РЕАКЦИОННАЯ КАМЕРА С ДИФФЕРЕНЦИРОВАННОЙ ТЕМПЕРАТУРОЙ

1. Реакционная камера для эпитаксиального реактора, имеющая стенки, ограничивающие внутреннюю полость, более конкретно, нижнюю стенку, верхнюю стенку и по меньшей мере две боковые стенки, и включающая средства нагрева стенок камеры, причем нижняя и верхняя стенки выполнены с различными конфигурациями и/или из различных материалов, отличающаяся тем, что указанные различные конфигурации и/или различные материалы таковы, что вызывают нагрев нижней стенки до более высокой температуры, чем нагрев верхней стенки.
2. Реакционная камера по п.1, в которой нижняя стенка и/или верхняя стенка расположены по существу горизонтально, когда камера находится в рабочем состоянии.
3. Реакционная камера по п.1, которая по существу сформирована в виде цилиндра, ось которого расположена по существу горизонтально, когда камера находится в рабочем состоянии, и в которой внутренняя полость расположена вдоль оси указанного цилиндра и выполнена с поперечным сечением, которое является по существу прямоугольным и по существу равномерным вдоль оси указанного цилиндра
4. Реакционная камера по п.1, в которой нижняя стенка сформирована по существу в форме полого полумесяца, а верхняя стенка сформирована по существу в форме полумесяца или пластины.
5. Реакционная камера по п.1, в которой нижняя стенка включает первую полость, а верхняя стенка включает вторую полость, которые имеют по существу различные размеры.
6. Реакционная камера по п.1, в которой длина периметра сечения и/или площадь сечения верхней стенки соответственно меньше, чем длина периметра сечения и/или площадь сечения нижней стенки.
7. Реакционная камера по п.1, отличающаяся тем, что упомянутые различные конфигурации и/или различные материалы таковы, что обеспечивают нагрев, в частности индукционный, нижней стенки и верхней стенки до различных температур.
8. Способ нагрева реакционной камеры эпитаксиального реактора, имеющей ограничивающие ее стенки, в котором указанная камера имеет по существу горизонтальную нижнюю стенку и по существу горизонтальную верхнюю стенку, выполненную с возможностью прямого или косвенного удержания подложек и полупроводниковых пластин, отличающийся тем, что по меньшей мере одну или только одну первую стенку упомянутой камеры нагревают меньше, чем вторую стенку, причем в качестве указанной первой стенки используют верхнюю стенку, а в качестве указанной второй стенки используют нижнюю стенку.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что первую стенку нагревают до первой максимальной температуры, а вторую стенку нагревают до второй максимальной температуры, причем различие между второй максимальной температурой и первой максимальной температурой лежит в пределах между 150°C и 300°C.
10. Способ по п.9, в котором вторая максимальная температура лежит в пределах между 1500°C и 1650°C.
11. Способ по п.9, в котором камеру нагревают до первой и второй максимальных температур в течение процессов эпитаксиального наращивания в указанной камере, в частности в течение процессов эпитаксиального наращивания карбида кремния.
12. Способ по п.8, отличающийся тем, что в нем обеспечивают единственные средства нагрева стенок камеры, а стенки выполняют по меньшей мере в первой и второй конфигурациях, которые отличаются друг от друга тем, что первую конфигурацию нагревают меньше, чем вторую конфигурацию.
13. Способ по п.8, отличающийся тем, что в нем обеспечивают первые индукционные средства нагрева и вторые индукционные средства нагрева, причем первые средства нагрева используют для нагрева по меньшей мере первой стенки или только первой стенки, а вторые средства нагрева используют для нагрева второй стенки или всех других стенок камеры.
14. Способ по п.8, отличающийся тем, что в нем обеспечивает стенки камеры, выполненные из различных материалов.
15. Эпитаксиальный реактор, включающий по меньшей мере одну реакционную камеру, в котором указанная камера выполнена по любому из пп.1-7 и/или который для нагрева указанной камеры выполнен с возможностью осуществления способа нагрева по любому из пп.8-14.