МЕТОД И УСТРОЙСТВО ТЕРМОФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ С МИКРОННЫМ ЗАЗОРОМ (МРТV) ВЫСОКОЙ СТЕПЕНИ С СУБМИКРОННЫМ ЗАЗОРОМ

1. Метод преобразования тепловой энергии в электрическую мощность с использованием термофотоэлектрической технологии с субмикронным зазором, включающий следующие ступени:
- собирание тепловой энергии с помощью поглощающей поверхности радиационно-излучающего слоя с внутренней поверхности термопроводящей оболочки, в то время как внешняя поверхность оболочки подвергается воздействию высокой температуры источника тепловой энергии;
- поддержание дистанции меньше одного микрона между принимающей поверхностью фотоэлектрического гальванического элемента и излучающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя;
- поглощение электромагнитного излучения с излучающей поверхности с помощью принимающей поверхности для выработки электрической мощности фотоэлектрическим гальваническим элементом;
- обеспечение давления на фотоэлектрический гальванический элемент с помощью находящейся под давлением, термопроводящей, поддающейся деформации мембраны для того, чтобы сохранился близкий контакт между поглощающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя и внутренней поверхностью оболочки, и для увеличения охлаждения; и
- обеспечение давления на радиатор в контакте с термопроводящей, поддающейся деформации мембраной для увеличения охлаждения.
2. Метод по п.1, отличающийся тем, что также включает в себя изобретение вакуума между излучающей поверхностью и принимающей поверхностью для уменьшения проводимости тепла.
-3
3. Метод по п.2, отличающийся тем, что вакуум занимает меньше 10 мм.рт.ст.
4. Метод по п.1, отличающийся тем, что также включает в себя поддержание вакуума внутри оболочки.
5. Метод по п.1, отличающийся тем, что расстояние между принимающей поверхностью фотоэлектрического гальванического элемента и излучающей поверхностью радиационно-излучающего слоя обычно в пределах от 1,10 до 0,30 мкн.
6. Метод по п.1, отличающийся тем, что также включает в себя поддержание расстояния между принимающей поверхностью фотоэлектрического гальванического элемента и излучающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя с использованием термоизоляционных прокладок.
7. Метод по п.1, отличающийся тем, что поддающаяся деформации мембрана оказывается под давлением линейного привода и пазухи, заполненной жидким металлом.
8. Метод по п.1, отличающийся тем, что также включает в себя установку термопроводящей поверхности между поглощающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя и внутренней поверхностью термопроводящей оболочки.
9. Метод по п.8, отличающийся тем, что термопроводящая поверхность содержит термопроводящий графит.
10. Метод по п.1, отличающийся тем, что также включает в себя снижение температуры фотоэлектрического гальванического элемента, радиатора, камеры жидкого металла и поддающейся деформации мембраны с помощью циркулирующей через камеры радиатора охлаждающей жидкости.
11. Метод по п.10, отличающийся тем, что также включает в себя разнесение охлаждающей жидкости через гибкие мембраны и корпус распределения воды.
12. Устройство преобразования энергии тепла в электрическую мощность с использованием термофотоэлектрической технологии с субмикронным зазором, включающее в себя:
- сбор тепловой энергии с помощью поглощающей поверхности радиационно-излучающего слоя с внутренней поверхности термопроводящей оболочки, в то время как внешняя поверхность оболочки подвергается воздействию высокой температуры источника тепловой энергии;
- поддержание дистанции меньше одного микрона между принимающей поверхностью фотоэлектрического гальванического элемента и излучающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя;
- поглощение электромагнитного излучения с излучающей поверхности с помощью принимающей поверхности для выработки электрической мощности фотоэлектрическим гальваническим элементом;
- обеспечение давления на фотоэлектрический гальванический элемент с помощью находящейся под давлением, термопроводящей, поддающейся деформации мембраны для того, чтобы сохранился близкий контакт между поглощающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя и внутренней поверхностью оболочки, и для увеличения охлаждения; и
- обеспечение давления на радиатор в контакте с термопроводной, поддающейся деформации мембраной для увеличения охлаждения.
13. Устройство по п.12, отличающееся тем, что также включает в себя установку термопроводящей поверхности между поглощающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя и внутренней поверхностью термопроводящей оболочки.
14. Устройство по п.12, отличающееся тем, что термопроводящая поверхность включает в себя термопроводящий графит.
15. Устройство по п.12, отличающееся тем, что поддерживается вакуум между излучающей поверхностью и принимающей поверхностью.
16. Устройство по п.12, отличающееся тем, что вакуум поддерживается внутри оболочки.
17. Устройство по п.12, отличающееся тем, что также включает в себя термоизолированные прокладки для поддержания расстояния между принимающей поверхностью фотоэлектрического гальванического элемента и излучающей поверхностью радиационно-эмиссионного слоя.
18. Устройство по п.12, отличающееся тем, что поддающаяся деформации мембрана находится под давлением линейного привода и пазухи, заполненной жидким металлом.
19. Устройство по п.12, отличающееся тем, что также включает в себя охлаждающую жидкость, распределяющуюся с помощью гибких мембран и корпуса распределения воды.
20. Устройство преобразования энергии тепла в электрическую мощность с использованием термофотоэлектрической технологии с субмикронным зазором, содержащей оболочку для изоляции компонентов Квада, включающее в себя:
- решетку эмиттерного чипа, поддерживаемую в тесном тепловом контакте с оболочкой с помощью графитной термопроводящей поверхности;
- полукомплект мембранной и фотоэлектрической решетки, отделенный от решетки эмиттерного чипа термоизляционными прокладками;
- камеру жидкого металла, контактирующую с мембраной, для поддержания тесного термоконтакта между решеткой эмиттерного чипа и оболочкой;
- полукомплект радиатора для приема охлаждающей жидкости для охлаждения мембраны, камеры жидкого металла и фотоэлектрической решетки;
- корпус распределения воды для перенесения охлаждающей жидкости к полукомплекту радиатора через полукомплект мембран;
- воздушный полукомплект для поддержания близкого контакта между радиатором и жидкометаллическим охладителем и фотоэлектрической решеткой; и
- линейный привод давления в приводе для поддержания давления в воздушном полукомплекте.
21. Устройство по п.20, отличающееся тем, что вакуум поддерживается внутри оболочки.
22. Устройство по п.20, отличающееся тем, что мембрана находится под давлением линейного привода и пазухи, заполненной жидким металлом.
23. Устройство по п.20, отличающееся тем, что Квад содержит множество фотоэлектрических решеток и решеток эмиттерного чипа.
24. Устройство по п.20, отличающееся тем, что оболочка может быть M×N решеткой Квадов, где М и N больше либо равны единице.
25. Устройство по п.20, отличающееся тем, что также включает в себя модуль контроля охлаждения, модуль вакуумного контроля и модуль контроля воздушного давления.