Երկբևեռ տրանզիստոր

**Երկբևեռ հանգույցային տրանզիստոր** (**ԵՀՏ** կամ **երկբևեռ [[տրանզիստոր]]**), տրանզիստորի տեսակ է, որը կազմված է երկու տիպի կիսահաղորդչային կոնտակտներից։ ԵՀՏ-ներն կարող են օգտագործվել, որպես ուժեղարարներ, փոխարկիչներ, կամ որպես տատանակներ (օսցիլյատոր)։ ԵՀՏ-ները կարող են նաև հանդես գալ ինչպես անհատական դիսկրետ բաղադրիչներ այնպես էլ որպես ինտեգրալ սխեմաների բաղադրիչ մասեր։

*Երկբևեռ* տրանզիստորներին անվանում են այսպես, քանի որ նրանց գործունեության մեջ ընդգրկվում են և՛ էլեկտրոնները և՛ խոռոչները։ Այս երկու տեսակի լիցք կրողները՝ քվազիմասնիկները, բնութագրվում են երկու տեսակի նյութերով՝ դոպինգ կիսահաղորդչային (դոպված,n) կամ կիսահաղորդչային(p), ընդորում էլեկտրոնները ավելի շատ են n-տիպի կիսահաղորդիչներում, մինչդեռ էլեկտրոնային խոռոչները՝ p-տիպի կիսահաղորդիչներում։ Ի տարբերություն սրանց, միաբևեռ տրանզիստորները, ինչպիսիք են տեղային տրանզիստորները ունեն մեկ տեսակի քվազիմասնիկներ։

Լիցքերի հոսքը ԵՀՏ-ում տեղի է ունենում կիսահաղորդչային քվազիմասնիկների դիֆուզիայի միջոցով օգտագործելով երկու տարբեր մակերեսներում կենտրոնացված լիցքերի հանգույցը։ ԵՀՏ-ների այդ տարածքները անվանում են՝ *արտանետող/էմիտոր*, *հավաքող/կոլեկտոր*, և *հիմքը/բազա*։ Որպես կանոն, էմիտորային մակերեսները ավելի սեղմված են համեմատած մյուս երկուսի հետ, մինչդեռ քվազիմասնիկային կոնցետրացիանների շերտերը մեծապես գտնվում են բազայում և կոլեկտորում և գրեթե նույնն են։ Ըստ նախագծման, հիմնական ԵՀՏ-ների հոսանքը առաջանում է լիցքերի հոսքի ներարկում դեպի բարձր կոնցենտրացված էմիտորից դեպի բազա ֆիզիկական երոևույթի միջոցով, իսկ բազայում փոքր չափի կրիչներն են, որն էլ այն տարածում է դեպի կոլեկտոր, և այսպիսով ԵՀՏ-ը դասակարգվում են, որպես փոքր-կրիչավոր սարքեր։
## Ներածություն
thumb|right|NPN ԵՀՏ E–B հանգույցի առջևի կողմի հետ և B–C հանգույցի հակառակ կողմի հետ

ԵՀՏ-ները հանդես են գալիս երկու տիպով, կամ բևեռացումներով՝ PNP և NPN, հիմնված լինելով դոպինգ տեսակի երեք հիմնական թերմինալ տարածքներում։ NPN տրանզիստորը բաղկացած է երկու կիսահաղորդչային հանգույցներից որոնք կիսում են p-դոպված անոդ տարածքը, և PNP տրանզիստորը, որը բաղկացած է երկու հանգույցից՝ կիսելով փոքր n-դոպված կաթոդ տարածք։

Տիպիկ շահագորշման ժամանակ, բազային էմիտորը p-n հանգույցը առջևի կողմում է, ինչը նշանակում է, որ p-դոպված հանգույցի կողմը կրում է ավելի դրական ներուժ, քան n-դոպված կողմը, և բազային կոլեկտորի հանգույցը կողմորոշված է հակադիր։ Երբ NPN տրանզիստորում դրական կողմնորոշվածները կիրառկված են բազային եմիտորի հանգույցում ապա հավասարակշռումը խախտվում է թերմոգեներացված կրիչների և n-դոպված էմիտորի սպառվող տարածքների վանողական էլեկտրական դաշտի միջև։ Այն թույլ է տալիս քաոսային շարժման մեջ գտնվող էլեկտրոններին անցում կատարել էմիտորից դեպի բազային տարածք։ Այս էլեկտրոնները ցրվում են բազայի օգնությամբ՝ առջի էմիտորին մոտ բարձր կոնցենտրացված դիրքից դեպի կոլեկտորին մոտ ցածր կոնցենտրացված դիրք։ Բազայի էլեկտրոնները կոչվում են «փոքր կրիչներ», քանի որ բազան դոպված է p-տիպի, որը ստեղծում է խոռոչներ «մեծածավալ կրիչներ» բազայում։

## Արտաքին հղումներ

* Simulation of a BJT in the Common Emitter Circuit 
* Lessons In Electric Circuits Bipolar Junction Transistors (Note։ this site shows current as a flow of electrons, rather than the convention of showing it as a flow of holes)
* http://encyclobeamia.solarbotics.net/articles/bip_junct_trans.html 
* Characteristic curves
* ENGI 242/ELEC 222: BJT Small Signal Models 
* Transistor Museum, Historic Transistor Timeline 
* ECE 327: Transistor Basics  – Summarizes simple Ebers&ndash;Moll model of a bipolar transistor and gives several common BJT circuits.
* ECE 327: Procedures for Output Filtering Lab  – Section 4 ("Power Amplifier") discusses design of a BJT-Sziklai-pair-based class-AB current driver in detail.
* BJT Operation description for undergraduate and first year graduate students to describe the basic principles of operation of Bipolar Junction Transistor.

Կատեգորիա:Տրանզիստորներ