ПОДЛОЖКА ОТОБРАЖЕНИЯ И СПОСОБ ЕЕ ПОДГОТОВКИ, ПАНЕЛЬ ОТОБРАЖЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ
DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD OF ITS PREPARATION, DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE

Область техники, к которой относится изобретение
[0001] Варианты осуществления настоящего раскрытия относятся к подложке отображения, к способу ее подготовки, к панели отображения и к устройству отображения.
Уровень техники
[0002] В силу быстрого развития органических светоизлучающих диодов с активной матрицей (AMOLED) в области техники отображения, потребность в эффекте отображения для людей становится все выше. Вследствие преимуществ высокого качества отображения, диапазон применения устройств отображения высокого разрешения становится все более широким. В общем, разрешение устройства отображения может повышаться посредством уменьшения размеров пикселов и уменьшения разнесения между пикселами.
Сущность изобретения
[0003] По меньшей мере, некоторые варианты осуществления настоящего раскрытия предоставляют подложку отображения, подложка отображения включает в себя несущую подложку и множество повторяющихся ячеек на несущей подложке, каждая из множества повторяющихся ячеек содержит множество субпикселов, и каждый из множества субпикселов содержит светоизлучающий элемент и пиксельную схему для возбуждения светоизлучающего элемента для излучения света; пиксельная схема содержит возбуждающую схему; светоизлучающий элемент содержит первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой между первым электродом подачи напряжения светоизлучения и вторым электродом подачи напряжения светоизлучения; множество субпикселов содержат первый субпиксел и второй субпиксел, цвет света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента первого субпиксела, является идентичным цвету света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента второго субпиксела, и форма первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела отличается от формы первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела; ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке; и ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке.
[0004] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, область ортографической проекции первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке отличается от области ортографической проекции первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке.
[0005] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, область перекрывающейся части между ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке и ортографической проекцией первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке составляет первую область, и область перекрывающейся части между ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке и ортографической проекцией первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке составляет вторую область; и отношение первой области ко второй области удовлетворяет следующей взаимосвязи:
Amin≤A1/A2≤Amax,
где A1 представляет первую область, A2 представляет вторую область, Amin представляет минимальное пороговое значение отношения и составляет 90%, и Amax представляет максимальное пороговое значение отношения и составляет 110%.
[0006] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, ортографическая проекция управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке находится в пределах ортографической проекции первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке; и ортографическая проекция управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке находится в пределах ортографической проекции первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке.
[0007] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, ортографическая проекция светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке является непрерывной с ортографической проекцией светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке.
[0008] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, пиксельная схема дополнительно содержит первую светоизлучающую управляющую схему и вторую светоизлучающую управляющую схему, возбуждающая схема содержит управляющий контактный вывод, первый контактный вывод и второй контактный вывод, и возбуждающая схема выполнена с возможностью предоставлять ток возбуждения для возбуждения светоизлучающего элемента для излучения света; первая светоизлучающая управляющая схема соединена с первым контактным выводом возбуждающей схемы и первым контактным выводом напряжения, и первая светоизлучающая управляющая схема выполнена с возможностью включать или выключать соединение между возбуждающей схемой и первым контактным выводом напряжения; и вторая светоизлучающая управляющая схема электрически соединена со вторым контактным выводом возбуждающей схемы и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента, и вторая светоизлучающая управляющая схема выполнена с возможностью включать или выключать соединение между возбуждающей схемой и светоизлучающим элементом.
[0009] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, пиксельная схема первого субпиксела дополнительно содержит первую паразитную схему, и пиксельная схема второго субпиксела дополнительно содержит вторую паразитную схему; первая паразитная схема электрически соединена с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела, и первая паразитная схема выполнена с возможностью управлять напряжением управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на основе напряжения первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела; и вторая паразитная схема электрически соединена с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела, и вторая паразитная схема выполнена с возможностью управлять напряжением управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на основе напряжения первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела.
[0010] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первая паразитная схема содержит первый конденсатор, и первый конденсатор содержит первый электрод и второй электрод; первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела содержит вспомогательный электродный блок, и ортографическая проекция вспомогательного электродного блока на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке; и вспомогательный электродный блок служит в качестве первого электрода первого конденсатора, и управляющий контактный вывод возбуждающей схемы первого субпиксела мультиплексируется в качестве второго электрода первого конденсатора.
[0011] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела дополнительно содержит первый возбуждающий электродный блок, и первый возбуждающий электродный блок электрически соединяется со вспомогательным электродным блоком, и ортографическая проекция первого возбуждающего электродного блока на несущей подложке, ортографическая проекция светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке и ортографическая проекция второго электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрываются.
[0012] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, вторая паразитная схема содержит второй конденсатор, и второй конденсатор содержит первый электрод и второй электрод; первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела содержит второй возбуждающий электродный блок, и ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке; ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока на несущей подложке, ортографическая проекция светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке и ортографическая проекция второго электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрываются; и второй возбуждающий электродный блок мультиплексируется в качестве первого электрода второго конденсатора, и управляющий контактный вывод возбуждающей схемы второго субпиксела мультиплексируется в качестве второго электрода второго конденсатора.
[0013] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, форма первого возбуждающего электродного блока является идентичной форме второго возбуждающего электродного блока, и область ортографической проекции первого возбуждающего электродного блока на несущей подложке является идентичной области ортографической проекции второго возбуждающего электродного блока на несущей подложке.
[0014] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, в каждой повторяющейся ячейке, первый субпиксел и второй субпиксел размещаются в первом направлении, первое направление является параллельным поверхности несущей подложки, и в первом направлении, вспомогательный электродный блок расположен на стороне первого возбуждающего электродного блока отдаленно от светоизлучающего элемента второго субпиксела.
[0015] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, ортографическая проекция вспомогательного электродного блока на несущей подложке не перекрывается с ортографической проекцией светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке.
[0016] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела дополнительно содержит первый соединительный электродный блок, в первом направлении, первый соединительный электродный блок расположен на стороне первого возбуждающего электродного блока отдаленно от светоизлучающего элемента второго субпиксела, первый соединительный электродный блок расположен между вспомогательным электродным блоком и первым возбуждающим электродным блоком и электрически соединяется как со вспомогательным электродным блоком, так и с первым возбуждающим электродным блоком.
[0017] Например, подложка отображения, предоставленная посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, дополнительно включает в себя промежуточный слой в направлении, перпендикулярном поверхности несущей подложки, пиксельная схема расположена между промежуточным слоем и несущей подложкой, светоизлучающий элемент расположен на стороне промежуточного слоя отдаленно от несущей подложки; и промежуточный слой содержит первое переходное отверстие, и первый соединительный электродный блок продолжается до первого переходного отверстия и электрически соединяется с пиксельной схемой первого субпиксела через первое переходное отверстие.
[0018] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела дополнительно содержит второй соединительный электродный блок, и второй соединительный электродный блок электрически соединяется со вторым возбуждающим электродным блоком, и в первом направлении, второй соединительный электродный блок расположен на стороне второго возбуждающего электродного блока отдаленно от светоизлучающего элемента первого субпиксела.
[0019] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, промежуточный слой содержит второе переходное отверстие, и второй соединительный электродный блок продолжается до второго переходного отверстия и электрически соединяется с пиксельной схемой второго субпиксела через второе переходное отверстие.
[0020] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первый соединительный электродный блок электрически соединяется со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы первого субпиксела через первое переходное отверстие, и второй соединительный электродный блок электрически соединяется со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы второго субпиксела через второе переходное отверстие.
[0021] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, пиксельная схема содержит активный полупроводниковый слой, электродный металлический затворный слой и электродный металлический слой "исток-сток", в направлении, перпендикулярном несущей подложке, активный полупроводниковый слой расположен между несущей подложкой и электродным металлическим затворным слоем, и электродный металлический затворный слой расположен между активным полупроводниковым слоем и электродным металлическим слоем "исток-сток"; первый соединительный электродный блок продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через первое переходное отверстие; и второй соединительный электродный блок продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через второе переходное отверстие.
[0022] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, множество субпикселов дополнительно содержат третий субпиксел и четвертый субпиксел в каждой повторяющейся ячейке, третий субпиксел и четвертый субпиксел размещаются вдоль второго направления, и во втором направлении, первый субпиксел и второй субпиксел расположены между третьим субпикселом и четвертым субпикселом; и второе направление является параллельным поверхности несущей подложки, и первое направление является перпендикулярным второму направлению.
[0023] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела содержит третий возбуждающий электродный блок и третий соединительный электродный блок, третий возбуждающий электродный блок и третий соединительный электродный блок электрически соединены между собой, и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела содержит четвертый возбуждающий электродный блок и четвертый соединительный электродный блок, четвертый возбуждающий электродный блок и четвертый соединительный электродный блок электрически соединены между собой; и промежуточный слой содержит третье переходное отверстие и четвертое переходное отверстие, третий соединительный электродный блок продолжается до третьего переходного отверстия и электрически соединяется с пиксельной схемой третьего субпиксела через третье переходное отверстие, и четвертый соединительный электродный блок продолжается до четвертого переходного отверстия и электрически соединяется с пиксельной схемой четвертого субпиксела через четвертое переходное отверстие.
[0024] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, в каждой повторяющейся ячейке, в первом направлении, третий соединительный электродный блок расположен на стороне третьего возбуждающего электродного блока отдаленно от вспомогательного электродного блока, и во втором направлении, третий соединительный электродный блок расположен на стороне третьего возбуждающего электродного блока вплотную к четвертому возбуждающему электродному блоку; и в первом направлении, четвертый соединительный электродный блок расположен на стороне четвертого возбуждающего электродного блока отдаленно от вспомогательного электродного блока, и во втором направлении, четвертый соединительный электродный блок расположен на стороне четвертого возбуждающего электродного блока вплотную к третьему возбуждающему электродному блоку.
[0025] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, третий соединительный электродный блок электрически соединяется со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы третьего субпиксела через третье переходное отверстие, и четвертый соединительный электродный блок электрически соединяется со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы четвертого субпиксела через четвертое переходное отверстие.
[0026] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, множество повторяющихся ячеек размещаются во втором направлении, чтобы формировать множество групп повторяющихся ячеек, и множество групп повторяющихся ячеек размещаются в первом направлении; в первом направлении, первый соединительный электродный блок, второй соединительный электродный блок, третий соединительный электродный блок и четвертый соединительный электродный блок расположены между двумя смежными группами повторяющихся ячеек; и в первом направлении, по меньшей мере, часть вспомогательного электродного блока расположена на стороне вспомогательного электродного блока отдаленно от первого возбуждающего электродного блока и расположена между двумя смежными повторяющимися ячейками в группе повторяющихся ячеек, смежной с группой повторяющихся ячеек, в которой расположен вспомогательный электродный блок.
[0027] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первый субпиксел и второй субпиксел представляют собой зеленые субпикселы, третий субпиксел представляет собой красный субпиксел, и четвертый субпиксел представляет собой синий субпиксел.
[0028] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, пиксельная схема дополнительно содержит схему записи данных, схему хранения данных, пороговую компенсационную схему и схему сброса; схема записи данных электрически соединяется с первым контактным выводом возбуждающей схемы и выполнена с возможностью записывать сигнал данных в схему хранения данных под управлением сигнала развертки; схема хранения данных электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы и первым контактным выводом напряжения и выполнена с возможностью сохранять сигнал данных; пороговая компенсационная схема электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы и вторым контактным выводом возбуждающей схемы и выполнена с возможностью выполнять пороговую компенсацию для возбуждающей схемы; и схема сброса электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента и выполнена с возможностью сбрасывать управляющий контактный вывод возбуждающей схемы и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента под управлением управляющего сигнала сброса.
[0029] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, возбуждающая схема содержит возбуждающий транзистор, управляющий контактный вывод возбуждающей схемы содержит затворный электрод возбуждающего транзистора, первый контактный вывод возбуждающей схемы содержит первый электрод возбуждающего транзистора, второй контактный вывод возбуждающей схемы содержит второй электрод возбуждающего транзистора; схема записи данных содержит транзистор записи данных, схема хранения данных содержит третий конденсатор, пороговая компенсационная схема содержит пороговый компенсационный транзистор, схема сброса содержит первый транзистор сброса и второй транзистор сброса, первая светоизлучающая управляющая схема содержит первый светоизлучающий управляющий транзистор, вторая светоизлучающая управляющая схема содержит второй светоизлучающий управляющий транзистор, управляющий сигнал сброса содержит первый управляющий субсигнал сброса и второй управляющий субсигнал сброса; первый электрод транзистора записи данных электрически соединяется с первым электродом возбуждающего транзистора, второй электрод транзистора записи данных выполнен с возможностью принимать сигнал данных, и затворный электрод транзистора записи данных выполнен с возможностью принимать сигнал развертки; первый электрод третьего конденсатора электрически соединяется с первым контактным выводом напряжения, и второй электрод третьего конденсатора электрически соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора; первый электрод порогового компенсационного транзистора электрически соединяется со вторым электродом возбуждающего транзистора, второй электрод порогового компенсационного транзистора электрически соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора, и затворный электрод порогового компенсационного транзистора выполнен с возможностью принимать компенсационный управляющий сигнал; первый электрод первого транзистора сброса выполнен с возможностью принимать первый сигнал сброса, второй электрод первого транзистора сброса электрически соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора, и затворный электрод первого транзистора сброса выполнен с возможностью принимать первый управляющий субсигнал сброса; первый электрод второго транзистора сброса выполнен с возможностью принимать второй сигнал сброса, второй электрод второго транзистора сброса электрически соединяется с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента, и затворный электрод второго транзистора сброса выполнен с возможностью принимать второй управляющий субсигнал сброса; первый электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора электрически соединяется с первым контактным выводом напряжения, второй электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора электрически соединяется с первым электродом возбуждающего транзистора, затворный электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора выполнен с возможностью принимать первый сигнал управления светоизлучением; и первый электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора электрически соединяется со вторым электродом возбуждающего транзистора, второй электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора электрически соединяется с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента, и затворный электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора выполнен с возможностью принимать второй сигнал управления светоизлучением.
[0030] Некоторые варианты осуществления настоящего раскрытия также предоставляют панель отображения, включающую в себя подложку отображения согласно любому из вариантов осуществления настоящего раскрытия.
[0031] Некоторые варианты осуществления настоящего раскрытия также предоставляют устройство отображения, и устройство отображения включает в себя панель отображения согласно любому из вариантов осуществления настоящего раскрытия.
[0032] Например, устройство отображения, предоставленное посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, дополнительно включает в себя возбуждающую микросхему, возбуждающая микросхема электрически соединяется с панелью отображения, и возбуждающая микросхема расположена на стороне первого субпиксела в каждой повторяющейся ячейке отдаленно от второго субпиксела.
[0033] Например, в устройстве отображения, предоставленном посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, в каждой повторяющейся ячейке, область ортографической проекции первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке превышает область ортографической проекции первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке.
[0034] Некоторые варианты осуществления настоящего раскрытия также предоставляют способ подготовки для подготовки подложки отображения согласно любому из вариантов осуществления настоящего раскрытия, и способ подготовки включает в себя: предоставление несущей подложки; и формирование множества повторяющихся ячеек на несущей подложке, при этом каждая из множества повторяющихся ячеек содержит множество субпикселов, каждый из множества субпикселов содержит пиксельную схему и светоизлучающий элемент, светоизлучающий элемент содержит первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой между первым электродом подачи напряжения светоизлучения и вторым электродом подачи напряжения светоизлучения, множество субпикселов содержат первый субпиксел и второй субпиксел, цвет света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента первого субпиксела, является идентичным цвету света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента второго субпиксела, форма первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела отличается от формы первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела, ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке, и ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке.
[0035] Некоторые варианты осуществления настоящего раскрытия также предоставляют подложку отображения, и подложка отображения включает в себя несущую подложку и множество повторяющихся ячеек на несущей подложке, каждая из множества повторяющихся ячеек содержит множество субпикселов, каждый из множества субпикселов содержит светоизлучающий элемент и пиксельную схему для возбуждения светоизлучающего элемента для излучения света, пиксельная схема содержит возбуждающую схему, и светоизлучающий элемент содержит первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой между первым электродом подачи напряжения светоизлучения и вторым электродом подачи напряжения светоизлучения; возбуждающие схемы множества субпикселов размещаются в матрице на несущей подложке; множество субпикселов содержат первый субпиксел и второй субпиксел, и цвет света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента первого субпиксела, является идентичным цвету света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента второго субпиксела; первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела содержит вспомогательный электродный блок, первый возбуждающий электродный блок и первый соединительный электродный блок, и первый возбуждающий электродный блок, вспомогательный электродный блок и первый соединительный электродный блок электрически соединены между собой; первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела содержит второй возбуждающий электродный блок и второй соединительный электродный блок, и второй возбуждающий электродный блок электрически соединяется со вторым соединительным электродным блоком; вспомогательный электродный блок расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела отдаленно от несущей подложки; и второй возбуждающий электродный блок расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела отдаленно от несущей подложки.
[0036] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, форма первого возбуждающего электродного блока отличается от формы вспомогательного электродного блока, форма первого возбуждающего электродного блока является идентичной форме второго возбуждающего электродного блока, и область ортографической проекции первого возбуждающего электродного блока на несущей подложке является идентичной области ортографической проекции второго возбуждающего электродного блока на несущей подложке.
[0037] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, форма первого соединительного электродного блока является идентичной форме второго соединительного электродного блока, и область ортографической проекции первого соединительного электродного блока на несущей подложке является идентичной области ортографической проекции второго соединительного электродного блока на несущей подложке.
[0038] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, управляющий контактный вывод возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела и управляющий контактный вывод возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела размещаются в первом направлении, и в первом направлении, первый возбуждающий электродный блок расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела вплотную к управляющему контактному выводу возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела.
[0039] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, в первом направлении, первый возбуждающий электродный блок расположен между управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела и управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела.
[0040] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, в первом направлении, первый соединительный электродный блок расположен на стороне первого возбуждающего электродного блока отдаленно от управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела.
[0041] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, в первом направлении, первый соединительный электродный блок расположен между управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела и управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела.
[0042] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первый соединительный электродный блок расположен между первым возбуждающим электродным блоком и вспомогательным электродным блоком в первом направлении.
[0043] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, в первом направлении, второй соединительный электродный блок расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела отдаленно от управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела, и второй возбуждающий электродный блок расположен между вторым соединительным электродным блоком и первым возбуждающим электродным блоком.
[0044] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, расстояние между центром управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела и центром первого возбуждающего электродного блока превышает расстояние между центром управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела и центром второго возбуждающего электродного блока.
[0045] Некоторые варианты осуществления настоящего раскрытия также предоставляют подложку отображения, подложка отображения включает в себя несущую подложку и множество повторяющихся ячеек на несущей подложке, каждая из множества повторяющихся ячеек содержит множество субпикселов, каждый из множества субпикселов содержит светоизлучающий элемент и пиксельную схему для возбуждения светоизлучающего элемента для излучения света, светоизлучающий элемент содержит первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой между первым электродом подачи напряжения светоизлучения и вторым электродом подачи напряжения светоизлучения, пиксельная схема содержит возбуждающую схему, вторую светоизлучающую управляющую схему и схему сброса, вторая светоизлучающая управляющая схема электрически соединяется со второй линией сигналов управления светоизлучением, вторым контактным выводом возбуждающей схемы и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента и выполнена с возможностью, под управлением второго сигнала управления светоизлучением, предоставленного посредством второй линии сигналов управления светоизлучением, включать или выключать соединение между возбуждающей схемой и светоизлучающим элементом, схема сброса электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы и первой линией управляющих сигналов сброса и выполнена с возможностью сбрасывать управляющий контактный вывод возбуждающей схемы под управлением первого управляющего субсигнала сброса, предоставленного посредством первой линии управляющих сигналов сброса, вторая линия сигналов управления светоизлучением и первая линия управляющих сигналов сброса размещаются вдоль первого направления, множество субпикселов содержат первый субпиксел и второй субпиксел, ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается как с ортографической проекцией первой линии управляющих сигналов сброса, соединенной со схемой сброса пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке, так и с ортографической проекцией второй линии сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке, и ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично, перекрывается с ортографической проекцией второй линии сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке.
[0046] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, пиксельная схема дополнительно содержит схему записи данных, схема записи данных электрически соединяется с первым контактным выводом возбуждающей схемы и первой линией сигналов развертки и выполнена с возможностью записывать сигнал данных на управляющий контактный вывод возбуждающей схемы под управлением сигнала развертки, предоставленного посредством первой линии сигналов развертки в первом направлении, первая линия сигналов развертки расположена между второй линией сигналов управления светоизлучением и первой линией управляющих сигналов сброса, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела размещаются вдоль первого направления, и в первом направлении, первая линия сигналов развертки, соединенная со схемой записи данных пиксельной схемы второго субпиксела, расположена между первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела.
[0047] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, схема сброса дополнительно электрически соединяется с первой линией сигналов электропитания и сброса, схема сброса выполнена с возможностью сбрасывать управляющий контактный вывод возбуждающей схемы согласно первому сигналу сброса, предоставленному посредством первой линии сигналов электропитания и сброса под управлением первого управляющего субсигнала сброса, предоставленного посредством первой линии управляющих сигналов сброса в первом направлении, первая линия сигналов электропитания и сброса расположена на стороне первой линии управляющих сигналов сброса отдаленно от второй линии сигналов управления светоизлучением, и ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке дополнительно, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией первой линии сигналов электропитания и сброса, соединенной со схемой сброса пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке.
[0048] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, все из второй линии сигналов управления светоизлучением, первой линии управляющих сигналов сброса, первой линии сигналов развертки и первой линии сигналов электропитания и сброса продолжается во втором направлении, и второе направление является перпендикулярным первому направлению.
[0049] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, вторая линия сигналов управления светоизлучением, первая линия управляющих сигналов сброса, первая линия сигналов развертки и первая линия сигналов электропитания и сброса являются параллельными между собой.
[0050] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела содержит вспомогательный электродный блок, первый возбуждающий электродный блок и первый соединительный электродный блок, первый возбуждающий электродный блок, вспомогательный электродный блок и первый соединительный электродный блок электрически соединены между собой и размещаются в первом направлении, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела содержит второй возбуждающий электродный блок и второй соединительный электродный блок, второй возбуждающий электродный блок и второй соединительный электродный блок электрически соединены и размещаются в первом направлении, в первом направлении, первый соединительный электродный блок и вспомогательный электродный блок расположены на стороне первого возбуждающего электродного блока отдаленно от второго возбуждающего электродного блока, первый соединительный электродный блок расположен между вспомогательным электродным блоком и первым возбуждающим электродным блоком, второй соединительный электродный блок расположен на стороне второго возбуждающего электродного блока отдаленно от первого возбуждающего электродного блока, ортографическая проекция первого возбуждающего электродного блока на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией первой линии управляющих сигналов сброса, соединенной со схемой сброса пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке, и с ортографической проекцией первой линии сигналов электропитания и сброса, соединенной со схемой сброса пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке, ортографическая проекция первого соединительного электродного блока на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией второй линии сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке, в первом направлении, вспомогательный электродный блок расположен на стороне второй линии сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы первого субпиксела отдаленно от первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела, ортографическая проекция второго соединительного электродного блока на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией второй линии сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке, и в первом направлении, второй возбуждающий электродный блок расположен между второй линией сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы второго субпиксела, и первой линией сигналов развертки, соединенной со схемой записи данных пиксельной схемы второго субпиксела.
