СПОСОБ СОЗДАНИЯ ТОНКОГО ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, заключающийся в формировании слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллического кремния в атмосфере аргона, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выхода годных МОП-структур путем улучшения их зарядовых свойств за счет повышения качества структуры окисла, окисление проводят до получения электронографически аморфного окисного слоя толщиной, определяемой из соотношений
для подложек кремния n-типа проводимости с ориентацией (100)
и
(2+0,25)·ρ≤d≤(6+0,25)·ρ
для подложек р-типа проводимости с ориентацией (100), где d - толщина электронографически аморфного окисла, нм; Т - температура окисления, °С; ρ - количество кислорода в атмосфере аргон-кислород, об.%.