УСТРОЙСТВО OLED С ПОКРЫТОЙ ШУНТИРУЮЩЕЙ ЛИНИЕЙ

1. Устройство органического светоизлучающего диода (OLED) с подложкой (1), проводящим слоем (3), органическим слоем (2) в качестве активного слоя и шунтирующей линией (4) в качестве дополнительного канала распределения тока, причем проводящий слой (3) обеспечен на подложке (1), причем шунтирующая линия (4) обеспечена посредством лазерного осаждения на проводящем слое (3), причем шунтирующая линия (4), по меньшей мере, частично покрыта электроизоляционным слоем (5), осажденным посредством струйной печати краской, глубокой печати или/трафаретной печати, причем электроизоляционный слой имеет толщину ≥1 мкм и ≤2 мкм, причем органический слой (2) обеспечен сверху проводящего слоя (3) и покрытой шунтирующей линии (4).
2. Устройство OLED по п.1, в котором обеспечен противоположный электрод, а электроизоляционный слой (5) улучшает предотвращение короткого замыкания между шунтирующей линией и противоположным электродом.
3. Устройство OLED по п.1 или 2, в котором электроизоляционный слой (5) полностью покрывает шунтирующую линию (4).
4. Устройство OLED по п.1 или 2, в котором обеспечено множество шунтирующих линий (4), предпочтительно сетка шунтирующих линий (4), которые покрыты электроизоляционным слоем (5).
5. Устройство OLED по п.1 или 2, в котором проводящий слой (3), по меньшей мере, частично, а предпочтительно полностью, является прозрачным.
6. Устройство OLED по п.1 или 2, в котором электроизоляционный слой (5) содержит фоторезист.
7. Способ изготовления устройства OLED, причем устройство OLED содержит подложку (1), проводящий слой (3), органический слой (2) в качестве активного слоя и шунтирующую линию (4) в качестве дополнительного канала распределения тока, причем проводящий слой (3) обеспечен на подложке (1), причем шунтирующая линия (4) осаждена на проводящий слой (3) посредством лазерного осаждения, причем электроизоляционный слой (5), толщина которого ≥1 мкм и ≤2 мкм, осажден на шунтирующую линию (4) посредством струйной печати краской, глубокой печати или/трафаретной печати, причем электроизоляционный слой (5), по меньшей мере, частично покрывает шунтирующую линию (4) и причем органический слой (2) осажден сверху проводящего слоя (3) и покрытой шунтирующей линии (4).
8. Способ по п.7, в котором после осаждения органического вещества (6) для органического слоя (2) применяют этап сушки.
9. Способ по п.8, в котором этап сушки проводят при температуре ≥150°C и ≤180°C.
10. Способ по п.8 или 9, в котором этап сушки выполняют в течение периода ≥20 мин и ≤40 мин.