[0051] Например, в подложке отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, цвет света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента первого субпиксела, является идентичным цвету света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента второго субпиксела, и форма первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела отличается от формы первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела.
Краткое описание чертежей
[0052] Чтобы ясно иллюстрировать технические решения вариантов осуществления настоящего раскрытия, ниже кратко описываются чертежи вариантов осуществления; очевидно, что описанные чертежи относятся только к некоторым вариантам осуществления настоящего раскрытия и в силу этого не ограничивают настоящее раскрытие.
[0053] Фиг. 1 является принципиальной структурной схемой повторяющейся пиксельной ячейки в пиксельной компоновочной структуре;
[0054] Фиг. 2 является принципиальной блок-схемой подложки отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;
[0055] Фиг. 3A является принципиальной структурной схемой пиксельной схемы, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;
[0056] Фиг. 3B является принципиальной структурной схемой пиксельной схемы первого субпиксела, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;
[0057] Фиг. 3C является принципиальной структурной схемой пиксельной схемы второго субпиксела, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;
[0058] Фиг. 4A-4E являются принципиальными схемами различных слоев пиксельной схемы, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;
[0059] Фиг. 5A является плоской принципиальной схемой подложки отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;
[0060] Фиг. 5B является плоской принципиальной схемой повторяющейся ячейки, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;
[0061] Фиг. 6A является плоской принципиальной схемой другой повторяющейся ячейки, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;
[0062] Фиг. 6B является компоновочной схемой подложки отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;
[0063] Фиг. 6C является принципиальной структурной схемой в поперечном сечении линии L1-L1' на фиг. 6B;
[0064] Фиг. 6D является принципиальной структурной схемой в поперечном сечении линии L2-L2' на фиг. 6B;
[0065] Фиг. 6E является плоской принципиальной схемой другой подложки отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;
[0066] Фиг. 7 является частичной принципиальной структурной схемой панели отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;
[0067] Фиг. 8A является принципиальной блок-схемой устройства отображения, предоставленного посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия;
[0068] Фиг. 8B является принципиальной структурной схемой устройства отображения, предоставленного посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия; и
[0069] Фиг. 9 является блок-схемой последовательности операций способа подготовки для подготовки подложки отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия.
Подробное описание изобретения
[0070] Чтобы обеспечивать очевидность целей, технических подробностей и преимуществ вариантов осуществления настоящего раскрытия, технические решения вариантов осуществления должны описываться четко и понятно в связи с чертежами, связанными с вариантами осуществления настоящего раскрытия. Очевидно, что описанные варианты осуществления представляют собой только часть, а не все варианты осуществления настоящего раскрытия. На основе описанных вариантов осуществления в данном документе, специалисты в данной области техники могут получать другой вариант(ы) осуществления без изобретательских усилий, что должно находиться в пределах объема настоящего раскрытия.
[0071] Если не указано иное, все технические и научные термины, используемые в данном документе, имеют смысловые значения, идентичные значениям, обычно понимаемым специалистами в области техники, которой принадлежит настоящее раскрытие. Термины, "первый", "второй" и т.д., которые используются в настоящем раскрытии, имеют намерение не указывать любую последовательность, величину или значимость, а отличать различные компоненты. Кроме того, такие упоминание в единственном числе имеет намерение не ограничивать количество, а указывать наличие по меньшей мере одного. Термины "содержать", "содержащий", "содержать", "включающий в себя" и т.д. имеют намерение указывать то, что элементы или объекты, приведенные перед этими терминами, охватывают элементы или объекты и их эквиваленты, перечисленные после этих терминов, но не исключают другие элементы или объекты. Фразы "соединяться", "соединенный" и т.д. имеют намерение не задавать физическое соединение или механическое соединение, а могут содержать электрическое соединение, прямо или косвенно. "На", "под", "правый", "левый" и т.п. используются только для того, чтобы указывать относительную позиционную взаимосвязь, и когда позиция объекта, который описывается, изменяется, относительная позиционная взаимосвязь может изменяться, соответственно.
[0072] Чтобы обеспечивать ясность и точность нижеприведенного описания вариантов осуществления настоящего раскрытия, подробные описания некоторых известных функций и известных компонентов опускаются из настоящего раскрытия.
[0073] Фиг. 1 является принципиальной структурной схемой повторяющейся пиксельной ячейки в пиксельной компоновочной структуре; как показано на фиг. 1, пиксельная компоновочная структура включает в себя множество повторяющихся пиксельных ячеек 400, и множество повторяющихся пиксельных ячеек 400 размещаются в матрице вдоль направления 405 и направления 406. Каждая повторяющаяся пиксельная ячейка 400 включает в себя красный субпиксел 401, синий субпиксел 402, первый зеленый субпиксел 403 и второй зеленый субпиксел 404. Как показано на фиг. 1, красный субпиксел 401 и синий субпиксел 402 размещаются в направлении 405, первый зеленый субпиксел 403 и второй зеленый субпиксел 404 размещаются в направлении 406 и в направлении 405, первый зеленый субпиксел 403 и второй зеленый субпиксел 404 расположены между красным субпикселом 401 и синим субпикселом 402.
[0074] В процессе обнаружения подсветки для каждого субпиксела в пиксельной компоновочной структуре, как показано на фиг. 1, яркость первого зеленого субпиксела 403 и яркость второго зеленого субпиксела 404 являются несогласованными, в силу этого приводя к проблеме пропуска обнаружения ярких пятен, т.е. некоторые зеленые субпикселы не могут обнаруживаться. Согласно экспериментальным результатам, яркость первого зеленого субпиксела 403 выше яркости второго зеленого субпиксела 404, в силу этого приводя к такому явлению, что яркость первого зеленого субпиксела 403 является относительно большой, тогда как яркость второго зеленого субпиксела 404 является относительно небольшой.
[0075] В каждом субпикселе, возникает паразитная емкость между анодом светоизлучающего элемента и затворным электродом возбуждающего транзистора, и паразитная емкость должна затрагивать яркость светового излучения светоизлучающего элемента, и чем больше паразитная емкость, тем слабее яркость светового излучения. Чем меньше паразитная емкость, тем сильнее яркость светового излучения. Согласно анализу пиксельной компоновочной структуры, в этой пиксельной компоновочной структуре, затворный электрод возбуждающего транзистора в пиксельной схеме для возбуждения первого зеленого субпиксела 403 не блокируется посредством анода светоизлучающего элемента первого зеленого субпиксела 403, в то время как затворный электрод возбуждающего транзистора в пиксельной схеме для возбуждения второго зеленого субпиксела 404 блокируется посредством анода в светоизлучающем элементе второго зеленого субпиксела 404. Таким образом, отсутствует паразитная емкость между затворным электродом возбуждающего транзистора первого зеленого субпиксела 403 и светоизлучающим элементом первого зеленого субпиксела 403, либо паразитная емкость между затворным электродом возбуждающего транзистора первого зеленого субпиксела 403 и светоизлучающим элементом первого зеленого субпиксела 403 меньше паразитной емкости между затворным электродом возбуждающего транзистора второго зеленого субпиксела 404 и светоизлучающим элементом второго зеленого субпиксела 404, т.е. паразитная емкость между затворным электродом возбуждающего транзистора первого зеленого субпиксела 403 и светоизлучающим элементом первого зеленого субпиксела значительно отличается от паразитной емкости между затворным электродом возбуждающего транзистора второго зеленого субпиксела 404 и светоизлучающим элементом второго зеленого субпиксела 404, в силу этого приводя к яркостной разности между первым зеленым субпикселом 403 и вторым зеленым субпикселом 404 в каждой повторяющейся ячейке, что серьезно затрагивает эффект отображения.
[0076] По меньшей мере, некоторый вариант осуществления настоящего раскрытия предоставляет подложку отображения и способ ее подготовки, панель отображения и устройство отображения. В подложке отображения, светоизлучающий элемент первого субпиксела покрывает затворный электрод возбуждающего транзистора первого субпиксела, и светоизлучающий элемент второго субпиксела также покрывает затворный электрод возбуждающего транзистора второго субпиксела, с тем чтобы уменьшать разность между паразитной емкостью между светоизлучающим элементом первого субпиксела и затворным электродом возбуждающего транзистора первого субпиксела и паразитной емкостью между светоизлучающим элементом второго субпиксела и затворным электродом возбуждающего транзистора второго субпиксела и обеспечивать достижение идентичной пиксельной яркости первого субпиксела и пиксельной яркости второго субпиксела, за счет этого улучшая однородность отображения и эффект отображения и разрешая проблему пиксельной яркостной разности панели отображения. Помимо этого, подложка отображения имеет простую структуру, является простой в проектировании и изготовлении и имеет низкие затраты.
[0077] Ниже подробно описываются несколько вариантов осуществления настоящего раскрытия со ссылкой на прилагаемые чертежи, но настоящее раскрытие не ограничено этими конкретными вариантами осуществления.
[0078] Фиг. 2 является принципиальной блок-схемой подложки отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, фиг. 3A является плоской принципиальной схемой подложки отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, фиг. 3A является принципиальной структурной схемой пиксельной схемы, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, фиг. 3B является принципиальной структурной схемой пиксельной схемы первого субпиксела, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия, и фиг. 3C является принципиальной структурной схемой пиксельной схемы второго субпиксела, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия.
[0079] Например, как показано на фиг. 2, подложка 100 отображения, предоставленная посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, включает в себя несущую подложку 10 и множество повторяющихся ячеек 11 на несущей подложке 10, каждая повторяющаяся ячейка 11 включает в себя множество субпикселов 12. Каждый субпиксел 12 включает в себя светоизлучающий элемент 120 и пиксельную схему 121, пиксельная схема 121 используется для возбуждения светоизлучающего элемента 120 для излучения света, и пиксельная схема 121 включает в себя возбуждающую схему 122.
[0080] Например, подложка 100 отображения может применяться к панели отображения, такой как панель отображения на органических светоизлучающих диодах с активной матрицей (AMOLED) и т.п. Подложка 100 отображения может представлять собой матричную подложку.
[0081] Например, несущая подложка 10 может представлять собой подходящую подложку, такую как стеклянная подложка, кварцевая подложка и пластиковая подложка и т.д.
[0082] Например, светоизлучающий элемент 120 каждого субпиксела 12 включает в себя первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой между первым электродом подачи напряжения светоизлучения и вторым электродом подачи напряжения светоизлучения.
[0083] Например, множество субпикселов 12 включают в себя первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2.
[0084] Например, как показано на фиг. 3A, пиксельная схема 121 дополнительно включает в себя первую светоизлучающую управляющую схему 123 и вторую светоизлучающую управляющую схему 124. Возбуждающая схема 122 включает в себя управляющий контактный вывод, первый контактный вывод и второй контактный вывод и выполнена с возможностью предоставлять ток возбуждения для возбуждения светоизлучающего элемента 120 для излучения света. Например, первая светоизлучающая управляющая схема 123 соединяется с первым контактным выводом возбуждающей схемы 122 и первым контактным выводом VDD напряжения и выполнена с возможностью включать или выключать соединение между возбуждающей схемой 122 и первым контактным выводом VDD напряжения, и вторая светоизлучающая управляющая схема 124 электрически соединяется со вторым контактным выводом возбуждающей схемы 122 и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120 и выполнена с возможностью включать или выключать соединение между возбуждающей схемой 122 и светоизлучающим элементом 120.
[0085] Например, как показано на фиг. 3B и 3C, пиксельная схема 121a первого субпиксела G1 дополнительно включает в себя первую паразитную схему 125a, и пиксельная схема 121b второго субпиксела G2 дополнительно включает в себя вторую паразитную схему 125b. Например, первая паразитная схема 125a электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы 122a пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 и выполнена с возможностью управлять напряжением управляющего контактного вывода возбуждающей схемы 122a пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 на основе напряжения первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1. Вторая паразитная схема 125b электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы 121b второго субпиксела G2 и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2 и выполнена с возможностью управлять напряжением управляющего контактного вывода возбуждающей схемы 122b пиксельной схемы 121b второго субпиксела G2 на основе напряжения первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2.
[0086] Следует отметить, что пиксельная схема 121 дополнительно может включать в себя паразитную схему, и паразитная схема не показана на фиг. 3A, например, первая паразитная схема в пиксельной схеме первого субпиксела G1 и вторая паразитная схема в пиксельной схеме второго субпиксела G2 не показаны на фиг. 3A.
[0087] Например, как показано на фиг. 3A, пиксельная схема 121 дополнительно включает в себя схему 126 записи данных, схему 127 хранения данных, пороговую компенсационную схему 128 и схему 129 сброса. Схема 126 записи данных электрически соединяется с первым контактным выводом возбуждающей схемы 122 и выполнена с возможностью записывать сигнал данных в схему 127 хранения данных под управлением сигнала развертки; схема 127 хранения данных электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы 122 и первого контактного вывода VDD напряжения и выполнена с возможностью сохранять сигнал данных; пороговая компенсационная схема 128 электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы 122 и вторым контактным выводом возбуждающей схемы 122 и выполнена с возможностью выполнять пороговую компенсацию для возбуждающей схемы 122; и схема 129 сброса электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы 122 и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120 и выполнена с возможностью сбрасывать управляющий контактный вывод возбуждающей схемы 122 и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120 под управлением управляющего сигнала сброса.
[0088] Например, как показано на фиг. 3A, возбуждающая схема 122 включает в себя возбуждающий транзистор T1, управляющий контактный вывод возбуждающей схемы 122 включает в себя затворный электрод возбуждающего транзистора T1, первый контактный вывод возбуждающей схемы 122 включает в себя первый электрод возбуждающего транзистора T1, и второй контактный вывод возбуждающей схемы 122 включает в себя второй электрод возбуждающего транзистора T1.
[0089] Например, как показано на фиг. 3A, схема 126 записи данных включает в себя транзистор T2 записи данных, схема 127 хранения данных включает в себя третий конденсатор C2, пороговая компенсационная схема 128 включает в себя пороговый компенсационный транзистор T3, первая светоизлучающая управляющая схема 123 включает в себя первый светоизлучающий управляющий транзистор T4, вторая светоизлучающая управляющая схема 124 включает в себя второй светоизлучающий управляющий транзистор T5, схема 129 сброса включает в себя первый транзистор T6 сброса и второй транзистор T7 сброса, и управляющий сигнал сброса может включать в себя первый управляющий субсигнал сброса и второй управляющий субсигнал сброса.
[0090] Например, как показано на фиг. 3A, первый электрод транзистора T2 записи данных электрически соединяется с первым электродом возбуждающего транзистора T1, второй электрод транзистора T2 записи данных выполнен с возможностью электрически соединяться с линией Vd передачи данных, чтобы принимать сигнал данных, и затворный электрод транзистора T2 записи данных выполнен с возможностью электрически соединяться с первой линией Ga1 сигналов развертки, чтобы принимать сигнал развертки; первый электрод третьего конденсатора C2 электрически соединяется с первым контактным выводом VDD напряжения, и второй электрод третьего конденсатора C2 электрически соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора T1; первый электрод порогового компенсационного транзистора T3 электрически соединяется со вторым электродом возбуждающего транзистора T1, второй электрод порогового компенсационного транзистора T3 электрически соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора T1, и затворный электрод порогового компенсационного транзистора T3 выполнен с возможностью электрически соединяться со второй линией Ga2 сигналов развертки, чтобы принимать компенсационный управляющий сигнал; первый электрод первого транзистора T6 сброса выполнен с возможностью электрически соединяться с первым контактным выводом Vinit1 электропитания сброса, чтобы принимать первый сигнал сброса, второй электрод первого транзистора T6 сброса электрически соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора T1, и затворный электрод первого транзистора T6 сброса выполнен с возможностью электрически соединяться с первой линией Rst1 управляющих сигналов сброса, чтобы принимать первый управляющий субсигнал сброса; первый электрод второго транзистора T7 сброса выполнен с возможностью электрически соединяться со вторым контактным выводом Vinit2 электропитания сброса, чтобы принимать второй сигнал сброса, второй электрод второго транзистора T7 сброса электрически соединяется с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120, и затворный электрод второго транзистора T7 сброса выполнен с возможностью электрически соединяться со второй линией Rst2 управляющих сигналов сброса, чтобы принимать второй управляющий субсигнал сброса; первый электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 электрически соединяется с первым контактным выводом VDD напряжения, второй электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 электрически соединяется с первым электродом возбуждающего транзистора T1, и затворный электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 выполнен с возможностью электрически соединяться с первой линией EM1 сигналов управления светоизлучением, чтобы принимать первый сигнал управления светоизлучением; первый электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 электрически соединяется со вторым электродом возбуждающего транзистора T1, второй электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 электрически соединяется с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120, и затворный электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 выполнен с возможностью электрически соединяться со второй линией EM2 сигналов управления светоизлучением, чтобы принимать второй сигнал управления светоизлучением; и второй электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120 электрически соединяется со вторым контактным выводом VSS напряжения.
[0091] Например, как показано на фиг. 3B, для первого субпиксела G1, первая паразитная схема 125a включает в себя первый конденсатор C11, и первый конденсатор C11 включает в себя первый электрод CC3a и второй электрод CC4a. Первый электрод CC3a первого конденсатора C11 электрически соединяется с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1, и второй электрод CC4a первого конденсатора C11 электрически соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1.
[0092] Например, как показано на фиг. 3C, для второго субпиксела G2, вторая паразитная схема 125b включает в себя второй конденсатор C12, и второй конденсатор C12 включает в себя первый электрод и второй электрод. Первый электрод второго конденсатора C12 электрически соединяется с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2, и второй электрод второго конденсатора C12 электрически соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121b второго субпиксела G2.
[0093] Например, значение емкости первого конденсатора C11 может быть идентичным значению емкости второго конденсатора C12 таким образом, что пиксельная яркость первого субпиксела G1 может быть согласованной с пиксельной яркостью второго субпиксела G2, и может улучшаться однородность отображения и эффект отображения.
[0094] Например, один из первого контактного вывода VDD напряжения и второго контактного вывода VSS напряжения представляет собой контактный вывод высокого напряжения, и другой из первого контактного вывода VDD напряжения и второго контактного вывода VSS напряжения представляет собой контактный вывод низкого напряжения. Например, в варианте осуществления, как показано на фиг. 3A, первый контактный вывод VDD напряжения представляет собой источник напряжения, чтобы выводить неизменяющееся первое напряжение, и первое напряжение представляет собой положительное напряжение; и второй контактный вывод VSS напряжения может представлять собой источник напряжения, чтобы выводить неизменяющееся второе напряжение, второе напряжение представляет собой отрицательное напряжение, и т.п. Например, в некоторых примерах, второй контактный вывод VSS напряжения может заземляться.
[0095] Например, для первого субпиксела G1, как показано на фиг. 3B, пиксельная схема 121a первого субпиксела G1 дополнительно включает в себя схему 126a записи данных, схему 127a хранения данных, пороговую компенсационную схему 128a и схему 129a сброса; и для второго субпиксела G2, как показано на фиг. 3C, пиксельная схема 121b второго субпиксела G2 дополнительно включает в себя схему 126b записи данных, схему 127b хранения данных, пороговую компенсационную схему 128b и схему 129b сброса. Взаимосвязь соединений и функция каждого элемента в каждой схеме пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 и пиксельной схемы 121b второго субпиксела G2 являются аналогичными примеру, описанному выше относительно фиг. 3A, и повторение не приводится здесь снова.
[0096] Например, как показано на фиг. 3A, сигнал развертки может быть идентичным компенсационному управляющему сигналу, т.е. затворный электрод транзистора T2 записи данных и затворный электрод порогового компенсационного транзистора T3 могут электрически соединяться с идентичной сигнальной линией, такой как первая линия Ga1 сигналов развертки, чтобы принимать идентичный сигнал (например, сигнал развертки), в это время, подложка 100 отображения может не содержать вторую линию Ga2 сигналов развертки, за счет этого уменьшая число сигнальных линий. В качестве другого примера, затворный электрод транзистора T2 записи данных и затворный электрод порогового компенсационного транзистора T3 могут электрически соединяться с различными сигнальными линиями, т.е. затворный электрод транзистора T2 записи данных электрически соединяется с первой линией Ga1 сигналов развертки, затворный электрод порогового компенсационного транзистора T3 электрически соединяется со второй линией Ga2 сигналов развертки, и сигнал, передаваемый посредством первой линии Ga1 сигналов развертки, является идентичным сигналу, передаваемому посредством второй линии Ga2 сигналов развертки.
[0097] Следует отметить, что сигнал развертки и компенсационный управляющий сигнал также могут отличаться таким образом, что затворный электрод транзистора T2 записи данных и порогового компенсационного транзистора T3 могут отдельно и независимо управляться, за счет этого повышая гибкость управления пиксельной схемой.
[0098] Например, как показано на фиг. 3A-3B, первый сигнал управления светоизлучением может быть идентичным второму сигналу управления светоизлучением, т.е. затворный электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 и затворный электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 могут электрически соединяться с идентичной сигнальной линией, такой как первая линия EM1 сигналов управления светоизлучением, чтобы принимать идентичный сигнал (например, первый сигнал управления светоизлучением), и в это время, подложка 100 отображения может не содержать вторую линию EM2 сигналов управления светоизлучением, за счет этого уменьшая число сигнальных линий. В качестве другого примера, затворный электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 и затворный электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 также могут электрически соединяться с различными сигнальными линиями, т.е. затворный электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 электрически соединяется с первой линией EM1 сигналов управления светоизлучением, затворный электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 электрически соединяется со второй линией EM2 сигналов управления светоизлучением, и сигнал, передаваемый посредством первой линии EM1 сигналов управления светоизлучением, является идентичным сигналу, передаваемому посредством второй линии EM2 сигналов управления светоизлучением.
[0099] Следует отметить, что в случае, если первый светоизлучающий управляющий транзистор T4 и второй светоизлучающий управляющий транзистор T5 представляют собой различные типы транзисторов, например, в случае если первый светоизлучающий управляющий транзистор T4 представляет собой транзистор с каналом p-типа, и второй светоизлучающий управляющий транзистор T5 представляет собой транзистор с каналом n-типа, первый сигнал управления светоизлучением и второй сигнал управления светоизлучением также могут отличаться, и вариант осуществления настоящего раскрытия не ограничен этим случаем.
