Համակարգչի հիշողություն

**Համակարգչի հիշողություն** (), տեղեկատվություն, օրինակ՝ տվյալներ և ծրագրեր, որոնք պահպանվում է համակարգչի կողմից անմիջական օգտագործման համար։ «Հիշողություն» տերմինը հաճախ հոմանիշ է *<bdi>[[օպերատիվ հիշողություն]] ()</bdi>*, հիմնական հիշողություն *<bdi>()</bdi>* կամ առաջնային պահեստավորում *<bdi>()</bdi>* տերմիններին։ Հիմնական հիշողության հնացած հոմանիշներից են «միջուկ» (*<bdi></bdi>*) և «պահեստարան» (*<bdi></bdi>*)։
Հիմնական հիշողությունն աշխատում է բարձր արագությամբ՝ զանգվածային կուտակիչների *<bdi>()</bdi>* համեմատ, որոնք ավելի դանդաղ են, բայց մեկ բիթի հաշվով ավելի էժան են և ունեն ավելի մեծ ծավալ։ Բացի բացված ծրագրերն ու ակտիվորեն մշակվող տվյալները պահելուց, համակարգչի հիշողությունը ծառայում է որպես քեշ *<bdi>()</bdi>* և գրելու բուֆեր *<bdi>()</bdi>*՝ ընթերցման և գրելու արդյունավետությունը բարձրացնելու համար։ Օպերացիոն համակարգերը օպերատիվ հիշողության ծավալը փոխառում են քեշավորման համար, քանի դեռ այն անհրաժեշտ չէ աշխատող ծրագրերին։ Անհրաժեշտության դեպքում համակարգչի հիշողության պարունակությունը կարող է տեղափոխվել կուտակիչ. դրա տարածված միջոցը վիրտուալ հիշողություն կոչվող հիշողության կառավարման տեխնիկան է։

Ժամանակակից համակարգչի հիշողությունը իրականացվում է որպես կիսահաղորդչային հիշողություն *<bdi>()</bdi>*, որտեղ տվյալները պահվում են հիշողության բջիջներում, որոնք ստեղծված են MOS տրանզիստորներից և ինտեգրալ սխեմայի վրա գտնվող այլ բաղադրիչներից։ Գոյություն ունեն կիսահաղորդչային հիշողության երկու հիմնական տեսակներ՝ կայուն (*<bdi></bdi>*) և անկայուն (*<bdi></bdi>*)։ Կայուն հիշողության օրինակներ են ֆլեշ հիշողությունը և ROM, PROM, EPROM և EEPROM հիշողությունները։ Անկայուն հիշողության օրինակներ են դինամիկ օպերատիվ հիշողությունը (*<bdi></bdi>*), որն օգտագործվում է առաջնային պահեստավորման համար, և ստատիկ օպերատիվ հիշողությունը (*<bdi></bdi>*), որը հիմնականում օգտագործվում է CPU-ի քեշի համար։

Կիսահաղորդչային հիշողության մեծ մասը կազմակերպված է հիշողության բջիջներով, որոնցից յուրաքանչյուրը պահում է մեկ բիթ (0 կամ 1)։ Ֆլեշ հիշողության կազմակերպումը ներառում է ինչպես մեկ բիթ մեկ հիշողության բջջում, այնպես էլ բազմամակարդակ բջիջ, որն ունակ է պահելու մեկից ավելի բիթ։ Հիշողության բջիջները խմբավորվում են ֆիքսված բառի երկարությամբ բառերի մեջ, օրինակ՝ 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64 կամ 128 բիթ։ Յուրաքանչյուր բառի հասանելի է դառնում *N* բիթանոց երկուական հասցեով, ինչը հնարավորություն է տալիս հիշողության մեջ պահել 2*N* բառ։

## Պատմություն

1940-ականների սկզբին հիշողության տեխնոլոգիան հաճախ թույլ էր տալիս մի քանի բայթ ծավալ։ Առաջին ծրագրավորվող էլեկտրոնային թվային համակարգիչը՝ ENIAC-ը, որն օգտագործել է հազարավոր էլեկտրոնային լամպեր, կարող էր կատարել պարզ հաշվարկներ՝ օգտագործելով էլեկտրոնային լամպերում պահված 10 տասնորդական թվանշանից բաղկացած 20 թիվ։

