ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МОЩНОСТИ
POWER CONVERTER

Область техники
Технология, раскрытая в данном документе, относится к преобразователю мощности. В частности, технология, раскрытая в данном документе, относится к преобразователю мощности, который включает в себя множество корпусов, каждый из которых размещает множество переключающих элементов, соединенных параллельно.
Уровень техники
В некоторых случаях, преобразователь мощности, такой как инвертор или двунаправленный преобразователь постоянного тока в постоянный, может включать в себя несколько наборов последовательных соединений, включающих в себя два переключающих элемента. Корпус, выполненный с возможностью размещать два переключающих элемента, является подходящим для такого преобразователя мощности. В публикации заявки на патент Японии № 2016-96620 описан преобразователь мощности, в котором укладываются множество корпусов, каждый из который размещает два переключающих элемента. В каждом из корпусов последовательно соединяются два переключающих элемента.
Сущность изобретения
Чтобы уменьшать нагрузку на переключающие элементы, переключающие элементы могут соединяться параллельно. В этом случае походит корпус, выполненный с возможностью размещать множество переключающих элементов, соединенных параллельно. В случае использования таких корпусов в схеме, которая требует последовательного соединения переключающих элементов, последовательно соединяются два из таких корпусов, каждый из которых размещает параллельное соединение переключающих элементов. Раскрытие сущности в данном документе предоставляет подходящую конструкцию для преобразователя мощности, в которой корпуса размещают множество переключающих элементов, соединенных параллельно, и эти корпуса соединяются последовательно.
Преобразователь мощности, раскрытый в данном документе, может включать в себя первый корпус и второй корпус. Каждый из первого корпуса и второго корпуса может размещать множество переключающих элементов, соединенных параллельно. Каждый из первого корпуса и второго корпуса может содержать первую поверхность и вторую поверхность, которая пересекается с первой поверхностью. Первый и второй корпуса могут размещаться таким образом, что первая поверхность первого корпуса обращена к первой поверхности второго корпуса. Другими словами, первый и второй корпуса размещаются "торец к торцу" (встык).
В каждом из первого корпуса и второго корпуса, множество переключающих элементов могут выравниваться в направлении, параллельном обеим из первой и второй поверхностей. Для удобства описания, направление, в котором выравниваются переключающие элементы, в дальнейшем называется "направлением выравнивания". Контактный вывод эмиттера или контактный вывод истока параллельного соединения множества переключающих элементов может проходить из второй поверхности в позиции, равноотстоящей от переключающих элементов, позиционированных на обоих концах в направлении выравнивания между множеством переключающих элементов. Контактный вывод коллектора или контактный вывод стока параллельного соединения может позиционироваться рядом с контактным выводом эмиттера или истока в направлении выравнивания.
В каждом из корпусов в вышеуказанном преобразователе мощности, контактный вывод эмиттера или истока является равноотстоящим от переключающих элементов, позиционированных на обоих концах в направлении выравнивания. Вышеприведенная конструкция в силу этого позволяет уменьшать варьирования токов, которые протекают во множестве переключающих элементов, соединенных параллельно.
Типичный пример корпусов представляет собой силовой модуль. "Корпус" в дальнейшем представляется как "силовой модуль" для упрощения понимания. Кроме того, при параллельном соединении множества переключающих элементов, контактный вывод силового модуля, который соединяется с электродами эмиттера множества переключающих элементов (их электродами истока в случае MOSFET), в дальнейшем называется "отрицательным контактным выводом", и контактный вывод силового модуля, который соединяется с электродами коллектора множества переключающих элементов (их электродами стока в случае MOSFET), в дальнейшем называется "положительным контактным выводом", для упрощения понимания.
Первый и второй силовые модули последовательно соединяются. В случае если положительный контактный вывод второго силового модуля и отрицательный контактный вывод первого силового модуля соединяются, положительные и отрицательные контактные выводы соединяются посредством проводника (межмодульной шинной системы). В это время, размещение первого и второго силовых модулей "торец к торцу" (встык) приводит к тому, что отрицательный контактный вывод второго силового модуля и положительный контактный вывод первого силового модуля позиционируются на идентичной стороне относительно межмодульной шинной системы в направлении выравнивания. Отрицательный контактный вывод второго силового модуля и положительный контактный вывод первого силового модуля, а именно, положительная сторона и отрицательная сторона последовательного соединения, зачастую соединяются параллельно с другим устройством (например, конденсатором или другим силовым модулем). Когда отрицательный контактный вывод второго силового модуля и положительный контактный вывод первого силового модуля позиционируются на идентичной стороне относительно межмодульной шинной системы, соединительная конструкция с другим устройством упрощается.
Типично, межмодульная шинная система может иметь следующую форму. Межмодульная шинная система, которая проходит из другого устройства, включает в себя базовый участок, соединенный с положительным контактным выводом второго силового модуля, средний участок, изогнутый на конце базового участка к первому силовому модулю, и концевой участок, изогнутый на конце среднего участка таким образом, что он обращен к отрицательному контактному выводу первого силового модуля, и соединенный с отрицательным контактным выводом первого силового модуля. Межмодульная шинная система, которая изгибается дважды, соединяет два силовых модуля последовательно. Типично, межмодульная шинная система может быть изогнута в форме кривошипа.
В дальнейшем описываются подробности и дополнительные модификации технологии, раскрытой в данном документе, в нижеприведенном разделе "Подробное описание изобретения".
Краткое описание чертежей
Фиг. 1 является принципиальной схемой электротранспортного средства, которое включает в себя преобразователь мощности по варианту осуществления.
Фиг. 2 является принципиальной схемой в силовом модуле.
Фиг. 3 является видом в перспективе силового модуля.
Фиг. 4 является видом в поперечном сечении силового модуля по линии IV-IV с фиг. 3.
Фиг. 5 является видом в поперечном сечении силового модуля по линии V-V с фиг. 3.
Фиг. 6 является видом сверху силового модуля с удаленными первой теплорассеивающей пластиной 44 и корпусом 42.
Фиг. 7 является видом сверху первой теплорассеивающей пластины 44.
Фиг. 8 является видом сверху преобразователя мощности.
Фиг. 9 является частично укрупненным видом с фиг. 8.
Фиг. 10 является видом сверху, показывающим разновидность межмодульной шинной системы.
Фиг. 11 является видом сверху силового модуля по первой разновидности.
Фиг. 12 является видом сверху силового модуля по второй разновидности.
