БУФЕРНЫЙ СЛОЙ ДЛЯ СТРУКТУРЫ ПЕРЕДНЕГО ЭЛЕКТРОДА В ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПРИБОРЕ ИЛИ ЕМУ ПОДОБНОМ

1. Фотоэлектрический прибор, содержащий:
переднюю стеклянную подложку;
активную полупроводниковую пленку;
электропроводящий и, по существу, прозрачный передний электрод, находящийся между по меньшей мере передней стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой; и
буферную пленку, содержащую оксид олова, находящуюся между передним электродом и полупроводниковой пленкой.
2. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка непосредственно контактирует и с передним электродом, и с полупроводниковой пленкой.
3. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка имеет работу выхода по меньшей мере 4,3 эВ.
4. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка, содержащая оксид олова, легирована Sb.
5. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка составляет от примерно 100 до 1000 Å в толщину.
6. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка составляет от примерно 150 до 600 Å в толщину.
7. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором, по существу, прозрачный передний электрод содержит один или более из: оксида индия-олова, оксида цинка, оксида цинка-алюминия и/или оксида индия-цинка.
8. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка состоит по существу из оксида олова, который может быть необязательно легирован Sb.
9. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка является проводящей и, по существу, прозрачной.
10. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка является менее проводящей и значит имеет большее удельное сопротивление, чем передний электрод.
11. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором полупроводниковая пленка содержит CdS и/или CdTe.
12. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий задний электрод, причем активная полупроводниковая пленка предусмотрена между по меньшей мере передним электродом и задним электродом.
13. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка имеет работу выхода от примерно 4,0 до 5,7 эВ.
14. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка имеет работу выхода от примерно 4,3 до 5,2 эВ.
15. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка имеет работу выхода от примерно 4,5 до 5,0 эВ.
16. Электродная структура для применения в электронном приборе, содержащая:
электропроводящий и, по существу, прозрачный электрод, находящийся между по меньшей мере одной подложкой и полупроводниковой пленкой; и
буферную пленку, содержащую оксид олова, находящуюся между электродом и полупроводниковой пленкой, причем буферная пленка имеет проводимость меньшую, чем у электрода.
17. Электродная структура по п.16, в которой буферная пленка непосредственно контактирует и с электродом, и с полупроводниковой пленкой.
18. Способ изготовления фотоэлектрического прибора, включающий в себя:
обеспечение стеклянной подложки;
распыление по меньшей мере одной мишени в атмосфере для того, чтобы осадить по существу прозрачный проводящий электрод на стеклянную подложку;
распыление по меньшей мере одной мишени, содержащей олово, для того, чтобы осадить буферную пленку, содержащую оксид олова, на стеклянную подложку поверх по меньшей мере проводящего электрода, образуя тем самым электродную структуру на стеклянной подложке; и
формирование фотоэлектрического прибора, при котором электродную структуру соединяют с активной полупроводниковой пленкой для того, чтобы образовать фотоэлектрический прибор.
19. Способ по п.18, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень(и), используемую(ые) при формировании электрода и/или буферной пленки, включает в себя газообразные аргон и кислород и обладает отношением газообразного кислорода ко всему газу от 0,00001 до 0,0025.
20. Способ по п.18, в котором полупроводниковая пленка содержит аморфный кремний или CdTe.