АНТЕННАЯ СИСТЕМА (ВАРИАНТЫ)

1. Антенная система, содержащая: микрополосковый излучатель круговой поляризации, состоящий из излучающей пластины, расположенной над экранирующей пластиной, и петлевого излучателя, расположенного вокруг микрополоскового излучателя круговой поляризации соосно с ним.
2. Антенная система по п.1, также включающая линию передачи, подключенную к петлевому излучателю, а также схему питания, подключенную к линии передачи для обеспечения возбуждения петлевым излучателем поля круговой поляризации.
3. Антенная система по п.2, в которой схемы питания обеспечивают возбуждение волн правой круговой поляризации в направлении максимума диаграммы направленности.
4. Антенная система по любому из пп.1-3, в которой микрополосковый излучатель круговой поляризации возбуждается с использованием системы штырей или щелей.
5. Антенная система по п.4, отличающаяся тем, что дополнительно содержит схему деления к выходам которой подключены упомянутые схемы питания петлевого излучателя и микрополоскового излучателя круговой поляризации, которая обеспечивает противофазное возбуждение волн левой круговой поляризации упомянутых микрополоскового и петлевого излучателей в области задней полусферы.
6. Антенная система по п.1, в которой петлевой излучатель выполнен в виде проводящего кольца.
7. Антенная система по п.1, отличающаяся тем, что в петлевой излучатель последовательно включены элементы с индуктивным импедансом.
8. Антенная система по п.1, в которой вертикальная ось симметрии петлевого излучателя совпадает с вертикальной осью симметрии МП излучателя.
9. Антенная система по п.1, в которой петлевой излучатель располагается на равном расстоянии как от поверхности излучающей, так и от поверхности экранирующей пластины МП излучателя.
10. Антенная система по п.1, в которой петлевой излучатель смещен вдоль вертикальной оси к поверхности экранирующей пластины.
11. Антенная система по п.1, в которой излучающая и экранирующая пластины имеют равные размеры, или излучающая пластина больше экранирующей пластины.
12. Антенная система по п.1, в которой излучающая пластина меньше экранирующей пластины.
13. Антенная система по п.1, в которой пространство между излучающей и экранирующей пластинами МП излучателя содержит или (а) диэлектрический заполнитель, или (б) замедляющую структуру, или (в) емкостные элементы, расположенные вдоль периметра излучающей пластины и/или экранирующей пластины.
14. Антенная система по п.13, в которой замедляющая структура и емкостные элементы выполнены в виде набора раздельных ребер или гребенок, или зубцов, или штырей.
15. Антенная система по п.13, отличающаяся тем, что в упомянутом пространстве между излучающей и экранирующей пластинами содержатся линии передачи, обеспечивающие возбуждение волн круговой поляризации от схемы питания петлевого излучателя.
16. Двухдиапазонная антенная система для приема радиосигналов, включающая: активный МП излучатель круговой поляризации высокочастотного диапазона, расположенный непосредственно на излучающей пластине активного МП излучателя низкочастотного диапазона, которая служит проводящим экраном для МП излучателя ВЧ диапазона, а петлевой ВЧ излучатель расположен вокруг активного МП ВЧ излучателя соосно с ним.
17. Антенная система по п.16, дополнительно содержащая пассивный МП излучатель низкочастотного диапазона, расположенный под экранирующей пластиной активного НЧ излучателя.
18. Антенная система по п.16, в которой петлевой НЧ излучатель расположен вокруг экранирующей пластины активного НЧ излучателя соосно с ней.
19. Антенная система по п.18, отличающаяся тем, что каждый из упомянутых петлевых излучателей возбуждается посредством подключенной к ним линии передачи и схемы питания петлевого излучателя, обеспечивающей возбуждение волн круговой поляризации.
20. Антенная система по п.19, в которой схемы питания обеспечивают возбуждение волны правой круговой поляризации в направлении максимума ДН антенны.
21. Антенная система по п.19, в которой: выходы схем питания МП и петлевого излучателей ВЧ и/или НЧ диапазонов подключены к схемам деления ВЧ и/или НЧ диапазонов для обеспечения противофазного возбуждения волн левой круговой поляризации, соответственно, МП и петлевого излучателя в задней полусфере в ВЧ и/или НЧ диапазоне.
22. Антенная система по п.17, в которой петлевой ВЧ и/или НЧ излучатель выполнен в виде проводящего кольца.
23. Антенная система по п.17, в которой в петлевой излучатель ВЧ и/или НЧ диапазона последовательно включены элементы и индуктивным импедансом.
24. Антенная система по п.16, в которой активный петлевой ВЧ излучатель расположен на соосно и равноудаленно от поверхностей излучающих пластин ВЧ и НЧ активных МП излучателей.
25. Антенная система по п.16, в которой пассивный петлевой ВЧ излучатель смещен к поверхности излучающей пластины НЧ МП излучателя.
26. Антенная система по п.16, в которой пространство между излучающей и экранирующей пластинами соответствующего МП излучателя ВЧ и/или НЧ диапазонов содержит или (а) диэлектрический заполнитель, или (б) замедляющую структуру, или (в) емкостные элементы, расположенные вдоль периметра излучающей и/или экранирующей пластины.
27. Антенная система по п.18, в которой пассивный МП НЧ излучатель выполнен в виде экранирующей пластины и расположенной под ней излучающей пластины, при этом в пространстве, образованном ими, установлена замедляющая структура в виде диэлектрического заполнения или расположены емкостные элементы, выполненные в виде набора раздельных ребер или гребенок или зубцов или штырей.
28. Антенная система по п.26, в которой замедляющая структура и емкостные элементы выполнены в виде раздельных ребер или гребенок, или зубцов, или штырей.
29. Антенная система по п.28, отличающаяся тем, что в упомянутом пространстве между излучающей и экранирующей пластинами установлены линии передачи, обеспечивающие возбуждение волн круговой поляризации петлевых ВЧ и/или НЧ излучателей от схем питания петлевых ВЧ и/или НЧ излучателей соответственно.