ИЗДЕЛИЕ С НИЗКОЭМИССИОННЫМ ПОКРЫТИЕМ, ИМЕЮЩИМ ОТРАЖАЮЩИЙ ИК-ИЗЛУЧЕНИЕ СЛОЙ ИЛИ СЛОИ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЛОЙ ИЛИ СЛОИ ИЗ ЛЕГИРОВАННОГО ОКСИДА ТИТАНА, И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ

1. Изделие с покрытием, включающее в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, причем покрытие содержит:
первый прозрачный диэлектрический слой на стеклянной подложке;
отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро, на стеклянной подложке, расположенный над по меньшей мере первым прозрачным диэлектрическим слоем;
второй прозрачный диэлектрический слой на стеклянной подложке, расположенный над по меньшей мере отражающим ИК–излучение слоем; и
при этом по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев является аморфным или по существу аморфным и содержит оксид Ti, легированный по меньшей мере одним из Sn, SnZn, Zr, Y и Ba, и при этом содержание металла в аморфном или по существу аморфном слое составляет около 70–99,5% Ti и около 0,5–30% по меньшей мере одного из Sn, SnZn, Zr, Y и Ba (атомные %).
2. Изделие с покрытием по п. 1, в котором содержание металла в аморфном или по существу аморфном слое составляет около 80–99% Ti и около 1–20% по меньшей мере одного из Sn, SnZn, Zr, Y и Ba (атомные %).
3. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором содержание металла в аморфном или по существу аморфном слое составляет около 87–99% Ti и около 1–13% по меньшей мере одного из Sn, SnZn, Zr, Y и Ba (атомные %).
4. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором аморфный или по существу аморфный слой имеет показатель преломления (n) по меньшей мере 2,12.
5. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором аморфный или по существу аморфный слой имеет показатель преломления (n) по меньшей мере 2,20.
6. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором аморфный или по существу аморфный слой имеет показатель преломления (n) по меньшей мере 2,25.
n
7. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие представляет собой низкоэмиссионное покрытие и имеет нормальный коэффициент эмиссии (E) не более 0,2.
n
8. Изделие с покрытием по п. 7, в котором покрытие представляет собой низкоэмиссионное покрытие и имеет нормальный коэффициент эмиссии (E) не более 0,10.
9. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Sn, а содержание металла составляет около 70–99,5% Ti и около 0,5–30% Sn (атомные %).
10. Изделие с покрытием по п. 9, в котором аморфный или по существу аморфный слой дополнительно содержит Zn.
11. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Sn, а содержание металла составляет около 80–99% Ti и около 1–20% Sn (атомные %).
12. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti, Sn и Zn.
13. Изделие с покрытием по любому из пп. 1–8, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Y, а содержание металла составляет около 70–99,5% Ti и около 0,5–30% Y (атомные %).
14. Изделие с покрытием по п. 13, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Y, а содержание металла составляет около 80–99% Ti и около 1–20% Y (атомные %).
15. Изделие с покрытием по любому из пп. 1–8, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Ba, а содержание металла составляет около 70–99,5% Ti и около 0,5–30% Ba (атомные %).
16. Изделие с покрытием по п. 15, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Ba, а содержание металла составляет около 80–99% Ti и около 1–20% Ba (атомные %).
17. Изделие с покрытием по любому из пп. 1–8, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Zr, а содержание металла составляет около 70–99,5% Ti и около 0,5–30% Zr (атомные %).
18. Изделие с покрытием по п. 17, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Zr, а содержание металла составляет около 80–99% Ti и около 1–20% Zr (атомные %).
19. Изделие с покрытием по любому из пп. 1–8, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Ba, а содержание металла составляет около 70–99,5% Ti и около 0,5–30% Ba (атомные %).
20. Изделие с покрытием по п. 19, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Ba, а содержание металла составляет около 80–99% Ti и около 1–20% Ba (атомные %).
21. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором первый диэлектрический слой представляет собой указанный аморфный или по существу аморфный слой и расположен между стеклянной подложкой и отражающим ИК–излучение слоем.
22. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие содержит внешнее покрытие, включающее в себя слой, содержащий нитрид кремния.
23. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие дополнительно содержит слой, содержащий нитрид кремния, расположенный между по меньшей мере стеклянной подложкой и первым прозрачным диэлектрическим слоем.
24. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие дополнительно содержит слой, содержащий оксид цинка, расположенный под отражающим ИК–излучение слоем и в непосредственном контакте с ним.
25. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, в котором покрытие дополнительно содержит слой, содержащий оксид Ni и/или Cr, расположенный над отражающим ИК–излучение слоем и в непосредственном контакте с ним.
26. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, которое подвергнуто термической закалке.
27. Изделие с покрытием по любому предшествующему пункту, которое имеет коэффициент пропускания видимого света по меньшей мере 50%.
