Способ изготовления инверсного многослойного фотонно-кристаллического поглощающего покрытия для абсорбера солнечной энергии

Способ изготовления инверсного многослойного селективного поглощающего покрытия для солнечного коллектора, состоящего из тонких пленок титана, оксинитрида титана и опаловой матрицы, полученного интеграцией методов магнетронного распыления, седиментации и вертикального вытягивания, отличающийся тем, что тонкопленочный абсорбер солнечной энергии отделяется от ситалловой подложки для формирования на нем инверсного слоя, полученного травлением микросфер опаловой матрицы плавиковой кислотой, с целью увеличения активной площади абсорбера солнечной энергии.