ДАТЧИК ИЗБЫТОЧНОГО ДАВЛЕНИЯ С ЗАЩИТОЙ ОТ ПЕРЕГРУЗКИ ДАВЛЕНИЕМ

Полупроводниковый датчик избыточного давления с защитой от перегрузки давлением, состоящий из корпуса, в котором находится измерительный блок, содержащий полупроводниковую кремниевую мембрану с активной областью, выполненной в виде центрального выступа, окруженного канавкой, с возможностью прогибания под действием приложенного давления, и неактивной областью, расположенной по периферии активной области, причем в областях расположения канавки активной области сформированы диффузные тензорезисторы, объединенные в тензорезистивный измерительный мост, полупроводниковая кремниевая мембрана расположена на стеклянной подложке и имеет отверстие для подвода давления, запорные винты, установленные параллельно и перпендикулярно поверхности мембраны, формирующие жесткий центр, отличающийся тем, что полупроводниковый датчик избыточного давления дополнительно содержит кремнеорганическую жидкость, медную прокладку, разделительную мембрану, металлостеклянный гермовывод и модуль обработки, при этом запорные винты прикреплены к полупроводниковой кремниевой мембране с одной стороны анодной посадкой, жесткий центр полупроводниковой кремниевой мембраны размещен с зазором по отношению к стеклянной подложке, зазор заполнен кремнеорганической жидкостью, полупроводниковая кремниевая мембрана с стеклянной подложкой прикреплена к металлостеклянному гермовыводу, выводы последнего подсоединены к модулю обработки, металлостеклянный гермовывод закреплен к корпусу посредством резьбового соединения и герметизирован медной прокладкой, а разделительная мембрана расположена между измерительным блоком и основанием корпуса.