СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ПРИБОР, ВКЛЮЧАЮЩИЙ В СЕБЯ ФОТОННЫЙ КРИСТАЛЛ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНУЮ КЕРАМИКУ

1. Прибор, содержащий:
полупроводниковую структуру, содержащую:
светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа; и
изменение показателя преломления, образованное внутри или на поверхности полупроводниковой структуры, при этом изменение показателя преломления представляет собой фотонный кристалл; и
керамический слой, расположенный на пути света, излучаемого светоизлучающим слоем, при этом керамический слой содержит преобразующий длину волны материал.
2. Прибор по п.1, в котором керамический слой содержит жесткий агломерат люминофорных частиц.
3. Прибор по п.1, в котором суммарная толщина полупроводниковых слоев в приборе составляет меньше, чем около 1 мкм.
4. Прибор по п.1, в котором поверхность керамического слоя является текстурированной.
5. Прибор по п.1, дополнительно содержащий основную подложку, при этом полупроводниковая структура присоединена к основной подложке, и керамический слой расположен вблизи поверхности полупроводниковой структуры по другую сторону основной подложки.
6. Прибор по п.1, дополнительно содержащий оптический затвор, расположенный между полупроводниковой структурой и керамическим слоем.
7. Прибор по п.6, в котором оптический затвор содержит одно из диэлектрической стопы, распределенного брэгговского отражателя, дихроичного фильтра, двумерного фотонного кристалла и трехмерного фотонного кристалла.
8. Прибор по п.6, в котором изменение показателя преломления выполнено с возможностью излучения света в заданном угловом профиле излучения, и в котором оптический затвор выполнен с возможностью пропускания большей части света, излучаемого в заданном профиле излучения и падающего на оптический затвор.
9. Прибор по п.8, в котором больше, чем 60% света, покидающего полупроводниковую структуру, излучается в конус 45° от нормали к основной поверхности полупроводниковой структуры, и больше, чем 90% света, излучаемого в конус 45°, пропускается оптическим затвором.
10. Прибор по п.9, в котором меньше, чем 10% света, излучаемого керамикой, пропускается оптическим затвором.
11. Прибор по п.1, дополнительно содержащий диэлектрический концентратор, расположенный на пути света, излучаемого светоизлучающим слоем.
12. Прибор по п.11, в котором диэлектрический концентратор представляет собой стеклянную линзу.
13. Прибор по п.11, в котором изменение показателя преломления выполнено с возможностью излучения света в заданном угловом профиле излучения, и в котором диэлектрический концентратор выполнен так, что большая часть света, излучаемого в заданном профиле излучения, излучается в диэлектрический концентратор.
14. Прибор по п.1, дополнительно содержащий отражающий слой, при этом керамический слой расположен между отражающим слоем и полупроводниковой структурой.