НЕОРГАНИЧЕСКИЙ МНОГОСЛОЙНЫЙ ПАКЕТ И ОТНОСЯЩИЕСЯ К НЕМУ СПОСОБЫ И КОМПОЗИЦИИ

1. Многослойный пакет, содержащий:
один или более неорганических барьерных слоев для снижения переноса через них молекул газа или пара;
неорганический химически активный слой, расположенный смежно с упомянутыми одним или более неорганическими барьерными слоями, и упомянутый химически активный слой обладает способностью вступать в реакцию с молекулами упомянутого газа или упомянутого пара; и
при зтом в рабочем состоянии упомянутого многослойного пакета молекулы упомянутого пара или упомянутого газа, которые диффундируют через упомянутые один или более неорганические барьерные слои, вступают в реакцию с упомянутым неорганическим химически активным слоем, и тем самым обеспечивается то, что упомянутый многослойный пакет будет, большей частью, не проницаемым для молекул упомянутого газа или упомянутого пара.
2. Многослойный пакет по п. 1, отличающийся тем, что молекулы упомянутого пара или упомянутого газа включают, по меньшей мере, одно вещество, выбранное из группы, которая состоит из влаги, кислорода, азота, водорода, углекислоты и сероводорода.
3. Многослойный пакет по п. 1, отличающийся тем, что упомянутый неорганический барьерный слой включает, по меньшей мере, одно вещество, выбранное из группы, которая состоит из металла, оксида металла, нитрида металла, оксинитрида металла, карбонитрида металла и оксикарбида металла.
4. Многослойный пакет по п. 3, отличающийся тем, что упомянутый неорганический барьерный слой включает, по меньшей мере, одно вещество, выбранное из группы, которая состоит из алюминия, серебра, кремния, цинка, олова, титана, тантала, ниобия, рутения, галлия, платины, ванадия и индия.
5. Многослойный пакет по п. 1, отличающийся тем, что упомянутый неорганический химически активный слой включает, по меньшей мере, одно вещество, выбранное из группы, которая состоит из оксида щелочного металла, оксида цинка, оксида титана, оксида цинка с присадками металла и оксида кремния.
6. Многослойный пакет по п. 5, отличающийся тем, что упомянутый неорганический химически активный слой легирован одним или более химическими компонентами без кислородных соединений.
7. Многослойный пакет по п. 5, отличающийся тем, что упомянутый неорганический химически активный слой содержит неорганический связующий материал.
8. Многослойный пакет по п. 1, отличающийся тем, что толщина упомянутого неорганического барьерного слоя находится между приблизительно 10 нм и приблизительно 1 мкм.
9. Многослойный пакет по п. 1, отличающийся тем, что толщина упомянутого неорганического химически активного слоя находится между приблизительно 10 нм и приблизительно 1 микрон.
10. Многослойный пакет по п. 1, отличающийся тем, что упомянутые один или более барьерные слои включают два барьерных слоя и упомянутый химически активный слой расположен между двумя упомянутыми барьерными слоями.
11. Многослойный пакет по п. 1, отличающийся тем, что упомянутый химически активный слой включает столбчатые структуры.
12. Многослойный пакет по п. 1, отличающийся тем, что каждый из упомянутых одного или более барьерных слоев выполнен из одного или более аморфных веществ.
13. Многослойный пакет по п. 1, отличающийся тем, что упомянутый неорганический барьерный слой является большей частью прозрачным.
14. Фотогальванический модуль, содержащий:
фотогальванический элемент и
капсулу фотогальванического элемента, по меньшей мере, частично заключающую в себе упомянутый фотогальванический элемент, и при этом упомянутая капсула фотогальванического элемента включает:
один или более неорганических барьерных слоев для снижения переноса через них молекул газа или пара;
неорганический химически активный слой, расположенный смежно с упомянутыми одним или более неорганическими барьерными слоями, и упомянутый химически активный слой обладает способностью вступать в реакцию с молекулами упомянутого газа или упомянутого пара; и
при этом в рабочем состоянии упомянутой капсулы фотогальванического элемента молекулы упомянутого пара или упомянутого газа, которые диффундируют через упомянутые один или более неорганические барьерные слои, вступают в реакцию с упомянутым неорганическим химически активным слоем, и тем самым обеспечивается возможность того, что упомянутая капсула фотогальванического элемента защищает упомянутый фотогальванический элемент от молекул упомянутого газа или упомянутого пара.
15. Фотогальванический модуль по п. 14, отличающийся тем, что упомянутый фотогальванический элемент представляет собой один элемент, выбранный из группы, которая состоит из фотогальванического элемента на базе кремния, тонкопленочного фотогальванического элемента, органического фотоэлектрического фотогальванического элемента и сенсибилизированного красителем фотогальванического элемента.
