СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАКСИРУЮЩЕГО ИЗОБРАЖЕНИЯ В ПОЗИТИВНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ РЕЗИСТАХ

1. Способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах, состоящий в прямом травлении резиста непосредственно в процессе экспонирования пучком электронов в вакууме, отличающийся тем, что в качестве резистов используют полимеры, способные к цепной деполимеризации (например, полиалкилметакрилаты, полиметил-изопропенилкетон, поли-альфа-метилстирол), а экспонирование проводят в области температуры стеклования исходного полимера или более высоких температурах.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс проводят предпочтительно на образцах со слоем резиста толщиной до 2 мкм при температурах 20-200°С при энергии электронов в пучке 1-100 кэВ.