УСТРОЙСТВО И СПОСОБ МЕХАНИЧЕСКОГО ТЕКСТУРИРОВАНИЯ КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЫ, ПРЕДНАЗНАЧЕННОЙ ДЛЯ СОСТАВЛЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА, И ПОЛУЧАЮЩАЯСЯ В РЕЗУЛЬТАТЕ КРЕМНИЕВАЯ ПЛАСТИНА

1. Устройство (1) для механического текстурирования кремниевой пластины (4), которая предназначена для составления фотоэлектрического элемента, включающее в себя множество игл (3, 30, 31) из карбида вольфрама и основание (2), включающее в себя множество выемок (20), каждая из которых способна вмещать иглу из карбида вольфрама таким образом, чтобы она могла скользить, и средства для удержания каждой из множества указанных игл, прижатой к кремниевой пластине с постоянной силой, которая не зависит от изменений толщины указанной пластины.
2. Устройство по п.1, в котором основание способно вмещать иглы таким образом, чтобы они могли свободно скользить.
3. Устройство по п.2, в котором средства приложения силы давления являются собственным весом каждой из игл (3, 30, 31).
4. Устройство по одному из пп.1-3, в котором иглы имеют нижнюю часть (31) в форме прямой призмы с треугольным основанием, угол вершины которого меньше, чем (200) угол выемок (20), способных их вмещать.
5. Устройство по п.4, в котором угол вершины треугольника игл (31) имеет значение в интервале между 30 и 45°.
6. Устройство по одному из пп.1-3, в котором интервал травления d принимает значения в интервале между 5 мкм и 40 мкм.
7. Устройство по п.4, в котором интервал травления d принимает значения в интервале между 5 мкм и 40 мкм.
8. Устройство по п.5, в котором интервал травления d
принимает значения в интервале между 5 мкм и 40 мкм.
9. Способ механического текстурирования кремниевой пластины (4), предназначенной для составления фотоэлектрического элемента, реализуемый с помощью устройства (1) по любому из предыдущих пунктов, в соответствии с которым прилагается постоянная сила давления в интервале между 0,1 Н и 2 Н.
10. Способ по п.9, в соответствии с которым прилагается сила давления в интервале между 0,3 Н и 1 Н.
11. Способ по п.9 или 10, в соответствии с которым, по меньшей мере, часть силы давления генерируется давлением газа, прилагаемым к иглам.
12. Способ по одному из пп.9 или 10, в соответствии с которым основание перемещается со скоростью между 5 и 100 мм/с.
13. Способ по п.11, в соответствии с которым основание перемещается со скоростью между 5 и 100 мм/с.
14. Поликристаллическая кремниевая пластина (4), получаемая в соответствии со способом по одному из пп.9-13, предназначенная для составления фотоэлектрического элемента, поверхность которой включает в себя однородные структуры травления глубиной между 5 и 50 мкм.