ВЛИЯНИЕ γ-ОБЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ INGАN/GАN

УДК 621.315.592

DOI 10.21685/2072-3040-2020-4-6

Л. Н. Вострецова, А. А. Адамович

ВЛИЯНИЕ y-ОБЛУЧЕНИЯ на электрические И ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ InGaN/GaN

Аннотация.

Актуальность и цели. Несмотря на то, что структуры на основе InGaN/GaN прочно завоевали рынок светодиодной продукции, остаются нерешенными некоторые вопросы изменения электрических и оптических характеристик свето-диодов на их основе под действием внешних факторов: температуры, тока, излучения и др. Наибольший интерес вызывает изменение интенсивности излучения структуры под действием внешних факторов, т.е. механизм возникновения и эволюции каналов безызлучательной рекомбинации. Целью данной работы является исследование влияния у-излучения на вольт-амперные и ампер-яркостные характеристики структур с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN.

Материалы и методы. Для решения поставленной цели были измерены вольт-амперные и ампер-яркостные характеристики структуры на основе InGaN/GaN в диапазоне токов до 30 мА при комнатной температуре и дозах облучения 0-0,4 МРад. Измерения электрических и оптических характеристик проводились в одном цикле, при регистрации ампер-яркостной характеристики выходным сигналом выступал фототок обратносмещенного фотодиода. Для анализа полученных вольт-амперных характеристик использовалась обобщенная модель рекомбинации, которая позволяет описать процесс токопереноса в пространственно неупорядоченной структуре, когда одной из стадий процесса является туннелирование.

Результаты. Проведен анализ вольт-амперных характеристик структур на основе InGaN/GaN при комнатной температуре для доз облучения у-квантами 0-0,4 МРад. Обнаружено существенное изменение вольт-амперных характеристик под действием облучения в диапазоне напряжений до 3,1 В. Изменение вольт-амперных характеристик вызывает изменение зависимостей

дифференциального показателя наклона в от напряжения и /(и). Об-

наружено изменение ампер-яркостных характеристик, которое согласуется с модификацией электрических свойств под действием облучения у-квантами.

Выводы. В диапазоне напряжений 2,1 В < и< 3,1В при дозе облучения

комплексов Mg-H, и дезактивация водородом обнаруженного рекомбинаци-онного центра. Данная гипотеза подтверждается изменением амплитуды экстремума на зависимости = /(и), которая используется для определения

с1и

© Вострецова Л. Н., Адамович А. А., 2020. Данная статья доступна по условиям всемирной лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/), которая дает разрешение на неограниченное использование, копирование на любые носители при условии указания авторства, источника и ссылки на лицензию Creative Commons, а также изменений, если таковые имеют место.

0,2 МРад наблюдается участок

связано с распадом

наличия рекомбинационных центров в исследуемой структуре, и поведением ампер-яркостных характеристик с увеличением дозы облучения образцов.

Ключевые слова: светодиод, квантовая яма, вольт-амперная характеристика, ампер-яркостная характеристика, у-излучение.

L. N. Vostretsova, A. A. Adamovich

THE EFFECT OF y-RADIATION ON THE ELECTRICAL AND OPTICAL CHARACTERISTICS OF InGaN / GaN LEDS

Abstract.

Background. Despite the fact that InGaN / GaN-based structures have firmly conquered the LED market, some issues remain unresolved about how the electrical and optical characteristics of LEDs based on them change under the influence of external factors: temperature, current, radiation, etc. Of greatest interest is the change in the radiation intensity of the structure under the influence of external factors, i.e. mechanism of emergence and evolution of nonradiative recombination channels. The purpose of this work is to study the effect of y-radiation on the volt-ampere and ampere-brightness characteristics of structures with quantum wells based on InGaN / GaN.

Materials and methods. To achieve this goal, the volt-ampere and ampere-brightness characteristics of the structure based on InGaN / GaN were measured in the range of currents up to 30 mA at room temperature and radiation doses of 0-0.4 MRad. The measurements of the electrical and optical characteristics were carried out in one cycle; when registering the ampere-brightness characteristic, the output signal was the photocurrent of the reverse-biased photodiode. To analyze the obtained volt-ampere characteristics, a generalized recombination model was used, which makes it possible to describe the process of current transfer in a spatially disordered structure, when tunneling is one of the stages of the process.

