Объемные и поверхностные свойства твердых растворов систем aiiibv-cds, AIIBVI-CdS

микроскопических и микроскопических исследований как твердые растворы замещения с кубической структурой сфалерита.

Установлены закономерности в изменениях с составом изученных объемных свойств: значений параметра (а), межплоскостных расстояний (dhkl) кристаллических решеток, рентгеновской плотности (pr), среднего размера (d^) и среднего числа наиболее представленных частиц.

Построены диаграммы состояний «свойство - состав», свидетельствующие о проявлениях как статистического, так и экстремального факторов.

На основе корреляций между ними и корреляций между d^, n^, найденных различными методами, предложен способ ориентировочного, более облегченного поиска новых материалов, пригодных для изготовления соответствующих сенсоров-датчиков.

Список литературы

1. Кировская И. А. Твердые растворы бинарных и многокомпонентных полупроводниковых систем. Омск.: ОмГТУ, 2010. 400 с.

2. Кировская И. А. Физико-химические свойства бинарных и многокомпонентных алмазоподобных полупроводников. Новосибирск: СО РАН, 2015. 367 с.

3. Kirovskaya I. A., Mironova E. V., Ushakov O. V., Deeva A. A., Yurieva A. V. Obtaining hetero- substituted semiconductor materials (ZnSe)X (CdS)i_X and their crystallochemical and structural properties // Procedia Engineering 2016. Т. 152. С. 681-688. DOI: 10.1016/j.proeng.2016.07.673.

4. Миркин С. Е. Справочник по рентгеноструктурному анализу. М.: Гос. физ.-мат. лит-ры, 1961. 863 с.

5. Горелик С. С. Расторгуев Л. Н. Скаков Ю. А. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. М.: Металлургя, 1970. 107 с.

6. Смыслов Е. Ф. Экспрессный рентгеновский метод определения периода решетки нанокристаллических материалов // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2006. Т. 72, № 5. С. 33-35.

7. Goldstein J. I., Newbury D. E., Echlin P. and [et. al.]. Scanning Electron Microscopy and X-Ray Microanalysis, Plenum Press, New York, 1981. 303 p.

8. West A. R. Solid State Chemistry and Its Applications. Part I. Chichester // John Wiley. 1984. 734 p.

9. Kirovskaya I. A., Mironova E. V., Kosarev B. A., Nor P. E., Bukashkina T. L. Bulk and surface properties of ZnTe-ZnS system semiconductors // Russian Journal of Physical Chemistry A. 2016. Т. 90, № 10. С. 2029-2034.

DOI: 10.1134/S0036024416100174.

УДК 541.183+541.123.2+546.681.19

ОБЪЕМНЫЕ И ПОВЕРХНОСТНЫЕ СВОЙСТВА ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ СИСТЕМ AmBV-CdS, AIIBVI-CdS

VOLUME AND SURFACE PROPERTIES OF SOLID SOLUSHIONS OF SYSTEMS AnIBV-CdS, AIIBVI-CdS

И. А. Кировская, П. Е. Нор1, Т. Н. Филатова1, Л. В. Колесников2

'Омский государственный технический университет, г. Омск, Россия 2Кемеровский государственный университет, г. Кемерово, Россия

I. A. Kirovskaya1, P. E. Nor1, T. N. Filatova, L. V. Kolesnikov2

'Omsk State Technical University, Omsk, Russia 2Kemerovo state University, г. Kemerovo, Russia

Аннотация. Комплексно, с привлечением современных методов изучены объемные (кристалло-химические, структурные) и поверхностные (химический состав поверхности, кислотно-основные) свойства твердых растворов систем InSb-CdS, CdTe-CdS (в сравнении с исходными бинарными соединениями - InSb, CdTe, CdS), приготовленных в форме тонкодисперсных порошков и тонких пленок. Твердые растворы аттестованы как твердые растворы замещения со структурой вюрцита.

Установлены закономерности в изменениях изученных свойств с изменением составов систем, которые носят как плавный (с подчинением закону Вегарда), так и экстремальный характер. Показано и обосновано преимущественное влияние на них первых бинарных компонентов (InSb, CdTe).

Определены природа, сила, концентрация кислотных центров. Обнаружена повышенная чувствительность поверхностей компонентов систем (при рНизо<7) к основным газам. Наиболее активные из них рекомендованы в качестве материалов-первичных преобразователей для сенсоров-датчиков на микропримеси аммиака.

