НАНОСЛОЙНОЕ ПОКРЫТИЕ ДЛЯ ВЫСОКОКАЧЕСТВЕННЫХ ИНСТРУМЕНТОВ

1. Способ изготовления изделия с покрытием, в котором на поверхность подложки наносят покрытие, содержащее наноламинарную структуру 5 из чередующихся нанослоев А, состоящих из по меньшей мере 90 ат.% AlTiN, и нанослоев В, состоящих из по меньшей мере 90 ат.% TiSiN, при этом используют по меньшей мере один источник дугового испарения для нанесения наноламинарной структуры, отличающийся тем, что упомянутый по меньшей мере один источник дугового испарения включает в себя предусмотренное на мишени магнитное приспособление для создания магнитных полей на поверхности мишени и над ней, причем это магнитное приспособление включает крайние постоянные магниты, центральный постоянный магнит и по меньшей мере одну размещенную позади мишени кольцевую катушку, внутренний диаметр которой, определяемый обмотками, меньше или равен и, в любом случае, незначительно больше диаметра мишени, и во время нанесения наноламинарной структуры крайние постоянные магниты расположены удаленно от мишени, на расстоянии несколько миллиметров по отношению к мишени, таким образом, что проекция крайних постоянных магнитов на поверхность мишени находится дальше от середины поверхности мишени по сравнению с проекцией кольцевой катушки на поверхность мишени, а центральный постоянный магнит расположен позади относительно мишени.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что расстояние между постоянными магнитами и мишенью составляет между 6 и 10 мм, предпочтительно примерно 8 мм.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что применяют отрицательный ток в катушке.
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что сила подаваемого в катушку тока составляет между -0,1 и -1 А.
5. Способ изготовления изделия с покрытием, в котором на поверхность подложки наносят покрытие, содержащее наноламинарную структуру 5 из чередующихся нанослоев А, состоящих из по меньшей мере 90 ат.% AlTiN, и нанослоев В, состоящих из по меньшей мере 90 ат.% TiSiN, при этом используют по меньшей мере один источник дугового испарения для нанесения наноламинарной структуры, отличающийся тем, что
упомянутый по меньшей мере один источник дугового испарения включает в себя мишень, используемую в качестве катода, анод, расположенный в непосредственной близости от катода, и магнитные средства для получения магнитного поля, линии которого ведут к аноду.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что применяют положительный ток в катушке.
7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что сила подаваемого в катушку тока составляет между 0,5 и 2 А.
8. Способ по любому из предыдущих пп. 1 - 7, отличающийся тем, что по меньшей мере два источника дугового испарения, причем каждый источник дугового испарения включает в себя мишень, которую используют в качестве источника материала для нанесения наноламинарной структуры, при этом
- мишень, входящая в состав одного из упомянутых по меньшей мере двух источников дугового испарения, представляет собой композитную мишень, содержащую по меньшей мере в качестве основных компонентов в атомных процентах алюминий и титан, которую используют для нанесения нанослоя типа А, а
- мишень, входящая в состав другого из упомянутых по меньшей мере двух источников дугового испарения, представляет собой композитную мишень, содержащую по меньшей мере в качестве основных компонентов в атомных процентах титан и кремний, которую используют для нанесения нанослоя типа В.
9. Способ по п. 8, отличающийся тем, что по меньшей мере одна из двух используемых композитных мишеней получена методами порошковой металлургии.
10. Способ по п. 5, отличающийся тем, что наноламинарную структуру наносят в реакционноспособной атмосфере, содержащей азот в качестве основного компонента.
11. Способ по п. 5 отличающийся тем, что наноламинарную структуру наносят в камере нанесения, имеющей реакционноспособную атмосферу, содержащую азот по меньшей мере в качестве основного компонента.
12. Способ по п. 11, отличающийся тем, что парциальное давление азота составляет между 4 и 7 Па.
13. Способ по п. 5, отличающийся тем, что во время нанесения наноламинарной структуры прикладывают отрицательное напряжение смещения постоянного тока, предпочтительно, напряжение смещения между -20 и -60 В.
14. Способ по п. 5, отличающийся тем, что во время нанесения наноламинарной структуры подложку поддерживают при температуре не ниже 450°С и не выше 700°С.
15. Изделие, покрытое с использованием способа по любому из предыдущих пп. 1 - 14, отличающееся тем, что
x
1-x-y
y
- нанесенные нанослои А имеют элементный состав, заданный формулой (AlTiW)N с 0,50≤x≤0,65 и 0≤y≤0,10, где коэффициенты, заданные как х, 1-х-y и y, соответствуют атомной концентрации алюминия, титана и вольфрама соответственно, учитывая только такие элементы алюминий, титан и вольфрам для количественного определения элементов в упомянутом слое А, а
1-z-u
z
u
- нанесенные нанослои В имеют элементный состав, заданный формулой (TiSiW)N с 0,05≤z≤0,30 и 0≤u≤0,10, где коэффициенты, заданные как 1-z-u, z и u, соответствуют атомной концентрации титана, кремния и вольфрама соответственно, учитывая только такие элементы титан, кремний и вольфрам для количественного определения элементов в упомянутом слое В.