ЦИНК АМИНОКИСЛОТА/ТРИМЕТИЛГЛИЦИН ГАЛОГЕНИД

2
2
3
2
1. Композиция для личной гигиены для нанесения на кожу или волосы, содержащая галогенид X цинка и косметически приемлемую основу, где X является аминокислотой или триметилглицином, где галогенид X цинка имеет формулу ZnXHal или ZnXHal, где Zn является двухвалентным ионом цинка, и Hal является галогенид-ионом, и где галогенид X цинка присутствует в количестве от 0,05 до 40% по массе композиции.
2. Композиция для личной гигиены по п. 1, где галогенид X цинка образуют из предшественников, где предшественниками являются источник ионов цинка, источник Х и источник галогенида, где источник галогенида может входить в состав источника ионов цинка, источника Х или галогенной кислоты.
3. Композиция для личной гигиены по п. 2, где источником ионов цинка является, по меньшей мере, один из оксида цинка, хлорида цинка, четырехосновного хлорида цинка, карбоната цинка, нитрата цинка, цитрата цинка и фосфата цинка.
4. Композиция для личной гигиены по п. 2 или 3, где источником Х является, по меньшей мере, один из основной аминокислоты, лизина, аргинина и глицина и триметилглицина.
5. Композиция для личной гигиены по любому из вышеуказанных пунктов, где галогенид X цинка получают посредством сочетания оксида цинка с гидрогалогенидом аминокислоты.
6. Композиция для личной гигиены по любому из вышеуказанных пунктов, где галогенид X цинка получают посредством сочетания TBZC с гидрогалогенидом аминокислоты, аминокислотой или триметилглицином, необязательно галогенид X цинка получают посредством сочетания TBZC с лизином, гидрохлоридом лизина или триметилглицином.
7. Композиция для личной гигиены по любому из вышеуказанных пунктов, где общее количество цинка, присутствующего в композиции, составляет от 0,05 до 10% по массе.
8. Композиция для личной гигиены по любому из вышеуказанных пунктов, где галогенид X цинка присутствует в количестве от, по меньшей мере, 0,1, по меньшей мере, 0,2, по меньшей мере, 0,3,
по меньшей мере, 0,4, по меньшей мере, 0,5, по меньшей мере, 1, по меньшей мере, 2, по меньшей мере, 3 или, по меньшей мере, 4 до 40% по массе композиции, или необязательно от 0,1 до 30%, до 20%, до 10%, до 5%, до 4%, до 3%, до 2% или до 1% по массе композиции.
9. Композиция для личной гигиены по любому из вышеуказанных пунктов, где молярное соотношение цинка к X в галогениде X цинка составляет от 2:1 до 1:4, необязательно от 1:1 до 1:4, от 1:2 до 1:4, от 1:3 до 1:4, от 2:1 до 1:3, от 2:1 до 1:2, от 2:1 до 1:1 или 1:3.
10. Композиция для личной гигиены по любому из вышеуказанных пунктов, где галогенидом является хлорид.
11. Композиция для личной гигиены по любому из вышеуказанных пунктов, где галогенидом X цинка является лизин хлорид цинка.
2
2
3
2
12. Композиция для личной гигиены по любому из вышеуказанных пунктов, где галогенидом X цинка является ZnЛизинCl или ZnЛизинCl.
13. Композиция для личной гигиены по любому из вышеуказанных пунктов, где косметически приемлемая основа содержит один или несколько ингредиентов, выбранных из водорастворимых спиртов; гликолей; глицеридов; средне-длинноцепочечных органических кислот, спиртов и сложных эфиров; поверхностно-активных веществ; дополнительных аминокислот; структурантов; смягчающих средств; ароматизаторов; и красителей.
14. Композиция для личной гигиены по любому из вышеуказанных пунктов, где композицией является антиперспирант и/или дезодорант.
15. Композиция для личной гигиены по любому из пп. 1-13, где композицией является средство для мытья тела, гель для душа, кусковое мыло, шампунь или кондиционер для волос.
16. Способ уменьшения количества выделяемого пота и/или запаха пота, включающий нанесение композиции на кожу по любому из пп. 1-15.
17. Способ уничтожения бактерий, включающий взаимодействие бактерий с композицией по любому из пп. 1-15.
2
2
3
2
18. Использование галогенида X цинка для уничтожения бактерий, уменьшения потоотделения и/или снижения степени запаха пота, где X является аминокислотой или триметилглицином, где галогенид X цинка имеет формулу ZnXHal или ZnXHal, где Zn является двухвалентным ионом цинка, и Hal является галогенид-ионом, и где галогенид X цинка представлен в композиции для личной гигиены, и где галогенид X цинка присутствует в количестве от 0,05 до 40% по массе композиции.