СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНКИ PEDOT

1. Способ получения пленки из поли(3,4-этилендиокситиофена) (PEDOT) на подложке, включающей подложку и по меньшей мере один слой PEDOT по меньшей мере на одной поверхности подложки, включающий следующие стадии:
a) нанесение раствора, содержащего окислитель и основный ингибитор по меньшей мере на одну поверхность подложки так, чтобы образовалось покрытие из окислителя по меньшей мере на одной поверхности подложки;
b) осуществление стадии полимеризации покрытой окислителем подложки, сформированной на стадии (а), подвергая поверхность или поверхности покрытой окислителем подложки воздействию паров мономера 3,4-этилендиокситиофена (EDOT) при температуре полимеризации с образованием слоя PEDOT на поверхности или поверхностях подложки, покрытой окислителем, и
при этом во время стадии полимеризации температуру покрытой окислителем подложки поддерживают на уровне регулируемой температуры подложки, и при этом регулируемая температура подложки на 2-40°С ниже, чем температура полимеризации.
2. Способ по п. 1, в котором подложка является непроводящей подложкой.
3. Способ по п. 1 или 2, включающий следующие стадии:
c) нанесение раствора, содержащего окислитель и основный ингибитор, по меньшей мере на одну поверхность слоя PEDOT, сформированного на стадии (b), так, чтобы образовалось покрытие из окислителя по меньшей мере на одной поверхности слоя PEDOT,
d) осуществление стадии полимеризации покрытого окислителем слоя PEDOT, сформированного на стадии (с), подвергая поверхность или поверхности покрытого окислителем слоя PEDOT воздействовать паров мономера 3,4-этилендиокситиофена (EDOT) при температуре полимеризации с образованием последующего слоя PEDOT на поверхности или поверхностях покрытого окислителем слоя PEDOT,
при этом во время стадии полимеризации температуру покрытой окислителем подложки поддерживают на уровне регулируемой температуры подложки, и при этом регулируемая температура подложки на 2-40°С ниже, чем температура полимеризации.
4. Способ по п. 3, в котором стадию (с) и стадию (d) повторяют по меньшей мере один раз.
5. Способ по любому из пп. 1-4, в котором температуру покрытой окислителем подложки поддерживают на уровне регулируемой температуры подложки во время стадии полимеризации, а регулируемая температура подложки ниже температуры полимеризации на 2-30°С или 3-20°С, или на 3-15°С, или на 5-15°С, или на 8-12°С.
6. Способ по любому из пп. 1-5, где способ представляет собой парофазную полимеризацию (VPP).
7. Способ по любому из пп. 1-6, в котором температура полимеризации составляет 55-95°С, регулируемая температура подложки составляет 40-70°С, или 60-85°С, и регулируемая температура подложки составляет 45-70°С, или температура полимеризации составляет 65-80°С, а регулируемая температура подложки составляет 55-70°С, или температура полимеризации составляет 67-77°С, а регулируемая температура подложки составляет 56-66°С, или температура полимеризации составляет 72-77°С, а регулируемая температура подложки составляет 61-66°С.
8. Способ по любому из пп. 1-7, в котором температуру покрытой окислителем подложки и/или покрытой окислителем пленки PEDOT поддерживают на уровне регулируемой температуры подложки по существу в течение всей стадии полимеризации.
9. Способ по любому из пп. 1-7, в котором стадия полимеризации включает два последовательных периода обработки, температуру покрытой окислителем подложки и/или покрытой окислителем пленки PEDOT поддерживают на уровне регулируемой температуры подложки в течение одного из периодов обработки.
10. Способ по любому из пп. 1-7 или 9, в котором стадия полимеризации включает три последовательных периода обработки, причем температуру покрытой окислителем подложки и/или покрытой окислителем пленки PEDOT поддерживают на уровне регулируемой температуры подложки на протяжении всего осуществляемого в середине периода обработки.
11. Способ по любому из пп. 1-10, включающий стадию очистки подложки перед стадией (а).
