ПЛАЗМЕННАЯ СИСТЕМА

1. Плазменная система для осуществления усиленного плазмой химического осаждения из газовой фазы, включающая:
вакуумную камеру,
по меньшей мере два электрода,
основу, и
подвергаемое ионизации вещество, предназначенное для осаждения на по меньшей мере одну целевую поверхность основы,
при этом основа включает трубчатую заготовку, имеющую два конца, где по меньшей мере один из двух концов представляет собой открытый конец, закрытый съемным концевым колпаком таким образом, что вакуумная камера ограничивается заготовкой и указанным колпаком, и при этом заготовка представляет собой один из электродов, а другой электрод вводят через концевой колпак в заготовку, и при этом по меньшей мере одна целевая поверхность основы представляет собой внутреннюю поверхность трубчатой заготовки.
2. Система по п.1, в которой по меньшей мере два электрода включают периферический электрод, образованный трубчатой заготовкой, и центральный электрод, образованный другим электродом.
3. Система по п.2, в которой центральный электрод включает трубчатый электрод, содержащий множество трубопроводов, соединенных с вакуумной камерой при помощи соединения для текучих сред.
4. Система по п.3, в которой множество трубопроводов трубчатого электрода включает по меньшей мере один трубопровод для газа для подачи в вакуумную камеру технологического газа, по меньшей мере один трубопровод для предшественника для подачи в вакуумную камеру материала предшественника и по меньшей мере один вакуумный трубопровод для создания в вакуумной камере вакуума.
5. Система по п.4, в которой трубопровод для газа, трубопровод для предшественника и вакуумный трубопровод расположены в трубчатом электроде концентрическим образом.
6. Система по п.4, в которой как трубопровод для газа, так и трубопровод для предшественника снабжены диффузионными соплами, открывающимися в вакуумную камеру, а вакуумный трубопровод снабжен по меньшей мере одним всасывающим отверстием, открывающимся в вакуумную камеру.
7. Система по п.4, в которой по меньшей мере один внешний конец трубчатого электрода расположен вне заготовки, и внешний конец включает по меньшей мере один соединительный канал для газа, сообщающийся с трубопроводом для газа, по меньшей мере один соединительный канал для предшественника, сообщающийся с трубопроводом для предшественника, и по меньшей мере один вакуумный соединительный канал, сообщающийся с вакуумным трубопроводом, и при этом по меньшей мере один соединительный канал для газа присоединен к источнику технологического газа, по меньшей мере один соединительный канал для предшественника присоединен к источнику материала предшественника, и по меньшей мере один вакуумный соединительный канал присоединен к вакуумному насосу.
8. Система по п.7, в которой технологический газ выбран из группы, состоящей из аргона, водорода, азота, гелия, метана, кислорода и их смесей.
9. Система по п.7, в которой материал предшественника выбран из группы, состоящей из дихлорсилана, силана и оксида, аммиака, азота, титанатов, хроматов, алюминатов и их смесей.
10. Система по п.7, в которой материал основы выбран из группы, состоящей из металлов, стекла, полимеров, керамики, углеродных волокон и их смесей.
11. Система по п.2, в которой заготовка выбрана из группы, состоящей из труб, трубопроводов, цилиндрических емкостей, барабанов, сферических контейнеров и их сочетаний.
12. Система по п.4, в которой периферический электрод, образованный трубчатой заготовкой, представляет собой трубу, имеющую два открытых конца, и по меньшей мере один из съемных концевых колпаков включает один съемный концевой колпак, закрывающий каждый из открытых концов; центральный электрод расположен в продольном направлении вдоль центра трубы, и при этом центральный электрод выведен наружу через концевые колпаки способом, обеспечивающим герметичное состояние вакуумной камеры и электрическую изоляцию при закрытых колпаках, и при этом два конца центрального электрода находятся вне вакуумной камеры.