Конструкции и технология СБИС: настоящее и будущее

УДК 621.3.049.77.001.66

А.В. Фомичев

КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИЯ СБИС: НАСТОЯЩЕЕ И БУДУЩЕЕ

В докладе по данным ведущих фирм проводится анализ современного состояния в конструировании и технологии изготовления и перспектив развития техники СБИС в течение периода времени вплоть до 2010 года.

В мировой практике наиболее перспективными в сфере проектирования и производства СБИС являются следующие направления: уменьшение

геометрических размеров элементов на кристалле; использование многослойных контактных дорожек межсоединений, располагаемых в нескольких уровнях; увеличение диаметра кремниевых пластин при реализации СБИС и суперкристаллов; переход к полной автоматизации технологического процесса производства изделий микроэлектроники на основе унифицированного модульного оборудования с индивидуальной обработкой отдельных пластин.

На примере развития микросистем динамической памяти показано, что минимальный размер линий на фотошаблоне уменьшается с 0,35 мкм в 1995 г. до 0,07 мкм в 2010 г., максимальный размер дефектов - с 0,12 мкм в 1995 г. до 0,06 мкм в 2001 г., число монтажных уровней (межсоединений) увеличивается с 4 - 5 в 1995 г. до 7 - 8 в 2010 г., причем диаметр пластин растет в среднем на 100 мм каждые 3 года и составлял в 1995 г. 200 мм, а к 2010 г. достигнет 400 мм. C целью повышения качества контактов используются многослойные межсоединения (интерконтакты). Обычным станет использование высоко энергетической имплантации с энергией 0,4 - 2,0 МэВ; отрабатываются возможности применения в качестве межслойных диэлектриков все большего числа материалов; большие перспективы ожидают изоляцию с помощью мелких щелей (канавок); возможен переход на медь и ее сплавы для создания межсоединений.