АНТИОТРАЖАЮЩЕЕ ОПТИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭТАЛОННОЙ ФОРМЫ

1. Антиотражающее оптическое устройство, содержащее:
основание и
множество выпуклых или вогнутых структурных элементов, расположенных на поверхности основания с мелким шагом, равным или меньше, чем длина волны видимого света,
при этом структурные элементы расположены на поверхности основания так, что они формируют множество линий дорожек и формируют одну из следующих структур: структура шестиугольной решетки, структура квазишестиугольной решетки, структура четырехугольной решетки и структура квазичетырехугольной решетки,
причем каждый структурный элемент имеет форму эллиптического конуса или усеченного эллиптического конуса, длинная ось которого параллельна линии дорожки.
2. Антиотражающее оптическое устройство по п.1, в котором структурные элементы расположены так, что они формируют множество прямых линий дорожек и формируют структуру квазишестиугольной решетки, при этом
высота или глубина структурных элементов в направлении дорожки меньше, чем высота или глубина структурных элементов в направления размещения дорожек.
3. Антиотражающее оптическое устройство по п.1, в котором структурные элементы расположены так, что формируют множество прямых линий дорожек и формируют структуру четырехугольной решетки или структуру квазичетырехугольной решетки, при этом
высота или глубина структурных элементов в направления размещения под углом к направлению дорожки меньше, чем высота или глубина структурных элементов в направлении дорожки.
4. Антиотражающее оптическое устройство по п.1, в котором шаг Р1 размещения структурных элементов на одной и той же дорожке больше, чем шаг Р2 размещения структурных элементов в двух соседних дорожках.
5. Антиотражающее оптическое устройство по п.1, в котором структурные элементы формируют структуру шестиугольной решетки или структуру квазишестиугольной решетки на поверхности основания, при этом
отношение Р1/Р2 удовлетворяет соотношению 1,00≤Р1/Р2≤1,1 или 1,00<Р1/Р2≤1,1, где Р1 - шаг размещения структурных элементов на одной и той же дорожке, и Р2 - шаг размещения структурных элементов в двух соседних дорожках.
6. Антиотражающее оптическое устройство по п.1, в котором структурные элементы формируют структуру четырехугольной решетки или структуру квазичетырехугольной решетки на поверхности основания, при этом
отношение Р1/Р2 удовлетворяет соотношению 1,4<Р1/Р2≤1,5, где P1 - шаг размещения структурных элементов на одной и той же дорожке и Р2 - шаг размещения структурных элементов в двух соседних дорожках.
7. Антиотражающее оптическое устройство, содержащее:
основание и
множество структурных элементов, образованных из выпуклого участка или вогнутого участка и расположенных на поверхности основания с мелким шагом, равным или меньше, чем длина волны видимого света, при этом
структурные элементы расположены на поверхности основания так, что они формируют множество линий дорожек и формируют одну из следующих структур: структура квазишестиугольной решетки, структура четырехугольной решетки и структура квазичетырехугольной решетки, причем
степень заполнения структурными элементами поверхности основания составляет 65% или больше.
8. Антиотражающее оптическое устройство по п.7, в котором степень заполнения структурными элементами поверхности основания составляет 73% или больше.
9. Антиотражающее оптическое устройство по п.8, в котором степень заполнения структурными элементами поверхности основания составляет 86% или больше.
10. Антиотражающее оптическое устройство, содержащее:
основание,
множество структурных элементов, образованных из выпуклого участка или вогнутого участка и расположенных на поверхности основания с мелким шагом, равным или меньше, чем длина волны видимого света, при этом
структурные элементы расположены на поверхности основания так, что они формируют множество линий дорожек и формируют структуру квазишестиугольной решетки, причем
отношение ((2r/Р1)·100) диаметра 2r к шагу Р1 размещения составляет 85% или больше, где Р1 - шаг размещения структурных элементов на одной и той же дорожке и 2r - диаметр нижней поверхности каждого структурного элемента в направлении дорожки.
11. Антиотражающее оптическое устройство по п.10, в котором отношение ((2r/Р1)·100) диаметра 2r к шагу Р1 размещения составляет 90% или больше.
12. Антиотражающее оптическое устройство по п.11, в котором отношение ((2r/Р1)·100) диаметра 2r к шагу Р1 размещения составляет 95% или больше.
13. Антиотражающее оптическое устройство, содержащее:
основание и
множество структурных элементов, образованных из выпуклого участка или вогнутого участка и расположенных на поверхности основания с мелким шагом, равным или меньше, чем длина волны видимого света, при этом
структурные элементы расположены на поверхности основания так, что они формируют множество линий дорожек и формируют структуру четырехугольной решетки или структуру квазичетырехугольной решетки, причем
отношение ((2r/Р1)·100) диаметра 2r к шагу Р1 размещения составляет 127% или больше, где Р1 - шаг размещения структурных элементов на одной и той же дорожке и 2r - диаметр нижней поверхности каждого структурного элемента в направлении дорожки.
