Поведение хемосорбционного комплекса в электрическом поле. 

УДК 546.183 : 621.315

А. Н. Королев.

ПОВЕДЕНИЕ ХЕМОСОРБЦИОННОГО КОМПЛЕКСА В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ

ПОЛЕ.

Ранее было установлено [1], что проникновение примесного вещества в структуру кристалла в газофазных процессах диффузии осуществляется через образование и последующий распад гетеро полярного хемокомплекса. Учитывая то, что этот комплекс поляризован, интерес представляло исследование образования гетерополярного хемокомплекса при воздействии электрического поля, которое, очевидно, должно взаимодействовать с его электрическим дипольным моментом.

Влияние сильного электрического поля на хемосорбцию нейтральных атомов из адсорбционного слоя у поверхности твердой фазы сводится к изменению величины преодолеваемого потенциального барьера: внешнее электрическое поле Б усиливает или ослабляет электрический дипольный момент хемокомплекса ц в зависимости от своего направления.

Дипольный момент, в свою очередь, приводит либо к понижению, либо к повышению величины преодолеваемого барьера в зависимости от знака цБ. Модификация же барьера связана с деформацией термов атома конденсата в физсорбционной и хемосорбционной ямах.

Потенциальный барьер в случае «притягивающего» поля (цБ<0) экспоненциально уменьшает вероятность образования гетерополярного хемокомплекса; в случае «отталкивающего» поля (цБ>0) - наоборот, увеличивает.

1. Королев А. Н., Сеченов Д. А., Петров В. В., механизм внедрения примеси в приповерхностный слой полупроводника при диффузии //Физика и химия обработки материалов, 1995, №4.