ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ НА БАЗЕ ТОНКОСЛОЙНОЙ НАНОСТРУКТУРЫ

1. Ячейка памяти на базе тонкослойной наноструктуры, содержащая подложку первого типа проводимости, отличающаяся тем, что подложка выполнена наноразмерной высотой не менее 20 нм и является общим анодом нагрузочных диодов, на подложке расположены первая область второго типа проводимости, которая является коллектором первого переключающего транзистора и катодом первого нагрузочного диода, выполненная наноразмерной с высотой не менее 15 нм, к которой подключен контакт, соответствующий прямому выходу ячейки памяти, вторая область второго типа проводимости, которая является коллектором второго переключающего транзистора и катодом второго нагрузочного диода, выполненная наноразмерной с высотой не менее 15 нм, к которой подключен контакт, соответствующий инверсному выходу ячейки памяти, первая и вторая области отделены друг от друга областью с диэлектрическими свойствами шириной не менее 10 нм, на первой области второго типа проводимости расположена первая область первого типа проводимости, являющаяся базой первого переключающего транзистора, выполненная наноразмерной с высотой не менее 3 нм и имеющая потенциальный контакт со второй областью второго типа проводимости, на второй области второго типа проводимости расположена вторая область первого типа проводимости, являющаяся базой второго переключающего транзистора, выполненная наноразмерной с высотой не менее 3 нм и имеющая потенциальный контакт с первой областью второго типа проводимости, первая и вторая области второго типа проводимости разделены областью с диэлектрическими свойствами шириной не менее 10 нм, на первой области первого типа проводимости расположена третья область второго типа проводимости, которая выполнена наноразмерной с высотой не менее 10 нм и является первым эмиттером первого переключающего транзистора, к ней подключена шина записи единицы, на второй области первого типа проводимости расположена четвертая область второго типа проводимости, выполненная наноразмерой с высотой не менее 10 нм и является первым эмиттером второго переключающего транзистора, к ней подключена шина сброса записи ноль, третья и четвертая области второго типа проводимости разделены областью с диэлектрическими свойствами шириной не менее 10 нм, на первой области первого типа проводимости расположена пятая область второго типа проводимости, которая является вторым эмиттером первого переключающего транзистора, выполненная наноразмерной с высотой не менее 10 нм, к которой подключена шина опорного напряжения, на второй области первого типа проводимости расположена шестая область второго типа проводимости, которая является вторым эмиттером второго переключающего транзистора, выполненная наноразмерной с высотой не менее 10 нм, к которой подключена шина опорного напряжения.
2. Ячейка памяти на базе тонкослойной наноструктуры по п.1, отличающаяся тем, что пятая и шестая области второго типа проводимости объединены в одну общую область второго типа проводимости, к которой подключена шина опорного напряжения.
3. Ячейка памяти на базе тонкослойной наноструктуры по п.1, отличающаяся тем, что в качестве диэлектрика для области с диэлектрическими свойствами используются окислы или газы.