НЕГАТИВНЫЙ ФОТОРЕЗИСТ ДЛЯ "ВЗРЫВНОЙ" ФОТОЛИТОГРАФИИ
NEGATIVE PHOTORESIST FOR "EXPLOSIVE" PHOTOLITHOGRAPHY

Изобретение относится к негативным фоторезистам для процессов формирования топологических элементов микроэлектронных устройств с использованием «взрывной» фотолитографии.
В настоящее время все большее распространение в технологии производства микросхем находит метод «взрывной» (Lift-off) литографии. Основным преимуществом метода является возможность формирования металлических токопроводящих дорожек, а также других элементов на таких подложках, где использование жидкостного или плазменного травления является нежелательным.
Наиболее простым методом «взрывной» фотолитографии является метод с использованием однослойной резистивной маски. Он включает следующую последовательность технологических стадий:
- нанесение на подложку пленки фоторезиста;
- экспонирование;
- постэкспозиционное прогревание;
- проявление в пленке фоторезиста участков для металлизации подложки;
- покрытие металлом всей поверхности (как поверхности пленки фоторезиста, так и вскрытых участков подложки);
- удаление растворителем «жертвенного» слоя - пленки фоторезиста с осажденным на ней металлом. Металлический слой остается только на вскрытых участках подложки.
Одним из главных факторов успешного выполнения данного типа литографии является наличие отрицательного угла наклона маски фоторезиста (нависающий профиль боковых стенок). На такие боковые стенки профиля металл не осаждается, что значительно облегчает процесс удаления «жертвенного» слоя, а также обеспечивает гладкость края формируемого элемента. Позитивные фоторезисты малопригодны для «взрывной» литографии из-за положительного угла наклона стенок профиля: сплошная пленка осажденного материала не только препятствует растворению слоя фоторезиста, но также зачастую требует физических методов воздействия (например, ультразвук) для разрыва пленки, что приводит к неконтролируемым неровностям ее краев. Отрицательный угол наклона формируется с использованием негативных фоторезистов.
При экспонировании негативного фоторезиста происходит «сшивка» линейных полимеров, в результате чего пленка становится нерастворимой в растворе проявителя [У. Моро. Микролитография. / Пер. с англ. под ред. P.X. Тимерова. - Ч. 1. - М.: Мир, 1990. - 606 с.]. Актиничное излучение при прохождении через пленку фоторезиста поглощается, вследствие чего верхние слои пленки получают более высокую дозу энергии, чем нижние. Вследствие этого нижние слои пленки будут меньше «сшиты» и будут лучше растворяться в проявителе, что способствует формированию отрицательного угла маски фоторезиста (нависающих боковых стенок профиля).
Важнейшей характеристикой фоторезистов является светочувствительность. Высокой светочувствительностью отличаются фоторезисты, работающие на принципе химического усиления скрытого изображения, которое достигается введением в полимерные композиции таких светочувствительных добавок, как фотогенераторы кислоты, катализирующие темновые реакции компонентов фоторезистов.
Известен негативный фоторезист с химическим усилением для i-линии (365 нм) по патенту US 5627011, пригодный для проведения «взрывной» фотолитографии и выбранный в качестве ближайшего аналога заявляемого изобретения. Композиция фоторезиста включает растворимую в водно-щелочном проявителе фенолоформальдегидную смолу, сшивающий агент и фотохимический генератор кислоты в органических растворителях. Фоторезист обладает хорошим разрешением и высокой чувствительностью. Однако при использовании этого фоторезиста качество «взрывной» фотолитографии недостаточно высокое, что снижает процент выхода годных изделий.
Задачей настоящего изобретения является создание негативного фоторезиста с химическим усилением, образующего технологически качественную маску с оптимальными параметрами края отрицательного профиля, необходимыми для качественного проведения «взрывной» фотолитографии и увеличения процента выхода годных изделий.
Поставленная задача решается композицией (в мас.%): фенолоформальдегидная смола (от 25,0 до 40,0); гексаметоксиметилмеламин (от 5,0 до 8,0), α-(4-тозилоксимино)-4-метоксибензилцианид (от 1,0 до 2,0), Тинувин 1130 (от 1,0 до 10,0), органическое основание (от 0,04 до 0,20), фторалифатический эфир (от 0,1 до 2,0), органические растворители (от 50,0 до 66,0).
