ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ
LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
Настоящее изобретение относится к жидкокристаллическому устройству отображения, а более точно, к жидкокристаллическому устройству отображения, в котором признаки применены к формам электрода и проводки.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Жидкокристаллическое устройство отображения (LCD) является устройством отображения, в котором пропускание/блокирование света (включение/отключение отображения) управляется посредством управления выравниванием молекул жидкого кристалла, проявляющих двойное лучепреломление. Режим VA (вертикального выравнивания) и режим IPS (плоскостной коммутации) и так далее могут использоваться в LCD в качестве способа отображения. В режиме VA молекулы жидкого кристалла, имеющие отрицательную анизотропию диэлектрической постоянной, выравниваются вертикально относительно поверхности подложки, а в режиме IPS молекулы жидкого кристалла, имеющие положительную анизотропию диэлектрической постоянной, выравниваются горизонтально относительно поверхности подложки, и поперечное электрическое поле прикладывается к жидкокристаллическому слою.
В режиме IPS поперечное электрическое поле прикладывается к жидкокристаллическому слою, а потому отличительные признаки применяются к электроду и проводке. Типичное жидкокристаллическое устройство отображения режима IPS включает в себя общий электрод, на который подается опорный потенциал, и пиксельный электрод, на который подается потенциал пикселя, который должен отображаться (например, смотрите Патентные документы с 1 по 4). Также предусмотрены линия сканирования, к которой прикладывается сигнал сканирования, тонкопленочный транзистор (TFT) и так далее. Общий электрод и пиксельный электрод оба имеют гребневую зубчатую форму и расположены, из условия чтобы гребневые зубцы соответственных электродов были размещены вперемежку. Жидкий кристалл возбуждается электрическим полем, сформированным между пиксельным электродом и общим электродом.
Патентный документ 1: Публикация № H10-301141 заявки на выдачу патента Японии
Патентный документ 2: Публикация № 2000-35590 заявки на выдачу патента Японии
Патентный документ 3: Публикация № 2003-295207 заявки на выдачу патента Японии
Патентный документ 4: Публикация № 2006-330215 заявки на выдачу патента Японии
В жидкокристаллическом устройстве отображения вида, в котором электрод и проводка сформированы ограниченным образом, электрод и проводка предпочтительно формируются как можно уже с точки зрения улучшения коэффициента пропускания. Когда электрод и проводка сформированы слишком узко, однако, может возникать обрыв, делая невозможным подавать требуемый потенциал на электрод и проводку.
Фиг. 73 - схематический вид сверху, показывающий обрыв в традиционном жидкокристаллическом устройстве отображения. Здесь жидкокристаллическое устройство режима IPS будет описано на основе Патентного документа 1. Нормально, в жидкокристаллическом устройстве отображения режима IPS различная проводка и электроды предусмотрены на подложке матрицы TFT (тонкопленочных транзисторов).
Как показано на фиг. 73, подложка TFT включает в себя проводку 125 электрода сканирования и проводку 122 первого общего электрода. Проводка 125 электрода сканирования и проводка 122 первого общего электрода сформированы на одной и той же плоскости. Кроме того, изолирующая пленка сформирована на проводке 125 электрода сканирования и проводке общего электрода, и проводка 124 сигнального электрода, проводка 121 пиксельного электрода и проводка 123 второго общего электрода сформированы на изолирующей пленке. Проводка 122 первого общего электрода и проводка 123 второго общего электрода электрически соединены. Проводка 125 электрода сканирования, проводка 124 сигнального электрода и проводка 121 пиксельного электрода соединены через TFT 126, составленный полупроводниковым элементом. TFT 126 функционирует в качестве коммутационного элемента. Проводка 121 пиксельного электрода и проводка 123 второго общего электрода соответственно имеют ширину линии 5 мкм.
Противоположные подложки, имеющие красный, зеленый и синий цветовые фильтры, расположены в положениях, противостоящих подложке TFT через жидкокристаллический слой. Когда TFT 126 включен (ON), сигнальный потенциал подается на проводку 121 пиксельного электрода с проводки 124 сигнального электрода. Когда TFT 126 становится невыбранным (отключен, OFF), потенциал проводки 121 пиксельного электрода сохраняется, из условия чтобы электрическое поле формировалось в поперечном направлении между проводкой 121 пиксельного электрода и проводкой 123 второго общего электрода. В соответствии с напряженностью электрического поля направление выравнивания молекул жидкого кристалла, выровненных в определенном направлении в пределах горизонтального направления относительно поверхности подложки, меняется на другое направление в плоскости и, как результат, меняется состояние поляризации света, падающего на жидкокристаллический слой.
Однако, когда обрыв возникает в местоположении проводки 121 пиксельного электрода, помеченного символом X, как показано на фиг. 73, сигнальный потенциал не подается в местоположение, которое стало изолированным вследствие обрыва, а потому электрическое поле не формируется между изолированной проводкой 121 пиксельного электрода и проводкой 123 противоположного второго общего электрода. Соответственно, местоположение, указанное диагональными линиями на фиг. 73, больше не вносит вклад в пропускание, и, как результат, пиксель, в котором происходит разрыв, распознается в качестве темного дефекта либо пикселя, имеющего чрезмерно пониженную яркость.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Настоящее изобретение разработано, принимая во внимание текущее положение дел, описанное выше, и его задача состоит в том, чтобы предложить жидкокристаллическое устройство отображения, у которого дефект пикселя не возникает, даже когда обрывается электрод.
Вслед за различными изысканиями в отношении жидкокристаллических устройств отображения, которые проявляют немного проблем, даже когда обрываются электрод или проводка, изобретатели настоящего изобретения сосредоточились на средстве для осуществления исправления с использованием лазера, когда оборван электрод или проводка. Кроме того, изобретатели настоящего изобретения обнаружили, что посредством дополнительного предоставления исправляющего электрода или проводки для перекрытия множества электродов или проводок электрод или проводка, которые должны быть исправлены, могут расплавляться благодаря облучению лазером, когда возникает обрыв, тем самым обеспечивая проводимость. Таким образом, изобретатели настоящего изобретения решили задачу, описанную выше, с огромным успехом, тем самым придя к настоящему изобретению.
Более точно, настоящее изобретение является жидкокристаллическим устройством отображения, содержащим жидкокристаллический слой и пару подложек, между которыми вставлен жидкокристаллический слой, при этом по меньшей мере одна из пары подложек включает в себя электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, включает в себя два или более линейных участка, а подложка, содержащая электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, из числа пары подложек, включает в себя плавающий электрод, который перекрывает по меньшей мере два из двух или более линейных участков через изолирующую пленку (также в дальнейшем указываемое ссылкой как первое жидкокристаллическое устройство отображения по настоящему изобретению).
Настоящее изобретение также является жидкокристаллическим устройством отображения, содержащим жидкокристаллический слой и пару подложек, между которыми вставлен жидкокристаллический слой, при этом по меньшей мере одна из пары подложек включает в себя электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, включает в себя два или более линейных участка, подложка, содержащая электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, из числа пары подложек, включает в себя электрод перемычки, который перемыкает по меньшей мере два из двух или более линейных участков, и электрод перемычки расположен в другом слое от электрода, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, через изолирующую пленку (также указываемым ссылкой как второе жидкокристаллическое устройство отображения по настоящему изобретению).
Первое и второе жидкокристаллические устройства отображения по настоящему изобретению включают в себя жидкокристаллический слой и пару подложек, между которыми вставлен жидкокристаллический слой. Посредством предоставления проводки, электродов, полупроводниковых элементов и тому подобного на паре подложек и прикладывания напряжения к жидкокристаллическому слою может управляться выравнивание молекул жидкого кристалла. Жидкокристаллический слой предпочтительно сформирован из молекул нематического жидкого кристалла, имеющих положительную или отрицательную анизотропию диэлектрической постоянной. Режим выравнивания жидкокристаллического устройства отображения различается в зависимости от того, положительная или отрицательная анизотропия диэлектрической постоянной. Примеры режимов управления жидким кристаллом, применяемых в первом и втором жидкокристаллических устройствах отображения по настоящему изобретению, включают в себя режим VA, режим IPS, режим скрученного нематика (TN) и так далее. Направление электрического поля может быть горизонтальным по отношению к поверхности подложки (поперечное электрическое поле) или вертикальным по отношению к поверхности подложки (вертикальное электрическое поле). Посредством расположения слоя выравнивания на поверхностях пары подложек, которые контактируют с жидкокристаллическим слоем, начальный наклон молекул жидкого кристалла может быть определен в постоянном направлении. Начальный наклон молекул жидкого кристалла может быть вертикальным либо горизонтальным по отношению к поверхности подложки.
По меньшей мере одна из пары подложек включает в себя электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, и электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, включает в себя два или более линейных участка. Пиксельный электрод, на который подается сигнальное напряжение, общий электрод, на который подается общее напряжение, и так далее могут применяться в качестве электрода, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою. Кроме того, предоставлением пиксельного электрода и общего электрода в качестве пары наклон молекул жидкого кристалла может управляться электрическим полем, сформированным между пиксельным электродом и общим электродом, и, как результат, может регулироваться степень двойного лучепреломления в свете, проходящем через жидкокристаллический слой. Более того, электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, включает в себя два или более линейных участка, а потому наклон молекул жидкого кристалла может хорошо регулироваться.
В первом жидкокристаллическом устройстве отображения по настоящему изобретению, подложка, содержащая электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, из числа пары подложек, включает в себя плавающий электрод, который перекрывает по меньшей мере два из двух или более линейных участков через изолирующую пленку. Плавающий электрод является электрически изолированным электродом, который не является проводящим с другими проводящими элементами. Поэтому плавающий электрод электрически не присоединен к электроду, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, и расположен в другом слое от него через изолирующую пленку. Плавающий электрод может перекрывать три или более из двух или более линейных участков, поскольку он перекрывает по меньшей мере два из двух или более линейных участков. Кроме того, плавающий электрод не должен перекрывать всю полноту двух или более линейных участков, и для достижения улучшения коэффициента пропускания плавающий электрод предпочтительно перекрывает соответственные части двух или более линейных участков. Посредством расположения плавающего электрода, чтобы перекрывал два или более линейных участка этим способом, когда обрыв возникает в части линейного участка, так что оборванная часть отключается от электрода, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, другой необорванный линейный участок и плавающий электрод могут быть сплавлены и тем самым электрически присоединены друг к другу посредством испускания лазера на необорванный линейный участок и плавающий электрод. Более того, оборванная часть может сплавляться и электрически присоединяться к плавающему электроду посредством испускания лазера на оборванную часть и плавающий электрод, а потому оборванная часть может исправляться, с тем чтобы обеспечивать электрическое соединение между ними. Когда напряжение не прикладывается, как рассчитано, вследствие обрыва, соответствующий пиксель распознается в качестве дефектного пикселя или, более точно, в качестве темного дефекта, и, как результат, качество отображения жидкокристаллического устройства отображения ухудшается. Отсюда с первым жидкокристаллическим устройством отображения по настоящему изобретению можно получать жидкокристаллическое устройство отображения, которое может легко реагировать на обрыв. Кроме того, оно дает возможность формировать два или более линейных участка ограниченным образом, чтобы добиваться улучшения коэффициента пропускания.
Во втором жидкокристаллическом устройстве отображения по настоящему изобретению подложка, содержащая электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, из числа пары подложек, включает в себя электрод перемычки, который перемыкает по меньшей мере два из двух или более линейных участков. Кроме того, электрод перемычки расположен в другом слое от электрода, который прикладывает напряжение жидкокристаллическому слою, через изолирующую пленку. Электрод перемычки электрически присоединен к другим проводящим элементам и способен к обеспечению электрической проводимости между одним проводящим элементом и другим проводящим элементом. Электрод перемычки может быть расположен, чтобы перекрывать три или более из двух или более линейных участков, поскольку электрод перемычки перекрывает по меньшей мере два из двух или более линейных участков. Кроме того, электрод перемычки не должен перекрывать всю полноту двух или более линейных участков, и для достижения улучшения коэффициента пропускания электрод перемычки предпочтительно расположен, чтобы перекрывать соответственные части двух или более линейных участков. Посредством присоединения двух или более линейных участков друг к другу через электрод перемычки этим способом, когда обрыв возникает в части линейного участка, так что оборванная часть отключается от электрода, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, электрическое соединение между оборванной частью и электродом, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, обеспечивается через электрод перемычки, а потому не возникает дефект пикселя. Отсюда со вторым жидкокристаллическим устройством отображения по настоящему изобретению можно получать высоконадежное жидкокристаллическое устройство отображения, в котором обрыв не создает проблему. Кроме того, оно дает возможность формировать два или более линейных участка ограниченным образом, чтобы добиваться улучшения коэффициента пропускания.
