СПОСОБ ГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ КОНТАКТНОЙ СЕТКИ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ

1. Способ гальванического осаждения контактной сетки фотоэлектрического преобразователя (ФЭП), включающий нанесение на ФЭП подслоя прозрачного проводящего оксида, отличающийся тем, чтопоследовательно:
- на подслой прозрачного проводящего оксида осуществляют нанесение диэлектрической маски или диэлектрического слоя и формируют рисунок сетки;
- помещают пластину в ванну с растворами солей вещества-активатора, для активации поверхности платины в области рисунка сетки;
- на области активированной поверхности осуществляют нанесение металлического подслоя;
- на металлическом подслое осуществляют гальваническое наращивание слоя меди;
- на медный слой осуществляют нанесение защитного покрытия.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подслой прозрачного проводящего оксида выполняют из оксида индия-олова или оксида олова.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что подслой прозрачного проводящего оксида выполненный из оксида индия-олова наносят методом атомно-молекулярного наслаивания при температуре меньше 200°С или осаждением из газовой фазы при пониженном давлении.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что подслой прозрачного проводящего оксида выполненный из оксида олова наносят методом магнетронного распыления.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение диэлектрической маски осуществляют способом фотолитографии или трафаретной печатью, или импринт литографией.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение диэлектрического слоя осуществляют газофазным методом или магнетронным распылением с последующим вскрытием окон в нанесенном слое с помощью лазера.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что рисунком сетки является область в которой происходит активация поверхности и дальнейшее осаждение слоев.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве вещества-активатора применяют соли благородных металлов, таких как серебро или платина, или палладий.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесение металлического подслоя выполняют из меди или никеля путем химического осаждения.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что химическое осаждение выполняют путем выдерживания ФЭП в ванне с раствором с последующей их отмывкой, для исключения попадания раствора в электролит применяемый на следующем этапе.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что гальваническое наращивание меди осуществляют путем гальванического осаждения меди в ванне с электролитом с последующей отмывкой ФЭП, для исключения попадания электролита в электролит, применяемый на следующем этапе.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что защитное покрытие выполняют из олова или сплава олова методом гальванического или химического осаждения путем выдерживания ФЭП в ванне с раствором электролита с последующей отмывкой ФЭП.
13. Способ по 12, отличающийся тем, что при нанесении защитного покрытия гальваническим способом в состав электролита добавляют висмут.