СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПРОЗРАЧНОГО ПРОВОДЯЩЕГО ПОКРЫТИЯ ИЗ ОКСИДА МЕТАЛЛА ПУТЕМ ИМПУЛЬСНОГО ВЫСОКОИОНИЗИРУЮЩЕГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ

1. Способ нанесения прозрачного проводящего покрытия из оксида металла на подложку, при котором, по меньшей мере, один компонент покрытия из оксида металла распыляют высокоионизирующим импульсным высокоэффективным магнетронным способом и конденсируют на подложке, отличающийся тем, что:
2
- импульсы магнетрона имеют пиковую плотность мощности свыше 1,5 кВт/см,
- длительность импульсов магнетрона составляет ≤200 мкс и
2
- среднее увеличение плотности протекающего тока при воспламенении плазмы во временном интервале ≤0,025 мс составляет не менее 106 А/(мс см).
2
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что пиковая плотность мощности импульсов магнетрона составляет не менее 3,0 кВт/см.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что длительность импульсов магнетрона составляет ≤100 мкс.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что длительность импульсов магнетрона составляет ≤50 мкс, предпочтительно ≤40 мкс, в частности ≤35 мкс.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что частота импульсов магнетрона составляет не менее 100 Гц.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что частота импульсов магнетрона составляет от 350 Гц до 2 кГц.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что для образования покрытия из оксида металла распыляют керамическую мишень.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что для образования покрытия из оксида металла распыляют металлическую мишень в атмосфере реакционноспособного газа с добавкой кислорода.
9. Способ по любому из пп.1-8, отличающийся тем, что температура, при которой наносят покрытие из оксида металла на подложку, составляет менее 100°C.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что покрытие из оксида металла наносят с образованием мелкокристаллической структуры, в которой размер горизонтальных и вертикальных зерен составляет менее 35 нм.
11. Способ по п.9, отличающийся тем, что подложку вместе с покрытием из оксида металла отжигают на отдельной технологической операции.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что покрытие из оксида металла сохраняет в основном свою кристалличность и размер кристаллов после отжига.
13. Способ по п.11 или 12, отличающийся тем, что размер кристаллов после отжига изменяется в горизонтальном и вертикальном направлениях менее, чем на 30%, предпочтительно менее, чем на 20%, в частности, менее, чем на 10%.
14. Способ по п.1, отличающийся тем, что магнетрон применяют без управления дуговым разрядом.