СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ УПОРЯДОЧЕННОГО МАССИВА НАНОКРИСТАЛЛОВ ИЛИ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ МАТРИЦЕ

x
3
4
4
3
3
4
2
1. Способ формирования упорядоченного массива нанокристаллов или нанокластеров кремния в диэлектрической матрице, включающий формирование на подложке многослойной пленки, состоящей из чередующихся слоев SiN и SiN, где 0<х<4/3, методом низкочастотного плазмохимического осаждения из газовой фазы с использованием смеси моносилана (SiH) и аммиака (NH) с объемным соотношением [NH/[SiH] в диапазоне от 1 до 5 при давлении в камере 100-250 Па, температуре подложки 20-400°С и удельной мощности разряда 0,02-0,2 Вт/см с последующим отжигом полученной многослойной пленки в инертной атмосфере при температуре в диапазоне 800-1150°С не менее 5 минут с получением многослойной матрицы с нанокристаллами или нанокластерами.
2. Способ по п. 1, характеризующийся тем, что плазмохимическое осаждение проводят при частоте разряда 3-200 кГц.