ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ СИЛОВОЙ ДИОД И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Высокочастотный силовой диод, содержащий
полупроводниковую подложку, имеющую первую главную сторону (101) и вторую главную сторону (102), противоположную первой главной стороне (101),
первый слой (103), сформированный в полупроводниковой подложке, примыкающий к первой главной стороне (101), при этом первый слой (103) имеет первый тип проводимости, который является проводимостью n-типа или p-типа,
второй слой (105), сформированный в полупроводниковой подложке, примыкающий ко второй главной стороне (102) подложки, при этом второй слой (105) имеет второй тип проводимости, который является проводимостью n-типа или p-типа, но отличающейся от указанного первого типа проводимости,
третий слой (104), сформированный в полупроводниковой подложке между первым слоем (103) и вторым слоем (105), при этом третий слой (104) имеет указанный второй тип проводимости,
19
-3
15
-3
причем первый слой (103) имеет концентрацию легирующей примеси для первого типа проводимости, которая понижается от 10 см или более вблизи первой главной стороны (101) подложки до концентрации 1,5⋅10 см или менее на границе раздела первого слоя (103) с третьим слоем (104),
19
-3
15
-3
второй слой (105) имеет концентрацию легирующей примеси для второго типа проводимости, которая понижается от 10 см или более вблизи второй главной стороны (102) подложки до концентрации 1,5⋅10 см на границе раздела второго слоя (105) с третьим слоем (104), и
15
-3
третий слой (104) имеет концентрацию легирующей примеси для второго типа проводимости 1,5⋅10 см или менее,
17
-3
отличающийся тем, что концентрация легирующей примеси для первого типа проводимости в первом слое (103) на расстоянии 50 мкм от первой главной стороны (101) подложки и концентрация легирующей примеси для второго типа проводимости во втором слое (105) на расстоянии 50 мкм от второй главной стороны (102) составляет соответственно 10 см или более, а толщина третьего слоя (104) составляет менее 60 мкм.
19
-3
2. Высокочастотный силовой диод по п. 1, в котором первый слой (103) и второй слой (105) имеют поверхностную концентрацию легирующей примеси по меньшей мере 7⋅10 см.
3. Высокочастотный силовой диод по п. 1, в котором фосфор является легирующей примесью для второго типа проводимости во втором слое (105).
4. Высокочастотный силовой диод по п. 2, в котором фосфор является легирующей примесью для второго типа проводимости во втором слое (105).
5. Высокочастотный силовой диод по п. 1, в котором бор является легирующей примесью для первого типа проводимости в первом слое (103).
6. Высокочастотный силовой диод по п. 2, в котором бор является легирующей примесью для первого типа проводимости в первом слое (103).
7. Высокочастотный силовой диод по п. 3, в котором бор является легирующей примесью для первого типа проводимости в первом слое (103).
8. Высокочастотный силовой диод по п. 4, в котором бор является легирующей примесью для первого типа проводимости в первом слое (103).
9. Высокочастотный силовой диод по любому из пп. 1-8, в котором полупроводниковая подложка является кремниевой подложкой.
10. Высокочастотный силовой диод по любому из пп. 1-8, в котором полупроводниковая подложка имеет толщину 150 мкм или более.
11. Высокочастотный силовой диод по любому из пп. 1-8, в котором профиль концентрации легирующей примеси сформирован путем одновременной диффузии легирующей примеси для первого типа проводимости в первую главную сторону (101) и легирующей примеси для второго типа проводимости во вторую главную сторону (102).
12. Высокочастотный силовой диод по любому из пп. 1-8, содержащий центры рекомбинации для уменьшения времени жизни носителя заряда.
13. Высокочастотный силовой диод по любому из пп. 1-8, содержащий ловушки, индуцированные облучением электронами.
14. Высокочастотный силовой диод по любому из пп. 1-8, в котором толщина третьего слоя (104) меньше, чем две длины амбиполярной диффузии.
15. Способ изготовления высокочастотного силового диода по любому из пп. 1-14, содержащий
(a) этап обеспечения полупроводниковой подложки (114) и
(b) этап одновременной диффузии легирующей примеси для первого типа проводимости в полупроводниковую подложку (114) с первой главной стороны (101) и легирующей примеси для второго типа проводимости в полупроводниковую подложку со второй главной стороны (102).
16. Способ изготовления по п. 15, в котором поверхностную концентрацию легирующей примеси для первого типа проводимости на первой главной стороне (101) и поверхностную концентрацию легирующей примеси для второго типа проводимости на второй главной стороне (102) поддерживают постоянной во время этапа (b) диффузии.
17. Способ изготовления по п. 15 или 16, дополнительно содержащий этап утонения полупроводниковой подложки (110) до толщины в диапазоне от 150 до 250 мкм перед этапом (b) диффузии.
18. Способ изготовления по п. 15 или 16, дополнительно содержащий этап формирования центров рекомбинации в полупроводниковой подложке.
19. Способ изготовления по п. 18, в котором центры рекомбинации индуцируют путем облучения полупроводниковой подложки электронами.