МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СВАРКА НАПРАВЛЕННО УПРОЧНЕННЫХ МАТЕРИАЛОВ

1. Способ для направленного упрочнения сварочного шва (13) во время сварки наплавкой, особенно для сварки наплавкой подложки (4) конструктивного элемента (1, 120, 130), которая (4) упрочняется направленным образом и имеет дендриты (31), которые (31) ориентированы в направлении (32) дендритов подложки,
о
при котором параметры способа относительно подачи, лазерной мощности, диаметра сварочного луча, фокуса порошкового пучка и/или расхода порошка установлены таким образом, что они приводят к локальной ориентации температурного градиента (28) на фронте (19) кристаллизации, который меньше, чем 45, к направлению (32) дендритов подложки для дендритов (31) в подложке (4),
причем относительная скорость составляет от 30 мм/мин до 100 мм/мин, предпочтительно 50 мм/мин, и/или
мощность составляет от 200 Вт до 500 Вт, предпочтительно 300 Вт, и/или
диаметр лазерного луча на поверхности подложки составляет от 3 мм до 6 мм, предпочтительно 4 мм, и/или
скорость подачи массы составляет от 300 мг/мин до 600 мг/мин, предпочтительно 400 мг/мин.
2. Способ по п.1,
при котором на и в подложке (4) возникает расплав (16), который формируется посредством подачи порошка (7) и/или материала подложки (4),
и при котором расплав (16) полностью покрывается сварочным лучом (10), в частности, лазерным лучом, в частности, при котором расплав (16) перекрывается.
3. Способ по п.1, при котором подаваемый порошок (7) наносится слоями.
4. Способ по п.1,
при котором подложка (4) содержит жаропрочный сплав на никелевой основе, которая, в частности, имеет столбчатые зерна, в частности, содержит монокристаллическую структуру.
5. Способ по п.1,
при котором диаметр частиц (7) порошка настолько мал, что они в сварочном лазерном луче (10), в особенности, полностью расплавляются и имеют достаточно высокую температуру.
6. Способ по п.1,
при котором температура расплавленных частиц (7) порошка лежит на 20°С выше температуры плавления частиц (7) порошка.
7. Способ по п.1,
при котором для сварки применяется лазер.
8. Способ по п.1,
при котором справедливо соотношение:
А - степень поглощения подложкой,
L
I - интенсивность лазера,
V
V - скорость сканирования,
λ - теплопроводность подложки.