12. Способ по любому из пп. 1-10, в котором раствор, содержащий окислитель и основной ингибитор, наносят центрифугированием по меньшей мере на одну поверхность подложки на стадии (а) и/или по меньшей мере на одну поверхность слоя PEDOT, сформированного на стадии (с).
13. Способ по любому из пп. 1-12, включающий очистку, сушку и/или нагревание покрытой окислителем подложки перед стадией (b) и/или полимерной пленки PEDOT после стадии (с) перед стадией (d).
14. Способ по любому из пп. 1-13, включающий стадию отжига пленки PEDOT при температуре 50-100°С после полимеризации и возможно отмывку и сушку отожженной пленки PEDOT.
15. Способ по любому из пп. 2-14, включающий стадию очистки полимерной пленки PEDOT, полученной на стадии (b), перед стадией (с).
16. Способ по любому из пп. 1-15, в котором продолжительность стадии полимеризации составляет 1-20 минут, или 1-10 минут, или 2-8 минут.
17. Способ по любому из пп. 1-16, в котором продолжительность периода обработки на стадии полимеризации, где температуру покрытой окислителем подложки и/или покрытой окислителем пленки PEDOT поддерживают при регулируемой температуре подложки, составляет 20-80%, или 30-60%, или 35-40% от продолжительности стадии полимеризации.
18. Способ по любому из пп. 1-17, в котором непроводящая подложка представляет собой стекло или полиэтилентерефталат (ПЭТ).
19. Способ по любому из пп. 1-16, в котором окислителем является п-толуолсульфонат железа (III) гексагидрат (FETOS).
20. Способ по любому из пп. 1-19, в котором основный ингибитор представляет собой пиридин.
21. Проводящая пленка PEDOT, полученная способом по любому из пп. 2-20, включающая:
непроводящую подложку,
слой PEDOT, содержащий анионы окислителя/окислителей, внедренные в слой PEDOT на непроводящей подложке,
2
при этом проводящая пленка PEDOT имеет проводимость более 2100 См/см и сопротивление слоя менее 200 Ом/см.
22. Проводящая пленка PEDOT по п. 21, содержащая 1-20 или 1-15 слое PEDOT на непроводящей подложке.
23. Проводящая пленка PEDOT по любому из пп. 21-23, где средняя шероховатость проводящей пленки PEDOT составляет менее 3,5 нм.
24. Проводящая пленка PEDOT по любому из пп. 21-24, где коэффициент пропускания проводящей пленки PEDOT составляет более 30% Т.
25. Проводящая пленка PEDOT по любому из пп. 21-25, где непроводящая подложка представляет собой стекло или полиэтилентерефталат (ПЭТ).
26. Проводящая пленка PEDOT по любому из пп. 21-26, в которой слой PEDOT содержит анионы п-толуолсульфоната железа (III) гексагидрата (FETOS), внедренные в слой PEDOT на непроводящей подложке.
27. Проводящая пленка PEDOT по любому из пп. 21-27, толщина которой составляет 10-500 нм или 10-200 нм.
28. Электронное устройство, отличающееся тем, что оно включает проводящую пленку PEDOT по любому из пп. 21-27.
29. Электронное устройство по п. 28, представляющее собой дисплей, плоский дисплей, оптоэлектронное устройство, такое как органический светоизлучающий диод ОСИД, органический солнечный элемент, сенсибилизированный красителем солнечный элемент, перовскитный солнечный элемент, интеллектуальное окно, топливный элемент, органический электрохимический транзистор, электрохимический преобразователь, электрохромное устройство, электролюминесцентное устройство, электролюминесцентный дисплей, органический конденсатор, суперконденсатор, сенсор, биосенсор, энергонакопительное устройство, антистатический материал, фотоэлектрическое устройство, запоминающее устройство или термоэлектрическое устройство.
30. Применение проводящей пленки PEDOT по любому из пп. 21-27 в качестве антистатического покрытия или электрода в электронном устройстве.