Подробное описание изобретения
Ниже подробнее описываются характерные, неограничивающие примеры настоящего изобретения со ссылкой на прилагаемые чертежи. Это подробное описание предназначено только для того, чтобы обучать специалистов в области техники дополнительным подробностям для использования на практике предпочтительных аспектов идей настоящего изобретения, и не предназначено для того, чтобы ограничивать объем изобретения. Кроме того, каждый из дополнительных признаков и идей, раскрытых ниже, может использоваться отдельно или в сочетании с другими признаками и идеями, чтобы предоставлять улучшенный преобразователь мощности.
Более того, комбинации признаков и этапов, раскрытых в нижеприведенном подробном описании, могут быть необязательными для того, чтобы использовать изобретение на практике в самом широком смысле, а вместо этого изучаются просто для того, чтобы конкретно описывать характерные примеры изобретения. Кроме того, различные признаки вышеописанных и нижеописанных характерных примеров, а также различные независимые и зависимые пункты формулы изобретения могут комбинироваться способами, которые не перечисляются конкретно и явно, чтобы предоставлять дополнительные полезные варианты осуществления настоящих идей.
Все признаки, раскрытые в описании и/или формуле изобретения, имеют намерение раскрытия отдельно и независимо друг от друга для целей исходного письменного раскрытия сущности, а также для целей ограничения заявленного предмета изобретения, независимо от компоновок признаков в вариантах осуществления и/или в формуле изобретения. Помимо этого, все диапазоны значений или индикаторы относительно групп объектов имеют намерение раскрывать каждое возможное промежуточное значение или промежуточный объект для целей исходного письменного раскрытия сущности, а также для целей ограничения заявленного предмета изобретения.
Вариант осуществления
Со ссылкой на чертежи, в дальнейшем описывается преобразователь 10 мощности по варианту осуществления. Преобразователь 10 мощности по варианту осуществления монтируется на электротранспортном средстве 100. Фиг. 1 показывает блок-схему системы подачи мощности электротранспортного средства 100, которое включает в себя преобразователь 10 мощности. Преобразователь 10 мощности повышает напряжение мощности аккумулятора 90 и дополнительно преобразует мощность в переменный ток. Мощность переменного тока, которая выводится посредством преобразователя 10 мощности, подается в тяговый электромотор 91.
Преобразователь 10 мощности включает в себя схему 12 преобразователя напряжения, инверторную схему 13, сглаживающий конденсатор 7, датчик 8 тока и контроллер 11. Схема 12 преобразователя напряжения имеет повышающую функцию для повышения напряжения аккумулятора 90 и его подачи в инверторную схему 13 и понижающую функцию для понижения рекуперативной мощности, передаваемой из инверторной схемы 13 (мощности, вырабатываемой посредством тягового электромотора 91), и ее подачи в аккумулятор 90. Схема 12 преобразователя напряжения представляет собой так называемый двунаправленный преобразователь постоянного тока в постоянный.
Схема 12 преобразователя напряжения включает в себя конденсатор 5 фильтра, реактор 2, две переключающих схемы 6a, 6b и контроллер 11. Каждая из переключающих схем 6a, 6b представляет собой силовой модуль. Каждая из переключающих схем 6a, 6b представляет собой схему, в которой три переключающих элемента соединяются параллельно, и каждый из переключающих элементов соединяется обратно-параллельным образом с диодом. Переключающие схемы 6a, 6b работают так, как если они представляют собой один переключающий элемент. Ниже описываются схемная конфигурация и аппаратная конструкция переключающих схем 6a, 6b. Каждая из переключающих схем 6a, 6b в данном документе трактуется в качестве обратно-параллельной схемы, включающей в себя один переключающий элемент и один диод. Фиг. 1 в силу этого иллюстрирует один транзистор и один диод в прямоугольнике, который представляет каждую из переключающих схем 6a, 6b.
Две переключающих схемы 6a, 6b последовательно соединяются между стороной 12c, 12d высокого напряжения схемы 12 преобразователя напряжения. Реактор 2 имеет один конец, соединенный со средней точкой последовательного соединения переключающих схем 6a, 6b, и имеет другой конец, соединенный с положительным контактным выводом 12a на стороне низкого напряжения схемы 12 преобразователя напряжения. Отрицательный контактный вывод 12b на стороне низкого напряжения и отрицательный контактный вывод 12d на стороне высокого напряжения схемы 12 преобразователя напряжения непосредственно соединяются. Конденсатор 5 фильтра соединяется между положительным контактным выводом 12a на стороне низкого напряжения и отрицательным контактным выводом 12b на стороне низкого напряжения схемы 12 преобразователя напряжения. Переключающий элемент в переключающей схеме 6a участвует в операции понижения напряжения, и переключающий элемент в переключающей схеме 6b участвует в операции повышения напряжения. Когда переключающие схемы 6a, 6b возбуждаются посредством комплементарных PWM-сигналов, операции понижения и повышения напряжения переключаются пассивно в соответствии с балансом напряжений между контактными выводами 12a, 12b на стороне низкого напряжения и контактными выводами 12c, 12d на стороне высокого напряжения. Комплементарные PWM-сигналы означают подачу возбуждающего сигнала в один из переключающих элементов и подачу, в другой из переключающих элементов, другого возбуждающего сигнала, высокий уровень и низкий уровень которого изменены на противоположное по сравнению с возбуждающим сигналом, подаваемым в один из переключающих элементов.
Инверторная схема 13 включает в себя шесть переключающих схем 6c-6h. Переключающие схемы 6c-6h имеют конструкцию, идентичную конструкции переключающей схемы 6a. Переключающие схемы 6c, 6d последовательно соединяются, переключающие схемы 6e, 6f последовательно соединяются, и переключающие схемы 6g, 6h последовательно соединяются. Три набора последовательных соединений (последовательных соединений, включающих в себя две переключающих схемы) соединяются параллельно между положительной линией 9p и отрицательной линией 9n. Переменный ток выводится из средней точки каждого из последовательных соединений.
Конструкция и работа каждой из схемы 12 преобразователя напряжения и инверторной схемы 13 на фиг. 1 известна, и в силу этого их подробное описание опускается. Сглаживающий конденсатор 7 соединяется между схемой 12 преобразователя напряжения и инверторной схемой 13.
Преобразователь 10 мощности включает в себя датчик 8 тока, который измеряет трехфазный переменный ток, выведенный посредством инверторной схемы 13 в течение каждой фазы. Преобразователь 10 мощности также включает в себя контроллер 11, который возбуждает восемь переключающих схем 6a в 6h.