Ключевые слова: твердые растворы, объемные и поверхностные свойства, закономерности, избирательная чувствительность, сенсоры-датчики.

Б01: 10.25206/2310-9793-2018-6-2-145-153

I. Введение

Научно-технический прогресс в таких областях, как нанотехника, полупроводниковый газовый анализ, гетерогенный катализ требуют систематических поисков новых материалов и систематических знаний их объемных и поверхностных свойств. Здесь перспективными должны быть многокомпонентные алмазоподобные полупроводники - твердые растворы на основе соединений типа AIIIBV, AIIBVI, плавно и (или) экстремально изменяющие свойства в зависимости от состава и хранящие в себе нераскрытые тайны в «поведении» в силу сложных внутренних процессов, сопровождающих их образование.

К таким многокомпонентным полупроводникам - объектам исследований в настоящей работе относятся твердые растворы систем InSb-CdS, CdTe-CdS, отличающиеся первыми исходными бинарными соединениями по типу ^^^ AIIBVI) и составу (1^Ь, CdTe). При этом интерес представляло как влияние этих соединений на свойства твердых растворов в пределах каждой системы, так и их отличительные действия при контакте с одним и тем же вторым соединением (CdS).

II. Постановка задачи

Изучить объемные (кристаллохимические, структурные) и поверхностные (химический состав поверхности, кислотно-основные) свойства твердых растворов систем InSb-CdS, CdTe-CdS, в сравнении между собой и с исходными бинарными соединениями (Ш^, CdTe, CdS). Установить закономерности изменения изученных свойств с изменением составов систем. Определить относительный вклад исходных бинарных соединений в «поведение» твердых растворов. Оценить избирательную чувствительность поверхностей компонентов систем по отношению к газам различной электронной природы. Выявить наиболее активные компоненты - перспективные материалы для изготовления сенсоров-датчиков.

III. Теория

Обнадеживающие перспективы получения новых материалов современной техники, включая нано-, сенсорную технику, полупроводниковый газовый анализ, несомненно, заложены в семействе алмазоподобных полупроводников, интерес к которым, начиная с элементарных, затем бинарных полупроводников, постоянно нарастал. Особое место в этом семействе должны занять многокомпонентные полупроводники - твердые растворы на основе бинарных полупроводников, прежде всего, типа AIIIBV, AIIBVI, так как в них заложены более широкие возможности поиска. Последние определяются как уникальными свойствами исходных бинарных соединений (электрофизическими, фото- и пьезоэлектрическими, оптическими), так и возможностями не только регулирования свойств за счет изменения состава, но и выявления особо интересных неожиданных (экстремальных) эффектов. Для более эффективного использования таких возможностей, формирования менее трудоемкого пути поиска необходимы расширение арсенала изучаемых сложных систем, комплексное исследование объемных и поверхностных свойств (при сравнениях сложных систем между собой и с их исходными бинарными соединениями), установление взаимосвязанных закономерностей, реализуемых прогнозов.

Именно в таком направлении выполнена настоящая работа, как неотъемлемая часть многолетних исследований творческого коллектива, представителями которого являются авторы.

IV. Результаты экспериментов

Твердые растворы (InSb)x(CdS)1-x (х = 20, 40, 65, 95 мол. %), (CdTe)x(CdS)1-x (х = 39, 50, 76, 84 мол. %) в форме порошков ^уд = 0,3 - 0,91 м2/г) и пленок ^ = 20 - 100 нм) получали, соответственно, методом изотермической диффузии бинарных соединений (Ш^ и CdS, CdTe и CdS), модернизированным применительно к конкретным системам, в вакуумированных, запаянных кварцевых ампулах, при температурах, выше температуры плавления легкоплавкого соединения ^^^ и ниже температуры плавления высокоплавких соединений

(CdTe, CdS), по созданной программе [1] и дискретным термическим напылением в вакууме (Тконд = 298 K, P = 1,33 10-3) на электродные площадки пьезокварцевых резонаторов, с последующим гомогенизирующим отжигом [2, 3].

О получении твердых растворов, их структуре судили в основном по результатам рентгенографических исследований с привлечением результатов термографических, электронно-микроскопических, ИК-спектрометрических исследований.

