СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО РЕЗИСТОРА
METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR POWER RESISTOR

Предлагаемое изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых резисторов, имеющих высокую температурную стабильность сопротивления в широком интервале рабочих температур.
Известен способ изготовления мощного полупроводникового резистора (RU 2086043 C1, МПК H01L 29/30, опубликован 20.07.1997 г. (аналог)-[1]), включающий создание в кремниевом резистивном элементе диффузионных приконтактных областей и металлических контактов к ним, введение радиационных дефектов путем облучения ускоренными электронами и последующего термостабилизирующего отжига.
0
0
До введения в кристаллическую структуру кремния радиационных дефектов исходное сопротивление резистивного элемента таблеточного исполнения (R) при комнатной температуре (T) оценивается как:
0
где: ρ - исходное удельное сопротивление кремния [Ом·см] при комнатной температуре;
d - толщина кремниевого диска [см];
2
2
S=πr - площадь кремниевого диска [см];
r - радиус кремниевого диска [см].
0
Температурная характеристика сопротивления исходного резистивного элемента (ТХС) оценивается как:
m0
rm
где: R - исходное сопротивление резистивного элемента [Ом] при максимально допустимой температуре (T);
m0
rm
ρ - исходное удельное сопротивление кремния [Ом·см] при максимально допустимой температуре (T).
0
m0
0
m0
ном
Для используемых марок кремния (ТХС) обычно составляет ~100%, т.е. ρ≈2ρ. Введением радиационных дефектов минимизируется температурная зависимость удельного сопротивления кремния (ТХС→0), при этом удельное сопротивление при комнатной и максимально допустимой температурах выравнивается и становится равным ρ с точностью до значения ТХС. После облучения и термостабилизирующего отжига по аналогу [1] номинальное сопротивление резистора (R) оценивается как:
при обеспечении ТХС≤10%.
rm
0
Недостатком технического решения [1] является ограничение максимально допустимой температуры резистора T≤125°C, обусловленное использованием кремния с исходным удельным сопротивлением ρ>150 Ом·см.
15
-2
16
-2
0
0
отж
Наиболее близким является способ изготовления мощного высокотемпературного полупроводникового резистора (RU 2169411 C1, МПК H01L 29/30, 21/263, опубликован 20.06.2001 г. (прототип) - [2]), включающий создание в кремниевом резистивном элементе диффузионных приконтактных областей и металлических контактов к ним, введение радиационных дефектов в резистивный элемент путем облучения ускоренными электронами энергией 2-5 МэВ с последующим термостабилизирующим отжигом. Дозу облучения, с помощью которой обеспечивают минимизацию температурной характеристики сопротивления резистора, выбирают из интервала от 3,4·10 см для кремния с исходным удельным сопротивлением ρ=120 Ом·см до 2·10 см для кремния с ρ=20 Ом·см. Термостабилизирующий отжиг проводят при температуре T [°C], равной 200°C.
rm
0
Способ изготовления по прототипу [2] позволяет повысить максимально допустимую температуру (T) мощного кремниевого резистора в интервале от 130 до 180°C подбором величины исходного удельного сопротивления (ρ) из интервала от 120 Ом·см до 20 Ом·см и соответствующей дозы облучения для минимизации ТХС≤±10%.
0
0
ном
ном
ном
ном
0
Однако, как показал опыт, указанные способы изготовления [1, 2] ограничивают возможность выпуска мощных кремниевых резисторов с требуемыми значениями номинального сопротивления. Объясняется это следующим. Номинальное сопротивление резисторов должно удовлетворять требованиям гостированного ряда, например, E24, т.е. быть кратным значениям (1,0; 1,1; 1,2; 1,3; 1,5; 1,6; 1,8; 2,0; 2,2; 2,4; 2,7; 3,0; 3,3; 3,6; 3,9; 4,3; 4,7; 5,1; 5,6; 6,2; 6,8; 7,5; 8,2; 9,1). Кремний выпускается также согласно гостированному ряду исходного удельного сопротивления. Например, марка кремния КОФ 76 имеет ряд с ρ, равным 30, 40, 50, 60, 70, 80, 100, 120 и т.д. до 350 Ом·см (ТУ 48-4-443-830). Нетрудно показать, что при изготовлении резисторов, например, типа РК133 (⌀32 мм, d=2,4 мм) из кремния КОФ76 с ρ=30 Ом·см, 40 Ом·см и 50 Ом·см можно получить резисторы с R=1,8 Ом; R=2,4 Ом и R=3,0 Ом соответственно. Тогда как резисторы РК133 с ближайшими значениями R=2,0; 2,2; 2,7; 3,0; 3,3 Ом из ряда E24 не могут быть изготовлены из-за отсутствия кремния с промежуточными значениями ρ.
