Способ выращивания кристаллов многокомпонентных фторидов со структурой флюорита

1. Способ выращивания кристаллов многокомпонентных фторидов со структурой флюорита, включающий кристаллизацию из расплава шихты, состоящей из фторидов щелочноземельных металлов и церия, в атмосфере фторирующих агентов способом вертикальной направленной кристаллизации с последующим послеростовым охлаждением, отличающийся тем, что процесс послеростового охлаждения ведут до температуры в интервале 400-500°C, после достижения этой температуры из ростовой зоны удаляют газообразные фторирующие агенты и ведут термообработку в неокисительной атмосфере при температуре 400-500°С не менее 5 часов, а затем медленно охлаждают кристалл до комнатной температуры.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве шихты применяют смесь фторидов одного или нескольких щелочноземельных металлов (Са, Sr, Ва) и фторида церия при мольном содержании фторида церия от 0 до 50%, что обеспечивает получение флюоритовой фазы.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве способа вертикальной направленной кристаллизации применяют способ Бриджмена-Стокбаргера.
-6
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что неокислительную атмосферу в процессе термообработки создают вакуумированием зоны термообработки до давления не выше 5·10 мм рт. ст.
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что после создания вакуума в зоне термообработки ее заполняют инертным газом, например аргоном.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что охлаждение кристалла до комнатной температуры ведут со скоростью не более 50°С.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для создания фторирующей атмосферы в шихту вводят политетрафторэтилен, разлагающийся при нагревании с образованием фторирующих газов.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что для создания фторирующей атмосферы ростовая зона заполняется фторсодержащим газом, например тетрафторметаном, фторидами серы или бора.