СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ, СОДЕРЖАЩИХ ОКСИД ИНДИЯ, ПОЛУЧЕННЫЕ ЭТИМ СПОСОБОМ СЛОИ, СОДЕРЖАЩИЕ ОКСИД ИНДИЯ, И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ

1. Жидкофазный способ получения слоев, содержащих оксид индия, из безводного раствора,
отличающийся тем, что
2
безводная композиция, содержащая по меньшей мере один индий-галоген-алкоксид общей формулы InX(OR), где R - алкильный и/или алкоксиалкильный остаток и X - F, Cl, Br или I, и по меньшей мере один растворитель или дисперсионную среду в последовательности пунктов от a) до d) в безводной атмосфере
a) наносится на подложку,
b) нанесенная на подложку композиция облучается электромагнитным излучением с длиной волны ≤360 нм и
c) при необходимости сушится и затем
d) термически преобразуется в слой, содержащий оксид индия.
2. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
алкильные или алкоксиалкильные остатки по меньшей мере одного индий-галоген-алкоксида являются C1-C15-алкокси- или алкоксиалкильными группами.
3. Способ по п.2,
отличающийся тем, что
2
2
2
3
2
2
2
2
индий-галоген-алкоксид представляет собой InCl(OMe), InCl(OCHCHOCH), InCl(OEt), InCl(OiPr) или InCl(OtBu).
4. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
безводная композиция наряду с индий-галоген-алкоксидом имеет еще другие прекурсоры, предпочтительно алкоксиды и галоген-алкоксиды других элементов, особенно предпочтительно алкоксиды и галоген-алкоксиды B, Al, Ga, Ge Sn, Pb, P, Zn и Sb, растворенные или диспергированные.
5. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
2
индий-галоген-алкоксид InX(OR) применяется с содержанием от 0,1 до 10% в пересчете на общую массу композиции.
6. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
растворитель или дисперсионная среда является апротонным или слабопротонным растворителем или дисперсионной средой.
7. Способ по п.6,
отличающийся тем, что
по меньшей мере один растворитель или дисперсионная среда является метанолом, этанолом, изопропанолом, тетрагидрофурфуриловым спиртом, трет-бутанолом, бутилацетатом, метоксиэтанолом или толуолом.
8. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
по меньшей мере один растворитель или дисперсионная среда представлен/а с содержанием от 90 до 99,9% в пересчете на общую массу композиции.
9. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
композиция имеет вязкость от 1 мПа·с до 10 Па·с.
10. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
подложка состоит из стекла, кремния, диоксида кремния, оксида металла или переходного металла, металла или полимерного материала.
11. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
нанесение безводной композиции на подложку осуществляется способом печати, способом распыления, способом центрифугирования, способом погружения или способом, выбранным из группы, состоящей из нанесения покрытия путем создания мениска, щелевого покрытия, нанесения покрытия с помощью щелевой экструзионной головки и наливного покрытия.
12. Способ по п.11,
отличающийся тем, что
нанесение осуществляется способом струйной печати, выбранным из непрерывной, термической и пьезоструной печати.
13. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
облучение безводной композиции происходит электромагнитным излучением с длиной волны 150-300 нм.
14. Способ по п.1,
отличающийся тем, что
превращение осуществляется термически посредством температур выше 150°C.
15. Способ по одному из пп.1-14,
отличающийся тем, что
перед, в течение или после термической обработки происходит облучение УФ-, ИК- или видимым излучением.
16. Применение по меньшей мере одного слоя, содержащего оксид индия, получаемого способом по пп.1-15 для получения проводниковых или полупроводниковых слоев для электронных структурных элементов, в частности для получения проводниковых или полупроводниковых слоев для транзисторов, диодов, сенсоров или солнечных элементов.