هدایت‌انتقالی

**هدایت‌انتقالی** (برای **هدایت انتقالی**)، که به ندرت نیز **[[مقاومت و رسانایی الکتریکی|هدایت]] متقابل** خوانده می‌شود، ویژگی الکتریکی مربوط به جریان عبوری خروجی یک قطعه به ولتاژ در ورودی قطعه است. هدایت عکس مقاومت است.

**ادمیتانس‌انتقالی** (یا **[[ادمیتانس]] انتقالی**) معادل AC هدایت‌انتقالی است

## تعریف

هدایت‌انتقالی اغلب به عنوان هدایت، *g* m، با یک زیرنویس، m برای *متقابل مشخص می‌شود*. به شرح زیر تعریف شده‌است:

: g_m = \frac{\Delta I_\text{out}}{\Delta V_\text{in}}

برای جریان متناوب سیگنال کوچک، تعریف ساده‌تر است:

: g_m = \frac{i_\text{out}}{v_\text{in}}

واحد SI، **[[زیمنس (یکا)|زیمنس]]**، با نماد **S** تعریف می‌شود و ۱ زیمنس = یک آمپر بر ولت است و واحد قدیمی هدایت *mho* (املا وارونه اهم)، نماد، **℧** با همان تعریف را می‌توان جایگزین کرد.

## مقاومت‌انتقالی
**مقاومت‌انتقالی** (برای **مقاومت انتقالی**)، که به ندرت از آن به عنوان **مقاومت متقابل** نیز یاد می‌شود، دوگان هدایت‌انتقالی است. به نسبت تغییر ولتاژ در دو نقطه خروجی و تغییر جریان از طریق دو نقطه ورودی اشاره دارد و به عنوان rm بیان می‌شود:

: r_m = \frac{\Delta V_\text{out}}{\Delta I_\text{in}}

واحد SI برای مقاومت‌انتقالی به سادگی اهم است.

**امپدانس‌انتقالی** (یا، **[[امپدانس الکتریکی|امپدانس]] انتقالی**) معادل AC مقاومت‌انتقالی دوگان انتقال است.

## تعریف در قطعات الکترونیکی
### لامپ‌های خلأ
برای لامپهای خلأ، هدایت‌انتقالی به عنوان تغییر جریان *صفحه* (آند) تقسیم شده بر تغییر متناظر در ولتاژ *شبکه* (کاتد)، با یک ولتاژ ثابت صفحه (آند) به کاتد تعریف می‌شود. معادله واندر بل رابطه آن‌ها را به شرح زیر تعریف می‌کند:

: g_m = \frac{\mu}{r_p}

### ترانزیستورهای اثر میدانی
به‌طور مشابه، در ترانزیستورهای اثر میدانی، و به ویژه ماسفتها، هدایت‌انتقالی هست تغییر در جریان درین تقسیم بر تغییر کوچک در ولتاژ گیت-سورس با ولتاژ درین-سورس ثابت.

با استفاده از مدل شیچمن-هاجز، هدایت‌انتقالی برای ماسفت می‌تواند به صورت زیر بیان شود (مقاله ماسفت را ببینید):

: g_m = \frac{2I_D}{V_\text{OV}}

در اینجا *I<sub>D</sub>* جریان DC درین در نقطه بایاس است، و *V**OV* ولتاژ اوردرایو است، که اختلاف ولتاژ بین نقطه بایاسِ گیت-سورس و ولتاژ آستانه (یعنی *V* *OV* ≡ *V* *GS* -*V<sub>th</sub>*) است.

علاوه بر این، هدایت‌انتقالی برای فت پیوندی توسط معادلهg_m = \frac}\left( {1 - \frac}} \right) داده شده‌است؛ که VP *[[ولتاژ گرفتگی]]* و IDSS حداکثر جریان درین است.

به‌طور سنتی، انتقال قدرت برای فت و ماسفت همان‌طور که در معادلات فوق آورده شده‌است از معادله انتقال هر قطعه و با استفاده از حساب بدست می‌آید. با این حال، کارترایت نشان داده‌است که این کار بدون محاسبه قابل انجام است.

### ترانزیستورهای دوقطبی
gm سیگنال کوچک ترانزیستورهای دوقطبی بسیار متفاوت، متناسب با جریان کلکتور است. تغییر ولتاژ ورودی اعمال‌شده بین بیس-امیتر است و خروجی تغییر در جریان کلکتور بین کلکتور-امیتر با ولتاژ کلکتور-امیتر ثابت است. دامنه معمول آن از ۱ تا ۴۰۰ میلی زیمنس است.

هدایت‌انتقالی برای ترانزیستور دوقطبی را می‌توان به صورت بیان کرد

: g_m = \frac{I_C}{V_{T}}

در اینجا *I<sub>C</sub>* جریان کلکتور در نقطه Q و *V <sub>T</sub>* ولتاژ حرارتی است، به‌طور معمول در دمای اتاق ۲۶ میلی ولت است. برای یک جریان معمولی ۱۰ میلی‌آمپر، *g<sub>m</sub>* ≈ 385 mS. امپدانس ورودی بهره جریان () تقسیم بر هدایت‌انتقالی است.

## جستارهای وابسته
* ترانزیستور
* لامپ خلأ
* تقویت‌کننده الکترونیکی
* تقویت‌کننده هدایت‌انتقالی
* پل فونتانا
* تقویت‌کننده هدایت‌انتقالی عملیاتی
* ماسفت

## منابع

* 

## پیوند به بیرون
* هدایت‌انتقالی - تعاریف SearchSMB.com
* انتقال قدرت در تقویت کننده‌های صوتی: مقاله توسط دیوید رایت از موسیقی خالص https://web.archive.org/web/20070206073621/http://www.beauhorn.com/articles/TC_amps_&_SD_horns.html

رده:پارامترهای الکتریکی
رده:مقاومت و رسانایی الکتریکی