СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

3
3
Способ химического травления полупроводников, включающий обработку поверхности полупроводников, отличающийся тем, что химическое травление чистых полупроводников основано на окислении их поверхности и удалении (растворении) образовавшегося оксида, причем обработку поверхности полупроводников ведут в травителе, состоящем из следующих компонентов: фтористоводородной (HF), азотной (HNO) и уксусной (CHCOOH) кислот в соотношении 1:6:3, время обработки 6 минут, при этом процент выхода годных приборов составил 98%.