СОЛНЦЕЗАЩИТНОЕ ПОКРЫТИЕ С ВЫСОКИМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОЛНЕЧНОГО ТЕПЛОПОСТУПЛЕНИЯ

1. Остекление с покрытием, включающее:
подложку;
первый диэлектрический слой, сформированный, по меньшей мере, на части подложки;
сплошной металлический слой, имеющий толщину менее 8 мм, сформированный, по меньшей мере, на части первого диэлектрического слоя;
грунтовочный слой, сформированный, по меньшей мере, на части металлического слоя;
второй диэлектрический слой, сформированный, по меньшей мере, на части грунтовочного слоя; и
внешнее покрытие, сформированное, по меньшей мере, на части второго диэлектрического слоя,
в котором покрытие при использовании на поверхности №3 базового стеклопакета (IGU) обеспечивает коэффициент солнечного теплопоступления (SHGC), более или равный 0,6, и коэффициент теплопередачи (U-величину), менее или равный 0,35.
2. Остекление по п.1, в котором первый диэлектрический слой включает пленку оксида цинка, нанесенную на пленку станната цинка, и толщина первого диэлектрического слоя составляет 40-50 нм.
3. Остекление по п.2, в котором толщина пленки оксида цинка составляет 3-15 нм.
4. Остекление по п.1, в котором металлический слой включает серебро толщиной, менее или равной 7,5 нм.
5. Остекление по п.1, в котором второй диэлектрический слой включает пленку оксида цинка и пленку станната цинка, нанесенную на пленку оксида цинка, и толщина второго диэлектрического слоя составляет 30-40 нм.
6. Остекление по п.5, в котором толщина пленки оксида цинка составляет 3-15 нм.
7. Остекление по п.1, в котором внешнее покрытие включает диоксид титана и имеет толщину 2-6 нм.
8. Остекление по п.1, в котором первый диэлектрический слой включает первый слой, включающий станнат цинка, второй слой, включающий оксид цинка, третий слой, включающий станнат цинка, и четвертый слой, включающий оксид цинка.
9. Остекление по п.8, в котором толщина первого диэлектрического слоя составляет 44-48 нм, толщина каждого из первого слоя и третьего слоя составляет 16-17 нм и толщина каждого из второго слоя и четвертого слоя составляет 6-8 нм.
10. Остекление по п.1, в котором второй диэлектрический слой включает первый слой, включающий оксид цинка, второй слой, включающий станнат цинка, третий слой, включающий оксид цинка, и четвертый слой, включающий станнат цинка.
11. Остекление по п.10, в котором толщина второго диэлектрического слоя составляет 30-35 нм, толщина каждого из первого слоя и третьего слоя составляет 3-5 нм, и толщина каждого из второго слоя и четвертого слоя составляет 11-12 нм.
12. Остекление по п.1, в котором подложка представляет собой стеклянную подложку,
толщина первого диэлектрического слоя составляет 40-50 нм, первый диэлектрический слой включает пленку оксида цинка, нанесенную на пленку станната цинка, толщина пленки оксида цинка составляет 3-15 нм, а толщина пленки станната цинка составляет 25-40 нм,
металлический слой включает серебро толщиной, менее или равной 7,5 нм,
грунтовочная пленка включает титан,
второй диэлектрический слой включает пленку оксида цинка и пленку станната цинка, нанесенную на пленку оксида цинка, толщина второго диэлектрического слоя составляет 30-40 нм, и толщина пленки оксида цинка составляет 3-15 нм,
толщина внешнего покрытия, включающего диоксид титана, составляет 2-6 нм, и внешнее покрытие, и
которое при использовании на поверхности №3 базового IGU обеспечивает SHGC, более или равный 0,65, и U-величину, менее или равную 0,33.
13. Остекление по п.1, в котором подложка представляет собой стеклянную подложку,
первый диэлектрический слой включает первый слой, включающий станнат цинка, второй слой, включающий оксид цинка, третий слой, включающий станнат цинка, и четвертый слой, включающий оксид цинка, в котором толщина первого диэлектрического слоя составляет 44-48 нм, толщина каждого из первого слоя и третьего слоя составляет 16-17 нм, и толщина каждого из второго слоя и четвертого слоя составляет 6-8 нм,
металлический слой включает серебро толщиной, менее или равной 7 нм,
грунтовочная пленка включает титан,
второй диэлектрический слой включает первый слой, включающий оксид цинка, второй слой, включающий станнат цинка, третий слой, включающий оксид цинка, и четвертый слой, включающий станнат цинка, в котором толщина второго диэлектрического слоя составляет 30-35 нм, толщина каждого из первого слоя и третьего слоя составляет 3-5 нм, и толщина каждого из второго слоя и четвертого слоя составляет 11-12 нм,
толщина внешнего покрытия, включающего диоксид титана, составляет 5-10 нм, и
которое при использовании на поверхности №3 базового IGU обеспечивает SHGC, более или равный 0,65, и U-величину, менее или равную 0,33.
14. Стеклопакет, включающий:
первую подложку, имеющую поверхность №1 и поверхность №2;
вторую подложку, расположенную на расстоянии от первой подложки и имеющую поверхность №3 и поверхность №4, с поверхностью №3 напротив поверхности №2; и
покрытие, сформированное, по меньшей мере, на части поверхности №3, которое включает:
первый диэлектрический слой, сформированный, по меньшей мере, на части подложки;
сплошной металлический слой, включающий серебро толщиной, менее или равной 7,5 нм, сформированный, по меньшей мере, на части первого диэлектрического слоя;
грунтовочный слой, сформированный, по меньшей мере, на части металлического слоя, в котором грунтовочная пленка включает титан;
второй диэлектрический слой, сформированный, по меньшей мере, на части грунтовочного слоя; и
внешнее покрытие, сформированное, по меньшей мере, на части второго диэлектрического слоя,
который имеет SHGC, более или равный 0,65, и U-величину, менее или равную 0,35.
