ИССЛЕДОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК СОСТАВА SiOX(SnOY)Ag СКАНИРУЮЩИМ ЗОНДОВЫМ МИКРОСКОПОМ

УДК 539.217.5:546.28

В.В. Петров, Н.К. Плуготаренко, Т.Н. Назарова, О.А. Агеев ИССЛЕДОВАНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК СОСТАВА SiOX(SnOY)Ag СКАНИРУЮЩИМ ЗОНДОВЫМ МИКРОСКОПОМ

В плане разработки новых химических сенсоров одним из наиболее перспективных представляется путь создания газочувствительных материалов на базе скоррелированных ансамблей наночастиц, которые являются самосогласованной системой. В таких системах изменение электронного состояния любой из частиц оказывает заметное влияние на электронные характеристики ансамбля как целого.

В настоящей работе проведено исследование пленок состава SiOX(SnOY)Ag, полученных золь-гель методом, сканирующим зондовым микроскопом Solver P47. Такой способ позволяет отследить микроструктуру пленки на различных этапах ее формирования.

В качестве образцов были взяты пленки, отожженные при 370, 550 и 800 °С. Анализ показал, что при 370 °С поверхность еще не достаточно сформирована. При 550°С - представляет собой ядра кристаллитов оксидов олова и кремния размером 20-30 нм, окруженных гораздо большей по объему аморфной оболочкой. При 800 °С - аморфная фаза становится доминирующей, наличие кристаллитов практически не наблюдается.

Проведенная ранее проверка сенсорных свойств этих пленок [1] показала, что наилучшей газочувствительностью обладают пленки, отожженные при 550°С.

Все вышесказанное подтверждает мнение о том, что если размер наночастиц кристаллитов находится в пределах одного - трех десятков нанометров, то эти частицы объединяются в бесконечные цепочки и образуют сквозной маршрут переноса заряда через пленку, улучшая тем самым механизм чувствительности данной пленки.

Работа выполнена при поддержке гранта Министерства образования РФ А03-3.15-501.

1. Петров В.В., Копылова Н.Ф., Назарова Т.Н. Формироваание тонких пленок состава SiOx(SnOy)Ag, чувствительных к сероводороду// В тез.докл. Междунар. науч. конф. «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск 13-18 октября 2002 г. Ставрополь :СевКавГТУ, с.93-95.