СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОТОЧЕК НА ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛА

кр
p
1. Способ получения твердотельных регулярно расположенных на подложке наночастиц (наноточек), включающий конденсацию на поверхность подложки материала, предназначенного для формирования наноточек, отличающийся тем, что в вакууме получают скол монокристалла, который используют в качестве подложки, на которой создают регулярно расположенные точечные дефекты, для чего наносят на поверхность подложки резист, далее поверхность подложки экспонируют через шаблон электромагнитным излучением, после чего удаляют облученные участки резиста, далее облучают поверхность подложки жестким электромагнитным излучением для образования точечных дефектов в местах, где удален резист, затем на поверхность подложки проводят конденсацию материала, предназначенного для формирования наноточек, в течение времени t, необходимого для получения наноточек диаметром d, при этом повышают температуру подложки до значения, априори достаточного для обеспечения роста зародышей конденсата на созданных точечных дефектах и отсутствию зародышей между этими дефектами, после чего удаляют остатки резиста.
кр
p
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что расчет времени t, необходимого для получения наноточек диаметром d, осуществляют по формуле:
где а - постоянная кристаллической решетки подложки;
d
N - плотность точечных дефектов определяется используем шаблоном;
R - скорость конденсации;
p
d - диаметр наноточки.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве жесткого электромагнитного излучения используют ультрафиолетовое излучение с длиной волны не более 200 нм.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве жесткого электромагнитного излучения используют рентгеновское излучение.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве жесткого электромагнитного излучения используют гамма-излучение.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве материала, предназначенного для формирования наноточек, используют металл или полупроводник.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что в процессе формирования упорядоченных точечных дефектов на поверхность подложки наносят фоторезист и экспонируют поверхность подложки через шаблон оптическим или ультрафиолетовым излучением.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что в процессе формирования упорядоченных точечных дефектов на поверхность подложки наносят рентгенорезист и экспонируют поверхность подложки через шаблон излучением с длиной волны от 0,4 нм до 5,0 нм.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что в процессе формирования упорядоченных точечных дефектов на поверхность подложки наносят электронорезист и экспонируют поверхность подложки через шаблон острофокусированным электронным пучком, отклоняемым магнитной системой.