МАТРИЧНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)

1. Матричный преобразователь терагерцового излучения, состоящий из диэлектрической пленки, на которой со стороны падения терагерцового излучения выполнена частотно избирательная поверхность, а на противоположной стороне нанесен сплошной слой с металлической проводимостью, отличающийся тем, что частотно избирательная поверхность выполнена в виде матрицы фрагментов, с различными топологическими рисунками - пикселей, обеспечивающих различные спектральные и/или поляризационные чувствительности, а на противоположной стороне поверх сплошного слоя с металлической проводимостью нанесен тонкий слой материала, обладающего высокой излучательной способностью в инфракрасной области излучения (эмиссионный слой).
2. Матричный преобразователь по п.1, отличающийся тем, что для реализации многоспектрального поляризационно-независимого режима матрица содержит пиксели двух и более типов с поглощающими слоями с изотропной топологией частотно избирательной поверхности, имеющих резонанс для различных длин волн терагерцового излучения.
3. Матричный преобразователь по п.1, отличающийся тем, что для реализации многоспектрального поляризационно-чувствительного режима матрица содержит пиксели двух и более типов с поглощающими слоями с анизотропной топологией частотно избирательной поверхности, имеющих резонанс для различных длин волн терагерцового излучения.
4. Матричный преобразователь по п.1, отличающийся тем, что для реализации режима спектрофотометра - измерителя спектральной зависимости регистрируемого излучения все пиксели матричной структуры имеют различные спектральные чувствительности в заданном диапазоне длин волн.
5. Матричный преобразователь по п.1, отличающийся тем, что для реализации режима измерения эллипса поляризации поглощаемого излучения на заданной длине волны матрица содержит пиксели трех типов с поглощающими слоями с анизотропной топологией частотно избирательной поверхности, имеющих резонанс для трех направлений вектора поляризации терагерцового излучения с заданной длиной волны, повернутых относительно друг друга на заданный угол.
6. Матричный преобразователь по п.1, отличающийся тем, что для реализации режима многоспектрального поляриметра преобразователь содержит не менее 2 типов пикселей со спектрально-зависимым коэффициентом поглощения и не менее 3 типов пикселей с поляризационно-зависимым коэффициентом поглощения поглотителей.
7. Матричный преобразователь по п.1, отличающийся тем, что для уменьшения блюминга в матричной структуре преобразователя выполнены сквозные разрезы в промежутках между пикселями, не нарушающие целостности структуры поглотителя.
8. Матричный преобразователь терагерцового излучения, состоящий из диэлектрической пленки, на которой со стороны падения терагерцового излучения выполнена частотно избирательная поверхность, а на противоположной стороне нанесен сплошной слой с металлической проводимостью, отличающийся тем, что на слой с металлической проводимостью нанесен второй диэлектрический слой, на котором сформирован металлизированный топологический рисунок, образующий вторую частотно избирательную поверхность, при этом толщина второго диэлектрического слоя и топологический рисунок второй частотно-избирательной поверхности выбраны таким образом, чтобы обеспечить резонансное поглощение инфракрасного излучения.
9. Матричный преобразователь по п.8, отличающийся тем, что для реализации многоспектрального поляризационно-независимого режима матрица содержит пиксели двух и более типов с поглощающими слоями с изотропной топологией частотно избирательной поверхности, имеющих резонанс для различных длин волн терагерцового излучения.
10. Матричный преобразователь по п.8, отличающийся тем, что для реализации многоспектрального поляризационно-чувствительного режима матрица содержит пиксели двух и более типов с поглощающими слоями с анизотропной топологией частотно избирательной поверхности, имеющих резонанс для различных длин волн терагерцового излучения.
11. Матричный преобразователь по п.8, отличающийся тем, что для реализации режима спектрофотометра - измерителя спектральной зависимости регистрируемого излучения все пиксели матричной структуры имеют различные спектральные чувствительности в заданном диапазоне длин волн.
12. Матричный преобразователь по п.8, отличающийся тем, что для реализации режима измерения эллипса поляризации поглощаемого излучения на заданной длине волны матрица содержит пиксели трех типов с поглощающими слоями с анизотропной топологией частотно избирательной поверхности, имеющих резонанс для трех направлений вектора поляризации терагерцового излучения с заданной длиной волны, повернутых относительно друг друга на заданный угол.
13. Матричный преобразователь по п.8, отличающийся тем, что для реализации режима многоспектрального поляриметра, преобразователь содержит не менее 2 типов пикселей со спектрально-зависимым коэффициентом поглощения и не менее 3 типов пикселей с поляризационно-зависимым коэффициентом поглощения поглотителей.
14. Матричный преобразователь по п.8, отличающийся тем, что для уменьшения блюминга в матричной структуре преобразователя выполнены сквозные разрезы в промежутках между пикселями, не нарушающие целостности структуры поглотителя.