КОМПЬЮТЕРИЗОВАННОЕ СРЕДСТВО ИМИТАЦИОННОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ДЛЯ ПРЕДОСТАВЛЕНИЯ ПОМОЩИ В ПЛАНИРОВАНИИ ТЕРМОТЕРАПИИ

1. Компьютеризованный способ имитационного моделирования для предоставления помощи в планировании термотерапии,
при этом термотерапия включает в себя гипертермическую обработку объема опухоли в объеме тела человеческого организма,
при этом гипертермическая обработка включает в себя приложение магнитного поля в обрабатываемом объеме посредством аппликатора магнитного поля,
при этом тепловая энергия может быть введена в по меньшей мере один объем размещения посредством поглощения энергии в приложенном магнитном поле посредством магнитных, парамагнитных и/или суперпарамагнитных наночастиц, помещенных в тело,
и при этом способ включает в себя следующие этапы, на которых:
- на первом этапе вычислений (“выбор T”), вычисляют значение напряженности поля, которое должно быть установлено на аппликаторе, на основе геометрического распределения наночастиц и по меньшей мере одного предписанного предельного значения температуры, которое не должно превышаться при гипертермической обработке, при этом значение напряженности поля вычисляется на первом этапе вычислений (“выбор T”) на основе предписанной характеристической кривой, которая показывает взаимосвязь между (контрольным) коэффициентом поглощения энергии и напряженностью поля;
- на необязательном втором этапе вычислений (“H-регулятор”, “быстрый H-регулятор”) вычисляют распределение температур, которое должно ожидаться по меньшей мере для части объема тела для
каждого значения напряженности поля для множества предписанных значений напряженности поля и/или
заданного пользователем значения напряженности поля; и
- предоставляют вычисленное значение напряженности поля и, в необязательном порядке, по меньшей мере одно вычисленное распределение температур с целью поддержки планирования термотерапии пользователем.
2. Способ по п.1, в котором предельное значение температуры или одно из множества предельных значений температуры относится к максимальной температуре только в пределах обрабатываемого объема, который должен нагреваться.
3. Способ по п.2, в котором предельное значение температуры относится к предписанному максимуму температуры в диапазоне от 60°C до 100°C, предпочтительно, от 70°C до 90°C, в частности 80°C, в обрабатываемом объеме.
4. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором предельное значение температуры или одно из множества предельных значений температуры относится к максимальной температуре вне обрабатываемого объема, который должен нагреваться.
5. Способ по п.4, в котором предельное значение температуры относится к предписанному максимуму температуры в диапазоне от 40°C до 45°C, в частности 43°C, вне обрабатываемого объема.
6. Способ по любому одному из пп.1-3, в котором результат вычисления с первого этапа вычислений (“выбор T”) берется в качестве основы для автоматического выполнения третьего этапа вычислений (“выбор H”), когда значение напряженности поля, вычисленное на первом этапе вычислений (“выбор T”), превышает предписанное максимальное значение напряженности поля, в частности, максимально устанавливаемое значение напряженности поля на аппликаторе, при этом распределение температур, которое должно ожидаться, вычисляется на третьем этапе вычислений (“выбор H”) для предписанного максимального значения напряженности поля.
7. Способ по любому одному из пп.1-3, в котором предельное значение температуры не используется в вычислениях на втором этапе вычислений (“H-регулятор”, “быстрый H-регулятор”) и/или на третьем этапе вычислений (“выбор H”).
8. Способ по любому одному из пп.1-3, в котором вычисления на втором этапе вычислений (“H-регулятор”) выполняются для множества предписанных значений напряженности поля, которые могут быть установлены на аппликаторе, предпочтительно, от 3 кА/м до 20 кА/м, особенно предпочтительно, от 5 кА/м до 10 кА/м.
