Графеновый фотонный кристалл

УДК 535.343.2

А. А. Колесников1, Ю.Е. Лозовик2

1 Московский физико-технический институт

2 Институт спектроскопии Российской академии наук

Графеновый фотонный кристалл

Рассматривается новый тип фотонного кристалла, состоящий из периодически расположенных слоев графеновых и диэлектрических дисков, погруженных в диэлектрическую среду. Рассчитаны зонная структура и спектр прохождения такого фотонного кристалла. Фотонные кристаллы на основе графена могут быть эффективно использованы в качестве частотных фильтров и волноводов в дальней области ИК-спектра. Благодаря существенному уменьшению поглощения на низких частотах в допирован-ном графене в фотонном кристалле также подавляется затухание и скин-эффект. Обсуждаются преимущества фотонного кристалла на основе графена.

Ключевые слова: графен, фотонный кристалл, ГОТБ, зонная структура.

В настоящее время фотонные кристаллы вызывают большой интерес в связи с их различными приложениями в фотонике и оптоэлектронике [1,2]. Например, они могут быть использованы как частотные фильтры и волноводы. Фотонные кристаллы представляют собой материал, как правило, искусственный, с периодически распределенной в пространстве диэлектрической функцией [3-6]. Такое распределение диэлектрической функции может быть достигнуто, например, путем внедрения периодического массива из элементов с одной диэлектрической проницаемостью в среду с иной диэлектрической проницаемостью. В качестве составляющих элементов внедряемого в среду массива могут быть использованы диэлектрики [5,6], полупроводники, металлы [7,9] и сверхпроводники [10-13].

Недавно открытая наноструктура - графен [14] - является принципиально новым типом двумерной электронной системы. Графен представляет собой двумерную шестиугольную решетку из атомов углерода [14-16]. Из-за необычных свойств зонной структуры графена его электронные свойства являются объектом исследования во многих экспериментальных и теоретических работах [14-21]. Графен - это бесщелевой полупроводник с безмассо-выми электронами и дырками, которые могут быть описаны как дираковские фермионы [14,15,22]. Сейчас также активно изучаются уникальные электронные свойства графена в магнитном поле [23-26]. Было показано, что в ближней и дальней ИК-областях спектр прохождения графена определяется постоянной тонкой структуры [27]. В интересных работах [28-30] приводятся результаты исследования пространственно-временной дисперсии проводимости и оптических свойств графена.

Фотонные кристаллы с диэлектрическими, металлическими, полупроводниковыми либо сверхпроводящими составляющими элементами имеют различные фотонные зоны и спектры прохождения. Затухание электромагнитной волны также различно во всех этих фотонных кристаллах. Фотонные кристаллы с металлическими и сверхпроводящими составляющими элементами в силу специфики их частотной дисперсии диэлектрической функции могут быть использованы как частотные фильтры и волноводы в дальней инфракрасной зоне спектра, в то время как фотонные кристаллы на основе диэлектрика можно использовать только в оптической области спектра.

В данной работе мы рассматриваем двумерный фотонный кристалл, сформированный стопками периодически расположенных графеновых дисков, внедренных в диэлектрическую пленку. Стопка состоит из графеновых дисков, расположенных друг под другом и разделенных расположенным между ними диэлектриком (см. рис. 1). Проведены расчеты фотонной зонной структуры и спектров прохождения излучения через фотонный кристалл на основе графена. Показано, что фотонные кристаллы на основе графена можно применять в устройствах, работающих в дальнем ПК-диапазоне спектра.

Рис. 1. Фотонный кристалл на основе графена: а) вид сбоку. Материал диэлектрика, расположенного между графеиовыми дисками, может быть тем же. что и материал диэлектрической подложки: Ь) вид сверху

Рассматриваются поляризованные электромагнитные волны, у которых вектор Е параллелен плоскости графеновых дисков. Волновое уравнение электрического поля в диэлектрической среде имеет вид

-ДЕМ) + У(У-ЕМ)) - =0,

где е(г) — диэлектрическая проницаемост ь среды, ас — скорость света в вакууме.

