СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА И ИЗГОТОВЛЕННЫЙ С ПОМОЩЬЮ ЭТОГО СПОСОБА СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ

1. Способ изготовления солнечного элемента, содержащий этап формирования на поверхности полупроводниковой подложки просветляющей пленки, состоящей из нитрида кремния, с использованием установки плазмохимического осаждения из газовой фазы с удаленной плазмой, отличающийся тем, что
упомянутая установка плазмохимического осаждения из газовой фазы с удаленной плазмой включает в себя камеру осаждения, где полупроводниковая подложка размещается с возможностью транспортировки, множество расположенных над камерой осаждения плазменных камер в проточном сообщении с ней, при этом каждая выполнена с возможностью генерирования потока плазмы газообразного аммиака, введения газообразного силана в поток плазмы и инжектирования потока плазмы в камеру осаждения, и регулятор расхода, связанный с плазменными камерами, для регулирования соотношения расходов газообразного аммиака и газообразного силана, вводимых в каждую плазменную камеру,
первый слой нитрида кремния осаждается на полупроводниковую подложку из потока плазмы из первой плазменной камеры, а по мере того как подложка перемещается под вторую плазменную камеру, осаждается второй слой нитрида кремния с составом, отличным от состава первого слоя нитрида кремния, из потока плазмы с другим соотношением расходов газообразного аммиака и газообразного силана, чем в первой плазменной камере.
2. Способ изготовления солнечного элемента по п. 1, в котором соотношение расходов газообразного аммиака и газообразного силана (расход газообразного аммиака/расход газообразного силана) в первой плазменной камере составляет 0,1-1,0.
3. Способ изготовления солнечного элемента по п. 2, в котором соотношение расходов газообразного аммиака и газообразного силана (расход газообразного аммиака/расход газообразного силана) во второй плазменной камере составляет 1,5-3,0.
4. Способ изготовления солнечного элемента по любому из пп. 1-3, в котором полупроводниковая подложка представляет собой кремниевую подложку одного типа проводимости с диффузионным слоем противоположного типа проводимости, сформированным на поверхности подложки, которая предназначена быть светопринимающей поверхностью, а просветляющая пленка формируется на этом диффузионном слое.
5. Способ изготовления солнечного элемента по любому из пп. 1-3, в котором полупроводниковая подложка представляет собой кремниевую подложку одного типа проводимости с диффузионным слоем такого же типа проводимости, сформированным на по меньшей мере участке поверхности подложки, которая предназначена быть поверхностью, отдаленной от светопринимающей поверхности, а просветляющая пленка формируется на этой несущей диффузионный слой поверхности.
6. Солнечный элемент, изготовленный способом по любому из пп. 1-5.