МОНОКРИСТАЛЛ НИТРИДА, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ИСПОЛЬЗУЕМАЯ В НЕМ ПОДЛОЖКА

1. Способ изготовления монокристалла нитрида эпитаксиальным выращиванием на основе (100), включающей плоскость роста (105), при этом способ включает этапы:
- образования жертвенного слоя (101) на основе (100),
- образования столбиков (102) на указанном жертвенном слое, причем указанные столбики изготовлены из материала, совместимого с эпитаксиальным выращиванием GaN,
- выращивания слоя нитридного кристалла (103) на столбиках при таких условиях выращивания, что слой нитридного кристалла не проходит вниз к основе в углубления (107), образованные между столбиками, где соотношение D/d высоты D одного столбика к расстоянию d между двумя соседними столбиками больше или равно 1,5,
- удаления слоя нитридного кристалла с основы.
2. Способ по п.1, в котором каждый столбик включает стенки (104), перпендикулярные плоскости роста подложки.
3. Способ по п.1, в котором столбики имеют одинаковую высоту (D).
4. Способ по п.1, в котором верхние плоскости столбиков определяют плоскость роста столбиков, причем поверхность плоскости роста столбиков составляет более 20% от всей поверхности плоскости роста основы.
5. Способ по п.1, в котором верхние плоскости столбиков определяют плоскость роста столбиков, причем поверхность плоскости роста столбиков составляет менее 80% от всей поверхности плоскости роста основы.
6. Способ по п.1, в котором соотношение D/d больше или равно 2.
7. Способ по п.1, в котором столбики отделены друг от друга.
8. Способ по п.1, в котором столбики равномерно распределены на основе.
9. Способ по п.1, в котором столбики изготовлены из GaN.
10. Способ по п.1, в котором жертвенный слой изготовлен из химически удаляемого материала.
2
11. Способ по любому из пп.1-10, в котором жертвенный слой изготовлен из SiO.
12. Способ по п.1, в котором жертвенный слой является сплошным и покрывает всю поверхность плоскости роста основы.
13. Способ по п.1, в котором жертвенный слой является прерывистым и включает углубления, проходящие перпендикулярно плоскости роста основы.
14. Способ по п.13, в котором углубления находятся между столбиками, при этом каждая часть прерывистого жертвенного слоя находится под соответствующим столбиком, покрывающим всю поверхность указанной части.
15. Способ по п.1, в котором столбики образованы:
- эпитаксиальным выращиванием слоя GaN на жертвенном слое,
- нанесением шаблона на слой GaN, причем указанный шаблон включает множество отверстий,
- травлением слоя GaN вниз к основе для образования столбиков GaN.
16. Способ по п.1, в котором столбики образованы:
- получением слоя GaN, включающего столбики,
- приклеиванием столбиков на жертвенный слой,
- удалением слоя GaN, проходящего над столбиками.
17. Способ по п.1, в котором этап удаления слоя нитридного кристалла с основы включает химическое травление жертвенного слоя.
18. Способ по п.1, дополнительно включающий этап нанесения второго жертвенного слоя на нижнюю часть столбиков.
19. Подложка для изготовления монокристалла нитрида эпитаксиальным выращиванием, которая включает основу, множество столбиков на основе, и жертвенный слой между основой и столбиками.
20. Полупроводниковый материал, включающий подложку и монокристалл нитрида на подложке, при этом указанная подложка включает основу, жертвенный слой на основе и множество столбиков на указанном жертвенном слое.
21. Монокристалл нитрида, включающий столбики, полученный способом по любому из пп.1-18.