СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ КАЧЕСТВА ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА В СТРУКТУРЕ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

1. Способ формирования туннельного перехода (112) в структуре (100) солнечных элементов, содержащий попеременное осаждение вещества Группы III и вещества Группы V на указанной структуре (100) солнечных элементов.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что попеременное осаждение вещества Группы III и вещества Группы V дополнительно содержит:
осаждение вещества Группы III на указанной структуре (100) солнечных элементов и
осаждение вещества Группы V после осаждения указанного вещества Группы III.
3. Способ по п. 1, дополнительно содержащий осаждение указанного вещества Группы III на первый солнечный элемент (108) указанной структуры (100) солнечных элементов.
4. Способ по п. 3, дополнительно содержащий осаждение указанного вещества Группы V на первый солнечный элемент (108) указанной структуры (100) солнечных элементов.
5. Способ по п. 1, дополнительно содержащий управление отношением при осаждении указанного вещества Группы III и указанного вещества Группы V.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что попеременное осаждение указанного вещества Группы III дополнительно содержит нанесение указанного вещества Группы III и указанного вещества Группы V в течение от около 1 до около 1000 с.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанные вещества Группы III включают по меньшей мере одно из следующих: бор (B), алюминий (Al), галлий (Ga), индий (In) и таллий (Tl).
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанные вещества Группы V включают по меньшей мере одно из следующих: азот (N), фосфор (P), мышьяк (As), сурьму (Sb) и висмут (Bi).
9. Фотоэлектрическое устройство, включающее:
подложку (102);
первый солнечный элемент (108), расположенный над подложкой (102);
контакт (116), расположенный над первым солнечным элементом (108); и
туннельный переход (112), образованный между первым солнечным элементом (108) и контактом (116), и в котором туннельный переход (112) изготовлен методом эпитаксии со стимулированной миграцией (МЕЕ).
10. Фотоэлектрическое устройство по п. 9, отличающееся тем, что туннельный переход (112) образован указанным способом МЕЕ при попеременном осаждении веществ Группы III и Группы V.
11. Фотоэлектрическое устройство по п. 10, отличающееся тем, что вещества Группы III содержат по меньшей мере одно из следующих: бор (B), алюминий (Al), галлий (Ga), индий (In) и таллий (Tl).
12. Фотоэлектрическое устройство по п. 10, отличающееся тем, что указанные вещества Группы V содержат по меньшей мере один из следующих: азот (N), фосфор (P), мышьяк (As), сурьму (Sb) и висмут (Bi).
13. Фотоэлектрическое устройство по п. 9, дополнительно содержащее буферный слой (106), расположенный между указанной подложкой (102) и указанным первым солнечным элементом (108).
14. Фотоэлектрическое устройство по п. 13, дополнительно содержащее слой (104) зарождения, расположенный между указанным буферным слоем (106) и указанной подложкой (102).
15. Фотоэлектрическое устройство по п. 9, дополнительно содержащее второй солнечный элемент (114), расположенный между указанным первым солнечным элементом (108) и указанным контактом (116).