СВЕТОДИОДНЫЙ ЧИП

1. Чип (А), представляющий собой твердотельный полупроводниковый прибор, состоящий из, по крайней мере, частично, монокристаллических структур формируемых любым известным из уровня техники способом, например, методом эпитаксии, в виде совокупности слоев подложки кристалла (В), буферного слоя, активных гетероструктур, образующих зону гетероперехода (С), токораспределительных дорожек и соединенных с ними контактных площадок чипа (D) для подключения проводников, выполненный в виде призмы, по крайней мере, в виде параллелепипеда с габаритными размерами: длина, ширина и высота, где высота измеряется по направлению, соответствующему направлению роста эпитаксиальных слоев чипа на подложке кристалла, в котором при прохождении электрического тока чипа (Е) через кристалл от подложки кристалла к верхнему слою чипа, или наоборот, в активных гетероструктурах формируется оптическое излучение (F) чипа, с, по крайней мере, одной, длиной волны обусловленной свойством материалов чипа, которое выходит из чипа через, по крайней мере, одну, грань чипа, поверхность которой может иметь специально сформированную, любым известным из уровня техники способом, неровность поверхности, например, химическим травлением и/или например, обработкой лазером, например, в виде выступов и/или углублений, например, призматической формы, и/или глухих отверстий, при которой глубина неровности не достигает зоны гетероперехода (С), боковые грани (G) чипа (А) представляют собой совокупность торцевых поверхностей слоев, из которых состоит чип, отличающийся тем, что неровности на, по крайней мере, одной поверхности чипа, создаваемые для повышения выхода квантов из чипа, представляют собой систему, состоящую из, по крайней мере, одного световыводящего канала (Н), выполненного в виде углубления в поверхности чипа, представляющего, например борозду, сечение которой может иметь любую геометрическую форму, например криволинейную форму, выполняемое, любым известным из уровня техники способом, глубина которого, по крайней мере, может достигать и/или пересекать зону, по крайней мере, одного гетероперехода (С), образуемого в активных гетероструктурах, световыводящий канал (Н) выполняется с выходом углубления на боковую поверхность чипа таким образом, что в месте пересечения световыводящего канала (Н) с боковой поверхностью (G) на боковой поверхность (G) образуется профиль углубления, например, соответствующий сечению световыводящего канала (Н).