КАРТА ПАМЯТИ И ОКОНЕЧНОЕ УСТРОЙСТВО
MEMORY CARD AND TERMINAL APPARATUS

Область техники, к которой относится изобретение
Настоящее изобретение относится к технологиям связи, в частности, к карте памяти и оконечному устройству.
Уровень техники
С развитием терминальных технологий оконечные устройства стали важным средством коммуникации в повседневной жизни и работе людей. В настоящее время карта модуля идентификации абонента (subscriber identity module, SIM) и защищенная цифровая карта памяти (secure digital memory, SD) расположены в оконечном устройстве. Кроме того, оконечное устройство может осуществлять связь с использованием SIM карты, и оконечное устройство может хранить данные на SD карте.
В предшествующем уровне техники двойные нано-SIM карты конфигурируются в оконечном устройстве. В частности, оконечное устройство предоставляет два держателя нано-SIM-карты, и две нано-SIM-карты могут быть отдельно вставлены в держатели нано-SIM-карты, так что оконечное устройство осуществляет связь с использованием двух нано-SIM карт.
Однако, когда пользователь использует оконечное устройство, пользователь обычно конфигурирует только одну нано-SIM-карту в оконечном устройстве и использует только одну нано-SIM карту. Поэтому никакая нано-SIM карта не вставляется в другой держатель карты в оконечном устройстве, что приводит к неэффективному использованию пространства оконечного устройства. Дополнительно, SD карта, предоставленная в предшествующем уровне техники, является Micro-SD картой, и формы и интерфейс существующей Micro-SD карты и нано-SIM карты полностью несовместимы. Поэтому держатель Micro-SD карты, совместимый с существующей Micro-SD картой, дополнительно расположен в оконечном устройстве. Поскольку конструкция оконечного устройства становится все более компактной, оптимизация пространства проектирования становится сложной задачей в отрасли.
Раскрытие сущности изобретения
В настоящем описании предлагается карта памяти и оконечное устройство для решения технической задачи оптимального использования пространства оконечного устройства из-за того, что один держатель нано нано-SIM карты в оконечном устройстве, обеспечивающем два держателя нано-SIM карты, не используется, и что существующая Micro-SD карта полностью несовместима с нано-SIM картой.
Согласно первому аспекту, настоящее изобретение обеспечивает карту памяти, включающую в себя: блок хранения, блок управления и интерфейс карты памяти, где блок хранения и блок управления расположены внутри корпуса карты памяти, интерфейс карты памяти расположен на корпусе карты памяти, блок управления электрически соединен с блоком хранения и интерфейсом карты памяти отдельно, форма карты памяти такая же, как у нано модуля идентификации абонента SIM карты, и размер карты памяти такой же, как у нано-SIM карты; при этом
интерфейс карты памяти включает в себя, по меньшей мере, первый металлический контакт карты памяти, второй металлический контакт карты памяти, третий металлический контакт карты памяти, четвертый металлический контакт карты памяти и пятый металлический контакт карта памяти, где первый металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать сигнал электропитания, второй металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные, третий металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать сигнал управления, четвертый металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать тактовый сигнал и пятый металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать сигнал заземления.
Со ссылкой на первый аспект, в первой реализации первого аспекта все первый металлический контакт карты памяти, второй металлический контакт карты памяти, третий металлический контакт карты памяти, четвертый металлический контакт карты памяти и пятый металлический контакт карты памяти расположены на одной боковой поверхности корпуса карты памяти.
Со ссылкой на первый аспект или первую реализацию первого аспекта, во второй реализации первого аспекта, первый металлический контакт нано-SIM карты, второй металлический контакт нано-SIM карты, третий металлический контакт нано-SIM карты, четвертый металлический контакт нано-SIM карты, пятый металлический контакт нано-SIM карты и шестой металлический контакт нано-SIM карты расположены на корпусе карты нано-SIM карты;
интерфейс карты памяти дополнительно включает в себя шестой металлический контакт карты памяти, седьмой металлический контакт карты памяти и восьмой металлический контакт карты памяти, где шестой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные, седьмой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные и восьмой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен четвертый металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен первый металлический контакт нано-SIM карты;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM-карты, в которой расположен второй металлический контакт нано-SIM-карты;
Седьмой металлический контакт карты памяти находится рядом и изолирован от первого металлического контакта карты памяти, область на корпусе карты памяти, в которой седьмой металлический контакт карты памяти и первый металлический контакт карты памяти расположены, соответствует области на корпусе карты нано-SIM-карты, в которой расположен третий металлический контакт нано-SIM-карты, и седьмой металлический контакт карты памяти находится рядом со вторым металлическим контактом карты памяти;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен шестой металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM-карты, в которой находится четвертый металлический контакт нано-SIM-карты;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен третий металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM-карты, в которой находится пятый металлический контакт нано-SIM-карты; и
восьмой металлический контакт карты памяти примыкает к пятому металлическому контакту карты памяти, область на корпусе карты памяти, в которой находится восьмой металлический контакт карты памяти и пятый металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен шестой металлический контакт нано-SIM-карты, и восьмой металлический контакт карты памяти находится рядом с третьим металлическим контактом карты памяти.
Со ссылкой на первый аспект или первую реализацию первого аспекта, в третьей реализации первого аспекта первый металлический контакт SIM карты нано SIM нано, второй металлический контакт SIM карты нано SIM нано, третий металлический контакт SIM карты нано SIM нано, четвертый металлический контакт SIM карты нано SIM нано, пятый металлический контакт SIM карты нано SIM нано и шестой металлический контакт SIM карты нано SIM нано расположены на корпусе карты SIM карты нано SIM нано;
интерфейс карты памяти дополнительно включает в себя шестой металлический контакт карты памяти, седьмой металлический контакт карты памяти и восьмой металлический контакт карты памяти, где шестой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные, седьмой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные и восьмой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные;
седьмой металлический контакт карты памяти расположен рядом и изолирован от четвертого металлического контакта карты памяти, область на корпусе карты памяти, в которой расположены седьмой металлический контакт карты памяти и четвертый металлический контакт карты памяти соответствует области на корпусе карты SIM карты нано SIM нано, в которой расположен первый металлический контакт SIM карты нано SIM нано;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты SIM карты нано SIM нано, в которой расположен второй металлический контакт SIM-карты нано SIM нано и четвертый металлический контакт карты памяти находится рядом со вторым металлическим контактом карты памяти;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты SIM карты нано SIM нано, в которой расположен третий металлический контакт SIM карты нано SIM нано;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен третий металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты SIM карты нано SIM нано, в которой расположен пятый металлический контакт SIM карты нано SIM нано, и шестой металлический контакт карты памяти находится рядом с третьим металлическим контактом карты памяти; и
область на корпусе карты памяти, в которой расположен пятый металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен шестой металлический контакт нано-SIM карты.
Со ссылкой на первый аспект или первую реализацию первого аспекта, в четвертой реализации первого аспекта, первый металлический контакт нано-SIM карты, второй металлический контакт нано-SIM карты, третий металл контакт нано-SIM карты, четвертый металлический контакт нано-SIM карты, пятый металлический контакт нано-SIM карты и шестой металлический контакт нано-SIM карты расположены на корпусе карты нано-SIM карты;
интерфейс карты памяти дополнительно включает в себя шестой металлический контакт карты памяти, седьмой металлический контакт карты памяти и восьмой металлический контакт карты памяти, где шестой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные, седьмой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные и восьмой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен четвертый металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится первый металлический контакт нано-SIM карты;
второй металлический контакт карты памяти расположен рядом и изолирован от седьмого металлического контакта карты памяти, область на корпусе карты памяти, в которой находятся второй металлический контакт карты памяти и седьмой металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен второй металлический контакт нано-SIM карты, и второй металлический контакт карты памяти находится рядом с четвертым металлическим контактом карты памяти;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен третий металлический контакт нано-SIM карты карта, и седьмой металлический контакт карты памяти находится рядом с первым металлическим контактом карты памяти;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен шестой металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится четвертый металлический контакт нано-SIM карты карта;
третий металлический контакт карты памяти расположен рядом с восьмым металлическим контактом карты памяти, область на корпусе карты памяти, в которой находятся третий металлический контакт карты памяти и восьмой металлический контакт карты памяти соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен пятый металлический контакт нано-SIM карты, и третий металлический контакт карты памяти расположен рядом с шестым металлический контакт карты памяти; и
область на корпусе карты памяти, в которой расположен пятый металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится шестой металлический контакт нано-SIM карты, и восьмой металлический контакт карты памяти находится рядом с пятым металлическим контактом карты памяти.
Со ссылкой на первый аспект или первую реализацию первого аспекта, в пятой реализации первого аспекта, первый металлический контакт нано-SIM карты, второй металлический контакт нано-SIM карты, третий металлический контакт нано-SIM карты, четвертый металлический контакт нано-SIM карты, пятый металлический контакт нано-SIM карты и шестой металлический контакт нано-SIM карты расположены на корпусе карты нано-SIM карты;
интерфейс карты памяти дополнительно включает в себя шестой металлический контакт карты памяти, седьмой металлический контакт карты памяти и восьмой металлический контакт карты памяти, где шестой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные, седьмой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные и восьмой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен четвертый металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен первый металлический контакт нано-SIM карты;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится второй металлический контакт нано-SIM карты;
седьмой металлический контакт карты памяти примыкает к первому металлическому контакту карты памяти, область на корпусе карты памяти, в которой находится седьмой металлический контакт карты памяти и первый металлический контакт карты памяти соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен третий металлический контакт нано-SIM карты, первый металлический контакт карты памяти находится рядом со вторым металлическим контактом контакт карты памяти, область первого металлического контакта карты памяти больше, чем у седьмого металлического контакта карты памяти;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен шестой металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится четвертый металлический контакт нано-SIM карты;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен третий металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится пятый металлический контакт нано-SIM карты; и
восьмой металлический контакт карты памяти примыкает к пятому металлическому контакту карты памяти, область на корпусе карты памяти, в которой находится восьмой металлический контакт карты памяти и пятый металлический контакт карты памяти соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен шестой металлический контакт нано-SIM карты, пятый металлический контакт карты памяти находится рядом с третьим металлическим контактом карты памяти, и область пятого металлического контакта карты памяти больше, чем у восьмого металлического контакта карты памяти.
Со ссылкой на первый аспект или первую реализацию первого аспекта, в шестой реализации первого аспекта первый металлический контакт нано-SIM карты, второй металлический контакт нано-SIM карты, третий металлический контакт нано-SIM карты, четвертый металлический контакт нано-SIM карты, пятый металлический контакт нано-SIM карты и шестой металлический контакт нано-SIM карты расположены на корпусе карты нано-SIM карты;
интерфейс карты памяти дополнительно включает в себя шестой металлический контакт карты памяти, седьмой металлический контакт карты памяти и восьмой металлический контакт карты памяти, где шестой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные, седьмой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные и восьмой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен четвертый металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится первый металлический контакт нано-SIM карты;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится второй металлический контакт нано-SIM карты;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится третий металлический контакт нано-SIM карты;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен шестой металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится четвертый металлический контакт нано-SIM карты;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен третий металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится пятый металлический контакт нано-SIM карты;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен пятый металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится шестой металлический контакт нано-SIM карты;
седьмой металлический контакт карты памяти расположен между четвертым металлическим контактом карты памяти и шестым металлическим контактом карты памяти, седьмой металлический контакт карты памяти изолирован от четвертого металлического контакта карты памяти и шестой металлический контакт карты памяти, и центральная точка седьмого металлического контакта карты памяти расположена на линии соединения между центральной точкой четвертого металлического контакта карты памяти и центральной точкой шестого металлического контакта карты памяти; и
восьмой металлический контакт карты памяти расположен между первым металлическим контактом карты памяти и пятым металлическим контактом карты памяти, восьмой металлический контакт карты памяти изолирован от первого металлического контакта карты памяти и пятый металлический контакт карты памяти, и центральная точка восьмого металлического контакта карты памяти расположена на линии соединения между центральной точкой первого металлического контакта карты памяти и центральной точкой пятого металлического контакта карты памяти.
Со ссылкой на первый аспект или первую реализацию первого аспекта, в седьмой реализации первого аспекта, первый металлический контакт нано-SIM карты, второй металлический контакт нано-SIM карты, третий металлический контакт нано-SIM карты, четвертый металлический контакт нано-SIM карты, пятый металлический контакт нано-SIM карты и шестой металлический контакт нано-SIM карты расположены на корпусе карты нано-SIM карты;
интерфейс карты памяти дополнительно включает в себя шестой металлический контакт карты памяти, седьмой металлический контакт карты памяти и восьмой металлический контакт карты памяти, где шестой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные, седьмой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные и восьмой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен шестой металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится первый металлический контакт нано-SIM карты;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен третий металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится второй металлический контакт нано-SIM карты;
седьмой металлический контакт карты памяти примыкает к первому металлическому контакту карты памяти, области на корпусе карты памяти, в которой находится седьмой металлический контакт карты памяти и первый металлический контакт карты памяти соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен третий металлический контакт нано-SIM карты и седьмой металлический контакт карты памяти расположен рядом с третьим металлический контакт карты памяти;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен четвертый металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится четвертый металлический контакт нано-SIM карты;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится пятый металлический контакт нано-SIM карты; и
восьмой металлический контакт карты памяти примыкает к пятому металлическому контакту карты памяти, область на корпусе карты памяти, в которой находится восьмой металлический контакт карты памяти и пятый металлический контакт карты памяти соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен шестой металлический контакт нано-SIM карты, и восьмой металлический контакт карты памяти расположен рядом со вторым металлический контакт карты памяти.
