ПОКРЫТОЕ ИЗДЕЛИЕ С НИЗКОИЗЛУЧАТЕЛЬНЫМ ПОКРЫТИЕМ, СТЕКЛОПАКЕТ, СОДЕРЖАЩИЙ ПОКРЫТОЕ ИЗДЕЛИЕ, И/ИЛИ СПОСОБ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Способ изготовления покрытого изделия с поддерживаемым стеклянной подложкой покрытием, включающий в себя:
размещение по меньшей мере одного первого диэлектрического слоя на подложке;
размещение первого слоя, содержащего Ag, на упомянутом по меньшей мере одном первом диэлектрическом слое;
размещение слоя, содержащего Ni и/или Cr, поверх и в контакте с первым слоем, содержащим Ag;
размещение по меньшей мере одного второго диэлектрического слоя на слое, содержащем Ni и/или Cr;
размещение второго слоя, содержащего Ag, на упомянутом по меньшей мере одном втором диэлектрическом слое;
размещение первого слоя, содержащего Ni и Ti, поверх и в контакте со вторым слоем, содержащим Ag;
размещение по меньшей мере одного третьего диэлектрического слоя на первом слое, содержащем Ni и Ti;
размещение третьего слоя, содержащего Ag, на упомянутом по меньшей мере одном третьем диэлектрическом слое;
размещение второго слоя, содержащего Ni и Ti, поверх и в контакте с третьим слоем, содержащим Ag; и
размещение по меньшей мере одного четвертого диэлектрического слоя на втором слое, содержащем Ni и Ti.
2. Способ по п. 1, причем третий слой, содержащий Ag, толще, чем второй слой, содержащий Ag.
3. Способ по п. 1, причем упомянутый по меньшей мере один второй диэлектрический слой включает слой, содержащий оксид Ti.
4. Способ по п. 1, причем упомянутые по меньшей мере один первый, второй и третий диэлектрические слои включают, каждый, слой, содержащий цинк, под и в прямом контакте с первым, вторым и третьим слоями, содержащими Ag, соответственно.
5. Способ по п. 1, дополнительно включающий размещение первого кремнийсодержащего слоя в качестве самого внешнего слоя покрытия.
6. Способ по п. 5, дополнительно включающий второй кремнийсодержащий слой в качестве самого нижнего слоя в упомянутом по меньшей мере одном первом диэлектрическом слое.
7. Способ по п. 6, причем первый и второй кремнийсодержащие слои содержат нитрид кремния.
8. Способ по п. 1, причем покрытие имеет поверхностное сопротивление, меньшее или равное примерно 1,2.
9. Способ по п. 1, причем покрытое изделие имеет пропускание видимого света по меньшей мере примерно 65%.
10. Способ по любому предыдущему пункту, причем слой, содержащий Ni и/или Cr, включает как Ni, так и Ti, или их оксид.
11. Способ изготовления пригодного к термообработке покрытого изделия с поддерживаемым стеклянной подложкой покрытием, включающий в себя:
размещение по меньшей мере одного первого диэлектрического слоя на подложке;
размещение первого слоя, содержащего Ag, на упомянутом по меньшей мере одном первом диэлектрическом слое;
размещение слоя, содержащего Ni и/или Cr, поверх и в контакте с первым слоем, содержащим Ag;
размещение по меньшей мере одного второго диэлектрического слоя на слое, содержащем Ni и/или Cr;
размещение второго слоя, содержащего Ag, на упомянутом по меньшей мере одном втором диэлектрическом слое;
размещение первого слоя, содержащего Ni и/или Ti, поверх и в контакте со вторым слоем, содержащим Ag;
размещение по меньшей мере одного третьего диэлектрического слоя на первом слое, содержащем Ni и/или Ti;
размещение третьего слоя, содержащего Ag, на упомянутом по меньшей мере одном третьем диэлектрическом слое;
размещение второго слоя, содержащего Ni и/или Ti, поверх и в контакте с третьем слоем, содержащим Ag; и
размещение по меньшей мере одного четвертого диэлектрического слоя на втором слое, содержащем Ni и/или Ti,
причем третий слой, содержащий Ag, толще, чем второй слой, содержащий Ag.
12. Способ по п. 11, причем упомянутые по меньшей мере один первый, второй и третий диэлектрические слои включают, каждый, слой, содержащий цинк, под и в прямом контакте с первым, вторым и третьим слоями, содержащими Ag, соответственно.
