МАТРИЦА VCSEL С ПОВЫШЕННЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ ПОЛЕЗНОГО ДЕЙСТВИЯ

1. Матрица VCSEL, содержащая несколько VCSEL, расположенных рядом друг с другом на общей подложке (1), причем каждый VCSEL образован, по меньшей мере, из верхнего зеркала (5, 14), активной области (4), слоя для инжекции тока (3) и нелегированного нижнего полупроводникового зеркала (2), причем упомянутый слой для инжекции тока (3) установлен между упомянутой активной областью (4) и упомянутым нижним полупроводниковым зеркалом (2), причем:
- по меньшей мере, верхний слой упомянутой подложки (1) является электропроводящим,
- между упомянутыми нижними полупроводниковыми зеркалами (2) упомянутых VCSEL образованы канавки (8) и/или отверстия, в упомянутом верхнем слое упомянутой подложки (1), и
- металлизация (9) электрически соединяет упомянутый верхний слой упомянутой подложки (1) с упомянутым слоем (3) для инжекции тока посредством упомянутых канавок (8) и/или отверстий.
2. Матрица VCSEL по п. 1,
в которой подложка (1) представляет собой легированную электропроводную полупроводниковую подложку.
3. Матрица VCSEL по п. 1,
в которой подложка (1) представляет собой полупроводниковую подложку, упомянутый верхний слой которой является легированным.
4. Матрица VCSEL по п. 1,
в которой верхнее зеркало (5, 14) представляет собой легированный или нелегированный распределенный брэгговский отражатель.
5. Матрица VCSEL по п. 1,
в которой верхнее зеркало (5, 14) представляет собой диэлектрическое зеркало.
6. Матрица VCSEL по п. 1,
в которой нижнее полупроводниковое зеркало (2) представляет собой нелегированный распределенный брэгговский отражатель.
7. Матрица VCSEL по п. 1,
в которой верхнее зеркало (5, 14) представляет собой p-легированный распределенный брэгговский отражатель или диэлектрическое зеркало, подложка (1) представляет собой n-легированную полупроводниковую подложку или полупроводниковую подложку с n-легированным верхним слоем, слой для инжекции тока (3) является n-легированным, а нижнее полупроводниковое зеркало (2) представляет собой нелегированный распределенный брэгговский отражатель.