ФОРМИРОВАНИЕ РЕЛЬЕФНЫХ РИСУНКОВ С ПРИМЕНЕНИЕМ САМОСОБИРАЮЩЕГОСЯ МАТЕРИАЛА

1. Способ формирования наноразмерного рисунка на подложке, включающий:
- формирование первого трафаретного слоя (20А), охватывающего заданный участок на подложке,
- выполнение в первом трафаретном слое (20А) системы первых отверстий (O1), каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках первой шестиугольной решетки,
- формирование в первых отверстиях (O1) первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А),
- формирование второго трафаретного слоя (20В), охватывающего указанный участок, поверх первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А),
- выполнение во втором трафаретном слое (20В) системы вторых отверстий (O2), каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках второй шестиугольной решетки,
- формирование во вторых отверстиях (O2) вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40В),
- формирование третьего трафаретного слоя (20С), охватывающего указанный участок, поверх первых и вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40А, 50А и 40В),
- выполнение в третьем трафаретном слое (20С) системы третьих отверстий (O3), каждое из которых имеет форму правильного шестиугольника и которые расположены в ячейках третьей шестиугольной решетки, и
- формирование в третьих отверстиях третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур (40С, 50С).
2. Способ по п.1, характеризующийся тем, что каждое из первых отверстий, вторых отверстий и третьих отверстий не перекрывается ни с одним другим из первых отверстий, вторых отверстий и третьих отверстий.
3. Способ по п.2, характеризующийся тем, что заданный участок соответствует объединению вместе взятых площадей первых отверстий, вместе взятых площадей вторых отверстий и вместе взятых площадей третьих отверстий.
4. Способ по п.1, характеризующийся тем, что вторая шестиугольная решетка смещена относительно первой шестиугольной решетки на один экземпляр указанного правильного шестиугольника, а третья шестиугольная решетка смещена относительно первой шестиугольной решетки на другой экземпляр указанного правильного шестиугольника, а относительно второй шестиугольной решетки - еще на один экземпляр указанного правильного шестиугольника.
5. Способ по п.1, характеризующийся тем, что каждая из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур конгруэнтна другой из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур.
6. Способ по п.1, дополнительно характеризующийся тем, что:
- перед формированием первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур внутри каждого из первых отверстий наносят нефоточувствительный полимерный резист, содержащий первый полимерный блочный компонент и второй полимерный блочный компонент,
- перед формированием вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур внутри каждого из вторых отверстий наносят указанный нефоточувствительный полимерный резист, и
- перед формированием третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур внутри каждого из третьих отверстий наносят указанный нефоточувствительный полимерный резист.
7. Способ по п.1, характеризующийся тем, что каждая из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур включает в себя по меньшей мере один круговой цилиндр, содержащий первый полимерный блочный компонент, и полимерную матрицу, содержащую второй полимерный блочный компонент и примыкающую к указанному по меньшей мере одному круговому цилиндру по его боковой поверхности.
8. Способ по п.7, характеризующийся тем, что каждая из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур дополнительно включает в себя шесть экземпляров трети кругового цилиндра, каждый из которых имеет объем, составляющий одну треть общего объема указанного по меньшей мере одного кругового цилиндра, и угол 120° при ребре.
9. Способ по п.8, характеризующийся тем, что шесть экземпляров трети кругового цилиндра и полимерная матрица примыкают боковыми поверхностями к границе одного из первых, вторых и третьих отверстий.
10. Способ по п.7, характеризующийся тем, что каждая из первых, вторых и третьих наноразмерных самособранных самовыстроенных структур включает в себя множество круговых цилиндров, содержащих первый полимерный блочный компонент, и полимерную матрицу, содержащую второй полимерный блочный компонент и примыкающую к по меньшей мере одному круговому цилиндру по его боковой поверхности, причем каждый из множества круговых цилиндров отделен от границ первых, вторых и третьих отверстий.
11. Способ по п.7, дополнительно включающий травление группы круговых цилиндров, избирательное по отношению к набору полимерных матриц, или травление группы полимерных матриц, избирательное по отношению к набору круговых цилиндров.
12. Способ по п.11, характеризующийся тем, что в подложке дополнительно формируют рисунок сублитографических размеров, используя оставшуюся часть круговых цилиндров и полимерных матриц в качестве маски для травления.
