Исследование топоэлектрохимических процессов, протекающих на границе лития с органическим полупроводником, методом гальваностатического включения

ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ ЭНЕРГЕТИКА. 2006. Т. 6, № 4. С.202-209

УДК 541.135

ИССЛЕДОВАНИЕ ТОПОЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ,

ПРОТЕКАЮЩИХ НА ГРАНИЦЕ ЛИТИЯ С ОРГАНИЧЕСКИМ ПОЛУПРОВОДНИКОМ, МЕТОДОМ ГАЛЬВАНОСТАТИЧЕСКОГО ВКЛЮЧЕНИЯ

В. В. Ефанова, А. М. Михайлова

Саратовский государственный технический университет, Россия

Поступила в редакцию 21.11.06 г.

Проведены исследования методом хронопотенциометрии переходных процессов на границе литий — гексахлорстаннат тиопирилия. Обнаружено образование интерфазных слоев с зернистой структурой. Образование таких слоев может контролировать кинетику анодных и катодных процессов. Переходный слой выполняет функции униполярного проводника по ионам Li+ в электрическом поле и адекватно описывается моделью токов, ограниченных пространственным зарядом (ТОПЗ).

The investigations of transient processes on lithium-thiopyryllium hexochlorostonnate border by the method of chronopotentiometry have been carried out. The formation of interphase layers with a grain structure has been found. The formation of such layers can control the kinetics of anode and cathode processes. A transient layer performs Li+ ions functions of a unipolar conductor in the electric field and is adequately described by the model of currents limited by a space charge

ВВЕДЕНИЕ

На контактах лития с твердыми электролитами или полупроводниками р-типа достаточно часто возникают переходные слои, отличающиеся по своим электрофизическим свойствам от объема исходной неметаллической фазы. Образование таких слоев может контролировать кинетику анодных и катодных процессов. При их росте необходимо учитывать как топохимический эффект, так и влияние объемного ионного заряда, генерируемого в ходе протекания электрохимического процесса, т. е. эффект тока, ограниченного пространственным зарядом (ТОПЗ). Если функциональные электрохимические характеристики литиевого твердотельного преобразователя энергии сосредоточены в пределах переходного слоя, можно констатировать топоэлектрохимический принцип работы такого устройства.

Топоэлектрохимические процессы исследованы сравнительно мало [1-4]. Особенно это относится к границе лития с органическими полупроводниками, которые вообще не рассматривались с этой точки зрения. Для краткости изложения при обозначении переходного слоя далее будем использовать аббревиатуру OSI (Organic Semiconductor Interphase).

Теория хронопотенциометрии катодного гальваностатического включения границы литий / органический полупроводник при образовании переходной интерфазы

Пусть Ео — исходный бестоковый электродный равновесный потенциал контакта лития с органическим полупроводником р-типа, измеренный относительно литиевого электрода сравнения. Тогда при

включении катодного тока электродный потенциал Е контакта сместится в отрицательную область и возникнет перенапряжение п = Ео - Е, нарастающее со временем вплоть до стационарного значения п^ и плотности тока.

Степень топоэлектрохимического превращения 0 < а < 1 при образовании зернистого слоя 081 может отвечать уравнению Ерофеева—Авраами [5, 6]

= А = 1 - е-уг,

где у и п — некоторые, не зависящие от времени t, постоянные.

При этом посредством двойного логарифмирования величина п может быть определена в виде углового коэффициента прямой ^[- ^(1 - а)] - ^V.

д 1п[- 1п(1 - а)]

д ln t

а постоянная у связана с аррениусовской предэкспо-нентой В топохимической реакции формированием переходного слоя 081 соотношением

Y = nBne RT,

где Е — энергия активации вышеупомянутой реакции;

I у и/и _А_

в = ( и) еКТ.

Если учесть квадратичный характер вольтам-перной характеристики (ВАХ) по механизму ТОПЗ согласно уравнению [7]

i=

fon2 Lno ’

и закон Фарадея в форме

L=

Mit

pzF’

а

© В. В. ЕФАНОВА, А. М. МИХАЙЛОВА, 2006

то для а = Ь/Ью можно получить следующее выражение, описывающее кинетику роста перенапряжения катодного процесса:

п=

\pzFro ' ^Маґ

Ьао(1 - Є

Последнюю постоянную можно определить, задаваясь некоторой погрешностью е « 1 измерения времени достижения стационарного состояния системы те. Из вышеизложенного следует, что

є = 1 - а(тє) = е

= е~'Т

Здесь г — число электронов, принимающих участие в элементарном акте образования 081, р и М — плотность и молекулярная масса вещества слоя переходной интерфазы, а — её удельная электропроводность, Ь и Ьо — текущая и стационарная толщина слоя 081, ^ — численная постоянная и по — характеристическое перенапряжение перехода от линейного к квадратичному участку ВАХ.

