ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА

1. Фотоэлектрический элемент, содержащий:
- электродный слой из прозрачного электропроводящего оксида на прозрачной несущей подложке, затем
- контактный слой из легированного соединения кремния первого типа, затем
- первый активный слой из легированного аморфного соединения кремния первого типа, затем
- второй активный слой из соединения кремния с собственной проводимостью, затем
- третий активный слой из легированного соединения кремния второго типа,
где упомянутый контактный слой состоит из аморфного соединения кремния и имеет толщину, самое большее, 10 нм, причем материал упомянутого контактного слоя имеет запрещенную зону, которая меньше, чем запрещенная зона материала упомянутого первого активного слоя.
2. Элемент по п.1, где упомянутый второй активный слой состоит из гидрированного кремния.
3. Элемент по п.1, где упомянутый второй активный слой состоит из аморфного соединения кремния.
4. Элемент по п.2, где упомянутый второй активный слой состоит из аморфного соединения кремния.
5. Элемент по п.1, где упомянутый электродный слой состоит из ZnO.
6. Элемент по п.2, где упомянутый электродный слой состоит из ZnO.
7. Элемент по п.3, где упомянутый электродный слой состоит из ZnO.
8. Элемент по п.4, где упомянутый электродный слой состоит из ZnO.
9. Элемент по одному из пп.1-8, где материал упомянутого первого активного слоя содержит C с первым атомным процентным содержанием, а материал упомянутого контактного слоя содержит С со вторым атомным процентным содержанием, причем упомянутое второе процентное содержание меньше, чем упомянутое первое процентное содержание вплоть до исчезновения.
10. Элемент по одному из пп.1-8, где упомянутый контактный слой имеет толщину, самое большее, 3 нм.
11. Элемент по п.9, где упомянутый контактный слой имеет толщину, самое большее, 3 нм.
12. Фотоэлектрическая преобразующая панель, содержащая, по меньшей мере, один фотоэлектрический элемент по одному из пп.1-11.
13. Способ изготовления фотоэлектрического элемента, где осаждают
- электродный слой из прозрачного электропроводящего оксида на прозрачной несущей подложке, в контакте с этим
- контактный слой из легированного соединения кремния первого типа, в контакте с этим
- первый активный слой из легированного аморфного соединения кремния первого типа, в контакте с этим
- второй активный слой из соединения кремния с собственной проводимостью, в контакте с этим
- третий активный слой из легированного соединения кремния второго типа,
таким образом, что осаждают контактный слой из аморфного материала с толщиной, которая составляет, самое большее, 10 нм, и регулируют запрещенную зону материала упомянутого контактного слоя, чтобы она была меньше, чем запрещенная зона материала упомянутого первого активного слоя.
14. Способ по п.13, где регулируют упомянутые запрещенные зоны с помощью соответствующих количеств углерода в упомянутых материалах.
15. Способ по п.13, содержащий по меньшей мере одно из осаждение упомянутого электродного слоя из ZnO и осаждение упомянутого второго активного слоя из гидрированного кремния.
16. Способ по п.14, содержащий по меньшей мере одно из осаждение упомянутого электродного слоя из ZnO и осаждение упомянутого второго активного слоя из гидрированного кремния.
17. Способ по одному из пп.13-16, где осаждают упомянутый контактный слой толщиной, самое большее, 3 нм.
18. Способ по п.13, где осаждают упомянутый второй активный слой из аморфного материала.
19. Способ по п.14, где осаждают упомянутый второй активный слой из аморфного материала.
20. Способ по п.15, где осаждают упомянутый второй активный слой из аморфного материала.
21. Способ по п.16, где осаждают упомянутый второй активный слой из аморфного материала.
22. Способ по п.17, где осаждают упомянутый второй активный слой из аморфного материала.