СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЧИПОВ МНОГОСЛОЙНЫХ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ
METHOD OF MAKING MULTILAYER PHOTOCELL CHIPS

Способ относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления чипов многослойных фотоэлементов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую.
+
+
+
Известен способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов (см. заявка RU 94021123, МПК H01L 31/18, опубликована 20.04.1996) на основе многослойных гетероструктур GaAs/AIGaAs. Способ заключается в нанесении на подложку из полуизолирующего арсенида галлия (GaAs) последовательности слоев: проводящего nGaAs слоя, многослойной периодической структуры GaAs/AlGaAs и второго проводящего nGaAs слоя, с последующим травлением верхнего проводящего nGaAs слоя и многослойной гетероструктуры в водном растворе перекиси водорода, содержащем органическую кислоту. Способ позволяет увеличить точность и прецизионность травления при изготовлении фотоэлементов, увеличить выход годных изделий и уменьшить стоимость фотоэлементов.
Недостаток известного способа изготовления чипов многослойных фотоэлементов заключается в том, что использование подложки арсенида галлия приводит к ухудшению параметров фотоэлементов преобразователей солнечного излучения, так как не обеспечивает поглощение длинноволновой части спектра солнечного излучения.
Известен способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов (см. заявка RU 93046763, МПК H01L 31/18, опубликована 20.09.1995), состоящий в том, что по меньшей мере на одной поверхности полупроводниковой подложки образуют путем механического удаления или травления полупроводникового материала структуру параллельно расположенных канавок, отделенных одна от другой возвышенностями, сужающимися к вершинам. На всю структурированную поверхность наносят пассивирующий слой, после чего вершины возвышенностей срезают на глубину пассивирующего слоя, в, результате чего образуются параллельно расположенные платообразные области с боковыми скосами, от которых отходят скобы. На платообразные области, а также на один из скосов каждой области наносят материал, образующий электропроводящие контакты. Поверхность полупроводниковой подложки в области между контактами покрыта пассивирующим материалом.
Недостатком данного способа изготовления чипов многослойных фотоэлементов является сложность процесса, возможное возникновение дефектов структуры в процессе срезания вершин возвышенностей, что приводит к ухудшению параметров фотоэлементов.
+
+
+
Известен способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов (см. патент RU 2244986, МПК H01L 31/18, опубликован 20.01.2005), заключающийся в том, что на лицевую сторону полупроводниковой пластины, структура которой включает n-Ge подложку, n-GaAs буферный слой, n-GaAs базовый слой, p-GaAs эмиттерный слой, p-GaAlAs широкозонный слой, p-GaAs контактный слой, наносят слой двуокиси кремния. Напыляют слой контактной металлизации на тыльную сторону пластины и наращивают тыльный контакт электрохимическим осаждением. Вытравливают слой двуокиси кремния в окнах над контактными областями. Напыляют последовательно слои контактной металлизации хрома и наращивают контакты электрохимическим осаждением серебра и защитного слоя никеля. Удаляют слой двуокиси кремния в окнах по периметру фотопреобразователя и вытравливают слои арсенида галлия до германиевой подложки. Удаляют слой двуокиси кремния, стравливают p-GaAs слой за пределами контактных областей и наносят просветляющее покрытие.
Недостатком известного способа изготовления чипов многослойных фотоэлементов являются большие потери на затенение фоточувствительной поверхности фотоэлементов, что приводит к ухудшению параметров фотопреобразователя.
Наиболее близким к заявляемому техническому решению по совокупности существенных признаков является способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов, принятый за прототип (см. патент US 5330585, МПК H01L 31/068, опубликован 19.07.1994), включающий следующие стадии: создание фоточувствительной многослойной структуры; нанесение пассивирующего слоя или окна из широкозонных полупроводниковых материалов, таких как AlGaAs, на поверхности фоточувствительной многослойной структуры; нанесение контактного слоя из материала, обладающего электрической проводимостью на поверхности пассивирующего слоя; удаление части контактного слоя через первую маску для открытия части нижележащего пассивирующего слоя таким образом, чтобы оставшаяся часть контактного слоя осталась на поверхности пассивирующего слоя; нанесение просветляющего покрытия через ту же маску из нечувствительного к окружающей среде электрически непроводящего материала на открытой части пассивирующего слоя таким образом, чтобы оставшаяся часть контактного слоя не была закрыта просветляющим покрытием, и чтобы покрытие вместе с оставшейся частью контактного слоя полностью закрывали пассивирующий слой; нанесение омического контакта из материала, обладающего электрической проводимостью на поверхности оставшейся части контактного слоя, при этом наносят вторую маску на поверхность просветляющего покрытия таким образом, чтобы оставался зазор между маской и оставшейся частью контактного слоя; нанесение слоя из контактного материала на поверхности маски, на части просветляющего покрытия в зазоре, и на оставшейся части контактного слоя; удаление контактного материала, лежащего на маске, и самой маски.