В фотонном кристалле диэлектрическая проницаемость является периодической функцией координат г и может быть представлена в виде ряда Фурье: е(г) = ^ е(С)егСг, где

о

0 — вектор обратной решетки фотонного кристалла.

Если разложить монохроматическое электрическое поле по блоховским волнам внутри фотонного кристалла, то из уравнения (1) можно получить систему уравнений [6]:

^2

Е £(° - С')^к(С/).

С'

Из системы уравнений (2) можно получить собственные значения для нахождения дисперсии ш (к) в фотонном кристалле. В (2) коэффициенты разложения Фурье для диэлектрической постоянной задаются как

е(С — С^) — єдос + (^1 — £о)М(

СС'

В уравнении (3) ео — диэлектрическая постоянная, относящаяся к диэлектрику, а £\ — диэлектрическая функция, относящаяся к графеновым дискам, разделенным диэлектриком, а = 1/Б / й2г^(г £ 5)е-г|С-С/|г. Для простоты мы предполагаем, что материал ди-

электрика, разделяющий графеновые диски в стопках, и диэлектрик, разделяющий стопки,

— один и тот же. В последнем выражении интегрирование проводится в плоскости ХУ элементарной ячейки фотонного кристалла, 5 — общая площадь, занимаемая элементарной ячейкой в действительном пространстве, а ^(г £ 5) — функция Хэвисайда, ^(г £ 5) = 1,

2

с

г

положенными графеновыми и диэлектрическими дисками с сечением Бд(Бд Э 5), в противном случае для Бд, дополнительном к Бд, г)(г £ Б)= 0. Следует отметить, что Мс,о зависит только от геометрии фотонного кристалла. Поскольку стопка из графеновых и диэлектрических дисков имеет форму непересекающихся окружностей, то интегрирование можно провести аналитически [8]:

Моо/ = 2/ О = О'.

Маа/ = I. О = О',

Где ']х — функция Бесселя первого порядка, а / = Бд/Б — фактор заполнения двумерного фотонного кристалла.

В нашем случае предполагается, что размер графеновых дисков намного больше, чем период графеновой решетки, таким образом, мы применяем выражения для диэлектрической постоянной в случае бесконечного графенового слоя к графеновым дискам, пренебрегая эффектами, связанными с конечными размерами.

Диэлектрическая функция £\(ш) системы графеновых мультислоев, разделенных диэлектрическими дисками с диэлектрической проницаемостью ео и толщиной d, найдена в [29,30]:

. . 4^га„

е, М= во + ,

где ад

е2

^(Нш - 2 у) + — |

2еИ

{2кЬТу

2п \ 108 _____{Пш-2^)2____

\ 108 {Нш-2р)2+{1къТ)2

Здесь е — заряд электрона, т-1 — частота столкновений электронов, к — волновой вектор, ир = 108 см/с — скорость Ферми электронов в графене [30], к в — постоянная Больцмана, а ц — химический потенциал, определяемый концентрацией электронов по = (ц,/(Кмр))2 /к. В дальнейших вычислениях по = 1011 см-2. Как указывалось выше, мы предполагаем, что диэлектрический материал одинаков как для дисков между графеновыми дисками, так и между стопками, которые образуют эти диски. В качестве такого диэлектрического материала берем БЮ2 с ео = 4.5.

