СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПЛОТНОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТОКА В ПРОВОДНИКЕ

1. Способ определения плотности электрического тока в проводнике, характеризующийся тем, что концы проводника подключают к клеммам источника ЭДС, источником ЭДС прилагают разность потенциалов к проводнику, далее измерителем напряженности измеряют значение напряженности электрического поля в проводнике , далее в устройство для хранения и вывода физических характеристик материалов проводников вводят тип используемого проводника, которое подбирает значение электронной проводимости материала, далее в блоке определения плотности электрического тока рассчитывают плотность электрического тока в металлическом проводнике, по формуле , отличающийся тем, что в блоке вычисления напряженности электрического поля, создаваемого за счёт кинетической энергии поступательного движения свободных электронов в веществе рассчитывают значение , по формуле , где  - концентрация свободных электронов, - поступательная скорость свободных электронов,  - удельное электросопротивление,  - шаг кристаллической решётки проводника, - заряд электрона, далее в блоке вычисления напряженности электрического поля, создаваемого вследствие торможения свободных электронов рассчитывают значение , по формуле , где  - концентрация свободных электронов, - поступательная скорость свободных электронов,  - скорость света, - диэлектрическая постоянная,  - радиус орбитального вращения заряженной частицы электрона,  - заряд электрона, далее температурным датчиком измеряют температуру проводника , и подают  полученное значение на вход  блока вычисления напряженности электрического поля, создаваемого в металлах атомами кристаллической решётки, а в полупроводниках и диэлектриках электростатическими диполями, возникающими под действием внешнего напряжения, где рассчитывают значение , по формуле , где  - дипольный момент,  - масса электрона;  - число Авогадро,  - теплоёмкость материала, далее рассчитанные значения, поступают в блок расчета плотности электрического тока в проводнике, где определяется значение плотности электрического тока по формуле
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что на вход блока вычисления напряженности электрического поля, создаваемого за счёт кинетической энергии поступательного движения свободных электронов в веществе, подают значения параметров  - концентрации свободных электронов, - поступательной скорости свободных электронов,  - удельного электросопротивление,  - шага кристаллической решётки проводника из устройства для хранения и вывода физических характеристик материалов проводников
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что на вход блока вычисления напряженности электрического поля, создаваемого за счёт кинетической энергии поступательного движения свободных электронов в веществе, подают значение - заряда электрона из устройства для хранения и вывода физических констант.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что на вход блока вычисления напряженности электрического поля, создаваемого вследствие торможения свободных электронов, подают значения параметров  - концентрации свободных электронов; - поступательной скорости свободных электронов из устройства для хранения и вывода физических характеристик материалов проводников.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что на вход блока вычисления напряженности электрического поля, создаваемого вследствие торможения свободных электронов, подают значения параметров  - заряда электрона; - скорости света;- диэлектрической постоянной;  - радиуса орбитального вращения заряженной частицы электрона из устройства для хранения и вывода физических констант.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что на вход блока вычисления напряженности электрического поля, создаваемого в металлах атомами кристаллической решётки, а в полупроводниках и диэлектриках электростатическими диполями, возникающими под действием внешнего напряжения, подают значения параметров  - дипольного момента,  - теплоёмкости материала из устройства для хранения и вывода физических характеристик материалов проводников.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что на вход блока вычисления напряженности электрического поля, создаваемого в металлах атомами кристаллической решётки, а в полупроводниках и диэлектриках электростатическими диполями, возникающими под действием внешнего напряжения, подают значения параметров  - массы электрона,  - числа Авогадро из устройства для хранения и вывода физических констант.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что датчиками температур измеряют температуру на концах проводника и , далее измерителем напряженности определяют величину термо-ЭДС , и рассчитывают напряженность электрического поля по формуле , где  - шаг кристаллической решётки проводника, который получают из устройства для хранения и вывода физических характеристик материалов проводников.