УСТРОЙСТВО С МАГНИТНЫМ ТУННЕЛЬНЫМ ПЕРЕХОДОМ С РАЗДЕЛЬНЫМИ ТРАКТАМИ СЧИТЫВАНИЯ И ЗАПИСИ

1. Устройство, содержащее:
структуру магнитного туннельного перехода (МТП);
тракт считывания, соединенный со структурой МТП; и
тракт записи, соединенный со структурой МТП, причем тракт записи отделен от тракта считывания.
2. Устройство по п.1, в котором структура МТП содержит:
первый эталонный слой в тракте считывания и тракте записи; и
второй эталонный слой в тракте записи.
3. Устройство по п.1, в котором тракт считывания обладает более высоким сопротивлением, чем тракт записи.
4. Устройство по п.1, в котором структура МТП содержит первый туннельный барьер в тракте считывания и тракте записи и второй туннельный барьер в тракте считывания.
5. Устройство по п.4, в котором первый туннельный барьер обладает более низким сопротивлением, чем второй туннельный барьер.
6. Устройство по п.1, в котором структура МТП содержит первый компонент МТП, соединенный со вторым компонентом МТП, причем тракт считывания содержит первый компонент МТП, а тракт записи содержит второй компонент МТП.
7. Устройство по п.6, в котором второй компонент МТП соединен с первым компонентом МТП.
8. Устройство по п.1, в котором структура МТП содержит:
барьерный слой;
свободный слой; и
эталонный слой.
9. Устройство по п.1, в котором тракт считывания и тракт записи содержат свободный слой, промежуточный слой, первый синтетический антиферромагнитный (САФ) слой, и первый антиферромагнитный (АФМ) слой.
10. Устройство по п.9, в котором тракт считывания включает в себя второй САФ-слой и второй АФМ-слой.
11. Устройство по п.10, в котором первый САФ-слой и второй САФ-слой включают в себя слой состава кобальт-железо-бор (CoFeB), слой родия (Rh) и слой состава кобальт-железо (CoFe), и в котором тракт записи включает в себя проводящий слой, который примыкает к свободному слою.
12. Способ считывания данных в устройство с магнитным туннельным переходом, причем способ содержит этап, на котором:
прикладывают ток к тракту записи данных, соединенному с устройством с магнитным туннельным переходом (МТП) для сохранения значений данных в свободном слое устройства с МТП, причем устройство с МТП соединено с отдельным трактом считывания данных.
13. Способ по п.12, в котором тракт считывания включает в себя один эталонный слой, и в котором тракт считывания включает в себя два эталонных слоя.
14. Способ по п.12, в котором тракт записи обладает более низким сопротивлением, чем тракт считывания.
15. Способ считывания данных из устройства с магнитным туннельным переходом, причем способ содержит этап, на котором:
прикладывают ток к тракту считывания данных, соединенному с устройством с магнитным туннельным переходом (МТП) для считывания значений данных, причем устройство с МТП соединено с отдельным трактом записи данных.
16. Способ по п.15, в котором устройство с МТП включает в себя свободный слой для хранения значений данных, а также включает в себя эталонный слой, который магнитно связан со свободным слоем, и в котором тракт записи данных включает в себя второй эталонный слой.
17. Способ по п.15, в котором устройство с МТП, содержит две структуры МТП, которые магнитно связаны друг с другом.
18. Устройство памяти, содержащее:
матрицу ячеек магнитной памяти с произвольной выборкой (MRAM); и
логическую схему управления памятью, выполненную с возможностью активации числовой шины и селективной активации одной из разрядной шины считывания или разрядной шины записи, для осуществления доступа к выбранной ячейке матрицы.
19. Устройство памяти по п.18, дополнительно содержащее первый порт считывания данных, соединенный с матрицей ячеек MRAM, и второй порт считывания данных, соединенный с матрицей ячеек MRAM.
20. Устройство памяти по п.19, в котором, по меньшей мере, один из первого порта считывания данных и второго порта считывания данных, соединен с логической схемой управления памятью.
21. Способ изготовления устройства с магнитным туннельным переходом (МТП), причем способ содержит этапы, на которых:
осаждают множество пленочных слоев на подложку для формирования первой структуры МТП, причем первая структура МТП включает в себя свободный слой;
осаждают проводящий слой, соединенный со свободным слоем первой структуры МТП; и
осаждают второе множество пленочных слоев для формирования второй структуры МТП на первой структуре МТП.
22. Способ по п.21, дополнительно содержащий этапы, на которых:
соединяют шину считывания данных со второй структурой МТП; и
соединяют шину записи данных с проводящим слоем.