Недостатком известного способа-прототипа изготовления чипов многослойных фотоэлементов являются потери на затенение фоточувствительной поверхности фотоэлементов, возникающие из-за технологической сложности обеспечения точного совмещения омического контакта строго на части оставшегося контактного слоя, что приводит к ухудшению параметров фотоэлементов.
Задачей заявляемого технического решения является упрощение технологии создания чипов многослойных фотоэлементов за счет проведения нескольких технологических процессов с использованием одной маски фоторезиста, чтобы исключить процессы совмещения омического контакта строго на части оставшегося контактного слоя, что позволяет снизить потери на затенение фоточувствительной поверхности и увеличить воспроизводимость пост-ростовой технологии создания чипов.
3
3
3
2
3
3
3
2
2
2
4
/
2
3
6
Поставленная задача достигается тем, что способ изготовления чипов многослойных фотоэлементов включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, нанесение пассивирующего слоя AlInP и контактного слоя GaAs, нанесение сплошных омических контактов толщиной 1,6-5 мкм на тыльную и фронтальную поверхности фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры из последовательно нанесенных слоя сплава, содержащего золото и германий, слоя никеля и слоя золота, удаление через маску фоторезиста с фронтальной поверхности многослойной полупроводниковой структуры омического контакта и контактного слоя для открытия части нижележащего пассивирующего слоя, удаление маски фоторезиста, разделение многослойной структуры на чипы и пассивацию боковой поверхности чипов диэлектриком. Далее наносят многослойное просветляющее покрытие со стороны фронтальной поверхности, удаляют маску фоторезиста, разделяют многослойную структуру на чипы и пассивируют боковую поверхность чипов диэлектриком. Осаждение многослойного просветляющего покрытия осуществляют в едином технологическом цикле с использованием той же маски фоторезиста. В отличие от прототипа, удаление через маску фоторезиста омического контакта осуществляют путем плазмохимического травления верхнего слоя золота подачей 10-15 см/мин CClF;, 3-5 см/мин CF и 1-2 см мин O, при давлении 3-5 Па и мощности 150-300 мВт/см, ионно-плазменного травления слоя никеля, слоя сплава, содержащего золото и германий, и части контактного слоя подачей 10-15 см/мин аргона при давлении 1-2 Па и смещении на электроде 400-500 В и плазмохимического травления в индуктивно-связанной плазме оставшейся части контактного слоя до пассивирующего слоя подачей 10-15 см/мин BCl, и 3-6 см/мин SF при давлении 1-2 Па, мощности емкостной плазмы 50-100 мВт/см и индуктивно-связанной плазмы 1,5-2,0 Вт/см.
Создание контактной системы методом плазмохимического и ионно-плазменного травления в едином технологическом цикле позволяет получать ровные полоски омических контактов с вертикальными боковыми стенками. Данный метод позволяет уменьшить потери на затенение фоточувствительной поверхности полупроводниковой структуры за счет уменьшения числа фотолитографий, что позволяет исключить процесс совмещения контактной сетки и просветляющего покрытия. Тем самым упрощается технология изготовления чипов многослойных фотоэлементов и увеличивается выход годных фотоэлементов.
Фоточувствительная многослойная полупроводниковая структура GaInP/Ga(In)As/Ge может быть выращена на германиевой подложке p-типа, а омический контакт на фронтальной поверхности структуры может быть создан многослойным из последовательно нанесенных слоя сплава, содержащего золото 90 мас.% и германий 10 мас.%, слоев никеля и золота.
