ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА С МАТРИЦЕЙ СЕНСОРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, СЕНСОРНОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ

1. Интегральная схема (100), содержащая:
полупроводниковую подложку (110);
изолирующий слой (120) поверх упомянутой подложки;
первый транзистор (140а) на упомянутом изолирующем слое, содержащий открытую функционализированную область (146а) канала между областью (142а) истока и областью (144) стока, предназначенную для восприятия аналита в среде;
второй транзистор (140b) на упомянутом изолирующем слое, содержащий открытую область (146b) канала между областью (142b) истока и упомянутой областью (144) стока, предназначенную для восприятия потенциала упомянутой среды, причем упомянутая область стока является общей для упомянутого первого транзистора и упомянутого второго транзистора; и
генератор (150) напряжения смещения, проводящим образом связанный с полупроводниковой подложкой, для подачи напряжения смещения на упомянутые первый и второй транзисторы, при этом упомянутый генератор напряжения смещения является реагирующим на упомянутый второй транзистор.
2. Интегральная схема (100) по п. 1, в которой упомянутая функционализированная область (146а) канала функционализирована связывающим слоем для связывания представляющего интерес аналита (148).
3. Интегральная схема (100) по п. 1, в которой упомянутая функционализированная область (146а) канала функционализирована путем химической модификации упомянутой области канала.
4. Интегральная схема (100) по п. 1, дополнительно содержащая матрицу транзисторов, содержащую множество упомянутых первых транзисторов (146а) и по меньшей мере один из упомянутых вторых транзисторов (146b).
5. Интегральная схема (100) по п. 2, дополнительно содержащая матрицу транзисторов, содержащую множество упомянутых первых транзисторов (146а) и по меньшей мере один из упомянутых вторых транзисторов (146b).
6. Интегральная схема (100) по п. 4, в которой каждый из упомянутых первых транзисторов (146а) функционализирован отдельно.
7. Интегральная схема (100) по п. 5, в которой каждый из упомянутых первых транзисторов (146а) функционализирован отдельно.
8. Интегральная схема (100) по любому из пп. 1-7, в которой каждая область (146а, 146b) канала содержит нанопроволоку или нанотрубку.
9. Интегральная схема (100) по п. 8, в которой нанопроволока содержит или состоит из кремниевой нанопроволоки.
10. Интегральная схема (100) по п. 8, в которой нанотрубка содержит или состоит из углеродной нанотрубки.
11. Интегральная схема (100) по любому из пп. 1-7, в которой каждая область (146а, 146b) канала покрыта оксидной пленкой (540).
12. Интегральная схема (100) по п. 8, в которой каждая область (146а, 146b) канала покрыта оксидной пленкой (540).
13. Интегральная схема (100) по п. 9, в которой каждая область (146а, 146b) канала покрыта оксидной пленкой (540).
14. Интегральная схема (100) по п. 10, в которой каждая область (146а, 146b) канала покрыта оксидной пленкой (540).
15. Сенсорное устройство, содержащее отделение для образца и интегральную схему (100) по любому из пп. 1-14, при этом первый транзистор (140а) и второй транзистор (140b) открыты для воздействия в упомянутом отделении для образца.
16. Сенсорное устройство по п. 15, в котором упомянутое отделение для образца содержит проточный канал.
17. Сенсорное устройство по п. 15 или 16, дополнительно содержащее процессор обработки сигналов, отдельно связанный с соответствующими первым и вторым транзисторами (140а, 140b).
18. Способ измерения представляющего интерес аналита в среде, содержащий:
обеспечение интегральной схемы (100) по любому из пп. 1-14;
подвергание упомянутого первого транзистора (140а) и упомянутого второго транзистора (140b) воздействию среды, потенциально включающей в себя упомянутый аналит;
восприятие потенциала среды с использованием второго транзистора (140b); и
регулирование напряжения смещения, подаваемого на подложку, в ответ на упомянутый воспринятый потенциал упомянутой среды.
19. Способ по п. 18, дополнительно содержащий:
измерение тока сток-исток, протекающего через первый транзистор (140а), вслед за упомянутым этапом регулирования напряжения смещения; и
выведение присутствия упомянутого аналита из упомянутого измеренного тока сток-исток.
20. Способ по п. 19, в котором упомянутый этап измерения осуществляют в течение периода времени, когда потенциал упомянутой среды является постоянным.