ПЛАСТИНА ЛАНТАНГАЛЛИЕВОГО СИЛИКАТА

, Пластина лантангаллиевого силиката Предлагаемое устройство относится к радиоэлектронике и может быть использовано в акустоэлектронных частотно-избирательных устройствах на поверхностных акустических волнах ПАВ. ПАВ-устройства обладают большими потенциальными возможностями, реализация которых связана с разработкой новых материалов и более дешевых методов вырашивания пьезоэлектрических кристаллов заданного качества и размеров. Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к заявленному устройству является пластина лантангаллиевого силиката (ЛГС) для устройств на ПАВ, имеющая форму диска (K.Shimamura et.al. Growth and characterization of lanthanmn gallium silicate LasGasSiUH single crystals for piezoelectric applications. J. of Crystal Growth, 1996, v.l63, pp.388-392). Диаметр пластин ЛГС не превышает 50 мм, поскольку известные способы выращивания кристаллов ЛГС не обеспечивают получение качественных кристаллов ЛГС Однако, используемая в настоящее время технологическая оснастка большинства отечественных и зарубежных фирм рассчитана на диаметр диска не менее 76 мм (3), т.к. данный размер обеспечивает минимальные потери устройств по периферии диска по отношению к обшему количеству приборов на всей поверхности дисков. В рамках данной заявки решается задача повышения выхода годных устройств на ПАВ. Поставленная задача решается тем, что пластина лантангаллиевого силиката для устройств на поверхностно-активных волнах, имеющая форму диска, имеет диаметр 75-80 мм, при этом диск имеет базовый срез. Авторами данной работы был разработан такой способ выращивания монокристаллов лантангаллиевого силиката, который позволил вырашивать монокристаллы лантангаллиевого силиката диаметром не менее 82 мм (по вписанной окружности на цилиндрической части слитка) и массой 82 мм (по вписанной окружности на цилиндрической части слитка) и массой больше 3,5 кг, при этом кристаллы свободны от рассеивающих центров, контролируемых в луче He-Ne лазера. Сущность полезной модели поясняется графическим материалом, где приведена конструкция пластин ЛГС диаметром D, толщиной h и имеющая базовый срез длиной 1. Размеры кристаллов ЛГС 82 мм по вписанной окружности цилиндрической части монокристаллов позволяют при шлифовании боковой поверхности дисков для получения цилиндрической формы диска диаметром из диапазона 75-80 мм удалить дефектные периферийные области, и тем самым увеличить выход годных приборов на ПАВ.