Со ссылкой на первый аспект или первую реализацию первого аспекта, в восьмой реализации первого аспекта первый металлический контакт нано-SIM карты, второй металлический контакт нано-SIM карты, третий металлический контакт нано-SIM карты, четвертый металлический контакт нано-SIM карты, пятый металлический контакт нано-SIM карты и шестой металлический контакт нано-SIM карты расположены на корпусе карты нано-SIM карты;
интерфейс карты памяти дополнительно включает в себя шестой металлический контакт карты памяти, седьмой металлический контакт карты памяти и восьмой металлический контакт карты памяти, где шестой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные, седьмой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные и восьмой металлический контакт карты памяти выполнен с возможностью передавать данные;
седьмой металлический контакт карты памяти расположен рядом и изолирован от четвертого металлического контакта карты памяти, область на корпусе карты памяти, в которой седьмой металлический контакт карты памяти и четвертый металлический контакт карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен первый металлический контакт нано-SIM карты;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен третий металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен второй металлический контакт нано-SIM карты, и тактовый сигнал карты памяти находится рядом с третьим металлическим контактом карты памяти;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен пятый металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится третий металлический контакт нано-SIM-карты;
восьмой металлический контакт карты памяти примыкает к шестому металлическому контакту карты памяти, области на корпусе карты памяти, в которой находится восьмой металлический контакт карты памяти и шестой металлический контакт карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен четвертый металлический контакт нано-SIM карты;
область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен пятый металлический контакт нано-SIM карты, и шестой металлический контакт карты памяти находится рядом со вторым металлическим контактом карты памяти; и
область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый металлический контакт карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится шестой металлический контакт нано-SIM карты.
Согласно второму аспекту, настоящее раскрытие обеспечивает оконечное устройство. Карта памяти в соответствии с любым из первого аспекта или реализаций первого аспекта расположена в оконечном устройстве.
В вышеизложенных аспектах обеспечивается карта памяти, включающая в себя блок хранения, блок управления и интерфейс карты памяти. Блок хранения и блок управления расположены внутри корпуса карты памяти. Интерфейс карты памяти расположен на корпусе карты памяти. Блок управления электрически соединен с блоком хранения и интерфейсом карты памяти отдельно. Поскольку форма карты памяти такая же, как и у нано-SIM карты модуля идентификации абонента, и размер карты памяти такой же, как у нано-SIM карты, обеспечивается нано-SD карта, так что карта памяти, обеспечиваемая в вариантах осуществления, может быть вставлена в держатель нано-SIM карты. Кроме того, карта памяти и нано-SIM карта могут совместно использовать один и тот же держатель нано-SIM карты.
Краткое описание чертежей
Фиг. 1 является схемой карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 2 является схемой нано-SIM карты в предшествующем уровне техники;
фиг. 3 является схемой 1 другой карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 3a является схемой 2 другой карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 3b является схемой 3 другой карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 3c является схемой 4 другой карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 4 является схемой 1 еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 4a является схемой 2 еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 5 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 6 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 7 является схемой дополнительной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 8 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 9 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 10 является схемой еще одной дополнительной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 11 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 12 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 13 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 14 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 15 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 16 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 17 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 18 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 19 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 20 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 21 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 22 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 23 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 24 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 25 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 26 является схемой оконечного устройства в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 27 является схемой 1 еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 28 является схемой 2 еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 29 является схемой 3 еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 30 является схемой 4 еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 31 является схемой 5 еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 32 является схемой 6 еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения;
фиг. 33 является схемой 7 еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения; и
фиг. 34 является схемой обнаружения для обнаружения вставки и извлечения карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения.
Осуществление изобретения
Варианты осуществления настоящего изобретения применяются к устройству связи. Нижеследующее объясняет и описывает некоторые термины в настоящем изобретении для облегчения понимания специалисту в данной области. Следует отметить, что, когда решения в вариантах осуществления настоящего изобретения применяются к текущему устройству связи или устройству связи, которое может появиться в будущем, название карты памяти и оконечного устройства могут измениться, но это не влияет на реализацию решения в вариантах осуществления настоящего изобретения.
Сначала поясняются технические термины, упомянутые в настоящем изобретении:
(1) Универсальная последовательная шина (universal serial bus, USB): универсальная последовательная шина представляет собой стандарт шины последовательного порта для соединения между компьютерной системой и внешним устройством, а также является технической спецификацией для интерфейсов ввода/вывода, и широко применяется для информационных коммуникационных продуктов, таких как персональный компьютер и мобильное устройство.
(2) Институт инженеров по электротехнике и электронике (institute of electrical and electronics engineers, IEEE) стандарт 1394: стандарт IEEE 1394 является серийным стандартом.
(3) Оконечное устройство: оконечное устройство может включать в себя различные портативные устройства с функцией связи, автомобильное устройство, носимое устройство, устройство «умный дом», вычислительное устройство или другое устройство обработки, подключенное к беспроводному модему, и оконечные устройства в различных формах, например, мобильная станция (mobile station, MS), оконечное устройство (terminal), устройство пользователя (user equipment, UE) и программное оконечное устройство, такое как счетчик воды, счетчик мощности и датчик.
Следует отметить, что для существительных или терминов, упомянутых в вариантах осуществления настоящего изобретения, могут быть сделаны ссылки друг на друга, и подробности не описываются снова.
Следует отметить, что в вариантах осуществления настоящего изобретения, когда карта памяти той же формы и размера, что и у нано-SIM карты, используется для реализации функции хранения, тип карты памяти не ограничивается SD-картой в приведенных выше примерах. В вариантах осуществления настоящего изобретения карта памяти может быть альтернативно картой памяти, основанной на протоколе интерфейса, таком как универсальная последовательная шина (universal serial bus, USB), экспресс-соединение периферийного компонента (peripheral component interconnect express, PCIE), универсальная флэш-память (universal flash storage, UFS), мультимедийная карта (multimedia card, MMC) или встроенная мультимедийная карта (embedded multimedia card, EMMC).
2
2
Далее описывается техническое решение в примере со ссылкой на прилагаемый чертеж в примере. В предшествующем уровне техники Micro-SD карта или нано-SIM карта могут быть сконфигурированы на текущем оконечном устройстве. Размер Micro-SD карты составляет 11 миллиметров (mm) × 15 миллиметров. Размер нано-SIM карты составляет 8,8 миллиметров × 12,3 миллиметров. Размер Micro-SD карты на 56 mmбольше, чем у нано-SIM карты. Следовательно, размер держателя Micro-SD карты больше, чем у держателя нано-SIM карты, на 130 mm. Очевидно, что Micro-SD карту нельзя вставить в держатель нано-SIM карты. Однако, когда оконечное устройство предоставляет два держателя нано-SIM карты, пользователь обычно конфигурирует только одну нано-SIM карту на оконечном устройстве и использует только одну нано-SIM карту. Поэтому никакая нано-SIM карта не вставляется в другой держатель нано-SIM карты на оконечном устройстве, тратя впустую пространство оконечного устройства. Дополнительно, поскольку Micro-SD карту нельзя вставить в держатель нано-SIM карты, оконечное устройство, сконфигурированное с двумя держателями нано-SIM карты, не может хранить данные.
Вывод в вариантах осуществления настоящего изобретения представляет собой металлический контакт. Чтобы быть конкретным, вывод может быть контактом с областью контакта и проводящей функцией. Вывод в вариантах осуществления настоящего изобретения может упоминаться как соединительная клемма. Конкретное название вывода конкретно не ограничено.
В вариантах осуществления настоящего изобретения то, что A и B «соответствуют», также может упоминаться как то, что существует отображение между A и B. Это указывает, что A и B соответствуют/отображаются на один и тот же подпружиненный контакт держателя нано-SIM карты. Например, область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод тактового сигнала нано-SIM карты. Здесь «соответствующий» может также упоминаться как то, что вывод тактового сигнала карты памяти отображается на вывод тактового сигнала нано-SIM-карты. В частности, вывод тактового сигнала карты памяти и вывод тактового сигнала нано-SIM-карты соответствуют/отображаются на один и тот же подпружиненный контакт держателя нано-SIM карты.
В вариантах осуществления настоящего изобретения «вывод электропитания» карты памяти является «первым металлическим контактом карты памяти», «вывод передачи данных» карты памяти является «вторым металлическим контактом карты памяти», «вывод сигнала управления» карты памяти представляет собой «третий металлический контакт карты памяти», «вывод тактового сигнала» карты памяти представляет собой «четвертый металлический контакт карты памяти» и «вывод заземления» карты памяти является «пятым металлическим контактом карты памяти», «первый вывод передачи данных» карты памяти является «вторым металлическим контактом», «второй вывод передачи данных» карты памяти является «шестым металлическим контактом», «третий вывод передачи данных» карты памяти является «седьмым металлическим контактом», «четвертый вывод передачи данных» карты памяти является «восьмым металлическим контактом».
В вариантах осуществления настоящего изобретения «вывод тактового сигнала» нано-SIM карты представляет собой «первый металлический контакт нано-SIM-карты», «вывод сигнала сброса» нано-SIM карты представляет собой «второй металлический контакт» нано-SIM карты, «вывод электропитания» нано-SIM карты представляет собой «третий металлический контакт нано-SIM-карты», «вывод передачи данных» нано-SIM-карты представляет собой «четвертый металлический контакт» нано-SIM карты, «вывод программирования входного сигнала/напряжения» нано-SIM карты представляет собой «пятый металлический контакт» нано-SIM карты, «вывод заземления» нано-SIM карты представляет собой «шестой металлический контакт» нано SIM карты.
Фиг. 1 является схемой карты памяти согласно варианту осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 1, карта памяти включает в себя: блок хранения, блок управления и интерфейс карты памяти. Блок хранения и блок управления расположены внутри корпуса карты памяти. Интерфейс карты памяти расположен на корпусе карты памяти. Блок управления электрически соединен с блоком хранения и интерфейсом карты памяти отдельно. Форма карты памяти такая же, как у нано-SIM карты, и размер карты памяти такой же, как у нано-SIM карты.
Интерфейс карты памяти включает в себя, по меньшей мере, вывод электропитания, вывод передачи данных, вывод сигнала управления, вывод тактового сигнала и вывод заземления.
В возможном варианте осуществления все вывод электропитания, вывод передачи данных, вывод сигнала управления, вывод тактового сигнала и вывод заземления расположены на одной боковой поверхности корпуса карты памяти.
В этом варианте осуществления, в частности, карта памяти включает в себя блок хранения, блок управления и интерфейс карты памяти. Дополнительно, карта памяти дополнительно включает в себя схему управления интерфейсом. Блок хранения, блок управления и схема управления интерфейсом расположены внутри корпуса карты памяти, и интерфейс карты памяти расположен на поверхности корпуса карты памяти.
Дополнительно, блок управления электрически соединен с блоком хранения и интерфейсом карты памяти отдельно. В частности, схема управления интерфейсом электрически соединена с интерфейсом карты памяти и блоком управления. Дополнительно, схема управления интерфейсом электрически соединяет интерфейс карты памяти и блок управления и электрически соединяет блок управления и блок хранения.
Интерфейс карты памяти включает в себя, по меньшей мере, один вывод электропитания, четыре вывода передачи данных, один вывод сигнала управления, один вывод тактового сигнала и один вывод заземляющего сигнала. Все вывод электропитания, вывод передачи данных, вывод сигнала управления, вывод тактового сигнала и вывод заземления расположены на одной поверхности корпуса карты памяти. Как показано на фиг. 1, каждый из вышеприведенных выводов обозначен 11 на фиг. 1. Возможно, вывод электропитания карты памяти, вывод передачи данных карты памяти, вывод сигнала управления карты памяти, вывод тактового сигнала карты памяти и вывод заземления карты памяти являются плоскими контактами, прикрепленными к поверхности корпуса карты памяти.
В возможном варианте осуществления, по меньшей мере, один провод расположен на корпусе карты памяти. По меньшей мере, один провод расположен между выводами в интерфейсе карты памяти. По меньшей мере, один провод предназначен для соединения блока хранения и блока управления. По меньшей мере, один провод дополнительно сконфигурирован для соединения блока управления и интерфейса карты памяти.
Расположение выводов интерфейса карты памяти на корпусе карты памяти не ограничено. Значения длины и высоты выводов интерфейса карты памяти не ограничены. Формы выводов (или контактов, или соединительных клемм), упомянутых в этом варианте осуществления, могут быть правильными прямоугольниками или могут быть неправильной формы. Форма выводов (или контактов, или соединительных клемм) не ограничена в этом варианте осуществления. Значения расстояния между краями выводов интерфейса карты памяти и боковыми краями карты памяти не ограничены. Конкретные значения высоты и длины карты памяти не ограничены.
Например, с угла зрения на фиг. 1, направление длины карты памяти слева направо, и направление ширины карты памяти снизу вверх. Длина карты памяти составляет 12,30 миллиметров с допуском 0,10 миллиметра. Ширина карты памяти составляет 8,80 миллиметра с допуском 0,10 миллиметра.
Форма карты памяти, предоставленной в этом варианте осуществления настоящего изобретения, является такой же, как и у нано-SIM карты. Например, форма нано-SIM карты представляет собой прямоугольник, четыре угла прямоугольника представляют собой круглые углы, и в одном из четырех углов прямоугольника предусмотрена установочная выемка. Кроме того, форма карты памяти, предусмотренная в этом варианте осуществления настоящего изобретения, также является прямоугольником, четыре угла прямоугольника являются круглыми углами, в одном из четырех углов прямоугольника предусмотрен скос и, кроме того, в углу предусмотрена установочная выемка 12. Дополнительно, размер карты памяти, предусмотренной в этом варианте осуществления настоящего изобретения, является таким же, как размер нано-SIM карты. В частности, длина карты памяти такая же, как у нано-SIM карты, ширина карты памяти такая же, как у нано-SIM карты, и размер установочной выемки на карте памяти является таким же, как у установочной выемке на нано-SIM карте. Следовательно, карта памяти, предусмотренная в этом варианте осуществления настоящего изобретения, может быть вставлена в держатель нано-SIM карты. Кроме того, карта памяти и нано-SIM карта могут совместно использовать один и тот же держатель нано-SIM карты.
Карта памяти, предусмотренная в этом варианте осуществления настоящего изобретения, может быть обрезана и может в основном адаптироваться к случаю для вырезания карты и случаю без вырезания карты. Например, с угла зрения на фиг. 1 направление X карты памяти сверху вниз и направление Y карты памяти слева направо. В таблице 1 показано согласование между нано-SIM картой и держателем нано-SIM карты оконечного устройства и согласование между картой памяти в этом варианте осуществления и держателем нано-SIM карты оконечного устройства.