Համակարգչի հիշողության հաջորդ կարևոր առաջընթացը ակուստիկ ուշացման գծային հիշողությունն էր, որը մշակվել է Ջ. Պրեսպեր Էքերտի կողմից 1940-ականների սկզբին։ Ապակե խողովակը լցված էր սնդիկով և երկու ծայրերում փակված էր քվարցե բյուրեղներով։ Ուշացման գծերը կարող էին պահել տեղեկատվության բիթեր՝ սնդիկի միջով տարածվող ձայնային ալիքների տեսքով։ Քվարցե բյուրեղները ծառայել են որպես փոխակերպիչներ՝ բիթերը կարդալու և գրելու համար։ Այս հիշողության ծավալը սահմանափակ էր՝ մինչև մի քանի հազար բիթ։

Ուշացման գծի երկու այլընտրանքներ՝ Ուիլյամսի խողովակը և Սելեկտրոնի խողովակը, ստեղծվել են 1946 թվականին։ Երկուսն էլ որպես պահեստավորման միջոց ապակե խողովակներում օգտագործել են էլեկտրոնային ճառագայթներ։ Կաթոդային ճառագայթային խողովակներ օգտագործելով՝ Ֆրեդ Ուիլյամսը ստեղծել է Ուիլյամսի խողովակը, որը առաջին պատահական հասանելիությամբ օպերատիվ հիշողությունն էր։ Ուիլյամսի խողովակը կարող էր ավելի շատ տեղեկատվություն պահել, քան Սելեկտրոնի խողովակը (Սելեկտրոնը սահմանափակ էր 256 բիթով, իսկ Ուիլյամսի խողովակը կարող էր պահել հազարավոր) և ավելի էժան էր։ Այնուամենայնիվ, Ուիլյամսի խողովակը չափազանց զգայուն էր շրջակա միջավայրի խանգարումների նկատմամբ։

1940-ականների վերջին սկսել են ջանքեր գործադրել՝ անգոլորշի հիշողություն գտնելու համար։ Մագնիսական միջուկային հիշողությունը թույլ էր տալիս պահել տվյալները նույնիսկ էներգիայի անջատումից հետո։ Այն մշակվել է Ֆրեդերիկ Վ. Վիեհեի և Վան Անի կողմից 1940-ականների վերջին, բարելավվել է Ջեյ Ֆորեսթերի և Յան Ա. Ռաջչմանի կողմից 1950-ականների սկզբին և առևտրայնացվել է 1953 թվականին Whirlwind I համակարգչի հետ։ Մագնիսական միջուկային հիշողությունը հիշողության գերակշռող տեսակն էր մինչև 1960-ականներին MOS կիսահաղորդչային հիշողության զարգացումը։

Առաջին կիսահաղորդչային հիշողությունը իրականացվել է 1960-ականների սկզբին՝ որպես տրիգերային (*<bdi></bdi>*) սխեմա՝ օգտագործելով երկբևեռ տրանզիստորներ։ Դիսկրետ սարքերից պատրաստված կիսահաղորդչային հիշողությունն առաջին անգամ առաքվել է Texas Instruments-ի կողմից ԱՄՆ ռազմաօդային ուժերին 1961 թվականին։ Նույն տարում Fairchild Semiconductor-ի ինժեներ Բոբ Նորմանն առաջարկել է պինդմարմնային հիշողության գաղափարը ինտեգրալ սխեմայի (*<bdi></bdi>*) չիպի վրա։ Առաջին բիպոլյար կիսահաղորդչային հիշողության IC չիպը SP95-ն էր, որը IBM-ը ներկայացրել է 1965 թվականին։ Չնայած կիսահաղորդչային հիշողությունն ավելի լավ արդյունավետություն էր ապահովում, քան մագնիսական միջուկային հիշողությունը, այն ավելի մեծ էր և թանկ և չի փոխարինել մագնիսական միջուկային հիշողությանը մինչև 1960-ականների վերջը։