Для и = 1 и малых уґ« 1 зависимость катодного перенапряжения от времени после линеаризации экспоненты В (см. уравнение 6) может быть представлена в более простом виде:

п = уЬ0

\pzFrol ' Ма '

или

У = - ти !§ є 1Р

Коэффициент диффузии катионов лития в переходном слое 081 оценивали по соотношению [8]

п = аАиКТ

рF2 F ’

в котором первое слагаемое описывает диффузионный, а второе слагаемое — миграционный перенос катионов лития с атомной массой Ли = 6.9 а.е.м.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ

Угловой коэффициент получаемых прямых в координатах п - Ф составляет

рzFro

= уЬ

д фґ ! ° V Ц Ма

При достижении стационарной толщины слоя 081 на квадратичном уровне ВАХ справедливо соотношение

.

или

п0 Ьо

ді а

дпО поЬ«

Поэтому при подстановке величины а из урав-

нения (10) в уравнение (8) получаем:

дп д ф

= у-

ді

дп2

-1

Разрешая последнее уравнение относительно

Ьоо, имеем:

Итак, стационарная толщина слоя зернистой интерфазы, определяющей электрофизические свойства контакта лития с органическим полупроводником, формируемой при катодном гальваностатиче-

ском включении, может быть рассчитана по экспери-

д/ дп

ментально измеренным величинам --Пг, и у.

дЛто д V ^

Для проведения электрохимических исследований в боксах 8ГП1-ОС в атмосфере сухого аргона высшего сорта (ГОСТ-10157-73) и сухой воздушной атмосфере собирались твердофазные двух- и трехэлектродные ячейки с литиевым электродом сравнения. Используемые в работе химические реактивы марки ч. д.а предварительно сушились в вакуумной камере. Катод готовили в виде таблетки диаметром 0.5-0.7 см путем запрессовывания катодной массы в цилиндр из полиметилметакрилата, сверху помещали анод из лития. Ячейку герметизировали.

Потенциометрические измерения проводились с помощью потенциостата П-5848. Выходные параметры контролировались цифровыми вольтметрами Щ-4311 и УА1-52, прецизионным рН-метром ОР-202 и записывались на электронном самописце КСП-4. Температура ячеек, при которой проводились электрические измерения, составляла 298 К, и поддерживалась с точностью ±0.1°С термостатом и-10. Измерения электропроводности осуществляли с помощью моста Р568, в комплект которого входили генератор сигналов Г3-33 и вольтметр В3-73 в диапазоне частот 0.1-100 кГц. Амплитуда задаваемого напряжения не превышала 10мВ. Структурные исследования проводились с помощью рентгеновского дифрактометра «Дрон-2» (излучение Си-К,).

Синтез гексахлорстаннатов тиопирилия осуществляли согласно методикам, изложенным в работе [9], составы, структурные формулы, температуры плавления и удельные электропроводности которых приведены в табл. 1.

СО

Таблица 1

Характеристики используемых органических полупроводников с ионной электропроводностью р-типа

Соединение Молекулярная структура донора Температура плавления, К Электропроводность (298 К), См/см

(ТП1)28пС1б (СиН^^пС^ гексахлорстаннат 2,6-дифенилтиопирилия С6Н5-^!5^С6Н5 ТП1 550 2-10-2

(ТП2)2БпС1б (С29Н178)28пС1б гексахлорстаннат 2,6-дифенил-3,5-диметилтиопирилия С6н5 Б С6Н5 ТП2 490 1•10-6

РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

Катодное гальваностатическое включение систем Li/(ТП1)2Sna6 и Li/(ТП2)2Sna6

При катодном гальваностатическом включении границ лития с исследуемыми органическими полупроводниками образуются переходные слои 081, наличие которых подтверждается данными рентгенофазового анализа, представленными на рис. 1.

