КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ, СОДЕРЖАЩАЯ ПОЛИВИНИЛФОСФОНОВУЮ КИСЛОТУ И ЕЕ ПРОИЗВОДНЫЕ

1. Композиция для химико-механического полирования (ХМП), содержащая:
(A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или композит,
1
2
(B) по меньшей мере один тип органического полимерного соединения в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, содержащего фрагмент фосфоната (-P(=O)(OR)(OR)) или фосфоновой кислоты (-P(=O)(OH)2) или их депротонированные формы в качестве боковых групп,
1
где R представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
2
R представляет собой H, алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
и
(C) водную среду.
2. Композиция ХМП по п. 1, где композиция ХМП не содержит или содержит менее чем 0,5 част./млн - в расчете на общую массу соответствующей композиции ХМП - сополимера полиэтиленоксида и полипропиленоксида.
3. Композиция ХМП по п. 1, в которой
2
(B) представляет собой по меньшей мере один тип органического полимерного соединения в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, содержащего фрагмент фосфоновой кислоты (-Р(=O)(OH)) или их депротонированные формы в качестве боковых групп.
4. Композиция ХМП по п. 1, в которой
(B) представляет собой
(B1) по меньшей мере один тип поливинилфосфоновой кислоты формулы (I) или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, причем n является целым числом от 5 до 1000,
и/или
(B2) по меньшей мере один тип сополимера, содержащего
(M1) винилфосфоновую кислоту и
(M2) по меньшей мере один тип другого мономера, в качестве мономерных звеньев, или соль этого сополимера в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда.
5. Композиция ХМП по п. 1, в которой
(B) представляет собой
(B2) по меньшей мере один тип сополимера, содержащего
(M1) винилфосфоновую кислоту и
(M2) по меньшей мере один тип другого мономера, в качестве мономерных звеньев, или соль этого сополимера в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда.
6. Композиция ХМП по п. 1, в которой
(B) представляет собой
(B2A) по меньшей мере один тип сополимера, содержащего
(M1) винилфосфоновую кислоту и
(M2) по меньшей мере один тип мономера, выбираемого из группы, состоящей из винилароматических соединений, винилзамещенных гетероциклических соединений, акрилатов, метакрилатов, акриламидов, метакриламидов, акриловой кислоты, метакриловой кислоты, простых виниловых эфиров, винилзамещенных соединений сахаров,
в качестве мономерных звеньев, или соль этого сополимера в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда.
7. Композиция ХМП по п. 1, в которой
(B) представляет собой
(B2a) по меньшей мере один тип сополимера, содержащего винилфосфоновую кислоту и акриловую кислоту в качестве мономерных звеньев, или соль этого сополимера в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда.
8. Композиция ХМП по п. 1, в которой среднемассовая молекулярная масса (B) находится в интервале от 1000 до 20000 Дальтон, как определено с помощью гельпроникающей хроматографии.
9. Композиция ХМП по п. 1, в которой частицы (A) являются частицами диоксида церия.
10. Композиция ХМП по п. 1, в которой частицы (A) обладают средним размером частиц от 50 до 250 нм, как определено с помощью динамического рассеяния света.
11. Композиция ХМП по п. 1, в которой значение pH композиции ХМП составляет от 5,5 до 9.
12. Композиция по любому из пп. 1-11, в которой композиция ХМП дополнительно содержит сахарный спирт в качестве подавителя полирования SiN (D1).
13. Композиция ХМП по п. 1 или 2, содержащая:
(A) частицы диоксида церия, обладающие средним размером частиц от 50 до 250 нм, как определено с помощью динамического рассеяния света, в количестве от 0,05 до 4 мас. % по весу композиции ХМП,
(B) поливинилфосфоновую кислоту формулы (I), или ее соль в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, причем n является целым числом от 5 до 1000, в количестве от 10 до 800 част./млн по весу композиции ХМП, и
(C) водную среду.
14. Композиция ХМП по п. 1 или 2, содержащая:
(A) частицы диоксида церия, обладающие средним размером частиц от 50 до 250 нм, как определено с помощью динамического рассеяния света, в количестве от 0,05 до 4 мас. % по весу композиции ХМП,
(B) сополимер, содержащий винилфосфоновую кислоту и акриловую кислоту в качестве мономерных звеньев или соль этого сополимера в качестве диспергирующего агента или агента для обращения заряда, в количестве от 10 до 800 част./млн по весу композиции ХМП, и
(C) водную среду.
15. Способ изготовления полупроводниковых устройств, включающий в себя химико-механическое полирование субстрата в присутствии композиции ХМП, определенной в любом из пп. 1-14.
16. Применение композиции ХМП, определенной в любом из пп. 1-14 для химико-механического полирования субстрата, содержащего нитрид кремния и/или поликремний.