ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫЙ КОМПЛЕКС ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ С ХАРАКТЕРНЫМ РАЗМЕРОМ 10 НМ

Вычислительный комплекс для моделирования процессов переключения элементов вычислительных устройств с характерным размером 10 нм, выполненных на базе Si/SiOx-технологии, реализуемый на основе использования квантовых методов расчета электронной структуры и многоэлектронных эффектов в полупроводниках, отличающийся тем, что в единый вычислительный комплекс объединены блоки, проводящие расчеты на разных масштабах, от субатомных, до нанометровых, что реализовано путем последовательной передачи данных между тремя блоками, первый из которых осуществляет в базисе вейвлетов расчет электронной структуры, а также кулоновских и обменных интегралов, второй блок расчетной схемы реализует объединение расчетов на субатомном и нанометровом масштабе с помощью нового метода многомасштабного моделирования, который позволяет с высокой точностью рассчитывать свойства нанокластеров средних размеров без прямого квантового расчета электронной структуры, что обеспечивает высокую скорость вычислений, при этом расчет динамики электронов и определения зависимости тока от времени с учетом многоэлектронных эффектов производится в третьем блоке, вычисления в котором основаны на разработанной схеме полной диагонализации динамических квантовых уравнений, описывающих низкоэнергетический эффективный гамильтониан.