ЕМКОСТНОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, ПОЛУЧЕННЫЙ МИКРООБРАБОТКОЙ, И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ

1. Способ изготовления емкостного преобразователя (100), полученного микрообработкой, в частности CMUT, причем способ содержит этапы, на которых:
- осаждают первый электродный слой (10) на подложку (1),
- осаждают первую диэлектрическую пленку (20) на первый электродный слой (10),
- осаждают жертвенный слой (30) на первую диэлектрическую пленку (20), причем жертвенный слой (30) выполнен с возможностью удаления для формирования полости (35) преобразователя,
- осаждают вторую диэлектрическую пленку (40) на жертвенный слой (30) и
- осаждают второй электродный слой (50) на вторую диэлектрическую пленку (40),
- формируют рисунок в, по меньшей мере, одном(й) из осажденных слоев и пленок (10, 20, 30, 40, 50), причем этапы осаждения осуществляются посредством атомно-слоевого осаждения в одной единственной последовательности обработки и формирование рисунка осуществляется по нисходящей технологии.
2. Способ по п. 1, в котором формирование рисунка содержит этап формирования рисунка во втором электродном слое (50).
3. Способ по п. 2, в котором формирование рисунка содержит этап формирования рисунка в жертвенном слое (30) и/или первом электродном слое (10).
4. Способ по п. 1, в котором в большинстве или во всех из осажденных слоев и пленок (10, 20, 30, 40, 50) формируют рисунок.
5. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором осаждают диэлектрический слой (60), покрывающий осажденные слои и пленки (10, 20, 30, 40, 50).
6. Способ по п. 1, дополнительно содержащий этап, на котором удаляют жертвенный слой (30) посредством обеспечения ямки (32) травления и травления жертвенного слоя (30) для формирования полости (35).
7. Емкостной преобразователь (100), полученный микрообработкой, в частности CMUT, изготовленный способом по п. 1.
8. Емкостной преобразователь (100), полученный микрообработкой, в частности CMUT, содержащий:
- первый электродный слой (10) на подложке (1),
- первую диэлектрическую пленку (20) на первом электродном слое (10),
- полость (35), сформированную поверх первой диэлектрической пленки (20),
- вторую диэлектрическую пленку (40), покрывающую полость (35), и
- второй электродный слой (50) на второй диэлектрической пленке (40),
причем, по меньшей мере, в одном(ой) из осажденных слоев и пленок (10, 20, 30, 40, 50) сформирован рисунок по нисходящей технологии и все слои и пленки CMUT осаждены посредством атомно-слоевого осаждения в одной единственной последовательности обработки.
9. Преобразователь по п. 8, в котором первый электродный слой (10) и/или второй электродный слой (50) содержит неметаллический проводящий материал.
2
3
3
10. Преобразователь по п. 9, в котором неметаллическим проводящим материалом является, по меньшей мере, один материал, выбранный из группы, содержащей TiN, TaN, TaCN, IrO, ITO, LaNiO и SrRuO, в частности неметаллическим проводящим материалом является TiN.
11. Преобразователь по п. 8, в котором, по меньшей мере, один слой и/или пленка со сформированным рисунком (10, 20, 30, 40, 50) заканчивается отвесно или прерывисто на своих сторонах.
12. Преобразователь по п. 8, в котором во втором электродном слое (50) сформирован рисунок так, чтобы он был меньше, чем первый электродный слой (10).
13. Преобразователь по п. 8, дополнительно содержащий, по меньшей мере, одну проводящую перемычку (15, 55), продолжающуюся от первого электродного слоя (10) и/или второго электродного слоя (50) в направлении, ортогональном верхним поверхностям слоев.
14. Преобразователь по п. 8, дополнительно содержащий диэлектрический слой (60), покрывающий осажденные слои и пленки (10, 20, 30, 40, 50), причем диэлектрический слой (60) покрывает верхние поверхности и боковые поверхности осажденных слоев и пленок (10, 20, 30, 40, 50) с, по существу, одинаковым покрытием.
15. Преобразователь по п. 8, в котором первая диэлектрическая пленка (20) и/или вторая диэлектрическая пленка (40) содержит первый слой, содержащий оксид, второй слой, содержащий материал с высокой k (диэлектрической проницаемостью), и третий слой, содержащий оксид.