9. Способ по любому одному из пп.1-3, в котором второй этап вычислений (“H-регулятор”, “быстрый H-регулятор”) инициируется после первого (“выбор T”) и, возможно, третьего (“выбор H”) этапа вычислений посредством пользовательского ввода.
10. Способ по любому одному из пп.1-3, в котором вычисление значения напряженности поля, которое должно быть установлено, на первом этапе вычислений (“выбор T”) не включает в себя итерацию, в которой распределения температур вычисляются по выбранным значениям напряженности поля, с тем чтобы итеративно придти к искомому значению напряженности поля.
11. Способ по п.1, в котором первый этап вычислений ("выбор T") содержит следующие этапы, на которых:
- вычисляют среднюю плотность поглощения энергии ("SAR_aver") в магнитном поле аппликатора в объеме размещения, при этом относительная плотность поглощения энергии (“ΔSAR(x, y, z)”) вычисляется на основе измеренного геометрического распределения наночастиц, и уравнение переноса биотепла, описывающее модель, численно решается ровно один раз с целью получения базисного распределения температур (“T0(x, y, z)”) без поглощения энергии, и уравнение переноса биотепла численно решается ровно один раз с целью получения распределения относительных приращений температуры (“ΔT(x, y, z)”) на основе относительной плотности поглощения энергии; и при этом относительная плотность поглощения энергии ("ΔSAR(x, y, z)") масштабируется с помощью основанного на температуре показателя масштабирования (“K”), который получают на основе по меньшей мере одного предписанного предельного значения температуры, базисного распределения температур и распределения относительных приращений температуры;
- вычисляют, на основе вычисленной средней плотности поглощения энергии и вычисленной массы наночастиц, контрольный коэффициент поглощения энергии (“SAR_Fe”), который показывает удельный коэффициент поглощения энергии, например, неразбавленной магнитной жидкости, содержащей наночастицы;
- вычисляют значение напряженности поля (“H”) на основе вычисленного контрольного коэффициента поглощения энергии (“SAR_Fe”) и предписанной характеристической кривой, которая относится к взаимосвязи между контрольным коэффициентом поглощения энергии и напряженностью приложенного поля (“H”); и
- в необязательном порядке, вычисляют соответствующее распределение температур (“T(x, y, z)”) на основе базисного распределения температур (“T0(x, y, z)”), распределения относительных приращений температуры (“ΔT(x, y, z)”) и основанного на температуре показателя масштабирования (“K”).
12. Способ по п.11, в котором базисное распределение температур (“T0(x, y, z)”) и/или распределение относительных приращений температуры (“ΔT(x, y, z)”) предоставляются для по меньшей мере одного последующего применения (“быстрый H-регулятор”), помимо первого этапа вычислений.
13. Способ по любому одному из пп.1, 2, 3, 11, 12, в котором:
на втором этапе вычислений (“быстрый H-регулятор”), независимо от количества предписанных и/или заданных пользователем значений напряженности поля, используется предоставленное (ранее вычисленное на первом этапе вычислений) базисное распределение температур (“T0(x, y, z)”) и/или предоставленное (ранее вычисленное на первом этапе вычислений) распределение относительных приращений температуры ("ΔT(x, y, z)"), или
на втором этапе вычислений (“H-регулятор”), независимо от количества предписанных и/или заданных пользователем значений напряженности поля, вычисляется не более двух распределений температур, а именно, базисное распределение температур (“T0(x, y, z)”) и/или распределение относительных приращений температуры ("ΔT(x, y, z)"), или
на втором этапе вычислений (“H-регулятор”, “быстрый H-регулятор”) распределение температур, которое должно ожидаться, вычисляется посредством основанного на поглощении энергии масштабирования (“K”) вычисленного или предоставленного распределения относительных приращений температуры ("ΔT(x, y, z)").
