ПОЛУИЗОЛИРУЮЩАЯ НИТРИДНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПОДЛОЖКА И СПОСОБ ЕЕ ПРОИЗВОДСТВА, НИТРИДНАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ ПОДЛОЖКА И ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

5
1. Способ производства полуизолирующей нитридной полупроводниковой подложки для получения автономной полуизолирующей нитридной полупроводниковой подложки, имеющей удельное сопротивление не меньше, чем 1·10 Ом·см и толщину не менее чем 100 мкм, включающий в себя стадии:
образования на расположенной снизу подложке (1) маски (3), в которой островные или полосчатые покрывающие части, имеющие ширину или диаметр Ds от 10 до 100 мкм, располагают с интервалом Dw от 250 до 2000 мкм;
5/3
выращивания нитридного полупроводникового кристалла (5) на указанной расположенной снизу подложке (1) способом HVPE при температуре выращивания от 1040 до 1150°C, с помощью введения газообразного исходного материала элемента III группы и газообразного исходного материала элемента V группы, для которых отношение элемента группы V к элементу группы III R устанавливают от 1 до 10, и газа, содержащего железо; и
удаления указанной расположенной снизу подложки (1).
2. Способ производства полуизолирующей нитридной полупроводниковой подложки по п.1, в котором
5/3
указанный нитридный полупроводниковый кристалл (5), имеющий по существу плоскую кристаллическую поверхность, за исключением указанной покрывающей части, выращивают, устанавливая отношение элемента группы V к элементу группы III R от 1 до 5 и устанавливая температуру выращивания от 1090 до 1150°C.
5/3
3. Способ производства полуизолирующей нитридной полупроводниковой подложки по п.1, в котором указанный нитридный полупроводниковый кристалл (5), имеющий фасет (5f), чья нижняя часть расположена в указанной покрывающей части, а пик расположен в положении, промежуточном между смежными указанными покрывающими частями, выращивают устанавливая отношение элемента группы V к элементу группы III R от 1 до 10 и устанавливая температуру выращивания от 1040 до 1070°C.
5
4. Нитридная полупроводниковая подложка, имеющая удельное сопротивление не менее чем 1·10 Ом·см, толщину не менее чем 100 мкм, и радиус кривизны деформации не меньше, чем 3 м, содержащая:
островную или полосчатую дислокационно-концентрированную кристаллическую область (5h, 5h), имеющую диаметр или ширину Ds от 10 до 100 мкм и повторяющуюся с интервалом Dw от 250 до 2000 мкм;
дислокационно-объединенную кристаллическую область роста фасета (5z, 5z), повторяющимся образом расположенную между смежными указанными дислокационно-концентрированными кристаллическими областями (5h, 5h), и
дислокационно-объединенную кристаллическую область роста С-грани (5y), расположенную между указанными дислокационно-объединенными кристаллическими областями роста фасета (5z, 5z).
5. Нитридная полупроводниковая эпитаксиальная подложка, имеющая радиус кривизны деформации не менее чем 3 м, содержащая:
5
полуизолирующую нитридную полупроводниковую подложку (5s), включающую в себя островную или полосчатую дислокационно-концентрированную кристаллическую область (5h, 5h), имеющую диаметр или ширину Ds от 10 до 100 мкм и повторяющуюся с интервалом Dw от 250 до 2000 мкм, дислокационно-объединенную кристаллическую область роста фасета (5z, 5z), повторяющимся образом расположенную между смежными указанными дислокационно-концентрированными кристаллическими областями (5h, 5h) и дислокационно-объединенную кристаллическую область роста С-грани (5y), расположенную между указанными дислокационно-объединенными кристаллическими областями роста фасета (5z, 5z) и имеющую удельное сопротивление не меньше, чем 1·10 Ом·см и толщину не меньше, чем 10 мкм; и
нитридный полупроводниковый эпитаксиальный слой (202, 204), предусмотренный на указанной полуизолирующей нитридной полупроводниковой подложке (5s).
6. Полевой транзистор, содержащий:
5
полуизолирующую нитридную полупроводниковую подложку (5s), включающую в себя островную или полосчатую дислокационно-концентрированную кристаллическую область (5h, 5h), имеющую диаметр или ширину Ds от 10 до 100 мкм и повторяющуюся с интервалом Dw от 250 до 2000 мкм, дислокационно-объединенную кристаллическую область роста фасета (5z, 5z), повторяющимся образом расположенную между смежными указанными дислокационно-концентрированными кристаллическими областями (5h, 5h) и дислокационно-объединенную кристаллическую область роста С-грани (5y), расположенную между дислокационно-объединенными кристаллическими областями роста фасета (5z, 5z) и имеющую удельное сопротивление не меньше, чем 1·10 Ом·см;
нитридный полупроводниковый эпитаксиальный слой (202, 204), предусмотренный на указанной полуизолирующей нитридной полупроводниковой подложке (5s); и
электрод затвора 208, электрод истока 206 и электрод стока 207, предусмотренный на указанном нитридном полупроводниковом слое (202, 204), и
указанный электрод затвора 208, сформированный на кристаллической области, отличной от указанной дислокационно-концентрированной кристаллической области (5h).