İzzət Əfəndiyeva

**İzzət Əfəndiyeva** () — Fizika üzrə elmlər doktoru, 1977-ci ildən BDU-da çalışır.

## Həyat və fəaliyyəti
1950-ci il sentyabrın 10-da Azərbaycan Respublikası, Gəncə şəhərində anadan olmuşdur. 1967-ci ildə Azərbaycan Dövlət Universitetinin (indiki Bakı Dövlət Universiteti) Fizika fakültəsinin əyani şöbəsinə (rus bölməsində) daxil olmuş və 1972-ci ildə həmin universitetin məzunu olmuşdur. 1997-ci ildən Bakı Dövlət Universitetində çalışır.

## Təhsili, elmi dərəcəsi və adları
* 1972-ci ildə Bakı Dövlət Universitetinin Fizika fakültəsini fizik, fizika müəllimi ixtisası almaqla bitirib.
* 1991-ci ildə Gənclər İnstitutu (Bakı ş.) Menecment və Biznes şöbəsini "Xarici iqtisadi fəaliyyətin təşkili və texnikası" ixtisasını almaqla bitirib.
* 1987-ci ildə "Keçid elementləri əsasında olan mürəkkəb oksidlərin–polyar dielektriklərin optik xassələri və elektron quruluşu" (01.04.10-yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası) namizədlik,
* 2013-cü ildə "Al-TiW-PtSi/n-Si, Al-TiW-Pd 2Si/n-Si, Al-TiW/n-Si, AlNi/n-Si, Al- TiCu/n-Si elektron quruluşu və daşınma mexanizmləri" (2211–01-bərk cisim fizikası) doktorluq dissertasiyası müdafiə etmişdir.
* 2009-cu ildə "Yarımkeçiricilər və dielektriklər fizikası" ixtisası üzrə dosent elmi adı alıb.

## Əmək fəaliyyəti
* 1972–1974-Gəncə şəhəri 17 saylı dəmir-yolu məktəbinin fizika müəllimi;
* 1974–1977-illərdə Azərbaycan Elmlər Akademiyası Fizika İnstitutu Xüsusi Konstruktor Bürosunun mühəndisi;
* 1977–1989-Bakı Dövlət Universiteti Yarımkeçiricilər Fizikası Elmi-Tədqiqat Laboratoriyasında (indiki Fizika Problemləri Elmi-Tədqiqat İnstitutu) kiçik elmi işçi, vəzifəsində işləmişdir.
* 1989–1997-ci illərdə Bakı Dövlət Universiteti Elmi-Tədqiqat Hissəsinində nəşriyyat və sərgi işləri üzrə qrup rəhbəri, 1-ci prorektorun müavini;
* 1997–2018-ci illərdə böyük elmi işçi, aparıcı elmi işçi, baş elmi işçi vəzifələrində işləmişdir.
* 2012-ci ildən BDU Elmi-Tədqiqat Hissəsinin rəisi vəzifəsində işləyir.
* 2018-ci ilin 17 sentyabr tarixindən Fiziki Elektronika kafedrasında 0,5 ştat professor vəzifəsində çalışır.
* 1992–1997-ci illərdə "Bakı Universitetinin Xəbərləri" jurnalı Baş Redaksiyasının məsul katibi olmuşdur.
* 1989–2005-ci illərdə Radiotexnika, Elektronika və Rabitə Elmi-Texniki Cəmiyyətin Rəyasət Heyətinin üzvü.
* 2007-ci ildən YAP-ın üzvüdür. 104 elmi əsərin müəllifidir. 2 aspirantla rəhbərlik etmişdir.

## Əsas elmi nailiyyətləri
* Spektral parametrli ikinci tərtib elliptik tip diferensial-operator tənlikləri üçün sərhəd şərtlərinə spektral parametr və qeyri-məhdud operator daxil olduqda sərhəd məsələlərinin həll olunması və onların spektral xassələrinin öyrənilməsi.