Переключающие схемы 6a, 6b в схеме 12 преобразователя напряжения также соединяются последовательно между положительными и отрицательными линиями 9p, 9n. Преобразователь 10 мощности, показанный на фиг. 1, содержит четыре набора последовательных соединений, включающих в себя две переключающих схемы, и четыре набора последовательных соединений соединяются параллельно между положительными и отрицательными линиями 9p, 9n. Сглаживающий конденсатор 7 также соединяется между положительными и отрицательными линиями 9p, 9n. Переключающие схемы 6a-6h имеют идентичную конструкцию. При описании без различения между собой, переключающие схемы 6a в 6h в дальнейшем обозначатся как переключающие схемы 6. Как упомянуто выше, в каждой из переключающих схем 6, множество переключающих элементов соединяются параллельно. Каждая из переключающих схем 6 реализуется посредством одного силового модуля. Далее описываются силовой модуль, подходящий для схемы на фиг. 1, и подходящая соединительная конструкция для множества силовых модулей.
Фиг. 2 показывает принципиальную схему одной из переключающих схем 6. В переключающей схеме 6, три переключающих элемента 3a-3c соединяются параллельно, и диоды 4a-4c соединяются обратно-параллельным образом с переключающими элементами 3a-3c, соответственно. При параллельном соединении трех переключающих элементов 3a-3c, контактный вывод на их стороне коллектора называется "положительным контактным выводом 6p", и контактный вывод на их стороне эмиттера называется "отрицательным контактным выводом 6n".
Контроллер 11 в преобразователе 10 мощности подает идентичные возбуждающие сигналы в три переключающих элемента 3a-3c, включенные в переключающую схему 6. Три переключающих элемента 3a-3c имеют идентичные типы и имеют идентичные характеристики. Аналогично, три диода 4a-4c имеют идентичные типы и имеют идентичные характеристики. Идентичные возбуждающие сигналы подаются в три переключающих элемента 3a-3c, соединенные параллельно, так что три переключающих элемента 3a-3c работают так, как если они представляют собой один переключающий элемент. Параллельная схема из трех переключающих элементов 3a-3c может обеспечивать ток, в три раза больший допустимого тока в одном переключающем элементе. Соединение множества переключающих элементов параллельно обеспечивает возможность уменьшения нагрузки в расчете на переключающий элемент. Другими словами, соединение множества переключающих элементов параллельно может реализовывать преобразователь мощности, допускающий обработку большого тока.
Каждая переключающая схема 6 реализуется посредством одного силового модуля. Переключающие схемы 6 в дальнейшем альтернативно называется "силовыми модулями 6". Фиг. 3 показывает вид в перспективе одного из силовых модулей 6. Силовой модуль 6 включает в себя корпус 42, состоящий из смолы, в качестве основного корпуса. Корпус 42 (силовой модуль 6) имеет плоскую форму. Для удобства описания, одна широкая поверхность корпуса 42 (силового модуля 6) называется "первой поверхностью 421", одна узкая поверхность, пересекающаяся с первой поверхностью 421, называется "второй поверхностью 422", и широкая поверхность, параллельная первой поверхности 421, называется "третьей поверхностью 423". Другими словами, силовой модуль 6 представляет собой печатное устройство, содержащее пару широких поверхностей (первую и третью поверхности 421, 423) и узкую поверхность (вторую поверхность 422), пересекающуюся с обеими из пары широких поверхностей.
Три полупроводниковых микросхемы 41a-41c заглублены в корпусе 42. Каждая из полупроводниковых микросхем 41a-41c представляет собой микросхему на проводящих в обратном направлении биполярных транзисторах с изолированным затвором (RC-IGBT), в которой IGBT (переключающий элемент) и диод соединяются обратно-параллельным образом друг с другом на одной подложке. Полупроводниковая микросхема 41a в силу этого реализует обратно-параллельную схему переключающего элемента 3a и диода 4a в принципиальной схеме на фиг. 2.
Металлическая теплорассеивающая пластина (первая теплорассеивающая пластина 44) раскрывается на первой поверхности 421 корпуса 42. Хотя скрыто и не показано на фиг. 3, другая теплорассеивающая пластина (вторая теплорассеивающая пластина 45) раскрывается на третьей поверхности 423, расположенной напротив первой поверхности 421. Положительные и отрицательные контактные выводы 6p, 6n проходят из второй поверхности 422, пересекающейся с первой поверхностью 421. Положительный контактный вывод 6p представляет собой контактный вывод, соединенный с электродами 413 коллектора (описаны ниже) трех полупроводниковых микросхем 41a-41c. Отрицательный контактный вывод 6n представляет собой контактный вывод, соединенный с электродами 412 эмиттера (описаны ниже) трех полупроводниковых микросхем 41a-41c.
Направление по оси X в системе координат на чертеже совпадает с нормальным направлением первой поверхности 421 силового модуля 6. Направление по оси Y в системе координат совпадает с продольным направлением продолговатой второй поверхности 422. Положительные и отрицательные контактные выводы 6p, 6n предоставляются с возможностью выравниваться в направлении по оси Y. Направление по оси Y может в дальнейшем называться "направлением выравнивания". Отрицательный контактный вывод 6n предоставляется в центре второй поверхности 422 в направлении выравнивания, и положительный контактный вывод 6p предоставляется рядом с отрицательным контактным выводом 6n в направлении выравнивания.
Управляющие контактные выводы 43a-43c проходят из узкой поверхности, расположенной напротив второй поверхности 422. Управляющие контактные выводы 43a представляют собой контактные выводы полупроводниковой микросхемы 41a и включают в себя контактный вывод, электропроводящий с электродом затвора, контактный вывод, электропроводящий с температурным датчиком, который измеряет температуру в полупроводниковой микросхеме, контактный вывод, электропроводящий со считывающим эмиттером переключающего элемента, и т.п. Управляющие контактные выводы 43b представляют собой контактные выводы полупроводниковой микросхемы 41b, и управляющие контактные выводы 43c представляют собой контактные выводы полупроводниковой микросхемы 41c.
