СПОСОБ ПРИМЕНЕНИЯ ФТОРИДА СЕРЫ ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ОТЛОЖЕНИЙ

1. Способ удаления поверхностных отложений, причем указанный способ включает
(a) активирование в удаленной камере газовой смеси, содержащей источник кислорода, фторид серы и источник азота для образования активированной газовой смеси, и после этого
(b) приведение в контакт указанной активированной газовой смеси с поверхностными отложениями и удаление тем самым по меньшей мере некоторых из указанных поверхностных отложений.
2. Способ по п.1, в котором указанные поверхностные отложения удаляются с внутренней части рабочей камеры, которая используется при изготовлении электронных приборов.
3. Способ по п.1, в котором указанный источник кислорода является газообразным кислородом или оксидом азота.
4. Способ по п.3, в котором указанный источник кислорода является газообразным кислородом.
5. Способ по п.4, в котором мольное отношение указанного газообразного кислорода и указанного фторида серы составляет менее 5:1.
3
6. Способ по п.1, в котором указанный источник азота является газообразным азотом, NF или оксидами азота.
7. Способ по п.6, в котором указанный источник азота является газообразным азотом.
8. Способ по п.1, в котором поверхностное отложение выбрано из группы, состоящей из кремния, допированного кремния, нитрида кремния, вольфрама, диоксида кремния, оксинитрида кремния, карбида кремния и различных кислородсодержащих соединений кремния, называемых low-k материалами.
9. Способ по п.8, в котором поверхностное отложение является нитридом кремния.
10. Способ по п.1, в котором указанная газовая смесь активируется приложением достаточной мощности в течение достаточного времени, чтобы указанная газовая смесь достигла нейтральной температуры по меньшей мере примерно 3000 K.
11. Способ по п.10, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения, источником постоянного тока или источником микроволнового излучения.
12. Способ по п.11, в котором указанная мощность генерируется источником радиочастотного излучения.
13. Способ по п.12, в котором указанная РЧ-энергия является индуктивно-трансформаторно связанной и имеющей частоту ниже 1000 кГц.
14. Способ по п.10, в котором давление в удаленной камере составляет от 0,1 торр до 20 торр.
15. Способ по п.1, в котором указанная газовая смесь содержит, кроме того, газ-носитель.
16. Способ по п.15, в котором указанный газ-носитель является по меньшей мере одним газом, выбранным из группы газов, состоящей из аргона и гелия.
6
17. Способ по п.1, в котором указанный фторид серы является SF.