14. Способ п.13, в котором второй этап вычислений (“H-регулятор”, “быстрый H-регулятор”) содержит следующие этапы, на которых:
- вычисляют распределение относительной плотности поглощения энергии (“ΔSAR(x, y, z)”) и относительной средней плотности поглощения энергии (“ΔSAR_aver”) на основе измеренного геометрического распределения наночастиц;
- предоставляют базисное распределение температур (“T0(x, y, z)”) на основе численного решения уравнения переноса биотепла, описывающего модель без поглощения энергии, и предоставляют распределение относительных приращений температуры ("ΔT(x, y, z)") на основе численного решения уравнения переноса биотепла с вычисленным распределением относительной плотности поглощения энергии ("ΔSAR(x, y, z)");
- выполняют следующие этапы для каждого значения напряженности поля из множества предписанных значений напряженности поля и/или для заданного пользователем значения напряженности поля:
вычисляют контрольный коэффициент поглощения энергии (“SAR_Fe”), который показывает удельный коэффициент поглощения энергии, например, неразбавленной магнитной жидкости, содержащей наночастицы, при этом вычисление основано на соответствующем значении напряженности поля (“H”) и предписанной характеристической кривой, которая относится к взаимосвязи между контрольным коэффициентом поглощения энергии (“SAR_Fe”) и напряженностью приложенного поля (“H”);
вычисляют, на основе контрольного коэффициента поглощения энергии (“SAR_Fe”) и вычисленной массы наночастиц в объеме размещения, среднюю плотность поглощения энергии (“SAR_aver”);
вычисляют основанный на поглощении энергии показатель масштабирования (“K”) на основе соответствующей средней плотности поглощения энергии (“SAR_aver”) и относительной средней плотности поглощения энергии ("ΔSAR_aver");
вычисляют соответствующее распределение температур (“T(x, y, z)”) на основе базисного распределения температур (“T0(x, y, z)”), распределения относительных приращений температуры (“ΔT(x, y, z)”) и основанного на поглощении энергии показателя масштабирования (“K”).
15. Компьютеризованный способ имитационного моделирования ("выбор T") для предоставления помощи в планировании термотерапии,
при этом термотерапия включает в себя гипертермическую обработку объема опухоли в объеме тела человеческого организма,
при этом гипертермическая обработка включает в себя приложение магнитного поля в обрабатываемом объеме посредством аппликатора магнитного поля,
при этом тепловая энергия может быть введена в по меньшей мере один объем размещения посредством поглощения энергии в приложенном магнитном поле посредством магнитных, парамагнитных и/или суперпарамагнитных наночастиц, помещенных в тело,
при этом согласно способу вычисляют напряженность поля, которая должна быть установлена на аппликаторе, на основе геометрического распределения наночастиц и по меньшей мере одного предписанного предельного значения температуры, которое не должно превышаться при гипертермической обработке ("выбор T");
при этом значение напряженности поля вычисляют на основе предписанной характеристической кривой, которая показывает взаимосвязь между (контрольным) коэффициентом поглощения энергии и напряженностью поля.
