СИСТЕМЫ ОСАЖДЕНИЯ НАНОЧАСТИЦ

1. Система осаждения наночастиц с полой мишенью, содержащая:
- полую мишень из материала,
- источник газа, обеспечивающий ионизированный газ к внутренней поверхности полой мишени,
- потенциал, который прикладывается по меньшей мере к полой мишени и который заставляет ионы из ионизированного газа соударяться с внутренней поверхностью полой мишени и высвобождать атомы материала,
- по меньшей мере один магнит, создающий магнитное поле, которое контролирует движение ионов и кристаллизацию наночастиц из высвободившихся атомов, и
- выпускное отверстие полой мишени, откуда кристаллизованные наночастицы выходят из полой мишени.
2. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 1, дополнительно содержащая кольцо из другого материала рядом с выпускным отверстием.
3. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 2, в которой кольцо имеет скошенный край, обращенный в сторону от внутренней поверхности полой мишени.
4. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 1, в которой магнит является вращающимся магнитом.
5. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 1, в которой магнит является трубчатым магнитом или полым магнитом.
6. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 1, дополнительно содержащая устройство сбора наночастиц, которое соединено с выпускным отверстием и собирает кристаллизованные наночастицы на подложке, причем относительное движение между подложкой и по меньшей мере полой мишенью непрерывно подвергает новые площади поверхности подложки воздействию кристаллизованных наночастиц.
7. Система осаждения наночастиц с полой мишенью по п. 1, в которой кристаллизованные наночастицы являются первыми наночастицами из первого материала, причем система дополнительно содержит:
- первый источник наночастиц, обеспечивающий первые наночастицы,
- второй источник наночастиц, обеспечивающий вторые наночастицы из второго материала, и
- сборную камеру с подложкой, собирающую первые и вторые наночастицы,
причем по меньшей мере один магнит контролирует движение первых и вторых наночастиц в сборной камере.
8. Система осаждения наночастиц с вращающимся магнитом, содержащая:
- мишень из материала,
- источник газа, доставляющий ионизированный газ к мишени,
- потенциал, который прикладывается по меньшей мере к мишени и который заставляет ионы из ионизированного газа соударяться с поверхностью мишени и высвобождать атомы материала, и
- по меньшей мере один вращающийся магнит, создающий магнитное поле, которое контролирует движение ионов и кристаллизацию наночастиц из высвободившихся атомов.
9. Система осаждения наночастиц с вращающимся магнитом по п. 8, в которой мишень является полой мишенью, и источник газа обеспечивает ионизированный газ к внутренней поверхности полой мишени.
10. Система осаждения наночастиц с вращающимся магнитом по п. 9, дополнительно содержащая кольцо из другого материала рядом с выпускным отверстием полой мишени, откуда кристаллизованные наночастицы выходят из полой мишени.
11. Система осаждения наночастиц с вращающимся магнитом по п. 10, в которой кольцо имеет скошенный край, обращенный в сторону от внутренней поверхности полой мишени.
12. Система осаждения наночастиц с вращающимся магнитом по п. 8, дополнительно содержащая устройство сбора наночастиц, которое соединено с выпускным отверстием и собирает кристаллизованные наночастицы на подложке, причем относительное движение между подложкой и по меньшей мере мишенью непрерывно подвергает новые площади поверхности подложки воздействию кристаллизованных наночастиц.
13. Система осаждения наночастиц с вращающимся магнитом по п. 8, дополнительно содержащая полый анод с мишенью, находящейся по меньшей мере частично внутри полого анода, причем источник газа обеспечивает ионизированный газ к внутренней поверхности полого анода.
14. Система осаждения наночастиц с вращающимся магнитом по п. 8, в которой кристаллизованные наночастицы являются первыми наночастицами из первого материала, причем система дополнительно содержит:
- первый источник наночастиц, обеспечивающий первые
наночастицы,
- второй источник наночастиц, обеспечивающий вторые наночастицы из второго материала, и
- сборную камеру с подложкой, собирающую первые и вторые наночастицы;
причем по меньшей мере один вращающийся магнит контролирует движение первых и вторых наночастиц в сборной камере.
15. Система сбора наночастиц, содержащая:
- мишень из материала;
- источник газа, обеспечивающий ионизированный газ к мишени,
- потенциал, который прикладывается по меньшей мере к мишени и который заставляет ионы из ионизированного газа соударяться с поверхностью мишени и высвобождать атомы материала,
- по меньшей мере один магнит, создающий магнитное поле, которое контролирует движение ионов и кристаллизация наночастиц из высвободившихся атомов, и
- устройство сбора наночастиц, которое собирает кристаллизованные наночастицы на подложке, причем относительное движение между подложкой и по меньшей мере мишенью непрерывно подвергает новые площади поверхности подложки воздействию кристаллизованных наночастиц.
16. Система сбора наночастиц по п. 15, в которой мишень является полой мишенью, и источник газа обеспечивает ионизированный газ к внутренней поверхности полой мишени.
17. Система сбора наночастиц по п. 16, дополнительно содержащая кольцо из другого материала рядом с выпускным отверстием полой мишени, откуда кристаллизованные наночастицы выходят из полой мишени.
