RDRAM

**RDRAM**, 곧 **램버스 디램**(Rambus DRAM), 그리고 후속작 **CRDRAM**(Concurrent Rambus DRAM), **DRDRAM**(Direct Rambus DRAM)은 1990년대부터 2000년대 초반까지 램버스사에서 개발한 SDRAM의 일종이다. 3세대 램버스 DRAM인 DRDRAM은 XDR DRAM으로 대체되었다. 램버스 DRAM은 고대역폭 애플리케이션을 위해 개발되었으며, 램버스사는 이를 SDRAM과 같은 당시의 다양한 메모리들을 대체할 제품으로 포지셔닝했다. RDRAM은 직렬 메모리 버스 방식이다.

DRDRAM은 특히 인텔이 향후 칩셋에 사용하기 위해 램버스 기술을 라이선스하기로 합의한 후, 초기에는 PC 메모리의 표준이 될 것으로 예상되었다. 또한, DRDRAM은 그래픽 메모리의 표준이 될 것으로도 기대되었다. 그러나 RDRAM은 대체 기술인 DDR SDRAM과 표준 전쟁에 휘말렸고, 가격과 이후 성능 면에서 밀려나며 빠르게 패배했다. 2003년경에 이르러 DRDRAM은 더 이상 새로운 개인용 컴퓨터에서 지원되지 않게 되었다.

## PC 주 메모리
섬네일|upright=1.7|히트 스프레더가 통합된 RDRAM 메모리
섬네일|upright=1.7|삼성 RDRAM PC-600 128MB

RDRAM을 지원하는 최초의 PC 메인보드는 두 차례의 큰 지연 끝에 1999년 하반기에 데뷔했다. RDRAM은 인텔에 의해 널리 사용되던 당시 높은 라이선스 비용, 고가, 독자 표준, 그리고 증가한 비용에 비해 낮은 성능 이점 등으로 인해 논란이 많았다. RDRAM과 DDR SDRAM은 표준 전쟁을 벌였다. PC-800 RDRAM은 400MHz에서 작동하며 16비트 버스를 통해 1600MB/s의 대역폭을 제공했다. 이는 DIMM과 유사한 184핀 **RIMM**(램버스 인-라인 메모리 모듈) 폼 팩터로 패키징되었다. 데이터는 클록 신호의 상승 엣지와 하강 엣지 모두에서 전송되는데, 이는 DDR로 알려진 기술이다. DDR 기술의 장점을 강조하기 위해 이 유형의 RAM은 실제 클록 속도의 두 배 속도로 마케팅되었으며, 즉 400&nbsp;MHz 램버스 표준은 PC-800으로 명명되었다. 이는 133&nbsp;MHz에서 작동하고 168핀 DIMM 폼 팩터를 사용하여 64비트 버스를 통해 1066 MB/s의 대역폭을 제공하던 이전 표준인 PC-133 SDRAM보다 현저히 빨랐다.

또한, 메인보드가 듀얼 또는 쿼드 채널 메모리 하위 시스템을 갖춘 경우, 모든 메모리 채널을 동시에 업그레이드해야 한다. 16비트 모듈은 한 채널의 메모리를 제공하고, 32비트 모듈은 두 채널을 제공한다. 따라서 16비트 모듈을 사용하는 듀얼 채널 메인보드는 RIMM을 쌍으로 추가하거나 제거해야 한다. 32비트 모듈을 사용하는 듀얼 채널 메인보드는 단일 RIMM을 추가하거나 제거할 수도 있다. 나중에 나온 32비트 모듈은 이전의 184핀 16비트 모듈에 비해 232핀을 가졌다는 점에 유의해야 한다.

### 모듈 사양

#### 더미 모듈 (Continuity modules)
많은 일반적인 램버스 메모리 컨트롤러의 설계상 메모리 모듈은 두 개씩 세트로 설치되어야 했다. 비어 있는 나머지 메모리 슬롯은 컨티뉴이티 RIMM(CRIMM)으로 채워야 한다. 이 모듈은 추가 메모리를 제공하지 않으며, 신호가 끊겨서 반사되는 대신 메인보드의 종단 저항으로 신호를 전달하는 역할만 한다. CRIMM은 집적 회로(및 히트 스프레더)가 없다는 점을 제외하면 물리적으로 일반 RIMM과 비슷해 보인다.

