МОДУЛЬНЫЙ МНОГОКРАТНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, СНАБЖЕННЫЙ ПРОВОДЯЩИМИ В ОБРАТНОМ НАПРАВЛЕНИИ СИЛОВЫМИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ РЕЛЕ

1. Субмодуль (13) для модульного многоступенчатого преобразователя (1), включающий в себя
- по меньшей мере один униполярный накопитель (14) энергии,
- первую и вторую соединительную клемму (16, 17) и
- схему силовых полупроводников, которая имеет включаемые и отключаемые посредством сигнала управления силовые полупроводниковые реле (Tl, Т4, 19) и безынерционные диоды (D1, D2), встречно параллельно включенные соответствующему силовому полупроводниковому реле (Tl, Т4), при этом в зависимости от настройки силовых полупроводниковых реле (Tl, T4, 19) создается напряжение, падающее на одном или всех накопителях энергии (14), или же нулевое напряжение между первой и второй соединительной клеммой (16, 17), и при этом схема силовых полупроводниковых реле образует шунтирующую ветвь (18), которая находится между точками потенциала первой и второй соединительных клемм (16, 17),
отличающийся тем, что только расположенные в шунтирующей ветви (18) силовые полупроводниковые реле являются проводящими в обратном направлении силовыми полупроводниковыми реле (19).
2. Субмодуль (13) по п. 1,
отличающийся тем, что предусмотрен униполярный накопитель (14) энергии, параллельно которому включена последовательная схема (15) из настраиваемых включаемых и отключаемых силовых полупроводниковых реле с одинаковым направлением пропускания, при этом первая соединительная клемма (16) соединена с полюсом
накопителя (14) энергии, а вторая соединительная клемма (17) с находящейся между настраиваемыми силовыми полупроводниковыми реле (Т1, 19) точкой потенциала.
3. Субмодуль (13) по п. 1,
отличающийся тем, что предусмотрены первый и включенный последовательно первому накопителю (14) энергии второй накопитель (22) энергии, и в шунтирующей ветви (18) расположены два проводящих в обратном направлении силовых полупроводниковых реле (19) с одинаковым направлением пропускания, при этом точка потенциала между проводящими в обратном направлении силовыми полупроводниковыми реле (19) соединена с точкой потенциала между первым (14) и вторым накопителем (22) энергии, и при этом шунтирующая ветвь (18) через первое силовое полупроводниковое реле (11), снабженное встречным первым безынерционным диодом (D1), соединена со вторым накопителем (14) энергии, и через второе силовое полупроводниковое реле (Т4), снабженное встречным безынерционным диодом (D4), с первым накопителем (14) энергии, так что шунтирующая ветвь (18) включена между не проводящими в обратном направлении силовыми полупроводниковыми реле (11, 14), при этом все силовые полупроводниковые реле (11, 14, 19) расположены последовательно и с одинаковым направлением пропускания.
4. Субмодуль (13) по любому из пп. 1-3,
отличающийся тем, что каждое проводящее в обратном направлении силовое полупроводниковое реле (19) устроено так, что на нем падает как можно более низкое напряжение пропускания.
5. Субмодуль (13) по любому из пп. 1-3,
отличающийся блоком настройки для настройки настраиваемых силовых полупроводниковых реле (Tl, T4, 19), при этом блок настройки устроен так, что не проводящие в обратном направлении силовые полупроводниковые реле (Tl, T4) включаются медленнее по сравнению со всеми проводящими в обратном направлении настраиваемыми силовыми полупроводниковыми реле (19).
6. Субмодуль (13) по п. 4,
отличающийся тем, что не расположенные в шунтирующей ветви (18) диоды (Dl, D4) имеют как можно более низкий накопленный заряд.
7. Многоступенчатый преобразователь (1), снабженный субмодулем (13) по одному из предыдущих пунктов.