ЯЧЕЙКА МАГНИТНОЙ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ С ДВОЙНЫМ ПЕРЕХОДОМ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЙ ТРОИЧНОЙ АССОЦИАТИВНОЙ ПАМЯТИ

1. Ячейка магнитной оперативной памяти (MRAM) для использования в качестве троичной ассоциативной памяти, включающая в себя магнитный элемент, содержащий слой мягкого ферромагнетика, имеющий намагниченность, которая может быть свободно ориентирована; первый слой твердого ферромагнетика, имеющий первую намагниченность хранения; первый туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика и первым слоем твердого ферромагнетика; второй слой твердого ферромагнетика, имеющий вторую намагниченность хранения; и второй туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика и вторым слоем твердого ферромагнетика; причем первая намагниченность хранения является свободно ориентируемой при первом высоком заранее определенном температурном пороге, и вторая намагниченность хранения является свободно ориентируемой при втором заранее определенном высоком температурном пороге; при этом первый высокий заранее определенный температурный порог выше второго заранее определенного высокого температурного порога.
2. Ячейка магнитной оперативной памяти по п.1, в которой магнитный элемент дополнительно включает в себя первый антиферромагнитный слой, закрепляющий первую намагниченность хранения ниже первого высокого заранее определенного температурного порога, и второй антиферромагнитный слой, закрепляющий вторую намагниченность хранения ниже второго заранее определенного высокого температурного порога.
3. Ячейка магнитной оперативной памяти по п.1, в которой первый слой твердого ферромагнетика имеет произведение сопротивление-площадь первого перехода, и второй слой твердого ферромагнетика имеет произведение сопротивление-площадь второго перехода, которое, по существу, равно произведению сопротивление-площадь первого перехода.
4. Ячейка магнитной оперативной памяти по п.1, в которой первый слой твердого ферромагнетика выполнен из сплава на основе NiFe/CoFeB, и второй слой твердого ферромагнетика выполнен из сплава на основе CoFeB/NiFe.
5. Ячейка магнитной оперативной памяти по п.1, в которой первый антиферромагнитный слой выполнен из сплава на основе IrMn, и второй антиферромагнитный слой выполнен из сплава на основе FeMn.
6. Ячейка магнитной оперативной памяти по п.1, в которой слой мягкого ферромагнетика предпочтительно выполнен из сплава на основе CoFeB.
7. Способ записи до трех различных данных записи в ячейку магнитной оперативной памяти, включающий в себя магнитный элемент, содержащий слой мягкого ферромагнетика, имеющий намагниченность, которая может быть свободно ориентирована; первый слой твердого ферромагнетика, имеющий первую намагниченность хранения; первый туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика и первым слоем твердого ферромагнетика; второй слой твердого ферромагнетика, имеющий вторую намагниченность хранения; и второй туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика и вторым слоем твердого ферромагнетика; причем первая намагниченность хранения является свободно ориентируемой при первом высоком заранее определенном температурном пороге, и вторая намагниченность хранения является свободно ориентируемой при втором заранее определенном высоком температурном пороге; при этом первый высокий заранее определенный температурный порог выше второго заранее определенного высокого температурного порога; способ, включающий в себя:
нагрев магнитного элемента до температуры выше первого заранее определенного высокого температурного порога; и
приложение магнитного поля записи так, чтобы сориентировать первую намагниченность хранения и вторую намагниченность хранения в соответствии с магнитным полем записи.
8. Способ по п.7, в котором упомянутое магнитное поле записи прикладывается в первом направлении для сохранения первых данных или во втором направлении для сохранения вторых данных.
9. Способ по п.8, дополнительно включающий в себя охлаждение магнитного элемента ниже второго заранее определенного высокого температурного порога.
10. Способ по п.7, в котором упомянутое магнитное поле записи прикладывается в первом направлении, и дополнительно включающий в себя:
охлаждение магнитного элемента до промежуточной температуры, заключенной ниже первого заранее определенного высокого температурного порога и выше второго заранее определенного высокого температурного порога.
приложение магнитного поля записи во втором направлении, противоположном первому направлению так, чтобы сориентировать вторую намагниченность хранения во втором направлении в соответствии с магнитным полем записи для хранения третьих данных; и
охлаждение магнитного элемента ниже второго заранее определенного высокого температурного порога.
11. Способ считывания ячейки магнитной оперативной памяти, включающий в себя магнитный элемент, содержащий слой мягкого ферромагнетика, имеющий намагниченность, которая может быть свободно ориентирована; первый слой твердого ферромагнетика, имеющий первую намагниченность хранения; первый туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика и первым слоем твердого ферромагнетика; второй слой твердого ферромагнетика, имеющий вторую намагниченность хранения; и второй туннельный барьерный слой, заключенный между слоем мягкого ферромагнетика и вторым слоем твердого ферромагнетика; причем первая намагниченность хранения является свободно ориентируемой при первом высоком заранее определенном температурном пороге, и вторая намагниченность хранения является свободно ориентируемой при втором заранее определенном высоком температурном пороге; при этом первый высокий заранее определенный температурный порог выше второго заранее определенного высокого температурного порога; способ, включающий в себя:
измерение значения начального сопротивления магнитного элемента с сохраненными данными;
передачу первых данных поиска на слой считывания и определение соответствия между первыми данными поиска и сохраненными данными; и
передачу вторых данных поиска на слой считывания и определение соответствия между вторыми данными поиска и сохраненными данными.
12. Способ по п.11, в котором измерение начального сопротивления включает в себя пропускание тока считывания в магнитном элементе в отсутствие внешнего магнитного поля.
13. Способ по п.11, в котором передача первых данных поиска включает в себя приложение магнитного поля считывания в первом направлении и передача вторых данных поиска включает в себя приложение магнитного поля считывания во втором направлении; так, чтобы сориентировать намагниченность считывания в первом и втором направлении, соответственно.
14. Способ по п.11, в котором определение соответствия между первыми и вторыми данными поиска и сохраненными данными включает в себя измерение первого сопротивления считывания и измерение второго сопротивления считывания путем пропускания тока считывания в магнитном элементе, когда магнитное поле приложено в первом и втором направлении, соответственно.
15. Способ по п.11, в котором определение соответствия дополнительно включает в себя сравнение измеренного первого и второго сопротивления считывания со значением начального сопротивления.