СПОСОБ ЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКИ И УСТРОЙСТВО ОБРАБОТКИ, ОСНОВАННЫЕ НА ОБЫЧНЫХ ВЫЗВАННЫХ ЛАЗЕРОМ ИЗМЕНЕНИЯХ МАТЕРИАЛА

1. Способ лазерной обработки, основанный на переходных изменениях в состоянии возбужденного лазером материала, при котором импульс сверхбыстродействующего лазера связывают с импульсом, по меньшей мере, одного вспомогательного лазера иного, чем сверхбыстродействующий лазер, чтобы обратимым образом изменять материал, подлежащий обработке.
2. Способ лазерной обработки, основанный на переходных изменениях в состоянии возбужденного лазером материала, по п.1, в котором сверхбыстродействующий лазер генерирует лазерный импульс длительностью менее пикосекунды.
3. Способ лазерной обработки, основанный на переходных изменениях в состоянии возбужденного лазером материала, по п.2, в котором импульсом вспомогательного лазерного луча управляют для изменения во времени.
4. Способ лазерной обработки, основанный на переходных изменениях в состоянии возбужденного лазером материала, по п.3, в котором связь между импульсом сверхбыстродействующего лазера и импульсом, по меньшей мере, одного вспомогательного лазера является временной связью, которая управляет относительными временными положениями между импульсом сверхбыстродействующего лазера и импульсом вспомогательного лазера.
5. Способ лазерной обработки, основанный на переходных изменениях в состоянии возбужденного лазером материала, по п.4, в котором связь между импульсом сверхбыстродействующего лазера и импульсом, по меньшей мере, одного вспомогательного лазера включает в себя временную связь и пространственную связь, которая пространственно согласует фокус луча сверхбыстродействующего лазера с фокусом луча вспомогательного лазера.
6. Способ лазерной обработки, основанный на переходных изменениях в состоянии возбужденного лазером материала, по п.4, в котором длительность импульса луча вспомогательного лазера больше, чем длительность импульса луча сверхбыстродействующего лазера.
7. Способ лазерной обработки, основанный на переходных изменениях в состоянии возбужденного лазером материала, по любому из пп.1-6, в котором способ лазерной обработки, основанный на переходных изменениях в состоянии возбужденного лазером материала, используется в процессе изготовления полупроводников, выбранном из резания, сверления, скрайбирования и разрезания полупроводниковых пластин на кристаллы.
8. Устройство лазерной обработки, основанное на переходных изменениях в состоянии возбужденного лазером материала, которое содержит:
сверхбыстродействующий лазерный генератор;
вспомогательный лазерный генератор, включающий в себя электронное устройство связи, которое изменяет импульс лазерного луча во времени, и
фокусирующую оптическую систему для пространственного связывания фокуса луча сверхбыстродействующего лазера, генерируемого сверхбыстродействующим лазерным генератором, с фокусом луча вспомогательного лазера, связанного с временем, и фокусировки луча сверхбыстродействующего лазера и луча вспомогательного лазера.
9. Устройство лазерной обработки, основанное на переходных изменениях в состоянии возбужденного лазером материала, по п.8, в котором фокусирующая оптическая система фокусирует луч вспомогательного лазера внутри сфокусированного луча сверхбыстродействующего лазера.
10. Устройство лазерной обработки, основанное на переходных изменениях в состоянии возбужденного лазером материала, по п.8, в котором фокусирующая оптическая система фокусирует луч вспомогательного лазера вне сфокусированного луча сверхбыстродействующего лазера.
11. Устройство лазерной обработки, основанное на переходных изменениях в состоянии возбужденного лазером материала, по п.9 или 10, дополнительно содержащее контроллер поляризации, расположенный между сверхбыстродействующим лазерным генератором и фокусирующей оптической системой, для управления углом полуволновой пластины с использованием шагового двигателя, чтобы равномерно поддерживать оптическую мощность каждого порта, которая прошла через поляризационный разделитель луча.