СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ПОЗИТИВНОГО ФОТОРЕЗИСТА НА КРЕМНИЕВУЮ ПЛАСТИНУ

I
II
Ф/С
Способ нанесения позитивного фоторезиста на кремниевую пластину, включающий предварительную обработку кремниевых пластин в инфракрасной (ИК) сушке при температурах: 75±5°C, 85±5°C, 105±5°C и времени равной 4±1 минут, отличающийся тем, что нанесение позитивного фоторезиста осуществляется методом центрифугирования в три этапа: 1 - растекание фоторезистивного слоя 10±2; 2 - сбрасывание излишков фоторезиста при скорости вращения столика V=3000±500 об/мин, V=4500±500 об/мин; 3 - формирование профиля слоя фоторезиста, причем толщина фоторезиста δ=1,2±0,1 мкм.