ГЕТЕРОПЕРЕХОДНЫЙ ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ С ЗАДНИМ КОНТАКТОМ

1. Полупроводниковое устройство, содержащее:
кристаллическую полупроводниковую подложку (1), содержащую переднюю сторону (1а) и заднюю сторону (1b);
передний пассивирующий слой (3), нанесенный на переднюю сторону (1а) подложки (1);
задний пассивирующий слой (2), нанесенный на заднюю сторону (1b) подложки (1);
первую металлизированную зону (10), выполненную на заднем пассивирующем слое (2) и предназначенную для сбора электронов;
вторую металлизированную зону, предназначенную для сбора дырок и содержащую:
поверхностную часть (11), расположенную на заднем пассивирующем слое (2); и
внутреннюю часть (12), проходящую через задний пассивирующий слой (2) и образующую в подложке (1) область, в которой концентрация акцепторов электронов выше, чем в остальной части подложки (1).
2. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором кристаллическая полупроводниковая подложка (1) является подложкой из n-легированного или p-легированного кристаллического кремния.
3. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором вторая металлизированная зона (11, 12) содержит алюминий, и предпочтительно первая металлизированная зона (10) тоже содержит алюминий.
4. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором передний пассивирующий слой (3) содержит:
слой (6) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящий в контакт с подложкой (1); и
расположенный на нем слой (7) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующийся легированием p-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью p-типа, или легированием n-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью n-типа; и/или
задний пассивирующий слой (2) содержит:
слой (4) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящий в контакт с подложкой (1); и
расположенный на нем слой (5) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующийся легированием n-типа.
5. Полупроводниковое устройство по п.1, в котором первая металлизированная зона (10) и вторая металлизированная зона (11, 12) образуют взаимопроникающую структуру.
6. Полупроводниковое устройство по п.1, дополнительно содержащее антибликовый слой (8), нанесенный на передний пассивирующий слой (3) и предпочтительно содержащий гидрированный аморфный нитрид кремния.
7. Полупроводниковое устройство по п.1, характеризующееся тем, что является фотогальваническим элементом.
8. Модуль фотогальванических элементов, содержащий множество фотогальванических элементов по п.7, соединенных последовательно и/или параллельно.
9. Способ изготовления полупроводникового устройства, содержащий этапы, на которых:
изготавливают кристаллическую полупроводниковую подложку (1), содержащую переднюю сторону (1а) и заднюю сторону (1b);
на передней стороне (1а) подложки (1) формируют передний пассивирующий слой (3);
на задней стороне (1b) подложки (1) формируют задний пассивирующий слой (2);
на заднем пассивирующем слое (2) формируют первую металлизированную зону (10), предназначенную для сбора электронов;
формируют вторую металлизированную зону, при этом:
формируют поверхностную часть (11) второй металлизированной зоны (10) на заднем пассивирующем слое (2), предназначенную для сбора дырок;
формируют внутреннюю часть (12) второй металлизированной зоны, которая проходит через задний пассивирующий слой (2) и образует в подложке (1) область, в которой концентрация акцепторов электронов выше, чем в остальной части подложки (1), посредством лазерного отжига поверхностной части (11) второй металлизированной зоны.
10. Способ по п.9, в котором кристаллическая полупроводниковая подложка (1) является подложкой из n-легированного или p-легированного кристаллического кремния.
11. Способ по п.9, в котором:
формирование переднего пассивирующего слоя (3) на передней стороне (1а) подложки (1) включает в себя формирование слоя (6) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящего в контакт с подложкой (1); и формирование на нем слоя (7) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующегося легированием p-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью p-типа, или легированием n-типа, если подложка (1) является подложкой с проводимостью n-типа; и/или
формирование заднего пассивирующего слоя (2) на задней стороне (1b) подложки (1) включает в себя формирование слоя (4) беспримесного гидрированного аморфного кремния, входящего в контакт с подложкой (1); и формирование на нем слоя (5) легированного гидрированного аморфного кремния, характеризующегося легированием n-типа.
12. Способ по п.9, в котором вторая металлизированная зона (11, 12) содержит алюминий, и предпочтительно первая металлизированная зона (10) тоже содержит алюминий.
13. Способ по п.9, в котором формирование первой металлизированной зоны (10) и формирование поверхностной части (11) второй металлизированной зоны осуществляют посредством литографии, или испарения через трафарет, или напыления через трафарет, или трафаретной печати, причем предпочтительно одновременно; при этом первая металлизированная зона (10) и вторая металлизированная зона (11, 12) предпочтительно образуют взаимопроникающую структуру.
14. Способ по п.9, в котором формируют антибликовый слой (8) на переднем пассивирующем слое (3), при этом указанный антибликовый слой (8) предпочтительно содержит гидрированный аморфный нитрид кремния.
15. Способ по п.9, в котором полупроводниковое устройство является фотогальваническим элементом.
16. Способ изготовления модуля фотогальванических элементов, характеризующийся тем, что выполняет последовательное или параллельное соединение нескольких фотогальванических элементов по п.7.