СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОЛОСТИ В ПОДЛОЖКЕ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

Способ формирования методом химического травления в подложке из арсенида галлия, входящей в состав полупроводникового прибора, полости, имеющей сужающуюся по толщине подложки форму, содержащий стадию травления, на которой в качестве травителя используют композицию, включающую водный раствор фосфорной кислоты с концентрацией не менее 80 мас.% и водный раствор перекиси водорода с концентрацией не менее 30 мас.%, отличающийся тем, что химическое травление осуществляют в одну стадию с использованием в качестве травителя композиции, полученной путем смешения указанного водного раствора фосфорной кислоты и указанного водного раствора перекиси водорода при их объемном соотношении 2:3.