СПОСОБ ЗАЩИТЫ p-n-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ОКИСИ БЕРИЛЛИЯ

Способ защиты p-n-переходов на основе окиси бериллия, включающий защиту поверхности p-n-переходов, отличающийся тем, что защита p-n переходов ведут на основе пленки окиси бериллия в виде порошка при температуре 1000°C, температура кристалла 600°C, а в качестве несущего агента используется галоген HBr, при котором устанавливается перепад температур между источником окиси бериллия и полупроводниковым кристаллом, расстояние между источником окиси бериллия и кристалла 12 см, причем толщина пленки окиси бериллия δ=0,8±0,1 мкм.