ПОДЛОЖКА ДИСПЛЕЯ, СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОТОБРАЖЕНИЯ
DISPLAY SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY DEVICE

Область техники, к которой относится изобретение
Варианты осуществления настоящего раскрытия относятся к подложке дисплея, способу изготовления подложки дисплея и устройству отображения.
Уровень техники
В связи с постоянным развитием технологии отображения устройство отображения на органических светодиодах с активной матрицей (AMOLED) стало актуальным направлением исследований и направлением развития технологий крупных производителей благодаря своим преимуществам, связанным с широкой цветовой гаммой, высокой контрастностью, легкой и тонкой конструкцией, самосвечением и широким углом обзора.
В настоящее время устройства отображения на органических светодиодах с активной матрицей (AMOLED) широко используются в различных электронных продуктах, от небольших электронных продуктов, таких как смарт-браслет, смарт-часы, смартфон и планшетный компьютер, до больших электронных изделий, таких как портативный компьютер, настольный компьютер и телевизор. Таким образом, на рынке также увеличивается спрос на устройства отображения на органических светодиодах с активной матрицей.
Раскрытие сущности изобретения
Варианты осуществления настоящего раскрытия предоставляют подложку дисплея, способ ее изготовления и устройство отображения. Подложка дисплея включает в себя базовую подложку и множество подпикселей, расположенных на базовой подложке, причем каждый из множества подпикселей включает в себя: проводящую светоэкранирующую структуру, расположенную на базовой подложке; буферный слой, расположенный на стороне проводящей светоэкранирующей структуры, обращенной от базовой подложки; полупроводниковый слой, расположенный на стороне буферного слоя, обращенной от проводящей светоэкранирующей структуры; межслойный изолирующий слой, расположенный на стороне полупроводникового слоя, обращенной от буферного слоя; и проводящий слой, расположенный на стороне межслойного изолирующего слоя, обращенной от полупроводникового слоя, и проводящий слой включает в себя проводящую структуру, причем проводящая светоэкранирующая структура включает в себя первый участок основного тела и первый углубленный участок, средняя толщина первого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем средняя толщина первого участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, подложка дисплея дополнительно включает в себя первое контактное отверстие, первое контактное отверстие проникает через межслойный изолирующий слой и буферный слой, проводящая структура электрически соединена с первым углубленным участком через первое контактное отверстие, площадь поверхности первого углубленного участка, расположенной рядом с проводящим слоем, больше, чем площадь ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку. Благодаря этому подложка дисплея выполнена с первым углубленным участком в проводящей светоэкранирующей структуре, таким образом, площадь контакта между первым электродом стока и проводящей светоэкранирующей структурой увеличивается, и контакт становится более надежным, тем самым уменьшается сопротивление контакта, и повышается эффект электрического соединения между первым электродом стока и проводящей светоэкранирующей структурой.
По меньшей мере один вариант осуществления настоящего раскрытия предусматривает подложку дисплея, которая включает в себя базовую подложку и множество подпикселей, расположенных на базовой подложке, причем каждый из множества подпикселей включает в себя: проводящую светоэкранирующую структуру, расположенную на базовой подложке; буферный слой, расположенный на стороне проводящей светоэкранирующей структуры, обращенной от базовой подложки; полупроводниковый слой, расположенный на стороне буферного слоя, обращенной от проводящей светоэкранирующей структуры; межслойный изолирующий слой, расположенный на стороне полупроводникового слоя, обращенной от буферного слоя; и проводящий слой, расположенный на стороне межслойного изолирующего слоя, обращенной от полупроводникового слоя, и включающий в себя проводящую структуру, проводящая светоэкранирующая структура включает в себя первый участок основного тела и первый углубленный участок, подложка дисплея дополнительно включает в себя первое контактное отверстие, первое контактное отверстие проходит как в межслойный изолирующий слой, так и в буферный слой, проводящая структура электрически соединена с первым углубленным участком через первое контактное отверстие, площадь поверхности первого углубленного участка, расположенной рядом с проводящим слоем, больше, чем площадь ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку, и средняя толщина первого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем средняя толщина первого участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, буферный слой включает в себя: первый буферный участок, где сторона первого буферного участка, обращенная от базовой подложки, находится в контакте с проводящим слоем, и сторона первого буферного участка, расположенная рядом с базовой подложкой, находится в контакте с проводящей светоэкранирующей структурой; и второй буферный участок, где сторона второго буферного участка, обращенная от базовой подложки, находится в контакте с межслойным изолирующим слоем, и сторона второго буферного участка, расположенная рядом с базовой подложкой, находится в контакте с проводящим светоэкранирующей структурой.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, первое контактное отверстие включает в себя боковую стенку, и боковая стенка по меньшей мере включает в себя: первую вспомогательную боковую стенку, расположенную в межслойном изолирующем слое; и вторая вспомогательная боковая стенка, расположенная в буферном слое, прилежащий угол между первой вспомогательной боковой стенкой и базовой подложкой образует первый угол наклона, прилежащий угол между второй вспомогательной боковой стенкой и базовой подложкой образует второй угол наклона, первый угол наклона меньше второго угла наклона; и контактный участок второй вспомогательной боковой стенки и первого буферного участка расположен между первым буферным участком и вторым буферным участком.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, боковая стенка первого контактного отверстия дополнительно включает в себя: третью вспомогательную боковую стенку, расположенную на первом буферном участке, прилежащий угол между третьей вспомогательный боковой стенкой и базовой подложкой образует третий угол наклона, и первый угол наклона, второй угол наклона и третий угол наклона отличаются друг от друга.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, в радиальном направлении первого контактного отверстия отношение длины первого буферного участка к средней толщине первого буферного участка больше, чем отношение длины проекции первой вспомогательной боковой стенки на базовую подложку к средней толщине межслойного изолирующего слоя.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, в радиальном направлении первого контактного отверстия, отношение длины проекции первой вспомогательной боковой стенки на базовую подложку к средней толщине межслойного изолирующего слоя больше, чем отношение длины проекции второй вспомогательной боковой стенки на базовую подложку к средней толщине буферного слоя.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, второй угол наклона больше третьего угла наклона, и первый угол наклона больше третьего угла наклона.
Например, в подложке дисплея, предоставленной вариантом осуществления настоящего раскрытия, размер L ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку в направлении, параллельном базовой подложке, удовлетворяет следующей формуле:
2(Actgβ+Bctgγ+Cctgθ) < L < D,
где A – максимальная толщина первого буферного участка, B – максимальная толщина второго буферного участка, C – максимальная толщина межслойного изолирующего слоя, β – первый угол наклона, γ – второй угол наклона, θ – третий угол наклона, и D – наибольший размер ортографической проекции первого контактного отверстия на базовую подложку в направлении, параллельном базовой подложке.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, первый углубленный участок включает в себя первый краевой участок, и, в направлении от края первого углубленного участка к центру первого углубленного участка, толщина первого краевого участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, постепенно уменьшается.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, первый углубленный участок включает в себя первый краевой участок, и, в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно изменяется четвертый угол наклона поверхности первого краевого участка, расположенной рядом с проводящим слоем.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, поверхность первого углубленного участка, расположенная рядом с проводящей структурой, представляет собой непрерывную дугообразную поверхность или комбинированную поверхность, состоящую по меньшей мере из одного сегмента непрерывной дугообразной поверхности и по меньшей мере одного сегмента плоскости.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, первый углубленный участок включает в себя первый краевой участок, и четвертый угол α наклона поверхности первого краевого участка, расположенной рядом с проводящим слоем, удовлетворяет следующей формуле:
0 < α < k*H/Lmax,
где Lmax – максимальная апертура ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку, H – средняя толщина первого участка основного тела, и k – постоянная больше 1 и меньше или равна 2.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, k=2, диапазон четвертого угла наклона составляет от 1 до π/18.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, первый углубленный участок включает в себя первый краевой участок, четвертый угол α наклона поверхности первого краевого участка, расположенной рядом с проводящим слоем, меньше, чем третий угол наклона третьей вспомогательной боковой стенки, и удовлетворяет следующей формуле:
(Actgβ+Bctgγ+Cctgθ+L/2tgα) ≤ D/2,
где A – максимальная толщина первого буферного участка, B – максимальная толщина второго буферного участка, C – максимальная толщина межслойного изолирующего слоя, β – первый угол наклона, γ – второй угол наклона, θ – третий угол наклона, и D – наибольший размер ортографической проекции первого контактного отверстия на базовую подложку в направлении, параллельном базовой подложке.
Например, подложка дисплея, предоставленная вариантом осуществления настоящего раскрытия, дополнительно включает в себя: выравнивающий слой, причем выравнивающий слой расположен на стороне проводящего слоя, обращенной от полупроводникового слоя, и выравнивающий слой включает в себя анодное отверстие; и анод, причем анод расположен на стороне выравнивающего слоя, обращенной от полупроводникового слоя, и включает в себя светоизлучающий участок, участок возбуждения и расширительный участок, соединяющий светоизлучающий участок и участок возбуждения, и по меньшей мере часть участка возбуждения расположена внутри анодного отверстия по меньшей мере в одном из подпикселей, ортографическая проекция первого контактного отверстия на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией участка возбуждения на базовую подложку, подложка дисплея дополнительно включает в себя: линию питания, расположенную в проводящем слое; и измерительную линию, расположенную в проводящем слое; линия питания и измерительная линия размещены в первом направлении, и линия питания и измерительная линия продолжаются во втором направлении, которое пересекает первое направление; множество подпикселей включает в себя первую пару подпикселей и вторую пару подпикселей, первая пара подпикселей включает в себя два подпикселя, которые расположены с двух сторон линии питания, соответственно, второй пара подпикселей включает в себя два подпикселя, которые расположены с двух сторон от измерительной линии, соответственно; первая пара подпикселей и вторая пара подпикселей размещены поочередно в первом направлении, в двух подпикселях во второй паре подпикселей первая область перекрытия выполнена между ортографической проекцией анодного отверстия на базовую подложку и ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку, и площадь первой области меньше, чем площадь ортографической проекции первого контактного отверстия на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, анод дополнительно включает в себя вогнутую структуру в краевом положении анодного отверстия, и направление вогнутости вогнутой структуры обращено к проводящей светоэкранирующей структуре.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, диапазон размеров ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку в направлении, параллельном базовой подложке, составляет от 5 микрон до 10 микрон.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, ортографическая проекция первого контактного отверстия на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией первого углубленного участка на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, каждый из подпикселей включает в себя схему возбуждения пикселей, схема возбуждения пикселей включает в себя первый тонкопленочный транзистор, и проводящая структура представляет собой первый электрод стока первого тонкопленочного транзистора.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, первый тонкопленочный транзистор дополнительно включает в себя: первый активный слой, причем первый активный слой расположен в полупроводниковом слое, и включает в себя первую канальную область, а также первую область электрода истока и первую область электрода стока, которые расположены с двух сторон от первой канальной области, соответственно; и первый электрод истока, расположенный в проводящем слое, подложка дисплея дополнительно включает в себя первое сквозное отверстие, и второе сквозное отверстие, первое сквозное отверстие и второе сквозное отверстие расположены в межслойном изолирующем слое, первый электрод истока соединен с первой областью электрода истока через первое сквозное отверстие, и первый электрод стока соединен с первой областью электрода стока через второе сквозное отверстие.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, проводящая светоэкранирующая структура дополнительно включает в себя: первый изолирующий участок, где ортографическая проекция первого изолирующего участка на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией первого сквозного отверстия на базовую подложку, и ортографическая проекция первого изолирующего участка на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией первой области электрода истока на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, первый изолирующий участок включает в себя первый полый участок, и первый полый участок заполнен материалом буферного слоя.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, первый полый участок включает в себя первое полое кольцо, и материал внутреннего участка первого полого кольца и материал внешней стороны первого полого кольца представляют собой материал проводящей светоэкранирующей структуры.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, первый изолирующий участок является оксидным участком.
Например, подложка дисплея, предоставленная вариантом осуществления настоящего раскрытия, дополнительно включает в себя: изолирующий слой затвора, расположенный между полупроводниковым слоем и межслойным изолирующим слоем; электродный затворный слой, расположенный между изолирующим слоем затвора и межслойным изолирующим слоем; пассивирующий слой, расположенный на стороне проводящего слоя, обращенной от базовой подложки; слой цветных светофильтров, причем слой цветных светофильтров расположен на стороне пассивирующего слоя, обращенной от проводящего слоя, и включает в себя по меньшей мере три цветных светофильтра разных цветов; и анодный слой, выравнивающий слой расположен на стороне слоя цветных светофильтров, обращенной от пассивирующего слоя, анодный слой расположен на стороне выравнивающего слоя, обращенной от слоя цветных светофильтров, и анод расположен в анодный слое.
Например, подложка дисплея, предоставленная вариантом осуществления настоящего раскрытия, дополнительно включает в себя соединительную линию питания, размещенную на том же слое, что и проводящая светоэкранирующая структура, причем соединительная линия питания включает в себя второй участок основного тела и множество углубленных участков питания, средняя толщина углубленных участков питания в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем средняя толщина второго участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, и площадь поверхности одного из углубленных участков питания, расположенных рядом с проводящим слоем, больше, чем площадь ортографической проекции одного из углубленных участков питания на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, ортографическая проекция по меньшей мере одного из множества углубленных участков питания на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографическими проекциями цветных светофильтров в слое цветных светофильтров на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, каждый из углубленных участков питания включает в себя второй краевой участок и, в направлении от края одного из углубленных участков питания к центру толщина второго краевого участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, каждый из углубленных участков питания включает в себя второй краевой участок, и, в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно изменяется пятый угол наклона поверхности второго краевого участка, расположенной рядом с проводящим слоем.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, подложка дисплея дополнительно включает в себя контактное отверстие питания, контактное отверстие питания расположено в межслойном изолирующем слое и буферном слое, и ортографическая проекция контактного отверстия питания на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией одного из углубленных участков питания, соответствующих контактному отверстию питания на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, буферный слой включает в себя: третий буферный участок, причем третий буферный участок расположен в контактном отверстии питания, на стороне третьего буферного участка от базовой подложки находится в контакте с соединительной линией питания, и сторона третьего буферного участка, расположенная рядом с базовой подложкой, находится в контакте с проводящей светоэкранирующей структурой; и четвертый буферный участок, причем четвертый буферный участок расположен на стороне третьего буферного участка, обращенной от центра одного из углубленных участков питания, и боковая стенка контактного отверстия питания включает в себя: четвертую вспомогательную боковую стенку, расположенную в межслойном изолирующем слое; и пятую вспомогательную боковую стенку, расположенную на четвертом буферном участке, причем прилежащий угол между четвертой вспомогательной боковой стенкой и базовой подложкой образует шестой угол наклона, прилежащий угол между пятой вспомогательной боковой стенкой и базовой подложкой образует седьмой угол наклона, шестой угол наклона меньше седьмого угла наклона; и контактный участок пятой вспомогательной боковой стенки и третьего буферного участка расположен между третьим буферным участком и четвертым буферным участком.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, боковая стенка контактного отверстия питания дополнительно включает в себя: шестую вспомогательную боковую стенку, расположенную на третьем буферном участке, прилежащий угол между шестой вспомогательный боковой стенкой и базовой подложкой образует восьмой угол наклона, и шестой угол наклона, седьмой угол наклона и восьмой угол наклона отличаются друг от друга.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, седьмой угол наклона меньше второго угла наклона.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, восьмой угол наклона больше третьего угла наклона.
Например, подложка дисплея, предоставленная вариантом осуществления настоящего раскрытия, дополнительно включает в себя: измерительную соединительную линию, размещенную на том же слое, что и проводящая светоэкранирующая структура, измерительная соединительная линия включает в себя третий участок основного тела и множества углубленных участков, средняя толщина углубленных участков в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем средняя толщина третьего участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, площадь поверхности одного из измерительных углубленных участков, расположенных рядом с проводящим слоем, больше, чем площадь ортографической проекции одного из измерительных углубленных участков на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, ортографическая проекция по меньшей мере одного из множества углубленных участков на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографическими проекциями цветных светофильтров в слое цветных светофильтров на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, каждый из углубленных участков включает в себя третий краевой участок, и, в направлении от края одного из углубленных участков к центру одна из углубленных участков, толщина третьего краевого участка, в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, каждый из углубленных участков включает в себя третий краевой участок, и, в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно изменяется девятый угол наклона поверхности третьего краевого участка, расположенной рядом с проводящим слоем.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, подложка дисплея дополнительно включает в себя измерительное контактное отверстие, измерительное контактное отверстие расположено в межслойном изолирующем слое и буферном слое, и ортографическая проекция измерительное контактное отверстие на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией одного из углубленных участков, соответствующих измерительному контактному отверстию, на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, буферный слой включает в себя пятый буферный участок, расположенный в измерительном контактном отверстии, причем сторона пятого буферного участка, обращенная от базовой подложки, находится в контакте с измерительной соединительной линией, и сторона пятого буферного участка, расположенная рядом с базовой подложкой, находится в контакте с проводящей светоэкранирующей структурой; и шестой буферный участок, расположенный на стороне пятого буферного участка, обращенной от центра одного из углубленных участков, соответствующих измерительному контактному отверстию, и боковая стенка измерительного контактного отверстия включает в себя: седьмую вспомогательную боковую стенку, расположенную в межслойном изолирующем слое; и восьмую вспомогательную боковую стенку, расположенную на шестом буферном участке; причем прилежащий угол между седьмой вспомогательной боковой стенкой и базовой подложкой образует десятый угол наклона, прилежащий угол между восьмой вспомогательной боковой стенкой и базовой подложкой образует одиннадцатый угол наклона, десятый угол наклона меньше одиннадцатого угла наклона; и контактный участок восьмой вспомогательной боковой стенки и пятого буферного участка расположен между пятым буферным участком и шестым буферным участком.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, буферный слой дополнительно включает в себя: девятую вспомогательную боковую стенку, расположенную на пятом буферном участке, прилежащий угол между девятой вспомогательный боковой стенкой и базовой подложкой образует двенадцатый угол наклона, десятый угол наклона, одиннадцатый угол наклона и двенадцатый угол наклона отличаются друг от друга.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, одиннадцатый угол наклона меньше второго угла наклона.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, двенадцатый угол наклона больше третьего угла наклона.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, каждый из подпикселей включает в себя область возбуждения и светоизлучающую область, проводящая светоэкранирующая структура расположена в области возбуждения, участок возбуждения анода расположен в области возбуждения, и светоизлучающий участок анода расположен в светоизлучающей области.
