Развитие физико-химической концепции нанотехнологии ориентации жидких кристаллов

1

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ

РАЗВИТИЕ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКОЙ КОНЦЕПЦИИ НАНОТЕХНОЛОГИИ ОРИЕНТАЦИИ ЖИДКИХ КРИСТАЛЛОВ

Е.А. Коншина

Введение

Актуальность работы связана с интенсивным развитием оптических информационных технологий, в которых широко используются сегодня жидкие кристаллы (ЖК). Одним из важных технологических процессов в изготовлении всевозможных ЖК устройств, включая дисплеи, является технология создания однородной ориентации молекулярных осей ЖК по всему образцу. Жидкие кристаллы очень чувствительны к анизотропии поверхностных свойств ориентирующего слоя. Метод натирания полиимидных ориентирующих слоев для создания направления ориентации молекул ЖК, широко используемый в производстве ЖК-дисплеев, в том числе и большого размера, имеет ряд недостатков. Этот метод включает в себя нескольких стадий: нанесение слоев из жидких растворов, последующую их термическую обработку, а также стадию натирания поверхности для создания анизотропии. Генерация пыли и статического электричества в результате натирания полимера, которое в производственном процессе проводится на специальных машинах, является существенным недостатком этой технологии. Поэтому развитие альтернативных технологий получения ориентирующих слоев и создания анизотропии поверхностных свойств таких слоев представляет научный и промышленный интерес. Одним из известных альтернативных натиранию направлений генерации поверхностной анизотропии является фотохимический способ [1].

Другим направлением, в котором может быть получен ориентирующий слой и генерация угла подвеса директора, является технология химического осаждения паров (CVD-technology) с помощью плазмы [2, 3]. CVD-процесс получения ориентирующих слоев имеет ряд преимуществ по сравнению с традиционно используемыми технологиями. Этот метод основан на деструкции паров углеводородов в плазме тлеющего разряда и осаждении продуктов деструкции на подложки. Он не требует сложного вакуумного технологического оборудования и допускает его масштабирование. Широкий выбор относительно дешевого жидкого и газообразного углеводородного сырья, используемого для получения ориентирующих слоев, открывает большие возможности химической и физической модификации поверхностных свойств ориентирующих слоев в одном процессе. Ориентирующие слои, полученные CVD-технологией, представляют собой тонкие пленки аморфного гидрогенизированного углерода (a-C:H). В зависимости от условий получения в плазме они могут иметь полимероподобную (polymer-like carbon) или алмазоподобную (diamond-like carbon) структуру и свойства. В последние годы исследование свойств подобных ориентирующих слоев привлекает внимание наших корейских коллег [4-8]. Однако приоритет в развитии этого направления получения и исследования физико-химических свойств ориентирующих слоев на основе a-C:H принадлежит российским ученым [2,3, 9-19].

Способ получения ориентации нематических жидких кристаллов с помощью CVD-технологии

Для получения ориентирующих слоев, обеспечивающих гомогенную или планар-ную (направление директора параллельно поверхности) ориентацию нематических

жидких кристаллов (НЖК), был предложен оригинальный способ, основанный на СУВ-технологии [9]. Способ получения ориентирующих а-С:Н слоев включает в себя создание углеводородной плазмы тлеющего разряда и осаждение образующихся в плазме углеводородных радикалов на стеклянные подложки с прозрачным проводящим электродом. Слои осаждают на подложки, расположенные между анодом и катодом и находящиеся под отрицательным потенциалом, при углах наклона относительно оси системы в интервале 5-30° и температуре окружающей среды. Для получения ориентирующих слоев могут быть использованы любые газообразные и жидкие углеводороды, в том числе толуол, бензол, ацетилен и октан [2, 9, 10, 13]. Принципиальная схема устройства для получения ориентирующих слоев показана на рис 1.

Рис. 1. Принципиальная схема устройства для осаждения ориентирующих слоев

с помощью ОУй-технологии

Существенным преимуществом ориентирующих слоев, полученных СУВ-технологией, по сравнению с близкими им по химической природе полимерными слоями, является их химическая стойкость к воде и органическим растворителям, а также термическая стойкость. Слои а-С:Н, полученные из паров толуола при давлении 0.030.09 Па и подводимой мощности 1.6-2.0 Вт, были прозрачны в видимой области и имели показатель преломления 1,55-1,63 и коэффициент экстинкции менее 0, 03 на длине волны 632,8 нм [10].

