Моделирование процессов с заданной функцией взаимной корреляции

Секция теоретических основ радиотехники

их статистическое описание, аналогичное статистическому описанию сигналов. Идея аналогий между методами теории цепей и теории сигналов была высказана еще в [1], а первые попытки конструктивного ее использования - в [2].

Основная идея состоит в том, что характеристики сложных цепей, рассматриваемых обычно как описание детерминированного объекта, можно считать реализациями из некоторого ансамбля статистически однородных объектов и, тем самым, применить хорошо развитые в теории сигналов методы теории случайных процессов к анализу цепей.

Использование статистических характеристик цепей позволяет выявить периодические компоненты в АЧХ, оценить инерционность цепи, осуществить идентификацию цепей и получить иную информацию о ее свойствах.

ЛИТЕРАТУРА

1. Айзинов М.М. Избранные вопросы теории сигналов и теории цепей. М.: Связь, 1971.

2. Дмитриев-Здоров В.Б., Рыжов В.П. Об анализе сложных колебательных систем с использованием их вероятностных характеристик // Вопросы формирования и обработки сигналов в радиотехнических системах: Межвузовский сб.: Таганрог: ТРТИ, 1980. С. 96-99.

УДК 621.325.36

Г.Г. Галустов

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ С ЗАДАННОЙ ФУНКЦИЕЙ ВЗАИМНОЙ КОРРЕЛЯЦИИ

При экспериментальном исследовании сложных систем автоматического регулирования и управления возникает необходимость в моделировании двух и более процессов, у которых были бы заданы как одномерные плотности, так и автокорреляционные функции. Кроме того, необходимо, чтобы был известен вид взаимокорреляционной функции между этими процессами.

Если ограничиться двухканальным генератором процессов [1], использующим суммирование двух некоррелированных сигналов, то, как показано в [1], взаимокорреляционная функция с точностью до постоянного множителя будет повторять автокорреляционную функцию процесса, получаемого в одном из каналов. Остается открытым вопрос о том, как сгенерировать процесс с заданной одномерной плотностью вероятности и заданной автокорреляционной функцией хотя бы в одном из каналов генератора процессов. Поставленная задача может быть решена одним из методов, описанным в [2]. Наиболее простым и наглядным способом является способ формирования заданной корреляционной функции и заданной одномерной плотности вероятности путем пропускания исходного широкополосного ("белого") шума через перестраиваемый линейный формирующий фильтр (ЛФФ), а затем через перестраиваемый нелинейный функциональный преобразователь (НПФ). Суть метода заключается в том, что корреляционная функция на входе НПФ рассчитывается по заданной функции автокорреляции процесса на его выходе с учетом параметров НПФ, из соотношения, представляющего собой

Известия ТРТУ

разложение функции корреляции выходного случайного процесса в ряд по степеням нормированной функции корреляции входного процесса. При этом одномерная плотность на выходе НПФ может быть определена на основе метода обратных функций [2].

ЛИТЕРАТУРА

1. Бобнев М.П. Генерирование случайных сигналов . М.: Энергия, 1971.

2. Галустов Г Г. Генерирование случайных числовых последовательностей и аппаратный контроль их статистических характеристик Таганрог: ТРТИ, 1989. Реп. 05.01.89. №130-В 89. Библ. указат. № 5, 1989.

УДК 621.382

А.М. Пономарев, М.Ф. Пономарев ТОК ПОДЛОЖКИ ВЫМОРОЖЕННОГО р-МДП-ТРАНЗИСТОРА

Ток подложки 1п кремниевого МДП-транзистора обусловлен ионизацией атомов кремния в пристоковой области пространственного заряда (ОПЗ) при работе транзистора в режиме насыщения. В области температур ниже 30 К происходит вымораживание кремниевой подложки (существенное падение электропроводности) и проявляются эффекты, характерные для МДП-транзисторов с плавающей подложкой (транзисторные структуры типа кремний на диэлектрике). Ионизационный ток разделяется на две составляющие: 1п — ток вывода подложки; 1ип ~ ток прямосмещенного р-п-перехода исток-подложка, обуславливающий внутреннюю положительную обратную связь (Кинк-эффект).

Экспериментально изучались характеристики 1п~^(изи, и си) в диапазоне температур 10...80 К. Из анализа полученных зависимостей следует:

1. Наблюдается экспоненциальный рост 1п при Г/сшср<1У си<^сикр"^ +Ж/КЭу» изи=СОП8г, где Исикр - напряжение, соответствующее началу процесса ионизации в пристоковой области; -5- 2) В - область

напряжений иси, где наблюдается интенсивное изменение тока стока 1С, обусловленное внутренней обратной связью. На рассматриваемом участке иси можно использовать упрощенную модель Эль-Манси:

где 1кан ~ ток канала; исинас - напряжение сток-исток на границе насыщения; С, В - константы, зависящие от температуры. Для исследуемых транзисторов при Т=10 К усредненные значения С= 11, В=90 В.

2. При иси>исикр+Ликщ наблюдается снижение скорости роста тока 1п= £у[/си, I7зU=cons^^, что может быть обусловлено двумя факторами: ростом 1п внутри подложки с достаточно высоким сопротивлением; снижением уровня ионизационного тока за счет уменьшения продольной составляющей электрического поля в пристоковой ОПЗ.