13. Способ формирования наноразмерного рисунка на подложке, включающий:
- формирование первого трафаретного слоя, охватывающего заданный участок на подложке,
- выполнение в первом трафаретном слое системы первых отверстий, каждое из которых имеет форму прямоугольника и литографическую ширину,
- формирование в первых отверстиях первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур,
- формирование второго трафаретного слоя непосредственно на первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структурах,
- выполнение во втором трафаретном слое системы вторых отверстий, каждое из которых имеет форму прямоугольника и литографическую ширину и которые дополняют первые отверстия в пределах заданного участка, и
- формирование во вторых отверстиях вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур.
14. Способ по п.13, дополнительно характеризующийся тем, что:
- перед формированием первых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур в каждом из первых отверстий наносят нефоточувствительный полимерный резист, содержащий первый полимерный блочный компонент и второй полимерный блочный компонент, и
- перед формированием вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур в каждом из вторых отверстий наносят указанный нефоточувствительный полимерный резист.
15. Способ по п.14, характеризующийся тем, что каждая из первых и вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур включает в себя по меньшей мере одну линию номинальной ширины и две краевые линии, каждая из которых содержит первый полимерный компонент, при этом каждая из двух краевых линий примыкает к границе одного из первых отверстий, указанная по меньшей мере одна линия номинальной ширины отделена от двух краевых линий и имеет номинальную ширину, являющуюся сублитографической и превышающую ширину краевых линий.
16. Способ по п.15, характеризующийся тем, что каждая из первых и вторых наноразмерных самособранных самовыстроенных структур включает в себя также дополняющие линии, содержащие второй полимерный компонент, причем каждая из дополняющих линий примыкает сбоку к двум линиям из числа по меньшей мере одной линии номинальной ширины и двух краевых линий и имеет другую ширину, являющуюся сублитографической.
17. Способ по п.16, дополнительно включающий:
- травление первого полимерного компонента, избирательное по отношению ко второму полимерному компоненту, или травление второго полимерного компонента, избирательное по отношению к первому полимерному компоненту, и
- формирование в подложке рисунка сублитографических размеров с периодическим повтором по меньшей мере одной первой линии, имеющей первый сублитографический размер, и второй линии, имеющей второй сублитографический размер, причем в каждой паре, состоящей из по меньшей мере одной первой линии и второй линии, соседние линии разделены одинаковым сублитографическим интервалом.
18. Структура, содержащая подложку, имеющую рисунок, выступающий из по существу плоской поверхности или углубленный в нее и включающий в себя шестиугольную решетку с минимальной периодичностью, имеющей литографический размер, и элементарной ячейкой, имеющей форму правильного шестиугольника и содержащей окружности одинакового диаметра, причем совокупность окружностей двух соседних экземпляров элементарной ячейки не имеет шестиугольной периодичности.
19. Структура по п.18, характеризующаяся тем, что указанный одинаковый диаметр является сублитографическим,
20. Структура по п.18, в которой рисунок выступает из поверхности и которая включает в себя множество цилиндров одинакового диаметра, содержащих полимерный компонент нефоточувствительного полимерного резиста и расположенных непосредственно на каждом из выступающих элементов рисунка, причем края окружностей совпадают с цилиндрическими поверхностями указанных цилиндров.
21. Структура по п.18, в которой рисунок углублен в поверхность и которая включает в себя матрицу из полимерного компонента нефоточувствительного полимерного резиста, имеющую цилиндрические отверстия, причем края окружностей совпадают с цилиндрическими поверхностями цилиндрических отверстий.
22. Структура, содержащая подложку с одномерным периодическим повтором элемента рисунка, включающего в себя по меньшей мере одну первую линию и вторую линию, выступающую из по существу плоской поверхности или углубленную в нее, причем первая линия или каждая из первых линий имеет первую сублитографическую ширину, вторая линия имеет вторую сублитографическую ширину, и в каждой паре, состоящей из по меньшей мере одной первой линии и второй линии, соседние линии разделены одинаковым сублитографическим интервалом.
23. Структура по п.22, характеризующаяся тем, что первая сублитографическая ширина и вторая сублитографическая ширина являются различными.
24. Структура по п.22, в которой рисунок выступает из поверхности и которая включает в себя множество полимерных линий, содержащих полимерный компонент нефоточувствительного полимерного резиста и расположенных непосредственно на каждой из по меньшей мере одной первой линии и второй линии, причем каждый край полимерных линий совпадает по вертикали с краем по меньшей мере одной первой линии или второй линии.
25. Структура по п.22, в которой рисунок углублен в поверхность и которая включает в себя множество полимерных линий, содержащих полимерный компонент нефоточувствительного полимерного резиста и расположенных непосредственно на указанной по существу плоской поверхности, причем каждый край полимерных линий совпадает по вертикали с краем по меньшей мере одной первой линии или второй линии.