CVD-РЕДАКТОР (ВАРИАНТЫ) И СПОСОБ СИНТЕЗА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ

1. CVD-реактор для синтеза гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремнии, в котором реализуется возможность проведения процесса осаждения пленки при пониженном давлении и имеющий нагреватели с резистивным или индукционным типом нагрева, отличающийся тем, что водород с температурой, сопоставимой с температурой нагревателя, поступает в зону синтеза по нормали к подложке кремния, а источники компонентов пленки параллельно подложке.
2. CVD-реактор по п.1, отличающийся тем, что нагреватели изготовлены из тантала.
3. CVD-реактор по п.1, отличающийся тем, что секции нагревательных элементов расположены по окружности вокруг центрального токовода, выполняющего одновременно роль канала для отвода продуктов синтеза.
4. CVD-реактор по п.1, отличающийся тем, что секции нагревательных элементов и подложки находятся в различных параллельных плоскостях в следующей последовательности: нагреватель-подложка-подложкодержатель-подложка-нагреватель-…-нагреватель.
2
-2
5. Способ синтеза гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремнии путем химического осаждения из газовой фазы при давлении от 5·10 до 5·10 Па, включающий подачу в зону синтеза источников компонентов пленки и водорода, с установленными в этой зоне, по меньшей мере, двумя подложками кремния с температурой от 800 до 1380°С, отличающийся тем, что в процессе синтеза используется активный водород.
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что в процессе синтеза пленки карбида кремния используется активный водород, причем температура водорода выше температуры подложки и источников компонентов пленки как минимум на 100°С.