ТЕХНОЛОГИЯ СОЗДАНИЯ СОЕДИНЕНИЙ СКВОЗЬ МАТРИЦУ ЯЧЕЕК ПАМЯТИ В ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОМ ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ

1. Энергонезависимое запоминающее устройство, содержащее:
матрицу ячеек памяти, имеющую в составе пакет чередующихся диэлектрических и электропроводных слоев, выполненный на изоляционном слое, при этом матрица ячеек памяти дополнительно содержит область матрицы ячеек памяти и периферийную область;
структуру, выполненную по меньшей мере под одной из области матрицы ячеек памяти и периферийной областью и электрически соединенную с другим компонентом энергонезависимого запоминающего устройства; и
проходящее через матрицу сквозное отверстие, выполненное по меньшей мере в одной из области матрицы ячеек памяти и периферийной области; где по меньшей мере одна линия доступа матрицы ячеек памяти проложена через это сквозное отверстие.
2. Энергонезависимое запоминающее устройство по п. 1, отличающееся тем, что указанное проходящее через матрицу сквозное отверстие выполнено по меньшей мере в периферийной области.
3. Энергонезависимое запоминающее устройство по п. 1, отличающееся тем, что указанный другой компонент содержит драйверную схему для управления по меньшей мере одной цепочкой ячеек памяти в составе матрицы ячеек памяти.
4. Энергонезависимое запоминающее устройство по п. 3, отличающееся тем, что:
матрица ячеек памяти составлена по меньшей мере из первой и второй матриц ячеек памяти, каждая из которых содержит несколько ячеек памяти; и
драйверная схема используется совместно первой и второй матрицами ячеек памяти, и эта драйверная схема конфигурирована для управления ячейками памяти в этих матрицах.
5. Энергонезависимое запоминающее устройство по п. 1, отличающееся тем, что матрица ячеек памяти содержит вертикальный пакет ячеек памяти.
6. Энергонезависимое запоминающее устройство по п. 1, отличающееся тем, что:
пакет чередующихся диэлектрических и электропроводных слоев имеет верхнюю поверхность;
проходящее через матрицу сквозное отверстие содержит по меньшей мере одну канавку с большим коэффициентом формы, протяженную от верхней поверхности к указанной структуре; и
указанная канавка по меньшей мере частично заполнена по меньшей мере одним изоляционным материалом.
2
7. Энергонезависимое запоминающее устройство по п. 6, отличающееся тем, что указанный по меньшей мере один изоляционный материал представляет собой сочетание борфосфорсиликатного стекла, SiO и наносимого на центрифуге диэлектрика.
8. Энергонезависимое запоминающее устройство по п. 6, отличающееся тем, что:
в изоляционном материале создан по меньшей мере один канал; и
в указанном по меньшей мере одном канале выполнен по меньшей мере один электропроводный материал.
9. Энергонезависимое запоминающее устройство по п. 8, отличающееся тем, что указанный по меньшей мере один электропроводный материал выполнен в форме по меньшей мере одного первого электропроводного слоя и по меньшей мере одного второго электропроводного слоя, осажденного на указанный по меньшей мере один первый электропроводный слой.
10. Энергонезависимое запоминающее устройство по п. 8, дополнительно содержащее по меньшей мере один барьерный слой, выполненный между по меньшей мере одним электропроводным материалом и пакетом из чередующихся диэлектрических и электропроводных слоев.
11. Энергонезависимое запоминающее устройство по п. 10, отличающееся тем, что указанный по меньшей мере один барьерный слой выполнен из барьерного материала, выбранного из группы, содержащей нитрид титана, нитрид тантала, нитрид вольфрама, вольфрам и их сочетания.
12. Энергонезависимое запоминающее устройство по п. 9, дополнительно содержащее по меньшей мере один барьерный слой, выполненный между первым электропроводным слоем и пакетом из чередующихся диэлектрических и электропроводных слоев, где указанный по меньшей мере один барьерный слой выполнен из барьерного материала, выбранного из группы, содержащей нитрид титана, нитрид тантала, нитрид вольфрама, вольфрам и их сочетания.
13. Энергонезависимое запоминающее устройство по п. 1, отличающееся тем, что по меньшей мере одна из линий доступа представляет собой по меньшей мере одно - истоковую шину, числовую шину, линию вентиля выбора истока и линию вентиля выбора стока.
