СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

-2
-1
4
2
Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными слоями слоя металлизации методом магнетронного распыления в две стадии в едином цикле в среде аргона при давлении 1·10 - 1·10 Па: на первой - нанесение тонкого слоя металлизации, на второй - нанесение слоя металлизации до требуемой толщины, формирование рисунка элементов металлизации с помощью фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов металлизации при одновременном увеличении выхода годных приборов на операции фотолитографии, на первой стадии слой металлизации наносят при температуре подложки 293-573 K, плотности мощности разряда (2-6) ·10 Вт/м до толщины перехода структуры пленки из островковой в сплошную.