Results. The volt-ampere characteristics of InGaN / GaN-based structures are analyzed at room temperature for y-ray irradiation doses of 0-0.4 MRad. A significant change in the volt-ampere characteristics under the action of irradiation in the voltage range up to 3.1 V. A change in volt-ampere characteristics causes a change

in the dependences of the differential slope index p on voltage and f (U ).

A change in the ampere-brightness characteristics is found, which is consistent with the modification of the electrical properties under the action of irradiation with y-quanta.

Conclusions. In the voltage range at an irradiation dose of 0.2 MRad, a region Ir(U)~exp^eTj is observed, which is associated with the decomposition of

Mg-H complexes, and hydrogen deactivation of the detected recombination center. This hypothesis is confirmed by a change in the amplitude of the extremum on the

dependence dU = f(U), which is used to determine the presence of recombination

centers in the structure under study, and the behavior of the ampere-brightness characteristics with increasing sample irradiation dose.

Keywords: LED, quantum well, volt-ampere characteristic, ampere-brightness characteristic, y-radiation.

1. Актуальность и цели работы

Несмотря на то, что структуры на основе InGaN/GaN прочно завоевали рынок светодиодной продукции, остаются нерешенными некоторые вопросы изменения электрических и оптических характеристик светодиодов (СД) на их основе под действием внешних факторов: температуры, тока, излучения и др. Наибольший интерес вызывает изменение интенсивности излучения структуры под действием внешних факторов, т.е. механизм возникновения и эволюции каналов безызлучательной рекомбинации.

В настоящее время достаточно подробно исследовано падение эффективности СД-структур на основе InGaN/GaN в области больших токов. Так, в работах [1-3] это явление связывается с безызлучательной Оже-рекомбина-цией, в статьях [4-8] обнаружена безызлучательная рекомбинация в барьерной области, темп которой увеличивается с ростом тока через образец из-за возрастания туннельной составляющей токопереноса. Кроме этого, в работе [9] обнаружено уменьшение времени жизни неравновесных носителей заряда для процесса безызлучательной рекомбинации.

Открытым остается вопрос модификации характеристик структур на основе InGaN/GaN под действием облучения. В статье [10] показано, что световой поток синих и зеленых СД на основе InGaN/GaN при облучении гамма-квантами 60Со уменьшается с увеличением дозы. В работах [11, 12] обнаружено увеличение интенсивности максимума спектра электролюминесценции [11] и КПД СД [12] InGaN/GaN в определенном диапазоне доз гамма-облучения, что связывается с упорядочиванием границы раздела гетерострук-туры.

Целью данной работы является исследование влияния у-излучения на вольт-амперные и ампер-яркостные характеристики структур с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN.

2. Методика эксперимента

Объектом исследования являются ультрафиолетовые светодиоды (длина волны 405 нм при комнатной температуре) на основе InGaN/GaN. Вольт-емкостным методом установлено наличие одной квантовой ямы в исследуемых структурах.

Измерения вольт-амперных (ВАХ) и ампер-яркостных (АЯХ) характеристик проводилось в одном цикле автоматизированной установкой. При регистрации напряжения учитывалось сопротивление амперметра К0, т.е. напряжение на р-п-переходе ирП = и — I  где I - ток, измеряемый в цепи,

и - напряжение на источнике питания. АЯХ снималась как обратный ток ВАХ кремниевого фотодиода ФД-263-01 при постоянном обратном напряжении. Спектральная чувствительность используемого фотодиода 0,4-1,1 мкм, темновой обратный ток не более 1 нА. Несмотря на то, что исследуемая структура излучает на краю спектральной чувствительности фотодиода ФД-263-01, подбор взаимного расположения свето- и фотодиода позволил добиться фототока порядка 0,1 мА при рабочем токе СД.

3. Результаты эксперимента

На рис. 1 представлены прямые ВАХ исследуемых структур на основе InGaN/GaN, облученных дозами гамма-квантов 0-0,4 МРад. Перед облучени-

ем была проверена сопоставимость ВАХ разных диодов из одной партии. Установлено, что в диапазоне напряжений 1,2-3,5 В ВАХ идентичны, что дает возможность анализировать влияние дозы облучения на характеристики исследуемой структуры.

