МОНОБЛОК ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ИЗЛУЧАТЕЛЯ И РЕШЕТКА НА ЕГО ОСНОВЕ

Область техники
Полезная модель относится к области полупроводниковой квантовой электроники, к когерентным и некогерентным полупроводниковым источникам излучения, в том числе мощным, в частности, к конструкции моноблоков полупроводниковых лазерных или светодиодных излучателей, многоэлементных, состоящих из двумерных решеток, излучающих линеек или диодов.
Предшествующий уровень техники
Известны различные конструкции многоэлементных излучателей в виде наборных решеток, состоящих из линеек диодных (инжекционных) лазеров (см., например, [Свидетельство RU 8174, кл. H01S 3/18, опубл. 16.10.1998, ГП НИИ «Полюс», RU; Патент ЕР 1887666, опубл. 13.02.2008, THIAGARAJAN PRABHU и др., US; Патент RU2396654, H01S 5/32, опубл. 10.08.2010, ОАО «НПП «ИНЖЕКТ», RU]. Общим для всех рассмотренных конструкций является наличие не менее двух линеек диодных лазеров, с индивидуальными теплоотводящими и контактными прокладками между линейками, с единым теплоотводом со стороны зеркал, противоположных излучающим. Также имеются основание, токоподводящие контактные площадки, теплоотводы, корпус. Решетка лазерных линеек в соответствии с [Патентом RU 2396654, H01S 5/32, опубл. 10.08.2010, ОАО «НПП «ИНЖЕКТ», RU] содержит лазерные линейки - полупроводниковые излучающие диодные элементы, каждую из которых помещают между термокомпенсаторами (индивидуальными теплоотводами), которые обычно несколько превышают размеры излучающего элемента и их края никак не закреплены (см. фиг. 2 патента RU 2396654), что при вибрациях может привести к нарушению целостности всей конструкции. Такой моноблок не устойчив и поэтому для закрепления введена теплоотводящая диэлектрическая пластина, находящаяся со стороны одного из зеркал резонаторов лазерных линеек. Каждая линейка содержит отрицательный и положительный выводы. Выводы крайних лазерных линеек соединены с токоподводящими контактными площадками. Все устройство закрыто пылезащитной крышкой. Известная решетка лазерных линеек имеет высокую надежность работы, но с довольно большим телом свечения и низкой плотностью мощности. Теплопроводящее основание, диэлектрик, индивидуальные теплоотводы должны иметь коэффициенты термического расширения (КТР) близкие к КТР лазерных линеек, что весьма трудно подобрать. Не предусмотрена защита от пробоя как моноблока, так и всей конструкции. Кроме того, известная конструкция не позволяет использовать при необходимости излучение из зеркала резонатора, закрытого диэлектрической пластиной.
Использование опорных элементов, установленных между выводными контактными пластинами полупроводниковых кристаллов силового полупроводникового модуля, описано в [Патенте RU 2243614, H01L 25/04, опубл. 27.12.2004, АББ ШВАЙЦ ХОЛДИНГ АГ, СН]. Имеются контактные платы, между которыми помещены опорные элементы. Полупроводниковый рабочий кристалл помещен между контактными пластинами. Одна контактная пластина внешней поверхностью расположена на внутренней поверхности одной из контактных плат. Между внешней поверхностью второй пластины и внутренней поверхностью второй платы помещен пружинный элемент. Он позволяет регулировать закрепление различных по толщине полупроводниковых кристаллов силового полупроводникового модуля. В данной конструкции предотвращены механические перегрузки, но отсутствует защита от обратного пробоя. Подобная конструкция не целесообразна для полупроводникового излучателя.
Известны различные конструкции полупроводниковых излучателей, в моноблоке которых какой-либо излучающий элемент (а именно, решетка или линейка или диод) закреплен в дополнительной опоре, имеющей коэффициент термического расширения (КТР) близкий к КТР излучающего элемента. Например, предложено закрепление излучающей решетки в кремниевой опоре (см. [Патент US 8400539, H04N 5/335, опубл. 19.05.2013, ВАЕ Systems Information and Electronics Systems Integration, Inc., US]). В [Патенте US8483249, H01S 3/14, опубл. 09.06.2013, Coherent, Inc., CA (US)] предложен ограничивающий контактный металлический блок, имеющий КТР очень близкий к КТР излучающего элемента. Данная конструкция несколько громоздка. В обеих конструкциях наблюдается недостаточная равномерность распределения нагрузки по длине излучающего элемента и отсутствует защита от пробоя при приложении обратного напряжения.
