УСТРОЙСТВО ВИХРЕТОКОВОЙ ДЕФЕКТОСКОПИИ И СПОСОБ ВИХРЕТОКОВОЙ ДЕФЕКТОСКОПИИ
EDDY CURRENT FLAW DETECTION DEVICE AND EDDY CURRENT FLAW DETECTION METHOD

Область техники, к которой относится изобретение
[0001] Варианты осуществления настоящего изобретения относятся к устройствам вихретоковой (индукционной) дефектоскопии и способам вихретоковой дефектоскопии.
Уровень техники
[0002] В целом, в дефектоскопии вихревыми токами, переменный ток от источника мощности переменного тока подается к катушке возбуждения, чтобы индуцировать вихревой ток поблизости от поверхности испытуемого объекта, выполненного из металлического материала. Реактивное магнитное поле, формируемое вихревым током, обнаруживается посредством катушки обнаружения. Если существует дефект поблизости от испытуемого объекта, вихревой ток будет изменяться вследствие дефекта, и интенсивность и распределение реактивного магнитного поля, формируемого вихревым током, также будет изменяться. Таким образом, дефект может быть обнаружен.
[0003] Сложный материал, который состоит из множества различных материалов в слоистой структуре или с волокнистой структурой, может иметь меньшую электропроводность по сравнению с металлами. Когда испытуемый объект выполняется из сложного материала в вихретоковой дефектоскопии, плотность вихревого тока, индуцируемого в сложном материале, становится низкой вследствие низкой электропроводности сложного материала. Таким образом, плотность магнитного потока в реактивном магнитном поле, сформированном вихревым током, становится низкой, и чувствительность дефектоскопии становится низкой.
Документы предшествующего уровня техники
Патентные документы
[0004] Патентный документ 1: Публикация японской патентной заявки Hei 9-33489
Сущность изобретения
Проблемы, которые должны быть решены изобретением
[0005] Методика, использующая флюксметр сверхпроводящего квантового интерференционного датчика (SQUID), является известной для улучшения чувствительности дефектоскопии для вихретоковой дефектоскопии под действием слабого магнитного поля. С помощью такой методики улучшение в чувствительности дефектоскопии для вихретоковой дефектоскопии под действием слабого магнитного поля ожидается вследствие высокой чувствительности SQUID-флюксметра к магнитному полю. Однако, SQUID-флюксметр требует механизма охлаждения, и устройство имеет сложную конструкцию. Таким образом, устройство является дорогостоящим, что является проблемой, которая должна быть решена.
[0006] Сложный материал может иметь более низкую электропроводность по сравнению с металлами. Когда испытуемый объект для вихретоковой дефектоскопии выполняется из сложного материала, плотность вихревого тока в испытуемом объекте понижается, и плотность магнитного потока, формируемого посредством вихревого тока понижается, и тогда чувствительность дефектоскопии в вихретоковой дефектоскопии ухудшается. С другой стороны, если очень чувствительный магнитный детектор используется в качестве детектора для вихретоковой дефектоскопии, устройство может иметь сложную конструкцию и может становиться дорогостоящим.
[0007] Задачей вариантов осуществления настоящего изобретения является предоставление возможности вихретоковой дефектоскопии с помощью упрощенного и недорогого устройства, с высокой чувствительностью, даже с испытуемым объектом, выполненным из материала низкой электропроводности, такого как сложный материал.
Средство для решения задач
[0008] Для того, чтобы решать проблемы, согласно варианту осуществления, представляется устройство вихретоковой дефектоскопии, содержащее: первый возбудитель/детектор, выполненный с возможностью индуцировать вихревой ток в испытуемом объекте; второй возбудитель/детектор, размещенный на противоположной стороне от первого возбудителя/детектора с размещенным испытуемым объектом между ними, причем второй возбудитель/детектор выполнен с возможностью обнаруживать изменение в реактивном магнитном поле, сформированном вихревым током.