### MOS հիշողություն
Մետաղ-օքսիդ-կիսահաղորդիչ դաշտային տրանզիստորի (*<bdi></bdi>*) գյուտը հնարավորություն է տվել գործնականում օգտագործել մետաղ-օքսիդ-կիսահաղորդիչ (*<bdi></bdi>*) տրանզիստորները որպես հիշողության բջիջների պահեստային տարրեր։ MOS հիշողությունը մշակվել է Ջոն Շմիդտի կողմից Fairchild Semiconductor-ում 1964 թվականին։ Բացի ավելի բարձր արդյունավետությունից, MOS կիսահաղորդչային հիշողությունն ավելի էժան էր և ավելի քիչ էներգիա էր սպառում, քան մագնիսական միջուկային հիշողությունը։ 1965 թվականին Թագավորական ռադիոլոկացիոն հաստատության աշխատակիցներ Ջ. Վուդը և Ռ. Բոլը առաջարկել են թվային պահեստավորման համակարգեր, որոնք օգտագործում էին CMOS (լրացուցիչ MOS) հիշողության բջիջներ, ի լրումն MOSFET էներգիայի սարքերի հոսանքի աղբյուրների, միացված խաչաձև կապի, անջատիչների և ուշացման գծի պահեստավորման համար։ Սիլիցիումե դարպասով MOS ինտեգրալ սխեմայի (MOS IC) տեխնոլոգիայի մշակումը Ֆեդերիկո Ֆագինի կողմից Fairchild-ում 1968 թվականին հնարավորություն է տվել արտադրել MOS հիշողության չիպեր։ NMOS հիշողությունը առևտրայնացվել է IBM-ի կողմից 1970-ականների սկզբին։ MOS հիշողությունը 1970-ականների սկզբին առաջ է անցել մագնիսական միջուկային հիշողությունից՝ դառնալով գերակշռող հիշողության տեխնոլոգիա։

RAM-ի երկու հիմնական տեսակներն են ստատիկ օպերատիվ հիշողությունը (*<bdi></bdi>*) և դինամիկ օպերատիվ հիշողությունը (*<bdi></bdi>*)։ Բիպոլյար SRAM-ը հայտնագործել է Ռոբերտ Նորմանը Fairchild Semiconductor-ում 1963 թվականին, որին հաջորդել է MOS SRAM-ի մշակումը Ջոն Շմիդտի կողմից Fairchild-ում 1964 թվականին։ SRAM-ը դարձել է մագնիսական միջուկային հիշողության այլընտրանք, բայց տվյալների յուրաքանչյուր բիթի համար պահանջում է վեց տրանզիստոր։ SRAM-ի առևտրային օգտագործումը սկսվել է 1965 թվականին, երբ IBM-ը ներկայացրել է իր SP95 SRAM չիպը System/360 Model 95-ի համար։

Տոշիբան ներկայացրել է երկբռեռ DRAM հիշողության բջիջները իր Toscal BC-1411 էլեկտրոնային հաշվիչի համար 1965 թվականին։ Չնայած այն ապահովում էր բարելավված արդյունավետություն, երկբևեռ DRAM-ը չէր կարող մրցակցել այդ ժամանակ գերակշռող մագնիսական միջուկային հիշողության ցածր գնի հետ։ MOS տեխնոլոգիան ժամանակակից DRAM-ի հիմքն է։ 1966 թվականին Ռոբերտ Հ. Դենարդը IBM Thomas J. Watson-ի հետազոտական կենտրոնում աշխատել է MOS հիշողության վրա։ Ուսումնասիրելով MOS տեխնոլոգիայի բնութագրերը՝ նա պարզել է, որ հնարավոր է կառուցել կոնդենսատորներ, և որ լիցքը կամ լիցքի բացակայությունը MOS կոնդենսատորի վրա կարող է ներկայացնել բիթի 1-ը և 0-ն, իսկ MOS տրանզիստորը կարող է վերահսկել լիցքի գրումը կոնդենսատորի վրա։ Սա հանգեցրել է նրա կողմից մեկ տրանզիստորով DRAM հիշողության բջջի մշակմանը։ 1967 թվականին Դենարդը արտոնագիր է ներկայացրել MOS տեխնոլոգիայի վրա հիմնված մեկ տրանզիստորով DRAM հիշողության բջջի համար։ Սա հանգեցրել է առաջին առևտրային DRAM IC չիպին՝ Intel 1103-ին, 1970 թվականի հոկտեմբերին։ Հետագայում սինխրոն դինամիկ օպերատիվ հիշողությունը (*<bdi></bdi>*) առաջին անգամ ներկայացվել է Samsung KM48SL2000 չիպով 1992 թվականին։

