СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА

2
7
-2
Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование скрытого изолирующего слоя в подложке кремния и создание на верхнем слое кремния активных областей полупроводникового прибора, отличающийся тем что скрытый изолирующий слой формируют из нитрида кремния имплантацией N в кремниевую подложку при температуре 550÷650°С с энергией 140÷160 кэВ и дозе 7,5·10 см, с последующим отжигом при температуре 1200°С в атмосфере аргона в течение 2-4 ч.