Развитие физико-технологических основ создания полупроводниковых приборов

Л.П. Вяткин, Л.Л. Вилисов

РАЗВИТИЕ ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ОСНОВ СОЗДАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изучение контактных явлений в полупроводниках началось в СФТИ сразу же после организации лаборатории полупроводников в 1954 г. В лаборатории была создана группа контактных явлений, руководителем и главным исполнителем этой тематики стал А.П. Вяткин. Он же читал студентам на вновь организованной кафедре полупроводников и диэлектриков радиофизического факультета лекции по физике полупроводниковых приборов, руководил дипломными и курсовыми работами. Одним из первых дипломников был С.И. Новотный - будущий главный инженер Новосибирского завода полупроводниковых приборов (НЗПП).

Первоначально тематика группы состояла в изучении сплавных и точечных контактов металл - полупроводник (Ge, GaAs). Результаты этих исследований были представлены в кандидатской диссертации

A.П. Вяткина. 30 декабря 1959 г. состоялась защита этой первой диссертации по новой тематике [1].

В ходе работы группа постепенно увеличивалась. В нее вошли Б.А. Селиванов, А.П. Васильев, А.А. Вилисов, Р.П. Пархоменко, А.М. Мисик, У.М. Кулиш, З. М. Алексеева, П. И. Захаров, Н. К. Максимова,

B.А. Глущенко, В.П. Воронков, позднее - К.Н. Федоров, В.П. Гермогенов, С.С. Щеголь, Н.П. Криворотов, В.И. Балюба и другие сотрудники.

Руководитель группы контактных явлений А.П. Вяткин (справа) обсуждает результаты экспериментов с сотрудниками Н.К. Максимовой и А.А. Вилисовым

Продолжались исследования процессов контакто-образования при сплавлении полупроводников с металлами. В работах А.П. Вяткина, его учеников

А.П. Васильева, У.М. Кулиша и других были развиты основные представления о механизмах образования сплавных контактов на Ge, Б1, GaAs [2 - 4].

К 1968 г. А.А. Вилисовым было завершено изучение свойств точечных контактов металла с арсенидом галлия [5]. Эти результаты легли в основу создания

СВЧ-параметрических диодов и детекторов, импульсных быстродействующих диодов [6 - 8], что позволило поставить и выполнить несколько опытноконструкторских работ в Научно-исследовательском институте полупроводниковых приборов (НИИПП).

В 1973 г. на основе лаборатории полупроводников был создан отдел физики полупроводников СФТИ. Он включал 7 научных лабораторий и общие службы.

Лабораторию физики полупроводниковых приборов (ЛФПП) составили сотрудники бывшей группы контактных явлений в полупроводниках. Заведующим лабораторией был назначен А.А. Вилисов.

Лаборатория выполняла крупную госбюджетную НИР «Исследование контактных явлений в полупроводниках сложного состава» и большой объём хоздоговорных работ по заданиям различных организаций и предприятий. Важную роль в качественном развитии и оснащённости лаборатории новым оборудованием сыграли темы, выполнявшиеся по Постановлениям СМ СССР и ЦК КПСС. В соответствии с объёмами исследований численность лаборатории доходила до 25 - 30 сотрудников.

Тематика лаборатории включала следующие основные направления:

- исследование фотоэлектрических явлений в полупроводниковых барьерных структурах и разработка высокочувствительных приемников ИК-излучения;

- изучение структуры и свойств сверхрезких сплавных переходов на основе электронного арсенида галлия и разработка туннельных диодов для СВЧ-техники;

- исследование электрических характеристик и тензочувствительности туннельных р - п-переходов в соединениях АШВУ и создание полупроводниковых датчиков давлений;

- изучение структуры и электрических характеристик контактов металл - GaAs и повышение надежности импульсных и СВЧ-диодов с барьерами Шоттки.

Начиная с 1969 - 1970 гг., всё больший вес приобретают разработки полупроводниковых приборов практического применения. Именно в это время одним из основных направлений стало создание полупроводниковых фотоприёмников. В формировании этого направления существенную роль сыграло появление соответствующей тематики в отделе электроники СФТИ. Непосредственное руководство этой тематикой осуществлял молодой и активный доктор наук А.С. Петров.

