ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО С ИНТЕРФЕРОМЕТРИЧЕСКИМИ МАСКАМИ

1. Фотогальваническое устройство, имеющее переднюю сторону, на которую падает свет, и заднюю сторону, противоположную передней стороне, содержащее
фотогальванический активный слой,
проводник, расположенный на передней стороне фотогальванического активного слоя, и
интерферометрическую маску, подвергнутую операции по формированию рисунка, так чтобы покрывать переднюю сторону проводника.
2. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска выполнена так, что цвет или свет, отраженный от передней стороны интерферометрической маски, по существу, согласован с цветом фотогальванического активного слоя, видимым на соседних с проводником участках.
3. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска выполнена так, что от передней ее стороны отражается мало видимого падающего света или он вообще не отражается, так что интерферометрическая маска выглядит черной под нормальным углом обзора.
4. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска выполнена так, что ее отражательная способность составляет менее 10%.
5. Устройство по п.1, в котором проводник содержит шину, соединяющую электроды для соединения фотогальванических элементов с образованием матрицы.
6. Устройство по п.1, в котором проводник содержит электрод, находящийся в электрическом контакте с фотогальваническим активным слоем.
7. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска содержит поглотитель, расположенный над оптическим резонатором над проводником.
8. Устройство по п.7, в котором оптический резонатор содержит воздушный зазор, сформированный опорами, отделяющими поглотитель от проводника.
9. Устройство по п.8, в котором высота воздушного зазора находится в диапазоне между приблизительно 450 Ǻ и 1600 Ǻ.
10. Устройство по п.7, в котором оптический резонатор содержит слой диэлектрического материала.
11. Устройство по п.10, в котором толщина диэлектрического материала находится в диапазоне между приблизительно 300 Ǻ и 1000 Ǻ.
12. Устройство по п.10, в котором диэлектрический слой имеет показатель преломления между 1 и 3.
13. Устройство по п.10, в котором диэлектрический слой является поверхностным слоем, проходящим по всему фотогальваническому устройству.
14. Устройство по п.7, дополнительно содержащее пассивирующий слой, расположенный над поглотителем.
15. Устройство по п.14, в котором пассивирующий слой содержит диоксид кремния.
16. Устройство по п.1, в котором фотогальванический активный слой выбран из группы, содержащей монокристаллический кремний, аморфный кремний, германий, III-V полупроводник, медный селенид индия галлия, теллурид кадмия, арсенид галлия, нитрид индия, нитрид галлия, арсенид бора, нитрид индия галлия и последовательность многопереходных фотогальванических материалов.
17. Устройство по п.1, в котором фотогальванический активный слой содержит тонкопленочный фотогальванический материал.
18. Устройство по п.17, в котором тонкая пленка указанного тонкопленочного фотогальванического материала содержит аморфный кремний.
19. Устройство по п.17, в котором тонкая пленка указанного тонкопленочного фотогальванического материала сформирована над задней стороной прозрачной подложки, над интерферометрической маской и над проводником.
20. Устройство по п.19, в котором проводник находится в электрическом контакте с фотогальваническим материалом через прозрачный проводящий оксид.
21. Устройство по п.17, в котором тонкая пленка указанного тонкопленочного фотогальванического материала сформирована над задней стороной прозрачной подложки и над проводником, а интерферометрическая маска сформирована и подвергнута операции по формированию рисунка над передней стороной прозрачной подложки.
22. Устройство по п.21, в котором интерферометрическая маска содержит активное устройство на основе микроэлектромеханических систем, содержащее отражатель, расположенный на передней стороне прозрачной подложки.
23. Устройство по п.1, в котором фотогальванический активный слой содержит интерферометрически улучшенное фотогальваническое устройство.
24. Устройство по п.1, в котором интерферометрическая маска содержит активное устройство на основе микроэлектромеханических систем.
25. Фотогальваническое устройство, имеющее переднюю сторону, на которую падает свет, и заднюю сторону, противоположную передней стороне, содержащее
фотогальванический материал,
проводник, расположенный перед фотогальваническим материалом, и
оптическую интерферометрическую маску, расположенную перед фотогальваническим материалом и проводником и содержащую отражающую поверхность, расположенную перед фотогальваническим материалом, оптический резонатор, расположенный перед отражающей поверхностью, и поглотитель, расположенный перед оптическим резонатором,
при этом видимый цвет по всей передней стороне фотогальванического устройства, включая участки фотогальванического материала и металлического проводника, является, по существу, однородным.
