КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО ПОКРЫТИЯ, СОДЕРЖАЩАЯ ПОДАВЛЯЮЩИЙ АГЕНТ, ДЛЯ БЕСПУСТОТНОГО ЗАПОЛНЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПОВЕРХНОСТИ

1. Композиция, содержащая источник металлических ионов и по меньшей мере один подавляющий агент, полученный путем реакции:
a) аминного соединения, содержащего по меньшей мере три активные функциональные аминогруппы,
со
b) смесью этиленоксида и по меньшей мере одного соединения, выбранного из C3 и C4 алкиленоксидов,
где содержание этиленоксида в сополимере этиленоксида и C3-C4 алкиленоксида составляет от 30 до 70%.
2. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что металлические ионы содержат ионы меди.
3. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что подавляющий агент выбирается из соединений формулы I
1
где каждый радикал R независимо выбирается из сополимера этиленоксида и по меньшей мере еще одного С3-С4 алкиленоксида, причем указанный сополимер представляет собой случайный сополимер,
2
1
каждый радикал R независимо выбирается из R или алкила, предпочтительно С1-С6 алкила,
m
Х и Y независимо представляют собой спейсерные группы, причем Х имеет независимые значения для каждой повторяющейся единицы, выбранные из С1-С6 алкилена и Z-(O-Z), где каждый радикал Z независимо выбирается из С2-С6 алкилена,
n представляет собой целое число, больше или равное 0,
m представляет собой целое число, больше или равное 1, в частности m равно 1-10.
4. Композиция по п.3, отличающаяся тем, что Х и Y имеют независимые значения, причем Х имеет независимые значения для каждой повторяющейся единицы, выбранные из С1-С4 алкилена.
5. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что аминное соединение выбирается из диэтилентриамина, (3-(2-аминоэтил)аминопропиламина, 3,3'-иминоди(пропиламина), N,N-бис(3-аминопропил)метиламина, бис(3-диметиламинопропил)амина, триэтилентетрамина и N,N'-бис(3-аминопропил)этилендиамина.
6. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что С3-С4 алкиленоксид выбирается из пропиленоксида.
w
7. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что молекулярная масса (M) подавляющего агента составляет 6000 г/моль или более.
w
8. Композиция по п.7, отличающаяся тем, что молекулярная масса (M) подавляющего агента составляет от 7000 до 19000 г/моль.
9. Композиция по п.1, кроме того, содержащая один или более ускоряющих агентов.
10. Композиция по любому из пп.1-9, кроме того, содержащая один или более выравнивающих агентов.
11. Применение электролитической ванны для нанесения металлического покрытия, содержащей композицию по п.1, в целях осаждения металла на подложки, содержащие элементы поверхности, имеющие размер отверстия 30 нм или менее.
12. Способ осаждения металлического слоя на подложку путем:
a. контакта электролитической ванны для нанесения металлического покрытия, содержащей композицию по любому из пп.1-10, с подложкой, и
b. создания плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для осаждения металлического слоя на подложку.
13. Способ по п.12, отличающийся тем, что подложка содержит элементы поверхности субмикрометрового размера, и осаждение осуществляется с заполнением элементов поверхности микрометрового или субмикрометрового размера.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что элементы поверхности субмикрометрового размера имеют размер отверстия от 1 до 30 нм и/или коэффициент пропорциональности 4 или более.