ВЫРАВНИВАЮЩИЙ СЛОЙ

1. Устройство, содержащее непланаризованную пластиковую подложку, сформированный на непланаризованной подложке электрически или оптически функциональный слой, выравнивающий слой, сформированный поверх функционального слоя, и по меньшей мере первый проводящий слой и полупроводниковый слой, сформированные поверх выравнивающего слоя, причем первый проводящий слой образует по меньшей мере контур электродов истока и стока для одного или более транзисторных устройств, а полупроводниковый слой образует полупроводниковые каналы для указанных одного или более транзисторных устройств.
2. Устройство по п. 1, в котором для излучения с длиной волны, облучение на которой приводит к деградации полупроводниковых каналов, пропускание функционального слоя меньше, чем пропускание подложки и выравнивающего слоя.
3. Устройство по п. 2, в котором излучение с указанной длиной волны представляет собой свет, а устройство дополнительно содержит источник задней подсветки, расположенный на стороне подложки, противоположной по отношению к функциональному слою, и излучающий свет в оптическую среду, расположенную на стороне полупроводниковых каналов, противоположной по отношению к источнику задней подсветки, и управляемую транзисторными устройствами, при этом функциональный слой выполнен структурированным таким образом, чтобы обеспечить перенос света от источника задней подсветки к оптической среде в зонах, не являющихся полупроводниковыми каналами.
4. Устройство по п. 3, в котором оптическая среда представляет собой жидкокристаллическую оптическую среду.
5. Устройство по п. 1, в котором функциональный слой содержит второй проводящий слой, который расположен по меньшей мере под частью контура электродов стока для единственного или каждого из транзисторов и связан посредством емкостной связи с контуром электродов стока через выравнивающий слой.
6. Устройство по п. 5, в котором во втором проводящем слое сформирован массив проводящих участков, каждый из которых соединен внутри второго проводящего слоя со всеми смежными с ним проводящими участками.
7. Устройство по п. 6, в котором каждый указанный проводящий участок, по существу, соответствует по местоположению по меньшей мере участку контура электрода стока для соответствующего транзистора.
8. Устройство по п. 5, в котором второй проводящий слой сформирован сеткой, состоящей из соединенных между собой электропроводных волокон.
9. Устройство по п. 1, в котором функциональный слой содержит второй проводящий слой, образующий затворные электроды для каждого из транзисторных устройств.
10. Устройство по п. 9, в котором второй проводящий слой структурирован с образованием затворных линий независимой адресации, каждая из которых проходит под полупроводниковыми каналами соответствующего столбца транзисторов и содержит сетку, состоящую из электропроводных волокон.
11. Устройство по п. 9, в котором второй проводящий слой структурирован с образованием массива участков, каждый из которых изолирован от других участков внутри второго проводящего слоя и выполнен с возможностью адресации через одну из множества линий адресации, проходящих над выравнивающим слоем.
12. Устройство по любому из пп. 9-11, дополнительно содержащее третий проводящий слой, сформированный поверх выравнивающего слоя на стороне первого проводящего слоя, противоположной по отношению ко второму проводящему слою, причем третий проводящий слой образует контур затворных электродов для массива транзисторных устройств.
13. Способ управления устройством, выполненным согласно п. 12, включающий управление напряжением, приложенным к затворным электродам, образованным вторым проводящим слоем, таким образом, чтобы уменьшить механическое напряжение, индуцированное в полупроводниковых каналах функционированием контура затворных электродов.
14. Способ управления устройством, выполненным согласно п. 12, включающий использование затворных электродов, образованных вторым проводящим слоем, для настройки порогового напряжения, подаваемого на транзисторные устройства, а также использование контура затворных электродов для переключения транзисторных устройств.
15. Устройство по п. 1, в котором в функциональном слое между подложкой и выравнивающим слоем содержится второй проводящий слой, указанные одно или более транзисторных устройств составляют контур управления для дисплейного устройства, а указанным вторым проводящим слоем сформирован имеющий нижнее расположение проводник механизма сенсорного датчика для дисплейного устройства.
16. Устройство по п. 15, в котором функциональный слой содержит второй, структурированный проводящий слой, сформированный сеткой, состоящей из соединенных между собой электропроводных волокон.
A
17. Устройство по п. 1, в котором непланаризованная подложка имеет параметр шероховатости R, превышающий 5 нм.
18. Способ, включающий следующие операции:
получают непланаризованную подложку,
на непланаризованной подложке формируют электрически и/или оптически функциональный слой,
поверх функционального слоя формируют выравнивающий слой,
поверх выравнивающего слоя формируют первый проводящий слой и полупроводниковый слой,
при этом первый проводящий слой образует по меньшей мере контур электродов истока и стока для одного или более транзисторных устройств, а полупроводниковый слой образует полупроводниковые каналы для одного или более транзисторных устройств.
A
19. Способ по п. 18, в котором непланаризованная подложка имеет параметр шероховатости R, превышающий 5 нм.
20. Способ по п. 18, в котором функциональный слой представляет собой структурированный слой.