МОЩНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ РЕЗИСТОР-ШУНТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
POWER SEMICONDUCTOR SHUNT RESISTOR AND METHOD OF MAKING SAID RESISTOR

Предлагаемое изобретение относится к конструированию и технологии изготовления силовых полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых резисторов таблеточного исполнения, в частности резисторов-шунтов, характеризующихся низким значением номинального сопротивления 0,2÷1 мОм с пониженной температурной зависимостью сопротивления в рабочем интервале температур.
2
2
-3
ном
Известен мощный полупроводниковый резистор-шунт (Асина С.С., Смирнов А.А., Карпинский В.Н., Кондрашов Е.И. «Исследование возможности применения мощных кремниевых шунтов в системе питания сверхпроводящего ускорителя». Электротехника, №9, 2006, стр.70 [1]), состоящий из резистивного элемента, выполненного в виде диска из монокристаллического кремния n-типа электропроводности диаметром 70 мм (площадь диска S [см]=38,48 см), толщиной h [см], равной 0,2 см, с удельным сопротивлением ρ [Ом·см], равным 0,1 Ом·см, что позволило получить значение номинального сопротивления резистора-шунта R [Ом], равным 0,5·10 Ом, согласно
Такое значение сопротивления полупроводникового резистора необходимо при использовании его как для выравнивания быстро нарастающих токов параллельно соединенных мощных быстродействующих тиристоров, так и в качестве датчиков тока для мониторинга процессов и защиты энергосистемы [1]. Однако его температурная характеристика (ТХС) в рабочем интервале температур превышает 100% и не может быть минимизирована известными методами, из-за очень низкого значения удельного сопротивления кремния, равного 0,1 Ом·см.
-2
15
-2
16
-2
0
0
отж
Известен способ изготовления мощного кремниевого резистора (Патент РФ №2169411, кл. H01L 29/30, 21/263, опубл. 20.06.2001 [2]), включающий создание в кремниевом резистивном элементе диффузионных приконтактных областей и металлических контактов к ним, введение радиационных дефектов путем облучения ускоренными электронами энергией Е [МэВ], равной 2÷5 МэВ, с последующим термическим отжигом. Дозу облучения Ф [см] выбирают из интервала от 3,4·10 см для кремния с исходным удельным сопротивлением ρ=120 Ом·см до 2·10 см для кремния с ρ=20 Ом·см. Термический отжиг проводят при температуре Т=200°С. Под исходным удельным сопротивлением понимается удельное сопротивление кремния до операции облучения и отжига.
0
Однако минимальное значение номинального сопротивления, которое может быть получено с помощью данного метода для кремния с минимальным значением ρ=20 Ом·см и диаметром кремниевого диска 70 мм, составит не менее 16 мОм, что является неприемлемым для решения конкретной задачи [1].
Известен также мощный полупроводниковый резистор (Патент РФ №2284610, кл. H01L 21/263, опубл. 27.09.2006 (прототип) [3]), состоящий из резистивного элемента, выполненного в виде кремниевого диска n-типа электропроводности с исходным удельным сопротивлением от 7 Ом·см до 120 Ом·см, содержащего радиационные дефекты.
0
0
Температурная характеристика сопротивления такого резистора соответствует норме ТХС≤±10%, однако, минимальное значение номинального сопротивления, которое может быть достигнуто согласно [3], например, на кремниевом диске диаметром 70 мм, с минимальным значением исходного удельного сопротивления ρ=7 Ом·см, будет не менее 6 мОм, что является недостаточным для резисторов-шунтов. Обусловлено это, с одной стороны, низким ρ, с другой стороны, минимально возможной толщиной кремниевого диска (около 160 мкм) с точки зрения механической прочности.
Наиболее близким является способ изготовления мощного полупроводникового резистора [3], включающий создание в кремниевом резистивном элементе диффузионных приконтактных областей и металлических контактов к ним, введение радиационных дефектов путем облучения ускоренными электронами с энергией Е=2÷5 МэВ с последующим термическим отжигом.
