Способ изготовления полупроводниковой структуры
SEMICONDUCTOR STRUCTURE MANUFACTURING METHOD

Изобретение относится к области технологии изготовления полупроводниковой структуры, в частности к технологии изготовления эпитаксиальной пленки кремния с низкой дефектностью.
Известен способ изготовления [Патент №5395481 США, МКИ H01L 21/306] кремниевых слоев на стеклянной подложке. Процесс реализуется путем осаждения тонкой пленки кремния на подложке с последующим формированием излучением эксимерного лазера и фотолитографии.
В таких структурах из-за различия параметров кристаллической решетки кремния и стекла повышается дефектность структуры и ухудшаются электрофизические параметры полупроводниковых структур.
Известен способ изготовления [Заявка №2165620 Япония, МКИ H01L 21/20] полупроводниковых тонких пленок путем приведения в контакт аморфной кремниевой пленки с плоским графитовым основанием, содержащим на своей поверхности точечные выступы, которые располагаются на фиксированном расстоянии друг от друга. Затем структуру подвергают отжигу при температуре 500-700°С для роста твердой фазы и структуру окисляют.
Недостатками этого способа являются: высокая плотность дефектов, повышенные значения тока утечки, низкая технологичность.
Задача, решаемая изобретением: снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
-5
3
Задача решается формированием пленки кремния на кремниевой подложке со скоростью роста 20 нм/мин при температуре 750°С, давлении 1,33*10 Па и скорости подачи силана 14,3 см/мин. с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 15 сек в среде аргона.
-5
3
Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния р - типа проводимости, с удельным сопротивлением 10 Ом*см, ориентацией (111) формировали пленку кремния со скоростью роста 20 нм/мин при температуре 750°С, давлении 1,33*10 Па, при скорости подачи силана 14,3 см/мин с последующей термообработкой при температуре 1100°С в течение 15 сек в среде аргона
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 13,9%.
Технический результат: снижение дефектности, обеспечение технологичности, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличения процента выхода годных.