Например, подложка дисплея, предоставленная вариантом осуществления настоящего раскрытия, дополнительно включает в себя первую затворную линию, причем первая затворная линия расположена в слое затворных электродов и продолжается в первом направлении; вторую затворную линию, причем вторая затворная линия расположена в слое затворных электродов и продолжается в первом направлении; и линию данных, причем линия данных расположена в проводящем слое и продолжается во втором направлении, при этом линия питания продолжается во втором направлении, и измерительная линия продолжается во втором направлении, множество подпикселей размещается в массиве в первом направлении и во втором направлении для формирования множества строк подпикселей, размещенных во втором направлении, и множество столбцов подпикселей, размещенных в первом направлении, и, в каждой из строк подпикселей, первая затворная линия расположена между областью возбуждения и светоизлучающей областью, вторая затворная линия расположена между двумя соседними строками подпикселей, линия питания расположена между двумя соседними столбцами подпикселей, измерительная линия расположена между двумя соседними столбцами подпикселей, и линия данных расположена между двумя соседними столбцами подпикселей.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, каждый из подпикселей включает в себя схему возбуждения пикселей, схема возбуждения пикселей включает в себя первый тонкопленочный транзистор, первый тонкопленочный транзистор включает в себя первый электрод затвора, первый электрод истока и первый электрод стока, проводящая структура представляет собой первый электрод стока первого тонкопленочного транзистора, схема возбуждения пикселей дополнительно включает в себя второй тонкопленочный транзистор и третий тонкопленочный транзистор, второй тонкопленочный транзистор пленочный транзистор включает в себя второй электрод затвора, второй электрод истока и второй электрод стока, третий тонкопленочный транзистор включает в себя третий электрод затвора, третий электрод истока и третий электрод стока, и полупроводниковый слой дополнительно включает в себя проводящий блок, первый электрод истока первого тонкопленочного транзистора соединен с линией питания, второй электрод истока второго тонкопленочного транзистора соединен с линией данных, второй электрод затвора второго тонкопленочного транзистора соединен с первой затворной линией, второй электрод стока второго тонкопленочного транзистора соединен с первым электродом затвора первого тонкопленочного транзистора и проводящим блоком, соответственно, и третий электрод затвора третьего тонкопленочного транзистора соединен со второй затворной линией, третий электрод истока третьего тонкопленочного транзистора соединен с измерительной линией, третий электрод стока третьего тонкопленочного транзистора соединен с первым электродом стока первого тонкопленочного транзистора, и проводящая светоэкранирующая структура, первый электрод стока, соединенный с проводящей светоэкранирующей структурой и проводящий блок, расположенный между проводящей светоэкранирующей структурой и первым электродом стока, образуют накопительный конденсатор.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, первый электрод истока первого тонкопленочного транзистора соединен с линией питания через первый соединительный участок, второй электрод истока второго тонкопленочного транзистора соединен с линией данных через второй соединительный участок, первый соединительный участок размещен в том же слое, что и линия питания, и второй соединительный участок размещен в том же слое, что и линия данных.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, направление от первого электрода истока к первому электроду стока пересекается с направлением продолжения первого соединительного участка, и направление от второго электрода истока ко второму электроду стока пересекает направление продолжения второго соединительного участка.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, множество подпикселей по меньшей мере включает в себя подпиксель первого цвета, подпиксель второго цвета, подпиксель третьего цвета и подпиксель четвертого цвета в каждой из строк подпикселей, подпиксель первого цвета, подпиксель второго цвета, подпиксель третьего цвета и подпиксель четвертого цвета последовательно расположены в первом направлении для формирования группы подпикселей, и линия питания расположена между подпикселем второго цвета и подпикселем третьего цвета в группе подпикселей.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, подложка дисплея дополнительно включает в себя соединительную линию питания, и соединительная линия питания расположена в том же слое, что и проводящая светоэкранирующая структура.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, подложка дисплея дополнительно включает в себя второе контактное отверстие, третье контактное отверстие и четвертое контактное отверстие, второе контактное отверстие, третье контактное отверстие и четвертое контактное отверстие расположено как в межслойном изолирующем слое, так и в буферном слое, в группе подпикселей линия питания соединена с соединительной линией питания через второе контактное отверстие, первый электрод истока подпикселя второго цвета соединен с линией питания в одном и том же слое, первый электрод истока подпикселя третьего цвета соединен с линией питания в одном и том же слое, и первый электрод истока подпикселя первого цвета соединен с соединительной линией питания через третье контактное отверстие, и первый электрод истока подпикселя четвертого цвета соединен с соединительной линией питания через четвертое контактное отверстие.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, соединительная линия питания включает в себя второй участок основного тела, второй углубленный участок, третий углубленный участок и четвертый углубленный участок, ортографическая проекция второй углубленный участок на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией второго контактного отверстия на базовую подложку, ортографическая проекция третьего углубленного участка на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией третьего контактного отверстия на базовую подложку, ортографическая проекция четвертого углубленного участка на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией четвертого контактного отверстия на базовую подложку, и толщина второго углубленного участка равна толщине третьего углубленного участка, и толщина четвертого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, соответственно, меньше, чем толщина второго участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, площадь поверхности второго углубленного участка, расположенной рядом с линией питания, больше, чем площадь ортографической проекции второго углубленного участка на базовую подложку, площадь поверхности третьего углубленного участка, обращенной от базовой подложки, больше, чем площадь ортографической проекции третьего углубленного участка на базовую подложку, и площадь поверхности четвертого углубленного участка, обращенной от базовой подложки, больше, чем площадь ортографической проекции четвертого углубленного участка на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, ортографическая проекция по меньшей мере одного из второго углубленного участка, третьего углубленного участка и четвертого углубленного участка на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографическими проекциями цветных светофильтров в слое цветных светофильтров на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, подпиксель второго цвета включает в себя светофильтр первого цвета, подпиксель третьего цвета включает в себя светофильтр второго цвета, и подпиксель четвертого цвета включает в себя светофильтр третьего цвета, и в группе подпикселей ортографическая проекция по меньшей мере одного из светофильтра первого цвета и светофильтра второго цвета на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией второго углубленного участка на базовую подложку, и ортографическая проекция светофильтра третьего цвета на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией четвертого углубленного участка на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, измерительная линия расположена между двумя соседними группами из групп подпикселей в первом направлении, и две соседние группы из групп подпикселей в первом направлении включают в себя первую группу подпикселей и вторую группу подпикселей, подложка дисплея дополнительно включает в себя измерительную соединительную линию, пятое контактное отверстие, шестое контактное отверстие, седьмое контактное отверстие, восьмое контактное отверстие и девятое контактное отверстие, измерительная соединительная линия и проводящая светоэкранирующая структура расположены в одном слое, пятое контактное отверстие, шестое контактное отверстие, седьмое контактное отверстие, восьмое контактное отверстие и девятое контактное отверстие расположены как в межслойном изолирующем слое, так и в буферном слое, в двух соседних группах подпикселей, измерительная линия соединена с измерительной соединительной линией через пятое контактное отверстие, третий электрод истока подпикселя третьего цвета в первой группе подпикселей соединен с измерительной соединительной линией через шестое контактное отверстие, и третий электрод истока подпикселя четвертого цвета в первой группе подпикселей соединен с измерительной соединительной линией через седьмое контактное отверстие, и третий электрод истока подпикселя первого цвета в первой группе подпикселей соединен с измерительной соединительной линией через восьмое контактное отверстие, и третий электрод истока подпикселя второго цвета во второй группе подпикселей соединен с измерительной соединительной линией через девятое контактное отверстие.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, измерительная соединительная линия включает в себя третий участок основного тела, пятый углубленный участок, шестой углубленный участок, седьмой углубленный участок, восьмой углубленный участок и девятый углубленный участок, ортографическая проекция пятого углубленного участка на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией пятого контактного отверстия на базовую подложку, ортографическая проекция шестого углубленного участка на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией шестого контактного отверстия на базовую подложку, ортографическая проекция седьмого углубленного участка на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией седьмого контактного отверстия на базовую подложку, ортографическая проекция восьмого углубленного участка на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией, ортографическая проекция восьмого контактного отверстия на базовую подложку и ортографическая проекция девятого углубленного участка на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией девятого контактного отверстия на базовую подложку, и толщина пятого углубленного участка, толщина шестого углубленного участка, толщина седьмого углубленного участка, толщина восьмого углубленного участка и толщина девятого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, соответственно, меньше, чем толщина третьего участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, площадь поверхности пятого углубленного участка, расположенной рядом с измерительной линией, больше, чем площадь ортографической проекции пятого углубленного участка на базовую подложку, площадь поверхности шестого углубленного участка, обращенной от базовой подложки, больше, чем площадь ортографической проекции шестого углубленного участка на базовую подложку, площадь поверхности седьмого углубленного участка, обращенной от базовой подложки, больше, чем площадь ортографической проекции седьмого углубленного участка на базовую подложку, площадь поверхности восьмого углубленного участка, обращенной от базовой подложки, больше, чем площадь ортографической проекции восьмого углубленного участка на базовую подложку, и площадь поверхности девятого углубленного участка, обращенной от базовой подложки, больше, чем площадь ортографической проекции девятого углубленного участка на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, ортографическая проекция по меньшей мере одного из пятого углубленного участка, шестого углубленного участка, седьмого углубленного участка, восьмого углубленного участка и девятого углубленного участка на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографическими проекциями цветных светофильтров в слое цветных светофильтров на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, во втором направлении измерительная соединительная линия расположена на стороне второй затворной линии, обращенной от первой затворной линии, ортографическая проекция светофильтра второго цвета в первой группе подпикселей на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией шестого углубленного участка первой группы подпикселей, смежной во втором направлении, на базовую подложку, ортографическая проекция светофильтра третьего цвета в первой группе подпикселей на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией седьмого углубленного участка, смежной во втором направлении, на базовую подложку, и ортографическая проекция светофильтра первого цвета во второй группе подпикселей на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией девятого углубленного участка, смежной во втором направлении, на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, в группе подпикселей ортографическая проекция светофильтра первого цвета на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией соединительной линии питания на базовую подложку, ортографическая проекция светофильтра второго цвета на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией соединительной линии питания на базовую подложку и ортографической проекцией первой затворной линии на базовую подложку, соответственно, и ортографическая проекция светофильтра третьего цвета на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией соединительной линии питания на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, в группе подпикселей, ортографическая проекция светофильтра первого цвета на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией измерительной соединительной линии на базовую подложку, ортографическая проекция светофильтра второго цвета на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией измерительной соединительной линии на базовую подложку, соответственно, и ортографическая проекция светофильтра третьего цвета на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией измерительной соединительной линии на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, первый тонкопленочный транзистор дополнительно включает в себя: первый активный слой, и первый активный слой расположен в полупроводниковом слое и включает в себя первую канальную область и первую область электрода истока и первую область электрода стока, которые расположены с двух сторон от первой канальной области; первый электрод затвора расположен в слое затворных электродов, ортографическая проекция первого электрода затвора на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией первой канальной области на базовую подложку; первый электрод истока и первый электрод стока расположены в проводящем слое, и подложка дисплея дополнительно включает в себя первое сквозное отверстие и второе сквозное отверстие, первое сквозное отверстие и второе сквозное отверстие расположены в межслойном изолирующем слое, первый электрод истока соединен с первой областью электрода истока через первое сквозное отверстие, и первый электрод стока соединен с первой областью электрода стока через второе сквозное отверстие.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, ортографическая проекция первой канальной области на базовую подложку попадает на ортографическую проекцию первого участка основного тела на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, подложка дисплея дополнительно включает в себя: четвертое сквозное отверстие, расположенное в межслойном изолирующем слое, причем второй электрод стока соединен с проводящим блоком через четвертое сквозное отверстие, проводящая светоэкранирующая структура дополнительно включает в себя второй изолирующий участок, и ортографическая проекция второго изолирующего участка на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией четвертого сквозного отверстия на базовую подложку.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, второй изолирующий участок включает в себя второй полый участок, и второй полый участок заполнен материалом буферного слоя.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, второй полый участок включает в себя второе полое кольцо, и каждый из материала внутреннего части второго полого кольца и материала внешней стороны второго полого кольца представляет собой материал проводящей светоэкранирующей структуры.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, второй изолирующий участок является оксидным участком.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, обе формы ортографических проекций первого сквозного отверстия и четвертого сквозного отверстия на базовую подложку являются анизотропными рисунками, и обе включают в себя длинную сторону.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, в группе подпикселей длинная сторона первого сквозного отверстия подпикселя второго цвета и длинная сторона первого сквозного отверстия подпикселя третьего цвета продолжаются обе в первом направлении, и длинная сторона первого сквозного отверстия подпикселя первого цвета и длинная сторона первого сквозного отверстия подпикселя четвертого цвета продолжаются во втором направлении.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, в группе подпикселей длинная сторона четвертого сквозного отверстия подпикселя второго цвета и длинная сторона четвертого сквозного отверстия подпикселя третьего цвета продолжаются во втором направлении, и длинная сторона четвертого сквозного отверстия подпикселя первого цвета и длинная сторона четвертого сквозного отверстия подпикселя четвертого цвета продолжаются в первом направлении.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, в группе подпикселей центр четвертого сквозного отверстия подпикселя первого цвета, центр четвертого сквозного отверстия подпикселя второго цвета, центр четвертого сквозного отверстия подпикселя третьего цвета и центр четвертого сквозного отверстия подпикселя четвертого цвета смещены во втором направлении, и центр четвертого сквозного отверстия подпикселя первого цвета и центр четвертого сквозного отверстия подпикселя четвертого цвета расположены на первой виртуальной прямой линии, центр четвертого сквозного отверстия подпикселя второго цвета и центр четвертого сквозного отверстия подпикселя третьего цвета расположены на второй виртуальной прямой линии, параллельной первой виртуальной прямой линии.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, материалом проводящей светоэкранирующей структуры является по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из молибдена и титана, и материалом проводящего слоя является по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из меди, молибдена и титана.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, проводящий слой включает в себя первый субметаллический слой и второй субметаллический слой, расположенные друг над другом в направлении, перпендикулярном базовой подложке, материалом первого субметаллического слоя является медь, и материалом второго субметаллического слоя является молибден-титановый сплав.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, материалом электродного затворного слоя является по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из меди, молибдена и титана.
Например, в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, толщина проводящей светоэкранирующей структуры в направлении, перпендикулярном базовой подложке, составляет от 90 до 120 нанометров, и толщина проводящей слой в направлении, перпендикулярном базовой подложке, составляет от 200 нанометров до 600 нанометров.
По меньшей мере один вариант осуществления настоящего раскрытия дополнительно предоставляет устройство отображения, включающее в себя любую из вышеупомянутых подложек дисплея.
По меньшей мере один вариант осуществления настоящего раскрытия дополнительно предусматривает способ изготовления подложки дисплея, который включает в себя: формирование слоя проводящего светоэкранирующего материала на базовой подложке; формирование рисунка на слое проводящего светоэкранирующего материала для формирования проводящей светоэкранирующей структуры; формирование буферного слоя на стороне проводящей светоэкранирующей структуры, обращенной от базовой подложки; формирование полупроводникового слоя на стороне буферного слоя, обращенной от проводящей светоэкранирующей структуры; формирование межслойного изолирующего слоя на стороне полупроводникового слоя, обращенной от буферного слоя; формирование первого контактного отверстия в межслойном изолирующем слое и буферном слое; и формирование проводящего слоя на стороне межслойного изолирующего слоя, обращенной от полупроводникового слоя; проводящий слой включает в себя проводящую структуру, проводящая светоэкранирующая структура включает в себя первый участок основного тела и первый углубленный участок, средняя толщина первого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем средняя толщина первого участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, первое контактное отверстие проникает в межслойный изолирующий слой и буферный слой, проводящая структура соединена с первым углубленным участком через первое контактное отверстие, площадь поверхности первый углубленный участок, расположенный рядом с проводящим слоем, больше, чем площадь ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, формирование первого контактного отверстия в межслойном изолирующем слое и буферном слое включает в себя: формирование первого буферного участка и второго буферного участка в буферного слоя, сторона первого буферного участка, обращенная от базовой подложки, находится в контакте с проводящим слоем, и сторона первого буферного участка, расположенная рядом с базовой подложкой, находится в контакте с проводящей светоэкранирующей структурой. сторона второго буферного участка, обращенная от базовой подложки, находится в контакте с межслойным изолирующим слоем, и сторона второго буферного участка, расположенная рядом с базовой подложкой, находится в контакте с проводящей светоэкранирующей структурой.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, первое контактное отверстие включает в себя боковую стенку, причем боковая стенка по меньшей мере включает в себя: первую вспомогательную боковую стенку, расположенную в межслойном изолирующем слое; и вторую боковую стенку, расположенную в буферном слое, причем прилежащий угол между первой вспомогательной боковой стенкой и базовой подложкой образует первый угол наклона, прилежащий угол между второй вспомогательной боковой стенкой и базовой подложкой образует второй угол наклона, первый угол наклона меньше второго угла наклона; и контактный участок второй вспомогательной боковой стенки и первого буферного участка расположен между первым буферным участком и вторым буферным участком.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, боковая стенка первого контактного отверстия дополнительно включает в себя: третью вспомогательную боковую стенку, расположенную на первом буферном участке, прилежащий угол между третьей вспомогательной боковой стенкой и базовой подложкой образует третий угол наклона, и первый угол наклона, второй угол наклона и третий угол наклона отличаются друг от друга.
Например, способ изготовления подложки дисплея, предоставленный посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, дополнительно включает в себя: формирование выравнивающего слоя на стороне проводящего слоя, обращенной от межслойного изолирующего слоя, причем выравнивающий слой включает в себя анодное отверстие; и формирование анодного слоя на стороне выравнивающего слоя, обращенной от проводящего слоя, для формирования множества подпикселей на базовой подложке, причем каждый из подпикселей включает в себя анод, при этом анод включает в себя светоизлучающий участок, участок возбуждения и расширительный участок, соединяющий светоизлучающий участок и участок возбуждения, и участок возбуждения по меньшей мере частично расположен внутри анодного отверстия по меньшей мере в одном из подпикселей, ортографическая проекция первого контактного отверстия на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией участка возбуждения на базовую подложку, и подложка дисплея дополнительно включает в себя: линию питания, расположенную в проводящем слое; и измерительную линию, расположенную в проводящем слое; причем линия питания и линия измерения размещены в первом направлении, и линия питания и линия измерения продолжаются во втором направлении, которое пересекает первое направление; множество подпикселей включает в себя первую пару подпикселей и вторую пару подпикселей, причем первая пара подпикселей включает в себя два подпикселя, которые расположены с двух сторон линии питания, соответственно, вторая пара подпикселей включает в себя два подпикселя, которые расположены с двух сторон измерительной линии, соответственно; и первая пара подпикселей и вторая пара подпикселей размещены поочередно в первом направлении, и в двух подпикселях во второй паре подпикселей выполнена первая область перекрытия между ортографической проекцией анодного отверстия на базовую подложку и ортографической проекцией первого углубленного участка на базовую подложку, и площадь первой области перекрытия меньше, чем площадь ортографической проекции первого контактного отверстия на базовую подложку.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, проводящий слой дополнительно включает в себя первый электрод истока и первый электрод стока, и проводящая структура является первым электродом стока.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, полупроводниковый слой включает в себя первый активный слой, причем первый активный слой включает в себя первую канальную область, а также первую область электрода истока и первую область электрода стока, которые расположены с двух сторон первой канальной области, способ изготовления дополнительно включает в себя: в это же время формирование первого контактного отверстия в межслойном изолирующем слое и буферном слое, формирование первого сквозного отверстия и второго сквозного отверстия в межслойном изолирующем слое, первый электрод истока соединен с первой областью электрода истока через первое сквозное отверстие, и первый электрод стока соединен с первой областью электрода стока через второе сквозное отверстие.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, один и тот же процесс травления используется для одновременного формирования рисунка межслойного изолирующего слоя и буферного слоя, что сформировать первое сквозное отверстие и первое контактное отверстие.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, процесс полутонового маскирования используется для формирования рисунка межслойного изолирующего слоя и буферного слоя, чтобы сформировать первое сквозное отверстие и первое контактное отверстие.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, использование процесса полутонового маскирования для формирования рисунка межслойного изолирующего слоя и буферного слоя, чтобы сформировать первое сквозное отверстие и первое контактное отверстие, включает в себя: формирование первого фоторезиста на стороне межслойного изолирующего слоя, обращенной от базовой подложки; экспонирование и проявление первого фоторезиста с использованием первой полутоновой маски для формирования первого рисунка фоторезиста, включающего в себя второй участок с полностью удаленным фоторезистом, первый участок с частично удаленным фоторезистом и первый участок с оставшимся фоторезистом; травление межслойного изолирующего слоя с использованием первого рисунка фоторезиста в качестве маски для удаления межслойного изолирующего слоя, соответствующего первому участку с полностью удаленным фоторезистом; озоление первого рисунка фоторезиста, удаление первого участка с частично удаленным фоторезистом и утонение первого участка с оставшимся фоторезистом для формирования второго рисунка фоторезиста; и травление буферного слоя с использованием второго рисунка фоторезиста в качестве маски, ортографическая проекция первого контактного отверстия на базовую подложку перекрывается ортографической проекцией первого участка с полностью удаленным фоторезистом на базовую подложку, и ортографическая проекция первого сквозного отверстия на базовую подложку перекрывается ортографической проекцией первого участка с частично удаленным фоторезистом на базовую подложку.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, проводящая светоэкранирующая структура дополнительно включает в себя первый изолирующий участок, при этом ортографическая проекция первого изолирующего участка на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией первого сквозного отверстия на базовую подложку, и ортографическая проекция первого изолирующего участка на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией первой области электрода истока на базовую подложку.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, первый изолирующий участок включает в себя первый полый участок, причем первый полый участок заполнен материалом буферного слоя, формирование рисунка на слое проводящего светоэкранирующего материала для формирования проводящей светоэкранирующей структуры включает в себя: формирование рисунка на слое проводящего светоэкранирующего материала с использованием одного и того же процесса формирования рисунка для формирования первого участка основного тела, первого углубленного участка и первого полого участка.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, формирование рисунка слоя проводящего светоэкранирующего материала для формирования проводящей светоэкранирующей структуры включает в себя: формирование фоторезиста на стороне проводящей светоэкранирующей структуры, обращенной от базовой подложки; экспонирование и проявление фоторезиста с использованием второй полутоновой маски для формирования третьего рисунка фоторезиста, включающего в себя второй участок с полностью удаленным фоторезистом, второй участок с частично удаленным фоторезистом и второй участок с оставшимся фоторезистом; травление слоя проводящего светоэкранирующего материала с использованием третьего рисунка фоторезиста в качестве маски для удаления слоя проводящего светоэкранирующего материала, соответствующего второму участку с полностью удаленным фоторезистом; озоление третьего рисунка фоторезиста, удаление второго участка с частично удаленным фоторезистом и утонение второго участка с оставшимся фоторезистом для формирования четвертого рисунка фоторезиста; и травление слоя проводящего светоэкранирующего материала с использованием четвертого рисунка фоторезиста в качестве маски, ортографическая проекция первого участка основного тела на базовую подложку перекрывается ортографической проекцией второго участка с оставшимся фоторезистом на базовую подложку, и ортографическая проекция первого углубленного участка на базовую подложку перекрывается ортографической проекцией второго участка с частично удаленным фоторезистом на базовую подложку.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, первый углубленный участок включает в себя первый краевой участок, и, в направлении от края первого углубленного участка к центру первого углубленного участка, толщина первого краевого участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, постепенно уменьшается.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, первый углубленный участок включает в себя первый краевой участок, и, в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно изменяется четвертый угол наклона поверхности первого краевого участка, расположенной рядом с проводящим слоем.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, поверхность первого углубленного участка, расположенная рядом с проводящей структурой, представляет собой поверхность непрерывной дуги или представляет собой комбинированную поверхность, состоящую по меньшей мере из одного сегмента непрерывной дугообразной поверхности и по меньшей мере одного сегмента плоскости.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, первый углубленный участок включает в себя первый краевой участок, четвертый угол α наклона поверхности первого краевого участка, расположенной рядом с проводящей слой, удовлетворяет следующей формуле:
0 < α < k*H/Lmax,
где Lmax – максимальная апертура ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку, H – средняя толщина первого участка основного тела, и k – постоянная больше 1 и меньше или равна 2.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, k=2, диапазон четвертого угла наклона составляет от 1 до π/18.
Например, в способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, диапазон размеров ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку в направлении, параллельном базовой подложке, составляет от 5 микроны до 10 микрон.
Краткое описание чертежей
Чтобы ясно проиллюстрировать техническое решение вариантов осуществления настоящего раскрытия, будут кратко описаны чертежи вариантов осуществления. Очевидно, что описанные чертежи относятся только к некоторым вариантам осуществления настоящего раскрытия и, таким образом, не ограничивают настоящее раскрытие.
Фиг. 1 – схематичное представление в разрезе подложки дисплея, использующей оксидный тонкопленочный транзистор с верхним расположением затвора;
фиг. 2А – схематичное представление в разрезе другой подложки дисплея;
фиг. 2B – схематичное представление в разрезе контактного отверстия в подложке дисплея;
фиг. 3 – схематичное представление сквозного отверстия в подложке дисплея;
фиг. 4 – плоское схематичное представление подложки дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 5A – схематичное представление в разрезе подложки дисплея по линии AA', показанной на фиг. 4, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 5B – схематичное представление в разрезе подложки дисплея по линии BB', показанной на фиг. 4, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 5C – схематичное представление эффекта сбора света углубленного участка в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 5D – схематичное представление анодного отверстия в подложке дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 6А – схематичное представление в разрезе первого углубленного участка в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 6B – схематичное представление в разрезе первого углубленного участка в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 7A – плоское схематичное представление схемы возбуждения пикселей в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 7B – плоское схематичное представление схемы возбуждения пикселей в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 8 – эквивалентная принципиальная схема возбуждения пикселей в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 9 – временная диаграмма сигналов на каждой из сигнальных линий в схеме возбуждения пикселей в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 10A – плоское схематичное представление проводящей светоэкранирующей структуры в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 10B – плоское схематичное представление проводящей светоэкранирующей структуры в другой подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 10C – схематичное представление проводящей светоэкранирующей структуры в еще одной подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 11A – схематичное представление другой подложки дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 11B – схематичное представление эффекта сбора света углубленного участка питания или измерительного участка питания в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 11C – схематичное представление в разрезе углубленного участка питания в подложке дисплея в направлении, перпендикулярном базовой подложке, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 11D – схематичное представление в разрезе углубленного измерительного участка в подложке дисплея в направлении, перпендикулярном базовой подложке, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 12 – плоское схематичное представление другой подложки дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 13 – схематичное представление в разрезе первого электрода стока в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия;
фиг. 14 – схематичное представление устройства отображения, предоставленного посредством варианта осуществления настоящего раскрытия; и
фиг. 15 – блок-схема последовательности операций способа изготовления подложки дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия.
Осуществление изобретения
Чтобы прояснить задачи, технические детали и преимущества вариантов осуществления настоящего раскрытия, технические решения вариантов осуществления будут описаны ясно и полностью понятным образом со ссылкой на соответствующие чертежи. Очевидно, что описанные варианты осуществления являются лишь частью, но не всеми вариантами осуществления настоящего раскрытия. На основе описанных в данном документе вариантов осуществления специалисты в данной области техники могут получить, без какой-либо изобретательской деятельности, один или более других вариантов осуществления, которые должны подпадать под объем настоящего раскрытия.
Если не указано иное, все технические и научные термины, используемые в данном документе, имеют то же значение, которое, как правило, подразумевают специалисты в данной области техники, к которой принадлежит настоящее раскрытие. Термины «первый», «второй» и т.д., которые используются в описании и формуле настоящего раскрытия, не предназначены для обозначения какой-либо последовательности, количества или важности, а предназначены для различения различных компонентов. Термины «содержит», «содержащий», «включает в себя», «включающий в себя» и т.д. предназначены для указания того, что элементы или объекты, указанные перед этими терминами, охватывают элементы или объекты, перечисленные после этих терминов, а также их эквиваленты, но не исключают другие элементы или объекты.
