СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
METHOD OF DEPOSITING THIN FILMS ON SURFACE OF SUBSTRATES FOR MAKING SOLAR CELLS

Изобретение относится к технологии изготовления солнечных элементов, в частности к методам получения тонких пленок на поверхности подложек для формирования активных областей p-n перехода.
Известны методы получения тонких пленок: термическое окисление кремния в парах воды, сухое окисление и т.д. [1].
Тонкие пленки кремния получают различными методами, в том числе химическим осаждением из паровой фазы испарением, ионным распылением, нанесением на керамические подложки, осаждением на многократно используемые подложки с последующим отделением пленок за счет неравномерного теплового расширения, электролитическим и электрогидродинамическим методами.
Недостатками этих методов является неоднородность получения тонких пленок диоксида кремния на поверхности подложек и получения пористого слоя.
Целью изобретения является получение на поверхности подложки однородной и равномерной диэлектрической пленки диоксида кремния при низких температурах.
Поставленная цель достигается использованием газовой фазы, в состав которого входят азот, водород и кислород.
2
2
2
2
Сущность способа заключается в том, что на поверхности подложки формируют тонкий слой пленки диоксида кремния за счет горения водорода и сухого кислорода в среде азота (N) при расходе газов: N=450 л/ч; H=75 л/ч; O=750±50 л/ч.
Температура рабочей зоны 900±10°C.
Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине пленки диоксида кремния на подложке составило 3,0÷3,5%.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
2
2
2
2
ПРИМЕР 1: Технологический процесс проводят в однозонной диффузионной печи типа СДОМ-1/100 при температуре 1000±10°C и применением кварцевой оснастки. Подложки предварительно нагревают до температуры 850±50°C, при расходе азота N=500 л/ч. Сухое окисление при расходе азота O=500 л/ч проводят в течение 10 мин. После чего пускают водород на поджиг, расход водорода H=85 л/ч и кислорода O=900±50 л/ч, а затем происходит горение водорода и кислорода в течение 1 минуты, при котором образуется диэлектрическая пленка диоксид германия.
Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине диэлектрической пленки диоксида кремния на подложке составил 5,0÷5,5%.
2
2
2
ПРИМЕР 2: Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при следующем расходе газов, л/ч: N=450 л/ч; H=75 л/ч; O=800±50 л/ч.
Температура рабочей зоны 950±50°C.
Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине полученной пленки диоксида германия на подложке составил 4,0÷4,5%.
2
2
2
ПРИМЕР 3: Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при следующем расходе газов, л/ч: N=450 л/ч; H=75 л/ч; O=750±50 л/ч.
Температура рабочей зоны 900±10°C.
Контроль проводится на установке «MPV-SP». Разброс по толщине диэлектрической пленки диоксида кремния на подложке составил 3,0÷3,5%.
Таким образом, предлагаемый метод по сравнению с прототипами позволяет получать на поверхности однородный и ненарушенный тонкий слой пленки диоксида кремния.
Литература
1. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. / Под редакцией А.И. Курносова, В.В. Юдина. М.: «Высшая школа», 1996, с. 387.