ПРОЧНАЯ СТРУКТУРА СИД (СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ДИОДА) ДЛЯ ОТДЕЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ

1. Способ изготовления светоизлучающего устройства, содержащий следующие этапы:
обеспечивают перевернутый кристалл светоизлучающего диода (СИД) на подложке, при этом СИД монтируют на плате таким образом, что кристалл СИД находится между платой и подложкой, причем подложка шире и длиннее, чем кристалл СИД, так что края подложки продолжаются за края кристалла СИД;
обеспечивают изолирующий прокладочный материал между кристаллом СИД и платой и вокруг краев кристалла СИД и подложки;
снимают подложку с кристалла СИД, причем вокруг кристалла СИД формируются стенки участками прокладочного материала, которые были вокруг краев подложки, причем внутренние границы стенок поперечно отделены от краев кристалла СИД; и
размещают оптический элемент поверх открытой поверхности кристалла СИД после того, как подложка снята, причем, по меньшей мере, участки краев оптического элемента находятся внутри стенок из прокладочного материала, оптический элемент имеет предварительно отформованную форму перед размещением поверх открытой поверхности кристалла СИД, и оптический элемент имеет наружные размеры по длине и ширине,
причем размер по длине оптического элемента меньше, чем размер по длине внутренних границ стенок, и размер по ширине оптического элемента меньше, чем размер по ширине внутренних границ стенок, что смягчает допуск при размещении оптического элемента заподлицо поверх открытой поверхности кристалла СИД, и причем все края предварительно отформованного оптического элемента выступают за края кристалла СИД.
2. Способ по п.1, в котором этап съема подложки содержит съем подложки с использованием лазерного метода отделения.
3. Способ по п.1, в котором этап обеспечения кристалла СИД на подложке содержит следующие этапы:
обеспечивают пластину, содержащую слои СИД, сформированные поверх пластины подложки;
травят эпитаксиальные слои из материала СИД вокруг площадки СИД, чтобы открыть участки подложки вдоль краев площадки СИД; и
отделяют площадку СИД от пластины, чтобы сформировать кристалл СИД на подложке так, что края подложки продолжаются за края кристалла СИД.
4. Способ по п.1, в котором подложка является подложкой для выращивания.
5. Способ по п.1, в котором этап обеспечения кристалла СИД на подложке, при котором СИД монтируют на плате, содержит соединение электродов на поверхности кристалла СИД с соответствующими электродами на поверхности платы.
6. Способ по п.1, в котором этап обеспечения изолирующего прокладочного материала содержит нагнетание прокладочного материала между кристаллом СИД и платой и вокруг краев кристалла СИД и подложки.
7. Способ по п.1, в котором край подложки продолжается за край кристалла СИД на, по меньшей мере, 0,05 мм.
8. Способ по п.1, в котором край подложки продолжается за край кристалла СИД на, по меньшей мере, 0,1 мм.
9. Способ по п.1, в котором этап размещения оптического элемента поверх открытой поверхности кристалла СИД содержит размещение пластинки из люминофора поверх открытой поверхности кристалла СИД.
10. Способ по п.1, в котором этап размещения оптического элемента поверх открытой поверхности кристалла СИД содержит закрепление клеем оптического элемента на открытой поверхности кристалла СИД.
11. Способ по п.1, в котором этап размещения оптического элемента поверх открытой поверхности кристалла СИД содержит размещение оптического элемента, имеющего размеры поверхности больше, чем размеры поверхности кристалла СИД, поверх открытой поверхности кристалла СИД таким образом, что, по меньшей мере, один край оптического элемента продолжается за край кристалла СИД.
12. Способ по п.1, в котором этап размещения оптического элемента поверх открытой поверхности кристалла СИД содержит размещение линзы поверх открытой поверхности кристалла СИД.
13. Светоизлучающее устройство, содержащее:
перевернутый кристалл светоизлучающего диода (СИД), при этом кристалл СИД сформирован на подложке, которая снята с кристалла СИД;
плата, на которой смонтирован кристалл СИД;
изолирующий прокладочный материал между кристаллом СИД и платой и вокруг краев кристалла СИД, причем стенки из прокладочного материала продолжаются выше и вокруг открытой поверхности СИД, и причем внутренние границы стенок поперечно отделены от краев кристалла СИД; и
оптический элемент, установленный и закрепленный поверх открытой поверхности кристалла СИД, причем, по меньшей мере, участки краев оптического элемента находятся внутри внутренних границ стенок из прокладочного материала, оптический элемент имеет предварительно отформованную форму перед закреплением поверх открытой поверхности кристалла СИД, и оптический элемент имеет наружные размеры по длине и ширине,
причем размер по длине оптического элемента меньше, чем размер по длине внутренних границ стенок, и размер по ширине оптического элемента меньше, чем размер по ширине внутренних границ стенок, что смягчает допуск при установке оптического элемента заподлицо поверх открытой поверхности кристалла СИД, и причем все края предварительно отформованного оптического компонента выступают за края кристалла СИД.
14. Устройство по п.13, в котором оптический элемент является пластинкой из люминофора, прикрепленной к открытой поверхности кристалла СИД.
15. Устройство по п.13, в котором внутренние границы стенок поперечно отделены от краев кристалла СИД на, по меньшей мере, 0,05 мм.