УСТРОЙСТВО МАГНИТОРЕЗИСТИВНОЙ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ С СОВМЕСТНО ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИНИЕЙ ИСТОКА

1. Устройство памяти, содержащее:
первую ячейку памяти;
вторую ячейку памяти;
первую битовую линию, соединенную с первой ячейкой памяти;
вторую битовую линию, соединенную со второй ячейкой памяти; и
линию истока, соединенную с первой ячейкой памяти и соединенную со второй ячейкой памяти.
2. Устройство памяти по п.1, в котором первая ячейка памяти и вторая ячейка памяти содержат устройства магнитного туннельного перехода (MTJ).
3. Устройство памяти по п.1, дополнительно содержащее числовую шину, соединенную с по меньшей мере одной из первой ячейки памяти и второй ячейки памяти.
4. Устройство памяти по п.1, в котором, в течение чтения первой ячейки памяти, первая битовая линия несет первое напряжение, вторая битовая линия несет второе напряжение, и линия истока несет третье напряжение.
5. Устройство памяти по п.4, в котором второе напряжение и третье напряжение являются, по существу, одинаковыми.
6. Устройство памяти по п.4, в котором разница между вторым напряжением и третьим напряжением имеет величину, не достаточную для разрушения второй ячейки памяти.
7. Устройство памяти по п.1, в котором первая битовая линия является отличной от второй битовой линии.
8. Устройство памяти, содержащее:
первую ячейку памяти, содержащую первое устройство магнитного туннельного перехода (MTJ) и первый транзистор;
вторую ячейку памяти, содержащую второе устройство MTJ и второй транзистор;
первый проводник, соединенный с первым выводом затвора первого транзистора и соединенный со вторым выводом затвора второго транзистора; и
второй проводник, соединенный с первым выводом истока первого транзистора и соединенный со вторым выводом истока второго транзистора.
9. Устройство памяти по п.8, дополнительно содержащее:
третий проводник, соединенный с первым устройством MTJ; и
четвертый проводник, соединенный со вторым устройством MTJ.
10. Устройство памяти по п.9, в котором третий проводник представляет собой первую битовую линию, и в котором четвертый проводник представляет собой вторую битовую линию.
11. Устройство памяти по п.8, в котором первый проводник представляет собой числовую шину.
12. Устройство памяти по п.11, в котором второй проводник представляет собой линию истока.
13. Устройство памяти по п.12, в котором линия истока является активной в течение операций чтения и в течение операций записи.
14. Устройство памяти, содержащее:
первую ячейку памяти, содержащую первое устройство магнитного туннельного перехода (MTJ) и второе устройство MTJ;
вторую ячейку памяти, содержащую третье устройство MTJ и четвертое устройство MTJ;
первую битовую линию, связанную с первой ячейкой памяти;
вторую битовую линию, связанную со второй ячейкой памяти; и
линию истока, соединенную с первой ячейкой памяти и соединенную со второй ячейкой памяти.
15. Устройство памяти по п.14, в котором первая ячейка памяти содержит первый транзистор, соединенный с первым устройством MTJ, и второй транзистор, соединенный со вторым устройством MTJ, и в котором линия истока соединена с по меньшей мере одним из первого транзистора и второго транзистора.
16. Устройство памяти по п.15, в котором вторая ячейка памяти содержит третий транзистор, соединенный с третьим устройством MTJ, и четвертый транзистор, соединенный с четвертым устройством MTJ, и в котором линия истока соединена с по меньшей мере одним из третьего транзистора и четвертого транзистора.
17. Устройство памяти по п.16, в котором первая ячейка памяти и вторая ячейка памяти, каждая, соединены с числовой шиной.
18. Устройство памяти по п.17, в котором числовая шина соединена с управляющим выводом каждого из первого, второго, третьего и четвертого транзисторов.
19. Способ использования совместно используемой линии истока с множеством блоков устройства памяти, причем способ содержит:
подачу тока в линию истока в течение операции с данными устройства памяти, причем линия истока соединена с первым блоком хранения данных и вторым блоком хранения данных устройства памяти.
20. Способ по п.19, в котором первый блок хранения данных представляет собой первую ячейку памяти, содержащую одно устройство магнитного туннельного перехода (MTJ).
21. Способ по п.19, в котором первый блок хранения данных представляет собой объединенную ячейку, содержащую множество комплементарных устройств магнитного туннельного перехода MTJ, причем множество комплементарных устройств MTJ, каждое, содержат первое устройство MTJ для хранения первого элемента данных и второе устройство MTJ для хранения второго элемента данных.
22. Способ по п.19, в котором выходные данные первого блока хранения данных и второго блока хранения данных подаются на мультиплексор.
23. Способ по п.19, в котором операция с данными представляет собой одну из операции чтения данных и операции записи данных.