КРИСТАЛЛОНОСИТЕЛЬ ДЛЯ ТРАНСПОНДЕРНОГО МОДУЛЯ, А ТАКЖЕ ТРАНСПОНДЕРНЫЙ МОДУЛЬ

1. Кристаллоноситель (15) для контактирования с чипом (16) и антенной (13), расположенной на несущей ее подложке (17, 54, 61), имеющий выполненную в виде полоски подложку (18), которая снабжена отстоящей от ее продольных концов (25, 26) системой (29) контактов для электрического контактирования с чипом, и две соединяемые с антенной контактные площадки (27, 28), между которыми расположена указанная система контактов для электрического контактирования с чипом и которые предназначены для электрического контактирования с антенной, при этом система контактов для электрического контактирования с чипом и соединяемые с антенной контактные площадки расположены на рабочей поверхности (31) кристаллоносителя, на которой между системой контактов для электрического контактирования с чипом и соединяемыми с антенной контактными площадками выполнена по меньшей мере одна изоляционная поверхность (20).
2. Кристаллоноситель по п.1, отличающийся тем, что его рабочая поверхность (31) по меньшей мере на отдельных участках снабжена неэлектропроводным клеящим материалом.
3. Кристаллоноситель по п.2, отличающийся тем, что изоляционная поверхность (20) образована клеящим материалом.
4. Кристаллоноситель по п.2 или 3, отличающийся тем, что клеящий материал по меньшей мере на отдельных участках нанесен вдоль наружного края подложки (18) кристаллоносителя.
5. Кристаллоноситель по п.4, отличающийся тем, что клеящий материал по всему периметру нанесен вдоль наружного края подложки кристаллоносителя.
6. Кристаллоноситель по одному из пп.1-3 и 5, отличающийся тем, что система (29) контактов для электрического контактирования с чипом и соединяемые с антенной контактные площадки (27, 28) выполнены из алюминия или содержащего его сплава.
7. Кристаллоноситель по п.4, отличающийся тем, что система (29) контактов для электрического контактирования с чипом и соединяемые с антенной контактные площадки (27, 28) выполнены из алюминия или содержащего его сплава.
8. Кристаллоноситель по одному из пп.1-3, 5 и 7, отличающийся тем, что его подложка (18) выполнена из полиолефина, прежде всего из полиэтилентерефталата.
9. Кристаллоноситель по п.4, отличающийся тем, что его подложка (18) выполнена из полиолефина, прежде всего из полиэтилентерефталата.
10. Кристаллоноситель по п.6, отличающийся тем, что его подложка (18) выполнена из полиолефина, прежде всего из полиэтилентерефталата.
11. Система кристаллоносителей, состоящая из множества кристаллоносителей (15), которые расположены на пленочном носителе (34) по меньшей мере в один проходящий в его продольном направлении ряд (36, 37, 38, 39, 40, 41) и каждый из которых ориентирован в продольном направлении пленочного носителя.
12. Система кристаллоносителей по п.11, отличающаяся тем, что на пленочном носителе (34) предусмотрено несколько расположенных параллельно друг другу в его поперечном направлении рядов (36, 37, 38, 39, 40, 41) кристаллоносителей.
13. Чиповый модуль с кристаллоносителем по одному из п.п.1-10, отличающийся тем, что с системой (29) контактов для электрического контактирования с чипом электрически контактирует чип (16) таким образом, что контактные площадки чипа непосредственно электрически соединены с системой контактов для электрического контактирования с ним.
14. Транспондерный модуль (10) с расположенным на антенном модуле (11) чиповым модулем (12) по п.13 и с антенной (13), которая расположена на несущей ее подложке (17) антенного модуля таким образом, что контактные площадки (49, 50) антенны выполнены на ее расположенных друг против друга радиально внутреннем и наружном витках, между которыми проходит по меньшей мере один виток (51) антенны, при этом соединяемые с антенной контактные площадки (27, 28) чипового модуля контактируют с контактными площадками антенны таким образом, что чип (16) расположен, с одной стороны, между витками (51) антенны, а с другой стороны, между подложкой (18) кристаллоносителя и несущей антенну подложкой.
