ДЕФЛЕКТОРНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)

1. Многослойная отклоняющая структура, содержащая:
- по меньшей мере, два активных слоя, выполненных из сегнетоэлектрического материала и расположенных между двумя высокорезистивными слоями;
- высокорезистивный слой, расположенный между каждой парой активных слоев;
- два согласующих слоя, расположенных на обеих сторонах многослойной отклоняющей структуры;
- два источника напряжения,
отличающая тем, что:
- каждый из двух высокорезистивных слоев выполнен в форме набора полосковых проводников, соединенных гальванически с одного торца полосковым проводником, выполненной из того же высокорезистивного материала, причем соединительная полосковый проводник одного высокорезистивного слоя расположена перпендикулярно полосковому проводнику второго высокорезистивного слоя, и на каждом конце каждой соединительной полоски нанесены контактные площадки;
- первый источник напряжения подключен к контактным площадкам первого высокорезистивного слоя;
- второй источник напряжения подключен к контактным площадкам второго высокорезистивного слоя;
причем:
- первый источник напряжения Ux выполнен с возможностью создания разности потенциалов Ux1-Ux2 на контактных площадках первого высокорезистивного слоя;
- второй источник напряжения Uy выполнен с возможностью создания разности потенциалов Uy1-Uy2 на контактных площадках второго высокорезистивного слоя.
2. Структура по п.1, отличающаяся тем, что активные слои представляют собой многослойную структуру, состоящую из сегнетоэлектрических слоев, перемежающихся с высокорезистивными слоями.
3. Структура по п.1, отличающаяся тем, что согласующие слои выполнены из линейного диэлектрика.
4. Структура по п.1, отличающаяся тем, что толщина высокорезистивных слоев задается в соответствии с неравенством t<<δ, где t - толщина слоя, δ - толщина скин-слоя.
5. Структура по п.1, отличающаяся тем, что высокорезистивные слои изготовлены по технологии тонких пленок.
6. Структура по п.1, отличающаяся тем, что высокорезистивные слои изготовлены из ZnO, TiO2, TaN.
7. Структура по п.1, отличающаяся тем, что высокорезистивные слои изготовлены из твердого раствора Si-Ti-Ce.
8. Структура по п.1, отличающаяся тем, что форма высокорезистивных слоев образуется с помощью операции фотолитографии.
9. Многослойная отклоняющая структура, содержащая:
- по меньшей мере, один активный слой, изготовленный из сегнетоэлектрического материала;
- высокорезистивный слой, выполненный в форме набора полосковых проводников, размещенных на одной из сторон активного слоя, причем каждый полосковый проводник на обоих концах снабжена контактной площадкой;
- высокорезистивный слой, размещенный на другой стороне активного слоя;
- два согласующих слоя, размещенных на обеих сторонах структуры;
- первый набор источников напряжения, где каждый источник подключен через контактные площадки к каждой полосковому проводнику с одного конца;
- второй набор источников напряжения, где каждый источник подключен через контактные площадки к каждому полосковому проводнику с другого конца,
отличающийся тем, что источники напряжения выполнены с возможностью создания двух различных градиентов по электрическому потенциалу в двух взаимно перпендикулярных направлениях в плоскости высокорезистивного электрода.
10. Структура по п.10, отличающаяся тем, что
формирование контактных площадок выполняют с помощью технологии вакуумного напыления с использованием топологической маски.
11. Структура по п.10, отличающаяся тем, что активный слой выполнен в форме многослойной структуры, состоящей из набора сегнетоэлектрических слоев и высокорезистивных слоев между ними.
12. Многослойная отклоняющая структура, содержащая:
- по меньшей мере, два активных слоя, выполненных из сегнетоэлектрического материала и расположенных между высокорезистивными слоями;
- высокорезистивный слой, расположенный между двумя активными слоями;
- два согласующих слоя на обеих сторонах многослойной отклоняющей структуры;
- источники напряжения,
отличающаяся тем, что:
- высокорезистивные слои выполнены в форме набора полосковых проводников закороченных между собой серией последовательно соединенных резисторов, вынесенных за площадь активного слоя, причем полоски первого высокорезистивного слоя расположены перпендикулярно полосковый проводникам второго высокорезистивного слоя;
- первый источник напряжения Ux выполнен с возможностью создания разности потенциалов Ux1-Ux2 на концах цепочки резисторов, присоединенных к первому высокорезистивному слою;
- второй источник напряжения Uy выполнен с возможностью создания разности потенциалов Uy1-Uy2 на концах цепочки резисторов, присоединенных к второму высокорезистивному слою.