[0009] Согласно другому варианту осуществления представляется устройство вихретоковой дефектоскопии, содержащее: возбудитель/детектор, выполненный с возможностью индуцировать вихревой ток в испытуемом объекте и обнаруживать изменение в реактивном магнитном поле, сформированном вихревым током; тело задней стороны, выполненное из ферромагнитного материала, расположенное на противоположной стороне от возбудителя/детектора с размещенным между ними испытуемым объектом.
[0010] Согласно еще одному варианту осуществления представляется способ вихретоковой дефектоскопии, содержащий: этап размещения первого возбудителя/детектора для размещения первого возбудителя/детектора рядом с испытуемым объектом; этап размещения второго возбудителя/детектора для размещения второго возбудителя/детектора рядом с испытуемым объектом на противоположной стороне от первого возбудителя/детектора с размещенным между ними испытуемым объектом; этап возбуждения, после этапов размещения первого и второго возбудителя/детектора, для индуцирования вихревого тока в испытуемом объекте посредством первого возбудителя/детектора; и этап обнаружения для обнаружения, посредством второго возбудителя/детектора, изменения реактивного магнитного поля, формируемого вихревым током.
[0011] Согласно еще одному варианту осуществления представляется способ вихретоковой дефектоскопии, содержащий: этап размещения возбудителя/детектора для размещения возбудителя/детектора рядом с испытуемым объектом; этап размещения тела задней стороны для размещения тела задней стороны, выполненного из ферромагнитного материала, рядом с испытуемым объектом на противоположной стороне от возбудителя/детектора с размещением испытуемого объекта между ними; этап возбуждения, после этапа размещения возбудителя/детектора и этапа размещения тела задней стороны, для индуцирования вихревого тока в испытуемом объекте посредством возбудителя/детектора; и этап обнаружения для обнаружения, посредством возбудителя/детектора, изменения реактивного магнитного поля, формируемого вихревым током.
Преимущество изобретения
[0012] Согласно вариантам осуществления настоящего изобретения вихретоковая дефектоскопия может быть проведена с помощью упрощенного и недорогого устройства, с высокой чувствительностью, даже с испытуемым объектом, выполненным из материала низкой электропроводности, такого как сложный материал.
Краткое описание чертежей
[0013] Фиг. 1 - это схематичный вид в поперечном сечении, иллюстрирующий ситуацию, когда дефектоскопия проводится с помощью устройства вихретоковой дефектоскопии согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения.
Фиг. 2 - это схематичный вид в поперечном сечении, иллюстрирующий ситуацию, когда дефектоскопия проводится с помощью устройства вихретоковой дефектоскопии согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения.
Фиг. 3 - это схематичный вид в поперечном сечении, иллюстрирующий ситуацию, когда дефектоскопия проводится с помощью устройства вихретоковой дефектоскопии согласно третьему варианту осуществления настоящего изобретения.
Фиг. 4 - это схематичный вид в поперечном сечении, иллюстрирующий ситуацию, когда дефектоскопия проводится с помощью устройства вихретоковой дефектоскопии согласно четвертому варианту осуществления настоящего изобретения.
Фиг. 5 - это схематичный вид в поперечном сечении, иллюстрирующий ситуацию, когда дефектоскопия проводится с помощью устройства вихретоковой дефектоскопии согласно пятому варианту осуществления настоящего изобретения.
Фиг. 6 - это схематичный вид в поперечном сечении, иллюстрирующий ситуацию, когда дефектоскопия проводится с помощью устройства вихретоковой дефектоскопии согласно шестому варианту осуществления настоящего изобретения.
Фиг. 7 - это схематичный вид в поперечном сечении, иллюстрирующий ситуацию, когда дефектоскопия проводится с помощью устройства вихретоковой дефектоскопии согласно седьмому варианту осуществления настоящего изобретения.
