ТЕРМООБРАБАТЫВАЕМОЕ ПОКРЫТОЕ ИЗДЕЛИЕ БРОНЗОВОГО ЦВЕТА, ИМЕЮЩЕЕ НИЗКОЕ ЗНАЧЕНИЕ СОЛНЕЧНОГО ФАКТОРА

1. Покрытое изделие, имеющее бронзовую окраску на отражение со стороны стекла и включающее в себя поддерживаемую стеклянной подложкой систему слоев, содержащую:
первый диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния;
первый отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий NbZr, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере первого диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния;
второй диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере первого диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния, и первого отражающего ИК-излучение слоя, содержащего NbZr;
второй отражающий ИК-излучение слой, содержащий NbZr, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере второго диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния;
третий диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере второго отражающего ИК-излучение слоя, содержащего NbZr;
при этом покрытое изделие имеет коэффициент отражения в видимой области спектра со стороны стекла не более 15%; и
при этом покрытое изделие имеет бронзовую окраску на отражение со стороны стекла/снаружи, включая цветовое значение а* со стороны стекла/снаружи от -2,0 до +16,0 и цветовое значение b* со стороны стекла/снаружи от 0 до +20; и (i) если измеряется монолитно, имеет значение СФ не более 0,31 и значение КТСИ не более 0,36, и/или (ii) если представляет собой изолирующий (ИС) стеклопакет с двумя стеклянными подложками, имеет значение СФ не более 0,22 и значение КТСИ не более 0,25.
2. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытое изделие имеет значение b* со стороны стекла/снаружи от +2,0 до +15,0.
3. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытое изделие имеет значение b* со стороны стекла/снаружи от +4,0 до +12,0.
4. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытое изделие имеет значение а* со стороны стекла/снаружи от 0 до +10,0.
5. Покрытое изделие по п. 1, в котором второй диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния, расположен непосредственно между первым и вторым отражающими ИК-излучение слоями, содержащими NbZr, и контактирует с ними.
6. Покрытое изделие по п. 1, в котором по меньшей мере один из первого и второго отражающих ИК-излучение слоев, содержащих NbZr, является/являются азотированным(и).
х
7. Покрытое изделие по п. 1, в котором каждый из первого и второго отражающих ИК-излучение слоев, содержащих NbZr, содержит NbZrN.
8. Покрытое изделие по п. 1, в котором каждый из первого и второго отражающих ИК-излучение слоев, содержащих NbZr, содержит больше Nb, чем Zr, в расчете на атомный процент.
9. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытое изделие является термообработанным и имеет значение ΔЕ* (на отражение со стороны стекла) не более 3,0 после и/или вследствие термообработки.
10. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытое изделие имеет коэффициент пропускания в видимой области спектра 10-20%.
11. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытое изделие имеет коэффициент пропускания в видимой области спектра 12-17%.
12. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытое изделие не имеет металлического отражающего инфракрасное (ИК) излучение слоя на основе Ag и/или Аu.
13. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытое изделие содержит ИС стеклопакет.
14. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытое изделие содержит одинарный оконный блок.
15. Покрытое изделие по п. 1, в котором по меньшей мере один из первого и второго отражающих ИК-излучение слоев практически свободен/свободны от кислорода.
16. Покрытое изделие по п. 1, в котором покрытие дополнительно содержит верхний слой, содержащий оксид циркония.
17. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытие включает в себя только два отражающих ИК-излучение слоя и состоит по существу из первого диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния, первого отражающего инфракрасное (ИК) излучение слоя, содержащего NbZr, второго диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния, второго отражающего ИК-излучение слоя, содержащего NbZr, и третьего диэлектрического слоя, содержащего нитрид кремния, и необязательно верхнего слоя, содержащего оксид циркония.
18. Покрытое изделие по п. 1, в котором первый диэлектрический слой тоньше, чем каждый слой из второго и третьего диэлектрических слоев, на по меньшей мере 150 Å.
19. Покрытое изделие по п. 1, в котором отношение толщин второго диэлектрического слоя/первого диэлектрического слоя составляет по меньшей мере 2, более предпочтительно по меньшей мере 3, а наиболее предпочтительно по меньшей мере 4.
