СПОСОБ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКОЙ ОЧИСТКИ ВОДЫ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

1. Способ физико-химической очистки воды, заключающийся в том, что сначала осуществляют очистку воды, основанную на процессах коагуляции вредных веществ, затем их флокуляции, отличающийся тем, что сточную жидкость смешивают с растворителем (экстрагентом), в котором основная масса улавливаемого загрязнения растворяется, например для улавливания фенола из сточной жидкости в нее добавляют бензол, при этом плотность его меньше плотности сточной жидкости, и его подают снизу, тогда при подаче снизу бензол поднимается вверх, встречает на своем пути загрязнения, соединяется с ними и отводится сверху, затем очищенную от уловленных загрязнений жидкость отводят снизу.
2. Устройство для реализации способа физико-химической очистки воды содержит цилиндрический корпус с крышкой и днищем, в котором расположен активатор процесса, выполненный в виде инертной насадки, расположенной на перфорированных дисках, ограничивающих его соответственно сверху и снизу корпуса, при этом в верхней части корпуса выполнены патрубки для ввода сточной воды и вывода загрязненного экстрагента, а в нижней части корпуса патрубки для вывода очищенной воды и ввода чистого экстрагента, при этом сточная жидкость смешивается с растворителем-экстрагентом, в котором основная масса улавливаемого загрязнения растворяется, а очищенная, от уловленных загрязнений жидкость, отводится снизу, отличающееся тем, что активатор процесса, выполненный в виде инертной насадки, выполнен в виде цилиндрического кольца, к боковой поверхности которого оппозитно друг другу прикреплены две полусферические поверхности таким образом, что диаметральные плоскости полусфер совпадают соответственно с верхним и нижним основаниями цилиндрического кольца, а вершины полусферических поверхностей находятся на оси кольца и направлены навстречу друг другу.
3. Устройство для реализации способа физико-химической очистки воды по п.1, отличающееся тем, что элемент насадки активатор процесса выполнен с перфорацией как на боковой поверхности, так и на полусферических поверхностях.