположен пленочный поглотитель на основе сплава нихром, толщиной 17-23 нм. Подложка размещена внутри сменной опорной рамки, состоящей из двух диэлектрических колец. Рамка находится внутри плоского цилиндрического корпуса с прозрачными для видимого и регистрируемого излучений окнами, выполненными из слюдяных подложек марки СТ-1. Корпус совмещен с ручкой. Миллиметровое излучение падает на поверхность поглотителя, наблюдение ведется со стороны термохромного слоя. ИК излучение падает на поверхность VO-Al, на котором наблюдается цветное изображение проекции излучения. Окно перед термохромной структурой покрыто пленочной двумерной метрической сеткой. Применение двумерного пленочного поглотителя на основе сплава нихром, который наносится на слюдяных подложках марки СТ-1, размером от 60×60 мм до 100×100 мм, обеспечивает регистрацию больших пучков излучения. Использование в металлодиэлектрической структуре металл-диэлектрик-термохромный слой в качестве термочувствительного слоя ХЖК позволило максимально увеличить энергетическую чувствительность устройства при регистрации непрерывного излучения в миллиметровом диапазоне длин волн. Цветное изображение проекции источника излучения (цветовое пятно) на фоне двумерной сетки позволяет экспрессно визуально оценить его геометрические размеры.
Использование сменных диэлектрических подложек, покрытых пленочной металлодиэлектрической структурой с разными вариантами термохромного слоя обуславливает универсальность применения предложенного устройства.
В табл. 2, 3 приведены экспериментальные данные плотности мощности излучения пленочной структуры металл-диэлектрик-термохромный слой, обеспечивающая нагрев термохромного слоя.
В табл. 2, 3 представлены результаты измерений средней мощности лазерного излучения на рабочем эталоне измерений средней мощности лазерного излучения и энергии импульсного лазерного излучения в диапазоне длин волн 0.3-12 мкм (ГОСТ 8.275-2013). Литература:
1. Адамчик, А. Жидкие кристаллы: пер. с польск. / А. Адамчик, З. Стругальский; под ред. И.Г. Чистякова М.: Сов. радио, 1979. 160 с.
2. Пат. 2447574 РФ, МПК H03D 7/00 Преобразователь терагерцового излучения / С.А. Кузнецов, [и др.]; заявл. 16.11.2010, опубл. 10.04.2012. Бюл. №10
3. Пат. №2511070 РФ МПК G01J 1/02, G02F 1/00, В82В 1/00 Устройства визуализации источников терагерцового излучения / А.К. Кавеев [и др.], патентообладатель: ООО «ТИДЕКС»; заявл. 01.10.2012, опубл. 10.04.2014, Бюл. №10. - 17 с.
4. Пат. РФ 2638381 МПК G01J 5/20 Устройство визуализации инфракрасного и терагерцового излучений / А.С. Олейник, М.А. Медведев, опубл. 13.12.2017, Бюл. №35
x
5. Пат. РФ №2623573 МПК С23С 14/24, С23С 14/08, С23С 14/58, Н01С 17/10 Способ изготовления пленочного материала на основе смеси фаз VO / А.С. Олейник // Опубл. 27.06.2017. Бюл. №18
6. [Электронный ресурс] Принципы измерения мощности. Начальное руководство по измерению мощности на высоких и сверхвысоких частотах / «Вилком»: www.vilkom.ru