МАТЕРИАЛ ДЛЯ ВАРИСТОРА ВЫСОКОЙ НАПРЯЖЕННОСТИ ПОЛЯ

i
2
3
1. Материал варистора для разрядника, служащего для защиты от перенапряжения, содержащий ZnO, образующий фазу ZnO, и B в виде BiO, образующий межзеренную фазу оксида висмута, причем указанный материал варистора дополнительно включает шпинельную фазу, отличающийся тем, что количество пирохлорной фазы, включенной в материал варистора, таково, что отношение пирохлорной фазы к шпинельной фазе составляет менее 0,15:1.
2. Материал варистора по п.1, отличающийся тем, что отношение пирохлорной фазы к шпинельной фазе составляет менее 0,1:1.
3. Материал варистора по п.1, отличающийся целевой напряженностью переключающего поля в диапазоне от 250 до 400 В/мм.
2
2
3
2
2
4. Материал варистора по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что он включает смесь шпинельобразующих компонентов, включающих Mn, Co, Ni и Cr в виде на MnO, CoO, NiO и CrO соответственно и необязательно Si в виде на SiO, причем количество SiO составляет менее 0,05 мол.%.
5. Материал варистора по п.4, отличающийся тем, что
2
3
количество BiO составляет по меньшей мере 0,3 мол.%, более предпочтительно по меньшей мере 0,6 мол.%, наиболее предпочтительно от 0,6 мол.% до 0,9 мол.%,
2
3
количество SbO составляет менее 1,8 мол.%,
2
3
2
3
молярное отношение BiO к SbO составляет по меньшей мере 0,5:1 и
2
2
3
суммарное количество MnO, CoO, NiO и CrO составляет по меньшей мере 2,5 мол.%, более предпочтительно по меньшей мере 3 мол.%.
6. Материал варистора по п.4, отличающийся тем, что
2
3
количество BiO составляет менее 0,5 мол.%,
2
3
2
3
причем молярное отношение BiO к SbO составляет менее 0,4:1, предпочтительно менее 0,3:1, наиболее предпочтительно менее 0,25:1, и
2
2
3
суммарное количество MnO, СоО, NiO и CrO составляет по меньшей мере 4 мол.%.
7. Материал варистора по п.1, в котором смесь шпинельобразующих компонентов дополнительно содержит по меньшей мере один дополнительный шпинельобразующий компонент, выбранный из группы, состоящей из Fe, Al, Ti, Mg и Cu.
8. Материал варистора по п.1, который дополнительно содержит по меньшей мере одну легирующую добавку, выбранную из группы, состоящей из Ag и В.
2
3
2
3
2
2
3
9. Способ получения материала варистора по любому из предшествующих пунктов, в котором исходную композицию, включающую BiO, SbO, MnO, СоО, NiO и CrO, смешивают с ZnO и необязательно остальными легирующими добавками, спрессовывают в диски и спекают при температуре выше 1000°С с получением материала варистора.
2
3
2
3
2
2
3
10. Способ по п.9 получения материала варистора по п.6, в котором исходную композицию BiO, SbO, MnO, СоО, NiO и CrO прокаливают при температуре выше 600°С перед ее смешиванием с ZnO и необязательно остальными легирующими добавками.
11. Применение материала варистора по любому из предшествующих пунктов для разрядника, служащего для защиты от перенапряжения, имеющего целевую напряженность переключающего поля в диапазоне от 250 до 400 В/мм.