Отметим, что при Нш < 2ц затухание электромагнитной волны в графене подавляется. В пределе больших дЛИНН волн (малых частот) глубина скип-слоя задается как 5о(ш) = с/ И,е [д/Ы'кц.ад(ш)] (см. [31]). В соответствии с (6) Б,е[а5(ш < 2ц)} = 0, таким образом 5о(ш) ^ +то, а электромагнитная волна проходит через графен без затухания. Для плотности носителей по = 1011 см-2 химический потенциал ц = 0.022 эВ [29], а для частот V < щ = 10.42 ТГц получаем, что Ке[а5(ш)} = 0 при ш >> 1/т, электромагнитная волна проходит через слой графена практически без затухания, что позволяет отличать фотонный кристалл на основе графена от металлического фотонного кристалла, где электромагнитная волна существенно затухает. Рассеяние электронов на примесях приводит к ненулевому значению И,е[стй(ш)}, что приводит к рассеянию электромагнитной волны. Так как подвижность электрона в графене может быть значительно больше, чем обычных полупроводниках, можно предположить, что рассеяние электронов на примесях не приводит к существенным изменениям результатов.

Результат расчета зонной структуры для двумерного фотонного кристалла на основе графена с коэффициентом заполнения / = 0.3927 представлен на рис. 2. Цилиндры состоят из стопок последовательно расположенных графеновых и диэлектрических дисков. Период фотонного кристалла а = 25 мкм, диаметр дисков О = 12.5 мкм, расстояние между диэлектрическими слоями ^ = 10-3 мкм. Таким образом, частота, соответствующая

периоду решетки, ша = 2ке/а = 7.54  1013 рад/с. Результаты компьютерного моделирования методом плоских волн для фотонного кристалла на основе графена представлены на рис. 2, а спектр прохождения, полученный с помощью Г ПТ Г) [32], представлен на рис. 3. Следует отметить, что моделирование методом плоских волн выполнено для протяженного фотонного кристалла, в то время как моделирование коэффициента прохождения методом Г ПТ Г) проводилось только для пяти слоев графена. Можно заметить, что щель в зонной структуре появляется на частотах 0 < ш < 0.6 и 0.75 < ш < 0.95 в единицах 2пс/а.

X М б)

в

Рис. 2. а) Зонная структура двумерного фотонного кристалла на основе графена с периодически расположенными цилиндрическими стопками из последовательно расположенных диэлектрических и графеновых дисков. Коэффициент заполнения / = 0.3927. М, С, X, М — точки симметрии первой (квадратной) зоны Бриллюенна. Ь) Первая зона Бриллюенна двумерного фотонного кристалла

В соответствии с рис. 3 спектр прохождения Т практически равен нулю на частотах меньше 0.6ша, что соответствует электронному спектру допированного графена, в котором, в силу специфики линейного закона дисперсии, в зоне проводимости и валентной зоне поглощение фотона целиком связано со свойствами рассматриваемого фотонного кристалла с частотой ш < 2^,/К, поэтому невозможно. Вторая щель на рис. 2 (в точке С) соответствует ш = 0.89ша и минимуму спектра на рис. 3.

Физические свойства фотонных кристаллов на основе графена отличаются от физических свойств других типов фотонных кристаллов, так как диэлектрическая проницаемость графена имеет уникальную частотную зависимость [29,30]. В соответствии с представленными выше результатами фотонный кристалл на основе графена имеет зонную структуру, существенно отличающуюся от фотонных кристаллов из других материалов. Управление зонной структурой в фотонном кристалле с графеновым мультислоем можно осуществлять путем изменения расстояния с! между графеновыми дисками (см. (5)). Зонную структуру можно также изменять с помощью допирования, которое определяется химическим потенциалом входящим в выражение для проводимости и диэлектрической проницаемости графенового мультислоя (6).

Фотонные кристаллы на основе графена можно эффективно использовать в качестве

частотных фильтров и волноводов в дальней ИК- и видимой областях спектра. Фотонные кристаллы на основе графена можно использовать при комнатной температуре, в отличие, например, от сверхпроводящих фотонных кристаллов, которые можно использовать только при низких температурах ниже критической Тс, которая равна 90 К для УВСО.

