СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ, ПО МЕНЬШЕЙ МЕРЕ, ОДНОГО КОНСТРУКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПОСРЕДСТВОМ ЭЛЕМЕНТАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПЛАЗМЫ ПУТЕМ ЭЛЕКТРОННОГО ЦИКЛОТРОННОГО РЕЗОНАНСА

1. Способ обработки поверхности, по меньшей мере, одного конструктивного элемента посредством элементарных источников плазмы путем электронного циклотронного резонанса, отличающийся тем, что придают конструктивному элементу или конструктивным элементам (1), по меньшей мере, одно вращательное движение относительно, по меньшей мере, одного ряда неподвижно расположенных в линию элементарных источников (2), причем ряд или ряды расположенных в линию элементарных источников (2) расположены параллельно оси или осям вращения конструктивного элемента/элементов.
2. Устройство обработки поверхности, по меньшей мере, одного конструктивного элемента посредством элементарных источников плазмы путем электронного циклотронного резонанса, отличающееся тем, что содержит, по меньшей мере, один ряд неподвижно расположенных в линию элементарных источников (2), установленных напротив конструктивного элемента или конструктивных элементов (1), прикрепленных к средствам для придания, по меньшей мере, одного вращательного движения, причем ряд или ряды расположенных в линию элементарных источников (2) размещен/размещены параллельно оси или осям вращения конструктивного элемента/элементов).
3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что вращательное движение представляет собой простое вращение.
4. Устройство по п.2, отличающееся тем, что вращательное движение представляет собой простое или двойное планетарное движение.
5. Устройство по любому из пп.2-4, отличающееся тем, что элементарные источники (2) состоят из коаксиального волновода и насадки, содержащей магнит, который предназначен для обеспечения электронного циклотронного резонанса.
6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что для сохранения симметрии вращения волновода и для обеспечения смыкания траекторий электронов на них самих, ось намагничивания магнита расположена на одной линии с осью волновода.
7. Устройство по п.2, отличающееся тем, что элементарные источники запитываются посредством одного генератора, мощность которого разделена на равные части между источниками.
8. Устройство по п.2, отличающееся тем, что элементарные источники запитываются посредством генераторов, мощность которых скорректирована для получения однородной плазмы вдоль ряда источников.
9. Устройство по п.2, отличающееся тем, что расстояние Dmax между источниками определено формулой:
0
0
-3
где Rmax составляет около 5 см; P - 2·10 мбар; Р - рабочее давление (в мбар).
10. Устройство по п.2, отличающееся тем, что минимальное расстояние источников относительно конструктивных элементов является расстоянием, рассматриваемым как наиболее близкое во время движения, и составляющее приблизительно 40-160 мм.