Интегральный магниторезистор на основе SiC

УДК 621.382.132

В.М. Мамиконова, О. А. Агеев ИНТЕГРАЛЬНЫЙ МАГНИТОРЕЗИСТОР НА ОСНОВЕ 81С

Снижение уровня загрязнения окружающей среды электромагнитным излучением является важной задачей при разработке современных систем, содержащих сложные радиоэлектронные системы управления и контроля. Это требует разработки чувствительных датчиков магнитного поля, которые должны обладать высокой стабильностью параметров, поскольку часто размещаются в непосредственной близости от исполнительных механизмов и двигателей. Кроме того, применение таких датчиков позволит снизить шумность и повысить надежность систем, за счет точного контроля перемещения деталей и механизмов.

Ранее, в работах [1, 2] было предложено конструктивно-технологическое решение и исследовались параметры изготовленного на основе 81 гальваномаг-ниторекомбинационного преобразователя (ГМРП) в интегральном исполнении. В данной работе рассмотрены возможные конструкции ГМРП с использованием 81С различных политипов, а также структур 810/81. Рассчитаны оптимальные размеры и топология ГМРП. Согласно предварительным оценкам магнитная чувствительность различных конструкций ГМРП составляет от 2 шУ/шТ до 93,56 шУ/шТ.

Анализ полученных результатов, позволяет заключить, что датчик магнитного поля на основе ГМР эффекта обладает рядом преимуществ по сравнению с широко используемыми ДХ, а именно: линейность характеристики в широком диапазоне магнитной индуктивности, температурной стабильностью и отсутствием дрейфа характеристик. Повышение чувствительности датчика при изготовлении его по интегральной технологии, достигается путем формирования на одном кристалле схемы усиления и преобразования сигнала.

1. Касимов Ф.Д., Мамиконова В.М. Магниторезистивный преобразователь АС №1263153 от 8.06.86.

2. Касимов Ф.Д., Абдуллаев А.Г., Мамиконова В.М. // Электронная техника. Сер.3. Микроэлектроника, 1988. Вып.3. с.71 - 72.