ЛАЗЕРНЫЙ МОДУЛЬ ДЛЯ ОДНОРОДНЫХ ЛИНЕЙНЫХ ПРОФИЛЕЙ ИНТЕНСИВНОСТИ

1. Лазерный модуль, содержащий несколько подмодулей (1), размещенных вдоль первой оси (10) бок о бок на общем носителе, причем каждый из упомянутых подмодулей (1) содержит область (8) лазера, образованную одной или несколькими матрицами полупроводниковых лазеров (5) на поверхности подмодулей (1), и при этом лазерное излучение, испускаемое упомянутыми полупроводниковыми лазерами (5), образует распределение интенсивности в рабочей плоскости, обращенной к упомянутой поверхности подмодулей (1),
причем упомянутые подмодули (1) и области (8) лазера выполнены и размещены так, что выступы областей (8) лазера смежных подмодулей (1) частично перекрываются в направлении, перпендикулярном упомянутой первой оси, причем упомянутые области (8) лазера образованы компоновкой из упомянутых матриц полупроводниковых лазеров (5), которая содержит два параллельных боковых края (3), при этом упомянутые параллельные боковые края (3) смежных областей (8) лазера параллельны друг другу и наклонены под углом β к упомянутой первой оси (10), причем 0˚<β<90˚, причем упомянутые области (8) лазера выполнены с возможностью генерировать однородное распределение интенсивности в рабочей плоскости в направлении, параллельном первой оси посредством наклоненной компоновки областей (8) лазера.
2. Лазерный модуль по п. 1, в котором упомянутая компоновка упомянутых матриц полупроводниковых лазеров (5) образует прямоугольную область.
3. Лазерный модуль по п. 1, в котором упомянутый угол β выбран согласно условию: H×cosβ=n×(B+G)/sinβ, где n - любое целое число, В - ширина прямоугольных областей (8) лазера, H - длина прямоугольных областей (8) лазера, и G - ширина зазора между областями (8) лазера смежных подмодулей (1).
4. Лазерный модуль по п. 1, в котором упомянутые параллельные боковые края (3) упомянутой компоновки наклонены под углом β=45˚ к упомянутой первой оси (10), причем упомянутые полупроводниковые лазеры (5) имеют области излучения прямоугольной или квадратной форм, боковые края которых ориентированы под углом 45˚ к упомянутым параллельным боковым краям (3) упомянутой компоновки.
5. Лазерный модуль по п. 1, в котором упомянутые параллельные боковые края (3) упомянутой компоновки наклонены под углом β=30˚ или β=60˚ к упомянутой первой оси (10), причем каждая матрица полупроводниковых лазеров (5) содержит упомянутые полупроводниковые лазеры (5) в гексагональной компоновке, главная ось (6) которой ориентирована параллельно упомянутой первой оси (10).
6. Лазерный модуль по п. 1, в котором упомянутые подмодули (1) содержат отдельные микролинзы и/или одиночные цилиндрические линзы спереди полупроводниковых лазеров (5), при этом упомянутые микролинзы и/или цилиндрические линзы выполнены и размещены с возможностью коллимировать или фокусировать лазерное излучение, испускаемое упомянутыми полупроводниковыми лазерами (5), генерирующими лазерную линию в рабочей плоскости, и упомянутая лазерная линия продолжается параллельно упомянутой первой оси (10).
7. Лазерный модуль по п. 1, в котором упомянутые полупроводниковые лазеры (5) представляют собой VCSEL или VECSEL.
8. Лазерный модуль по п. 1, в котором упомянутые подмодули (1) и области (8) лазера выполнены и размещены так, что по меньшей мере в центральном участке лазерного модуля, покрывающем несколько упомянутых подмодулей (1), мощность лазерного излучения, испускаемого упомянутыми полупроводниковыми лазерами (5) при объединении в направлении, перпендикулярном первой оси (10), совпадает с точностью ±10% для каждого участка первой оси (10), при этом упомянутый участок первой оси (10) больше расстояния между смежными полупроводниковыми лазерами (5) и меньше зазора между смежными областями (8) лазера.
9. Лазерный модуль по п. 1, который установлен в устройстве, перемещающем поверхность объекта в упомянутой рабочей плоскости, или упомянутом лазерном модуле перпендикулярно упомянутой первой оси (10).