СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НИЗКООМНОГО ЧИП-РЕЗИСТОРА

Способ изготовления низкоомного чип-резистора, включающего резистивную пластину, заключающийся в том, что на концах резистивной пластины формируют контакты и осуществляют подгонку ее сопротивления, между контактами на резистивной пластине формируют покрытие из изолирующего материала, на контакты наносят гальваническое покрытие с образованием выводов чип-резистора, каждый из которых состоит из контакта с гальваническим покрытием и смежной с контактом части резистивной пластины, отличающийся тем, что при формировании контактов проводят процедуру минимизации переходных сопротивлений между контактами и резистивной пластиной путем снятия окисных пленок с поверхности резистивной пластины, а контакты формируют такой конфигурации, при которой общее сопротивление выводов удовлетворяет условию:
,
в
где R - общее сопротивление выводов,
oб
R - общее сопротивление чип-резистора,
об
ТКС - общий температурный коэффициент сопротивления чип-резистора,
р
ТКС - температурный коэффициент сопротивления резистивной пластины,
в
ТКС - температурный коэффициент сопротивления выводов.