Рис. 1. Вольт-амперные характеристики структуры на основе InGaN/GaN с дозой облучения 0-0,4 Мрад

На ВАХ исследуемой структуры (рис. 1) можно выделить несколько участков:

- при напряжении меньше 2,8 В наблюдается неэкспоненциальное возрастание тока с увеличением напряжения на образце;

- в диапазоне 2,8 В < и < 3,1 В наблюдается участок, на котором дЦ

1 ~СЧ 2кТ У

- при напряжении более 3,1 В зависимость тока от напряжения меняется на I ~ехр(аЦ), где а = 5,1 В-1.

Следует отметить, что облучение оказывает влияние на участок ВАХ до 3,1 В. При дозе 0,2 МРад наблюдается переход в экспоненциальный уча-

сток в диапазоне напряжений 2,0 В < и < 3,1 В, где I ~ехр

qU_ 2kT

. Дальней-

шее увеличение дозы приводит к возврату отклонения от экспоненциального роста тока в указанном диапазоне напряжений.

Гетероструктуры на основе InGaN/GaN являются наноразупорядочен-ными структурами, в которых существует пространственное разделение электронов и дырок, следовательно, одной из стадий рекомбинационного процесса является туннельный токоперенос. В работах [13, 14] предлагается модель рекомбинации в таких структурах, учитывающая, кроме классических процессов генерации и рекомбинации, рассмотренных еще в рекомбинационной модели Шокли - Рида, процесс туннелирования. Установлено [13], что ВАХ полупроводниковых наноразупорядоченных структур содержат участки, на которых ток обусловлен туннельно-рекомбинационными процессами.

В работах [14-16] для анализа процессов, участвующих в формировании токопереноса, вводится приведенная скорость рекомбинации "Лр, которая рассматривается как физическая величина, обратная времени жизни носителей заряда в области пространственного заряда (ОПЗ):

" = V" (и) =V с™срт [£ХР (и/2кТ) +1]

"пр V "прш

ш= 1 ш= 11пш ( Еш ) )рт (Еш ) + ю1Уш _ 1пш (Еш ) + 1рш \Е1ш )]

где "прш(и) - приведенная скорость рекомбинации га-локального состояния; сп и Ср - коэффициенты захвата электронов и дырок локализованными состояниями; п и р - концентрация электронов на дне зоны проводимости

( Ес - Е1Л

либо дырок у потолка валентной зоны; п = мс ехр I--I - параметр,

I кТ )

( Е{ - Еу Л

характеризующий скорость эмиссии электронов; р = м¥ехр I--—— I -

параметр, характеризующий скорость эмиссии дырок; Ес - энергия дна зоны проводимости; Еу - энергия потолка валентной зоны; N - концентрация локальных состояний в запрещенной зоне; ю - вероятность туннельного перехода; ^ = сп [п + Щ ]; ^р = ср [ р + р ].

В работах [16, 17] рекомендуется для определения количества реком-бинационных центров, участвующих в формировании тока в структуре, анализировать зависимость от напряжения дифференциального показателя наклона прямой ВАХ:

н кТ у ёи ) кТ У ёи)

где 3 - заряд электрона; к - постоянная Больцмана; Т- температура окружающей среды, К; I и и - ток и напряжение на исследуемой структуре.

Количество рекомбинационных центров в исследуемых структурах соответствует количеству экстремумов (максимумов и минимумов) на зависимости —— = /(и).

ёи 1 '

На рис. 2 приведены зависимости дифференциального показателя наклона и его производной от напряжения для исследуемых структур на основе 1пОаК/ОаК при разных дозах облучения.

,¡3, отн.ед.

Г \

i / /Л\

\ X' / \\

\ у

V* \ \\

-'"»п.....

/

.«ttWf'

......ir,

......-.....*„.>

2,4 2,6

а)

•«"unrií,rüft  \ ,[у/

/ '% JI / i/

+—+ ОМРад ♦—♦ 0,2 МРад — ОД МРад •—• 0,3 МРад --- 0,4 МРад

У \7

2,2

—i—

2,4

2,6

2,8

б)

Рис. 2. График зависимости дифференциального показателя наклона ВАХ от напряжения при разных дозах облучения исследуемых структур

на основе InGaN/GaN (а); график зависимости = {(Ц) при разных дозах

би

облучения исследуемых структур на основе InGaN/GaN

Из рис. 2 видно, что зависимость —— = f(U) имеет один максимум,

ёи

следовательно, можем в формуле (1) положить т = 1. Как видно из рис. 2,б, облучение оказывает существенное влияние на поведение максимума при итах = 2,78 В (для необлученного образца). Сначала мы наблюдаем уменьшение амплитуды этого максимума (доза облучения 0,1 МРад) вплоть до полного исчезновения (доза облучения 0,2 МРад), а затем увеличение амплитуды этого максимума с увеличением дозы облучения (0,25-0,4 МРад).

