Vaqif Səfərov

**Vaqif Səfərov Hüseyngulu oglu** (5.3.1941, Şamaxı) — fizik, fizika üzrə fəlsəfə doktoru (1979), dosent. Bakı Dövlət Universitetini bitirmişdir. Əsas tədqiqat sahəsi : A3B6 ,A2B6  əsasında hazırlanmış bərk məhlulların monokristalında optik və fotoelektrik prosseslərinin tədqiqi  və məhluldan elektrokimyəvi çökdürmə üsulu ilə A2B6 tip yarımkeçiricilərin nazik təbəqələrini və onların əsasında yüksək effektivliyə malik müxtəlif təyinatlı strukturların hazırlanmasına həsr olunmuşdur. 90 elmi məqalənin və 9 patentin müəllifidir,nanotexnologiyanin əsasları haqqında alı məktəblər üçün dərsliyin müəllifi.

## Həyatı
Vaqif Səfərov 5 mart 1941-ci ildə Azərbaycan Respublikası, Şamaxı şəhərində anadan olub, ali təhsilli fizik, fizika müəllimidir. Ailəlidir, 2 övladı var, Azərbaycanlıdır, Bakı şəhərində yaşayir.

1958 - 1963 Bakı Dövlət Universiteti, Fizika fakültəsi, fizika ixtisası (tələbə)
1969 – 1972 Bakı Dövlət Universiteti, Fizika fakültəsi, Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasının aspirantı 

1990 Bakı Dövlət Universiteti, Fizika fakültəsi, Fiziki elektronika kafedrasının dosenti 
1979 - Alçaq və yüksək həyəcanlanmada qallium halkogenidlərinin və onların vismut, itterbiyumun halkonedləri əsasında alınmış bərk məhlullarının optik və fotoelektrik xassələrinin tədqiqi

1967-1969 BDU-nun Molekulyar fizika kafedrasının mühəndisi
1969-1972 BDU-nun Yarımkeçiricilər fizikası kafedrasının aspirantı 
1972-1982 BDU-nun Fiziki elektronika kafedrasının laboratoriya müdiri 
1982-1984 BDU-nun Fiziki elektronika kafedrasının assistenti
1984-1990 BDU-nun Fiziki elektronika kafedrasının baş müəllimi
1990-dan BDU-nun Fiziki elektronika kafedrasının dosenti 

Hansı dərsləri aparır
Ümumi fizika, 
Radiofizika, 
Elektron texnikasının materialları, 
Bərk cisim fizikası, 
Materialşünaslıq,Elektron cihazların lahiyələndirilməsi və texnoloqiyası 
Mikro- və nanoelectronikanın əsaslsrı
90 elmi məqalənin və 9 patentin müəllifidir
Həyata keçirdiyi təcrübələr və elmi yenilikləri haqqinda:A3B6 ,A2B6  əsasında hazırlanmış bərk  monokristalında optik və fotoelektrik prosseslərinin tədqiqi  və məhluldan elektrokimyəvi çökdürmə üsulu ilə A2B6 tip yarımkeçiricilərin nazik təbəqələrin və onların əsasında yüksək effektivliyə malik müxtəlif təyinatlı strukturların hazırlanması.

BEYNƏLXALQ SEMİNAR, SİMPOZİUM VƏ KONFRANSLARDA İŞTİRAKI

2006 – TRE-063 International Conference on “Technical and Physical and Physical Problems in Power Engineering (Türkiyə) 
2008 – Fizikanın aktual problemləri, V Beynəlxalq elmi texniki konfransının materialları (Bakı)

2011- XIII Международная конференция "Опто-,Наноэдектроника,Нанотехнологии и мокросистемы,(Ульяновск,Россия).

TƏDQİQAT SAHƏSİ

A3B6 ,A2B6  əsasında hazırlanmış bərk məhlulların monokristalarında optik və fotoelektrik prosseslərinin tədqiqi və   məhluldan elektrokimyəvi çökdürmə üsulu ilə A2B6 tip yarımkeçiricilərin nazik təbəqələrini və onların əsasında yüksək effektivliyə malik müxtəlif təyinatlı strukturların hazırlanması

## Seçilmiş əsərləri
1. CaGa2Se4 kristalının fotoelektrik xassəsi. BDU-nun xəbərləri məcmuəsi, 4, səh.125, 2003 

2. As2Se3-As2Te3 şüşəvari birləşmə sisteminin istilik keçiriciliyi. Bakı Universitetinin Xəbrləri. № 2, s.130-135, 2008 

3. n-CdZnSSe nazik lövhələrdə aşırma effekti. Fizika, c.XIV, b.3, s.107-108, 2008 

4. İkifotonlu həyəcanlaşmada qallium sulfiddə rekombinasiya şüalanması. ФТП. т.6, стр.2258, 1972 

5. GaSx Se1-x-də ikifotonlu udulmanın ölçülməsi. ФТП т. II, в.I , стр.132, 1977 

6. (GaS)1-x (Bi2S3)x (x=0,005¸ 0,03) bərk məhlulunda fotokeçiricilik və optik udulma. ФТП т.9, стр.1840, 1978

7. Şüalanmış günəş elementərinin ultrasəslə emalı. «Гелиотехника», № 2, стр.17-21, 2006

8.Elektron texnikasinin materialları və nanotexnologiyanın əsasları,Alı məktəblər üçün dərslik,"Təhsil",2010 il

9.Двухфотонное поглощение излучения неодимого лазера в тонких пленках ZnSxSe1-x, Bakı Universitetinin xəbərləri ,N3, 2011 il

10.Солнечные фото-преобразователи с продолжительным сроком службы, XVI-той Международной конференции(Ульяновск, 2013 )

11. Establishment of electric field after sudden current modification in a positive column of a heilum discharge, 10 th International Conference on "Technical and Physical Problems of Elecrical Engineering", 7-8 september 2014 (Bakı,Azerbaijan).

12. Зависимость эффективности солнечных элементов на основе P-N  перехода из аморфного металлического сплава от высоты барьера P-N перехода,Bakı Universitetinin xəbərləri ,N3, 2015 il

13.ФРЭЭ и скачок потенциала в двойном  слое дугового разряда в гелии,Enerqetikanın problemləri, Bakı 2016.

14.Определение вольт-амперных характеристик аргоновой плазмы с помощью следящего зонда, Известия высших учебных заведений,Физика 2017 ( Томский государственный университет,Россия).

## İstinadlar