СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖКИ И ПОДЛОЖКА

1. Способ получения кристаллического оксидного слоя на подложке из In-содержащего полупроводникового соединения III-As, III-Sb или III-P, отличающийся тем, что в условиях вакуума
- очищают поверхность подложки из In-содержащего III-As, III-Sb или III-P от аморфных естественных оксидов,
- нагревают очищенную подложку из In-содержащего III-As до температуры примерно 340-400°С, очищенную подложку из In-содержащего III-Sb нагревают до температуры примерно 340-450°С, или очищенную подложку из In-содержащего III-P нагревают до температуры примерно 450-500°С, и
- окисляют подложку введением газообразного кислорода к поверхности подложки.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что подложка из In-содержащего III-As, III-Sb или III-P выполнена из InAs, InSb, InP, InGaAs или InGaSb.
3. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что подложку очищают распылением ионами аргона и последующим нагреванием в условиях сверхвысокого вакуума (СВВ) по меньшей мере до 400°С или одним лишь нагреванием в условиях СВВ при примерно 400-550°С.
4. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что очищенную подложку покрывают слоем олова (Sn).
5. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что нагревание и окисление подложки осуществляют одновременно.
6. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что подложку окисляют предпочтительно в течение 15-45 минут, а более предпочтительно в течение 15-30 минут.
7. Способ по п. 3, отличающийся тем, что подложку
окисляют предпочтительно в течение 15-45 минут, а более предпочтительно в течение 15-30 минут.
8. Способ по п. 4, отличающийся тем, что подложку окисляют предпочтительно в течение 15-45 минут, а более предпочтительно в течение 15-30 минут.
9. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что подложку очищают распылением ионами аргона и последующим нагреванием в условиях сверхвысокого вакуума (СВВ) по меньшей мере до 400°С или одним лишь нагреванием в условиях СВВ при примерно 400-550°С, тем, что очищенную подложку покрывают слоем олова (Sn), и тем, что подложку окисляют предпочтительно в течение 15-45 минут, а более предпочтительно в течение 15-30 минут.
-7
-5
10. Способ по п. 1 или 2, отличающийся тем, что давление газообразного кислорода составляет между 5×10 и 5×10мбар.
11. Подложка из полупроводникового соединения, отличающаяся тем, что эта подложка содержит по меньшей мере
- базовый материал из In-содержащего III-As, III-Sb или III-P, имеющий первую сторону и вторую сторону, и
- кристаллический оксидный слой (3×1) -О, с (4×2) -О, (1×2) -О, (2×3) -О, (3×1) -SnO, (3×3) -SnO или (l×l) -SnO, сформированный на по меньшей мере части первой стороны базового материала.
12. Подложка по п. 11, отличающаяся тем, что оксидный слой сформирован способом по любому из пп. с 1 по 10.
13. Подложка по п. 11, отличающаяся тем, что оксидный слой имеет кристаллическую структуру (3×1)- О, когда базовым материалом из In-содержащего III-As или III-Sb является InAs, InSb, InGaAs или InGaSb.
14. Подложка по п. 11, отличающаяся тем, что оксидный
слой имеет кристаллическую структуру с(4×2) -О, когда базовым материалом из In-содержащего III-As является InAs или InGaAs.
15. Подложка по п. 11, отличающаяся тем, что оксидный слой имеет кристаллическую структуру (1×2) -О, когда базовым материалом из In-содержащего III-Sb является InSb или InGaSb.
16. Подложка по п. 11, отличающаяся тем, что базовым материалом является InP, а оксидный слой имеет кристаллическую структуру (2×3) -О.
17. Подложка по п. 11, отличающаяся тем, что оксидный слой имеет кристаллическую структуру (3×1) -SnO или (3×3) -SnO, когда базовым материалом из In-содержащего III-As является InAs или InGaAs.
18. Подложка по п. 11, отличающаяся тем, что оксидный слой имеет кристаллическую структуру (l×1) -SnO, когда базовым материалом из In-содержащего III-P является InP или InGaP.
19. Подложка по любому из пп. с 11 по 18, отличающаяся тем, что базовым материалом является слой, который нанесен на поверхность подложки из Si.
20. Подложка по любому из пп. с 11 по 18, отличающаяся тем, что толщина оксидного слоя составляет типично 0,2-1 нм.
21. Применение подложки по любому из пп. с 11 по 20 в структуре транзистора, такой как структура полевого МОП-транзистора.
22. Применение подложки по любому из пп. с 11 по 20 в структуре оптоэлектронного прибора, такого как светоизлучающий диод, фотодиод, фотоконденсатор, фотогальванический элемент или полупроводниковый лазер.