СПОСОБ И ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННОГО УСТРОЙСТВА

1. Способ формирования электронного устройства, которое содержит подложку и проводящий слой, при этом способ содержит этапы, на которых:
удаляют фоторезист с, по меньшей мере, одной поверхности электронного устройства с использованием смеси реактивов для удаления фоторезиста,
смесь реактивов для удаления фоторезиста содержит первый материал самоорганизующегося монослоя и реактив для удаления фоторезиста для растворения фоторезиста,
таким образом, осаждают самоорганизующийся монослой на, по меньшей мере, одну поверхность электронного устройства.
2. Способ по п.1, в котором поверхность содержит, по меньшей мере, одну поверхность проводящего слоя и/или поверхность подложки.
3. Способ по п.2, в котором электронное устройство содержит электрод истока, электрод стока и канал устройства, соседний с электродами истока и стока, а поверхность подложки содержит поверхность канала устройства.
4. Способ по п.2, в котором электронное устройство содержит электрод истока, электрод стока и канал устройства, соседний с электродами истока и стока, и, по меньшей мере, одна поверхность проводящего слоя содержит поверхность электрода истока и поверхность электрода стока.
5. Способ по п.4, который дополнительно содержит этап, на котором осаждают полупроводниковый материал на самоорганизующийся монослой, осаждаемый на проводящий слой без озоновой очистки этого проводящего слоя.
6. Способ по п.1, в котором электронное устройство содержит электрод истока и электрод стока, при этом способ дополнительно содержит этапы, на которых:
осаждают первый материал самоорганизующегося монослоя, при этом поверхность содержит поверхность электрода истока и поверхность электрода стока; а затем
осаждают второй материал самоорганизующегося монослоя, отличный от первого самоорганизующегося монослоя на поверхность подложки.
7. Способ по п.1 или 2, который дополнительно содержит этап, на котором используют фоторезист в фотолитографическом способе нанесения шаблона на проводящий слой для формирования электрода истока и электрода стока.
8. Способ по любому из пп.3-6, который дополнительно содержит этап, на котором используют фоторезист в фотолитографическом способе нанесения шаблона на проводящий слой для формирования электрода истока и электрода стока.
9. Способ изготовления смеси реактивов для удаления фоторезиста, при этом смесь реактивов для удаления фоторезиста содержит материал самоорганизующегося монослоя и дополнительно реактив для удаления фоторезиста для растворения фоторезиста, причем реактив для удаления фоторезиста содержит гликолевый компонент и один или более других компонентов, при этом способ содержит этапы, на которых:
добавляют материал самоорганизующегося монослоя к гликолевому компоненту; а затем
добавляют к материалу самоорганизующегося монослоя и гликолевому компоненту оставшиеся компоненты реактива для удаления фоторезиста.
10. Способ по п.9, в котором гликолевый компонент содержит гликолевый эфир, а оставшиеся компоненты содержат 2-амино этанол и деионизованную воду.
11. Смесь реагентов для удаления фоторезиста, содержащая материал самоорганизующегося монослоя и дополнительно реактив для удаления фоторезиста для растворения фоторезиста.
12. Смесь по п.11, в которой материал самоорганизующегося монослоя содержит тиоловые соединения, содержащие серу.
13. Смесь по п.11 или 12, в которой материал самоорганизующегося монослоя содержит пентафторбензолэтиол.
14. Смесь по п.11 или 12, в которой реактив для удаления фоторезиста содержит 2-аминоэтанол, гликолевый эфир и деионизованную воду.
15. Смесь по п.11 или 12, в которой отношение материала самоорганизующегося монослоя к реактиву для удаления фоторезиста приблизительно находится в пределах от 0,0001 до 1%.
16. Смесь по п.13, в которой реактив для удаления фоторезиста содержит 2-аминоэтанол, гликолевый эфир и деионизованную воду.
17. Смесь по п.13, в которой отношение материала самоорганизующегося монослоя к реактиву для удаления фоторезиста приблизительно находится в пределах от 0,0001 до 1%.
18. Смесь по п.14, в которой отношение материала самоорганизующегося монослоя к реактиву для удаления фоторезиста приблизительно находится в пределах от 0,0001 до 1%.