ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ НА ТРАНЗИСТОРЕ ПО СХЕМЕ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ

1. Высокочастотный усилитель на транзисторе по схеме с общей базой, содержащий входной транзистор (1), эмиттер которого является низкоомным входом (2) усилителя, связанным с источником сигнала (3), коллектор соединен с выходом (4) усилителя и цепью нагрузки (5), а база связана с цепью высокочастотной коррекции (6), отличающийся тем, что в схему введены первый (7) дополнительный транзистор, вспомогательный усилитель тока (8) и токостабилизирующий двухполюсник (9), причем эмиттер первого дополнительного транзистора (7) соединен с эмиттером входного транзистора (1), базы первого (7) дополнительного транзистора и первого (1) входного транзистора объединены и подключены к выходу вспомогательного усилителя тока (8), коллектор первого дополнительного транзистора (7) соединен со входом вспомогательного усилителя тока (8) и токостабилизирующим двухполюсником (9).
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что вспомогательный усилитель тока (8) выполнен по схеме с общей базой на первом согласующем транзисторе (10), эмиттер которого является входом вспомогательного усилителя тока (8), коллектор - выходом вспомогательного усилителя тока (8), а база соединена с источником напряжения смещения (11).
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что цепь высокочастотной коррекции содержит блокирующий конденсатор (12).
4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что цепь высокочастотной коррекции (5) содержит последовательный колебательный контур.
5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что цепь высокочастотной коррекции (5) содержит параллельный колебательный контур.
6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что между входом (2) высокочастотного усилителя и общей шиной источника питания включен р-n переход (13).
7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что площадь р-n перехода первого (1) входного транзистора значительно больше, чем площадь р-n перехода первого дополнительного транзистора (6).