СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО БУФЕРНОГО СЛОЯ GaP НА ПОДЛОЖКЕ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ПУЧКОВОЙ ЭПИТАКСИИ

Способ изготовления полупроводникового буферного слоя GaP на подложке кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии, отличающийся тем, что слой GaP формируется последовательным осаждением монослоев Ga и Ρ методом молекулярно-пучковой эпитаксии, обеспечивается поочередное периодическое взаимодействие поверхности подложки кремния с потоком молекул Ga и потоком молекул Р, приводит к подавлению возникновения антифазовых доменов и уменьшению количества точечных дефектов, что приводит к подавлению трехмерного островкового роста и формированию кристалла с гладкой поверхностью.