Способ позволяет получать а-С:Н слои, ориентирующие НЖК гомеотропно (направление директора перпендикулярно поверхности). Для этого продукты деструкции углеводородов осаждают на изолированную подложку, что создает условия для процесса полимеризации в газовой фазе. Подложки заряжаются до потенциала анода, что исключает воздействие ионов в процессе формирования слоев. Полученные в этих условия слои обеспечивает стабильную гомеотропную ориентацию ЖК [10, 13, 16]

Для измерения угла наклона директора молекул ЖК (0) нами был использован оптический метод, основанный на определении характеристического угла ¥х, соответствующего положению локального экстремума в разности оптического пути для двух нормальных оптических мод. Угол наклона директора определяли путем записи пропускания света, падающего при различных углах поворота ячейки ¥ в интервале от +300 до -300. В качестве источника света был использован Не-Ые лазер с длиной волны 632.8 нм. ЖК ячейку помещали между скрещенными поляризаторами таким образом, чтобы ее оптическая ось лежала в плоскости вращения и составляла угол 45° с плоскостью поляризации падающего света. Угол ¥ определяли как среднее значение несколь-

I

к насосу

ких повторных измерении полученных обработкой кривых пропускания с

помощью компьютера. Зависимость 0 от приведенная на рис. 2, рассчитывали по формуле

sin 0 = ^

показатели преломления обыкновенного и необыкновенного лучей для

где no и п ЖК.

Рис. 2. Зависимость угла наклона директора ЖК © от характеристического угла ¥ для планарной ориентации ЖК смеси №1282

©град.

Мощность разряда. Вт

Рис. 3. Зависимость угла наклона директора © молекул ЦБ ЖК от мощности тлеющего разряда на постоянном токе для а-С:Н слоев, полученных из паров толуола

Особенностью а-С:Н слоев является их способность планарно ориентировать ЖК, обеспечивая близкие к нулю угол наклона директора. Это приводит к визуализации различного рода дефектов поверхности и влияет на качество ориентации. Увеличение мощности разряда не значительно повышает угол до 3,5° (рис. 3). Получению однородной планарной ориентации нематических и смектических ЖК способствует создание небольшого угла наклона директора молекул относительно подложки в отсутствии внешнего поля, приложенного к электродам. Искусственное создание регулярной текстуры поверхности электродного слоя на основе окислов индия и олова (In2Oз+SnO2) перед осаждением а-С:Н путем ее натирания в одном направлении привело к увеличению угла наклона директора до 7-14° и одновременно позволило улучшить однородность азимутальной ориентацией молекул [13].

Существенные изменения угла наклона директора и в целом характера ориентации молекул ЦБ были получены в результате обработки поверхности тонких слоев

а-С:Н после их получения с помощью плазмы кислорода. С увеличением времени экспозиции при постоянной мощности тлеющего разряда (4Вт мин) угол наклона директора скачкообразно изменялся от 2° до 90° и при дальнейшем воздействии оставался равным 90° [2]. Приготовленные таким образом слои вызывали гомеотропную ориентацию смеси на основе молекул цианобифенила (ЦБ). Это свидетельствует о кардинальном изменении механизма взаимодействия на границе ЦБ-а-С:Н, причиной которого является модификация физико-химического состояния ориентирующей поверхности в кислородной плазме.

Исследование микроструктуры поверхности ориентирующих тонких слоев

Микрорельеф поверхности тонких ориентирующих слоев а-С:Н, обеспечивающих планарную ориентацию ЖК, исследовался с помощью электронной микроскопии [11]. Эти исследования показали, что а-С:Н слои повторяют рельеф поверхности подложки. Наклонное расположение подложек не приводит к явно выраженной анизотропии рельефа поверхности а-С:Н слоев (рис. 4а), в отличие от слоев СеО, полученных косым напылением (рис. 4Ъ). Эти исследования показали, что в отличие от слоев СеО, в основе ориентации которых лежит анизотропно-упругая деформация молекул ЖК, планарная ориентация молекул ЖК с помощью слоев а-С:Н происходит в результате физико-химического взаимодействия.

Рис. 4. Микрофотографии поверхности косонапыленного слоя СеО

и слоя а-С:Н

Рис. 5. Микрофотографии поверхности а-С:Н, декорированной островковой пленкой Ад толщиной 50 А (50000х).

