ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УТРОЙСТВО СО СТРУКТУРАМИ ВЫВОДА СВЕТА

1. Устройство, содержащее:
полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа;
отражательный металлический контакт, расположенный на нижней стороне полупроводниковой структуры и электрически присоединенный к области p-типа;
материал, расположенный между по меньшей мере частью отражательного металлического контакта и областью p-типа, при этом разность между показателем преломления материала и показателем преломления области p-типа имеет значение по меньшей мере 0,4;
в котором по меньшей мере часть верхней стороны полупроводниковой структуры текстурирована;
расстояние между текстурированной частью верхней стороны полупроводниковой структуры и отражательным металлическим контактом является меньшим, чем 5 мкм;
полупроводниковая структура включает в себя объемные резонаторы, заполненные металлом, объемные резонаторы направляют первый свет, падающий под первым углом падения, во второй свет, падающий под вторым углом падения, второй угол падения является меньшим, чем первый угол падения;
первый набор объемных резонаторов содержит металл, соприкасающийся с отражательным металлическим контактом, и имеет боковые стенки, которые полностью облицованы диэлектрическим материалом для изоляции первого набора объемных резонаторов от области n-типа; и
второй набор объемных резонаторов имеет боковые стенки, которые частично облицованы диэлектрическим материалом, так что металл соприкасается с n-областью и изолирован от p-области и отражательного металлического контакта.
2. Устройство по п.1, в котором разность между показателем преломления материала и показателем преломления области p-типа имеет значение по меньшей мере 0,7.
3. Устройство по п.1, в котором поверхность раздела между полупроводниковой структурой и материалом отражает свет, падающий на поверхность раздела под углами, большими, чем 70° относительно перпендикуляра к основной плоскости светоизлучающего слоя.
4. Устройство по п.1, в котором комбинированная отражательная способность материала и отражательного металлического контакта в области p-типа является большей, чем отражательная способность отражательного металлического контакта в непосредственном соприкосновении с областью p-типа.
5. Устройство по п.1, в котором потери за полный обход в материале являются меньшими, чем потери волны оптического спектра, отражающейся от отражательного металлического контакта в непосредственном соприкосновении с областью p-типа.
6. Устройство по п.1, в котором объемные резонаторы разнесены менее чем на 2 мкм.
7. Устройство по п.1, в котором толщина материала является меньшей, чем 500 нм.
8. Устройство по п.1, в котором толщина материала является большей, чем 40 нм и меньшей, чем половина длины волны света, испускаемого светоизлучающим слоем.
9. Устройство по п.1, в котором:
толщина материала является большей, чем половина длины волны света, испускаемого светоизлучающим слоем, из условия чтобы свет, падающий на материал в диапазоне углов падения, захватывался в материале; и
полупроводниковая структура минимизирует количество света, испускаемого в диапазоне углов падения.
10. Устройство, содержащее:
полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой III-нитрида, расположенный между областью n-типа и областью p-типа; и
множество объемных резонаторов, тянущихся в полупроводниковую структуру, при этом, объемные резонаторы заполнены металлом и отражают свет, падающий на поверхность раздела под углами, большими, чем 70° относительно перпендикуляра к основной плоскости светоизлучающего слоя;
при этом первый набор объемных резонаторов содержит металл, соприкасающийся областью p-типа, и имеет боковые стенки, которые полностью облицованы диэлектрическим материалом для изоляции первого набора объемных резонаторов от области n-типа; и
второй набор объемных резонаторов имеет боковые стенки, которые частично облицованы диэлектрическим материалом, так что металл соприкасается с n-областью и изолирован от p-области.
11. Устройство по п.10, дополнительно содержащее отражательный металлический контакт, расположенный на нижней стороне полупроводниковой структуры, при этом множество объемных резонаторов тянутся с нижней стороны полупроводниковой структуры к верхней стороне полупроводниковой структуры или тянутся с верхней стороны полупроводниковой структуры к нижней стороне полупроводниковой структуры.
12. Устройство по п.10, в котором объемные резонаторы наделены размером таким, что фотон, движущийся в пределах полупроводниковой структуры, не мог проходить дальше, чем на 50 мкм до взаимодействия с объемным резонатором.
13. Устройство по п.10, в котором боковые стенки ориентированы под углом между 35 и 55° относительно основной поверхности светоизлучающего слоя.
14. Устройство по п.10, в котором ближайшие соседние объемные резонаторы разнесены на между 10 и 300 мкм в разные стороны.
15. Устройство по п.10, в котором боковые стенки объемных резонаторов сделаны шероховатыми.