УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВВЕДЕНИЯ РЕАКЦИОНЫХ ГАЗОВ В РЕАКЦИОННУЮ КАМЕРУ И ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ РЕАКТОР, В КОТОРОМ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ УКАЗАННОЕ УСТРОЙСТВО

1. Эпитаксиальный реактор (4) с реакционной камерой (40), содержащий:
устройство (1) для введения реакционных газов в реакционную камеру реактора, причем устройство содержит газоподводящую трубку (2),
средства, обеспечивающие образование потока реакционного газа внутри газоподводящей трубки (2) для того, чтобы ввести реакционный газ в реакционную камеру (40), и
охлаждающий элемент (3), расположенный на одном конце подводящей трубки (2) и обеспечивающий охлаждение подводящей трубки (2) и, таким образом, проходящего внутри трубки газа,
отличающийся тем, что подводящая трубка (2) не проходит внутри реакционной камеры (40).
2. Реактор по п.1, который содержит единственную трубку (2) для подведения единственного реакционного газа.
3. Реактор по п.1 или 2, в котором охлаждающий элемент (3) содержит оболочку (31, 32, 33), которая окружает один конец подводящей трубки (2).
4. Реактор по п.3, в котором оболочка (31, 32, 33) определяет границы полости и содержит средства (34, 35, 36), обеспечивающие возможность входа в нее, циркуляцию внутри и выход охлаждающей жидкости из полости (30).
5. Реактор по п.4, в котором охлаждающая среда является газообразной или жидкой.
6. Реактор по п.4 или 5, в котором средства включают входное отверстие (34) и выходное отверстие (35), причем отверстия образованы в оболочке (31, 32, 33).
7. Реактор по п.3, в котором оболочка (31, 32, 33) имеет по существу форму цилиндра (32), причем ось оболочки (31, 32, 33) и ось подводящей трубки (2) по существу параллельны и предпочтительно по существу совпадают.
8. Реактор по п.7, в котором оболочка (31, 32, 33) ограничена с одной стороны колпаком (31).
9. Реактор согласно п.6, в котором отверстия (34, 35) образованы со стороны (33) оболочки (31, 32, 33), расположенной напротив колпака (31).
10. Реактор по п.6, который содержит циркуляционную трубку (36), соединенную с входным отверстием (34) и проходящую внутри оболочки (31, 32, 33) в полость (30) от входного отверстия (34) предпочтительно до колпака (31).
11. Реактор по п.10, в котором циркуляционная трубка (36) также проходит за пределы оболочки (31, 32, 33).
12. Реактор по п.1, в котором подводящая трубка (2) выступает из охлаждающего элемента (3), в частности из оболочки (31, 32, 33), на небольшое расстояние с одной стороны и на большое расстояние с другой стороны.
13. Реактор по п.1, в котором насадка (21A, 21B), способная пропускать газ и выполненная предпочтительно из графита или кварца, установлена на одном конце подводящей трубки (2) и/или на оболочке (31, 32, 33) вниз по потоку подводящей трубки (2).
14. Реактор по п.1, в котором подводящая трубка (2) и/или циркуляционная трубка (36) и/или оболочка (31, 32, 33) выполнена из металла, выбранного из группы, состоящей из тантала, ниобия, молибдена, вольфрама, ванадия, хрома или высокотемпературной хромистой стали.
15. Реактор по п.1, в котором реакционный газ представляет собой силан или хлоросилан или органосилан.
16. Реактор по п.1, который включает средства, обеспечивающие образование потока охлаждающей жидкости внутри полости (30) устройства (1), в частности, внутри циркуляционной трубки (36).
17. Реактор по п.1, в котором устройство (1) размещено, по меньшей мере, в одной трубке (6).
18. Реактор по п.17, в котором устройство (1) не находится в контакте с трубкой (6).
19. Реактор по п.17 или 18, в котором ось устройства (1) и ось трубки (6) являются по существу параллельными и предпочтительно по существу совпадают.
20. Реактор по п.17 или 18, который содержит средства, обеспечивающие образование потока газа в трубке (6).
21. Реактор по п.20, в котором средства обеспечивают образование потока водорода и/или гелия и/или аргона и/или соляной кислоты внутри трубки (6).
22. Реактор по п.17, в котором трубка (6) выполнена из кварца или графита и, в частности, покрыта слоем инертного и огнеупорного материала, предпочтительно карбидом кремния или карбидом тантала.
23. Реактор по п.17, в котором трубка (6) сообщается с реакционной камерой (40).
24. Реактор по п.1, который содержит стенки, которые определяют границы реакционной камеры (40), причем одна стенка (41) камеры имеет входное отверстие (42), и подводящая трубка (2) выходит из устройства (1) вблизи входного отверстия (42).
25. Реактор по п.24, в котором конец трубки (6) закрыт стенкой (41).
26. Реактор по п.24 или 25, в котором диаметр входного отверстия (42) больше, чем диаметр подводящей трубки (2).
27. Реактор по п.1, который содержит нагревающий купол (5) вниз по потоку устройства (1).
28. Реактор по п.27, в котором нагревающий купол (5) расположен вблизи входного отверстия (42) реакционной камеры (40) и предпочтительно внутри реакционной камеры (40).
29. Способ введения реакционного газа в реакционную камеру (40) эпитаксиального реактора (4), причем реакционный газ представляет собой, в частности, силан или хлоросилан или органосилан, отличающийся тем, что он включает охлаждение реакционного газа с помощью средств охлаждения (3) до температуры, в частности меньшей чем 300°C, перед входом в реакционную камеру (40).
30. Способ по п.29, отличающийся тем, что он включает нагревание реакционного газа посредством средств нагревания (5) до температуры выше, чем 1500°C, предпочтительно выше, чем 1800°C, вблизи входного отверстия в реакционную камеру (40).
31. Способ по п.30, отличающийся тем, что между средствами охлаждения (3) и средствами нагревания (5) газ подвергают высокому среднему температурному градиенту от 300 до 600°C/см.
32. Способ по п.29, или 30, или 31, отличающийся тем, что он включает обеспечение первого газового потока, содержащего реакционный газ, и второго газового потока, содержащего предпочтительно водород и/или гелий и/или аргон и/или соляную кислоту, при этом второй газовый поток обеспечивает окружение первого газового потока вблизи входного отверстия в реакционную камеру (40).