СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Способ выращивани  кристаллов соединений с высокой упругостью паров над расплавом при нормальном атмосферном давлении методом Чохральского, включающий на первой стадии выращивание кристалла из расплава, легированного ионами, поглощающими излучение расплава, отличающийс  тем, что на второй дополнительной стадии из легированного кристалла изготавливают заготовочную затравку в виде диска заданного диаметра толщиной пор дка 5-6 мм, на которой затем выращивают кристалл из номинально чистого расплава.