УСТАНОВКА И СПОСОБ ОСАЖДЕНИЯ ОДНОСЛОЙНЫХ, МНОГОСЛОЙНЫХ И НАНОСТРУКТУРНЫХ ИЗНОСОСТОЙКИХ ПОКРЫТИЙ

1. Установка для нанесения однослойных, многослойных и наноструктурированных покрытий получаемых посредством химических реакций между газообразными соединениями элементов из группы B, Ti, Al, Ga, Si, W, Mb, Mo, Та, Cr, Zr, Hf и газообразными соединениями элементов из группы С, N, О, включающая:
a. Реакционную камеру, разделенную на отсеки с независимым контролем химического состава газовой фазы и температуры в каждом отсеке;
b. Систему доставки точно отмеренных количеств газообразных соединений прекурсоров из группы В, Ti, Al, Ga, Si, W, Mb, Mo, Та, Cr, Zr, Hf в реакционную камеру;
c. Систему доставки точно отмеренных количеств газообразных соединений прекурсоров из группы С, N, О в реакционную камеру;
d. Систему доставки точно отмеренных количеств газа-носителя из группы Ar, He, H2, N2;
e. Систему доставки точно отмеренных количеств газа-травителя из группы HCl, Cl2, HF;
f. Систему удаления газообразных продуктов реакции;
g. Механизм перемещения покрываемой детали между отсеками возвратно-поступательного или вращательного типа.
2. Установка для нанесения покрытий по п.1, где газообразные соединения синтезируются внутри установки из твердых или жидких соединений и элементов в результате химических реакций.
3. Установка для нанесения покрытий по пп.1 и 2 с активацией химических реакций посредством термического нагрева.
4. Установка для нанесения покрытий по пп.1 и 2 с активацией химических реакций возбуждением плазмы.
5. Способ нанесения покрытий с использованием установки из пп 1, 2, 3 и 4, включающий очистку поверхности покрываемой детали посредством химического травления в газовой среде непосредственно в реакционной камере.
6. Способ нанесения покрытий с использованием установки из пп 1, 2, 3 и 4, в котором химический состав газовой фазы во всех отсеках одинаков.
7. Способ нанесения многослойных покрытий с использованием установки из пп 1, 2, 3 и 4, в котором деталь циклически перемещается между отсеками с разным химическим составом газовой фазы, включающем, по крайней мере, один прекурсор из группы В, Ti, Al, Ga, Si, W, Mb, Mo, Та, Cr, Zr, Hf и один прекурсор из группы С, N, О.
8. Способ нанесения сверхтонких и наноструктурированных покрытий с использованием установки из пп 1, 2, 3 и 4, в котором деталь циклически перемещается между отсеками с содержащими только прекурсоры из группы B, Ti, Al, Ga, Si, W, Mb, Mo, Та, Cr, Zr, Hf и отсеками, содержащими только прекурсоры из группы С, N, О.
9. Защитное покрытие, полученное путем нанесения по пп 5, 6, 7 и 8 множества сплошных наноразмерных слоев разного химического или фазового состава.
10. Защитное покрытие, полученное путем нанесения по пп 5, 6, 7 и 8 множества наноразмерных слоевнаноразмерных слоев разного химического или фазового состава из которых, по крайней мере, один из слоев является несплошным и образует кластерную структуру.
11. Защитное покрытие, полученное путем нанесения по пп 5, 6, 7 и 8 множества слоев разного химического или фазового состава и последующего отжига приводящего к рекристаллизации или кластеризации, по крайней мере, одного из слоев.