Таблица 1. Анализ допустимого отклонения между картой памяти в настоящем изобретении и держателем нано-SIM карты оконечного устройства
Описание допуска на размер шлейфа в X направлении
Допуск (миллиметр)
Описание допуска на размер шлейфа в Y направлении
Допуск (миллиметр)
Точность держателя карты технологии поверхностного монтажа (surface mount technology, SMT)
0.05
SMT точность держателя нано-SD карты
0.05
Точность позиционирования печатной платы (printed circuit board, PCB)
0.1
PCB точность позиционирования
0.1
Смещение местоположения карты относительно держателя карты
0.1
Допуск ширины корпуса средней рамки
0.1
Точность расположения подпружиненного контакта
0.05
Допуск толщины загрузочного пространства лотка карты
0.05
Теоретическое максимальное смещение подпружиненного контакта
Смещение местоположения карты относительно держателя карты
0.1
Наихудший случай (Worst Case)
0.3
Точность расположения подпружиненного контакта
0.05
Корень из суммы квадратов (root-sum-squares, RSS)
0.16
Теоретическое максимальное смещение подпружиненного контакта
(Наихудший случай+RSS)/2
0.23
Наихудший случай
0.45
RSS
0.19
(Наихудший случай +RSS)/2
0.33
Из таблицы 1 видно, что допуск, образованный во время подгонки между картой памяти в этом варианте осуществления и держателем нано-SIM карты оконечного устройства, является таким же, как и образованный во время подгонки между нано-SIM-картой и держателем нано-SIM-карты оконечного устройства. Следовательно, карта памяти в этом варианте осуществления хорошо помещается в держатель нано-SIM карты.
В этом варианте осуществления предусмотрена карта памяти, включающая в себя блок хранения, блок управления и интерфейс карты памяти. Блок хранения и блок управления расположены внутри корпуса карты памяти. Интерфейс карты памяти расположен на корпусе карты памяти. Блок управления электрически соединен с блоком хранения и интерфейсом карты памяти отдельно. Поскольку форма карты памяти такая же, как и у нано-SIM карты модуля идентификации абонента, и размер карты памяти такой же, как у нано-SIM карты, предоставляется нано-SD карта. Как показано на фиг. 1, на нано-SD-карте предусмотрена установочная выемка 12 для определения местоположения. Следовательно, карта памяти, предусмотренная в этом варианте осуществления, может быть вставлена в держатель нано-SIM карты. Кроме того, карта памяти и нано-SIM-карта могут использовать один и тот же держатель нано-SIM карты.
На фиг. 2 показана схема нано-SIM карты в предшествующем уровне техники. Как показано на фиг. 2, вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сброса сигнала, вывод 33 электропитания, вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления расположены на корпусе нано-SIM карты. В следующих вариантах осуществления во время разделения вывода форма и размер вывода, полученного посредством разделения, не ограничиваются, и форма и размер другого вывода также не ограничиваются. Например, края выводов карты памяти могут иметь фаски или не иметь фасок. В следующих вариантах осуществления, когда вывод разделен, форма и размер карты памяти также не ограничены. Например, установочная выемка может быть предусмотрена в углу карты памяти.
Фиг. 3 является схемой 1 другой карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основе карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 3, карта памяти включает в себя четыре вывода для передачи данных. Четыре вывода передачи данных являются первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 31 тактового сигнала 31 нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом с выводом 22 электропитания карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены третий вывод 27 передачи данных и вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Третий вывод 27 передачи данных расположен рядом с первым выводом 25 передачи данных карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 35 напряжения программирования/входной сигнал нано-SIM карты.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти находится рядом с изолированным выводом 24 сигнала заземления карты памяти. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четвертый вывод 28 передачи данных и вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Четвертый вывод 28 передачи данных расположен рядом с выводом 23 сигнала управления карты памяти.
В этом варианте осуществления, в частности, как показано на фиг. 2, один вывод 31 тактового сигнала (clock signal, CLK), один вывод 32 сигнала сброса (reset signal, RST), один вывод 33 электропитания (power supply, VCC), один вывод 34 линии передачи данных (data line, DAT), один вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала (programming voltage/input signal, VPP) и один вывод 36 сигнала заземления (power supply ground, GND) расположены на корпусе карты существующей нано-SIM карты. Например, центральные точки CLK вывода 31, RST вывода 32 и VCC вывода 33 расположены на одной прямой линии; центральные точки DAT вывода 34, VPP вывода 35 и GND вывода 36 расположены на одной прямой линии; и две линии параллельны.
Как показано на фиг. 3, интерфейс карты памяти карты памяти, предоставленной в этом варианте осуществления настоящего изобретения, включает в себя, по меньшей мере, вывод 21 тактового сигнала, вывод 22 электропитания, вывод 23 сигнала управления (команда/ответ, CMD), вывод 24 сигнала заземления, первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Как показано на фиг. 3, в этом варианте осуществления область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты. Здесь «соответствующий» может также упоминаться как то, что вывод 21 тактового сигнала карты памяти отображен на вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты. В частности, вывод 21 тактового сигнала карты памяти и вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты соответствуют/отображаются на один и тот же подпружиненный контакт держателя нано-SIM карты. Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты. Здесь «соответствующий» может также упоминаться как то, что первый вывод 25 передачи данных карты памяти отображается на вывод 32 сигнала сброса нано-SIM-карты. В частности, первый вывод 25 передачи данных карты памяти и вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты соответствуют/отображаются на один и тот же подпружиненный контакт держателя нано-SIM карты. Кроме того, вывод 21 тактового сигнала карты памяти расположен рядом с первым выводом 25 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Кроме того, третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом с выводом 22 электропитания карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены третий вывод 27 передачи данных и вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Третий вывод 27 передачи данных расположен рядом с первым выводом 25 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Здесь «соответствующий» может также упоминаться как то, что третий вывод 27 передачи данных и вывод 22 электропитания карты памяти отображаются на вывод 33 электропитания нано-SIM карты. В частности, два вывода, то есть, третий вывод 27 передачи данных и вывод 22 электропитания карты памяти, и вывод 33 электропитания нано-SIM карты соответствуют/отображаются на один и тот же подпружиненный контакт держателя нано-SIM карты. Кроме того, область на корпусе карты памяти, в которой находятся четыре вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти, третий вывод 27 передачи данных карты памяти и вывод 22 электропитания карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находятся вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты, таким образом, что карта памяти, предусмотренная в этом варианте осуществления, и нано-SIM карта могут совместно использовать один и тот же держатель нано-SIM карты. Можно узнать, что третий вывод 27 передачи данных карты памяти и вывод 22 электропитания карты памяти получаются путем разделения области вывода 33 электропитания нано-SIM-карты на два вывода. Формы и размеры третьего вывода 27 для передачи данных карты памяти и вывода 22 электропитания карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры вывода 21 тактового сигнала карты памяти и первого вывода 25 передачи данных карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных нано SIM карты. Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 35 программирования напряжения/входного сигнала нано-SIM карты. Дополнительно, второй вывод 26 передачи данных карты памяти расположен рядом и изолирован от вывода 23 сигнала управления карты памяти. Кроме того, четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен рядом и изолирован от вывода 24 сигнала заземления карты памяти. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четвертый вывод 28 передачи данных и вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Четвертый вывод 28 передачи данных расположен рядом с выводом 23 сигнала управления карты памяти и изолирован от него. Дополнительно, область на корпусе карты памяти, в которой находятся четыре вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти, четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находятся вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM-карты расположен таким образом, что карта памяти, предусмотренная в этом варианте осуществления, и нано-SIM карта могут совместно использовать один и тот же держатель нано-SIM карты. Можно узнать, что четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти получаются путем разделения области вывода 36 сигнала заземления нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти не ограничены. Кроме того, формы и размеры второго вывода 26 передачи данных карты памяти и вывода 23 сигнала управления карты памяти не ограничены.
Дополнительно, ка фиг. 3а показана структурная схема 2 другой карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 3а, форма выводов (или контактов, или соединительных клемм) карты памяти не ограничена. Выводы (или контакты, или соединительные клеммы) могут иметь неправильную форму. Это можно узнать из фиг. 3а, что между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти нет промежутка. Кроме того, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. Провод выполнен с возможностью соединения блока хранения и блока управления. Провод дополнительно сконфигурирован для соединения блока управления и интерфейса карты памяти. Фиг. 3b является схемой 3 другой карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 3b, могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и также могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) и краями карты памяти. Можно узнать, что вывода карты памяти не полностью покрывают поверхность корпуса карты памяти. Все эти промежутки являются областями на поверхности корпуса карты памяти. Кроме того, эти области могут быть выполнены с возможностью вмещать провод. Чтобы быть точным, провод проложен в промежутках между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) и промежутками между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) и краями карты памяти. Дополнительно, провод выполнен с возможностью соединения блока хранения и блока управления. Провод дополнительно выполнен с возможностью соединять блок управления и интерфейс карты памяти.
Дополнительно, фиг. 3с является схемой 4 другой карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 3с, в случае фиг. 3a, вывод 24 сигнала заземления карты памяти имеет форму, показанную на фиг. 3a. Обратимся к заштрихованной области на фиг. 3b. Заштрихованная область на фиг. 3c показывает вывод 24 сигнала заземления карты памяти.
Что касается форм и расстояний между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) в следующих вариантах осуществления, см. описания форм и расстояний между выводами (или контактами или соединительными клеммами) в этом варианте осуществления.
На прилагаемых чертежах следующих вариантов осуществления вывод 21 тактового сигнала карты памяти обозначен как CLK, вывод 22 электропитания карты памяти обозначен как VCC, вывод 23 сигнала управления карты памяти обозначен CMD, вывод 24 сигнала заземления карты памяти обозначен как GND, первый вывод 25 передачи данных карты памяти обозначен как D0, второй вывод 26 передачи данных карты памяти обозначен как D1, третий вывод 27 передачи данных карты памяти обозначен как D2 и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти обозначен как D3.
Фиг. 4 является схемой 1 еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основе карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 4, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных являются первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом и изолирован от вывода 21 тактового сигнала карты памяти. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены третий вывод 27 передачи данных и вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты. Вывод 21 тактового сигнала карты памяти находится рядом с первым выводом 25 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти находится рядом со вторым выводом 26 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четвертый вывод 28 передачи данных и второй вывод 26 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 35 напряжения программирования/входной сигнал нано-SIM карты. Второй вывод 26 передачи данных расположен рядом с выводом 23 сигнала управления карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 36 сигнала заземления нано- SIM карты.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что на корпусе карты памяти имеется область, в которой находятся четыре вывода, то есть, третий вывод 27 передачи данных карты памяти, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти и вывод 22 электропитания карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в котором расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что третий вывод 27 передачи данных карты памяти и вывод 21 тактового сигнала карты памяти получают путем разделения области вывода 31 тактового сигнала нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры третьего вывода 27 передачи данных карты памяти и вывода 21 тактового сигнала карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры первого вывода 25 передачи данных карты памяти и вывода 22 электропитания карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четыре вывода, то есть, четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты расположен таким образом, что карта памяти, предусмотренная в этом варианте осуществления, и нано-SIM карта могут совместно использовать один и тот же держатель нано-SIM карты. Например, область на корпусе карты памяти, в которой расположены вышеупомянутые четыре вывода, такая же, как область на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM-карты. Можно узнать, что четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти и второй вывод 26 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 34 передачи данных нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти и второго вывода 26 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры вывода 23 сигнала управления карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти не ограничены.
Дополнительно, на фиг. 4а показана схема 2 еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 4а, форма выводов (или контактов, или соединительных клемм) карты памяти не ограничена. Выводы (или контакты, или соединительные клеммы) могут иметь неправильную форму. Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти.
В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Например, область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты, что означает, что первый вывод 25 передачи данных карты памяти отображен на вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты. В частности, первый вывод 25 передачи данных карты памяти и вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты соответствует/отображается на один и тот же пружинный контакт держателя нано-SIM карты.
На фиг. 5 является структурной схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основе карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 5, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных являются первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 31 тактового сигнала нано SIM карты.
Первый вывод 25 передачи данных карты памяти расположен рядом с третьим выводом 27 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены первый вывод 25 передачи данных и третий вывод 27 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты. Первый вывод 25 передачи данных расположен рядом с выводом 21 тактового сигнала карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Третий вывод 27 передачи данных расположен рядом с выводом 22 электропитания карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных нано SIM-карты.
Вывод 23 сигнала управления карты памяти расположен рядом с четвертым выводом 28 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены вывод 23 сигнала управления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM-карты, в которой находится вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты. Вывод 23 сигнала управления карты памяти расположен рядом со вторым выводом 26 передачи данных карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Четвертый вывод 28 передачи данных расположен рядом с выводом 24 сигнала заземления карты памяти.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что на корпусе карты памяти имеется область, в которой находится четыре вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти, третий вывод 27 передачи данных карты памяти и вывод 22 электропитания карты памяти, соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в котором расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что первый вывод 25 передачи данных карты памяти и третий вывод 27 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 32 сигнала сброса нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры первого вывода 25 для передачи данных карты памяти и третьего вывода 27 передачи данных карты памяти не ограничены. Кроме того, формы и размеры вывода 21 тактового сигнала карты памяти и вывода 22 электропитания карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой находятся четыре вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти, четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM-карты. Можно узнать, что вывод 23 сигнала управления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры вывода 23 сигнала управления карты памяти и четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти не ограничены. Кроме того, формы и размеры второго вывода 26 передачи данных карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти не ограничены.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти.
В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Например, область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты, что вывод 21 тактового сигнала карты памяти отображается на вывод 31 тактового сигнала нано-SIM-карты. В частности, вывод 21 тактового сигнала карты памяти и вывод 31 тактового сигнала нано-SIM-карты соответствуют/отображаются на один и тот же пружинный контакт держателя нано-SIM карты.
