СПОСОБ КОНТРОЛЯ КРЕМНИЕВЫХ МОП-СТРУКТУР

Способ контроля кремниевых МОП-структур, основанный на нагревании кремниевой пластины до температуры окисления, выдержке при этой температуре в окислительной среде, охлаждении структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры, получении МОП-структуры путем нанесения полевого электрода, регистрации вольт-фарадных характеристик, по которым судят о качестве кремниевых МОП-структур, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности определения качества кремниевых МОП-структур, охлаждение производят со скоростью 15-20 K/с, после охлаждения на поверхность окисла наносят слой фосфоро-силикатного стекла, прикладывают к МОП-структуре напряжение смещения -(10-15) или +(5-10) В, воздействуют на МОП-структуру ионизирующим излучением с дозой, равной дозе насыщения.