УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА НАНОВОЛОКНА И ИСПОЛЬЗУЕМАЯ В НЕМ ГОЛОВКА ФИЛЬЕРЫ

1. Устройство для производства нановолокон, содержащее
поверхность для выпуска исходного материала, на которой располагается проход для потока исходного материала, предназначенный для выпуска жидкого исходного материала, и
поверхность для выпуска газа, которая располагается под углом α (0<α≤90°) к упомянутой поверхности для выпуска исходного материала и на которой располагается проход для потока газа, служащий для выпуска газа, при этом упомянутый проход для потока исходного материала является ортогональным к упомянутой поверхности для выпуска исходного материала, упомянутый проход для потока газа является ортогональным к упомянутой поверхности для выпуска газа, и упомянутый проход для потока исходного материала и упомянутый проход для потока газа располагаются так, чтобы упомянутый жидкий исходный материал, выпускаемый из упомянутого прохода для потока исходного материала, встречался с газом, выпускаемым из упомянутого прохода для потока газа.
2. Устройство для производства нановолокон по п. 1, содержащее один или более наборов из одного упомянутого прохода для потока исходного материала и одного упомянутого прохода для потока газа.
3. Устройство для производства нановолокон по п. 2, в котором предусматривается множество наборов проходов, и эти наборы располагаются в одном направлении так, чтобы упомянутый проход для потока исходного материала и упомянутый проход для потока газа были расположены вдоль двух линий, параллельных друг другу.
4. Устройство для производства нановолокон по п. 2, в котором предусматривается множество наборов проходов, и это множество наборов проходов располагается кольцеобразно так, чтобы упомянутые проходы для потока исходного материала и упомянутые проходы для потока газа были расположены на двух концентрических окружностях.
5. Устройство для производства нановолокон по любому из пп. 1-4, в котором осевая линия упомянутого прохода для потока исходного материала и осевая линия упомянутого прохода для потока газа обеспечиваются на плоскости.
6. Устройство для производства нановолокон по п. 1, содержащее один или более наборов из множества упомянутых проходов для потока исходного материала и упомянутого прохода для потока газа.
7. Устройство для производства нановолокон по п. 6, в котором упомянутый набор проходов содержит упомянутый проход для потока газа, имеющий щелевидную форму, проходящую в одном направлении, и упомянутое множество проходов для потока исходного материала, расположенных в упомянутом одном направлении.
8. Устройство для производства нановолокон по п. 6, в котором упомянутый набор проходов содержит упомянутый проход для потока газа и множество упомянутых проходов для потока исходного материала, расположенных вокруг упомянутого прохода для потока газа.
9. Устройство для производства нановолокон по любому из пп. 1-8, в котором предусматривается выпускная трубка, выступающая из упомянутой поверхности для выпуска исходного материала, и упомянутый проход для потока исходного материала располагается внутри нее.
10. Устройство для производства нановолокон по любому из пп. 1-9, в котором предусматривается выпускная трубка, выступающая из упомянутой поверхности для выпуска газа, и упомянутый проход для потока газа располагается внутри нее.
11. Устройство для производства нановолокон по любому из пп. 1-10, содержащее первую часть, имеющую упомянутую поверхность для выпуска исходного материала, и вторую часть, имеющую упомянутую поверхность для выпуска газа, в котором упомянутая первая часть и упомянутая вторая часть соединяются разъемным образом.
12. Устройство для производства нановолокон, содержащее
поверхность для выпуска исходного материала, на которой располагается проход для потока исходного материала, предназначенный для выпуска жидкого исходного материала,
поверхность для выпуска газа, которая располагается ниже упомянутой поверхности для выпуска исходного материала и на которой располагается проход для потока газа, предназначенный для выброса газа,
соединительную поверхность, которая соединяется с упомянутой поверхностью для выпуска исходного материала и упомянутой поверхностью для выпуска газа и располагается под углом β (0≤β<90°) к упомянутой поверхности для выпуска исходного материала,
при этом упомянутый проход для потока исходного материала является ортогональным к упомянутой поверхности для выпуска исходного материала, упомянутый проход для потока газа является ортогональным к упомянутой поверхности для выпуска газа, отверстие упомянутого прохода для потока газа контактирует с упомянутой соединительной поверхностью, и упомянутый проход для потока исходного материала и упомянутый проход для потока газа располагаются так, чтобы упомянутый жидкий исходный материал, выпускаемый из упомянутого прохода для потока исходного материала, достигал отверстия упомянутого прохода для потока газа вдоль упомянутой соединительной поверхности.
13. Головка фильеры, используемая для устройства для производства нановолокон, содержащая:
поверхность для выпуска исходного материала, на которой располагается проход для потока исходного материала, предназначенный для выпуска жидкого исходного материала, и
поверхность для выпуска газа, которая располагается под углом α (0<α≤90°) к упомянутой поверхности для выпуска исходного материала и на которой располагается проход для потока газа, служащий для выпуска газа, в котором упомянутый проход для потока исходного материала является ортогональным к упомянутой поверхности для выпуска исходного материала, упомянутый проход для потока газа является ортогональным к упомянутой поверхности для выпуска газа, и упомянутый проход для потока исходного материала и упомянутый проход для потока газа располагаются так, чтобы упомянутый жидкий исходный материал, выпускаемый из упомянутого прохода для потока исходного материала, встречался с газом, выпускаемым из упомянутого прохода для потока газа.
14. Головка фильеры, используемая для устройства для производства нановолокон, содержащая:
поверхность для выпуска исходного материала, на которой располагается проход для потока исходного материала, предназначенный для выпуска жидкого исходного материала,
поверхность для выпуска газа, которая располагается ниже упомянутой поверхности для выпуска исходного материала, и на которой располагается проход для потока газа, предназначенный для выброса газа,
соединительную поверхность, которая соединяется с упомянутой поверхностью для выпуска исходного материала и упомянутой поверхностью для выпуска газа и располагается под углом β (0≤β<90°) к упомянутой поверхности для выпуска исходного материала,
при этом упомянутый проход для потока исходного материала является ортогональным к упомянутой поверхности для выпуска исходного материала, упомянутый проход для потока газа является ортогональным к упомянутой поверхности для выпуска газа, отверстие упомянутого прохода для потока газа контактирует с упомянутой соединительной поверхностью, и упомянутый проход для потока исходного материала и упомянутый проход для потока газа располагаются так, чтобы упомянутый жидкий исходный материал, выпускаемый из упомянутого прохода для потока исходного материала, достигал отверстия упомянутого прохода для потока газа вдоль упомянутой соединительной поверхности.