Материал на основе InGaAs на подложках InP для фотопроводящих антенн

Материал для фотопроводящих антенн, содержащий пленку LT-InGaAs, эпитаксиально выращенную при пониженной температуре на подложке InP, отличающийся тем, что используется подложка InP с кристаллографической ориентацией (n11)A, где n=1, 2, 3…; пленка LT-InGaAs легируется примесями с амфотерными свойствами (например, кремнием); выбирается соотношение потоков мышьяка и элементов III группы (галлия и индия) такое, чтобы выращенная пленка LT-InGaAs имела дырочный тип проводимости.