СТРУКТУРА УМНОЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В ВАКУУМНОЙ ТРУБКЕ, ИСПОЛЬЗУЮЩЕЙ УМНОЖЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ, И ВАКУУМНАЯ ТРУБКА, ИСПОЛЬЗУЮЩАЯ УМНОЖЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ, СНАБЖЕННАЯ ТАКОЙ СТРУКТУРОЙ УМНОЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ

1. Структура (70) умножения электронов в вакуумной трубке, использующей умножение электронов, причем структура (70) умножения электронов включает в себя входную поверхность, которая должна быть направлена в сторону входного окна вакуумной трубки, выходную поверхность, которая должна быть направлена в сторону регистрирующей поверхности вакуумной трубки, причем структура умножения электронов, по меньшей мере, составлена из слоя полупроводникового материала, отличающаяся тем, что слой полупроводникового материала расположен вблизи с регистрационной поверхностью вакуумной трубки.
2. Структура умножения электронов по п.1, в которой слой полупроводникового материала имеет ширину запрещенной энергетической зоны, равную 2 эВ.
3. Структура умножения электронов по п.1 или 2, в которой указанный слой полупроводникового материала включает в себя, по меньшей мере, одно вещество, взятое из групп III-V или группы II-VI Периодической таблицы химических элементов.
4. Структура умножения электронов по п.1 или 2, в которой указанный слой полупроводникового материала включает в себя что-либо из группы, состоящей из слоя материала, подобного алмазу, монокристаллической алмазной пленки, поликристаллической алмазной пленки и нанокристаллической алмазной пленки.
5. Структура умножения электронов по п.4, в которой слой материала, подобного алмазу, наносится в виде покрытия из наночастиц алмаза, подобного алмазу углерода или графена.
6. Структура умножения электронов по п.1, в которой структура умножения электронов включает в себя электролюминесцентный материал, причем на этом электролюминесцентном материале расположен слой полупроводникового материала.
7. Структура умножения электронов по п.6, в которой электролюминесцентная структура является органическим светоизлучающим слоем.
8. Структура умножения электронов по п.6 или 7, в которой структура умножения электронов включает в себя анодный слой, причем на этом анодном слое расположен органический светоизлучающий слой.
9. Структура умножения электронов по п.8, в которой анодный слой сконструирован в виде слоя оксида индия и олова.
10. Структура умножения электронов по любому из пп.1, 2, 5, 6, 7, 9, в которой структура умножения электронов включает в себя средства генерации электрического поля для генерации электрического поля поперек слоя полупроводникового материала.
11. Структура умножения электронов по 8, в которой структура умножения электронов включает в себя средства генерации электрического поля для генерации электрического поля поперек слоя полупроводникового материала.
12. Структура умножения электронов по любому из пп.1, 2, 5, 6, 7, 9, в которой структура умножения электронов включает в себя средства генерации электрического поля для генерации электрического поля поперек как слоя полупроводникового материала, так и регистрирующей поверхности.
13. Структура умножения электронов по п.8, в которой структура умножения электронов включает в себя средства генерации электрического поля для генерации электрического поля поперек как слоя полупроводникового материала, так и регистрирующей поверхности.
14. Структура умножения электронов по п.11 или 13, в которой слой полупроводникового материала обеспечен рисунком электродов, расположенных на входной поверхности структуры умножения электронов.
15. Структура умножения электронов по п.12, в которой слой полупроводникового материала обеспечен рисунком электродов, расположенных на входной поверхности структуры умножения электронов.
16. Структура умножения электронов по любому из пп.11, 13, 15, в которой между слоем полупроводникового материала и органическим светоизлучающим слоем расположена металлическая пиксельная структура.
17. Структура умножения электронов по п.12, в которой между слоем полупроводникового материала и органическим светоизлучающим слоем расположена металлическая пиксельная структура.
18. Структура умножения электронов по п.14, в которой между слоем полупроводникового материала и органическим светоизлучающим слоем расположена металлическая пиксельная структура.
19. Структура умножения электронов по п.16, в которой зазоры между пикселями металлической пиксельной структуры заполнены заполняющим материалом, имеющим непрозрачные световые характеристики.
20. Вакуумная трубка для использования в качестве электронного умножителя, по меньшей мере, имеющая структуру умножения электронов в соответствии с любым из предыдущих пунктов.