ЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ

1. Электронный умножитель, содержащий:
подложку с поверхностью формирования канала;
слой эмиссии вторичных электронов с нижней поверхностью, обращенной к поверхности формирования канала, и поверхностью эмиссии вторичных электронов, которая находится напротив нижней поверхности и испускает вторичный электрон в результате падения заряженной частицы; и
слой сопротивления, проложенный между подложкой и слоем эмиссии вторичных электронов, причем слой сопротивления включает слой Pt, двумерно сформированный на поверхности формирования слоя, которая совпадает с или по существу параллельна поверхности формирования канала,
при этом слой сопротивления обладает температурной характеристикой в пределах диапазона, в котором значение сопротивления слоя сопротивления при -60°C кратно 10 или менее, а значение сопротивления слоя сопротивления при +60°C кратно 0,25 или более по отношению к значению сопротивления слоя сопротивления при температуре 20°C.
2. Электронный умножитель по п. 1, в котором слой сопротивления обладает температурной характеристикой в пределах диапазона, в котором значение сопротивления слоя сопротивления при -60°C кратно 2,7 или менее, а значение сопротивления слоя сопротивления при +60°C кратно 0,3 или более по отношению к значению сопротивления слоя сопротивления при температуре 20°C.
3. Электронный умножитель по п. 1 или 2, в котором слой Pt включает частицу Pt с такой степенью кристалличности, что в полученном путем XRD-анализа спектре появляется пик в плоскости (111) и пик в плоскости (200), в которых полная ширина на половине максимума составляет угол 5° или менее.
4. Электронный умножитель по п. 3, в котором слой Pt включает частицу Pt с такой степенью кристалличности, что в полученном путем XRD-анализа спектре дополнительно появляется пик в плоскости (220), в котором полная ширина на половине максимума составляет угол 5° или менее.
5. Электронный умножитель по любому из пп. 1-4, дополнительно содержащий нижележащий слой, обеспеченный между подложкой и слоем эмиссии вторичных электронов и имеющий поверхность формирования слоя в положении, обращенном к нижней поверхности слоя эмиссии вторичных электронов.