СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ ИЗОЛИРУЮЩЕГО СЛОЯ ПОСРЕДСТВОМ ЧАСТИЦ С НИЗКОЙ ЭНЕРГИЕЙ

1. Способ обеспечения слоя на электронном устройстве или его компоненте, содержащий этап воздействия на электронное устройство или компонент пучком частиц низкой энергии, осаждая таким образом частицы на электронное устройство или компонент.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что способ обеспечения слоя не включает в себя способ или этап способа, выбранный из группы, содержащей способы осаждения из паровой фазы, способы плазмостимулированного или ионностимулированного осаждения, или способы плазменного или ионного осаждения, включающие в себя, но не ограничиваемые ими, осаждение из паровой фазы (VD), ионное осаждение из паровой фазы (IAD), плазмостимулированное химическое осаждение из паровой фазы (PECVD), плазмостимулированное осаждение атомных слоев (PEALD), и плазмостимулированное осаждение нанослоев (PENLD).
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что на устройство или компонент воздействуют пучком частиц напрямую или через маску.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что этап осаждения является осаждение распылением, а пучок частиц является распыленным из мишени пучком частиц.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что распыление обеспечивают посредством источника с анодным слоем.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что этап осаждения является прямым осаждением, а пучок частиц является пучком слабоускоренной плазмы или ионов.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что пучок частиц обеспечивают посредством торцевого холловского источника.
x
x
x
y
x
y
2
3
2
3
2
2
2
2
2
5
2
5
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой содержит или состоит из материала, выбранного из группы, состоящей из SiO, SiN, SiON, SiNH, Alo, AlO:N (малое количество N), TiO, TiO:N (малое количество N), ZrO, ZrO:N (малое количество N), TaO, TaO:N (малое количество N), a-C:H, a-C:H:N.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что преобладающая энергия частиц составляет от 0,1 до 30 эВ.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что осажденный слой является функциональным слоем.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой осаждают за один этап с неизменной энергией частиц.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой осаждают в два этапа, при этом на первом этапе преобладающая энергия частиц <10 эВ, а на втором этапе преобладающая энергия частиц >10 эВ.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что электронное устройство является органическим электронным устройством.
14. Способ по одному из пп.1-13, отличающийся тем, что слой выбран из группы, состоящей из защитных слоев, пассивирующих слоев, герметизирующих слоев и ориентирующих слоев.
15. Способ герметизации органического электронного устройства или его компонента, в котором устройство или компонент подвергают обработке способом по одному или нескольким пп.1-13.
16. Защитный, пассивирующий, герметизирующий или ориентирующий слой, получаемый способом по п.14.
17. Электронное устройство или его компонент, содержащее функциональный слой, получаемый способом по п.14.
18. Электронное устройство или его компонент, герметизированное способом по п.15.
19. Электронное устройство или компонент по п.17 или 18, выбранное(-ый) из группы, состоящей из электрооптических дисплеев, жидкокристаллических дисплеев (LCD), оптических устройств хранения информации, электронных устройств, органических полупроводников, органических полевых транзисторов (OFET), интегральных схем (IC), органических тонкопленочных транзисторов (OTFT), RFID-меток, органических светоизлучающих диодов (OLED), органических светоизлучающих транзисторов (OLET), электролюминесцентных дисплеев, органических фотоэлектрических устройств (OPV), органических солнечных элементов (O-SC), органических лазерных диодов (O-лазер), органических интегральных схем (O-IC), осветительных устройств, сенсорных устройств, электродных материалов, фотопроводников, фотодетекторов, электрографических записывающих устройств, конденсаторов, слоев с инжекцией заряда, диодов Шоттки, сглаживающих слоев, антистатических пленок, проводящих подложек и проводящих структур.