СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖКИ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР НА ПОДЛОЖКЕ

1. Способ обработки подложки и полупроводниковых структур на подложке, включающий облучение подложки с нерабочей стороны, отличающийся тем, что облучение производят импульсным лазерным излучением, при этом толщина слоя δ, в котором поглощается не меньше 90% лазерного излучения, не превышает 25% толщины подложки.
2
2. Способ обработки полупроводниковых структур по п. 1, отличающийся тем, что длительность лазерного импульса τ удовлетворяет условию τ≤δ/χ, χ - температуропроводность материала подложки.
3. Способ обработки полупроводниковых структур по п. 2, отличающийся тем, что облучение производят импульсно-периодическим лазерным излучением.
4. Способ обработки полупроводниковых структур по п. 1, отличающийся тем, что на нерабочей стороне подложки сформирован слой с высоким коэффициентом поглощения лазерного излучения.
5. Способ обработки полупроводниковых структур по п. 4, отличающийся тем, что слой с высоким коэффициентом поглощения лазерного излучения сформирован напылением.