16. Фотогальванический модуль по п. 14, отличающийся тем, что упомянутый тонкопленочный фотогальванический элемент включает, по меньшей мере, одно вещество, выбранное из группы, которая состоит из меди, индия, галлия, мышьяка, кадмия, теллура, селена и серы.
17. Модуль генерации света, содержащий:
световой источник и
капсулу светового источника, по меньшей мере, частично заключающую в себе упомянутый световой источник, и при этом упомянутая капсула светового источника включает:
один или более неорганических барьерных слоев для снижения переноса через них молекул газа или пара;
неорганический химически активный слой, расположенный смежно с упомянутыми одним или более неорганическими барьерными слоями, а упомянутый химически активный слой обладает возможностью вступать в реакцию с молекулами упомянутого газа или упомянутого пара; и
при этом в рабочем состоянии упомянутой капсулы светового источника, молекулы упомянутого пара или упомянутого газа, которые диффундируют через упомянутые один или более неорганические барьерные слои, вступают в реакцию с упомянутым неорганическим химически активным слоем, и тем самым обеспечивается то, что упомянутая капсула светового источника защищает упомянутый световой источник от молекул упомянутого газа или упомянутого пара.
18. Модуль генерации света по п. 17, отличающийся тем, что упомянутый световой источник содержит органические или неорганические светоизлучающие диоды.
19. Дисплей на светоизлучающих диодах, содержащий:
светоизлучающий диод; и
капсулу светоизлучающего диода, по меньшей мере, частично заключающую в себе упомянутый светоизлучающий диод, при этом упомянутая капсула светоизлучающего диода включает:
один или более неорганических барьерных слоев для снижения переноса через них молекул упомянутого газа или упомянутого пара;
неорганический химически активный слой, расположенный смежно с упомянутыми одним или более неорганическими барьерными слоями, и упомянутый химически активный слой вступает в реакцию с молекулами упомянутого газа и упомянутого пара; и
при зтом в рабочем состоянии упомянутой капсулы светоизлучающего диода молекулы упомянутого пара или упомянутого газа, которые диффундируют через упомянутые один или более неорганические барьерные слои, вступают в реакцию с упомянутым неорганическим химически активным слоем, и тем самым обеспечивается то, что упомянутая капсула светоизлучающего диода защищает упомянутый светоизлучающий диод от молекул упомянутого газа или упомянутого пара.
20. Дисплей на светоизлучающих диодах по п. 19, отличающийся тем, что упомянутый светоизлучающий диод содержит органические светоизлучающие диоды, известные также как ОСИД.
21. Электролитический элемент, содержащий:
катод;
анод;
электролит и
капсулу электролитического элемента, по меньшей мере, частично заключающую в себе упомянутый катод, упомянутый анод и упомянутый электролит, при этом упомянутая капсула электролитического элемента включает:
один или более неорганических барьерных слоев для снижения переноса через них молекул упомянутого газа или упомянутого пара;
неорганический химически активный слой, расположенный смежно с упомянутыми одним или более неорганическими барьерными слоями, а упомянутый химически активный слой вступает в реакцию с молекулами упомянутого газа и упомянутого пара; и
при зтом в рабочем состоянии упомянутой капсулы электролитического элемента молекулы упомянутого пара или упомянутого газа, которые диффундируют через упомянутые один или более неорганические барьерные слои, вступают в реакцию с упомянутым неорганическим химически активным слоем, и тем самым обеспечивается то, что упомянутая капсула электролитического элемента защищает упомянутый электролитический элемент от молекул упомянутого газа или упомянутого пара.
22. Электролитический элемент по п. 21, отличающийся тем, что упомянутый электролитический элемент является гибким и легким.
23. Модуль пассивного индикатора, содержащий:
пассивный индикатор и
капсулу пассивного индикатора, по меньшей мере, частично заключающую в себе упомянутый пассивный индикатор, и при этом капсула пассивного индикатора включает:
один или более неорганических барьерных слоев для снижения переноса через них молекул газа или пара;
неорганический химически активный слой, расположенный смежно с упомянутыми одним или более неорганическими барьерными слоями, а упомянутый химически активный слой обладает способностью вступать в реакцию с молекулами упомянутого газа и упомянутого пара; и
при зтом в рабочем состоянии упомянутой капсулы пассивного индикатора молекулы упомянутого пара или упомянутого газа, которые диффундируют через упомянутые один или более неорганические барьерные слои, вступают в реакцию с упомянутым неорганическим химически активным слоем, и тем самым обеспечивается то, что упомянутая капсула пассивного индикатора защищает упомянутый пассивный индикатор от молекул упомянутого газа или упомянутого пара.
24. Модуль пассивного индикатора по п. 23, отличающийся тем, что упомянутый пассивный индикатор содержит электрофоретический индикатор или многослойный жидкокристаллический индикатор.
