Разработка и исследование многокристальных микросистем на основе модульной трехмерной интеграции кристаллов

Научная статья УДК 621.3.049.76: 621.396.6 doi:10.24151/1561-5405-2024-29-1-98-107 EDN: RLFKBJ

Разработка и исследование многокристальных микросистем на основе модульной трехмерной интеграции кристаллов

Е. Ю. Чугунов, С. П. Тимошенков, А. И. Погалов

Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия

dtm@miee.ru

Аннотация. В настоящее время подход к созданию электронной компонентной базы с высокой степенью интеграции на основе трехмерных многокристальных микросистем интенсивно развивается и реализуется в таких направлениях, как многоуровневая упаковка корпусированных микросхем, бескорпусных микросхем и полупроводниковых структур. Данный подход заключается в штабелировании набора кристаллов в трехмерные многокристальные модули и имеет ряд преимуществ по сравнению с двумерными конструкциями за счет большей функциональной плотности и эффективности размещения и монтажа компонентов. В работе проведены исследования многокристальных микросистем при различных воздействующих факторах. Показано существенное влияние физико-механических свойств материалов и конструктивно-технологических решений на прочность изделий. Установлено, что обеспечение надежности создаваемой электронной компонентной базы, направленное на уменьшение числа отказов и повреждений, повышение устойчивости к механическим, температурным и другим воздействиям, достигается при соблюдении комплекса выработанных научно-технических рекомендаций. Проведен рациональный подбор материалов для многокристальных микросистем на основе модульной трехмерной интеграции кристаллов. Выработан критерий оценки долговечности проводников с учетом линейного упрочнения материала и пластической деформации в цикле нагружения. Комплексный инженерный расчет с проведением моделирования на основе метода конечных элементов позволяет учесть совокупность конструктивных, технологических и эксплуатационных аспектов разработки электронной компонентной базы, сократить число ошибок при проектировании, найти рациональные технические решения. Моделирование обеспечивает поиск вариантов равномерного распределения нагрузки на элементы и соединения изделий, уменьшения изгибных, крутильных, температурных и монтажных деформаций, уравновешивания инерционных нагрузок, повышения запасов прочности и выносливости материалов и соединений.

Ключевые слова: электронная компонентная база, многокристальные микросистемы, модульная трехмерная интеграция кристаллов, конечно-элементное моделирование

© Е. Ю. Чугунов, С. П. Тимошенков, А. И. Погалов, 2024

Для цитирования: Чугунов Е. Ю., Тимошенков С. П., Погалов А. И. Разработка и исследование многокристальных микросистем на основе модульной трехмерной интеграции кристаллов // Изв. вузов. Электроника. 2024. Т. 29. № 1. С. 98-107. https://doi.org/10.24151/1561 -5405-2024-29-1-98-107. - EDN: RLFKBJ.

Original article

Development and research of multichip microsystems based on modular three-dimensional integration of chips

E. Yu. Chugunov, S. P. Timoshenkov, A. I. Pogalov

National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russia dtm@miee.ru

Abstract. The approach to highly-integrated electronic component base development based on three-dimensional (3D) multichip microsystems is currently intensely progressing and implementing in such directions as multilevel packaging of packaged microchips, unpackaged microchips and semiconductor structures. The given approach consists in stacking up chip set in 3D multichip modules and has a variety of advantages compared with 2D-constructions due to higher functional density and efficiency of chip placement and mounting. In this work, researches of multichip microsystems on exposure to various action factors are carried out. The significant impact of materials' physical mechanical properties and structural-and-technological solutions on product strength was shown. It has been established that ensuring the reliability of electronic component base under formation, targeted at reducing the number of failures and damage and increasing resistance to mechanical, temperature and other actions is assured by observing a set of developed scientific and technical recommendations. A criterion of conductor durability evaluation with account for linear hardening of the material and plastic strain in loading cycle has been elaborated. A comprehensive engineering calculation with simulation based on the finite-element method allows considering the totality of structural, technological and operational aspects of the electronic component base development, reducing the number of design errors, and finding rational technical solutions. Simulation provides a search for options for uniform load distribution on product elements and joints, reduction of bending, torsional, temperature and mounting deformations, inertial loads balance, and increase in strength and endurance of materials and joints.

