СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБРАБОТАННОЙ ПОВЕРХНОСТИ И ВАКУУМНЫЕ ИСТОЧНИКИ ПЛАЗМЫ

1. Способ изготовления обработанной поверхности, содержащий:
обеспечение рабочего пространства внутри вакуумного приемника, в нем анода с анодной поверхностью из металла и катода, причем упомянутый металл устанавливает первый удельный импеданс по постоянному току;
установление в упомянутом рабочем пространстве атмосферы газа или газовой смеси при желательном давлении или при желательных парциальных давлениях;
генерирование плазменного разряда в упомянутом рабочем пространстве путем подачи между упомянутым анодом и упомянутым катодом электрического сигнала питания, содержащего постояннотоковую составляющую;
обработку поверхности с помощью упомянутого плазменного разряда, с образованием тем самым в упомянутом рабочем пространстве твердого вещества, имеющего второй удельный электрический импеданс по постоянному току, который выше, чем упомянутый первый удельный импеданс по постоянному току,
отличающийся созданием по меньшей мере одного участка упомянутой анодной поверхности, экранированного от упомянутого твердого вещества путем генерирования отдельной экранирующей плазмы на упомянутом по меньшей мере одном участке, протяженность которой, по существу, ограничена упомянутым по меньшей мере одним участком.
2. Способ по п.1, содержащий генерирование упомянутой экранирующей плазмы выполнением упомянутого экранируемого участка в виде участка поверхности полости, имеющей отверстие, открытое в упомянутое рабочее пространство, и генерированием в упомянутой полости упомянутой отдельной экранирующей плазмы исключительно за счет соответствующего выбора размеров упомянутой полости.
3. Способ по п.1, содержащий генерирование упомянутой экранирующей плазмы выполнением упомянутого экранируемого участка в виде участка поверхности полости, имеющей отверстие, открытое в упомянутое рабочее пространство, и генерированием в упомянутой полости упомянутой отдельной экранирующей плазмы созданием в упомянутой полости магнитного поля.
4. Способ по п.1, содержащий генерирование упомянутой экранирующей плазмы выполнением упомянутого экранируемого участка в виде участка поверхности полости, имеющей отверстие, открытое в упомянутое рабочее пространство, и генерированием в упомянутой полости упомянутой отдельной экранирующей плазмы за счет введения по меньшей мере части упомянутого газа или упомянутой газовой смеси через упомянутую полость в упомянутое рабочее пространство.
5. Способ по п.1, содержащий генерирование упомянутой экранирующей плазмы инжектированием по меньшей мере части упомянутого газа или упомянутой газовой смеси через по меньшей мере одно впускное отверстие в упомянутой анодной поверхности в упомянутое рабочее пространство, причем упомянутая отдельная экранирующая плазма содержит плазму возле и вокруг упомянутого по меньшей мере одного впускного отверстия на упомянутой анодной поверхности.
6. Способ по любому из пп.1-5, дополнительно содержащий выполнение упомянутой анодной поверхности по меньшей мере, по существу, упомянутым по меньшей мере одним экранируемым участком.
7. Способ по любому из пп.1-5, дополнительно содержащий снабжение упомянутой анодной поверхности протяженным участком, смежным с упомянутым по меньшей мере одним экранируемым участком, с тем, чтобы гибко осуществлять обработку поверхности, во время которой упомянутое твердое вещество не образуется.
8. Способ по любому из пп.1-5, дополнительно содержащий обеспечение более чем одного из упомянутых экранируемых участков и установление упомянутой отдельной экранирующей плазмы по выбору на части из упомянутых более чем одного экранируемых участков.
9. Способ по п.8, дополнительно содержащий автоматическое выполнение упомянутого выбора в зависимости от набора параметров, определяющих преобладающую обработку упомянутой поверхности.
10. Способ по п.2 или 3, содержащий протекание по меньшей мере части упомянутого газа или упомянутой газовой смеси через по меньшей мере одну из упомянутой по меньшей мере одной полости в упомянутое рабочее пространство.
11. Способ по любому из пп.1-4, дополнительно содержащий протекание по меньшей мере части упомянутого газа или упомянутой газовой смеси в упомянутую полость и из упомянутой полости через ступень давления в упомянутое рабочее пространство.
12. Способ по любому из пп.1-5, содержащий поддержание упомянутого плазменного разряда напряжением питания самое большее 200 В.
13. Способ по п.12, в котором упомянутое напряжение выбирают составляющим самое большее 100 В.
14. Способ по любому из пп.1-5, в котором упомянутая обработка упомянутой поверхности содержит нанесение покрытия.
15. Способ по п.14, в котором упомянутая обработка упомянутой поверхности содержит нанесение покрытия материалом, содержащим по меньшей мере один из нитрида, борида, карбида, оксида металла или их смесей.
16. Способ по п.15, в котором упомянутый металл содержит алюминий или состоит из алюминия.
17. Способ по любому из пп.1-5, дополнительно содержащий установление упомянутого плазменного разряда как одного из катодного дугового разряда или тлеющего разряда с использованием катода прямого накала.
