КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО ПОКРЫТИЯ, СОДЕРЖАЩАЯ ПОДАВЛЯЮЩИЙ АГЕНТ, ДЛЯ БЕСПУСТОТНОГО ЗАПОЛНЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ПОВЕРХНОСТИ

1. Композиция, содержащая по меньшей мере один источник меди и по меньшей мере одну добавку, получаемую путем реакции
a) многоатомного спирта, содержащего по меньшей мере 5 гидроксильных функциональных групп,
с
b) по меньшей мере первым алкиленоксидом и вторым алкиленоксидом из смеси первого алкиленоксида и второго алкиленоксида.
2. Композиция по п.1, где многоатомный спирт выбирается из соединений формулы I
где
m представляет собой целое число от 5 до 10,
Х представляет собой m-валентный линейный или разветвленный алифатический или циклоалифатический радикал, имеющий от 5 до 10 атомов углерода, который может быть замещенным или незамещенным.
3. Композиция по п.1, где многоатомными спиртами являются линейные или циклические спирты, дающие при окислении моносахариды, представленные формулой (II) или (III)
где
n представляет собой целое число от 3 до 8, и
о представляет собой целое число от 5 до 10.
4. Композиция по п.3, где спирт, дающий при окислении моносахарид, выбирается из сорбита, маннита, ксилита, рибита и инозитола, и их производных.
5. Композиция по п.1, где многоатомными спиртами являются моносахариды формулы (IV) или (V)
и их производные,
где
р представляет собой целое число от 4 до 5, и
q, r представляют собой целые числа, и q+r равно 3 или 4.
6. Композиция по п.5, где моносахарид выбирается из альдоз аллозы, альтрозы, галактозы, глюкозы, гулозы, идозы, маннозы, талозы, глюкогептозы, манногептозы или кетоз фруктозы, псикозы, сорбозы, тагатозы, манногептулозы, седогептулозы, талогептулозы, аллогептулозы, и их производных.
7. Композиция по п.1, где добавкой является случайный сополимер этиленоксида и пропиленоксида.
8. Композиция по п.1, где содержание единиц первого оксиалкилена в добавке составляет от 20 до 50 мас.%, предпочтительно от 25 до 40 мас.%.
w
9. Композиция по п.1, где молекулярная масса M добавки составляет от 3000 до 10000 г/моль, предпочтительно от 4000 до 8000 г/моль.
10. Композиция по любому из пп.1-9, дополнительно содержащая один или более ускоряющих агентов.
11. Композиция по любому из пп.1-9, дополнительно содержащая один или более выравнивающих агентов.
12. Применение электролитической ванны для нанесения металлического покрытия, содержащей композицию по любому из пп.1-11, в целях осаждения металла на подложки, содержащие элементы поверхности, имеющие размер отверстия 30 нанометров или менее.
13. Способ осаждения металлического слоя на подложку путем:
a) контакта электролитической ванны для нанесения металлического покрытия, содержащей композицию по любому из пп.1-11, с подложкой, и
b) создания плотности тока в подложке в течение периода времени, достаточного для осаждения металлического слоя на подложку.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что подложка содержит элементы поверхности субмикрометрового размера, и осаждение осуществляется с заполнением элементов поверхности микрометрового или субмикрометрового размера.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что элементы поверхности субмикрометрового размера имеют размер отверстия от 1 до 30 нм и/или коэффициент пропорциональности 4 или более.