Рис. 1. Рентгеновские штрихдиффрактограммы: 1 — исходный (ТП2)28пС1б; 2 — с продуктом катодного гальваностатического включения системы Ы|(ТП2)28пС1б

Идентификация обнаруженных слоев 081 затруднительна из-за отсутствия соответствующих данных по межплоскостным расстояниям и относительным интенсивностям рентгеновских рефлексов в картотеке А8ТМ, но само возникновение переходных фаз катодного внедрения лития не вызывает сомнения вследствие появления 9 дополнительных рефлексов (рис. 1).

Слоистая структура органических полупроводников с большими межплоскостными расстояниями [10] облегчает интеркаляцию лития и образование переходной интерфазы. Это, безусловно, влияет на форму и характерные параметры полученных катодных гальваностатических хронопотенциограмм, однако для их интерпретации необходима соответствующая математическая модель.

На рис. 2 приведены зависимости электродного потенциала Е на границе прямого контакта Ьі/(ТП2)28пСіб от времени в гальваностатическом режиме при различных плотностях катодного тока и Т = 298 К.

Рис. 2. Е, t — кривые катодного гальваностатического включения системы Ы/(ТП2)28пС1б при 298 К и плотностях тока, А/см2: 1 — 0.016; 2 — 0.039; 3 — 0.046; 4 — 0.110; 5 — 0.140; 6 — 0.175

Если принять равновесный электродный потенциал Е0, измеренный относительно литиевого электрода сравнения, равным 3В, то перенапряжение П = Ео - Е увеличивается со временем включения катодного тока t от нуля до некоторого стационарного значения так, как это показано на рис. 3, причем

2

квадраты этих установившихся перенапряжений п5э по данным, приведенным на рис. 4, строго пропорциональны плотности катодного тока, что свидетельствует в пользу реализации механизма ТОПЗ при угловом коэффициенте квадратичной ВАХ, равном

-—т = 0.055 А/(см2В2). дцЮ

Результаты пересчета хронопотенциограмм п -1 через степень превращения а(Г) = представлены

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 ґ, с

Рис. 3. ц-ґ зависимость катодного гальваностатического включения системы Ьі/(ТП2)23пС1б при 298 К и плотностях тока, А/см2: 1 — 0.016; 2 — 0.039; 3 — 0.046; 4 — 0.110; 5 — 0.140; 6 — 0.175

Рис. 4. г-^2 зависимость для катодного гальваностатического включения системы Ьі/(ТП2^пС1б при 298 К

на рис. 5, а, зависимости а -1 имеют прямолинейный вид в двойных логарифмических координатах в соответствии с уравнением Ерофеева—Авраами (1) (рис. 5, б), что является доказательством наложения механизма ТОПЗ и топохимического механизма при формировании переходной литиевой интерфазы — носителя ЭДС в процессе катодного гальваностатического заряда рассматриваемого прямого контакта.

Величины п и у (при Ц = 0.005) [11, 12] по данным, приведенным на рис. 6, слабо зависят от плотности катодного тока при средних значениях п = 0.7 (6, а) и у = 0.019 с-1 (6, б), соответственно.

Величины п = 0.7 отвечают, как и в предыдущем случае, росту зародышей переходного слоя 081 в виде пластинок, расстояние между которыми превышает их линейные размеры [6], причем эти пластинки вероятнее всего дислоцированы в межслоевых пространствах исходного (ТП2)28пС1б. Вблизи предельных а = 1, достигаемых за время хе = 60 с, пластинки агломерируются, образуя новую кристаллическую фазу в пределах стационарной толщины литиевой интерфазы, что и проявляется в новых дополнительных рефлексах на рентгеновских штрихдифрактограммах (см. рис. 1).

1.0

0.5

Рис. 5. Зависимость а-ґ ^), 1§[-1§(1 -а)]-1§ґ (б) для катодного гальваностатического включения системы Ьі/(ТП2)2 8пС1б при 298 К и плотностях тока, А/см2: 1 — 0.016; 2 — 0.039; 3 — 0.046; 4 — 0.110; 5 — 0.140; 6 — 0.175

а

а

б

1.0

0.5

0.05

0.10

a

0.15 г, А/см2

у • 102

_І_

0.05

0.10

б

0.15 г, А/см2

Рис. 6. Зависимость п-і (а), у-і (б) для катодного гальваностати-ческого включения системы Ьі/(ТП2)2 8пС1б при 298 К

Значение постоянной времени топохимической реакции у = 0.019 с-1 при энергии активации топо-химической реакции А = 18.4 кДж/моль, полученной по вышеупомянутому методу Пилояна [13], соответствует величинам аррениусовской предэкспоненты В, представленным на рис. 7. Из этих данных видно, что величина В практически не зависит от плотности тока (рис. 7, а) и уменьшается с ростом температуры (ис. 7, б), т. е. она действительно отвечает реализации некоторой топохимической реакции. Следует отметить также, что значения В для катодного гальва-ностатического включения системы Ы/(ТП1)28пС1б с добавкой 10% ЫС1 примерно на два порядка превышают таковые для системы Ы/(ТП2)28пС1б.

