РЕЗОНАТОР НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ

1. Резонатор на поверхностных акустических волнах (ПАВ), содержащий подложку из пьезоэлектрического материала с высоким коэффициентом электромеханической связи (КЭМС), на поверхности которой сформированы встречно-штыревой преобразователь (ВШП) и не менее двух отражающих структур (ОС), состоящих из массивов отражателей, выполненных с шириной и периодом следования, кратным определенной доле длины волны, отличающийся тем, что ВШП разделен на две секции электродов акустической полостью, длина которой между двумя секциями ВШП выбирается из диапазона
0,01λ/δfR<L<3,0λ/δfR,
где L - длина акустической полости, δfR - относительная ширина полосы отражения отражающих структур, которая может принимать значение δfR=0,003…0,03, λ - длина поверхностной акустической волны на свободной поверхности на резонансной частоте.
2. Резонатор на ПАВ по п. 1, отличающийся тем, что длина акустической полости между двумя секциями электродов ВШП выбирается из диапазона
0,01λ/δfR<L<0,5λ/δfR+λ,
где L - длина акустической полости, δfR - относительная ширина полосы отражения ОС, которая может принимать значение δfR=0,003…0,03, λ - длина ПАВ на свободной поверхности на резонансной частоте.
3. Резонатор на ПАВ по п. 1, отличающийся тем, что длина акустической полости между двумя секциями электродов ВШП выбирается из диапазона
0,25λ/δfR<L<3,0λ/δfR,
где L - длина акустической полости, δfR - относительная ширина полосы отражения ОС, которая может принимать значение δfR=0,003…0,03, λ - длина ПАВ на свободной поверхности на резонансной частоте.
4. Резонатор на ПАВ по п. 1, отличающийся тем, что длина акустической полости между двумя секциями электродов ВШП выбирается из диапазона
0,5λ/δfR<λ/10<0,5λ/δfR+λ/10,
где L - длина акустической полости, δfR - относительная ширина полосы отражения ОС, которая может принимать значение δfR=0,003…0,03, λ - длина ПАВ на свободной поверхности на резонансной частоте.
5. Резонатор на ПАВ по п. 1, отличающийся тем, что длина акустической полости между двумя секциями электродов ВШП выбирается из диапазона
0,5λ/δfR+λ/4-λ/10<L<0,5λ/δfR+λ/4+λ/10,
где L - длина акустической полости, δfR - относительная ширина полосы отражения ОС, которая может принимать значение δfR=0,003…0,03, λ - длина ПАВ на свободной поверхности на резонансной частоте.
6. Резонатор на ПАВ по п. 1, отличающийся тем, что длина акустической полости между двумя секциями электродов ВШП выбирается из диапазона
0,5λ/δfR-λ/4-λ/10<L<0,5λ/δfR-λ/4+λ/10,
где L - длина акустической полости, δfR - относительная ширина полосы отражения ОС, которая может принимать значение δfR=0,003…0,03, λ - длина ПАВ на свободной поверхности на резонансной частоте.
7. Резонатор на ПАВ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что секции электродов ВШП расположены центрально симметрично.
8. Резонатор на ПАВ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что секции ВШП содержат одинаковое число электродов.
9. Резонатор на ПАВ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что секции ВШП содержат от 2 до 20 электродов каждая.
10. Резонатор на ПАВ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что расстояние между краем близлежащего к отражающей структуре электрода каждой из секций ВШП и близлежащим отражателем соответствующей
отражающей структуры составляет от 0,25λ, до 20λ, где λ - длина ПАВ на свободной поверхности на резонансной частоте.
11. Резонатор на ПАВ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что величина расстояния между центром близлежащего к отражающей структуре электрода каждой из секций ВШП и центром близлежащего отражателя соответствующей отражающей структуры находится в интервале от (0,5-0,125+N)·λ-λ/10 до (0,5+0,125+N)·λ+λ/10, где λ - длина ПАВ на свободной поверхности на резонансной частоте, N=0, 1, 2, … - целое число.
12. Резонатор на ПАВ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что величина шага электродов ВШП находится в интервале от (0,48+N)·λ, до (0,52+N)·λ, где λ - длина ПАВ на свободной поверхности на резонансной частоте, N=0, 1, 2, … - целое число.
13. Резонатор на ПАВ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что величина шага электродов ВШП находится в интервале от 0,48⋅(1+2N)·λ, до 0,52⋅(1+2N)·λ, где λ - длина ПАВ на свободной поверхности на резонансной частоте, N=0, 1, 2, … - целое число.
14. Резонатор на ПАВ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что величина шага отражателей в отражательных структурах находится в интервале от (0,48+N/2)·λ, до (0,52+N/2)·λ, где λ - длина ПАВ на свободной поверхности на резонансной частоте, N=0, 1, 2, … - целое число.
15. Резонатор на ПАВ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что расстояние между отражательными структурами составляет N·λ/2+λ/10, где λ - длина ПАВ на свободной поверхности на резонансной частоте, N=0, 1, 2, … - целое число.
16. Резонатор на ПАВ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что расстояние между отражательными структурами составляет N·λ/2-λ/10, где λ - длина ПАВ на свободной поверхности на резонансной частоте, N=0, 1, 2, … - целое число.
17. Резонатор на ПАВ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что в акустической полости ВШП на подложке из пьезоэлектрического материала сформированы периодические или не периодические неоднородности, не перекрывающие апертуру ВШП, при этом периодические неоднородности выполнены с размерами и периодом следования, кратными определенной доле длины волны.