Тонкопленочный фоторезистор

1. Тонкопленочный фоторезистор, например типа PbS или PbSe, содержащий диэлектрическую подложку, хотя бы одну  активную площадку прямоугольной формы, омические контакты с участками подпайки внешних выводов, отличающийся  тем, что  с целью  увеличения выхода годных при подпайке выводов, активная структура фоторезистора по линии тока, состоящая  из  омических контактов и активной площадки  располагается поперечно к участкам подпайки выводов, расположенных на противоположных краях подложки, а участки  подпайки выводов отделены  от активной структуры полосками свободной  поверхности диэлектрической подложки.
2. Тонкопленочный фоторезистор  по п. 1, отличающийся тем, что с целью увеличения темнового  сопротивления  фоторезистора с  сохранением однородности чувствительности  активной прямоугольной площадки, общая активная площадка делится на несколько полосок, каждая внутренняя  пара из которых соединена в  форме буквы П, где перекладина выполняется из слоя металла, обеспечивающего омический контакт к полоске полупроводника, а зазоры между полосками полупроводника выполняются минимально возможными.
3. Тонкопленочный фоторезистор  по пп. 1 и  2, отличающийся тем, что с целью устранения попадания на активную площадку фоторезистора боковых лучей, прошедших через диэлектрическую подложку и отраженных обратно от нижней поверхности, не используемые на подложке участки слоев полупроводника и металла омического контакта выполняются в топологии  маски-диафрагмы, высокоточно совмещенной  с активной площадкой самим процессом изготовления.
4. Тонкопленочный фоторезистор  по пп. 1, 2, и 3, отличающийсяся тем, что с целью улучшения качества подпайки шариков припоя, на поверхность пленки металла, обеспечивающего омический контакт к полупроводнику, на каждый выходной контакт  фоторезистора наносится дополнительный слой легкопаяемого  металла в виде одного или более участков ограниченного размера  под шарик припоя.