НИТРИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Способ получения нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента с перевернутым кристаллом, включающего в себя структуру нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента, имеющего слой нитридного полупроводника n-типа и слой нитридного полупроводника р-типа, которые нанесены на подложку, а также участок соединения электрода n-стороны с нитридным полупроводниковым слоем n-типа и участок соединения электрода р-стороны со слоем нитридного полупроводника р-типа на одной и той же плоской стороне подложки, электрод n-стороны, соединенный с участком соединения электрода n-стороны, и электрод р-стороны, соединенный с участком соединения электрода р-стороны; и металлические столбиковые выводы, сформированные на электроде n-стороны и электроде р-стороны,
содержащий последовательные этапы:
этап формирования защитного слоя, состоящий в формировании на структуре нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента изолирующего защитного слоя;
этап формирования первой структуры резиста, состоящий в формировании первой структуры резиста, имеющей отверстия над участком соединения электрода n-стороны и участком соединения электрода р-стороны;
этап вытравливания защитного слоя, состоящий в вытравливании защитного слоя с использованием первой структуры резиста в качестве маски с тем, чтобы открыть участок соединения электрода n-стороны и участок соединения электрода р-стороны;
этап формирования первого металлического слоя, состоящий в формировании первого металлического слоя, который образует электрод n-стороны и электрод р-стороны, на участке соединения электрода n-стороны, участке соединения электрода р-стороны и первой структуре резиста;
этап формирования второй структуры резиста, состоящий в формировании второй структуры резиста, имеющей отверстия над отверстиями первой структуры резиста,
этап формирования второго металлического слоя, состоящий в формировании второго металлического слоя, который образует металлические столбиковые выводы, методом электролитического осаждения с использованием первого металлического слоя в качестве электрода для электролитического осаждения; и
этап удаления структуры резиста, состоящий в удалении первой структуры резиста и второй структуры резиста.
2. Способ получения нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента с перевернутым кристаллом, включающего в себя: структуру нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента, имеющего слой нитридного полупроводника n-типа и слой нитридного полупроводника р-типа, которые нанесены на подложку, а также участок соединения электрода n-стороны с нитридным полупроводниковым слоем n-типа и участок соединения электрода р-стороны со слоем нитридного полупроводника р-типа на одной и той же плоской стороне подложки, электрод n-стороны, соединенный с участком соединения электрода n-стороны, и электрод р-стороны, соединенный с участком соединения электрода р-стороны; и металлические столбиковые выводы, сформированные на электроде n-стороны и электроде р-стороны,
содержащий последовательные этапы:
этап формирования защитного слоя, состоящий в формировании изолирующего защитного слоя на структуре нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента;
этап формирования структуры резиста, состоящий в формировании структуры резиста, имеющей отверстия над участком соединения электрода n-стороны и участком соединения электрода р-стороны;
этап вытравливания защитного слоя, состоящий в вытравливании защитного слоя с использованием структуры резиста в качестве маски с тем, чтобы открыть участок соединения электрода n-стороны и участок соединения электрода р-стороны;
этап формирования первого металлического слоя для формирования первого металлического слоя, который образует электрод n-стороны и электрод р-стороны, на участке соединения электрода n-стороны, участке соединения электрода р-стороны и структуре резиста;
этап формирования второго металлического слоя для формирования второго металлического слоя, который образует металлические столбиковые выводы, методом электролитического осаждения с использованием первого металлического слоя в качестве электрода для электролитического осаждения; и
этап удаления структуры резиста для удаления структуры резиста.
