СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЛМАЗНОЙ СТРУКТУРЫ С АЗОТНО-ВАКАНСИОННЫМИ ДЕФЕКТАМИ

1. Способ получения алмазной структуры с азотно-вакансионными дефектами, включающий воздействие на очищенные детонационные наноалмазы физическим фактором, отличающийся тем, что очищенные детонационные наноалмазы спекают в камере при давлении 5-7 ГПа и температуре 750-1200°С в течение времени от нескольких секунд до нескольких минут, воздействуют на полученный порошок алмазных агрегатов излучением лазера с длиной волны менее 637 нм и отбирают алмазные агрегаты с высокой концентрацией NV дефектов по яркой характерной люминесценции в красной области спектра.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что концентрацию NV дефектов в алмазных агрегатах определяют по интенсивности сигналов электронного парамагнитного резонанса.