Keywords: electronic component base, multichip microsystems, modular three-dimensional integration of chips; finite-element modeling

For citation: Chugunov E. Yu., Timoshenkov S. P., Pogalov A. I. Development and research of multichip microsystems based on modular three-dimensional integration of chips. Proc. Univ. Electronics, 2024, vol. 29, no. 1, pp. 98-107. https://doi.org/ 10.24151/1561-5405-2024-29-1-98-107. - EDN: RLFKBJ.

Введение. Рост функциональных возможностей, повышение степени интеграции и надежности, снижение габаритов и массы конструкций, улучшение других тактико-технических характеристик создаваемой электронной техники требуют совершенствования и разработки новых подходов к созданию высокоинтегрированной электронной

компонентной базы (ЭКБ) и технологий ее изготовления. Так, увеличение функциональной плотности и уменьшение топологических норм на уровне интегральных микросхем обеспечивают реализацию многофункциональных систем на кристалле. Такие системы, физически выполняемые в виде одного кристалла, могут реализовывать функции, эквивалентные многокристальным микросистемам (МКМ) [1-3].

Системы на кристалле изготавливаются по прогрессивным топологическим нормам и имеют ряд преимуществ, особенно в степени интеграции, по сравнению с набором отдельных микросхем в составе МКМ с той же функциональностью. Однако создание ЭКБ на основе систем на кристалле часто технически невозможно или экономически неоправданно с точки зрения функционально-стоимостных показателей. В таких случаях целесообразен переход к построению систем в корпусе, в которых кристаллы, функционально объединенные в МКМ, размещаются и упаковываются в одном корпусе. К существенному недостатку систем в корпусе относится преимущественно двумерная компоновка кристаллов, что приводит к росту дезинтеграции при монтаже [4].

Эффективным подходом к созданию ЭКБ с высокой степенью интеграции компонентов является разработка и конструирование МКМ на основе модульной трехмерной интеграции кристаллов. Этот подход заключается в штабелировании набора кристаллов в трехмерные многокристальные модули и реализует ряд преимуществ по сравнению с двумерными конструкциями за счет большей функциональной плотности и лучшей эффективности размещения и монтажа кристаллов. Рост степени интеграции МКМ за счет уплотненной трехмерной упаковки микросхем обусловливает снижение массога-баритных параметров, повышение быстродействия, эксплуатационной надежности и ряда других характеристик изделий [5].

Конструктивно-технологические направления создания трехмерных МКМ. В условиях микроминиатюризации подход к созданию ЭКБ на основе трехмерных МКМ получил интенсивное развитие и реализуется в таких направлениях, как многоуровневая упаковка корпусированных микросхем, бескорпусных микросхем, полупроводниковых структур (рис. 1).

а б в

Рис. 1. Трехмерные МКМ на базе многоуровневой упаковки: а - корпусированные микросхемы; б - бескорпусные микросхемы; в - полупроводниковые структуры Fig. 1. Three-dimensional multichip microsystems based on multilevel packaging: а - package on package;

b - die stacked; c - wafer stacked

Особенностями МКМ являются применение разнородных материалов в элементах и соединениях модулей, а также интеграция комбинированных конструктивно-технологических решений в единые функционально оформленные модули с максимально высокой плотностью объемной упаковки кристаллов (рис. 2). При этом, несмотря на разнообразие решений по созданию МКМ, остаются актуальными следующие задачи: обеспечение высокоплотной упаковки кристаллов в составе трехмерных МКМ с минимизацией дезинтеграции при монтаже; обеспечение надежной межу-ровневой коммутации с минимальным числом монтажных соединений; обеспечение механической прочности и тепловых режимов трехмерных конструкций [4-6].

Рис. 2. Эскизный вид конструкции трехмерной МКМ с разнесенными составными элементами Fig. 2. Sketch view of a three-dimensional multichip microsystem with spaced components

Для нивелирования конструктивных недостатков имеющихся решений выработаны такие виды исполнения МКМ, как модульная трехмерная интеграция бескорпусной ЭКБ на основе кремниевых интерпозеров (рис. 3, а) и гибких коммутационных плат (рис. 3, б). Интерпозеры и платы имеют контактные площадки для монтажа кристаллов и систему проводников для межуровневого коммутационного соединения смонтированных кристаллов. Отличительная особенность сложнопрофильных гибких плат с симметрично и попарно расположенными монтажными и боковыми выступами для установки и планарного монтажа кристаллов - доступность трехмерной сборки МКМ без проведения дополнительных монтажных операций [7, 8].

