VCSEL С ВНУТРИРЕЗОНАТОРНЫМИ КОНТАКТАМИ

1. Лазерное устройство, образованное по меньшей мере одним поверхностно-излучающим лазером (15) с вертикальным резонатором с внутрирезонаторными контактами,
причем упомянутый поверхностно-излучающий лазер (15) с вертикальным резонатором содержит эпитаксиальную слоистую структуру с активной областью (6) между первым распределенным брэгговским отражателем (4) и вторым распределенным брэгговским отражателем (10), первым слоем (5) токовой инжекции первого типа проводимости между первым распределенным брэгговским отражателем (4) и активной областью (6) и вторым слоем (8) токовой инжекции второго типа проводимости между вторым распределенным брэгговским отражателем (10) и активной областью (6), и причем указанный поверхностно-излучающий лазер (15) с вертикальным резонатором дополнительно содержит токовую апертуру (24),
причем упомянутые первый и второй слои (5, 8) токовой инжекции находятся в контакте с первым и вторым металлическими контактами (11, 12) соответственно,
в котором упомянутые первый и/или второй распределенные брэгговские отражатели (4, 10) образованы из чередующихся слоев оксида алюминия и слоев Al(x)Ga(1-x)As с 0≤x≤0,3,
причем первый и второй металлические контакты (11, 12) расположены на противоположных сторонах каждого из упомянутых поверхностно-излучающих лазеров (15) с вертикальным резонатором, причем имеется по меньшей мере один не подвергнутый травлению стержень (14) эпитаксиальной слоистой структуры для прохождения носителей заряда из контактных областей первого и второго металлических контактов (11, 12) к светоизлучающей области (13) лазерного устройства, и причем ширина по меньшей мере одного не подвергнутого травлению стержня (14) равна или меньше, чем двухкратная ширина окисления токовой апертуры (24).
2. Лазерное устройство по п. 1,
в котором упомянутый первый слой (5) токовой инжекции представляет собой легированный т-примесью полупроводниковый слой, а упомянутый второй слой (8) токовой инжекции представляет собой легированный р-примесью полупроводниковый слой.
3. Лазерное устройство по п. 1,
в котором концентрация легирующей примеси из упомянутого первого и/или второго слоя (5, 8) токовой инжекции изменяется в направлении оптической оси лазера для образования нескольких сильнолегированных областей первого типа проводимости между менее легированными областями или областями без легирования, причем упомянутые сильнолегированные области расположены в минимумах постоянного электрического поля, образующегося между первым и вторым распределенными брэгговскими отражателями (4, 10) во время работы лазера.
4. Лазерное устройство по п. 1,
в котором упомянутая эпитаксиальная слоистая структура расположена на подложке (1).
5. Лазерное устройство по п. 4,
в котором несколько из упомянутых поверхностно-излучающих лазеров (15) расположены бок о бок на подложке (1) и электрически соединены последовательно на упомянутой подложке (1).
6. Лазерное устройство по п. 5,
в котором по меньшей мере группы упомянутых лазеров расположены так, что первые металлические контакты (11) лазеров упомянутой группы обращены ко вторым металлическим контактам (12) смежных лазеров упомянутой группы.
7. Лазер по п. 1,
в котором несколько из упомянутых поверхностно-излучающих лазеров (15) с вертикальным резонатором расположены бок о бок и электрически соединены с металлизированной структурой (16), которая нанесена на стороне, противоположной стороне вывода излучения лазеров, причем упомянутая металлизированная структура (16) выполнена с возможностью иметь толщину, подходящую для механической поддержки лазеров без подложки.
8. Лазер по п. 7,
в котором металлизированная структура (16) образует контактные площадки для электрического контакта с лазерами.
9. Лазер по п. 1,
в котором один из упомянутых первого и второго распределенных брэгговских отражателей (4, 10) содержит менее 10 пар слоев, содержащих оксид алюминия и Al(x)Ga(1-x)As, а другой из упомянутых первого и второго распределенных брэгговских отражателей (4, 10) содержит менее 5 пар слоев, содержащих оксид алюминия и Al(x)Ga(1-x)As.