ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ВОЛОНОВОДНАЯ СТРУКТУРА

1. Высокочастотная волноводная структура, содержащая:
подложку (10);
первую и вторую проводящие линии (11, 12), размещенные в первом слое (A) на подложке (10); и
третью проводящую линию (13), размещенную в плоскости (G) симметрии между первой и второй проводящими линиями (11, 12), причем высота (h) каждой из первой и второй проводящих линий (11, 12) больше, чем ширина (w) каждой линии из первой и второй проводящих линий (11, 12).
2. Высокочастотная волноводная структура по п. 1, в которой третья проводящая линия (13) располагается во втором слое (B, C) выше или ниже первого слоя (A).
3. Высокочастотная волноводная структура по любому из предшествующих пунктов, в которой первая и вторая проводящие линии (11, 12) образуют первый волновод для моды щелевой линии, и при этом третья проводящая линия (13) вместе с первой и второй проводящими линиями (11, 12) образуют второй волновод для моды планарного волновода или моды копланарного волновода.
4. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой связь между первой и второй проводящими линиями (11, 12) сильнее, чем связь между первой или второй проводящими линиями (11, 12) по отношению к подложке (10).
5. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой электрическое поле моды щелевой линии в основном ограничено в промежутке между первой и второй проводящими линиями (11, 12).
6. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой электрическое поле моды щелевой линии является, по существу, нулевым в плоскости G симметрии первой и второй проводящих линий (11, 12).
7. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой высокочастотная волноводная структура интегрирована в КМОП/БиКМОП устройство.
8. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой первая и вторая проводящие линии (11, 12) образованы структурированным толстым металлическим слоем.
9. Структура диодного моста, соединяемая с высокочастотной волноводной структурой по любому из предшествующих пунктов, содержащая:
первую структуру (21) внутренних соединений между первой проводящей линией (11) и третьей проводящей линией (13), содержащую первый диод (23), соединенный своим катодом с третьей проводящей линией (13), и первый конденсатор (25), соединенный последовательно; и
вторую структуру (22) внутренних соединений между второй проводящей линией (12) и третьей проводящей линией (13), содержащей второй диод (24), соединенный своим анодом с третьей проводящей линией (13), и второй конденсатор (26), соединенный последовательно.
10. Структура диодного моста по п.9, в которой первый и второй конденсаторы (25, 26) расположены на двух промежуточных металлических слоях под первой и второй проводящими линиями (11, 12), соответственно.
11. Структура диодного моста по п. 9 или 10, в которой первый и второй диоды (23, 24) расположены в подложке (10) под первой и второй проводящими линиями (11, 12), соответственно.
12. Система формирования изображения/спектроскопии для анализа образца с использованием электромагнитного излучения в субтерагерцовом и/или терагерцовом диапазоне, содержащая:
передатчик для осуществления передачи электромагнитного излучения в субтерагерцовом и/или терагерцовом диапазоне на образец;
приемник (45), содержащий высокочастотный генератор (30) и структуру диодного моста (20) по любому из пп. 9-11, для приема электромагнитного излучения в субтерагерцовом и/или терагерцовом диапазоне от образца.
13. Система формирования изображения/спектроскопии по п. 12, в которой высокочастотный генератор (30) содержит нелинейную линию (32) передачи, чтобы генерировать сигнал с очень широким спектральным составом.
14. Система формирования изображения/спектроскопии по п. 12 или 13, в которой высокочастотный генератор (30) соединен с высокочастотной волноводной структурой (15) по любому из пп. 1-8.
15. Способ изготовления высокочастотной волноводной структуры, содержащий этапы:
обеспечения подложки (10);
обеспечения диэлектрического материала (14) на подложке (10);
обеспечения толстого металлического слоя в первом слое (A) на диэлектрическом материале (14),
обработки первой и второй проводящих линий (11, 12) путем структурирования толстого металлического слоя, причем высота каждой из первой и второй проводящих линий (11, 12) превышает ширину каждой из первой и второй проводящих линий (11, 12); и
обработки третьей проводящей линии (13), размещенной в плоскости (G) симметрии между первой и второй проводящими линиями (11, 12), до или после обработки первой и второй проводящих линий (11, 12).