ном
Аналогично можно привести примеры и для других типов резисторов РК123, РК143, РК153, РК173. Отсутствие резисторов с требуемым значением R приводит к серьезным проблемам при изготовлении устройств защиты, элементов контрольно-измерительной аппаратуры и др.
Основной задачей предлагаемого технического решения является создание способа изготовления мощного кремниевого резистора, позволяющего создавать резисторы в широком спектре номинальных сопротивлений, используя при этом существующий кремний с ограниченным рядом значений исходного удельного сопротивления при обеспечении минимизации его температурной характеристики (ТХС≤±10%).
Техническим эффектом от реализации предлагаемого способа изготовления является:
ном
ном
- у пользователя, возможность приобретения и применение мощных кремниевых резисторов любых номиналов (R), оговоренных тестированным рядом, а в необходимых случаях и промежуточными значениями R (по требованиям заказчика), что позволит повысить надежность, снизить весогабаритные и стоимостные показатели устройств, в которых рекомендовано использование мощных кремниевых резисторов (снабберы, распределители и др.);
ном
0
ном
- у изготовителя, возможность изготовления мощных кремниевых резисторов с контролируемым изменением величины номинального сопротивления в широком интервале на одной из последних стадий изготовления. Кроме того, для изготовления резисторов, например, десяти значений R не требуется приобретение десяти марок кремния с соответствующим исходным удельным сопротивлением (ρ), достаточно будет приобрести две или три марки кремния. Указанные возможности предлагаемого способа позволяют производителю повысить выход годных резисторов с требуемым значением R, снизить себестоимость изготовления, сократить сроки изготовления и поставки продукции и, как следствие, повысить конкурентоспособность технологии изготовления.
Для достижения технического результата в предлагаемом способе изготовления высокотемпературного полупроводникового резистора, включающем создание в кремниевом резистивном элементе диффузионных приконтактных областей с металлическими контактами к ним, введение радиационных дефектов в резистивный элемент путем облучения ускоренными электронами с последующим термостабилизирующим отжигом, облучение ускоренными электронами проводят в два этапа, при этом первый этап облучения проводят дозой, которая обеспечивает увеличение удельного сопротивления кремния до требуемого значения посредством последующего термического отжига, который проводят при температуре 470 - 480°С в течение 2 - 3 часов, а второй этап облучения проводят дозой, которая обеспечивает минимизацию температурной характеристики требуемого удельного сопротивления посредством термостабилизирующего отжига.
0
Дополнительно предлагается определение доз облучения электронами на первом и втором этапах из соотношений, полученных в результате проведения многочисленных экспериментальных исследований с широким рядом исходного удельного сопротивления (ρ) кремния и различных режимов электронного облучения и последующего отжига.
1
Дозу облучения ускоренными электронами на первом этапе (Ф) выбирают из соотношения:
,
1
где: A - экспериментально установленный коэффициент, примерно равный 0,25;
0
-2
Ф - доза облучения для обеспечения минимизации температурной характеристики исходного удельного сопротивления кремния посредством термостабилизирующего отжига [см],
0
0
ρ - исходное удельное сопротивление кремния при комнатной температуре T [Ом·см];
m
rm
ρ - требуемое удельное сопротивление кремния при максимально допустимой температуре T [Ом·см];
2
а дозу облучения ускоренными электронами на втором этапе (Ф) выбирают из соотношения:
,
2
где: A - экспериментально установленный коэффициент, примерно равный 2,0;
0
-2
Ф - доза облучения для обеспечения минимизации температурной характеристики исходного удельного сопротивления кремния посредством термостабилизирующего отжига [см],
0
0
ρ - исходное удельное сопротивление кремния при комнатной температуре T, [Ом·см];
m
rm
ρ - требуемое удельное сопротивление кремния при максимально допустимой температуре T [Ом·см].
0
Дозу облучения Ф определяют по экспериментально построенной зависимости, используя результаты способа - прототипа [2].
1
2
1
2
Коэффициенты A и A зависят от марки кремния, технологии изготовления резисторов, энергии ускоренных электронов, температуры отжига, режима охлаждения и т.д. Для стандартной технологии и используемых марок кремния экспериментально установлено A≈0,25; A≈2,0.