Фиг. 4 показывает вид в поперечном сечении силового модуля 6 вдоль линии IV-IV на фиг. 3, и фиг. 5 показывает вид в поперечном сечении силового модуля 6 вдоль линии V-V на фиг. 3. Фиг. 4 показывает поперечное сечение, которое проходит по центральной полупроводниковой микросхеме 41b. Фиг. 5 показывает поперечное сечение, которое проходит по трем полупроводниковым микросхемам 41a-41c. Как упомянуто выше, первая теплорассеивающая пластина 44 раскрывается на первой поверхности 421 корпуса 42, и вторая теплорассеивающая пластина 45 раскрывается на третьей поверхности 423 корпуса 42. В корпусе 42, полупроводниковые микросхемы 41a-41c и прокладочные блоки 46a-46c размещаются между первой и второй теплорассеивающими пластинами 44, 45. Теплорассеивающие пластины 44, 45 и прокладочные блоки 46a-46c состоят из проводящего металла (типично, меди).
Каждая из полупроводниковых микросхем 41a-41c является плоскопластинчатой, имеет электрод 412 эмиттера, предоставленный на ее одной широкой поверхности, и имеет электрод 413 коллектора и электродные контактные площадки 414, предоставленные на ее другой широкой поверхности. Электроды 412 эмиттера полупроводниковых микросхем 41a-41c связываются со второй теплорассеивающей пластиной 45. Электроды 413 коллектора полупроводниковых микросхем 41a-41c соединяются с прокладочными блоками 46a-46c, соответственно. Прокладочные блоки 46a-46c связываются с первой теплорассеивающей пластиной 44 на сторонах, противоположных электродам 413 коллектора. Теплорассеивающие пластины 44, 45 имеют электропроводность. Первая теплорассеивающая пластина 44 является электропроводящей с электродами 413 коллектора полупроводниковых микросхем 41a-41c, и вторая теплорассеивающая пластина 45 является электропроводящей с электродами 412 эмиттера полупроводниковых микросхем 41a-41c. Другими словами, теплорассеивающие пластины 44, 45 соединяют три полупроводниковых микросхемы 41a-41c параллельно.
Как показано на фиг. 4, электродные контактные площадки 414 полупроводниковой микросхемы 41b соединяются с управляющими контактными выводами 43b через связывающие провода 47.
Как показано на фиг. 4, вторая теплорассеивающая пластина 45 соединяется с отрицательным контактным выводом 6n в корпусе 42. Вторая теплорассеивающая пластина 45 раскрывается на широкой поверхности (третьей поверхности 423) корпуса 42 и имеет функции для того, чтобы рассеивать тепло полупроводниковых микросхем 41a-41c и соединять электроды 412 эмиттера полупроводниковых микросхем 41a-41c параллельно. Аналогично, первая теплорассеивающая пластина 44 имеет функции для того, чтобы рассеивать тепло полупроводниковых микросхем 41a-41c и соединять электроды 413 коллектора полупроводниковых микросхем 41a-41c параллельно.
Полупроводниковые микросхемы 41a-41c размещаются с регулярными интервалами в корпусе 42. Полупроводниковая микросхема 41b позиционируется в центре корпуса 42 в направлении выравнивания. Как упомянуто выше, отрицательный контактный вывод 6n предоставляется в центре второй поверхности 422 силового модуля 6 (корпуса 42) в направлении выравнивания. Следовательно, отрицательный контактный вывод 6n находится в позиции, равноотстоящей от электродов 412 эмиттера полупроводниковых микросхем 41a, 41c, позиционированных на обоих концах совмещения полупроводниковых микросхем 41a-41c. Далее описываются преимущества, полученные посредством этого конструктивного признака.
Фиг. 6 показывает вид сверху силового модуля 6 с удаленными корпусом 42 и первой теплорассеивающей пластиной 44. Как упомянуто выше, направление по оси X в системе координат на чертеже соответствует нормальному направлению первой поверхности 421, и направление по оси Y соответствует направлению выравнивания. Фиг. 6 показывает внутреннюю конструкцию силового модуля 6 при просмотре в нормальном направлении первой поверхности 421. Три полупроводниковых микросхемы 41a-41c размещаются в линию с регулярными интервалами в направлении выравнивания, и отрицательный контактный вывод 6n позиционируется в центре второй поверхности 422 в направлении выравнивания. Пунктирная линия CL на фиг. 6 представляет собой центральную линию силового модуля 6 при просмотре в нормальном направлении первой поверхности 421. Другими словами, пунктирная линия CL представляет собой центральную линию силового модуля 6 в направлении выравнивания.
Три полупроводниковых микросхемы 41a-41c выравниваются в направлении выравнивания таким образом, что они являются линейно-симметричными относительно центральной линии CL, и отрицательный контактный вывод 6n проходит вдоль центральной линии CL в центре направления выравнивания. Полная схема размещения трех полупроводниковых микросхем 41a-41c и отрицательного контактного вывода 6n является линейно-симметричной относительно центральной линии CL. В этой схеме размещения, расстояние от полупроводниковой микросхемы 41a, которая позиционируется на одном конце совмещения полупроводниковых микросхем, до отрицательного контактного вывода 6n равно расстоянию от полупроводниковой микросхемы 41c, которая позиционируется на другом конце совмещения полупроводниковых микросхем, до отрицательного контактного вывода 6n. Другими словами, отрицательный контактный вывод 6n позиционируется равноотстоящим от электродов 412 эмиттера полупроводниковых микросхем (полупроводниковых микросхем 41a, 41c), позиционированных на обоих концах совмещения полупроводниковых микросхем 41a-41c. На фиг. 6, электроды 412 эмиттера размещаются на поверхностях полупроводниковых микросхем 41a-41c, расположенных напротив поверхностей, на которых размещаются электроды 413 коллектора. Стрелки, указываемые посредством обозначения L1 на фиг. 6, показывают то, что расстояние от полупроводниковой микросхемы 41a до отрицательного контактного вывода 6n равно расстоянию от полупроводниковой микросхемы 41c до отрицательного контактного вывода 6n.
Вышеуказанная схема размещения задает токи, которые вытекают из электродов эмиттера полупроводниковых микросхем 41a, 41c, равными. Полужирные стрелки на фиг. 6 схематично представляют ток, который протекает из полупроводниковой микросхемы 41a в отрицательный контактный вывод 6n, и ток, который протекает из полупроводниковой микросхемы 41c в отрицательный контактный вывод 6n, соответственно. Две полужирных стрелки нарисованы таким образом, что они являются линейно-симметричными относительно центральной линии CL. Это показывает то, что токи, которые вытекают из электродов 412 эмиттера полупроводниковых микросхем 41a, 41c, задаются равными.
