КОМПОЗИЦИИ МЕТАЛЛООКСИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОМАТЕРИАЛОВ

1. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал, содержащий: оксид металла A и оксид металла B; где оксид металла A и оксид металла B независимым образом выбраны из группы, состоящей из щелочноземельного металла, d-переходного металла, f-переходного металла или их комбинации; и где наноматериал содержит кластеры квантовых точек оксида металла.
2. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 1, где объединение квантовых точек оксида металла содержит гетеропереходы, и гетеропереходы содержат по меньшей мере одну наночастицу n-типа оксида металла и по меньшей мере одну наночастицу p-типа оксида металла.
3. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 1, где металлооксидный полупроводниковый наноматериал может содержать или не содержать по меньшей мере два металла, где один металл является доминирующим по сравнению со вторым металлом, и менее доминирующий металл содержит более чем 10% по массе оксида металла A и менее чем 30% по массе оксида металла A, а доминирующий металл содержит более чем 70% по массе оксида металла и менее чем 90% по массе оксида металла.
4. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 1, где наноматериал дополнительно содержит по меньшей мере один полимерный материал, по меньшей мере одну органическую молекулу или их комбинации, где полимерный материал содержит хитозан, альгинат, желатин, карбоксиметилцеллюлозу, полиэтиленгликоль или их комбинации; и где органическая молекула содержит октадекантиол, перфтортиол, цистеин, меркаптоалканы, лимонную кислоту, олеиновую кислоту или их комбинации.
5. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 1, где наноматериал проявляет негомогенную удельную электропроводность в материалах, и где наноматериал проявляет интервалы оптической ширины запрещенной энергетической зоны от примерно 0,5 эВ до примерно 6,5 эВ.
6. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 1, где наноматериал имеет пористую структуру в наноразмерном масштабе, относительно большую площадь поверхности на единицу массы (м2/г), большую площадь поверхности на единицу объема (м2/мл) или их комбинации.
7. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 1, где наноматериал высвобождает реакционноспособные кислородные компоненты.
8. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 1, где наноматериал проявляет антимикробные свойства, антибактериальные свойства, противогрибковые свойства или их комбинацию.
9. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 3, где толщина области поверхности металлического полупроводникового наноматериала находится в интервале от примерно 1 нм до примерно 1000 нм.
10. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал, содержащий: оксид металла A и оксид металла B; где часть металла оксида металла A и часть металла оксида металла B независимым образом выбраны из группы, состоящей из титана, марганца, никеля, серебра, кальция, магния, цинка, меди или их комбинаций; и где наноматериал содержит кластеры квантовых точек оксида металла.
11. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 10, где квантовые точки оксида металла содержат гетеропереходы, и гетеропереходы содержат по меньшей мере одну наночастицу n-типа оксида металла и по меньшей мере одну наночастицу p-типа оксида металла.
12. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 10, где металлооксидный полупроводниковый наноматериал может содержать или не содержать по меньшей мере два металла, где один металл является доминирующим по сравнению со вторым металлом, и менее доминирующий металл содержит более чем 10% по массе оксида металла A и менее чем 30% по массе оксида металла A, и доминирующий металл содержит более чем 70% по массе оксида металла и менее чем 90% по массе оксида металла.
13. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 10, где металлооксидный полупроводниковый наноматериал содержит по меньшей мере две области, где одна область является областью поверхности, а вторая область является областью сердцевины, и область поверхности содержит более чем 20% по массе оксида металла B и менее чем 80% по массе оксида металла A, и область сердцевины содержит менее чем 15% по массе оксида металла B и более чем 85% по массе оксида металла A.
14. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 10, где наноматериал дополнительно содержит по меньшей мере один полимерный материал, по меньшей мере одну органическую молекулу или их комбинации, где полимерный материал содержит хитозан, альгинат, желатин, карбоксиметилцеллюлозу, полиэтиленгликоль или их комбинации; и где органическая молекула содержит октадекантиол, перфтортиол, цистеин, меркаптоалканы, лимонную кислоту, олеиновую кислоту или их комбинации.
15. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал, содержащий: оксид металла A и оксид металла B; где оксид металла A и оксид металла B независимым образом выбраны из группы, содержащей цинк, медь и их комбинации; и
где наноматериал содержит кластеры квантовых точек оксида металла.
16. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 15, где квантовые точки оксида металла содержат гетеропереходы, и гетеропереходы содержат по меньшей мере одну наночастицу n-типа оксида металла и по меньшей мере одну наночастицу p-типа оксида металла.
17. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 15, где металлооксидный полупроводниковый наноматериал может содержать или не содержать по меньшей мере два металла, где один металл является доминирующим по сравнению со вторым металлом, и менее доминирующий металл содержит более чем 10% по массе оксида металла A и менее чем 30% по массе оксида металла A, и доминирующий металл содержит более чем 70% по массе оксида металла и менее чем 90% по массе оксида металла.
18. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 15, где металлооксидный полупроводниковый наноматериал содержит по меньшей мере две области, где одна область является областью поверхности, а вторая область является областью сердцевины, и область поверхности содержит более чем 25% по массе оксида металла B и менее чем 75% по массе оксида металла A, и область сердцевины содержит менее чем 10% по массе оксида металла B и более чем 90% по массе оксида металла A.
19. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 15, где наноматериал дополнительно содержит по меньшей мере один полимерный материал, по меньшей мере одну органическую молекулу или их комбинации, где полимерный материал содержит хитозан, карбоксиметилцеллюлозу, полиэтиленгликоль или их комбинации; и где органическая молекула содержит октадекантиол, перфторотиол, цистеин, меркаптоалканы, лимонную кислоту, олеиновую кислоту или их комбинации.
20. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 15, где квантовые точки оксида металла содержат гетеропереходы, и гетеропереходы содержат по меньшей мере одну наночастицу n-типа оксида металла и по меньшей мере одну наночастицу p-типа оксида металла; и где наночастица n-типа оксида металла содержит оксид цинка, смешанный оксид меди-цинка или их комбинации, и где наночастица p-типа оксида металла содержит оксид меди, смешанный оксид меди-цинка или их комбинации.
21. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 15, где наноматериал имеет химическую формулу (CuO)1-x/(ZnO)x, где x является молекулярной долей квантовых точек оксида цинка внутри кластера оксида меди, и где величина x предпочтительно находится в интервале от примерно 0,01 до примерно 0,26.
22. Металлооксидный полупроводниковый наноматериал по п. 18, где толщина области поверхности металлического полупроводникового наноматериала находится в интервале от примерно 10 нм до примерно 50 нм.