Можно предположить, по аналогии с работой [18], что в результате облучения происходит распад комплексов Mg-H и дезактивация водородом обнаруженного рекомбинационного центра. С ростом дозы облучения наблюдается вытеснение водорода из исследуемой структуры и активация рекомби-национного центра.

Также в работах [13, 19] показано, что при выполнении условия

4

qU

спсрЩ ехру2кТI <<

когда туннельная компонента превалирует над рекомбинационной, ВАХ наноразупорядоченных полупроводниковых структур описывается выражением

1г

где "пр =--- - слабо зависящая от напряжения функция. Этот участок

2

мы и наблюдаем на ВАХ исследуемой структуры в диапазоне напряжений 2,1 В < и < 3,1В при дозе облучения 0,2 МРад. Этот участок отсутствует в необлученном образце и при других дозах облучения, что подтверждает гипотезу об дезактивации рекомбинационного центра в структуре. Дезактивация рекомбинационного центра приводит к выполнению условия (3) в исследуемых структурах.

Обнаруженное изменение электрических характеристик исследуемой структуры на основе InGaN/GaN подтверждается ампер-яркостными характеристиками, приведенными на рис. 3.

Заключение

В работе исследовано влияние облучения на электрические (ВАХ) и оптические (АЯХ) характеристики СД-структур на основе InGaN/GaN. Выявлено изменение ВАХ в диапазоне напряжений менее 3,1 В. В диапазоне напряжений 2,1 В < и < 3,1 В при дозе облучения 0,2 МРад наблюдается участок 1Г (и) ~ ехр( 2кТ) . Этот участок отсутствует в необлученном образце и

при других дозах облучения. Можно предположить распад комплексов Mg-H и дезактивацию водородом обнаруженного рекомбинационного центра.

10"

10"

10

10"

1ф, А

•-• 0 M Rad

- 0.1 M rad

♦-♦ 0.2 M Rad

+—+ 0.3 M Rad

I, A

10

10-

10-

10"'

Рис. 3. Ампер-яркостные характеристики исследуемых структур на основе InGaN/GaN при разных дозах облучения

С ростом дозы облучения наблюдается вытеснение водорода из исследуемой структуры и активация рекомбинационного центра. Данная гипотеза подтверждается изменением амплитуды экстремума на зависимости

—в = f (U), которая используется для определения наличия рекомбинацион-dU

ных центров в исследуемой структуре, и поведением АЯХ с увеличением дозы облучения образцов.

Библиографический список

1. Auger recombination in InGaN measured by photoluminescence / Y. C. Shen, G. O. Mueller, S. Watanabe, N. F. Gardner, A. Munkholm, M. R. Krames // Appl. Phys. Lett. - 2007. - Vol. 91. - Р. 141101.

2. Direct measurement of Auger electrons emitted from a semiconductor light-emitting diode under electrical injection: identification of the dominant mechanism for efficiency droop / J. Iveland, L. Martinelly, J. Peretti, J. S. Speck, C. Weisbuch // Phys. Rev. Lett. -2013. - Vol. 110. - Р. 177-406.

3. Origin of electrons emitted into vacuum from InGaN light emitting diodes / J. Iveland, M. Piccardo, L. Martinelly, J. Peretti, J. W. Choi, N. Young, S. Nakamura, J. S. Speck, C. Weisbuch // Appl. Phys. Lett. - 2014. - Vol. 105. - Р. 052-103.

4. Бочкарева, Н. И. Влияние глубоких центров на конфайнмент носителей в квантовых ямах INGAN/GAN и эффективность светодиодов / Н. И. Бочкарева, Ю. Г. Шретер // Физика и техника полупроводников. - 2015. - Т. 52, № 7. -С. 796-803.

5. Temperature dependence of the electrical activity of localized defects in InGaN-based light emitting diodes / M. Pavesi, M. Manfredi, F. Rossi, M. Meneghini, E. Zanoni, U. Zehnder, U. Strauss // Appl. Phys. Lett. - 2006. - Vol. 89 (4). - Р. 041917.