Предполагается случай, в котором отрицательный контактный вывод 6n размещается непосредственно выше полупроводниковой микросхемы 41a. В этом случае, отрицательный контактный вывод 6n находится на кратчайшем расстоянии от полупроводниковой микросхемы 41a, находится на втором кратчайшем расстоянии от полупроводниковой микросхемы 41b и находится на наибольшем расстоянии от полупроводниковой микросхемы 41c. Следовательно, полупроводниковые микросхемы 41a, 41c находятся на существенно отличающихся расстояниях от отрицательного контактного вывода 6n, за счет чего вызывается дисбаланс в токах, протекающих в них.
Три полупроводниковых микросхемы 41a-41c возбуждаются посредством идентичных возбуждающих сигналов и ведут себя так, как если они представляют собой один переключающий элемент. Соединение трех полупроводниковых микросхем 41a-41c параллельно может уменьшать нагрузку в расчете на полупроводниковую микросхему. В силу этого, предпочтительно, если токи протекают одинаково в трех полупроводниковых микросхемах 41a-41c. Посредством выравнивания трех полупроводниковых микросхем 41a-41c в линию в направлении выравнивания и размещения отрицательного контактного вывода 6n в позиции, равноотстоящей от полупроводниковых микросхем, позиционированных на обоих концах совмещения полупроводниковых микросхем, могут уменьшаться варьирования токов, протекающих в трех полупроводниковых микросхемах 41a-41c.
Фиг. 7 показывает вид сверху первой теплорассеивающей пластины 44. Первая теплорассеивающая пластина 44 имеет присоединенный положительный контактный вывод 6p. Положительный контактный вывод 6p позиционируется рядом с отрицательным контактным выводом 6n в направлении выравнивания второй поверхности 422 корпуса 42. Положительный контактный вывод 6p находится на кратчайшем расстоянии от полупроводниковой микросхемы 41a, находится на втором кратчайшем расстоянии от полупроводниковой микросхемы 41b и находится на наибольшем расстоянии от полупроводниковой микросхемы 41c. Положительный контактный вывод 6p находится на различных расстояниях от трех полупроводниковых микросхем 41a-41c. Небольшие варьирования расстояний от отрицательного контактного вывода 6n до полупроводниковых микросхем являются более эффективными для уменьшения разностей токов, чем небольшие варьирования расстояний от положительного контактного вывода 6p до полупроводниковых микросхем. Это обусловлено тем, что варьирования токов, которые протекают в полупроводниковых микросхемах, в большей степени затрагиваются посредством варьирований сопротивлений на стороне выпуска токов в полупроводниковых микросхемах, чем посредством варьирований сопротивлений на стороне впуска токов в полупроводниковых микросхемах. Следовательно, посредством размещения отрицательного контактного вывода 6n в позиции, равноотстоящей от электродов эмиттера полупроводниковых микросхем, позиционированных на обоих концах совмещения полупроводниковых микросхем, варьирования токов, которые протекают в трех полупроводниковых микросхемах 41a-41c, могут эффективно подавляться.
Каждая из полупроводниковых микросхем 41a-41c по варианту осуществления представляет собой IGBT с каналом n-типа, и его напряжение затвора задается относительно потенциала эмиттера. В этом случае, чтобы подавлять колебания затвора, когда множество полупроводниковых микросхем 41a-41c возбуждаются одновременно, полупроводниковые микросхемы 41a-41c предпочтительно имеют максимально возможно одинаковые потенциалы эмиттера. В преобразователе 10 мощности по варианту осуществления, отрицательный контактный вывод 6n является равноотстоящим от электродов эмиттера полупроводниковых микросхем 41a, 41c, позиционированных на обоих концах совмещения полупроводниковых микросхем, так что варьирования потенциалов эмиттера множества полупроводниковых микросхем 41a-41c подавляются. Преобразователь 10 мощности по варианту осуществления также достигает преимущества подавления колебаний затвора.
Далее, со ссылкой на фиг. 8, описывается подходящая схема размещения множества силовых модулей 6 и шинных систем, которые соединяют силовые модули 6. Фиг. 8 показывает вид сверху аппаратных средств преобразователя 10 мощности. Фиг. 8 показывает преобразователь 10 мощности с удаленной верхней крышкой чехла 70. Со ссылкой на фиг. 8, в дальнейшем описывается схема размещения компонентов преобразователя 10 мощности. Фиг. 8 опускает иллюстрацию конденсатора 5 фильтра, показанного на фиг. 1.
Преобразователь 10 мощности содержит восемь силовых модулей 6a-6h. Восемь силовых модулей 6a-6h укладываются с множеством плоских охлаждающих пластин 71. На фиг. 8, обозначение 71 присваивается только самой левой охлаждающей пластине, и обозначение не присваивается остальным охлаждающим пластинам. Силовые модули 6a, 6b представляют собой компоненты схемы 12 преобразователя напряжения, и силовые модули 6c-6h представляют собой компоненты инверторной схемы 13. При описании без различения между собой, силовые модули 6a-6h могут называться "силовыми модулями 6".
Восемь силовых модулей 6 и множество охлаждающих пластин 71 попеременно укладываются поверх друг друга. Восемь силовых модулей 6 размещаются таким образом, что их широкие поверхности обращены друг к другу. Во множество охлаждающих пластин 71 проникают две соединительных трубы 78, 79. Каждая из охлаждающих пластин 71 является полой и снабжается охлаждающей водой снаружи через соединительную трубу 78. При прохождении через каждую из охлаждающих пластин 71, охлаждающая вода поглощает тепло из силовых модулей 6, смежных с ними, и выпускается наружу через соединительную трубу 79.
Батарея из множества силовых модулей 6 и множества охлаждающих пластин 71 размещается между одной наружной стеной 72 и опорной стенкой 74 из чехла 70. Листовая пружина 73 размещается между батареей и опорной стенкой 74. Листовая пружина 73 прижимает батарею в направлении укладки. Давление из листовой пружины 73 приводит силовые модули 6 и охлаждающие пластины 71 в фактический контакт друг с другом, за счет чего повышается эффективность охлаждения.
На фиг. 8, можно видеть вторую поверхность 422 (поверхность, на которой предоставляются положительные и отрицательные контактные выводы 6p, 6n) каждого из силовых модулей 6. На фиг. 8, обозначения 6p, 6n присваиваются только контактным выводам самых левых двух силовых модулей 6c, 6d и самых правых двух силовых модулей 6a, 6b, и обозначения не присваиваются контактным выводам остальных силовых модулей. На фиг. 8, положительные контактные выводы 6p раскрашиваются серым цветом для упрощения понимания.