Тонкопленочные транзисторы (TFT) в обычных жидкокристаллических дисплейных панелях используют аморфный кремниевый материал в качестве своих активных слоев, но, используя такие тонкопленочные транзисторы, трудно удовлетворить требования по возбуждению самосветящихся устройств отображения, которые требуют возбуждения током с высокой подвижностью носителей. Таким образом, устройства отображения на органических светодиодах с активной матрицей (AMOLED), как правило, должны использовать тонкопленочные транзисторы с высокой подвижностью носителей. В общем, малогабаритные устройства отображения на органических светодиодах с активной матрицей могут использовать тонкопленочные транзисторы из низкотемпературного поликристаллического кремния (LTPS) в качестве активных слоев, и устройства отображения на органических светодиодах с активной матрицей большого размера могут использовать тонкопленочные транзисторы, которые окисляют как их активные слои.
В ходе исследований авторы изобретения настоящего раскрытия обнаружили: по сравнению с тонкопленочным транзистором с нижним затвором, тонкопленочный транзистор с верхним затвором имеет характеристики короткого канала, его ток в открытом состоянии Ion может быть эффективным образом увеличен, поэтому можно значительно повысить эффект отображения тонкопленочного транзистора с верхним затвором, и уменьшена потребляемая мощность тонкопленочного транзистора с верхним затвором. В дополнение к этому, область перекрытия между электродом затвора и электродом стока истока тонкопленочного транзистора с верхним затвором является маленькой, поэтому вырабатываемая паразитная емкость также является маленькой; поэтому у тонкопленочного транзистора с верхним затвором меньше шансов иметь дефекты, такие как короткое замыкание между электродом затвора и электродами стока и истока.
На фиг. 1 показано схематичное представление в разрезе подложки дисплея, использующей оксидный тонкопленочный транзистор с верхним затвором. Как показано на фиг. 1, подложка 10 дисплея включает в себя базовую подложку 11, светоэкранирующий слой 12, буферный слой 13, активный слой 14, изолирующий слой 15 затвора, электрод 16 затвора, межслойный изолирующий слой 17 и проводящий слой 18. Процесс изготовления подложки 10 дисплея может включать в себя: формирование светоэкранирующего слоя 12 на базовой подложке 11; формирование буферного слоя 13 на стороне светоэкранирующего слоя 12, обращенной от базовой подложки 11; формирование оксидно-полупроводникового слоя на стороне буферного слоя 13, обращенной от базовой подложки 11; формирование рисунка на оксидно-полупроводниковом слое для формирования активного слоя 14 и завершение процесса проводящего легирования в неканальной области; формирование изолирующего слоя 15 затвора на стороне активного слоя 14, обращенной от базовой подложки 11; формирование электрода 16 затвора на стороне изолирующего слоя 15 затвора, обращенной от активного слоя 14; например, изолирующий слой 15 затвора и электрод 16 затвора могут быть изготовлены посредством процесса маскирования с использованием процесса самовыравнивания. Межслойный изолирующий слой 17 сформирован на стороне электрода 16 затвора, обращенной от базовой подложки 11; подложка дисплея, образованная межслойным изолирующим слоем 17, травится для одновременного образования сквозного отверстия H1 и сквозного отверстия H2 в межслойном изолирующем слое 17; контактное отверстие CNT одновременно формируется в межслойном изолирующем слое 17 и буферном слое 13 путем одновременного травления с помощью H1 и H2; буферный слой 13 и межслойный изолирующий слой 17 могут быть последовательно подвергаться травлению в процессе изготовления подложки матрицы, и в межслойном изолирующем слое 17 и буферном слое 13 формируется CNT с контактным отверстием втулочного типа; проводящий слой 18 сформирован на стороне межслойного изолирующего слоя 17, обращенной от базовой подложки 11, проводящий слой 18 включает в себя электрод S истока и электрод D стока, электрод S истока соединен с областью электрода истока активного слоя 14 через первое сквозное отверстие H1, электрод D стока соединен с областью электрода стока активного слоя 14 через второе отверстие H2, и электрод D стока также соединен со светоэкранирующим слоем 12 через контактное отверстие CNT.
Как показано на фиг. 1, так как электрод D стока соединен с областью электрода стока активного слоя 14 через второе сквозное отверстие H2, электрод D стока также соединен со светоэкранирующим слоем 12 через контактное отверстие CNT, и светоэкранирующий экран слой 12 и электрод D стока могут иметь одинаковый потенциал; кроме того, электрод D стока также электрически соединен с анодом 25. На фиг. 2A показано схематичное представление в разрезе другой подложки дисплея. Как показано на фиг. 2A, анод 25, электрод D стока и светоэкранирующий слой 12 имеют одинаковый потенциал, таким образом, анод 25, электрод D стока и светоэкранирующий слой 12 могут образовывать многослойный конденсатор с электродом в проводящем слое 18 (электрод не обязательно является электродом D стока, упомянутым выше, но может быть электродом стока другого тонкопленочного транзистора в схеме возбуждения пикселей) и проводящий блок 19 активного слоя.
В вышеупомянутом процессе изготовления некоторые сквозные отверстия, например, сквозное отверстие H1 и сквозное отверстие H2, должны травить только межслойный изолирующий слой, в то время как другие сквозные отверстия, например, контактное отверстие CNT, должны травить по меньшей мере два изолирующих слоя, например, межслойный изолирующий слой и буферный слой, которые упомянуты выше, эти два типа отверстий должны быть протравлены на разной глубине, и материалы, которые нужно травить, также являются разными, таким образом, реальный процесс формирование этих двух типов отверстий очень трудно контролировать одновременно. На фиг. 2B показано схематичное представление в разрезе контактного отверстия в подложке дисплея; Как показано на фиг. 2B, контактное отверстие имеет разные углы наклона в разных слоях, в результате площадь контакта между электродом стока и светоэкранирующим слоем становится меньше. В случае, показанном на фиг. 2В, электрод стока и светоэкранирующий слой подвержены явлениям, таким как большое контактное сопротивление и плохой контакт, так что это сильно влияет на эффект электрического соединения. С другой стороны, на фиг. 3 показано схематичное представление в разрезе сквозного отверстия в подложке дисплея, как показано на фиг. 3, в некоторых вариантах осуществления непосредственно сам активный слой спроектирован так, чтобы быть более тонким, некоторые части активного слоя могут легко отсутствовать или вытравливаться, так что сквозное отверстие напрямую проникает в активный слой и буферный слой и находится в контакте со светоэкранирующим слоем слоем. В это время электрод истока и электрод стока тонкопленочного транзистора электрически соединены через светоэкранирующий слой, так что яркое пятно на подложке дисплея является дефектным в случае, когда электрод истока подает напряжение.
В этом отношении варианты осуществления настоящего раскрытия предоставляют подложку дисплея, способ ее изготовления и устройство отображения. Подложка дисплея включает в себя базовую подложку и множество подпикселей, расположенных на базовой подложке, каждый из множества подпикселей включает в себя: проводящую светоэкранирующую структуру, расположенную на базовой подложке; буферный слой, расположенный на стороне проводящей светоэкранирующей структуры, обращенной от базовой подложки; полупроводниковый слой, расположенный на стороне буферного слоя, обращенной от проводящей светоэкранирующей структуры; межслойный изолирующий слой, расположенный на стороне полупроводникового слоя, обращенной от буферного слоя; и проводящий слой, расположенный на стороне межслойного изолирующего слоя, обращенной от полупроводникового слоя, и проводящий слой включает в себя проводящую структуру, проводящая светоэкранирующая структура включает в себя первый участок основного тела и первый углубленный участок, средняя толщина первого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем средняя толщина первого участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, подложка дисплея дополнительно включает в себя первое контактное отверстие, первое контактное отверстие проникает через межслойный изолирующий слой и буферный слой, проводящая структура электрически соединена с первым углубленным участком через первое контактное отверстие, площадь поверхности первого углубленного участка, расположенной рядом с проводящим слоем, больше, чем площадь ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку. Таким образом, подложка дисплея снабжена первым углубленным участком в проводящей светоэкранирующей структуре, тем самым увеличивается площадь контакта между первым электродом стока и проводящей светоэкранирующей структурой, и становится больше контакт, тем самым уменьшается сопротивление контакта, и повышается эффект электрического соединения между первым электродом стока и проводящей светоэкранирующей структурой.
Далее будет подробно описана подложка дисплея, способ ее изготовления и устройство отображения, предоставленные вариантами осуществления настоящего раскрытия, со ссылкой на сопроводительные чертежи.
По меньшей мере один вариант осуществления настоящего раскрытия предусматривает подложку дисплея. На фиг. 4 показано плоское схематичное представление подложки дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия; на фиг. 5A показано схематичное представление в разрезе подложки дисплея по линии AA', показанной на фиг. 4, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия; на фиг. 5B показано схематичное представление в разрезе подложки дисплея по линии BB', показанной на фиг. 4, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия; на фиг. 5C показано схематичное представление эффекта сбора света углубленного участка в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия; на фиг. 5D показано схематичное представление анодного отверстия в подложке дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия. Следует отметить, что на фиг. 4 показана схема на виде сверху от анодного слоя подложки дисплея до базовой подложки дисплея.
Как показано на фиг. 4 и 5A, подложка 100 дисплея включает в себя базовую подложку 110 и множество подпикселей 300, расположенных на базовой подложке 110; каждый из множества подпикселей 300 включает в себя проводящую светоэкранирующую структуру 122, буферный слой 130, полупроводниковый слой 140, межслойный изолирующий слой 170 и проводящий слой 180. Проводящая светоэкранирующая структура 122 расположена на базовой подложке 110; буферный слой 130 расположен на стороне проводящей светоэкранирующей структуры 122, обращенной от базовой подложки 110; полупроводниковый слой 140 расположен на стороне буферного слоя 130, обращенной от проводящей светоэкранирующей структуры 122; межслойный изолирующий слой 170 расположен на стороне полупроводникового слоя 140, обращенной от буферного слоя 130; проводящий слой 180 расположен на стороне межслойного изолирующего слоя 170, обращенной от полупроводникового слоя 140, проводящий слой 180 включает в себя проводящую структуру 181, например, проводящая структура 181 может быть первым электродом 1841 стока. Например, буферный слой 130 имеет эффект изоляции проводящей светоэкранирующей структуры 122 от полупроводникового слоя 140; с другой стороны, буферный слой 130 может также покрывать дефекты или неровности на базовой подложке 110, тем самым повышая качество полупроводникового слоя 120, сформированного на буферном слое 130.
Как показано на фиг. 4 и 5A, проводящая светоэкранирующая структура 122 включает в себя первый участок 1220 основного тела и первый углубленный участок 1224, средняя толщина первого углубленного участка 1224 в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, меньше, чем средняя толщина первого участка 1220 основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110. Подложка 100 дисплея дополнительно включает в себя первое контактное отверстие 251, первое контактное отверстие 251 проникает через межслойный изолирующий слой 170 и буферный слой 130, проводящая структура 181 соединена с первым углубленным участком 1224 через первое контактное отверстие 251, и площадь поверхности первого углубленного участка 1224, расположенной рядом с проводящим слоем 180, больше, чем площадь ортографической проекции первого углубленного участка 1224 на базовую подложку 110.
В подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, проводящая светоэкранирующая структура включает в себя первый участок основного тела и первый углубленный участок, и проводящая структура соединена с первым углубленным участком через первое контактное отверстие. Так как первый углубленный участок углублен в проводящую светоэкранирующую структуру, площадь поверхности первого углубленного участка, расположенной рядом с первым стоком, больше, чем площадь ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку. Таким образом, подложка дисплея позволяет увеличить площадь контакта между первым электродом стока и проводящей светоэкранирующей структурой, и контакт между первым электродом стока и проводящей светоэкранирующей структурой становится более надежным, тем самым уменьшается сопротивление контакта, повышается эффект электрического соединения между первым электродом стока и проводящей светоэкранирующей структурой, и может быть значительно повышена эффективность заряда и разряда конденсатора, образованного проводящей структурой.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 4 и 5A, каждый из подпикселей 300 дополнительно включает в себя: выравнивающий слой 210, расположенный на стороне проводящего слоя 180, обращенной от полупроводникового слоя 140, при этом выравнивающий слой 210 включает в себя анодное отверстие 263; и анод 225, расположенный на стороне выравнивающего слоя 210, обращенной от полупроводникового слоя 140, при этом анод 225 включает в себя светоизлучающий участок 225A, участок 225B возбуждения и протяженный участок 225C, соединяющий светоизлучающий участок 225A и участок 225B возбуждения, и по меньшей мере часть участка 225B возбуждения расположена внутри анодного отверстия 263. В каждом из подпикселей 300 ортографическая проекция первого контактного отверстия 251 на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией участка 225B возбуждения на базовую подложку 110. Таким образом, за счет размещения участка 225B возбуждения анода 225 над первым контактным отверстием 251, участок 225B возбуждения расположен над первым углубленным участком 1224, поэтому в случае, когда эффективность экранирования света первого углубленного участка снижается из-за утонения первого углубленного участка 1224, участок возбуждения 225В анода 225 может блокировать прохождение света через первый углубленный участок 1224. Кроме того, площадь анода 225 можно увеличить за счет размещения участка 225B возбуждения анода 225, поэтому значение емкости многослойного конденсатора, образованного анодом, увеличивается.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 4 и 5A, подложка 100 дисплея дополнительно включает в себя: линию 186 питания, расположенную на проводящем слое 180; и измерительную линию 187, расположенную в проводящем слое 180; и множество подпикселей 300 включает в себя первую пару 360A подпикселей и вторую пару 360B подпикселей, причем первая пара 360A подпикселей включает в себя два подпикселя 300, которые расположены с двух сторон линии 186 питания., соответственно, и вторая пара 360B подпикселей включает в себя два подпикселя 300, которые расположены с двух сторон измерительной линии 187, соответственно; первая пара 360A подпикселей и вторая пара 360B подпикселей расположены поочередно в двух подпикселях 300 во второй паре 360B подпикселей, анодное отверстие 263 и ортографическая проекция первого углубленного участка 1224 на базовую подложку 110 имеют первую область 410, и площадь первой области 410 перекрытия меньше, чем площадь ортографической проекции первого контактного отверстия 251 на базовую подложку 110. Линия 186 питания и измерительная линия 187 расположены в первом направлении, и как линия 186 питания, так и измерительная линия 187 проходят во втором направлении, которое пересекает первое направление. Таким образом, в двух подпикселях 300 во второй паре 360B подпикселей между анодным отверстием 263 и первым углубленным участком 1224 образована первая область 410 перекрытия, таким образом, в случае, когда эффективность экранирования света первого углубленного участка уменьшается из-за утонения первого углубленного участка 1224, анод 225 в позиции анодного отверстия 263 имеет изогнутую поверхность раздела с тем, чтобы свет мог фокусироваться, и, таким образом, свет, проходящий через первый углубленный участок 1224, не будет влиять на нормальное отображение.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 5D, анод 225 дополнительно включает в себя вогнутую структуру 2258 в краевом положении анодного отверстия 263, направление вогнутости углубленной структуры 2258 обращено к проводящей светоэкранирующей структуре 122. Таким образом, в случае, когда характеристики экранирования света первого углубленного участка ухудшаются из-за утонения первого углубленного участка 1224, вогнутая структура имеет по меньшей мере две наклонные поверхности с тем, чтобы свет, проходящий через первый углубленный участок, мог отражаться. Кроме того, так как вогнутая структура по существу является микроструктурой, вогнутая структура также может рассеивать свет, проходящий через первый углубленный участок, что дополнительно предотвращает влияние света, проходящего через первый углубленный участок 1224 на нормальное отображение. Следует отметить, что вышеупомянутое положение края анодного отверстия относится к границе между анодным отверстием и поверхностью выравнивающего слоя, обращенной от полупроводникового слоя.
Например, вышеупомянутая проводящая структура 181 может быть первым электродом 1841 стока в проводящем слое 180, и первый электрод 1841 стока может быть электродом стока первого тонкопленочного транзистора в схеме возбуждения пикселей одного из подпикселей 300.
В некоторых примерах материал проводящей светоэкранирующей структуры 122 может быть по меньшей мере материалом, выбранным из группы, состоящей из молибдена и титана; и материал проводящего слоя 180 может быть по меньшей мере материалом, выбранным из группы, состоящей из меди, молибдена и титана. Например, проводящий слой 180 может иметь многослойную структуру со слоем меди наверху и смесью молибдена-титана внизу, в это время смесь молибдена-титана в нижнем слое может предотвращать диффузию медного материала в верхний слой, и, таким образом, можно избежать влияния на свойства электрического соединения сигнальной линии. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, и проводящая светоэкранирующая структура и первый электрод стока также могут быть выполнены из других материалов.
В некоторых примерах толщина проводящей светоэкранирующей структуры в направлении, перпендикулярном базовой подложке, составляет от 90 нанометров до 120 нанометров, и толщина проводящего слоя в направлении, перпендикулярном базовой подложке, составляет от 200 нанометров до 600 нанометров.
В некоторых примерах материал полупроводникового слоя может быть оксидным полупроводником, таким как оксид индия, галлия, цинка (IGZO). Таким образом, тонкопленочный транзистор в схеме возбуждения пикселей подложки матрицы имеет высокую подвижность носителей.
В некоторых примерах межслойный изолирующий слой может быть выполнен из одного материала или двух разных материалов, которые осаждаются в различных процессах при разных температурах. Например, материал межслойного изолирующего слоя может быть по меньшей мере материалом, выбранным из группы, состоящей из оксида кремния, нитрида кремния и оксинитрида кремния.
В некоторых примерах материал буферного слоя также может быть по меньшей мере материалом, выбранным из группы, состоящей из оксида кремния, нитрида кремния и оксинитрида кремния. Следует отметить, что буферный слой и межслойный изолирующий слой, как правило, используют разные материалы, даже если состав элементов в буферном слое и состав элементов в межслойном изолирующем слое являются одинаковыми, соотношение этих элементов также является разным.
Например, общая толщина межслойного изолирующего слоя составляет от 350 нанометров до 600 нанометров. Например, общая толщина межслойного изоляционного слоя составляет 400 нанометров.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 4 и 5A, первый углубленный участок 1224 включает в себя первый краевой участок 12240 в направлении от края первого углубленного участка 1224 к центру первого углубленного участка 1224, при этом толщина первого краевого участка 12240 в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, непрерывно и постепенно уменьшается. Так как средняя толщина первого углубленного участка 1224 в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем средняя толщина первого участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, это может повлиять на характеристики экранирования света первого углубленного участка. Однако в подложке дисплея, представленной в примере, так как толщина первого краевого участка или всего первого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается, поверхность проводящей структуры в позиции первого углубленного участка, обращенная от базовой подложки, представляет собой выпуклую поверхность, причем выпуклая поверхность имеет функцию сбора света; в случае, когда свет проникает в первый углубленный участок, выпуклая поверхность может собирать свет, так что предотвращается неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки, и предотвращается явление, когда окружающий свет влияет на нормальное отображение подложки дисплея. Следует отметить, что упомянутый выше «центр первого углубленного участка» является центром плоской формы ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку; в случае, когда ортографическая проекция первого углубленного участка на базовую подложку имеет правильную форму, центром может быть геометрический центр плоской формы в случае, когда ортографическая проекция первого углубленного участка на базовую подложку имеет неправильную форму, центр также может быть центром самой большой прямой линии между двумя точками на плоской форме; кроме того, упомянутый выше «край первого углубленного участка» может быть краем ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку.
Например, как показано на фиг. 5C, поверхность проводящей структуры 181 в позиции первого углубленного участка 1224, обращенная от базовой подложки 110, является выпуклой поверхностью. Выпуклая поверхность имеет функцию сбора света; в случае, когда свет проникает в первый углубленный участок, выпуклая поверхность может собирать свет, так что неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки устраняется, и предотвращается явление, когда окружающий свет влияет на нормальное отображение подложки дисплея.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 4 и 5A, в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, по меньшей мере непрерывно изменяется часть первого углубленного участка 1224, расположенная рядом с краем, например, непрерывно изменяется четвертый угол наклона поверхности первого краевого участка 12240, расположенной рядом с проводящим слоем 180. Таким образом, даже если свет будет проникать в первый углубленный участок, первый углубленный участок позволяет выполнить выпуклую поверхность проводящей структуры, расположенную в позиции первого углубленного участка, обращенной от базовой подложки, чтобы выполнить функцию сбора света, так что предотвращается проникновение света через всю подложку дисплея, который может влиять на эффект отображения светоизлучающей области.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 4 и 5A, первый углубленный участок 1224 находится рядом с проводящей структурой, например, поверхность первого электрода 1841 стока представляет собой непрерывную дугообразную поверхность или комбинированную поверхность, состоящую по меньшей мере из одного сегмента непрерывной дугообразной поверхности и по меньшей мере одного сегмента плоскости. Таким образом, непрерывная дугообразная поверхность или комбинированная поверхность, состоящая по меньшей мере из одного сегмента непрерывной дугообразной поверхности и по меньшей мере одного сегмента плоскости, может выполнять функцию сбора света, даже если свет будет проникать в первый углубленный участок, первый углубленный участок также может препятствовать проникновению света через всю подложку дисплея с тем, чтобы пользователь его не видел. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, поверхность первого углубленного участка, расположенную рядом с первым электродом стока также может быть изогнутой поверхностью.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 4 и 5A, ортографическая проекция первого контактного отверстия 251 на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией первого углубленного участка 1224 на базовую подложку 110. Таким образом, проводящая структура 181 в проводящем слое 180, например, первый электрод 1841 стока может быть соединен с первым углубленным участком 1224 через первое контактное отверстие 251.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 4, форма проекции всего первого углубленного участка 1224 на базовую подложку 110 может быть изотропной, такой как круг; и может быть анизотропной, такой как квадрат, прямоугольник, эллипс и овал, что не ограничивается вариантами осуществления настоящего раскрытия.
На фиг. 6А показано схематичное представление в разрезе первого углубленного участка в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия; и на фиг. 6B показано схематичное представление в разрезе первого углубленного участка в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг. 6A и 6B, первый углубленный участок 1224 включает в себя первый краевой участок 1224, и четвертый угол α наклона поверхности первого краевого участка 12240, расположенной рядом с проводящим слоем 180, удовлетворяет следующей формуле:
0 < α < k*H/Lmax,
где Lmax – максимальная апертура ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку, H – средняя толщина первого участка основного тела, и k – постоянная больше 1 и меньше или равна 2.
В некоторых примерах угол α наклона каждого положения поверхности первого углубленного участка 1224, расположенной рядом с первым электродом 1841 стока, находится в диапазоне от 1 градуса до π/18. Например, угол α наклона каждого положения поверхности первого углубленного участка 1224, расположенной рядом с первым электродом 1841 стока, находится в диапазоне от 1 градуса до π/36.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 6A и 6B, диапазон размеров ортографической проекции первого углубленного участка 1224 на базовую подложку 110 в направлении, параллельном базовой подложке 110, составляет от 5 микрон до 10 микрон. Другими словами, диапазон размеров ширины первого углубленного участка 1224 составляет от 5 микрон до 10 микрон.