[00100] Например, первый управляющий субсигнал сброса может быть идентичным второму управляющему субсигналу сброса, т.е. затворный электрод первого транзистора T6 сброса и затворный электрод второго транзистора T7 сброса могут электрически соединяться с идентичной сигнальной линией, такой как первая линия Rst1 управляющих сигналов сброса, чтобы принимать идентичный сигнал (например, первый управляющий субсигнал сброса). В это время, подложка 100 отображения может не содержать вторую линию Rst2 управляющих сигналов сброса, за счет этого уменьшая число сигнальных линий. В качестве другого примера, затворный электрод первого транзистора T6 сброса и затворный электрод второго транзистора T7 сброса могут электрически соединяться с различными сигнальными линиями, т.е. затворный электрод первого транзистора T6 сброса электрически соединяется с первой линией Rst1 управляющих сигналов сброса, затворный электрод второго транзистора T7 сброса электрически соединяется со второй линией Rst2 управляющих сигналов сброса, и сигнал, передаваемый посредством первой линии Rst1 управляющих сигналов сброса, является идентичным сигналу, передаваемому посредством второй линии Rst2 управляющих сигналов сброса. Следует отметить, что первый управляющий субсигнал сброса и второй управляющий субсигнал сброса также могут отличаться.
[00101] Например, в некоторых примерах, второй управляющий субсигнал сброса может быть идентичным сигналу развертки, т.е. затворный электрод второго транзистора T7 сброса может электрически соединяться с первой линией Ga1 сигналов развертки, чтобы принимать сигнал развертки в качестве второго управляющего субсигнала сброса.
[00102] Например, первый контактный вывод Vinit1 электропитания сброса и второй контактный вывод Vinit2 электропитания сброса могут представлять собой контактные выводы постоянного опорного напряжения, чтобы выводить неизменяющиеся постоянные опорные напряжения. Первый контактный вывод Vinit1 электропитания сброса и второй контактный вывод Vinit2 электропитания сброса могут представлять собой контактные выводы высокого напряжения или контактные выводы низкого напряжения, при условии, что первый контактный вывод Vinit1 электропитания сброса и второй контактный вывод Vinit2 электропитания сброса могут предоставлять первый сигнал сброса и второй сигнал сброса, чтобы сбрасывать затворный электрод возбуждающего транзистора T1 и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120, и настоящее раскрытие не ограничено этим.
[00103] Следует отметить, что возбуждающая схема 122, схема 126 записи данных, схема 127 хранения данных, пороговая компенсационная схема 128 и схема 129 сброса в пиксельной схеме, как показано на фиг. 3A-3B, являются только схематичными. Конкретные структуры возбуждающей схемы 122, схемы 126 записи данных, схемы 127 хранения данных, пороговой компенсационной схемы 128 и схемы 129 сброса могут задаваться согласно фактическим требованиям применения, и вариант осуществления настоящего раскрытия не ограничен конкретным образом этим случаем.
[00104] Например, согласно характеристикам транзисторов, транзисторы могут разделяться на транзисторы с каналом n-типа и транзисторы с каналом p-типа. Для понятности, варианты осуществления настоящего раскрытия конкретно представляют техническую схему настоящего раскрытия посредством рассмотрения случая, в котором транзисторы представляют собой транзисторы с каналом p-типа (например, MOS-транзисторы с каналом p-типа), в качестве примера, т.е. в описании настоящего раскрытия, возбуждающий транзистор T1, транзистор T2 записи данных, пороговый компенсационный транзистор T3, первый светоизлучающий управляющий транзистор T4, второй светоизлучающий управляющий транзистор T5, первый транзистор T6 сброса, второй транзистор T7 сброса и т.д. могут представлять собой транзисторы с каналом p-типа. Тем не менее, транзисторы вариантов осуществления настоящего раскрытия не ограничены транзисторами с каналом p-типа, и специалисты в данной области техники также могут использовать транзисторы с каналом n-типа (например, MOS-транзисторы с каналом n-типа), чтобы достигать функций одного или более транзисторов в вариантах осуществления настоящего раскрытия согласно фактическим потребностям.
[00105] Следует отметить, что транзисторы, используемые в вариантах осуществления настоящего раскрытия, могут представлять собой тонкопленочные транзисторы или полевые транзисторы либо другие переключающие устройства с идентичными характеристиками, и тонкопленочные транзисторы могут включать в себя оксидные полупроводниковые тонкопленочные транзисторы, тонкопленочные транзисторы на основе аморфного кремния или тонкопленочные транзисторы на основе поликристаллического кремния и т.д. Электрод истока и электрод стока транзистора могут быть симметричными по структуре, так что электрод истока и электрод стока транзистора могут быть неотличимыми по физической структуре. В вариантах осуществления настоящего раскрытия, чтобы отличать два электрода транзисторов, за исключением затворного электрода, служащего в качестве управляющего электрода, один из двух электродов непосредственно описывается как первый электрод, и другой из двух электродов описываются как второй электрод, так что первые электроды и вторые электроды всех или части транзисторов в варианте осуществления настоящего раскрытия являются взаимозаменяемыми по мере необходимости.
[00106] Следует отметить, что в дополнение к заданию позиций, взаимосвязи соединений, структуры и типы и т.д. соответствующих схем (например, возбуждающей схемы 122a, первой светоизлучающей управляющей схемы 123a, второй светоизлучающей управляющей схемы 124a, схемы 126a записи данных, схемы 127a хранения данных, пороговой компенсационной схемы 128a и схемы 129a сброса и т.д.) в пиксельной схеме 121a первого субпиксела G1 являются идентичными взаимосвязям соединений, структурам и типам и т.д. надлежащим образом соответствующих схем (например, возбуждающей схемы 122b, первой светоизлучающей управляющей схемы 123b, второй светоизлучающей управляющей схемы 124b, схемы 126b записи данных, схемы 127b хранения данных, пороговой компенсационной схемы 128b и схемы 129b сброса и т.д.) в пиксельной схеме 121b второго субпиксела G2, т.е., например, структура и тип возбуждающей схемы 122a в пиксельной схеме 121a первого субпиксела G1 являются идентичными структуре и типу возбуждающей схемы 122b в пиксельной схеме 121b второго субпиксела G2. Кроме того, соответствующие схемы в пиксельной схеме 121a первого субпиксела G1 и надлежащим образом соответствующие схемы в пиксельной схеме 121b второго субпиксела G2 могут подготавливаться одновременно с использованием идентичного процесса, например, возбуждающая схема 122a в пиксельной схеме 121a первого субпиксела G1 и возбуждающая схема 122b в пиксельной схеме 121b второго субпиксела G2 могут подготавливаться одновременно с использованием идентичного процесса формирования рисунка.
[00107] Необходимо отметить, что как показано на фиг. 3B, соответствующие сигнальные линии, электрически соединенные с соответствующими схемами в пиксельной схеме 121a первого субпиксела G1, представляют собой первую линию Ga1a сигналов развертки, вторую линию Ga2a сигналов развертки, первую линию Rst1a управляющих сигналов сброса, вторую линию Rst2a управляющих сигналов сброса, первый контактный вывод Vinit1a электропитания сброса, второй контактный вывод Vinit2a электропитания сброса, первую линию EM1a сигналов управления светоизлучением, вторую линию EM2a сигналов управления светоизлучением и линию Vd передачи данных, соответственно. Как показано на фиг. 3C, соответствующие сигнальные линии, электрически соединенные с соответствующими схемами в пиксельной схеме 121b второго субпиксела G2, представляют собой первую линию Ga1b сигналов развертки, вторую линию Ga2b сигналов развертки, первую линию Rst1b управляющих сигналов сброса, вторую линию Rst2b управляющих сигналов сброса, первый контактный вывод Vinit1b электропитания сброса, второй контактный вывод Vinit2b электропитания сброса, первую линию EM1b сигналов управления светоизлучением, вторую линию EM2b сигналов управления светоизлучением и линию Vd передачи данных, соответственно.
[00108] Следует отметить, что в вариантах осуществления настоящего раскрытия, в дополнение к 7T2C-структуре, как показано на фиг. 3A (т.е. включающей в себя семь транзисторов, один конденсатор и один паразитный конденсатор), пиксельная схема субпиксела также может иметь структуру, включающую в себя другие числа транзисторов, такую как 6T2C-структура или 9T2C-структура, вариант осуществления настоящего раскрытия не ограничен этим случаем.
[00109] Фиг. 4A-4E являются принципиальными схемами различных слоев пиксельной схемы, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия. Ниже описывается позиционная взаимосвязь соответствующих схем в пиксельной схеме на монтажной плате со ссылкой на фиг. 4A-4E. Примеры, как показано на фиг. 4A-4E, рассматривают пиксельную схему 121a первого субпиксела G1 в качестве примера. Как показано на фиг. 3B, пиксельная схема 121a первого субпиксела G1 включает в себя возбуждающий транзистор T1, транзистор T2 записи данных, пороговый компенсационный транзистор T3, первый светоизлучающий управляющий транзистор T4, второй светоизлучающий управляющий транзистор T5, первый транзистор T6 сброса и второй транзистор T7 сброса, первый конденсатор C11 и третий конденсатор C2. Фиг. 4A-4E также показывают первую линию Ga1a сигналов развертки, вторую линию Ga2a сигналов развертки, первую линию Rst1a управляющих сигналов сброса, вторую линию Rst2a управляющих сигналов сброса, первую линию Init1a сигналов электропитания и сброса первого контактного вывода Vinit1a электропитания сброса, вторую линию Init2a сигналов электропитания и сброса второго контактного вывода Vinit2a электропитания сброса, первую линию EM1a сигналов управления светоизлучением, вторую линию EM2a сигналов управления светоизлучением, линии Vd передачи данных, первую линию VDD1 сигналов электропитания и вторую линию VDD2 сигналов электропитания первого контактного вывода VDD напряжения, которые соединены с пиксельной схемой 121a первого субпиксела G1, и первая линия VDD1 сигналов электропитания и вторая линия VDD2 сигналов электропитания электрически соединены между собой. Следует отметить, что, в примерах, как показано на фиг. 4A-4E, первая линия Ga1a сигналов развертки и вторая линия Ga2a сигналов развертки представляют собой идентичную сигнальную линию, первая линия Init1a сигналов электропитания и сброса и вторая линия Init2a сигналов электропитания и сброса представляют собой идентичную сигнальную линию, первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса и вторая линия Rst2a управляющих сигналов сброса представляют собой идентичную сигнальную линию, и первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением и вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением представляют собой идентичную сигнальную линию.
[00110] Например, фиг. 4A показывает активный полупроводниковый слой 310 пиксельной схемы 121a. Активный полупроводниковый слой 310 может формировать рисунок с использованием полупроводникового материала. Активный полупроводниковый слой 310 может использоваться для того, чтобы изготавливать активные слои вышеуказанного возбуждающего транзистора T1, транзистора T2 записи данных, порогового компенсационного транзистора T3, первого светоизлучающего управляющего транзистора T4, второго светоизлучающего управляющего транзистора T5, первого транзистора T6 сброса и второго транзистора T7 сброса, и каждый из активных слоев может включать в себя участок истока, участок стока и участок канала между участком истока и участок стока. Например, активные слои соответствующих транзисторов предоставляются как единое целое.
[00111] Например, активный полупроводниковый слой 310 может подготавливаться посредством аморфного кремния, поликристаллического кремния, оксидного полупроводникового материала и т.п. Следует отметить, что вышеуказанные участок истока и участок стока могут представлять собой участки, легированные с примесями n-типа или примесями p-типа.
[00112] Например, электродный металлический затворный слой пиксельной схемы 121a может включать в себя первый проводящий слой и второй проводящий слой. Изоляционный затворный слой (не показан) формируется на активном полупроводниковом слое 310, чтобы защищать активный полупроводниковый слой 310. Фиг. 4B показывает первый проводящий слой 320 пиксельной схемы 121a, первый проводящий слой 320 располагается на изоляционном затворном слое таким образом, что он изолируется от активного полупроводникового слоя 310. Первый проводящий слой 320 может включать в себя второй электрод CC2a третьего конденсатора C2, первую линию Ga1a сигналов развертки, вторую линию Ga2a сигналов развертки, первую линию Rst1a управляющих сигналов сброса, вторую линию Rst2a управляющих сигналов сброса, первую линию EM1a сигналов управления светоизлучением, вторую линию EM2a сигналов управления светоизлучением и затворные электроды возбуждающего транзистора T1, транзистора T2 записи данных, порогового компенсационного транзистора T3, первого светоизлучающего управляющего транзистора T4, второго светоизлучающего управляющего транзистора T5, первого транзистора T6 сброса и второго транзистора T7 сброса.
[00113] Например, как показано на фиг. 4B, затворный электрод транзистора T2 записи данных может представлять собой часть, в которой первая линия Ga1a сигналов развертки перекрывает активный полупроводниковый слой 310, затворный электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 может представлять собой первую часть, в которой первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением/вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением перекрывает активный полупроводниковый слой 310, затворный электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 может представлять собой вторую часть, в которой первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением/вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением перекрывает активный полупроводниковый слой 310, затворный электрод первого транзистора T6 сброса может представлять собой первую часть, в которой первая линия RS1a управляющих сигналов сброса/вторая линия Rst2a управляющих сигналов сброса перекрывает активный полупроводниковый слой 310, затворный электрод второго транзистора T7 сброса представляет собой вторую часть, в которой первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса/вторая линия Rst2a управляющих сигналов сброса перекрывает активный полупроводниковый слой 310, пороговый компенсационный транзистор T3 может представлять собой тонкопленочный транзистор с двухзатворной структурой, первый затворный электрод порогового компенсационного транзистора T3 может представлять собой часть, в которой вторая линия Ga2a сигналов развертки перекрывает активный полупроводниковый слой 310, и второй затворный электрод порогового компенсационного транзистора T3 может представлять собой часть, в которой выступающая часть, выступающая из второй линии Ga2a сигналов развертки, перекрывает активный полупроводниковый слой 310. Как показано на фиг. 3B и 4B, затворный электрод возбуждающего транзистора T1 может представлять собой второй электрод CC4a первого конденсатора C11 и второй электрод CC2a третьего конденсатора C2.
[00114] Следует отметить, что соответствующие пунктирные прямоугольные рамки на фиг. 4A показывают соответствующие части, в которых первый проводящий слой 320 перекрывает активный полупроводниковый слой 310.
[00115] Например, как показано на фиг. 4B, первая линия Ga1a сигналов развертки/вторая линия Ga2a сигналов развертки, первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса/вторая линия Rst2a управляющих сигналов сброса и первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением/вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением размещаются вдоль первого направления X. Первая линия Ga1a сигналов развертки/вторая линия Ga2a сигналов развертки расположена между первой линией Rst1a управляющих сигналов сброса/второй линией Rst2a управляющих сигналов сброса и первой линией EM1a сигналов управления светоизлучением/второй линией EM2a сигналов управления светоизлучением.
[00116] Например, в первом направлении X, второй электрод CC4a первого конденсатора C11 (т.е. второй электрод CC2a третьего конденсатора C2) расположен между первой линией Ga1a сигналов развертки/второй линией Ga2a сигналов развертки и первой линией EM1 сигналов управления светоизлучением/второй линией EM2a сигналов управления светоизлучением. Выступающая часть, выступающая из второй линии Ga2a сигналов развертки, расположена на стороне второй линии Ga2a сигналов развертки отдаленно от первой линии EM1a сигналов управления светоизлучением/второй линии EM2a сигналов управления светоизлучением.
[00117] Например, как показано на фиг. 4A, в первом направлении X, затворный электрод транзистора T2 записи данных, затворный электрод порогового компенсационного транзистора T3, затворный электрод первого транзистора T6 сброса и затворный электрод второго транзистора T7 сброса расположены на первой стороне затворного электрода возбуждающего транзистора T1, затворный электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 и затворный электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 расположены на второй стороне затворного электрода возбуждающего транзистора T1, и, например, в примере, как показано на фиг. 6A-6E, первая сторона и вторая сторона затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 представляют собой противоположные стороны затворного электрода возбуждающего транзистора T1 в первом направлении X. Например, как показано на фиг. 4A-4E, первая сторона затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 может представлять собой верхнюю сторону затворного электрода возбуждающего транзистора T1, и вторая сторона затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 может представлять собой нижнюю сторону затворного электрода возбуждающего транзистора T1.
[00118] Например, в некоторых вариантах осуществления, как показано на фиг. 4A-4E, во втором направлении Y, затворный электрод транзистора T2 записи данных и затворный электрод первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 расположены на третьей стороне затворного электрода возбуждающего транзистора T1, первый затворный электрод порогового компенсационного транзистора T3, затворный электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 и затворный электрод второго транзистора T7 сброса расположены на четвертой стороне затворного электрода возбуждающего транзистора T1, например, в примере, показанном на фиг. 4A-4E, третья сторона и четвертая сторона затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 представляют собой противоположные стороны затворного электрода возбуждающего транзистора T1 во втором направлении Y, например, как показано на фиг. 4A-4E, третья сторона затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 может представлять собой правую сторону затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1, и четвертая сторона затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1 может представлять собой левую сторону затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1.
[00119] Например, первый изоляционный слой (не показан) формируется на первом проводящем слое 320, чтобы защищать первый проводящий слой 320. Фиг. 4C показывает второй проводящий слой 330 пиксельной схемы 120a. Второй проводящий слой 330 включает в себя первый электрод CC1a третьего конденсатора C2, первую линию Init1a сигналов электропитания и сброса, вторую линию Init2a сигналов электропитания и сброса и вторую линию VDD2 сигналов электропитания. Вторая линия VDD2 сигналов электропитания формируется как единое целое с первым электродом CC1a третьего конденсатора C2. Первый электрод CC1a третьего конденсатора C2 и второй электрод CC2a третьего конденсатора C2, по меньшей мере, частично перекрываются с возможностью формировать третий конденсатор C2.
[00120] Например, второй изоляционный слой (не показан) формируется на втором проводящем слое 330, чтобы защищать второй проводящий слой 330. Фиг. 4D показывает электродный металлический слой 340 "исток-сток" пиксельной схемы 121a, электродный металлический слой 340 "исток-сток" включает в себя линию Vd передачи данных и первую линию VDD1 сигналов электропитания.
[00121] Фиг. 4E является принципиальной схемой пакетированной позиционной взаимосвязи вышеуказанного активного полупроводникового слоя 310, первого проводящего слоя 320, второго проводящего слоя 330 и электродного металлического слоя 340 "исток-сток". Как показано на фиг. 4D и 4E, линия Vd передачи данных соединяется с участком истока транзистора T2 записи данных в активном полупроводниковом слое 310, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 381a) в изоляционном затворном слое, первом изоляционном слое и втором изоляционном слое. Первая линия VDD1 сигналов электропитания соединяется с участком истока соответствующего первого светоизлучающего управляющего транзистора T4 в активном полупроводниковом слое 310, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 382a) в изоляционном затворном слое, первом изоляционном слое и втором изоляционном слое. Первая линия VDD1 сигналов электропитания соединяется с первым электродом CC1a третьего конденсатора C2 во втором проводящем слое 330, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 3832a) во втором изоляционном слое. Первая линия VDD1 сигналов электропитания также соединяется со второй линией VDD2 сигналов электропитания во втором проводящем слое 330, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 3831a) во втором изоляционном слое.
[00122] Например, как показано на фиг. 4D и 4E, электродный металлический слой 340 "исток-сток" дополнительно включает в себя первую соединительную часть 341a, вторую соединительную часть 342a и третью соединительную часть 343a. Один контактный вывод первой соединительной части 341a соединяется с участком стока соответствующего порогового компенсационного транзистора T3 в активном полупроводниковом слое 310, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 384a) в изоляционном затворном слое, первом изоляционном слое и втором изоляционном слое, и другой контактный вывод первой соединительной части 341a соединяется с затворным электродом возбуждающего транзистора T1 (т.е. вторым электродом CC2a третьего конденсатора C2) в первом проводящем слое 320, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 385a) в первом изоляционном слое и втором изоляционном слое. Один контактный вывод второй соединительной части 342a соединяется с первой линией Init1a сигналов электропитания и сброса/второй линией Init2a сигналов электропитания и сброса через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 386a) во втором изоляционном слое, и другой контактный вывод второй соединительной части 342a соединяется с участком стока второго транзистора T7 сброса в активном полупроводниковом слое 310, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 387a) в изоляционном затворном слое, первом изоляционном слое и втором изоляционном слое. Третья соединительная часть 343a соединяется с участком стока второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 в активном полупроводниковом слое 310, по меньшей мере, через одно переходное отверстие (например, переходное отверстие 388a) в изоляционном затворном слое, первом изоляционном слое и втором изоляционном слое.
[00123] Например, промежуточный слой (не показан) формируется на вышеуказанном электродном металлическом слое 340 "исток-сток", чтобы защищать электродный металлический слой 340 "исток-сток". Первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента каждого субпиксела может находиться на стороне промежуточного слоя отдаленно от несущей подложки.
[00124] Например, как показано на фиг. 4A-4E, в первом направлении X, первая линия Ga1a сигналов развертки, вторая линия Ga2a сигналов развертки, первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса, вторая линия Rst2a управляющих сигналов сброса и первая линия Init1a сигналов электропитания и сброса и вторая линия Init2a сигналов электропитания и сброса расположены на первой стороне затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1, и первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением и вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением расположены на второй стороне возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы 121a первого субпиксела G1.
[00125] Например, первая линия Ga1a сигналов развертки, вторая линия Ga2a сигналов развертки, первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса, вторая линия Rst2a управляющих сигналов сброса, первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением, вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением, первая линия Init1a сигналов электропитания и сброса и вторая линия Init2a сигналов электропитания и сброса продолжаются во втором направлении Y, и линия Vd передачи данных продолжается в первом направлении X.
[00126] Например, первая линия VDD1 сигналов электропитания продолжается в первом направлении X, и вторая линия VDD2 сигналов электропитания продолжается во втором направлении Y. Сигнальные линии первого контактного вывода VDD напряжения наносятся в форме сетки на подложку отображения, т.е. первая линия VDD1 сигналов электропитания и вторая линия VDD2 сигналов электропитания размещаются в сетчатом рисунке на всей подложке отображения таким образом, что сопротивление сигнальных линий первого контактного вывода VDD напряжения является небольшим, и падение напряжения сигнальных линий первого контактного вывода VDD напряжения является низким, и дополнительно может повышаться стабильность напряжения источника мощности, предоставленного посредством первого контактного вывода VDD напряжения.
[00127] Например, первая линия Ga1a сигналов развертки, вторая линия Ga2a сигналов развертки, первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса, вторая линия Rst2a управляющих сигналов сброса, первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением и вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением расположены на идентичном слое, и первая линия Init1a сигналов электропитания и сброса, вторая линия Init2a сигналов электропитания и сброса и вторая линия VDD2 сигналов электропитания расположены на идентичном слое. Первая линия VDD1 сигналов электропитания и линия Vd передачи данных расположены на идентичном слое.
