Геттерирование неконтролируемых примесей в диодах с помощью лазерных нарушений

Секция технологии больших интегральных схем

УДК 021.315.592

А.М. Светличный

ГЕТТЕРИРОВАНИЕ НЕКОНТРОЛИРУЕМЫХ ПРИМЕСЕЙ В ДИОДАХ С ПОМОЩЬЮ ЛАЗЕРНЫХ НАРУШЕНИЙ

Одной из основных задач разработки УБИС с минимальным размером 40-60нм на пластинах диаметром 350-400 мм является разработка технологических процессов геттерирования неконтролируемых примесей и дефектов на рабочей стороне пластины. Это связано с тем, что в процессе изготовления ИМС во время высокотемпературных процессов генерируются линейные и точечные дефекты, концентрация которых намного превышает исходную. Существующие методы геттерирования основаны, как правило, на создании геттерирующих центров в исходном материале еще до изготовления ИМС. Однако такие методы не всегда эффективны, так как в процессе длительных и многократно повторяемых высокотемпературных операций эффективность геттерных центров падает из-за насыщения атмосферы Коттрелла и даже иногда наблюдается полная потеря геттерных свойств из-за распада атмосферы Коттрелла.

В работе рассмотрен метод геттерирования дефектов, который основан на создании геттерных центров на заключительных операциях изготовления ИМС. Для этого в диодные структуры с помощью УФ-лазера (Х=0,34мкм) после ионного легирования (500 мкКул/см2) вводились лазерным излучением дефекты с нерабочей стороны подложки. После этого осуществлялся многоэтапный отжиг при 950оС. Контролировались ток утечки и шумы обратносмещенных диодов.

В результате эксперимента было установлено, что с помощью этого процесса ток утечки и спектральная плотность шумов диодных структур уменьшились почти на порядок. При этом геттерирующее влияние лазерных нарушений сохранилось и даже несколько увеличилось, по крайней мере, в течение трех последующих высокотемпературных операций. Это говорит о перспективности этого метода в производстве изготовления УБИС с субмикронными размерами элементов.

УДК 621.315.592

Д.А. Сеченов, Ю.Н. Варзарёв

О ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОМ МЕХАНИЗМЕ ОБРАЗОВАНИЯ ПОРИСТОГО КАРБИДА КРЕМНИЯ

Пористый карбид кремния, получаемый анодным электрохимическим травлением в растворах плавиковой кислоты, является перспективным материалом для светоизлучающих диодов, фотодетекторов, датчиков газов и может использоваться в качестве буферного слоя при выращивании эпитаксиальных слоев.

Для выяснения механизма образования пористого карбида кремния был проведен термодинамический анализ реакций, протекающих при анодировании 8Ю (таблица).