ПЕРЕДНИЙ ЭЛЕКТРОД СО СЛОЕМ ТОНКОЙ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ И БУФЕРНЫМ СЛОЕМ С ВЫСОКОЙ РАБОТОЙ ВЫХОДА ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПРИБОРЕ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТАКОВЫХ

1. Фотоэлектрический прибор, содержащий:
переднюю стеклянную подложку;
активную полупроводниковую пленку;
электрически проводящую и по существу прозрачную структуру переднего электрода, размещенную между по меньшей мере передней стеклянной подложкой и полупроводниковой пленкой;
при этом структура переднего электрода содержит по существу прозрачную металлическую пленку и буферную пленку с высокой работой выхода; и
при этом буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода, которое является более высокой, чем работа выхода металлической пленки, и буферная пленка с высокой работой выхода размещена между металлической пленкой и самой верхней частью полупроводниковой пленки.
2. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода содержит пленку ППО.
3. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода содержит оксид индия-олова.
4. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода содержит богатый кислородом оксид индия-олова (ITO).
5. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором металлическая пленка содержит первый и второй по существу металлические слои, выполненные из различных металлов.
6. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода непосредственно контактирует с каждой из металлической пленки и полупроводниковой пленки.
7. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором металлическая пленка имеет работу выхода не более, чем примерно 4,2 эВ, а буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода по меньшей мере 4,3 эВ.
8. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода по меньшей мере примерно на 4% выше, чем у металлической пленки, более предпочтительно - по меньшей мере на 6% выше, а наиболее предпочтительно - по меньшей мере примерно на 10% выше.
9. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода от примерно 4,0 до 5,7 эВ.
10. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода от примерно 4,3 до 5,2 эВ.
11. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода от примерно 4,5 до 5,0 эВ.
12. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором металлическая пленка содержит один или более из Cu, Ag, Au, Al, Ni и/или Pd.
13. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором металлическая пленка содержит первый слой, состоящий по существу из первого(ых) металла(ов), и второй слой, состоящий, по существу, из иного(ых) второго(ых) металла(ов).
14. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором металлическая пленка составляет от примерно 20-600 Å в толщину, а буферная пленка с высокой работой выхода составляет от примерно 10 до 1000 Å в толщину.
15. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором металлическая пленка составляет от примерно 40-200 Å в толщину, а буферная пленка с высокой работой выхода составляет от примерно 10 до 100 Å в толщину.
16. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий зародышевую пленку, размещенную между передней стеклянной подложкой и металлической пленкой.
17. Фотоэлектрический прибор по п.16, в котором зародышевая пленка содержит прозрачный проводящий оксид.
18. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода представляет собой диэлектрическую пленку.
19. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором буферная пленка с высокой работой выхода представляет собой диэлектрик и имеет толщину от примерно 5-30 Å.
20. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором полупроводниковая пленка содержит гидрогенизированный аморфный кремний.
21. Фотоэлектрический прибор по п.1, дополнительно содержащий тыльный электрод, при этом активная полупроводниковая пленка предусмотрена между по меньшей мере передним электродом и тыльным электродом.
22. Фотоэлектрический прибор по п.1, в котором барьерная пленка с высокой работой выхода является градиентной по степени окисления, непрерывно или прерывисто, так, чтобы иметь более высокое содержание кислорода рядом с полупроводниковой пленкой, чем рядом с металлической пленкой.
23. Электродная структура, приспособленная для применения в фотоэлектрическом приборе, причем эта электродная структура содержит:
стеклянную подложку;
по существу прозрачную металлическую пленку, поддерживаемую стеклянной подложкой;
буферную пленку с высокой работой выхода, поддерживаемую стеклянной подложкой,
при этом буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода, которая является более высокой, чем работа выхода металлической пленки, и металлическая пленка размещена между по меньшей мере буферной пленкой с высокой работой выхода и стеклянной подложкой.
24. Электродная структура по п.23, в которой буферная пленка с высокой работой выхода содержит пленку ППО.
25. Электродная структура по п.23, в которой металлическая пленка содержит первый и второй различные по существу металлические слои.
26. Электродная структура по п.23, в которой буферная пленка с высокой работой выхода непосредственно контактирует с металлической пленкой, а также приспособлена для непосредственного контакта с полупроводниковой пленкой фотоэлектрического прибора.
27. Электродная структура по п.23, в которой металлическая пленка имеет работу выхода не более, чем примерно 4,2 эВ, а буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода по меньшей мере 4,3 эВ, и при этом буферная пленка с высокой работой выхода имеет работу выхода по меньшей мере примерно на 4% выше, чем у металлической пленки.
28. Электродная структура по п.23, в которой металлическая пленка составляет от примерно 40-200 Å в толщину, а буферная пленка с высокой работой выхода составляет от примерно 10 до 100 Å в толщину.
29. Электродная структура по п.23, дополнительно содержащая зародышевую пленку, размещенную между стеклянной подложкой и металлической пленкой, при этом зародышевая пленка содержит оксид металла.
30. Электродная структура по п.23, в которой буферная пленка с высокой работой выхода представляет собой диэлектрическую пленку и имеет толщину от примерно 5-30 Å.