Способ подготовки поверхности микроструктур на основе GaAs для изготовления полупроводниковых приборов микро- и наноэлектроники

Способ подготовки поверхности микроструктур на основе GaAs для изготовления полупроводниковых приборов микро- и наноэлектроники, включающий реконструкцию поверхности микроструктур на основе GaAs, последующую промывку в воде, обезвоживание поверхности микроструктур и осаждение пленки металла в вакууме на поверхность микроструктур, отличающийся тем, что реконструкцию поверхности микроструктур производят при комнатной температуре при обеспечении одновременно процессов: промывки образца в воде, его обезвоживании и формировании наноразмерной микрокристаллической пленки, содержащей наноразмерные кристаллиты чистого арсенида галлия, образующие однородный нанослой GaAs, свободный от окислов, а в качестве промывочной воды используют беспримесную модифицированную воду (БМВ), имеющую показатель рН в интервале значений 9-12.