СВЕРХПРОВОДЯЩАЯ КВАНТОВАЯ РЕШЕТКА НА ОСНОВЕ СКИФ-СТРУКТУР

1. Сверхпроводящая квантовая решетка на основе СКИФ-структур, содержащая две соединенные дифференциально последовательные цепочки СКИФ-структур, включающих параллельно соединенные джозефсоновские контакты и соединительные индуктивности; средство задания магнитного поля смещения, подключенное к сверхпроводящему трансформатору, соединенному индуктивным образом с каждой СКИФ-структурой; средства задания постоянного тока питания и измерения напряжения.
2. Сверхпроводящая квантовая решетка по п. 1, характеризующаяся тем, что число соединенных параллельно джозефсоновских контактов в каждой СКИФ-структуре составляет по меньшей мере 30 единиц.
3. Сверхпроводящая квантовая решетка по п. 1, характеризующаяся тем, что число соединенных последовательно СКИФ-структур в каждой цепочке составляет по меньшей мере 100 единиц.
4. Сверхпроводящая квантовая решетка по п. 1, характеризующаяся тем, что количество джозефсоновских контактов в каждой СКИФ-структуре является одинаковым для каждой из цепочек.
5. Сверхпроводящая квантовая решетка по п. 1, характеризующаяся тем, что количество СКИФ-структур является одинаковым для каждой из цепочек.
6. Сверхпроводящая квантовая решетка по п. 1, характеризующаяся тем, что джозефсоновские контакты выполнены в виде слоистых тонкопленочных структур, содержащих: нижний сверхпроводящий электрод, нанесенный на нижний сверхпроводящий электрод слой изолятора, верхний сверхпроводящий электрод с токоподводами, нанесенный на слой изолятора.
7. Сверхпроводящая квантовая решетка по п. 6, характеризующаяся тем, что в качестве материала нижнего и верхнего сверхпроводящего электрода, сверхпроводящего трансформатора, сверхпроводящих соединений и между джозефсоновскими контактами в СКИФ-структуре, и между СКИФ-структурами в цепочке использован ниобий, алюминий или сплав на основе этих металлов.
2
3
8. Сверхпроводящая квантовая решетка по п. 6, характеризующаяся тем, что в качестве материала слоя изолятора использован оксид алюминия AlO.
9. Сверхпроводящая квантовая решетка по п. 6, характеризующаяся тем, что толщина нижнего сверхпроводящего электрода и верхнего сверхпроводящего электрода составляет 50-500 нм.
10. Сверхпроводящая квантовая решетка по п. 6, характеризующаяся тем, что толщина слоя изолятора составляет 1-20 нм.