ПОВЕРХНОСТНО-ИЗЛУЧАЮЩИЙ ЛАЗЕРНЫЙ ПРИБОР С ВЕРТИКАЛЬНЫМ ВНЕШНИМ РЕЗОНАТОРОМ С ОПТИЧЕСКОЙ НАКАЧКОЙ

1. Поверхностно-излучающий лазерный прибор с вертикальным с внешним резонатором с оптической накачкой, содержащий по меньшей мере один поверхностно-излучающий лазер (200) с вертикальным внешним резонатором и несколько лазерных диодов (300) накачки,
причем упомянутый поверхностно-излучающий лазер (200) с вертикальным с внешним резонатором содержит:
стопку слоев, образующую по меньшей мере первое концевое зеркало (107, 105), и активную область (108) поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным с внешним резонатором, и
второе концевое зеркало (410), образующее внешний резонатор поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным с внешним резонатором,
причем упомянутые лазерные диоды (300) накачки расположены с возможностью оптической накачки упомянутой активной области (108) за счет отражения излучения накачки (310) на зеркальном элементе (400),
причем упомянутый зеркальный элемент (400) расположен на оптической оси (210) поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором и выполнен с возможностью сосредотачивать упомянутое излучение накачки (310) в активной области (108) и формировать вместе с этим второе концевое зеркало (410) поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором, причем лазерные диоды (300) накачки расположены с возможностью направлять излучение накачки по существу параллельно оптической оси (210) по направлению к зеркальному элементу (400) так, что пятно накачки, обеспечиваемое лазерными диодами (300) накачки, является автоматически юстированным с оптической модой поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором.
2. Прибор по п. 1, в котором упомянутые лазерные диоды (300) накачки представляют собой поверхностно-излучающие лазеры с вертикальным резонатором.
3. Прибор по п. 1 или 2, в котором упомянутые лазерные диоды (300) накачки образованы на первом кристалле, а упомянутая стопка слоев поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором образована на втором кристалле, причем упомянутые первый и второй кристалл установлены на общем кристаллодержателе или теплоприемнике (501).
4. Прибор по п. 2, в котором упомянутые поверхностно-излучающие лазеры вертикальным резонатором и упомянутая стопка слоев поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором сформированы на одном и том же кристалле.
5. Прибор по п. 4, в котором упомянутые поверхностно-излучающие лазеры с вертикальным резонатором и упомянутая стопка слоев поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором создаются из одной и той же последовательности слоев (100, 103-109) на кристалле.
6. Прибор по п. 5, в котором упомянутая последовательность слоев (100, 103-109) содержит первую последовательность слоев (103-106), образующую слоистую структуру поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным резонатором, и вторую последовательность слоев (107-109), образующую слоистую структуру стопки слоев поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором, причем упомянутая первая и вторая последовательность слоев разделены протравленным запирающим слоем (100).
7. Прибор по п. 1, в котором упомянутый зеркальный элемент (400) содержит центральную область (410), которая образует упомянутое второе концевое зеркало, и внешнюю область (420, 421), которая выполнена с возможностью отражать и сосредотачивать упомянутое излучение накачки (310) в активной области (108) поверхностно-излучающего лазерного диода (200) с вертикальным внешним резонатором.
8. Прибор по п. 7, в котором упомянутая центральная область и упомянутая внешняя область образованы с различной кривизной.
9. Прибор по п. 1, в котором упомянутая внешняя область (420, 421) упомянутого зеркального элемента (400) выполнена с возможностью генерирования распределения интенсивности излучения накачки (310) в активной области (108) поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором, причем распределение интенсивности соответствует лазерной моде поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором.
10. Прибор по п. 1, в котором упомянутая центральная область (410) упомянутого зеркального элемента (400) выполнена с возможностью генерирования лазерной моды, которая не имеет гауссова профиля интенсивности в поверхностно-излучающем лазере (200) с вертикальным внешним резонатором.
11. Прибор по п. 1, в котором тело упомянутого зеркального элемента (400) изготовлено из материала, оптически прозрачного для лазерного излучения поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором.
12. Прибор по п. 1, в котором упомянутые лазерные диоды (300) накачки расположены с возможностью испускания упомянутого излучения накачки (310) по существу параллельно оптической оси (210) поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором по направлению к упомянутому зеркальному элементу (400).