РЕЖУЩАЯ ПЛАСТИНА С КЕРАМИЧЕСКИМ ПОКРЫТИЕМ

2
3
2
3
1. Режущая пластина с покрытием, включающая основу и образованное на ней с помощью технологии CVD многослойное керамическое покрытие, включающее чередующиеся слои α-AlO и промежуточные слои, обладающие адгезией к α-AlO слоям, причем промежуточный слой выполнен по меньшей мере из одного материала, выбранного из группы, состоящей из TiAlON, TiAlOC и TiAlCON.
2
3
2. Режущая пластина с покрытием по п.1, в которой многослойное керамическое покрытие включает по меньшей мере пять слоев, в которых три слоя α-AlO чередуются с двумя слоями в виде упомянутого промежуточного слоя.
3. Режущая пластина с покрытием по п.1, в которой промежуточный слой выполнен из TiAlCON.
2
3
4. Режущая пластина с покрытием по п.1, в которой отношение толщины слоя α-AlO к толщине промежуточного слоя составляет между 7 и 15.
5. Режущая пластина с покрытием по п.1, дополнительно содержащая слой под покрытие между основой и керамическим покрытием, включающий твердый материал, выбранный из группы, состоящей из TiC, TiCN и TiN.
6. Режущая пластина с покрытием по п.5, в которой упомянутый слой под покрытие имеет толщину в диапазоне от 2 мкм до 15 мкм.
7. Режущая пластина с покрытием по п.5, дополнительно содержащая связывающий слой между слоем под покрытие и керамическим покрытием.
8. Режущая пластина с покрытием по п.7, в которой связывающий слой выполнен в виде одного из группы, состоящей из (а) слой TiOCN, (б) слой TiAlOCN, (в) слой TiOCN, за которым следует слой TiAlOCN, (г) сэндвичевая структура, включающая первый слой TiOCN, за которым следует слой TiAlOCN, за которым следует второй слой TiOCN.
9. Режущая пластина с покрытием по п.7, дополнительно включающая базовый слой между основой и слоем под покрытие.
10. Режущая пластина с покрытием по п.9, в которой базовый слой включает TiN.
11. Режущая пластина с покрытием по п.10, в которой базовый слой имеет толщину между 0,1 мкм и 1,5 мкм.
12. Режущая пластина с покрытием по п.9, дополнительно включающая наружный слой TiN на многослойном керамическом покрытии.
13. Режущая пластина с покрытием по п.12, в которой упомянутый наружный слой TiN удален с передних поверхностей режущей пластины.
14. Режущая пластина с покрытием по п.1, дополнительно включающая базовый слой, образованный на основе, слой под покрытие, образованный на базовом слое, и связывающий слой, образованный на слое под покрытие ниже многослойного керамического покрытия.
15. Режущая пластина с покрытием по п.14, дополнительно включающая наружный слой TiN, образованный на многослойном керамическом покрытии.
16. Режущая пластина с покрытием по п.14, в которой базовый слой включает TiN, слой под покрытие выбран из группы, состоящей из TiC, TiCN и TiN, связывающий слой включает сэндвичевую структуру из TiOCN, TiAlOCN и TiOCN и промежуточный слой включает TiAlCON.
2
3
2
3
17. Способ образования осажденного по технологии CVD многослойного керамического покрытия на имеющей основу режущей пластине, включающей осаждение на упомянутой основе чередующихся слоев α-AlO и промежуточного слоя, имеющего адгезию к α-AlO, причем промежуточный слой выбран из группы состоящей из TiAlON, TiAlOC и TiAlCON.
2
3
2
3
18. Способ по п.17, включающий осаждение промежуточного слоя на непосредственно предшествующий слой α-AlO перед развитием столбчатой структуры в упомянутом непосредственно предшествующем слое α-AlO.
2
3
2
3
19. Способ по п.17, в котором осаждение промежуточного слоя на непосредственно предшествующий слой α-AlO используют в качестве поверхности для осаждения последующего слоя α-AlO.
2
3
20. Способ по п.17, дополнительно включающий осаждение базового слоя на основе, осаждение слоя под покрытие на базовом слое, осаждение связывающего слоя на слое под покрытие и нижеупомянутых чередующихся слоев α-AlO и промежуточного слоя.
21. Способ по п.20, в котором базовый слой включает TiN, слой под покрытие выбран из группы, состоящей из TiC, TiCN и TiN, связывающий слой выполняют в виде одного из группы, состоящей из (а) слйй TiOCN, (б) слой TiAlOCN, (в) слой TiOCN, за которым следует слой TiAlOCN, (г) сэндвичевая структура, включающая TiOCN, TiAlOCN, TiOCN, промежуточный слой включает TiAlCON.
22. Способ по п.20, дополнительно включающий осаждение наружного слоя TiN на многослойное керамическое покрытие.
23. Способ по п.22, дополнительно включающий выборочное удаление упомянутого наружного слоя TiN с передних поверхностей режущей пластины.