КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВКИ (СМР), СОДЕРЖАЩАЯ НЕИОННОЕ ПОВЕРХНОСТНО-АКТИВНОЕ ВЕЩЕСТВО И КАРБОНАТНУЮ СОЛЬ

1. Композиция для химико-механической полировки, содержащая
(A) неорганические частицы, органические частицы, или их смесь или композит, где частицы находятся в форме кокона,
(B) неионное поверхностно-активное вещество,
(C) карбонатную или гидрокарбонатную соль,
(D) спирт и
(М) водную среду.
2. Композиция по п. 1, где спирт (D) представляет собой спирт, имеющий по меньшей мере две гидроксильные группы, которые являются не диссоциирующими в водной среде.
3. Композиция по п. 1 или 2, дополнительно содержащая (Е) окисляющий агент.
4. Композиция по п. 1 или 2, дополнительно содержащая (F) ингибитор коррозии.
5. Композиция по п. 1 или 2, дополнительно содержащая (G) хелатирующий агент.
6. Композиция по п. 1 или 2, где частицы (А) представляют собой частицы диоксида кремния в форме кокона.
7. Композиция по п. 1 или 2, где неионное поверхностно-активное вещество (В) представляет собой амфифильное неионное поверхностно-активное вещество, содержащее полиоксиалкиленовую группу.
8. Композиция по п. 1 или 2, где карбонатная соль (С) представляет собой карбонат щелочного металла или гидрокарбонат щелочного металла.
9. Композиция по п. 1 или 2, дополнительно содержащая (G) неорганическую или органическую кислоту в качестве хелатирующего агента.
10. Композиция по п. 1 или 2, где значение pH композиции находится в интервале от 8 до 12.
11. Композиция для химико-механической полировки, содержащая
(A) частицы диоксида кремния в форме кокона,
(B) амфифильное неионное поверхностно-активное вещество, содержащее полиоксиалкиленовую групп,
(C) карбонат щелочного металла или гидрокарбонат щелочного металла,
(D) спирт, имеющий по меньшей мере две гидроксильные группы, которые являются не диссоциирующими в водной среде,
(E) окисляющий агент,
(F) ингибитор коррозии,
(G) хелатирующий агент и
(М) водную среду.
12. Способ получения полупроводниковых устройств, включающий химико-механическую полировку подложки, применяемой в полупроводниковой промышленности, в присутствии композиции по любому одному из пп. 1-11.
13. Применение композиции по любому одному из пп. 1-11 для химико-механической полировки подложки, применяемой в полупроводниковой промышленности.
14. Применение по п. 13, где подложка содержит (i) медь, и/или
(ii) тантал, нитрид тантала, титан, нитрид титана, рутений, кобальт или их сплавы.