СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ МАППИНГА ЭЛЕКТРООСАЖДАЕМОГО СЛОЯ ПОКРЫТИЯ

1. Система покрытия, включающая
первый слой покрытия, нанесенный на по крайней мере часть подложки, где первый слой покрытия осаждают из первой покровной композиции, содержащей (i) соединение металла группы IIIB, соединение металла группы IVB или их комбинацию; и второй слой покрытия, нанесенный на по крайней мере часть первого слоя покрытия, где второй слой покрытия осаждают из второй покровной композиции, содержащей (а) смолу с реактивными функциональными группами, содержащую ионную солевую группу с активным водородом; (b) сшивающий агент, проявляющий реакционную активность по отношению по меньшей мере к одной из реактивных функциональных групп смолы; (с) растворимый щелочноземельный металл, присутствующий в количестве не более 1000 ч./млн в расчете на общий вес второй покровной композиции.
2. Система покрытия по п.1, в которой (с) растворимым ионом щелочноземельного металла может быть магний, стронций, барий или их смеси.
3. Система покрытия по п.1, в которой источником (с) растворимого иона щелочноземельного металла является растворимое соединение металла, образованное из металла, выбранного из магния, стронция, бария или их смесей.
4. Система покрытия по п.1, в которой вторая покровная композиция содержит ингибитор коррозии.
5. Система покрытия по п.4, в которой ингибитор коррозии содержит одно или более соединений металлов, содержащих металл, выбранный из группы, состоящей из иттрия, висмута, цинка, церия, алюминия, кремния, кальция, редкоземельных элементов и магния.
6. Система покрытия по п.1, в которой первая покровная композиция дополнительно содержит (iii) свободный фтор, (iv) фторидную соль металла, образованную из металла, который образует фторидную соль, где металл, который образует фторидную соль металла, вводится в количестве, достаточном для поддержания уровня свободного фтора в первой покровной композиции в пределах от 0,1 ч./млн до 300 ч./млн от общего веса первой покровной композиции.
7. Система покрытия по п.1, в которой (i) металлом группы IIIB или металлом группы IVB являются цирконий, титан, гафний, иттрий, церий или их комбинации.
8. Система покрытия по п.1, в которой вторая покровная композиция дополнительно содержит (ii) соединение меди.
9. Система покрытия по п.8, в которой источником меди, содержащим указанное соединение меди (ii), является водорастворимое соединение меди.
10. Система покрытия по п.8, в которой соединением меди является элементная медь, присутствующая на уровне в пределах 1 ч./млн до 5000 ч./млн от общего веса первой покровной композиции.
11. Система покрытия по п.1, в которой первая покровная композиция по существу свободна от фосфат-ионов.
12. Способ нанесения покрытия на подложку, включающий нанесение первой покровной композиции на по крайней мере часть подложки, при этом первая покровная композиция содержит (i) соединение металла группы IIIB, соединение металла группы IVB или их комбинацию; нанесение второй покровной композиции на по крайней мере часть первой покровной композиции, где указанная вторая покровная композиция содержит (а) смолу с реактивными функциональными группами, содержащую ионную солевую группу с активным водородом; (b) сшивающий агент, проявляющий реакционную активность по отношению к по меньшей мере одной из реактивных функциональных групп смолы; и (с) растворимый щелочноземельный металл, присутствующий в количестве не более 1000 ч./млн в расчете на общий вес второй покровной композиции.
13. Способ по п.12, в котором (с) растворимым ионом щелочноземельного металла может быть магний, стронций, барий или их смеси.
14. Способ по п.12, в котором источником (с) растворимого иона щелочноземельного металла является растворимое соединение металла, образованное из металла, выбранного из магния, стронция, бария или их смесей.
15. Способ по п.12, в котором вторая покровная композиция содержит ингибитор коррозии.
16. Способ по п.15, в котором ингибитор коррозии содержит одно или более соединений металлов, содержащих металл, выбранный из группы, состоящей из иттрия, висмута, цинка, церия, алюминия, кремния, кальция, редкоземельных элементов и магния.
17. Способ по п.12, в котором первая покровная композиция дополнительно содержит (iii) свободный фтор и (iv) фторидную соль металла, образованную из металла, который образует фторидную соль, где металл, который образует фторидную соль металла, вводят в количестве, достаточном для поддержания уровня свободного фтора в первой покровной композиции в пределах 0,1 ч./млн до 300 ч./млн от общего веса первой покровной композиции.
18. Способ по п.12, в котором (i) металлом группы IIIB или IVB может быть цирконий, титан, гафний, иттрий, церий или их комбинации.
19. Способ по п.12, в котором указанная вторая композиция дополнительно содержит (ii) соединение меди.
20. Способ по п.19, в котором соединением меди (ii) является водорастворимое соединение меди.
21. Способ по п.19, в котором соединением меди (ii) является элементная медь, присутствующая на уровне в пределах 1 ч./млн до 5000 ч./млн от общего веса первой покровной композиции.
22. Способ по п.12, в котором первая покровная композиция по существу свободна от фосфат-ионов.