При экспонировании пленки фоторезиста происходит фотолиз α-(4-тозилоксимино)-4-метоксибензилцианида (фоточувствительного генератора кислоты) с образованием п-толуолсульфокислоты, которая в фоторезистивной пленке создает скрытое изображение. На этапе постэкспозиционного прогревания в экспонированных участках происходит катализируемая образовавшейся кислотой «сшивка» гексаметоксиметилмеламином (сшивающий агент) полимерной основы фоторезиста. В процессе последующего проявления водно-щелочным проявителем неэкспонированные (не «сшитые») участки пленки фоторезиста растворяются, остается негативное изображение шаблона, которое далее используется для осаждения металла и «взрыва». Существенным отличием заявляемого негативного фоторезиста является наличие в его композиции Тинувина 1130, ослабляющего проникновение актиничного излучения в нижние слои пленки фоторезиста, что позволяет управлять формированием отрицательного угла наклона фоторезистивной маски.
В изобретении в качестве пленкообразующего полимера используют растворимые в водно-щелочном проявителе фенолоформальдегидные смолы, крезолоформальдегидные смолы или их смеси. Количество пленкообразующего полимера определяется требуемой толщиной пленки фоторезиста.
Молекулы сшивающего агента в условиях кислотного катализа реагируют друг с другом и с другими компонентами фоторезиста - смолами, Тинувином 1130. Образуется нерастворимая в щелочном проявителе трехмерная структура. Согласно изобретению в качестве сшивающего агента преимущественно используется гексаметоксиметилмеламин. Количество сшивающего агента рассчитывается в соответствии с применяемым количеством пленкообразующего полимера. Значительное снижение или увеличение количества гексаметоксиметилмеламина от оптимального (около 20% от количества полимера) не позволяет получить защитную пленку с заданными характеристиками.
Наиболее известные фотохимические генераторы кислот - α-(4-тозилоксимино)-4-метоксибензилцианид, соли бис(4-трет-бутилфенил)иодония и трифенилсульфония с перфторалкилсульфонатами. Согласно изобретению в предлагаемой композиции в качестве фотохимического генератора кислоты использован α-(4-тозилоксимино)-4-метоксибензилцианид, обладающий высокой чувствительностью в области 340-390 нм (Patent US 5627011). Содержание α-(4-тозилоксимино)-4-метоксибензилцианида в композиции фоторезиста ограничивается его растворимостью (образование осадка при концентрации более 2 мас.%). При концентрации α-(4-тозилоксимино)-4-метоксибензилцианида менее 1 мас.% снижается чувствительность фоторезиста к экспонирующему излучению.
Композиция содержит добавку органического основания. Основание связывает кислоту, которая образуется из α-(4-тозилоксимино)-4-метоксибензилцианида при хранении и ухудшает четкость профиля фоторезиста. В качестве добавки органического основания можно использовать любое азотсодержащее соединение - первичные, вторичные, третичные алифатические амины, ароматические и гетероциклические амины и их смеси. Органическое основание в количестве более 0,2 мас.% избыточно связывает образующуюся при фотолизе α-(4-тозилоксимино)-4-метоксибензилцианида кислоту, снижая чувствительность фоторезиста к экспонирующему излучению, тогда как в количестве менее 0,04 мас.% его содержание является недостаточным для стабилизации кислотности среды при хранении.
Согласно изобретению композиция содержит добавку неионогенного фторорганического поверхностно-активного вещества, улучшающего равномерность распределения компонентов в составе фоторезиста и уменьшающего разнотолщинность пленки фоторезиста на подложке. Можно использовать любое неионогенное фторорганическое поверхностно-активное вещество, например фторалифатические эфиры FC-430 или FC-4430 фирмы 3М (US).
Согласно изобретению композиция фоторезиста содержит Тинувин 1130. Тинувин 1130 - оксиэтилированное производное 2-(2-гидроксифенил)-бензотриазола.
