ЛАВИННЫЙ ФОТОДИОД

Лавинный фотодиод, содержащий полупроводниковую подложку, на поверхности которой последовательно расположены первый эпитаксиальный слой, матрица из полупроводниковых областей с повышенной проводимостью по отношению к первому эпитаксиальному слою и второй эпитаксиальный слой, отличающийся тем, что на границе полупроводниковой подложки с первым эпитаксиальным слоем сформирован высоколегированный по отношению к полупроводниковой подложке слой, а по всему периметру матрицы из полупроводниковых областей выполнена охранная матрица из дополнительных полупроводниковых областей с повышенной проводимостью по отношению к первому эпитаксиальному слою, причем охранная матрица из дополнительных полупроводниковых областей выступает за пределы площади высоколегированного слоя.