Сегнетоэлектрический элемент памяти и сумматор

1. Элемент памяти, содержащий слой сегнетоэлектрика, проводящие слои по обе стороны от него и средства записи и считывания, включающие МДП-транзистор, и содержащий или не содержащий другие диэлектрические и/или вспомогательные слои, отличающийся тем, что слой сегнетоэлектрика выполнен сплошным или из отдельных, в плане, частей, с одной стороны слоя сегнетоэлектрика выполнен сплошной проводящий слой - общий электрод в виде плавающего затвора МДП-транзистора, с другой стороны слоя сегнетоэлектрика выполнен проводящий слой в виде двух или более непересекающихся частей - электродов записи, поверх которых выполнен электрически изолированный от них и перекрывающий в плане область канала МДП-транзистора сплошной проводящий слой - электрод считывания.
2. Элемент памяти по п. 1, отличающийся тем, что слой сегнетоэлектрика выполнен из отдельных частей, а электроды записи совпадают, в плане, с отдельными частями слоя сегнетоэлектрика.
3. Элемент памяти по п. 1, отличающийся тем, что средства считывания содержат МДП-транзистор, плавающим затвором которого служит общий электрод по п. 1, а затвором считывания служит электрод считывания.
4. Элемент памяти по п. 3, отличающийся тем, что МДП-транзистор имеет встроенный канал.
5. Применение элемента памяти по п. 1 в качестве сумматора.