Выращивание кристаллов литий-висмутового молибдата LiBi(MoO4^ в условиях низких градиентов температуры

Таким образом, впервые изучено фазообразование в системе Ag2MoO4-ZnMoO4-Cr2(MoO4)3. Установлено образование AgZn3Cr(MoO4)5 и фазы переменного состава Agi_xZni_xCri+x(MoO4)3. Определены кристаллографические характеристики полученных соединений. Установлено, что Agi_xZni_ xCri+x(MoO4)3 относится к структурному типу НАСИКОН (пр. гр. R 3c), принадлежность к которому дает возможность предполагать наличие высокой ионной проводимости.

Литература

1. Лазоряк Б.И. Дизайн неорганических соединений с тетраэдрическими анионами // Успехи химии. -1996. - Т.65, №4. - С. 307-325.

2. Иванов-Шиц А.К., Мурин И.В. Ионика твердого тела. - СПб.: Изд-во СПб ун-та. - 2000. - Т.1. - 615 с.

3. Шехтман Г.Ш., Волегова Е.И., Бурмакин Е.И., Антонов Б.Д. Твердые электролиты Rb2-2xAl2-xAxO4 (A-Nb,Ta) с рубидий-катионной проводимостью // Неорган. материалы. - 2010. - Т.46, №5. - С. 604-609.

4. Kohlmuller R., Faurie J.-P. Etude des systemes MoO3-Ag2MoO4 et MoO3-MO (M - Cu, Zn, Cd) // Bull. Soc. Chim.France. - 1968. - №1. - Р. 4379-4382.

5. Gatehouse B.M. Alkali Metal and Silver Molybdates and Polymolybdates Some Recently Determined // J. Less Common Metals. - 1974. - V.36. - P. 53-59.

6. Жуковский В.М. Статика и динамика процессов твердофазного синтеза молибдатов двухвалентных элементов: автореф. дис. ... д-ра хим. наук. - Свердловск: Уральский госуниверситет, 1974. - 41 с.

7. Плясова Л.М., Кефели Л.М. Рентгенографическое исследование молибдатов хрома и алюминия // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. - 1967. - Т.3, №5. - С. 906-908.

8. Giquel-Mayer P.C., Mayer M., Perez G. Etude Structural du Molybdate Double d’Argent et de Zinc Ag2Zn2Mo3O12 // Acta Crystallogr. B. - 1981. - B37, №5. - P. 1035-1039.

9. Клевцов П.В., Перепелица А.П. Двойные молибдаты AgR3+(MoO4)2 (R=Sc,Fe,Cr) // Ж. неорган. химии. -1984. - Т.29, №9. - С. 2261-2265.

10. Перепелица А.П., Голуб А.М., Бадаев Ю.Б., Шаповал В.Н. Двойные молибдаты алюминия, галлия, индия, хрома, железа и висмута с одновалентными серебром и таллием // Ж. неорган. химии. - 1977. - Т.22, №4. -С. 994-997.

11. Трунов В.К., Ефремов В.А., Великодный Ю.А. Кристаллохимия и свойства двойных молибдатов и вольфраматов. - Л.: Наука, 1986. - 173 с.

12. Лазоряк Б.И., Ефремов В.А. Фазы переменного состава Na2xM2IISc2(1-x)(MoO4)3 (M=Zn, Cd, Mg) // Ж. неорган. химии. - 1987. - Т.32, №3. - С. 652-656

13. Клевцова Р.Ф., Васильев А.Д. и др. Синтез и кристаллоструктурное исследование тройного молибдата NaMg3In(MoO4)5 // Ж. структур. химии. - 1993. - Т.34, №5. - С. 147-151.

Котова Ирина Юрьевна, кандидат химических наук, научный сотрудник, лаборатория оксидных систем, Байкальский институт природопользования СО РАН, 670047, Улан-Удэ, ул. Сахьяновой, 8, ikoto-va@binm.bscnet.ru

Kotova Irina Yurievna, candidate of chemical sciences, researcher, Laboratory of Oxide Systems, Baikal Institute of Nature Management SB RAS, 670047, Ulan-Ude, Sakhyanovoy St., 8

УДК 548.0 © Б.Н. Цыдыпова, А.А. Павлюк

ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ ЛИТИЙ-ВИСМУТОВОГО МОЛИБДАТА LiBi(MoO4^

В УСЛОВИЯХ НИЗКИХ ГРАДИЕНТОВ ТЕМПЕРАТУРЫ

Определены состав шихты и параметры процесса выращивания объемных однородных кристаллов Li-Bi(MoO4)2 методом Чохральского в условиях низких градиентов температуры (<1 град/см). Выращены кристаллы LiBi(MoO4)2, активированные Eu3+, пригодные для оптических измерений.

