СПОСОБ, ПРОЦЕСС И ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫХ НЕДОРОГИХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ КРЕМНИЕВЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

1. Композиция для жидкостного химического выращивания при комнатной температуре оксидного слоя на подложке, содержащая:
источник фторида для способствования травлению подложки;
неорганическую окислительно-восстановительную систему, содержащую один или более элементов, выбранных из I, V, Со, Pb и Ag, для способствования реакции окисления на поверхности подложки и тем самым способствования выращиванию оксидного слоя на подложке, исходя по меньшей мере отчасти из расходуемой подложки в результате травления подложки; и
неинвазивную добавку для регулирования баланса между первой скоростью травления подложки и второй скоростью выращивания оксидного слоя;
при этом композиция практически свободна от кремния.
2. Композиция по п. 1, при этом композиция практически свободна от органических компонентов.
4
2
6
4
3. Композиция по п. 1, при этом источник фторида выбран из NHF, HF, HTiF, BaF, BF и NaF.
4. Композиция по п. 3, при этом источником фторида является HF.
5. Композиция по п. 1, при этом упомянутая неорганическая окислительно-восстановительная система содержит йод.
3
3
2
4
2
5
2
9
5
3
2
4
4
3
2
2
3
4
4
4
2
3
6. Композиция по п. 5, при этом упомянутая неорганическая окислительно-восстановительная система выбрана из HIO, KI, BI, IO, IO, IO, IF, PI, PI, TiI, VI, CoI, NiI, AsI, SnI, SbI, TeI, PbI и BiI.
3
2
5
7. Композиция по п. 6, при этом упомянутая неорганическая окислительно-восстановительная система выбрана из HIO, KI и IO.
8. Композиция по п. 7, при этом упомянутой неинвазивной добавкой является HCl.
4
2
3
2
3
9. Композиция по п. 1, при этом упомянутая неинвазивная добавка выбрана из NHF, HF, HCl, НО, HNO и НО.
10. Композиция по п. 1, при этом упомянутой неинвазивной добавкой является HCl.
11. Композиция по п. 1, дополнительно содержащая воду.
12. Композиция по п. 1, дополнительно содержащая кислоту.
2
6
3
2
4
13. Композиция по п. 12, при этом упомянутая кислота выбрана из HSiF, HCl, HF, HNO и HSO.
14. Композиция для жидкостного химического выращивания при комнатной температуре слоя на основе оксида на подложке, состоящая практически из HF, HCl, йодсодержащей неорганической окислительно-восстановительной системы и воды, при этом композиция практически свободна от кремния.
15. Композиция по п. 14, при этом композиция практически свободна от органических компонентов.
3
2
5
16. Композиция по п. 14, при этом упомянутая неорганическая окислительно-восстановительная система выбрана из HIO, IO и KI.
17. Композиция по п. 14, при этом упомянутая подложка содержит один или более из кремния, германия и арсенида галлия, и при этом HF способствует травлению упомянутых одного или более из кремния, германия и арсенида галлия.
18. Композиция по п. 14, при этом упомянутая подложка содержит монокристаллический кремний или поликристаллический кремний, и при этом HF способствует травлению монокристаллического кремния или поликристаллического кремния.
19. Композиция для способствования изготовлению солнечного элемента на подложке за счет практически одновременных (i) жидкостного химического травления подложки и (ii) выращивания на подложке при практически комнатной температуре оксидного слоя, образующего по меньшей мере одно из антиотражающего покрытия для солнечного элемента, слоя в пакете слоев антиотражающего покрытия для солнечного элемента, пассивирующего слоя для солнечного элемента и маски для изготовления солнечного элемента, причем оксидный слой имеет:
x
y
z
состав SiOX, где Х включает по меньшей мере один из фтора (F), углерода (С), водорода (Н) и азота (N);
градиентный показатель преломления и
толщину в диапазоне от приблизительно 2 нанометров до приблизительно 500 нанометров,
причем композиция содержит:
источник фторида для способствования травлению подложки;
неорганическую окислительно-восстановительную систему, содержащую один или более элементов, выбранных из I, V, Со, Pb и Ag, для способствования реакции окисления на поверхности подложки и тем самым способствования выращиванию оксидного слоя на подложке, исходя по меньшей мере отчасти из расходуемой подложки в результате травления подложки; и
неинвазивную неорганическую добавку для регулирования баланса между первой скоростью травления подложки и второй скоростью выращивания оксидного слоя;
при этом композиция практически свободна от кремния.
20. Композиция по п. 19, при этом:
подложка включает в себя диффузионную область, составляющую эмиттер солнечного элемента;
композиция способствует изготовлению за счет практически одновременных (i) жидкостного химического травления диффузионной области подложки, составляющей эмиттер солнечного элемента, и (ii) выращивания при практически комнатной температуре оксидного слоя на этой диффузионной области;
источник фторида способствует травлению диффузионной области подложки, составляющей эмиттер солнечного элемента;
неорганическая окислительно-восстановительная система содействует реакции окисления на поверхности диффузионной области и тем самым способствует росту оксидного слоя на диффузионной области, исходя по меньшей мере отчасти из расходуемой подложки в результате травления диффузионной области; и
неинвазивная неорганическая добавка регулирует баланс между первой скоростью травления диффузионной области и второй скоростью выращивания оксидного слоя.