СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ИСТОКОВОЙ ОБЛАСТИ БСИТ-ТРАНЗИСТОРА

2
2
2
Способ формирования истоковой области транзистора, включающий осаждение борсодержащих пленок из твердого планарного источника, содержащего соединения бора, отличающийся тем, что в качестве источника бора используют предварительно окисленный твердый планарный источник, пленку осаждают из газовой фазы, дополнительно содержащей окись азота, при следующем количественном соотношении компонентов, л/ч: N - 200 л/ч; O - 80 л/ч; Н - 4,5 л/ч; а температуру подложек при этом поддерживают в интервале 600-650°C.