Оптимальный режим осуществления изобретения
[0014] Далее в данном документе устройства вихретоковой дефектоскопии и способы вихретоковой дефектоскопии согласно вариантам осуществления настоящего изобретения будут описаны со ссылкой на чертежи. В последующем описании, одинаковым или аналогичным частям назначаются общие ссылки, и повторяющееся объяснение будет пропущено.
[0015] Первый вариант осуществления
Фиг. 1 - это схематичный вид в поперечном сечении, иллюстрирующий ситуацию, когда дефектоскопия проводится с помощью устройства вихретоковой дефектоскопии согласно первому варианту осуществления настоящего изобретения.
[0016] В первом варианте осуществления испытуемый объект 11 выполняется из сложного материала, который имеет более низкую электропроводность по сравнению с обычными металлами. Сложный материал может включать в себя сложный материал, использующий карбидокремниевые волокна, армированные углеродным волокном пластмассы (CFRP) или армированные стекловолокном пластмассы (GFRP). Испытуемый объект 11 формируется в виде плоской пластины и имеет первую плоскую поверхность 12 и вторую плоскую поверхность 13, которая является противоположной стороной и параллельна первой плоской поверхности 12, например. Дефект (более тонкая часть) 14, как предполагается, должен существовать на первой плоской поверхности 12.
[0017] Устройство вихретоковой дефектоскопии согласно первому варианту осуществления имеет возбудитель 20 в качестве первого возбудителя/детектора и детектор 21 в качестве второго возбудителя/детектора. Каждый из возбудителя 20 и детектора 21 может включать в себя спиральную катушку, например. Возбудитель 20 размещается на первой плоской поверхности 12 испытуемого объекта 11, в то время как детектор 21 размещается на второй плоской поверхности 13 испытуемого объекта 11. Возбудитель 20 и детектор 21 размещаются так, что ось A катушек направляется перпендикулярно первой плоской поверхности 12 и второй плоской поверхности 13. Возбудитель 20 соединяется с источником 22 мощности переменного тока. Детектор 21 соединяется со схемой детектора (не иллюстрирована).
[0018] Элементы провода катушки, составляющие возбудитель 20, являются более толстыми по сравнению с элементами, составляющими детектор 21, для того, чтобы пресекать джоулевы потери в возбудителе 20, поскольку в возбудителе 20 необходимо протекать большему электрическому току.
[0019] Когда переменный ток подается от источника 22 мощности переменного тока к возбудителю 20, изменяющееся магнитное поле формируется вокруг возбудителя 20. Примеры магнитных силовых линий M показаны штриховыми линиями на фиг. 1. Магнитное поле, формируемое возбудителем 20, является практически симметричным относительно оси A возбудителя 20, хотя магнитные силовые линии M только с правой стороны иллюстрированы на фиг. 1.
[0020] Поскольку изменяющееся магнитное поле формируется вокруг возбудителя 20, вихревой ток индуцируется в испытуемом объекте 11. Вихревой ток вызывает формирование реактивного магнитного поля. Реактивное магнитное поле обнаруживается как напряжение посредством детектора 21 и схемы детектора. Поскольку реактивное магнитное поле изменяется вследствие дефекта 14, дефект 14 может быть обнаружен как изменение в напряжении посредством схемы детектора.
[0021] Если испытуемый объект 11 выполняется из обычного металлического материала, большая часть магнитного потока проходит через испытуемый объект 11 в результате поверхностного эффекта, и магнитное поле практически не существует на задней поверхности (второй плоской поверхности 13) испытуемого объекта 11. В случае, когда испытуемый объект 11 является пластиной из нержавеющей стали толщиной 2 мм, и переменный ток частотой 500 кГц подается, глубина проникновения с поверхностным эффектом будет около 0,7 мм.
