ОЧИЩАЮЩИЕ КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ ИНДИВИДУАЛЬНОГО ПРИМЕНЕНИЯ, СОДЕРЖАЩИЕ ГАЛОГЕНИД АМИНОКИСЛОТЫ/ТРИМЕТИЛГЛИЦИНА ЦИНКА

1. Очищающая композиция для индивидуального применения, содержащая
a) эффективное для очищения кожи количество поверхностно-активного вещества и
b) галогенид Х цинка, присутствующий в количестве, обеспечивающем, по меньшей мере, 0,36 % по массе композиции цинка,
где X является аминокислотой или триметилглицином.
2. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где очищающая композиция является жидкой очищающей композицией.
3. Очищающая композиция для индивидуального применения по любому из предшествующих пунктов, где галогенид Х цинка образуется из предшественников, где предшественниками являются источник ионов цинка, источник X и источник галогенида, где источник галогенида может входить в состав источника ионов цинка, источника X или галогенной кислоты.
4. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 3, где источником ионов цинка является, по меньшей мере, один из оксида цинка, хлорида цинка, четырехосновного хлорида цинка, карбоната цинка, нитрата цинка, цитрата цинка и фосфата цинка.
5. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 4, где источником X является, по меньшей мере, одно из основной аминокислоты, лизина, аргинина, глицина и триметилглицина.
6. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где галогенид Х цинка получают посредством сочетания оксида цинка с гидрогалогенидом аминокислоты.
7. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где галогенид Х цинка получают посредством сочетания TBZC с гидрогалогенидом аминокислоты, аминокислотой или триметилглицином, необязательно галогенид Х цинка получают посредством сочетания TBZC с лизином, гидрохлоридом лизина или триметилглицином.
2
2
3
2
8. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где галогенид Х цинка имеет формулу ZnXHal или ZnXHal, где Zn является двухвалентным ионом цинка, и Hal является галогенид-ионом.
9. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где общее количество цинка, присутствующего в композиции, составляет от 0,36 до 10% по массе, необязательно от 0,37 до 10%, от 0,36 до 5%, от 0,37 до 5%, от 0,4 до 5%, от 0,4 до 2%, от 0,4 до 1%, от 0,5 до 5%, от 0,5 до 4%, от 0,5 до 3% или от 0,5 до 2% по массе.
10. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где галогенид Х цинка присутствует в количестве от 1,5 до 40% по массе композиции, необязательно от, по меньшей мере, 2, по меньшей мере, 3 или, по меньшей мере, 4 до 40% по массе композиции, или необязательно от 1,5 до 30%, до 20%, до 10%, до 5%, до 4%, до 3%, до 2% или до 1 по массе композиции.
11. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где молярное соотношение цинка к X в галогениде Х цинка составляет от 2:1 до 1:4, необязательно от 1:1 до 1:4, от 1:2 до 1:4, от 1:3 до 1:4, от 2:1 до 1:3, от 2:1 до 1:2, от 2:1 до 1:1 или 1:3.
12. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где галогенидом является хлорид.
13. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где галогенидом Х цинка является лизин хлорид цинка.
2
2
3
2
14. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где галогенидом Х цинка является ZnЛизинCl или ZnЛизинCl.
15. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где композиция обеспечивает фактор защиты от солнца кожи, по меньшей мере, 2, после очищения кожи посредством очищающей композиции, необязательно солнцезащитный фактор составляет, по меньшей мере, 3, по меньшей мере, 4 или, по меньшей мере, 5, или, по меньшей мере, 6, или, по меньшей мере, 7, или, по меньшей мере, 8, или, по меньшей мере, 9, или, по меньшей мере, 10, или, по меньшей мере, 12, или, по меньшей мере, 15, или по меньшей мере, 20, или, по меньшей мере, 25.
16. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1, где композицией является средство для мытья тела или гель для душа.
17. Способ уменьшения наносимого коже вреда от солнечных лучей или защиты кожи от солнечного ожога или вреда от солнечных лучей, включающий очищение кожи с помощью жидкой очищающей композиции перед воздействием солнечных лучей по любому из предшествующих пунктов.
18. Способ уничтожения бактерий, включающий приведение в контакт бактерий с композицией по любому из пп. 1-16.
19. Способ уменьшения потоотделения, включающий очищение кожи с помощью композиции по любому из пп. 1-16.
20. Применение галогенида Х цинка для уменьшения или предотвращения солнечного ожога, где X является аминокислотой или триметилглицином.
21. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1 для применения с целью уменьшения наносимого коже вреда от солнечных лучей или защиты кожи от солнечного ожога или вреда от солнечных лучей, включающего очищение кожи с помощью жидкой очищающей композиции по п. 1 перед воздействием солнечных лучей.
22. Очищающая композиция для индивидуального применения по п. 1 для применения с целью уничтожения бактерий, включающего приведение в контакт бактерий с композицией по п. 1.