ЯЧЕЙКА МАГНИТНОГО ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА, СОДЕРЖАЩАЯ МНОЖЕСТВО МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

1. Структура магнитного туннельного перехода (MTJ), содержащая:
ячейку MTJ, содержащую множество боковых стенок, проходящих, по существу, под прямым углом к поверхности подложки, причем каждая из множества боковых стенок содержит свободный слой для проведения уникального магнитного домена, причем каждый из уникальных магнитных доменов выполнен с возможностью хранения цифрового значения.
2. Структура MTJ по п. 1, дополнительно содержащая нижнюю стенку, соединенную с каждой из множества боковых стенок, причем данная нижняя стенка проходит, по существу, параллельно к поверхности подложки, причем данная нижняя стенка содержит свободный слой.
3. Структура MTJ по п.2, в которой стенка магнитного домена формируется в пределах свободного слоя между каждой из множества боковых стенок, и в которой стенка магнитного домена формируется в пределах свободного слоя между каждой из множества боковых стенок и нижней стенкой, причем данные стенки магнитных доменов выполнены с возможностью изолировать уникальные магнитные домены.
4. Структура MTJ по п.1, в которой глубина по меньшей мере одной из множества боковых стенок является меньшей, чем расстояние между по меньшей мере двумя из множества боковых стенок.
5. Структура MTJ по п.1, дополнительно содержащая электрод, соединенный с ячейкой MTJ, причем данный электрод выполнен с возможностью приложения электрического тока, с целью считывания данных с или записи данных на ячейку MTJ.
6. Структура MTJ по п.1, в которой глубина каждой из множества боковых стенок является меньшей, чем длина каждой из множества боковых стенок.
7. Структура MTJ по п.1, в которой ячейка MTJ содержит первую боковую стенку, обладающую первым магнитным доменом, вторую боковую стенку, обладающую вторым магнитным доменом, и третью боковую стенку, обладающую третьим магнитным доменом.
8. Структура MTJ по п.7, в которой ячейка MTJ дополнительно содержит нижнюю стенку, соединенную с первой, второй и третьей боковыми стенками, причем нижняя стенка содержит свободный слой для проведения четвертого магнитного домена.
9. Структура MTJ по п.8, дополнительно содержащая первую структуру вывода, соединенную с первой боковой стенкой, вторую структуру вывода, соединенную со второй боковой стенкой, третью структуру вывода, соединенную с третьей боковой стенкой, и четвертую структуру вывода, соединенную с нижней стенкой.
10. Структура MTJ по п.1, в которой ячейка MTJ является, по существу, U-образной.
11. Структура магнитного туннельного перехода (MTJ), содержащая:
ячейку MTJ, содержащую множество боковых стенок, причем данные множество боковых стенок содержат первую боковую стенку, содержащую первый свободный слой для проведения первого магнитного домена, с целью представления первого бита данных, и содержат вторую боковую стенку, содержащую второй свободный слой для проведения второго магнитного домена, с целью представления второго бита данных.
12. Структура MTJ по п.11, в которой первая боковая стенка является, по существу, перпендикулярной второй боковой стенке.
13. Структура MTJ по п.11, в которой первый магнитный домен проходит в первом направлении, являющемся, по существу, параллельном к поверхности подложки, и в которой второй магнитный домен проходит во втором направлении, являющемся, по существу, параллельном к поверхности подложки.
14. Структура MTJ по п.11, в которой первый магнитный домен проходит в направлении, являющемся, по существу, параллельном к плоской поверхности подложки, и в которой второй магнитный домен проходит в направлении, являющемся, по существу, перпендикулярном к плоской поверхности подложки.
15. Структура MTJ по п.11, в которой множество боковых стенок дополнительно содержат:
третью боковую стенку, содержащую третий свободный слой для проведения третьего магнитного домена, с целью представления третьего бита данных; и
нижнюю стенку, соединенную с каждой из множества боковых стенок, причем нижняя стенка содержит четвертый свободный слой для проведения четвертого магнитного домена, с целью представления четвертого бита данных.
16. Структура MTJ по п.15, в которой ячейка MTJ дополнительно содержит центральный электрод, непосредственно приближенный к и расположенный на приблизительно равном расстоянии от каждой из множества боковых стенок и нижней стенки.
17. Структура MTJ по п.16, в которой толщина центрального электрода представляет приблизительно половину от разницы между шириной ячейки MTJ минус ширина двух противоположных боковых стенок из множества боковых стенок.
18. Структура MTJ по п.16, дополнительно содержащая:
первый вывод, соединенный с центральным электродом;
второй вывод, соединенный с первой боковой стенкой;
третий вывод, соединенный со второй боковой стенкой;
четвертый вывод, соединенный с третьей боковой стенкой; и
пятый вывод, соединенный с нижней стенкой.
19. Структура MTJ по п.11, дополнительно содержащая:
первый вывод, соединенный с первым магнитным доменом;
второй вывод, соединенный со вторым магнитным доменом; и
третий вывод, соединенный с центральным электродом;
причем данный первый вывод, данный второй вывод и данный третий вывод выполнены с возможностью обмена данными, с целью выборочной записи данных на и считывания данных с первого и второго магнитных доменов.
20. Магниторезистивная оперативная память с произвольным доступом (MRAM), содержащая:
матрицу ячеек магнитного туннельного перехода (MTJ), причем каждая из ячеек MTJ содержит множество боковых стенок, причем каждая из множества боковых стенок содержит свободный слой для проведения соответствующего независимого магнитного домена, выполненного с возможностью хранения цифрового значения.
21. Память MRAM по п.20, в которой каждая из ячеек MTJ содержит четыре независимых магнитных домена.
22. Память MRAM по п.20, в которой каждая ячейка MTJ содержит:
первую боковую стенку, содержащую первый свободный слой для проведения первого магнитного домена, выполненного с возможностью хранения первого бита;
вторую боковую стенку, содержащую второй свободный слой для проведения второго магнитного домена, выполненного с возможностью хранения второго бита;
третью боковую стенку, содержащую третий свободный слой для проведения третьего магнитного домена, выполненного с возможностью хранения третьего бита; и
нижнюю стенку, содержащую четвертый свободный слой для проведения четвертого магнитного домена, выполненного с возможностью хранения четвертого бита.
23. Память MRAM по п.22, дополнительно содержащая:
первый переключатель, соединенный с первой боковой стенкой;
второй переключатель, соединенный со второй боковой стенкой;
третий переключатель, соединенный с третьей боковой стенкой;
четвертый переключатель, соединенный с нижней стенкой;
битовую шину, соединенную с центральным электродом, ближайшим к каждой из боковых стенок; и
числовую шину, соединенную с каждым из первого, второго, третьего и четвертого переключателей, причем числовая шина предназначена выборочно активировать по меньшей мере один из первого, второго, третьего и четвертого переключателей, с целью считывания данных из и записи данных в ячейку MTJ.
24. Память MRAM по п.23, дополнительно содержащая:
первую линию истока, соединенную с первым переключателем, с целью выборочного приложения первого тока к первой боковой стенке;
вторую линию истока, соединенную со вторым переключателем, с целью выборочного приложения второго тока ко второй боковой стенке;
третью линию истока, соединенную с третьим переключателем, с целью выборочного приложения третьего тока к третьей боковой стенке; и
четвертую линию истока, соединенную с четвертым переключателем, с целью выборочного приложения четвертого тока к нижней стенке;
причем по меньшей мере один из первого, второго, третьего и четвертого токов являются приложенными в течение операции записи данных.
25. Память MRAM по п.20, в которой форма каждой из ячеек MTJ является, по существу, U-образной.