Рентгенографические исследования проводили на дифрактометрах ДРОН-3 (CuK^p - излучения, X = 0,154178 и 0,139217 нм) и Advance D8 Powder X-ray Diffractometer фирмы BRUKER AXS (CuK„ - излучения, X = 0,1540 нм, Т = 293 К) по методике большеугловых съемок [4, 5]; термографические (дифференциальный термический и гравиметрический анализы) - на дифференциальном термическом анализаторе DTG - 60, Shi-madzu в интервале температур 303 - 1273 К [1, 6]; электронно-микроскопические - на сканирующем электронном микроскопе JSM-5700, оборудованном безазотным рентгеновским энергодисперсионным спектрометром JED-2300 [7]; ИК-спектроскопические - на Фурье-спектрометре инфракрасном ИнфраЛюм ФТ-02 с приставкой МНПВО (материал кристалла - германий, спектральный диапазон - 400 - 4000 см-1) и спектрометре Shimadzu с Фурье-преобразователем [1].

Поверхностные (химический состав поверхностей, кислотно-основные) свойства компонентов систем InSb-CdS, CdTe-CdS изучали методами ИК-спектроскопии МНПВО [1], гидролитической адсорбции (определение рН изоэлектрического состояния - рНизо) [8], механохимии [3], неводного кондуктометрического титрования [9].

V. Обсуждение результатов

Положение на рентгенограммах линий продуктов взаимной диффузии исходных бинарных соединений (InSb и CdS; CdTe и CdS) относительно линий последних, распределение линий по интенсивностям (рис. 1) позволяют говорить об образовании в системах InSb-CdS, CdTe-CdS твердых растворов замещения со структурой вюрцита. При этом обращает на себя внимание неограниченная взаимная растворимость бинарных компонентов системы CdTe-CdS при заданных составах и весьма ограниченная взаимная растворимость бинарных компонентов системы InSb-CdS: интервал растворимости CdS в InSb составляет 0 - (3-4) мол. %.

Что касается концентрационных зависимостей, рассчитанных на основе рентгенограмм кристаллохимиче-ских и структурных характеристик (параметров - а, с; межплоскостных расстояний - dhkl кристаллических решеток, плотности - pr), то они имеют как плавный (близкий к линейному) характер (особенно в пределах одной и той же структуры), так и экстремальный, отклоняясь от правила Вегарда (рис. 2). Возможность таких отклонений, при сложности внутренних процессов, сопровождающих формирование твердых растворов, нами отмечалась неоднократно (см, например, [1]).

В частности, на основе анализа свойств и взаимодействий элементных составляющих компонентов систем, объяснением может служить неравномерное распределение катион-анионных комплексов [10]. К сказанному уместно заметить, что по результатам электронно-микроскопических исследований (рис. 3) пленки компонентов систем поликристалличны, с неоднородным распределением кристаллитов, ассоциирующиеся в агломераты с объединением зерен различных размеров.

На термограммах компонентов систем (см, например, рис. 4) обнаружены эндо- и экзоэффекты, сопровождающиеся ростом массы в исследованном интервале температур и отличающиеся интенсивностью. Эндотермические эффекты отвечают температурам плавления компонентов систем, экзотермические эффекты обусловлены, скорее всего, образованием продуктов окисления, поскольку при этих температурах происходит значительный прирост массы.

При анализе ИК-спектров МНПВО (рис. 5), снятых в основном для определения химического состава поверхностей компонентов систем, обращает на себя внимание определенная закономерность в расположении основных полос поглощения. А именно, с изменением составов систем наблюдается смещение пиков, отвечающих валентным колебаниям молекулярно-адсорбированных CO2 (полосы 2310, 2340, 2320, 2360 см-1) и воды (полосы 1600, 3650; 1650, 3660; 1660, 3660; 1650, 3680) [1, 11-13] на твердых растворах относительно тех же пиков на бинарных компонентах (рис. 5).

Концентрационные зависимости значений среднего числа наиболее представленных частиц (п<.р) в компонентах систем, рассчитанных по результатам электронно-микроскопических исследований (по SEM-изображениям) (рис. 3), противоположно коррелируют с концентрационными зависимостями рентгеновской плотности (pr): содержат зеркально противоположные экстремумы при одних и тех же составах (рис. 6).

