СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ ИНДИЕМ И ГАЛЛИЕМ

3+
3+
1. Способ электролитического легирования полупроводниковых нестехиометрических соединений индием и галлием, включающий перенос ионов In и ионов Ga в электрохимической системе с углеграфитовыми токоподводящими электродами при повышенной температуре от аноднополяризуемого донора индия и галлия через твердоэлектролитную фазу в катоднополяризуемое полупроводниковое соединение до равновесия системы, отличающийся тем, что донор выполнен металлическими индием и галлием, твердоэлектролитная фаза оформлена твердоэлектролитной ионселективной мембраной, токоподводящие электроды изготовлены из стеклоуглерода и при достижении равновесия системы температуру повышают на 50-100°C и обработку проводят до выделения индия и галлия на поверхности катода.
3+
3+
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что твердоэлектролитная ионоселективная мембрана проводима по ионам In и ионам Ga и не имеет проводимости по анионам полупроводникового соединения.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что ионы проводимости полупроводникового соединения отличаются от ионов проводимости донора и твердоэлектролитной мембраны.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что выделение индия и галлия на поверхности катода устанавливают по снижению величины тока в цепи электролиза.
5. Устройство для электрохимического легирования полупроводниковых нестехиометрических соединений индием и галлием, включающее корпус из неэлектропроводного термоустойчивого материала и герметично размещенные внутри корпуса донор индия и галлия и припресованные индий- и галлийпроводимую твердоэлектролитную фазу и полупроводниковое нестехиометрическое соединение, углеграфитовые токоподводящие электроды в форме пробок, установленные так, что со стороны полупроводникового соединения находится катод, со стороны донора - анод, отличающееся тем, что токоподводящие электроды изготовлены из стеклоуглерода, а твердоэлектролитная фаза выполнена твердоэлектролитной ионселективной мембраной, на торцевой поверхности которой со стороны анода выполнена полость, заполненная донором индия и галлия и закрытая токоподводящим электродом.
6. Устройство по п. 5, отличающееся тем, что полость выполнена в форме цилиндрического, овального или конического углубления, расположенного по центру твердоэлектролитной ионоселективной мембраны.
7. Устройство по п. 5, отличающееся тем, что нижняя часть токоподводящего электрода входит в полость твердоэлектролитной ионоселективной мембраны до контакта с поверхностью донора.
8. Устройство по п. 5, отличающееся тем, что донор выполнен металлическими индием и галлием.