КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОСЛЕ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОГО ПОЛИРОВАНИЯ (ПОСЛЕ - СМР), СОДЕРЖАЩАЯ КОНКРЕТНОЕ СОДЕРЖАЩЕЕ СЕРУ СОЕДИНЕНИЕ И САХАРНЫЙ СПИРТ ИЛИ ПОЛИКАРБОНОВУЮ КИСЛОТУ

1. Очищающая композиция после химико-механического полирования, содержащая:
1
1
(A) по меньшей мере одно соединение, содержащее по меньшей мере одну тиольную (-SH), тиоэфирную (-SR) или тиокарбонильную (>C=S) группу, где R представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил,
(B) является эритритом, треитом или их стреоизомером или их смесью,
(C) водную среду.
1
2
3
4
1
2
3
4
2
2. Композиция по п. 1, в которой соединение (А) представляет собой соединение, содержащее по меньшей мере одну тиольную (-SH), тиоэфирную (-SR) или тиокарбонильную (>C=S) группу и по меньшей мере одну амино (-NH, -NHR или -NRR) группу, и где R, R, R и R представляют собой - независимо друг от друга - алкил, арил, алкиларил или арилалкил.
3. Композиция по п. 2, в которой соединение (А) представляет собой тиомочевину или ее производное.
1
4. Композиция по п. 2, в которой соединение (А) представляет собой аминокислоту, содержащую по меньшей мере одну тиольную (-SH) или тиоэфирную (-SR) группу или производное этой аминокислоты,
1
где R представляет собой алкил, арил, алкиларил или арилалкил.
5. Композиция по п. 4, в которой соединение (А) представляет собой цистеин, цистин, глутатион, N-ацетилцистеин или их производное.
6. Композиция по п. 1, в которой композиция дополнительно содержит (D), по меньшей мере один хелатообразующий агент металла.
7. Композиция по п. 1, в которой композиция дополнительно содержит по меньшей мере один хелатообразующий агент металла (D), который выбирают из группы, состоящей из пропан-1,2,3-трикарбоновой кислоты, лимонной кислоты, бутан-1,2,3,4-тетракарбоновой кислоты, пентан-1,2,3,4,5-пентакарбоновой кислоты, тримеллитовой кислоты, тримезитовой кислоты, пиромеллитовой кислоты, меллитовой кислоты и олигомерных и полимерных поликарбоновых кислот.
8. Композиция по любому из п.п. 1-7, в которой композиция дополнительно содержит (Е), по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество.
9. Композиция по любому из п.п. 1-7, в которой композиция дополнительно содержит по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество (Е), которое выбирают из группы, состоящей из:
(Е1) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, содержащих
(e11) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, содержащих от 5 до 20 атомов углерода; и
(e12) по меньшей мере одну гидрофильную группу, состоящую из оксиэтиленовых мономерньгх звеньев;
(Е2) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, содержащих
(е21) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, содержащих от 5 до 20 атомов углерода; и
(е22) по меньшей мере одну гидрофильную группу, выбранную из группы, состоящей из полиоксиалкиленовых групп, содержащих
(е221) оксиэтиленовые мономерные звенья и
(е222) по меньшей мере один тип замещенных оксиалкиленовых мономерных звеньев, где заместители выбирают из группы, состоящей из алкильных, циклоалкильных, арильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильных и алкил-циклоалкил-арильных групп;
причем указанная полиоксиалкиленовая группа (е22), содержит мономерные звенья (е221) и (е222) при статистическом, чередующемся, градиентном и/или блочном распределении; и
(Е3) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде алкилполиглюкозидных поверхностно-активных веществ.
10. Применение композиции для очистки после СМР, как определено в любом одном из пп. 1-9, для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, применимых для промышленного изготовления микроэлектронных устройств.
11. Применение по п. 10, в котором композиция для очистки после СМР имеет значение рН в интервале от 4 до 8.
12. Применение по п. 10, в котором остатки и загрязнения содержат бензотриазол или его производное, и в котором поверхность представляет собой содержащую медь поверхность.
13. Применение по п. 10, в котором очищающую композицию применяют для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, содержащих
- электропроводящие слои, содержащие медь или состоящие из нее,
- электроизолирующие диэлектрические слои, состоящие из диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью и
- барьерные слои, содержащие тантал, нитрид тантала, нитрид титана, кобальт, никель, марганец, рутений, нитрид рутения, карбид рутения, или нитрид рутения вольфрама, или состоящие из них
после химико-механического полирования.
14. Способ промышленного изготовления микроэлектронных устройств из полупроводниковых подложек, включающий в себя стадию удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек посредством их контакта по меньшей мере однократно с композицией для очистки после СМР, как определено в любом одном из пп. 1-9.
15. Способ по п. 14, в котором очищающая композиция имеет значение рН в интервале от 4 до 8.
16. Способ по п. 14, в котором остатки и загрязнения содержат бензотриазол или его производное, и в котором поверхность представляет собой содержащую медь поверхность.
