СПОСОБ СИНТЕЗА ПОЛИКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОЕДИНЕНИЯ ГРУПП II-VI

1. Способ синтеза поликристаллов полупроводниковых соединений групп II-VI, включающий:
введение двух или более элементов исходных материалов в полупроницаемую для воздуха внутреннюю емкость из pBN и введение внутренней емкости в полупроницаемую для воздуха теплостойкую внешнюю емкость,
помещение внешней емкости в печь высокого давления, имеющую средства нагрева,
откачку печи высокого давления и заполнение печи высокого давления инертным газом при заданном давлении,
нагрев внутренней емкости и внешней емкости с помощью средств нагрева для плавления и ускорения реагирования элементов исходных материалов во внутренней емкости и
охлаждение прореагировавших элементов исходных материалов для ускорения роста поликристаллов.
2. Способ по п.1, в котором внешнюю емкость изготавливают из графита и поверхность внешней емкости покрывают слоем покрытия.
3. Способ по п.1 или 2, в котором давление инертного газа в печи высокого давления перед нагревом составляет от 0,5 МПа до 1 МПа.
4. Способ по п.3, в котором поликристаллы полупроводниковых соединений групп II-VI представляют собой поликристаллы CdTe, а скорость увеличения температуры на стадии нагрева составляет от 100 до 2000°С в час.