УСТРОЙСТВА ПРЕОБРАЗОВАНИЯ С ПОВЫШЕНИЕМ ЧАСТОТЫ, СОДЕРЖАЩИЕ ШИРОКОПОЛОСНЫЙ ПОГЛОТИТЕЛЬ

1. Инфракрасный фотодетектор, содержащий катод, анод и активируемый ИК-излучением слой, содержащий полидисперсные квантовые примеси (КП), причем активируемый ИК-излучением слой поглощает излучение в широком диапазоне, включающем в себя, по меньше мере, часть ближней инфракрасной области (БИО).
2. Инфракрасный фотодетектор по п.1, в котором активируемый ИК-излучением слой содержит полидисперсные квантовые примеси PbS и/или полидисперсные квантовые примеси PbSe.
3. Инфракрасный фотодетектор по п.1, в котором полидисперсные квантовые примеси содержат полимодальную смесь монодисперсных квантовых примесей, мономодальную смесь полидисперсных квантовых примесей или полимодальную смесь полидисперсных квантовых примесей.
3
4. Инфракрасный фотодетектор по п.1, в котором катод содержит Ag, Ca, Mg, оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), углеродную нанотрубку, серебряные нанопровода, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО или CsCO/ОИО.
3
5. Инфракрасный фото детектор по п.1, в котором анод содержит Ag, Ca, Mg, оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), углеродную нанотрубку, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCO/ОИО.
6. Инфракрасный фото детектор по п.1, дополнительно содержащий блокирующий дырки слой (БДС) и/или блокирующий электроны слой (БЭС).
3
60
7. Инфракрасный фотодетектор по п.6, в котором БДС содержит 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин (ВСР), р-бис(трифенилсилил)бензол (UGH2), 4,7-дифенил-1,10-фенантролин (BPhen), трис-(8-гидроксихинолин)алюминий (Alq), 3,5'-N,N'-дикарбозол-бензол (mCP), С, трис[3-(3-пиридил)мезитил]боран (3TPYMB), ZnO или TiO.
8. Инфракрасный фотодетектор по п.6, в котором БЭС содержит 1,1-бис[(ди-4-толиламино)фенил]циклогексан (ТАРС), N,N'-дифенил-N,N'(2-нафтил)-(1,1-фенил)-4,4'-диамин (NPB), а также N,N'-дифенил-N,N'-ди(м-толил)бензидин (TPD).
9. Устройство преобразования с повышением частоты, содержащее инфракрасный фотодетектор по п.1 и светоизлучающий диод (СИД).
10. Устройство преобразования с повышением частоты по п.9, в котором СИД содержит светоизлучающий слой.
3
3
11. Устройство преобразования с повышением частоты по п.10, в котором светоизлучающий слой содержит трис-(2-фенилпиридин)иридий (Ir(рру)), поли-[2-метокси-5-(2'-этил-гексилокси)фениленвинилен] (MEH-PPV), трис-(8-гидроксихинолин)алюминий (Alq) или бис-[(4,6-дифторфенил)пиридинат-N,C2']пиколинат иридия (III) (FIrpic).
12. Устройство преобразования с повышением частоты по п.9, в котором СИД дополнительно содержит слой переноса электронов (СПЭ) и/или обеспечивающий транспорт дырок слой (СТД).
3
13. Устройство преобразования с повышением частоты по п.12, в котором СПЭ содержит трис[3-(3-пиридил)мезитил]боран (3TPYMB), 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин (ВСР), 4,7-дифенил-1,10-фенантролин (BPhen) или трис-(8-гидроксихинолин)алюминий (Alq).
14. Устройство преобразования с повышением частоты по п.12, в котором СТД содержит 1,1-бис[(ди-4-толиламино)фенил]циклогексан (ТАРС), N,N'-дифенил-N,N'(2-нафтил)-(1,1'-фенил)-4,4'-диамин (NPB) или N,N'-дифенил-N,N'-ди(м-толил)бензидин (TPD).