ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ИЗМЕНЕНИЕМ СОПРОТИВЛЕНИЯ

1. Запоминающее устройство с изменением сопротивления, содержащее:
полупроводниковую подложку;
транзистор с управляющим выводом, первым выводом и вторым выводом, причем транзистор обеспечен на полупроводниковой подложке;
изолирующий слой, покрывающий транзистор;
первую проводящую линию, соединенную с первым выводом и обеспеченную на изолирующем слое;
вторую проводящую линию, обеспеченную на изолирующем слое; и
элемент изменения сопротивления, присоединенный между вторым выводом и второй проводящей линией,
причем первая проводящая линия имеет ширину, большую, чем ширина второй проводящей линии в направлении, в котором расположены первая и вторая проводящие линии.
2. Запоминающее устройство по п. 1, дополнительно содержащее:
усилитель считывания, соединенный со второй проводящей линией.
3. Запоминающее устройство по п. 2, дополнительно содержащее:
возбудитель, соединяющий первую проводящую линию с выводом заземления при операции считывания с использованием усилителя считывания.
4. Запоминающее устройство по п. 3, дополнительно содержащее:
третью проводящую линию поверх первой проводящей линии; и
переключающий элемент, имеющий первый конец и второй конец, причем первый конец соединен с первой проводящей линией,
причем возбудитель присоединен между вторым концом переключающего элемента и третьей проводящей линией.
5. Запоминающее устройство по п. 3, дополнительно содержащее:
четвертую проводящую линию поверх второй проводящей линии; и
переключающий элемент, присоединенный между второй и четвертой проводящими линиями.
6. Запоминающее устройство по п. 1, в котором
управляющий вывод обеспечен в полупроводниковой подложке.
7. Запоминающее устройство по п. 1, в котором
элемент изменения сопротивления содержит первый магнитный слой с неизменяемой намагниченностью, второй магнитный слой с изменяемой намагниченностью и немагнитный слой, обеспеченный между ними.
8. Запоминающее устройство с изменением сопротивления, содержащее:
полупроводниковую подложку;
транзистор с управляющим выводом, первым выводом и вторым выводом, причем транзистор обеспечен на полупроводниковой подложке;
изолирующий слой, покрывающий транзистор;
первую проводящую линию, соединенную с первым выводом и обеспеченную на изолирующем слое;
вторую проводящую линию, обеспеченную на изолирующем слое; и
элемент изменения сопротивления, присоединенный между вторым выводом и второй проводящей линией,
причем первая проводящая линия имеет первый участок, имеющий первую толщину, и второй участок, имеющий вторую толщину, большую, чем первая толщина.
9. Запоминающее устройство по п. 8, дополнительно содержащее:
усилитель считывания, соединенный со второй проводящей линией.
10. Запоминающее устройство по п. 9, дополнительно содержащее:
возбудитель, подающий потенциал заземления на первую проводящую линию при операции считывания с использованием усилителя считывания.
11. Запоминающее устройство по п. 10, в котором
второй участок находится ближе к возбудителю, чем первый участок.
12. Запоминающее устройство по п. 11, дополнительно содержащее:
третью проводящую линию поверх первой проводящей линии; и
переключающий элемент, имеющий первый конец и второй конец, причем первый конец соединен с первой проводящей линией,
причем возбудитель присоединен между вторым концом переключающего элемента и третьей проводящей линией.
13. Запоминающее устройство по п. 11, дополнительно содержащее:
четвертую проводящую линию поверх второй проводящей линии; и
переключающий элемент, присоединенный между второй и четвертой проводящими линиями.
14. Запоминающее устройство по п. 8, в котором
управляющий вывод обеспечен в полупроводниковой подложке.
15. Запоминающее устройство по п. 8, в котором
элемент изменения сопротивления содержит первый магнитный слой с неизменяемой намагниченностью, второй магнитный слой с изменяемой намагниченностью и немагнитный слой, обеспеченный между ними.
16. Запоминающее устройство с изменением сопротивления, содержащее:
полупроводниковую подложку;
карман в полупроводниковой подложке;
транзистор с управляющим выводом, первым выводом и вторым выводом, причем транзистор обеспечен на кармане;
изолирующий слой, покрывающий транзистор;
первую проводящую линию, соединенную с первым выводом и обеспеченную на изолирующем слое;
вторую проводящую линию, обеспеченную на изолирующем слое;
элемент изменения сопротивления, присоединенный между вторым выводом и второй проводящей линией,
усилитель считывания, соединенный со второй проводящей линией; и
возбудитель, подающий потенциал заземления на первую проводящую линию при операции считывания с использованием усилителя считывания;
первый контакт для подачи первого потенциала на первый краевой участок в кармане, более близкий к возбудителю, в направлении, в котором продолжается первая проводящая линия; и
второй контакт для подачи второго потенциала, меньшего, чем первый потенциал, на второй краевой участок в кармане, более дальний от возбудителя в этом направлении.
17. Запоминающее устройство по п. 16, в котором
первый потенциал является потенциалом заземления, а второй потенциал является отрицательным потенциалом.
18. Запоминающее устройство по п. 16, в котором
потенциал кармана постепенно изменяется от первого потенциала до второго потенциала от первого краевого участка ко второму краевому участку.
19. Запоминающее устройство с изменением сопротивления, содержащее:
полупроводниковую подложку;
транзисторы, каждый из которых имеет управляющий вывод, первый вывод и второй вывод, причем транзисторы обеспечены на полупроводниковой подложке;
изолирующий слой, покрывающий транзисторы;
первую проводящую линию, соединенную с первыми выводами транзисторов и обеспеченную на изолирующем слое;
вторую проводящую линию, обеспеченную на изолирующем слое;
элементы изменения сопротивления, присоединенные между вторыми выводами транзисторов и второй проводящей линией, соответственно; и
возбудитель, подающий потенциал заземления на первую проводящую линию при операции считывания/записи,
причем первый потенциал, подаваемый на управляющий вывод транзистора, более отдаленного от возбудителя, когда выполняется операция считывания/записи транзистора, более отдаленного от возбудителя, больше второго потенциала, подаваемого на управляющий вывод транзистора, более близкого к возбудителю, когда выполняется операция считывания/записи транзистора, более близкого к возбудителю, в направлении, в котором продолжается первая проводящая линия.
20. Запоминающее устройство по п. 19, дополнительно содержащее:
усилитель считывания, соединенный со второй проводящей линией,
причем возбудитель подает потенциал заземления на первую проводящую линию при операции считывания с использованием усилителя считывания.