Поначалу вся работа базировалась на создании фотоприёмников, активными чувствительными элементами которых служили полупроводниковые фоторезисторы с СВЧ-смещением. Однако круг задач постепенно расширялся и появилась необходимость привлечь ЛФПП к созданию диодных фоточувствитель-ных элементов. Был выполнен достаточно глубокий анализ различных возможных вариантов - от фоторезисторов до лавинных фотодиодов и фототранзисторов. Поскольку для большинства применений исполь-

зовалось излучение с длиной волны 1,06 мкм, то в качестве основных материалов были выбраны Ge, Б1 и подобный германию по свойствам твёрдый раствор АЬ^а^БЪ. На всех этих материалах были проведены достаточно глубокие исследования и получены значимые результаты [9 - 16], что позволило лаборатории стать в один ряд с ведущими разработчиками фотоприёмников в СССР и мире. По окончании разработки (тема «Декремент») руководитель группы фотодиодов В.П. Воронков вместе с сотрудниками отдела электроники был удостоен премии Ленинского комсомола.

Разработка лавинных фотодиодов на германии не получила должного развития из-за недостаточного уровня технологии в то время. Обычный фотодиод с диффузионным р - п-переходом имел большие тем-новые токи, что резко ухудшало пороговую чувствительность фотоприёмника. Для снижения темновых токов использовались стандартные к тому времени методы создания дополнительного «охранного» кольцевого р - п-перехода. Однако сильная температурная зависимость характеристик германиевого р - п-пере-хода всё же не позволяла получить требуемые значения пороговой чувствительности фотоприёмников. Тем не менее усилия разработчиков оказались не бесполезными - было найдено оригинальное техническое решение по компенсации темнового тока за счёт встречного включения р - п-переходов (технологическое исполнение - В.И. Балюба). По физике явления темновой ток действительно компенсировался до нуля (при соответствующей регулировке напряжений

смещения на р - «-переходах), но шумы протекающих токов должны были складываться! Однако экспериментальные исследования показали снижение шумов фотоприёмника по сравнению с фотоприёмником без компенсации темнового токар - «-перехода [17].

Продолжались и ставшие классическими исследования влияния условий контактообразования на свойства сплавных контактов металл - германий [18 - 21]. Эти исследования дали весьма неожиданный результат. В частности, было установлено, что до температур сплавления (400 - 450) °С олова с германием получались р - «-переходы с типичными диодными характеристиками. С повышением температуры сплавления вольт-амперные характеристики р - «-переходов серьёзно деформировались и, начиная с температур сплавления около 700 °С, вольт-амперные характеристики обращались в прямую линию, характерную для обычного омического контакта. На этом исследования чуть было не закончились. Совершенно случайно пришла мысль поизучать такие «высокотемпературные» р - «-переходы при низких температурах. Каково же было удивление, когда выяснилось, что при низких температурах (жидкий азот) и обязательно в темноте такие р - «-переходы имеют замечательную 5-образную вольт-амперную характеристику. Обнаружилась их гигантская чувствительность к свету (до 109 В/Вт). Последующие подробные исследования позволили установить, что возникновение 5-образной характеристики обусловлено появлением в активной области р - «-перехода глубоких уровней, связанных с атомами меди. В дальнейшем в технологический

Коллектив лаборатории физики полупроводниковых приборов СФТИ, 1975 г.

Первый ряд слева направо: Г. Косых, А.А. Вилисов, А.П. Вяткин, А.М. Мисик, Т.И. Минина, В.П. Воронков; второй ряд: В.А. Глущенко, В.П. Гермогенов, Р.П. Пархоменко, Н.Г. Бельтюкова, С.С. Щёголь, Г.Н. Чумакова, З.М. Алексеева,

A.П. Дмитриев, О. Шабарова, Л.Е. Эпиктетова, В.И. Балюба; третий ряд: Н.П. Криворотов; А. Левицкий, Н.К. Софронов,

B.М. Диамант, В.А. Позолотин, Н.Г. Филонов, В. Дмитриев

процесс было введено специальное «загрязнение» медью травильных и промывочных растворов при обработке кристаллов перед сплавлением.