Решетка лазерных линеек в соответствии с [Патентом RU 2396654, H01S 5/32, опубл. 10.08.2010, ОАО «НПП «ИНЖЕКТ», RU] содержит лазерные линейки - полупроводниковые излучающие диодные элементы, каждую из которых помещают между термокомпенсаторами (индивидуальными теплоотводами), которые обычно несколько превышают размеры излучающего элемента и их края никак не закреплены (см. фиг. 2 патента RU 2396654), что при вибрациях может привести к нарушению целостности всей конструкции. Такой моноблок не устойчив и поэтому для закрепления введена теплоотводящая диэлектрическая пластина, находящаяся со стороны одного из зеркал резонаторов лазерных линеек. Каждая линейка содержит отрицательный и положительный выводы. Выводы крайних лазерных линеек соединены с токоподводящими контактными площадками. Все устройство закрыто пылезащитной крышкой. Известная решетка лазерных линеек имеет высокую надежность работы, но с довольно большим телом свечения и низкой плотностью мощности. Теплопроводящее основание, диэлектрик, индивидуальные теплоотводы должны иметь коэффициенты термического расширения (КТР) близкие к КТР лазерных линеек, что весьма трудно подобрать. Не предусмотрена защита от пробоя как моноблока, так и всей конструкции. Кроме того, известная конструкция не позволяет использовать при необходимости излучение из зеркала резонатора, закрытого диэлектрической пластиной и не предусмотрена защита от пробоя как моноблока, так и всей конструкции решетки.
Раскрытие полезной модели
Техническим результатом предложенного моноблока полупроводникового излучателя является повышение электростабильности устройства вследствие улучшения защиты от пробоя обратным напряжением, минимизация механических напряжений и увеличение механической прочности, а также упрощение последующих операций измерения параметров и сборки.
Техническим результатом предложенной решетки полупроводникового излучателя является повышение электростабильности устройства вследствие улучшения защиты от пробоя обратным напряжением, минимизация механических напряжений и увеличение механической прочности, а также упрощение последующих операций измерения параметров и сборки.
В соответствии с одним объектом полезной модели технический результат достигается тем, что предложен моноблок полупроводникового излучателя, содержащий две контактные пластины, являющиеся термокомпенсаторами, между которыми имеются полупроводниковый излучающий диодный элемент и, по крайней мере два опорных кристалла из той же самой полупроводниковой пластины, что и полупроводниковый излучающий диодный элемент, причем размещение подложки и p-n перехода полупроводникового излучающего диодного элемента противоположно размещению подложки и p-n перехода опорных кристаллов.
Получены соразмерность по толщине опорных кристаллов и полупроводникового излучающего диодного элемента, равные величины КТР и обратносмещенный p-n переход опорных кристаллов по отношению к направлению протекания тока через полупроводниковый излучающий диодный элемент. Это позволило достигнуть поставленный технический результат - повышение электростабильности устройства вследствие улучшения защиты от пробоя обратным напряжением, минимизация механических напряжений и увеличение механической прочности за счет повышения равномерности распределения нагрузки и уменьшения перекосов по длине полупроводникового излучающего диодного элемента, а также упрощение последующих операций измерения параметров и сборки.
Технический результат достигается также тем, что внутренняя поверхность одного термокомпенсатора находится со стороны поверхности подложки полупроводникового излучающего диодного элемента и внутренняя поверхность другого термокомпенсатора со стороны поверхности, находящейся вблизи p-n перехода полупроводникового излучающего диодного элемента, края термокомпенсаторов совпадают с соответствующими краями полупроводникового излучающего диодного элемента, при этом каждый термокомпенсатор имеет длину, превышающую длину полупроводникового излучающего диодного элемента по крайней мере с одной его торцевой стороны, ширина термокомпенсаторов превышает ширину полупроводникового излучающего диодного элемента, равную длине его резонатора, между термокомпенсаторами также имеются по крайней мере два опорных кристалла, причем сторона подложки каждого опорного кристалла находится со стороны внутренней поверхности второго термокомпенсатора, а поверхность вблизи p-n перехода опорного кристалла находится со стороны внутренней поверхности первого термокомпенсатора, длина каждого опорного кристалла менее длины полупроводникового излучающего диодного элемента.
