СПОСОБ НЕПРЕРЫВНОГО ПОЛУЧЕНИЯ МОНОСИЛАНА

1. Способ непрерывного получения моносилана из галогенида кремния и гидрида металлов при их стехиометрическом соотношении в жидкой реакционной среде, отличающийся тем, что взаимодействие галогенида кремния и гидрида металлов в растворителе осуществляется в одном вертикальном аппарате колонного типа, секционированного по высоте на реакционные зоны контактными устройствами, обеспечивающими контакт между жидкостью и газом, причем исходный гидрид металла вводится в верхнюю часть аппарата, при этом исходный галогенид кремния вводится в нижнюю часть аппарата над слоем жидкости, полученный силан выводится из верхней части аппарата, полученный галогенид металла выводится из нижней части аппарата, при этом аппарат охлаждается с помощью внешнего потока хладагента, причем в аппарате осуществляется контроль тепловыделения и регулирование подачи реагентов в соответствии с тепловыделением, а процесс ведут под атмосферном или повышенном давлении и повышенной температуре.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве гидрида металла применяют гидрид лития, натрия или калия.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве гидрида металла применяют алюмогидрид щелочного металла лития, натрия или калия.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве растворителя используется простой эфир или циклический эфир.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что в качестве растворителя используется диглим.
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что в качестве растворителя используется моноглим.
7. Способ по п.4, отличающийся тем, что в качестве растворителя используется 1,4-диоксан.
8. Способ по п.4, отличающийся тем, что в качестве растворителя используется дибутиловый эфир.
9. Способ по п.4, отличающийся тем, что в качестве растворителя используется простой эфир или циклический эфир или их смеси с углеводородом.
n
4-n
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве галогенида кремния, используются соединения общей формулы SiXY, где n=1, 2 или 3, а Х и Y - это фтор, хлор или бром в любых сочетаниях.
n
4-n
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве галогенида кремния, используются гидридгалоидсиланы HSiX, где n=0-3; X=F, Cl, Br.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что аппарат имеет более двух контактных устройств.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что перемешивание жидкости и газа на контактных устройствах осуществляется за счет энергии потока газа.
14. Способ по п.1, отличающийся тем, что перемешивание жидкости и газа на контактных устройствах осуществляется с помощью механического перемешивающего устройства.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что для каждого контактного устройства используется индивидуальное механическое перемешивающее устройство.
16. Способ по п.14, отличающийся тем, что для всех контактных устройств используется единое механическое перемешивающее устройство, выполненное как вертикально установленный вал с расположенными на нем перемешивающими элементами, каждый из которых осуществляет перемешивание на своем контактном устройстве.
17. Способ по п.1, отличающийся тем, что контактные устройства являются устройствами провального типа без переливного устройства.
18. Способ по п.1, отличающийся тем, что контактные устройства имеют переливные устройства.
19. Способ по п.1, отличающийся тем, что в нижний ввод подается 100% исходного галогенида кремния.
20. Способ по п.1, отличающийся тем, что ввод галогенида кремния осуществляется более чем в одном месте по высоте аппарата.
21. Способ по п.20, отличающийся тем, что количество галогенида кремния, подающееся в каждый ввод в аппарат, не являющийся при этом нижним вводом, составляет от 15 до 75%.
22. Способ по п.20, отличающийся тем, что в нижний ввод подается от 25 до 40% исходного галогенида кремния.
23. Способ по п.20, отличающийся тем, что весь галогенид кремния, за исключением поданного в нижний ввод, подается над слоем жидкости нижнего контактного устройства.
24. Способ по п.1, отличающийся тем, что аппарат охлаждается хладагентом, причем охлаждение аппарата происходит не зависимо для каждого контактного устройства или группы контактных устройств.
25.Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве охлаждающего агента используется вода.
26. Способ по п.1, отличающийся тем, что контроль за выделением тепла в аппарате осуществляется путем определения количества тепла, отведенного хладагентом от каждого контактного устройства или группы контактных устройств.
27. Способ по п.1, отличающийся тем, что аппарат охлаждается хладагентом, причем охлаждение аппарата происходит одним потоком заданного количества хладагента для всего аппарата в целом.
28. Способ по п.1, отличающийся тем, что контроль за выделением тепла в аппарате осуществляется путем определения температуры на каждом контактном устройстве или на группе контактных устройств.
29. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс проводится при давлении верха аппарата от 1 до 10 атм (абс).
30. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс проводится при давлении верха аппарата от 1,2 до 1,4 атм (абс).
31. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс проводится при температуре от 10 до 80°С на контактных устройствах.
32. Способ по п.5, отличающийся тем, что при использовании растворителя с температурой кипения выше 90°С процесс проводится при температуре от 30 до 80°С на контактных устройствах.
33. Способ по п.5, отличающийся тем, что при использовании растворителя с температурой кипения выше 90°С и давлении верха аппарата выше 1,4 атм (абс) процесс проводится при повышенной температуре, причем степень повышения температуры процесса над значением 80°С пропорциональна повышению давления верха колонны над значением 1,4 атм (абс), но температура процесса не может быть выше 110°С.
34. Способ по п.1, отличающийся тем, что для уменьшения потерь растворителя с полученным силаном, в верхней части аппарата устанавливается дефлегматор, охлаждаемый таким образом, чтобы температура возвращаемого в аппарат конденсата не была ниже 10°С.
35. Способ по п.1, отличающийся тем, что для уменьшения потерь растворителя с полученным силаном исходный гидрид металла в растворителе подается с температурой ниже, чем температура на верхнем контактном устройстве, но не ниже чем 10°С.