СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИТНОЙ СТРУКТУРЫ

1. Способ изготовления композитной структуры, содержащей, в направлении от ее задней поверхности к ее передней поверхности, несущую подложку (10), покровный слой (20), по меньшей мере один диэлектрический слой (30) и рабочий слой (40), включающий следующие этапы:
а) получение подложки-донора (50) и несущей подложки (10);
б) формирование по меньшей мере диэлектрического слоя (30), включающего:
- первую поверхность, контактирующую с подложкой-донором,
- вторую поверхность, противоположную первой поверхности,
- периферийную поверхность, соединяющую первую и вторую поверхности вместе;
при этом диэлектрический слой (30) имеет контур (Cz);
в) формирование покровного слоя (20), расположенного так, чтобы покрывать вторую поверхность диэлектрического слоя (30);
г) формирование ослабленной зоны (60) в подложке-доноре (50), ограничивающей рабочий слой (40), находящийся в контакте с первой поверхностью диэлектрического слоя (30);
д) сборку несущей подложки (10) и подложки-донора (50), так что несущая подложка (10) и покровный слой (20) контактируют вдоль контактной поверхности (70), имеющей контур (Cs);
е) разлом подложки-донора (50) вдоль ослабленной зоны (60);
характеризующийся тем, что этапы б) и д) выполняют таким образом, что контур (Cz) диэлектрического слоя (30) вписывается в контур (Cs) контактной поверхности (70), а этап в) проводят таким образом, что покровный слой (20) покрывает периферийную поверхность диэлектрического слоя (30).
2. Способ изготовления по п. 1, отличающийся тем, что несущая подложка (10) содержит:
- верхнюю поверхность, на которую переносят покровный слой (20), диэлектрический слой (30) и рабочий слой (40);
- нижнюю поверхность, противоположную верхней поверхности;
- периферийную зону, соединяющую нижнюю поверхность и верхнюю поверхность;
при этом контур (Cs) контактной поверхности (70) и периферийная зона несущей подложки (10) ограничивают по существу кольцевую поверхность шириной L, и этапы б) и д) выполняют таким образом, что контур (Cz) диэлектрического слоя (30) и периферийная зона несущей подложки (10) ограничивают по существу кольцевую поверхность шириной, которая составляет от 105% до 150%, предпочтительно от 110% до 140%, еще более предпочтительно от 115% до 130%, от ширины L.
3. Способ изготовления по п. 1, отличающийся тем, что диэлектрический слой (30) формируют в два этапа б1) и б2):
б1) формирование слоя диэлектрического материала на подложке-доноре (10);
б2) частичное удаление слоя диэлектрического материала таким образом, что остаточный слой диэлектрического материала формирует диэлектрический слой (20).
4. Способ изготовления по п. 1, отличающийся тем, что диэлектрический слой (30) содержит нитрид кремния до толщины в диапазоне от 10 до 80 нм, а покровный слой (20) содержит диоксид кремния до толщины, большей чем 80 нм.
5. Способ изготовления по п. 1, отличающийся тем, что диэлектрический слой (30) содержит оксид кремния, а покровный слой (20) содержит поликристаллический кремний или аморфный кремний.
6. Способ изготовления по любому из пп. 1-5, отличающийся тем, что подложка-донор (50) содержит по меньшей мере один из следующих материалов: кремний, германий, сплав кремния и германия.
7. Способ изготовления по любому из пп. 1-5, отличающийся тем, что после этапа е) проводят этап термической обработки, предназначенный для герметизации покровного слоя (20) и диэлектрического слоя (30) рабочим слоем (40).
8. Способ изготовления по любому из пп. 1-5, отличающийся тем, что подложка-донор (50) содержит дополнительный слой (90), контактирующий с диэлектрическим слоем (30), и имеющий такой же химический состав, как и покровный слой (20).
9. Способ изготовления по п. 8, отличающийся тем, что подложка-донор (50) содержит кремний, дополнительный слой (90) содержит диоксид кремния, диэлектрический слой (30) содержит нитрид кремния и покровный слой (20) содержит диоксид кремния.
10. Композитная структура, содержащая, в направлении от ее задней поверхности к ее передней поверхности, несущую подложку (10), покровный слой (20), по меньшей мере один диэлектрический слой (30) и рабочий слой (40), при этом диэлектрический слой (30) имеет:
- первую поверхность, контактирующую с рабочим слоем (40);
- вторую поверхность, контактирующую с покровным слоем (20);
- периферийную поверхность, соединяющую первую поверхность и вторую поверхность; характеризующаяся тем, что покровный слой (20) покрывает полностью периферийную поверхность диэлектрического слоя (30) таким образом, что рабочий слой (40) и покровный слой (20) герметизируют диэлектрический слой (30).
11. Композитная структура по п. 10, отличающаяся тем, что рабочий слой (40) содержит по меньшей мере один из следующих материалов: кремний, германий, сплав кремния и германия.
12. Композитная структура по п. 10, отличающаяся тем, что рабочий слой (40) включает монокристаллический материал.
13. Композитная структура по любому из пп. 10-12, отличающаяся тем, что покровный слой (20) содержит диоксид кремния, а диэлектрический слой (30) содержит нитрид кремния.
14. Композитная структура по любому из пп. 10-12, отличающаяся тем, что покровный слой (20) содержит поликристаллический кремний или аморфный кремний, а диэлектрический слой (30) содержит оксид кремния.
15. Композитная структура по любому из пп. 10-12, отличающаяся тем, что покровный слой (20) имеет:
- первую поверхность, контактирующую с несущей подложкой (10),
- вторую поверхность, контактирующую с диэлектрическим слоем (30),
- периферийную поверхность, соединяющую первую и вторую поверхности покровного слоя (20),
при этом рабочий слой (40) покрывает периферийную поверхность покровного слоя (20).
16. Композитная структура по любому из пп. 10-12, отличающаяся тем, что дополнительный слой (90) расположен между рабочим слоем (40) и диэлектрическим слоем (30), при этом дополнительный слой (90) имеет такой же химический состав, как и покровный слой (20).
17. Композитная структура по п. 16, отличающаяся тем, что рабочий слой (40) содержит монокристаллический кремний, дополнительный слой (90) содержит термический диоксид кремния, диэлектрический слой (30) содержит нитрид кремния, и покровный слой (20) содержит диоксид кремния.