Рис. 3. Модульная трехмерная интеграция бескорпусной ЭКБ на основе кремниевых интерпозеров

и гибких коммутационных плат

Разработка и моделирование трехмерных конструкций МКМ. Основные задачи разработки и конструирования трехмерных МКМ направлены на нахождение решений, которые обеспечивают надежность создаваемых конструкций за счет уменьшения числа отказов и повреждений, а также устойчивость к механическим, температурным и другим воздействиям. Разнородность физико-механических свойств материалов, комбинированных в конструкциях трехмерных МКМ, приводит к возникновению механических деформаций и напряжений при изготовлении и эксплуатации модулей. В тех случаях, когда механические напряжения могут достигать пределов прочности материалов или их сопряжений, происходит разрушение конструктивных элементов или соединений.

Учесть совокупность конструктивных, технологических и эксплуатационных факторов, сократить число ошибок при проектировании, найти рациональные технические решения позволяет комплексный инженерный расчет, включающий в себя моделирование изделий на основе метода конечных элементов [9]. Проведенные авторами настоящей статьи инженерный расчет и компьютерное моделирование конструкций учитывали механические, физические, тепловые свойства материалов, конструктивные, технологические и эксплуатационные факторы, влияющие на силовую нагрузку, характер ее распределения, концентрацию напряжений и деформаций, выносливость изделий. Задачами моделирования являлись поиск вариантов равномерного распределения нагрузки на элементы и соединения изделий, уменьшения изгибных, крутильных, температурных и монтажных деформаций, уравновешивания инерционных нагрузок, повышения запасов прочности и выносливости материалов и соединений.

При разработке конечно-элементных моделей проводили аппроксимацию исследуемых конструкций путем исключения несущественных деталей, редукции сложных элементов [10]. На этапе аппроксимации конструкций закладывали наиболее важные факторы и характеристики изделий, выбирали геометрию моделей, строили сетку конечных элементов, задавали граничные условия и воздействия. Анализ конструкций показал, что в трехмерных структурах МКМ широко используются пластины из кремния, керамики, металлов и других материалов толщиной 0,1-5 мм, тонколистовые и пленочные материалы толщиной 10-500 мкм, клеи-герметики толщиной 50-300 мкм, проволока диаметром 30-60 мкм. На рис. 4 показана выработанная аппроксимированная конечно-элементная модель трехмерных МКМ, параметры которой варьируются для изучения различных конструктивно-технологических вариантов изделий и влияния воздействий на них. Физико-механические свойства основных использованных в модели материалов приведены в таблице [7, 11, 12].

Коммутационная плата / интерпозер

Клей-герметик Кристалл Основание МКМ

Рис. 4. Унифицированная компьютерная модель трехмерных МКМ с конечно-элементной дискретизацией для изучения конструктивно-технологических

вариантов изделий и их устойчивости к различным воздействиям Fig. 4. Unified computer model of three-dimensional multichip microsystems with finite-element discretization for the study of structural and technological variants of products and their stability to various impacts

w^ssss^ ggggssSa

штвевшшяш

Физико-механические свойства основных материалов модели трехмерных МКМ Physical and mechanical properties of the basic materials of the model of three-dimensional multichip microsystems

Материал Модуль упругости, МПа ТКЛР*, а406, °С-1 Допустимые напряжения, МПа Коэффициент Пуассона

Соединяемые материалы

Кремний 1,3105 4,2 200 0,3

Полиимид 3103 20 175 0,3

Алюминий 7104 22 150 0,33

Клеевые материалы

Полиамидно-эпоксидный клей-герметик марки «ВК-9» 2,8103 72 30 0,3

Эпоксидный клей-герметик марки «ЦМК-ТП» 3102 70 8 0,35

Кремний-органический клей-герметик марки «СИЭЛ 159-406 М» 14 60 5 0,35

ТКЛР - температурный коэффициент линейного расширения.

Исследования и моделирование МКМ направлены на получение с последующим сравнительным анализом значений напряжений в материалах при различных воздействиях в зависимости от конструктивно-технологического исполнения модулей и установления характера их распределения. В частности, при конструировании МКМ возникла необходимость обеспечения механической прочности и тепловых режимов изделий. Для решения данной проблемы проведено моделирование напряженно-деформированного состояния и определено влияние конструктивных параметров трехмерных МКМ на прочностные характеристики модулей в зависимости от свойств конструкционных материалов, характеристик сопряжений, условий эксплуатации и других факторов (рис. 5).

