СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОРИСУНКА

1. Способ формирования нанорисунка, содержащий этапы, на которых:
a) предоставляют подложку, имеющую чувствительный к излучению слой на упомянутой поверхности подложки;
b) предоставляют подвижную наноструктурированную пленку,
c) обеспечивают контакт упомянутой наноструктурированной пленки с упомянутым чувствительным к излучению слоем на упомянутой подложке вдоль поверхности контакта;
d) распределяют излучение через упомянутый контакт при сдвиге подложки относительно упомянутой пленки.
2. Способ по п.1, в котором упомянутая наноструктурированная пленка вызывает модуляцию силы света в плоскости чувствительного к излучению слоя.
3. Способ по п.2, в котором упомянутая наноструктурированная пленка имеет поверхностный рельеф.
4. Способ по п.3, в котором упомянутая наноструктурированная пленка является маской со сдвигом фаз, которая заставляет излучение формировать интерференционный рисунок в упомянутом чувствительном к излучению слое.
5. Способ по п.2, в котором упомянутая наноструктурированная пленка изготавливается из конформного эластомерного материала.
6. Способ по п.2, в котором упомянутая наноструктурированная пленка изготавливается из нескольких слоев прозрачных гибких материалов.
7. Способ по п. 6, в котором наружный слой изготавливается из эластомерного материала.
8. Способ по п.6, в котором наружный слой изготавливается из силанового материала.
9. Способ по п.3, в котором упомянутый поверхностный рельеф изготавливается посредством формовки или литья из подложки наноструктурированного оригинала.
10. Способ по п.2, в котором упомянутая конформная наноструктурированная пленка является плазмонной маской.
11. Способ по п.10, в котором упомянутая плазмонная маска изготавливается из металлической пленки, имеющей матрицы нанодырок.
12. Способ по п.10, в котором упомянутая плазмонная маска изготавливается с использованием металлического слоя с нанорисунком, осажденного или ламинированного на прозрачной гибкой пленке.
13. Способ по п.10, в котором упомянутая плазмонная маска изготавливается посредством матрицы металлических наночастиц, осажденных на прозрачной гибкой пленке.
14. Способ по п.1, в котором упомянутый контакт между наноструктурированной пленкой и чувствительным к излучению слоем осуществляется с использованием подвижного рычага.
15. Способ по п.14, в котором упомянутый подвижный рычаг отходит от контакта в ходе фоточувствительного экспонирования слоя.
16. Способ по п.14, в котором упомянутый подвижный рычаг является цилиндром, и такой цилиндр вращается, будучи в контакте с наноструктурированной пленкой.
17. Способ по п.16, в котором упомянутый цилиндр имеет гибкие стенки и подвергается давлению газа.
18. Способ по п. 16, в котором источник света размещается внутри такого цилиндра.
19. Способ по п.1, в котором упомянутая подложка сдвигается в направлении к или от контактной линии упомянутой наноструктурированной пленки в ходе распространения излучения из упомянутого контактной линии.
20. Способ по п.1, в котором упомянутая наноструктурированная пленка перемещается в замкнутом контуре.
21. Способ по п.1, в котором упомянутая наноструктурированная пленка сдвигается рулон за рулоном.
22. Способ по п.1, в котором упомянутая подложка является жесткой пластиной.
23. Способ по п.1, в котором упомянутая подложка имеет кривизну.
24. Способ по п.1, в котором упомянутая подложка является гибкой пленкой.
25. Способ по п.1, в котором дополнительная наноструктурированная гибкая пленка и источник света предоставляются на другой стороне подложки, покрытой фоточувствительным слоем на обеих поверхностях, для формирования нанорисунка на обеих сторонах подложки.
26. Способ по п.1, в котором упомянутый чувствительный к излучению слой является жидким резистом с ультрафиолетовым отверждением.
27. Устройство для выполнения формирования нанорисунка, содержащее:
a) наноструктурированную пленку, и
b) источник излучения, который предоставляет излучение с длиной волны 650 нм или меньше через часть упомянутой наноструктурированной пленки в то время, когда упомянутая часть находится в контакте с чувствительным к излучению слоем материала.
28. Устройство по п. 27, в котором наноструктурированная пленка является полимером, имеющим поверхностный рельеф.
29. Устройство по п. 27, в котором наноструктурированная пленка является перфорированной металлической пленкой или полимерной пленкой с металлическими наночастицами.
30. Устройство по п. 27, в котором упомянутая наноструктурированная пленка имеет более, чем один слой.
31. Устройство по п. 27, в котором подвижный цилиндр предоставляется, чтобы управлять контактом наноструктурированной пленки с упомянутым чувствительным к излучению слоем.
32. Устройство по п. 31, в котором такой цилиндр подвергается давлению газа.
33. Устройство по п. 27, в котором упомянутая наноструктурированная пленка сконфигурирована для сдвига рулон за рулоном.
34. Устройство по п. 27, в котором упомянутая наноструктурированная пленка сконфигурирована для перемещения в замкнутом контуре.