СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКА ИЛИ ДИЭЛЕКТРИКА

1. Способ металлизации поверхности полупроводника или диэлектрика, заключающийся в том, что осуществляют формирование газовой фазы и металлизацию осаждением из газовой фазы посредством декомпозиции металлокоплекса, отличающийся тем, что формирование газовой фазы и металлизацию осуществляют в одном и том же объеме реактора, при этом проводят синтез летучего малоразмерного металлокомплекса и его перенос к поверхности, подлежащей металлизации, затем осуществляют воздействие, приводящее к декомпозиции малоразмерного металлокоплекса и металлизации осаждением из газовой фазы.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что перед проведением процесса объем реактора откачивают до давления, достаточного для предотвращения влияния остаточной атмосферы в отношении рабочей среды, затем формируют рабочую среду, используя поток газа-носителя сначала в смеси с парами летучего прекурсора, при этом последний посредством газа-носителя транспортируют в зону синтеза малоразмерного металлокомплекса, в которой осуществляют газогетерогенную химическую реакцию синтеза на поверхности зерен нелетучего прекурсора, а также сублимацию синтезированного малоразмерного металлокомплекса в поток, пропуская смесь сквозь дисперсную насыпку металлсодержащего нелетучего прекурсора и формируя рабочую среду, представляющую собой смесь газа-носителя, а также паров летучего прекурсора и синтезированного летучего малоразмерного металлокомплекса, который общим потоком транспортируют в зону декомпозиции и формирования металлического слоя, условия при указанном синтезе поддерживают обеспечивающими активацию летучего прекурсора и доминирование протекания реакции образования летучего малоразмерного металлокомплекса на поверхности зерен дисперсной металлсодержащей насыпки, в виде которой используют нелетучий прекурсор, и его последующую сублимацию в газовый поток, формируемый газом-носителем, параметры потока подбирают из учета выполнения функции транспортировки сначала летучего прекурсора в зону синтеза, а затем сформированного летучего малоразмерного металлокомплекса в зону декомпозиции, общее давление газа рабочей среды поддерживают обеспечивающим выполнение функции транспортировки газом-носителем указанных прекурсоров - исходного летучего прекурсора и летучего формируемого малоразмерного металлокомплекса, соответственно в зону синтеза и зону декомпозиции и необходимую концентрацию для протекания реакции синтеза летучего малоразмерного металлокомплекса, вниз по потоку от дисперсной насыпки металлсодержащего нелетучего прекурсора, на расстоянии, определяемом временем жизни формирующегося летучего малоразмерного металлокомплекса и параметрами потока, транспортирующего последний, формируют зону декомпозиции, в которой располагают поверхность, подлежащую металлизации.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что перед проведением процесса объем реактора откачивают до давления, достаточного для предотвращения влияния остаточной атмосферы в отношении рабочей среды, характеризующегося остаточным давлением газов около 0,1 Па и менее.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что в качестве газа-носителя используют инертный газ.
5. Способ по п.2 или 3, отличающийся тем, что в качестве газа-носителя используют инертный газ, а именно гелий, или аргон, или азот.
6. Способ по п.2, отличающийся тем, что в качестве газообразного летучего прекурсора используют 2÷5-атомные молекулы-лиганды, образующие с металлами аммиакаты, карбонильные комплексы и их гомологи.
7. Способ по п.2 или 4, отличающийся тем, что в качестве газообразного летучего прекурсора используют 2÷5-атомные молекулы-лиганды, находящиеся в короткоживущем свободнорадикальном, или ионизованном, или возбужденном состоянии, характерном для протекания неравновесных процессов газогетерогенного комплексообразования.
8. Способ по п.2, отличающийся тем, что в качестве дисперсной насыпки металлсодержащего нелетучего прекурсора используют медь, или оксид меди, или их смесь.
9. Способ по п.2, отличающийся тем, что проводят синтез летучего малоразмерного металлокомплекса, формируя метастабильные 2÷5-атомные металлокомплексы.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что создают рабочую среду, в качестве которой используют поток газа-носителя сначала в смеси с газообразным летучим прекурсором, смесь берут в соотношении 1:1 по объему.
2
3
11. Способ по п.2, отличающийся тем, что общее давление газа рабочей среды поддерживают обеспечивающим выполнение функции транспортировки газом-носителем указанных прекурсоров - исходного летучего прекурсора и летучего формируемого малоразмерного металлокомплекса, соответственно в зону синтеза и зону декомпозиции и необходимую концентрацию для протекания реакции синтеза летучего малоразмерного металлокомплекса, а именно от 10 до 10 Па.
12. Способ по п.2, отличающийся тем, что условия при указанном синтезе поддерживают обеспечивающими активацию летучего прекурсора и протекание реакции образования летучего малоразмерного металлокомплекса на поверхности зерен дисперсной металлсодержащей насыпки, в виде которой используют нелетучий прекурсор, и его последующую сублимацию в газовый поток, формируемый газом-носителем, а именно, условия при указанном синтезе поддерживают обеспечивающими термическую активацию, при которой температуру поддерживают больше значения температуры сублимации образующегося металлокомплекса и меньше значения температуры его декомпозиции или обеспечивающими сочетание термической и нетермической активации, обуславливающей короткоживущее состояние летучего прекурсора, соответствующее протеканию неравновесного процесса газогетерогенного комплексообразования.
13. Способ по п.1, или 2, или 12, отличающийся тем, что условия при указанном синтезе поддерживают обеспечивающими термическую активацию, при которой температуру поддерживают больше значения температуры сублимации образующегося металлокомплекса и меньше значения температуры его декомпозиции, а именно на уровне 120°C.
14. Способ по п.1, или 2, или 12, отличающийся тем, что условия при указанном синтезе поддерживают обеспечивающими нетермическую активацию, обуславливающую короткоживущее состояние летучего прекурсора, соответствующее протеканию неравновесного процесса газогетерогенного комплексообразования, а именно посредством формирования плазмы тлеющего разряда.
15. Способ по п.1, отличающийся тем, что осуществляют воздействие, приводящее к декомпозиции малоразмерного металлокоплекса и металлизации осаждением из газовой фазы, а именно, термическое воздействие или сочетание термического и нетермического воздействий.
16. Способ по п.2, отличающийся тем, что осуществляют воздействие, приводящее к декомпозиции малоразмерного металлокоплекса и металлизации осаждением из газовой фазы, а именно, термическое воздействие или сочетание термического и нетермического воздействий.
17. Способ по п.1 или 15, отличающийся тем, что осуществляют воздействие, приводящее к декомпозиции малоразмерного металлокоплекса и металлизации осаждением из газовой фазы, посредством подачи температуры в зону декомпозиции около 280°С или в дополнение к термическому воздействию подают постоянное напряжение смещения на металлический держатель изделия или подложки с поверхностью, подлежащей металлизации.
18. Способ по п.2 или 16, отличающийся тем, что осуществляют воздействие, приводящее к декомпозиции малоразмерного металлокоплекса и металлизации осаждением из газовой фазы, посредством подачи температуры в зону декомпозиции около 280°С или в дополнение к термическому воздействию подают постоянное напряжение смещения на металлический держатель изделия или подложки с поверхностью, подлежащей металлизации.
19. Способ по п.2, отличающийся тем, что вниз по потоку от дисперсной насыпки металлсодержащего нелетучего прекурсора, на расстоянии, определяемом временем жизни формирующегося летучего малоразмерного металлокомплекса и параметрами потока, транспортирующего последний, формируют зону декомпозиции, в которой располагают поверхность, подлежащую металлизации, а именно, на расстоянии от дисперсной насыпки от 3 до 10 см.