Например, как показано на фиг. 6A и 6B, размер ортографической проекции первого углубленного участка 1224 на базовую подложку 110 в направлении, параллельном базовой подложке 110, составляет 7,8 микрон.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 6A и 6B, буферный слой 130 включает в себя: первый буферный участок 131, в котором сторона первого буферного участка 131, обращенная от базовой подложки 110, находится в контакте с проводящим слоем 180, и сторона первого буферного участка 131, расположенная рядом с базовой подложкой 110, находится в контакте с проводящей светоэкранирующей структурой 122; и второй буферный участок 132, в котором сторона второго буферного участка 132, обращенная от базовой подложки 110, находится в контакте с межслойным изолирующим слоем 170, и сторона второго буферного участка 132, расположенная рядом с базовой подложкой 110, находится в контакте с проводящей светоэкранирующей структурой 122. Таким образом, в случае, когда проводящая структура 181, упомянутая выше, размещена в первом контактном отверстии 251, первый буферный участок 131 может играть роль поддержки участка проводящей структуры, и предотвращается отключение проводящей структуры из-за слишком большого наклона или слишком большого угла наклона. Таким образом, подложка дисплея имеет более высокий световой выход.
Например, первый буферный участок 131 расположен в первом контактном отверстии 251 и находится в контакте с проводящей светоэкранирующей структурой 122; и второй буферный участок 132 расположен на стороне первого буферного участка 131, обращенной от центра первого углубленного участка 1224.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 6A и 6B, боковая стенка первого контактного отверстия 251 по меньшей мере включает в себя: первую вспомогательную боковую стенку 2512, расположенную в межслойном изолирующем слое 170; и вторую вспомогательную боковую стенку 2514, расположенную в буферном слое 130, прилежащий угол между первой вспомогательной боковой стенкой 2512 и базовой подложкой 110 образует первый угол наклона β, причем прилежащий угол между второй вспомогательной боковой стенкой 2514 и базовой подложкой 110 образует второй угол γ наклона, и первый угол β наклона меньше второго угла γ наклона; контактный участок между второй вспомогательной боковой стенкой 2514 и первым буферным участком 131 расположен между первым буферным участком 131 и вторым буферным участком 132. В этой подложке дисплея, так как материал буферного слоя отличается от материала межслойный изолирующий слой, эффективность травления травителей на буферном слое и межслойном изолирующем слое также является разными, так что сформированный угол наклона первой вспомогательной боковой стенки отличается от сформированного угла наклона второй вспомогательной боковой стенки. Следует отметить, что вышеупомянутые вспомогательные боковые стенки на самом деле могут не быть гладкими из-за условий процесса и по другим причинам, таким образом, вышеупомянутые углы наклона, образованные каждой из вспомогательных боковых стенок и базовой подложкой, могут быть углами между соединением линии из нескольких точек, расположенных с равными интервалами на поперечном сечении каждой из боковых вспомогательных стенок и базовой подложки.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 6A и 6B, боковая стенка первого контактного отверстия 251 дополнительно включает в себя: третью вспомогательную боковую стенку 2516, расположенную на первом буферном участке 131, угол между третьей вспомогательной боковой стенкой 2516 и базовой подложкой 110 образует третий угол θ наклона и первый угол β наклона, второй угол γ наклона и третий угол θ наклона отличаются друг от друга.
Например, второй угол γ наклона больше третьего угла θ наклона, и первый угол β наклона больше третьего угла θ наклона.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 6A и 6B, в радиальном направлении первого контактного отверстия 251, отношение длины первого буферного участка 131 к средней толщине первого буферного участка 131 больше, чем отношение длины проекции первой вспомогательной боковой стенки 2512 на базовую подложку 110 к средней толщине межслойного изолирующего слоя 170.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 6A и 6B, в радиальном направлении первого контактного отверстия 251, отношение длины проекции первой вспомогательной боковой стенки 2512 на базовую подложку 110 к средней толщине межслойного изолирующего слоя 170 больше, чем отношение длины проекции второй вспомогательной боковой стенки 2514 на базовую подложку 110 к средней толщине буферного слоя 130.
Например, как показано на фиг. 6A и 6B, боковая стенка первого контактного отверстия 251 включает в себя первую вспомогательную боковую стенку 2512, расположенную в межслойном изолирующем слое 170, вторую вспомогательную боковую стенку 2514, расположенную на первом буферном участке 131, и третью вспомогательную боковую стенку 2516, расположенную на втором буферном участке 132; первая вспомогательная боковая стенка 2512 соединена со второй вспомогательной боковой стенкой 2514, и первый угол β наклона первой вспомогательной боковой стенки 2512, второй угол γ наклона второй вспомогательной боковой стенки 2514, и третий угол θ наклона третьей вспомогательной боковой стенки 2516 отличаются друг от друга. В этой подложке дисплея, так как материал буферного слоя отличается от материала межслойного изолирующего слоя, эффективность травления травителей на буферном слое и межслойном изолирующем слое также является разной, так что сформированный угол наклона первой вспомогательной боковой стенки отличается от угла наклона второй вспомогательной боковой стенки.
Например, вышеупомянутый буферный слой может быть осажден в ходе различных процессов при разных температурах, так что внутренняя часть буферного слоя имеет разную плотность, и могут быть сформированы вышеупомянутые первый буферный участок и второй буферный участок. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, и первый буферный участок и второй буферный участок, упомянутые выше, могут быть выполнены другими подходящими способами.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 6A и 6B, первый угол β наклона первой вспомогательной боковой стенки 2512 меньше, чем второй угол γ наклона второй вспомогательной боковой стенки 2514, второй угол γ наклона второй вспомогательной боковой стенки 2514 больше, чем третий угол θ наклона третьей вспомогательной боковой стенки 2516, и первый угол наклона β первой вспомогательной боковой стенки 2512 больше, чем третий угол θ наклона третьей вспомогательной боковой стенки 2516. То есть второй угол γ наклона больше, чем первый угол β наклона, и первый угол β наклона больше, чем третий угол θ наклона.
Например, четвертый угол α наклона меньше третьего угла θ наклона третьей вспомогательной боковой стенки.
Например, как показано на фиг. 6A и 6B, диапазон первого угла β наклона первой вспомогательной боковой стенки 2512 составляет от 45 градусов до 75 градусов; диапазон второго угла γ наклона второй вспомогательной боковой стенки 2514 составляет от 75 градусов до 90 градусов; и диапазон третьего угла θ наклона третьей вспомогательной боковой стенки 2516 составляет от 3 градусов до 15 градусов.
Например, как показано на фиг. 6A и 6B, диапазон размеров ортографической проекции третьей вспомогательной боковой стенки 2516 на базовую подложку 110 в направлении, параллельном базовой подложке 110, составляет от 0,2 микрона до 1 микрона.
Например, размер ортографической проекции третьей вспомогательной боковой стенки 2516 на базовую подложку 110 в направлении, параллельном базовой подложке 110, составляет 0,5 микрона.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 6A и 6B размер L ортографической проекции первого углубленного участка 1224 на базовую подложку 110 в направлении, параллельном базовой подложке 110, удовлетворяет следующей формуле:
2(Actgβ+Bctgγ+Cctgθ) < L < D,
где A – максимальная толщина первого буферного участка, B – максимальная толщина второго буферного участка, C – максимальная толщина межслойного изолирующего слоя, β – первый угол наклона, γ – второй угол наклона, θ – третий угол θ наклона, и D – наибольший размер ортографической проекции первого контактного отверстия на базовую подложку в направлении, параллельном базовой подложке.
Например, размер L ортографической проекции первого углубленного участка 1224 на базовую подложку 110 в направлении, параллельном базовой подложке 110, удовлетворяет формуле:
8(Actgβ+Bctgγ+Cctgθ) < L < D.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 6A и 6B, первый углубленный участок 1224 включает в себя первый краевой участок 12240, четвертый угол α наклона поверхности первого краевого участка 12240, расположенной рядом с проводящим слоем 180, меньше, чем третий угол наклона третьей вспомогательной боковой стенки 2516, и выполняется неравенство
(Actgβ+Bctgγ+Cctgθ+ L/2tanα) ≤ D/2,
где A – максимальная толщина первого буферного участка, B – максимальная толщина второго буферного участка, C – максимальная толщина межслойного изолирующего слоя, β – первый угол наклона, γ – второй угол наклона, θ – третий угол наклона, D – наибольший размер ортографической проекции первого контактного отверстия на базовую подложку в направлении, параллельном базовой подложке.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 4 и 5A, подложка 100 дисплея дополнительно включает в себя изолирующий слой 150 затвора и электродный затворный слой 160; изолирующий слой 150 затвора расположен на стороне полупроводникового слоя 140, обращенной от базовой подложки 110; электродный затворный слой 160 расположен между изолирующим слоем 150 затвора и межслойным изолирующим слоем 170. Таким образом, схема возбуждения пикселей подложки 100 дисплея использует тонкопленочные транзисторы с верхним затвором, так что схема возбуждения пикселей имеет характеристику короткого канала, и его ток Ion в открытом состоянии может быть эффективным образом увеличен, таким образом, можно значительно повысить эффект отображения, и можно уменьшить энергопотребление.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 4 и 5A, подложка 100 дисплея дополнительно включает в себя пассивирующий слой 190, слой 200 цветных светофильтров, выравнивающий слой 210 и анодный слой 220; пассивирующий слой 190 расположен на стороне проводящего слоя 180, обращенной от базовой подложки 110; слой 200 цветных светофильтров расположен на стороне пассивирующего слоя 190, обращенной от проводящего слоя 180, и слой 200 цветных светофильтров включает в себя по меньшей мере три цветных светофильтра 350, имеющих разные цвета; выравнивающий слой 210 расположен на стороне слоя 200 цветных светофильтров, обращенной от пассивирующего слоя 190; и анодный слой 220 расположен на стороне выравнивающего слоя 210, обращенной от слоя 200 цветных светофильтров.
На фиг. 7A показано плоское схематичное представление схемы возбуждения пикселей в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия; и на фиг. 7B показано плоское схематичное представление схемы возбуждения пикселей в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг. 4, 5A, 5B, 7A и 7B, каждый из подпикселей 300 включает в себя схему 320 возбуждения пикселей, схема 320 возбуждения пикселей включает в себя первый тонкопленочный транзистор T1, причем первый тонкопленочный транзистор T1 дополнительно включает в себя первый активный слой 141, первый электрод 161 затвора, первый электрод 1821 истока и вышеупомянутый первый электрод 1841 стока; первый активный слой 141 расположен в полупроводниковом слое 140 и включает в себя первую канальную область 141C, первую область 141S электрода истока и первую область 141D электрода стока, которые расположены с двух сторон первой канальной области 141C, соответственно; первый электрод 161 затвора расположен в электродном затворном слое 160, ортографическая проекция первого электрода 161 затвора на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией первой канальной области 141C на базовую подложку 110, и первый электрод 1821 истока и первый электрод 1841 стока расположены в проводящем слое 180.
В некоторых примерах материалом электродного затворного слоя 160 может быть по меньшей мере материал, выбранный из группы, состоящей из меди, молибдена и титана. Например, электродный затворный слой 160 также может иметь многослойную структуру со слоем меди наверху и смесью молибдена-титана внизу, в то же время смесь молибдена-титана в нижнем слое позволяет предотвратить диффузию медного материала в верхний слой, и можно избежать влияния на свойства электрического соединения сигнальной линии. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, и первый электрод затвора и второй электрод затвора также могут быть выполнены из других материалов.
Например, электродный затворный слой представляет собой однослойную структуру или многослойную структуру, и варианты осуществления настоящего раскрытия в данном документе не ограничиваются этим.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 5A, 7A и 7B, подложка 100 дисплея дополнительно включает в себя первое сквозное отверстие 261 и второе сквозное отверстие 262; первое сквозное отверстие 261 и второе сквозное отверстие 262 расположены в межслойном изолирующем слое 170, первый электрод 1821 истока соединен с первой областью 141S электрода истока через первое сквозное отверстие 261, первый электрод 1841 стока соединен с областью 141D первого электрода стока через второе сквозное отверстие 262. Таким образом, первый электрод затвора, первый активный слой, первый электрод истока и первый электрод стока, которые упомянуты выше, могут образовывать вышеупомянутый первый тонкопленочный транзистор. Первый тонкопленочный транзистор может быть тонкопленочным транзистором с верхним затвором, который имеет характеристику короткого канала, и его ток Ion в открытом состоянии может быть эффективным образом увеличен, таким образом, можно значительно повысить эффект отображения, и можно уменьшить энергопотребление.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 5B, фиг. 7A и фиг. 7B, второй тонкопленочный транзистор T2 дополнительно включает в себя второй активный слой 142, второй электрод 162 затвора, второй электрод 1822 истока и второй электрод 1842 стока; второй активный слой 142 расположен в полупроводниковом слое 140 и включает в себя вторую канальную область 142C, вторую область 142S электрода истока и вторую область 142D электрода стока, которые расположены с двух сторон второй канальной области 142C; второй электрод 162 затвора расположен в электродном затворном слое 160, ортографическая проекция второго электрода 162 затвора на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией второй канальной области 142C на базовую подложку 110, и второй электрод 1822 истока и второй электрод 1842 стока расположены в проводящем слое 180. Второй электрод 1822 истока соединен со второй областью 142S электрода истока через сквозное отверстие H3 в межслойном изолирующем слое 170, и второй электрод 1842 стока соединен со второй областью 142D электрода стока через сквозное отверстие H4 в межслойном изолирующем слое 170. Таким образом, второй электрод затвора, второй активный слой, второй электрод истока и второй электрод стока, которые упомянуты выше, могут образовывать упомянутый выше второй тонкопленочный транзистор. Второй тонкопленочный транзистор может быть тонкопленочным транзистором с верхним затвором, который имеет характеристику короткого канала, и его ток Ion в открытом состоянии может быть эффективным образом увеличен, таким образом, можно значительно повысить эффект отображения, и можно уменьшить энергопотребление.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 5B, фиг. 7A и фиг. 7B, третий тонкопленочный транзистор T3 дополнительно включает в себя третий активный слой 143, третий электрод 163 затвора, третий электрод 1823 истока и третий электрод 1843 стока; третий активный слой 143 расположен в полупроводниковом слое 140 и включает в себя третью канальную область 143C, третью область 143S электрода истока и третью область 143D электрода стока, которые расположены с двух сторон третьей канальной области 143C; третий электрод 163 затвора расположен в электродном затворном слое 160, ортографическая проекция третьего электрода 163 затвора на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией третьей канальной области 143C на базовую подложку 110, и третий электрод 1823 истока и третий электрод 1843 стока расположены в проводящем слое 180. Третий электрод 1823 истока соединен с третьей областью 143S электрода истока через сквозное отверстие H5 в межслойном изолирующем слое 170, и третий электрод стока 1843 соединен с областью 143D третьего электрода стока через сквозное отверстие H6 в межслойном изолирующем слое 170. Таким образом, третий электрод затвора, третий активный слой, третий электрод истока и третий электрод стока, которые упомянуты выше, могут образовывать упомянутый выше третий тонкопленочный транзистор. Третий тонкопленочный транзистор может быть тонкопленочным транзистором с верхним затвором и имеет характеристику короткого канала, и его ток Ion в открытом состоянии может быть эффективным образом увеличен, таким образом, можно значительно повысить эффект отображения, и можно уменьшить энергопотребление.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 4, 5A, 5B, 7A и 7B, анодное отверстие 263 может проникать через пассивирующий слой 190 и вышеупомянутый выравнивающий слой 210, анод 225 соединен с первым электродом 1841 стока через анодное отверстие 263 в пассивирующем слое 190 и выравнивающем слое 210. Таким образом, подложка дисплея может подавать ток возбуждения на анод через первый тонкопленочный транзистор, и светоизлучающий слой, соответствующий аноду, возбуждается для выполнения светоизлучающего отображения.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 7A и 7B, первое сквозное отверстие 261, второе сквозное отверстие 262, первое контактное отверстие 251 и анодное отверстие 263 расположены последовательно.
Например, форма ортографической проекции первого сквозного отверстия 261 на базовую подложку 110, форма ортографической проекции второго сквозного отверстия 262 на базовую подложку 110, форма ортографической проекции первого контактного отверстия 251 на базовую подложку 110 и форма ортографической проекции анодного отверстия 263 на базовую подложку 110 могут иметь изотропные формы, например, круги, или анизотропные формы, например, прямоугольники, эллипсы и овалы; варианты осуществления настоящего раскрытия в данном документе не ограничиваются этим. Кроме того, особые формы ортографической проекции первого сквозного отверстия на базовую подложку, ортографической проекции второго сквозного отверстия на базовую подложку, ортографической проекции первого контактного отверстия на базовую подложку и ортографической проекции третьего сквозного отверстия на базовую подложку можно регулировать в соответствии с локальными фактическими пространственными ограничениями компоновки подложки дисплея с целью регулировки направления продолжения длинной стороны или короткой стороны отверстия в каждой позиции.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 4, 5A, 5B, 7A и 7B, схема 320 возбуждения пикселей дополнительно включает в себя второй тонкопленочный транзистор T2 и третий тонкопленочный транзистор T3; второй тонкопленочный транзистор T2 включает в себя второй электрод 162 затвора, второй электрод 1822 истока и второй электрод 1842 стока, третий тонкопленочный транзистор T3 включает в себя третий электрод 163 затвора, третий электрод 1823 истока и третий электрод стока 1843. Полупроводниковый слой 140 дополнительно включает в себя проводящий блок 147.
На фиг. 8 показана эквивалентная принципиальная схема возбуждения пикселей в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг. 7A, 7B и 8, первый электрод 1821 истока первого тонкопленочного транзистора T1 может быть соединен с линией 186 питания, второй электрод 1822 истока второго тонкопленочного транзистора T2 соединен с линией 185 данных, второй электрод 162 затвора второго тонкопленочного транзистора T2 соединен с первой затворной линией 165; например, перекрывающийся участок первой затворной линии 165 и вторая канальная область 142C второго активного слоя 142 второго тонкопленочного транзистора T2 представляют собой второй электрод 162 затвора; второй электрод 1842 стока второго тонкопленочного транзистора T2, соответственно, соединен с первым электродом 161 затвора первого тонкопленочного транзистора T1 и проводящим блоком 147; третий электрод 163 затвора третьего тонкопленочного транзистора T3 соединен со второй линией 166 затворов; третий электрод 1823 истока третьего тонкопленочного транзистора T3 соединен с измерительной линией 187; третий электрод 1843 стока третьего тонкопленочного транзистора T3 соединен с первым электродом 1841 стока первого тонкопленочного транзистора T1. В то же время анод 225, проводящая светоэкранирующая структура 122, второй электрод 1842 стока и проводящий блок 147, которые расположены между анодом 225 и проводящей светоэкранирующей структурой 122, образуют многослойный конденсатор, то есть накопительный конденсатор Cst схемы возбуждения пикселей. Проводящая светоэкранирующая структура 122 и анод 225 имеют одинаковый потенциал (в случае, когда первый тонкопленочный транзистор находится в открытом состоянии, проводящая светоэкранирующая структура электрически соединена с анодом через третье сквозное отверстие) как один полюс накопительного конденсатора, и проводящий блок 147 представляет собой другой полюс накопительного конденсатора.
Например, как показано на фиг. 5B, 7A и 7B, проводящий блок 147 расположен в полупроводниковом слое 140; проводящий блок 147 может быть отключен от активного слоя первого тонкопленочного транзистора T1, активного слоя второго тонкопленочного транзистора T2 и активного слоя третьего тонкопленочного транзистора T3, то есть проводящим блоком 147 является блок проводящих полупроводников, который не зависит от активного слоя первого тонкопленочного транзистора T1, активного слоя второго тонкопленочного транзистора T2 и третьего тонкопленочного транзистора T3. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, проводящий блок также может быть соединен с активным слоем первого тонкопленочного транзистора, активным слоем второго тонкопленочного транзистора и активным слоем третьего тонкопленочного транзистора, но между проводящим блоком и этими активными слоями предусмотрено пространство для непроводящего полупроводника.
Например, как показано на фиг. 7A и 7B, часть, где вторая затворная линия 166 перекрывается третьей канальной областью 143C третьего активного слоя 143 третьего тонкопленочного транзистора T3, представляет собой третий электрод 163 затвора. Таким образом, на подложке дисплея может размещаться часть третьего тонкопленочного транзистора T3 вне позиции, в которой расположен первый участок 1220 основного тела, то есть ортографическая проекция части третьего тонкопленочного транзистора T3 на базовую подложку 110 находится вне ортографической проекции первого участка 1220 основного тела на базовую подложку 110. Таким образом, подложка дисплея может использовать пространство с двух сторон второй затворной линии 166, так что оптимизируется распределение транзисторов, и улучшается использование пространства. Например, как показано на фиг. 7A и 7B, так как перекрывающийся участок второй затворной линии 166 и третья канальная область 143C третьего активного слоя 143 третьего тонкопленочного транзистора T3 представляют собой третий электрод 163 затвора, часть третьего тонкопленочного транзистора T3 может быть также расположен на стороне второй затворной линии 166, обращенной от первого участка 1220 основного тела.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 7A и 7B, второй электрод 1842 стока и первый электрод 161 затвора могут быть соединены с областью электрода стока второго активного слоя 142 через одно и то же сквозное отверстие, так что можно уменьшить площадь второго электрода стока 1842, экранирующего первый электрод затвора 161, и уменьшается риск повреждения слоя ILD и короткого замыкания, вызванного наследованием морфологии формирования пленки в реальном процессе. Кроме того, второй электрод 1842 стока и первый электрод 161 затвора могут быть соединены с областью электрода стока второго активного слоя 142 через одно и то же сквозное отверстие, может быть уменьшено количество сквозных отверстий во втором активном слое 142 также, и может быть повышен световой выход.
На фиг. 9 показана временная диаграмма сигналов на каждой из сигнальных линий в схеме возбуждения пикселей в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия. Далее будет описана последовательность операций схемы возбуждения пикселей настоящего раскрытия со ссылкой на эквивалентную принципиальную схему, показанную на фиг. 8, и временную диаграмму сигналов, показанную на фиг. 9.
Как показано на фиг. 8 и 9, взяв первый тонкопленочный транзистор T1, второй тонкопленочный транзистор T2 и третий тонкопленочный транзистор T3, показанные на фиг. 8, как транзисторы P-типа в качестве примера, в фазе записи данных и фазе сброса, как сигнал на первой затворной шине 166, так и сигнал на второй затворной шине 166 являются сигналами включения, второй тонкопленочный транзистор T2 и третий тонкопленочный транзистор T3 находятся в открытом состоянии, сигнал DT данных передается в первый электрод 161 затвора первого тонкопленочного транзистора T1 и первый электрод накопительного конденсатора Cst через второй тонкопленочный транзистор T2, то есть вышеупомянутый проводящий блок 147; в это время сигнал сброса записывает сигнал сброса в аноде 225 через измерительную линию 187 и третий тонкопленочный транзистор T3; первый тонкопленочный транзистор T1 включается, и анод 225 заряжается до рабочего напряжения; в фазе излучения света как сигнал на первой затворной шине 166, так и сигнал на второй затворной шине 166 являются сигналами выключения из-за эффекта стартового запуска накопительного конденсатора Cst, напряжения на двух концах накопительного конденсатора Cst остаются неизменными, первый тонкопленочный транзистор T1 работает в состоянии насыщения, и соответствующий ток остается неизменным; в это время ток возбуждения в линии 186 питания течет к аноду 225 через первый тонкопленочный транзистор T1, так что соответствующий светоизлучающий слой возбуждается для излучения света.
