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웨이퍼 백그라인딩

**웨이퍼 백그라인딩**(wafer backgrinding)은 반도체 제조 단계 중 하나로, 집적 회로(IC)의 스태킹 및 고밀도 패키징을 위해 웨이퍼 두께를 줄이는 공정이다.

IC는 수많은 공정 단계를 거치는 반도체 웨이퍼 위에서 생산된다. 오늘날 주로 사용되는 규소 웨이퍼는 직경이 200mm 또는 300mm이다. 이 웨이퍼는 최소한의 기계적 안정성을 보장하고 고온 공정 중 휘어짐을 방지하기 위해 약 750 μm 두께를 가진다.

스마트카드, USB 메모리 스틱, 스마트폰, 휴대용 음악 플레이어 및 기타 초소형 전자 제품은 모든 차원에서 다양한 구성 요소의 크기를 최소화하지 않으면 현재 형태로 구현할 수 없다. 따라서 웨이퍼 뒷면은 웨이퍼 다이싱(개별 마이크로칩 분리) 전에 그라인딩된다. 오늘날 75~50μm까지 얇아진 웨이퍼가 일반적이다.

그라인딩 전에 웨이퍼는 일반적으로 UV 경화형 백그라인딩 테이프로 라미네이팅되는데, 이는 백그라인딩 중 웨이퍼 표면 손상을 방지하고 그라인딩 유체 및 잔해물의 침투로 인한 웨이퍼 표면 오염을 방지한다. 또한 웨이퍼는 공정 전반에 걸쳐 정제수로 세척되어 오염을 방지한다.

이 공정은 "백랩"(backlap), "백피니시"(backfinish), "백사이드 그라인딩"(back side grinding) 또는 "웨이퍼 시닝"(wafer thinning)으로도 알려져 있다.

백그라인딩 후, 완성된 웨이퍼는 다이 분리라고 불리는 공정에서 개별 칩으로 절단된다.

## 같이 보기
* 이면조사 센서

## 각주

분류:반도체 제조
웨이퍼 본딩

**웨이퍼 본딩**(wafer bonding)은 웨이퍼 수준에서 미소전기기계 시스템(MEMS), 나노전기기계 시스템(NEMS), 마이크로일렉트로닉스 및 광전자 공학 제작을 위한 패키징 기술로, 기계적으로 안정적이고 밀폐된 캡슐화를 보장한다. MEMS/NEMS용 웨이퍼 직경은 100~200mm(4~8인치)이며, 마이크로전자 장치 생산용으로는 최대 300mm(12인치)이다. 마이크로일렉트로닉스 산업 초기에는 1950년대 웨이퍼 직경이 1인치에 불과한 더 작은 웨이퍼가 사용되었다.

## 개요
미소전기기계 시스템(MEMS) 및 나노전기기계 시스템(NEMS)에서 패키지는 민감한 내부 구조를 온도, 습기, 고압 및 산화종과 같은 환경 영향으로부터 보호한다. 기능 요소의 장기 안정성과 신뢰성은 캡슐화 공정에 따라 달라지며, 이는 전체 장치 비용에도 영향을 미친다. 패키지는 다음 요구 사항을 충족해야 한다.
* 환경 영향으로부터의 보호
* 열 방출
* 다양한 기술을 가진 요소 통합
* 주변 환경과의 호환성
* 에너지 및 정보 흐름 유지

## 기술
일반적으로 사용되고 개발된 본딩 방법은 다음과 같다.
* 다이렉트 본딩
* 표면 활성화 본딩
* 플라스마 활성화 본딩
* 애노딕 본딩
* 공융 본딩
* 유리 프릿 본딩
* 접착 본딩
* 열압착 본딩
* 반응성 본딩
* 과도 액상 확산 본딩
* 원자 확산 본딩

## 요구 사항
웨이퍼 본딩은 일반적으로 다음과 같이 정의될 수 있는 특정 환경 조건을 필요로 한다.

# 기판 표면
#* 평탄도
#* 매끄러움
#* 청결도
# 본딩 환경
#* 본딩 온도
#* 주변 압력
#* 가해지는 힘
# 재료
#* 기판 재료
#* 중간층 재료

실제 본딩은 이러한 모든 조건과 요구 사항의 상호 작용이다. 따라서 적용되는 기술은 현재 기판과 최대 허용 온도, 기계적 압력 또는 원하는 기체 분위기와 같은 정의된 사양을 고려하여 선택되어야 한다.

## 평가
본딩된 웨이퍼는 제작된 장치 또는 공정 개발을 위해 기술의 수율, 본딩 강도 및 밀봉 수준을 평가하기 위해 특성화된다. 따라서 본드 특성화를 위한 여러 가지 접근 방식이 나타났다. 한편으로는 인장 또는 전단 테스트와 같은 본드 강도 평가를 위한 파괴적 기술 외에 균열 또는 계면 공극을 찾기 위한 비파괴 광학 방법이 사용된다. 다른 한편으로는 신중하게 선택된 가스의 고유한 특성 또는 마이크로 공진기의 압력 의존적 진동 거동이 밀봉 테스트에 활용된다.

## 각주




## 더 읽어보기
*피터 램, 제임스 루, 마이케 타클로 (편집), Handbook of Wafer Bonding, Wiley-VCH, .

분류:전자공학 제조
분류:화학 결합
분류:반도체 기술
프론트엔드 오브 라인

[섬네일|'''FEOL'''([백엔드 오브 라인|BEOL은 장치를 연결하기 위한 금속화 층을 증착하는 중간 부분)의 그림(실리콘의 장치 생성, 하단).]]
섬네일|CMOS 제조 공정

**프론트엔드 오브 라인**(front end of line, **FEOL**) 또는 **전공정**은 개별 부품(트랜지스터, 축전기, 저항기 등)이 반도체 기판에 패턴화되는 IC 제작의 첫 번째 부분이다. FEOL은 일반적으로 금속 인터커넥트 층의 증착을 제외한 모든 것을 포함한다.

## 단계
CMOS 공정의 경우, FEOL은 절연된 CMOS 소자를 형성하는 데 필요한 모든 제조 단계를 포함한다.
# 사용할 웨이퍼 유형 선택. 화학기계적 평탄화(CMP) 및 웨이퍼 세정.
# 얕은 트렌치 격리(STI) (특징 크기 > 0.25 μm인 초기 공정에서는 LOCOS)
# 웰 형성
# 게이트 모듈 형성
# 소스 및 드레인 모듈 형성

마지막으로, 후속 금속화를 위한 접점을 준비하기 위해 표면을 처리한다. 이것으로 FEOL 공정, 즉 모든 장치 구축이 완료된다.

이러한 단계를 거친 후, 전기 회로를 구축하기 위해 장치들은 회로망에 따라 전기적으로 연결되어야 한다. 이것은 백엔드 오브 라인 (BEOL)에서 이루어진다. 따라서 BEOL은 개별 장치들이 연결되는 IC 제작의 두 번째 부분이다.

## 같이 보기
* 백엔드 오브 라인 (BEOL)
* 집적 회로

## 각주

## 추가 자료
*"CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation" Wiley-IEEE, 2010. . 페이지 177-178 (7.2장 CMOS 공정 통합); 페이지 180-199 (7.2.1 프론트엔드 통합)
* "전자 회로 레이아웃 설계의 기본" J. 리니히, J. 샤이벨, 스프링거, , 2020. 2장: 기술 노하우: 실리콘에서 장치까지, 페이지 78-82 (2.9.3 FEOL: 장치 생성)

분류:전자공학 제조
분류:반도체 제조
백엔드 오브 라인

[섬네일|'''BEOL''' 공정은 [전공정|FEOL (하단) 동안 생성된 개별 장치를 상호 연결하기 위해 실리콘 위에 금속화 층을 증착한다.]]
[섬네일|[CMOS 제조 공정]]

**백엔드 오브 라인**(back end of line, **BEOL**) 또는 **후공정**은 장치가 이미 패턴화된 웨이퍼에 금속 인터커넥트 층을 증착하는 반도체 제조 공정이다. 이것은 프런트 엔드 오브 라인(FEOL) 이후 IC 제조의 두 번째 부분이다. BEOL에서는 개별 장치(트랜지스터, 커패시터, 저항 등)가 금속 배선이 증착되는 방식에 따라 서로 연결된다.

## 금속화
개별 장치는 산화물 층(절연 목적)과 금속 층(인터커넥트 트랙용)을 번갈아 쌓아서 연결된다. 따라서 층 사이의 비아와 개별 층의 인터커넥트는 구조화 공정을 사용하여 형성된다.

일반적인 금속은 구리와 알루미늄이다. BEOL은 일반적으로 첫 번째 금속 층이 웨이퍼에 증착될 때 시작된다. BEOL에는 접점, 절연 층(유전체), 금속 레벨, 칩-패키지 연결을 위한 본딩 사이트가 포함된다. 현대 IC 공정의 경우 BEOL에 10개 이상의 금속 층을 추가할 수 있다.

1998년 이전에는 사실상 모든 칩이 금속 상호 연결 층에 알루미늄을 사용했지만, 오늘날에는 구리가 주로 사용된다.

## 단계
BEOL의 단계는 다음과 같다:
# 소스 및 드레인 영역과 폴리실리콘 영역의 실리콘화.
# 유전체 추가 (첫 번째, 하위 층은 프리메탈 유전체 (PMD) – 금속을 실리콘 및 폴리실리콘으로부터 절연하기 위해), CMP 처리
# PMD에 구멍을 만들고 그 안에 접점을 만든다.
# 금속 층 1 추가
# 인터메탈 유전체 (IMD)라고 불리는 두 번째 유전체 추가
# 유전체를 통해 비아를 만들어 하위 금속을 상위 금속과 연결한다. 비아는 금속 CVD 공정으로 채워진다.
#:모든 금속 층을 얻기 위해 4-6단계를 반복한다.
# 마이크로칩을 보호하기 위한 최종 부동태화 층 추가

BEOL 이후에는 "백엔드 공정"(후가공이라고도 함)이 있으며, 이는 클린룸에서 수행되지 않고 종종 다른 회사에서 수행된다.
여기에는 웨이퍼 테스트, 웨이퍼 백그라인딩, 다이 분리, 다이 테스트, IC 패키징 및 최종 테스트가 포함된다.

## 같이 보기
* 전공정 (FEOL)
* 집적 회로
* 인산 규산염 유리

## 각주

## 추가 자료
* 
* 
* "Chapter 2: Technology Know-How: From Silicon to Devices". Fundamentals of Layout Design for Electronic Circuits, by Lienig, Scheible, Springer, , 2020. p. 82 (2.9.4 BEOL: Connecting Devices)

분류:전자공학 제조
분류:반도체 제조
실리콘-저마늄

**실리콘-저마늄**(silicon–germanium) 또는 **SiGe**은 규소와 저마늄의 어떤 몰 비율을 가진 합금으로, 즉 Si1−xGex 형태의 분자식을 가진다. 이는 일반적으로 이종접합 양극성 트랜지스터를 위한 집적 회로(IC)의 반도체 재료로 사용되거나 CMOS 트랜지스터에 변형을 유도하는 층으로 사용된다. IBM은 1989년에 이 기술을 주류 제조에 도입했다. 이 비교적 새로운 기술은 혼합 신호 회로 및 아날로그 회로 IC 설계 및 제조 분야에서 기회를 제공한다. SiGe는 또한 고온 응용 분야(>700K)를 위한 열전 재료로 사용된다.

## 역사
SiGe에 대한 첫 번째 논문은 1955년에 실리콘-저마늄 합금의 자기저항효과에 대해 발표되었다. SiGe 장치에 대한 첫 언급은 실제로는 이종접합 양극성 트랜지스터(HBT)의 SiGe 베이스 개념이 1957년 물리학 설명과 함께 논의되었던 양극성 트랜지스터의 원래 특허에 있었다. 트랜지스터에 필요한 SiGe 이종구조의 첫 번째 에피택시 성장은 1975년에 독일 울름의 AEG 연구 센터(현재 다임러 벤츠)에서 에리히 카스퍼와 그의 동료들에 의해 분자선 에피택시(MBE)를 사용하여 시연되었다.

## 생산
실리콘-저마늄의 반도체로의 사용은 버나드 S. 마이어슨에 의해 옹호되었다.
수십 년 동안 그 실현을 지연시켰던 난제는 저마늄 원자가 규소 원자보다 약 4% 더 크다는 것이었다. 규소 트랜지스터가 제조되던 통상적인 고온에서는 이러한 더 큰 원자를 결정질 규소에 추가함으로써 유도되는 변형이 엄청난 수의 결함을 생성하여 결과적인 재료가 전혀 쓸모없게 만들었다. 마이어슨과 동료들은 당시 고온 처리가 필수적이라고 여겨지던 가정이 잘못되었음을 발견했으며, 이로 인해 충분히 낮은 온도에서 SiGe 성장이 가능해져 실질적으로 결함이 형성되지 않았다. 이 기본적인 장애물을 해결하자, 결과적인 SiGe 재료가 기존의 저비용 규소 처리 도구 세트를 사용하여 고성능 전자로 제조될 수 있음이 입증되었다. 더 중요하게는, 결과적인 트랜지스터의 성능이 당시 전통적으로 제조된 규소 장치의 한계라고 생각되었던 것을 훨씬 초과하여, WiFi와 같은 새로운 세대의 저비용 상업용 무선 기술을 가능하게 했다. SiGe 공정은 규소 CMOS 제조와 유사한 비용을 달성하며, 비소화 갈륨과 같은 다른 이종접합 기술보다 저렴하다. 최근에는 고순도 Ge, SiGe 및 변형 규소와 같은 Ge 함유 박막의 MOVPE 증착을 위한 저메인의 덜 위험한 액체 대안으로 유기저마늄 전구체(예: 아이소부틸저메인, 알킬저마늄 삼염화물, 디메틸아미노저마늄 삼염화물)가 검토되었다.

SiGe 파운드리 서비스는 여러 반도체 기술 회사에서 제공된다. 어드밴스트 마이크로 디바이시스는 IBM과 SiGe 스트레스드 실리콘 기술 공동 개발을 발표했으며, 65 nm 공정을 목표로 하고 있다. TSMC 또한 SiGe 제조 능력을 판매한다.

2015년 7월, IBM은 7 nm 실리콘-저마늄 공정을 사용하여 작동하는 트랜지스터 샘플을 제작했다고 발표했으며, 이는 당시 공정보다 트랜지스터 수를 4배 늘릴 수 있음을 약속했다.