[00128] Следует отметить, что позиционная взаимосвязь компоновки возбуждающей схемы, первой светоизлучающей управляющей схемы, второй светоизлучающей управляющей схемы, схемы записи данных, схемы хранения данных, пороговой компенсационной схемы и схемы сброса и т.д. в каждой пиксельной схеме не ограничена примерами, как показано на фиг. 4A-4E, и согласно фактическим требованиям применения, позиции возбуждающей схемы, первой светоизлучающей управляющей схемы, второй светоизлучающей управляющей схемы, схемы записи данных, схемы хранения данных, пороговой компенсационной схемы и схемы сброса могут специально задаваться.
[00129] Фиг. 5A является плоской принципиальной схемой подложки отображения согласно некоторым вариантам осуществления настоящего раскрытия; фиг. 5B является плоской принципиальной схемой повторяющейся ячейки, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия; фиг. 6A является плоской принципиальной схемой другой повторяющейся ячейки, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия; фиг. 6B является компоновочной схемой подложки отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия; фиг. 6C является принципиальной структурной схемой в поперечном сечении линии L1-L1' на фиг. 6B; фиг. 6D является принципиальной структурной схемой в поперечном сечении линии L2-L2' на фиг. 6B; и фиг. 6E является плоской принципиальной схемой другой подложки отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия.
[00130] Например, как показано на фиг. 5A, в некоторых вариантах осуществления настоящего раскрытия, пиксельная компоновочная структура в подложке 10 отображения может представлять собой пиксельную компоновочную GGRB-структуру для того, чтобы увеличивать PPI (число пикселов на дюйм) панели отображения, включающей в себя подложку 10 отображения, за счет этого повышая визуальное разрешение панели отображения при идентичном разрешении отображения. Например, каждая повторяющаяся ячейка 11 включает в себя четыре субпиксела, четыре субпиксела представляют собой первый субпиксел G1, второй субпиксел G2, третий субпиксел R и четвертый субпиксел B, соответственно, и четыре субпиксела могут приспосабливать GGRB-компоновку. Следует отметить, что только две полные повторяющиеся ячейки 11 показаны на фиг. 5A, но настоящее раскрытие не ограничено этим. Подложка 10 отображения включает в себя множество повторяющихся ячеек 11, и множество повторяющихся ячеек 11 размещаются в матрице вдоль первого направления X и второго направления Y.
[00131] Например, как показано на фиг. 5A, участки 31-40 могут представлять собой участки, в которых расположены пиксельные схемы соответствующих субпикселов на несущей подложке 10, например, участки 31-35 расположены в первой строке, и участки 36-40 расположены во второй строке; участки 31 и 36 находятся в первом столбце, участки 32 и 37 находятся во втором столбце, участки 33 и 38 находятся в третьем столбце, участки 34 и 39 находятся в четвертом столбце, и участки 35 и 40 находятся в пятом столбце. Например, в примере, как показано на фиг. 5A, в повторяющейся ячейке 11, окруженной посредством пунктирных линий, пиксельная схема первого субпиксела G1 расположена в участке 32, пиксельная схема второго субпиксела G2 расположена в участке 37, пиксельная схема третьего субпиксела R расположена в участке 38, и пиксельная схема четвертого субпиксела B расположена в участке 36.
[00132] Следует отметить, что в настоящем раскрытии, "строка" может представлять строку, соответствующую областям, в которых расположены соответствующие пиксельные схемы, и "столбец" может представлять столбец, соответствующий областям, в которых расположены соответствующие пиксельные схемы.
[00133] Например, светоизлучающий элемент 120 выполнен с возможностью принимать светоизлучающий сигнал (например, может представлять собой сигнал тока) в ходе работы и излучать свет с силой света, соответствующей светоизлучающему сигналу. Светоизлучающий элемент 120 может представлять собой светоизлучающий диод, и светоизлучающий диод, например, может представлять собой органический светоизлучающий диод (OLED), светоизлучающий диод на квантовых точках (QLED) и т.п., но варианты осуществления настоящего раскрытия не ограничены этим.
[00134] Например, как показано на фиг. 6C, светоизлучающий элемент 120 включает в себя первый электрод 1201 подачи напряжения светоизлучения, второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой 1203 между первым электродом 1201 подачи напряжения светоизлучения и второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения. Например, как показано на фиг. 6C, светоизлучающий элемент первого субпиксела G1 включает в себя первый электрод 1201a подачи напряжения светоизлучения, второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой 1203a, и светоизлучающий элемент второго субпиксела G2 включает в себя первый электрод 1201b подачи напряжения светоизлучения, второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой 1203a.
[00135] Например, как показано на фиг. 6C, ортографическая проекция первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, и ортографическая проекция первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10.
[00136] Например, первый электрод 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и первый электрод 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 могут быть расположены на идентичном слое, и второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 могут предоставляться как единое целое.
[00137] Например, ортографическая проекция светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 является непрерывной с ортографической проекцией светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, т.е. светоизлучающий слой 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и светоизлучающий слой 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 могут подготавливаться посредством открывающегося отверстия в пластине на основе высокоточной металлической маски (FMM), что позволяет эффективно уменьшать трудность в технологическом процессе FMM. Например, светоизлучающий слой 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и светоизлучающий слой 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 интегрируются.
[00138] Например, материалы светоизлучающих слоев 1203 соответствующих субпикселов могут выбираться согласно различным цветам света, излучаемого посредством светоизлучающих элементов 120 соответствующих субпикселов. Материал светоизлучающего слоя 1203 каждого субпиксела включает в себя люминесцентный светоизлучающий материал, фосфоресцирующий светоизлучающий материал и т.п. Например, в некоторых вариантах осуществления, первый электрод 1201 подачи напряжения светоизлучения представляет собой анод, второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения представляет собой катод, и как первый электрод 1201 подачи напряжения светоизлучения, так и второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения подготавливаются посредством проводящих материалов. Следует отметить, что в некоторых примерах, первый органический слой располагается между первым электродом 1201 подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающим слоем 1203, и второй органический слой располагается между вторым электродом 1202 подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающим слоем 1203. Первый органический слой и второй органический слой используются для выравнивания поверхности и могут опускаться.
[00139] Например, в каждой повторяющейся ячейке 11, цвет света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1, является идентичным цвету света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2, т.е. первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2 представляют собой субпикселы одного цвета. Например, первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2 представляют собой чувствительные цветные субпикселы. В случае если подложка 100 отображения приспосабливает режим отображения на основе системы "красный-зеленый-синий" (RGB), вышеуказанный чувствительный цвет является зеленым, т.е. первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2 представляют собой зеленые субпикселы. Например, третий субпиксел R может представлять собой красный субпиксел, и четвертый субпиксел B может представлять собой синий субпиксел.
[00140] Например, четыре субпиксела в каждой повторяющейся ячейке 11 могут формировать два виртуальных пиксела, и третий субпиксел R и четвертый субпиксел B в повторяющейся ячейке 11, соответственно, совместно используются посредством двух виртуальных пикселов. Субпикселы во множестве повторяющихся ячеек 11 формируют пиксельную матрицу. В направлении строк пиксельной матрицы, плотность субпикселов в 1,5 раза превышает плотность виртуальных пикселов, и в направлении столбцов пиксельной матрицы, плотность субпикселов в 1,5 раза превышает плотность виртуальных пикселов.
[00141] Например, первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2 принадлежат двум виртуальным пикселам, соответственно.
[00142] Следует отметить, что, во-первых, поскольку третий субпиксел R и четвертый субпиксел B совместно используются посредством двух смежных виртуальных пикселов, граница каждого виртуального пиксела также является очень размытой, и в силу этого вариант осуществления настоящего раскрытия не ограничивает формы соответствующих виртуальных пикселов. Во-вторых, разделение виртуальных пикселов связано с режимом возбуждения, и конкретный режим разделения виртуальных пикселов может определяться согласно фактическому режиму возбуждения, который не ограничен конкретным образом посредством настоящего раскрытия.
[00143] Например, как показано на фиг. 6C, ортографическая проекция управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 на несущей подложке 10. Ортографическая проекция управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2 на несущей подложке 10. Иными словами, ортографическая проекция первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 полностью покрывает ортографическую проекцию управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, ортографическая проекция первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 полностью покрывает ортографическую проекцию управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, например, область ортографической проекции первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 может превышать область ортографической проекции управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, и область ортографической проекции первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 может превышать область ортографической проекции управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10.
[00144] Например, как показано на фиг. 3B, в случае если возбуждающая схема 122a пиксельной схемы первого субпиксела G1 включает в себя возбуждающий транзистор T1, управляющий контактный вывод 1221a возбуждающей схемы 122a пиксельной схемы первого субпиксела G1 представляет собой затворный электрод возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы первого субпиксела G1, то ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора T1 первого субпиксела G1 на несущей подложке 10; и, как показано на фиг. 3C, в случае если возбуждающая схема 122b пиксельной схемы второго субпиксела G2 включает в себя возбуждающий транзистор T1, управляющий контактный вывод 1221b возбуждающей схемы 122b пиксельной схемы второго субпиксела G2 представляет собой затворный электрод возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы второго субпиксела G2, и ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора T1 второго субпиксела G2 на несущей подложке 10.
[00145] Например, ортографическая проекция затворного электрода возбуждающего транзистора T1 первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 на несущей подложке 10; и ортографическая проекция затворного электрода возбуждающего транзистора T1 второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2 на несущей подложке 10.
[00146] Например, как показано на фиг. 6C, область перекрывающейся части между ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 и ортографической проекцией первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 составляет первую область A1. Область перекрывающейся части между ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 и ортографической проекцией первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 составляет вторую область A2, и отношение первой области A1 ко второй области A2 удовлетворяет следующей взаимосвязи:
Amin≤A1/A2≤Amax,
где A1 представляет первую область, A2 представляет вторую область, Amin представляет минимальное пороговое значение отношения и составляет 90%, и Amax представляет максимальное пороговое значение отношения и составляет 110%.
[00147] Например, в некоторых примерах, первая область A1 может превышать или быть равна второй области A2, в этом случае, минимальное пороговое значение Amin отношения может составлять 90%, и максимальное пороговое значение Amax отношения также может составлять 100%; и в других примерах, первая область A1 может быть меньше второй области A2, в этом случае, минимальное пороговое значение Amin отношения может составлять 95%, и максимальное пороговое значение Amax отношения может составлять 105%. Вариант осуществления настоящего раскрытия не ограничен конкретным образом конкретным значениями для минимального порогового значения отношения и максимального порогового значения отношения при условии, что разность между первой областью A1 и второй областью A2 обеспечивается как небольшая (например, меньше 10%), и кроме того, разность между паразитной емкостью между первым электродом 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и управляющим контактным выводом 1221a возбуждающей схемы первого субпиксела G1 (т.е. первым конденсатором C11, как показано на фиг. 3B) и паразитной емкостью между первым электродом 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 и управляющим контактным выводом 1221b возбуждающей схемы второго субпиксела G2 (т.е. второго конденсатора C12, как показано на фиг. 3C) может обеспечиваться как небольшая (например, меньше 10%), за счет этого улучшая эффект отображения панели отображения, включающей в себя подложку 100 отображения. Например, в случае если отношение первой области A1 и второй области A2 составляет между вышеуказанным минимальным пороговым значением отношения и максимальным пороговым значением отношения, даже при низкой шкале полутонов (например, 64 шкалы полутонов), т.е. в случае, если характеристики распознавания человеческого глаза являются высокими, пользователь может не иметь возможность видеть яркостную разность между первым субпикселом G1 и вторым субпикселом G2, за счет этого эффективно улучшая эффект отображения панели отображения и повышая удобство работы пользователей.
[00148] Например, как показано на фиг. 5A и 5B, форма первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 отличается от формы первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2. Например, в некоторых примерах, форма первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 может представлять собой восьмиугольник, и форма первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 может быть пятиугольной.
[00149] Например, в каждой повторяющейся ячейке 11, область ортографической проекции первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 отличается от области ортографической проекции первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, и область ортографической проекции первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 превышает область ортографической проекции первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10.
[00150] Например, как показано на фиг. 5B, первый электрод 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 включает в себя вспомогательный электродный блок Ae, ортографическая проекция вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10. Например, в некоторых примерах, ортографическая проекция управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке 10.
[00151] Например, ортографическая проекция затворного электрода возбуждающего транзистора T1 первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции вспомогательного электродного блока Ae первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 на несущей подложке 10.
[00152] Например, вспомогательный электродный блок Ae служит в качестве первого электрода CC3 первого конденсатора C11, управляющий контактный вывод 1221a возбуждающей схемы 122a первого субпиксела G1 мультиплексируется в качестве второго электрода CC4 первого конденсатора C11, т.е. вспомогательный электродный блок Ae представляет собой первый электрод CC3 первого конденсатора C11, и управляющий контактный вывод 1221a возбуждающей схемы 122a первого субпиксела G1 (т.е. затворный электрод возбуждающего транзистора T1 первого субпиксела G1) представляет собой второй электрод CC4 первого конденсатора C11.
[00153] Например, как показано на фиг. 5B, форма вспомогательного электродного блока Ae может быть прямоугольной, и форма ортографической проекции вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке 10 является идентичной форме вспомогательного электродного блока Ae, т.е. прямоугольной. Тем не менее, настоящее раскрытие не ограничено этим, и форма вспомогательного электродного блока Ae может быть пятиугольной, шестиугольной, эллиптической и т.п.
[00154] Например, как показано на фиг. 5B, первый электрод 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120a первого субпиксела G1 дополнительно включает в себя первый возбуждающий электродный блок De1, и первый возбуждающий электродный блок De1 электрически соединяется со вспомогательным электродным блоком Ae.
[00155] Например, как показано на фиг. 5B, форма первого возбуждающего электродного блока De1 может представлять собой пятиугольник, и форма ортографической проекции первого возбуждающего электродного блока De1 на несущей подложке 10 является идентичной форме первого возбуждающего электродного блока De1, т.е. представлять собой пятиугольник. Пятиугольник может состоять из треугольника и прямоугольника.
[00156] Например, в примере, как показано в 5B, первый возбуждающий электродный блок De1 и вспомогательный электродный блок Ae предоставляются как единое целое, и в силу этого форма первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения может представлять собой восьмиугольник, и восьмиугольник может состоять из пятиугольника и прямоугольника.
[00157] Следует отметить, что в других примерах, первый возбуждающий электродный блок De1 и вспомогательный электродный блок Ae могут предоставляться отдельно, при условии, что первый возбуждающий электродный блок De1 и вспомогательный электродный блок Ae могут электрически соединяться между собой.
[00158] Например, первый возбуждающий электродный блок De1 и вспомогательный электродный блок Ae могут одновременно формироваться посредством идентичного процесса формирования рисунка.
[00159] Например, как показано на фиг. 6C, первый возбуждающий электродный блок De1 и вспомогательный электродный блок Ae расположены на идентичном слое.
[00160] Например, как показано на фиг. 6C, ортографическая проекция первого возбуждающего электродного блока De1 на несущей подложке 10, ортографическая проекция светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 и ортографическая проекция второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрываются.
[00161] Например, в некоторых вариантах осуществления, вторые электроды подачи напряжения светоизлучения светоизлучающих элементов всех субпикселов на подложке отображения предоставляются как единое целое, т.е. второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения покрывает всю несущую подложку 10, т.е. второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения может представлять собой плоский электрод. Например, как показано на фиг. 6C, для первого субпиксела G1 и второго субпиксела G2, часть, в которой плоский второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения перекрывается с первым электродом 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, может представляться как второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, и часть, в которой плоский второй электрод подачи напряжения светоизлучения перекрывается с первым электродом 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, может представляться как второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2. Второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 предоставляются как единое целое.
[00162] Например, как показано на фиг. 6C, светоизлучающий слой светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и светоизлучающий слой светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 предоставляются как единое целое. Для первого субпиксела G1 и второго субпиксела G2, часть, в которой светоизлучающий слой 1203a перекрывается с первым электродом 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, может представляться как светоизлучающий слой светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, и часть, в которой светоизлучающий слой 1203a перекрывается с первым электродом 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, может представляться как светоизлучающий слой светоизлучающего элемента второго субпиксела G2.
[00163] Например, как показано на фиг. 6C, подложка 100 отображения дополнительно включает в себя задающий пиксельный слой 160, задающий пиксельный слой 160 расположен на стороне первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента каждого субпиксела отдаленно от несущей подложки 10 и включает в себя первое отверстие, первое отверстие обеспечивает доступность первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, по меньшей мере, часть светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, и, по меньшей мере, часть светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 расположены в первом отверстии и покрывают открытую для доступа часть первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения и открытую для доступа часть первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения, область части, в которой первое отверстие перекрывается с первым электродом 1201a подачи напряжения светоизлучения, представляет собой эффективную светоизлучающую область первого субпиксела G1, и область части, в которой первое отверстие перекрывается с первым электродом 1201b подачи напряжения светоизлучения, представляет собой эффективную светоизлучающую область второго субпиксела G2.
[00164] Следует отметить, что в варианте осуществления настоящего раскрытия, светоизлучающий слой каждого светоизлучающего элемента может включать в себя непосредственно электролюминесцентный слой и другие общие слои, расположенные на обеих сторонах электролюминесцентного слоя, например, другие общие слои содержат слой инжекции дырок, слой переноса дырок, слой инжекции электронов, слой переноса электронов и т.п.; но на чертежах настоящего раскрытия, только электролюминесцентный слой в светоизлучающем слое показан, и другие общие слои не показаны.
[00165] Например, в некоторых примерах, ортографическая проекция первого возбуждающего электродного блока De1 на несущей подложке 10 может не полностью перекрываться с ортографической проекцией второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, например, ортографическая проекция первого возбуждающего электродного блока De1 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, и ортографическая проекция светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 также может быть расположена в пределах ортографической проекции второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10.
[00166] Следует отметить, что в участке, в котором ортографическая проекция первого возбуждающего электродного блока De1 на несущей подложке 10, ортографическая проекция светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 и ортографическая проекция второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 перекрываются, для первого субпиксела G1, часть светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, соответствующая первому отверстию задающего пиксельного слоя 160, используется для того, чтобы излучать свет.
[00167] Например, как показано на фиг. 5B, первый электрод 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2 включает в себя второй возбуждающий электродный блок De2. Ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10. Например, в некоторых примерах, ортографическая проекция управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 может быть расположена в пределах ортографической проекции второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10. Например, ортографическая проекция затворного электрода возбуждающего транзистора T1 второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции второго возбуждающего электродного блока De2 первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120b второго субпиксела G2 на несущей подложке 10.
[00168] Например, второй возбуждающий электродный блок De2 может мультиплексироваться в качестве первого электрода второго конденсатора C12, управляющий контактный вывод 1221b возбуждающей схемы 122b второго субпиксела G2 может мультиплексироваться в качестве второго электрода второго конденсатора C12, т.е. второй возбуждающий электродный блок De2 представляет собой первый электрод второго конденсатора C12, и управляющий контактный вывод 1221b возбуждающей схемы 122b второго субпиксела G2 (т.е. затворный электрод возбуждающего транзистора T1 второго субпиксела G2) представляет собой второй электрод второго конденсатора C12.
[00169] Например, как показано на фиг. 5B, форма первого возбуждающего электродного блока De1 может быть идентичной форме второго возбуждающего электродного блока De2, т.е. форма второго возбуждающего электродного блока De2 также может представлять собой пятиугольник. Форма ортографической проекции второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10 является идентичной форме второго возбуждающего электродного блока De2, т.е. представляет собой пятиугольник.
[00170] Например, область ортографической проекции первого возбуждающего электродного блока De1 на несущей подложке 10 является идентичной области ортографической проекции второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10.
[00171] Следует отметить, что в некоторых вариантах осуществления, форма первого возбуждающего электродного блока De1 и форма второго возбуждающего электродного блока De2 могут представлять собой прямоугольники, ромбы и т.п. Форма первого возбуждающего электродного блока De1 и форма второго возбуждающего электродного блока De2 могут отличаться, и настоящее раскрытие не ограничено этим.
[00172] Например, как показано на фиг. 6C, ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10, ортографическая проекция светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 и ортографическая проекция второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрываются.
[00173] Например, в некоторых примерах, ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10 может не полностью перекрываться с ортографической проекцией второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, например, ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10.
[00174] Следует отметить, что в участке, в котором ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10, ортографическая проекция светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 и ортографическая проекция второго электрода 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 перекрываются, для второго субпиксела G2, часть светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, соответствующая первому отверстию задающего пиксельного слоя 160, используется для того, чтобы излучать свет.
[00175] Например, как показано на фиг. 5A и 5B, в каждой повторяющейся ячейке 11, первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2 размещаются вдоль первого направления X, и первое направление X является параллельным поверхности несущей подложки 10. Например, в первом направлении X, вспомогательный электродный блок Ae расположен на стороне первого возбуждающего электродного блока De1 отдаленно от светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, т.е., как показано на фиг. 5B, в первом направлении X, первый возбуждающий электродный блок De1 расположен между вспомогательным электродным блоком Ae и вторым возбуждающим электродным блоком De2.
[00176] Например, как показано на фиг. 6C, ортографическая проекция вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке 10 не перекрывается с ортографической проекцией светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10. Например, в некоторых примерах, ортографическая проекция вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке 10 не полностью перекрывается с ортографической проекцией светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10.
[00177] Например, как показано на фиг. 6A и 6B, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 дополнительно включает в себя первый соединительный электродный блок Ce1, в первом направлении X, первый соединительный электродный блок Ce1 расположен на стороне первого возбуждающего электродного блока De1 отдаленно от светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, первый соединительный электродный блок Ce1 расположен между вспомогательным электродным блоком Ae и первым возбуждающим электродным блоком De1 и электрически соединяется как со вспомогательным электродным блоком Ae, так и с первым возбуждающим электродным блоком De1.
[00178] Например, в некоторых вариантах осуществления, первый соединительный электродный блок Ce1, вспомогательный электродный блок Ae и первый возбуждающий электродный блок De1 предоставляются как единое целое. Следует отметить, что в других примерах, первый соединительный электродный блок Ce1, вспомогательный электродный блок Ae и первый возбуждающий электродный блок De1 могут предоставляться отдельно, при условии, что первый соединительный электродный блок Ce1, вспомогательный электродный блок Ae и первый возбуждающий электродный блок De1 могут электрически соединяться между собой.
[00179] Например, первый соединительный электродный блок Ce1 используется для того, чтобы соединять первый возбуждающий электродный блок De1 и пиксельную схему первого субпиксела G1.
[00180] Например, как показано на фиг. 6C, первый соединительный электродный блок Ce1, вспомогательный электродный блок Ae и первый возбуждающий электродный блок De1 расположены на идентичном слое. Первый соединительный электродный блок Ce1, вспомогательный электродный блок Ae и первый возбуждающий электродный блок De1 могут одновременно формироваться посредством идентичного процесса формирования рисунка.
