ПРИМЕНЕНИЕ SiO2-ПОКРЫТИЙ В ВОДОПРОВОДЯЩИХ СИСТЕМАХ ОХЛАЖДЕНИЯ

2
1. Применение покрытий из наночастиц SiO в водопроводящих системах охлаждения для предотвращения абразивной коррозии и отложений.
2. Применение по п. 1, отличающееся тем, что толщина слоя покрытий составляет ≤ 500 нм.
3. Применение по п. 2, отличающееся тем, что толщина слоя покрытия составляет от 50 до 300 нм.
4. Применение по одному из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что водопроводящая система охлаждения представляет собой систему водяного охлаждения, работающую на речной или морской воде.
5. Применение по одному из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что системы охлаждения представляют собой трубопроводы для тепловых электростанций.
2
6. Применение по одному из предыдущих пунктов, отличающееся тем, что под покрытием из наночастиц SiO находится грунтовочное покрытие.
7. Применение по п. 6, отличающееся тем, что грунтовочное покрытие состоит из нескольких слоев.
8. Применение по п. 6 или 7, отличающееся тем, что в качестве грунтовочного покрытия применяется система "эпоксидная смола+аминовый отвердитель".
9. Применение по одному из пп. 6-8, отличающееся тем, что грунтовочное покрытие имеет толщину слоя от 80 мкм до 2000 мкм.
10. Способ покрытия трубопроводов водяного охлаждения, включающий этапы:
(a) очистки трубопроводов водяного охлаждения водой под высоким давлением;
(b) при необходимости, нанесение грунтовочного покрытия;
2
2
(c) нанесение водного золь-геля из наночастиц SiO, которые уплотняются на поверхности с образованием слоя SiO.
11. Способ по п. 10, отличающийся тем, что очистку проводят при давлении до 2500 бар.
12. Способ по п. 10 или 11, отличающийся нанесением грунтовочного слоя при давлении до 500 бар.
13. Способ по одному из пп. 10-12, отличающийся нанесением водного золь-геля при давлении до 10 бар.
14. Способ по одному из пп. 10-13, отличающийся тем, что очистка трубопроводов системы жидкостного охлаждения, а также нанесение грунтовочного слоя и нанесение водного золь-геля проводится с помощью насадки, которая выполнена для применения в режиме заднего хода, причем угол распыла составляет от 60° до 120° к продольному направлению обрабатываемой трубы.
2
15. Способ по одному из пп. 10-14, отличающийся тем, что толщина слоя SiO составляет менее 500 нм и предпочтительно лежит в интервале от 50 до 300 нм.
16. Способ по одному из пп. 10-15, отличающийся тем, что наносится по меньшей мере один грунтовочный слой, причем толщина слоя составляет от 80 мкм до 2000 мкм.
17. Способ по одному из пп. 10-16, отличающийся тем, что в качестве грунтовочного слоя наносится система "эпоксидная смола+аминовый отвердитель".