СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

1. Светоизлучающее устройство, содержащее в указанном порядке: светопроводящий элемент;
светоизлучающий элемент, содержащий многослойную полупроводниковую часть; и
электроды, расположенные на многослойной полупроводниковой части;
при этом со стороны светопроводящего элемента светоизлучающий элемент содержит первую область и вторую область; а
светопроводящий элемент со стороны светоизлучающего элемента содержит третью область и четвертую область;
причем первая область имеет неравномерное расположение атомов по сравнению со второй областью;
третья область имеет неравномерное расположение атомов по сравнению с четвертой областью, и
первая область непосредственно соединена с третьей областью.
2. Светоизлучающее устройство по п.1, в котором часть светоизлучающего элемента, которая находится в контакте со светопроводящим элементом, выполнена из того же материала, что и светопроводящий элемент.
3. Способ изготовления светоизлучающего устройства, содержащий этапы, на которых:
подготавливают светоизлучающий элемент, содержащий многослойную полупроводниковую часть, на которой расположены электроды; подготавливают светопроводящий элемент; и
непосредственно соединяют светоизлучающий элемент и светопроводящий элемент со стороны, противоположной стороне, на которой расположены электроды.
4. Способ изготовления светоизлучающего устройства по п.3, в котором часть светоизлучающего элемента, которая находится в контакте со светопроводящим элементом, выполнена из того же материала, что и светопроводящий элемент.
5. Способ изготовления светоизлучающего устройства по п.3 или 4, в котором светоизлучающий элемент и светопроводящий элемент соединяют с использованием технологии соединения активированных поверхностей.
6. Способ изготовления светоизлучающего устройства по п.5, в котором часть светоизлучающего элемента, которая находится в контакте со светопроводящим элементом, выполнена из сапфира или GaN, а светопроводящий элемент выполнен из сапфира или GaN.
7. Способ изготовления светоизлучающего устройства, содержащий этапы, на которых:
подготавливают светоизлучающий элемент, содержащий многослойную полупроводниковую часть;
подготавливают светопроводящий элемент;
непосредственно соединяют светоизлучающий элемент и светопроводящий элемент; и
формируют электрод на многослойной полупроводниковой части со стороны, противоположной стороне, которая соединена со светопроводящим элементом.
8. Способ изготовления светоизлучающего устройства по п.7, в котором часть светоизлучающего элемента, которая находится в контакте со светопроводящим элементом, выполнена из того же материала, что и светопроводящий элемент.
9. Способ изготовления светоизлучающего устройства по п.7 или 8, в котором светоизлучающий элемент и светопроводящий элемент соединяют с использованием технологии соединения активированных поверхностей.
10. Способ изготовления светоизлучающего устройства по п.9, в котором часть светоизлучающего элемента, которая находится в контакте со светопроводящим элементом, выполнена из сапфира или GaN, а светопроводящий элемент выполнен из сапфира или GaN.