О 18 О 16 0.14 О 12

0.1 -.г

0.08 0.06 0.04 0 02

Оо В В ПППО

0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.8 0.85 0.9 0.95 1 1.05

Рис. 3. Спектр прохождения Т двумерного фотонного кристалла на основе графена

В заключение следует отметить, что фотонный кристалл на основе графена, предложенный в настоящей работе, является новым. Рассчитана зонная структура двумерного фотонного кристалла. Проведен расчет спектра прохождения исследуемого фотонного кристалла. Фотонные кристаллы на основе графена имеют ряд преимуществ по сравнению с другими типами фотонных кристаллов. Их можно использовать в качестве частотных фильтров и волноводов в дальней ИК- и видимой областях спектра в большом температурном диапазоне. Зонную структуру фотонных кристаллов на основе графена можно контролировать путем изменения толщины диэлектрических дисков в стопках и с помощью допирования графена. Размеры фотонных кристаллов на основе графена могут быть гораздо больше по сравнению с металлическими фотонными кристаллами из-за малой диссипации электромагнитных волн. Также следует отметить, что для простоты рассуждений мы предположили, что диэлектрический материал между графеновыми дисками и материал подложки одинаков. Данное предположение создает технологическое удобство для экспериментальной реализации фотонных кристаллов на основе графена.

Работа поддержана грантом РФФИ и программами РАН.

Литература

1. Eldada L. Advances in telecom and datacom optical components // Optical Engineering. — 2001. - V. 40. - P. 1165-1178.

2. Chigrin D. N., Sotom,a,yor C. M. Periodic thin-film interference filters as one-dimensional

photonic crystals // Optics and Spectroscopy. — 2001. V. 91, N 3. P. 484-489.

3. Yablonovitch E. Inhibited Spontaneous Emission in Solid-State Physics and Electronics //

Phys. Rev. Lett. - 1987. - V. 58. - P. 2059-2062.

4. John S. Strong localization of photons in certain disordered dielectric superlattices // Phys. Rev. Lett. - 1987. - V. 58. - P. 2486-2489.

5. Joannopolous J. D.. Meade R. D.. Winn J. N. Photonic Crystals: The Road from Theory to

Practice. — Princeton, NJ: Princeton University Press, 1995.

6. Joannopolous J. D.. Johnson S. G.. Winn J. N.. Meade R. D. Photonic Crystals: Molding

the Flow of Light. — Princeton, NJ: Princeton University Press, 2008.

7. Ulrich R., Tacke M. Submillimeter waveguiding on periodic metal structure // Appl. Phys. Lett. - 1973. - V. 22. - P. 251.

8. McGurn A.R., Maradudin A. A. Photonic band structures of two- and three-dimensional periodic metal or semiconductor arrays // Phys. Rev. B. — 1993. — V. 48. — P. 17576-17579.

9. Kuzmiak V., Maradudin A. A. Photonic band structures of one- and two-dimensional periodic systems with metallic components in the presence of dissipation // Phys. Rev. B. _ 1997. _ у. 55. _ p. 7427-7444.

10. Takeda H., Yoshino K. Tunable light propagation in Y-shaped waveguides in twodimensional photonic crystals utilizing liquid crystals as linear defects // Phys. Rev. B.

- 2003. - V. 67. - P. 73106.

11. Berman O.L., Lozovik Yu.E., Eiderman S.L., Coalson R.D. Superconducting photonic crystals: Numerical calculations of the band structure // Phys. Rev. B. — 2006. — V. 74. -P. 92505.

12. Lozovik Yu.E., Eiderman S. I., Willander M. The two-dimensional superconducting photonic crystal // Laser Physics. — 2007. — V. 17, N 9. — P. 1183-1186.

13. Berman O.L., Boyko V.S., Kezerashvilli R. Ya., Lozovik Yu.E. Anomalous far-infrared monochromatic transmission through a film of tvpe-II superconductor in magnetic field // Phys. Rev. B. - 2008. - V. 78. - P. 94506.

