КОНСТРУКЦИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ ДЛЯ МДП СТРУКТУР, ОБЛАДАЮЩИХ ЭФФЕКТОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ПРОВОДИМОСТИ

Конструкция диэлектрического слоя для МДП структур, обладающих эффектом переключения проводимости, выполненная в виде диэлектрической пленки - широкозонного полупроводника из оксида и/или нитрида кремния или их сплавов с углеродом или германием, со встроенными наноразмерными кластерами кремния, отличающаяся тем, что внутри диэлектрической пленки дополнительно сформировано 1-5 слоев материала на базе кремния толщиной 1-5 нм, отличающихся от диэлектрической пленки химическим составом и имеющих меньшую, чем у материала диэлектрической пленки ширину запрещенной зоны, при общей толщине диэлектрического слоя 30-120 нм.