ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ С ОБРАБОТАННЫМИ ПОВЕРХНОСТЯМИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ

1. Фотоэлектрический элемент, содержащий:
многопереходный (VMJ) фотоэлектрический элемент с вертикальными переходами, который включает в себя множество соединенных в одно целое единичных элемента, причем каждый единичный элемент имеет множество слоев, которые формируют PN переход(ы); и
буферную зону, которая защищает множество слоев от по меньшей мере одного из давления и растяжения, оказываемых на VMJ фотоэлектрический элемент.
2. Фотоэлектрический элемент по п.1, в котором буферная зона реализуется в виде сформированного бандажа на поверхности конечного слоя единичного элемента.
3. Фотоэлектрический элемент по п.1, в котором буферный слой включает в себя слой сильнолегированного кремния очень малого сопротивления.
4. Способ защиты активных слоев в VMJ элементе, содержащий:
соединение в единое целое множества активных слоев с целью формирования VMJ элемента; и
защиту активных слоев от по меньшей мере одного из давления, растяжения, момента и скручивания, приложенных к VMJ элементу, посредством буферной зоны.
5. Способ по п.4, также содержащий формирование буферной зоны с очень низким сопротивлением как части конечных слоев VMJ элемента.
6. Способ по п.4, также содержащий выполнение омических контактов между внешними слоями единичных элементов.