ФРОНТАЛЬНЫЙ ЭЛЕКТРОД С ПРОЗРАЧНЫМ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИМ ПОКРЫТИЕМ НА СТРУКТУРИРОВАННОЙ СТЕКЛЯННОЙ ПОДЛОЖКЕ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПРИБОРЕ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Способ изготовления фотоэлектрического прибора, включающий:
изготовление стеклянной подложки;
травление и/или структурирование по меньшей мере одной основной поверхности стеклянной подложки для формирования текстурированной поверхности стеклянной подложки;
нанесение напылением, по существу, конформного фронтального электрода на текстурированную поверхность стеклянной подложки, причем фронтальный электрод является, по существу, конформным, и обе основные поверхности фронтального электрода структурированы аналогично текстурированной поверхности стеклянной подложки; и
применение, по существу, конформного фронтального электрода, образованного на текстурированной поверхности стеклянной подложки, на освещенной стороне фотоэлектрического прибора.
2. Способ по п.1, дополнительно включающий определение кривой квантовой эффективности (QE) фотоэлектрического прибора и формирование фронтального электрода таким образом, что область максимального пропускания фронтального электрода находится в пределах области максимума на кривой QE фотоэлектрического прибора.
3. Способ по п.2, дополнительно включающий формирование фронтального электрода таким образом, чтобы область максимального пропускания находилась в пределах области суммарного пика QE и спектра источника света, что позволяет использовать фронтальный электрод в фотоэлектрическом приборе.
4. Способ по п.3, в котором источник света имеет спектральный состав AM1.5.
5. Способ по п.2, дополнительно включающий формирование фронтального электрода таким образом, что суммарное пропускание фронтального электрода и стеклянной подложки в полупроводниковую пленку фотоэлектрического устройства составляет по меньшей мере 80% по меньшей мере в существенной части интервала длин волн, составляющего примерно 450-600 нм.
6. Способ по п.5, дополнительно включающий формирование фронтального электрода таким образом, что суммарное пропускание фронтального электрода и стеклянной подложки в полупроводниковую пленку фотоэлектрического устройства составляет по меньшей мере 85% по меньшей мере в существенной части интервала длин волн, составляющего примерно 450-600 нм.
7. Способ по п.5, дополнительно включающий формирование фронтального электрода таким образом, что суммарное пропускание фронтального электрода и стеклянной подложки в полупроводниковую пленку фотоэлектрического устройства составляет по меньшей мере 87% по меньшей мере в существенной части интервала длин волн, составляющего примерно 450-600 нм.
8. Способ по п.5, дополнительно включающий формирование фронтального электрода таким образом, что суммарное пропускание фронтального электрода и стеклянной подложки в полупроводниковую пленку фотоэлектрического устройства составляет по меньшей мере 88% по меньшей мере в существенной части интервала длин волн, составляющего примерно 450-600 нм.
9. Способ по п.1, в котором фронтальный электрод является многослойным и включает по меньшей мере один электропроводящий и практически прозрачный слой.
10. Способ по п.9, в котором прозрачный фронтальный электрод является переходом от стеклянной подложки к полупроводниковой пленке фотоэлектрического прибора, по меньшей мере первый практически прозрачный, электропроводящий, практически металлический, отражающий ИК-излучение слой, содержащий серебро и/или золото, и первую прозрачную проводящую пленку электропроводящего оксида (TCO), расположенную между по меньшей мере отражающим ИК-излучение слоем и полупроводниковой пленкой.
11. Способ по п.10, в котором первая пленка из TCO содержит один или несколько оксидов, выбранных из оксида цинка, оксида цинка-алюминия, оксида олова, оксида индия-олова и оксида индия-цинка.
12. Способ по п.10, в котором практически прозрачный фронтальный электрод дополнительно содержит второй, по существу, прозрачный, электропроводящий, по существу, металлический отражающий ИК-излучение слой, содержащий серебро и/или золото, и в котором первая прозрачная пленка электропроводящего оксида (TCO) расположена по меньшей мере между указанным первым и вторым слоями, отражающими ИК-излучение.