### 성능
섬네일|right|펜티엄 4 1.5 GHz 시스템에 설치된 한 쌍의 삼성 RDRAM과 한 쌍의 컨티뉴이티 모듈
당시의 다른 표준들과 비교했을 때, 램버스는 지연 시간, 발열, 제조 복잡성 및 비용의 증가를 보였다. 더 복잡한 인터페이스 회로와 증가한 메모리 뱅크 수 때문에 RDRAM의 다이 크기는 당시 SDRAM 칩보다 더 컸으며, 이로 인해 16Mbit 밀도에서 10~20%의 가격 프리미엄이 발생했다(64Mbit에서는 약 5%의 불이익 추가). 가장 흔한 RDRAM 밀도는 128Mbit와 256Mbit였다는 점에 유의하라.

PC-800 RDRAM은 45&nbsp;ns의 지연 시간으로 작동했는데, 이는 당시 다른 SDRAM 종류보다 길었다. RDRAM 메모리 칩은 또한 SDRAM 칩보다 훨씬 더 많은 열을 방출했기 때문에 모든 RIMM 장치에 히트 스프레더가 필요했다. RDRAM은 각 칩에 추가 회로(패킷 디멀티플렉서 등)를 포함하고 있어 SDRAM에 비해 제조 복잡성이 증가했다. RDRAM은 또한 높은 제조 비용과 높은 라이선스 비용의 결합으로 인해 PC-133 SDRAM보다 최대 4배 더 비쌌다. 2000년에 도입된 PC-2100 DDR SDRAM은 133&nbsp;MHz의 클록 속도로 작동하며 184핀 DIMM 폼 팩터를 사용하여 64비트 버스를 통해 2100&nbsp;MB/s를 제공했다.

인텔 840(펜티엄 III), 인텔 850(펜티엄 4), 인텔 860(펜티엄 4 제온) 칩셋을 도입하면서 인텔은 듀얼 채널 PC-800 RDRAM 지원을 추가하여 버스 폭을 32비트로 늘림으로써 대역폭을 3200&nbsp;MB/s로 두 배로 높였다. 이어서 2002년에는 PC-1066 RDRAM을 도입한 인텔 850E 칩셋이 출시되어 총 듀얼 채널 대역폭을 4200&nbsp;MB/s로 높였다. 2002년 인텔은 경쟁 RDRAM보다 약간 낮은 지연 시간으로 듀얼 채널 DDR 지원(총 대역폭 4200&nbsp;MB/s)을 도입한 E7205 그래닛 베이(Granite Bay) 칩셋을 출시했다. 그래닛 베이의 대역폭은 PC-1066 DRDRAM을 사용하는 i850E 칩셋의 대역폭과 일치하면서도 지연 시간은 상당히 낮았다.

RDRAM의 800&nbsp;MHz 클록 속도를 달성하기 위해 메모리 모듈은 당시 SDRAM DIMM의 64비트 버스 대신 16비트 버스에서 실행된다. 인텔 820 출시 당시 일부 RDRAM 모듈은 800&nbsp;MHz 미만의 속도로 작동했다.

### 벤치마크
1998년과 1999년에 실시된 벤치마크 테스트 결과, 대부분의 일상적인 애플리케이션이 RDRAM에서 아주 미세하게 느리게 실행되는 것으로 나타났다. 1999년 인텔 840 및 인텔 820 RDRAM 칩셋을 인텔 440BX SDRAM 칩셋과 비교한 벤치마크에서는 워크스테이션 용도를 제외하고는 RDRAM의 성능 향상이 SDRAM 대비 높은 비용을 정당화하지 못한다는 결론을 내렸다. 2001년 벤치마크에서는 단일 채널 DDR266 SDRAM 모듈이 일상적인 애플리케이션에서 듀얼 채널 800&nbsp;MHz RDRAM과 거의 대등한 성능을 보일 수 있음을 지적했다.

### 마케팅 역사
1996년 11월, 램버스는 인텔과 개발 및 라이선스 계약을 체결했다. 인텔은 자사의 마이크로프로세서에 램버스 메모리 인터페이스만을 지원하겠다고 발표했으며, 램버스 주식 100만 주를 주당 10달러에 매수할 수 있는 권리를 부여받았다.