Рис. 5. Моделирование напряженно-деформированного состояния трехмерных МКМ при механических (а) и тепловых (б) воздействиях Fig. 5. Modeling of the stress-strain state of three-dimensional multichip microsystems under mechanical (a) and thermal (b) impacts

В результате исследований материалов, совместимых по модулям упругости и коэффициентам теплового линейного расширения, установлено, что адгезионные свойства исследуемых клеевых материалов превышают когезию внутри клеевых швов, однако в них отмечается неравномерность распределения напряжений с концентрацией по краям соединений (рис. 6). Для снижения неравномерности напряжений в соединениях МКМ целесообразно использовать низкомодульные эластичные клеи-герметики, например кремний-органический клей-герметик марки «СИЭЛ 159-406 М» с толщиной соединительных швов 50-150 мкм. Для обеспечения тепловых режимов модулей наиболее эффективны такие приемы по снижению влияния слоев с низкой теплопроводностью, как уменьшение их толщины, формирование теплопрово-дящих окон и применение термовставок. Так, наличие окон на боковых выступах в центре монтажных участков и на центральных частях гибких плат, заполненных клеем-герметиком при трехмерной сборке МКМ, с совместным применением термовставок позволяет снизить тепловое сопротивление стока тепла от кристаллов в 5,3 раза (до 1,4 К/Вт).

Для обеспечения надежности межкристальных коммутационных соединений МКМ исследовали устойчивость проводников к механическим воздействиям при сборке, монтаже и эксплуатации трехмерных конструкций. Для этого были разработаны аппроксимированные конечно-элементные модели и проведено моделирование отдельных узлов и элементов МКМ (рис. 7). Достоверность моделей и критериев устойчивости конструкционных элементов МКМ проверяли в результате испытаний материалов и соединений, что позволило учесть силы межфазного взаимодействия и механическую прочность сопряжений. Проволоку и тонколистовые материалы испытывали на растяжение, для чего использовали образцы, выполненные из двух материалов, соединенных внахлест припоем, механические свойства которых определяли сопоставлением растяжения соединенных и отдельных образцов. Гибкие платы испытывали на устойчивость к повторно-переменным нагрузкам путем многократных перегибов с заданными радиусами.

По результатам исследований и испытаний межкристальных коммутационных соединений установлена выносливость проводников МКМ при механических воздействиях, а также коэффициенты для расчетного определения по критерию Коффина -Мэнсона устойчивости проводников к механическим воздействиям на основе значений пластической деформации проводников в цикле нагружения:

N = 9,7 • 104(е ^)-2'185,

25

0 LI2

L, мм

Рис. 6. Эпюры термомеханических напряжений о по длине клеевых соединений L от центра к краям трехмерных МКМ для разных клеевых материалов (показано в сечении швов по оси симметрии L/2): 1 - полиамидно-эпоксидный клей-герметик марки «ВК-9»; 2 - эпоксидный клей-герметик марки «ЦМК-ТП»; 3 - кремнийорганический клей-герметик

марки «СИЭЛ 159-406 М» Fig. 6. Stress-strain diagrams о along the length of adhesive joints L from the center to the edges of three-dimensional multichip microsystems for various types of adhesive materials (shown in the section of adhesive joints along the axis of symmetry L/2): 1 - polyamide-epoxy adhesive sealant adhesive «ВК-9»; 2 - epoxy adhesive sealant adhesive «ЦМК-ТП»; 3 - silicon adhesive sealant adhesive «СИЭЛ 159-406 М»

а б

Рис. 7. Конечно-элементные модели межкристальных коммутационных соединений (а) и типового элемента гибких коммутационных плат (б) трехмерных МКМ Fig. 7. Finite-element models of chip interconnections (a) and typical element of flexible switching boards (b) of the three-dimensional multichip microsystems

где N - число циклов нагружения; spl - пластическая деформация в цикле нагружения при повторно-переменных воздействиях.

Расчеты показали, что использование защитного амортизирующего покрытия АД-9103 толщиной, равной толщине полиимидного пленочного материала гибких плат, позволяет увеличить в семь раз долговечность коммутационных соединений при действии циклических переменных изгибных напряжений. Это обусловлено увеличением толщины структуры соединений и, соответственно, смещением проводников ближе к нейтральному слою.

