СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ПРОГИБА ПОТОЛОЧНОЙ ПЛИТКИ И ПОТОЛОЧНАЯ ПЛИТКА

1. Способ уменьшения прогиба потолочной плитки, включающий:
получение базовой потолочной плитки;
объединение обожженного гипса с водой с получением суспензии;
нанесение указанной суспензии на заднюю сторону указанной базовой потолочной плитки и получение слоя суспензии толщиной от примерно 100 микрометров до примерно 1000 микрометров.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанная суспензия не содержит формальдегид, летучие органические соединения или их комбинации.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанная суспензия дополнительно содержит по меньшей мере один из модификатора реологических свойств, модификатора плотности и модификатора времени схватывания.
4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что модификатор реологических свойств представляет собой поликарбоксилатный диспергатор.
5. Способ по п. 3, отличающийся тем, что модификатор плотности содержит карбонат кальция, бумажное волокно, вспученный перлит или вспученный вермикулит.
6. Способ по п. 3, отличающийся тем, что модификатор времени схватывания выбран из группы, состоящей из замедлителя схватывания, ускорителя схватывания и их комбинаций.
7. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанная стадия нанесения включает накатку, напыление, заливку или разравнивание покрытия на указанную базовую потолочную плитку.
8. Способ по п. 1, отличающийся тем, что указанная стадия получения включает свойлачивание суспензии одного или более связующих и волокон, выбранных из группы, состоящей из стекловолокон, органических полимерных волокон, целлюлозных волокон, волокон минеральной ваты и их комбинаций.
9. Потолочная плитка с покрытием, содержащая:
базовую потолочную плитку, имеющую лицевую сторону и заднюю сторону, противоположную указанной лицевой стороне; и
покрытие толщиной от примерно 100 микрометров до примерно 1000 микрометров, нанесенное на указанную заднюю сторону, причем указанное покрытие содержит переплетенную матрицу из кристаллического дигидрата сульфата кальция.
10. Потолочная плитка с покрытием по п. 9, отличающаяся тем, что указанная гипсовая матрица дополнительно содержит пустоты между указанными кристаллами дигидрата сульфата кальция, при этом в по меньшей мере некоторых из указанных пустот присутствуют остатки модификатора времени схватывания, причем указанные остатки включают ионы, молекулы, частицы модификатора времени схватывания или их комбинации.