## SiGe 트랜지스터
SiGe는 이종접합 양극성 트랜지스터와 CMOS 논리를 통합할 수 있게 하여, 혼합 신호 집적 회로에 적합하게 만든다. 이종접합 양극성 트랜지스터는 기존의 동종접합 양극성 트랜지스터보다 더 높은 순방향 이득과 낮은 역방향 이득을 가진다. 이는 더 나은 저전류 및 고주파 성능으로 이어진다. 조정 가능한 띠틈을 가진 이종접합 기술로서, SiGe는 규소 단독 기술보다 더 유연한 띠틈 튜닝 기회를 제공한다.

절연체 상 실리콘-저마늄(SGOI)은 현재 컴퓨터 칩에 사용되는 실리콘 온 인슐레이터(SOI) 기술과 유사한 기술이다. SGOI는 MOS 트랜지스터 게이트 아래의 결정격자에 변형을 가하여 마이크로칩 내부의 트랜지스터 속도를 증가시키며, 이는 향상된 전자 이동도와 더 높은 구동 전류를 유도한다. SiGe MOSFET은 또한 SiGe의 낮은 띠틈 값으로 인해 더 낮은 접합 누설을 제공할 수 있다. 그러나 SGOI MOSFET의 주요 문제는 표준 규소 산화 공정을 사용하여 실리콘-저마늄과 안정적인 산화물을 형성할 수 없다는 것이다.

## 열전 응용
SiGe의 열전 특성은 1964년에 처음 측정되었으며, p-SiGe는 1000°C에서 최대 약 0.7의 ZT를, n-SiGe는 1000°C에서 최대 약 1.0의 ZT를 가졌다. 이는 고온에서 가장 높은 성능을 가진 열전 재료 중 일부이다. 실리콘-저마늄 열전 장치 MHW-RTG3은 보이저 1호 및 보이저 2호 우주선에 사용되었다.
실리콘-저마늄 열전 장치는 카시니, 갈릴레오, 율리시스에 탑재된 다른 MHW-RTG 및 GPHS-RTG에도 사용되었다.

## 빛 방출
육각형 SiGe 합금의 조성을 제어함으로써 아인트호벤 공과대학교 연구원들은 빛을 방출할 수 있는 재료를 개발했다. 이는 전자적 특성과 결합하여 전기 전류 대신 빛을 사용하여 데이터 전송을 가능하게 하는 단일 칩에 통합된 레이저를 생산할 가능성을 열어주며, 데이터 전송 속도를 높이고 에너지 소비 및 냉각 시스템 필요성을 줄인다. 네덜란드 아인트호벤 공과대학교의 엘함 파달리(Elham Fadaly), 알랭 데이크스트라(Alain Dijkstra), 에릭 바커스(Erik Bakkers)와 독일 프리드리히 실러 대학교 예나의 젠스 르네 수커트(Jens Renè Suckert)가 주 저자인 국제 연구팀은 잡지 피직스 월드로부터 2020년 올해의 돌파구 상을 수상했다.

## 같이 보기
* 저유전율 유전체
* 실리콘 온 인슐레이터
* 실리콘-주석
* 우주 탐사에서의 실리콘-저마늄 열전 응용

## 각주

## 더 읽어보기
*
*

## 외부 링크
*; Semiconductor International, 2006년 4월 1일.

분류:집적 회로
분류:저마늄
트라이클로로실레인

**트라이클로로실레인**(Trichlorosilane, TCS)은 화학식 HCl3Si를 가지는 무기 화합물이다. 이것은 무색의 휘발성 액체이다. 정제된 트라이클로로실레인은 반도체 산업에서 초고순도 실리콘의 주요 전구체이다. 물에서는 급속히 분해되어 염산을 방출하면서 실록세인 중합체를 생성한다. 반응성과 넓은 가용성 때문에 실리콘을 함유한 유기 화합물 합성에 자주 사용된다.

## 생산
트라이클로로실레인은 수소화염소화 공정에서 300°C에서 분말화된 야금 등급 실리콘에 염화 수소를 불어넣어 생산된다. 화학반응식에 설명된 대로 수소도 생성된다.
:Si + 3 HCl → HCl3Si + H2

80-90%의 수율을 달성할 수 있다. 주요 부산물은 사염화 규소 (화학식 SiCl4), 헥사클로로다이실레인 (Si2Cl6) 및 다이클로로실레인 (H2SiCl2)이며, 이들로부터 트라이클로로실레인은 증류를 통해 분리될 수 있다.

[260px|섬네일|left|트라이클로로실레인 탱크차. [유엔 번호: 2988 (클로로실레인). 국가 간 위험물질의 수송에 관한 유럽 협약 위험 식별 번호: X338 (고도로 인화성 액체, 부식성, 물과 위험하게 반응함)]]

또한 직접 염소화 공정에서 사염화 규소로부터도 생산된다.
:Si + 3 SiCl4 + 2 H2 → 4 HCl3Si

두 가지 방법 모두 널리 사용된다. 첫 번째 방법은 더 저렴하지만 수율을 제어하기 어렵다. 두 번째 방법은 그만큼의 제어가 필요하지 않지만, 첫 번째 방법에 비해 두 배의 자본 투자가 필요하고 65-90 kWh/kg 대신 120-200 kWh/kg을 소비한다. TCS의 증류는 TCS를 상당히 정제하며, 실리콘의 대부분의 불순물이 제거된다.

## 용도
트라이클로로실레인은 정제된 폴리실리콘 생산에 사용되는 기본 성분이다.
:HCl3Si → Si + HCl + Cl2

이는 지멘스 공정이라는 화학기상증착 공정에서 사용될 수 있다.

### 하이드로실릴화의 성분
하이드로실릴화를 통해 트라이클로로실레인은 다른 유용한 유기실리콘 화합물의 전구체이다.
:RCH=CH2 + HSiCl3 → RCH2CH2SiCl3
이 반응 또는 유사한 반응의 유용한 제품으로는 옥타데실트라이클로로실레인 (OTS), 퍼플루오로옥틸트라이클로로실레인 (PFOTCS), 퍼플루오로데실트라이클로로실레인 (FDTS)이 있다. 이들 시약은 표면 과학 및 나노기술에서 자기 조립 단분자막을 형성하는 데 사용된다. 불소를 포함하는 이러한 층은 표면 에너지를 감소시키고 점착성을 줄인다. 이 효과는 일반적으로 MEMS 및 나노임프린트 리소그래피 (NIL)용 미세가공 스탬프 및 사출 성형 도구의 코팅으로 활용된다.

### 유기 합성
트라이클로로실레인은 벤조산에서 톨루엔 유도체로의 전환에서 시약이다. 2단계 반응의 첫 번째 단계에서 카르복실산은 먼저 트라이클로로실릴벤질 화합물로 전환된다. 두 번째 단계에서 벤질 실릴 유도체는 염기 존재 하에 톨루엔 유도체로 전환된다.

## 안전
트라이클로로실레인은 반응성이 매우 높으며, 많은 화합물에 격렬하게 (심지어 폭발적으로) 반응할 수 있다. 여기에는 물도 포함되며, 잠재적으로 이산화 규소, 염소 (원소), 수소, 염화 수소 (및 그 수용성 형태인 염산) 및 열을 생성할 수 있다. 트라이클로로실레인은 수분 (물) 및 습도만으로도 위험한 화학 반응을 일으킬 수 있으므로 비반응성 기체 하에서 취급 및 보관해야 한다. 트라이클로로실레인 유출은 수산화 나트륨 1:1 비율 또는 탄산수소 나트륨과 트라이클로로실레인 2:1 비율을 사용하여 중화할 수 있다. 화재는 알코올 내성 수성막 형성 폼 (AR-AFFF)을 사용하여 진압할 수 있다.

## 각주


## 외부 링크
* 반도체: 실리콘: 기판 제조: 다결정 실리콘 생산

분류:클로로실란
육불화 텅스텐

**육불화 텅스텐(VI)**(Tungsten(VI) hexafluoride) 또는 **육플루오린화 텅스텐**(tungsten hexafluoride)은 화학식 을 갖는 무기 화합물이다. 약 (공기보다 약 11배 무거움)의 밀도를 가지는 유독성, 부식성 무색 기체이다. 이는 표준 주위 온도 및 압력(298 K, 1 atm)에서 알려진 가장 밀도가 높은 기체이며, 이 조건에서 전이 금속을 포함하는 유일하게 잘 특성화된 기체이다. 은 화학기상증착 공정을 통해 텅스텐 필름을 형성하기 위해 반도체 산업에서 일반적으로 사용된다. 이 층은 낮은 저항률을 갖는 금속성 "상호 연결"에 사용된다. 이는 알려진 17가지 이진 육플루오린화물 중 하나이다.

## 속성
 분자는 Oh의 대칭점군을 갖는 팔면체이다. W–F 결합 거리는 이다.  사이에서 육플루오린화 텅스텐은 에서 의 밀도를 갖는 무색 액체로 응축된다. 에서 이는 입방 결정 구조, 의 격자 상수, 계산된 밀도 를 갖는 흰색 고체로 동결된다. 에서 이 구조는 a = , b = , c = 의 격자 상수와 의 밀도를 갖는 사방정계 고체로 변형된다. 이 상에서 W–F 거리는 이고 평균 가장 가까운 분자 접촉 거리는 이다.  기체는 가장 밀도가 높은 기체 중 하나로 가장 무거운 원소 기체인 라돈()보다 밀도가 높지만, 액체 및 고체 상태의  밀도는 상당히 보통이다.  사이의 의 증기압은 앙투안 방정식에 의해 다음과 같이 기술될 수 있다.
:,
여기서 P = 증기압(bar), T = 온도(°C)이다.

## 역사 및 합성
육플루오린화 텅스텐은 오토 루프와 프리츠 아이스너가 1905년에 염화 텅스텐(VI)을 플루오린화 수소와 반응시켜 처음으로 얻었다.

:

이 화합물은 현재 플루오린 기체와 텅스텐 분말을  사이의 온도에서 발열 반응시켜 일반적으로 생산된다.
:
기체 생성물은 일반적인 불순물인 로부터 증류하여 분리한다. 직접 플루오린화의 한 변형에서, 금속은 가열된 반응기에 배치되고, 소량의 플루오린 기체를 주입한 의 일정한 흐름으로 로 약간 가압된다.

위 방법에서 플루오린 기체는 ClF,  또는 으로 대체될 수 있다. 텅스텐 플루오린화물을 생산하는 대체 절차는 삼산화 텅스텐()을 HF,  또는 로 처리하는 것이다. 그리고 HF 외에도 다른 플루오린화제를 사용하여 Ruff와 Eisner의 원래 방법과 유사한 방식으로 염화 텅스텐(VI)을 전환할 수 있다.
: 또는
:

## 반응
물과 접촉하면 육플루오린화 텅스텐은 플루오린화 수소(HF)와 산플루오린화 텅스텐을 생성하며, 결국 삼산화 텅스텐을 형성한다.
:

다른 금속 플루오린화물과 달리, 은 유용한 플루오린화제도 강력한 산화제도 아니다. 이는 노란색 로 환원될 수 있다.

은 루이스 염기와 다양한 1:1 및 1:2 부가생성물을 형성하며, 예를 들어  등이 있다.

## 반도체 산업 응용
육플루오린화 텅스텐의 주요 응용 분야는 반도체 산업으로, 화학기상증착(CVD) 공정에서 텅스텐 금속을 증착하는 데 널리 사용된다. 1980년대와 1990년대 산업 확장은  소비 증가로 이어졌고, 이는 전 세계적으로 연간 약 200톤 수준을 유지하고 있다. 텅스텐 금속은 비교적 높은 열 및 화학적 안정성, 낮은 저항률() 및 매우 낮은 일렉트로마이그레이션으로 인해 매력적이다. 은  또는 과 같은 관련 화합물보다 더 높은 증기압으로 인해 더 높은 증착 속도를 제공하여 선호된다. 1967년 이후 두 가지  증착 경로가 개발되고 사용되었다: 열분해 및 수소 환원. 필요한  가스 순도는 상당히 높으며, 응용 분야에 따라 99.98%에서 99.9995%까지 다양하다.

CVD 공정에서  분자는 분해되어야 한다. 분해는 일반적으로 을 수소, 실레인, 저메인, 다이보레인, 포스핀 및 관련 수소 함유 가스와 혼합하여 촉진된다.

### 규소
는 규소 기판과 접촉하면 반응한다. 규소 상의  분해는 온도에 따라 다르다.
:400 °C 이하에서 
:400 °C 이상에서 .

이 의존성은 매우 중요하다. 왜냐하면 고온에서는 두 배 더 많은 규소가 소모되기 때문이다. 증착은 순수 규소에만 선택적으로 일어나며, 이산화 규소 또는 질화 규소에는 일어나지 않는다. 따라서 이 반응은 오염이나 기판 전처리에 매우 민감하다. 분해 반응은 빠르지만, 텅스텐 층 두께가 10–15 마이크로미터에 도달하면 포화된다. 포화는 텅스텐 층이  분자의 Si 기판으로의 확산을 막기 때문에 발생하며, 이는 이 과정에서 분자 분해의 유일한 촉매이다.

증착이 불활성 분위기가 아닌 산소 함유 분위기(공기)에서 발생하면 텅스텐 대신 산화 텅스텐 층이 생성된다.

### 수소
증착 공정은 300에서 800 °C 사이의 온도에서 발생하며 플루오린화 수소 증기 형성을 초래한다.
:

생성된 텅스텐 층의 결정성은 / 비율과 기판 온도를 변경하여 제어할 수 있다. 낮은 비율과 온도는 (100) 방향성 텅스텐 미결정립을 초래하는 반면, 높은 값은 (111) 방향성을 선호한다. HF의 형성은 HF 증기가 매우 공격적이며 대부분의 재료를 식각하기 때문에 단점이다. 또한, 증착된 텅스텐은 반도체 전자 장치의 주요 패시베이션 재료인 이산화 규소에 대한 접착력이 좋지 않다. 따라서 는 텅스텐 증착 전에 추가적인 완충층으로 덮여야 한다. 반면에 HF에 의한 식각은 원치 않는 불순물 층을 제거하는 데 유용할 수 있다.

### 실레인 및 저메인
/으로부터의 텅스텐 증착의 특징은 빠른 속도, 우수한 접착력 및 층 평활성이다. 단점은 폭발 위험과 혼합 비율, 기판 온도 등 공정 매개변수에 대한 증착 속도 및 형태의 높은 민감도이다. 따라서 실레인은 일반적으로 얇은 텅스텐 핵 생성 층을 생성하는 데 사용된다. 그런 다음 수소로 전환하여 증착 속도를 늦추고 층을 청소한다.