Технический результат достигается также тем, что длина каждого термокомпенсатора превышает длину полупроводникового излучающего диодного элемента не менее чем на две ширины (две длины резонатора) полупроводникового излучающего диодного элемента.
Технический результат достигается также тем, что длина каждого термокомпенсатора превышает длину полупроводникового излучающего диодного элемента более чем на 1 мм, по крайней мере с одной его торцевой стороны.
Технический результат достигается также тем, что ширина термокомпенсаторов более чем в два раза превышает ширину полупроводникового излучающего диодного элемента, опорные кристаллы находятся с тыльной стороны полупроводникового излучающего диодного элемента, по крайней мере с двух его концов.
Технический результат достигается также тем, что длина опорной пластины и ширина термокомпенсаторов не менее чем в два раза превышают ширину (длину резонатора) полупроводникового излучающего диодного элемента, а длина термокомпенсаторов превышает длину полупроводникового излучающего диодного элемента не менее чем на две его ширины (длины его резонатора), опорные кристаллы находятся с двух торцевых сторон полупроводникового излучающего диодного элемента.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является диодный лазер.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является диодный торцевой светодиод.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является суперлюминесцентный диод.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является лазерная линейка.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является торцевая светодиодная линейка.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является суперлюминесцентная линейка.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является интегральная лазерная решетка.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является интегральная торцевая светодиодная решетка.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является интегральная суперлюминесцентная решетка.
Нами не найден моноблок полупроводникового излучателя с предложенной совокупностью признаков, что подтверждает наличие его новизны.
Технологическая реализация предложенного моноблока полупроводникового излучателя основана на известных базовых методах изготовления моноблока полупроводникового излучателя, которые к настоящему времени хорошо разработаны и широко применяются. Предложение удовлетворяет критерию «промышленная применимость».
В соответствии с другим объектом полезной модели технический результат достигается тем, что предложена решетка полупроводникового излучателя на основе по крайней мере двух моноблоков полупроводникового излучателя, содержащего две контактные пластины, являющиеся термокомпенсаторами, между которыми имеются полупроводниковый излучающий диодный элемент и, по крайней мере два опорных кристалла из той же самой полупроводниковой пластины, что и полупроводниковый излучающий диодный элемент, причем размещение подложки и p-n перехода полупроводникового излучающего диодного элемента противоположно размещению подложки и p-n перехода опорных кристаллов, кроме того, моноблоки полупроводникового излучателя по смежным поверхностям, параллельным p-n-переходам полупроводниковых излучающих диодных элементов, находятся в жестком соединении между собой, а со стороны наружных упомянутых поверхностей находятся выходные электроды.
Получены соразмерность по толщине опорных кристаллов и полупроводникового излучающего диодного элемента, равные величины КТР и обратносмещенный p-n переход опорных кристаллов по отношению к направлению протекания тока через полупроводниковый излучающий диодный элемент. Это позволило достигнуть поставленный технический результат - повышение электростабильности устройства вследствие улучшения защиты от пробоя обратным напряжением, минимизация механических напряжений и увеличение механической прочности за счет повышения равномерности распределения нагрузки и уменьшения перекосов по длине полупроводникового излучающего диодного элемента, а также упрощение последующих операций измерения параметров и сборки.
