Способ получения заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений

Способ получения заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений, заключающийся в нанесении на резистивную пленку пленки алюминия и формировании конфигурации с помощью фотолитографии, анодирования и избирательного химического травления, отличающийся тем, что вместо пленки алюминия на резистивную пленку тантала и его соединений наносят пленки иттрия, и формирование конфигурации производят с помощью фотолитографии и избирательного химического травления пленки иттрия и пленки тантала и его соединений, при этом толщина пленки иттрия составляет 0,05-0,1 мкм, а избирательное химическое травление резистивных пленок тантала и его соединений производят в растворах на основе фтористоводородной кислоты, а избирательное химическое травление пленки иттрия производят в растворе ортофосфорной кислоты.