СИД НА ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛАХ

1. Полупроводниковый светоизлучающий диод (1, СИД), содержащий:
первый и второй электрод (40, 11) для приложения напряжения к активной области (4), расположенной между слоем (21) полупроводника первого типа и слоем (30) полупроводника второго типа для генерирования света, светоизлучающую поверхность (6) для излучения упомянутого света и множество фотонных кристаллов (101, 102), расположенных между упомянутой светоизлучающей поверхностью (6) и упомянутой активной областью (4), отличающийся тем, что по меньшей мере два фотонных кристалла (101, 102) первого и второго типа, выбранных из упомянутого множества фотонных кристаллов (101, 102), выполнены с возможностью выведения света от упомянутой активной области (4) и отличаются друг от друга в отношении по меньшей мере одного параметра решетки, причем каждый из упомянутых по меньшей мере двух фотонных кристаллов (101, 102) ассоциирован с соответствующей диаграммой направленности в дальней зоне, при этом размещение упомянутого множества фотонных кристаллов (101, 102) обеспечивается для размещения упомянутых по меньшей мере двух фотонных кристаллов (101, 102) так, что диаграмма направленности в дальней зоне от света, генерируемого в СИД (1), создается посредством объединения упомянутых соответствующих диаграмм направленности в дальней зоне, ассоциированных с каждым из упомянутых по меньшей мере двух фотонных кристаллов (101, 102).
2. СИД (1) по п.1, в котором упомянутое размещение выполнено с возможностью расположения упомянутых по меньшей мере двух фотонных кристаллов (101, 102) таким образом, что неравномерности упомянутых соответствующих диаграмм направленности в дальней зоне, ассоциированных с каждым из упомянутых по меньшей мере двух фотонных кристаллов, не являются, по меньшей мере частично, перекрывающимися.
3. СИД (1) по п. 1 или 2, в котором упомянутый по меньшей мере один параметр решетки является один из ориентации решетки, шага решетки, типа решетки или доли заполнения или их комбинации.
4. СИД (1) по п. 1 или 2, в котором упомянутый тип решетки содержит по меньшей мере одну из шестиугольной, треугольной, кубической структуры, структуры подсолнечника или Архимедовых мозаик.
5. СИД (1) по п. 1 или 2, в котором упомянутый слой (21) полупроводника первого типа представляет собой слой полупроводника N-типа, расположенный между упомянутой активной областью (4) и упомянутой светоизлучающей поверхностью, и упомянутый слой (30) полупроводника второго типа представляет собой слой полупроводника P-типа, расположенный на стороне упомянутой активной области (4), противоположной по сравнению с упомянутым слоем (21) полупроводника первого типа.
6. СИД (1) по п. 1 или 2, в котором упомянутый слой (21) полупроводника первого типа представляет собой слой полупроводника P-типа, расположенный между упомянутой активной областью (4) и упомянутой светоизлучающей поверхностью (6), и упомянутый слой (30) полупроводника второго типа представляет собой слой полупроводника N-типа, расположенный на стороне упомянутой активной области (4), противоположной по сравнению с упомянутым слоем (21) полупроводника первого типа.
7. СИД (1) по п. 1 или 2, в котором упомянутые фотонные кристаллы содержат фотонные квазикристаллы.
8. СИД (1) по п. 1 или 2, в котором упомянутая светоизлучающая поверхность (6) упомянутого СИД содержит шероховатые участки (R).
9. СИД (1) по п. 1 или 2, в котором упомянутые фотонные кристаллы (101, 102) размещены рядом друг с другом для непрерывного покрытия по меньшей мере части упомянутой светоизлучающей поверхности (6) упомянутого СИД (1) фотонными кристаллами (101, 102, 103).
10. СИД (1) по п. 1 или 2, в котором упомянутый второй электрод содержит подэлектроды, расположенные на стороне упомянутой активной области, противоположной по сравнению с упомянутой светоизлучающей поверхностью, причем первый и второй подэлектроды ассоциированы с соответствующим фотонным кристаллом первого и второго типа, соответственно, причем упомянутые первый и второй подэлектроды являются индивидуально управляемыми посредством приложения соответствующего напряжения к каждому из упомянутых первого и второго подэлектродов, посредством чего диаграмма направленности в дальней зоне упомянутого СИД является динамически управляемой вследствие различия между диаграммами направленности в дальней зоне от упомянутых фотонных кристаллов первого и второго типа.
11. СИД (1) по п.10, в котором размер и форма упомянутых подэлектродов (41-45) соответствует размеру и форме упомянутого соответствующего фотонного кристалла (101, 102).
12. СИД (1) по п.10, в котором каждый подэлектрод (41-45) выровнен с упомянутым соответствующим фотонным кристаллом (101, 102).
13. СИД (1) по п.10, в котором упомянутый слой (30) полупроводника второго типа, расположенный на стороне упомянутой активной области (4), противоположной по сравнению с упомянутой светоизлучающей поверхностью (6), разделен на подэлементы, причем каждый подэлемент ассоциирован с соответствующим подэлектродом.
14. СИД (1) по п.10, в котором упомянутая светоизлучающая поверхность содержит по меньшей мере одно из: микролинз, окрашенных участков, участков, покрытых люминесцентным материалом, или их комбинации.