КРИСТАЛЛИЗАТОР ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОГО ЛИТЬЯ ДЛИННЫХ ИЛИ ПЛОСКИХ ИЗДЕЛИЙ, ОХЛАЖДАЮЩАЯ РУБАШКА, ИСПОЛЬЗУЕМАЯ ВМЕСТЕ С ТАКИМ КРИСТАЛЛИЗАТОРОМ, И УЗЕЛ, СОДЕРЖАЩИЙ ЭТИ КРИСТАЛЛИЗАТОР И ОХЛАЖДАЮЩУЮ РУБАШКУ

1. Кристаллизатор для непрерывного литья длинных или плоских изделий, вытянутый вдоль оси (z) и имеющий внутреннюю и внешнюю поверхности, ограничивающие его толщину (е, е', е3, е4), причем внутренняя поверхность образует полость кристаллизатора, отличающийся тем, что толщину (е3, е4), по меньшей мере, одного продольного элемента (16А, 16С) кристаллизатора (10) увеличивают в продольном направлении, по меньшей мере, на участке этого кристаллизатора от точки Р минимальной толщины в обоих направлениях продольной оси (z), причем это увеличение зависит от измеренных или смоделированных градиентов температуры для существующего тестового кристаллизатора.
2. Кристаллизатор по п.1, содержащий множество продольных элементов (16, 16А, 16В, 16С), вытянутых вдоль оси (z), причем эти элементы создают многоугольную форму поперечного сечения кристаллизатора, отличающийся тем, что толщину (е, е'), по меньшей мере, одного элемента кристаллизатора в поперечном направлении этого кристаллизатора непрерывно изменяют в диапазоне от первого значения (е1, е'1) до второго значения (е2, е'2), в зависимости от измеренных или смоделированных градиентов температуры в поперечном направлении для существующего кристаллизатора.
3. Кристаллизатор по п.2, отличающийся тем, что толщину (е, е') изменяют непрерывно от середины сегмента (АВ, ВС, CD, DA) этого элемента (16) в направлении к одному из внутренних углов (А, В, С, D) кристаллизатора.
4. Кристаллизатор по п.2 или 3, отличающийся тем, что толщину каждого элемента (16, 16А, 16В, 16С) кристаллизатора изменяют от середины сегмента этого элемента (16, 16А, 16В, 16С) в направлении внутреннего угла (А, В, С, D, G, H, I, J) этого кристаллизатора (10).
5. Кристаллизатор по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один элемент (16, 16А, 16В, 16С, 18, 18А, 18В, 18С) симметричен относительно плоскости, проходящей через центральный сегмент этого элемента (16, 16А, 16В, 16С) кристаллизатора перпендикулярно этому элементу, если смотреть в поперечном сечении.
6. Кристаллизатор по п.2, отличающийся тем, что изменение толщины (е) реализуют только на части высоты (h) кристаллизатора (10).
7. Кристаллизатор по п.2, отличающийся тем, что изменение представляет собой увеличение.
8. Кристаллизатор по п.1, отличающийся тем, что максимальные значения (е2, е'2) толщины равны.
9. Кристаллизатор по п.1, отличающийся тем, что изменение толщины (е3, е4) является функцией градиента температуры в продольном направлении, измеренного или смоделированного для существующего тестового кристаллизатора.
10. Кристаллизатор по п.1, отличающийся тем, что толщину (е3, е4) в продольном направлении каждого продольного элемента (16, 16А, 16В, 16С, 18, 18А, 18В, 18С) увеличивают, по меньшей мере, на участке кристаллизатора (10) от точки Р минимальной толщины в обоих направлениях продольной оси (z).