Конфигурация каждого из первого и второго жидкокристаллических устройств отображения по настоящему изобретению не является особенно ограниченными другими компонентами, поскольку она по существу включает в себя такие компоненты.
Предпочтительные варианты осуществления первого и второго жидкокристаллических устройств отображения по настоящему изобретению более подробно упомянуты ниже.
Плавающий электрод или электрод перемычки предпочтительно имеют линейную форму. Чтобы гарантировать, что плавающий электрод или электрод перемычки перекрывает часть каждого из двух или более линейных участков, и чтобы обеспечить коэффициент пропускания, плавающий электрод и электрод перемычки предпочтительно имеют узкую вытянутую форму. Кроме того, линейная форма эффективна, поскольку она может использоваться в качестве базы отсчета во время настройки выравнивания, которая выполняется в процессе производства, чтобы определять, были или нет другие структурные элементы сформированы надлежащим образом.
Плавающий электрод 2 предпочтительно состоит из металлического элемента. Проводящий элемент, сформированный из металлического элемента, легче расплавляется посредством облучения лазером, чем проводящий элемент, например, сформированный из оксида металла, нитрида металла и так далее, а потому может легче выполняться исправление.
Плавающий электрод или электрод перемычки предпочтительно перекрывает соответственные оконечные участки двух или более линейных участков. Вынуждением плавающего электрода или электрода перемычки перекрывать оконечные участки линейных участков, область, в которой может выполняться исправление в зоне, в которой, вероятно, должен происходить обрыв, может быть расширена.
Ширина плавающего электрода предпочтительно является по существу идентичной или большей, чем ширина каждого из двух или более линейных участков. Посредством формирования линейных участков, чтобы были такими же широкими как или более широкими, чем ширина плавающего электрода, может быть расширена область облучения лазером, делая исправление посредством облучения лазером более легким. Кроме того, может снижаться вероятность обрыва в самом плавающем электроде.
Ширина плавающего электрода в месте, перекрывающем два или более линейных участка, предпочтительно является большей, чем ширина плавающего электрода в месте, не перекрывающем два или более линейных участка. Как результат, исправление посредством облучения лазером может выполняться легче, и место, не перекрывающее два или более линейных участка, может формироваться ограниченным образом, давая возможность увеличения коэффициента пропускания.
Жидкокристаллическое устройство отображения предпочтительно включает в себя множество плавающих электродов или множество электродов перемычки, и по меньшей мере один из множества плавающих электродов или множества электродов перемычки предпочтительно перекрывает один оконечный участок каждого из двух или более линейных участков наряду с тем, что по меньшей мере один из других из множества плавающих электродов или электродов перемычки перекрывает другой оконечный участок каждого из двух или более линейных участков. Когда каждый линейный участок имеет два оконечных участка, область облучения лазером может быть расширена расположением плавающего электрода, чтобы перекрывал оба оконечных участка. Более того, область, которая может быть покрыта электродом перемычки, может быть расширена расположением электрода перемычки, чтобы перекрывал оба оконечных участка.
Жидкокристаллическое устройство отображения предпочтительно включает в себя множество плавающих электродов или множество электродов перемычки, и по меньшей мере два из множества плавающих электродов или множества электродов перемычки каждые предпочтительно перекрывают один оконечный участок каждого из двух или более линейных участков. Посредством увеличения количества плавающих электродов количество возможных объектов облучения лазером может увеличиваться, делая исправление более легким. Кроме того, посредством увеличения количества электродов перемычки вероятность дефекта, вызванного обрывом, может быть снижена.
Подложка, содержащая электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, предпочтительно включает в себя проводки сканирования и сигнальные проводки, а плавающий электрод и электрод перемычки предпочтительно расположен в пределах области, окруженной проводками сканирования и сигнальными проводками. Когда область, окруженная проводками сканирования и сигнальными проводками, установлена в качестве подпикселя, а подпиксель определен в качестве одиночного блока экрана отображения жидкокристаллического устройства отображения, плавающий электрод или электрод перемычки предпочтительно удерживается в пределах подпикселя или, другими словами, формируется в блоках подпикселей, так чтобы дефекты в подпикселе могут исправляться.
Плавающий электрод предпочтительно расположен в положении, более отдаленном от жидкокристаллического слоя, чем электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою. Посредством расположения плавающего электрода этим способом плавающий электрод может использоваться в качестве экранирующего элемента для экранирования электрода, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, от электрического поля. Например, влияние, основанное на изменении потенциала другой проводки или электрода, на потенциал электрода, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, может быть уменьшено, и, как результат, нарушение выравнивания в молекулах жидкого кристалла в жидкокристаллическом слое может подавляться.
Оконечные участки двух или более линейных участков предпочтительно перекрывают пленку экранирования света. Нарушения выравнивания, вероятно, должны возникать в зоне жидкокристаллического слоя, которая перекрывает оконечные участки гребневых зубцов гребнеобразного электрода, а потому эта зона предпочтительно экранирована от света.
Электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, предпочтительно является гребнеобразным электродом, содержащим ствольный участок и два или более гребневых зубца, которые выступают из ствольного участка, и два или более линейных участка предпочтительно являются двумя или более гребневыми зубцами. Согласно настоящему изобретению, когда электрод, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою, является гребнеобразным электродом, проблемы, вызванные обрывом в гребневых зубцах, могут быть устранены.
Жидкокристаллическое устройство отображения предпочтительно включает в себя пару гребнеобразных электродов, и соответственные гребневые зубцы пары гребнеобразных электродов предпочтительно расположены вперемежку через постоянные промежутки. Электрическое поле, вырабатываемое, когда разность потенциалов прикладывается между парой гребнеобразных электродов, является дугообразным поперечным электрическим полем. Выравнивание молекул жидкого кристалла соответствует ориентации электрического поля, а потому подобное отображение демонстрируется в обоих, фронтальном направлении и диагональном направлении, относительно поверхности подложки. Как результат, получается характеристика широкого угла обзора. Кроме того, в этом типе способа управления, которым формируется поперечное электрическое поле, даже когда обрыв возникает в гребневых зубцах только одного из пары гребнеобразных электродов, электрическое поле не формируется по отношению к гребневым зубцам другого гребнеобразного электрода, а потому электрическое поле не вырабатывается в обширной области. Отсюда особенно вероятно должны происходить серьезные дефекты пикселя. Посредством применения признаков настоящего изобретения, однако, дефекты пикселя могут обходиться легче, а потому получается высоконадежное жидкокристаллическое устройство отображения типа с поперечным электрическим полем. Отметим, что пара электродов может быть сформирована в одном и том же слое или разных слоях.
Плавающий электрод предпочтительно перекрывает гребневые зубцы пары гребнеобразных электродов. Когда можно перекрывать плавающий электрод гребневыми зубцами обоих из пары гребнеобразных электродов, оба электрода могут обходиться единственным плавающим электродом, приводя к улучшению эффективности.
Плавающий электрод или электрод перемычки предпочтительно перекрывает гребневые зубцы гребнеобразного электрода, имеющего большее количество гребневых зубцов, из числа пары гребнеобразных электродов. По мере того как количество гребневых зубцов возрастает, вероятность обрыва также возрастает, а потому плавающий электрод или электрод перемычки предпочтительно перекрывает по меньшей мере гребнеобразный электрод, имеющий большее количество гребневых зубцов, из числа пары гребнеобразных электродов.
Плавающий электрод или электрод перемычки предпочтительно перекрывает гребневые зубцы гребнеобразного электрода, имеющего более узкие гребневые зубцы, из числа пары гребнеобразных электродов. По мере того как гребневые зубцы становятся уже, вероятность обрыва возрастает, а потому, плавающий электрод или электрод перемычки предпочтительно перекрывает по меньшей мере гребнеобразный электрод, имеющий более узкие гребневые зубцы из числа пары гребнеобразных электродов.
РЕЗУЛЬТАТ ИЗОБРЕТЕНИЯ
С жидкокристаллическим устройством отображения согласно настоящему изобретению исправление для обеспечения проводимости может выполняться, и может подавляться возникновение дефекта пикселя, когда происходит обрыв в электроде, который прикладывает напряжение к жидкокристаллическому слою.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Фиг. 1 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллических устройствах отображения согласно вариантам 1-1, 1-9 и 1-10 осуществления;
фиг. 2 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT, вдоль линии A-B по фиг. 1;
фиг. 3-1 - схематический вид в разрезе, показывающий жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 1-1 осуществления в состоянии, где напряжение не приложено к жидкокристаллическому слою;
фиг. 3-2 - схематический вид в разрезе, показывающий жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 1-1 осуществления в состоянии, где напряжение приложено к жидкокристаллическому слою;
фиг. 4 - схематический вид сверху, показывающий способ, которым исправление выполняется посредством облучения лазером, когда обрыв возникает в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-1 осуществления;
фиг. 5 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-2 осуществления;
фиг. 6 - схематический вид сверху, показывающий способ, которым исправление выполняется посредством облучения лазером, когда обрыв возникает в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-2 осуществления;
фиг. 7 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-3 осуществления;
фиг. 8 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-4 осуществления;
фиг. 9 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-5 осуществления;
фиг. 10 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT, вдоль линии C-D по фиг. 9;
фиг. 11 - схематический вид сверху, показывающий состояние, в котором обрыв возникает в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-5 осуществления;
фиг. 12 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-6 осуществления;
фиг. 13 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-7 осуществления;
фиг. 14 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT, вдоль линии E-F по фиг. 13;
фиг. 15 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-8 осуществления;
фиг. 16 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 1-9 осуществления, вдоль линии A-B по фиг. 1;
фиг. 17-1 - схематический вид в разрезе, показывающий жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 1-10 осуществления в состоянии, где напряжение приложено к жидкокристаллическому слою;
фиг. 17-2 - схематический вид в разрезе, показывающий жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 1-10 осуществления в состоянии, где напряжение приложено к жидкокристаллическому слою;
Фиг. 18 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллических устройствах отображения согласно вариантам 2-1 и 2-11 осуществления;
фиг. 19 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT вдоль линии G-H по фиг. 18, и схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT вдоль линии M-N по фиг. 46;
фиг. 20 - схематический вид сверху, показывающий способ, которым исправление выполняется посредством облучения лазером, когда обрыв возникает в пиксельном электроде жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 2-1 осуществления;
фиг. 21 - схематический вид сверху, показывающий способ, которым исправление выполняется посредством облучения лазером, когда обрыв возникает в общем электроде жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 2-1 осуществления;
фиг. 22 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-2 осуществления;
фиг. 23 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-3 осуществления;
фиг. 24 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-4 осуществления;
фиг. 25 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-5 осуществления;
фиг. 26 - схематический вид сверху, показывающий состояние, в котором обрыв возникает в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-5 осуществления;
фиг. 27 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-6 осуществления;
фиг. 28 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-7 осуществления;
фиг. 29 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-8 осуществления;
фиг. 30 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-9 осуществления;
фиг. 31 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-10 осуществления;
фиг. 32 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT вдоль линии I-J по фиг. 31, и схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT вдоль линии O-P по фиг. 55;
фиг. 33 - схематический вид сверху, показывающий состояние, в котором электрод перемычки используется вместо плавающего электрода по варианту 2-3 осуществления;
фиг. 34 - схематический вид сверху, показывающий состояние, в котором электрод перемычки используется вместо плавающего электрода по варианту 2-4 осуществления;
фиг. 35 - схематический вид сверху, показывающий состояние, в котором электрод перемычки используется вместо плавающего электрода по варианту 2-7 осуществления;
Фиг. 36 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллических устройствах отображения согласно вариантам 3-1, 3-9 и 3-10 осуществления;
фиг. 37 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT, вдоль линии K-L по фиг. 36;
фиг. 38 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-2 осуществления;
фиг. 39 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-3 осуществления;
фиг. 40 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-4 осуществления;
фиг. 41 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-5 осуществления;
фиг. 42 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-6 осуществления;
фиг. 43 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-7 осуществления;
фиг. 44 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-8 осуществления;
фиг. 45 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 3-9 осуществления, вдоль линии K-L по фиг. 36;
Фиг. 46 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллических устройствах отображения согласно вариантам 4-1 и 4-11 осуществления;
фиг. 47 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-2 осуществления;
фиг. 48 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-3 осуществления;
фиг. 49 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-4 осуществления;
фиг. 50 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-5 осуществления;
фиг. 51 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-6 осуществления;
фиг. 52 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-7 осуществления;
фиг. 53 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-8 осуществления;
фиг. 54 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-9 осуществления;
фиг. 55 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-10 осуществления;
фиг. 56 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-12 осуществления;
Фиг. 57 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллических устройствах отображения согласно вариантам 5-1 и 5-14 осуществления;
фиг. 58 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT, вдоль линии Q-R по фиг. 57;
фиг. 59 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-2 осуществления;
фиг. 60 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-3 осуществления;
фиг. 61 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-4 осуществления;
фиг. 62 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-5 осуществления;
фиг. 63 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-6 осуществления;
фиг. 64 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-7 осуществления;
фиг. 65 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-8 осуществления;
фиг. 66 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-9 осуществления;
фиг. 67 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-10 осуществления;
фиг. 68 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-11 осуществления;
фиг. 69 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-12 осуществления;
фиг. 70 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-13 осуществления;
фиг. 71 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-15 осуществления;
фиг. 72-1 - схематический вид в разрезе, показывающий жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 5-15 осуществления в состоянии, где напряжение приложено к жидкокристаллическому слою;
фиг. 72-2 - схематический вид в разрезе, показывающий жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 5-15 осуществления в состоянии, где напряжение приложено к жидкокристаллическому слою;
Фиг. 73 - схематический вид сверху, показывающий обрыв в традиционном жидкокристаллическом устройстве отображения.