Самый левый силовой модуль 6c на чертеже имеет положительный контактный вывод 6p, позиционированный на верхней стороне относительно отрицательного контактного вывода 6n. Силовой модуль 6d, смежный с силовым модулем 6c, имеет положительный контактный вывод 6p, позиционированный на нижней стороне относительно отрицательного контактного вывода 6n. Это обусловлено тем, что силовые модули 6c, 6d размещаются "торец к торцу" (встык) таким образом, что их сопряженные широкие поверхности обращены друг к другу. Другими словами, силовые модули 6c, 6d размещаются таким образом, что их первые поверхности 421 обращены друг к другу. Силовые модули 6c, 6d могут размещаться таким образом, что их третьи поверхности 423 обращены друг к другу. В этом случае, третьи поверхности 423 должны называться просто "первыми поверхностями", посредством которых первые поверхности обращены друг к другу. Далее описывается преимущество схемы размещения, в которой два силовых модуля 6c, 6d размещаются "торец к торцу" (встык).
Силовые модули 6c, 6d составляют часть инверторной схемы 13 и соединяются последовательно (см. фиг. 1). Переменный ток выводится из средней точки последовательного соединения силовых модулей 6c, 6d. Положительный электрод последовательного соединения силовых модулей 6c, 6d соединяется с одним из контактных выводов сглаживающего конденсатора 7 через положительную линию 9p, и его отрицательный электрод соединяется с другим из контактных выводов сглаживающего конденсатора 7 через отрицательную линию 9n. На фиг. 8, сглаживающий конденсатор 7 размещается между положительной шинной системой 50 и отрицательной шинной системой 60. Положительная шинная система 50 соединяется с одним из контактных выводов сглаживающего конденсатора 7, и отрицательная шинная система 60 соединяется с другим из контактных выводов сглаживающего конденсатора 7. Ответвления 51 положительной шинной системы проходят из положительной шинной системы 50, и одно из них имеет конец, соединенный с положительным контактным выводом 6p силового модуля 6c. Ответвления 61 отрицательной шинной системы проходят из отрицательной шинной системы 60, и одно из них имеет конец, соединенный с отрицательным контактным выводом 6n силового модуля 6d. Одна из межмодульных шинных систем 52, которая соответствует средней точке последовательного соединения силовых модулей 6c, 6d, соединяется с положительным контактным выводом 6p силового модуля 6d и отрицательным контактным выводом 6n силового модуля 6c на одном конце. Межмодульная шинная система 52 соединяется с датчиком 8 тока на другом конце, проходит через датчик 8 тока и составляет соединительный контактный вывод 52a в разъеме 77.
Отрицательный контактный вывод 6n силового модуля 6c и положительный контактный вывод 6p силового модуля 6d соединяются посредством одной шинной системы (межмодульной шинной системы 52). Когда силовые модули 6c, 6d, которые последовательно соединяются, размещаются "торец к торцу" (встык), оба из положительного контактного вывода 6p силового модуля 6c и отрицательного контактного вывода 6n силового модуля 6d позиционируются на идентичной стороне относительно межмодульной шинной системы 52 (на верхней стороне относительно межмодульной шинной системы 52 на фиг. 8). Эта схема размещения не приводит к пересечению шинных систем для того, чтобы соединять положительный контактный вывод 6p силового модуля 6c и отрицательный контактный вывод 6n силового модуля 6d со сглаживающим конденсатором 7, и в силу этого упрощает компоновку шинных систем. В частности, ответвления 51, 61 положительной и отрицательной шинной системы, которые соединяют силовые модули 6c, 6d в сглаживающий конденсатор 7, проходят к контактным выводам 6p, 6n из одной стороны направления выравнивания (стороны -Y). С другой стороны, межмодульная шинная система 52, которая соединяет отрицательный контактный вывод 6n силового модуля 6c и положительный контактный вывод 6p силового модуля 6d с датчиком 8 тока, проходит к контактным выводам 6p, 6n из другой стороны направления выравнивания (стороны +Y). При просмотре в нормальном направлении вторых поверхностей 422 (в направлении по оси Z), три шинных системы 51, 52, 61 не должны пересекать друг друга.
Силовые модули 6a, 6b, силовые модули 6e, 6f и силовые модули 6g, 6h, которые последовательно соединяются, также размещаются таким образом, что первые поверхности 421 (или третьи поверхности 423) силовых модулей обращены друг к другу. Другими словами, силовые модули 6a, 6b, силовые модули 6e, 6f и силовые модули 6g, 6h, которые последовательно соединяются, размещаются "торец к торцу" (встык). Эти силовые модули также могут достигать преимущества, идентичного преимуществу силовых модулей 6c, 6d.
Силовые модули 6c-6h представляют собой компоненты инверторной схемы 13 (см. фиг. 1). Межмодульная шинная система 52, которая соединяет отрицательный контактный вывод 6n силового модуля 6e и положительный контактный вывод 6p силового модуля 6f, также соединяется с датчиком 8 тока и имеет конец, составляющий соединительный контактный вывод 52b в разъеме 77. Межмодульная шинная система 52, которая соединяет отрицательный контактный вывод 6n силового модуля 6g и положительный контактный вывод 6p силового модуля 6h, также соединяется с датчиком 8 тока и имеет конец, составляющий соединительный контактный вывод 52c в разъеме 77. Соединительные контактные выводы 52a-52c, надлежащим образом соответствуют контактным выводам средних точек трех наборов последовательных соединений инверторной схемы 13 (см. фиг. 1). Соединительные контактные выводы 52a-52c соответствуют выходным контактным выводам для трехфазного переменного тока, который должен подаваться в тяговый электромотор 91.
Силовые модули 6a, 6b представляют собой компоненты схемы 12 преобразователя напряжения (см. фиг. 1). Силовые модули 6a, 6b последовательно соединяются, и силовой модуль 6a находится на стороне с высоким потенциалом. Другая межмодульная шинная система 53 соединяет положительный контактный вывод 6p силового модуля 6b и отрицательный контактный вывод 6n силового модуля 6a на одном конце. Другой конец межмодульной шинной системы 53 соединяется с одним концом 2a реактора 2. Последовательное соединение силовых модулей 6a, 6b также соединяется со сглаживающим конденсатором 7. Следовательно, аналогично силовым модулям 6c-6h, ответвление 51 положительной шинной системы соединяется с положительным контактным выводом 6p силового модуля 6a, и ответвление 61 отрицательной шинной системы соединяется с отрицательным контактным выводом 6n силового модуля 6b. Оба из положительного контактного вывода 6p силового модуля 6a и отрицательного контактного вывода 6n силового модуля 6b позиционируются на идентичной стороне относительно межмодульной шинной системы 53 в направлении выравнивания, так что три шинных системы (ответвления 51, 61 положительной и отрицательной шинной системы и межмодульная шинная система 53) могут размещаться без пересечения друг друга.