Б, с-

3.5

3.0

о О

_1_

0.05

0.10

a

0.15 і, А/см2

Б,

Рис. 7. Зависимость Б-і (а), Б-Т (б) для катодного гальваноста-тического включения системы Ьі/(ТП)2 8пС1б

Анализ хронопотенциограмм п - ґ показал спрямление в координатах п - Ф при всех исследованных плотностях тока и ґ < 5 с (рис.8). Угловые коэффициенты этих начальных прямолинейных дп

участковлинейно увеличиваются с плотностью катодного тока (рис. 9).

Рис. 8. Экспериментальные зависимости ц-ф для катодного гальваностатического включения системы Ьі/(ТП2)2 8пС1б при 298 К и плотностях тока, А/см2: 1 - 0.016; 2 - 0.039; 3 - 0.046; 4 -0.110; 5 -0.140; 6 -0.175

п

0

0

2

б

0

дп

дуґ ’

і

х 10-11 см2/с, что более чем на 4 порядка уступает величинам Б = (0.50 -3.75)  10-7 см2/с, реализованным при катодном гальваностатическом заряде системы Ы/(ТП1)28пС1б + 10% ЫС1.

Прямолинейная зависимость Б -1 на рис. 11 свидетельствует в пользу преобладания миграционного переноса катионов лития, связанного с выполнимостью механизма ТОПЗ во всем исследованном интервале плотностей катодного тока заряда системы Ы/(ТП2)28пС1б(см. рис. 4).

Э-10 7, см2 /с

0

0.05

0.10

0.15 і, А/см2

Рис. 9. Зависимость — для катодного гальваностатического

-У t

включения системы Ы/(ТП2)2 БпС1б при 298 К Из полученных нами значений у, -П-, была

—пТО д V ^

рассчитана зависимость стационарной толщины слоя литиевой интерфазы Ь^от плотности катодного тока по соотношению (12) при г = 4, р = 2.04 г/см3 и М = 922 г/моль. На рис. 10 представлены результаты расчета, из которых следует, что толщина слоя 081 растет пропорционально плотности тока катодного гальваностатического заряда прямого контакта системы Ы/(ТП2)28пС1б. При этом величина Ьм даже при 298 К может достигать 65 мкм, что более чем в 2 раза превышает максимальную толщину переходной литиевой интерфазы на прямом контакте Ы/(ТП1)2 8пС1б при почти трехкратно больших плотностях катодного тока. Здесь в качестве прототипа можно привести системы прямого контакта Ы/8Ь28з и Ы/8Ь285, на которых толщина слоя твердоэлектролитной интерфазы Ы8Ь82 не превышает 60 нм и 270 нм соответственно [3].

Рис. 10. Зависимость стационарной толщины слоя переходной интерфазы от плотности тока катодного гальваностатического включения системы Ы/(ТП2)2 БпС1б при 298 К

Расчет коэффициентов диффузии катионов лития по соотношению (15) при р = 2.04 г/см2 и о = = 4.2  10-3 См/см дал значения Б = (0.65 - 1,93) х

0 0.05 0.10 0.15 -А/см2

Рис. 11. Зависимость коэффициента диффузии катионов лития от плотности тока катодного гальваностатического включения системы Ьі/(ТП2)2 8пС1б при 298 К

Механизм катодного заряда при гальваностати-ческом включении системы Ьі/(ТП2)28пС1б, приведенный ниже, по-видимому, аналогичен и для катодного заряда системы Ьі/(ТП1)28пС16 с добавкой ЬіС1:

Н3С

с6н5 С6н5

Н3С

сн3

+ 2е \

СбН5 . С6Н5

Н3С Н3С сн3 сн3

СбН5 ' в' С6н5

+ 8пС1;

2-

СН3

2Ьі+ + БпСГ

2

• Ьі28пС1б

16 '---7 Ы28ЦС16

Строение исходного полупроводникового субстрата и направление электрохимической димериза-ции с образованием дитиопирановых гетероциклов в реакции (16) были доказаны с помощью квантовохимических расчетов (программные продукты В3ЬУР/6-31С, В3ЬУР/6-311С, В31УР/6-2Ш [14]).