[0022] С другой стороны, если испытуемый объект 11 выполняется из сложного материала, глубина проникновения магнитного поля вследствие поверхностного эффекта является большей по сравнению с глубиной проникновения в случае обычного металла. Следовательно, магнитное поле пронизывает испытуемый объект 11, и магнитное поле существует даже на задней поверхности (второй плоской поверхности 13) испытуемого объекта 11. Однако, плотность магнитного потока в испытуемом объекте 11 является более низкой по сравнению с плотностью в испытуемом объекте 11 из обычного металла.
[0023] В настоящем варианте осуществления возбудитель 20 и детектор 21 являются разделенными и размещаются с помещенным между ними испытуемым объектом 11. Таким образом, возбудитель 20 и детектор 21 могут быть размещены близко к испытуемому объекту 11. Таким образом, детектор 21 может быть размещен в местоположении, где плотность магнитного потока является относительно высокой, что приводит в результате к относительно высокой точности в дефектоскопии.
[0024] Возбудитель 20 и детектор 21 могут не иметь одинаковую конструкцию или одинаковую спецификацию. Они могут быть спроектированы имеющими различные толщины элемента провода обмотки, различные количества витков, различные формы и различные размеры, например, чтобы размещать их соответствующие катушки. Катушки возбудителя 20 предпочтительно имеют более толстые элементы провода обмотки, поскольку там должен протекать относительно больший электрический ток. С другой стороны, катушки детектора 21 предпочтительно имеют более тонкие элементы провода обмотки и большее число витков провода, поскольку катушки детектора 21 не должны предоставлять возможности большого электрического тока, в то время как предпочтительно должны иметь большее выходное напряжение, которое должно быть усилено.
[0025] Когда испытуемый объект 11 выполняется из материала низкой электропроводности, такого как сложный материал, очень чувствительная дефектоскопия может быть проведена посредством настройки источника мощности с более высокой частотой, которая приведет к меньшей глубине проникновения. Следовательно, частота источника мощности предпочтительно имеет порядок МГц.
[0026] Второй вариант осуществления
Фиг. 2 - это схематичный вид в поперечном сечении, иллюстрирующий ситуацию, когда дефектоскопия проводится с помощью устройства вихретоковой дефектоскопии согласно второму варианту осуществления настоящего изобретения.
[0027] Устройство вихретоковой дефектоскопии согласно второму варианту осуществления имеет первый возбудитель/детектор 25 и второй возбудитель/детектор 26.
[0028] Первый возбудитель/детектор 25 и второй возбудитель/детектор 26, оба являются спиральными катушками, например. Первый возбудитель/детектор 25 размещается на первой плоской поверхности 12 испытуемого объекта 11, в то время как второй возбудитель/детектор 26 размещается на второй плоской поверхности 13 испытуемого объекта 11. Первый возбудитель/детектор 25 и второй возбудитель/детектор 26 размещаются так, что ось A катушек направлена перпендикулярно первой плоской поверхности 12 и второй плоской поверхности 13. Первый возбудитель/детектор 25 соединяется с источником 22 мощности переменного тока. Второй возбудитель/детектор 26 соединяется с другим источником 22a мощности переменного тока. Первый возбудитель/детектор 25 и второй возбудитель/детектор 26 соединяются с соответствующими схемами детектора (не иллюстрированы).
[0029] Первый возбудитель/детектор 25 и второй возбудитель/детектор 26 имеют практически одинаковые конструкции, и каждый имеет обе функции возбудителя и детектора. Источники 22 и 22a мощности переменного тока могут иметь одинаковые конструкции, и, предпочтительно, они имеют одинаковую частоту и одинаковую фазу, синхронизирующиеся друг с другом. Альтернативно, источники 22 и 22a мощности переменного тока могут быть единым источником мощности переменного тока.