На фиг. 6 показана схема еще одной карты памяти согласно варианту осуществления настоящего изобретения. На основании карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 6, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных являются первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом с выводом 22 электропитания карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены третий вывод 27 передачи данных и вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Вывод 22 электропитания карты памяти расположен рядом с первым выводом 25 передачи данных карты памяти. Область вывода 22 электропитания карты памяти больше, чем область третьего вывода 27 передачи данных карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 35 напряжения программирования/входной сигнал нано-SIM карты.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен рядом с изолированным выводом 24 сигнала заземления карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четвертый вывод 28 передачи данных и вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 36 сигнала заземления нано-SIM-карты. Вывод 24 сигнала заземления карты памяти находится рядом с выводом 23 сигнала управления карты памяти. Область вывода 24 сигнала заземления карты памяти больше, чем область четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что на корпусе карты памяти имеется область, в которой расположены четыре вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти, вывод 22 электропитания карты памяти и третий вывод 27 передачи данных карты памяти, соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в котором расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что вывод 22 электропитания карты памяти и третий вывод 27 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 33 электропитания нано-SIM карты на два вывода. Вывод 22 электропитания карты памяти расположен рядом с первым выводом 25 передачи данных карты памяти. Формы и размеры вывода 22 электропитания карты памяти и третьего вывода 27 передачи данных карты памяти не ограничены. Кроме того, формы и размеры вывода 21 тактового сигнала карты памяти и первого вывода 25 передачи данных карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой находятся четыре вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти, вывод 24 сигнала заземления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположены в соответствующей области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM-карты. Можно узнать, что вывод 24 сигнала заземления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 36 сигнала заземления нано-SIM-карты на два вывода. В этом варианте осуществления вывод 24 сигнала заземления карты памяти находится рядом с выводом 23 сигнала управления карты памяти. Формы и размеры вывода 24 сигнала заземления карты памяти и четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры второго вывода 26 передачи данных карты памяти и вывода 23 сигнала управления карты памяти не ограничены.
Кроме того, область вывода 22 электропитания карты памяти больше, чем у третьего вывода 27 передачи данных карты памяти, и область вывода 24 сигнала заземления карты памяти больше, чем четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти. Следовательно, третий вывод 27 передачи данных карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти, которые недавно добавлены, размещены на внешней стороне карты, насколько это возможно. Кроме того, расположение на корпусе карты памяти центральной точки вывода 22 электропитания карты памяти соответствует расположению на корпусе карты нано-SIM карты вывода 33 электропитания нано-SIM карты в максимально возможной степени; и расположение на корпусе карты памяти центральной точки вывода 24 сигнала заземления карты памяти соответствует, на сколько это возможно, местоположению на корпусе карты нано-SIM карты вывода 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Следовательно, допустимое отклонение для нано-SD карты может быть увеличено.
Например, с угла зрения на фиг. 6 справа налево третий вывод 27 передачи данных карты памяти имеет первый край и второй край, и карта памяти имеет первый боковой край и второй боковой край. Длина расстояния от первого края третьего вывода 27 передачи данных карты памяти до первого бокового края карты памяти составляет 1 миллиметр с допуском 0,1 миллиметра. Длина расстояния от второго края третьего вывода 27 передачи данных карты памяти до первого бокового края карты памяти составляет 4,9 миллиметра с допуском 0,1 миллиметра. Длина расстояния от первого края третьего вывода 27 передачи данных карты памяти до второго бокового края карты памяти составляет 11,3 миллиметра с допуском 0,1 миллиметра. Длина расстояния от второго края третьего вывода 27 передачи данных карты памяти до второго бокового края карты памяти составляет 7,55 миллиметра с допуском 0,1 миллиметра.
С угла зрения на фиг. 6 справа налево четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти имеет первый край и второй край. Длина расстояния от первого края четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти до первого бокового края карты памяти составляет 7,55 миллиметра с допуском 0,1 миллиметра. Длина расстояния от второго края четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти до первого бокового края карты памяти составляет 11,3 миллиметра с допуском 0,1 миллиметра. Длина расстояния от первого края четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти до второго бокового края карты памяти составляет 4,9 миллиметра с допуском 0,1 миллиметра. Длина расстояния от второго края четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти до второго бокового края карты памяти составляет 1 миллиметр с допуском 0,1 миллиметра. Для длин расстояний от первого края и второго края другого вывода на фиг. 6 к первому боковому краю карты памяти и второму боковому краю карты памяти, соответственно, относятся к вышеизложенным данным.
С угла зрения на фиг. 6 сверху вниз карта памяти имеет третий боковой край и четвертый боковой край, четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти имеет третий край и четвертый край, вывод 24 сигнала заземления карты памяти имеет третий край и четвертый край, вывод 23 сигнала управления карты памяти имеет третий край и четвертый край, и второй вывод 26 передачи данных карты памяти имеет третий край и четвертый край. Максимальная длина расстояния от третьего края четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти до третьего бокового края карты памяти составляет 0,2 миллиметра, и максимальная длина расстояния от четвертого края четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти к третьему боковому краю карты памяти составляет 1,05 миллиметра. Максимальная длина расстояния от третьего края вывода 24 сигнала заземления карты памяти до третьего бокового края карты памяти составляет 1,4 миллиметра, и максимальная длина расстояния от края четвертого вывода 24 сигнала заземления от карты памяти до третьего бокового края карты памяти составляет 2,6 миллиметра с допуском 0,1 миллиметра. Максимальная длина расстояния от третьего края вывода 23 сигнала управления карты памяти до третьего бокового края карты памяти составляет 3,35 миллиметра с допуском 0,1 миллиметра; и максимальная длина расстояния от четвертого края вывода 23 сигнала управления карты памяти до третьего бокового края карты памяти составляет 5,25 миллиметра с допуском 0,1 миллиметра. Максимальная длина расстояния от третьего края второго вывода 26 передачи данных карты памяти до третьего бокового края карты памяти составляет 6,05 миллиметра с допуском 0,1 миллиметра; и максимальная длина расстояния от четвертого края второго вывода 26 передачи данных карты памяти до третьего бокового края карты памяти составляет 7,95 миллиметра с допуском 0,1 миллиметра. Расстояние между третьим боковым краем карты памяти и четвертым боковым краем карты памяти составляет 8,8 миллиметра с допуском 0,1 миллиметра.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти.
В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Например, область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM-карты, в которой находится вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты, что означает, что первый вывод 25 передачи данных карты памяти отображается на вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты. В частности, первый вывод 25 передачи данных карты памяти и вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты соответствуют/отображаются на один и тот же пружинный контакт держателя нано-SIM карты.
Фиг. 7 является структурной схемой дополнительной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основе карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 7, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных являются первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано- SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 35 напряжения программирования/входной сигнал нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 36 сигнала заземления нано- SIM карты.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен между выводом 21 тактового сигнала карты памяти и вторым выводом 26 передачи данных карты памяти. Третий вывод 27 передачи данных изолирован от вывода 21 тактового сигнала карты памяти и второго вывода 26 передачи данных карты памяти. Центральная точка третьего вывода 27 передачи данных расположена на линии соединения между центральной точкой вывода 21 тактового сигнала карты памяти и центральной точкой второго вывода 26 передачи данных.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен между выводом 22 электропитания карты памяти и выводом 24 сигнала заземления карты памяти. Четвертый вывод 28 передачи данных изолирован от вывода 22 электропитания карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти. Центральная точка четвертого вывода 28 передачи данных расположена на соединительной линии между центральной точкой вывода 22 электропитания карты памяти и центральной точкой вывода 24 сигнала заземления карты памяти.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что область на корпусе карты памяти, в которой находятся три вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти и вывод 22 электропитания карты памяти в соответствующей области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположены три вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположены вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен между выводом 21 тактового сигнала карты памяти и вторым выводом 26 передачи данных карты памяти. Возможно, центральная точка третьего вывода 27 передачи данных карты памяти расположена на линии соединения между центральной точкой вывода 21 тактового сигнала карты памяти и центральной точкой второго вывода 26 передачи данных памяти. Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен между выводом 22 электропитания карты памяти и выводом 24 сигнала заземления карты памяти. Возможно, центральная точка четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти расположена на линии соединения между центральной точкой вывода 22 электропитания карты памяти и центральной точкой вывода 24 сигнала заземления карты памяти.
Например, на основании угла зрения на фиг. 7 слева направо вывод 21 тактового сигнала карты памяти имеет первый край и второй край, карта памяти имеет первый боковой край и второй боковой край, третий вывод 27 передачи данных карты памяти имеет первый край и второй край, и второй вывод 26 передачи данных карты памяти имеет первый край и второй край. Максимальная длина расстояния от первого края вывода 21 тактового сигнала карты памяти до первого бокового края карты памяти составляет 1,00 миллиметра, и минимальная длина расстояния от второго края вывода 21 тактового сигнала карты памяти до первого бокового края карты памяти составляет 3,00 миллиметра. Максимальная длина расстояния от первого края третьего вывода 27 передачи данных карты памяти до первого бокового края карты памяти составляет 4,81 миллиметра, и минимальная длина расстояния от второго края третьего вывода 27 передачи данных карты памяти до первого бокового края карты памяти составляет 6,81 миллиметра. Максимальная длина расстояния от первого края второго вывода 26 передачи данных карты памяти до первого бокового края карты памяти составляет 8,62 миллиметра, и минимальная длина расстояния от второго края второго вывода 26 передачи данных карты памяти до первого бокового края карты памяти составляет 10,02 миллиметра. Значение расстояния между первым боковым краем карты памяти и вторым боковым краем карты памяти составляет 12,30 миллиметра с допуском 0,1 миллиметра. Длина расстояния от второго вывода 26 передачи данных карты памяти до второго бокового края карты памяти составляет 1,65 миллиметра с допуском 0,1 миллиметра. Угол установочной выемки на карте памяти составляет 45 градусов. Для длин расстояний от первого края и второго края другого вывода на фиг. 7 к первому боковому краю карты памяти и второму боковому краю карты памяти, соответственно, относятся к вышеизложенным данным.
На основании угла зрения на фиг. 7 сверху вниз, карта памяти имеет третий боковой край и четвертый боковой край, второй вывод 26 передачи данных карты памяти имеет третий край и четвертый край, вывод 23 сигнала управления карты памяти имеет третий край и четвертый край, вывод 24 сигнала заземления карты памяти имеет третий край и четвертый край, четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти имеет третий край и четвертый фронт, и третий вывод 27 передачи данных карты памяти имеет третий край и четвертый край. Максимальная длина расстояния от третьего края четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти до третьего бокового края карты памяти составляет 0,81 миллиметра, и минимальная длина расстояния от четвертого края четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти к третьему боковому краю карты памяти составляет 2,51 миллиметра. Максимальная длина расстояния от третьего края третьего вывода 27 передачи данных карты памяти до третьего бокового края карты памяти составляет 6,29 миллиметра, и минимальная длина расстояния от четвертого края третьего вывода 27 передачи данных карты памяти к третьему боковому краю карты памяти составляет 7,99 мм. Максимальная длина расстояния от третьего края вывода 24 сигнала заземления карты памяти до третьего бокового края карты памяти составляет 1,01 миллиметра, и минимальная длина расстояния от четвертого края вывода 24 сигнала заземления карты памяти до третьего бокового края карты памяти составляет 2,71 миллиметра. Максимальная длина расстояния от третьего края вывода 23 сигнала управления карты памяти до третьего бокового края карты памяти составляет 3,55 миллиметра, и минимальная длина расстояния от четвертого края вывода 23 сигнала управления карты памяти до третьего бокового края карты памяти составляет 5,25 миллиметра. Максимальная длина расстояния от третьего края второго вывода 26 передачи данных карты памяти до третьего бокового края карты памяти составляет 6,09 мм, и минимальная длина расстояния от четвертого края второго вывода 26 передачи данных карты памяти к третьему боковому краю карты памяти составляет 7,79 миллиметра. Значение расстояния между третьим боковым краем карты памяти и четвертым боковым краем карты памяти составляет 8,80 миллиметра с допуском 0,1 миллиметра.
Кроме того, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти.
В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Например, область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 33 электропитания нано-SIM карты, что означает, что вывод 22 электропитания карты памяти отображается на вывод 33 электропитания нано-SIM карты. В частности, вывод 22 электропитания карты памяти и вывод 33 электропитания нано-SIM карты соответствуют/отображаются на один и тот же пружинный контакт держателя нано-SIM карты.
Фиг. 8 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основании карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 8, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных являются первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом с выводом 22 электропитания карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены третий вывод 27 передачи данных и вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Третий вывод 27 передачи данных расположен рядом с выводом 23 сигнала управления карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен рядом и изолирован от вывода 24 сигнала заземления карты памяти. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четвертый вывод 28 передачи данных и вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Четвертый вывод 28 передачи данных расположен рядом с первым выводом 25 передачи данных карты памяти.
В этом варианте осуществления, в частности, область на корпусе карты памяти, в которой находятся четыре вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти, третий вывод 27 передачи данных карты памяти и вывод 22 электропитания карты памяти, которые соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что третий вывод 27 передачи данных карты памяти и вывод 22 электропитания карты памяти получаются путем разделения области вывода 33 электропитания нано-SIM-карты на два вывода. Формы и размеры третьего вывода 27 передачи данных карты памяти и вывода 22 электропитания карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры второго вывода 26 передачи данных карты памяти и вывода 23 сигнала управления карты памяти не ограничены.
Кроме того, область на корпусе карты памяти, в которой расположены четыре вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти, четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находятся вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM-карты. Можно узнать, что четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти получаются путем разделения области вывода 36 сигнала заземления нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры вывода 21 тактового сигнала карты памяти и первого вывода 25 передачи данных карты памяти не ограничены.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти.
В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Например, область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находятся вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты, что означает, что второй вывод 26 передачи данных карты памяти отображают на вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты. В частности, второй вывод 26 передачи данных карты памяти и вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты соответствуют/отображаются на один и тот же пружинный контакт держателя нано-SIM-карты.
Фиг. 9 является структурной схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основе карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 9, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляют собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом и изолирован от вывода 21 тактового сигнала карты памяти. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены третий вывод 27 передачи данных и вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты. Вывод тактового сигнала карты памяти расположен рядом с выводом 23 сигнала управления карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти находится рядом со вторым выводом 26 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четвертый вывод 28 передачи данных и второй вывод 26 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных нано SIM-карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты. Второй вывод 26 передачи данных расположен рядом с первым выводом 25 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что на корпусе карты памяти имеется область, в которой расположены четыре вывода, то есть, третий вывод 27 передачи данных карты памяти, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, где расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что третий вывод 27 передачи данных карты памяти и вывод 21 тактового сигнала карты памяти получаются путем разделения области вывода 31 тактового сигнала нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры третьего вывода 27 передачи данных карты памяти и вывода 21 тактового сигнала карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры вывода 23 сигнала управления карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четыре вывода, то есть, четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти и вывод 22 электропитания карты памяти, который соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположены вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM-карты. Можно узнать, что четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти и второй вывод 26 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 34 передачи данных нано-SIM-карты на два вывода. Формы и размеры четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти и второго вывода 26 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры первого вывода 25 передачи данных карты памяти и вывода 22 электропитания карты памяти не ограничены.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и поэтому провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти.
