УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ АТОМНЫХ СЛОЕВ

1. Устройство для осаждения атомных слоев на поверхность листообразной подложки, включающее:
- инжекторную головку, включающую:
осадительное пространство, снабженное впуском для прекурсора и выпуском для прекурсора; причем указанные впуск и выпуск расположены для обеспечения потока газообразного прекурсора от впуска для прекурсора через осадительное пространство к выпуску для прекурсора; причем осадительное пространство при использовании ограничено инжекторной головкой и поверхностью подложки;
газовую опору, содержащую инжектор опорного газа, предназначенный для нагнетания опорного газа между инжекторной головкой и поверхностью подложки, причем опорный газ таким образом создает газ-опору;
- конвейерную систему, обеспечивающую относительное перемещение подложки и инжекторной головки вдоль плоскости подложки для формирования плоскости транспортирования, вдоль которой перемещают подложку; и
- опорную деталь, размещенную напротив инжекторной головки, причем опорная деталь выполнена для обеспечения газовой опоры с установленным давлением, которая уравновешивает газ-опору инжекторной головки в плоскости транспортирования так, что подложка поддерживается без опоры указанной газовой опорой с установленным давлением между инжекторной головкой и опорной деталью;
причем осадительное пространство определяет высоту D2 осадительного пространства относительно поверхности подложки; и причем газовая опора определяет, относительно подложки, величину зазора D1, которая является меньшей, чем высота D2 осадительного пространства.
2. Устройство по п.1, в котором газ-опора с установленным давлением уравновешивает инжекторную головку созданием конфигурации потока в опорной детали, идентичной той, какая создается инжекторной головкой.
3. Устройство по п.1 или 2, в котором выпуск для прекурсора размещают рядом с впуском для прекурсора, для создания потока газообразного прекурсора, который выровнен с направлением перемещения подложки; и/или в котором, при применении, как выпуск для прекурсора, так и впуск для прекурсора, оба обращены к поверхности подложки.
4. Устройство по п.1, в котором инжекторная головка включает регулятор давления для переключения любого из впуска для прекурсора; выпуска и/или газового инжектора, в зависимости от присутствия подложки.
5. Устройство по п.4, в котором опорная деталь включает выпуск напротив выпуска для прекурсора, причем указанный выпуск является переключаемым в зависимости от присутствия подложки в осадительном пространстве так, что, когда край подложки проходит выпуск для прекурсора, поток прекурсора отводится от поверхности подложки, обращенной к опорной детали.
6. Устройство по пп.1, 4 или 5, в котором инжекторная головка включает дополнительное осадительное пространство, оснащенное впуском для введения реактанта, причем дополнительное осадительное пространство при применении ограничено барьером для течения, причем устройство предпочтительно выполнено с возможностью обеспечения по меньшей мере одного из газообразного реактанта, плазмы, генерированного лазером излучения и ультрафиолетового излучения, в дополнительное осадительное пространство для реагирования прекурсора после осаждения газообразного прекурсора по меньшей мере на часть поверхности подложки.
7. Устройство по п.1, в котором конвейерная система включает начальную зону; и рабочую зону, смежную с начальной зоной и выровненную относительно плоскости перемещения; причем инжекторная головка находится в рабочей зоне, и причем листообразная подложка может быть вставлена в начальную зону, причем начальная зона скомпонована для сокращения рабочей высоты выше плоскости перемещения по направлению к рабочей зоне.
8. Устройство по п.7, в котором начальная зона имеет верхнюю стенку, которая является подвижной для регулирования рабочей высоты.
9. Устройство по п.1, в котором инжекторная головка является подвижной в сторону к плоскости перемещения и от нее.
10. Устройство по п.1, в котором конвейерная система включает транспортные элементы, оснащенные поочередно расположенными парами газовпусков и выпусков; включающая систему регулирования газовых потоков, предназначенную для создания давления газовой опоры и потока газа вдоль плоскости перемещения, чтобы обеспечить перемещение подложки путем регулирования течения газа.
11. Устройство по п.10, в котором пары газовыпусков и впусков предусмотрены в карманах, обращенных к плоскости перемещения, для создания потока в кармане, вдоль плоскости перемещения от выпуска к впуску; и причем газовыпуски оснащены дросселем потока для создания направленной воздушной опоры.
12. Устройство по п.1, оснащенное первой центрирующей воздушной опорой и второй центрирующей воздушной опорой для центрирования подложки для движения подложки вдоль центральной линии между начальной зоной и конечной зоной.
13. Способ осаждения атомных слоев на поверхность подложки с использованием устройства, включающего в себя инжекторную головку, причем инжекторная головка включает в себя осадительное пространство, снабженное впуском для прекурсора и газовой опорой, снабженной инжектором опорного газа, включающий стадии, в которых:
а) подают газообразный прекурсор из впуска для прекурсора в осадительное пространство для контактирования с поверхностью подложки, причем осадительное пространство определяет высоту D2 осадительного пространства относительно поверхности подложки;
b) нагнетают опорный газ между инжекторной головкой и поверхностью подложки, причем опорный газ таким образом формирует газ-опору, причем газовая опора определяет, относительно подложки, величину D1 зазора, которая является меньшей, чем высота D2 осадительного пространства;
с) устанавливают относительное перемещение между осадительным пространством и подложкой в плоскости поверхности подложки; и
d) создают газовую опору с установленным давлением, которая уравновешивает газ-опору инжекторной головки в плоскости перемещения так, что подложка поддерживается без опоры указанной газовой опорой с установленным давлением между инжекторной головкой и опорной деталью.
14. Способ по п.13, в котором устройство включает реакционную камеру, включающий стадию, в которой: подают по меньшей мере одно из газообразного реактанта, плазмы, генерированного лазером излучения и ультрафиолетового излучения, в реакционное пространство для реагирования прекурсора с газообразным реактантом после осаждения газообразного прекурсора на по меньшей мере части поверхности подложки, чтобы получить атомный слой на по меньшей мере части поверхности подложки.
15. Способ по п.13, дополнительно включающий стадию, в которой:
создают газовый поток, предназначенный для создания давления газовой опоры и потока газа вдоль плоскости перемещения, для обеспечения селективного перемещения подложки относительно регулятора системы газового потока, чтобы обеспечить возвратно-поступательное движение подложки относительно инжекторной головки.