Инфракрасный детектор и способ его изготовления

1. Инфракрасный детектор на ИК-диапазон с активным слоем, содержащий коллоидные квантовые точки и плазмонные наноатенны, расположенные между встречно-штыревыми электродами, отличающийся тем, что используется поверхностно-усиленное поглощение в ИК-области спектра (эффект SEIRA).
2. Инфракрасный детектор по п. 1, отличающийся тем, что встречно-штыревые электроды и плазмонные наноантенны выполнены с использованием методики DLW-STED с последующей металлизацией, дающей возможность уменьшения активной зоны до 50 нм.
3. Инфракрасный детектор по п. 1 или 2, отличающийся тем, что имеется возможность достижения диапазона детектирования 3-5 мкм изменением размеров коллоидных квантовых точек.
4. Способ изготовления инфракрасного детектора по п. 1, состоящий из следующих стадий:
а) нанесение на прозрачную в ИК-области подложку 1 (Si, Слюда, CaF2, KBr, LiF) методом литографии структура встречно-штыревых электродов 2, выполненных проводящим материалом; в качестве метода литографии для встречно штыревых структур используется УФ фотолитография в проекционном режиме для создания шаблона и последующая металлизация за счет электрохимического осаждения металла на поверхности проводящей подложки; для непроводящих подложек используется металлизация шаблона с помощью метода "взрывной" литографии; данным предложением создание встречно штыревой структуры не ограничивается;
б) создание массива плазмонных наноантенн с характерными параметрами: высота - 10-500 нм; ширина 50-300 нм; длина 0,5-10 мкм; латеральный период - 0,1-20 мкм, при этом в качестве метода создания массива используется один из двух методов, первый из которых включает этапы: 1) нанесение на подложку тонкого слоя плазмонного материала (золото, серебро, медь, алюминий или другой металл) - 10-500 нм методом термического вакуумного напыления; 2) нанесение фоторезиста, подходящего для STED-фотолитографии; 3) создание позитивного шаблона плазмонных антенн (полимерных антенн) методом STED-фотолитографии; 4) удаление незасвеченного фоторезиста; 5) плазменное травление. Размеры полимерных антенн шаблона подбираются в зависимости от скорости травления металла и полимера; или второй метод, включающий этапы: 1) нанесение фоторезиста, подходящего для STED-фотолитографии; 2) создание позитивного шаблона плазмонных антенн (полимерных антен) методом STED-фотолитографии; 3) удаление фоторезиста; 4) каталитическое восстановление металла на поверхности шаблона;
в) нанесение квантовых точек на подготовленную подложку со встречно штыревой структурой и массивом плазмонных антенн наноситься с помощью метода spin-coating слой HgTe коллоидных КТ 4, стабилизированных в органической матрице (например, PVK), причем размер КТ задается с учетом необходимой длины волны регистрацией детектора, и может меняться в пределах от 3 до 12 нм.