14. Антиотражающее оптическое устройство по п.13, в котором отношение ((2r/Р1)·100) диаметра 2r к шагу Р1 размещения составляет 137% или больше.
15. Антиотражающее оптическое устройство по п.14, в котором соотношение ((2r/Р1)·100) диаметра 2r к шагу Р1 размещения составляет 146% или больше.
16. Дисплей, содержащий антиотражающее оптическое устройство по любому из пп.1-15.
17. Способ изготовления эталонной формы, используемой для изготовления антиотражающего оптического устройства, содержащий этапы, на которых:
формируют слой резиста на периферийной поверхности эталонной формы, имеющей вид колонны или цилиндра;
формируют скрытые изображения с шагом меньше, чем длина волны видимого света, путем прерывистого облучения лазерным лучом слоя резиста при вращении эталонной формы, на которой сформирован слой резиста, с относительным перемещением пятна лазерного луча параллельно центральной оси эталонной формы в виде колонны или цилиндра;
формируют структуру резиста на поверхности эталонной формы путем проявления слоя резиста и
формируют вогнутые или выпуклые структурные элементы на поверхности эталонной формы, выполняя процесс травления, используя структуру резиста в качестве маски,
при этом при формировании скрытых изображений эти скрытые изображения располагают на поверхности эталонной формы так, что они формируют множество линий дорожек и формируют одну из следующих структур: структура шестиугольной решетки, структура квазишестиугольной решетки, структура четырехугольной решетки и структура квазичетырехугольной решетки, причем
каждое скрытое изображение имеет эллиптическую форму, длинная ось которого параллельна линии дорожки.
18. Способ изготовления эталонной формы, используемой при изготовлении антиотражающего оптического устройства, содержащий этапы, на которых:
формируют слой резиста на периферийной поверхности эталонной формы, имеющей вид колонны или цилиндра;
формируют скрытые изображения с шагом меньше, чем длина волны видимого света, путем прерывистого облучения лазерным лучом слоя резиста при вращении эталонной формы, на которой сформирован слой резиста, и с относительным перемещением пятна лазерного луча параллельно центральной оси эталонной формы в виде колонны или цилиндра;
формируют структуру резиста на поверхности эталонной формы путем проявления слоя резиста и
формируют вогнутые или выпуклые структурные элементы на поверхности эталонной формы, выполняя процесс травления, используя структуру резиста в качестве маски,
при этом при формировании скрытых изображений эти скрытые изображения располагают на поверхности эталонной формы так, что они формируют множество линий дорожек и формируют одну из следующих структур: структура квазишестиугольной решетки, структура четырехугольной решетки и структура квазичетырехугольной решетки, причем
степень заполнения структурными элементами поверхности эталонной формы составляет 65% или больше.
19. Способ изготовления эталонной формы, используемой при изготовлении антиотражающего оптического устройства, содержащий этапы, на которых:
формируют слой резиста на периферийной поверхности эталонной формы, имеющей вид колонны или цилиндра;
формируют скрытые изображения с шагом меньше, чем длина волны видимого света, путем прерывистого облучения лазерным лучом слоя резиста при вращении эталонной формы, на которой сформирован слой резиста, и с относительным перемещением пятна лазерного луча параллельно центральной оси эталонной формы в виде колонны или цилиндра;
формируют структуру резиста на поверхности эталонной формы путем проявления слоя резиста и
формируют вогнутые или выпуклые структурные элементы на поверхности эталонной формы путем выполнения процесса травления, используя структуру резиста в качестве маски,
при этом при формировании скрытых изображений эти скрытые изображения располагают на поверхности эталонной формы так, что они формируют множество линий дорожек и формируют структуру квазишестиугольной решетки, причем
отношение ((2r/Р1)·100) диаметра 2r к шагу Р1 размещения составляет 85% или больше, где Р1 - шаг размещения структур на одной и той же дорожке и 2r - диаметр каждой структуры в направлении дорожки.
20. Способ изготовления эталонной формы, используемой для изготовления антиотражающего оптического устройства, содержащий этапы, на которых:
формируют слой резиста на периферийной поверхности эталонной формы, имеющей вид колонны или цилиндра;
формируют скрытые изображения с шагом меньше, чем длина волны видимого света, путем прерывистого облучения лазерным лучом слоя резиста при вращении эталонной формы, на которой сформирован слой резиста, и относительном перемещении пятна лазерного луча параллельно центральной оси эталонной формы в виде колонны или цилиндра;
формируют структуру резиста на поверхности эталонной формы путем проявления слоя резиста и
формируют вогнутые или выпуклые структурные элементы на поверхности эталонной формы путем выполнения процесса травления, используя структуру резиста в качестве маски,
при этом при формировании скрытых изображений эти скрытые изображения располагают на поверхности эталонной формы так, что они формируют множество линий дорожек и формируют структуру четырехугольной решетки или структуру квазичетырехугольной решетки, причем
отношение ((2r/Р1)·100) диаметра 2r к шагу Р1 размещения составляет 127% или больше, где Р1 - шаг размещения структур на одной и той же дорожке и 2r - диаметр каждой структуры в направлении дорожки.