Как показано на фиг. 8 и фиг. 9, рабочий процесс схемы возбуждения пикселей может дополнительно включать в себя процесс внешней компенсации; в процессе внешней компенсации как сигнал на первой затворной линии 165, так и сигнал на второй затворной линии 166 являются сигналами включения, второй тонкопленочный транзистор T2 и третий тонкопленочный транзистор T3 одновременно находятся в открытом состоянии, сигнал DT данных передается в первый электрод 161 затвора первого тонкопленочного транзистора T1 через второй тонкопленочный транзистор T2; в это время аналого-цифровой преобразователь может записать сигнал сброса в узле S через измерительную линию 187 и третий тонкопленочный транзистор T3, первый транзистор T1 включается и заряжает узел S до тех пор, пока не выключится первый тонкопленочный транзистор, цифро-аналоговый преобразователь измеряет напряжение на измерительной линии 187 для получения порогового напряжения первого тонкопленочного транзистора T1. Следует отметить, что процесс внешней компенсации может выполняться в случае, когда устройство отображения выключено.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 4, 5A, 7A и 7B, ортографическая проекция первой канальной области 141C на базовую подложку 110 попадает на ортографическую проекцию первого участка 1220 основного тела на базовую подложку 110. Таким образом, первый участок 1220 основного тела может блокировать свет из первой канальной области 141C, так что можно стабилизировать первый тонкопленочный транзистор, и можно повысить качество отображения и срок службы.
Например, как показано на фиг. 4, 5A, 7A и 7B, ортографическая проекция схемы 320 возбуждения пикселей на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией проводящей светоэкранирующей структуры 122 на базовую подложку 110, так что различные транзисторы или накопительные конденсаторы во всей схеме 320 возбуждения пикселей можно защитить от окружающего света, и, таким образом, можно повысить стабильность схемы 320 возбуждения пикселей.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 4 и 5A, вышеупомянутая проводящая светоэкранирующая структура 122 может дополнительно включать в себя первый изолирующий участок 1221; ортографическая проекция первого изолирующего участка 1221 на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией первого сквозного отверстия 261 на базовую подложку 110, ортографическая проекция первого изолирующего участка 1221 на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией первой области 141S электрода истока на базовую подложку 110. Вышеупомянутый первый изолирующий участок является частью проводящей светоэкранирующей структуры, и первый изолирующий участок изолирован от других частей по отношению к другим частям проводящей светоэкранирующей структуры. В подложке дисплея, в случае, когда непосредственно сам полупроводниковый слой является тонким, и первая область электрода истока частично отсутствует, и в случае, когда травитель вытравливается от первой области электрода истока до первого изолирующего участка, так как первый изолирующий участок изолирован от других частей проводящей светоэкранирующей структуры, даже если первый электрод истока соединен с первым изолирующим участком через первое сквозное отверстие, это не приведет к электрическому соединению первого электрода истока с другими частями проводящей светоэкранирующей структуры. Таким образом, подложка дисплея позволяет снизить технологический риск и повысить световой выход.
На фиг. 10A показано плоское схематичное представление проводящей светоэкранирующей структуры в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг. 10A, первый изолирующий участок 1221 включает в себя первый полый участок 1221A, первый полый участок 1221A заполнен материалом буферного слоя 130. Таким образом, первый изолирующий участок 1221 может быть изолирован от других частей проводящей светоэкранирующей структуры 122 через первый полый участок 1221A. Следует отметить, что первый изолирующий участок 1221 по существу может быть первым полым участком 1221A, то есть первый изолирующий участок 1221 может быть частью, у которой удалена проводящая светоэкранирующая структура 122.
На фиг. 10B показано плоское схематичное представление проводящей светоэкранирующей структуры в другой подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг. 10B, первый полый участок 1221A может быть первым полым кольцом, то есть первый полый участок может быть полым участком в форме кольца. Как внутренняя часть 1221B первого полого кольца 1221A, так и внешняя сторона первого полого кольца 1221A участок 1221 может быть изолирована материал проводящей светоэкранирующей структуры 122. Таким образом, первый изолирующий участок 1221 может быть изолирован от других частей проводящей светоэкранирующей структуры 122 за счет использования первого полого кольца 1221A.
На фиг. 10C показано плоское схематичное представление проводящей светоэкранирующей структуры в еще одной подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг. 10C, первый изолирующий участок 1221 представляет собой участок окисления. То есть часть проводящей светоэкранирующей структуры 122 может быть окислена в процессе окисления с образованием вышеупомянутого первого изолирующего участка 1221.
На фиг. 11A показано плоское схематичное представление другой подложки дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг. 11A, каждый из подпикселей 300 включает в себя область 310 возбуждения и светоизлучающую область 330; проводящая светоэкранирующая структура 122 расположена в области 310 возбуждения. В подложке дисплея, так как ортографическая проекция схемы 310 возбуждения пикселей на базовую подложку 110 перекрывается областью 310 возбуждения, посредством размещения проводящей светоэкранирующей структуры 122 в области 310 возбуждения, с одной стороны, можно предотвратить влияние окружающего света на тонкопленочные транзисторы в схеме возбуждения пикселей, и, с другой стороны, можно предотвратить прохождение окружающего света через область возбуждения и влияние на нормальное отображение подложки дисплея. Следует отметить, что направление излучения света подложки дисплея может быть направлением от анодного слоя к базовой подложке, то есть подложка дисплея переходит в режим излучения снизу, и направление излучения света подложки дисплея также может быть направлением от базовой подложки к анодному слою, то есть подложка дисплея переходит в режим излучения сверху.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, подложка 100 дисплея дополнительно включает в себя первую затворную линию 165, вторую затворную линию 166, линию 185 данных, линию 186 питания и измерительную линию 187; первая затворная линия 165 и вторая затворная линия 166 расположены в электродном затворном слое 160, и каждая из первой затворной линии 165 и второй затворной линии 166 продолжаются в первом направлении; линия 185 данных, линия 186 питания и измерительная линия 187 расположены в проводящем слое 180 и продолжаются все вместе во втором направлении. Множество подпикселей 300 размещено в массиве в первом направлении и во втором направлении для формирования множества строк 370 подпикселей, размещенных во втором направлении, и множества столбцов 380 подпикселей, размещенных в первом направлении. В каждой из множества строк 370 подпикселей первая затворная линия 165 расположена между областью 310 возбуждения и светоизлучающей областью 330, вторая затворная линия 166 расположена между двумя соседними строками 370 подпикселей; и линия 186 питания, измерительная линия 187 и линия 185 данных расположены между двумя соседними столбцами 380 подпикселей. Следует отметить, что вышеупомянутое первое направление может быть направлением строки массива подпикселей, и вышеупомянутое второе направление может быть направлением столбца массива подпикселей.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, первый электрод 1821 истока первого тонкопленочного транзистора T1 соединен с линией 186 питания через первый соединительный участок 1868, второй электрод 1822 истока второго тонкопленочного транзистора T2 соединен с линией 185 данных через второй соединительный участок 1858, первый соединительный участок 1868A размещен в том же слое, что и линия 186 питания, и второй соединительный участок 1858 размещен в том же слое, что и линия 185 данных.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, направление от первого электрода 1821 истока к первому электроду 1841 стока (то есть направление продолжения первой канальной области) пересекает направление продолжения первого соединительного участка 1868, и направление от второго электрода 1822 истока ко второму электроду 1842 стока (то есть направление продолжения второй канальной области) пересекает направление продолжения второго соединительного участка 1858.
Например, как показано на фиг. 11A, направление от третьего электрода 1823 истока к третьему электроду 1843 стока (то есть направление продолжения второй канальной области) пересекает направление продолжения второй затворной линии 166. Таким образом, с одной стороны, перекрывающийся участок второй затворной линии 166 и третья канальная область 143C третьего активного слоя 143 третьего тонкопленочного транзистора T3 может служить в качестве третьего электрода 163 затвора, так что можно использовать пространство с двух сторон второй затворной линии 166, оптимизировать распределение транзисторов и повысить коэффициент использования пространства; с другой стороны, вторая затворная линия 166 не требует наличия электродного затворного участка, выступающего или выгнутого от второй затворной линии 166, поэтому можно уменьшить падение напряжения на второй затворной линии 166, и можно повысить электрические характеристики второй затворной линии 166.
Например, как показано на фиг. 11A, направление от первого электрода 1821 истока к первому электроду 1841 стока (то есть направление продолжения первой канальной области) по существу параллельно направлению продолжения линии 186 питания, и направление от второго электрода 1822 истока ко второму электроду 1842 стока (то есть направление продолжения второй канальной области) по существу параллельно направлению продолжения линии 185 данных. Следует отметить, что вышеупомянутый термин «по существу параллельный» включает в себя случай значение «полностью параллельный», и включает в себя случай, когда угол наклона между двумя направлениями составляет менее 10 градусов.
Например, как показано на фиг. 11A, направление от третьего электрода 1823 истока к третьему электроду 1843 стока (то есть направление продолжения второй канальной области) по существу параллельно направлению измерительной линии 187.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, подложка 100 дисплея включает в себя вышеупомянутую линию 186 питания и соединительную линию 1865 питания; линия 186 питания расположена в проводящем слое 180; соединительная линия 1865 питания и проводящая светоэкранирующая структура 122 размещены на одном и том же слое, то есть соединительная линия 1865 питания и проводящая светоэкранирующая структура 122 могут быть сформированы с использованием одного и того же пленочного слоя посредством одного и того же процесса формирования рисунка.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, соединительная линия 1865 питания включает в себя второй участок 1865A основного тела и множество углубленных участков 1865K питания, средняя толщина углубленных участков 1865K питания в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, меньше, чем средняя толщина второго участка 1865A основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, и площадь поверхности углубленного участка 1865K питания, расположенной рядом с проводящим слоем 180, больше, чем площадь ортографической проекции углубленного участка 1865K питания на базовую подложку 110.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, соединительная линия 1865 питания включает в себя второй участок 1865A основного тела и множество углубленных участков 1865K питания, множество углубленных участков 1865K питания можно использовать для электрического соединения линии 186 питания со схемами 320 возбуждения пикселей множества подпикселей 300. Так как углубленные участки 1865K подачи питания углублены в соединительную линию 1865 питания, площадь поверхности каждой из углубленных участков 1865K питания, расположенной рядом с проводящим слоем 180, больше, чем площадь ортографической проекции соответствующий углубленный участок 1865K питания на базовую подложку 110, поэтому можно увеличить площадь контакта электрического соединения, выполнить более надежным контакт, уменьшить сопротивление контакта, повысить эффект электрического соединения и избежать эффективным образом проблем, таких как падение IR.
На фиг. 11B показано схематичное представление эффекта сбора света углубленного участка питания или измерительного участка питания в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг. 11A и фиг. 11B, ортографическая проекция по меньшей мере одного из множества углубленных участков 1865K питания на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией цветного светофильтра 350 в слое 200 цветных светофильтров на базовую подложку 110. Аналогично первым углубленным участкам, углубленные участки питания также имеют функцию сбора света, и, так как углубленные участки питания могут по меньшей мере частично перекрываться цветными светофильтрами, окружающий свет может быть сфокусирован на соответствующие цветные светофильтры, что позволяет эффективным образом предотвратить неравномерное отображение, вызванное окружающим светом, и избежать влияния на внешний вид.
На фиг. 11C показано схематичное представление в разрезе углубленный участок питания в подложке дисплея в направлении, перпендикулярном базовой подложке, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг. 11C, угол наклона поверхности углубленного участка 1865K питания, расположенной рядом с проводящим слоем 180, может быть таким же, как угол наклона поверхности первого углубленного участка, расположенной рядом с проводящим слоем. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, угол наклона поверхности углубленного участка питания, расположенной рядом с проводящим слоем, может отличаться от угла наклона поверхности первого углубленного участка, расположенной рядом с проводящим слоем.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11C, аналогично первому углубленному участку 1224, углубленный участок 1865K питания включает в себя второй краевой участок 18650; в направлении от края углубленного участка 1865K питания к центру углубленного участка 1865K питания, толщина второго краевого участка 18650 в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, непрерывно и постепенно уменьшается. Так как средняя толщина части углубленного участка питания, расположенной рядом края, в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем средняя толщина первого участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, это может повлиять на характеристики экранирования света первого углубленного участка. Однако в подложке дисплея, представленной в примере, так как по меньшей мере часть углубленного участка питания рядом с краем, то есть толщина второго краевого участка 18650 в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается, так что поверхность проводящего участка (например, части линии питания) в позиции углубленного участка питания, обращенная от базовой подложки, является выпуклой поверхностью, причем выпуклая поверхность имеет функцию сбора света; в случае, когда свет проникает углубленный участок питания, выпуклая поверхность может собирать свет, тем самым предотвращая неконтролируемое отражение окружающего света внутри подложки дисплея и влияние окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея.
Например, как показано на фиг. 11C, поверхность проводящего участка (например, части линии питания) в позиции углубленного участка 1865K питания, обращенная от базовой подложки 110, является выпуклой поверхностью, выпуклая поверхность имеет функцию сбора света; в случае, когда свет может проникать через углубленный участок питания, выпуклая поверхность может собирать свет, так что предотвращается неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки, тем самым избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11C, аналогично первому углубленному участку 1224, в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, непрерывно изменяется по меньшей мере часть углубленного участка питания 1865K рядом с краем, например, пятый угол наклона поверхности проводящего слоя 180 проводящего слоя второго краевого участка 18650, упомянутой выше. Таким образом, даже если свет будет проникать в углубленный участок питания, углубленный участок питания может побуждает выпуклую поверхность проводящего участка, расположенную в позиции углубленного участка питания, обращенной от базовой подложки, выполнять функцию сбора света, так что предотвращается неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки, тем самым избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11C, подложка 100 дисплея дополнительно включает в себя отверстие контактное 551 питания, причем контактное отверстие 551 питания расположено в межслойном изолирующем слое 170 и буферном слое 130, например, контактное отверстие 551 питания проникает в межслойный изолирующий слой 170 и буферный слой 130. Ортографическая проекция контактного отверстия 551 питания на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией углубленного участка 1865K питания на базовую подложку 110.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11C, буферный слой 130 включает в себя: третий буферный участок 133, расположенный в контактном отверстии 551 питания, в котором сторона третьего буферного участка 133, обращенная от базовой подложки 110, находится в контакте с соединительной линией питания, и сторона третьего буферного участка, расположенная рядом с базовой подложкой, находится в контакте с проводящей светоэкранирующей структурой; и четвертый буфер участок 134, расположенный на стороне третьего буферного участка 133, обращенной от центра углубленного участка 1865K питания. Таким образом, в случае, когда вышеупомянутый проводящий слой (например, часть, соответствующая линии питания) осажден в контактном отверстии 551 питания, третий буферный участок 133 может играть роль поддержки участка проводящей структуры, предотвращая отсоединение проводящей структуры из-за слишком большого падения или слишком большого угла наклона. Таким образом, подложка дисплея имеет более высокий световой выход.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11C, боковая стенка контактного отверстия 551 питания включает в себя четвертую вспомогательную боковую стенку 5512 в межслойном изолирующем слое 170, пятую вспомогательную боковую стенку 5514 в четвертом буферном слое 134 и шестую вспомогательную боковую стенку 5516 на третьем буферном участке 133; четвертая вспомогательная боковая стенка 5512 соединена с пятой вспомогательной боковой стенкой 5514, пятая вспомогательная боковая стенка 5514 соединена с шестой вспомогательной боковой стенкой 5516, и угол между четвертой вспомогательной боковой стенкой 5512 и базовой подложкой 110 образует шестой угол β' наклона, прилежащий угол между пятой вспомогательной боковой стенкой 5514 и базовой подложкой 110 образует седьмой угол γ' наклона, и прилежащий угол между шестой вспомогательной боковой стенкой 5516 и базовой подложкой 110 образует восьмой угол θ' наклона. Шестой угол наклона, седьмой угол наклона и восьмой угол наклона отличаются друг от друга. Контактный участок между пятой вспомогательной боковой стенкой 5514 и третьим буферным участком 133 расположен между третьим буферным участком 133 и четвертым буферным участком 134.
В подложке дисплея, так как материал буферного слоя отличается от материала межслойного изолирующего слоя, эффективность травителей на буферном слое и межслойном изолирующем слое также является разной, так что угол наклона четвертой вспомогательной боковой стенки, угол наклона пятой вспомогательной боковой стенки и угол наклона шестой вспомогательной боковой стенки являются разными.
Например, вышеупомянутый буферный слой может быть осажден с использованием различных процессов при разных температурах, так что внутренняя часть буферного слоя имеет разную плотность, и можно сформировать упомянутые выше третий буферный участок и четвертый буферный участок. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, и третий буферный участок и четвертый буферный участок, упомянутые выше, могут быть выполнены другими подходящими способами.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11С, шестой угол β' наклона меньше седьмого угла γ' наклона, седьмой угол γ' наклона больше восьмого угла θ' наклона, и шестой угол β' наклона больше восьмого угла θ' наклона. То есть седьмой угол γ' наклона больше шестого угла β' наклона, и шестой угол β' наклона больше восьмого угла θ' наклона.
Например, четвертый угол α наклона меньше восьмого угла θ' наклона.
В некоторых примерах, так как каждый из углубленных участков питания сформирован на линейной соединительной линии питания или на полосообразной соединительной линии питания, угол боковой стенки в контактном отверстии питания, соответствующий углубленному участку питания, и угол боковой стенки в первом контактном отверстии, соответствующий первому углубленному участку, могут быть разными. Например, седьмой угол γ' наклона в контактном отверстии питания меньше третьего угла γ наклона первого контактного отверстия. Таким образом, так как шестой угол наклона в контактном отверстии питания является маленьким, пятая боковая стенка становится более гладкой, поэтому можно лучше предотвратить такие дефекты, как отсоединение. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, и седьмой угол γ' наклона в контактном отверстии питания также может быть больше или равен второму углу γ наклона первого контактного отверстия.
В некоторых примерах восьмой угол θ' наклона в контактном отверстии питания больше, чем третий угол θ наклона первого контактного отверстия, так что может быть уменьшен размер третьего буферного участка, и повышен эффект электрического соединения с углубленным участком питания. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, и восьмой угол наклона контактного отверстия питания также может быть меньше четвертого угла наклона первого контактного отверстия.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, подложка 100 дисплея включает в себя вышеупомянутую измерительную линию 187 и измерительную соединительную линию 1875; измерительная линия 187 расположена в проводящем слое 180, измерительная соединительная линия 1875 и проводящая светоэкранирующая структура 122 расположены в одном слое, то есть соединительная линия 1865 питания и проводящая светоэкранирующая структура 122 могут быть сформированы с использованием одного и того же пленочного слоя посредством одного и того же процесса формирования рисунка.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, измерительная соединительная линия 1875 включает в себя третий участок 1875A основного тела и множество измерительных углубленных участков 1875K, средняя толщина измерительных углубленных участков 1875K в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, меньше, чем средняя толщина третьего участка 1875A основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, и площадь поверхности одного из измерительных углубленных участков 1875K, расположенного рядом с проводящим слоем 180, больше, чем площадь ортографической проекции одного из измерительных углубленных участков 1875K на базовую подложку 110.
В примере измерительная соединительная линия 1875 включает в себя третий участок 1875A основного тела и множество измерительных углубленных участков 1875K, причем множество измерительных углубленных участков 1875K можно использовать для электрического соединения измерительной соединительной линии 187 со схемами 320 возбуждения пикселей множества подпикселей 300. Так как измерительные углубленные участки 1875K углублены в измерительную соединительную линию 1875, площадь каждого из измерительных углубленных участков 1875K, расположенных рядом с поверхностью проводящего слоя 180, больше, чем площадь ортографической проекции соответствующего измерительного углубленного участка 1875K на базовую подложку 110, так что площадь контакта электрического соединения может быть увеличена, и контакт может быть более надежным, тем самым уменьшается сопротивление контакта, повышается эффект электрического соединения и эффективно предотвращаются такие проблемы, как падение ИК-излучения.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A и 11B, ортографическая проекция по меньшей мере одного из множества измерительных углубленных участков 1875K на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией цветного светофильтра 350 в слое 200 цветных светофильтров на базовую подложку 110. Аналогично первым углубленным участкам, углубленные участки питания также имеют функцию сбора света, и, так как углубленные участки питания могут по меньшей мере частично перекрываться цветными светофильтрами, окружающий свет может быть сфокусирован на соответствующих цветных светофильтрах, это позволяет эффективным образом предотвратить неравномерное отображение, вызванное окружающим светом, и не влияет на внешний вид.
На фиг. 11D показано схематичное представление в разрезе измерительного углубленного участка в подложке дисплея в направлении, перпендикулярном базовой подложке, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг. 11D, угол наклона поверхности измерительного углубленного участка 1875K, расположенной рядом с проводящим слоем 180, может быть таким же, как угол наклона поверхности первого углубленного участка, расположенной рядом с проводящим слоем. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, угол наклона поверхности измерительного углубленного участка, расположенной рядом с проводящим слоем, может отличаться от угла наклона поверхности первого углубленного участка, расположенной рядом с проводящим слоем.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11D, аналогично первому углубленному участку 1224, измерительный углубленный участок 1875K включает в себя третий краевой участок 18750; в направлении от края измерительного углубленного участка 1875K к центру измерительного углубленного участка 1875K, толщина третьего краевого участка 18750 в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, непрерывно и постепенно уменьшается. Так как средняя толщина части измерительного углубленного участка, расположенной рядом с краем в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем средняя толщина первого участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, это может повлиять на характеристики экранирования света первого углубленного участка. Однако в подложке дисплея, представленной в примере, так как толщина по меньшей мере части измерительного углубленного участка, расположенной рядом с краем в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается, так что поверхность проводящего участка (например, измерительный углубленный участок) в позиции углубленного измерительного участка, обращенная от базовой подложки, является выпуклой поверхностью, причем выпуклая поверхность имеет функцию сбора света; в случае, когда свет может проникать в измерительный углубленный участок, выпуклая поверхность может собирать свет, тем самым предотвращая неконтролируемое отражение части окружающегося света внутри подложки и избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея.
