СПОСОБЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ХИМИЧЕСКИ УСТОЙЧИВЫХ ГЕРМЕТИЗИРУЮЩИХ КОМПОНЕНТОВ

1. Способ получения химически стойкого герметизирующего компонента, включающий:
нанесение последовательных слоев сореактивной композиции герметика заданной формы с использованием трехмерной печати; и
отверждение нанесенной сореактивной композиции герметика для получения химически стойкого герметизирующего компонента, причем
нанесение и отверждение включает обеспечение химического связывания и/или физического связывания прилегающих слоев последовательно нанесенных слоев;
нанесение включает экструзию сореактивной композиции герметика через сопло на подложку, причем сопло содержит наконечник;
нанесенный слой характеризуется толщиной первого слоя, когда расстояние между подложкой и наконечником сопла больше, чем толщина первого слоя;
нанесение дополнительно включает размещение наконечника сопла на расстоянии от подложки, которое меньше толщины первого слоя, и экструзию сореактивной композиции герметика через сопло; при этом
размещение сопла на расстоянии от подложки, которое меньше толщины первого слоя, и экструзия сореактивной композиции герметика через сопло формируют нанесенный слой, имеющий толщину второго слоя, при этом толщина второго слоя меньше толщины первого слоя.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что наконечник сопла дополнительно содержит компонент, спроектированный для сглаживания нанесенного слоя.
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что компонент выполнен с возможностью уменьшения средней волнистости 2Ra поверхности герметизирующего компонента до менее чем 10% от средней длины волны волнистости.
4. Способ по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что сореактивная композиция герметика имеет температуру менее 50°C при нанесении.
5. Способ по любому из пп. 1-4, отличающийся тем, что отверждение включает отверждение нанесенной сореактивной композиции герметика при температуре менее 30°C.
6. Способ по любому из пп. 1-5, отличающийся тем, что сореактивная композиция герметика содержит от 10 мас.% до 80 мас.% наполнителя, причем  мас.% основан на общей массе сореактивной композиции герметика.
7. Способ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что
сореактивная композиция герметика содержит от 3 об.% до 70 об.% наполнителя; и об.% основан на общем объеме сореактивной композиции герметика.
8. Способ по любому из пп. 1-7, отличающийся тем, что
средняя волнистость 2Ra поверхности герметизирующего компонента составляет менее 10% от средней длины волны волнистости;
среднюю волнистость 2Ra и среднюю длину волны волнистости определяют с помощью оптической профилометрии; и
верхняя поверхность относится к поверхности, обращенной к соплу во время нанесения.
9. Способ по п. 8, отличающийся тем, что
средняя волнистость 2Ra верхней поверхности герметизирующего компонента составляет менее 200 мкм;
средняя волнистость 2Ra определяется с помощью оптической профилометрии; и
верхняя поверхность относится к поверхности, обращенной к соплу во время нанесения.
10. Способ по любому из пп. 1-9, отличающийся тем, что герметизирующий компонент имеет удельный вес менее 1,3.
11. Способ по любому из пп. 1-10, отличающийся тем, что герметизирующий компонент демонстрирует набухание, определенное в соответствии с EN ISO 10563, менее 25 об.% после погружения в JRF типа III на 7 дней при 70°C.
12. Способ по любому из пп. 1-11, отличающийся тем, что герметизирующий компонент демонстрирует набухание, определенное в соответствии с EN ISO 10563, менее 10 об.% после погружения в 3% водный раствор NaCl на 7 дней при 70°C.
13. Способ по любому из пп. 1-12, отличающийся тем, энергия разрушения полностью отвержденного герметизирующего компонента по существу такая же, как и энергия разрушения отдельного слоя, при этом энергия разрушения определяется в соответствии с ASTM D7313.
g
14. Способ по любому из пп. 1-13, отличающийся тем, что герметизирующий компонент демонстрирует температуру стеклования Tg, определяемую методом динамического механического анализа (ДМА) с использованием аппарата TA Instruments Q800 с частотой 1 Гц, амплитудой 20 микрон и линейным изменением температуры от -80°C до 160°C, причем Tопределяется как пик на кривой тангенса δ, менее -20°C.