28. Изделие с покрытием, включающее в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, причем покрытие содержит:
первый прозрачный диэлектрический слой на стеклянной подложке;
отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро, на стеклянной подложке, расположенный над по меньшей мере первым прозрачным диэлектрическим слоем;
второй прозрачный диэлектрический слой на стеклянной подложке, расположенный над по меньшей мере отражающим ИК–излучение слоем; и
при этом по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев является аморфным или по существу аморфным и содержит оксид Ti и Ba, и при этом содержание металла в аморфном или по существу аморфном слое составляет около 30–70% Ti и около 30–70% Ba (атомные %).
29. Изделие с покрытием по п. 28, в котором содержание металла в аморфном или по существу аморфном слое составляет около 40–60% Ti и около 40–60% Ba (атомные %).
30. Способ изготовления изделия с покрытием, включающего в себя покрытие, нанесенное на стеклянную подложку, включающий:
распылительное нанесение первого прозрачного диэлектрического слоя на стеклянную подложку;
распылительное нанесение отражающего инфракрасное (ИК) излучение слоя на стеклянную подложку над по меньшей мере первым прозрачным диэлектрическим слоем;
распылительное нанесение второго прозрачного диэлектрического слоя на стеклянную подложку над по меньшей мере отражающим ИК–излучение слоем; и
при этом по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев наносят распылением так, чтобы он был аморфным или по существу аморфным, и содержит оксид Ti и по меньшей мере один из Sn, SnZn, Zr, Y и Ba.
31. Способ по п. 30, в котором содержание металла в аморфном или по существу аморфном слое составляет около 70–99,5% Ti и около 0,5–30% по меньшей мере одного из Sn, SnZn, Zr, Y и Ba (атомные %).
32. Способ по любому из пп. 30, 31, в котором упомянутый по меньшей мере один из первого и второго прозрачных диэлектрических слоев, наносимых распылением так, чтобы он был аморфным или по существу аморфным, наносят распылением в обедненной кислородом атмосфере с тем, чтобы различие в радиусах металлов во время распыления вызывало разупорядочение кристаллической решетки, приводящее к аморфной или по существу аморфной структуре слоя.
n
33. Способ по любому из пп. 30–32, в котором покрытие представляет собой низкоэмиссионное покрытие и имеет нормальный коэффициент эмиссии (E) не более 0,2.
34. Способ по любому из пп. 30–33, дополнительно включающий термическую закалку стеклянной подложки с покрытием на ней.
35. Способ по любому из пп. 30–34, в котором изделие с покрытием имеет коэффициент пропускания видимого света по меньшей мере 50%.
36. Способ по любому из пп. 30–35, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Sn, а содержание металла составляет около 70–99,5% Ti и около 0,5–30% Sn (атомные %).
37. Способ по п. 36, в котором аморфный или по существу аморфный слой дополнительно содержит Zn.
38. Изделие с покрытием по любому из пп. 30–37, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Sn, а содержание металла составляет около 80–99% Ti и около 1–20% Sn (атомные %).
39. Способ по любому из пп. 30–38, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti, Sn и Zn.
40. Способ по любому из пп. 30–35, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Y, а содержание металла составляет около 70–99,5% Ti и около 0,5–30% Y (атомные %).
41. Способ по любому из пп. 30–35, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Ba.
42. Способ по любому из пп. 30–35, в котором аморфный или по существу аморфный слой содержит оксид Ti и Zr, а содержание металла составляет около 70–99,5% Ti и около 0,5–30% Zr (атомные %).
43. Способ по любому из пп. 30–42, в котором во время распылительного нанесения аморфного или по существу аморфного слоя кислород в ходе распылительного нанесения контролируют посредством контроля газообразного кислорода в распылительной атмосфере и/или кислорода в распыляемом материале мишени так, чтобы среднее различие в ионных радиусах между Ti и по меньшей мере одним из Sn, SnZn, Zr, Y и Ba составляло по меньшей мере 15 пм и, следовательно, происходило разупорядочение кристаллической решетки, приводящее к образованию аморфной или по существу аморфной структуры наносимого распылением слоя.
44. Способ по п. 43, в котором во время распылительного нанесения аморфного или по существу аморфного слоя кислород в ходе распылительного нанесения контролируют посредством контроля газообразного кислорода в распылительной атмосфере и/или кислорода в распыляемом материале мишени так, чтобы среднее различие в ионных радиусах между Ti и по меньшей мере одним из Sn, SnZn, Zr, Y и Ba составляло по меньшей мере 20 пм и, следовательно, происходило разупорядочение кристаллической решетки, приводящее к образованию аморфной или по существу аморфной структуры наносимого распылением слоя.
45. Способ по любому из пп. 30–44, в котором во время распылительного нанесения аморфного или по существу аморфного слоя распылительная атмосфера содержит не более 50% газообразного кислорода.
46. Способ по п. 45, в котором во время распылительного нанесения аморфного или по существу аморфного слоя распылительная атмосфера содержит не более 40% газообразного кислорода.
47. Способ по п. 45, в котором во время распылительного нанесения аморфного или по существу аморфного слоя распылительная атмосфера содержит не более 35% газообразного кислорода.