СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗОЛИРУЮЩИХ ОБЛАСТЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

+
18
-3
Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора, включающий кремниевую подложку, процессы имплантации и маскирования, отличающийся тем, что изолирующую область формируют путем создания сильнолегированной p-области внутри p-кармана имплантацией ионов бора с энергией 100-120 кэВ, концентрацией 1,6·10 см с последующим отжигом при температуре 400-500°C в течение 30 мин.