почему реальные графики характеристик диодов отличаються от идеальных?

 

потому что помимо идеального pn-перехода, для которого и получаются идеализированные характеристики, в реальном приборе, который можно взять в руки и впаять в схему, есть много чего ещё. например, сопротивление базы диода (просто куска полупроводника от зоны перехода до омического контакта) , сам омический контакт.. . к тому же идеализированная характеристика диода получена при некоторых предположениях, которые могут не выполняться во всём диапазоне токов через переход (эффекты, связанные с высокой концентрацией заряда) . наконец, в приборах большой площади начинает сказываться неоднородность параметров - в разных точках перехода его параметры хоть немного, да различны.

при работе они меняются+всё не идеально.

ну это же реальные диоды.. . куда им до идеальных

ну наверное потому что нет ничего идельного в этом грешном мире

по определению! реальные системы на то они и реальные. в реальных системах всегда присутствуют различные флуктуации в следствии случайности ряда процессов. и потом в процессе работы диод нагревается, как следствие меняется концентрация носителей зарядов и сопротивление.