6. New developments in green LEDs / M. Peter, A. Laubsch, W. Bergbauer, T. Meyer, M. Sabathil, J. Baur, B. Hahn // Phys. Status Solidi A. - 2009. - Vol. 206 (6). -Р. 1125-1129.

7. Bochkareva, N. I. Efficiency droop and incomplete carrier localization in InGaN/GaN quantum well light-emitting diodes / N. I. Bochkareva, Y. T. Rebane, Y. G. Shreter // Appl. Phys. Lett. - 2013. - Vol. 103 (19). - Р. 191101.

8. Бочкарева, Н. И. Падение эффективности GAN-светодиодов при высоких плотностях тока: туннельные токи утечки и неполная латеральная локализация носителей в квантовых ямах INGAN/GAN / Н. И. Бочкарева, Ю. Т. Ребане, Ю. Г. Шретер // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, № 8. -С. 1107-1115.

9. Бочкарева, Н. И. Рост скорости рекомбинации Шокли - Рида - Холла в квантовых ямах InGaN/GaN как основной механизм падения эффективности светоди-одов при высоких уровнях инжекции / Н. И. Бочкарева, Ю. Т. Ребане, Ю. Г. Шретер // Физика и техника полупроводников. - 2015. - Т. 49, № 12. - С. 1714-1719.

10. Градобоев, А. В. Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами / А. В. Градобоев, П. В. Рубанов, И. М. Скакова // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2011. - № 1-2. -С. 190-194.

11. Люминесценция GaN и GaAs диодов при n-у-облучении / В. П. Шукайло, С. В. Оболенский, Н. В. Басаргина, И. В. Ворожцова, С. М. Дубровских, О. В. Ткачев // Вестник Нижегородского университета им. Н. И. Лобачевского. - 2012. -№ 5 (1). - С. 60-64.

12. Грушко, Н. С. Влияние гамма-излучения на электрофизические параметры светодиодов на основе InGaN/GaN / Н. С. Грушко, А. П. Солонин // Прикладная физика. - 2011. - № 1. - С. 92-95.

13. Tunneling recombination in semiconductor structures with nanoscale disorder / S. V. Bulyarsky, Yu. V. Rud', L. N. Vostretsova, А. S. Kagarmanov, О. А. Trifonov // Semiconductors. - 2009. - Vol. 43 (4). - Р. 440-446.

14. Булярский, С. В. Обобщенная модель рекомбинации в неоднородных полупроводниковых структурах / С. В. Булярский, Н. С. Грушко // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2000. - Т. 118, № 5. - С. 1222.

15. Булярский, С. В. Рекомбинационная спектроскопия глубоких центров в GaP светодиодах / С. В. Булярский, Н. С. Грушко, А. В. Лакалин // Журнал технической физики. - 1998. - № 32. - С. 1193.

16. Булярский, С. В. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах / С. В. Булярский, Н. С. Грушко. - Москва : МГУ, 1995. - 23 с.

17. Булярский, С. В. Инновационные методы диагностики / С. В. Булярский. -Ульяновск, 2006. - 203 с.

18. Вергелес, П. С. Исследование влияния облучения электронным пучком в РЭМ на катодолюминесценцию и наведенный ток в структурах с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN // П. С. Вергелес, Н. М. Шмидт, Е. Б. Якимов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -2011. - № 10. - C. 33-36.

19. Вострецова, Л. Н. Вольт-амперные характеристики структур на основе InGaN/GaN при высоком уровне инжекции / Л. Н. Вострецова, Т. Ю. Кузнецова,

А. С. Амброзевич // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. - 2019. - № 2 (50). - С. 75-85.

References

1. Shen Y. C., Mueller G. O., Watanabe S., Gardner N. F., Munkholm A., Krames M. R. Appl. Phys. Lett. 2007, vol. 91, p. 141101.

2. Iveland J., Martinelly L., Peretti J., Speck J. S., Weisbuch C. Phys. Rev. Lett. 2013, vol. 110, pp. 177-406.

3. Iveland J., Piccardo M., Martinelli L., Peretti J., Choi J. W., Young N., Nakamura S., Speck J. S., Weisbuch C. Appl Phys. Lett. 2014, vol. 105, pp. 052-103.