전환 전략으로서 인텔은 메모리 번역 허브(MTH)를 사용하여 미래의 인텔 82x 칩셋에서 PC-100 SDRAM DIMM을 지원할 계획이었다. 2000년 인텔은 동시 스위칭 노이즈로 인한 간헐적인 프리징 및 자발적 재부팅 발생으로 인해 MTH가 탑재된 인텔 820 메인보드를 리콜했다. 그 이후로 생산된 인텔 820 메인보드에는 MTH가 포함되지 않았다.

2000년에 인텔은 펜티엄 4 소매용 박스에 두 개의 RIMM을 번들로 제공함으로써 RDRAM을 보조하기 시작했다. 인텔은 2001년부터 이러한 보조금을 단계적으로 폐지하기 시작했다.

2003년 인텔은 850 칩셋의 하이엔드 대체품으로 마케팅된 듀얼 채널 DDR SDRAM을 지원하는 865 및 875 칩셋을 도입했다. 게다가 향후 메모리 로드맵에는 RDRAM이 포함되지 않았다.

## 기타 용도
### 비디오 게임 콘솔
섬네일|닌텐도 64에 탑재된 RDRAM18-NUS
램버스의 RDRAM은 1996년 닌텐도 64를 시작으로 두 대의 비디오 게임 콘솔에서 사용되었다. 닌텐도 콘솔은 9비트 버스에서 500&nbsp;MHz 클록으로 작동하는 4&nbsp;MB RDRAM을 사용하여 500&nbsp;MB/s 대역폭을 제공했다. RDRAM은 설계 단순성 덕분에 낮은 비용을 유지하면서도 N64가 대량의 메모리 대역폭을 갖출 수 있게 해주었다. RDRAM의 좁은 버스는 회로 기판 설계자가 비용을 최소화하기 위해 더 간단한 설계 기술을 사용할 수 있게 했다. 그러나 이 메모리는 높은 랜덤 액세스 지연 시간으로 인해 선호되지 않기도 했다. N64에서 RDRAM 모듈은 수동 히트스프레더 어셈블리에 의해 냉각된다. 닌텐도는 또한 익스팬션 팩(Expansion Pak) 액세서리로 시스템 메모리를 업그레이드할 수 있는 규정을 포함하여, 특정 게임에서 향상된 그래픽, 높은 해상도 또는 증가된 프레임 속도를 구현할 수 있게 했다. 앞서 언급한 RDRAM의 설계 특성 때문에 콘솔에는 점퍼 팩(Jumper Pak) 더미 유닛이 포함되어 있다.

[섬네일|플레이스테이션 2에 탑재된 [삼성그룹|삼성의 16 MB RDRAM 2개]]
소니 플레이스테이션 2에는 32&nbsp;MB의 RDRAM이 장착되었으며, 듀얼 채널 구성을 구현하여 3200&nbsp;MB/s의 가용 대역폭을 확보했다.

### 텍사스 인스트루먼트 DLP
RDRAM은 텍사스 인스트루먼트의 DLP(Digital Light Processing) 시스템에서 사용되었다.

### 비디오 카드
[섬네일|시러스 로직 Laguna 3D GD5465 칩과 RDRAM을 사용한 크리에이티브 그래픽 블래스터 3D PCI [비디오 카드]]
시러스 로직은 Laguna 그래픽 칩 제품군에서 RDRAM 지원을 구현했는데, 여기에는 2D 전용인 5462와 3D 가속 기능이 있는 2D 칩인 5464의 두 멤버가 있다. 두 칩 모두 2&nbsp;MB의 메모리와 PCI 포트를 갖추고 있다. 시러스 로직 GD5465는 확장된 4&nbsp;MB 램버스 메모리와 듀얼 채널 메모리 지원을 갖추고 더 빠른 AGP 포트를 사용한다. RDRAM은 높은 대역폭으로 경쟁 DRAM 기술보다 잠재적으로 더 빠른 사용자 경험을 제공했다. 이 칩들은 크리에이티브 그래픽 블래스터 MA3xx 시리즈 등에 사용되었다.

## 같이 보기
* SLDRAM

## 각주

## 외부 링크
* 

분류:SDRAM