Многокристальный модуль оперативного запоминающего устройства

Полезная модель относится к области электронного приборостроения и может быть использована при разработке оперативных запоминающих устройств (ОЗУ).
Известен многокристальный модуль, содержащий монтажную подложку с металлизированными контактными площадками и размещенными на ней кристаллами бескорпусных микросхем (см. ОСТ В 11 1009-2001, стандарт отрасли, Общие технические условия 22 ЦНИИИ МО, 2001; Philip Е. Garrou and Iwona Turlik, Multichip Module Technology Handbook, McGrow-Hill, New York, 1998, p. 5.1; Advanced Electronic Packaging, Edited by W.D. Brown, The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc., New York, 1998, p. 42)
Однако данное устройство обладает существенным недостатком: оно не обеспечивает достаточного быстродействия ОЗУ, обладает неудовлетворительными массогабаритными покгйателями.
Техническая задача, решаемая полезной моделью, заключается в обеспечении более высокого быстродействия и расширении функциональных возможностей ОЗУ при одновременном снижении массогабаритных показателей устройства.
Указанная техническая задача решается тем, что в многокристальном модуле оперативного запоминающего устройства, содержащем монтажную подложку, снабженную металлизированными контактными площадками и размещенными на ней кристаллами бескорпусных микросхем, в качестве монтажной подложки использована пластина монокристаллического кремния с многоуровневой коммутационной системой, а микросхемы выполнены в виде бескорпусных элементов.
Предлагаемая полезная модель поясняется следующими чертежами фиг. 1. Фиг. 1 - вид сверху.
Многокристальный модуль оперативного запоминающего устройства содержит монтажную подложку, выполненную из пластины монокристаллического кремния с многоуровневой коммутационной системой, на которой смонтированы кристаллы бескорпусных микросхем. Кремниевая монтажная подложка 1 (фиг. 1) выполнена из пластины монокристаллического кремния с высоким удельным сопротивлением, на поверхности которой с использованием традиционных методов планарной технологии сформирована многоуровневая коммутационная система, содержащая контактные площадки 2 (фиг. 1), предназначенные для коммутирования подложки многокристального модуля с внешними устройствами, и контактные площадки 3 (фиг. 1), служащие для разварки балочных выводов кристаллов бескорпусных микросхем 4 (фиг. 1).
кремниевой монтажной подложки традиционными способами сборки, используемыми в технологии микроэлектроники.
Коммутационные шины многоуровневой коммутационной системы, обеспечивающие коммутацию элементов многокристального модуля выполнены путем фотолитографической обработки напылённых пленок проводящего материала, в качестве которого использованы легированный поликристаллический кремний, алюминий, медь, молибден, золото и др. Шины многоуровневой коммутационной системы, размещаемые в нескольких уровнях, изолированы друг от друга слоями диэлектрического материала, в качестве которого могут использоваться, например, слои диоксида и нитрида кремния или окиси алюминия.
Увеличение быстродействия ОЗУ обусловлено уменьшением паразитного влияния активных и пассивных элементов коммутационных щин, достигаемым вследствие уменьщения их геометрических размеров.
Уменьшение массогабаритных показателей устройства достигается за счет использования монтажной подложки, в качестве материала которой использована пластина монокристаллического кремния, что позволяет использовать традиционные методы планарной технологии для формирования элементов коммутационной системы.
Расширение функциональных возможностей достигается за счет использования в качестве материала монтажной подложки пластины монокристаллического кремния, что позволяет значительно повысить плотность размещения кристаллов бескорпусных микросхем, а также использовать в его конструкции микросхемы, различные по функциональному назначению.
Предлагаемая полезная модель работает следующим образом. Многокристальный модуль в составе функционально законченного устройства подключается к источнику питания.
Через дешифратор на адресные шины по заданному алгоритму производится запись логической единицы и/или логического нуля. Записанная таким образом информация хранится в течение времени, определяемого параметрами запоминающих ячеек. Затем с помощью сигнала разрещения, подаваемого на определенные контактные площадки многоуровневой коммутационной системы многокристального модуля, производится считывание информации, которая с шины данных поступает через дешифратор на исполнительное устройство.
Предлагаемая полезная модель позволяет повысить быстродействие ОЗУ в 2-3 раза и уменьшить массогабаритные показатели.