МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ И СПОСОБ ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ

1. Магниторезистивная ячейка памяти, содержащая перемагничиваемый и неперемагничиваемый слои, разделенные барьерным слоем, закрепляющий слой, а также средства записи и считывания, отличающаяся тем, что содержит закрепляющий слой из полупроводникового материала p- или n-типа проводимости, следующий за ним слой из полупроводникового материала противоположного ему типа проводимости, образующие p-n-переход, содержит адресную и разрядную шины, расположенные с двух сторон перечисленных выше слоев ячейки памяти, средства формирования токов записи в адресной и разрядной шинах, средства считывания в виде средства измерения электрического сопротивления ячейки памяти, а также средства задания полярности и величины относительного электрического смещения между адресной и разрядной шинами.
2. Способ использования ячейки памяти по п. 1, заключающийся в том, что для записи информации пропускают токи записи одновременно по адресной и разрядной шинам, а для считывания измеряют сопротивление между адресной и разрядной шинами, отличающийся тем, что при записи между адресной и разрядной шинами прикладывают электрическое смещение, запирающее p-n-переход ячейки памяти, а при считывании измерение сопротивления проводят путем подачи между адресной и разрядной шинами напряжения, открывающего p-n-переход ячейки памяти.