16. Способ по п.15, при этом способ содержит следующие этапы (“выбор T”), на которых:
- вычисляют среднюю плотность поглощения энергии (“SAR_aver”) в магнитном поле аппликатора в объеме размещения, при этом относительная плотность поглощения энергии (“ΔSAR(x, y, z)”) вычисляется на основе измеренного геометрического распределения наночастиц, и уравнение переноса биотепла, описывающее модель, численно решается ровно один раз с целью получения базисного распределения температур (“T0(x, y, z)”) без поглощения энергии, и уравнение переноса биотепла численно решается ровно один раз с целью получения распределения относительных приращений температуры (“ΔT(x, y, z)”) на основе относительной плотности поглощения энергии; и при этом относительная плотность поглощения энергии ("ΔSAR(x, y, z)") масштабируется с помощью основанного на температуре показателя масштабирования (“K”), который получают на основе по меньшей мере одного предписанного предельного значения температуры, базисного распределения температур и распределения относительных приращений температуры;
- вычисляют, на основе вычисленной средней плотности поглощения энергии и вычисленной массы наночастиц, контрольный коэффициент поглощения энергии (“SAR_Fe”), который показывает удельный коэффициент поглощения энергии, например, неразбавленной магнитной жидкости, содержащей наночастицы;
- вычисляют значение напряженности поля (“H”) на основе вычисленного контрольного коэффициента поглощения энергии ("SAR_Fe") и предписанной характеристической кривой, которая относится к взаимосвязи между контрольным коэффициентом поглощения энергии (“SAR_Fe”) и напряженностью приложенного поля ("H");
- в необязательном порядке, вычисляют соответствующее распределение температур (“T(x, y, z)”) на основе базисного распределения температур (“T0(x, y, z)”), распределения относительных приращений температуры (“ΔT(x, y, z)”) и основанного на температуре показателя масштабирования (“K”);
- предоставляют вычисленное значение напряженности поля (“H”) с целью предоставления помощи пользователю в планировании термотерапии; и
- в необязательном порядке, предоставляют вычисленное распределение температур (“T(x, y, z)”) с целью предоставления помощи пользователю в планировании термотерапии.
17. Компьютеризованный способ имитационного моделирования ("H-регулятор", "быстрый H-регулятор") для предоставления помощи в планировании термотерапии,
при этом термотерапия включает в себя гипертермическую обработку объема опухоли в объеме тела человеческого организма,
при этом гипертермическая обработка включает в себя приложение магнитного поля в обрабатываемом объеме посредством аппликатора магнитного поля,
при этом тепловая энергия может быть введена в по меньшей мере один объем размещения посредством поглощения энергии в приложенном магнитном поле посредством магнитных, парамагнитных и/или суперпарамагнитных наночастиц, помещенных в тело,
при этом согласно способу вычисляют, для каждого значения напряженности поля из множества предписанных значений напряженности поля и/или для заданного пользователем значения напряженности поля, распределение температур, которое должно ожидаться по меньшей мере для части объема тела;
при этом распределение температур, которое должно ожидаться, вычисляют посредством основанного на поглощении энергии масштабирования (“K”) вычисленного или предоставленного распределения относительных приращений температуры ("ΔT(x, y, z)").
18. Способ по п.17,
в котором, независимо от количества предписанных и/или заданных пользователем значений напряженности поля, используется предоставленное (ранее вычисленное на этапе выбора T) базисное распределение температур (“T0(x, y, z)”) и/или предоставленное (ранее вычисленное на этапе выбора T) распределение относительных приращений температуры (“ΔT(x, y, z)”) (“быстрый H-регулятор”), или
в котором, независимо от количества предписанных и/или заданных пользователем значений напряженности поля, вычисляется не более двух распределений температур (“H-регулятор”), а именно, базисное распределение температур (“T0(x, y, z)”) и/или распределение относительных приращений температуры ("ΔT(x, y, z)").
