Способ формирования контактных окон в слое защитного основания высоковольтного прибора

1. Способ формирования контактных окон в слое защитного основания высоковольтного прибора, включающий формирование диэлектрического слоя на слое металлизации, осаждение пассивирующего слоя, осаждение фоторезиста через маску, плазмохимическое травление до металла, удаление фоторезиста, нанесение второго слоя металлизации, отличающийся тем, что в качестве диэлектрического слоя центрифугированием наносится полиимид, после чего проводится его полимеризация при температуре 350-450°C, после нанесения фоторезиста проводится подтравливание пассивирующего слоя до полиимида под маску фоторезиста жидкохимическим травлением, затем проводится плазмохимическое травление поверхности на половинное время вытравливания полиимида, остатки фоторезиста удаляются и снова наносится фоторезистивный слой через маску меньшего размера для травления до металла.
2
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве пассивирующего слоя используется SiO.
2
3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что толщина пассивирующего слоя SiO составляет 1,1-1,3 мкм.
3
4
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве пассивирующего слоя используется SiN.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что фоторезистивный слой удаляется в диметилформамиде.