«Հիշողություն» տերմինը հաճախ օգտագործվում է նաև անգոլորշի հիշողությունների համար, ներառյալ կարդալու համար նախատեսված հիշողությունից (*<bdi></bdi>*) մինչև ժամանակակից ֆլեշ հիշողությունը։ Ծրագրավորվող կարդալու համար նախատեսված հիշողությունը (*<bdi></bdi>*) հայտնագործել է Վեն Ցինգ Չոուն 1956 թվականին՝ աշխատելով American Bosch Arma Corporation-ի Arma բաժնում։ 1967 թվականին Bell Labs-ի Դավոն Կահնգը և Սայմոն Սզեն առաջարկել են, որ MOS կիսահաղորդչային սարքի լողացող դարպասը կարող է օգտագործվել վերածրագրավորվող ROM-ի բջիջի համար, ինչը հանգեցրել է Ինթելի Դով Ֆրոհմանի կողմից EPROM-ի (ջնջվող PROM) գյուտին 1971 թվականին։ EEPROM-ը (էլեկտրականորեն ջնջվող PROM) մշակվել է Յասուո Տարուիի, Յուտակա Հայաշիի և Կիյոկո Նագայի կողմից Electrotechnical Laboratory-ում 1972 թվականին։ Ֆլեշ հիշողությունը հայտնագործվել է Ֆուջիո Մասուոկայի կողմից Տոշիբաում 1980-ականների սկզբին։ Մասուոկան և գործընկերները ներկայացրել են NOR ֆլեշի գյուտը 1984 թվականին, իսկ այնուհետև՝ NAND ֆլեշը 1987 թվականին։ Toshiba-ն NAND ֆլեշ հիշողությունը առևտրայնացրել է 1987 թվականին։

Տեխնոլոգիայի զարգացումները և մասշտաբի տնտեսությունները հնարավոր են դարձրել այսպես կոչված շատ մեծ հիշողությամբ (*<bdi></bdi>*) համակարգիչների ստեղծումը։

## Հիշողության տեսակները
### Անկայուն հիշողություն
Գոլորշիացող հիշողությունը համակարգչային հիշողություն է, որը պահպանում է տվյալները միայն այն ժամանակ, երբ միացված է էներգիայի աղբյուրին։ Էներգիայի անջատվելու դեպքում հիշողության ամբողջ պարունակությունը կորչում է։ Ժամանակակից կիսահաղորդչային գոլորշիացող հիշողության հիմնական տեսակներն են ստատիկ RAM (SRAM) և դինամիկ RAM (DRAM)։ DRAM-ը գերիշխում է որպես սեղանի համակարգիչների հիմնական համակարգային հիշողություն։ Այն մեկ բիթի համար օգտագործում է ընդամենը մեկ տրանզիստոր և մեկ կոնդենսատոր, ինչը թույլ է տալիս հասնել շատ ավելի բարձր խտության և ավելի ցածր արժեքի։ Սակայն, DRAM-ը կառավարման և ինտերֆեյսի առումով ավելի բարդ է, քանի որ տվյալները պահպանելու համար պահանջում է պարբերական թարմացումներ։