15
-2
16
-2
0
0
отж
0
ном
ном
0
Доза облучения (Ф) в этом способе выбиралась из интервала от 1,1·10 см для кремния с исходным удельным сопротивлением ρ=120 Ом·см до 2,1·10 см для кремния с ρ=7 Ом·см. Термический отжиг проводили в интервале температур Т=260-280°С. Данный способ позволил изготовить резисторы из кремния с ρ=7 Ом·см, то есть расширил область низких значений R, при незначительном увеличении себестоимости изготовления. Однако минимальное значение R, которое можно получить на кремниевом диске диаметром 70 мм с ρ=7 Ом·см при минимально возможной толщине диска около 160 мкм, составит не менее 6 мОм, что является также недостаточным.
Техническим результатом предлагаемого решения является расширение интервала номинальных сопротивлений в область низких значений (≤5 мОм) при сохранении температурной стабильности и себестоимости изготовления и, как следствие, расширение функциональных возможностей мощных кремниевых резисторов - использование их в качестве шунтов.
+
-3
13
-3
14
-3
РД
n0
n0
n0
Для достижения технического результата в известном мощном полупроводниковом резисторе, состоящем из резистивного элемента, выполненного в виде кремниевого диска n-типа электропроводности с исходным удельным сопротивлением от 7 Ом·см до 120 Ом·см, содержащего радиационные дефекты, резистивный элемент состоит из сильнолегированной n-подложки и тонкого высокоомного эпитаксиального n-слоя, при этом радиационные дефекты имеют концентрацию N [см] в зависимости от исходного удельного сопротивления высокоомного эпитаксиального слоя ρ [Ом·см] от 4·10 см для ρ=120 Ом·см до 7.5·10 см для ρ=7 Ом·см.
-2
15
-2
16
-2
n0
n0
n0
В известном способе изготовления мощного полупроводникового резистора, включающего создание в кремниевом резистивном элементе диффузионных приконтактных областей и металлических контактов к ним, введение радиационных дефектов путем облучения укоренными электронами с энергией Е=2÷5 МэВ с последующим термическим отжигом, проводят облучение дозой Ф [см] в зависимости от исходного удельного сопротивления высокоомного эпитаксиального слоя ρ от 1,6·10 см для ρ=120 Ом·см до 3,1·10 см для ρ=7 Ом·см, термический отжиг проводят в интервале температур 305÷325°С.
К отличительным признакам предлагаемого технического решения относятся:
+
n0
1. Резистивный элемент состоит из сильнолегированной n-подложки и тонкого высокоомного эпитаксиального n-слоя с исходным удельным сопротивлением (ρ) в интервале 7÷120 Ом·см;
n0
n0
n0
13
-3
14
-3
2. Радиационные дефекты в высокоомном эпитаксиальном n-слое имеют концентрацию в зависимости от исходного удельного сопротивления высокоомного эпитаксиального n-слоя (ρ) от 4·10 см для ρ=120 Ом·см до 7.5·10 см для ρ=7 Ом·см;
n0
n0
n0
15
-2
16
-2
3. Радиационные дефекты вводят облучением резистивного элемента ускоренными электронами дозой Ф в зависимости от исходного удельного сопротивления высокоомного эпитаксиального слоя ρ от 1,6·10 см для ρ=120 Ом·см до 3,1·10 см для ρ=7 Ом·см;
4. Термический отжиг проводят в интервале температур 305÷325°С.
Известных технических решений с такой совокупностью признаков в патентной и научной литературе не обнаружено.
Основными положительными эффектами предлагаемых технических решений являются:
+
16
-2
n0
ном
- расширение интервала номинальных сопротивлений в область низких значений за счет использования тонких высокоомных эпитаксиальных кремниевых пленок n-n-типа. Например, при использовании резистивного элемента диаметром 70 мм с толщиной высокоомного эпитаксиального n-слоя ~10 мкм и исходным удельным сопротивлением этого слоя ρ=7 Ом·см, после его облучения ускоренными электронами дозой 3,1·10 см с последующим отжигом при температуре 310°С, можно получить резистор, имеющий значение R≈0,25 мОм, в 24 раза меньшим, чем при использовании прототипа [3]. При этом сохраняется высокая температурная стабильность сопротивления (ТХС≤±10%) в широком интервале рабочих температур (125÷210°С) без существенного увеличения себестоимости изготовления;
- расширение функциональных возможностей мощных полупроводниковых резисторов, например возможность использования их в качестве шунтов;
+
++
-
На фиг.1 приведена конструкция резистивного элемента, заявляемого мощного полупроводникового резистора-шунта. Кремниевый диск резистивного элемента состоит из толстой сильнолегированной n-подложки 1 и тонкого высокоомного эпитаксиального n-слоя 2. Омические контакты обеспечиваются созданием приконтактных сильнолегированных n-областей 3 и их металлизацией 4. Для минимизации температурной зависимости сопротивления в структуру вводят радиационные дефекты с помощью облучения ускоренными электронами (е). Для устранения краевых эффектов диск имеет фаску 5, торцевая поверхность которой защищена кремнийорганическим компаундом 6.
