СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОЗРАЧНОЙ ОМИЧЕСКОЙ КОНТАКТНОЙ СТРУКТУРЫ BeO/Au/BeO/p-GaN

Способ изготовления прозрачной омической контактной структуры BeO/Au/BeO/p-GaN, заключающийся в ионно-плазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя p-GaN с последующим нагреванием поверхности до температуры 350÷370°С и нанесением омического контакта, состоящего из слоя ВеО с проводимостью р-типа толщиной от 2,8 до 3,2 нм, слоя золота толщиной от 3,8 до 4,2 нм и второго слоя ВеО толщиной от 3,0 до 4,0 нм, отличающийся тем, что после ионно-плазменной очистки и перед нанесением первого слоя ВеО на поверхность нагретого эпитаксиального слоя p-GaN наносят, а затем удаляют слой оксида алюминия толщиной не менее 30% от толщины эпитаксиального слоя p-GaN.