ЭЛЕКТРОННЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ

1. Электронный умножитель, содержащий:
подложку с поверхностью формирования канала;
слой эмиссии вторичных электронов с нижней поверхностью, обращенной к поверхности формирования канала, и поверхностью эмиссии вторичных электронов, которая противоположна нижней поверхности и испускает вторичные электроны в результате падения заряженной частицы, причем слой эмиссии вторичных электронов выполнен из первого изолирующего материала; и
слой сопротивления, расположенный между подложкой и слоем эмиссии вторичных электронов,
при этом слой сопротивления включает слой металла, в котором на поверхности формирования слоя двумерно расположено множество металлических частиц в смежном друг с другом состоянии с помещенной между этими металлическими частицами частью первого изолирующего материала, причем каждая из металлических частиц выполнена из металлического материала, значение сопротивления которого обладает положительной температурной характеристикой, причем поверхность формирования слоя совпадает с или по существу параллельна поверхности формирования канала, и
слой металла, существующий между поверхностью формирования канала и поверхностью эмиссии вторичных электронов, образован только одним слоем.
2. Электронный умножитель по п. 1, дополнительно содержащий
нижележащий слой, предусмотренный между подложкой и слоем эмиссии вторичных электронов, причем нижележащий слой имеет поверхность формирования слоя в положении, обращенном к нижней поверхности слоя эмиссии вторичных электронов, и выполнен из второго изолирующего материала.
3. Электронный умножитель по п. 2, в котором первый изолирующий материал и второй изолирующий материал отличаются друг от друга.
4. Электронный умножитель по п. 2, в котором второй изолирующий материал является изолирующим материалом, идентичным первому изолирующему материалу.
2
3
2
5. Электронный умножитель по п. 2, в котором первым изолирующим материалом является MgO, а вторым изолирующим материалом является AlO или SiO.
6. Электронный умножитель по любому из пп. 2-5, в котором слой эмиссии вторичных электронов толще нижележащего слоя касательно толщины каждого слоя, определяемой по направлению укладки стопкой от поверхности формирования канала к поверхности эмиссии вторичных электронов.
7. Электронный умножитель по любому из пп. 2-5, в котором слой эмиссии вторичных электронов тоньше нижележащего слоя касательно толщины каждого слоя, определяемой по направлению укладки стопкой от поверхности формирования канала к поверхности эмиссии вторичных электронов.
8. Электронный умножитель по любому из пп. 1-7, в котором среди множества металлических частиц, составляющих слой металла, по меньшей мере один набор смежных друг с другом металлических частиц с помещенной между этими металлическими частицами частью первого изолирующего материала удовлетворяет соотношению, при котором минимальное расстояние между упомянутым одним набором металлических частиц короче средней толщины металлических частиц, определяемой по направлению укладки стопкой от поверхности формирования канала к поверхности эмиссии вторичных электронов.
9. Электронный умножитель по любому из пп. 1-8, в котором слой сопротивления обладает температурной характеристикой в пределах диапазона, в котором значение сопротивления слоя сопротивления при температуре -60°C является кратным 2,7 или менее, а значение сопротивления слоя сопротивления при +60°C является кратным 0,3 или более значению сопротивления слоя сопротивления при температуре 20°C.