СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЗАПИСИ ВЫСОКОСКОРОСТНЫХ ВХОДНЫХ ДАННЫХ В МАТРИЦУ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

1. Способ записи высокоскоростных входных данных в матрицу запоминающих устройств первого типа, причем матрица включает в себя, по меньшей мере, два запоминающих устройства на строку и, по меньшей мере, два запоминающих устройства на столбец, в которой запоминающие устройства (DEV0, DEV1, DEV2) строки подключены к общей шине (BS0), и каждой строке матрицы назначена отдельная общая шина (BS0, BS1, BS2), и в которой все запоминающие устройства внутренне организованы в виде множественных страниц, в такие страницы можно записывать входные данные в последовательном режиме, и в которой при записи в запоминающие устройства первого типа дефекты (5, 5a, 5b, 5c) могут возникать в разных местах в запоминающих устройствах, при этом способ характеризуется этапами, на которых:
A) записывают первую секцию входных данных в режиме мультиплексирования с использованием общих шин в одной и той же текущей странице запоминающих устройств, начиная с первого столбца (DEV0) запоминающих устройств, столбец за столбцом и записывают эту первую секцию входных данных также в соответствующую секцию дополнительного запоминающего устройства (AMB) второго типа, отличного от первого типа,
B) проверяют (CTRLU), возник ли, по меньшей мере, один дефект (5, 5a, 5b, 5c) в, по меньшей мере, одном запоминающем устройстве при записи первой секции входных данных в текущую страницу запоминающих устройств,
C) записывают следующую секцию входных данных в режиме мультиплексирования с использованием общих шин в следующей странице запоминающих устройств, начиная с первого столбца (DEV0) запоминающих устройств, столбец за столбцом, и, если на предыдущем этапе дефектов не обнаружено, также записывают эту следующую секцию входных данных в одной и той же секции дополнительного запоминающего устройства, и если на предыдущем этапе обнаружен дефект, также записывают эту следующую секцию входных данных в следующей соответствующей секции дополнительного запоминающего устройства,
D) проверяют (CTRLU), возник ли, по меньшей мере, один дефект (5, 5a, 5b, 5c), по меньшей мере, в одном запоминающем устройстве при записи следующей секции входных данных в следующую страницу,
E) переходят к этапам C) и D), пока все секции входных данных не будут записаны в матрицу запоминающих устройств и в дополнительное запоминающее устройство (AMB),
F) копируют входные данные, хранящиеся в соответствующих наборах страниц (SOP) матрицы запоминающих устройств, такие наборы включают в себя, по меньшей мере, один дефект на набор в, по меньшей мере, одном запоминающем устройстве, в соответствующие наборы страниц (FSOP) в матрице запоминающих устройств, которые еще не заняты входными данными, благодаря чему берут входные данные дефектных единичных страниц не из матрицы запоминающих устройств, но из соответствующих данных единичных страниц, хранящихся в дополнительном запоминающем устройстве (AMB).
2. Устройство для записи высокоскоростных входных данных в матрицу запоминающих устройств первого типа, причем матрица включает в себя, по меньшей мере, два запоминающих устройства на строку и, по меньшей мере, два запоминающих устройства на столбец, в которой запоминающие устройства (DEV0, DEV1, DEV2) строки подключены к общей шине (BS0) и каждой строке матрицы назначена отдельная общая шина (BS0, BS1, BS2), и в которой все запоминающие устройства внутренне организованы в виде множественных страниц, в такие страницы можно записывать входные данные в последовательном режиме, и в которой при записи в запоминающие устройства первого типа дефекты (5, 5a, 5b, 5c) могут возникать в разных местах в запоминающих устройствах, причем устройство включает в себя дополнительное запоминающее устройство (AMB) второго типа, отличного от первого типа, и средство (CTRLU, BS0, BS1, BS2), выполненное с обеспечением возможности осуществления следующих функций:
A) записи первой секции входных данных в режиме мультиплексирования с использованием общих шин в одной и той же текущей странице запоминающих устройств, начиная с первого столбца запоминающих устройств (DEV0), столбец за столбцом, и запись этой первой секции входных данных также в соответствующую секцию дополнительного запоминающего устройства (AMB),
B) проверки, возник ли, по меньшей мере, один дефект (5, 5a, 5b, 5c) в, по меньшей мере, одном запоминающем устройстве при записи первой секции входных данных в текущую страницу запоминающих устройств,
C) записи следующей секции входных данных в режиме мультиплексирования с использованием общих шин в следующей странице запоминающих устройств, начиная с первого столбца запоминающих устройств (DEV0), столбец за столбцом, и если в предыдущей функции дефектов не обнаружено, также запись этой следующей секции входных данных в одной и той же секции дополнительного запоминающего устройства, и если в предыдущей функции обнаружен дефект, также запись этой следующей секции входных данных в следующей соответствующей секции дополнительного запоминающего устройства,
D) проверки, возник ли, по меньшей мере, один дефект (5, 5a, 5b, 5c) в, по меньшей мере, одном запоминающем устройстве при записи следующей секции входных данных в следующую страницу,
E) перехода к функциям C) и D), пока все секции входных данных не будут записаны в матрицу запоминающих устройств и в дополнительное запоминающее устройство (AMB),
F) копирования входных данных, хранящихся в соответствующих наборах страниц (SOP) матрицы запоминающих устройств, такие наборы включают в себя, по меньшей мере, один дефект на набор в, по меньшей мере, одном запоминающем устройстве, в соответствующие наборы страниц (FSOP) в матрице запоминающих устройств, которые еще не заняты входными данными, благодаря чему входные данные дефектных единичных страниц берутся не из матрицы запоминающих устройств, но из соответствующих данных единичных страниц, хранящихся в дополнительном запоминающем устройстве (AMB).