Рис. 1. Штрих-рентгенограммы компонентов системы InSb-CdS:

1 - ьа; 2 - (^0,95^)0,05; 3 - (InSb)o,65(CdS)o,з5;

4 - (InSb)o,4o(CdS)o,6o; 5 - (InSb)o,2o(CdS)o,8o; 6 - CdS

При анализе зависимостей объемных свойств (кристаллохимических, структурных) компонентов систем InSb-CdS, CdTe-CdS от состава и соответствующих диаграмм состояния «свойство-состав» (рис. 2) обращает на себя внимание определяющее влияние на них не общего бинарного компонента (CdS), а первых бинарных компонентов (Ш^, CdTe), заметно отличающихся по своим свойствам от CdS. Например, температура плавления (Тпл), разность электроотрицательностей (Лx), ширина запрещенной зоны (ЛE) составляют [11]: для Ш^, CdS 525 и 1750 °С; 0,1 и 0,8; 0,18 и 2,42 эВ; для CdTe, CdS 1092 и 1750 °С; 0,4 и 0,8; 1,51 и 2,42 эВ.

Рис. 2. Зависимости от состава значений параметров кристаллических решеток (а, с), межплоскостных расстояний (йщ) и рентгеновской плотности (рг) компонентов систем InSb-CdS (I);

CdTe-CdS (II); W - вюрцит, S - сфалерит

Рис. 3. SEM - изображения порошков CdTe (а), твердого раствора (CdTe)05(CdS)05 (б) и CdS (в) в режиме фазового контраста

Рис. 4. Кривые ДТА (а) и ДГТА (б):

1 - ьа; 2 - (^0,99(^)0,01; 3 - (^0,98^)0,02; 4 - (InSb)o,97(CdS)o,oз

Отсюда - различия в характерах обозначенных зависимостей в рамках систем InSb-CdS, CdTe-CdS (рис. 2).

Согласно ИК-спектрам (рис. 5), химический состав поверхностей бинарных соединений (Ш^, CdTe, CdS) и твердых растворов (InSb)x(CdS)1_x, (CdTe)x(CdS)1_x экспонированных на воздухе, представлен преимущественно адсорбированными молекулами воды, группами ОН- (полосы 1650, 3650 - 3680 см-1), углеродсодержащими соединениями (полосы 1100 см-1 (СО), 2340 - 2350 см-1 (СО2), 2950 - 2970; 980 см-1 (С-Н) и продуктами окисления поверхностных атомов [1, 11-13].

После термической вакуумной обработки (до 10-4 Па) поверхности практически полностью освобождаются от адсорбированных примесей и в значительной степени от оксидов [3, 12].

На основе результатов комплексных исследований кислотно-основных свойств поверхностей компонентов систем InSb-CdS, CdTe-CdS были определены сила, природа, концентрация кислотных центров, избирательность поверхностей по отношению к газам различной электронной природы.

По силе кислотных центров (значениям рН изоэлектрического состояния поверхности - рНизо) компоненты систем располагаются в ряды:

(InSb)0,98(CdS)0,02 > (^0,99^)0,01 > CdS > ьа > (InSb)o,97(CdS)o,oз.

CdS > (CdTe)o,з9(CdS)o,6l > (CdTe)o,5(CdS)o,5 > (CdTe)o,76(CdS)o,24 > (CdTe)o,84(CdS)o,l6 > CdTe.

При этом значения рНизо, укладываются в пределах слабокислых областей (5,98 - 6,94 и 5,9 - 6,5 соответственно), изменяясь с составом систем экстремально в первом случае и плавно - во втором (рис. 7). Тем не менее и в первом, и во втором случаях заметно влияние второго, общего бинарного компонента - CdS, отличающегося большей шириной запрещенной зоны (ДЕ), большей разностью электроотрицательностей и логично большей долей ионной связи.

Рис. 5. ИК - спектры МНПВО поверхностей компонентов системы CdTe-CdS

Как и на других алмазоподобных полупроводниках [1, 11, 12], ответственными за кислотные центры должны выступать координационно-ненасыщенные атомы (центры Льюиса), функциональная способность которых существенно зависит от их эффективного заряда, ближайшего координационного окружения (соседние ОН-группы, оксидная фаза, дефекты, прежде всего, вакансионные), адсорбированные молекулы СО2, Н2О, гидрок-сильные группы (центры Бренстеда). Наличие таковых подтверждают ИК-спектры, содержащие полосы образующихся с ними связей (рис. 5), результаты механохимических исследований, неводного кондуктометриче-ского титрования (рис. 7).

