ЭЛЕМЕНТ МАГНИТНОЙ ПАМЯТИ

1. Магнито-записываемый элемент, содержащий набор слоев, включающий магнитный записывающий слой, отличающийся тем, что набор слоев содержит упомянутый магнитный записывающий слой, а именно центральный слой (13, 53, 70, 23, 63, 80), по меньшей мере, из магнитного материала, имеющего направление намагничивания, параллельное или перпендикулярное плоскости центрального слоя, который расположен между первым (12, 52, 71, 22, 62) и вторым (12, 54, 72, 24, 64, 82) внешними слоями из немагнитного материала, при этом первый внешний слой (12, 52, 71, 22, 62) содержит первый немагнитный материал, а второй внешний слой (14, 54, 72, 24, 64, 82) содержит второй немагнитный материал, отличный от первого немагнитного материала, при этом, по меньшей мере, второй немагнитный материал является электропроводным, а также тем, что он содержит, с одной стороны, устройство для обеспечения пропускания тока записи только через второй внешний слой и центральный слой и, при необходимости, через первый внешний слой только в случае, когда он является проводящим, причем ток записи проходит в направлении тока параллельно плоскости центрального слоя, и, с другой стороны, устройство для наложения магнитного поля, содержащего составляющую в направлении магнитного поля либо параллельную, либо перпендикулярную плоскости центрального слоя (13, 53, 70, 23, 63, 80) и направлению тока, а также тем, что направление намагничивания и направление магнитного поля перпендикулярны между собой.
2. Элемент по п.1, отличающийся тем, что магнитное поле либо параллельно, либо перпендикулярно плоскости центрального слоя и направлению тока.
3. Элемент по п.1, отличающийся тем, что направление магнитного поля параллельно направлению тока, а также тем, что направление намагничивания перпендикулярно плоскости центрального магнитного слоя (13, 53, 70).
4. Элемент по п.3, отличающийся тем, что центральный слой (13, 53, 70) имеет толщину, составляющую от 1 нм до 5 нм, и предпочтительно, меньшую или равную 2 нм.
5. Элемент по п.1, отличающийся тем, что направление намагничивания параллельно направлению тока, а также тем, что направление магнитного поля перпендикулярно плоскости центрального магнитного слоя (23, 63, 80).
6. Элемент по п.5, отличающийся тем, что центральный слой (23, 63, 80) имеет толщину, составляющую толщину от 0,1 нм до 5 нм и, предпочтительно, меньшую или равную 3 нм.
7. Элемент по п.3 или 4, отличающийся тем, что центральный слой (13, 53, 70, 23, 63, 80) выполнен из сплава с собственной перпендикулярной магнитной анизотропией, а именно, в частности, из FePt, Fepd, CoPt либо также из сплава редкоземельный металл/переходный металл, в частности, из GdCo, TbFeCo.
8. Элемент по п.3 или 4, отличающийся тем, что центральный слой содержит металл или сплав, имеющий в наборе слоев перпендикулярную магнитную анизотропию, наведенную межфазными переходами, в частности, Со, Fe, CoFe, Ni, CoNi.
9. Элемент по п.5 или 6, отличающийся тем, что центральный слой выполнен из металла или сплава, имеющего в наборе слоев планарную магнитную анизотропию, в частности, Со, Fe, CoFe, Ni, NiFe, CoNi.
10. Элемент по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, один наружный слой является проводящим и выполнен из немагнитного металла, такого как Pt, W, Ir, Ru, Rd, Cu, Au, Bi, или из сплава этих металлов.
11. Элемент по п.10, отличающийся тем, что толщина упомянутого внешнего проводящего слоя меньше 10 нм и, предпочтительно, меньше или равна 5 нм.
12. Элемент по п.1, отличающийся тем, что первый внешний слой выполнен из диэлектрического оксида, такого как SiOx, MgOx, TiOx, TaOx, HfOx, или из диэлектрического нитрида, такого как SiNx, BNx.
13. Элемент по п.12, отличающийся тем, что толщина упомянутого внешнего слоя составляет от 0,5 нм до 200 нм, в частности, от 0,5 нм до 100 нм и, предпочтительно, меньше 3 нм.
14. Элемент по п.10 или 12, отличающийся тем, что два внешних слоя являются проводящими и выбраны из двух различных немагнитных материалов или сплавов.
4
2
9
2
5
2
8
2
15. Элемент по п.1, отличающийся тем, что упомянутый ток имеет плотность тока от 10 А/см до 10 А/см и, предпочтительно, от 10А/см до 10 А/см.
16. Элемент по п.1, отличающийся тем, что наложенное магнитное поле имеет величину, составляющую от 0,002 Тл до 1 Тл, и, преимущественно, от 0,005 Тл до 0,8 Тл.
17. Элемент по п.1, отличающийся тем, что первый внешний слой (52) покрыт считывающим слоем (58) из магнитного материала и считывающим электродом (59).
18. Элемент по п.17, отличающийся тем, что первый внешний слой (52) выполнен из немагнитного металла, а также тем, что он образует со считывающим слоем (58), считывающим электродом (59) и центральным слоем затвор спина.
19. Элемент по п.17, отличающийся тем, что первый внешний слой (52) является диэлектрическим, а также тем, что он образует со считывающим слоем (58), считывающим электродом (59) и центральным слоем магнитный туннельный электронно-дырочный переход.
20. Элемент по любому из пп.17-19, отличающийся тем, что толщина первого внешнего слоя меньше 3 нм.
21. Элемент по п.1, отличающийся тем, что первый внешний слой и центральный слой образуют контакт, тогда как второй внешний слой образует дорожку.
22. Элемент по п.21, отличающийся тем, что второй внешний слой содержит выступ, который является частью контакта.
23. Магнито-записываемое устройство, отличающееся тем, что оно содержит множество контактов по пп.21 и 22, внешний слой которого содержит упомянутую общую с ними дорожку.
24. Магнито-записываемое устройство, отличающееся тем, что первый внешний слой, центральный слой и выступ второго внешнего слоя образуют контакт по п.22, а также тем, что оно содержит множество упомянутых контактов, а также электропроводящую дорожку, окаймляющую второй внешний слой упомянутых контактов для инжектирования упомянутого тока через второй внешний слой и центральный слой каждого из упомянутых контактов, причем второй внешний слой выполнен из электрически проводящего материала, отличного от материала электропроводящей дорожки.