СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЕРЕДНЕГО ППО ЭЛЕКТРОДА ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПРИБОРЕ ИЛИ ТОМУ ПОДОБНОМ

1. Способ изготовления фотоэлектрического прибора, содержащий:
обеспечение стеклянной подложки;
распыление по меньшей мере одной керамической мишени в некоторой атмосфере для того, чтобы осадить на стеклянной подложке по существу прозрачный проводящий электрод, содержащий оксид цинка;
при этом керамическая мишень содержит оксид цинка;
при этом атмосфера, в которой распыляют мишень, содержит газообразные аргон и кислород и имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,00001 до 0,0025; и
использование стеклянной подложки с по меньшей мере упомянутым электродом на ней при изготовлении фотоэлектрического прибора, который включает в себя по меньшей мере одну полупроводниковую пленку.
2. Способ по п.1, в котором упомянутое использование стеклянной подложки с по меньшей мере упомянутым электродом на ней при изготовлении фотоэлектрического прибора содержит соединение стеклянной подложки с другой стеклянной подложкой с по меньшей мере упомянутыми электродом и полупроводниковой пленкой между ними.
3. Способ по п.1, в котором полупроводниковая пленка содержит аморфный кремний или CdTe.
4. Способ по п.1, в котором фотоэлектрический прибор дополнительно содержит тыльный электрод и/или отражатель, расположенный между по меньшей мере другой стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой.
s
5. Способ по п.1, в котором электрод дополнительно содержит алюминий, и при этом электрод содержит больше цинка, чем алюминия, и имеет поверхностное сопротивление (R) меньшее, чем примерно 50 ом/квадрат.
s
6. Способ по п.1, в котором электрод имеет поверхностное сопротивление (R) не большее, чем примерно 15 ом/квадрат.
7. Способ по п.1, в котором электрод дополнительно содержит алюминий, и содержание алюминия в электроде и/или мишени составляет от примерно 1-5%.
8. Способ по п.1, в котором электрод непосредственно контактирует со стеклянной подложкой.
9. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап формирования противоотражающего покрытия на стеклянной подложке так, что это противоотражающее покрытие размещают между стеклянной подложкой и электродом.
10. Способ по п.1, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень, имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,0001 до 0,002.
11. Способ по п.1, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень, имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,0001 до 0,0015.
12. Способ изготовления электрода для использования в электронном приборе, содержащий:
обеспечение стеклянной подложки;
распыление по меньшей мере одной керамической мишени в некоторой атмосфере для того, чтобы осадить на стеклянной подложке по существу прозрачный проводящий электрод, содержащий оксид цинка;
при этом керамическая мишень содержит оксид цинка; и
при этом атмосфера, в которой распыляют мишень, содержит газообразные аргон и кислород и имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,00001 до 0,0025.
13. Способ по п.12, дополнительно содержащий обеспечение полупроводниковой пленки, содержащей аморфный кремний или CdTe, прилегающей к электроду.
s
14. Способ по п.12, в котором электрод дополнительно содержит алюминий, и при этом электрод содержит больше цинка, чем алюминия, и имеет поверхностное сопротивление (R) меньшее, чем примерно 50 ом/квадрат.
15. Способ по п.12, в котором электрод дополнительно содержит алюминий, и содержание алюминия в электроде и/или мишени составляет от примерно 1-5%.
16. Способ по п.12, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень, имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,0001 до 0,002.
17. Способ по п.12, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень, имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,0001 до 0,0015.
18. Способ изготовления фотоэлектрического прибора, содержащий:
обеспечение стеклянной подложки;
распыление по меньшей мере одной керамической мишени в некоторой атмосфере для того, чтобы осадить на стеклянной подложке по существу прозрачный проводящий электрод, содержащий оксид индия-олова;
при этом керамическая мишень содержит оксид индия-олова;
при этом атмосфера, в которой распыляют мишень, содержит газообразные аргон и кислород и имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,003 до 0,017; и
использование стеклянной подложки с по меньшей мере упомянутым электродом на ней при изготовлении фотоэлектрического прибора, который включает в себя по меньшей мере одну полупроводниковую пленку.
19. Способ по п.18, в котором упомянутое использование стеклянной подложки с по меньшей мере упомянутым электродом на ней при изготовлении фотоэлектрического прибора содержит соединение стеклянной подложки с другой стеклянной подложкой с по меньшей мере упомянутыми электродом и полупроводниковой пленкой между ними.
20. Способ по п.18, в котором полупроводниковая пленка содержит аморфный кремний или CdTe.
s
21. Способ по п.18, в котором электрод имеет поверхностное сопротивление (R) меньшее, чем примерно 50 ом/квадрат.
22. Способ по п.18, в котором электрод непосредственно контактирует со стеклянной подложкой.
23. Способ по п.18, дополнительно содержащий формирования противоотражающего покрытия на стеклянной подложке так, что это противоотражающее покрытие размещают между стеклянной подложкой и электродом.
24. Способ по п.18, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень, имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,004 до 0,016.
25. Способ по п.18, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень, имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,005 до 0,015.
26. Способ изготовления электрода для использования в электронном приборе, содержащий:
обеспечение стеклянной подложки;
распыление по меньшей мере одной керамической мишени в некоторой атмосфере для того, чтобы осадить на стеклянной подложке по существу прозрачный проводящий электрод, содержащий оксид индия-олова;
при этом керамическая мишень содержит оксид индия-олова; и
при этом атмосфера, в которой распыляют мишень, содержит газообразные аргон и кислород и имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,003 до 0,017.
27. Способ по п.26, дополнительно содержащий обеспечение полупроводниковой пленки, содержащей аморфный кремний или CdTe, прилегающей к электроду.
28. Способ по п.26, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень, имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,004 до 0,016.
29. Способ по п.26, в котором атмосфера, в которой распыляют мишень, имеет отношение газообразного кислорода ко всему газу от 0,008 до 0,014.
30. Способ по п.26, в котором мишень содержит больше индия, чем олова.