ОСТЕКЛЕНИЕ, ВКЛЮЧАЮЩЕЕ В СЕБЯ ПАКЕТ ТОНКИХ СЛОЕВ

1. Материал, содержащий прозрачную подложку, покрытую пакетом тонких слоев, содержащих функциональный металлический слой на основе серебра и два диэлектрических покрытия, причём каждое диэлектрическое покрытие содержит по меньшей мере один диэлектрический слой, так что функциональный металлический слой находится между двумя диэлектрическими покрытиями, отличающийся тем, что нижнее диэлектрическое покрытие, расположенное под функциональным слоем на основе серебра, содержит
слой с высоким показателем преломления на основе оксида металла, имеющий показатель преломления более 2,3 и толщину более5 нм,
антидиффузионный слой на основе кремния и/или алюминия, выбранный из оксидного, нитридного и оксинитридного слоя, расположенный над слоем с высоким показателем преломления, имеющий толщину от 1 нм до 10 нм,
по меньшей мере один слой на основе оксида, расположенный над антидиффузионным слоем и имеющий состав, отличный от антидиффузионного слоя.
2. Материал по п. 1, отличающийся тем, что верхнее диэлектрическое покрытие, расположенное над функциональным слоем на основе серебра, содержит по меньшей мере два тонких слоя, каждый толщиной более 5 нм, разность показателей преломления которых составляет более 0,30.
3. Материал по п. 1 или 2, отличающийся тем, что нижнее диэлектрическое покрытие дополнительно содержит слой с высоким показателем преломления, имеющий толщину менее 5 нм, расположенный над антидиффузионным слоем и под функциональным слоем на основе серебра.
4. Материал по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что антидиффузионный слой, расположенный над слоем с высоким показателем преломления и находящийся в контакте с ним, имеет толщину более 5 нм.
5. Материал по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что сумма толщин слоев на основе оксидов, расположенных над антидиффузионным слоем в нижнем диэлектрическом покрытии, составляет более 5,0 нм.
6. Материал по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что по меньшей мере один слой на основе оксида, расположенный над антидиффузионным слоем и имеющий состав, отличный от нижнего диэлектрического покрытия, представляет собой смачивающий слой на основе оксида цинка, предпочтительно расположенный непосредственно в контакте с металлическим слоем на основе серебра.
7. Материал по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что диэлектрическое покрытие, расположенное под функциональным слоем на основе серебра, содержит в качестве слоев на основе оксидов:
сглаживающий слой на основе оксида металла, расположенный над антидиффузионным слоем и имеющий другой состав, где сглаживающий слой находится в контакте с антидиффузионным слоем или отделен от антидиффузионного слоя слоем, имеющим толщину менее 5 нм, и
смачивающий слой на основе оксида цинка, расположенный над сглаживающим слоем.
8. Материал по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что слои с высоким показателем преломления на основе оксида металла выбраны из слоев оксида титана или оксида ниобия или слоев сплава, полученного из титана и ниобия.
9. Материал по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что антидиффузионный слой выбран из слоев:
оксида кремния, оксида алюминия и оксида алюминия-кремния,
нитрида кремния, нитрида алюминия, нитрида алюминия-кремния, нитридов циркония-кремния,
оксинитридов кремния, оксинитридов алюминия и оксинитридов алюминия-кремния.
10. Материал по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что сглаживающий слой представляет собой слой смешанного оксида, содержащего один или более металлов, выбранных из олова Sn, цинка Zn, галлия Gа и индия In.
11. Материал по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что верхнее диэлектрическое покрытие содержит по меньшей мере один слой с высоким показателем преломления на основе оксида металла, имеющий показатель преломления более 2,3 и толщину более 5 нм.
12. Материал по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что верхнее диэлектрическое покрытие содержит по меньшей мере один диэлектрический слой, имеющий показатель преломления менее 2,2 и толщину более 5 нм, расположенный над слоем с высоким показателем преломления.
13. Материал по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что верхнее диэлектрическое покрытие содержит по меньшей мере один слой, имеющий низкий показатель преломления, меньший или равный 1,7, и толщину более 5 нм.
14. Материал по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что верхнее диэлектрическое покрытие содержит по меньшей мере последовательность тонких слоев, нанесенных в следующем порядке над функциональным слоем:
по меньшей мере один слой, имеющий высокий показатель преломления, сделанный из материала с показателем преломления, большим или равным 2,20, причем физическая толщина слоя, имеющего высокий показатель преломления, или сумма физических толщин слоев, имеющих высокий показатель преломления, составляет от 10 нм до 40 нм,
по меньшей мере один слой, имеющий низкий показатель преломления, сделанный из материала с показателем преломления, меньшим или равным 1,70, причем физическая толщина слоя, имеющего низкий показатель преломления, или сумма физических толщин слоев, имеющих низкий показатель преломления, составляет от 40 нм до 120 нм.
15. Материал по любому из предыдущих пунктов, такой, что подложка изготовлена из стекла, в частности натриево-кальциево-силикатного стекла, или полимерного органического вещества.
16. Способ получения материала, содержащего прозрачную подложку, покрытую пакетом тонких слоев по любому из пп. 1-15, в котором тонкие слои наносят путем катодного распыления, при необходимости катодного распыления с помощью магнитного поля, отличающийся тем, что для упомянутой подложки выполняют высокотемпературную термическую обработку типа изгиба, закаливания или отжига.