ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МОЩНОСТИ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

1. Устройство преобразователя мощности лазерного излучения "ПМЛИ" для приема падающего электромагнитного излучения на длине волны примерно 1550 нм, содержащее:
подложку; и
активную область, содержащую n-легированный слой и p-легированный слой, причем эти n-легированный и p-легированный слои образованы из InGaAsP, упомянутая активная область выполнена с возможностью поглощать фотоны электромагнитного излучения с соответствующей длиной волны примерно 1550 нм;
при этом InGaAsP по параметрам решетки согласован с подложкой.
y
1-y
x
1-x
2. Устройство по п. 1, причем InGaAsP представляет собой InGaAsP, где x=0,948, 0,957, 0,965, 0,968, 0,972 или 0,976, и y=0,557, 0,553, 0,549, 0,547, 0,545 или 0,544 соответственно.
3. Устройство по п. 1, причем подложка представляет собой InP.
4. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее отражающий элемент, настроенный отражать электромагнитное излучение на длине волны примерно 1550 нм.
5. Устройство по п. 4, причем отражающий элемент является распределенным брэгговским отражателем, содержащим чередующиеся слои первого материала и второго материала.
6. Устройство по п. 5, причем первый материал является активным полупроводниковым материалом.
7. Устройство по п. 5, причем подложка образована из второго материала.
8. Устройство по.п. 5, причем распределенный брэгговский отражатель по параметрам решетки согласован с подложкой.
9. Устройство по п. 5, причем распределенный брэгговский отражатель размещен между подложкой и активной областью.
10. Устройство по п. 5, дополнительно содержащее:
анод в непосредственном контакте с p-легированным слоем; и
катод в непосредственном контакте с n-легированным слоем,
причем анод и катод расположены так, что существует оптический путь между активной областью и отражающим элементом, который не проходит ни через анод, ни через катод.
11. Устройство по п. 6, причем n-легированный слой и p-легированный слой отделены в первом направлении, а анод и катод отделены во втором направлении, перпендикулярном первому направлению.
12. Устройство по п. 10, причем анод и катод размещены в канавках, простирающихся от поверхности устройства до активной области.
13. Устройство по п. 10, дополнительно содержащее один или более изолирующих слоев, размещенных между p-легированной секцией активной области и катодом и/или между n-легированным участком активной области и анодом.
14. Устройство по п. 10, причем n-легированный слой содержит n-легированный поглощающий слой и n-легированный контактный слой, и причем катод находится в непосредственном контакте с n-легированным контактным слоем.
15. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее запирающий слой для электронов, размещенный между активной областью и подложкой, причем состав запирающего слоя для электронов является таким, что на границе между активной областью и запирающим слоем для электронов существует разрыв зоны проводимости.
16. Матрица устройств ПМЛИ, содержащая:
множество устройств ПМЛИ по п. 1;
множество средств соединения, выполненных с возможностью соединения устройств внутри матрицы.
17. Система для приема электромагнитного излучения, содержащая:
устройство ПМЛИ или матрицу устройств по п. 1.
18. Система по п. 17, дополнительно содержащая оптическое волокно, из которого ПМЛИ выполнен с возможностью принимать электромагнитное излучение.
19. Система по п. 17, дополнительно содержащая источник с узкой шириной спектральной линии, выполненный с возможностью передавать электромагнитное излучение.
20. Система по п. 19, причем источником с узкой шириной спектральной линии является лазер.
21. Система по п. 19, причем система является системой передачи мощности с помощью лазера.
22. Способ преобразования электромагнитного излучения в электрическую мощность, содержащий этапы:
приема устройством ПМЛИ электромагнитного излучения, имеющего длину волны примерно 1550 нм;
поглощения активной областью из InGaAsP устройства ПМЛИ фотонов электромагнитного излучения, имеющих соответствующую длину волны примерно 1550 нм;
извлечения электрической энергии из устройства ПМЛИ.
23. Способ передачи электрической мощности, содержащий этапы:
подачи электрической мощности на источник с узкой шириной спектральной линии;
вывода из лазера электромагнитного излучения, имеющего длину волны примерно 1550 нм;
приема электромагнитного излучения в устройстве ПМЛИ;
поглощения активной областью из InGaAsP устройства ПМЛИ фотонов электромагнитного излучения, имеющих соответствующую длину волны примерно 1550 нм;
извлечения электрической энергии из устройства ПМЛИ.
24. Способ по п. 23, причем источником с узкой шириной спектральной линии является лазер.
25. Способ изготовления преобразователя мощности лазерного излучения "ПМЛИ" для приема падающего электромагнитного излучения на длине волны примерно 1550 нм, содержащий этапы:
образования подложки; и
образования активной области, содержащей n-легированный слой и p-легированный слой, причем эти n-легированный и p-
легированный слои образованы из InGaAsP, упомянутая активная область выполнена с возможностью поглощать фотоны электромагнитного излучения с соответствующей длиной волны примерно 1550 нм;
при этом InGaAsP по параметрам решетки согласован с подложкой.