14. Novoselov K. S., Geim A. K., Morozov S. V., Jiang D., Zhang Y., Dubonos S. V., Grigorieva I. V., Firsov A. A. Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films // Science. — 2004.

- V. 306. - P. 666.

15. Luk’yanchuk I. A., Kopelevich Y. Phase analysis of quantum oscillations in graphite // Phys. Rev. Lett. - 2004. - V. 93. - P. 166402.

16. Zhang Y., Small J.P., Amori M.E.S., Kim P. Electric Field Modulation of Galvanomagnetic Properties of Mesoscopic Graphite // Phys. Rev. Lett. — 2005. — V. 94.

- P. 176803.

17. Novoselov K.S., Geim A.K., Morozov S. V., Jiang D., Katsnelson M.I., Grigorieva I. V., Dubonos S. V. Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene // Nature (London). - 2005. - V. 438. - P. 197.

18. Zhang Y., Tan Y., Stormer H.L., Kim P. Experimental observation of the quantum Hall effect and Berry’s phase in graphene // Nature (London). — 2005. — V. 438. — P. 201.

19. Kechedzhi K., Kashuba O., Fal’ko V. I. Quantum kinetic equation and universal conductance fluctuations in graphene // Phys. Rev. B. — 2008. — V. 77. — P. 193403.

20. Katsnelson M. I. Optical properties of graphene: The Fermi liquid approach // Europhvs. Lett. - 2008. - V. 84. - P. 37001.

21. Castro Neto A. H., Guinea F., Peres N. M. R., Novoselov K. S., Geim A. K. The electronic properties of graphene // Rev. Mod. Phys. — 2009. — V. 81. — P. 109.

22. Sarma S., Hwang E.H., Tse W.-K. Manv-bodv interaction effects in doped and undoped graphene: Fermi liquid versus non-Fermi liquid // Phys. Rev. B. — 2007. — V. 75. — P. 121406.

23. Nomura K., MacDonald A. H. Fractional quantum Hall effect in graphene // Phys. Rev. B.

- 2006. - V. 74. - P. 235417.

24. Toke C., Lammert P.E., Crespi V.H., Jain J.K. Manv-bodv interaction effects in doped and undoped graphene: Fermi liquid versus non-Fermi liquid // Phys. Rev. B. — 2007. — V. 75. — P. 121406.

25. Gusynin V.P., Sharapov S. G. Unconventional Integer Quantum Hall Effect in Graphene 11 Phys. Rev. B. - 2005. - V. 71. - P. 125124.

26. Gusynin V.P., Sharapov S. G. Unconventional Integer Quantum Hall Effect in Graphene // Phys. Rev. Lett. - 2005. - V. 95. - P. 146801.

27. Nair R.R., Blake P., Grigorenko A.N., Novoselov К. S., Booth T.J., Stauber Т., Peres N. M. R., Geim A. K. Fine Structure Constant Defines Visual Transparency of Graphene // Science. - 2008. - V. 320. - P. 1308.

28. Falkovsky L.A., Varlamov A. A. Space-time dispersion of graphene conductivity // Eur. Phys. J. B. - 2007. - V. 56. - P. 281.

29. Falkovsky L. A., Pershoguba S. S. Optical far-infrared properties of a graphene monolayer and multilayer // Phys. Rev. B. - 2007. - V. 76. - P. 153410.

30. Falkovsky L. A. Optical properties of grapheme // J. Phvs.: Conf. Ser. — 2008. — V. 129.

- P. 12004.

31. Ландау Л.Д., Лифшиц E.M. Электродинамика сплошных сред. — М.: Наука, Физматлит, 1982.

32. Taflov A., Hagness S. С. Computational Electrodynamics: The Finite-Difference Time-Domain Method. — Artech House, 2005.

Поступила в редакцию 19.08.2010.