Способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин

1. Способ осаждения коллоидных наночастиц золота на поверхность кремниевых полупроводниковых пластин, заключающийся в том, что наночастицы, имеющие в коллоидном растворе отрицательный заряд, могут быть нанесены на поверхность кремниевых пластин благодаря проведению процессов их предварительной ионно-плазменной обработки, вследствие которых на поверхности пластин возникает положительный заряд.
2. Способ по п. 1, в котором поверхностная плотность наночастиц золота контролируется временем нахождения коллоидного раствора золотых наночастиц на поверхности предварительно подвергнутых ионно-плазменной обработке кремниевых пластин.