УСТРОЙСТВО ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ БЛИЖНЕГО ПОЛЯ ТЕРАГЕРЦОВОГО ДИАПАЗОНА

1. Датчик для устройства формирования изображения ближнего поля терагерцового диапазона, содержащий массив передатчиков (10) терагерцового излучения, выполненный таким образом, что указанные передатчики взаимодействуют с изучаемым объектом (12) за счет эффекта ближнего поля, при этом каждый передатчик выполнен с возможностью излучения поля с двух поверхностей массива, и массив приемников (18), установленный на стороне, противоположной массиву передатчиков по отношению к изучаемому объекту (12), содержащий приемник терагерцового излучения напротив каждого передатчика, расположенный в области действия ближнего поля передатчика.
2. Датчик по п. 1, содержащий первую плоскую подложку (Rx) из полупроводникового материала, прозрачного для терагерцового излучения, имеющую активную поверхность, на которой созданы приемники (18) по полупроводниковой технологии, и вторую плоскую подложку (Tx), расположенную на расстоянии от указанной первой подложки, выполненную из полупроводникового материала, прозрачного для терагерцового излучения, имеющую активную поверхность, на которой созданы передатчики (10) по полупроводниковой технологии.
3. Датчик по п. 1, содержащий электрическую цепь (20, 22) управления, выполненную с возможностью последовательной активации каждого передатчика с его соответствующим приемником.
4. Датчик по п. 2, отличающийся тем, что активная поверхность второй подложки (Tx) обращена к изучаемому объекту (12), а тыльная поверхность указанной второй подложки обращена к первой подложке (Rx).
5. Датчик по п. 4, отличающийся тем, что активная поверхность первой подложки (Rx) обращена в сторону, противоположную второй подложке (Tx), а тыльная поверхность указанной первой подложки обращена к указанной второй подложке.
6. Датчик по п. 5, отличающийся тем, что первая и вторая подложки отделены друг от друга слоем, имеющим более низкий показатель преломления, чем указанные подложки.
7. Датчик по п. 2, отличающийся тем, что шаг в массивах составляет по меньшей мере половину длины волны излучения внутри указанных подложек, и каждая подложка имеет толщину, равную не более половины длины волны излучения внутри указанной подложки.
8. Датчик по п. 7, отличающийся тем, что приемники и передатчики имеют гексагональное пространственное расположение и установлены в сотоподобные матрицы.
9. Датчик по п. 8, отличающийся тем, что каждый приемник и передатчик содержит кольцевую антенну (50), сформированную в металлическом слое активной поверхности, причем средняя длина контура антенны составляет по меньшей мере половину длины волны терагерцового излучения внутри указанной подложки, и защитное кольцо (52), окружающее антенну на границе приемника или передатчика, образованное металлическими структурами, установленными в нескольких металлических слоях.
10. Датчик по п. 8, отличающийся тем, что защитное кольцо (52) содержит металлические структуры, сформированные с образованием полости (62), вмещающей токопроводящие дорожки и электронные компоненты для управления приемниками и передатчиками