ОРГАНИЧЕСКОЕ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С АНОДИРОВАННОЙ МЕТАЛЛИЗАЦИЕЙ

1. Органическое светоизлучающее устройство (100), содержащее подложку (101), первый электропроводный слой (102), светоизлучающий слой (103) и второй электропроводный слой (104), причем указанное светоизлучающее устройство (100) также содержит, по меньшей мере, один металлический шунт (105), который находится в электрическом контакте с указанным первым электропроводным слоем (102), отличающееся тем, что указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) изолирован от указанного второго электропроводного слоя (104), по меньшей мере, посредством диэлектрического оксидного слоя (106); указанное устройство содержит первый металлический шунт (303) и второй металлический шунт (304), причем указанный первый металлический шунт (303) находится в электрическом контакте с указанным первым электропроводным слоем (302) и указанный второй металлический шунт (304) находится в электрическом контакте с указанным вторым электропроводным слоем (104).
2. Органическое светоизлучающее устройство (100) по п.1, в котором указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) содержит первый металлический слой (107), покрытый указанным диэлектрическим оксидным слоем (106).
3. Органическое светоизлучающее устройство (100) по п.1 или 2, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106) представляет собой оксидный слой, сформированный из указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105).
4. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106) сформирован посредством анодирования указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105).
5. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный первый металлический слой (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105) отобран из группы, состоящей из алюминия, циркония, титана и галлия.
6. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) также содержит, по меньшей мере, один дополнительный металлический слой (108), нанесенный для улучшения электрического контакта между указанным первым электропроводным слоем (102) и указанным, по меньшей мере, одним металлическим шунтом (105), причем указанный дополнительный металлический слой (слои) (108) может быть отобран из группы, состоящей из молибдена, алюминия, хрома, нитрида титана, меди, серебра, золота, вольфрама, циркония, титана, гафния или их комбинаций или сплавов.
7. Органическое светоизлучающее устройство (300) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный второй металлический шунт (304) расположен поверх указанного первого металлического шунта (303).
8. Органическое светоизлучающее устройство (300) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный первый металлический шунт (303) отделен от указанного второго металлического шунта (304) вторым диэлектрическим слоем (305).
2
3
4
2
3
9. Органическое светоизлучающее устройство (300) по п.8, в котором указанный второй диэлектрический слой (305) отобран из группы, состоящей из Si0, SiN и AlO.
10. Способ изготовления органического светоизлучающего устройства (100) по п.1, содержащий:
a) обеспечение подложки (101);
b) расположение первого электропроводного слоя (102) на указанной подложке (101);
c) расположение первого металлического слоя (107) на указанной подложке (101) или указанном первом электропроводном слое (102);
d) структурирование указанного первого металлического слоя (107) для формирования, по меньшей мере, одного металлического шунта (105);
e) формирование диэлектрического оксидного слоя (106) на указанном первом металлическом слое (107) указанного металлического шунта (105);
расположение светоизлучающего слоя (103) на указанном первом электропроводном слое (102) и
f) расположение второго электропроводного слоя (104) на указанном светоизлучающем слое (103);
указанный способ также содержит этап расположения, по меньшей мере, одного дополнительного металлического слоя (108) на указанной подложке (101) или указанном первом электропроводном слое (102) до этапа c) и также содержит этап структурирования указанного дополнительного металлического слоя (слоев) (107) с использованием диэлектрического оксидного слоя (108), сформированного на этапе e) в качестве маски для травления указанного дополнительного металлического слоя (слоев) (107).
11. Способ по п.10, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106), сформированный на указанном этапе e), формируют посредством анодирования указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105).