К отличительным признакам предлагаемого технического решения относятся:
- облучение ускоренными электронами с последующим термическим отжигом проводят в два этапа:
- на первом этапе выбирают дозу облучения, которой обеспечивают увеличение удельного сопротивления кремния до требуемого значения посредством термического отжига при температуре 470-480°C в течение 2-3 часов;
- на втором этапе выбирают дозу облучения, которой обеспечивают минимизацию температурной характеристики увеличенного удельного сопротивления посредством термостабилизирующего отжига.
m
Наблюдаемое увеличение удельного сопротивления n-кремния, облученного ускоренными электронами с последующим отжигом в интервале температур 460-490°C, по-видимому, обусловлено возникновением термоакцепторов (активация атомов бора), частично компенсирующих донорную проводимость исходного кремния (В.Ф.Стась, И.В.Антонова, Е.П.Неустроев, В.П.Попов, Л.С.Смирнов, “Физика и техника полупроводников”, 2000, том 34, вып.2, стр.162 [3]). Соблюдение узкого интервала температуры отжига 475±5°C диктуется необходимостью получения воспроизводимых результатов с малым разбросом параметров (ρ, ТХС) и большим процентом выхода годных резисторов. Соблюдение времени отжига (2-3 час) достаточно для завершения структурной перестройки дефектов во всем объеме кристаллической структуры. Отжиг более трех часов не дает существенного улучшения параметров и экономически не целесообразен.
Облучение и термостабилизирующий отжиг на втором этапе необходимы для минимизации температурной характеристики увеличенного на первом этапе удельного сопротивления кремния (ТХС≤±10%).
Сопоставление предлагаемого способа изготовления мощного полупроводникового резистора с уровнем техники и отсутствие аналогичного технического решения в известных источниках информации позволяют сделать вывод о соответствии предлагаемого способа критерию “новизна”.
Заявленный способ характеризуется совокупностью признаков, проявляющих новые качества, что позволяет сделать вывод о соответствии критерию “изобретательский уровень”.
0
0
На фиг.1 представлена экспериментальная зависимость дозы облучения (Ф), с помощью которой обеспечивают минимизацию температурной характеристики сопротивления резистора посредством последующего термостабилизирующего отжига по способу-прототипу [2] при T=200°C, от величины исходного удельного сопротивления кремния (ρ).
ном
0
На фиг.2 показаны, для сравнения, усредненные температурные характеристики удельного сопротивления кремния для резисторов РК133 (⌀32, d~2,4 мм) с R=2,4 Ом, изготовленных по способу-прототипу [2] из кремния с исходным удельным сопротивлением ρ=40 Ом·см.
0
ном
На фиг.3-5 показаны, для сравнения, усредненные температурные характеристики удельных сопротивлений кремния после первого и второго этапов облучения ускоренными электронами с соответствующими температурами термического отжига для резисторов РК133 (⌀32, d~2,4 мм), изготовленных по предлагаемому способу из кремния с ρ=40 Ом·см для получения номинальных сопротивлений R=4,8 Ом, 7,2 Ом и 9,0 Ом соответственно.
0
0
ном
rm
16
-2
Так, на фиг.2: кривая 1 - усредненная температурная характеристика исходного удельного сопротивления кремния; кривая 2 - усредненная температурная характеристика удельного сопротивления кремния, облученного дозой Ф=10 см (см. фиг.1 для ρ=40 Ом·см) с последующим термостабилизирующим отжигом при Т=200°C для обеспечения минимизации ТХС. Усредненные значения R, ТХС и T составили соответственно: 2,4 Ом±5%; ≈7% и ≈180°C.
0
m
ном
0
0
0
0
m
m
ном
rm
16
-2
На фиг.3, иллюстрирующей процесс увеличения исходного удельного сопротивления кремния ρ=40 Ом·см по предлагаемому способу до требуемого значения ρ=160 Ом·см, позволяющего получить R=4,8 Ом, согласно выражению (3): кривая 1 - усредненная температурная характеристика удельного сопротивления кремния после облучения исходного кремния с ρ=40 Ом·см на первом этапе дозой  (доза Ф=10 см для ρ=40 Ом·см, см. фиг.1), обеспечивающей увеличение исходного удельного сопротивления от ρ=40 Ом·см до требуемого ρ=160 Ом·см посредством отжига при температуре 475°C в течение 2,5 часов; кривая 2 - усредненная температурная характеристика удельного сопротивления кремния после облучения резистивных элементов на втором этапе дозой  обеспечивающей минимизацию ТХС резисторов с увеличенным удельным сопротивлением (ρ=160 Ом·см) посредством последующего термостабилизирующего отжига при 200°C. Усредненные значения R, ТХС и T составили соответственно: 4,8 Ом±5%; ≈3,2%; ≈180°С.
