СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ АЛМАЗНОЙ ПЛЕНКИ

-3
2
2
Способ получения монокристаллической алмазной пленки, заключающийся в выращивании на монокристаллической подложке гетероэпитаксиальной пленки иридия и осаждении сверху из газопаровой фазы алмазной пленки, отличающийся тем, что выращивание пленки иридия производят методом магнетронного распыления иридиевой мишени в атмосфере аргона при нагреве подложки до температуры 850±30°С, рабочем давлении аргона (2-3)10 мм рт. ст., плотности тока разряда 6,3-16,6 мА/см, плотность мощности разряда 5-10 Вт/см, при расстоянии мишень - подложка 120 мм, скорости осаждения 0,13-0,26 им/с.