ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ТПТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Переключающий тонкопленочный транзистор (ТПТ), включающий затвор, сток, исток, полупроводниковый слой и четвертый электрод, причем сток соединяется с первым сигналом, затвор соединяется с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ, исток выводит первый сигнал, когда ТПТ включается, четвертый электрод и затвор соответственно расположены на двух сторонах полупроводникового слоя, и четвертый электрод является проводящим и выборочно соединяется с напряжениями разного уровня.
2. Переключающий ТПТ по п. 1, отличающийся тем, что затвор и четвертый электрод соединяются с напряжением высокого уровня, когда ТПТ включается.
3. Переключающий ТПТ по п. 2, отличающийся тем, что уровень напряжения четвертого электрода идентичен уровню напряжения затвора.
4. Переключающий ТПТ по п. 2, отличающийся тем, что уровень напряжения четвертого электрода отличается от уровня напряжения затвора.
5. Переключающий ТПТ по п. 1, кроме того, включающий пассивирующий слой и подзатворный слой между затвором и полупроводниковым слоем, причем сток и исток расположены между полупроводниковым слоем и пассивирующим слоем, четвертый электрод расположен на пассивирующем слое; когда переключающий ТПТ отключается, затвор соединяется с напряжением низкого уровня, четвертый электрод соединяется с напряжением высокого уровня, чтобы отвести накопившиеся электроны со стороны затвора в полупроводниковом слое, и после этого соединяется с напряжением низкого уровня.
6. Переключающий ТПТ по п. 5, отличающийся тем, что уровень напряжения четвертого электрода идентичен уровню напряжения затвора, когда четвертый электрод соединяется с напряжением низкого уровня.
7. Переключающий ТПТ по п. 5, отличающийся тем, что уровень напряжения четвертого электрода отличается от уровня напряжения затвора, когда четвертый электрод соединяется с напряжением низкого уровня.
8. Переключающий ТПТ по п. 1, кроме того, включающий пассивирующий слой и подзатворный слой на затворе, причем сток и исток расположены между подзатворным слоем и полупроводниковым слоем, четвертый электрод расположен на полупроводниковом слое, пассивирующий слой окружает четвертый электрод; когда переключающий ТПТ отключается, затвор соединяется с напряжением низкого уровня, и четвертый электрод заземляется, чтобы отвести накопившиеся электроны со стороны затвора в полупроводниковом слое.
9. Переключающий ТПТ по п. 1, отличающийся тем, что первый сигнал является контрольным сигналом, и исток соединен с проверяемой линией сканирования или линией данных.
10. Способ изготовления переключающего ТПТ, включающий
формирование затвора, соединяющегося с управляющим сигналом, чтобы управлять включением и отключением переключающего ТПТ, и подзатворного слоя на подложке по очереди;
формирование полупроводникового слоя на подзатворном слое;
формирование стока, соединяющегося с первым сигналом, и истока на полупроводниковом слое и закрывание полупроводникового слоя пассивирующим слоем и
формирование четвертого электрода на пассивирующем слое, причем четвертый электрод выборочно соединяется с разными уровнями напряжения.
11. Способ изготовления переключающего ТПТ, включающий
формирование затвора, соединяющегося с управляющим сигналом для управления включением или отключением ТПТ, и подзатворного слоя на подложке по очереди;
формирование стока, соединяющегося с первым сигналом, и истока на подзатворном слое;
формирование полупроводникового слоя на стоке и истоке в контакте с подзатворным слоем и
формирование четвертого электрода на полупроводниковом слое и закрывание окружения четвертого электрода пассивирующим слоем, причем четвертый электрод выборочно соединяется с разными уровнями напряжения.