Интерпретация эффектов ТОПЗ и топохомиче-ских явлений в конечном смысле не отличается от вышеизложенной, а наблюдаемые количественные различия кинетических параметров могут быть обусловлены стерическими затруднениями протекания

1

реакции электрохимической димеризации (16), создаваемыми в катионе ТП2 за счет 4 дополнительных метильных групп, и резким снижением твердофазной концентрации Ь1С1 при отсутствии его добавки в исходном полупроводниковом субстрате.

Ионы Ь1+ ,С1-, 8пС12- формируют интерфазный пространственный заряд, причем решающий вклад в реализацию механизма ТОПЗ вносит ин-жекция катионов Ь1+из металла катода в слой 081 по топохимической реакции. Топохимический аспект предлагаемого механизма заключается в образовании пластинчатых «сэндвичей», состоящих из зародышей твердоэлектролитных фаз Ь1С1, Ь128пС16 , «зажатых» между агломерированными межмолекулярны-ми связями плоскими молекулами дитиопирановых гетероциклов с явно выраженными диэлектрическими свойствами, которые препятствуют саморазряду литиевой интерфазы после прекращения действия зарядного катодного тока. Это является еще одним дополнительным преимуществом рассматриваемых систем Ы/(ТП1)28пС16 и Ы/(ТП2)28пС16 в конструкциях литиевых ХИТ.

Зародыши литиевых твердоэлектролитных фаз — носителей ЭДС, вероятнее всего, имеют эллипсоидную форму и быстро растут вдоль длинной оси эллипсоида за счет высокоэффективной миграционной диффузии катионов лития, заполняя межмолекулярное гетероциклическое пространство. Топохимический характер реакции (17) подтверждается независимостью величин у и В от плотности катодного тока (см. рис. 6, б и 7, а). Средняя скорость роста 081 в толщину вплоть до времени установления стационарного контакта Ь1/(ТП1)28пС16 в катодных гальваностатических условиях весьма высока (табл. 2) и может достигать величины ЬР = 0.5 мкм/с (см. рис. 6, а и 11), что должно привести к высокой скорости заряда толстопленочного литиевого ХИТ на основе рассматриваемой системы.

ВЫВОДЫ

1. При исследовании электрохимических процессов, протекающих на границах прямого кон-

такта лития с органическими полупроводниками: гексахлорстаннат 2,6-дифенилтиопирилия

((ТП1)28пС16), гексахлорстаннат 2,6-дифенил-3,5-диметилтиопирилия ((ТП2)28пС16), обнаружено, что при катодном гальваностатическом включении образуется переходный слой интерфазы, состоящий из продуктов электрохимической димеризации серосодержащих гетероциклов и твердоэлектролитных носителей ЭДС в виде продуктов катодного восстановления неорганических анионов: Ь128пС16, ЫС1.

2. Выяснено, что образование интерфазы в катодных гальваностатических условиях протекает со смешанным активационно-реакционным контролем, обусловленным как стерическими затруднениями реакции электрохимической димеризации, так и замедленностью топохимических реакций формирования зародышей твердоэлектролитных фаз.

3. Экспериментально полученные стационарные катодные вольтамперные характеристики не подчиняются классическим уравнениям электрохимической кинетики и электрофизики полупроводников. Установлено, что квадраты стационарных перенапряжений увеличиваются линейно с плотностями катодного тока, что свидетельствует в пользу выполнимости модели токов, ограниченных пространственным зарядом (ТОПЗ). Пространственный заряд в слоях литиевых органических интерфаз создают ионы Ь1+, 8пС1^-, С1-, обеспечивающие выполнимость модели ТОПЗ за счет инжекции Ь1+ из металла катода по соответствующим топохимическим реакциям образования твердотельных фаз и их диссоциативного распада.

