ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СЭНДВИЧ-СТРУКТУРА 3С-SiC/Si, СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ И ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ МЕМБРАННОГО ТИПА С ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ

1. Полупроводниковая сэндвич-структура 3C-SiC/Si, содержащая последовательно расположенные подложку из монокристаллического кремния с базовой ориентацией (100), слой нанопористого кремния, сформированный с помощью химического травления подложки, и слой карбида кремния, отличающийся тем, что слой нанопористого кремния сформирован толщиной 50÷180 нм, при этом слой карбида кремния нанесен с замещением водорода на углерод в поверхностных связях Si-H слоя пористого кремния.
4
3
8
2
2
2. Способ получения полупроводниковой сэндвич-структуры 3С-SiC/Si, предусматривающий формирование слоя нанопористого кремния на поверхности подложки из монокристаллического кремния с базовой ориентацией (100) путем химического травления подложки реакционной смесью, содержащей водный раствор HF, с последующей карбидизацией нанопористого слоя и химическим осаждением слоя 3С-SiC из газовой фазы, включающей SiH, CH и Н, отличающийся тем, что слой пористого кремния формируют толщиной 50÷180 нм, при этом используемая для химического травления реакционная смесь дополнительно содержит NaNO при следующем соотношении компонентов, мас.%:
HF
20÷49
NaNO<sub>2</sub>
0,02÷0,30
деионизованная вода
остальное
карбидизацию слоя нанопористого кремния проводят замещением водорода на углерод в поверхностных связях Si-H слоя пористого кремния, а соотношение компонентов газовой фазы, используемой для химического осаждения слоя 3С-SiC, составляет, об.%:
SiH<sub>4</sub>
0,6÷1,0
С<sub>3</sub>Н<sub>8</sub>
0,8÷1,2
Н<sub>2</sub>
остальное
3. Чувствительный элемент мембранного типа, содержащий подложку из монокристаллического кремния с базовой ориентацией (100), на рабочей поверхности которой последовательно сформированы компенсирующий слой и слой карбида кремния, а с тыльной стороны подложки выполнено глухое отверстие для образования мембранной камеры, и узел съема информативного сигнала, отличающийся тем, что компенсирующий слой сформирован толщиной 50÷180 нм из нанопористого кремния химическим травлением рабочей поверхности подложки, а толщина слоя карбида кремния составляет 0,4÷0,6 мкм.