Способ изготовления полупроводникового прибора

13
-2
13
-2
Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы создания активных областей прибора и подзатворного диэлектрика, отличающийся тем, что после формирования подзатворного диэлектрика последовательно проводят легирование окисла ионами бора с энергией 55 кэВ, дозой 3·10 см и ионами фтора с энергией 55 кэВ, дозой 1·10 см с последующим отжигом при температуре 900°C в течение 15 мин в среде азота.