СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО ТАНТАЛАТА

1. Способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого танталата методом Чохральского, включающий загрузку в тигель предварительно синтезированного материала, соответствующего стехиометрическому составу выращиваемых кристаллов, создание защитной атмосферы, последующее расплавление материала, введение вращающегося затравочного ориентированного кристалла в контакт с поверхностью расплава, вытягивание ориентированного кристалла из расплава, отличающийся тем, что перед введением затравочного кристалла в контакт расплавленный материал выдерживают в течение 20-24 ч, защитную атмосферу создают с использованием смеси аргона или азота с добавлением кислорода в количестве 1-3 об.% при общем давлении 1,4-1,8 атм, которое перед контактированием затравочного кристалла с расплавом уменьшают до значения из диапазона 1,00-1,02 атм.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что затравочный ориентированный кристалл вращают с частотой 20-28 об./мин.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве затравочного ориентированного кристалла используют кристалл лантангаллиевого танталата с ориентацией, выбранной из ряда <01,1>±2°, <02,3>±7°.