Способ изготовления полупроводникового прибора

18
2
Способ изготовления полупроводникового прибора, содержащего подложку, включающий процессы формирования областей стока/истока, слоя карбида кремния, отличающийся тем, что после формирования слоя карбида кремния полупроводниковые структуры подвергают обработке электронами с энергией 6 МэВ, дозой (1-3)⋅10 эл/см с последующим отжигом при температуре 800-900°С в течение 30 мин в атмосфере водорода, что позволяет повысить процент выхода годных структур и улучшить их надежность.