СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОГЕННОГО P-N ПЕРЕХОДА НА ОСНОВЕ НАНОСТЕРЖНЕЙ ОКСИДА ЦИНКА

1. Способ получения гетерогенного p-n перехода на основе наностержней оксида цинка, включающий выращивание методом газофазного осаждения вертикально ориентированных и смыкающихся у основания наностержней оксида цинка на проводящей подложке из легированного кремния, с последующим осаждением на них оксида никеля до образования сплошного слоя на кончиках наностержней, отличающийся тем, что осаждение оксида никеля на наностержни оксида цинка проводят под углом к продольной оси наностержней оксида цинка, предотвращающим осаждение оксида никеля в основание наностержней.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение оксида никеля проводят электоронно-лучевым или магнетронным методом.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве легированного кремния берут кремний с удельным сопротивлением 0,1- 0,001 Ом·см.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что отношение длины к диаметру наностержней оксида цинка составляет 10-100.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что осаждение оксида никеля на наностержни оксида цинка проводят под углом к продольной оси наностержней, составляющем 10-70°.