СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ И СООТВЕТСТВУЮЩИЕ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ

1. Способ изготовления оптического устройства, причем тело устройства, из которого изготавливается это устройство, содержит по меньшей мере одну квантовую яму (КЯ), включающий в себя этап, на котором:
заставляют первый материал диффундировать в тело устройства, а также материал тела устройства диффундировать наружу и во второй материал.
2. Способ по п.1, в котором первый материал является примесным материалом, а второй материал является диэлектрическим материалом.
3. Способ по п.1 или 2, причем этот способ включает в себя предварительный этап осаждения на тело устройства или прилегающим к телу устройства слоя, содержащего упомянутый примесный материал.
4. Способ по п.3, в котором упомянутый примесный материал вводят с материалом-носителем.
5. Способ по п.4, в котором упомянутый материал-носитель является упомянутым диэлектрическим материалом.
6. Способ по п.4 или 5, в котором упомянутый слой осаждают непосредственно на поверхность тела устройства.
7. Способ по п.6, в котором упомянутый слой осаждают с использованием установки ионного распыления.
8. Способ по п.3, в котором упомянутый слой содержит слой упомянутого примесного материала, который осажден прилегающим к поверхности тела устройства на разделительный слой.
9. Способ по п.8, в котором упомянутый разделительный слой содержит другой диэлектрический материал.
10. Способ по п.8 или 9, в котором на упомянутый слой осаждают еще один дополнительный слой диэлектрика.
11. Способ по п.8 или 9, в котором упомянутый слой осаждают с использованием установки ионного распыления, и разделительный слой/дополнительный слой осаждают с использованием установки ионного распыления.
12. Способ по п.10, в котором упомянутый слой осаждают с использованием установки ионного распыления, и разделительный слой/дополнительный слой осаждают с использованием установки ионного распыления.
13. Способ по любому из пп.4, 5, 7 - 9 или 12, причем этот способ также включает в себя дополнительные предварительные этапы:
обеспечения подложки;
выращивания на этой подложке:
первого оптического слоя оболочки;
направляющего слоя сердцевины, содержащего упомянутую по меньшей мере одну квантовую яму (КЯ);
второго оптического слоя оболочки; и
необязательно, контактного слоя.
14. Способ по п.3, причем этот способ также включает в себя дополнительные предварительные этапы:
обеспечения подложки;
выращивания на этой подложке:
первого оптического слоя оболочки;
направляющего слоя сердцевины, содержащего упомянутую по меньшей мере одну квантовую яму (КЯ);
второго оптического слоя оболочки; и
необязательно, контактного слоя.
15. Способ по п.6, причем этот способ также включает в себя дополнительные предварительные этапы:
обеспечения подложки;
выращивания на этой подложке:
первого оптического слоя оболочки;
направляющего слоя сердцевины, содержащего упомянутую по меньшей мере одну квантовую яму (КЯ);
второго оптического слоя оболочки; и
необязательно, контактного слоя.
16. Способ по п.10, причем этот способ также включает в себя дополнительные предварительные этапы:
обеспечения подложки;
выращивания на этой подложке:
первого оптического слоя оболочки;
направляющего слоя сердцевины, содержащего упомянутую по меньшей мере одну квантовую яму (КЯ);
второго оптического слоя оболочки; и
необязательно, контактного слоя.
17. Способ по п.11, причем этот способ также включает в себя дополнительные предварительные этапы:
обеспечения подложки;
выращивания на этой подложке:
первого оптического слоя оболочки;
направляющего слоя сердцевины, содержащего упомянутую по меньшей мере одну квантовую яму (КЯ);
второго оптического слоя оболочки; и
необязательно, контактного слоя.
18. Способ по п.13, в котором упомянутые первый оптический слой оболочки, направляющий слой сердцевины, второй оптический слой оболочки и контактный слой выращивают молекулярно-пучковой эпитаксией (МПЭ) или химическим осаждением из паровой фазы металлоорганических соединений (ХОПФМОС).
19. Способ по любому из пп.14-17, в котором упомянутые первый оптический слой оболочки, направляющий слой сердцевины, второй оптический слой оболочки и контактный слой выращивают молекулярно-пучковой эпитаксией (МПЭ) или химическим осаждением из паровой фазы металлоорганических соединений (ХОПФМОС).
20. Способ по любому из пп.4, 5 или 7, в котором упомянутый слой удаляют с тела устройства перед перемешиванием.
21. Способ по пункту 6, в котором упомянутый слой удаляют с тела устройства перед перемешиванием.
22. Способ по любому из пп.1, 2, 4, 5, 7 - 9, 12, 14-17, 18 или 21, в котором упомянутый первый материал заставляют перемешиваться с упомянутой по меньшей мере одной квантовой ямой (КЯ) путем нагревания тела устройства до повышенной температуры в течение заданного времени.
23. Способ по п.3, в котором упомянутый первый материал заставляют перемешиваться с упомянутой по меньшей мере одной квантовой ямой (КЯ) путем нагревания тела устройства до повышенной температуры в течение заданного времени.
24. Способ по п.6, в котором упомянутый первый материал заставляют перемешиваться с упомянутой по меньшей мере одной квантовой ямой (КЯ) путем нагревания тела устройства до повышенной температуры в течение заданного времени.
