УСТРОЙСТВА И СПОСОБЫ ОБНАРУЖЕНИЯ УХУДШЕНИЯ СОСТОЯНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ ВСЛЕДСТВИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ НА НИХ РАДИАЦИИ

1.Способ, включающий:
определение тока полупроводникового устройства в аналоговой схеме;
определение количества радиации, воздействующее на полупроводниковое устройство, на основе тока;
сравнение количества радиации с пороговым значением дозы радиации; и
индикацию ухудшения состояния полупроводникового устройства на основе сравнения.
2. Способ по п. 1, дополнительно включающий направление предупреждения на рабочую станцию оператора, указывающего на ухудшение состояния.
3. Способ по любому из предшествующих пунктов, дополнительно включающий направление на основе сравнения предупреждения о возможном ухудшении состояния на рабочую станцию оператора.
4. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что определение количества радиации включает использование соответствующей полупроводниковому устройству кривой ухудшения состояния вследствие воздействия радиации.
5. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что кривая ухудшения состояния вследствие воздействия радиации определяет пороговое значение дозы радиации.
6. Способ по любому из предшествующих пунктов, отличающийся тем, что пороговое значение дозы радиации соответствует количеству радиации, при котором происходит ухудшение состояния аналоговой схемы.
7. Устройство, содержащее:
полупроводниковое устройство с известным ухудшением состояния вследствие воздействия радиации; и
устройство управления процессом для:
мониторинга тока питания полупроводникового устройства;
корреляции тока питания с общим количеством радиационного воздействия;
сравнения количества радиационного воздействия с пороговым значением дозы радиации, определенным на основе известного ухудшения состояния; и
направления предупреждения на рабочую станцию оператора на основе сравнения.
8. Устройство по п. 7, дополнительно содержащее аналоговую схему, содержащую полупроводниковое устройство, имеющее порог ухудшения состояния, равный пороговому значению дозы радиации полупроводникового устройства.
9. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что известное ухудшение состояния полупроводникового устройства соответствует кривой ухудшения состояния, причем пороговое значение дозы радиации определяется по кривой ухудшения состояния.
10. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что известное ухудшение состояния коррелирует с уменьшением тока питания полупроводникового устройства при увеличении общего количества радиационного воздействия.
11. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что устройство управления процессом выполнено с возможностью обнаружения ухудшения состояния полупроводникового устройства на основе сравнения.
12. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что устройство управления процессом дополнительно выполнено с возможностью определения того, что количество радиационного воздействия приближается к пороговому значению дозы радиации, и направления предупреждения на рабочую станцию оператора.
13. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что полупроводниковое устройство встроено в устройство управления процессом.
14. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что устройство управления процессом выполнено с возможностью дистанционного мониторинга тока полупроводникового устройства.
15. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что полупроводниковое устройство представляет собой радиационно-устойчивый маломощный двухканальный операционный усилитель.
16. Устройство по любому из предшествующих пунктов, дополнительно содержащее дополнительное полупроводниковое устройство с известным ухудшением состояния в результате воздействия радиации.
17. Устройство, содержащее:
аналоговую схему, имеющую первую интегральную схему;
контрольную схему, имеющую вторую интегральную схему, идентичную первой, и обеспечивающую сигнал обратной связи, указывающий на ухудшение состояния контрольной схемы и аналоговой схемы вследствие воздействия радиации; и
устройство управления процессом для мониторинга сигнала обратной связи от контрольной схемы.
18. Устройство по п. 17, дополнительно содержащее рабочую станцию оператора для приема сигнала тревоги от устройства управления процессом, если сигнал обратной связи указывает на ухудшение состояния контрольной схемы и аналоговой схемы.
19. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что изменение сигнала обратной связи за пределами порогового значения указывает на ухудшение состояния вследствие воздействия радиации.
20. Устройство, содержащее:
средство для обнаружения воздействия радиации; и
средство для определения ухудшения состояния полупроводникового устройства вследствие воздействия радиации.
21. Устройство по п. 20, отличающееся тем, что средство для определения ухудшения состояния дополнительно содержит средство для мониторинга параметра, связанного со средством для обнаружения воздействия радиации.
22. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что средство для определения ухудшения состояния дополнительно содержит средство для сравнения параметра с известным ухудшением состояния для определения достижения порогового ухудшения состояния.
23. Устройство по любому из предшествующих пунктов, отличающееся тем, что средство для определения ухудшения состояния дополнительно содержит средство для направления сигнала тревоги на рабочую станцию оператора при достижении порога ухудшения состояния.