ПЕРЕДНИЙ КОНТАКТ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ИНДИЯ-ЦИНКА ДЛЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРИБОРА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Фотоэлектронное устройство на основе аморфного кремния, содержащее
переднюю стеклянную подложку;
активную полупроводниковую пленку, содержащую аморфный кремний;
электропроводный и практически прозрачный передний электрод, расположенный, по меньшей мере, между передней стеклянной подложкой и активной полупроводниковой пленкой;
задний электрод, причем активная полупроводниковая пленка обеспечена, по меньшей мере, между передним электродом и задним электродом; и
в котором передний электрод содержит оксид индия-цинка.
2. Фотоэлектронный прибор по п.1, дополнительно содержащий стеклянный перекрывающий слой, в котором задний электрод расположен, по меньшей мере, между стеклянным перекрывающим слоем и активной полупроводниковой пленкой.
3. Фотоэлектронный прибор по п.1, в котором соотношение In/Zn в переднем электроде, содержащем оксид индия-цинка, составляет примерно 7/1-13/1.
4. Фотоэлектронный прибор по п.1, в котором соотношение In/Zn в переднем электроде, содержащем оксид индия-цинка, составляет примерно 8/1-10/1.
5. Фотоэлектронный прибор по п.1, в котором передний электрод содержит аморфный оксид индия-цинка.
6. Фотоэлектронный прибор по п.2, дополнительно содержащий слой, содержащий этилвинилацетат (EVA), расположенный между стеклянным перекрывающим слоем и задним электродом.
7. Фотоэлектронный прибор по п.1, в котором задний электрод содержит оксид индия-цинка.
s
8. Фотоэлектронный прибор по п.1, в котором передний электрод обладает сопротивлением слоя (R) примерно 7-50 Ом/100 кв. фут.
s
9. Фотоэлектронный прибор по п.1, в котором передний электрод обладает сопротивлением слоя (R) примерно 10-15 Ом/100 кв. фут.
10. Фотоэлектронный прибор по п.1, в котором аморфный кремний гидрогенизирован.
11. Фотоэлектронный прибор, содержащий
переднюю стеклянную подложку;
активную полупроводниковую пленку;
электропроводный и практически прозрачный передний электрод, расположенный, по меньшей мере, между передней стеклянной подложкой и активной полупроводниковой пленкой;
причем передний электрод содержит IZO и/или ZnAlAgO.
12. Фотоэлектронный прибор по п.11, дополнительно содержащий стеклянный перекрывающий слой, и в котором задний электрод расположен, по меньшей мере, между стеклянным перекрывающим слоем и активной полупроводниковой пленкой.
13. Фотоэлектронный прибор по п.11, в котором передний электрод содержит IZO, и в котором соотношение In/Zn в переднем электроде, содержащем IZO, составляет примерно 7/1-13/1.
14. Фотоэлектронный прибор по п.13, в котором соотношение In/Zn составляет примерно 8/1-10/1.
15. Фотоэлектронный прибор по п.11, в котором передний электрод является аморфным.
s
2
16. Фотоэлектронный прибор по п.11, в котором передний электрод обладает сопротивлением слоя (R) примерно 10-20 Ом/100 кв. фут (или ~1,08-2,15 Ом/м).
17. Способ изготовления фотоэлектронного прибора, включающий
осаждение путем напыления переднего электрода, содержащего оксид индия-цинка, на стеклянную подложку при приблизительно комнатной температуре;
формирование активной полупроводниковой пленки на стеклянной подложке поверх, по меньшей мере, переднего электрода, содержащего оксид индия-цинка;
и, во время или после формирования активной полупроводниковой пленки подвергание, по меньшей мере, переднего электрода термообработке при, по меньшей мере, примерно 200°C, что приводит к дополнительному окислению переднего электрода, содержащего оксид индия-цинка, для достижения его желаемой стехиометрии.
18. Способ по п.17, в котором термообработку осуществляют при примерно 200-400°C.
19. Способ по п.17, в котором передний электрод перед и после термообработки является аморфным.
20. Способ по п.17, в котором соотношение In/Zn в переднем электроде составляет примерно 7/1-13/1.