Ключевые слова: двойной литий-висмутовый молибдат LiBi(MoO4)2, выращивание кристаллов методом Чохральского, LiBi(MoO4)2:Eu3+.

B.N. Tsydypova, A.A. Pavlyuk

GROWTH OF SINGLE CRYSTALS LITHIUM-BISMUTH MOLYBDATE, LiBi(MoO4)2,

UNDER LOW TEMPERATURE CONDITIONS

The composition of the charge and the parameters of the growth process of bulk homogeneous crystals Li-Bi(MoO4)2 by the Czochralski method at low temperature gradients (<1 deg/cm) were determined. Crystals Li-Bi(MoO4)2, activated by Eu3+, suitable for optical measurements were grown.

Keywords: double lithium-bismuth molybdate LiBi(MoO4)2, crystal growth by the Czochralski method, Li-Bi(MoO4)2:Eu3+.

Кристаллы двойного литий-висмутового молибдата LiBi(MoO4)2, а также активированные редко-земельныз металлов (РЗМ), в силу уникальной совокупности своих свойств являются эффективным материалом, сочетающим акустооптические и лазерные характеристики [1, 2].

Первые попытки выращивания объемных кристаллов LiBi(MoO4)2 были предприняты еще в 1970х годах. Сообщалось о выращивании кристаллов LiBi(MoO4)2 методом Чохральского из расплава стехиометрического спека в виде 4-х гранных пирамид размером 15x15x40 мм (1,5Т,5 см2 и высотой до 4 см) для акустооптических исследований [3]. Позже сообщалось о выращивании LiBi(MoO4)2, активированных Рг, Но, Ег и Yb, для определения спектро-скопических и лазерных характеристик. Отмечалось, что существует проблема выращивания однородных, активированных РЗМ кристаллов методом Чохральского [4, 5]. К таким проблемам следует отнести сильную зависимость температуры плавления от концентрации активатора и анизотропию коэффициента вхождения активатора в кристалл для разных направлений роста. У кристаллов, активированных Er3+ [6] коэффициент вхождения примеси К = С(крист)/С(распл) для концентраций эрбия в расплаве 0,03-0,3% достигает 3,7-4,0, т.е. в кристалле концентрация активатора возрастает в несколько раз. По-видимому, у авторов при выращивании объемных кристаллов возникали значительные трудности из-за нестабильности расплава, в особенности, при его перегреве в традиционном методе Чохральского.

Для реализации фундаментальных функциональных свойств LiBi(MoO4)2 в плане практического использования необходимы объемные кристаллы высокой степени однородности (AN<10-5). В традиционном методе Чохральского из-за большего температурного градиента (10-100 град/см) в кристалле образуются значительные термоупругие напряжения, особенно при выращивании кристаллов с большим поперечным сечением (50-100 см2), являющиеся причиной нарушения однородности кристаллов и, следовательно, объективным препятствием для выращивания большеразмерных кристаллов. Очевидно, что термоупругие напряжения будут уменьшаться при понижении температурного градиента. В настоящей работе показана возможность выращивания таких кристаллов при использовании оригинального метода: низкоградиентного метода Чохральского [7]. Понижение температурного градиента при выращивании данным методом является причиной неустойчивого, слабоуправляемого роста. Было показано, что даже при температурном градиенте в области кристаллизации < 1 град/см, но при точности поддержания температуры в печи +/-0.1 град, процесс роста кристалла становится устойчивым при использовании датчика массы растущего кристалла с программным управлением [8].

Цель настоящей работы - определение состава шихты и параметров процесса выращивания объемных однородных кристаллов LiBi(MoO4)2 низкоградиентным методом Чохральского.

