СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЛОЕВ С ОПТИЧЕСКИМ ЭФФЕКТОМ

1. Способ получения слоя с оптическим эффектом (OEL) на подложке (x10), причем OEL содержит орнамент, выполненный из по меньшей мере двух областей, выполненных из единственного нанесенного и отвержденного слоя, отличающийся тем, что способ включает этапы:
a) нанесения, предпочтительно с помощью процесса печати, на подложку (x10) отверждаемой под воздействием излучения композиции для покрытия, содержащей несферические магнитные или намагничиваемые частицы, с образованием слоя (x20) покрытия, причем слой покрытия находится в первом состоянии, причем указанное первое состояние представляет собой жидкое состояние;
b)-b1) подвергания слоя (x20) покрытия воздействию магнитного поля первого устройства (x31), генерирующего магнитное поле, с ориентированием по меньшей мере части несферических магнитных или намагничиваемых частиц,
b2) по меньшей мере частичного отверждения одной или более первых областей слоя (x20) покрытия во второе состояние с фиксированием несферических магнитных или намагничиваемых частиц в их принятых положениях и ориентациях; причем по меньшей мере частичное отверждение осуществляют путем облучения светодиодным источником (x41) актиничного излучения с по меньшей мере частичным отверждением одной или более первых областей слоя (x20) покрытия, и вследствие чего одна или более вторых областей слоя (x20) покрытия не подвержены воздействию облучения,
при этом этап b2) осуществляют частично одновременно с этапом b1) или после него, предпочтительно частично одновременно с ним; и
c) по меньшей мере частичного отверждения одной или более вторых областей слоя (x20) покрытия с фиксированием несферических магнитных или намагничиваемых частиц в их принятых положениях и ориентациях в одной или более вторых областях; причем отверждение осуществляют с помощью источника излучения, при этом этап c) осуществляют после этапа b2);
при этом этап c) состоит из двух следующих этапов:
c1) подвергание слоя (x20) покрытия воздействию магнитного поля либо первого устройства (x31), генерирующего магнитное поле, либо второго устройства (x32), генерирующего магнитное поле, с ориентированием по меньшей мере части несферических магнитных или намагничиваемых частиц; и
c2) этап по меньшей мере частичного отверждения одной или более вторых областей слоя (x20) покрытия с фиксированием несферических магнитных или намагничиваемых частиц в их принятых положениях и ориентациях в одной или более вторых областях; причем отверждение осуществляют с помощью источника излучения,
при этом указанный этап c2) осуществляют частично одновременно с указанным этапом c1) или после него, предпочтительно частично одновременно с ним;
при этом светодиодный источник (x41) актиничного излучения содержит матрицу индивидуально адресуемых эмиттеров актиничного излучения,
при этом актиничное излучение проецируют на слой (x20) покрытия для образования одного или более проецируемых изображений, и
при этом актиничное излучение светодиодного источника (x41) актиничного излучения проецируют с помощью проецирующего средства (x50) на слой (x20) покрытия при уменьшении размера одного или более проецируемых изображений источника (x41) актиничного излучения.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что матрица индивидуально адресуемых эмиттеров актиничного излучения представляет собой линейную матрицу или двумерную матрицу индивидуально адресуемых эмиттеров актиничного излучения.
3. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что светодиодный источник (x41) актиничного излучения представляет собой источник излучения в УФ и видимой области.
4. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что этап c) или c2) осуществляют путем облучения светодиодным источником (x41-1) актиничного излучения, содержащим матрицу индивидуально адресуемых эмиттеров актиничного излучения, как на этапе b2), или другим светодиодным источником (x41-2) актиничного излучения, содержащим матрицу индивидуально адресуемых эмиттеров актиничного излучения.
5. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что актиничное излучение светодиодного источника (x41) актиничного излучения проецируют с помощью проецирующего средства (x50) на слой (x20) покрытия при уменьшении размера одного или более проецируемых изображений источника (x41) актиничного излучения.
6. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что индивидуально адресуемые эмиттеры актиничного излучения адресуют согласно одному или более растровым рисункам.
7. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что актиничное излучение с помощью светодиодного источника (x41) актиничного излучения, содержащего матрицу индивидуально адресуемых эмиттеров актиничного излучения, проецируют на подложку (x10), несущую слой (x20) покрытия, причем указанная подложка (x10), несущая слой (x20) покрытия, находится в движении относительно светодиодного источника (x41) актиничного излучения.
8. Способ по п. 7, отличающийся тем, что светодиодный источник (x41) актиничного излучения содержит матрицу индивидуально адресуемых эмиттеров актиничного излучения, представляющую собой двумерную матрицу индивидуально адресуемых эмиттеров актиничного излучения, и при этом актиничное излучение проецируют на подложку (x10), несущую слой (x20) покрытия, таким образом, что одно или более проецируемых изображений синхронно следуют за движением подложки (x10).
9. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что этап b1) осуществляют с помощью первого устройства (x31), генерирующего магнитное поле, а этап c1) осуществляют с помощью второго устройства (x32), генерирующего магнитное поле, причем рисунок линий магнитного поля указанного второго устройства (x32), генерирующего магнитное поле, отличается от рисунка линий магнитного поля первого устройства (x31), генерирующего магнитное поле, или
при этом этап b1) осуществляют с помощью первого устройства (x31), генерирующего магнитное поле, а этап c1) осуществляют с помощью того же первого устройства (x31), генерирующего магнитное поле, при этом указанные этапы b1) и c1) осуществляют в двух отличных областях указанного первого устройства (x31), генерирующего магнитное поле, причем указанные две области имеют отличный рисунок линий магнитного поля.
10. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что одна или более первых областей слоя (x20) покрытия независимо имеют форму знака, и/или одна или более вторых областей слоя (x20) покрытия независимо имеют форму знака.
11. Устройство для получения слоя с оптическим эффектом (OEL) на подложке (x10), причем указанный OEL содержит орнамент, выполненный из по меньшей мере двух областей, выполненных из единственного нанесенного и отвержденного слоя, отличающееся тем, что указанное устройство содержит:
i) печатающий блок, выполненный с возможностью нанесения на подложку (x10) отверждаемой под воздействием излучения композиции для покрытия, содержащей несферические магнитные или намагничиваемые частицы, с образованием слоя (x20) покрытия,
ii) по меньшей мере первое устройство (x31), генерирующее магнитное поле, и необязательно второе устройство (x32), генерирующее магнитное поле, выполненные с возможностью ориентирования по меньшей мере части несферических магнитных или намагничиваемых частиц слоя (x20) покрытия, и
iii) один или более светодиодных источников (x41) актиничного излучения, содержащих матрицу индивидуально адресуемых эмиттеров актиничного излучения, выполненных с возможностью селективного отверждения одной или более областей слоя (x20) покрытия,
при этом один или более светодиодных источников (x41) актиничного излучения содержат проецирующее средство (x50), выполненное с возможностью проецирования актиничного излучения от одного или более светодиодных источников (x41) актиничного излучения на слой (x20) покрытия, и при этом указанные один или более светодиодных источников (x41) актиничного излучения и указанное проецирующее средство (x50) расположены таким образом, что актиничное излучение проецируется на слой (x20) покрытия при уменьшении размера одного или более проецируемых изображений одного или более светодиодных источников (x41) актиничного излучения.
12. Устройство по п. 11, отличающееся тем, что матрица индивидуально адресуемых эмиттеров актиничного излучения представляет собой линейную матрицу или двумерную матрицу индивидуально адресуемых эмиттеров актиничного излучения.
13. Устройство по п. 11 или 12, отличающееся тем, что устройство дополнительно содержит:
iv) одно или более магнитных устройств, выполненных с возможностью осуществления двухосного ориентирования.
14. Устройство по любому из пп. 11–13, отличающееся тем, что устройство дополнительно содержит:
v) транспортирующее средство, выполненное с возможностью транспортировки подложки (x10), несущей слой (x20) покрытия, на близком расстоянии от светодиодных источников (x41) актиничного излучения.
15. Устройство по любому из пп. 11–14, отличающееся тем, что устройство дополнительно содержит:
vi) устройство для переноса, выполненное с возможностью одновременного перемещения подложки (x10), несущей слой (x20) покрытия, с первым устройством (x31), генерирующим магнитное поле, и необязательным вторым устройством (x32), генерирующим магнитное поле.