В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Например, область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 33 электропитания нано-SIM карты, что вывод 24 сигнала заземления карты памяти отображен на вывод 33 электропитания нано-SIM карты. В частности, вывод 24 сигнала заземления карты памяти и вывод 3 электропитания нано-SIM-карты соответствуют/отображаются на один и тот же пружинный контакт держателя нано-SIM карты.
Фиг. 10 является структурной схемой еще одной дополнительной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основании карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 10, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляют собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM-карты, в которой находится вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Первый вывод 25 передачи данных карты памяти расположен рядом с третьим выводом 27 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены первый вывод 25 передачи данных и третий вывод 27 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты. Первый вывод 25 передачи данных расположен рядом со вторым выводом 26 передачи данных карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Вывод 23 сигнала управления карты памяти расположен рядом с четвертым выводом 28 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены вывод 23 сигнала управления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM-карты, в которой расположен вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты. Вывод 23 сигнала управления карты памяти находится рядом с выводом 21 тактового сигнала карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что на корпусе карты памяти имеется область, в которой расположены четыре вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти, третий вывод 27 передачи данных карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти, что соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в котором расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что первый вывод 25 передачи данных карты памяти и третий вывод 27 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 32 сигнала сброса нано-SIM-карты на два вывода. Формы и размеры первого вывода 25 передачи данных карты памяти и третьего вывода 27 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры второго вывода 26 передачи данных карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четыре вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти, четвертый вывод 28 передачи данных карта памяти и вывод 22 электропитания карты памяти в соответствующей области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположены вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM-карты. Можно узнать, что вывод 23 сигнала управления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры вывода 23 сигнала управления карты памяти и четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры вывода 21 тактового сигнала карты памяти и вывода 22 электропитания карты памяти не ограничены.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Обратитесь к описаниям в предшествующих вариантах осуществления.
Фиг. 11 является структурной схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основе карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 11, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляют собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой находится второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом с выводом 22 электропитания карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены третий вывод 27 передачи данных и вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Вывод 22 электропитания карты памяти находится рядом с выводом 23 сигнала управления карты памяти. Область вывода 22 электропитания карты памяти больше, чем область третьего вывода 27 передачи данных карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти находится рядом с изолированным выводом 24 сигнала заземления карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четвертый вывод 28 передачи данных и вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Сигнальный вывод 24 заземления карты памяти находится рядом с первым выводом передачи данных карты памяти. Область вывода 24 сигнала заземления карты памяти больше, чем область четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что на корпусе карты памяти имеется область, в которой расположены четыре вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти, вывод 22 электропитания карты памяти и третий вывод 27 передачи данных карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в котором расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что вывод 22 электропитания карты памяти и третий вывод 27 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 33 электропитания нано-SIM-карты на два вывода. Вывод 22 электропитания карты памяти находится рядом с выводом 23 сигнала управления карты памяти. Формы и размеры вывода 22 блока питания карты памяти и третьего вывода 27 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры второго вывода 26 передачи данных карты памяти и вывода 23 сигнала управления карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четыре вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти, вывод 24 сигнала заземления карта памяти и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположены в соответствующей области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположены вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Можно узнать, что вывод 24 сигнала заземления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 36 сигнала заземления нано-SIM карты на два вывода. В этом варианте осуществления вывод 24 сигнала заземления карты памяти находится рядом с первым выводом 25 передачи данных карты памяти. Формы и размеры вывода 24 сигнала заземления карты памяти и четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры вывода 21 тактового сигнала карты памяти и первого вывода 25 передачи данных карты памяти не ограничены.
Кроме того, область вывода 22 электропитания карты памяти больше, чем у третьего вывода 27 передачи данных карты памяти, и область вывода 24 сигнала заземления карты памяти больше, чем четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти. Следовательно, третий вывод 27 передачи данных карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти, которые недавно добавлены, размещены на внешней стороне карты, насколько это возможно. Дополнительно, расположение на корпусе карты памяти центральной точки вывода 22 электропитания карты памяти соответствует расположению на корпусе карты нано-SIM карты вывода 33 электропитания нано-SIM карты в максимально возможной степени; и расположение на корпусе карты памяти центральной точки вывода 24 сигнала заземления карты памяти соответствует на сколько это возможно местоположению на корпусе карты нано-SIM карты вывода 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Следовательно, допустимое отклонение для нано-SD карты может быть увеличено.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Обратитесь к описаниям в предыдущих вариантах осуществления.
Фиг. 12 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основе карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 12, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляет собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM-карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен между выводом 21 тактового сигнала карты памяти и вторым выводом 26 передачи данных карты памяти. Четвертый вывод 28 передачи данных изолирован от вывода 21 тактового сигнала карты памяти и второго вывода 26 передачи данных карты памяти. Центральная точка четвертого вывода 28 передачи данных расположена на линии соединения между центральной точкой вывода 21 тактового сигнала карты памяти и центральной точкой второго вывода 26 передачи данных.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен между выводом 22 электропитания карты памяти и выводом 24 сигнала заземления карты памяти. Третий вывод 27 передачи данных изолирован от вывода 22 электропитания карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти. Центральная точка третьего вывода 27 передачи данных расположена на линии соединения между центральной точкой вывода 22 электропитания карты памяти и центральной точкой вывода 24 сигнала заземления карты памяти.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что на корпусе карты памяти имеется область, в которой находится три вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти и вывод 22 питания карты памяти расположены в соответствующей области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM-карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой находятся три вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен между выводом 21 тактового сигнала карты памяти и вторым выводом 26 передачи данных карты памяти. Возможно, центральная точка четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти расположена на линии соединения между центральной точкой вывода 21 тактового сигнала карты памяти и центральной точкой второго вывода 26 передачи данных памяти. Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен между выводом 22 электропитания карты памяти и выводом 24 сигнала заземления карты памяти. Возможно, центральная точка третьего вывода 27 передачи данных карты памяти расположена на линии соединения между центральной точкой вывода 22 электропитания карты памяти и центральной точкой вывода 24 сигнала заземления карты памяти.
Кроме того, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Обратитесь к описаниям в предшествующих вариантах осуществления.
Фиг. 13 является структурной схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основании карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 13, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляют собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом с выводом 22 электропитания карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены третий вывод 27 передачи данных и вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Третий вывод 27 передачи данных расположен рядом с выводом 21 тактового сигнала карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен рядом и изолирован от вывода 24 сигнала заземления карты памяти. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четвертый вывод 28 передачи данных и вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Четвертый вывод 28 передачи данных расположен рядом со вторым выводом 26 передачи данных карты памяти.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, какая область на корпусе карты памяти, в которой находятся четыре вывода, то есть, первый вывод 25 передачи данных карты памяти, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, третий вывод 27 передачи данных карты памяти и вывод 22 электропитания карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM-карты, в котором расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что третий вывод 27 передачи данных карты памяти и вывод 22 электропитания карты памяти получаются путем разделения области вывода 33 электропитания нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры третьего вывода 27 передачи данных карты памяти и вывода 22 электропитания карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры первого вывода 25 передачи данных карты памяти и вывода 21 тактового сигнала карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой находятся четыре вывода, то есть, вывод 23 сигнала управления карты памяти, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Можно узнать, что четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти получаются путем разделения области вывода 36 сигнала заземления нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры вывода 23 сигнала управления карты памяти и второго вывода 26 передачи данных карты памяти не ограничены.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Обратитесь к описаниям в предшествующих вариантах осуществления.
Фиг. 14 является структурной схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основании карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 14, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляют собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом с выводом 22 электропитания карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены третий вывод 27 передачи данных и вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Вывод 22 электропитания карты памяти расположен рядом с выводом 21 тактового сигнала карты памяти. Область вывода 22 электропитания карты памяти больше, чем область третьего вывода 27 передачи данных карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен рядом и изолирован от вывода 24 сигнала заземления карты памяти. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четвертый вывод 28 передачи данных и вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Вывод 24 сигнала заземления карты памяти находится рядом со вторым выводом 26 передачи данных карты памяти. Область вывода 24 сигнала заземления карты памяти больше, чем область четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что на корпусе карты памяти имеется область, в которой находятся четыре вывода, то есть, первый вывод 25 передачи данных карты памяти, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, вывод 22 электропитания карты памяти и третий вывод 27 передачи данных карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в котором расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что вывод 22 электропитания карты памяти и третий вывод 27 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 33 электропитания нано-SIM карты на два вывода. Вывод 22 электропитания карты памяти расположен рядом с выводом 21 тактового сигнала карты памяти. Формы и размеры вывода 22 электропитания карты памяти и третьего вывода 27 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры первого вывода 25 передачи данных карты памяти и вывода 21 тактового сигнала карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой находятся четыре вывода, то есть, вывод 23 сигнала управления карты памяти, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, вывод 24 сигнала заземления карта памяти и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположены в соответствующей области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM-карты. Можно узнать, что вывод 24 сигнала заземления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 36 сигнала заземления нано-SIM-карты на два вывода. В этом варианте осуществления вывод 24 сигнала заземления карты памяти находится рядом со вторым выводом 26 передачи данных карты памяти. Формы и размеры вывода 24 сигнала заземления карты памяти и четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры вывода 23 сигнала управления карты памяти и второго вывода 26 передачи данных карты памяти не ограничены.
Кроме того, область вывода 22 электропитания карты памяти больше, чем область третьего вывода 27 передачи данных карты памяти, область вывода 24 сигнала заземления карты памяти больше, чем четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти. Следовательно, третий вывод 27 передачи данных карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти, которые недавно добавлены, насколько это возможно размещены на внешней стороне карты. Дополнительно, расположение на корпусе карты памяти центральной точки вывода 22 электропитания карты памяти соответствует расположению на корпусе карты нано-SIM карты вывода 33 электропитания нано SIM-карты в максимально возможной степени; и расположение на корпусе карты памяти центральной точки вывода 24 сигнала заземления карты памяти соответствует местоположению насколько это возможно на корпусе карты нано-SIM карты вывода 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Следовательно, допустимое отклонение для нано-SD карты может быть увеличено.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Обратитесь к описаниям в предшествующих вариантах осуществления.
Фиг. 15 является структурной схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основании карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 15, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляет собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом и изолирован от вывода 21 тактового сигнала карты памяти. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены третий вывод 27 передачи данных и вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 31тактового сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты. Третий вывод 27 передачи данных карты памяти находится рядом с первым выводом 25 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти находится рядом со вторым выводом 26 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четвертый вывод 28 передачи данных и второй вывод 26 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано SIM-карты. Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен рядом с выводом 23 сигнала управления карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что на корпусе карты памяти имеется область, в которой находятся четыре вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, третий вывод 27 передачи данных карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти и вывод 22 электропитания карты памяти, соответствующие области на корпусе карты нано-SIM карты, в котором расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что третий вывод 27 передачи данных карты памяти и вывод 21 тактового сигнала карты памяти получаются путем разделения области вывода 31 тактового сигнала нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры третьего вывода 27 передачи данных карты памяти и вывода 21 тактового сигнала карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры первого вывода 25 передачи данных карты памяти и вывода 22 электропитания карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четыре вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Можно узнать, что четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти и второй вывод 26 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 34 передачи данных нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти и второго вывода 26 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры вывода 23 сигнала управления карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти не ограничены.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Обратитесь к описаниям в предшествующих вариантах осуществления.
Фиг. 16 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основании карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 16, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляют собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом и изолирован от вывода 21 тактового сигнала карты памяти. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены третий вывод 27 передачи данных и вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты. Третий вывод 27 передачи данных карты памяти находится рядом с выводом 23 сигнала управления карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти находится рядом со вторым выводом 26 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четвертый вывод 28 передачи данных и второй вывод 26 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой осуществляется вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты. Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен рядом с первым выводом 25 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что на корпусе карты памяти имеется область, в которой находятся четыре вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, третий вывод 27 передачи данных карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в где расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что третий вывод 27 передачи данных карты памяти и вывод 21 тактового сигнала карты памяти получаются путем разделения области вывода 31 тактового сигнала нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры третьего вывода 27 передачи данных карты памяти и вывода 21 тактового сигнала карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры вывода 23 сигнала управления карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой находятся четыре вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти и вывод 22 электропитания карты памяти, который соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находятся вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Можно узнать, что четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти и второй вывод 26 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 34 передачи данных нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти и второго вывода 26 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры первого вывода 25 передачи данных карты памяти и вывода 22 электропитания карты памяти не ограничены.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Обратитесь к описаниям в предшествующих вариантах осуществления.
Фиг. 17 является структурной схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основании карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 17, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляет собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом и изолирован от вывода 21 тактового сигнала карты памяти. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены третий вывод 27 передачи данных и вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты. Третий вывод 27 передачи данных карты памяти находится рядом с выводом 23 сигнала управления карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти находится рядом со вторым выводом 26 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четвертый вывод 28 передачи данных и второй вывод 26 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты. Второй вывод 26 передачи данных карты памяти находится рядом с первым выводом 25 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что на корпусе карты памяти имеется область, в которой находится четыре вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, третий вывод 27 передачи данных карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, где расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что третий вывод 27 передачи данных карты памяти и вывод 21 тактового сигнала карты памяти получаются путем разделения области вывода 31 тактового сигнала нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры третьего вывода 27 передачи данных карты памяти и вывода 21 тактового сигнала карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры вывода 23 сигнала управления карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой находятся четыре вывода, то есть, четвертый вывод 28передачи данных карты памяти, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти и вывод 22 электропитания карты памяти, который соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находятся вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Можно узнать, что четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти и второй вывод 26 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 34 передачи данных нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти и второго вывода 26 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры первого вывода 25 передачи данных карты памяти и вывода 22 электропитания карты памяти не ограничены.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Обратитесь к описаниям в предшествующих вариантах осуществления.
