СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ АТОМНО-СЛОЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ

1. Способ, включающий:
выполнение последовательности атомно-слоевого осаждения, включающей по меньшей мере один цикл осаждения, где в каждом цикле образуется монослой осажденного материала, и цикл осаждения включает доставку по меньшей мере частиц первого предшественника и частиц второго предшественника к поверхности основы, находящейся в реакционной камере, причем как частицы первого предшественника, так и частицы второго предшественника одновременно присутствуют в реакционной камере в газовой фазе.
2. Способ по п. 1, в котором цикл осаждения включает период активации и период регенерации, и при осуществлении способа:
в течение периода активации частицы второго предшественника реагируют с частицами первого предшественника, адсорбированными на поверхности основы в течение предшествующего периода регенерации; и
в течение последующего периода регенерации частицы первого предшественника реагируют с частицами второго предшественника, адсорбированными на поверхности в течение периода активации.
3. Способ по п. 2, в котором частицы либо первого, либо второго предшественника переходят в возбужденное состояние под действием энергии фотонов в течение периода активации.
4. Способ по п. 3, включающий:
возбуждение частиц первого предшественника, адсорбированных на поверхности основы, вследствие чего адсорбированные частицы первого предшественника реагируют на поверхности с частицами второго предшественника, который находится в газовой фазе.
5. Способ по п. 3, включающий:
возбуждение частиц второго предшественника, находящихся в газовой фазе, вследствие чего возбужденные частицы второго предшественника реагируют на поверхности с адсорбированными частицами первого предшественника.
6. Способ по любому из предшествующих пп. 2-5, в котором реакции представляют собой последовательные самонасыщающиеся поверхностные реакции.
7. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором первый предшественник представляет собой металлический предшественник, а второй предшественник - неметаллический предшественник.
8. Способ по любому из предшествующих пунктов, в котором циклы осаждения выполняют без проведения периодов продувки.
9. Устройство, включающее:
реакционную камеру;
по меньшей мере одну подающую линию; и
управляющую систему, предназначенную для управления устройством с целью выполнения последовательности атомно-слоевого осаждения, включающей по меньшей мере один цикл осаждения в реакционной камере, причем в каждом цикле образуется монослой осажденного материала, и цикл осаждения включает подачу по меньшей мере частиц первого предшественника и частиц второго предшественника через по меньшей мере одну подающую линию к поверхности основы, находящейся в реакционной камере,
и при этом
управляющая система дополнительно предназначена для обеспечения одновременного присутствия паров, содержащих как частицы первого предшественника, так и частицы второго предшественника, в газовой фазе в реакционной камере.
10. Устройство по п. 9, в котором цикл осаждения включает период активации и период регенерации, и устройство предназначено для обеспечения:
в течение периода активации: реакции частиц второго предшественника с частицами первого предшественника, адсорбированными на поверхности основы в течение предшествующего периода регенерации; и
в течение последующего периода регенерации: реакции частиц первого предшественника с частицами второго предшественника, адсорбированными на поверхности в течение периода активации.
11. Устройство по п. 10, отличающееся тем, что устройство включает источник фотонов для приведения в возбужденное состояние частиц либо первого, либо второго предшественника под действием энергии фотонов в течение периода активации.
12. Устройство по п. 11, отличающееся тем, что устройство предназначено для обеспечения:
возбуждения частиц первого предшественника, адсорбированных на поверхности основы, вследствие чего адсорбированные частицы первого предшественника реагируют на поверхности с частицами второго предшественника, который находится в газовой фазе.
13. Устройство по п. 11, отличающееся тем, что устройство предназначено для обеспечения:
возбуждения частиц второго предшественника, находящихся в газовой фазе, вследствие чего возбужденные частицы второго предшественника реагируют на поверхности с адсорбированными частицами первого предшественника.
14. Устройство по любому из предшествующих пп. 10-13, в котором реакции представляют собой последовательные самонасыщающиеся поверхностные реакции.
15. Устройство по любому из предшествующих пп. 9-14, в котором первый предшественник представляет собой металлический предшественник, и второй предшественник представляет собой неметаллический предшественник.
16. Устройство по любому из предшествующих пп. 9-15, в котором управляющая система предназначена для такого управления, при котором циклы осаждения выполняют без проведения периодов продувки.