СПОСОБЫ И СИСТЕМЫ КОНДИЦИОНИРОВАНИЯ ДИСПЕРСНЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ

1. Способ кондиционирования микронизированного кристаллического материала, включающий стадии, в которых:
аэрозолируют микронизированные кристаллические частицы в несущем газе, причем указанные микронизированные кристаллические частицы содержат один или оба из аморфного материала и остаточного растворителя;
непрерывно смешивают микронизированные кристаллические частицы с кондиционирующим газом, включающим газ-носитель и пар растворителя, в камере;
поддерживают аэролизированные микронизированные кристаллические частицы в контакте с кондиционирующим газом в течение времени, достаточного для выполнения отжига указанных микронизированных кристаллических частиц, причем указанный отжиг имеет результатом одно или оба из сокращения присутствия аморфного материала или уменьшения количества остаточного растворителя; и
отделяют микронизированные кристаллические частицы от кондиционирующего газа.
2. Способ по п. 1, в котором микронизированный кристаллический материал перемешивают с кондиционирующим газом в течение времени между приблизительно 0,1 и 600 с, прежде чем микронизированный кристаллический материал выйдет из зоны кондиционирования.
3. Способ по п. 1, в котором микронизированный кристаллический материал перемешивают с кондиционирующим газом в течение времени между приблизительно 2 и 6 с, прежде чем микронизированный кристаллический материал выйдет из зоны кондиционирования.
4. Способ по п. 2, в котором микронизированный кристаллический материал перемешивают с кондиционирующим газом в течение приблизительно 3 с, прежде чем микронизированный кристаллический материал выйдет из зоны кондиционирования.
5. Способ по п. 1, в котором микронизированный кристаллический материал является водорастворимым, пар растворителя, содержащийся в кондиционирующем газе, представляет собой пар водного растворителя, и кондиционирующий газ подают при температуре, варьирующей от приблизительно 20 до 100°С, и при относительной влажности, варьирующей от приблизительно 0,05 до 95%.
6. Способ по п. 1, в котором микронизированный кристаллический материал не растворяется в воде, пар растворителя, содержащийся в кондиционирующем газе, представляет собой пар органического растворителя, и кондиционирующий газ подают при температуре, варьирующей от приблизительно 20 до 100°С, и при относительном насыщении неводного растворителя в диапазоне от приблизительно 0,05 до 95%.
7. Способ по п. 1, в котором микронизированный кристаллический материал представляет собой смесь водорастворимых и нерастворимых в воде материалов, пар растворителя, содержащийся в кондиционирующем газе, включает пар водного растворителя и пар органического растворителя, и кондиционирующий газ подают при температуре, варьирующей от приблизительно 10 до 100°С, и при относительной влажности водного растворителя в диапазоне от приблизительно 0,05 до 95%, и при относительном насыщении неводного растворителя в диапазоне от приблизительно 0,05 до 95%.
8. Способ по п. 1, в котором микронизированный кристаллический материал получают с использованием струйной мельницы и аэрозолируют в газовом потоке струйной мельницы.
9. Способ по п. 1, в котором кондиционирующий газ смешивают с аэрозолированным микронизированным кристаллическим материалом в отношении от приблизительно 1 до 10 частей кондиционирующего газа к приблизительно 1 части аэрозолированного микронизированного кристаллического материала.
10. Способ по п. 1, в котором микронизированный кристаллический материал имеет размер частиц, варьирующий от приблизительно 0,1 мкм до приблизительно 100 мкм.
3
3
11. Способ по п. 1, в котором кондиционирующий газ подают при величине расхода потока, варьирующей от приблизительно 25 стандартных кубических футов в минуту (SCFM) (0,7 м/мин) вплоть до приблизительно 300 SCFM (8,4 м/мин) при смешении с микронизированным кристаллическим материалом.
3
3
12. Способ по п. 1, в котором аэрозолированный микронизированный кристаллический материал подают при величине расхода потока, варьирующей от приблизительно 25 стандартных кубических футов в минуту (SCFM) (0,7 м/мин) вплоть до приблизительно 200 SCFM (5,6 м/мин) при смешении с кондиционирующим газом.