25. Способ изготовления многослойного пакета, при этом упомянутый способ содержит:
загрузку гибкой подложки на машину для нанесения покрытий;
смещение упомянутой гибкой подложки или части упомянутой машины для нанесения покрытий так, что упомянутая гибкая подложка занимает первое положение внутри упомянутой машины для нанесения покрытий;
изготовление одного или более неорганических барьерных слоев на упомянутой гибкой подложке, когда упомянутая гибкая подложка находится в упомянутом первом положении, и упомянутый неорганический барьерный слой обладает способностью снижения переноса через него молекул пара или газа;
смещение упомянутой гибкой подложки или упомянутой машины для нанесения покрытий так, что упомянутая гибкая подложка занимает второе положение внутри упомянутой машины для нанесения покрытий, и упомянутое второе положение отличается от упомянутого первого положения; и
образование химически активного слоя, смежного с упомянутым одним или более барьерными слоями, упомянутый химически активный слой вступает в реакцию с молекулами упомянутого пара или упомянутого газа, которые диффундируют через упомянутый неорганический барьерный слой, и упомянутые один или более барьерные слои и упомянутый химически активный слой объединяются на упомянутой гибкой подложке и образуют многослойный пакет.
26. Способ по п. 25, содержащий также применение упомянутого многослойного пакета, по меньшей мере, к одной функциональной единице, выбранной из группы, которая состоит из фотогальванического элемента, светового источника и дисплея на светоизлучающих диодах, и электролитической ячейки.
27. Способ по п. 25, отличающийся тем, что упомянутое изготовление включает, по меньшей мере, одну технологию, выбранную из группы, которая состоит из напыления, реактивного ионно-лучевого распыления, термовакуумного испарения, реактивного термовакуумного испарения, химического осаждения из паровой фазы, процесса покрытия в растворе и химического осаждения из паровой фазы с плазменным ускорением.
28. Способ по п. 25, отличающийся тем, что упомянутое формование упомянутого химически активного слоя включает, по меньшей мере, одну технологию, выбранную из группы, которая состоит из напыления, реактивного ионно-лучевого распыления, термовакуумного испарения, реактивного термовакуумного испарения, химического осаждения из паровой фазы, процесса покрытия в растворе и химического осаждения из паровой фазы с плазменным ускорением.
29. Способ по п. 25, отличающийся тем, что упомянутое изготовление проводится при температуре между приблизительно -20 и приблизительно 200°C.
30. Способ по п. 25, отличающийся тем, что упомянутое формование упомянутого химически активного слоя проводится при температуре между приблизительно -20 и приблизительно 200°C.
31. Способ по п. 25, отличающийся тем, что каждое упомянутое изготовление упомянутых одного или более барьерных слоев и упомянутое формование упомянутого химически активного слоя проводится в технологической операции перемотки с валка на валок.
32. Способ по п. 25, отличающийся тем, что упомянутая загрузка включает:
установку внутри упомянутой машины для нанесения покрытий упомянутой гибкой подложки, намотанной вокруг катушки;
и
вытягивание и фиксация упомянутой гибкой подложки на приемно-намоточной катушке так, что, по меньшей мере, часть упомянутой гибкой подложки вытягивается, что обеспечивает упомянутое изготовление.
33. Способ по п. 25, отличающийся тем, что во время упомянутого изготовления и упомянутого формования упомянутая подложка контактирует с барабаном, на котором устанавливается температура между приблизительно -20 и приблизительно 200°C.
34. Композиция многослойного барьерного пакета, содержащая:
неорганический барьерный слой для снижения переноса через него молекул газа или пара, и при этом упомянутый неорганический барьерный слой включает, по меньшей мере, одно вещество, выбранное из группы, которая состоит из металла, оксида металла, нитрида металла, оксинитрида металла, карбонитрида металла и оксикарбида-оксинитрида металла; и
неорганический химически активный слой, включающий эффективное количество химически активного вещества для вступления в реакцию с молекулами упомянутых газов или упомянутого пара, которые диффундировали через упомянутый неорганический барьерный слой, а упомянутое химически активное вещество включает, по меньшей мере, одно вещество, выбранное из группы, которая состоит из оксида щелочного металла, оксида цинка, оксида титана, оксида цинка с присадками металла и оксида кремния.
35. Композиция по п. 34, отличающаяся тем, что упомянутое, по меньшей мере, одно вещество в упомянутом неорганическом барьерном слое имеет концентрацию между приблизительно 1 и приблизительно 100% по весу.
36. Композиция по п. 34, отличающаяся тем, что упомянутое, по меньшей мере, одно химически активное вещество имеет концентрацию между приблизительно 1 и приблизительно 100% по весу.