ПЕРЕДНИЙ ЭЛЕКТРОД ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПРИБОРЕ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Фотоэлектрический прибор, содержащий
переднюю стеклянную подложку;
полупроводниковую пленку;
по существу прозрачный передний электрод, расположенный между по меньшей мере передней стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой;
причем этот по существу прозрачный передний электрод содержит, удаляясь от передней стеклянной подложки к полупроводниковой пленке, по меньшей мере первый по существу прозрачный проводящий, по существу металлический, отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро и/или золото, и первую пленку прозрачного проводящего оксида (ППО), расположенную между по меньшей мере отражающим ИК излучение слоем и полупроводниковой пленкой.
2. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором первая пленка ППО содержит один или более из оксида цинка, оксида цинка-алюминия, оксида олова, оксида индия-олова и оксида индия-цинка.
3. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий антиотражательный (АО) переходный слой, предусмотренный между по меньшей мере передней стеклянной подложкой и отражающим ИК излучение слоем, причем АО переходный слой имеет показатель преломления (n) от примерно 2,2 до 2,6.
4. Фотоэлектрический прибор по п.3, в котором АО переходный слой имеет показатель преломления (n) от примерно 2,3 до 2,5.
5. Фотоэлектрический прибор по п.3, в котором АО переходный слой содержит оксид титана и/или оксид ниобия.
6. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий диэлектрический слой, предусмотренный между по меньшей мере передней стеклянной подложкой и отражающим ИК излучение слоем, причем этот диэлектрический слой содержит один или более из нитрида кремния, оксида кремния и/или оксинитрида кремния.
7. Фотоэлектрический прибор по п.6, в котором диэлектрический слой имеет показатель преломления (n) от примерно 1,6 до 2,0.
8. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передний электрод дополнительно содержит затравочный слой, содержащий по меньшей мере один оксид металла, расположенный между передней стеклянной подложкой и отражающим ИК излучение слоем, причем этот затравочный слой непосредственно контактирует с отражающим ИК излучение слоем.
9. Фотоэлектрический прибор по п.8, в котором затравочный слой содержит оксид цинка, который может быть необязательно легирован алюминием.
10. Фотоэлектрический прибор по п.8, в котором затравочный слой является диэлектриком.
11. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передний электрод дополнительно содержит покровный слой, предусмотренный между отражающим ИК излучение слоем и первой пленкой ППО и контактирующий с каждым из них.
12. Фотоэлектрический прибор по п.11, в котором покровный слой содержит один или более из оксида Ni и/или Cr, и/или оксида цинка.
13. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий вторую пленку ППО, предусмотренную между первой пленкой ППО и полупроводниковой пленкой.
14. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором по существу прозрачный передний электрод дополнительно содержит второй по существу прозрачный проводящий, по существу металлический, отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро и/или золото.
15. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором первый отражающий ИК излучение слой содержит серебро.
16. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий диэлектрический слой с показателем преломления от примерно 1,6 до 2,2, расположенный между передней стеклянной подложкой и передним электродом.
17. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором первый отражающий ИК излучение слой составляет от примерно 3 до 12 нм в толщину.
18. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором первая пленка ППО составляет от примерно 40 до 130 нм в толщину.
19. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передняя стеклянная подложка и передний электрод, взятые вместе, имеют пропускание по меньшей мере примерно 80% в по меньшей мере значительной части диапазона длин волн от примерно 450-600 нм.
20. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передняя стеклянная подложка и передний электрод, взятые вместе, имеют коэффициент отражения ИК излучения по меньшей мере примерно 45% в по меньшей мере значительной части ИК диапазона длин волн от примерно 1400-2300 нм.
21. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором передняя стеклянная подложка и передний электрод, взятые вместе, имеют коэффициент отражения ИК излучения по меньшей мере примерно 45% в по меньшей мере большей части ИК диапазона длин волн от примерно 1000-2500 нм.
22. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором полупроводниковая пленка содержит CdS и/или CdTe.
23. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором полупроводниковая пленка содержит a-Si.
24. Электродная структура, приспособленная для использования в фотоэлектрическом приборе, включающем в себя полупроводниковую пленку, содержащая по существу прозрачный многослойный электрод, поддерживаемый стеклянной подложкой; причем этот по существу прозрачный многослойный электрод содержит, удаляясь от стеклянной подложки, по меньшей мере первый слой, содержащий оксид металла, по существу прозрачный проводящий, по существу металлический, отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро, и первую пленку прозрачного проводящего оксида (ППО).
25. Электродная структура по п.24, в котором первая пленка ППО содержит один или более из оксида цинка, оксида цинка-алюминия, оксида олова, оксида индия-олова и оксида индия-цинка.
26. Электрод по п.24, в котором первый слой, содержащий оксид металла, содержит оксид цинка.