LUS-ПОЛУПРОВОДНИК И ПРИКЛАДНАЯ СХЕМА

1. Мощное полупроводниковое устройство, в котором характеристическая схема, устанавливаемая между узлом стока и узлом истока полевого транзистора со структурой металл-оксид-полупроводник (ПТ с МОП-структурой) в процессе изготовления, такова, что упомянутое мощное полупроводниковое устройство обладает функциями силового выпрямления и регулирования напряжения.
2. Мощное полупроводниковое устройство по п. 1, в котором упомянутая характеристическая схема выбрана из группы, состоящей из пары включенных задними или передними сторонами друг к другу диодов Шоттки, пары включенных задними или передними сторонами друг другу статически экранирующих диодов (СЭД), пары включенных задними или передними сторонами друг к другу полупроводниковых стабилитронов, пары включенных задними или передними сторонами друг к другу диода Шоттки и полупроводникового стабилитрона, пары включенных задними или передними сторонами друг к другу диода Шоттки и СЭД и пары включенных задними или передними сторонами друг к другу полупроводникового стабилитрона и СЭД, при этом упомянутое включение задними сторонами друг к другу означает взаимное соединение узлов p-типа, а упомянутое включение передними сторонами друг к другу означает взаимное соединение узлов n-типа.
3. Мощное полупроводниковое устройство по п. 1, в котором упомянутая характеристическая схема является частью четырехслойного полупроводникового устройства.
4. Мощное полупроводниковое устройство по п. 3, в котором упомянутое четырехслойное полупроводниковое устройство является частью симметричного диодного тиристора или симметричного триодного тиристора.
5. Мощное полупроводниковое устройство по п. 1, в котором упомянутая характеристическая схема содержит узел p-типа и узел n-типа, которые подключены соответственно к упомянутому узлу стока и упомянутому узлу истока упомянутого ПТ с МОП-структурой.
6. Мощное полупроводниковое устройство по п. 5, в котором упомянутая характеристическая схема представляет собой один импульсный диод, один диод Шоттки или один полупроводниковый стабилитрон.
7. Мощное полупроводниковое устройство, в котором характеристическая схема подключена снаружи между узлом стока и узлом истока полевого транзистора со структурой металл-оксид-полупроводник (ПТ с МОП-структурой) таким образом, что упомянутое устройство обладает функциями силового выпрямления и регулирования напряжения.
8. Мощное полупроводниковое устройство по п. 7, в котором упомянутая характеристическая схема выбрана из группы, состоящей из пары включенных задними или передними сторонами друг к другу диодов Шоттки, пары включенных задними или передними сторонами друг к другу статически экранирующих (СЭД), пары включенных задними или передними сторонами друг к другу полупроводниковых стабилитронов, пары включенных задними или передними сторонами друг к другу диода Шоттки и полупроводникового стабилитрона, пары включенных задними или передними сторонами друг к другу диода Шоттки и СЭД и пары включенных задними или передними сторонами друг к другу полупроводникового стабилитрона и СЭД, при этом упомянутое включение задними сторонами друг к другу означает взаимное соединение узлов p-типа, а упомянутое включение передними сторонами друг к другу означает взаимное соединение узлов n-типа.
9. Мощное полупроводниковое устройство по п. 7, в котором упомянутая характеристическая схема является частью четырехслойного полупроводникового устройства.
10. Мощное полупроводниковое устройство по п. 9, в котором упомянутое четырехслойное полупроводниковое устройство является частью симметричного диодного тиристора или симметричного триодного тиристора.
11. Мощное полупроводниковое устройство по п. 7, в котором упомянутая характеристическая схема содержит узел p-типа и узел n-типа, которые подключены соответственно к упомянутому узлу стока и упомянутому узлу истока упомянутого ПТ с МОП-структурой.
12. Мощное полупроводниковое устройство по п. 11, в котором упомянутая характеристическая схема представляет собой один импульсный диод, один диод Шоттки или один полупроводниковый стабилитрон.
13. Выпрямительная схема, содержащая,
по меньшей мере, одно мощное полупроводниковое устройство по любому из предыдущих пунктов и
вспомогательную схему, подключаемую к упомянутому мощному полупроводниковому устройству таким образом, что источником напряжения является полуволна или полная волна, выпрямленная и отрегулированная упомянутой выпрямительной схемой, выдающей выходное напряжение постоянного тока.
14. Выпрямительная схема по п. 13, в которой упомянутая вспомогательная схема выдает вспомогательное напряжение в упомянутое мощное полупроводниковое устройство таким образом, что упомянутое мощное полупроводниковое устройство испытывает смещение в рабочей области.
15. Выпрямительная схема по п. 14, дополнительно содержащая
высокочастотный трансформатор, содержащий первую вторичную обмотку и вторую вторичную обмотку, при этом
в положительном полупериоде напряжения переменного тока, подаваемого в первый узел первой вторичной обмотки, напряжение переменного тока в упомянутом положительном полупериоде проходит через упомянутую вспомогательную схему, достигает второго узла упомянутой первой вторичной обмотки и прикладывается к упомянутому мощному полупроводниковому устройству, а напряжение на упомянутой второй вторичной обмотке обеспечивает выдачу упомянутого вспомогательного напряжения посредством упомянутой вспомогательной схемы и перевод узла стока и узла истока упомянутого мощного полупроводникового устройства в проводящее или изолированное состояние.