/ 혼합물로부터의 증착은 /와 유사하지만, 텅스텐 층은 상대적으로 (Si에 비해) 무거운 저마늄으로 10~15% 농도까지 오염된다. 이는 텅스텐의 저항률을 약 5에서 까지 증가시킨다.

## 기타 응용
는 탄화 텅스텐 생산에 사용될 수 있다.

무거운 기체로서 는 기체 반응을 제어하는 완충제로 사용될 수 있다. 예를 들어, Ar// 불꽃의 화학 반응을 늦추고 불꽃 온도를 낮춘다.

## 안전성
육플루오린화 텅스텐은 어떤 조직에도 침식하는 극도로 부식성이 강한 화합물이다. 가 습기와 반응하여 플루오린화 수소산을 형성하기 때문에  저장 용기에는 테플론 개스킷이 있다.

## 각주

분류:최루제
분류:산업 가스
국제 반도체 기술 로드맵

**국제 반도체 기술 로드맵**(International Technology Roadmap for Semiconductors, **ITRS**)은 반도체 연구 조합이 조정하고 조직하며 반도체 산업의 전문가 집단이 만든 문서 모음이다. 이 전문가들은 중화민국, 대한민국, 미국, 유럽, 일본, 중국의 반도체 산업 협회를 포함한 후원 조직의 대표자들이었다.

2017년부터 ITRS는 더 이상 업데이트되지 않고 있다. 후속자는 International Roadmap for Devices and Systems이다.

이 문서들은 "ITRS는 기술 평가만을 위해 고안되었으며 개별 제품이나 장비에 관련된 상업적 고려 사항은 없다"는 면책 조항을 포함하고 있다.

이 문서들은 다음 기술 분야에 대해 약 15년 후까지의 연구 방향과 시간표에 대한 최상의 의견을 나타낸다:

## 역사

집적 회로 또는 모든 반도체 소자를 구축하려면 포토리소그래피, 식각, 금속 증착 등 일련의 작업이 필요하다. 산업이 발전함에 따라 이러한 각 작업은 일반적으로 다양한 상업 회사에서 제작한 특수 기계로 수행되었다. 이러한 전문화는 업계 발전을 어렵게 만들 수 있는데, 이는 다른 필수 단계가 동시에 제공되지 않으면 한 회사가 신제품을 출시해도 소용이 없는 경우가 많기 때문이다. 기술 로드맵은 특정 기능이 언제 필요할지 알려줌으로써 이를 도울 수 있다. 그러면 각 공급업체는 퍼즐의 각 부분에 대해 이 날짜를 목표로 삼을 수 있다.

생산 도구가 전문 장비 공급업체로 점진적으로 외부화됨에 따라, 참여자들은 시장의 진화를 예측하고 IC 생산의 기술적 요구사항을 계획 및 통제하기 위한 명확한 로드맵의 필요성을 인식했다. 몇 년 동안 반도체 산업 협회(SIA)는 이 조정 책임을 미국에 부여했고, 이는 미국식 로드맵인 **국가 반도체 기술 로드맵**(NTRS)의 탄생으로 이어졌다.

섬네일|center|600px|1993년 SIA가 발표한 첫 번째 반도체 로드맵.
1998년, SIA는 유럽, 일본, 한국, 대만 협회와 협력하여 최초의 글로벌 로드맵인 국제 반도체 기술 로드맵(ITRS)을 만들었다. 이 국제 그룹은 (2003년 판 기준) ITRS 내 워킹 그룹과 제휴한 936개 회사를 보유하고 있다.
조직은 기술 워킹 그룹(TWG)으로 나뉘었으며, 결국 그 수는 17개로 늘어났고, 각 그룹은 기술의 핵심 요소와 관련 공급망에 집중했다. 전통적으로 ITRS 로드맵은 짝수 해에 업데이트되고, 홀수 해에 완전히 개정되었다.

. 2013년 표의 스케일링 결과 뒤에 숨겨진 방법론과 물리학은 15년간 2028년까지의 더블 게이트 MOSFET을 다루는 트랜지스터 로드맵 예측을 위한 예측 전체 대역 원자 모델링에 설명되어 있다.

무어의 법칙의 일반적으로 인정되는 일몰과 함께 2016년 ITRS가 최종 로드맵을 발표함에 따라, IEEE의 리부팅 컴퓨팅 이니셔티브를 통해 International Roadmap for Devices and Systems(IRDS)라는 이름으로 보다 일반화된 로드매핑을 위한 새로운 이니셔티브가 시작되었다.

## ITRS 2.0
2014년 4월, ITRS 위원회는 산업의 요구에 더 잘 부응하기 위해 ITRS 로드맵을 재편성할 것이라고 발표했다. 이 계획은 17개 기술 워킹 그룹에 포함된 모든 요소를 7가지 핵심 주제로 매핑하는 것이었다.

*;시스템 통합: 아키텍처와 이기종 블록을 통합하는 방법을 검토하는 설계 중심의 주제이다.
*;외부 시스템 연결성: 무선 기술과 작동 방식, 최적의 솔루션 선택 방법에 중점을 둔다.
*;이기종 통합: 개별적으로 제조된 기술을 새로운 장치로 통합하여 개별 부품보다 더 잘 기능하도록 하는 데 중점을 둔다 – 카메라 및 마이크와 같은 구성 요소를 허용하면서.
*;이기종 부품: MEMS, 발전, 감지 장치와 같이 이기종 시스템을 구성하는 다양한 장치에 중점을 둔다.
*;CMOS 이후: 스핀트로닉스, 멤리스터 등 CMOS 기반이 아닌 전자 기기를 제공하는 장치에 중점을 둔다.
*;무어의 법칙 지속: 아직 해야 할 일이 많기 때문에 이 그룹은 CMOS의 지속적인 축소를 다룰 것이다.
*;공장 통합: 이 모든 것들의 이기종 통합을 생산하기 위한 새로운 도구와 공정에 중점을 둘 것이다.

각 주제에 대한 장은 2015년에 발표되었다.

## 각주



## 더 읽어보기
*
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## 외부 링크
*
* Archive.org의 원본 웹사이트 미러
* 연간 ITRS 보고서

분류:반도체 기술
분류:반도체 산업
미리 알림

**미리 알림**(Reminders)은 애플이 iOS, MacOS, WatchOS, iPadOS 및 VisionOS 플랫폼을 위해 개발한 작업 관리 프로그램으로, 사용자가 목록을 만들고 스스로 알림을 설정할 수 있게 한다. 이 앱은 IOS 5와 OS X 10.8 "마운틴 라이언"에서 처음 소개되었으며, IOS 13 출시와 함께 처음부터 다시 구축되었다.

## 기능
미리 알림은 화면 상단에 있는 네 가지 범주("오늘", "예정됨", "전체", "깃발 표시됨")로 분류된다. 사용자는 자신만의 미리 알림 목록을 만들 수도 있다. 새 미리 알림은 목록에 추가되거나 하위 작업으로 설정될 수 있으며 다음을 포함한 여러 세부 정보를 포함할 수 있다: 우선순위 태그, 미리 알림에 대한 메모, 이미지 또는 URL 첨부 파일.

작업은 미리 알림이 설정된 시간 24시간 전에 알림 센터 (iOS 및 macOS)에 나타난다. 또한, 알림에 대한 알람을 설정하여 특정 시간과 날짜에, 특정 지역 주변의 지오펜스를 지날 때, 또는 설정된 연락처에 메시지를 입력하기 시작할 때 사용자에게 알림을 보낼 수 있다. 시간 기반 알림이 설정된 경우 매일, 매주, 2주마다, 매월 또는 매년 반복될 수 있다.

미리 알림은 완료로 표시(체크)될 수 있으며 자동으로 숨겨진다. 목록은 아이클라우드를 통해 iOS, macOS, watchOS, iPadOS 및 visionOS 간에 동기화될 수 있으며 다른 연락처와 공유될 수도 있다. 일단 공유되면, 목록에 접근할 수 있는 누구나 작업을 추가하거나 완료할 수 있으며, 특정 미리 알림을 다른 사람에게 할당할 수 있다.

## 각주

분류:일정관리 소프트웨어
분류:IOS 소프트웨어
분류:MacOS용 유틸리티
스티키즈

**스티키즈**(Stickies)는 애플 매킨토시 컴퓨터용 응용 소프트웨어로, 사용자가 짧은 미리 알림, 메모 및 기타 스크랩을 작성할 수 있도록 포스트잇과 유사한 창을 컴퓨터 디스플레이에 띄운다. 내용은 자동으로 저장되며, 응용 프로그램이 다시 시작될 때 복원된다.

동일한 이름과 유사한 기능을 가진 관련 없는 프리웨어 프로그램이 마이크로소프트 윈도우용으로 제공된다.

대부분의 운영체제에서 유사한 응용 프로그램("데스크톱 노트"로 설명됨)을 사용할 수 있다.

## 역사
1994년, 스티키즈의 첫 번째 버전은 애플 직원 옌스 알프케가 작성했으며 시스템 7.5에 포함되었다. 알프케는 원래 Antler Notes라는 이름으로 여가 시간에 개발했으며 Antler Software라는 이름으로 셰어웨어로 출시할 계획이었다. 애플은 그로부터 이를 인수할 계획이었으나, 그의 고용 조건에 따라 이미 법적으로 소유하고 있음을 깨달았다.

2001년 맥 OS X로의 전환 과정에서 스티키즈는 코코아로 다시 작성되었으며, 투명 노트, 스타일이 지정된 텍스트, 목록, 그림을 담는 기능 등의 기능과 함께 여전히 macOS에 포함되어 있다.

2005년, 대시보드의 일부로, 애플은 단순화된 소프트웨어 위젯 버전의 스티키즈를 만들었다.

모든 버전의 스티키즈에 있는 노트 창 축소 기능은 시스템 7.5의 WindowShade 기능의 잔재이다. 현대 macOS 응용 프로그램으로는 특이한 창 제목 표시줄 버튼 레이아웃은 맥 OS 8에서 유지되었다.

macOS 빅서에서 아이콘은 둥근 사각형 디자인의 스티커 메모 스택처럼 보이도록 변경되었다.

## 기능
스티키즈 앱은 현재 다음 사용 시나리오를 지원한다.
* **모든 창 위에 띄우기:** 선택한 스티커 메모에서 Command-Option-F를 누르면 다른 보이는 모든 창 위에 뜬다.
* **반투명:** 선택한 스티커 메모에서 Command-Option-T를 누르면 반투명해진다.
* **다른 미디어 삽입:** 텍스트 외에 퀵타임 동영상, PDF, 이미지 등 다른 미디어를 스티커 메모로 드래그하여 추가한다.
* **데이터 백업:** 스티키즈는 모든 정보를 독립형 데이터베이스에 저장한다. 데이터베이스는 사용자 라이브러리 디렉터리("~/Library/StickiesDatabase")에 있는 StickiesDatabase 파일을 복사하여 백업할 수 있다.
* **데이터 검색:** Command-F를 눌러 스티커 메모 내에서 단어나 구를 검색한다.
* **선택 항목에서 노트 만들기:** 코코아 기반 응용 프로그램(사파리 웹 브라우저와 같은)에서 일부 텍스트를 선택하고 Command-Shift-Y를 누르거나 서비스 메뉴를 사용하여 텍스트 선택 항목으로 새 스티커 메모를 만든다.

## 각주

분류:맥 OS
XQuartz

**XQuartz**는 macOS에서 실행되는 X 윈도 시스템(가끔 X11 또는 X로 줄여짐)의 디스플레이 서버인 X.Org X 서버의 오픈 소스 버전이다. 2012년, OS X 마운틴 라이언(버전 10.8)용 애플의 내부 X11 앱을 공식적으로 대체했다. "XQuartz"라는 이름은 macOS 코어 그래픽스 프레임워크의 일부인 쿼츠에서 유래했으며, XQuartz는 이러한 애플리케이션을 쿼츠에 연결한다. XQuartz는 GUI에 X11을 사용하는 크로스 플랫폼 애플리케이션이 macOS에서 실행될 수 있도록 허용하는데, 이들 중 다수는 macOS용으로 특별히 설계되지 않았다. 여기에는 수많은 과학 및 학술 소프트웨어 프로젝트가 포함된다.

## 역사

X11.app은 처음에는 Mac OS X 10.2 재규어용으로 다운로드 가능한 공개 베타로 제공되었으며, 나중에는 Mac OS X 10.3 팬더의 표준 패키지로 포함되었다. Mac OS X 10.4 타이거에서 X11.app은 설치 DVD에 포함된 선택적 설치 항목이었다. Mac OS X 10.5 레퍼드, Mac OS X 10.6 스노 레퍼드, 그리고 Mac OS X 10.7 라이언은 X11.app을 기본으로 설치했지만, OS X 10.8 마운틴 라이언부터 애플은 X11.app에 대한 전용 지원을 중단했으며, 사용자들은 대신 오픈 소스 XQuartz 프로젝트(애플이 기여)로 안내되었다.

Mac OS X 10.4 타이거에서 애플의 X11은 X11 프로토콜 릴리스 6.6 (X11R6.6)을 구현했다. 이 구현에는 XFree86 4.4 기반의 X11 윈도 서버, 쿼츠 루틀리스 윈도 매니저, 라이브러리, 그리고 Xterm과 같은 기본 유틸리티가 포함된다. "루틀리스"는 X 윈도 애플리케이션이 쿼츠 데스크톱에 다른 윈도우 쿼츠 애플리케이션처럼 (즉, 다른 윈도우 안에 포함된 가상 데스크톱이 아닌) 나타난다는 것을 의미한다. Mac OS X 레퍼드에서 X11은 XFree86 대신 X.Org 서버(X11R7.2)를 사용하도록 업데이트되었다. X11의 소스 코드는 애플에서 구할 수 있다. 일부 소스 코드는 애플 공공 소스 라이선스에 따라 제공되며, 대부분은 MIT 허가서에 따라 라이선스가 부여된다.

## 현재 버전
XQuartz의 현재 버전은 X.Org 서버에 포함된 DDX(Device Dependent X)이며, 하드웨어 가속 2D 그래픽스(버전 2.1 이전), 하드웨어 OpenGL 가속 및 macOS 그래픽 사용자 인터페이스(GUI)인 아쿠아와의 통합을 지원한다. 버전 2.8.0 현재, XQuartz는 고해상도 레티나 디스플레이에서 X11 앱에 고해상도 디스플레이에서 픽셀 배가 모드로 실행되는 지원을 제공하지 않는다.