25. Способ по п.10, в котором упомянутый первый материал заставляют перемешиваться с упомянутой по меньшей мере одной квантовой ямой (КЯ) путем нагревания тела устройства до повышенной температуры в течение заданного времени.
26. Способ по п.11, в котором упомянутый первый материал заставляют перемешиваться с упомянутой по меньшей мере одной квантовой ямой (КЯ) путем нагревания тела устройства до повышенной температуры в течение заданного времени.
27. Способ по п.13, в котором упомянутый первый материал заставляют перемешиваться с упомянутой по меньшей мере одной квантовой ямой (КЯ) путем нагревания тела устройства до повышенной температуры в течение заданного времени.
28. Способ по п.19, в котором упомянутый первый материал заставляют перемешиваться с упомянутой по меньшей мере одной квантовой ямой (КЯ) путем нагревания тела устройства до повышенной температуры в течение заданного времени.
29. Способ по п.20, в котором упомянутый первый материал заставляют перемешиваться с упомянутой по меньшей мере одной квантовой ямой (КЯ) путем нагревания тела устройства до повышенной температуры в течение заданного времени.
30. Способ по п.22, в котором упомянутая повышенная температура находится в диапазоне от 700 до 950°С, а упомянутое заданное время находится в диапазоне от 30 до 300 с.
31. Способ по любому из пп.23-29, в котором упомянутая повышенная температура находится в диапазоне от 700 до 950°С, а упомянутое заданное время находится в диапазоне от 30 до 300 с.
32. Способ по п.22, в котором этап нагревания тела устройства до повышенной температуры включает в себя отжиг тела устройства, который вызывает диффузию в упомянутую по меньшей мере одну квантовую яму упомянутого первого материала и диффузию ионов или атомов наружу из упомянутой по меньшей мере одной квантовой ямы в упомянутый материал-носитель или разделительный слой.
33. Способ по любому из пп.23-30, в котором этап нагревания тела устройства до повышенной температуры включает в себя отжиг тела устройства, который вызывает диффузию в упомянутую по меньшей мере одну квантовую яму упомянутого первого материала и диффузию ионов или атомов наружу из упомянутой по меньшей мере одной квантовой ямы в упомянутый материал-носитель или разделительный слой.
34. Способ по п.31, в котором этап нагревания тела устройства до повышенной температуры включает в себя отжиг тела устройства, который вызывает диффузию в упомянутую по меньшей мере одну квантовую яму упомянутого первого материала и диффузию ионов или атомов наружу из упомянутой по меньшей мере одной квантовой ямы в упомянутый материал-носитель или разделительный слой.
35. Оптическое устройство, изготовленное способом по любому из пп.1-34.
36. Устройство по п.35, причем это устройство является интегральным оптическим устройством или оптоэлектронным устройством.
37. Устройство по п.35 или 36, в котором тело устройства изготовлено в системе полупроводниковых материалов III-V групп.
38. Устройство по п.37, в котором система полупроводниковых материалов III-V групп является системой на основе арсенида галлия (GaAs) и работает на длине(ах) волн(ы) по существу между 600 и 1300 нм.
39. Устройство по п.37, в котором система полупроводниковых материалов III-V групп является системой на основе фосфида индия (InP) и работает на длине(ах) волн(ы) по существу между 1200 и 1700 нм.
40. Устройство по п.37, в котором тело устройства выполнено, по меньшей мере частично, из арсенида алюминия-галлия (AlGaAs), арсенида индия-галлия (InGaAs), фосфида-арсенида индия-галлия (InGaAsP), арсенида индия-галлия-алюминия (InGaAlAs) и/или фосфида индия-галлия-алюминия (InGaAlP).
41. Устройство по любому из пп.35, 36, 38, 39 или 40, в котором тело устройства содержит подложку, на которой обеспечены первый оптический слой оболочки, направляющий слой сердцевины и второй оптический слой оболочки, а также, необязательно, контактный слой.
42. Устройство по п.37, в котором тело устройства содержит подложку, на которой обеспечены первый оптический слой оболочки, направляющий слой сердцевины и второй оптический слой оболочки, а также, необязательно, контактный слой.
43. Устройство по любому из пп.35, 36, 38, 39, 40 или 42, в котором по меньшей мере одна квантовая яма (КЯ) обеспечена в упомянутом направляющем слое сердцевины.
44. Устройство по п.37, в котором по меньшей мере одна квантовая яма (КЯ) обеспечена в упомянутом направляющем слое сердцевины.
45. Устройство по п.41, в котором по меньшей мере одна квантовая яма (КЯ) обеспечена в упомянутом направляющем слое сердцевины.
46. Устройство по п.43, в котором, вместо или дополнительно, по меньшей мере одна квантовая яма (КЯ) обеспечена в одном или обоих из упомянутых слоев оболочки.
47. Устройство по п.44 или 45, в котором, вместо или дополнительно, по меньшей мере одна квантовая яма (КЯ) обеспечена в одном или обоих из упомянутых слоев оболочки.
48. Оптическая интегральная схема, оптоэлектронная интегральная схема (ОЭИС) или фотонная интегральная схема (ФИС), содержащая по меньшей мере одно оптическое устройство по любому из пп.35-47.