ПРОДОЛЖЕНИЕ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК ДО КРАЯ КРИСТАЛЛА С ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ

1. Способ производства структуры светоизлучающего диода (СИД), включающий в себя этапы, на которых:
формируют слои СИД путем эпитаксиального выращивания слоя первого типа проводимости поверх пластины для выращивания, светоизлучающего слоя поверх слоя первого типа проводимости и слоя второго типа проводимости поверх светоизлучающего слоя;
формируют канавки вдоль краев кристалла, чтобы открыть слой первого типа проводимости на краях кристалла, причем канавки проникают, по меньшей мере, частично в слой первого типа проводимости, причем канавки формируют мезаструктуры кристаллов СИД;
электрически изолируют области открытого слоя первого типа проводимости по краям кристалла путем формирования электрически изолирующих областей на краях кристаллов; и
формируют слои контактных площадок первого типа проводимости и второго типа проводимости поверх кристаллов СИД, причем слои контактных площадок первого типа проводимости и второго типа проводимости продолжаются над разделительными дорожками между кристаллами СИД, причем слои контактных площадок первого типа проводимости и второго типа проводимости электрически соединены со слоями первого типа проводимости и второго типа проводимости соответственно.
2. Способ по п.1, в котором электрическое изолирование областей открытого слоя первого типа проводимости по краям кристалла включает в себя имплантацию ионов в области открытого слоя первого типа проводимости на краях кристалла с целью формирования электрически изолирующих областей.
3. Способ по п.1, дополнительно включающий в себя этапы, на которых:
эпитаксиально выращивают полуизолирующий слой поверх подложки для выращивания до формирования слоев СИД, где:
слои СИД сформированы поверх полуизолирующего слоя;
формирование канавок вдоль краев кристалла, чтобы открыть слой первого типа проводимости на краях матрицы, содержит осуществление первого травления СИД слоев, по меньшей мере, частично внутрь слоя первого типа проводимости, и осуществление второго травления слоев СИД до полуизолирующего слоя; и
электрическое изолирование областей открытого слоя первого типа проводимости на краях кристалла содержит формирование диэлектрического слоя поверх слоев СИД, где электрически изолирующие области содержат диэлектрический слой поверх областей открытого слоя первого типа проводимости на краях кристалла.
4. Способ по п.1, дополнительно содержащий этапы, на которых:
монтируют кристаллы СИД на кристаллодержатели на пластине кристаллодержателей;
удаляют пластины для выращивания с кристаллов СИД; и
разделяют кристаллы СИД вдоль разделительных дорожек, где слои контактных площадок первого типа проводимости и второго типа проводимости соответственно разделены на контактные площадки первого типа проводимости и контактные площадки второго типа проводимости кристаллов СИД в процессе разделения, причем контактные площадки первого типа проводимости и второго типа проводимости электрически соединены со слоями первого типа проводимости и второго типа проводимости соответственно.
5. Способ по п.4, в котором контактные площадки первого типа проводимости и второго типа проводимости электрически изолированы зазорами и лежащим ниже диэлектрическим слоем, и контактные площадки первого типа проводимости и второго типа проводимости каждого кристалла СИД покрывают, по меньшей мере, 85% поверхности кристалла СИД, которая обращена к кристаллодержателю.
6. Способ по п.4, дополнительно содержащий этап, на котором:
формируют диэлектрический слой поверх слоев СИД, где слои контактных площадок первого типа проводимости и второго типа проводимости формируются поверх диэлектрического слоя.
7. Способ по п.4, дополнительно содержащий этапы, на которых:
формируют первый диэлектрический слой поверх слоев СИД;
формируют межсоединения поверх первого диэлектрического слоя, причем межсоединения электрически соединены со слоем первого типа проводимости и со слоем второго типа проводимости; и
формируют второй диэлектрический слой поверх первого диэлектрического слоя и межсоединений, где слои контактных площадок первого типа проводимости и второго типа проводимости электрически соединены межсоединениями со слоями первого типа проводимости и второго типа проводимости.
8. Кристалл светоизлучающего диода (СИД), содержащий:
слои СИД, содержащие слой первого типа проводимости, светоизлучающий слой над слоем первого типа проводимости и слой второго типа проводимости над светоизлучающим слоем;
одну или более электрически изолирующих областей, примыкающих сбоку к слою первого типа проводимости и вдоль одного или более краев кристалла; и
контактную площадку первого типа проводимости, электрически соединенную со слоем первого типа проводимости, причем контактная площадка первого типа проводимости продолжается до краев кристалла; и
одну или более контактных площадок второго типа проводимости, электрически соединенных со слоем второго типа проводимости, причем контактные площадки второго типа проводимости продолжаются до краев кристалла и над электрически изолирующей областью.
9. Кристалл СИД по п.8, в котором электрически изолирующие области содержат имплантированные ионами области слоя первого типа проводимости.
10.Кристалл СИД по п.8, в которой электрически изолирующие области содержат выращенный резистивный эпитаксиальный слой.
11. Кристалл СИД по п.8, дополнительно содержащий:
полуизолирующий слой, где слои СИД формируются поверх полуизолирующего слоя;
области слоя первого типа проводимости, открытые на краях кристалла до полуизолирующего слоя; и
диэлектрический слой над слоями СИД, где электрически изолирующие области содержат диэлектрический слой над областями слоя первого типа проводимости, открытого на краях кристалла.
12. Кристалл СИД по п.8, в котором контактные площадки второго типа проводимости деформируются в электрически изолирующие области, что предотвращает контакт контактных площадок второго типа проводимости со слоем первого типа проводимости.
13. Кристалл СИД по п.8, в котором контактные площадки первого типа проводимости и второго типа проводимости электрически изолированы зазорами и лежащим ниже диэлектрическим слоем, и контактные площадки первого типа проводимости и второго типа проводимости покрывают, по меньшей мере, 85% поверхности кристалла СИД, которая обращена к кристаллодержателю.
14. Кристалл СИД по п.8, дополнительно содержащий:
диэлектрический слой над слоями СИД, где слой контактных площадок первого типа проводимости и второго типа проводимости сформированы поверх диэлектрического слоя.
15. Кристалл СИД по п.8, в котором структура СИД дополнительно содержит:
первый диэлектрический слой над слоями СИД;
межсоединения над первым диэлектрическим слоем, причем межсоединения электрически соединены со слоем первого типа проводимости и со слоем второго типа проводимости; и
второй диэлектрический слой над первым диэлектрическим слоем и межсоединениями, где контактные площадки первого типа проводимости и второго типа проводимости электрически соединены межсоединениями со слоями первого типа проводимости и второго типа проводимости.