Экспериментальная часть

Исходная шихта для выращивания кристаллов была приготовлена методом твердофазного синтеза из карбоната лития, оксида висмута марки «о.с.ч.» и оксида молибдена марки «ч.д.а.», взятых в стехиометрическом соотношении. Для выращивания активированных европием кристаллов использовали шихту стехиометрического спека LiBi(MoО4)2 - Eu (3 ат.%). Рентгенофазовый анализ продуктов твердофазного синтеза и идентификацию продуктов разложения расплава осуществляли на автоматизированном порошковом дифрактометре ДРОН-3М (R=192 мм, Cu^a-излучение, Ni-фильтр, детектор сцинтилляционный с амплитудной дискриминацией, щели Соллера на первичном и отраженном пучках 2,5°) в области углов 20 от 5 до 60°, с шагом сканирования углов 0,03°, время накопления в точке 1-2 с.

Для выращивания кристаллов использовалась лабораторная установка НХ620Н. Шихта помещалась в платиновый тигель диаметром 70 мм и высотой 120 мм, сверху плотно закрытый платиновой крышкой с узким патрубком. Атмосфера выращивания - воздух. Кристаллизационная печь состояла из 3-х зон, температура в которых поддерживалась с помощью 3-х терморегуляторов ПИТ-3 с точностью ± 0,1 град. (рис. 1). Регулятор поперечного сечения выращиваемого кристалла по сигналу датчика массы обеспечивал поддержание массовой скорости роста с точностью +/- 3% по специально задаваемой программе.

Первые эксперименты показали, что расплав LiBi(MoO4)2, полученный плавлением стехиометрического спека, при длительной выдержке даже в условиях небольших температурных градиентов (< 1 град/см) в процессе выращивания частично разлагается. В остатках шихты были обнаружены фазы

Li8Bi2(MoO4)7, В^(Мо04)з и Li2Mo2O7. Продукты разложения существенно сказываются на скорости выращивания однородных кристаллов. Температура кристаллизации может понижаться на несколько десятков градусов. В кристаллах образуются включения при разращивании и в конце процесса.

С целью определения состава шихты, из которой процесс роста кристаллов LiBi(Mo04)2 осуществлялся бы в стабильных условиях, проведено изучение растворимости LiBi(Mo04)2 в расплавах 1л2Мо04,1л2Мо207 и М0О3.

Рис. 1. Схема низкоградиентного метода Чохральского

Термоаналитические исследования (ДТА) продуктов синтеза и фаз, образующихся в шихте, проводили на установке оригинальной конструкции, созданной И.Ю. Филатовой в лаборатории синтеза и роста монокристаллов соединений РЗЭ ИНХ СО РАН. Нагревание со скоростью 16 град/мин проводили от комнатной температуры до 700°С в атмосфере аргона. Температуру образца и ее разницу с температурой эталона (А1203 марки «х.ч.») измеряли Р1/Р1;-10%КЬ термопарами, на горячие спаи которых помещали кварцевые тигли со специальными углублениями, соответственно с исследуемым веществом (0.2-0.3 г) и эталоном, холодные концы термостатировали при 0°С.

Исследование растворимости проводили методом «пробных» затравок [9]. В качестве затравок использовали спонтанно образующиеся мелкие (~1 мм) кристаллы на конце платиновой проволоки, опущенной в расплав. Температуру равновесия определяли Р1/Р1;-КЬ термопарой (компаратор Р3ОО3) непосредственно на поверхности расплава. Растворимость LiBi(Mo04)2 во всех трех растворителях высокая (рис. 2) и все они могут быть использованы для выращивания кристаллов этого соединения.

L£MoO^

Li2Mo207

МоОЗ

. УЬ Li Bi [Мо 04)2

Рис. 2. Температурная зависимость растворимости LiBi(MoO4)2 в расплавах разного состава

При добавлении в шихту МоО3 в количестве до 15 мол.% температура кристаллизации расплава остается практически постоянной. Состав закристаллизовавшейся после выращивания шихты состоит из LiBi(Mo04)2 и Li2Mo40l3. Из шихты такого состава и были проведены эксперименты по определению оптимальных условий выращивания однородных кристаллов.

Для достижения нужного распределения температуры в кристаллизационном контейнере (платиновом тигле) в расплаве и сверху расплава, меняли вертикальное положение тигля в печи и использовали различные по конструкции крышки из шамотного кирпича, закрывающие тигель сверху. Таким

образом, градиенты температуры в приповерхностной зоне расплава можно было изменять от «0,5 до 1 град/мм (вертикально-осевые) и от «0,1 до 0,5 град/мм (радиальные). Типичная картина центрально-осевого распределения температуры в кристаллизационном контейнере приведена на рис. 3.

