Umumiy bazali ulanish

**Umumiy bazaga ega kuchaytirgich bosqichi** (qisqartma — HAQIDA) bipolyar tranzistor yordamida elektron kuchaytirgichlarni qurish uchun uchta tipik sxemadan biridir.

Dala effektli tranzistor holatida umumiy eshikli kuchaytirgichga (kaskad) yoki elektrovakuum triodidan foydalanganda umumiy tarmoqqa ega kaskadga mos keladi.

Tokning kuchayishi yoʻqligi (birlikka yaqin, lekin birlikdan bir oz kamroq), yuqori kuchlanish kuchayishi va oʻrtacha (umumiy emitent sxemasiga nisbatan) quvvat ortishi bilan tavsiflanadi.

Ushbu sxemada kirish oʻzgaruvchan kuchaytirilgan signal emitentga beriladi va chiqish kollektordan olinadi. Bosqichning kirish empedansi juda kichik va chiqish empedansi yuqori. Davriy, masalan, garmonik signalni kuchaytirishda kirish va chiqish signallarining fazalari quvvat kuchaytirilishining chegaralangan chastotasidan past boʻlgan ish chastotalarida mos keladi. Cheklovchi chastotaga yaqin ishlaganda, kollektor oqimining fazasi emitent oqimining fazasidan orqada qola boshlaydi, chunki ozchilik tashuvchilarning asosiy qatlamdan oʻtishi uchun cheklangan vaqt kerak boʻladi.

Umumiy tayanch sxemasining foydali xususiyati uchta tipik kuchaytirgich davrlari orasida eng kichigi boʻlib, Miller effekti tufayli kollektordan bazaga parazitar salbiy teskari aloqadir, bu tranzistorning asosi boʻlganligi sababli yuqori chastotalarda daromadni kamaytiradi. oʻzgaruvchan tok orqali erga „qisqa tutashgan“. Shu sababli, umumiy asosli sxema boshqa ikkitasi orasida eng yuqori chastotali hisoblanadi va koʻpincha yuqori chastotali kuchaytirgichlar va osilatorlarni, shu jumladan mikrotoʻlqinli diapazondagilarni qurish uchun ishlatiladi.

„Umumiy baza“ atamasi AC signali uchun bazaning „tuproq“ ga ulanishini bildirishi muhimdir. Darhaqiqat, haqiqiy zanjirlarda poydevor kamdan-kam hollarda toʻgʻridan-toʻgʻri „tuproq“ ga elektr bilan ulanadi va uni „tuproq“ ga „qisqartirish“ kuchaytirilgan diapazonda uning ahamiyatsiz reaktivligini taʼminlash uchun etarli quvvatga ega blokirovka qiluvchi kondansatkich orqali amalga oshiriladi. chastotalar.

## Elektr parametrlari

* Kuchaytirish koeffitsiyenti:

: I_{\text{вых}}/{I_{\text{вх}}} = I_{\text{к}}/I_{\text{э}} = \alpha, (\alpha 

* Kirish differensial empedansi (kichik signal empedansi):

: r_{\text{вх}} = dU_{\text{вх}}/dI_{\text{вх}} = dU_{\text{эб}}/dI_{\text{э}}.

Umumiy baza zanjiri uchun kirish differensial qarshiligi emitent oqimiga juda bogʻliq va nisbatan kichikdir. Kam quvvatli tranzistorlar uchun past toklarda, taglik kOhm yuzlab birlikdan oshmaydi, kuchlilar uchun — birlik — oʻnlab ohm, chunki kaskadning kirish davri tranzistorning ochiq emitter pn birikmasi, oqim kuchlanishi. xarakteristikasi toʻgʻridan-toʻgʻri yarimoʻtkazgichli diodga yaqin.

* Kollektorning chiqish differentsial qarshiligi umumiy emitentli bosqichga qaraganda sezilarli darajada yuqori, chunki bazaga nisbatan emitentdagi sobit kuchlanishdagi kollektor kuchlanishining oʻzgarishi kollektor oqimini ozgina oʻzgartiradi. Aslida, bosqichning chiqish differentsial empedansi ekvivalent sxemada kollektor qarshiligining parallel ulanishi va tranzistorning differentsial chiqish kollektor qarshiligi. Transistorning differentsial chiqish kollektor qarshiligi odatda kollektor rezistorining qarshiligidan koʻp marta katta boʻlganligi sababli, odatda bosqichning chiqish differentsial qarshiligi kollektor qarshiligining qarshiligiga deyarli teng ekanligi ayon boʻladi.

Tebranish zanjiri kaskadi kollektorga kiritilganda, chastota-selektiv kuchaytirgichni qurishda, chiqish kollektorining qarshiligi sxemani biroz yuklaydi va shuning uchun uning sifat koeffitsientini kamroq kamaytiradi.

## Umumiy baza kuchaytirgichning afzalliklari va kamchiliklari
Sxemaning **afzalliklari** barqaror harorat va chastota xossalari, yaʼni sxema parametrlari (kuchlanish va oqim kuchayishi va kirish qarshiligi) atrof-muhit haroratining oʻzgarishi, yuqori chiqish differentsial qarshiligi bilan bir oz oʻzgaradi.

Sxemaning **kamchiliklari** past kirish differensial qarshiligidir.

## Manbalar
* X.Nigʻmatov „Radioelektronika asoslari“
* N.Sh. Turdiyev „Radioelektronika“