-6
2
Создание многослойного омического контакта на фронтальной поверхности структуры обусловлено тем, что сплав, содержащий золото 90 мас.% и германий 10 мас.%, обладает хорошей адгезией к поверхности структуры и малым омическим сопротивлением порядка 10 Ом/см. Слой никеля наносят из-за его тугоплавкости, что необходимо для последующей операции вжигания - никель не дает золоту полностью диффундировать в полупроводник. Слой золота необходим для уменьшения сопротивления растекания и проведения пайки фотоэлементов. Использование метода плазмохимического травления при создании контактной сетки позволяет создавать омические контакты толщиной до 5 мкм, что дает возможность существенно снизить сопротивление растекания, позволяет использовать фотоэлементы для преобразования солнечного излучения более высокой степени концентрирования. Омические контакты создаются общей толщиной 1,6-5 мкм, так как при толщине меньше 1,6 мкм невозможно произвести пайку фотоэлементов, при толщине больше 5 мкм возникают напряженные слои, вследствие чего происходит его отслаивание. При создании омического контакта толщиной более 5 мкм усложняется технологический процесс локального травления верхнего слоя золота.
2
2
4
2
3
3
3
2
Травление верхнего слоя золота в режиме плазмохимического травления в атмосфере CClF (10-15 см/мин), CF (3-5 см/мин), O (1-2 см/мин), при давлении 3-5 Па и мощности 150-300 мВт/см обусловлено высокой воспроизводимостью и точностью процесса травления. Скорости подачи газов в реакционную камеру обусловлены требуемым процентным соотношением состава газовой смеси для обеспечения условий наиболее оптимального процесса травления. При скорости подачи газов в реакционную камеру, давлении и мощности, меньших, чем указанные выше минимальные значения, скорость травления сильно уменьшается, уменьшается однородность травления по поверхности всей полупроводниковой структуры. При скорости подачи газов в реакционную камеру, давлении и мощности больших, чем указанные выше максимальные значения, скорость травления увеличивается, но ухудшается поверхность травления, увеличивается неоднородность травления по всей поверхности полупроводниковой структуры, ухудшается контролируемость процесса.
3
Травление слоев никеля, вожженного сплава золото-германий и половины толщины контактного слоя методом ионно-плазменного травления в атмосфере аргона (10-15 см/мин) при давлении 1-2 Па и смещении на электроде 400-500 В обусловлено высокой химической стойкостью данных слоев. При уменьшении скорости подачи газов, давления и напряжения смещения уменьшается скорость и качество процесса травления, увеличивается неоднородность травления по всей поверхности полупроводниковой структуры.
3
6
3
3
2
2
Селективное травление оставшейся толщины контактного слоя до пассивирующего слоя в режиме плазмохимического травления в индуктивно-связанной плазме в атмосфере BCl (10-15 см/мин), SF (3-6 см/мин) при давлении 1-2 Па, мощности емкостной плазмы 50-100 мВт/см и индуктивно-связанной плазмы 1,5-2,0 Вт/см обусловлено высоким качеством получаемой в результате травления поверхности, строгой селективности травления контактного и пассивирующего слоев. При уменьшении скорости подачи газов, давления и мощностей уменьшается скорость травления, ухудшается однородность травления. При увеличении скорости подачи газов, давления и мощностей увеличивается скорость травления, уменьшается контролируемость процесса, появляется возможность возникновения дефектов в пассивирующем слое.
Заявляемое техническое решение поясняется чертежами, где:
на фиг.1 приведена схема многослойной полупроводниковой структуры, с расположенными на нем пассивирующем слое, контактном слое и омическими контактами;
на фиг.2 показана схема создания маски фоторезиста;
на фиг.3 изображена схема локального травления омического контакта и контактного слоя через маску фоторезиста;
на фиг.4 приведена схема напыления просветляющего покрытия;
на фиг.5 дана схема снятия маски фоторезиста, проведения разделительного травления и пассивации боковой поверхности чипов диэлектриком.
На фиг.1-5 указаны: 1 - фоточувствительная многослойная полупроводниковая структура, 2 - пассивирующий слой, 3 - контактный слой, 4 - омический контакт, 5 - основа омического контакта, 6 - контактный материал электрохимического осаждения, 7 - маска фоторезиста, 8 - просветляющее покрытие, 9 - диэлектрик.
