СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОЗРАЧНОЙ РАССЕИВАЮЩЕЙ ПОДЛОЖКИ ОСИД И ПОЛУЧЕННАЯ ПОДЛОЖКА

1. Способ изготовления прозрачной рассеивающей подложки органического светоизлучающего диода (ОСИД), содержащий следующие последовательные этапы, на которых:
a
(a) шлифуют одну наружную поверхность или обе поверхности плоской светопропускающей стеклянной подложки абразивной суспензией для получения плоской стеклянной подложки по меньшей мере с одной шероховатой поверхностью, имеющей профиль шероховатости со среднеарифметическим отклонением R, составляющим 0,1-2,0 мкм, предпочтительно 0,15-1,5 мкм, более предпочтительно от 0,2 до менее 1,0 мкм и наиболее предпочтительно 0,25-0,8 мкм,
(b) покрывают шероховатую поверхность или одну из шероховатых поверхностей стеклоприпоем с высоким показателем преломления, обладающим показателем преломления по меньшей мере 1,7, предпочтительно 1,7-2,2, причем количество стеклоприпоя с высоким показателем преломления является достаточным для полного покрытия профиля шероховатости шероховатой поверхности после расплавления упомянутого припоя;
(c) нагревают покрытую подложку до температуры выше температуры плавления стеклоприпоя с высоким показателем преломления и ниже температуры размягчения нижележащей подложки для образования эмали с высоким показателем преломления на одной из шероховатых поверхностей.
2. Способ по п. 1, в котором абразивная суспензия согласно этапу (a) содержит абразивные частицы, обладающие твердостью по Кнупу по меньшей мере 1800 HK, предпочтительно по меньшей мере 2000 HK.
3. Способ по п. 2, в котором абразивные частицы выбраны из группы, состоящей из оксида алюминия (включающего в себя белый корунд), карбида кремния (SiC), в частности черного и зеленого SiC, оксида циркония, легированного, например, Mg, Y или Ce, нитрида бора, смесей этих частиц и композитных частиц со структурой ядро - оболочка, таких как оксид алюминия, покрытых SiC, в частности из частиц белого корунда или зеленого SiC.
4. Способ по любому из пп. 2 и 3, в котором абразивные частицы обладают средним размером частиц от 500 до 5000 меш, предпочтительно от 800 до 3500 меш, более предпочтительно от 1000 до 3200 меш и наиболее предпочтительно от 2000 до 3000 меш.
5. Способ по п. 1, в котором этап (a) шлифования осуществляют одновременно на обеих поверхностях плоской стеклянной подложки.
6. Способ по п. 1, в котором давление шлифования на этапе (a) составляет 1,38-6,89 кПа.
7. Способ по п. 1, в котором время шлифования на этапе (a) составляет 3-60 минут, предпочтительно 5-30 мин, более предпочтительно 10-20 мин.
8. Способ по п. 1, в котором матовость плоской стеклянной подложки с одной или двумя шероховатыми поверхностями, полученными на этапе (a), составляет 85-97%, предпочтительно 87-96%.
2
2
2
2
9. Способ по п. 1, в котором количество стеклоприпоя с высоким показателем преломления, нанесенного на шероховатую поверхность на этапе (b), составляет 15-100 г/м, предпочтительно 20-90 г/м, более предпочтительно 25-80 г/м и наиболее предпочтительно 30-70 г/м.
2
2
10. Способ по п. 1, в котором стеклоприпой и полученная эмаль, по существу, не содержат рассеивающие частицы, такие как частицы SiO или TiO.
11. Способ по п. 1, в котором плоская светопропускающая стеклянная подложка, поступающая на этап (a), обладает толщиной 0,1-5 мм, предпочтительно 0,3-1,6 мм.
12. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором покрывают эмаль с высоким показателем преломления, полученную на этапе (c), прозрачным проводящим слоем, предпочтительно прозрачным проводящим оксидом.
13. Способ по п. 1, в котором стеклоприпой с высоким показателем преломления имеет следующий состав, вес.%:
Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
55-75
BaO
0-20
ZnO
0-20
Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
1-7
SiO<sub>2</sub>
5-15
B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
5-20
Na<sub>2</sub>O
0,1-1
CeO<sub>2</sub>
0-0,1
14. Прозрачная подложка органического светоизлучающего диода (ОСИД), получаемая способом по любому из пп. 1-11.
15. Органический светоизлучающий диод (ОСИД), содержащий прозрачную подложку по п. 14.