СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ

1 Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы (НиМЭМС), заключающийся в полировании поверхности мембраны, формировании на ней диэлектрической пленки и тензоэлементов с низкоомными перемычками и контактными площадками между ними с использованием шаблона тензочувствительного слоя, имеющего конфигурацию тензоэлементов в зонах, совмещаемых с низкоомными перемычками и контактными площадками в виде полос, включающих изображения тензоэлементов и их продолжения в два противоположных направления, а в зонах, совмещаемых с контактными площадками - частично совпадающую с конфигурацией контактных площадок и удаленных от полос участков, присоединении выводных проводников к контактным площадкам в областях, удаленных от полос участков, воздействии на НиМЭМС тестовых температур, определении критерия временной стабильности и сравнении его с предельно допустимым, отличающийся тем, что подключают к выходу НиМЭМС регистратор, включают напряжение (или ток питания) НиМЭМС, создают на мембране нормированное нестационарное, симметричное относительно центра мембраны поле температур и температурных деформаций, регистрируют на регистраторе выходной сигнал НиМЭМС во время воздействия на мембрану нестационарного поля температур и температурных деформаций, сравнивают полученный выходной сигнал испытуемой НиМЭМС по амплитуде или (и) по амплитудам спектральных составляющих с аналогичным сигналом эталонной НиМЭМС, и если разницы амплитуд выходных сигналов или (и) амплитуд спектральных составляющих выходных сигналов не превышают предельно допустимых значений, которые принимаются за критерии временной стабильности и определяются экспериментальным по статистическим данным для конкретного типоразмера НиМЭМС, то данную сборку передают на последующие операции.
2 Способ изготовления тензорезисторного датчика давления на основе тонкопленочной НиМЭМС) по п.1, отличающийся тем, что сравнение выходных сигналов испытуемой и эталонной НиМЭМС проводят по соотношению
<mrow><msub><mi>Ψ</mi><mrow><mi>τ</mi><mn>7</mn></mrow></msub><mo>=</mo><mstyle displaystyle="true"><munderover><mo>∑</mo><mrow><mi>n</mi><mo>=</mo><mn>1</mn></mrow><mrow><mi>n</mi><mo>=</mo><mi>N</mi></mrow></munderover><mrow><mo stretchy="false">(</mo><msub><mi>A</mi><mrow><mi>L</mi><mi>n</mi></mrow></msub><mo>−</mo><msub><mi>A</mi><mrow><mi>K</mi><mi>n</mi></mrow></msub><mo stretchy="false">)</mo><msub><mi>A</mi><mrow><mi>K</mi><mi>n</mi></mrow></msub><msubsup><mi>A</mi><mrow><mi>K</mi><mn>1</mn></mrow><mrow><mo>−</mo><mn>1</mn></mrow></msubsup></mrow></mstyle></mrow>
,
Ln
где A - амплитуда n-ой гармоники выходного сигнала испытуемой НиМЭМС при воздействии на ее мембрану нормированного нестационарного, симметричного относительно центра мембраны поля температур и температурных деформаций;
Kn
A - амплитуда n-ой гармоники выходного сигнала эталонной НиМЭМС при воздействии на ее мембрану нормированного нестационарного, симметричного относительно центра мембраны поля температур и температурных деформаций;
K1
A - амплитуда первой гармоники выходного сигнала эталонной НиМЭМС при воздействии на ее мембрану нормированного нестационарного, симметричного относительно центра мембраны поля температур и температурных деформаций;
n - номер гармоники выходного сигнала НиМЭМС.