2
2
4
2
3
6
3
3
3
2
3
3
3
2
2
Заявляемый способ получения чипов многослойных фотоэлементов проводят в несколько стадий. Выращивают фоточувствительную многослойную полупроводниковую структуру 1 (см. фиг.1), создают пассивирующий слой 2 на поверхности фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры, создают контактный слой 3, обладающий электрической проводимостью на поверхности пассивирующего слоя. Создают сплошные омические контакты 4 из материалов, обладающих электрической проводимостью на поверхности контактного слоя и на тыльной поверхности фоточувствительной многослойной структуры, в два этапа. На первом этапе проводят напыление основы 5 омического контакта, толщиной 0,2-0,4 мкм. Осуществляют вжигание основы 5 омического контакта при температуре 360-370°C в течение 10-60 с. На втором этапе осуществляют электрохимическое осаждение контактного материала 6, например золота, общей толщиной 1,6-5 мкм. Далее создают маску фоторезиста 7 (см. фиг.2) и проводят локальное удаление (см. фиг.3) омического контакта 4 и контактного слоя 3 для открытия части нижележащего пассивирующего слоя 2 методами плазмохимического и ионно-плазменного травления. Проводят локальное удаление верхнего слоя золота омического контакта 4 в режиме плазмохимического травления в атмосфере CClF (10-15 см/мин), CF (3-5 см/мин), O (1-2 см/мин), при давлении 3-5 Па и мощности 150-300 мВт/см. Затем осуществляют локальное удаление слоев никеля, вожженного сплава золото-германий и части толщины контактного слоя 3 методом ионно-плазменного травления в атмосфере аргона (10-15 см/мин) при давлении 1-2 Па и смещении на электроде 400-500 В. Далее поводят селективное травление контактного слоя до пассивирующего слоя в режиме плазмохимического травления в индуктивно-связанной плазме в атмосфере BCl (10-15 см/мин), SF (3-6 см/мин) при давлении 1-2 Па, мощности емкостной плазмы 50-100 мВт/см и индуктивно-связанной плазмы 1,5-2,0 Вт/см. Напыляют многослойное просветляющее покрытие 8 (см. фиг.4) на открытой части пассивирующего слоя 2 и на маске фоторезиста 7. Удаляют маску фоторезиста 7 (см. фиг.5) вместе с напыленным на ней просветляющим покрытием 8. Проводят разделительное травление многослойной структуры на чипы и пассивацию боковой поверхности чипов диэлектриком 9.
Пример 1
2
2
4
2
3
6
3
3
3
2
3
3
3
2
2
Были получены чипы многослойных фотоэлементов в несколько стадий. Была выращена фоточувствительная многослойная полупроводниковая структура Ga(In)As/Ge на германиевой подложке p-типа. Создавали пассивирующий слой из AlInP на поверхности фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры. Выращивали контактный слой GaAs. В два этапа были сформированы омические контакты на поверхности контактного слоя и на тыльной поверхности фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры. На фронтальной поверхности было проведено напыление последовательно слоев сплава, содержащего золото 90 мас.% и германий 10 мас.%, никеля и золота, толщиной 0,25 мкм. На тыльной поверхности фотоэлемента проведено напыление слоев сплава, содержащего серебро 95 мас.% и марганец 5 мас.%, никеля и золота, толщиной 0,35 мкм. Было проведено вжигание напыленных контактных материалов при температуре 370°C в течение 20 с. Проведено утолщение основы омических контактов путем электрохимического осаждения слоя золота толщиной 4,7 мкм. Создавали маску фоторезиста на фронтальной поверхности структуры и проводили локальное удаление верхнего слоя золота омического контакта в режиме плазмохимического травления в атмосфере CClF (10 см/мин), CF (3 см/мин), O (1 см/мин), при давлении 3 Па и мощности 150 мВт/см. Осуществляли локальное удаление слоев никеля, вожженного сплава золото-германий и половины толщины контактного слоя методом ионно-плазменного травления в атмосфере аргона (10 см/мин) при давлении 1 Па и смещении на электроде 400 В. Проводили селективное травление оставшейся толщины контактного слоя до пассивирующего слоя в режиме плазмохимического травления в индуктивно-связанной плазме в атмосфере BCl (10 см/мин), SF (3 см/мин) при давлении 1 Па, мощности емкостной плазмы 50 мВт/см и индуктивно-связанной плазмы 1,5 Вт/см. Напыляли многослойное просветляющее покрытие на открытой части пассивирующего слоя и на маске фоторезиста. Удалили маску фоторезиста вместе с напыленным на ней просветляющим покрытием. Проводили разделительное травление многослойной структуры на чипы и осуществили пассивацию боковой поверхности чипов диэлектриком.
