СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА КРЕМНИЕВОЙ ПЛЕНКИ НА ПОВЕРХНОСТИ СУБСТАТА ОСАЖДЕНИЕМ ПАРОВ

1. Способ производства кремниевой пленки на поверхности субстрата методом осаждения паров, исходя из предшественника на основе кремния, отличающийся тем, что используемый предшественник представляет собой тетрахлорид кремния.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что
тетрахлорид кремния высокой чистоты испаряют при необходимости вместе с одним или несколькими другими предшественниками, выбранными из группы, состоящей из хлоридов и/или гидридов, и
смешивают с газом-носителем,
газовую смесь в реакционной камере приводят в контакт с субстратом, который должен быть покрыт, и нагревают в реакционной камере до температуры от 900 до 1390°С,
тонкую при необходимости допированную кремниевую пленку наносят на поверхность субстрата и
летучие побочные продукты реакции удаляют из реакционной камеры.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что осаждение паров проводят термическим разложением тетрахлорида кремния высокой чистоты при давлении от 0,8 до 1,2 бар абс.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что газовая смесь из газа-носителя и предшественников остается в реакционной камере при среднем времени пребывания от 0,05 до 5 с.
5. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что осаждение паров для производства тонкой кремниевой пленки проводят на поверхность мультикристаллического кремниевого субстрата.
6. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что субстрат нагревают в реакционной камере либо термически, электрически, либо облучением.
7. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что субстрат, который должен быть покрыт, выдерживают при условиях реакции в реакционной камере в течение периода от 2 до 30 мин.
8. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что в ходе осаждения паров эпитаксиальную кремниевую пленку наносят на поверхность субстрата.
9. Способ по п.8, отличающийся тем, что эпитаксиальную кремниевую пленку наносят со скоростью от 2000 до 6000 нм/мин.
4
10. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что используемый предшественник представляет собой SiCl, смешанный с, по меньшей мере, одним соединением хлора или водорода, которое может быть переведено в газовую фазу, выбранное из элементов из III, IV или V главных групп Периодической системы элементов.
11. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что субстрат, который был покрыт таким образом, обрабатывают далее с формированием солнечного элемента.
12. Способ по п.11, отличающийся тем, что известным по сути способом покрытый субстрат
очищают или текстурируют,
затем диспергируют из газовой фазы или другого источника допирующего вещества при температуре от 800 до 1000°С,
стеклянный слой, сформированный в ходе диспергирования, удаляют,
тонкое просветляющее покрытие наносят на электрически активную кремниевую пленку и
затем металлические контакты вплавляют в переднюю и заднюю поверхности покрытого субстрата трафаретной печатью с использованием скачка температуры.
13. Тонкопленочный солнечный элемент или кремниевый тонкопленочный солнечный элемент, получаемый способом по пп.1-12.
14. Использование тетрахлорида кремния для производства пленки, наносимой на субстрат из газовой фазы, получаемой, как описано в любом из пп.1-13.
15. Использование тетрахлорида кремния по п.14 для производства пленки, наносимой эпитаксиально из газовой фазы на субстрат.
16. Использование тетрахлорида кремния по п.14 для производства недопированной или допированной кремниевой пленки на субстрате методом осаждения паров.
x
x
17. Использование тетрахлорида кремния по любому из пп.14-16 для производства пленки на основе кремния на субстрате, выбранном из группы, состоящей из SiC, SiN, SiO, в каждом случае х = от 0,1 до 2, методом осаждения паров.
18. Использование тетрахлорида кремния по любому из пп.14-16 для производства кремниевой пленки методом осаждения паров на субстрате, содержащем кремний.
19. Использование тетрахлорида кремния по любому из пп.14-16 для производства тонкопленочных солнечных элементов или кристаллических кремниевых тонкопленочных солнечных элементов.
20. Использование тетрахлорида кремния по п.19 для производства кристаллического кремниевого тонкопленочного солнечного элемента или тонкопленочного солнечного элемента, снабженных эпитаксиально допированной или недопированной кремниевой пленкой.