Например, как показано на фиг. 11D, поверхность проводящего участка (например, части измерительной линии) в позиции измерительного углубленного участка 1875K, обращенной от базовой подложки 110, является выпуклой поверхностью, и выпуклая поверхность обладает функцией сбора света; в случае, когда свет может проникать в измерительный углубленный участок, выпуклая поверхность может собирать свет, тем самым предотвращая неконтролируемое отражение части окружающегося света внутри подложки и избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11D, аналогично первому углубленному участку 1224, в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, непрерывно изменяется девятый угол наклона поверхности третьего краевого участка 18750, расположенной рядом с проводящим слоем 180. Таким образом, даже если свет будет проникать в измерительный углубленный участок, измерительный углубленный участок может заставить выпуклую поверхность проводящего участка, расположенную в позиции измерительного углубленного участка, обращенной от базовой подложки, выполнять функцию сбора света, так что свет не может проникать через всю подложку дисплея, чтобы повлиять на эффект отображения светоизлучающей области.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11D, подложка 100 дисплея дополнительно включает в себя измерительное контактное отверстие 552, измерительное контактное отверстие 552 расположено в межслойном изолирующем слое 170 и буферном слое 130, например, измерительное контактное отверстие 552 проникает в межслойный изолирующий слой 170 и буферный слой 130. Ортографическая проекция измерительного контактного отверстия 552 на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией измерительного углубленного участка 1875K на базовую подложку 110.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11D, буферный слой 130 включает в себя: пятый буферный участок 135, который расположен в измерительном контактном отверстии 552 и находится в контакте с измерительной соединительной линией 1875; и шестой буферный участок 136, который расположен на стороне пятого буферного участка 135, обращенной от центра измерительного углубленного участка 1875K. Таким образом, в случае, когда вышеупомянутый проводящий слой (например, часть, соответствующая измерительной линии) осажден в измерительном контактном отверстии 552, пятый буферный участок 135 может играть роль поддержки участка проводящей структуры, и предотвращается отключение проводящей структуры из-за слишком большого наклона или слишком большого угла наклон. Таким образом, подложка дисплея имеет более высокий световой выход.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11D, сторона пятого буферного участка 135, обращенная от базовой подложки 110, находится в контакте с измерительной соединительной линией 1875, и сторона пятого буферного участка 135, расположенная рядом с базовой подложкой 110, находится в контакте с проводящей светоэкранирующей проводящей структурой 122.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11D, боковые стенки измерительного контактного отверстия 552 включают в себя седьмую вспомогательную боковую стенку 5522 в межслойном изолирующем слое 170, восьмую вспомогательную боковую стенку 5524 в шестом буферном слое 136 и девятую вспомогательную боковую стенку 5526 на пятом буферном участке 135.; седьмая вспомогательная боковая стенка 5522 соединена с восьмой вспомогательной боковой стенкой 5524, восьмая вспомогательная боковая стенка 5524 соединена с девятой вспомогательной боковой стенкой 5526, и прилежащий угол между седьмой вспомогательной боковой стенкой 5522 и базовой подложкой 110 образует десятый угол β'' наклона, прилежащий угол между восьмой вспомогательной боковой стенкой 5524 и базовой подложкой 110 образует одиннадцатый угол γ'' наклона, прилежащий угол между девятой вспомогательной боковой стенкой 5526 и базовой подложкой 110 образует двенадцатый угол θ'' наклона; десятый угол наклона, одиннадцатый угол наклона и двенадцатый угол наклона являются разными. В подложке дисплея из-за того, что материал буферного слоя отличается от материала межслойного изолирующего слоя, эффективность травителей на буферном слое и межслойном изолирующем слое также является разной, так что угол наклона седьмой вспомогательной боковой стенки, угол наклона восьмой вспомогательной боковой стенки и угол наклона девятой вспомогательной боковой стенки по всей вероятности будут разными.
Например, вышеупомянутый буферный слой может быть нанесен в ходе различных процессов при разных температурах, так что внутренняя часть буферного слоя имеет разную плотность, поэтому могут быть сформированы пятый буферный участок и шестой буферный участок, которые упомянуты выше. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, пятый буферный участок и шестой буферный участок, которые упомянуты выше, могут быть выполнены другими подходящими способами.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11D, десятый угол β'' наклона меньше одиннадцатого угла γ'' наклона, одиннадцатый угол γ'' наклона больше двенадцатого угла θ'' наклона, и десятый угол β'' наклона больше двенадцатого угла θ'' наклона. То есть одиннадцатый угол γ'' наклона больше десятого угла β'' наклона, и десятый угол β'' наклона больше двенадцатого угла θ'' наклона. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим.
Например, четвертый угол α наклона меньше двенадцатого угла θ'' наклона.
В некоторых примерах, так как каждый из измерительных углубленных участков сформирован на линейной соединительной линии питания или полосообразной соединительной линии питания, угол боковой стенки в первом контактном отверстии, соответствующий измерительному углубленному участку, и угол боковой стенки в первом контактном отверстии, соответствующий первому углубленному участку, могут быть разными. Например, одиннадцатый угол γ'' наклона в измерительном контактном отверстии меньше третьего угла γ наклона первого контактного отверстия. Таким образом, так как одиннадцатый угол наклона измерительного контактного отверстия является маленьким, восьмая боковая стенка является более гладкой, поэтому можно лучше предотвратить такие дефекты, как отсоединение. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, и одиннадцатый угол γ'' наклона в измерительном контактном отверстии также может быть больше или равен третьему углу γ наклона первого контактного отверстия.
В некоторых примерах двенадцатый угол θ'' наклона в измерительном контактном отверстии больше, чем третий угол θ наклона первого контактного отверстия, так что может быть уменьшен размер пятого буферного участка, и повышен эффект электрического соединения с измерительным углубленным участком. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, и двенадцатый угол наклона в измерительном контактном отверстии также может быть меньше, чем третий угол наклона первого контактного отверстия.
Следует отметить, что другие конкретные формы и размеры каждого из углубленных участков питания и каждого из измерительных углубленных участков могут быть отнесены к соответствующим описаниям первых углубленных участков, показанных на фиг. 6A и 6B, которые здесь не приводятся.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, множество подпикселей 300 включает в себя подпиксель 300A первого цвета, подпиксель 300B второго цвета, подпиксель 300C третьего цвета и подпиксель 300D четвертого цвета; в каждой из строк 370 подпикселей подпиксель 300A первого цвета, подпиксель 300B второго цвета, подпиксель 300C третьего цвета и подпиксель 300D четвертого цвета последовательно расположены в первом направлении, чтобы сформировать группу 390 подпикселей, и линия 186 питания расположена между подпикселем 300B второго цвета и подпикселем третьего цвета 300C в группе 390 подпикселей.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, подложка 100 дисплея дополнительно включает в себя соединительную линию 1865 питания, и соединительная линия 1865 питания и проводящая светоэкранирующая структура 122 расположены на одном и том же слое; и линия 186 питания может быть соединена с соединительной линией 1865 питания через контактное отверстие, проходящее межслойный изолирующий слой и буферный слой.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, подложка 100 дисплея дополнительно включает в себя второе контактное отверстие 252, третье контактное отверстие 253 и четвертое контактное отверстие 254, и второе контактное отверстие 252, третье контактное отверстие 253 и четвертое контактное отверстие 254 расположены в межслойном изолирующем слое 170 и буферном слое 130; в группе 390 подпикселей, линия 186 питания соединена с соединительной линией 1865 питания через второе контактное отверстие 252, первый электрод 1821 истока подпикселя 300B второго цвета соединен с линией 186 питания в одном и том же слое, и первый электрод 1821 истока подпикселя 300C третьего цвета соединен с линией 186 питания в одном и том же слое. Следует отметить, что вышеупомянутое соединение одного и того же слоя означает, что первый электрод истока и линия питания напрямую соединены через соединительную линию, расположенную на одном и том же слое.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, первый электрод 1821 истока подпикселя 300A первого цвета соединен с соединительной линией 1865 питания через третье контактное отверстие 253, и первый электрод 1821 истока подпикселя 300D четвертого цвета соединен с соединительной линией 1865 питания через четвертое контактное отверстие 254. Таким образом, в каждой из строк пикселей одна линия питания может возбуждать четыре подпикселя одновременно, так что плотность разводки может быть уменьшена.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, соединительная линия 1865 питания включает в себя второй участок 1865A основного тела, второй углубленный участок 1865B, третий углубленный участок 1865C и четвертый углубленный участок 1865D; ортографическая проекция второго углубленного участка 1865B на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией второго контактного отверстия 252 на базовую подложку 110, причем толщина в любом месте второго углубленного участка 1865B в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110 меньше, чем толщина второго участка 1865A основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, и площадь поверхности второго углубленного участка 1865B, расположенной рядом с линией 186 питания, больше, чем площадь ортографической проекции второго углубленного участка 1865B на базовую подложку 110. В подложке дисплея линия 186 питания может быть соединена со вторым углубленным участком 1865B соединительной линии 1865 питания через второе контактное отверстие 252. Так как второй углубленный участок 1865B представляет собой углубленную структуру, площадь поверхности второго углубленного участка, расположенной рядом с линией питания, больше, чем площадь ортографической проекции второго углубленного участка на базовую подложку. Таким образом, площадь контакта между линией питания и соединительной линией питания подложки дисплея может быть увеличена, и контакт будет более надежным, тем самым уменьшается сопротивление контакта, и повышается эффект электрического соединения между линией питания и соединительной линией питания.
Аналогично первому углубленному участку, от края второго углубленного участка до центра второго углубленного участка, толщина по меньшей мере части второго углубленного участка, расположенной рядом с краем в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается. Так как средняя толщина второго углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем толщина второго участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, это может повлиять на характеристики экранирования света второго углубленного участка. В подложке дисплея, представленной в этом примере, так как толщина второго углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается, даже если свет будет проникать во второй углубленный участок, второй углубленный участок также может выполнять функцию сбора света, так что предотвращается неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки, тем самым избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея. Аналогичным образом, поверхность второго углубленного участка, расположенная рядом с линией питания, представляет собой искривленную поверхность или изогнутую поверхность.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, ортографическая проекция третьего углубленного участка 1865C на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией третьего контактного отверстия 253 на базовую подложку 110, причем толщина в любом месте третьего углубленного участка 1865C в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, меньше, чем толщина второго участка 1865A основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, и площадь поверхности третьего углубленного участка 1865C, обращенной от базовой подложки 110, больше, чем площадь ортографической проекции третьего углубленного участка 1865C на базовую подложку 110. В подложке дисплея первый электрод 1821 истока подпикселя 300A первого цвета может быть соединен с третьим углубленным участком 1865C соединительной линии 1865 питания через третье контактное отверстие 253; например, первый электрод истока подпикселя первого цвета может быть соединен с третьим углубленным участком через соединительную линию, размещенную в проводящем слое. Так как третий углубленный участок представляет собой углубленную структуру, площадь поверхности третьего углубленного участка, обращенной от базовой подложки, больше, чем площадь ортографической проекции третьего углубленного участка на базовую подложку. Таким образом, подложка дисплея позволяет увеличить площадь контакта между первым электродом истока подпикселя первого цвета и соединительной линией питания, и контакт становится более надежным, тем самым уменьшается сопротивление контакта, и повышается эффект электрического соединения между первым электродом истока подпикселя первого цвета и соединительной линией питания.
Аналогично первому углубленному участку, от края третьего углубленного участка до центра третьего углубленного участка, толщина по меньшей мере части третьего углубленного участка, расположенной рядом с краем в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается. Так как средняя толщина третьего углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем толщина второго участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, это может повлиять на характеристики экранирования света первого углубленного участка. В подложке дисплея, представленной в примере, так как толщина третьего углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается, даже если свет будет проникать в третий углубленный участок, третий углубленный участок также может выполнять функцию сбора света, так что окружающий свет не может проникать через всю подложку дисплея, и окружающий свет не влияет на нормальное отображение подложки дисплея. Аналогичным образом, поверхность третьего углубленного участка, расположенная рядом с линией питания, также может представлять собой искривленную поверхность или изогнутую поверхность.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, ортографическая проекция четвертого углубленного участка 1865D на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией четвертого контактного отверстия 254 на базовую подложку 110, толщина четвертого углубленного участка 1865D в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, меньше, чем толщина второго участка 1865A основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, площадь поверхности четвертого углубленного участка 1865D, обращенной от базовой подложки 110, больше, чем площадь ортографической проекция четвертого углубленного участка 1865D на базовую подложку 110. В подложке дисплея первый электрод 1821 истока подпикселя 300D четвертого цвета может быть соединен с четвертым углубленным участком 1865D соединительной линии 1865 питания через четвертое контактное отверстие 254; например, первый электрод истока подпикселя четвертого цвета может быть соединен с четвертым углубленным участком через соединительную линию, размещенную в проводящем слое. Так как четвертый углубленный участок представляет собой углубленную структуру, площадь поверхности четвертого углубленного участка, обращенной от базовой подложки, больше, чем площадь ортографической проекции четвертого углубленного участка на базовую подложку. Таким образом, подложка дисплея позволяет увеличить площадь контакта между первым электродом истока подпикселя четвертого цвета и соединительной линией питания, и контакт становится более надежным, тем самым уменьшается сопротивление контакта, и повышается эффект электрического соединения между первым электродом истока подпикселя четвертого цвета и соединительной линией питания.
Аналогично первому углубленному участку, от края четвертого углубленного участка до центра четвертого углубленного участка, толщина по меньшей мере части четвертого углубленного участка, расположенная рядом с краем в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается. Так как средняя толщина четвертого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем толщина второго участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, это может повлиять на характеристики экранирования света четвертого углубленного участка. В подложке дисплея, представленной в примере, так как толщина четвертого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается, даже если свет будет проникать в четвертый углубленный участок, четвертый углубленный участок также может выполнять функцию сбора света, так что предотвращается неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки, тем самым избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея. Аналогичным образом, поверхность четвертого углубленного участка, расположенная рядом с линией питания, также может представлять собой искривленную поверхность или изогнутую поверхность.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, ортографическая проекция по меньшей мере одного из второго углубленного участка 1865B, третьего углубленного участка 1865C и четвертого углубленного участка 1865D на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией цветного светофильтра 350 в слое 200 цветных светофильтров на базовую подложку 110, что позволяет эффективным образом предотвратить неравномерное отображение, вызванное окружающим светом, и избежать влияния на внешний вид.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, подпиксель 300B второго цвета включает в себя светофильтр первого цвета 351, поэтому может излучаться свет первого цвета; подпиксель 300C третьего цвета включает в себя светофильтр второго цвета 352, поэтому может излучаться свет второго цвета; подпиксель 300D четвертого цвета включает в себя светофильтр третьего цвета 353, поэтому может излучаться свет третьего цвета. Например, подпиксель первого цвета 300D не может быть размещен с цветным светофильтром, поэтому излучается белый свет. Таким образом, подложка дисплея может реализовать полноцветное отображение, так как используются подпиксели белого света, увеличивается яркость подложки дисплея и контрастность подложки дисплея.
Например, первый цвет может быть красным (R), второй цвет может быть зеленым (G), и третий цвет может быть синим (B). Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, и вышеупомянутые три цвета также могут быть другими цветами.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, подложка 100 дисплея может дополнительно включать в себя слой 370 определения границ пикселей, причем слой 370 определения границ пикселей включает в себя множество отверстий 375, и цветные светофильтры 350 могут быть расположены в множестве отверстий 375.
Например, как показано на фиг. 11A, множество отверстий 375 включает в себя первое отверстие 3751, второе отверстие 3752 и третье отверстие 3753; светофильтр первого цвета 351 по меньшей мере частично размещен в первом отверстии 3751; светофильтр второго цвета 352 по меньшей мере частично размещен во втором отверстии 3752; светофильтр третьего цвета 353 по меньшей мере частично размещен в третьем отверстии 3753. Кратчайшее расстояние J3 между внешним краем светофильтра 353 третьего цвета и третьим отверстием 3753 больше кратчайшего расстояния J2 между внешним краем первого цвета светофильтр 351 и первое отверстие 3751, и кратчайшее расстояние J3 между внешним краем светофильтра 353 третьего цвета и третьим отверстием 3753 также больше кратчайшего расстояния J1 между внешним краем светофильтра 352 второго цвета и вторым отверстием 3752. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, в соответствии с различными требованиями к изделию, кратчайшее расстояние между внешним краем светофильтра второго цвета и вторым отверстием также может быть больше, чем кратчайшее расстояние между внешним краем светофильтра первого цвета и первым отверстием, и кратчайшее расстояние между внешним краем светофильтра третьего цвета и третьим отверстием или кратчайшее расстояние между внешним краем светофильтра первого цвета и первым отверстием также может быть больше, чем кратчайшее расстояние между внешним краем светофильтра второго цвета и вторым отверстием и кратчайшее расстояние между внешним краем светофильтра третьего цвета и третьим отверстием.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, большая часть светофильтра 351 первого цвета размещена в светоизлучающей области 330 подпикселя 300A первого цвета; большая часть светофильтра 352 второго цвета размещена в светоизлучающей области 330 подпикселя 300B второго цвета; и большая часть светофильтра 353 третьего цвета размещена в светоизлучающей области 330 подпикселя 300C третьего цвета.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, в группе 390 подпикселей по меньшей мере одна из ортографической проекции светофильтра 351 первого цвета на базовую подложку 110 и ортографической проекции светофильтра 352 второго цвета на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией второго углубленного участка 1865B на базовую подложку 110, и ортографическая проекция светофильтра третьего цвета 351 на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией четвертого углубленного участка 1865D на базовую подложку 110. Таким образом, даже если эффективность экранирования света второго углубленного участка или четвертого углубленного участка ухудшается из-за ее малой толщины, светофильтр первого цвета и светофильтр второго цвета могут дополнительно экранировать второй углубленный участок, и светофильтр третьего цвета может дополнительно экранировать четвертый углубленный участок, так что предотвращается неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки, тем самым избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея.
Кроме того, даже если толщина второго углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, постепенно уменьшается от края второго углубленного участка к центру второго углубленного участка, даже если свет проникает через второй углубленный участок, второй углубленный участок может фокусировать свет по меньшей мере на один из светофильтра первого цвета и светофильтра второго цвета, так что можно эффективным образом предотвратить проникновение окружающего света через всю подложку дисплея. В случае, когда толщина четвертого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается от края четвертого углубленного участка к центру четвертого углубленного участка, даже если свет проникает через четвертый углубленный участок, четвертый углубленный участок может фокусировать свет на третьем цветном светофильтре, что позволяет эффективным образом предотвратить неравномерное отображение, вызванное окружающим светом, и избежать влияния на внешний вид.
Например, как показано на фиг. 11A, площадь перекрытия между ортографической проекцией светофильтра третьего цвета 351 на базовую подложку 110 и ортографической проекцией четвертого углубленного участка 1865D на базовую подложку 110 больше, чем площадь перекрытия между ортографической проекцией светофильтра 351 первого цвета на базовую подложку 110 и ортографической проекцией второго углубленного участка 1865B на базовую подложку 110 или площадь перекрытия между ортографической проекцией светофильтра 352 второго цвета на базовую подложку 110 и ортографической проекцией второго углубленного участка 1865B на базовую подложку 110.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, измерительная линия 187 расположена между двумя соседними группами 390 подпикселей в первом направлении, и две соседние группы 390 подпикселей в первом направлении включают в себя первую группу 391 подпикселей и вторую группу 392 подпикселей. Подложка 100 дисплея дополнительно включает в себя измерительную соединительную линию 1875, пятое контактное отверстие 255, шестое контактное отверстие 256, седьмое контактное отверстие 257, восьмое контактное отверстие 258 и девятое контактное отверстие 259; измерительная соединительная линия 1875 и проводящая светоэкранирующая структура 122 размещены в одном и том же слое, и пятое контактное отверстие 255, шестое контактное отверстие 256, седьмое контактное отверстие 257, восьмое контактное отверстие 258 и девятое контактное отверстие 259 расположены в межслойном изолирующем слое 170 и буферном слое 130. В двух соседних группах 390 подпикселей измерительная линия 187 соединена с измерительной соединительной линией 1875 через пятое контактное отверстие 255. Следует отметить, что, для ясности на фиг. 11A не полностью показана вся вторая группа подпикселей, и состав второй группы подпикселей может быть отнесен к составу первой группы подпикселей.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, третий электрод 1843 истока подпикселя 300C третьего цвета в первой группе 391 подпикселя соединен с измерительной соединительной линией 1875 через шестое контактное отверстие 256, и третий электрод 1843 истока четвертого подпикселя цвета пиксель 300D в первой группе 391 подпикселей соединен с измерительной соединительной линией 1875 через седьмое контактное отверстие 257. Третий электрод 1843 истока подпикселя 300A первого цвета во второй группе 392 подпикселей соединен с измерительной соединительной линией 1875 через восьмое контактное отверстие 358, и третий электрод 1843 истока подпикселя 300B второго цвета во второй группе 392 подпикселей соединен с измерительной соединительной линией 1875 через девятое контактное отверстие 359. Таким образом, в каждой из строк пикселей одна измерительная линия может одновременно возбуждать четыре подпикселя, поэтому может быть уменьшена плотность разводки. Кроме того, так как все третьи истоковые электроды вышеуказанных четырех подпикселей соединены с измерительной соединительной линией через контактное отверстие, пространство компоновки схем возбуждения пикселей каждого из подпикселей является приблизительно одинаковым, поэтому можно упростить компоновку схем возбуждения пикселей каждого подпикселя.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11А, измерительная соединительная линия 1875 включает в себя третий участок 1875А основного тела, пятый углубленный участок 1875В, шестой углубленный участок 1875С, седьмой углубленный участок 1875D, восьмой углубленный участок 1875Е и девятый углубленный участок 1875F; ортографическая проекция пятого углубленного участка 1875B на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией пятого контактного отверстия 255 на базовую подложку 110, ортографическая проекция шестого углубленного участка 1875C на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией шестого контактного отверстия 266 на базовую подложку 110, ортографическая проекция седьмого углубленного участка 1875D на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией седьмого контактного отверстия 257 на базовую подложку 110, ортографическая проекция восьмого углубленного участка 1875E на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией восьмого контактного отверстия 258 на базовую подложку 110, и ортографическая проекция девятого углубленного участка 1875F на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией девятого контактного отверстия 259 на базовую подложку 110.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, толщина в любом месте пятого углубленного участка 1875B в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, меньше толщины третьего участка 1875A основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110; площадь поверхности пятого углубленного участка 155, расположенной рядом с измерительной линией 187, больше, чем площадь ортографической проекции пятого углубленного участка 1875B на базовую подложку 110. В подложке дисплея измерительная линия 187 может быть соединена с пятым углубленным участком 1875B измерительной соединительной линией 1875 через пятое контактное отверстие 255. Так как пятый углубленный участок 1865B является углубленной структурой, площадь поверхности пятого углубленного участка, расположенной рядом с измерительной линией, больше, чем площадь ортографической проекции пятого углубленного участка на базовую подложку. Таким образом, подложка дисплея позволяет увеличить площадь контакта между измерительной линией и измерительной соединительной линией, и контакт становится более надежным, тем самым уменьшается сопротивление контакта, и повышается эффект электрического соединения между измерительной линией и измерительной соединительной линией.