Параллельно был выполнен значительный объём исследований по созданию гетеропереходов Ge/GaAs методом сплавления [18, 19, 22]. Однако высокая температура сплавления (при температуре ниже 700 °С сплавления не происходило) и влияние фоновых примесей не позволили получить совершенные гетеропереходы. Микроскопия показала наличие промежуточных слоёв с высокой степенью дефектности.

Были проведены аналогичные исследования влияния температуры сплавления на характеристики р - п-переходов в арсениде галлия [23, 24]. Высокотемпературным сплавлением были получены 5-диоды, обладающие высокой фоточувствительностью. Результаты были обобщены в кандидатской диссертации

В.М. Диаманта.

Для получения р - п-гетеропереходов в системе GaSb - АЬ^а^БЬ использовали метод жидкофазной эпитаксии. Были исследованы закономерности процесса роста эпитаксиальных слоев твёрдого раствора АЬ^а^БЬ и легирования их различными примесями (В.П. Гермогенов, В.А. Позолотин, Я.И. Отман, Л.Е. Эпиктетова, З.В. Коротченко, Л.С. Хлудкова) [25 - 27]. Результаты этих исследований вместе с практическими наработками легли в основу кандидатской, а затем и докторской диссертаций В.П. Гер-могенова, кандидатской диссертации В.А. Позолоти-на. Фотодиоды на основе гетеропереходов GaSb -АЬ^а^БЬ широкого практического применения не получили из-за повышенного значения темнового тока и чувствительности его к влиянию окружающей газовой среды.

Наиболее значимые для практического применения результаты были получены при разработке фотодиодов на кремнии. Были предложены оригинальные конструкции и технология изготовления кремниевых фотодиодов с полным внутренним отражением излучения внутри кристалла [16, 28]. С этой целью на тыльной стороне кристалла формировался отражающий рельеф с определённым наклоном граней. Вошедший в кристалл луч света испытывал многократные переотражения и «гулял» по кристаллу вплоть до полного поглощения. Конструкция позволила многократно увеличить оптический путь луча в тонком кристалле, что обеспечило высокую чувствительность фотодиода даже на краю поглощения кремния (1,06 мкм) и высокое быстродействие (< 0,5 нс), поскольку базовая область фотодиода оставалась тонкой. Выполнению этой разработки очень помогли советы М.П. Якубени при выборе кристаллографической ориентации пластин кремния, а специальная химическая обработка для получения заданного рельефа поверхности была разработана

В.А. Санниковым и Т.А. Давыдовой (химико-технологическая лаборатория).

Результаты разработок Бь, Ge- и Ge/GaAs-фото-чувствительных структур стали предметом кандидатской диссертации В.П. Воронкова, заведующего ЛФПП с 1983 по 1998 г.

Кремниевые фотодиоды были испытаны с положительным результатом во многих ведущих органи-

зациях СССР, достаточно широко применялись в разработках фотоприёмных устройств и были внедрены в серийное производство в НИИПП на установочной серии оптрона 3ОД107. Результаты разработки обсуждались на заседании Комиссии Президиума АН СССР с заключением о целесообразности широкого использования в различных областях техники.

Существенную долю в тематике лаборатории составляли исследования туннельных диодов из арсени-да галлия.

Обычная технология создания туннельных диодов состояла в получении сильнолегированных р - п-пере-ходов путем вплавления олова в подложки из вырожденного ^-GaAs. В таких диодах величина пикового тока ограничивалась относительно невысоким уровнем легирования рекристаллизованного п-слоя. Старшим научным сотрудником В.А. Глущенко была разработана уникальная технология создания сверхрезких туннельных переходов на подложках из n-GaAs. По этой технологии и п- и _р-области туннельного перехода получались путем кристаллизации из растворов на основе олова в процессе сверхбыстрого охлаждения. Таким образом удалось повысить концентрацию атомов олова в п-области до (5 - 7)-1019 см-3 и изготовить туннельные диоды с высокими пиковой плотностью тока и быстродействием [29, 30].

