УСИЛИВАЮЩИЙ ИНФРАКРАСНЫЙ ФОТОДЕТЕКТОР И ЕГО ПРИМЕНЕНИЕ ДЛЯ ОБНАРУЖЕНИЯ ИК-ИЗЛУЧЕНИЯ

1. Усиливающий фотодетектор, содержащий:
первый электрод;
светочувствительный слой, расположенный на первом электроде;
блокирующий электроны/туннелирующий слой, расположенный на светочувствительном слое; и
второй электрод, расположенный на блокирующем электроны/туннелирующем слое.
2. Усиливающий фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что светочувствительный слой является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны  от 0,7 до 14 мкм, включительно.
3. Усиливающий фотодетектор по п.2, отличающийся тем, что светочувствительный слой является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны по меньшей мере 0,4 и менее 0,7 мкм.
4. Усиливающий фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что светочувствительный слой содержит квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
5. Усиливающий фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что светочувствительный слой содержит квантовые примеси PbS.
6. Усиливающий фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что светочувствительный слой содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: квантовые примеси PbS, квантовые примеси PbSe, PCTDA, SnPc, SnPc:C60, AlPcCl, AlPcCl:С60, TiOPc, TiOPc:C60, PbSe, PbS, InAs, InGaAs, Si, Ge и GaAs.
3
7. Усиливающий фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что первый электрод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCO/ОИО.
3
8. Усиливающий фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что второй электрод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCO/ОИО.
9. Усиливающий фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что первый электрод является анодом, а второй электрод является катодом.
3
3
10. Усиливающий фотодетектор по п.9, отличающийся тем, что первый электрод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCO/ОИО; причем второй электрод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCO/ОИО.
3
11. Усиливающий фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что блокирующий электроны/туннелирующий слой является наборным слоем 1,1-бис((ди-4-толиламино)фенил)циклогексан (ТАРС)/МоО.
3
12. Усиливающий фотодетектор по п.11, отличающийся тем, что слой ТАРС находится в непосредственном взаимодействии со светочувствительным слоем, при этом слой МоО находится в непосредственном взаимодействии со вторым электродом.
3
13. Усиливающий фотодетектор по п.11, отличающийся тем, что слой ТАРС характеризуется толщиной не более 100 нм, при этом слой МоО характеризуется толщиной не более 100 нм.
14. Усиливающий фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что дополнительно содержит блокирующий дырки слой, расположенный на первом электроде и под светочувствительным слоем.
3
2
15. Усиливающий фотодетектор по п.14, отличающийся тем, что блокирующий дырки слой содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: ZnO, ангидрид нафталинтетракарбоновой кислоты (NTCDA), 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин (ВСР), п-бис(трифенилсилил)бензол (UGH2), 4,7-дифенил-1,10-фенантролин (BPhen), трис-(8-гидроксихинолин)алюминий (Alq), 3,5′-N,N′-дикарбозол-бензол (mCP), C60, трис[3-(3-пиридил)мезитил]боран (3TPYMB) и TiO.
16. Усиливающий фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что дополнительно содержит стеклянную подложку, расположенную под первым электродом.
17. Усиливающий фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что
3
блокирующий электроны/туннелирующий слой является наборным слоем ТАРС/МоО;
слой ТАРС находится в непосредственном взаимодействии со светочувствительным слоем;
3
слой МоО находится в непосредственном взаимодействии со вторым электродом и
светочувствительный слой содержит квантовые примеси PbS.
18. Усиливающий фотодетектор по п.17, отличающийся тем, что дополнительно содержит блокирующий дырки слой, расположенный на первом электроде и под светочувствительным слоем.
19. Способ изготовления усиливающего фотодетектора, включающий:
формирование первого электрода;
формирование светочувствительного слоя на первом электроде;
формирование блокирующего электроны/туннелирующего слоя на светочувствительном слое и
формирование второго электрода на блокирующем электроны/туннелирующем слое.
20. Способ по п.19, отличающийся тем, что светочувствительный слой является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от 0,7 до 14 мкм включительно.