Аналогично первому углубленному участку, от края пятого углубленного участка до центра пятого углубленного участка, толщина пятого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается. Так как средняя толщина пятого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше толщины третьего участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, это может повлиять на характеристики экранирования света пятого углубленного участка. В подложке дисплея, представленной в примере, так как толщина пятого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно уменьшается, даже если свет будет проникать в пятый углубленный участок, пятый углубленный участок также может выполнять функцию сбора света, так что предотвращается неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки, тем самым избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея. Аналогичным образом, поверхность пятого углубленного участка, расположенная рядом с линией питания, представляет собой искривленную поверхность или изогнутую поверхность.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, толщина в любом месте шестого углубленного участка 1875C в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, меньше, чем толщина третьей 1875A основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, площадь поверхности шестого углубленного участка 1875C, обращенной от базовой подложки 110, больше, чем площадь ортографической проекции шестого углубленного участка 1875C на базовую подложку 110. В подложке дисплея третий электрод 1843 истока подпикселя 300C третьего цвета в первой группе 391 подпикселей соединен с шестым углубленным участком 1875C измерительной соединительной линии 1875 через шестое контактное отверстие 356. Так как шестой углубленный участок 1865C является углубленной структурой, площадь поверхности шестого углубленного участка 1865C, обращенной от базовой подложки 110, больше, чем площадь ортографической проекции шестого углубленного участка 1865C на базовую подложку 110. Таким образом, подложка дисплея позволяет увеличить площадь контакта между третьим электродом истока подпикселя третьего цвета в первой группе подпикселей и измерительной соединительной линией, и контакт становится более надежным, таким образом, уменьшается сопротивление контакта, и увеличивается эффект электрического соединения между третьим электродом истока подпикселя третьего цвета в первой группе подпикселей и измерительной соединительной линией.
Аналогично первому углубленному участку, от края шестого углубленного участка до центра шестого углубленного участка, толщина шестого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается. Так как средняя толщина шестого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем толщина третьего основного тела, в направлении, перпендикулярном базовой подложке, это может повлиять на характеристики экранирования света шестого углубленного участка. В подложке дисплея, представленной в примере, так как толщина шестого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно уменьшается, даже если свет будет проникать в шестой углубленный участок, шестой углубленный участок также может выполнять функцию сбора света, так что предотвращается неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки, тем самым избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея. Аналогичным образом, поверхность шестого углубленного участка, расположенная рядом с линией питания, представляет собой искривленную поверхность или изогнутую поверхность.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, толщина в любом месте седьмого углубленного участка 1875D в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, меньше, чем толщина третьего участка 1875A основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, площадь поверхности седьмого углубленного участка 1875D, обращенная от базовой подложки 110, больше, чем площадь ортографической проекции седьмого углубленного участка 1875D на базовую подложку 110. В подложке дисплея третий электрод 1843 истока подпикселя 300D четвертого цвета в первой группе 391 подпикселей соединен с седьмым углубленным участком 1875D измерительной соединительной линией 1875 через седьмое контактное отверстие 357. Так как седьмой углубленный участок 1875D является углубленной структурой, площадь поверхности седьмого углубленного участка 1875D, обращенной от базовой подложки 110, больше, чем площадь ортографической проекции седьмого углубленного участка 1875D на базовую подложку 110. Таким образом, расширяемая подложка позволяет увеличить площадь контакта между третьим электродом истока подпикселя четвертого цвета в первой группе подпикселей и измерительной соединительной линией, и контакт становится более надежным, тем самым уменьшается сопротивление контакта, и повышается эффект электрического соединения между третьим электродом истока подпикселя четвертого цвета в первой группе подпикселей и измерительной соединительной линией.
Аналогично первому углубленному участку, от края седьмого углубленного участка до центра седьмого углубленного участка, толщина седьмого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается. Так как средняя толщина седьмого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем толщина третьего участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, это может повлиять на характеристики экранирования света седьмого углубленного участка. В подложке дисплея, представленной в примере, так как толщина седьмого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно уменьшается, даже если свет будет проникать в седьмой углубленный участок, седьмой углубленный участок также может выполнять функцию сбора света, так что предотвращается неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки, тем самым избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея. Аналогичным образом, поверхность седьмого углубленного участка, расположенная рядом с линией питания, представляет собой искривленную поверхность или изогнутую поверхность.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, толщина в любом месте восьмого углубленного участка 1875E в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, меньше, чем толщина третьей 1875A основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, и площадь поверхности восьмого углубленного участка 1875E, обращенной от базовой подложки 110, больше, чем площадь ортографической проекции восьмого углубленного участка 1875E на базовую подложку 110. В подложке дисплея третий электрод 1843 истока подпикселя 300A первого цвета во второй группе подпикселей 392 соединен с восьмым углубленным участком 1875E измерительной соединительной линии 1875 через восьмое контактное отверстие 358. Так как восьмой углубленный участок 1875E является углубленной структурой, площадь поверхности восьмого углубленного участка 1865E, обращенной от базовой подложки 110, больше, чем площадь ортографической проекции восьмого углубленного участка 1865E на базовую подложку 110. Таким образом, подложка дисплея позволяет увеличить площадь контакта между третьим электродом истока подпикселя первого цвета во второй группе подпикселей и измерительной соединительной линией, и контакт становится более надежным, тем самым уменьшается сопротивление контакта, и повышается эффект электрического соединения между третьим электродом истока подпикселя первого цвета во второй группе подпикселей и измерительной соединительной линией.
Аналогично первому углубленному участку, от края восьмого углубленного участка до центра восьмого углубленного участка, толщина восьмого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается. Так как средняя толщина восьмого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем толщина третьего участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, это может повлиять на характеристики экранирования света восьмого углубленного участка. В подложке дисплея, представленной в примере, так как толщина восьмого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно уменьшается, даже если свет будет проникать в восьмой углубленный участок, восьмой углубленный участок также может выполнять функцию сбора света, так что предотвращается неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки, тем самым избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея. Аналогичным образом, поверхность восьмого углубленного участка, расположенная рядом с линией питания, представляет собой искривленную поверхность или изогнутую поверхность.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, толщина в любом месте девятого углубленного участка 1875F в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, меньше, чем толщина третьего участка 1875A основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110, площадь поверхности девятого углубленного участка 1875F, обращенной от базовой подложки 110, больше, чем площадь ортографической проекции девятого углубленного участка 1875F на базовую подложку 110. В подложке дисплея третий электрод 1843 истока подпикселя 300B второго цвета во второе группе 392 подпикселей соединен с девятым углубленным участком 1875F измерительной соединительной линией 1875 через девятое контактное отверстие 359. Так как девятый углубленный участок 1875F является углубленной структурой, площадь поверхности девятого углубленного участка 1865F, обращенной от базовой подложки 110, больше, чем площадь ортографической проекции девятого углубленного участка 1865F на базовую подложку 110. Таким образом, подложка дисплея позволяет увеличить площадь контакта между третьим электродом истока подпикселя второго цвета во второй группе подпикселей и измерительной соединительной линией, и контакт становится более надежным, тем самым уменьшается сопротивление контакта, и повышается эффект электрического соединения между третьим электродом истока подпикселя второго цвета и измерительной соединительной линией во второй группе подпикселей.
Аналогично первому углубленному участку, от края девятого углубленного участка до центра девятого углубленного участка, толщина девятого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается. Так как средняя толщина девятого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем толщина третьего участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, это может повлиять на характеристики экранирования света девятого углубленного участка. В подложке дисплея, представленной в примере, так как толщина девятого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно уменьшается, даже если свет будет проникать в девятый углубленный участок, девятый углубленный участок также может выполнять функцию сбора света. Таким образом, предотвращается проникновение окружающего света во всю подложку дисплея и влияние окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея. Аналогичным образом, поверхность девятого углубленного участка, расположенная рядом с линией питания, представляет собой искривленную поверхность или изогнутую поверхность.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, ортографическая проекция по меньшей мере одного из пятого углубленного участка 1875B, шестого углубленного участка 1875C, седьмого углубленного участка 1875D, восьмого углубленного участка 1875E и девятого углубленного участка 1875F на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией цветного светофильтра 350 в слое 200 цветных светофильтров на базовую подложку 110, что позволяет эффективным образом предотвратить неравномерное отображение, вызванное окружающим светом, и избежать влияния на внешний вид.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, во втором направлении измерительная соединительная линия 1875 расположена на стороне второй затворной линии 162, обращенной от первой линии 161 затвора, ортографическая проекция светофильтра 352 второго цвета в первой группе 391 подпикселей на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией шестого углубленного участка 1875C первой смежной группы 391 подпикселей во втором направлении на базовую подложку 110. Таким образом, даже если характеристики экранирования света шестого углубленного участка подвержены влиянию из-за его малой толщины, светофильтр второго цвета в первой группе подпикселей также может дополнительно экранировать шестой углубленный участок, так что предотвращается неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки, тем самым избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея.
Кроме того, в случае, когда толщина шестого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно уменьшается от края шестого углубленного участка к центру шестого углубленного участка, даже если свет проникает через шестой углубленный участок, шестой углубленный участок может фокусировать свет на светофильтр второго цвета, упомянутый выше, так что можно эффективным образом предотвратить проникновение окружающего света через всю подложку дисплея.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, ортографическая проекция светофильтра 353 третьего цвета в первой группе 391 подпикселей на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией седьмого углубленного участка 1875D первой смежной группы 391 подпикселей во втором направлении на базовую подложку 110. Таким образом, даже если даже если характеристики экранирования света седьмого углубленного участка подвержены влиянию из-за его малой толщины, светофильтр третьего цвета в первой группе подпикселей может дополнительно экранировать седьмой углубленный участок, так что предотвращается неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки, тем самым избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея.
Кроме того, в случае, когда толщина седьмого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно уменьшается от края седьмого углубленного участка к центру седьмого углубленного участка, даже если свет проникает через седьмой углубленный участок, седьмой углубленный участок может фокусировать свет на светофильтр третьего цвета, упомянутый выше, так что можно эффективным образом предотвратить проникновение окружающего света через всю подложку дисплея.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, ортографическая проекция светофильтра 351 первого цвета во второй группе 392 подпикселей на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией девятого соседнего углубленного участка 1875F во втором направлении на базовую подложку 110. Таким образом, даже если даже если характеристики экранирования света девятого углубленного участка подвержены влиянию из-за его малой толщины, светофильтр первого цвета во второй группе подпикселей может дополнительно экранировать девятый углубленный участок, так что предотвращается неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки, тем самым избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея.
Кроме того, в случае, когда толщина девятого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно уменьшается от края девятого углубленного участка к центру девятого углубленного участка, даже если свет проникает через девятый углубленный участок, девятый углубленный участок может фокусировать свет на светофильтр первого цвета, упомянутый выше, так что можно эффективным образом предотвратить проникновение окружающего света через всю подложку дисплея.
Например, как показано на фиг. 11A, площадь перекрытия между ортографической проекцией светофильтра третьего цвета 351 на базовую подложку 110 и ортографической проекцией измерительного углубленного участка 1875K на базовую подложку 110, больше, чем площадь перекрытия между ортографической проекцией светофильтра 351 первого цвета на базовую подложку 110 и ортографической проекцией измерительного углубленного участка 1875K на базовую подложку 110, или площадь перекрытия между ортографической проекцией светофильтра 352 второго цвета на базовую подложку 110 и ортографической проекцией измерительного углубленного участка 1875K на базовую подложку 110.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, в группе 390 подпикселей ортографическая проекция светофильтра 351 первого цвета на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией соединительной линии 1865 питания на базовую подложку 110, так что значения емкости различных конденсаторов в схемах возбуждения пикселей можно регулировать для достижения лучших электрических характеристик. Ортографическая проекция светофильтра 352 второго цвета на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией соединительной линии 1865 питания на базовую подложку 110 и ортографической проекцией первой линии 161 затвора на базовую подложку 110, соответственно, так что значения емкости различных конденсаторов в схемах возбуждения пикселей можно также регулировать для достижения лучших электрических характеристик. Ортографическая проекция светофильтра 353 третьего цвета на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией соединительной линии 1865 питания на базовую подложку 110, так что значения емкости различных конденсаторов в схемах возбуждения пикселей можно также регулировать для достижения лучших электрических характеристик.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, в группе 390 подпикселей, ортографическая проекция светофильтра 351 первого цвета на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией измерительной соединительной линии 1875 на базовую подложку 110, ортографическая проекция светофильтра 352 второго цвета на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией измерительной соединительной линией 1875 на базовую подложку 110, соответственно, и ортографическая проекция светофильтра 353 третьего цвета на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией измерительной соединительной линии 1875 на базовую подложку 110. Таким образом, подложка дисплея может регулировать значения емкости различных конденсаторов в схемах возбуждения пикселей, регулируя соотношение перекрытия между цветным светофильтром и измерительной соединительной линией, и затем достигаются лучшие электрические характеристики. В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, линия 185 данных включает в себя первую линию 185A данных, вторую линию 185B данных, третью линию 185C данных и четвертую линию 185D данных; в группе 390 подпикселей, первая строка 185A данных и вторая строка 185B данных расположены между подпикселем 300A первого цвета и подпикселем 300B второго цвета, первая строка 185A данных расположена на стороне второй линии 185B данных, обращенной от подпикселя 300B второго цвета; первая линия 185A данных соединена со вторым электродом 1842 истока подпикселя 300A первого цвета, вторая линия 185B данных соединена со вторым электродом 1842 истока подпикселя 300B второго цвета, третья линия 185C данных и четвертая линия 185D данных расположены между подпикселем 300C третьего цвета и подпикселем 300D четвертого цвета, третья линия 185 данных расположена на стороне четвертой строки 185D данных, обращенной от подпикселя 300D четвертого цвета; третья линия 185C данных соединена со вторым электродом 1842 истока подпикселя 300C третьего цвета, и четвертая линия 185D данных соединена со вторым электродом 1842 истока подпикселя 300D четвертого цвета. Таким образом, подложка дисплея возбуждает один столбец подпикселей через одну линию данных.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, в группе 390 подпикселей, ортографическая проекция светофильтра 351 первого цвета на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией второй линии 185A данных на базовую подложку 110, ортографическая проекция светофильтра 352 второго цвета на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией третьей линии 185C данных на базовую подложку 110, и ортографическая проекция светофильтра 353 третьего цвета на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией четвертой линии 185D данных на базовую подложку 110.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, подложка 100 дисплея дополнительно включает в себя: четвертое сквозное отверстие 264, которое расположено в межслойном изолирующем слое 170, и второй электрод 1842 стока соединен с проводящим блоком 147 через четвертое сквозное отверстие 264. Проводящее светоэкранирующая структура 122 дополнительно включает в себя: второй изолирующий участок 1222, и ортографическая проекция второго изолирующего участка 1222 на базовую подложку 110 по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией четвертого сквозного отверстия 264 на базовую подложку 110. Вышеупомянутый второй изолирующий участок является частью проводящей светоэкранирующей структуры, и, по отношению к другим частям проводящей светоэкранирующей структуры, второй изолирующий участок изолирован от других частей. В подложке дисплея, в случае, когда часть второй области электрода стока отсутствует из-за того, что непосредственно сам полупроводниковый слой является тонким, и в случае, когда травитель вытравливается из области второго электрода стока до второго изолирующего участка, так как второй изолирующий участок изолирован от других частей проводящей светоэкранирующей структуры, даже если второй электрод стока соединен со вторым изолирующим участком через третье сквозное отверстие, это не приведет к электрическому соединению второго электрода стока с другими частями проводящей светоэкранирующей структуры. Таким образом, подложка дисплея позволяет снизить технологический риск и повысить световой выход подложки дисплея.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 10A, второй изолирующий участок 1222 включает в себя второй полый участок 1222A, и второй полый участок 1222A заполнен материалом буферного слоя 130. Таким образом, второй изолирующий участок 1222 может быть изолирована от других частей проводящей светоэкранирующей структуры 122 через второй полый участок 1222A. Следует отметить, что второй изолирующий участок 1222 по существу может быть вторым полым участком 1222A, то есть второй изолирующий участок 1222 может быть частью, где удалена проводящая светоэкранирующая структура 122.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 10B, второй полый участок 1222A может быть вторым полым кольцом, то есть второй полый участок может быть полым участком в форме кольца. Как внутренняя часть второго полого кольца 1222A, так и внешняя сторона второго полого кольца 1222A выполнены из материала проводящей светоэкранирующей структуры 122. Таким образом, второй изолирующий участок 1222 может быть изолирован от других частей проводящей светоэкранирующей структуры 122 за счет размещения второго полого кольца 1222A.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 10C, второй изолирующий участок 1222 представляет собой участок окисления. То есть часть проводящей светоэкранирующей структуры 122 может быть окислена посредством процесса окисления с образованием вышеупомянутого второго изолирующего участка 1222.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, формы ортографических проекций первого сквозного отверстия 261 и четвертого сквозного отверстия 264 на базовую подложку 110 являются анизотропными рисунками, и каждая из них имеет длинные стороны.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, в группе 390 подпикселей, каждая из длинной стороны или направления продолжения первого сквозного отверстия 261 подпикселя 300B второго цвета и длинной стороны первого сквозного отверстия 261 подпикселя 300C третьего цвета продолжается в первом направлении; и каждая из длинной стороны первого сквозного отверстия 261 подпикселя 300A первого цвета и длинной стороны первого сквозного отверстия 261 подпикселя 300D четвертого цвета продолжаются во втором направлении. В схемах возбуждения пикселей подпикселя 300B второго цвета и схемах возбуждения пикселей подпикселя 300C третьего цвета, так как сигналы питания проходят от первых электродов 1821 истока первых тонкопленочных транзисторов T1 к первым электродам 1841 стока, и направление от первых электродов 1821 истока к первым электродам 1841 стока является вторым направлением, за счет продолжения длинной стороны или направления продолжения первого сквозного отверстия 261 подпикселя 300B второго цвета и длинной стороны первого сквозного отверстия 261 подпикселя 300C третьего цвета в первом направлении, можно увеличить размер первого сквозного отверстия 261 подпикселя 300B второго цвета и размер первого сквозного отверстия 261 подпикселя 300C третьего цвета в первом направлении, и, таким образом, ток протекает через это отверстие, имеющее большую площадь поперечного сечения, так что можно уменьшить сопротивление контакта.
В некоторых примерах, как показано на фиг. 11A, в группе 390 подпикселей длинная сторона четвертого сквозного отверстия 264 подпикселя 300B второго цвета и длинная сторона четвертого сквозного отверстия 264 подпикселя 300C третьего цвета продолжаются во втором направлении, и длинная сторона четвертого сквозного отверстия 264 подпикселя 300A первого цвета и длинная сторона четвертого сквозного отверстия 264 подпикселя 300D четвертого цвета продолжаются в первом направлении.
На фиг. 12 показано плоское схематичное представление другой подложки дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг. 12, так как подпиксели разных цветов могут использовать тонкопленочные транзисторы с разными соотношениями сторон, позиции четвертых сквозных отверстий подпикселей разных цветов могут быть разными. Например, как показано на фиг. 12, в группе 390 подпикселей, центр четвертого сквозного отверстия 264 подпикселя 300A первого цвета, центр четвертого сквозного отверстия 264 подпикселя 300B второго цвета, центр четвертого сквозного отверстия отверстие 264 подпикселя 300C третьего цвета и центр четвертого сквозного отверстия 264 подпикселя 300D четвертого цвета смещены во втором направлении; центр четвертого сквозного отверстия 264 подпикселя 300A первого цвета и центр четвертого сквозного отверстия 264 подпикселя 300D четвертого цвета расположены на первой виртуальной прямой линии 401, и центр четвертого сквозного отверстия отверстие 264 подпикселя 300B второго цвета и центр четвертого сквозного отверстия 264 подпикселя 300C третьего цвета расположены на второй виртуальной прямой линии 402, параллельной первой виртуальной прямой линии. Таким образом, можно избежать регулярной яркой линии, образованной при отражении окружающего света, проходящего через четвертое отверстие в первом цветном подпикселе 300A, четвертое отверстие во втором цветном подпикселе 300B, четвертое отверстие в третьем цветном подпикселе 300C и четвертое сквозное отверстие подпикселя 300D четвертого цвета, так что качество отображения может быть повышено.
На фиг. 13 показано схематичное представление в разрезе первого электрода стока в подложке дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг. 13, проводящий слой 180 или первый электрод 1841 стока включает в себя первый субметаллический слой 1841A и второй субметаллический слой 1841B, которые послойно расположены в направлении, перпендикулярном базовой подложке 110; материалом первого субметаллического слоя 1841A является медь, и материалом второго субметаллического слоя 1841B является молибден-титановый сплав.
Вариант осуществления настоящего раскрытия дополнительно предоставляет устройство отображения. На фиг. 14 показано схематичное представление устройства отображения, предоставленного посредством варианта осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг. 14, устройство 500 отображения включает в себя вышеупомянутую подложку 100 дисплея. Таким образом, устройство отображения обеспечивает полезные технические эффекты, соответствующие техническим эффектам подложки дисплея, включенной в устройство отображения. Например, в устройстве отображения проводящая структура соединена с первым углубленным участком через первое контактное отверстие. Так как первый углубленный участок углублен в проводящую светоэкранирующую структуру, площадь поверхности первого углубленного участка, расположенной рядом с проводящим слоем, больше, чем площадь ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку. Таким образом, площадь контакта между проводящей структурой, например, первым электродом стока, и проводящей светоэкранирующей структурой увеличивается, и контакт становится более надежным, так что сопротивление контакта уменьшается, эффект электрического соединения между проводящей структурой и проводящей светоэкранирующей структурой повышается, и эффективность зарядки и разрядки конденсатора, образованного проводящей структурой, может быть эффективным образом повышена.
Например, устройство отображения представляет собой телевизор, планшетный компьютер, портативный компьютер, электронную фоторамку, навигатор, смартфон и другие электронные изделия.
Вариант осуществления настоящего раскрытия дополнительно предоставляет способ изготовления подложки дисплея. На фиг. 15 показана блок-схема последовательности операций способа изготовления подложки дисплея, предоставленной посредством варианта осуществления настоящего раскрытия. Как показано на фиг. 15, способ изготовления подложки дисплея включает в себя следующие этапы S101-S107.
Этап S101: формирование слоя проводящего светоэкранирующего материала на базовой подложке.
Например, базовая подложка представляет собой прозрачную подложку из неорганических материалов, таких как стеклянная подложка. Кроме того, базовая подложка также может быть прозрачной подложкой из органических материалов, таких как полиимид, поликарбонат и полиэтилентерефталат.
Например, базовая подложка представляет собой гибкую подложку, такую как полиимидная подложка. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, и базовая подложка также может быть жесткой подложкой.
Например, материалом слоя проводящего светоэкранирующего материала является по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из молибдена и титана. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, и материалом слоя проводящего светоэкранирующего материала могут быть также другие материалы.
Например, процесс формирования пленки, такой как процесс напыления или процесс осаждения из паровой фазы, может использоваться для формирования слоя проводящего светоэкранирующего материала на базовой подложке.
Этап S102: формирование рисунка на слое проводящего светоэкранирующего материала для формирования проводящей светоэкранирующей структуры.
Например, процесс формирования рисунка на слое проводящего светоэкранирующего материала включает в себя процессы экспонирования, проявления и травления.
Например, фоторезист может быть сначала нанесен на слой проводящего светоэкранирующего материала, затем рисунок фоторезиста формируется на слое проводящего светоэкранирующего материала посредством процессов экспонирования и светоэкранирующего материала, и, наконец, рисунок фоторезиста удаляется и формируется проводящая светоэкранирующая структура.