Препарат Тинувин 1130 хорошо растворяется в растворителях, использующихся в композициях фоторезистов, и поглощает актиничный свет с длиной волны 365 нм. Добавка Тинувин 1130 ослабляет проникновение света вглубь пленки фоторезиста и «сшивку» его нижних слоев, способствуя формированию отрицательного угла наклона стенок рельефа, необходимого для «взрывной» фотолитографии. Тинувин 1130 хорошо совмещается с пленкообразующими фенолоформальдегидными и крезолоформальдегидными смолами и «сшивается» с ними с помощью сшивающего агента. В присутствии Тинувина 1130 улучшается качество проявленного рисунка - рисунок становится более четким, край чище и ровнее. Тинувин 1130 используется в концентрации от 1 до 10 мас.%. При повышении его содержания более 10 мас.% чувствительность фоторезиста к экспонирующему излучению значительно снижается. Введение в композицию менее 1 мас.% Тинувина 1130 является недостаточным для получения заметного положительного эффекта.
Примеры растворителей, используемых в композициях фоторезистов, включают линейные или разветвленные кетоны, циклические кетоны, простые и сложные эфиры, широко используются эфиры этиленгликоля, диэтиленгликоля, пропиленгликоля, гамма-бутиролактон, диметилформамид, N-метилпирролидон и другие, а также смеси растворителей. Количество растворителя определяется требуемой толщиной пленки фоторезиста.
max
2
При реализации изобретения получают негативный фоторезист для экспонирующего излучения λ=365 нм со светочувствительностью от 30 до 100 мДж/см (в зависимости от толщины пленки) и оптимизированным для «взрывной» фотолитографии отрицательным углом наклона проявленного профиля.
Предлагаемое изобретение иллюстрируется нижеприведенными примерами.
Пример 1
Негативный фоторезист А1 получают растворением в 55,0 мл смеси 1-метокси-2-пропилацетат : диглим = 85 : 15 следующих компонентов:
Смола СФ-142 (на основе смеси м-крезол : п-крезол = 60 : 40)
40,0 г
Гексаметоксиметилмеламин
8,0 г
α-(4-Тозилоксимино)-4-метоксибензилцианид
1,44 г
Диэтаноламин
0,1 г
FC-430
0,25 г
Тинувин 1130
1,0 г
2
2
Раствор фоторезиста фильтруют через 2 слоя фильтровального полотна ФСВ с размером пор от 1 до 5 мкм. Фоторезист методом центрифугирования (3000 об/мин в течение 60 с) наносился на тестовые подложки (размер около 1×1 см) из окисленного кремния либо GaAs, без промотирования адгезиии и удаления краевого валика. Сразу после нанесения производилась предэкспозиционная сушка на горячей плите (hot-plate) при температуре 95°С в течение 7 мин; толщина получаемой пленки фоторезиста составляла около 7 мкм. Пленка гладкая, чистая, блестящая. Экспонирование в режиме «жесткого контакта» производилось на установке MJB4 (Karl Suss) с оптикой UV400, передающей нефильтрованный свет от УФ-лампы Osram HBO 350 W/S мощностью 350 Вт. Суммарная доза экспонирования составляла около 15 мДж/см на длине волны 365 нм и около 30 мДж/см на длине волны 405 нм. После экспонирования фоторезист подвергали постэкспозиционной сушке на горячей плите при 105°С в течение 2 мин и проявляли в водном растворе тетраметиламмония гидроксида с нормальностью 0,26 г-экв/л (проявитель AZ726MIF), время проявления составляло 40 с. Получено негативное изображение фотошаблона. После проявления изображение чистое, край ровный, четкий. Профиль скола фоторезиста А1 приведен на рис. 1, изображение получено с помощью оптического микроскопа при увеличении 500х.
Для тестирования «взрыва» на подложку с негативным изображением фотошаблона в вакууме осаждали слой алюминия толщиной около 1 мкм, «взрыв» производили растворением «жертвенного» слоя фоторезиста с нанесенным на него алюминием в ацетоне. На подложке оставалось четкое металлизированное изображение фотошаблона.
