ГЕТЕРОСТРУКТУРА ДЛЯ АВТОЭМИТТЕРА

20
24
-3
1. Гетеропереходная структура, состоящая из полупроводниковых слоев n- и p-типа проводимости, расположенных последовательно на подложке n-типа, гомогенной прилежащему к ней полупроводниковому слою n-типа, и имеющей омический контакт к тыльной стороне, отличающаяся тем, что на поверхности n-слоя со стороны n-p гетерограницы расположен массив из наноструктурированных объектов, p-слой выполнен в виде алмазной пленки, толщина которой не превышает диффузионную длину электронов, а концентрация акцепторов в нем находится в диапазоне 10-10 м.
2. Гетеропереходная структура по п.1, отличающаяся тем, что полупроводниковый слой p-типа выполнен в виде совокупности мезаструктур.