СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

1. Способ определения концентрации носителей заряда в полупроводниках, заключающийся в том, что через полупроводниковый образец с электрическим выпрямляющим переходом пропускают высокочастотный ток, подают на образец прямое и обратное напряжение смещения, измеряют амплитуды напряжения первой гармоники тестирующего сигнала, пропорциональной глубине области обеднения, замыкают накоротко переход по току второй гармоники, формируемой нелинейностью характеристики перехода при постоянной амплитуде тока первой гармоники, компенсируют положительным смещением, поданным на переход, влияние контактной разности потенциалов, определяют концентрацию носителей заряда на глубине области обеднения из произведения амплитуды тока второй гармоники и напряжения первой гармоники, обратно пропорционального концентрации носителей заряда на глубине области обеднения, отличающийся тем, что производят обнаружение исследуемого объекта путем сканирования в зондовом микроскопе, например, атомно-силовом, затем формируют барьерный контакт к исследуемому объекту зондом.
2. Устройство для его осуществления, содержащее устройство для определения концентрации носителей заряда в полупроводниках методом двух гармоник, отличающееся тем, что в устройство введен сканирующий зондовый микроскоп, например, атомно-силовой, с возможностью изменения температуры исследуемого образца.