18. Система сбора наночастиц по п. 17, в которой кольцо имеет скошенный край, обращенный в сторону от внутренней поверхности полой мишени.
19. Система сбора наночастиц по п. 15, в которой магнит является вращающимся магнитом.
20. Система сбора наночастиц по п. 15, в которой магнит является трубчатым магнитом или полым магнитом.
21. Система сбора наночастиц по п. 15, дополнительно содержащая полый анод с мишенью, находящейся по меньшей мере частично внутри полого анода, причем источник газа обеспечивает ионизированный газ к внутренней поверхности полого анода.
22. Система сбора наночастиц по п. 15, в которой кристаллизованные наночастицы являются первыми наночастицами из первого материала, причем система дополнительно содержит:
- первый источник наночастиц, обеспечивающий первые наночастицы, и
- второй источник наночастиц, обеспечивающий вторые наночастицы из второго материала,
причем устройство сбора наночастиц собирает первые и вторые наночастицы на подложке.
23. Система осаждения наночастиц с полым анодом, содержащая:
- мишень из материала;
- полый анод с мишенью, находящейся по меньшей мере частично внутри полого анода;
- источник газа, обеспечивающий ионизированный газ к внутренней поверхности полого анода;
- потенциал, который прикладывается по меньшей мере к мишени и который заставляет ионы из ионизированного газа соударяться с поверхностью мишени и высвобождать атомы из материала; и
- выпускное отверстие полого анода, откуда наночастицы, кристаллизованные из высвободившихся атомов, выходят из полого анода.
24. Система осаждения наночастиц с полым анодом по п. 23, дополнительно содержащая по меньшей мере один вращающийся магнит, создающий магнитное поле, которое контролирует движение ионов и кристаллизацию наночастиц из высвободившихся атомов.
25. Система осаждения наночастиц с полым анодом по п. 23, дополнительно содержащая трубчатый магнит или полый магнит, создающий магнитное поле, которое контролирует движение ионов и кристаллизацию наночастиц из высвободившихся атомов.
26. Система осаждения наночастиц с полым анодом по п. 23, дополнительно содержащая устройство сбора наночастиц, которое соединено с выпускным отверстием и собирает кристаллизованные наночастицы на подложке, причем относительное движение между подложкой и по меньшей мере мишенью непрерывно подвергает новые площади поверхности подложки воздействию кристаллизованных наночастиц.
27. Система осаждения наночастиц с полым анодом по п. 23, в которой кристаллизованные наночастицы представляют собой первые наночастицы из первого материала, причем система дополнительно содержит:
- первый источник наночастиц, обеспечивающий первые наночастицы;
- второй источник наночастиц, обеспечивающий вторые наночастицы из второго материала;
- сборную камеру с подложкой, собирающую первые и вторые наночастицы; и
- по меньшей мере один магнит, который контролирует движение первых и вторых наночастиц в сборной камере.
28. Система осаждения наночастиц с полым анодом по п. 23, в которой полый анод содержит трубку.
29. Система осаждения наночастиц с полым анодом по п. 23, в которой мишень является цилиндрической мишенью.
30. Система осаждения наночастиц с множеством источников, содержащая:
- первый источник наночастиц, обеспечивающий первые наночастицы из первого материала;
- второй источник наночастиц, обеспечивающий вторые наночастицы из второго материала;
- сборную камеру с подложкой, собирающую первые и вторые наночастицы; и
- по меньшей мере один магнит, создающий магнитное поле, которое контролирует движение первых и вторых наночастиц в сборной камере.
31. Система осаждения наночастиц с множеством источников по п. 30, в котором по меньшей мере один из первого и второго источников наночастиц содержит полую мишень и источник газа, который обеспечивает ионизированный газ к внутренней поверхности полой мишени.
32. Система осаждения наночастиц с множеством источников по п. 31, дополнительно содержащая кольцо из другого материала рядом с выпускным отверстием полой мишени, откуда первые или вторые наночастицы выходят из полой мишени.
33. Система осаждения наночастиц с множеством источников по п. 32, в которой кольцо имеет скошенный край, обращенный в сторону от внутренней поверхности полой мишени.
34. Система осаждения наночастиц с множеством источников по п. 30, в которой магнит является вращающимся магнитом.
35. Система осаждения наночастиц с множеством источников по п. 30, в которой по меньшей мере один из первого и второго источников наночастиц содержит трубчатый магнит или полый магнит, создающий магнитное поле, которое контролирует движение ионов и кристаллизацию первых или вторых наночастиц из высвободившихся атомов.
36. Система осаждения наночастиц с множеством источников по п. 30, дополнительно содержащая устройство сбора наночастиц в сборной камере, причем относительное движение между подложкой и по меньшей мере первым и вторым источниками наночастиц непрерывно подвергает новые площади поверхности подложки воздействию кристаллизованных наночастиц.
37. Система осаждения наночастиц с множеством источников по п. 30, в которой по меньшей мере один из первого и второго источников наночастиц содержит полый анод с мишенью, находящейся по меньшей мере частично внутри полого анода, и источник газа, который обеспечивает ионизированный газ к внутренней поверхности полого анода.