SRAM-ն օգտագործվում է հիմնականում որպես պրոցեսորի քեշ հիշողություն։ Այն պահպանում է իր պարունակությունը, քանի դեռ էներգիա է ստանում՝ առանց թարմացման ցիկլերի անհրաժեշտության։ SRAM-ն ունի ավելի պարզ ինտերֆեյս, բայց մեկ բիթի համար սովորաբար օգտագործում է վեց տրանզիստոր, ինչի պատճառով այն ավելի թանկ է և ունի ավելի ցածր խտություն, քան DRAM-ը։ SRAM-ը կարելի է գտնել նաև փոքր ներկառուցված համակարգերում, որոնք պահանջում են քիչ հիշողություն։

### Կայուն հիշողություն
Կայուն հիշողությունը կարող է պահպանել տեղեկատվությունը նույնիսկ այն դեպքում, երբ էներգիա չի ստանում։ Այս տեսակի հիշողության օրինակներ են՝ ROM-ը, ֆլեշ հիշողությունը, մագնիսական կուտակիչների մեծ մասը (օրինակ՝ կոշտ սկավառակները, ճկուն սկավառակները և մագնիսական ժապավենը), օպտիկական սկավառակները, հիշողության ավելի հին մեթոդները, ինչպիսիք են մագնիսական թմբուկը, ծակոտաժապավենը և ծակոտաքարտը։ Զարգացման փուլում գտնվող կայուն հիշողության տեխնոլոգիաներից են՝ ֆեռոէլեկտրական RAM-ը, ծրագրավորվող մետաղացման բջիջը, սպին-տրանսֆերային մագնիսական RAM-ը, SONOS-ը, ռեզիստիվ պատահական հասանելիությամբ հիշողությունը, ռեյսթրեք հիշողությունը, Nano-RAM-ը, 3D XPoint-ը և միլիպեդ հիշողությունը։

### Կիսակայուն հիշողություն
Հիշողության երրորդ տեսակը կիսակայունն է։ Այս տերմինն օգտագործվում է այնպիսի հիշողություն նկարագրելու համար, որն էներգիայի անջատումից հետո ունի սահմանափակ կայուն պահպանման տևողություն, բայց, ի վերջո, տվյալները կորչում են։ Կիսակայուն հիշողություն օգտագործելու տիպիկ նպատակը անկայուն հիշողություններին բնորոշ բարձր արդյունավետության և դիմացկունության ապահովումն է՝ միաժամանակ տալով կայուն հիշողության որոշ առավելություններ։

Օրինակներ՝

# Մաշված բջիջների օգտագործում. որոշ կայուն հիշողության տեսակներ մաշվում են գրելու ժամանակ։ Մաշված բջիջն, չնայած ավելի մեծ անկայունության, շարունակում է աշխատել։ Հաճախակի գրվող տվյալների տեղերը կարող են ուղղորդվել դեպի մաշված սխեմաները։ Քանի դեռ տեղեկատվությունը թարմացվում է որոշակի պահպանման ժամանակահատվածում, տվյալները մնում են վավեր։ Որոշ ժամանակ անց, եթե թարմացում չի եղել, տվյալների արժեքը պատճենվում է ավելի քիչ մաշված սխեմայի մեջ, որն ունի ավելի երկար պահպանման ժամկետ։ Սկզբում մաշված հատվածում գրելը թույլ է տալիս ապահովել գրելու բարձր արագություն՝ միաժամանակ խուսափելով չմաշված սխեմաների մաշվելուց։
# Spin-transfer torque magnetic RAM (STT-RAM) հիշողությունը կարող է դառնալ կայուն՝ կառուցելով մեծ բջիջներ, բայց դա մեծացնում է մեկ բիթի արժեքը և էներգիայի պահանջները և նվազեցնում գրելու արագությունը։ Փոքր բջիջներ օգտագործելը բարելավում է ծախսերը, էներգիան և արագությունը, բայց հանգեցնում է կիսակայուն պահվածքի։ Որոշ հավելվածներում մեծացած անկայունությունը կարելի է կառավարել՝ ապահովելով կայուն հիշողության շատ առավելություններ, օրինակ՝ անջատելով էներգիան, բայց սարքը միացնելով մինչև տվյալների կորուստը, կամ քեշավորելով միայն ընթերցման համար նախատեսված տվյալները և մաքրելով քեշը, եթե անջատման ժամանակահատվածը գերազանցում է կայունի շեմը։

