Способ изготовления мощных высокочастотных транзисторных структур

Способ изготовления мощных высокочастотных транзисторных структур, включающий диффузию контактной примеси в полупроводниковую подложку через маскирующее покрытие и получение р-n перехода, отличающийся тем, что диффузию контактной примеси осуществляют в окислительной атмосфере до поверхностной концентрации одного порядка с концентрацией на границе перехода эмиттер-база, а окно под диффузию базовой и эмиттерной примесей выполняют смыкающимся с окном под контактную диффузию или частично его перекрывающим с целью увеличения предельных частот усиления.