Полевой транзистор на основе заполненных углеродных нанотрубок и способ его изготовления

1. Устройство полевого транзистора на основе одностенной углеродной нанотрубки (ОСНТ), содержащее заполненную ОСНТ.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что ОСНТ бездефектная и может иметь диаметр 1-2 нм и длину более 1 мкм.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что внутренний канал ОСНТ заполнен неорганическим соединением с высокой степенью (>90%).
4. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что во внутреннем канале ОСНТ находится квазиодномерный кристалл с определенной структурой.
5. Устройство по п. 3, отличающееся тем, что внедренное вещество модифицирует электронные свойства ОСНТ, изменяя положение уровня Ферми после внедрения.
6. Устройство по п. 5, отличающееся тем, что в результате заполнения внутри ОСНТ формируется как минимум один р-n переход.
7. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что заполненная ОСНТ находится на диэлектрике, ее концы соединены с электродами эмиттера и коллектора, ОСНТ защищена диэлектриком поверх которого нанесен затвор.
8. Устройство по п. 7, отличающееся тем, что ток через заполненную ОСНТ может контролироваться путем внешнего воздействия.
9. Устройство по п. 8, отличающееся тем, что ток через заполненную ОСНТ управляется внешним электрическим полем.
10. Устройство по п. 9, отличающееся тем, что управляющее электрическое поле создается путем приложения напряжения между электродом затвора и заполненной ОСНТ.
11. Устройство по п. 7, отличающееся тем, что электрод затвора изолирован.
12. Устройство по п. 9, отличающееся тем, что обладает запирающим эффектом при приложении напряжения на электрод затвора.
13. Способ формирования полевого транзистора на основе ОСНТ, включающий в себя стадии открытия нанотрубок, их заполнение, кристаллизацию внедряемого вещества во внутреннем канале нанотрубок, нанесение нанокомпозита на подложку, формирование контактов эмиттера и коллектора, нанесение диэлектрического слоя и формирование затвора.
14. Способ по п. 13, отличающийся тем, что заполнение осуществляется из расплава внедряемого вещества с последующей его кристаллизацией во внутреннем канале ОСНТ или из газовой фазы.
15. Способ по п. 13, отличающийся тем, что формирование контактов проводится осаждением металла электронным или ионным пучком из газовой фазы.
16. Способ по п. 13, отличающийся тем, что изолирующий слой формируется путем пиролиза исходного соединения в вакууме.
17. Способ по п. 13, отличающийся тем, что изолирующий слой затвора является полимерным.