Этап S103: формирование буферного слоя на стороне проводящей светоэкранирующей структуры, обращенной от базовой подложки.
Например, материал буферного слоя может быть по меньшей мере материалом, выбранным из группы, состоящей из нитрида кремния, оксида кремния и оксинитрида кремния.
Например, толщина буферного слоя составляет от 380 до 420 нанометров. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, и толщину буферного слоя можно подбирать в соответствии с фактическими требованиями.
Этап S104: формирование полупроводникового слоя на стороне буферного слоя, обращенной от проводящей светоэкранирующей структуры.
Например, материал полупроводникового слоя представляет собой оксидный полупроводник, такой как оксид индия, галлия, цинка (IGZO).
Например, процесс осаждения из паровой фазы используется для формирования полупроводникового слоя на стороне буферного слоя, обращенной от проводящей светоэкранирующей структуры. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, другие подходящие процессы могут быть также использованы для формирования полупроводникового слоя.
Например, толщина полупроводникового слоя составляет от 35 нанометров до 45 нанометров, например, 40 нанометров. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, и толщину полупроводникового слоя можно подбирать в соответствии с фактическими требованиями.
Этап S105: формирование межслойного изолирующего слоя на стороне полупроводникового слоя, обращенной от буферного слоя.
Например, материал межслойного изолирующего слоя может быть по меньшей мере материалом, выбранным из группы, состоящей из нитрида кремния, оксида кремния и оксинитрида кремния. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, и материалом межслойного изолирующего слоя могут быть также другие материалы. Следует отметить, что материал межслойного изолирующего слоя и материал буферного слоя могут быть одинаковыми или разными, даже если материалы межслойного изолирующего слоя и буферного слоя одинаковы, межслойный изолирующий слой и буферный слой могут быть выполнены при разных температурах процесса, так что плотности сформированных пленок также являются разными, поэтому угол наклона межслойного изолирующего слоя отличается от угла наклона буферного слоя, который подвергается травлению.
Например, толщина межслойного изолирующего слоя составляет от 350 нанометров до 600 нанометров, например, 400 нанометров. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, и толщину межслойного изолирующего слоя можно подбирать в соответствии с фактическими требованиями.
Этап S106: формирование первого контактного отверстия в межслойном изолирующем слое и буферном слое.
Например, процесс травления (такой как процесс влажного травления) используется для формирования первого контактного отверстия в межслойном изолирующем слое и буферном слое.
Этап S107: формирование проводящего слоя на стороне межслойного изолирующего слоя, обращенной от полупроводникового слоя, в котором проводящий слой включает в себя проводящую структуру, такую как первый электрод стока, проводящая светоэкранирующая структура включает в себя первый участок основного тела и первый углубленный участок, средняя толщина первого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем средняя толщина первого участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, первое контактное отверстие проникает через межслойный изолирующий слой и буферный слой, проводящая структура соединяется с первым углубленным участком через первое контактное отверстие, площадь поверхности первого углубленного участка, расположенной рядом с проводящим слоем, больше, чем площадь ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку.
В способе изготовления подложки дисплея, предоставленном посредством варианта осуществления настоящего раскрытия, проводящая светоэкранирующая структура включает в себя первый участок основного тела и первый углубленный участок, и первый электрод стока соединен с первым углубленным участком через первое контактное отверстие. Так как первый углубленный участок углублен в проводящую светоэкранирующую структуру, площадь поверхности первого углубленного участка, расположенной рядом с первым электродом стока, больше, чем площадь ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку. Таким образом, подложка дисплея, выполненная способом изготовления подложки дисплея, позволяет увеличить площадь контакта между первым электродом стока и проводящей светоэкранирующей структурой, и контакт становится более надежным, тем самым уменьшается сопротивление контакта, повышается эффект электрического соединения между первым электродом стока и проводящей светоэкранирующей структурой, и может быть значительно повышена эффективность заряда и разряда конденсатора, образованного проводящей структурой.
Например, материал проводящего слоя представляет собой по меньшей мере один материал, выбранный из группы, состоящей из меди, молибдена и титана. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим, и проводящий слой также может быть выполнен из других материалов.
В некоторых примерах толщина проводящей светоэкранирующей структуры в направлении, перпендикулярном базовой подложке, составляет от 90 нанометров до 120 нанометров, и толщина проводящего слоя в направлении, перпендикулярном базовой подложке, составляет от 200 нанометров до 600 нанометров.
В некоторых примерах в способе изготовления подложки дисплея, формирование первого контактного отверстия в межслойном изолирующем слое и буферном слое включает в себя: формирование первого буферного участка и второго буферного участка в буферном слое, при этом сторона первого буферного участка, обращенная от базовой подложки, находится в контакте с проводящим слоем, и сторона первого буферного участка, расположенная рядом с базовой подложкой, находится в контакте с проводящей светоэкранирующей структурой, сторона второго буферного участка, обращенная от базовой подложки, находится в контакте с межслойным изолирующим слоем, и сторона второго буферного участка, расположенная рядом с базовой подложкой, находится в контакте с проводящей светоэкранирующей структурой. Таким образом, в случае, когда вышеупомянутая проводящая структура размещается в первом контактном отверстии, первый буферный участок может играть роль поддержки участка проводящей структуры, и предотвращается отключение проводящей структуры из-за слишком большого наклона или слишком большого угла наклон. Таким образом, подложка дисплея имеет более высокий световой выход.
В некоторых примерах первое контактное отверстие включает в себя боковые стенки, причем боковые стенки по меньшей мере включают в себя: первую вспомогательную боковую стенку, расположенную в межслойном изолирующем слое; и вторую вспомогательную боковую стенку, расположенную в буферном слое, в котором прилежащий угол между первой вспомогательной боковой стенкой и базовой подложкой образует первый угол наклона, прилежащий угол между второй боковой стенкой и базовой подложкой образует второй угол наклона, первый угол наклона меньше второго угла наклона; контактный участок между второй вспомогательной боковой стенкой и первым буферным участком расположен между первым буферным участком и вторым буферным участком.
В некоторых примерах боковые стенки первого контактного отверстия дополнительно включают в себя: третью вспомогательную боковую стенку, расположенную на первом буферном участке, прилежащий угол между третьей вспомогательной боковой стенкой и базовой подложкой образует третий угол наклона, и первый угол наклона, второй угол наклона и третий угол наклона отличаются друг от друга. Подробным описанием боковых стенок первого контактного отверстия, которое здесь не приводятся, может служить соответствующее описание фиг. 6A и фиг. 6B.
В некоторых примерах способ изготовления подложки дисплея дополнительно включает в себя: формирование выравнивающего слоя на стороне проводящего слоя, например, металлического слоя истока и стока, обращенной от межслойного изолирующего слоя, в котором выравнивающий слой включает в себя анодное отверстие; и формирование анодного слоя на стороне выравнивающего слоя, обращенной от проводящего слоя, для формирования множества подпикселей на базовой подложке, в которой каждый из множества подпикселей включает в себя анод, причем анод включает в себя светоизлучающий участок, участок возбуждения и расширительный участок, соединяющий светоизлучающий участок и участок возбуждения, и участок возбуждения по меньшей мере частично расположен в анодном отверстии; по меньшей мере в одном из подпикселей ортографическая проекция первого контактного отверстия на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией участка возбуждения на базовую подложку, подложка дисплея дополнительно включает в себя: линию питания, расположенную в проводящем слое; и измерительную линию, расположенную в проводящем слое; линия питания и линия измерения расположены в первом направлении, линия питания и линия измерения продолжаются во втором направлении, которое пересекает первое направление; Множество подпикселей включает в себя первую пару подпикселей и вторую пару подпикселей, первая пара подпикселей включает в себя два подпикселя, которые, соответственно, расположены с двух сторон линии питания, второй подпиксель пара включает в себя два подпикселя, которые, соответственно, расположены с двух сторон измерительной линии; первая пара подпикселей и вторая пара подпикселей расположены поочередно в первом направлении, в двух подпикселях во второй паре подпикселей первая область перекрытия выполнена между ортографической проекцией анодного отверстия на базовую подложку и ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку, и площадь первой области меньше, чем площадь ортографической проекции первого контактного отверстия на базовую подложку. Таким образом, в двух подпикселях во второй паре подпикселей первая область перекрытия выполнена между анодным отверстием и первым углубленным участком. Таким образом, в случае, когда характеристики экранирования света первого углубленного участка ухудшаются из-за его утонения, анод в позиции анодного отверстия имеет изогнутую поверхность раздела с тем, чтобы свет мог фокусироваться, тем самым предотвращая неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки и избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея.
В некоторых примерах анод дополнительно включает в себя вогнутую структуру в краевом положении анодного отверстия, причем направление вогнутости вогнутой структуры обращено к проводящей светоэкранирующей структуре. Таким образом, в случае, когда эффективность экранирования света первого углубленного участка снижается из-за ее утонения, так как вогнутая структура имеет по меньшей мере две наклонные поверхности, вогнутая структура может отражать свет, проходящий через первый углубленный участок. Кроме того, так как вогнутая структура по существу является микроструктурой, вогнутая структура также может рассеивать свет, проходящий через первый углубленный участок, так что предотвращается неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки, тем самым избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея. Следует отметить, что вышеупомянутое положение края анодного отверстия относится к границе между анодным отверстием и поверхностью выравнивающего слоя, обращенной от полупроводникового слоя.
В некоторых примерах проводящий слой дополнительно включает в себя первый электрод истока и первый электрод стока, и проводящая структура является первым электродом стока.
В некоторых примерах проводящий слой дополнительно включает в себя первый электрод истока, полупроводниковый слой включает в себя первый активный слой, причем первый активный слой включает в себя первую канальную область, первую область электрода истока и первую область электрода стока, которые расположены с двух сторон первой канальной области, способ изготовления подложки дисплея дополнительно включает в себя: формирование первого контактного отверстия в межслойном изолирующем слое и буферном слое, и в то же время формирование первого сквозного отверстия и второго сквозного отверстия в межслойном изолирующем слое, первый электрод истока соединен с первой областью электрода истока через первое сквозное отверстие, и первый электрод стока соединен с первой областью электрода стока через второе сквозное отверстие.
В некоторых примерах один и тот же процесс травления используется для одновременного формирования межслойного изолирующего слоя и буферного слоя, что сформировать первое сквозное отверстие и первое контактное отверстие. В этом случае, даже если размер дна первого контактного отверстия является маленьким, так как площадь поверхности первого углубленного участка, расположенной рядом с первым стоком, больше, чем площадь ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку, подложка дисплея, выполненная способом изготовления подложки дисплея, позволяет увеличить площадь контакта между первым электродом стока и проводящей светоэкранирующей структурой, и контакт становится более надежным, тем самым уменьшается сопротивление контакта, и повышается эффект электрического соединения между первым электродом стока и проводящей светоэкранирующей структурой.
В некоторых примерах процесс полутонового маскирования также используется для формирования рисунка межслойного изолирующего слоя и буферного слоя, чтобы сформировать первое сквозное отверстие и первое контактное отверстие.
Например, использование процесса полутоновой маски для формирования рисунка межслойного изолирующего слоя и буферного слоя, чтобы сформировать первое сквозное отверстие и первое контактное отверстие включает в себя: формирование первого фоторезиста на стороне межслойного изолирующего слоя, обращенной от базовой подложки; экспонирование и проявление первого фоторезиста с использованием первой полутоновой маски для формирования первого рисунка фоторезиста, включающего в себя второй участок с полностью удаленным фоторезистом, первый участок с частично удаленным фоторезистом и первый участок с оставшимся фоторезистом; травление межслойного изолирующего слоя с использованием первого рисунка фоторезиста в качестве маски для удаления межслойного изолирующего слоя, соответствующего первому участку с полностью удаленным фоторезистом; озоление первого рисунка фоторезиста, удаление первого участка с частично удаленным фоторезистом и утонение первого участка с оставшимся фоторезистом для формирования второго рисунка фоторезиста; и травление буферного слоя с использованием второго рисунка фоторезиста в качестве маски, в которой ортографическая проекция первого контактного отверстия на базовую подложку перекрывается ортографической проекцией первого участка с полностью удаленным фоторезистом на базовую подложку, и ортографическая проекция первого сквозного отверстия на базовую подложку перекрывается ортографической проекцией первого участка с частично удаленным фоторезистом на базовую подложку. Следует отметить, что вышеупомянутое «перекрытие» включает в себя случай полного перекрытия и случай приблизительного перекрытия (когда степень перекрытия превышает 80%).
В некоторых примерах проводящая светоэкранирующая структура дополнительно включает в себя первый изолирующий участок, ортографическая проекция первого изолирующего участка на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией первого сквозного отверстия на базовую подложку, и ортографическая проекция первого изолирующего участка на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией первой области электрода истока на базовую подложку. Вышеупомянутый первый изолирующий участок является частью проводящей светоэкранирующей структуры, и по отношению к другим частям проводящей светоэкранирующей структуры первый изолирующий участок изолирован от других частей. В случае, когда первая область электрода истока частично отсутствует из-за того, что непосредственно сам полупроводниковый слой является тонким, и в случае, когда травитель вытравливается из первой области электрода истока в первый изолирующий участок, так как первый изолирующий участок изолирован от других частей проводящей светоэкранирующей структуры, даже если первый электрод истока соединен с первым изолирующем участком через первое сквозное отверстие, первый электрод истока не будет приводить к электрическому соединению с другими частями проводящей светоэкранирующей структуры. Таким образом, подложка дисплея позволяет снизить технологический риск и повысить световой выход.
Например, как показано на фиг. 10A, первый изолирующий участок 1221 включает в себя первый полый участок 1221A, и первый полый участок 1221A заполнен материалом буферного слоя 130. Таким образом, первый изолирующий участок 1221 может быть изолирован от других частей проводящей светоэкранирующей структуры 122 через первый полый участок 1221A. Следует отметить, что первый изолирующий участок 1221 по существу может быть первым полым участком 1221A, то есть первый изолирующий участок 1221 может быть частью, в которой удалена проводящая светоэкранирующая структура 122.
Например, как показано на фиг. 10B, первый полый участок 1221A представляет собой первое полое кольцо, то есть первый полый участок может быть полым участком в форме кольца. Как внутренняя часть первого полого кольца 1221A, так и внешняя сторона первого полого кольца 1221A выполнены из материала проводящей светоэкранирующей структуры 122. Таким образом, первый изолирующий участок 1221 может быть изолирован от других частей проводящей светоэкранирующей структуры 122 путем размещения первого полого кольца 1221A.
Например, как показано на фиг. 10C первый изолирующий участок 1221 представляет собой участок окисления. То есть часть проводящей светоэкранирующей структуры 122 может быть окислена в процессе окисления с образованием вышеупомянутого первого изолирующего участка 1221.
В некоторых примерах в случае, когда первый изолирующий участок является первым изолирующим участком 1221, показанным на фиг. 10A и 10B, формирование рисунка на слое проводящего светоэкранирующего материала для формирования проводящей светоэкранирующей структуры включает в себя: формирование рисунка на слое проводящего светоэкранирующего материала посредством одного и того же процесса формирования рисунка для формирования первого участка основного тела, первого углубленного участка и первого полого участка. То есть первый углубленный участок и первый полый участок формируются в одном и том же процессе формирования рисунка, так что может быть сокращен процесс маскирования, и может быть снижена стоимость.
В некоторых примерах формирование рисунка на слое проводящего светоэкранирующего материала для формирования проводящей светоэкранирующей структуры включает в себя: формирование фоторезиста на стороне проводящей светоэкранирующей структуры, обращенной от базовой подложки; экспонирование и проявление фоторезиста с использованием второй полутоновой маски для формирования третьего рисунка фоторезиста, включающего в себя второй участок с полностью удаленным фоторезистом, второй участок с частично удаленным фоторезистом и второй участок с оставшимся фоторезистом; травление слоя проводящего светоэкранирующего материала с использованием третьего рисунка фоторезиста в качестве маски для удаления слоя проводящего светоэкранирующего материала, соответствующего второму участку с полностью удаленным фоторезистом; озоление третьего рисунка фоторезиста, удаление второго участка с частично удаленным фоторезистом и утонение второго участка с оставшимся фоторезистом для формирования четвертого рисунка фоторезиста; и травление слоя проводящего светоэкранирующего материала с использованием четвертого рисунка фоторезиста в качестве маски, в которой ортографическая проекция первого участка основного тела на базовую подложку перекрывается ортографической проекцией второго участка с оставшимся фоторезистом на базовую подложку, и ортографическая проекция первого углубленного участка на базовую подложку перекрывается ортографической проекцией второго участка с частично удаленным фоторезистом на базовую подложку. Таким образом, в способе изготовления можно реализовать формирование первого углубленного участка и первого полого участка в одном и том же процессе маскирования с использованием полутоновой маски, так что может быть сокращен процесс маскирования, и может быть снижена стоимость. Следует отметить, что вышеупомянутое «перекрытие» включает в себя полное перекрытие и примерно перекрытие (когда степень перекрытия превышает 80%).
В некоторых примерах первый углубленный участок включает в себя первый краевой участок в направлении от края первого углубленного участка к центру первого углубленного участка, толщина по меньшей мере части первого углубленного участка, расположенной, например, рядом с первым краевым участком, в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается. Так как средняя толщина первого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, меньше, чем средняя толщина первого участка основного тела в направлении, перпендикулярном базовой подложке, это может повлиять на характеристики экранирования света первого углубленного участка. Так как толщина первого углубленного участка в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно и постепенно уменьшается, даже если свет будет проникать в первый углубленный участок, первый углубленный участок также может выполнять функцию сбора света, так что предотвращается неконтролируемое отражение части окружающего света внутри подложки, тем самым избегая влияния окружающего света на нормальное отображение подложки дисплея.
В некоторых примерах, в направлении, перпендикулярном базовой подложке, непрерывно изменяется по меньшей мере часть первого углубленного участка, расположенная рядом с краем, то есть угол наклона первого краевого участка, расположенного рядом с проводящим слоем. Таким образом, даже если свет будет проникать в первый углубленный участок, первый углубленный участок также может выполнять функцию сбора света, поэтому свет не может проникать через всю подложку дисплея, которую будет наблюдать пользователь.
В некоторых примерах поверхность первого углубленного участка, расположенная рядом с первым электродом стока представляет собой непрерывную дугообразную поверхность или комбинированную поверхность, состоящую по меньшей мере из одного сегмента непрерывной дугообразной поверхности и по меньшей мере одного сегмента плоскости. Комбинированная поверхность, состоящая по меньшей мере из одного сегмента непрерывной дугообразной поверхности и по меньшей мере одного сегмента плоскости, может выполнять функцию сбора света, таким образом, даже если свет будет проникать в первый углубленный участок, первый углубленный участок позволяет предотвратить попадание света на всю подложку дисплея, которая будет видна пользователю.
В некоторых примерах ортографическая проекция первого контактного отверстия на базовую подложку по меньшей мере частично перекрывается ортографической проекцией первого углубленного участка на базовую подложку. Таким образом, первый электрод стока в проводящем слое может быть соединен с первым углубленным участком через первое контактное отверстие.
В некоторых примерах четвертый угол α наклона поверхности первого краевого участка, расположенной рядом с проводящим слоем, удовлетворяет следующей формуле:
0 < α < k*H/Lmax
где Lmax – максимальная апертура ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку, H – средняя толщина первого участка основного тела, и k – постоянная больше 1 и меньше или равна 2.
В некоторых примерах k равно 2, диапазон четвертого угла наклона составляет от 1 до π/18.
Например, диапазон размеров ортографической проекции первого углубленного участка на базовую подложку в направлении, параллельном базовой подложке, составляет от 5 микрон до 10 микрон.
В некоторых примерах формирование первое контактное отверстие в межслойном изолирующем слое, и буферный слой включает в себя: формирование первого буферного участка и второго буферного участка в буферном слое, в котором первый буферный участок находится в первом контактном отверстии, и находится в контакте с проводящей светоэкранирующей структурой, и второй буферный участок расположен на стороне первого буферного участка, обращенной от центра первого углубленного участка.
В некоторых примерах формирование проводящего слоя на стороне межслойного изолирующего слоя, обращенной от полупроводникового слоя, может включать в себя: формирование слоя металлического материала истока и стока на стороне межслойного изолирующего слоя, обращенной от полупроводникового слоя, например, формирование слоя металлического материала истока и стока на стороне межслойного изолирующего слоя, обращенной от полупроводникового слоя с использованием процесса осаждения; и затем травление слоя металлического материала истока и стока с использованием маски для формирования проводящего слоя, включая упомянутый выше первый электрод стока.
В некоторых примерах способ изготовления подложки дисплея дополнительно включает в себя: формирование пассивирующего слоя на стороне проводящего слоя, обращенной от базовой подложки; формирование слоя цветных светофильтров на стороне пассивирующего слоя, обращенной от проводящего слоя; формирование выравнивающего слоя на стороне слоя цветных светофильтров, обращенной от пассивирующего слоя; и формирование анодного слоя на стороне выравнивающего слоя, обращенной от слоя цветных светофильтров.
Например, материалом выравнивающего слоя является органический материал, такой как органическая смола. Конечно, варианты осуществления настоящего раскрытия включают в себя это, но не ограничиваются этим.
Например, каждый из подпикселей дополнительно включает в себя анод, расположенный на анодном слое. Подложки дисплея дополнительно включает в себя третье сквозное отверстие, расположенное в пассивирующем слое, и анод соединен с первым электродом стока через третье сквозное отверстие. Таким образом, подложка дисплея может подводить ток возбуждения к аноду через первый тонкопленочный транзистор, для возбуждения светоизлучающего слоя, соответствующего аноду, в светоизлучающем дисплее.
В некоторых примерах способ изготовления подложки дисплея дополнительно включает в себя: формирование слоя определения границ пикселей на стороне анодного слоя, обращенной от слоя цветных светофильтров. Слой определения границ пикселей может включать в себя множество отверстий, причем множество отверстий размещены во взаимно однозначном соответствии с анодами из множества подпикселей, и каждое из отверстий частично открывает соответствующий анод.
В некоторых примерах способ изготовления подложки дисплея дополнительно включает в себя: формирование светоизлучающего слоя на стороне слоя определения границ пикселей, обращенной от анодного слоя. Светоизлучающий слой находится в контакте с открытыми частями анодов из множества подпикселей через множество отверстий, упомянутых выше.
В некоторых примерах способ изготовления подложки дисплея дополнительно включает в себя: формирование катода на стороне светоизлучающего слоя, обращенной от анода. Таким образом, анод, светоизлучающий слой и катод может представлять собой светоизлучающий блок.
Следует пояснить следующие моменты:
(1) чертежи вариантов осуществления настоящего раскрытия относятся только к структурам, относящимся к вариантам осуществления настоящего раскрытия, и другие структуры могут относиться к общему дизайну,
(2) варианты осуществления настоящего раскрытия и признаки в вариантах осуществления могут быть объединены друг с другом без конфликтов для получения новых вариантов осуществления.
Вышеизложенное относится только к иллюстративным вариантам осуществления настоящего раскрытия и не ограничивает объем защиты настоящей заявки. Таким образом, объем защиты настоящей заявки должен ограничиваться только прилагаемой формулой изобретения.