Способ и система для многослойного прозрачного электрода для прозрачных фотоэлектрических устройств

1. Прозрачное фотоэлектрическое устройство, содержащее: прозрачную подложку, прозрачный нижний электрод, связанный с прозрачной подложкой, активный слой, связанный с прозрачным нижним электродом, и прозрачный многослойный верхний электрод, содержащий затравочный слой, связанный с активным слоем, и металлический слой, связанный с затравочным слоем, при этом прозрачное фотоэлектрическое устройство характеризуется средним пропусканием видимого света (AVT) более 25% и слоевым сопротивлением верхнего электрода менее 100 Ом/кв.
2. Прозрачное фотоэлектрическое устройство по п. 1, в котором затравочный слой осажден на активный слой, а металлический слой осажден на затравочный слой.
3. Прозрачное фотоэлектрическое устройство по п. 1, в котором отношение AVT к доле пропускаемого солнечного излучения (AVT/Tsol) больше 1,3 и меньше или равно 2,5, а коэффициент излучения меньше 0,2.
4. Прозрачное фотоэлектрическое устройство по п. 1, в котором затравочный слой является зарядово-селективным.
5. Прозрачное фотоэлектрическое устройство по п. 1, в котором затравочный слой содержит TPBi:C60, ZnO или некоторую их комбинацию.
6. Прозрачное фотоэлектрическое устройство по п. 1, в котором затравочный слой имеет толщину в диапазоне от 0,1 нм до 100 нм, а металлический слой имеет толщину в диапазоне от 3 нм до 30 нм.
7. Прозрачное фотоэлектрическое устройство по п. 1, в котором прозрачный многослойный верхний электрод также содержит противоотражающий слой, осажденный на металлический слой.
8. Прозрачное фотоэлектрическое устройство по п. 1, в котором активный слой содержит тандемную ячейку, подключенную через одну или более зон рекомбинации заряда.
9. Прозрачное фотоэлектрическое устройство по п. 1, в котором активный слой является прозрачным в видимом диапазоне длин волн и демонстрирует селективное поглощение в ультрафиолетовом или ближнем инфракрасном диапазоне.
10. Прозрачное фотоэлектрическое устройство по п. 1, в котором прозрачный нижний электрод содержит
первый прозрачный затравочный слой,
второй металлический слой, осажденный на затравочный слой,
второй прозрачный зарядово-селективный слой, осажденный на металлический слой.
11. Прозрачное фотоэлектрическое устройство, содержащее прозрачную подложку,
прозрачный нижний электрод, связанный с прозрачной подложкой,
активный слой, связанный с прозрачным нижним электродом,
прозрачный многослойный верхний электрод, содержащий: затравочный слой, осажденный на активный слой, первый металлический слой, осажденный на затравочный слой, соединительный слой, осажденный на первый металлический слой, и второй металлический слой, осажденный на соединительный слой,
при этом прозрачное фотоэлектрическое устройство характеризуется средним пропусканием видимого света (AVT) более 25% и слоевым сопротивлением верхнего электрода менее 100 Ом/кв.
12. Прозрачное фотоэлектрическое устройство по п. 11, в котором соединительный слой содержит проводящий прозрачный оксид.
13. Прозрачное фотоэлектрическое устройство по п. 11, в котором отношение AVT к доле пропускаемого солнечного излучения (AVT/Tsol) больше 1,7 и меньше или равно 2,5, а коэффициент излучения меньше 0,2.
14. Прозрачное фотоэлектрическое устройство по п. 11, также содержащее противоотражающий слой, осажденный на второй металлический слой.
15. Прозрачное фотоэлектрическое устройство по п. 11, в котором прозрачный нижний электрод содержит
первый прозрачный затравочный слой,
третий металлический слой, осажденный на первый прозрачный затравочный слой, и второй прозрачный зарядово-селективный слой, осажденный на третий металлический слой.
16. Стеклопакет, содержащий прозрачное фотоэлектрическое устройство, а также первое листовое стекло и второе листовое стекло, расположенное напротив первого листового стекла, при этом прозрачное фотоэлектрическое устройство расположено между первым листовым стеклом и вторым листовым стеклом и содержит: прозрачную подложку,
прозрачный нижний электрод, связанный с прозрачной подложкой, активный слой, связанный с прозрачным нижним электродом, и прозрачный многослойный верхний электрод, содержащий
зарядово-селективный затравочный слой, связанный с активным слоем,
металлический слой, связанный с зарядово-селективным затравочным слоем,
причем стеклопакет характеризуется средним пропусканием видимого света (AVT) более 25%.
17. Стеклопакет по п. 16, который характеризуется селективностью, большей 1,3 и меньшей или равной 2,5.
18. Стеклопакет по п. 16, в котором прозрачный многослойный верхний электрод также содержит один или более соединительных слоев и один или более дополнительных металлических слоев, при этом каждый из упомянутых одного или более соединительных слоев связан с соседним металлическим слоем из упомянутых одного или более дополнительных металлических слоев.
19. Стеклопакет по п. 18, который характеризуется селективностью, большей 1,7 и меньшей или равной 2,5.
20. Стеклопакет по п. 16, в котором прозрачное фотоэлектрическое устройство также содержит противоотражающий слой, осажденный на металлический слой.