СПОСОБ МОДИФИЦИРОВАНИЯ ПОГРАНИЧНОЙ ОБЛАСТИ ПОДЛОЖКИ

1. Способ модифицирования пограничной области (11) подложки (3), ограниченной поверхностью (10), в котором предусмотрена вакуумированная технологическая камера (2), имеющая источник (4) плазмы для генерирования направленной плазменной струи (5), и в котором, кроме того, реакционный компонент подводят в технологическую камеру (2) с предварительно заданной величиной расхода потока, и подложку (3) нагревают до предварительно заданной реакционной температуры, отличающийся тем, что реакционный компонент подвергается диффузионной активации, направленной плазменной струей (5) таким образом, что реакционный компонент диффундирует в пограничную область (11) подложки (3) с предварительно заданной скоростью диффузии.
2. Способ по п.1, в котором реакционный компонент представляет собой жидкость, и/или газообразное вещество, и/или порошок, и/или суспензию.
3. Способ по п.1 или 2, в котором реакционный компонент нагнетают в плазменную струю (5) для диффузионной активации в источнике (4) плазмы, и/или нагнетают в свободную плазменную струю (5), и/или нагнетают в технологическую камеру (2).
4. Способ по п.1 или 2, в котором реакционный компонент, который включает углеводородное соединение, и/или кислород, и/или азот, реагирует с подложкой в пограничной области (11) подложки, и тем самым образует соединение в пограничной области (11), в частности, нитрид или азотсодержащее соединение, карбид, нитрокарбид, силицид, карбонитрид, оксид, борид или алюминид.
5. Способ по п.1 или 2, в котором технологическая камера (2) включает источник тепла для обеспечения возможности проведения модификации при реакционной температуре в пределах предварительно заданного температурного диапазона.
6. Способ по п.1 или 2, в котором подложку (3) предварительно нагревают до реакционной температуры с помощью дополнительного источника тепла, и/или реакционную температуру контролируют или регулируют с помощью плазменной струи (5) во время модификации.
7. Способ по п.1 или 2, в котором водород подают в технологическую камеру (2), в частности, в плазменную струю (5).
8. Способ по п.1 или 2, в котором значение реакционной температуры подложки (3) устанавливают в диапазоне 800 - 1200°С, в частности 800 1100°С.
9. Способ по п.1 или 2, в котором источник (4) плазмы и держатель (8) подложки перемещают относительно друг друга.
10. Способ по п.1 или 2, в котором подложка (3) поддерживается держателем (8) подложки, в частности, с помощью танталовой проволоки.
11. Способ по п.1 или 2, в котором для источника (4) плазмы предусмотрено устройство для управляемой корректировки, чтобы регулировать направление плазменной струи (5) и/или расстояние от источника (4) плазмы до подложки (3) в диапазоне от 0,05 м до 1 м, в частности в диапазоне от 0,3 м до 0,6 м.
12. Способ по п.1 или 2, в котором мощность, которую подводят к источнику (4) плазмы, составляет от 1 кВт до 100 кВт, в частности от 1 кВт до 40 кВт.
13. Способ по п.1 или 2, в котором давление в технологической камере (2) во время проведения способа составляет от 0,01 мбар до 100 мбар, в частности от 0,01 мбар до 10 мбар.
14. Способ по п.1 или 2, в котором величина объемного расхода газового потока реакционного компонента во время процесса составляет от 1 ст.л/мин до 100 ст.л/мин, в частности от 1 ст.л/мин до 10 ст.л/мин для азота, или от 0,1 ст.л/мин до 2 ст.л/мин для метана.