СПОСОБ ПЛАЗМЕННО-ДУГОВОЙ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ИЗДЕЛИЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ

1. Способ плазменно-дуговой очистки поверхности металлических изделий, включающий генерацию плазменной струи из, по крайней мере одного плазматрона, которую направляют вручную или механически на поверхность изделия в зону очистки, очистку поверхности изделия осуществляют за счет термического воздействия струи плазмы на поверхностные загрязнения путем их размягчения, плавления, испарения или сублимации с очищаемой поверхности, по мере очистки плазменную струю направляют на соседние участки, отличающийся тем, что струю плазмы генерируют в плазматроне с дугой прямого действия, для чего положительный потенциал источника питания плазматрона подключают к очищаемому металлическому изделию, а анодную область разряда направляют в зону очистки, очистку производят движением плазматрона относительно изделия или движением изделия относительно плазматрона.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что струю плазмы направляют под острым углом к фронту очистки.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что на струю плазмы и анодную область разряда накладывают два вида движения, одно с большой скоростью и малой амплитудой не приводящей к перегреву очищаемой поверхности выше допустимого значения, второе движение по очищаемой поверхности со скорость очистки.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что газообразные продукты очистки удаляют непосредственно из зоны очистки дымососами или вытяжной вентиляцией.
5. Способ по п. 3, отличающийся тем, что движение с большей скоростью и малой амплитудой задают магнитным полем, а второе движение вручную или механически.
6. Способ по п. 3, отличающийся тем, что оба движения задают механически или вручную.
7. Способ по п. 3, отличающийся тем, что скоростью первого движения сканирования анодного пятна разряда и его амплитуду по очищаемой поверхности задают вручную, магнитным полем или механически с помощью электронной системы в соответствии с показаниями датчика температуры очищенной поверхности.
8. Устройство для плазменно-дуговой очистки поверхности металлических изделий, содержащее по крайней мере один плазматрон с катодом, эмиттирующая часть которого имеет возможность замены по мере износа, поджигающим соплом-электродом, сопловая часть которого имеет возможность замены по мере износа, систему охлаждения, хранения и подачи плазмообразующего рабочего тела, отличающееся тем, что в качестве анода использовано очищаемое изделие, плазматрон и/или изделие имеют возможность перемещаться относительно друг друга
9. Устройство по п. 8, отличающееся тем, что плазматрон имеет возможность перемещаться относительно очищаемого изделия вручную.
10. Устройство по п. 8, отличающееся тем, что плазматрон и/или изделие имеют возможность перемещаться относительно друг друга с помощью механического привода.
11. Устройство по п. 8, отличающееся тем, что оно имеет магнитную систему с возможностью перемещения струи плазмы плазматрона по очищаемой поверхности.
12. Устройство по п. 8, отличающееся тем, что оно имеет магнитную систему с возможностью перемещения анодной области разряда по поверхности очищаемого изделия.
13. Устройство по п. 8, отличающееся тем, что оно содержит датчик температуры очищенной поверхности с визуальным ее отображением для оператора и/или с обратной связью с магнитной и/или механической системой привода плазматрона и/или изделия с возможностью управлять скоростью и амплитудой движения первого и/или второго типа.
14. Устройство по п. 8, отличающееся тем, что плазматрон имеет возможность направлять струю плазмы под острым углом к поверхности очистки.
15. Устройство по п. 8, отличающееся тем, что оно имеет в зоне очистки всасывающее устройство с возможностью удаления газообразных и аэрозольных отходов очистки в систему фильтров.