СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВОЙ ОСНАСТКИ
METHOD OF TREATING SILICON EQUIPMENT

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки оснастки, применяемой для проведения окислительных и диффузионных процессов.
Известны травители для обработки кремния, сущность использования которых состоит в удалении примесей и различных загрязнений [1].
Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и длительность процесса.
Техническим результатом изобретения является полное удаление остатков окисла и различных загрязнений с поверхности кремниевой оснастки и уменьшение длительности процесса обработок.
4
2
Технический результат достигается тем, что удаление загрязнений с кремниевых кассет и лодочек происходит за счет использования раствора, в состав которого входят фторид аммоний - NHF, фтористоводородная кислота - HF и деионизованная вода - НO в соотношении 18:2,5:1. Длительность обработки составляет 20±10 минут. После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде в течение 30±10 минут.
Сущность способа заключается в том, что кремниевые кассеты и лодочки подвергаются обработке в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды, температура раствора комнатная. Процесс удаления различных загрязнений и примесей считается законченным в том случае, когда цвет индикаторной бумаги не изменяется. Обработку проводят при длительности процесса 20±10 минут.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:
4
2
NHF:HF:HO
19,5:2,8:1
Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 30±10 минут.
После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут.
Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:
4
2
NHF:HF:НO
19:2,5:1
Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 25±10 минут.
После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут.
Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке обработки кремниевой оснастки в растворе, состоящем из фторида аммония, фтористоводородной кислоты и деионизованной воды при соотношении компонентов:
4
2
NHF:HF:HO
18:2,5:1
Температура раствора комнатная. Длительность обработки составляет 20±10 минут.
После обработки в растворе кремниевую оснастку промывают в деионизованной воде при комнатной температуре в течение 30±10 минут.
Контроль осуществляется с помощью индикаторной бумаги.
Способ согласно изобретению, см. пример 3, обеспечивает полное удаление окислов и различных загрязнений с кремниевой оснастки после высокотемпературных операций, уменьшение длительности и качества обработки кремниевой оснастки.
Литература
1. А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: «Высшая школа», 1980. - 86-88 с.