Способ формирования пустот в ионных кристаллах

-2
-3
1
1
2
2
Способ формирования пустот в ионных кристаллах KBr в котором на поверхность пластины кристалла KBr особой чистоты кладут навеску из Mg особой чистоты и помещают пластину в кварцевую трубку, откачивают до давления 10÷10 Па, нагревают до температуры T = 450÷520°С, затем производят отжиг в течение времени τ = 5÷15 часов, после этого производится охлаждение до температуры чего Т = 20÷22°С и выдержка в течение τ = 2÷3 часов, затем в области диффузии Mg в данных пластинах генерируют импульсы растягивающих напряжений амплитудой не менее 50 МПа.