ном
Величина номинального сопротивления резистора-шунта R [Ом] после облучения и отжига оценивается по формуле
n
где ρ [Ом·см] - удельное сопротивление высокоомного эпитаксиального n-слоя после облучения и отжига;
n
h [см] - толщина высокоомного эпитаксиального слоя;
n
+
ρ+ [Ом·см]- удельное сопротивление n-подложки после облучения и отжига;
n
+
h+ [см]- толщина n-подложки;
2
S [см] - площадь кремниевого диска.
Следует иметь в виду, что после облучения и отжига, требуемых для обеспечения ТХС≤±10%, исходное удельное сопротивление высокоомного эпитаксиального слоя
n0
n
n0
ρ увеличивается примерно в 2 раза, то есть ρ≈2·ρ.
+
n
n
Обычно толщина n-подложки больше толщины эпитаксиального n-слоя в ~30÷40 раз, тем самым обеспечивается механическая прочность резистивного элемента, ее удельное сопротивление ρ+ примерно на 3 порядка меньше удельного сопротивления высокоомного эпитаксиального слоя (ρ), то есть сопротивлением подложки можно пренебречь.
n0
n0
rm
n
Границы предлагаемого интервала исходного удельного сопротивления эпитаксиального слоя ρ=7÷120 Ом·см обосновываются тем, что при ρ>120 Ом·см максимально допустимая температура резистора-шунта (T) становится менее 130°С, что является не допустимым согласно требованиям технических условий на высокотемпературные резисторы; при р<7 Ом·см резко увеличивается себестоимость процесса облучения за счет увеличения времени облучения (более 5 часов).
РД
отж
n0
13
14
-3
15
16
-2
Выбор интервалов концентраций радиационных дефектов N=4·10÷7,5·10 см после облучения и термического отжига, согласованных с ними доз облучения ускоренными электронами Ф=1,6·10÷3,1·10 см и температур отжига Т=305÷325°С в зависимости от исходного удельного сопротивления высокоомного эпитаксиального n-слоя (ρ) обосновывается в конкретном примере исполнения на основе данных, представленных в таблицах 1-3 и фиг.2.
РД
На фиг.2 представлены эмпирические зависимости необходимых концентраций радиационных дефектов N после облучения и отжига (значения по правой оси ординат), вводимых в резистивный элемент и соответствующих им доз облучения Ф (значения по левой оси ординат) ускоренными электронами (3,5 МэВ) в зависимости от исходного удельного сопротивления кремния ρ (значения по оси абсцисс) при изготовлении резистивных элементов по прототипу (1, 2) и согласно предлагаемому техническому решению (3, 4). На фиг.2:
- цифрой 1 обозначена зависимость дозы облучения ускоренными электронами от исходного удельного сопротивления резистивного элемента при изготовлении резистивного элемента по прототипу [3];
отж
- цифрой 2 обозначена зависимость концентрации радиационных дефектов после облучения и отжига (Т=280°С) от исходного удельного сопротивления кремния при изготовлении резистивного элемента по прототипу [3];
- цифрой 3 обозначена зависимость дозы облучения ускоренными электронами от исходного удельного сопротивления эпитаксиального n-слоя при изготовлении резистивного элемента согласно предлагаемому техническому решению;
отж
- цифрой 4 обозначена зависимость концентрации радиационных дефектов после облучения и отжига (Т=315°С) от исходного удельного сопротивления эпитаксиального n-слоя при изготовлении резистивного элемента согласно предлагаемому техническому решению.
0
отж
15
-2
Например, при изготовлении резистивного элемента по прототипу из кремния с исходным удельным сопротивлением ρ=20 Ом·см потребуется доза облучения ускоренными электронами (зависимость 1) 6,6·10 см, чтобы после отжига при Т=280°С в течение 1 часа концентрация радиационных дефектов составила
14
-3
2·10 см (зависимость 2), что обеспечит ТХС≤±10%.