[00181] Например, форма первого соединительного электродного блока Ce1 может представлять собой правильную форму, например, прямоугольник, ромб и т.п.; и форма первого соединительного электродного блока Ce1 также может представлять собой неправильную форму.
[00182] Например, как показано на фиг. 6A и 6B, в некоторых примерах, форма вспомогательного электродного блока Ae и форма первого соединительного электродного блока Ce1 представляет собой прямоугольники, и во втором направлении Y, ширина вспомогательного электродного блока Ae меньше ширины первого соединительного электродного блока Ce1, т.е. вспомогательный электродный блок Ae и первый соединительный электродный блок Ce1 образуют уступчатую форму. Во втором направлении Y, ширина первого соединительного электродного блока Ce1 меньше максимальной ширины первого возбуждающего электродного блока De1.
[00183] Например, первый возбуждающий электродный блок De1 имеет пять внутренних углов, и пять внутренних углов могут включать в себя два прямых угла, два тупых угла и острый угол, и первый соединительный электродный блок Ce1 продолжается со стороны, в которой расположен острый угол первого возбуждающего электродного блока De1, в направлении первого возбуждающего электродного блока De1 от светоизлучающего элемента второго субпиксела G2.
[00184] Например, в некоторых вариантах осуществления, ортографическая проекция первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке 10 не перекрывается с ортографической проекцией светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, и ортографическая проекция первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке 10 не перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10. Тем не менее, настоящее раскрытие не ограничено этим случаем, ортографическая проекция первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке 10 может частично перекрываться с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10. Следует отметить, что в случае, если ортографическая проекция первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке 10 перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, область перекрывающейся части между ортографической проекцией первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке 10 и ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 меньше области перекрывающейся части между ортографической проекцией вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке 10 и ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221a возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10.
[00185] Например, как показано на фиг. 6C и 6D, подложка 100 отображения дополнительно включает в себя промежуточный слой 101. В направлении, перпендикулярном поверхности несущей подложки 10, пиксельная схема 121 каждого субпиксела расположена между промежуточным слоем 101 и несущей подложкой 10, и светоизлучающий элемент 120 расположен на стороне промежуточного слоя 101 отдаленно от несущей подложки 10, т.е. промежуточный слой 101 расположен между светоизлучающим элементом 120 и несущей подложкой 10.
[00186] Например, в некоторых вариантах осуществления, слои, в которых расположены светоизлучающие элементы всех субпикселов, составляют первую группу функциональных слоев, слои, в которых расположены пиксельные схемы всех субпикселов, составляют вторую группу функциональных слоев, т.е. в направлении, перпендикулярном поверхности несущей подложки 10, первая группа функциональных слоев расположена на стороне промежуточного слоя 101 отдаленно от несущей подложки 10, вторая группа функциональных слоев расположена на стороне промежуточного слоя 101 вплотную к несущей подложке 10, т.е. вторая группа функциональных слоев расположена между промежуточным слоем 101 и несущей подложкой 10, и промежуточный слой 101 расположен между первой группой функциональных слоев и второй группой функциональных слоев. Промежуточный слой 101 расположен между первой группой функциональных слоев и второй группой функциональных слоев. Например, возбуждающая схема 122, схема 126 записи данных, схема 127 хранения данных, пороговая компенсационная схема 128 и схема 129 сброса, как показано на фиг. 3A, расположены во второй группе функциональных слоев. Например, первая паразитная схема 125a в пиксельной схеме 121a первого субпиксела G1 и вторая паразитная схема 125b в пиксельной схеме 121b второго субпиксела G2 также расположены во второй группе функциональных слоев.
[00187] Следует отметить, что в варианте осуществления настоящего раскрытия, первая группа функциональных слоев может включать в себя множество подслоев, например, первая группа функциональных слоев может включать в себя подслой, в котором расположен первый электрод 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, подслой, в котором расположен второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, и подслой, в котором расположен светоизлучающий слой 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1. Аналогично, вторая группа функциональных слоев также может включать в себя множество подслоев. Например, вторая группа функциональных слоев может включать в себя подслои, в которых расположены соответствующие элементы в пиксельной схеме первого субпиксела G2. В случае если пиксельная схема включает в себя транзистор, вторая группа функциональных слоев может включать в себя подслой, в котором расположен затворный электрод транзистора, подслой, в котором расположены электрод истока и электрод стока транзистора, подслой, в котором расположен активный слой, и подслой, в котором расположены изоляционный затворный слой, и т.д.
[00188] Например, промежуточный слой 101 может представлять собой плоский слой. Например, как показано на фиг. 6C и 6D, в направлении, перпендикулярном поверхности несущей подложки 10, первый электрод 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 находится на стороне светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 вплотную к промежуточному слою 101, и второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 находится на стороне светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 отдаленно от промежуточного слоя 101.
[00189] Например, как показано на фиг. 6C, промежуточный слой 101 включает в себя первое переходное отверстие h1, и первый соединительный электродный блок Ce1 продолжается до первого переходного отверстия h1 и электрически соединяется с пиксельной схемой первого субпиксела G1 через первое переходное отверстие h1, например, первый соединительный электродный блок Ce1 электрически соединяется со второй светоизлучающей управляющей схемой 124a пиксельной схемы первого субпиксела G1 через первое переходное отверстие h1. Например, первый соединительный электродный блок Ce1 может покрывать и заполнять первое переходное отверстие h1.
[00190] Например, в первом субпикселе G1, первый соединительный электродный блок Ce1 электрически соединяется со вторым электродом второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 пиксельной схемы первого субпиксела G1 через первое переходное отверстие h1.
[00191] Например, как показано на фиг. 4A-4E, пиксельная схема 121 может включать в себя активный полупроводниковый слой 310, электродный металлический затворный слой (включающий в себя первый проводящий слой 320 и второй проводящий слой 330) и электродный металлический слой 340 "исток-сток". В направлении, перпендикулярном несущей подложке 10, активный полупроводниковый слой 310 расположен между несущей подложкой 10 и электродным металлическим затворным слоем, и электродный металлический затворный слой расположен между активным полупроводниковым слоем 310 и электродным металлическим слоем 340 "исток-сток". Например, первый проводящий слой 320 электродного металлического затворного слоя расположен между активным полупроводниковым слоем 310 и вторым проводящим слоем 330 электродного металлического затворного слоя, и второй проводящий слой 330 электродного металлического затворного слоя расположен между первым проводящим слоем 320 электродного металлического затворного слоя и электродным металлическим слоем 340 "исток-сток".
[00192] Например, в настоящем раскрытии, активные слои соответствующих транзисторов (например, возбуждающего транзистора T1, транзистора T2 записи данных, порогового компенсационного транзистора T3, первого светоизлучающего управляющего транзистора T4, второго светоизлучающего управляющего транзистора T5, первого транзистора T6 сброса и второго транзистора T7 сброса и т.д.) в пиксельной схеме 121 каждого субпиксела расположены в активном полупроводниковом слое 310, затворные электроды соответствующих транзисторов в пиксельной схеме 121 расположены в первом проводящем слое 320 электродного металлического затворного слоя, и электроды истока и электроды стока соответствующих транзисторов в пиксельной схеме 121 расположены в электродном металлическом слое 340 "исток-сток".
[00193] Например, первый соединительный электродный блок Ce1 продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через первое переходное отверстие h1.
[00194] Например, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 дополнительно включает в себя второй соединительный электродный блок Ce2, и второй соединительный электродный блок Ce2 электрически соединяется со вторым возбуждающим электродным блоком De2. Например, в некоторых вариантах осуществления, второй соединительный электродный блок Ce2 предоставляется как единое целое со вторым возбуждающим электродным блоком De2. Следует отметить, что в других примерах, второй соединительный электродный блок Ce2 и второй возбуждающий электродный блок De2 могут предоставляться отдельно, при условии, что второй соединительный электродный блок Ce2 и второй возбуждающий электродный блок De2 могут электрически соединяться между собой.
[00195] Например, второй соединительный электродный блок Ce2 используется для того, чтобы соединять второй возбуждающий электродный блок De2 и пиксельную схему второго субпиксела G2.
[00196] Например, как показано на фиг. 6A и 6B, в первом направлении X, второй соединительный электродный блок Ce2 расположен на стороне второго возбуждающего электродного блока De2 отдаленно от светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, т.е., как показано на фиг. 6A и 6B, второй возбуждающий электродный блок De2 расположен между вторым соединительным электродным блоком Ce2 и первым возбуждающим электродным блоком De1 в первом направлении X.
[00197] Например, как показано на фиг. 6C, второй соединительный электродный блок Ce2 и второй возбуждающий электродный блок De2 расположены на идентичном слое. Второй соединительный электродный блок Ce2 и второй возбуждающий электродный блок De2 могут формироваться одновременно посредством идентичного процесса формирования рисунка.
[00198] Например, форма второго соединительного электродного блока Ce2 может представлять собой правильную форму, например, прямоугольник и ромб и т.д. Форма второго соединительного электродного блока Ce2 может представлять собой неправильную форму.
[00199] Например, в некоторых примерах, во втором направлении Y, ширина второго соединительного электродного блока Ce2 меньше максимальной ширины второго возбуждающего электродного блока De2. Например, второй возбуждающий электродный блок De2 включает в себя пять внутренних углов, пять внутренних углов могут включать в себя два прямых угла, два тупых угла и острый угол, и второй соединительный электродный блок Ce2 продолжается со стороны, в которой расположен острый угол второго возбуждающего электродного блока De2, в направлении второго возбуждающего электродного блока De2 от светоизлучающего элемента первого субпиксела G1.
[00200] Например, в некоторых примерах, форма первого соединительного электродного блока Ce1 может быть идентичной форме второго соединительного электродного блока Ce2.
[00201] Например, в некоторых вариантах осуществления, ортографическая проекция второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке 10 не перекрывается с ортографической проекцией светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, и ортографическая проекция второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке 10 не перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10. Тем не менее, настоящее раскрытие не ограничено этим случаем, и ортографическая проекция второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке 10 может частично перекрываться с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10. Следует отметить, что в случае, если ортографическая проекция второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке 10 перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, область перекрывающейся части между ортографической проекцией второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке 10 и ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 меньше области перекрывающейся части между ортографической проекцией второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10 и ортографической проекцией управляющего контактного вывода 1221b возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке 10.
[00202] Например, аналогично первому субпикселу G1, в направлении, перпендикулярном поверхности несущей подложки 10, первый электрод 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 находится на стороне светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 вплотную к промежуточному слою 101, и второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 находится на стороне светоизлучающего слоя 1203a светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 отдаленно от промежуточного слоя 101.
[00203] Например, как показано на фиг. 6C, промежуточный слой 101 включает в себя второе переходное отверстие h2, и второй соединительный электродный блок Ce2 продолжается до второго переходного отверстия h2 и электрически соединяется с пиксельной схемой второго субпиксела G2 через второе переходное отверстие h2, например, второй соединительный электродный блок Ce2 электрически соединяется со второй светоизлучающей управляющей схемой 124b пиксельной схемы второго субпиксела G2 через второе переходное отверстие h2. Например, второй соединительный электродный блок Ce2 может покрывать и заполнять второе переходное отверстие h2.
[00204] Например, во втором субпикселе G2, второй соединительный электродный блок Ce2 электрически соединяется со вторым электродом второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 пиксельной схемы 121b второго субпиксела G2 через второе переходное отверстие h2.
[00205] Например, второй соединительный электродный блок Ce2 продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через второе переходное отверстие h2.
[00206] Например, как показано на фиг. 5A, в каждой повторяющейся ячейке 11, третий субпиксел R и четвертый субпиксел B размещаются вдоль второго направления Y, и во втором направлении Y, первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2 расположены между третьим субпикселом R и четвертым субпикселом B, второе направление Y является параллельным поверхности несущей подложки 10, и первое направление X и второе направление Y являются перпендикулярными друг другу.
[00207] Например, в каждой повторяющейся ячейке 11, линия, соединяющая центр первого субпиксела G1 и центр второго субпиксела G2, представляет собой первую центральную линию, и линия, соединяющая центр третьего субпиксела R, и центр четвертого субпиксела B, представляет собой вторую центральную линию. Длина первой центральной линии меньше длины второй центральной линии. Например, первая центральная линия и вторая центральная линия вертикально делятся пополам между собой, и первая центральная линия является практически параллельной первому направлению X, и вторая центральная линия является практически параллельной второму направлению Y.
[00208] Например, светоизлучающий элемент третьего субпиксела R включает в себя первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой. Как показано на фиг. 6D, светоизлучающий элемент четвертого субпиксела B включает в себя первый электрод 1201d подачи напряжения светоизлучения, второй электрод 1202d подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой 1203d. Следует отметить, что для третьего субпиксела R, часть, в которой плоский второй электрод 1202 подачи напряжения светоизлучения перекрывается с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R, может представляться как второй электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R; и для четвертого субпиксела B, часть, в которой плоский второй электрод подачи напряжения светоизлучения перекрывается с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B, может представляться как второй электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B. Иными словами, второй электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, второй электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, второй электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R и второй электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B интегрируются.
[00209] Например, ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R на несущей подложке 10 может, по меньшей мере, частично перекрываться с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы третьего субпиксела R на несущей подложке 10.
[00210] Например, ортографическая проекция первого электрода 1202d подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B на несущей подложке 10 также может, по меньшей мере, частично перекрываться с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы четвертого субпиксела B на несущей подложке 10. Например, как показано на фиг. 6D, ортографическая проекция управляющего контактного вывода 1221d возбуждающей схемы пиксельной схемы четвертого субпиксела B на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции первого электрода 1202d подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B на несущей подложке 10.
[00211] Например, как показано на фиг. 6A и 6B, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R включает в себя третий возбуждающий электродный блок De3 и третий соединительный электродный блок Ce3, и третий возбуждающий электродный блок De3 и третий соединительный электродный блок Ce3 электрически соединены между собой, и первый электрод 1201d подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B включает в себя четвертый возбуждающий электродный блок De4 и четвертый соединительный электродный блок Ce4, и четвертый возбуждающий электродный блок De4 и четвертый соединительный электродный блок Ce4 электрически соединены между собой. Например, ортографическая проекция управляющего контактного вывода 1221c возбуждающей схемы пиксельной схемы третьего субпиксела R на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией третьего возбуждающего электродного блока De3 на несущей подложке 10; и как показано на фиг. 6D, ортографическая проекция управляющего контактного вывода 1221d возбуждающей схемы пиксельной схемы четвертого субпиксела B на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией четвертого возбуждающего электродного блока De4 на несущей подложке 10, например, ортографическая проекция управляющего контактного вывода 1221d возбуждающей схемы пиксельной схемы четвертого субпиксела B на несущей подложке 10 расположена в пределах ортографической проекции четвертого возбуждающего электродного блока De4 на несущей подложке 10.
[00212] Например, третий соединительный электродный блок Ce3 используется для того, чтобы соединять третий возбуждающий электродный блок De3 и пиксельную схему третьего субпиксела R; и четвертый соединительный электродный блок Ce4 используется для того, чтобы соединять четвертый возбуждающий электродный блок De4 и пиксельную схему четвертого субпиксела B.
[00213] Например, пиксельная схема третьего субпиксела R дополнительно включает в себя третью паразитную схему, и пиксельная схема четвертого субпиксела B дополнительно включает в себя четвертую паразитную схему. Третья паразитная схема включает в себя четвертый конденсатор, и четвертая паразитная схема включает в себя пятый конденсатор. Третий возбуждающий электродный блок De3 мультиплексируется в качестве первого электрода четвертого конденсатора, и управляющий контактный вывод возбуждающей схемы третьего субпиксела R мультиплексируется в качестве второго электрода четвертого конденсатора. Четвертый возбуждающий электродный блок De4 мультиплексируется в качестве первого электрода пятого конденсатора, и управляющий контактный вывод возбуждающей схемы четвертого субпиксела B мультиплексируется в качестве второго электрода пятого конденсатора.
[00214] Например, форма третьего возбуждающего электродного блока De3 может представлять собой правильный шестиугольник, и форма четвертого возбуждающего электродного блока De4 также может представлять собой правильный шестиугольник. Форма третьего соединительного электродного блока Ce3 также может представлять собой неправильный шестиугольник, и форма четвертого соединительного электродного блока Ce4 также может представлять собой неправильный шестиугольник.
[00215] Следует отметить, что в некоторых вариантах осуществления, форма третьего возбуждающего электродного блока De3 и форма четвертого возбуждающего электродного блока De4 могут представлять собой прямоугольники, длинные эллипсы и т.д. Настоящее раскрытие, в частности, не ограничивает форму третьего возбуждающего электродного блока De3, форму третьего соединительного электродного блока Ce3, форму четвертого возбуждающего электродного блока De4 и форму четвертого соединительного электродного блока Ce4.
[00216] Например, третий соединительный электродный блок Ce3 может представлять собой часть, выступающую наружу с одной стороны (например, нижней правой стороны шестиугольника) шестиугольного третьего возбуждающего электродного блока De3; и четвертый соединительный электродный блок Ce4 может представлять собой часть, выступающую наружу с одной стороны (например, нижней левой стороны шестиугольного) шестиугольного четвертого возбуждающего электродного блока De4.
[00217] Следует отметить, что область возбуждающего электродного блока каждого субпиксела, в частности, может задаваться согласно светоотдаче люминесцентного материала. Например, если светоотдача люминесцентного материала является более высокой, область возбуждающего электродного блока субпиксела может быть меньшей; и в то время как светоотдача люминесцентного материала является более низкой, область возбуждающего электродного блока субпиксела может быть большей. Например, в некоторых вариантах осуществления, область третьего возбуждающего электродного блока De3 меньше области четвертого возбуждающего электродного блока De4. Область третьего возбуждающего электродного блока De3 превышает область первого возбуждающего электродного блока De1, и область третьего возбуждающего электродного блока De3 превышает область второго возбуждающего электродного блока De2.
[00218] Например, в некоторых вариантах осуществления, третий возбуждающий электродный блок De3 и третий соединительный электродный блок Ce3 предоставляются как единое целое, и четвертый возбуждающий электродный блок De4 и четвертый соединительный электродный блок Ce4 также предоставляются как единое целое. Следует отметить, что в других примерах, третий возбуждающий электродный блок De3 и третий соединительный электродный блок Ce3 могут предоставляться отдельно, при условии, что третий возбуждающий электродный блок De3 и третий соединительный электродный блок Ce3 могут электрически соединяться между собой. Аналогично, четвертый возбуждающий электродный блок De4 и четвертый соединительный электродный блок Ce4 могут предоставляться отдельно, при условии, что четвертый возбуждающий электродный блок De4 и четвертый соединительный электродный блок Ce4 могут электрически соединяться между собой.
[00219] Например, третий возбуждающий электродный блок De3 и третий соединительный электродный блок Ce3 расположены на идентичном слое. Как показано на фиг. 6D, четвертый возбуждающий электродный блок De4 и четвертый соединительный электродный блок Ce4 расположены на идентичном слое.
[00220] Например, аналогично первому субпикселу G1 и второму субпикселу G2, в направлении, перпендикулярном поверхности несущей подложки 10, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R находится на стороне светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента третьего субпиксела R вплотную к промежуточному слою 101, и второй электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R находится на стороне светоизлучающего слоя светоизлучающего элемента третьего субпиксела R отдаленно от промежуточного слоя 101; и, как показано на фиг. 6D, в направлении, перпендикулярном поверхности несущей подложки 10, первый электрод 1201d подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B находится на стороне светоизлучающего слоя 1203d светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B вплотную к промежуточному слою 101, и второй электрод 1202d подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B находится на стороне светоизлучающего слоя 1203d светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B отдаленно от промежуточного слоя 101.
[00221] Например, как показано на фиг. 6B, промежуточный слой 101 включает в себя третье переходное отверстие h3, и третий соединительный электродный блок Ce3 продолжается до третьего переходного отверстия h3 и электрически соединяется с пиксельной схемой третьего субпиксела R через третье переходное отверстие h3. Например, третий соединительный электродный блок Ce3 может покрывать и заполнять третье переходное отверстие h3.
[00222] Например, как показано на фиг. 6D, промежуточный слой 101 включает в себя четвертое переходное отверстие h4, и четвертый соединительный электродный блок Ce4 продолжается до четвертого переходного отверстия h4 и электрически соединяется с пиксельной схемой четвертого субпиксела B через четвертое переходное отверстие h4. Например, четвертый соединительный электродный блок Ce4 может покрывать и заполнять четвертое переходное отверстие h4.
[00223] Например, третий соединительный электродный блок Ce3 продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через третье переходное отверстие h3; и четвертый соединительный электродный блок Ce4 продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через четвертое переходное отверстие h4.
[00224] Например, третий соединительный электродный блок Ce3 продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через третье переходное отверстие h3, с тем чтобы электрически соединяться со вторым электродом второго светоизлучающего управляющего транзистора третьего субпиксела R, расположенного на электродном металлическом слое "исток-сток" пиксельной схемы. Например, четвертый соединительный электродный блок Ce4 продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через четвертое переходное отверстие h4, с тем чтобы электрически соединяться со вторым электродом второго светоизлучающего управляющего транзистора четвертого субпиксела B, расположенного на электродном металлическом слое "исток-сток" пиксельной схемы.
[00225] Например, как показано на фиг. 6A и 6B, в каждой повторяющейся ячейке 11, третий соединительный электродный блок Ce3 расположен на стороне третьего возбуждающего электродного блока De3 отдаленно от вспомогательного электродного блока Ae первого субпиксела G1 в первом направлении X, и третий соединительный электродный блок Ce3 расположен на стороне третьего возбуждающего электродного блока De3 вплотную к четвертому возбуждающему электродному блоку De4 во втором направлении Y, т.е. в примере, как показано на фиг. 6A и 6B, третий соединительный электродный блок Ce3 расположен на нижней правой стороне третьего возбуждающего электродного блока De3, т.е. форма первого электрода 1201c подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R может представлять собой Q-образную зеркальную симметричную форму.
[00226] Например, как показано на фиг. 6A и 6B, в каждой повторяющейся ячейке 11, четвертый соединительный электродный блок Ce4 расположен на стороне четвертого возбуждающего электродного блока De4 отдаленно от вспомогательного электродного блока Ae первого субпиксела G1 в первом направлении X, и четвертый соединительный электродный блок Ce4 расположен на стороне четвертого возбуждающего электродного блока De4 вплотную к третьему возбуждающему электродному блоку De3 во втором направлении Y, т.е. в примере, как показано на фиг. 6A и 6B, четвертый соединительный электродный блок Ce4 расположен на нижней левой стороне четвертого возбуждающего электродного блока De4, т.е. форма первого электрода 1202d подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B может представлять собой Q-форму.
[00227] Например, третий соединительный электродный блок Ce3 электрически соединяется со второй светоизлучающей управляющей схемой 124c пиксельной схемы третьего субпиксела R через третье переходное отверстие h3 и, например, третий соединительный электродный блок Ce3 электрически соединяется со вторым электродом второго светоизлучающего управляющего транзистора пиксельной схемы третьего субпиксела R через третье переходное отверстие h3.
