Способ изготовления МДП-транзистора с вертикальным каналом и с кольцевым затвором на КНИ-пленках

Способ изготовления МДП-транзистора с вертикальным каналом и с кольцевым затвором на КНИ-пленках, включающий травление первого слоя материала, осаждение второго слоя материала и осаждение третьего слоя материала, удаление третьего слоя материала с помощью химико-механической полировки, использование оставшейся части материала второго слоя, имеющей размер меньше, чем это позволяет достигать фотолитография, для травления полупроводниковой структуры, являющейся каналом для МДП-транзистора с вертикальным каналом и с кольцевым затвором, отличающийся тем, что, с целью увеличения быстродействия и радиационной стойкости МДП-транзистора, после формирования подзатворного диэлектрика на эту полупроводниковую структуру наносится легированный аморфный кремний таким образом, чтобы он полностью перекрывал полупроводниковую структуру, а толщина легированного аморфного кремния была равна или больше толщины полупроводниковой структуры, затем с помощью химико-механической полировки выравнивается структура, затем окисляется легированный аморфный кремний ниже уровня полупроводниковой структуры таким образом, чтобы получить полную диэлектрическую изоляцию между кольцевым затвором и контактной областью канала МДП-транзистора, при этом контактная область канала формируется над затворной областью и полностью изолирована диэлектриком.