19. Способ п.17 или 18, при этом способ содержит следующие этапы (“H-регулятор”, “быстрый H-регулятор”), на которых:
- вычисляют распределение относительной плотности поглощения энергии (“ΔSAR(x, y, z)”) и относительной средней плотности поглощения энергии (“ΔSAR_aver”) на основе измеренного геометрического распределения наночастиц;
- предоставляют базисное распределение температур (“T0(x, y, z)”) на основе численного решения уравнения переноса биотепла, описывающего модель без поглощения энергии, и предоставляют распределение относительных приращений температуры ("ΔT(x, y, z)") на основе численного решения уравнения переноса биотепла с вычисленной относительной плотностью поглощения энергии ("ΔSAR(x, y, z)");
- выполняют следующие этапы для каждого значения напряженности поля из множества предписанных значений напряженности поля и/или для заданного пользователем значения напряженности поля, на которых:
вычисляют контрольный коэффициент поглощения энергии (“SAR_Fe”), который показывает удельный коэффициент поглощения энергии, например, неразбавленной магнитной жидкости, содержащей наночастицы, при этом вычисление основано на соответствующем значении напряженности поля (“H”) и предписанной характеристической кривой, которая относится к взаимосвязи между контрольным коэффициентом поглощения энергии (“SAR_Fe”) и напряженностью приложенного поля (“H”);
вычисляют, на основе контрольного коэффициента поглощения энергии (“SAR_Fe”) и вычисленной массы наночастиц в объеме размещения, среднюю плотность поглощения энергии ("SAR_aver");
вычисляют основанный на поглощении энергии показатель масштабирования (“K”) на основе соответствующей средней плотности поглощения энергии (“SAR_aver”) и относительной плотности поглощения энергии ("ΔSAR_aver");
вычисляют соответствующее распределение температур (“T(x, y, z)”) на основе базисного распределения температур (“T0(x, y, z)”), распределения относительных приращений температуры (“ΔT(x, y, z)”) и основанного на поглощении энергии показателя масштабирования (“K”);
- предоставляют вычисленные распределения температур с целью предоставления помощи пользователю в планировании термотерапии.
20. Носитель данных, на котором записана компьютерная программа для выполнения способа по любому из предшествующих пунктов, когда компьютерная программа исполняется на программируемом вычислительном устройстве.
21. Компьютерное устройство, спроектированное для предоставления помощи в планировании термотерапии,
при этом термотерапия включает в себя гипертермическую обработку объема опухоли в объеме тела человеческого организма,
при этом гипертермическая обработка включает в себя приложение магнитного поля в обрабатываемом объеме посредством аппликатора магнитного поля,
при этом тепловая энергия может быть введена в по меньшей мере один объем размещения посредством поглощения энергии в приложенном магнитном поле посредством магнитных, парамагнитных и/или суперпарамагнитных наночастиц, помещенных в тело,
и при этом компьютерное устройство содержит следующие компоненты:
- первый вычислительный компонент (“sim_t.exe”, “mainsubroutine_sim_t_voxel_win”), спроектированный для вычисления (“выбор T”) значения напряженности поля, которое должно быть установлено на аппликаторе, на основе геометрического распределения наночастиц и по меньшей мере одного предписанного предельного значения температуры, которое не должно превышаться при гипертермической обработке;
- второй вычислительный компонент (“sim_hr.exe”, “mainsubroutine_sim_hr_voxel_win”), спроектированный для необязательного вычисления (“H-регулятор, быстрый H-регулятор”) распределения температур, которое должно ожидаться по меньшей мере для части объема тела для
каждого значения напряженности поля для множества предписанных значений напряженности поля и/или
заданного пользователем значения напряженности поля; и
- компонент для выдачи вычисленного значения напряженности поля и, в необязательном порядке, по меньшей мере одного вычисленного распределения температур с целью предоставления помощи пользователю в планировании термотерапии.
22. Компьютерное устройство, спроектированное для предоставления помощи в планировании термотерапии (“выбор T”),
при этом термотерапия включает в себя гипертермическую обработку объема опухоли в объеме тела человеческого организма,
при этом гипертермическая обработка включает в себя приложение магнитного поля в обрабатываемом объеме посредством аппликатора магнитного поля,
при этом тепловая энергия может быть введена в по меньшей мере один объем размещения посредством поглощения энергии в приложенном магнитном поле посредством магнитных, парамагнитных и/или суперпарамагнитных наночастиц, помещенных в тело,
при этом компьютерное устройство имеет компонент (“sim_t.exe”, “mainsubroutine_sim_t_voxel_win”), который спроектирован для вычисления напряженности поля, которая должна быть установлена на аппликаторе, на основе геометрического распределения наночастиц и по меньшей мере одного предписанного предельного значения температуры, которое не должно превышаться при гипертермической обработке;
и при этом данный компонент (“sim_t.exe”, “mainsubroutine_sim_t_voxel_win”) имеет модуль для вычисления значения напряженности поля на основе предписанной характеристической кривой, причем характеристическая кривая показывает взаимосвязь между коэффициентом поглощения энергии и напряженностью поля.
