Состав селективного травителя для химических процессов утонения кремниевых пластин

1. Состав селективного травителя для химических процессов утонения кремниевых пластин включает 1 объемную часть плавиковой кислоты, 3 объемных части азотной кислоты, N объемных частей уксусной кислоты, где N находится в диапазоне от 6 до 12 в зависимости от конкретных требований к скорости и селективности процесса травления, и 0,5÷1 части 0,1%=ного раствора синтезированного фторпроизводного амфолитного комплекса ПАВ с катионактивными и анионактивными группами, выполненного на основе поверхностно-активных веществ вида RFSO2-N-R1R2R3-R4+A-, где А представляет собой анион галогена, и RFSO2-N-R1R2R3R4-К+, где К представляет собой катион, RF - радикал, содержащий ионы фтора, причем в составе амфолитного комплекса катион- и анионактивные группы взяты в равных долях, а в качестве ПАВ используются флактониты А76 и К76.
2. Состав селективного травителя для химических процессов утонения кремниевых пластин по п. 1, отличающийся тем, что в качестве аниона галогена используют одно из нижеперечисленных веществ: хлор, бром, йод.
3. Состав селективного травителя для химических процессов утонения кремниевых пластин по п. 1, отличающийся тем, что в качестве катиона используют одно из нижеперечисленных веществ: натрий, калий, аммоний.