ПОЛУЧЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ

1. Конструкция «горячей зоны» для выращивания кристаллов из расплава по способу Чохральского, отличающаяся тем, что содержит направляющее устройство для потоков, выполненное с возможностью разделения входящего потока на первый частичный поток и второй частичный поток таким образом, что указанный первый частичный поток направляется вдоль направляющей поверхности для входа в область расплава перед выходом из «горячей зоны», а указанный второй частичный поток направляется в обход пространства в тигле, расположенного над указанным расплавом, перед выходом его из «горячей зоны».
2. Конструкция «горячей зоны» по п.1, где указанный первый частичный поток направляется для входа в пространство, примыкающее к шихте, из которой образуется расплав, а указанный второй частичный поток направляется так, что он не попадает в указанное пространство, примыкающее к шихте.
3. Конструкция «горячей зоны» по п.1, где первый частичный поток и второй частичный поток организованы так, что они объединяются перед выходом из «горячей зоны» и/или печи.
4. Конструкция «горячей зоны» по п.1, где первый частичный поток и/или второй частичный поток организованы так, что они выходят из «горячей зоны» и/или печи отдельно друг от друга.
5. Конструкция «горячей зоны» по п.1, где направляющее устройство для потоков дополнительно содержит по меньшей мере один трубчатый экранирующий элемент в виде устанавливаемой стенки, по меньшей мере частично окружающей ось кристалла или ее продолжение, так что указанный по меньшей мере один трубчатый экранирующий элемент по меньшей мере частично образует стенку канала для защиты от паров, происходящих от указанного первого частичного потока и/или от расплава, по меньшей мере одного из следующих элементов: нагревательного элемента, указанного тигля, части стенки тигля, приемника тигля, кристалла и трубчатого и/или конического элемента.
6. Конструкция «горячей зоны» по п.1, где для первого частичного потока и/или второго частичного потока имеется зона, заходящая в выпускной канал на выходе газа из печи, для смешивания в указанной зоне указанного первого частичного потока и указанного второго частичного потока.
7. Конструкция «горячей зоны» по п.1, где по меньшей мере один компонент из следующих: тигель, приемник тигля, экранирующий элемент, зона слияния потоков, шихта, поверхность расплава, имеющая уровень в соответствии с фазой роста кристалла, часть поверхности вытягиваемого кристалла и трубчатый и/или конический элемент, определяет геометрию частичного потока в печи во время роста кристалла или определенной фазы роста кристалла.
8. Конструкция «горячей зоны» по п.1, где по меньшей мере один из потоков газа направляется в канал между по меньшей мере первой деталью и второй деталью, причем указанные первая и/или вторая деталь имеют цилиндрическую, по существу, цилиндрическую, строго цилиндрическую, коническую, по существу, коническую, плоскостную и/или приблизительно плоскостную геометрию.
9. Конструкция «горячей зоны» по п.1, дополнительно включающая первый комплект для организации первого потока для первого кристалла с первым характеристическим показателем и второй комплект для организации второго потока для второго кристалла со вторым характеристическим показателем.
10. Конструкция «горячей зоны» по п.1, дополнительно включающая
тигель для размещения в нем шихты и/или расплава,
нагреватель для плавления материала в тигле и/или для поддержания материала в расплавленном состоянии во время выращивания кристалла, и,
по существу, непрерывную теплоизоляцию, окружающую по меньшей мере тигель и нагреватель для снижения тепловых потерь и/или потребления мощности нагревателем во время плавления и/или выращивания кристалла.
11. Печь для выращивания кристаллов по способу Чохральского, содержащая «горячую зону», имеющую конструкцию по любому из пп.1-10.
12. Способ выращивания кристаллов по способу Чохральского, отличающийся тем, что включает разделение входящего потока на первый частичный поток и второй частичный поток в «горячей зоне» печи таким образом, что указанный первый частичный поток направляется вдоль направляющей поверхности и проникает в зону расплава перед выходом из «горячей зоны», а указанный второй частичный поток направляется так, что он не попадает в пространство внутри тигля над расплавом до выхода из «горячей зоны».
13. Способ по п.12, дополнительно включающий
подачу потока газа в ростовую камеру для создания в ней атмосферы;
разделение потока газа, входящего в ростовую камеру, на первый частичный поток и второй частичный поток,
направление нисходящей части указанного первого частичного потока к поверхности расплава для образования второй части указанного первого частичного потока с использованием направляющей поверхности,
изоляцию указанных нисходящей и второй частей указанного первого частичного потока друг от друга для поддержания определенной температуры второй части первого частичного потока на уровне, равном или близком к температуре расплава, и
направление по меньшей мере указанного первого частичного потока к выходу из «горячей зоны» и второго частичного потока в обход расплава, находящегося в тигле, и/или зоны вытягивания кристалла, в виде защитного потока газа к выпускному отверстию.
14. Способ по п.12, который является способом получения кремниевого кристалла, германиевого кристалла, кристалла полупроводника, кристалла, содержащего элемент из группы углерода, кристалла, содержащего легирующую примесь из III группы, или кристалла, содержащего легирующую примесь из V группы.
15. Кристалл, отличающийся тем, что он получен способом по любому из пп.12-14.