Пример 2
Негативный фоторезист А2 получают растворением в 55,0 мл смеси 1-метокси-2-пропилацетат : диглим = 85 : 15 следующих компонентов:
Смола СФ-142 (на основе смеси м-крезол : п-крезол = 60 : 40)
40,0 г
Гексаметоксиметилмеламин
8,0 г
α-(4-Тозилоксимино)-4-метоксибензилцианид
1,44 г
Диэтаноламин
0,1 г
FC-430
0,25 г
Тинувин 1130
2,0 г
2
2
Раствор фоторезиста фильтруют через 2 слоя фильтровального полотна ФСВ с размером пор от 1 до 5 мкм. Фоторезист методом центрифугирования (3000 об/мин в течение 60 с) наносился на тестовые подложки (размер около 1×1 см) из окисленного кремния либо GaAs, без промотирования адгезиии и удаления краевого валика. Сразу после нанесения производилась предэкспозиционная сушка на горячей плите (hot-plate) при температуре 95°С в течение 7 мин; толщина получаемой пленки фоторезиста составляла около 7 мкм. Пленка гладкая, чистая, блестящая. Экспонирование в режиме «жесткого контакта» производилось на установке MJB4 (Karl Suss) с оптикой UV400, передающей нефильтрованный свет от УФ-лампы Osram HBO 350 W/S мощностью 350 Вт. Суммарная доза экспонирования составляла около 15 мДж/см на длине волны 365 нм и около 30 мДж/см на длине волны 405 нм. После экспонирования фоторезист подвергали постэкспозиционной сушке на горячей плите при 105°С в течение 2 мин и проявляли в водном растворе тетраметиламмония гидроксида с нормальностью 0,26 г-экв/л (проявитель AZ726MIF), время проявления составляло 40 с. Получено негативное изображение фотошаблона. После проявления изображение чистое, край ровный, четкий. Профиль скола фоторезиста А2 приведен на рис. 1, изображение получено с помощью оптического микроскопа при увеличении 500х.
Для тестирования «взрыва» на подложку с негативным изображением фотошаблона в вакууме осаждали слой алюминия толщиной около 1 мкм, «взрыв» производили растворением «жертвенного» слоя фоторезиста с нанесенным на него алюминием в ацетоне. На подложке оставалось четкое металлизированное изображение фотошаблона.
Пример 3
Негативный фоторезист А4 получают растворением в 55,0 мл смеси 1-метокси-2-пропилацетат : диглим = 85 : 15 следующих компонентов:
Смола СФ-142 (на основе смеси м-крезол : п-крезол = 60 : 40)
40,0 г
Гексаметоксиметилмеламин
8,0 г
α-(4-Тозилоксимино)-4-метоксибензилцианид
1,44 г
Диэтаноламин
0,1 г
FC-430
0,25 г
Тинувин 1130
4,0 г
2
2
Раствор фоторезиста фильтруют через 2 слоя фильтровального полотна ФСВ с размером пор от 1 до 5 мкм. Фоторезист методом центрифугирования (3000 об/мин в течение 60 с) наносился на тестовые подложки (размер около 1×1 см) из окисленного кремния либо GaAs, без промотирования адгезиии и удаления краевого валика. Сразу после нанесения производилась предэкспозиционная сушка на горячей плите (hot-plate) при температуре 95°С в течение 7 мин; толщина получаемой пленки фоторезиста составляла около 7 мкм. Пленка гладкая, чистая, блестящая. Экспонирование в режиме «жесткого контакта» производилось на установке MJB4 (Karl Suss) с оптикой UV400, передающей нефильтрованный свет от УФ-лампы Osram HBO 350 W/S мощностью 350 Вт. Суммарная доза экспонирования составляла около 30 мДж/см на длине волны 365 нм и около 60 мДж/см на длине волны 405 нм. После экспонирования фоторезист подвергали постэкспозиционной сушке на горячей плите при 105°С в течение 2 мин и проявляли в водном растворе тетраметиламмония гидроксида с нормальностью 0,26 г-экв/л (проявитель AZ726MIF), время проявления составляло 40 с. Получено негативное изображение фотошаблона. После проявления изображение чистое, край ровный, четкий. Профиль скола фоторезиста А4 приведен на рис. 1, изображение получено с помощью оптического микроскопа при увеличении 500х.
Для тестирования «взрыва» на подложку с негативным изображением фотошаблона в вакууме осаждали слой алюминия толщиной около 1 мкм, «взрыв» производили растворением «жертвенного» слоя фоторезиста с нанесенным на него алюминием в ацетоне. На подложке оставалось четкое металлизированное изображение фотошаблона.
