Анодное окисление кремния и его соединений в легирующих электролитах

Секция химии и экологии

2. Таганрог можно условно разделить на три зоны, в которых сосредоточены наиболее крупные промышленные предприятия. Почвы двух из них (Восточной и Юго-Западной) исследованы нами.

3. В задачи исследования входило оконтуривание некоторых локальных техногенных геохимических аномалий и оценка ландшафтных факторов, влияющих на их распространение.

4. На направление движения дождевых и талых потоков оказывает основное влияние рельеф местности. Потоки обеспечивают перераспределение осевших из атмосферы частиц и их накопление в низинах или смыв в Таганрогский залив. Для предсказания ландшафтного распределения тяжелых металлов мы использовали карты, построенные на основе рельефа с использованием ГИС-технологий, предоставленные Бюро кадастра Таганрога.

5. С учетом высоты источника выбросов загрязнения, ветровой картины, геохимических особенностей почвы, характера жилой застройки и рельефа местности нами была рассчитана область геохимической аномалии (Си, 2п, Fe, Мп) на территории Юго-Западной промзоны, что подтверждено лабораторными исследованиями.

УДК 541.13:621.315.592

Л.П. Милешко

АНОДНОЕ ОКИСЛЕНИЕ КРЕМНИЯ И ЕГО СОЕДИНЕНИЙ В ЛЕГИРУЮЩИХ ЭЛЕКТРОЛИТАХ

Исследована кинетика и разработаны механизмы анодирования Si, SiС, пленок SiзN4 (77 нм), термического (80...85 нм) и анодного SiO2 (59.. .102) в боратных и фосфатных электролитах на основе этиленгликоля и тетрагидрофурфурилового спирта.

Уточнены и дополнены термодинамические модели процессов анодного окисления данных материалов. Из этих моделей следует, что процессы формирования анодных окисных пленок (АОП) протекают стадийно. Причем на первой стадии взаимодействия кислородосодержащих анионов с кремнием, карбидом и нитридом кремния образуется 8Ю, который затем доокисляется до 8Ю2. Кроме того, в состав АОП может входить Н28Ю3, получающаяся в результате реакции 8Ю с двумя гидроксид-ионами. Это обстоятельство косвенно свидетельствует в пользу коллоидно-электрохимической теории строения и образования АОП по А.Ф. Богоявленскому.

При этом не исключено, что все реакции проходят одновременно, т.е. являются парциальными, а со временем места их протекания пространственно разделяются из-за разности их скоростей. Возможность осуществления такого полиповерхност-ного процесса вероятнее, чем для одностадийного оксидирования сразу до SiO2.

Показано, что для полной плотности тока гальваностатического анодирования Si, SiС, и Si3N4 справедлив экспоненциальный закон Гюнтершульце и Бетца. Это указывает на активационный контроль процесса анодирования на линейных участках вольт-временных зависимостей.

Таким образом, разработаны физико-химические основы получения анодных пленок легированного диоксида кремния.