ВАРИАНТЫ ДЛЯ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Настоящее изобретение будет более подробно упомянуто со ссылкой на чертежи в последующих вариантах осуществления, но не ограничено этими вариантами осуществления.
Вариант 1 осуществления
Жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 1 осуществления будет описано ниже в десяти отдельных вариантах осуществления, а именно вариантах с 1-1 по 1-10 осуществления. Признак соответственных жидкокристаллических устройств отображения согласно варианту 1 осуществления состоит в том, что оба, пиксельный электрод и общий электрод, имеют гребневые зубцы по одну сторону одиночного ствола.
Вариант 1-1 осуществления
Фиг. 1 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-1 осуществления. Фиг. 2 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT, вдоль линии A-B по фиг. 1.
Как показано на фиг. 1, пиксельный электрод 21 присоединен к тонкопленочному транзистору 26 (TFT), имеющему полупроводниковый слой, и присоединен к истоковой проводке 24 (сигнальной проводке) через TFT 26. Кроме того, TFT 26 присоединен к истоковой проводке 24, а пиксельный электрод 21 электрически присоединяется с временными характеристиками напряжения затвора, прикладываемого к полупроводниковому слою через затворную проводку 25 (проводку сканирования), в силу чего сигнальное напряжение прикладывается к пиксельному электроду 21. Пиксельный электрод 21 и общий электрод 22 оба имеют базовое строение, включающее в себя ствольную часть, служащую в качестве магистрали, и гребневую зубчатую часть, выступающую из ствола. Множество истоковых проводок 24 предусмотрены, чтобы тянуться по существу параллельно друг другу в продольном направлении. Кроме того, множество затворных проводок 25 предусмотрены, чтобы тянуться по существу параллельно друг другу в продольном направлении и чтобы пересекать соответствующие истоковые проводки 24. Истоковая проводка 24 и затворная проводка 25 расположены в разных слоях через изолирующую пленку. Пиксельный электрод 21 и общий электрод 22 расположены в одном и том же слое, но слой, на котором сформирована истоковая проводка 24, и слой, на котором сформирована затворная проводка 25, расположены в других слоях через изолирующую пленку.
Как показано на фиг. 2, подложка TFT включает в себя стеклянную подложку 31, первую изолирующую пленку 32, предусмотренную на стеклянной подложке 31, и вторую изолирующую пленку 33, предусмотренную на первой изолирующей пленке 32. Истоковая проводка 24 и исправляющий плавающий электрод 61, которые будут описаны ниже, предусмотрены между первой изолирующей пленкой 32 и второй изолирующей пленкой 33. Пара гребнеобразных электродов, чьи гребневые зубцы расположены вперемежку через постоянные промежутки, предусмотрены на второй изолирующей пленке 33. Один из пары гребнеобразных электродов является пиксельным электродом 21, к которому сигнальное напряжение прикладывается через сигнальную проводку 24, наряду с тем, что другой является общим электродом 22, к которому общее напряжение прикладывается через общую проводку. Оксид металла, такой как светопропускающий легированный оловом оксид индия (ITO) или легированный цинком оксид индия (IZO), может благоприятно использоваться в качестве материала пиксельного электрода 21 и общего электрода 22. Ширина гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и общего электрода 22 предпочтительно является как можно более узкой, например, между 2 и 8 мкм. Кроме того, расстояние между гребневыми зубцами пиксельного электрода 21 и гребневыми зубцами общего электрода 22 предпочтительно имеет значение между 2 и 10 мкм. Слой 36 вертикального выравнивания для определения начального наклона молекул жидкого кристалла расположен на пиксельном электроде 21 и общем электроде 22.
На фиг. 2, толщина первой изолирующей пленки 32 предпочтительно имеет значение между 0,2 и 0,6 мкм, а толщина второй изолирующей пленки 33 предпочтительно имеет значение между 0,3 и 3,0 мкм. Кроме того, толщина пиксельного электрода 21 предпочтительно имеет значение между 0,05 и 0,15 мкм, толщина общего электрода 22 предпочтительно имеет значение между 0,05 и 0,15 мкм, толщина истоковой проводки 24 предпочтительно имеет значение между 0,1 и 0,3 мкм, а толщина плавающего электрода 61 предпочтительно имеет значение по меньшей мере 0,1 мкм. Толщина второй изолирующей пленки 33 предпочтительно является меньшей чем 0,5 мкм, чтобы облегчать исправление посредством облучения лазером, но предпочтительно по меньшей мере 2 мкм, чтобы предохранять пиксельный электрод 21 или общий электрод 22 от нахождения под влиянием колебания напряжения с другой проводки.
Как показано на фиг. 1, исправляющий плавающий электрод 61 предусмотрен, чтобы перекрывать оконечные участки гребенчатых зубцов (линейных участков) пиксельного электрода 21 и оконечные участки гребенчатых зубцов (линейных участков) общего электрода 22. Плавающий электрод 61 принимает линейную форму, тянущуюся в направлении, по существу ортогональном направлению длины гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и направлению длины гребневых зубцов общего электрода 22, и перекрывает как оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, так и оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22. Кроме того, плавающий электрод 61 расположен в зоне, окруженной затворной проводкой 25 (проводкой сканирования) и истоковой проводкой 24 (сигнальной проводкой), или, другими словами, в пределах одиночного подпикселя. Как показано на фиг. 2, плавающий электрод 61 расположен в том же самом слое, что и истоковая проводка 24, но отделен, и тем самым электрически изолирован от истоковой проводки 24 и затворной проводки 25 через изолирующую пленку. Материал плавающего электрода 61 может быть светопропускающим или нет, и до тех пор, пока используется проводящий материал, на него нет никаких конкретных ограничений. Чтобы получать благоприятную способность расплавления во время облучения лазером, однако, предпочтителен металлический элемент, такой как тантал (Ta), молибден (Mo) или алюминий (Al).
В подложке 11 TFT, сконфигурированной таким образом, напряжение, приложенное к затворной проводке 25 или истоковой проводке 24, может переключаться между положительным и отрицательным, и в это время напряжение, подаваемое на пиксельный электрод 21 или общий электрод 22, может меняться в ответ на переменное напряжение. Расположением плавающего электрода 61 под пиксельным электродом 21 или общим электродом 22 через вторую изолирующую пленку 33, однако, может быть снижен эффект колебания напряжения, приложенного к затворной проводке 25 или истоковой проводке 24, а потому плавающий электрод 61 может использоваться в качестве так называемого элемента экранирования электрического поля. Плавающий электрод 61 тянется в направлении, по существу ортогональном направлениям длины соответственных гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и общего электрода 22, а потому эффект экранирования электрического поля может быть получен в обширной области пиксельного электрода 21 и общего электрода 22.
С точки зрения коэффициента пропускания, плавающий электрод 61 предпочтительно является светопропускающим. Однако, как изолирующая пленка, так и металл в части, подвергаемой облучению лазером, теряют свою плоскую форму, и, как результат, нарушение выравнивания может происходит в молекулах жидкого кристалла. Отсюда, для того чтобы экранировать зону, которая перекрывает исправленную част, плавающий электрод 61 предпочтительно имеет свойство экранирования света.
Ширина плавающего электрода 61 предпочтительно является не меньшей чем 2 мкм. Кроме того, чтобы содействовать исправлению посредством облучения лазером и улучшать эффект экранирования электрического поля, ширина плавающего электрода 61 предпочтительно является большей, чем ширина гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и ширина гребневых зубцов общего электрода 22.
Общий электрод 22 присоединен к общей проводке. Затворная проводка 25 и истоковая проводка 24 расположены, чтобы пересекаться, а зона, окруженная затворной проводкой 25 и истоковой проводкой 24, составляет одиночный подпиксель. Цветовой фильтр или одиночный цвет соответствует одиночному подпикселю, а единый пиксель составлен множеством подпикселей.
Отметим, что, в противоположность плавающему электроду 61, пиксельный электрод 21 и общий электрод 22 могут быть расширены зоной, которая перекрывает затворную проводку 25 или истоковую проводку 24, и, при действии таким образом, может быть увеличена светосила.
В варианте 1-5 осуществления, который будет описан ниже, электрод перемычки используется вместо плавающего электрода, но, принимая во внимание трудность предоставления контактного отверстия в гребневых зубцах, может быть сказано, что большая отдача получается при строении по варианту 1-1 осуществления.
Далее будет описан способ управления молекулами жидкого кристалла в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1 осуществления. Фиг. 3-1 и 3-2 - схематические виды в разрезе, показывающие жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 1-1 осуществления и иллюстрирующие поведение молекул жидкокристаллического кристалла особенно подробно. Фиг. 3-1 показывает состояние, в котором напряжение не приложено к жидкокристаллическому слою, а фиг. 3-2 показывает состояние, в котором напряжение приложено к жидкокристаллическому слою.
Как показано на фиг. 3-1 и 3-2, жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 1 осуществления включает в себя жидкокристаллическую панель 1 отображения, содержащую жидкокристаллический слой 13 и пару подложек 11, 12, между которыми вставлен жидкокристаллический слой 13. Более точно, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1 осуществления подложка 11 TFT, жидкокристаллический слой 13 и противоположная подложка 12 предусмотрены в таком порядке со стороны задней поверхности к стороне поверхности обзора. Жидкокристаллический слой 13 содержит в себе нематический жидкий кристалл, имеющий положительную анизотропию диэлектрической постоянной (Δε>0). Кроме того, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1 осуществления блок подсветки предусмотрен на стороне задней поверхности жидкокристаллической панели 1.
Подложка 11 TFT включает в себя стеклянную подложку 31, и пиксельный электрод и общий электрод 22 предусмотрены на стороне жидкокристаллического слоя стеклянной подложки 31. Пиксельный электрод 21 и общий электрод 22 расположены вперемежку в широтном направлении, когда наблюдаются с направления их поперечного разреза.
Противоположная подложка 12 включает в себя стеклянную подложку 41 и цветовой фильтр 42. Цветовой фильтр 42 расположен на стороне жидкокристаллического слоя 13 стеклянной подложки 41. Цветовой фильтр 42 составлен фильтром, имеющим красный, зеленый или синий цвета, и один цветовой фильтр соответствует одному подпикселю. Посредством комбинирования красного, зеленого и синего подпикселей формируется единый пиксель. Отметим, что цвет цветового фильтра 42 не обязательно должен быть одного из этих цветов. Кроме того, количество цветов цветового фильтра не ограничено тремя, и могут применяться четыре или более цвета. Черная матрица (BM) расположена между цветовыми фильтрами разных цветов для предотвращения смешанного цвета и просачивания света.
Слои 36, 43 вертикального выравнивания располагаются на соответственных поверхностях подложки 11 TFT и противоположной подложки 12, которая контактирует с жидкокристаллическим слоем 13. Как показано на фиг. 3-1, когда не приложено никакое напряжение, молекулы 51 жидкого кристалла выровнены гомеотропно или, другими словами, выровнены вертикально относительно поверхностей пары подложек 11, 12. Более точно, соответственные главные оси палочкообразных молекул 51 жидкого кристалла ориентированы в по существу ортогональном направлении к поверхностям подложек 11, 12, и все из молекул 51 жидкого кристалла скомпонованы регулярно в идентичном направлении.