Выращивание кристаллов осуществляли на затравки размером 7,5x7,5x30 мм, ориентированные по [001] (+/- 1 угл. град), при скорости вытягивания затравки 3,5 мм/сутки и скорости вращения 12 об/мин. Выращены кристаллы размером 33x33x70 мм весом до 500 г (рис. 4). Форма кристаллов: сверху пирамидальная и остальная часть призматическая. На пирамидальной части и сбоку торца кристалла образуется одна кристаллографическая форма - дипирамида {101}. Основная часть торцевой поверхности округлая.

Различие между параметрами элементарной ячейки стехиометрического спека LiBi(MoO4)2, кристаллов LiBi(MoO4)2, выращенных из стехиометрического спека LiBi(MoO4)2 и шихты состава Li-В^Мо04)2-Мо03 (5 мол.%) составляет 0,1-0,18%, что согласуется с имеющимися данными о наличии незначительной области гомогенности в системе Li2Mo04-LiBi(Mo04)2 и Bi2(Mo04)3-LiBi(Mo04)2 [10].

т, с

Рис. 3. Распределение температуры в тигле

Рис. 4. Кристалл LiBi(Mo04)2

Исследование выращивания кристаллов LiBi(MoO4)2, активированных европием

Выращивание двойных молибдатов и вольфраматов, активированных РЗМ, часто сопровождается образованием дефектов из-за распада твердых растворов в процессе охлаждения кристаллов [11]. С целью исследования возможности выращивания однородных активированных РЗМ кристаллов Li-Bi(Mo04)2 проведено сравнение параметров элементарной ячейки спеков твердых растворов LiBi(MoО4)2-Eu3+ (3%) отожженных и закаленных от 600°С. Твердые растворы LiBi(MoО4)2-Eu3+ (3%) получены спеканием LiBi(MoО4)2 с синтезированными двойным молибдатом LiEu(MoО4)2 при температуре 500-650оС в течение 100-130 ч. Для синтеза использовали оксид Еи203 квалификации ЕвО-1 с содержанием редкой земли 99,99%. Из табл. 1 видно, что параметр «с» элементарной ячейки заметно меняется, что возможно является причиной образования неоднородностей при выращивании активированных кристаллов.

Таблица 1

Параметры элементарной ячейки LiBi

Отожженные: Закаленные: Различие параметров:

LiBi(MoО4)2-Eu3+ (3%) а= 5.2185 (0.0009) А; а=5.2180 (0.0005) А; Да = 0.0005 А

с=11.4543 (0.0033) А с=11.4468 (0.0018) А Ас = 0.0075 А

В силу того, что изоструктурные LiBi(MoО4)2 кристаллы LiEu(MoО4)2 плавятся при более высокой температуре (1025оС), температура плавления твердых растворов LiBi(MoО4)2-Eu3+ значительно отличается от температуры плавления неактивированных LiBi(MoО4)2 (645оС) (табл. 2).

Это обстоятельство сильно затруднило выращивание активированных кристаллов на затравки из неактивированного LiBi(MoО4)2. Наши попытки вырастить кристалл на такие затравки обычно заканчивались образованием блочного дефектного кристалла. Подходящие затравки были получены из выращенных на затравку из платиновой проволоки крупноблочных активированных кристаллов с последующей ориентацией перпендикулярно грани дипирамиды {101}.

Таблица 2

Температуры плавления твердых растворов: LiBi(MoО4)2-Eu3+

Твердые растворы С, мол. % Тпл, С ±10°С

3 648

5 654

LiBiMo-Eu 7 659

10 667

15 680

20 697

Выращивание активированных Eu кристаллов осуществляли, как из расплава состава LiBi(MoО4)2-Eu3+ (3%) с добавкой 15 мол.% МоО3, так из раствора - расплава Li2Mo207 с концентрацией двойного молибдата 55 мол.%. Тепловые условия выращивания активированных кристаллов близки к тем, что использовали для выращивания неактивированных кристаллов (рис. 3). Кристаллизацию проводили в платиновом тигле 70х120 мм. Количество шихты составляло 150-300 г. Параметры процесса: скорость вытягивания затравки 1-2 мм/сутки, скорость вращения 15 об/мин, массовая скорость кристаллизации 2-5 г/сутки. Фото выращенного кристалла представлено на рис. 5.

