СПОСОБ ОПТИМИЗАЦИИ ПРОЦЕССА ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ПОЛУЧЕНИЯ НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

4
2
Способ получения регулярных систем нитевидных кристаллов полупроводников, заключающийся в том, что на монокристаллическую пластину кремния напыляют пленку золота (платины) толщиной 400-500 Å, затем на нее наносят слой фоторезиста в котором гравируют «окна», далее в «окна» электрохимически осаждают примесь, островки которой сплавляют при температуре Т=1000-1100°C в течении 10-30 мин, а выращивание НК производят при температурах Т=1000-1100°C и при мольном отношении [SiCl]:[H]=0,01 отличающийся тем, что кристаллы выращивают с «метками времени», затем анализируют изменения скорости удлинения НК во времени и подбирают оптимальное пересыщение.