УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

1. Устройство (100) для выращивания кристаллов, содержащее
камеру (101) и
тигель (102), расположенный в обогреваемом пространстве (103) для размещения камеры (101),
причем тигель (102) имеет внутренний объем (104), который сконфигурирован для выращивания кристаллов внутри,
причем тигель (102) содержит дно (105), от которого соответствующие боковые стенки (106) проходят до верхней секции (107) тигля (102),
причем тигель (102) содержит, по меньшей мере, одну секцию (D1-D7) осаждения, которая сконфигурирована для прикрепления затравочного кристалла (108),
причем секция (D1-D7) осаждения сформирована, по меньшей мере, на одной из боковой стенки (106) и верхней секции (107) тигля (102).
2. Устройство (100) по п. 1, в котором дно (105) свободно от секции (D1-D7) осаждения для затравочного кристалла (108).
3. Устройство (100) по п. 1 или 2, в котором тигель (102) проходит между дном (105) и верхней секцией (107) в вертикальном направлении.
4. Устройство (100) по одному из пп. 1-3, в котором тигель (102) содержит множество секций (D1-D7) осаждения, каждая из которых сконфигурирована для прикрепления затравочного кристалла (108), причем секции (D1-D7) осаждения разнесены друг от друга и сформированы, по меньшей мере, на одной из боковой стенки (106) и верхней секции (107) тигля (102).
5. Устройство (100) по одному из пп. 1-4, в котором тигель (102) содержит, по меньшей мере, один выступ (109), проходящий от внутренней поверхности, в частности от боковой стенки (106) или верхней секции (107) тигля (102), во внутренний объем (104), причем секция (D1-D7) осаждения сформирована на выступе (109).
6. Устройство (100) по п. 5, в котором тигель (102) содержит множество выступов (109), проходящих от внутренней поверхности тигля (102) во внутренний объем (104), причем выступы (109) разнесены друг от друга.
7. Устройство (100) по одному из пп. 1-6, в котором тигель (102) содержит, по меньшей мере, одно сопло (110), причем сопло (110) сконфигурировано для введения реакционного газа/жидкости (111) во внутренний объем (104) тигля (102).
8. Устройство (100) по п. 7, в котором, по меньшей мере, одно сопло (110) сконфигурировано для эжекции реакционного газа/жидкости (111) в направлении к одной из секций (D1-D7) осаждения.
9. Устройство (100) по п. 7 или 8, в котором тигель (102) содержит эжекторный элемент колонки (112), частично проходящий между дном (105) и верхней секцией (107) тигля (102), причем эжекторный элемент колонки (112) содержит, по меньшей мере, одно сопло (110).
10. Устройство (100) по п. 9, в котором эжекторный элемент колонки (112) соединен с поверхностью раздела реакционного газа/жидкости (113), образованной на дне (105) тигля (102).
11. Устройство (100) по одному из пп. 1-10, в котором тигель (102) содержит инжекционную поверхность раздела (116) для введения инжекционного газа/жидкости, причем инжекционная поверхность раздела (116) в частности соединена с клапаном регулирования давления (120) для регулирования давления внутри внутреннего объема (104).
12. Устройство (100) по одному из пп. 1-11, в котором камера (101) содержит множество нагревательных элементов (119), которые окружают в частности внешнюю стенку камеры (101) для передачи тепловой энергии тиглю (102).
13. Устройство (100) по п. 12, в котором множество нагревательных элементов (119) сконфигурировано для нагревания внутреннего объема (104) до температуры от 1350°C до 1450°C.
14. Устройство (100) по п. 12 или 13, в котором множество нагревательных элементов (119) выбрано из одного из RF нагревателей, резистивных нагревателей и теплогенераторов.
15. Устройство (100) по одному из пп. 1-14, дополнительно содержащее изоляционный материал (121), расположенный в пространстве (103) для размещения между тиглем (102) и стенкой камеры (101).
16. Устройство (100) по одному из пп. 1-15, в котором тигель (102) изготовлен из материала, выбранного из одной из групп на основе металла, на основе оксида, на основе нитрида, на основе углерода и плотного графита.
17. Устройство (100) по одному из пп. 1-16, дополнительно содержащее устройство для повышения способности к росту (117) для усиления зародышеобразования кристалла на участке осаждения, причем устройство для повышения способности к росту (117) выбрано из одного из группы, состоящей из плазменного источника, микроволнового источника и лазерного источника.
18. Способ выращивания кристаллов, включающий прикрепление затравочного кристалла (108) к секции (D1-D7) осаждения  тигля (102), причем секция (D1-D7) осаждения сформирована, по меньшей мере, на одной из боковой стенки (106) и верхней секции (107) тигля (102), выращивание кристаллов внутри внутреннего объема (104) тигля (102), размещенного в обогреваемом пространстве (103) для размещения камеры (101).
19. Способ по п. 18, дополнительно включающий предоставление исходного материала (118), состоящего из одной из реакционной текучей среды, в частности жидкости (111) и инжекционной текучей среды, в частности жидкости (116), в тигле (102), причем исходный материал (118) выбран из одного из группы, состоящей из твердофазного материала, жидкофазного материала, газообразной фазы и материала смешанной фазы, содержащего C-, H-, CH-раствор.