ПЕЧАТНОЕ ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО

1. Структурированная подложка для электронного устройства, включающая в себя:
первую часть, имеющую край;
вторую часть, включающую в себя вытянутое множество печатных капель и имеющую край, расположенный рядом и, по существу, совмещенный с указанным краем первой части; и
интервал между указанным краем первой части и указанным краем второй части,
при этом указанное вытянутое множество печатных капель расположено под углом от приблизительно 5° до приблизительно 90° к указанному краю первой части.
2. Структурированная подложка по п.1, в которой указанное вытянутое множество печатных капель, по существу, перпендикулярно указанному краю первой части.
3. Структурированная подложка по любому из предыдущих пунктов, в которой по меньшей мере одна из указанной первой части и указанной второй части включает в себя электрод.
4. Структурированная подложка по п.1, в которой указанный интервал содержит по меньшей мере полупроводник.
5. Структурированная подложка по п.1, в которой указанный интервал содержит по меньшей мере диэлектрик.
6. Структурированная подложка по п.1, в которой ширина указанного края второй части меньше чем приблизительно 200 мкм.
7. Структурированная подложка по п.1, в которой ширина указанного вытянутого множества печатных капель равна или меньше чем приблизительно 250 мкм и предпочтительно равна или меньше чем приблизительно 80 мкм.
8. Структурированная подложка по п.1, в которой ширина указанного вытянутого множества печатных капель, по существу, равна диаметру одной указанной печатной капли.
9. Структурированная подложка по п.1, в которой указанный интервал имеет длину, равную или меньшую чем приблизительно 2 мкм.
10. Структурированная подложка по п.1, в которой отношение ширины указанного вытянутого множества печатных капель к длине указанного интервала больше или равно приблизительно 100.
11. Структурированная подложка по п.1, в которой указанная вторая часть включает в себя краевой участок, прилегающий к указанному краю второй части, причем указанный краевой участок имеет кривизну B, а указанный край второй части имеет длину S, где B меньше чем приблизительно 2/S.
12. Структурированная подложка по п.1, в которой указанная вторая часть включает в себя краевой участок, имеющий кривизну B и прилегающий к указанному краю второй части, при этом касательная к указанному краевому участку создает угол приблизительно α с краем второй части, где указанный угол α и кривизна B удовлетворяют равенству:
<mrow><mi>α</mi><mo>=</mo><mi>Α</mi><mi>r</mi><mi>c</mi><mi>sin</mi><mrow><mo>(</mo><mrow><mfrac><mi>S</mi><mn>2</mn></mfrac><mo>⋅</mo><mi>B</mi></mrow><mo>)</mo></mrow><mo>±</mo><msup><mrow><mn>20</mn></mrow><mn>0</mn></msup></mrow>
13. Структурированная подложка по п.1, в которой указанная первая часть и указанное вытянутое множество печатных капель расположены в форме Т или в форме L, предпочтительно в форме Т.
14. Электронное устройство, включающее в себя структурированную подложку по любому из предыдущих пунктов.
15. Электронное устройство по п.14, где указанное электронное устройство является полевым транзистором.
16. Группа устройств, включающая в себя множество электронных устройств по любому из пп.14 и 15.
17. Полевой транзистор, включающий в себя электрод истока, электрод стока, электрод затвора, полупроводниковую область, электрически расположенную между электродом истока и электродом стока, и диэлектрическую область, электрически расположенную между полупроводниковой областью и электродом затвора, где
первый указанный электрод имеет край; и
другой из указанных электродов включает в себя вытянутое множество печатных капель, имеющее край, расположенный рядом и, по существу, совмещенный с указанным первым электродом,
при этом
указанное вытянутое множество капель находится под углом от приблизительно 5° до приблизительно 90° к указанному краю указанного первого электрода.
18. Полевой транзистор по п.17, в котором вытянутое множество капель, по существу, перпендикулярно указанному краю указанного первого электрода.
19. Полевой транзистор по любому из пп.17 и 18, в котором ширина указанного вытянутого множества печатных капель, по существу, равна диаметру одной указанной печатной капли.
20. Группа транзисторов, включающая в себя множество полевых транзисторов по любому из пп.17-19.
21. Способ формирования структуры подложки для электронного устройства, включающий в себя:
нанесение вытянутого множества капель жидкости рядом с краем первой части на подложку для формирования по меньшей мере участка второй части,
при этом
первая часть, жидкость и подложка являются такими, чтобы жидкость отталкивалась первой частью для формирования края указанной второй части, по существу, совмещенного с указанным краем первой части; и
указанное вытянутое множество капель находится под углом от приблизительно 5° до приблизительно 90° к указанному краю первой части.
22. Способ по п.21, в котором указанное вытянутое множество, по существу, перпендикулярно указанному краю первой части.
23. Способ по любому из пп.21 и 22, в котором при указанном нанесении указанное вытянутое множество капель наносят частично на указанную первую часть.
24. Способ по любому из пп.21 и 22, в котором при указанном нанесении указанное вытянутое множество капель наносят на область указанной подложки, которая не контактирует с указанной первой частью.
25. Способ по п.21, в котором нанесение указанного вытянутого множества капель включает в себя нанесение указанных капель таким образом, чтобы ширина указанного вытянутого множества капель была, по существу, равна диаметру одной указанной печатной капли.
26. Способ по п.21, в котором указанная жидкость включает в себя раствор, причем способ также включает в себя выпаривание указанного раствора из указанного нанесенного вытянутого множества капель.
27. Способ по п.26, в котором точку кипения указанного раствора выбирают таким образом, чтобы выпаривание происходило приблизительно при 25°С в течение периода времени, равного по меньшей мере приблизительно 1 мин.
28. Способ по п.21, также включающий в себя нанесение множества капель жидкости для формирования указанной первой части.
29. Способ по п.21, также включающий в себя нанесение на указанную первую часть слоя для отталкивания указанной жидкости указанного вытянутого множества капель до указанного нанесения указанного вытянутого множества капель.
30. Способ по п.29, в котором указанный слой является самоорганизованным монослоем.
31. Электронное устройство, сформированное в соответствии со способом по любому из пп.21-30.
32. Группа устройств, включающая в себя множество электронных устройств по п.31.
33. Полевой транзистор, включающий в себя электрод истока, электрод стока, электрод затвора, полупроводниковую область, электрически расположенную между электродом истока и электродом стока, и диэлектрическую область, электрически расположенную между полупроводниковой областью и электродом затвора, где указанный электрод истока и указанный электрод стока сформированы в соответствии со способом по любому из пп.21-30.
34. Группа транзисторов, включающая в себя множество полевых транзисторов по п.33.
35. Устройство с логической схемой, отображающее, запоминающее или определяющее устройство, включающее в себя структурированную подложку по любому из пп.1-13, электронное устройство по любому из пп.14, 15 и 31, группу устройств по любому из пп.15 и 32, полевой транзистор по любому из пп.17, 19 и 33 или группу транзисторов по любому из пп.20 и 34.