УСТРОЙСТВО ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ НАМОТОЧНОГО ТИПА

1. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа для образования слоя покрытия на пленке плазмохимическим осаждением из паровой фазы, в то время как указанную пленку заставляют перемещаться в вакуумной камере, которое включает:
вышестоящий барабан и нижестоящий барабан, соответственно расположенные на стороне входа и стороне выхода места осаждения по отношению к направлению движения указанной пленки, которые заставляют указанную пленку двигаться по существу линейно в указанном месте осаждения, где:
высокочастотный электрод расположен лицевой стороной к поверхности осаждения указанной пленки и соединен с источником высокочастотной энергии;
противоэлектрод расположен на обратной стороне поверхности осаждения указанной пленки; и
средства подачи газа, подающие исходный газ к поверхности осаждения указанной пленки, соответственно расположены в указанном месте осаждения.
2. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором указанные средства подачи газа включают:
решетку для распыления, присоединенную к указанному высокочастотному электроду;
часть пространства, образованного между указанным высокочастотным электродом и указанной решеткой для распыления;
и линию подачи газа, связанную с указанной частью пространства и подающую газ к поверхности осаждения указанной пленки через указанную решетку для распыления.
3. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.2, в котором расстояние между указанной решеткой для распыления и поверхностью осаждения указанной пленки равно 10 мм или более и 50 мм или менее.
4. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором частота указанного высокочастотного электрода равна 100 кГц или более и 100 МГц или менее.
5. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором указанный противоэлектрод соединен с потенциалом земли.
6. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором средства нагревания указанной пленки расположены на стороне входа указанного места осаждения.
7. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором устройство нейтрализации заряда указанной пленки расположено на стороне выхода указанного места осаждения.
8. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором указанная пленка сделана из пластика или стекла.
9. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором материал указанного слоя покрытия, образованного на поверхности осаждения указанной пленки, представляет собой кремний, нитрид кремния, оксид кремния, оксиазотированный кремний или смесь данных кремниевых материалов и, по меньшей мере, одного компонента, состоящего из бора и фосфора.
10. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, которое включает;
металлическую ленту, поддерживающую обратную сторону указанной пленки в положении осаждения; и
устройство перемещения ленты, которое заставляет указанную металлическую ленту перемещаться кругообразно в указанной вакуумной камере.
11. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.10, в котором электрический потенциал указанной металлической ленты идентичен потенциалу противоэлектрода, расположенному в указанном месте осаждения.
12. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.10, в котором указанная металлическая лента является противоэлектродом, расположенным в указанном месте осаждения.
13. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.10, в котором указанную металлическую ленту и указанную пленку заставляют перемещаться соответственно в контакте с барабаном, расположенным на стороне входа указанного места осаждения, где указанный барабан имеет нагреватель для нагревания указанной пленки через указанную металлическую ленту.
14. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором маска, имеющая щель, ограничивающую площадь осаждения поверхности осаждения указанной пленки, расположена в указанном месте осаждения.
15. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.14, которое включает заслонку, способную открывать или закрывать щель указанной маски, где при выполнении процесса очистки участка осаждения, щель указанной маски закрывается указанной заслонкой, и затем очищающий газ подается из средств подачи газа.
16. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, которое включает:
маску, имеющую щель, ограничивающую площадь осаждения поверхности осаждения указанной пленки;
механизм регулирования, регулирующий зазор между поверхностью осаждения указанной пленки и щелью указанной маски;
заслонку, способную закрывать щель указанной маски путем вставки между поверхностью осаждения указанной пленки и щелью указанной маски; и
средства подачи очищающего газа.
17. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.16, в котором предусмотрена металлическая лента, которую заставляют перемещаться одновременно на обратной стороне поверхности осаждения указанной пленки, и указанный механизм регулирования включает:
устройство перемещения барабана, поднимающее вышестоящий барабан и нижестоящий барабан, которые направляют перемещения указанной пленки и указанного металлического барабана; и устройство регулирования натяжения ленты, регулирующее силу натяжения указанной металлической ленты.
18. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.17, в котором указанное устройство перемещения барабана поднимает противоэлектрод, расположенный в месте осаждения, при подъеме указанного верхнего барабана и указанного нижнего барабана.
19. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.18, в котором указанное устройство перемещения барабана включает:
опорные кронштейны, поддерживающие оба конца вращающихся осей указанного вышестоящего барабана и указанного нижестоящего барабана; и
зацепляющие защелки, присоединенные к указанным опорным кронштейнам и способные зацеплять нижнюю часть периферии указанного противоэлектрода.
20. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.16, в котором указанная заслонка соединена с потенциалом земли.
21. Устройство плазмохимического осаждения из паровой фазы намоточного типа по п.1, в котором маска, имеющая щель, ограничивающую площадь осаждения поверхности осаждения указанной пленки, расположена в месте осаждения, и протоки газа образуются между указанной маской и указанным высокочастотным электродом.