МЕТОД ФОРМИРОВАНИЯ ЗАЗОРА РАБОЧЕГО ЭЛЕМЕНТА БОЛОМЕТРА НА ОСНОВЕ УЛЬТРАКОРОТКОГО МОСТИКА ИЗ СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ ПЛЕНКИ НИТРИДА НИОБИЯ (NBN) С НАНЕСЕНИЕМ ДВОЙНОГО СЛОЯ НИТРИД НИОБИЯ-ЗОЛОТО (NBN-AU) БЕЗ РАЗВАКУУМИРОВАНИЯ (IN SITU)

Метод формирования зазора рабочего элемента болометра на основе ультракороткого мостика из сверхпроводящей пленки нитрида ниобия (NbN), отличающийся тем, что уменьшение потерь преобразования в омических контактах достигнуто нанесением двойного слоя нитрид ниобия - золото (NbN-Au) на диэлектрическую подложку без развакуумирования (in situ), с дальнейшим: нанесением на структуру NbN-Au общей толщиной от 3 нм до 50 нм, сформированную на диэлектрической подложке, позитивного электронного резиста; высушиванием нанесенного слоя резиста; прямой электронной литографией, с использованием которой электронным лучом в резисте рисуют прямоугольник, ширина которого больше, чем ширина чувствительного элемента болометра, а длина находится в диапазоне от 30 нм до 600 нм; проявлением проэкспонированного резиста в проявляющем растворе; травлением золота в зазоре, образовавшемся в результате проявления, методом ионно-лучевого травления; удалением остатков золота методом жидкостного химического дотравливания; удалением резиста любым методом, позволяющим удалить резист; формированием элементов портов и интерфейсов смесителя по радиочастоте и промежуточной частоте методами обратной электронной литографии и фотолитографии; формированием маски из моноокиси кремния (SiO), определяющей ширину болометра; удалением золота (Au) и нитрида ниобия (NbN) по полю поочередным ионно-лучевым, жидкостным химическим и плазмохимическим травлением.