СИСТЕМА И СПОСОБ ДЛЯ ЛЕЧЕНИЯ ПЛАЗМОЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ НАПРАВЛЕННОГО ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО БАРЬЕРНОГО РАЗРЯДА

1. Система, содержащая:
энергетическую систему направленного диэлектрического барьерного разряда (ДБР), содержащую:
первый электродный узел, выполненный с возможностью генерации энергии, содержащий:
первый корпус с первой текучей средой, расположенной в первой камере;
первый магнит, при этом первый магнит выполнен с возможностью содействия направлению или удержанию энергии, генерируемой первым электродным узлом; и
первый диэлектрический барьер.
2. Система по п. 1, в которой энергетическая система направленного ДБР выполнена с возможностью генерации холодной плазмы.
3. Система по п. 2, в которой первый магнит содержит постоянный магнит и выполнен с возможностью содействия направлению или удержанию холодной плазмы.
4. Система по п. 2, содержащая второй магнит, выполненный с возможностью содействия направлению или удержанию холодной плазмы и энергии, при этом второй магнит содержит электромагнит с обмотками в первом направлении.
5. Система по п. 4, содержащая третий магнит, выполненный с возможностью направления холодной плазмы и энергии, при этом третий магнит содержит постоянный магнит.
6. Система по п. 5, в которой первый диэлектрический барьер сопрягается с первым магнитом, первый магнит сопрягается со вторым магнитом, а второй магнит сопрягается с третьим магнитом.
7. Система по п. 1, содержащая первый электропроводный материал в электропроводной текучей среде.
8. Система по п. 1, в которой первый электропроводный материал содержит неферромагнитные частицы.
9. Система по п. 1, в которой энергетическая система направленного ДБР содержит второй электродный узел, содержащий:
второй корпус со второй текучей средой;
электропроводную линию, соединенную со вторым корпусом или заземлением;
четвертый магнит, соединенный со вторым корпусом, при этом четвертый магнит выполнен с возможностью содействия направлению или удержанию холодной плазмы и энергии; и
второй диэлектрический барьер,
причем первый электродный узел предназначен располагаться на первой стороне основы, а второй электродный узел предназначен располагаться аксиально противоположным первому электродному узлу на второй стороне основы.
10. Система по п. 9, в которой полярность четвертого магнита ориентирована в том же направлении, как у первого магнита, и при этом первый магнит и четвертый магнит выполнены с возможностью содействия направлению и удержанию холодной плазмы.
11. Система по п. 9, в которой второй электродный узел содержит пятый и шестой магниты, выполненные с возможностью содействия направлению и удержанию холодной плазмы.
12. Система, содержащая:
энергетическую систему направленного диэлектрического барьерного разряда (ДБР), выполненную с возможностью генерации энергии, содержащую:
первый электродный узел, предназначенный располагаться на первой стороне основы; и
второй электродный узел, при этом второй электрод предназначен располагаться на второй стороне основы.
13. Система по п. 12, в которой энергетическая система направленного ДБР выполнена с возможностью генерации холодной плазмы, и при этом первый электродный узел содержит первый магнит, выполненный с возможностью содействия направлению и удержанию холодной плазмы и энергии.
14. Система по п. 13, в которой второй электродный узел содержит второй магнит, выполненный с возможностью содействия направлению и удержанию холодной плазмы и энергии.
15. Система по п. 12, содержащая контроллер, выполненный с возможностью управления первым электродным узлом, вторым электродным узлом или ими обоими, чтобы генерировать холодную плазму для обработки основы по протоколу обработки плазмой.
16. Система по п. 15, содержащая зажимное приспособление, выполненное с возможностью поддерживания первого электродного узла и второго электродного узла в коаксиальном взаимном расположении во время работы.
17. Система, содержащая:
энергетическую систему направленного диэлектрического барьерного разряда (ДБР), выполненную с возможностью генерации энергии, содержащую:
первый электродный узел, содержащий:
первый корпус с первой текучей средой в первой камере; и
второй корпус со второй текучей средой во второй камере.
18. Система по п. 17, содержащая второй электродный узел, содержащий третий корпус с третьей текучей средой, расположенной в третьей камере, и четвертый корпус с четвертой текучей средой, расположенной в четвертой камере, при этом первый и второй электродные узлы разнесены друг от друга вокруг зоны обработки.
19. Система по п. 17, в которой энергетическая система направленного ДБР выполнена с возможностью генерации холодной плазмы, и при этом первый магнит охватывает первый корпус, а второй магнит охватывает второй корпус, и причем первый магнит и второй магнит выполнены с возможностью содействия направлению и удержанию холодной плазмы и энергии.
20. Система по п. 17, в которой первый или второй корпус предназначен размещаться внутри полости мишени.