СПОСОБ УДАЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ОТЛОЖЕНИЙ И ПАССИВИРОВАНИЯ ВНУТРЕННИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ РЕАКТОРА ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ

1. Активированная газовая смесь, содержащая
от примерно 60% до примерно 75% атомов фтора,
от примерно 10% до примерно 30% атомов азота,
возможно, до примерно 15% атомов кислорода, и
от примерно 0,3% до примерно 15% одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы.
2. Активированная газовая смесь по п.1, причем
доля атомов фтора составляет от примерно 66% до примерно 74%,
доля атомов азота составляет от примерно 11% до примерно 24%,
доля атомов кислорода составляет от примерно 0,9% до примерно 11%, и
доля одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, составляет от примерно 0,6% до примерно 11%.
3. Активированная газовая смесь по п.1 или 2, в которой один или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, является углеродом.
4. Активированная газовая смесь по п.1, дополнительно содержащая газ-носитель.
5. Активированная газовая смесь по п.4, в которой газ-носитель выбран из группы, состоящей из аргона и гелия.
6. Активированная газовая смесь по п.5, в которой газ-носитель является аргоном.
7. Способ травления и удаления поверхностных отложений с внутренних поверхностей CVD-аппарата, включающий
3
3
активирование в удаленной камере газовой смеси, содержащей источник кислорода, источник одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, и NF, причем мольное отношение источника кислорода к источнику одного или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, составляет по меньшей мере примерно 0,75:1, и причем мольная доля NF в указанной газовой смеси составляет от примерно 50% до примерно 98%;
направление потока указанной активированной газовой смеси через трубопровод в рабочую камеру, снижая тем самым скорость поверхностной рекомбинации газофазных компонентов на внутренних поверхностях указанного CVD-аппарата.
8. Способ по п.7, в котором один или более атомов, выбранных из группы, состоящей из углерода и серы, является углеродом.
9. Способ по п.7, в котором аппарат является PECVD-аппаратом.
10. Способ по п.7, в котором внутренние поверхности аппарата выполнены из материала, выбранного из группы, состоящей из алюминия и анодированного алюминия.
11. Способ по п.7, в котором трубопровод охлаждается.
12. Способ по п.7, в котором для повышения давления в аппарате в цикле очистки применяется дроссельный клапан.
13. Способ по п.8, в котором источником кислорода является молекулярный кислород.
14. Способ по п.8, в котором источником углерода является фторуглерод.
15. Способ по п.14, в котором фторуглеродом является перфторуглерод.
16. Способ по п.14, в котором фторуглерод выбран из группы, состоящей из тетрафторметана, гексафторэтана, октафторпропана, перфтортетрагидрофурана и октафторциклобутана.
17. Способ по п.14, в котором фторуглерод является гексафторэтаном.
18. Способ по п.14, в котором фторуглерод является октафторциклобутаном.
3
19. Способ по п.7, в котором мольная доля NF составляет от примерно 60% до примерно 98% газовой смеси.
3
20. Способ по п.7, в котором NF составляет от примерно 70% до примерно 90% газовой смеси.
21. Способ по п.14, в котором отношение источник кислорода:источник углерода составляет примерно 1:1.
22. Способ по п.14, в котором источником кислорода и источником углерода является диоксид углерода, и мольная доля диоксида углерода в газовой смеси составляет от примерно 2% до примерно 15%.
23. Способ по п.7, в котором газовая смесь дополнительно содержит газ-носитель.
24. Способ по п.23, в котором указанный газ-носитель выбран из группы, состоящей из аргона и гелия.
25. Способ по п.7, в котором давление в рабочей камере составляет от примерно 0,5 торр до примерно 20 торр.
26. Способ по п.7, в котором давление в рабочей камере составляет от примерно 1 торр до примерно 15 торр.
27. Способ по п.7, в котором давление в удаленной камере составляет от примерно 0,5 торр до примерно 15 торр.
28. Способ по п.27, в котором давление в удаленной камере составляет от примерно 2 торр до примерно 6 торр.
29. Способ по п.7, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения, источником постоянного тока или источником микроволнового излучения.
30. Способ по п.29, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения.
31. Способ пассивирования внутренних поверхностей аппарата, включающий
(a) получение активированной газовой смеси по п.1 или 2 в удаленной камере,
(b) направление потока указанной активированной газовой смеси через трубопровод в рабочую камеру, и после этого
(c) уменьшение скорости поверхностной рекомбинации газофазных компонентов.
