УСТРОЙСТВО ОБНАРУЖЕНИЯ, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ И СИСТЕМА ОБНАРУЖЕНИЯ

1. Устройство обнаружения, содержащее
подложку,
переключающий элемент, расположенный поверх подложки и включающий в себя множество электродов,
проводящую шину, расположенную поверх подложки и электрически соединенную с первым электродом из множества электродов переключающего элемента, и
преобразующий элемент, включающий в себя полупроводниковый слой, расположенный поверх переключающего элемента и проводящей шины и расположенный между двумя электродами, причем один электрод из двух электродов электрически соединен со вторым электродом из множества электродов переключающего элемента, а второй электрод отличается от первого электрода,
причем упомянутый один электрод преобразующего элемента расположен поверх переключающего элемента и проводящей шины через промежуток, образованный между упомянутым одним электродом и первым электродом переключающего элемента, или между упомянутым одним электродом и проводящей шиной.
2. Устройство по п.1, в котором промежуток сформирован путем удаления пленки, покрывающей проводящую шину и переключающий элемент.
3. Устройство по п.2, в котором пленка включает в себя межслойную изолирующую пленку.
4. Устройство по п.1, дополнительно содержащее первую защитную пленку, расположенную между промежутком и проводящей шиной, вторую защитную пленку, расположенную между упомянутым одним электродом преобразующего элемента и промежутком, и третью защитную пленку, расположенную так, что она покрывает верхнюю поверхность преобразующего элемента,
причем вторая защитная пленка и третья защитная пленка находятся в контакте друг и другом вокруг боковой поверхности преобразующего элемента.
5. Устройство по п.1, дополнительно содержащее первую защитную пленку, расположенную между промежутком и проводящей шиной,
причем упомянутый один электрод преобразующего элемента находится в контакте с промежутком и сформирован из оксида индия-олова (ITO).
6. Устройство по п.1, в котором преобразующий элемент включает в себя фотоэлектрический преобразующий элемент p-i-n-типа или МДП-типа.
7. Устройство по п.6, в котором преобразующий элемент включает в себя сцинтиллятор, расположенный поверх фотоэлектрического преобразующего элемента.
8. Устройство по п.1, в котором переключающий элемент содержит транзистор, первый электрод переключающего элемента содержит управляющий электрод, а проводящая шина содержит управляющую шину.
9. Устройство по п.1, в котором переключающий элемент содержит транзистор, первый электрод переключающего элемента содержит один из основных электродов транзистора, а проводящая шина содержит сигнальную шину.
10. Система обнаружения, содержащая
устройство обнаружения по п.1 и
блок обработки сигналов, выполненный с возможностью обработки сигнала, получаемого устройством обнаружения.
11. Способ изготовления устройства обнаружения, содержащий этапы, на которых:
формируют пленку, покрывающую переключающий элемент и проводящую шину, расположенные поверх подложки, причем переключающий элемент включает в себя множество электродов, а проводящая шина электрически соединена с первым электродом из множества электродов,
формируют преобразующий элемент поверх переключающего элемента и проводящей шины через посредство пленки, причем преобразующий элемент включает в себя полупроводниковый слой между двумя электродами, и один электрод из двух электродов электрически соединен со вторым электродом из множества электродов переключающего элемента, а второй электрод отличается от первого электрода, и
формируют промежуток между упомянутым одним электродом преобразующего элемента и первым электродом переключающего элемента или между упомянутым одним электродом преобразующего элемента и проводящей шиной путем удаления, по меньшей мере, части пленки.