Способ получения диссипативных структур

Способ получения диссипативной структуры в аморфной пленке в виде нанотонких кристаллов с упругим ротационным искривлением решетки, включающий нагревание и последующее охлаждение, отличающийся тем, что предварительно на подложку из слюды путем вакуумного напыления наносят слой аморфного углерода толщиной не более 25 нм с использованием в качестве источника углерода углеродный стержень, затем - слой аморфного селена толщиной не более 80 нм с использованием в качестве источника порошкообразный селен, затем - снова слой аморфного углерода толщиной не более 25 нм, и осуществляют термоградиентную обработку путем нагрева нижней поверхности подложки в интервале температур 373-463 К в течение 30-180 с, а затем осуществляют охлаждение путем закалки на воздухе.