Фиг. 18 является структурной схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основании карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 18, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляют собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом и изолирован от вывода 21 тактового сигнала карты памяти. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены третий вывод 27 передачи данных и вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты. Вывод 21 тактового сигнала карты памяти находится рядом с выводом 23 сигнала управления карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти находится рядом со вторым выводом 26 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четвертый вывод 28 передачи данных и второй вывод 26 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты. Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен рядом с первым выводом 25 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что на корпусе карты памяти имеется область, в которой расположены четыре вывода, то есть, третий вывод 27 передачи данных карты памяти, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти, что соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, где расположены вывод 31тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что третий вывод 27 передачи данных карты памяти и вывод 21 тактового сигнала карты памяти получаются путем разделения области вывода 31 тактового сигнала нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры третьего вывода 27 передачи данных карты памяти и вывода 21 тактового сигнала карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры вывода 23 сигнала управления карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четыре вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти и вывод 22 электропитания карты памяти, который соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находятся вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Можно узнать, что четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти и второй вывод 26 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 34 передачи данных нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти и второго вывода 26 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры первого вывода 25 передачи данных карты памяти и вывода 22 электропитания карты памяти не ограничены.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и поэтому провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Обратитесь к описаниям в предшествующих вариантах осуществления.
Фиг. 19 является схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основании карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 19, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляют собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 31 тактового сигнала нано SIM карты.
Первый вывод 25 передачи данных карты памяти находится рядом с третьим выводом 27 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены первый вывод 25 передачи данных и третий вывод 27 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты. Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом с выводом 21тактового сигнала карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Вывод 23 сигнала управления карты памяти расположен рядом с четвертым выводом 28 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены вывод 23 сигнала управления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты. Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен рядом со вторым выводом 26 передачи данных карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что на корпусе карты памяти имеется область, в которой расположены четыре вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, третий вывод 27 передачи данных карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти и вывод 22 электропитания карты памяти, соответствующие области на корпусе карты нано-SIM карты, в котором расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что первый вывод 25 передачи данных карты памяти и третий вывод 27 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 32 сигнала сброса нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры первого вывода 25 для передачи данных карты памяти и третьего вывода 27 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры вывода 21 тактового сигнала карты памяти и вывода 22 электропитания карты памяти не ограничены.
Область корпуса карты памяти, в которой расположены четыре вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположены вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Можно узнать, что вывод 23 сигнала управления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры вывода 23 сигнала управления карты памяти и четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры второго вывода 26 передачи данных карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти не ограничены.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Обратитесь к описаниям в предшествующих вариантах осуществления.
Фиг. 20 является схематической структурной схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основе карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 20, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляют собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Первый вывод 25 передачи данных карты памяти расположен рядом с третьим выводом 27 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены первый вывод 25 передачи данных и третий вывод 27 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты. Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом со вторым выводом 26 передачи данных карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Вывод 23 сигнала управления карты памяти находится рядом с четвертым выводом 28 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены вывод 23 сигнала управления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты. Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен рядом с выводом 21 тактового сигнала карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что в области на корпусе карты памяти имеется область, в которой расположены четыре вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, третий вывод 27 передачи данных карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в котором расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что первый вывод 25 передачи данных карты памяти и третий вывод 27 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 32 сигнала сброса нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры первого вывода 25 передачи данных карты памяти и третьего вывода 27 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры второго вывода 26 передачи данных карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четыре вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти, вывод 23 сигнала управления карта памяти и вывод 22 электропитания карты памяти расположены в соответствующей области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположены вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала, и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Можно узнать, что вывод 23 сигнала управления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры вывода 23 сигнала управления карты памяти и четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти не ограничены. Кроме того, формы и размеры вывода 21 тактового сигнала карты памяти и вывода 22 электропитания карты памяти не ограничены.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Обратитесь к описаниям в предшествующих вариантах осуществления.
Фиг. 21 является структурной схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основании карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 21, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляют собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Первый вывод 25 передачи данных карты памяти находится рядом с третьим выводом 27 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены первый вывод 25 передачи данных и третий вывод 27 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты. Первый вывод 25 передачи данных расположен рядом со вторым выводом 26 передачи данных карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом с выводом 24 сигнала заземления карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Вывод 23 сигнала управления карты памяти находится рядом с четвертым выводом 28 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены вывод 23 сигнала управления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты. Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен рядом с выводом 21 тактового сигнала карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Вывод 23 сигнала управления карты памяти соединен с выводом 22 электропитания карты памяти.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, какая область на корпусе карты памяти имеет четыре вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти, третий вывод 27 передачи данных карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что первый вывод 25 передачи данных карты памяти и третий вывод 27 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 32 сигнала сброса нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры первого вывода 25 передачи данных карты памяти и третьего вывода 27 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры второго вывода 26 передачи данных карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четыре вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти, вывод 23 сигнала управления карта памяти и вывод 22 электропитания карты памяти расположены в соответствующей области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположены вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Можно узнать, что вывод 23 сигнала управления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры вывода 23 сигнала управления карты памяти и четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры вывода 21 тактового сигнала карты памяти и вывода 22 электропитания карты памяти не ограничены.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Обратитесь к описаниям в предшествующих вариантах осуществления.
Фиг. 22 является структурной схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основании карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг 22, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляют собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Первый вывод 25 передачи данных карты памяти находится рядом с третьим выводом 27 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены первый вывод 25 передачи данных и третий вывод 27 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты. Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен рядом со вторым выводом 26 передачи данных карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Первый вывод 25 передачи данных карты памяти находится рядом с выводом 24 сигнала заземления карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Вывод 23 сигнала управления карты памяти находится рядом с четвертым выводом 28 передачи данных карты памяти и изолирован от него. Область на корпусе карты памяти, в которой расположены вывод 23 сигнала управления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты. Вывод 23 сигнала управления карты памяти находится рядом с выводом 21 тактового сигнала карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен рядом с выводом 22 электропитания карты памяти.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что на корпусе карты памяти имеется область, в которой расположены четыре вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, третий вывод 27 передачи данных карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в котором расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что первый вывод 25 передачи данных карты памяти и третий вывод 27 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 32 сигнала сброса нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры первого вывода 25 для передачи данных карты памяти и третьего вывода 27 для передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры второго вывода 26 передачи данных карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четыре вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти, четвертый вывод 28 передачи данных карта памяти и вывод 22 электропитания карты памяти расположены в соответствующей области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположены вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Можно узнать, что вывод 23 сигнала управления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти получаются путем разделения области вывода 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты на два вывода. Формы и размеры вывода 23 сигнала управления карты памяти и четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры вывода 21 тактового сигнала карты памяти и вывода 22 электропитания карты памяти не ограничены.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Обратитесь к описаниям в предшествующих вариантах осуществления.
Фиг. 23 является структурной схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основании карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 23, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляет собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен между выводом 22 электропитания карты памяти и вторым выводом 26 передачи данных карты памяти. Третий вывод 27 передачи данных изолирован от вывода 22 электропитания карты памяти и второго вывода 26 передачи данных карты памяти. Центральная точка третьего вывода 27 передачи данных расположена на линии соединения между центральной точкой вывода 22 электропитания карты памяти и центральной точкой второго вывода 26 передачи данных.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен между выводом 21 тактового сигнала карты памяти и выводом 24 сигнала заземления карты памяти. Четвертый вывод 28 передачи данных изолирован от вывода 21 тактового сигнала карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти. Центральная точка четвертого вывода 28 передачи данных расположена на линии соединения между центральной точкой вывода 21 тактового сигнала карты памяти и центральной точкой вывода 24 заземления сигнала карты памяти.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что на корпусе карты памяти имеется область, в которой расположены три вывода, то есть, вывод 22 электропитания карты памяти, первый вывод 25 передачи данных карты памяти и вывод 21 тактового сигнала карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположены три вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, вывод 23 сигнала управления на карте памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположены вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен между выводом 22 электропитания карты памяти и вторым выводом 26 передачи данных карты памяти. Возможно, центральная точка третьего вывода 27 передачи данных карты памяти расположена на линии соединения между центральной точкой вывода 22 электропитания карты памяти и центральной точкой второго вывода 26 передачи данных памяти. Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен между выводом 21 тактового сигнала карты памяти и выводом 24 сигнала заземления карты памяти. Возможно, центральная точка четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти расположена на линии соединения между центральной точкой вывода 21 тактового сигнала карты памяти и центральной точкой вывода 24 заземления сигнала карты памяти.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Обратитесь к описаниям в предшествующих вариантах осуществления.
Фиг. 24 является структурной схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основе карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 24, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляют собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано- SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен между выводом 21 тактового сигнала карты памяти и выводом 24 сигнала заземления карты памяти. Третий вывод 27 передачи данных изолирован от вывода 21 тактового сигнала карты памяти и вывода 24 наземного сигнала карты памяти. Центральная точка третьего вывода 27 передачи данных расположена на линии соединения между центральной точкой вывода 21 тактового сигнала карты памяти и центральной точкой вывода 24 заземления сигнала карты памяти.
Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен между выводом 22 электропитания карты памяти и вторым выводом 26 передачи данных карты памяти. Четвертый вывод 28 передачи данных изолирован от вывода 22 электропитания карты памяти и второго вывода 26 передачи данных карты памяти. Центральная точка четвертого вывода 28 передачи данных расположена на линии соединения между центральной точкой вывода 22 электропитания карты памяти и центральной точкой второго вывода 26 передачи данных.
В этом варианте осуществления, в частности, из вышеизложенного расположения выводов можно узнать, что на корпусе карты памяти имеется область, в которой расположены три вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, Первый вывод 25 передачи данных карты памяти и вывод 22 питания карты памяти расположены в соответствующей области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположены три вывода, то есть, вывод 24 сигнала заземления карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти и второй вывод 26 передачи данных карты памяти соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположены вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты.
Третий вывод 27 передачи данных карты памяти расположен между выводом 21 тактового сигнала карты памяти и выводом 24 сигнала заземления карты памяти. Возможно, центральная точка третьего вывода 27 передачи данных карты памяти расположена на линии соединения между центральной точкой вывода 21 тактового сигнала карты памяти и центральной точкой вывода 24 заземления сигнала карты памяти. Четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположен между выводом 22 электропитания карты памяти и вторым выводом 26 передачи данных карты памяти. Возможно, центральная точка четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти расположена на линии соединения между центральной точкой вывода 22 электропитания карты памяти и центральной точкой второго вывода 26 передачи данных памяти.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и поэтому провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Обратитесь к описаниям в предшествующих вариантах осуществления.
Фиг. 25 является структурной схемой еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. На основании карты памяти, предоставленной в варианте осуществления, показанном на фиг. 1, как показано на фиг. 25, карта памяти включает в себя четыре вывода передачи данных. Четыре вывода передачи данных представляет собой первый вывод 25 передачи данных, второй вывод 26 передачи данных, третий вывод 27 передачи данных и четвертый вывод 28 передачи данных.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 21 тактового сигнала карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 31 тактового сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен первый вывод 25 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 32 сигнала сброса нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположены третий вывод 27 передачи данных и вывод 22 электропитания карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в котором расположен вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Вывод 22 электропитания карты памяти занимает часть области третьего вывода 27 передачи данных карты памяти. Вывод 22 электропитания карты памяти изолирован от третьего вывода 27 передачи данных карты памяти. Вывод 22 электропитания карты памяти расположен рядом с первым выводом 25 передачи данных карты памяти.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен второй вывод 26 передачи данных карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 34 передачи данных нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположен вывод 23 сигнала управления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой находится вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала нано-SIM карты.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четвертый вывод 28 передачи данных и вывод 24 сигнала заземления карты памяти, соответствует области на корпусе карты нано-SIM карты, в котором расположен вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Вывод 24 сигнала заземления карты памяти занимает часть области четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти. Вывод 24 сигнала заземления карты памяти изолирован от четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти. Вывод 24 сигнала заземления карты памяти находится рядом с выводом 23 сигнала управления карты памяти.
В этом варианте осуществления, в частности, дополнительно, область на корпусе карты памяти, в которой находятся четыре вывода, то есть, вывод 21 тактового сигнала карты памяти, первый вывод 25 передачи данных памяти карта, вывод 22 электропитания карты памяти и третий вывод 27 передачи данных карты памяти, которые соответствуют области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположены вывод 31 тактового сигнала, вывод 32 сигнала сброса и вывод 33 электропитания нано-SIM карты. Можно узнать, что третий вывод 27 передачи данных карты памяти и вывод 22 электропитания карты памяти получаются путем разделения области вывода 33 электропитания нано-SIM-карты на два вывода. Дополнительно, вывод 22 электропитания карты памяти занимает часть области третьего вывода 27 передачи данных карты памяти. Как можно узнать из фиг. 25, где видно, что вывод 22 электропитания карты памяти занимает угол третьего вывода 27 передачи данных карты памяти. Формы и размеры третьего вывода 27 передачи данных карты памяти и вывода 22 электропитания карты памяти не ограничены. Кроме того, формы и размеры вывода 21 тактового сигнала карты памяти и первого вывода 25 передачи данных карты памяти не ограничены.
Область на корпусе карты памяти, в которой расположены четыре вывода, то есть, второй вывод 26 передачи данных карты памяти, вывод 23 сигнала управления карты памяти, вывод 24 сигнала заземления карты памяти и четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти расположены в соответствующей области на корпусе карты нано-SIM карты, в которой расположен вывод 34 передачи данных, вывод 35 напряжения программирования/входного сигнала и вывод 36 сигнала заземления нано-SIM карты. Можно узнать, что четвертый вывод 28 передачи данных карты памяти и вывод 24 сигнала заземления карты памяти получаются путем разделения области вывода 36 сигнала заземления нано-SIM карты на два вывода. Дополнительно, вывод 24 сигнала заземления карты памяти занимает часть области четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти. Как видно из фиг. 25, вывод 24 сигнала заземления карты памяти занимает угол четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти. Формы и размеры четвертого вывода 28 передачи данных карты памяти и вывода 24 сигнала заземления карты памяти не ограничены. Дополнительно, формы и размеры второго вывода 26 передачи данных карты памяти и вывода 23 сигнала управления карты памяти не ограничены.
