УСТРОЙСТВО ХРАНЕНИЯ ДАННЫХ

1. Энергонезависимое электрическое устройство хранения данных, содержащее блок (10) памяти в форме карты и блок (11) считывания/записи, выполненные в виде физически разделенных блоков, причем блок (10) памяти содержит сплошной или разделенный на отдельные участки запоминающий слой (4) из запоминающего материала, способного находиться, по меньшей мере, в двух различимых физических состояниях и/или устанавливаться в одно из указанных состояний или переключаться между ними при приложении к нему электрического поля, тогда как указанные, по меньшей мере, два различимые физические состояния различаются значениями сопротивления или поляризации, а электрическое поле прикладывается в заданных точках и в заданных направлениях, определяя тем самым в заданных позициях в объеме запоминающего материала ячейки памяти, имеющие заданную протяженность, для хранения данных, задаваемых в форме логического значения, приписанного различимому физическому состоянию, в которое устанавливается соответствующая ячейка памяти приложенным к ней электрическим полем, а указанное логическое значение может быть определено и считано приложением к ячейке памяти разности потенциалов, при этом:
блок (10) памяти содержит:
один или более линейных массивов ячеек памяти, образованных в указанном, сплошном или разделенном на отдельные участки, запоминающем слое (4);
один или более нижних электродов (2), связанных с нижней поверхностью запоминающего слоя (4), причем единственный или каждый нижний электрод (2) содержит одно контактное средство (90 и находится в контакте, по меньшей мере, с одной ячейкой памяти, но не более чем со всеми ячейками памяти одного линейного массива ячеек памяти, и
множество верхних электродов (5), расположенных над верхней поверхностью запоминающего слоя и взаимодействующих с ней, причем каждый из верхних электродов находится в контакте, по меньшей мере, с одной ячейкой памяти, но не более чем со всеми ячейками памяти одного линейного массива ячеек памяти;
ячейка памяти образована в запоминающем слое (4) между скрещенным нижним и верхним электродами (2, 5);
блок (11) считывания/записи содержит контактные средства (12), имеющие геометрическую конфигурацию, соответствующую геометрической конфигурации контактных средств (9) блока (10) памяти, с обеспечением тем самым возможности прямого электрического соединения блока (11) считывания/записи и блока (10) памяти при установлении взаимного сопряжения указанных блоков, причем указанное электрическое соединение обеспечивает замыкание электрического контура, в который включена каждая ячейка памяти, создавая тем самым условия для приложения к ней разности потенциалов с целью осуществления в зависимости от знака и уровня указанной разности потенциалов операций считывания/записи и стирания данных в ячейках памяти.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что каждый верхний электрод (5) содержит одно контактное средство (92).
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что все контактные средства (9) блока (10) памяти расположены вне области, занятой запоминающим слоем (4).
4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что блок (10) памяти содержит более одного линейного массива ячеек памяти, причем линейные массивы ячеек памяти образуют строки и столбцы прямоугольной или квадратной матрицы.
5. Устройство по п.4, отличающееся тем, что один и тот же нижний электрод (2) находится в контакте с парой ячеек памяти, причем одна ячейка памяти указанной пары является элементом одного из указанных линейных массивов, а вторая - элементом другого линейного массива, смежного с указанным линейным массивом.
6. Устройство по п.4, отличающееся тем, что каждой строке и каждому столбцу линейных массивов ячеек памяти в прямоугольной или квадратной матрице соответствует общий нижний электрод (2) и каждому столбцу или строке линейных массивов ячеек памяти в прямоугольной или квадратной матрице соответствует общий верхний электрод (5).
7. Устройство по п.4, отличающееся тем, что контактное средство каждого электрода (2, 5) расположено вдоль краев матрицы вне области, занятой запоминающим слоем (4), причем общее количество контактных средств (9) равно сумме количеств строк и столбцов указанной матрицы.
