ДАТЧИК ПРИСУТСТВИЯ

1. Способ изготовления устройства (100; 200; 300; 400) датчика, содержащего термодатчик (23), батарею (33), антенну (34), электронную схему (22) и солнечный элемент (43), вместе, как единое целое в одном полупроводниковом носителе (10), содержащий этапы, на которых:
обеспечивают кремниевую пластину (10), имеющую тело (13) пластины с двумя противоположными, взаимно параллельными основными поверхностями (11, 12);
изготавливают, на первом этапе обработки, первый функциональный слой (20) в или на одной из вышеупомянутых основных поверхностей, содержащий участок (21) термодатчика, по меньшей мере, с одним термодатчиком (23), и изготавливают функциональный слой (20), содержащий электронную схему (22), компонуемую в неперекрывающемся взаимном расположении с участком (21) термодатчика;
изготавливают, на втором этапе обработки, следующем за первым этапом обработки, второй функциональный слой (30), имеющий участок (32) материала, содержащий батарею (33) и антенну (34), компонуемый в неперекрывающемся взаимном расположении с участком (21) термодатчика;
изготавливают, на третьем этапе обработки, следующем за первым этапом обработки, третий функциональный слой (40), имеющий участок (42) материала, содержащий один или несколько солнечных элементов (43), компонуемый в неперекрывающемся взаимном расположении с участком (21) термодатчика;
удаляют, на четвертом этапе обработки, следующем за третьим этапом обработки, участок тела (13) пластины под участком (21) термодатчика так, чтобы привести к углублению (14), имеющему глубину, достающую от стороны нижней поверхности (12) до участка (21) термодатчика первого функционального слоя (20).
2. Способ по п.1, в котором электронную схему (22) и участок (21) термодатчика изготавливают в том же функциональном слое (20).
3. Способ по п.2, в котором электронную схему (22) и участок (21) термодатчика изготавливают с использованием тех же этапов обработки.
4. Способ по п.1, в котором второй функциональный слой (30) содержит пустое пространство (31), совпадающее с участком (21) термодатчика, и/или в котором третий функциональный слой (40) содержит пустое пространство (41), совпадающее с участком (21) термодатчика.
5. Способ по п.1, в котором процесс изготовления для изготовления второго функционального слоя (30) осуществляют при относительно низкой температуре, предпочтительно меньше 400°C так, чтобы компоненты в первом функциональном слое (20) не были подвержены воздействию этого процесса изготовления.
6. Способ по п.1, в котором третий этап обработки выполняют за вторым этапом обработки.
7. Способ по п.6, в котором процесс изготовления для изготовления третьего функционального слоя (40) осуществляют при температуре, которая ниже температуры процесса изготовления для изготовления второго функционального слоя (30), предпочтительно меньше 300°C, так, чтобы компоненты во втором функциональном слое (20) не были подвержены воздействию этого процесса изготовления.
8. Способ по п.1, в котором второй функциональный слой (30) с батареей и антенной изготавливают на первом функциональном слое (20), и в котором третий функциональный слой (40) с солнечным(ми) элементом(ами) изготавливают на втором функциональном слое (30).
9. Способ по п.1, в котором второй функциональный слой (30) с батареей и антенной изготавливают на первом функциональном слое (20), и в котором третий функциональный слой (40) с солнечным(ми) элементом(ами) изготавливают на второй (12) из вышеупомянутых основных поверхностей (12).
.
10. Способ по п.1, в котором второй функциональный слой (30) с батареей и антенной изготовляют на второй (12) из вышеупомянутых основных поверхностей, и в котором третий функциональный слой (40) с солнечным(ми) элементом(ами) изготавливают на первом функциональном слое (20)
11. Способ по п.1, в котором третий функциональный слой (40) с солнечным(ми) элементом(ами) изготавливают в качестве наружного слоя, и в котором крепежную пластину (50), которая изготавливается предпочтительно из стекла или полиимида, компонуют сверху третьего функционального слоя.
12. Устройство датчика, содержащее термодатчик (23), батарею (33), антенну (34), электронную схему (22) и солнечный элемент (43), изготавливают как единое целое в одном полупроводниковом теле (13) способом, соответствующим любому из пп.1-11.
13. Устройство датчика по п.12, в котором термодатчик (23) содержит тонкое центральное тело (610) и множество термопар (500), скомпонованных вдоль краев центрального тела (610);
в котором центральное тело (610) конструируют теплопоглощающим;
в котором все термопары электрическим образом соединяются последовательно наряду с параллельным термическим соединением;
и в котором центральное тело (610) и термопары (500) реализованы в качестве образцов в кремние.
14. Устройство датчика по п.12, в котором термодатчик (23) содержит четыре отдельных участка (700) датчика, причем каждый участок (700) датчика содержит тонкое продольное центральное тело (710) и множество термопар (500), скомпонованных вдоль противоположных продольных краев центрального тела (710).
15. Устройство датчика по п.12, в котором термодатчик (23) содержит тонкое центральное продольное тело (810) и множество термопар (500), скомпонованных вдоль противоположных продольных краев центрального тела (810), с контактами (801), находящимися в контакте с оконечными термопарами, а также с контактами (801), находящимися в контакте с промежуточными термопарами, чтобы сигналы датчика могли быть получены из различных участков датчика.