ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПОДЛОЖКА И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Полупроводниковая подложка, в которой электропроводящее соединение проходит от ее передней стороны насквозь через полупроводниковую подложку до ее задней стороны, и это электропроводящее соединение снаружи полностью окружено изолятором, при этом изолятор образован при помощи проема, проходящего через полупроводниковую подложку и заполненного материалом, причем внутренние стенки проема снабжены диэлектрическим покрытием и/или проем заполнен электроизолирующим или проводящим материалом, а электропроводящее соединение образовано при помощи по меньшей мере одного другого проема, который расположен внутри изолятора, проходит насквозь через полупроводниковую подложку и заполнен электропроводящим материалом,
отличающаяся тем, что проемы (2, 3), начиная от передней стороны полупроводниковой подложки (1) вплоть до задней стороны, имеют внутренние стенки, не имеющие уступов и ориентированные перпендикулярно к передней стороне или же непрерывно сужающиеся по направлению к задней стороне.
2. Полупроводниковая подложка по п.1, отличающаяся тем, что образующий (образующие) электропроводящее соединение проем (проемы) (3) заполнен (заполнены) электропроводящим материалом и электрически соединен (соединены) на своей верхней торцевой стороне с сенсорным элементом, а на своей обратной торцевой стороне - с контактным элементом (4).
3. Полупроводниковая подложка по п.1 или 2, отличающаяся тем, что передняя сторона полупроводниковой подложки (1) снабжена электроизолирующим покрытием, через которое проведено по меньшей мере одно электропроводящее соединение к верхней торцевой стороне проема (проемов) (3) к электропроводящему материалу.
4. Полупроводниковая подложка по п.1, отличающаяся тем, что проем (2), образующий изолятор, заполнен электропроводящим материалом и подключен к потенциалу земли или корпуса.
5. Полупроводниковая подложка по п.1, отличающаяся тем, что подложка (1) имеет толщину по меньшей мере 200 мкм, а проемы (2, 3) проходят начиная от передней стороны вплоть до задней стороны.
6. Полупроводниковая подложка по п.1, отличающаяся тем, что размер просвета проемов (2, 3) на задней стороне подложки (1) составляет по меньшей мере 50% размера просвета на передней стороне подложки (1).
7. Полупроводниковая подложка по п.6, отличающаяся тем, что размер просвета на передней стороне составляет по меньшей мере 5 мкм.
8. Полупроводниковая подложка по п.1, отличающаяся тем, что на передней стороне выполнена схемная КМОП-структура, которая контактирует по меньшей мере с одним электропроводящим соединением через полупроводниковую подложку (1).
9. Полупроводниковая подложка по п.1, отличающаяся тем, что электропроводящее соединение через полупроводниковую подложку (1) контактирует на ее передней стороне с электрически управляемым элементом или контактным элементом.
10. Полупроводниковая подложка по п.1, отличающаяся тем, что материалом подложки является кремний, а электропроводящим материалом является легированный поликристаллический кремний.
11. Полупроводниковая подложка по п.1, отличающаяся тем, что при помощи множества проведенных через полупроводниковую подложку (1) электропроводящих соединений образована матрица с электрически управляемыми и/или сенсорными элементами.
12. Полупроводниковая подложка по п.1, отличающаяся тем, что она выполнена в виде сенсорного элемента, матрицы датчиков, КМОП-матрицы датчиков изображения, дисплея и/или матрицы с электрически активными элементами.
13. Способ изготовления полупроводниковой подложки, в которой электропроводящее соединение проведено от передней стороны полупроводниковой подложки (1) насквозь через нее вплоть до ее задней стороны,
при этом в полупроводниковой подложке (1) посредством способа травления от ее передней стороны формируют по меньшей мере два углубления с не имеющими уступов внутренними стенками и с предварительно заданной минимальной глубиной, таким образом, что по меньшей мере одно внутреннее углубление полностью окружено наружным углублением,
затем наружное углубление заполняют диэлектрическим материалом и/или обеспечивают на внутренней стенке наружного углубления по всей поверхности электроизолирующее покрытие и заполняют материалом; и
внутреннее (внутренние) углубление (углубления) полностью заполняют электропроводящим материалом, или обеспечивают по всей поверхности электроизолирующее покрытие и заполняют электропроводящим материалом,
наконец, начиная с задней стороны полупроводниковой подложки (1), ее толщину уменьшают до тех пор, пока обратные торцевые стороны заполненных углублений не будут открыты, и наружное углубление в виде заполненного проема (2) через полупроводниковую подложку (1) образует изолятор, а внутреннее (внутренние) углубление (углубления) в виде заполненного проема (проемов) (3) образуют электропроводящее соединение.
14. Способ по п.13, отличающийся тем, что контактный элемент (4) электрически контактирует с открытым электропроводящим материалом в расположенном внутри проеме (проемах) (3) на задней стороне полупроводниковой подложки (1).
15. Способ по п.13 или 14, отличающийся тем, что уменьшение толщины полупроводниковой подложки (1) производят путем шлифования, химико-механического полирования и/или способом травления.
16. Способ по п.13, отличающийся тем, что наружное углубление также заполнено электропроводящим материалом.
17. Способ по п.13, отличающийся тем, что электроизолирующее покрытие выполняют путем окисления кремния как материала подложки.
18. Способ по п.13, отличающийся тем, что перед уменьшением толщины полупроводниковой подложки (1) электропроводящий материал во внутреннем (внутренних) углублении (углублениях) на передней стороне по меньшей мере частично открывают и соединяют с электропроводящим слоем или контактным элементом.
19. Способ по п.13, отличающийся тем, что на передней стороне после выполнения электропроводящего соединения через полупроводниковую подложку выполняют схемную КМОП-структуру.
20. Способ по п.13, отличающийся тем, что на передней стороне полупроводниковой подложки (1) электрически соединяют несколько сенсорных элементов и создают элемент матрицы датчиков.
21. Способ по п.13, отличающийся тем, что на передней стороне полупроводниковой подложки (1) электрически соединяют несколько электрически управляемых элементов и создают матрицу, снабженную электрически управляемыми элементами.