23. Компьютерное устройство по п.22, при этом компьютерное устройство имеет следующие модули (“выбор T”):
- модуль для вычисления средней плотности поглощения энергии в магнитном поле аппликатора в объеме размещения, при этом относительная плотность поглощения энергии вычисляется на основе измеренного геометрического распределения наночастиц, и уравнение переноса биотепла, описывающее модель, численно решается ровно один раз с целью получения базисного распределения температур без поглощения энергии, и уравнение переноса биотепла численно решается ровно один раз с целью получения распределения относительных приращений температуры на основе относительной плотности поглощения энергии; и при этом относительная плотность поглощения энергии масштабируется посредством показателя масштабирования, который получают на основе по меньшей мере одного предписанного предельного значения температуры, базисного распределения температур и распределения относительных приращений температуры ("основанный на температуре показатель масштабирования");
- модуль для вычисления, на основе вычисленной средней плотности поглощения энергии и вычисленной массы наночастиц, контрольного коэффициента поглощения энергии, который показывает удельный коэффициент поглощения энергии, например, неразбавленной магнитной жидкости, содержащей наночастицы;
- модуль для вычисления значения напряженности поля на основе вычисленного контрольного коэффициента поглощения энергии и предписанной характеристической кривой, которая относится к взаимосвязи между контрольным коэффициентом поглощения энергии и напряженностью приложенного поля;
- модуль для предоставления вычисленного значения напряженности поля с целью предоставления помощи пользователю в планировании термотерапии,
- необязательный модуль для вычисления соответствующего распределения температур на основе базисного распределения температур, распределения относительных приращений температуры и основанного на температуре показателя масштабирования; и
- необязательный модуль для предоставления вычисленного распределения температур с целью предоставления помощи пользователю в планировании термотерапии.
24. Компьютерное устройство, спроектированное для предоставления помощи в планировании термотерапии (“H-регулятор”, “быстрый H-регулятор”),
при этом термотерапия включает в себя гипертермическую обработку объема опухоли в объеме тела человеческого организма,
при этом гипертермическая обработка включает в себя приложение магнитного поля в обрабатываемом объеме посредством аппликатора магнитного поля,
при этом тепловая энергия может быть введена в по меньшей мере один объем размещения посредством поглощения энергии в приложенном магнитном поле посредством магнитных, парамагнитных и/или суперпарамагнитных наночастиц, помещенных в тело,
при этом вычислительное устройство имеет компонент ("sim_hr.exe", "mainsubroutine_sim_hr_voxel_win"), который спроектирован для вычисления, для каждого значения напряженности поля из множества предписанных значений напряженности поля и/или для заданного пользователем значения напряженности поля, распределения температур, которое должно ожидаться для, по меньшей мере, части объема тела;
и при этом данный компонент (“sim_hr.exe”, “mainsubroutine_sim_hr_voxel_win”) имеет модуль для вычисления распределения температур, которое должно ожидаться, посредством основанного на поглощении энергии масштабирования (“K”) вычисленного или предоставленного распределения приращений температуры ("ΔT(x, y, z)").
25. Компьютерное устройство по п.24, в котором
компонент (“mainsubroutine_sim_hr_voxel_win”) спроектирован для вычисления распределения температур, которое должно ожидаться, с целью использования, независимо от количества предписанных и/или заданных пользователем значений напряженности поля, предоставленного (ранее вычисленного в mainsub-routine_sim_t_voxel_win) базисного распределения температур (“T0(x, y, z)”) и/или предоставленного (ранее вычисленного в mainsubroutine_sim_t_voxel_win) распределения относительных приращений температуры (“ΔT(x, y, z)”) (“быстрый H-регулятор”), или
компонент (“sim_hr.exe”) для вычисления распределения температур, которое должно ожидаться, спроектирован для вычисления, независимо от количества предписанных и/или заданных пользователем значений напряженности поля, не более двух распределений температур (“H-регулятор”), а именно, базисного распределения температур (“T0(x, y, z)”) и/или распределения относительных приращений температуры ("ΔT(x, y, z)").