[00228] Например, как показано на фиг. 6D, четвертый соединительный электродный блок Ce4 электрически соединяется со второй светоизлучающей управляющей схемой 124d пиксельной схемы четвертого субпиксела B через четвертое переходное отверстие h4, например, четвертый соединительный электродный блок Ce4 электрически соединяется со вторым электродом второго светоизлучающего управляющего транзистора пиксельной схемы четвертого субпиксела B через четвертое переходное отверстие h4.
[00229] Например, как показано на фиг. 6B, промежуточный слой (не показан) формируется на электродном металлическом слое 340 "исток-сток", как показано на фиг. 6D, и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента каждого субпиксела предоставляется на промежуточном слое. Первый соединительный электродный блок Ce1, первый возбуждающий электродный блок De1 и вспомогательный электродный блок Ae первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, второй соединительный электродный блок Ce2 и второй возбуждающий электродный блок De2 первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, третий соединительный электродный блок Ce3 и третий возбуждающий электродный блок De3 первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R и четвертый соединительный электродный блок Ce4 и четвертый возбуждающий электродный блок De4 первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B располагаются на промежуточном слое, первый соединительный электродный блок Ce1 первого субпиксела G1 соединяется со вторым светоизлучающим управляющим транзистором T5 в пиксельной схеме 121a первого субпиксела G1 через первое переходное отверстие h1, второй соединительный электродный блок Ce2 второго субпиксела G2 соединяется со вторым светоизлучающим управляющим транзистором T5 в пиксельной схеме 121b второго субпиксела G2 через второе переходное отверстие h2, третий соединительный электродный блок Ce3 третьего субпиксела R соединяется со вторым светоизлучающим управляющим транзистором T5 в пиксельной схеме третьего субпиксела R через третье переходное отверстие h3, и четвертый соединительный электродный блок Ce4 четвертого субпиксела B соединяется со вторым светоизлучающим управляющим транзистором T5 в пиксельной схеме четвертого субпиксела B через четвертое переходное отверстие h4.
[00230] Например, ортографическая проекция вспомогательного электродного блока Ae первого субпиксела G1 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора в пиксельной схеме 121a первого субпиксела G1 на несущей подложке, ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока De2 второго субпиксела G2 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора в пиксельной схеме 121b второго субпиксела G2 на несущей подложке, ортографическая проекция третьего возбуждающего электродного блока De3 третьего субпиксела R на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора в пиксельной схеме третьего субпиксела R на несущей подложке, и ортографическая проекция четвертого возбуждающего электродного блока De4 четвертого субпиксела B на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора в пиксельной схеме четвертого субпиксела B на несущей подложке.
[00231] Следует отметить, что фиг. 6E показывает возбуждающие электродные блоки соответствующих субпикселов, вспомогательные электродные блоки соответствующих первых субпикселов и соединительные электродные блоки соответствующих субпикселов, и фиг. 6E также показывает переходные отверстия, соответствующие надлежащим соединительным электродным блокам. Следует отметить, что соединительный электродный блок каждого субпиксела может покрывать и заполнять соответствующее переходное отверстие. Например, первый соединительный электродный блок покрывает и заполняет первое переходное отверстие h1, второй соединительный электродный блок покрывает и заполняет второе переходное отверстие h2, третий соединительный электродный блок покрывает и заполняет третье переходное отверстие h3, и четвертый соединительный электродный блок покрывает и заполняет четвертое переходное отверстие h4. Тем не менее, чтобы показывать позиции соответствующих переходных отверстий, соответствующие переходные отверстия расположены выше соответствующих соединительных электродных блоков на фиг. 6E.
[00232] Например, как показано на фиг. 6E, во втором направлении Y, соответствующие переходные отверстия размещаются в качестве множества строк переходных отверстий, и соответствующие переходные отверстия в каждой строке размещаются в порядке третьего переходного отверстия h3, первого переходного отверстия h1, четвертого переходного отверстия h4 и второго переходного отверстия h2, т.е. третье переходное отверстие h3, первое переходное отверстие h1, четвертое переходное отверстие h4 и второе переходное отверстие h2 представляют собой один компоновочный период HT1, в компоновочном периоде HT1, первое переходное отверстие h1 соответствует первому субпикселу G1, расположенному во второй строке и смежному с первым переходным отверстием h1, второе переходное отверстие h2 соответствует второму субпикселу G2, расположенному в первой строке и смежному со вторым переходным отверстием h2, третье переходное отверстие h3 соответствует третьему субпикселу R, расположенному в первой строке и смежному с третьим переходным отверстием h3, и четвертое переходное отверстие h4 соответствует четвертому субпикселу B, расположенному в первой строке и смежному с четвертым переходным отверстием h4.
[00233] Например, во втором направлении Y, соответствующие переходные отверстия в каждой строке расположены на идентичной прямой линии, т.е. первое переходное отверстие h1, третье переходное отверстие h3, второе переходное отверстие h2 и четвертое переходное отверстие h4 в каждом компоновочном периоде HT1 расположены на идентичной прямой линии, и компоновочные периоды HT1 также расположены на идентичной прямой линии.
[00234] Например, во втором направлении Y, расстояние между любыми двумя смежными переходными отверстиями представляет собой первое фиксированное расстояние d1, т.е., как показано на фиг. 6E, в компоновочном периоде HT1, расстояние между первым переходным отверстием h1 и четвертым переходным отверстием h4 представляет собой первое фиксированное расстояние d1, расстояние между первым переходным отверстием h1 и третьим переходным отверстием h3 также представляет собой первое фиксированное расстояние d1, расстояние между вторым переходным отверстием h2 и третьим переходным отверстием h3 также представляет собой первое фиксированное расстояние d1, и расстояние между вторым переходным отверстием h2 и четвертым переходным отверстием h4 также представляет собой первое фиксированное расстояние d1. Следует отметить, что "два смежных переходных отверстия" означает то, что отсутствует переходное отверстие между двумя смежными переходными отверстиями, и первое фиксированное расстояние d1 может представлять расстояние между центрами двух смежных переходных отверстий во втором направлении Y.
[00235] Например, как показано на фиг. 6E, в первом направлении X, соответствующие первые переходные отверстия h1 и соответствующие вторые переходные отверстия h2 размещаются в качестве множества первых столбцов переходных отверстий, соответствующие третьи переходные отверстия h3 и соответствующие четвертые переходные отверстия h4 размещаются в качестве множества вторых столбцов переходных отверстий, и во втором направлении Y, первые столбцы переходных отверстий и вторые столбцы переходных отверстий попеременно размещаются, т.е. множество первых столбцов переходных отверстий могут представлять собой столбцы с нечетным номером, и множество вторых столбцов переходных отверстий могут представлять собой столбцы с четным номером. В каждом первом переходном столбце, соответствующие первые переходные отверстия h1 и соответствующие вторые переходные отверстия h2 расположены на идентичной прямой линии, и в каждом втором переходном столбце, соответствующие третьи переходные отверстия h3 и соответствующие четвертые переходные отверстия h4 также расположены на идентичной прямой линии.
[00236] Например, в первом направлении X, расстояние между любым смежным первым переходным отверстием h1 и вторым переходным отверстием h2 представляет собой второе фиксированное расстояние d2, расстояние между любым смежным третьим переходным отверстием h3 и четвертым переходным отверстием h4 представляет собой третье фиксированное расстояние d3, и второе фиксированное расстояние d2 и третье фиксированное расстояние d3 равны. Следует отметить, что второе фиксированное расстояние d2, может представлять расстояние между центром первого переходного отверстия h1 и центром второго переходного отверстия h2, которое является смежным с первым переходным отверстием h1 в первом направлении X, и третье фиксированное расстояние d3 может представлять расстояние между центром третьего переходного отверстия h3 и центром четвертого переходного отверстия h4, которое является смежным с третьим переходным отверстием h3 в первом направлении X.
[00237] Например, множество повторяющихся ячеек 11 размещаются вдоль второго направления Y, чтобы формировать множество групп повторяющихся ячеек, и множество групп повторяющихся ячеек размещаются вдоль первого направления X. Как показано на фиг. 6E, в первом направлении X, первый соединительный электродный блок, второй соединительный электродный блок, третий соединительный электродный блок и четвертый соединительный электродный блок расположены между двумя смежными группами повторяющихся ячеек, и в первом направлении X, по меньшей мере, часть вспомогательного электродного блока расположена на стороне вспомогательного электродного блока отдаленно от первого возбуждающего электродного блока и между двумя смежными повторяющимися ячейками в группе повторяющихся ячеек, смежной с группой повторяющихся ячеек, в которой расположен вспомогательный электродный блок. Например, в некоторых вариантах осуществления, P-ая группа повторяющихся ячеек расположена в первой строке, и (P+1)-ая группа повторяющихся ячеек расположена в второй строке. Для повторяющихся ячеек, расположенных в (P+1)-ой группе повторяющихся ячеек, по меньшей мере, часть вспомогательного электродного блока Ae расположена на стороне вспомогательного электродного блока Ae отдаленно от первого возбуждающего электродного блока De1 и между двумя смежными повторяющимися ячейками в группе повторяющихся ячеек (т.е. в P-ой группе повторяющихся ячеек), смежной с группой повторяющихся ячеек (т.е. (P+1)-ой группой повторяющихся ячеек), в которой расположен вспомогательный электродный блок Ae, например, как показано на фиг. 6E, по меньшей мере, часть вспомогательного электродного блока Ae в повторяющейся ячейке, расположенной во второй строке, продолжается до первой строки и расположена между двумя смежными повторяющимися ячейками, расположенными в первой строке, например, по меньшей мере, часть вспомогательного электродного блока Ae в повторяющейся ячейке, расположенной во второй строке, расположена между смежным третьим субпикселом R и четвертым субпикселом B в первой строке.
[00238] Например, как показано на фиг. 6C, второй светоизлучающий управляющий транзистор второй светоизлучающей управляющей схемы 124a первого субпиксела G1 включает в себя второй электрод 1241a (например, электрод стока) и активный слой 1242a. Возбуждающий транзистор возбуждающей схемы первого субпиксела G1 включает в себя затворный электрод 1221a (т.е. управляющий контактный вывод возбуждающей схемы 122a) и активный слой 1222a. Следует отметить, что фиг. 6C не показывает затворный электрод и первый электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора первого субпиксела G1 и первый электрод и второй электрод возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 и т.д.
[00239] Например, изоляционный затворный слой находится между активным полупроводниковым слоем 310 и первым проводящим слоем 320, т.е., как показано на фиг. 6C, изоляционный затворный слой 131 находится между затворным электродом 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 и активным слоем 1222a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1, и изоляционный затворный слой 131 покрывает всю подложку 100 отображения, за счет чего изоляционный затворный слой 131 также находится между затворным электродом и активным слоем второго светоизлучающего управляющего транзистора. Затворный электрод 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 находится на стороне изоляционного затворного слоя 131 отдаленно от несущей подложки 10. Как показано на фиг. 6C, первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением, соединенная с первой светоизлучающей управляющей схемой первого субпиксела G1, и вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением, соединенная со второй светоизлучающей управляющей схемой первого субпиксела G1, также располагаются на стороне изоляционного затворного слоя 131 отдаленно от несущей подложки 10.
[00240] Например, как показано на фиг. 6C, ортографическая проекция первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией второй линии EM2a сигналов управления светоизлучением (т.е. первой линией EM1a сигналов управления светоизлучением, соединенной с первой светоизлучающей управляющей схемой первого субпиксела G1), соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке 10.
[00241] Например, как показано на фиг. 6C, первый изоляционный слой 132 дополнительно предоставляется на затворном электроде 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1, и первый электрод CC1a третьего конденсатора C2 первого субпиксела G1 предоставляется на стороне первого изоляционного слоя 132 отдаленно от несущей подложки 10. Второй изоляционный слой 133 предоставляется на стороне второго электрода CC2a третьего конденсатора C2 отдаленно от несущей подложки 10. Второй электрод 1241a второго светоизлучающего управляющего транзистора первого субпиксела G1 находится на стороне второго изоляционного слоя 133 отдаленно от несущей подложки 10 и электрически соединяется с активным слоем 1242a второго светоизлучающего управляющего транзистора через переходное отверстие 388a, проникающее через второй изоляционный слой 133, первый изоляционный слой 132 и изоляционный затворный слой 131. Например, первый изоляционный слой 132 и второй изоляционный слой 133 также покрывают всю подложку 100 отображения.
[00242] Например, первая соединительная часть 341a первого субпиксела G1 также предоставляется на стороне второго изоляционного слоя 133 отдаленно от несущей подложки 10. Первая соединительная часть 341a первого субпиксела G1 электрически соединяется с затворным электродом 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 через переходное отверстие 385a, проникающее через второй изоляционный слой 133, первый электрод CC1a третьего конденсатора C2, первый субпиксел G1 и первый изоляционный слой 132. Ортографическая проекция первой соединительной части 341a на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 на несущей подложке 10, т.е. ортографическая проекция первой соединительной части 341a на несущей подложке 10, ортографическая проекция затворного электрода 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 на несущей подложке 10 и ортографическая проекция вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрываются.
[00243] Следует отметить, что для первого субпиксела G1, в направлении, перпендикулярном несущей подложке 10, металлические слои, такие как первый электрод CC1a третьего конденсатора C2 первого субпиксела G1, первая соединительная часть 341a первого субпиксела G1 и т.п., дополнительно предоставляются между первым электродом CC3a (т.е. вспомогательным электродным блоком Ae) и вторым электродом CC4a (т.е. затворным электродом 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1) первого конденсатора C11. Следовательно, также может возникать паразитная емкость между вспомогательным электродным блоком Ae и первой соединительной частью 341a первого субпиксела G1, также может возникать паразитная емкость между вспомогательным электродным блоком Ae и первым электродом CC1a третьего конденсатора C2 первого субпиксела G1, также может возникать паразитная емкость между первым электродом CC1a третьего конденсатора C2 первого субпиксела G1 и первой соединительной частью 341a первого субпиксела G1, также может возникать паразитная емкость между затворным электродом 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 и первой соединительной частью 341a первого субпиксела G1 и также может возникать паразитная емкость между затворным электродом 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 и первым электродом CC1a третьего конденсатора C2 первого субпиксела G1. Позиции и размеры этих паразитных емкостей связаны с конкретной структурой компоновки подложки отображения, и настоящее раскрытие подробно не описывает эти паразитные емкости.
[00244] Например, второй электрод 1241a второго светоизлучающего управляющего транзистора первого субпиксела G1 и первая соединительная часть 341a расположены в электродном металлическом слое 340 "исток-сток" пиксельной схемы, затворный электрод 1221a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 и первая линия EM1a сигналов управления светоизлучением/вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением расположены в первом проводящем слое 320 пиксельной схемы, первый электрод CC1a третьего конденсатора C2 первого субпиксела G1 расположен во втором проводящем слое 330 пиксельной схемы, и активный слой 1242a второго светоизлучающего управляющего транзистора и активный слой 1222a возбуждающего транзистора первого субпиксела G1 расположены в активном полупроводниковом слое 310 пиксельной схемы.
[00245] Например, первый соединительный электродный блок Ce1 продолжается до электродного металлического слоя 340 "исток-сток" пиксельной схемы через первое переходное отверстие h1, с тем чтобы электрически соединяться со вторым электродом 1241a второго светоизлучающего управляющего транзистора первого субпиксела G1, расположенного в электродном металлическом слое 340 "исток-сток" пиксельной схемы.
[00246] Например, как показано на фиг. 6C, в направлении, перпендикулярном несущей подложке 10, первая линия Init1b сигналов электропитания и сброса/вторая линия Init2b сигналов электропитания и сброса, соединенная с пиксельной схемой второго субпиксела G2, по меньшей мере, часть второй соединительной части 342b второго субпиксела G2 и переходное отверстие 386b предоставляются между первым соединительным электродным блоком Ce1 и несущей подложкой 10, и вторая соединительная часть 342b второго субпиксела G2 электрически соединяется с первой линией Init1b сигналов электропитания и сброса/второй линией Init2b сигналов электропитания и сброса через переходное отверстие 386b.
[00247] Например, первая линия Init1b сигналов электропитания и сброса/вторая линия Init2b сигналов электропитания и сброса расположена во втором проводящем слое 330 пиксельной схемы.
[00248] Например, как показано на фиг. 6C, в направлении, перпендикулярном несущей подложке 10, первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса/вторая линия Rst2a управляющих сигналов сброса, соединенная с пиксельной схемой второго субпиксела G2, по меньшей мере, часть второй соединительной части 342b второго субпиксела G2, по меньшей мере, часть первой соединительной части 341b второго субпиксела G2, переходное отверстие 387b, переходное отверстие 384b, второй электрод 1291b первого транзистора T6 сброса второго субпиксела G2 (также второй электрод порогового компенсационного транзистора T3 второго субпиксела G2), первый электрод 1292b первого транзистора T6 сброса второго субпиксела G2 (также первый электрод второго транзистора T7 сброса второго субпиксела G2) располагаются между первым возбуждающим электродным блоком De1 и несущей подложкой 10, вторая соединительная часть 342b второго субпиксела G2 электрически соединяется с первым электродом 1292b первого транзистора T6 сброса второго субпиксела G2 через переходное отверстие 387b, и первая соединительная часть 341b второго субпиксела G2 электрически соединяется со вторым электродом 1291b первого транзистора T6 сброса второго субпиксела G2 через переходное отверстие 384b.
[00249] Например, как показано на фиг. 6C, второй светоизлучающий управляющий транзистор второй светоизлучающей управляющей схемы 124b второго субпиксела G2 включает в себя второй электрод 1241b (например, электрод стока) и активный слой 1242b. Возбуждающий транзистор возбуждающей схемы второго субпиксела G2 включает в себя затворный электрод 1221b (т.е. управляющий контактный вывод возбуждающей схемы 122b) и активный слой 1222b. Следует отметить, что фиг. 6C не показывает затворный электрод и первый электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора второго субпиксела G2 и первый электрод и второй электрод возбуждающего транзистора второго субпиксела G2 и т.д.
[00250] Например, изоляционный затворный слой 131 также предоставляется между затворным электродом 1221b и активным слоем 1222b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2. Первый изоляционный слой 132 также предоставляется на затворном электроде 1221b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2. Первый электрод CC1b третьего конденсатора C2 второго субпиксела G2 предоставляется на стороне первого изоляционного слоя 132 отдаленно от несущей подложки 10. Второй электрод 1241b второго светоизлучающего управляющего транзистора второго субпиксела G2 находится на стороне второго изоляционного слоя 133 отдаленно от несущей подложки 10 и электрически соединяется с активным слоем 1242b второго светоизлучающего управляющего транзистора второго субпиксела G2 через переходное отверстие 388b, проникающее через второй изоляционный слой 133, первый изоляционный слой 132 и изоляционный затворный слой 131.
[00251] Например, как показано на фиг. 6C, первая линия EM1b сигналов управления светоизлучением, соединенная с первой светоизлучающей управляющей схемой второго субпиксела G2, и вторая линия EM2b сигналов управления светоизлучением, соединенная со второй светоизлучающей управляющей схемой, также предоставляются на стороне изоляционного затворного слоя 131 отдаленно от несущей подложки 10.
[00252] Например, как показано на фиг. 6C, ортографическая проекция второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией второй линии EM2b сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы второго субпиксела G2 (т.е. первой линией EM1b сигналов управления светоизлучением, соединенной с первой светоизлучающей управляющей схемой второго субпиксела G2) на несущей подложке 10.
[00253] Например, как показано на фиг. 6C, первая линия Ga1b сигналов развертки, электрически соединенная с транзистором записи данных второго субпиксела G2, и вторая линия Ga2b сигналов развертки, электрически соединенная с пороговым компенсационным транзистором второго субпиксела G2, также предоставляются на стороне изоляционного затворного слоя 131 отдаленно от несущей подложки 10.
[00254] Например, первая соединительная часть 341b второго субпиксела G2 дополнительно предоставляется на стороне второго изоляционного слоя 133 отдаленно от несущей подложки 10, и первая соединительная часть 341b второго субпиксела G2 электрически соединяется с затворным электродом 1221b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2 через переходное отверстие 385b, проникающее через второй изоляционный слой 133, первый электрод CC1b третьего конденсатора C2 второго субпиксела G2 и первый изоляционный слой 132. Ортографическая проекция первой соединительной части 341b второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода 1221b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2 на несущей подложке 10, т.е. ортографическая проекция первой соединительной части 341b на несущей подложке 10, ортографическая проекция затворного электрода 1221b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2 на несущей подложке 10 и ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрываются.
[00255] Следует отметить, что для второго субпиксела G2, в направлении, перпендикулярном несущей подложке 10, металлические слои, такие как первый электрод CC1b третьего конденсатора C2 второго субпиксела G2, первая соединительная часть 341b второго субпиксела G2 и т.п., также предоставляются между первым электродом CC1b (т.е. вторым возбуждающим электродным блоком De2) и вторым электродом (т.е. затворным электродом 1221b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2) второго конденсатора C12. Следовательно, также может возникать паразитная емкость между вторым возбуждающим электродным блоком De2 и первой соединительной частью 341b второго субпиксела G2, также может возникать паразитная емкость между вторым возбуждающим электродным блоком De2 и первым электродом CC1b третьего конденсатора C2 второго субпиксела G2, также может возникать паразитная емкость между первым электродом CC1b третьего конденсатора C2 второго субпиксела G2 и первой соединительной частью 341b второго субпиксела G2, также может возникать паразитная емкость между затворным электродом 1221b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2 и первой соединительной частью 341b второго субпиксела G2 и также может возникать паразитная емкость между затворным электродом 1221b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2 и первым электродом CC1b третьего конденсатора C2 второго субпиксела G2. Позиции и размеры этих паразитных емкостей связаны с конкретной структурой компоновки подложки отображения, и настоящее раскрытие подробно не описывает эти паразитные емкости.
[00256] Например, второй электрод 1241b второго светоизлучающего управляющего транзистора второго субпиксела G2 и первая соединительная часть 341b расположены в электродном металлическом слое 340 "исток-сток" пиксельной схемы, затворный электрод 1221b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2 и первая линия EM1b сигналов управления светоизлучением/вторая линия EM2b сигналов управления светоизлучением расположены в первом проводящем слое 320 пиксельной схемы, первый электрод CC1b третьего конденсатора C2 второго субпиксела G2 расположен во втором проводящем слое 330 пиксельной схемы, и активный слой 1242b второго светоизлучающего управляющего транзистора и активный слой 1222b возбуждающего транзистора второго субпиксела G2 расположены в активном полупроводниковом слое 310 пиксельной схемы.
[00257] Например, второй соединительный электродный блок Ce2 продолжается до электродного металлического слоя 340 "исток-сток" пиксельной схемы через второе переходное отверстие h2, с тем чтобы электрически соединяться со вторым электродом 1241b, который расположен в электродном металлическом слое 340 "исток-сток" пиксельной схемы второго светоизлучающего управляющего транзистора второго субпиксела G2.
