Способ изготовления полупроводниковой структуры

4
20
21
-3
Способ изготовления полупроводниковой структуры, включающий подложку, процессы формирования пленок полупроводникового материала, отличающийся тем, что пленку кремния формируют осаждением из паровой фазы в процессе водородного восстановления SiCl, со скоростью 0,7 мкм/мин, при температуре 1200°С с последующим легированием Ge до концентрации 10-10 см.