Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь на основе кристаллического кремния

1. Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь на основе кристаллического кремния, включающий
пластину поликристаллического или монокристаллического кремния;
пассивирующий слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на каждую сторону пластины кремния;
р-слой в виде аморфного гидрогенизированного кремния, нанесенный на верхнюю сторону пассивационного слоя;
n-слой, нанесенный на нижнюю сторону пассивационного слоя;
токосъемные слои, нанесенные на р-слой и n-слой,
отличающийся тем, что в качестве n-слоя применяют металлические оксиды n-типа, полученного методом магнетронного распыления, или методом атомного наслаивания (ALD), или методом газофазного осаждения при пониженном давлении (LPCVD).
2
2
3
2
2
7
2
2. Гетероструктурный фотоэлектрический преобразователь по п. 1, отличающийся тем, что в качестве металлического оксида n-типа используют оксид цинка (ZnO), или SnO, FeO, ТiO, VO, MnO, CdO, или другие металлические оксиды n-типа.