СПОСОБ ИЗОЛЯЦИИ ПРИ МОНТАЖЕ ПЕРЕВЕРНУТЫХ КРИСТАЛЛОВ

2
3
1. Способ изоляции при монтаже перевернутых кристаллов, включающий сборку, на которую поступают кристаллы и подложки с сформированными на паяемых поверхностях контактными столбиками, а между кристаллом и подложкой размещают фольгу толщиной менее 50 мкм из диэлектрических материалов AlO, полиимида или оксида бериллия с отверстиями, расположение которых соответствует расположению контактных столбиков на поверхностях соединяемых деталей, при сборке в отверстиях фольги размещают припой, совмещают отверстия со столбиками кристалла и подложки и нагревают прибор до температуры плавления припоя, в результате чего наличие диэлектрической фольги препятствует растеканию припоя по поверхности подложки и уменьшает вероятность короткого замыкания между контактами прибора, отличающийся тем, что на подложке на месте контактного столбика сформировано глухое отверстие, заполненное припоем, а между кристаллом и подложкой размещают клейкую ленту, имеющую отверстия, рисунок которых является зеркальным отображением расположения контактных столбиков на кристалле; при сборке контактные столбики кристалла через отверстия в ленте совмещают с припоем на подложке, а при нагреве до температуры пайки и давлении на кристалл припой расплавляется, контактные столбики кристалла углубляются в отверстия, при этом происходит смачивание припоем всей поверхности контактных столбиков, часть припоя вытесняется из отверстия, в результате этого происходит заполнение зазора между контактными столбиками и отверстиями в клеящей ленте, а так как толщина ленты соизмерима с расстоянием между кристаллом и подложкой, то под давлением кристалла и при температуре пайки происходит плотное соединение ленты с поверхностями кристалла и подложки, что исключает не только растекание припоя по поверхностям кристалла и подложки и короткое замыкание между контактами прибора, но и образование пор на границе ленты с паяемыми поверхностями кристалла и подложки.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что образование глухого отверстия, заполненного припоем на подложке на месте контактного столбика исключает операцию «чеканки» - принудительная деформация заостренного выступа (участка обрыва проволоки) на контактных столбиках кристалла с применением механического давления.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что использование клейкой ленты типа 3М между кристаллом и подложкой исключает операцию «заливки» компаундом пространства между кристаллом и подложкой.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения (исключения) пор в зазоре «кристалл - подложка» пайку проводят в вакууме.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения растворения золотых контактных столбиков при пайке в качестве припоя используют ПОИ50.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения растворения золотых контактных столбиков в жидкой фазе припоя (при пайке) температура расплава припоя должна составлять не более 10°С от температуры плавления припоя.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью уменьшения растворения золотых контактных столбиков при температуре 100°С в качестве припоя используют ПСрОС3-58.