ИЗДЕЛИЯ С СОВМЕСТИМЫМ НИЗКОЭМИССИОННЫМ ПОКРЫТИЕМ С ЛЕГИРОВАННЫМ ЗАТРАВОЧНЫМ СЛОЕМ ПОД СЕРЕБРОМ И СООТВЕТСТВУЮЩИЕ СПОСОБЫ

1. Изделие с покрытием, включающее в себя покрытие на стеклянной подложке, при этом упомянутое покрытие содержит:
первый кристаллический или по существу кристаллический слой, содержащий оксид цинка, легированный около 1-30% Sn (мас.%), обеспеченный на стеклянной подложке;
первый отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро, расположенный на стеклянной подложке и непосредственно поверх первого кристаллического или по существу кристаллического слоя, содержащего оксид цинка, легированный около 1-30% Sn, и в контакте с ним;
причем никакого слоя на основе нитрида кремния не расположено непосредственно под первым кристаллическим или по существу кристаллическим слоем, содержащим оксид цинка, легированный около 1-30% Sn, и в контакте с ним;
по меньшей мере один диэлектрический слой, содержащий по меньшей мере одно из: (a) оксида кремния и циркония, (b) оксида циркония и (c) оксида кремния;
причем по меньшей мере один диэлектрический слой, содержащий по меньшей мере одно из (a), (b) и (c), расположен: (1) между по меньшей мере стеклянной подложкой и первым кристаллическим или по существу кристаллическим слоем, содержащим оксид цинка, легированный около 1-30% Sn (масс.%) и/или (2) между по меньшей мере первым отражающим ИК-излучение слоем, содержащим серебро, и вторым отражающим ИК-излучение слоем покрытия, содержащим серебро; и
при этом изделие с покрытием выполнено с возможностью получения при измерении в монолите по меньшей мере двух из: (i) значения ΔE* при пропускании не более 3,0 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия, (ii) значения ΔE* при отражении со стороны стекла не более 3,0 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия и (iii) значения ΔE* при отражении со стороны пленки не более 3,5 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия.
2. Изделие с покрытием по п. 1, причем упомянутое изделие с покрытием выполнено с возможностью получения при измерении в монолите всех трех из: (i) значения ΔE* при пропускании не более 3,0 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия, (ii) значения ΔE* при отражении со стороны стекла не более 3,0 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия и (iii) значения ΔE* при отражении со стороны пленки не более 3,5 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия.
3. Изделие с покрытием по п. 1, в котором по меньшей мере один диэлектрический слой, содержащий по меньшей мере одно из (a) оксида кремния и циркония, (b) оксида циркония и (c) оксида кремния, расположен по меньшей мере между по меньшей мере стеклянной подложкой и первым кристаллическим или по существу кристаллическим слоем, содержащим оксид цинка, легированный около 1-30% Sn (мас.%).
4. Изделие с покрытием по п. 1, в котором по меньшей мере один диэлектрический слой, содержащий по меньшей мере одно из (a) оксида кремния и циркония, (b) оксида циркония и (c) оксида кремния, расположен по меньшей мере между по меньшей мере первым отражающим ИК-излучение слоем, содержащим серебро, и вторым отражающим ИК-излучение слоем покрытия, содержащим серебро.
5. Изделие с покрытием по п. 1, в котором по меньшей мере один диэлектрический слой, содержащий по меньшей мере одно из (a), (b) и (c), содержит как первый слой, содержащий по меньшей мере одно из: (a) оксида кремния и циркония, (b) оксида циркония и (c) оксида кремния, так и второй слой, содержащий по меньшей мере одно из: (a) оксида кремния и циркония, (b) оксида циркония и (c) оксида кремния;
причем первый слой расположен между по меньшей мере стеклянной подложкой и первым кристаллическим или по существу кристаллическим слоем, содержащим оксид цинка, легированный около 1-30% Sn (мас.%); и
при этом второй слой расположен между по меньшей мере первым отражающим ИК-излучение слоем, содержащим серебро, и вторым отражающим ИК-излучение слоем покрытия, содержащим серебро.
6. Изделие с покрытием по п. 1, в котором по меньшей мере один диэлектрический слой, содержащий по меньшей мере одно из (a), (b) и (c), содержит оксид кремния и циркония.
7. Изделие с покрытием по п. 1, в котором первый кристаллический или по существу кристаллический слой, содержащий оксид цинка, легирован около 1-20% Sn (мас.%).
8. Изделие с покрытием по п. 1, в котором первый кристаллический или по существу кристаллический слой, содержащий оксид цинка, легирован около 5-15% Sn (мас.%).
9. Изделие с покрытием по п. 1, в котором первый кристаллический или по существу кристаллический слой, содержащий легированный Sn оксид цинка, является кристаллическим или по существу кристаллическим при осаждении способом распыления.
