СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ БОРОСОДЕРЖАЩИХ ПЛЕНОК
METHOD OF MAKING BORON-CONTAINING FILMS

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов.
Известны способы диффузии бора из твердого источника диффузии - окиси бора, борной кислоты, нитрида бора при температурах выше 1000°С [1].
Основным недостатком этого способа являются высокая температура и сложная технология процесса, которая требует применения материалов и оборудования с высокой термической устойчивостью.
Целью изобретения является снижение температуры процесса.
2
2
2
Поставленная цель достигается тем, что в качестве компонентов газа используют азот, кислород, водород при следующем расходе компонентов: N - 240 л/ч; O - 120 л/ч; Н - 7,5 л/ч; а температуру подложки поддерживают в интервале 700-800°С.
2
3
Сущность способа заключается в том, что на поверхности подложки формируют легированный бором слой двуокиси кремния при температурах 700-800°С. Твердые планарные источники (ТПИ) для диффузии бора создают в реакционной камере пары окиси бора ВO, молекулы которой диффундируют к поверхности кремниевых пластин и взаимодействуют с кремнием, образуя на его поверхности пленку боросиликатного стекла.
Режимы проведения процесса обусловлены тем, что при температуре выше 800°С, на поверхности пластин появляются кристаллические дефекты, ухудшая качество образующейся пленки, и увеличивается разброс поверхностного сопротивления.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
2
2
2
ПРИМЕР 1: Процесс проводят в реакторе, кремниевые пластины размещают в кварцевой лодочке совместно с твердым планарным источником. Эти пластины нагревают до температуры 700° в среде азота и кислорода, затем подают водород, с последующим расходом компонентов: N - 240 л/ч; O - 120 л/ч; Н - 7,5 л/ч.
3
Все опыты проводились при атмосферном давлении. При этом на подложке формируется легированный бором слой двуокиси кремния. Плотность слоя двуокиси кремния составляет 2,18…2,24 г/см, показатель преломления 1,43…1,44.
2
2
2
3
ПРИМЕР 2: Способ осуществляют аналогично условию примера 1. Процесс проводят при следующем соотношении компонентов: N - 240 л/ч; O - 120 л/ч; H - 7,5 л/ч; при температуре 750°С. При этом получают легированный бором слой двуокиси кремния с плотностью 2,16…2,23 г/см и показателем преломления 1,44…1,46.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом позволяет снизить температуру получения слоев двуокиси кремния легированных бором без ухудшения основных показателей и существенно упрощает технологию процесса.
Литература
1. Технология микроэлектронных устройств. Готра З.Ю. М.: Радио и связь, 1991 г., стр.527.