СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛИДОМЕННЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ С ЗАРЯЖЕННОЙ ДОМЕННОЙ СТЕНКОЙ

1. Способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой, отличающийся тем, что в качестве заготовки используют пластину сегнетоэлектрического одноосного монокристалла, вырезанную перпендикулярно полярной оси, одну из поверхностей которой облучают потоком ионов для формирования повышенной концентрации точечных радиационных дефектов в поверхностном слое определенной толщины, что приводит к повышению электропроводности слоя, после чего в пластине создают электрическое поле, направленное вдоль полярной оси, полярность и величина которого обеспечивают образование доменов на поверхности пластины, не подвергнутой облучению, и их прорастание вглубь пластины в полярном направлении до границы слоя с повышенной проводимостью, что приводит к формированию заряженной доменной стенки сложной формы, причем глубина слоя задается величиной энергией и дозой ионов, а форма стенки определяется величиной создаваемого электрического поля.
2. Способ по п.1, при котором в качестве сегнетоэлектрического монокристалла используют ниобат лития.
3. Способ по п.1, при котором в качестве сегнетоэлектрического монокристалла используют танталат лития.
4. Способ по п.2, при котором в качестве сегнетоэлектрического монокристалла используют ниобат лития, легированный MgO.
5. Способ по п.3, при котором в качестве сегнетоэлектрического монокристалла используют танталат лития, легированный MgO.
6. Способ по п.1, при котором для облучения потоком ионов используют установку для ионно-плазменного распыления, а пластину помещают на распыляемую металлическую мишень.
7. Способ по п.1, при котором используют поток ионов аргона с энергией в диапазоне от 1 до 10 кэВ.