ПОДЛОЖКА ДЛЯ ОПТИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

1. Подложка для оптической системы, содержащая тонкоструктурный слой, включающий в себя точки, состоящие из множества выпуклых участков или вогнутых участков, проходящих в направлении от главной поверхности подложки наружу поверхности,
при этом тонкоструктурный слой образует множество точечных линий, в которых множество точек размещено с шагом Py в первом направлении на главной поверхности подложки, тогда как множество точечных линий образует множество точечных линий, размещенных с шагом Px во втором направлении, ортогональном первому направлению, на главной поверхности подложки, и
один из шага Py и шага Px является постоянным интервалом нанометрового диапазона, тогда как другой является непостоянным интервалом нанометрового диапазона, или оба они являются непостоянными интервалами нанометрового диапазона.
2. Подложка для оптической системы по п. 1, в которой непостоянный интервал нанометрового диапазона имеет переменную ширину δ.
3. Подложка для оптической системы по п. 1, в которой шаг Py с непостоянным интервалом равен расстоянию между центрами соответствующих точек, шаг Px с непостоянным интервалом равен расстоянию среди множества точечных линий, в которых множество точек размещено с шагом Py, шаг Py и шаг Px больше диаметра каждой точки,
шаги Pyn среди, по меньшей мере, четырех или более и m или менее соседних точек (3≤n≤2a или 3≤n≤2a+1, где m и a являются положительными целыми числами, и n=m-1) отвечают соотношению следующего уравнения (1), тогда как, по меньшей мере, одна или более групп точек, сформированных с шагами с Py1 по Pyn размещены в первом направлении, когда шаг Py является непостоянным интервалом,
и когда шаг Px является непостоянным интервалом, шаги Pxn среди, по меньшей мере, четырех или более и m или менее соседних точек (3≤n≤2a или 3≤n≤2a+1, где m и a являются положительными целыми числами, и n=m-1) отвечают соотношению следующего уравнения (2), тогда как, по меньшей мере, одна или более групп точечных линий, сформированных с шагами с Px1 по Pxn, размещены во втором направлении.
Py1<Py2<Py3<···<Pya>···>Pyn (1)
Px1<Px2<Px3<···<Pxa>···>Pxn (2)
4. Подложка для оптической системы по п. 1, в которой шаг Py с непостоянным интервалом равен расстоянию между центрами соответствующих точек, шаг Px с непостоянным интервалом равен расстоянию среди множества точечных линий, в которых множество точек размещено с шагом Py, шаг Py и шаг Px больше диаметра каждой точки,
шаги Pyn среди, по меньшей мере, четырех или более и m или менее соседних точек (3≤n≤2a или 3≤n≤2a+1, где m и a являются положительными целыми числами, и n=m-1) отвечают соотношению следующего уравнения (1), тогда как группы точек, сформированные с шагами с Py1 по Pyn находятся в конфигурации, в которой длиннопериодический блок Lyz размещен с повторением в первом направлении, когда шаг Py является непостоянным интервалом,
и когда шаг Px является непостоянным интервалом, шаги Pxn среди, по меньшей мере, четырех или более и m или менее соседних точек (3≤n≤2a или 3≤n≤2a+1, где m и a являются положительными целыми числами, и n=m-1) отвечают соотношению следующего уравнения (2), тогда как группы точечных линий, сформированные с шагами с Px1 по Pxn находятся в конфигурации, в которой длиннопериодический блок Lxz размещен с повторением во втором направлении.
Py1<Py2<Py3<···<Pya>···>Pyn (1)
Px1<Px2<Px3<···<Pxa>···>Pxn (2)
5. Подложка для оптической системы по п. 3, в которой диаметр каждой из точек увеличивается или уменьшается в соответствии с шагом Py и/или шагом Px,
диаметры Dyn точек, по меньшей мере, четырех или более и m или менее соседних точек (3≤n≤2a или 3≤n≤2а+1, где m и a являются положительными целыми числами, и n=m-1), образующих шаг, отвечают соотношению следующего уравнения (3), тогда как, по меньшей мере, одна или более групп точек, сформированных с диаметрами с Dy1 по Dyn точек, размещены в первом направлении, когда шаг Py является непостоянным интервалом,
и когда шаг Px является непостоянным интервалом, диаметры Dxn точек, по меньшей мере, четырех или более и m или менее соседних точек (3≤n≤2a или 3≤n≤2а+1, где m и a являются положительными целыми числами, и n=m-1), образующих шаг, отвечают соотношению следующего уравнения (4), тогда как, по меньшей мере, одна или более групп точек, сформированные с диаметрами с Dx1 по Dxn точек, размещены во втором направлении.
