УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЙ ТРЕХОСНЫЙ ДАТЧИК

1. Устройство на основе трехосного датчика (ТОД) для измерения магнитного поля, содержащее:
шесть одноосных датчиков (ООД), каждый из которых включает в себя:
слои, сформированные в пирамидальную структуру, в которой каждый из последовательных слоев выполнен с возможностью занимать меньшую площадь, чем слой, на котором он собран; каждый из слоев, включающий в себя по меньшей мере одну катушку, охватывающую площадь поперечного сечения слоя, на котором сформирована катушка; и соединения, соединяющие каждый последовательный слой со смежными с ним слоями, при этом шесть ООД сформированы в кубообразную структуру.
2. Устройство по п. 1, в котором сторона кубообразной структуры составляет 5 мм.
3. Устройство по п. 1, в котором обеспечиваемая чувствительность находится в диапазоне от 4 до 5 мВ/Гс.
4. Устройство по п. 1, в котором ТОД преобразует магнитное поле в аналоговый сигнал.
5. Устройство по п. 1, в котором слои включают в себя 8 слоев.
6. Устройство по п. 1, в котором охватывание площади поперечного сечения слоя включает в себя максимальное увеличение количества петель в катушке.
7. Устройство по п. 1, в котором слои образованы из печатной платы (ПП).
8. Устройство по п. 1, используемое в системе навигации Carto.
9. Устройство по п. 1, используемое в системе навигации Acclarent ENT.
10. Устройство по п. 1, в котором устройство является симметричным, концентрическим и однородным.
11. Устройство по п. 1, в котором наибольший слой из слоев содержит 7 петель.
12. Устройство по п. 11, в котором петли имеют размер 4,1×2,3 мм.
13. Устройство по п. 1, в котором наименьший слой из слоев содержит 3 петли.
14. Устройство по п. 13, в котором петли имеют размер 2,9×2,3 мм.
15. Способ формирования трехосного датчика (ТОД) для измерения магнитного поля, включающий:
определение количества слоев, которые должны быть включены в каждый одноосный датчик (ООД) в виде пирамиды трехосного датчика;
изготовление катушек на каждом из количества слоев, причем каждый последовательный слой имеет меньшую площадь охвата;
соединение катушек внутри каждого из слоев;
накладывание полученных катушек от наибольшей к наименьшей для создания пирамидальной структуры;
соединение каждого последовательного слоя со смежными другими слоями; и
сборка шести созданных ООД в кубообразную структуру с образованием ТОД.
16. Способ по п. 15, в котором количество слоев составляет 8.
17. Способ по п. 15, в котором слои образованы из печатной платы (ПП).
18. Способ по п. 15, в котором обеспечиваемая чувствительность находится в диапазоне от 4 до 5 мВ/Гс.
19. Способ по п. 15, в котором ТОД преобразует магнитное поле в аналоговый сигнал.
20. Устройство на основе одноосного датчика (ООД) для измерения магнитного поля, содержащее:
слои, сформированные в пирамидальную структуру, в которой каждый из последовательных слоев выполнен с возможностью занимать меньшую площадь, чем слой, на котором он собран, при этом каждый из слоев образует на ней по меньшей мере одну катушку, при этом каждая из указанной по меньшей мере одной катушки охватывает доступную площадь поперечного сечения в пределах слоя, на котором образована катушка; и
соединения, соединяющие каждый последовательный слой со смежными с ним другими слоями.