МАГНИТОРЕЗИСТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО

1. Магниторезистивное запоминающее устройство, содержащее:
подложку, имеющую первую поверхность, которая включает в себя первое направление; и
запоминающие элементы, каждый из которых имеет переключаемое сопротивление, причем первый столбец запоминающих элементов, выстроенных в линию вдоль первого направления, отличается от смежного второго столбца запоминающих элементов, выстроенных в линию вдоль первого направления, в позициях запоминающих элементов в первом направлении.
2. Магниторезистивное запоминающее устройство, содержащее:
подложку, имеющую первую поверхность; и
запоминающие элементы, каждый из которых имеет переключаемое сопротивление, причем запоминающие элементы позиционируются в вершинах и в центре правильного шестиугольника вдоль первой поверхности подложки.
3. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее:
первое межсоединение, продолжающееся вдоль первого направления.
4. Устройство по п. 3, в котором:
первое межсоединение продолжается между первым столбцом запоминающих элементов и вторым столбцом запоминающего элемента на первой поверхности.
5. Устройство по п. 4, дополнительно содержащее:
первый контактный столбик, обеспеченный между первым межсоединением и первым запоминающим элементом из запоминающих элементов во втором направлении, которое пересекает первую поверхность, продолжающийся вдоль третьего направления, которое пересекает первое направление вдоль первой поверхности, и перекрывающий первое межсоединение и первый запоминающий элемент вдоль первой поверхности.
6. Устройство по п. 5, дополнительно содержащее:
второе межсоединение, продолжающееся вдоль первого направления; и
второй контактный столбик между вторым межсоединением и подложкой во втором направлении, при этом:
второй контактный столбик расположен на протяжении вдоль третьего направления от позиции между двумя из запоминающих элементов, смежных в первом направлении.
7. Устройство по п. 6, дополнительно содержащее:
третье межсоединение, продолжающееся вдоль третьего направления.
8. Устройство по п. 7, дополнительно содержащее:
пару диффузионных областей, сформированных на обеих сторонах третьего межсоединения на поверхности подложки, соответственно, при этом:
пара диффузионных областей электрически соединена с одним из запоминающих элементов и вторым контактным столбиком, соответственно.
9. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее:
первое межсоединение, продолжающееся вдоль второго направления, соединяющего первый запоминающий элемент в первом столбце запоминающих элементов и второй запоминающий элемент во втором столбце запоминающих элементов, ближайший к первому запоминающему элементу.
10. Устройство по п. 9, дополнительно содержащее:
второе межсоединение, продолжающееся вдоль первого направления, при этом
второе межсоединение электрически соединено с двумя из запоминающих элементов, которые примыкают в первом направлении.
11. Устройство по п. 10, дополнительно содержащее:
третье межсоединение, продолжающееся вдоль первого направления; и
контактный столбик, расположенный между третьим межсоединением и подложкой в третьем направлении, которое пересекает первую поверхность, при этом
контактный столбик расположен на протяжении вдоль четвертого направления от позиции между двумя из запоминающих элементов, смежных в первом направлении, и
четвертое направление пересекает первое направление вдоль первой поверхности.
12. Устройство по п. 11, дополнительно содержащее:
пару диффузионных областей, сформированных на обеих сторонах первого межсоединения на поверхности подложки, соответственно, при этом
пара диффузионных областей электрически соединена с одним из запоминающих элементов и контактным столбиком.
13. Устройство по п. 12, дополнительно содержащее:
третьи межсоединения, содержащие третье межсоединение и продолжающиеся вдоль первого направления, и
контактные столбики, содержащие контактный столбик и выстроенные в линию вдоль второго направления.
14. Магниторезистивное запоминающее устройство, содержащее:
подложку;
матрицу запоминающих элементов, каждый из которых имеет переключаемое сопротивление;
первые межсоединения, продолжающиеся от матрицы запоминающих элементов и соединенные с запоминающими элементами;
активную область на поверхности подложки;
контактный столбик между одним из первых межсоединений и активной областью;
вторые межсоединения, смежные с контактным столбиком и продолжающиеся вдоль поверхности подложки, причем матрица запоминающих элементов расположена на протяжениях вторых межсоединений.
15. Устройство по п. 14, в котором:
первые межсоединения продолжаются вдоль первого направления и выстраиваются в линию вдоль второго направления,
при этом магниторезистивное запоминающее устройство содержит область матрицы ячеек, включающую в себя матрицу запоминающих элементов, и первую область, включающую в себя активную область и первые межсоединения,
первые межсоединения продолжаются в первую область,
граница между областью матрицы ячеек и первой областью продолжается вдоль третьего направления, которое не является перпендикулярным или параллельным любому из первого направления и второго направления.
16. Устройство по п. 15, в котором:
прямая линия, соединяющая концы первых межсоединений, продолжается вдоль границы.
17. Устройство по п. 16, дополнительно содержащее:
третьи межсоединения, продолжающиеся вдоль третьего направления в области матрицы ячеек.
18. Устройство по п. 17, в котором:
запоминающие элементы расположены в вершинах и в центре правильного шестиугольника вдоль первой поверхности подложки.