## Beynəlxalq seminar, simpozium və konfranslarda iştirakı
# 14-th RE Research Conference, North Dacota State Univ., USA,(ABŞ 1979);
# Rusiya, Çernoqolovka, 1981;
# Malaga, Spain (İspaniya) 1983;
# Rusiya, İrkutsk, 1989;
# International Conference on Solar Energy and the Islamic countries (SEIC), Iran, Tehran, 1995;
# 2 Inter-national Non-Renewable Energy Sources Congress Tehran, Iran, 1998;
# International Conference on Fluid and Thermal Energy Conversion, Indonesiya, Bandung, 2000;
# The 23 Conference on Solid State Science & Workshop on Physics and Appli-cation Potential of Functional Ceramic, Thin Films, Sharm El-Sheikh, Sinai., Egypt,(Misir) 2002;
# Х1 Υoĝun Madde Fiziĝi, Ankara Toplantısı (Türkiyə) 2004;
# Türk Fizik Dernegi 23. Fizik Kongresi, 2005, Muĝla-Türkiyə; Atom-Molekul ve cekirdek sistemlerininm yapıları ve spektrumları, Uluslara. Konf., Canak-kale, 18 mart Universitesi (Türkiyə) 2005;
# Third Intern. Conference on Technical and Physical Problems in Power Engineering, Ankara (Türkiyə) 2006;
# 6-th International Conference of the Balkan Physical Union (BPU-6), Stanbul (Türkiyə) 2006;
# Condensed Matter Phys Conference of Balkan Countries cmpc-bc 2008, Mugla (Türkiyə).

