СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ С БОКОВЫМИ СТЕНКАМИ СЛОИСТОЙ КОНСТРУКЦИИ

1. Силовой полупроводниковый модуль (1), включающий в себя по меньшей мере два электрически соединенных друг с другом силовых полупроводниковых блока (19, 20), содержащих управляемые силовые полупроводники, корпус (2, 3, 13) модуля, в котором расположены силовые полупроводниковые блоки (19, 20), и электрически изолирующие боковые стенки (13), и по меньшей мере одну присоединительную шину (9, 10, 11, 12, 21), которая распространяется сквозь боковые стенки (13) и соединена по меньшей мере с одним из силовых полупроводниковых блоков (19, 20), отличающийся тем, что изолирующие боковые стенки (13) выполнены в виде штабеля изолирующих и цельно выполненных частичных элементов (14, 15, 16), при этом частичные элементы (14) прилегают друг к другу контактными областями.
2. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.1, отличающийся тем, что частичные элементы (14, 15, 16) выполнены замкнутыми в окружном направлении.
3. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.2, отличающийся тем, что частичные элементы (14, 15, 16) снабжены по меньшей мере одним усилительным ребром (22).
4. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.2, отличающийся тем, что по меньшей мере одна из присоединительных шин (9, 10, 11, 12, 21) пронизывает боковые стенки (13) между двумя частичными элементами (14, 15, 16).
5. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.2, отличающийся тем, что по меньшей мере один из частичных элементов (14, 15, 16) в своей контактной области снабжен выемкой (23, 24, 25), сквозь которую распространяется одна из присоединительных шин (9, 10, 11, 12, 21).
6. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.5, отличающийся тем, что выемка (23, 24, 25) и распространяющаяся сквозь нее присоединительная шина (9, 10, 11, 12, 21) выполнены дополняющими друг друга по форме.
7. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.2, отличающийся тем, что частичные элементы (14, 15, 16) состоят из полимерного материала, усиленного волокном.
8. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.2, отличающийся тем, что каждый силовой полупроводниковый блок (19, 20) включает в себя силовые полупроводниковые микросхемы и корпус блока, в котором расположены эти силовые полупроводниковые микросхемы.
9. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.8, отличающийся тем, что силовые полупроводниковые микросхемы соединены друг с другом проволочными соединениями.
10. Силовой полупроводниковый модуль (1) по п.2, отличающийся тем, что изолирующие боковые стенки (13) распространяются между панелью (2) дна и панелью (3) крышки, при этом панель (2) дна и/или панель (3) крышки выполнены в виде охлаждающих панелей.