СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ

1. Светоизлучающее устройство, включающее в себя:
первый и второй полупроводниковые слои и излучающий слой между полупроводниковыми слоями, расположенные таким образом, чтобы формировать светоизлучающий диод;
промежуток в одном из слоев; и
металл, расположенный в промежутке достаточно близко к излучающему слою для возникновения связи поверхностного плазмона между металлом и излучающим слоем.
2. Устройство по п.1, включающее в себя смесь, сформированную из металла, которая представляет собой частицы металла и материал-основу, причем смесь расположена в промежутке.
3. Устройство по п.2, в котором материал-основа включает в себя материал, преобразующий длину волны.
4. Устройство по любому из предыдущих пунктов, в котором металл или смесь расположен непосредственно рядом с поверхностью промежутка.
5. Устройство по любому из пп.1-3, в котором промежуток проходит частично, но не полностью через второй полупроводниковый слой в направлении излучающего слоя.
6. Устройство по любому из пп.1-3, в котором промежуток проходит через второй полупроводниковый слой, и часть промежутка ограничена поверхностью излучающего слоя.
7. Устройство по п.6, в котором металл или смесь расположен в промежутке непосредственно рядом с поверхностью излучающего слоя.
8. Устройство по п.6, в котором слой, содержащий металл, контактирует с указанной поверхностью излучающего слоя.
9. Устройство по п.7 или 8, в котором промежуток проходит через излучающий слой и часть промежутка ограничена поверхностью первого полупроводникового слоя.
10. Устройство по любому из пп.1-3, в котором первый полупроводниковый слой сформирован на подложке.
11. Устройство по любому из пп.1-3, также включающее в себя контактный слой, расположенный рядом и находящийся в электрическом контакте со вторым полупроводниковым слоем таким образом, чтобы он закрывал, по крайней мере, часть промежутка.
12. Устройство по любому из пп.1-3, в котором столбики формируются, по крайней мере, из одного из слоев посредством промежутка, формирующегося между столбиками.
13. Устройство по п.12, в котором среднее наименьшее расстояние между двумя соседними столбиками, измеренное между соответствующими сторонами двух соседних столбиков, меньше 500 нм и, предпочтительно, меньше 200 нм.
14. Устройство по любому из пп.1-3, включающее в себя множество указанных промежутков, которые отделены друг от друга таким образом, что металл или смесь представляют собой столбики.
15. Устройство по п.14, в котором средний диаметр столбиков меньше 500 нм и, предпочтительно, меньше 200 нм.
16. Способ производства светоизлучающего устройства, включающий в себя:
формирование первого и второго полупроводниковых слоев и излучающего слоя между полупроводниковыми слоями;
формирование промежутка в одном из слоев;
помещение металла в промежуток достаточно близко к излучающему слою для возникновения связи поверхностного плазмона между металлом и излучающим слоем.
17. Способ по п.16, включающий в себя:
формирование смеси из металла, которая представляет собой частицы металла и материал-основу; и
расположение смеси в промежутке и достаточно близко к излучающему слою для образования связи поверхностного плазмона между частицами металла и излучающим слоем.
18. Способ по п.17, в котором материал-основа включает в себя материал, преобразующий длину волны.
19. Способ по любому из пп.16-18, в котором металл или смесь расположен непосредственно рядом с поверхностью промежутка.
20. Способ по любому из пп.16-18, в котором промежуток проходит частично, но не полностью через второй полупроводниковый слой в направлении излучающего слоя.
21. Способ по любому из пп.16-18, в котором промежуток сформирован проходящим через второй полупроводниковый слой, и часть промежутка ограничена поверхностью излучающего слоя.
22. Способ по п.21, в котором металл или смесь расположен в промежутке непосредственно рядом с указанной поверхностью излучающего слоя.
23. Способ по п.22, в котором слой, содержащий металл, контактирует с указанной поверхностью излучающего слоя.
24. Способ по п.22 или п.23, в котором промежуток сформирован проходящим через излучающий слой, и часть промежутка ограничена поверхностью первого полупроводникового слоя.
25. Способ по любому из пп.16-18, в котором первый полупроводниковый слой сформирован на подложке.
26. Способ по любому из пп.16-18, дополнительно включающий в себя формирование контактного слоя, расположенного рядом и находящегося в электрическом контакте со вторым полупроводниковым слоем таким образом, чтобы он закрывал, по крайней мере, часть промежутка.
27. Способ по любому из пп.16-18, в котором столбики формируются, по крайней мере, из одного из слоев посредством промежутка, формирующегося между столбиками.
28. Способ по п.27, в котором столбики формируются таким образом, что среднее наименьшее расстояние между двумя соседними столбиками, измеренное между соответствующими сторонами двух соседних столбиков, меньше 500 нм и, предпочтительно, меньше 200 нм.
29. Способ по любому из пп.16-18, включающий в себя формирование множества указанных промежутков, которые отделены друг от друга таким образом, что металл или смесь представляют собой столбики.
30. Способ по п.29, в котором средний диаметр столбиков меньше 500 нм и, предпочтительно, меньше 200 нм.