Технический результат достигается также тем, что внутренняя поверхность одного термокомпенсатора находится со стороны поверхности подложки полупроводникового излучающего диодного элемента и внутренняя поверхность другого термокомпенсатора со стороны поверхности, находящейся вблизи p-n перехода полупроводникового излучающего диодного элемента, края термокомпенсаторов совпадают с соответствующими краями полупроводникового излучающего диодного элемента,, при этом каждый термокомпенсатор имеет длину, превышающую длину полупроводникового излучающего диодного элемента по крайней мере с одной его торцевой стороны, ширина термокомпенсаторов превышает ширину полупроводникового излучающего диодного элемента, равную длине его резонатора, между термокомпенсаторами также имеются по крайней мере два опорных кристалла, причем сторона подложки каждого опорного кристалла находится со стороны внутренней поверхности второго термокомпенсатора, а поверхность вблизи p-n перехода опорного кристалла находится со стороны внутренней поверхности первого термокомпенсатора, длина каждого опорного кристалла менее длины полупроводникового излучающего диодного элемента.
Технический результат достигается также тем, что длина каждого термокомпенсатора превышает длину полупроводникового излучающего диодного элемента не менее чем на две ширины (две длины резонатора) полупроводникового излучающего диодного элемента.
Технический результат достигается также тем, что длина каждого термокомпенсатора превышает длину полупроводникового излучающего диодного элемента более чем на 1 мм, по крайней мере с одной его торцевой стороны.
Технический результат достигается также тем, что ширина термокомпенсаторов более чем в два раза превышает ширину полупроводникового излучающего диодного элемента, опорные кристаллы находятся с тыльной стороны полупроводникового излучающего диодного элемента, по крайней мере с двух его концов.
Технический результат достигается также тем, что длина опорной пластины и ширина термокомпенсаторов не менее чем в два раза превышают ширину (длину резонатора) полупроводникового излучающего диодного элемента, а длина термокомпенсаторов превышает длину полупроводникового излучающего диодного элемента не менее чем на две его ширины (длины его резонатора), опорные кристаллы находятся с двух торцевых сторон полупроводникового излучающего диодного элемента.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является диодный лазер.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является диодный торцевой светодиод.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является суперлюминесцентный диод.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является лазерная линейка.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является торцевая светодиодная линейка.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является суперлюминесцентная линейка.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является интегральная лазерная решетка.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является интегральная торцевая светодиодная решетка.
Технический результат достигается также тем, что полупроводниковым излучающим диодным элементом является интегральная суперлюминесцентная решетка.
Нами не найдена решетка полупроводникового излучателя с предложенной совокупностью признаков, что подтверждает наличие ее новизны.
Технологическая реализация предложенной решетки полупроводникового излучателя основана на известных базовых методах изготовления моноблока полупроводникового излучателя, которые к настоящему времени хорошо разработаны и широко применяются. Предложение удовлетворяет критерию «промышленная применимость».
Краткое описание чертежей
Настоящая полезная модель поясняется фигурами 1-4.
На Фиг. 1 схематически изображен вид со стороны выхода излучения предложенного моноблока полупроводникового излучателя
На Фиг. 2 схематически изображен вид с торцевой стороны предложенного моноблока полупроводникового излучателя.
На Фиг. 3 схематически изображен вид сверху варианта расположения элементов на одном из термокомпенсаторов при отсутствии другого.
На Фиг. 4 дано изображение решетки на основе моноблока полупроводникового излучателя.
Варианты осуществления полезной модели
В дальнейшем полезная модель поясняется конкретными вариантами осуществления предложенных моноблока полупроводникового излучателя и решетки на его основе. Приведенные примеры модификаций не являются единственными и предполагают наличие других реализаций, в том числе в известных диапазонах длин волн.