## 버전 목록 (2010년 이후)

## 같이 보기

* MacX, 클래식 맥 OS의 X11 지원
* XWayland, 웨이랜드에서 X 애플리케이션 지원
* XDarwin, XQuartz에 선행하는 macOS용 X 구현이며, XQuartz와 달리 10.3 이전 버전의 macOS를 지원한다

## 각주

## 외부 링크
* 

분류:X 서버
말굽형 궤도

천체역학에서 **말굽형 궤도**(horseshoe orbit), **편자 모양 궤도**, **말발굽 궤도**, **말굽 궤도**는 더 큰 궤도 천체에 대한 작은 궤도 천체의 공동 궤도 운동 유형이다. 작은 천체의 접촉(순간) 공전 주기는 더 큰 천체의 공전 주기와 매우 비슷하게 유지되며, 그 궤도가 더 큰 천체보다 약간 더 이심률이 높으면 매 주기마다 더 큰 천체의 궤도 상의 한 지점을 중심으로 타원을 그리는 것처럼 보인다.
그러나 루프는 닫히지 않고 앞이나 뒤로 표류하여, 이 루프가 도는 지점은 긴 시간 동안 더 큰 천체의 궤도를 따라 부드럽게 움직이는 것처럼 보인다. 물체가 궤적의 양쪽 끝에서 더 큰 천체에 가까이 접근하면 겉보기 방향이 바뀐다. 전체 주기 동안 중심은 '뿔' 사이에 더 큰 천체가 있는 말굽 모양의 윤곽을 그린다.

지구에 대한 말굽형 궤도의 소행성에는 54509 YORP, , ,  및 가능성이 있는 가 포함된다. 더 넓은 정의에는 복합 및 전이 궤도에 있다고 할 수 있는 3753 크뤼트네 또는  및 이 포함된다. 2016년까지 지구의 말굽형 칭동체 12개가 발견되었다.

토성의 위성 에피메테우스와 야누스는 서로에 대해 말굽형 궤도를 차지한다 (이 경우 반복되는 루프는 없다: 각각은 서로에 대해 완전한 말굽형을 그린다).

## 말굽형 궤도 주기의 설명

### 배경
다음 설명은 태양 주위를 그러한 궤도로 돌고 있으며 지구의 영향을 받는 소행성에 관한 것이다.

소행성은 지구와 거의 같은 태양 궤도에 있다. 둘 다 태양 주위를 도는 데 약 1년이 걸린다.

또한 궤도역학의 두 가지 규칙을 이해해야 한다.

# 태양에 가까운 천체는 멀리 있는 천체보다 더 빨리 궤도를 공전한다.
# 천체가 궤도를 따라 가속되면 궤도는 태양으로부터 바깥쪽으로 이동한다. 감속되면 궤도 반지름이 감소한다.

말굽형 궤도는 지구의 중력 인력이 소행성의 타원형 궤도 모양을 변화시키기 때문에 발생한다. 모양 변화는 매우 작지만 지구에 비해 상당한 변화를 가져온다.

말굽형은 소행성의 움직임을 태양과 지구 모두에 대해 매핑할 때만 명확해진다. 소행성은 항상 같은 방향으로 태양 주위를 공전한다. 그러나 지구를 따라잡고 뒤처지는 주기를 거치므로 태양과 지구 모두에 대한 움직임은 말굽형 윤곽과 같은 모양을 그린다.

### 궤도의 단계
섬네일|'''그림 1.''' 중력 등고선을 따라 가능한 궤도를 보여주는 평면도. 이 그림에서 지구(그리고 전체 이미지)는 태양 주위를 반시계 방향으로 회전한다.
섬네일|'''그림 2.''' 얇은 말굽형 궤도

와 지구 사이의 내부 고리 지점 A에서 시작하여, 위성은 지구보다 빠르게 공전하며 지구와 태양 사이를 지나가는 중이다. 그러나 지구의 중력은 바깥쪽으로 가속하는 힘을 가하여 위성을 더 높은 궤도로 끌어당기며, 이는 (케플러의 행성운동법칙에 따라) 각속도를 감소시킨다.

위성이 지점 B에 도달하면 지구와 같은 속도로 이동한다. 지구의 중력은 여전히 궤도 경로를 따라 위성을 가속하고 있으며, 위성을 더 높은 궤도로 계속 끌어당긴다. 결국, 지점 C에서 위성은 충분히 높고 느린 궤도에 도달하여 지구 뒤로 처지기 시작한다. 그런 다음 다음 세기 이상 동안 지구에 대해 볼 때 궤도를 '뒤로' 표류하는 것처럼 보인다. 태양 주위의 궤도는 여전히 지구년보다 약간 더 많은 시간이 걸릴 뿐이다. 충분한 시간이 주어지면 지구와 위성은 태양의 반대편에 있을 것이다.

결국 위성은 지점 D로 돌아오는데, 이때 지구의 중력은 위성의 궤도 속도를 감소시킨다. 이로 인해 위성은 더 낮은 궤도로 떨어지게 되며, 이는 실제로 태양 주위에서 위성의 각속도를 증가시킨다. 이는 위성의 궤도가 이제 지구의 궤도보다 낮고 빨라지는 지점 E까지 계속되며, 지구보다 앞서기 시작한다. 다음 몇 세기 동안 위성은 지점 A로 돌아가는 여정을 완료한다.

장기적으로, 소행성은 말굽형 궤도와 준위성 궤도 사이를 이동할 수 있다. 준위성은 행성에 중력적으로 묶여 있지 않지만, 행성과 같은 공전 주기로 태양 주위를 돌면서 행성 주위를 역행 방향으로 도는 것처럼 보인다. 2016년까지 궤도 계산에 따르면 지구의 말굽형 칭동체 4개와 당시 알려진 5개의 준위성 모두 말굽형 및 준위성 궤도 사이를 반복적으로 이동하는 것으로 나타났다.

### 에너지 관점
상황에 대한 다소 다르지만 동등한 관점은 에너지 보존 법칙을 고려하여 주목할 수 있다. 고전 역학의 정리 중 하나는 시간 독립적인 퍼텐셜 장에서 움직이는 물체는 총 에너지 E = T + V가 보존된다는 것이다. 여기서 E는 총 에너지, T는 운동 에너지(항상 비음수), V는 퍼텐셜 에너지(음수)이다. 질량 M과 궤도 반지름 R을 가진 중력체 근처에서 V = -GM/R이므로, 정지 좌표계에서 볼 때 M 뒤쪽 영역에서는 V가 증가하고 앞쪽 영역에서는 감소한다. 그러나 총 에너지가 낮은 궤도는 주기가 짧으므로, 행성 앞쪽에서 느리게 움직이는 물체는 에너지를 잃고 더 짧은 주기 궤도로 떨어져서 천천히 멀어지거나 "밀려난다". 행성 뒤쪽에서 느리게 움직이는 물체는 에너지를 얻고 더 높고 느린 궤도로 올라가서 뒤처지면서 유사하게 밀려난다. 따라서 작은 물체는 선두 위치와 후미 위치 사이를 오갈 수 있으며, 해당 영역을 지배하는 행성에 너무 가까이 접근하지 않는다.

## 올챙이형 궤도
섬네일|올챙이형 궤도의 한 예<br>
:같이 보기 트로이군.
위의 그림 1은 라그랑주 점  및  주변의 더 짧은 궤도(즉, 파란색 삼각형에 가까운 선)를 보여준다. 이들은 **올챙이형 궤도**라고 불리며, 소행성의 지구로부터의 거리가 태양 반대편의  지점까지 멀리 진동하지 않는다는 점을 제외하면 유사한 방식으로 설명될 수 있다. 지구에 가까워지거나 멀어짐에 따라 지구 중력장의 변화하는 인력은 소행성을 가속하거나 감속시켜 칭동으로 알려진 궤도 변화를 일으킨다.

올챙이형 궤도의 한 예는 폴리데우케스인데, 이것은 더 큰 위성인 디오네에 비해 뒤쪽  지점 주위를 칭동하는 토성의 작은 위성이다. 지구 궤도와 관련하여  소행성 은 선두  지점 주위의 올챙이형 궤도에 있다.
2020 VT1은 화성에 대해 일시적인 말굽형 궤도를 따른다.

## 같이 보기

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## 각주

## 외부 링크
* 말굽형 궤도를 설명하는 연구 논문. 105페이지부터 시작.
* 2002 AA29에 대한 좋은 설명

분류:공궤도 천체
분류:삼체 궤도
분류:말굽 궤도
서리선

천문학 또는 행성과학에서 **서리선**(frost line) 또는 **눈선**(snow line) 혹은 **얼음선**(ice line)은 태양 성운의 중심 원시별로부터의 최소 거리로, 물, 암모니아, 메테인, 이산화 탄소 및 일산화 탄소와 같은 휘발성 화합물이 고체 알갱이로 응축되어 미행성으로 강착할 수 있을 만큼 온도가 낮은 지점을 말한다. 서리선 바깥에서는 (훨씬 더 풍부한) 기체 상태의 화합물이 비교적 쉽게 응축되어 거대 기체 행성과 거대 얼음 행성을 형성할 수 있는 반면, 서리선 안쪽에서는 더 무거운 화합물만이 강착되어 일반적으로 훨씬 작은 암석형 행성을 형성할 수 있다.

이 용어 자체는 지하수가 얼 수 있는 표면으로부터의 최대 깊이를 설명하는 토양학의 "동결선" 개념에서 차용한 것이다.

각 휘발성 물질은 자체적인 서리선을 가지고 있으므로(예: 일산화 탄소, 질소, 아르곤) 어떤 물질의 서리선을 지칭하는지 명시하는 것이 중요하지만, 특히 물 서리선에 대해서는 생략하는 경우가 흔하다. 달리 감지하기 어려운 물질의 경우 트레이서 기체를 사용할 수 있다. 예를 들어 일산화 탄소에는 다이아제닐륨이 사용된다.

## 위치
서로 다른 휘발성 화합물은 원시별 성운에서 서로 다른 부분압(따라서 서로 다른 밀도)에서 다른 응축 온도를 가지므로 각 서리선은 달라진다. 물 얼음의 서리선에 대한 실제 온도와 거리는 이를 계산하는 데 사용되는 물리 모델과 이론적인 태양 성운 모델에 따라 달라진다.
* 2.7 천문단위 (AU; 하야시, 1981)에서 170K
* 3.2 AU에서 143 K, 3 AU에서 150 K (포돌락과 주커, 2010)
* 3.1 AU (마틴과 리비오, 2012)
* 마이크로미터 크기 알갱이에 대해 ≈150 K, 킬로미터 크기 천체에 대해 ≈200 K (당젤로와 포돌락, 2015)

서리선의 위치는 시간에 따라 변하며, 태양 질량 별의 경우 이후 감소하기 전에 최대 의 반경에 도달할 수 있다.

## 현재 서리선과 형성 당시 서리선
응축/증발 전선의 반지름 위치는 성운이 진화함에 따라 시간이 지남에 따라 변한다. 가끔 서리선이라는 용어는 물 얼음이 안정할 수 있는 현재 거리(직사광선 아래에서도)를 나타내는 데도 사용된다. 이 현재 서리선 거리는 태양계 형성 당시 유효했던 형성 서리선 거리와 다르며, 약 5 AU와 같다.
차이가 발생하는 이유는 태양계 형성 당시 태양 성운은 불투명한 구름이었고 태양에 가까울수록 온도가 낮았으며 태양 자체도 덜 에너지가 넘쳤기 때문이다. 형성 후 얼음은 떨어지는 먼지에 묻혔고 표면 아래 몇 미터에서 안정적으로 유지되었다. 만약  이내의 얼음이 예를 들어 분화구에 의해 노출되면 상대적으로 빠르게 승화된다. 그러나 직사광선이 없는 곳에서는 얼음이 영구적으로 그림자가 진 극지방 분화구에 위치한다면 소행성(및 달과 수성) 표면에서 안정적으로 유지될 수 있으며, 그곳의 온도는 태양계의 나이 내내 매우 낮게(예: 달에서 ) 유지될 수 있다.

화성과 목성 사이에 위치한 소행성대 관측 결과에 따르면 태양계 형성 당시 물 서리선은 이 지역 내에 위치했다. 바깥쪽 소행성들은 얼음 C-형 천체(예: Abe 등 2000; Morbidelli 등 2000)인 반면, 안쪽 소행성대는 대부분 물이 없다. 이는 미행성 형성 시 서리선이 태양으로부터 약 2.7 AU에 위치했음을 의미한다.

예를 들어, 왜행성 세레스는 긴반지름 2.77 AU를 가지며 태양계 형성 당시 물 서리선의 하한 추정치와 거의 정확히 일치한다. 세레스는 얼음 맨틀을 가지고 있으며 심지어 표면 아래에 물의 바다가 있을 수도 있다. 평균 거리 3.1 AU에서 태양을 공전하는 24 테미스 표면에서 물 얼음이 감지되었다.

## 행성 형성
서리선 너머의 성운에서 온도가 낮아지면 미행성과 궁극적으로 행성으로 강착할 수 있는 고체 알갱이가 훨씬 더 많아진다. 따라서 서리선은 태양계에서 지구형 행성과 목성형 행성을 분리한다.
그러나 다른 여러 별 주위의 서리선 안쪽에서 뜨거운 목성이라 불리는 거대 행성들이 발견되었다. 이들은 서리선 바깥에서 형성된 후 현재 위치로 행성 이동했을 것으로 생각된다. 서리선까지의 거리의 4분의 1도 안 되는 곳에 위치하면서도 거대 행성이 아닌 지구는 메테인, 암모니아, 수증기가 빠져나가는 것을 막을 수 있는 적절한 중력을 가지고 있다. 메테인과 암모니아가 지구 대기에 희귀한 것은 광합성으로 인해 산소가 풍부한 대기에서 불안정하기 때문이며, 광합성 생화학은 한때 풍부한 메테인과 암모니아가 있었음을 시사하지만, 물론 그러한 대기에서 화학적으로 안정적인 액체 물과 얼음이 지구 표면의 대부분을 이룬다.

