ПОКРЫТЫЙ КАРБИДОМ ТАНТАЛА УГЛЕРОДНЫЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Покрытый карбидом тантала углеродный материал, содержащий:
углеродную подложку; и покрывающую пленку карбида тантала, которая обеспечена на углеродной подложке,
причем покрывающая пленка карбида тантала имеет максимальную величину пика, по меньшей мере, 80° при угле ориентации плоскости (311), соответствующей дифракционному пику карбида тантала, как определено с помощью рентгеновской дифракции.
2. Покрытый карбидом тантала углеродный материал по п.1, где
покрывающая пленка карбида тантала имеет максимальную величину пика, по меньшей мере, 80° при угле ориентации плоскости (220), соответствующей дифракционному пику карбида тантала, как определено с помощью рентгеновской дифракции.
3. Покрытый карбидом тантала углеродный материал по п.1 или 2, где
сумма интенсивностей дифракции плоскости (311) и плоскости (220) кристаллов карбида тантала в рентгенограмме составляет не ниже чем 0,5 и не выше чем 0,9 по сравнению с полной суммой интенсивностей дифракции всех кристаллических плоскостей кристаллов карбида тантала в рентгенограмме.
4. Покрытый карбидом тантала углеродный материал по любому из пп.1 или 2, где
интенсивность дифракционной линии, соответствующей плоскости (311) или плоскости (220) в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала, является максимальной.
5. Покрытый карбидом тантала углеродный материал по любому из пп.1 или 2, где
в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала величина полуширины дифракционной линии плоскости (311) или плоскости (220) составляет 0,2° или ниже.
6. Покрытый карбидом тантала углеродный материал, содержащий:
углеродную подложку; и покрывающую пленку карбида тантала, которая обеспечена на углеродной подложке,
причем кристаллические зерна, составляющие покрывающую пленку карбида тантала, постепенно увеличиваются в размере от поверхности углеродной подложки к внешней поверхности покрывающей пленки карбида тантала.
7. Способ изготовления покрытого карбидом тантала углеродного материала путем формирования покрывающей пленки карбида тантала на углеродной подложке, где данный способ включает:
этап формирования кристаллического зародыша, на котором формируются кристаллические зародыши карбида тантала на поверхности углеродной подложки; и этап роста кристаллов, на котором осуществляют кристаллический рост кристаллических зародышей карбида тантала после этапа формирования кристаллического зародыша,
причем этап роста кристаллов имеет этап нагрева, где постепенно увеличивают производственную температуру.
8. Способ изготовления по п.7, где
на этапе формирования кристаллического зародыша кристаллические зародыши карбида тантала формируют при температурах от 850 до 950°C.
9. Способ изготовления по п.7 или 8, где
этап нагрева включает в себя разницу температур 50°C или больше.
10. Способ изготовления по любому из пп.7 или 8, где
после этапа нагрева поддерживают производственную температуру конца этапа нагрева.
11. Способ изготовления по любому из пп.7 или 8, где
на этапе нагрева производственную температуру увеличивают с постоянной скоростью.
12. Способ изготовления покрытого карбидом тантала углеродного материала путем образования покрывающей пленки карбида тантала на углеродной подложке посредством процесса формирования покрывающей пленки карбида тантала,
где данный процесс формирования покрывающей пленки карбида тантала включает:
первый процесс формирования, где формируют первую покрывающую пленку карбида тантала на поверхности углеродной подложки; и
второй процесс формирования, где формируют, по меньшей мере, одну покрывающую пленку карбида тантала на первой покрывающей пленке карбида тантала, причем первая покрывающая пленка карбида тантала имеет максимальную величину пика, по меньшей мере, 80° при угле ориентации плоскости (311), соответствующей дифракционному пику карбида тантала, как определено с помощью рентгеновской дифракции.
13. Способ изготовления по п.12, где
первый процесс формирования и второй процесс формирования выполняют, поддерживая покрываемый объект с помощью опоры, а непокрытую часть покрывающей пленки, образованную за счет опоры в первом процессе формирования, покрывают во втором процессе формирования.
14. Способ изготовления по п.12 или 13, где первый процесс формирования включает в себя:
этап формирования кристаллического зародыша, на котором формируют кристаллические зародыши карбида тантала на поверхности углеродной подложки; и этап роста кристаллов, на котором осуществляют кристаллический рост кристаллических зародышей карбида тантала после этапа формирования кристаллического зародыша, и
этап роста кристаллов включает в себя:
этап нагрева, где постепенно увеличивают производственную температуру.