Согласно результатам механохимических исследований, характеризующих изменения рН среды в зависимости от времени диспергирования в воде крупнодисперсных порошков компонентов систем InSb-CdS, CdTe-CdS, экспонированных на воздухе (в сочетании с ИК-спектрами), для разных составов, а также для определенных отрезков времени (при одном и том же составе) отмечается и подкисление (уменьшение рН) и подщелачивание (увеличение рН) среды. Подкисление среды обусловлено происходящей в системе «диспергируемый полупроводник - вода» адсорбцией воды с образованием на поверхности (при участии атомов В^ В^ - Sb, Те^) кислот Н^Ь04, Н2Те04, Н^04, Н^03, которые при механохимическом воздействии переходят в объем [3, 12]. Подще-лачивание среды можно объяснить протеканием гидролиза кислотных остатков слабых кислот (Н^Ь04, Н2Те04, Н^03) - Sb04-3, Те04-2, S03-2

Пер

О 20 40 60 80 100

мол. °/о СсГГе

Рис. 6. Зависимости от состава среднего числа наиболее представленных частиц- Пср (1) и рентгеновской плотности - рг (2) компонентов системы CdS-CdTe

О -1-1-1-1-.-1-.—

О 0,5 1 1,3 1 2,5 3 3,5

V , мл

Рис. 7. Дифференциальные кривые неводного кондуктометрического титрования ШБЬ

Результаты неводного кондуктометрического титрования существенно дополнили описанные выше результаты. На их основе подтверждена природа, определена концентрация кислотных центров (Собщ) на поверхностях компонентов систем, оценено изменение Собщ под воздействием газов.

Наличие на кривых Дс/ДУ - V (рис.7) трех (для системы CdTe-CdS) и четырех (для системы InSb-CdS) пиков свидетельствует о существовании на поверхностях различных типов кислотных центров и подтверждает образование в твердых растворах катион-анионных комплексов, распределенных неравномерно [10].

Исходя из результатов многолетних исследований (см, например, [1, 3, 11, 12]), можно считать ответственными за первый пик льюисовские кислотные центры, за остальные - бренстодовские. Подтверждают такой вывод и результаты измерения рНизо: с ростом в системах доли второго, общего бинарного компонента (хШ8) рНизо смещается в щелочную область (рис. 8).

Рис. 8. Зависимости от состава рНизо (а) компонентов системы InSb-CdS, экспонированных на воздухе (1) и компонентов системы CdTe-CdS, экспонированных на воздухе (2) и в аммиаке (3); общей концентрации кислотных центров - Собщ (б) компонентов систем InSb-CdS (1), CdTe-CdS (2), экспонированных на воздухе

Рассчитанные по всем пикам кривых Дс/ДУ - V значения общей концентрации кислотных центров (Собщ) с изменением составов систем изменяются экстремально (рис. 8), прогнозируя наименьшую или наибольшую активность поверхностей их компонентов к газам различной электронной природы.

При слабокислом характере поверхностей компонентов систем InSb-CdS, CdTe-CdS следовало ожидать их повышенную, избирательную чувствительность по отношению к основным газам.

Подтверждением явились наблюдаемые изменения рНизо и ИК-спектры поверхностей при воздействиях аммиака (рис. 5, 8). Отмечаем подщелачивание поверхностей (рост рНизо) (рис. 8) и наличие ИК-полос, отвечающих адсорбционным связям, образующимся в результате взаимодействия молекул КН3 с кислотными центрами (рис. 5, [12]).

Необходимо подчеркнуть, что и при изучении поверхностных свойств компонентов систем InSb-CdS, CdTe-CdS, наряду с определенным влиянием второго, общего бинарного компонента (CdS), особенно заметно влияние первых бинарных компонентов (1^Ь, CdTe). Как следствие, имеем для системы InSb-CdS более сложные характеры зависимостей рНизо = / (х^); ^^ = / (х^); Дс/ДУ - V (рис. 7, 8).

VI. Выводы и заключение

Получены твердые растворы систем InSb-CdS, CdTe-CdS, аттестованные как твердые растворы замещения с гексагональной структурой вюрцита.