26. Устройство по п.25, в котором оптический резонатор содержит совокупность по меньшей мере из двух следующих элементов: воздушный зазор, прозрачный проводящий слой и прозрачный диэлектрический слой.
27. Устройство по п.25, в котором оптическая интерферометрическая маска выполнена так, что немного падающего видимого света отражается или он вообще не отражается, так что фотогальваническое устройство выглядит черным.
28. Устройство по п.27, в котором оптическая интерферометрическая маска подвергнута операции по формированию рисунка для покрытия металлического проводника и экспонирования участков фотогальванического материала.
29. Устройство по п.25, в котором по меньшей мере один слой оптической интерферометрической маски и проводника сформирован методом трафаретной печати.
30. Устройство по п.25, в котором проводник является прозрачным.
31. Устройство по п.25, в котором отражающая поверхность образована проводником.
32. Фотогальваническое устройство, содержащее средства выработки электрического тока из падающего света на стороне указанного устройства, на которую падает свет, средства проводки выработанного электрического тока и средства интерферометрической маскировки указанного устройства для проводки от стороны фотогальванического устройства, на которую падает освещение.
33. Устройство по п.32, в котором средства выработки электрического тока содержат полупроводниковый фотогальванический активный материал.
34. Устройство по п.32, в котором средства проводки содержат отражающий передний электрод, подвергнутый операции по формированию рисунка и находящийся в электрическом контакте со средствами выработки электрического тока.
35. Устройство по п.32, в котором средства интерферометрической маскировки содержат стопу, включающую оптический резонатор и поглотитель, расположенный над средствами проводки и выполненный с возможностью интерферометрического снижения отражательной способности средств проводки.
36. Способ изготовления фотогальванического устройства, согласно которому оснащают фотогальванический генератор фотогальваническим активным слоем, передним проводником, подвергнутым операции по формированию рисунка, и задним проводником, формируют над передней стороной фотогальванического генератора слои и подвергают по меньшей мере один из этих слоев операции по формированию рисунка для образования интерферометрического модулятора, покрывающего указанный передний проводник.
37. Способ по п.36, в котором при формировании слоев формируют поглотитель и оптический резонатор, выполненный с возможностью отражения видимого света, по существу, согласуясь с видимым спектром, отраженным открытыми участками фотогальванического активного слоя.
38. Способ по п.37, в котором интерферометрический модулятор выполняют таким образом, чтобы с передней стороны выглядеть черным.
39. Способ по п.37, в котором при формировании интерферометрического резонатора формируют поглотитель и диэлектрический слой.
40. Способ по п.39, в котором при формировании рисунка формируют рельеф поглотителя и диэлектрического слоя.
41. Способ по п.39, в котором при формировании рисунка формируют рельеф поглотителя, чтобы следовать рисунку указанного переднего проводника и оставить диэлектрический слой в качестве поверхностного слоя.
42. Способ по п.36, в котором при формировании рисунка формируют интерферометрический модулятор одинаковой протяженности с передним проводником.
43. Способ по п.42, в котором при оснащении фотогальванического устройства формируют рисунок переднего проводника одновременно с формированием рисунка по меньшей мере одного из слоев.
44. Способ по п.36, в котором при формировании слоев и формировании на них рисунка производят трафаретную печать по рисунку, который повторяет передний проводник, подвергнутый операции по формированию рисунка.
45. Способ по п.37, в котором при формировании оптического резонатора формируют воздушный зазор и разделители.
46. Способ изготовления фотогальванического устройства, имеющего переднюю сторону, на которую падает свет, и заднюю сторону, противоположную передней стороне, включающий формирование над передней стороной фотогальванического устройства интерферометрического модулятора, выполненного таким образом, чтобы выглядеть черным.
47. Способ по п.46, в котором фотогальваническое устройство содержит передний отражающий проводник, а при формировании интерферометрического модулятора формируют поглотитель, оптический резонатор и проводник, которые подвергнуты операции по формированию рисунка так, чтобы следовать рисунку отражающего проводника.
48. Способ по п.47, в котором при формировании подвергнутого формированию рисунка поглотителя и оптического резонатора используют трафаретную печать.
49. Способ по п.47, в котором фотогальваническое устройство формируют на прозрачной подложке, имеющей противоположные стороны, так, что передний отражающий проводник и интерферометрический модулятор оказываются сформированы на противоположных сторонах прозрачной подложки.
50. Способ по п.46, в котором фотогальваническое устройство содержит передний отражающий проводник, а при формировании интерферометрического модулятора формируют поглотитель, оптический резонатор и проводник, причем поглотитель подвергают операции по формированию рисунка так, чтобы следовать рисунку отражающего проводника.