[0030] Согласно второму варианту осуществления, результаты действий возбуждения в первом возбудителе/детекторе 25 и втором возбудителе/детекторе 26 объединяются вместе, и более высокая плотность магнитного потока получается. Тогда, вихревой ток, индуцированный в испытуемом объекте 11, будет улучшен, что приведет в результате к большему изменению в реактивном магнитном потоке, формируемом вихревым током. Тогда относительно большое изменение напряжения обнаруживается посредством первого возбудителя/детектора 25 и второго возбудителя/детектора 26, которые функционируют в качестве детекторов. Кроме того, еще большее изменение напряжения может быть обнаружено посредством сложения напряжений, получаемых первым возбудителем/детектором 25 и вторым возбудителем/детектором 26, которые функционируют в качестве детекторов.
[0031] В вышеприведенном описании переменный ток, прикладываемый к первому возбудителю/детектору 25 и второму возбудителю/детектору 26, имеет предпочтительно одинаковую частоту и одинаковую фазу и синхронизируется друг с другом. Однако, даже в случаях, когда такое условие не удовлетворяется, магнитные поля, формируемые первым возбудителем/детектором 25 и вторым возбудителем/детектором 26, могут быть улучшены посредством друг друга в некоторых других условиях, и дефектоскопия может быть проведена в таких других условиях, когда магнитные поля улучшаются посредством друг друга.
[0032] Кроме того, в вышеприведенном описании, первый возбудитель/детектор 25 и второй возбудитель/детектор 26 функционируют в качестве детекторов, и сигналы напряжения, обнаруживаемые ими, суммируются. Однако, сигналы напряжения, обнаруживаемые первым возбудителем/детектором 25 и вторым возбудителем/детектором 26, могут быть обработаны для дефектоскопии, посредством вычитания вместо сложения, в зависимости от отношения фаз между переменными токами, прикладываемыми к первому возбудителю/детектору 25 и второму возбудителю/детектору 26.
[0033] Дополнительно альтернативно, будет возможно, что только один из первого возбудителя/детектора 25 и второго возбудителя/детектора 26 используется в качестве детектора, и сигнал напряжения от одного используется для дефектоскопии.
[0034] Третий вариант осуществления
Фиг. 3 - это схематичный вид в поперечном сечении, иллюстрирующий ситуацию, когда дефектоскопия проводится с помощью устройства вихретоковой дефектоскопии согласно третьему варианту осуществления настоящего изобретения.
[0035] Третий вариант осуществления является модификацией второго варианта осуществления. В третьем варианте осуществления внешние поверхности первого возбудителя/детектора 25 и второго возбудителя/детектора 26 за исключением частей, обращенных к испытуемому объекту 11, покрыты крышками 30, сделанными из ферромагнитного материала. Другие конструкции являются такими же, что и конструкции второго варианта осуществления.
[0036] Согласно третьему варианту осуществления, получаются результаты второго варианта осуществления. Кроме того, магнитное поле, формируемое посредством приложения переменного тока к первому возбудителю/детектору 25 и второму возбудителю/детектору 26, распространяется по магнитному пути, сформированному в крышках 30 из ферромагнитного материала, и плотность магнитного потока будет улучшена. Таким образом, плотность магнитного потока, пронизывающего дефект 14 и пересекающего первый возбудитель/детектор 25 или второй возбудитель/детектору 26, может быть улучшена, что предоставляет возможность очень чувствительной дефектоскопии.
[0037] В примере, показанном на фиг. 3, все фрагменты первого возбудителя/детектора 25 и второго возбудителя/детектора 26, которые не обращены к испытуемому объекту 11, покрываются крышками 30 из ферромагнитного материала. В качестве модифицированного примера, альтернативно, только некоторые фрагменты первого возбудителя/детектора 25 и второго возбудителя/детектора 26, которые не обращены к испытуемому объекту 11, покрываются крышками 30. Даже в таком модифицированном случае действие крышек 30 ферромагнитного материала может быть частично получено.
