ЕМКОСТНОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, ПОЛУЧЕННЫЙ МИКРООБРАБОТКОЙ, И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Способ изготовления емкостного преобразователя (100), полученного микрообработкой, в частности, CMUT, причем способ содержит этапы, на которых:
- осаждают первый электродный слой (10) на подложку (1),
- осаждают первую диэлектрическую пленку (20) на первый электродный слой (10),
- осаждают жертвенный слой (30) на первую диэлектрическую пленку (20), причем жертвенный слой (30) выполнен с возможностью удаления для формирования полости (35) преобразователя,
- осаждают вторую диэлектрическую пленку (40) на жертвенный слой (30) и
- осаждают второй электродный слой (50) на вторую диэлектрическую пленку (40),
причем первая диэлектрическая пленка (20) и/или вторая диэлектрическая пленка (40) содержит первый слой, содержащий оксид, второй слой, содержащий материал с высокой k (диэлектрической проницаемостью), имеющий диэлектрическую проницаемость, равную 8 или более, и третий слой, содержащий оксид, причем второй слой располагается между первым и третьим слоями, и этапы осаждения осуществляются посредством атомно-слоевого осаждения.
2
3
2
2. Способ по п. 1, в котором материалом с высокой k является оксид алюминия (AlO) и/или оксид гафния (HfO).
3. Способ по п. 1, в котором второй слой содержит первый подслой, содержащий оксид алюминия, второй подслой, содержащий оксид гафния, и третий подслой, содержащий оксид алюминия.
4. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором формируют рисунок в, по меньшей мере, одном из, в частности, большинстве или всех из осажденных слоев и пленок (10, 20, 30, 40, 50).
5. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором осаждают диэлектрический слой (60), покрывающий осажденные слои и пленки (10, 20, 30, 40, 50).
6. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором удаляют жертвенный слой (30) посредством обеспечения ямки (32) травления и травления жертвенного слоя (30) для формирования полости (35).
7. Емкостной преобразователь (100), полученный микрообработкой, в частности, CMUT, изготовленный способом по п. 1.
8. Емкостной преобразователь (100), полученный микрообработкой, в частности, CMUT, содержащий:
- первый электродный слой (10) на подложке (1),
- первую диэлектрическую пленку (20) на первом электродном слое (10),
- полость (35), сформированную поверх первой диэлектрической пленки (20),
- вторую диэлектрическую пленку (40), покрывающую полость (35), и
- второй электродный слой (50) на второй диэлектрической пленке (40),
причем первая диэлектрическая пленка (20) и/или вторая диэлектрическая пленка (40) содержит первый слой, содержащий оксид, второй слой, содержащий материал с высокой k (диэлектрической проницаемостью), имеющий диэлектрическую проницаемость, равную 8 или более, и третий слой, содержащий оксид, причем второй слой расположен между первым и третьим слоями.
2
3
2
9. Преобразователь по п. 8, в котором материалом с высокой k является оксид алюминия (AlO) и/или оксид гафния (HfO).
10. Преобразователь по п. 9, в котором второй слой содержит первый подслой, содержащий оксид алюминия, второй подслой, содержащий оксид гафния, и третий подслой, содержащий оксид алюминия.
11. Преобразователь по п. 8, в котором второй слой имеет толщину менее 100 нм.
12. Преобразователь по п. 8, в котором первая диэлектрическая пленка (20) и/или вторая диэлектрическая пленка (40) содержит остатки процесса, например остатки углерода или хлора.
13. Преобразователь по п. 8, в котором первый электродный слой (10) и/или второй электродный слой (50) содержит неметаллический проводящий материал.
2
3
3
14. Преобразователь по п. 13, в котором неметаллическим проводящим материалом является, по меньшей мере, один материал, выбранный из группы, содержащей TiN, TaN, TaCN, IrO, ITO, LaNiO и SrRuO, в частности неметаллическим проводящим материалом является TiN.
15. Преобразователь по п. 8, дополнительно содержащий диэлектрический слой (60), покрывающий осажденные слои и пленки (10, 20, 30, 40, 50), причем диэлектрический слой (60) покрывает верхние поверхности и боковые поверхности осажденных слоев и пленок (10, 20, 30, 40, 50) с, по существу, одинаковым покрытием.