Исследования туннельных структур с целью повышения быстродействия и снижения деградации приборов при высокой плотности тока были выполнены в группе под руководством В.А. Глущенко (Р.П. Пархоменко, В.М. Закопайло, А.И. Пастор, Я.М. Суханов и др.). Результаты этих исследований были защищены несколькими авторскими свидетельствами, подтверждены актами внедрений в отраслевых НИИ. Ряд разработок был выполнен по постановлению Правительства. Направленность и ранг тематики потребовали серьезного уровня проведения процесса измерений. Такой уровень был реализован путем создания одной из первых в институте автоматизированных установок на базе измерительно-вычислительного комплекса «Мера - Камак».

Разработанные на основе n-GaAs туннельные диоды нашли применение в стробоскопических устройствах для формирования импульсов с пикосекундными фронтами.

Исследованиями механизмов туннелирования и влияния внешнего давления на характеристики сильнолегированных р - п-переходов в арсениде галлия и твердых растворах соединений АШВУ занималась группа сотрудников лаборатории (З. М. Алексеева, Ю.М. Калинин, С.С. Щеголь и другие) под руководством старшего научного сотрудника Н.П. Криворотова. Существующие теории туннелирования были уточнены и успешно использованы для количественного описания электрических характеристик туннельных диодов из ар-сенида галлия. Для проведения экспериментов с использованием гидростатического и одноосного давлений была разработана и изготовлена соответствующая аппаратура - камеры высокого давления, ударные трубы, установка ударно-импульсного давления и др. Была установлена природа нормального и аномального тензоэлек-трических эффектов в диодах [31].

На основе сплавных и эпитаксиальных туннельных диодов были разработаны несколько типов полупроводниковых датчиков статического и импульсного давлений [32,33]. Высокая чувствительность и термостабильность таких датчиков позволяли использовать их практически во всех отраслях техники, включая космическую. Благодаря этому изделию, лаборатории удалось установить очень тесные контакты с ведущими фирмами космического кораблестроения в СССР и побывать (А.А. Вилисов и Н.П. Криворотов) на месте приземления первого космонавта - Ю.А. Гагарина.

Исследования свойств полупроводников в условиях воздействия внешнего давления и разработка датчиков стали основой сначала кандидатской, а потом и докторской (уже в НИИПП) диссертаций Н.П. Криво-ротова [34].

В плане фундаментальных исследований значимое место в тематике лаборатории, начиная с 1970-х гг., занимало изучение свойств барьеров Шоттки на арсени-де галлия [35 - 42]. Дело в том, что используемому при создании первых СВЧ-диодов точечному контакту металл - GaAs, получаемому электрической формовкой, был присущ ряд недостатков (нестабильность и недостаточная воспроизводимость характеристик). Это привело к тому, что в дальнейшем в приборных разработках он был вытеснен металлическими контактами (барьерами Шоттки), наносимыми на поверхность полупроводников электрохимическим осаждением.

Исследования структур с барьерами Шоттки проводились в СФТИ достаточно широким фронтом под руководством А.П. Вяткина (Н.К. Максимова, В.Е. Степанов, И.Т. Лаврищева, Н.Г. Филонов, А.М. Мисик, Г.К. Арбузова и др.) в тесном сотрудничестве с кафедрой аналитической химии Томского госуниверси-тета (Г.А. Катаев, В.А. Батеньков, Г.М. Мокроусов) и НИИПП (И.Д. Романова, В.Г. Божков).

Электрохимические методы получения структур с барьером Шоттки на арсениде галлия позволили получить контакты с характеристиками, близкими к идеальным. Впервые была обнаружена зависимость свойств таких структур от кристаллографической ориентации поверхности полупроводника (анизотропия свойств) [36, 37].