10. Изделие с покрытием по п. 1, причем упомянутое изделие с покрытием выполнено с возможностью получения при измерении в монолите всех из: (i) значения ΔE* при пропускании не более 2,5 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия, (ii) значения ΔE* при отражении со стороны стекла не более 2,5 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия и (iii) значения ΔE* при отражении со стороны пленки не более 3,0 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия.
11. Изделие с покрытием по п. 1, причем упомянутое изделие с покрытием выполнено с возможностью получения при измерении в монолите по меньшей мере двух из: (i) значения ΔE* при пропускании не более 2,3 в результате контрольной термообработки в течение 16 минут при температуре около 650 градусов Цельсия, (ii) значения ΔE* при отражении со стороны стекла не более 2,0 в результате контрольной термообработки в течение 16 минут при температуре около 650 градусов Цельсия и (iii) значения ΔE* при отражении со стороны пленки не более 3,0 в результате контрольной термообработки в течение 16 минут при температуре около 650 градусов Цельсия.
s
12. Изделие с покрытием по п. 1, в котором упомянутое покрытие имеет поверхностное сопротивление (R) не более 20 Ом/квадрат.
s
13. Изделие с покрытием по п. 1, в котором упомянутое покрытие имеет поверхностное сопротивление (R) не более 10 Ом/квадрат.
s
14. Изделие с покрытием по п. 1, в котором упомянутое покрытие имеет поверхностное сопротивление (R) не более 2,5 Ом/квадрат.
15. Изделие с покрытием по п. 1, причем упомянутое изделие с покрытием при измерении в монолите имеет пропускание видимого света по меньшей мере 50%.
16. Изделие с покрытием по п. 1, причем упомянутое изделие с покрытием при измерении в монолите имеет пропускание видимого света по меньшей мере 68%.
17. Изделие с покрытием по п. 1, в котором упомянутое покрытие после осаждения дополнительно содержит первый аморфный или по существу аморфный слой, содержащий станнат цинка, расположенный на стеклянной подложке поверх по меньшей мере первого отражающего ИК-излучение слоя, содержащего серебро.
18. Изделие с покрытием по п. 17, в котором аморфный или по существу аморфный слой, содержащий станнат цинка, имеет содержание металла около 40-60% Zn и около 40-60% Sn (мас.%).
19. Изделие с покрытием по п. 1, в котором упомянутое покрытие дополнительно содержит контактный слой, расположенный поверх первого отражающего ИК-излучение слоя, содержащего серебро, и непосредственно в контакте с ним.
20. Изделие с покрытием по п. 19, в котором контактный слой содержит Ni и Cr.
21. Изделие с покрытием по п. 1, в котором упомянутое покрытие дополнительно содержит:
второй отражающий ИК-излучение слой, содержащий серебро, расположенный на стеклянной подложке поверх по меньшей мере первого отражающего ИК-излучение слоя, содержащего серебро,
второй кристаллический или по существу кристаллический слой, содержащий оксид цинка, легированный около 1-30% Sn (мас.%), расположенный под вторым отражающим ИК-излучение слоем, содержащим серебро, и напрямую в контакте с ним; и
причем никакого слоя на основе нитрида кремния не расположено между стеклянной подложкой и вторым отражающим ИК-излучение слоем, содержащим серебро.
22. Изделие с покрытием по п. 21, в котором упомянутое покрытие дополнительно содержит аморфный или по существу аморфный после осаждения слой, содержащий станнат цинка, расположенный на стеклянной подложке поверх по меньшей мере второго отражающего ИК-излучение слоя, содержащего серебро.
23. Изделие с покрытием по п. 22, в котором аморфный или по существу аморфный слой, содержащий станнат цинка, который после осаждения является аморфным или по существу аморфным, имеет содержание металла около 40-60% Zn и около 40-60% Sn (мас.%).
24. Изделие с покрытием по п. 22, в котором упомянутое покрытие дополнительно содержит слой, содержащий нитрид кремния, расположенный поверх по меньшей мере аморфного или по существу аморфного слоя, содержащего станнат цинка.
25. Изделие с покрытием по п. 1, причем упомянутое изделие с покрытием подвергнуто термической закалке.
26. Изделие с покрытием по п. 1, причем упомянутое изделие с покрытием дополнительно содержит металлический или по существу металлический абсорбирующий слой, расположенный между стеклянной подложкой и первым отражающим ИК-излучение слоем.
27. Изделие с покрытием по п. 1, причем упомянутое изделие с покрытием дополнительно содержит металлический или по существу металлический абсорбирующий слой, расположенный между первым и вторым слоями на основе нитрида.
28. Изделие с покрытием по п. 27, в котором абсорбирующий слой содержит Ni и Cr.
29. Изделие с покрытием по п. 27, в котором диэлектрический слой, содержащий по меньшей мере одно из (a), (b) и (c), расположен между по меньшей мере абсорбирующим слоем и первым кристаллическим или по существу кристаллическим слоем, содержащим оксид цинка.