13. Способ по п.12, в котором каждый из первого и второго слоя, отражающего ИК-излучение, содержит серебро.
14. Способ по п.1, в котором стеклянная подложка и фронтальный электрод совместно отражают ИК-излучение по меньшей мере примерно на 45% по меньшей мере в существенной части ИК-диапазона длин волн в интервале примерно 1400-2300 нм и/или 1000-2500 нм.
15. Способ изготовления фотоэлектрического прибора, включающий формирование, по существу, прозрачного электропроводящего электрода на стеклянной подложке;
определение кривой квантовой эффективности (QE) фотоэлектрического прибора и формирование, по существу, прозрачного фронтального электрода таким образом, что область максимального пропускания, по существу, прозрачного фронтального электрода находится в пределах максимума кривой QE фотоэлектрического прибора; и
использование, по существу, прозрачного фронтального электрода на стеклянной подложке на освещаемой стороне фотоэлектрического прибора.
16. Способ по п.15, дополнительно содержащий формирование фронтального электрода таким образом, что площадь максимального пропускания фронтального электрода находится в пределах максимума в спектре источника света, что позволяет использовать фронтальный электрод для электропитания фотоэлектрического прибора.
17. Способ по п.16, в котором спектр источника света представляет собой AM1.5.
18. Способ по п.15, дополнительно содержащий формирование фронтального электрода таким образом, что суммарное пропускание фронтального электрода и стеклянной подложки составляет по меньшей мере 80% по меньшей мере в существенной части интервала длин волн 450-600 нм.
19. Способ по п.18, дополнительно содержащий формирование фронтального электрода таким образом, что суммарное пропускание фронтального электрода и стеклянной подложки составляет по меньшей мере 85% по меньшей мере в существенной части интервала длин волн 450-600 нм.
20. Способ по п.15, в котором фронтальный электрод является переходом от стеклянной подложки, к полупроводниковой пленке фотоэлектрического прибора, по меньшей мере первый, по существу, прозрачный, электропроводящий, по существу, металлический, отражающий ИК-излучение слой, содержащий серебро и/или золото, и первую прозрачную пленку электропроводящего оксида (TCO), расположенную по меньшей мере между отражающим ИК-излучение слоем и полупроводниковой пленкой.
21. Способ по п.15, в котором по меньшей мере одна основная поверхность стеклянной подложки и обе основные поверхности фронтального электрода текстурированы таким образом, что содержат описанные здесь пики и впадины.
22. Фотоэлектрический прибор, включающий:
фронтальную стеклянную подложку;
полупроводниковую пленку;
по существу, прозрачный электропроводящий фронтальный электрод, расположенный между по меньшей мере фронтальной стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой;
в котором область максимального пропускания практически прозрачного электропроводящего фронтального электрода находится в пределах максимума кривой квантовой эффективности (QE) фотоэлектрического прибора.
23. Фотоэлектрический прибор по п.22, в котором область максимального пропускания фронтального электрода находится в пределах максимума кривой QE и спектра источника света, что позволяет использовать фронтальный электрод в фотоэлектрическом приборе.
24. Фотоэлектрический прибор по п.22, в котором суммарное пропускание фронтального электрода и фронтальной стеклянной подложки к полупроводниковой пленке составляет по меньшей мере 80% по меньшей мере в существенной части интервала длин волн 450-600 нм.
25. Фотоэлектрический прибор по п.24, в котором суммарное пропускание фронтального электрода и фронтальной стеклянной подложки к полупроводниковой пленке составляет по меньшей мере 85% по меньшей мере в существенной части интервала длин волн 450-600 нм.
26. Фотоэлектрический прибор по п.22, в котором по меньшей мере одна основная поверхность фронтальной стеклянной подложки и обе основные поверхности фронтального электрода текстурированы с образованием описанных здесь пиков и впадин.
27. Способ по п.1, в котором значение матовости в стеклянной подложке составляет 10-20%.
28. Фотоэлектрический прибор по п.22, в котором значение матовости в стеклянной подложке составляет 10-20%.