Способ химического обезжиривания поверхности пластин при изготовлении биполярных мощных транзисторов

2
2
4
Способ химического обезжиривания поверхности пластин при изготовлении биполярных мощных транзисторов, включающий обработку поверхности кремниевых пластин от органических, неорганических и различных загрязнений, отличающийся тем, что пластины подвергают обработке в растворе, состоящем из водного раствора, перекиси водорода -НО и гидроксида аммония -NHOH в соотношении: 1:4:18, температура раствора Т=80±5°С, длительность процесса - 5 минут, количество пылинок составило 3 штуки.