УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ

1. Устройство отображения, содержащее фотодатчик в области элементов изображения на подложке активной матрицы,
причем упомянутый фотодатчик содержит:
фотодетектирующий элемент, который воспринимает падающий свет;
схему межсоединений для сигнала сброса, которая подает сигнал сброса в фотодатчик;
схему межсоединений для сигнала считывания, которая подает сигнал считывания в фотодатчик;
запоминающий узел, потенциал которого изменяется в соответствии с количеством света, воспринятого фотодетектирующим элементом в периоде регистрации, причем упомянутый период регистрации длится с момента подачи сигнала сброса до момента подачи сигнала считывания;
элемент усиления, который усиливает потенциал запоминающего узла в соответствии с сигналом считывания; и
элемент, переключающий датчик, для считывания потенциала, усиленного элементом усиления, в схему выходных межсоединений в качестве выходного сигнала схемы датчика.
2. Устройство отображения по п.1, в котором элементом усиления является конденсатор переменной емкости.
3. Устройство отображения по п.2, в котором конденсатором переменной емкости является МОП-конденсатор, включающий в себя схему межсоединений для сигнала считывания, изолирующую пленку и область полупроводника p-типа, сформированную в кремниевой пленке.
4. Устройство отображения по п.2, в котором конденсатором переменной емкости является МОП-конденсатор, включающий в себя электрод затвора элемента, переключающего датчик, изолирующую пленку и область полупроводника n-типа, сформированную в кремниевой пленке.
5. Устройство отображения по п.1, в котором элементом усиления является p-канальный тонкопленочный транзистор.
6. Устройство отображения по п.5, в котором в p-канальном тонкопленочном транзисторе область канала сформирована в широком участке кремниевой пленки, которая соединяет фотодетектирующий элемент и запоминающий узел, и электрод затвора p-канального тонкопленочного транзистора создан таким образом, чтобы перекрываать широкий участок.
7. Устройство отображения по п.1, в котором элементом усиления является n-канальный тонкопленочный транзистор.
8. Устройство отображения по п.1, в котором элементом усиления является диод, включающий в себя электрод затвора, расположенный над каналом.
9. Устройство отображения по п.1, содержащее:
светоэкранирующую пленку, предусмотренную на стороне фотодетектирующего элемента, противоположной его светоприемной поверхности, и
электрод, расположенный противоположно светоэкранирующей пленке, образуя последовательно подключенный конденсатор, который подключен последовательно с паразитной емкостью между светоэкранирующей пленкой и фотодетектирующим элементом,
причем упомянутый электрод электрически соединен со схемой межсоединений для считывания.
10. Устройство отображения по п.1, содержащее множество фотодетектирующих элементов в области элементов изображения,
в котором упомянутое множество фотодетектирующих элементов соединено параллельно, и
элемент усиления соединен с конечным фотодетектирующим элементом из множества фотодетектирующих элементов.
11. Устройство отображения по п.1,
в котором элементом, переключающим датчик, является переключающий элемент с тремя выводами,
электрод затвора из числа этих трех выводов соединен с запоминающим узлом, а
один из двух остальных выводов из числа этих трех выводов соединен со схемой выходных межсоединений.
12. Устройство отображения по п.1, дополнительно содержащее переключающий элемент для сброса элемента, переключающего датчик, в исходное состояние.
13. Устройство отображения по п.1, в котором элемент усиления имеет пороговое напряжение, при котором элемент усиления переключается между состояниями "включено"/"выключено" между потенциалом сигнала считывания с низким уровнем и потенциалом сигнала считывания с высоким уровнем.
14. Устройство отображения по п.1, дополнительно содержащее:
общую подложку, противоположную подложке активной матрицы; и
жидкий кристалл, расположенный между подложкой активной матрицы и общей подложкой.