СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГИБКИХ МЕМБРАН НА ОСНОВЕ ПОРИСТЫХ ПЛЕНОК АНОДНЫХ ОКСИДОВ

1. Способ получения гибких мембран анодных оксидов путем создания композиционных металл/оксидных мембран с ячеистой структурой, включающий стадии нанесения защитного слоя, селективного анодного окисления металла на незащищенных участках и удаления непрореагировавшего металла с обратной стороны путем анодного окисления и последующего селективного химического растворения оксидной пленки.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что геометрия ячеек задается с помощью нанесения на поверхность металлической основы защитного слоя методом фотолитографии, трафаретной печати с применением полиграфических технологий или путем селективного создания оксидного слоя барьерного типа, при этом перечень методов нанесения защитной сетки включает, но не ограничивается вышеуказанными технологиями.
3. Способ по п.2, отличающийся тем, что ячейки из пористого оксида имеют квадратную, треугольную или гексагональную форму и образуют соответствующую двумерную упаковку в плоскости мембраны, при этом геометрическая форма ячеек включает, но не ограничивается вышеуказанными вариантами.
4. Способ по п.1, где в качестве исходного материала используют Al, Ti, Zr, Hf, а также сплавы, содержащие вышеуказанные материалы, при этом перечень материалов, на основе которых может быть получена гибкая пористая мембрана, включает, но не ограничивается вышеуказанными металлами.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что напряжение анодного окисления составляет от 10 до 500 В.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что среднее расстояние между соседними порами в оксидной пленке составляет от 20 до 1000 нм.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что толщина гибкой мембраны составляет от 0,1 до 500 мкм.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что толщина гибкой мембраны определяется удельным зарядом, протекшим в процессе анодирования незащищенных участков подложки.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что диаметр каналов в пленке анодного оксида составляет от 10 до 500 нм.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что анодирование обратной стороны мембраны прекращают в момент уменьшения тока, связанного с уменьшением доступной площади металла для роста оксидной пленки.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что селективное химическое растворение оксидной пленки с обратной стороны проводят, избегая смачивания внешней поверхности мембраны.