СПОСОБ СОЕДИНЕНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ

1. Способ изготовления многослойного полупроводникового устройства, содержащий этапы, на которых:
формируют кромки на первом кристалле и втором кристалле, причем кромки отходят в поперечном направлении от первого и второго кристаллов;
формируют один или более слоев перераспределения проводящих дорожек по одному или более из первого и второго кристаллов или кромок;
укладывают второй кристалл поверх первого кристалла; и
просверливают одно или более переходных отверстий через кромки после укладки, причем одно или более переходных отверстий проходят между первым и вторым кристаллами, и одно или более переходных отверстий взаимодействуют с проводящими дорожками на кромках.
2. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором заполняют указанное одно или более переходных отверстий проводящим материалом для электрического соединения первого и второго кристаллов.
3. Способ по п. 1, в котором на этапе формирования кромок формируют диэлектрический участок на первом кристалле и втором кристалле, причем кромки сформированы диэлектрическим участком.
4. Способ по любому из пп. 1-3, содержащий этапы, на которых:
формируют первую восстановленную панель кристаллов, включающую в себя первое множество кристаллов, сформованных на рамке панели, причем первое множество кристаллов включает в себя первый кристалл, и
формируют вторую восстановленную панель кристаллов, включающую в себя второе множество кристаллов, сформованное на другой рамке панели, причем второе множество кристаллов включает в себя второй кристалл;
при этом на этапе формирования кромок окружают периферию кристаллов в первой и второй восстановленных панелях кристаллов диэлектрическим материалом.
5. Способ по п. 4, содержащий этап, на котором сортируют кристаллы из первого множества кристаллов и второго множества кристаллов для обеспечения использования только работоспособных кристаллов для формирования первой и второй восстановленных панелей кристаллов.
6. Способ по п. 5, содержащий этап, на котором отделяют отдельные наборы из первого и второго склеенных кристаллов от первой и второй восстановленных панелей кристаллов.
7. Способ по любому из пп. 1-3, в котором просверливание одного или более переходных отверстий выполняют непрерывно через первые и вторые кристаллы.
8. Способ по любому из пп. 1-3, в котором на этапе укладки первого кристалла поверх второго кристалла располагают второй кристалл уступом относительно первого кристалла для оставления открытой по меньшей мере одной контактной площадки второго кристалла.
9. Способ изготовления многослойного полупроводникового устройства, включающий в себя формирование по меньшей мере одной восстановленной панели кристаллов, содержащий этапы, на которых:
сортируют кристаллы на множество работоспособных кристаллов, причем множество работоспособных кристаллов проверено на работоспособность; и
формируют по меньшей мере первую восстановленную панель кристаллов, при этом:
размещают отсортированное множество работоспособных кристаллов в пределах рамки панели, и
формуют смолу вокруг множества работоспособных кристаллов в пределах рамки панели для формирования первой восстановленной панели кристаллов, причем кромки, сформированные смолой, отходят в поперечном направлении от каждого из множества работоспособных кристаллов.
10. Способ по п. 9, содержащий этап, на котором повторяют этапы размещения и формования для формирования второй восстановленной панели кристаллов, причем кромки отходят в поперечном направлении от каждого кристалла множества работоспособных кристаллов второй восстановленной панели кристаллов.
11. Способ по п. 10, содержащий этапы, на которых соединяют первую восстановленную панель кристаллов со второй восстановленной панелью кристаллов; и
просверливают одно или более переходных отверстий в соединенных первой и второй восстановленных панелях кристаллов, причем одно или более переходных отверстий находятся в пределах кромок множества работоспособных кристаллов и одно или более переходных отверстий проходят между первой и второй восстановленными панелями кристаллов.
12. Способ по п. 11, в котором на этапе соединения первой восстановленной панели кристаллов со второй восстановленной панелью кристаллов выравнивают множество
работоспособных кристаллов каждой из первой и второй восстановленных панелей кристаллов.
13. Способ по п. 11, содержащий этап, на котором разделяют первую и вторую восстановленные панели кристаллов на множество многослойных пакетов, при этом каждый из многослойных пакетов включает в себя:
по меньшей мере два кристалла из множества работоспособных кристаллов первой и второй восстановленных панелей кристаллов и
по меньшей мере одно переходное отверстие из одного или более переходных отверстий.
14. Способ по п. 11, содержащий этап, на котором заполняют одно или более переходных отверстий проводящим материалом для электрического соединения первой и второй восстановленных панелей кристаллов.
15. Способ по любому из пп. 9-14, в котором на этапе формирования по меньшей мере первой восстановленной панели кристаллов формируют один или более слоев перераспределения проводящих дорожек по множеству работоспособных кристаллов и соответствующих кромок, причем указанное одно или более переходных отверстий взаимодействуют с проводящими дорожками на кромках.
16. Способ по любому из пп. 9-14, в котором на этапе размещения отсортированного множества работоспособных кристаллов в пределах рамки панели размещают отсортированное множество работоспособных кристаллов в виде одного или более расположенных уступом наборов кристаллов в пределах рамки панели, причем каждый из одного или более расположенных уступом наборов кристаллов включает в себя два или более кристаллов, и по меньшей мере один из указанных двух или более кристаллов расположен уступом относительно соседнего кристалла.
17. Многослойное полупроводниковое устройство, содержащее:
первый кристалл;
второй кристалл, уложенный поверх первого кристалла;
кромки, отходящие в поперечном направлении от каждого из первого и второго кристаллов;
первый слой перераспределения проводящих дорожек, сформированный и проходящий по первому кристаллу и кромке первого кристалла; и
одно или более переходных отверстий, проходящих по меньшей мере через одну из соответствующих кромок, причем одно или более переходных отверстий взаимодействуют с первым и вторым кристаллами через кромки с проводящими
дорожками.
18. Многослойное полупроводниковое устройство по п. 17, в котором соответствующие кромки представляют собой кромки из формованной смолы, сформованные вокруг соответствующих первого и второго кристаллов, при этом одно или более переходных отверстий проходят по меньшей мере через одну из кромок из формованной смолы.
19. Многослойное полупроводниковое устройство по п. 17, содержащее диэлектрические участки, сформированные на каждом из первого и второго кристаллов, причем диэлектрические участки включают в себя указанную одну или более кромок, а указанное одно или более переходных отверстий проходят через диэлектрические участки.
20. Многослойное полупроводниковое устройство по п. 17, в котором указанное одно или более переходных отверстий расположены с промежутком в поперечном направлении от первого и второго кристаллов.
21. Многослойное полупроводниковое устройство по любому из пп. 17-20, содержащее второй слой перераспределения, проходящий по второму кристаллу и кромкой второго кристалла.
22. Многослойное полупроводниковое устройство по п. 21, в котором первый и второй слои перераспределения обеспечивают веерную конфигурацию проводящих дорожек, проходящих над соответствующими контурами первого и второго кристаллов и за их пределы, при этом указанное одно или более переходных отверстий взаимодействуют с первым и вторым слоями перераспределения.
23. Многослойное полупроводниковое устройство по любому из пп. 17-20, содержащее множество кристаллов, включающее в себя первый и второй кристаллы, причем кромки отходят в поперечном направлении от каждого из множества кристаллов, при этом множество кристаллов имеет многослойную конфигурацию, и указанное одно или более переходных отверстий проходят через по меньшей мере две из соответствующих кромок множества кристаллов.
24. Многослойное полупроводниковое устройство по любому из пп. 17-20, в котором второй кристалл расположен уступом относительно первого кристалла, причем второй кристалл включает в себя по меньшей мере одну открытую контактную площадку в соответствии с расположением уступа.