СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОМАШТАБИРОВАННОЙ САМОСОВМЕЩЕННОЙ ТРАНЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ

Способ изготовления самомасштабируемой самосовмещенной транзисторной структуры, включающей формирование на подложке первого типа проводимости первого диэлектрического слоя, сплошного введения примеси второго типа проводимости через первый диэлектрический слой с последующим термическим отжигом для формирования коллекторной области, формирование на первом диэлектрическом слое первого слоя поликристаллического кремния, формирование на нем второго диэлектрического слоя, вскрытие окон во втором диэлектрическом слое для формирования щели под изолирующую область и контакт к подложке, травление в окне второго диэлектрического слоя, первого слоя поликристаллического кремния, первого диэлектрического слоя и частично подложки на глубину, равную области пространственного заряда, формирование на боковых стенках щели третьего диэлектрического слоя, формирование противоканальной области на дне щели, формирование в щели четвертого диэлектрического слоя, локальное удаление со дна щели под контакт к подложке третьего и четвертого диэлектрических слоев, заполнение щели вторым слоем поликристаллического кремния, планаризацию последнего до второго диэлектрического слоя, травление второго слоя поликристаллического кремния в щели на глубину равную второму диэлектрическому слою, локальное легирование контакта к подложке примесью первого типа проводимости, формирование пятого диэлектрнического слоя над вторым слоем поликристаллического кремния в щели, вскрытие окон во втором диэлектрическом слое на месте будущего контакта к коллекторной области и на месте будущих эмиттерной и базовой областями, между которыми расположен будущий контакт к базовой области, травление первого слоя поликристаллического кремния на половину его толщины, локальное травление первого слоя поликристаллического кремния на месте будущего контакта к коллекторной области до первого диэлектрического слоя, формирование на вертикальных стенках вытравленных окон шестого диэлектрического слоя, травление второго диэлектрического слоя, травление первого слоя поликристаллического кремния на месте будущего эмиттера и контакта к базовой области до первого диэлектрического слоя, травление со дна окон первого диэлектрического слоя, формирование гидридной эпитаксией полимокристаллического слоя, при этом во вскрытых окнах до кремния наращивается монокристаллический кремний, а над диэлектрическими и поликристаллическими слоями наращивается поликристаллический кремний, планаризацию поликристаллического слоя до пятого диэлектрического слоя, локальное легирование контакта к коллекторной области примесью второго типа проводимости, локальное легирование контакта к базовой области примесью первого типа проводимости, термический отжиг, локальное легирование базовой области и подлегирование контакта к ней примесью первого типа проводимости, локальное легирование эмиттерной области и подлегирование контакта к коллекторной области примесью второго типа проводимости, термический отжиг для формирования областей транзисторной структуры, формирование разводки транзисторной структуры силицидом тугоплавкого металла.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что глубина залегания эмиттерного n-p-перехода, меньше половины толщины первого слоя поликристаллического кремния.