+
16
-2
14
-3
n0
отж
При изготовлении предлагаемого резистивного элемента при использовании эпитаксиальной n-n-структуры с исходным удельным сопротивлением высокоомного эпитаксиального n-слоя ρ=20 Ом·см потребуется доза облучения ускоренными электронами (зависимость 3) 1·10 см, чтобы после отжига при Т=315°С в течение 1 часа получить концентрацию радиационных дефектов, равную 2,5·10 см (зависимость 4), что позволит обеспечить ТХС≤±10%.
Пример конкретного исполнения
n
n
n
n0
+
При изготовлении экспериментальных образцов резистивных элементов, выполненных в виде кремниевых дисков диаметром 70 мм, состоящих из толстой h+=380 мкм сильнолегированной сурьмой n-подложки (КЭС) с удельным сопротивлением ρ+=0,01 Ом·см и тонкого h=20 мкм высокоомного эпитаксиального n-слоя, легированного фосфором (КЭФ), с исходным удельным сопротивлением ρ=7, 20 и 120 Ом·см были использованы предлагаемый и известный способы. Изготовление проводили по следующей схеме:
- вырезка резистивных элементов диаметром 72 мм из кремниевых эпитаксиальных структур  и  диаметром 76 мм;
вырезка необходима для удаления краевого дефектного слоя;
++
++
20
-3
- создание приконтактных n-областей путем диффузии фосфора, обеспечивающей глубину n-слоя около 5 мкм и поверхностную концентрацию фосфора ~10 см;
- создание омических контактов толщиной металлизации ~12 мкм, диаметром 70 мм путем напыления алюминия с последующим вжиганием;
- снятие фасок с торцевой поверхности дисков до границы алюминиевого контакта;
- измерение сопротивления резистивных элементов;
- облучение и отжиг резистивных элементов, изготовленных:
1) из кремния с исходным удельным сопротивлением 120 Ом·см,
15
-2
отж
Ф=1,1·10 см (Т=280°С) - прототип.
15
-2
отж
Ф=1,5·10 см (Т=300, 305, 315, 325, 330°С),
15
-2
отж
Ф=1,6·10 см (Т=280, 300, 305, 315, 325, 330°С),
15
-2
отж
Ф=1,7·10 см (Т=300, 305, 315, 325, 330°С).
2) из кремния с исходным удельным сопротивлением 20 Ом·см,
15
-2
отж
Ф=6,6·10 см (Т=280°С) - прототип.
16
-2
отж
Ф=0,9·10 см (Т=300, 305, 315, 325, 330°С),
16
-2
отж
Ф=1,0·10 см (Т=280, 300, 305, 315, 325, 330°С),
16
-2
отж
Ф=1,1·10 см (Т=300, 305, 315, 325, 330°С).
3) из кремния с исходным удельным сопротивлением 7 Ом·см,
16
-2
отж
Ф=2,1·10 см (Т=280°С) - прототип.
16
-2
отж
Ф=3,0·10 см (Т=300, 305, 315, 325, 330°С),
16
-2
отж
Ф=3,1·10 см (Т=280, 300, 305, 315, 325, 330°C),
16
-2
отж
Ф=3,2·10 см (Т=300, 305, 315, 325, 330°С).
Облучение проводили электронами с энергией 3,5 МэВ при комнатной температуре. Термический отжиг проводили в инертной среде в течение одного часа (времени, достаточного для завершения структурной перестройки радиационных дефектов);
- измерение сопротивления резистивных элементов после облучения и отжига;
- травление торцевой поверхности резистивных элементов, защита кремнийорганическим компаундом (ВГС) с последующей сушкой при температуре 180°С в течение 6 часов;
- измерение основных параметров и характеристик (номинальное сопротивление, ВАХ, температурная характеристика сопротивления и др.).
измеряемое
Измерение номинального сопротивления проводилось миллиомметром GW Instek GOM-802 четырехпроводным методом амперметра-вольтметра с точностью ±(0,001·R+6 мкОм) в корпусе с двумя потенциальными выводами при усилии сжатия 36 кН.
