ЭЛЕКТРОХРОМНЫЕ УСТРОЙСТВА

1. Электрохромное устройство, включающее:
двухслойный блок, причем два слоя указанного двухслойного блока находятся в контакте друг с другом, указанный двухслойный блок, включающий:
(а) электрохромный слой, включающий электрохромный материал, который выполнен с возможностью подвергаться первому электрохромному переходу; и
(б) слой противоэлектрода, включающий материал противоэлектрода, который выполнен с возможностью подвергаться второму электрохромному переходу;
при этом разница раздела между электрохромным слоем и слоем противоэлектрода является ионопроводящей и практически электроно-изолирующей и, по меньшей мере, один из электрохромного слоя и слоя противоэлектрода содержит литий.
2. Электрохромное устройство по п.1, отличающееся тем, что электрохромный материал содержит оксид вольфрама и, материал противоэлектрода содержит оксид никеля-вольфрама.
3. Электрохромное устройство по п.2, отличающееся тем, что электрохромный слой имеет толщину от приблизительно 500 нм до приблизительно 600 нм и, слой противоэлектрода имеет толщину от приблизительно 150 нм до приблизительно 300 нм.
4. Электрохромное устройство по п.1, отличающееся тем, что все слои электрохромного устройства являются твердыми и неорганическими.
5. Электрохромное устройство по п.1, отличающееся тем, что:
электрохромный материал содержит оксид металла, выбранного из группы, состоящей из вольфрама, молибдена, ниобия, титана, меди, иридия, хрома, марганца, ванадия, никеля и кобальта; и
материал противоэлектрода, выбранный из группы, состоящей из оксида никеля, оксида никеля-вольфрама, оксида никеля-ванадия, оксида никеля-хрома, оксида никеля-алюминия, оксида никеля-марганца, оксида никеля-магния, оксида хрома, оксида марганца, берлинской лазури, оксида церия-титана, оксида церия-циркония, оксида ванадия, тантала и вольфрама.
6. Электрохромное устройство по п.1, отличающееся тем, что граница раздела между электрохромным слоем и слоем противоэлектрода включает смесь практически электроно-изолирующего ионопроводящего материала и одного или обоих из электрохромного материала и материала противоэлектрода.
7. Электрохромное устройство по п.6, отличающееся тем, что практически электроно-изолирующий ионопроводящий материал и один или оба из электрохромного материала и материала противоэлектрода включают состав, градиентный внутри границы раздела между электрохромным слоем и слоем противоэлектрода в направлении, перпендикулярном к слоям.
8. Электрохромное устройство по п.1, отличающееся тем, что вводится в электрохромное окно, включающее архитектурное стекло.
9. Электрохромное устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительно включает:
(в) промежуточный слой между электрохромным слоем и слоем противоэлектрода, при этом промежуточный слой обогащен кислородом по сравнению с электрохромным материалом в электрохромном слое и по меньшей мере, часть промежуточного слоя является практически электроно-изолирующей.
10. Способ изготовления электрохромного устройства, включающий:
формирование электрохромного слоя, включающего электрохромный материал;
формирование слоя противоэлектрода в контакте с электрохромным слоем без предварительного обеспечения ионопроводящего электроно-изолирующего слоя между электрохромным слоем и слоем противоэлектрода, где слой противоэлектрода включает материал противоэлектрода; и
формирование границы раздела между электрохромным слоем и слоем противоэлектрода, где указанная граница раздела является практически ионопроводящей и практически электроно-изолирующей.
3
11. Способ по п.10, отличающийся тем, что электрохромный слой формируют перед слоем противоэлектрода и электрохромный слой содержит WO.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что электрохромный слой имеет толщину от приблизительно 300 нм до приблизительно 600 нм.
13. Способ по п.10, отличающийся тем, что дополнительно включает распыление лития на электрохромный слой до тех пор, пока, по меньшей мере, не будет удовлетворено условие слепого заряда электрохромного слоя.
14. Способ по п.10, отличающийся тем, что слой противоэлектрода содержит NiWO.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что слой противоэлектрода имеет толщину от приблизительно 150 нм до приблизительно 300 нм.
16. Способ по п.10, отличающийся тем, что дополнительно включает распыление лития на слой противоэлектрода до существенного обесцвечивания слоя противоэлектрода.
17. Способ по п.10, отличающийся тем, что дополнительно включает осаждение прозрачного проводящего оксидного слоя поверх слоя противоэлектрода.
2
18. Способ по п.10, отличающийся тем, что дополнительно включает нагревание сформированного блока до или после осаждения прозрачного проводящего оксидного слоя при температуре от приблизительно 150°С до приблизительно 450°С в течение от приблизительно 10 минут до приблизительно 30 минут в Ar и затем в течение от приблизительно 1 минуты до приблизительно 15 минут в О.
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что дополнительно включает нагревание сформированного блока в воздухе при температуре от приблизительно 250°С до приблизительно 350°С в течение от приблизительно 20 минут до приблизительно 40 минут.
20. Установка для изготовления электрохромного устройства, включающая:
(а) интегрированную систему осаждения, включающую:
(i) первую станцию осаждения, содержащую первую мишень, включающую первый материал для осаждения слоя электрохромного материала на подложку, когда подложка размещена в первой станции осаждения, и
(ii) вторую станцию осаждения, содержащую вторую мишень, включающую второй материал для осаждения слоя материала противоэлектрода на подложку, когда подложка размещена во второй станции осаждения; и
(б) контроллер, содержащий программу управления для прохождения подложки через первую и вторую станции осаждения таким образом, что происходит последовательное осаждение блока на подложку, блока, включающего слой электрохромного материала в прямом контакте со слоем материала противоэлектрода.
21. Установка по п.20, отличающаяся тем, что способна передавать подложку от одной станции к следующей без нарушения вакуума.
22. Установка по п.20, отличающаяся тем, что интегрированная система осаждения дополнительно включает одну или несколько станций литиирования, способных осаждать литий из источника литийсодержащего материала, по меньшей мере, на электрохромный слой и слой противоэлектрода.
23. Установка по п.20, отличающаяся тем, что интегрированная система осаждения способна осаждать блок на подложку из архитектурного стекла.
24. Установка по п.20, отличающаяся тем, что интегрированная система осаждения дополнительно включает держатель подложки и транспортный механизм, способный удерживать подложку в практически вертикальной ориентации во время прохождения через интегрированную систему осаждения.
25. Установка по п.24, отличающаяся тем, что держатель подложки и транспортный механизм выполнены с возможностью удерживать подложку из архитектурного стекла.
26. Установка по п.20, отличающаяся тем, что интегрированная система осаждения включает один или более нагревателей, выполненных с возможностью нагревать подложку, и один или более охлаждающих компонентов, выполненных с возможностью охлаждать, активно или пассивно, подложку.
27. Установка по п.20, отличающаяся тем, что интегрированная система осаждения не содержит отдельной мишени, включающей материал для ионопроводящего слоя.
28. Установка по п.20, отличающаяся тем, что контроллер дополнительно включает программу управления для прохождения подложки через первую и вторую станции осаждения таким образом, что происходит осаждение промежуточного слоя, зажатого между электрохромным слоем и слоем противоэлектрода; промежуточный слой не является существенно электроно-изолирующим, который промежуточный слой включает обогащенную кислородом форму электрохромного материала и материала противоэлектрода.