20. Покрытое изделие по п. 1, в котором отношение толщин третьего диэлектрического слоя/первого диэлектрического слоя составляет по меньшей мере два.
21. Покрытое изделие по п. 1, в котором второй диэлектрический слой толще, чем третий диэлектрический слой, на по меньшей мере 100 Å.
22. Покрытое изделие по п. 1, в котором третий диэлектрический слой толще, чем первый диэлектрический слой, на по меньшей мере 100 Å, более предпочтительно на по меньшей мере 150 Å.
23. Покрытое изделие по п. 1, в котором второй отражающий ИК-излучение слой толще, чем первый отражающий ИК-излучение слой, на по меньшей мере 15 Å, более предпочтительно на по меньшей мере 20 Å.
24. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытие дополнительно содержит третий отражающий ИК-излучение слой, содержащий NbZr, и четвертый диэлектрический слой, содержащий нитрид кремния.
25. Покрытое изделие по п. 1, в котором по меньшей мере один из отражающих ИК-излучение слоев, содержащих NbZr, дополнительно содержит кислород.
26. Покрытое изделие по п. 1, в котором по меньшей мере один из отражающих ИК-излучение слоев, содержащих NbZr, является металлическим.
27. Покрытое изделие по п. 1, в котором покрытие содержит верхний слой, содержащий оксид циркония, и при этом слой, содержащий оксинитрид кремния, расположен под верхним слоем, содержащим оксид циркония, и контактирует с ним.
28. Покрытое изделие по п. 1, в котором покрытие содержит верхний слой, содержащий оксид циркония, и при этом слой, содержащий оксинитрид циркония-кремния, расположен под верхним слоем, содержащим оксид циркония, и контактирует с ним.
29. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытое изделие (i) если измеряется монолитно, имеет значение СФ не более 0,30 и значение КТСИ не более 0,35, и/или (ii) если представляет собой изолирующий (ИС) стеклопакет с двумя стеклянными подложками, имеет значение СФ не более 0,21.
30. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытое изделие имеет значение а* на отражение со стороны пленки от -15 до +15 при измерении монолитно.
31. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытое изделие имеет коэффициент отражения в видимой области спектра со стороны стекла не более 15%.
32. Покрытое изделие по п. 1, при этом покрытое изделие имеет коэффициент отражения в видимой области спектра со стороны стекла не более 11%.
33. Покрытое изделие, имеющее бронзовую окраску на отражение со стороны стекла и включающее в себя поддерживаемую стеклянной подложкой систему слоев, содержащую:
первый диэлектрический слой, содержащий азот;
первый отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой на стеклянной подложке поверх по меньшей мере первого диэлектрического слоя;
второй диэлектрический слой, содержащий азот, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере первого диэлектрического слоя и первого отражающего ИК-излучение слоя;
второй отражающий ИК-излучение слой на стеклянной подложке поверх по меньшей мере второго диэлектрического слоя;
третий диэлектрический слой, содержащий азот, на стеклянной подложке поверх по меньшей мере второго отражающего ИК-излучение слоя;
x
x
x
x
x
при этом каждый из первого и второго отражающих ИК-излучение слоев содержит один или более из: NbZr, NbZrN, NiCr, NiCrN, NiCrMo, NiCrMoN, NbCr, NbCrN, Nb и NbN;
при этом покрытое изделие имеет коэффициент отражения в видимой области спектра со стороны стекла не более 15%; и
при этом покрытое изделие имеет бронзовую окраску на отражение со стороны стекла/снаружи, включая цветовое значение а* со стороны стекла/снаружи от -2,0 до +16,0 и цветовое значение b* со стороны стекла/снаружи от 0 до +20; и (i) если измеряется монолитно, имеет значение СФ не более 0,31 и значение КТСИ не более 0,36, и/или (ii) если представляет собой изолирующий (ИС) стеклопакет с двумя стеклянными подложками, имеет значение СФ не более 0,22 и значение КТСИ не более 0,25.
34. Покрытое изделие по п. 33, в котором каждый из первого, второго и третьего диэлектрических слоев содержит нитрид кремния.
35. Покрытое изделие по п. 33, при этом покрытое изделие имеет значение b* со стороны стекла/снаружи от +2,0 до +15,0.
