СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО ВЫСОКОДОБРОТНОГО КРЕМНИЕВОГО МИКРОМЕХАНИЧЕСКОГО РЕЗОНАТОРА

1. Способ изготовления интегрального высокодобротного кремниевого микромеханического резонатора, включающий в себя формирование в монокристаллической кремниевой подложке со стороны, противоположной рабочему слою, КНИ-пластины глухих отверстий, достигающих рабочего слоя КНИ-пластины, формирование в рабочем слое КНИ-пластины структуры резонатора, соединенной с участками в виде сплошных областей монокристаллического кремния, перекрывающих глухие отверстия в монокристаллической кремниевой подложке, удаление жертвенного слоя из-под структуры резонатора, соединение в высоком вакууме КНИ-пластины с диэлектрической пластиной, имеющей углубление, располагающееся над структурой резонатора, формирование металлических контактных площадок на открытой стороне участков монокристаллического кремния, перекрывающих глухие отверстия в монокристаллической кремниевой подложке, и разделение КНИ-пластины и диэлектрической пластины на кристаллы, отличающийся тем, что глухие отверстия в монокристаллической кремниевой подложке формируются с помощью анизотропного жидкостного травления кремния.
2. Способ изготовления интегрального высокодобротного кремниевого микромеханического резонатора по п.1, отличающийся тем, что в углубления, располагающиеся над структурами резонатора, помещается геттерирующий материал, проводится соединение при пониженном давлении КНИ-пластины с диэлектрической пластиной и выполняется активация геттерирующего материала.
3. Способ изготовления интегрального высокодобротного кремниевого микромеханического резонатора по п.1, отличающийся тем, что в качестве диэлектрической пластины используется кремниевая пластина, покрытая диэлектрическим слоем.