СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОМПОНЕНТА С ИНТЕГРИРОВАННЫМ ПОПЕРЕЧНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ

1. Способ изготовления полупроводникового компонента, имеющего по меньшей мере одно интегрированное поперечное сопротивление (11), включающий в себя следующие этапы:
- подготовки полупроводниковой подложки (1) из легированного полупроводникового материала первого типа проводимости (n) с легированной базовой зоной (4) второго типа проводимости (p), комплементарного первому типу проводимости, которая примыкает к поверхности полупроводниковой подложки (1),
- маскирования поверхности полупроводниковой подложки (1), причем в маске (16) формируют по меньшей мере одно углубление (18), имеющее заданную ширину, чтобы, по меньшей мере, частично вскрыть область (10) сопротивления базовой зоны (4),
- осаждения на вскрытую область (10) сопротивления легирующей примеси первого типа проводимости (n) таким образом, что на стороне поверхности на вскрытой области (10) сопротивления формируется тонкий покровный слой (20) первого типа проводимости (n), имеющий высокую концентрацию легирующей примеси,
- разгонки осажденной легирующей примеси первого типа проводимости (n) в области (10) сопротивления таким образом, что из тонкого покровного слоя (20), имеющего высокую концентрацию легирующей примеси, формируется более толстый слой (21, 22), имеющий меньшую концентрацию легирующей примеси,
при этом легирование базовой зоны (4) второго типа проводимости (p) в области (10) сопротивления компенсировано только частично с помощью подвергнутой разгонке легирующей примеси первого типа проводимости (n).
2. Способ по п.1, в котором тонкий покровный слой (20) первого типа проводимости (n), имеющий высокую концентрацию легирующей примеси, получают диффузией в область (10) сопротивления базовой зоны (4) второго типа проводимости (p).
3. Способ по п.1, в котором тонкий покровный слой (20) первого типа проводимости (n), имеющий высокую концентрацию легирующей примеси, получают имплантацией в область (10) сопротивления базовой зоны (4) второго типа проводимости.
4. Способ по одному из пп.1-3, в котором этап осаждения тонкого покровного слоя (20) первого типа проводимости осуществляют, используя фосфор и/или селен.
5. Способ по одному из пп.1-3, в котором легирование базовой зоны (4) второго типа проводимости (p) в области (10) сопротивления перекомпенсировано с помощью подвергнутой разгонке легирующей примеси первого типа проводимости (n).
6. Способ по одному из пп.1-3, в котором в маске (16) формируют множество углублений (18), каждое из которых имеет заданную ширину и находится на заданном расстоянии от других.
7. Способ по п.6, в котором ширина соответствующих углублений (18) увеличивается или уменьшается с увеличением радиуса (r).
8. Способ по п.1, в котором этап маскирования поверхности полупроводниковой подложки (1) осуществляют посредством маскирующего оксида и/или фоторезиста.