СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИХ ТОНКИХ ПЛЕНОК ПРИ КОМНАТНОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ И ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ ТОНКИХ СЛОЕВ, ПОЛУЧЕННАЯ ПРИ ПОМОЩИ УКАЗАННОГО СПОСОБА

1. Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре, при котором электропроводные и/или полупроводниковые неорганические агломераты обеспечивают в дисперсии на поверхности и отверждают с получением слоя, отличающийся тем, что
отверждение проводят при комнатной температуре
и
отверждение ускоряют путем воздействия по меньшей мере одного реагента.
2. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что формируют последовательность PV-слоев.
3. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что в качестве по меньшей мере одного базового слоя наносят слой, который содержит по меньшей мере один металл или соединение металла, причем по меньшей мере один металл или его соединение выбраны из группы, состоящей из стали, цинка, олова, серебра, меди, алюминия, никеля, свинца, железа.
4. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что в качестве проводящего базового слоя наносят и по меньшей мере частично отверждают по меньшей мере один металлический проводящий слой и/или полупроводниковый слой.
5. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что в качестве носителя применяют плоское протяженное полотно, причем полотно состоит по меньшей мере из одного материала, выбранного из группы материалов, состоящей из стекла, пластика, поликарбоната, пластиковой пленки, металлического сплава, сплава для блока цилиндров, сплава для трубок теплообменника, сплава для теплообменника, сплава для спаивания теплообменника, керамики, промышленной керамики, природного камня, мрамора, глиняной керамики, керамики для черепицы, древесного материала для ламината, материала для половиц, алюминия, алюминиевого сплава для лестниц, платиновых композиционных материалов, материала корпуса интегральных схем, соединений для корпуса процессора.
6. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что неорганические агломераты первого слоя представляют собой металлы или соединения металлов, распределенные в пластиковой матрице, при этом вид металлов или вид металлов в соединениях металлов выбран из группы, состоящей из бериллия, бора, алюминия, галлия, индия, кремния, германия, олова, свинца, мышьяка, сурьмы, селена, теллура, меди, серебра, золота, цинка, железа, хрома, марганца, титана, циркония.
7. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что неорганические агломераты второго слоя представляют собой металлы или соединения металлов, распределенные по меньшей мере частично в неорганической матрице, при этом вид металлов или вид металлов в соединениях металлов выбран из группы, состоящей из бериллия, бора, алюминия, галлия, индия, кремния, германия, олова, свинца, мышьяка, сурьмы, селена, теллура, меди, серебра, золота, цинка, железа, хрома, марганца, титана, циркония.
8. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что в слое в качестве неорганической матрицы применяют матрицу, которая содержит в качестве стеклоподобной оксидной матрицы по меньшей мере один образующий цепи или модифицирующий элемент, причем элемент выбран из группы, состоящей из бора, фосфора, кремния, мышьяка, серы, селена, теллура, углерода в аморфной форме, углерода в графитовой модификации, углерода в форме углеродных нанотрубок, углерода в форме многослойных углеродных нанотрубок, углерода в форме бакминстерфуллеренов, кальция, натрия, алюминия, свинца, магния, бария, калия, марганца, цинка, олова, сурьмы, церия, циркония, титана, стронция, лантана, тория, иттрия, фтора, хлора, брома, йода.
9. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что
электропроводный электродный слой наносят поверх носителя,
металлы или соединения металлов, распределенные в пластиковой матрице, наносят поверх электродного слоя в качестве неорганических агломератов в первом слое,
второй слой неорганических металлических агломератов по меньшей мере в частично сильноосновной или сильнокислотной оксидной матрице наносят поверх первого слоя, причем
при нанесении и отверждении металлические агломераты вступают в реакцию с сильнокислотной или основной матрицей, причем матрица, в свою очередь, также вступает в реакцию с металлическими агломератами первого слоя,
при отверждении и осуществлении реакции происходит образование фотоэлектрически активного перехода,
второй слой обеспечивают с прозрачным покрывающим электродом и/или контактным электродом, и
фотоэлектрически активную последовательность слоев соответствующим образом приводят в контакт и сворачивают и приваривают в виде последовательности PV-слоев.
10. Последовательность электротехнических тонких слоев, полученная в виде последовательности PV-слоев согласно любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что последовательность тонких слоев
содержит стеклянный носитель,
содержит электродный слой, нанесенный поверх стеклянного носителя, содержащий серебро,
содержит первый слой, нанесенный поверх электродного слоя, который содержит частицы алюминия в пластиковой матрице,
содержит второй слой, нанесенный поверх первого слоя, который содержит в качестве по меньшей мере частично основного стеклоподобного слоя по меньшей мере кремний-кислородные мостики в стеклоподобной решетке и дополнительно содержит по меньшей мере частично растворимые в основании частицы алюминия в качестве неорганических агломератов,
содержит прозрачный покрывающий электрод, нанесенный поверх второго слоя и имеющий контактные электроды, причем
полученная таким образом последовательность PV-слоев, в свою очередь, проявляет фотоэлектрический эффект в длинноволновом и сверхдлинноволновом инфракрасном диапазоне.