Пример 2
2
2
4
2
3
6
3
3
3
2
3
3
3
2
2
Были изготовлены чипы многослойных фотоэлементов способом, описанном в примере 1, со следующими отличительными признаками: толщина омического контакта напыленного на фронтальную поверхность структуры составила 0,2 мкм, вжигание омических контактов проведено при температуре 365°C в течение 60 с, толщина омического контакта после проведения электрохимического осаждения слоя золота составила 1,8 мкм. Локальное удаление верхнего слоя золота омического контакта проводилось в режиме плазмохимического травления в атмосфере CClF (15 см/мин), CF (5 см/мин), O (2 см/мин) при давлении 5 Па и мощности 300 мВт/см. Осуществляли локальное удаление слоев никеля, вожженного сплава золото-германий и части толщины контактного слоя методом ионно-плазменного травления в атмосфере аргона (15 см/мин) при давлении 2 Па и смещении на электроде 500 В. Поводили селективное травление контактного слоя до пассивирующего слоя в режиме плазмохимического травления в индуктивно-связанной плазме в атмосфере BCl (15 см/мин), SF (6 см/мин) при давлении 2 Па, мощности емкостной плазмы 100 мВт/см и индуктивно-связанной плазмы 2,0 Вт/см.
Пример 3
2
2
4
3
6
3
3
3
2
3
3
3
2
2
Были изготовлены чипы многослойных фотоэлементов способом, описанном в примере 1, со следующими отличительными признаками: толщина омического контакта напыленного на фронтальную поверхность структуры составила 0,3 мкм, вжигание омических контактов проведено при температуре 370°C в течение 60 с, толщина омического контакта после проведения электрохимического осаждения слоя золота составила 1,9 мкм. Локальное удаление верхнего слоя золота омического контакта проводилось в режиме плазмохимического травления в атмосфере CClF (13 см/мин), CF (4 см/мин), 02 (1,5 см/мин) при давлении 4 Па и мощности 200 мВт/см. Осуществляли локальное удаление слоев никеля, вожженного сплава золото-германий и половины толщины контактного слоя методом ионно-плазменного травления в атмосфере аргона (13 см/мин) при давлении 1,5 Па и смещении на электроде 450 В. Поводилось селективное травление контактного слоя до пассивирующего слоя в режиме плазмохимического травления в индуктивно-связанной плазме в атмосфере BCl (13 см/мин), SF (5 см/мин) при давлении 1,5 Па, мощности емкостной плазмы 70 мВт/см и индуктивно-связанной плазмы 2,0 Вт/см.
Пример 4
2
2
4
2
3
6
3
3
3
2
3
3
3
2
2
Были изготовлены чипы многослойных фотоэлементов способом, описанном в примере 1, со следующими отличительными признаками: толщина омического контакта напыленного на фронтальную поверхность структуры составила 0,26 мкм, вжигание омических контактов проведено при температуре 370°C в течение 30 с, толщина омического контакта после проведения электрохимического осаждения слоя золота составила 2,6 мкм. Провели локальное удаление верхнего слоя золота омического контакта в режиме плазмохимического травления в атмосфере CClF (14 см/мин), CF (4,5 см/мин), O (1,7 см/мин), при давлении 4 Па и мощности 250 мВт/см. Осуществлено локальное удаление слоев никеля, вожженного сплава золото-германий и половины толщины контактного слоя методом ионно-плазменного травления в атмосфере аргона (14 см/мин) при давлении 1,6 Па и смещении на электроде 480 В. Поводили селективное травление контактного слоя до пассивирующего слоя в режиме плазмохимического травления в индуктивно-связанной плазме в атмосфере BCl (12 см/мин), SF (4 см/мин) при давлении 1,8 Па, мощности емкостной плазмы 80 мВт/см и индуктивно-связанной плазмы 1,8 Вт/см.
Пример 5
2
2
4
2
3
6
3
3
3
2
3
3
3
2
2
Были изготовлены чипы многослойных фотоэлементов способом, описанном в примере 1, со следующими отличительными признаками: толщина омического контакта напыленного на фронтальную поверхность структуры составила 0,28 мкм, вжигание омических контактов проведено при температуре 370°C в течение 40 с, толщина омического контакта после проведения электрохимического осаждения слоя золота составила 3,3 мкм. Локальное удаление верхнего слоя золота омического контакта проведено в режиме плазмохимического травления в атмосфере CClF (11 см/мин), CF (3,5 см/мин), O (1,9 см/мин), при давлении 4,8 Па и мощности 170 мВт/см. Осуществлено локальное удаление слоев никеля, вожженного сплава золото-германий и половины толщины контактного слоя методом ионно-плазменного травления в атмосфере аргона (11 см/мин) при давлении 1,2 Па и смещении на электроде 420 В. Поведено селективное травление контактного слоя до пассивирующего слоя в режиме плазмохимического травления в индуктивно-связанной плазме в атмосфере BCl (11 см/мин), SF (5,7 см/мин) при давлении 1,9 Па, мощности емкостной плазмы 55 мВт/см и индуктивно-связанной плазмы 1,6 Вт/см.