Когда напряжение прикладывается между пиксельным электродом 21 и общим электродом 22, как показано на фиг. 3-2, отклонения возникают в выравнивании молекул 51 жидкого кристалла вдоль дугообразного поперечного электрического поля, сформированного между электродами. Группа молекул 51 жидкокристаллического кристалла, таким образом, находящихся под влиянием электрического поля, демонстрирует наклонное выравнивание, которое симметрично вокруг промежуточной зоны между гребневыми зубцами (пиксельным электродом 21 и общим электродом 22) и повсюду ориентировано в широтном направлении. Как показано на фиг. 3-2, однако, молекулы 51 жидкого кристалла, расположенные на граничном краю дугообразного поперечного электрического поля или, другими словами, молекулы 51 жидкого кристалла, расположенные непосредственно над пиксельным электродом 21 и общим электродом, менее вероятно должны находиться под влиянием отклонения электрического поля, а потому остаются выровненными в по существу ортогональном направлении к поверхностям подложек 11, 12. Кроме того, молекулы 51 жидкого кристалла, расположенные в промежуточной зоне между гребневыми зубцами (пиксельным электродом 21 и общим электродом 22) и дальше всего отдаленные от гребневых зубцов в зоне между гребневыми зубцами (пиксельным электродом 21 и общим электродом 22), также остаются выровненными в направлении, по существу ортогональном поверхностям пары подложек 11, 12.
Подложка 11 TFT и противоположная подложка 12 соответственно включают в себя поляризаторы 37, 44. На подложке 11 TFT поляризатор 37 расположен дальше всего по направлению к стороне задней поверхности подложки 11 TFT, а на противоположной подложке 12 поляризатор 44 расположен дальше всего по направлению к стороне поверхности обзора противоположной подложки 12. Поляризаторы 37, 44 способны к преобразованию естественного света, испускаемого источником света, в поляризованный свет, который осциллирует в определенном постоянном направлении (направлении оси поляризации).
В варианте 1 осуществления молекулы 51 жидкого кристалла выровнены в направлении, по существу ортогональном поверхностям подложек 11, 12, когда не приложено никакого напряжения. Соответственно, ось пропускания поляризатора 37, предусмотренного на подложке 11 TFT, и ось пропускания поляризатора 44, предусмотренного на противоположной подложке 12, имеют взаимно пересекающееся взаимное расположение (поперечной призмы Николя), а потому, когда не приложено никакого напряжения, свет, пропускаемый через жидкокристаллический слой 13, блокируется поляризаторами 37, 44. Посредством установки вертикального выравнивания в качестве начального выравнивания молекул 51 жидкого кристалла и расположения поляризаторов 37, 44 в компоновке поперечной призмы Николя этим способом, нормально черный режим, имеющий высокий коэффициент контрастности, может получаться в качестве режима отображения.
Когда приложено напряжение, с другой стороны, молекулы 51 жидкого кристалла демонстрируют выравнивание, соответствующее поперечному электрическому полю и, одновременно, меняется направление осцилляции (ось поляризации) света, проходящего через жидкокристаллический слой 13. Соответственно, свет, который проходит через жидкокристаллический слой 13, может проходить через поляризатор 44 на стороне противоположной подложки 12, и, как результат, этот свет проходит через жидкокристаллическую панель 1 отображения, чтобы использоваться в качестве света отображения.
Отсюда способ управления для жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 1-1 осуществления соответствует режиму, в котором выравнивание молекул жидкого кристалла управляется с использованием поперечного электрического поля. Как описано выше, однако слой вертикального выравнивания предусмотрен, из условия чтобы, когда напряжение не приложено, молекулы 51 жидкого кристалла были выровнены гомеотропно или, другими словами, выровнены вертикально, относительно поверхностей пары подложек 11, 12, и это отличается от так называемого режима IPS, в котором молекулы 51 жидкого кристалла выровнены гомогенно или, другими словами, горизонтально относительно поверхностей пары подложек 11, 12, когда напряжение не приложено. Отметим, что этот пункт применяется подобным образом к жидкокристаллическим устройствам отображения по вариантам с 1-2 по 1-9 осуществления, которые будут описаны ниже.
Далее будет описан способ выполнения исправления с использованием облечения лазером, когда обрыв возникает в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1 осуществления. Фиг. 4 - схематический вид сверху, показывающий способ, которым исправление выполняется посредством облучения лазером, когда обрыв возникает в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-1 осуществления. Устройство, объединяющее оптический микроскоп и лазерный генератор, предпочтительно применяется в качестве устройства для выполнения исправления лазером.
Как показано на фиг. 4, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-1 осуществления плавающий электрод 61 расположен в зоне, перекрывающей оконечный участок пиксельного электрода 21. Когда обрыв возникает в части гребневых зубцов пиксельного электрода 21, электрическое поле больше не формируется между оборванным гребневым зубцом пиксельного электрода 21 и противоположным гребневым зубцом общего электрода 22, а потому достаточное напряжение не прикладывается к зоне жидкокристаллического слоя 13, которая перекрывает пиксель. Как результат, молекулы 51 жидкого кристалла остаются вертикально выровненными, так что формируется темное отображение. В этом случае, прежде всего, оконечный участок оборванного гребневого зубца пиксельного электрода 21 и часть плавающего электрода, которая перекрывает оборванный гребневый зубец пиксельного электрода 21, расплавляются с использованием лазерного устройства 62, с тем чтобы соединяться друг с другом, вследствие чего оконечные участки необорванных гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и часть плавающего электрода 61, которая перекрывает оконечные участки необорванных гребневых зубцов пиксельного электрода 21, расплавляются лазером с использованием лазерного устройства 62, с тем чтобы соединяться друг с другом. Как результат, сигнальное напряжение может подаваться на весь пиксельный электрод 21 через плавающий электрод 61, а потому может избегаться дефект пикселя.
Вариант 1-2 осуществления
Фиг. 5 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-2 осуществления. Как показано на фиг. 5, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-2 осуществления плавающий электрод 61 расположен в зоне, которая перекрывает оконечный участок общего электрода 22.
Фиг. 6 - схематический вид сверху, показывающий способ, которым исправление выполняется посредством облучения лазером, когда обрыв возникает в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-2 осуществления. Как показано на фиг. 6, когда обрыв возникает в части гребневых зубцов общего электрода 22, электрическое поле больше не формируется между оборванным гребневым зубцом общего электрода 22 и противоположным гребневым зубцом пиксельного электрода 21, а потому достаточное напряжение не прикладывается к зоне жидкокристаллического слоя 13, которая перекрывает пиксель. Как результат, молекулы 51 жидкого кристалла остаются вертикально выровненными, так что формируется темное отображение. В этом случае, прежде всего, оборванный гребневый зубец общего электрода 22 и часть плавающего электрода 61, которая перекрывает оконечный участок оборванного гребневого зубца общего электрода 22, расплавляются лазером с использованием лазерного устройства 62, с тем чтобы соединяться друг с другом, вследствие чего необорванные гребневые зубцы общего электрода 22 и часть плавающего электрода 61, которая перекрывает оконечные участки необорванных гребневых зубцов общего электрода 22, расплавляются лазером с использованием лазерного устройства 62, с тем чтобы соединяться друг с другом. Как результат, общее напряжение может подаваться на весь общий электрод 22 через плавающий электрод 61, а потому может избегаться дефект пикселя.
Вариант 1-3 осуществления
Фиг. 7 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-3 осуществления. Как показано на фиг. 7, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-3 осуществления исправляющий электрод расположен в зоне, которая перекрывается с оконечным участком пиксельного электрода и оконечным участком общего электрода.
Посредством расположения плавающего электрода 61, чтобы перекрывал оконечный участок пиксельного электрода 21 и оконечный участок общего электрода 22 этим способом, обрыв в любом из пиксельного электрода 21 или общего электрода 22 может исправляться посредством облучения лазером.
Вариант 1-4 осуществления
Фиг. 8 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-4 осуществления. Как показано на фиг. 8, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-4 осуществления два плавающих электрода 61 расположены соответственно в зоне, перекрывающей оконечные участки пиксельного электрода 21 и оконечные участки общего электрода 22. Два плавающих электрода 61 могут быть расположены в одном и том же слое или разных слоях.
Расположением исправляющего плавающего электрода 61 состоящим из двух частей этим способом, когда обрыв возникает в одном из плавающих электродов 61, исправление может выполняться с использованием другого плавающего электрода 61.
Вариант 1-5 осуществления
Фиг. 9 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-5 осуществления. Фиг. 10 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT, вдоль линии C-D по фиг. 9. Как показано на фиг. 9 и 10, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно вариантам 1-5 осуществления контактное отверстие 64 сформировано на оконечном участке каждого гребневого зубца пиксельного электрода 21, и соответственные участки гребневых зубцов пиксельного электрода присоединены к электроду 63 перемычки через контактные отверстия 64. Электрод 63 перемычки наделен линейной формой и расположен, чтобы перекрывать соответственные оконечные участки пиксельного электрода 21.
Фиг. 11 - схематический вид сверху, показывающий состояние, в котором обрыв возникает в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-5 осуществления. Как показано на фиг. 11, даже когда обрыв происходит в части гребневых зубцов пиксельного электрода 21, оборванный гребневый зубец пиксельного электрода 21 и необорванные гребневые зубцы пиксельного электрода 21 остаются соединенными через электрод 63 перемычки. Поэтому сигнальное напряжение может подаваться на весь пиксельный электрод 21 и, как результат, дефект пикселя не возникает.
Исправлению посредством облучения лазером не нужно выполняться на электроде 63 перемычки, а потому металл-оксидная пленка, изготовленная из ITO, или тому подобного, предпочтительно используется в качестве материала электрода 63 перемычки, для того чтобы обеспечивать коэффициент пропускания. Кроме того, нет конкретных ограничений на соотношение между шириной электрода 63 перемычки и шириной гребневых зубцов пиксельного электрода 21 или гребневых зубцов общего электрода 22.
Вариант 1-6 осуществления
Фиг. 12 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-6 осуществления. Как показано на фиг. 12, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-6 осуществления оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22 те и другие заужены, и плавающий электрод 61 расположен в зоне, перекрывающей оконечный участок пиксельного электрода 21.
Посредством расположения плавающего электрода 61, чтобы перекрывал зауженную часть на оконечном участке пиксельного электрода 21, где наиболее вероятно должен происходить обрыв, обрыв в зауженной части на оконечном участке пиксельного электрода 21 может исправляться благодаря облучению лазером.
Ширина гребневых зубцов в зауженной части на оконечном участке пиксельного электрода 21 предпочтительно на по меньшей мере 1 мкм уже, чем ширина гребневых зубцов в незауженной части пиксельного электрода 21.
Вариант 1-7 осуществления
Фиг. 13 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-7 осуществления. Фиг. 14 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT, вдоль линии E-F по фиг. 13. Как показано на фиг. 13 и 14, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-7 осуществления пленка 27 экранирования света расположена на нижнем слое соответственных оконечных участков гребневых зубцов пиксельного электрода 21 или, другими словами, на нижней стороне плавающего электрода 61. Толщина пленки 27 экранирования света предпочтительно имеет значение, не меньшее чем 0,1 мкм.
Часть, подвергнутая облучению лазером, как изолирующая пленка, так и металл, теряют свою плоскую форму, и, как результат, нарушение выравнивания может возникать в молекулах жидкого кристалла. Однако посредством расположения пленки 27 экранирования света в положении, перекрывающем оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, нарушение выравнивания может предохраняться от неблагоприятного влияния на качество отображения.
Вариант 1-8 осуществления
Фиг. 15 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-8 осуществления. Как показано на фиг. 15, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-8 осуществления плавающий электрод 61 сформирован, чтобы быть шире в местах, перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, чем в местах, не перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21.
Посредством формирования мест, перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, чтобы были шире, этим способом, исправление благодаря облучению лазером становится легче. Кроме того, места, не перекрывающие оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, которые не подвергаются облучению лазером, могут делаться более узкими, приводя к улучшению коэффициента пропускания.
Вариант 1-9 осуществления
В жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-9 осуществления пиксельный электрод и общий электрод расположены в разных слоях. Поэтому схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-9 осуществления, подобен фиг. 1. Между тем фиг. 16 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 1-9 осуществления, вдоль линии A-B по фиг. 1, которая отличается от фиг. 2.