Дополнительно, в этом варианте осуществления могут быть промежутки между выводами (или контактами, или соединительными клеммами) карты памяти, и, следовательно, провод карты памяти может быть расположен на поверхности этих расстояний; или может не быть промежутков, и, следовательно, провод карты памяти может находиться внутри корпуса карты памяти. В этом варианте осуществления «соответствующий» также может упоминаться как отношение отображения. Обратитесь к описаниям в предшествующих вариантах осуществления.
Нано-SIM карта в этом варианте осуществления представляет собой микро-SIM карту, также называемую интегральной платой четвертого форм-фактора, и также упоминается как НаноSIM карта, Нано SIM карта, нано Sim карта, НаноSim карта, Нано Sim карта, нано-SIM карта, наноSIM карта, нано SIM карта, нано-Sim карта, наноSim карта, нано Sim карта, нано-sim карта, наноsim карта или нано sim карта.
Карта памяти в этом варианте осуществления представляет собой карту памяти в основном такой же формы и в основном того же размера, что и нано-SIM карта в этом варианте осуществления настоящего изобретения.
Вывод в следующих вариантах осуществления может представлять собой металлический контакт. Чтобы быть конкретным, вывод может быть контактом с областью контакта и проводящей функцией. Вывод в вариантах осуществления настоящего изобретения может упоминаться как соединительная клемма. Конкретное название вывода конкретно не ограничено.
Фиг. 27 является структурной схемой 1 еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Фиг. 28 является структурной схемой 2 даже еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 27 и фиг. 28, фиг. 27 показывает структуру карты памяти и фиг. 28 показывает, что на карте памяти расположены восемь контактов. Обозначение выводов предусмотрено для каждого вывода. Обозначения выводов: 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 и 8. С угла зрения фиг. 28, вывод 4 расположен ниже вывода 3, и вывод 4 имеет L-образную форму; и вывод 5 расположен ниже вывода 6, и вывод 5 имеет форму буквы "L".
Таблица 2. Способ конфигурации выводов на карте памяти
Обозначение выводов
Режим карты памяти
Режим последовательного периферийного интерфейса (serial peripheral interface, SPI)
Имя
Описание
Имя
Описание
1
DAT1
линия данных [бит 1]
RSV
зарезервированный элемент
2
CMD
команда/ответ
DI
входные данные
3
GND
заземление
GND
заземление
4
CD/DAT3
обнаружение карты/линия данных [бит 3]
CS
выбор микросхемы
5
DAT2
линия данных [бит 2]
RSV
зарезервированный элемент
6
VDD
источник питания
VDD
источник питания
7
DAT0
линия данных [бит 0]
DO
выходные данные
8
CLK
тактовый сигнал
CLK
тактовый сигнал
Как показано в таблице 2, карта памяти может находиться в двух режимах работы: режим карты памяти и SPI режим.
Как показано в таблице 2, когда карта памяти находится в режиме карты памяти, выводы карты памяти выглядят следующим образом: вывод с обозначением 1 является DAT1, вывод линии данных [бит 1] линия данных [бит 1], вывод DAT1 выполнен с возможностью передавать данные, и DAT является выводом данных (data pin). Вывод с обозначением контакта 2 является CMD (вывод команды, command pin), вывод является выводом команды/ответа (command/response) и вывод CMD выполнен с возможностью передавать сигнал команды управления. Вывод, обозначенный 3, является GND, является выводом заземления (ground), и вывод GND выполнен с возможностью передавать опорный сигнал заземления. Вывод с обозначением контакта 4 является CD/DAT3, вывод соответствует линии обнаружения карты/данных [бит 3] (card detection/data line [бит 3]), вывод CD выполнен с возможностью передавать сигнал обнаружения карты и вывод DAT3 выполнен с возможностью передавать данные. Вывод с обозначением контакта 5 является DAT2, вывод соответствует линии данных [бит 2] (Data line [bit 2]), вывод DAT2 выполнен с возможностью передавать данные. Вывод, обозначенный 6 является VDD, является выводом сигнала электропитания, и вывод VDD выполнен с возможностью передавать сигнал электропитания. Вывод с обозначением вывода 7 является DAT0, вывод соответствует линии данных [бит 0], линии данных [бит 0], и DAT0 выполнен с возможностью передавать данные. Вывод с обозначением вывода 8 является CLK (входной тактовый сигнал, clock input pin), вывод соответствует тактовым сигналам (clock), и вывод CLK выполнен с возможностью передавать тактовый сигнал.
Как показано в таблице 2, когда карта памяти находится в режиме SPI, выводы карты памяти являются следующими: вывод с обозначением вывода 1 равен RSV, вывод является зарезервированным (reserved) элементом, вывод с обозначением вывода 2 является DI, вывод соответствует входным данным (data input), и вывод DI выполнен с возможностью передавать сигнал входных данных. Вывод с обозначением 3 является GND, вывод заземления (ground), и вывод GND выполнен с возможностью передавать опорный сигнал заземления. Вывод с обозначением вывода 4 равен CS, вывод соответствует выбору микросхемы, и вывод CS выполнен с возможностью передавать сигнал выбора микросхемы. Вывод с обозначением вывода 5 является RSV, и вывод является зарезервированным (reserved) элементом. Вывод с обозначением 6 является VDD, вывод представляет собой вывод сигнала электропитания, и вывод VDD выполнен с возможностью передавать сигнал электропитания. Вывод с обозначением вывода 7 равен DO, вывод соответствует выходным данным (data output), и вывод DO выполнен с возможностью передавать сигнал выходных данных. Вывод с обозначением вывода 8 представляет собой вывод CLK, который соответствует тактовому сигналу (clock), и вывод CLK выполнен с возможностью передавать тактовый сигнал.
Дополнительно, фиг. 29 является схемой 3 еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 29, есть определенные расстояния между выводами карты памяти. Фиг. 30 является структурной схемой 4 еще одной карты памяти согласно варианту осуществления этого применения. Фиг. 30 показывает боковую структуру карты памяти, и карта памяти имеет конкретную толщину.
Как показано на фиг. 27, закругленный угол может быть предусмотрен, по меньшей мере, на одном скосе карты памяти. Например, как показано на фиг. 27, закругленный угол R1 может быть предусмотрен в верхнем левом углу карты памяти, закругленный угол R2 может быть предусмотрен в верхнем правом углу карты памяти, закругленные углы R3 и R4 могут быть отдельно предоставлены в нижнем левом углу карты памяти, и в правом нижнем углу карты памяти может быть предусмотрен закругленный угол R5. Карта памяти имеет ширину A и высоту B. Значения ширины A и высоты B приведены в таблице 3.
Как показано на фиг. 29, на основании угла зрения фиг. 29 справа налево карта памяти имеет первый боковой край и второй боковой край; справа налево вывод 8 карты памяти имеет первый край и второй край; и справа налево вывод 1 карты памяти имеет первый край и второй край. Длина расстояния от первого края вывода 8 до второго бокового края карты памяти составляет А1. Длина расстояния от второго края вывода 8 до второго бокового края карты памяти составляет A2. Длина расстояния от первого края вывода 1 до второго бокового края карты памяти составляет A3. Длина расстояния от второго края вывода 1 до второго бокового края карты памяти составляет А4. Дополнительно, справа налево вывод 7 карты памяти имеет первый край и второй край; и справа налево вывод 2 карты памяти имеет первый край и второй край.
Как показано на фиг. 29, на основании угла зрения на фиг. 29, справа налево, есть первый край и второй край в верхней части вывода 5 в форме "L", и есть третий край слева от вывода 5; справа налево вывод 6 карты памяти имеет первый край и второй край; справа налево вывод 3 карты памяти имеет первый край и второй край; справа налево имеется первый край справа от вывода 4 в форме буквы «L»; и справа налево есть второй край и третий край в верхней части вывода 4. Длина расстояния от первого бокового края карты памяти до первого края вывода 5 составляет A11. Длина расстояния от первого края вывода 5 до второго края вывода 5 составляет A12. Длина расстояния от второго края вывода 5 до первого края вывода 6 составляет A9. Длина расстояния от первого края вывода 6 до третьего края вывода 5 составляет A10. Длина расстояния от первого края вывода 4 до второго края вывода 3 составляет A8. Длина расстояния от второго края вывода 3 до второго края вывода 4 составляет A7. Длина расстояния от второго края вывода 4 до третьего края вывода 4 составляет A6. Длина расстояния от третьего края вывода 4 до второго бокового края карты памяти составляет A5.
Как показано на фиг. 29, на основании угла зрения на фиг. 29 сверху вниз карта памяти имеет третий боковой край и четвертый боковой край; сверху вниз вывод 8 карты памяти имеет третий край и четвертый край; сверху вниз вывод 7 карты памяти имеет третий край и четвертый край; сверху вниз вывод 6 карты памяти имеет третий край и четвертый край; сверху вниз имеется четвертый край на вершине вывода 5 в форме буквы «L»; и сверху вниз, есть пятый край и шестой край в нижней части вывода 5. Аналогично, сверху вниз, вывод 1 карты памяти имеет третий край и четвертый край; сверху вниз вывод 2 карты памяти имеет третий край и четвертый край; сверху вниз вывод 3 карты памяти имеет третий край и четвертый край; сверху вниз имеется четвертый край на вершине вывода 4 в форме буквы «L»; и сверху вниз, есть пятый край и шестой край в нижней части вывода 4. Длина расстояния от третьего бокового края карты памяти до первого края вывода 8 равна B10. Длина расстояния от третьего края вывода 8 до четвертого бокового края карты памяти составляет B1. Длина расстояния от четвертого края вывода 8 до четвертого бокового края карты памяти составляет B2. Длина расстояния от третьего края вывода 7 до четвертого бокового края карты памяти составляет B3. Длина расстояния от четвертого края вывода 7 до четвертого бокового края карты памяти составляет B4. Длина расстояния от третьего края вывода 6 до четвертого края вывода 6 составляет B5. Длина расстояния от четвертого края вывода 6 до четвертого бокового края карты памяти составляет B6. Длина расстояния от пятого края вывода 5 до шестого края вывода 5 составляет B7. Длина расстояния от шестого края вывода 5 до четвертого бокового края карты памяти составляет B8. Длина расстояния от третьего края вывода 3 до четвертого бокового края карты памяти составляет B9.
На основании угла зрения на фиг. 29, есть верхний угол R6 в верхнем правом углу карты памяти, есть закругленный угол R7 в верхнем левом углу вывода 1, есть закругленный угол R8 в нижнем левом углу вывода 3, имеется закругленный угол R9 на изгибе вывода 4 в форме буквы «L», и есть закругленный угол R10 в нижнем левом углу вывода 4.
Как показано на фиг. 30, толщина карты памяти составляет C.
Указанные выше длины и толщина приведены в таблице 3. Числа, показанные в таблице 3, указаны в миллиметрах (mm).
Таблица 3. Расстояния между выводами на карте памяти
Общее измерение (COMMON DIMENSION)
Символ (SYMBOL)
Минимум (MIN)
Нормальное значение (NOM)
Максимум (MAX)
A
12,20
12,30
12,40
A1
11,20
11,30
11,40
A2
7,30
7,40
7,50
A3
4,80
4,90
5,00
A4
0,90
1,00
1,10
A5
0,45
0,50
0,55
A6
0,95
1,00
1,05
A7
0,15
0,20
0,25
A8
3,10
3,20
3,30
A9
0,15
0,20
0,25
A10
3,10
3,20
3,30
A11
0,45
0,50
0,55
A12
0,95
1,00
1,05
B
8,70
8,80
8,90
B1
7,85
7,95
8,05
B2
5,95
6,05
6,15
B3
5,15
5,25
5,35
B4
3,25
3,35
3,45
B5
1,55
1,60
1,65
B6
1,25
1,35
1,45
B7
0,90
0,95
1,00
B8
0,2
B9
2,85
2,95
3,05
B10
0,75
0,85
0,95
C
0,60
0,70
0,84
D1
0,15
D2
0,15
D3
0,15
D4
0,15
Возможно, фиг. 31 является структурной схемой 5 еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 31, чтобы повысить надежность карты, вдоль края карты памяти предусмотрена область защиты (Keep Out Area), простирающаяся внутрь. Область защиты представляет собой область, в которой расположение линий электропередачи запрещено. Линии передачи могут включать в себя сигнальную линию, линию электропередачи, линию управления и тому подобное. Например, как показано на фиг. 31, карта памяти имеет четыре края, и на четырех сторонах предусмотрены защитные области. Четыре области защиты обозначены символом D1, символом D2, символом D3 и символом D4. D1, D2, D3 и D4 также могут идентифицировать расстояния, на которых четыре области защиты простираются внутрь по краям карты памяти.
Минимальный размер ширины каждой из области D1 защиты, области D2 защиты, области D3 защиты и области D4 защиты карты памяти может составлять 0,15 миллиметра (mm).
Длина карты памяти в этом варианте осуществления настоящего изобретения может составлять приблизительно 12,3 миллиметра, отклонение размера длины может составлять приблизительно 0,1 миллиметра. Другими словами, длина карты памяти в этом варианте осуществления настоящего изобретения может составлять от 12,2 миллиметра до 12,4 миллиметра.
Ширина карты памяти в этом варианте осуществления настоящего изобретения может составлять приблизительно 8,8 миллиметра, а отклонение размера ширины может составлять приблизительно 0,1 миллиметра. Другими словами, ширина карты памяти в этом варианте осуществления настоящего изобретения может составлять от 8,7 миллиметра до 8,9 миллиметра.
Толщина карты памяти в этом варианте осуществления настоящего изобретения может составлять приблизительно 0,7 миллиметра, положительное отклонение размера толщины может составлять 0,14 миллиметра, и отрицательное отклонение размера толщины может составлять приблизительно 0,1 миллиметра. Другими словами, толщина карты памяти может составлять от 0,6 миллиметров до 0,84 миллиметров.