Для сравнения были изготовлены так же экспериментальные образцы резисторов по прототипу [3] из кремния диаметром 70 мм, толщиной, равной суммарной толщине подложки и эпитаксиального слоя заявляемого резистивного элемента, то есть 380 мкм+20 мкм=400 мкм, с исходным удельным сопротивлением 7, 20 и 120 Ом·см. Для статистической обработки количество образцов с различным сочетанием исходного удельного сопротивления, режимов облучения и отжига было не менее 10 каждой вариации.
ном
Усредненные значения номинального сопротивления (R) и ТХС резистивных элементов, изготовленных по прототипу [3] и предлагаемому техническому решению, приведены в таблицах 1-3.
n0
РД
n0
n0
n0
n0
13
-3
14
-3
15
-2
16
-2
Сравнительный анализ параметров и характеристик резистивных элементов показывают, что использование тонкого эпитаксиального n-слоя с исходным удельным сопротивлением ρ от 7 до 120 Ом·см с введением радиационных дефектов с концентрацией N от 4·10 см для ρ=120 Ом·см до 7,5·10 см для ρ=7 Ом·см путем облучения резистивных элементов ускоренными электронами (3,5 МэВ) дозой Ф от 1,6·10 см для ρ=120 Ом·см до 3,1·10 см для ρ=7 Ом·см (см. фиг.2) позволяет значительно уменьшить номинальное сопротивление мощного кремниевого резистора-шунта в сравнении с прототипом
для ρ<sub>n0</sub>=120 Ом·см
R<sub>ном</sub> уменьшается с 310 мОм
до 9,4 мОм,
для ρ<sub>n0</sub>=20 Ом·см
R<sub>ном</sub> уменьшается с 51,6 мОм
до 1,58 мОм,
для ρ<sub>n0</sub>=7 Ом·см
R<sub>ном</sub> уменьшается с 18 мОм
до 0,54 мОм
при сохранении максимально допустимой рабочей температуры резистивных элементов и низкой себестоимости их изготовления. Такие резисторы могут быть использованы в качестве шунтов.
Таблица 1
Исходное удельное сопротивление<sup>*</sup> 120 Ом·см
Максимально допустимая температура резистивных элементов (T<sub>rm</sub>) 130÷135°С
Техническое решение
Доза облучения Ф, см<sup>-2</sup>
Температура отжига, °С
Сопротивление, R<sub>ном</sub>, мОм
ТХС, %
Прототип
1,1·10<sup>15</sup>
280
310
±8
Предлагаемое техническое решение
1,5·10<sup>15</sup>
300
8,8
+18
305
8,9
+16
315
9,0
+13
325
9,0
+17
330
8,9
+20
280
8,6
+17
300
8,9
+13
1,6·10<sup>15</sup>
305
9,2
+9
315
9,4
±2
325
9,5
-8
330
9,7
-14
1,7·10<sup>15</sup>
300
10,3
-19
305
10,2
-16
315
10,0
-14
325
10,3
-17
330
10,5
-20
Таблица 2
Исходное удельное сопротивление<sup>*</sup> 20 Ом·см
Максимально допустимая температура резистивных элементов (T<sub>rm</sub>)=180÷185°С
Техническое решение
Доза облучения Ф, см<sup>-2</sup>
Температура отжига, °С
Сопротивление R<sub>ном</sub>, мОм
ТХС, %
Прототип
6,6·10<sup>15</sup>
280
51,6
±4
Предлагаемое техническое решение
0,9·10<sup>16</sup>
300
1,45
+19
305
1,5
+17
315
1,55
+14
325
1,53
+16
330
1,51
+18
1·10<sup>16</sup>
280
1,48
+18
300
1,5
+14
305
1,54
+8
315
1,56
±6
325
1,58
-9
330
1,61
-13
1,1·10<sup>16</sup>
300
1,7
-18
305
1,68
-16
315
1,66
-13
325
1,7
-15
330
1,74
-19
Таблица 3
Исходное удельное сопротивление<sup>*</sup> 7 Ом·см
Максимально допустимая температура резистивных элементов (T<sub>rm</sub>) 200÷210°С
Техническое решение
Доза облучения Ф, см<sup>-2</sup>
Температура отжига, °С
Сопротивление R<sub>ном</sub>, мОм
ТХС, %
Прототип
2,1·10<sup>16</sup>
280
18,0
±6
Предлагаемое техническое решение
3·10<sup>16</sup>
280
18,0
±6
300
0,5
+18
305
0,51
+15
315
0,52
+12
325
0,52
+17
330
0,51
+19
3,1·10<sup>16</sup>
280
0,48
+18
300
0,5
+12
305
0,52
+5
315
0,54
±8
325
0,55
-9
330
0,56
-15
3,2·10<sup>16</sup>
300
0,59
-20
305
0.57
-15
315
0,57
-13
325
0,59
-16
330
0,6
-18
* Примечание: для прототипа - исходное удельное сопротивление кремния до облучения и отжига (ρ<sub>0</sub>), для предлагаемого технического решения - исходное удельное сопротивление высокоомного эпитаксиального слоя (ρ<sub>n0</sub>).