19. Устройство по п. 18, в котором:
третье направление продолжается вдоль диагонали правильного шестиугольника.
20. Устройство по п. 19, в котором:
область матрицы ячеек имеет форму параллелограмма, включающего в себя первый край, обращенный к первой области, и второй край, параллельный первому краю.
21. Устройство по п. 1, дополнительно содержащее:
активную область, продолжающуюся на поверхности подложки вдоль первой поверхности;
первый электрод затвора и второй электрод затвора, которые продолжаются через активную область;
первый контактный столбик между одной из двух секций активной области за пределами первого и второго электродов затвора и первым запоминающим элементом из запоминающих элементов;
второй контактный столбик между другой из двух секций активной области и вторым запоминающим элементом из запоминающих элементов;
первое межсоединение; и
третий контактный столбик между секцией активной области между первым и вторым электродами и первым межсоединением.
22. Устройство по п. 21, в котором:
первое межсоединение продолжается вдоль первого направления,
первый и второй электроды затвора продолжаются вдоль второго направления, которое пересекает первое направление вдоль первой поверхности, и
активная область продолжается вдоль направления, которое не является перпендикулярным или параллельным первому направлению вдоль первой поверхности.
23. Устройство по п. 22, дополнительно содержащее:
второе межсоединение, продолжающееся вдоль первого направления;
третий контактный столбик между первым запоминающим элементом и вторым межсоединением; и
четвертый контактный столбик между вторым запоминающим элементом и вторым межсоединением.
24. Устройство по п. 23, дополнительно содержащее:
первый проводящий слой между первым запоминающим элементом и первым контактным столбиком; и
второй проводящий слой между вторым запоминающим элементом и вторым контактным столбиком.
25. Устройство по п. 23, дополнительно содержащее:
первый проводящий слой между первым запоминающим элементом и третьим контактным столбиком; и
второй проводящий слой между вторым запоминающим элементом и четвертым контактным столбиком.
26. Устройство по п. 25, дополнительно содержащее:
третий проводящий слой между первым запоминающим элементом и первым проводящим слоем; и
четвертый проводящий слой между вторым запоминающим элементом и вторым проводящим слоем.
27. Устройство по п. 21, в котором:
первое межсоединение продолжается вдоль второго направления, которое пересекает первое направление вдоль первой поверхности,
первый и второй электроды затвора продолжаются вдоль первого направления, и
активная область продолжается вдоль направления, которое не является перпендикулярным или параллельным первому направлению вдоль первой поверхности.
28. Устройство по п. 27, дополнительно содержащее:
второе межсоединение, продолжающееся вдоль второго направления,
третий контактный столбик между первым запоминающим элементом и вторым межсоединением, и
четвертый контактный столбик между вторым запоминающим элементом и вторым межсоединением.
29. Устройство по п. 21, в котором:
первое межсоединение продолжается вдоль первого направления,
первый и второй электроды затвора продолжаются вдоль второго направления, которое пересекает первое направление вдоль первой поверхности, и
активная область продолжается вдоль первого направления.
30. Устройство по п. 29, в котором:
второе межсоединение, продолжающееся вдоль первого направления;
третий контактный столбик между первым запоминающим элементом и вторым межсоединением; и
четвертый контактный столбик между вторым запоминающим элементом и вторым межсоединением.
31. Устройство по п. 21, в котором:
первое межсоединение продолжается вдоль второго направления, которое пересекает первое направление вдоль первой поверхности,
первый и второй электроды затвора продолжаются вдоль первого направления, и
активная область продолжается вдоль второго направления.
32. Устройство по п. 31, дополнительно содержащее:
второе межсоединение, продолжающееся вдоль второго направления;
третий контактный столбик между первым запоминающим элементом и вторым межсоединением; и
четвертый контактный столбик между вторым запоминающим элементом и вторым межсоединением.
33. Устройство по п. 21, в котором:
первое межсоединение продолжается вдоль первого направления,
первый и второй электрод затвора продолжаются вдоль второго направления, которое пересекает первое направление вдоль первой поверхности, и
активная область продолжается вдоль направления, которое не является перпендикулярным или параллельным первому направлению вдоль первой поверхности.
34. Устройство по п. 33, дополнительно содержащее:
второе межсоединение и третье межсоединение, которые продолжаются вдоль первого направления;
третий контактный столбик между первым запоминающим элементом и вторым межсоединением; и
четвертый контактный столбик между вторым запоминающим элементом и третьим межсоединением.
35. Устройство по п. 21, в котором:
первое межсоединение продолжается вдоль второго направления, которое пересекает первое направление вдоль первой поверхности,
первый и второй электроды затвора продолжаются вдоль первого направления, и
активная область продолжается вдоль направления, которое не является перпендикулярным или параллельным первому направлению вдоль первой поверхности.
36. Устройство по п. 35, дополнительно содержащее:
второе межсоединение и третье межсоединение, которые продолжаются вдоль второго направления,
третий контактный столбик между первым запоминающим элементом и вторым межсоединением,
четвертый контактный столбик между вторым запоминающим элементом и третьим межсоединением.