СИСТЕМА ИНИЦИИРОВАНИЯ НАРУШЕНИЯ СВЕРХПРОВОДИМОСТИ ВТСП-МАГНИТА

1. Устройство, содержащее цепь высокотемпературного сверхпроводника, ВТСП, причем цепь ВТСП содержит
способный к нарушению сверхпроводимости участок, содержащий материал ВТСП и соединенный последовательно с другими элементами цепи ВТСП, причем материал ВТСП содержит стопку ВТСП-лент, содержащую по меньшей мере одну ВТСП-ленту;
устройство дополнительно содержит:
систему нарушения сверхпроводимости, выполненную с возможностью нарушать сверхпроводимость материала ВТСП в способном к нарушению сверхпроводимости участке;
систему защиты от нарушения сверхпроводимости, выполненную с возможностью детектировать повышения температуры в цепи ВТСП и, в ответ на детектирование повышения температуры, заставлять систему нарушения сверхпроводимости нарушать сверхпроводимость сверхпроводящего материала в способном к нарушению сверхпроводимости участке для того, чтобы сбросить накопленную магнитную энергию из цепи ВТСП в способный к нарушению сверхпроводимости участок;
при этом цепь ВТСП выполнена так, что при применении магнитное поле на упомянутой или каждой ВТСП-ленте практически параллельно плоскости a-b ВТСП-ленты, а система нарушения сверхпроводимости выполнена с возможностью нарушать сверхпроводимость материала ВТСП путем создания дополнительного магнитного поля вдоль отрезка упомянутой или каждой ВТСП-ленты в пределах способного к нарушению сверхпроводимости участка, так что дополнительное магнитное поле имеет компоненту, перпендикулярную плоскости a-b ВТСП-ленты.
2. Устройство по п. 1, в котором каждый способный к нарушению сверхпроводимости участок имеет теплоемкость, достаточную для того, чтобы температура способного к нарушению сверхпроводимости участка оставалась ниже первой заданной температуры, когда энергия сбрасывается из цепи ВТСП в способный к нарушению сверхпроводимости участок, и удельное сопротивление, достаточное для того, чтобы вызвать падение тока цепи ВТСП достаточно быстро, чтобы температура той части цепи ВТСП, где было детектировано повышение температуры, оставалась ниже второй заданной температуры.
3. Устройство по п. 1 или 2, в котором система нарушения сверхпроводимости выполнена с возможностью нарушать сверхпроводимость материала ВТСП путем создания дополнительного магнитного поля, перпендикулярного плоскости a-b ВТСП-ленты.
4. Устройство по любому предшествующему пункту, в котором система нарушения сверхпроводимости содержит источник тока и первый провод, который практически параллелен отрезку соответствующей ВТСП-ленты и находится практически в плоскости a-b соответствующей ВТСП-ленты, причем система нарушения сверхпроводимости обеспечивает дополнительное магнитное поле за счет пропускания тока через первый провод.
5. Устройство по п. 4, в котором система нарушения сверхпроводимости содержит второй провод на другой стороне от соответствующей ВТСП-ленты относительно первого провода, причем второй провод практически параллелен отрезку соответствующей ВТСП-ленты и находится практически в плоскости a-b соответствующей ВТСП-ленты, при этом система нарушения сверхпроводимости обеспечивает дополнительное магнитное поле за счет пропускания тока через первый провод в одном направлении и через второй провод в противоположном направлении.
6. Устройство по п. 5, в котором способный к нарушению сверхпроводимости участок содержит множество стопок ВТСП-лент, размещенных своими плоскостями a-b параллельно локальному магнитному полю, и при этом система нарушения сверхпроводимости содержит провод между каждой парой смежных стопок ВТСП-лент, причем система нарушения сверхпроводимости выполнена с возможностью обеспечивать дополнительное магнитное поля за счет пропускания тока через провода таким образом, чтобы из двух проводов, смежных с каждой стопкой ВТСП-лент, один провод переносил ток в одном направлении, а другой провод переносил ток в противоположном направлении.
7. Устройство по п. 6, в котором провода соединены последовательно.
8. Устройство по любому предшествующему пункту, в котором упомянутая первая заданная температура составляет примерно 700К или, более предпочтительно, примерно 300К.
9. Устройство по любому предшествующему пункту, в котором упомянутая вторая заданная температура составляет примерно 300К, более предпочтительно примерно 200К, предпочтительнее примерно 100К.
10. Устройство по любому предшествующему пункту, в котором каждый способный к нарушению сверхпроводимости участок дополнительно содержит несверхпроводящий стабилизатор.
11. Устройство по любому предшествующему пункту, в котором несверхпроводящий стабилизатор содержит металл, имеющий большее отношение удельного сопротивления к объемной теплоемкости, чем у меди, такой, как нержавеющая сталь.
12. Устройство по любому предшествующему пункту, в котором цепь ВТСП представляет собой генерирующую поле обмотку, а способный к нарушению сверхпроводимости участок вносит вклад в магнитное поле генерирующей поле обмотки.
13. Устройство по любому предшествующему пункту, в котором цепь ВТСП представляет собой обмотку тороидального поля токамака, а способный к нарушению сверхпроводимости участок представляет собой участок обратной ветви этой обмотки тороидального поля.
14. Устройство по п. 13, в котором каждая обратная ветвь обмотки тороидального поля содержит способный к нарушению сверхпроводимости участок.
15. Устройство по любому из пп. 1-12, в котором цепь ВТСП представляет собой обмотку полоидального поля токамака.