СПОСОБ СОЗДАНИЯ МОП-СТРУКТУР

3
4
3
4
2
2
2
2
Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из SiN на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии SiN, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхностного слоя кремния, предварительное окисление проводят до получения толщины окисла 130-150 нм, а в качестве влажной атмосферы используют смесь H-O или H-O-HCl, содержащую 1-4% HCl.