Пример 6
2
2
4
2
3
6
3
3
3
2
3
3
3
2
2
Были изготовлены чипы многослойных фотоэлементов способом, описанном в примере 1, со следующими отличительными признаками: толщина омического контакта напыленного на фронтальную поверхность структуры составила 0,23 мкм, вжигание омических контактов проведено при температуре 370°C в течение 10 с, толщина омического контакта после проведения электрохимического осаждения слоя золота составила 2,9 мкм. Проводили локальное удаление верхнего слоя золота омического контакта в режиме плазмохимического травления в атмосфере CClF (11 см/мин), CF (5 см/мин), O (1,9 см/мин), при давлении 3 Па и мощности 280 мВт/см. Осуществили локальное удаление слоев никеля, вожженного сплава золото-германий и половины толщины контактного слоя методом ионно-плазменного травления в атмосфере аргона (12 см/мин) при давлении 2 Па и смещении на электроде 410 В. Проводили селективное травление контактного слоя до пассивирующего слоя в режиме плазмохимического травления в индуктивно-связанной плазме в атмосфере BCl (14 см/мин), SF (6 см/мин) при давлении 2 Па, мощности емкостной плазмы 100 мВт/см и индуктивно-связанной плазмы 2,0 Вт/см.
Пример 7
2
2
4
2
3
6
3
3
3
2
3
3
3
2
2
Были изготовлены чипы многослойных фотоэлементов способом, описанном в примере 1, со следующими отличительными признаками: толщина омического контакта напыленного на фронтальную поверхность структуры составила 0,35 мкм, вжигание омических контактов проведено при температуре 360°C в течение 50 с, толщина омического контакта после проведения электрохимического осаждения слоя золота составила 1,7 мкм. Локально удаляли верхний слой золота омического контакта в режиме плазмохимического травления в атмосфере CClF (15 см/мин), CF (4 см/мин), O (1,5 см/мин) при давлении 5 Па и мощности 150 мВт/см. Осуществляли локальное удаление слоев никеля, вожженного сплава золото-германий и половины толщины контактного слоя методом ионно-плазменного травления в атмосфере аргона (15 см/мин) при давлении 1 Па и смещении на электроде 500 В. Проводили селективное травление контактного слоя до пассивирующего слоя в режиме плазмохимического травления в индуктивно-связанной плазме в атмосфере BCl (10 см/мин), SF (6 см/мин) при давлении 1 Па, мощности емкостной плазмы 50 мВт/см и индуктивно-связанной плазмы 1,7 Вт/см.
Пример 8
2
2
4
2
3
6
3
3
3
2
3
3
3
2
2
Были изготовлены чипы многослойных фотоэлементов способом, описанном в примере 1, со следующими отличительными признаками: толщина омического контакта напыленного на фронтальную поверхность структуры составила 0,22 мкм, вжигание омических контактов проведено при температуре 370°C в течение 10 с, толщина омического контакта после проведения электрохимического осаждения слоя золота составила 2,5 мкм. Локально удаляли верхний слой золота омического контакта проведено в режиме плазмохимического травления в атмосфере CClF (15 см/мин), CF (5 см/мин), O (1 см/мин), при давлении 5 Па и мощности 220 мВт/см. Осуществили локальное удаление слоев никеля, вожженного сплава золото-германий и половины толщины контактного слоя методом ионно-плазменного травления в атмосфере аргона (15 см/мин) при давлении 2 Па и смещении на электроде 400 В. Провели селективное травление контактного слоя до пассивирующего слоя в режиме плазмохимического травления в индуктивно-связанной плазме в атмосфере BCl (15 см/мин), SF (3 см/мин) при давлении 2 Па, мощности емкостной плазмы 100 мВт/см и индуктивно-связанной плазмы 1,7 Вт/см.
Результатом процесса изготовления чипов многослойных фотоэлементов стало увеличение числа входа годных фотоэлементов за счет упрощения технологии изготовления чипов, улучшение параметров фотоэлементов, уменьшения степени затенения фоточувствительной поверхности многослойной полупроводниковой структуры до 7%.