Были систематически исследованы межфазные взаимодействия при формировании контактов (электрохимическим осаждением, электронно-лучевым и резистивным напылением) и при термообработке. Выяснена роль механических напряжений и дефектов структуры с глубокими уровнями. Показано, что контакт полупроводника с металлом осуществляется, как правило, через переходный слой - продукт химического взаимодействия элементов контактирующих компонентов. Исследования выполнены для монометаллических, многослойных и многокомпонентных структур [35, 38 - 41].

В результате фундаментальных исследований были определены пути повышения стабильности электрических характеристик диодов Шоттки, а также показана возможность их использования в качестве чувствительных элементов датчиков различных неэлектрических величин. По результатам этих исследований Н.К. Максимовой и Н.Г. Филоновым были защищены кандидатские диссертации, затем Н.Г. Филонов

защитил докторскую диссертацию [43] и являлся заведующим ЛФПП с 1999 по 2003 г.

Таким образом, общим направлением работ контактной группы, а затем лаборатории физики полупроводниковых приборов СФТИ являлось исследование контактных явлений в полупроводниках сложного состава. В процессе исследований были установлены физико-технологические основы создания приборов на элементарных и сложных полупроводниках: Ge, Б1, GaAs, GaSb, A1IGa1-IAs, A1IGa1-ISb. Результаты изучения свойств приборных структур - р - п-переходов, барьеров Шоттки, гетеропереходов, МДП-диодов позволили разработать для практического применения быстродействующие СВЧ-диоды, туннельные диоды и фотодиоды, чувствительные элементы для датчиков давления различного типа, сенсоры газовых сред.

ЛФПП достаточно активно участвовала в педагогическом процессе: чтение лекций на различных факультетах ТГУ (З.М. Алексеева, А.А. Вилисов), членство в Государственной экзаменационной комиссии РФФ ТГУ, руководство курсовыми и дипломными работами студентов (В.М. Калыгина, Н.К. Максимова и др.).

Формирование коллектива происходит не только в рабочей обстановке. Сплачивающими факторами являются и «посторонние», далёкие от научной работы обстоятельства: выезды на сельскохозяйственные работы, спортивные мероприятия, обсуждения и сопереживания после совместных посещений театра и кино, совместные праздники и прочее. Этим факторам в советские времена уделялось большое внимание. Именно поэтому в жизни лаборатории, в расширении межличностного общения своеобразное место занимали сельхозработы. Чего мы только не делали - копали картошку, ближе к весне её же перебирали в хранилищах, косили траву на силос и сено и т.д. На этих работах зачастую раскрывались новые, непривычные черты характера сотрудников.

В 80-х годах прошлого столетия государство придавало большое значение оздоровительным мероприятиям. Потому очень часто проводились различные спортивные соревнования (как правило, с обязательным участием всех). Вспоминается, с каким азартом соперничали лаборатории в летних и зимних олимпиадах отдела (было и такое!).

Показателем плодотворной работы лаборатории являются сотни научных публикаций и докладов, защищённые 4 докторских и 15 кандидатских диссертаций, большое количество изобретений. (Изобретательской деятельности сотрудников лаборатории способствовала активная работа патентоведов А.А. Ви-лисова и Т.И. Мининой.) Сотрудники ЛФПП принимали активное участие с докладами практически во всех всесоюзных и во многих международных конференциях по полупроводниковой тематике. Выступления с докладами, общение со специалистами ведущих научных организаций СССР несомненно повышали уровень исследований и разработок лаборатории. Кроме того, в первые годы формирования лаборатории широко использовалась возможность обучения сотрудников на различных школах-семинарах. И, наконец, конференции в Томске проходили с участием сотрудников ЛФПП как в роли докладчиков, так и в роли организаторов конференций.

В последние годы основное внимание лаборатории собственная база для изготовления сенсоров метода-

физики полупроводниковых приборов (зав. лаборато- ми тонкопленочной микроэлектронной технологии.

