СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД С НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫМ СЛОЕМ И СПОСОБЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ

1. Светоизлучающий диод, содержащий:
множество слоев, содержащих по меньшей мере два слоя, причем первый слой из множества слоев содержит наноструктурированную поверхность, которая содержит квазипериодический анизотропный массив удлиненных ребристых элементов, имеющих рисунок волнообразной структуры, причем каждый ребристый элемент имеет волнообразное поперечное сечение и ориентирован, по существу, в первом направлении.
2. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором первый слой является слоем полупроводника.
3. Светоизлучающий диод по п. 2, в котором первый слой содержит содержащий алюминий полупроводник.
4. Светоизлучающий диод по п. 3, в котором содержащий алюминий полупроводник выбран из AlAs, AlGaAs, AlGalnP, AlGaN, AlGalnN.
5. Светоизлучающий диод по п. 2, в котором первый слой содержит полупроводник, содержащий галлий.
6. Светоизлучающий диод по п. 5, в котором содержащий алюминий полупроводник выбран из GaP, GaAs, GaN, AlGaAs, AlGalnP, AlGaN, AlGalnN.
7. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором наноструктурированная поверхность является светоизлучающей поверхностью.
8. Светоизлучающий диод по п. 7, в котором наноструктурированная поверхность расположена на обратной внешней стороне указанного множества слоев.
9. Светоизлучающий диод по п. 7, в котором наноструктурированная поверхность является внутренней поверхностью, смежной со вторым слоем из множества слоев.
10. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором первый слой содержит прозрачный неорганический материал, расположенный между по меньшей мере двумя полупроводниковыми слоями.
2
3
2
4
3
2
11. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором множество слоев содержит подложку, выбранную из сапфира (AlO), кремния (Si), карбида кремния (SiC), шпинели (MgAlO), галлата неодима (NdGaO), галлата лития (LiGaO), оксида цинка (ZnO), оксида магния (MgO), фосфида галлия (GaP), арсенида галлия (GaAs) и нитрида галлия (GaN).
12. Устройство, содержащее светоизлучающий диод по п. 1.
13. Твердая наномаска, содержащая:
множество удлиненных элементов, сформированных из содержащего алюминий полупроводникового материала, за исключением чистого нитрида алюминия, и расположенных в виде квазипериодического анизотропного массива с рисунком волнообразной структуры и волнообразным поперечным сечением, по меньшей мере некоторые из данных удлиненных элементов имеют следующую структуру в поперечном сечении: внутренняя область из содержащего алюминий полупроводникового материала и первая внешняя область, содержащая нитрид алюминия, покрывающая первую часть внутренней области.
14. Наномаска по п. 13, содержащая вторую внешнюю область, содержащую нитрид алюминия, покрывающую вторую часть внутренней области и соединяющуюся с первой внешней областью на гребне волны, причем толщина первой внешней области существенно больше толщины второй внешней области.
15. Наномаска по п. 13, в которой содержащий алюминий полупроводниковый материал выбран из AlAs, AlGaAs, AlGalnP, AlGaN, AlGalnN.
16. Способ изготовления светоизлучающего полупроводникового прибора, включающий:
осаждение слоя аморфного кремния на поверхность содержащего алюминий полупроводникового слоя;
облучение поверхности аморфного кремния наклонным пучком ионов азота для формирования волнообразной структуры в слое аморфного кремния и
дальнейшее облучение поверхности аморфного кремния наклонным пучком ионов азота для переноса волнообразной структуры на поверхность содержащего алюминий полупроводникового слоя с формированием наномаски, которая содержит квазипериодический анизотропный массив удлиненных элементов с рисунком волнообразной структуры и с волнообразным поперечным сечением.
17. Способ по п. 16, в котором наномаска имеет следующую структуру в поперечном сечении: внутренняя область из содержащего алюминий полупроводникового слоя, первая внешняя область, содержащая нитрид алюминия, покрывающая первую часть внутренней области, и вторая внешняя область, содержащая нитрид алюминия, покрывающая вторую часть внутренней области и соединяющаяся с первой внешней областью на гребне волны, причем толщина первой внешней области существенно больше толщины второй внешней области.
18. Способ по п. 17, также включающий травление наномаски для удаления второй внешней области.
19. Способ по п. 18, также включающий, после удаления второй внешней области, травление части содержащего алюминий полупроводникового слоя, который располагается ниже второй внешней области.
20. Способ по п. 16, также включающий, после формирования наномаски, удаление аморфного кремния.