3. Способ получения нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента с перевернутым кристаллом, включающего в себя: структуру нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента, имеющего слой нитридного полупроводника n-типа и слой нитридного полупроводника р-типа, которые нанесены на подложку, а также участок соединения электрода n-стороны с нитридным полупроводниковым слоем n-типа, и участок соединения электрода р-стороны со слоем нитридного полупроводника р-типа на одной и той же плоской стороне подложки, электрод n-стороны, соединенный с участком соединения электрода n-стороны и электрод р-стороны, соединенный с участком соединения электрода р-стороны; и металлические столбиковые выводы, сформированные на электроде n-стороны и электроде р-стороны,
содержащий последовательные этапы:
этап формирования защитного слоя, состоящий в формировании изолирующего защитного слоя на структуре нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента;
этап формирования первой структуры резиста для формирования первой структуры резиста, имеющей отверстия над участком соединения электрода n-стороны и над участком соединения электрода р-стороны;
этап вытравливания защитного слоя для вытравливания защитного слоя с использованием первой структуры резиста в качестве маски с тем, чтобы открыть участок соединения электрода n-стороны и участок соединения электрода р-стороны,;
этап формирования первого металлического слоя, состоящий в формировании первого металлического слоя, который образует электрод n-стороны и электрод р-стороны, на участке соединения электрода n-стороны, участке соединения электрода р-стороны и первой структуре резиста, до удаления первой структуры резиста;
этап удаления первой структуры резиста для удаления первой структуры резиста;
этап формирования третьего металлического слоя, состоящий в формировании третьего металлического слоя на первом металлическом слое и защитном слое;
этап формирования второй структуры резиста, состоящий в формировании второй структуры резиста, имеющей отверстия над участком соединения электрода n-стороны и участком соединения электрода р-стороны, на которых сформирован третий металлический слой;
этап формирования второго металлического слоя, состоящий в формировании второго металлического слоя, который образует металлические столбиковые выводы, методом электролитического осаждения с использованием третьего металлического слоя в качестве электрода для электролитического осаждения;
этап удаления второй структуры резиста, состоящий в удалении второй структуры резиста; и
этап удаления третьего металлического слоя, состоящий в удалении третьего металлического слоя.
4. Нитридный полупроводниковый светоизлучающий элемент с перевернутым кристаллом, содержащий:
структуру нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента, имеющего слой нитридного полупроводника n-типа и слой нитридного полупроводника р-типа, которые нанесены на подложку, а также участок соединения электрода n-стороны с нитридным полупроводниковым слоем n-типа и участок соединения электрода р-стороны со слоем нитридного полупроводника р-типа на одной и той же плоской стороне подложки;
электрод n-стороны, соединенный с участком соединения электрода n-стороны;
электрод р-стороны, соединенный с участком соединения электрода р-стороны;
металлические столбиковые выводы, сформированные на электроде n-стороны и электроде р-стороны; и
изолирующий защитный слой, который покрывает нитридный полупроводниковый светоизлучающий элемент,
в котором металлический столбиковый вывод на электроде n-стороны и металлический столбиковый вывод на электроде р-стороны имеют одинаковую толщину и по меньшей мере один электрод из электрода n-стороны и электрода р-стороны имеет в сечении больший размер, чем металлический столбиковый вывод этого одного электрода с тем, чтобы открыть участок верхней поверхности упомянутого одного электрода, и в котором защитный слой не покрывает этот участок верхней поверхности упомянутого одного электрода.
5. Нитридный полупроводниковый светоизлучающий элемент с перевернутым кристаллом, содержащий:
структуру нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента, имеющего слой нитридного полупроводника n-типа и слой нитридного полупроводника р-типа, которые нанесены на подложку, а также участок соединения электрода n-стороны с нитридным полупроводниковым слоем n-типа и участок соединения электрода р-стороны со слоем нитридного полупроводника р-типа на одной и той же плоской стороне подложки;
первые металлические слои, которые образуют электрод n-стороны, соединенный с участком соединения электрода n-стороны, и электрод р-стороны, соединенный с участком соединения электрода р-стороны;
вторые металлические слои, которые образуют металлические столбиковые выводы, расположенные на первых металлических слоях в контакте с первыми металлическими слоями; и
изолирующий защитный слой, который покрывает верхнюю поверхность и боковую поверхность структуры нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента, за исключением участков, где находятся первые металлические слои;
в котором по меньшей мере участки или все боковые поверхности вторых металлических слоев покрыты первыми металлическими слоями.
6. Нитридный полупроводниковый светоизлучающий элемент по п.5, в котором отражающая способность первых металлических слоев, покрывающих боковые поверхности вторых металлических слоев, для длины волны света, излучаемого нитридным полупроводниковым светоизлучающим элементом, выше, чем у боковых поверхностей вторых металлических слоев.
