СПОСОБ ПРИСОЕДИНЕНИЯ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА К КРИСТАЛЛОДЕРЖАТЕЛЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, включающий формирование на кремниевой поверхности кристалла, наружный слой которой выполнен из алюминия, нанесение алюминиевой пленки на контактную поверхность кристаллодержателя и пайку кристалла с кристаллодержателем, отличающийся тем, что выполняют в виде внутреннего слоя из алюминия и промежуточного слоя из сплава германий-алюминий, толщину наружного слоя выбирают равной 30-150 нм, а пайку осуществляют при 420±30°С в течение 3,5±2 с.