Dy1<Dy2<Dy3<···<Dya>···>Dyn (3)
Dx1<Dx2<Dx3<···<Dxa>···>Dxn (4)
6. Подложка для оптической системы по п. 4, в которой диаметр каждой из точек увеличивается или уменьшается в соответствии с шагом Py и/или шагом Px,
диаметры Dyn точек, по меньшей мере, четырех или более и m или менее соседних точек (3≤n≤2a или 3≤n≤2а+1, где m и a являются положительными целыми числами, и n=m-1), образующих шаг, отвечают соотношению следующего уравнения (3), тогда как группы точек, сформированные с диаметрами с Dy1 по Dyn точек, размещены с повторением в длиннопериодическом блоке Lyz в первом направлении, когда шаг Py является непостоянным интервалом,
и когда шаг Px является непостоянным интервалом, диаметры Dxn точек, по меньшей мере, четырех или более и m или менее соседних точек (3≤n≤2a или 3≤n≤2а+1, где m и a являются положительными целыми числами, и n=m-1), образующих шаг, отвечают соотношению следующего уравнения (4), тогда как группы точек, сформированные с диаметрами с Dx1 по Dxn точек, размещены с повторением в длиннопериодическом блоке Lxz во втором направлении.
Dy1<Dy2<Dy3<···<Dya>···>Dyn (3)
Dx1<Dx2<Dx3<···<Dxa>···>Dxn (4)
7. Подложка для оптической системы по п. 5, в которой высота каждой из точек увеличивается или уменьшается в соответствии с шагом Py и/или шагом Px,
высоты Hyn точек, по меньшей мере, четырех или более и m или менее соседних точек (3≤n≤2a или 3≤n≤2а+1, где m и a являются положительными целыми числами, и n=m-1), образующих шаг, отвечают соотношению следующего уравнения (5), тогда как, по меньшей мере, одна или более групп точек, сформированные с высотами с Hy1 по Hyn точек, размещены в первом направлении, когда шаг Py является непостоянным интервалом,
и когда шаг Px является непостоянным интервалом, высоты Hxn точек, по меньшей мере, четырех или более и m или менее соседних точек (3≤n≤2a или 3≤n≤2а+1, где m и a являются положительными целыми числами, и n=m-1), образующих шаг, отвечают соотношению следующего уравнения (6), тогда как, по меньшей мере, одна или более групп точек, сформированных с высотами с Hx1 по Hxn точек, размещены во втором направлении.
Hy1<Hy2<Hy3<···<Hya>···>Hyn (5)
Hx1<Hx2<Hx3<···<Hxa>···>Hxn (6)
8. Подложка для оптической системы по п. 6, в которой высота каждой из точек увеличивается или уменьшается в соответствии с шагом Py и/или шагом Px,
высоты Hyn точек, по меньшей мере, четырех или более и m или менее соседних точек (3≤n≤2a или 3≤n≤2а+1, где m и a являются положительными целыми числами, и n=m-1), образующих шаг, отвечают соотношению следующего уравнения (5), тогда как группы точек, сформированные с высотами с Hy1 по Hyn точек, размещены с повторением в длиннопериодическом блоке Lyz в первом направлении, когда шаг Py является непостоянным интервалом,
и когда шаг Px является непостоянным интервалом, высоты Hxn точек, по меньшей мере, четырех или более и m или менее соседних точек (3≤n≤2a или 3≤n≤2а+1, где m и a являются положительными целыми числами, и n=m-1), образующих шаг, отвечают соотношению следующего уравнения (6), тогда как группы точек, сформированные с высотами с Hx1 по Hxn точек, размещены с повторением в длиннопериодическом блоке Lxz во втором направлении.
