Определение количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика

1. Способ определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика, включающий:
a) обеспечение наличия материала датчика;
b) облучение материала датчика излучением заранее заданного типа для сохранения воздействия излучения заранее заданного типа в материале датчика в течение заранее заданного промежутка времени;
c) подвергание материала датчика, который был облучен излучением заранее заданного типа, термической обработке и/или оптическому возбуждению; и
d) определение количества видимого света, излучаемого материалом датчика в результате того, что он был подвергнут термической обработке и/или оптическому возбуждению;
при этом материал датчика представлен следующей формулой (I)
где
М' представляет моноатомный катион щелочного металла, выбранного из первой группы периодической таблицы элементов Международного союза теоретической и прикладной химии (IUРАС), или любую комбинацию таких катионов;
М'' представляет трехвалентный моноатомный катион элемента, выбранного из группы 13 периодической таблицы элементов IUРАС, или переходного элемента, выбранного из любой из групп 3-12 периодической таблицы элементов IUРАС, или любую комбинацию таких катионов;
М''' представляет моноатомный катион элемента, выбранного из группы 14 периодической таблицы элементов IUРАС, или элемента, выбранного из любой из групп 13 и 15 периодической таблицы элементов IUРАС, или цинка, или любую комбинацию таких катионов;
X представляет анион элемента, выбранного из группы 17 периодической таблицы элементов IUРАС, или любую комбинацию таких анионов, или X отсутствует;
X' представляет анион элемента, выбранного из группы 16 периодической таблицы элементов IUРАС, или любую комбинацию таких анионов, или X' отсутствует; и
М'''' представляет легирующий катион элемента, выбранного из переходных металлов периодической таблицы элементов IUРАС, или любую комбинацию таких катионов, или М'''' отсутствует;
при условии, что по меньшей мере один из X и X' присутствует.
2. Способ по п. 1, в котором излучение заранее заданного типа - это электромагнитное излучение, имеющее длину волны больше 0 нм до 590 нм, или больше 0 нм до 560 нм, или больше 0 нм до 500 нм, или больше 0 нм до 400 нм, или больше 0 нм до 300 нм, или 0,000001-590 нм, или 0,000001- 560 нм, или 0,000001-500 нм, или 10-590 нм, или 10-560 нм, или 10-500 нм, или 0,000001-400 нм, или 0,000001-300 нм, или 0,000001-10 нм, или 10-400 нм, или 10-300 нм, или 0,01-10 нм.
3. Способ по п. 1 или 2, в котором термическая обработка включает повышение температуры материала датчика.
4. Способ по любому из пп. 1-3, в котором оптическое возбуждение материала датчика включает облучение материала датчика электромагнитным излучением, имеющим длину волны 310-1400 нм.
5. Способ по любому из пп. 1-4, дополнительно включающий е) сравнение измеренного количества видимого света, излучаемого материалом датчика, со справочной информацией, указывающей зависимость количества излучаемого видимого света от количества излучения заранее заданного типа, которым был облучен материал датчика.
6. Способ по любому из пп. 1-5, в котором М' представляет собой моноатомный катион щелочного металла, выбранный из группы 1 периодической таблицы элементов IUРАС, или любую комбинацию таких катионов, при условии, что М' не представляет собой моноатомный катион одного только Na.
7. Способ по любому из пп. 1-6, в котором М' представляет собой комбинацию по меньшей мере двух моноатомных катионов различных щелочных металлов, выбранных из группы 1 периодической таблицы элементов IUРАС.
8. Способ по любому из пп. 1-7, в котором М' представляет собой комбинацию по меньшей мере двух моноатомных катионов различных щелочных металлов, выбранных из группы, содержащей Li, Na, K и Rb.
9. Способ по любому из пп. 1-8, в котором М' представляет собой моноатомный катион щелочного металла, выбранный из группы, содержащей Li, K и Rb, или любую комбинацию таких катионов.
10. Способ по любому из пп. 1-9, в котором М' представляет собой комбинацию моноатомного катиона Na с моноатомным катионом Li, моноатомным катионом K и/или моноатомным катионом Rb.
11. Способ по любому из пп. 1-10, в котором М'' представляет собой трехвалентный моноатомный катион металла, выбранный из группы, содержащей Аl и Ga, или комбинацию таких катионов.
