КОНДЕНСАТОР

1. Пористое тело анода, предназначенное для применения в полупроводниковом конденсаторе, получаемое из порошкообразного субоксида ниобия, включающее частицы субоксида ниобия, обладающее объемным содержанием азота, равным от 500 до 20000 чнм, указанный порошок агломерирован и коалесцирован с образованием единого пористого тела анода.
2. Пористое тело анода по п.1, в котором содержание азота в порошкообразном субоксиде ниобия составляет от 1000 до 8000 чнм, предпочтительно от 3000 до 5000 чнм.
2
3. Пористое тело анода по п.1, в котором азот, по меньшей мере, частично содержится в форме кристаллов NbN или кристаллов оксинитрида ниобия.
2
Kα
4. Пористое тело анода по п.3, в котором кристаллы NbN обладают размером, достаточным для проявления пика рентгеновского излучения Сu при угле 2Θ, равном примерно 38,5°.
2
5. Пористое тело анода по п.4, в котором высота пика NbN примерно при 2Θ=38,5° составляет от 2 до 25% от высоты пика NbO при 2Θ=30°.
Kα1
6. Пористое тело анода по п.1, в котором пик Сu примерно при 2Θ=38,5° обладает полушириной, равной от 0,05 до 0,2°.
7. Пористое тело анода по п.1, в котором частицы порошкообразного субоксида ниобия являются агломератами первичных частиц, обладающих средним диаметром, равным от 0,1 до 1,5 мкм, предпочтительно от 0,3 до 1,0 мкм.
x
8. Пористое тело анода по п.1, в котором субоксид ниобия обладает составом NbO при 0,7<х<1,3.
9. Пористое тело анода по п.8, в котором 1<х<1,033.
10. Пористое тело анода по п.1, в котором содержание кислорода равно от 14,5 до 15,1 мас.%.
11. Пористое тело анода по п.1, в котором порошкообразный субоксид ниобия, из которого можно получить тело анода, обладает временем сгорания, равным более 5 мин, когда 50 г порошка помещают на участке размером 150×30 мм на лист ниобия толщиной 0,1 мм и поджигают с одного конца.
12. Пористое тело анода по любому из пп.1-11, которое сформовано путем прессования и спекания указанного порошка.
13. Полупроводниковый конденсатор, включающий пористое тело анода по любому из пп.1-12.
14. Полупроводниковый конденсатор по п.13, включающий:
a) диэлектрический слой, сформированный на поверхностях указанного пористого тела анода, и
b) проводящий катодный слой, сформированный на указанном диэлектрическом слое.
15. Полупроводниковый конденсатор по п.13, в котором тело анода и катодный слой электрически соединены с соответствующими выводами анода и катода конденсатора.
16. Полупроводниковый конденсатор по пп.13-15, который заключен в изолирующий материал, кроме наружных поверхностей выводов анода и катода.
17. Электрическое или электронное устройство, включающее полупроводниковый конденсатор по любому из пп.13-16.
18. Электрическое или электронное устройство по п.17, выбранное из группы, включающей телефоны, радиоприемники, телевизоры, компьютеры и устройства перезарядки аккумуляторов.