КАБЕЛЬ С ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫМ СВЕРХПРОВОДНИКОМ

1. Кабель для переноса электрического тока в катушке магнита, содержащий:
транспортную ВТСП-ленту; и
шунтирующий узел, содержащий две или более шунтирующих ВТСП-лент, размещенных бок о бок по поверхности транспортной ленты;
при этом каждая из транспортной и шунтирующих лент содержит слой подложки и слой ВТСП из материала высокотемпературного сверхпроводника, ВТСП, причем слои шунтирующих лент простираются параллельно слоям транспортной ленты.
2. Кабель по п. 1, в котором слой ВТСП одной или более из шунтирующих лент прерывается множеством несплошностей, содержащих пропуски и/или полные или частичные разрывы в слое ВТСП.
3. Кабель по п. 2, в котором несплошности расположены в шахматном порядке между соседними шунтирующими лентами.
4. Кабель по п. 2 или 3, в котором несплошности в пределах каждой из упомянутых одной или более шунтирующих лент имеют постоянное или полупостоянное расстояние друг от друга.
5. Кабель по п. 4, в котором расстояние друг от друга несплошностей различается между шунтирующими лентами.
6. Кабель по любому из предшествующих пунктов, в котором шунтирующие ленты содержат ВТСП-материал, который отличается от ВТСП-материала в транспортной ленте.
7. Кабель по любому из предшествующих пунктов, в котором две или более шунтирующих лент содержат ВТСП-материалы, отличающиеся друг от друга.
8. Кабель по любому из предшествующих пунктов, в котором слои ВТСП и подложки одной или более из шунтирующих лент имеют различную ориентацию по сравнению со слоями ВТСП и подложки транспортной ленты.
9. Кабель по п. 8, в котором ориентация слоев ВТСП и подложки шунтирующих лент чередуется между соседними сбоку шунтирующими лентами.
10. Кабель по любому из предшествующих пунктов, в котором шунтирующий узел содержит первый шунтирующий слой, содержащий упомянутые две или более шунтирующих лент, и второй шунтирующий слой, содержащий две или более дополнительных шунтирующих лент, размещенных бок о бок по первому шунтирующему слою, причем слои дополнительных шунтирующих лент простираются параллельно слоям транспортной ленты.
11. Кабель по п. 10, в котором каждая шунтирующая лента первого шунтирующего слоя формирует пару типа 0 или типа 1, или типа 2 с соседней шунтирующей лентой второго шунтирующего слоя.
12. Кабель по любому из предшествующих пунктов, в котором стопка дополнительно содержит другую транспортную ленту рядом с шунтирующим узлом, так что транспортные ленты формируют уложенную стопкой пару с шунтирующим узлом, расположенным внутри пары между двумя транспортными лентами.
13. Кабель по п. 12, в котором транспортные ленты размещены как пара типа 0, так что соответствующие слои ВТСП пары обращены друг к другу и находятся между соответствующими слоями подложек пары.
14. Кабель по любому из предшествующих пунктов и содержащий по меньшей мере одну ленту, которая содержит ВТСП-материал, отличающийся от ВТСП-материала другой одной из лент.
15. Кабель для переноса электрического тока в катушке магнита, содержащий:
уложенный стопкой ленточный узел из ВТСП-лент, причем каждая ВТСП-лента содержит слой подложки и слой ВТСП из материала высокотемпературного сверхпроводника, ВТСП, причем ленточный узел содержит:
транспортную ленту, содержащую сплошной слой ВТСП;
шунтирующий узел, содержащий одну или более шунтирующих лент, причем каждая включает в себя множество несплошностей в своем слое ВТСП; и
нормально электропроводящий слой между транспортной лентой и шунтирующим узлом для обеспечения возможности пропускания электрического тока между транспортной лентой и шунтирующим узлом;
при этом компоновка несплошностей в упомянутых одной или более лентах шунтирующего узла выбирается, чтобы направлять поперечное распределение тока в слое ВТСП транспортной ленты.
16. Кабель для переноса электрического тока в катушке магнита, содержащий сплошной слой транспортной жилы, содержащий сверхпроводящий при высокой температуре материал, и шунтирующую структуру, содержащую сверхпроводящий при высокой температуре материал с несверхпроводящими барьерами, чтобы направлять распределение тока в шунтирующей структуре.
17. Кабель по п. 16, при этом распределение тока в шунтирующей структуре регулирует распределение тока в слое транспортной жилы.
18. Катушка магнита, намотанная кабелем по любому предшествующему пункту.
19. Термоядерный реактор, содержащий токамак и систему магнитного удержания плазмы, содержащую катушку магнита по п. 18.