12. Способ по любому из пп. 1-10, в котором М'' представляет собой трехвалентный моноатомный катион В.
13. Способ по любому из пп. 1-12, в котором М''' представляет собой моноатомный катион элемента, выбранного из группы, содержащей Si и Ge, или комбинацию таких катионов.
14. Способ по любому из пп. 1-12, в котором М''' представляет собой моноатомный катион элемента, выбранного из группы, содержащей Al, Ga, N, Р и As, или любую комбинацию таких катионов.
15. Способ по любому из пп. 1-14, в котором X представляет собой анион элемента, выбранного из группы, содержащей F, О, Вr и I, или любую комбинацию таких анионов.
16. Способ по любому из пп. 1-15, в котором X' представляет собой анион элемента, выбранного из группы, содержащей О, S, Se и Те, или любую комбинацию таких анионов.
17. Способ по любому из пп. 1-16, в котором М'''' представляет собой катион элемента, выбранного из группы, содержащей Ti, V, Cr, Mn, Fe, Со, Ni, Сu и Zn, или любую комбинацию таких катионов.
18. Детекторное устройство (1) для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика, содержащее:
- материал (2) датчика, представленный формулой (I), как определено в любом из пп. 1-17;
- нагревательный элемент (4), сконфигурированный так, чтобы подвергнуть материал датчика, облученный излучением заранее заданного типа, термической обработке, и/или блок (5) возбуждения, сконфигурированный так, чтобы подвергнуть материал датчика, облученный излучением заранее заданного типа, оптическому возбуждению; и
- измерительное устройство (6), сконфигурированное для измерения количества видимого света, излучаемого материалом датчика в результате того, что он был подвергнут термической обработке и/или оптическому возбуждению.
19. Детекторное устройство по п. 18, в котором нагревательный элемент (4) сконфигурирован для повышения температуры материала датчика.
20. Детекторное устройство по п. 18 или 19, в котором блок (5) возбуждения сконфигурирован так, чтобы облучать материал датчика электромагнитным излучением с длиной волны 310-1400 нм.
21. Детекторное устройство по любому из пп. 18-20, в котором блок (5) возбуждения представляет собой лазер, светодиод (LED), органический светодиод (OLED), активно-матричный органический светодиод (AMOLED), лампу накаливания, галогенную лампу или любую их комбинацию.
22. Система (7) для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика, содержащая:
- блок (3) облучения, сконфигурированный для облучения материала датчика излучением заранее заданного типа для сохранения воздействия этого излучения заранее заданного типа в материале датчика в течение заранее заданного промежутка времени; и
- детекторное устройство по любому из пп. 18-21.
23. Система по п. 22, в которой блок (3) облучения сконфигурирован так, чтобы облучать материал датчика электромагнитным излучением с длиной волны больше 0 нм до 590 нм, или больше 0 нм до 560 нм, или больше 0 нм до 500 нм, или больше 0 нм до 400 нм, или больше 0 нм до 300 нм, или 0,000001-590 нм, или 0,000001- 560 нм, или 0,000001-500 нм, или 10-590 нм, или 10-560 нм, или 10-500 нм, или 0,000001-400 нм, или 0,000001-300 нм, или 0,000001-10 нм, или 10-400 нм, или 10-300 нм, или 0,01-10 нм.
24. Система по любому из пп. 22, 23, содержащая справочную информацию для указания зависимости измеренного количества света, излучаемого материалом датчика, и количества излучения заранее заданного типа, которым был облучен материал датчика.
25. Применение термической обработки и/или оптического возбуждения для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика, представленного формулой (I), как определено в любом из пп. 1-17.
26. Применение материала датчика, представленного формулой (I), как определено в любом из пп. 1-17, для определения количества излучения заранее заданного типа, облучившего материал датчика, при этом материал датчика облучают излучением заранее заданного типа для сохранения воздействия этого излучение заранее заданного типа в материале датчика в течение заранее заданного промежутка времени, а после этого подвергают термической обработке и/или оптическому возбуждению.
27. Применение материала датчика, представленного формулой (I), как определено в любом из пп. 1-17, в термолюминесцентном дозиметре или в люминесцентном дозиметре с оптическим возбуждением.