КРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ТЕЛО, ОПТИЧЕСКИЙ ПРИБОР, ИМЕЮЩИЙ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЕ ТЕЛО, И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ТЕЛА

1. Кристаллическое тело, образованное из кристалла и имеющее пару пропускающих свет поверхностей, которые противостоят друг другу и пропускают свет, и по меньшей мере одну боковую поверхность, которая соединяет пару пропускающих свет поверхностей,
2
2
в котором отношение В/А плотности А (количества на 1 см) дислокаций в пропускающих свет поверхностях к плотности В (количеству на 1 см) дислокаций в боковой поверхности удовлетворяет следующей общей формуле:
1≤(В/А)≤3600 (1).
2. Кристаллическое тело по п. 1, в котором отношение (В/А) находится в пределах от 1 до 1000.
3. Кристаллическое тело по п. 2, в котором отношение (В/А) составляет 1.
4. Кристаллическое тело по любому одному из пп. с 1 по 3, в котором кристалл представляет собой монокристалл.
5. Кристаллическое тело по п. 4, в котором монокристалл представляет собой монокристалл тербий-скандий-алюминиевого граната, монокристалл тербий-скандий-лютеций-алюминиевого граната, монокристалл тербий-галлиевого граната или монокристалл тербий-алюминиевого граната.
6. Оптическое устройство, содержащее кристаллическое тело по любому одному из пп. с 1 по 5.
7. Оптическое устройство по п. 6, дополнительно содержащее:
поляризатор, расположенный с обращением к одной пропускающей свет поверхности из пары пропускающих свет поверхностей кристаллического тела;
анализатор, расположенный с обращением к другой пропускающей свет поверхности из пары пропускающих свет поверхностей кристаллического тела; и
блок приложения магнитного поля, прикладывающий магнитное поле к кристаллическому телу.
8. Способ изготовления кристаллического тела, образуемого из кристалла и имеющего пару пропускающих свет поверхностей, которые противостоят друг другу и пропускают свет, и по меньшей мере одну боковую поверхность, которая соединяет пару пропускающих свет поверхностей, способ, содержащий:
процесс подготовки, предназначенный для подготовки материала заготовки, который образуют из кристалла и используют для получения кристаллического тела; и
процесс разрезания, предназначенный для получения кристаллического тела путем разрезания материала заготовки,
в котором в процессе разрезания кристаллическое тело образуют путем удаления части поверхностного слоя, в том числе поверхности среза, заново возникающей при разрезании материала заготовки, и
2
2
в котором в процессе разрезания часть поверхностного слоя включает в себя дислокации, и часть поверхностного слоя удаляют так, чтобы отношение В/А плотности А (количества на 1 см) дислокаций в пропускающих свет поверхностях к плотности В (количеству на 1 см) дислокаций в боковой поверхности удовлетворяло следующей общей формуле:
1≤(В/А)≤3600 (1).
9. Способ изготовления кристаллического тела по п. 8, в котором дислокации, включенные в часть поверхностного слоя, представляют собой дислокации, обусловленные разрезанием материала заготовки или шлифованием поверхности среза.
10. Способ изготовления кристаллического тела по п. 8 или 9, в котором отношение (В/А) находится в пределах от 1 до 1000.
11. Способ изготовления кристаллического тела по п. 10, в котором отношение (В/А) составляет 1.
12. Способ изготовления кристаллического тела по п.8, в котором кристалл представляет собой монокристалл.
13. Способ изготовления кристаллического тела по п. 12, в котором монокристалл представляет собой монокристалл тербий-скандий-алюминиевого граната, монокристалл тербий-скандий-лютеций-алюминиевого граната, монокристалл тербий-галлиевого граната или монокристалл тербий-алюминиевого граната.
14. Способ изготовления кристаллического тела по п. 8, в котором в процессе разрезания часть поверхностного слоя удаляют полированием.