КОНСТРУКЦИИ, ВКЛЮЧАЮЩИЕ МОЛЕКУЛЯРНЫЕ СТРУКТУРЫ С ВЫСОКИМ АСПЕКТНЫМ СООТНОШЕНИЕМ, И СПОСОБЫ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Способ изготовления конструкции, включающей молекулярные структуры с высоким аспектным соотношением (ВАСМ-структуры), отличающийся тем, что способ включает стадии:
- изготовления, по существу, плоской сети (2) из, по существу, случайным образом ориентированных ВАСМ-структур на подготовительной подложке (1), путем нанесения ВАСМ-структур на подготовительную подложку (1),
- приведения сети (2) на подготовительной подложке (1) в непосредственную близость с подложкой (3), имеющей отверстие (5) и более высокую поверхностную энергию, чем поверхностная энергия подготовительной подложки (1);
- перенесения сети (2) на подложку (3) так, что сеть (2) контактирует с подложкой (3) в периферийной области (4) отверстия (5) в подложке (3), а средняя часть сети (2) является незакрепленной на подложке (3); и
- удаления подготовительной подложки (1) с сети (2).
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что стадия приведения сети (2) на подготовительной подложке (1) в непосредственную близость с подложкой (3), имеющей отверстие (5) и более высокую поверхностную энергию, чем поверхностная энергия подготовительной подложки (1), включает нанесение сети (2) на подготовительную подложку (1), находящуюся в непосредственной близости с подложкой (3).
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что способ включает стадию:
помещения сети (2) на подложке (3) в поток газа, так, чтобы газ проходил через сеть (2) и через отверстие (5) в подложке (3), для осуществления модификации сети (2).
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что способ включает стадию:
нанесения жидкости на сеть (2) на подложке (3) так, чтобы жидкость впитывалась и покрывала сеть (2).
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что жидкость представляет собой растворитель, с растворенным в нем веществом.
6. Способ по любому из пп. 1-5, отличающийся тем, что способ включает стадии:
- приведения сети (2), находящейся на подложке (3), в контакт с третичной подложкой (6), при этом поверхностная энергия третичной подложки (6) ниже, чем поверхностная энергия подготовительной подложки (1), и
- переноса сети (2) с подложки (3) на третичную подложку (6).