УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ

1. Устройство для плазменной обработки для обработки объекта, подлежащего обработке, посредством активации плазмообразующего газа с помощью электрического разряда, с последующим выталкиванием активированного плазмообразующего газа на подлежащий обработке объект, при этом устройство для плазменной обработки содержит:
снабженный покрытием электрод, образованный посредством заделывания проводящего слоя в изолирующую подложку, выполненную из керамической спеченной массы;
пространство электрического разряда, образованное между несколькими снабженными покрытием электродами, расположенными противоположно друг другу; и
источник электроснабжения для вызывания электрического разряда в пространстве электрического разряда посредством приложения напряжения к проводящим слоям.
2. Устройство плазменной обработки по п.1, в котором снабженные покрытием электроды расположены так, чтобы создавать силовые линии электрического поля в направлении, поперечном направлению, в котором проходит плазмообразующий газ в пространстве электрического разряда, при этом силовые линии электрического поля создаются в пространстве электрического разряда посредством приложения напряжения к проводящим слоям.
3. Устройство плазменной обработки по п.1, в котором снабженные покрытием электроды расположены так, чтобы создавать силовые линии электрического поля в направлении, по существу параллельном направлению, в котором проходит плазмообразующий газ в пространстве электрического разряда, при этом силовые линии электрического поля создаются в пространстве электрического разряда посредством приложения напряжения к проводящим слоям.
4. Устройство плазменной обработки по п.1, в котором зазор между соседними снабженными покрытием электродами составляет 0,1-5 мм.
5. Устройство плазменной обработки по п.1, в котором керамическая спеченная масса является спеченной из окиси алюминия массой.
6. Устройство плазменной обработки по п.1, дополнительно содержащее радиатор, предусмотренный на наружной поверхности каждой изолирующей подложки.
7. Устройство плазменной обработки по п.1, дополнительно содержащее средство регулирования температуры для регулирования температуры каждой изолирующей подложки до температуры, которая облегчает эмиссию вторичных электронов.
8. Устройство плазменной обработки по п.1, дополнительно содержащее средство гомогенизации газа для по существу выравнивания скорости потока образующего плазму газа в пространстве электрического разряда.
9. Устройство плазменной обработки по п.1, в котором каждый снабженный покрытием электрод образован посредством формирования как единого целого изолирующей подложки, выполненной из нескольких изолирующих листовых материалов, и проводящего слоя, выполненного из проводника и расположенного между изолирующими листовыми материалами.