## Elmi əsərlərin siyahısı
# Mamedov A. M, Lebedeva N. N., Efendieva İ. M. "Domain Structure and Optical Properties of Gadolinium Molibdate", 14-th RE Research Conference, Jun. 25–28, 1979, North Dacota State Univ., USA, 1979.
# Mamedov, A. M; Shilnikov, V. I; Efendieva I. M. "Analysis of Ba2NaNb5O15 reflection spectra by the Kramers-Kronig method" Optika I Spektroskopiya, v.53, i.1, p. 5–7, 1982
# Mamedov M. A., Osman M. A., Efendieva I. M. "VUV spectra and electron structure of oxygen-tetrahedral ferroelectrics" V European Meeting on Ferro-electricity. (Abstracts), Malaga, Spain, p. 4014, 1983.
# Osman M. A., Mamedov A. M ., Efendieva İ. M. "Light-scattering in Gadolinium Molybdate due to domain-structure" Journal of physics-condensed matter, v.2, i.28, 1989.
# Afandiyeva I. M., Askerov Sh. G., Abdullayeva L. K., Aslanov Sh. S. The obtaining of Al-Ti10W90/n-Si Schottky diodes and investigation of their interface surface state density. Solid State Electronics, 51,2007, p. 1096.
# Əfəndiyeva İ. M., Ş. Q. Əskərov, L. K. Abdullayeva, və b. "Al0,8Ni0,2/nSi diodları ayrılma sərhəddinin electron xassələri" Fizika, XIII, № 3,2007, s. 62.
# Afandiyeva I. M., Dökme İ., Altındal Ş., Bülbül M., Tataroĝlu A. Frequency and voltage effects on the dielectric properties and electrical conductivity of Al-TiW-Pd2Si/n-Si structures. Microelectronic Engineering, 85, 2008, p. 247.
# Afandiyeva I. M., Dökme İ., Altındal Ş., Askerov Sh. G., Abdullayeva L. K. The frequency and voltage dependent electrical characteristics of Al-TiW-Pd2Si/n-Si structure using I–V, C-V and G/ω-V measurements. Microelectronic Engineering. 85, 2008, p. 365.
# Dökme İ., Altındal Ş., Afandiyeva I. M. The distribution of the barrier height in Al-TiW-Pd2Si/n-Si Schottky diodes from I-V-T measurements. Semiconductor Science and Technology. 23, 2008, 1.
# Эфендиева И.М., "Определение эффективной толщины зазора КМП с поликристаллическим металлическим слоем", Труды Международной Конференции "Научно-технический прогресс и современная авиация", Баку, февр. 2009. с.311.
# Эфендиева И.М., "Исследование	электрофизических параметров контактов металл-полупроводник Al-TiCu/n-Si с поликристаллической металлической пленкой" AMEA-nın Xəbərləri, Fiz. riy. elm. seriy. XXX, № 2, 2010, c.118.
# Эфендиева И.М., "Фрактальные исследования границы раздела КМП Al-TiCu/n-Si" Journal of Qafgaz University, vol.1, 29, 2010, c.86.
# Üslü H., Altındal Ş, Aydemir U., Dökme İ., Afandiyeva I. M. The interface states and series resistance effects on the forward and reverse bias I–V, C-V and G/ω-V characteristics of Al-TiW-Pd2Si/n-Si Schottky barrier diodes. Journal of Alloys and Compounds, 503,2010, p. 96.
# Üslü H., Dökme İ., Altındal Ş., Afandiyeva I. M., Illumination effect on I–V, C-V and G/w-V characteristics of Al-TiWPd2Si/n-Si structures at room temperature. Surface and Interface Analysis. 42, 2010, p. 807.
# Afandiyeva I. M., Özçelik S, Abdullayeva L. K. Photoluminescence study of metal film’s impact on silicon energetic structure. Journal of Qafgaz University, vol.1, 29, 2010, p. 96.
# Afandiyeva I. M. The temperature, frequency and voltage dependent characteristics of Al-TiW-Pd2Si/n-Si structure using I–V, C—V and G/ω—V measurements. Azerbaijan Journal of Physics-Fizika, XVI,3–4, 2010, p. 102.
# Afandiyeva I. M. Frequency, voltage and temperature effects on the inductive properties of Al-TiW-PtSi/n-Si Schottky diodes. AMEA-nın Xəbərləri, Fiz.riy.elm., seriy. XXXI, № 2, 2011, s.29.
# Afandiyeva I. M., M. Bülbül, Ş. Altındal, S. Bengi. Frequency dependent dielectric properties and electrical conductivity of Platinum silicide/Si contact structures with diffusion barrier. Microelectronic Engineering, 93, 2012, p. 50.
# I. M. Afandiyeva, S. Demirezen, S. Altındal. Temperature dependence of forward and reverse bias current–voltage characteristics in Al–TiW–PtSi/n-Si Schottky barrier diodes with the amorphous diffusion barrier. Journal of Alloys and Compounds, 552 (2013) p. 423–429.
# Afandiyeva I. M, Ş. Altindal, E. Maril, T. Z. Guliyeva et al. "The investigation of tunnel properties of Al-TiW-PtSi/n-Si (111) (MS) Schottky barrier diodes (SBDs) in the wide temperature range" Journ. of Qafgaz University, vol.2, N2, 2014, p. 107–118.
# И.М.Эфендиева, Л.К.Абдуллаева, Т.З.Кулиева, и др. "АС-проводимость диодов Шоттки Al-TiW-PtSi/n-Si" Journ. of Qafgaz University, 2015, v.3, N 1. р.49–52.
# I. M. Afandiyeva, Ş. Altindal,	L. K. Abdullayeva et.al. "The frequency and voltage dependentof C-V and G/w-V of Al-TiW-PtSi/n-Si structures at	room temperature" Journ. of Qafgaz University, 2015, v.3, N 2. р.105–111.
# Afandiyeva İ. M., Askerov Sh. G., Abdullayeva L. K., et al. "İllumination dependent I–V characteristics of PtSi/n-Si (111) Schottky barrier diodes (SBDS) at room temperature" Journ. of Qafgaz University, 2016, v.4 № 2, p. 106–114.
# I. M. Afandiyeva, L. K. Abdullayeva, T. Z. Guliyeva, SH. M. Gojayeva "Influence of Illumination on Dielectric Properties of Al-TiW-PtSi/n-Si Schottky Diodes Baku, Int Confr, "Modern trends in Physics" 22 april 2017, p. 33–37, (Baku, Fizfak, 2017)
# I. M. Afandiyeva, Ş. Altındal, L. K. Abdullayeva "Illumination dependent electrical characteristics of PtSi/n-Si(111) Schottky barrier diodes (SBDs) at room temperature "J. Modern Technology & Engineering" Vol.2, No.1, 2017, p. 43–56.
# I. M. Afandiyeva, Ş. Altındal, L. K. Abdullayeva, A. İ. Bayramova "Self-assembled patches in PtSi/n-Si(111) diodes" J. Semicond. 2018, 39 054002

## İstinadlar