[0038] Третий вариант осуществления, описанный выше, является модификацией второго варианта осуществления, и внешние поверхности первого возбудителя/детектора 25 и второго возбудителя/детектора 26 за исключением частей, обращенных к испытуемому объекту 11, покрываются крышками 30 из ферромагнитного материала. В качестве модификации третьего варианта осуществления, альтернативно, внешние поверхности возбудителя 20 и детектора 21 первого варианта осуществления за исключением частей, обращенных к испытуемому объекту 11, могут быть покрыты крышками 30 из ферромагнитного материала. Даже в таком модифицированном случае плотность магнитного потока в испытуемом объекте 11 может быть улучшена в качестве действия крышек 30 из ферромагнитного материала.
[0039] Четвертый вариант осуществления
Фиг. 4 - это схематичный вид в поперечном сечении, иллюстрирующий ситуацию, когда дефектоскопия проводится с помощью устройства вихретоковой дефектоскопии согласно четвертому варианту осуществления настоящего изобретения.
[0040] Устройство вихретоковой дефектоскопии согласно четвертому варианту осуществления имеет возбудитель/детектор 35 и тело 36 задней стороны, выполненное из ферромагнитного материала. Возбудитель/детектор 35 этого варианта осуществления размещается в соприкосновении с первой плоской поверхностью 12 и может иметь конструкцию, аналогичную конструкции первого возбудителя/детектора 25 второго варианта осуществления. Возбудитель/детектор 35 соединяется с источником 22 мощности переменного тока и схемой детектора (не иллюстрирована). Тело 36 задней стороны из ферромагнитного материала размещается напротив возбудителя/детектора 35, размещая испытуемый объект 11 между ними, и в соприкосновении со второй плоской поверхностью 13. Тело 36 задней стороны предпочтительно покрывает всю часть второй поверхности 13, которая находится напротив возбудителя/детектора 35, размещая между ними испытуемый объект 11. Возбудитель/детектор 35 имеет обе функции возбудителя и детектора.
[0041] Согласно четвертому варианту осуществления, переменный ток прикладывается от источника 22 мощности переменного тока к возбудителю/детектору 35, и изменяющееся магнитное поле формируется в и вокруг испытуемого объекта 11. Таким образом, вихревой ток индуцируется в испытуемом объекте 11, и реактивное магнитное поле формируется. Благодаря телу 36 задней стороны из ферромагнитного материала плотность магнитного потока в испытуемом объекте 11 улучшается, и чувствительность обнаружения дефекта 14 улучшается.
[0042] Пятый вариант осуществления
Фиг. 5 - это схематичный вид в поперечном сечении, иллюстрирующий ситуацию, когда дефектоскопия проводится с помощью устройства вихретоковой дефектоскопии согласно пятому варианту осуществления настоящего изобретения.
[0043] Пятый вариант осуществления является модификацией четвертого варианта осуществления. В пятом варианте осуществления возбудитель/детектор 35 четвертого варианта осуществления заменяется возбудителем 20 и детектором 21. Конструкции возбудителя 20 и детектора 21 пятого варианта осуществления могут быть такими же, что и конструкции возбудителя 20 и детектора 21 первого варианта осуществления. В пятом варианте осуществления возбудитель 20 размещается в соприкосновении с первой плоской поверхностью 12 испытуемого объекта 11, в то же время детектор 21 размещается напротив испытуемого объекта, размещая возбудитель 20 между ними. Другие конструкции являются такими же, что и конструкции четвертого варианта осуществления.
[0044] Согласно пятому варианту осуществления, плотность магнитного потока улучшается, благодаря телу 36 задней стороны, как в четвертом варианте осуществления, и чувствительность обнаружения дефекта 14 улучшается. Поскольку возбудитель 20 и детектор 21 являются раздельными, как в первом варианте осуществления, возбудитель 20 и детектор 21 могут иметь различные конструкции и различные спецификации, и могут иметь различные проектные решения с диаметрами провода катушки, количествами витков провода катушки, формами и размерами и т.д., чтобы удовлетворять соответствующим целям.
