Способ усиления мощности радиочастотно-модулированного терагерцового излучения 30-периодной слабосвязанной полупроводниковой сверхрешетки GaAs/AlGaAs

1. Способ усиления мощности радиочастотно-модулированного излучения 30-периодной слабосвязанной сверхрешетки (CP) GaAs/AlGaAs, отличающийся от способа усиления мощности излучения реализуемого в квантово-каскадных лазерах (ККЛ), тем что в ККЛ несколько десятков активных модулей соединяется последовательно, тогда как в указанной слабосвязанной CP несколько меза-структур (активных модулей), смещенных в режим генерации автоколебаний тока, соединяется паралелльно, а также тем, что вместо сильносвязанной сверхрешетки с узкими барьерами (≤ 4 нм) в качестве активных модулей используется слабосвязанная сверхрешетка, в которой ширина барьеров равна 10 нм.
2. Способ усиления мощности радиочастотно-модулированного излучения 30-периодной слабосвязанной сверхрешетки (CP) GaAs/AlGaAs, характеризующийся тем, что в указанной сверхрешетке получена генерация ТГц излучения, модулированного с частотой собственных автоколебаний тока и показано, что с увеличением числа меза-структур сверхрешетки, смещенных в режим автоколебаний тока, мощность излучения растет линейно, а также глубина амплитудной модуляции излучения сверхрешетки составляет 100%.