3. Способ по п.1 или устройство по п.2, в котором запоминающие устройства первого типа являются устройствами флэш-памяти.
4. Способ по п.1 или устройство по п.2, в котором дефекты хранятся в списке дефектов, который содержит элементы информации о соответствующей странице, соответствующем запоминающем устройстве и соответствующей шине для каждого дефекта.
5. Способ или устройство по п.3, в котором дефекты хранятся в списке дефектов, который содержит элементы информации о соответствующем блоке, соответствующей странице, соответствующем запоминающем устройстве и соответствующей шине для каждого дефекта.
6. Способ или устройство по п.5, в котором для определения дефектных страниц блока флэш-памяти:
a) инициализируют массив регистров для значений 'страница' неверными значениями,
b) задают первое верное значение BLNO «блок» из списка дефектов равным «опорный блок»,
c) копируют соответствующее значение 'страница' из списка дефектов в надлежащее поле в массиве страничных регистров,
d) анализируют следующий элемент списка дефектов,
e) если текущее значение BLNO «блок» равно значению «опорный блок», переходят к этапу c), иначе переходят к этапу d);
f) повторяют этапы c)-e), пока не будет достигнут конец списка дефектов.
7. Способ или устройство по п.6, в котором генерируют регистр битовой карты для хранения битовых карт для элементов страницы, обрабатываемых на этапе c), и обрабатывают каждые N битов битовой карты для этих страниц в последовательном порядке обработки (PRO), и используют регистр битовой карты для быстрого вызова бездефектных флэш-устройств, при этом для генерации регистра битовой карты:
g) инициализируют указатель для битовой карты или для 'счетчика устройств',
h) инициализируют указатель для массива страничных регистров и инициализируют регистр битовой карты нулями,
i) обращаются к единичной ячейке в массиве страничных регистров,
j) если этот элемент верен, переходят к этапу k), иначе переходят к этапу l),
k) загружают N битов из соответствующей битовой карты, хранящейся в списке дефектов, и подвергают логической операции ИЛИ с соответствующими значениями регистра битовой карты,
l) увеличивают указатель массива страничных регистров и переходят к этапу i), пока не будет достигнут конец массива страничных регистров,
m) если значение регистра битовой карты равно нулю, увеличивают указатель битовой карты и 'счетчик устройств' и переходят к этапу h), пока не будет достигнут конец битовой карты.
8. Способ или устройство по п.7, в котором, если на этапе m) значение регистра битовой карты не равно нулю, для определения шины для дефектного блока в дефектном флэш-устройстве и для копирования соответствующих страниц флэш-памяти выполняют этапы, на которых:
n) инициализируют 'счетчик шины' и указатель для массива страничных регистров,
o) считывают массив страничных регистров для верного значения,
p) анализируют бит в регистре битовой карты, на который указывает 'счетчик шины': если этот бит равен нулю, увеличивают 'счетчик шины' и переходят к этапу o), если этот бит равен единице, переходят к этапу q),
q) для всех значений страницы между нулем и значением, считанным на этапе o) минус один, копируют страницы флэш-памяти из поврежденного блока флэш-памяти в новый блок флэш-памяти, благодаря чему номер опорного флэш-устройства соответствует значению 'счетчик устройств', и номер опорной шины соответствует значению 'счетчик шины',
r) для значения страницы, считанной на этапе o), копируют данные соответствующей страницы флэш-памяти из дополнительного буфера памяти (AMB) в новый блок флэш-памяти, благодаря чему номер опорного флэш-устройства соответствует значению 'счетчик устройств', и номер опорной шины соответствует значению 'счетчик шины',
s) увеличивают указатель для массива страничных регистров и переходят к этапу o), пока не будет достигнут конец массива страничных регистров,
t) обновляют 'таблицу перераспределения блоков' для соответствующего устройства и помечают соответствующий элемент блока в списке дефектов как неверный,
u) переходят к этапу a) по п.6.