СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ РАДИОХИМИЧЕСКОГО РАСПАДА С-14 В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ

1. Способ формирования полупроводниковых структур для преобразования энергии радиохимического распада С-14 в электрическую, включающий формирование пленки карбида кремния с участием атомов кристаллической решетки кремниевой подложки и атомов углерода, при этом осуществляют химический перенос водородом углерода через стадию образования углеводородов в зоне реактора с температурой 1000-1200°С и их последующее разложение на поверхности подложек кремния в высокотемпературной зоне 1360°С по ходу движения водорода расходом 0,3 - 0,5л/мин, альтернативой химического переноса углерода с массовым числом 14 является перенос водородом расходом 3-5л/мин в зону подложек кремния органического соединения в соотношении от 1:4 до 1: 10 содержащего в своем составе углерод-14, отличающийся тем, что пленка карбида кремния формируется в диапазоне температур от 1360 до 1380°С, при этом в процессе ее роста перед ней движется сетка дислокаций, последующий термический отжиг гетероструктуры производят в вакууме при температуре от 1000 до 1100°С в течение соответственно от 60 до 30 минут, что обеспечивает захват сверхстехиометрических и растворенных атомов С-14 на сетке дислокаций выполняющей роль скрытого геттера в фазе кремния, взаимодействие бета-электронов с фазой кремния порождает вторичные электроны и тем самым создается градиентный диффузионный поток электронов со стороны жертвенного карбидокремниевого слоя и тыльной стороной подложки кремния предварительно окисленной.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что жертвенный слой карбида кремния делают изотипным с подложкой кремния как p-, так и n-типа проводимости.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что жертвенный слой карбида кремния частично не удаляют, а изотипный гетеропереход карбида кремния на кремнии используют для целей дополнительной генерации электрического тока.