NVRAM

**NVRAM** (Non-Volatile Random Access Memory) alebo **energeticky nezávislá pamäť s priamym prístupom** je RAM, ktorá (na rozdiel od SRAM/DRAM) nepotrebuje na uchovanie údajov elektrickú energiu. 

## Sledované parametre
### Zapisovateľnosť / Prepisovateľnosť
#### ''Len na čítanie''
Pamäte typu „len na čítanie“ (angl. *read-only*) majú obsah určený výrobcom a užívateľsky nie sú zapisovateľné. Príkladom sú polovodičové ROM pamäte (použité často napr. na uchovanie firmware v mikrokontroléroch pri hromadnej výrobe), alebo tzv. lisované CD.

Niekedy sa ako ROM používajú aj pamäte na jednorazový zápis, ktorých obsah je však zapísaný a overený priamo výrobcom.

#### ''Na jednorazový zápis''
Pamäte na jednorazový zápis (angl. *write-once* alebo (u polovodičových pamätí) *one-time programmable*) je možné užívateľsky jednorazovo zapísať, ale nie je možné ich mazať či prepísať. Typický príklad sú CD-ROM, DVD-ROM alebo bezokienkové EPROM, príp. dnes už historické bipolárne PROM.

#### ''Na viacnásobný zápis''
Tieto pamäte umožňujú viacnásobné, niekedy až neobmedzené, zapisovanie resp. prepisovanie údajov. Dôležitým parametrom týchto pamätí je povolený počet zápisových cyklov.

### Doba uchovania údajov
Doba uchovania údajov (angl. *retention*) je výrobcom zaručená doba, pokiaľ si pamäť bez napájania uchová údaje nepoškodené. Obvykle ide o roky (typická hodnota býva 10 alebo 20 rokov). 

Takmer u všetkých druhov NVRAM sa táto doba exponenciálne zmenšuje so zvyšujúcou sa teplotou, preto je dôležité venovať pozornosť prevádzkovým príp. skladovacím podmienkam pamäte.

### Počet cyklov (zápis, čítanie)
Niektoré technológie NVRAM majú obmedzený počet prístupových cyklov (angl. *endurance*)(obvykle zápisových, zriedkavo čítacích) kvôli degeneratívnym zmenám v materiáli pamäte. 

Typicky sa to týka mazacích/zápisových cyklov pamätí typu EPROM/EEPROM/FLASH, ktoré bývajú typicky okolo 105-106 (ale u niektorých typov len okolo 1000). 

Počet čítacích cyklov je obmedzený u technológie feroelektrických pamätí, kde je čítanie deštruktívne a je potrebné informáciu obnoviť, takže v prípade čítania prebehne aj zápis. Celkový počet cyklov u týchto pamätí je však pomerne vysoký, okolo 108-109, u novších pamätí na nižšie napájacie napätie sa dokonca udáva ako neobmedzený.

### Prístupová doba (čítanie, zápis)
Pre aplikáciu je podstatná aj doba prístupu k údajom.

U pamätí s nepohyblivým médiom (angl. *solid state*) ide dnes pri čítaní obvykle o desiatky nanosekúnd. Zápis je u pamätí typu EEPROM/FLASH pomalší (typicky jednotky či desiatky mikrosekúnd), pričom je potrebné často pamäť najprv vymazať (čo môže trvať desiatky mikrosekúnd až milisekundy).

U pamätí s pohyblivým médiom je doba prístupu obvykle symetrická pre čítanie/zápis, ale je rozdiel medzi čítaním za sebou nasledujúcich údajov a úplne náhodným prístupom (ten trvá obvykle desiatky milisekúnd). U týchto pamätí teda nejde čiste o pamäte s náhodným prístupom (RAM) podľa definície, ale čiastočne je prítomný aj sekvenčný prístup.

## Rozdelenie

### S pohyblivým médiom
* pevný disk
* CD a jeho varianty
* DVD a jeho varianty
* diskety, vrátane veľkokapacitných vymeniteľných magnetických médií (a-drive, jaz-drive, zip-drive) – zastarané

### S nepohyblivým médiom (solid state)
#### ''Zastarané''
* PROM

#### ''Vyzreté''
* polovodičová mask-ROM
* EPROM

#### ''Používané''
* EEPROM
* FLASH
* SRAM s integrovanou zálohovacou batériou (obvykle lítiový článok so životnosťou okolo 10 rokov)
* kombinácia SRAM a FLASH, kde pri zapnutí sa automaticky prekopírujú údaje zo SRAM do FLASH a pri vypnutí naopak 

#### ''Nové''
* feroelektrická pamäť (FRAM) 
* magnetorezistívna pamäť (MRAM) 
*SSD (solid-state drive)

#### ''Vo vývoji''
* využívajúce technológiu uhlíkových nanorúrok
* magnetické RAM pamäte založené na efekte magnetického tunela

## Referencie

Kategória:Polovodičové pamäte
Kategória:Počítačová pamäť