0
m
ном
0
0
0
0
m
m
ном
rm
16
-2
На фиг.4, иллюстрирующей процесс увеличения исходного удельного сопротивления кремния ρ=40 Ом·см по предлагаемому способу до требуемого значения ρ=240 Ом·см, позволяющему получить R=7,2 Ом, согласно выражению (3): кривая 1 - усредненная температурная характеристика удельного сопротивления кремния после облучения исходного кремния с ρ=40 Ом·см на первом этапе дозой  (доза Ф=10 см для ρ=40 Ом·см, см. фиг.1), обеспечивающей увеличение исходного удельного сопротивления от ρ=40 Ом·см до требуемого ρ=240 Ом·см посредством отжига при температуре 475°C в течение 2,5 часов; кривая 2 - усредненная температурная характеристика удельного сопротивления кремния после облучения резистивных элементов на втором этапе дозой  обеспечивающей минимизацию ТХС резисторов с увеличенным удельным сопротивлением (ρ=240 Ом·см) посредством последующего термостабилизирующего отжига при 200°C. Усредненные значения R, ТХС и T составили соответственно: 7,2 Ом±5%; ≈4%; ≈140°C.
0
m
ном
0
0
0
0
m
m
ном
rm
16
-2
На фиг.5, иллюстрирующей процесс увеличения исходного удельного сопротивления кремния ρ=40 Ом·см по предлагаемому способу до требуемого значения ρ=300 Ом·см, позволяющему получить R=9,0 Ом, согласно выражению (3): кривая 1 - усредненная температурная характеристика удельного сопротивления кремния после облучения исходного кремния с ρ=40 Ом·см на первом этапе дозой  (доза Ф=10 см для ρ=40 Ом·см, см. фиг.1), обеспечивающей увеличение исходного удельного сопротивления от ρ=40 Ом·см до требуемого ρ=300 Ом·см посредством последующего отжига при температуре 475°C в течение 2,5 часов; кривая 2 - усредненная температурная характеристика удельного сопротивления кремния после облучения резистивных элементов на втором этапе дозой  обеспечивающей минимизацию ТХС резисторов с увеличенным удельным сопротивлением (ρ=300 Ом·см) посредством последующего термостабилизирующего отжига при 200°C. Усредненные значения R, ТХС и T составили соответственно: 9,0 Ом±5%; ≈1,9%; ≈125°C.
Сущность, а также необходимость и достаточность отличительных признаков предлагаемого способа изготовления мощных кремниевых резисторов обосновываются в примере конкретного исполнения.
Пример конкретного исполнения
0
Для сравнительного анализа при изготовлении экспериментальных образцов резистивных элементов (резистор РК133), представляющих собой кремниевые диски диаметром 32 мм, толщиной 2,4 мм из кремния n-типа проводимости с исходным удельным сопротивлением ρ=40 Ом·см, были использованы предлагаемый и известный [2] способы.
Изготовление проводили по следующим общим технологическим операциям:
- резка кремниевых слитков на пластины толщиной 2,5 мм;
- вырезка дисков диаметром 32,4 мм;
- шлифовка пластин до толщины d=2,4 мм;
+
+
- создание приконтактных n-областей путем двухстадийной диффузии фосфора, включающей загонку фосфора при температуре 1150°C в течение 1,5 часа, снятие фосфоросиликатного стекла и разгонку фосфора при температуре 1200°C в течение 25 часов (приконтактные n-области необходимы для обеспечения линейности вольтамперной характеристики резистора);
+
20
-3
- контроль диффузионных параметров (глубина n-слоя ≈20 мкм, поверхностная концентрация фосфора ≈10 см);
- создание омических контактов путем напыления алюминия диаметром 32 мм с последующим вжиганием при температуре ~500°C в течение 1 часа;
- раскоротка боковой поверхности кремниевых дисков до диаметра 32 мм;
0
2
- измерение сопротивления резистивных элементов R [Ом] (расчет удельного сопротивления ρ=(R·πr)/d);
0
- измерение температурной характеристики сопротивления исходных резистивных элементов (ТХС).
