АКТИВНОЕ ТЕРМОРЕГУЛИРОВАНИЕ МНОГОСЛОЙНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

1. Многоуровневая интегральная (IC) схема, содержащая:
- уровень, со сформированными на нем активными схемами и термоэлектрическим устройством (ТЕ), ТЕ устройство обеспечивает тепловой поток между термически дефектной областью многоуровневой IC схемы и упомянутым ТЕ устройством.
2. Многоуровневая интегральная схема по п.1 также включает в себя по крайней мере еще один уровень с активной схемой.
3. Многоуровневая интегральная схема по п.2, в которой упомянутое ТЕ устройство сформировано внутри одного из упомянутых уровней и, где упомянутая дефектная область находится на другом уровне, чем уровень, в котором сформировано ТЕ устройство.
4. Многоуровневая интегральная схема по п.3 также включает в себя вывод для получения сигналов селективного управления для активации упомянутого ТЕ устройства.
5. Многоуровневая интегральная схема по п.3, в которой упомянутое ТЕ устройство включает в себя элемент Пельтье.
6. Многоуровневая интегральная схема по п.1 также включает в себя:
- по меньшей мере одно электрическое соединение упомянутого ТЕ устройства с активным элементом в упомянутой многоуровневой IC схеме таким образом, чтобы давать возможность упомянутому ТЕ устройству обеспечивать мощностью упомянутый активный элемент, упомянутая мощность генерируется из теплового потока от упомянутой термически дефектной области.
7. Многоуровневая интегральная схема, содержащая:
- первый и второй уровни, и
- по меньшей мере, один p-n переход, сформированный в одном из упомянутых уровней, упомянутый переход функционирует для переноса энергии к/от термически дефектной области в по меньшей мере одном из упомянутых уровней посредством селективного применения электрического тока по отношению к упомянутому переходу.
8. Многоуровневая интегральная схема по п.7, в котором упомянутая термически дефектная область представляет собой место перегрева, создаваемое элементами упомянутой многоуровневой интегральной схемы.
9. Многоуровневая интегральная схема по п.8, дополнительно содержащее:
- вывод для получения сигналов селективного управления для активации упомянутого p-n-перехода.
10. Многоуровневая интегральная схема по п.8, где упомянутый p-n-переход включает в себя элемент Пельтье.
11. Многоуровневая интегральная схема по п.7, дополнительно содержащее:
- по меньшей мере, одно электрическое соединение между упомянутым p-n-переходом и активным элементом упомянутой интегральной схемы для того, чтобы дать возможность упомянутому p-n-переходу обеспечивать мощностью упомянутый активный элемент, упомянутая мощность генерируется из теплового потока от упомянутой термически дефектной области.
12. Способ управления нежелательными температурными градиентами в интегральной схеме, упомянутый способ включает в себя:
- обеспечение возможности протекания энергии между термически дефектной областью внутри упомянутой многоуровневой IC и термоэлектрическим (ТЕ) устройством, сформированным внутри упомянутой IC; и
- активация протекания электрического тока по отношению к упомянутому ТЕ устройству таким образом, чтобы селективно управлять указанным потоком энергии.
13. Способ по п.12, где упомянутая активация включает в себя:
- обеспечение протекания электрического тока в направлении упомянутого ТЕ устройства для активации отвода упомянутым ТЕ устройством тепла от упомянутого потока энергии.
14. Способ по п.12, где упомянутая активация включает в себя:
- обеспечение протекания электрического тока в направлении упомянутого ТЕ устройства для активации упомянутого ТЕ устройства для доставки тепла к упомянутому потоку энергии.
15. Способ по п.12, где упомянутая активация включает в себя:
- отвод энергии от упомянутого ТЕ устройства для активации указанного ТЕ устройства для доставки мощности к другому устройству внутри упомянутой IC интегральной схемы.
16. Способ по п.12, в котором упомянутая термически дефектная область и упомянутое ТЕ устройство находятся на разных уровнях многоуровневой IC схемы.
17. Способ отвода тепла от места перегрева в многоуровневой интегральной схеме IC, упомянутый способ включает в себя:
- обеспечение протекания упомянутого тепла от упомянутого места перегрева сквозь упомянутую многоуровневую интегральную схему IC от одного уровня, по меньшей мере, к одному из других уровней; и
- активация термоэлектрического (ТЕ) устройства, сформированного внутри, по меньшей мере, одного другого уровня для отвода упомянутого тепла от упомянутой многоуровневой интегральной схемы IC.
18. Способ по п.17, в котором упомянутая активация включает в себя:
- применение электрического тока к упомянутому ТЕ устройству в определенном направлении.
19. Способ по п.17, где упомянутая активация включает в себя:
- отвод энергии от упомянутого ТЕ устройства.
20. Способ по п.19 дополнительно включает в себя:
- применение упомянутого отвода энергии, по меньшей мере, к одному другому элементу, сформированному внутри упомянутой многоуровневой интегральной схемы (IC).
21. Многоуровневая интегральная схема IC включает в себя:
- по меньшей мере, два связанных уровня, каждый из уровней содержит элементы схемы, сформированной в нем; и
- термоэлектрический элемент (ТЕ) схемы сформирован внутри, по меньшей мере, одного из упомянутых уровней для селективного нагрева/охлаждения определенных областей одного из упомянутых уровней.
22. Многоуровневая интегральная схема IC по п.21 также включает в себя:
- вывод для получения тока для управления упомянутым ТЕ устройством.
23. Многоуровневая интегральная схема по п.21 также содержит систему управления, которая управляет термоэлектрическим устройством для генерации электрической энергии из температурного градиента внутри многоуровневой интегральной схемы IC.