15. Стеклопакет по п.14, в котором толщина первого диэлектрического слоя составляет 40-50 нм, первый диэлектрический слой включает пленку оксида цинка, нанесенную на пленку станната цинка, толщина пленки оксида цинка составляет 3-15 нм, а толщина пленки станната цинка составляет 25-40 нм,
металлический слой включает серебро толщиной, менее или равной 7,5 нм,
грунтовочная пленка включает титан,
второй диэлектрический слой включает пленку оксида цинка и пленку станната цинка, нанесенную на пленку оксида цинка, толщина второго диэлектрического слоя составляет 30-40 нм и толщина пленки оксида цинка составляет 3-15 нм, и
толщина внешнего покрытия, включающего диоксид титана, составляет 2-6 нм.
16. Стеклопакет по п.14, в котором первый диэлектрический слой включает первый слой, включающий станнат цинка, второй слой, включающий оксид цинка, третий слой, включающий станнат цинка, и четвертый слой, включающий оксид цинка, в котором толщина первого диэлектрического слоя составляет 44-48 нм, толщина каждого из первого слоя и третьего слоя составляет 16-17 нм, и толщина каждого из второго слоя и четвертого слоя составляет 6-8 нм,
металлический слой включает серебро толщиной, менее или равной 7 нм,
грунтовочная пленка включает титан,
второй диэлектрический слой включает первый слой, включающий оксид цинка, второй слой, включающий станнат цинка, третий слой, включающий оксид цинка, и четвертый слой, включающий станнат цинка, в котором толщина второго диэлектрического слоя составляет 30-35 нм, толщина каждого из первого слоя и третьего слоя составляет 3-5 нм, и толщина каждого из второго слоя и четвертого слоя составляет 11-12 нм, и
толщина внешнего покрытия, включающего диоксид титана, составляет 5-10 нм.
17. Стеклопакет, включающий:
первую подложку, имеющую поверхность №1 и поверхность №2;
вторую подложку, расположенную на расстоянии от первой подложки и имеющую поверхность №3 и поверхность №4, с поверхностью №3 напротив поверхности №2;
третью подложку, расположенную на расстоянии от второй подложки, и имеющую поверхность №4 и поверхность №5;
первое покрытие, сформированное, по меньшей мере, на части поверхности №5, которое включает:
первый диэлектрический слой, сформированный, по меньшей мере, на части подложки;
сплошной металлический слой, сформированный, по меньшей мере, на части первого диэлектрического слоя;
грунтовочный слой, сформированный, по меньшей мере, на части металлического слоя;
второй диэлектрический слой, сформированный, по меньшей мере, на части грунтовочного слоя; и
внешнее покрытие, сформированное, по меньшей мере, на части второго диэлектрического слоя, которое включает диоксид титана, и толщина которого составляет 2-6 нм, и
второе покрытие, сформированное, по меньшей мере, на части поверхности №2, которое включает, по меньшей мере, два металлических серебряных слоя, разделенных диэлектрическими слоями,
который имеет SHGC, более или равный 0,65, и U-величину менее, или равную 0,35.
18. Стеклопакет по п.17, в котором толщина первого диэлектрического слоя первого покрытия составляет 40-50 нм, первый диэлектрический слой включает пленку оксида цинка, нанесенную на пленку станната цинка, толщина пленки оксида цинка составляет 3-15 нм, и толщина пленки станната цинка составляет 25-40 нм,
металлический слой первого покрытия включает серебро толщиной, менее или равной 7,5 нм,
грунтовочная пленка первого покрытия включает титан,
второй диэлектрический слой первого покрытия включает пленку оксида цинка и пленку станната цинка, нанесенную на пленку оксида цинка, толщина второго диэлектрического слоя составляет 30-40 нм, и толщина пленки оксида цинка составляет 3-15 нм, и
внешнее покрытие первого покрытия включает диоксид титана и его толщина составляет 2-6 нм.
19. Стеклопакет по п.17, в котором первый диэлектрический слой первого покрытия включает первый слой, включающий станнат цинка, второй слой, включающий оксид цинка, третий слой, включающий станнат цинка, и четвертый слой, включающий оксид цинка, в котором толщина первого диэлектрического слоя составляет 44-48 нм, толщина каждого первого слоя и третьего слоя составляет 16-17 нм, и толщина каждого из второго слоя и четвертого слоя составляет 6-8 нм,
металлический слой первого покрытия включает серебро толщиной, менее или равной 7 нм,
грунтовочная пленка первого покрытия включает титан,
второй диэлектрический слой первого покрытия включает первый слой, включающий оксид цинка, второй слой, включающий станнат цинка, третий слой, включающий оксид цинка, и четвертый слой, включающий станнат цинка, в котором толщина второго диэлектрического слоя составляет 30-35 нм, толщина каждого из первого слоя и третьего слоя составляет 3-5 нм, и толщина каждого из второго слоя и четвертого слоя составляет 11-12 нм, и
внешнее покрытие первого покрытия включает диоксид титана и его толщина составляет 5-10 нм.