ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ГИБРИДНЫЙ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Фоточувствительная гетерогенная структура, включающая
слой n-типа проводимости; и
слой p-типа проводимости, содержащий однослойные углеродные нанотрубки (ОСУНТ), и полимер, обладающий дырочной проводимостью.
2. Фоточувствительная гетерогенная структура по п. 1, дополнительно содержащая между слоем n-типа проводимости и слоем p-типа проводимости слой i-типа проводимости.
3. Фоточувствительная гетерогенная структура по пп. 1-2, отличающаяся тем, что слой n-типа проводимости представляет собой гидрогенизированный аморфный кремний, легированный для придания проводимости n-типа, предпочтительно фосфором.
4. Фоточувствительная гетерогенная структура по пп. 1-3, отличающаяся тем, что слой i-типа проводимости представляет собой гидрогенизированный аморфный кремний.
5. Фоточувствительная гетерогенная структура по пп. 1-4, отличающаяся тем, что полимер, обладающий дырочной проводимостью, выбран из PEDOT:PSS, P3HT:PCBM, P3OT, PCDTBT:PCBM и спиро-OMeTAD.
6. Фоточувствительная гетерогенная структура по пп. 1-5, дополнительно включающая антиотражающий слой над слоем p-типа проводимости.
7. Фоточувствительная гетерогенная структура по пп. 1-6, отличающаяся тем, что антиотражающий слой представляет собой полметилметакрилат (ПММА).
8. Фоточувствительная гетерогенная структура по пп. 1-7, отличающаяся тем, что слой n-типа толщину от примерно 20 нм до примерно 35 нм.
9. Фоточувствительная гетерогенная структура по пп. 2-8, отличающаяся тем, что слой i-типа имеет толщину от примерно 250 нм до примерно 350 нм.
10. Фоточувствительная гетерогенная структура по пп. 1-9, отличающаяся тем, что слой p-типа проводимости имеет толщину от примерно 55 нм до примерно 85 нм, причем слой однослойных углеродных нанотрубок имеет толщину от примерно 10 нм до примерно 30 нм.
11. Фоточувствительная гетерогенная структура по п. 6 или 7, отличающаяся тем, что антиотражающий слой имеет толщину от примерно 250 нм до примерно 350 нм.
12. Фоточувствительная гетерогенная структура по любому из пп. 1-11, которая является двусторонним.
13. Способ изготовления фоточувствительной гетерогенной структуры по пп. 1-12, включающий
а) обеспечение слоя слой n-типа проводимости;
b) нанесение на слой n-типа проводимости слоя однослойных углеродных нанотрубок;
c) нанесение на слой однослойных углеродных нанотрубок слоя полимера, обладающего дырочной проводимостью.
14. Способ по п. 13 дополнительно включающий после стадии а) нанесение на слой n-типа проводимости слоя i-типа проводимости.
15. Способ по пп. 13-14, включающий:
а) осаждение оксида цинка, легированного алюминием, на подложку с помощью распыления при постоянном токе;
b) нанесение слоя тонкой пленки гидрогенизированного аморфного кремния n-типа проводимости, с помощью плазмохимического осаждения из газовой фазы;
c) нанесение слоя тонкой пленки гидрогенизированного аморфного кремния i-типа проводимости с помощью плазмохимического осаждения из газовой фазы;
d) нанесение в сухом виде одностенных углеродных нанотрубок на предварительно обработанную фторидом водорода поверхность слоя i-типа в условиях окружающей среды;
e) нанесение по каплям изопропанола с последующим его испарением;
f) нанесение поли(3,4-этилендиокситиофен) поли(стиролсульфоната (PEDOT:PSS) путем осаждения полимера из раствора.
17. Способ по пп. 13-15 дополнительно включает нанесение слоя полиметилметакрилата путем его осаждения из раствора.
18. Композиция, композиционный материал, пленка, гетерогенная структура, фотоэлектрический преобразователь, панель, модуль или способы их изготовления, как раскрыто в настоящем описании.