СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА МОП-ПРИБОРОВ

-6
-6
Способ изготовления подзатворного диэлектрика МОП-приборов, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки слоя диоксида кремния методом термического окисления, нанесение слоя фосфорно-силикатного стекла, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик приборов путем уменьшения сквозной микропористости слоя диоксида кремния, слой диоксида кремния формируют толщиной (0,08-0,15)·10 м, на его поверхность наносят методом физического осаждения слой молибдена толщиной (0,07-0,3)·10 м и перед нанесением слоя фосфорно-силикатного стекла указанный слой молибдена стравливают.