Пример 4
Негативный фоторезист В2 получают растворением в 55,0 мл смеси 1-метокси-2-пропилацетат : диглим = 85 : 15 следующих компонентов:
Смола СК-08 (на основе трикрезола)
32,0 г
Смола СФ-014 (фенолформальдегидная)
12,0 г
Гексаметоксиметилмеламин
8,0 г
α-(4-Тозилоксимино)-4-метоксибензилцианид
1,6 г
Диэтаноламин
0,064 г
FC-430
0,25 г
Тинувин 1130
2,0 г
Раствор фоторезиста фильтруют через два слоя фильтровального полотна ФСВ с размером пор от 1 до 5 мкм, наносят на окисленную кремниевую подложку либо подложку GaAs, сушат и экспонируют, как описано в примере 1. Толщина пленки фоторезиста составила около 7 мкм. Пленка гладкая, чистая, блестящая. Постэкспозиционная сушка и проявление производились идентично примеру 1. Получено негативное изображение фотошаблона. После проявления изображение чистое, край ровный, четкий. Профиль скола фоторезиста В2 приведен на рис. 2.
Для тестирования «взрыва» на подложку с негативным изображением фотошаблона в вакууме осаждали слой алюминия толщиной около 1 мкм, «взрыв» производили растворением «жертвенного» слоя фоторезиста с нанесенным на него алюминием в ацетоне. На подложке оставалось четкое металлизированное изображение фотошаблона.
Пример 5
Негативный фоторезист В4 получают растворением в 55,0 мл смеси 1-метокси-2-пропилацетат : диглим = 85 : 15 следующих компонентов:
Смола СК-08 (на основе трикрезола)
32,0 г
Смола СФ-014 (фенолформальдегидная)
12,0 г
Гексаметоксиметилмеламин
8,0 г
α-(4-Тозилоксимино)-4-метоксибензилцианид
1,6 г
Триэтаноламин
0,064 г
FC-430
0,25 г
Тинувин 1130
4,0 г
Раствор фоторезиста фильтруют через два слоя фильтровального полотна ФСВ с размером пор от 1 до 5 мкм, наносят на окисленную кремниевую подложку либо подложку GaAs, сушат и экспонируют, как описано в примере 1. Толщина пленки фоторезиста составила около 7 мкм. Пленка гладкая, чистая, блестящая. Постэкспозиционная сушка и проявление производились идентично примеру 1. Получено негативное изображение фотошаблона. После проявления изображение чистое, край ровный, четкий. Профиль скола фоторезиста В4 приведен на рис. 2.
Для тестирования «взрыва» на подложку с негативным изображением фотошаблона в вакууме осаждали слой алюминия толщиной около 1 мкм, «взрыв» производили растворением «жертвенного» слоя фоторезиста с нанесенным на него алюминием в ацетоне. На подложке оставалось четкое металлизированное изображение фотошаблона.
Пример 6
Негативный фоторезист В8 получают растворением в 55,0 мл смеси 1-метокси-2-пропилацетат : диглим = 85 : 15 следующих компонентов:
Смола СК-08 (на основе трикрезола)
32,0 г
Смола СФ-014 (фенолформальдегидная)
12,0 г
Гексаметоксиметилмеламин
8,0 г
α-(4-Тозилоксимино)-4-метоксибензилцианид
1,6 г
Триэтаноламин
0,064 г
FC-430
0,25 г
Тинувин 1130
8,0 г
Раствор фоторезиста фильтруют через два слоя фильтровального полотна ФСВ с размером пор от 1 до 5 мкм, наносят на окисленную кремниевую подложку либо подложку GaAs, сушат и экспонируют, как описано в примере 3. Толщина пленки фоторезиста составила около 7 мкм. Пленка гладкая, чистая, блестящая. Постэкспозиционная сушка и проявление производились идентично примеру 1. Получено негативное изображение фотошаблона. После проявления изображение чистое, край ровный, четкий. Профиль скола фоторезиста В8 приведен на рис. 2.
Для тестирования «взрыва» на подложку с негативным изображением фотошаблона в вакууме осаждали слой алюминия толщиной около 1 мкм, «взрыв» производили растворением «жертвенного» слоя фоторезиста с нанесенным на него алюминием в ацетоне. На подложке оставалось четкое металлизированное изображение фотошаблона.