Другой конец 2b реактора 2 соединяется с одним концом входной положительной шинной системы 54, и другой конец входной положительной шинной системы 54 позиционируется во входном разъеме 76. Отрицательная шинная система 60, соединенная со сглаживающим конденсатором 7, соединяется с входной отрицательной шинной системой 55, и один конец входной отрицательной шинной системы 55 также позиционируется во входном разъеме 76. Входной разъем 76 представляет собой разъем, который соединяет кабель из аккумулятора 90.
Фиг. 9 показывает частично укрупненный вид по фиг. 8. Фиг. 9 является укрупненным видом двух силовых модулей 6c, 6d и их окрестностей. Фиг. 9 опускает иллюстрацию соединительных труб 78, 79, которые соединяют смежные охлаждающие пластины 71. Как показано на фиг. 9, межмодульная шинная система 52 изгибается в форме кривошипа. Межмодульная шинная система 52 включает в себя базовый участок 521, проходящий из датчика 8 тока и соединенный с положительным контактным выводом 6p силового модуля 6d, средний участок, изогнутый 522 на конце базового участка 521 под приблизительно прямым углом к силовому модулю 6c, и концевой участок, изогнутый 523 на конце среднего участка 522 таким образом, что он обращен к отрицательному контактному выводу 6n силового модуля 6c. Концевой участок 523 связывается с отрицательным контактным выводом 6n силового модуля 6c. Отрицательный контактный вывод 6n силового модуля 6c и положительный контактный вывод 6p силового модуля 6d соединяются посредством межмодульной шинной системы 52, имеющей простую форму кривошипа. Кроме того, поскольку межмодульная шинная система 52 изгибается в форме кривошипа, изоляционное расстояние dW может обеспечиваться между межмодульной шинной системой 52, которая является электропроводящей с положительным контактным выводом 6p силового модуля 6d, и отрицательным контактным выводом 6n силового модуля 6d.
Фиг. 10 показывает межмодульную шинную систему 152 по разновидности. Фиг. 10 показывает случай приспособления силовых модулей 106c, 106d, каждый из которых включает в себя положительные и отрицательные контактные выводы 6p, 6n, дополнительно разнесенные друг от друга. Межмодульная шинная система 152 включает в себя базовый участок 1521, соединенный с положительным контактным выводом 6p силового модуля 106d, средний участок, изогнутый 1522 на конце базового участка 1521 к силовому модулю 106c, и концевой участок, изогнутый 1523 на конце среднего участка 1522 таким образом, что он обращен к отрицательному контактному выводу 6n силового модуля 106c. Концевой участок 1523 связывается с отрицательным контактным выводом 6n силового модуля 106c. Средний участок 1522 не пересекается ортогонально с базовым и концевым участками 1521, 1523, а пересекается с ними под углом. Межмодульная шинная система 152 с такой формой может приспосабливаться.
Далее, со ссылкой на фиг. 11, описывается силовой модуль 206 по первой разновидности. Фиг. 11 является видом сверху силового модуля 206 по первой разновидности. Как показано на фиг. 6, фиг. 11 является схемой с удаленными теплорассеивающей пластиной в передней части на чертеже и корпусом. Корпус 242 проиллюстрирован с помощью пунктирной линии. Силовой модуль 206 размещает две полупроводниковых микросхемы 41a, 41b в корпусе 242. Каждая из полупроводниковых микросхем 41a, 41b размещает переключающий элемент (IGBT). Две полупроводниковых микросхемы 41a, 41b (два переключающих элемента) выравниваются в направлении по оси Y системы координат на чертеже. Отрицательный контактный вывод 6n, который соединяет электроды эмиттера двух полупроводниковых микросхем 41a, 41b (двух переключающих элементов), размещается в позиции, равноотстоящей от полупроводниковых микросхем, позиционированных на обоих концах совмещения полупроводниковых микросхем, а именно, от полупроводниковых микросхем 41a, 41b. Стрелки, указываемые посредством обозначения L2 на фиг. 11, показывают то, что расстояние от полупроводниковой микросхемы 41a до отрицательного контактного вывода 6n равно расстоянию от полупроводниковой микросхемы 41b до отрицательного контактного вывода 6n.
Преобразователь мощности, который включает в себя силовые модули 206 по первой разновидности, вместо силовых модулей 6, также предоставляет преимущества, аналогичные преимуществам преобразователя 10 мощности по варианту осуществления. Две полупроводниковых микросхемы 41a, 41b размещены слева на чертеже в корпусе 242, и отрицательный контактный вывод 6n не позиционируется на центральной линии CL корпуса 242. Хотя отрицательный контактный вывод предпочтительно позиционируется в центре корпуса, отрицательный контактный вывод может не позиционироваться в центре корпуса, аналогично силовому модулю 206 по первой разновидности.
Далее, со ссылкой на фиг. 12, описывается силовой модуль 306 по второй разновидности. Фиг. 12 является видом сверху силового модуля 306 по второй разновидности. Как показано на фиг. 6, фиг. 12 является схемой с удаленными теплорассеивающей пластиной в передней части на чертеже и корпусом. Корпус 342 проиллюстрирован с помощью пунктирной линии. Силовой модуль 306 размещает три полупроводниковых микросхемы 41a-41c в корпусе 342. Каждая из полупроводниковых микросхем 41a-41c размещает переключающий элемент (IGBT). Три полупроводниковых микросхемы 41a-41c (три переключающих элемента) выравниваются в направлении по оси Y системы координат на чертеже. Тем не менее, расстояние между полупроводниковыми микросхемами 41a, 41b не равно расстоянию между полупроводниковыми микросхемами 41b, 41c. Отрицательный контактный вывод 6n, который соединяет электроды эмиттера трех полупроводниковых микросхем 41a-41c (трех переключающих элементов), размещается в позиции, равноотстоящей от полупроводниковых микросхем, позиционированных на обоих концах совмещения полупроводниковых микросхем, а именно, от полупроводниковых микросхем 41a, 41c. Стрелки, указываемые посредством обозначения L3 на фиг. 12, показывают то, что расстояние от полупроводниковой микросхемы 41a до отрицательного контактного вывода 6n равно расстоянию от полупроводниковой микросхемы 41c до отрицательного контактного вывода 6n.
