СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ В РЕАКТОРЕ С ПСЕВДООЖИЖЕННЫМ СЛОЕМ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ТЕТРАХЛОРСИЛАНА ДЛЯ СНИЖЕНИЯ ОСАЖДЕНИЯ НА СТЕНКАХ РЕАКТОРА

1. Способ получения кремния, включающий:
4
3
1) подачу осаждающего газа, содержащего водород и кремниевый мономер, во внутреннюю область реактора с псевдоожиженным слоем, где кремниевый мономер выбран из SiH и HSiCl, причем осаждающий газ вводят в нагреваемую зону реактора с псевдоожиженным слоем, и одновременно
4
2) подачу травильного газа, состоящего по существу из SiCl, в окружающую область реактора с псевдоожиженным слоем, где окружающая область находится между указанной внутренней областью и стенкой реактора с псевдоожиженным слоем, причем количество кремниевого мономера на стадии (1) является достаточным для осаждения кремния на псевдоожиженных частицах кремния в реакционной зоне, расположенной выше нагреваемой зоны реактора с псевдоожиженным слоем, а количество травильного газа на стадии (2) является достаточным для удаления кремния со стенки реактора с псевдоожиженным слоем.
2. Способ по п.1, где осаждающий газ происходит из отходящего газа из реактора Сименса.
3. Способ по п.1, где поток отходящего газа из одного или более реакторов Сименса после выхода из реакторов Сименса и перед введением в реактор с псевдоожиженным слоем разделяют с получением по меньшей мере части осаждающего газа и по меньшей мере части травильного газа.
4. Способ по п.3, дополнительно включающий введение дополнительных хлорсиланов в осаждающий газ.
3
4
5. Способ по п.4, где дополнительные хлорсиланы содержат HSiCl, SiCl или их комбинацию.
6. Способ по п.2 или 3, дополнительно включающий использование кремния, полученного в одном или более реакторах Сименса, в интегральных микросхемах и/или в солнечных батареях.
7. Способ по п.1, дополнительно включающий использование кремния, полученного в реакторе с псевдоожиженным слоем, в солнечных батареях.
3
4
8. Способ по п.2, где поток отходящего газа содержит HSiCl, SiCl, водород, HCl и кремниевый порошок, и способ дополнительно включает удаление кремниевого порошка из потока отходящего газа перед его подачей в качестве осаждающего газа в реактор с псевдоожиженным слоем.
3
9. Способ по п.2, где в поток отходящего газа добавляют дополнительный HSiCl с получением осаждающего газа, причем осаждающий газ содержит хлорсиланы в концентрации от 20 мол.% до 50 мол.%.
10. Способ по п.9, где концентрация хлорсиланов составляет от 25 мол.% до 35 мол.%.
11 Способ по п.1, дополнительно включающий 3) подачу второго отходящего газового потока из реактора с псевдоожиженным слоем в регенерационную систему.
3
4
12 Способ по п.11, где второй отходящий газовый поток содержит водород, HSiCl, SiCl и HCl.
3
4
13 Способ по п.12, дополнительно включающий 4) регенерацию водорода, HSiCl, SiCl или их комбинации.
3
14 Способ по п.13, дополнительно включающий 5) подачу водорода, HSiCl, или того и другого в реактор Сименса.
3
15. Способ по п.13, дополнительно включающий добавление водорода, HSiCl, или того и другого в первый поток на стадии (1).
4
16. Способ по п.13, дополнительно включающий добавление SiCl во второй поток на стадии (2).
4
4
3
3
17. Способ по п.11, дополнительно включающий 4) регенерацию SiCl, превращение SiCl в HSiCl, и подачу HSiCl в реактор Сименса или в реактор с псевдоожиженным слоем.
18. Реактор (300) с псевдоожиженным слоем, отличающийся тем, что содержит нижнюю часть, где предусмотрены впускные сопла (303, 304), которые ориентированы в коническую решетку, находящуюся выше канала (302) выпуска продукта, причем впускные сопла (303, 304) имеют горизонтальные каналы (306).
19. Реактор по п.18, отличающийся тем, что угол наклона конической решетки составляет от 20 до 60° над горизонталью.
20. Способ получения кремния с использованием реактора с псевдоожиженным слоем по п.18, включающий:
4
3
1) подачу осаждающего газа, содержащего водород и кремниевый мономер, во внутреннюю область реактора с псевдоожиженным слоем, где кремниевый мономер выбран из SiH и HSiCl, причем осаждающий газ вводят в нагреваемую зону реактора с псевдоожиженным слоем, и одновременно
4
4
2) подачу травильного газа, состоящего по существу из SiCl, в нагреваемую зону реактора с псевдоожиженным слоем через окружающую область, где окружающая область находится между указанной внутренней областью и стенкой реактора с псевдоожиженным слоем, причем количество кремниевого мономера на стадии (1) является достаточным для осаждения кремния на псевдоожиженных частицах кремния в реакционной зоне, расположенной выше нагреваемой зоны реактора с псевдоожиженным слоем, а количество SiCl на стадии (2) является достаточным для удаления кремния со стенки реактора с псевдоожиженным слоем.