ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ КВАНТОВОГО ВЫХОДА ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта, содержащая рабочую поверхность, на которую поступает излучение, полупроводниковую базовую область с одним типом проводимости, металлические контакты, отличающаяся тем, что барьеры, разделяющие носители заряда и области с типом проводимости, противоположным типу проводимости базы, расположены в части рабочей поверхности, на которую поступает излучение, на указанных областях и барьерах расположены металлические контакты, барьеры и указанные области с контактами на них имеют форму гребенки из полосок с одинаковой шириной и эквидистантными расстояниями между ними, и структура характеризуется теоретической моделью расчета.
2. Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта по п.1, отличающаяся тем, что барьеры, разделяющие носители, являются p-n переходами.
3. Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта по п.1, отличающаяся тем, что барьеры, разделяющие носители, являются барьерами Шоттки.
4. Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта по п.1, отличающаяся тем, что на рабочей поверхности, на которую поступает излучение, расположено несколько барьеров разного типа.
5. Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта по п.1, отличающаяся тем, что контакт на тыльной стороне не сплошной, и на нее поступает дополнительное излучение.
6. Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта по п.1, отличающаяся тем, что рабочая поверхность, на которую поступает дополнительное излучение, с барьерами и контактами на них, расположена по крайней мере еще на одной поверхности структуры.
7. Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта по п.1, отличающаяся тем, что структура является двумерной и ее элементы распложены в плоскости.
8. Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта по п.1, отличающаяся тем, что структура является трехмерной, и барьеры с контактами размещены в пространстве на нескольких поверхностях структуры.
9. Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта по п.1, отличающаяся тем, что на части хотя бы одной рабочей поверхности, свободной от барьеров, разделяющих носители, расположена пассивирующаяя пленка.
10. Способ изготовления фотоэлектрической структуры для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта, включающий создание барьеров, разделяющих носители, нанесение металлических контактов, отличающийся тем, что фотоэлектрическую структуру создают методами мезотехнологии, в части рабочей поверхности, на которую поступает излучение, создают области с проводимостью, противоположной проводимости базы с образованием барьеров, разделяющих носители заряда, на барьерах и указанных областях создают металлические контакты, при этом барьеры и указанные области с контактами на них образуют форму гребенки из полосок с одинаковой шириной и эквидистантными расстояниями между ними.
11. Способ изготовления фотоэлектрической структуры для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта по п.10, отличающийся тем, что барьеры, разделяющие носители, создают диффузией, эпитаксией или ионным легированием.
12. Способ изготовления фотоэлектрической структуры для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта по п.10, отличающийся тем, что барьеры, разделяющие носители, создают нанесением металла с образованием барьера Шоттки.
13. Способ изготовления фотоэлектрической структуры для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта по п.10, отличающийся тем, что на рабочей поверхности, на которую поступает излучение, создают несколько барьеров разного типа.
14. Способ изготовления фотоэлектрической структуры для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта по п.10, отличающийся тем, что на тыльную сторону наносят не сплошной металлический контакт.
15. Способ изготовления фотоэлектрической структуры для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта по п.10, отличающийся тем, что барьеры, разделяющие носители, и контакты на них в форме гребенки создают, по крайней мере, на двух поверхностях структуры.
16. Способ изготовления фотоэлектрической структуры для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта по п.10, отличающийся тем, что структуру выполняют в плоскости - двумерной.
17. Способ изготовления фотоэлектрической структуры для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта по п.10, или 11, или 12, или 13, отличающийся тем, что структуру выполняют в пространстве трехмерной, и барьеры с контактами создают на нескольких поверхностях структуры.
18. Способ изготовления фотоэлектрической структуры для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта по п.10, отличающийся тем, что на завершающем этапе проводят пассивацию части рабочих поверхностей, свободной от барьеров, разделяющих носители.