отж
Отклонение дозы облучения и связанной с ней концентрации дефектов на ±10% или температуры на ±10°С от указанной в предлагаемом техническом решении приводит к недопустимому ухудшению ТХС (норма для ТХС≤±10%). Так же показано, что использовать дозу облучения по предлагаемому способу, а отжиг по прототипу (Т=280°С) недопустимо, так как ТХС таких элементов превышает норму. Таким образом, подтверждается необходимость и достаточность отличительных признаков предлагаемого технического решения.
Отличие режимов облучения и отжига от указанных в прототипе [3], по-видимому, обусловлено образованием другой совокупности радиационных дефектов в эпитаксиальном n-слое после, так называемого, «отрицательного» отжига.
К преимуществам предлагаемой конструкции и способа изготовления мощного полупроводникового резистора-шунта относятся:
- возможность расширения границ номинального сопротивления резисторов в область низких значений при сохранении температурной стабильности и себестоимости изготовления;
- расширение функциональных возможностей мощных полупроводниковых резисторов - использование их в качестве шунтов.
Например, в системе эвакуации энергии в аварийных режимах эксплуатации сверхпроводящего ускорителя «Нуклотрон» используется ключ, состоящий из четырех параллельно соединенных мощных быстродействующих тиристоров ТБ373-2000-20 [1].
ном
T
Для выравнивания быстро нарастающих токов использовались мощные резисторы-шунты с номиналом R=0,5 мОм, сопоставимым с динамическим сопротивлением тиристора (r). Однако из-за того, что ТХС таких резисторов-шунтов превышала +100%, их применимость в качестве датчиков для мониторинга распределения тока ограничена максимально допустимым перегревом резистивного элемента, не превышающим 30°С.
ном
Предлагаемое техническое решение позволяет изготовить резисторы с R=0,5 мОм, ТХС≤±10% и допустимым перегревом не менее 100°С и, как следствие, увеличить выделяемую мощность примерно в три раза. Работа предлагаемых резисторов-шунтов в устройстве [1] заключается в следующем: при параллельном включении тиристоров сопротивление резисторов-шунтов является добавочным (балластным) и способствует выравниванию токов в параллельных цепях. Кроме того, поскольку собственная индуктивность таблеточных резисторов ничтожна мала, они могу быть использованы как датчики тока, для этого в корпусе должны быть потенциальные выводы. То есть при протекании силового тока через токовые контакты резистора с потенциальных контактов снимается потенциал (падение напряжения) и подается на регистрирующий прибор с целью мониторинга и т.п.
В таблице 4 показана возможность расширения нижней границы номинальных сопротивлений уже имеющихся типов высокотемпературных резисторов (ТУ 16-93.ЕАИГ.434129.001ТУ).
Таблица 4
Тип резистора
R<sub>ном</sub>, мОм
Согласно ТУ 16-93. ЕАИГ.434129.001 ТУ
Прототип [3]
Предлагаемое решение
РК223
1000
74
3,6
РК233
560
40
2,5
РК243
390
21
1,5
РК253
270
11
0,9
РК273
150
6
0,25
Источники информации
1. Асина С.С., Смирнов А.А., Карпинский В.Н., Кондрашов Е.И. «Исследование возможности применения мощных кремниевых шунтов в системе питания сверхпроводящего ускорителя». Электротехника, №9, 2006, стр.70 (аналог конструкции).
2. Патент РФ №2169411, кл. H01L 29/30, 21/263, опубл. 20.06.2001 (аналог способа).
3. Патент РФ №2284610, кл. H01L 21/263, опубл. 27.09.2006 (прототип).