[00258] Например, как показано на фиг. 6B и 6C, форма перекрывающейся части между ортографической проекцией первого электрода подачи напряжения светоизлучения второго субпиксела G2 на несущей подложке и ортографической проекцией активного полупроводникового слоя, соответствующей пиксельной схеме второго субпиксела G2 на несущей подложке, может включать в себя форму "Π", и часть активного полупроводникового слоя, соответствующая форме "Π", включает в себя активный слой возбуждающего транзистора пиксельной схемы второго субпиксела G2. В направлении, перпендикулярном несущей подложке, часть активного полупроводникового слоя, соответствующая пиксельной схеме второго субпиксела G2, перекрывающейся с первым электродом подачи напряжения светоизлучения второго субпиксела G2, может включать в себя активный слой возбуждающего транзистора пиксельной схемы второго субпиксела G2. Помимо этого, часть активного полупроводникового слоя, соответствующая пиксельной схеме второго субпиксела G2, перекрывающейся с первым электродом подачи напряжения светоизлучения второго субпиксела G2, дополнительно может включать в себя участок стока второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 пиксельной схемы второго субпиксела G2.
[00259] Например, как показано на фиг. 6B и 6C, ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения второго субпиксела G2 на несущей подложке перекрывается с ортографической проекцией электродного металлического слоя "исток-сток", соответствующей пиксельной схеме второго субпиксела G2 на несущей подложке. В направлении, перпендикулярном несущей подложке, часть металлического слоя "исток-сток", соответствующая пиксельной схеме второго субпиксела G2, перекрывающейся с первым электродом подачи напряжения светоизлучения второго субпиксела G2, включает в себя часть первой соединительной части (т.е. часть первой соединительной части, перекрывающейся с затворным электродом возбуждающего транзистора пиксельной схемы второго субпиксела G2) и третью соединительную часть (т.е. электрод стока второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 пиксельной схемы второго субпиксела G2), часть первой линии VDD1 сигналов электропитания и т.п.
[00260] Например, как показано на фиг. 6B и 6C, в направлении, перпендикулярном несущей подложке, часть активного полупроводникового слоя, соответствующая пиксельной схеме второго субпиксела G2, перекрывающейся с первым электродом подачи напряжения светоизлучения первого субпиксела G1, может включать в себя активные слои и участки стока первого транзистора T6 сброса и второго транзистора T7 сброса в схеме 129b сброса пиксельной схемы второго субпиксела G2, часть активного слоя (форма "Π") возбуждающего транзистора в пиксельной схеме первого субпиксела G1 и участок стока второго светоизлучающего управляющего транзистора T5 пиксельной схемы первого субпиксела G1.
[00261] Например, как показано на фиг. 6B и 6C, ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения первого субпиксела G1 на несущей подложке частично перекрывается с ортографической проекцией электродного металлического слоя "исток-сток", соответствующей пиксельной схеме первого субпиксела G1 на несущей подложке, и ортографической проекцией электродного металлического слоя "исток-сток", соответствующей пиксельной схеме второго субпиксела G2 на несущей подложке. Например, в направлении, перпендикулярном несущей подложке, часть электродного металлического слоя "исток-сток", соответствующая пиксельной схеме второго субпиксела G2, перекрывающейся с первым электродом подачи напряжения светоизлучения первого субпиксела G1, включает в себя часть первой соединительной части (т.е. часть первой соединительной части, перекрывающейся с участком стока порогового компенсационного транзистора), вторую соединительную часть (т.е. соединительную часть между электродом стока второго транзистора сброса пиксельной схемы второго субпиксела G2 и первой линией сигналов электропитания и сброса), часть первой линии VDD1 сигналов электропитания и т.п. Часть электродного металлического слоя "исток-сток", соответствующая пиксельной схеме первого субпиксела G1, перекрывающейся с первым электродом подачи напряжения светоизлучения первого субпиксела G1, включает в себя часть первой соединительной части (т.е. часть первой соединительной части, перекрывающейся с затворным электродом возбуждающего транзистора пиксельной схемы первого субпиксела G1) и третью соединительную часть (т.е. электрод стока второго светоизлучающего управляющего транзистора пиксельной схемы первого субпиксела G1) и т.д. Например, как показано на фиг. 6D, второй светоизлучающий управляющий транзистор второй светоизлучающей управляющей схемы 124d четвертого субпиксела B включает в себя второй электрод 1241d (например, электрод стока) и активный слой 1242c. Возбуждающий транзистор возбуждающей схемы третьего субпиксела R включает в себя затворный электрод 1221d (т.е. управляющий контактный вывод возбуждающей схемы 122d) и активный слой 1222d. Следует отметить, что фиг. 6D не показывает затворный электрод и первый электрод второго светоизлучающего управляющего транзистора четвертого субпиксела B и первый электрод и второй электрод возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B и т.д.
[00262] Например, как показано на фиг. 6D, изоляционный затворный слой 131 предоставляется между затворным электродом 1221d и активным слоем 1222d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B, и первый изоляционный слой 132 также предоставляется на затворном электроде 1221d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B. Первый электрод CC1d третьего конденсатора C2 четвертого субпиксела B предоставляется на стороне первого изоляционного слоя 132 отдаленно от несущей подложки 10. Второй электрод 1241d второго светоизлучающего управляющего транзистора четвертого субпиксела B находится на стороне второго изоляционного слоя 133 отдаленно от несущей подложки 10 и электрически соединяется с активным слоем 1242d второго светоизлучающего управляющего транзистора четвертого субпиксела B через переходное отверстие 388d, проникающее через второй изоляционный слой 133, первый изоляционный слой 132 и изоляционный затворный слой 131.
[00263] Например, как показано на фиг. 6D, первая линия EM1d сигналов управления светоизлучением, соединенная с первой светоизлучающей управляющей схемой четвертого субпиксела B, и вторая линия EM2d сигналов управления светоизлучением, соединенная со второй светоизлучающей управляющей схемой, также предоставляются на стороне изоляционного затворного слоя 131 отдаленно от несущей подложки 10. Например, как показано на фиг. 6B и 6C, для четвертого субпиксела B, расположенного во второй строке, первая линия EM1d сигналов управления светоизлучением и вторая линия EM2d сигналов управления светоизлучением, соответствующие четвертому субпикселу B, представляют собой идентичную сигнальную линию, и первая линия EM1d сигналов управления светоизлучением/вторая линия EM2d сигналов управления светоизлучением и первая линия EM1b сигналов управления светоизлучением/вторая линия EM2b сигналов управления светоизлучением, соответствующие второму субпикселу G2, расположенному во второй строке, также представляют собой идентичную сигнальную линию.
[00264] Например, как показано на фиг. 6D, ортографическая проекция четвертого соединительного электродного блока Ce4 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией второй линии EM2d сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы четвертого субпиксела B (т.е. первой линией EM1d сигналов управления светоизлучением, соединенной с первой светоизлучающей управляющей схемой четвертого субпиксела B) на несущей подложке 10.
[00265] Например, как показано на фиг. 6D, первая линия Ga1d сигналов развертки, электрически соединенная с транзистором записи данных четвертого субпиксела B, и вторая линия Ga2d сигналов развертки, электрически соединенная с пороговым компенсационным транзистором четвертого субпиксела B, также предоставляются на стороне изоляционного затворного слоя 131 отдаленно от несущей подложки 10. Например, как показано на фиг. 6B и 6C, для четвертого субпиксела B, расположенного во второй строке, первая линия Ga1d сигналов развертки и вторая линия Ga2d сигналов развертки, соответствующие четвертому субпикселу B, представляют собой идентичную сигнальную линию, и первая линия Ga1d сигналов развертки/вторая линия Ga2d сигналов развертки и первая линия Ga1b сигналов развертки/вторая линия Ga2b сигналов развертки, соответствующие второму субпикселу G2, расположенному во второй строке, также представляют собой идентичную сигнальную линию.
[00266] Например, первая соединительная часть 341d четвертого субпиксела B также предоставляется на стороне второго изоляционного слоя 133 отдаленно от несущей подложки 10, и первая соединительная часть 341d четвертого субпиксела B электрически соединяется с затворным электродом 1221d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B через переходное отверстие 385d, проникающее через второй изоляционный слой 133, первый электрод CC1d третьего конденсатора C2 четвертого субпиксела B и первый изоляционный слой 132. Ортографическая проекция первой соединительной части 341d четвертого субпиксела B на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода 1221d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B на несущей подложке 10, т.е. ортографическая проекция первой соединительной части 341d на несущей подложке 10, ортографическая проекция затворного электрода 1221d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B на несущей подложке 10 и ортографическая проекция четвертого возбуждающего электродного блока De4 на несущей подложке 10, по меньшей мере, частично перекрываются.
[00267] Следует отметить, что для четвертого субпиксела B, в направлении, перпендикулярном несущей подложке 10, металлические слои, такие как первый электрод CC1d третьего конденсатора C2 четвертого субпиксела B, первая соединительная часть 341d четвертого субпиксела B и т.п., также предоставляются между четвертым возбуждающим электродным блоком De4 и затворным электродом 1221d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B. Следовательно, также может возникать паразитная емкость между четвертым возбуждающим электродным блоком De4 и первой соединительной частью 341d четвертого субпиксела B, также может возникать паразитная емкость между четвертым возбуждающим электродным блоком De4 и первым электродом CC1d третьего конденсатора C2 четвертого субпиксела B, также может возникать паразитная емкость между первым электродом CC1d третьего конденсатора C2 четвертого субпиксела B и первой соединительной частью 341d четвертого субпиксела B, также может возникать паразитная емкость между затворным электродом 1221d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B и первой соединительной частью 341d четвертого субпиксела B, и также может возникать паразитная емкость между затворным электродом 1221d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B и первым электродом CC1d третьего конденсатора C2 четвертого субпиксела B. Позиции и размеры этих паразитных емкостей связаны с конкретной структурой компоновки подложки отображения, и настоящее раскрытие подробно не описывает эти паразитные емкости.
[00268] Например, как показано на фиг. 6D, первая линия Init1d сигналов электропитания и сброса/вторая линия Init2 сигналов электропитания и сброса, соединенная с пиксельной схемой четвертого субпиксела B и переходным отверстием 386d, предоставляется на несущей подложке 10. По меньшей мере, часть второй соединительной части 342d четвертого субпиксела B предоставляется между четвертым возбуждающим электродным блоком Ce1 и несущей подложкой 10 в направлении, перпендикулярном несущей подложке 10, и вторая соединительная часть 342d четвертого субпиксела B электрически соединяется с первой линией Init1d сигналов электропитания и сброса/второй линией Init2d сигналов электропитания и сброса через переходное отверстие 386d.
[00269] Например, как показано на фиг. 6D, в направлении, перпендикулярном несущей подложке 10, первая линия Rst1d управляющих сигналов сброса/вторая линия Rst2d управляющих сигналов сброса, соединенная с пиксельной схемой четвертого субпиксела B, по меньшей мере, часть второй соединительной части 342d четвертого субпиксела B, первая соединительная часть 341d четвертого субпиксела B, переходное отверстие 387d, переходное отверстие 384d, второй электрод 1291d первого транзистора T6 сброса четвертого субпиксела B (также второй электрод порогового компенсационного транзистора T3 четвертого субпиксела B), первый электрод 1292d первого транзистора T6 сброса четвертого субпиксела B (также первый электрод второго транзистора T7 сброса четвертого субпиксела B) предоставляются между четвертым возбуждающим электродным блоком De4 и несущей подложкой 10, вторая соединительная часть 342d четвертого субпиксела B электрически соединяется с первым электродом 1292d первого транзистора T6 сброса четвертого субпиксела B через переходное отверстие 387d, и первая соединительная часть 341d четвертого субпиксела B электрически соединяется со вторым электродом 1291d первого транзистора T6 сброса четвертого субпиксела B через переходное отверстие 384d.
[00270] Например, второй электрод 1241d второго светоизлучающего управляющего транзистора четвертого субпиксела B и первая соединительная часть 341d расположены в электродном металлическом слое 340 "исток-сток" пиксельной схемы, затворный электрод 1221d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B и первая линия EM1d сигналов управления светоизлучением/вторая линия EM2d сигналов управления светоизлучением расположены в первом проводящем слое 320 пиксельной схемы четвертого субпиксела B, первый электрод CC1d третьего конденсатора C2 четвертого субпиксела B и первая линия Init1d сигналов электропитания и сброса/вторая линия Init2d сигналов электропитания и сброса расположены во втором проводящем слое 330 пиксельной схемы, и активный слой 1242d второго светоизлучающего управляющего транзистора и активный слой 1222d возбуждающего транзистора четвертого субпиксела B расположены в активном полупроводниковом слое 310 пиксельной схемы.
[00271] Например, четвертый соединительный электродный блок Ce4 продолжается до электродного металлического слоя "исток-сток" пиксельной схемы через четвертое переходное отверстие h4, с тем чтобы электрически соединяться со вторым электродом 1241d, который расположен в электродном металлическом слое "исток-сток" пиксельной схемы второго светоизлучающего управляющего транзистора четвертого субпиксела B.
[00272] Например, взаимосвязь соединений между соответствующими схемами (например, возбуждающей схемой, первой светоизлучающей управляющей схемой, второй светоизлучающей управляющей схемой, схемой хранения данных, схемой сброса, пороговой компенсационной схемой, схемой записи данных и т.д.) пиксельной схемы третьего субпиксела R и взаимосвязь соединений между соответствующими схемами пиксельной схемы четвертого субпиксела B являются идентичными примеру, как показано на фиг. 3A.
[00273] Вариант осуществления настоящего раскрытия также предоставляет подложку отображения. Как показано на фиг. 2, подложка 100 отображения включает в себя несущую подложку 10 и множество повторяющихся ячеек 11 на несущей подложке 10, каждая повторяющаяся ячейка 11 включает в себя множество субпикселов 12. Каждый субпиксел 12 включает в себя светоизлучающий элемент 120 и пиксельную схему 121 для возбуждения светоизлучающего элемента 120 для излучения света, и пиксельная схема 121 включает в себя возбуждающую схему 122.
[00274] Например, как показано на фиг. 5A, возбуждающие схемы 122 множества субпикселов 12 размещаются в матрице на несущей подложке 10. Например, участки 31-40 могут представлять собой участки, в которых расположены возбуждающие схемы соответствующих субпикселов на несущей подложке 10. В примере, как показано на фиг. 5A, две строки и пять столбцов возбуждающих схем показаны. Например, в примере, как показано на фиг. 3A, в повторяющейся ячейке 11, окруженной посредством пунктирных линий, возбуждающая схема пиксельной схемы первого субпиксела G1 расположена в участке 32, возбуждающая схема пиксельной схемы второго субпиксела G2 расположена в участке 37, возбуждающая схема пиксельной схемы третьего субпиксела R расположена в участке 38, и возбуждающая схема пиксельной схемы четвертого субпиксела B расположена в участке 36.
[00275] Следует отметить, что в настоящем раскрытии, "строка" может представлять строку, соответствующую областям, в которых расположены соответствующие пиксельные схемы, и "столбец" может представлять столбец, соответствующий областям, в которых расположены соответствующие пиксельные схемы.
[00276] Например, светоизлучающий элемент 120 каждого субпиксела включает в себя первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой между первым электродом подачи напряжения светоизлучения и вторым электродом подачи напряжения светоизлучения. Например, в некоторых вариантах осуществления, первый электрод подачи напряжения светоизлучения представляет собой анод, и второй электрод подачи напряжения светоизлучения представляет собой катод.
[00277] Например, как показано на фиг. 5A и 6A, множество субпикселов 12 включают в себя первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2. Например, цвет света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента первого субпиксела G1, является идентичным цвету света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, например, как первый субпиксел G1, так и второй субпиксел G2 представляют собой зеленые субпикселы.
[00278] Например, как показано на фиг. 6A, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 размещаются в первом направлении X.
[00279] Например, как показано на фиг. 6A, первый электрод 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 включает в себя вспомогательный электродный блок Ae, первый возбуждающий электродный блок De1 и первый соединительный электродный блок Ce1 и вспомогательный электродный блок Ae, первый возбуждающий электродный блок De1 и первый соединительный электродный блок Ce1 электрически соединены между собой.
[00280] Например, как показано на фиг. 6A, первый электрод 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 включает в себя второй возбуждающий электродный блок De2 и второй соединительный электродный блок Ce2, и второй возбуждающий электродный блок De2 электрически соединяется со вторым соединительным электродным блоком Ce2.
[00281] Например, область первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 отличается от области первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, например, область первого электрода 1201a подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 превышает область первого электрода 1201b подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2.
[00282] Например, как показано на фиг. 6B, вспомогательный электродный блок Ae расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 отдаленно от несущей подложки 10, и второй возбуждающий электродный блок De2 расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 отдаленно от несущей подложки 10. Например, форма вспомогательного электродного блока Ae отличается от формы второго возбуждающего электродного блока De2, т.е. форма анодной части первого субпиксела G1, расположенной на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 отдаленно от несущей подложки 10, отличается от формы анодной части второго субпиксела G2, расположенной на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 отдаленно от несущей подложки 10.
[00283] Например, как показано на фиг. 3A, возбуждающая схема 122 пиксельной схемы 121 каждого субпиксела включает в себя возбуждающий транзистор T1. Вспомогательный электродный блок Ae расположен на стороне затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы первого субпиксела G1 отдаленно от несущей подложки 10, и второй возбуждающий электродный блок De2 расположен на стороне затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы второго субпиксела G2 отдаленно от несущей подложки 10.
[00284] Например, ортографическая проекция вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке, и ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке.
[00285] Например, область перекрывающейся части между ортографической проекцией вспомогательного электродного блока Ae на несущей подложке и ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке составляет первую область, область перекрывающейся части между ортографической проекцией второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке и ортографической проекцией затворного электрода возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке составляет вторую область, и отношение первой области ко второй области удовлетворяет следующей взаимосвязи:
Amin≤A1/A2≤Amax,
где A1 представляет первую область, A2 представляет вторую область, Amin представляет минимальное пороговое значение отношения и составляет 90%, и Amax представляет максимальное пороговое значение отношения и составляет 110%.
[00286] Например, как показано на фиг. 6A и 6B, форма первого возбуждающего электродного блока De1 отличается от формы вспомогательного электродного блока Ae, и форма первого возбуждающего электродного блока De1 является идентичной форме второго возбуждающего электродного блока De2. Например, форма первого возбуждающего электродного блока De1 и форма второго возбуждающего электродного блока De2 могут представлять собой пятиугольники, и форма вспомогательного электродного блока Ae может представлять собой прямоугольник. Тем не менее, настоящее раскрытие не ограничено этим случаем. Форма первого возбуждающего электродного блока De1 и форма второго возбуждающего электродного блока De2 также могут представлять собой прямоугольники и т.п., и форма вспомогательного электродного блока Ae может представлять собой пятиугольник, шестиугольник, эллипс и т.п.
[00287] Например, область ортографической проекции первого возбуждающего электродного блока De1 на несущей подложке 10 является идентичной области ортографической проекции второго возбуждающего электродного блока De2 на несущей подложке 10.
[00288] Например, как показано на фиг. 6A и 6B, форма первого соединительного электродного блока Ce1 может быть идентичной форме второго соединительного электродного блока Ce2. Например, форма первого соединительного электродного блока Ce1 и форма второго соединительного электродного блока Ce2 могут представлять собой прямоугольники.
[00289] Например, область ортографической проекции первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке 10 является идентичной области ортографической проекции второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке 10.
[00290] Следует отметить, что в некоторых вариантах осуществления настоящего раскрытия, форма первого соединительного электродного блока Ce1 также может отличаться от формы второго соединительного электродного блока Ce2, и/или область ортографической проекции первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке 10 также может отличаться от области ортографической проекции второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке 10.
[00291] Например, как показано на фиг. 6B, управляющий контактный вывод возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 и управляющий контактный вывод возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 размещаются в первом направлении X, т.е. затворный электрод возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы первого субпиксела G1 и затворный электрод возбуждающего транзистора T1 пиксельной схемы второго субпиксела G2 размещаются в первом направлении X.
[00292] Например, как показано на фиг. 6B, в первом направлении X, первый возбуждающий электродный блок De1 расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 вплотную к управляющему контактному выводу возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2. Например, в некоторых примерах, как показано на фиг. 6B, в первом направлении X, первый возбуждающий электродный блок De1 расположен между управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 и управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2.
[00293] Например, как показано на фиг. 6B, в первом направлении X, первый соединительный электродный блок Ce1 расположен на стороне первого возбуждающего электродного блока De1 отдаленно от управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2. Например, в первом направлении X, первый соединительный электродный блок Ce1 расположен между управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 и управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2. Иными словами, в первом направлении X, первый соединительный электродный блок Ce1 и первый возбуждающий электродный блок De1 расположены между управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1 и управляющим контактным выводом возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2.
[00294] Например, в первом направлении X, первый соединительный электродный блок Ce1 расположен на стороне первого возбуждающего электродного блока De1 отдаленно от второго возбуждающего электродного блока De2, т.е. первый возбуждающий электродный блок De1 расположен между первым соединительным электродным блоком Ce1 и вторым возбуждающим электродным блоком De2.
[00295] Например, в первом направлении X, первый соединительный электродный блок Ce1 расположен между первым возбуждающим электродным блоком De1 и вспомогательным электродным блоком Ae, т.е. вспомогательный электродный блок Ae расположен на стороне первого соединительного электродного блока Ce1 отдаленно от первого возбуждающего электродного блока De1.
[00296] Например, в первом направлении X, второй соединительный электродный блок Ce2 расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 отдаленно от управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела G1.
[00297] Например, в первом направлении X, второй возбуждающий электродный блок De2 расположен между вторым соединительным электродным блоком Ce2 и первым возбуждающим электродным блоком De1, т.е. второй соединительный электродный блок Ce2 расположен на стороне второго возбуждающего электродного блока De2 отдаленно от первого возбуждающего электродного блока De1.
[00298] Например, как показано на фиг. 5A, множество субпикселов 12 дополнительно включают в себя третий субпиксел R и четвертый субпиксел B. Например, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B размещаются во втором направлении Y. Первое направление X и второе направление Y являются перпендикулярными друг другу.
[00299] Например, как показано на фиг. 6A, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента третьего субпиксела R включает в себя третий возбуждающий электродный блок De3 и третий соединительный электродный блок Ce3, и третий возбуждающий электродный блок De3 и третий соединительный электродный блок Ce3 электрически соединены между собой. Например, ортографическая проекция третьего возбуждающего электродного блока De3 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы третьего субпиксела R на несущей подложке.