Пример 7
Фоторезист получают растворением в 70,0 мл смеси 1-метокси-2-пропилацетат : диглим = 85 : 15 следующих компонентов:
Смола СК-08 (на основе трикрезола)
20,0 г
Смола СФ-014 (фенолформальдегидная)
6,0 г
Гексаметоксиметилмеламин
6,0 г
α-(4-Тозилоксимино)-4-метоксибензилцианид
1,0 г
Диэтаноламин
0,05 г
FC-430
0,20 г
Тинувин 1130
2,0 г
2
Раствор фоторезиста фильтруют, наносят на кремниевую подложку, сушат, как описано в примере 1. Толщина пленки фоторезиста составила около 2 мкм. Пленка гладкая, чистая, блестящая. Экспонируют на установке ЭМ-576, доза экспонирования - около 30 мДж/см. После экспонирования фоторезист подвергали постэкспозиционной сушке при (97-98)°С в течение 20 мин и проявляли в водном растворе тетраметиламмония гидроксида с нормальностью 0,26 г-экв/л, время проявления составляло 15 с. Получено негативное изображение фотошаблона. После проявления изображение чистое, край ровный, четкий.
Для тестирования «взрыва» на подложку с негативным изображением фотошаблона в вакууме осаждали слой алюминия толщиной около 0,5 мкм, «взрыв» производили растворением «жертвенного» слоя фоторезиста с нанесенным на него алюминием в ацетоне. На подложке оставалось четкое металлизированное изображение фотошаблона.
Пример 8
Отличается от В2 тем, что в смеси растворителей диглим заменен на диоксан. Получено негативное изображение фотошаблона. После проявления изображение чистое, край ровный, четкий. «Взрыв» дает четкое, без заусениц металлизированное изображение фотошаблона.
Пример 9
Отличается от В2 тем, что в смеси растворителей диглим заменен на диметилформамид. Получено негативное изображение фотошаблона. После проявления изображение чистое, край ровный, четкий. «Взрыв» дает четкое, без заусениц металлизированное изображение фотошаблона.
Пример 10
Отличается от примера 2 (фоторезист А2) тем, что в качестве органического основания вместо диэтаноламина в композицию вводят 3,3',5,5'-тетраметилбензидин (0,2 г). После экспонирования и проявления получено негативное изображение фотошаблона. Изображение чистое, край ровный, четкий. Осаждение металла и «взрыв» дает четкое, без заусениц металлизированное изображение фотошаблона.
Пример 11
Негативный фоторезист В0
2
Отличается от композиции примера 4 тем, что компонент Тинувин 1130 отсутствует. Композицию В0 испытывают идентично фоторезистам В2 и В4. Раствор фоторезиста фильтруют, наносят на кремниевую подложку и сушат, как описано в примерах 1-3. Толщина пленки фоторезиста составила около 7 мкм. Пленка гладкая, чистая, блестящая. Экспонируют на установке ЭМ-576, доза экспонирования - около 80 мДж/см. После экспонирования фоторезист подвергали постэкспозиционной сушке при (97-98)°С в течение 20 мин и проявляли в водном растворе тетраметиламмония гидроксида с нормальностью 0,26 г-экв/л, время проявления составляло 30 с. Получено негативное изображение фотошаблона, которое рассматривают на микроскопе МИИ-4 при 500-кратном увеличении. Изображение чистое, край удовлетворительный, визуально менее четкий, чем в образцах В2-В8.
Для тестирования «взрыва» на подложку с негативным изображением фотошаблона в вакууме осаждали слой алюминия толщиной около 1 мкм, «взрыв» производили растворением «жертвенного» слоя фоторезиста с нанесенным на него алюминием в ацетоне. На подложке оставалось металлизированное изображение фотошаблона, местами наблюдалось наличие дефектов края в виде «заусениц».
Профиль скола фоторезиста В0, полученного экспонированием в режиме «жесткого контакта» на установке MJB4 (Karl Suss) нефильтрованным светом от УФ-лампы Osram HBO 350 W/S мощностью 350 Вт, приведен на рис. 2.
Из данных примеров 1-10 и чертежей следует, что фоторезист предлагаемой композиции обладает рядом преимуществ по сравнению с известным фоторезистом (пример 11, по патенту US 5627011, прототип). Улучшается качество края в проявленном рисунке фотошаблона, увеличивается отрицательный угол наклона маски фоторезиста, в связи с чем улучшается качество проведения «взрывной» фотолитографии - уменьшается образование дефектов в виде «заусениц», увеличивается процент выхода годных изделий. Рис. 2 особенно наглядно демонстрирует, что путем изменения концентрации светопоглощающей добавки в негативном фоторезисте можно контролируемо управлять профилем фоторезистивной маски.