Unipolarni tranzistori

mini|Izgled FET tranzistora
**Unipolarni**  odnosno FET (eng. Field-effect transistor) tranzistori su oni kojima se naponski upravlja jačinom struje, tj. električnim poljem pa su zbog toga i dobili naziv tranzistori sa efektom polja. Elektrode FET-a: 
* **uvod** ("*source*")
* **odvod** ("*drain*")
* **upravljačka elektroda** ("*gate*")

Source i Drain su elektrode izvedene iz slojeva poluprovodnika koje povezuju "kanal". Zavisno o tipu poluprovodnika od kojeg je izrađen kanal razlikujemo dva tipa unipolarnih tranzistora: **N-kanalni** i **P-kanalni**.

Upravljačka elektroda može biti izolovana od kanala ili spojena sa kanalom. Zato prema konstrukciji razlikujemo: *spojni FET* (**JFET**) i *FET sa izolovanim gate-om* (**MOSFET**)

## Princip rada spojnog FET-a (JFET) 
mini|83x83piksel|Simbol N-kanalnog JFET-a
Kod spojnog FETa gate i kanal formiraju PN spoj, koji mora biti inverzno polarisan tako da preko gate-a ne teče struja:

I_G=0
mini|83x83piksel|Simbol P-kanalnog JFET-a
U suprotnom tranzistor bi bio spaljen. U slučaju N-kanalnog tranzistora P-gate se priključuje na -, a N-source na +. Izvor u izlaznom krugu (Udd) treba da pokrene većinske nosioce struje u kanalu da se kreću od source-a prema drain-u. Kod N-kanalnog većinski su nosioci elektroni pa da bi se kretali prema drain-u on mora biti pozitivan. Zato je drain priključen na + pol izvora Udd.

Na inverzno polarisanom PN spoju, gate-kanal nastaje zaporni sloj. Što je napon inverzne polarizacije veći, zaporni sloj je širiji, pa je kanal uži, i obrnuto. Ako je kanal uži manje je elektrona u njemu pa je struja Id manja. Prema tome napon Ugs određuje širinu kanala a atime i jačinu struje kroz tranzistor.

## MOSFET tranzistori 
mini|Struktura MOSFET tranzistora
MOSFET tranzistori imaju slične osobine kao i JFET, ali se razlikuju od njega po konstrukciji i principu rada. Izlaznom strujom MOSFET-a upravlja se pomoću električnog polja izazvanog djelovanjem ulaznog napona, slično kao kod JFET-a. Osnovna razlika između JFET-a i MOSFET-a je u tome što se u ulaznom kolu JFET-a nalazi inverzno polarisan PN spoj, (gejt-kanal), zbog čega je ulazna otpornost velika, dok je kod MOSFET-a ugrađen tanak sloj izolacionog materijala između gate-a i kanala u ulaznom kolu, tako da je ulazna otpornost još veća i dostiže vrijednost do 10^{15}Ω. Kod MOSFET-a razlikujemo:
* *N-kanalni osiromašeni* MOSFET
* *N-kanalni obogaćeni* MOSFET
* *P-kanalni osiromašeni* MOSFET
* *P-kanalni obogaćeni* MOSFET

## Statičke karakteristike FET-a 
Statičke karakteristike FET-a grafički predstavljaju zavisnost ulaznog napona Ugs, izlaznog napona Uds i izlazne struje Id kada su u kolo priključeni samo izvor za polarizaciju gate-a Ug i izvor napajanja Ud, kada na ulazu ne djeluje izmjenični signal.

Za FET traznistore značajne su samo izlazne i prijenosne karakteristike. Ulazna struja, zbog vrlo velike ulazne otpornosti FET-a, zanemarljivo je malog intenziteta. Izlazna karakteristika FET-a ima sljedeći matematički zapis:

I_d=f(U_{ds}) \quad / U_{gs}=const.

Prijenosna karakteristika FET-a ima sljedeći matematički zapis:

I_d=f(U_{gs}) \quad /U_{ds}=const.

## Reference 
Kategorija:Električne komponente
Kategorija:Tranzistori
Kategorija:Austrijski izumi
Kategorija:Egipatski izumi
Kategorija:Japanski izumi