КОМПАКТНЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ПРИБОР

1. Лазерный прибор, содержащий от двух до шести мезаструктур (120), обеспеченных на одном полупроводниковом кристалле (110), причем мезаструктуры (120) электрически соединены параллельно так, что мезаструктуры (120) выполнены с возможностью испускания лазерного излучения в одно и то же время, если на мезаструктуры (120) подано заданное пороговое напряжение, причем лазерный прибор дополнительно содержит драйвер для электрического возбуждения мезаструктур, причем драйвер выполнен с возможностью подачи заданного порогового напряжения на мезаструктуры (120).
2. Лазерный прибор по п. 1, содержащий три мезаструктуры (120).
3. Лазерный прибор по п. 1 или 2, причем полупроводниковый кристалл (110) имеет длину стороны менее 250 мкм.
4. Лазерный прибор по п. 3, причем лазерный прибор выполнен с возможностью испускания лазерного излучения с мощностью оптического излучения от 4 мВт до10 мВт.
5. Лазерный прибор по п. 4, причем лазерный прибор выполнен приводимым в действие при напряжении от 1,6 В до 2,2 В, при электрическом токе 12 мА, при испускании лазерного излучения с мощностью оптического излучения от 4 мВт до 10 мВт.
6. Лазерный прибор по п. 3, причем лазерный прибор выполнен с возможностью испускания лазерного излучения с мощностью оптического излучения от 4 мВт до 10 мВт при температуре 60°C полупроводникового кристалла (110).
7. Лазерный прибор по п. 6, причем лазерный прибор выполнен с возможностью испускания лазерного излучения с мощностью оптического излучения при температуре 25°C полупроводникового кристалла (110), отклоняющейся менее чем на 20% от мощности лазера, испускаемой при 60°C полупроводникового кристалла, при возбуждении при электрическом токе 12 мА.
8. Лазерный прибор по п. 3, причем лазерный прибор выполнен с возможностью испускания лазерного излучения с мощностью оптического излучения, причем упомянутая мощность оптического излучения линейно зависит от поданного электрического тока при возбуждении электрическим током от 3 мА до 12 мА.
9. Лазерный прибор по п. 4, причем каждая мезаструктура содержит активный диаметр от 5 мкм до 9 мкм.
10. Лазерный прибор по п. 3, причем полупроводниковый кристалл (110) содержит функциональный слой, причем функциональный слой содержит кодировку для идентификации лазерного прибора.
11. Лазерный прибор по п. 10, причем функциональный слой представляет собой слой металлизации полупроводникового кристалла (110).
12. Лазерный прибор по п. 11, причем слой металлизации содержит бинарную кодировку на по меньшей мере одном краю полупроводникового кристалла (110).
13. Лазерный прибор по п. 1 или 2, причем мезаструктуры распределены по полупроводниковому кристаллу (110) так, что по полупроводниковому кристаллу (110) обеспечивается равномерное распределение тепла.
114. Оптический датчик, содержащий лазерный прибор по любому из пп. 1-13.