Как показано на фиг. 16, подложка TFT включает в себя стеклянную подложку 31, первую изолирующую пленку 32, предусмотренную на стеклянной подложке 31, и вторую изолирующую пленку 33, предусмотренную на первой изолирующей пленке 32. Истоковая проводка 24 и плавающий электрод 61 предусмотрены между первой изолирующей пленкой 32 и второй изолирующей пленкой 33. Пиксельный электрод 21 расположен на второй изолирующей пленке, и третья изолирующая пленка 34 предусмотрена на пиксельном электроде 21. Общий электрод 22 расположен на третьей изолирующей пленке 34. Слой 36 вертикального выравнивания для определения начального наклона молекул жидкого кристалла расположен на общем электроде 22.
Даже когда пиксельный электрод 21 и общий электрод 22 расположены в разных слоях этим способом, посредством размещения пиксельного электрода 21 и общего электрода, из условия чтобы его соответственные гребневые зубцы были расположены вперемежку через постоянные промежутки, поперечное электрическое поле может формироваться в жидкокристаллическом слое и, как результат, может регулироваться выравнивание молекул жидкого кристалла. Пиксельный электрод 21 либо общий электрод 22 могут быть расположены в слое, более близком к жидкокристаллическому слою. Отметим, что, когда пиксельный электрод 21 и общий электрод 22 расположены в разных слоях, толщина второй изолирующей пленки 33 предпочтительно имеет значение между 0,3 и 3,0 мкм, а толщина третьей изолирующей пленки 34 предпочтительно имеет значение между 0,3 и 3,0 мкм.
Вариант 1-10 осуществления
В жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-10 осуществления слой горизонтального выравнивания используется вместо слоя вертикального выравнивания, используемого в вариантах с 1-1 по 1-9 осуществления. Другими словами, способ управления молекулами жидкого кристалла в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-10 осуществления сответствует режиму IPS. Соответственно, схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-10 осуществления, подобен фиг. 1.
Далее будет описан способ управления молекулами жидкого кристалла в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 1-10 осуществления. Фиг. 17-1 и 17-2 - схематические виды в разрезе, показывающие жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 1-10 осуществления и иллюстрирующие поведение молекул жидкокристаллического кристалла особенно подробно. Фиг. 17-1 показывает состояние, в котором напряжение не приложено к жидкокристаллическому слою, а фиг. 17-2 показывает состояние, в котором напряжение приложено к жидкокристаллическому слою.
Как показано на фиг. 17-1, слои 38, 45 горизонтального выравнивания расположены на соответственных поверхностях подложки 11 TFT и противоположной подложки 12, которая контактирует с жидкокристаллическим слоем. Когда не приложено никакое напряжение, молекулы 51 жидкого кристалла выровнены гомогенно или, другими словами, выровнены горизонтально относительно поверхностей пары подложек 11, 12. Более точно, соответственные главные оси палочкообразных молекул 51 жидкого кристалла ориентированы в по существу горизонтальном направлении относительно поверхностей подложки, из условия чтобы направление длинной оси молекул 51 жидкого кристалла было по существу параллельным направлению гребневого зубца, и все из молекул 51 жидкого кристалла скомпонованы регулярно в идентичном направлении.
Как показано на фиг. 17-2, когда напряжение прикладывается между пиксельным электродом 21 и общим электродом 22, разброс выравнивания молекул 51 жидкого кристалла происходит вдоль дугообразного поперечного электрического поля, сформированного между электродами. Молекулы 51 жидкого кристалла, все из которых являются находящимися под влиянием электрического поля, выполняют боковое вращение наряду с пребыванием по существу горизонтальными относительно поверхностей подложки, в силу чего направление длинной оси молекул 51 жидкого кристалла становится по существу ортогональным направлению гребневого зубца.
Когда обрыв возникает в гребневом зубце пиксельного электрода 21 или общего электрода 22 этого типа жидкокристаллического устройства отображения режима IPS, электрическое поле не формируется между пиксельным электродом 21 и общим электродом 22, а потому посредством формирования исправляющего плавающего электрода обрыв может исправляться благодаря облучению лазером.
Варианты с 1-1 по 1-10 осуществления были описаны выше, но в соответственных вариантах осуществления, электрод перемычки может использоваться вместо плавающего электрода, например, как в варианте 1-5 осуществления. Кроме того, соответственные признаки вариантов с 1-1 по 1-10 осуществления могут комбинироваться другими способами.
Вариант 2 осуществления
Жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 2 осуществления будет описано ниже в одиннадцати отдельных вариантах осуществления, а именно вариантах с 2-1 по 2-11 осуществления. Признак соответственных жидкокристаллических устройств отображения согласно варианту 2 осуществления состоит в том, что пиксельный электрод имеет гребневые зубцы на одной стороне одиночного ствола наряду с тем, что общий электрод имеет гребневые зубцы по обеим сторонам одиночного ствола.
Жидкокристаллические устройства отображения согласно вариантам с 2-1 по 2-11 осуществления все имеют режим, в котором выравнивание молекул жидкого кристалла управляется с использованием поперечного электрического поля. Варианты с 2-1 по 2-10 осуществления соответствуют режиму управления, в котором молекулы жидкого кристалла выравниваются гомеотропно или, другими словами, выравниваются вертикально относительно пары поверхностей подложек, когда не приложено никакое напряжение, тогда как вариант 2-11 осуществления соответствует так называемому режиму IPS, в котором молекулы жидкого кристалла выравниваются гомогенно или, другими словами, выравниваются горизонтально относительно пары поверхностей подложек, когда не приложено никакого напряжения.
Вариант 2-1 осуществления
Фиг. 18 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-1 осуществления. Кроме того, фиг. 19 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT, вдоль линии G-H по фиг. 18.
Как показано на фиг. 19, пиксельный электрод 21 и общий электрод 22 расположены в разных слоях, пиксельный электрод 21 является расположенным ближе к жидкокристаллическому слою, а общий электрод 22 является расположенным дальше от жидкокристаллического слоя. Кроме того, как показано на фиг. 18, жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 2-1 осуществления включает в себя исправляющий плавающий электрод 61, и плавающий электрод 61 расположен, чтобы перекрывать как оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, так и оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22. Отсюда в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-1 осуществления одиночный плавающий электрод 61 может использоваться в качестве исправляющего электрода для обоих, пиксельного электрода и общего электрода 22.
Фиг. 20 - схематический вид сверху, показывающий способ, которым исправление выполняется посредством облучения лазером, когда обрыв возникает в пиксельном электроде жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 2-1 осуществления. Фиг. 21 - схематический вид сверху, показывающий способ, которым исправление выполняется посредством облучения лазером, когда обрыв возникает в общем электроде жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 2-1 осуществления.
Как показано на фиг. 20, когда обрыв возникает в части гребневых зубцов пиксельного электрода 21, прежде всего, оконечный участок оборванного гребневого зубца пиксельного электрода 21 и часть плавающего электрода, которая перекрывает оборванный гребневый зубец пиксельного электрода 21, расплавляются лазером с использованием лазерного устройства 62, с тем чтобы соединяться друг с другом, вследствие чего оконечные участки необорванных гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и часть плавающего электрода 61, которая перекрывает оконечные участки необорванных гребневых зубцов пиксельного электрода 21, расплавляются лазером с использованием лазерного устройства 62, с тем чтобы соединяться друг с другом. Как результат, сигнальное напряжение может передаваться через весь пиксельный электрод 21 посредством плавающего электрода 61, а потому может избегаться дефект пикселя.
Как показано на фиг. 21, подобным образом, когда обрыв возникает в части гребневых зубцов общего электрода 22, прежде всего, оконечный участок оборванного гребневого зубца общего электрода 22 и часть плавающего электрода, которая перекрывает оборванный гребневый зубец общего электрода 22, расплавляются с использованием лазерного устройства 62, с тем чтобы соединяться друг с другом, вследствие чего оконечные участки необорванных гребневых зубцов общего электрода 22 и часть плавающего электрода 61, которая перекрывает оконечные участки необорванных гребневых зубцов общего электрода 22, расплавляются лазером с использованием лазерного устройства 62, с тем чтобы соединяться друг с другом. Как результат, общее напряжение может подаваться на весь общий электрод 22 через плавающий электрод 61, а потому может избегаться дефект пикселя.
Вариант 2-2 осуществления
Фиг. 22 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-2 осуществления. Как показано на фиг. 22, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-2 осуществления плавающий электрод 61, имеющий длину, более короткую, чем плавающий электрод 61 жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 2-1 осуществления, предусмотрен для использования при исправлении общего электрода 22. Уменьшением длины плавающего электрода 61 может достигаться улучшение коэффициента пропускания.
Вариант 2-3 осуществления
Фиг. 23 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-3 осуществления. Как показано на фиг. 23, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-3 осуществления плавающий электрод 61 расположен не только в зоне, перекрывающей оконечные участки пиксельного электрода 21 и оконечные участки общего электрода 22, но также в зоне, перекрывающей оконечные участки гребневых зубцов на другой стороне общего электрода 22.
Посредством расположения плавающего электрода 61, чтобы перекрывал оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и оконечные участки гребневых зубцов по обеим сторонам общего электрода этим способом, обрыв, возникающий в любой части пиксельного электрода 21 и общего электрода 22, может исправляться благодаря облучению лазером.
Вариант 2-4 осуществления
Фиг. 24 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-4 осуществления. Как показано на фиг. 24, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-4 осуществления два плавающих электрода 61 расположены соответственно в зонах, перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и оконечные участки гребневых зубцов по обеим сторонам от общего электрода 22.
Посредством расположения плавающего электрода 61 состоящим из двух частей этим способом, когда обрыв возникает в одном из плавающих электродов 61, исправление может выполняться с использованием другого плавающего электрода 61.
Вариант 2-5 осуществления
Фиг. 25 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-5 осуществления. Как показано на фиг. 25, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно вариантам 2-5 осуществления контактное отверстие 64 сформировано на оконечном участке каждого гребневого зубца пиксельного электрода 21, и соответственные участки гребневых зубцов пиксельного электрода присоединены к электроду 63 перемычки через контактные отверстия 64. Электрод 63 перемычки наделен линейной формой и расположен, чтобы перекрывать оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и оконечные участки гребневых зубцов на одной стороне общего электрода 22.
Фиг. 26 - схематический вид сверху, показывающий состояние, в котором обрыв возникает в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-5 осуществления. Как показано на фиг. 26, даже когда обрыв происходит в части гребневых зубцов пиксельного электрода 21, оборванный гребневый зубец пиксельного электрода 21 остается присоединенным к необорванным пиксельным зубцам пиксельного электрода 21 через электрод 63 перемычки. Поэтому сигнальное напряжение может подаваться на весь пиксельный электрод 21 и, как результат, дефект пикселя не возникает. Материал, подобный таковому по варианту 1-5 осуществления, может использоваться в качестве материала электрода 63 перемычки.
Вариант 2-6 осуществления
Фиг. 27 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-6 осуществления. Как показано на фиг. 27, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-6 осуществления контактное отверстие 64 сформировано на оконечном участке каждого гребневого зубца пиксельного электрода 21 и каждого гребневого зубца общего электрода 22. Электрод 63 перемычки наделен линейной формой, и два электрода 63 перемычки расположены, чтобы перекрывать оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и оконечные участки гребневых зубцов на одной стороне общего электрода 22. Кроме того, один из двух электродов 63 перемычки присоединен только к пиксельному электроду 21 через контактные отверстия 64 наряду с тем, что другой присоединен только к общему электроду 22 через контактные отверстия 64.
Предоставлением двух электродов 63 перемычки, присоединенных к разным электродам этим способом, сигнальное напряжение может подаваться на весь пиксельный электрод 21 через электрод 63 перемычки, а общее напряжение может подаваться на весь общий электрод 22 через другой электрод 63 перемычки, когда обрыв возникает в любом из пиксельного электрода или общего электрода 22. Поэтому вероятность дефекта пикселя может быть снижена.
Вариант 2-7 осуществления
Фиг. 28 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-7 осуществления. Как показано на фиг. 28, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-7 осуществления одна половина гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и гребневые зубцы по одну сторону общего электрода 22 сформированы, чтобы быть узкими, и плавающий электрод 61 расположен в зоне, перекрывающей оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22.
Посредством расположения плавающего электрода 61, чтобы перекрывал зауженные части на оконечных участках пиксельного электрода 21, где наиболее вероятно должен происходить обрыв, обрыв в любом из пиксельного электрода 21 или общего электрода 22 может исправляться благодаря облучению лазером.