17. Способ по п. 14, в котором полупроводниковые подложки содержат
- электропроводящие слои, содержащие медь или состоящие из нее,
- электроизолирующие диэлектрические слои, состоящие из диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью и
- барьерные слои, содержащие тантал, нитрид тантала, нитрид титана, кобальт, никель, марганец, рутений, нитрид рутения, карбид рутения или нитрид рутения вольфрама, или состоящие из них.
18. Композиция для очистки после химико-механического полирования, содержащая:
(А) соединение, представляющее собой цистеин, глютатион, N-ацетилцистеин, тиомочевину или их производное,
(L) по меньшей мере одну олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, и
(С) водную среду.
19. Композиция по п. 18, в которой (L) представляет собой олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, содержащую мономерные звенья акриловой кислоты.
20. Композиция по п. 18, в которой (L) представляет собой олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, содержащую по меньшей мере 20 групп карбоновой кислоты.
21. Композиция по п. 18, в которой среднемассовая молекулярная масса олигомерной или полимерной поликарбоновой кислоты (L) составляет более чем 2000 Дальтон, как определено посредством гельпроникающей хроматографии.
22. Композиция по п. 18, в которой (L) представляет собой олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, которая представляет собой сополимер, содержащий
(i) мономерные звенья акриловой кислоты, и
(ii) мономерные звенья, производные от фумаровой кислоты, малеиновой кислоты, итаконовой кислоты, аконитовой кислоты, мезаконовой кислоты, цитраконовой кислоты, метиленмалоновой кислоты или малеинового ангидрида.
23. Композиция по п. 18, в котором (L) представляет собой олигомерную или полимерную поликарбоновую кислоту, которая представляет собой сополимер малеиновой кислоты/акриловой кислоты.
24. Композиция по любому из пп. 18-23, в которой композиция дополнительно содержит (Е), по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество.
25. Композиция по любому одному из пп. 18-23, в которой композиция дополнительно содержит по меньшей мере одно поверхностно-активное вещество (Е), которое выбирают из группы, состоящей из:
(Е1) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, содержащих
(e11) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, содержащих от 5 до 20 атомов углерода; и
(e12) по меньшей мере одну гидрофильную группу, состоящую из оксиэтиленовых мономерных звеньев;
(Е2) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде поверхностно-активных веществ, содержащих
(е21) по меньшей мере одну гидрофобную группу, выбранную из группы, состоящей из разветвленных алкильных групп, содержащих от 5 до 20 атомов углерода; и
(е22) по меньшей мере одну гидрофильную группу, выбранную из группы, состоящей из полиоксиалкиленовых групп, содержащих
(е221) оксиэтиленовые мономерные звенья и
(е222) по меньшей мере один тип замещенных оксиалкиленовых мономерных звеньев, где заместители выбирают из группы, состоящей из алкильных, циклоалкильных, арильных, алкил-циклоалкильных, алкил-арильных, циклоалкил-арильных и алкил-циклоалкил-арильных групп;
причем указанная полиоксиалкиленовая группа (е22) содержит мономерные звенья (е221) и (е222) при статистическом, чередующемся, градиентном и/или блочном распределении; и
(Е3) амфифильных неионогенных, растворимых в воде или диспергируемых в воде алкилполиглюкозидных поверхностно-активных веществ.
26. Применение композиции для очистки после химико-механического полирования, как определено в любом из п.п. 18-25, для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, применимых для промышленного изготовления микроэлектронных устройств.
27. Применение по п. 26, в котором остатки и загрязнения содержат бензотриазол или его производное, и в котором поверхность представляет собой содержащую медь поверхность.
28. Применение по п. 26, в котором очищающую композицию применяют для удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек, содержащих
- электропроводящие слои, содержащие медь или состоящие из нее,
- электроизолирующие диэлектрические слои, состоящие из диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью и
- барьерные слои, содержащие тантал, нитрид тантала, нитрид титана, кобальт, никель, марганец, рутений, нитрид рутения, карбид рутения или нитрид рутения вольфрама, или состоящие из них
после химико-механического полирования.
29. Способ промышленного изготовления микроэлектронных устройств из полупроводниковых подложек, включающий в себя стадию удаления остатков и загрязнений с поверхности полупроводниковых подложек посредством их контакта по меньшей мере однократно с композицией для очистки после химико-механического полирования, как определено в любом из пп. 18-25.
30. Способ по п. 29, в котором остатки и загрязнения содержат бензотриазол или его производное, и в котором поверхность представляет собой содержащую медь поверхность.
31. Способ по п. 29, в котором полупроводниковые подложки содержат
- электропроводящие слои, содержащие медь или состоящие из нее,
- электроизолирующие диэлектрические слои, состоящие из диэлектриков с низкой или сверхнизкой диэлектрической проницаемостью, и
- барьерные слои, содержащие тантал, нитрид тантала, нитрид титана, кобальт, никель, марганец, рутений, нитрид рутения, карбид рутения, или нитрид рутения вольфрама, или состоящие из них.