УСТРОЙСТВО, СОДЕРЖАЩЕЕ САМООРГАНИЗУЮЩИЙСЯ СЛОЙ, И СПОСОБ МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ

1. Устройство, состоящее из:
полимерной подложки; и
самоорганизующегося слоя, содержащего олигомер на основе алкоксисилана, химически связанного с полимерной подложкой.
2. Устройство по п. 1, дополнительно включающее в себя слой металла, химически связанный с самоорганизующимся слоем.
3. Устройство по п. 2, в котором слой металла содержит по меньшей мере один из следующих металлов: серебро, золото, медь, никель и кобальт.
4. Устройство по любому из пп. 1-3, отличающееся тем, что полимерная подложка содержит по меньшей мере один из следующих полимеров: полидиметилсилоксан, полиэтилентерефталат, полиэтиленнафталат, полиимид, полиэфирэфиркетон, поликарбонат, поли(метилметакрилат) и полисульфон.
5. Устройство по любому из пп. 1-4, отличающееся тем, что олигомер на основе алкоксисилана состоит из молекул олигомеров с различной длиной цепи.
6. Устройство по любому из пп. от 1 до 5, в котором самоорганизующийся слой имеет характерный размер от 10 мм до 20 мкм, и подложка имеет характерный размер от 1 до 1000 мкм.
3
3
7. Устройство по любому из пп. 1-6, отличающееся тем, что самоорганизующийся слой дополнительно содержит концевые группы, содержащие по меньшей мере один из следующих химических групп или их производных: - SH, -SeH, -NH2, -OH, -СООН, -COOCH, -CN и -S0H.
8. Устройство по любому из пп. 1-7, отличающееся тем, что самоорганизующийся слой дополнительно содержит якорные группы, включающие алкоксисилильные, в том числе метоксисилильные и этоксисилильные.
9. Устройство по любому из пп. 1-8, отличающееся тем, что компоненты устройства являются гибкими.
10. Устройство по любому из пп. 2 и 3, в котором слой металла содержит чернила, состоящие из наночастиц.
11. Устройство по любому из пп. 1 до 10, отличающееся тем, что самоорганизующийся слой расположен на подложке полимера по шаблону (структурирован).
12. Использование устройства по любому из пп. 1-11 в микроэлектронном приборе.
13. Способ, включающий в себя: подготовку полимерной подложки;
модификацию поверхности полимерной подложки путем нанесения самоорганизующегося слоя, содержащего олигомер на основе алкоксисилана на данной поверхности.
14. Способ по п. 13, дополнительно включающий плазменную обработку полимерной подложки для создания гидроксильных групп на поверхности полимерной подложки до модификации поверхности полимерной подложки.
15. Способ по любому из пп. 13 или 14, отличающийся тем, что нанесение самоорганизующегося слоя включает в себя внесение по меньшей мере одним из следующих методов: вращающейся подложки, струйной печати, распыления, щелевого нанесения, окунания в раствор, намазывания и накапывания.
16. Способ по любому из пп. 13-15, отличающийся тем, что нанесение самоорганизующегося слоя осуществляется в жидкой фазе.
17. Способ по любому из пп. 13-16, в котором нанесение самособирающегося слоя включает нанесение самособирающегося слоя, состоящего из олигомера основе алкоксисилана, по шаблону.
18. Использование способа по любому из пп. 13-17 для модификации полимерной подложки в процессе осаждения металлических наночастиц.
19. Использование способа по любому из пп. 13-17 в процессе изготовления микроэлектронных приборов.
20. Устройство, содержащее по меньшей мере один процессор;
по крайней мере, одно запоминающее устройство, соединенное с, по меньшей мере, одним процессором, по меньшей мере одной памятью, включающую инструкции в виде программного кода, который при выполнении по меньшей мере одним процессором, заставляют оборудование выполнять действия по любому из способов, описанных в пп. 13-17.