36. Покрытое изделие по п. 33, при этом покрытое изделие имеет значение b* со стороны стекла/снаружи от +4,0 до +12,0.
37. Покрытое изделие по п. 33, при этом покрытое изделие имеет значение а* со стороны стекла/снаружи от 0 до +10,0.
38. Покрытое изделие по п. 33, в котором по меньшей мере один из первого и второго отражающих ИК-излучение слоев является азотированным.
39. Покрытое изделие по п. 33, при этом покрытое изделие имеет коэффициент пропускания в видимой области спектра 10-20%.
40. Покрытое изделие по любому из пп. 33-39, при этом покрытое изделие не имеет металлического отражающего инфракрасное (ИК) излучение слоя на основе Ag и/или Аu.
41. Покрытое изделие по п. 33, при этом покрытое изделие содержит ИС стеклопакет, одинарный оконный блок и/или ламинированный оконный блок.
42. Покрытое изделие по п. 33, в котором по меньшей мере один из первого и второго отражающих ИК-излучение слоев практически свободен от кислорода.
43. Покрытое изделие по п. 33, в котором покрытие дополнительно содержит верхний слой, содержащий оксид циркония.
44. Покрытое изделие по п. 33, в котором покрытие включает в себя только два отражающих ИК-излучение слоя и состоит по существу из первого диэлектрического слоя, первого отражающего инфракрасное (ИК) излучение слоя, второго диэлектрического слоя, второго отражающего ИК-излучение слоя и третьего диэлектрического слоя, а также необязательно верхнего слоя, содержащего оксид циркония.
45. Покрытое изделие по п. 33, в котором один или более из отражающих ИК-излучение слоев дополнительно содержит кислород.
46. Покрытое изделие по п. 33, в котором один или более из отражающих ИК-излучение слоев является металлическим.
47. Покрытое изделие по п. 33, в котором покрытие содержит верхний слой, содержащий оксид циркония, и при этом слой, содержащий оксинитрид кремния, расположен под верхним слоем, содержащим оксид циркония, и контактирует с ним.
48. Покрытое изделие по п. 33, в котором покрытие содержит верхний слой, содержащий оксид циркония, и при этом слой, содержащий оксинитрид кремния циркония, расположен под верхним слоем, содержащим оксид циркония, и контактирует с ним.
49. Покрытое изделие по п. 33, в котором отражающие ИК-излучение слои содержат NbZr.
50. Покрытое изделие по п. 33, в котором отражающие ИК-излучение слои содержат нитрид NbZr.
51. Покрытое изделие по п. 33, в котором отражающие ИК-излучение слои содержат NiСrМо.
52. Покрытое изделие по п. 33, в котором отражающие ИК-излучение слои содержат нитрид NiСrМо.
53. Покрытое изделие по п. 33, в котором содержание металла в одном или более отражающих ИК-излучение слоях составляет, в % металла, 54-58 мас.% Ni, 20-22,5 мас.% Сr и 12,5-14,4 мас.% Мо.
54. Покрытое изделие по п. 33, в котором отражающие ИК-излучение слои физически не контактируют с любым другим металлическим или практически металлическим отражающим или блокирующим ИК-излучение слоем.
55. Покрытое изделие по п. 33, в котором второй диэлектрический слой расположен непосредственно между первым и вторым отражающими ИК-излучение слоями и контактирует с ними.
56. Покрытое изделие по п. 33, в котором первый диэлектрический слой тоньше, чем каждый из второго и третьего диэлектрических слоев на по меньшей мере 100 Å, более предпочтительно на по меньшей мере 150 Å.
57. Покрытое изделие по п. 33, в котором отношение толщин второго диэлектрического слоя/первого диэлектрического слоя составляет по меньшей мере 2, более предпочтительно по меньшей мере 3, а наиболее предпочтительно по меньшей мере 4.
58. Покрытое изделие по п. 33, в котором отношение толщин третьего диэлектрического слоя/первого диэлектрического слоя составляет по меньшей мере два.
59. Покрытое изделие по п. 33, в котором второй диэлектрический слой толще, чем третий диэлектрический слой, на по меньшей мере 100 Å.
60. Покрытое изделие по п. 33, в котором покрытие дополнительно содержит третий отражающий ИК-излучение слой, содержащий NbZr; и четвертый диэлектрический слой, содержащий азот.