СИСТЕМА, УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РАДИОИЗОТОПОВ ГАЛЛИЯ НА УСКОРИТЕЛЯХ ЧАСТИЦ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТВЕРДЫХ МИШЕНЕЙ И КОМПОЗИЦИИ GA-68, ПОЛУЧЕННЫХ ТЕМ ЖЕ ОБРАЗОМ

1. Устройство твердой сборки-мишени, включающее:
металлический диск, содержи переднюю и заднюю поверхности, и
сегмент цинка на верхней поверхности диска.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что:
металлический диск дополнительно содержит выемку в верхней поверхности, причем выемка включает днище выемки и стенку выемки, и
сегмент цинка расположен на днище выемки, внутри выемки.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что металлический диск содержит материал, выбранный из группы, состоящей из Al, Ag и Cu.
4. Способ создания устройства твердой сборки-мишени, включающий:
подготовку необходимого количества Zn,
нанесение необходимого количества Zn на подложку для формирования устройства,
нагревание необходимого количества Zn по меньшей мере до 419,5°C по меньшей мере до того момента, пока его часть не начнет плавиться, и
прекращение нагрева необходимого количества Zn , чтобы дать возможность Zn затвердеть.
5. Способ создания устройства твердой сборки-мишени включающий:
предоставление металлического диска, который содержит переднюю и заднюю поверхности, и некоторого количества Zn,
предварительную обработку верхней поверхности диска,
нанесение необходимого количества Zn на предварительно обработанную верхнюю поверхность диска для формирования устройства, и
оцинковку поверхности диска.
6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что этап оцинковывания диска включает:
нагревание устройства до температуры по меньшей мере 419,5°C в течение 30 мин, и
охлаждение устройства до температуры окружающей среды.
7. Способ по п. 5, отличающийся тем, что этап соединения Zn с поверхностью диска включает соединение Zn с поверхностью диска в бескислородной среде или среде с низким содержанием кислорода.
8. Способ по п. 6, отличающийся тем, что этап нагревания устройства твердой сборки-мишени включает нагрев устройства сборки-мишени с помощью электроплитки, печи, паяльной горелки, индукционного нагрева, лазера, дуговой плавки или их комбинации.
9. Способ по п. 5, отличающийся тем, что этап оцинкования поверхности диска включает:
увеличение температуры устройства твердой сборки-мишени от температуры окружающей среды до по меньшей мере 419,5°C для плавления цинка,
снижение температуры устройства твердой сборки-мишени до температуры окружающей среды для отверждения цинка.
10. Способ по п. 5, отличающийся тем, что дополнительно включает приложение селективного усилия сжатия к устройству твердой сборки-мишени для способствования соединению между некоторым количеством Zn и поверхностью диска.
11. Устройство твердой сборки-мишени, изготовленной в соответствии со способом по п. 5.
12. Способ получения Ga-68 циклотроном, включающий:
предоставление
устройства твердой сборки-мишени по пункту 11,
циклотрона, способного генерировать протонные пучки, причем циклотрон содержит станцию облучения мишени,
размещение устройства твердой сборки-мишени в станции облучения мишени,
облучение устройства твердой сборки-мишени,
транспортировку облученного устройства твердой сборки-мишени со станции облучения мишени на станцию химической обработки,
химическое выделение Ga-68 из определенного количества цинка на облученном устройстве твердой сборки-мишени,
сбор выделенного Ga-68, и
хранение выделенного Ga-68.
13. Композиция Ga-68, полученная в соответствии с любым способом по пп. 4-10 и п. 12.
14. Композиция Ga-68, включающая следующие количественные соотношения показателей активности:
Ga-67/Ga-68 менее 1, и
Ga-66/Ga-68 менее 1,
причем количественные соотношения показателей активности измеряются на конечном этапе протонного облучения.
15. Композиция Ga-68 по п. 14, отличающаяся тем, что содержит следующие количественные соотношения показателей активности:
Ga-67/Ga-68 менее 0,0003 и
Ga-66/Ga-68 менее 0,0001,
причем количественные соотношения показателей активности измеряются на конечном этапе протонного облучения.