СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЦЕНТРОВ РЕКОМБИНАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДОВ ВБЛИЗИ ПОВЕРХНОСТИ

Способ измерения концентрации центров рекомбинации носителей зарядов вблизи поверхности кремниевой пластины, предварительно подготовленной для изготовления электронных схем методами литографии, отличающийся тем, что на лицевую часть пластины совместно с литографией электронных компонентов наносят технологические электроды, на заднюю часть пластины также наносят дополнительный технологический электрод, при этом электроды на лицевой и задней частях образуют рентгеновский детектор, электроды на лицевой части пластины через высокоомный резистор подключаются к высокому напряжению, электрод на задней стороне пластины заземляется, точка соединения электрода на лицевой части пластины и резистора подключается к зарядочувствительному предусилителю, который подключается к амплитудному анализатору, а сам детектор облучается источником рентгеновского излучения, собирается амплитудный спектр импульсов, измеряется отношение зарегистрированных импульсов в хвосте неполного сбора заряда к количеству импульсов в пике полного поглощения, такое же отношение измеряется для эталонных пластин или рассчитывается на основании измеренного и расчетного отношения делается вывод о концентрации центров рекомбинации в приповерхностной области.