УДАЛЕНИЕ ПОДЛОЖКИ В ХОДЕ ФОРМИРОВАНИЯ СИД

1. Способ изготовления структуры светоизлучающего диода (СИД), включающий в себя:
- формирование слоев СИД, включающих слой n-типа, активный слой и слой p-типа поверх подложки для роста;
- формирование металлических контактов на нижней поверхности слоев СИД, причем нижняя поверхность слоев СИД является поверхностью, противоположной поверхности подложки для роста;
- обеспечение подмонтажной опоры, имеющей металлические контакты на верхней поверхности;
- осаждение слоя недоливка на нижней поверхности слоев СИД;
- после осаждения слоя недоливка, отделение подложки для роста от слоев СИД; И
- после удаления подложки для роста, прикрепление слоев СИД к подмонтажной опоре с помощью металлических контактов на нижней поверхности слоев СИД, находящихся в контакте с металлическими контактами на верхней поверхности подмонтажной опоры, причем слой недоливка находится между нижней поверхностью слоев СИД и верхней поверхностью подмонтажной опоры.
2. Способ по п.1, дополнительно включающий в себя разделение слоев СИД на отдельные кристаллы перед прикреплением слоев СИД к подмонтажной опоре.
3. Способ по п.1, дополнительно включающий в себя разбиение слоев СИД, прикрепленных к подмонтажной опоре, с образованием множества отдельных элементов.
4. Способ по п.1, в котором осаждение слоя недоливка на нижнюю поверхность слоев СИД включает в себя осаждение слоя недоливка поверх металлических контактов на нижней поверхности слоев СИД и полировку обратной стороны слоя недоливка до тех пор, пока, по меньшей мере, часть металлических контактов на нижней поверхности слоев СИД не будет обнажена.
5. Способ по п.1, в котором слой недоливка содержит материал на основе полиимида.
6. Способ изготовления структуры светоизлучающего диода (СИД), включающий в себя:
- формирование слоев СИД, включая слой n-типа, активный слой и слой p-типа поверх подложки для роста;
- формирование металлических контактов на нижней поверхности слоев СИД, причем нижняя поверхность слоев СИД является поверхностью, противоположной поверхности подложки для роста;
- обеспечение подмонтажной опоры, имеющей металлические контакты на верхней поверхности;
- осаждение слоя недоливка с нанесенным изображением, по меньшей мере, на одну из поверхностей - нижнюю поверхность слоев СИД или верхнюю поверхность подмонтажной опоры, причем слой недоливка осаждают с использованием одного из методов - трафаретной печати или сетчатой трафаретной печати для создания изображения на слое недоливка;
- после осаждения слоя недоливка с нанесенным изображением прикрепление слоев СИД к подмонтажной опоре с помощью металлических контактов на нижней поверхности слоев СИД, таким образом, чтобы они находились в контакте с металлическими контактами на верхней поверхности подмонтажной опоры, причем слой недоливка находится между нижней поверхностью слоев СИД и верхней поверхностью подмонтажной опоры; и
- удаление подложки для роста.
7. Способ по п.6, в котором слой недоливка осаждают на нижнюю поверхность слоев СИД, причем способ дополнительно включает в себя отделение подложки для роста от слоев СИД перед прикреплением слоев СИД к подмонтажной опоре.
8. Способ по п.6, в котором слой недоливка содержит материал на основе полиимида.
9. Способ изготовления структуры светоизлучающего диода (СИД), включающий в себя:
- формирование слоев СИД, включая слой n-типа, активный слой и слой p-типа поверх подложки для роста;
- формирование металлических контактов на нижней поверхности слоев СИД, причем нижняя поверхность слоев СИД является поверхностью, противоположной поверхности подложки для роста;
- обеспечение крепления, имеющего металлические контакты на верхней поверхности;
- осаждение слоя недоливка с нанесенным изображением, по меньшей мере, на одну из поверхностей - нижнюю поверхность слоев СИД или верхнюю поверхность подмонтажной опоры, причем слой недоливка покрывает металлические контакты, соединенные, по меньшей мере, с одной из поверхностей - нижней поверхностью слоев СИД или с верхней поверхностью подмонтажной опоры;
- полировку обратной стороны слоя недоливка до тех пор, пока не обнажится, по меньшей мере, часть покрытых металлических контактов;
- прикрепление слоев СИД к подмонтажной опоре с помощью металлических контактов на нижней поверхности слоев СИД, таким образом, чтобы они находились в контакте с металлическими контактами на верхней поверхности подмонтажной опоры, причем слой недоливка находится между нижней поверхностью слоев СИД и верхней поверхностью подмонтажной опоры; и
- удаление подложки для роста.
10. Способ по п.9, в котором слой недоливка осаждают на нижнюю поверхность слоев СИД, причем способ дополнительно включает в себя отделение подложки для роста от слоев СИД перед прикреплением слоев СИД к подмонтажной опоре.
11. Способ по п.9, дополнительно включающий в себя разделение слоев СИД на отдельные кристаллы перед прикреплением слоев СИД к подмонтажной опоре.
12. Способ по п.9, дополнительно включающий в себя разбиение слоев СИД, прикрепленных к подмонтажной опоре, с образованием множества отдельных элементов.
13. Способ по п.9, в котором осаждение слоя недоливка на нижнюю поверхность слоев СИД включает в себя нанесение изображения на слой недоливка на нижней поверхности слоев СИД.
14. Способ по п.13, в котором слой недоливка осаждают с использованием одного из методов - трафаретной печати или сетчатой трафаретной печати для создания изображения на слое недоливка.