ПОДЛОЖКА ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ И СООТВЕТСТВУЮЩИЙ СПОСОБ ЛИТОГРАФИИ

1. Структура основания для слоя материала, предназначенного для селективной обработки, по рисунку высокого разрешения, при этом структура предназначена также для приема электронно-чувствительного маскирующего слоя (26) для определения рисунка, отличающаяся тем, что содержит наслоение подложки (10) и промежуточного слоя (22) из пористого материала с плотностью, по меньшей мере, в два раза меньшей, чем плотность такого же непористого материала, причем этот материал имеет незначительную атомную массу менее 32.
2. Структура основания по п. 1, отличающаяся тем, что атомная масса материала меньше 20.
3. Структура основания по п. 2, отличающаяся тем, что плотность составляет от 0,1 до 0,5 плотности непористого материала.
4. Структура основания по п. 1, отличающаяся тем, что пористый слой выполнен из пористого кремния или из углеродных нанотрубок.
5. Структура основания по п. 4, отличающаяся тем, что толщина промежуточного слоя составляет, по меньшей мере, 50 микрометров.
6. Структура основания по одному из пп. 1-5, отличающаяся тем, что слой материала, предназначенный для обработки, является слоем монокристаллического кремния, и тем, что структура основания содержит изолирующий слой поверх промежуточного пористого слоя, при этом слой монокристаллического кремния сформирован поверх изолирующего слоя.
7. Структура основания по одному из пп. 1-5, отличающаяся тем, что слой материала, предназначенного для обработки, является слоем проводящего, изолирующего или полупроводникового материала, нанесенным поверх слоя монокристаллического кремния, и тем, что структура основания содержит изолирующий слой поверх промежуточного пористого слоя, при этом слой монокристаллического кремния сформирован поверх изолирующего слоя.
8. Структура основания по п. 6, отличающаяся тем, что структура основания сформирована первой подложкой, покрытой на своей передней стороне пористым слоем, и второй подложкой, уложенной на первую подложку, при этом вторая подложка выполнена из монокристаллического кремния, покрытого изолирующим слоем, и утонена до толщины, меньшей или равной 100 нанометрам.
9. Структура основания по п. 7, отличающаяся тем, что структура основания сформирована первой подложкой, покрытой на своей передней стороне пористым слоем, и второй подложкой, уложенной на первую подложку, при этом вторая подложка выполнена из монокристаллического кремния, покрытого изолирующим слоем, и утонена до толщины, меньшей или равной 100 нанометрам.
10. Способ электронной литографии, включающий в себя формирование структуры основания, содержащей подложку, покрытую пористым слоем материала, имеющего плотность, меньшую половины плотности такого же непористого материала, и имеющего атомную массу менее 20, размещение поверх пористого слоя тонкого слоя материала, предназначенного для селективной обработки по рисунку высокого разрешения, размещение слоя материала, чувствительного к электронному пучку, и экспонирование слоя материала, чувствительного к электронному пучку высокой энергии, для определения рисунка в этом последнем слое, затем операцию обработки путем имплантации и/или травления слоя материала, предназначенного для селективной обработки.
11. Способ электронной литографии по п. 10, отличающийся тем, что материал пористого слоя является кремнием или углеродными нанотрубками.