КОНФИГУРАЦИЯ УДАЛЕННОГО МАТЕРИАЛА, ПРЕОБРАЗУЮЩЕГО ДЛИНУ ВОЛНЫ, ДЛЯ ОСВЕЩЕНИЯ

1. Устройство, содержащее:
отражатель;
материал, преобразующий длину волны, расположенный на отражателе;
поверхность, подлежащую освещению; и
подсветку, расположенную между отражателем и подлежащей освещению поверхностью, упомянутая подсветка содержит источник света и волновод, причем волновод выполнен с возможностью направлять большую часть света от источника света по направлению к отражателю.
2. Устройство по п.1, в котором:
волновод представляет собой сплошной прозрачный материал;
источник света представляет собой светоизлучающий диод; и
светоизлучающий диод расположен в отверстии, образованном в прозрачном материале у края волновода.
3. Устройство по п.2, в котором волновод содержит элементы, образованные на поверхности прозрачного материала, ближайшей к подлежащей освещению поверхности, причем упомянутые элементы выполнены с возможностью направлять свет по направлению к отражателю.
4. Устройство по п.1, в котором:
волновод представляет собой сплошной прозрачный материал;
источник света представляет собой светоизлучающий диод; и
светоизлучающий диод расположен вблизи от края волновода.
5. Устройство по п.1, в котором:
волновод содержит пространство, ограниченное отражающими стенками и заполненное воздухом;
источник света представляет собой светоизлучающий диод; и
светоизлучающий диод расположен вблизи от границы волновода, ближайшей к подлежащей освещению поверхности.
6. Устройство по п.5, в котором светоизлучающий диод расположен чтобы излучать свет по направлению к отражателю.
7. Устройство по п.1, в котором материал, преобразующий длину волны, расположен на отражателе в множестве областей, причем соседние области разделены областями отражателя, на которых расположен материал, не преобразующий длину волны.
8. Устройство по п.1, в котором:
источник света содержит светоизлучающий диод, содержащий полупроводниковую структуру, причем материал, не преобразующий длину волны, расположен между полупроводниковой структурой и подлежащей освещению поверхностью.
9. Устройство по п.1, в котором источник света содержит светоизлучающий диод, содержащий:
полупроводниковую структуру нитрида III группы, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа; и
отражатель, расположенный на полупроводниковой структуре.
10. Устройство по п.1, в котором отражатель является теплопроводным.
11. Устройство по п.1, в котором источник света выполнен для излучения синего цвета, и материал, преобразующий длину волны, содержит, по меньшей мере, один люминофор, выполненный с возможностью поглощения синего цвета и излучения зеленого цвета, и, по меньшей мере, один люминофор, выполненный с возможностью поглощения синего цвета и излучения красного цвета.
12. Устройство по п.11, в котором, по меньшей мере, один люминофор, выполненный с возможностью поглощения синего цвета и излучения зеленого цвета, и, по меньшей мере, один люминофор, выполненный с возможностью поглощения синего цвета и излучения красного цвета, смешаны и расположены на отражателе в одном едином слое.
13. Устройство по п.11, в котором, по меньшей мере, один люминофор, выполненный с возможностью поглощения синего цвета и излучения зеленого цвета, и, по меньшей мере, один люминофор, выполненный с возможностью поглощении синего цвета и излучения красного цвета, расположены на отражателе в виде отдельных слоев.
14. Устройство по п.1, в котором источник света выполнен для излучения синего цвета, и материал, преобразующий длину волны излучения, содержит, по меньшей мере, один люминофор, выполненный с возможностью поглощения синего цвета и излучения желтого цвета.
15. Устройство по п.1, в котором освещаемая поверхность представляет собой жидкокристаллический дисплей.