МАГНИТНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Магнитное запоминающее устройство, содержащее:
подложку;
контактную вставку, предусмотренную на подложке, причем контактная вставка включает в себя первую контактную вставку и предусмотренную на первой контактной вставке вторую контактную вставку, имеющую меньший диаметр, чем у первой контактной вставки; и
магниторезистивный элемент, предусмотренный на второй контактной вставке, причем диаметр второй контактной вставки меньше, чем у магниторезистивного элемента.
2. Магнитное запоминающее устройство по п. 1, в котором верхняя поверхность второй контактной вставки покрыта магниторезистивным элементом.
3. Магнитное запоминающее устройство по п. 1, в котором первая и вторая контактные вставки содержат один и тот же материал.
4. Магнитное запоминающее устройство по п. 1, в котором первая контактная вставка содержит первый материал, а вторая контактная вставка содержит второй материал, отличающийся от первого материала.
5. Магнитное запоминающее устройство по п. 4, в котором второй материал имеет меньшее сопротивление, чем первый материал.
6. Магнитное запоминающее устройство по п. 4, в котором второй материал включает в себя по меньшей мере одно из тантала, кремния, титана, меди, вольфрама, алюминия, гафния, бора, никеля, кобальта и углеродной нанотрубки.
7. Магнитное запоминающее устройство по п. 1, в котором боковая поверхность первой контактной вставки покрыта первой изолирующей пленкой, а боковая поверхность второй контактной вставки покрыта второй изолирующей пленкой из материала, отличающегося от материала первой изолирующей пленки.
8. Магнитное запоминающее устройство по п. 7, в котором вторая изолирующая пленка включает в себя элемент, составляющий вторую контактную вставку.
9. Магнитное запоминающее устройство по п. 8, в котором вторая изолирующая пленка включает в себя азотированный или оксидированный материал по меньшей мере одного из тантала, кремния, титана, меди, вольфрама, алюминия, гафния, бора, кобальта и углеродной нанотрубки.
10. Магнитное запоминающее устройство по п. 1, в котором вторая контактная вставка имеет полую структуру, где в направлении по высоте имеется полое пространство.
11. Магнитное запоминающее устройство по п. 10, в котором полая структура представляет собой полый цилиндр.
12. Магнитное запоминающее устройство по п. 10, в котором первая контактная вставка контактирует со второй контактной вставкой в двух точках на разрезе первой и второй контактных вставок, проведенном по плоскости, определяемой направлением нормали, которое перпендикулярно направлению пакетирования первой и второй контактных вставок.
13. Магнитное запоминающее устройство по п. 1, в котором вторая контактная вставка включает в себя L-образный участок.
14. Магнитное запоминающее устройство по п. 1, в котором магниторезистивный элемент представляет собой элемент с МТП (магнитным туннельным переходом).
15. Способ изготовления магнитного запоминающего устройства, содержащий:
формирование первой изолирующей пленки на подложке;
формирование в первой изолирующей пленке первой контактной вставки;
формирование на первой изолирующей пленке второй изолирующей пленки;
формирование во второй изолирующей пленке второй контактной вставки, соединяющейся с первой контактной вставкой, причем вторая контактная вставка имеет меньший диаметр, чем у первой контактной вставки;
формирование на второй контактной вставке и второй изолирующей пленке пакетированных пленок, обрабатываемых для получения магниторезистивного элемента; и
формирование магниторезистивного элемента путем обработки пакетированных пленок.
16. Способ по п. 15, в котором первая и вторая изолирующие пленки содержат один и тот же материал.
17. Способ изготовления магнитного запоминающего устройства, содержащий:
формирование первой изолирующей пленки на подложке;
формирование в первой изолирующей пленке первого отверстия для контакта;
заполнение первого отверстия для контакта первой контактной вставкой;
превращение верхней части первого отверстия для контакта в канавку, не заполненную первой контактной вставкой, путем удаления верхней части первой контактной вставки;
формирование второй изолирующей пленки на части первой контактной вставки и формирование второго отверстия для контакта, которое достигает первой контактной вставки и окружено второй изолирующей пленкой;
заполнение второго отверстия для контакта второй контактной вставкой;
формирование на второй контактной вставке и второй изолирующей пленке пакетированных пленок, обрабатываемых для получения магниторезистивного элемента; и
формирование магниторезистивного элемента путем обработки пакетированных пленок.
18. Способ по п. 17, в котором первая изолирующая пленка содержит материал, отличающийся от материала второй изолирующей пленки.