Вариант 2-8 осуществления
Фиг. 29 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-8 осуществления. Как показано на фиг. 29, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-8 осуществления пленка 27 экранирования света расположена на оконечных участках гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и оконечных участках гребневых зубцов по одну сторону общего электрода 22.
Как результат, подобно варианту 1-7 осуществления, нарушение выравнивания может предохраняться от неблагоприятного влияния на качество отображения, даже когда исправление выполняется посредством облучения лазером.
Вариант 2-9 осуществления
Фиг. 30 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-9 осуществления. Как показано на фиг. 30, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-9 осуществления плавающий электрод 61 сформирован, чтобы быть шире в местах, перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, чем в местах, не перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21. Кроме того, плавающий электрод 61 сформирован, чтобы быть шире в местах, перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22, чем в местах, не перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22.
Подобно варианту 1-8 осуществления, посредством формирования мест, перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и общего электрода 22, чтобы были шире, этим способом, исправление благодаря облучению лазером становится легче. Кроме того, места, не перекрывающие оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и общего электрода 22, могут делаться более узкими, приводя к соответствующему улучшению коэффициента пропускания.
Вариант 2-10 осуществления
Фиг. 31 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-10 осуществления. Как показано на фиг. 31, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-10 осуществления гребневая зубчатая часть общего электрода 22 расположена в том же самом слое, что и пиксельный электрод 21, и ствольная часть и гребневая зубчатая часть общего электрода 22 присоединены друг к другу через контактное отверстие 23. Соответственно, схематический вид в разрезе подложки TFT вдоль линии I-J на фиг. 32 является таким, как показанный на фиг. 32. В этом случае ствольная часть общего электрода 22 расположена на стеклянной подложке 31, а гребневая зубчатая часть общего электрода 22 расположена на второй изолирующей пленке 33.
Отсюда можно располагать только часть общего электрода 22 в том же слое, что и пиксельный электрод 21, а в этом случае пиксельный электрод 21 и ствольная часть общего электрода 22 могут изготавливаться идентичным технологическим процессом.
Вариант 2-11 осуществления
В жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-11 осуществления слой горизонтального выравнивания используется вместо слоя вертикального выравнивания, используемого в вариантах с 2-1 по 2-10 осуществления. Другими словами, способ управления молекулами жидкого кристалла в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-11 осуществления соответствует режиму IPS. Соответственно, схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-11 осуществления, подобен фиг. 18.
Способ управления молекулами жидкого кристалла в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 2-11 осуществления подобен таковому по варианту 1-10 осуществления.
Варианты с 2-1 по 2-11 осуществления были описаны выше, но в соответственных вариантах осуществления электрод перемычки может использоваться вместо плавающего электрода, например, как в варианте 2-5 осуществления, и соответственные признаки вариантов с 2-1 по 2-11 осуществления могут комбинироваться другими способами. Фиг. с 33 по 35 - схематические виды сверху, показывающие варианты осуществления, в которых электрод перемычки используется вместо плавающего электрода. Фиг. 33, 34 и 35 соответствуют варианту 2-3 осуществления, варианту 2-4 осуществления и варианту 2-7 осуществления соответственно.
Вариант 3 осуществления
Жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 3 осуществления будет описано ниже в десяти отдельных вариантах осуществления, а именно вариантах с 3-1 по 3-10 осуществления. Признак соответственных жидкокристаллических устройств отображения согласно варианту 3 осуществления состоит в том, что пиксельный электрод имеет гребневые зубцы на обеих сторонах одиночного ствола наряду с тем, что общий электрод имеет гребневые зубцы на одной стороне одиночного ствола.
Жидкокристаллические устройства отображения согласно вариантам с 3-1 по 3-10 осуществления все имеют режим, в котором выравнивание молекул жидкого кристалла управляется с использованием поперечного электрического поля. Варианты с 3-1 по 3-9 осуществления соответствуют режиму, в котором молекулы жидкого кристалла выравниваются гомеотропно или, другими словами, выравниваются вертикально относительно пары поверхностей подложек, когда не приложено никакое напряжение, тогда как вариант 3-10 осуществления соответствует так называемому режиму IPS, в котором молекулы жидкого кристалла выравниваются гомогенно или, другими словами, выравниваются горизонтально относительно пары поверхностей подложек, когда не приложено никакого напряжения.
Вариант 3-1 осуществления
Фиг. 36 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-1 осуществления. Фиг. 37 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT, вдоль линии K-L по фиг. 36.
Как показано на фиг. 37, пиксельный электрод 21 и общий электрод 22 расположены в разных слоях, общий электрод 22 является расположенным ближе к жидкокристаллическому слою, а пиксельный электрод 21 является расположенным дальше от жидкокристаллического слоя. Кроме того, как показано на фиг. 36, жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 3-1 осуществления включает в себя исправляющий плавающий электрод 61, и плавающий электрод 61 расположен, чтобы перекрывать оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21. Более того, в варианте 3-1 осуществления, общий электрод 22 расположен в положении, перекрывающем затворную проводку 25 и истоковую проводку 24, и в другом слое от затворной проводки и истоковой проводки 24 через изолирующую пленку. Стоковый электрод продолжается от TFT 26 до центральной части подпикселя проводкой 28 расширения, и TFT 26 присоединен к пиксельному электроду 21 через контактное отверстие 29, сформированное в стоковом электроде.
Вариант 3-2 осуществления
Фиг. 38 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-2 осуществления. Как показано на фиг. 38, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-2 осуществления плавающий электрод 61 расположен, чтобы перекрывать оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22.
Вариант 3-3 осуществления
Фиг. 39 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-3 осуществления. Как показано на фиг. 39, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-3 осуществления плавающий электрод 61 расположен в соответственных зонах, перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов по обеим сторонам пиксельного электрода 21.
Посредством расположения плавающего электрода 61, чтобы перекрывал оконечные участки гребневых зубцов по обеим сторонам пиксельного электрода 21 этим способом, обрыв в любой части пиксельного электрода 21 и общего электрода 22 может исправляться благодаря облучению лазером.
Вариант 3-4 осуществления
Фиг. 40 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-4 осуществления. Как показано на фиг. 40, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-4 осуществления два плавающих электрода 61 расположены в соответственных зонах, перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов по обеим сторонам пиксельного электрода 21.
Посредством расположения плавающего электрода 61 состоящим из двух частей этим способом, когда обрыв возникает в одном из плавающих электродов 61, исправление может выполняться с использованием другого плавающего электрода 61.
Вариант 3-5 осуществления
Фиг. 41 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-5 осуществления. Как показано на фиг. 41, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно вариантам 3-5 осуществления контактное отверстие 64 сформировано на оконечном участке каждого гребневого зубца пиксельного электрода 21, и соответственные участки гребневых зубцов пиксельного электрода присоединены к электроду 63 перемычки через контактные отверстия 64. Электрод 63 перемычки наделен линейной формой и расположен, чтобы перекрывать соответственные оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21. Материал, подобный таковому по варианту 1-5 осуществления, может использоваться в качестве материала электрода 63 перемычки.
Посредством предоставления электрода 63 перемычки, даже когда обрыв происходит в части гребневых зубцов пиксельного электрода 21, оборванный гребневый зубец пиксельного электрода 21 и необорванные гребневые зубцы пиксельного электрода 21 остаются соединенными через электрод 63 перемычки. Поэтому сигнальное напряжение может подаваться на весь пиксельный электрод 21 и, как результат, дефект пикселя не возникает.
Вариант 3-6 осуществления
Фиг. 42 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-6 осуществления. Как показано на фиг. 42, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-6 осуществления гребневые зубцы на одной стороне пиксельного электрода 21 сформированы, чтобы быть уже, чем гребневые зубцы на другой стороне, и плавающий электрод 61 расположен в зоне, перекрывающей оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21.
Посредством расположения плавающего электрода 61, чтобы перекрывал узкую часть пиксельного электрода 21, где более вероятно должен возникать обрыв, обрыв в пиксельном электроде 21 может исправляться благодаря облучению лазером.
Вариант 3-7 осуществления
Фиг. 43 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-7 осуществления. Как показано на фиг. 43, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-7 осуществления пленка 27 экранирования света расположена в зоне, перекрывающей оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21.
Как результат, подобно варианту 1-7 осуществления, нарушение выравнивания может предохраняться от неблагоприятного влияния на качество отображения, даже когда исправление выполняется посредством облучения лазером.
Вариант 3-8 осуществления
Фиг. 44 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-8 осуществления. Как показано на фиг. 44, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-8 осуществления плавающий электрод 61 сформирован, чтобы быть шире в местах, перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, чем в местах, не перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21.
Подобно варианту 1-8 осуществления, посредством формирования мест, перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, чтобы были шире, этим способом, исправление благодаря облучению лазером становится легче. Кроме того, места, не перекрывающие оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, могут делаться более узкими, приводя к соответствующему улучшению коэффициента пропускания.
Вариант 3-9 осуществления
В жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-9 осуществления пиксельный электрод и общий электрод расположены в одном и том же слое. Поэтому схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-9 осуществления, подобен фиг. 36. Между тем фиг. 45 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 3-9 осуществления, вдоль линии K-L по фиг. 36.
Отсюда пиксельный электрод 21 и общий электрод 22 могут быть расположены в одном и том же слое, а в этом случае пиксельный электрод 21 и общий электрод 22 могут изготавливаться в идентичном технологическом процессе.
Вариант 3-10 осуществления
В жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-10 осуществления слой горизонтального выравнивания используется вместо слоя вертикального выравнивания, используемого в вариантах с 3-1 по 3-9 осуществления. Другими словами, способ управления молекулами жидкого кристалла в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-10 осуществления соответствует режиму IPS. Соответственно, схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-10 осуществления, подобен фиг. 36. Способ управления молекулами жидкого кристалла в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 3-10 осуществления подобен таковому по варианту 1-10 осуществления.
Варианты с 3-1 по 3-10 осуществления были описаны выше, но в соответственных вариантах осуществления электрод перемычки может использоваться вместо плавающего электрода, например, как в варианте 3-5 осуществления, и соответственные признаки вариантов с 3-1 по 3-10 осуществления могут комбинироваться другими способами.
Вариант 4 осуществления
Жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 4 осуществления будет описано ниже в двенадцати отдельных вариантах осуществления, а именно вариантах с 4-1 по 4-12 осуществления. Признак соответственных жидкокристаллических устройств отображения согласно вариантам с 4-1 по 4-11 осуществления состоит в том, что пиксельный электрод имеет гребневые зубцы по одну сторону одиночного ствола наряду с тем, что общий электрод имеет гребневые зубцы по обеим сторонам одиночного ствола, и общий электрод тянется, с тем чтобы пересекать центр подпикселя. В жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-12 осуществления, с другой стороны, пиксельный электрод имеет гребневые зубцы по обе стороны одиночного ствола наряду с тем, что общий электрод имеет гребневые зубцы по одну сторону одиночного ствола, и общий электрод тянется, с тем чтобы пересекать зазор между пикселями.
Кроме того, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4 осуществления истоковая проводка, пиксельный электрод и общий электрод соответственно сформированы в форме V на боку. Другими словами, подпиксель согласно варианту 4 осуществления имеет форму острия стрелки. Таким образом, молекулы жидкого кристалла могут быть также выровнены с благоприятным равновесием в диагональном направлении, приводя к улучшению характеристики угла обзора.
Жидкокристаллические устройства отображения согласно вариантам с 4-1 по 4-12 осуществления все имеют режим, в котором выравнивание молекул жидкого кристалла управляется с использованием поперечного электрического поля. Варианты с 4-1 по 4-10 осуществления соответствуют режиму, в котором молекулы жидкого кристалла выравниваются гомеотропно или, другими словами, выравниваются вертикально относительно пары поверхностей подложек, когда не приложено никакое напряжение, тогда как вариант 4-11 осуществления соответствует так называемому режиму IPS, в котором молекулы жидкого кристалла выравниваются гомогенно или, другими словами, выравниваются горизонтально относительно пары поверхностей подложек, когда не приложено никакого напряжения. В варианте 4-12 осуществления, может применяться любой режим.
Вариант 4-1 осуществления
Фиг. 46 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-1 осуществления. Кроме того, фиг. 19 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT, вдоль линии M-N по фиг. 46.
Как показано на фиг. 19, пиксельный электрод 21 и общий электрод 22 расположены в разных слоях, пиксельный электрод 21 является расположенным ближе к жидкокристаллическому слою, а общий электрод 22 является расположенным дальше от жидкокристаллического слоя. Кроме того, как показано на фиг. 46, жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 4-1 осуществления включает в себя исправляющий плавающий электрод 61, и плавающий электрод 61 расположен, чтобы перекрывать как оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, так и оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22. Отсюда в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-1 осуществления одиночный плавающий электрод 61 может использоваться в качестве исправляющего электрода для обоих, пиксельного электрода и общего электрода 22.