연구자 레베카 마틴과 마리오 리비오는 거대 행성이 자신의 궤도 안쪽에서 행성 형성을 방해하기 때문에 소행성대가 서리선 근처에 형성되는 경향이 있을 수 있다고 제안했다. 약 90개 별 주위에서 발견된 따뜻한 먼지의 온도를 분석한 결과, 그들은 먼지(따라서 가능한 소행성대)가 일반적으로 서리선 근처에서 발견된다는 결론을 내렸다. 근본적인 메커니즘은 1,000~10,000년의 시간 척도에서 서리선의 열적 불안정성으로 인해 비교적 좁은 별주위 고리에 먼지 물질이 주기적으로 침착되는 것일 수 있다.

## 같이 보기
* 생명체 거주가능 영역
* 성운설
* 태양 성운

## 각주

## 외부 링크

* The thermal structure and the location of the snow line in the protosolar nebula: axisymmetric models with full 3-D radiative transfer by M. Min, C.P. Dullemond, M. Kama, C. Dominik 
* On the Snow Line in Dusty Protoplanetary Disks by D. D. Sasselov and M. Lecar

분류:행성과학
분류:추위
양 디페르투안 네가라

**양 디페르투안 네가라**()는 말레이어에서 국가원수를 의미하는 단어이다. 브루나이에서 술탄을 가리키는 공식 용어로 사용했고, 사바주나 사라왁주의 주지사도 공식적으로는 앙 디페투안 네가라에서 유래한 '양 디페투아 네게리'(Yang di-Pertua Negeri)라는 호칭을 사용한다. '양 디페투안 네가라'는 일반적으로 1959년 6월 3일부터 1965년 8월 9일까지 싱가포르의 군주를 대신해 실질적인 임무를 보는 사람을 의미했다. 해당 기간 동안 싱가포르의  디 페투안 네가라는 유솝 빈 이스학이었다.

## 의미
말레이어에서 'Yang di-Pertuan Negara'의 의미를 분석하면 다음과 같다. 'Yang di-Pertuan'은 '신이 만들어준'이라는 의미를 가지고 있고, 'Negara'는 '국가' 또는 '나라'를 의미한다. 이를 종합했을 때, 양 디페르투안 네가라는 '신이 만들어준 나라' 또는 '신이 주신 나라의 통치자'를 의미한다.

## 싱가포르주
### 역사

싱가포르는 1959년 6월 영국과 합의를 통해 완전한 자치를 이룩하면서 영국의 자치주가 되었다. 1955년 부분적으로 자치를 인정받았을 때, 싱가포르의 지배 체계는 영국 군주인 엘리자베스 2세가 명목상 국가원수였지만 엘리자베스 2세를 대신해 싱가포르 총독이 업무를 수행했고 실질적인 권한은 싱가포르 수석대신이 맡고 있었다. 1959년 싱가포르가 영국의 자치주로 승격되면서, 싱가포르 수석대신은 싱가포르 총리로 명칭이 바뀌고, 싱가포르 총독직은 폐지되었다. 1959년 5월 선거를 통해 싱가포르 총독직을 대신하는 자리를 선출했는데, 이 자리를 '양 디페르투안 네가라'로 부르게 되었다.

1963년 9월 16일 싱가포르주가 말레이시아에 통합되면서, 싱가포르의 군주는 엘리자베스 2세에서 당시 말레이시아의 국왕이었던 푸트라 이브니 알마르훔으로 대체되었다. 그러나 1963년 말레이시아 합의 당시 싱가포르 정부는 말레이시아와의 통합 조건으로 자치 행정의 유지를 내세웠고 당시 말라야 연방의 총리였던 툰쿠 압둘 라만이 이를 수용했기 때문에 싱가포르의 지배 체계는 그대로 유지되었다. 양 디페르투안 네가라는 1965년 8월 싱가포르가 완전히 독립했을 때 싱가포르 헌법을 개정해 폐지했다.

### 성격
싱가포르 총독의 업무와 직책, 그리고 권한이 그대로 이양되었기 때문에, 양 디페르투안 네가라는 기타 영국의 다른 식민지의 총독들과 유사했다. 집권 초기 양 디페르투안 네가라는 국가원수로 불리기도 했다. 전반적으로 양 디페르투안 네가라는 영국의 식민지에서 벗어나 싱가포르의 자치를 기념하는 상징적인 직책으로서 그 의미가 컸다.

### 목록

## 다른 국가
1963년 말레이시아 합의 이후, 북보르네오 (사바)와 사라왁이 말레이시아의 주로 편입되면서, 해당 주의 주지사들의 공식 명칭을 '양 디페르투아 네게리'라고 부르며, 1963년 말레이시아 헌법에 이것이 명시되어 있었다. 말레이시아 헌법 제38조에 따르면, 양 디페르투안 네가라는 말레이시아의 다른 연방 주지사들과 함께 말레이시아의 국왕을 5년마다 한 번씩 선출할 권리를 가질 수 있지만, 사바, 사라왁, 페낭, 말라카의 양 디페르투안 네가라는  말레이시아 국왕을 선출하거나 그 자리에 오를 수는 없다.

브루나이의 경우 일반적으로 브루나이 군주를 '술탄'으로 칭하지만, 브루나이 군주의 정식 작위명은 'Sultan dan Yang Di-Pertuan Negara Brunei Darussalam'(브루나이 다루살람의 술탄과 양 디페르투안 네가라')이다. 브루나이 군주의 경우 술탄과 총리를 겸하고 있기 때문에 해당 호칭이 붙었다.

## 같이 보기
* 싱가포르주
* 양 디페르투안 아공

## 각주

분류:국가원수
분류:싱가포르의 정치
분류:말레이시아의 정치
섹터 안테나

right|thumb|30px|일반적인 GSM 섹터 안테나 실외 장치
**섹터 안테나**()는 부채꼴 모양의 복사 패턴을 가진 지향성 마이크로파 안테나의 한 종류이다. "섹터"라는 단어는 기하학적 의미로 사용된다. 원주의 일부를 호의 각도로 측정한 것이다. 60°, 90°, 120° 디자인이 일반적이며, 종종 겹침을 보장하기 위해 몇 도의 '추가'가 있고, 더 넓거나 완전한 원형 범위가 필요할 때 여러 개를 장착한다(아래 사진 참조). 이 안테나의 가장 큰 용도는 휴대폰 기지국 안테나로 사용되는 것이다. 또한 와이파이 네트워크와 같은 다른 유형의 이동통신에도 사용된다. 약 4~5km의 제한된 거리에서 사용된다.

## 설계

일반적인 섹터 안테나는 오른쪽 그림에 나와 있다. 하단에는 동축 케이블(급전선)용 RF 단자와 조정 장치가 있다. 실외 설치를 위해 주 반사판은 알루미늄으로 제작되며, 모든 내부 부품은 유리섬유 레돔 인클로저에 수용되어 날씨 조건에 관계없이 안정적인 작동을 유지한다.

실외 안테나의 경우 접지가 매우 중요하므로 모든 금속 부품은 직류 접지된다.

안테나의 길고 좁은 형태는 수평 방향으로 넓고 수직 방향으로 비교적 좁은 부채꼴 모양의 복사 패턴을 제공한다. 그림에 묘사된 복사 패턴에 따르면, 3개 섹터 기지국에 사용되는 일반적인 안테나는 66°의 수평 빔폭을 가진다. 이는 ±33° 방향에서의 신호 강도가 중심에서의 최대값의 절반(3dB 감소)이라는 것을 의미한다. ±60° 방향에서는 섹터의 경계로 간주되며 안테나 이득은 무시할 수 있다.

수직 빔폭은 15°를 넘지 않으며, 이는 각 방향으로 7.5°를 의미한다. 예를 들어 수 마일 또는 수 킬로미터에 걸쳐 가시선 전파를 달성해야 하는 민영 방송(AM, FM, 텔레비전)용 안테나와 달리, 일반적으로 기지국이 즉각적인 영역을 더 효과적으로 커버하고 먼 셀에 무선주파수 간섭을 일으키지 않도록 아래쪽으로 빔 기울기 또는 다운틸트가 있다.

지상에 복사 패턴을 투영하여 결정되는 커버리지 영역은 패턴의 다운틸트를 변경하여 조정할 수 있다. 일부 모델에서는 조절 가능한 장착 브래킷으로 안테나의 기울기를 수동으로 조절하여 기계적으로 수행한다. 최신 섹터 안테나에서는 개별 다이폴 요소의 급전에 있는 조절 가능한 위상변위기를 통해 패턴을 전자적으로 기울일 수 있다. 이들은 지상에서 리모컨 회로에 의해 조정되므로 기술자가 안테나 타워를 오를 필요가 없다.

## 사용
thumb|left|100px|짧은 마스트에 설치된 섹터 안테나
thumb|섹터 안테나가 있는 셀룰러 기지국 타워 상단
thumb|right|100px|섹터 안테나는 종종 기존 구조물에 설치된다.

커버리지 영역을 늘리거나 확장하여 서비스하는 클라이언트 수를 늘리기 위해 여러 섹터 안테나가 동일한 지지 구조물(예: 방송탑)에 설치된다.

이러한 구조는 종종 **섹터화된** 안테나라고 불리지만, 때로는 간단히 "섹터 안테나"라고도 사용된다. 오른쪽 그림과 같이 여러 개의 각도로 분리된 섹터 안테나를 가지고 있다.

안테나 장치가 지지 구조물에 부착되면, 위치를 지정해야 한다. 위치 지정은 올바른 방향 또는 방위각을 설정하는 것뿐만 아니라 올바른 다운틸트를 설정하는 것을 의미한다. 방출되는 에너지를 원형의 일부 호와 좁은 수직 커버리지로 제한함으로써 이 디자인은 비교적 낮은 전력의 송신기 장비를 효율적으로 사용한다. 절대 범위는 제한되지만, 이 구성은 우수한 처리량(비트/초 단위로 측정되는 디지털 정보 전송, 때로는 오류 보정 오버헤드를 제외한 총량으로 표시됨)과 커버리지 영역 내에서 우수한 신호 일관성을 허용한다.

위치 지정 전에 접지 및 피뢰침 보호가 필요하다. 그림에서 볼 수 있듯이 모든 지지 구조물에는 피뢰침이 있다.

thumb|right|100px|아래 안테나는 더 큰 기계적 다운틸트를 가지고 있다.

잘 선택된 다운틸트 설정 전략은 네트워크의 전체 간섭을 줄일 수 있다. 그러나 너무 공격적인 다운틸트 전략은 셀이 겹치지 않아 전체 커버리지 손실로 이어질 것이다. 다운틸트는 특정 문제, 예를 들어 지역 간섭 문제 또는 너무 큰 셀을 해결하는 데 사용될 수 있다. 전기적 기울기는 빔 폭을 약간 줄인다.

오른쪽 그림에는 서로 다른 기계적 다운틸트를 가진 두 개의 섹터 안테나가 있다. 더 수직인 안테나가 기계적으로 기울어진 안테나보다 덜 눈에 띈다는 점에 유의하라. 따라서 기계적 기울기 없이 순전히 전기적 기울기를 사용하는 것은 미관상의 이유로 매력적인 선택이며, 이는 가시적인 위치에 통합 안테나의 수용을 원하는 운영자에게 매우 중요하다.

## 같이 보기
* 안테나
* 무선주파수
* 패널 안테나: 방송공학에 사용되는 유사한 유형

## 외부 링크
* Deploying License-Free Wireless Wide-Area Networks by Cisco Press
* Antenna Tilt Control in CDMA Networks
* P-CPICH Power and Antenna Tilt Optimization in UMTS networks

분류:무선 기술
무지향성 안테나

무선 통신에서 **무지향성 안테나**()는 축에 수직인 모든 방향(방위각 방향)으로 동일한 무선 전력을 방사하지만, 축에 대한 각도(앙각)에 따라 전력이 달라지고 축에서는 0으로 감소하는 안테나의 한 종류이다. 3차원으로 그래프를 그리면(그래프 참조) 이 방사 패턴은 흔히 도넛 모양으로 묘사된다. 이는 모든 방향으로 동일한 전력을 방사하여 구형 복사 패턴을 갖는 등방성 안테나와 다르다. 수직으로 배열된 무지향성 안테나는 모든 수평 방향으로 동일하게 방사하는 반면, 앙각에 따라 방사되는 전력이 감소하여 하늘이나 지면으로 향하는 무선 에너지가 적고 낭비되지 않으므로 지표면에서 비지향성 안테나로 널리 사용된다.

무지향성 안테나는 라디오 방송 안테나 및 휴대 전화, FM 라디오, 워키토키, 무선망, 무선 전화, GPS와 같이 무선을 사용하는 모바일 장치, 그리고 경찰 및 택시 배차 및 항공기 통신과 같은 모바일 무선과 통신하는 기지국에 널리 사용된다.

## 종류
[섬네일| [모노폴 안테나의 복사 패턴. 무지향성 안테나의 복사는 방위각 방향으로 대칭이지만, 앙각에 따라 복잡하게 변할 수 있으며, 다른 각도에서 로브와 널(null)을 가질 수 있다.]]

가장 일반적인 무지향성 안테나 설계는 접지면 위에 장착된 수직 막대 도체로 구성된 모노폴 안테나와 두 개의 동축 수직 막대로 구성된 수직 다이폴 안테나이다. 4분의 1 파장 모노폴과 반파장 다이폴은 모두 수평 방향으로 최대 복사를 하는 단일 광대역 로브로 구성된 수직 복사 패턴을 가지므로 인기가 많다. 가장 컴팩트한 공진 안테나인 4분의 1 파장 모노폴은 세계에서 가장 널리 사용되는 안테나일 것이다. 5/8 파장 모노폴 – 길이  즉 파장의  – 또한 인기가 있는데, 이 길이에서 모노폴은 방사된 전력의 가장 많은 부분을 수평으로 향하게 하여 장거리 통신을 위한 송신 전력을 가장 잘 활용하기 때문이다.

저이득 무지향성 안테나의 일반적인 유형으로는 윔 안테나, "러버 덕키" 안테나, 접지면 안테나, 수직 방향의 다이폴 안테나, 디스콘 안테나, 마스트 레디에이터, 수평 루프 안테나(모양 때문에 구어적으로 '원형 안테나'라고도 함), 할로 안테나 등이 있다.

고이득 무지향성 안테나도 만들 수 있다. 이 경우 "고이득"은 안테나가 더 높거나 낮은 앙각으로는 적은 에너지를, 수평 방향으로는 더 많은 에너지를 방사한다는 의미이다. 고이득 무지향성 안테나는 일반적으로 동축 다이폴 배열을 사용하여 구현된다. 이들은 위상으로 급전되는 여러 반파장 다이폴을 동축으로(일렬로) 장착한 것이다.

