СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ИЗ РАСПЛАВА

Способ выращивания кристалла монокристаллического кремния из расплава, включающий воздействие на расплав в тигле аксиальным постоянным и поперечным вращающимся электромагнитными полями, обеспечивающими контролируемое переохлаждение центральной зоны расплава и позиционирование твердой фазы кремния по центру масс вращающегося расплава, поочередное затравление трех кристаллов, их разращивание до диаметра 30-50 мм и формование диаметра кристалла в две стадии, при этом на первой стадии формируют три бездислокационных кристалла по Дэшу посредством вращения каждого из затравочных кристаллов вокруг своей оси приводом, обеспечивающим вращение и перемещение трех ведомых штоков центрального привода, а на второй стадии индивидуальное вращение кристаллов отключают и осуществляют одновременное вращение трех кристаллов центральным ведущим приводом вокруг тепловой оси расплава с обеспечением возможности образования единого кристалла в тигле, причем расстояние от оси центрального ведущего привода до осей ведомых штоков с затравочными кристаллами составляет 1/6 диаметра тигля.