18. Способ по любому из пп.1-5, содержащий охлаждение упомянутого анода охлаждающей средой, протекающей по системе каналов охлаждающей среды в упомянутом аноде.
19. Вакуумный источник плазмы, имеющий источник плазменного разряда, содержащий катод и анод, причем анод содержит анодную поверхность и по меньшей мере две полости в упомянутой анодной поверхности.
20. Источник плазмы по п.19, в котором упомянутая анодная поверхность содержит протяженный участок поверхности, смежный с упомянутыми по меньшей мере двумя полостями.
21. Источник плазмы по п.19, в котором упомянутая анодная поверхность, по существу, состоит из поверхностей упомянутых по меньшей мере двух полостей.
22. Источник плазмы по п.19, в котором упомянутая анодная поверхность содержит впуск газа, выходящий в по меньшей мере одну из упомянутых по меньшей мере двух полостей.
23. Источник плазмы по п.22, в котором упомянутая по меньшей мере одна из упомянутых по меньшей мере двух полостей содержит ступень давления для упомянутого газа между упомянутым впуском газа и окружением упомянутой анодной поверхности.
24. Источник плазмы по любому из пп.19-23, дополнительно содержащий смежно с по меньшей мере одной из упомянутых по меньшей мере двух полостей магнитное устройство, создающее магнитное поле в по меньшей мере одной из упомянутых по меньшей мере двух полостей.
25. Источник плазмы по п.24, в котором упомянутое магнитное устройство является управляемым для создания упомянутого магнитного поля управляемо изменяемым.
26. Источник плазмы по любому из пп.19-23, в котором упомянутые по меньшей мере две полости имеют разные геометрические размеры.
27. Источник плазмы по п.24, в котором упомянутые по меньшей мере две полости имеют разные геометрические размеры.
28. Вакуумный источник плазмы, имеющий источник плазменного разряда, включающий в себя катод и анод, причем анод содержит анодную поверхность, а упомянутая анодная поверхность содержит в себе по меньшей мере одну полость и протяженный участок поверхности, смежный с упомянутой по меньшей мере одной полостью.
29. Источник плазмы по п.28, содержащий впуск газа, выходящий в упомянутую по меньшей мере одну полость.
30. Источник плазмы по п.29, в котором упомянутая по меньшей мере одна полость содержит ступень давления между упомянутым впуском газа и окружением упомянутой анодной поверхности.
31. Источник плазмы по любому из пп.28-30, дополнительно содержащий смежно с упомянутой по меньшей мере одной полостью магнитное устройство, создающее магнитное поле в упомянутой по меньшей мере одной полости.
32. Источник плазмы по п.31, в котором упомянутое магнитное устройство является управляемым так, чтобы создавать упомянутое магнитное поле управляемо изменяемым.
33. Источник плазмы по п.31, содержащий по меньшей мере две упомянутые полости.
34. Источник плазмы по п.33, в котором по меньшей мере две из упомянутых по меньшей мере двух полостей выполнены с разными геометрическими размерами.
35. Вакуумный источник плазмы, имеющий источник плазменного разряда с катодом и анодом, причем анод содержит анодную поверхность, а упомянутая анодная поверхность содержит по меньшей мере одну полость и впуск газа, выходящий в упомянутую полость.
36. Источник плазмы по п.35, содержащий ступень давления между упомянутым впуском газа и окружением упомянутой анодной поверхности.
37. Источник плазмы по п.35 или 36, в котором упомянутая анодная поверхность содержит протяженный участок поверхности, смежный с упомянутой по меньшей мере одной полостью.
38. Источник плазмы по п.35 или 36, в котором упомянутая анодная поверхность, по существу, состоит из упомянутой по меньшей мере одной полости.
39. Источник плазмы по п.35 или 36, в котором имеется смежно с упомянутой по меньшей мере одной полостью магнитное устройство, создающее магнитное поле в упомянутой по меньшей мере одной полости.
40. Источник плазмы по п.39, в котором упомянутое магнитное устройство является управляемым для создания упомянутого магнитного поля управляемо изменяемым.
41. Источник плазмы по п.35 или 36, содержащий по меньшей мере две упомянутых полости.
42. Источник плазмы по п.41, в котором по меньшей мере две из упомянутых по меньшей мере двух полостей выполнены с разными размерами.
43. Источник плазмы по любому из пп.19-23, 28-30, 35 и 36, в котором упомянутые анод и катод при работе подсоединены к блоку электрического питания, генерирующему выходной сигнал с постояннотоковой составляющей.
44. Источник плазмы по п.43, в котором упомянутая постояннотоковая составляющая представляет собой ток по меньшей мере 50 А при напряжении самое большее 200 В.
45. Источник плазмы по любому из пп.19-23, 28-30, 35 и 36, дополнительно содержащий систему охлаждающих каналов в упомянутом аноде.
46. Источник плазмы по любому из пп.19-23, 28-30, 35 и 36, в котором упомянутый источник плазменного разряда является источником катодного дугового разряда.
47. Источник плазмы по любому из пп.19-23, 28-30, 35 и 36, в котором упомянутый источник плазменного разряда является источником катодного разряда прямого накала.