СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СЛОЕВ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ЦИНКА

1. Способ формирования легированных слоев на основе оксида цинка (основной слой), включающий формирование промежуточного слоя (подслоя) между основным слоем и подложкой, отличающийся тем, что подслой выполняют из того же материала, что и основной слой, но с концентрацией легирующей примеси в интервале от ее величины в основном слое вплоть до величины 20 ат.%.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что до нанесения основного слоя подслой подвергают выдержке от 5 мин до 2 ч при температуре от 200°С до 500°С.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что подслой наносят до получения сплошного покрытия.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что подслой наносят островковый.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве легирующей примеси используется галлий или алюминий.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что синтез слоев проводят в проходных магнетронных установках и в качестве мишени используют секционированную мишень, в которой часть мишени, находящаяся со стороны входящей в установку подложки, содержит более высокое содержание легирующих компонентов, чем в остальной части мишени.