МИКРОСТРУКТУРА ДЛЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ГЕНЕРАТОРА НА ОСНОВЕ ЭФФЕКТА ЗЕЕБЕКА И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТАКОЙ МИКРОСТРУКТУРЫ

1. Способ получения термоэлектрической микроструктуры (10) на основе эффекта Зеебека, содержащий этапы, на которых:
формируют изолирующую подложку (12), оснащенную первой (18) и второй (20) областями соединения;
формируют на подложке (12) первую сборку проводниковых или полупроводниковых элементов (14), проходящих параллельно и в первом направлении от первой области (18) соединения до второй области (20) соединения, причем элементы (14) имеют первый коэффициент Зеебека;
формируют на подложке (12) вторую сборку из проводниковых или полупроводниковых элементов (22), электрически изолированных от элементов (14) первой сборки и проходящих параллельно и во втором направлении, отличном от первого направления, от первой области (18) соединения до второй области (20) соединения, причем элементы второй сборки имеют второй коэффициент Зеебека, отличный от первого коэффициента Зеебека; и
обеспечивают в первой и второй областях (18, 20) соединения подложки электрические соединительные элементы (24), размеры (Р) которых выбирают таким образом, что каждый из соединительных элементов (24) способен электрически соединять по меньшей мере один элемент (14) первой сборки по меньшей мере с одним элементом (22) второй сборки,
отличающийся тем, что
1
2
два проводниковых или полупроводниковых элемента (14, 22) одной сборки разделяют в предварительно заданном направлении предварительно заданным средним расстоянием (d, d) в областях (18, 20) соединения;
1
2
средний размер (Р) соединительных элементов (24) в предварительно заданном направлении больше, чем максимальное значение средних расстояний (d, d) между элементами одной сборки; и
1
2
расстояние (Е) в предварительно заданном направлении между краями двух соединительных элементов (24) меньше, чем минимальное значение средних расстояний (d, d) между элементами одной сборки.
2. Способ по п.1, в котором первую и вторую сборки из проводниковых или полупроводниковых элементов формируют соответственно на противоположных лицевых поверхностях изолирующей подложки (12), при этом обеспечение соединительных элементов (24) включает в себя этап, на котором формируют электрические соединения, проходящие через подложку между лицевыми поверхностями, и, в частности, формируют по меньшей мере одно отверстие, проходящее через подложку, с последующим формированием проводящих контактов внутри отверстия.
1
2
3. Способ по п.1, в котором средний размер (Р) соединительных элементов (24) в предварительно заданном направлении больше, чем удвоенное максимальное значение средних расстояний (d, d) между элементами одной сборки.
4. Способ по любому из пп.1-3, в котором проводниковые или полупроводниковые элементы (14, 22) выполнены из дорожек, проволок, нанопроволок и/или монокристаллических волокон.
5. Способ по п.2, в котором проводниковые или полупроводниковые элементы (14, 22) по меньшей мере одной сборки выполнены из тонкой пленки, имеющей анизотропную электрическую проводимость, закрепленной на одной из лицевых поверхностей изолирующей подложки, причем пленка имеет ось максимальной проводимости тока в направлении, ином, нежели направление элементов другой сборки.
6. Микроструктура (10) для термоэлектрического генератора на основе эффекта Зеебека, содержащая:
изолирующую подложку (12), обеспеченную первой областью (18) соединения и второй областью (20) соединения;
первую сборку из проводниковых или полупроводниковых элементов (14) на подложке (12), проходящих параллельно и в первом направлении между первой областью (18) соединения и второй областью (20) соединения, причем элементы (14) имеют первый коэффициент Зеебека;
вторую сборку из проводниковых или полупроводниковых элементов (22) на подложке (12), электрически изолированных от элементов (14) первой сборки, проходящих параллельно и во втором направлении, отличном от первого направления, от первой области (18) соединения до второй области (20) соединения, причем элементы второй сборки имеют второй коэффициент Зеебека, отличный от первого коэффициента Зеебека; и
в первой и второй областях (18, 20) соединения электрические соединительные элементы (24), электрически соединяющие по меньшей мере один элемент (14) первой сборки по меньшей мере с одним элементом (22) второй сборки,
отличающаяся тем, что
1
2
два проводниковых или полупроводниковых элемента (14, 22) одной сборки разделены в предварительно заданном направлении на предварительно заданное среднее расстояние (d, d) в областях (18, 20) соединения;
1
2
средний размер (Р) соединительных элементов (24) в предварительно заданном направлении больше, чем максимальное значение средних расстояний (d, d) между элементами одной сборки; и
1
2
расстояние (Е) в предварительно заданном направлении между краями двух соединительных элементов (24) меньше, чем минимальное значение средних расстояний (d, d) между элементами одной сборки.