ЛИЦЕВОЙ КОНТАКТ С ПРОМЕЖУТОЧНЫМ СЛОЕМ (СЛОЯМИ) СМЕЖНЫМИ С НИМ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВАХ И СПОСОБ ЕГО ПРОИЗВОДСТВА

1. Фотоэлектрическое устройство, содержащее:
лицевую стеклянную подложку;
полупроводниковую пленку, включающую слои p-, n- и i-типа;
пленку на основании, по существу, прозрачного проводящего оксида (TCO), расположенную между по крайней мере лицевой стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой и
промежуточную пленку, расположенную между пленкой на основе ТСО и полупроводниковой пленкой, где промежуточная пленка является полупроводником и характеризуется коэффициентом преломления (n) большим, чем коэффициент преломления пленки на основе ТСО, и меньшим, чем коэффициент преломления полупроводниковой пленки.
2. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка непосредственно контактирует с каждой из пленок: на основе ТСО и полупроводниковой.
3. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки составляет величину от 2,0 до 4,0.
4. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки составляет величину от 2,1 до 3,2.
5. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки составляет величину от 2,15 до 2,75.
6. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка представляет собой полупроводник.
x
7. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка состоит из TiNbO.
8. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка состоит из оксида титана.
9. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором полупроводниковая пленка состоит из аморфного кремния.
10. Фотоэлектрическое устройство по п.1, также включающее в себя проводящий обратный электрод, в котором полупроводниковая пленка обеспечена между, по крайней мере, пленкой на основе ТСО и обратным электродом.
11. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка является градуированной по коэффициенту преломления таким образом, что коэффициент преломления (n) изменяется непрерывно или прерывисто, на протяжении ее толщины.
12. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором пленка на основе ТСО состоит из одного или обоих оксидов: оксида цинка и/или оксида олова.
13. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка включает в себя первый и второй слои с различными первым и вторым коэффициентами отражения соответственно.
14. Фотоэлектрическое устройство по п.1, в котором промежуточная пленка является, по существу, прозрачной.
15. Фотоэлектрическое устройство, включающее в себя:
лицевую стеклянную подложку;
полупроводниковую поглощающую пленку на основании, по существу, прозрачного проводящего оксида (TCO), расположенную между по крайней мере лицевой стеклянной подложкой и полупроводниковой поглощающей пленкой; и
промежуточную пленку, расположенную между пленкой на основе ТСО и полупроводниковой поглощающей пленкой, при этом промежуточная пленка имеет коэффициент преломления (n) от 2,0 до 4,0 и который выше, чем коэффициент преломления у пленки на основе ТСО и ниже, чем коэффициент преломления у полупроводниковой поглощающей пленки.
16. Фотоэлектрическое устройство по п.15, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки от 2,1 до 3,2.
17. Фотоэлектрическое устройство по п.15, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки от 2,15 до 2,75.
18. Фотоэлектрическое устройство по п.15, в котором промежуточная пленка представляет собой полупроводник.
x
19. Фотоэлектрическое устройство по п.15, в котором промежуточная пленка содержит TiO, легированный Nb.
20. Фотоэлектрическое устройство по п.15, в котором промежуточная пленка содержит оксид титана.
21. Фотоэлектрическое устройство по п.15, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки изменяется непрерывно или прерывисто по толщине.
22. Фотоэлектрическое устройство по п.15, в котором пленка на основе ТСО выполнена из одного или обоих из следующих оксидов: оксида цинка и/или оксида олова.
23. Фотоэлектрическое устройство по п.15, в котором промежуточная пленка включает в себя первый и второй слои с различными первым и вторым коэффициентами преломления соответственно.
24. Способ изготовления фотоэлектрического устройства, способ содержит:
обеспечение подложки;
осаждение первой, по существу, прозрачной проводящей оксидной (ТСО) пленки на подложку;
формирование промежуточной пленки на подложке, поверх по крайней мере ТСО пленки, при этом промежуточная пленка имеет коэффициент преломления (n) от 2,0 до 4,0, и который выше, чем у пленки ТСО; и
формирование фотоэлектрического устройства таким образом, чтобы промежуточная пленка была расположена между пленкой ТСО пленкой и полупроводниковой пленкой фотоэлектрического устройства.
25. Способ по п.24, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки от 2,15 до 2,75.
x
26. Способ по п.24, в котором промежуточная пленка содержит TiNbO и/или оксид титана.
27. Способ по п.24, в котором коэффициент преломления (n) промежуточной пленки изменяется непрерывно или прерывисто по толщине.