СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЖОЗЕФСОНОВСКОГО МОСТИКОВОГО ПЕРЕХОДА

Способ изготовления джозефсоновского мостикового перехода, содержащего два сверхпроводящих электрода, разделенных зазором, включающий последовательное нанесение на несверхпроводящую подложку первой пленки сверхпроводящего материала и пленки маскирующего материала, формирование контактной маски, формирование ионным травлением первого сверхпроводящего электрода, формирование на его торце буферного диэлектрического слоя, определяющего размер зазора между электродами, нанесение второй пленки сверхпроводящего материала, формирование в ней второго сверхпроводящего электрода, удаление контактной маски, нанесение пленки материала перемычки и формирование перемычки между электродами в области зазора, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров мостиковых переходов, буферный диэлектрический слой формируют путем электрохимического анодирования торца первого электрода, а перед нанесением пленки материала перемычки полируют поверхность структуры пучком ионов инертного газа, направленным под углом 2-12° к поверхности подложки с энергией ионов 50-500 эВ.