Все вышеперечисленные операции являются общими.
Далее для способа-прототипа [2] проводили:
15
-2
16
-2
0
0
- облучение ускоренными электронами на ускорителе “Электроника ЭЛУ-6” при комнатной температуре с энергией 3,5 МэВ дозой облучения, выбранной из рекомендуемого в прототипе [2] интервала от 3,4·10 см для кремния с ρ=120 Ом·см до 2·10 см для кремния с ρ=20 Ом·см.
0
0
0
0
0
0
0
16
-2
Для удобства на фиг.1 представлена экспериментальная зависимость дозы облучения (Ф) по прототипу [2] от величины исходного удельного сопротивления кремния (ρ), необходимой для минимизации температурной зависимости сопротивления резистора (ТХС) посредством последующего термостабилизирующего отжига. Для кремния с ρ=40 Ом·см требуемая доза облучения Ф составит 10 см. Аналогичным образом могут быть определены дозы облучения Ф для кремния с другими значениями ρ;
- термостабилизирующий отжиг проводили при температуре 200°C в течение одного часа;
2
- измерение сопротивления и температурной характеристики сопротивления резистивных элементов R [Ом]. (Расчет удельного сопротивления ρ=(R·πr)/d.)
ном
Усредненные температурные характеристики удельного сопротивления кремния для резисторов приведены на фиг.2. Усредненные значения номинального сопротивления R и ТХС по десяти образцам, изготовленным по прототипу [2], составили ~2,4 Ом и ~7% соответственно.
Далее для предлагаемого способа изготовления мощных кремниевых резисторов проводили следующее:
- исходными являлись резистивные элементы, прошедшие общие технологические операции;
ном
ном
1
2
0
0
1
2
16
-2
- задавались требуемыми значениями номинального сопротивления резисторов любыми или из гостированного ряда, ближайшими сверху к R=2,4 Ом (по прототипу), например, R=4,8 Ом, 7,2 Ом, 9,0 Ом, определяли требуемые дозы облучения на первом и втором этапах облучения (Ф и Ф, см. таблицу 1) согласно п.2 предлагаемой формулы изобретения, зная, что для исходного кремния с ρ=40 Ом·см Ф=10 см (см. фиг.1), получали величины  и  при A≈0.25 и A≈2.0:
Таблица 1
R<sub>ном</sub>, Ом
4,8
7,2
9,0
ρ<sub>m</sub>, Ом·см
160
240
300
ρ<sub>m</sub>/ρ<sub>0</sub>
4
6
7,5
Ф<sub>1</sub>, см<sup>-2</sup>
10<sup>16</sup>
1,5·10<sup>16</sup>
1,875·10<sup>16</sup>
Ф<sub>2</sub>, см<sup>-2</sup>
5·10<sup>15</sup>
3,3·10<sup>15</sup>
2,7·10<sup>15</sup>
1
0
m
16
-2
16
-2
16
-2
- облучение исходных резистивных элементов (три группы по 10 шт.) на первом этапе проводили дозами: Ф=10 см, 1,5·10 см и 1,875·10 см, обеспечивающими увеличение удельного сопротивления кремния с ρ=40 Ом·см до ρ=160 Ом·см, 240 Ом·см и 300 Ом·см соответственно;
- термический отжиг после первого этапа облучения ускоренными электронами проводили на всех элементах трех групп одновременно при температуре 475±5°C в инертной среде в течение 2,5 часов;
1
2
- после облучения дозой Ф и соответствующего отжига при 475°С на первом этапе радиационной обработки измеряли сопротивление резисторов (оценивали ρ=(R πr)/d) и температурные характеристики удельного сопротивления для всех образцов;
2
- на втором этапе облучение резистивных элементов с целью минимизации температурной характеристики увеличенного удельного сопротивления кремния проводили дозами Ф для каждой группы соответственно (см. таблицу1);
2
- термостабилизирующий отжиг резистивных элементов всех трех групп после облучения дозами Ф проводили одновременно при T=200°C в течение 1 часа;
2
- далее проводили измерение сопротивления резисторов (оценка ρ=(R πr)/d) и температурной характеристики удельного сопротивления для всех образцов;
- проводили травление торцевой поверхности резистивных элементов, защиту кремний-органическим компаундом (КЛТ) с последующей сушкой;
ном
имп
- проводили измерение основных параметров и характеристик резистивных элементов (линейность ВАХ, R, ТХС, U).