Моноблок полупроводникового излучателя 1 (см. Фиг.1 - Фиг.3) содержит полупроводниковый излучающий диодный элемент 2 в виде рабочей лазерной линейки (далее, для краткости записи, для первых трех примеров, «полупроводниковый излучающий диодный элемент 2» обозначен как «лазерная линейка 2» и в части случаев «моноблок полупроводникового излучателя 1» обозначен как «моноблок 1») с пятнадцатью лазерными излучающими областями (излучающие области на фигурах не показаны). Лазерная линейка 2 контактными поверхностями центрировано по длине помещена между поверхностями двух термокомпенсаторов-контактных пластин 5 и 6, выполненных из сплава медь-вольфрам. Лазерная линейка 2 установлена так, что ее излучающая зеркальная поверхность 7 совпадает с краем термокомпенсаторов-контактных пластин 5 и 6. Контактная поверхность лазерной линейки 2 вблизи p-n-перехода 8 находится в контакте с поверхностью пластины 5 через слой припоя (на фигурах не показан). Контактная поверхность лазерной линейки 2 вблизи подложки 9 находится в контакте с поверхностью пластины 6 через слой припоя (на фигурах не показан). Ширина поверхности каждой пластины 5 и 6 не менее чем в два раза превышает ширину поверхности лазерной линейки 2. Верхний предел определяется технологической целесообразностью. Длина поверхности каждой пластины 5 и 6 превышает на 0,8 мм длину поверхности лазерной линейки 2. Верхний предел также определяется технологической целесообразностью. С тыльной стороны (неизлучающего зеркала 10) лазерной линейки 2 на противоположном краю длиной стороны термокомпенсаторов-контактных пластин 5 и 6 вблизи торцевых краев лазерной линейки 2 установлены опорные кристаллы 11 длиной, равной 0,38 мм, каждый, выполненные из краевых областей полоски лазерной линейки 2, имеющих одни и те же толщины по всей длине полоски. При этом контактная поверхность опорных кристаллов 11 вблизи p-n-перехода 8 находится в контакте с поверхностью пластины 6 через слой припоя, а контактная поверхность опорных кристаллов 11 вблизи подложки 9 находится в контакте с поверхностью пластины 5 также через слой припоя.
Созданная конструкция моноблока полупроводникового излучателя 1 позволяет значительно проще и технологичнее измерять широкую совокупность параметров: выходную мощность, спектральные характеристики, величины порогового и рабочего токов, рабочее напряжение, тестирование ближней зоны измерения лазерной линейки, определение коэффициента вариации.
Для проведения измерений и тестирования моноблок полупроводникового излучателя 1 помещают между двух электродов оснастки, которые подключают к
генератору импульсов тока. После подачи тока накачки и начала генерации проводят измерения соответствующих параметров.
По критериям годности рабочие образцы моноблоков полупроводникового излучателя 1 отбирают для последующей сборки решетки полупроводникового излучателя 12 (см. Фиг. 4).
Решетки полупроводникового излучателя 12 (см. Фиг. 4) (в части случаев «решетка полупроводникового излучателя 1» обозначена как «решетка 1») состоят из жестко скрепленного набора моноблоков полупроводникового излучателя 1. Между поверхностями, параллельными p-n-переходам 8 каждого из моноблоков полупроводникового излучателя 1, находятся слои припоев (на Фиг. 4 не показаны). Наружные поверхности, параллельные p-n-переходам 8, жестко соединены припоем с соответствующими электродами-шинами 13 и14 (на Фиг. 4 плохо видна). Неизлучающей стороной набор моноблоков полупроводникового излучателя 1 помещен на теплоотвод-изолятор 15 с высокой теплопроводностью, являющийся частью корпуса (на Фиг. 4 не показан) и содержащий выводы 16 и 17, которые соединены с соответствующими электродами-шинами 13 и 14. На изготовленной решетке полупроводникового излучателя 12 проводили те же измерения, что на каждом из моноблоков 1, из которых собрана решетка 12. Для решетки полупроводникового излучателя 12 шириной 12±0,1 мм длиной 26±0,1 мм и максимальной высотой 6,3±0,1 мм, набранной из двадцати лазерных линеек 2 с пятнадцатью излучающими областями в каждой с телом свечения (2×16) мм получены следующие результаты:
- средняя мощность импульса лазерного излучения - 312 Вт,
- энергия импульса излучения - 1200 мДж,
при токе накачки 21А, падении напряжения 33В и длине волны лазерного излучения 944 нм.
Следующая модификация моноблока полупроводникового излучателя 1 отличалась от первой тем, что опорные кристаллы 11 размещали по торцам лазерной линейки 2, имеющей возможность двустороннего вывода лазерного излучения. Длина опорных кристаллов 11 и ширина термокомпенсаторов-контактных пластин 5 и 6 превышала длину резонатора в 2,5 раза. Длина термокомпенсаторов-контактных пластин 5 и 6 превышала длину лазерной линейки более чем на две длины резонатора. Решетка полупроводникового излучателя 12 имела ту же конструкцию, как в первом примере. Теплоотвод-изолятор 15 с тыльной стороны набора моноблоков полупроводникового излучателя 1 отсутствовал.
