МИНИАТЮРНАЯ МАГНИТНАЯ ПРОТОЧНАЯ ЦИТОМЕТРИЯ

1. Устройство для магнитной проточной цитометрии, содержащее
- магниторезистивный датчик (20),
- проточную камеру (50), которая предназначена для прохождения потока клеточной суспензии, и
- участок (10) концентрации для ориентации и концентрации магнитно маркированной клеточной пробы (90),
при этом участок (10) концентрации выполнен в форме меандра.
2. Устройство по п. 1, в котором участок (10) концентрации имеет магнитные направляющие полосы (15).
3. Устройство по п. 2, в котором магнитные направляющие полосы (15) являются ферромагнитными.
4. Устройство по любому из пп. 1-3, содержащее подложку (12), в частности полупроводниковую подложку, в котором магниторезистивный датчик (20), а также проточная камера (50), которая является, в частности, микроканалом для текучей среды, и участок (10) концентрации расположены на подложке (12).
5. Устройство по п. 4, в котором микроканал (50) для текучей среды расположен вдоль участка (10) концентрации так, что протекающая через микроканал (50) для текучей среды магнитно маркированная клеточная проба (90) ориентирована по магнитным направляющим полосам (15).
6. Устройство по п. 5, содержащее магнит, в котором магнит расположен так, что протекающая через микроканал (50) для текучей среды магнитно маркированная клеточная проба (90) концентрируется с помощью магнитного поля магнита у дна канала.
7. Устройство по п. 6, в котором микроканал (50) для текучей среды и магниторезистивный датчик (20) расположены так, что протекающая через микроканал (50) для текучей среды магнитно маркированная клеточная проба (90) направляется над датчиком (20).
8. Устройство по п. 7, в котором длина участка (10) концентрации составляет по меньшей мере 12500 мкм.
9. Устройство по п. 8, в котором подложка имеет свое наибольшее измерение максимально 18000 мкм.
10. Устройство по п. 9, в котором магниторезистивный датчик (20) является датчиком GMR, TMR или AMR.
11. Способ изготовления устройства по любому из пп. 1-10, содержащий следующие стадии:
изготовления магниторезистивного датчика (20) на подложке (12),
нанесения магнитных направляющих полос (15) на подложку (12),
выполнения микроканала (50) для текучей среды на подложке (12).
12. Способ по п. 11, в котором магниторезистивный датчик (20) интегрируют на полупроводниковой подложке (12).
13. Способ по любому из пп. 11 или 12, в котором магнитные направляющие полосы (15) осаждают непосредственно на подложку (12), в частности, с помощью термического испарения или распыления.
14. Способ магнитного обнаружения клеток, в котором магнитно маркированную клеточную пробу (90) инъецируют в устройство по любому из пп. 1-10.