СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТНОГО СЛОЯ УСТРОЙСТВА, СОСТОЯЩЕГО ИЗ ГЛИНОЗЕМА, И СООТВЕТСТВУЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО, В ЧАСТНОСТИ, КОМПОНЕНТ РЕНТГЕНОВСКОЙ ТРУБКИ

1. Способ обработки поверхностного слоя (3) устройства (1), состоящего из глинозема, причем способ включает стадии, в которых:
готовят устройство с открытым для воздействия поверхностным слоем, подлежащим обработке, в котором поверхностный слой состоит из глинозема;
нагревают поверхностный слой устройства в обедненной кислородом атмосфере (11) до температуры выше, чем нижний предел температуры по меньшей мере 1000ºС, тем самым снижая удельное электрическое сопротивление в области (7) самого наружного слоя поверхностного слоя.
2. Способ по п. 1, дополнительно включающий стадию, в которой поддерживают температуру выше нижнего предела температуры с продолжительностью между 1 и 24 часами.
3. Способ по п. 1 или 2, в котором нижний предел температуры составляет 1700ºС.
4. Способ по п. 1 или 2, в котором обедненная кислородом атмосфера включает абсолютное количество кислорода менее 5 частей на миллион содержания кислорода в воздухе при температуре 25ºС и давлении 1000 гПа.
5. Способ по п. 1 или 2, в котором обедненная кислородом атмосфера по существу состоит по меньшей мере из одного из инертного газа, азота, водорода, аргона и их комбинации.
6. Способ по п. 1 или 2, в котором давление обедненной кислородом атмосферы составляет ниже 10 Па.
7. Способ по п. 1 или 2, в котором устройство представляет собой компонент рентгеновской трубки, по меньшей мере частично заключающий в себе электронный пучок в рентгеновской трубке.
8. Устройство (1), включающее поверхностный слой (3), в котором поверхностный слой состоит из глинозема и включает область (7) самого наружного слоя и область (9) основной части слоя, причем область самого наружного слоя имеет более высокую удельную электрическую проводимость, чем область основной части слоя.
9. Устройство по п. 8, в котором удельное электрическое сопротивление в области самого наружного слоя является по меньшей мере в 10 раз более низким, чем удельное электрическое сопротивление в области основной части слоя.
10. Устройство по п. 8 или 9, в котором удельное электрическое сопротивление в области самого наружного слоя снижено по сравнению с удельным электрическим сопротивлением в области основной части слоя вследствие химического восстановления глинозема, содержащегося в области самого наружного слоя.
11. Устройство по п. 8 или 9, в котором область самого наружного слоя имеет толщину между 0,1 мкм и 50 мкм.
12. Устройство по п. 8 или 9, в котором удельное электрическое сопротивление постепенно возрастает в области самого наружного слоя от более низкого значения в открытой наружу поверхности поверхностного слоя в сторону внутренней части поверхностного слоя.
13. Устройство по п. 8 или 9, причем устройство представляет собой компонент электронно-лучевого устройства, по меньшей мере частично заключающий в себе электронный пучок в рентгеновской трубке.