Устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения

Полезная модель относится к области электронной техники, связанной с контролем параметров полупроводниковых диодов, в частности, карбидокремниевых диодов Шоттки.
Известна схема контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения, обеспечивающая высокие значения этой скорости (Cree SiC Power White Paper: The Characterization of dV/dt Capabilities of Cree SiC Schottky diodes using an Avalanche Transistor Pulser. Sep. 2015. https://www.wolfspeed.com/power/tools-and-support/white-papers), которая содержит источник постоянного испытательного напряжения, резистор, конденсатор, испытуемый диод, МДП-транзистор и устройство формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора, содержащее импульсный трансформатор, резисторы, диод, лавинный биполярный транзистор и дополнительный высоковольтный источник напряжения для заряда вспомогательного конденсатора.
Недостатками данной схемы является сложность устройства формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора и потребность в дополнительном высоковольтном источнике напряжения.
Задачей полезной модели является упрощение устройства формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора посредством исключения из схемы дополнительного высоковольтного источника напряжения.
Поставленная задача достигается тем, что устройство контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения содержит источник постоянного испытательного напряжения, резистор, конденсатор, испытуемый диод, МДП-транзистор, устройство формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора и отличается тем, что в качестве устройства формирования импульса напряжения на затворе МДП-транзистора применена микросхема драйвера с большим значением пика выходного тока.
Для пояснения принципа работы устройства контроля стойкости диодов к скорости нарастания обратного напряжения приводится рисунок с его схемой.
Устройство содержит источник постоянного испытательного напряжения смещения 1, резистор 2, конденсатор 3, генератор управляющих импульсов 4, микросхема драйвера с большим значением пика выходного тока (например, UCC27322D) 5, МДП-транзистор 6, испытуемый диод 7 и осциллограф 8.
Работает устройство следующим образом. Конденсатор 3 предварительно заряжается через резистор 2 и испытуемый диод 7 до напряжения источника 1. Управляющий импульс генератора 4 транслируется микросхемой драйвера 5 в импульс тока, который быстро заряжает входную емкость МДП-транзистора 6, вызывая его ускоренное включение. При этом к испытуемому диоду 7 прикладывается обратное напряжение с амплитудой, равной напряжению на конденсаторе 3. Определение скорости нарастания обратного напряжения и стойкости к ней испытуемого диода осуществляется с помощью осциллографа 8.
Предлагаемое устройство применено в приборе контроля стойкости карбидокремниевых диодов Шоттки к скорости нарастания обратного напряжения, выполненного на базе микросхемы драйвера UCC27322D и МДП-транзистора C2M1000170J и обеспечивающего испытание диодов при обратном напряжении от 0 до 1500 В и скорости его нарастания от 50 до 500 В/нс.