СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА НИТРИДА III ГРУППЫ

1. Способ изготовления кристалла нитрида III группы, включающий в себя:
стадию выращивания на одной из главных поверхностей подложки из нитрида III кристалла нитрида III, у которого, по меньшей мере, либо тип составляющих атомов и их соотношения, либо тип и концентрация легирующей примеси отличаются от подложки из нитрида III; и
стадию удаления подложки из нитрида III парофазным травлением.
2. Способ изготовления кристалла нитрида III группы по п.1, в котором парофазное травление осуществляют распылением травящего газа на другую из главных поверхностей подложки из нитрида III.
2
2
3. Способ изготовления кристалла нитрида III группы по п.1, в котором при парофазном травлении в качестве травящего газа используют по меньшей мере один газ, выбранный из группы, состоящей из газообразного HCl, газообразного Cl и газообразного H.
4. Способ изготовления кристалла нитрида III группы по п.1, в котором разность температуры при выращивании кристалла нитрида III и температуры травления при парофазном травлении составляет 200°C или менее.
5. Способ изготовления кристалла нитрида III группы по п.1, в котором температура травления при парофазном травлении составляет 700°C или более.