ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА С НАНОПРОВОДНИКОВЫМИ ДАТЧИКАМИ, ИЗМЕРИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО, СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Интегральная схема, содержащая:
- подложку;
- изолирующий слой на упомянутой подложке и
- первый нанопроводниковый элемент и второй нанопроводниковый элемент на упомянутом изолирующем слое, отличающаяся тем, что
первый нанопроводниковый элемент является узлом истока первого транзистора и второй полупроводниковый элемент является узлом истока второго транзистора, причем упомянутый первый транзистор и упомянутый второй транзистор имеют общий узел стока,
причем первый нанопроводниковый элемент расположен таким образом, чтобы подвергаться воздействию среды, содержащей аналит, и при этом второй нанопроводниковый элемент расположен таким образом, чтобы быть защищенным от упомянутой среды защитным слоем на упомянутом втором нанопроводниковом элементе.
2. Интегральная схема по п. 1, в которой каждый из первого нанопроводникового элемента и второго нанопроводникового элемента покрыт оксидной пленкой, и защитный слой (150) расположен на упомянутой оксидной пленке.
3. Интегральная схема по п. 1, дополнительно содержащая схему обработки сигналов для обработки соответствующих сигналов первого нанопроводникового элемента и второго нанопроводникового элемента.
4. Интегральная схема по п. 3, в которой схема обработки сигналов содержит дифференциатор, выполненный с возможностью вычитания сигнала второго нанопроводникового элемента из сигнала первого нанопроводникового элемента.
5. Интегральная схема по п. 1, дополнительно содержащая массив из упомянутого первого транзистора и упомянутого второго транзистора.
6. Интегральная схема по п. 1, в которой подложка является полупроводниковой подложкой, выполненной с возможностью обеспечения напряжения смещения для первого нанопроводникового элемента и второго нанопроводникового элемента.
7. Интегральная схема по п. 1, в которой каждый из первого нанопроводникового элемента и второго нанопроводникового элемента содержит кремниевый нанопроводник.
8. Интегральная схема по п. 1, в которой защитный слой имеет такую толщину, которая гарантирует, что второй нанопроводниковый элемент будет нечувствительным к среде.
9. Интегральная схема по п. 1, в которой защитный слой содержит диэлектрический слой, такой как оксидный слой или нитридный слой, или слой полимера, причем упомянутый слой полимера является одним из: слоя полиимида или слоя парилена.
10. Измерительное устройство, содержащее канал потока и интегральную схему по п. 1, причем первый нанопроводниковый элемент и второй нанопроводниковый элемент расположены в упомянутом канале потока таким образом, что первый нанопроводниковый элемент и второй нанопроводниковый элемент являются смежными друг с другом относительно направления потока среды через упомянутый канал потока.
11. Способ измерения интересующего аналита в среде, причем способ содержит этапы, на которых:
- обеспечивают интегральную схему по п. 1;
- пропускают упомянутую среду над первым нанопроводниковым элементом и вторым нанопроводниковым элементом в таком направлении, что первый нанопроводниковый элемент и второй нанопроводниковый элемент являются смежными друг с другом относительно направления упомянутого потока;
- одновременно получают сигнал первого нанопроводникового элемента с упомянутого первого нанопроводникового элемента и сигнал второго нанопроводникового элемента с упомянутого второго нанопроводникового элемента; и
- получают измерение аналита из разности между сигналом второго нанопроводникового элемента и сигналом первого нанопроводникового элемента.
12. Способ по п. 11, в котором:
- этап одновременного получения сигнала первого нанопроводникового элемента с упомянутого первого нанопроводникового элемента и сигнала второго нанопроводникового элемента с упомянутого второго нанопроводникового элемента содержит этап, на котором возбуждают первый нанопроводниковый элемент и второй нанопроводниковый элемент переменным током; и
- этап получения измерения аналита из разности между сигналом второго нанопроводникового элемента и сигналом первого нанопроводникового элемента содержит этап, на котором измеряют комплексный импедансный отклик первого нанопроводникового элемента и комплексный импедансный отклик второго нанопроводникового элемента на упомянутый переменный ток.
13. Способ изготовления интегральной схемы, содержащий этапы, на которых:
- обеспечивают подложку, изолирующий слой на упомянутой подложке и слой полупроводника на упомянутом изолирующем слое;
- структурируют слой полупроводника для формирования первого нанопроводникового элемента в качестве узла истока первого транзистора, и второго нанопроводникового элемента, смежного с упомянутым первым нанопроводниковым элементом на упомянутом изолирующем слое, причем упомянутый второй нанопроводниковый элемент является узлом истока второго транзистора, причем упомянутый первый транзистор и упомянутый второй транзистор совместно используют общий узел стока; и
- наносят защитный слой только на второй нанопроводниковый элемент.
14. Способ по п. 13, дополнительно содержащий этап, на котором:
формируют оксидную пленку на каждом из первого нанопроводникового элемента и второго нанопроводникового элемента перед нанесением упомянутого защитного слоя.