III-НИТРИДНОЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО СО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЙ ОБЛАСТЬЮ С ДВОЙНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРОЙ

1. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее:
область n-типа;
область p-типа; и
III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, при этом:
18
-3
19
-3
III-нитридный светоизлучающий слой легирован до концентрации легирующей примеси от 6·10 см до 5·10 см;
III-нитридный светоизлучающий слой имеет толщину от 50 до 250 Å; и
III-нитридный светоизлучающий слой выполнен с возможностью излучения света, имеющего максимум на длине волны длиннее, чем 390 нм.
2. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой представляет собой InGaN.
3. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.2, в котором содержание InN в светоизлучающем слое является градиентным.
4. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой представляет собой AlInGaN.
9
2
5. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет концентрацию винтовых дислокаций меньше, чем 10/см.
8
2
6. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет концентрацию винтовых дислокаций меньше, чем 10/см.
7
2
7. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет концентрацию винтовых дислокаций меньше, чем 10/см.
6
2
8. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет концентрацию винтовых дислокаций меньше, чем 10/см.
9. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет градиентную концентрацию легирующей примеси.
19
-3
19
-3
10. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет концентрацию легирующей примеси от от 1·10 см до 5·10 см.
11. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.10, в котором светоизлучающий слой выполнен с возможностью излучения света, имеющего максимум на длине волны от 440 до 460 нм.
18
-3
19
-3
12. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет концентрацию легирующей примеси от от 6·10 см до 2·10 см.
13. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.12, в котором светоизлучающий слой выполнен с возможностью излучения света, имеющего максимум на длине волны от 420 до 440 нм.
14. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором светоизлучающий слой имеет толщину от 75 до 150Å.
15. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, дополнительно содержащее:
первый разделительный слой, расположенный между областью n-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, при этом первый разделительный слой находится в непосредственном контакте с III-нитридным светоизлучающим слоем; и
второй разделительный слой, расположенный между областью p-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, причем, второй разделительный слой находится в непосредственном контакте с III-нитридным светоизлучающим слоем;
18
-3
причем каждый из первого и второго разделительных слоев специально не легирован или легирован до концентрации легирующей примеси ниже, чем 6·10 см.
16. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором III-нитридный светоизлучающий слой легирован донорной примесью Si n-типа.
17. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, в котором III-нитридный светоизлучающий слой легирован легирующей примесью одного вида.
18. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, дополнительно содержащее подготовительный слой InGaN, расположенный между областью n-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем.
19. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.1, дополнительно содержащее запирающий слой, расположенный между областью p-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, при этом, запирающий слой имеет ширину запрещенной зоны больше, чем 3,5 эВ.
20. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее:
область n-типа;
область p-типа;
18
-3
19
-3
III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, при этом III-нитридный светоизлучающий слой легирован до концентрации легирующей примеси от 6·10 см до 5·10 см, III-нитридный светоизлучающий слой имеет толщину от 50 до 600 Å, и III-нитридный светоизлучающий слой выполнен с возможностью излучения света, имеющего максимум на длине волны длиннее, чем 390 нм.
первый разделительный слой, расположенный между областью n-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, причем первый разделительный слой находится в непосредственном контакте с III-нитридным светоизлучающим слоем; и
второй разделительный слой, расположенный между областью p-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, причем, второй разделительный слой находится в непосредственном контакте с III-нитридным светоизлучающим слоем;
18
-3
19
-3
причем один из первого и второго разделительных слоев легирован до концентрации легирующей примеси от 6·10 см до 5·10 см.
21. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, в котором:
18
-3
19
-3
первый разделительный слой легирован до концентрации легирующей примеси от 6·10 см до 5·10 см; и
18
-3
второй разделительный слой специально не легирован или легирован до концентрации легирующей примеси ниже, чем 6×10 см.
22. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, в котором:
18
-3
первый разделительный слой специально не легирован или легирован до концентрации легирующей примеси ниже, чем 6·10 см; и
18
-3
19
-3
второй разделительный слой легирован до концентрации легирующей примеси от 6·10 см до 5·10 см.
23. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, в котором III-нитридный светоизлучающий слой представляет собой InGaN.
24. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.23, в котором содержание InN в светоизлучающем слое является градиентным.
25. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, в котором каждый из первого и второго светоизлучающих слоев имеют толщину от 20 до 1000 Å.
26. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, в котором и первый и второй светоизлучающие слои представляют собой GaN.
27. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, в котором светоизлучающий слой представляет собой AlInGaN.
28. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, дополнительно содержащее контакты, электрически соединенные с областью n-типа и областью p-типа.
29. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, в котором один из первого и второго разделительных слоев имеет градиентную концентрацию легирующей примеси.
30. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, в котором участок области n-типа легирован до концентрации легирующей примеси, по существу, такой же, как концентрация легирующей примеси в светоизлучающем слое.
31. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, дополнительно содержащее подготовительный слой InGaN, расположенный между областью n-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем.
32. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.20, дополнительно содержащее запирающий слой, расположенный между областью p-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, при этом запирающий слой имеет ширину запрещенной зоны больше, чем 3,5 эВ.
33. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее:
область n-типа;
область p-типа;
III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, при этом:
III-нитридный светоизлучающий слой имеет толщину от 50 до 600 Å; и
III-нитридный светоизлучающий слой выполнен с возможностью излучения света, имеющего максимум на длине волны длиннее, чем 390 нм; и
запирающий слой, расположенный между областью p-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, причем первый запирающий слой имеет ширину запрещенной зоны больше, чем 3,5 эВ.
2
2
34. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.33, в котором отношение фотонов, выводимых из устройства, к току, подаваемому в устройство, когда в устройство подается 200 А/см, больше, чем отношение фотонов, выводимых из устройства, к току, подаваемому в устройство, когда в устройство подается 20 А/см.
35. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.33, в котором светоизлучающий слой представляет собой InGaN.
36. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.35, в котором содержание InN в светоизлучающем слое является градиентным.
37. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.33, в котором запирающий слой представляет собой AlGaN.
38. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.37, в котором запирающий слой имеет содержание AlN от 8 до 30%.
2
2
39. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.33, в котором разность между длиной волны в максимуме излучения света, излучаемого светоизлучающим слоем, когда в устройство подается 930 А/см, и длиной волны в максимуме излучения света, излучаемого светоизлучающим слоем, когда в устройство подается 20 А/см, составляет меньше, чем 5 нм.
2
2
40. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.33, в котором разность между длиной волны в максимуме излучения света, излучаемого светоизлучающим слоем, когда в устройство подается 200 А/см, и длиной волны в максимуме излучения света, излучаемого светоизлучающим слоем, когда в устройство подается 20 А/см, составляет меньше, чем 3 нм.
41. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.33, дополнительно содержащее подготовительный слой InGaN, расположенный между областью n-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем.
42. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее:
область n-типа;
область p-типа;
III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, при этом:
III-нитридный светоизлучающий слой имеет толщину от 50 Ангстрем до 600 Ангстрем; и
III-нитридный светоизлучающий слой выполнен с возможностью излучения света, имеющего максимум на длине волны длиннее, чем 390 нм; и
подготовительный слой InGaN, расположенный между областью n-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем.
43. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.42, в котором III-нитридный светоизлучающий слой представляет собой InGaN.
44. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.43, в котором содержание InN в светоизлучающем слое является градиентным.
45. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.42, в котором подготовительный слой имеет содержание InN от 2 до 12%.
46. Полупроводниковое светоизлучающее устройство по п.42, в котором подготовительный слой имеет содержание InN от 2 до 6%.
47. Полупроводниковое светоизлучающее устройство, содержащее:
область n-типа;
область p-типа;
18
-3
III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа, при этом, III-нитридный светоизлучающий слой имеет толщину от 50 до 600 Å, III-нитридный светоизлучающий слой специально не легирован или легирован до концентрации легирующей примеси ниже, чем 6·10 см;
первый разделительный слой, расположенный между областью n-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, причем первый разделительный слой находится в непосредственном контакте с III-нитридным светоизлучающим слоем; и
второй разделительный слой, расположенный между областью p-типа и III-нитридным светоизлучающим слоем, причем второй разделительный слой находится в непосредственном контакте с III-нитридным светоизлучающим слоем; причем:
18
-3
19
-3
каждый из первого и второго разделительных слоев легирован до концентрации легирующей примеси от 6·10 см до 5·10 см; и
первый и второй разделительные слои легированы легирующими примесями с одинаковым типом проводимости.