СЛОЙ ПОСАДКИ ИЗ ОКИСИ АЛЮМИНИЯ ДЛЯ ПРОВОДЯЩИХ КАНАЛОВ ДЛЯ УСТРОЙСТВА ТРЕХМЕРНОЙ ЦЕПИ

1. Устройство схемы, содержащее
многоуровневую укладку элементов памяти, причем каждый уровень укладки включает в себя устройство элемента памяти;
поликристаллический слой выбора затвора истока (слой поли-SGS), примыкающий к многоуровневой укладке элементов памяти, причем слой поли-SGS предназначен для подачи сигнала выбора затвора для элементов памяти многоуровневой укладки;
проводящий слой истока для обеспечения проводника истока для канала для уровней укладки; и
слой оксида алюминия (AlOx) между слоем истока и слоем поли-SGS, причем слой AlOx обеспечивает слой остановки вытравливания для отделения слоя поли-SGS от слоя истока, при этом слой AlOx обеспечивает избирательность как для сухого вытравливания, так и для влажного вытравливания, причем при вытравливании канала вытравливание происходит через многоуровневую укладку элементов памяти и слой поли-SGS и останавливается в слое AlOx и не раскрывает слой истока, а при избирательном вытравливании затвора происходит вытравливание контактов затвора в элементах памяти и вытравливание слоя AlOx для раскрытия слоя истока.
2. Устройство схемы по п. 1, в котором слой поли-SGS содержит легированный поликристаллический кремний p-типа.
3. Устройство схемы по п. 1, в котором слой истока включает в себя один или более из силицида вольфрама, сильнолегированного поликристаллического кремния или поликристаллического силицида вольфрама.
4. Устройство схемы по п. 1, в котором слой истока содержит легированный поликристаллический кремний n-типа.
5. Устройство схемы по п. 1, в котором слой AlOx дополнительно содержит
плавающий затвор, инициируемый сигналом выбора затвора, для подачи тока от слоя истока к многоуровневой укладке элементов памяти.
6. Устройство схемы по п. 5, в котором канал содержит полый канал, проходящий через многоуровневую укладку, причем полый канал включает в себя проводящий материал, окружающий изолятор канала, для обеспечения электрического контакта с затворами элементов памяти;
при этом плавающий затвор слоя AlOx обеспечивает подачу тока от слоя истока в полый канал.
7. Устройство схемы по п. 1, дополнительно содержащее слой оксида между слоем AlOx и слоем поли-SGS.
8. Устройство схемы по п. 1, дополнительно содержащее слой оксида между слоем AlOx и слоем истока.
9. Электронное устройство, содержащее
трехмерное пакетированное запоминающее устройство для хранения данных, причем запоминающее устройство включает в себя
многоуровневую укладку элементов памяти, причем каждый уровень укладки включает в себя устройство элемента памяти;
поликристаллический слой выбора затвора истока (слой поли-SGS), примыкающий к многоуровневой укладке элементов памяти, причем слой поли-SGS предназначен для подачи сигнала выбора затвора для элементов памяти многоуровневой укладки;
проводящий слой истока для обеспечения проводника истока для канала для уровней укладки; и
слой оксида алюминия (AlOx) между слоем истока и слоем поли-SGS, причем слой AlOx обеспечивает слой остановки вытравливания для отделения слоя поли-SGS от слоя истока, при этом слой AlOx обеспечивает избирательность как для сухого вытравливания, так и для влажного вытравливания, причем при вытравливании канала вытравливание происходит через многоуровневую укладку элементов памяти и слой поли-SGS и останавливается в слое AlOx и не раскрывает слой истока, а при избирательном вытравливании затвора происходит вытравливание контактов затвора в элементах памяти и вытравливание слоя AlOx для раскрытия слоя истока; и
дисплей высокой четкости, соединенный для генерирования отображения на основе данных, содержащихся в устройстве памяти.
10. Электронное устройство по п. 9, в котором слой истока включает в себя один или более из силицида вольфрама, сильнолегированного поликристаллического кремния или поликристаллического силицида вольфрама.
11. Электронное устройство по п. 9, в котором слой AlOx дополнительно содержит плавающий затвор, инициируемый сигналом выбора затвора, для подачи тока от слоя истока к многоуровневой укладке элементов памяти.
12. Электронное устройство по п. 11, в котором канал содержит полый канал, проходящий через многоуровневую укладку, причем полый канал включает в себя проводящий материал, окружающий изолятор канала, для обеспечения электрического контакта с затворами элементов памяти;
при этом плавающий затвор слоя AlOx обеспечивает подачу тока от слоя истока в полый канал.
13. Электронное устройство по п. 9, дополнительно содержащее слой оксида между слоем AlOx и слоем поли-SGS.
14. Электронное устройство по п. 9, дополнительно содержащее слой оксида между слоем AlOx и слоем истока.
15. Способ, содержащий этапы, на которых
генерируют многоуровневую укладку элементов памяти, причем каждый уровень укладки включает в себя устройство элемента памяти;
формируют поликристаллический слой выбора затвора истока (слой поли-SGS), примыкающий к многоуровневой укладке элементов памяти, причем слой поли-SGS, предназначен для подачи сигнала выбора затвора для элементов памяти многоуровневой укладки;
формируют проводящий слой истока на полупроводниковой подложке для обеспечения проводника истока для канала для уровней укладки; и
формируют слой оксида алюминия (AlOx) между слоем истока и слоем поли-SGS, причем слой AlOx обеспечивает слой остановки вытравливания для отделения слоя поли-SGS от слоя истока, при этом слой AlOx обеспечивает избирательность как при сухом вытравливании, так и при влажном вытравливании, причем при вытравливании канала вытравливание происходит через многоуровневую укладку элементов памяти и слой поли-SGS и останавливается в слое AlOx и не раскрывает слой истока, а при избирательном вытравливании затвора происходит вытравливание контактов затвора в элементах памяти и вытравливание слоя AlOx для раскрытия слоя истока.
16. Способ по п. 15, в котором на этапе формирования слоя истока формируют слой истока, который включает в себя один или более из силицида вольфрама, сильнолегированного поликристаллического кремния или поликристаллического силицида вольфрама.
17. Способ по п. 15, в котором на этапе формирования слоя AlOx дополнительно формируют плавающий затвор, инициируемый сигналом выбора затвора, для подачи тока от слоя истока к многоуровневой укладке элементов памяти.
18. Способ по п. 17, дополнительно содержащий этап, на котором формируют полый канал, проходящий через многоуровневую укладку, причем полый канал включает в себя проводящий материал, окружающий изолятор канала, для обеспечения электрического контакта с затворами элементов памяти;
при этом плавающий затвор слоя AlOx обеспечивает подачу тока от слоя истока в полый канал.
19. Способ по п. 15, дополнительно содержащий этап, на котором формируют слой оксида между слоем AlOx и слоем поли-SGS.
20. Способ по п. 15, дополнительно содержащий этап, на котором формируют слой оксида между слоем AlOx и слоем истока.