26. Компьютерное устройство по п.24 или 25, при этом компьютерное устройство имеет следующие модули (“H-регулятор”, “быстрый H-регулятор”):
- модуль для вычисления распределения относительной плотности поглощения энергии и относительной средней плотности поглощения энергии на основе измеренного геометрического распределения наночастиц;
- модуль для предоставления базисного распределения температур на основе численного решения уравнения переноса биотепла, описывающего модель без поглощения энергии, и предоставления распределения относительных приращений температуры на основе численного решения уравнения переноса биотепла с вычисленным распределением относительной плотности поглощения энергии;
- модуль для выполнения следующих этапов для каждого значения напряженности поля из множества предписанных значений напряженности поля и/или для заданного пользователем значения напряженности поля:
вычисление контрольного коэффициента поглощения энергии, который показывает удельный коэффициент поглощения энергии, например, неразбавленной магнитной жидкости, содержащей наночастицы, при этом вычисление основано на соответствующем значении напряженности поля и предписанной характеристической кривой, которая относится к взаимосвязи между контрольным коэффициентом поглощения энергии и напряженностью приложенного поля;
вычисление, на основе контрольного коэффициента поглощения энергии и вычисленной массы наночастиц в объеме размещения, средней плотности поглощения энергии;
вычисление основанного на поглощении энергии показателя масштабирования на основе соответствующей средней плотности поглощения энергии и относительной плотности поглощения энергии;
вычисление соответствующего распределения температур на основе базисного распределения температур, распределения относительных приращений температуры и основанного на поглощении энергии показателя масштабирования;
- модуль для предоставления вычисленных распределений температур с целью предоставления помощи пользователю в планировании термотерапии.
27. Система, содержащая компьютерное устройство по любому из пп.21-26 и аппликатор магнитного поля.
28. Система, содержащая носитель данных по п.20, компьютерное устройство по одному из пп.21-26 или систему по п.27, и также содержащая магнитную жидкость, содержащую магнитные наночастицы.
29. Способ управляемого нагрева органа или ткани, включающий в себя этапы, на которых:
A) вводят магнитные, парамагнитные и/или суперпарамагнитные частицы в объем органа или объем ткани,
B) устанавливают количество и/или распределение частиц в объеме органа или объеме ткани,
C) вычисляют напряженность поля, которая должна быть установлена, на основе способа по п.1 или 15, или распределение температур на основе способа по п.17,
D) вводят тепловую энергию посредством приложения магнитного поля, при этом устанавливается напряженность приложенного поля, которая соответствует вычисленной напряженности поля или напряженности поля, полученной по вычисленному распределению температур, в каждом случае, с отклонением +/- 10%, предпочтительно, +/- 5%, в частности +/- 1%.
30. Способ лечения опухоли у пациента, включающий в себя этапы, на которых:
A) вводят магнитные, парамагнитные и/или суперпарамагнитные частицы в объем опухоли,
B) устанавливают количество и/или распределение частиц в объеме опухоли,
C) вычисляют напряженность поля, которая должна быть установлена, на основе способа по п.1 или 15, или распределение температур на основе способа по п.17,
D) вводят тепловую энергию посредством приложения магнитного поля, при этом устанавливается напряженность приложенного поля, которая соответствует вычисленной напряженности поля или напряженности поля, полученной по вычисленному распределению температур, в каждом случае, с отклонением +/- 10%, предпочтительно, +/- 5%, в частности +/- 1%.