СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОБОСОБЛЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ НИТРИДОВ ЭЛЕМЕНТОВ III ГРУППЫ

1. Способ изготовления обособленной пластины (6) нитридов элементов III группы, включающий стадии:
- выращивание первого слоя (2) нитридов элементов III группы на инородной подложке (1) для выращивания;
- обработка первого слоя (2) нитридов элементов III группы, чтобы сделать его пористым;
- выращивание при температуре выращивания внутри реактора (7) выращивания второго слоя (4) нитридов элементов III группы на первом слое (2) нитридов элементов III группы, и отделение второго слоя (4) нитридов элементов III группы от подложки (1) для выращивания с образованием обособленной пластины (6) нитридов элементов III группы,
отличающийся тем, что стадию отделения второго слоя (4) нитридов элементов III группы от подложки для выращивания выполняют при температуре выращивания и внутри реактора (7) выращивания, и стадия включает избирательное химическое травление пористого первого слоя (2) нитридов элементов III группы.
2. Способ по п.1, в котором на стадии избирательного химического травления используют в качестве газов травления газы, применяемые на стадиях выращивания слоев (2, 4) нитридов элементов III группы.
3. Способ по п.1 или 2, в котором на стадии выращивания первого слоя (2) нитридов элементов III группы на инородной подложке (1) для выращивания формируют первый слой нитридов элементов III группы, имеющий множество подслоев.
4. Реактор (7) выращивания для выращивания слоев (2, 4) нитридов элементов III группы на инородной подложке (1) для выращивания, где реактор выращивания содержит первую зону (8) для указанного выращивания слоев нитридов элементов III группы путем ХОПФ, отличающийся тем, что реактор (7) выращивания также содержит вторую зону (9), и во второй зоне имеется газовая система (10) для подачи газов травления для осуществления избирательного травления слоя (2) нитридов элементов III группы, выращенного в первой зоне (8).