СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРИСТОГО СЛОЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ КАРБИДА КРЕМНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ КРЕМНИЯ

пл.
1. Способ получения полупроводниковой пористой гетероструктуры карбида кремния на подложке кремния, включающий операцию формирования слоя карбида кремния за счет атомов кристаллической решетки подложки кремния и атомов углерода, переносимого водородом в молекулярной форме углеводородов в зону реакции с температурой 0,958 от Т кремния, причем образование углеводородов происходит в зоне контейнера с температурой 1000-1200°C посредством обратимой реакции углерода с водородом, расход которого в направлении высокотемпературной зоны 0,3-0,5 л/мин, формирование p-n-перехода осуществляют посредством перелегирования посторонней примесью предшествующего слоя карбида кремния, отличающийся тем, что в качестве подложек использован кремний с мезо- и нанопористым слоем, скорость преобразования фазы кремния в фазу карбида кремния 2-3,5 мкм/час при температуре 1340-1360°C.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что альтернативой химического транспорта углерода служит подача паров четыреххлористого углерода в потоке водорода в мольном соотношении от 1: 4 до 1:10 при расходе водорода в высокотемпературной области в 10 раз выше.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве углерода для химического транспорта использован изотоп углерода с массовым числом 14, являющийся источником бета-излучения, отличающийся тем, что полученный пористый слой бета-активного por-SiC бездефектносопряжен с непористой SiC-фазой и является эффективным генератором неравновесных носителей в области объемного пространственного заряда р-n-перехода, преобразующего энергию электронов радиоизотопного распада в разность потенциалов.
4. Способ по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что изотоп углерода-14 вводят в молекулярной форме соединения с атомом посторонней легирующей примеси, модифицирующей тип проводимости фазы карбида кремния.
5. Способ по пп. 1 и 2, отличающийся тем, что изотоп углерода-14 входит в молекулярную форму паров органического соединения, подаваемого потоком водорода в зону подложек кремния.