Вариант 4-2 осуществления
Фиг. 47 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-2 осуществления. Как показано на фиг.47, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-2 осуществления плавающий электрод 61, имеющий длину, более короткую, чем плавающий электрод 61 жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 4-1 осуществления, предусмотрен для использования при исправлении общего электрода 22. Уменьшением длины плавающего электрода 61 может достигаться улучшение коэффициента пропускания.
Вариант 4-3 осуществления
Фиг. 48 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-3 осуществления. Как показано на фиг. 48, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-3 осуществления плавающий электрод 61 расположен не только в зоне, перекрывающей оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и оконечные участки общего электрода 22, но также в зоне, перекрывающей оконечные участки гребневых зубцов на другой стороне общего электрода 22.
Посредством расположения плавающего электрода 61, чтобы перекрывал оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и оконечные участки гребневых зубцов по обеим сторонам общего электрода этим способом, обрыв, возникающий в любой части пиксельного электрода 21 и общего электрода 22, может исправляться благодаря облучению лазером.
Вариант 4-4 осуществления
Фиг. 49 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-4 осуществления. Как показано на фиг. 49, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-4 осуществления два плавающих электрода 61 расположены соответственно в зонах, перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и оконечные участки гребневых зубцов по обеим сторонам от общего электрода 22.
Посредством расположения плавающего электрода 61 состоящим из двух частей этим способом, когда обрыв возникает в одном из плавающих электродов 61, исправление может выполняться с использованием другого плавающего электрода 61, приводя к улучшению надежности.
Вариант 4-5 осуществления
Фиг. 50 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-5 осуществления. Как показано на фиг. 50, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно вариантам 4-5 осуществления контактное отверстие 64 сформировано на оконечном участке каждого гребневого зубца пиксельного электрода 21, и соответственные участки гребневых зубцов пиксельного электрода присоединены к электроду 63 перемычки через контактные отверстия 64. Электрод 63 перемычки наделен линейной формой и расположен, чтобы перекрывать оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и оконечные участки гребневых зубцов на одной стороне общего электрода 22. Материал, подобный таковому по варианту 1-5 осуществления, может использоваться в качестве материала электрода 63 перемычки.
Посредством предоставления электрода 63 перемычки, даже когда обрыв происходит в части гребневых зубцов пиксельного электрода 21, оборванный гребневый зубец пиксельного электрода 21 и необорванные гребневые зубцы пиксельного электрода 21 остаются соединенными через электрод 63 перемычки. Поэтому сигнальное напряжение может подаваться на весь пиксельный электрод 21 и, как результат, дефект пикселя не возникает.
Вариант 4-6 осуществления
Фиг. 51 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-6 осуществления. Как показано на фиг. 51, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-6 осуществления контактное отверстие 64 сформировано на соответственных оконечных участках гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и гребневых зубцов общего электрода 22. Электрод 63 перемычки принимает линейную форму, и два электрода 63 перемычки расположены, чтобы перекрывать оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и оконечные участки гребневых зубцов на одной стороне общего электрода 22. Кроме того, из двух электродов 63 перемычки один присоединен только к пиксельному электроду 21 через контактные отверстия 64 наряду с тем, что другой присоединен только к общему электроду 22 через контактные отверстия 64.
Предоставлением двух электродов 63 перемычки, присоединенных к отдельным электродам этим способом, когда обрыв возникает в одном из пиксельного электрода 21 и общего электрода 22, сигнальное напряжение может подаваться на весь пиксельный электрод через один из электродов 63 перемычки, а общее напряжение может подаваться на весь общий электрод через другой электрод 63 перемычки. Как результат, вероятность дефекта пикселя может быть уменьшена.
Вариант 4-7 осуществления
Фиг. 52 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-7 осуществления. Как показано на фиг. 52, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-7 осуществления половина гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и гребневые зубцы по одну сторону общего электрода 22 сформированы, чтобы быть узкими, и плавающий электрод 61 расположен в зоне, перекрывающей оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22.
Посредством расположения плавающего электрода 61, чтобы перекрывал узкую часть пиксельного электрода 21, где наиболее вероятно должен происходить обрыв, обрыв в любом из пиксельного электрода 21 или общего электрода 22 может исправляться благодаря облучению лазером.
Вариант 4-8 осуществления
Фиг. 53 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-8 осуществления. Как показано на фиг. 53, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-8 осуществления пленка 27 экранирования света расположена, соответственно, на оконечных участках гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и оконечных участках гребневых зубцов по одну сторону общего электрода 22.
Как результат, подобно варианту 1-7 осуществления, нарушение выравнивания может предохраняться от неблагоприятного влияния на качество отображения, даже когда исправление выполняется посредством облучения лазером.
Вариант 4-9 осуществления
Фиг. 54 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-9 осуществления. Как показано на фиг. 54, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-9 осуществления плавающий электрод 61 сформирован, чтобы быть шире в местах, перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, чем в местах, не перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и общего электрода 22.
Подобно варианту 1-8 осуществления, посредством формирования мест, перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и общего электрода 22, чтобы были шире, этим способом, исправление благодаря облучению лазером становится легче. Кроме того, места, не перекрывающие оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и общего электрода 22, могут делаться более узкими, приводя к соответствующему улучшению коэффициента пропускания.
Вариант 4-10 осуществления
Фиг. 55 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-10 осуществления. Как показано на фиг. 55, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-10 осуществления гребневые зубчатые части пиксельного электрода 21 и общего электрода 22 расположены в одном и том же слое. Поэтому схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT вдоль линии O-P на фиг. 55, подобен фиг. 32.
Отсюда можно располагать только часть общего электрода 22 в том же слое, что и пиксельный электрод 21, а в этом случае пиксельный электрод 21 и ствольная часть общего электрода 22 могут изготавливаться идентичным технологическим процессом.
Вариант 4-11 осуществления
В жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-11 осуществления, слой горизонтального выравнивания используется вместо слоя вертикального выравнивания, используемого в вариантах с 4-1 по 4-10 осуществления. Другими словами, способ управления молекулами жидкого кристалла в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-11 осуществления соответствует режиму IPS. Соответственно, схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-11 осуществления, подобен фиг. 46.
Способ управления молекулами жидкого кристалла в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-11 осуществления подобен таковому по варианту 1-10 осуществления.
Вариант 4-12 осуществления
Фиг. 56 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-12 осуществления. Признак соответственных жидкокристаллических устройств отображения согласно вариантам с 4-1 по 4-11 осуществления состоит в том, что пиксельный электрод имеет гребневые зубцы по одну сторону одиночного ствола наряду с тем, что общий электрод имеет гребневые зубцы по обеим сторонам одиночного ствола, и общий электрод тянется, с тем чтобы пересекать центр подпикселя. В жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 4-12 осуществления, с другой стороны, как показано на фиг. 56, пиксельный электрод 21 имеет гребневые зубцы по обе стороны одиночного ствола наряду с тем, что общий электрод 22 имеет гребневые зубцы по одну сторону одиночного ствола, и общий электрод 22 тянется за пределы подпикселя или, другими словами, выше затворной проводки 25. Отметим, что эта компоновка проводки также может применяться к любому из вариантов с 4-1 по 4-11 осуществления.
Варианты с 4-1 по 4-12 осуществления были описаны выше, но в соответственных вариантах осуществления, электрод перемычки может использоваться вместо плавающего электрода, например, как в варианте 4-5 осуществления, и соответственные признаки вариантов с 4-1 по 4-12 осуществления могут комбинироваться другими способами.
Вариант 5 осуществления
Жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 5 осуществления будет описано ниже в пятнадцати отдельных вариантах осуществления, а именно вариантах с 5-1 по 5-15 осуществления. Признак соответственных жидкокристаллических устройств отображения согласно варианту 5 осуществления состоит в том, что пиксельный электрод имеет гребневые зубцы по обеим сторонам крестообразного ствола, и общий электрод имеет гребневые зубцы по обеим сторонам крестообразного ствола. Общий электрод тянется, с тем чтобы пересекать центр подпикселя. Таким образом, молекулы жидкого кристалла могут быть также выровнены с благоприятным равновесием в диагональном направлении, приводя к улучшению характеристики угла обзора. Кроме того, пиксельный электрод и общий электрод имеют сложную симметричную структуру, а потому молекулы жидкого кристалла могут подвергаться точной регулировке.
Жидкокристаллические устройства отображения согласно вариантам с 5-1 по 5-14 осуществления имеют режим, в котором выравнивание молекул жидкого кристалла регулируется с использованием поперечного электрического поля, тогда как жидкокристаллическое устройство согласно варианту 5-15 осуществления имеет режим, в котором выравнивание молекул жидкого кристалла регулируется с использованием вертикального электрического поля. Кроме того, варианты с 5-1 по 5-13 и 5-15 осуществления соответствуют режиму, в котором молекулы жидкого кристалла выравниваются гомеотропно или, другими словами, выравниваются вертикально относительно пары поверхностей подложек, когда не приложено никакое напряжение, тогда как вариант 5-14 осуществления соответствует так называемому режиму IPS, в котором молекулы жидкого кристалла выравниваются гомогенно или, другими словами, выравниваются горизонтально относительно пары поверхностей подложек, когда не приложено никакого напряжения. Жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 5-15 осуществления имеет так называемый режим VA.
Вариант 5-1 осуществления
Фиг. 57 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-1 осуществления. Кроме того, фиг. 58 - схематический вид в разрезе, показывающий подложку TFT, вдоль линии Q-R по фиг. 57.
Как показано на фиг. 58, пиксельный электрод 21 и общий электрод 22 расположены в разных слоях, пиксельный электрод 21 является расположенным ближе к жидкокристаллическому слою, а общий электрод 22 является расположенным дальше от жидкокристаллического слоя. Кроме того, как показано на фиг. 57, жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 5-1 осуществления включает в себя исправляющий плавающий электрод 61, и плавающий электрод 61 расположен, чтобы перекрывать как оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, так и оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22. Более того, плавающий электрод 61 продолжается в линейной форме в направлении короткой стороны (направлении, сопровождающем затворную проводку 25) подпикселя, с тем чтобы использоваться для исправления общего электрода 22.
Вариант 5-2 осуществления
Фиг. 59 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-2 осуществления. Как показано на фиг. 59, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-2 осуществления плавающий электрод 61 жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 5-1 осуществления расположен, чтобы перекрывать как оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, так и оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22. Кроме того, плавающий электрод 61 продолжается в линейной форме в направлении длинной стороны (направлении, сопровождающем истоковую проводку 24) подпикселя, из условия чтобы плавающий электрод 61 мог использоваться в качестве электрода для исправления как пиксельного электрода 21, так и общего электрода 22.
Вариант 5-3 осуществления
Фиг. 60 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-3 осуществления. Как показано на фиг. 60, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-3 осуществления плавающий электрод 61 расположен, чтобы перекрывать как оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, так и оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22. Кроме того, плавающий электрод 61 расположен на обеих, верхней стороне и нижней стороне направления короткой стороны (направления, сопровождающего затворную проводку 25) подпикселя. Таким образом, плавающий электрод 61, расположенный вдоль верхней стороны, может использоваться в качестве электрода для исправления общего электрода 22, а плавающий электрод 61, расположенный вдоль нижней стороны, может использоваться в качестве электрода для исправления пиксельного электрода 21. Как результат, могут исправляться оба, пиксельный электрод 21 и общий электрод 22.
Вариант 5-4 осуществления
Фиг. 61 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-4 осуществления. Как показано на фиг. 61, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-4 осуществления плавающий электрод 61 расположен, чтобы перекрывать как оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, так и оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22. Кроме того, плавающий электрод 61 расположен в направлении короткой стороны (направлении, сопровождающем затворную проводку 25) подпикселя, с тем чтобы перекрывать не только оконечные участки гребневых зубцов, но также оконечный участок ствола. Плавающий электрод 61, расположенный таким образом, перекрывает как оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода, так и оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22, а потому одиночный плавающий электрод 61 может использоваться в качестве электрода для исправления обоих, пиксельного электрода 21 и общего электрода 22.
