УСТРОЙСТВА, ОСНОВАННЫЕ НА ИЗБИРАТЕЛЬНО ЭПИТАКСИАЛЬНО ВЫРАЩЕННЫХ МАТЕРИАЛАХ III-V ГРУПП

Структура интегральной микросхемы, включающая:
подложку, включающую монокристаллический кремний;
изолирующий слой на подложке, где указанный изолирующий слой содержит кремний и кислород и где в изолирующем слое выполнена канавка, открывающая поверхность монокристаллического кремния подложки;
первый буферный слой в канавке и на поверхности монокристаллического кремния подложки, где первый буферный слой содержит индий и фосфор;
второй буферный слой в канавке и на первом буферном слое, где второй буферный слой содержит индий, галлий, мышьяк и сурьму; и
слой канала устройства на втором буферном слое, где слой канала устройства содержит индий, галлий и мышьяк, причем слой канала устройства имеет верх и боковые стенки.