рией О.В. Анисимов) сосредоточено на исследовани- С 1990 г. под руководством профессора В.И. Гаях и разработке полупроводниковых сенсоров раз- мана группа в составе старшего научного сотрудника

личных газов - главным образом для нужд нефтегазо- В.М. Калыгиной, аспирантов М.О. Дученко и А.В. Павой и угледобывающей отраслей. нина занималась изучением электрофизических про-

В результате проводимых с 1993 г. фундаменталь- цессов в МДП-структурах на основе и GaAs при ных исследований выявлены физико-химические различных внешних воздействиях [46]. Логическим

процессы, лежащие в основе детектирования восста- продолжением этих исследований являются работы

новительных газов (водорода, метана, аммиака, моно- по созданию газовых сенсоров на основе кремниевых

оксида углерода), предложена физическая модель, МОП-диодов (В.И. Гаман, В.М. Калыгина, В.И. Ба-

объясняющая особенности электрических и газочув- люба, Л.С. Хлудкова, В.Ю. Грицык) [47].

ствительных характеристик тонких (~ 100 нм) пленок Как и в прошедшие годы, в лаборатории ведется

диоксида олова, легированных примесями сурьмы, активная работа по подготовке специалистов: ежегод-

благородных (Р1, А§, Рё) и редкоземельных (Бс, У) но 5 - 6 студентов ТГУ под руководством сотрудни-

элементов. Разработаны резистивные чувствительные ков лаборатории занимаются научной работой.

элементы на основе тонких пленок диоксида олова Отрадно, что уже более 30 лет, в том числе и очень

(Н.К. Максимова, Е.В. Черников, Н.Г. Филонов, неблагоприятных для научной деятельности, ЛФПП

О.В. Анисимов, С.С. Щеголь, Т.И. Давыдова) [44, 45]. сохраняет статус научного подразделения и ведёт ра-

Важно, что в лаборатории создана и используется боты на перспективных направлениях.

ЛИТЕРАТУРА

1. Вяткин А.П. Исследование сплавных контактов полупроводников с металлами: Дис. ... канд. наук. Томск: СФТИ при ТГУ, 1959. 154 с.

2. Вяткин А.П. Механизм образования, структура и свойства контактов арсенида галлия с металлами // Арсенид галлия: Сб. статей. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1968. С. 169 - 190.

3. Вяткин А.П., Васильев А.П. Влияние условий образования сплавныхр - п-переходов в арсениде галлия на их электрические характеристики (низкотемпературные контакты) // Электрон. техника. Сер. 2. Полупроводн. приборы. 1968. Вып. 5 (48). С. 51 - 57.

4. Вяткин А.П., Кулиш У.М. Влияние условий образования сплавных р - п-переходов в арсениде галлия на их электрические характеристики (высокотемпературные контакты) // Электрон. техника. Сер. 2. Полупроводн. приборы. 1968. Вып. 5 (48). С. 58 - 65.

5. Вяткин А.П., Вилисов А.А. Точечно-контактные диоды из арсенида галлия. Арсенид галлия: Сб. статей. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1968. С. 239 - 248.

6. Вяткин А.П., Вилисов А.А. Быстродействующие диоды из арсенида галлия // Докл. науч.-техн. конф., посв. Дню радио. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1966. С. 49-51.

7. Вилисов А.А., Вяткин А.П., Дементьев В.А. СВЧ-диоды на основе арсенида галлия // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1968. Т. 11. № 10. С. 1080 - 1084.

8. Вилисов А.А., Вяткин А.П., Латинис В.С. и др. Быстродействие точечно-контактных диодов // Радиотехника и электроника. 1970. Т. 15. № 9. С. 1999.

9. Барышников В. Ф., Вилисов А.А., Воронков В.П., Вяткин А.П. Фотоэлектрические характеристики сплавных переходов германий - арсенид галлия // Изв. вузов. Физика. 1973. № 2. С. 143 - 145.

10. Вилисов А.А., Воронков В.П., Диамант В.М. и др. Фотоэлектрические характеристики германиевых 5-диодов // ФТП. 1976. Т. 10. № 7.

С. 1342 - 1344.

11. Вилисов А.А., Воронков В.П. Двухкоординатный элемент с продольным фотоэффектом // ПТЭ. 1976. № 4. С. 214 - 216.

12. Вилисов А.А., Воронков В.П., Гермогенов В.П., Позолотин В.А. Исследование фоточувствительных структур на основе полупроводни-

ковых твёрдых растворов // Труды Всес. конф. по фотометрии и её метрологич. обеспечению. М., 1976.