Изучены их объемные (кристаллохимические, структурные) и поверхностные (химический состав поверхностей, кислотно-основные) свойства при сравнениях твердых растворов между собой и с исходными бинарными соединениями (!^Ь, CdS и CdTe, CdS).

Установлены закономерности в изменениях изученных свойств в зависимости от составов систем. Они носят как плавный (с соблюдением правила Вегарда), так и экстремальный характер.

Показано и обосновано преимущественное влияние на закономерности первых бинарных компонентов систем (InSb, CdS).

Определены сила, природа, концентрация кислотных центров, избирательная чувствительность поверхностей к газам различной электронной природы.

Компоненты систем с повышенной поверхностной активностью к основным газам рекомендованы в качестве материалов для изготовления соответствующих сенсоров-датчиков, в частности, на микропримеси аммиака.

Список литературы

1. Кировская И. А. Твердые растворы бинарных и многокомпонентных полупроводниковых систем. Омск: ОмГТУ, 2010. 400 с.

2. Калинкин И. Л., Алексовский В. Б., Симашкевич А. В. Эпитаксиальные пленки соединений AIIBVI. Ленинград: МГУ, 1978. 312 с.

3. Кировская И. А. Поверхностные явления. Омск: ОмГТУ, 2001. 174 с.

4. Горелик С. С., Расторгуев Л. Н., Скаков Ю. А. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. М.: Металлургия, 1970. 107 с.

5. Смыслов Е. Ф. Экспрессный рентгеновский метод определения периода решетки нанокристаллических материалов. //Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2006. Т. 72, № 5. С. 33-35.

6. Кировская И. А., Филатова Т. Н. Получение и исследование пленок InSb, (InSb)0,95(CdS)0,05 // Динамика систем, механизмов и машин. Омск. 2004. С. 46-49.

7. Goldstein Joseph I. Williams David B., Lyman Charles E. Current problems in X-ray emission spectroscopy // Ultramicroscopy. 1989. Vol. 28. P. 56-60.

8. Майдановская Л. Г. О водородном показателе изоэлектрического состояния амфотерных катализаторов // Каталитические реакции в жидкой фазе. Алма-та: Изд-во АН КазССР, 1963. С. 212-217.

9. Крешков А. П. Кислотно-основное титрование в неводных растворах. М.: Химия, 1967. 192 с.

10. Вест А. Химия твердого тела. Теория и приложения. М.: Мир, 1988. Ч. II. 558 c.

11. Кировская И. А. Физико-химические свойства бинарных и многокомпонентных алмазоподобных полупроводников. Новосибирск: СО РАН, ОмГТУ. 2015. 367 с.

12. Кировская И. А. Поверхностные свойства бинарных алмазоподобных полупроводников. Омск: ОмГТУ, 2012. 416 с.

13. Литтл Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул. М.: Мир, 1969. 514 с.

УДК 541.183

КИСЛОТНО-ОСНОВНОЕ СОСТОЯНИЕ ПОВЕРХНОСТЕЙ БИНАРНЫХ И МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СИСТЕМЫ GaBV-ZnBVI

ASID-BASE STATE OF SURFACES OF BINARY AND MULTICOMPONENT SEMICONDUCTORS SYSTEM GaBV-ZnBVI

И. А. Кировская, Л. В. Новгородцева, А. В. Юрьева, Т. Л. Букашкина

Омский государственный технический университет, г. Омск, Россия

I. A. Kirovskaya, L. V. Novgorodtseva, A. V. Yureva, T. L. Bukashkina

Omsk State Technical University, Omsk, Russia

Аннотация. Изучены объемные (кристаллохимические, структурные, электрофизические) и поверхностные (кислотно-основные) свойства бинарных соединений типа А"^ (GaAs, GaSb), АПВШ (ZnSe, ZnTe), отличающихся элементами В\ В™, и образованных ими твердых растворов замещения (GaAs)I(ZnSe)1.I, (GaSb^ZnTe)^.

Определены природа, сила, концентрация кислотных центров. Установлены закономерности в изменениях объемных и кислотно-основных свойств с изменением составов компонентов каждой конкретной системы, а также выявлены общие и отличительные особенности в «поведении» компонентов двух рассматриваемых систем GaAs-ZnSe, GaSb-ZnTe. Даны обоснования.