7. Нитридный полупроводниковый светоизлучающий элемент с перевернутым кристаллом, содержащий:
структуру нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента, имеющего слой нитридного полупроводника n-типа и слой нитридного полупроводника р-типа, которые нанесены на подложку, а также участок соединения электрода n-стороны с нитридным полупроводниковым слоем n-типа и участок соединения электрода р-стороны со слоем нитридного полупроводника р-типа на одной и той же плоской стороне подложки;
первые металлические слои, которые образуют электрод n-стороны, соединенный с участком соединения электрода n-стороны, и электрод р-стороны, соединенный с участком соединения электрода р-стороны;
третьи металлические слои, расположенные на первых металлических слоях в контакте с первыми металлическими слоями; и
вторые металлические слои, которые образуют металлические столбиковые выводы, расположенные на первых металлических слоях в контакте с третьими металлическими слоями.
8. Способ получения нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента с перевернутым кристаллом по одному из пп.1-3, дополнительно содержащий этап регулирования высоты второго металлического слоя, состоящий в регулировании после этапа формирования второго металлического слоя расстояния от верхней поверхности подложки до верхней поверхности второго металлического слоя, сформированного на электроде n-стороны, чтобы оно было равно расстоянию от верхней поверхности подложки до верхней поверхности второго металлического слоя, сформированного на электроде р-стороны,.
9. Способ получения нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента с перевернутым кристаллом по одному из пп.1-3, дополнительно содержащий этап регулирования высоты второго металлического слоя, состоящий в регулировании после этапа формирования второго металлического слоя расстояния от верхней поверхности подложки до верхней поверхности второго металлического слоя, сформированного на электроде n-стороны, чтобы оно было равно расстоянию от верхней поверхности подложки до верхней поверхности второго металлического слоя, сформированного на электроде р-стороны.
10. Нитридный полупроводниковый светоизлучающий элемент с перевернутым кристаллом, содержащий:
структуру нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента, имеющего слой нитридного полупроводника n-типа и слой нитридного полупроводника р-типа, которые нанесены на подложку, а также участок соединения электрода n-стороны с нитридным полупроводниковым слоем n-типа и участок соединения электрода р-стороны со слоем нитридного полупроводника р-типа на одной и той же плоской стороне подложки;
электрод n-стороны, соединенный с участком соединения электрода n-стороны;
электрод р-стороны, соединенный с участком соединения электрода р-стороны;
металлические столбиковые выводы, сформированные на электроде n-стороны и электроде р-стороны; и
изолирующий защитный слой, который покрывает нитридный полупроводниковый светоизлучающий элемент,
в котором металлический столбиковый вывод на электроде n-стороны и металлический столбиковый вывод на электроде р-стороны имеют одинаковую толщину и по меньшей мере один электрод из электрода n-стороны и электрода р-стороны имеет размер в сечении, превышающий размер металлического столбикового вывода на этом одном электроде, с тем, чтобы открыть участок верхней поверхности упомянутого одного электрода,
в котором защитный слой не покрывает упомянутый участок верхней поверхности упомянутого одного электрода, и в котором
расстояние от верхней поверхности подложки до верхней поверхности металлического столбикового вывода на электроде n-стороны равно расстоянию от верхней поверхности подложки до верхней поверхности металлического столбикового вывода на электроде р-стороны.
11. Нитридный полупроводниковый светоизлучающий элемент с перевернутым кристаллом по одному из пп.5-7,
в котором расстояние от верхней поверхности подложки до верхней поверхности металлического столбикового вывода на электроде n-стороны равно расстоянию от верхней поверхности подложки до верхней поверхности металлического столбикового вывода на электроде р-стороны.
12. Нитридный полупроводниковый светоизлучающий элемент с перевернутым кристаллом по п.10,
в котором внешняя кромка верхней поверхности металлического столбикового вывода на электроде n-стороны закруглена.
13. Нитридный полупроводниковый светоизлучающий элемент с перевернутым кристаллом по п.11,
в котором внешняя кромка верхней поверхности металлического столбикового вывода на электроде n-стороны закруглена.