* 동축 동축(COCO) 안테나는 위상이 같은 반파장 복사기를 생성하기 위해 전치된 동축 부분을 사용한다.

* 프랭클린 배열은 짧은 U자형 반파장 부분을 사용하여 원거리장에서 복사가 상쇄되어 각 반파장 다이폴 부분이 동일한 위상이 되도록 한다.

* 다른 유형은 무지향성 마이크로스트립 안테나(OMA)이다.

## 분석
[right|섬네일|240px|무지향성 H-평면 패턴을 가진 수직 편파 VHF-UHF [이중 원뿔 안테나 170–1100 MHz]]

무지향성 복사 패턴은 공통 축에 하나 또는 두 개의 직선 막대 도체로 구성된 가장 단순한 실용적 안테나인 모노폴 안테나와 다이폴 안테나에 의해 생성된다. 안테나 이득(G)은 안테나 효율(e)에 안테나 지향성(D)을 곱한 것으로 정의되며, 수학적으로 G = eD로 표현된다. 무지향성 복사 패턴 지향성(D)을 데시벨로 나타내고 반전력 빔 폭(HPBW)과의 유용한 관계는 \sin(b\theta) / {b\theta} 패턴 모양을 가정할 때 다음과 같다.

: D \approx 10 \log_{10} \left(\frac{101.5}{\text{HPBW} - 0.00272\, \text{HPBW}^2}\right)\ \text{ dB}.

## 같이 보기
* 초크 링 안테나
* 지향성 안테나

## 각주

분류:무선 기술
드라이 로스팅

섬네일|볶아지는 커피콩

**드라이 로스팅**(dro roasting) 또는 **배전**(培煎)은 기름이나 물을 매개체로 사용하지 않고 건조 식품에 열을 가하는 과정이다. 다른 건열 방식과는 달리, 건식 로스팅은 견과 및 씨와 같은 식품뿐만 아니라 집귀뚜라미와 같은 일부 식용 곤충에도 사용된다. 드라이 로스팅 식품은 고르게 가열되도록 볶는 동안 휘저어진다.

드라이 로스팅은 프라이팬이나 웍에서 할 수 있으며(일부 요리에서 향신료를 준비하는 일반적인 방법), 또는 특수 로스터(커피콩이나 땅콩에 사용됨)에서 할 수 있다. 드라이 로스팅은 식품의 단백질 화학을 변화시켜 풍미를 바꾸고 일부 향신료의 향과 맛을 강화한다. 볶은 향신료는 일반적으로 다양한 허브, 향신료, 설탕을 프라이팬에 넣고 갈색이 될 때까지 볶아서 준비한다.

일반적인 드라이 로스팅 식품으로는 드라이 로스팅한 땅콩으로 만든 땅콩버터, 딴 직후 또는 발효 후 드라이 로스팅한 찻잎으로 만든 차, 그리고 각각 볶은 커피콩과 볶은 코코아콩으로 만든 커피와 초콜릿이 있다.

## 같이 보기

* 커피 로스팅

## 각주

분류:조리법
국부 시트

**국부 시트**(Local Sheet) 또는 **국부 은하면**은 천문학에서 우리 은하, 국부 은하군의 구성원 및 기타 은하들이 유사한 특이운동을 공유하는 인근의 은하계 외부 공간 영역이다. 이 영역은 반경 약  이내에 위치하며, 두께는 이고, 이 거리 너머의 은하들은 확연히 다른 속도를 보인다. 국부 은하군은 국부 시트에 대해 상대적으로 작은 의 특이운동 속도를 갖는다. 은하의 전형적인 속도 분산은 반경 방향으로 오직 이다. 거의 모든 근처의 밝은 은하들은 국부 시트에 속한다. 국부 시트는 국부 은하량의 일부이며 처녀자리 초은하단(국부 초은하단) 내에 있다. 국부 시트는 국부 거시공동의 한 경계를 이루는 은하들의 벽을 형성한다.

국부 시트에 있는 은하들의 평균 속도의 상당 부분은 처녀자리 은하단의 중력 인력의 결과로 나타나며, 그 결과 은하단 쪽으로 ~의 특이운동이 발생한다. 두 번째 구성 요소는 국부 거시공동의 중심으로부터 멀리 향한다. 국부 거시공동은 추정되는 에 걸쳐 펼쳐져 있으며 은하들이 드문드문 분포하는 확장 영역이다. 이 구성 요소는 의 속도를 갖는다. 국부 시트는 처녀자리 초은하단(처녀자리 초은하단)에서 8° 기울어져 있다.

소위 **거인의 회의**는 국부 시트 내에서 국부 은하군을 둘러싸는 12개의 큰 은하들로 이루어진 고리로, 반경은 이다. 이들 중 10개는 나선 은하이고, 나머지 두 개는 타원 은하이다. 두 타원 은하(마페이 1과 센타우루스자리 A)는 국부 은하군의 반대편에 위치한다.섬네일|305px|국부 시트 (위에서 본 모습)

 질량은 태양질량의 로그(밑이 지정되지 않음)로 주어진다.

## 위치
국부 시트는 코마-조각가 구름의 공통 운동 부분으로, 이는 1987년 천문학자 브렌트 툴리와 동료 리처드 피셔가 그의 저서 "근처 은하 지도"에서 클라우드 14로 식별하고 기술했다. 이것은 거대한 의 장축 구형이며, 필라멘트이며 처녀자리 은하단과는 대조적으로 주로 후기형 은하를 포함하며, 처녀자리 은하단에서는 거대 은하의 절반 이상이 초기형 은하이다.

툴리는 코마-조각가 구름과 국부 시트가 완전히 겹치지 않는다고 주장한다. 국부 시트는 코마-조각가 구름의 공통 운동 부분만을 포함하기 때문이다. 맥콜은 이 두 용어를 동의어로 간주하며, 동일한 영역을 지칭한다고 본다.

## 같이 보기
* 국부 거시공동: 거시공동 한쪽 끝에 있는 은하들의 벽을 정의하는 국부 시트
* 초은하좌표계: 국부 시트, 즉 초은하면을 X-Y 기저로 사용하는 좌표계

## 각주

분류:우주 거대구조
분류:초은하단
초콜릿 분수

[섬네일|[벨기에 브뤼셀의 한 가게에 있는 상업용 초콜릿 분수]]
[섬네일|2016년 [일본의 뷔페에서 사용 중인 초콜릿 분수]]
**초콜릿 분수**(chocolate fountain)는 초콜릿 퐁뒤를 제공하는 기구다. 일반적인 형태는 계단식 원뿔 모양으로, 높이 2~4피트이며 상단에는 왕관이 있고 하단에는 받침대 위에 층층이 쌓인 구조로 되어 있다. 받침대는 초콜릿을 액체 상태로 유지하기 위해 가열되며, 초콜릿은 중앙 실린더로 흡입된 후 아르키메데스 나선양수기를 통해 분수 상단으로 수직으로 운반된다. 그곳에서 초콜릿은 층계를 따라 흘러내리며 초콜릿 "폭포"를 만들어내고, 이곳에 딸기나 마시멜로와 같은 음식 재료를 찍어 먹을 수 있다.

[섬네일|[독일 쾰른에 있는 임호프 초콜릿 박물관의 초콜릿 분수]]

네바다주 패러다이스 (네바다주)의 벨라지오 카지노에 있는 장 필립 파티세리는 세계에서 가장 높은 초콜릿 분수였다. 2020년부터 가장 높은 초콜릿 분수는 스위스 킬히베르크의 린트 박물관에 있는 9미터 높이의 자립형 초콜릿 분수다.

## 같이 보기

* 초콜릿을 입힌 음식 목록
* 딥 목록
* 퐁뒤 목록

## 각주

분류:초콜릿
1991년 월드 시리즈 오브 포커

**1991년 [[월드 시리즈 오브 포커]]** (WSOP)는 1991년 4월 26일부터 5월 13일까지 비니언스 호스슈에서 개최된 포커 토너먼트 시리즈이다. 1991년 월드 시리즈는 당시 기록적인 18개의 브레이슬릿 이벤트를 특징으로 했다.

## 이벤트
1991년 WSOP는 17개의 예비 이벤트를 특징으로 했다. 제이 헤이모비츠는 WSOP 역사상 세 개의 다른 10년 동안 브레이슬릿을 획득한 두 번째 선수가 되었다.

## 메인 이벤트
메인 이벤트에는 215명의 참가자가 있었다. 각 참가자는 토너먼트 참가비로 $10,000를 지불했으며, 상위 36명의 플레이어가 상금을 받았다. 이 대회는 $1,000,000의 최고 상금을 제공한 첫 번째 메인 이벤트였다.

### 파이널 테이블

### 상금권 진입자
참고: 이 목록은 기존 위키백과 항목이 있는 상금권 진입자로 제한된다.

## 각주

## 외부 링크
* 토너먼트 결과 at 월드 시리즈 오브 포커

분류:월드 시리즈 오브 포커
분류:1991년 포커
테트라메틸피라진

**테트라메틸피라진**(tetramethylpyrazine) 또는 **리그스트라진**(ligustrazine)은 낫토와 발효된 코코아콩에서 발견되는 화합물이다. 관찰 연구에서 테트라메틸피라진은 한 사워도 스타터에서 지배적인 휘발성 유기 화합물이었다. 정제되었을 때 테트라메틸피라진은 무색 고체이다. 이것은 알킬피라진으로 분류된다. 그것의 생합성은 아세토인의 아민화를 포함하며, 후자는 피루브산으로부터 유도된다. 이것은 쥐에게서 잠재적인 누트로픽 및 항염증 활성을 나타낸다.

## 각주

분류:항염증제
분류:피라진
괘선

**괘선** 또는 **박스 드로잉**(Box Drawing)은 괘선문자와 같이 테두리가 있는 차트와 표를 만드는 문자를 포함하는 레거시 그래픽 표준과의 호환성을 위한 문자를 포함하는 유니코드 영역이다. 유니코드 1.0의 블록 이름은 **Form and Chart Components**였다.

## 블록

## 같이 보기
* 코드 페이지 437
* 딩뱃
* 세미그래픽스 (또는 유사 그래픽)
* 다른 유니코드 블록
** 블록 요소
** 기하학적 도형
** 전각 문자와 반각 문자
** 레거시 컴퓨팅용 기호

## 각주

분류:유니코드 영역
헤드리스 컴퓨터

**헤드리스 컴퓨터**(headless computer)는 모니터, 키보드, 마우스 없이 작동하도록 구성된 컴퓨터 시스템 또는 장치이다. 헤드리스 시스템은 일반적으로 네트워크 연결을 통해 제어되지만, 일부 헤드리스 시스템 장치는 장치 관리를 위해 RS-232를 통해 직렬 연결을 해야 한다. 서버의 헤드리스 작업은 일반적으로 운영 비용을 줄이기 위해 사용된다.

## PC 바이오스 제한
부팅하는 동안 일부 (특히 구형) PC 바이오스 버전은 진행하기 전에 사용자가 키를 누르기를 무기한 기다린다. 비디오 카드나 키보드와 같은 일부 기본 장치가 설치되거나 연결되지 않은 경우, 이는 무인 시스템을 효과적으로 중단시킬 수 있다.

더 최신 시스템에서는 바이오스 공장 설정이 일반적으로 이러한 방식으로 동작하도록 구성되어 있지만, 이 설정은 BIOS 설정 유틸리티를 사용하여 사용자 개입 없이 진행하도록 변경할 수 있다.

시스템이 원격으로 관리되도록 설정된 경우에도 원격 액세스 애플리케이션이 초기화되기 전에 발생하는 부팅 문제를 진단하기 위해 로컬 키보드와 비디오 카드가 때때로 필요할 수 있다.

## 하드웨어 원격 제어
일부 서버는 내부 네트워크 카드와 콘솔 화면을 미러링하는 하드웨어로 원격 제어를 제공한다. 예를 들어, HP는 이 기능을 제공하는 Integrated Lights-Out (iLO)이라는 시스템을 제공한다. 시스템에 대한 원격 액세스는 iLO 어댑터에 할당된 IP 주소로의 보안 웹 연결을 사용하여 이루어지며, 운영 체제가 로드되기 전 시작 중에 시스템을 모니터링할 수 있다.

또 다른 하드웨어 솔루션은 KVM-over-IP 스위치를 사용하는 것이다. 이러한 스위치는 IP를 통해 원격 제어 세션을 제공하는 추가 기능이 있는 기존 키보드-비디오-마우스 장치이다. KVM 장치에 대한 연결은 웹 브라우저를 사용하여 이루어지며, 연결된 시스템 콘솔 포트를 원격으로 모니터링할 수 있다.

## 소프트웨어 원격 제어
섬네일|right|150px|물리적 터미널 (DEC VT100)
섬네일|right|150px|가상 터미널 (그놈 터미널)

헤드리스 시스템 관리는 일반적으로 유닉스 또는 리눅스의 명령줄과 같은 텍스트 기반 인터페이스로 이루어진다. 이러한 인터페이스는 종종 "가상 터미널" 또는 "단말 에뮬레이터"라고 불리며, 디지털 이큅먼트 코퍼레이션의 VT100과 같은 "실제" 인터페이스 터미널의 동작을 시뮬레이션하려 하지만, 일반적으로 시큐어 셸과 같은 프로토콜을 사용하여 네트워크를 통해 수행된다.

또한 X 윈도 시스템과 VNC를 가상 디스플레이 드라이버와 결합한 시스템을 사용할 수도 있다. 이 설정은 일반적인 그래픽 사용자 인터페이스를 통해 헤드리스 시스템에 원격으로 연결할 수 있게 하며, 종종 TCP/IP와 같은 네트워크 프로토콜을 통해 실행된다.

## 같이 보기
* Xvfb
* x11vnc
* 헤드리스 소프트웨어
* 임베디드 시스템
* 콘솔 리디렉션
* CTTY (DOS 명령어)
* 셸 셔블링

## 각주

분류:시스템 관리
분류:컴퓨터의 유형
블록 요소

**블록 요소**(Block Elements)는 다양한 채우기 및 음영의 사각형 블록 기호를 포함하는 유니코드 영역이다. 블록 요소와 함께 사용되는 것은 괘선문자, 음영 문자, 터미널 그래픽 문자이다. 이들은 화면의 영역을 채우고 음영 효과를 표현하는 데 사용될 수 있다. 유니코드 1.0에서의 블록 이름은 **Blocks**였다.