Преобразователь мощности, который включает в себя силовые модули 306 по второй разновидности, вместо силовых модулей 6, также предоставляет преимущества, аналогичные преимуществам преобразователя 10 мощности по варианту осуществления. Три полупроводниковых микросхемы 41a-41c размещены слева на чертеже в корпусе 342, и отрицательный контактный вывод 6n не позиционируется на центральной линии корпуса 342. Хотя отрицательный контактный вывод предпочтительно позиционируется в центре корпуса, отрицательный контактный вывод может не позиционироваться в центре корпуса, аналогично силовому модулю 306 по второй разновидности.
В дальнейшем описываются аспекты, которые следует отметить, связанные с технологией, описанной в варианте осуществления. Каждый из переключающих элементов в варианте осуществления представляет собой IGBT. Тем не менее, переключающие элементы не ограничены IGBT. Каждый переключающий элемент, например, может представлять собой полевой транзистор со структурой "металл-оксид-полупроводник" (MOSFET) с каналом n-типа. В качестве электродов MOSFET с каналом n-типа, конец ввода тока называется "электродом стока" и конец вывода тока называются "электродом истока". Следовательно, в случае использования MOSFET вместо IGBT, электрод эмиттера и электрод коллектора в варианте осуществления должны называться просто "электродом истока" и "электродом стока", соответственно. В случае MOSFET с каналом n-типа, его напряжение затвора задается относительно потенциала истока, в силу чего колебания затвора могут подавляться в большей степени с небольшими варьированиями потенциалов множества электродов истока. Следовательно, посредством позиционирования отрицательного контактного вывода, соединяющего множество электродов истока, в позиции, равноотстоящей от переключающих элементов, позиционированных на обоих концах совмещения переключающих элементов, эффект подавления колебаний затвора может достигаться.
Каждый из силовых модулей по варианту осуществления размещает множество переключающих элементов, соединенных параллельно. Типичный переключающий элемент представляет собой транзистор, такой как IGBT или MOSFET. В варианте осуществления, контактный вывод, который соединяет электроды (электроды эмиттера IGBT с каналом n-типа или электроды истока MOSFET) множества транзисторов (переключающих элементов) на стороне выпуска в прямом направлении, называется "отрицательным контактным выводом" и контактный вывод, который соединяет электроды множества транзисторов на стороне впуска в прямом направлении, называется "положительным контактным выводом".
Ниже обобщенно описываются некоторые признаки преобразователя 10 мощности, описанного в варианте осуществления. Преобразователь 10 мощности включает в себя множество силовых модулей 6. Каждый из силовых модулей 6 размещает множество переключающих элементов, соединенных параллельно. Каждый из силовых модулей 6 является плоским и содержит первую поверхность 421 (первую широкую поверхность), вторую поверхность 422 (узкую поверхность), пересекающуюся с первой поверхностью 421, и третью поверхность 423 (вторую широкую поверхность), параллельную первой поверхности 421. Множество переключающих элементов соединяются параллельно посредством первой теплорассеивающей пластины 44, раскрываемой на первой поверхности 421, и второй теплорассеивающей пластины 45, раскрываемой на третьей поверхности 423. Множество переключающих элементов выравниваются в линию в направлении (в направлении выравнивания), параллельном обеим из первой и второй поверхностей 421, 422. Отрицательный контактный вывод 6n, который соединяет электроды эмиттера (электроды истока) множества переключающих элементов, проходит из второй поверхности 422 в позиции, равноотстоящей от электродов эмиттера переключающих элементов, позиционированных на обоих концах совмещения переключающих элементов. Положительный контактный вывод 6p, который соединяет электроды коллектора (электроды стока) множества переключающих элементов, размещается рядом с отрицательным контактным выводом 6n в направлении выравнивания на второй поверхности 422.
Множество силовых модулей 6 и множество охлаждающих пластин 71 попеременно укладываются поверх друг друга. Смежные силовые модули (например, 6c, 6d) размещаются "торец к торцу" (встык) таким образом, что их первые поверхности 421 (или третьи поверхности 423) обращены друг к другу. То же применимо к другим смежным силовым модулям (например, 6a, 6b). Посредством размещения смежных силовых модулей (например, 6c, 6d) "торец к торцу" (встык), их отрицательные контактные выводы 6n обращены друг к другу, но их положительные контактные выводы 6p не обращены друг к другу. Отрицательный контактный вывод 6n одного (например, 6c) из силовых модулей и положительный контактный вывод 6p другого (например, 6d) из силовых модулей соединяются посредством шинной системы (межмодульной шинной системы 52), которая проходит из одной стороны направления выравнивания. Положительный контактный вывод 6p одного (например, 6c) из силовых модулей и отрицательный контактный вывод 6n другого (например, 6d) из силовых модулей соединяются с другим компонентом (сглаживающим конденсатором 7) посредством шинных систем (ответвлений 51, 61 положительной и отрицательной шинной системы), которые проходят из другой стороны направления выравнивания. Шинная система (межмодульная шинная система 52), которая проходит из одной стороны направления выравнивания к контактным выводам 6p, 6n, и шинные системы (ответвления 51, 61 положительной и отрицательной шинной системы), которые проходят из другой стороны направления выравнивания к контактным выводам 6p, 6n, могут соединяться со своими соответствующими силовыми модулями без пересечения друг друга при просмотре в нормальном направлении вторых поверхностей 422.
Силовой модуль 6c соответствует примеру первого корпуса, и силовой модуль 6d соответствует примеру второго корпуса. Силовой модуль 6a соответствует другому примеру первого корпуса, и силовой модуль 6b соответствует другому примеру второго корпуса.
Выше подробно описываются конкретные примеры настоящего изобретения; тем не менее, они представляют собой простые примерные указания и в силу этого не ограничивают объем формулы изобретения. Область техники, описанная в формуле изобретения, включает в себя модификации и варьирования конкретных примеров, представленных выше. Технические признаки, приведенные в описании и на чертежах, технически могут быть полезными отдельно или в различных комбинациях и не ограничены первоначально заявленными комбинациями. Дополнительно, область техники, приведенная в описании и на чертежах, позволяет параллельно достигать множества целей, и ее техническая значимость заключается в достижении любой из таких целей.