[0045] Шестой вариант осуществления
Фиг. 6 - это схематичный вид в поперечном сечении, иллюстрирующий ситуацию, когда дефектоскопия проводится с помощью устройства вихретоковой дефектоскопии согласно шестому варианту осуществления настоящего изобретения.
[0046] Шестой вариант осуществления является модификацией пятого варианта осуществления. В шестом варианте осуществления крышка 40, выполненная из ферромагнитного материала, размещается покрывающей возбудитель 20 и детектор 21, которые конструируются и размещаются таким же образом, что и в пятом варианте осуществления.
[0047] Согласно шестому варианту осуществления, получаются результаты пятого варианта осуществления, и плотность магнитного потока в испытуемом объекте 11 может быть дополнительно улучшена, благодаря крышке 40, выполненной из ферромагнитного материала. Тогда чувствительность обнаружения дефекта 14 может быть дополнительно улучшена.
[0048] Седьмой вариант осуществления
Фиг. 7 - это схематичный вид в поперечном сечении, иллюстрирующий ситуацию, когда дефектоскопия проводится с помощью устройства вихретоковой дефектоскопии согласно седьмому варианту осуществления настоящего изобретения.
[0049] Седьмой вариант осуществления является модификацией пятого варианта осуществления. В седьмом варианте осуществления возбудитель 20 и детектор 21 размещаются параллельно друг другу, оба в соприкосновении с первой плоской поверхностью 12 испытуемого объекта 11. Тело 36 задней стороны из ферромагнитного материала размещается напротив возбудителя 20 и детектора 21, размещая испытуемый объект 11 между ними, и в соприкосновении со второй плоской поверхностью 13. Тело 36 задней стороны предпочтительно покрывает всю часть второй поверхности 13, которая находится напротив возбудителя 20 и детектора 21, размещая между ними испытуемый объект 11. Другие конструкции седьмого варианта осуществления являются такими же, что и конструкции пятого варианта осуществления.
[0050] Согласно седьмому варианту осуществления, тем же образом, что и в пятом варианте осуществления, плотность магнитного потока в испытуемом объекте 11 может быть улучшена, благодаря телу 36 задней стороны из ферромагнитного материала. Тогда чувствительность обнаружения дефекта 14 может быть улучшена. Кроме того, поскольку возбудитель 20 и детектор 21 являются раздельными, возбудитель 20 и детектор 21 могут иметь различные конструкции и различные спецификации, и могут иметь различные проектные решения с диаметрами провода катушки, количествами витков провода катушки, формами и размерами и т.д., чтобы удовлетворять соответствующим целям.
[0051] (Другие варианты осуществления)
Отличительные признаки вариантов осуществления, описанных выше, могут быть объединены. Например, крышка 40 в шестом варианте осуществления может быть добавлена в четвертый и седьмой варианты осуществления.
[0052] В то время как некоторые варианты осуществления настоящего изобретения были описаны, эти варианты осуществления были представлены только в качестве примера и не предназначены, чтобы ограничивать рамки изобретения. Несомненно, новые варианты осуществления, описанные в данном документе, могут быть осуществлены во множестве других форм; кроме того, различные опущения, замены и изменения в форме вариантов осуществления, описанных в данном документе, могут быть сделаны без отступления от духа изобретения. Сопровождающая формула изобретения и ее эквиваленты предназначены, чтобы охватывать такие формы или модификации, как попадающие в рамки и дух изобретения.
Пояснение ссылочных символов
[0053] 11: испытуемый объект; 12: первая плоская поверхность; 13: вторая плоская поверхность; 14: дефект (более тонкая часть); 20: возбудитель (первый возбудитель/детектор); 21: детектор (второй возбудитель/детектор); 22, 22a: источник мощности переменного тока; 25: первый возбудитель/детектор; 26: второй возбудитель/детектор; 30: крышка; 35: возбудитель/детектор; 36: тело задней стороны; 40: крышка