Как видно на рис. 5, поверхность а-С:Н слоев имеет электрический рельеф, который хорошо визуализируется методом декорирования [12]. Электрически активными центрами на поверхности а-С:Н являются отдельные п-связанные кластеры и их сегрегации размером от 2 нм до 40 нм. Структуру поверхности а-С:Н можно представить как «архипелаг островков», состоящий из отдельных п-кластеров и их сегрегаций, в которых п-электроны делокализованы. Между ними находится электрически неактивное

пространство (рис. 5а). Промежуточные области между частицами серебра на поверх-

3

ности а-С:Н соответствуют структурам, содержащим СН, СН2 и СН3 группы в Бр состоянии, которые способствуют локализации отдельных п-кластеров. В тонких слоях а-С:Н (рис. 5а) расстояние между отдельными частицами серебра изменялось от 3 до 30 нм. При увеличении толщины а-С:Н слоя до ~120нм расстояние между декорирующими частицами уменьшилось до 2-6 нм (рис.5Ь), что можно объяснить влиянием объемных свойств на электрический рельеф поверхности.

Результаты микроскопических исследований поверхности а-С:Н слоев свидетельствуют о наличии электрически активной наноструктуры поверхности ориентирующих пленок. Отсутствие явно выраженной анизотропии слоев при наличие ориентирующих свойств позволяют сделать предположение о действии сил дисперсионной природы на границе раздела фаз ЖК - а-С:Н, связанных с присутствием п-связанных углеродных кластеров. Следует заметить, что не было обнаружено никаких существенных различий между ориентирующими а-С:Н слоями, полученными при наклонном и нормальном расположении подложек в плазме.

Исследование ориентации НЖК на поверхности а-С:Н слоев методом многократного нарушенного полного внутреннего отражения

Метод ИК спектроскопии полного внутреннего отражения (ПВО) дает не только информацию о химическом составе и структуре поверхности твердого тела, но и об адсорбированных на ней молекулах. Поэтому этот метод интересен не только для исследования особенности структуры ориентирующей поверхности, но и структуры ориентированного тонкого слоя ЖК на границе с ней. В случае ПВО электромагнитное поле, взаимодействующее с поглощающей средой, существует у отражающей поверхности в трех измерениях, а измерение потерь отражения дает информацию об анизотропии среды. Для исследования планарной и гомеотропной ориентации НЖК на основе ЦБ с помощью ориентирующих слоев а-С:Н, полученных СУО-технологией, мы использовали метод многократного нарушенного ПВО [13-16].

Для измерений была собрана ЖК ячейка типа сэндвич толщиной ~10 мкм, состоящая из германиевой призмы (элемент МНПВО) и плоской стеклянной пластины (рис. 6а). Призма давала 12 отражений при угле падения 45°. В ориентированной тонкой пленке НЖК преимущественное направление осей молекул для планарной ориентации параллельно оси У, а для гомеотропной ориентации параллельно оси Ъ (рис.6Ь).

Механизмы межмолекулярного взаимодействия на границе раздела фаз «ориентирующая поверхность - ЦБ» в рассмотренных случаях обусловлены особенностями молекулярной структуры этих слоев. Планарная ориентация ЦБ на поверхности слоя а-С:Н связана с взаимодействием бифенильных колец молекул с п-связанными кластерами на поверхности ориентирующего слоя, что заставляет директор ЖК ориентироваться параллельно оси У. Природа сил, действующих в этом случае, имеет дисперсионный характер и связана с коллективными взаимодействиями п-электронов бифенильных колец и п-кластеров на поверхности. Исследования структуры а-С:Н слоев с помощью ИК спектроскопии МНПВО [14, 15] позволяют предположить, что гомео-тропная ориентация обусловлена взаимодействием концевых алкильных групп молекул

ЦБ с СН3 концевыми группами, входящими в структуру ориентирующего слоя

(рис. 66).

Рис 6. а) ЖК-ячейка на базе элемента МНПВО для измерения ИК спектров; Ь) расположение бифенильного ядра молекул ЦБ для случая планарной

и гомеотропной (п || 2) ориентации

На рис. 7 приведены ИК спектры для -(Я^) и ^-поляризации (Яр) в случае планарной (а) и гомеотропной (Ь) ориентации ЦБ ЖК на поверхности а-С:Н слоев, записанные в интервале частот 4000-900см-1 на спектрофотометре РЕ-621 с приставкой МНПВО.

