ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ КОМПЛЕМЕНТАРНОЙ МЕТАЛЛ-ОКСИД-ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ ОЗУ

1. Ячейка памяти комплементарной металл-оксид-полупроводниковой структуры ОЗУ, состоящая из пар NMOП и РМОП транзисторов, соединенных между собой, с шиной источника питания, и линиями выборки и данных и размещенных на кристалле интегральной микросхемы, отличающаяся тем, что транзисторы объединены в две группы, каждая из которых содержит одну пару NMOП и РМОП транзисторов с объединенными стоками, один NMOП транзистор и один РМОП транзистор, соединенные своими затворами с объединенными стоками этой пары, причем эти две группы транзисторов размещены на кристалле интегральной микросхемы одна от другой на расстоянии, равном или больше порогового расстояния, для исключения одновременного воздействия одиночной ядерной частицы на обе группы транзисторов с уровнем больше порогового.
2. Ячейка памяти по п.1, отличающаяся тем, что группы транзисторов размещены на кристалле интегральной микросхемы одна за другой, при этом i-я и (i+К)-я группы транзисторов образуют i-ю ячейку памяти, где i=1,2,…,К.