УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ

1. Устройство для выращивания поликристаллов кремния на графитовой подложке, включающее вибропитатель, тигель, капиллярный питатель, отличающееся тем, что содержит регулируемое устройство охлаждения.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что регулируемое устройство охлаждения выполняют в виде многослойной теплоизоляции, с изменяемым количество слоев.
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что регулируемое устройство охлаждения выполняют в виде теплоизоляции, содержащей регулируемый зазор.
4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что регулируемое устройство охлаждения выполняют в виде графитового радиатора, охлаждаемого водой и/или инертным газом.
5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что помещено в вакуумируемый объем.
6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка является токосъемником солнечного элемента.
7. Способ выращивания поликристаллов кремния на подложке, характеризующийся тем, что дробленый кремний из вибропитателя подают в тигель, нагрев которого осуществляют нагревателем, при этом полученный расплав кремния подают по капиллярным каналам питателя за пределы контура теплоизоляции в область контакта питателя с подложкой, сопряженной с механизмом протяжки; при этом выращивание поликристаллов кремния осуществляют путем перемещения подложки относительно питателя или питателя относительно подложки, отличающийся тем, что подложку охлаждают с помощью регулируемого устройства охлаждения.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что выращивание производят в вакуумируемом объеме.
9. Способ по п.7, отличающийся тем, что подложка является токосъемником солнечного элемента.