4. Произведенный расчет параметров топохи-мических реакций образования органических твердоэлектролитных фаз по хронопотенциограммам катодного гальванического включения впервые показал, что форм-фактор топокинетических кривых Ерофеева—Авраами п = 0.7-1.0 отвечает зароды-шеобразованию в виде пластинчатых «сэндвичей», внешние стороны которых сформированы агломерированными межмолекулярными взаимодействиями, являющимися результатом электрохимической ди-меризации серосодержащих гетероциклов, а внут-

Таблица 2

Некоторые параметры исследуемых систем прямого контакта литий / органический полупроводник по данным катодной

хронопотенциометрии

Органический полупроводник Состав Ы-интерфазы 1шах> А/см2 -1 -пР ’ А/см2-В2 п у, с 1 А, кДж/моль Вшах> с 1 ьрах, мкм Бтах,см2/с Ь1 ’ Кл/г интерфазы

(ТП2)28пС16 (С29Н17 8)2 Ь128пС16 0.175 0.055 0.7 0.014 18.4 3.5 65 1.9  10-11 790

(ТП1)28пС16 + 2Ь1С1(10%) (С17Н13 8)2 ЫС1, Ы2 8пС16 0.500 0.094 1.0 0.025 25.1 610.0 30 3.7  10-7 4700

ри дислоцируются зародыши твердых электролитов, растущие при контроле диффузией катионов Ь1+ в межслоевых пространствах. Расстояние между пластинчатыми зародышами превышает их линейные размеры, среднестатистические значения обратных постоянных времени топокинетической релаксации у = 0.014-0.032 с-1 и аррениусовских предэкспонент В не зависят от плотности катодного тока, величины В уменьшаются с ростом температуры.

5. Установлено, что катодные топоэлектрохими-ческие хронопотенциограммы смешанной кинетики по модели ТОПЗ на начальных участках спрямляются в параболических координатах п - Ф По угловым коэффициентам этих прямых были рассчитаны толщины литийсодержащих переходных интерфазных слоев. Они увеличиваются пропорционально плотности катодного тока при Ьтах = 30-65 мкм.

6. Рассчитанные коэффициенты миграционной диффузии катионов Ь1+ в переходных интерфазных слоях увеличиваются с плотностью тока по линейным законам, свидетельствующим о превалировании миграционного переноса, при максимальных значениях Бтах = 1.9  10-11-6.5  10-7см2/с, отвечающих широким межслоевым каналам.

7. Показано, что наибольшей удельной электрической емкостью ОЦ* = 4700 Кл/г интерфазы при 1тах = 0.5 А/см2 и ЭДС Е = 0.70 В обладает система Ь1/(ТП1)28пС16; продукты электрохимической димеризации исходных серосодержащих гетероцик-

лов должны снижать саморазряд соответствующих литиевых ХИТ.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Архипова Н. В., Михайлова А. М., Серянов Ю. В. // Изв. вузов. Сер. Химия и химическая технология. 2003. Т. 46, № 6. С.18.

2. Архипова Н. В., Леонтьева Л. Д., Михайлова А. М. // Электрохимия. 2003. Т.39, № 6. С.588.

3. Архипова Н. В. // Вестн. Сарат. гос. техн. ун-та. 2003. Вып.1, №1. С.16.

4. Архипова Н. В., Серянов Ю. В., Михайлова А. М. // Электрохимия. 1999. Т.35, №3. С.407.

5. Ерофеев П. Кинетика гетерогенных процессов. М.: Мир, 1976. 194 с.

6. Третьяков Ю. Д. Твердофазные реакции. М.: Химия, 1978. 358 с.

7. Нимон Е. С. и др. // Докл. АН СССР, 1988. Т. 303, № 5. С. 1180.

8. Серянов Ю. В., Фоменко Л. А., Соколова Т. Н., Чебо-таревский Ю. В. Электрохимическая обработка металлов: Учеб. пособие. Саратов: Изд-во Сарат. гос. техн. ун-та, 1998. 124 с.

9. А.с. 1074097 СССР, МКИ С 07 Б 7/22; Н 01 М 6/18. Гексахлорстаннаты тиопирилия в качестве твердых электролитов для электрохимических устройств.

10. Гутман Ф., Лайонис Л. Органические полупроводники. М.: Мир, 1970. 696 с.

11. Некрасов Б. В. Основы общей химии. В 1 т. М.: Химия, 1974. 656 с.

12. Добош Д. Электрохимические константы. М.: Мир, 1980. 365 с.

13. Шестяк Я. М. Теория термического анализа. М.: Мир, 1987. 314 с.

14. Панкратов А. Н., Ефанова В. В., Васильченко В. И., Федотова О. В. // Вестн. Сарат. гос. техн. ун-та. 2006. Вып.1, №3. С.24.