Заключение. Проведенные исследования показали, что реализация трехмерных МКМ обеспечивает создание современной ЭКБ с высокой степенью интеграции. В результате комплексного инженерного расчета изделий с проведением моделирования на основе метода конечных элементов установлено, что обеспечение надежности создаваемой ЭКБ на основе трехмерной интеграции, направленное на уменьшение числа отказов и повреждений, повышение устойчивости к механическим, температурным и другим воздействиям, достигается при соблюдении комплекса выработанных научно-технических рекомендаций и рациональном подборе материалов. По итогам исследований разработаны такие конструкции МКМ, как модульная трехмерная интеграция бескорпусной ЭКБ на основе кремниевых интерпозеров и гибких коммутационных плат.

Материалы статьи доложены на 7-й Научно-практической конференции «Интеллектуальные системы и микросистемная техника - 2023» (31 января - 06 февраля 2023 г., Кабардино-Балкарская Республика, пос. Эльбрус).

Литература

1. Krishnamoorthy R., Krishnan K. Security empowered system-on-chip selection for Internet of Things // Intell. Autom. Soft Comput. 2021. Vol. 30. No. 2. P. 403-418. https://doi.org/10.32604/iasc.2021.018560

2. Flynn M. J., Wayne L. Computer system design: System-on-chip. Hoboken, NJ: John Wiley & Sons, 2011. IV, 356 p.

3. Разработка однокристального передающего модуля со встроенным синтезатором частот / А. Калёнов, Л. Недашковский, М. Дроздецкий и др. // Электроника: наука, технология, бизнес. 2022. № 8 (219). С. 76-81. https://doi.org/10.22184/1992-4178.2022.219.8.76.81. - EDN: PPABSX.

4. Hwang L.-T., Horng T.-S. 3D IC and RF SiPs: Advanced stacking and planar solutions for 5G mobility. Hoboken, NJ: Wiley-IEEE Press, 2018. 464 p.

5. Чугунов Е. Ю., Тимошенков С. П., Погалов А. И., Вертянов Д. В. Конструирование и расчеты трехмерных микроэлектронных модулей с высокой степенью интеграции компонентов // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 2020. № 2 (178). С. 42-48. https://doi.org/10.7868/S2410993220020062. -EDN: OWMRXJ.

6. Кондрашин А. А., Лямин А. Н., Слепцов В. В. Современные технологии изготовления трехмерных электронных устройств: учеб. пособие. Изд. 2-е, испр. и доп. М.: Техносфера, 2019. 210 с.

7. Грушевский А. М. Сборка и монтаж многокристальных микромодулей: учеб. пособие / под ред. Л. А. Коледова. М.: МИЭТ, 2003. 195 с.

8. Пат. 2657092 РФ. Способ изготовления трехмерного многокристального модуля на гибкой плате / Г. А. Блинов, А. И. Погалов, Е. Ю. Чугунов; заявл. 25.05.2017; опубл. 08.06.2018, Бюл. № 16. 9 с. EDN: MGLLWY.

9. Muzel S. D., Bonhin E. P., Guimaraes N. M., Guidi E. S. Application of the finite element method in the analysis of composite materials: A review // Polymers. 2020. Vol. 12. Iss. 4. Art. No. 818. https://doi.org/ 10.3390/polym12040818

10. Чугунов Е. Ю., Погалов А. И., Тимошенков С. П. Инженерные расчеты узлов и сборок изделий микроэлектронной техники с применением конечно-элементного моделирования // Изв. вузов. Электроника. 2021. Т. 26. № 3-4. С. 255-264. https://doi.org/10.24151/1561-5405-2021-26-3-4-255-264. -EDN: SHNYLJ.

11. Анурьев В. И. Справочник конструктора-машиностроителя: в 3 т. / под ред. И. И. Жестковой. М.: Машиностроение, 2006. Т. 3. 927 с.

12. Феодосьев В. И. Сопротивление материалов: учеб. для вузов. М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2000. 592 с. (Механика в техническом университете: в 8 т. / отв. ред. К. С. Колесников; т. 2).

Статья поступила в редакцию 13.09.2023 г.; одобрена после рецензирования 26.09.2023 г.;

принята к публикации 15.12.2023 г.