13. Гермогенов В.П., Коротченко З.В., Отман Я.И. и др. Влияние поверхности на темновой ток фотодиодов на основе АЮа8Ь(АБ) // Электрон. техн. Сер. 2. Полупровод. приборы. 1990. Вып. 2 (205). С. 13 - 16.

14. Вилисов А.А., Воронков В.П., Диамант В.М., Позолотин В.А. Электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов GaAs-Gex ^аАв)1-х при всестороннем сжатии // II Всес. конф. по физич. процессам в полупроводн. гетероструктурах: Тез. докл. Ашхабад: Ылым, 1978. Т. 2. С. 49 - 51.

15. Вилисов А.А., Гаман В.И., Диамант В.М., Фукс Г.М. Фотоэлектрические характеристикир - п - п-структур на основе GaAs(Fe) // ФТП. 1980. Т. 14. № 4. С. 625 - 628.

16. Вилисов А.А., Воронков В.П., Позолотин В.А. Кремниевые р - I - п-диоды с Г-образным отражающим рельефом // ФТП. 1981. Т. 15. № 5. С. 992 - 994.

17. Балюба В.И., Вилисов А.А., Воронков В.П., Потылицын Е.А. Способ измерения мощности излучения / А.с. СССР № 161448, 07.07.81.

18. Вилисов А.А., Воронков В.П., Вяткин А.П. Сплавные гетеропереходы германий - арсенид галлия // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника. Саратов: Изд-во Сар. ун-та, 1974. С. 3 - 21.

19. Воронков В.П., Вилисов А.А., Балюба В.И., Вяткин А.П. Влияние режимов сплавления на электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов германий - арсенид галлия // Арсенид галлия. Вып. 4. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1974. С. 252 - 255.

20. Вилисов А.А., Воронков В.П., Диамант В.М. Влияние режима сплавления на характеристики «длинных» германиевых диодов // Изв. вузов. Физика. 1975. № 6. С. 148 - 150.

21. Вилисов А.А., Воронков В.П., Диамант В.М. Исследование «длинных» германиевых диодов с отрицательным дифференциальным сопротивлением // Изв. вузов. Физика. 1975. № 6. С. 152 - 154.

22. Воронков В.П., Вилисов А.А., Вяткин А.П. Скорость контактного плавления германия с арсенидом галлия // Докл. Юбилейной науч.-техн. конф. радиофизического факультета: Часть 1. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1973. С. 13 - 18.

23. Вилисов А.А., Гаман В.И., Диамант В.М., Фукс Г.М. Фотоэлектрические характеристикир - п - п-структур на основе GaAs(Fe) // ФТП.

1980. Т. 14. № 4. С. 625 - 628.

24. Вилисов А.А., Гаман В.И., Диамант В.М., Фукс Г.М. Исследованиер - п - V - п-структур из арсенида галлия // Тез. докл. 2-го Всес. со-вещ. по глубоким уровням в полупроводниках. Ташкент, 1980. Ч. 1.

25. Вилисов А.А, Вяткин А.П., Гермогенов В.П. Выращивание из жидкой фазы эпитаксиальных слоев твердых растворов АЬ^а^^Ь // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1976. Т. 12. № 9. С. 1528 - 1532.

26. Гермогенов В.П., Вилисов А.А., Вяткин А.П. Получение и исследование структур с р - п-переходами на основе твёрдых растворов АЮаБЬ // Изв. вузов. Физика. 1975. № 9. С. 63 - 69.

27. Вилисов А.А., Гермогенов В.П., Ким Ф.С., Эпиктетова Л.Е. Легирование твердых растворов при жидкофазовой эпитаксии: II. Антимо-нид галлия-алюминия // Изв. вузов. Физика. 1977. № 7. С. 15 - 21.

28. Вилисов А.А., Воронков В.П., Позолотин В.А. Квантовая эффективность фотодиодов с отражающим рельефом // Изв. вузов. Физика.

