КОНТАКТ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

1. Способ, где
выращивают полупроводниковую структуру, содержащую AlGaInP светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа, на подложке роста;
формируют n- и р-контакты, электрически соединенные с областями n- и р-типа полупроводниковой структуры, где оба контакта расположены на одной стороне полупроводниковой структуры, и где, по меньшей мере, один из n- и р-контактов является отражающим;
присоединяют данную полупроводниковую структуру к креплению; и
после присоединения полупроводниковой структуры к креплению удаляют подложку роста;
где данная полупроводниковая структура содержит контактный слой р-типа, расположенный между данной областью р-типа и данным р-контактом; и
18
-3
часть данного контактного слоя р-типа легируют до концентрации дырок, по меньшей мере, 5·10 см для обеспечения электрического контакта.
2. Способ по п.1, где удаление подложки роста содержит травление подложки роста травлением, которое заканчивается на слое остановки травления, расположенном между данной полупроводниковой структурой и данной подложкой роста, и где данный слой остановки травления представляет собой AlGaAs; и часть полупроводниковой структуры, находящаяся в непосредственном контакте со слоем остановки травления, представляет собой AlGaInP.
3. Способ по п.1, где n- и р-контакты формируют до присоединения полупроводниковой структуры к креплению, n-контакт содержит Au и Ge; и n-контакт находится в непосредственном контакте с III-Р слоем n-типа.
4. Способ по п.1, где:
18
-3
оставшаяся часть данного контактного слоя р-типа существенно больше, чем часть, легированная до концентрации дырок, по меньшей мере, 5·10 см, которая обеспечивает электрический контакт, причем данная оставшаяся часть обеспечивает отражающую поверхность.
5. Способ по п.4, где легирующие примеси р-типа вводят в контактный слой р-типа путем введения во время выращивания контактного слоя р-типа или путем диффузии из газового источника после выращивания контактного слоя р-типа.
6. Способ по п.1, дополнительно содержащий стравливание частей контактного слоя р-типа перед формированием контакта и размещают диэлектрик между р-контактом и областью р-типа в, по меньшей мере, одной области, соответствующей вытравленной части контактного слоя р-типа.
18
-3
7. Способ по п.4, дополнительно содержащий формирование диэлектрический слой с отверстиями над контактным слоем р-типа, где части контактного слоя р-типа, легированные до концентрации дырок, по меньшей мере, 5·10 см, выравнивают с отверстиями в диэлектрическом слое.
8. Способ по п.4, где при выращивании данной полупроводниковой структуры выращивают контактный слой р-типа путем металлоорганического химического осаждения из газовой фазы при скорости роста меньше чем 5000 Å в час.
9. Способ по п.1, где контактный слой р-типа представляет собой один из GaP, AlGaInP и InGaP, и где при выращивании данной полупроводниковой структуры:
выращивают контактный слой р-типа;
осаждают диэлектрический слой с отверстиями над контактным слоем р-типа; осаждают слой, содержащий легирующую примесь, над данным диэлектрическим слоем, где данный слой, содержащий легирующую примесь, представляет собой металл или диэлектрик;
прокаливают данную структуру;
удаляют слой, содержащий легирующую примесь.
10. Способ по п.1, где при выращивании полупроводниковой структуры выращивают полупроводниковую платину, причем в способе дополнительно разрезают пластину на индивидуальные полупроводниковые структуры перед присоединением полупроводниковой структуры к креплению, и где поверхность раздела между р-контактом и областью р-типа организуют так, что, когда полупроводниковая структура смещается вперед, носители туннелируют через поверхность раздела.
11. Устройство, содержащее:
полупроводниковую структуру, содержащую AlGaInP светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа;
n- и р-контакты, электрически соединенные с данными областями n- и р-типа, где оба из n- и р-контактов сформированы на одной стороне полупроводниковой структуры, и где, по меньшей мере, один из n- и р-контактов является отражающим; и
крепление, где данная полупроводниковая структура соединена с креплением посредством контактов;
где полная толщина полупроводниковых слоев в устройстве меньше, чем 15 мкм и, по меньшей мере, часть верхней стороны полупроводниковой структуры является текстурированной.
12. Устройство по п.11, дополнительно содержащее контактный слой р-типа, расположенный между областью р-типа и р-контактом, где поверхность раздела между контактным слоем р-типа и р-контактом организована так, что, когда устройство смещается вперед, носители туннелируют через поверхность раздела.
18
-3
18
-3
13. Устройство по п.11, дополнительно содержащее контактный слой р-типа, расположенный между областью р-типа и р-контактом, где поверхность раздела между, по меньшей мере, частью контактного слоя р-типа и р-контактом является отражающей, где часть контактного слоя р-типа легирована до концентрации дырок, по меньшей мере, 5·10 см для обеспечения электрического контакта, и остальная часть контактного слоя р-типа существенно больше, чем часть, легированная до концентрации дырок, по меньшей мере, 5·10 см, которая обеспечивает электрический контакт, причем остальная часть обеспечивает отражающую поверхность.
14. Устройство по п.13, дополнительно содержащее проводящий оксид, расположенный между, по меньшей мере, частью контактного слоя р-типа и р-контактом, где данный проводящий оксид представляет собой ИОО (оксид индия олова) или ZnO, где:
контактный слой р-типа представляет собой один из GaP, AlGaInP и InGaP; и
р-контакт содержит Ag.
15. Устройство по п.11, где все полупроводниковые слои в данном устройстве за исключением любых светоизлучающих слоев имеют ширину запрещенной зоны, большую, чем ширина запрещенной зоны, по меньшей мере, одного светоизлучающего слоя.