15. Способ изготовления по любому из пп.12 или 13, где
покрывающая пленка карбида тантала имеет максимальную величину пика, по меньшей мере, 80° при угле ориентации плоскости (220), соответствующей дифракционному пику карбида тантала, как определено с помощью рентгеновской дифракции.
16. Способ изготовления по любому из пп.12 или 13, где
сумма интенсивностей дифракционных линий, соответствующих плоскости (311) и плоскости (220) в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала, составляет не ниже чем 0,5 и не выше чем 0,9 по сравнению с полной суммой интенсивностей дифракционных линий всех кристаллических плоскостей карбида тантала в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала.
17. Способ изготовления по любому из пп.12 или 13, где
интенсивность дифракционной линии, соответствующей плоскости (311) или плоскости (220) в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала, является максимальной.
18. Способ изготовления по любому из пп.12 или 13, где
величина полуширины дифракционной линии плоскости (311) или плоскости (220) в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала составляет не больше чем 0,12°.
19. Способ изготовления покрытого карбидом тантала углеродного материала путем формирования покрывающей пленки карбида тантала на углеродной подложке, где данный способ включает:
процесс формирования танталовой покрывающей пленки, в котором формируют танталовую покрывающую пленку на поверхности углеродной подложки; и процесс карбонизации, в котором выполняют карбонизацию данной танталовой покрывающей пленки.
20. Способ изготовления по п.19, где
процесс формирования танталовой покрывающей пленки и процесс карбонизации повторяют в данном порядке множество раз.
21. Способ изготовления по п.19 или 20, где
процесс формирования танталовой покрывающей пленки повторяют множество раз.
22. Способ изготовления по любому из пп.19 или 20, где
в процессе карбонизации, карбонизацию выполняют при температурах от 1700°C до 2500°C.
23. Способ изготовления по любому из пп.19 или 20, где
-6
коэффициент теплового расширения углеродной подложки составляет 6,5-8,0·10/К.
24. Способ изготовления по п.20, где
процесс нанесения тантала выполняют, поддерживая покрываемый объект с помощью опоры, и
непокрытую часть, образованную опорой в начальном процессе формирования танталовой покрывающей пленки, покрывают во втором или последующем процессе формирования танталовой покрывающей пленки.
25. Способ изготовления с образованием покрытого карбидом тантала углеродного материала путем формирования покрывающей пленки карбида тантала на углеродной подложке посредством процесса формирования покрывающей пленки карбида тантала, где данный способ включает:
первый процесс формирования покрывающей пленки карбида тантала, в котором формируют первую покрывающую пленку карбида тантала посредством процесса формирования танталовой покрывающей пленки с формированием танталовой покрывающей пленки на поверхности углеродной подложки, и процесса карбонизации с карбонизацией танталовой покрывающей пленки; и
второй процесс формирования покрывающей пленки карбида тантала, в котором формируют новую вторую покрывающую пленку карбида тантала на первой покрывающей пленке карбида тантала.
26. Способ изготовления по п.25, где
в процессе карбонизации, карбонизацию выполняют при температурах от 1700°C до 2500°C.
27. Способ изготовления по п.25 или 26, где
-6
коэффициент теплового расширения углеродной подложки составляет 6,5-8,0·10/К.
28. Способ изготовления по любому из п.п.25 или 26, где
покрывающая пленка карбида тантала имеет максимальную величину пика, по меньшей мере, 80 градусов при угле ориентации плоскости (311), соответствующей дифракционному пику карбида тантала, как определено с помощью рентгеновской дифракции.
29. Способ изготовления по любому из пп.25 или 26, где
покрывающая пленка карбида тантала имеет максимальную величину пика, по меньшей мере, 80 градусов при угле ориентации плоскости (220), соответствующей дифракционному пику карбида тантала, как определено с помощью рентгеновской дифракции.
30. Способ изготовления по любому из пп.25 или 26, где
сумма интенсивностей дифракционных линий, соответствующих плоскости (311) и плоскости (220) в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала составляет не ниже, чем 0,5, и не выше, чем 0,9 по сравнению с суммой всех интенсивностей дифракционных линий, соответствующих всем кристаллическим плоскостям карбида тантала в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала.
31. Способ изготовления по любому из пп.25 или 26, где
интенсивность дифракционной линии плоскости (311) в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала является максимальной.
32. Способ изготовления по любому из пп.25 или 26, где
величина полуширины дифракционной линии плоскости (311) в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала составляет не больше чем 0,12°.