## 문자표

## 글꼴 지원
Code2000 및 데자뷰 계열과 같은 글꼴 세트에는 블록 요소 범위의 각 글리프에 대한 지원이 포함되어 있다. 유니폰트 또한 모든 글리프를 포함한다. 널리 사용되는 글꼴 중, Segoe UI Symbol은 완벽하게 구현되어 있다.

블록 요소의 글리프는 대부분의 지원되는 글꼴에서 동일한 문자 너비를 공유하여 행 및 열 배치에서 그래픽으로 사용할 수 있다. 그러나 이 블록에는 자체 공백 문자가 없으며, ASCII 공백은 블록 요소 글리프와 동일한 너비로 렌더링될 수도 있고 그렇지 않을 수도 있다. 이러한 문자는 고정폭 글꼴에만 사용되도록 의도되었기 때문이다.

## 간략표

## 역사
다음 유니코드 관련 문서는 블록 요소 블록에서 특정 문자를 정의하는 목적과 과정을 기록한다.

## 관련 기호
* 수학 연산자 유니코드 영역의 .
* 기하 도형 유니코드 영역의 .

## 같이 보기
* 괘선
* 코드 페이지 437, 원본 IBM PC의 문자 집합
* 딩뱃
* 세미그래픽 (또는 의사 그래픽)
* 묘비 (타이포그래피)
* 기타 유니코드 영역
** 괘선문자
** 기하 도형
** 전각 문자와 반각 문자
** 레거시 컴퓨팅용 기호

## 각주

분류:유니코드 영역
펄스 진폭 변조

class=skin-invert-image|thumb|PAM의 원리: (1) 원본 신호, (2) PAM 신호, (a) 신호의 진폭, (b) 시간

**펄스 진폭 변조**(pulse-amplitude modulation, **PAM**)는 메시지 정보가 반송파 주파수를 방해하는 펄스열의 진폭으로 인코딩되는 변조 방식이다. 복조는 모든 단일 주기에서 반송파의 진폭 레벨을 감지하여 수행된다.

## 종류
### 극성
펄스 진폭 변조에는 두 가지 유형이 있다.
* 단일 극성 PAM에서는 모든 펄스가 양수가 되도록 적절한 고정 직류 바이어스가 신호에 추가된다.
* 이중 극성 PAM에서는 펄스가 양수와 음수 모두를 가진다.

펄스 진폭 변조는 디지털 데이터의 변조 신호 전송에 널리 사용되며, 비-기저 대역 응용 프로그램은 대부분 펄스 부호 변조로 대체되었고, 최근에는 펄스 위치 변조로 대체되었다.

### 진폭
아날로그 PAM에서 가능한 펄스 진폭의 수는 이론적으로 무한하다. 디지털 PAM은 펄스 진폭의 수를 3 이상의 자연수로 줄인다 (PAM-2는 단순한 이진 신호이며 일반적으로 PAM으로 간주되지 않는다). 진폭 수에 대한 일반적인 선택은 3, 4, 5, 8, 16이다.

## 용도

### 이더넷
이더넷 통신 표준의 일부 버전은 PAM 사용의 예이다.
* 100BASE-T4 및 BroadR-Reach 이더넷 표준은 3단계 PAM 변조(PAM-3)를 사용한다.
* 1000BASE-T 기가비트 이더넷은 5단계 PAM-5 변조를 사용한다.
* 10GBASE-T 10기가비트 이더넷은 16개의 불연속 레벨(PAM-16)을 가진 톰린슨-하라시마 프리코딩 (THP) 버전의 펄스 진폭 변조를 사용한다. THP 프리코딩은 노이즈 저항을 제공한다. 두 개의 연속적인 PAM-16 인코딩된 심볼은 DSQ128로 알려진 2차원 체커보드 패턴에 따라 해석되며, 256가지 가능한 조합 중 128가지가 "거리"를 최대화하기 위해 선택된다(역시 노이즈 저항을 위해). 이는 PAM-8과 동일한 SNR을 제공하면서 데이터 전송 속도를  증가시킨다.
* 25기가비트 이더넷과 100기가비트 이더넷 및 200 기가비트 이더넷의 일부 구리 변형은 PAM-4 변조를 사용한다.

### USB
USB4 버전 2.0은 USB4 80Gbps (USB4 Gen 4×2) 및 USB4 120Gbps (USB4 Gen 4 Asymmetric)에 PAM-3 신호 방식을 사용하여 2클럭 주기당 3비트를 전송한다. Thunderbolt 5는 동일한 PHY를 사용한다.

### 비디오 메모리
마이크론과 엔비디아가 개발하고 엔비디아 RTX 3080 및 3090 그래픽 카드에서 처음 사용된 GDDR6X는 PAM-4 신호 방식을 사용하여 더 높은 주파수나 관련 송신기와 수신기가 있는 두 채널 또는 레인을 사용하지 않고도 클럭 주기당 2비트를 전송하며, 이는 전력 또는 공간 소비 및 비용을 증가시킬 수 있다. 더 높은 주파수는 더 높은 대역폭을 요구하며, 구리를 통해 전송하려고 할 때 28GHz 이상에서는 상당한 문제이다. PAM-4는 이전 NRZ(비제로 복귀, PAM-2) 코딩보다 구현 비용이 더 많이 드는데, 부분적으로는 집적 회로에서 더 많은 공간을 필요로 하고 SNR(신호 대 잡음비) 문제에 더 취약하기 때문이다.

GDDR7은 PAM-3 신호 방식을 사용하여 36Gbps/핀의 속도를 달성한다. GDDR6 및 이전 세대에서 사용된 NRZ/PAM-2 신호 방식에 비해 사이클당 데이터 전송률이 높아 전력 효율성과 신호 무결성이 향상된다. PAM-4(GDDR6X)에 비해 제조 장비에 덜 엄격하다.

### PCI Express
PCI Express 6.0은 PAM-4 사용을 도입했다.

### 디지털 텔레비전
북미 ATSC 표준의 디지털 텔레비전은 텔레비전 신호를 구성하는 데이터를 방송하기 위해 PAM의 한 형태를 사용한다. 8VSB로 알려진 이 시스템은 8단계 PAM을 기반으로 한다. 이 시스템은 하나의 측파대를 억제하여 제한된 대역폭을 보다 효율적으로 사용하기 위한 추가 처리를 사용한다. 이전 NTSC 아날로그 표준에 정의된 단일 6MHz 채널 할당을 사용하여 8VSB는 32Mbit/s를 전송할 수 있다. 오류 수정 코드 및 기타 오버헤드를 고려한 후 신호의 데이터 전송률은 19.39Mbit/s이다.

### 광생물학
이 개념은 틸라코이드 막의 집광 안테나에서 형광 상승 및 감쇠의 운동학을 형광 분광법으로 측정하는 전문 기기를 사용하여 광합성 연구에도 사용되며, 이를 통해 다양한 환경 조건에서 광계의 상태에 대한 여러 측면을 탐색한다. 전통적인 암적응 엽록소 형광 측정과 달리 펄스 진폭 형광 장치는 주변광 조건에서 측정을 허용하여 측정의 다양성을 크게 높였다.

### LED 조명용 전자 드라이버
펄스 진폭 변조는 발광 다이오드(LED) 제어, 특히 조명 응용 분야를 위해 개발되었다. PAM 기술을 기반으로 하는 LED 드라이버는 LED를 통과하는 순방향 전류가 광 출력의 강도에 비례하고 순방향 전류가 감소함에 따라 LED 효율이 증가하므로 펄스 폭 변조(PWM)와 같은 다른 일반적인 드라이버 변조 기술을 기반으로 하는 시스템보다 에너지 효율이 향상된다.

펄스 진폭 변조 LED 드라이버는 여러 LED 채널에 걸쳐 펄스를 동기화하여 완벽한 색상 일치를 가능하게 한다. PAM의 고유한 특성과 LED의 빠른 스위칭 속도와 결합하여 고속 무선 데이터 전송 수단으로 LED 조명을 사용하는 것이 가능하다.

## 같이 보기

* 8VSB
* 진폭 편이 방식
* 반송파 감지 다중 접속
* 펄스 밀도 변조
* 펄스 형성 네트워크
* 직교 진폭 변조 (QAM)

## 내용주

## 각주

분류:라디오 변조 모드
전기 종단

[섬네일|right|[SCSI 종단기]]

일렉트로닉스에서 **전기 종단**(electrical termination)은 전송선로를 선로의 특성 임피던스에 맞는 장치로 끝내는 방식이다. 임피던스 부정합이 있는 곳에서는 신호 반사가 발생한다. 종단은 신호가 전송선로 끝에서 반사되는 것을 방지한다. 종단되지 않은 전송선로 끝에서의 반사는 디스토션을 일으키는데, 이는 모호한 디지털 신호 레벨과 디지털 시스템의 오작동을 유발할 수 있다. 아날로그 신호 시스템에서의 반사는 비디오 고스팅 또는 라디오 송신기 전송선로에서의 전력 손실과 같은 효과를 유발한다.

## 전송선로
신호 종단은 종종 RF 신호가 각 끝에서 반사되어 간섭 또는 전력 손실을 유발하는 것을 방지하기 위해 와이어 또는 케이블의 시작과 끝에 종단기를 설치해야 한다. 종단기는 일반적으로 전송선로 또는 데이지 체인 버스 (컴퓨팅) (예: SCSI에서)의 끝에 배치되며, 케이블의 AC 임피던스와 일치하여 신호 반사 및 전력 손실을 최소화하도록 설계되었다. 덜 일반적으로, 종단기는 신호 생성 장비의 일부가 아닌 경우 와이어 또는 케이블의 구동 끝에도 배치된다.

무선 주파수 전류는 단자 및 접합부와 같은 케이블의 불연속 지점에서 반사되어 소스 방향으로 케이블을 따라 다시 이동하여 1차 반사로서 간섭을 유발하는 경향이 있다. 2차 반사는 케이블 시작 지점에서도 발생할 수 있어 오래된 데이터의 반복되는 에코로 간섭이 지속될 수 있다. 이러한 반사는 또한 병목 현상으로 작용하여 신호 전력이 목적지에 도달하는 것을 방해한다.

전송선로 케이블은 최소한의 반사 및 전력 손실로 전자기 신호를 전달하기 위해 임피던스 매칭이 필요하다. 대부분의 전송선로 케이블의 특징은 길이를 따라 균일한 단면 치수를 가지므로 균일한 전기적 특성 임피던스를 갖는다는 것이다. 신호 종단기는 양쪽 케이블 끝에서 특성 임피던스를 특별히 일치시키도록 설계되었다. 많은 시스템에서 종단기는 저항기이며, 전송선로의 특성 임피던스와 일치하고 시스템과 관련된 주파수에서 허용 가능한 낮은 기생 유도계수 및 전기 용량을 갖도록 선택된 값을 가진다. 예를 들어 75옴 비디오 전송 동축 케이블을 종단하는 데 자주 사용되는 75옴 저항기가 있다.

전송선로 케이블 유형에는 사다리 라인과 같은 밸런스트 라인 및 연선 (Cat-6 이더넷, 병렬 SCSI, 비대칭 디지털 가입자 회선, 유선 전화, XLR 오디오, USB, IEEE 1394, 직렬) 및 동축 케이블 (라디오 안테나, CATV, 10BASE5 이더넷)과 같은 불균형 라인이 포함된다.

## 전기 및 신호 종단기의 종류

### 수동
수동 종단기는 종종 단일 저항기로 구성되지만, 상당히 반응적인 부하는 인덕터, 커패시터 또는 변압기와 같은 다른 수동 부품을 필요로 할 수 있다.

### 능동
능동 종단기는 종단 저항에 사용되는 전압을 일정한 수준으로 유지하는 전압 조정기로 구성된다.

#### 강제 완벽 종단
섬네일|right|강제 완벽 종단
강제 완벽 종단(FPT)은 다이오드가 오버슈트 및 언더슈트 조건을 제거하는 단일 종단 버스에 사용될 수 있다. 신호는 두 개의 능동적으로 조절되는 전압 레벨 사이에 고정되어 표준 능동 종단기보다 우수한 성능을 제공한다.

## 신호 종단 응용 프로그램

### SCSI
모든 병렬 SCSI 장치는 종단기를 사용한다. SCSI는 주로 스토리지 및 백업에 사용된다. **능동 종단기**는 종단기 전원의 변화를 보상하기 위한 내장 전압 조정기가 있는 단일 종단 SCSI 종단기의 한 유형이다.

### 컨트롤러 영역 네트워크
일반적으로 CAN 버스로 알려진 컨트롤러 영역 네트워크는 120옴 저항기로 구성된 종단기를 사용한다.

### 더미 부하

더미 부하는 HF에서 EHF 회로에 일반적으로 사용된다.

### 이더넷 동축 50옴

섬네일|right|10BASE2 케이블 끝 신호 종단기
10BASE2 네트워크는 50옴 BNC 종단기로 적절하게 종단되어야 한다. 버스 네트워크가 적절하게 종단되지 않으면 너무 많은 전력이 반사되어 버스의 모든 컴퓨터가 네트워크 연결을 잃게 된다.

### 안테나 네트워크 75옴
텔레비전 동축 케이블용 종단 저항기는 종종 F 단자에 나사로 고정되는 캡 형태이다. 안테나 케이블은 때때로 인터넷 연결에 사용되지만, RG-6는 10BASE2 (RG-58을 사용해야 함)에 사용되어서는 안 된다. 임피던스 부정합이 기저대역 신호에 위상 문제를 일으킬 수 있기 때문이다.

### 유니버스 (컴퓨터 버스)
[섬네일|[PDP-11|PDP-11/34의 유니버스 (컴퓨터 버스) 종단 및 부트스트랩 카드]]
디지털 이큅먼트 코퍼레이션 미니컴퓨터 유니버스 (컴퓨터 버스) 시스템은 멀티 드롭 주소 및 데이터 라인에 178&nbsp;Ω 풀업 저항기를, 단일 드롭 신호 라인에 383&nbsp;Ω를 사용하는 종단기 카드를 사용했다.

### MIL-STD-1553
**종단** 저항값은 MIL-STD-1553 버스에 78.7옴 2와트 1%가 사용된다. 버스의 양 끝에서 저항기는 내부 종단 버스 커플러 또는 외부 커넥터 종단기에서 양극(고) 및 음극(저) 신호 와이어 사이에 연결된다.

MIL-STD-1553B 버스는 파형 왜곡 및 통신 중단 또는 간헐적인 통신 오류를 유발할 수 있는 신호 반사의 영향을 최소화하기 위해 양쪽 끝에서 종단되어야 한다.

