СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПУЧКОВОГО ПЕРЕХОДА, ПУЧКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

1. Способ изготовления пучкового перехода, в котором на полупроводниковой подложке выполняют N>1 отдельных однотипных переходов, объединяют их в параллельную цепь посредством токовых электродов, характеризующийся тем, что объем каждого однотипного перехода, выбирают меньше объема, содержащего наиболее опасный характерный доминирующий дефект в полупроводниковой базе.
m
m
a
a
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что число переходов N выбирают из соотношения N≥Shck, где S - рабочая площадь поверхности полупроводниковой подложки, на которой формируются переходы, h - ширина перехода, с - объемная концентрация дефектов или примесей, k=2, 3,…, k а величина k=1/сν, ν - атомный объем материала, 1/с - объем, приходящийся на один дефект.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что расстояние между отдельными однотипными переходами больше поперечного размера наиболее опасного характерного доминирующего типа дефекта в полупроводниковой базе.
4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что расстояние между отдельными однотипными переходами выбирают менее удвоенной диффузионной длины.
2/3
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что число переходов N выбирают из соотношения составляет N≥(cV), где с - объемная концентрация дефектов, а V - объем полупроводниковой базы.
6. Способ по любому из пп.1, 2, 5, отличающийся тем, что толщину подложки выбирают менее 60 мкм.
7. Пучковый преобразователь электромагнитного излучения, содержащий по крайней мере один пучковый переход, выполненный на полупроводниковой подложке в соответствии со способом по любому из пп.1-7.