13. Способ по п. 1, в котором кондиционирующий газ включает газообразный азот.
14. Способ по п. 1, в котором микронизированный кристаллический материал смешивают с кондиционирующим газом в замкнутой камере.
15. Система внутрипроцессного кондиционирования микронизированного кристаллического материала, включающая:
зону микронизации, включающую устройство для микронизации по меньшей мере одного кристаллического материала;
смесительную зону в сообщении по текучей среде с зоной микронизации, причем по меньшей мере один микронизированный кристаллический материал подается из зоны микронизации в смесительную зону и смешивается в ней с кондиционирующим газом;
зону подачи кондиционирующего газа в сообщении по текучей среде со смесительной зоной, причем зона подачи кондиционирующего газа подает кондиционирующий газ при желаемой температуре и концентрации пара растворителя в смесительную зону для смешения по меньшей мере с одним микронизированным кристаллическим материалом;
зону кондиционирования в сообщении по текучей среде со смесительной зоной, причем смесь по меньшей мере одного микронизированного кристаллического материала и
кондиционирующего газа подводится и выдерживается в зоне кондиционирования в течение желаемого времени пребывания;
сепарационную и сборную зону, в которой кондиционированный микронизированный кристаллический материал отделяется от кондиционирующего газа, и собирается кондиционированный активный агент.
16. Система по п. 15, в которой микронизированный кристаллический материал является водорастворимым, и зона подачи кондиционирующего газа конфигурирована для подведения кондиционирующего газа при температуре, варьирующей от приблизительно 20 до 100°С, и при влажности, варьирующей от приблизительно 0,05 до 90% относительной влажности.
17. Система по п. 15, в которой микронизированный кристаллический материал не растворим в воде, и зона подачи кондиционирующего газа конфигурирована для подведения кондиционирующего газа при температуре, варьирующей от приблизительно 20 до 100°С, и при относительном насыщении неводного растворителя в диапазоне от приблизительно 0,05 до 90% в протекающем потоке кондиционирующего газа.
18. Система по п. 15, в которой микронизированный кристаллический материал представляет собой смесь водорастворимых и нерастворимых в воде материалов, и зона подачи кондиционирующего газа конфигурирована для подведения кондиционирующего газа при температуре, варьирующей от приблизительно 20 до 30°С, при относительной влажности от 50 до 75%, и при относительном насыщении неводного растворителя в диапазоне от приблизительно 50 до 75% в протекающем потоке кондиционирующего газа.
19. Система по п. 15, в которой зона подачи кондиционирующего газа конфигурирована для подведения кондиционирующего газа при температуре приблизительно 25°С и с влажностью приблизительно 65% относительной влажности.
20. Система по п. 15, в которой зона кондиционирования конфигурирована для поддержания смеси по меньшей мере одного микронизированного кристаллического материала и кондиционирующего газа внутри зоны кондиционирования в течение времени пребывания между приблизительно 0,5 и 60 с.
21. Система по п. 15, в которой зона кондиционирования конфигурирована для поддержания смеси по меньшей мере одного микронизированного кристаллического материала и кондиционирующего газа внутри зоны кондиционирования в течение времени пребывания между приблизительно 1 и 10 с.
22. Система по п. 15, в которой зона кондиционирования конфигурирована для поддержания смеси по меньшей мере одного микронизированного кристаллического материала и кондиционирующего газа внутри зоны кондиционирования в течение времени пребывания приблизительно 3 с.
23. Система по п. 15, в которой зона микронизации включает струйную мельницу для микронизации по меньшей мере одного кристаллического материала.
3
3
24. Система по п. 15, в которой зона подачи кондиционирующего газа конфигурирована для подведения кондиционирующего газа в смесительную зону с величиной расхода потока, варьирующей от приблизительно 150 стандартных кубических футов в минуту (SCFM) (4,2 м/мин) вплоть до приблизительно 300 SCFM (8,4 м/мин).
