СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ДИОДА

1. Способ изготовления светодиода, содержащий этапы:
(i) нанесения полупроводниковой пластины, содержащей множество слоев, содержащих светодиодный слой;
(ii) нанесения защитного слоя на полупроводниковую пластину;
(iii) выполнения этапов обработки пластины для формирования светодиода, причем защитный слой предназначен для защиты полупроводниковой пластины во время, по крайней мере, одного из этапов обработки.
2. Способ по п.1, где этапы обработки включают в себя нанесение маскирующего покрытия поверх защитного слоя.
3. Способ по п.1, в котором этап нанесения маскирующего покрытия содержит нанесение маскирующего покрытия на защитный слой с последующим протравливанием участков маскирующего слоя для формирования маскирующего покрытия.
4. Способ по п.3, в котором этап нанесения маскирующего слоя дополнительно включает в себя слой металла поверх указанного маскирующего слоя и отжиг слоя металла для формирования островков металла, определяющих протравливаемые участки между ними.
5. Способ по любому из пп.2-4, в котором маскирующее покрытие определяет протравливаемую поверхность, и этапы обработки включают протравливание полупроводниковой пластины под протравливаемой поверхностью.
6. Способ по любому из пп.1-4, в котором некоторые из этапов обработки формируют наностолбики в пластине с промежутками между ними, и этапы включают в себя заполнение промежутков материалом и протравливание материала.
7. Способ по любому из пп.2-4, в котором этапы обработки включают в себя удаление маскирующего покрытия.
8. Способ по любому из пп.1-4, дополнительно содержащий обработку протравленной полупроводниковой пластины кислотой.
9. Способ по п.8, в котором кислота - это азотная кислота при температуре, по меньшей мере, 100˚C.
10. Способ по п.8, в котором продолжительность этапа обработки составляет, по меньшей мере, 1 мин.
11. Способ по п.8, в котором кислота содержит по меньшей мере 50% азотной кислоты.
12. Способ по любому из пп.1-4, включающий в себя также удаление защитного слоя.
13. Способ по любому из пп.1-4, в котором этапы обработки включают в себя нанесение контактного слоя на полупроводниковую пластину.
14. Способ по любому из пп.1-4, причем защитный слой содержит оксид металла и предпочтительно по меньшей мере одно из следующих веществ: оксид индия и олова, оксид цинка либо оксид титана.
15. Способ по любому из пп.1-4, в котором защитный слой имеет толщину не более 50 нм.
16. Способ по любому из пп.1-4, в котором защитный слой имеет толщину, не менее 20 нм.
17. Способ по любому из пп.2-4, в котором маскирующий слой содержит слой диоксида кремния или слой нитрида кремния.