32. Способ по п.31, в котором аппарат является PECVD-аппаратом.
33. Способ по п.31, в котором внутренние поверхности аппарата выполнены из материала, выбранного из группы, состоящей из алюминия и анодированного алюминия.
34. Способ по п.31, в котором трубопровод охлаждается.
35. Способ по п.31, в котором для повышения давления в аппарате в цикле очистки применяется дроссельный клапан.
36. Способ по п.31, в котором газовая смесь дополнительно содержит газ-носитель.
37. Способ по п.36, в котором указанный газ-носитель выбран из группы, состоящей из аргона и гелия.
38. Способ по п.31, в котором давление в рабочей камере составляет от примерно 0,5 торр до примерно 20 торр.
39. Способ по п.31, в котором давление в рабочей камере составляет от примерно 1 торр до примерно 15 торр.
40. Способ по п.31, в котором давление в удаленной камере составляет от примерно 0,5 торр до примерно 15 торр.
41. Способ по п.31, в котором давление в удаленной камере составляет от примерно 2 торр до примерно 6 торр.
42. Способ по п.31, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения, источником постоянного тока или источником микроволнового излучения.
43. Способ по п.42, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения.
44. PECVD-аппарат, содержащий
(a) удаленную камеру с источником плазмы,
(b) газораспределительную систему, соединяющую удаленный источник плазмы, чтобы подать чистящий газ и инертный газ,
(c) PECVD-камеру, причем удаленная камера с плазмой соединяется с PECVD-камерой средством, позволяющим переход активированного газа по пп.1-3 или 4 из удаленной камеры с плазмой в рабочую камеру, и
(d) линию вывода.
45. PECVD-аппарат по п.44, в котором линия вывода соединена с источником вакуума.
46. PECVD-аппарат по п.45, в котором источник вакуума является вакуумным насосом.
47. PECVD-аппарат по п.44, в котором средство, позволяющее переносить активированный газ из удаленной камеры с плазмой в рабочую камеру, содержит короткую соединительную трубу до распылительной насадки и трубопровод, напрямую соединяющую источник плазмы с рабочей камерой.
48. PECVD-аппарат по п.47, в котором и короткая соединительная труба с распылительной насадкой, и трубопровод, напрямую соединяющий источник плазмы с рабочей камерой, дополнительно содержит устройство ограничения потока, чтобы изменять пропорции активированного газа, текущего по двум путям.
49. PECVD-аппарат по п.48, в котором устройство ограничения потока является отверстием или клапаном.
50. PECVD-аппарат по п.44, в котором линия вывода дополнительно содержит по меньшей мере один дроссельный клапан.
51. PECVD-аппарат по п.44, в котором газораспределительная система содержит трубу, соединяющую баллоны с газом, для каждого газа, подаваемого в PECVD-камеру через отдельные регуляторы массового потока каждого газа, в смесительную камеру и оттуда соединяющиеся с удаленной камерой источника плазмы.
52. PECVD-аппарат по п.44, в котором газораспределительная система содержит трубы, соединяющие баллон с чистящей газовой смесью через регулятор массового потока с удаленной камерой источника плазмы, и трубу, соединяющую источник инертного газа через регулятор массового потока с удаленной камерой источника плазмы.
53. PECVD-аппарат по п.44, в котором средство, делающее возможным переход активированного газа из удаленной камеры с плазмой в рабочую камеру, охлаждается.
54. PECVD-аппарат по п.44, в котором линия вывода выполнена из алюминия или анодированного алюминия и охлаждается.
55. Газовая смесь для очистки CVD-реактора, содержащая, в мольных процентах газа
до 25% газообразного источника кислорода,
от примерно 50% до примерно 98% неорганического газообразного источника фтора,
до примерно 25% газообразного источника углерода, и
до примерно 25% газообразного источника серы,
причем полное количество газообразного источника углерода плюс количество газообразного источника серы составляет от 1 до 25%.
3
56. Газовая смесь по п.55, в которой неорганическим газообразным источником фтора является NF.
57. Газовая смесь по п.55, в которой газообразным источником углерода является фторуглерод или углеводород.
2
4
2
8
58. Газовая смесь по п.57, в которой газообразным источником углерода является CO, CH, CF или октофторциклобутан.
6
59. Газовая смесь по п.55, в которой газообразным источником серы является SF.