СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОЙ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ, В ЧАСТНОСТИ, ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ОКАЛИНЫ С ПОЛУЧЕННОЙ СПОСОБОМ НЕПРЕРЫВНОЙ РАЗЛИВКИ ЗАГОТОВКИ

20
-3
1. Способ обработки материалов (8), в частности, бесконечных материалов, таких как проволока, прутки, трубы и подобное, при этом материал (8) во время своего прохождения через обрабатывающее устройство нагревают и затем подвергают плазменной обработке, отличающийся тем, что плазменная обработка происходит в плазменной обрабатывающей атмосфере из водорода или водорода, смешанного с благородным газом, причем концентрацию радикалов водорода в плазменной обрабатывающей атмосфере устанавливают равной, по меньшей мере, 10 м.
23
-2
-1
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что поток радикалов водорода к поверхности подлежащего обработке материала (8) устанавливают равным, по меньшей мере, 10 м·с.
3. Способ по любому из пп.1 или 2, отличающийся тем, что радикалы являются нейтральными или положительно заряженными атомами водорода.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что материал (8) нагревают за счет джоулева тепла, пламени, индуктивного нагревания, высокочастотного разряда с емкостной связью, лазера, света или плазмы.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что материал (8) нагревают, по меньшей мере, до 100°C.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что материал (8) нагревают в атмосфере из водорода или водорода, смешанного с благородным газом.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что при плазменной обработке разряды создают с помощью индуктивного высокочастотного разряда или микроволнового разряда.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что давление в плазменной обрабатывающей атмосфере устанавливают между 1 и 100 мбар.
23
-2
-1
9. Способ по любому из пп.4-8, отличающийся тем, что поток радикалов водорода к поверхности подлежащего обработке материала (8) устанавливают равным, по меньшей мере, 10 м·с.
10. Способ по любому из пп.4-8, отличающийся тем, что радикалы являются нейтральными или положительно заряженными атомами водорода.
20
-3
11. Устройство (1) для обработки материалов, в частности, бесконечных материалов, таких как проволока, прутки, трубы и подобное, содержащее нагревательную камеру (3) для нагревания подаваемого материала (8) во время его прохождения через нагревательную камеру (3), и расположенный после нагревательной камеры (3) плазменный реактор (5), по меньшей мере, с одной разрядной камерой (10), через которую непрерывно транспортируется материал (8) и в которой материал во время своего прохождения подвергается плазменной обработке, отличающееся тем, что плазменный реактор (5) имеет устройство (6) для создания плазменной обрабатывающей атмосферы из водорода или водорода, смешанного с благородным газом, по меньшей мере, в одной разрядной камере, причем концентрация радикалов водорода в плазменной обрабатывающей атмосфере устанавливается равной, по меньшей мере, 10 м.
23
-2
-1
12. Устройство по п.11, отличающееся тем, что поток радикалов водорода к поверхности подлежащего обработке материала (8) в разрядной камере устанавливается равным, по меньшей мере, 10 м·c.
13. Устройство по любому из пп.11 или 12, отличающееся тем, что радикалы являются нейтральными или положительно заряженными атомами водорода.
14. Устройство по п.11, отличающееся тем, что нагревательная камера (3) содержит нагревательное устройство, такое как резистивный нагреватель, пламенная горелка, индуктивный нагреватель, высокочастотный разряд с емкостной связью, лазер, световое нагревательное устройство или создающее плазму устройство.
15. Устройство по п.11, отличающееся тем, что нагревательная камера (3) содержит приспособление для подачи водорода и, при необходимости, благородного газа.
16. Устройство по п.11, отличающееся тем, что плазменный реактор (5) содержит индуктивное устройство (22) для создания высокочастотного разряда или устройство для создания микроволнового разряда.
17. Устройство по п.11, отличающееся тем, что давление плазменной обрабатывающей атмосферы в разрядной камере (10) устанавливается между 1 и 100 мбар.
18. Устройство по п.11, отличающееся тем, что, по меньшей мере, одна газоразрядная камера (10) ограничена стенками (18), которые состоят из материала или покрыты на обращенных к газоразрядной камере поверхностях материалом, который имеет низкий коэффициент рекомбинации для соединения атомов газа в молекулы, соответственно, в радикалы, при этом материал является предпочтительно стеклом, таким как, например, кварцевое стекло, или фторированным полимером, таким как, например, PTFE.
19. Устройство по п.18, отличающееся тем, что ограничивающие газоразрядную камеру (10) стенки (18, 19) охлаждаются, при этом происходит охлаждение предпочтительно до температуры стенок ниже 60°C.
20. Устройство по п.11, отличающееся тем, что между нагревательной камерой (3) и газоразрядной камерой (10) плазменного реактора (5) предусмотрена разделительная ступень (4), которая отделяет друг от друга газовую атмосферу в нагревательной камере и в газоразрядной камере.
21. Устройство по п.11, отличающееся тем, что давление (Р1) в нагревательной камере (3) устанавливается ниже давления (Р3) в газоразрядной камере (10).
23
-2
-1
22. Устройство по любому из пп.14-18, отличающееся тем, что поток радикалов водорода к поверхности подлежащего обработке материала (8) в разрядной камере устанавливается равным, по меньшей мере, 10 м·с.
23. Устройство по любому из пп.14-18, отличающееся тем, что радикалы являются нейтральными или положительно заряженными атомами водорода.