ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Способ изготовления полупроводникового прибора, содержащий этапы
- получение КНИ-подложки, которая содержит изолирующий слой и кремниевый слой, который размещен на изолирующем слое и который имеет первый тип проводимости;
- формирование в кремниевом слое изолирующей структуры для ограничения активной области;
- формирование области истока/стока, имеющей второй тип проводимости, в кремниевом слое соответственно на двух сторонах структуры вдоль первого направления; и
- формирование легированной области, имеющей первый тип проводимости, на одной стороне структуры затвора вдоль второго направления.
2. Способ по п.1, в котором этап формирования области истока/стока включает осуществление процесса ионной имплантации путем использования структуры затвора в качестве маски.
3. Способ по п.1, в котором этап формирования легированной области включает осуществление процесса ионной имплантации.
4. Способ по п.1, в котором в качестве изолирующей структуры использована мелкощелевая изолирующая структура.
5. Способ по п.1, в котором первый тип проводимости является p-типом, а второй тип проводимости является n-типом.
6. Способ по п.1, в котором первый тип проводимости является n-типом, а второй тип проводимости является p-типом.
7. Способ по п.1, согласно которому после этапа формирования легированной области
- формируют на КНИ-подложке диэлектрический слой; и
- формируют в диэлектрическом слое котнтакт, который электрически соединен с легированной областью.
8. Полупроводниковый прибор, содержащий
- КНИ-подложку, которая содержит изолирующий слой и кремниевый слой, размещенный на изолирующем слое, причем кремниевый слой имеет первый тип проводимости;
- изолирующую структуру, сформированную в кремниевом слое для ограничения активной области;
- структуру затвора, сформированную на кремниевом слое в активной области;
- область истока/стока, сформированную в кремниевом слое соответственно на двух сторонах структуры затвора вдоль первого направления, причем область истока/стока имеет второй тип проводимости; и
- легированную область, сформированную в кремниевом слое на одной стороне структуры затвора вдоль второго направления, причем легированная область имеет первый тип проводимости.
9. Полупроводниковый прибор по п.8, в котором первый тип проводимости является p-типом, а второй тип проводимости является n-типом.
10. Полупроводниковый прибор по п.8, в котором первый тип проводимости является n-типом, а второй тип проводимости является p-типом.
11. Полупроводниковый прибор по п.8, в котором структура затвора содержит диэлектрический слой затвора и электрод затвора, размещенный на диэлектрическом слое затвора.
12. Полупроводниковый прибор по п.8, в котором материал кремниевого слоя содержит монокристаллический кремний.
13. Полупроводниковый прибор по п.8, в котором изолирующая структура содержит мелкощелевую изолирующую структуру.
14. Полупроводниковый прибор по п.8, содержащий, кроме того, диэлектрический слой, сформированный на КНИ-подложке.
15. Полупроводниковый прибор по п.8, содержащий кроме того контакт, размещенный в диэлектрическом слое и электрически соединенный с легированной областью.