СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТВЕРДОГО ЭЛЕКТРОЛИТА НА ОСНОВЕ LGPS

1. Способ получения твердого электролита на основе LGPS, включающий:
3
4
4
4
-1
смешивание кристаллов LiPS, имеющих пик на рамановском спектре при 420±10 см, и кристаллов LiMS (М выбран из группы, состоящей из Ge, Si и Sn) при сохранении кристаллов для синтеза предшественника; и
термическую обработку предшественника при температуре от 300 до 700°С.
4
4
2
2
2. Способ по п. 1, включающий синтез кристаллов LiMS из кристаллов LiS и сульфидных кристаллов, представленных структурой MS (М выбран из группы, состоящей из Ge, Si и Sn).
3. Способ получения твердого электролита на основе LGPS, включающий:
3
4
2
2
-1
смешивание кристаллов LiPS, имеющих пик на рамановском спектре при 420±10 см, кристаллов LiS и сульфидных кристаллов, представленных структурой MS (М выбран из группы, состоящей из Ge, Si и Sn), при сохранении кристаллов для синтеза предшественника; и
термическую обработку предшественника при температуре от 300 до 700°С.
4. Способ по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что твердый электролит на основе LGPS имеет пики при по меньшей мере 2θ=20,18°±0,50°, 20,44°±0,50°, 26,96°±0,50° и 29,58°±0,60° на диаграмме рентгеновской дифракции (CuKα: λ=1,5405 ).
A
B
B
A
5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что когда интенсивность дифракции пика при 2θ=29,58°±0,60° обозначена как I, и интенсивность дифракции пика при 2θ=27,33°±0,50° обозначена как I, то I/I составляет менее 0,50.
1
2
1
2
6. Способ по любому из пп. 1-5, отличающийся тем, что твердый электролит на основе LGPS содержит октаэдр О, состоящий из элемента Li и элемента S, тетраэдр T, состоящий из по меньшей мере одного элемента, выбранного из группы, состоящей из Р, Ge, Si и Sn, и элемента S, и тетраэдр Т, состоящий из элемента Р и элемента S, и имеет, главным образом, кристаллическую структуру, в которой тетраэдр T и октаэдр О имеют общее ребро, и тетраэдр Т и октаэдр О имеют общую вершину.
3
4
3
4
7. Способ по любому из пп. 1-6, отличающийся тем, что кристаллы LiPS представляют собой кристаллы β-LiPS.
8. Способ по любому из пп. 1-7, отличающийся тем, что термическую обработку проводят в атмосфере инертного газа.