УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННОЙ БОМБАРДИРОВКИ И СПОСОБ ЕГО ПРИМЕНЕНИЯ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖКИ

1. Устройство для ионной бомбардировки для очистки поверхности подложки, причем устройство включает в себя:
вакуумную камеру, которая имеет внутреннюю стенку, заключающую в себе полость для размещения подложки;
по меньшей мере один электрод, который размещен на грани внутренней стенки вакуумной камеры и который испускает электроны;
многочисленные аноды, которые принимают электроны от электрода, и которые размещены так, чтобы быть обращенными к электроду поперек подложки; и
многочисленные источники разрядной мощности, которые соотнесены с соответствующими анодами, причем каждый из источников разрядной мощности изолирован от вакуумной камеры и подает независимо регулируемые ток или напряжение на анод, который соответствует источнику разрядной мощности, для генерирования тлеющего разряда между анодом и электродом.
2. Устройство по п. 1, в котором по меньшей мере один электрод включает многочисленные электроды, которые размещены в положениях, которые соотнесены с соответствующими анодами.
3. Устройство по п. 1, в котором по меньшей мере один электрод включает удлиненную нить накаливания.
4. Устройство по п. 1, в котором каждый из анодов включает источник испаряемого материала для целей осаждения покрытия на поверхность подложки физическим осаждением из газовой фазы или химическим осаждением из газовой фазы, и источник испаряемого материала включает механизм генерирования магнитного поля для контроля разряда.
5. Устройство по п. 1, в котором каждый из анодов размещен на грани внутренней стенки вакуумной камеры, причем указанная грань обращена к электроду, и в котором аноды размещены в многочисленных положениях, расположенных в вертикальном направлении подложки, помещенной в вакуумную камеру.
6. Способ использования устройства для ионной бомбардировки по любому из пп. 1-5 для очистки поверхности подложки перед осаждением, причем подложка имеет продольное направление, и причем способ включает стадии, в которых:
размещают подложку в полости вакуумной камеры так, что подложка располагается между по меньшей мере одним электродом и анодами устройства для ионной бомбардировки;
генерируют тлеющий разряд между анодами и электродом при размещенной подложке для генерирования плазмы; и
регулируют по меньшей мере один параметр из тока разряда и напряжения разряда, подводимых каждым из источников разрядной мощности, для достижения однородной плотности генерированной плазмы в продольном направлении подложки.