13. Способ по п. 11, дополнительно включающий размещение первого кремнийсодержащего слоя в качестве самого внешнего слоя покрытия.
14. Способ по п. 13, дополнительно включающий размещение второго кремнийсодержащего слоя в качестве самого нижнего слоя в упомянутом по меньшей мере одном первом диэлектрическом слое, и при этом первый и второй кремнийсодержащие слои содержат нитрид кремния.
15. Способ по п. 11, причем после термообработки покрытие имеет поверхностное сопротивление, меньшее или равное примерно 1,0, и при этом покрытое изделие имеет пропускание видимого света по меньшей мере примерно 65%.
16. Способ по п. 11, дополнительно включающий термообработку покрытого изделия с расположенным на нем покрытием.
17. Способ изготовления стеклопакета (IG), включающий в себя:
обеспечение покрытого изделия, изготовленного в соответствии с любым предыдущим пунктом;
размещение второй подложки в, по существу, параллельном разнесенном положении от покрытого изделия так, чтобы между ними образовался зазор; и
обеспечение заделки кромок между покрытым изделием и второй подложкой,
причем покрытие покрытого изделия предусмотрено на поверхности 2 или поверхности 3 стеклопакета.
18. Способ по п. 17, причем стеклопакет имеет параметр LSG, больший или равный 2,15, более предпочтительно больший или равный 2,25.
19. Способ по п. 17, причем вторая подложка и подложка покрытого изделия составляют, каждая, примерно 6 мм в толщину, и при этом зазор между покрытым изделием и второй подложкой составляет примерно 12 мм.
20. Покрытое изделие, содержащее:
подложку;
по меньшей мере один первый диэлектрический слой на подложке;
первый слой, содержащий Ag, на упомянутом по меньшей мере одном первом диэлектрическом слое;
слой, содержащий Ni и/или Cr, поверх и в контакте с первым слоем, содержащим Ag;
по меньшей мере один второй диэлектрический слой на слое, содержащем Ni и/или Cr;
второй слой, содержащий Ag, на упомянутом по меньшей мере одном втором диэлектрическом слое;
первый слой, содержащий Ni и Ti, поверх и в контакте со вторым слоем, содержащим Ag;
по меньшей мере один третий диэлектрический слой на первом слое, содержащем Ni и Ti;
третий слой, содержащий Ag, на упомянутом по меньшей мере одном третьем диэлектрическом слое;
второй слой, содержащий Ni и Ti, поверх и в контакте с третьим слоем, содержащим Ag; и
по меньшей мере один четвертый диэлектрический слой на втором слое, содержащем Ni и Ti.
21. Покрытое изделие по пункту 20, причем покрытое изделие имеет поверхностное сопротивление, меньшее или равное примерно 1,2.
22. Покрытое изделие по пункту 20, причем покрытое изделие имеет пропускание видимого света по меньшей мере примерно 65%.
23. Покрытое изделие по пункту 20, причем третий слой, содержащий Ag, толще, чем второй слой, содержащий Ag.
24. Покрытое изделие по любому из пп. 20-23, причем упомянутый по меньшей мере один второй диэлектрический слой включает слой, содержащий оксид Ti.
25. Покрытое изделие, содержащее:
подложку;
по меньшей мере один первый диэлектрический слой на подложке;
первый слой, содержащий Ag, на упомянутом по меньшей мере одном первом диэлектрическом слое;
слой, содержащий Ni и/или Cr, поверх и в контакте с первым слоем, содержащим Ag;
по меньшей мере один второй диэлектрический слой на слое, содержащем Ni и/или Cr;
второй слой, содержащий Ag, на упомянутом по меньшей мере одном втором диэлектрическом слое;
первый слой, содержащий Ni и/или Ti, поверх и в контакте со вторым слоем, содержащим Ag;
по меньшей мере один третий диэлектрический слой на первом слое, содержащем Ni и/или Ti;
третий слой, содержащий Ag, на упомянутом по меньшей мере одном третьем диэлектрическом слое;
второй слой, содержащий Ni и/или Ti, поверх и в контакте с третьим слоем, содержащим Ag; и
по меньшей мере один четвертый диэлектрический слой на втором слое, содержащем Ni и/или Ti,
причем третий слой, содержащий Ag, толще, чем второй слой, содержащий Ag.