30. Изделие с покрытием по п. 1, в котором по меньшей мере один диэлектрический слой, содержащий по меньшей мере одно из (a), (b) и (c), содержит 0-20% азота (атомные %).
31. Изделие с покрытием по п. 1, в котором по меньшей мере один диэлектрический слой, содержащий по меньшей мере одно из (a), (b) и (c), содержит 0-10% азота (атомные %).
32. Изделие с покрытием по п. 1, в котором по меньшей мере один диэлектрический слой, содержащий по меньшей мере одно из (a), (b) и (c), содержит 0-5% азота (атомные %).
33. Изделие с покрытием по п. 1, в котором по меньшей мере один диэлектрический слой, содержащий по меньшей мере одно из (a), (b) и (c), содержит оксид кремния и циркония, и при этом диэлектрический слой, содержащий оксид кремния и циркония, имеет содержание металла 51-99% Si и 1-49% Zr (атомные %).
34. Изделие с покрытием по п. 1, в котором по меньшей мере один диэлектрический слой, содержащий по меньшей мере одно из (a), (b) и (c), содержит оксид кремния и циркония, и при этом диэлектрический слой, содержащий оксид кремния и циркония, имеет содержание металла 70-97% Si и 3-30% Zr (атомные %).
35. Изделие с покрытием, включающее в себя покрытие на стеклянной подложке, при этом упомянутое покрытие содержит:
слой, содержащий оксид цинка, необязательно легированный оловом и/или алюминием, обеспеченный на стеклянной подложке;
первый отражающий инфракрасное (ИК) излучение слой, содержащий серебро, расположенный на стеклянной подложке и непосредственно поверх упомянутого слоя, содержащего оксид цинка, и в контакте с ним;
причем никакого слоя на основе нитрида кремния не расположено непосредственно под слоем, содержащим оксид цинка, легированный оловом и/или алюминием, и в контакте с ним;
по меньшей мере один диэлектрический слой, содержащий по меньшей мере одно из: (a) оксида кремния и циркония, (b) оксида циркония и (c) оксида кремния;
причем по меньшей мере один диэлектрический слой, содержащий по меньшей мере одно из (a), (b) и (c), расположен между по меньшей мере стеклянной подложкой и слоем, содержащим оксид цинка, легированный оловом и/или алюминием; и
при этом изделие с покрытием выполнено с возможностью получения при измерении в монолите по меньшей мере двух из: (i) значения ΔE* при пропускании не более 3,0 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия, (ii) значения ΔE* при отражении со стороны стекла не более 3,0 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия и (iii) значения ΔE* при отражении со стороны пленки не более 3,5 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия.
36. Изделие с покрытием по п. 35, причем  упомянутое изделие с покрытием выполнено с возможностью получения при измерении в монолите всех трех из: (i) значения ΔE* при пропускании не более 3,0 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия, (ii) значения ΔE* при отражении со стороны стекла не более 3,0 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия и (iii) значения ΔE* при отражении со стороны пленки не более 3,5 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия.
37. Изделие с покрытием по п. 35, в котором по меньшей мере один диэлектрический слой, содержащий по меньшей мере одно из (a), (b) и (c), содержит как первый слой, содержащий по меньшей мере одно из: (a) оксида кремния и циркония, (b) оксида циркония и (c) оксида кремния, так и второй слой, содержащий по меньшей мере одно из: (a) оксида кремния и циркония, (b) оксида циркония и (c) оксида кремния;
причем первый слой расположен между по меньшей мере стеклянной подложкой и слоем, содержащим оксид цинка; и
при этом второй слой расположен между по меньшей мере первым отражающим ИК-излучение слоем, содержащим серебро, и вторым отражающим ИК-излучение слоем покрытия, содержащим серебро, причем первый отражающий ИК-излучение слой расположен между по меньшей мере стеклянной подложкой и вторым отражающим ИК-излучение слоем.
38. Изделие с покрытием по п. 35, в котором по меньшей мере один диэлектрический слой, содержащий по меньшей мере одно из (a), (b) и (c), содержит оксид кремния и циркония.
39. Изделие с покрытием по п. 35, причем упомянутое изделие с покрытием выполнено с возможностью получения при измерении в монолите всех из: (i) значения ΔE* при пропускании не более 2,5 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия, (ii) значения ΔE* при отражении со стороны стекла не более 2,5 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия и (iii) значения ΔE* при отражении со стороны пленки не более 3,0 в результате контрольной термообработки в течение 12 минут при температуре около 650 градусов Цельсия.
40. Изделие с покрытием по п. 35, причем упомянутое изделие с покрытием при измерении в монолите имеет пропускание видимого света по меньшей мере 35%.
41. Изделие с покрытием по п. 35, причем упомянутое изделие с покрытием при измерении в монолите имеет пропускание видимого света по меньшей мере 50%.