ЗАПИСЫВАЕМЫЙ МАГНИТНЫЙ ЭЛЕМЕНТ

1. Записываемый магнитный элемент, содержащий пакет слоев, имеющий магнитный слой записи, причем упомянутый элемент отличается тем, что пакет имеет центральный слой (13, 53, 90) из по меньшей мере одного магнитного материала, обладающего направлением намагниченности, которое перпендикулярно плоскости центрального слоя, при этом упомянутый центральный слой, который составляет упомянутый магнитный слой записи, расположен между первым и вторым наружными слоями (12; 52; 91; 14; 54; 92) из немагнитных материалов, первый наружный слой (12; 52; 91) содержит первый немагнитный материал, и второй наружный слой (14; 54; 92) содержит второй немагнитный материал, который отличается от первого немагнитного материала, при этом по меньшей мере второй немагнитный материал является электропроводным, и отличается тем, что он включает в себя, с одной стороны, устройство, заставляющее ток записи протекать только через второй наружный слой и центральный слой и, возможно, через первый наружный слой, только если последний является проводящим, в направлении протекания тока, параллельном плоскости центрального слоя, и, с другой стороны, устройство для приложения при наличии упомянутого тока записи магнитного поля записи вдоль направления магнитного поля, которое перпендикулярно плоскости центрального слоя (13, 53, 90), при этом память записывается в одном направлении или другом направлении посредством воздействия на направление приложенного магнитного поля записи.
2. Магнитный элемент по п.1, отличающийся тем, что центральный слой (13, 53, 90) имеет толщину, которая лежит в интервале 0,1 нм - 5 нм и предпочтительно меньше или равна 2 нм.
3. Магнитный элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что центральный слой (13, 53, 90) содержит магнитное соединение, обладающее своей собственной перпендикулярной магнитной анизотропией, то есть, в частности, сплав FePt, FePd, CoPt, CoPd или даже сплав редкоземельного и переходного металла, в частности GdCo, TbFeCo.
4. Магнитный элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что центральный слой (13, 53, 90) содержит металл или металлический сплав, обладающий перпендикулярной магнитной анизотропией, вызванной границами раздела, в частности Co, Fe, CoFe, Ni, CoNi.
5. Магнитный элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что по меньшей мере один наружный проводящий слой изготовлен из немагнитного металла, то есть Pt, Pd, Cu, Au, Bi, Ir, Ru, W или из сплава этих металлов.
6. Магнитный элемент по п.5, отличающийся тем, что толщина упомянутого наружного проводящего слоя лежит в интервале 0,5 нм - 100 нм, более конкретно в интервале 0,5 нм - 10 нм и предпочтительно меньше или равна 5 нм.
x
x
x
x
x
x
x
x
7. Магнитный элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что первый наружный слой изготовлен из диэлектрического оксида, например SiO, AlO, MgO, TiO, TaO, HfO или из диэлектрического нитрида, такого как SiN, BN.
8. Магнитный элемент по п.7, отличающийся тем, что толщина упомянутого наружного слоя диэлектрического оксида лежит в интервале 0,5 нм - 200 нм, а более конкретно в интервале 0,5 нм - 100 нм и предпочтительно составляет менее чем 3 нм.
9. Магнитный элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что два наружных слоя являются проводящими и оба изготовлены из разных материалов упомянутых немагнитных материалов или сплавов.
4
2
9
2
5
2
8
2
10. Магнитный элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что ток имеет плотность тока, которая лежит в интервале 10А/см - 10А/см, а более конкретно в интервале 10А/см - 10А/см.
11. Магнитный элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что приложенное магнитное поле имеет величину, которая лежит в интервале 0,002 Тл - 1 Тл, а более конкретно в интервале 0,005 Тл - 0,8 Тл.
12. Магнитный элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что первый наружный слой (52) покрыт слоем (58) считывания из магнитного материала и электродом (59) считывания.
13. Магнитный элемент по п.12, отличающийся тем, что первый наружный слой (52) изготовлен из немагнитного металла, и тем, что он действует вместе с центральным слоем (53), слоем (58) считывания и электродом (59) считывания, чтобы образовать спиновый вентиль.
14. Магнитный элемент по п.12, отличающийся тем, что первый наружный слой (52) является диэлектрическим, и тем, что он действует вместе с центральным слоем (53), слоем (58) считывания и электродом (59) считывания, чтобы образовать магнитный туннельный переход.
15. Магнитный элемент по п.12, отличающийся тем, что толщина первого наружного слоя (52) меньше чем 5 нм, а более конкретно меньше чем 3нм.
16. Магнитный элемент по п.1 или 2, отличающийся тем, что первый наружный слой и центральный слой образуют контактный столбик, и тем, что второй наружный слой образует в случае необходимости дорожку.
17. Магнитный элемент по п.16, отличающийся тем, что второй наружный слой включает в себя область добавочной толщины, которая образует часть контактного столбика.
18. Записываемое магнитное устройство, отличающееся тем, что оно включает в себя множество контактных столбиков по п.16 или 17 с его вторым наружным слоем, включающим в себя упомянутую дорожку, которая является общей для контактных столбиков.
19. Записываемое магнитное устройство, отличающееся тем, что первый наружный слой, центральный слой и область добавочной толщины второго наружного слоя образуют контактный столбик в соответствии с п.17, и тем, что упомянутое устройство включает в себя множество упомянутых контактных столбиков вместе с электропроводной дорожкой рядом со вторым наружным слоем упомянутого контактного столбика, чтобы вводить упомянутый ток через второй наружный слой и центральный слой каждого из упомянутых контактных столбиков, причем второй наружный слой изготовлен из электропроводного материала, отличающегося от материала электропроводной дорожки.