선택적으로, 차량 응용 프로그램에서는 지정되지 않은 장치로부터의 미래 부하를 시뮬레이션하기 위해 고임피던스 종단기(1000~3000옴)를 사용할 수 있다.

커넥터 종단기는 안전 체인 유무에 관계없이 사용할 수 있다.

## 같이 보기
* 전기 단자
* 전기 회로
* MIL-STD-1553

## 각주

분류:SCSI
분류:전자 회로
한국인터넷신문협회

**한국인터넷신문협회**(韓國인터넷新聞協會, 영어: *Korea Internet Newspaper Association*, 약칭: **인신협**, **KINA**)는 대한민국의 인터넷신문사 단체이다. 2001년 ‘인터넷뉴스미디어협의회’로 출범해 2002년 사단법인으로 전환했으며, 본부는 서울특별시 중구 세종대로 124 한국프레스센터 10층에 있다. 정책 제안, 교육·연수, 회원사 네트워킹, 시상사업(인터넷신문 언론대상·언론윤리대상) 등을 수행한다.

## 역사
* 2001년: ‘인터넷뉴스미디어협의회’ 창립.
* 2002년: 사단법인 **한국인터넷신문협회**로 전환.
* 2025년: 임시총회 개최, 제13대 임원진 구성 승인.
* 2025년: 이사 5인 추가 선임(13대 집행부 보강).

## 조직
협회 본부는 서울특별시 중구 세종대로 124, 한국프레스센터 10층에 위치한다.
협회는 총회, 이사회, 회장단 및 사무국 등으로 구성되며, 정관과 세부 규정에 따라 운영된다.

## 주요 사업
* 언론·미디어 정책 제안 및 입법·행정 대응
* 인터넷신문 종사자 대상 교육·연수와 연구 사업
* 회원사 간 협력 네트워크 구축
* **인터넷신문 언론대상** 주최

## 회원사
정회원사는 국내 인터넷신문사 등으로 구성된다. 상세 목록과 변동 사항은 협회 홈페이지를 참조한다.

## 같이 보기
* 한국기자협회

## 각주


## 외부 링크
* 

분류:대한민국의 언론 단체
분류:사단법인 (대한민국)
분류:2002년 설립
IEC 60027

**IEC 60027**(구 **IEC 27**)은 국제전기기술위원회(IEC)에서 발행하는 문자 기호에 대한 기술 국제 표준으로, 다음 부분들로 구성된다.
* IEC 60027-1: 일반
* IEC 60027-2: 통신 및 전자
* IEC 60027-3: 대수 및 관련 양, 그리고 그 단위
* IEC 60027-4: 회전 전기 기계에 사용될 양에 대한 기호
* IEC 60027-6: 제어 기술
* IEC 60027-7: 생리학적 양 및 단위

물리량 및 물리 단위에 대한 밀접하게 관련된 국제 표준은 ISO 31이다. ISO 31 및 IEC 60027 표준은 두 표준화 기구의 협력을 통해 개정되고 있다. 개정된 조화 표준은 ISO/IEC 80000, 즉 양과 단위로 알려져 있다. 이 표준은 ISO 31과 IEC 60027의 일부를 대체한다.

## IEC 60027-2
1999년 1월에 발행된 IEC 60027-2 개정 2는 1996년 이후 국제전기기술위원회(IEC)가 제안한 이진 접두어(키비- (Ki), 메비- (Mi), 기비- (Gi) 및 테비- (Ti))를 정의한 최초의 국제 표준이었으나, 이를 페비 (Pi) 및 엑스비- (Ei)까지 확장했다. 2000년에 발행된 표준의 2판에서는 변경되지 않았지만, 2005년의 3판에서는 제비- (Zi) 및 요비- (Yi) 접두어가 추가되었다. 조화된 ISO/IEC IEC 80000-13:2008 표준은 IEC 60027-2:2005의 하위 조항 3.8과 3.9를 대체한다. 유일한 중요한 변경 사항은 일부 양에 대한 명시적 정의를 추가한 것이다.

## 같이 보기
* 이진 접두어
* IEC-P27-1

## 각주

## 외부 링크
* "IEC 60027-7 (2010-05) Ed. 1.0" (IEC Catalog, www.iec.ch)
* "IEC 60027-2 (2005-08) Ed. 3.0 Bilingual " (preview)
* 

분류:IEC 표준
트랜션

**트랜션**(Transsion, )은 선전시에 본사를 둔 중국의 휴대폰 제조업체이다. 2017년 아프리카에서 판매량 기준 가장 큰 스마트폰 제조업체였으며, 중동, 동남아시아, 남아시아, 라틴 아메리카에서도 휴대폰을 판매한다. 브랜드로는 itel, TECNO, Infinix와 같은 전화 브랜드, 애프터 서비스 브랜드 Carlcare, 액세서리 브랜드 Oraimo 및 Syinix가 있다. 이 회사는 중화인민공화국, 인도네시아, 파키스탄, 에티오피아, 방글라데시, 그리고 최근에는 인도에서 휴대폰을 제조한다.

## 역사
트랜션 홀딩스 Pvt Ltd는 2006년 홍콩에서 트랜션 테크놀로지로 설립되었으며, 모바일 통신 제품의 개발, 제조, 판매 및 서비스에 중점을 두었다. 트랜션은 TECNO와 itel 브랜드를 통해 아프리카 시장에 진출했으며, 2008년 7월부터 아프리카 시장에 집중하기 시작하여 처음에는 피처폰을 선보였다. 트랜션은 2014년에 첫 스마트폰을 출시했다.

트랜션은 2008년 6월 나이지리아 지사를 설립했으며, 그해 10월까지 아프리카 7개국에 지사를 두었다. 트랜션은 2011년에 에티오피아에 제조 공장을 설립했다. 트랜션은 2016년에 인도 시장에 진출했다. 2017년에는 트랜션 스마트폰 브랜드의 아프리카 시장 점유율이 삼성을 넘어섰으며, 2017년 4분기 아프리카 시장 스마트폰 제조업체 중 가장 큰 규모가 되었다. 트랜션은 2017년 상반기에도 아프리카에서 가장 큰 휴대폰 제조업체였다. 트랜션의 2018년 역합병 시도는 실패했다.
2018년 10월, 트랜션 홀딩스는 방글라데시의 새로운 제조 공장에서 스마트폰 생산을 시작했다. 트랜션 홀딩스는 2019년 9월 상하이 증권거래소의 STAR 마켓에 상장되어 공개 상장 회사가 되었다.

2023년 2분기에 트랜션은 전 세계 상위 5대 스마트폰 벤더 중 하나가 되었으며, 2,270만 대의 스마트폰을 출하하여 시장 점유율 9%를 차지했다.

## 사업 운영
트랜션은 아프리카, 서아시아, 동남아시아, 남아시아, 남아메리카에서 휴대폰을 판매한다. TECNO, itel, Infinix 모바일폰 브랜드와 애프터서비스 Carlcare, 액세서리 브랜드 Oraimo 및 Syinix를 운영한다. 트랜션은 중화인민공화국, 에티오피아, 방글라데시, 인도, 파키스탄에서 휴대폰을 제조한다. 트랜션은 아프리카에 애프터서비스 네트워크를 보유하고 있다.

2021년 트랜션은 아프리카 스마트폰 시장에서 48.2%의 점유율을 기록했다. 트랜션이 아프리카 시장에서 성공한 것은 휴대폰 기능을 아프리카 시장의 요구에 맞게 조정한 덕분이다. 트랜션의 휴대폰은 어두운 피부 톤에 맞게 카메라 노출을 보정하여 얼굴의 세부 사항을 유지할 수 있는 기능을 제공한다. 휴대폰에는 암하라어 및 스와힐리어를 포함한 아프리카 언어 지원이 포함되었다. 테크노는 에티오피아에서 암하라어 키보드를 지원한 최초의 주요 휴대폰 브랜드였다. 아프리카에서 사용하기 위해 설계된 다른 트랜션 기능으로는 여러 SIM 슬롯, 긴 배터리 수명, FM 라디오, 그리고 혹독한 날씨를 견딜 수 있도록 개선된 기능 등이 있다.

트랜션은 에티오피아에서 저렴한 휴대폰을 제조하며, 이는 에티오피아의 높은 휴대폰 사용률에 기여하는 요인이 되었다.

트랜션의 음악 스트리밍 서비스 Boomplay는 휴대폰에 사전 설치되어 있다. 2020년 중반 기준으로 Boomplay는 아프리카에서 7,500만 명의 사용자를 보유하고 있었다.

트랜션은 2019년 전년 대비 40% 성장률을 기록하며 인도에서 가장 빠르게 성장하는 스마트폰 브랜드 중 하나이다. 또한 인도 보급형 스마트폰 시장에서 1위 브랜드였다. 트랜션의 휴대폰은 대부분 보급형에서 중저가형이다.

## 각주

## 외부 링크
* 

분류:휴대 전화 제조사
분류:중국의 지주회사
수자 (조리)

[섬네일|[양파와 월계수잎으로 연어를 수자하는 모습]]

**수자**(水煮) 또는 **포칭**(poaching)은 물, 젖, 밑국물, 포도주와 같은 액체에 음식을 담가 가열하는 조리 기술이다. 수자는 다른 "수분 열" 조리 방법인 끓이기 및 데치기와는 달리 상대적으로 낮은 온도(약 )를 사용한다는 점에서 차이가 있다. 이 온도 범위는 달걀, 가금, 물고기, 과일과 같이 다른 조리 방법으로는 쉽게 부서지거나 마를 수 있는 섬세한 음식에 특히 적합하다. 수자는 음식을 조리하거나 맛을 내기 위해 지방을 사용하지 않기 때문에 건강한 조리 방법으로 자주 간주된다.

## 변형
### 얕은 수자
섬네일|팬에서 얕게 수자하는 닭다리
이 습열 조리 방법은 소테 팬 또는 다른 얕은 조리 용기를 사용한다. 열은 팬에서 액체로, 그리고 액체에서 음식으로 전도에 의해 전달된다. 얕은 수자는 뼈가 없고 자연적으로 부드러우며 1인분 크기로 썰거나 잘게 썬 고기, 가금, 생선 조각에 가장 적합하다.

이 조리법은 팬 내부에 통버터를 바르고 향신료를 팬에 추가하는 것을 포함한다. 그 다음 조리할 재료를 향신료 위에 보기 좋은 면이 위로 오도록 놓는다. 차가운 수자액을 재료가 부분적으로 잠길 때까지 붓고 가열한다. 액체는 절대로 끓게 해서는 안 되며 가능한 한 끓는점에 가깝게 유지해야 한다.

얕은 수자의 보다 현대적인 기술은 BPA 프리 비닐 봉투를 사용하며 가정 요리사에게 매우 편리하다.

### 깊은 수자
이 기술은 얕은 수자와 유사하지만, 재료가 완전히 잠긴다. 깊은 수자를 위한 냄비는 음식, 액체, 향신료를 편안하게 담을 수 있어야 한다. 또한 조리 내내 표면의 거품을 걷어낼 수 있는 충분한 공간이 있어야 한다. 꽉 끼는 뚜껑은 액체를 온도로 올리는 데 도움이 될 수 있다.

## 수자액

수자액은 전통적으로 밑국물, 맑은국 또는 쿠르부용을 사용하며, 이는 산(포도주, 레몬즙)과 허브 및 향신료 (예: 부케 가르니 및 미르푸아)와 같은 향신료로 구성될 수 있지만, 맛있는 액체라면 무엇이든 수자에 사용할 수 있다. 액체는 이상적으로는 약 여야 하지만, 닭고기를 수자할 때는 안전하게 섭취하기 위해 닭고기의 내부 온도가 최소 에 도달해야 한다.

상당량의 맛이 음식에서 조리액으로 전달되며, 따라서 밑국물을 만든다. 최대한의 맛을 위해 조리액(밑국물 또는 퀴손)은 보통 졸여서 수프나 소스의 베이스로 사용된다.

물수란은 일반적으로 식초를 넣거나 넣지 않은 물에 조리하고, 생선은 화이트 와인에, 가금은 밑국물에, 과일은 레드 와인에 조리한다.

얕은 수자에 사용되는 액체는 일반적으로 퀴손(cuisson)이라고 불리며, 줄여서 수자한 재료의 소스 베이스로 사용할 수 있다.

## 전형적인 준비
수자는 단백질을 변성시키면서 음식에서 수분을 너무 많이(혹은 전혀) 빼내지 않게 한다. 이 때문에 열을 낮게 유지하고 수자 시간을 최소한으로 줄이는 것이 중요하며, 이는 또한 음식의 맛을 보존하는 데 도움이 된다.

일반적으로 달걀은 흰자가 더 이상 흐르지 않고 노른자가 가장자리부터 굳어지기 시작하는 시점까지만 수자한다. 달걀을 넣기 전에 소용돌이를 만들면 흰자가 노른자 주위를 감싸 수자하는 동안 모양을 유지하는 데 도움이 될 수 있다.

## 다른 조리법과의 비교
물은 비교적 효율적인 열 전도체이지만, 최고 잠재 온도에 대한 한계가 상당히 낮다(해수면에서 ). 따라서 광범위한 방법과 결과에 적용되는 기술이다. 수비드와 같이 낮은 온도에서 장시간 음식을 조절하는 데 사용된다. 또한 데치기와 같이 음식의 온도를 빠르게 높이는 데도 사용된다.

수자는 습열 조리 방법의 한 종류이지만, 달걀과 같은 섬세한 음식에 주로 사용된다는 점에서 차이가 있다. 끓이기는 일반적으로 더 높은 온도를 사용하며, 물이 음식을 일정한 온도로 감싸기 때문에 음식을 매우 고르게 익힌다. 끓이기는 물의 절대적으로 가장 높은 온도를 사용하며 섬세한 음식을 조리하는 데 가장 적게 사용된다.

많은 사람들이 매우 선호하는 캐러멜화를 얻을 수는 없지만, 많은 사람들은 소위 "블랑" 음식의 섬세한 뉘앙스를 매우 즐겁게 여긴다. 수자는 종종 스튜와 혼동되는데, 두 기술 모두 끓여서 조리하는 것을 포함하기 때문이다. 그러나 수자의 목적은 스튜처럼 음식을 부드럽게 하는 것이 아니라 음식의 기본적인 모양과 구조를 유지하면서 조리하는 것이다.

## 같이 보기

* 물수란
* 수비드

## 각주

## 외부 링크
* 달걀 수자를 위한 팁과 요령
* 음식 수자를 위한 레시피 및 팁
* b3ta.com에서 달걀 수자하는 방법

분류:조리법