16. Выпрямительная схема по п. 13, в которой упомянутая вспомогательная схема содержит схему фильтра, подключенную к выходному узлу упомянутого мощного полупроводникового устройства таким образом, что упомянутая выпрямительная схема подает упомянутое выходное напряжение постоянного тока.
17. Выпрямительная схема по п. 16, в которой упомянутая схема фильтра представляет собой фильтр π-типа.
18. Выпрямительная схема по п. 13, содержащая
первое и второе мощные полупроводниковые устройства и
высокочастотный трансформатор, содержащий первую вторичную обмотку и вторую вторичную обмотку, при этом
упомянутая вспомогательная схема содержит первый токоограничивающий резистор, второй токоограничивающий резистор, первый диод, второй диод, первый оптрон, второй оптрон, высокочастотный диод, конденсатор фильтра, первую делящую напряжение схему, вторую делящую напряжение схему и схему фильтра, при этом,
когда находящееся в положительном полупериоде напряжение переменного тока подается в первый узел упомянутой первой вторичной обмотки, проходит через упомянутый первый токоограничивающий резистор, упомянутый первый диод и упомянутый первый оптрон и достигает среднего узла упомянутой первой вторичной обмотки, напряжение, приложенное к двум узлам упомянутой второй вторичной обмотки, выпрямляется упомянутым высокочастотным диодом и подается в качестве положительного выходного напряжения постоянного тока через упомянутый конденсатор фильтра, а упомянутое положительное выходное напряжение постоянного тока достигает упомянутой первой делящей напряжение схемы через сторону выхода упомянутого первого оптрона, что обуславливает перевод узла стока и узла истока упомянутого первого мощного полупроводникового устройства в проводящее состояние, вследствие чего упомянутое находящееся в положительном полупериоде напряжение на упомянутом первом узле упомянутой первой вторичной обмотки проходит через упомянутый узел стока и упомянутый узел истока упомянутого первого мощного полупроводникового устройства, после чего упомянутое выходное напряжение постоянного тока подается через упомянутую схему фильтра, а
когда находящееся в положительном полупериоде напряжение переменного тока подается во второй узел упомянутой первой вторичной обмотки, проходит через упомянутый второй токоограничивающий резистор, упомянутый второй диод и упомянутый второй оптрон и достигает среднего узла упомянутой первой вторичной обмотки, напряжение, приложенное к двум узлам упомянутой второй вторичной обмотки, выпрямляется упомянутым высокочастотным диодом и подается в качестве положительного выходного напряжения постоянного тока через упомянутый конденсатор фильтра, а упомянутое положительное выходное напряжение постоянного тока достигает упомянутой второй делящей напряжение схемы через сторону выхода второго оптрона, что обуславливает перевод узла стока и узла истока упомянутого второго мощного полупроводникового устройства в проводящее состояние, вследствие чего упомянутое находящееся в положительном полупериоде напряжение переменного тока на упомянутом втором узле упомянутой первой вторичной обмотки проходит через упомянутый узел стока и упомянутый узел истока упомянутого второго мощного полупроводникового устройства, после чего упомянутое выходное напряжение постоянного тока подается через упомянутую схему фильтра.
19. Выпрямительная схема по п. 13, в которой упомянутая вспомогательная схема содержит цепочку обратной связи, подключаемую к упомянутому мощному полупроводниковому устройству и отключающую функцию выпрямления упомянутого мощного полупроводникового устройства, когда упомянутое выходное напряжение постоянного тока превышает предварительно определенное значение до тех пор, пока упомянутое выходное напряжение постоянного тока не станет меньше упомянутого предварительно определенного значения.
20. Выпрямительная схема по п. 19, в которой упомянутая цепочка обратной связи содержит корректируемую интегральную схему шунтирующего регулятора точности и оптрон, при этом,
когда упомянутое выходное напряжение постоянного тока превышает упомянутое предварительно определенное значение, упомянутая корректируемая интегральная схема шунтирующего регулятора точности активируется, а узел коллектора и узел эмиттера упомянутого оптрона оказываются в проводящем состоянии, после чего узел затвора и узел истока упомянутого мощного полупроводникового устройства оказываются в проводящем состоянии, а упомянутое мощное полупроводниковое устройство прекращает выпрямление, из-за чего упомянутое выходное напряжение постоянного тока падает, а
когда упомянутое выходное напряжение постоянного тока падает настолько низко, что упомянутая корректируемая интегральная схема шунтирующего регулятора точности больше не находится в проводящем состоянии, упомянутое мощное полупроводниковое устройство начинает выпрямление, вследствие чего упомянутое выходное напряжение постоянного тока растет.