СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА, В ЧАСТНОСТИ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА С ТОНКИМ СЛОЕМ ИЗ КРЕМНИЯ

1. Способ изготовления солнечного элемента, в частности солнечного элемента с тонким слоем из кремния, содержащий следующие стадии технологического процесса:
- нанесение ТСО-слоя (3) на стеклянную подложку (1);
- нанесение, по меньшей мере, одного слоя (4; 5) кремния на ТСО-слой (3);
отличающийся тем, что перед нанесением ТСО-слоя (3) стеклянную подложку (1) облучают электронным излучением, при этом образуется рассеивающий свет слой (2) стеклянной подложки (1), на которую наносится ТСО-слой (3).
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что стеклянную подложку (1) нагревают до и/или во время воздействия электронного излучения, в частности, до температуры от 200°C до 700°C, предпочтительно от 300°C до 500°C, например, до температуры 400°C.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что электронное излучение имеет сечение в виде линии и передвигается вертикально относительно продольного направления линии по поверхности стеклянной подложки (1).
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что ТСО-слой (3) подвергают облучению лазерным излучением.
5. Способ по любому из пп. 1-4, отличающийся тем, что на ТСО-слой (3) наносят первый слой (4) кремния, при этом первый слой (4) кремния облучают лазерным излучением или электронным излучением, и на облученный первый слой (4) кремния наносят второй слой (5) кремния.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что второй слой (5) кремния имеет большую толщину, чем первый слой (4) кремния.
7. Способ по п. 5, отличающийся тем, что первый слой (4) кремния имеет толщину, менее, чем 3,0 мкм, в частности, менее, чем 2,0 мкм, предпочтительно, менее, чем 1,0 мкм, например, может иметь толщину слоя от 0,5 мкм до 1,0 мкм.
8. Способ по п. 5, отличающийся тем, что второй слой (5) кремния имеет толщину от 2,0 мкм до 20 мкм, в частности, от 3,5 мкм до 15 мкм, предпочтительно от 5 мкм до 10 мкм.
9. Способ по п. 5, отличающийся тем, что второй слой (5) кремния облучают лазерным излучением или электронным излучением.
10. Способ по любому из пп. 1-4, 6-9, отличающийся тем, что лазерное излучение или электронное излучение имеет сечение в виде линии и передвигается вертикально относительно продольного направления линии по поверхности стеклянной подложки (1).
11. Способ по любому из пп. 1-4, 6-9, отличающийся тем, что ТСО-слой (3) и/или, по меньшей мере, один слой (4; 5) кремния напыляют с помощью электронного луча.
12. Способ по любому из пп. 1-4, 6-9, отличающийся тем, что нанесение ТСО-слоя (3) и/или, по меньшей мере, одного слоя (4; 5) кремния, выполняют при температуре ниже 300°C, в частности, ниже 200°C, в частности, ниже 100°C, например, при комнатной температуре.
13. Способ по любому из пп. 1-4, 6-9, отличающийся тем, что, по меньшей мере, на один слой (4; 5) кремния, т.е. второй слой (5) кремния, наносят электрод (6) из электропроводящего материала.
14. Способ изготовления солнечного элемента, в частности, солнечного элемента с тонким слоем из кремния, содержащий следующие стадии технологического процесса:
- нанесение ТСО-слоя (3) на стеклянную подложку (1);
- нанесение, по меньшей мере, одного слоя (4; 5) кремния на ТСО-слой (3);
отличающийся тем, что на ТСО-слой (3) наносят первый слой (4) кремния, при этом первый слой (4) кремния облучают лазерным излучением или электронным излучением, и на облученный первый слой (4) кремния наносят второй слой (5) кремния.
15. Способ по п. 14, отличающийся тем, что второй слой (5) кремния имеет большую толщину, чем первый слой (4) кремния.
16. Способ по п. 14, отличающийся тем, что первый слой (4) кремния имеет толщину, менее, чем 3,0 мкм, в частности, менее, чем 2,0 мкм, предпочтительно, менее, чем 1,0 мкм, например, может иметь толщину слоя от 0,5 мкм до 1,0 мкм.
17. Способ по п. 14, отличающийся тем, что второй слой (5) кремния имеет толщину от 2,0 мкм до 20 мкм, в частности, от 3,5 мкм до 15 мкм, предпочтительно от 5 мкм до 10 мкм,
18. Способ по любому из пп. 14-17, отличающийся тем, что второй слой (5) кремния облучают лазерным излучением или электронным излучением.
19. Способ по п. 18, отличающийся тем, что лазерное излучение или электронное излучение имеет сечение в виде линии и передвигается вертикально относительно продольного направления линии по поверхности стеклянной подложки (1).
20. Способ по п. 14, отличающийся тем, что ТСО-слой (3) и/или, по меньшей мере, один слой (4; 5) кремния напыляют с помощью электронного луча.
21. Способ по п. 14, отличающийся тем, что нанесение ТСО-слоя (3) и/или, по меньшей мере, одного слоя (4; 5) кремния, выполняют при температуре ниже 300°C, в частности, ниже 200°C, в частности, ниже 100°C, например, при комнатной температуре.
22. Способ по любому из пп. 14-17, 19-21, отличающийся тем, что, по меньшей мере, на один слой (4; 5) кремния, т.е. второй слой (5) кремния, наносят электрод (6) из электропроводящего материала.