х
11. Кристаллизатор по п.10, отличающийся тем, что положение точки Р минимальной толщины зависит от положения точки Р максимальной температуры в продольном направлении, предварительно измеренной для существующего тестового кристаллизатора или предварительно полученной путем моделирования.
y
х
12. Кристаллизатор по п.11, отличающийся тем, что точка Р минимальной толщины расположена на кристаллизаторе на расстоянии приблизительно 50-100 мм от точки P, определенной с использованием точки Р максимальной температуры в продольном направлении, предварительно измеренной для существующего тестового кристаллизатора или предварительно полученной путем моделирования.
13. Способ изготовления кристаллизатора (10) для непрерывного литья длинных или плоских изделий по любому из предшествующих пунктов и этот способ содержит следующие этапы:
- измеряют или моделируют градиенты температуры для существующего тестового кристаллизатора и
- выполняют механическую обработку кристаллизатора (10) таким образом, чтобы толщина (е, е', е3, е4), по меньшей мере, части кристаллизатора (10) изменялась в зависимости от измеренных или смоделированных градиентов температуры для тестового кристаллизатора.
14. Способ по п.13, при выполнении которого:
х
- перед механической обработкой кристаллизатора путем измерения в существующем тестовом кристаллизаторе или путем моделирования существующего тестового кристаллизатора определяют первую точку Р максимальной температуры в продольном направлении;
y
х
- перед механической обработкой кристаллизатора (10) определяют вторую точку P на кристаллизаторе (10), положение которой зависит от положения первой точки Р на тестовом кристаллизаторе; и
y
- выполняют механическую обработку тестового кристаллизатора таким образом, чтобы точка минимальной толщины была расположена на расстоянии приблизительно 50-100 мм от второй точки P.
y
х
15. Способ по п.14, в котором механическую обработку кристаллизатора выполняют таким образом, чтобы точка P находилась на кристаллизаторе (10) в том же положении, в котором точка Р находится на тестовом кристаллизаторе.
16. Охлаждающая рубашка (30), предназначенная для использования вместе с кристаллизатором (10) по любому из пп.1-12, и эта охлаждающая рубашка содержит тело, в котором создано множество каналов (6) охлаждения, обеспечивающих протекание охлаждающего вещества вдоль внешних поверхностей (12) кристаллизатора (10), причем охлаждающая рубашка (30) выполнена с возможностью размещения в ней кристаллизатора таким образом, чтобы эта рубашка окружала кристаллизатор, по меньшей мере, на части его длины, отличающаяся тем, что толщину (i, i') охлаждающей рубашки (36, 38) изменяют в зависимости от измеренных или смоделированных градиентов температуры для существующего кристаллизатора.
17. Охлаждающая рубашка по п.16, отличающаяся тем, что толщина (i, i') охлаждающей рубашки (30) на заданном уровне по высоте этой рубашки обратно пропорциональна толщине (е3, е4) кристаллизатора (10) на том же уровне по высоте.
18. Способ изготовления охлаждающей рубашки (30), предназначенной для использования вместе с кристаллизатором (10) по любому из пп.1-15, отличающийся тем, что этот способ содержит этап, на котором механическую обработку охлаждающей рубашки выполняют таким образом, чтобы толщина (i, i') рубашки (36, 38) изменялась в зависимости от измеренных или смоделированных градиентов температуры для существующего кристаллизатора.
19. Способ по п.18, в котором механическую обработку охлаждающей рубашки выполняют таким образом, чтобы толщина (i, i') охлаждающей рубашки (30) на заданном уровне по высоте этой рубашки была обратно пропорциональна толщине (е3, е4) кристаллизатора (10) на том же уровне по высоте.
20. Способ по п.18, в котором механическую обработку охлаждающей рубашки (30) выполняют таким образом, чтобы на данном уровне по высоте этой рубашки соблюдалось следующее условие: чем сильнее увеличивается толщина (е3', е4') кристаллизатора (10'), тем сильнее уменьшается толщина (i, i') охлаждающей рубашки, по меньшей мере, для части длины этой рубашки (30).
21. Узел, содержащий кристаллизатор по любому из пп.1-12 и охлаждающую рубашку по п.16 или 17.