Вариант 5-5 осуществления
Фиг. 62 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-5 осуществления. Как показано на фиг. 62, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-5 осуществления плавающий электрод 61 расположен, чтобы перекрывать как оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, так и оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22. Кроме того, плавающий электрод 61 расположен в направлении длинной стороны (направлении, сопровождающем истоковую проводку 24) подпикселя, с тем чтобы перекрывать не только оконечные участки гребневых зубцов, но также оконечный участок ствола. Плавающий электрод 61, расположенный таким образом, перекрывает как оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода, так и оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22, а потому одиночный плавающий электрод 61 может использоваться в качестве электрода для исправления обоих, пиксельного электрода 21 и общего электрода 22.
Вариант 5-6 осуществления
Фиг. 63 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-6 осуществления. Как показано на фиг. 63, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-6 осуществления плавающий электрод 61 расположен, чтобы перекрывать как оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, так и оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22. Кроме того, плавающий электрод 61 расположен в обоих, направлении короткой стороны (направлении, сопровождающем затворную проводку 25) подпикселя и направлении длинной стороны (направлении, сопровождающем истоковую проводку 24) подпикселя, с тем чтобы перекрывать не только оконечные участки гребневых зубцов, но также оконечные участки ствола. Отметим, что плавающий электрод 61 расположен вокруг наружной периферии TFT 26, с тем чтобы не перекрывать TFT 26. Другими словами, в варианте 5-6 осуществления, плавающий электрод 61 расположен вокруг наружной периферии зоны, окруженной истоковой проводкой 25, затворной проводкой 24 и TFT 26, и, таким образом, может использоваться в качестве исправляющего электрода для исправления обрыва в гребневом зубце любого из пиксельного электрода 21 или общего электрода 22.
Вариант 5-7 осуществления
Фиг. 64 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-7 осуществления. Как показано на фиг. 64, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-7 осуществления два плавающих электрода 61 расположены соответственно в зонах, перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и оконечные участки гребневых зубцов по обеим сторонам от общего электрода 22.
Посредством расположения плавающего электрода 61 состоящим из двух частей этим способом, когда обрыв возникает в одном из плавающих электродов 61, исправление может выполняться с использованием другого плавающего электрода 61.
Вариант 5-8 осуществления
Фиг. 65 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-8 осуществления. Как показано на фиг. 65, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно вариантам 5-8 осуществления контактное отверстие 64 сформировано на оконечном участке каждого гребневого зубца общего электрода 22, и соответственные участки гребневых зубцов общего электрода 22 присоединены к электроду 63 перемычки через контактные отверстия 64. Электрод 63 перемычки наделен линейной формой и расположен, чтобы перекрывать оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22.
Посредством предоставления электрода 63 перемычки, даже когда обрыв происходит в части гребневых зубцов общего электрода 22, оборванный гребневый зубец общего электрода 22 и необорванные гребневые зубцы общего электрода 22 остаются соединенными через электрод 63 перемычки. Поэтому сигнальное напряжение может подаваться на весь общий электрод 22 и, как результат, дефект пикселя не возникает.
Вариант 5-9 осуществления
Фиг. 66 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-9 осуществления. Как показано на фиг. 66, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно вариантам 5-9 осуществления контактное отверстие 64 сформировано на оконечном участке каждого гребневого зубца пиксельного электрода 21, и соответственные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 присоединены к электроду 63 перемычки через контактные отверстия 64. Электрод 63 перемычки наделен линейной формой и расположен в направлении верхней стороны (направлении, сопровождающем затворную проводку 26) подпикселя. Кроме того, электрод 63 перемычки расположен, чтобы перекрывать оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, и расположен, чтобы перекрывать не только оконечные участки гребневых зубцов, но также и оконечный участок вала. Контактное отверстие 64 также предусмотрено на оконечном участке вала пиксельного электрода 21.
Посредством предоставления электрода 63 перемычки, даже когда обрыв происходит в части гребневых зубцов пиксельного электрода 21, оборванный гребневый зубец пиксельного электрода 21 и необорванные гребневые зубцы или ствол пиксельного электрода 21 остаются соединенными через электрод 63 перемычки. Поэтому сигнальное напряжение может подаваться на весь пиксельный электрод 21 и, как результат, дефект пикселя не возникает.
Вариант 5-10 осуществления
Фиг. 67 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-10 осуществления. Как показано на фиг. 67, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-10 осуществления контактное отверстие 64 сформировано на соответственных оконечных участках гребневых зубцов пиксельного электрода 21, гребневых зубцов общего электрода 22 и стволе пиксельного электрода 21. Электрод 63 перемычки наделен линейной формой, и два электрода 63 перемычки расположены, чтобы перекрывать оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22 и ствол пиксельного электрода 21. Кроме того, из двух электродов 63 перемычки, один присоединен только к пиксельному электроду 21 через контактные отверстия 64, а другой присоединен только к общему электроду 22 через контактные отверстия 64.
Предоставлением двух электродов 63 перемычки, присоединенных к отдельным электродам этим способом, когда обрыв возникает в одном из пиксельного электрода 21 и общего электрода 22, сигнальное напряжение может подаваться на весь пиксельный электрод через один из электродов 63 перемычки, а общее напряжение может подаваться на весь общий электрод через другой электрод 63 перемычки. Как результат, вероятность дефекта пикселя может быть уменьшена.
Вариант 5-11 осуществления
Фиг. 68 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-11 осуществления. Как показано на фиг. 68, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-11 осуществления гребневые зубцы на одной стороне пиксельного электрода 21 и общего электрода 22 относительно центральной линии пиксельного электрода 21 сформированы, чтобы быть уже, чем гребневые зубцы на другой стороне, а плавающий электрод 61 расположен в зоне, перекрывающей оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22.
Посредством расположения плавающего электрода 61, чтобы перекрывал узко сформированные части пиксельного электрода 21 и общего электрода 22, где более вероятно должен возникать обрыв, обрыв в этих узкосформированных частях может исправляться благодаря облучению лазером.
Вариант 5-12 осуществления
Фиг. 69 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-12 осуществления. Как показано на фиг. 69, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-12 осуществления пленка экранирования света расположена, соответственно, на оконечных участках гребневых зубцов пиксельного электрода и оконечных участках гребневых зубцов по одну сторону общего электрода.
Как результат, подобно варианту 1-7 осуществления, нарушение выравнивания может предохраняться от неблагоприятного влияния на качество отображения, даже когда исправление выполняется посредством облучения лазером.
Вариант 5-13 осуществления
Фиг. 70 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-13 осуществления. Как показано на фиг. 70, в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-13 осуществления плавающий электрод 61 сформирован, чтобы быть шире в местах, перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, чем в местах, не перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22.
Подобно варианту 1-8 осуществления, посредством формирования мест, перекрывающих оконечные участки гребневых зубцов общего электрода 22, чтобы были шире, этим способом, исправление благодаря облучению лазером становится легче. Кроме того, коэффициент пропускания может улучшаться в соответствии с уменьшением ширины.
Вариант 5-14 осуществления
В жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-14 осуществления слой горизонтального выравнивания используется вместо слоя вертикального выравнивания, используемого в вариантах с 5-1 по 5-13 осуществления. Другими словами, способ управления молекулами жидкого кристалла в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-14 осуществления соответствует режиму IPS. Соответственно, схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-14 осуществления, подобен фиг. 57.
Способ управления молекулами жидкого кристалла в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-14 осуществления подобен таковому по варианту 1-10 осуществления.
Вариант 5-15 осуществления
Фиг. 71 - схематический вид сверху, показывающий одиночный блок подпикселя подложки TFT, предусмотренной в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-15 осуществления. Как показано на фиг. 71, подложка TFT жидкокристаллического устройства отображения согласно варианту 5-15 осуществления включает в себя только пиксельный электрод 21 и не имеет общего электрода. Общий электрод расположен на другой подложке (противоположной подложке), противостоящей подложке TFT. Общий электрод на противоположной подложке имеет плоскую форму без прорезей, без детализированной схемы, такой как у пиксельного электрода.
Далее будет описан способ управления молекулами жидкого кристалла в жидкокристаллическом устройстве отображения согласно варианту 5-15 осуществления. Фиг. 72-1 и 72-2 - схематические виды в разрезе, показывающие жидкокристаллическое устройство отображения согласно варианту 5-15 осуществления и иллюстрирующие поведение молекул жидкокристаллического кристалла особенно подробно. Фиг. 72-1 показывает состояние, в котором напряжение не приложено к жидкокристаллическому слою, а фиг. 72-2 показывает состояние, в котором напряжение приложено к жидкокристаллическому слою.
Как показано на фиг. 72-1 и 72-2, жидкокристаллический слой 13 вставлен между пиксельным электродом 21 и общим электродом 22, а потому, когда предопределенное напряжение прикладывается к пиксельному электроду 21 и общему электроду 22, электрическое поле формируется в жидкокристаллическом слое 13, давая возможность управления выравниванием молекул 51 жидкого кристалла. Жидкокристаллический материал, имеющий отрицательную анизотропию диэлектрической постоянной, используется в жидкокристаллическом кристалле 13, и слои 36, 43 вертикального выравнивания располагаются на соответственных поверхностях подложки 11 TFT и противоположной подложки 12, которая контактирует с жидкокристаллическим слоем 13.
Как показано на фиг. 72-1, когда не приложено никакое напряжение, молекулы 51 жидкого кристалла выровнены гомеотропно или, другими словами, выровнены вертикально относительно поверхностей пары подложек 11, 12. Более точно, соответственные главные оси палочкообразных молекул 51 жидкого кристалла ориентированы в по существу ортогональном направлении к поверхностям подложек, и все из молекул 51 жидкого кристалла скомпонованы регулярно в идентичном направлении.
Когда напряжение прикладывается между пиксельным электродом 21 и общим электродом 22, как показано на фиг. 72-2, соответственные главные оси молекул 51 жидкого кристалла наклоняются в по существу горизонтальном направлении относительно поверхностей пары подложек 11, 12 и в направлении, по существу параллельном направлению длины гребневых зубцов пиксельного электрода.
Отсюда, подобным образом, в жидкокристаллическом устройстве отображения режима VA, когда обрыв возникает в гребневом зубце пиксельного электрода 21, электрическое поле больше не формируется между пиксельным электродом 21 и общим электродом 22, а потому нарушение может возникать в выравнивании молекул жидкого кристалла, которое распознается в качестве дефекта пикселя. Поэтому формированием исправляющего плавающего электрода 61, чтобы перекрывал оконечные участки гребневых зубцов пиксельного электрода 21, обрыв может исправляться благодаря облучению лазером и, как результат, сигнальное напряжение может подаваться на весь пиксельный электрод 21.
Отметим, что в вариантах с 5-1 по 5-14 осуществления, ширина гребневых зубцов пиксельного электрода 21 и ширина гребневых зубцов общего электрода 22 предпочтительно являются как можно более узкими. Например, гребневые зубцы пиксельного электрода 21 формируются на ширине от 2 до 8 мкм, а гребневые зубцы общего электрода 22 формируются на ширине от 2 до 10 мкм. Подобным образом, в варианте 5-15 осуществления, ширина гребневых зубцов пиксельного электрода 21 предпочтительно является как можно более узкой. Например, гребневые зубцы пиксельного электрода 21 сформированы на ширине от 2 до 8 мкм.
Варианты с 5-1 по 5-15 осуществления были описаны выше, но в соответственных вариантах осуществления, электрод перемычки может использоваться вместо плавающего электрода, например, как в варианте 5-5 осуществления, и соответственные признаки вариантов с 5-1 по 5-15 осуществления могут комбинироваться другими способами.
Настоящая заявка испрашивает приоритет по патентной заявке № 2009-155457, поданной в Японии, 30 июня 2009 года, согласно Парижской конвенции по защите промышленной собственности и положениям национального закона в обозначенной стране, полное содержание которой настоящим включено в настоящую заявку посредством ссылки.
РАСШИФРОВКА ПОЗИЦИОННЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
1: жидкокристаллическая панель отображения
11: подложка TFT
12: противоположная подложка
13: жидкокристаллический слой
21: пиксельный электрод
22: общий электрод
23, 29, 62, 64: контактное отверстие
24: истоковая проводка (сигнальная проводка)
25: затворная проводка (проводка сканирования)
26: TFT (тонкопленочный транзистор)
27: пленка экранирования света
28: проводка расширения
31, 41: стеклянная подложка
32: первая изолирующая пленка
33: вторая изолирующая пленка
34: третья изолирующая пленка
35: четвертая изолирующая пленка
36, 43: слой вертикального выравнивания
37, 44: поляризатор
38, 45: слой горизонтального выравнивания
42: цветовой фильтр
51: молекулы жидкого кристалла
61: плавающий электрод
62: лазерное устройство
63: электрод перемычки