УСТАНОВКА ВАКУУМНОГО ТЕРМИЧЕСКОГО НАПЫЛЕНИЯ

УСТАНОВКА ВАКУУТШОГО ТЕРМИЧЕСКОГО НАПЫЛЕНИЯ
Полезная модель относится к области вакуумного термического напыления и может быть использована при производстве тонкопленочных элементов.
Известны установки вакуумного термического напыления, ,содержащие вакуумный колпак, нагреватель, испаритель, подложку и заслонку (см., например, Ермолаев Ю.П., Понамарев М.Ф., Крюков Ю.Г. Конструкции и те,хнология микросхем /{ШС и БГИС); под. ред. Ю.П.Ермолаева: Учебник для вузов. - М.: Сов.радио, 1980. - 256 с., C.IO-II, рис.1.2).
Недостатком таких установок является низкое качвство напыляемых пленок, обусловленное высоким содержанием молекул остаточного газа в потоке атомов осаждаемого вещества и на подложке.
Наиболее близким техническим решением к предлагаемой полезной модели является установка вакуумного термического напыления, содержащая вакуумный колпак, нагреватель, испаритель, подложку, заслонку, первый и второй ионизирующие электроды, азотную ловушку (см.Парфенов О.Д. Технология микросхем: Учебное пособие для вузов по спец.Конструирование и пр-во ЭВА. - М.: Высш.шк., 1986. - 320 с., СЛ81-183, рие. 2.16).:
-ЖИЖНА ЛАРИСА ИВАНОВНА ШШ С 23 С 14/00
/Я/УШ
Данная установка обеспечивает значительное снижение  частиц остаточного газа в общем объеме камеры. Однако такая установка не позво-ляет достичь высокой эффективности очистки пространства подложка-заслонка ввиду низкой конвенции загрязняющих подложку частиц, атомов и ионов остаточных газов и малой вероятностью достижения ими удаленных поверхностей ловушек, что обусловливает низкое качества напыляемых пленок.
Задачей, на решение которой направлена заявляемая полезная модель, является повышение качества напыляемых пленок за счет снижения количества атомов и ионов остаточного газа в потоке напыляемого вещества путем дополнительной очистки пространства заслонка-подложка.
Предлагаемая установка вакуумного термического напыления, содери ащая вакуумный колпак, нагреватель, испаритель, .; подложку, заслонку, первый и второй ионные электроды и азотную ловушку снабжена ловителем, который закреплен на обращенной к подложке поверхности заслонкй, ловитель выполнен из поляризукщегося материала,например,сегнетоэлектрика,с размытым фазовым переходом первого рода в температурном диапазоне испарения напыляемого материала, причем элемент крепления ловителя к заслонке, например струбцина,выполнен из материала заслонки.
На чертеже представлена схема установки. Установка содержит вакуумный колпак I, нагреватель 2, испаритель 3, подложку 4, заслонку 5 , первый и второй ионные . Qj, f. . ;, ..,:::. .-., .., л,... « ..  ...; ..  -5S§ --;. . %, --0 ,, e. .  %e  ,;..e, --0.. ....-.C . % ,  . ...  :.. ZjO-   C -::O- % .: .e e.. -« ° . %  , 07.. e. °G7i,  00,, ,3  C ческой пластины  с размытым фазовым переходом в диапазоне 300 - 400°С, обеспечено поддержание вакуума 10 мм.
тп рт,ст., против 10  мм.рт.ст - при традиционной конструкции,
у гучшена структура напыленной пленки снижением числа проколов до 5  против 10 %, без использования поляризующегося ловителя.
м/
Проректор академии