21. Способ по п.20, отличающийся тем, что светочувствительный слой является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны по меньшей мере 0,4 и менее 0,7 мкм.
22. Способ по п.19, отличающийся тем, что светочувствительный слой содержит квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
23. Способ по п.19, отличающийся тем, что светочувствительный слой содержит квантовые примеси PbS.
24. Способ по п.19, отличающийся тем, что светочувствительный слой содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: квантовые примеси PbS, квантовые примеси PbSe, PCTDA, SnPc, SnPc:C60, AlPcCl, AlPcCl:С60, TiOPc, TiOPc:C60, PbSe, PbS, InAs, InGaAs, Si, Ge и GaAs.
3
25. Способ по п.19, отличающийся тем, что первый электрод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCO/ОИО.
3
26. Способ по п.19, отличающийся тем, что второй электрод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCO/ОИО.
27. Способ по п.19, отличающийся тем, что первый электрод является анодом, а второй электрод является катодом.
3
3
28. Способ по п.27, отличающийся тем, что первый электрод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCO/ОИО; причем второй электрод содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCO/ОИО.
3
29. Способ по п.19, отличающийся тем, что формирование блокирующего электроны/туннелирующего слоя включает формирование наборного слоя ТАРС/МоО.
3
30. Способ по п.29, отличающийся тем, что слой ТАРС формируют таким образом, что он находится в непосредственном взаимодействии со светочувствительным слоем, при этом второй электрод формируют таким образом, что он находится в непосредственном взаимодействии со слоем МоО.
3
31. Способ по п.29, отличающийся тем, что слой ТАРС характеризуется толщиной не более 100 нм, при этом слой МоО характеризуется толщиной не более 100 нм.
32. Способ по п.19, отличающийся тем, что дополнительно включает формирование блокирующего дырки слоя на первом электроде, при этом светочувствительный слой формируют на блокирующем дырки слое.
3
2
33. Способ по п.32, отличающийся тем, что блокирующий дырки слой содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: ZnO, ангидрид нафталинтетракарбоновой кислоты (NTCDA), 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин (ВСР), п-бис(трифенилсилил)бензол (UGH2), 4,7-дифенил-1,10-фенантролин (BPhen), трис-(8-гидроксихинолин)алюминий (Alq), 3,5′-N,N′-дикарбозол-бензол (mCP), С60, трис[3-(3-пиридил)мезитил]боран (3TPYMB) и TiO.
34. Способ по п.19, отличающийся тем, что формирование первого электрода включает формирование первого электрода на стеклянной подложке.
35. Способ по п.19, отличающийся тем, что
3
формирование блокирующего электроны/туннелирующего слоя включает формирование наборного слоя ТАРС/МоО;
слой ТАРС формируют таким образом, что он находится в непосредственном взаимодействии со светочувствительным слоем;
3
второй электрод формируют таким образом, чтобы он находился в непосредственном взаимодействии со слоем МоО; и
светочувствительный слой содержит квантовые примеси PbS.
36. Способ по п.35, отличающийся тем, что дополнительно включает формирование блокирующего дырки слоя на первом электроде, при этом светочувствительный слой формируют на блокирующем дырки слое.
37. Устройство преобразования инфракрасного (ИК) излучения в видимое излучение с повышением частоты, содержащее:
усиливающий фотодетектор; и
органический светоизлучающий прибор (ОСИП), присоединенный к усиливающему фотодетектору; причем
усиливающий фотодетектор содержит:
первый электрод фотодетектора;
светочувствительный слой, расположенный на первом электроде фотодетектора;
блокирующий электроны/туннелирующий слой, расположенный на светочувствительном слое; и
второй электрод фотодетектора, расположенный на блокирующем электроны/туннелирующем слое.
38. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.37, отличающееся тем, что светочувствительный слой является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от 0,7 до 14 мкм включительно.
39. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.38, отличающееся тем, что светочувствительный слой является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны по меньшей мере 0,4 и менее 0,7 мкм.
40. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.37, отличающееся тем, что светочувствительный слой содержит квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
41. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.37, отличающееся тем, что светочувствительный слой содержит квантовые примеси PbS.
42. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.37, отличающееся тем, что светочувствительный слой содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: квантовые примеси PbS, квантовые примеси PbSe, PCTDA, SnPc, SnPc:C60, AlPcCl, AlPcCl:С60, TiOPc, TiOPc:C60, PbSe, PbS, InAs, InGaAs, Si, Ge и GaAs.
3
43. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.37, отличающееся тем, что первый электрод фотодетектора содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCO/ОИО.
3
44. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.37, отличающееся тем, что второй электрод фотодетектора содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCO/ОИО.
45. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.37, отличающееся тем, что первый электрод фотодетектора является анодом, а второй электрод фотодетектора является катодом.
3
46. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.45, отличающееся тем, что первый электрод фотодетектора содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCOs/ОИО; причем второй электрод фотодетектора содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей; оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCO/ОИО.
3
47. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.37, отличающееся тем, что блокирующий электроны/туннелирующий слой представляет собой наборной слой ТАРС/МоО.
3
48. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.47, отличающееся тем, что слой ТАРС находится в непосредственном взаимодействии со светочувствительным слоем, при этом слой МоО находится в непосредственном взаимодействии со вторым электродом фотодетектора.
3
49. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.47, отличающееся тем, что слой ТАРС характеризуется толщиной не более 100 нм, при этом слой МоО характеризуется толщиной не более 100 нм.
50. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.37, отличающееся тем, что дополнительно содержит блокирующий дырки слой, расположенный на первом электроде фотодетектора и под светочувствительным слоем.
3
2
51. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.50, отличающееся тем, что блокирующий дырки слой содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: ZnO, ангидрид нафталинтетракарбоновой кислоты (NTCDA), 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин (ВСР), п-бис(трифенилсилил)бензол (UGH2), 4,7-дифенил-1,10-фенантролин (BPhen), трис-(8-гидроксихинолин)алюминий (Alq), 3,5′-N,N′-дикарбозол-бензол (mCP), C60, трис[3-(3-пиридил)мезитил]боран (3TPYMB) и TiO.
52. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.37, отличающееся тем, что ОСИП содержит электрод ОСИП; слой переноса дырок (СПД), светоизлучающий слой (СИС) и слой переноса электронов (СПЭ).
3
3
53. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.52, отличающееся тем, что электрод ОСИП содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: ОИО, ОИЦ, ОАО, ОАЦ, серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО, CsCO/ОИО и наборной слой Mg:Ag/Alq.
54. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.52, отличающееся тем, что СПД содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: NPD, TAPC, TFB, TPD и производное диамина.
3
3
55. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.52, отличающееся тем, что СИС содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: трис(2-фенилпиридин)иридий (Ir(рру)), [2-метокси-5-(2-этилгексилокси)-п-фениленвинилен] (MEH-PPV), трис-(8-хинолинолато)алюминий (Alq) и бис[(4,6-дифторфенил)пиридинат]пиколинат (FIrpic).
3
56. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.52, отличающееся тем, что СПЭ содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: ВСР, Bphen, 3TPYMB и Alq.
3
3
3
3
57. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.52, отличающееся тем, что электрод ОСИП содержит наборной слой Mg:Ag/Alq, причем слой Mg:Ag, входящий в состав наборного слоя Mg:Ag/Alq, характеризуется составом, включающим Mg:Ag (в соотношении 10:1), при этом слой Mg:Ag характеризуется толщиной менее 30 нм,и слой Alq, входящий в состав наборного слоя Mg:Ag/Alq, характеризуется толщиной не более 200 нм.
58. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.52, отличающееся тем, что
3
блокирующий электроны/туннелирующий слой является наборным слоем ТАРС/МоО;
слой ТАРС находится в непосредственном взаимодействии со светочувствительным слоем;
3
слой МоО находится в непосредственном взаимодействии со вторым электродом фотодетектора и
светочувствительный слой содержит квантовые примеси PbS.
59. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.58, отличающееся тем, что дополнительно содержит блокирующий дырки слой, расположенный на первом электроде фотодетектора и под светочувствительным слоем.
60. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.52, отличающееся тем, что усиливающий фотодетектор расположен непосредственно рядом с ОСИП, причем ОСИП так расположен, чтобы СПЭ ОСИП находился ближе к светочувствительному слою усиливающего фотодетектора, чем к блокирующему электроны/туннелирующему слою усиливающего фотодетектора.
61. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.52, отличающееся тем, что дополнительно содержит соединительную часть, расположенную между усиливающим фотодетектором и ОСИП, причем соединительная часть расположена так, чтобы блокирующий электроны/туннелирующий слой усиливающего фотодетектора располагался ближе к соединительной части, чем светочувствительный слой, и соединительная часть расположена так, чтобы СПД ОСИП был ближе к соединительной части, чем СПЭ.
62. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.61, отличающееся тем, что соединительная часть содержит блокирующий дырки слой (БДС) и блокирующий электроны слой (БЭС),
причем соединительная часть расположена так, чтобы БДС соединительной части располагался рядом со вторым электродом фотодетектора и в непосредственном взаимодействии с ним, и
соединительная часть расположена так, чтобы БЭС соединительной части располагался рядом с СПД ОСИП и в непосредственном взаимодействии с ним.
63. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.62, отличающееся тем, что низшая незанятая молекулярная орбиталь (ННМО) БДС соединительной части расположена на расстоянии 0,5 эВ от высшей занятой молекулярной орбитали (ВЗМО) БЭС соединительной части.
64. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.37, отличающееся тем, что дополнительно содержит соединительную часть, расположенную между усиливающим фотодетектором и ОСИП, причем соединительная часть расположена так, чтобы блокирующий электроны/туннелирующий слой усиливающего фотодетектора располагался ближе к соединительной части, чем светочувствительный слой.
65. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.64, отличающееся тем, что соединительная часть содержит блокирующий дырки слой (БДС) и блокирующий электроны слой (БЭС),
причем соединительная часть расположена так, чтобы БДС соединительной части располагался рядом со вторым электродом фотодетектора и в непосредственном взаимодействии с ним, и
соединительная часть расположена так, чтобы БЭС соединительной части располагался рядом с СПД ОСИП и в непосредственном взаимодействии с ним.
66. Устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты по п.65, отличающееся тем, что низшая незанятая молекулярная орбиталь (ННМО) БДС соединительной части находится на расстоянии 0,5 эВ от высшей занятой молекулярной орбитали (ВЗМО) БЭС соединительной части.
67. Способ формирования устройства преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты, включающий:
формирование усиливающего фотодетектора;
формирование ОСИП и
соединение ОСИП с усиливающим фотодетектором;
причем формирование усиливающего фотодетектора включает:
формирование первого электрода;
формирование светочувствительного слоя на первом электроде;
формирование блокирующего электроны/туннелирующего слоя на светочувствительном слое и
формирование второго электрода на блокирующем электроны/туннелирующем слое.
68. Способ по п.67, отличающийся тем, что светочувствительный слой является чувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны от 0,7 до 14 мкм включительно.
69. Способ по п.68, отличающийся тем, что светочувствительный слой является нечувствительным к фотонам, которые характеризуются длиной волны по меньшей мере 0,4 и менее 0,7 мкм.
70. Способ по п.67, отличающийся тем, что светочувствительный слой содержит квантовые примеси PbS или квантовые примеси PbSe.
71. Способ по п.67, отличающийся тем, что светочувствительный слой содержит квантовые примеси PbS.
72. Способ по п.67, отличающийся тем, что светочувствительный слой содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: квантовые примеси PbS, квантовые примеси PbSe, PCTDA, SnPc, SnPc:C60, AlPcCl, AlPcCl:С60, TiOPc, TiOPc:C60, PbSe, PbS, InAs, InGaAs, Si, Ge и GaAs.
3
73. Способ по п.67, отличающийся тем, что первый электрод фотодетектора содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCO/ОИО.
3
74. Способ по п.67, отличающийся тем, что второй электрод фотодетектора содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCO/ОИО.
75. Способ по п.67, отличающийся тем, что первый электрод фотодетектора является анодом, а второй электрод фотодетектора является катодом.
