СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСШИХ СИЛАНОВ

Способ получения димерных и/или тримерных соединений кремния общей формулы (Ia) или соединений германия общей формулы (Ib)
где остатки от R1 до R8 означают атомы водорода и/или галогенов, причем галоген выбирают из хлора, брома и/или иода, при этом остатки от R1 до R8 в формуле (Ia) или (Ib) означают одинаковые или разные остатки при условии, что по крайней мере один из остатков от R1 до R8 означает атом галогена, а n принимает значение 0 или 1, в результате протекающей при обработке низкотемпературной плазмой реакции
а) соединения кремния общей формулы (IIa)
или соединения германия общей формулы (IIb)
где остатки от R9 до R12 означают атомы водорода, органические остатки, причем органический остаток - это линейная, разветвленная и/или циклическая алкильная группа с числом атомов углерода от одного до восемнадцати, линейная, разветвленная и/или циклическая алкенильная группа с числом атомов углерода от двух до восьми, незамещенная или замещенная арильная группа и/или соответствующая бензильная группа, и/или атомы галогенов, при этом галоген выбирают из хлора, брома и/или иода и при этом остатки от R9 до R12 в формуле (IIa) или (IIb) могут быть одинаковыми или разными, а n принимает значения 1 или 2,
или соединения кремния формулы (IIa) в присутствии одного или нескольких соединений общей формулы (IIIa)
или же соединения германия формулы (IIb) в присутствии одного или нескольких соединений общей формулы (IIIb)
где остатки от R13 до R16 означают атомы водорода, органические остатки, причем органический остаток - это линейная, разветвленная и/или циклическая алкильная группа с числом атомов углерода от одного до восемнадцати, линейная, разветвленная и/или циклическая алкенильная группа с числом атомов углерода от двух до восьми, незамещенная или замещенная арильная группа и/или соответствующая бензильная группа, и/или атомы галогенов, причем галоген выбирают из хлора, брома и/или иода и при этом в формуле (IIIa) или (IIIb) остатки от R13 до R16 могут быть одинаковыми или разными, а n принимает значения 1 или 2, в частности, при условии, что это соединение содержит водород, и
б) с выделением из образующейся фазы одного или нескольких чистых соединений кремния общей формулы (Ia) или соединений германия общей формулы (Ib).
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что на стадии процесса б) фазу подвергают дистиллятивной переработке.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что на стадии процесса а) обработке низкотемпературной плазмой подвергают тетрахлорид кремния общей формулы (IIa), где остатки от R9 до R12 означают хлор и n=1, и по крайней мере еще одно содержащее водород соединение общей формулы (IIIa).
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что в качестве содержащего водород соединения общей формулы (IIIa) используют метилтрихлорсилан, трихлорсилан, дихлорсилан, монохлорсилан, моносилан и/или диметилдихлорсилан.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что стадии процесса а) и/или б) проводят по непрерывной схеме.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что соединение кремния общей формулы (Ia) на стадии процесса а) собирают в приемнике устройства для реализации способа.
7. Способ по п.2, отличающийся тем, что дистиллятивную переработку на стадии б) проводят по непрерывной схеме ведения процесса в системе колонн, включающей не менее двух колон, и по периодической схеме на не менее чем одной колонне.
8. Способ по п.2, отличающийся тем, что дистиллятивную переработку проводят при нормальном давлении, при пониженном давлении или при повышенном давлении.
9. Способ по п.2, отличающийся тем, что дистиллятивную переработку проводят при абсолютном давлении от 1 до 1500 мбар.
10. Способ по п.2, отличающийся тем, что дистиллятивное выделение соединения кремния формулы (Ia) проводят при температуре в головной части колонны в пределах от 40 до 250°С.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что обработку низкотемпературной плазмой на стадии процесса а) проводят при абсолютном давлении от 1 до 1000 мбар.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что соединение кремния общей формулы (Ia) представляет собой гексахлордисилан и/или октахлортрисилан.
13. Способ по одному из пп.1-12, отличающийся тем, что соединение кремния формулы (Ia) характеризуется чистотой, лежащей по крайней мере в области долей на миллиард.
14. Устройство, в частности, для реализации по непрерывной схеме способа по пп.1-13, отличающееся тем, что в его состав входят реактор для генерирования низкотемпературной плазмы, соединенный с ним приемник и следующая далее система колонн для дистиллятивной переработки, включающая не менее двух колонн.
15. Устройство по п.14, отличающееся тем, что реактор представляет собой озонизатор.
16. Устройство по п.14, отличающееся тем, что реактор оборудован стеклянными трубами, в частности трубами из кварцевого стекла.
17. Устройство по одному из пп.14-16, отличающееся тем, что стеклянные трубы в реакторе отделены друг от друга с помощью креплений из инертного материала.
18. Устройство по п.17, отличающееся тем, что материалом разделяющих креплений является стекло или фторопласт.
19. Применение полученного по одному из пп.1-13 соединения кремния общей формулы (Ia) для получения нитрида кремния, оксинитрида кремния, карбида кремния, оксикарбида кремния или оксида кремния или в качестве исходного вещества для получения дисилана или трисилана.
20. Применение по п.19 для получения слоев из нитрида кремния, оксинитрида кремния, карбида кремния, оксикарбида кремния или оксида кремния.