ТЕКСТУРИРОВАННЫЙ ЛИСТ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЙ СТАЛИ

1. Лист текстурированной электротехнической стали, отличающийся тем, что лист содержит Si: 2-5 мас. %, и имеет множество пиков в распределении угла дезориентации между ориентацией кристаллов вторично рекристаллизованной текстуры и ориентацией Госса, причем размер зерен вторично рекристаллизованной текстуры составляет не более 15 мм.
2. Лист текстурированной электротехнической стали по п. 1, где угол дезориентации для второго небольшого пика среди множества пиков составляет не меньше, чем 5°.
3. Лист текстурированной электротехнической стали по п. 1 или 2, который содержит С: меньше, чем 0,005 мас. % и Mn: 0,005-1,0 мас. %, дополнительно к Si.
4. Лист текстурированной электротехнической стали по п. 1 или 2, который содержит один или больше элементов, выбранных из Ni: 0,010-1,50 мас. %, Cr: 0,01-0,50 мас. %, Cu: 0,01-0,50 мас. %, Р: 0,005-0,50 мас. %, Sn: 0,005-0,50 мас. %, Sb: 0,005-0,50 мас. %, Bi: 0,005-0,50 мас. % и Мо: 0,005-0,100 мас. %, кроме указанных выше компонентов.
5. Лист текстурированной электротехнической стали по п. 3, который содержит один или больше элементов, выбранных из Ni: 0,010-1,50 мас. %, Cr: 0,01-0,50 мас. %, Cu: 0,01-0,50 мас. %, Р: 0,005-0,50 мас. %, Sn: 0,005-0,50 мас. %, Sb: 0,005-0,50 мас. %, Bi: 0,005-0,50 мас. % и Мо: 0,005-0,100 мас. %, кроме указанных выше компонентов.