СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ТОЛЩИНАМИ СЛОЯ ПОКРЫТИЯ ПРИ НАНЕСЕНИИ ЦЕНТРИФУГИРОВАНИЕМ

1. Способ распределения вязкой жидкости по поверхности подложки с высокой равномерностью в определенной области, содержащий этапы:
i. помещают подложку, по существу, горизонтально на опору;
ii. наносят вязкую, отверждаемую ультрафиолетом (УФ) жидкость на поверхность упомянутой подложки;
iii. вращают подложку для распределения жидкости радиально наружу; и
iv. термически кондиционируют жидкость на подложке для того, чтобы локально повлиять на ее вязкость особым образом;
v. экспонируют жидкость УФ-излучением первой интенсивности для частичного отверждения жидкости;
vi. удаляют центрифугированием избыточную жидкость с диска;
vii. экспонируют жидкость УФ-излучением второй интенсивности для отверждения жидкости.
2. Способ по п.1, в котором термическое кондиционирование жидкости происходит посредством потока горячего воздуха.
2
3. Способ по любому из пп.1 или 2, в котором первая интенсивность УФ-излучения равна 10-100 мВт/см.
2
4. Способ по любому из пп.1 или 2, в котором вторая интенсивность УФ-излучения означает несколько сотен мВт/см.
5. Способ по п.1, в котором во время термического кондиционирования подложку вращают со скоростью 400-1200 об/мин.
6. Способ по п.1, в котором во время экспонирования УФ-излучением первой интенсивности подложку вращают со скоростью между 400-1000 об/мин.
7. Способ по п.1, в котором этапы с i) no iv) выполняют на одном технологическом посту.
8. Способ по п.1, в котором каждый из этапов vi) и vii) выполняют на отдельных технологических постах.
9. Способ по п.2, в котором во время термического кондиционирования подложку вращают со скоростью 400-1200 об/мин.
10. Способ по п.2, в котором во время экспонирования УФ-излучением первой интенсивности подложку вращают со скоростью между 400-1000 об/мин.
11. Способ по п.2, в котором этапы с i) по iv) выполняют на одном технологическом посту.
12. Способ по п.2, в котором каждый из этапов vi) и vii) выполняют на отдельных технологических постах.
13. Способ по п.3, в котором во время термического кондиционирования подложку вращают со скоростью 400-1200 об/мин.
14. Способ по п.3, в котором во время экспонирования УФ-излучением первой интенсивности подложку вращают со скоростью между 400-1000 об/мин.
15. Способ по п.3, в котором этапы с i) по iv) выполняют на одном технологическом посту.
16. Способ по п.3, в котором каждый из этапов vi) и vii) выполняют на отдельных технологических постах.
17. Способ по п.4, в котором во время термического кондиционирования подложку вращают со скоростью 400-1200 об/мин.
18. Способ по п.4, в котором во время экспонирования УФ-излучением первой интенсивности подложку вращают со скоростью между 400-1000 об/мин.
19. Способ по п.4, в котором этапы с i) no iv) выполняют на одном технологическом посту.
20. Способ по п.4, в котором каждый из этапов vi) и vii) выполняют на отдельных технологических постах.
21. Способ по п.5, в котором во время экспонирования УФ-излучением первой интенсивности подложку вращают со скоростью между 400-1000 об/мин.
22. Способ по п.5, в котором этапы с i) по iv) выполняют на одном технологическом посту.
23. Способ по п.5, в котором каждый из этапов vi) и vii) выполняют на отдельных технологических постах.
24. Способ по п.6, в котором этапы с i) по iv) выполняют на одном технологическом посту.
25. Способ по п.6, в котором каждый из этапов vi) и vii) выполняют на отдельных технологических постах.
26. Способ по п.7, в котором каждый из этапов vi) и vii) выполняют на отдельных технологических постах.
27. Устройство для распределения вязкой жидкости по поверхности подложки с высокой равномерностью в определенной области, содержащее
вращающуюся опору;
средство для дозированного разлива жидкости, подлежащей распределению по поверхности подложки;
источник теплоты для термического кондиционирования жидкости на подложке для того, чтобы локально влиять на ее вязкость особым образом;
источник УФ-излучения для экспонирования жидкости УФ-излучением.
28. Устройство по п.27, дополнительно содержащее маску, расположенную между подложкой (1) и УФ-излучением (5) так, чтобы внешний обод подложки (1) подвергался лишь незначительному воздействию УФ-излучения (5).
29. Устройство по п.28, в котором маска является круглой и расположена концентрически с подложкой.
30. Устройство по п.28, в котором маска является круглой и расположена эксцентрически относительно подложки.
31. Устройство по любому из пп.27-30, в котором источник УФ-излучения выполнен с возможностью обеспечивать УФ-излучение первой низкой интенсивности, и дополнительно содержащее еще один источник УФ-излучения для обеспечения УФ-излучения более высокой второй интенсивности.
32. Способ изготовления подложки, имеющей покрытие на области поверхности, содержащий способ распределения вязкой жидкости по любому из пп.1-26.