СТРУКТУРЫ, ИЗГОТОВЛЕННЫЕ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ НАНОТЕХНОЛОГИИ, ДЛЯ ПОРИСТЫХ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ

1. Устройство для хранения энергии, содержащее:
пористую структуру, содержащую множество главных каналов внутри электропроводящей структуры;
при этом каждый из главных каналов имеет отверстие в главной поверхности соответствующей пористой структуры, и каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру под острым углом к главной поверхности.
2. Устройство для хранения энергии по п. 1, в котором каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру вдоль направления плоскости кристалла, ориентированного под острым углом к главной поверхности.
3. Устройство для хранения энергии по п. 1, дополнительно содержащее боковые каналы, проходящие от боковой поверхности каждого из главных каналов в электропроводящую структуру.
4. Устройство для хранения энергии по п. 1, в котором:
главная поверхность является поверхностью (1011), а каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру вдоль направления <100> плоскости кристалла под острым углом к главной поверхности;
главная поверхность является поверхностью (322), а каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру вдоль направления <100> плоскости кристалла под острым углом к главной поверхности;
главная поверхность является поверхностью (111), а каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру вдоль направления <113> плоскости кристалла под острым углом к главной поверхности; или
главная поверхность является поверхностью (5512), а каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру вдоль направления <100> плоскости кристалла под острым углом к главной поверхности.
5. Устройство для хранения энергии по п. 1, дополнительно содержащее вторую пористую структуру во второй электропроводящей структуре и разделитель между пористой структурой и второй пористой структурой.
6. Устройство для хранения энергии по п. 5, в котором вторая пористая структура содержит множество вторых главных каналов, и каждый из вторых главных каналов имеет второе отверстие во второй главной поверхности второй пористой структуры, а также каждый из вторых главных каналов проходит во вторую электропроводящую структуру под вторым острым углом ко второй главной поверхности; и
в котором главная поверхность и вторая главная поверхность параллельны друг другу и формируются вдоль той же самой кристаллографической плоскости.
7. Устройство для хранения энергии, содержащее:
пористую структуру внутри электропроводящей структуры, при этом пористая структура содержит матрицу V-образных канавок или пирамидальных углублений в главной поверхности пористой структуры; и
множество главных каналов, проходящих в электропроводящую структуру для каждой из V-образных канавок или пирамидальных углублений, при этом каждый главный канал имеет отверстие в соответствующей V-образной канавке или пирамидальном углублении.
8. Устройство для хранения энергии по п. 7, дополнительно содержащее вторую пористую структуру внутри второй электропроводящей структуры и разделитель между пористой структурой и второй пористой структурой, при этом разделитель проходит в матрицу V-образных канавок или пирамидальных углублений.
9. Устройство для хранения энергии по п. 8, в котором вторая пористая структура содержит легированный литием углерод.
10. Устройство для хранения энергии по п. 8, в котором вторая пористая структура содержит наноалмазную углеродную пленку.
11. Устройство для хранения энергии по п. 8, в котором вторая пористая структура проходит в матрицу V-образных канавок или пирамидальных углублений.
12. Устройство для хранения энергии по п. 8, в котором вторая электропроводящая структура является материалом, выбранным из следующей группы: углерод, материал на основе углерода и псевдоемкостной материал.
13. Устройство для хранения энергии по п. 8, в котором вторая пористая структура содержит вторую матрицу V-образных канавок или пирамидальных углублений во второй главной поверхности второй пористой структуры; и
- вторую матрицу V-образных канавок или пирамидальных углублений, проходящую во вторую электропроводящую структуру, при этом каждый главный канал имеет отверстие в соответствующей V-образной канавке или пирамидальном углублении, а вторая пористая структура проходит в V-образную канавку или пирамидальные углубления пористой структуры.
14. Устройство для хранения энергии по п. 8, в котором разделитель полностью заполняет матрицу V-образных канавок или пирамидальных углублений.
15. Устройство для хранения энергии по п. 1 или 7, в котором устройство для хранения энергии встраивается внутрь электронного устройства, при этом устройство для хранения энергии взаимодействует с микропроцессором.
16. Устройство для хранения энергии по п. 1 или 7, в котором каждый из главных каналов проходит в электропроводящую структуру с боковыми стенками, включающими в себя первичную форму поверхности и вторичную форму поверхности, наложенную на первичную форму поверхности.
17. Устройство для хранения энергии по п. 16, в котором первичная форма поверхности является линейно конусообразной.
18. Устройство для хранения энергии по п. 17, в котором вторичная форма поверхности является синусоидальной.
19. Устройство для хранения энергии по п. 16, в котором каждый из главных каналов включает в себя чередующиеся области с резервуаром и соединительные области.
20. Способ формирования пористого электрода, содержащий;
погружение электропроводящей подложки в ванну для электрохимического травления; и
приложение тока травления к электропроводящей подложке;
при этом приложение тока травления характеризуется:
изменением тока травления нелинейным образом, чтобы создавать пористую структуру, содержащую множество главных каналов в электропроводящей подложке, где каждый из главных каналов имеет отверстие на главной поверхности пористой структуры; или
наложением вторичного изменения тока травления на первичное изменение тока травления.
21. Способ по п. 20, в котором изменяющийся нелинейным образом ток травления содержит изменение тока травления в чередующихся узлах относительно более высокого и более низкого тока.
22. Способ по п. 21, в котором изменяющийся нелинейным образом ток травления содержит постоянно уменьшающийся ток травления.
23. Способ по п. 20, в котором первичное изменение тока травления является нелинейным изменением тока травления, а вторичное изменение тока травления является линейным дополнением синусоидальной функции.
24. Способ по п. 23, в котором нелинейное изменение тока травления аппроксимировано полиномом второго или третьего порядка.
25. Способ по п. 20, в котором ванна для электрохимического травления содержит концентрацию фтористоводородной кислоты (HF): алкоголь в соотношении 2:1 или с большей концентрацией HF.
26. Способ по п. 20, дополнительно содержащий поддерживание ванны для электрохимического травления приблизительно при комнатной или меньшей температуре во время приложения тока травления.
27. Способ формирования устройства для хранения энергии, содержащий:
электрохимическое травление электропроводящей подложки для высвобождения пористой структуры из этой электропроводящей подложки; и
соединение пористой структуры с разделительным слоем и второй пористой структурой.
28. Способ по п. 27, в котором соединение содержит отложение разделительного слоя на пористой структуре.
29. Способ по п. 28, в котором соединение содержит укладывание в стопку пористой структуры на разделительный слой или укладывание в стопку разделительного слоя на пористую структуру.
30. Способ по п. 27, дополнительно содержащий электрохимическое травление второй электропроводящей подложки для высвобождения второй пористой структуры из второй электропроводящей подложки.