УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ ПРОЦЕССА ПЛАЗМЕННОГО ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ

1. Устройство для выполнения процесса плазменного химического осаждения из паровой фазы (ПХОПФ), согласно которому один или более слоев легированного или нелегированного стекла осаждают на внутреннюю поверхность стеклянной трубки-основы, имеющей сторону подвода и сторону отвода; причем упомянутое устройство содержит: аппликатор, имеющий внутреннюю стенку и внешнюю стенку, и микроволновый волновод, направляющий СВЧ-волны; при этом упомянутый микроволновый волновод выходит в аппликатор; аппликатор проходит вокруг цилиндрической оси и имеет прилегающий к внутренней стенке проход, по которому могут выходить направляемые по микроволновому волноводу СВЧ-волны; упомянутая стеклянная трубка-основа выполнена с возможностью ее позиционирования над упомянутой цилиндрической осью, при этом аппликатор окружен печью, расположенной над упомянутой цилиндрической осью; и аппликатор выполнен с возможностью его перемещения по упомянутой цилиндрической оси между точкой изменения направления на обратное на стороне подвода и точкой изменения направления на обратное на стороне отвода; отличающееся тем, что печь выполнена с возможностью ее возвратно-поступательного перемещения по отношению к трубке-основе вдоль ее продольной оси.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что расстояние, на которое аппликатор перемещается между точкой изменения направления на обратное на стороне подвода и точкой изменения направления на обратное на стороне отвода трубки-основы, является таким, что обеспечивает нахождение аппликатора в окружении печи.
3. Устройство по одному или обоим предыдущим пунктам, отличающееся тем, что аппликатор цилиндрически симметричен и имеет кольцевую форму, и содержит резонаторное пространство, проходящее цилиндрически симметрично вокруг цилиндрической оси и имеющее кольцевую форму; причем упомянутое резонаторное пространство имеет щель в виде полного круга вокруг цилиндрической оси, через которую проходит СВЧ-энергия из микроволнового волновода.
4. Устройство по п.3, отличающееся тем, что микроволновый волновод выходит в резонаторное пространство.
5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что продольная ось волновода расположена по существу перпендикулярно к цилиндрической оси, и упомянутая продольная ось не пересекает щель или проход резонаторного пространства.
6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что продольная ось волновода не разделяет резонаторное пространство на две равные половины.
7. Способ осаждения одного или более слоев легированного или нелегированного стекла на внутреннюю поверхность стеклянной трубки-основы при помощи устройства по любому из пп.1-6; согласно которому трубку-основу помещают над цилиндрической осью во внутренней стенке аппликатора, на внутреннюю поверхность упомянутой трубки-основы подают формирующие стекло предшественники; при этом аппликатор окружен печью, проходящей над упомянутой цилиндрической осью; причем трубка-основа и аппликатор по существу соосные, аппликатор перемещают возвратно-поступательно по длине трубки-основы во время выполнения процесса осаждения, и аппликатор создает плазменные условия для формирования стеклянных слоев на внутренней поверхности стеклянной трубки-основы; отличающийся тем, что печь перемещают по отношению к трубке-основе по продольной оси во время процесса осаждения.
8. Способ по п.7, отличающийся тем, что расстояние, на которое перемещается печь по продольной оси трубки-основы является нечетным кратным четверти длины волны используемых в аппликаторе СВЧ-волн.
9. Способ по п.7, отличающийся тем, что соотношение времени цикла печи и времени цикла аппликатора не равно целому числу, на которое самый длительный цикл времени делится самым кратким циклом времени.
10. Способ по п.8, отличающийся тем, что соотношение времени цикла печи и времени цикла аппликатора не равно целому числу, на которое самый длительный цикл времени делится самым кратким циклом времени.