Рис. 7. Поляризационные ИК спектры МНПВО тонких ЦБ пленок, ориентированных планарно (а) и гомеотропно (Ь) с помощью слоев, полученных ОУй технологией

В спектроскопии МНПВО величина измеренного отражения равна Я =

где N - число отражений, а - коэффициент поглощения, йе - эффективная толщина. Дихроичное отношение ИК полос поглощения молекул ЦБ рассчитывали как отношение коэффициента поглощения ИК излучения для ¿"-поляризации (а$) к коэффициенту поглощения для р-поляризации (ар). При угле падения ИК излучения в=45° глубина проникновения излучения йер = 2йе5,, а дихроичное отношение равно

а /а = 2

а 8/ар = (1 - (3) Глубину проникновения ИК излучения рассчитывали по формуле

^р =-^-^ ,

2п(Б1П2 р- п^/2

где длина волны ^ = п и показатель преломления П21 = »2/п1. В нашем случае щ = 4.0 (показатель преломления Ое), а п2=1.6 (показатель преломления ЖК смеси ЦБ). Параметр ориентационного порядка £ определяли по формуле \БР - 2БЛ

£ = Ьр-^,

Бр + 2Б£

где Бр и П£ - оптические плотности в полосах поглощения спектра МНПВО для р- и 5-поляризации ИК излучения. В идеальном монокристалле П£ = 0 и £ = 1. Для планарно-ориентированных молекул ЦБ на поверхности а-С:Н величина £ соответствовала 0.63^0.68. В случае гомеотропной ориентации пленок ЦБ на поверхности слоя а-С:Н £=0.43-0.45.

Наибольшая величина дихроичного отношения наблюдается для полос, которые колеблются вдоль направления электрического вектора падающего ИК излучения. Дихроичные отношения полос поглощения и степень ориентационного порядка в тонких пленках НЖК были рассчитаны с помощью спектров, приведенных на рис. 7 для случая параллельной ориентации ЦБ на поверхности слоя а-С:Н Наибольшие значения дихроичного отношения, равного 4.3-5.3, наблюдали для полос поглощения, соответствующих колебаниям С^К связи (2220 ем" ), а также С-С связей в фенильном (1610см- и 1500см ) и бифенильных (1240 см- ) кольцах. Направления колебаний этих молекулярных связей параллельны директору НЖК. При гомеотропной ориентации ЦБ на поверхности слоя отношение для тех же самых полос а £ / а р <1 [15].

Энергия межфазного взаимодействия на границе твердое тело - жидкий кристалл

Для исследования взаимодействия на границе «ЖК - твердое тело» были сделаны оценки поверхностной энергии слоев а-С:Н по результатам измерений краевых углов смачивания 9 [13,17-19]. При расчете поверхностной энергии был использован подход, согласно которому полярные компоненты поверхностной энергии могут быть представлены электронно-донорными и электронно-акцепторными центрами одной фазы. Количественно это выражается в виде значений у' и у+ в единицах поверхностной энергии. Эти взаимодействия относят к короткодействующим силам, которые можно описать уравнением

у ж = 2

Вещества, не имеющие у+ и у-, т.е. не содержащие полярные группы, называют неполярными, и при их взаимном контакте узя=0. Неполярная компонента включает взаимодействия, охватывающие дисперсионные, ориентационные и индукционные си-

лы согласно теории Лифшица-Ван-дер-Ваальса (yLw)• Основное уравнение, связывающие полярные и неполярные взаимодействия со значением краевого угла 9 на тройственной границе твердое тело-жидкость-газ, имеет следующий вид:

индексы Ь и £ обозначают жидкую и твердую фазу, соответственно. Суммарная поверхностная энергия для любой фазы равна

Г = Гьш + Узк •

Неизвестные компоненты поверхностной энергии твердого тела уЬ№, У+ и у" определяли путем расчета 9расч в заданных границах уЬ^=20-50 мДж/м2, у+=0-30 мДж/м2 и у"=0-40 мДж/м для каждой жидкости. Далее 9расч сравнивали с 9изм и выбирали минимальное значение функции качества ¥:

¥ = ум £ [9р аСч "9'изм ]2 ,

где г - номер жидкости для угла 9'изм , М - общее число применяемых жидкостей. ¥ является критерием точности экспериментального определения 9изм и правильности расчета компонент поверхностной энергии.

Кроме планарно (а-С:Н) и гомеотропно (РРО) ориентирующих слоев нами были исследованы также параметры поверхностной энергии слоя поливинилового спирта (РУЛ), который наносили на поверхность полированных стеклянных подложек методом центрифугирования раствора. Следует отметить, что наименьшие краевые углы для ЦБ были получены на слоях а-С:Н, что свидетельствует о более сильном сцеплении на границе раздела фаз в этом случае [19]. Величина энергии межфазного взаимодействия ЦБ возрастет с увеличением поверхностной энергии твердого тела ув, как показано на рис. 8.