4. Bochkareva N. I., Shreter Yu. G. Fizika i tekhnika poluprovodnikov [Semiconductor physics and technology]. 2015, vol. 52, no. 7, pp. 796-803. [In Russian]

5. Pavesi M., Manfredi M., Rossi F., Meneghini M., Zanoni E., Zehnder U., Strauss U. Appl. Phys. Lett. 2006, vol. 89 (4), p. 041917.

6. Peter M., Laubsch A., Bergbauer W., Meyer T., Sabathil M., Baur J., Hahn B. Phys. Status Solidi A. 2009, vol. 206 (6), pp. 1125-1129.

7. Bochkareva N. I., Rebane Y. T., Shreter Y. G. Appl. Phys. Lett. 2013, vol. 103 (19), p. 191101.

8. Bochkareva N. I., Rebane Yu. T., Shreter Yu. G. Fizika i tekhnika poluprovodnikov [Semiconductor physics and technology]. 2014, vol. 48, no. 8, pp. 1107-1115. [In Russian]

9. Bochkareva N. I., Rebane Yu. T., Shreter Yu. G. Fizika i tekhnika poluprovodnikov [Semiconductor physics and technology]. 2015, vol. 49, no. 12, pp. 1714-1719. [In Russian]

10. Gradoboev A. V., Rubanov P. V., Skakova I. M. Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedeniy. Fizika [University proceedings. Physics]. 2011, no. 1-2, pp. 190-194. [In Russian]

11. Shukaylo V. P., Obolenskiy S. V., Basargina N. V., Vorozhtsova I. V., Dubrovskikh S. M., Tkachev O. V. Vestnik Nizhegorodskogo universiteta im. N. I. Lobachevskogo [Bulletin of Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod]. 2012, no. 5 (1), pp. 60-64. [In Russian]

12. Grushko N. S., Solonin A. P. Prikladnaya fizika [Applied physics]. 2011, no. 1, pp. 9295. [In Russian]

13. Bulyarsky S. V., Rud' Yu. V., Vostretsova L. N., Kagarmanov A. S., Trifonov O. A. Semiconductors. 2009, vol. 43 (4), pp. 440-446.

14. Bulyarskiy S. V., Grushko N. S. Zhurnal eksperimental'noy i teoreticheskoy fiziki [Journal of experimental and theoretical physics]. 2000, vol. 118, no. 5, p. 1222. [In Russian]

15. Bulyarskiy S. V., Grushko N. S., Lakalin A. V. Zhurnal tekhnicheskoy fiziki [Journal of applied physics]. 1998, no. 32, p. 1193. [In Russian]

16. Bulyarskiy S. V., Grushko N. S. Generatsionno-rekombinatsionnye protsessy v ak-tivnykh elementakh [Generation-recombination processes in active elements]. Moscow: MGU, 1995, 23 p. [In Russian]

17. Bulyarskiy S. V. Innovatsionnye metody diagnostiki [Innovative diagnostic methods]. Ulyanovsk, 2006, 203 p. [In Russian]

18. Vergeles P. S., Shmidt N. M., Yakimov E. B. Poverkhnost'. Rentgenovskie, sinkhro-tronnye i neytronnye issledovaniya [Surface. X-ray, synchrotron and neutron research]. 2011, no. 10, pp. 33-36. [In Russian]

19. Vostretsova L. N., Kuznetsova T. Yu., Ambrozevich A. S. Izvestiya vysshikh uchebnykh zavedeniy. Povolzhskiy region. Fiziko-matematicheskie nauki [University proceedings. Volga region. Physical and mathematical sciences]. 2019, no. 2 (50), pp. 75-85. [In Russian]

Вострецова Любовь Николаевна

кандидат физико-математических наук, доцент, кафедра инженерной физики, Ульяновский государственный университет

E-mail: Kapiton04@yandex.ru

Адамович Артем Александрович магистрант, Ульяновский государственный университет

E-mail: artem.adamovich@bk.ru

Vostretsova Lyubov'Nikolaevna

Candidate of physical and mathematical sciences, associate professor, sub-department of engineering physics, Ulyanovsk State University

Adamovich Artem Aleksandrovich

Master's degree student, Ulyanovsk State University

Образец цитирования:

Вострецова, Л. Н. Влияние у-облучения на электрические и оптические характеристики светодиодов на основе InGaN/GaN / Л. Н. Вострецова, А. А. Адамович // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. - 2020. - № 4 (56). - С. 69-79. - DOI 10.21685/2072-3040-2020-4-6.