УСТРОЙСТВО ЗАЩИТЫ ОТ РАЗРЯДОВ СТАТИЧЕСКОГО ЭЛЕКТРИЧЕСТВА ВЫВОДОВ ПИТАНИЯ КОМПЛЕМЕНТАРНЫХ МОП (МЕТАЛЛ-ОКИСЕЛ-ПОЛУПРОВОДНИК) ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИНАХ С ПРОВОДИМОСТЬЮ N-ТИПА

1. Устройство защиты от разрядов статического электричества выводов питания комплементарных МОП (металл-окисел-полупроводник) интегральных схем на кремниевых пластинах с проводимостью n-типа, содержащее вывод контактной площадки (1) отрицательного питания (-Еп) подключенный к электродам внутренней схемы (10), катоду первого диода (7) и аноду второго диода (9), катод которого подключен к выводу контактной площадки (2) земли () или положительного питания, который соединен с электродами внутренней схемы (10), отличающееся тем, что содержит МОП-транзистор (5), электрод подложки которого, сформированный «P-карманом», подключен к аноду первого диода (7), затвор МОП-транзистора (5), являющийся верхней обкладкой емкости конденсатора (3) к шине земли и выводу контактной площадки (2), подключен через высокоомный резистор (8) к аноду первого диода (7), первый сток-истоковый электрод МОП-транзистора (5) через низкоомный резистор (4) подключен к выводу контактной площадки (2), второй исток-стоковый электрод МОП-транзистора (5) через низкоомный резистор (6) подключен выводу контактной площадки (1) и электродам внутренней схемы (10).
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что ширина области канала МОП-транзистора (5) не менее 500 мкм.
3. Устройство по п. 2, отличающееся тем, что МОП-транзистор (5) является n-канальным с плавающей подложкой («P-кармане»).
4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что толщина конденсатора (3), сформированного подзатворным диэлектриком над областью канала не более 20 нм, а над низколегированными областями сток-истоковых переходов не менее 600 нм.
5. Устройство по п. 4, отличающееся тем, что емкость конденсатора (3) не менее 1,5 пФ.
6. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что сопротивление высокоомного резистора (8) более 15 кОм, а сам резистор выполнен в том же «P-кармане», что и МОП-транзистор (5).
2
7. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что площадь второго диода (9) более 0,01 мм.