СИСТЕМА И СПОСОБ ВЫБОРОЧНОГО ПРИЛОЖЕНИЯ ОТРИЦАТЕЛЬНОГО НАПРЯЖЕНИЯ К ШИНАМ СЛОВ ВО ВРЕМЯ СЧИТЫВАНИЯ ИЗ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

1. Способ считывания данных из матрицы памяти, включающей в себя устройства на магнитных туннельных переходах (MTJ), при этом способ содержит этапы, на которых:
- прикладывают сигнал считывания к битовой шине, соединенной с матрицей памяти, включающей в себя множество ячеек памяти, причем каждая из множества ячеек памяти содержит устройство на магнитных туннельных переходах (MTJ);
- прикладывают положительное напряжение к выбранной шине слов, соединенной с выбранной ячейкой памяти матрицы памяти; и
- прикладывают отрицательное напряжение к невыбранным шинам слов, соединенным с матрицей памяти.
2. Способ по п.1, в котором каждое MTJ-устройство содержит свободный слой, фиксированный слой и туннельный переход.
3. Способ по п.1, в котором приложение отрицательного напряжения повышает запас считывания выбранной ячейки памяти посредством уменьшения тока утечки из ячеек памяти, соединенных с невыбранными словарными шинами.
4. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап, на котором прикладывают отрицательное напряжение к каждой из шин слов во время состояния ожидания.
5. Способ по п.1, в котором сигнал считывания включает в себя ток считывания или напряжение считывания.
6. Запоминающее устройство, содержащее:
- матрицу ячеек памяти, причем каждая из ячеек памяти в матрице ячеек памяти содержит устройство на магнитных туннельных переходах (MTJ);
- множество битовых шин, соединенных с матрицей ячеек памяти;
- множество шин слов, соединенных с матрицей ячеек памяти;
- логическую схему битовой шины, соединенную с множеством битовых шин и выполненную с возможностью подавать сигнал считывания на одну из множества битовых шин, соединенных с выбранной ячейкой памяти матрицы ячеек памяти; и
- логическую схему шины слов, соединенную с множеством шин слов и выполненную с возможностью избирательно прикладывать положительное напряжение к выбранной шине слов из множества шин слов, причем выбранная шина слов соединена с выбранной ячейкой памяти, и при этом логическая схема шины слов прикладывает отрицательное напряжение к невыбранным шинам слов, соединенным с матрицей памяти, причем невыбранные шины слов включают в себя каждую из множества шин слов, помимо выбранной шины слов.
7. Запоминающее устройство, содержащее:
- логическую схему шины слов, соединенную с множеством шин слов и выполненную с возможностью избирательно прикладывать положительное напряжение к выбранной шине слов, соединенной с выбранной ячейкой памяти, содержащей устройство на магнитных туннельных переходах (MTJ), и прикладывать отрицательное напряжение к невыбранным шинам слов.
8. Запоминающее устройство по п.7, дополнительно содержащее источник отрицательного напряжения, выполненный с возможностью прикладывать отрицательное напряжение к невыбранным шинам слов.
9. Запоминающее устройство по п.8, в котором логическая схема шины слов избирательно соединяет источник отрицательного напряжения с невыбранными шинами слов.
10. Запоминающее устройство по п.8, дополнительно содержащее матрицу ячеек памяти, причем каждая ячейка памяти в матрице ячеек памяти содержит MTJ-устройство.
11. Запоминающее устройство по п.7, дополнительно содержащее:
- матрицу ячеек памяти, причем каждая ячейка памяти в матрице ячеек памяти содержит MTJ-устройство, при этом множество шин слов соединяются с матрицей ячеек памяти;
- множество битовых шин, соединенных с матрицей ячеек памяти; и
- логическую схему битовой шины, соединенную с множеством битовых шин и выполненную с возможностью подавать сигнал считывания на одну из множества битовых шин, соединенных с выбранной ячейкой памяти матрицы ячеек памяти.
12. Запоминающее устройство по п.11, в котором невыбранные шины слов включают в себя, по меньшей мере, одну из множества шин слов, помимо выбранной шины слов.
13. Запоминающее устройство по п.12, в котором каждое MTJ-устройство содержит свободный слой, фиксированный слой и туннельный переход.
14. Запоминающее устройство по п.7, в котором приложение отрицательного напряжения повышает запас считывания выбранной ячейки памяти.
15. Запоминающее устройство по п.7, в котором отрицательное напряжение прикладывается к каждой из множества шин слов во время состояния ожидания.
16. Запоминающее устройство по п.7, в котором отрицательное напряжение является достаточным для того, чтобы уменьшать ток утечки из невыбранных ячеек памяти.
17. Запоминающее устройство по п.7, в котором отрицательное напряжение прикладывается к невыбранным шинам слов, но не прикладывается к выбранной шине слов во время операции считывания.
18. Запоминающее устройство по п.7, в котором MTJ-устройство расположено в битовой ячейке магниторезистивной памяти с произвольным доступом (STT-RAM).
19. Запоминающее устройство по п.18, дополнительно содержащее усилитель считывания тока, соединенный с битовой ячейкой.
20. Запоминающее устройство по п.7, в котором отрицательное напряжение составляет менее 0,5 В.
21. Запоминающее устройство по п.20, в котором отрицательное напряжение составляет приблизительно 0,2 В.
22. Запоминающее устройство, содержащее:
- средство для подачи сигнала считывания на битовую шину, соединенную с матрицей памяти, включающей в себя множество ячеек памяти, причем каждая из множества ячеек памяти содержит устройство на магнитных туннельных переходах (MTJ);
- средство для приложения положительного напряжения к выбранной шине слов, соединенной с выбранной ячейкой памяти матрицы памяти; и
- средство для приложения отрицательного напряжения, по меньшей мере, к одной невыбранной шине слов, соединенной с матрицей памяти.
23. Запоминающее устройство по п.22, дополнительно содержащее источник отрицательного напряжения, соединенный со средством для приложения отрицательного напряжения.
24. Беспроводное устройство, содержащее:
- процессор; и
- запоминающее устройство, соединенное с процессором, причем запоминающее устройство включает в себя логическую схему шины слов, соединенную с множеством шин слов и выполненную с возможностью избирательно прикладывать положительное напряжение к выбранной шине слов, соединенной с выбранной ячейкой памяти, содержащей устройство на магнитных туннельных переходах (MTJ), и прикладывать отрицательное напряжение к невыбранным шинам слов.
25. Беспроводное устройство по п.24, в котором запоминающее устройство содержит магниторезистивную память с произвольным доступом (STT-RAM).