[00300] Например, как показано на фиг. 6A, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента четвертого субпиксела B включает в себя четвертый возбуждающий электродный блок De4 и четвертый соединительный электродный блок Ce4, и четвертый возбуждающий электродный блок De4 и четвертый соединительный электродный блок Ce4 электрически соединены между собой. Например, как показано на фиг. 6B, четвертый возбуждающий электродный блок De4 расположен на стороне управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы четвертого субпиксела B отдаленно от несущей подложки 10, например, ортографическая проекция четвертого возбуждающего электродного блока De4 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы четвертого субпиксела B на несущей подложке.
[00301] Например, в первом направлении X, расстояние между центром управляющего контактного вывода возбуждающей схемы (т.е. затворного электрода возбуждающего транзистора) пиксельной схемы первого субпиксела G1 и центром первого возбуждающего электродного блока De1 превышает расстояние между центром управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела G2 и центром второго возбуждающего электродного блока De2.
[00302] Следует отметить, что в настоящем раскрытии, "центр" может представлять геометрический центр физической формы элемента. При проектировании пиксельной компоновочной структуры, такие элементы, как затворный электрод возбуждающего транзистора и анод светоизлучающего элемента, в общем, проектируются с возможностью иметь правильные формы, такие как прямоугольник, шестиугольник, пятиугольник, трапеция или другие формы. При проектировании, центр элемента (например, затворного электрода возбуждающего транзистора или анода светоизлучающего элемента и т.д.) может представлять собой геометрический центр вышеуказанной правильной формы. Тем не менее, в фактическом процессе изготовления, формы таких элементов, как затворный электрод возбуждающего транзистора и анод светоизлучающего элемента, которые формируются, в общем, отклоняются от правильных форм, спроектированных выше. Например, соответствующие углы вышеуказанных правильных форм могут округляться, так что формы элементов, таких как затворный электрод возбуждающего транзистора, анод светоизлучающего элемента и т.д., могут представлять собой ободковые формы. Помимо этого, формы элементов, таких как затворный электрод возбуждающего транзистора и анод светоизлучающего элемента, которые фактически изготавливаются, также могут иметь другие изменения относительно проектных форм. Например, форма субпиксела, спроектированного в качестве шестиугольника, может становиться приблизительно эллиптической формой в фактическом процессе изготовления. Следовательно, центры элементов, таких как затворный электрод возбуждающего транзистора и анод светоизлучающего элемента, могут не представлять собой строгие геометрические центры неправильных форм сформированных субпикселов. В варианте осуществления настоящего раскрытия, центр элемента может иметь определенное смещение от геометрического центра формы элемента. Помимо этого, "центр" также может представлять центр тяжести элемента.
[00303] Вариант осуществления настоящего раскрытия также предоставляет подложку отображения. Как показано на фиг. 2, подложка 100 отображения включает в себя несущую подложку 10 и множество повторяющихся ячеек 11 на несущей подложке 10, и каждая повторяющаяся ячейка 11 включает в себя множество субпикселов 12. Каждый субпиксел 12 включает в себя светоизлучающий элемент 120 и пиксельную схему 121, и пиксельная схема 121 используется для возбуждения светоизлучающего элемента 120 для излучения света.
[00304] Например, светоизлучающий элемент каждого субпиксела включает в себя первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой между первым электродом подачи напряжения светоизлучения и вторым электродом подачи напряжения светоизлучения.
[00305] Например, как показано на фиг. 3A, пиксельная схема 121 каждого субпиксела включает в себя возбуждающую схему 122, вторую светоизлучающую управляющую схему 124 и схему 129 сброса.
[00306] Например, вторая светоизлучающая управляющая схема 124 электрически соединяется со второй линией EM2 сигналов управления светоизлучением, вторым контактным выводом возбуждающей схемы 122 и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента 120 и выполнена с возможностью достигать управления соединением между возбуждающей схемой 122 и светоизлучающим элементом 120 таким образом, что оно включается или выключается под управлением второго сигнала управления светоизлучением, предоставленного посредством второй линии EM2 сигналов управления светоизлучением.
[00307] Схема 129 сброса электрически соединяется с управляющим контактным выводом возбуждающей схемы 122 и первой линией Rst1 управляющих сигналов сброса и выполнена с возможностью сбрасывать управляющий контактный вывод возбуждающей схемы 122 под управлением первого управляющего субсигнала сброса, предоставленного посредством первой линии Rst1 управляющих сигналов сброса.
[00308] Например, вторая линия EM2 сигналов управления светоизлучением и первая линия Rst1 управляющих сигналов сброса размещаются в первом направлении X. Как показано на фиг. 4B, для первого субпиксела G1, вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением, соединенная со второй светоизлучающей управляющей схемой первого субпиксела G1, и первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса, соединенная со схемой сброса первого субпиксела G1, размещаются вдоль первого направления X.
[00309] Например, как показано на фиг. 5A, множество субпикселов 12 включают в себя первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2. Например, цвет света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента первого субпиксела, G1 является идентичным цвету света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента второго субпиксела G2, и форма первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 отличается от формы первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2.
[00310] Например, как показано на фиг. 6B, ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается как с ортографической проекцией первой линии Rst1b управляющих сигналов сброса, соединенной со схемой сброса пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке, так и с ортографической проекцией второй линии EM2a сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке. Ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией второй линии EM2b сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке.
[00311] Например, как показано на фиг. 3A, схема 129 сброса также электрически соединяется с первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента и второй линией Rst2 управляющих сигналов сброса и выполнена с возможностью сбрасывать первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента под управлением второго управляющего субсигнала сброса, предоставленного посредством второй линии Rst2 управляющих сигналов сброса. Например, в некоторых вариантах осуществления, первая линия Rst1 управляющих сигналов сброса и вторая линия Rst2 управляющих сигналов сброса представляют собой идентичную сигнальную линию.
[00312] Например, как показано на фиг. 3A, пиксельная схема 121 каждого субпиксела дополнительно включает в себя схему 126 записи данных, схема 126 записи данных электрически соединяется с первым контактным выводом возбуждающей схемы 122 и первой линией Ga1 сигналов развертки, и схема 126 записи данных выполнена с возможностью записывать сигнал данных на управляющий контактный вывод возбуждающей схемы 122 под управлением сигнала развертки, предоставленного посредством первой линии Ga1 сигналов развертки.
[00313] Например, в первом направлении X, первая линия Ga1 сигналов развертки расположена между второй линией EM1 сигналов управления светоизлучением и первой линией Rst1 управляющих сигналов сброса. Как показано на фиг. 4B, для первого субпиксела G1, первая линия Ga1a сигналов развертки, соединенная со схемой записи данных первого субпиксела G1, расположена между второй линией EM2a сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой первого субпиксела G1, и первой линией Rst1a управляющих сигналов сброса, соединенной со схемой сброса первого субпиксела G1.
[00314] Например, как показано на фиг. 6A, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 размещаются в первом направлении X.
[00315] Например, как показано на фиг. 6B, в первом направлении X, первая линия Ga1b сигналов развертки, соединенная со схемой записи данных пиксельной схемы второго субпиксела G2, расположена между первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 и первым электродом подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2.
[00316] Например, схема 129 сброса каждого субпиксела также электрически соединяется с первой линией сигналов электропитания и сброса, и схема 129 сброса выполнена с возможностью сбрасывать управляющий контактный вывод возбуждающей схемы 1222 согласно первому сигналу сброса, предоставленному посредством первой линии сигналов электропитания и сброса под управлением первого управляющего субсигнала сброса, предоставленного посредством первой линии управляющих сигналов сброса.
[00317] Например, схема 129 сброса каждого субпиксела также электрически соединяется со второй линией сигналов электропитания и сброса, и схема 129 сброса выполнена с возможностью сбрасывать первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента согласно второму сигналу сброса, предоставленному посредством второй линии сигналов электропитания и сброса под управлением второго управляющего субсигнала сброса, предоставленного посредством второй линии управляющих сигналов сброса. Например, в некоторых вариантах осуществления, первая линия сигналов электропитания и сброса и вторая линия сигналов электропитания и сброса представляют собой идентичную сигнальную линию.
[00318] Например, в первом направлении X, первая линия сигналов электропитания и сброса расположена на стороне первой линии управляющих сигналов сброса отдаленно от второй линии сигналов управления светоизлучением, т.е. первая линия управляющих сигналов сброса расположена между первой линией сигналов электропитания и сброса и второй линией сигналов управления светоизлучением. Как показано на фиг. 4E, для первого субпиксела G1, в первом направлении X, первая линия Init1a сигналов электропитания и сброса, соединенная со схемой сброса первого субпиксела G1, расположена на стороне первой линии Rst1a управляющих сигналов сброса, соединенной со схемой сброса первого субпиксела G1 отдаленно от второй линии EM2a сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой первого субпиксела G1, т.е. первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса расположена между первой линией Init1a сигналов электропитания и сброса и второй линией EM2a сигналов управления светоизлучением.
[00319] Например, вторая линия сигналов управления светоизлучением, первая линия управляющих сигналов сброса, первая линия сигналов развертки и первая линия сигналов электропитания и сброса продолжаются во втором направлении, и второе направление является перпендикулярным первому направлению. Например, вторая линия сигналов управления светоизлучением, первая линия управляющих сигналов сброса, первая линия сигналов развертки и первая линия сигналов электропитания и сброса являются параллельными между собой, например, практически параллельными. Как показано на фиг. 4E, для первого субпиксела G1, вторая линия EM2a сигналов управления светоизлучением, соединенная со второй светоизлучающей управляющей схемой первого субпиксела G1, первая линия Rst1a управляющих сигналов сброса, соединенная со схемой сброса первого субпиксела G1, первая линия Ga1a сигналов развертки, соединенная со схемой записи данных первого субпиксела G1, и первая линия Init1a сигналов электропитания и сброса, соединенная со схемой сброса первого субпиксела G1, продолжаются во втором направлении Y и являются практически параллельными между собой.
[00320] Следует отметить, что в настоящем раскрытии, "продолжение" представляет направление маршрутизации каждой сигнальной линии (например, второй линии сигналов управления светоизлучением, первой линии управляющих сигналов сброса, первой линии сигналов развертки и первой линии сигналов электропитания и сброса) в общем. Каждая сигнальная линия может не представлять собой прямую линию в микроскопическом виде, но может продолжаться вдоль второго направления Y в волнистой форме.
[00321] Например, как показано на фиг. 6B, ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией первой линии Rst1b сигналов электропитания и сброса, соединенной со схемой сброса пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке.
[00322] Например, как показано на фиг. 6A, первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела G1 включает в себя вспомогательный электродный блок Ae, первый возбуждающий электродный блок De1 и первый соединительный электродный блок Ce1, вспомогательный электродный блок Ae, первый возбуждающий электродный блок De1 и первый соединительный электродный блок Ce1 электрически соединены между собой и размещаются в первом направлении X. Первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2 включает в себя второй возбуждающий электродный блок De2 и второй соединительный электродный блок Ce2, и второй возбуждающий электродный блок De2 и второй соединительный электродный блок Ce2 электрически соединены между собой и размещаются вдоль первого направления X.
[00323] Например, в первом направлении X, первый соединительный электродный блок Ce1 и вспомогательный электродный блок Ae расположены на стороне первого возбуждающего электродного блока De1 отдаленно от второго возбуждающего электродного блока De2, первый соединительный электродный блок Ce1 расположен между вспомогательным электродом Ae и первым возбуждающим электродным блоком De1, и второй соединительный электродный блок Ce2 расположен на стороне второго возбуждающего электродного блока De2 отдаленно от первого возбуждающего электродного блока De1.
[00324] Например, как показано на фиг. 6B, ортографическая проекция первого возбуждающего электродного блока De1 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается как с ортографической проекцией первой линии Rst1b управляющих сигналов сброса, соединенной со схемой сброса пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке, так и с ортографической проекцией первой линии Init1b сигналов электропитания и сброса, соединенной со схемой сброса пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке. Ортографическая проекция первого соединительного электродного блока Ce1 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией второй линии EM1a сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы первого субпиксела G1 на несущей подложке. В первом направлении, вспомогательный электродный блок Ae расположен на стороне второй линии EM1a сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы первого субпиксела G1 отдаленно от первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела G2.
[00325] Например, как показано на фиг. 6B, ортографическая проекция второго соединительного электродного блока Ce2 на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией второй линии EM1b сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы второго субпиксела G2 на несущей подложке, и в первом направлении X, второй возбуждающий электродный блок De2 расположен между второй линией EM1b сигналов управления светоизлучением, соединенной со второй светоизлучающей управляющей схемой пиксельной схемы второго субпиксела G2, и первой линией Ga1b сигналов развертки, соединенной со схемой записи данных пиксельной схемы второго субпиксела G2.
[00326] Вариант осуществления настоящего раскрытия также предоставляет панель отображения. Фиг. 7 является частичной структурной схемой панели отображения, предоставленной посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия. Например, как показано на фиг. 7, панель 700 отображения включает в себя подложку 100 отображения, предоставленную посредством любого из вышеуказанных вариантов осуществления.
[00327] Например, как показано на фиг. 7, множество повторяющихся ячеек 11 размещаются вдоль второго направления Y, чтобы формировать множество групп повторяющихся ячеек. Фиг. 7 показывает две группы повторяющихся ячеек, и две группы повторяющихся ячеек, соответственно, представляют собой P-ую группу повторяющихся ячеек и (P+1)-ую группу повторяющихся ячеек, и P-ая группа повторяющихся ячеек и (P+1)-ая группа повторяющихся ячеек представляют собой две смежные группы повторяющихся ячеек, например, P является положительным целым числом, большим или равным ячейке. Множество групп повторяющихся ячеек размещаются вдоль первого направления X. Иными словами, множество повторяющихся ячеек 11 в подложке 100 отображения размещаются в матрице вдоль первого направления X и второго направления Y.
[00328] Следует отметить, что ссылаясь на вышеприведенные фиг. 5A и 6E, P-ая группа повторяющихся ячеек расположена в первой строке, и (P+1)-ая группа повторяющихся ячеек расположена во второй строке. Фиг. 7 не показывает соединительные электродные блоки светоизлучающих элементов соответствующих субпикселов.
[00329] Например, продолжающаяся линия для линии, соединяющей центр первого субпиксела G1 и центр второго субпиксела G2 повторяющейся ячейки в P-ой группе повторяющихся ячеек, не совпадает с продолжающейся линией для линии, соединяющей центр первого субпиксела G1 и центр второго субпиксела G2 повторяющейся ячейки в (P+1)-ой группе повторяющихся ячеек. Например, продолжающаяся линия для линии, соединяющей центр первого субпиксела G1 и центр второго субпиксела G2 повторяющейся ячейки в P-ой группе повторяющихся ячеек, проходит через центр интервала между смежными двумя повторяющимися ячейками в (P+1)-ой группе повторяющихся ячеек, аналогично, продолжающаяся линия для линии, соединяющей центр первого субпиксела G1 и центр второго субпиксела G2 повторяющейся ячейки в (P+1)-ой группе повторяющихся ячеек, проходит через центр интервала между смежными двумя повторяющимися ячейками в P-ой группе повторяющихся ячеек.
[00330] Например, панель 700 отображения может представлять собой жидкокристаллическую панель отображения или панель отображения на органических светодиодах (OLED) и т.п. Например, в случае если панель 700 отображения представляет собой жидкокристаллическую панель отображения, подложка 100 отображения может представлять собой матричную подложку или цветную пленочную подложку. В случае если панель 700 отображения представляет собой панель отображения на органических светоизлучающих диодах, подложка 100 отображения может представлять собой матричную подложку.
[00331] Например, панель 700 отображения может представлять собой прямоугольную панель, круглую панель, эллиптическую панель, многоугольную панель и т.п. Помимо этого, панель 700 отображения может представлять собой не только плоскую панель, но также и искривленную панель или даже сферическую панель.
[00332] Например, панель 700 отображения также может иметь сенсорную функцию, т.е. панель 600 отображения может представлять собой сенсорную панель отображения.
[00333] Например, панель 700 отображения может применяться к любому продукту или компоненту с функцией отображения, такому как мобильный телефон, планшетный компьютер, телевизионный приемник, дисплей, ноутбук, цифровая фоторамка, навигатор и т.д.
[00334] Вариант осуществления настоящего раскрытия также предоставляет устройство отображения, фиг. 8A является принципиальной блок-схемой устройства отображения, предоставленного посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия и фиг. 8B является принципиальной структурной схемой устройства отображения, предоставленного посредством некоторых вариантов осуществления настоящего раскрытия.
[00335] Например, как показано на фиг. 8A, устройство 800 отображения, предоставленное посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, включает в себя панель 801 отображения, и панель 801 отображения включает в себя подложку 802 отображения, панель 801 отображения представляет собой панель 700 отображения, описанную в любом из вышеуказанных вариантов осуществления, и подложка 802 отображения представляет собой подложку 100 отображения, описанную в любом из вышеуказанных вариантов осуществления.
[00336] Например, как показано на фиг. 8A, устройство 800 отображения дополнительно может включать в себя возбуждающую микросхему 803, и возбуждающая микросхема 803 электрически соединяется с панелью 801 отображения.
[00337] Например, возбуждающая микросхема 803 расположена на стороне первого субпиксела G1 в каждой повторяющейся ячейке 11 отдаленно от второго субпиксела G2. Как показано на фиг. 8B, первый субпиксел G1 и второй субпиксел G2 в каждой повторяющейся ячейке 11 на подложке 802 отображения размещаются вдоль первого направления X, в первом направлении X, возбуждающая микросхема 803 расположена на стороне первого субпиксела G1 в каждой повторяющейся ячейке 11 отдаленно от второго субпиксела G2. Иными словами, в первом направлении X, расстояние между первым субпикселом G1 и возбуждающей микросхемой 803 меньше расстояния между вторым субпикселом G2 и возбуждающей микросхемой 803. Например, в примере, как показано на фиг. 8B, первый субпиксел G1 находится ближе к верхней стороне панели 801 отображения, чем второй субпиксел G2 таким образом, что возбуждающая микросхема 803 может быть расположена на верхней стороне панели 801 отображения.
[00338] Например, возбуждающая микросхема 803 может представлять собой полупроводниковую микросхему и может включать в себя формирователь сигналов управления данными. Формирователь сигналов управления данными в возбуждающей микросхеме 803 используется для того, чтобы возбуждать множество линий передачи данных в панели 801 отображения. Например, формирователь сигналов управления данными может предоставлять сигналы данных во множество линий передачи данных.
[00339] Например, устройство 800 отображения может представлять собой любой продукт или компонент, имеющий функцию отображения, такой как мобильный телефон, планшетный компьютер, телевизионный приемник, дисплей, ноутбук, цифровая фоторамка, навигатор и т.д.
[00340] Следует отметить, что другие компоненты устройства 800 отображения (например, устройство управления, устройство кодирования/декодирования данных изображений, формирователь сигналов управления затвором, контроллер временной синхронизации, схема синхронизации и т.д.) должны пониматься специалистами в данной области техники и не описываются подробно в данном документе, и при этом они не должны рассматриваться в качестве ограничений настоящего раскрытия.
[00341] Вариант осуществления настоящего раскрытия также предоставляет способ подготовки для подготовки подложки отображения согласно любому из вышеуказанных вариантов осуществления, и фиг. 9 является блок-схемой последовательности операций способа подготовки для подготовки подложки отображения, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия.
[00342] Например, как показано на фиг. 9, способ подготовки подложки отображения может включать в себя:
[00343] S10. Предоставление несущей подложки.
[00344] S11. Формирование множества повторяющихся ячеек на несущей подложке.
[00345] Например, на этапе S11, каждая повторяющаяся ячейка включает в себя множество субпикселов, каждый субпиксел включает в себя пиксельную схему и светоизлучающий элемент, светоизлучающий элемент включает в себя первый электрод подачи напряжения светоизлучения, второй электрод подачи напряжения светоизлучения и светоизлучающий слой между первым электродом подачи напряжения светоизлучения и вторым электродом подачи напряжения светоизлучения, множество субпикселов включают в себя первый субпиксел и второй субпиксел, цвет света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента первого субпиксела, является идентичным цвету света, излучаемого посредством светоизлучающего элемента второго субпиксела, форма первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела отличается от формы первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела, ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке, и ортографическая проекция первого электрода подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке.
[00346] Например, на этапе S11, в случае если первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента первого субпиксела формируется, первый возбуждающий электродный блок и вспомогательный электродный блок формируются посредством одного процесса формирования рисунка, и ортографическая проекция вспомогательного электродного блока на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке, например, ортографическая проекция управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы первого субпиксела на несущей подложке расположена в пределах ортографической проекции вспомогательного электродного блока на несущей подложке. Например, в варианте осуществления настоящего раскрытия, один процесс формирования рисунка может включать в себя нанесение фотолитографического покрытия, экспозицию, травление с проявкой, удаление фоторезиста и другие операции.
[00347] Следует отметить, что в случае, если первый электрод подачи напряжения светоизлучения включает в себя первый соединительный электродный блок, первый соединительный электродный блок может формироваться в то время, когда формируются первый возбуждающий электродный блок и вспомогательный электродный блок.
[00348] Например, на этапе S11, в случае если первый электрод подачи напряжения светоизлучения светоизлучающего элемента второго субпиксела формируется, второй возбуждающий электродный блок формируется, и ортографическая проекция второго возбуждающего электродного блока на несущей подложке, по меньшей мере, частично перекрывается с ортографической проекцией управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке, например, ортографическая проекция управляющего контактного вывода возбуждающей схемы пиксельной схемы второго субпиксела на несущей подложке расположена в пределах ортографической проекции второго возбуждающего электродного блока на несущей подложке.
[00349] Следует отметить, что в случае, если второй электрод подачи напряжения светоизлучения включает в себя второй соединительный электродный блок, второй возбуждающий электродный блок и второй соединительный электродный блок могут формироваться посредством одного процесса формирования рисунка.
[00350] Необходимо отметить, что на предмет подробного описания относительно повторяющейся ячейке, следует обратиться к релевантному описанию в вышеуказанном варианте осуществления подложки отображения, и повторение не приводится здесь.
[00351] Для настоящего раскрытия, должны поясняться следующие аспекты:
[00352] (1) Чертежи вариантов осуществления настоящего раскрытия означают только структуры, связанные с вариантами осуществления настоящего раскрытия, и другие структуры могут означать общую структуру.
[00353] (2) Для понятности, на чертежах, используемых для того, чтобы описывать варианты осуществления настоящего раскрытия, толщины и размеры слоев или структур чрезмерно увеличиваются. Следует понимать, что в случае, если такой элемент, как слой, пленка, участок или подложка, упоминается как находящийся "на" или "под" другим элементом, элемент может находиться "непосредственно" "на" или "под" другим элементом, либо может быть предусмотрен промежуточный элемент между элементом и другим элементом.
[00354] (3) В случае отсутствия конфликта, варианты осуществления настоящего раскрытия и признаки в вариантах осуществления могут комбинироваться между собой, чтобы получать новые варианты осуществления.
[00355] Выше описываются просто примерные варианты осуществления настоящего раскрытия, и они не имеют намерение задавать объем настоящего раскрытия, и объем настоящего раскрытия определяется посредством прилагаемой формулы изобретения.