Устройство для плазменной обработки и способ корректировки размера поверхности прилегания устройства для плазменной обработки под размеры подлежащей обработке поверхности

1. Устройство для плазменной обработки для проведения плазменного диэлектрического барьерного разряда на подлежащей обработке поверхности, содержащее плоский электродный блок (4), имеющий сторону обработки, и управляющий блок (11), который на по меньшей мере один электрод (19) электродного блока (4) подает высоковольтный переменный потенциал для мощности, необходимой для получения плазмы между упомянутым по меньшей мере одним электродом (19) и противоэлектродом, образующим опорный потенциал, причем упомянутый по меньшей мере один электрод (19), получающий упомянутый высоковольтный переменный потенциал, по меньшей мере со стороны обработки экранирован плоским диэлектриком (7), и причем плоский электродный блок выполнен с возможностью уменьшения размера своей поверхности прилегания к подлежащей обработке поверхности для корректировки под размеры подлежащей обработке поверхности, отличающееся тем, что управляющий блок (11) содержит устройство (14) для определения размера корректируемой поверхности прилегания и управляющее устройство для регулирования мощности, подаваемой на упомянутый по меньшей мере один электрод (19),в зависимости от установленного размера поверхности прилегания.
2. Устройство для плазменной обработки по п. 1, отличающееся тем, что плоский электродный блок (4) выполнен в виде полосы с по меньшей мере одним проходящим в продольном направлении между первым концом и вторым концом электродом заданной ширины, причем длина полосы определяет размер поверхности прилегания, и указанное устройство для определения размера поверхности прилегания содержит детектирующее устройство (14) для определения длины полосы.
3. Устройство для плазменной обработки по п. 2, отличающееся тем, что детектирующее устройство (14) предназначено для определения длины полосы с помощью электрического испытательного сигнала, передаваемого на упомянутый по меньшей мере один электрод.
4. Устройство для плазменной обработки по п. 3, отличающееся тем, что электрод (19) выполнен с возможностью отражения на втором конце электрического испытательного сигнала, переданного на первый конец.
5. Устройство для плазменной обработки по п. 4, отличающееся тем, что детектирующее устройство (14) содержит частотный генератор, предназначенный для генерирования электрического испытательного сигнала, и регулирующее устройство для непрерывного регулирования частоты испытательного сигнала, и детектирующее устройство для определения амплитуды испытательного сигнала.
6. Устройство для плазменной обработки по п. 5, отличающееся тем, что генератор частоты предназначен для генерирования электрического испытательного сигнала в форме серии гармонических волн.
7. Устройство для плазменной обработки по п. 1, отличающееся тем, что управляющий блок (11) имеет систему камер с по меньшей мере одной камерой (30) и устройство обработки информации для определения длины и/или площади электродного блока.
8. Устройство для плазменной обработки по п. 1, отличающееся тем, что электродный блок (4, 40) состоит из множества участков (5, 50) с электродами одинаковой конструкции, между которыми имеются линии (6) заданного разделения, так что уменьшение поверхности прилегания происходит путем отделения одного или нескольких участков (5, 50).
9. Устройство для плазменной обработки по п. 8, отличающееся тем, что участки (50) несут различные кодирования (22), для которых управляющий блок содержит считывающий детектор, и соединение электродного блока (4) с управляющим блоком (11) предусмотрено на участке (50), от которого были отделены один или несколько участков.
10. Способ корректировки размера поверхности прилегания имеющего сторону обработки плоского электродного блока (4) устройства для плазменной обработки для проведения плазменного диэлектрического барьерного разряда на подлежащей обработке поверхности под размеры подлежащей обработке поверхности, причем на упомянутый по меньшей мере один электрод(19) электродного блока (4) управляющим блоком (11) подается высоковольтный переменный потенциал для мощности, необходимой для получения плазмы между упомянутым по меньшей мере одним электродом (19) и противоэлектродом, образующим опорный потенциал, причем упомянутый по меньшей мере один электрод (19), получающий упомянутый высоковольтный переменный потенциал, по меньшей мере со стороны обработки экранирован плоским диэлектриком (7), и причем уменьшают поверхность прилегания электродного блока (4) для корректировки под размеры подлежащей обработке поверхности, отличающийся тем, что посредством управляющего блока (11) определяют размер уменьшенной поверхности и в соответствии с этим регулируют мощность, подаваемую на упомянутый по меньшей мере один электрод (19), в зависимости от установленного размера поверхности прилегания.