ИСПОЛЬЗОВАНИЕ МЕМИСТОРНЫХ УСТРОЙСТВ ДЛЯ РАДИОЧАСТОТНЫХ КАТУШЕК ПРИ МАГНИТНО-РЕЗОНАНСНОЙ ТОМОГРАФИИ

1. Сборочный узел (18, 18') радиочастотных катушек для использования при магнитном резонансе, содержащий:
радиочастотную катушку (42); и
множество резистивных элементов (46, 56, 62, 72) памяти, каждый из которых сохраняет выбранное резистивное состояние после отключения сигнала управления.
2. Сборочный узел (18, 18') радиочастотных катушек по п.1, дополнительно содержащий:
схему (20, 27) смещения, создающую сигнал управления для установки резистивного элемента памяти в одно из множества резистивных состояний; и
в котором, по меньшей мере, один резистивный элемент (45, 56, 62, 72) памяти является частью схемы (44) расстройки, которая переключает радиочастотную катушку (42) между настроенным состоянием, настроенным на резонансную частоту, и расстроенным состоянием.
3. Сборочный узел (18, 18') радиочастотных катушек по п.2, в котором схема (44) расстройки содержит:
резонансный режекторный фильтр (48), резонансный элемент (46) памяти, переключаемый сигналом управления, чтобы соединить резонансный режекторный фильтр последовательно с радиочастотной катушкой (42).
4. Сборочный узел (18, 18') радиочастотных катушек по любому из пп.1-3, дополнительно содержащий:
соединенную с радиочастотной катушкой (42) и предварительным усилителем (52) схему (54) запирания, которая содержит резистивный элемент (56) памяти, выполненный с возможностью закорачивания входа предварительного усилителя, соединенного с радиочастотной катушкой, при смещении в проводящее состояние.
5. Сборочный узел (18, 18') радиочастотных катушек по п.1, дополнительно содержащий:
1
2
N
схему мультиплексирования, содержащую множество резистивных элементов (62, 62, 62) памяти, выполненных с возможностью связывания выхода выбранной радиочастотной катушки (42) сборочного узла радиочастотных катушек к приемнику (26).
6. Сборочный узел (18, 18') радиочастотных катушек по п.1, дополнительно содержащий:
устройство (70) памяти с множеством резистивных переключателей (72) памяти, выполненное с возможностью хранения информации.
7. Сборочный узел (18, 18') радиочастотных катушек по п.1, дополнительно содержащий, по меньшей мере, одно из следующего:
схему (44) расстройки, выполненную с возможностью блокировки посредством, по меньшей мере, одного из резистивных элементов (46) памяти сигнала на выбранной радиочастоте, наведенного на радиочастотной катушке (42);
схему (54) запирания, выполненную с возможностью избирательного короткого замыкания входа предварительного усилителя (52) посредством, по меньшей мере, одного из резистивных элементов (56) памяти; и
схему (60) мультиплексирования, выполненную с возможностью избирательного связывания выбранных выходов радиочастотных катушек к последующей схеме обработки посредством множества резистивных элементов (62) памяти.
8. Сборочный узел (18, 18') радиочастотных катушек по п.1, в котором резистивные элементы (46, 56, 62, 72) памяти содержат мемистор, который смещается в резистивное состояние смещением по постоянному току и сохраняет упомянутое резистивное состояние при отключении упомянутого смещения по постоянному току.
9. Магнитно-резонансная система (10), содержащая:
магнит (12), создающий статическое магнитное поле в области исследования;
по меньшей мере, один сборочный узел (18, 18') радиочастотных катушек по любому из п.п.1-8, выполненный с возможностью сбора данных магнитного резонанса из области исследования;
передатчик (24), соединенный, по меньшей мере, с одним сборочным узлом радиочастотных катушек;
радиочастотный приемник (26), соединенный, по меньшей мере, с одним сборочным узлом (18, 18') радиочастотных катушек;
контроллер (20) сканирования, выполненный с возможностью управления радиочастотным передатчиком и радиочастотным приемником и схемой (27) управления для создания сигнала управления, чтобы регулировать резистивное состояние, по меньшей мере, одного из резистивных элементов памяти;
процессор (30) обработки данных, который обрабатывает данные резонанса, полученные от радиочастотного приемника (26), чтобы создавать данные магнитно-резонансной томографии или данные магнитно-резонансной спектроскопии; и
устройство (32) отображения для отображения результатов обработки резонансных сигналов.