1981. № 1. Деп. ВИНИТИ. № 4667-80.

29. Глущенко В.А., Ефимчик М.И., Закопайло В.М. Туннельные диоды пикосекундного диапазона и способ повышения их надежности в переключающих схемах // Материалы II Всес. науч.-техн. семинара «Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем». Рязань: Рязанский радиотехн. ин-т, 1982. С. 105 - 110.

30. Глущенко В.А., Вяткин А.П., Закопайло В.М. и др. Сверхбыстродействующие полупроводниковые структуры пикосекундного диапазона // Техника средств связи. Сер. Радиоизм. техника. 1980. Вып. 3 (28). С. 50 - 53.

31. Вяткин А.П. Тензоэлектрические явления в арсенидгаллиевых структурах // Изв. вузов. Физика. 1980. № 1. С. 91 - 104.

32. Коврижных Н.А., Перегуд В.И., Вяткин А.П. и др. Датчик с р - п-переходом для измерения статических и импульсных давлений // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Электрофизическая аппаратура. Л.: Энергоатомиздат, 1985. Вып. 22. С. 90 - 92.

33. Вяткин А.П., Криворотов Н.П., Щеголь С.С. Высокочувствительный быстродействующий датчик давления с туннельным диодом // Приборы и техника эксперимента. 1988. № 1. С.186 - 188.

34. Криворотов Н.П. Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: Дис. ... докт. наук. Томск, 2002.

35. Вяткин А.П., Максимова Н.К., Филонов Н.Г. Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs // Наст. вып. С. 122 -129.

36. Вяткин А.П., Максимова Н.К., Поплавной А.С. и др. Анизотропия электрических свойств поверхностно-барьерных переходов на арсе-ниде галлия. Роль таммовских состояний // Арсенид галлия: Сб. статей. Вып. 2. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1969. С.141 - 146.

37. Вяткин А.П. , Максимова Н.К., Поплавной А.С. и др. Поверхностно-барьерные переходы в арсениде галлия и роль таммовских состояний в их образовании // ФТП. 1970. Т. 4. С. 915.

38. Вяткин А.П., Максимова Н.К. Физико-химические взаимодействия в контактах металл - полупроводник и свойства барьеров Шоттки // Материалы электронной техники. Новосибирск: Наука, 1983. Ч. 2. С. 29.

39. Вяткин А.П., Максимова Н.К. Влияние межфазных взаимодействий на структуру и свойства контактов металл - арсенид галлия // Новые материалы электронной техники. Новосибирск: Наука, 1990. С. 32 - 48.

40. Максимова Н.К., Калыгина В.М., Воронков В.П., Вяткин А.П. Структура и свойства межфазных границ арсенид галлия - металл (диэлектрик) // Изв. вузов. Физика. 1993. № 10. С. 52 - 62.

41. Вяткин А.П., Максимова Н.К. Дефекты в структурах с барьером Шоттки // Изв. вузов. Физика. 1983. № 10. С. 96.

42. Вяткин А.П., Максимова Н.К., Пекарский Е.Н. Импульсные диоды с барьером Шоттки на арсениде галлия // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1971. Т. 14. С. 703.

43. Филонов Н.Г. Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Дис. ... докт. наук. Томск, 2000. 234 с.

44. Анисимов О.В., Максимова Н.К., Филонов Н.Г. и др. Особенности электрических и газочувствительных характеристик полученных катодным напылением тонких плёнок диоксида олова // Сенсор. 2003. № 1. С. 35 - 44.

45. Анисимов О.В., Максимова Н.К., Филонов Н.Г. и др. Особенности отклика тонких плёнок Р1/8п02:8Ъ на воздействие СО // ЖФХ. 2004. № 10.

46. Гаман В.И., Дученко М.О., Калыгина В.М. Влияние водорода на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики туннельных МДП-диодов на основе кремния // Изв. вузов. Физика. 1999. № 9. С. 3 - 14.

47. Гаман В.И., Калыгина В.М. Временная зависимость емкости кремниевого туннельного МОП-диода при воздействии водорода // Изв. вузов. Физика. 2003. № 4. С. 3 - 13.