3
3
76. Способ по п.75, отличающийся тем, что первый электрод фотодетектора содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCO/ОИО; причем второй электрод фотодетектора содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: оксид индия и олова (ОИО), оксид индия и цинка (ОИЦ), оксид алюминия и олова (ОАО), оксид алюминия и цинка (ОАЦ), серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО и CsCO/ОИО.
3
77. Способ по п.67, отличающийся тем, что формирование блокирующего электроны/туннелирующего слоя включает формирование наборного слоя ТАРС/МоО.
3
78. Способ по п.77, отличающийся тем, что слой ТАРС формируют таким образом, что он находится в непосредственном взаимодействии со светочувствительным слоем, при этом второй электрод фотодетектора формируют таким образом, что он находится в непосредственном взаимодействии со слоем МоО.
3
79. Способ по п.77, отличающийся тем, что слой ТАРС характеризуется толщиной не более 100 нм, при этом слой МоО характеризуется толщиной не более 100 нм.
80. Способ по п.67, отличающийся тем, что дополнительно включает формирование блокирующего дырки слоя на первом электроде фотодетектора, при этом светочувствительный слой формируют на блокирующем дырки слое.
3
2
81. Способ по п.80, отличающийся тем, что блокирующий дырки слой содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: ZnO, ангидрид нафталинтетракарбоновой кислоты (NTCDA), 2,9-диметил-4,7-дифенил-1,10-фенантролин (ВСР), п-бис(трифенилсилил)бензол (UGH2), 4,7-дифенил-1,10-фенантролин (BPhen), трис-(8-гидроксихинолин)алюминий (Alq), 3,5′-N,N′-дикарбозол-бензол (mCP), C60, трис[3-(3-пиридил)мезитил]боран (3TPYMB) и TiO.
82. Способ по п.67, отличающийся тем, что формирование ОСИП включает:
формирование электрода ОСИП;
формирование слоя переноса дырок (СПД);
формирование светоизлучающего слоя (СИС) и
формирование слоя переноса электронов (СПЭ).
3
3
83. Способ по п.82, отличающийся тем, что электрод ОСИП содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: ОИО, ОИЦ, ОАО, ОАЦ, серебро, кальций, магний, золото, алюминий, углеродные нанотрубки, серебряный нанопровод, LiF/Al/ОИО, Ag/ОИО, CsCO/ОИО и наборной слой Mg:Ag/Alq.
84. Способ по п.82, отличающийся тем, что СПД содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: NPD, TAPC, TFB, TPD и производное диамина.
3
3
85. Способ по п.82, отличающийся тем, что СИС содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: трис(2-фенилпиридин)иридий (Ir(рру)), [2-метокси-5-(2-этилгексилокси)-п-фениленвинилен] (MEH-PPV), трис-(8-хинолинолато)алюминий (Alq) и бис[(4,6-дифторфенил)пиридинат]пиколинат (FIrpic).
3
86. Способ по п.82, отличающийся тем, что СПЭ содержит по меньшей мере один материал, выбранный из группы, включающей: ВСР, Bphen, 3TPYMB и Alq.
3
3
3
3
87. Способ по п.82, отличающийся тем, что формирование электрода ОСИП включает формирование наборного слоя Mg:Ag/Alq, причем слой Mg:Ag, входящий в состав наборного слоя Mg:Ag/Alq, характеризуется составом, включающим Mg:Ag (в соотношении 10:1), при этом слой Mg:Ag характеризуется толщиной менее 30 нм и слой Alq, входящий в состав наборного слоя Mg:Ag/Alq, характеризуется толщиной не более 200 нм.
88. Способ по п.82, отличающийся тем, что
3
формирование блокирующего электроны/туннелирующего слоя включает формирование наборного слоя ТАРС/МоО;
слой TAPC формируют таким образом, что он находится в непосредственном взаимодействии со светочувствительным слоем;
3
второй электрод фотодетектора формируют таким образом, что он находится в непосредственном взаимодействии со слоем МоО; и
светочувствительный слой содержит квантовые примеси PbS.