«Կիսակայուն» տերմինն օգտագործվում է նաև այլ հիշողության տեսակներից կազմված կիսակայուն վարքագիծ նկարագրելու համար, ինչպես օրինակ nvSRAM-ը, որը նույն չիպի վրա համատեղում է SRAM-ը և կայուն հիշողությունը։ Այս դեպքում արտաքին ազդանշանը տվյալները պահպանում է անկայուն հիշողությունից կայուն հիշողություն, բայց եթե էներգիան անջատվում է մինչև պահպանումը, տվյալները կորչում են։ Մեկ այլ օրինակ է մարտկոցով ապահովված RAM-ը, որն օգտագործում է արտաքին մարտկոց՝ հիշողության սարքը սնուցելու համար՝ արտաքին էներգիայի կորստի դեպքում։ Եթե էներգիան երկար ժամանակ անջատված է, մարտկոցը կարող է սպառվել՝ հանգեցնելով տվյալների կորստի։

## Հիշողության կառավարում
Հիշողության պատշաճ կառավարումը կարևոր է համակարգչային համակարգի ճիշտ աշխատանքի համար։ Ժամանակակից օպերացիոն համակարգերն ունեն բարդ համակարգեր՝ հիշողությունը ճիշտ կառավարելու համար։ Դա չկատարելը կարող է հանգեցնել սխալների կամ ցածր արդյունավետության։

### Սխալներ
Հիշողության ոչ պատշաճ կառավարումը ծրագրային ապահովման մեջ սխալների և անվտանգության հետ կապված խնդիրների տարածված պատճառ է։ Ստորև ներկայացված են ամենատարածված դեպքերը.

* Հիշողության արտահոսք (*<bdi></bdi>*)․ այս սխալը տեղի է ունենում, երբ ծրագիրը օպերացիոն համակարգից հիշողություն է հատկացնում, բայց չի ազատում այն, երբ այլևս անհրաժեշտ չէ։ Ժամանակի ընթացքում այդ ծրագիրն աստիճանաբար ավելի ու ավելի շատ հիշողություն է զբաղեցնում՝ հանգեցնելով համակարգի դանդաղեցմանը, իսկ վերջում՝ ծրագրի կամ նույնիսկ ամբողջ համակարգի խափանմանը։
* Սեգմենտացիոն սխալ (*<bdi></bdi>*)․ սա տեղի է ունենում, երբ ծրագիրը փորձում է մուտք գործել հիշողության մի հատված, որի համար այն թույլտվություն չունի։ Օպերացիոն համակարգը, հայտնաբերելով նման խախտում, ավտոմատ կերպով դադարեցնում է ծրագրի աշխատանքը՝ կանխելով համակարգի անվտանգության հնարավոր խախտումները։
* Բուֆերի գերլցում (*<bdi></bdi>*)․ այն տեղի է ունենում, երբ ծրագիրը հատկացված հիշողության տարածքից դուրս տվյալներ է գրում՝ անցնելով այլ ծրագրերին հատկացված տարածք։ Սա կարող է առաջացնել ծրագրի անկանոն աշխատանք, տվյալների կորուստ կամ նույնիսկ համակարգի ամբողջական խափանում։ Այս տեսակի խոցելիությունը հաճախ օգտագործվում է չարամիտ հաքերների կողմից՝ համակարգչի վերահսկողությունն ստանձնելու համար։

### Վիրտուալ հիշողություն
Վիրտուալ հիշողությունը օպերացիոն համակարգի կողմից իրականացվող հիշողության կառավարման համակարգ է, որին սովորաբար աջակցում է կենտրոնական պրոցեսորի (CPU) մաս կազմող հիշողության կառավարման բլոկը (MMU)։ Այն թույլ է տալիս օգտագործել մի քանի տեսակի հիշողություն՝ ընդլայնելով քեշի հիերարխիան։ Օրինակ՝ տվյալների մի մասը կարող է պահվել արագագործ RAM-ում, իսկ մյուս մասը՝ ավելի դանդաղ կոշտ սկավառակի վրա (օրինակ՝ swapfile-ի միջոցով)։ 
Վիրտուալ հիշողությունն ունի մի քանի առավելություն.