15. Транспондерный модуль по п.14, отличающийся тем, что чиповый модуль (12) по меньшей мере одной изоляционной поверхностью (20) прилегает к по меньшей мере одному витку (51) антенны.
16. Транспондерный модуль по п.14, отличающийся тем, что наружный край подложки кристаллоносителя нанесенным по меньшей мере на отдельных участках клеящим материалом герметично соединен с поверхностью по меньшей мере одного витка (51) антенны и/или с поверхностью несущей антенну подложки (17, 54, 61).
17. Транспондерный модуль по п.14 или 16, отличающийся тем, что несущая антенну подложка (17, 54, 61) и подложка (18) кристаллоносителя выполнены из полиолефина.
18. Транспондерный модуль по п.17, отличающийся тем, что несущая антенну подложка и подложка кристаллоносителя выполнены из одного и того же материала, прежде всего из полиэтилентерефталата.
19. Транспондерный модуль (62) с расположенным на антенном модуле (11) чиповым модулем (12) по п.13 и с антенной (13), которая расположена со снабженной ею стороны (14) несущей антенну подложки (54) и контактные площадки (49, 50) которой по меньшей мере частично проходят над выполненными в несущей антенну подложке контактными отверстиями (55), при этом чиповый модуль расположен с противоположной стороны несущей антенну подложки по отношению к ее снабженной антенной стороне таким образом, что соединяемые с антенной контактные площадки (27, 28) чипового модуля электрически контактируют с контактными площадками (49, 50) антенны с их обратных сторон (56, 57).
20. Транспондерный модуль по п.19, отличающийся тем, что чип чипового модуля расположен на поверхности противоположной стороны несущей антенну подложки.
21. Транспондерный модуль по п.19, отличающийся тем, что чип (16) входит в отверстие (58), выполненное под него в несущей антенну подложке (54).
22. Транспондерный модуль по п.21, отличающийся тем, что отверстие (58) под чип и контактные отверстия (55) выполнены в несущей антенну подложке (61) как единое отверстие (62) под чиповый модуль.
23. Транспондерный модуль по п.22, отличающийся тем, что чиповый модуль (12) по меньшей мере одной изоляционной поверхностью (20) прилегает к по меньшей мере одному витку (51) антенны.
24. Транспондерный модуль по одному из п.п.19-23, отличающийся тем, что наружный край подложки кристаллоносителя нанесенным по меньшей мере на отдельных участках клеящим материалом герметично соединен с поверхностью по меньшей мере одного витка (51) антенны и/или с поверхностью несущей антенну подложки (17, 54, 61).
25. Транспондерный модуль по одному из п.п.19-23, отличающийся тем, что несущая антенну подложка (17, 54, 61) и подложка (18) кристаллоносителя выполнены из полиолефина.
26. Транспондерный модуль по п.24, отличающийся тем, что несущая антенну подложка (17, 54, 61) и подложка (18) кристаллоносителя выполнены из полиолефина.
27. Транспондерный модуль по п.25, отличающийся тем, что несущая антенну подложка и подложка кристаллоносителя выполнены из одного и того же материала, прежде всего из полиэтилентерефталата.
28. Антенный модуль для изготовления транспондерного модуля по одному из п.п.19-27, отличающийся тем, что антенна (13) методом нанесения образующего ее материала на поверхность нанесена на снабженную антенной сторону (14) несущей антенну подложки (17, 54, 61) таким образом, что контактные площадки (49, 50) антенны для контактирования с соединяемыми с ней контактными площадками (27, 28) чипового модуля (12) расположены над отверстиями (55, 58, 62), выполненными в несущей антенну подложке до нанесения на нее антенны.