СПОСОБ ОБРАБОТКИ ФТОРОПЛАСТОВЫХ ИЗДЕЛИЙ
METHOD OF TREATING FLUOROPLASTIC OBJECTS

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к способам обработки фторопластовых изделий после технологических операций.
Известны способы обработки, сущность которых состоит в удалении различных загрязнений и удаление резистивных слоев в: щавелевой кислоте, калие двухромовокислом и натрие двухромовокислом [1].
Основным недостатком этих способов является неполное удаление загрязнений и резистивных слоев.
Целью изобретения является полное удаление загрязнений и резистивных слоев с фторопластовых изделий.
2
4
2
2
Поставленная цель достигается использованием раствора, в состав которого входят следующие основные компоненты: серная кислота (HSO), перекись водорода (HO) в соотношении 1:1 при температуре обработки - 140±5°С. Затем проводят отмывку во второй ванне с теплой деионизованной водой при температуре, равной 65÷70°С, в течение 5 минут. Далее отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны и расходом деионизованной воды 450±50 л/ч. Время отмывки - по 5 минут в каждой из ванн.
2
4
2
2
Сущность способа заключается в том, что с фторопластовых изделий полностью происходит удаление загрязнений и резистивных слоев в растворе, содержащем следующие компоненты: серная кислота (HSO) и перекись водорода (HO).
Предлагаемый способ отличается от известного тем, что обработка в кислотах
2
4
2
2
(HSO) и перекиси водорода (HO) позволяет очистить фторопластовые изделия от различных загрязнений и резистивных слоев, внесенных технологическими процессами, так как состояние изделий влияет на качество последующих операций.
Раствор включает следующие соотношения компонентов
2
4
2
2
HSO: HO=1:1 при температуре Т=140±5°С.
Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 5 штук.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
2
4
2
2
2
ПРИМЕР 1. Процесс проводят в две стадии, причем на первой стадии обработку ведут в растворе серной кислоты (HSO) и перекиси водорода (HO) в соотношении 3:1 при температуре Т=100°С в течение 5 минут, а на второй стадии проводят отмывку в теплой деионизованной воде (HO) при температуре Т=65-70°С в течение 5 минут, далее отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны и расходом деионизованной воды 450±50 л/ч, время отмывки - по 5 минут в каждой из ванн.
2
4
2
2
HSO:HO=3:1 при температуре Т=100±5°С.
Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 10 штук.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов
2
4
2
2
HSO:HO=2,5: 1 при температуре Т=110±5°С.
Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 8 штук.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов
2
4
2
2
HSO:HO=2:1 при температуре Т=120±5°С.
Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 7 штук.
ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов
2
4
2
2
HSO:HO=1:1 при температуре Т=130±5°С.
Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 6 штук.
ПРИМЕР 5. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов
2
4
2
2
HSO: HO=1:1 при температуре Т=140±5°С.
Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 5 штук.
2
4
2
2
Как следует из результатов опытов одним из самых эффективных растворов обработки фторопластовых изделий является раствор, состоящий из следующих компонентов: серная кислота (HSO), перекись водорода (HO) в следующих соотношениях
2
4
2
2
HSO:HO=1:1 при температуре Т=140±5°С.
Таким образом, обработку фторопластовых изделий от резистивного слоя и различных загрязнений после фотолитографии дает возможность подготовить фторопластовые изделия с определенной чистотой для дальнейших технологических операций.
ЛИТЕРАТУРА
1. А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: «Высшая школа», 1980, 327 с.