СПОСОБ ДЛЯ ПРИКРЕПЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ КОМПОНЕНТОВ НА ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ

1. Способ, основанный на прикреплении на поверхности пластины оптических компонентов от исходной пластины к поверхности обработанной пластины на основе кремния, в котором, по меньшей мере, один компонент становится прикрепленным на заданной позиции на пластине на основе кремния, и, по меньшей мере, один из компонентов остается на исходной пластине.
2, Способ по п.1, с последующим одним или множеством подобных способов прикрепления, в котором компоненты от исходной пластины шаг-за-шагом прикрепляют на одну или множество пластин на основе кремния.
3. Способ по п.1, в котором, по меньшей мере, одна, промежуточная пластина использована для прикрепления.
4. Способ по п.1, в котором исходная полупроводниковая пластина для обработки оптических компонентов содержит удаляемый слой.
5. Способ по п.4, в котором удаление компонентов выполняют посредством селективного химического травления.
6. Способ по п.4, в котором удаление компонентов выполняют посредством селективного оксидирования с последующим селективным травлением.
7. Способ по п.1, в котором, по меньшей мере, один оптический компонент выбран из группы состоящей из:
a) лазера поверхностного излучения с вертикальным объемным резонатором;
b) светоизлучающего диода с объемным резонатором;
c) электрооптически модулированного лазера поверхностного излучения с вертикальным объемным резонатором; и
d) электрооптически модулированного светоизлучающего диода с объемным резонатором;
e) фотодетектора;
f) модулятора;
g) оптического фильтра; и
h) фототранзистора.
8. Способ по п.1, в котором латеральный период установки устройств на пластину на основе кремния в целое число раз больше периода установки оптических компонентов на первоначальной полупроводниковой пластине.
9. Способ по п.1, в котором прикрепление оптических компонентов на несущую пластину выполняют посредством технологии, выбранной из группы, состоящей из:
a) адгезии
b) сварки, и
c) наклеивания.
10. Способ по п.9, в котором отделение устройств от несущей пластины происходит через разложение адгезионного материала или клея, или посредством механического отделения при помощи более сильного прикрепления на обрабатываемую кремниевую пластину или иную несущую пластину.
11. Способ по п.1, в котором полости отличающихся глубин используют для селективного прикрепления.
12. Способ по п.1, в котором пьедесталы отличающихся высот используют для селективных прикреплений.
13. Способ по п.3, в котором селективное прикрепление оптических компонентов от исходной пластины на поверхность, по меньшей мере, одной промежуточной пластины происходит с последующим неселективным прикреплением оптических компонентов от, по меньшей мере, одной промежуточной пластины на поверхность пластины на основе кремния.
14. Способ по п.3, в котором неселективное прикрепление оптических компонентов от исходной пластины на поверхность, по меньшей мере, одной промежуточной пластины происходит с последующим селективным прикреплением оптических компонентов от, по меньшей мере, одной промежуточной пластины на поверхность пластины на основе кремния.
15. Способ по п.1, в котором указанный, по меньшей мере, один оптический компонент содержит полупроводниковую матрицу, дополнительно содержащий: жертвенный слой (или эквивалентно отделяемый слой), расположенный между подложкой и нижним зеркалом DBR; нижнее зеркало DBR; действующую область микро резонатора, расположенную между нижним и верхним зеркалами DBR; верхнее зеркало DBR; элементы усиления, расположенные внутри микро резонатора, чтобы генерировать оптическую электромагнитную радиацию для лазерного генерирования, в котором указанная полупроводниковая матрица вся вместе образовывает двух-электродную структуру диода VCSEL с добавленным жертвенным слоем.
16. Способ по п.15, в котором жертвенный или отделяемый слой составлен из AlAs, AlGaAs, InGaAs, InGaP, AlGaP, AlGaInP, или любого другого полупроводника или селективно оксидированного полупроводника, такого как AlAs или AlGaAs, преобразованного в AlO или AlGaO, соответственно, или иной нанесенный жертвенный слой материала.
17. Способ по п.16, в котором указанная полупроводниковая матрица дополнительно содержит один или более необязательных слоев, останавливающих травление, внутри VCSEL для облегчения точной остановки процесса травления так, чтобы экспонировать конкретный слой для размещения металла или другого этапа обработки.
18. Способ по п.17, в котором указанная полупроводниковая матрица дополнительно содержит один или более необязательных слоев AlAs или AlGaAs где-либо внутри структуры устройства с целью образования блокировки потока AlO или AlGaO и/или оптического режима апертуры волновода.
19. Способ по п.18, в котором действующая область микро резонатора содержит один или более комплект или слой квантового ограничения или структуры усиления, такие как квантовые ямы (колодцы) и/или квантовые точки.
20. Способ по п.19, в котором указанная полупроводниковая матрица является VCSEL, и в котором указанный VCSEL модифицирован в селективных областях устройства посредством одного или более этапов ионной имплантации, такой как внедрение ионизированного водорода (протоны) или оксидирование.
21. Способ по п.19, в котором указанный оптический компонент является электрооптически модулированным VCSEL (EOM VCSEL).
22. Способ по п.20, в котором решетка/матрица межсоединенных VCSELs образована посредством эффекта проксимации травления, и в котором данный стандартный блок оптических устройств подходит для размещения на, перемещения к, и/или интеграции с подложкой из инородного материала, микросхемой или иным средством.
23. Способ по п.21, в котором решетка/матрица межсоединенных EOM VCSELs образована посредством эффекта проксимации травления, и в котором данный стандартный блок оптических устройств подходит для размещения на, перемещения к, и/или интеграции с подложкой из инородного материала, микросхемой или иным средством.
24. Способ по п.20 или 21, или 22, или 23, в котором VCSELs или EOM VCSELs заменяют иными эпитаксиально выращенными оптоэлектронными устройствами, или комбинацией данных устройств, содержащих жертвенный, отделяемый и/или останавливающий травление слои такие как: оптические фильтры, модуляторы, фотодетекторы, светоизлучающие диоды объемных резонаторов, лазерные диоды торцевого излучения, фототранзисторы, и т.д.
25. Способ по п.1, в котором множество оптических устройств, отделяемых от их материнской подложки, размещают, соединяют (связывают), устанавливают по месту, отводят тепло, и или электрически соединяют с и/или интегрируют со средством из инородного материала,
где указанное средство из инородного материала, выбрано из группы, состоящей из
i) подложки из инородного материала,
ii) микросхемы,
iii) интегральной схемы, и
iv) оптической сборочной платы.
26. Способ по п.25, посредством которого один или более блоков переносимых оптических устройств размещают непосредственно на и связывают с, плавят на, и/или электрически соединяют со вторым блоком переносимых устройств, и так далее, образуя множество стековых слоев устройств.
27. Способ переноса диска VCSEL для обработки и гибридной сборки полупроводниковой матрицы, по п.25, но с использованием вакуумного зажимного приспособления для собирания и размещения VCSEL на новую подложку или иное средство из инородного материала.
28. Способ по п.27, в котором вакуумное зажимное приспособление выполнено с использованием технологий производства микро-электромеханических систем или иных технологий производства микросхем.