Способ прецизионного легирования тонких пленок на поверхности InP

2
5
2
3
Способ прецизионного легирования тонких пленок на поверхности InP, включающий обработку концентрированной плавиковой кислотой в течение 10 мин, промывку пластины дистиллированной водой, высушку на воздухе, окисление пластины InP в горизонтальном кварцевом реакторе в качестве крышки на расстоянии 10 мм от композиции, состоящей из тщательно перемешанных между собой порошков активного оксида VO и инертного компонента (YO), помещенной в кварцевый контейнер; окисление проводят при температуре 550°С, при скорости потока кислорода 30 л/ч, в течение 10-минутного интервала.