89. Способ по п.88, отличающийся тем, что дополнительно включает формирование блокирующего дырки слоя на первом электроде фотодетектора, при этом светочувствительный слой формируют на блокирующем дырки слое.
90. Способ по п.82, отличающийся тем, что усиливающий фотодетектор располагают так, чтобы он находился непосредственно рядом с ОСИП, причем ОСИП располагают так, чтобы СПЭ ОСИП находился ближе к светочувствительному слою усиливающего фотодетектора, чем к блокирующему электроны/туннелирующему слою усиливающего фотодетектора.
91. Способ по п.78, отличающийся тем, что осуществление соединения ОСИП с усиливающим фотодетектором включает:
формирование соединительной части;
соединение ОСИП с соединительной частью; и
соединение усиливающего фотодетектора с соединительной частью;
причем соединительную часть располагают так, чтобы блокирующий
электроны/туннелирующий слой усиливающего фотодетектора был ближе к соединительной части, чем светочувствительный слой, и
соединительную часть располагают так, чтобы СПД ОСИП был ближе к соединительной части, чем СПЭ.
92. Способ по п.91, отличающийся тем, что формирование соединительной части включает:
формирование блокирующего дырки слоя (БДС); и
формирование блокирующего электроны слоя (БЭС),
причем соединительную часть располагают так, чтобы БДС соединительной части располагался рядом со вторым электродом фотодетектора и в непосредственном взаимодействии с ним, и
соединительную часть располагают так, чтобы БЭС соединительной части располагался рядом с СПД ОСИП и в непосредственном взаимодействии с ним.
93. Способ по п.92, отличающийся тем, что низшая незанятая молекулярная орбиталь (ННМО) БДС соединительной части находится на расстоянии 0,5 эВ от высшей занятой молекулярной орбитали (ВЗМО) БЭС соединительной части.
94. Способ по п.63, отличающийся тем, что осуществление соединения ОСИП с усиливающим фотодетектором включает:
формирование соединительной части;
соединение ОСИП с соединительной частью; и
соединение усиливающего фотодетектора с соединительной частью;
причем соединительную часть располагают так, чтобы блокирующий электроны/туннелирующий слой усиливающего фотодетектора был ближе к соединительной части, чем светочувствительный слой.
95. Способ по п.94, отличающийся тем, что формирование соединительной части включает:
формирование блокирующего дырки слоя (БДС); и
формирование блокирующего электроны слоя (БЭС),
причем соединительную часть располагают так, чтобы БДС соединительной части располагался рядом со вторым электродом фотодетектора и в непосредственном взаимодействии с ним, и
соединительную часть располагают так, чтобы БЭС соединительной части располагался рядом с СПД ОСИП и в непосредственном взаимодействии с ним.
96. Способ по п.95, отличающийся тем, что низшая незанятая молекулярная орбиталь (ННМО) БДС соединительной части находится на расстоянии 0,5 эВ от высшей занятой молекулярной орбитали (ВЗМО) БЭС соединительной части.
97. Способ обнаружения ИК-излучения при помощи усиливающего фотодетектора, включающий:
расположение усиливающего фотодетектора таким образом, чтобы ИК-излучение падало на усиливающий фотодетектор;
причем усиливающий фотодетектор содержит:
первый электрод;
чувствительный к ИК-излучению слой, расположенный на первом электроде;
блокирующий электроны/туннелирующий слой, расположенный на светочувствительном слое; и
второй электрод, расположенный на блокирующем электроны/туннелирующем слое.
98. Способ преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты при помощи устройства преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты, включающий:
расположение устройства преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты таким образом, чтобы ИК-излучение падало на устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты;
причем устройство преобразования ИК-излучения в видимое излучение с повышением частоты содержит:
усиливающий фотодетектор; и
органический светоизлучающий прибор (ОСИП), присоединенный к усиливающему фотодетектору;
причем усиливающий фотодетектор содержит:
первый электрод фотодетектора;
чувствительный к ИК-излучению слой, расположенный на первом электроде фотодетектора;
блокирующий электроны/туннелирующий слой, расположенный на светочувствительном слое; и
второй электрод фотодетектора, расположенный на блокирующем электроны/туннелирующем слое.