Рис. 5. Кристаллы LiBi

(б, в), выращенные на затравку, ориентированную пер-

Исследование температуры плавления выращенных активированных европием кристаллов показало, что они плавятся при температуре значительно выше температуры спека LiBi(MoО4)2-Eu3+(3%). Сопоставление температуры плавления выращенного монокристалла (рис. 6) с данными табл. 2 показывает, что концентрация европия в нем, возможно, достигает 18-20 ат.%, что почти в 5 раз превышает концентрацию в исходной шихте. На рис. 7 представлены спектры пропускания кристаллов LiBi(Mo04)2, неактивированных (а) и активированных Eu (б).

Обсуждение результатов

Полученные результаты исследования образующихся новых фаз в шихте после плавления Li-Bi(Mo04)2 свидетельствуют, что при длительной выдержке происходит заметное разложение расплава, связанное, очевидно, с диссоциацией LiBi(Mo04)2. Введение в шихту Mo0з сдвигает равновесие продуктов распада в сторону образования молибдата LІ2Mo40lз и состав расплава не меняется до конца процесса роста.

Поскольку концентрация LІ2Mo40lз в шихте небольшая (< 1-2%), она фактически не сказывается на скорости роста, о чем свидетельствует высокая однородность выращенных кристаллов. Устойчивый рост однородных кристаллов LiBi(Mo04)2 вдоль [001] при низких градиентах температуры достигнут установлением оптимального режима обратной связи регулирования температуры по сигналу датчика массы.

Для выращивания активированных кристаллов LiBi(Mo04)2:Eu3+ необходимо исключить сектори-альный рост. Рост по [001] сопровождается образованием на поверхности раздела кристалл-расплав граней дипирамиды {101} и округлой гладкой поверхности растущих разными механизмами: дислокационным и нормальным. В результате в кристалле будут сектора с разной концентрацией активатора, что может привести к образованию дефектов (малоугловых границ, трещин и др.). Наиболее перспективный способ получение однородных активированных кристаллов, когда поверхность раздела представляет собой грань дипирамиды {101}, т.е. затравка ориентирована перпендикулярно грани (101).

Из табл. 1 видно, что даже при небольшой концентрации европия (~3%) происходит распад твердого раствора LiBi(Mo04)2:Eu3+. Это обстоятельство является возможной фундаментальной причиной образования дефектов в кристалле (рис. 5) и указывает на необходимость существенного понижения температуры кристаллизации.

В области 535 нм у кристаллов LiBi(Mo04)2: Eu3+ наблюдается заметное поглощение (рис. 7), что предопределяет возможность эффективной генерации света на длине волны ~700 нм при светодиодной накачке (Х~520 нм) [12].

-г -|--1-1---1--1----1-1----1-1----1-1---1-1---1-1-------------1-1-1-1

О 100 200 300 400 500 600 700 800 900

т, °с

Рис. 6. Кривая ДТА кристалла LiBi(Mo04)2:Eu3+, выращенного из раствора-расплава LiBi(Mo04)2:Eu3+ (3 ат.%) -45 мол.% LІ2M0207

Длина волны, нм

400 500 600 700

Длина волны, нм

а б

Рис. 7. Спектр пропускания кристаллов LiBi(Mo04)2: а - неактивированных; б - активированных европием.

Заключение

Показана возможность выращивания из расплава состава LiBi(MoO4)2-MoG3 (5 мол.%) методом Чохральского в условиях низких градиентов температуры (АТ < 1 град/см) объемных однородных кристаллов двойного литий-висмутового молибдата, LiBi(MoO4)2.Определены условия выращивания однородных кристаллов LiBi(MoO4)2, активированных европием.

Авторы глубоко признательны ведущему инженеру И.Ю. Филатовой, канд. хим. наук А.В. Алексееву, д-ру физ.-мат. наук В.А. Надолинному и канд. физ.-мат. наук С.М. Ватнику за обеспечение экспериментальной части работы.