Hy1<Hy2<Hy3<···<Hya>···>Hyn (5)
Hx1<Hx2<Hx3<···<Hxa>···>Hxn (6)
9. Подложка для оптической системы, содержащая тонкоструктурный слой, включающий в себя множество точек, состоящее из множества выпуклых участков или вогнутых участков, проходящих в направлении от главной поверхности подложки наружу поверхности,
при этом тонкоструктурный слой образует точечные линии, так что множество точек размещено с шагом Py нанометрового диапазона постоянного интервала в первом направлении на главной поверхности подложки, точечные линии обеспечены параллельно с шагом Px нанометрового диапазона постоянного интервала во втором направлении, ортогональном первому направлению, и
величина δ1 сдвига в первом направлении между соседними первой точечной линией и второй точечной линией отличается от величины δ2 сдвига в первом направлении между второй точечной линией и третьей точечной линией, соседствующей со второй точечной линией.
10. Подложка для оптической системы по п. 9, в которой разность между величиной δ1 сдвига и величиной δ2 сдвига не является постоянной.
11. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, включающее в себя, по меньшей мере, одну или более подложек для оптической системы по любому из пп. 1-10 в конфигурации.
12. Штамп для импринтинга для изготовления подложки для оптической системы по любому из пп. 1-10 путем формирования с переносом, имеющий форму, согласующуюся с точками, расположенными на главной поверхности подложки для оптической системы.
13. Устройство экспонирования, которое подвергает импульсному экспонированию поверхность элемента в виде валика, покрытую слоем резиста, лазерным светом согласно точечному рисунку, соответствующему точечному рисунку, расположенному на поверхности штампа для импринтинга для изготовления подложки для оптической системы по п. 1 путем формирования с переносом, и формирует экспонированный рисунок, состоящий из множества экспонированных участков на слое резиста, содержащее:
секцию управления вращением, которая вращает элемент в виде валика вокруг центральной оси;
участок обрабатывающей головки, который применяет лазерный свет;
средство сдвига в направлении оси для смещения участка обрабатывающей головки вдоль направления длинной оси элемента в виде валика; и
секцию управления экспонированием, которая повторяет импульсное экспонирование на основании импульсного сигнала, модулированного по фазе на основании опорного сигнала, синхронизированного с вращением секции управления вращением, и управляет участком обрабатывающей головки для формирования экспонированного рисунка вдоль окружности элемента в виде валика.
14. Устройство экспонирования по п. 13, содержащее:
средство сдвига в направлении оси для смещения участка обрабатывающей головки вдоль направления длинной оси элемента в виде валика с периодически изменяющейся скоростью сдвига и/или секцию управления экспонированием, которая повторяет импульсное экспонирование на основании импульсного сигнала, управляемого на основании опорного сигнала, синхронизированного с вращением секции управления вращением, и управляет участком обрабатывающей головки для формирования экспонированного рисунка вдоль окружности элемента в виде валика.
15. Устройство экспонирования по п. 13 или 14, в котором, по меньшей мере, одно из длины и интервала экспонированного рисунка, сформированного вдоль окружности элемента в виде валика, регулируется множеством длин импульса в отношении импульсного сигнала.
16. Устройство экспонирования по п. 13 или 14, в котором шаг и размер экспонированного рисунка, сформированного вдоль окружности элемента в виде валика, составляют от 50 нм до 1 мкм.
17. Устройство экспонирования по п. 13 или 14, в котором слой резиста для покрытия поверхности элемента в виде валика состоит из термореактивного резиста.
18. Устройство экспонирования по п. 13 или 14, в котором длина волны лазерного света меньше или равна 550 нм.
19. Устройство экспонирования по п. 13 или 14, в котором лазерный свет фокусируется объективом, и автоматически фокусируется так, чтобы поверхность элемента в виде валика находилась в пределах его глубины фокуса.
20. Устройство экспонирования по п. 13 или 14, в котором лазер, используемый в участке обрабатывающей головки, является полупроводниковым лазером.
2
21. Устройство экспонирования по п. 13 или 14, в котором лазер, используемый в участке обрабатывающей головки, является эксимерным лазером одного из XeF, XeCl, KrF, ArF и F.
22. Устройство экспонирования по п. 13 или 14, в котором лазерное излучение, используемое в участке обрабатывающей головки, является одной из второй гармоники, третьей гармоники и четвертой гармоники лазера Nd:YAG.