КОНСТРУКТИВНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ МАТРИЦЫ БИТОВЫХ ЯЧЕЕК МАГНИТОРЕЗИСТИВНОЙ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ (MRAM)

1. Битовая ячейка магниторезистивной оперативной памяти с переносом спинового момента (STT-MRAM), содержащая:
линию истока, сформированную в первой плоскости; и
битовую шину, сформированную во второй плоскости и имеющую продольную ось, параллельную продольной оси данной линии истока,
причем данная линия истока накладывается на по меньшей мере один участок битовой шины.
2. Битовая ячейка STT-MRAM по п.1, в которой линия истока включает первый боковой выступ, продлевающийся в первой плоскости и в направлении, перпендикулярном продольной оси линии истока так, чтобы участок первого бокового выступа не накладывался на битовую шину.
3. Битовая ячейка STT-MRAM по п.2, в которой линия истока представляет собой первый металлический слой и битовая шина представляет собой второй металлический слой,
причем битовая ячейка дополнительно содержит:
третий металлический слой, сформированный в третьей плоскости и имеющий продольную ось, параллельную продольной оси первого металлического слоя,
причем второй металлический слой помещается между первым металлическим слоем и третьим металлическим слоем.
4. Битовая ячейка STT-MRAM по п.3, в которой первый металлический слой и/или второй металлический слой накладываются на по меньшей мере один участок третьего металлического слоя.
5. Битовая ячейка STT-MRAM по п.3, в которой третий металлический слой включает второй боковой выступ продлевающийся в третьей плоскости и в направлении, перпендикулярном продольной оси третьего бокового выступа, и
в которой первый боковой выступ накладывается на второй боковой выступ, и является электрически соединенным со вторым боковым выступом.
6. Битовая ячейка STT-MRAM по п.5, дополнительно содержащая:
по меньшей мере одно межсоединение посредством переходного отверстия, которое соединяет первый боковой выступ со вторым боковым выступом.
7. Битовая ячейка STT-MRAM по п.5, дополнительно содержащая:
четвертый металлический слой, помещающийся между первым боковым выступом и вторым боковым выступом;
первое межсоединение посредством переходного отверстия, соединяющее первый боковой выступ с четвертым металлическим слоем; и
второе межсоединение посредством переходного отверстия, соединяющее четвертый металлический слой со вторым боковым выступом.
8. Битовая ячейка STT-MRAM по п.7, в которой четвертый металлический слой формируется во второй плоскости и является электрически изолированным от второго металлического слоя.
9. Битовая ячейка STT-MRAM по п.1, в которой линия истока, по существу, накладывается на битовую шину.
10. Битовая ячейка STT-MRAM по п.1, дополнительно содержащая:
числовую шину;
элемент памяти и
транзистор числовой шины, соединенный с элементом памяти.
11. Битовая ячейка STT-MRAM по п.10, в которой данный элемент памяти представляет собой магнитный туннельный переход (MTJ) и в которой данный транзистор числовой шины соединен в ряды с MTJ.
12. Битовая ячейка магниторезистивной оперативной памяти с переносом спинового момента (STT-MRAM), содержащая:
первый металлический слой, формирующий линию истока, имеющую продольную ось в первой плоскости; и
второй металлический слой, формирующий битовую линию, имеющую продольную ось во второй плоскости,
причем данная продольная ось первого металлического слоя является параллельной продольной оси второго металлического слоя и
причем первый металлический слой накладывается на по меньшей мере один участок второго металлического слоя.
13. Битовая ячейка STT-MRAM по п.12, в которой первый металлический слой включает первый боковой выступ, продлевающийся в направлении, перпендикулярном продольной оси первого металлического слоя так, чтобы участок первого бокового выступа не накладывался на второй металлический слой.
14. Битовая ячейка STT-MRAM по п.13, дополнительно содержащая:
третий металлический слой, сформированный в третьей плоскости и имеющий продольную ось, параллельную продольной оси первого металлического слоя,
причем второй металлический слой помещается между первым металлическим слоем и третьим металлическим слоем.
15. Битовая ячейка STT-MRAM по п.14, в которой первый металлический слой и/или второй металлический слой накладываются на по меньшей мере один участок третьего металлического слоя.
16. Битовая ячейка STT-MRAM по п.14, в которой третий металлический слой включает второй боковой выступ, продлевающийся в направлении, перпендикулярном продольной оси третьего металлического слоя, и
в которой первый боковой выступ накладывается на второй боковой выступ и является электрически соединенным со вторым боковым выступом.
17. Битовая ячейка STT-MRAM по п.16, дополнительно содержащая:
по меньшей мере одно межсоединение посредством переходного отверстия, которое соединяет первый боковой выступ со вторым боковым выступом.
18. Битовая ячейка STT-MRAM по п.16, дополнительно содержащая:
четвертый металлический слой, помещающийся между первым боковым выступом и вторым боковым выступом;
первое межсоединение посредством переходного отверстия, соединяющее первый боковой выступ с четвертым металлическим слоем; и
второе межсоединение посредством переходного отверстия, соединяющее четвертый металлический слой со вторым боковым выступом.
19. Битовая ячейка STT-MRAM по п.18, в которой четвертый металлический слой формируется во второй плоскости и является электрически изолированным от второго металлического слоя.
20. Битовая ячейка STT-MRAM по п.12, в которой первый металлический слой, по существу, накладывается на второй металлический слой.
21. Битовая ячейка STT-MRAM по п.12, дополнительно содержащая:
числовую шину;
элемент памяти и
транзистор числовой шины, соединенный с элементом памяти.
22. Битовая ячейка STT-MRAM по п.21, в которой данный элемент памяти представляет собой магнитный туннельный переход (MTJ) и в которой данный транзистор числовой шины соединен в ряды с MTJ.
23. Матрица битовой ячейки магниторезистивной оперативной памяти с переносом спинового момента (STT-MRAM), содержащая:
линию истока, сформированную в первой плоскости; и
битовую шину, сформированную во второй плоскости и имеющую продольную ось, параллельную продольной оси данной линии истока,
причем данная линия истока накладывается на по меньшей мере один участок битовой шины.