Литература

1. Винокуров В.А. Синтез, выращивание кристаллов и некоторые свойства двойных цезий-редкоземельных молибдатов и молибдатов и вольфраматов щелочных металлов с висмутом: автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук. - Красноярск: Институт физики им. Л.В. Киренского СО АН СССР, 1974. - 21 с.

2. Клевцов П.В., Винокуров В.А., Клевцова Р.Ф. Двойные молибдаты и вольфраматы щелочных металлов с висмутом, M+Bi(MoO4)2 // Кристаллография. - 1973. - Т.18, №6. - С. 1192-1197.

3. Акимов С.В., Дудник Е.Ф., Столпакова Т.М., Довченко Г.В. Акустооптические характеристики Li-Bi(MoO4)2 // ФТФ. - 1978. - Т.20, Вып.3. - С. 944-945.

4. Cascales С., Mendez-Blas А. and oth. The optical spectroscopy of lanthanides R3+ in ABi(XO4)2 (A = Li, Na; X = Mo, W) and LiYb(MoO4)2 multifunctional single crystals: Relationship with the structural local disorder // Optical Materials. - 2005. - V.27 - P. 1672-1680.

5. Huang Xin-Yang. Growth, Thermal and Spectroscopic Characteristics of Nd3+: LiBi(MoO4)2 Crystal // J. of Inorganic Materials. - 2010. - V.25, №12. - P. 1307-1312.

6. Rico M., Mendez-Blas A. Polarization and local disorder effects on the properties of Er3+ - doped XBi(YO4)2, X = Li or Na and Y = W or Mo, crystalline tunable laser hosts // J. Opt. Soc. Am. B. - 2006. - V.23, №10. - P. 20662078.

7. Pavlyuk A.A., Vasiliev Ya.V., Kharchenko L.Yu., Kuznetsov F.A. Low thermal gradient technique and method for large oxide crystals growth from melt and flux // Proceeding of APSAM- 92, Japan. - 1993. - P. 164-171.

8. Васильев Я.В., Боровлев Ю.А., Галашов Е.Н. и др. Низкоградиентная технология роста сцинтилляци-онных оксидных кристаллов // Сцинтилляционные материалы. Инженерия, устройства, применение. - Харьков: ИСМА. - 2011. - C. 119-180.

9. Козеева Л.П., Павлюк А.А. Выращивание монокристаллов калий-гадолиниевого молибдата, а-KGd(MoO4)2 // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. - 1983. - Т.19, №10, - С. 1730-1732.

10. Хальбаева К.М. Двойные и тройные молибдаты висмута и одновалентных металлов: Дисс. . канд. хим. наук. - Улан-Удэ, 2001. - 181 с.

11. Павлюк А.А., Юданова Л.И., Потапова О.Г. Фазовые диаграммы систем KGd(WO4)2-KNd(WO4)2, RbGd(WO4)2-RbNd(WO4)2 и выращивание кристаллов KGd(WO4)2 и RbGd(WO4)2, активированных неодимом // Неорган. материалы. - 1997. - Т.33, №1. - С. 72-75.

12. Багаев С.Н., Дашкевич В.И., Орлович В.А. и др. Лазерный кристалл 25% Eu: KGd(WO4)2: спектроскопия и генерация на переходе 5D0 ^ 7F4 // Квантовая электроника. - 2011. - Т.41, №3. - C. 189-192.

Цыдыпова Баирма Нимбуевна, аспирант, технологическая группа по выращиванию оксидных кристаллов, Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, 630090, Новосибирск, пр. акад. Лаврентьева, 3, bairmyshka5588@mail.ru, tsydypova@niic.nsc.ru

Павлюк Анатолий Алексеевич, кандидат технических наук, старший научный сотрудник, руководитель технологической группы по выращиванию оксидных кристаллов, Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, 630090, Новосибирск, пр. акад. Лаврентьева, 3, т. 8(383)3307843, pavlyuk@ngs.ru, pav-lyuk@niic.nsc.ru

Tsydypova Bairma Nimbuevna, postgraduate, Technology Group to Grow Oxide Crystals, Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry SB RAS, 630090, Novosibirsk, Acad. Lavrentyev ave., 3

Pavlyuk Anatoly Alexeevich, candidate of chemical sciences, senior researcher, Head of the Oxide Crystal Growth Technology Group, Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry SB RAS, 630090, Novosibirsk, Acad. Lavrentyev ave., 3