Фиг. 32 является структурной схемой 6 еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 32, вывода расположены в теневых областях, показанных на фиг. 32. Проводящие материалы могут быть расположены в теневых областях, так что проводящие материалы составляют выводы карты памяти. Непроводящие материалы расположены в незатененных областях, показанных на фиг. 31, для формирования непроводящих областей.
Фиг. 33 является структурной схемой 7 еще одной карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 33, выводы расположены в незатененных областях, показанных на фиг. 33. Проводящие материалы могут быть расположены в незатененных областях, так что проводящие материалы формируют выводы карты памяти. Непроводящие материалы расположены в затененных областях, показанных на фиг. 33, для формирования непроводящих областей.
Один или несколько типов проводящих материалов могут использоваться для формирования каждого вывода. Например, проводящий материал может быть золотом или медью. Кроме того, проводящий материал не является нанесенным, высота карты памяти в области, в которой расположен проводящий материал, меньше или равна высоте в области, в которой расположен непроводящий материал. Проводящий материал не выступает из-за края карты памяти. Другими словами, проводящий материал не расположен на боковом краю карты памяти. Ширина карты памяти в области, в которой расположен проводящий материал, меньше или равна ширине карты в области, в которой расположен непроводящий материал. Длина карты памяти в области, в которой расположен проводящий материал, меньше или равна длине карты, в которой находится непроводящий материал.
Возможно, может быть предусмотрено переходное отверстие в области защиты карты памяти. Переходное отверстие не предоставляется в месте расположения вывода.
Карта памяти, предусмотренная в этом варианте осуществления, может быть вставлена в держатель нано-SIM карты оконечного устройства. Держатель нано-SIM карты также может называться разъемом для карты или разъемом для карты памяти. Пружина расположена на держателе нано-SIM карты. Как описано выше, пружина соответствует выводу на карте памяти.
Когда карта памяти вставлена в держатель нано-SIM карты или карта памяти извлечена из держателя нано-SIM карты, вывод царапается пружиной. Например, когда карта памяти, показанная на фиг. 28 горизонтально вставлена в держатель нано-SIM карты, четыре вывода на одной стороне карты памяти сначала входят в держатель нано-SIM карты, и поэтому четыре вывода непрерывно царапаются дважды внешними пружинами в держателе нано-SIM карты. Например, выводы 1, 2, 3 и 4 сначала входят в держатель нано-SIM карты и выводы 1, 2, 3 и 4 непрерывно царапаются дважды крайними пружинами в держателе нано-SIM карты. Например, когда карта памяти, показанная на фиг. 28, вертикально вставлена в держатель нано-SIM карты, два вывода, которые сначала входят в держатель нано-SIM карты, непрерывно царапаются внешними пружинами в держателе нано-SIM карты. Например, выводы 1 и 8 сначала входят в держатель нано-SIM карты, выводы 1 и 8 непрерывно царапаются четырьмя наружными пружинами в держателе нано-SIM карты, выводы 2 и 7 непрерывно царапаются три раза внешними пружинами в держателе нано-SIM карты и выводы 3 и 6 непрерывно царапаются дважды крайними пружинами в держателе нано-SIM карты. Поэтому необходимо обеспечить долговечность карты памяти, чтобы обеспечить относительно длительный срок службы карты памяти.
Дополнительно, необходимо убедиться, что на карте памяти нет перегрева. Карта памяти имеет множество режимов работы, например, высокоскоростной режим и режим сверхвысокой скорости (ultra-high speed-I, UHS-I). В высокоскоростном режиме рабочее напряжение карты памяти составляет 3,3 Вольт (V). В режиме UHS-I рабочее напряжение карты памяти составляет 1,8 Вольт (V). В вышеупомянутых различных режимах работы энергопотребление карты памяти варьируется и, следовательно, тепло, выделяемое картой памяти, изменяется. Чтобы обеспечить нормальную работу карты памяти, независимо от режима работы карты памяти, необходимо обеспечить, чтобы энергопотребление карты памяти находилось в пределах 0,72 Ватт (W).
Во-первых, необходимо определить, вставлена ли карта памяти в держатель нано-SIM карты или извлечена из держателя нано-SIM карты. Настоящее изобретение обеспечивает два способа обнаружения: установлена или извлечена карта памяти.
Первый способ обнаружения описывается следующим образом: переключатель обнаружения карты (card detection switch) расположен в держателе нано-SIM карты оконечного устройства. В этом случае переключатель обнаружения карты является нормально разомкнутым, как показано в таблице 4. Когда карта памяти извлекается, переключатель обнаружения карты разомкнут; или, когда карта памяти вставлена, переключатель обнаружения карты замкнут. В частности, фиг. 34 является принципиальной схемой обнаружения вставки и извлечения карты памяти в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 34, предусмотрены хост-контроллер (host controller) 01, источник питания 02 обнаружения (VDD) и переключатель 03 обнаружения карты. Хост-контроллер 01 и источник 02 питания обнаружения расположены в оконечном устройстве, переключатель 03 обнаружения карты расположен в держателе нано-SIM карты оконечного устройства. Один конец переключателя 03 обнаружения карты соединен с хост-контроллером 01, и другой конец переключателя 03 обнаружения карты заземлен. Выходной конец источника 02 питания обнаружения подключен между хост-контроллером 01 и переключателем 03 обнаружения карты. Когда карта памяти вставлена, переключатель 03 обнаружения карты замкнут, хост-контроллер 01 обнаруживает сигнал низкого уровня, и хост-контроллер 01 обеспечивает электропитание карты памяти; или когда карта памяти извлечена, переключатель 03 обнаружения карты разомкнут, хост-контроллер 01 обнаруживает сигнал высокого уровня, и хост-контроллер 01 отключает источник питания, который обеспечивает электрическую энергию для карты памяти.
Второй способ обнаружения описывается следующим образом. Аналогично, переключатель обнаружения карты расположен в держателе нано-SIM карты оконечного устройства. В этом случае переключатель обнаружения карты имеет нормально замкнутый тип, как показано в таблице 4. Когда карта памяти извлекается, переключатель обнаружения карты замыкается; или, когда карта памяти вставлена, переключатель обнаружения карты разомкнут. В частности, как показано на фиг. 34, когда карта памяти вставлена, переключатель 03 обнаружения карты разомкнут, хост-контроллер 01 обнаруживает сигнал высокого уровня, и хост-контроллер 01 обеспечивает источник питания, который обеспечивает электрическую энергию для карты памяти; или, когда карта памяти извлечена, переключатель 03 обнаружения карты замкнут, хост-контроллер 01 обнаруживает сигнал низкого уровня, и хост-контроллер 01 отключает источник питания, который обеспечивает электрическую энергию для карты памяти.
Следовательно, может быть обнаружено, вставлена или извлечена карта памяти. Когда обнаруживается, что карта памяти извлекается, источник питания, который обеспечивает электрическую энергию для карты памяти, отключается, тем самым, экономя электрическую энергию и достигая низкого энергопотребления.
Таблица 4. Состояние переключателя обнаружения карт
Тип переключателя обнаружения карты (Card Detection Switch Types)
Карта памяти извлечена (nano SD is Removed)
Карта памяти вставлена (nano SD is Inserted)
Нормально разомкнут (Normally open)
Разомкнут (OFF (open))
Замкнут (ON (closed))
Нормально замкнут (Normally closed)
Замкнут (ON (closed))
Разомкнут (OFF (open))
Вышеупомянутое «вставление карты памяти» означает, что, когда все выводы на карте памяти находятся в контакте с соответствующими пружинами, определяется, что карта памяти вставлена. Вышеупомянутое «извлечение карты памяти» означает, что, когда один или несколько выводов на карте памяти больше не соприкасаются с соответствующей пружиной, определяется, что карта памяти извлечена.
Функции карты памяти, предоставленной в настоящем изобретении, совместимы с функциями карты памяти в предшествующем уровне техники. Однако, поскольку карта памяти, предусмотренная в настоящем изобретении, может быть вставлена в держатель нано-SIM карты оконечного устройства, размер карты памяти, предоставленной в настоящем изобретении, меньше, чем у карты памяти в предшествующем уровне техники.
Карта памяти, предоставленная в настоящем изобретении, является картой микро-памяти и может также упоминаться как нано-SD карта памяти, нано-SD карта памяти, наноSD карта памяти, нано SD карта памяти, нано-SD карта памяти или наноSD карта памяти.
Форма карты памяти, представленной в настоящем изобретении, в основном, такая же, как у нано-SIM карты. Дополнительно, размер карты памяти, представленной в настоящем изобретении, в основном, такой же, как у нано-SIM карты.
Настоящее изобретение дополнительно предоставляет оконечное устройство, включающий в себя вышеупомянутую карту памяти. Обычно карта памяти используется приложениями, используемыми вместе с различными продуктами (например, оконечное устройством) для хранения цифровых данных. Регулярно карту памяти можно извлечь из оконечного устройства для обеспечения возможности переносить носитель с цифровыми данными, хранящимися на карте памяти. Карта памяти по настоящему изобретению может иметь относительно небольшой коэффициент формы и может быть выполнена с возможностью хранить цифровые данные для оконечного устройства. Например, оконечное устройство представляет собой камеру, карманный компьютер или ноутбук, устройство сетевого приложения, телевизионную приставку, карманный компьютер или другой компактный аудиоплеер/рекордер или медицинский монитор.
Фиг. 26 является схемой оконечного устройства в соответствии с вариантом осуществления настоящего изобретения. Как показано на фиг. 26, карта памяти может быть вставлена в держатель нано-SIM карты оконечного устройства. Первая точка 41 подключения, соответствующая выводу 21 тактового сигнала карты памяти, вторая точка 42 подключения, соответствующая выводу 22 электропитания карты памяти, вторая точка 43 подключения, соответствующая выводу 23 сигнала управления карты памяти, вторая точка 44 подключения, соответствующая выводу 24 сигнала заземления карты памяти, вторая точка 45 подключения, соответствующая первому выводу 25 передачи данных карты памяти, вторая точка 46 подключения, соответствующая второму выводу 26 передачи данных карта памяти, вторая точка 47 подключения, соответствующая третьему выводу 27 передачи данных карты памяти, и вторая точка 48 подключения, соответствующая четвертому выводу 28 передачи данных карты памяти, расположены в держателе нано-SIM карты. После того, как карта памяти вставлена в держатель нано-SIM карты, выводы карты памяти соприкасаются с соответствующими точками подключения. Первый вывод 51 подключен к первой точке 41 подключения, второй вывод 52 подключен ко второй точке 42 подключения, третий вывод 53 подключен ко второй точке 43 подключения, четвертый вывод 54 подключен ко второй точке 44 подключения, пятый вывод 55, подключен ко второй точке 45 подключения, шестой вывод 56 подключен ко второй точке 46 подключения, седьмой вывод 57 подключен ко второй точке 47 подключения и восьмой вывод 58 подключен ко второй точке 48 подключения, которые расположены на микросхеме управления оконечного устройства. Второй вывод 52 может представлять собой вывод электропитания микросхемы управления и четвертый вывод 54 может представлять собой вывод сигнала заземления микросхемы управления.
Дополнительно, в оконечном устройстве предусмотрены SD интерфейс и SIM интерфейс. Шесть выводов расположены на SD интерфейсе: первый SD вывод, второй SD вывод, третий SD вывод, четвертый SD вывод, пятый SD вывод и шестой SD вывод. На интерфейсе SIM-карты расположены три вывода: первый вывод SIM-карты, второй вывод SIM-карты и третий вывод SIM-карты.
В микросхеме управления предусмотрены три переключателя 61. Один конец каждого из трех переключателей 61 соединен с каждым из любых трех из первого вывода 51, третьего вывода 53, пятого вывода 55, шестого вывода 56, седьмого вывода 57 и восьмого вывода 58 во взаимно-однозначном соответствии. Другие выводы в первом выводе 51, третьем выводе 53, пятом выводе 55, шестом выводе 56, седьмом выводе 57 и восьмом выводе 58, которые не подключены к переключателям 61, подключены к трем выводам на SD интерфейсе во взаимно-однозначном соответствии.
Каждый из оставшихся трех выводов на SD интерфейсе, которые не подключены к контактам микросхемы управления, находится во взаимно-однозначном соответствии с другим концом каждого из трех переключателей 61. Каждый из трех выводов в SIM интерфейсе находится во взаимно-однозначном соответствии с другим концом каждого из трех переключателей 61.
Микросхема управления управляет, основываясь на обнаружении на карте памяти взаимно-однозначного соответствия между другим концом каждого из трех переключателей 61 и каждым из оставшихся трех выводов на SD интерфейсе, которые не подключены к выводам микросхему управления. Кроме того, карта памяти в настоящее время реализует функцию хранения. Альтернативно, микросхема управления управляет, основываясь на обнаружении на карте памяти взаимно-однозначного соответствия между другим концом каждого из трех переключателей 61 и каждым из трех выводов на SIM интерфейсе. Кроме того, карта памяти изменяется на SIM-карту для реализации функции связи.
Возможно, предоставляется структура 71 связи ближнего поля (near field communication, NFC). Выходной конец NFC структуры 71 соответствует одному концу другого переключателя. Кроме того, седьмой вывод 57 соответствует одному концу другого переключателя. Другой конец другого переключателя соединен со второй точкой 47 подключения. Следовательно, выходной конец NFC структуры 71 подключен к одному концу другого переключателя, или седьмой вывод 57 подключен к одному концу другого переключателя.
Вышеупомянутые варианты осуществления специально описывают карту памяти и оконечное устройство. Вышеприведенные описания предназначены для иллюстрации примерных вариантов осуществления карты памяти, но не составляют ограничения настоящего изобретения. Технологии, раскрытые в настоящем изобретении, могут дополнительно использоваться для применения карты памяти в вычислительном устройстве, и вычислительное устройство контролирует или управляет картой памяти. В дополнение к оконечному устройству примеры приложений, которые могут быть реализованы на карте памяти, включают в себя устройство беспроводной связи, устройство глобальной системы позиционирования (global positioning system, GPS), сотовое устройство, сетевой интерфейс, модем, магнитный диск. система хранения и тому подобное.
Множество признаков и преимуществ настоящего изобретения приведены в описании. Следовательно, формула изобретения охватывает все эти признаки и преимущества настоящего изобретения. Дополнительно, поскольку специалист в данной области может легко выполнить множество корректировок и изменений, настоящее изобретение не ограничено описанными точными структурами и операциями. Следовательно, все подходящие корректировки и изменения, которые могут быть использованы, входят в объем защиты настоящего изобретения.