СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА

+
+
+
Способ изготовления СВЧ полевого транзистора, включающий создание n-n-i типа полупроводниковой структуры путем ионного легирования полуизолирующих пластин арсенида галлия ионами кремния, отличающийся тем, что после формирования n-n-i типа структуры и топологических элементов транзистора на этой структуре, проводится дополнительное легирование пластины ионами кремния и имплантация в пластину ионов бора, вследствие чего значительно сокращается канал транзистора, а на открытой поверхности n-n-i структуры формируется пассивный слабопроводящий слой.