НОГОЯЧЕЕЧНЫЙ ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ОПТИЧЕСКИЙ ПРИБОР С УПРАВЛЕНИЕМ СОПРЯЖЕННЫМ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ПОЛЕМ

1. Жидкокристаллический прибор, содержащий по меньшей мере один жидкокристаллический слой, расположенный между подложками, несущими ориентирующие слои, и электродную структуру с отверстиями и со слабопроводящим материалом в пределах апертуры указанной структуры, обеспечивающую пространственно-модулированное электрическое поле, отличающийся тем, что электродная структура с отверстиями выполнена с возможностью изменения фазового фронта в жидкокристаллическом слое за счет наличия одного или нескольких из следующих компонентов:
структура плавающего электрода, внешняя по отношению к указанной электродной структуре, над апертурой; и
пространственно-неоднородный слой из слабопроводящего материала.
2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что является линзой, указанная апертура является, по существу, круглой, а плавающий электрод содержит проводящий диск, расположенный по центру над апертурой.
3. Прибор по п.2, в котором электродная структура выполнена на подложках рядом с ориентирующими слоями, при этом проводящий диск расположен на стороне одной из подложек, противоположной кольцевому электроду указанной электродной структуры.
4. Прибор по п.1, отличающийся тем, что является линзой, апертура является, по существу, круглой, а пространственно-неоднородный слой содержит кольцо из слабопроводящего материала в пределах апертуры.
5. Прибор по п.4, в котором кольцо из слабопроводящего материала нанесено на практически однородный слой из слабопроводящего материала.
6. Прибор по п.4 или 5, в котором электродная структура выполнена на подложках рядом с ориентирующими слоями.
7. Прибор по п.1, отличающийся тем, что содержит:
два жидкокристаллических слоя, имеющих ориентирующие слои, размещенные, по существу, в ортогональных направлениях; и
по меньшей мере один слабопроводящий слой.
8. Прибор по п.1, отличающийся тем, что содержит два слабопроводящих слоя, причем каждый слабопроводящий слой соответствует одному из указанных жидкокристаллических слоев, а жидкокристаллические слои находятся либо в соприкосновении один с другим, либо в непосредственной близости один к другому.
9. Жидкокристаллический оптический прибор, содержащий:
первый жидкокристаллический слой, оказывающий влияние на первую поляризацию, расположенный между подложками, несущими ориентирующие слои, первый плоскостной электрод, первый структурированный электрод с отверстиями и по меньшей мере один первый слабопроводящий слой, расположенный смежно со структурированным электродом с отверстиями; и
второй жидкокристаллический слой, оказывающий влияние на вторую поляризацию, расположенный между подложками, несущими ориентирующие слои, второй плоскостной электрод, второй структурированный электрод с отверстиями и по меньшей мере один второй слабопроводящий слой, расположенный смежно со вторым структурированным электродом с отверстиями,
причем первый слабопроводящий слой и второй слабопроводящий слой:
либо находятся в соприкосновении один с другим;
либо находятся в непосредственной близости один к другому и разделены подложкой с высокой диэлектрической постоянной и подложкой с ограниченной проводимостью,
при этом на электрические поля, генерируемые в первом и втором жидкокристаллических слоях одним или несколькими из электродов прибора, влияет эффект электрического сопряжения между обоими слабопроводящими слоями.
10. Прибор по п.9, в котором первый слабопроводящий слой и второй слабопроводящий слой находятся в соприкосновении один с другим и имеют отчетливо различные значения одной из следующих характеристик: поверхностное сопротивление, проводимость и частотная зависимость.
11. Прибор по п.9 или 10, в котором влияние первого и второго слабопроводящих слоев по меньшей мере на одно из указанных электрических полей эквивалентно влиянию единственного третьего слабопроводящего слоя с поверхностным сопротивлением, практически равным среднему этих двух поверхностных сопротивлений.
12. Прибор по п.9, в котором для каждого из первого и второго слабопроводящих слоев, расположенных смежно с соответствующим структурированным электродом с отверстиями, выполняется следующее: слабопроводящий слой находится в соприкосновении с соответствующим структурированным электродом с отверстиями, расположенным на расстоянии от соответствующего жидкокристаллического слоя; или слабопроводящий слой находится в соприкосновении с соответствующим структурированным электродом с отверстиями и в непосредственной близости к соответствующему жидкокристаллическому слою; или содержит легированный жидкокристаллический слои.
13. Прибор по п.12, в котором первый и второй слабопроводящие слои, находящиеся в соприкосновении с соответствующим структурированным электродом с отверстиями, расположенным на расстоянии от соответствующего жидкокристаллического слоя, являются непосредственно смежными один с другим.
14. Прибор по п.9, в котором первый и второй слабопроводящие слои соответствуют одному из следующих вариантов: уменьшенное соотношение между величиной разделительного зазора, имеющегося между первым и вторым слабопроводящими слоями, и диэлектрической постоянной материала, обеспечивающего зазор; и расположение слоев в соприкосновении один с другим.
15. Прибор по п.12, в котором каждый из жидкокристаллических слоев имеет подложку, примыкающую одна к другой, при этом структурированные электроды с отверстиями расположены на указанной подложке таким образом, что они находятся, по существу, в соприкосновении один с другим, и указанные структурированные электроды с отверстиями включают в себя по меньшей мере один слабопроводящий слой в соприкосновении с указанными структурированными электродами с отверстиями.
16. Прибор по п.9, в котором первая жидкокристаллическая ячейка и вторая жидкокристаллическая ячейка используют общую подложку, расположенную между первым жидкокристаллическим слоем и вторым жидкокристаллическим слоем.
17. Прибор по п.9, в котором первый и второй слабопроводящие слои расположены каждый на общей подложке.
18. Прибор по п.9, в котором первый структурированный электрод с отверстиями и второй структурированный электрод с отверстиями расположены каждый на общей подложке.
19. Прибор по п.9, в котором общая подложка содержит материал с характеристикой слабой проводимости.
20. Прибор по п.19, в котором общая подложка функционирует в качестве обоих указанных первого и второго слабопроводящих слоев.
21. Прибор по п.9, в котором электрические поля, генерируемые в первом и втором жидкокристаллических слоях, имеют практически одно и то же значение.
22. Прибор по п.9, в котором общая подложка представляет собой пару технологических подложек, скрепленных вместе с образованием указанной общей подложки.
23. Прибор по п.9, в котором по меньшей мере один структурированный электрод с отверстиями дополнительно содержит сегментированный структурированный электрод с отверстиями, обеспечивающий асимметричные фазовые профили для отклонения света, стабилизации оптического изображения и субпиксельного сдвига.