а-С:Н

75, МДЖ М'

Рис. 8. Зависимость энергии межфазного взаимодействия на границе »ЖК - твердое тело» у3|_С от поверхностной энергии у3 для стекла, пленок I п20з -Эп02 (1Т0), НЮ2 и ориентирующих слоев РУД, а-С:Н и РРО

Анализируя результаты, приведенные на рис. 8, и характер ориентационного взаимодействия исследуемых поверхностей с ЦБ ЖК [13], можно отметить следующие особенности. Чистая поверхность стеклянной подложки имеет наименьшее значения

Хаотическая ориентация молекул ЖК в случае уз > уьс свидетельствует о слабом взаимодействии на границе ЦБ-стекло. Осаждение на поверхность стекла прозрачного проводящего электрода 1ТО привело к росту уэьс до значения 6.6 мДж/м . В этом случае повышение у8ьс по сравнению с полированной стеклянной подложкой может быть вызвано действием сил упругой деформации между ЖК и шероховатой поверхностью этого слоя. Полировка поверхности 1ТО батистом вызывала существенное понижение энергии узьс до величины 1.1 мДж/м2. Нанесение на поверхность 1ТО дополнительного диэлектрического слоя окисла НГО2, имеющего, как и электродный слой, поликристаллическую структуру, приводило к незначительному росту величины узьс до 7.5 мДж/м .

Значения энергии межфазного взаимодействия ЦБ с поверхностью ориентирующих слоев РРО, РУЛ, и а-С:Н, имеющих органическую природу, были равны 6.4, 8.4 и 16.7 мДж/м2, соответственно. Наименьшее величина узьс соответствует РРО слою, ориентирующему молекулы ЦБ гомеотропно. Наибольшая величина энергии взаимодействия соответствует слою а-С:Н, который ориентирует молекулы ЦБ планарно с углом наклона близким к нулю градусов. Слой РУЛ параллельно ориентирующий молекулы ЦБ с углом наклона ~10 имеет промежуточное значение узьс. Оценка величины энергии межфазного взаимодействия дает количественную характеристику физико-химического взаимодействия на границе раздела фаз.

Заключение

Полученные результаты исследования ориентации ЖК с использованием СУО технологии являются научным заделом для проведения фундаментальных и прикладных исследований в области развития основ нанотехнологии ориентации нематических и смектических жидких кристаллов для различных ЖК устройств, включая дисплеи. В качестве основных задач таких исследований предполагается:

• проведение оригинальных комплексных экспериментальных и теоретических исследований в области физики конденсированных сред с использованием новейших оптических методов;

• изучения физико-химического нанорельефа поверхности ориентирующих тонких слоев а-С:Н;

• исследование природы взаимодействия жидких кристаллов с нанорельефом поверхности а-С:Н;

• исследование влияния физико-химических свойств поверхности а-С:Н на ориентацию жидких кристаллов и электрооптические характеристики ЖК устройств.

В результате проведения комплексных исследований ожидается получение ряда оригинальных результатов:

• развитие фундаментальных представлений о наноструктуре тонких слоев а-С:Н толщиной от 10 до 100 нм с алмазоподобной и полимероподобной структурой;

• оценка эффективности генерации анизотропии наноструктуры поверхности а-С:Н различными способами;

• создание теория физико-химического взаимодействия ЖК с наноструктурой поверхности аморфных углерода;

• получение экспериментальных зависимостей электрооптических свойств ЖК устройств от характера физико-химического взаимодействия на границе раздела «твердое тело - ЖК»;

• создание научной базы для разработки нанотехнологии ориентации нематических и смектических ЖК на основе СУО процесса для изготовления ЖК устройств.

Развитие физико-химической концепции нанотехнологии ориентации жидких кристаллов направлено на разработку нанотехнологии ориентации ЖК с использовани-

ем CVD технологии. Результаты исследования наноструктуры поверхности а-С:Н и влияния на нее процессов синтеза и последующей обработки поверхности будут иметь приоритетный характер. Реализация проекта будет способствовать повышению эффективности и конкурентоспособности производства ЖК устройств на мировом уровне.

Литература

1. O'Neill M., S.M. Kelly. Photoinduced surface alignment for liquid crystal displays. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. V. 33. R67-R84.