* Ծրագրավորողի համար հարմարավետություն: Ծրագրավորողներն այլևս ստիպված չեն մտածել, թե որտեղ են ֆիզիկապես պահվում իրենց տվյալները կամ արդյոք օգտատիրոջ համակարգիչն ունի բավարար հիշողություն։
* Արդյունավետության բարձրացում: Օպերացիոն համակարգն ինքնաբերաբար տեղադրում է ակտիվորեն օգտագործվող տվյալները արագագործ RAM-ում՝ ապահովելով դրանց արագ մուտքը։

Այնուամենայնիվ, երբ RAM-ի ծավալը բավարար չէ բոլոր ծրագրերն աշխատեցնելու համար, համակարգիչը կարող է ավելի շատ ժամանակ ծախսել տվյալները RAM-ի և կոշտ սկավառակի միջև տեղափոխելու վրա, քան իրական առաջադրանքները կատարելու։ Այս երևույթը հայտնի է որպես թրեշինգ (*<bdi></bdi>*) և հանգեցնում է համակարգչի կտրուկ դանդաղեցման։

### Պաշտպանված հիշողություն
Պաշտպանված հիշողությունը համակարգ է, որի միջոցով յուրաքանչյուր ծրագրի հատկացվում է իր սեփական հիշողության տարածքը, և այն զերծ է պահվում այդ սահմաններից դուրս աշխատելուց։ Եթե օպերացիոն համակարգը հայտնաբերում է, որ ծրագիրը փորձել է փոփոխել մի հիշողություն, որը իրեն չի պատկանում, այդ ծրագիրն անմիջապես դադարեցվում է։ Այս մոտեցման շնորհիվ միայն խախտում կատարած ծրագիրն է խափանվում, իսկ մյուս ծրագրերը պաշտպանված են անսպասելի խնդիրներից, անկախ նրանից՝ խնդիրը պատահաբար է առաջացել, թե դիտավորյալ։ Պաշտպանված հիշողության օգտագործումը զգալիորեն բարձրացնում է համակարգի ինչպես հուսալիությունը, այնպես էլ անվտանգությունը։

Առանց պաշտպանության հիշողության աշխատանքի դեպքում մեկ ծրագրի սխալը կարող է փոխել մեկ այլ ծրագրի կողմից օգտագործվող հիշողությունը։ Սա կհանգեցնի նրան, որ երկրորդ ծրագիրը կաշխատի կոռումպացված տվյալներով՝ անկանխատեսելի արդյունքներով։ Եթե վնասվի օպերացիոն համակարգի հիշողությունը, ամբողջ համակարգիչը կարող է խափանվել և պահանջել վերագործարկում։ Երբեմն ծրագրերը միտումնավոր են փոփոխում ուրիշ ծրագրերի հիշողությունը։ Սա անում են վիրուսները և վնասակար ծրագրերը՝ համակարգիչը վերահսկելու համար։ Այն կարող է օգտագործվել նաև անվնաս նպատակներով, օրինակ՝ դեբագերների կողմից՝ ծրագրի մեջ ընդհատման կետեր կամ կապի կետեր (*<bdi></bdi>*) տեղադրելու համար։

## Նշումներ


## Ծանոթագրություններ

## Գրականություն
* 
* 

Կատեգորիա:IBM
Կատեգորիա:Թվային համակարգեր
Կատեգորիա:Ինֆորմատիկա
Կատեգորիա:Ինֆորմացիոն կրիչներ
Կատեգորիա:Կիսահաղորդիչներ
Կատեգորիա:Համակարգիչ
Կատեգորիա:Համակարգչային ճարտարապետություն
Կատեգորիա:Համակարգչի բաղկացուցիչներ
Կատեգորիա:Համացանց
Կատեգորիա:Հաշվարկում
Կատեգորիա:Հիշող սարքեր
Կատեգորիա:Հիշողության կառավարում
Կատեգորիա:Տեղեկատվության չափման միավորներ
Կատեգորիա:Տոներ