Следующая модификация моноблока полупроводникового излучателя 1 отличалась от первой тем, что содержит полупроводниковый излучающий диодный элемент 2 в виде рабочей торцевой светодиодной линейки. Остальная сборка как соответствующего моноблока 2, так и решетки 12 аналогична первому примеру.
Следующая модификация моноблока полупроводникового излучателя 1 отличалась от первой тем, что содержит полупроводниковый излучающий диодный элемент 2 в виде рабочей суперлюминесцентной линейки. Остальная сборка как соответствующего моноблока 2, так и решетки 12 аналогична первому примеру.
Следующая модификация моноблока полупроводникового излучателя 1 отличалась от первой тем, что содержит полупроводниковый излучающий диодный элемент 2 в виде рабочей торцевой светодиодной линейки. Остальная сборка как соответствующего моноблока 2, так и решетки 12 аналогична первому примеру.
Следующая модификация моноблока полупроводникового излучателя 1 отличалась от первой тем, что содержит полупроводниковый излучающий диодный элемент 2 в виде рабочей интегральной лазерной решетки, состоящей из интегрально соединенных трех лазерных линеек с девятью лазерными излучающими областями в каждой (линейки и излучающие области на фигуре не показаны). Остальная сборка как соответствующего моноблока 2, так и решетки 12 аналогична первому примеру.
Следующая модификация моноблока полупроводникового излучателя 1 отличалась от первой тем, что содержит полупроводниковый излучающий диодный элемент 2 в виде рабочей интегральной торцевой светодиодной решетки, состоящей из интегрально соединенных трех светодиодных линеек с девятью светодиодными излучающими областями в каждой (линейки и излучающие области на фигуре не показаны). Остальная сборка как соответствующего моноблока 2, так и решетки 12 аналогична первому примеру.
Следующая модификация моноблока полупроводникового излучателя 1 отличалась от первой тем, что содержит полупроводниковый излучающий диодный элемент 2 в виде рабочей интегральной суперлюминесцентной решетки, состоящей из интегрально соединенных трех суперлюминесцентных линеек с девятью суперлюминесцентными излучающими областями в каждой (линейки и излучающие области на фигуре не показаны). Остальная сборка как соответствующего моноблока 2, так и решетки 12 аналогична первому примеру.
Следующая модификация моноблока полупроводникового излучателя 1 отличалась от первой тем, что содержит полупроводниковый излучающий диодный элемент 2 в виде рабочего диодного лазера. Остальная сборка как соответствующего моноблока 2, так и решетки 12 аналогична первому примеру.
Следующая модификация моноблока полупроводникового излучателя 1 отличалась от первой тем, что содержит полупроводниковый излучающий диодный элемент 2 в виде рабочего диодного торцевого светодиода. Остальная сборка как соответствующего моноблока 2, так и решетки 12 аналогична первому примеру.
Следующая модификация моноблока полупроводникового излучателя 1 отличалась от первой тем, что содержит полупроводниковый излучающий диодный элемент 2 в виде рабочего суперлюминесцентного диода. Остальная сборка как соответствующего моноблока 2, так и решетки 12 аналогична первому примеру.
Получена защита от пробоя обратным напряжением, чем повышена электростабильность устройства. Нагрузка равномерно распределена по длине лазерной линейки, практически исключены перекосы, т.е. минимизированы механические напряжения, значительно увеличена механическая прочность. Кроме того, предложенная конструкция моноблока 1 позволила упростить сборку решетки 12 из данных моноблоков 1 и упростить измерения параметров.
Промышленная применимость
Предложенный моноблок полупроводникового излучателя и решетка на его основе могут быть использованы в качестве источника излучения высокой мощности в технологии, медицине, системах накачки твердотельных лазеров, системах связи, контрольно-измерительной аппаратуре, инфракрасной подсветки целей, контроля и управления летательными аппаратами и далее.