2. Коншина Е.А. Взаимодействие между нематическим жидким кристаллом и аморфными углеводородными ориентирующими слоями. // Кристаллография. 1995. Т.40. №6. 1074-1076.

3. E.A. Konshina. Alignment of nematic ^s on the surface of amorphous hydrogenated carbon. // Proc. SPIE. 1995. Vol. 2731. 20-24.

4. Ahn H.J., Rho S.J., Kim K.C., Kim J.B., Hwang B.H., Park C.J., Baik H.K. Ion-beam induced liquid crystal alignment on diamond-like carbon and fluorinated diamond-like carbon thin films.// Jap. J. of Appl. Phys. Part 1. 2005. V. 44. № 6A. 4092-4097.

5. C.J. Park, J.Y. Hwang, H.K. Kang, D.S. Seo, H.J. Ahn, J.B. Kim, K.C. Kim, H.K. Baik. Liquid crystal alignment effects and electro optical performances of twisted nematic-liquid crystal display using ion-beam alignment method on nitrogen-doped diamond like carbon thin film layer. // Jap. J. of Appl. Phys. 2005. V. 44. № 3. 1352-1355.

6. Jo Y.-M., Hwang J.-Y., Seo D.-S., Rho S.-J., Baik H.-K. Liquid crystal aligning capabilities and eo characteristics of the TN-LCD with ion-beam exposure on a new diamond-like carbon thin film layer. // Mol. Cryst. & Liq. Cryst. 2004. V. 410. 319-327.

7. Hwang J.-Y., Jo Y.-M., Seo D.-S. Jang J. Liquid crystal alignment capability by the UV alignment method in a-C:H thin films. // Jap. J. of Appl. Phys., Part 2: Letters. 2003. V. 42, № 2A. L114-L116.

8. Rho S.J., Lee D.-K. , Baik H.K., Hwang J.-Y., Jo Y.-M., Seo D.-S. Investigation of the alignment phenomena using a-C:H thin films for liquid crystal alignment materials. Thin Solid Films. 2002. V. 420-421, 259-262.

9. Патент РФ №2073902 Коншина Е.А. (1997) Способ однонаправленной ориентации жидких кристаллов.

10. E.A. Konshina, V.A. Tolmachiev, A.I. Vangonen, and A.P. Onokhov. Novel alignment layers produced by CVD technique from hydrocarbon plasma. // Proc. SPIE. 1997. V. 3015. 52-60.

11. Исаев М.В., Коншина Е.А., Онохов А.П., Туровская Т.С. Влияние структуры поверхности конденсированных слоев на ориентацию жидких кристаллов. // ЖТФ. 1995. Т.65. № 10. 175-179.

12. Коншина Е.А., Туровская Т.С. Исследование микроструктуры поверхности тонких слоев а-С:Н, ориентирующих жидкие кристаллы. // ЖТФ. 1998. Т.68. № 1. 106-108.

13. Коншина Е.А., Толмачев В.А., Вангонен А.И., Фаткулина Л.А. Исследование свойств плазменно-полимеризованных слоев и влияния их на ориентацию немати-ческих жидких кристаллов. // Оптический журнал. 1997. Т.64. №5. 88-95.

14. A.I .Vangonen, E.A..Konshina. ATR-IR spectroscopy study of NLC orientation at the plasma-polymerized layers surface. // Mol. Cryst.& Liq. Cryst. 1997. V.304, 507-512.

15. Коншина Е.А., Вангонен А.И. Исследование ориентации тонких пленок нематика методом ИК спектроскопии МНПВО. // Оптический журнал. 1998. Т.65. №7. 39-42.

16. Коншина Е.А., Толмачев В.А., Вангонен А.И. Гомеотропная ориентация нематиче-ского жидкого кристалла на поверхности плазменно-полимеризованного октана. // Кристаллография. 1998. Т.43. №1. 107-110.

17. Коншина Е.А., Толмачев В .А. Краевые углы и поверхностная энергия слоев аморфного гидрогенизированного углерода. // Коллоидный журнал. 1996. Т.58. №4. 489493.

18. Толмачев В.А., Коншина Е.А.. Оценка полярных компонентов при определении поверхностной энергии твердого тела. // Коллоидный журнал. 1998. Т.60. №4. 569573.

19. Толмачев В.А., Коншина Е.А. Оценка энергии взаимодействия на границе раздела «твердое тело - жидкий кристалл». // Оптический журнал. 1998. Т.65. №7. 34-38.