3
3
25. Система по п. 15, в которой зона микронизации конфигурирована для подачи по меньшей мере одного микронизированного кристаллического материала в виде аэрозолированного дисперсного материала в смесительную зону с величиной расхода потока, варьирующей от приблизительно 35 стандартных кубических футов в минуту (SCFM) (0,98 м/мин) вплоть до приблизительно 200 SCFM (5,6 м/мин).
26. Система по п. 15, в которой смесительная зона включает узел диспергирующей головки, и в которой кондиционирующий газ и микронизированный кристаллический материал смешиваются в узле диспергирующей головки.
27. Система по п. 26, в которой узел диспергирующей головки включает смесительную головку, конфигурированную для регулирования смешения кондиционирующего газа и по меньшей мере одного микронизированного кристаллического материала.
28. Система по п. 27, в которой смесительная головка включает впускной канал инжекторного сопла, конфигурированный для подачи кондиционирующего газа в инжекторное сопло, и в которой смесительная головка включает впускной канал для несущего газа, конфигурированный для подведения микронизированного кристаллического материала в инжекторное сопло, и причем инжекторное сопло конфигурировано для смешения кондиционирующего газа по меньшей мере с одним микронизированным кристаллическим материалом.
29. Система по п. 15, в которой время пребывания в зоне кондиционирования смеси микронизированного кристаллического материала и кондиционирующего газа может быть модифицировано корректированием геометрической формы зоны кондиционирования.
30. Система по п. 15, в которой время пребывания в зоне кондиционирования смеси микронизированного кристаллического материала и кондиционирующего газа может быть модифицировано регулированием скорости, с которой смесь микронизированного кристаллического материала и кондиционирующего газа подается из смесительной зоны в зону кондиционирования.
31. Система по п. 15, в которой сепарационная и сборная зона включает циклонный коллектор.
32. Система по п. 15, в которой зона микронизации конфигурирована для подачи микронизированного кристаллического материала, имеющего размер частиц, варьирующий от приблизительно 0,1 мкм до приблизительно 10 мкм.
33. Система по п. 15, в которой зона микронизации содержится внутри защитного ограждения.
34. Способ по п. 1, дополнительно включающий сбор частиц кондиционированного микронизированного кристаллического материала в приемной камере.
35. Способ по п. 34, дополнительно включающий стадии, в которых готовят вторичный кондиционирующий газ и смешивают вторичный кондиционирующий газ с кондиционированными микронизированными кристаллическими частицами, в то время как указанные кондиционированные микронизированные кристаллические частицы выдерживаются в приемной камере, причем указанное смешение вторичного кондиционирующего газа с кондиционированными микронизированными кристаллическими частицами проводится в течение времени, достаточного для выполнения вторичного кондиционирования микронизированных кристаллических частиц.
36. Способ по любому из пп. 34 и 35, в котором кондиционированные частицы непрерывно поддерживаются в псевдоожиженном состоянии внутри приемной камеры.
37. Способ по любому из пп. 34 и 35, в котором вторичное кондиционирование микронизированных частиц имеет результатом одно или оба из сокращения присутствия аморфного материала или уменьшения количества остаточного растворителя.
38. Способ по п. 1, дополнительно включающий стадии, в которых готовят вторичный кондиционирующий газ и смешивают вторичный кондиционирующий газ с кондиционированными микронизированными кристаллическими частицами, в то время как указанные кондиционированные микронизированные кристаллические частицы выдерживаются в приемной камере, причем указанное смешение вторичного кондиционирующего газа с кондиционированными микронизированными кристаллическими частицами проводится в течение времени, достаточного для обеспечения вторичного кондиционирования микронизированных кристаллических частиц.
39. Способ по п. 38, в котором вторичное кондиционирование микронизированных частиц имеет результатом одно или оба из сокращения присутствия аморфного материала или уменьшения количества остаточного растворителя.
40. Кондиционированный микронизированный кристаллический материал, полученный способом по любому из пп. 1 или 34.
41. Кондиционированный микронизированный кристаллический материал по п. 40, в котором микронизированные кристаллические частицы содержат гликопирролат.
42. Кондиционированный микронизированный кристаллический материал по п. 40, в котором микронизированные кристаллические частицы содержат будесонид.