10. Способ магнитного резонанса, содержащий этапы, на которых:
передают радиочастотные сигналы для наведения резонансных сигналов в области (14) исследования;
принимают резонансные сигналы; и
устанавливают резистивное состояние, по меньшей мере, одного резистивного элемента (46, 56, 62, 72) памяти для выполнения, по меньшей мере, одного из следующего:
расстраивания радиочастотной катушки (42), которая принимает резонансные сигналы во время передачи радиочастотных сигналов,
закорачивания входа предварительного усилителя (52), который усиливает принятые резонансные сигналы, во время передачи радиочастотных сигналов,
избирательного связывания одного из множества выходов со схемой последующей обработки; и
сохранения информации.
11. Способ по п.10, в котором этап установки резистивного состояния, по меньшей мере, одного резистивного элемента (46, 45, 62, 72) памяти содержит этапы, на которых:
прикладывают напряжение смещения первой полярности к резистивному элементу памяти, чтобы увеличить его сопротивление;
прекращают прикладывать напряжение смещения первой полярности при первом выбранном сопротивлении, причем резистивный элемент памяти сохраняет первое выбранное сопротивление после того, как приложение напряжения смещения прекращено;
прикладывают напряжение смещения второй полярности к резистивному элементу памяти, чтобы уменьшить его сопротивление; и
прекращают прикладывать напряжение смещения второй полярности при втором выбранном сопротивлении, причем резистивный элемент памяти сохраняет второе выбранное сопротивление после того, как приложение напряжения смещения прекращено.
12. Способ по любому из пп.10 и 11, в котором, по меньшей мере, один резистивный элемент (46) соединяется последовательно с радиочастотной катушкой (42) и соединяет радиочастотную катушку с резонансным режекторным фильтром (56), причем этапы установки резистивного состояния содержат этапы, на которых:
перед передачей радиочастотных сигналов прикладывают напряжение смещения первой полярности к резистивному элементу памяти, которое смещает резистивный элемент памяти в первое резистивное состояние, и прекращают прикладывать напряжение смещения первой полярности, так что резистивный элемент памяти сохраняет первое резистивное состояние; и
перед приемом резонансных сигналов прикладывают напряжение смещения второй полярности к резистивному элементу памяти, чтобы сместить резистивный элемент памяти во второе резистивное состояние и прекращают прикладывать напряжение смещения второй полярности, так что резистивный элемент памяти сохраняет второе резистивное состояние.
13. Способ по п.10, в котором, по меньшей мере, один резистивный элемент (56) присоединяется к входам предварительного усилителя (52), соединенного с радиочастотной катушкой (42), причем этапы установки резистивного состояния содержат этапы, на которых:
перед передачей радиочастотных сигналов прикладывают напряжение смещения первой полярности к резистивному элементу памяти, которое смещает резистивный элемент памяти в состояние высокой проводимости, и прекращают прикладывать напряжение смещения первой полярности, так что резистивный элемент памяти сохраняет состояние высокого сопротивления; и
перед приемом резонансных сигналов прикладывают напряжение смещения второй полярности к резистивному элементу памяти, чтобы сместить резистивный элемент памяти в состояние высокого сопротивления и прекращают прикладывать напряжение смещения второй полярности, так что резистивный элемент памяти сохраняет состояние высокого сопротивления.
1
2
N
14. Способ по п.10, в котором множество радиочастотных катушек (42) присоединяются к радиочастотному приемнику (26) посредством мультиплексора, содержащего множество резистивных элементов (62, 62, 62) памяти, причем этапы установки резистивного состояния содержат этапы, на которых:
прикладывают напряжение смещения первой полярности, по меньшей мере, к первому из резистивных элементов памяти, которое смещает резистивные элементы памяти в состояние высокого сопротивления, и прекращают прикладывать напряжение смещения первой полярности, так что резистивные элементы памяти сохраняют состояние высокого сопротивления; и
прикладывают напряжение смещения второй полярности, по меньшей мере, ко второму из резистивных элементов памяти, чтобы сместить резистивный элемент памяти в состояние высокой проводимости, и прекращают прикладывать напряжение смещения второй полярности, так что резистивный элемент памяти сохраняет состояние высокой проводимости.
15. Способ по п.10, в котором устройство (70) памяти содержит множество резистивных элементов (72) памяти,, причем этапы установки резистивного состояния содержат этапы, на которых:
прикладывают напряжение смещения первой полярности к резистивным элементам памяти, которое смещает резистивные элементы памяти в состояние высокого сопротивления, и прекращают прикладывать напряжение смещения первой полярности, так что резистивные элементы памяти сохраняют состояние высокого сопротивления; и
прикладывают напряжение смещения второй полярности к резистивным элементам памяти, чтобы сместить резистивные элементы памяти в состояние высокой проводимости, и прекращают прикладывать напряжение смещения второй полярности, так что резистивные элементы памяти сохраняют состояние высокой проводимости.