СПОСОБ И УСТАНОВКА ДЛЯ ВСКРЫТИЯ ПОВЕРХНОСТИ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ

1. Способ вскрытия интегральной схемы путем абляции полимерной оболочки, первоначально покрывающей интегральную схему, характеризующийся тем, что включает комбинированное воздействие лазерным лучом и плазмой на оболочку, первоначально покрывающую интегральную схему, при этом комбинирование воздействие осуществляют в одном и том же замкнутом пространстве (16).
2. Способ по п.1, в котором сначала выполняют этап (72) воздействия лазерным излучением, затем этап (74) воздействия плазмой.
3. Способ по п.2, в котором этап (74) воздействия плазмой инициируют в то время, когда на интегральную схему по-прежнему действуют лазерным излучением.
4. Способ по п.2 или 3, в котором лазерное излучение применяют (72) до тех пор, пока толщина остаточного полимерного слоя над интегральной схемой не составит от 50 до 200 мкм.
5. Способ по п.2, характеризующийся тем, что содержит две последовательные фазы обработки сначала лазерным излучением, затем плазмой.
6. Способ по п.2, в котором воздействие лазерным излучением осуществляют в то время, когда на интегральную схему воздействуют плазмой.
7. Способ по п.2, характеризующийся тем, что содержит этап нагнетания газового потока на поверхность интегральной схемы с целью удаления остаточных частиц, присутствующих на интегральной схеме.
8. Способ по п.2, в котором плазма является плазмой в вакууме.
9. Способ по п.2, в котором плазма является атмосферной плазмой.
10. Способ по п.2, в котором плазма содержит кислород и тетрафторид углерода.
11. Способ по п.2, характеризующийся тем, что содержит предварительный этап создания вакуума в замкнутом пространстве (16), при этом в указанном замкнутом пространстве (16) поддерживают вакуум во время комбинированного воздействия лазерным излучением и плазмой.
12. Способ испытания на отрыв соединительных проводников интегральной схемы, первоначально покрытой полимерной оболочкой, содержащий:
начальный этап (72, 74) вскрытия интегральной схемы и соединительных проводников при помощи способа по любому из предыдущих пунктов и
этап испытания на отрыв вскрытых проводников.
13. Способ испытания по п.12, в котором при воздействии плазмой удаляют остаточный полимер и полимер, находящийся на соединительных проводниках.
14. Установка для вскрытия интегральной схемы путем абляции полимерной оболочки, первоначально покрывающей интегральную схему, содержащая:
средства (28) воздействия лазерным излучением на поверхность интегральной схемы,
средства плазменного травления полимерной оболочки, первоначально покрывающей интегральную схему, действующие в комбинации со средствами воздействия лазерным излучением, и
опорную площадку (13) для удержания интегральной схемы во время ее обработки, при этом средства (28) воздействия лазерным излучением и средства (46) воздействия плазмой выполнены с возможностью воздействия на одну и ту же опорную площадку (13).