ном
1
0
ном
Предлагаемый способ отличается тем, что с целью увеличения удельного сопротивления и, как следствие, увеличения R облучение проводят в два этапа, доза облучения на первом из них Ф выбирается в зависимости от величины исходного удельного сопротивления ρ и требуемого значения R, отжиг после первого этапа проводят при 475°C в течение 2,5 час.
0
ном
Аналогичным образом из кремния с исходным ρ=40 Ом·см могут быть изготовлены резисторы с любым R в интервале от 2,4 Ом до 9,1 Ом при сохранении ТХС≤±10%.
0
0
отж
15
16
-2
Как показали многочисленные экспериментальные исследования (ρ=5 - 200 Ом·см, Ф=2·10 - 5·10 см, T=200 - 500°C), предлагаемый способ имеет ряд ограничений:
m
0
ρ/2ρ≥2 - это обусловлено тем, что обычно ТХС исходного кремния ~100%;
1
0
1
0
1
m
Ф/Ф≥0.5 - экспериментально установлено, что при облучении на первом этапе дозами Ф≤0,5Ф и отжиге при T=475±5°C увеличение ρ не происходит.
1
2
1
m
0
ном
ном
1
16
-2
Выбор доз облучения ограничен также тем, что с одной стороны, суммарная доза облучения Ф+Ф не должна превышать 2,1·10 см, что, как показано в прототипе [2], становится экономически нецелесообразно из-за дороговизны процесса облучения. С другой стороны, недопустимо облучение дозами Ф, приводящими к увеличению удельного сопротивления кремния ρ>300 Ом·см, т.к. максимально допустимая температура таких резисторов становится менее 125°C, что не соответствует требованиям технических условий выпускаемых мощных кремниевых резисторов. Сказанное выше подтверждается примером изготовления резисторов из кремния с ρ=40 Ом·см (кривая 2 на фиг.5). Максимальное увеличение (R=9,0 Ом) в сравнении с прототипом R=2,4 Ом возможно в 3,75 раза. Дальнейшее увеличение дозы облучения Ф недопустимо по двум причинам:
1
2
16
-2
16
-2
16
-2
1) суммарная доза Ф+Ф=1,875·10 см+0,27·10 см=2,145·10 см, облучение которой становится экономически невыгодным;
2) удельное сопротивление кремния после обработки такой дозой становится равным ~300 Ом·см, при этом максимально допустимая температура такого резистора близка или меньше 130°C (кривая 2. фиг.5), что граничит с нижним пределом для мощных кремниевых резисторов.
К преимуществам предлагаемого способа изготовления мощных полупроводниковых резисторов следует отнести:
- возможность контролируемого (достаточно прецизионного) увеличения удельного сопротивления кремния и, как следствие, возможность расширять ряд номинальных сопротивлений при использовании одной марки кремния при обеспечении ТХС≤±10%;
- повышение конкурентоспособности технологии изготовления;
- снижение себестоимости изготовления мощных кремниевых резисторов.
0
0
Для примера в таблице 2 приведены юстированные значения номинальных сопротивлений резисторов типа РК133, изготовленных из кремния с ρ=30 Ом·см и ρ=60 Ом·см по прототипу и предлагаемому способу.
Таблица 2
ρ<sub>0</sub>, Ом·см
30
60
R<sub>ном</sub>, Ом (по прототипу)
1,8
3,9
R<sub>ном</sub>, Ом (по предлагаемому способу) ряд Е24
2,0; 2,2; 2,4; 2,7; 3,0; 3,3; 3,6∗
4,3; 4,7; 5,1; 5,6; 6,2; 6,8; 7,5; 8,2; 9,1; 10,0∗∗
16
-2
* - ограничение по дозе 2,1·10 см и, как следствие, ограничение по цене;
m
rm
∗ - ограничение по ρ=300 Ом·см и, как следствие, ограничение по температуре (T≤130°C).
0
0
Предлагаемый способ позволяет расширить номенклатуру номинальных сопротивлений термостабильных резисторов РК133, изготовленных из кремния с ρ=30 Ом·см с одного до 7 значений из гостированного ряда и любое значение в интервале от 1,8 до 3,6 Ом, а при изготовлении резисторов РК133 из кремния с ρ=60 Ом·см с одного до 10 значений из гостированного ряда и любое значение в интервале от 3,9 до 10 Ом за счет введения двухступенчатого режима радиационной обработки на завершающей стадии изготовления.
Аналогичные доказательства могут быть приведены и для других типопредставителей мощных кремниевых резисторов.