14. Способ изготовления энергонезависимого запоминающего устройства, содержащий:
создание матрицы ячеек памяти, имеющей в составе пакет чередующихся диэлектрических и электропроводных слоев, выполненный на изоляционном слое, матрица ячеек памяти дополнительно содержит область матрицы ячеек памяти и периферийную область;
формирование по меньшей мере одного проходящего через матрицу ячеек памяти сквозного отверстия по меньшей мере в области собственно матрицы ячеек памяти и/или периферийной области, при этом это сквозное отверстие проходит от верхней поверхности пакета чередующихся диэлектрических и электропроводных слоев к структуре, расположенной под по меньшей мере одной из области матрицы ячеек памяти и периферийной областью, причем эта структура электрически соединена с другим компонентом энергонезависимого запоминающего устройства;
где указанное сквозное отверстие конфигурировано таким образом, чтобы можно было электрически соединить по меньшей мере одну линию доступа из состава матрицы ячеек памяти с указанной структурой.
15. Способ по п. 14, отличающийся тем, что матрица ячеек памяти содержит вертикальный пакет ячеек памяти.
16. Способ по п. 14, отличающийся тем, что:
указанный другой компонент содержит драйверную схему для управления по меньшей мере одной цепочкой ячеек памяти в составе матрицы ячеек памяти;
матрица ячеек памяти составлена по меньшей мере из первой и второй матриц ячеек памяти, каждая из которых содержит несколько ячеек памяти; и
драйверная схема используется совместно первой и второй матрицами ячеек памяти, и эта драйверная схема конфигурирована для управления ячейками памяти в этих матрицах.
17. Способ по п. 15, отличающийся тем, что:
пакет чередующихся диэлектрических и электропроводных слоев имеет верхнюю поверхность, и указанное сквозное отверстие проходит от верхней поверхности к структуре; и
создание указанного по меньшей мере одного проходящего через матрицу сквозного отверстия содержит формирование по меньшей мере одной канавки с большим коэффициентом формы, проходящей от верхней поверхности пакета чередующихся диэлектрических и электропроводных слоев к структуре.
18. Способ по п. 17, отличающийся тем, что создание по меньшей мере одной канавки с большим коэффициентом формы содержит травление чередующихся диэлектрических и электропроводных слоев способом сухого травления.
19. Способ по п. 18, отличающийся тем, что создание проходящего сквозь матрицу ячеек памяти сквозного отверстия дополнительно содержит заполнение указанной по меньшей мере одной канавки с большим коэффициентом формы по меньшей мере одним изоляционным материалом.
20. Способ по п. 19, отличающийся тем, что заполнение указанной по меньшей мере одной канавки с большим коэффициентом формы содержит:
осаждение борфосфорсиликатного стекла по меньшей мере в одну канавку с большим коэффициентом формы;
осаждение тетраэтилортосиликата на борфосфорсиликатное стекло способом химического осаждения из паровой фазы;
преобразование тетраортосиликата в оксид кремния; и
и осаждение наносимого на центрифуге диэлектрического материала на поверхность по меньшей мере оксида кремния и/или борфосфорсиликатного стекла.
21. Способ по п. 19, отличающийся тем, что создание по меньшей мере одного проходящего через матрицу сквозного отверстия дополнительно содержит выполнение по меньшей мере один канала в указанном по меньшей мере одном изоляционном материале, так что указанный канал проходит от верхней поверхности указанного по меньшей мере одного изоляционного материала к указанному компоненту.
22. Способ по п. 21, отличающийся тем, что создание указанного по меньшей мере одного проходящего через матрицу сквозного отверстия содержит заполнение указанного по меньшей мере одного канала по меньшей мере одним электропроводным материалом.
23. Способ по п. 22, отличающийся тем, что указанный по меньшей мере один электропроводный материал выполнен в форме по меньшей мере одного первого электропроводного слоя и по меньшей мере одного второго электропроводного слоя, осажденного на указанный по меньшей мере один первый электропроводный слой.
24. Энергонезависимое запоминающее устройство по п. 23, отличающееся тем, что первый электропроводный слой выполнен из титана, а второй электропроводный слой выполнен из вольфрама.
25. Способ по любому из пп. 22 и 24, дополнительно содержащий создание по меньшей мере одного барьерного слоя, выполненного между первым электропроводным слоем и пакетом из чередующихся диэлектрических и электропроводных слоев.