ПРИМЕНЕНИЕ КОМБИНАЦИИ ЗАКИСИ ЖЕЛЕЗА И ОКСИДОВ ТИПА ШПИНЕЛИ В КАЧЕСТВЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ОБНАРУЖЕНИЯ ИНФРАКРАСНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

1. Применение по меньшей мере одной комбинации закиси железа и феррошпинели(ей) в виде тонкой пленки в качестве чувствительного материала для болометрического обнаружения инфракрасного излучения, химический состав которой, исключая возможно присутствующие легирующие добавки, соответствует эмпирической формуле:
,
где
металлы или кислород находятся форме ионов;
Fe представляет собой одинаковые или разные катионы двухвалентного железа и/или трехвалентного железа;
M представляет собой катионы металлов, отличные от катионов двухвалентного железа;
z представляет собой число катионов металлов, отличных от катионов двухвалентного железа;
x представляет собой число строго меньше 1 и строго больше 0,75.
2. Применение по п.1, при котором указанный материал является однофазным, имеет структуру типа NaCl и соответствует структурной формуле:
,
где
, представляет собой "агрегаты типа шпинели" и
-  представляет собой матрицу закиси железа типа NaCl, в которой диспергированы агрегаты типа шпинели, причем
β представляет собой число катионов M, отличных от ионов двухвалентного железа, внутри "агрегатов типа шпинели";
α представляет собой число единиц формулы , содержащихся в совокупности "агрегатов типа шпинели" и
M, Fe и O являются такими, как определено в п.1.
3. Применение по любому из пп.1 и 2, при котором z удовлетворяет условию 1-z>z, более конкретно 1-z>2z.
4. Применение по п.1, при котором x удовлетворяет условию 0,85≤x<1, в частности 0,85≤x≤0,95, более конкретно 0,85≤x≤0,90.
5. Применение по п.1, при котором указанный материал является двухфазным и определен следующим образом;
где:
представляет собой фазу закиси железа типа NaCl;
представляет собой фазу оксида типа шпинели, причем:
v представляет собой число катионов M, отличных от ионов двухвалентного железа, присутствующих внутри фазы закиси железа;
y представляет собой число катионов M, отличных от ионов двухвалентного железа, присутствующих внутри шпинелевой фазы;
s представляет собой число строго меньше 1 и строго больше 0,75 и
ω представляет собой число, удовлетворяющее условию 0<ω<1;
M, Fe и O, являются такими, как определено в п.1.
6. Применение по п.5, при котором v удовлетворяет условию 1-v>v, в частности 1-v>2v.
2
3
7. Применение по п.1, при котором указанный материал также содержит полуторный оксид железа, в частности α-FeO.
8. Применение по п.1, при котором катион металла M является одновалентным и выбран из Cu, Li, Na или двухвалентным и выбран из Co, Ni, Zn, Cu, V, Mg, Mn, или же катион металла выбран из редкоземельных металлов, имеющих ионный радиус, допускающий включение в структуру типа шпинели или в структуру закиси железа типа NaCl.
9. Болометрическое устройство для обнаружения инфракрасного излучения или для формирования инфракрасного изображения, содержащее по меньшей мере один сенсор, снабженный чувствительным элементом в форме тонкой пленки по любому из пп.1-8.
10. Болометрическое устройство по п.9, в котором указанная тонкая пленка имеет толщину в диапазоне от 10 до 500 нм.
11. Болометрическое устройство по любому из пп.9 или 10, в котором указанный сенсор, помещенный в корпус, включающий прозрачную для инфракрасного излучения зону диафрагмы, содержит мембрану, которая способна поглощать инфракрасное излучение и превращать его в тепло, причем указанная мембрана установлена с возможностью того, чтобы на нее попадало падающее инфракрасное излучение, прошедшее через зону диафрагмы, а также с возможностью передавать часть полученного тепла на указанный чувствительный элемент.
12. Устройство по п.9, включающее множество указанных сенсоров в форме матрицы пикселей.
13. Устройство по п.12, в котором указанная матрица соединена с матрицей приборов с зарядовой связью (ПЗС-матрицей) или комплиментарной металл-оксид-полупроводникои матрицей (КПОМ-матрицей).
14. Способ обнаружения инфракрасного излучения или получения инфракрасного изображения с применением болометрического устройства, способного к поглощению падающего излучения, превращению его в тепло и передаче части полученного тепла на чувствительный элемент, удельное сопротивление которого изменяется с температурой, причем указанное устройство представляет собой устройство, которое определено в любом из пп.9-13.