8. Устройство по п.4, отличающееся тем, что контактные средства нижних и верхних электродов (2, 5) расположены в форме матрицы (15) контактных средств на блоке (10) памяти вне области, занятой запоминающим слоем (4), причем общее количество контактных средств (9) равно сумме количеств строк и столбцов матрицы, образованной линейными массивами ячеек памяти, а каждое из контактных средств в составе матрицы контактных средств электрически связано с соответствующим верхним или нижним электродом (2, 5).
1
2
9. Устройство по п.1, отличающееся тем, что контактные средства (9) нижних электродов (2) расположены, с возможностью доступа к ним, на одной поверхности блока памяти, а контактные средства (9) верхних электродов (5) расположены с возможностью доступа к ним на другой противоположной поверхности блока памяти.
10. Устройство по п.1, отличающееся тем, что контактные средства (9) и нижних, и верхних электродов (2, 5) расположены с возможностью доступа к ним на одной поверхности блока (10) памяти.
11. Устройство по п.1, отличающееся тем, что контактные средства (12) блока (11) считывания/записи выполнены с возможностью подключения к ним драйверных, распознающих и управляющих средств, находящихся в блоке считывания/записи или в подключенном к нему периферийном блоке.
12. Устройство по п.1, отличающееся тем, что блок (11) считывания/записи выполнен с возможностью взаимодействия с блоком памяти при стационарном физическом контакте между ними или при их взаимном движении со скольжением при наличии физического контакта.
13. Устройство по п.12, отличающееся тем, что движение со скольжением при наличии физического контакта обеспечивается линейным перемещением блока памяти относительно блока (11) считывания/записи или наоборот.
14. Устройство по п.12, отличающееся тем, что блок (11) считывания/записи выполнен в виде стационарного блока типа устройства для считывания с карт в составе терминального устройства.
15. Устройство по п.14, отличающееся тем, что контактная поверхность содержит направляющее средство (16) для блока памяти.
16. Устройство по п.1, отличающееся тем, что блок (11) считывания/записи выполнен в виде перемещаемого устройства.
17. Устройство по п.1, отличающееся тем, что блок (11) считывания/записи выполнен в виде устройства, удерживаемого рукой.
18. Устройство по п.5, отличающееся тем, что контактные средства (12) блока (11) считывания/записи сформированы в его контактной поверхности, выполненной с возможностью сопряжения с контактными средствами (9) блока (10) памяти в стационарном состоянии или при их взаимном движении со скольжением при наличии физического контакта.
19. Устройство по п.1, отличающееся тем, что запоминающий материал является ферроэлектрическим или электретным материалом, способным поляризоваться в любом из двух противоположных направлений и обладающим гистерезисом, а данные, хранящиеся в ячейках памяти, сформированных в ферроэлектрическом или электретном запоминающем материале, задаются приписыванием логического значения каждому из состояний остаточной поляризации.
20. Устройство по п.19, отличающееся тем, что ферроэлектрический или электретный запоминающий материал является неорганическим керамическим материалом типа перовскита, олигомером, полимером или сополимером, таким как поли(винилиденфторид-трифторэтилен).
21. Устройство по п.1, отличающееся тем, что запоминающий материал является резистивным диэлектрическим материалом с линейной или нелинейной характеристикой активного сопротивления, значение которого может быть задано приложением к материалу соответствующей разности потенциалов или соответствующего электрического поля, с обеспечением возможностей хранения данных в ячейках памяти в форме различных значений указанного активного сопротивления, которым приписаны различные логические значения, а также считывания и распознавания хранящихся логических значений приложением к запоминающему материалу соответствующей разности потенциалов, не приводящей к изменению установленного значения активного сопротивления ячейки памяти.
22. Устройство по п.21, отличающееся тем, что резистивный запоминающий материал является соединением фталоцианина, органическим соединением на основе небольшой молекулы, металлорганической солью типа M(TCNQ), олигомером, полимером или сополимером.
23. Устройство по п.21, отличающееся тем, что содержит слой неорганического или органического полупроводникового материала, примыкающего к слою резистивного запоминающего материала, так что в области контакта слоя полупроводникового материала с материалом электродов сформирован диодный переход.