СПОСОБ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ СКОРОСТИ РОСТА ОСАЖДЕННЫХ ЗАГРЯЗНЯЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ

1. Система (10) литографии, содержащая:
- систему (20) проецирования излучения для проецирования излучения на подложку;
- систему (30) транспортировки подложки для погрузки и позиционирования подложки, которая должна быть обработана, на пути проецируемого излучения;
- систему (40) управления для управления системой транспортировки подложки, чтобы перемещать подложку; и
- систему (50) определения характеристик резиста, приспособленную для определения того, подходит ли конкретный тип резиста для того, чтобы экспонироваться при воздействии излучения в установке для литографии,
при этом система (50) определения характеристик резиста приспособлена для:
- экспонирования резиста на поверхности подложки одним или более пучками излучения;
- измерения распределения масс молекулярных фрагментов, испускаемых из резиста;
- использования модели (110) скорости роста, основанной на более ранних измерениях индуцированного облучением осаждения, вызванного известными молекулярными фрагментами для различных парциальных давлений;
- прогнозирования скорости роста осажденных молекулярных фрагментов на основе модели скорости роста молекулярных фрагментов и измеренного распределения масс молекулярных фрагментов, и получения парциального давления на основе измеренного распределения масс молекулярных фрагментов; и
- сравнения прогнозируемой скорости роста с предварительно определенной пороговой скоростью роста, пороговая скорость роста относится к максимально доступной скорости роста в установке для литографии.
2. Система по п. 1, при этом излучение принимает форму одного или более элементарных лучей заряженных частиц, и при этом более ранние измерения индуцированного облучением осаждения выполняются для различных плотностей тока одного или более элементарных лучей заряженных частиц.
3. Система по любому из предшествующих пунктов, при этом система (20) проецирования излучения содержит генератор (21) элементарных лучей для формирования множества элементарных лучей, модулятор (22) элементарных лучей для формирования шаблона элементарных лучей, чтобы формировать модулированные элементарные лучи, и проектор (23) элементарных лучей для проецирования модулированных элементарных лучей на поверхность подложки.
4. Система по п. 1 или 2, при этом система (50) определения характеристик резиста соединяется с системой (30) транспортировки подложки для переноса подложки в литографическую установку для литографической экспозиции.
5. Система по п. 1 или 2, при этом система (50) определения характеристик резиста содержит камеру (51), насосную систему (52), приспособленную для откачивания камеры до более низкого давления в камере; источник (53) излучения для формирования одного или более пучков (54) излучения, подложку (56), снабженную слоем (57) резиста на поверхности, и измерительное устройство (59), содержащее анализатор состава остаточных газов.
6. Способ определения пригодности резиста для использования в установке для литографии, способ содержит этапы, на которых:
- предоставляют подложку, имеющую резист на поверхности подложки;
- экспонируют резист одним или более пучками излучения;
- измеряют распределение масс молекулярных фрагментов, испускаемых из резиста;
- прогнозируют скорость роста осажденных молекулярных фрагментов на основе модели скорости роста молекулярных фрагментов и измеренного распределения масс молекулярных фрагментов, модель основывается на более ранних измерениях индуцированного облучением осаждения, вызванного известными молекулярными фрагментами для различных парциальных давлений; и
- сравнивают прогнозируемую скорость роста с предварительно определенной пороговой скоростью роста, пороговая скорость роста относится к максимально доступной скорости роста в установке для литографии.
7. Способ по п. 6, при этом облучение принимает форму одного или более элементарных лучей заряженных частиц, и при этом более ранние измерения индуцированного облучением осаждения выполняются для различных плотностей тока одного или более элементарных лучей заряженных частиц.
8. Способ по любому из пп. 6 и 7, при этом прогнозирование скорости роста осажденных молекулярных фрагментов основывается на геометрическом факторе, геометрический фактор представляет влияние одного или более свойств установки для литографии.
9. Способ по п. 8, при этом геометрический фактор представляет влияние геометрии установки для литографии на скорость роста осаждения.
10. Способ по п. 6 или 7, при этом модель включает в себя скорости роста для множества различных молекулярных фрагментов.
11. Способ по п. 6 или 7, при этом модель включает в себя скорости роста для различных интенсивностей пучка излучения.
12. Способ по п. 6 или 7, при этом получение парциального давления содержит суммирование с помощью измеренного распределения масс молекулярных фрагментов.
13. Машиночитаемый носитель для выполнения, когда исполняется процессором, способа квалификации пригодности резиста для использования в установке для литографии по любому из п.п. 6-12.
14. Способ прогнозирования скорости роста осажденных загрязняющих примесей, получающихся в результате осаждения газообразных загрязняющих примесей, дегазированных из вещества, подвергающегося обработке одним или более пучками излучения, способ содержит этапы, на которых:
- экспонируют вещество одним или более пучками излучения;
- измеряют распределение масс молекул и молекулярных фрагментов загрязняющих примесей, испускаемых из вещества;
- прогнозируют скорость роста осажденных молекул и молекулярных фрагментов загрязняющих примесей на основе модели скорости роста и измеренного распределения масс молекулярных фрагментов, модель основывается на более ранних измерениях индуцированного облучением осаждения, вызванного известными молекулярными фрагментами для различных парциальных давлений; и
- сравнивают прогнозируемую скорость роста с предварительно определенной пороговой скоростью роста, пороговая скорость роста относится к максимально доступной скорости роста в установке для литографии.
15. Устройство для прогнозирования скорости роста осажденных загрязняющих примесей, получающихся в результате осаждения газообразных загрязняющих примесей, дегазированных из вещества, подвергающегося обработке одним или более пучками излучения, устройство содержит:
- камеру (51);
- насосную систему (52), приспособленную для откачивания камеры до более низкого давления в камере;
- источник (53) излучения для формирования одного или более пучков (54) излучения;
- подложку (56), снабженную веществом (57) на поверхности подложки;
- измерительное устройство (59) для измерения распределения масс газообразных загрязняющих примесей, дегазированных из вещества; и
- процессор, сконфигурированный, чтобы прогнозировать скорость роста осажденных загрязняющих примесей на основе модели скорости роста молекулярных фрагментов и измеренного распределения масс молекулярных фрагментов, модель основывается на более ранних измерениях индуцированного облучением осаждения, вызванного известными молекулярными фрагментами для различных парциальных давлений.