LOW-К ДИЭЛЕКТРИКИ, ПОЛУЧАЕМЫЕ МЕТОДОМ TWIN-ПОЛИМЕРИЗАЦИИ

1. Диэлектрический слой с диэлектрической проницаемостью 3,5 или меньше, содержащий диэлектрик, получаемый полимеризацией, по меньшей мере, одного twin-мономера, включающего
a) первый мономерный фрагмент, который содержит металл или полуметалл, и
b) второй мономерный фрагмент, который соединен с первым мономерным фрагментом химической связью,
где полимеризация включает полимеризацию twin-мономера с разрывом указанной химической связи и образованием первого полимера, содержащего первый мономерный фрагмент, и второго полимера, содержащего второй мономерный фрагмент, и где первый и второй мономерный фрагмент полимеризуются по общему механизму.
2. Диэлектрический слой по п.1, где металл или полуметалл представляет собой Si, В, Ti, Zr или Hf, в особенности Si или Ti.
3. Диэлектрический слой по п.1, где первый полимер является главным образом неорганическим, а второй полимер является главным образом органическим.
4. Диэлектрический слой по п.1, где первый мономерный фрагмент и второй мономерный фрагмент полимеризуются анионно, катионно или свободно-радикально.
5. Диэлектрический слой по п.1, где проницаемость равна 3,0 или меньше, в особенности 2,5 или меньше.
6. Диэлектрический слой по п.1, где второй полимер удаляется термически, окислительно или термически и окислительно.
7. Диэлектрический слой по п.1, где второй мономерный фрагмент представляет собой радикал
,
1
2
3
в котором А, А и А каждый независимо представляет собой атом водорода, линейные или разветвленные алифатические углеводородные радикалы, ароматические углеводородные радикалы или ароматическо-алифатические углеводородные радикалы.
8. Диэлектрический слой по п.1, где второй мономерный фрагмент представляет собой радикал
,
1
2
3
4
3
4
в котором А, А, А и А каждый независимо представляет собой атом водорода, или линейные или разветвленные алифатические углеводородные радикалы, ароматические углеводородные радикалы или ароматическо-алифатические углеводородные радикалы, и R, R каждый независимо представляет собой атом водорода или алкильную группу, имеющую от 1 до 6 атомов углерода, предпочтительно метил или Н.
1
2
3
4
9. Диэлектрический слой по п.7 или 8, где, по меньшей мере, два из радикалов А, А, А и, в случае наличия, А соединены друг с другом, более предпочтительно сконденсированы.
1
2
3
4
10. Диэлектрический слой по п.7 или 8, где один или более атомов углерода в радикалах А, А, А и, в случае наличия, А независимо замещены гетероатомами, более конкретно атомами О, S и/или N.
1
2
3
4
2
11. Диэлектрический слой по п.7 или 8, где А, А, А и, в случае наличия, А каждый независимо представляет собой одну или более функциональную группу, в особенности атом галогена, такой как Br и Cl, а также CN и NR, где R в особенности представляет собой Н или алифатический или ароматический углеводородный радикал, предпочтительно Н, метил, этил или фенил.
1
3
1
2
3
4
12. Диэлектрический слой по п.7 или 8, где А и А каждый представляет собой Н, предпочтительно А, А, А и, в случае наличия, А каждый представляет собой Н.
13. Диэлектрический слой по п.1, где диэлектрик получают twin-полимеризацией, по меньшей мере, одного кремнийорганического соединения формулы (IIa)
,
где М представляет собой металл или полуметалл, предпочтительно Si, Ti, Zr или Hf, более предпочтительно Si или Ti,
1
2
3
А, А, А каждый независимо представляет собой атом водорода, или линейные или разветвленные алифатические углеводородные радикалы, ароматические углеводородные радикалы или ароматическо-алифатические углеводородные радикалы.
14. Диэлектрический слой по п.1, где диэлектрик получают twin-полимеризацией, по меньшей мере, одного кремнийорганического соединения формулы (IIb)
где М представляет собой металл или полуметалл, предпочтительно Si, Ti, Zr или Hf, более предпочтительно Si или Ti,
1
2
3
4
А, А, А, А каждый независимо представляет собой атом водорода, или линейные или разветвленные алифатические углеводородные радикалы, ароматические углеводородные радикалы или ароматическо-алифатические углеводородные радикалы.
3
4
R, R каждый независимо представляет собой атом водорода или алкильную группу, имеющую от 1 до 6 атомов углерода, предпочтительно метил или Н.
15. Применение композиции, содержащей, по меньшей мере, один twin-мономер, включающий
a) первый мономерный фрагмент, который содержит металл или полу металл, и
b) второй мономерный фрагмент, который соединен с первым мономерным фрагментом химической связью,
для получения диэлектрических слоев с проницаемостью 3,5 на полупроводниковых субстратах, при этом twin-мономер способен полимеризоваться с разрывом химической связи и образованием первого полимера, содержащего первый мономерный фрагмент, и второго полимера, содержащего второй мономерный фрагмент, при этом первый и второй мономерные фрагменты способны полимеризоваться по общему механизму.
16. Полупроводниковый компонент, содержащий диэлектрический слой по любому из пп.1-14.
17. Способ производства полупроводниковых компонентов, содержащих, по меньшей мере, один диэлектрический слой с проницаемостью меньше 3,5, в котором
a) по меньшей мере, один twin-мономер, включающий первый мономерный фрагмент, который содержит металл или полуметалл, и второй мономерный фрагмент, который соединен с первым мономерным фрагментом химической связью, наносится на полупроводниковый субстрат, и
b) указанное, по меньшей мере, одно металлорганическое соединение полимеризуется с разрывом химической связи и образованием первого полимера, содержащего первый мономерный фрагмент, и второго полимера, содержащего второй мономерный фрагмент, и где первый и второй мономерный фрагмент полимеризуются по одинаковому механизму.