Информация об авторах

Чугунов Евгений Юрьевич - аспирант Института нано- и микросистемной техники Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), chugunov-eu@inbox.ru

Тимошенков Сергей Петрович - доктор технических наук, профессор, директор Института нано- и микросистемной техники Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), spt@miee.ru

Погалов Анатолий Иванович - доктор технических наук, профессор Института нано- и микросистемной техники Национального исследовательского университета «МИЭТ» (Россия, 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, 1), dtm@miee.ru

References

1. Krishnamoorthy R., Krishnan K. Security empowered system-on-chip selection for Internet of Things. Intell. Autom. Soft Comput., 2021, vol. 30, no. 2, pp. 403-418. https://doi.org/10.32604/iasc.2021.018560

2. Flynn M. J., Wayne L. Computer system design: System-on-chip. Hoboken, NJ, John Wiley & Sons, 2011. iv, 356 p.

3. Kalyonov A., Nedashkovsky L., Drozdetsky M., Losev V., Chaplygin Yu. Development of a single-chip transmitting module with a built-in frequency synthesizer. Elektronika: nauka, tekhnologiya, biznes = Electronics: Science, Technology, Business, 2022, no. 8 (219), pp. 76-81. (In Russian). https://doi.org/10.22184/1992-4178.2022.219.8.76.81. - EDN: PPABSX.

4. Hwang L.-T., Horng T.-S. 3D IC and RF SiPs: Advanced stacking and planar solutions for 5G mobility. Hoboken, NJ, Wiley-IEEE Press, 2018. 464 p.

5. Chugunov E. Yu., Timoshenkov S. P., Pogalov A. I., Vertyanov D. V. Design and calculation of three-dimensional microelectronic modules with a high degree of component integration. Elektronnaya tekhnika. Ser. 3. Mikroelektronika = Electronic Engineering. Series 3. Microelectronics, 2020, no. 2 (178), pp. 42-48. (In Russian). https://doi.org/10.7868/S2410993220020062. - EDN: OWMRXJ.

6. Kondrashin A. A., Lyamin A. N., Sleptsov V. V. Modern technologies for manufacturing three-dimensional electronic devices, study guide. 2nd ed., rev. and upd. Moscow, Tekhnosfera Publ., 2019. 210 p. (In Russian).

7. Grushevskiy A. M. Assembly and mounting of multichip micromodules, study guide, ed. L. A. Koledov. Moscow, MIET, 2003. 195 p. (In Russian).

8. Blinov G. A., Pogalov A. I., Chugunov E. Yu. Method of the three-dimensional multi-crystal module on flexible board manufacturing. Patent 2657092 RF, publ. 08.06.2018, Bul. no. 16. 9 p. (In Russian). EDN: MGLLWY.

9. Muzel S. D., Bonhin E. P., Guimaraes N. M., Guidi E. S. Application of the finite element method in the analysis of composite materials: A review. Polymers, 2020, vol. 12, iss. 4, art. no. 818. https://doi.org/10.3390/ polym12040818

10. Chugunov E. Yu., Pogalov A. I., Timoshenkov S. P. Engineering calculations of microelectronic products parts and assemblies using finite-element modeling. Izv. vuzov. Elektronika = Proc. Univ. Electronics, 2021, vol. 26, no. 3-4, pp. 255-264. (In Russian). https://doi.org/10.24151/1561-5405-2021-26-3-4-255-264. -EDN: SHNYLJ.

11. Anur'yev V. I., Zhestkova I. I. (ed.). Handbook of a mechanical engineering constructor, in 3 vol. Vol. 3. Moscow, Mashinostroyeniye Publ., 2006. 927 p. (In Russian).

12. Feodos'yev V. I. Strength of materials, study guide for universities. Moscow, Bauman State Technical Univ. Publ., 2000. 592 p. (In Russian). Mechanics in technical university Series, in 8 vol., publ. ed. K. S. Kolesnikov, vol. 2.

The article was submitted 13.09.2023; approved after reviewing 26.09.2023;

accepted for publication 15.12.2023.

Information about the authors

Evgeny Yu. Chugunov - PhD student of the Institute of Nano- and Microsystem Technology, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), chugunov-eu@inbox.ru

Sergey P. Timoshenkov - Dr. Sci. (Eng.), Prof., Director of the Institute of Nano- and Microsystem Technology, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), spt@miee.ru

Anatoly I. Pogalov - Dr. Sci. (Eng.), Prof. of the Institute of Nano- and Microsystem Technology, National Research University of Electronic Technology (Russia, 124498, Moscow, Zelenograd, Shokin sq., 1), dtm@miee.ru

Информация для читателей журнала «Известия высших учебных заведений. Электроника»

Полные тексты статей журнала с 2004 по 2023 гг. доступны на сайтах Научной электронной библиотеки: www.elibrary.ru и журнала «Известия высших учебных заведений. Электроника»: http://ivuz-e.ru