Տրանզիստոր

աջից|մինի|200px|Քանի տեսակ տրանզիստորներ
**Տրանզիստոր**, կիսահաղորդիչ սարք, որը սովորաբար օգտագործվում է էլեկտրական ազդանշանների ուժեղացման կամ փոխանջատման համար։ Տրանզիստորը կիսահաղորդիչ նյութի մի պինդ մարմնի մասով է սարքվում, և ունի գոնե երեք տերմինալներ (մուտքեր և ելքեր)՝ արտաքին սխեմայի միանալու համար։ Լարվածությունը կամ էլեկտրական հոսանքը, որ տրանզիստորի մի զույգին է կիրառվում, պատճառ է դառնում նրա տերմինալների մեկ այլ զույգից դուրս հոսող էլեկտրական հոսանքի փոփոխման։ Քանի որ այսպիսով հսկված ելքային էլեկտրական ուժը կարող է հսկող մտնող ուժից շատ ավելի բարձր լինել, տրանզիստորը տալիս է ազդանշանի ուժեղացումը (ամպլիֆիկացիան)։ Տրանզիստորը ժամանակակից էլեկտրական սարքերի հիմնական բլոկն է և օգտագործվում է ռադիոյում, հեռախոսում, համակարգչում և այլ էլեկտրական համակարգերում։ Որոշ տրանզիստորներ առանձնապես են փաթեթավորվում, սակայն մեծ մասամբ նրանք գտնվում են ինտեգրալ սխեմաներում։

## Կարևորություն
Տրանզիստորը շատերի կողմից նշվում է որպես քսաներորդ դարի «**ամենամեծ**» գյուտարարությունը, կամ ամենամեծերից։ Դա ամբողջ ժամանակակից էլեկտրոնիկայի ամենակարևոր ակտիվ բաղադրիչն է։ Իր ներկա հասարակությունում կարևորությունը հիմնված է իր մասսայական արտադրության ունակության վրա՝ մի հույժ ավտոմատիզացված ընթացքով արտադրմամբ, որը պատճառ է դառնում զարմանալիորեն ցածր տրանզիստորի ծախսի։

Թեև շատ ընկերություններից ամեն մեկը միլիարդից ավել առանձնապես փաթեթավորված տրանզիստորներ է արտադրում ամեն տարի, արտադրված տրանզիստորների մեծ մասը ինտեգրալ սխեմաներում (նաև ԻՍ, միկրոսխեմա կամ չիփ անվանմամբ) են՝ դիոդների, դիմադրությունների, կոնդենսատորների և այլ էլեկտրական բաղադրիչների հետ լրիվ էլեկտրական սխեմա կազմելով։ Մի տրամաբանական էլեմենտ մոտ քսան տրանզիստոր է պարունակում, մինչ 2006 թվականի զարգացած միկրոպրոցեսոր կարող է 1.7 միլիարդ տրանզիստորներ (MOSFET-ներ) օգտվել։

## Տեսակներ
Տրանզիստորները դասվում են ըստ՝
* Կիսահաղորդիչ նյութեր՝ գերմանիում, սիլիցիում, գալիումի արսենիդ, սիլիցիումի կարբիդ, և այլն
* Կառուցվածք՝ BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, և այլ տեսակներ
* Բևեռականությունը լինում է՝ NPN, PNP (BJT-ները); N-կանալ, P-կանալ (FET-երը)
* Առավելագույն հզորության վարկանիշ՝ ցածր, միջին, բարձր
* Առավելագույն գործողության հաճախականություն՝ ցածր, միջին, բարձր, ռադիոհաճախականություն (RF), գերբարձր հաճախականություն (տրանզիստորի առավելագույն էֆեկտիվ հաճախականությունը նշանակվում է f_\mathrm{T} տերմինով, «անցման հաճախականության» համար մի հապավում։ Անցման հաճխականությունը այն հաճախականությունն է, որում տրանզիստորը ենթարկում է մեկի հավասար ուժեղացման գործակից)։
* Կիրառում՝ փոխանջատում, ընդհանուր նպատակով, լսողական, բարձր լարվածություն, գերբետա, համապատասխանեցված զույգ
* Ֆիզիկական փաթեթավորում՝ ծակի միջի մետաղ, ծակի միջի պլաստիկ, մակերեսային տեղադրում, գունդ վանդակացանցի զանգված, ուժի բլոկներ
* Ամպլիֆիկացիայի գործոն hfe (տրանզիստորի բետա)

Ուրեմն, մի առանձին տրանզիստոր կարող է նկարագրվի որպես՝ «սիլիցիում, մակերեսային տեղադրվող, BJT, NPN, ցածր ուժի, բարձր հաճախականության փոխանջատող»

|- align = "center"
| 80px || PNP || 80px || 80px || 80px || 80px || P-կանալ
|- align = "center"
| 80px || NPN || 80px || 80px || 80px || 80px || N-կանալ
|- align = "center"
| BJT || || JFET || colspan="2"| MOSFET enh || MOSFET dep

Տրանզիստորը տեսականորեն կարելի է ընդունել որպես իրար միացրած 2 դիոդ։ Միացման ընդհանուր մասը կոչվում է բազա, մյուս երկու կողմերը՝ էմիտոր և կոլեկտոր։

## Տես նաև
* Սուսաննա Մադոյան

## Ծանոթագրություններ

Կատեգորիա:1947 տեխնոլոգիայում
Կատեգորիա:Ամերիկյան հայտնագործություններ
Կատեգորիա:Էլեկտրոնային բաղկացուցիչներ
Կատեգորիա:Կիսահաղորդիչ սարքեր
Կատեգորիա:Ռադիոտեխնիկա
Կատեգորիա:Տրանզիստորներ